KR20190079141A - Micro led display device and method of driving thereof - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a micro LED display device. The micro LED display device comprises: unit pixels capable of implementing white light; first micro LEDs positioned at the unit pixels; and second micro LEDs positioned at the unit pixels and disposed adjacent to the first micro LEDs. The first and second micro LEDs emit light according to an applied image signal. According to a position of a bad LED, which not normally emits light, the first and second micro LEDs emit the light.

Description

마이크로LED 표시장치 및 그 구동방법{MICRO LED DISPLAY DEVICE AND METHOD OF DRIVING THEREOF}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a micro LED display device,

본 발명은 마이크로LED 표시장치 및 마이크로LED 표시장치의 구동 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a micro LED display device and a driving method of the micro LED display device.

현재까지 널리 이용되고 있는 액정 표시장치(Liquid Crystal Display Device; LCD)와 유기 발광 표시장치(Organic Light Emitting Display Display; OLED)는 그 적용 범위가 점차 확대되고 있다. 2. Description of the Related Art [0002] Liquid crystal display devices (LCDs) and organic light emitting display devices (OLEDs), which have been widely used up to now, have been increasingly used.

액정 표시장치와 유기 발광 표시장치는 고해상도의 화면을 제공할 수 있고 경량 박형이 가능하다는 장점으로 인해 일상적인 전자기기, 예를 들어, 핸드폰, 노트북 등의 화면에 많이 적용되고 있고, 그 범위도 점차 확대되고 있다. The liquid crystal display device and the organic light emitting display device are widely applied to screens of everyday electronic devices such as mobile phones and notebooks because they can provide a high resolution screen and are lightweight and thin. It is expanding.

다만, 액정 표시장치와 유기 발광 표시장치는 표시장치에서 영상이 표시되지 않는 영역으로 사용자에게 시인되는 베젤(bezel) 영역의 크기를 감소시키는데 한계가 있다. 예를 들어, 액정 표시장치의 경우, 액정을 밀봉하고 상부 기판과 하부 기판을 합착하기 위해 씰런트(sealant)가 사용되어야 하므로, 베젤 영역의 크기를 감소시키는데 한계가 있다. 또한, 유기 발광 표시장치의 경우, 유기 발광 소자가 유기 물질로 이루어져 수분 또는 산소에 매우 취약하여 유기 발광 소자를 보호하기 위한 봉지부(encapsulation)가 배치되어야 하므로, 베젤 영역의 크기를 감소시키는데 한계가 있다. 특히, 하나의 패널로서 초대형 화면을 구현하는 것은 불가능하므로, 복수 개의 액정 표시패널 또는 복수 개의 유기 발광 표시패널을 일종의 타일(tile) 형태로 배치하여 초대형 화면을 구현하는 경우, 서로 인접하는 패널 간의 베젤 영역이 사용자에게 시인되는 문제가 발생할 수 있다.However, the liquid crystal display device and the organic light emitting display device have a limitation in reducing the size of a bezel area visible to the user in an area where no image is displayed on the display device. For example, in the case of a liquid crystal display, there is a limitation in reducing the size of the bezel region because a sealant must be used to seal the liquid crystal and adhere the upper substrate and the lower substrate. In addition, in the case of the organic light emitting diode display, since the organic light emitting diode is made of an organic material and is very vulnerable to moisture or oxygen, an encapsulation for protecting the organic light emitting diode must be disposed. have. In particular, since it is impossible to realize a very large screen as a single panel, when a very large screen is implemented by arranging a plurality of liquid crystal display panels or a plurality of organic light emitting display panels in the form of a tile, There may be a problem that the area is viewed by the user.

이에 대한 대안으로, LED(Light Emitting Diode) 소자를 포함하는 표시장치가 제안되었다. LED 소자는 유기 물질이 아닌 무기 물질로 이루어지므로, 신뢰성이 우수하여 액정 표시장치나 유기 발광 표시장치에 비해 수명이 길다. 또한, LED 소자는 점등 속도가 빠를 뿐만 아니라, 소비 전력이 적고, 내충격성이 강해 안정성이 뛰어나며, 고휘도의 영상을 표시할 수 있기 때문에 초대형 화면에 적용되기에 적합하다.As an alternative to this, a display device including a light emitting diode (LED) device has been proposed. Since the LED element is made of an inorganic material rather than an organic material, the LED element is excellent in reliability and has a longer life than a liquid crystal display device or an organic light emitting display device. Further, the LED element is suitable for being applied to a very large-sized screen because it not only has a fast lighting speed but also low power consumption, excellent impact resistance and excellent stability, and can display a high-brightness image.

