KR20190081072A - Light emitting display device and method for driving the same - Google Patents
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Abstract
Description
본 명세서는 발광 표시장치와 그의 구동방법에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting display and a driving method thereof.
정보화 사회가 발전함에 따라 화상을 표시하기 위한 표시장치에 대한 요구가 다양한 형태로 증가하고 있다. 표시장치로는 액정표시장치(LCD: Liquid Crystal Display), 발광 표시장치(LED: Light Emitting Display)와 같은 여러가지 표시장치가 활용되고 있다. 이들 중에서 발광 표시장치는 발광소자(light emitting element)로서 유기발광층을 이용하는 유기발광 표시장치, 발광소자로서 마이크로 발광 다이오드(micro light emitting diode)를 이용하는 발광 다이오드 표시장치 등으로 구분될 수 있다. 발광 표시장치는 저전압 구동이 가능하고, 박형이며, 시야각이 우수하고, 응답속도가 빠른 특성이 있다.As the information society develops, the demand for display devices for displaying images is increasing in various forms. As display devices, various display devices such as a liquid crystal display (LCD) and a light emitting display (LED) are used. Among them, the light emitting display device can be classified into an organic light emitting display device using an organic light emitting layer as a light emitting element and a light emitting diode display device using a micro light emitting diode as a light emitting element. The light emitting display device can be driven at a low voltage, is thin, has excellent viewing angle, and has a high response speed.
발광 표시장치는 다수의 화소들이 매트릭스(matrix) 형태로 배치된 표시패널을 포함한다. 표시패널은 화소들 각각을 구동하기 위해 스캔 구동회로로부터 스캔 신호들을 공급받고, 데이터 구동회로로부터 데이터 전압들을 공급받는다. 또한, 표시패널은 전원 공급부로부터 복수의 전원 전압들을 공급받는다.The light emitting display includes a display panel in which a plurality of pixels are arranged in a matrix form. The display panel is supplied with the scan signals from the scan driver circuit to drive each of the pixels, and receives the data voltages from the data driver circuit. Further, the display panel is supplied with a plurality of power supply voltages from the power supply unit.
외부의 충격을 받아 발광 표시장치에 크랙이 발생하는 경우, 표시패널의 전원 라인들은 서로 단락(short circuit)될 수 있다. 예를 들어, 전원 공급부로부터 고전위 전압을 공급받는 고전위 전압 라인과 전원 공급부로부터 저전위 전압을 공급받는 저전위 전압 라인이 서로 단락될 수 있다. 이 경우, 고전위 전원 라인으로부터 저전위 전원 라인으로 과전류가 흐르게 되며, 이러한 과전류로 인해 표시패널이 타버리는 번트(burnt)가 발생할 수 있다.When a crack occurs in the light emitting display device due to an external impact, the power supply lines of the display panel may be short-circuited to each other. For example, a high potential voltage line supplied with a high potential voltage from a power supply unit and a low potential voltage line supplied with a low potential voltage from the power supply unit may be shorted to each other. In this case, an overcurrent flows from the high-potential power supply line to the low-potential power supply line, and a burnt in which the display panel is burned due to the overcurrent may occur.
본 명세서는 고전위 전압 라인과 저전위 전압 라인이 단락된 것을 검출할 수 있는 발광 표시장치와 그의 구동방법을 제공하기 위한 것이다.The present invention provides a light emitting display device capable of detecting a short circuit between a high potential voltage line and a low potential voltage line and a driving method thereof.
본 명세서의 실시예에 따른 해결 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The solutions according to the embodiments of the present invention are not limited to the above-mentioned problems, and other problems not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.
본 명세서의 일 실시예에 따른 발광 표시장치는 센싱 라인들에 접속된 화소들을 포함하는 표시패널, 센싱 라인들을 통해 화소들로부터 센싱 전압들을 센싱하고, 센싱 전압들을 디지털 데이터인 센싱 데이터로 변환하여 출력하는 표시패널 구동부, 및 표시패널 구동부로부터 센싱 데이터를 입력받는 타이밍 제어부를 구비한다. 화소들은 복수의 그룹들로 구분된다. 타이밍 제어부는 복수의 그룹들 중 제1 그룹의 화소들의 센싱 데이터와 복수의 그룹들 중 제2 그룹의 화소들의 센싱 데이터 간의 차이가 임계 값 이상인 경우 제1 로직 레벨 전압의 오류 감지 신호를 출력하고, 그 차이가 상기 임계 값보다 작은 경우 제2 로직 레벨 전압의 오류 감지 신호를 출력한다.A light emitting display according to an exemplary embodiment of the present invention includes a display panel including pixels connected to sensing lines, sensing voltages from pixels through sensing lines, converting sensing voltages into digital data sensing data, And a timing controller for receiving the sensing data from the display panel driver. The pixels are divided into a plurality of groups. The timing controller outputs an error detection signal of the first logic level voltage when the difference between the sensing data of the pixels of the first group among the plurality of groups and the sensing data of the pixels of the second group among the plurality of groups is equal to or greater than a threshold value, And outputs an error detection signal of the second logic level voltage when the difference is smaller than the threshold value.
본 명세서의 일 실시예에 따른 발광 표시장치의 구동방법은 센싱 라인들을 통해 화소들로부터 센싱 전압들을 센싱하는 단계, 센싱 전압들을 디지털 데이터인 센싱 데이터로 변환하여 출력하는 단계, 화소들 중에서 제1 그룹의 화소들의 센싱 데이터와 화소들 중에서 제2 그룹의 화소들의 센싱 데이터 간의 차이가 임계 값 이상인 경우, 제1 로직 레벨 전압의 오류 감지 신호를 출력하는 단계, 및 제1 그룹의 화소들의 센싱 데이터와 제2 그룹의 화소들의 센싱 데이터 간의 차이가 임계 값보다 작은 경우 제2 로직 레벨 전압의 오류 감지 신호를 출력한다.A method of driving a light emitting display according to an exemplary embodiment of the present invention includes the steps of sensing sensing voltages from pixels through sensing lines, converting sensing voltages into digital data sensing data and outputting the sensed voltages, Outputting the error detection signal of the first logic level voltage when the difference between the sensing data of the pixels of the first group and the sensing data of the pixels of the second group among the pixels is equal to or greater than the threshold value, And outputs the error detection signal of the second logic level voltage when the difference between the sensing data of the two groups of pixels is smaller than the threshold value.
본 명세서의 실시예들은 제1 센싱 모드에서 센싱되는 제1 센싱 데이터 또는 제2 센싱 모드에서 센싱되는 제2 센싱 데이터를 분석하여 고전위 전압이 공급되는 제1 전원전압 라인과 저전위 전압이 공급되는 제2 전극 간의 단락을 검출할 수 있으며, 단락이 검출되는 경우 오류 감지 신호를 출력하여 메인 전원의 공급을 차단할 수 있다. 그 결과, 본 명세서의 실시예들은 제1 전원전압 라인으로부터 제2 전극으로 과전류가 흐르는 것을 방지할 수 있으므로, 표시패널이 타버리는 번트가 발생하는 것을 방지할 수 있다.The embodiments of the present invention analyze the first sensing data sensed in the first sensing mode or the second sensed data sensed in the second sensing mode and determine whether the first power supply voltage line supplied with the high potential voltage and the first power supply voltage line A short circuit between the first electrode and the second electrode can be detected, and when a short circuit is detected, an error detection signal can be output to cut off the supply of the main power. As a result, the embodiments of the present invention can prevent an overcurrent from flowing from the first power supply voltage line to the second electrode, thereby preventing the display panel from burning out.
도 1은 본 명세서의 일 실시예에 따른 발광 표시장치를 보여주는 사시도이다.
도 2는 본 명세서의 일 실시예에 따른 발광 표시장치를 보여주는 블록도이다.
도 3은 도 2의 화소를 상세히 보여주는 회로도이다.
도 4는 표시 모드에서 화소에 공급되는 스캔신호와 센싱신호, 제1 및 제2 스위치들에 공급되는 제1 및 제2 스위치 제어신호들, 및 구동 트랜지스터의 게이트 전압과 소스 전압을 보여주는 파형도이다.
도 5는 제1 센싱 모드에서 화소에 공급되는 스캔신호와 센싱신호, 제1 및 제2 스위치들에 공급되는 제1 및 제2 스위치 제어신호들, 및 구동 트랜지스터의 게이트 전압과 소스 전압을 보여주는 파형도이다.
도 6은 제2 센싱 모드에서 화소에 공급되는 스캔신호와 센싱신호, 제1 및 제2 스위치들에 공급되는 제1 및 제2 스위치 제어신호들, 및 구동 트랜지스터의 게이트 전압과 소스 전압을 보여주는 파형도이다.
도 7은 본 명세서의 일 실시예에 따른 발광 표시장치의 제1 기판을 상세히 보여주는 평면도이다.
도 8은 표시영역과 비표시영역에서 발광 표시장치의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 9는 A 지점에서 제1 전원전압 라인과 제2 전극이 단락된 경우 제1 그룹의 화소들로부터 센싱되는 제1 센싱 데이터와 제2 그룹의 화소들로부터 센싱되는 제1 센싱 데이터를 보여주는 일 예시도면이다.
도 10은 B 지점에서 제1 전원전압 라인과 제2 전극이 단락된 경우 제1 그룹의 화소들로부터 센싱되는 제1 센싱 데이터와 제2 그룹의 화소들로부터 센싱되는 제1 센싱 데이터를 보여주는 일 예시도면이다.
도 11은 본 명세서의 일 실시예에 따른 발광 표시장치의 구동방법을 보여주는 흐름도이다.1 is a perspective view illustrating a light emitting display according to an embodiment of the present invention.
2 is a block diagram illustrating a light emitting display according to an embodiment of the present invention.
3 is a circuit diagram showing the pixel of FIG. 2 in detail.
4 is a waveform diagram showing a scan signal and a sensing signal supplied to the pixel in the display mode, first and second switch control signals supplied to the first and second switches, and a gate voltage and a source voltage of the driving transistor .
FIG. 5 is a diagram showing waveforms of a scan signal and a sensing signal supplied to a pixel in the first sensing mode, first and second switch control signals supplied to the first and second switches, and a gate voltage and a source voltage of the driving transistor, .
FIG. 6 is a graph showing waveforms of a scan signal and a sensing signal supplied to a pixel in the second sensing mode, first and second switch control signals supplied to the first and second switches, and a gate voltage and a source voltage of the driving transistor, .
FIG. 7 is a plan view illustrating a first substrate of a light emitting display according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG.
8 is a cross-sectional view showing an example of a light emitting display device in a display area and a non-display area.
9 illustrates an example of first sensing data sensed from pixels of a first group and first sensing data sensed from pixels of a second group when the first power supply voltage line and the second electrode are short-circuited at point A FIG.
10 is an example showing first sensing data sensed from pixels of the first group and first sensing data sensed from pixels of the second group when the first power supply voltage line and the second electrode are short-circuited at point B FIG.
11 is a flowchart illustrating a method of driving a light emitting display according to an embodiment of the present invention.
명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 실질적으로 동일한 구성요소들을 의미한다. 이하의 설명에서, 본 발명과 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 이하의 설명에서 사용되는 구성요소 명칭은 명세서 작성의 용이함을 고려하여 선택된 것일 수 있는 것으로서, 실제 제품의 부품 명칭과는 상이할 수 있다.Like reference numerals throughout the specification denote substantially identical components. In the following description, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear. In addition, the component names used in the following description may be selected in consideration of easiness of specification, and may be different from the parts names of actual products.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The advantages and features of the present invention and the manner of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described in detail below with reference to the accompanying drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as being limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art. Is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims.
본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다.The shapes, sizes, ratios, angles, numbers, and the like disclosed in the drawings for describing the embodiments of the present invention are illustrative, and thus the present invention is not limited thereto. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification. In the following description, well-known functions or constructions are not described in detail since they would obscure the invention in unnecessary detail.
구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.In interpreting the constituent elements, it is construed to include the error range even if there is no separate description.
본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.It is to be understood that each of the features of the various embodiments of the present invention may be combined or combined with each other, partially or wholly, technically various interlocking and driving, and that the embodiments may be practiced independently of each other, It is possible.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Reference will now be made in detail to the preferred embodiments of the present invention, examples of which are illustrated in the accompanying drawings.
도 1은 본 명세서의 일 실시예에 따른 발광 표시장치를 보여주는 사시도이다. 도 2는 본 명세서의 일 실시예에 따른 발광 표시장치를 보여주는 블록도이다.1 is a perspective view illustrating a light emitting display according to an embodiment of the present invention. 2 is a block diagram illustrating a light emitting display according to an embodiment of the present invention.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 명세서의 일 실시예에 따른 발광 표시장치는 발광소자로 유기발광소자를 이용하는 유기발광 표시장치 또는 발광소자로 마이크로 발광 다이오드를 이용하는 마이크로 발광 표시장치일 수 있다.Referring to FIGS. 1 and 2, the light emitting display according to one embodiment of the present invention may be an organic light emitting display using an organic light emitting diode as a light emitting element, or a micro light emitting display using a micro light emitting diode as a light emitting element.
