KR20190109680A - 표시 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법이 제공된다. 상기 표시 장치는 베이스 상에 배치된 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터 상에 배치되고, 상기 박막 트랜지스터의 적어도 일부를 노출하는 컨택홀을 갖는 제1 유기층으로서, 제1 높이를 형성하는 제1 부분 및 상기 제1 높이보다 큰 제2 높이를 형성하는 제2 부분을 포함하는 제1 유기층, 및 상기 제1 유기층 상에 배치되고, 서로 대향하는 제1 전극과 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 개재된 유기 발광층을 포함하는 발광 소자를 포함하되, 상기 유기 발광층은 상기 제1 유기층의 상기 제1 부분 상에 배치되고, 상기 컨택홀은 상기 제1 유기층의 상기 제2 부분에 형성된다.

Description

표시 장치 및 그 제조 방법{DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
표시 장치는 멀티미디어의 발달과 함께 그 중요성이 점차 커지고 있다. 이에 부응하여 액정 표시 장치, 유기 발광 표시 장치 등과 같은 다양한 표시 장치가 개발되고 있다.
예를 들어, 유기 발광 표시 장치는 베이스 및 베이스 상에 배치된 유기 발광 소자를 포함한다. 유기 발광 소자는 대향하는 두 개의 전극 및 그 사이에 개재되어 광을 방출하는 유기 발광층을 포함할 수 있다. 유기 발광 표시 장치는 화소 별로 제어되는 유기 발광 소자를 포함하기 때문에 소비 전력이 낮고 경량의 박형으로 구성할 수 있을 뿐만 아니라 넓은 시야각, 높은 휘도와 콘트라스트 및 빠른 응답 속도 등의 특성을 가져 차세대 표시 장치로 주목을 받고 있다.
유기 발광층은 각 화소마다 배치되거나, 또는 복수의 화소에 걸쳐 배치될 수 있다.
유기 발광 표시 장치는 유기 발광 소자를 각 화소 별로 제어하기 위한 복수의 트랜지스터들을 더 포함할 수 있다. 특히 상기 트랜지스터 상부에 유기 발광층이 배치될 경우, 상기 트랜지스터가 형성하는 단차를 보상하여 유기 발광층이 안정적으로 배치될 수 있는 공간을 제공해야 한다.
한편, 유기 발광 표시 장치가 고해상도화 됨에 따라 유기 발광층의 정밀한 배치가 점차 어려워지는 실정이다. 특히, 유기 발광층이 각 화소마다 배치되는 경우 유기 발광층의 배치 정밀도는 유기 발광 소자의 발광 특성 및 유기 발광 표시 장치의 표시 품질과 내구성에 영향을 미치는 주요한 요소이다.
이에 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 유기 발광층의 배치 정밀도가 향상되어 표시 품질과 내구성이 개선된 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 유기 발광층의 배치 정밀도를 향상시킬 수 있는 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 베이스 상에 배치된 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터 상에 배치되고, 상기 박막 트랜지스터의 적어도 일부를 노출하는 컨택홀을 갖는 제1 유기층으로서, 제1 높이를 형성하는 제1 부분 및 상기 제1 높이보다 큰 제2 높이를 형성하는 제2 부분을 포함하는 제1 유기층, 및 상기 제1 유기층 상에 배치되고, 서로 대향하는 제1 전극과 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 개재된 유기 발광층을 포함하는 발광 소자를 포함하되, 상기 유기 발광층은 상기 제1 유기층의 상기 제1 부분 상에 배치되고, 상기 컨택홀은 상기 제1 유기층의 상기 제2 부분에 형성된다.
상기 제1 유기층의 상기 제1 부분은 상기 박막 트랜지스터의 게이트 전극과 중첩하고, 평면 시점에서, 상기 유기 발광층은 상기 제1 유기층의 상기 제2 부분의 측면에 의해 둘러싸일 수 있다.
상기 제1 전극은 상기 제1 유기층의 상기 제1 부분 및 상기 제2 부분 상에 직접 배치되고, 상기 제1 전극은 부분적으로 상기 컨택홀에 삽입되어 상기 박막 트랜지스터의 소스 전극과 전기적으로 연결될 수 있다.
또, 상기 제1 유기층의 상기 제2 부분은 적어도 부분적으로 상기 소스 전극과 중첩하고, 상기 제2 부분 상에 배치된 상기 제1 전극의 레벨은 상기 제1 부분 상에 배치된 상기 제1 전극의 레벨보다 클 수 있다.
상기 제1 유기층은 상기 제2 높이보다 큰 제3 높이를 형성하는 제3 부분을 더 포함하고, 상기 제1 유기층의 상기 제1 부분, 상기 제2 부분 및 상기 제3 부분은 물리적 경계 없이 일체로 형성될 수 있다.
또, 상기 제1 전극은 상기 제1 유기층 상에 직접 배치되고, 상기 제1 전극은 상기 제1 유기층의 상기 제3 부분의 측면과 이격될 수 있다.
또한, 상기 제2 높이와 상기 제1 높이의 차이는 1.0㎛ 이상 2.3㎛ 이하일 수 있다.
나아가 상기 제3 높이와 상기 제2 높이의 차이는 상기 제2 높이와 상기 제1 높이의 차이보다 작고, 상기 제3 높이와 상기 제2 높이의 차이는 0.5㎛ 이상일 수 있다.
상기 표시 장치는 상기 제1 유기층 상에 배치된 제2 유기층으로서, 적어도 부분적으로 상기 제1 유기층과 맞닿고, 상기 제1 유기층의 상기 제2 부분 상에 배치되는 제2 유기층을 더 포함할 수 있다.
상기 제2 유기층의 광학 밀도는 상기 제1 유기층의 광학 밀도보다 클 수 있다.
상기 제2 유기층은 적어도 부분적으로 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 개재되고, 상기 제2 유기층은 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극과 맞닿을 수 있다.
또, 상기 제2 유기층은 적어도 부분적으로 상기 유기 발광층과 상기 제2 부분 사이에 위치하고, 상기 제2 유기층은 부분적으로 상기 컨택홀에 삽입되며, 상기 유기 발광층은 상기 제2 유기층 상에 배치될 수 있다.
상기 제2 전극은 상기 제1 유기층의 상기 제3 부분 및 상기 제2 유기층과 맞닿을 수 있다.
평면 시점에서, 상기 제2 유기층은 상기 제1 전극의 적어도 일부를 노출하는 개구를 갖는 형상이고, 상기 제2 유기층의 상기 개구의 내측벽이 형성하는 경사각은, 상기 제1 유기층의 상기 제2 부분의 측면이 형성하는 경사각보다 클 수 있다.
또, 평면 시점에서, 상기 제2 유기층은 상기 제1 전극의 적어도 일부를 노출하는 개구를 갖는 형상이고, 평면 시점에서, 상기 유기 발광층은 상기 제2 유기층의 상기 개구 내에 배치될 수 있다.
또한, 상기 표시 장치는 상기 제2 유기층 상에 배치되고, 하나 이상의 유기 봉지층 및 하나 이상의 무기 봉지층을 포함하는 봉지층, 및 상기 봉지층 상에 배치된 컬러 필터층으로서, 제1 컬러 필터 및 상기 제1 컬러 필터와 상이한 색의 광을 투과시키고 상기 제1 컬러 필터와 맞닿는 제2 컬러 필터를 포함하는 컬러 필터층을 더 포함할 수 있다.
상기 제1 컬러 필터는 상기 제1 유기층의 상기 제3 부분과 중첩하고, 상기 제2 컬러 필터는 상기 제1 유기층의 상기 제3 부분과 중첩할 수 있다.
또, 상기 봉지층의 상기 유기 봉지층은 상기 제2 유기층의 상기 개구 내에 배치될 수 있다.
상기 다른 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은, 베이스 상에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계, 상기 박막 트랜지스터 상에 컨택홀을 갖는 제1 유기층을 형성하는 단계로서, 제1 높이를 형성하는 제1 부분 및 상기 제1 높이보다 큰 제2 높이를 형성하는 제2 부분을 포함하는 제1 유기층을 형성하는 단계, 상기 제1 유기층 상에 제1 전극을 형성하는 단계, 및 상기 제1 전극 상에 유기 발광층을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 유기 발광층은 상기 제1 유기층의 상기 제1 부분 상에 배치되고, 상기 컨택홀은 상기 제1 유기층의 상기 제2 부분에 형성된다.
