KR20190112504A - LED pixel unit and LED display panel comprising the same - Google Patents
LED pixel unit and LED display panel comprising the same Download PDFInfo
- Publication number
- KR20190112504A KR20190112504A KR1020180034570A KR20180034570A KR20190112504A KR 20190112504 A KR20190112504 A KR 20190112504A KR 1020180034570 A KR1020180034570 A KR 1020180034570A KR 20180034570 A KR20180034570 A KR 20180034570A KR 20190112504 A KR20190112504 A KR 20190112504A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- led chip
- vertical led
- wiring
- vertical
- display panel
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 65
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical group [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 67
- 239000010408 film Substances 0.000 description 27
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229920006336 epoxy molding compound Polymers 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
Description
본 발명은 엘이디 픽셀 유닛 및 이를 포함하는 엘이디 디스플레이 패널에 관한 것으로서, 더 상세하게는, 엘이디 픽셀 유닛을 구성하는 수 내지 수백 마이크로미터 크기의 버티컬 엘이디 칩들이 개별 구동 가능하게 연결된 엘이디 디스플레이 패널에 관한 것이다.The present invention relates to an LED pixel unit and an LED display panel including the same. More particularly, the present invention relates to an LED display panel in which vertical LED chips constituting the LED pixel unit are individually driveably connected to each other. .
통상적인 풀-컬러 엘이디 디스플레이 장치에 있어서, 각 픽셀은 적색 엘이디, 녹색 엘이디 및 청색 엘이디로 구성된다. 근래 들어서는, 적색 엘이디, 녹색 엘이디, 청색 엘이디 및 백색 엘이디로 각 픽셀을 구성하는 엘이디 디스플레이 장치도 제안된 바 있다.In a typical full-color LED display device, each pixel is composed of a red LED, a green LED, and a blue LED. In recent years, LED display apparatuses that configure each pixel with red LEDs, green LEDs, blue LEDs, and white LEDs have also been proposed.
엘이디 디스플레이 패널 제작을 위해 RGB를 구현하기 위한 기술로 엘이디 패키지를 마운트 기판에 실장하는 기술과 엘이디 칩을 마운트 기판에 실장하는 기술이 있다. 전자의 경우, 청색 엘이디 패키지, 녹색 엘이디 패키지 및 적색 엘이디 패키지를 마운트 기판에 실장하여 이를 엘이디 디스플레이 패널에 적용하는 것으로서, 작은 크기의 디스플레이 패널에 이용되기 어렵고 디스플레이 패널의 해상도를 높이는데 어려움이 있다. 후자의 경우, 청색 엘이디 칩, 녹색 엘이디 칩 및 적색 엘이디 칩을 패키지에 넣지 않고 직접 마운트 기판에 실장하는 기술로, 전자에 비하여, 상대적으로 작은 크기로 구현 가능하여 디스플레이 장치의 해상도 및 색 재현성을 향상시키는데 유리하다. As a technique for implementing RGB for LED display panel manufacturing, there are technologies for mounting an LED package on a mount substrate and technologies for mounting an LED chip on the mount substrate. In the former case, the blue LED package, the green LED package, and the red LED package are mounted on a mount substrate and applied to the LED display panel. Therefore, the blue LED package, the green LED package, and the red LED package are applied to the LED display panel. In the latter case, the blue LED chip, the green LED chip, and the red LED chip are directly mounted on the mount substrate without being packaged. The latter can be implemented in a relatively small size compared to the former, thereby improving the resolution and color reproducibility of the display device. It is advantageous to.
그러나, 종래에는 청색 엘이디 칩, 녹색 엘이디 칩 및 적색 엘이디 칩으로 이용되는 엘이디 칩 구조가 상부 또는 하부에 모두 전극이 필요한 래터럴 칩(lateral chip) 구조이거나 플립 칩(flip chip) 구조이어서, 소형화에 여전히 한계가 있다. 특히, 래터럴 칩 구조를 포함하는 엘이디 칩을 이용하는 경우, 본딩 와이어가 추가로 더 필요하다는 단점이 있다. However, conventionally, the LED chip structure used as the blue LED chip, the green LED chip, and the red LED chip is either a lateral chip structure or a flip chip structure in which electrodes are required at the top or the bottom thereof, and thus the size is still small. There is a limit. In particular, in the case of using an LED chip including a lateral chip structure, there is a disadvantage in that an additional bonding wire is required.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 수 내지 수백 마이크로미터 크기의 제1, 제2 및 제3 버티컬 엘이디 칩들이 본딩와이어 없이 개별 구동 가능하게 구성된 엘이디 픽셀 유닛 및 이를 포함하는 엘이디 디스플레이 패널을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in an effort to provide an LED pixel unit and a LED display panel including the first, second, and third vertical LED chips having a size of several hundreds of micrometers, each of which can be individually driven without a bonding wire.
본 발명의 일측면에 따른 엘이디 디스플레이 패널은, 제 1 배선부, 제 2 배선부, 제 3 배선부 및 제 4 배선부를 포함하는 마운트 기판; 및 상기 마운트 기판에 배치되는 하나 이상의 엘이디 픽셀 유닛;을 포함하며, 상기 엘이디 픽셀 유닛은 제1 버티컬 엘이디 칩, 제2 버티컬 엘이디 칩 및 제3 버티컬 엘이디 칩과, 상기 제1 버티컬 엘이디 칩, 상기 제2 버티컬 엘이디 칩 및 상기 제3 버티컬 엘이디 칩의 상부 전극들에 공통적으로 연결되는 공통 전극과, 상기 제1 버티컬 엘이디 칩, 상기 제2 버티컬 엘이디 칩 및 상기 제3 버티컬 엘이디 칩의 하부 전극들에 각각 개별적으로 연결되는 제1 접속부, 제2 접속부 및 제3 접속부와, 상기 공통 전극의 하부에 연결되는 제4 접속부를 포함하고, 상기 제1 배선부, 상기 제2 배선부, 상기 제3 배선부 및 상기 제4 배선부는, 상기 제1 버티컬 에이디 칩, 상기 제2 버티컬 엘이디 칩 및 상기 제3 버티컬 엘이디 칩이 개별 구동되도록, 상기 제1 접속부, 상기 제2 접속부, 상기 제3 접속부 및 상기 제4 접속부 각각에 개별 연결된다.According to an aspect of an exemplary embodiment, an LED display panel includes: a mount substrate including a first wiring part, a second wiring part, a third wiring part, and a fourth wiring part; And at least one LED pixel unit disposed on the mount substrate, wherein the LED pixel unit includes a first vertical LED chip, a second vertical LED chip, and a third vertical LED chip, the first vertical LED chip, and the first vertical LED chip. A common electrode commonly connected to the upper electrodes of the second vertical LED chip and the third vertical LED chip, and the lower electrodes of the first vertical LED chip, the second vertical LED chip, and the third vertical LED chip, respectively. A first connection part, a second connection part, and a third connection part connected to each other; and a fourth connection part connected to a lower portion of the common electrode, wherein the first wiring part, the second wiring part, the third wiring part, and The fourth wiring portion includes the first connection portion and the second connection so that the first vertical LED chip, the second vertical LED chip, and the third vertical LED chip are individually driven. The third connection part and the fourth connection part are individually connected to each other.
일 실시예에 따라, 상기 제1 접속부, 상기 제2 접속부, 상기 제3 접속부 및 상기 제4 접속부는 상기 제1 버티컬 엘이디 칩, 상기 제2 버티컬 엘이디 칩 및 상기 제3 버티컬 엘이디 칩 및 상기 공통 전극이 지지되는 지지 기판에 형성된다.The first connector, the second connector, the third connector, and the fourth connector are the first vertical LED chip, the second vertical LED chip, the third vertical LED chip, and the common electrode. It is formed in the support substrate which is supported.