본 명세서의 일 실시예에 따른 발광 표시장치는 표시패널(110), 데이터 구동부(120), 연성필름(122)들, 스캔 구동부(130), 소스 회로보드(140), 제1 연성 케이블(150), 제어 회로보드(160), 타이밍 제어부(170), 메모리(180), 전압 공급부(190), 시스템 온 칩(200), 시스템 회로보드(210), 및 제2 연성 케이블(220)들을 포함한다.The light emitting display according to an exemplary embodiment of the present invention includes a
표시패널(110)은 제1 기판(111)과 제2 기판(112)을 포함할 수 있다. 제1 기판(111)은 유리 기판 또는 플라스틱 필름으로 형성될 수 있으며, 제2 기판(112)은 유리 기판, 플라스틱 필름, 봉지 필름, 또는 배리어 필름으로 형성될 수 있다.The
표시패널(110)은 표시영역(AA)과 표시영역(AA)의 주변에 마련된 비표시영역(NDA)을 포함한다. 표시영역(AA)은 화소(P)들이 형성되어 화상을 표시하는 영역이다. 표시패널(110)에는 데이터 라인들(D1~Dm, m은 2 이상의 양의 정수), 기준전압 라인들(R1~Rp, p는 2 이상의 양의 정수), 스캔 라인들(S1~Sn, n은 2 이상의 양의 정수), 및 센싱신호 라인들(SE1~SEn)이 마련된다. 데이터 라인들(D1~Dm)과 기준전압 라인들(R1~Rp)은 스캔 라인들(S1~Sn)과 센싱신호 라인들(SE1~SEn)과 교차될 수 있다. 데이터 라인들(D1~Dm)과 기준전압 라인들(R1~Rp)은 서로 나란할 수 있다. 스캔 라인들(S1~Sn)과 센싱신호 라인들(SE1~SEn)은 서로 나란할 수 있다.The
화소(P)들 각각은 데이터 라인들(D1~Dm) 중 어느 하나, 기준전압 라인들(R1~Rp) 중 어느 하나, 스캔 라인들(S1~Sn) 중 어느 하나, 및 센싱신호 라인들(SE1~SEn) 중 어느 하나에 접속될 수 있다. 표시패널(10)의 화소(P)들 각각은 도 3과 같이 발광소자(light emitting element, EL)와 발광소자(EL)에 전류를 공급하기 위한 다수의 트랜지스터들을 포함할 수 있다. 표시패널(10)의 화소(P)들 각각에 대한 자세한 설명은 도 3을 결부하여 후술한다.Each of the pixels P includes one of the data lines D1 to Dm, one of the reference voltage lines R1 to Rp, one of the scan lines S1 to Sn, and one of the sensing signal lines SE1 to SEn, respectively. Each of the pixels P of the
데이터 구동부(120)와 스캔 구동부(130)는 표시패널 구동부로 칭해질 수 있다.The
데이터 구동부(120)는 도 2와 같이 적어도 하나의 소스 드라이브 IC(integrated circuit)(121)들을 포함할 수 있다. 도 2에서는 데이터 구동부(120)가 8 개의 소스 드라이브 IC(121)들을 포함하는 것을 예시하였으나, 소스 드라이브 IC(121)의 개수는 이에 한정되지 않는다.The
각 소스 드라이브 IC(121)는 각 연성필름(122) 상에 실장될 수 있다. 각 연성필름(122)은 테이프 캐리어 패키지(tape carrier package) 또는 칩온 필름(chip on film)일 수 있다. 각 연성필름(122)은 휘어지거나 구부러질 수 있다. 각 연성필름(122)은 하부기판(111)과 소스 회로보드(140)에 부착될 수 있다. 각 연성필름(122)은 이방성 도전 필름(anisotropic conductive film)을 이용하여 TAB(tape automated bonding) 방식으로 제1 기판(111)상에 부착될 수 있으며, 이로 인해 각 소스 드라이브 IC(121)는 데이터 라인들에 연결될 수 있다.Each source drive IC 121 may be mounted on each
각 소스 드라이브 IC(121)는 도 2와 같이 데이터전압 공급부(121A), 아날로그 디지털 컨버터(analog digital converter, 이하 "ADC"라 칭함, 121B), 및 스위칭부(121C)를 포함할 수 있다.Each of the source drive
데이터전압 공급부(121A)는 데이터 라인들에 접속되어 데이터 전압들을 공급한다. 데이터전압 공급부(121A)는 타이밍 제어부(170)로부터 디지털 데이터와 데이터 타이밍 제어신호(DCS)를 입력받는다. 디지털 데이터는 보상 비디오 데이터(CVDATA), 제1 및 제2 센싱 디지털 데이터(PDATA1, PDATA2) 중 어느 하나일 수 있다.A data
데이터전압 공급부(121A)는 표시 모드에서 보상 비디오 데이터(CVDATA)를 입력받고, 데이터 타이밍 제어신호(DCS)에 따라 보상 비디오 데이터(CVDATA)를 발광 데이터 전압들로 변환하여 데이터 라인들에 인가한다. 표시 모드는 화소(P)들이 발광하여 화상을 표시하는 모드이다. 발광 데이터전압은 화소(P)의 발광소자(EL)를 소정의 휘도로 발광하기 위한 전압이다.The
데이터전압 공급부(121A)는 전자 이동도 센싱 모드에서 제1 센싱 디지털 데이터(PDATA1)를 입력받고, 데이터 타이밍 제어신호(DCS)에 따라 제1 센싱 디지털 데이터(PDATA1)를 제1 센싱 데이터 전압으로 변환하여 데이터 라인들에 인가한다. 전자 이동도 센싱 모드는 화소(P)들 각각의 구동 트랜지스터의 전자 이동도(mobility)를 보상하기 위해 제1 센싱 데이터 전압에 따른 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전압을 센싱하는 센싱 모드이다.The data
데이터전압 공급부(121A)는 문턱전압 센싱 모드에서 제2 센싱 디지털 데이터(PDATA2)를 입력받고, 데이터 타이밍 제어신호(DCS)에 따라 제2 센싱 디지털 데이터(PDATA2)를 제2 센싱 데이터 전압으로 변환하여 데이터 라인들에 인가한다. 문턱전압 센싱 모드는 화소(P)들 각각의 구동 트랜지스터의 문턱전압(threshold voltage)을 보상하기 위해 제2 센싱 데이터 전압에 따른 구동 트랜지스터의 소스 전압을 센싱하는 센싱 모드이다.The data
이하에서는, 설명의 편의를 위해 전자 이동도 센싱 모드를 제1 센싱 모드, 문턱전압 센싱 모드를 제2 센싱 모드로 설명한다.Hereinafter, the electron mobility sensing mode is referred to as a first sensing mode and the threshold voltage sensing mode is referred to as a second sensing mode for convenience of explanation.
ADC(121B)는 제1 센싱 모드와 제2 센싱 모드에서 기준전압 라인들로부터 센싱되는 전압들을 디지털 데이터인 센싱 데이터(SD1/SD2)로 변환하여 타이밍 제어부(170)로 출력한다. ADC(121B)는 제1 센싱 모드에서 기준전압 라인들로부터 센싱되는 전압들을 제1 센싱 데이터(SD1)로 변환하여 타이밍 제어부(170)로 출력한다. ADC(121B)는 제2 센싱 모드에서 기준전압 라인들로부터 센싱되는 전압들을 제2 센싱 데이터(SD2)로 변환하여 타이밍 제어부(170)로 출력한다.The
스위칭부(121C)는 기준전압 라인들과 전압 공급부(190) 사이의 접속을 스위칭하고, 기준전압 라인들(R1~Rz)과 ADC(140) 사이의 접속을 스위칭한다. 이를 위해, 스위칭부(121C)는 도 3과 같이 각 기준전압 라인과 전압 공급부(190) 사이에 접속되는 제1 스위치(SW1)와 각 기준전압 라인과 ADC(121B) 사이에 접속되는 제2 스위치(SW2)를 포함할 수 있다.The
스캔 구동부(130)는 스캔신호 출력부(131)와 센싱신호 출력부(132)를 포함한다. 스캔신호 출력부(131)는 스캔 라인들(S1~Sn)에 접속되어 스캔신호들을 인가한다. 스캔신호 출력부(131)는 타이밍 제어부(170)로부터 입력되는 스캔 타이밍 제어신호(SCS)에 따라 스캔신호들을 생성하여 스캔 라인들(S1~Sn)에 인가한다.The
센싱신호 출력부(132)는 센싱신호 라인들(SE1~SEn)에 접속되어 센싱신호들을 인가한다. 센싱신호 출력부(132)는 타이밍 제어부(170)로부터 입력되는 센싱 타이밍 제어신호(SENCS)에 따라 센싱신호들을 생성하여 센싱신호 라인들(SE1~SEn)에 인가한다.The sensing
스캔신호 출력부(131)와 센싱신호 출력부(132)는 다수의 트랜지스터들을 포함하여 GIP(Gate driver In Panel) 방식으로 표시패널(110)의 비표시영역(NDA)에 직접 형성될 수 있다. 또는, 스캔신호 출력부(131)와 센싱신호 출력부(132)는 구동 칩(chip) 형태로 형성되어 표시패널(110)의 제1 기판(111)에 부착되는 게이트 연성필름 상에 실장될 수 있다. 이 경우, 스캔신호 출력부(131)와 센싱신호 출력부(132)는 집적회로(integrated circuit)와 같이 칩 형태로 형성될 수 있다.The scan
소스 회로보드(140)는 제1 연성 케이블(150)들에 연결되기 위한 제1 커넥터(151)들을 포함할 수 있다. 소스 회로보드(140)는 제1 커넥터(151)들을 통해 제1 연성 케이블(150)들에 연결될 수 있다. 소스 회로보드(50)는 연성 인쇄회로보드(flexible printed circuit board) 또는 인쇄회로보드(printed circuit board)일 수 있다.The
제어 회로보드(160)는 제1 연성 케이블(150)들에 연결되기 위한 제2 커넥터(152)들을 포함할 수 있다. 제어 회로보드(160)는 제2 커넥터(152)들을 통해 제1 연성 케이블(150)들에 연결될 수 있다. The
도 1에서는 소스 회로보드(140)와 제어 회로보드(160)가 복수의 제1 커넥터(151)들과 복수의 제2 커넥터(152)들을 통해 복수의 제1 연성 케이블(150)들에 연결된 것을 예시하였으나, 이에 한정되지 않는다. 즉, 소스 회로보드(140)와 제어 회로보드(160) 각각은 하나의 제1 커넥터(151)와 하나의 제2 커넥터(152)를 통해 하나의 제1 연성 케이블(150)에 연결될 수 있다.1, the
타이밍 제어부(170)는 시스템 온 칩(200)으로부터 디지털 비디오 데이터(VDATA)와 타이밍 신호들을 입력받는다. 타이밍 신호들은 수직동기신호(vertical sync signal), 수평동기신호(horizontal sync signal), 데이터 인에이블 신호(data enable signal), 및 도트 클럭(dot clock)을 포함할 수 있다.The
타이밍 제어부(170)는 데이터전압 공급부(121A), 스캔신호 출력부(131), 및 센싱신호 출력부(132)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 제어신호들을 생성한다. 제어신호들은 데이터전압 공급부(121A)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 데이터 타이밍 제어신호(DCS), 스캔신호 출력부(131)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 스캔 타이밍 제어신호(SCS), 및 센싱신호 출력부(132)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 센싱 타이밍 제어신호(SENCS)를 포함한다.The
타이밍 제어부(170)는 발광 표시장치를 표시 모드, 제1 센싱 모드, 및 제2 센싱 모드 중 어느 하나로 제어할 수 있다.The
표시 모드는 화소(P)들에 보상 비디오 데이터(CVDATA)에 따른 발광 데이터전압들을 공급함으로써 화소(P)들을 발광시키는 모드이다.The display mode is a mode for emitting pixels P by supplying emission data voltages according to the compensation video data (CVDATA) to the pixels (P).
제1 센싱 모드는 화소(P)들에 제1 센싱 디지털 데이터(PDATA1)에 따른 제1 센싱 데이터 전압을 공급하고, 기준전압 라인들(R1~Rp)을 통해 화소(P)들의 소정의 전압들을 센싱하는 모드이다. 구체적으로, 제1 센싱 모드는 화소(P)들 각각의 구동 트랜지스터의 전자 이동도를 보상하기 위해 제1 센싱 데이터 전압에 따른 구동 트랜지스터의 소스 전압을 제1 센싱 데이터(SD1)로 센싱하는 모드이다. 제1 센싱 모드는 발광 표시장치가 턴-온되자마자 표시패널(110)에 화상을 표시하기 전에 수행되거나 생략될 수 있다. 또한, 제1 센싱 모드는 표시패널(110)이 화상을 표시하는 중인 경우, 버티컬 블랭크 기간 동안 표시패널(110)의 일부 화소들의 구동 트랜지스터들의 소스 전압들을 제1 센싱 데이터(SD1)로 센싱하기 위해 수행될 수 있다.The first sensing mode supplies the first sensing data voltage according to the first sensing digital data PDATA1 to the pixels P and supplies predetermined voltages of the pixels P through the reference voltage lines R1 to Rp Sensing mode. Specifically, the first sensing mode is a mode for sensing the source voltage of the driving transistor according to the first sensing data voltage as the first sensing data SD1 to compensate the electron mobility of the driving transistor of each of the pixels P . The first sensing mode may be performed or omitted before displaying the image on the
제2 센싱 모드는 화소(P)들에 제2 센싱 디지털 데이터(PDATA2)에 따른 제2 센싱 데이터 전압을 공급하고, 기준전압 라인들(R1~Rp)을 통해 화소(P)들의 소정의 전압들을 센싱하는 모드이다. 구체적으로, 제2 센싱 모드는 화소(P)들 각각의 구동 트랜지스터의 문턱전압을 보상하기 위해 제2 센싱 데이터 전압에 따른 구동 트랜지스터의 소스 전압을 제2 센싱 데이터(SD2)로 센싱하는 모드이다. 제2 센싱 모드는 발광 표시장치가 턴-오프되기 전에 수행되거나 생략될 수 있다.The second sensing mode supplies a second sensing data voltage according to the second sensing digital data PDATA2 to the pixels P and supplies predetermined voltages of the pixels P through the reference voltage lines R1 to Rp Sensing mode. Specifically, the second sensing mode is a mode for sensing the source voltage of the driving transistor according to the second sensing data voltage with the second sensing data SD2 to compensate the threshold voltage of the driving transistor of each of the pixels P. The second sensing mode may be performed or omitted before the light emitting display is turned off.