상기 제1 유기층은 상기 제2 높이보다 큰 제3 높이를 형성하는 제3 부분을 더 포함하되, 상기 제1 유기층을 형성하는 단계는, 상기 박막 트랜지스터 상에 감광층을 형성하는 단계, 및 서로 다른 투광량을 갖는 제1 영역, 제2 영역, 제3 영역 및 제4 영역을 포함하는 노광 마스크를 이용하여, 상기 제1 부분, 상기 제2 부분, 상기 제3 부분을 포함하고 상기 컨택홀을 갖는 제1 유기층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
또, 상기 유기 발광층을 형성하는 단계는, 상기 제1 유기층 상에 개구를 갖는 증착 마스크를 배치하는 단계로서, 상기 제1 유기층의 상기 제3 부분과 맞닿도록 증착 마스크를 배치하는 단계, 및 상기 증착 마스크의 상기 개구를 통해 유기 발광 재료를 증착하여 상기 유기 발광층을 증착 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
또, 상기 유기 발광층 상에 컬러 필터층을 형성하는 단계로서, 제1 컬러 필터 및 상기 제1 컬러 필터와 상이한 색의 광을 투과시키고 상기 제1 컬러 필터와 맞닿는 제2 컬러 필터를 포함하는 컬러 필터층을 형성하는 단계를 더 포함하되, 상기 제1 컬러 필터는 상기 제1 유기층의 상기 제3 부분과 중첩하고, 상기 제2 컬러 필터는 상기 제1 유기층의 상기 제3 부분과 중첩할 수 있다.
상기 제1 전극을 형성하는 단계와 상기 유기 발광층을 형성하는 단계 사이에, 적어도 부분적으로 상기 제1 유기층 및 상기 제1 전극과 맞닿고, 상기 제1 유기층의 상기 제2 부분 상에 배치되며, 상기 제1 유기층보다 큰 광학 밀도를 갖는 제2 유기층을 형성하는 단계를 더 포함하되, 평면 시점에서, 상기 제2 유기층은 상기 제1 전극의 적어도 일부를 노출하는 개구를 가질 수 있다.
기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면 유기 발광층의 배치 정밀도를 향상시킬 수 있어 표시 장치의 표시 품질 및 내구성을 개선할 수 있다.
또, 유기 발광층이 안정적으로 배치되는 공간을 제공하는 구성요소와 유기 발광층의 배치 정밀도를 향상시키는 구성요소를 한번의 노광 공정을 통해 동시에 형성할 수 있어 표시 장치의 제조 비용을 절감할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 2는 도 1의 표시 장치를 Ⅱ-Ⅱ' 선을 따라 절개한 단면도이다.
도 3은 도 2의 제1 유기층, 제2 유기층 및 유기 발광층을 확대하여 나타낸 확대단면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 5는 도 4의 표시 장치를 Ⅴ-Ⅴ' 선을 따라 절개한 단면도이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 7 내지 도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 단면도들이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 '위(on)'로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 '직접 위(directly on)'로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. '및/또는'는 언급된 아이템들의 각각 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.
공간적으로 상대적인 용어인 '아래(below)', '아래(beneath)', '하부(lower)', '위(above)', '상부(upper)' 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 '아래(below 또는 beneath)'로 기술된 소자는 다른 소자의 '위(above)'에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 '아래'는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다.
본 명세서에서, 제1 방향(X)은 평면 내 임의의 일 방향을 의미하고, 제2 방향(Y)은 상기 평면 내에서 제1 방향(X)과 교차하는 방향을 의미하며, 제3 방향(Z)은 상기 평면과 수직한 방향을 의미한다.
본 명세서에서, 다르게 정의되지 않는 한, '평면'은 제1 방향(X)과 제2 방향(Y)이 속하는 평면을 의미한다. 또, 다르게 정의되지 않는 한 '중첩'은 평면 시점에서 제3 방향(Z)으로 중첩하는 것을 의미한다.
이하, 첨부된 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예들에 대하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(1)의 평면도로서, 표시 장치(1)의 유기 발광층(550), 제1 유기층(401) 및 제2 유기층(601)의 평면상 위치를 나타낸 평면도이다.
도 1을 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(1)는 유기 발광층(550)을 포함하는 유기 발광 표시 장치일 수 있다. 제2 유기층(601)은 개구(OP)를 가지고, 유기 발광층(550)은 제2 유기층(601)의 개구(OP) 내에 배치될 수 있다.
제2 유기층(601)의 개구(OP) 내에 배치된 유기 발광층(550)은 평면상 발광 영역(R1)을 정의할 수 있다. 즉, 유기 발광층(550)이 위치하여 영상 표시에 기여하는 광이 방출되는 영역은 발광 영역(R1)이고, 유기 발광층(550)이 배치되지 않은 영역은 비발광 영역(R2)일 수 있다. 각 발광 영역(R1)은 하나의 화소를 정의할 수 있다. 본 명세서에서, '화소'는 색 표시를 위해 평면 시점에서 표시 장치 또는 표시 영역이 구획되어 시청자에게 인식되는 단일 영역을 의미하며, 하나의 화소는 미리 정해진 하나의 기본색을 표현할 수 있다. 상기 기본색의 예로는 적색, 녹색 및 청색을 들 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
발광 영역(R1)은 평면상 대략 규칙적으로 배열될 수 있다. 예를 들어, 발광 영역(R1)은 평면상 대략 다이아몬드 형상(또는 사각형 형상)이고, 상기 다이아몬드 형상의 변을 마주하는 방향(예컨대, 제1 방향(X) 및 제2 방향(Y)과 교차하는 대각선 방향)을 따라 반복 배열될 수 있다. 몇몇 실시예에서, 제1 방향(X)으로 인접한 발광 영역(R1)은 서로 동일한 색을 표현하는 화소일 수도 있다.
제1 방향(X)으로 인접한 유기 발광층(550)들의 사이, 또는 제2 방향(Y)으로 인접한 유기 발광층(550)들의 사이에는 제1 유기층(401)(예컨대, 후술할 제1 유기층(401)의 제3 부분(431))이 위치할 수 있다. 후술할 바와 같이, 제2 유기층(601)은 제1 유기층(401) 상에 배치되되, 제2 유기층(601)은 제1 유기층(401)을 완전히 커버하지 못하고 제1 유기층(401)이 부분적으로 노출된 상태일 수 있다. 즉, 도 1의 제1 유기층(401)은 제2 유기층(601)에 비해 높은 레벨에 위치할 수 있다.
또, 제1 유기층(401)은 제2 유기층(601)의 개구(OP)에 상응하는 형상의 그루브(GR)를 가지되, 제1 유기층(401)의 그루브(GR)의 평면상 크기는 제2 유기층(601)의 개구(OP)의 평면상 크기보다 클 수 있다.
앞서 설명한 것과 같이, 제2 유기층(601)은 유기 발광층(550)이 배치되는 개구(OP)를 가질 수 있다. 또, 개구(OP) 내에 배치된 유기 발광층(550)을 제외한 제2 유기층(601) 및 제1 유기층(401)은 평면상 비발광 영역(R2)을 정의할 수 있다.
이하, 도 2 및 도 3을 더 참조하여 본 실시예에 따른 표시 장치(1)에 대해서 보다 상세하게 설명한다.
도 2는 도 1의 표시 장치(1)를 Ⅱ-Ⅱ' 선을 따라 절개한 단면도로서, 임의의 화소를 나타낸 단면도이다. 도 3은 도 2의 제1 유기층(401), 제2 유기층(601) 및 유기 발광층(550)을 확대하여 나타낸 확대단면도이다.
도 2 및 도 3을 더 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(1)는 베이스(110), 박막 트랜지스터(200)를 포함하는 구동 소자층, 제1 유기층(401), 제2 유기층(601) 및 유기 발광층(550)을 포함하는 발광 소자(500)를 포함할 수 있다.
베이스(110)는 박막 트랜지스터(200) 및 발광 소자(500) 등이 안정적으로 배치되기 위한 공간을 제공할 수 있다. 베이스(110)는 투명하거나 불투명한 절연 플레이트 또는 절연 필름일 수 있다. 예를 들어, 베이스(110)는 글라스 재료, 석영 재료 등을 포함하거나, 또는 이미드계 수지, 카보네이트계 수지, 아크릴계 수지 등의 고분자 재료를 포함할 수 있다. 베이스(110)는 가요성을 가질 수도 있다.
몇몇 실시예에서, 베이스(110) 상에는 버퍼층(130)이 배치될 수 있다. 버퍼층(130)은 후술할 액티브층(210)을 형성하는 과정에서 베이스(110)가 손상되는 것을 방지할 수 있다. 또, 버퍼층(130)은 수분 또는 공기 등의 불순물이 침투하여 발광 소자(500)를 손상 또는 변성시키는 것을 방지할 수 있다. 버퍼층(130)은 질화규소(SiNx), 산화규소(SiOx), 질화산화규소(SiNxOy) 또는 산화질화규소(SiOxNy) 등의 무기 재료를 포함할 수 있다. 버퍼층(130)은 단일층으로 이루어지거나, 또는 복수의 층을 포함하는 적층 구조일 수 있다. 다른 실시예에서, 버퍼층(130)은 생략될 수도 있다.
