KR20190088905A - 브레이징 조인트 및 브레이징 조인트를 갖는 반도체 프로세싱 챔버 컴포넌트 - Google Patents

브레이징 조인트 및 브레이징 조인트를 갖는 반도체 프로세싱 챔버 컴포넌트 Download PDF

Info

Publication number
KR20190088905A
KR20190088905A KR1020190006818A KR20190006818A KR20190088905A KR 20190088905 A KR20190088905 A KR 20190088905A KR 1020190006818 A KR1020190006818 A KR 1020190006818A KR 20190006818 A KR20190006818 A KR 20190006818A KR 20190088905 A KR20190088905 A KR 20190088905A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
joint
brazing
ceramic
metallic
Prior art date
Application number
KR1020190006818A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102141996B1 (ko
Inventor
고빈다 라즈
톰 케이. 조
하미드 모히딘
란 위드로
Original Assignee
어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 filed Critical 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Publication of KR20190088905A publication Critical patent/KR20190088905A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102141996B1 publication Critical patent/KR102141996B1/ko

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K20/00—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
    • B23K20/002—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating specially adapted for particular articles or work
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B37/00—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating
    • C04B37/02—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating with metallic articles
    • C04B37/023—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating with metallic articles characterised by the interlayer used
    • C04B37/026—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating with metallic articles characterised by the interlayer used consisting of metals or metal salts
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K1/00—Soldering, e.g. brazing, or unsoldering
    • B23K1/0008—Soldering, e.g. brazing, or unsoldering specially adapted for particular articles or work
    • B23K1/0016—Brazing of electronic components
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K1/00—Soldering, e.g. brazing, or unsoldering
    • B23K1/19—Soldering, e.g. brazing, or unsoldering taking account of the properties of the materials to be soldered
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K1/00—Soldering, e.g. brazing, or unsoldering
    • B23K1/20—Preliminary treatment of work or areas to be soldered, e.g. in respect of a galvanic coating
    • B23K1/206—Cleaning
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K35/00—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
    • B23K35/02—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by mechanical features, e.g. shape
    • B23K35/0222—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by mechanical features, e.g. shape for use in soldering, brazing
    • B23K35/0233—Sheets, foils
    • B23K35/0238—Sheets, foils layered
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B37/00—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating
    • C04B37/02—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating with metallic articles
    • C04B37/023—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating with metallic articles characterised by the interlayer used
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/36—Electric or electronic devices
    • B23K2101/40—Semiconductor devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/16—Composite materials, e.g. fibre reinforced
    • B23K2103/166—Multilayered materials
    • B23K2103/172—Multilayered materials wherein at least one of the layers is non-metallic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • B23K2103/52—Ceramics
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/50—Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
    • C04B2235/52—Constituents or additives characterised by their shapes
    • C04B2235/5208—Fibers
    • C04B2235/5216—Inorganic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/50—Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
    • C04B2235/52—Constituents or additives characterised by their shapes
    • C04B2235/5208—Fibers
    • C04B2235/5252—Fibers having a specific pre-form
    • C04B2235/5256—Two-dimensional, e.g. woven structures
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/02—Aspects relating to interlayers, e.g. used to join ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/12—Metallic interlayers
    • C04B2237/122—Metallic interlayers based on refractory metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/02—Aspects relating to interlayers, e.g. used to join ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/12—Metallic interlayers
    • C04B2237/123—Metallic interlayers based on iron group metals, e.g. steel
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/02—Aspects relating to interlayers, e.g. used to join ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/12—Metallic interlayers
    • C04B2237/124—Metallic interlayers based on copper
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/02—Aspects relating to interlayers, e.g. used to join ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/12—Metallic interlayers
    • C04B2237/125—Metallic interlayers based on noble metals, e.g. silver
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
    • C04B2237/32—Ceramic
    • C04B2237/34—Oxidic
    • C04B2237/343—Alumina or aluminates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
    • C04B2237/32—Ceramic
    • C04B2237/36—Non-oxidic
    • C04B2237/366—Aluminium nitride
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
    • C04B2237/40—Metallic
    • C04B2237/403—Refractory metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
    • C04B2237/40—Metallic
    • C04B2237/405—Iron metal group, e.g. Co or Ni
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
    • C04B2237/40—Metallic
    • C04B2237/405—Iron metal group, e.g. Co or Ni
    • C04B2237/406—Iron, e.g. steel
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/52—Pre-treatment of the joining surfaces, e.g. cleaning, machining
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/59—Aspects relating to the structure of the interlayer
    • C04B2237/595—Aspects relating to the structure of the interlayer whereby the interlayer is continuous, but heterogeneous on macro-scale, e.g. one part of the interlayer being a joining material, another part being an electrode material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/72—Forming laminates or joined articles comprising at least two interlayers directly next to each other
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/74—Forming laminates or joined articles comprising at least two different interlayers separated by a substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/76—Forming laminates or joined articles comprising at least one member in the form other than a sheet or disc, e.g. two tubes or a tube and a sheet or disc
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/84—Joining of a first substrate with a second substrate at least partially inside the first substrate, where the bonding area is at the inside of the first substrate, e.g. one tube inside another tube
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16B—DEVICES FOR FASTENING OR SECURING CONSTRUCTIONAL ELEMENTS OR MACHINE PARTS TOGETHER, e.g. NAILS, BOLTS, CIRCLIPS, CLAMPS, CLIPS OR WEDGES; JOINTS OR JOINTING
    • F16B5/00—Joining sheets or plates, e.g. panels, to one another or to strips or bars parallel to them
    • F16B5/08—Joining sheets or plates, e.g. panels, to one another or to strips or bars parallel to them by means of welds or the like

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Products (AREA)
  • Connections Effected By Soldering, Adhesion, Or Permanent Deformation (AREA)

Abstract

금속성-세라믹 브레이징 조인트(metallic-ceramic brazed joint)를 형성하는 방법들이 본원에서 개시된다. 브레이징 조인트를 형성하는 방법은, 금속성 컴포넌트들의 표면을 탈산시키는 단계, 조인트를 어셈블링하는 단계, 조인트 컴포넌트들을 융합시키기 위해 조인트를 가열하는 단계, 및 조인트를 냉각시키는 단계를 포함한다. 소정의 실시예들에서, 브레이징 조인트는 등각성의 층(conformal layer)을 포함한다. 추가의 실시예들에서, 브레이징 조인트는 조인트 내의 응력 집중들을 감소시키기 위한 피처(feature)들을 갖는다.

