KR20190092282A

KR20190092282A - Cvd 시스템용 가스 인젝터

Info

Publication number: KR20190092282A
Application number: KR1020190008706A
Authority: KR
Inventors: 포-칭 루; 관-닝 황
Original assignee: 헤르메스 에피텍 코포레이션
Priority date: 2018-01-30
Filing date: 2019-01-23
Publication date: 2019-08-07
Also published as: CN110093592A; TW201932195A; TWI674926B; US20190233968A1; CN110093592B; JP2019134162A

Abstract

CVD 시스템용 가스 인젝터는, 하나 이상의 가스 분류층을 포함하며, 각각의 가스 분류층은 중앙 영역, 복수의 이격 배열된 기류 가이드 및 복수의 가스 채널을 포함한다. 상기 중앙 영역은 가스 분배 장치를 수용한다. 각각의 상기 기류 가이드는 제1 단, 제2 단 및 중간부를 구비하며, 상기 중간부는 제1 단과 제2 단 사이에 위치하며, 상기 제1 단은 상기 중앙 영역에 인접하며, 상기 제2 단은 상기 가스 분류층의 가장자리에 인접한다. 2개의 기류 가이드마다 가스 채널로 구성하여, 가스 분배 장치를 통해 제공되는 가스가 통과되도록 한다. 각각의 기류 가이드의 폭은 제1 단에서 중간부로 점차 증가하며, 중간부에서 제2 단으로 점차 감소한다.

Description

CVD 시스템용 가스 인젝터{GAS INJECTOR FOR CVD SYSTEM}

본 발명은 CVD 시스템용 가스 인젝터에 관한 것으로, 특히 분포 효율이 높은 가스 인젝터에 관한 것이다.

금속 유기 화학기상증착(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD)의 원리는 캐리어 가스(carrier gas)를 이용하여 기상 반응물 또는 전구체를 운반하여, 웨이퍼가 설치된 반응 챔버에 진입시키고, 웨이퍼 하부의 서셉터(susceptor)는 가열 장치를 구비하며, 웨이퍼 및 웨이퍼에 접근한 가스를 가열하여 온도를 상승시키고, 고온에서 1종 또는 1종 이상의 가스 간의 화학 반응이 유발되면서, 통상 기체 상태이던 반응물을 고체 상태의 생성물로 전환시켜, 웨이퍼 표면에 증착시키는 것이다.

금속 유기 화학기상증착으로 형성된 에피택셜층의 품질은 예를 들면 반응 챔버 내의 가스 유동의 안정도 및 균일도, 웨이퍼 표면을 통과하는 가스 흐름의 균일도 및/또는 온도 제어의 정확도 등 다양한 요소의 영향을 받는다. 만약 이러한 파라미터의 제어가 적절하지 않으면, 에피택셜층 및 형성된 전자 소자의 품질이 떨어질 수 있다.

또한, 반응물이 수소 또는 질소와 같은 캐리어 가스에 의해, 웨이퍼 표면에 전달되어 생성물로 전환되면, 반응물은 자체 활성의 상이함, 반응 챔버의 설계, 공정 압력, 가스 유량, 공정 파라미터의 상이함 등 요소로 인해 반응 효율에 영향을 미칠 수 있다. 따라서, 반응물이 웨이퍼 표면에 증착되는 효율을 향상시키는 것은 MOCVD 에피택셜 기술 개발의 중요한 과제이다.

금속 유기 화학기상증착 시스템에서, 일반적으로 인젝터(injector)를 이용하여 예를 들면 Ⅲ족 가스와 V족 가스와 같은 캐리어 가스 및 반응 가스를 반응 챔버에 유입시켜, Ⅲ족-Ⅴ족 화합물 반도체 박막과 같은 박막을 웨이퍼의 표면 상에 에피택셜 성장시킨다. 도 1은 측면도로서, 종래의 금속 유기 화학기상증착 시스템에 사용되는 트리플 인젝터(triple injector)를 도시하였다. 도 1을 참조하면, 인젝터(1)는 상부에서 하부로 상부관(12A), 중간관(12B) 및 하부관(12C) 등이 적층된 가스관을 구비한다. 본 실시예에서, 수소(H2) 또는 질소(N2)는 세 가스관의 캐리어 가스이다. 그 중 V족 가스(예를 들면 암모니아(NH3))는 상부관(12A) 및 하부관(12C)를 통해 분사되며, Ⅲ족 가스(예를 들면, 트리메틸갈륨(TMGa), 트리메틸 알루미늄(TMAI))는 중간관(12B)으로부터 분사되며, Ⅲ족 가스 및 V족 가스는 웨이퍼(14) 상부 영역에서 만나 화학 반응을 일으키면서, 웨이퍼(14)의 표면 상에 III족-V족 화합물 반도체 박막이 증착되도록 한다.