버퍼층(130) 상에는 박막 트랜지스터(200)를 포함하는 구동 소자층이 배치될 수 있다. 도 2 등은 설명의 편의를 위하여 하나의 박막 트랜지스터(200)만을 도시하였으나, 몇몇 실시예에서 구동 소자층은 복수의 박막 트랜지스터들(미도시), 스캔 배선, 데이터 배선, 구동 전압선 등의 배선들(미도시) 및 커패시터를 형성하거나 브릿지를 형성하는 보조 전극들(미도시)을 더 포함할 수 있다.
박막 트랜지스터(200)는 발광 소자(500)의 애노드 전극(510)과 전기적으로 연결될 수 있다. 박막 트랜지스터(200)는 채널을 형성하는 액티브층(210), 제어 단자인 게이트 전극(230), 입력 단자인 드레인 전극(250) 및 출력 단자인 소스 전극(270)을 포함할 수 있다. 도 2 등은 게이트 전극(230)이 액티브층(210) 보다 상측에 위치하는 탑 게이트 방식의 박막 트랜지스터를 예시하고 있으나, 다른 실시예에서 바텀 게이트 방식의 박막 트랜지스터가 적용될 수도 있다.
예를 들어, 박막 트랜지스터(200)는 특정 화소 내의 발광 소자(500)를 통해 흐르는 전류의 양을 제어하도록 구성된 구동 트랜지스터일 수 있다. 다만 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니며, 박막 트랜지스터(200)는 특정 화소의 온/오프를 제어하도록 구성된 스위칭 트랜지스터, 구동 신호를 보상하는 보상 트랜지스터, 게이트 전극에 초기화 신호가 인가되는 초기화 트랜지스터, 게이트 전극에 발광 제어 신호가 인가되는 발광 제어 트랜지스터 등일 수도 있다.
액티브층(210)은 버퍼층(130) 상에 배치될 수 있다. 도 2 등은 버퍼층(130) 상에 액티브층(210)이 직접 배치된 경우를 예시하고 있으나, 다른 실시예에서 버퍼층(130)과 액티브층(210) 사이에는 하나 이상의 절연층(미도시)이 더 개재될 수도 있다. 액티브층(210)은 반도체성 재료를 포함할 수 있다. 예를 들어, 액티브층(210)은 다결정 실리콘 등을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 액티브층(210)은 단결정 실리콘, 비정질 실리콘을 포함하거나, 또는 실리콘 계열 이외의 산화물 반도체 등을 포함할 수도 있다.
액티브층(210)은 제어 단자인 게이트 전극(230)에 인가되는 전압에 따라 전자 또는 정공이 이동할 수 있는 통로(채널)가 형성되는 채널 영역을 가질 수 있다. 몇몇 실시예에서, 액티브층(210)은 부분적으로 도체화된 상태일 수 있다. 예를 들어, 액티브층(210)은 채널 영역을 사이에 두고 이격된 드레인 영역과 소스 영역을 더 포함하고, 드레인 영역 및 소스 영역은 각각 상기 채널 영역에 비해 전기 전도도가 클 수 있다. 즉, 드레인 영역을 통해 제공된 전자 또는 정공은 채널 영역을 통해 소스 영역 측으로 이동하거나, 또는 소스 영역을 통해 제공된 전자 또는 정공은 채널 영역을 통해 드레인 영역 측으로 이동할 수 있다.
액티브층(210) 상에는 게이트 전극(230)이 배치될 수 있다. 게이트 전극(230)은 액티브층(210)의 채널 영역과 제3 방향(Z)으로 중첩 배치될 수 있다. 게이트 전극(230)은 알루미늄, 몰리브덴, 구리, 티타늄 또는 이들의 합금을 포함할 수 있다. 게이트 전극(230)은 단일층으로 이루어지거나, 또는 복수의 층을 포함하는 적층 구조일 수 있다. 액티브층(210)과 게이트 전극(230) 사이에는 게이트 절연층(220)이 개재되어 액티브층(210)과 게이트 전극(230)을 서로 절연시킬 수 있다. 게이트 절연층(220)은 질화규소, 산화규소, 질화산화규소 또는 산화질화규소 등의 무기 절연 재료를 포함할 수 있다.
게이트 전극(230)은 박막 트랜지스터(200)의 제어 신호가 인가되는 제어 단자를 구성할 수 있다. 박막 트랜지스터(200)가 구동 트랜지스터인 예시적인 실시예에서, 게이트 전극(230)은 특정 화소의 온/오프를 제어하는 스위칭 트랜지스터(미도시)의 출력 단자와 전기적으로 연결될 수 있다. 도면으로 표현하지 않았으나, 스위칭 트랜지스터의 제어 단자와 입력 단자는 각각 스캔 배선(미도시) 및 데이터 배선(미도시)과 전기적으로 연결될 수 있다. 본 명세서에서, '전기적으로 연결됨'은 두 개의 도전성 소자가 직접 맞닿아 도통되는 경우 뿐만 아니라, 두 개의 소자 사이에 추가의 도전성 소자가 개재되어 전기적 경로를 형성하거나, 또는 하나 이상의 박막 트랜지스터 등이 개재되어 필요에 따라 전기적 경로를 형성하는 경우를 포함하는 의미이다.
게이트 전극(230) 상에는 절연층(300)이 배치될 수 있다. 절연층(300)은 하나 이상의 층을 포함하여, 그 상부의 구성요소와 그 하부의 구성요소를 서로 절연시킬 수 있다. 예시적인 실시예에서, 절연층(300)은 게이트 전극(230) 상에 직접 배치된 제1 절연층(310) 및 제1 절연층(310) 상에 배치된 제2 절연층(330)을 포함할 수 있다. 제1 절연층(310)과 제2 절연층(330) 사이에는 커패시터를 형성하는 커패시터 전극(미도시) 및/또는 이격된 소자 간의 전기적 연결을 위한 브릿지를 형성하는 브릿지 전극(미도시) 등의 보조 전극 등이 배치될 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다. 제1 절연층(310) 및 제2 절연층(330)은 각각 질화규소, 산화규소, 질화산화규소 또는 산화질화규소 등의 무기 절연 재료를 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 절연층(300)은 단일층일 수도 있다.
앞서 설명한 게이트 절연층(220), 제1 절연층(310) 및 제2 절연층(330)에는 액티브층(210)의 적어도 일부가 노출되는 관통홀이 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 관통홀은 게이트 절연층(220), 제1 절연층(310) 및 제2 절연층(330)을 관통하여 액티브층(210)의 상기 드레인 영역 및 상기 소스 영역을 부분적으로 노출시킬 수 있다. 액티브층(210)을 부분적으로 노출하는 상기 관통홀은 한번의 공정을 통해 동시에 형성된 것일 수 있다. 즉, 상기 관통홀을 형성하는 게이트 절연층(220)의 내측벽, 제1 절연층(310)의 내측벽 및 제2 절연층(330)의 내측벽은 서로 정렬된 상태일 수 있다.
절연층(300) 상에는 드레인 전극(250) 및 소스 전극(270)이 배치될 수 있다. 드레인 전극(250) 및 소스 전극(270)은 각각 상기 관통홀에 삽입되어 액티브층(210)과 맞닿을 수 있다. 드레인 전극(250) 및 소스 전극(270)은 각각 알루미늄, 몰리브덴, 구리, 티타늄 또는 이들의 합금을 포함할 수 있다. 드레인 전극(250) 및 소스 전극(270)은 각각 단일층으로 이루어지거나, 또는 복수의 층을 포함하는 적층 구조일 수 있다.
드레인 전극(250)은 박막 트랜지스터(200)의 입력 신호가 인가되는 입력 단자를 구성하고, 소스 전극(270)은 박막 트랜지스터(200)의 출력 단자를 구성할 수 있다. 박막 트랜지스터(200)가 구동 트랜지스터인 예시적인 실시예에서, 드레인 전극(250)은 구동 전압이 제공되는 구동 전압선(미도시)과 전기적으로 연결될 수 있다. 또, 소스 전극(270)은 후술할 발광 소자(500)의 애노드 전극(510)과 전기적으로 연결될 수 있다.
박막 트랜지스터(200)를 포함하는 구동 소자층 상에는 제1 유기층(401)이 배치될 수 있다. 제1 유기층(401)은 박막 트랜지스터(200) 등이 형성하는 단차를 적어도 부분적으로 보상하는 단차 보상 기능 및 발광 영역(R1)을 구획하는 화소 정의 기능을 가질 수 있다. 제1 유기층(401)의 재료는 특별히 제한되지 않으나, 예를 들어 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 이미드계 수지, 카도계 수지, 에스테르계 수지 등의 유기 재료를 포함할 수 있다. 제1 유기층(401)은 포지티브 감광성 재료를 포함하는 포지티브 감광층이 부분적으로 분해되어 형성되거나, 또는 네거티브 감광성 재료를 포함하는 네거티브 감광층이 부분적으로 경화되어 형성될 수 있다. 몇몇 실시예에서, 제1 유기층(401)은 블랙 안료 또는 블랙 염료 등의 차광성 색제를 더 포함할 수 있다. 비제한적인 일례로, 제1 유기층(401)은 약 2.0/2㎛ 이상의 광학 밀도를 갖는 차광성 재료를 포함할 수 있다.
