KR20190091142A - Electrolyte composition for tin plating using ionic liquid prepared by mixing choline chloride and thiourea and plating method using the same - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to an electrolyte composition for tin plating using an ionic liquid prepared by mixing choline chloride and thiourea and a plating method using the same and, more specifically, relates to an electrolyte composition of ionic liquid used as a reduced electroless tin plating solution, wherein an ionic liquid is mixed at an optimum ratio, and malonic acid, oxalic acid, or ethylene glycol is added. Moreover, an additive such as dimethylthiourea, titanium chloride or sodium phosphate as a reducing agent, and water is added as a complexing agent derivative to provide low viscosity and high ionic conductivity. Therefore, metal can be quickly and stably extracted, and a film can be quickly and thickly grown.

Description

콜린 클로라이드와 티오 요소를 혼합한 이온성 액체를 이용한 주석 도금용 전해질 조성물 및 도금 방법{Electrolyte composition for tin plating using ionic liquid prepared by mixing choline chloride and thiourea and plating method using the same} Electrolytic composition for tin plating using ionic liquid prepared by mixing choline chloride and thiourea and plating method using the same}

본 발명은 이온성 액체 전해질 조성물 및 이의 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 이온성 액체를 최적의 배합비로 혼합하여, 낮은 결정화 온도와 점도, 높은 이온전도도를 가지도록 제조하고, 착화제, 유도체, 환원제 등 첨가제를 첨가하여 무전해 주석 도금에 적용 가능한 이온성 액체 전해질의 조성물 및 이의 제조 방법을 제공하는 것이다.The present invention relates to an ionic liquid electrolyte composition and a method for preparing the same. More specifically, the ionic liquid is mixed at an optimum blending ratio to prepare a low crystallization temperature, a viscosity, and a high ion conductivity, and a complexing agent and a derivative. The present invention provides a composition of an ionic liquid electrolyte applicable to electroless tin plating by adding an additive such as a reducing agent and a manufacturing method thereof.

기존에는, 환경을 보호하기 위해 메탄술폰산욕(Metal Finishing, January, AESF, p17(1990))을 사용하는 것이 시험되어 왔고, 세계적으로 일부 라인에 실제적으로 사용되게 되었다.Traditionally, the use of methanesulfonic acid baths (Metal Finishing, January, AESF, p17 (1990)) to protect the environment has been tested and practically used in some lines worldwide.

메탄술폰산(MSA. Methane sulfonic acid)은 정제 과정을 통해 염산을 제거한다. 다만, 시판 중인 메탄술폰산에는 염산이 완전히 제거되지 않고 수 ~ 수십 ppm 수준으로 남아있게 된다. 이렇게 잔존한 염산은 실제 양산 현장의 도금 공정에서 도금 효율을 떨어뜨리고, 도금 피막에 나쁜 영향을 주어 결국 불량률을 높이게 된다. 이외에, 메탄술폰산 합성 시 부수적으로 생성되는 황화합물도 도금 특성에 영향을 주며, 잔존하는 염산과 황화합물 등으로 폐수처리가 어렵다.Methane sulfonic acid removes hydrochloric acid through a purification process. However, commercially available methanesulfonic acid does not completely remove hydrochloric acid and remains at several to several tens of ppm levels. The remaining hydrochloric acid lowers the plating efficiency in the actual plating process of the mass production site, adversely affects the plating film, and eventually increases the defective rate. In addition, sulfur compounds which are incidental to the synthesis of methanesulfonic acid also affect the plating properties, and it is difficult to treat the wastewater with remaining hydrochloric acid and sulfur compounds.

메탄술폰산, 에탄술폰산, 프로판술폰산 등의 알칸술폰산; 2-히드록시에탄술폰산, 2-히드록시프로판술폰산 등의 알카놀술폰산; p-페놀술폰산 등의 방향족 술폰산 등의 유기 술폰산을 기재 산으로서 함유하는 주석 도금욕 또는 주석 합금 도금욕은 배수 처리가 용이하고, 주석염의 용해성이 우수하기 때문에 종래부터 널리 이용되고 있다(대한민국 등록특허 제10-1574229호, 및 대한민국 등록특허 제10-1608073호).Alkanesulfonic acids such as methanesulfonic acid, ethanesulfonic acid and propanesulfonic acid; Alkanolsulfonic acids such as 2-hydroxyethanesulfonic acid and 2-hydroxypropanesulfonic acid; Tin plating baths or tin alloy plating baths containing organic sulfonic acids such as aromatic sulfonic acids such as p-phenolsulfonic acid as base acids have been widely used since they are easy to drain and have excellent solubility of tin salts. 10-1574229, and Republic of Korea Patent No. 10-1608073).

이러한 유기 술폰산, 특히 범용되고 있는 알칸술폰산 등의 지방족 술폰산을 기재 산으로 하는 주석 도금욕 및 주석 합금 도금욕에서는 지방족 술폰산의 순도와 얻어지는 도금 피막의 특성 사이에 어떤 연관성이 있으며, 지방족 술폰산의 순도가 낮고 불순물이 미량이라도 포함되면, 도금 피막의 특성에 악영향을 미친다는 문제가 제기되고 있다.In such tin plating baths and tin alloy plating baths based on aliphatic sulfonic acids such as organic sulfonic acids, in particular, alkanesulfonic acids, which are widely used, there is a relation between the purity of aliphatic sulfonic acids and the properties of the resulting plating film, and the purity of aliphatic sulfonic acids. If low and a small amount of impurities are contained, a problem arises that adversely affects the properties of the plated film.

이온성 액체(ionic liquid)의 일반적인 특징은 유기 양이온과 유/무기 음이온으로 이루어진 물질로 크기의 비대칭성으로 인해 결정체를 이루지 못하고, 결정구조의 격자에너지가 감소하여, 100℃ 이하의 온도에서 액체 상태로 존재하는 물질을 말한다. 이온성 액체는 증기압이 낮고, 비가연성이며, 고밀도의 이온의 움직임이 활발하여 높은 이온전도성을 띄며, 전기화학적으로 안정한 특성을 가진다.The general characteristics of ionic liquids are organic cations and organic / inorganic anions, which do not form crystals due to asymmetry in size, and the lattice energy of the crystal structure is reduced. Refers to the substance present. Ionic liquids have low vapor pressure, non-flammability, high-density ion movement, high ion conductivity, and electrochemically stable characteristics.