일 실시예에 따라, 상기 제1 접속부, 상기 제2 접속부, 상기 제3 접속부 및 상기 제4 접속부는 상기 지지 기판을 관통하는 제1 비아 홀, 상기 제2 비아 홀, 제3 비아 홀 및 상기 제4 비아 홀에 각각 형성되는 제1 비아, 제2 비아, 제3 비아 및 제4 비아를 각각 포함한다.In an embodiment, the first connection part, the second connection part, the third connection part, and the fourth connection part include a first via hole, the second via hole, a third via hole, and the first connection part that penetrates the support substrate. A first via, a second via, a third via, and a fourth via, respectively formed in the four via holes.
일 실시예에 따라, 상기 엘이디 디스플레이 패널은 상기 제1 접속부, 상기 제2 접속부, 상기 제3 접속부 및 상기 제4 접속부는, 상기 제1 비아, 상기 제2 비아, 상기 제3 비아 및 상기 제4 비아의 상부와 각각 접촉하도록, 상기 지지 기판 상에 분리되어 형성되는 제1 전극막, 제2 전극막, 제3 전극막 및 제4 전극막을 더 포함하다.The LED display panel may include the first connection portion, the second connection portion, the third connection portion, and the fourth connection portion including the first via, the second via, the third via, and the fourth connection portion. The semiconductor device may further include a first electrode film, a second electrode film, a third electrode film, and a fourth electrode film formed on the support substrate so as to contact the upper portion of the via.
일 실시예에 따라, 상기 제1 비아, 상기 제2 비아, 상기 제3 비아 및 상기 제4 비아 각각은 중공을 포함한다.According to one embodiment, each of the first via, the second via, the third via and the fourth via comprises a hollow.
일 실시예에 따라, 솔더들이 상기 제1 배선부의 상단과 상기 제1 비아의 사이, 상기 제2 배선부의 상단과 상기 제2 비아의 사이, 상기 제3 배선부의 상단과 상기 제3 비아의 사이의 사이, 상기 제4 배선부의 상단과 상기 제4 비아의 사이를 연결한다.According to an embodiment, solders may be disposed between the upper end of the first wiring part and the first via, between the upper end of the second wiring part and the second via, and between the upper end of the third wiring part and the third via. Between the upper end of the fourth wiring portion and the fourth via.
일 실시예에 따라, 솔더들이 상기 제1 배선부의 상단과 상기 제1 비아의 사이, 상기 제2 배선부의 상단과 상기 제2 비아의 사이, 상기 제3 배선부의 상단과 상기 제3 비아의 사이의 사이, 상기 제4 배선부의 상단과 상기 제4 비아의 사이를 연결하되, 상기 솔더들 각각은 상기 제1 비아, 상기 제2 비아, 상기 제3 비아 및 상기 제4 비아의 중공 각각에 부분적으로 유입된다.According to an embodiment, solders may be disposed between the upper end of the first wiring part and the first via, between the upper end of the second wiring part and the second via, and between the upper end of the third wiring part and the third via. And between the fourth via and the fourth via, wherein each of the solders partially flows into the hollow of the first via, the second via, the third via, and the fourth via, respectively. do.
일 실시예에 따라, 상기 제1 전극막과 상기 제1 버티컬 엘이디 칩의 하부 전극 사이, 상기 제2 전극막과 상기 제2 버티컬 엘이디 칩의 하부 전극 사이, 상기 제3 전극막과 상기 제3 버티컬 엘이디 칩의 하부 전극 사이, 및 상기 공통 전극의 하부와 상기 제4 전극막의 사이 각각이 범프볼들에 의해 연결된다.In an embodiment, between the first electrode layer and a lower electrode of the first vertical LED chip, between the second electrode layer and a lower electrode of the second vertical LED chip, the third electrode layer and the third vertical layer. Bump balls are connected between the lower electrodes of the LED chip and between the lower part of the common electrode and the fourth electrode film.
일 실시예에 따라, 상기 범프볼들은 상기 제1 비아, 상기 제2 비아, 상기 제3 비아 또는 상기 제4 비아의 주변을 따라 형성된다.In some embodiments, the bump balls are formed along a periphery of the first via, the second via, the third via, or the fourth via.
일 실시예에 따라, 상기 지지 기판은 전기 절연성 기판일 수 있다.According to one embodiment, the support substrate may be an electrically insulating substrate.
일 실시예에 따라, 상기 제1 비아, 상기 제2 비아, 상기 제3 비아, 상기 제4 비아는 상기 제1 비아 홀, 상기 제2 비아홀, 상기 제3 비아 홀 및 상기 제4 비아 홀의 내부면에 증착된 금속 재료에 의해 형성된다.According to an embodiment, the first via, the second via, the third via, and the fourth via may include inner surfaces of the first via hole, the second via hole, the third via hole, and the fourth via hole. It is formed by a metal material deposited on.
일 실시예에 따라, 상기 제1 전극막, 상기 제2 전극막, 상기 제3 전극막 및 상기 제4 전극막은 전극 분리선들에 의해 한정되며, 상기 분리선들은 상기 지지 기판에 적층된 금속층이 식각되어 형성된다.In example embodiments, the first electrode film, the second electrode film, the third electrode film, and the fourth electrode film are defined by electrode separation lines, and the separation lines are formed by etching a metal layer stacked on the support substrate. Is formed.
일 실시예에 따라, 상기 금속층은 접착제에 의해 상기 지지 기판에 접합된 구리 포일일 수 있다.According to one embodiment, the metal layer may be a copper foil bonded to the support substrate by an adhesive.
일 실시예에 따라, 상기 엘이디 픽셀 유닛은 복수개이고, 상기 제1 배선부는 상기 복수개의 엘이디 픽셀 유닛들의 제1 접속부들에 공통적으로 연결되고, 상기 제2 배선부는 상기 복수개의 엘이디 픽셀 유닛들의 제2 접속부들에 공통적으로 연결되고, 상기 제3 배선부는 상기 복수개의 엘이디 픽셀 유닛들의 제3 접속부들에 공통적으로 연결되고, 상기 제4 배선부는 상기 복수개의 엘이디 픽셀 유닛들의 제4 접속부들에 공통적으로 연결된다.In example embodiments, the plurality of LED pixel units may be connected to each other, and the first wiring part may be commonly connected to the first connection parts of the plurality of LED pixel units, and the second wiring part may be connected to the second pixels of the plurality of LED pixel units. Commonly connected to the connecting portions, the third wiring portion is commonly connected to the third connecting portions of the plurality of LED pixel units, and the fourth wiring portion is commonly connected to the fourth connecting portions of the plurality of LED pixel units. do.
일 실시예에 따라, 상기 엘이디 픽셀 유닛은 상기 제1 버티컬 엘이디 칩, 상기 제2 버티컬 엘이디 칩, 상기 제3 버티컬 엘이디 칩 및 상기 공통 전극의 측면들과 접하도록 형성되고 전기 절연성을 갖는 지지층을 더 포함한다.According to an embodiment, the LED pixel unit may further include a support layer formed to be in contact with side surfaces of the first vertical LED chip, the second vertical LED chip, the third vertical LED chip, and the common electrode. Include.