타이밍 제어부(170)는 표시 모드에서 메모리(180)에 저장된 보상 데이터(CDATA)를 이용하여 디지털 비디오 데이터(VDATA)를 보상 비디오 데이터(CVDATA)로 변환한다. 타이밍 제어부(170)는 표시 모드에서 보상 비디오 데이터(CVDATA)와 데이터 타이밍 제어신호(DCS)를 데이터전압 공급부(121A)로 출력하고, 스캔 타이밍 제어신호(SCS)를 스캔신호 출력부(131)로 출력하며, 센싱 타이밍 제어신호(SENCS)를 센싱신호 출력부(132)로 출력한다.The
타이밍 제어부(170)는 제1 센싱 모드에서 메모리(180)에 저장된 제1 센싱 디지털 데이터(PDATA1)와 데이터 타이밍 제어신호(DCS)를 데이터전압 공급부(121A)로 출력하고, 스캔 타이밍 제어신호(SCS)를 스캔신호 출력부(131)로 출력하며, 센싱 타이밍 제어신호(SENCS)를 센싱신호 출력부(132)로 출력한다. 타이밍 제어부(170)는 제1 센싱 모드에서 ADC(121B)로부터 제1 센싱 데이터(SD1)를 입력받을 수 있으며, 제1 센싱 데이터(SD1)에 따라 새로운 보상 데이터(CDATA)를 생성하여 메모리(180)에 저장한다. 즉, 타이밍 제어부(170)는 제1 센싱 모드에서 센싱되는 제1 센싱 데이터(SD1)를 반영하여 메모리(180)에 저장된 보상 데이터(CDATA)를 업데이트 한다. 제1 센싱 데이터(SD1)는 제1 센싱 모드의 경우 각 화소(P)에서 제1 센싱 데이터전압에 따른 구동 트랜지스터의 소스 전압을 ADC(121B)에서 디지털 데이터로 변환한 데이터이다.The
타이밍 제어부(170)는 제2 센싱 모드에서 메모리(180)에 저장된 제2 센싱 디지털 데이터(PDATA2)와 데이터 타이밍 제어신호(DCS)를 데이터전압 공급부(121A)로 출력하고, 스캔 타이밍 제어신호(SCS)를 스캔신호 출력부(131)로 출력하며, 센싱 타이밍 제어신호(SENCS)를 센싱신호 출력부(132)로 출력한다. 제2 센싱 디지털 데이터(PDATA2)는 제1 센싱 디지털 데이터(PDATA1)와 다른 데이터이다. 타이밍 제어부(170)는 제2 센싱 모드에서 ADC(121B)로부터 제2 센싱 데이터(SD2)를 입력받으며, 제2 센싱 데이터(SD2)에 따라 새로운 보상 데이터(CDATA)를 생성하여 메모리(180)에 저장한다. 즉, 타이밍 제어부(170)는 제2 제2 센싱 모드에서 센싱되는 제2 센싱 데이터(SD2)를 반영하여 메모리(180)에 저장된 보상 데이터(CDATA)를 업데이트 한다. 제2 센싱 데이터(SD2)는 제2 센싱 모드의 경우 각 화소(P)에서 제2 센싱 데이터전압에 따른 구동 트랜지스터의 소스 전압을 ADC(121B)에서 디지털 데이터로 변환한 데이터이다.The
또한, 타이밍 제어부(170)는 시스템 온 칩(200)으로부터 표시장치의 턴-온 여부를 지시하는 표시장치의 턴-온 신호를 입력받을 수 있다. 타이밍 제어부(170)는 표시장치의 턴-온 신호가 입력되는 경우, 화상을 표시하기 전에 표시패널 구동부를 제1 센싱 모드로 구동한다. 또한, 타이밍 제어부(170)는 제2 센싱 모드가 종료되는 경우 구동 종료 신호를 시스템 온 칩(200)으로 출력한다.In addition, the
또한, 타이밍 제어부(170)는 제1 그룹의 화소(P)들의 제1 센싱 데이터(SD1) 또는 제2 센싱 데이터(SD2)와 제2 그룹의 화소(P)들의 제1 센싱 데이터(SD1) 또는 제2 센싱 데이터(SD2) 간의 차이가 임계값 이상인 경우 제1 로직 레벨 전압의 오류 감지 신호(EDS)를 시스템 온 칩(200)으로 출력하고, 그 차이가 상기 임계 값보다 작은 경우 제2 로직 레벨 전압의 오류 감지 신호(EDS)를 시스템 온 칩(200)으로 출력한다. 즉, 타이밍 제어부(170)는 제1 그룹의 화소(P)들과 제2 그룹의 화소(P)들 간의 제1 센싱 데이터(SD1) 또는 제2 센싱 데이터(SD2)에 차이가 크게 발생하는 경우, 제1 전원전압 라인과 제2 전원전압 라인 사이에 단락(short circuit)이 있다고 판단할 수 있으며, 이에 따라 오류 감지 신호(EDS)를 시스템 온 칩(200)으로 출력한다. 타이밍 제어부(170)의 오류 감지 신호(EDS) 출력에 대한 자세한 설명은 도 11을 결부하여 후술한다.The
또한, 타이밍 제어부(170)는 데이터 구동부(120)의 스위치부(121C)의 제1 스위치(SW1)를 제어하기 위한 제1 스위치 제어신호(SCS1)와 제2 스위치(SW2)들을 제어하기 위한 제2 스위치 제어신호(SCS2)를 생성하여 출력할 수 있다.The
메모리(180)는 제1 센싱 디지털 데이터(PDATA1), 제2 센싱 디지털 데이터(PDATA2), 및 보상 데이터(CDATA)를 저장한다. 타이밍 제어부(170)는 메모리(180)로부터 제1 센싱 디지털 데이터(PDATA1), 제2 센싱 디지털 데이터(PDATA2), 및 보상 데이터(CDATA)를 읽고(read), 제1 센싱 데이터(SD1)와 제2 센싱 데이터(SD2)를 이용하여 연산하여 산출된 새로운 보상 데이터(CDATA)를 쓰기(write)할 수 있다. 메모리(180)는 휘발성 메모리들과 비휘발성 메모리를 포함할 수 있다. 휘발성 메모리는 DDR 메모리이고, 비휘발성 메모리는 NAND 플래쉬 메모리일 수 있다.The
전압 공급부(190)는 시스템 회로보드(210)의 메인 전원 공급부(230)로부터 인가되는 메인 전원으로부터 기준전압(VREF)을 생성하여 데이터 구동부(120)의 소스 드라이브 IC(121)들에 공급한다. 그 외에, 전원 공급부(190)는 메인 전원(MV)으로부터 고전위 전압에 해당하는 제1 전원전압(EVDD)과 저전위 전압에 해당하는 제2 전원전압(EVSS)을 생성하여 표시패널(110)에 공급할 수 있으며, 구동 전압들을 소스 드라이브 IC들(121A), 스캔신호 출력부(131), 센싱신호 출력부(132), 타이밍 제어부(170), 및 메모리(180)에 공급할 수 있다.The
타이밍 제어부(170), 메모리(180), 및 전압 공급부(190)는 제어 회로보드(160) 상에 실장될 수 있다. 이 경우, 타이밍 제어부(170)와 전압 공급부(190)는 집적회로와 같이 칩 형태로 형성될 수 있다. 제어 회로보드(160)는 연성 인쇄회로보드 또는 인쇄회로보드일 수 있다.The
시스템 온 칩(200)은 외부로부터 입력되는 디지털 비디오 데이터(CVDATA)를 발광 표시장치의 해상도에 맞게 변환하여 타이밍 제어부(170)로 출력할 수 있다. 시스템 온 칩(200)은 입력되는 디지털 비디오 데이터(CVDATA)의 해상도 변환뿐만 아니라 디지털 비디오 데이터(CVDATA)에 다양한 화질 처리 알고리즘을 수행한 후 타이밍 제어부(170)로 출력할 수 있다. 또한, 시스템 온 칩(200)은 디지털 비디오 데이터(CVDATA)와 함께 표시장치의 턴-온 여부를 지시하는 턴-온 신호를 타이밍 제어부(170)로 출력할 수 있다.The system-on-
시스템 온 칩(200)은 타이밍 제어부(170)로부터 구동 종료 신호를 입력받는다. 이 경우, 시스템 온 칩(200)은 메인 전원 공급부(230)가 메인 전원(MV)을 출력하는 것을 차단할 수 있다. 시스템 온 칩(200)은 타이밍 제어부(170)로부터 제1 로직 레벨 전압의 오류 감지 신호(EDS)를 입력받는 경우, 메인 전원 공급부(230)에 제1 로직 레벨 전압의 차단 신호(BS)를 출력하여 메인 전원 공급부(230)가 메인 전원(MV)을 출력하는 것을 차단할 수 있다. 또한, 시스템 온 칩(200)은 타이밍 제어부(170)로부터 제2 로직 레벨 전압의 오류 감지 신호(EDS)를 입력받는 경우, 메인 전원 공급부(230)에 제2 로직 레벨 전압의 차단 신호(BS)를 출력하여 메인 전원 공급부(230)가 메인 전원(MV)을 출력하는 것을 차단하지 않는다.The system-on-
시스템 온 칩(200)과 메인 전원 공급부(230)는 시스템 회로보드(210) 상에 실장될 수 있다. 이 경우, 시스템 온 칩(200)과 메인 전원 공급부(230)는 집적회로와 같이 칩 형태로 형성될 수 있다. 시스템 회로보드(210)는 연성 인쇄회로보드 또는 인쇄회로보드일 수 있다.The system on
제어 회로보드(160)는 제2 연성 케이블(220)들에 연결되기 위한 제3 커넥터(221)들을 포함할 수 있다. 제어 회로보드(160)는 제3 커넥터(221)들을 통해 제2 연성 케이블(220)들에 연결될 수 있다. 시스템 회로보드(210)은 제2 연성 케이블(220)들에 연결되기 위한 제4 커넥터(222)들을 포함할 수 있다. 시스템 회로보드(210)는 제4 커넥터(222)들을 통해 제2 연성 케이블(220)들에 연결될 수 있다.The
도 1에서는 제어 회로보드(160)와 시스템 회로보드(210)가 복수의 제3 커넥터(221)들과 복수의 제4 커넥터(222)들을 통해 복수의 연성 케이블(220)들에 연결된 것을 예시하였으나, 이에 한정되지 않는다. 즉, 제어 회로보드(160)와 시스템 회로보드(210)는 하나의 제3 커넥터(221)와 하나의 제4 커넥터(222)를 통해 하나의 제2 연성 케이블(220)에 연결될 수 있다.1 illustrates that the
도 3은 도 2의 화소를 상세히 보여주는 회로도이다.3 is a circuit diagram showing the pixel of FIG. 2 in detail.
도 3에서는 설명의 편의를 위해 제j(j는 1≤j≤m을 만족하는 양의 정수) 데이터라인(Dj), 제u(u는 1≤u≤p을 만족하는 양의 정수) 기준전압 라인(Ru), 제k(k는 1≤k≤n을 만족하는 양의 정수) 스캔 라인(Sk), 및 제k 센싱신호 라인(SEk)에 접속된 화소(P), 데이터전압 공급부(121A), ADC(121B), 스위칭부(121C)의 제1 스위치(SW1)와 제2 스위치(SW2)만을 도시하였다.In FIG. 3, for the sake of convenience of explanation, a data line Dj (j is a positive integer satisfying 1? J? M) data line Dj, a u (u is a positive integer satisfying 1? A pixel P connected to a line Ru, a kth (k is a positive integer satisfying 1? K? N) scan line Sk and a kth sensing signal line SEk, a data
도 3을 참조하면, 표시패널(10)의 화소(P)는 발광소자(EL), 구동 트랜지스터(DT), 제1 스위칭 트랜지스터(ST1), 제2 스위칭 트랜지스터들(ST2), 및 커패시터(Cst)를 포함할 수 있다. 3, the pixel P of the
발광소자(EL)는 구동 트랜지스터(DT)를 통해 공급되는 전류에 따라 발광한다. 발광소자(EL)는 유기발광 다이오드(organic light emitting diode) 또는 마이크로 발광 다이오드(micro light emitting diode)로 구현될 수 있다. 발광소자(EL)가 유기발광 다이오드로 구현되는 경우, 발광소자(EL)는 애노드 전극(anode electrode), 정공 수송층(hole transporting layer), 유기발광층(organic light emitting layer), 전자 수송층(electron transporting layer), 및 캐소드 전극(cathode electrode)을 포함할 수 있다. 발광소자(EL)는 애노드 전극과 캐소드 전극에 전압이 인가되면 정공과 전자가 각각 정공 수송층과 전자 수송층을 통해 유기발광층으로 이동되며, 유기발광층에서 서로 결합하여 발광하게 된다. 발광소자(EL)의 애노드 전극은 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극에 접속되고, 캐소드 전극은 고전위 전압보다 낮은 저전위 전압이 공급되는 제2 전원 라인(VSL)에 접속될 수 있다.The light emitting element EL emits light in accordance with the current supplied through the driving transistor DT. The light emitting device EL may be implemented as an organic light emitting diode or a micro light emitting diode. When the light emitting device EL is implemented as an organic light emitting diode, the light emitting device EL includes an anode electrode, a hole transporting layer, an organic light emitting layer, an electron transporting layer ), And a cathode electrode. In the light emitting device EL, when a voltage is applied to the anode electrode and the cathode electrode, holes and electrons move to the organic light emitting layer through the hole transporting layer and the electron transporting layer, respectively. The anode electrode of the light emitting element EL is connected to the source electrode of the driving transistor DT and the cathode electrode can be connected to the second power supply line VSL to which a low potential voltage lower than the high potential voltage is supplied.
구동 트랜지스터(DT)는 게이트 전극과 소스 전극의 전압 차에 따라 제1 전원전압이 공급되는 제1 전원 라인(EVL)으로부터 발광소자(EL)로 흐르는 전류를 조정한다. 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극은 제1 스위칭 트랜지스터(ST1)의 제1 전극에 접속되고, 소스 전극은 발광소자(EL)의 애노드 전극에 접속되며, 드레인 전극은 고전위 전압이 인가되는 제1 전원 라인(EVL)에 접속될 수 있다.The driving transistor DT adjusts the current flowing from the first power supply line (EVL) supplied with the first power supply voltage to the light emitting element (EL) according to the voltage difference between the gate electrode and the source electrode. The gate electrode of the driving transistor DT is connected to the first electrode of the first switching transistor ST1, the source electrode thereof is connected to the anode electrode of the light emitting element EL, and the drain electrode thereof is connected to the first And may be connected to a power supply line (EVL).
제1 스위칭 트랜지스터(ST1)는 제k 스캔 라인(Sk)의 제k 스캔신호에 의해 턴-온되어 제j 데이터 라인(Dj)을 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극에 접속시킨다. 제1 스위칭 트랜지스터(T1)의 게이트 전극은 제k 스캔 라인(Sk)에 접속되고, 제1 전극은 제1 구동 트랜지스터(DT1)의 게이트 전극에 접속되며, 제2 전극은 제j 데이터 라인(Dj)에 접속될 수 있다.The first switching transistor ST1 is turned on by the kth scan signal of the kth scan line Sk to connect the jth data line Dj to the gate electrode of the driving transistor DT. The first electrode of the first switching transistor T1 is connected to the kth scan line Sk and the first electrode of the first switching transistor T1 is connected to the gate electrode of the first driving transistor DT1. .
제2 스위칭 트랜지스터(ST2)는 제k 센싱신호 라인(SEk)의 제k 센싱신호에 의해 턴-온되어 제u 기준전압 라인(Ru)을 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극에 접속시킨다. 제2 스위칭 트랜지스터(ST3)의 게이트 전극은 제k 센싱신호 라인(SEk)에 접속되고, 제1 전극은 제u 기준전압 라인(Ru)에 접속되며, 제2 전극은 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극에 접속될 수 있다.The second switching transistor ST2 is turned on by the kth sensing signal of the kth sensing signal line SEk to connect the u th reference voltage line Ru to the source electrode of the driving transistor DT. The gate electrode of the second switching transistor ST3 is connected to the kth sensing signal line SEk and the first electrode thereof is connected to the u th reference voltage line Ru and the second electrode is connected to the source of the driving transistor DT Can be connected to the electrode.
제1 및 제2 스위칭 트랜지스터들(ST1, ST2) 각각의 제1 전극은 소스 전극이고, 제2 전극은 드레인 전극일 수 있으나, 이에 한정되지 않음에 주의하여야 한다. 즉, 제1 및 제2 스위칭 트랜지스터들(ST1, ST2) 각각의 제1 전극은 드레인 전극이고, 제2 전극은 소스 전극일 수 있다.It should be noted that the first electrode of each of the first and second switching transistors ST1 and ST2 may be a source electrode and the second electrode may be a drain electrode. That is, the first electrode of each of the first and second switching transistors ST1 and ST2 may be a drain electrode, and the second electrode may be a source electrode.
커패시터(Cst)는 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극과 소스 전극 사이에 형성된다. 커패시터(Cst)는 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전압과 소스 전압의 차전압을 저장한다.The capacitor Cst is formed between the gate electrode and the source electrode of the driving transistor DT. The capacitor Cst stores the difference voltage between the gate voltage of the driving transistor DT and the source voltage.
구동 트랜지스터(DT)와 제1 및 제2 스위칭 트랜지스터들(ST1, ST2)은 박막 트랜지스터(thin film transistor)로 형성될 수 있다. 또한, 도 3에서는 구동 트랜지스터(DT)와 제1 및 제2 스위칭 트랜지스터들(ST1, ST2)이 N 타입 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)으로 형성된 것을 중심으로 설명하였으나, 이에 한정되지 않는 것에 주의하여야 한다. 구동 트랜지스터(DT)와 제1 및 제2 스위칭 트랜지스터들(ST1, ST2)은 P 타입 MOSFET으로 형성될 수도 있다. 이 경우 도 4, 도 5, 및 도 6의 타이밍 도는 P 타입 MOSFET의 특성에 맞게 적절하게 수정될 수 있다.The driving transistor DT and the first and second switching transistors ST1 and ST2 may be formed of a thin film transistor. Although the driving transistor DT and the first and second switching transistors ST1 and ST2 are formed of an N-type MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) in FIG. 3, the present invention is not limited thereto. shall. The driving transistor DT and the first and second switching transistors ST1 and ST2 may be formed of a P-type MOSFET. In this case, the timing charts of Figs. 4, 5, and 6 can be appropriately modified to match the characteristics of the P-type MOSFET.