또한, 이온성 액체는 미래의 청정 유기 용매, 전해질로 불리며, 최근에는 해외 뿐만 아니라 국내에서도 이온성 액체를 연료전지 및 태양전지의 전해질, 전기화학, 분리공정 등 여러 분야에서 청정용매로 이용한 응용분야가 활성화되고 있다(대한민국 등록특허 제10-1630210호, 대한민국 등록특허 제10-1473039, 및 대한민국 등록특허 제10-1488781호). In addition, ionic liquids are called future clean organic solvents and electrolytes. Recently, ionic liquids are used in various fields such as fuel cells and solar cells as electrolytes, electrochemicals, and separation processes. Are activated (Korean Patent No. 10-1630210, Korean Patent No. 10-1473039, and Korean Patent No. 10-1488781).

국내에서도 일부 특허로 출원하고 있으나, 이를 이용한 사업화는 미미하며, 국내에서 몇몇 기업에서 이온성 액체를 이용한 제품의 대다수는 해외에서 수급하고 있는 실정이다.Although some patents are filed in Korea, commercialization using them is insignificant, and the majority of products using ionic liquids are supplied from overseas by some companies in Korea.

전자부품 및 자동차 전장부품은 Pb 환경유해성으로 인한 친환경 물질의 대체가 필수적이며, 가장 많은 관심을 가지고 있는 물질로서는 주석이 대표적이다. 산업계에서 가장 많이 사용되어지고 있는 표면처리인 무전해 주석도금(Electroless Tin plating)은 반도체 패키징, 인쇄회로기판 및 각종 전자 부품의 도금 등 많은 산업분야에 적용되고 있다. 치환형 무전해 주석도금의 경우에는 도금 속도는 빠르지만, 도금 두께를 일정 두께 이상 올리지 못하는 한계를 가지고 있다. For electronic parts and automotive electronic parts, it is necessary to replace eco-friendly materials due to Pb environmental harmfulness, and tin is a representative material that has the most interest. Electroless tin plating, a surface treatment most commonly used in the industry, is applied to many industries such as semiconductor packaging, printed circuit boards and plating of various electronic components. In the case of substitution type electroless tin plating, although the plating speed is fast, there is a limitation that the plating thickness cannot be increased by a certain thickness or more.

이에, 본 발명자들은 상술한 바와 같이 종래 사용되는 무전해 주석도금용 전해질의 문제점을 개선하기 위해 노력한 결과, 이온성 액체를 최적의 배합비로 혼합하고, 착화지, 유도체, 환원제 등 첨가제를 첨가하여, 낮은 결정화 온도와 점도, 높은 이온전도도를 가지도록 제조하여, 빠르고 안정적인 금속의 석출 반응을 가능하게 하여 도금액이 안정적이며, 구리 또는 구리 합금 상에 주석 또는 알루미늄 등의 피막을 상온에서도 빠르고 두껍게 성장시킬 수 있음을 확인함으로써, 본 발명을 완성하였다.Accordingly, the present inventors have made efforts to improve the problems of the electroless tin plating electrolytes conventionally used as described above, and as a result, the ionic liquids are mixed at an optimum blending ratio, and additives such as complexing papers, derivatives, and reducing agents are added. Manufactured to have low crystallization temperature, viscosity and high ionic conductivity, it enables fast and stable metal precipitation reaction, so that the plating solution is stable and the film such as tin or aluminum can be grown quickly and thickly at room temperature on copper or copper alloy. By confirming that the present invention was completed, the present invention was completed.

본 발명의 목적은 이온성 액체를 최적의 배합비로 혼합하고, 착화제, 유도체, 환원제 등의 첨가제를 첨가하여 임의의 이온성 액체 또는 이온성 액체와 첨가제 조성물에 비해, 현저히 낮은 결정화 온도, 낮은 점도 및 높은 이온전도도를 가지도록 제조된, 무전해 주석 도금에 적용가능한 이온성 액체 전해질의 조성물, 및 이의 제조 방법을 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to mix ionic liquids in an optimum blending ratio and to add additives such as complexing agents, derivatives, reducing agents and the like to significantly lower crystallization temperatures and lower viscosities compared to any ionic liquid or ionic liquid and additive composition. And compositions of ionic liquid electrolytes applicable to electroless tin plating, which are prepared to have high ionic conductivity, and methods of making the same.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 In order to achieve the above object, the present invention

콜린 클로라이드(Choline chloride); Choline chloride;

티오요소(Thiourea);Thiourea;

말론산, 에틸렌 글리콜, 에틸렌 알코올, 프로필렌 글리콜, 프로필렌 알코올, 숙실산, 옥살산 및 시트르산으로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나 또는 둘 이상의 첨가제; 및Any one or two or more additives selected from the group consisting of malonic acid, ethylene glycol, ethylene alcohol, propylene glycol, propylene alcohol, succinic acid, oxalic acid and citric acid; And

착화제 유도체, 환원제 및 물로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나 또는 둘 이상;Any one or two or more selected from the group consisting of a complexing agent derivative, a reducing agent and water;

을 포함하는 무전해 주석 도금용 이온성 액체 전해질 조성물을 제공한다.It provides an ionic liquid electrolyte composition for electroless tin plating comprising a.

또한, 본 발명은 In addition,

i) 콜린 클로라이드(Choline chloride) 및 티오요소(Thiourea)를 혼합하는 단계;i) mixing Choline chloride and Thiourea;

ii) 첨가제로 말론산, 에틸렌 글리콜, 에틸렌 알코올, 프로필렌 글리콜, 프로필렌 알코올, 숙실산, 옥살산 및 시트르산으로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나 또는 둘 이상을 첨가하는 단계; 및ii) adding one or more selected from the group consisting of malonic acid, ethylene glycol, ethylene alcohol, propylene glycol, propylene alcohol, succinic acid, oxalic acid and citric acid; And

iii) 착화제 유도체, 환원제 및 물로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나 또는 둘 이상을 첨가하는 단계;iii) adding any one or two or more selected from the group consisting of complexing agent derivatives, reducing agents and water;

를 포함하는, 무전해 주석 도금용 이온성 액체 전해질 조성물의 제조 방법을 제공한다.It provides, a method for producing an ionic liquid electrolyte composition for electroless tin plating.

또한, 본 발명은 상기 본 발명에 따른 무전해 주석 도금용 이온성 액체 전해질 조성물; 및 수용성 주석;을 포함하는 무전해 주석 도금액을 제공한다.In addition, the present invention is an ionic liquid electrolyte composition for electroless tin plating according to the present invention; And a water-soluble tin; provides an electroless tin plating solution comprising a.

아울러, 본 발명은 상기 본 발명에 따른 무전해 주석 도금액을 구리 또는 구리 합금에 처리하는 것을 포함하는 무전해 주석 도금 방법을 제공한다. In addition, the present invention provides an electroless tin plating method comprising treating the electroless tin plating solution according to the present invention to copper or a copper alloy.

본 발명에 따른 이온성 액체를 이용한 무전해 주석 도금용 전해질의 제조방법은 콜린클로라이드와 티오요소를 사용함에 따라 친환경적이며, 배합비에 따라 저점도 및 높은 이온전도도를 가지는 전해질을 제조할 수 있다. 게다가, 에틸렌 글리콜 등을 첨가하여, 빠르고 안정적인 금속의 석출 반응을 가능하게 하여 도금액이 안정적이며, 전자 부품에서도, 구리 또는 구리 합금 상에 주석 또는 알루미늄 등의 피막을 빠르게, 또한 두껍게 성장시키는 환원형 무전해 도금액으로 사용 가능하다.The method for preparing an electrolyte for electroless tin plating using an ionic liquid according to the present invention is environmentally friendly by using choline chloride and thiourea, and an electrolyte having low viscosity and high ionic conductivity may be prepared according to a mixing ratio. In addition, ethylene glycol or the like is added to enable a fast and stable metal precipitation reaction, and thus the plating solution is stable. Even in electronic parts, a reduced type electroless to grow a thick or thick film such as tin or aluminum on a copper or copper alloy. It can be used as a solution solution.

또한, 본 발명에 따른 이온성 액체를 이용한 전해질의 제조방법은 디메틸티오요소와 말론산, 인산나트륨, 물 등의 첨가제를 첨가함으로써 높은 이온전도도 및 낮은 결정화 온도를 가지는 이온성 액체 전해질을 제조할 수 있다. 이를 이용하여 상온에서도 빠르고, 두껍게 도금 피막을 성장시킬 수 있는 환원형 무전해 도금액으로 사용 가능하며, 반도체 패키징, 인쇄회로기판 및 각종 전자 부품 분야에 응용할 수 있다.In addition, the method for preparing an electrolyte using an ionic liquid according to the present invention can prepare an ionic liquid electrolyte having high ionic conductivity and low crystallization temperature by adding additives such as dimethylthiourea, malonic acid, sodium phosphate, and water. have. By using this, it can be used as a reducing type electroless plating solution that can grow a plating film quickly and thickly even at room temperature, and can be applied to semiconductor packaging, printed circuit board, and various electronic component fields.

도 1은 콜린클로라이드 및 티오요소의 혼합물에 첨가제로서 말론산 첨가에 의해 온도에 따른 점도 및 이온전도도를 나타내는 그래프이다.
도 2는 콜린클로라이드 및 티오요소의 혼합물에 첨가제로서 옥살산 첨가에 의해 온도에 따른 점도 및 이온전도도를 나타내는 그래프이다.
도 3은 콜린클로라이드 및 티오요소의 혼합물에 첨가제로서 에틸렌 글리콜 첨가에 의해 온도에 따른 점도 및 이온전도도를 나타내는 그래프이다.
1 is a graph showing viscosity and ionic conductivity with temperature by addition of malonic acid as an additive to a mixture of choline chloride and thiourea.
2 is a graph showing viscosity and ionic conductivity with temperature by adding oxalic acid as an additive to a mixture of choline chloride and thiourea.
3 is a graph showing viscosity and ionic conductivity with temperature by adding ethylene glycol as an additive to a mixture of choline chloride and thiourea.

이하, 본 발명을 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail.

본 발명은 The present invention

콜린 클로라이드(Choline chloride); Choline chloride;

티오요소(Thiourea);Thiourea;

말론산, 에틸렌 글리콜, 에틸렌 알코올, 프로필렌 글리콜, 프로필렌 알코올, 숙실산, 옥살산 및 시트르산으로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나 또는 둘 이상의 첨가제; 및Any one or two or more additives selected from the group consisting of malonic acid, ethylene glycol, ethylene alcohol, propylene glycol, propylene alcohol, succinic acid, oxalic acid and citric acid; And

착화제 유도체, 환원제 및 물로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나 또는 둘 이상;Any one or two or more selected from the group consisting of a complexing agent derivative, a reducing agent and water;

을 포함하는 무전해 주석 도금용 이온성 액체 전해질 조성물을 제공한다.It provides an ionic liquid electrolyte composition for electroless tin plating comprising a.

상기 조성물에 있어서, 콜린 클로라이드 및 티오요소는 1.2 : 1 내지 1 : 1.5 몰(mol)비로 혼합되는 것이 바람직하고, 1 : 1 몰(mol)비로 혼합되는 것이 더욱 바람직하다.In the composition, choline chloride and thiourea are preferably mixed in a ratio of 1.2: 1 to 1: 1.5 mol, and more preferably in a ratio of 1: 1 mol.