일 실시예에 따라, 상기 지지층에 의해 지지된 패턴 배선층에 의해 상기 제1 버티컬 엘이디 칩, 상기 제2 버티컬 엘이디 칩 및 상기 제3 버티컬 엘이디 칩의 상부 전극들과 상기 공통 전극의 상부면이 연결된다.In example embodiments, upper electrodes of the first vertical LED chip, the second vertical LED chip, and the third vertical LED chip may be connected to an upper surface of the common electrode by a pattern wiring layer supported by the support layer. .
일 실시예에 따라, 상기 지지층은 상기 패턴 배선층을 지지하는 플랫한 상부면과, 상기 제1 버티컬 엘이디 칩과 상기 제2 버티컬 엘이디 칩 사이, 상기 제2 버티컬 엘이디 칩과 상기 제3 버티컬 엘이디 칩 사이, 상기 제1 또는 제3 버티컬 엘이디 칩과 상기 공통 전극 사이에 오목부를 포함하는 하부면을 포함한다.The support layer may include a flat upper surface supporting the pattern wiring layer, between the first vertical LED chip and the second vertical LED chip, and between the second vertical LED chip and the third vertical LED chip. And a lower surface including a recess between the first or third vertical LED chip and the common electrode.
일 실시예에 따라, 상기 지지층은, 상기 기판 상에 배치되기 전에, 상기 제1 버티컬 엘이디 칩, 상기 제2 버티컬 엘이디 칩, 상기 제3 버티컬 엘이디 칩 및 상기 공통 전극과 일체화된 것이다.According to one embodiment, the support layer is integrated with the first vertical LED chip, the second vertical LED chip, the third vertical LED chip and the common electrode before being disposed on the substrate.
일 실시예예 따라, 상기 지지층은 광 흡수 또는 광 반사성 물질이 포함된 수지 재료로 형성된다.According to one embodiment, the support layer is formed of a resin material containing a light absorbing or light reflecting material.
본 발명의 다른 측면에 따라 마운트 기판 상에 배치되는 엘이디 픽셀 유닛이 제공된다. 상기 엘이디 엘이디 픽셀 유닛은, 제1 버티컬 엘이디 칩; 제2 버티컬 엘이디 칩; 제3 버티컬 엘이디 칩; 상기 제1 버티컬 엘이디 칩, 상기 제2 버티컬 엘이디 칩 및 상기 제3 버티컬 엘이디 칩의 상부 전극들에 공통적으로 연결되는 공통 전극; 및 상기 제1 버티컬 엘이디 칩, 상기 제2 버티컬 엘이디 칩 및 상기 제3 버티컬 엘이디 칩들의 하부 전극들에 연결되는 제1 접속부, 제2 접속부 및 제3 접속부와, 상기 공통 전극의 하부에 연결되는 제4 접속부가 형성되는 지지 기판을 포함하며, 상기 상기 제1 버티컬 에이디 칩, 상기 제2 버티컬 엘이디 칩 및 상기 제3 버티컬 엘이디 칩을 개별 구동시키는 전원 입/출력단들이 형성되도록, 상기 제1 접속부, 상기 제2 접속부, 상기 제3 접속부 및 상기 제4 접속부 각각이 상기 마운트 기판의 제1 배선부, 제2 배선부, 제3 배선부 및 제4 배선부에 개별 연결되다.According to another aspect of the invention there is provided an LED pixel unit disposed on a mount substrate. The LED LED pixel unit may include a first vertical LED chip; A second vertical LED chip; A third vertical LED chip; A common electrode commonly connected to upper electrodes of the first vertical LED chip, the second vertical LED chip, and the third vertical LED chip; And a first connection part, a second connection part, and a third connection part connected to lower electrodes of the first vertical LED chip, the second vertical LED chip, and the third vertical LED chip, and a lower part of the common electrode. And a supporting substrate on which four connections are formed, wherein power input / output terminals for individually driving the first vertical LED chip, the second vertical LED chip, and the third vertical LED chip are formed. Each of the second connecting portion, the third connecting portion, and the fourth connecting portion is individually connected to the first wiring portion, the second wiring portion, the third wiring portion, and the fourth wiring portion of the mount substrate.
본 발명에 따르면, 수 내지 수백 마이크로미터 크기의 버티컬 엘이디 칩들이 본딩와이어 없이 개별 구동 가능하게 연결된 엘이디 픽셀 유닛들이 마운트 기판 상에 어레이된 엘이디 디스플레이 패널이 구현된다. 또한, 본 발명은 버티컬 엘이디 칩들의 크기를 더욱 더 줄이는 것이 가능하다. 이는 본 발명에 따른 엘이디 픽셀 유닛이 디스플레이 패널에 적용될 때 엘이디 디스플레이 패널의 영상 품질을 향상시키는데 크게 기여할 수 있다.According to the present invention, an LED display panel is implemented in which LED pixel units, in which vertical LED chips of several to hundreds of micrometers are individually driveably connected without bonding wires, are arranged on a mount substrate. In addition, the present invention makes it possible to further reduce the size of the vertical LED chips. This can greatly contribute to improving the image quality of the LED display panel when the LED pixel unit according to the present invention is applied to the display panel.
본 발명은 예컨대 TSV(Through Silicone Via) 또는 TGV(Through Glass Via) 공법 또는 그와 유사한 공법을 적용한 증착에 의해 제1, 제2, 제3 버티컬 엘이디 칩의 상단면에 배선 패턴층을 형성할 수 있고, 이를 통해, 배선 패턴층이 마이크로미터 단위의 버티컬 엘이디들의 상부 전극들을 정밀하게 연결할 수 있다.The present invention can form a wiring pattern layer on the top surface of the first, second, and third vertical LED chips, for example, by deposition using TSV (Through Silicone Via) or TGV (Through Glass Via) method or the like. Through this, the wiring pattern layer may precisely connect the upper electrodes of the vertical LEDs in micrometers.
통상 마이크로미터 단위의 버티컬 엘이디 칩들을 포함하는 패키지 구조의 엘이디 픽셀 유닛을 PCB에 바로 연결시 RGB 전체 병렬로 구동되어 VF 편차 및 전류 구동의 편차가 생기지만, 본 발명에 따라 전술한 것과 같이 제작된 엘이디 픽셀 유닛은 개별 전류 구동 제어가 가능하다.In general, when an LED pixel unit having a package structure including vertical LED chips of micrometers is directly connected to a PCB, the RGB pixel unit is driven in parallel with the RGB, resulting in a VF deviation and a current driving deviation. The LED pixel unit can control the individual current drive.
또한, 본 발명에 따르면, 마이크로미터 단위의 버티컬 엘이디 칩들을 범프볼들로 접속부들이 형성된 지지 기판에 접합한 후, 그 접속부들과 마운트 기판의 배선부들을 각각 솔더로 연결하므로, 제작시에 리멜팅이 발생 문제를 보완할 수 있다. 버티컬 엘이디 칩들의 상면은 수 마이크로미터 단위의 배선 연결을 위한 증착 포이트가 취약하여 운반시 증착 부분이 손상되거나 분리될 수 있는데, 본 발명에 따르면, 엘이디 픽셀 유닛 내 버티컬 엘이디 칩들을 모두 지지하는 지지층 상에 증착된 배선 패턴층이 적용되므로, 버티컬 엘이디 칩들 사이의 원치 않는 움직임을 막을 수 있어, 배선 패턴층의 손상을 막을 수 있다. In addition, according to the present invention, after bonding the vertical LED chips of the micrometer unit to the support substrate formed with the connection parts with bump balls, the connection parts and the wiring parts of the mount substrate are connected to each other by soldering, thus remelting at the time of manufacture. This problem can be compensated for. The upper surface of the vertical LED chips has a weak deposition point for wiring connection of several micrometers, so that the deposition portion may be damaged or separated during transportation. According to the present invention, the support layer may support all of the vertical LED chips in the LED pixel unit. Since the wiring pattern layer deposited thereon is applied, unwanted movement between vertical LED chips can be prevented, thereby preventing damage to the wiring pattern layer.