도 4는 표시 모드에서 화소에 공급되는 스캔신호와 센싱신호, 제1 및 제2 스위치들에 공급되는 제1 및 제2 스위치 제어신호들, 및 구동 트랜지스터의 게이트 전압과 소스 전압을 보여주는 파형도이다.4 is a waveform diagram showing a scan signal and a sensing signal supplied to the pixel in the display mode, first and second switch control signals supplied to the first and second switches, and a gate voltage and a source voltage of the driving transistor .
도 4를 참조하면, 표시 모드에서 1 프레임 기간은 제1 기간(t1)과 제2 기간(t2)을 포함할 수 있다. 제1 기간(t1)은 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극에 발광 데이터전압(EVdata)을 공급하고, 소스 전극을 기준전압(VREF)으로 초기화하는 기간이다. 제2 기간(t2)은 구동 트랜지스터(DT)의 전류(Ids)에 따라 발광소자(EL)가 발광하는 기간이다. 제1 기간(t1)은 1 수평 기간일 수 있다. 1 수평 기간은 1 수평 라인의 화소(P)들에 데이터전압들이 공급되는 기간을 가리킨다.Referring to FIG. 4, one frame period in the display mode may include a first period t1 and a second period t2. The first period t1 is a period in which the light emission data voltage EVdata is supplied to the gate electrode of the driving transistor DT and the source electrode is initialized to the reference voltage VREF. The second period t2 is a period during which the light emitting element EL emits light in accordance with the current Ids of the driving transistor DT. The first period t1 may be one horizontal period. One horizontal period indicates a period during which the data voltages are supplied to the pixels P of one horizontal line.
제k 스캔 라인(Sk)의 제k 스캔신호(SCANk)와 제k 센싱신호 라인(SEk)의 제k 센싱신호(SENSk)는 제1 기간(t1) 동안 게이트 온 전압(Von)으로 공급되고, 제2 기간(t2) 동안 게이트 오프 전압(Voff)으로 공급된다. 화소(P)의 제1 및 제2 스위칭 트랜지스터들(ST1, ST2)은 게이트 온 전압(Von)에 의해 턴-온되고, 게이트 오프 전압(Voff)에 의해 턴-오프될 수 있다.The kth scan signal SCANk of the kth scan line Sk and the kth sensing signal SENSk of the kth sensing signal line SEk are supplied as the gate-on voltage Von during the first period t1, And is supplied to the gate-off voltage Voff during the second period t2. The first and second switching transistors ST1 and ST2 of the pixel P may be turned on by the gate on voltage Von and turned off by the gate off voltage Voff.
제1 스위치 제어신호(SCS1)는 제1 기간(t1)과 제2 기간(t2) 동안 제1 로직 레벨 전압(V1)으로 공급될 수 있다. 제2 스위치 제어신호(SCS2)는 제1 기간(t1)과 제2 기간(t2) 동안 제2 로직 레벨 전압(V2)으로 공급될 수 있다. 제1 및 제2 스위치들(SW1, SW2) 각각은 제1 로직 레벨 전압에 의해 턴-온되고, 제2 로직 레벨 전압에 의해 턴-오프될 수 있다. 이에 따라, 표시 모드의 제1 기간(t1)과 제2 기간(t2) 동안 제1 스위치(SW1)는 제1 로직 레벨 전압(V1)의 제1 스위치 제어신호(SCS1)에 의해 턴-온되고, 제2 스위치(SW2)는 제2 로직 레벨 전압(V2)의 제2 스위치 제어신호(SCS2)에 의해 턴-오프된다. 이로 인해, 표시 모드에서는 제u 기준 전압 라인(Ru)에 기준전압 공급회로(190)로부터 기준전압(VREF)이 공급된다.The first switch control signal SCS1 may be supplied to the first logic level voltage V1 during the first period t1 and the second period t2. The second switch control signal SCS2 may be supplied to the second logic level voltage V2 during the first period t1 and the second period t2. Each of the first and second switches SW1 and SW2 may be turned on by a first logic level voltage and turned off by a second logic level voltage. Accordingly, during the first period t1 and the second period t2 of the display mode, the first switch SW1 is turned on by the first switch control signal SCS1 of the first logic level voltage V1 , And the second switch SW2 is turned off by the second switch control signal SCS2 of the second logic level voltage V2. Therefore, in the display mode, the reference voltage VREF is supplied from the reference
이하에서는, 도 3과 도 4를 결부하여 표시 모드의 제1 기간(t1)과 제2 기간(t2) 동안 화소(P)의 동작을 상세히 살펴본다.Hereinafter, the operation of the pixel P during the first period t1 and the second period t2 of the display mode will be described in detail with reference to FIG. 3 and FIG.
첫 번째로, 제1 기간(t1) 동안 제1 스위칭 트랜지스터(ST1)는 제k 스캔 라인(Sk)으로 공급되는 게이트 온 전압(Von)의 제k 스캔신호(SCANk)에 의해 턴-온된다. 제1 기간(t1) 동안 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)는 제k 센싱신호 라인(SEk)으로 공급되는 게이트 온 전압(Von)의 제k 센싱신호(SENSk)에 의해 턴-온된다. 제1 기간(t1) 동안 제1 스위칭 트랜지스터(ST1)의 턴-온으로 인해 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극에는 제j 데이터 라인(Dj)의 발광 데이터 전압(EVdata)이 공급된다. 제1 기간(t1) 동안 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)의 턴-온으로 인해 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극에는 제u 기준전압 라인(Ru)의 기준전압(VREF)이 공급된다.First, during the first period t1, the first switching transistor ST1 is turned on by the k-th scan signal SCANk of the gate-on voltage Von supplied to the k-th scan line Sk. During the first period t1, the second switching transistor ST2 is turned on by the kth sensing signal SENSk of the gate-on voltage Von supplied to the kth sensing signal line SEk. The light emitting data voltage EVdata of the jth data line Dj is supplied to the gate electrode of the driving transistor DT due to the turn-on of the first switching transistor ST1 during the first period t1. The reference voltage VREF of the u th reference voltage line Ru is supplied to the source electrode of the driving transistor DT due to the turn-on of the second switching transistor ST2 during the first period t1.
두 번째로, 제2 기간(t2) 동안 제1 스위칭 트랜지스터(ST1)는 제k 스캔 라인(Sk)으로 공급되는 게이트 오프 전압(Voff)의 제k 스캔신호(SCANk)에 의해 턴-오프된다. 제2 기간(t2) 동안 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)는 제k 센싱신호 라인(SEk)으로 공급되는 게이트 오프 전압(Voff)의 제k 센싱신호(SENSk)에 의해 턴-오프된다.Second, during the second period t2, the first switching transistor ST1 is turned off by the k-th scan signal SCANk of the gate-off voltage Voff supplied to the k-th scan line Sk. During the second period t2, the second switching transistor ST2 is turned off by the kth sensing signal SENSk of the gate-off voltage Voff supplied to the kth sensing signal line SEk.
제2 기간(t2) 동안 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전압(Vg)과 소스 전압(Vs) 간의 전압 차에 따른 전류(Ids)는 발광소자(EL)로 흐른다. 이로 인해, 발광소자(EL)는 발광한다. 이하에서는, 설명의 편의를 위해 "구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전압(Vg)과 소스 전압(Vs) 간의 전압 차에 따라 구동 트랜지스터(DT)를 통해 흐르는 전류(Ids)"를 "구동 트랜지스터의 전류(Ids)"로 정의한다.The current Ids corresponding to the voltage difference between the gate voltage Vg and the source voltage Vs of the driving transistor DT flows to the light emitting element EL during the second period t2. As a result, the light emitting element EL emits light. Hereinafter, for convenience of explanation, "current Ids flowing through the driving transistor DT" in accordance with the voltage difference between the gate voltage Vg and the source voltage Vs of the driving transistor DT is referred to as " (Ids) ".
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 명세서의 일 실시예는 표시 모드에서 발광 데이터 전압(EVdata)을 화소(P)에 공급한다. 발광 데이터 전압(EVdata)은 보상 데이터(CDATA)를 이용하여 디지털 비디오 데이터(DATA)를 보상한 보상 비디오 데이터(CVDATA)에 따라 생성된 데이터 전압이다. 그 결과, 본 명세서의 일 실시예는 화소(P)의 발광소자(EL)를 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압과 전자 이동도에 의존하지 않는 구동 트랜지스터(DT)의 전류(Ids)에 따라 발광할 수 있다. 따라서, 본 명세서의 일 실시예는 화소(P)들의 휘도 균일도를 높일 수 있다.As described above, one embodiment of the present invention supplies the emission data voltage (EVdata) to the pixel P in the display mode. The emission data voltage EVdata is a data voltage generated according to the compensated video data CVDATA that compensates the digital video data DATA using the compensation data CDATA. As a result, according to one embodiment of the present invention, the light emitting device EL of the pixel P emits light in accordance with the threshold voltage of the driving transistor DT and the current Ids of the driving transistor DT, can do. Thus, one embodiment of the present invention can increase the luminance uniformity of the pixels P.
도 5는 제1 센싱 모드에서 화소에 공급되는 스캔신호와 센싱신호, 제1 및 제2 스위치들에 공급되는 제1 및 제2 스위치 제어신호들, 및 구동 트랜지스터의 게이트 전압과 소스 전압을 보여주는 파형도이다.FIG. 5 is a diagram showing waveforms of a scan signal and a sensing signal supplied to a pixel in the first sensing mode, first and second switch control signals supplied to the first and second switches, and a gate voltage and a source voltage of the driving transistor, .
도 5를 참조하면, 제1 센싱 모드에서 1 프레임 기간은 제1 내지 제3 기간들(t1'~t3')을 포함할 수 있다. 제1 기간(t1')은 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극을 기준전압(VREF)으로 초기화하는 기간이다. 제2 기간(t2')은 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극에 제1 센싱 데이터전압(SVdata1)을 인가하고, 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전압을 센싱하는 기간이다. 제3 기간(t3')은 휴지 기간이다.Referring to FIG. 5, one frame period in the first sensing mode may include first to third periods t1 'to t3'. The first period t1 'is a period for initializing the source electrode of the driving transistor DT to the reference voltage VREF. The second period t2 'is a period for applying the first sensing data voltage SVdata1 to the gate electrode of the driving transistor DT and sensing the source voltage of the driving transistor DT. The third period t3 'is a rest period.
제k 스캔라인(Sk)의 제k 스캔신호(SCANk)는 제2 기간(t2') 동안 게이트 온 전압(Von)으로 공급된다. 제k 센싱신호라인(SEk)의 제k 센싱신호(SENSk)는 제1 기간(t1')과 제2 기간(t2') 동안 게이트 온 전압(Von)으로 공급된다.The kth scan signal SCANk of the kth scan line Sk is supplied as the gate-on voltage Von during the second period t2 '. The kth sensing signal SENSk of the kth sensing signal line SEk is supplied as the gate-on voltage Von during the first period t1 'and the second period t2'.
제1 스위치 제어신호(SCS1)는 제1 기간(t1') 동안 제1 로직 레벨 전압(V1)으로 공급되고, 제2 기간(t2')과 제3 기간(t3') 동안 제2 로직 레벨 전압(V2)으로 공급된다. 제2 스위치 제어신호(SCS2)는 제1 기간(t1')과 제3 기간(t3') 동안 제2 로직 레벨 전압(V2)으로 공급되고, 제2 기간(t2') 동안 제1 로직 레벨 전압(V1)으로 공급된다.The first switch control signal SCS1 is supplied to the first logic level voltage V1 during the first period t1 'and the second logic level voltage V1 during the second period t2' and the third period t3 ' (V2). The second switch control signal SCS2 is supplied to the second logic level voltage V2 during the first period t1 'and the third period t3', and during the second period t2 ' (V1).
이하에서는, 도 3과 도 5를 결부하여 제1 센싱 모드에서 화소(P)의 동작을 상세히 살펴본다.Hereinafter, the operation of the pixel P in the first sensing mode will be described in detail with reference to FIGS.
첫 번째로, 제1 기간(t1') 동안 제1 스위칭 트랜지스터(ST1)는 제k 스캔 라인(Sk)으로 공급되는 게이트 오프 전압(Voff)의 제k 스캔신호(SCANk)에 의해 턴-오프되고, 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)는 제k 센싱신호 라인(SEk)으로 공급되는 게이트 온 전압(Von)의 제k 센싱신호(SENSk)에 의해 턴-온된다. 제1 기간(t1') 동안 제1 스위치(SW1)는 제1 로직 레벨 전압(V1)의 제1 스위치 제어신호(SCS1)에 의해 턴-온되며, 제2 스위치(SW2)는 제2 로직 레벨 전압(V2)의 제2 스위치 제어신호(SCS2)에 의해 턴-오프된다.First, during the first period t1 ', the first switching transistor ST1 is turned off by the k-th scan signal SCANk of the gate-off voltage Voff supplied to the k-th scan line Sk , The second switching transistor ST2 is turned on by the kth sensing signal SENSk of the gate-on voltage Von supplied to the kth sensing signal line SEk. During the first period t1 ', the first switch SW1 is turned on by the first switch control signal SCS1 of the first logic level voltage V1 and the second switch SW2 is turned on by the second logic level And is turned off by the second switch control signal SCS2 of the voltage V2.
제1 기간(t1') 동안 제1 스위치(SW1)의 턴-온으로 인해 제u 기준 전압 라인(Ru)에는 기준전압 공급회로(190)로부터 기준전압(VREF)이 공급된다. 제1 기간(t1') 동안 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)의 턴-온으로 인해 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극에는 제u 기준전압 라인(Ru)의 기준전압(VREF)이 공급된다. 즉, 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극은 기준전압(VREF)으로 초기화된다.The reference voltage VREF is supplied from the reference
두 번째로, 제2 기간(t2') 동안 제1 스위칭 트랜지스터(ST1)는 제k 스캔 라인(Sk)으로 공급되는 게이트 온 전압(Von)의 제k 스캔신호(SCANk)에 의해 턴-온되고, 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)는 제k 센싱신호 라인(SEk)으로 공급되는 게이트 온 전압(Von)의 제k 센싱신호(SENSk)에 의해 턴-온된다. 제2 기간(t2') 동안 제1 스위치(SW1)는 제2 로직 레벨 전압(V2)의 제1 스위치 제어신호(SCS1)에 의해 턴-오프되며, 제2 스위치(SW2)는 제1 로직 레벨 전압(V1)의 제2 스위치 제어신호(SCS2)에 의해 턴-온된다.Secondly, during the second period t2 ', the first switching transistor ST1 is turned on by the kth scan signal SCANk of the gate-on voltage Von supplied to the kth scan line Sk , The second switching transistor ST2 is turned on by the kth sensing signal SENSk of the gate-on voltage Von supplied to the kth sensing signal line SEk. During the second period t2 ', the first switch SW1 is turned off by the first switch control signal SCS1 of the second logic level voltage V2 and the second switch SW2 is turned off by the first logic level And is turned on by the second switch control signal SCS2 of the voltage V1.