Description

브레이징 조인트 및 브레이징 조인트를 갖는 반도체 프로세싱 챔버 컴포넌트{BRAZED JOINT AND SEMICONDUCTOR PROCESSING CHAMBER COMPONENT HAVING THE SAME}
[0001] 본 개시내용의 실시예들은 일반적으로, 반도체 프로세싱 챔버 컴포넌트들에서 사용하기 위한 브레이징 조인트(brazed joint)들에 관한 것이다.
[0002] 전자 디바이스들, 이를테면, 반도체들에 대한 요구는 제조 프로세스들을 개선하도록 계속해서 독려한다. 예컨대, 프로세싱 챔버들의 유지보수 정지(maintenance outage)들을 감소시키고 활용을 증가시키기 위해, 제조 챔버들 내에서 사용되는 컴포넌트들의 신뢰성 및 사용가능 수명을 증가시키는 것은 까다롭다.
[0003] 브레이징 조인트들은 일반적으로, 전자기기 제조를 위해 반도체 프로세싱 챔버들 내에서 사용되는 프로세싱 챔버 컴포넌트들에서 발견된다. 반도체 제조 프로세스들, 이를테면, 화학 기상 증착(CVD; chemical vapor deposition), 물리 기상 증착 또는 에칭 프로세스들에서의 브레이징 조인트들은, 반도체 프로세싱 챔버의 동작가능성을 유지하기 위해, 빈번한 유지보수를 필요로 한다. 프로세싱 챔버 컴포넌트들의 수명 증가에 대한 요구가 계속 증가됨에 따라, 컴포넌트 고장들로 인한 유지보수를 감소시키기 위해서는, 브레이징 조인트들을 개선할 필요가 있다.
[0004] 따라서, 컴포넌트 고장들이 더 적은 브레이징 조인트들이 필요하다.
[0005] 본 개시내용은 일반적으로, 반도체 제조 및 반도체 프로세싱 컴포넌트들에서 사용하기 위한 브레이징 조인트들에 관한 것이다. 일 양상에서, 브레이징 조인트는 브레이징 조인트 내의 응력들을 감소시키기 위한 피처(feature)들을 브레이징 조인트의 하나 또는 그 초과의 컴포넌트들 상에 포함한다. 다른 양상에서, 브레이징 조인트는 다층 구성을 사용하여 형성된다. 다층 구성은 메시(mesh), 인서트(insert), 및 브레이징 재료(brazing material)를 포함한다. 브레이징 조인트는 선택적으로, 크롬, 텅스텐, 티타늄, 또는 이들의 나이트라이드들로 형성된 등각성 층(conformal layer)을 포함한다. 다른 양상에서, 브레이징 조인트를 형성하는 방법은, 브레이징 조인트의 컴포넌트들을 탈산(deoxidizing)시키는 단계, 조인트를 어셈블링하는 단계, 재료를 융합시키기 위해 조인트를 가열하는 단계, 및 조인트를 냉각시키는 단계를 포함한다. 가열 동안 조인트 내로 과도한 응력이 도입되는 것을 방지하기 위해, 제어된 힘이 조인트에 가해진다.
[0006] 일 실시예에서, 브레이징 조인트를 생성하는 방법은 금속성 조인트 컴포넌트(metallic joint component)의 표면들을 탈산시키는 단계를 포함한다. 금속성 조인트 컴포넌트 및 브레이징 재료는 세라믹 바디 내의 리세스 내에 배치된다. 금속성 컴포넌트, 브레이징 재료, 및 세라믹 바디는 브레이징 세라믹 조인트를 형성하도록 가열된다.
[0007] 다른 실시예에서, 브레이징 조인트는 세라믹 바디를 포함하며, 세라믹 바디는 세라믹 바디 내에 리세스를 갖는다. 금속성 로드(rod), 메시, 인서트, 및 브레이징 재료는 리세스 내에 배치된다. 로드 및 인서트는, 조인트 내의 응력 집중을 감소시키기 위한 피처들을 더 포함한다.
[0008] 추가의 실시예들에서, 브레이징 조인트는 세라믹 바디를 포함하며, 세라믹 바디는 세라믹 바디 내에 리세스를 갖는다. 금속성 로드, 메시, 인서트, 및 브레이징 재료는 리세스 내에 배치된다. 로드 및 인서트는, 조인트 내의 응력 집중을 감소시키기 위한 피처들을 더 포함한다. 텅스텐, 티타늄, 크롬, 또는 이들의 나이트라이드들을 포함하는 등각성 층은, 로드, 인서트, 메시, 및 브레이징 재료를 둘러싸는 리세스 내에 배치된다.
[0009] 본 개시내용의 상기 열거된 특징들이 상세히 이해될 수 있는 방식으로, 앞서 간략히 요약된 본 개시내용의 보다 구체적인 설명이 실시예들을 참조로 하여 이루어질 수 있는데, 이러한 실시예들의 일부는 첨부된 도면들에 예시되어 있다. 그러나, 첨부된 도면들은 단지 예시적인 실시예들을 예시하는 것이므로 본 개시내용의 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 한다는 것이 주목되어야 하는데, 이는 본 개시내용이 다른 균등하게 유효한 실시예들을 허용할 수 있기 때문이다.
[0010] 도 1은 일 실시예에 따른 브레이징 조인트의 개략적인 어레인지먼트의 단면도이다.
[0011] 도 2는 일 실시예에 따른 브레이징 조인트의 개략적인 어레인지먼트의 단면도이다.
[0012] 도 3a-3b는 일 실시예에 따른 브레이징 조인트 내에서 사용되는 컴포넌트들의 개략적인 입면도들이다.
[0013] 도 4는 일 실시예에 따른 브레이징 조인트의 개략적인 어레인지먼트의 단면도이다.
[0014] 도 5는 일 실시예에 따른 브레이징 조인트의 개략적인 어레인지먼트의 단면도이다.
[0015] 도 6은 일 실시예에 따라 브레이징 조인트를 형성하는 방법의 흐름도이다.
[0016] 도 7은 일 실시예에 따라 브레이징 조인트를 형성하는 방법의 흐름도이다.
[0017] 이해를 촉진시키기 위해, 도면들에 대해 공통적인 동일한 엘리먼트들을 가리키기 위해 가능한 경우 동일한 도면부호들이 사용되었다. 일 실시예의 엘리먼트들 및 피처들이 추가의 언급없이 다른 실시예들에 유익하게 통합될 수 있음이 고려된다.
[0018] 본 개시내용은 일반적으로, 금속성-세라믹 브레이징 조인트를 형성하는 방법들에 관한 것이다. 그러한 금속성-세라믹 브레이징 조인트들은 반도체 챔버 컴포넌트들의 제조 동안 사용하기에 적절하다. 브레이징 조인트를 형성하는 방법은, 금속성 컴포넌트들의 표면을 탈산시키는 단계, 조인트를 어셈블링하는 단계, 조인트 컴포넌트들을 융합시키기 위해 조인트를 가열하는 단계, 및 조인트를 냉각시키는 단계를 포함한다. 소정의 실시예들에서, 브레이징 조인트는 등각성 층을 형성하는 것을 포함한다. 추가의 실시예들에서, 브레이징 조인트는 조인트 내의 응력 집중들을 감소시키도록 형상화된 피처들을 포함한다.
[0019] 도 1은 예시적인 브레이징 조인트(100)의 개략적인 어레인지먼트이다. 브레이징 조인트(100)는 세라믹 바디(104)에 브레이징된 로드(106)를 포함한다. 세라믹 바디(104)는, 특히, 임의의 적절한 세라믹 재료, 이를테면, 알루미나 및 알루미늄 나이트라이드로 제조될 수 있다. 로드(106)는 금속 또는 금속성 재료로 제조된다. 예컨대, 로드(106)는, 다른 적절한 재료들 중에서도 스테인리스 강, 니켈, 몰리브덴, 또는 티타늄으로 제조될 수 있다. 로드(106)는 세라믹 바디(104) 내에 배치된다. 예컨대, 로드(106)는 세라믹 바디(104) 내에 형성된 리세스(102) 내에 배치된다. 다른 실시예들에서, 로드(106)는 세라믹 바디(104) 상에 배치된 원통형 연장부(도시되지 않음) 또는 세라믹 바디(104)를 통하는 홀(도시되지 않음) 내에 배치될 수 있다. 브레이징 재료(108)는 로드(106)와 리세스(102) 사이에 배치된다. 브레이징 재료(108)는, 특히 금속 또는 금속성 재료, 이를테면, 금, 티타늄, 또는 팔라듐, 또는 이들의 조합들일 수 있다. 브레이징 재료(108)는 로드(106)와 세라믹 바디(104) 사이에 융합된 본드를 형성하는 데 사용된다.