마이크로LED 표시장치는 마이크로 단위의 LED 소자를 박막트랜지스터 어레이 기판에 전사하여 제작되는데, 그 공정이 복잡하여 LED 소자가 발광하지 않거나 비정상적으로 발광하는 불량이 발생할 수 있다. 따라서 단일 픽셀 내에 리던던시(redundancy) LED 소자를 별도로 구성하여 문제점을 해결할 수 있었다. 하지만, LED 소자는 매우 고휘도로 발광하기 때문에 불량 픽셀에 포함된 리던던시 LED 소자를 단순 구동할 경우 심미감이 떨어질 수 있다. 본 발명은 상기에서 기술한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 리던던시 소자를 구비한 마이크로LED 표시장치 및 이의 구동 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.A micro LED display device is manufactured by transferring micro-LED devices to a thin film transistor array substrate. However, the process is complicated, and LED devices may not emit light or abnormal light emission may occur. Therefore, a redundant LED element is separately formed in a single pixel, thereby solving the problem. However, since the LED element emits light at a very high luminance, if the simple operation of the redundancy LED element included in the defective pixel is performed, the sense of beauty may be deteriorated. SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a micro LED display device having a redundancy element and a method of driving the same.

본 발명의 다른 목적은 마이크로LED 표시장치의 영상에 있어서 픽셀별 구동으로 블러링 효과를 구현할 수 있는 마이크로LED 표시장치를 제공하는 것이다.It is another object of the present invention to provide a micro LED display device capable of implementing a blurring effect by driving each pixel in an image of a micro LED display device.

본 발명의 마이크로LED 표시장치는 백색 광의 구현이 가능한 단위화소, 단위화소에 위치한 제1 마이크로LED, 및 단위화소에 위치하며 제1 마이크로LED에 인접하여 배치된 제2 마이크로LED를 포함한다. 여기서 제1 마이크로LED 및 제2 마이크로LED는 인가된 영상신호에 따라 발광하며, 불량LED의 위치에 따라 제1 마이크로LED 및 제2 마이크로LED의 발광이 결정되는 것을 특징으로 한다.The micro LED display device of the present invention includes a unit pixel capable of realizing white light, a first micro LED located in a unit pixel, and a second micro LED located in a unit pixel and disposed adjacent to the first micro LED. Here, the first micro LED and the second micro LED emit light according to the applied image signal, and the emission of the first micro LED and the second micro LED is determined according to the position of the defective LED.

본 발명에서는 픽셀 내에 불량 LED가 포함된 경우, 특정 형상으로 구동 픽셀맵을 생성하고 이에 따라 데이터를 보정함으로써, 불량 픽셀이 인지되는 것을 방지할 수 있다. In the present invention, when a defective LED is included in a pixel, it is possible to prevent a defective pixel from being recognized by generating a driving pixel map in a specific shape and correcting the data accordingly.

또한, 본 발명에서는 단위 픽셀에 포함된 LED를 특정 형상으로 발광하도록 구동 픽셀맵을 생성하고 이에 따라 데이터를 보정함으로써, 영상을 부드럽게 처리하여 심미감을 향상시킬 수 있다.Also, in the present invention, a drive pixel map is generated to emit an LED included in a unit pixel in a specific shape, and the data is corrected accordingly, so that the image can be smoothly processed to improve the aesthetics.

도 1은 본 발명에 따른 마이크로LED 표시패널을 개략적으로 나타내는 사시도이다.
도 2는 본 발명에 따른 마이크로LED 표시장치의 구조를 구체적으로 나타내는 단면도이다.
도 3은 도 2에 도시된 마이크로LED의 구조를 나타내는 단면도이다.
도 4는 복수의 마이크로LED 표시패널이 타일링된 타일링 마이크로LED 표시장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명에 따른 마이크로LED 표시패널로서, 서로 이웃하는 픽셀들을 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 6은 본 발명에 따른 마이크로LED 표시패널로서, 단일 픽셀을 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 7은 본 발명에 따른 마이크로LED 표시장치로서, 서로 이웃하는 픽셀들을 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 8a 내지 도 8c는 본 발명에 따른 마이크로LED 표시패널로서, 서로 이웃하는 픽셀들을 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 9는 본 발명에 따른 마이크로LED 표시장치의 데이터 보정부를 나타내는 블럭도이다.
도 10a 및 도 10b는 본 발명에 따른 마이크로LED 표시장치의 데이터 보정부의 상세한 블럭도이다.
도 11a 내지 도 13b는 본 발명에 따른 마이크로LED 표시패널로서, 데이터 보정된 픽셀을 개략적으로 나타내는 평면도이다.1 is a perspective view schematically showing a micro LED display panel according to the present invention.
2 is a cross-sectional view illustrating a structure of a micro LED display device according to an embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view showing the structure of the micro LED shown in FIG.
4 is a view schematically showing a tiled micro LED display device in which a plurality of micro LED display panels are tiled.
5 is a plan view schematically showing neighboring pixels of a micro LED display panel according to the present invention.
6 is a plan view schematically showing a single pixel according to the present invention.
7 is a plan view schematically showing neighboring pixels, according to the present invention.
8A to 8C are plan views schematically showing neighboring pixels of a micro LED display panel according to the present invention.
9 is a block diagram showing a data correction unit of a micro LED display device according to the present invention.
10A and 10B are detailed block diagrams of the data correction unit of the micro LED display device according to the present invention.
11A to 13B are plan views schematically showing a data-corrected pixel, which is a micro LED display panel according to the present invention.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The advantages and features of the present invention and the manner of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described in detail below with reference to the accompanying drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as being limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art. Is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims.