제2 기간(t2') 동안 제1 스위치(SW1)의 턴-오프로 인해 제u 기준 전압 라인(Ru)에는 기준전압(VREF)이 공급되지 않는다. 또한, 제2 기간(t2') 동안 제2 스위치(SW2)의 턴-온으로 인해 기준 전압 라인(Ru)은 ADC(121B)에 접속된다. 제2 기간(t2') 동안 제1 스위칭 트랜지스터(ST1)의 턴-온으로 인해 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극에는 제2 센싱 데이터 전압(SVdata2)이 공급된다. 제2 센싱 데이터 전압(SVdata2)은 제1 센싱 데이터 전압(SVdata1)보다 낮은 전압이다. 제2 기간(t2') 동안 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)의 턴-온으로 인해 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극은 제u 기준전압 라인(Ru)을 통해 ADC(121B)에 접속된다.The reference voltage VREF is not supplied to the u th reference voltage line Ru due to the turn-off of the first switch SW1 during the second period t2 '. Also, the reference voltage line Ru is connected to the
제2 기간(t2') 동안 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극과 소스 전극 간의 전압 차(Vgs=SVdata2-VREF)가 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압(threshold voltage, Vth)보다 크기 때문에, 구동 트랜지스터(DT)는 전류를 흘리게 된다.Since the voltage difference (Vgs = SVdata2-VREF) between the gate electrode and the source electrode of the driving transistor DT is larger than the threshold voltage (Vth) of the driving transistor DT during the second period t2 ' (DT) flows current.
이때, 구동 트랜지스터(DT)의 전류는 수학식 2와 같이 정의될 수 있다.At this time, the current of the driving transistor DT can be defined as shown in Equation (2).
수학식 1에서, "Ids"는 구동 트랜지스터(DT)의 전류, "K"는 전자 이동도, "Cox"는 절연막의 커패시턴스, "W"는 구동 트랜지스터(DT)의 채널 폭, "L"은 구동 트랜지스터(DT)의 채널 길이를 의미한다.&Quot; W "is the channel width of the driving transistor DT," L "is the capacitance of the driving transistor DT, Quot; means the channel length of the driving transistor DT.
구동 트랜지스터(DT)의 전류는 수학식 1과 같이 구동 트랜지스터(DT)의 전자 이동도(K)에 비례하므로, 제2 기간(t2') 동안 구동 트랜지스터(DT)의 소스전압(Vs)의 상승량은 구동 트랜지스터(DT)의 전자 이동도(K)에 비례한다. 즉, 구동 트랜지스터(DT)의 전자 이동도가 클수록 제2 기간(t2') 동안 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전압(Vs)의 상승량은 더욱 커진다.Since the current of the driving transistor DT is proportional to the electron mobility K of the driving transistor DT as shown in
결국, 제2 기간(t2') 동안 구동 트랜지스터(DT)의 전자 이동도(K)에 따라 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전압(Vs)의 상승량이 달라지며, 도 5에서는 전자 이동도(K)에 따른 소스 전압(Vs)의 상승량을 α로 정의하였다. 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전압은 전자 이동도(K)에 따라 도 5와 같이 "VREF+α"까지 상승한다. 따라서, 제2 기간(t2') 동안 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극에 구동 트랜지스터(DT)의 전자 이동도(K)가 반영된 전압이 센싱된다.5 shows the relationship between the electron mobility K of the driving transistor DT and the electron mobility K of the driving transistor DT during the second period t2 ' Is defined as?. The source voltage of the driving transistor DT rises to "VREF + alpha" according to the electron mobility K as shown in FIG. Therefore, the voltage at which the electron mobility K of the driving transistor DT is reflected is sensed to the source electrode of the driving transistor DT during the second period t2 '.
세 번째로, 제3 기간(t3') 동안 제1 스위칭 트랜지스터(ST1), 제2 스위칭 트랜지스터(ST2), 제1 스위치(SW1), 및 제2 스위치(SW2)가 모두 턴-오프된다.Third, the first switching transistor ST1, the second switching transistor ST2, the first switch SW1, and the second switch SW2 are both turned off during the third period t3 '.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명의 실시예는 제1 센싱 모드에서 구동 트랜지스터(DT)의 전자 이동도(K)가 반영된 구동 트랜지스터의 소스 전압 "VREF+α"를 센싱할 수 있다.As described above, the embodiment of the present invention can sense the source voltage "VREF + alpha" of the driving transistor in which the electron mobility K of the driving transistor DT is reflected in the first sensing mode.
도 6은 제2 센싱 모드에서 화소에 공급되는 스캔신호와 센싱신호, 제1 및 제2 스위치들에 공급되는 제1 및 제2 스위치 제어신호들, 및 구동 트랜지스터의 게이트 전압과 소스 전압을 보여주는 파형도이다.FIG. 6 is a graph showing waveforms of a scan signal and a sensing signal supplied to a pixel in the second sensing mode, first and second switch control signals supplied to the first and second switches, and a gate voltage and a source voltage of the driving transistor, .
도 5를 참조하면, 제1 제2 센싱 모드에서 1 프레임 기간은 제1 내지 제4 기간들(t1"~t4")을 포함할 수 있다. 제1 기간(t1")은 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극을 기준전압(VREF)으로 초기화하는 기간이다. 제2 기간(t2")은 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극에 제1 센싱 데이터 전압(SVdata1)을 공급하는 기간이다. 제3 기간(t3")은 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전압을 센싱하는 기간이다. 제4 기간(t4")은 휴지 기간이다.Referring to FIG. 5, one frame period in the first second sensing mode may include first through fourth periods t1 '' to t4 ''. The first period t1 is a period for initializing the source electrode of the driving transistor DT to the reference voltage VREF. The second period t2 " (SVdata1). The third period t3 "is a period for sensing the source voltage of the driving transistor DT. The fourth period t4" is the idle period.
제k 스캔 라인(Sk)의 제k 스캔신호(SCANk)는 제2 기간(t2")과 제3 기간(t3") 동안 게이트 온 전압(Von)으로 공급된다. 제k 센싱신호 라인(SEk)의 제k 센싱신호(SENSk)는 제1 내지 제3 기간들(t1"~t3") 동안 게이트 온 전압(Von)으로 공급된다. 화소(P)의 제1 및 제2 스위칭 트랜지스터들(ST1, ST2)은 게이트 온 전압(Von)에 의해 턴-온되고, 게이트 오프 전압(Voff)에 의해 턴-오프될 수 있다.The kth scan signal SCANk of the kth scan line Sk is supplied as the gate-on voltage Von during the second period t2 '' and the third period t3 ''. The kth sensing signal SENSk of the kth sensing signal line SEk is supplied to the gate-on voltage Von during the first to third periods t1 'to t3' '. The first and second switching transistors ST1 and ST2 of the pixel P may be turned on by the gate on voltage Von and turned off by the gate off voltage Voff.
제1 스위치 제어신호(SCS1)는 제1 기간(t1") 동안 제1 로직 레벨 전압(V1)으로 공급되고, 제2 내지 제4 기간(t2"~t4") 동안 제2 로직 레벨 전압(V2)으로 공급된다. 제2 스위치 제어신호(SCS2)는 제1 기간(t1"), 제2 기간(t2") 및 제4 기간(t4") 동안 제2 로직 레벨 전압(V2)으로 공급되고, 제3 기간(t3") 동안 제1 로직 레벨 전압(V1)으로 공급된다. 제1 및 제2 스위치들(SW1, SW2) 각각은 제1 로직 레벨 전압에 의해 턴-온되고, 제2 로직 레벨 전압에 의해 턴-오프될 수 있다.The first switch control signal SCS1 is supplied to the first logic level voltage V1 during the first period t1 ", and the second logic level voltage V2 during the second to fourth periods t2 & The second switch control signal SCS2 is supplied to the second logic level voltage V2 during the first period t1 ", the second period t2" and the fourth period t4 " Is supplied to the first logic level voltage V1 during the third period t3 ". Each of the first and second switches SW1, SW2 is turned on by the first logic level voltage, Can be turned off by a voltage.
이하에서는, 도 3과 도 5를 결부하여 제2 센싱 모드에서 화소(P)의 동작을 상세히 살펴본다.Hereinafter, the operation of the pixel P in the second sensing mode will be described in detail with reference to FIG. 3 and FIG.
첫 번째로, 제1 기간(t1") 동안 제1 스위칭 트랜지스터(ST1)는 제k 스캔 라인(Sk)으로 공급되는 게이트 오프 전압(Voff)의 제k 스캔 신호(SCANk)에 의해 턴-오프되고, 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)는 제k 센싱신호 라인(SEk)으로 공급되는 게이트 온 전압(Von)의 제k 센싱신호(SENSk)에 의해 턴-온된다. 제1 기간(t1") 동안 제1 스위치(SW1)는 제1 로직 레벨 전압(V1)의 제1 스위치 제어신호(SCS1)에 의해 턴-온되며, 제2 스위치(SW2)는 제2 로직 레벨 전압(V2)의 제2 스위치 제어신호(SCS2)에 의해 턴-오프된다.First, during the first period t1 ", the first switching transistor ST1 is turned off by the k-th scan signal SCANk of the gate-off voltage Voff supplied to the k-th scan line Sk The second switching transistor ST2 is turned on by the kth sensing signal SENSk of the gate-on voltage Von supplied to the kth sensing signal line SEk. During the first period t1 ' 1 switch SW1 is turned on by the first switch control signal SCS1 of the first logic level voltage V1 and the second switch SW2 is turned on by the second switch control of the second logic level voltage V2 And is turned off by the signal SCS2.
제1 기간(t1") 동안 제1 스위치(SW1)의 턴-온으로 인해 제u 기준 전압 라인(Ru)에는 기준전압 공급회로(190)로부터 기준전압(VREF)이 공급된다. 제1 기간(t1") 동안 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)의 턴-온으로 인해 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극에는 제u 기준전압 라인(Ru)의 기준전압(VREF)이 공급된다. 즉, 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극은 기준전압(VREF)으로 초기화된다.The reference voltage VREF is supplied to the u th reference voltage line Ru from the reference
두 번째로, 제2 기간(t2") 동안 제1 스위칭 트랜지스터(ST1)는 제k 스캔 라인(Sk)으로 공급되는 게이트 온 전압(Von)의 제k 스캔신호(SCANk)에 의해 턴-온되고, 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)는 제k 센싱신호 라인(SEk)으로 공급되는 게이트 온 전압(Von)의 제k 센싱신호(SENSk)에 의해 턴-온된다. 제2 기간(t2") 동안 제1 스위치(SW1)는 제2 로직 레벨 전압(V2)의 제2 스위치 제어신호(SCS2)에 의해 턴-오프되며, 제2 스위치(SW2)는 제2 로직 레벨 전압(V2)의 제2 스위치 제어신호(SCS2)에 의해 턴-오프된다.Second, during the second period t2 ", the first switching transistor ST1 is turned on by the k-th scan signal SCANk of the gate-on voltage Von supplied to the k-th scan line Sk The second switching transistor ST2 is turned on by the kth sensing signal SENSk of the gate-on voltage Von supplied to the kth sensing signal line SEk. During the second period t2 ' 1 switch SW1 is turned off by the second switch control signal SCS2 of the second logic level voltage V2 and the second switch SW2 is turned off by the second switch control of the second logic level voltage V2 And is turned off by the signal SCS2.
제2 기간(t2") 동안 제1 스위치(SW1)의 턴-오프로 인해 제u 기준 전압 라인(Ru)에는 기준전압(VREF)이 공급되지 않는다. 또한, 제2 기간(t2") 동안 제1 스위칭 트랜지스터(ST1)가 턴-온되므로, 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극에는 제1 센싱 데이터 전압(SVdata1)이 공급된다.The reference voltage VREF is not supplied to the u th reference voltage line Ru due to the turn-off of the first switch SW1 during the second period t2 ". Further, during the second period t2 " 1 switching transistor ST1 is turned on, the first sensing data voltage SVdata1 is supplied to the gate electrode of the driving transistor DT.
제2 기간(t2") 동안 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극과 소스 전극 간의 전압 차(Vgs=SVdata1-VREF)가 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압(threshold voltage)보다 크기 때문에, 구동 트랜지스터(DT)는 게이트 전극과 소스 전극 간의 전압 차(Vgs)가 문턱전압(Vth1)에 도달할 때까지 전류를 흘리게 된다. 이로 인해, 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전압은 도 5와 같이 "SVdata1-Vth1"까지 상승한다. 즉, 제2 기간(t2") 동안 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극에 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압이 센싱된다.Since the voltage difference (Vgs = SVdata1-VREF) between the gate electrode and the source electrode of the driving transistor DT is greater than the threshold voltage of the driving transistor DT during the second period t2 ", the driving transistor DT The source voltage of the driving transistor DT is set to "SVdata1-Vth1" as shown in FIG. 5, so that the current flows until the voltage difference Vgs between the gate electrode and the source electrode reaches the threshold voltage Vth1. The threshold voltage of the driving transistor DT is sensed to the source electrode of the driving transistor DT during the second period t2 ".
세 번째로, 제3 기간(t3") 동안 제1 스위칭 트랜지스터(ST1)는 제k 스캔 라인(Sk)으로 공급되는 게이트 온 전압(Von)의 제k 스캔신호(SCANk)에 의해 턴-온되고, 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)는 제k 센싱신호 라인(SEk)으로 공급되는 게이트 온 전압(Von)의 제k 센싱신호(SENSk)에 의해 턴-온된다. 제3 기간(t3") 동안 제1 스위치(SW1)는 제2 로직 레벨 전압(V2)의 제2 스위치 제어신호(SCS2)에 의해 턴-오프되며, 제2 스위치(SW2)는 제1 로직 레벨 전압(V1)의 제2 스위치 제어신호(SCS2)에 의해 턴-온된다.Third, during the third period t3 ", the first switching transistor ST1 is turned on by the k-th scan signal SCANk of the gate-on voltage Von supplied to the k-th scan line Sk The second switching transistor ST2 is turned on by the kth sensing signal SENSk of the gate-on voltage Von supplied to the kth sensing signal line SEk. During the third period t3 " 1 switch SW1 is turned off by the second switch control signal SCS2 of the second logic level voltage V2 and the second switch SW2 is turned off by the second switch control of the first logic level voltage V1 And is turned on by the signal SCS2.
제3 기간(t3") 동안 제2 스위치(SW2)의 턴-온으로 인해 제u 기준 전압 라인(Ru)은 ADC(121B)에 접속된다. 제3 기간(t3") 동안 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)의 턴-온으로 인해 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극은 제u 기준전압 라인(Ru)을 통해 ADC(121B)에 접속된다. 따라서, ADC(121B)는 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전압, 즉, "SVdata1-Vth1"를 센싱할 수 있다.The u th reference voltage line Ru is connected to the
네 번째로, 제4 기간(t4") 동안 제1 스위칭 트랜지스터(ST1), 제2 스위칭 트랜지스터(ST2), 제1 스위치(SW1), 및 제2 스위치(SW2)가 모두 턴-오프된다.Fourth, the first switching transistor ST1, the second switching transistor ST2, the first switch SW1, and the second switch SW2 are both turned off during the fourth period t4 ".
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 명세서의 실시예는 제2 센싱 모드에서 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압(Vth1)이 반영된 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전압 "SVdata1-Vth1"를 센싱할 수 있다.As described above, the embodiment of the present invention can sense the source voltage "SVdata1-Vth1" of the driving transistor DT in which the threshold voltage Vth1 of the driving transistor DT is reflected in the second sensing mode.
도 7은 본 명세서의 일 실시예에 따른 발광 표시장치의 제1 기판을 상세히 보여주는 평면도이다.FIG. 7 is a plan view illustrating a first substrate of a light emitting display according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG.