상기 조성물에 있어서, 첨가제는 말론산, 에틸렌 글리콜 또는 옥살산을 사용하는 것이 바람직하다. 상기 말론산, 에틸렌 글리콜 또는 옥살산 등의 첨가제는 콜린 클로라이드 또는 티오요소 중 어느 하나와 첨가제가 1 : 0.1 ~ 0.5 몰(mol)비로 혼합되는 것이 바람직하고, 콜린 클로라이드, 티오요소 및 첨가제가 1 : 1 : 0.1 ~ 0.5 몰(mol)비로 혼합되는 것이 더욱 바람직하다.In the composition, it is preferable to use malonic acid, ethylene glycol or oxalic acid as the additive. The additive, such as malonic acid, ethylene glycol or oxalic acid, is preferably mixed with any one of choline chloride or thiourea in an amount of 1: 0.1 to 0.5 mol (mol), and choline chloride, thiourea and additives are 1: 1. More preferably, it is mixed in a ratio of 0.1 to 0.5 mol.

상기 착화제 유도체는 디메틸티오요소인 것이 바람직하고, 상기 환원제는 염화티탄 또는 인산나트륨 중 어느 하나 또는 둘 이상인 것이 바람직하다.The complexing agent derivative is preferably dimethylthiourea, and the reducing agent is preferably any one or two or more of titanium chloride or sodium phosphate.

상기 착화제 유도체와 말론산, 에틸렌 글리콜 또는 옥살산 등의 첨가제는 0.7 ~ 2 : 1 농도비율인 것이 바람직하고, 상기 환원제와 말론산, 에틸렌 글리콜 또는 옥살산 등의 첨가제는 0.5 ~ 0.2 : 1 농도비율인 것이 바람직하나 이에 한정되지 않는다. The complexing agent derivative and additives such as malonic acid, ethylene glycol or oxalic acid are preferably in a ratio of 0.7 to 2: 1, and the additives such as reducing agent and malonic acid, ethylene glycol or oxalic acid are in a concentration of 0.5 to 0.2: 1. But is not limited thereto.

상기 물은 전체 조성물 대지 1 내지 6 wt% 첨가하는 것이 바람직하고, 5 내지 6 wt% 첨가하는 것이 더욱 바람직하나 이에 한정되지 않는다.The water is preferably added 1 to 6 wt% of the total composition, and more preferably 5 to 6 wt%, but is not limited thereto.

또한, 본 발명은 In addition,

i) 콜린 클로라이드(Choline chloride) 및 티오요소(Thiourea)를 혼합하는 단계;i) mixing Choline chloride and Thiourea;

ii) 첨가제로 말론산, 에틸렌 글리콜, 에틸렌 알코올, 프로필렌 글리콜, 프로필렌 알코올, 숙실산, 옥살산 및 시트르산으로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나 또는 둘 이상을 첨가하는 단계; 및ii) adding one or more selected from the group consisting of malonic acid, ethylene glycol, ethylene alcohol, propylene glycol, propylene alcohol, succinic acid, oxalic acid and citric acid; And

iii) 착화제 유도체, 환원제 및 물로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나 또는 둘 이상을 첨가하는 단계;iii) adding any one or two or more selected from the group consisting of complexing agent derivatives, reducing agents and water;

를 포함하는, 무전해 주석 도금용 이온성 액체 전해질 조성물의 제조 방법을 제공한다.It provides, a method for producing an ionic liquid electrolyte composition for electroless tin plating.

상기 제조 방법에 있어서, 단계 i)에서 콜린 클로라이드 및 티오요소는 1.2 : 1 내지 1 : 1.5 몰(mol)비로 혼합되는 것이 바람직하고, 1 : 1 몰(mol)비로 혼합되는 것이 더욱 바람직하다.In the above production method, the choline chloride and the thiourea in step i) is preferably mixed in a ratio of 1.2: 1 to 1: 1.5 mol (mol), more preferably in a 1: 1 mol (mol) ratio.

상기 제조 방법에 있어서, 단계 ii)에서 첨가제는 말론산, 에틸렌 글리콜 또는 옥살산을 사용하는 것이 바람직하다. 상기 말론산, 에틸렌 글리콜 또는 옥살산 등의 첨가제는 콜린 클로라이드 또는 티오요소 중 어느 하나와 첨가제가 1 : 0.1 ~ 0.5 몰(mol)비로 혼합되는 것이 바람직하고, 콜린 클로라이드, 티오요소 및 첨가제가 1 : 1 : 0.1 ~ 0.5 몰(mol)비로 혼합되는 것이 더욱 바람직하다.In the above production method, the additive in step ii) is preferably used malonic acid, ethylene glycol or oxalic acid. The additive, such as malonic acid, ethylene glycol or oxalic acid, is preferably mixed with any one of choline chloride or thiourea in an amount of 1: 0.1 to 0.5 mol (mol), and choline chloride, thiourea and additives are 1: 1. More preferably, it is mixed in a ratio of 0.1 to 0.5 mol.

상기 제조 방법에 있어서, 단계 iii)에서 착화제 유도체는 디메틸티오요소인 것이 바람직하고, 상기 환원제는 염화티탄 또는 인산나트륨 중 어느 하나 또는 둘 이상인 것이 바람직하다.In the above production method, the complexing agent derivative in step iii) is preferably dimethylthiourea, and the reducing agent is preferably any one or two or more of titanium chloride or sodium phosphate.

또한, 본 발명은 상기 본 발명에 따른 무전해 주석 도금용 이온성 액체 전해질 조성물; 및 수용성 주석;을 포함하는 무전해 주석 도금액을 제공한다.In addition, the present invention is an ionic liquid electrolyte composition for electroless tin plating according to the present invention; And a water-soluble tin; provides an electroless tin plating solution comprising a.

상기 무전해 주석 도금액은 추가적으로 착화제, 계면활성제 또는 산화방지제 를 더 포함할 수 있다.The electroless tin plating solution may further include a complexing agent, a surfactant, or an antioxidant.