도 1은, 본 발명에 따른 엘이디 디스플레이 패널을 설명하기 위한 단면도로서, 도시의 편의를 위해 버티컬 엘이디 칩들과 공통 전극이 일렬로 나란한 상태가 되도록 도시한 도면이다.
도 2는 엘이디 디스플레이 패널의 일 실시예를 설명하기 위한 평면도이다.
도 3은 엘이디 픽셀 유닛의 일 실시예를 설명하기 위한 평면도이다.
도 4는 엘이디 픽셀 유닛의 다른 실시예를 설명하기 위한 평면도이다.
도 5는 엘이디 픽셀 유닛의 또 다른 실시예를 설명하기 위한 평면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating an LED display panel according to an exemplary embodiment of the present invention. For the convenience of illustration, the vertical LED chips and the common electrodes are arranged in line with each other.
2 is a plan view illustrating an embodiment of an LED display panel.
3 is a plan view illustrating an embodiment of an LED pixel unit.
4 is a plan view illustrating another embodiment of an LED pixel unit.
5 is a plan view illustrating another embodiment of an LED pixel unit.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
도 1은, 본 발명에 따른 엘이디 디스플레이 패널을 설명하기 위한 단면도로서, 도시의 편의를 위해 버티컬 엘이디 칩들과 공통 전극이 일렬로 나란한 상태가 되도록 도시한 도면이다. 1 is a cross-sectional view illustrating an LED display panel according to an exemplary embodiment of the present invention. For the convenience of illustration, the vertical LED chips and the common electrodes are arranged in line with each other.
도 1을 참조하면, 엘이디 디스플레이 패널은, 복수개의 엘이디 픽셀 유닛(2)들과, 상기 엘이디 픽셀 유닛(2)들이 배치되는 마운트 기판(100)을 포함한다. 상기 마운트 기판(100)은 직사각형 또는 정사각형의 형태로 형성되고, 상기 복수개의 엘이디 픽셀 유닛(2)들은 상기 마운트 기판(100) 상에 행렬 배열로 배열된다.Referring to FIG. 1, an LED display panel includes a plurality of
상기 복수개의 엘이디 픽셀 유닛(2)들 각각은, 전류 인가에 의해 적색광을 발하는 제1 버티컬 엘이디 칩(200), 전류 인가에 의해 녹색광을 발하는 제2 버티컬 엘이디 칩(300) 및 전류 인가에 의해 청색광을 발하는 제3 버티컬 엘이디 칩(400)을 포함한다. 또한, 상기 복수개의 엘이디 픽셀 유닛(2)들 각각은 상기 제1 버티컬 엘이디 칩(200), 상기 제2 버티컬 엘이디 칩(300) 및 상기 제3 버티컬 엘이디 칩(400)의 상부 전극들에 공통적으로 연결되는 공통 전극(600)을 포함한다.Each of the plurality of
또한, 상기 복수개의 엘이디 픽셀 유닛(2)들 각각은 상기 제1 버티컬 엘이디 칩(200), 상기 제2 버티컬 엘이디 칩(300) 및 상기 제3 버티컬 엘이디 칩(400)의 하부 전극들에 각각 개별적으로 연결되는 제1 접속부(510), 제2 접속부(520) 및 제3 접속부(530)와, 상기 공통 전극(600)의 하부에 연결되는 제4 접속부(540)를 포함한다.In addition, each of the plurality of
도 1에서 구체적인 도시를 생략하였지만, 상부 전극의 위치는 제1 버티컬 엘이디 칩(200), 제2 버티컬 엘이디 칩(300) 및 제3 버티컬 엘이디 칩(400)의 상단으로 정해지고, 하부 전극의 위치는 제1 버티컬 엘이디 칩(200), 제2 버티컬 엘이디 칩(300) 및 제3 버티컬 엘이디 칩(400)의 하단에 구비되어 있다. 그리고, 상기 상부 전극과 상기 하부전극은 다른 전기적 극성을 갖는다.Although not shown in detail in FIG. 1, the position of the upper electrode is determined as an upper end of the first
한편, 상기 제1 접속부(510), 상기 제2 접속부(520), 상기 제3 접속부(530) 및 상기 제4 접속부(540)는 상기 제1 버티컬 엘이디 칩(200), 상기 제2 버티컬 엘이디 칩(300) 및 상기 제3 버티컬 엘이디 칩(400) 및 상기 공통 전극(600)이 지지되는 지지 기판(501)에 형성된다. Meanwhile, the first connector 510, the
상기 제1 접속부(510), 상기 제2 접속부(520), 상기 제3 접속부(530) 및 상기 제4 접속부(540)는 상기 지지 기판(501)을 관통하는 제1 비아 홀, 상기 제2 비아 홀, 제3 비아 홀 및 상기 제4 비아 홀에 각각 형성되는 제1 비아(512), 제2 비아(522), 제3 비아(532) 및 제4 비아(542)를 각각 포함한다. 이때, 상기 지지 기판(501)은 유리 또는 실리콘 기판과 같은 전기 절연성 기판이며, 상기 제1 비아(512), 상기 제2 비아(522), 상기 제3 비아(532), 및 상기 제4 비아(542)는 상기 제1 비아 홀, 상기 제2 비아홀, 상기 제3 비아 홀 및 상기 제4 비아 홀의 내부면에 증착된 금속 재료, 바람직하게는, Au에 의해 형성될 수 있다. 상기 금속 재료의 증착량 제어를 통해 상기 제1 비아(512), 상기 제2 비아(522), 상기 제3 비아(532) 및 상기 제4 비아(542)는 내부에 중공(V)을 갖도록 형성되며, 이 중공(V)는 이하 설명되는 솔더 일부의 유입을 허용하여 더욱 더 안정적인 본딩을 가능하게 한다.The first connection part 510, the
또한. 상기 제1 접속부(510), 상기 제2 접속부(520), 상기 제3 접속부(530) 및 상기 제4 접속부(540)는, 상기 제1 비아(512), 상기 제2 비아(522), 상기 제3 비아(532) 및 상기 제4 비아(542)의 상부와 각각 접촉하도록, 상기 지지 기판(501) 상에 분리되어 형성되는 제1 전극막(513), 제2 전극막(523), 제3 전극막(533) 및 제4 전극막(543)을 더 포함한다.Also. The first connecting portion 510, the second connecting
한편, 상기 엘이디 픽셀 유닛(2)은 상기 제1 버티컬 엘이디 칩(200), 상기 제2 버티컬 엘이디 칩(300), 상기 제3 버티컬 엘이디 칩(400) 및 상기 공통 전극(600)의 측면들과 접하도록 형성되고 전기 절연성을 갖는 지지층(800)을 더 포함한다. 상기 지지층(800)에 의해 지지된 패턴 배선층(700)에 의해 상기 제1 버티컬 엘이디 칩(200), 상기 제2 버티컬 엘이디 칩(300) 및 상기 제3 버티컬 엘이디 칩(400)의 상부 전극들과 상기 공통 전극(600)의 상부면이 연결된다.On the other hand, the
상기 지지층(800)은 상기 패턴 배선층(700)을 지지하는 플랫한 상부면과, 상기 제1 버티컬 엘이디 칩(200)과 상기 제2 버티컬 엘이디(300) 칩 사이, 상기 제2 버티컬 엘이디 칩(300)과 상기 제3 버티컬 엘이디 칩(400) 사이, 상기 제1 또는 제3 버티컬 엘이디 칩(200 또는 400)과 상기 공통 전극(600) 사이에 오목부(810)를 포함하는 하부면을 포함한다.The