도 7에서는 설명의 편의를 위해 제1 기판(111), 표시영역(DA), 패드영역(PA) 화소(P)들, 제1 전원전압 라인들(VDDL), 및 제2 전극(263)만을 도시하였다.7, only the
도 7을 참조하면, 제1 기판(111) 상에는 화소(P)들을 포함하여 화상을 표시하는 표시영역(DA)이 형성된다. 화소(P)들 각각은 제1 내지 제4 서브 화소들(SP1, SP2, SP3, SP4)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 내지 제4 서브 화소들(SP1, SP2, SP3, SP4)은 적색 서브 화소, 녹색 서브 화소, 청색 서브 화소, 및 백색 서브 화소일 수 있다. 도 7에서는 화소(P)들 각각이 4 개의 서브 화소들을 포함하는 것을 예시하였으나, 본 명세서의 실시예들은 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 화소(P)들 각각은 3 개의 서브 화소들만을 포함할 수 있다. 이 경우, 3 개의 서브 화소들은 적색 서브 화소, 녹색 서브 화소, 및 청색 서브 화소일 수 있다.Referring to FIG. 7, a display area DA for displaying an image including pixels P is formed on a
제1 전원전압 라인(VDDL)들은 수평 라인(HL)들과 수직 라인(VL)들을 포함한다. 수직 라인(VL)들 각각은 표시영역(DA)에서 서브 화소들(SP1, SP2, SP3, SP4) 각각을 가로지르도록 형성될 수 있다. 이를 위해, 수직 라인(VL)들 각각은 표시영역(DA)에서 데이터 라인들(D1~Dm)과 나란하게 제1 방향(Y축 방향)으로 형성될 수 있다. 이로 인해, 서브 화소들(SP1, SP2, SP3, SP4) 각각은 수직 라인(VL)들 중 어느 하나로부터 제1 전원전압(VDD1)을 인가받을 수 있다.The first power supply voltage lines VDDL include horizontal lines HL and vertical lines VL. Each of the vertical lines VL may be formed to intersect each of the sub-pixels SP1, SP2, SP3, SP4 in the display area DA. To this end, each of the vertical lines VL may be formed in a first direction (Y-axis direction) in parallel with the data lines D1 to Dm in the display area DA. Thus, each of the sub-pixels SP1, SP2, SP3, and SP4 can receive the first power source voltage VDD1 from any one of the vertical lines VL.
제1 방향(Y축 방향)으로 형성된 수직 라인(VL)들을 서로 연결하기 위해, 수평 라인(HL)들이 비표시영역에서 스캔 라인들(S1~Sn)과 나란하게 제2 방향(X축 방향)으로 형성될 수 있다. 수평 라인(HL)들은 패드영역(PA)가 형성되는 표시영역(DA)의 일 측 바깥쪽에 형성될 수 있다. 또한, 수직 라인(VL)들은 적어도 하나의 수평 라인(HL)에 공통으로 접속될 수 있다. 도 7에서는 비표시영역에서 제2 방향(X축 방향)으로 형성된 하나의 수평 라인(HL)에 의해 4개의 수직 라인(VL)들이 서로 연결된 것을 예시하였으나, 본 명세서의 실시예들은 이에 한정되지 않는다.The horizontal lines HL are aligned in the second direction (X-axis direction) in parallel with the scan lines S1 to Sn in the non-display region, in order to connect the vertical lines VL formed in the first direction (Y- As shown in FIG. The horizontal lines HL may be formed on one side of the display area DA in which the pad area PA is formed. Further, the vertical lines VL may be connected in common to at least one horizontal line HL. In FIG. 7, four vertical lines VL are connected to each other by one horizontal line HL formed in the second direction (X-axis direction) in the non-display area, but the embodiments of the present invention are not limited thereto .
화소(P)들은 복수의 그룹들로 구분될 수 있다. 화소(P)들은 하나의 수평 라인(HL)과 하나의 수평 라인(HL)에 접속된 수직 라인(VL)들을 기준으로 구분될 수 있다. 예를 들어, 도 7에서는 가장 좌측에 형성된 수평 라인(HL)에 접속된 수직 라인(VL)들에 접속된 서브 화소들(SP1, SP2, SP3, SP4)을 포함하는 화소(P)들을 제1 그룹(G1)의 화소(P)들로 정의하였다. 또한, 도 7에서는 좌측으로부터 두 번째에 형성된 수평 라인(HL)에 접속된 수직 라인(VL)들에 접속된 서브 화소들(SP1, SP2, SP3, SP4)을 포함하는 화소(P)들을 제2 그룹(G1)의 화소(P)들로 정의하였다. 또한, 도 7에서는 가장 우측에 형성된 수평 라인(HL)에 접속된 수직 라인(VL)들에 접속된 서브 화소들(SP1, SP2, SP3, SP4)을 포함하는 화소(P)들을 제s(s는 2 이상의 양의 정수) 그룹(Gs)의 화소(P)들로 정의하였다.The pixels P may be divided into a plurality of groups. The pixels P may be divided based on one horizontal line HL and vertical lines VL connected to one horizontal line HL. For example, in FIG. 7, pixels P including sub-pixels SP1, SP2, SP3, and SP4 connected to vertical lines VL connected to a horizontal line HL formed on the left- (P) of the group G1. 7, pixels P including sub-pixels SP1, SP2, SP3, and SP4 connected to vertical lines VL connected to a horizontal line HL formed second from the left are referred to as second (P) of the group G1. 7, the pixels P including the sub-pixels SP1, SP2, SP3, and SP4 connected to the vertical lines VL connected to the horizontal line HL formed on the rightmost side are referred to as s Is defined as pixels (P) of a group (Gs) of two or more positive integers).
제2 전극(263)은 캐소드 전극일 수 있으며, 이에 따라 제2 전극(263)에는 제2 전원전압이 인가될 수 있다. 제2 전극(263)은 표시영역(DA)을 덮도록 배치될 수 있다.The
한편, 비표시영역 중에서 제1 전원전압 라인(VDDL)과 제2 전극(263)이 중첩되는 영역에서 제1 전원전압 라인(VDDL)과 제2 전극(263) 간의 거리가 도 8과 같이 가까워 제1 전원전압 라인(VDDL)과 제2 전극(263)이 단락(short circuit)되는 경우가 발생할 수 있다. 제1 전원전압(VDD)은 고전위 전압이고 제2 전원전압(VSS)은 저전위 전압에 해당하므로, 제1 전원전압 라인(VDDL)과 제2 전극(263)이 단락되는 경우, 제1 전원전압 라인(VDDL)의 제1 전원전압으로부터 제2 전극(263)으로 누설 전류가 흐를 수 있다. 이로 인해, 제1 전원전압(VDD)의 전위가 낮아질 수 있다. 이하에서는, 도 8을 결부하여 이에 대하여 상세히 설명한다.On the other hand, the distance between the first power supply voltage line (VDDL) and the
도 8은 표시영역과 비표시영역에서 발광 표시장치의 일 예를 보여주는 단면도이다.8 is a cross-sectional view showing an example of a light emitting display device in a display area and a non-display area.
도 8을 참조하면, 제1 기판(111) 상에 박막 트랜지스터층이 형성될 수 있다. 박막 트랜지스터층에는 박막 트랜지스터(210)들, 스캔 라인들(S1~Sn), 데이터 라인들(D1~Dm), 초기화 전압 라인(VIL)들, 제1 전원전압 라인(VDDL)들 등이 형성될 수 있다.Referring to FIG. 8, a thin film transistor layer may be formed on the
박막 트랜지스터(210)들 각각은 액티브층(211), 게이트전극(212), 소스전극(213) 및 드레인전극(214)을 포함한다. 제1 기판(111) 상에는 액티브층(211)이 형성된다. 액티브층(211)은 실리콘계 반도체 물질 또는 산화물계 반도체 물질로 형성될 수 있다. 실리콘계 반도체 물질로는 비정질실리콘(Amorphous Silicon) 또는 다결정실리콘(Polycrystalline Silicon)이 이용될 수 있다.Each of the
액티브층(211)은 p형 또는 n형의 불순물을 포함하는 소스 영역(Source Region)과 드레인 영역(Drain Region), 및 소스 영역 및 드레인 영역 사이에 형성된 채널(Channel)을 포함할 수 있고, 채널과 인접한 소스 영역 및 드레인 영역 사이에는 저농도 도핑영역을 포함할 수 있다.The
제1 기판(111)과 액티브층(211) 사이에는 액티브층(211)으로 입사되는 외부광을 차단하기 위한 차광층이 형성될 수 있다.A light shielding layer for shielding external light incident on the
액티브층(211) 상에는 게이트 절연막(220)이 형성될 수 있다. 게이트 절연막(220)은 무기막, 예를 들어 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx), 또는 이들의 다중막으로 형성될 수 있다.A
게이트 절연막(220) 상에는 게이트전극(212), 스캔 라인들, 및 초기화 전압 라인(VRL)들이 형성될 수 있다. 게이트전극(212), 스캔 라인들, 및 초기화 전압 라인(VRL)들은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다.A
게이트전극(212), 스캔 라인들, 및 초기화 전압 라인들 상에는 층간 절연막(230)이 형성될 수 있다. 층간 절연막(230)은 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx), 또는 이들의 다중막으로 형성될 수 있다.An interlayer insulating
층간 절연막(230) 상에는 소스전극(213), 드레인전극(214), 데이터 라인들, 및 제1 전원전압 라인(VDDL)들이 형성될 수 있다. 소스전극(213)과 드레인 전극(214) 각각은 게이트 절연막(220)과 층간 절연막(230)을 관통하는 콘택홀을 통해 액티브층(211)에 접속될 수 있다. 소스전극(213), 드레인전극(214), 데이터 라인들, 및 제1 전원전압 라인(VDDL)들은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다.A source electrode 213, a
소스전극(213), 드레인전극(214), 데이터 라인들, 및 제1 고전위 전압 라인(VDDL)들 상에는 박막 트랜지스터(220)를 절연하기 위한 보호막(240)이 형성될 수 있다. 보호막(240)은 실리콘 질화막(SiNx)으로 형성될 수 있다.A
보호막(240) 상에는 박막 트랜지스터(210)로 인한 단차를 평탄하게 하기 위한 평탄화막(250)이 형성될 수 있다. 평탄화막(250)은 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등의 유기막으로 형성될 수 있다.The
발광 소자들과 뱅크(264)는 평탄화막(250)과 경사막(251) 상에 형성된다. 발광 소자는 제1 전극(261), 발광층(262), 및 제2 전극(263)을 포함할 수 있다. 제1 전극(261)은 애노드 전극이고, 제2 전극(263)은 캐소드 전극일 수 있다.The light emitting elements and the
제1 전극(261)은 평탄부(FA)에서 평탄화막(250) 상에 형성될 수 있다. 제1 전극(261)은 보호막(240)과 평탄화막(250)을 관통하는 콘택홀을 통해 박막 트랜지스터(210)의 소스전극(213) 또는 드레인전극(214)에 접속될 수 있다. 제1 전극(261)은 알루미늄과 티타늄의 적층 구조(Ti/Al/Ti), 알루미늄과 ITO의 적층 구조(ITO/Al/ITO), APC 합금, 및 APC 합금과 ITO의 적층 구조(ITO/APC/ITO)과 같은 반사율이 높은 금속물질로 형성될 수 있다. APC 합금은 은(Ag), 팔라듐(Pd), 및 구리(Cu)의 합금이다.The
뱅크(264)는 평탄화막(250) 상에 형성될 수 있다. 구체적으로, 뱅크(264)는 평탄화막(250) 상에 배치된 제1 전극(261)의 일부를 덮도록 형성될 수 있다. 뱅크(264)는 서브 화소들(SP1, SP2, SP3, SP4) 각각의 발광 영역들을 정의할 수 있다. 즉, 발광 영역은 제1 전극(261), 발광층(262), 및 제2 전극(263)이 순차적으로 적층되어 제1 전극(261)으로부터의 정공과 제2 전극(263)으로부터의 전자가 발광층(262)에서 서로 결합되어 발광하는 영역일 수 있다. 뱅크(264)가 형성된 영역은 비발광 영역일 수 있다.The
뱅크(264) 상에는 스페이서가 형성될 수 있다. 뱅크(264)와 스페이서는 각각 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등의 유기막으로 형성될 수 있다.A spacer may be formed on the
제1 전극(261) 상에는 발광층(262)이 형성된다. 발광층(262)은 정공 수송층(Hole Transport Layer; HTL), 유기발광층, 및 전자 수송층(Electron Transport Layer; ETL)을 포함할 수 있다. 정공 수송층은 제1 전극(261)으로부터 주입된 정공을 유기발광층으로 원활하게 전달하는 역할을 한다. 유기발광층은 인광 또는 형광물질을 포함하는 유기물질로 형성될 수 있다. 전자 수송층은 제2 전극(263)으로부터 주입된 전자를 유기발광층으로 원활하게 전달하는 역할을 한다. 발광층(262)은 정공 수송층, 유기발광층, 전자 수송층 이외에, 정공 주입층(Hole Injection Layer; HIL), 정공 저지층(Hole Blocking Layer; HBL), 전자 주입층(Electron Injection Layer; EIL), 및 전자 저지층(Electron Blocking Layer; EBL)을 더 포함할 수 있다.A
또한, 발광층(262)은 2 스택(stack) 이상의 탠덤 구조(tandem structure)로 형성될 수 있다. 이 경우, 스택들 각각이 정공 수송층, 유기발광층, 전자 수송층을 포함할 수 있다. 발광층(262)이 2 스택(stack) 이상의 탠덤 구조로 형성되는 경우, 스택들 사이에는 전하 생성층이 형성될 수 있다. 전하 생성층은 하부 스택과 인접하게 위치하는 n형 전하 생성층과 n형 전하 생성층 상에 형성되어 상부 스택과 인접하게 위치하는 p형 전하 생성층을 포함할 수 있다. n형 전하 생성층은 하부 스택으로 전자(electron)를 주입해주고, p형 전하 생성층은 상부 스택으로 정공(hole)을 주입해준다. n형 전하 생성층은 전자수송능력이 있는 유기 호스트 물질에 Li, Na, K, 또는 Cs와 같은 알칼리 금속, 또는 Mg, Sr, Ba, 또는 Ra와 같은 알칼리 토금속이 도핑된 유기층일 수 있다. p형 전하 생성층은 정공수송능력이 있는 유기 호스트 물질에 도펀트가 도핑된 유기층일 수 있다.In addition, the
발광층(262)은 발광 영역(EA)들 각각에 형성될 수 있다. 이 경우, 발광층(262)은 발광 영역(EA)별로 적색 광을 발광하는 적색 발광층, 녹색 광을 발광하는 녹색 발광층, 및 청색 광을 발광하는 청색 발광층으로 구분될 수 있다. 하지만, 본 명세서의 실시예들은 이에 한정되지 않으며, 발광층(262)은 발광 영역(EA)들에 공통적으로 형성되는 공통층일 수 있으며, 이 경우 백색 광을 발광하는 백색 발광층일 수 있다. 발광층(262)이 발광 영역(EA)들에 공통층으로 형성되는 경우, 컬러필터들이 필요하다.The
제2 전극(263)은 발광층(262) 상에 형성된다. 제2 전극(263)은 발광층(262)을 덮도록 형성될 수 있다. 제2 전극(263)은 화소들에 공통적으로 형성되는 공통층일 수 있다.The
제2 전극(263)은 광을 투과시킬 수 있는 ITO, IZO와 같은 투명한 금속물질(TCO, Transparent Conductive Material), 또는 마그네슘(Mg), 은(Ag), 또는 마그네슘(Mg)과 은(Ag)의 합금과 같은 반투과 금속물질(Semi-transmissive Conductive Material)로 형성될 수 있다. 제2 전극(263)이 반투과 금속물질로 형성되는 경우, 미세 공진(micro cavity)에 의해 출광 효율이 높아질 수 있다. 제2 전극(263) 상에는 캡핑층(capping layer)이 형성될 수 있다.The
발광 소자층 상에는 봉지막(280) 형성된다. 봉지막(280)은 발광층(262)과 제2 전극(263)에 산소 또는 수분이 침투되는 것을 방지하는 역할을 한다. 이를 위해, 봉지막(280)은 적어도 하나의 무기막(281, 283)을 포함할 수 있다. 적어도 하나의 무기막(281, 283)은 실리콘 질화물, 알루미늄 질화물, 지르코늄 질화물, 티타늄 질화물, 하프늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물, 및 티타늄 산화물 중 적어도 하나로 형성될 수 있다.A sealing
그리고, 봉지막(280)은 이물들(particles)이 발광층(282)과 제2 전극(283)에 투입되는 것을 방지하는 이물 커버층(particle cover layer)으로 역할을 하기 위해 충분한 두께로 형성되는 적어도 하나의 유기막(282)을 포함할 수 있다. 유기막(282)은 발광층(262)에서 발광된 광을 통과시키기 위해 투명한 물질로 형성될 수 있다. 유기막은 발광층(262)에서 발광된 광을 99% 이상 통과시킬 수 있는 유기물질 예를 들면, 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin) 또는 폴리이미드 수지(polyimide resin)로 형성될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.The sealing
도 6에서는 제2 전극(283) 상에 제1 무기막(281)이 형성되고, 제1 무기막(281) 상에 유기막(282)이 형성되며, 유기막(282) 상에 제2 무기막(283)이 형성된 것을 예시하였으나, 본 명세서의 실시예들은 이에 한정되지 않는다.6, a first
봉지막(280) 상에는 봉지막(280)과 상부 기판(300)을 접착하기 위한 접착층(290)이 배치될 수 있다. 접착층(290)은 투명한 접착 필름 또는 투명한 접착 레진일 수 있다. 제2 기판(120)은 봉지 필름 또는 배리어 필름일 수 있다.An
한편, 도 8에서는 제1 전원전압 라인(VDDL)이 소스 전극(214) 및 드레인 전극(215)과 같이 층간 절연막(230) 상에 형성되는 것을 예시하였으나, 본 명세서의 실시예들은 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 제1 전원전압 라인(VDDL)은 비표시영역(NDA)에서 게이트 전극(211)과 같이 게이트 절연막(220) 상에 형성될 수 있으며, 또는 제1 기판(111)과 액티브층(211) 사이에 형성되는 차광층과 같이 제1 기판(111) 상에 형성될 수도 있다.8, the first power supply voltage line VDDL is formed on the
도 8과 같이 비표시영역(NDA)에는 평탄화막(250)이 형성되지 않으므로, 제1 전원전압 라인(VDDL)과 제2 전극(263) 간의 거리가 가까워지므로, 제1 전원전압 라인(VDDL)과 제2 전극(263)이 서로 단락(short circuit)될 수 있다. 제1 전원전압(VDD)은 고전위 전압이고 제2 전원전압(VSS)은 저전위 전압에 해당하므로, 제1 전원전압 라인(VDDL)과 제2 전극(263)이 단락되는 경우, 제1 전원전압 라인(VDDL)의 제1 전원전압으로부터 제2 전극(263)으로 누설 전류가 흐를 수 있다. 이로 인해, 제1 전원전압(VDD)의 전위가 낮아질 수 있다.Since the
도 9는 A 지점에서 제1 전원전압 라인과 제2 전극이 단락된 경우 제1 그룹의 화소들로부터 센싱되는 제1 센싱 데이터와 제2 그룹의 화소들로부터 센싱되는 제1 센싱 데이터를 보여주는 일 예시도면이다.9 illustrates an example of first sensing data sensed from pixels of a first group and first sensing data sensed from pixels of a second group when the first power supply voltage line and the second electrode are short-circuited at point A FIG.