예시적인 실시예에서, 제1 유기층(401)은 제1 높이(H1)를 형성하는 제1 부분(411) 및 제1 높이(H1) 보다 큰 제2 높이(H2)를 형성하는 제2 부분(421)을 포함하고, 제2 높이(H2) 보다 큰 제3 높이(H3)를 형성하는 제3 부분(431)을 더 포함할 수 있다. 제1 높이(H1), 제2 높이(H2) 및 제3 높이(H3)는 베이스(110)의 상면으로부터 제1 유기층(401)의 상면까지의 수직 최단 거리를 의미할 수 있다.
제1 유기층(401)의 제1 부분(411)은 후술할 발광 소자(500)가 안정적으로 배치되기 위한 공간을 제공할 수 있다. 예를 들어, 제1 유기층(401)의 제1 부분(411)은 적어도 부분적으로 박막 트랜지스터(200) 및 발광 소자(500)의 유기 발광층(550)과 제3 방향(Z)으로 중첩하고, 제1 부분(411)의 상면은 실질적으로 평탄할 수 있다.
즉, 제1 부분(411)은 박막 트랜지스터(200) 및 스위칭 트랜지스터(미도시) 등의 박막 트랜지스터, 배선들(미도시) 및/또는 보조 전극들(미도시)이 형성하는 단차를 적어도 부분적으로 보상하여 발광 소자(500)가 안정적으로 배치되는 공간을 제공할 수 있고, 실질적으로 평탄한 두께를 갖는 유기 발광층(550)을 형성할 수 있다. 또, 제1 유기층(401)의 제1 부분(411)은 발광 소자(500)의 애노드 전극(510)과 박막 트랜지스터(200) 간의 이격 거리를 확보하여, 애노드 전극(510)과 게이트 전극(230), 드레인 전극(250) 및/또는 소스 전극(270) 간의 의도치 않은 기생 정전 용량이 형성되는 것을 억제할 수 있다.
제1 유기층(401)의 제2 부분(421)은 제1 부분(411)과 물리적으로 연결되어 일체로 형성되되, 제1 부분(411)에 비해 상측으로 돌출된 형상일 수 있다. 즉, 제1 유기층(401)은 하측으로 함몰된 그루브(GR)를 가지되, 함몰된 그루브(GR)는 제1 부분(411)의 상면 및 제2 부분(421)의 측면(421s)에 의해 정의될 수 있다. 평면 시점에서, 함몰된 그루브(GR)는 후술할 제2 유기층(601)의 개구(OP)에 상응하는 형상일 수 있다. 예를 들어, 함몰된 그루브(GR)는 평면상 대략 다이아몬드 형상일 수 있다.
제1 유기층(401)의 제2 부분(421)은 1차적으로 유기 발광층(550)이 배치되는 공간을 정의할 수 있다. 즉, 발광 소자(500)의 유기 발광층(550)은 제1 유기층(401)의 그루브(GR) 내에 배치될 수 있다. 예를 들어, 평면 시점에서 유기 발광층(550)은 제2 부분(421)의 측면(421s)에 의해 둘러싸일 수 있다. 몇몇 실시예에서, 제1 유기층(401)의 제2 부분(421)은 적어도 부분적으로 박막 트랜지스터(200)의 소스 전극(270)과 제3 방향(Z)으로 중첩할 수 있다.
제1 유기층(401)의 제2 부분(421)의 제2 높이(H2)와 제1 부분(411)의 제1 높이(H1)의 차이(H2-H1)는 약 1.0㎛ 이상 약 2.3㎛, 또는 약 1.3㎛ 이상 약 2.0㎛ 이하일 수 있다. 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니나, 증착 마스크를 이용하여 유기 발광층(550)을 증착 형성하는 경우, 제2 높이(H2)와 제1 높이(H1)의 차이(H2-H1)를 1.0㎛ 이상으로 충분히 형성하여 증착 공정의 정렬 정밀도를 향상시킬 수 있다. 또, 제2 높이(H2)와 제1 높이(H1)의 차이(H2-H1)를 2.3㎛ 이하로 형성하여 후술할 제2 유기층(601)의 개구(OP)를 정밀하게 형성할 수 있다.
또, 제1 유기층(401)은 제2 부분(421)에 형성된 컨택홀(CH)을 가질 수 있다. 비제한적인 일례로서, 평면 시점에서 컨택홀(CH)은 대략 원 형상 또는 사각형 형상이고, 컨택홀(CH)은 제1 유기층(401)의 제2 부분(421)의 상면에 의해 둘러싸일 수 있다. 컨택홀(CH)은 박막 트랜지스터(200)를 적어도 부분적으로 노출할 수 있다. 예를 들어, 컨택홀(CH)은 박막 트랜지스터(200)의 소스 전극(270)의 일부를 적어도 부분적으로 노출할 수 있다. 컨택홀(CH)에는 후술할 발광 소자(500)의 애노드 전극(510)이 삽입되어 박막 트랜지스터(200)의 소스 전극(270)과 전기적으로 연결될 수 있다.
몇몇 실시예에서, 제1 유기층(401)은 제3 부분(431)을 더 포함할 수 있다. 제1 유기층(401)의 제3 부분(431)은 제1 부분(411) 및 제2 부분(421)과 물리적으로 연결되어 일체로 형성되되, 제2 부분(421)에 비해 상측으로 돌출된 형상일 수 있다. 비제한적인 일례로서, 제1 유기층(401)의 제3 부분(431)의 상면은 제1 유기층(401)이 최대 높이를 형성하는 부분일 수 있다.
평면 시점에서, 제3 부분(431)은 제1 방향(X) 및 제2 방향(Y)으로 이격 배치되어 단속적으로 배열될 수 있다. 또, 평면 시점에서, 제3 부분(431)의 상면은 대략 사각 형상일 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다. 제3 부분(431)은 제1 방향(X)으로 인접한 유기 발광층(550)들의 사이, 또는 제2 방향(Y)으로 인접한 유기 발광층(550)들의 사이에 위치할 수 있다.
제1 유기층(401)의 제3 부분(431)의 제3 높이(H3)와 제2 부분(421)의 제2 높이(H2)의 차이(H3-H2)는 제2 부분(421)의 제2 높이(H2)와 제1 부분(411)의 제1 높이(H1)의 차이(H2-H1) 보다 작을 수 있다. 예를 들어, 제3 높이(H3)와 제2 높이(H2)의 차이(H3-H2)의 하한은 약 0.5㎛, 또는 약 0.6㎛일 수 있다. 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니나, 증착 마스크를 이용하여 유기 발광층(550)을 증착 형성하는 경우, 상기 증착 마스크는 제1 유기층(401)의 제3 부분(431)의 상면과 맞닿을 수 있다. 특히 제3 높이(H3)와 제2 높이(H2)의 차이(H3-H2)를 0.5㎛ 이상으로 하여, 증착 마스크와 애노드 전극(510) 간의 이격 거리를 충분히 확보할 수 있고, 증착 마스크와 애노드 전극(510) 간에 발생하는 아크 또는 아크 방전을 방지할 수 있다. 또, 제3 높이(H3)와 제2 높이(H2)의 차이(H3-H2)의 상한은 특별히 제한되지 않으나, 예를 들어 약 1.2㎛일 수 있다. 제3 높이(H3)와 제2 높이(H2)의 차이(H3-H2)를 1.2㎛ 이하로 하여 증착 마스크와 애노드 전극(510)의 표면 간의 이격 거리가 너무 크지 않도록 할 수 있고, 유기 발광층(550)의 배치 정밀도를 향상시킬 수 있다.
제1 유기층(401) 상에는 발광 소자(500)가 배치될 수 있다. 발광 소자(500)는 애노드 전극(510)(예컨대, 제1 전극), 애노드 전극(510)과 이격된 캐소드 전극(530)(예컨대, 제2 전극) 및 애노드 전극(510)과 캐소드 전극(530) 사이에 개재된 유기 발광층(550)을 포함하는 유기 발광 소자일 수 있다. 발광 소자(500)는 유기 발광층(550)의 재료 또는 적층 구조에 따라 청색 광을 방출하거나, 녹색 광을 방출하거나, 적색 광을 방출하거나, 또는 백색 광을 방출할 수 있다.
애노드 전극(510)은 각 화소마다 배치되어 서로 독립적인 구동 신호가 인가되는 화소 전극일 수 있다. 예시적인 실시예에서, 애노드 전극(510)은 제1 유기층(401) 상에 직접 배치될 수 있다. 예를 들어, 애노드 전극(510)은 제1 유기층(401)의 제1 부분(411) 및 제2 부분(421) 상에 직접 배치되되, 제3 부분(431)의 측면(431s)과 이격될 수 있다.