이때, 상기 지지층(800)은, 상기 마운트 기판 상에 배치되기 전에, 상기 제1 버티컬 엘이디 칩(200), 상기 제2 버티컬 엘이디 칩(300), 상기 제3 버티컬 엘이디 칩(400) 및 상기 공통 전극(600)과 일체로 패키지화된 것이다. 이때, 상기 지지층(800)은 광 흡수 또는 광 반사성 물질이 포함된 수지 재료로 형성된다. 상기 지지층(800)의 저면이 오목한 면들을 포함하는 것과 달리 상기 지지층(800)의 상면은 상기 제1 버티컬 엘이디 칩(200), 상기 제2 버티컬 엘이디 칩(300) 및 상기 제3 버티컬 엘이디 칩(400)의 상면과 상기 공통 전극(600)의 상면과 동일 평면을 이루는 플랫한 면인 것이 바람직하다. 또한, 상기 지지 기판(501)과 지지층(800) 사이에는 지기 기판(501)에 대한 신뢰성 있는 결합과 버티컬 엘이디칩들을 보호하기 위해 위해 수지 재료를 채워 형성한 언더필층(1100)이 형성된다. At this time, the
한편, 상기 제1 전극막(513)과 상기 제1 버티컬 엘이디 칩(200)의 하부 전극 사이, 상기 제2 전극막(523)과 상기 제2 버티컬 엘이디 칩(300)의 하부 전극 사이, 상기 제3 전극막(533)과 상기 제3 버티컬 엘이디 칩(400)의 하부 전극 사이, 및 상기 공통 전극(600)의 하부와 상기 제4 전극막(543)의 사이 각각은 범프볼(bump ball; 180)들에 의해 연결된다. 이때, 상기 범프볼(180)들은 상기 제1 비아(512), 상기 제2 비아(522), 상기 제3 비아(532) 또는 상기 제4 비아(542)의 주변을 따라 형성된다. 다시 말해, 복수개의 범프볼(180)들, 더 바람직하게는, 3개 이상의 범프볼(180)들이 하나의 비아(512, 522 또는 532)의 중심에 대하여 일정한 거리를 유지한 채 일정한 간격으로 형성되는 것이 바람직하다.On the other hand, between the
상기 제1 전극막(512), 상기 제2 전극막(522), 상기 제3 전극막(532) 및 상기 제4 전극막(542)은 전극 분리선(L)들에 의해 한정되며, 상기 전극 분리선(L)들은 상기 지지 기판(501)에 적층된 금속층이 식각되어 형성된다. 상기 금속층은 접착제, 더 구체적으로는 UV 경화성 접착제(502)에 의해 상기 지지 기판(501)에 접합된 구리 포일(foil)일 수 있다. The
본 실시예에 따르면, 유리 또는 실리콘 기판과 같은 지지 기판(501)과 구리 포일을 UV 경화성 접착층(502)에 의해 접합한 후, 구리 포일을 식각하여 상기 제1 전극막(512), 상기 제2 전극막(522), 상기 제3 전극막(532) 및 상기 제4 전극막(542)을 형성한 후, 지지 기판(501)과 구리 포일을 접합한 접합체에 제1, 제2 및 제3 비아홀을 형성하고, 그 제1, 제2, 제3 및 제4 비아홀에 Au를 증착함으로써, 상기 제1, 제2, 제3 및 제4 전극막(512, 522, 532 및 542)과 각각 접해 있는 제1, 제2, 제3 및 제4 비아(512, 512, 532, 542)를 형성할 수 있다.According to the present embodiment, after the
도 1에서는 버티컬 엘이디 칩들(200, 300, 400)과 공통 전극(600)이 하나의 단면을 따라 일렬로 배열된 것처럼 도시되고 패턴 배선층(500)이 그 일렬을 따라 직선 형태인 것으로 도시되어 있지만, 이는 도시의 편의를 위한 것이며, 가장 바람직하게는, 3개의 버티컬 엘이디 칩들(200, 300, 400)과 하나의 공통 전극(600)이 사각형으로 배열될 수 있다(도 2 참조). 패턴 배선층(700)에 의해 버티컬 엘이디 칩들(200, 300, 400)이 가려지는 영역이 최소로 될 수 있도록, 패턴 배선층(700)은 매우 작은 선폭을 갖는 선형으로 형성되는 것이 바람직하다.In FIG. 1, the
한편, 위와 같은 구조를 갖는 복수개의 엘이디 픽셀 유닛(2)들이 마운트 기판(100) 상에 실장된다. Meanwhile, the plurality of
한편, 상기 마운트 기판(100)은 제1 배선부(110), 제2 배선부(120), 제3 배선부(130) 및 제4 배선부(140)를 포함한다. 그리고, 상기 제1 배선부(110), 상기 제2 배선부(120), 상기 제3 배선부(130) 및 상기 제4 배선부(140)는, 상기 제1 버티컬 에이디 칩(200), 상기 제2 버티컬 엘이디 칩(300) 및 상기 제3 버티컬 엘이디 칩(400)을 개별 구동시키는 전원 입/출력단들이 형성되도록, 상기 제1 접속부(510), 상기 제2 접속부(520), 상기 제3 접속부(530) 및 상기 제4 접속부(540) 각각에 개별 연결된다. 앞에서 언급한 바와 같이, 상기 제1 접속부(510), 상기 제2 접속부(520), 상기 제3 접속부(530) 및 상기 제4 접속부(540)은 제1 비아(512), 제2 비아(522), 제3 비아(532) 및 제4 비아(542)를 포함한다. 그리고, 상기 제1 비아(512), 상기 제2 비아(522), 상기 제3 비아(532) 및 상기 제4 비아(542)의 하단은 지지 기판(501)의 저면에서 노출된 채 마운트 기판(100)의 상면과 마주한다.The
한편, 솔더(190)들이 상기 제1 배선부(110)의 상단과 상기 제1 비아(512)의 사이, 상기 제2 배선부(120)의 상단과 상기 제2 비아(522)의 사이, 상기 제3 배선부(130)의 상단과 상기 제3 비아(532)의 사이, 상기 제4 배선부(140)의 상단과 상기 제4 비아(542)의 사이를 연결한다. 이때, 상기 솔더(190)들 각각은 상기 제1 비아(512), 상기 제2 비아(522), 상기 제3 비아(532) 및 상기 제4 비아(542)의 중공(V) 각각에 부분적으로 유입될 수 있다. 솔더(190)들이 상기 비아들(512, 522, 532, 542)의 중공(V)에 유입된 후 굳어져 엘이디 픽셀 유닛(2)들을 고정하므로, 보다 더 신뢰성 있는 결합이 가능하다.Meanwhile, solders 190 may be disposed between the upper end of the
앞에서 언급한 바와 같이, 상기 엘이디 픽셀 유닛(2)은 복수개이다. 상기 제1 배선부(110)는 상기 복수개의 엘이디 픽셀 유닛(2)들의 제1 접속부(510)들에 공통적으로 연결되고, 상기 제2 배선부(120)는 상기 복수개의 엘이디 픽셀 유닛(2)들의 제2 접속부(520)들에 공통적으로 연결되고, 상기 제3 배선부(130)는 상기 복수개의 엘이디 픽셀 유닛(2)들의 제3 접속부(530)들에 공통적으로 연결되고, 상기 제4 배선부(140)는 상기 복수개의 엘이디 픽셀 유닛(2)들의 제4 접속부(540)들에 공통적으로 연결된다. As mentioned above, the
여기에서, 상기 제1 배선부(110)는, 제1 절연층(101) 상에 형성된 제1 배선 패턴(111)과, 하단에서 상기 제1 배선 패턴(111)과 연결되고 상단에서 솔더(190)에 의해 제1 비아(512)와 연결되는 제1 배선 비아(112)를 포함한다. 또한, 상기 제2 배선부(120)는, 제2 절연층(102) 상에 형성된 제2 배선 패턴(121)과, 하단에서 상기 제2 배선 패턴(121)과 연결되고 상단에서 솔더(190)에 의해 상기 제2 비아(522)와 연결되는 제2 배선 비아(122)를 포함한다. 상기 제3 배선부(130)는, 제2 절연층(102) 저면에 형성된 제3 배선 패턴(131)과, 하단에서 상기 제3 배선 패턴(131)과 연결되고 상단에서 솔더(190)에 의해 제3 비아(532)와 연결되는 제3 배선 비아(132)를 포함한다. 상기 제4 배선부(140)은 제4 배선 패턴(141)과, 하단에서 상기 제4 배선 패턴(141)과 연결되고 상단에서 솔더(190)에 의해 제4 비아(542)와 연결되는 제4 배선 비아(142)를 포함한다. Here, the