[0020] 로드(106)는 원통형 측표면(114) 및 원형 최하부 표면(116)을 갖는다. 최하부 표면(116)은 일반적으로, 원통형 측표면(114)에 수직한다. 로드(106)는, 원통형 측표면(114)을 최하부 표면(116)에 연결(join)하는 하나 또는 그 초과의 피처들(112)을 포함한다. 피처(112)는 단일 또는 화합물 챔퍼(chamfer) 또는 라디어스(radius)일 수 있다. 도 1의 실시예에서, 피처(112)는 원통형 측표면(114)과 최하부 표면(116)의 맞닿는 에지(abutting edge)들 사이에 형성된 챔퍼이다. 일 실시예에서, 챔퍼는, 예컨대 최하부 표면(116)에 대해 대략 30° 내지 대략 60°의 범위로 각이 진 선형 표면을 가질 수 있다. 챔퍼는, 예컨대 0.10mm 내지 1mm의 범위의 길이를 가질 수 있다. 챔퍼는 로드(106)의 단부 상에 절두원추형 피처(frustoconical feature)를 형성한다.
[0021] 유리하게, 피처들(112)은, 소정의 기하학적 구조들이 브레이징 조인트(100) 내에 높은 응력 집중들을 생성하는 것을 방지한다. 브레이징 조인트(100)가 열적으로 사이클링됨에 따라, 이를테면, 브레이징 조인트(100)를 갖는 챔버 컴포넌트들을 사용한 반도체 프로세싱 동안 반복적으로 가열 및 냉각됨에 따라, 브레이징 조인트 내에서 생성된 응력은 직각 구조들을 갖는 종래의 브레이징 조인트들과 비교하여 현저하게 감소된다. 브레이징 조인트(100) 내에서 응력 집중들이 상당히 더 적기 때문에, 브레이징 조인트는 응력 유도 균열(stress induced cracking)에 대해 내성이 높다.
[0022] 피처들(112)은 브레이징 조인트(100) 내의 응력 집중을 감소시키는 임의의 형상일 수 있다. 도 1의 실시예의 피처들(112)에 대해 챔퍼들이 활용된다. 다른 형상들, 이를테면, 둥근 모서리(rounded corner)들, 다수의 챔퍼들, 패싯들, 또는 이들의 조합들이 또한, 응력 감소 피처들(112)에 활용될 수 있다.
[0023] 도 2는 개선된 브레이징 조인트(200)의 개략적인 어레인지먼트이다. 브레이징 조인트(200)는 브레이징 조인트(100)와 유사하지만, 브레이징 재료의 상이한 어레인지먼트를 사용한다. 브레이징 조인트(200)는 세라믹 바디(204) 내에 형성된 리세스(202) 내에 배치된 로드(206)를 포함한다. 로드(206)는, 특히 금속 또는 금속성 재료들, 이를테면, 니켈, 몰리브덴, 또는 티타늄으로 형성될 수 있다. 세라믹 바디(204)는 임의의 적절한 세라믹 재료, 이를테면, 알루미나 또는 알루미늄 나이트라이드일 수 있다. 도 2의 실시예에서, 브레이징 조인트(200)는 다층 구조를 사용하여 형성된다.
[0024] 제1 층(214)은 리세스(202) 내에 배치된다. 제1 층(214)은 금속성 메시로 형성된다. 금속성 메시는, 특히 임의의 적절한 금속, 이를테면, 니켈 또는 몰리브덴으로 제조될 수 있다. 제2 층(216)은 제1 층(214) 위에 배치된다. 제2 층(216)은 브레이징 재료로 제조된다. 제3 층(218)은 제2 층(216) 위에 배치된다. 제3 층(218)은 금속성 인서트로 제조된다. 제3 층(218)은, 특히, 임의의 적절한 금속, 이를테면, 니켈 또는 몰리브덴으로 제조될 수 있다. 제4 층(220)은 제3 층(218) 위에 배치된다. 제4 층(220)은 브레이징 재료로 형성된다. 제3 층(218)은 유리하게, 브레이징 재료와 브레이징 조인트 컴포넌트들 사이에 증가된 표면적 및 개선된 본딩을 제공함으로써, 브레이징 조인트(200)의 인장 강도를 증가시킨다. 도 2의 로드(206)가 도 1의 피처들(112) 없이 도시되지만, 피처들(112)은 로드(206)의 단부 내에 통합될 수 있다는 것이 이해된다.
[0025] 제2 및 제4 층들(216, 220)은 브레이징 재료로 형성된다. 브레이징 프로세스 동안의 열의 인가 시, 브레이징 재료는 고체화되어 단일 재료 매스(unitary mass of material)를 형성한다. 그 단일 매스는 브레이징 조인트(200)의 컴포넌트들을 본딩시킨다. 제2 및 제4 층들(216, 220)은, 다른 브레이징 조인트 컴포넌트들, 이를테면, 로드(206), 제1 층(218), 제3 층(220), 및 세라믹 바디(204)의 재료와 관련하여 선택된 임의의 적절한 브레이징 재료로 형성될 수 있다. 일 예에서, 제2 및 제4 층들(216, 220)은, 금, 티타늄, 및 팔라듐을 포함한 브레이징 재료들 중 하나 또는 그 초과로 제조될 수 있다. 소정의 실시예들에서, 제2 및 제4 층들(216, 220)은 브레이징 재료의 시트들을 포함한다. 시트들은 바인더에 의해 제 위치에 홀딩되는 파우더형 금속의 시트 또는 금속 포일들일 수 있다. 브레이징 재료의 시트들은, 예컨대 대략 50 미크론 내지 대략 250 미크론의 두께를 가질 수 있다. 브레이징 재료의 시트들은 브레이징 조인트(200) 내에서의 산화의 발생을 크게 감소시킨다. 제2 및 제4 층들(216, 220)은 다른 형태들, 이를테면, 페이스트, 파우더, 또는 유동가능 금속일 수 있다. 제2 및 제4 층들(216, 220)로서 사용하기에 적절한 다른 재료들은, 은, 구리, 텅스텐, 코발트, 크롬, 및 철, 또는 이들의 조합들을 포함한다. 제2 및 제4 층들(216, 220)은 재료들의 조합일 수 있다. 소정의 실시예들에서, 제2 및 제4 층들(216, 220)은 대략 90%의 팔라듐을 포함한다. 추가의 실시예들에서, 제2 및 제4 층들(216, 220)은 대략 30%의 구리, 60%의 금, 및 10%의 니켈을 포함한다. 또 다른 추가의 실시예들에서, 제2 및 제4 층들(216, 220)은 대략 80%의 금 및 20%의 니켈을 포함한다. 또 다른 추가의 실시예들에서, 제2 및 제4 층들(216, 220)은 대략 60%의 팔라듐 및 40%의 코발트를 포함한다. 제2 및 제4 층들(216, 220)을 위한 재료들의 임의의 적절한 조합은, 원하는 브레이징 조인트 특성들, 이를테면, 인장 강도, 내부식성, 또는 열 전도도를 획득하도록 선택될 수 있다.
[0026] 도 3a 및 도 3b는 브레이징 조인트에 대한 예시적인 컴포넌트들이다. 도 3a는 금속성 인서트(316)의 예시적인 예이다. 금속성 인서트(316)는 도 2의 금속성 인서트(216) 대신에 사용될 수 있다. 금속성 인서트(316)는 상부 표면(304) 및 하부 표면(310)을 갖는 원형 바디(302)를 포함한다. 외측 표면(308)은 상부 표면(304)과 하부 표면(310) 사이에서 연장되고 상부 표면(304)과 하부 표면(310)을 연결한다. 도 3의 금속성 인서트(316)는 하나 또는 그 초과의 팽창 피처(expansion feature)들을 포함한다. 제1 팽창 피처는 외측 표면(308) 내에 배치된 환형 채널(320)이다. 채널(320)은 바디(302) 내로 부분적으로 연장되고, 바디(302)에 외접(circumscribe)한다. 제2 팽창 피처는 상부 표면(304)과 하부 표면(310) 사이에서 바디(302)의 중심을 통해 연장되는 애퍼처(322)(가상선으로 표시됨)이다. 팽창 피처들의 목적은 아래에서 추가로 논의된다.