본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급한 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.The shapes, sizes, ratios, angles, numbers, and the like disclosed in the drawings for describing the embodiments of the present invention are illustrative, and thus the present invention is not limited thereto. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification. In the following description, well-known functions or constructions are not described in detail since they would obscure the invention in unnecessary detail. In the case where the word 'includes', 'having', 'done', etc. are used in this specification, other parts can be added unless '~ only' is used. Unless the context clearly dictates otherwise, including the plural unless the context clearly dictates otherwise.

구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.In interpreting the constituent elements, it is construed to include the error range even if there is no separate description.

위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.In the case of a description of the positional relationship, for example, if the positional relationship between two parts is described as 'on', 'on top', 'under', and 'next to' Or " direct " is not used, one or more other portions may be located between the two portions.

시간 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~후에', '~에 이어서', '~다음에', '~전에' 등으로 시간적 선후 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.In the case of a description of a temporal relationship, for example, if the temporal relationship is described by 'after', 'after', 'after', 'before', etc., May not be continuous unless they are not used.

제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성 요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.The first, second, etc. are used to describe various components, but these components are not limited by these terms. These terms are used only to distinguish one component from another. Therefore, the first component mentioned below may be the second component within the technical spirit of the present invention.

본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.It is to be understood that each of the features of the various embodiments of the present invention may be combined or combined with each other, partially or wholly, technically various interlocking and driving, and that the embodiments may be practiced independently of each other, It is possible.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로LED 표시패널을 나타내는 도면이다.1 is a view illustrating a micro LED display panel according to an embodiment of the present invention.

도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로LED 표시패널(100)은 기판(110)과, 기판(110)상에 배치된 복수의 마이크로LED(140)로 구성된다.1, a micro LED display panel 100 according to an exemplary embodiment of the present invention includes a substrate 110 and a plurality of micro LEDs 140 disposed on the substrate 110. As shown in FIG.

기판(110)은 유리와 같이 투명한 물질로 구성될 수 있으며, 기판(110) 상에는 복수의 화소영역(P)이 형성된다. 도면에는 도시하지 않았지만, 기판(110)은 TFT 어레이 기판으로서, 상면의 화소영역(P)에는 마이크로LED(140)를 구동하기 위한 박막트랜지스터와 각종 배선들이 형성된다. 박막트랜지스터가 턴온되면, 배선을 통해 외부로부터 입력된 구동신호가 마이크로LED(140)에 인가되어 마이크로LED(140)가 발광하게 되어 화상을 구현한다.The substrate 110 may be formed of a transparent material such as glass, and a plurality of pixel regions P may be formed on the substrate 110. Though not shown in the drawing, the substrate 110 is a TFT array substrate, and thin film transistors and various wirings for driving the micro LEDs 140 are formed in the pixel region P on the upper surface. When the thin film transistor is turned on, a driving signal input from the outside through the wiring is applied to the micro LED 140 so that the micro LED 140 emits light, thereby realizing an image.

이때, 기판(110)의 각각의 화소영역(P)에는 R,G,B의 단색광을 각각 발광하는 3개의 마이크로LED(140R,140G,140B)가 배치되므로, 외부로부터 인가된 신호에 의해 R,G,B용 마이크로LED(140R,140G,140B)로부터 R,G,B컬러의 광이 발광되어 화상을 표시할 수 있게 된다.In this case, three micro LEDs 140R, 140G, and 140B for emitting monochromatic light of R, G, and B are disposed in each pixel region P of the substrate 110, G, and B color micro-LEDs 140R, 140G, and 140B to emit light of R, G, and B colors to display an image.