도 1은, 엘이디 픽셀 유닛(2) 내 버티컬 엘이디 칩(200, 300, 400)들과 엘이디 픽셀 유닛(2) 내 접속부들(510, 520, 530, 540) 사이의 연결 관계와, 엘이디 픽셀 유닛(2) 내 접속부들(510, 520, 530, 540)과 마운트 기판(100)의 배선부들(110, 120, 130, 140) 사이의 연결 관계를 모두 보이도록 하기 위해, 실제로는 하나의 단면으로 표시될 수 없는 부분들을 하나의 단면으로 표시한 도면임에 유의한다.1 illustrates a connection relationship between the
도 2, 도 3, 도 4 및 도 5를 보면, 엘이디 디스플레이 패널 평면 및 엘이디 픽셀 유닛 평면의 여러 다양한 실시예를 볼 수 있다. 이때, 도 2, 도 3, 도 4 및 도 5는, 설명하고자 하는 여러 구성들 및 연결관계들을 한 단면에서 모두 보여주기 위해 쓰인 도 1과 일치되지 않는 부분이 있음에 유의해야 할 것이다. 2, 3, 4, and 5, various embodiments of the LED display panel plane and the LED pixel unit plane can be seen. 2, 3, 4 and 5, it should be noted that there is a part that does not match the Figure 1 used to show all the various configurations and connection relationships to be described in one section.
도 2를 참조하면, 바람직한 실시예의 엘이디 디스플레이 패널(1000)에 있어서, 마운트 기판(100)의 형상(즉, 평면 형상)이 정사각형 또는 직사각형으로 되어 있고, 다수의 엘이디 픽셀 유닛(2)들은 상기 마운트 기판(100) 상에 행렬 배열로 배열됨을 알 수 있다.Referring to FIG. 2, in the
도 3을 참조하면, 각 엘이디 픽셀 유닛(2) 내에서, 제1 버티컬 엘이디 칩(200), 제2 버티컬 엘이디 칩(300) 및 제3 버티컬 엘이디 칩(400) 및 공통 전극(600)은 지지 기판(501) 상에 사각형으로 배열되며, 상기 지지 기판(501)은, 제1 버티컬 엘이디 칩(200)의 하부전극, 제2 버티컬 엘이디 칩(300)의 하부전극 및 제3 버티컬 엘이디 칩(400)의 하부전극 및 공통 전극(600)의 하부면에 전기적으로 연결되는 제1 접속부(510; 도 1 참조), 제2 접속부(520; 도 1 참조) 및 제3 접속부(530; 도 1 참조)와, 상기 공통 전극(600)의 하부에 연결되는 제4 접속부(540; 도 1 참조)가 형성된 것이다. 이때, 상기 제1 버티컬 엘이디 칩(200), 상기 제2 버티컬 엘이디 칩(300) 및 상기 제3 버티컬 엘이디 칩(400)의 하부 전극들은 제1 내지 제3 접속부(510, 520, 530; 도 1 참조)를 통해 마운트 기판(100)에 개별 구동 가능하게 연결되고, 상기 공통 전극(600)의 하부는 제4 접속부(540; 도 1 참조)를 통해 마운트 기판(100; 도 1 참조)에 접지될 수 있다.Referring to FIG. 3, in each
이때, 상기 마운트 기판은 도 1에 도시된 구조의 기판이거나 또는 다른 구조를 갖는 TFT(Thin Film Transistor) 기판 또는 PCB(Printed Circuit Board)일 수 있다.In this case, the mount substrate may be a substrate having a structure shown in FIG. 1 or a TFT (Thin Film Transistor) substrate or a printed circuit board (PCB) having another structure.
상기 제1 버티컬 엘이디 칩(200), 제2 버티컬 엘이디 칩(300), 제3 버티컬 엘이디 칩(400) 및 공통 전극(600) 각각의 상면 폭은 100㎛ 이하 가장 바람직하게는 30~70㎛ 크기를 갖는다.Top surfaces of each of the first
또한, 상기 엘이디 픽셀 유닛(2) 각각은 제1 버티컬 엘이디 칩(200)의 상부, 제2 버티컬 엘이디 칩(300)의 상부 및 제3 버티컬 엘이디 칩(400)의 상부와 상기 공통 전극(600)의 상부를 전기적으로 연결하는 패턴 배선층(700)을 포함한다. 또한, 상기 엘이디 픽셀 유닛(2) 각각은 제1 버티컬 엘이디 칩(200), 제2 버티컬 엘이디 칩(300), 상기 제3 버티컬 엘이디 칩(400) 및 상기 공통 전극(600)의 측면들과 접하도록 형성된 채 상기 패턴 배선층(700)을 지지하는 지지층(800)을 포함한다.In addition, each of the
상기 제1 버티컬 엘이디 칩(200), 상기 제2 버티컬 엘이디 칩(300) 및 제3 버티컬 엘이디 칩(400) 각각은, 적색 엘이디 칩(200), 녹색 엘이디 칩(300) 및 청색 엘이디 칩(400)으로서, 정육면체 또는 직육면체 형태를 갖는다. 또한, 상기 제1 버티컬 엘이디 칩(200), 상기 제2 버티컬 엘이디 칩(300) 및 제3 버티컬 엘이디 칩(400) 각각은 제1 도전형 반도체층 및 제2 도전형 반도체층과 이들 사이에 개재된 활성층을 포함한다. 그리고, 상기 제1 버티컬 엘이디 칩(200), 상기 제2 버티컬 엘이디 칩(300) 및 제3 버티컬 엘이디 칩(400)과 상기 공통 전극(600)은 대략 정사각형 배열된다.Each of the first
상기 제1 버티컬 엘이디 칩(200), 상기 제2 버티컬 엘이디 칩(300), 제3 버티컬 엘이디 칩(400) 및 상기 공통 전극(600)의 상면들에는 전술한 패턴 배선층(700)이 연결되는 연결 영역들, 즉, 제1 연결 영역(201), 제2 연결 영역(301), 제3 연결 영역(401) 및 제4 연결 영역(601)이 제공된다. 또한, 상기 제1 연결 영역(201), 제2 연결 영역(301), 제3 연결 영역(401) 및 제4 연결 영역(601)은 제1 버티컬 엘이디 칩(200), 상기 제2 버티컬 엘이디 칩(300), 제3 버티컬 엘이디 칩(400) 및 상기 공통 전극(600)의 상면에서 서로간에 가장 인접하는 코너들에 위치한다.The above
상기 제1 연결 영역(201), 제2 연결 영역(301), 제3 연결 영역(401) 각각에는 상기 제1 버티컬 엘이디 칩(200), 상기 제2 버티컬 엘이디 칩(300), 제3 버티컬 엘이디 칩(400) 각각의 상부 전극이 제공될 수 있으며, 상부 전극은 상기 패턴 배선층(700) 형성 전에 형성될 수도 있고, 상기 패턴 배선층(700)의 형성시 상기 패턴 배선층(700)의 일부로서 형성될 수도 있다. The first
한편, 상기 제1 버티컬 엘이디 칩(200), 상기 제2 버티컬 엘이디 칩(300), 제3 버티컬 엘이디 칩(400) 각각의 하부에는 상기 제1 버티컬 엘이디 칩(200), 상기 제2 버티컬 엘이디 칩(300), 제3 버티컬 엘이디 칩(400)의 개별 구동을 위해 상기 마운트 기판(100)의 배선들과 개별 접속되는 하부 전극들이 형성된다.Meanwhile, the first
상기 지지층(800)은, 제1 버티컬 엘이디 칩(200), 제2 버티컬 엘이디 칩(300), 상기 제3 버티컬 엘이디 칩(400) 및 상기 공통 전극(600)의 측면들과 접하도록 그리고 상기 제1 버티컬 엘이디 칩(200), 제2 버티컬 엘이디 칩(300), 상기 제3 버티컬 엘이디 칩(400) 및 상기 공통 전극(600)과 일체화되도록, 에폭시, 실리콘, EMC(Epoxy Molding Compound), 폴리이미드 등과 같은 절연성 수지재료에 의해 형성된다. 상기 지지층(800)은, 전술한 패턴 배선층(700)을 아래에서 지지하는 역할을 하여, 패턴 배선층(700)의 형성을 가능하게 한다. 또한, 상기 지지층(800)은 패턴 배선층(700)을 지지하는 역할 외에도, 제1 버티컬 엘이디 칩(200), 제2 버티컬 엘이디 칩(300), 제3 버티컬 엘이디 칩(400) 및 공통 전극(600)을 고정, 유지하는 역할을 할 수 있으며, 더 나아가, 상기 지지층(800)은, 광을 흡수하는 블랙 컬러 등의 광 흡수성 재료 또는 광을 반사하는 광 반사성 재료에 의해 형성될 때, 제1 버티컬 엘이디 칩(200), 제2 버티컬 엘이디 칩(300), 상기 제3 버티컬 엘이디 칩(400)으로부터 발생한 광들이 원치 않게 간섭되는 것을 막는 역할을 하고, 더 나아가, 외부에서 유입된 광을 반사시키지 않고 흡수하는 역할을 할 수 있다.The