도 1을 참조하면, 서로 다른 가스는 높이가 다른 수평면의 가스관인 상부관(12A), 중앙관(12B) 및 하부관(12C)를 통해 반응 챔버에 분사된다. 이와 같이, 각종 반응 가스는 일정한 시간의 가로방향 확산을 거쳐야 할 뿐만 아니라, 일정한 시간의 세로방향으로 확산을 거쳐야만, 각종 반응 가스가 반응 챔버에 균일하게 분배되어 반응을 할 수 있게 하므로, 공정 시간이 증가하게 된다.

본 발명은 CVD 시스템에 관한 것으로, 특히 CVD 시스템용 가스 인젝터에 관한 것이다.

본 발명의 일 실시예에 따르면, CVD 시스템의 가스 인젝터는 하나 이상의 가스분류층(分流層)을 포함하며, 그 중 각 가스 분류층은 중앙 영역, 이격 배열된 복수의 기류 가이드，및 복수개의 가스 채널을 포함한다. 상기 중앙 영역은 가스 분배 장치를 수용한다. 각각의 상기 기류 가이드는 제1 단, 제2 단 및 중간부를 구비하며, 상기 중간부는 제1 단과 제2 단 사이에 위치하며, 상기 제1 단은 상기 중앙 영역에 인접하며, 상기 제2 단은 상기 가스 분류층의 가장자리에 인접한다. 2개의 상기 기류 가이드마다 하나의 가스 채널을 구성하여, 가스 분배 장치를 통해 제공되는 가스가 통과되도록 한다. 각각의 기류 가이드의 폭은 제1 단에서 중간부로 점차 증가하며, 중간부에서 제2 단으로 점차 감소한다.

본 발명의 일실시예에 따르면, CVD 시스템용 가스 인젝터는 하나 이상의 가스 분류층을 포함하며, 각각의 가스 분류층은 중앙 영역, 이격 배열된 복수의 기류 가이드 및 복수의 가스 채널을 포함한다. 상기 중앙 영역은 가스 분배 장치를 수용한다. 각각의 상기 기류 가이드는 제1 단, 제2 단 및 중간부를 구비하며, 상기 중간부는 제1 단과 제2 단 사이에 위치하며, 상기 제1 단은 상기 중앙 영역에 인접하며, 상기 제2 단은 상기 가스 분류층의 가장자리에 인접한다. 2개의 상기 기류 가이드마다 하나의 가스 채널을 구성하여, 가스 분배 장치를 통해 제공되는 가스가 통과되도록 한다. 각각의 상기 기류 가이드의 상기 중간부의 폭은 상기 제1 단 및 제2 단의 폭보다 크다.

본 발명에 따른 CVD 시스템용 가스 인젝터는 단층 구조에 의해 가스 분류를 진행하여 가스를 동일한 수평면으로부터 옆 방향으로 분사하므로, 반응 가스의 균일한 확산에 필요한 시간을 단축시키고 가스 인젝터의 부피를 감소시킬 수 있다. 그밖에, 가스 인젝터의 구조 설계에 의해, 가스 채널을 통해 송출되는 가스가 층류(層流)를 이루도록 하여, 에피택셜 균일성을 향상시키고, 불량률을 저하시킨다.