상기 계면활성제는 도금 피막의 외관, 치밀성, 평활성, 밀착성 등의 개선에 기여하는 것이며, 통상의 비이온계, 음이온계, 양이온계 또는 양쪽성 등의 각종 계면활성제를 사용할 수 있다. 계면활성제는 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. 무전해 도금액 중의 계면활성제의 농도에 대해서는 특별히 한정적이지는 않지만, 통상 0.01g/L~50g/L 정도로 하는 것이 바람직하다.The said surfactant contributes to improvement of the appearance, compactness, smoothness, adhesiveness, etc. of a plating film, and various surfactants, such as a normal nonionic, anionic, cationic, or amphoteric, can be used. Surfactant can be used individually by 1 type or in mixture of 2 or more types. The concentration of the surfactant in the electroless plating solution is not particularly limited, but is preferably about 0.01 g / L to 50 g / L.

상기 산화 방지제는 무전해 도금액 중의 주석 등의 산화방지를 목적으로 하는 것이며, 히드로퀴논, 카테콜, 레조르신, 프로로글루신, 히드라진, 차아인산, 아스코르브산, 크레졸 술폰산, 페놀술폰산, 카테콜 술폰산, 히드로퀴논 술폰산 또는 이들의 염 등을 사용할 수 있다. 산화방지제는 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. 무전해 도금액 중의 산화방지제의 농도에 대해서는 특별히 한정적이지는 않지만, 통상 0.01g/L~20g/L 정도로 하는 것이 바람직하다.The antioxidant is intended to prevent oxidation of tin and the like in the electroless plating solution. Hydroquinone sulfonic acid, salts thereof, and the like can be used. Antioxidant can be used individually by 1 type or in mixture of 2 or more types. The concentration of the antioxidant in the electroless plating solution is not particularly limited, but is usually about 0.01 g / L to 20 g / L.

아울러, 본 발명은 상기 본 발명에 따른 무전해 주석 도금액을 이용한 무전해 주석 도금 방법을 제공한다. In addition, the present invention provides an electroless tin plating method using the electroless tin plating solution according to the present invention.

상기 무전해 도금 방법은 이온성 액체 전해질 조성물을 포함하는 무전해 주석 도금액을 구리 또는 구리 합금에 처리하는 단계를 포함할 수 있다.The electroless plating method may include treating the copper or copper alloy with an electroless tin plating solution including an ionic liquid electrolyte composition.

이하, 본 발명을 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to Examples.

본 발명은 하기의 실시예에 의하여 보다 더 잘 이해 될 수 있으며, 하기의 실시예는 본 발명의 예시 목적을 위한 것이며, 첨부된 특허청구범위에 의하여 한정되는 보호범위를 제한하고자 하는 것은 아니다.The invention may be better understood by the following examples, which are intended for purposes of illustration of the invention and are not intended to limit the scope of protection defined by the appended claims.

<< 실시예Example 1>  1>

콜린 클로라이드(Choline chloride)와 티오요소(Thiourea)를 혼합하여 깊은 공융 용매(DES, Deep eutectic solvent)를 제조하였다. 티오요소의 몰비는 30 ~ 80 mol% 까지 실시하고, 콜린 클로라이드와 티오요소를 완전히 용해한 후 온도를 낮추어 가며 결정화 온도(Freezing point)를 측정하였다.Choline chloride and Thiourea were mixed to prepare a deep eutectic solvent (DES). The molar ratio of thiourea was carried out up to 30 to 80 mol%, and the crystallization temperature (freezing point) was measured by lowering the temperature after completely dissolving choline chloride and thiourea.

결정화 온도 측정 방법은 용액을 이중 비커에 마그네틱 바와 같이 넣고, 칠러(저온순환수조)에 넣고 온도를 내리며, 투명한 용액이 뿌옇게 결정이 생기는 온도를 육안으로 확인해 결정화 온도를 측정하였다.In the crystallization temperature measurement method, the solution was placed in a double beaker as a magnetic plate, placed in a chiller (low temperature circulation tank), and the temperature was lowered. The crystallization temperature was measured by visually confirming the temperature at which the transparent solution became cloudy.

그 결과는 하기 표 1과 같이 나타났다. 티오요소가 50 mol%일 때 25℃로 결정화 온도가 가장 낮게 측정되었다.The results are shown in Table 1 below. The lowest crystallization temperature was measured at 25 ° C. when the thiourea was 50 mol%.

콜린 클로라이드와 티오요소 몰(mol)%에 따른 결정화 온도Crystallization temperature according to mole percent of choline chloride and thiourea 콜린 클로라이드(mol%)Choline chloride (mol%) 티오 요소 (mol%)Thiourea (mol%) 결정화 온도(℃)Crystallization temperature (℃) 100100 00 302302 7070 3030 124124 6565 3535 110110 6060 4040 6060 5555 4545 4242 5050 5050 2525 4545 5555 3232 4040 6060 3838 3535 6565 6262 3030 7070 7070 2525 7575 8484 2020 8080 112112 00 100100 182182

<< 실시예Example 2>  2>

콜린 클로라이드 1 mol 및 티오 요소 1 mol을 혼합한 후 첨가제를 0.5 mol을 첨가하여 이온성 액체를 제조한 후, 용해 시킨 뒤 온도를 내리며 결정화온도(Freezing point)를 측정하였다.After mixing 1 mol of choline chloride and 1 mol of thiourea, an ionic liquid was prepared by adding 0.5 mol of an additive, and then dissolved and lowered to determine the crystallization temperature (freezing point).

결정화온도 측정방법은 상기 <실시예 1>과 같은 방법으로 측정하였다.Crystallization temperature was measured in the same manner as in <Example 1>.

그 결과는 하기 표 2와 같이 나타났다. 에틸렌 알코올, 프로필렌 글리콜, 프로필 알코올 및 숙실산은 결정화온도 차이가 거의 없었으며, 에틸렌 글리콜은 결정화 온도가 10℃, 말론산은 12℃, 옥살산은 13℃로 결정화온도가 낮아졌다.The results are shown in Table 2 below. Ethylene alcohol, propylene glycol, propyl alcohol and succinic acid showed little difference in crystallization temperature. The crystallization temperature of ethylene glycol decreased to 10 ° C, malonic acid to 12 ° C, and oxalic acid to 13 ° C.