상기 지지층(800)의 상면은 상기 제1 버티컬 엘이디 칩(200), 상기 제2 버티컬 엘이디 칩(300) 및 상기 제3 버티컬 엘이디 칩(400)의 상면들과 동일 평면을 이루는 것이 바람직하다. 여기에서, 상기 제1 버티컬 엘이디 칩(200), 상기 제2 버티컬 엘이디 칩(300) 및 상기 제3 버티컬 엘이디 칩(400)의 상면들은 에피 구조물의 상면이거나 또는 에피 구조물의 상면에 형성된 상부 전극의 상면일 수 있다.The top surface of the
상기 패턴 배선층(700)은 상기 지지층(800) 상에 지지되도록 형성되어 상기 제1 버티컬 엘이디 칩(200), 제2 버티컬 엘이디 칩(300), 상기 제3 버티컬 엘이디 칩(400) 및 상기 공통 전극(600)을 연결한다. 이때, 상기 배선 배턴층(700)은 상기 상기 제1 버티컬 엘이디 칩(200), 제2 버티컬 엘이디 칩(300), 상기 제3 버티컬 엘이디 칩(400)의 상면을 가리는 것을 최소화할 수 있도록, 상기 버티컬 엘이디 칩(200), 제2 버티컬 엘이디 칩(300), 상기 제3 버티컬 엘이디 칩(400) 및 상기 공통 전극(600)의 코너 일부 영역들, 즉, 제1 연결 영역(201), 제2 연결 영역(301), 제3 연결 영역(401) 및 제4 연결 영역(601)에만 연결된다.The patterned
본 실시예에서, 상기 패턴 배선층(700)은 대략 "ㄷ"형태로 형성되며, 제1 버티컬 엘이디 칩(200)의 제1 연결 영역(201)과 제2 버티컬 엘이디 칩(300)의 제2 연결 영역(301)을 연결하는 제1 직선 패턴부(701)와, 상기 제2 버티컬 엘이디 칩(300)의 제2 연결 영역(301)에서 상기 제1 직선 패턴부(701)의 단부와 연결되고 상기 제2 연결 영역(301)과 상기 제3 버티컬 엘이디 칩(400)의 제3 연결 영역(401)을 연결하는 제2 직선 패턴부(702)와, 상기 상기 제3 버티컬 엘이디 칩(400)의 제3 연결 영역(401)에서 상기 제2 직선 패턴부(702)의 단부와 연결되고 상기 제3 연결 영역(401)과 상기 공통 전극(600)의 제4 연결 영역(601)을 연결하는 직선형 제3 직선 패턴부(703)으로 이루어진다.In the present exemplary embodiment, the
한편, 상기 지지층(800)은, 상기 제1 버티컬 엘이디 칩(200)의 측면과, 상기 제2 버티컬 엘이디 칩(300)의 측면, 상기 제3 버티컬 엘이디 칩(400)의 측면을 모두 덮도록 형성되되, 상면은 상기 제1 버티컬 엘이디 칩(200), 상기 제2 버티컬 엘이디 칩(300) 및 상기 제3 버티컬 엘이디 칩(400)의 상면과 동일 평면을 이루는 플랫한 면인 것이 바람직하고, 저면은 이웃한 버티컬 엘이디 칩들 사이의 또는 공통 전극과 그와 이웃하는 버티컬 엘이디 칩 사이가 오목한 면으로 형성된다.On the other hand, the
도 4는 본 발명의 다른 실시예를 보여주며, 도 4를 참조하면, 패턴 배선층(700')은 공통 전극(600)의 제4 연결 영역(601)과 제1 버티컬 엘이디 칩(200)의 제1 연결 영역(201)을 연결하는 제1 직선 패턴부(701')와, 공통 전극(600)의 제4 연결 영역(601)과 제2 버티컬 엘이디 칩(300)의 제2 연결 영역(301)을 연결하는 제2 직선 패턴부(702'), 공통 전극(600)의 제4 연결 영역(601)과 제3 버티컬 엘이디 칩(400)의 제3 연결 영역(401)을 연결하는 제3 직선 패턴부(703')를 포함하며, 상기 제1 직선 배선부(701')와 상기 제2 직선 패턴부(702')와 상기 제3 직선 패턴부(703')는 상기 제4 연결 영역(601)에서 연결되어 있다. 본 실시예에서 있어서도, 패턴 배선층(700')은 하부의 지지층(800)에 접하여 지지된다.4 illustrates another embodiment of the present invention, and referring to FIG. 4, the patterned
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예를 보여주며, 도 5를 참조하면, 패턴 배선층(700")은 대략 "ㅁ"형태로 형성되며, 제1 버티컬 엘이디 칩(200)의 제1 연결 영역(201)과 제2 버티컬 엘이디 칩(300)의 제2 연결 영역(301)을 연결하는 제1 직선 패턴부(701")와, 상기 제2 버티컬 엘이디 칩(300)의 제2 연결 영역(301)에서 상기 제1 직선 패턴부(701")의 단부와 연결되고 상기 제2 연결 영역(301)과 상기 제3 버티컬 엘이디 칩(400)의 제3 연결 영역(401)을 연결하는 직선형 제2 직선 패턴부(702")와, 상기 제3 버티컬 엘이디 칩(400)의 제3 연결 영역(401)에서 상기 제2 직선 패턴부(701")의 단부와 연결되고 상기 제3 연결 영역(401)과 상기 공통 전극(600)의 제4 연결 영역(601)을 연결하는 제3 직선 패턴부(703")와, 상기 제4 연결 영역(601)에서 상기 제3 직선 패턴부(703")의 단부와 연결되며 상기 제4 연결 영역(601)과 상기 제1 연결 영역(201)을 연결하는 제4 직선 패턴부(704")를 포함한다.FIG. 5 illustrates another embodiment of the present invention. Referring to FIG. 5, the patterned
패턴 배선층(700, 700'또는 700")이 도 3, 도 4 또는 도 5에 도시된 것과 같이 상기 제1 버티컬 엘이디 칩(200), 상기 제2 버티컬 엘이디 칩(300) 및 상기 제3 버티컬 엘이디 칩(400) 및 상기 공통 전극(600)의 코너 영역들에 연결되어 상기 제1 버티컬 엘이디 칩(200), 상기 제2 버티컬 엘이디 칩(300) 및 상기 제3 버티컬 엘이디 칩(400)의 코너를 제외한 나머지 영역들을 가리지 않도록 형성됨으로써, 발광 효율을 보다 더 높일 수 있다.The patterned
100.......................................마운트 기판
200.......................................제1 버티컬 엘이디 칩
300.......................................제2 버티컬 엘이디 칩
400.......................................제3 버티컬 엘이디 칩
600.......................................공통 전극
700.......................................패턴 배선층
800.......................................지지층100 ....................................... Mount Board
200 ....................................... 1 Vertical LED Chip
300 ...................................... 2nd Vertical LED Chip
400 ............................ 3rd Vertical LED Chip
600 ....................... Common electrode
700 ............................ Pattern Wiring Layer
800 ............