도 1은 측면도로서, 유기금속화학증착 시스템의 종래 인젝터를 나타낸다.
도 2은 사시도이며, 본 발명의 일실시예에 따른 CVD 시스템용 가스 인젝터를 나타낸다.
도 3은 컴퓨터 시뮬레이션 도면이며, 도 2의 CVD 시스템용 가스 인젝터의 높은 유량에서의 가스 흐름을 나타낸다.
도 4는 컴퓨터 시뮬레이션 도면이며, 도2의 CVD 시스템용 가스 인젝터의 낮은 유량에서의 가스 흐름을 나타낸다.
도 5는 사시도이며, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 CVD 시스템용 가스 인젝터를 나타낸다.
도 6은 평면도이며, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 CVD 시스템용 가스 인젝터를 나타낸다.
도 7은 컴퓨터 시뮬레이션 도면이며, 도 5-6의 CVD 시스템용 가스 인젝터의 높은 유량에서의 가스 흐름을 나타낸다.
도 8은 컴퓨터 시뮬레이션 도면이며, 도 5-6의 CVD 시스템용 가스 인젝터의 낮은 유량에서의 가스 흐름을 나타낸다.

본 발명의 일부 실시예에 대해 아래와 같이 상세히 설명한다. 그러나, 하기 상세히 설명한 실시예 외에도, 본 발명은 다양한 기타 실시예들이 있다. 즉, 본 발명의 범위는 하기 실시예에 한정되지 않으며, 본 발명의 특허출원범위를 기준으로 한다. 본 발명의 실시예에 도시한 CVD 시스템용 가스 인젝터에서의 각 구성 소자(예를 들면, 가스 분류층, 가스 채널)를 단일 소자로 설명했을 때, 이를 한정적으로 이해해서는 안되며, 하기 설명과 같이 수량에 대해 특별히 강조하지 않았을 경우, 본 발명의 정신과 응용 범위 내에서 복수의 구성 소자가 병존하는 구조일 수도 있다. 또한, 본 발명에서, 실시예 도면에 도시한 CVD 시스템용 가스 인젝터에서의 각 구성 소자(예를 들면 가스 분류층, 가스 채널)의 상이한 부분은 완전히 크기에 따라 도시한 것이 아니며, 더욱 명백하게 설명하여 본 발명에 대한 이해를 돕도록 일부 척도는 기타 관련 척도에 비해 과장하거나 또는 단순화하였다. 본 발명에서 계속 사용하는 종래 기술은 본 발명의 설명을 위하여 단지 중점적인 인용했을 뿐이다.

도 2는 사시도로서, 본 발명 일실시예에 따른 CVD 시스템의 가스 인젝터(2)를 도시하였다. CVD 시스템은 금속 유기 화학기상증착 시스템인 것이 바람직하나, 이에 한정되지 않는다. 발명의 특징을 강조하기 위해, 가스 인젝터(2)의 일부 소자를 절개하거나 또는 생략하여 도시하지 않았다. 도 2에 도시한 바와 같이, 가스 인젝터(2)는 하나 이상의 가스 분류층(20)을 포함하며, 각각의 가스 분류층(20)은 단층 구조이며, 서로 다른 반응 가스를 분류시켜 모든 반응 가스가 동일한 수평면으로부터 옆 방향으로 분사되게 한다. 본 실시예에서, 가스 분류층(20)의 수량은 2개이나, 이에 한정되지 않는다.

도 2에 도시한 바와 같이，동일한 평면에서, 가스 분류층(20)은 이격 배열된 복수개의 기류 가이드(21) 및 가스 채널(22)을 구비하며, 2개의 기류 가이드(21)마다 하나의 가스 채널(22)을 형성할 수 있다. 상기 기류 가이드(21)들과 가스 채널(22)은 방사상을 이루며, 가스 분류층(20)의 중심으로부터 가장자리를 향해 연장된다. 각각의 가스 채널(22)은 가스 분류층(20)의 중심에 가스 입구가 있으며, 가스 분류층(20)의 가장자리에 가스 출구가 있다.