제1 유기층(401)의 제2 부분(421)이 경사진 측면(421s)을 갖는 경우, 애노드 전극(510)은 제2 부분(421)의 측면(421s)을 따라 경사를 형성할 수 있다. 즉, 제2 부분(421)의 평탄한 상면 상에 배치된 애노드 전극(510)의 상면은 제1 부분(411)의 평탄한 상면 상에 배치된 애노드 전극(510)의 상면 보다 높은 레벨에 위치하고, 제2 부분(421)의 경사진 측면(421s) 상에 배치된 애노드 전극(510)은 경사를 가질 수 있다. 몇몇 실시예에서, 애노드 전극(510)의 상기 경사진 부분은 제1 유기층(401)의 제2 부분(421)과 유기 발광층(550) 사이에 위치할 수 있다. 또, 애노드 전극(510)의 상면은 제1 유기층(401)의 제3 부분(431)의 상면 보다 낮은 레벨에 위치할 수 있다. 애노드 전극(510)은 제1 유기층(401)의 제2 부분(421)에 형성된 컨택홀(CH)에 삽입되며, 제2 부분(421)의 컨택홀(CH)의 내측벽과 맞닿을 수 있다.
애노드 전극(510)은 투명 전극이거나, 불투명 전극이거나, 또는 투명 전극과 불투명 전극의 적층 구조일 수 있다. 상기 투명 전극을 형성하는 재료의 예로는 인듐주석산화물(indium tin oxide, ITO), 인듐아연산화물(indium zinc oxide, IZO), 산화아연(zinc oxide), 산화인듐(indium oxide) 등을 들 수 있고, 상기 불투명 전극을 형성하는 재료의 예로는 리튬(Li), 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 은(Ag), 니켈(Ni), 크롬(Cr) 등을 들 수 있다.
캐소드 전극(530)은 적어도 부분적으로 애노드 전극(510)과 제3 방향(Z)으로 중첩하도록 배치되며, 화소의 구분 없이 복수의 화소들에 걸쳐 배치되는 공통 전극일 수 있다. 즉, 서로 다른 화소에 배치된 복수의 발광 소자(500)들은 캐소드 전극(530)을 서로 공유할 수 있다. 예시적인 실시예에서, 제1 유기층(401)의 제3 부분(431)의 상면은 제2 유기층(601)에 의해 커버되지 않고 노출되며, 캐소드 전극(530)은 제1 유기층(401)의 제3 부분(431)의 상면과 맞닿을 수 있다. 캐소드 전극(530)은 애노드 전극(510)과 마찬가지로 투명 전극이거나, 불투명 전극이거나, 또는 투명 전극과 불투명 전극의 적층 구조일 수 있다.
유기 발광층(550)은 애노드 전극(510)과 캐소드 전극(530) 사이에 개재될 수 있다. 유기 발광층(550)은 애노드 전극(510)과 캐소드 전극(530)으로부터 전달되는 정공과 전자를 재결합시켜 광을 생성할 수 있다. 예를 들어, 상기 정공과 전자는 유기 발광층(550)에서 재결합되어 엑시톤을 형성하고, 상기 엑시톤이 여기 상태로부터 기저 상태로 변화하며 광을 방출할 수 있다. 유기 발광층(550)은 청색 광을 인광 또는 형광 발광하는 재료를 포함하거나, 녹색 광을 인광 또는 형광 발광하는 재료를 포함하거나, 및/또는 청색 광을 인광 또는 형광 발광하는 재료를 포함할 수 있다. 후술할 제2 유기층(601)에 의해 커버되지 않고 제2 유기층(601)의 개구(OP) 내에 배치된 유기 발광층(550)은 평면상 발광 영역(R1)을 정의할 수 있다.
앞서 설명한 것과 같이, 유기 발광층(550)은 제1 유기층(401)의 제1 부분(411)과 제3 방향(Z)으로 중첩 배치되고, 평면 시점에서, 유기 발광층(550)은 제1 유기층(401)의 제2 부분(421)의 측면(421s)에 의해 둘러싸일 수 있다. 즉, 유기 발광층(550)을 제1 유기층(401)의 그루브(GR) 내에 삽입 배치함으로써, 제1 부분(411)이 제공하는 평탄한 표면에 의해 실질적으로 균일한 두께를 갖는 유기 발광층(550)을 형성함과 동시에, 제2 부분(421)의 측면(421s)이 형성하는 공간을 통해 유기 발광층(550)의 배치 정밀도를 향상시킬 수 있다.
도면으로 표현하지 않았으나, 유기 발광층(550)과 애노드 전극(510) 사이, 및/또는 유기 발광층(550)과 캐소드 전극(530) 사이에는 정공 주입층, 정공 수송층, 정공 저지층 등의 정공 제어 보조층(미도시), 전자 주입층, 전자 수송층, 전자 저지층 등의 전자 제어 보조층(미도시) 또는 전하 생성 보조층(미도시) 등이 더 개재되어 발광 소자(500)의 발광 효율을 개선할 수도 있다.
몇몇 실시예에서, 애노드 전극(510) 상에는 제2 유기층(601)이 더 배치될 수 있다. 앞서 설명한 유기 발광층(550) 및 캐소드 전극(530)은 제2 유기층(601) 상에 배치될 수 있다. 즉, 제2 유기층(601)은 적어도 부분적으로 애노드 전극(510)과 캐소드 전극(530) 사이에 개재되고, 제2 유기층(601)의 상면은 캐소드 전극(530)과 맞닿을 수 있다.
평면 시점에서, 제2 유기층(601)은 애노드 전극(510)의 적어도 일부를 노출하는 개구(OP)를 갖는 형상일 수 있다. 제2 유기층(601)은 적어도 부분적으로 제1 유기층(401)의 제2 부분(421)과 중첩하고, 제2 유기층(601)의 개구(OP)는 제1 유기층(401)의 제1 부분(411)과 중첩할 수 있다. 제1 유기층(401)의 제2 부분(421) 상에 배치된 제2 유기층(601)은 적어도 부분적으로 제1 유기층(401)의 컨택홀(CH) 내에 삽입 배치될 수 있다.
제2 유기층(601)의 재료는 특별히 제한되지 않으나, 예를 들어 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 이미드계 수지, 카도계 수지, 에스테르계 수지 등의 유기 재료를 포함할 수 있다. 제2 유기층(601)은 네거티브 감광성 재료를 포함하거나, 또는 포지티브 감광성 재료를 포함할 수 있다.
예시적인 실시예에서, 제2 유기층(601)은 제1 유기층(401)에 비해 광학 밀도가 더 크거나 같은 재료를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제2 유기층(601)은 블랙 안료 또는 블랙 염료 등의 차광성 색제를 더 포함할 수 있다. 인접한 발광 영역(R1)들 사이에 위치하는 비발광 영역(R2) 내에 배치되는 제2 유기층(601)이 상대적으로 높은 광학 밀도를 갖도록 함으로써 차광 부재와 같은 기능을 부여할 수 있다. 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니나, 후술할 바와 같이 발광 소자(500) 상에 서로 상이한 색의 광을 투과시키는 제1 컬러 필터(810) 및 제2 컬러 필터(830)를 배치하는 경우에도, 상대적으로 높은 광학 밀도를 갖는 제2 유기층(601)을 비발광 영역(R2)에 배치함으로써 인접한 화소 간의 혼색 불량을 억제할 수 있다.
제2 유기층(601)은 애노드 전극(510) 상에 직접 배치되고, 제2 유기층(601)은 적어도 부분적으로 애노드 전극(510) 및 제1 유기층(401)과 맞닿을 수 있다. 예를 들어, 제2 유기층(601)은 제1 유기층(401)의 제2 부분(421)의 상면 및 제3 부분(431)의 측면(431s)과 맞닿을 수 있다. 예시적인 실시예에서, 제2 유기층(601)은 제1 유기층(401)을 완전히 커버하지 않고, 제1 유기층(401)의 제3 부분(431)의 상면 및 측면(431s)은 부분적으로 노출된 상태일 수 있다. 즉, 제1 유기층(401)의 제3 부분(431)의 상면은 제2 유기층(601)의 상면 보다 높은 레벨에 위치할 수 있다. 몇몇 실시예에서, 제2 유기층(601)은 부분적으로 제1 유기층(401)의 제2 부분(421)과 유기 발광층(550) 사이에 위치할 수 있다.
제2 유기층(601)은 2차적으로 유기 발광층(550)이 배치되는 공간을 정의할 수 있다. 발광 소자(500)의 유기 발광층(550)은 제2 유기층(601)의 개구(OP) 내에 배치될 수 있다. 평면 시점에서, 제2 유기층(601)의 개구(OP)는 제1 유기층(401)의 그루브(GR)에 상응하는 형상일 수 있다. 예를 들어, 제2 유기층(601)의 개구(OP)는 평면상 대략 다이아몬드 형상일 수 있다.