마이크로LED(140R,140G,140B)는 기판(110)의 TFT 어레이공정과는 별개의 공정에 의해 제작된다. 일반적인 유기전계발광 표시장치에서는 TFT 어레이공정과 유기발광층이 모두 포토공정에 의해 형성되는 반면에, 본 발명의 마이크로LED 표시장치에서는 기판(110)상에 배치되는 박막트랜지스터와 각종 배선은 포토공정에 의해 형성되지만, 마이크로LED(140R,140G,140B)는 별도의 공정에 의해 제작된다. 이 때, 마이크로LED(140R,140G,140B)를 전사(transfer) 공정을 통해서 기판(110) 상에 배치될 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다.The micro LEDs 140R, 140G, and 140B are fabricated by a process that is separate from the TFT array process of the substrate 110. [ In a general organic light emitting display device, both the TFT array process and the organic light emitting layer are formed by a photo process, whereas in the micro LED display device of the present invention, the thin film transistor and various wirings disposed on the substrate 110 are photo- But the micro LEDs 140R, 140G and 140B are fabricated by a separate process. At this time, the micro LEDs 140R, 140G, and 140B may be disposed on the substrate 110 through a transfer process, but the present invention is not limited thereto.

마이크로LED(140)는 10-100㎛ 크기의 LED로서, Al, Ga, N, P, As In 등의 무기물재료를 사파이어기판 또는 실리콘기판 위에 복수 개 박막 성장시킨 후, 사파이어 기판 또는 실리콘 기판을 절단 분리함으로써 형성될 수 있다. 이와 같이, 마이크로LED(140)는 미세한 크기로 형성되므로, 플라스틱과 같이 플렉서블한 기판에 전사할 수 있게 되어 플렉서블한 표시장치의 제작이 가능하게 된다. 또한, 마이크로LED(140)는 유기발광층과는 달리 무기물질을 박막 성장시켜 형성하므로, 제조공정이 단순하고 수율이 향상된다. 그리고, 마이크로LED(140)를 대면적 기판(110)상에 단순히 전사하므로, 대면적 표시장치의 제작이 가능하게 된다. 더욱이, 무기물 재료로 이루어진 마이크로LED(140)는 유기발광물질에 의해 제작된 LED에 비해 휘도가 높고 수명이 길다는 장점이 있다.The micro LED 140 is an LED having a size of 10-100 탆 and is formed by growing a plurality of thin films of a material such as Al, Ga, N, P, and As in a sapphire substrate or a silicon substrate and then cutting the sapphire substrate or the silicon substrate . Thus, since the micro LED 140 is formed in a minute size, the micro LED 140 can be transferred to a flexible substrate such as plastic, thereby making it possible to manufacture a flexible display device. In addition, unlike the organic light emitting layer, the micro LED 140 is formed by growing an inorganic material thin film, so that the manufacturing process is simple and the yield is improved. Since the micro LED 140 is simply transferred onto the large-area substrate 110, it becomes possible to manufacture a large-area display device. Furthermore, the micro LED 140 made of an inorganic material has an advantage of high luminance and a long lifetime as compared with an LED manufactured by using an organic light emitting material.

도면에는 도시하지 않았지만, 기판(110)에는 복수의 게이트 라인과 데이터 라인이 수직 또는 수평방향으로 배치되어 매트릭스 형상의 복수의 화소영역(P)을 정의한다. 이때, 게이트 라인 및 데이터 라인은 마이크로LED(140)와 접속되며, 게이트 라인 및 데이터 라인의 단부에는 각각 외부와 연결되는 게이트 패드 및 데이터 패드가 구비되어, 외부의 신호가 게이트 라인 및 데이터 라인을 통해 마이크로LED(140)에 인가됨으로써 마이크로LED(140)가 동작하여 발광하게 된다.Although not shown in the drawing, a plurality of gate lines and data lines are arranged in a vertical or horizontal direction on the substrate 110 to define a plurality of pixel regions P in a matrix shape. At this time, the gate line and the data line are connected to the micro LED 140, and the gate line and the data line are respectively provided with gate pads and data pads connected to the outside, respectively, so that external signals are transmitted through the gate lines and the data lines And the micro LED 140 is operated by being applied to the micro LED 140 to emit light.

도 2는 본 발명에 따른 마이크로LED 표시장치의 구조를 구체적으로 나타내는 단면도이다. 이때, 도면에는 설명의 편의를 위해 마이크로LED 표시장치의 외곽에 배치된 서브 화소만을 도시하였다.2 is a cross-sectional view illustrating a structure of a micro LED display device according to an embodiment of the present invention. At this time, only sub-pixels disposed on the outer periphery of the micro LED display device are shown for convenience of explanation.