도 2에 도시한 바와 같이, 가스 분류층(20)의 중앙 영역(23)은 중앙 가스 공급 채널로서, 가스 분배 장치(미도시) 를 수용하고 각종 반응 가스(예를 들면 제1 반응 가스, 제2 반응 가스, 제3 반응 가스 등)가 통행하도록 한다. 가스 분배 장치는 서로 다른 반응 가스를 특정한 가스 채널로 분배 및 수송할 수 있다. 가스 분배 장치 및 이의 분배 방법은 본 발명의 중점 내용이 아니므로, 본문에서 이에 대해 상세히 설명 및 한정하지 않으며, 가스를 분류시킬 수 있는 임의의 가스 분배 장치는 모두 본 발명의 가스 인젝터에 응용될 수 있다. 본 발명의 일실시예에서, 가스 분배 장치의 구조는 발명 명칭이 "반도체 장비용 가스 인젝터 장치"인 대만특허출원 105131760호에 공개된 가스 분배 장치와 동일하다. 해당 특허의 명세서 내용을 본문에 병합하여, 본 발명의 명세서의 일부분으로 본다.

도 2에 도시한 바와 같이, 각각의 가스 채널(22)은 반응 가스가 통행하도록 하여, 가스 분류층(102) 중심의 가스 입구를 통해 반응 가스를 유입시키고, 가스 분류층(102) 가장자리의 가스 출구를 통해 방사상으로 분사하는 방식으로 상기 반응 가스를 반응 챔버에 공급한다. 또한, 각종 반응 가스가 가스 인젝터(2)에 유입되면, 가스 분배 장치(미도시)는 서로 다른 종류의 반응 가스를 대응하는 가스 채널에 각각 수송하고, 필요한 유량에 따라, 상이한 가스 채널 중의 반응 가스의 유량을 조절한다. 일실시예에서, 가스 인젝터(2)는 상부, 중부, 및 하부 가스 유입구(미도시)를 구비하며, 가스 공급 장치(미도시)는 각각 상부, 중부, 및 하부 가스 유입구를 통해 반응 가스를 서로 다른 가스 채널(22)에 공급한다.

도 2에 도시한 바와 같이, 가스 채널(22)은 서로 연통되지 않으므로, 서로 다른 반응 가스는 가스 분류층(20) 내에 있을 때 서로 혼합되지 않는다. 각종 반응 가스가 동일 평면에서 방사상 방식으로 가스 인젝터(2)의 가장자리로부터 분사되어 반응 챔버에 유입되어, 반응 챔버에서 가로방향으로 확산되면, 각 반응 가스가 만나 반응하면서 웨이퍼 표면 상에 박막을 증착시킨다. 이를 통해, 가스 인젝터(2)는 단층 구조로 종래의 트리플 인젝터의 다층 구조를 대체하여, 각 반응 가스를 동일 평면으로부터 가로 방향으로 분사함으로써, 세로 방향으로의 확산이 필요 없이, 가로 방향으로만 확산시키면 되므로, 공정 시간을 대폭 줄일 수 있다.

그러나, 실제에 있어서, 도 2의 가스 인젝터(2)는 여전히 개선의 여지가 있음을 발견하였다. 도 3은 도 2의 가스 인젝터(2)의 첫 번째 컴퓨터 시뮬레이션 결과를 나타낸 것이다. 도면에서 x좌표와 y좌표에 도시된 수치는 거리이다. 첫 번째 공정의 필요에 따라, 가스 인젝터의 상부, 중부, 및 하부 가스 유입구의 가스 공급 유량은 각각 30slm, 15slm, 15slm(표준 상태에서 L/분)이다. 도 3의 원으로 표시한 부분과 같이, 2개의 서로 인접한 가스 채널로부터 분사되는 가스는 합류 시 난류(turbulence)가 발생한다.

도 4는 도 2의 가스 인젝터(2)의 두 번째 컴퓨터 시뮬레이션 결과를 나타낸 것이다. 두 번째 공정의 필요에 따라, 가스 인젝터의 상부, 중부, 및 하부 가스 유입구의 가스 공급 유량은 각각 7slm, 9slm, 7slm(표준 상태에서 L/분)이다. 도 4의 원으로 표시한 부분과 같이, 2개의 서로 인접한 가스 채널로부터 분사되는 가스도 합류 시 난류가 발생한다.

도 3 및 도 4의 결과로부터 알 수 있듯이, 높은 가스 유량(도 3) 또는 낮은 가스 유량(도 4)이든 상관없이, 2개의 서로 인접한 가스 채널(22)로부터 분사되는 가스는 합류 시 모두 난류가 발생한다. 유체역학에 따르면, 레이놀즈수(Re)가 크면, 관성력의 유동장에 대한 영향은 점성력보다 크며, 유체의 흐름이 안정되지 않아, 난류(turbulence)를 형성하게 된다. 만약 반응 가스의 유동 상태가 난류이면, 반응이 완전히 진행되지 못하고, 부산물(by product)이 발생하여, 박막의 에피택셜 성장의 흠결을 증가시키고 균일성을 저하시킬 수 있다.