첨가제 종류에 따른 결정화 온도Crystallization Temperature According to Additive Type 첨 가 제additive 결정화 온도(℃)Crystallization temperature (℃) None additivesNone additives 2525 에틸렌 글리콜
(Ethylene glycol)
Ethylene glycol
(Ethylene glycol)
1010
에틸렌 알코올
(Ethylene alcohol)
Ethylene alcohol
(Ethylene alcohol)
2222
프로필렌 글리콜
(propylene glycol)
Propylene glycol
(propylene glycol)
2323
프로필 알코올
(propyl alcohol)
Profile alcohol
(propyl alcohol)
2525
말론산
(malonic acid)
Malonic acid
(malonic acid)
1212
숙실산
(succinic acid)
Succinic acid
(succinic acid)
2020
옥살산
(oxalic acid)
Oxalic acid
(oxalic acid)
1313

<< 실시예Example 3> 3>

콜린 클로라이드 1 mol 및 티오 요소 1 mol를 혼합하여 이온성 액체를 제조 후 말론산, 에틸렌 글리콜 및 옥살산을 각각 0.5 mol 첨가하여 점도(viscosity) 및 이온전도도(conductivity) 측정하였다.1 mol of choline chloride and 1 mol of thiourea were mixed to prepare an ionic liquid, and then 0.5 mol of malonic acid, ethylene glycol, and oxalic acid were added, respectively, to measure viscosity and conductivity.

점도 측정 방법은 DV2T(디지털 점도계)를 이용하여 측정하였다. 300 ml 비커에 제조한 용매를 넣고, 2번 스핀들(Spindle)을 이용하여, % Torque를 90 ~ 100% 유지하도록 속도를 조절하여 온도에 따른 점도를 측정하였다.The viscosity measurement method was measured using DV2T (digital viscometer). The solvent was prepared in a 300 ml beaker, and the speed was adjusted to maintain 90% to 100% of% Torque by using a No. 2 spindle to measure the viscosity according to temperature.

이온전도도 측정 방법은 Multi-Range Conductivity Meters를 이용하여 측정하였다. 300 ml 비커에 제조한 용매를 넣고, 온도에 따른 이온 전도도를 측정하였다. The ion conductivity measurement method was measured using Multi-Range Conductivity Meters. The prepared solvent was placed in a 300 ml beaker, and ionic conductivity was measured according to temperature.

그 결과는 하기 표 3 내지 표 5, 및 도 1 내지 도 3과 같이 나타났다. The results are shown in Tables 3 to 5, and FIGS. 1 to 3.

말론산 첨가에 따른 점도 및 이온전도도Viscosity and Ionic Conductivity with Malonic Acid Addition 콜린 클로라이드 (1 mol) + 티오 요소 (1 mol)
+ 말론산 (0.5 mol)
Choline Chloride (1 mol) + Thiourea (1 mol)
+ Malonic acid (0.5 mol)
점도 (cp)Viscosity (cp) 이온전도도 (㎲/cm)Ion Conductivity (㎲ / cm) 70℃70 ℃ 203203 17151715 60℃60 ℃ 230230 16181618 50℃50 ℃ 254254 14591459 45℃45 ℃ 278278 12951295 40℃40 ℃ 301301 11221122 35℃35 ℃ 399399 10051005 30℃30 ℃ 513513 857857 25℃25 ℃ 634634 754754 20℃20 ℃ 789789 641641 15℃15 ℃ 12471247 600600 10℃10 ℃ 16211621 556556

옥살산 첨가에 따른 점도 및 이온전도도Viscosity and Ionic Conductivity with Addition of Oxalic Acid 콜린 클로라이드 (1 mol) + 티오 요소 (1 mol)
+ 말론산 (0.5 mol)
Choline Chloride (1 mol) + Thiourea (1 mol)
+ Malonic acid (0.5 mol)
점도 (cp)Viscosity (cp) 이온전도도 (㎲/cm)Ion Conductivity (㎲ / cm) 70℃70 ℃ 277277 11071107 60℃60 ℃ 291291 10311031 50℃50 ℃ 369369 968968 45℃45 ℃ 447447 886886 40℃40 ℃ 522522 723723 35℃35 ℃ 726726 699699 30℃30 ℃ 10111011 634634 25℃25 ℃ 11911191 587587 20℃20 ℃ 16311631 536536 15℃15 ℃ 18011801 -- 10℃10 ℃ -- --

에틸렌 글리콜 첨가에 따른 점도 및 이온전도도Viscosity and Ion Conductivity with Addition of Ethylene Glycol 콜린 클로라이드 (1 mol) + 티오 요소 (1 mol)
+ 에틸렌 글리콜 (0.5 mol)
Choline Chloride (1 mol) + Thiourea (1 mol)
+ Ethylene glycol (0.5 mol)
점도 (cp)Viscosity (cp) 이온전도도 (㎲/cm)Ion Conductivity (㎲ / cm) 70℃70 ℃ 181181 19101910 60℃60 ℃ 186186 18131813 50℃50 ℃ 195195 16871687 45℃45 ℃ 216216 15861586 40℃40 ℃ 234234 13491349 35℃35 ℃ 285285 12391239 30℃30 ℃ 348348 11301130 25℃25 ℃ 500500 975975 20℃20 ℃ 684684 891891 15℃15 ℃ 838838 747747 10℃10 ℃ -- --

<< 실시예Example 4> 4>

콜린 클로라이드 1 mol 및 티오 요소 1 mol을 혼합하여 이온성 액체를 제조한 후, 첨가제로 말론산, 옥살산 또는 에틸렌 글리콜 중 어느 하나를 첨가하고, 착화제 유도체로 디메틸티오요소, 환원제로 염화티탄 또는 인산나트륨 중 어느 하나, 그리고 물을 첨가하여 무전해 주석도금을 실시하였다.After mixing 1 mol of choline chloride and 1 mol of thiourea, an ionic liquid is prepared, and either malonic acid, oxalic acid or ethylene glycol is added as an additive, and dimethylthiourea as a complexing agent derivative, titanium chloride or phosphoric acid as a reducing agent. Electrolytic tin plating was performed by adding either sodium and water.