평면 시점에서 유기 발광층(550)은 제2 유기층(601)의 개구(OP)의 내측벽(601s)에 의해 둘러싸일 수 있다. 즉, 제2 유기층(601)은 발광 영역(R1)을 구획하는 화소 정의 기능을 가질 수 있다. 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니나, 증착 마스크를 이용하여 유기 발광층(550)을 증착 형성하는 경우, 유기 발광층(550)이 형성되기 전에 개구(OP)를 갖는 제2 유기층(601)이 형성될 수 있다. 이 경우, 제2 유기층(601)의 개구(OP)가 형성하는 내측벽(601s)은 유기 발광층(550)이 증착 형성되기 위한 공간을 정의할 수 있으며, 발광 영역(R1) 내 유기 발광층(550)의 두께가 불균일하게 형성되어 휘도 불균일 불량이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
몇몇 실시예에서, 제2 유기층(601)의 개구(OP)의 내측벽(601s)이 형성하는 제2 경사각(θ2)은 제1 유기층(401)의 제2 부분(421)의 측면(421s)이 형성하는 제1 경사각(θ1) 보다 클 수 있다. 제2 유기층(601)에 비해 먼저 형성되는 제1 유기층(401)의 그루브(GR)의 경사각, 즉 제2 부분(421)의 측면(421s)의 제1 경사각(θ1)을 상대적으로 작게 형성함으로써, 그루브(GR)의 평면상 크기에 비해 작은 크기를 갖는 개구(OP)를 갖는 제2 유기층(601)을 형성할 수 있다. 또, 제1 유기층(401)에 비해 나중에 형성되고, 유기 발광층(550)이 배치되는 영역을 제공하는 제2 유기층(601)의 개구(OP)의 측벽(601s)의 제2 경사각(θ2)을 상대적으로 크게 형성함으로써 유기 발광층(550)의 배치 정밀도를 더욱 향상시킬 수 있다.
몇몇 실시예에서, 발광 소자(500) 상에는 봉지 부재(700)가 배치될 수 있다. 봉지 부재(700)는 발광 소자(500)를 봉지하도록 구성되어, 표시 장치(1)의 외부로부터 수분 또는 공기 등의 불순물이 침투하여 발광 소자(500)를 손상 또는 변성시키는 것을 방지할 수 있다. 예시적인 실시예에서, 봉지 부재(700)는 하나 이상의 무기 봉지층(710, 750) 및 하나 이상의 유기 봉지층(730)을 포함하는 박막 봉지층일 수 있다. 무기 봉지층(710, 750)과 유기 봉지층(730)은 서로 교번적으로 배치될 수 있다. 예를 들어, 봉지 부재(700)는 캐소드 전극(530) 상에 배치된 제1 무기 봉지층(710), 제1 무기 봉지층(710) 상에 배치된 유기 봉지층(730) 및 유기 봉지층(730) 상에 배치된 제2 무기 봉지층(750)을 포함할 수 있다. 도 2 등은 봉지 부재(700)가 세 개의 층으로 이루어진 경우를 예시하고 있으나, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다. 몇몇 실시예에서, 봉지 부재(700)는 헥사메틸디실록산 등의 실록산계 봉지층을 더 포함할 수도 있다.
봉지 부재(700)는 적어도 부분적으로 제2 유기층(601)의 개구(OP) 내에 위치할 수 있다. 예를 들어, 봉지 부재(700)의 제1 무기 봉지층(710) 및 유기 봉지층(730)은 적어도 부분적으로 제2 유기층(601)의 개구(OP) 내에 배치될 수 있다.
또, 봉지 부재(700) 상에는 컬러 필터층(800)이 배치될 수 있다. 도면으로 표현하지 않았으나, 몇몇 실시예에서 봉지 부재(700)와 컬러 필터층(800) 사이에는 터치 감지 소자(미도시)가 더 배치될 수 있다.
컬러 필터층(800)은 서로 다른 색의 광을 투과시키는 제1 컬러 필터(810) 및 제2 컬러 필터(830)를 포함할 수 있다. 제1 컬러 필터(810)와 제2 컬러 필터(830)는 서로 다른 발광 영역(R1)을 커버하도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 컬러 필터(810)는 어느 발광 영역(R1)을 커버하도록 배치되고, 제2 컬러 필터(830)는 제1 컬러 필터(810)가 커버하는 발광 영역(R1)의 제1 방향(X) 일측에 위치하는 다른 발광 영역을 커버하도록 배치될 수 있다.
또, 제1 컬러 필터(810)와 제2 컬러 필터(830)는 서로 맞닿고, 적어도 부분적으로 서로 중첩하도록 배치될 수 있다. 또, 제1 컬러 필터(810)와 제2 컬러 필터(830)가 맞닿는 부분은 제1 유기층(401)의 제3 부분(431)과 제3 방향(Z)으로 중첩할 수 있다. 즉, 제1 유기층(401)의 제3 부분(431), 제1 컬러 필터(810) 및 제2 컬러 필터(830)는 적어도 부분적으로 제3 방향(Z)으로 중첩하도록 배치될 수 있다.
이하, 본 발명의 다른 실시예들에 대하여 설명한다. 다만, 앞서 설명한 도 1 등의 실시예에 따른 표시 장치(1)와 동일한 구성에 대한 설명은 생략하며, 이는 첨부된 도면으로부터 통상의 기술자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치(2)의 평면도로서, 표시 장치(2)의 유기 발광층(550) 및 제2 유기층(602)의 평면상 위치를 나타낸 평면도이다. 도 5는 도 4의 표시 장치(2)를 Ⅴ-Ⅴ' 선을 따라 절개한 단면도이다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(2)는 제2 유기층(602)이 제1 유기층(401)을 완전히 커버하여 제1 유기층(401)의 제3 부분(431)이 노출되지 않는 점이 도 1 등의 실시예에 따른 표시 장치(1)와 상이한 점이다.
예시적인 실시예에서, 제2 유기층(602)은 제1 유기층(401)의 제2 부분(421)의 상면, 제3 부분(431)의 측면 및 제3 부분(431)의 상면과 맞닿을 수 있다. 즉, 제1 유기층(401)의 제3 부분(431)의 상면의 레벨은 제2 유기층(602)의 상면이 형성하는 최대 레벨보다 낮게 위치할 수 있다. 또, 제1 유기층(401)의 제3 부분(431)은 제2 유기층(602)을 사이에 두고 캐소드 전극(530)과 이격될 수 있다.
몇몇 실시예에서, 제1 유기층(401)의 제3 부분(431)과 제3 방향(Z)으로 중첩하는 제2 유기층(602)의 두께는 제1 유기층(401)의 제2 부분(421)과 제3 방향(Z)으로 중첩하는 제2 유기층(602)의 두께보다 작을 수 있다.
그 외 박막 트랜지스터(200), 절연층(300), 발광 소자(500), 봉지 부재(700) 및 컬러 필터층(800)에 대해서는 앞서 설명한 바 있으므로 중복되는 설명은 생략한다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치(3)의 단면도로서, 도 5에 대응되는 위치의 단면도이다.
도 6을 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(3)는 제1 유기층(403)의 제2 부분(423)의 상면이 제1 유기층(403)의 최대 높이를 형성하는 부분인 점이 도 5 등의 실시예에 따른 표시 장치(2)와 상이한 점이다.
제1 유기층(403)은 제1 높이(H1)를 형성하는 제1 부분(413) 및 제1 높이(H1) 보다 큰 제2 높이(H2)를 형성하는 제2 부분(423)을 포함할 수 있다. 제1 유기층(403)의 제2 부분(423)에는 컨택홀이 형성될 수 있다. 제1 유기층(403)의 제1 부분(413) 및 제2 부분(423)에 대해서는 앞서 설명한 바 있으므로 중복되는 설명은 생략한다.
애노드 전극(510) 상에는 제2 유기층(603)이 배치될 수 있다. 예시적인 실시예에서, 제2 유기층(603)은 제5 높이(H5)를 형성하는 제5 부분(653) 및 제5 높이(H5) 보다 큰 제6 높이(H6)를 형성하는 제6 부분(663)을 포함할 수 있다. 제2 유기층(603)의 제5 부분(653) 및 제6 부분(663)은 제1 유기층(403)의 제2 부분(423)과 제3 방향(Z)으로 중첩할 수 있다. 제5 높이(H5) 및 제6 높이(H6)는 베이스(110)의 상면으로부터 제2 유기층(603)의 상면까지의 수직 최단 거리를 의미할 수 있다. 제2 유기층(603)의 제5 부분(653)과 제6 부분(663)은 서로 물리적으로 연결되어 일체로 형성되되, 제6 부분(663)은 제5 부분(653)에 비해 상측으로 돌출된 형상일 수 있다.