상기 단점을 극복하기 위해, 본 출원의 출원인은 다른 CVD 시스템용 가스 인젝터를 제안하였다. 도 5는 사시도이며, 도 6은 평면도이며, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 CVD 시스템용 가스 인젝터(3)를 도시하였다. CVD 시스템은 금속유기화학증착 시스템인 것이 바람직하나, 이에 한정되지 않는다. 발명의 특징을 강조하기 위해, 가스 인젝터(3)의 일부 소자를 절개하거나 생략하여 도시하지 않았다. 도 5 및 도 6에 도시한 바와 같이, 가스 인젝터(3)는 하나 이상의 가스 분류층(30)을 포함하며, 각각의 가스 분류층(30)은 단일 구조이며, 서로 다른 반응 가스를 분류시켜 모든 분류된 반응 가스를 동일한 수평면으로부터 옆 방향으로 분사할 수 있다.

도 5 및 도 6에 도시한 바와 같이, 동일 평면에서, 가스 분류층(30)은 이격 배열된 복수의 기류 가이드(31) 및 가스 채널(32)을 구비하며, 2개의 기류 가이드(31)마다 가스 채널(32)을 형성할 수 있다. 기류 가이드(31)는 등간격으로 배열되는 것이 바람직하나, 이에 한정되지 않는다. 이러한 기류 가이드(31)들과 가스 채널(32)은 방사상을 이루며, 가스 분류층(30)의 중심으로부터 가장자리를 향해 연장된다. 각각의 가스 채널(32)은 가스 분류층(30)의 중심에 가스 입구가 있으며, 가스 분류층(30)의 가장자리에 가스 출구가 있다. 도 5 및 도 6에 도시한 바와 같이, 가스 분류층(30)의 중앙 영역(33)은 중앙 가스 공급채널로서, 가스 분배 장치(미도시)를 수용하고 각종 반응 가스가 통행하도록 한다.

이하, 도 2의 가스 분류층(20)과 도 5-6의 가스 분류층(30)의 차이를 설명한다. 도 2에 도시한 바와 같이, 가스 분류층(20)의 기류 가이드(21)는 작은 부채꼴이며, 각각의 기류 가이드(21)는 제1 단 및 제2 단을 구비하고, 제1 단은 가스 분류층(20)의 중심에 인접하며, 제2 단은 가스 분류층(20)의 가장자리에 인접한다. 각각의 기류 가이드(21)에서 가장 좁은 부분은 제1 단에 위치하고, 가장 넓은 부분은 제2 단에 위치하며, 기류 가이드(21)의 폭은 제1 단에서 제2 단으로 점차 증가한다. 이와 비교하면, 도 5-6의 가스 분류층(30)의 기류 가이드(31)는 표창 또는 다이아몬드와 비슷한 윤곽을 가지며, 각각의 기류 가이드(31)는 제1 단(311) 및 제2 단(313) 및 중간부(312)을 구비하며, 중간부(312)은 제1 단(311)과 제2 단(313)의 사이에 위치한다. 각각의 기류 가이드(31)에서 가장 좁은 부분은 제2 단(313)에 위치하며, 가장 넓은 부분은 중간부(312)에 위치한다. 기류 가이드(31)의 폭은 제1 단(311)에서 중간부(312)로 점차 증가하며, 기류 가이드(31)의 폭은 중간부(312)에서 제2 단(313)으로 점차 감소한다. 일실시예에서, 기류 가이드(31)의 제2 단(31)에서의 폭은 0이나, 이에 한정되지 않는다. 도 6에 도시한 바와 같이, 일실시예에서, 기류 가이드(31)의 제2 단(313)은 가스 분류층(30)의 가장자리와 일정한 거리(D)를 가지나, 이에 한정되지 않는다. 일실시예에서, 각각의 기류 가이드(31)의 제1 단(311)에서 중간부(312)까지는 부채꼴과 비슷한 구조이며, 중간부(312)에서 제2 단(313)까지는 역삼각형 구조이나, 이에 한정되지 않는다.