[0027] 도 3b는 로드(306)의 예시적인 예이다. 로드(306)는 도 2의 로드(206) 대신에 사용될 수 있다. 로드(206)는, 바디(338)를 부분적으로 정의하는 원통형 외측 표면(330) 및 원형 하부 표면(332)을 갖는다. 로드(306)는 또한 팽창 피처들을 갖는다. 제1 팽창 피처는 바디(338)의 외측 표면(330) 내에 배치된 환형 채널(334)이다. 채널(334)은 바디(338) 내로 부분적으로 연장되고, 바디(338)에 외접한다. 제2 팽창 피처는 보어(bore)(336)(가상선으로 표시됨)이다. 보어(336)는 하부 표면(332)으로부터 중심선을 따라 바디(338) 내측으로 부분적으로 연장되어, 바디(338) 내에 리세스를 정의한다.
[0028] 팽창 피처들, 이를테면, 채널들(320, 334), 애퍼처(322), 및 보어(336)는 볼륨들을 제공하며, 브레이징 조인트를 형성하는 재료들이 그 볼륨들 내로 팽창될 수 있다. 브레이징 조인트가 조인트의 제조 동안 또는 반도체 프로세싱 동작들 동안 고온들로 가열될 때, 브레이징 조인트 내의 재료들은 열적으로 팽창된다. 종래의 브레이징 조인트들에서, 팽창은 브레이징 조인트의 기하학적 구조에 의해, 이를테면, 리세스의 평활한 보어 및 로드의 평활한 원통형 표면에 의해 제약받을 수 있다. 재료들이 제약받게 될 때, 브레이징 조인트가 계속해서 팽창함에 따라 응력이 증가한다. 이러한 응력은 재료 특성들을 초과하여, 조인트 내에 균열(crack)들을 형성할 수 있다. 본원에서 설명되는 팽창 피처들은, 브레이징 조인트의 재료들이 제약받지 않으면서 팽창되는 것을 가능하게 한다. 즉, 채널들(320, 334), 애퍼처(322), 및 보어(336)에 의해 생성된 볼륨들은, 조인트 내에 과도한 응력을 유도하지 않으면서 브레이징 조인트를 포함한 재료들이 팽창하고 유동하는 영역을 제공한다. 팽창 피처들의 사이즈 및 기하학적 구조는, 제조 및 사용 동안의 브레이징 조인트의 예상되는 열적 팽창 및 브레이징 조인트의 설계와 관련하여 선택된다. 팽창 볼륨들의 다양한 어레인지먼트들이 활용될 수 있다는 것이 이해된다. 또한, 채널들(320, 334), 애퍼처(322), 및 보어(336) 각각을 동일한 조인트 내에서 활용할 필요는 없다. 임의의 팽창 피처들, 이를테면, 채널들(320, 334), 애퍼처(322), 및 보어(336)는 단독으로 또는 다른 피처들 중 임의의 하나 또는 그 초과와 함께 실시될 수 있다.
[0029] 도 4는 예시적인 브레이징 조인트(400)의 개략적인 어레인지먼트이다. 브레이징 조인트(400)는 브레이징 조인트(200)와 유사하지만, 슬리브(sleeve)를 부가적으로 사용한다. 브레이징 조인트(400)는 세라믹 바디(404) 내에 형성된 리세스(402) 내에 인서팅된 로드(406)를 포함한다. 로드(406)는, 특히 금속 또는 금속성 재료들, 이를테면, 니켈, 몰리브덴, 또는 티타늄으로 형성될 수 있다. 세라믹 바디(404)는 임의의 적절한 세라믹 재료, 이를테면, 알루미나 또는 알루미늄 나이트라이드일 수 있다. 다층 브레이징 구성이 리세스(402) 내에 배치된다. 제1 층(414)은 금속성 메시로 형성된다. 금속성 메시는, 특히 임의의 적절한 금속, 이를테면, 니켈 또는 몰리브덴으로 제조될 수 있다. 제2 층(416)은 제1 층(414) 위에 형성된다. 제2 층(416)은 브레이징 재료로 형성된다. 제3 층(418)은 제2 층(416) 위에 배치된다. 제3 층(418)은 금속성 인서트로 형성된다. 제3 층(418)은, 특히, 임의의 적절한 금속, 이를테면, 니켈 또는 몰리브덴으로 제조될 수 있다. 제2 및 제4 층들(416, 420)의 재료는 도 2의 제2 및 제4 층들(216, 220)과 동일한 재료들이다. 나사산형성된 슬리브(threaded sleeve)(424)가 리세스(402) 내에 배치된다. 나사산형성된 슬리브(424)는, 특히 금속 또는 금속성 재료, 이를테면, 니켈, 몰리브덴, 또는 티타늄으로 형성된다. 소정의 실시예들에서, 나사산형성된 슬리브(424) 및 로드(406)는 동일한 재료들로 형성된다. 나사산형성된 슬리브(424)는 리세스(402)의 나사산형성된 부분과 정합(mate)된다. 나사산형성된 슬리브(424)는, 조인트의 표면적을 증가시킴으로써, 로드(406)와 리세스(402) 사이에 확실한 연결(secure connection)을 제공한다. 브레이징 재료(422)는 선택적으로, 리세스(402)의 나사산형성된 부분과 나사산형성된 슬리브(424) 사이에 배치된다. 여기서, 브레이징 재료(422)는 제2 및 제4 층들(416, 420)과 동일한 재료들로 형성될 수 있다. 소정의 실시예들에서, 로드(406) 및 나사산형성된 슬리브(424)는 일체형 바디이다. 추가의 실시예들에서, 나사산형성된 슬리브(424)는 용접 또는 본딩에 의해 로드(406)에 커플링될 수 있다.
[0030] 도 5는 브레이징 조인트(500)의 개략적인 예시이다. 브레이징 조인트(500)는 브레이징 조인트(200)와 유사하지만, 등각성 층을 부가적으로 포함한다. 브레이징 조인트(500)는 세라믹 바디(504) 내에 형성된 리세스(502) 내에 배치된 로드(506)를 포함한다. 로드(506)는, 특히 금속 또는 금속성 재료들, 이를테면, 니켈, 몰리브덴, 또는 티타늄으로 형성될 수 있다. 세라믹 바디(504)는 임의의 적절한 세라믹 재료, 이를테면, 알루미나 또는 알루미늄 나이트라이드일 수 있다. 등각성 층(530)이 리세스(502) 상에 형성된다. 등각성 층(530)은 일반적으로 스퍼터 프로세스에 의해 형성되지만, 임의의 적절한 증착 프로세스가 활용될 수 있다. 등각성 층(530)은 텅스텐, 티타늄, 크롬, 또는 이들의 나이트라이드들로 형성된다. 등각성 층(530)은 단일 재료의 단일 층으로 형성될 수 있거나, 또는 각각의 층이 상이한 재료로 형성되는 다수의 층들로 형성될 수 있다. 리세스(502)는, 등각성 층(530)과 리세스(502)의 본딩을 향상시키기 위해, 예컨대 대략 5 미크론 내지 대략 40 미크론의 범위의 평균 거칠기(Ra; roughness average)를 갖는 조면화된(roughened) 표면을 가질 수 있다. 등각성 층(530)의 재료들은 세라믹 바디(504)의 재료 및 표면 마무리(즉, 리세스(502)의 거칠기)와 관련하여 선택된다. 등각성 층(530)은, 제2 및 제4 층들(516, 520)의 브레이징 재료 층들의 재료와 용이하게 융합되는 표면을 제공함으로써, 브레이징 조인트(500)의 강도를 증가시킨다. 소정의 실시예들에서, 등각성 층(530)은, 크롬으로 형성된 층, 티타늄으로 형성된 층, 및 텅스텐으로 형성된 층을 포함한다. 일 실시예에서, 등각성 층(530)은, 크롬 층 위에 형성된 티타늄 층 위에 형성된 텅스텐 층이다. 다른 실시예에서, 등각성 층(530)은, 크롬 층 위에 형성된 텅스텐 층 위에 형성된 티타늄 층이다. 또 다른 추가의 실시예들에서, 등각성 층(530)은 리세스(502)의 내부 표면들을 완전히 커버한다.