무전해 주석도금 전해질의 제조Preparation of Electroless Tin Plating Electrolyte 실시예 4-1Example 4-1 실시예 4-2Example 4-2 실시예 4-3Example 4-3 실시예 4-4Example 4-4 실시예 4-5Example 4-5 실시예 4-6Example 4-6 염화주석Tin chloride 12 g/L12 g / L 12 g/L12 g / L 12 g/L12 g / L 12 g/L12 g / L 12 g/L12 g / L 12 g/L12 g / L 말론산Malonic acid 52 g/L52 g / L 52 g/L52 g / L 52 g/L52 g / L 52 g/L52 g / L 옥살산Oxalic acid 45 g/L45 g / L 에틸렌
글리콜
Ethylene
Glycol
22.83 ml/L22.83 ml / L
디메틸티오
요소
Dimethylthio
Element
40 g/L40 g / L 40 g/L40 g / L 40 g/L40 g / L
염화티탄Titanium chloride 2.92 mL/L2.92 mL / L 2.92 mL/L2.92 mL / L 2.92 mL/L2.92 mL / L 인산나트륨Sodium phosphate 1.369 g/L1.369 g / L 1.369 g/L1.369 g / L 1.369 g/L1.369 g / L water 1 wt%1 wt% 3 wt%3 wt%

무전해 주석도금 전해질의 제조Preparation of Electroless Tin Plating Electrolyte 실시예 4-7Example 4-7 실시예 4-8Example 4-8 실시예 4-9Example 4-9 실시예 4-10Example 4-10 실시예 4-11Example 4-11 염화주석Tin chloride 12 g/L12 g / L 12 g/L12 g / L 12 g/L12 g / L 12 g/L12 g / L 12 g/L12 g / L 말론산Malonic acid 52 g/L52 g / L 52 g/L52 g / L 52 g/L52 g / L 52 g/L52 g / L 52 g/L52 g / L 옥살산Oxalic acid 에틸렌
글리콜
Ethylene
Glycol
디메틸티오
요소
Dimethylthio
Element
40 g/L40 g / L 40 g/L40 g / L 40 g/L40 g / L 40 g/L40 g / L 40 g/L40 g / L
염화티탄Titanium chloride 2.92 mL/L2.92 mL / L 인산나트륨Sodium phosphate 1.369 g/L1.369 g / L 1.369 g/L1.369 g / L 1.369 g/L1.369 g / L 1.369 g/L1.369 g / L water 6 wt%6 wt% 1 wt%1 wt% 3 wt%3 wt% 6 wt%6 wt%

무전해 주석도금 전해질의 제조Preparation of Electroless Tin Plating Electrolyte 비교예 4-1Comparative Example 4-1 비교예 4-2Comparative Example 4-2 비교예 4-3Comparative Example 4-3 염화주석Tin chloride 12 g/L12 g / L 12 g/L12 g / L 12 g/L12 g / L 말론산Malonic acid 52 g/L52 g / L 옥살산Oxalic acid 45 g/L45 g / L 에틸렌
글리콜
Ethylene
Glycol
22.83 ml/L22.83 ml / L
디메틸티오
요소
Dimethylthio
Element
염화티탄Titanium chloride 2.92 mL/L2.92 mL / L 2.92 mL/L2.92 mL / L 2.92 mL/L2.92 mL / L 인산나트륨Sodium phosphate water

무전해 주석 도금 방법으로는 우선 이온성 액체에 금속염으로 염화주석(Tin chloride)을 첨가하고, 상기 첨가제를 이용하여 무전해 주석도금 전해질을 제조하였다. 그런 다음, 헐 셀시험(Hull Cell Test)을 이용하였고, 동판을 탈지와 수세, 에칭을 실시하고 70℃에서 10분간 무전해 주석도금을 실시하였다. 도금두께는 도금두께 측정기(XRF; 150WT, ISP, Korea)를 이용하여 측정하였다. 이 결과로부터 첨가제와 착화제 유도체, 환원제, 물의 함량에 따른 무전해 주석 도금 두께를 측정할 수 있었다.In the electroless tin plating method, tin chloride was first added to an ionic liquid as a metal salt, and an electroless tin plating electrolyte was prepared using the additive. Then, the Hull Cell Test (Hull Cell Test) was used, and the copper plate was degreased, washed with water, and etched, and electroless tin plated at 70 ° C. for 10 minutes. Plating thickness was measured using a plating thickness meter (XRF; 150WT, ISP, Korea). From this result, the thickness of the electroless tin plating according to the content of the additive, the complexing agent derivative, the reducing agent and the water could be measured.

착화제 유도체, 환원제, 물의 함량에 따른 무전해 주석 도금 두께Electroless Tin Plating Thickness According to Complexing Derivative, Reducing Agent and Water Content 표면조직Surface texture 도금두께(μm)Plating thickness ( μm ) 실시예 4-1Example 4-1 양호Good 0.420.42 실시예 4-2Example 4-2 양호Good 0.140.14 실시예 4-3Example 4-3 양호Good 0.170.17 실시예 4-4Example 4-4 양호Good 0.550.55 실시예 4-5Example 4-5 양호Good 0.850.85 실시예 4-6Example 4-6 양호Good 0.990.99 실시예 4-7Example 4-7 양호Good 1.361.36 실시예 4-8Example 4-8 양호Good 0.420.42 실시예 4-9Example 4-9 양호Good 1.011.01 실시예 4-10Example 4-10 양호Good 1.231.23 실시예 4-11Example 4-11 양호Good 1.511.51 비교예 4-1Comparative Example 4-1 양호Good 0.300.30 비교예 4-2Comparative Example 4-2 양호Good 0.100.10 비교예 4-3Comparative Example 4-3 양호Good 0.140.14

그 결과, 착화제 유도체로 디메틸티오요소를 첨가하였을 때 도금두께가 증가하였고, 이는 Cu와 Sn2 +는 반응이 일어나지 않기 때문에, Cu의 평형 전위(equilibrium electrode potential)를 Sn 보다 낮게 하기 위해서 디메틸티오요소와 같은 착화제 유도체를 첨가하였고, 구리와 착화물 형태인 Cu(Tu)4 +가 되어 전위가 낮아지면서 용해되어 나오고, 빈자리로 주석 이온이 환원되어 변위(displace ment) 반응이 일어나기 때문이다.The result was that the plating thickness when the ignition was added dimethyl thiourea as the derivative increases, which, because not become a Cu and Sn 2 + reaction, dimethylthiotoluene to lower the equilibrium potential of the Cu (equilibrium electrode potential) than Sn It is because a complexing agent derivative such as urea is added, and it becomes Cu (Tu) 4 + , which is a complex with copper, and dissolves at a lower potential, and tin ions are reduced to vacancy, thereby causing a displacement reaction.