도 7은 도 5-6의 가스 인젝터(3)의 첫 번째 컴퓨터 시뮬레이션 결과를 나타낸 것이다. 첫 번째 공정의 필요에 따라, 가스 인젝터(3)의 상부, 중부, 및 하부 가스 유입구의 가스 공급 유량은 각각 30slm, 15slm, 15slm(표준 상태에서 L/분)이다. 도 7에 도시한 바와 같이, 2개의 서로 인접한 가스 채널로부터 분사되는 가스는 합류 시 난류(turbulence)가 발생하지 않으며, 가스의 상태는 층류(Laminar flow)를 이룬다.

도 8은 도 5-6의 가스 인젝터(3)의 두 번째 컴퓨터 시뮬레이션 결과를 나타낸 것이다. 두 번째 공정의 필요에 따라, 가스 인젝터(3)의 상부, 중부, 및 하부 가스 유입구의 가스 공급 유량은 각각 7slm, 9slm, 7slm(표준 상태에서 L/분)이다. 도 8에 도시한 바와 같이, 2개의 서로 인접한 가스 채널로부터이 분사되는 가스는 합류 시 난류(turbulence)가 발생하지 않으며, 가스의 상태는 층류(Laminar flow)를 이룬다.

도 7 및 도 8의 결과를 통해 알 수 있듯이, 높은 가스 유량(도 7) 또는 낮은 가스 유량(도 8)이든 상관없이, 가스 인젝터(3)의 2개의 서로 인접한 가스 채널로부터 분사되는 가스는 합류 시 난류가 발생하지 않으며, 가스의 상태는 층류를 이룬다. 유체역학에 따르면, 레이놀즈수(Re)가 작으면, 점성력의 유동장에 대한 영향은 관성력보다 크며, 유동장에서 유속의 교란은 점성력에 의해 약해지며, 유체의 흐름은 안정되며, 층류를 이룬다. 반응 반응 챔버에 필요한 가스 흐름 상태가 층류이므로, 가스가 완전히 반응하도록 하여, 에피택셜 흠결을 방지하고, 에피택셜 균일성을 향상시킬 수 있다.

상기 실시예를 감안하여, 본 발명은 CVD 시스템용 가스 인젝터를 제공하였으며, 단일 구조에 의해 가스 분류를 진행하여 가스를 동일한 수평면으로부터 옆 방향으로 분사하므로, 반응 가스의 균일한 확산에 필요한 시간을 단축시키고 가스 인젝터의 부피를 감소시킬 수 있다. 그밖에, 가스 인젝터의 구조 설계에 의해, 가스 채널을 통해 송출되는 가스가 층류를 이루도록 하여, 에피택셜 균일성을 향상시키고, 불량률을 저하시킨다.

본 설명서에서 공개된 각 실시예/전체 실시예는 상호 배타적이지 않는 한, 당업자가 각종 수식, 변화, 결합, 변경, 생략, 대체, 균등하게 변화시킬 수 있으며, 모두 본 발명의 개념, 범위에 속한다. 본 출원의 상기 실시예의 특징과 관련되거나 대응되는 구조 또는 방법, 및/또는 발명자 또는 양수인이 출원 중이거나, 포기 또는 등록 받은 출원은, 모두 본문에 편입되어, 본 출원의 명세서서의 일부분으로 본다. 편입된 부분은, 대응, 관련 및 수정한 부분 또는 전체, (1) 조작 가능한 것 및/또는 구성 가능한 것, (2)당업자의 수정에 따라 조작 가능한 것 및/또는 구성 가능한 것, (3)본 출원의 명세서, 본 출원의 관련 출원, 및 당업자의 상식 및 판단으로 실시/제조/사용 또는 결합할 수 있는 모든 부분을 포함한다.

특별히 언급한 경우를 제외하고는, "할 수 있다(can), 가능하다(could), 아마도(might) 또는 "..일지도 모른다(may)"와 같은 조건 문구 또는 단어는 일반적으로 본 출원의 실시예에 있거나, 어쩌면 불필요한 특징, 소자 또는 단계로 해석될 수도 있다. 기타 실시예에서, 이러한 특징, 소자, 단계는 불필요할 수 있다.