도 9에서는 제1 그룹(G1)의 화소(P)들에 접속된 제1 전원전압 라인(VDDL)이 A 지점에서 제2 전극(263)과 단락된 경우, 제1 그룹(G1)의 화소들로부터 센싱되는 제1 센싱 데이터(SD1)와 제2 그룹(G2)의 화소들로부터 센싱되는 제1 센싱 데이터(SD1)가 나타나 있다. 도 9에서 X축은 화소(P)들이 배치된 수평 라인들을 나타내며, Y축은 제1 센싱 데이터(SD1)를 나타낸다. X축의 제1 수평 라인은 패드영역(PA)에 가장 근접한 수평 라인에 해당하며, 제n 수평 라인은 패드영역(PA)으로부터 가장 멀리 떨어진 수평 라인에 해당한다.9, when the first power supply voltage line VDDL connected to the pixels P of the first group G1 is short-circuited with the
도 9를 참조하면, A 지점은 패드영역(PA)이 형성되는 표시영역(DA)의 일 측 바깥쪽의 반대쪽에 해당하는 타 측 바깥쪽의 어느 한 지점으로 정의될 수 있다. 제1 전원전압(VDD)은 패드영역(PA)의 패드들을 통해 제1 전원전압 라인(VDDL)으로 공급된다. 따라서, 표시영역(DA)의 타 측 바깥쪽에서 제1 전원전압 라인(VDDL)이 제2 전극(263)과 단락된 경우, 제1 전원전압(VDD1)은 표시영역(DA)의 일 측에서 타 측으로 갈수록 낮아질 수 있다. 이로 인해, A 지점에서 제1 전원전압 라인(VDDL)이 제2 전극(263)과 단락된 제1 그룹(G1)의 화소(P)들로부터 센싱되는 제1 센싱 데이터(SG1) 역시 표시영역(DA)의 일 측에서 타 측으로 갈수록 낮아질 수 있다. 특히, 표시영역(DA)의 타 측에서 제1 그룹(G1)의 화소(P)들로부터 센싱되는 제1 센싱 데이터(SG1)와 제2 그룹(G2)의 화소(P)들로부터 센싱되는 제1 센싱 데이터(SG2)는 도 9와 같이 임계값(TH) 이상으로 차이가 날 수 있다. 따라서, 제1 그룹(G1)의 화소(P)들로부터 센싱되는 제1 센싱 데이터(SG1)와 제2 그룹(G2)의 화소(P)들로부터 센싱되는 제1 센싱 데이터(SG2)가 임계값(TH) 이상으로 차이가 나는 경우, 제1 전원전압 라인(VDDL1)과 제2 전극(263) 간에 단락이 발생했다고 판단할 수 있다.Referring to FIG. 9, the point A may be defined as a point outside the other side corresponding to the opposite side of one side of the display area DA in which the pad area PA is formed. The first power supply voltage VDD is supplied to the first power supply voltage line VDDL through the pads of the pad region PA. Therefore, when the first power supply voltage line VDDL is short-circuited with the
도 10은 B 지점에서 제1 전원전압 라인과 제2 전극이 단락된 경우 제1 그룹의 화소들로부터 센싱되는 제1 센싱 데이터와 제2 그룹의 화소들로부터 센싱되는 제1 센싱 데이터를 보여주는 일 예시도면이다.10 is an example showing first sensing data sensed from pixels of the first group and first sensing data sensed from pixels of the second group when the first power supply voltage line and the second electrode are short-circuited at point B FIG.
도 10에서는 제2 그룹(G2)의 화소(P)들에 접속된 제1 전원전압 라인(VDDL)이 B 지점에서 제2 전극(263)과 단락된 경우, 제1 그룹(G1)의 화소들로부터 센싱되는 제1 센싱 데이터(SD1)와 제2 그룹(G2)의 화소들로부터 센싱되는 제1 센싱 데이터(SD1)가 나타나 있다. 도 10에서 X축은 화소(P)들이 배치된 수평 라인들을 나타내며, Y축은 제1 센싱 데이터(SD1)를 나타낸다. X축의 제1 수평 라인은 패드영역(PA)에 가장 근접한 수평 라인에 해당하며, 제n 수평 라인은 패드영역(PA)으로부터 가장 멀리 떨어진 수평 라인에 해당한다.10, when the first power supply voltage line VDDL connected to the pixels P of the second group G2 is shorted to the
도 10을 참조하면, B 지점은 패드영역(PA)이 형성되는 표시영역(DA)의 일 측 바깥쪽의 어느 한 지점으로 정의될 수 있다. 제1 전원전압(VDD)은 패드영역(PA)의 패드들을 통해 제1 전원전압 라인(VDDL)으로 공급된다. 따라서, 표시영역(DA)의 일 측 바깥쪽에서 제1 전원전압 라인(VDDL)이 제2 전극(263)과 단락된 경우, 제1 전원전압(VDD1)은 표시영역(DA)의 일 측에서부터 낮아지며, 일 측 내지 타 측에서 모두 낮아질 수 있다. 이로 인해, 도 10과 같이 B 지점에서 제1 전원전압 라인(VDDL)이 제2 전극(263)과 단락된 제2 그룹(G2)의 화소(P)들로부터 센싱되는 제1 센싱 데이터(SG2)는 표시영역(DA)의 일 측 내지 타 측에서 제1 그룹(G1)의 화소(P)들로부터 센싱되는 제1 센싱 데이터(SG1)와 임계값(TH) 이상으로 차이가 날 수 있다. 따라서, 제1 그룹(G1)의 화소(P)들로부터 센싱되는 제1 센싱 데이터(SG1)와 제2 그룹(G2)의 화소(P)들로부터 센싱되는 제1 센싱 데이터(SG2)가 임계값(TH) 이상으로 차이가 나는 경우, 제1 전원전압 라인(VDDL1)과 제2 전극(263) 간에 단락이 발생했다고 판단할 수 있다.Referring to FIG. 10, the point B may be defined as a point outside one side of the display area DA in which the pad area PA is formed. The first power supply voltage VDD is supplied to the first power supply voltage line VDDL through the pads of the pad region PA. Accordingly, when the first power supply voltage line VDDL is short-circuited with the
도 9와 도 10에서는 제1 센싱 데이터(SD1)를 예시하였으나, A 지점과 B 지점에서 제1 전원전압 라인(VDDL)이 제2 전극(263)과 단락된 경우, 제2 센싱 데이터(SD2) 역시 제1 센싱 데이터(SD1)와 유사한 형태로 센싱될 수 있다.9 and 10 illustrate the first sensing data SD1. However, when the first power supply voltage line VDDL is short-circuited to the
도 11은 본 명세서의 일 실시예에 따른 발광 표시장치의 구동방법을 보여주는 흐름도이다.11 is a flowchart illustrating a method of driving a light emitting display according to an embodiment of the present invention.
도 11을 참조하면, 첫 번째로, 타이밍 제어부(170)는 현재 모드가 제1 센싱 모드인지를 판단한다. (도 11의 S101)Referring to FIG. 11, first, the
제1 센싱 모드에서 메모리(180)에 저장된 제1 센싱 디지털 데이터(PDATA1)와 데이터 타이밍 제어신호(DCS)를 데이터전압 공급부(121A)로 출력하고, 스캔 타이밍 제어신호(SCS)를 스캔신호 출력부(131)로 출력하며, 센싱 타이밍 제어신호(SENCS)를 센싱신호 출력부(132)로 출력한다. 이로 인해, 타이밍 제어부(170)는 제1 센싱 모드에서 ADC(121B)로부터 제1 센싱 데이터(SD1)를 입력받을 수 있다. 제1 센싱 데이터(SD1)는 제1 센싱 모드에서 화소(P)들에 제1 센싱 데이터전압을 공급한 경우, 화소(P)들에서 센싱되는 제1 센싱 전압들을 ADC(121B)에서 디지털 데이터로 변환한 데이터이다.The first sensing digital data PDATA1 and the data timing control signal DCS stored in the
두 번째로, 타이밍 제어부(170)는 제1 센싱 모드에서 제1 센싱 데이터(SD1)를 분석하여 제1 전원전압 라인(VDDL)과 제2 전극(263) 간의 단락 여부를 판단한다. (도 11의 S102)Second, the
타이밍 제어부(170)는 화소(P)들을 복수의 그룹들로 구분하고, 복수의 그룹들 중 제1 그룹(G1)의 화소(P)들의 제1 센싱 데이터(SG1)와 제2 그룹(G2)의 화소(P)들의 제1 센싱 데이터(SG2) 간의 차이가 임계값(TH) 이상인지를 판단한다. 도 9 및 도 10과 같이 제1 그룹(G1)의 화소(P)들의 제1 센싱 데이터(SG1)와 제2 그룹(G2)의 화소(P)들의 제1 센싱 데이터(SG2) 간의 차이가 임계값(TH) 이상인 경우, 제1 전원전압 라인(VDDL)과 제2 전극(263) 사이에 단락이 발생했다고 판단할 수 있다. 임계값(TH)은 사전 실험을 통해 적절한 값으로 미리 결정될 수 있다.The
구체적으로, 도 9 및 도 10과 같이 제1 전원전압 라인(VDDL)과 제2 전극(263)의 단락 위치에 따라 제2 전극(263)과 단락된 제1 전원전압 라인(VDDL)에 접속된 화소(P)들의 제1 센싱 데이터(SD1)가 달라진다. 따라서, 타이밍 제어부(170)는 동일한 스캔 라인에 접속된 제1 그룹(G1)의 화소(P)의 제1 센싱 데이터(SG1)와 제2 그룹(G2)의 화소(P)의 제1 센싱 데이터(SG2) 간의 차이가 임계값(TH) 이상인지를 판단한다. 예를 들어, 타이밍 제어부(170)는 제k 스캔 라인에 접속된 제1 그룹(G1)의 화소(P)의 제1 센싱 데이터(SG1)와 제2 그룹(G2)의 화소(P)의 제1 센싱 데이터(SG2) 간의 차이가 임계값(TH) 이상인지를 판단할 수 있다.9 and 10, the
세 번째로, 타이밍 제어부(170)는 현재 모드가 제2 센싱 모드인지를 판단한다. (도 11의 S103)Third, the
제2 센싱 모드에서 메모리(180)에 저장된 제2 센싱 디지털 데이터(PDATA2)와 데이터 타이밍 제어신호(DCS)를 데이터전압 공급부(121A)로 출력하고, 스캔 타이밍 제어신호(SCS)를 스캔신호 출력부(131)로 출력하며, 센싱 타이밍 제어신호(SENCS)를 센싱신호 출력부(132)로 출력한다. 이로 인해, 타이밍 제어부(170)는 제2 센싱 모드에서 ADC(121B)로부터 제2 센싱 데이터(SD2)를 입력받을 수 있다. 제2 센싱 데이터(SD2)는 제2 센싱 모드에서 화소(P)들에 제2 센싱 데이터전압을 공급한 경우, 화소(P)들에서 센싱되는 제2 센싱 전압들을 ADC(121B)에서 디지털 데이터로 변환한 데이터이다.And outputs the second sensing digital data PDATA2 and the data timing control signal DCS stored in the
네 번째로, 타이밍 제어부(170)는 제2 센싱 모드에서 제2 센싱 데이터(SD2)를 분석하여 제1 전원전압 라인(VDDL)과 제2 전극(263) 간의 단락 여부를 판단한다. (도 11의 S104)Fourth, the
타이밍 제어부(170)는 화소(P)들을 복수의 그룹들로 구분하고, 복수의 그룹들 중 제1 그룹(G1)의 화소(P)들의 제2 센싱 데이터와 제2 그룹(G2)의 화소(P)들의 제2 센싱 데이터 간의 차이가 임계값(TH) 이상인지를 판단한다. 도 9 및 도 10과 같이 제1 그룹(G1)의 화소(P)들의 제2 센싱 데이터와 제2 그룹(G2)의 화소(P)들의 제2 센싱 데이터 간의 차이가 임계값(TH) 이상인 경우, 제1 전원전압 라인(VDDL)과 제2 전극(263) 사이에 단락이 발생했다고 판단할 수 있다. 임계값(TH)은 사전 실험을 통해 적절한 값으로 미리 결정될 수 있다.The
구체적으로, 도 9 및 도 10과 같이 제1 전원전압 라인(VDDL)과 제2 전극(263)의 단락 위치에 따라 제2 전극(263)과 단락된 제1 전원전압 라인(VDDL)에 접속된 화소(P)들의 제2 센싱 데이터(SD2)가 달라진다. 타이밍 제어부(170)는 동일한 스캔 라인에 접속된 제1 그룹(G1)의 화소(P)의 제2 센싱 데이터와 제2 그룹(G2)의 화소(P)의 제2 센싱 데이터 간의 차이가 임계값(TH) 이상인지를 판단한다. 예를 들어, 타이밍 제어부(170)는 제k 스캔 라인에 접속된 제1 그룹(G1)의 화소(P)의 제2 센싱 데이터와 제2 그룹(G2)의 화소(P)의 제2 센싱 데이터 간의 차이가 임계값(TH) 이상인지를 판단할 수 있다.9 and 10, the
다섯 번째로, 타이밍 제어부(170)는 제1 그룹(G1)의 화소(P)들의 제1 센싱 데이터(SG1) 또는 제2 센싱 데이터와 제2 그룹(G2)의 화소(P)들의 제1 센싱 데이터(SG2) 또는 제2 센싱 데이터 간의 차이가 임계값(TH) 이상인 경우 제1 로직 레벨 전압의 오류 감지 신호(EDS)를 시스템 온 칩(200)으로 출력하고, 그 차이가 상기 임계 값보다 작은 경우 제2 로직 레벨 전압의 오류 감지 신호(EDS)를 시스템 온 칩(200)으로 출력한다. (도 11의 S105)Fifthly, the
시스템 온 칩(200)은 제1 로직 레벨 전압의 오류 감지 신호(EDS)가 입력되는 경우, 제1 로직 레벨 전압의 차단 신호(BS)를 메인 전원 공급부(230)에 출력한다. 시스템 온 칩(200)은 타이밍 제어부(170)로부터 제2 로직 레벨 전압의 오류 감지 신호(EDS)가 입력되는 경우, 제2 로직 레벨 전압의 차단 신호(BS)를 메인 전원 공급부(230)에 출력한다.The system on
메인 전원 공급부(230)는 제1 로직 레벨 전압의 차단 신호(BS)가 입력되는 경우, 메인 전원(MV)을 출력하지 않는다. 이로 인해, 전원 공급부(190)에는 메인 전원(MV)이 공급되지 않으므로, 전원 공급부(190)는 기준전압(VREF)뿐만 아니라 제1 전원전압(VDD), 제2 전원전압(VSS), 및 여러 구동 전압들을 출력하지 않는다. 메인 전원 공급부(230)는 제2 로직 레벨 전압의 차단 신호(BS)가 입력되는 경우, 메인 전원(MV)을 출력한다. 이로 인해, 전원 공급부(190)에는 메인 전원(MV)이 공급되므로, 전원 공급부(190)는 기준전압(VREF)뿐만 아니라 제1 전원전압(VDD), 제2 전원전압(VSS), 및 여러 구동 전압들을 출력할 수 있다.The main
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 명세서의 실시예들은 제1 센싱 모드에서 센싱되는 제1 센싱 데이터(SD1) 또는 제2 센싱 모드에서 센싱되는 제2 센싱 데이터(SD2)를 분석하여 고전위 전압이 공급되는 제1 전원전압 라인(VDDL)과 저전위 전압이 공급되는 제2 전극(263) 간의 단락을 검출할 수 있으며, 단락이 검출되는 경우 오류 감지 신호(EDS)를 출력하여 메인 전원(MV)의 공급을 차단할 수 있다. 그 결과, 본 명세서의 실시예들은 제1 전원전압 라인(VDDL)으로부터 제2 전극(263)으로 과전류가 흐르는 것을 방지할 수 있으므로, 표시패널(110)이 타버리는 번트(burnt)가 발생하는 것을 방지할 수 있다.As described above, the embodiments of the present invention analyze the first sensing data SD1 sensed in the first sensing mode or the second sensing data SD2 sensed in the second sensing mode, It is possible to detect a short circuit between the first power supply voltage line VDDL and the
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 청구 범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although the embodiments of the present invention have been described in detail with reference to the accompanying drawings, it is to be understood that the present invention is not limited to those embodiments and various changes and modifications may be made without departing from the scope of the present invention. . Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are intended to illustrate rather than limit the scope of the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. Therefore, it should be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive. The scope of protection of the present invention should be construed according to the claims, and all technical ideas within the scope of equivalents should be interpreted as being included in the scope of the present invention.