제2 유기층(603)의 제6 부분(663)의 제6 높이(H6)와 제1 유기층(403)의 제2 부분(423)의 제2 높이(H2)의 차이(H6-H2)는 약 0.5㎛ 이상 약 1.2㎛ 이하, 또는 약 0.6㎛ 이상 약 1.2㎛ 이하일 수 있다. 앞서 설명한 바와 같이, 제2 부분(423) 상에 배치된 애노드 전극(510)은 제1 부분(413) 상에 배치된 애노드 전극(510) 보다 높은 레벨에 위치할 수 있다. 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니나, 증착 마스크를 이용하여 유기 발광층(550)을 증착 형성하는 경우, 상기 증착 마스크는 제2 유기층(603)의 제6 부분(663)의 상면과 맞닿을 수 있다. 특히 제6 높이(H6)와 제2 높이(H2)의 차이(H6-H2)를 0.5㎛ 이상으로 하여, 증착 마스크와 애노드 전극(510) 간에 발생하는 아크 또는 아크 방전을 방지할 수 있다.
또, 제2 유기층(603)의 제6 부분(663)의 제6 높이(H6)와 제5 부분(653)의 제5 높이(H5)의 차이(H6-H5)는 제5 높이(H5)와 제2 높이(H2)의 차이(H5-H2) 보다 작을 수 있다. 예를 들어, 제6 높이(H6)와 제5 높이(H5)의 차이(H6-H5)는 약 0.2㎛ 이상일 수 있다.
그 외 박막 트랜지스터(200), 절연층(300), 발광 소자(500), 봉지 부재(700) 및 컬러 필터층(800)에 대해서는 앞서 설명한 바 있으므로 중복되는 설명은 생략한다.
이하, 본 발명에 따른 표시 장치의 제조 방법에 대하여 설명한다.
도 7 내지 도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 단면도들로서, 도 2에 대응되는 위치의 단면도들이다.
우선 도 7을 참조하면, 베이스(110) 상에 박막 트랜지스터(200)를 포함하는 구동 소자층을 형성한다. 베이스(110), 버퍼층(130), 박막 트랜지스터(200) 및 절연층(300)에 대해서는 앞서 설명한 바 있으므로 중복되는 설명은 생략한다.
이어서 도 8을 더 참조하면, 박막 트랜지스터(200) 상에 제1 유기층(401)을 형성한다. 제1 유기층(401)은 제1 높이(H1)를 형성하는 제1 부분(411) 및 제1 높이(H1) 보다 큰 제2 높이(H2)를 형성하는 제2 부분(421)을 포함하고, 제2 높이(H2) 보다 큰 제3 높이(H3)를 형성하는 제3 부분(431)을 더 포함할 수 있다.
예시적인 실시예에서, 제1 유기층(401)을 형성하는 단계는, 박막 트랜지스터(200) 상에 티브 감광성 재료를 포함하는 감광층을 형성하는 단계, 및 노광 마스크(LEM)를 이용하여 제1 부분(411), 제2 부분(421) 및 제3 부분(431)을 포함하고, 컨택홀(CH)을 갖는 제1 유기층(401)을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 도면으로 표현하지 않았으나, 상기 감광성 재료를 포함하는 감광층은 슬릿 코팅 또는 스핀 코팅 등의 방법으로 형성될 수 있다. 이하에서, 포지티브 감광성 재료를 포함하는 감광층을 이용하여 제1 유기층(401)을 형성하는 경우를 예로 하여 설명하나, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니며 다른 실시예에서 제1 유기층(401)은 네거티브 감광성 재료를 포함하는 감광층을 이용하여 형성될 수도 있다.
노광 마스크(LEM)는 서로 다른 투광량을 갖는 제1 영역(M1), 제2 영역(M2), 제3 영역(M3) 및 제4 영역(M4)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 노광 마스크(LEM)는 제1 투광량(T1)을 갖는 제1 영역(M1), 제1 투광량(T1) 보다 작은 제2 투광량(T2)을 갖는 제2 영역(M2) 및 차광 영역인 제3 영역(M3)을 포함하고, 제1 투광량(T1) 보다 큰 제4 투광량(T4)을 갖는 제4 영역(M4)을 포함할 수 있다. 비제한적인 일례로, 제4 영역(M4)의 제4 투광량(T4)은 약 100%일 수 있다. 즉 제4 영역(M4)은 개구 영역일 수 있다. 제1 영역(M1) 및 제2 영역(M2)은 각각 하프톤 마스크 또는 슬릿 마스크로 구성되어 소정의 투광량을 가질 수 있다.
노광 마스크(LEM)는 감광층에 조사되는 광의 양을 조절하여 서로 다른 높이를 갖는 제1 유기층(401)을 형성할 수 있다. 예를 들어, 노광 마스크(LEM)의 제1 영역(M1)은 제1 유기층(401)의 제1 부분(411)을 형성하고, 노광 마스크(LEM)의 제2 영역(M2)은 제1 유기층(401)의 제2 부분(421)을 형성할 수 있다. 제1 유기층(401)은 제1 부분(411)의 상면 및 제2 부분(421)의 측면(421s)에 의해 정의되는 그루브(GR)를 가질 수 있다.
또, 노광 마스크(LEM)의 제3 영역(M3), 즉 차광 영역은 광의 투과를 차단하여 실질적으로 포지티브 감광층의 분해를 발생시키지 않을 수 있다. 반면, 노광 마스크(LEM)의 제4 영역(M4), 예컨대 개구 영역을 통해 투과한 광은 포지티브 감광층을 분해하여 박막 트랜지스터(200)의 소스 전극(270)을 노출하는 컨택홀(CH)을 형성할 수 있다. 몇몇 실시예에서, 컨택홀(CH)은 제1 유기층(401)의 제2 부분(421)에 형성될 수 있다. 즉, 평면 시점에서, 컨택홀(CH)은 제1 유기층(401)의 제2 부분(421)의 상면에 의해 둘러싸일 수 있다.
제1 유기층(401)의 제1 부분(411), 제2 부분(421) 및 제3 부분(431)에 대해서는 앞서 설명한 바 있으므로 중복되는 설명은 생략한다.
이어서 도 9를 더 참조하면, 제1 유기층(401) 상에 애노드 전극(510)을 형성한다. 애노드 전극(510)은 적어도 부분적으로 제1 유기층(401)의 컨택홀(CH)에 삽입될 수 있다. 또, 애노드 전극(510)은 제1 유기층(401)의 제1 부분(411) 및 제2 부분(421)과 제3 방향(Z)으로 중첩하되, 제3 부분(431)과 이격될 수 있다. 애노드 전극(510)에 대해서는 앞서 설명한 바 있으므로 중복되는 설명은 생략한다.
이어서 도 10을 더 참조하면, 애노드 전극(510) 상에 제2 유기층(601)을 형성한다. 제2 유기층(601)은 애노드 전극(510)의 적어도 일부를 노출하는 개구(OP)를 가질 수 있다. 예시적인 실시예에서, 제2 유기층(601)은 적어도 부분적으로 제1 유기층(401) 및 애노드 전극(510)과 맞닿되, 제1 유기층(401)의 제3 부분(431)을 부분적으로 노출시킬 수 있다.
몇몇 실시예에서, 제2 유기층(601)은 제1 유기층(401)에 비해 광학 밀도가 더 크거나 같은 재료를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제2 유기층(601)은 블랙 안료 또는 블랙 염료 등의 차광성 색제를 포함할 수 있다.
제2 유기층(601)에 대해서는 앞서 설명한 바 있으므로 중복되는 설명은 생략한다.
이어서 도 11을 더 참조하면, 애노드 전극(510) 및 제2 유기층(601) 상에 유기 발광층(550)을 형성한다. 유기 발광층(550)은 제1 유기층(401)의 제1 부분(411)과 제3 방향(Z)으로 중첩하도록 배치될 수 있다.
예시적인 실시예에서, 유기 발광층(550)을 형성하는 단계는 제1 유기층(401) 상에 개구(DMOP)를 갖는 증착 마스크(DM)를 배치하는 단계 및 증착 마스크(DM)의 개구(DMOP)를 통해 유기 발광 재료를 증착하여 유기 발광층(550)을 증착 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
증착 마스크(DM)는 파인 메탈 마스크일 수 있다. 증착 마스크(DM)를 배치하는 단계에서, 증착 마스크(DM)는 제1 유기층(401)의 제3 부분(431)과 맞닿을 수 있다. 증착 마스크(DM)가 제1 유기층(401)의 제3 부분(431)과 맞닿도록 하여 증착 마스크(DM)를 안정적으로 정렬 및 배치할 수 있다. 또, 앞서 설명한 것과 같이 제1 유기층(401)의 제3 부분(431)이 충분한 높이를 형성함으로써 증착 마스크(DM)와 애노드 전극(510) 간에 발생하는 아크 또는 아크 방전을 방지할 수 있다.
이어서 도 12를 더 참조하면, 유기 발광층(550) 상에 캐소드 전극(530)을 형성한다. 애노드 전극(510), 캐소드 전극(530) 및 유기 발광층(550)은 발광 소자(500)를 형성할 수 있다. 캐소드 전극(530)에 대해서는 앞서 설명한 바 있으므로 중복되는 설명은 생략한다.