본문에서 상술한 서류의 내용은 모두 본문에 편입되어 있으며, 본 출원의 명세서의 일부로 본다. 본 발명이 제공하는 실시예는 단지 예시일 뿐, 본 발명의 범위를 제한하지 않는다. 본 발명에서 언급한 특징 또는 기타 특징은 방법 단계와 기술을 포함하며, 관련된 출원에 상술된 특징 또는 구조에 대하여 부분적으로 또는 전체적으로 조합하거나 변경하는 것은 본 출원과 균등하지 않고, 분리가능하며, 대체할 수 없는 실시예로 볼 수 있다. 본 발명에 공개된 특징과 방법, 대응되거나 관련된 내용은 본문으로부터 도출될 수 있으며 서로 배척하지 않는 내용, 당업자가 수정한 내용을 포함하며, 이러한 부분적 또는 전체 내용은 (1) 조작 가능한 것 및/또는 구성 가능한 것, (2)당업자의 수정에 따라 조작 가능한 것 및/또는 구성 가능한 것, (3)본 출원의 명세서의 어떠한 부분과 실시/제조/사용 또는 결합한 내용일 수 있으며, (I)본 발명 또는 관련 구조와 방법의 임의의 한가지 이상의 부분, 및/또는 (II)본 발명의 상기 임의의 하나 이상의 발명 개념 및 그 부분의 내용에 대한 임의의 변경 및/또는 조합을 포함하며, 상기 임의의 하나 이상의 특징 또는 실시예의 내용의 임의의 변경 및/또는 조합을 포함한다.

1-인젝터
12A -상부관
12B -중간관
12C -하부관
14 -웨이퍼
2- 가스 인젝터
20 -가스 분류층
21 -기류 가이드
22- 가스 채널
23- 중앙 영역
3 -가스 인젝터
30 -가스 분류층
31- 기류 가이드
32 -가스 채널
33 -중앙 영역
311 -제1 단
312 중간부
313 -제2 단
D-거리

Claims

서로 다른 가스를 동일한 수평면으로부터 옆 방향으로 분사하는 하나 이상의 가스 분류층을 포함하는, CVD 시스템용 가스 인젝터에 있어서,
가스 분배 장치를 수용하고 가스가 통행하도록 하는 중앙 영역;
제1 단, 제2 단 및 중간부를 구비하며, 상기 중간부는 상기 제1 단과 상기 제2 단 사이에 위치하며, 상기 제1 단은 상기 중앙 영역에 인접하고, 상기 제2 단은 상기 가스 분류층의 가장자리에 인접한 이격 배열된 복수개의 기류 가이드; 및
2개의 상기 기류 가이드마다 하나의 가스 채널을 구성하여, 가스 분배 장치를 통해 제공되는 가스가 통과되도록 하는 복수개의 가스 채널
을 포함하며,
상기 기류 가이드의 폭은 상기 제1 단에서 상기 중간부까지 점차 증가하고, 상기 중간부에서 상기 제2 단까지 점차 감소하는,
CVD 시스템용 가스 인젝터.
제1항에 있어서,
2개의 서로 인접한 가스 채널에 의해 수송되는 가스의 혼합 유체 상태는 층류인, CVD 시스템용 가스 인젝터.
제1항에 있어서,
각각의 상기 기류 가이드는 표창 모양의 윤곽을 갖는, CVD 시스템용 가스 인젝터.
제1항에 있어서,
각각의 상기 기류 가이드의 제2 단의 폭은 0인, CVD 시스템용 가스 인젝터.
제1항에 있어서,
각각의 상기 기류 가이드의 상기 제2 단은 상기 가스 분류층의 가장자리와 일정한 거리를 가지는, CVD 시스템용 가스 인젝터.
제1항에 있어서,
각각의 상기 기류 가이드의 상기 제1 단에서 상기 중간부까지는 부채꼴 구조인, CVD 시스템용 가스 인젝터.
제6항에 있어서,
각각의 상기 기류 가이드의 상기 중간부에서 상기 제2 단까지는 역삼각형 구조인, CVD 시스템용 가스 인젝터.