110: 표시패널
111: 하부 기판
112: 상부 기판
120: 데이터 구동부
121: 소스 드라이브 IC
121A: 데이터전압 공급부
121B: 아날로그 디지털 컨버터
121C: 스위칭부
122: 연성필름
130: 스캔 구동부
131: 스캔신호 출력부
132: 센싱신호 출력부
140: 소스 회로보드
150: 제1 연성 케이블
160: 제어 회로보드
170: 타이밍 제어부
180: 메모리
190: 전압 공급부
200: 시스템 온 칩
210: 시스템 회로보드
220: 제2 연성 케이블
230: 메인 전원 공급부110: display panel 111: lower substrate
112: upper substrate 120: data driver
121:
121B: Analogue
122: flexible film 130: scan driver
131: scan signal output unit 132: sensing signal output unit
140: source circuit board 150: first flexible cable
160: control circuit board 170: timing control unit
180: memory 190: voltage supply
200: system on chip 210: system circuit board
220: second flexible cable 230: main power supply
Claims (13)
상기 센싱 라인들을 통해 상기 화소들로부터 센싱 전압들을 센싱하고, 상기 센싱 전압들을 디지털 데이터인 센싱 데이터로 변환하여 출력하는 표시패널 구동부; 및
상기 표시패널 구동부로부터 상기 센싱 데이터를 입력받는 타이밍 제어부를 구비하고,
상기 화소들은 복수의 그룹들로 구분되고,
상기 타이밍 제어부는 상기 복수의 그룹들 중 상기 제1 그룹의 화소들의 센싱 데이터와 상기 복수의 그룹들 중 제2 그룹의 화소들의 센싱 데이터 간의 차이가 임계 값 이상인 경우 제1 로직 레벨 전압의 오류 감지 신호를 출력하고, 그 차이가 상기 임계 값보다 작은 경우 제2 로직 레벨 전압의 오류 감지 신호를 출력하는 것을 특징으로 하는 발광 표시장치.A display panel including pixels connected to the sensing lines;
A display panel driver that senses sensing voltages from the pixels through the sensing lines, converts the sensing voltages into digital data sensing data, and outputs the sensing data; And
And a timing controller for receiving the sensing data from the display panel driver,
The pixels are divided into a plurality of groups,
Wherein the timing control unit is configured to output the error detection signal of the first logic level voltage when the difference between the sensing data of the first group of pixels among the plurality of groups and the sensing data of the pixels of the second group among the plurality of groups is equal to or greater than a threshold value, And outputs an error detection signal of a second logic level voltage when the difference is smaller than the threshold value.
상기 타이밍 제어부로부터 상기 제1 로직 레벨 전압의 오류 감지 신호가 입력되는 경우 제1 로직 레벨 전압의 차단 신호를 출력하고, 상기 제2 로직 레벨 전압의 오류 감지 신호가 입력되는 경우 제2 로직 레벨 전압의 차단 신호를 출력하는 시스템 온 칩을 더 구비하는 발광 표시장치.The method according to claim 1,
A first logic level voltage interrupting signal when the error detection signal of the first logic level voltage is inputted from the timing control unit and a second logic level voltage interrupting signal when the error detection signal of the second logic level voltage is inputted, And a system-on-chip for outputting a blocking signal.
상기 시스템 온 칩으로부터 상기 제1 로직 레벨 전압의 차단 신호가 입력되는 경우 메인 전원을 출력하지 않고, 상기 제2 로직 레벨 전압의 차단 신호가 입력되는 경우 상기 메인 전원을 출력하는 메인 전원 공급부를 더 구비하는 발광 표시장치.3. The method of claim 2,
And a main power supply unit for outputting the main power when the shutoff signal of the second logic level voltage is inputted without outputting the main power when the shutoff signal of the first logic level voltage is inputted from the system on chip .
상기 메인 전원을 이용하여 상기 표시패널 구동부와 상기 타이밍 제어부를 구동하기 위한 구동 전압들을 생성하여 출력하는 전원 공급부를 더 구비하는 발광 표시장치.The method of claim 3,
And a power supply unit for generating and outputting driving voltages for driving the display panel driver and the timing controller using the main power.
상기 타이밍 제어부와 상기 전원 공급부가 실장되는 제어 회로보드;
상기 시스템 온 칩과 상기 메인 전원 공급부가 실장되는 시스템 회로보드; 및
상기 제어 회로보드와 상기 시스템 회로보드를 연결하는 케이블을 더 구비하는 발광 표시장치.5. The method of claim 4,
A control circuit board on which the timing control unit and the power supply unit are mounted;
A system circuit board on which the system on chip and the main power supply unit are mounted; And
And a cable connecting the control circuit board and the system circuit board.
상기 표시패널은 데이터 라인들, 및 상기 데이터 라인들과 교차하는 스캔 라인들을 더 포함하고,
상기 화소들 각각은,
발광 소자; 및
상기 발광 소자에 공급되는 구동 전류를 제어하는 구동 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 표시장치.The method according to claim 1,
Wherein the display panel further comprises data lines and scan lines intersecting the data lines,
Each of the pixels includes:
A light emitting element; And
And a driving transistor for controlling a driving current supplied to the light emitting element.
상기 타이밍 제어부가 상기 구동 트랜지스터의 전자 이동도를 센싱하는 제1 센싱 모드에서 제1 센싱 디지털 데이터를 상기 표시패널 구동부로 공급하는 경우, 상기 표시패널 구동부는 상기 화소들로부터 제1 센싱 전압들을 센싱하고, 상기 제1 센싱 전압들을 디지털 데이터인 제1 센싱 데이터로 변환하여 출력하는 것을 특징으로 하는 발광 표시장치.The method according to claim 6,
When the timing control unit supplies the first sensing digital data to the display panel driving unit in the first sensing mode for sensing the electron mobility of the driving transistor, the display panel driving unit senses the first sensing voltages from the pixels And converting the first sensing voltages into first sensing data, which is digital data, and outputting the first sensing data.
상기 타이밍 제어부는 동일한 스캔 라인에 접속된 상기 제1 그룹의 화소의 제1 센싱 데이터와 상기 제2 그룹의 화소의 제1 센싱 데이터 간의 차이가 상기 임계 값 이상인 경우 상기 제1 로직 레벨 전압의 오류 감지 신호를 출력하고, 그 차이가 상기 임계 값보다 작은 경우 상기 제2 로직 레벨 전압의 오류 감지 신호를 출력하는 것을 특징으로 하는 발광 표시장치.8. The method of claim 7,
Wherein the timing controller is configured to detect an error of the first logic level voltage when the difference between the first sensing data of the first group of pixels connected to the same scan line and the first sensing data of the pixels of the second group is greater than or equal to the threshold value And outputs an error detection signal of the second logic level voltage when the difference is smaller than the threshold value.
상기 타이밍 제어부가 상기 구동 트랜지스터의 문턱전압을 센싱하는 제2 센싱 모드에서 제2 센싱 디지털 데이터를 상기 표시패널 구동부를 공급하는 경우, 상기 표시패널 구동부는 상기 화소들로부터 제2 센싱 전압들을 센싱하고, 상기 제2 센싱 전압들을 디지털 데이터인 제2 센싱 데이터로 변환하여 출력하는 것을 특징으로 하는 발광 표시장치.The method according to claim 6,
When the timing control unit supplies the second sensing digital data to the display panel driving unit in a second sensing mode in which the threshold voltage of the driving transistor is sensed, the display panel driving unit senses second sensing voltages from the pixels, And converts the second sensing voltages into second sensing data, which is digital data, and outputs the second sensing data.
상기 타이밍 제어부는 동일한 스캔 라인에 접속된 상기 제1 그룹의 화소의 제2 센싱 데이터와 상기 제2 그룹의 화소의 제2 센싱 데이터 간의 차이가 상기 임계 값 이상인 경우 상기 제1 로직 레벨 전압의 오류 감지 신호를 출력하고, 그 차이가 상기 임계 값보다 작은 경우 상기 제2 로직 레벨 전압의 오류 감지 신호를 출력하는 것을 특징으로 하는 발광 표시장치.10. The method of claim 9,
The timing control unit may detect an error of the first logic level voltage when the difference between the second sensing data of the first group of pixels connected to the same scan line and the second sensing data of the pixels of the second group is greater than or equal to the threshold value And outputs an error detection signal of the second logic level voltage when the difference is smaller than the threshold value.
상기 수평 라인들과 수직 라인들을 포함하는 제1 전원전압 라인들을 더 구비하고,
복수의 수직 라인들은 적어도 하나의 수평 라인에 공통으로 접속되는 것을 특징으로 하는 발광 표시장치.The method according to claim 1,
Further comprising first power supply voltage lines including the horizontal lines and the vertical lines,
And the plurality of vertical lines are commonly connected to at least one horizontal line.
상기 수평 라인들 중 어느 하나에 접속된 수직 라인들에 접속된 화소들은 상기 제1 그룹의 화소들로 정의되고, 상기 수평 라인들 중 다른 하나에 접속된 수직 라인들에 접속된 화소들은 상기 제2 그룹의 화소들로 정의되는 것을 특징으로 하는 발광 표시장치.12. The method of claim 11,
Pixels connected to the vertical lines connected to any one of the horizontal lines are defined as pixels of the first group and pixels connected to the vertical lines connected to the other one of the horizontal lines are connected to the second And the pixels are defined as the pixels of the group.
상기 센싱 전압들을 디지털 데이터인 센싱 데이터로 변환하여 출력하는 단계;
상기 화소들 중에서 제1 그룹의 화소들의 센싱 데이터와 상기 화소들 중에서 제2 그룹의 화소들의 센싱 데이터 간의 차이가 임계 값 이상인 경우, 제1 로직 레벨 전압의 오류 감지 신호를 출력하는 단계; 및
상기 제1 그룹의 화소들의 센싱 데이터와 상기 제2 그룹의 화소들의 센싱 데이터 간의 차이가 임계 값보다 작은 경우 제2 로직 레벨 전압의 오류 감지 신호를 출력하는 것을 특징으로 하는 발광 표시장치의 구동방법.Sensing the sensing voltages from the pixels through the sensing lines;
Converting the sensing voltages into digital data sensing data and outputting the sensed voltages;
Outputting an error detection signal of a first logic level voltage when the difference between the sensing data of the first group of pixels and the sensing data of the pixels of the second group among the pixels is equal to or greater than a threshold value; And
And outputting an error detection signal of a second logic level voltage when the difference between the sensing data of the pixels of the first group and the sensing data of the pixels of the second group is smaller than a threshold value.
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E90F | Notification of reason for final refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |