KR20190103116A - Substrate treating apparatus and substrate treating method - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method. According to one embodiment of the present invention, the substrate processing apparatus includes: a support member supporting a substrate; a processing liquid nozzle supplying processing liquid to the substrate positioned on the support member; and a controller controlling the processing liquid nozzle so that the processing liquid supplied to the substrate can be discharged to a low flow supply section and a high flow supply section having the greater hourly average discharge amount than the low flow supply section while having a difference.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{Substrate treating apparatus and substrate treating method}Substrate treating apparatus and substrate treating method

본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method.

반도체 소자 또는 액정 디스플레이를 제조하기 위해서, 기판에 포토리소그라피, 식각, 애싱, 이온주입, 박막 증착, 그리고 세정 등의 다양한 공정들이 수행된다. 이 중 식각 공정은 기판 상에 형성된 박막 중 불필요한 영역을 제거하는 공정으로, 박막에 대한 높은 선택비 및 고 식각률이 요구된다. 그리고, 위 같은 공정 중에는 기판을 가열 처리하는 공정이 수반될 수 있다. In order to manufacture a semiconductor device or a liquid crystal display, various processes such as photolithography, etching, ashing, ion implantation, thin film deposition, and cleaning are performed on the substrate. The etching process is a process of removing unnecessary regions of the thin film formed on the substrate, and a high selectivity and high etching rate for the thin film are required. In addition, the above process may involve a process of heating the substrate.

일반적으로 기판의 식각 공정 또는 세정 공정은 크게 케미칼 처리 단계, 린스 처리 단계, 그리고 건조 처리 단계가 순차적으로 수행된다. 케미칼 처리 단계에는 기판 상에 형성된 박막을 식각 처리하거나 기판 상의 이물을 제거 하기 위한 케미칼을 기판으로 공급하고, 린스 처리 단계에는 기판 상에 순수와 같은 린스액이 공급된다. 이 같이 유체를 통한 기판의 처리에 기판의 가열이 수반될 수 있다.In general, the etching process or the cleaning process of the substrate is largely carried out sequentially a chemical treatment step, a rinse treatment step, and a drying treatment step. In the chemical treatment step, chemicals for etching the thin film formed on the substrate or removing foreign substances on the substrate are supplied to the substrate, and in the rinse treatment step, a rinse liquid such as pure water is supplied onto the substrate. As such, treatment of the substrate through the fluid may be accompanied by heating of the substrate.

본 발명은 기판을 효율적으로 처리하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.The present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method for efficiently processing a substrate.

본 발명의 일 측면에 따르면, 기판을 지지하는 지지 부재; 상기 지지 부재에 위치된 상기 기판으로 처리액을 공급하는 처리액 노즐; 및 상기 기판으로 공급되는 상기 처리액이 저유량 공급 구간 및 상기 저유량 공급 구간보다 시간당 평균 토출량이 많은 고유량 공급 구간으로 차이를 두고 토출 되도록 상기 처리액 노즐을 제어하는 제어기를 포함하는 기판 처리 장치가 제공될 수 있다.According to an aspect of the invention, the support member for supporting the substrate; A processing liquid nozzle for supplying a processing liquid to the substrate located on the support member; And a controller for controlling the processing liquid nozzle such that the processing liquid supplied to the substrate is discharged with a difference in a low flow rate supply section and a high flow rate supply section having an average discharge amount per hour greater than the low flow rate supply section. May be provided.

또한, 상기 제어기는 상기 저유량 공급 구간에서 상기 처리액의 토출이 정지되도록 상기 처리액 노즐을 제어할 수 있다.The controller may control the processing liquid nozzle to stop the discharge of the processing liquid in the low flow rate supply section.

또한, 상기 지지 부재에 위치된 상기 기판을 가열하는 가열 부재를 더 포함할 수 있다.The apparatus may further include a heating member for heating the substrate positioned on the support member.

또한, 상기 제어기는 상기 가열 부재의 가열 온도가 상기 저유량 공급 구간보다 상기 고유량 공급구간에서 낮도록 상기 가열 부재를 제어할 수 있다.In addition, the controller may control the heating member such that the heating temperature of the heating member is lower in the high flow rate supply section than the low flow rate supply section.

또한, 상기 가열 부재는 상기 지지 부재에 위치되는 램프로 제공될 수 있다.In addition, the heating member may be provided as a lamp located in the support member.

또한, 상기 가열 부재는 상기 지지 부재에 위치되는 저항 가열 방식 열선일 수 있다.In addition, the heating member may be a resistance heating type heating wire positioned in the support member.

또한, 상기 가열 부재는 상기 지지 부재로 레이저를 조사하는 레이저 원일 수 있다.In addition, the heating member may be a laser source for irradiating a laser to the support member.

또한, 상기 가열 부재는 상기 기판의 회전 중심과 상기 기판의 단부 사이게 걸쳐 라인빔 형태로 상기 레이저를 조사할 수 있다.In addition, the heating member may irradiate the laser in the form of a line beam between the center of rotation of the substrate and the end of the substrate.

또한, 상기 처리액은 인산일 수 있다.In addition, the treatment liquid may be phosphoric acid.

또한, 상기 지지 부재는 회전 가능하게 제공되고, 상기 제어기는 상기 저유량 공급 구간보다 상기 고유량 공급 구간에서 회전 속력이 빠르도록 상기 지지 부재를 제어할 수 있다.In addition, the support member is rotatably provided, and the controller may control the support member such that the rotation speed is faster in the high flow rate supply section than the low flow rate supply section.

본 발명의 다른 측면에 따르면, 기판에 처리액을 공급하여 기판을 처리하되, 상기 처리액은 저유량 공급 구간 및 상기 저유량 공급 구간보다 시간당 평균 토출량이 많은 고유량 공급 구간으로 차이를 두고 공급되는 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.According to another aspect of the present invention, the treatment liquid is supplied to the substrate to process the substrate, wherein the treatment liquid is supplied with a difference in the low flow rate supply section and the high flow rate supply section having a larger average discharge amount per hour than the low flow rate supply section. Substrate processing methods may be provided.

또한, 상기 저유량 공급 구간의 시간당 평균 토출량은 상기 고유량 공급 구간의 1/2 이하일 수 있다.The average discharge amount per hour in the low flow rate supply section may be 1/2 or less of the high flow rate supply section.

또한, 상기 저유량 공급 구간에서 상기 기판으로의 상기 처리액 토출은 정지될 수 있다.In addition, the processing liquid discharge to the substrate in the low flow rate supply section can be stopped.

또한, 상기 기판은 상기 고유량 공급 구간에 비해 상기 저유량 공급 구간에서 고온으로 가열될 수 있다.In addition, the substrate may be heated to a high temperature in the low flow rate supply section compared to the high flow rate supply section.

또한, 상기 기판은 상기 저유량 공급 구간에 비해 상기 고유량 공급 구간에서 더 빠르게 회전될 수 있다.In addition, the substrate may be rotated faster in the high flow rate supply section than the low flow rate supply section.

또한, 상기 처리액은 인산일 수 있다.In addition, the treatment liquid may be phosphoric acid.

본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판을 효율적으로 처리할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.According to one embodiment of the present invention, a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of efficiently processing a substrate may be provided.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 평면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 공정 챔버를 나타내는 도면이다.
도 3은 일 실시 예에 따른 지지 부재의 부분 단면도 이다.
도 4는 가열 부재의 가열 온도를 나타내는 도면이다.
도 5 및 도 6은 처리액 노즐이 기판에 약액을 토출하는 상태를 나타내는 도면이다.
도 7은 다른 실시 예에 따른 가열 부재의 가열 온도를 나타내는 도면이다.
도 8 또 다른 실시 예에 따른 가열 부재의 가열 온도를 나타내는 도면이다.
도 9는 다른 실시 예에 따른 공정 챔버를 나타내는 도면이다.
도 10은 일 예에 따라 기판에 조사된 레이저를 나타내는 도면이다.
도 11은 또 다른 실시 예에 따른 공정 챔버를 나타내는 도면이다.1 is a plan view illustrating a substrate processing apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention.
2 is a view showing a process chamber according to an embodiment of the present invention.
3 is a partial cross-sectional view of the support member according to an embodiment.
4 is a diagram illustrating a heating temperature of a heating member.
5 and 6 are views showing a state in which the processing liquid nozzle discharges the chemical liquid to the substrate.
7 is a view showing a heating temperature of a heating member according to another embodiment.
8 is a view showing a heating temperature of a heating member according to another embodiment.
9 is a diagram illustrating a process chamber according to another exemplary embodiment.
10 is a diagram illustrating a laser irradiated onto a substrate according to an example.
11 is a view illustrating a process chamber according to another embodiment.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention can be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Therefore, the shape of the elements in the drawings are exaggerated to emphasize a more clear description.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 평면도이다.1 is a plan view illustrating a substrate processing apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 인덱스모듈(10)과 공정 처리 모듈(20)을 가진다. 인덱스모듈(10)은 로드 포트(120) 및 이송 프레임(140)을 가진다. 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(20)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(20)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하며, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 칭한다. Referring to FIG. 1, the substrate processing apparatus 1 includes an index module 10 and a process processing module 20. The index module 10 has a load port 120 and a transfer frame 140. The load port 120, the transfer frame 140, and the process module 20 are sequentially arranged in a row. Hereinafter, the direction in which the load port 120, the transfer frame 140, and the process module 20 are arranged is referred to as a first direction 12. When viewed from the top, the direction in which the load port 120, the transfer frame 140, and the processing module 20 are arranged is perpendicular to the first direction 12. The direction is called the second direction 14, and the direction perpendicular to the plane including the first direction 12 and the second direction 14 is called the third direction 16.

로드 포트(120)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(18)가 위치된다. 로드 포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 로드 포트(120)의 개수는 공정 처리 모듈(20)의 공정 효율 및 풋 프린트조건 등에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(18)에는 기판(W)들을 지면에 대해 수평하게 배치한 상태로 수납하기 위한 다수의 슬롯(미도시)이 형성된다. 캐리어(18)로는 전면 개방 일체형 포드(Front Opening Unifed Pod;FOUP)가 사용될 수 있다. The carrier 18 in which the substrate W is accommodated is positioned in the load port 120. A plurality of load ports 120 are provided and they are arranged in a line along the second direction 14. The number of load ports 120 may increase or decrease depending on process efficiency and footprint of the process module 20. The carrier 18 is formed with a plurality of slots (not shown) for accommodating the substrates W in a state in which the substrates W are disposed horizontally with respect to the ground. As the carrier 18, a front opening unified pod (FOUP) may be used.

공정 처리 모듈(20)은 버퍼 유닛(220), 이송 챔버(240), 그리고 공정 챔버(260)를 가진다. 이송 챔버(240)는 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 평행하게 배치된다. 이송 챔버(240)의 양측에는 각각 공정 챔버들(260)이 배치된다. 이송 챔버(240)의 일측 및 타측에서 공정 챔버들(260)은 이송 챔버(240)를 기준으로 대칭되도록 제공된다. 이송 챔버(240)의 일측에는 복수 개의 공정 챔버들(260)이 제공된다. 공정 챔버들(260) 중 일부는 이송 챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 공정 챔버들(260) 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송 챔버(240)의 일측에는 공정 챔버들(260)이 A X B의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 공정 챔버(260)의 수이고, B는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 공정 챔버(260)의 수이다. 이송 챔버(240)의 일측에 공정 챔버(260)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 공정 챔버들(260)은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 공정 챔버(260)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 상술한 바와 달리, 공정 챔버(260)는 이송 챔버(240)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 공정 챔버(260)는 이송 챔버(240)의 일측 및 양측에 단층으로 제공될 수 있다.The process module 20 has a buffer unit 220, a transfer chamber 240, and a process chamber 260. The transfer chamber 240 is arranged such that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. Process chambers 260 are disposed at both sides of the transfer chamber 240, respectively. At one side and the other side of the transfer chamber 240, the process chambers 260 are provided to be symmetrical with respect to the transfer chamber 240. One side of the transfer chamber 240 is provided with a plurality of process chambers 260. Some of the process chambers 260 are disposed along the length of the transfer chamber 240. In addition, some of the process chambers 260 are arranged to be stacked on each other. That is, process chambers 260 may be arranged in an array of A X B on one side of the transfer chamber 240. Where A is the number of process chambers 260 provided in a line along the first direction 12, and B is the number of process chambers 260 provided in a line along the third direction 16. When four or six process chambers 260 are provided on one side of the transfer chamber 240, the process chambers 260 may be arranged in an array of 2 × 2 or 3 × 2. The number of process chambers 260 may increase or decrease. Unlike the above, the process chamber 260 may be provided only on one side of the transfer chamber 240. In addition, the process chamber 260 may be provided as a single layer on one side and both sides of the transfer chamber 240.

버퍼 유닛(220)은 이송 프레임(140)과 이송 챔버(240) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(220)은 이송 챔버(240)와 이송 프레임(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼 유닛(220)의 내부에는 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공된다. 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개가 제공된다. 버퍼 유닛(220)은 이송 프레임(140)과 마주보는 면 및 이송 챔버(240)와 마주보는 면이 개방된다. The buffer unit 220 is disposed between the transfer frame 140 and the transfer chamber 240. The buffer unit 220 provides a space in which the substrate W stays before the substrate W is transferred between the transfer chamber 240 and the transfer frame 140. The buffer unit 220 is provided with a slot (not shown) in which the substrate W is placed. A plurality of slots (not shown) are provided to be spaced apart from each other along the third direction 16. The buffer unit 220 has a surface facing the transfer frame 140 and a surface facing the transfer chamber 240 are opened.

이송 프레임(140)은 로드 포트(120)에 위치된 캐리어(18)와 버퍼 유닛(220) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송 프레임(140)에는 인덱스 레일(142)과 인덱스 로봇(144)이 제공된다. 인덱스 레일(142)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스 로봇(144)은 인덱스 레일(142) 상에 설치되며, 인덱스 레일(142)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스 로봇(144)은 베이스(144a), 몸체(144b), 그리고 인덱스암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스 레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 몸체(144b)에 결합되고, 몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암들(144c)은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암들(144c) 중 일부는 공정 처리 모듈(20)에서 캐리어(18)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 이의 다른 일부는 캐리어(18)에서 공정 처리 모듈(20)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스 로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다. The transfer frame 140 transports the substrate W between the carrier 18 and the buffer unit 220 located in the load port 120. The transfer frame 140 is provided with an index rail 142 and an index robot 144. The index rail 142 is provided in parallel with the second direction 14 in the longitudinal direction thereof. The index robot 144 is installed on the index rail 142 and is linearly moved in the second direction 14 along the index rail 142. The index robot 144 has a base 144a, a body 144b, and an index arm 144c. The base 144a is installed to be movable along the index rail 142. Body 144b is coupled to base 144a. The body 144b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 144a. In addition, the body 144b is provided to be rotatable on the base 144a. The index arm 144c is coupled to the body 144b and provided to move forward and backward with respect to the body 144b. The plurality of index arms 144c are provided to be individually driven. The index arms 144c are stacked to be spaced apart from each other along the third direction 16. Some of the index arms 144c are used when conveying the substrate W from the process processing module 20 to the carrier 18, and some of the index arms 144c are transferred from the carrier 18 to the process processing module 20. ) Can be used when returning. This can prevent particles generated from the substrate W before the process treatment from being attached to the substrate W after the process treatment while the index robot 144 loads and unloads the substrate W.

이송 챔버(240)는 버퍼 유닛(220)과 공정 챔버(260) 간에, 그리고 공정 챔버들(260) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송 챔버(240)에는 가이드 레일(242)과 메인 로봇(244)이 제공된다. 가이드 레일(242)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인 로봇(244)은 가이드 레일(242) 상에 설치되고, 가이드 레일(242) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동된다. 메인 로봇(244)은 베이스(244a), 몸체(244b), 그리고 메인암(244c)을 가진다. 베이스(244a)는 가이드 레일(242)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(244b)는 베이스(244a)에 결합된다. 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 몸체(244b)에 결합되고, 이는 몸체(244b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 메인암들(244c)은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. The transfer chamber 240 transports the substrate W between the buffer unit 220 and the process chamber 260 and between the process chambers 260. The transfer chamber 240 is provided with a guide rail 242 and a main robot 244. The guide rail 242 is disposed such that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. The main robot 244 is installed on the guide rail 242 and is linearly moved along the first direction 12 on the guide rail 242. The main robot 244 has a base 244a, a body 244b, and a main arm 244c. The base 244a is installed to be movable along the guide rail 242. Body 244b is coupled to base 244a. The body 244b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 244a. In addition, the body 244b is provided to be rotatable on the base 244a. The main arm 244c is coupled to the body 244b, which is provided to be capable of moving forward and backward with respect to the body 244b. A plurality of main arms 244c are provided to be individually driven. The main arms 244c are stacked to be spaced apart from each other along the third direction 16.

공정 챔버(260)는 기판(W)에 대해 공정 처리를 수행한다. 공정 챔버(260)에서 처리되는 공정은 모두 동일하나, 2개 이상의 상이한 공정일 수 있다.The process chamber 260 performs a process treatment on the substrate W. The processes processed in the process chamber 260 are all the same, but may be two or more different processes.

도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 공정 챔버를 나타내는 도면이다.2 is a view showing a process chamber according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 공정 챔버(260)는 지지 부재(1000), 처리액 노즐(1300), 가열 부재(1400) 및 제어기(1500)를 포함한다.Referring to FIG. 2, the process chamber 260 includes a support member 1000, a processing liquid nozzle 1300, a heating member 1400, and a controller 1500.

지지 부재(1000)는 공정 진행 중 기판(S)을 지지한다. 지지 부재(1000)는 상면이 설정 면적을 가지도록 제공된다. 일 예로, 지지 부재(1000)는 기판(S)보다 큰 면적을 가지고, 상면에 제공되는 핀(1100)으로 기판(S)을 지지하여, 기판(S)의 저면이 지지 부재(1000)의 상면에서 이격 된 상태로 기판(S)이 지지되게 할 수 있다. 또한, 지지 부재(1000)는 상면이 기판(S)보다 크거나 작은 면적을 가지고 기판(S)을 진공 흡착하는 방식으로 기판(S)을 고정시키도록 제공될 수 있다. 지지 부재(1000)는 구동기(1110)가 제공하는 동력에 의해 회전 가능하게 제공되어, 공정 진행 중 기판(S)을 회전 시킬 수 있다.The support member 1000 supports the substrate S during the process. The support member 1000 is provided such that its upper surface has a set area. For example, the support member 1000 has a larger area than the substrate S, and supports the substrate S with the pin 1100 provided on the upper surface, so that the bottom surface of the substrate S is the upper surface of the support member 1000. The substrate S may be supported in a spaced apart state. In addition, the support member 1000 may be provided to fix the substrate S in such a manner that the upper surface thereof has a larger or smaller area than the substrate S and vacuum-adsorbs the substrate S. The support member 1000 may be rotatably provided by the power provided by the driver 1110 to rotate the substrate S during the process.

처리액 노즐(1300)은 지지 부재(1000)에 위치된 기판(S)으로 기판(S) 처리를 위한 처리액을 토출한다. 처리액은 인산일 수 있다. 또한, 처리액은 황산(H2SO4), 질산(HNO3), 그리고 암모니아(NH3) 등과 같은 케미칼일 수 있다. The processing liquid nozzle 1300 discharges the processing liquid for processing the substrate S to the substrate S positioned in the support member 1000. The treatment liquid may be phosphoric acid. In addition, the treatment liquid may be a chemical such as sulfuric acid (H 2 SO 4), nitric acid (HNO 3), ammonia (NH 3), or the like.

가열 부재(1400)는 공정 처리 중 기판(S)을 가열한다. 일 예로, 가열 부재(1400)은 지지 부재(1000)에 위치되는 형태로 제공될 수 있다.The heating member 1400 heats the substrate S during the process. For example, the heating member 1400 may be provided in the form of being positioned in the support member 1000.

도 3은 일 실시 예에 따른 지지 부재의 부분 단면도 이다.3 is a partial cross-sectional view of the support member according to an embodiment.

도 3을 참조하면, 지지 부재(1000)는 척 스테이지(1010) 및 가열 부재(1400)를 포함한다.Referring to FIG. 3, the support member 1000 includes a chuck stage 1010 and a heating member 1400.

척 스테이지(1010)는 지지 부재(1000)의 상부 구조를 제공한다. 척 스테이지(1010)의 내측에는 수용 공간(1011)이 형성된다. 수용 공간(1011)의 상부는 투과판(1020)에 의해 차폐된다. 투과판(1020)은 가열 부재(1400)가 제공하는 에너지의 투과성이 높은 것으로 선택될 수 있다. 일 예로, 투과판(1020)은 석영 재질로 제공될 수 있다.The chuck stage 1010 provides a superstructure of the support member 1000. An accommodation space 1011 is formed inside the chuck stage 1010. The upper portion of the accommodation space 1011 is shielded by the transmission plate 1020. The transmission plate 1020 may be selected to have a high transmittance of energy provided by the heating member 1400. For example, the transmission plate 1020 may be provided of a quartz material.

가열 부재(1400)는 척 스테이지(1010)의 내측에 위치되는 형태로 제공된다. 가열 부재(1400)는 램프, 저항 가열 방식의 열선 등일 수 있다. 가열 부재(1400)는 링 형상으로 제공될 수 있다. 가열 부재(1400)는 척 스테이지(1010)의 회전 중심에 대해 상이한 반지름을 갖는 것이 복수 제공될 수 있다. 복수의 가열 부재(1400)는 조사되는 광의 강도 또는 발생되는 열이 각각 개별적으로 제어 가능하게 제공될 수 있다.The heating member 1400 is provided in a form located inside the chuck stage 1010. The heating member 1400 may be a lamp, a heating wire of a resistance heating method, or the like. The heating member 1400 may be provided in a ring shape. The heating member 1400 may be provided in plural with different radii with respect to the center of rotation of the chuck stage 1010. The plurality of heating members 1400 may be provided to individually control the intensity of the irradiated light or the generated heat.

가열 부재(1400)는 지지판(1030)에 위치되는 형태로 제공될 수 있다. 예를 들어, 척 스테이지(1010)의 수용 공간(1011)에는 지지판(1030)이 위치되고, 가열 부재(1400)는 지지판(1030)에 지지되는 형태로 제공될 수 있다. 지지판(1030)은 가열 부재(1400)에서 발생되는 광 또는 열이 척 스테이지(1010)의 상부를 향하도록 보조할 수 있다. 예를 들어, 지지판(1030)의 상면은 금속재질로 제공될 수 있다. 지지판(1030)은 위쪽 또는 아래쪽에 척 스테이지(1010)의 내면과 이격 되는 형태로 제공되어, 수용 공간(1011)에는 가열 부재(1400)의 냉각을 위한 유로가 형성될 수 있다.The heating member 1400 may be provided in a form located on the support plate 1030. For example, the support plate 1030 may be positioned in the accommodation space 1011 of the chuck stage 1010, and the heating member 1400 may be provided to be supported by the support plate 1030. The support plate 1030 may assist the light or heat generated by the heating member 1400 to face the chuck stage 1010. For example, the top surface of the support plate 1030 may be provided in a metal material. The support plate 1030 may be provided to be spaced apart from an inner surface of the chuck stage 1010 at an upper side or a lower side thereof, and a passage for cooling the heating member 1400 may be formed in the accommodation space 1011.

가열 부재(1400)에는 격벽(1031)이 형성될 수 있다. 가열 부재(1400)가 복수로 제공되는 경우, 격벽(1031)은 인접한 가열 부재(1400) 사이에 위치될 수 있다. 또한, 격벽(1031)은 최 외각에 위치된 가열 부재(1400)이 외측에 형성될 수 있다. 격벽(1031)에 의해 하나의 가열 부재(1400)에 의해 가열 되는 영역이 인접한 영역에 미치는 영향을 줄일 수 있다. 따라서, 각각의 가열 부재(1400)에 의해 가열되는 구역의 제어 효율이 향상될 수 있다.The partition 1031 may be formed in the heating member 1400. When a plurality of heating members 1400 are provided, the partition 1031 may be located between adjacent heating members 1400. In addition, the partition 1031 may be formed outside the heating member 1400 located at the outermost. The influence of the region heated by one heating member 1400 by the partition 1031 on the adjacent region can be reduced. Therefore, the control efficiency of the zone heated by each heating member 1400 can be improved.

도 4는 가열 부재의 가열 온도를 나타내는 도면이다.4 is a diagram illustrating a heating temperature of a heating member.

도 4를 참조하면, 제어기(1500)는 공정 챔버(260)의 구성 요소를 제어한다. 제어기(1500)는 가열 부재(1400)가 고온 가열과 저온 가온 가열을 수행하도록 가열 부재(1400)를 제어한다. 고온 가열 온도(TH)는 저온 가열 온도(TL)보다 설정 온도 높게 형성된다.Referring to FIG. 4, the controller 1500 controls the components of the process chamber 260. The controller 1500 controls the heating member 1400 such that the heating member 1400 performs high temperature heating and low temperature warming heating. The high temperature heating temperature TH is formed to be a set temperature higher than the low temperature heating temperature TL.

고온 가열 구간(t1-t2, t3-t4)은 저온 가열 구간(0-t1, t2-t3, t4-t5) 이후, 또는 저온 가열 구간(0-t1, t2-t3, t4-t5) 사이에 위치되어 1회 이상 나타나도록, 제어기(1500)는 가열 부재(1400)를 제어한다. 고온 가열 구간(t1-t2, t3-t4)이 2회 이상 나타날 때, 각각의 고온 가열 구간(t1-t2, t3-t4)의 지속 시간은 동일하거나 상이할 수 있다. 또한, 각각의 저온 가열 구간(0-t1, t2-t3, t4-t5)의 지속 시간은 서로 동일하거나 상이할 수 있다. 또한, 저온 가열 구간(0-t1, t2-t3, t4-t5)의 지속 시간과 고온 가열 구간(t1-t2, t3-t4)의 지속 시간은 서로 동일하거나 상이할 수 있다. 일 예로, 저온 가열 구간(0-t1, t2-t3, t4-t5)이 개시되어 10초간 지속된 후, 설정 시간 동안 고온 가열 구간(t1-t2, t3-t4)과 저온 가열 구간(0-t1, t2-t3, t4-t5)이 10초씩 교대로 수행될 수 있다. 일 예로, 가열 부재(1400)에 의해 기판(S)이 가열 처리되는 지속 시간은 1분 일 수 있다.The high temperature heating section (t1-t2, t3-t4) is after the low temperature heating section (0-t1, t2-t3, t4-t5) or between the low temperature heating sections (0-t1, t2-t3, t4-t5). The controller 1500 controls the heating member 1400 to be positioned and appear one or more times. When the high temperature heating sections t1-t2 and t3-t4 appear two or more times, the durations of the respective high temperature heating sections t1-t2 and t3-t4 may be the same or different. In addition, the duration of each of the low temperature heating sections 0-t1, t2-t3, t4-t5 may be the same or different from each other. In addition, the duration of the low temperature heating section (0-t1, t2-t3, t4-t5) and the duration of the high temperature heating section (t1-t2, t3-t4) may be the same or different. For example, after the low temperature heating sections (0-t1, t2-t3, t4-t5) is started and lasts for 10 seconds, the high temperature heating sections (t1-t2, t3-t4) and the low temperature heating sections (0-0-) are set for a set time. t1, t2-t3, t4-t5) may be alternately performed every 10 seconds. For example, the duration of the heat treatment of the substrate S by the heating member 1400 may be 1 minute.

도 5 및 도 6은 처리액 노즐이 기판에 약액을 토출하는 상태를 나타내는 도면이다.5 and 6 are views showing a state in which the processing liquid nozzle discharges the chemical liquid to the substrate.

도 5 및 도 6을 참조하면, 제어기(1500)는 시간에 따라 기판(S)에 공급되는 처리액의 양이 달라지도록 처리액 노즐(1300)을 제어한다.5 and 6, the controller 1500 controls the processing liquid nozzle 1300 such that the amount of the processing liquid supplied to the substrate S varies with time.

제어기(1500)는 저유량 구간과 고유량 구간에 따라 처리액 노즐(1300)이 기판(S)에 처리액을 토출하도록 제어한다. 저유량 구간의 시간당 평균 처리액의 토출량은 고유량의 시간당 평균 처리액의 토출량 보다 적게 형성된다. 저유량 구간의 평균 토출량은 고유량 구간의 1/2이하로 형성된다. 일 예로, 제어기(1500)는 저유량 구간에서 약액의 토출이 정지되도록 처리액 노즐(1300)을 제어할 수 있다.The controller 1500 controls the processing liquid nozzle 1300 to discharge the processing liquid to the substrate S according to the low flow rate section and the high flow rate section. The discharge amount of the hourly average processing liquid in the low flow rate section is formed less than the discharge amount of the high hourly average processing liquid. The average discharge amount in the low flow rate section is formed to be 1/2 or less of the high flow rate section. For example, the controller 1500 may control the processing liquid nozzle 1300 to stop the discharge of the chemical liquid in the low flow rate section.

저유량 구간은 저온 가열 구간(0-t1, t2-t3, t4-t5)보다 고온 가열 구간(t1-t2, t3-t4)에 많은 시간이 중첩되고, 고유량 구간은 고온 가열 구간(t1-t2, t3-t4)보다 저온 가열 구간(0-t1, t2-t3, t4-t5)에 많이 시간이 중첩되도록 형성된다. 일 예로, 저유량 구간은 고온 가열 구간(t1-t2, t3-t4)과 일치하고, 고유량 구간은 저온 가열 구간(0-t1, t2-t3, t4-t5)과 일치할 수 있다.The low flow rate section overlaps with the high temperature heating section (t1-t2, t3-t4) more time than the low temperature heating section (0-t1, t2-t3, t4-t5), and the high flow rate section includes the high temperature heating section (t1-). It is formed so that the time overlaps more in the low temperature heating section (0-t1, t2-t3, t4-t5) than t2, t3-t4. For example, the low flow rate section may correspond to the high temperature heating section (t1-t2, t3-t4), and the high flow rate section may correspond to the low temperature heating section (0-t1, t2-t3, t4-t5).

처리액에 의한 기판(S)의 처리 정도는 기판(S) 및 처리액의 온도에 의존적이다. 일 예로, 인산을 통해 기판(S)의 처리 속도 및 효율은 기판(S) 및 처리액의 온도가 올라갈수록 증가한다. 반면, 처리액이 공급되는 동안 기판(S)은 회전되고, 이에 따라 기판(S)에 공급된 후 가열된 처리액은 기판(S)의 외측으로 비산되고, 가열 되지 않은 새로운 처리액이 기판(S)에 토출됨에 따라, 지지 부재(1000)에 의한 가열 효율이 저하된다.The degree of processing of the substrate S by the processing liquid depends on the temperature of the substrate S and the processing liquid. For example, the processing speed and efficiency of the substrate S through phosphoric acid increase as the temperature of the substrate S and the processing liquid increases. On the other hand, while the processing liquid is supplied, the substrate S is rotated, and thus the processing liquid heated after being supplied to the substrate S is scattered to the outside of the substrate S, and a new processing liquid that is not heated is transferred to the substrate ( As it discharges to S), the heating efficiency by the support member 1000 falls.

본 발명에 따른 기판(S) 처리 장치는, 처리액에 의한 기판(S) 처리 공정이 이루어 지는 과정에서, 처리액이 상대적으로 적게 공급되는 저유량 공급 구간이 형성된다. 따라서, 가열 부재(1400)가 제공하는 열량에 의해 가열되는 처리액의 양이 감소되어, 기판(S) 및 처리액은 상대적으로 단시간에 고온으로 가열되어, 처리액과 기판(S)의 반응성이 증가된다. 또한, 저유량 공급 구간은 고온 가열 구간(t1-t2, t3-t4)과 중첩되는 시간이 크게 형성되어, 기판(S) 및 처리액의 가열 효율이 향상될 수 있다.In the substrate S processing apparatus according to the present invention, in the process of processing the substrate S by the processing liquid, a low flow rate supply section in which the processing liquid is relatively supplied is formed. Therefore, the amount of the processing liquid heated by the amount of heat provided by the heating member 1400 is reduced, so that the substrate S and the processing liquid are heated to a high temperature in a relatively short time, so that the reactivity of the processing liquid and the substrate S is increased. Is increased. In addition, in the low flow rate supply section, a time overlapping with the high temperature heating sections t1-t2 and t3-t4 is greatly increased, so that the heating efficiency of the substrate S and the processing liquid can be improved.

제어기(1500)는 저유량 공급 구간과 고유량 공급 구간에서 지지 부재(1000)의 회전 속력이 상이하도록 제어할 수 있다. 제어기(1500)는 저유량 공급 구간에서의 회전 속력이 고유량 공급 구간에서의 회전 속력보다 느리도록, 지지 부재(1000)를 제어할 수 있다. 따라서, 저유량 공급 구간에서 기판(S)에 공급된 처리액은 기판(S)에서의 잔류 시간이 증가되고, 상대적으로 적은 량이 공급되어도 기판(S)에 잔류하는 처리액의 양은 설정 량이 유지될 수 있다. 또한, 제어기(1500)는 처리액에 의한 기판(S) 처리가 개시되면, 고유량 공급 구간과 저온 가열 구간(0-t1, t2-t3, t4-t5)으로, 처리액 노즐(1300)과 가열 부재(1400)를 제어하여, 기판(S) 처리 개시 즉시 기판(S)에 처리액이 공급되게 할 수 있다.The controller 1500 may control the rotation speed of the support member 1000 to be different in the low flow rate supply section and the high flow rate supply section. The controller 1500 may control the support member 1000 such that the rotation speed in the low flow rate supply section is slower than the rotation speed in the high flow rate supply section. Therefore, the treatment liquid supplied to the substrate S in the low flow rate supply interval increases the residence time on the substrate S, and even if a relatively small amount is supplied, the amount of the treatment liquid remaining on the substrate S is maintained. Can be. In addition, when the processing of the substrate S by the treatment liquid is started, the controller 1500 may include the treatment liquid nozzle 1300 in a high flow rate supply section and a low temperature heating section (0-t1, t2-t3, t4-t5). The heating member 1400 may be controlled so that the treatment liquid may be supplied to the substrate S immediately after the substrate S processing starts.

도 7은 다른 실시 예에 따른 가열 부재의 가열 온도를 나타내는 도면이다.7 is a view showing a heating temperature of a heating member according to another embodiment.

도 7을 참조하면, 저온 가열 구간(0-t1, t2-t3, t4-t5)에서의 가열 온도는 2가지 이상이 형성될 수 있다. 일 예로, 제1 저온 가열 온도(TL1)는 제2 저온 가열 온도(TL2)보다 높게 형성될 수 있다. 이 때, 제1 저온 가열 온도(TL1)와 제2 저온 가열 온도(TL2)의 온도차는, 제1 저온 가열 온도(TL1)와 고온 가열 온도(TH)의 온도차 보다 작게 형성된다.Referring to FIG. 7, two or more heating temperatures may be formed in the low temperature heating sections 0-t1, t2-t3, and t4-t5. For example, the first low temperature heating temperature TL1 may be higher than the second low temperature heating temperature TL2. At this time, the temperature difference between the first low temperature heating temperature TL1 and the second low temperature heating temperature TL2 is smaller than the temperature difference between the first low temperature heating temperature TL1 and the high temperature heating temperature TH.

고온 가열 구간(t1-t2, t3-t4) 및 저온 가열 구간(0-t1, t2-t3, t4-t5)이 토출되는 처리액의 양과 갖는 관계는 도 6 및 도 7과 동일하므로 반복된 설명은 생략한다.The relationship between the high temperature heating sections t1-t2, t3-t4 and the low temperature heating sections 0-t1, t2-t3, t4-t5 and the amount of the processing liquid discharged is the same as that in FIGS. Is omitted.

도 8 또 다른 실시 예에 따른 가열 부재의 가열 온도를 나타내는 도면이다.8 is a view showing a heating temperature of a heating member according to another embodiment.

도 8을 참조하면, 고온 가열 구간(t1-t2, t3-t4)에서의 가열 온도는 2가지 이상이 형성될 수 있다. 일 예로, 제1 고온 가열 온도(TH1)는 제2 고온 가열 온도(TH2)보다 높게 형성될 수 있다. 이 때, 제1 고온 가열 온도(TH1)와 제2 고온 가열 온도(TH2)의 온도차는, 제2 고온 가열 온도(TH2)와 저온 가열 온도(TL)의 온도 차 보다 작게 형성된다.Referring to FIG. 8, two or more heating temperatures in the high temperature heating sections t1 to t2 and t3 to t4 may be formed. For example, the first high temperature heating temperature TH1 may be higher than the second high temperature heating temperature TH2. At this time, the temperature difference between the first high temperature heating temperature TH1 and the second high temperature heating temperature TH2 is smaller than the temperature difference between the second high temperature heating temperature TH2 and the low temperature heating temperature TL.

고온 가열 구간(t1-t2, t3-t4) 및 저온 가열 구간(0-t1, t2-t3, t4-t5)이 토출되는 처리액의 양과 갖는 관계는 도 6 및 도 7과 동일하므로 반복된 설명은 생략한다.The relationship between the high temperature heating sections t1-t2, t3-t4 and the low temperature heating sections 0-t1, t2-t3, t4-t5 and the amount of the processing liquid discharged is the same as in FIGS. Is omitted.

도 9는 다른 실시 예에 따른 공정 챔버를 나타내는 도면이다.9 is a diagram illustrating a process chamber according to another exemplary embodiment.

도 9를 참조하면, 공정 챔버(260a)는 지지 부재(1000a), 처리액 노즐(1300a) 및 가열 부재(1400a)를 포함한다.Referring to FIG. 9, the process chamber 260a may include a support member 1000a, a treatment liquid nozzle 1300a, and a heating member 1400a.

가열 부재(1400a)는 지지 부재(1000a)와 설정 거리 이격 되어, 지지 부재(1000a)에 위치된 기판(S)으로 레이저를 조사하는 레이저 원으로 제공될 수 있다.The heating member 1400a may be provided as a laser source that is spaced apart from the support member 1000a by a predetermined distance and irradiates a laser to the substrate S positioned on the support member 1000a.

도 10은 일 예에 따라 기판에 조사된 레이저를 나타내는 도면이다. 10 is a diagram illustrating a laser irradiated onto a substrate according to an example.

도 10을 참조하면, 가열 부재(1400a)는 설정 길이를 갖는 라인빔 형태로 레이저(La)를 조사할 수 있다. 레이저(La)는 기판(S)의 회전 중심과 기판(S)의 외측 단부 사이에 걸쳐 조사될 수 있다. 따라서, 기판(S)이 회전되면, 레이저(La)는 기판(S)의 상면 전체에 걸쳐 조사될 수 있다.Referring to FIG. 10, the heating member 1400a may irradiate the laser La in the form of a line beam having a set length. The laser La may be irradiated between the center of rotation of the substrate S and the outer end of the substrate S. FIG. Therefore, when the substrate S is rotated, the laser La may be irradiated over the entire upper surface of the substrate S.

또한, 가열 부재(1400a)는 설정 면적을 갖는 레이저가 기판(S)의 회전 중심과 외측 단부 사이를 이동하는 형태로, 레이저를 조사하도록 제공될 수 도 있다.In addition, the heating member 1400a may be provided to irradiate the laser in a form in which a laser having a set area moves between the rotational center and the outer end of the substrate S. FIG.

시간에 따라, 가열 부재(1400a)가 기판(S)을 가열하는 방식 및 처리액 노즐(1300a)에 의한 처리액의 공급량과의 관계는 도 4 내지 8의 경우와 동일하므로 반복된 설명은 생략한다.Depending on the time, the relationship between the heating member 1400a heating the substrate S and the supply amount of the processing liquid by the processing liquid nozzle 1300a is the same as that of FIGS. 4 to 8, and thus repeated descriptions thereof will be omitted. .

도 11은 또 다른 실시 예에 따른 공정 챔버를 나타내는 도면이다.11 is a view illustrating a process chamber according to another embodiment.

도 11을 참조하면, 공정 챔버(260b)는 지지 부재(1000b), 처리액 노즐(1300b) 및 가열 부재(1400b)를 포함한다.Referring to FIG. 11, the process chamber 260b includes a supporting member 1000b, a processing liquid nozzle 1300b, and a heating member 1400b.

가열 부재(1400b)는 지지 부재(1000b)와 위쪽으로 설정 거리 이격 되어, 지지 부재(1000b)에 위치된 기판(S)을 복사 가열 하는 형태로 제공될 수 있다. 예를 들어, 가열 부재(1400b)는 램프, 저항열 등에 의해 발생된 열을 통해 기판(S)을 가열하는 형태로 제공될 수 있다.The heating member 1400b is spaced apart from the support member 1000b by a predetermined distance upward, and may be provided in a form of radiant heating of the substrate S located in the support member 1000b. For example, the heating member 1400b may be provided in the form of heating the substrate S through heat generated by a lamp, resistance heat, or the like.

시간에 따라, 가열 부재(1400b)가 기판(S)을 가열하는 방식 및 처리액 노즐(1300b)에 의한 처리액의 공급량과의 관계는 도 4 내지 8의 경우와 동일하므로 반복된 설명은 생략한다.Depending on the time, the relationship between the heating member 1400b heating the substrate S and the supply amount of the processing liquid by the processing liquid nozzle 1300b is the same as that of FIGS. 4 to 8, and thus repeated descriptions thereof will be omitted. .

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The foregoing detailed description illustrates the present invention. In addition, the above-mentioned contents show preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, changes or modifications may be made within the scope of the concept of the invention disclosed in the present specification, the scope equivalent to the disclosures described above, and / or the skill or knowledge in the art. The described embodiments illustrate the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various modifications required in the specific application field and use of the present invention are possible. Thus, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed to include other embodiments.

10: 인덱스모듈 20: 공정처리모듈
120: 로드포트 140: 이송프레임
220: 버퍼유닛 240: 이송챔버 10: index module 20: process module
120: load port 140: transfer frame
220: buffer unit 240: transfer chamber

Claims (7)

기판을 지지하는 지지 부재;
상기 지지 부재에 위치된 상기 기판으로 처리액을 공급하는 처리액 노즐; 및
상기 기판으로 공급되는 상기 처리액이 저유량 공급 구간 및 상기 저유량 공급 구간보다 시간당 평균 토출량이 많은 고유량 공급 구간으로 차이를 두고 토출 되도록 그리고 상기 저유량 공급 구간과 상기 고유량 공급 구간이 교대로 반복 수행되도록 상기 처리액 노즐을 제어하는 제어기를 포함하는 기판 처리 장치.A support member for supporting the substrate;
A processing liquid nozzle for supplying a processing liquid to the substrate located on the support member; And
The processing liquid supplied to the substrate is discharged with a difference between the low flow rate supply section and the high flow rate supply section having an average discharge amount per hour higher than the low flow rate supply section, and the low flow rate supply section and the high flow rate supply section alternately. And a controller for controlling the processing liquid nozzle to be repeatedly performed. 제1항에 있어서,
상기 지지 부재에 위치된 상기 기판을 가열하는 가열 부재를 더 포함하는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
And a heating member for heating the substrate located on the support member. 제2항에 있어서,
상기 가열 부재는 상기 지지부재에 위치되는 램프, 또는 저항 가열 방식의 열선이거나 또는 상기 지지 부재로 레이저를 조사하는 레이저인 기판 처리 장치. The method of claim 2,
And the heating member is a lamp positioned on the support member, a heating wire of a resistance heating method, or a laser for irradiating a laser to the support member. 제2항에 있어서,
상기 가열 부재는
상기 저유량 공급 구간보다 상기 고유량 공급 구간에서의 기판 가열 온도가 낮도록 기판을 가열하는 기판 처리 장치. The method of claim 2,
The heating member
And a substrate processing apparatus for heating the substrate so that the substrate heating temperature in the high flow rate supply section is lower than the low flow rate supply section. 기판에 처리액을 공급하여 기판을 처리하되,
상기 처리액은 저유량 공급 구간 및 상기 저유량 공급 구간보다 시간당 평균 토출량이 많은 고유량 공급 구간으로 차이를 두고 공급되며,
상기 저유량 공급 구간과 상기 고유량 공급 구간은 교대로 반복 수행되는 기판 처리 방법. Process the substrate by supplying the processing liquid to the substrate,
The treatment liquid is supplied with a difference in a low flow rate supply section and a high flow rate supply section in which the average discharge amount per hour is greater than that of the low flow rate supply section,
And the low flow rate supply section and the high flow rate supply section are alternately repeated. 제5항에 있어서,
상기 저유량 공급 구간의 시간당 평균 토출량은 상기 고유량 공급 구간의 1/2 이하인 기판 처리 방법.The method of claim 5,
And a mean discharge amount per hour in the low flow rate supply section is 1/2 or less of the high flow rate supply section. 제5항에 있어서,
상기 기판은 상기 저유량 공급 구간에 비해 상기 고유량 공급 구간에서 더 빠르게 회전되는 기판 처리 방법.

The method of claim 5,
And the substrate rotates faster in the high flow rate supply section than in the low flow rate supply section.

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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016054170A (en) * 2014-09-02 2016-04-14 東京エレクトロン株式会社 Wafer liquid treatment apparatus
JP2016192550A (en) * 2015-03-30 2016-11-10 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR20170100431A (en) * 2016-02-25 2017-09-04 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 Substrate tretment apparatus, substrate tretment method, and method for manufacturing substrate
KR20190041079A (en) * 2017-10-12 2019-04-22 세메스 주식회사 Substrate treating apparatus and substrate treating method

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016054170A (en) * 2014-09-02 2016-04-14 東京エレクトロン株式会社 Wafer liquid treatment apparatus
JP2016192550A (en) * 2015-03-30 2016-11-10 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR20170100431A (en) * 2016-02-25 2017-09-04 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 Substrate tretment apparatus, substrate tretment method, and method for manufacturing substrate
KR20190041079A (en) * 2017-10-12 2019-04-22 세메스 주식회사 Substrate treating apparatus and substrate treating method

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