또한, 환원제로 염화나트륨(Sodium phosphate)과 염화티타늄(Titanium chloride)을 첨가하였을 때 도금두께가 증가하며, 염화 티타늄 보다 염화 나트륨을 첨가하였을 때 도금효율이 더 높은 것을 확인할 수 있었다.In addition, when the sodium chloride (Sodium phosphate) and titanium chloride (Titanium chloride) is added as a reducing agent, the plating thickness is increased, and the plating efficiency was higher when sodium chloride was added than titanium chloride.

또한, 물의 첨가로 도금효율이 증가했으며, 6 wt% 첨가했을 때 최대 1.51 μm까지 도금이 가능한 것을 확인할 수 있었다.In addition, the plating efficiency was increased by the addition of water, and it was confirmed that plating was possible up to 1.51 μm when 6 wt% was added.

Claims (9)

콜린 클로라이드(Choline chloride);
티오요소(Thiourea);
말론산, 에틸렌 글리콜, 에틸렌 알코올, 프로필렌 글리콜, 프로필렌 알코올, 숙실산, 옥살산 및 시트르산으로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나 또는 둘 이상의 첨가제; 및
착화제 유도체, 환원제 및 물로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나 또는 둘 이상;
을 포함하는 무전해 주석 도금용 이온성 액체 전해질 조성물.
Choline chloride;
Thiourea;
Any one or two or more additives selected from the group consisting of malonic acid, ethylene glycol, ethylene alcohol, propylene glycol, propylene alcohol, succinic acid, oxalic acid and citric acid; And
Any one or two or more selected from the group consisting of a complexing agent derivative, a reducing agent and water;
Ionic liquid electrolyte composition for electroless tin plating comprising a.
제 1항에 있어서,
상기 콜린 클로라이드 및 티오요소는 1 : 1 몰(mol)비로 혼합되는 것을 특징으로 하는 무전해 주석 도금용 이온성 액체 전해질 조성물.
The method of claim 1,
The choline chloride and thiourea is ionic liquid electrolyte composition for electroless tin plating, characterized in that mixed in a 1: 1 mol (mol) ratio.
제 1항에 있어서,
상기 콜린 클로라이드, 티오요소 및 첨가제는 1 : 1 : 0.1 ~ 0.5 몰(mol)비로 혼합되는 것을 특징으로 하는 무전해 주석 도금용 이온성 액체 전해질 조성물.
The method of claim 1,
The choline chloride, thiourea and additives are ionic liquid electrolyte composition for electroless tin plating, characterized in that the mixture is 1: 1 to 0.1 to 0.5 mol (mol) ratio.
제 1항에 있어서,
상기 착화제 유도체는 디메틸티오요소인 것을 특징으로 하는 무전해 주석 도금용 이온성 액체 전해질 조성물.
The method of claim 1,
The complexing agent derivative is an ionic liquid electrolyte composition for electroless tin plating, characterized in that dimethylthiourea.
제 1항에 있어서,
상기 환원제는 염화티탄 또는 인산나트륨인 것을 특징으로 하는 무전해 주석 도금용 이온성 액체 전해질 조성물.
The method of claim 1,
The reducing agent is titanium chloride or sodium phosphate ionic liquid electrolyte composition for electroless tin plating, characterized in that.
제 1항에 있어서,
상기 물은 전체 조성물 대지 1 내지 6 wt% 첨가하는 것을 특징으로 하는 무전해 주석 도금용 이온성 액체 전해질 조성물.
The method of claim 1,
The water is an ionic liquid electrolyte composition for electroless tin plating, characterized in that 1 to 6 wt% of the total composition land.
i) 콜린 클로라이드(Choline chloride) 및 티오요소(Thiourea)를 혼합하는 단계;
ii) 첨가제로 말론산, 에틸렌 글리콜, 에틸렌 알코올, 프로필렌 글리콜, 프로필렌 알코올, 숙실산, 옥살산 및 시트르산으로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나 또는 둘 이상을 첨가하는 단계; 및
iii) 착화제 유도체, 환원제 및 물로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나 또는 둘 이상을 첨가하는 단계;
를 포함하는, 무전해 주석 도금용 이온성 액체 전해질 조성물의 제조 방법.
i) mixing Choline chloride and Thiourea;
ii) adding one or more selected from the group consisting of malonic acid, ethylene glycol, ethylene alcohol, propylene glycol, propylene alcohol, succinic acid, oxalic acid and citric acid; And
iii) adding any one or two or more selected from the group consisting of complexing agent derivatives, reducing agents and water;
Method for producing an ionic liquid electrolyte composition for electroless tin plating, comprising a.
제 1항 내지 제 6항 중 어느 한 항에 따른 무전해 주석 도금용 이온성 액체 전해질 조성물; 및 수용성 주석;을 포함하는 무전해 주석 도금액.
An ionic liquid electrolyte composition for electroless tin plating according to any one of claims 1 to 6; And a water soluble tin.
제 8항의 무전해 주석 도금액을 구리 또는 구리 합금에 처리하는 단계를 포함하는 무전해 주석 도금 방법.


An electroless tin plating method comprising the step of treating the electroless tin plating liquid of claim 8 to copper or a copper alloy.


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