[0031] 제1 층(514)은, 리세스(502) 내에서, 등각성 층(530)의 내측으로 배치된다. 제1 층(514)은 금속성 메시로 제조된다. 금속성 메시는, 특히 임의의 적절한 금속, 이를테면, 니켈 또는 몰리브덴으로 제조될 수 있다. 제2 층(516)은 제1 층(514) 위에 배치된다. 제2 층(516)은 브레이징 재료로 제조된다. 제3 층(518)은 제2 층(516) 위에 배치된다. 제3 층(518)은 금속성 인서트로 제조된다. 제3 층(518)은, 특히, 임의의 적절한 금속, 이를테면, 니켈 또는 몰리브덴으로 제조될 수 있다. 제4 층(520)은 제3 층(518) 위에 그리고 추가로 로드(506)와 등각성 층(530) 사이에 배치된다. 제4 층(520)은 브레이징 재료로 형성된다. 제2 및 제4 층들(516, 520)의 재료들은 도 2의 제2 및 제4 층들(216, 220)에서 사용된 재료들과 동일하다.
[0032] 도 6은 브레이징 조인트, 이를테면, 브레이징 조인트(200)를 생성하기 위한 방법의 흐름도이다. 방법(600)은 선택적으로, 조인트의 산화를 방지하기 위해, 탈산된 분위기(deoxygenized atmosphere)에서 수행된다. 방법(600)은, 단계(610)에서, 브레이징 조인트 내의 다공성(porosity)을 실질적으로 방지하기 위해, 모든 금속성 컴포넌트들의 표면을 탈산시킴으로써 시작된다. 단계(620)에서, 브레이징 조인트의 컴포넌트들이 어셈블링되는데, 이를테면, 층들(212, 214, 216, 220)이 리세스(202) 내에 배치된다. 단계(630)에서, 브레이징 컴포넌트(brazed component)들은, 브레이징 조인트를 융합시키기 위해, 고온, 이를테면, 대략 450℃로 가열된다. 브레이징 조인트는 임의의 적절한 방법, 이를테면, 저항성 가열 또는 노(furnace) 내에서의 가열을 사용하여 가열될 수 있다. 단계(630)에서 가열되는 동안, 브레이징 조인트의 컴포넌트, 이를테면, 로드(206) 또는 바디(204)에 힘이 가해진다. 조인트 컴포넌트에 가해지는 힘은, 조인트 내에서의 과도한 응력의 도입을 감소시키기 위해, 조인트의 가열 동안 연속적으로 가해질 수 있다. 그 힘은, 예컨대 대략 5 kgf(kilogram-force) 내지 대략 90 kgf의 범위일 수 있고, 브레이징 조인트의 재료들 및 브레이징 온도와 관련하여 선택된다. 그 힘은 브레이징 조인트 내에 일정한 응력을 유지하도록 변조될(modulated) 수 있다. 단계(630)에서 브레이징이 완료된 후에, 단계(640)에서 조인트가 냉각된다. 브레이징 조인트를 냉각시키는 레이트 및 방법은, 조인트 내로의 과도한 응력의 도입을 감소시키도록 선택될 수 있다. 예컨대, 브레이징 조인트는 주변 냉각(ambient cooling) 또는 제어된 급냉(controlled quenching)에 의해 냉각될 수 있다. 냉각시키는 방법 및 냉각 레이트는 또한, 브레이징 조인트의 재료들 및 브레이징 온도와 관련하여 선택된다.
[0033] 도 7은 브레이징 조인트, 이를테면, 브레이징 조인트(500)를 생성하기 위한 방법의 흐름도이다. 도 6의 방법(600)과 유사하게, 도 7의 방법(700)은 선택적으로, 조인트의 산화를 방지하기 위해, 탈산된 분위기에서 수행된다. 방법(700)은 단계(710)에서 시작되며, 단계(710)에서, 브레이징 조인트 내의 다공성을 실질적으로 방지하도록 금속성 컴포넌트들의 표면들이 탈산된다. 그 다음, 단계(720)에서, 등각성 층, 이를테면, 도 5의 등각성 층(530)이 조인트 내에 형성된다. 등각성 층은, 임의의 적절한 수단에 의해 다수의 층들로 또는 단일 층으로, 텅스텐, 티타늄, 또는 크롬, 또는 이들의 나이트라이드들로 형성될 수 있다. 단계(730)에서, 조인트는 어셈블링되는데, 이를테면, 층들(514, 516, 518, 및 520)이 리세스(502) 내에 배치된다. 이어서, 단계(740)에서, 브레이징 조인트를 융합시키기 위해, 조인트가 가열된다. 단계(740)에서의 가열 후에, 브레이징 조인트는, 단계(750)에서, 브레이징 조인트 내에 과도한 응력이 유도되는 것을 방지하기 위한 방식으로 냉각된다. 예컨대, 브레이징 조인트는 주변 냉각 또는 제어된 급냉에 의해 냉각될 수 있다.
[0034] 도 6의 방법(600)과 유사하게, 브레이징 조인트는 단계(740)에서 가열된다. 브레이징 조인트는 임의의 적절한 방법, 이를테면, 저항성 가열 또는 노 가열(furnace heating)에 의해 가열될 수 있다. 단계(740)에서 가열되는 동안, 브레이징 조인트의 컴포넌트, 이를테면, 로드(506) 또는 바디(504)에 힘이 가해진다. 컴포넌트에 가해지는 힘은, 조인트 내에서의 과도한 응력의 도입을 감소시키기 위해, 조인트의 가열 동안 연속적으로 가해질 수 있다. 그 힘은, 예컨대 대략 5 kgf 내지 대략 90 kgf의 범위일 수 있고, 브레이징 조인트의 재료들 및 브레이징 온도와 관련하여 선택된다. 브레이징 조인트의 컴포넌트에 가해지는 힘을 제어하기 위해, 그 힘은 센서, 이를테면, 로드 센서(load sensor)를 사용하여 측정될 수 있다. 또한, 그 힘은 조인트 내에 일정한 응력을 유지하도록 변조될 수 있다.
[0035] 도 8은 브레이징 조인트(800)의 확대된 부분이다. 여기서, 브레이징 조인트(800)는 세라믹 바디(802) 내에 형성되며, 접지 연결부(806)는 메시(804)에 커플링된다. 여기서, 접지 연결부(806)는 직사각형으로 표현된다. 그러나, 접지 연결부(806)는 다양한 설계들로 제조될 수 있다. 일 예에서, 접지 연결부(806)는, 메시(804) 및 세라믹 바디(802)에 브레이징되는(810으로 표시됨) 금속 컴포넌트이다. 다른 예에서, 접지 연결부(806)는 메시(804)와 접촉하는 나사산형성된 컴포넌트이다. 접지 연결부(806)는 내부적으로 나사산형성되거나(즉, 암형(female), 세라믹 바디(802) 내에 스터드(stud)가 있음) 또는 외부적으로 나사산형성될 수 있으며(즉, 수형(male)), 이는 세라믹 바디(802) 내에 형성된 리세스의 상보적인 나사산형성된 부분과 정합된다. 접지 연결부(806)의 나사부(thread)들은, 예컨대 #6-32 UNC일 수 있다. 대안적으로, 나사부들은 M2 내지 M10 메트릭 나사부일 수 있다. 또 다른 예에서, 접지 연결부(806)는 코팅된다. 예컨대, 접지 연결부(806)는 금 또는 은의 도금으로 코팅된다. 코팅은 단일 층 또는 다수의 층들로 제조될 수 있다. 또 다른 예에서, 접지 연결부(806)는 멀티-핀 커넥터 또는 스프링-타입 커넥터이다.
[0036] 전술한 바가 본 개시내용의 실시예들에 관한 것이지만, 본 개시내용의 다른 그리고 추가적인 실시예들이, 본 개시내용의 기본적인 범위를 벗어나지 않으면서 고안될 수 있고, 본 개시내용의 범위는 다음의 청구항들에 의해 결정된다.

Claims (15)

  1. 기판 프로세싱 컴포넌트들을 위한 금속성-세라믹 브레이징 조인트(brazed joint)를 형성하는 방법으로서,
    하나 또는 그 초과의 조인트 컴포넌트(joint component)들의 복수의 표면들을 탈산(deoxidizing)시키는 단계;
    세라믹 바디의 리세스 상에 등각성 층(conformal layer)을 형성하는 단계;
    상기 세라믹 바디의 리세스 내에 상기 하나 또는 그 초과의 조인트 컴포넌트들 및 브레이징 재료(brazing material)를 배치하는 단계;
    브레이징 조인트를 형성하기 위해 하나 또는 그 초과의 세라믹 조인트 컴포넌트들 및 상기 브레이징 재료를 가열하는 단계; 및
    상기 브레이징 조인트를 냉각시키는 단계를 포함하는,
    기판 프로세싱 컴포넌트들을 위한 금속성-세라믹 브레이징 조인트를 형성하는 방법.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 하나 또는 그 초과의 조인트 컴포넌트들 및 상기 브레이징 재료를 가열하는 단계는 연속적인 힘을 상기 하나 또는 그 초과의 조인트 컴포넌트들에 가하는 단계를 포함하는,
    기판 프로세싱 컴포넌트들을 위한 금속성-세라믹 브레이징 조인트를 형성하는 방법.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 연속적인 힘은 대략 5 kgf 내지 대략 90 kgf인,
    기판 프로세싱 컴포넌트들을 위한 금속성-세라믹 브레이징 조인트를 형성하는 방법.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 등각성 층은 텅스텐, 티타늄, 크롬, 또는 이들의 조합들을 포함하는,
    기판 프로세싱 컴포넌트들을 위한 금속성-세라믹 브레이징 조인트를 형성하는 방법.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 등각성 층은 1개 초과의 층을 포함하는,
    기판 프로세싱 컴포넌트들을 위한 금속성-세라믹 브레이징 조인트를 형성하는 방법.
  6. 기판 프로세싱 컴포넌트들을 위한 금속성-세라믹 브레이징 조인트로서,
    세라믹 바디 ― 상기 세라믹 바디는 상기 세라믹 바디 내에 리세스를 가짐 ―;
    상기 리세스 상에 배치된 등각성 층;
    상기 리세스 내에 배치된 부분을 갖는 로드(rod);
    상기 리세스 내에 배치된, 메시(mesh)를 포함하는 제1 층;
    상기 제1 층 근처에 배치된, 브레이징 재료를 포함하는 제2 층;
    상기 제2 층 근처에 배치된, 인서트(insert)를 포함하는 제3 층; 및
    상기 제3 층 근처에 배치된, 브레이징 재료를 포함하는 제4 층을 포함하는,
    기판 프로세싱 컴포넌트들을 위한 금속성-세라믹 브레이징 조인트.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 메시에 커플링된 접지 연결부를 더 포함하는,
    기판 프로세싱 컴포넌트들을 위한 금속성-세라믹 브레이징 조인트.
  8. 제6 항에 있어서,
    상기 로드는 적어도 하나의 응력 감소 피처(stress reduction feature)를 갖는 바디를 포함하는,
    기판 프로세싱 컴포넌트들을 위한 금속성-세라믹 브레이징 조인트.
  9. 제6 항에 있어서,
    상기 인서트는,
    바디를 포함하며,
    상기 바디는 상기 바디 내에 형성된 적어도 하나의 팽창 피처(expansion feature)를 갖는,
    기판 프로세싱 컴포넌트들을 위한 금속성-세라믹 브레이징 조인트.
  10. 제6 항에 있어서,
    상기 등각성 층은 텅스텐, 티타늄, 크롬, 또는 이들의 조합들을 포함하는,
    기판 프로세싱 컴포넌트들을 위한 금속성-세라믹 브레이징 조인트.
  11. 기판 프로세싱 컴포넌트들을 위한 금속성-세라믹 브레이징 조인트로서,
    세라믹 바디 ― 상기 세라믹 바디는 상기 세라믹 바디 내에 리세스를 가짐 ―;
    상기 리세스 상에 배치된 등각성 층;
    상기 리세스 내에 배치된 부분을 갖는 로드;
    상기 로드의 부분을 둘러싸는 슬리브(sleeve);
    상기 리세스 내에 배치된, 메시를 포함하는 제1 층;
    상기 제1 층 근처에 배치된, 브레이징 재료를 포함하는 제2 층;
    상기 제2 층 근처에 배치된, 인서트를 포함하는 제3 층; 및
    상기 제3 층 근처에 배치된, 브레이징 재료를 포함하는 제4 층을 포함하는,
    기판 프로세싱 컴포넌트들을 위한 금속성-세라믹 브레이징 조인트.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 메시에 커플링된 접지 연결부를 더 포함하는,
    기판 프로세싱 컴포넌트들을 위한 금속성-세라믹 브레이징 조인트.
  13. 제11 항에 있어서,
    상기 등각성 층은 상기 리세스의 내부 표면을 완전히 커버하는,
    기판 프로세싱 컴포넌트들을 위한 금속성-세라믹 브레이징 조인트.
  14. 제11 항에 있어서,
    상기 로드는 바디를 포함하고, 상기 바디는 상기 바디 내에 배치된 적어도 하나의 응력 감소 피처를 가지며, 상기 적어도 하나의 응력 감소 피처는 챔퍼(chamfer), 둥근 모서리(rounded corner), 채널, 리세스, 또는 이들의 조합들을 포함하는,
    기판 프로세싱 컴포넌트들을 위한 금속성-세라믹 브레이징 조인트.
  15. 제11 항에 있어서,
    상기 인서트는 바디를 포함하고, 상기 바디는 상기 바디 내에 배치된 적어도 하나의 팽창 피처를 가지며, 상기 적어도 하나의 팽창 피처는 채널, 애퍼처, 또는 이들의 조합들을 포함하는,
    기판 프로세싱 컴포넌트들을 위한 금속성-세라믹 브레이징 조인트.
KR1020190006818A 2018-01-19 2019-01-18 브레이징 조인트 및 브레이징 조인트를 갖는 반도체 프로세싱 챔버 컴포넌트 KR102141996B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201862619338P 2018-01-19 2018-01-19
US62/619,338 2018-01-19
US201862702720P 2018-07-24 2018-07-24
US62/702,720 2018-07-24

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190088905A true KR20190088905A (ko) 2019-07-29
KR102141996B1 KR102141996B1 (ko) 2020-08-06

Family

ID=67299845

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190006818A KR102141996B1 (ko) 2018-01-19 2019-01-18 브레이징 조인트 및 브레이징 조인트를 갖는 반도체 프로세싱 챔버 컴포넌트

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11560913B2 (ko)
KR (1) KR102141996B1 (ko)
CN (2) CN110060943B (ko)
TW (1) TWI689038B (ko)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11560913B2 (en) * 2018-01-19 2023-01-24 Applied Materials, Inc. Brazed joint and semiconductor processing chamber component having the same
JP7025268B2 (ja) * 2018-04-04 2022-02-24 日本特殊陶業株式会社 セラミックス構造体
JP7497354B2 (ja) * 2018-12-07 2024-06-10 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 部品、部品を製造する方法、及び部品を洗浄する方法
CN114083240B (zh) * 2021-11-29 2024-03-01 贵州天义电器有限责任公司 一种两体导电块焊接方法
CN114749750B (zh) * 2021-12-31 2024-01-30 上海工程技术大学 一种用于3d打印产品的钎焊接头的成形控制方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140130421A (ko) * 2011-11-30 2014-11-10 컴포넌트 알이-엔지니어링 컴퍼니, 인코포레이티드 재료와 플레이트 및 샤프트 디바이스를 결합하기 위한 방법과 그에 의해 형성된 다층 플레이트
KR20170117046A (ko) * 2014-12-31 2017-10-20 컴포넌트 알이-엔지니어링 컴퍼니, 인코포레이티드 재료들을 결합하기 위한 고온 방법 및 이를 활용한 디바이스들

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3105293A (en) * 1958-10-23 1963-10-01 Union Carbide Corp Brazing dissimilar metal members
US3302961A (en) * 1961-04-14 1967-02-07 Philips Corp Compression ceramic-metal seal
NL134562C (ko) 1962-11-26
US3382052A (en) * 1964-02-26 1968-05-07 Texas Instruments Inc Ceramic brazing means
US3385618A (en) * 1965-05-26 1968-05-28 American Lava Corp Ceramic-to-metal seal
DE2326373C3 (de) * 1973-05-23 1978-09-21 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Metall-Keramik-Lötverbindung
GB1569976A (en) * 1976-04-06 1980-06-25 Lucas Industries Ltd Brazing a pair of parts
DE2822627A1 (de) * 1978-05-24 1979-11-29 Volkswagenwerk Ag Ceranox-verbindung und verfahren zu ihrer herstellung
FR2574783B1 (fr) * 1984-12-19 1991-07-26 Honda Motor Co Ltd Dispositif d'assemblage d'un element ceramique a un element metallique, notamment pour turbo-surcompresseurs de moteurs a combustion interne
JPS6278172A (ja) * 1985-09-30 1987-04-10 日本特殊陶業株式会社 セラミツクと金属との接合構造
US4995547A (en) * 1990-06-04 1991-02-26 Paradygm Science & Technologies, Inc. Process for brazing a metal object to a ceramic surface defining a hole for receiving the metal object
US5511799A (en) 1993-06-07 1996-04-30 Applied Materials, Inc. Sealing device useful in semiconductor processing apparatus for bridging materials having a thermal expansion differential
US6035101A (en) 1997-02-12 2000-03-07 Applied Materials, Inc. High temperature multi-layered alloy heater assembly and related methods
US6179631B1 (en) * 1997-11-21 2001-01-30 Emc Corporation Electrical contact for a printed circuit board
US6490146B2 (en) 1999-05-07 2002-12-03 Applied Materials Inc. Electrostatic chuck bonded to base with a bond layer and method
US6490144B1 (en) 1999-11-29 2002-12-03 Applied Materials, Inc. Support for supporting a substrate in a process chamber
US20060102696A1 (en) * 2001-11-21 2006-05-18 Graham Michael E Layered products for fluxless brazing of substrates
US7216796B2 (en) * 2004-05-10 2007-05-15 General Electric, Company Crevice corrosion-resistant liquid-cooled armature bar clip-to-strand connection and related method
JP4531004B2 (ja) 2006-03-24 2010-08-25 日本碍子株式会社 加熱装置
CN102173849B (zh) * 2011-02-18 2012-08-08 成都泰格微波技术股份有限公司 一种可靠的微波介质陶瓷与金属的焊接方法
JP5873095B2 (ja) * 2011-09-30 2016-03-01 京セラ株式会社 金属とセラミックスとの接合体
CN102513636B (zh) * 2011-12-23 2013-07-31 哈尔滨工业大学 降低陶瓷与金属接头残余应力的钎焊方法
CN103187543B (zh) * 2011-12-27 2015-09-30 比亚迪股份有限公司 一种电池的密封组件及其制作方法、以及一种锂离子电池
WO2014044800A1 (en) * 2012-09-20 2014-03-27 Morgan Advanced Ceramics Inc Brazing alloys
WO2015198892A1 (ja) 2014-06-27 2015-12-30 日本碍子株式会社 接合構造体
JP6328697B2 (ja) * 2016-07-19 2018-05-23 日本特殊陶業株式会社 セラミック−金属構造体
US10249415B2 (en) * 2017-01-06 2019-04-02 Greatbatch Ltd. Process for manufacturing a leadless feedthrough for an active implantable medical device
US11560913B2 (en) * 2018-01-19 2023-01-24 Applied Materials, Inc. Brazed joint and semiconductor processing chamber component having the same

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140130421A (ko) * 2011-11-30 2014-11-10 컴포넌트 알이-엔지니어링 컴퍼니, 인코포레이티드 재료와 플레이트 및 샤프트 디바이스를 결합하기 위한 방법과 그에 의해 형성된 다층 플레이트
KR20170117046A (ko) * 2014-12-31 2017-10-20 컴포넌트 알이-엔지니어링 컴퍼니, 인코포레이티드 재료들을 결합하기 위한 고온 방법 및 이를 활용한 디바이스들

Also Published As

Publication number Publication date
KR102141996B1 (ko) 2020-08-06
CN209312730U (zh) 2019-08-27
US20190226512A1 (en) 2019-07-25
TWI689038B (zh) 2020-03-21
CN110060943B (zh) 2023-09-08
CN110060943A (zh) 2019-07-26
TW201933533A (zh) 2019-08-16
US11560913B2 (en) 2023-01-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102141996B1 (ko) 브레이징 조인트 및 브레이징 조인트를 갖는 반도체 프로세싱 챔버 컴포넌트
US6147334A (en) Laminated paddle heater and brazing process
TWI450353B (zh) A bonding structure and a semiconductor manufacturing apparatus
US20170069520A1 (en) Joined structure
JP5117146B2 (ja) 加熱装置
US7525071B2 (en) Power-supplying member and heating apparatus using the same
US7679034B2 (en) Power-supplying member and heating apparatus using the same
EP2332684A1 (en) Method of manufacturing high-heat-load equipment by metallurgically joining carbon material with copper-alloy material
US20030183616A1 (en) Ceramic heater
JP5591627B2 (ja) セラミックス部材及びその製造方法
KR20150122699A (ko) 저 열팽창 계수의 정상부를 갖는 받침부 구성
CN105706224B (zh) 通过将扩散区设计为钎焊连接部的扩散钎焊方法和带这种钎焊连接部的电子组件
KR102340580B1 (ko) 웨이퍼 배치대 및 그 제조법
JP4005268B2 (ja) セラミックスと金属との接合構造およびこれに使用する中間挿入材
EP1351281B1 (en) Ceramic heaters
US8414704B2 (en) Bonding structure and semiconductor device manufacturing apparatus
US10639736B2 (en) Ceramic-metal structure
JP6837806B2 (ja) 加熱素子
JP2020047914A (ja) ろう付けジョイント及びろう付けジョイントを有する半導体処理チャンバ構成要素
US20150090004A1 (en) Electrical Conductor and Method of Making Same
US11602012B2 (en) Wafer placement table and method for manufacturing the same
JP2015002300A (ja) 接合構造体及びこれを用いた半導体製造装置
WO2021083857A1 (de) Formschlüssiger und/oder kraftschlüssiger materialverbund
US20230420282A1 (en) Wafer placement table
JP7022732B2 (ja) スパークプラグ

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right