Claims (20)
상기 마운트 기판에 배치되는 하나 이상의 엘이디 픽셀 유닛;을 포함하며,
상기 엘이디 픽셀 유닛은 제1 버티컬 엘이디 칩, 제2 버티컬 엘이디 칩 및 제3 버티컬 엘이디 칩과, 상기 제1 버티컬 엘이디 칩, 상기 제2 버티컬 엘이디 칩 및 상기 제3 버티컬 엘이디 칩의 상부 전극들에 공통적으로 연결되는 공통 전극과, 상기 제1 버티컬 엘이디 칩, 상기 제2 버티컬 엘이디 칩 및 상기 제3 버티컬 엘이디 칩의 하부 전극들에 각각 개별적으로 연결되는 제1 접속부, 제2 접속부 및 제3 접속부와, 상기 공통 전극의 하부에 연결되는 제4 접속부를 포함하고,
상기 제1 배선부, 상기 제2 배선부, 상기 제3 배선부 및 상기 제4 배선부는, 상기 제1 버티컬 에이디 칩, 상기 제2 버티컬 엘이디 칩 및 상기 제3 버티컬 엘이디 칩이 개별 구동되도록, 상기 제1 접속부, 상기 제2 접속부, 상기 제3 접속부 및 상기 제4 접속부 각각에 개별 연결되는 것을 특징으로 하는 엘이디 디스플레이 패널.A mount substrate including a first wiring portion, a second wiring portion, a third wiring portion, and a fourth wiring portion; And
One or more LED pixel units disposed on the mount substrate;
The LED pixel unit is common to a first vertical LED chip, a second vertical LED chip, and a third vertical LED chip, and upper electrodes of the first vertical LED chip, the second vertical LED chip, and the third vertical LED chip. A first electrode, a second connector, and a third connector separately connected to the common electrodes respectively connected to the first electrodes of the first vertical LED chip, the second vertical LED chip, and the lower electrodes of the third vertical LED chip; A fourth connection part connected to a lower portion of the common electrode,
The first wiring part, the second wiring part, the third wiring part, and the fourth wiring part may be configured so that the first vertical LED chip, the second vertical LED chip, and the third vertical LED chip are individually driven. The LED display panel is connected to each of the first connector, the second connector, the third connector and the fourth connector.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020180034570A KR20190112504A (en) | 2018-03-26 | 2018-03-26 | LED pixel unit and LED display panel comprising the same |
PCT/KR2018/008332 WO2019045277A1 (en) | 2017-08-28 | 2018-07-24 | Light emitting device for pixel and led display device |
US16/047,912 US10790267B2 (en) | 2017-08-28 | 2018-07-27 | Light emitting element for pixel and LED display module |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020180034570A KR20190112504A (en) | 2018-03-26 | 2018-03-26 | LED pixel unit and LED display panel comprising the same |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20190112504A true KR20190112504A (en) | 2019-10-07 |
Family
ID=68422451
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020180034570A KR20190112504A (en) | 2017-08-28 | 2018-03-26 | LED pixel unit and LED display panel comprising the same |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20190112504A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2024071822A1 (en) * | 2022-09-30 | 2024-04-04 | 서울바이오시스주식회사 | Light-emitting device and light-emitting module comprising same |
-
2018
- 2018-03-26 KR KR1020180034570A patent/KR20190112504A/en unknown
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2024071822A1 (en) * | 2022-09-30 | 2024-04-04 | 서울바이오시스주식회사 | Light-emitting device and light-emitting module comprising same |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10790267B2 (en) | Light emitting element for pixel and LED display module | |
US11127341B2 (en) | Light emitting module and display device | |
KR102322539B1 (en) | Semiconductor package and display apparatus comprising the same | |
TW202029525A (en) | Led device and light emitting apparatus including the same | |
CN109216525B (en) | Light emitting module and display device | |
CN112563253A (en) | Chip on film package and display device including the same | |
CN111987084B (en) | Electronic device and method for manufacturing the same | |
US10566511B2 (en) | Light-emitting device and method of manufacturing the same | |
KR20200017240A (en) | Semiconductor package, Package on Package device and method of fabricating the same | |
JP7477647B2 (en) | Laminated structure, display screen, and display device | |
US20220029077A1 (en) | Light-emitting device, light-emitting display, and image display device | |
KR20190112504A (en) | LED pixel unit and LED display panel comprising the same | |
JP6611795B2 (en) | LED package, light emitting device, and manufacturing method of LED package | |
KR102378493B1 (en) | Film for package substrate, semiconductor package, display device and methods of fabricating the same | |
KR102519737B1 (en) | Micro led module and method for makignt the same | |
US20200161281A1 (en) | Multi pixel led packages | |
TWI764760B (en) | Electronic device | |
US20240072012A1 (en) | Light emitting display unit and display apparatus | |
CN214313201U (en) | Multi-pixel packaging structure with embedded chip and electronic device applying same | |
US20230307586A1 (en) | Mounting arrangements for semiconductor packages and related methods | |
US20230378142A1 (en) | Pixel package and manufacturing method thereof | |
US7939951B2 (en) | Mounting substrate and electronic apparatus | |
US20220059511A1 (en) | Micro light-emitting diode display matrix module | |
US20230420427A1 (en) | Semiconductor device, method of manufacturing the same, and led display device | |
CN113903760A (en) | Stacking structure, display screen and display device |