이어서 도 13을 더 참조하면, 발광 소자(500) 상에 제1 무기 봉지층(710), 유기 봉지층(730) 및 제2 무기 봉지층(750)을 포함하는 봉지 부재(700)를 형성하고, 봉지 부재(700) 상에 제1 컬러 필터(810) 및 제2 컬러 필터(830)를 포함하는 컬러 필터층(800)을 형성한다. 앞서 설명한 것과 같이, 제1 컬러 필터(810), 제2 컬러 필터(830) 및 제1 유기층(401)의 제3 부분(431)은 서로 제3 방향(Z)으로 중첩할 수 있다. 봉지 부재(700) 및 컬러 필터층(800)에 대해서는 앞서 설명한 바 있으므로 중복되는 설명은 생략한다.
이상에서 본 발명의 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 본 발명의 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
1: 표시 장치
110: 베이스
200: 박막 트랜지스터
401: 제1 유기층
500: 발광 소자
601: 제2 유기층
700: 봉지층
800: 컬러 필터층

Claims (20)

  1. 베이스 상에 배치된 박막 트랜지스터;
    상기 박막 트랜지스터 상에 배치되고, 상기 박막 트랜지스터의 적어도 일부를 노출하는 컨택홀을 갖는 제1 유기층으로서, 제1 높이를 형성하는 제1 부분 및 상기 제1 높이보다 큰 제2 높이를 형성하는 제2 부분을 포함하는 제1 유기층; 및
    상기 제1 유기층 상에 배치되고, 서로 대향하는 제1 전극과 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 개재된 유기 발광층을 포함하는 발광 소자를 포함하되,
    상기 유기 발광층은 상기 제1 유기층의 상기 제1 부분 상에 배치되고,
    상기 컨택홀은 상기 제1 유기층의 상기 제2 부분에 형성된 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 유기층의 상기 제1 부분은 상기 박막 트랜지스터의 게이트 전극과 중첩하고,
    평면 시점에서, 상기 유기 발광층은 상기 제1 유기층의 상기 제2 부분의 측면에 의해 둘러싸이는 표시 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 전극은 상기 제1 유기층의 상기 제1 부분 및 상기 제2 부분 상에 직접 배치되고,
    상기 제1 전극은 부분적으로 상기 컨택홀에 삽입되어 상기 박막 트랜지스터의 소스 전극과 전기적으로 연결되는 표시 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제1 유기층의 상기 제2 부분은 적어도 부분적으로 상기 소스 전극과 중첩하고,
    상기 제2 부분 상에 배치된 상기 제1 전극의 레벨은 상기 제1 부분 상에 배치된 상기 제1 전극의 레벨보다 큰 표시 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1 유기층은 상기 제2 높이보다 큰 제3 높이를 형성하는 제3 부분을 더 포함하고,
    상기 제1 유기층의 상기 제1 부분, 상기 제2 부분 및 상기 제3 부분은 물리적 경계 없이 일체로 형성되는 표시 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제1 전극은 상기 제1 유기층 상에 직접 배치되고,
    상기 제1 전극은 상기 제1 유기층의 상기 제3 부분의 측면과 이격된 표시 장치.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 제2 높이와 상기 제1 높이의 차이는 1.0㎛ 이상 2.3㎛ 이하인 표시 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제3 높이와 상기 제2 높이의 차이는 상기 제2 높이와 상기 제1 높이의 차이보다 작고,
    상기 제3 높이와 상기 제2 높이의 차이는 0.5㎛ 이상인 표시 장치.
  9. 제5항에 있어서,
    상기 제1 유기층 상에 배치된 제2 유기층으로서, 적어도 부분적으로 상기 제1 유기층과 맞닿고, 상기 제1 유기층의 상기 제2 부분 상에 배치되는 제2 유기층을 더 포함하는 표시 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제2 유기층의 광학 밀도는 상기 제1 유기층의 광학 밀도보다 큰 표시 장치.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 제2 유기층은 적어도 부분적으로 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 개재되고,
    상기 제2 유기층은 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극과 맞닿으며,
    상기 제2 유기층은 적어도 부분적으로 상기 유기 발광층과 상기 제2 부분 사이에 위치하고,
    상기 제2 유기층은 부분적으로 상기 컨택홀에 삽입되며,
    상기 유기 발광층은 상기 제2 유기층 상에 배치되는 표시 장치.
  12. 제9항에 있어서,
    상기 제2 전극은 상기 제1 유기층의 상기 제3 부분 및 상기 제2 유기층과 맞닿는 표시 장치.
  13. 제9항에 있어서,
    평면 시점에서, 상기 제2 유기층은 상기 제1 전극의 적어도 일부를 노출하는 개구를 갖는 형상이고,
    상기 제2 유기층의 상기 개구의 내측벽이 형성하는 경사각은,
    상기 제1 유기층의 상기 제2 부분의 측면이 형성하는 경사각보다 큰 표시 장치.
  14. 제9항에 있어서,
    평면 시점에서, 상기 제2 유기층은 상기 제1 전극의 적어도 일부를 노출하는 개구를 갖는 형상이고,
    평면 시점에서, 상기 유기 발광층은 상기 제2 유기층의 상기 개구 내에 배치된 표시 장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 제2 유기층 상에 배치되고, 하나 이상의 유기 봉지층 및 하나 이상의 무기 봉지층을 포함하는 봉지층; 및
    상기 봉지층 상에 배치된 컬러 필터층으로서, 제1 컬러 필터 및 상기 제1 컬러 필터와 상이한 색의 광을 투과시키고 상기 제1 컬러 필터와 맞닿는 제2 컬러 필터를 포함하는 컬러 필터층을 더 포함하되,
    상기 제1 컬러 필터는 상기 제1 유기층의 상기 제3 부분과 중첩하고,
    상기 제2 컬러 필터는 상기 제1 유기층의 상기 제3 부분과 중첩하며,
    상기 봉지층의 상기 유기 봉지층은 상기 제2 유기층의 상기 개구 내에 배치되는 표시 장치.
  16. 베이스 상에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계;
    상기 박막 트랜지스터 상에 컨택홀을 갖는 제1 유기층을 형성하는 단계로서, 제1 높이를 형성하는 제1 부분 및 상기 제1 높이보다 큰 제2 높이를 형성하는 제2 부분을 포함하는 제1 유기층을 형성하는 단계;
    상기 제1 유기층 상에 제1 전극을 형성하는 단계; 및
    상기 제1 전극 상에 유기 발광층을 형성하는 단계를 포함하되,
    상기 유기 발광층은 상기 제1 유기층의 상기 제1 부분 상에 배치되고,
    상기 컨택홀은 상기 제1 유기층의 상기 제2 부분에 형성된 표시 장치의 제조 방법.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 제1 유기층은 상기 제2 높이보다 큰 제3 높이를 형성하는 제3 부분을 더 포함하되,
    상기 제1 유기층을 형성하는 단계는,
    상기 박막 트랜지스터 상에 감광층을 형성하는 단계, 및
    서로 다른 투광량을 갖는 제1 영역, 제2 영역, 제3 영역 및 제4 영역을 포함하는 노광 마스크를 이용하여, 상기 제1 부분, 상기 제2 부분, 상기 제3 부분을 포함하고 상기 컨택홀을 갖는 제1 유기층을 형성하는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 유기 발광층을 형성하는 단계는,
    상기 제1 유기층 상에 개구를 갖는 증착 마스크를 배치하는 단계로서, 상기 제1 유기층의 상기 제3 부분과 맞닿도록 증착 마스크를 배치하는 단계, 및
    상기 증착 마스크의 상기 개구를 통해 유기 발광 재료를 증착하여 상기 유기 발광층을 증착 형성하는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  19. 제17항에 있어서,
    상기 유기 발광층 상에 컬러 필터층을 형성하는 단계로서, 제1 컬러 필터 및 상기 제1 컬러 필터와 상이한 색의 광을 투과시키고 상기 제1 컬러 필터와 맞닿는 제2 컬러 필터를 포함하는 컬러 필터층을 형성하는 단계를 더 포함하되,
    상기 제1 컬러 필터는 상기 제1 유기층의 상기 제3 부분과 중첩하고,
    상기 제2 컬러 필터는 상기 제1 유기층의 상기 제3 부분과 중첩하는 표시 장치의 제조 방법.
  20. 제16항에 있어서,
    상기 제1 전극을 형성하는 단계와 상기 유기 발광층을 형성하는 단계 사이에,
    적어도 부분적으로 상기 제1 유기층 및 상기 제1 전극과 맞닿고, 상기 제1 유기층의 상기 제2 부분 상에 배치되며, 상기 제1 유기층보다 큰 광학 밀도를 갖는 제2 유기층을 형성하는 단계를 더 포함하되,
    평면 시점에서, 상기 제2 유기층은 상기 제1 전극의 적어도 일부를 노출하는 개구를 갖는 표시 장치의 제조 방법.
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