도 2에 도시된 바와 같이, 기판(110)의 표시영역에는 박막트랜지스터(TFT)가 배치되고 패드영역에는 패드(152)가 배치된다. 기판(110)은 유리와 같이 투명한 물질로 구성되지만, 이에 한정되는 것이 아니라 투명한 다양한 물질로 구성될 수 있다. 또한, 기판(110)은 플렉서블한 투명물질로 구성될 수도 있다.As shown in FIG. 2, a thin film transistor (TFT) is disposed in a display region of the substrate 110, and a pad 152 is disposed in a pad region. The substrate 110 is made of a transparent material such as glass, but is not limited thereto and may be formed of various transparent materials. In addition, the substrate 110 may be formed of a transparent transparent material.

박막트랜지스터(TFT)는 게이트 전극(101), 반도체층(103), 소스 전극(105) 및 드레인 전극(107)으로 구성된다. 즉, 도 2를 참조하면, 기판(110) 상에 게이트 전극(101)이 형성되고, 게이트 절연층(112)이 기판(110) 전체 영역에 걸쳐 형성되어 게이트 전극(101)을 덮고, 반도체층(103)이 게이트 절연층(112) 위에 형성되며과, 소스 전극(105) 및 드레인 전극(107)이 반도체층(103) 위에 형성된다.The thin film transistor TFT is composed of a gate electrode 101, a semiconductor layer 103, a source electrode 105 and a drain electrode 107. [ 2, a gate electrode 101 is formed on a substrate 110, a gate insulating layer 112 is formed over the entire region of the substrate 110 to cover the gate electrode 101, A source electrode 105 and a drain electrode 107 are formed on the gate insulating layer 112 and the semiconductor layer 103, respectively.

게이트 전극(101)은 Cr, Mo, Ta, Cu, Ti, Al 또는 Al합금 등의 금속 또는 이들의 합금으로 형성될 수 있으며, 게이트 절연층(112)은 SiOx 또는 SiNx와 같은 무기 절연물질로 이루어진 단일층 또는 SiOx 및 SiNx으로 이루어진 복수의 층으로 이루어질 수 있다. The gate electrode 101 may be formed of a metal such as Cr, Mo, Ta, Cu, Ti, Al, or an Al alloy or an alloy thereof. The gate insulating layer 112 may be formed of an inorganic insulating material such as SiOx or SiNx. A single layer or a plurality of layers made of SiOx and SiNx.

반도체층(103)은 비정질 실리콘과 같은 비정질 반도체로 구성될 수도 있고, IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), TiO2, ZnO, WO3, SnO2와 같은 산화물 반도체로 구성될 수 있다. 산화물 반도체로 반도체층(103)을 형성하는 경우, 박막트랜지스터(TFT)의 크기를 감소시킬 수 있고 구동 전력을 감소시킬 수 있고 전기이동도를 향상시킬 수 있게 된다. 물론, 본 발명에서는 박막트랜지스터의 반도체층이 특정 물질에 한정되는 것이 아니라, 현재 박막트랜지스터에 사용되는 모든 종류의 반도체물질을 사용할 수 있을 것이다.The semiconductor layer 103 may be formed of an amorphous semiconductor such as amorphous silicon or an oxide semiconductor such as IGZO (Indium Gallium Zinc Oxide), TiO 2 , ZnO, WO 3 , or SnO 2 . When the semiconductor layer 103 is formed of an oxide semiconductor, the size of the thin film transistor (TFT) can be reduced, the driving power can be reduced, and the electric mobility can be improved. Of course, in the present invention, the semiconductor layer of the thin film transistor is not limited to a specific material, but all types of semiconductor materials currently used in the thin film transistor may be used.

소스 전극(105) 및 드레인 전극(107)은 Cr, Mo, Ta, Cu, Ti, Al, Al합금 등과 같은 금속 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있다. 이때, 드레인 전극(107)은 마이크로LED(140)에 신호를 인가하는 제1 전극으로 활용될 수 있다.The source electrode 105 and the drain electrode 107 may be formed of a metal such as Cr, Mo, Ta, Cu, Ti, Al, or an Al alloy, or an alloy thereof. At this time, the drain electrode 107 may be used as a first electrode for applying a signal to the micro LED 140.

한편, 도면에서는 박막트랜지스터(TFT)가 바텀 게이트(bottom gate)방식 박막트랜지스터지만, 본 발명이 이러한 특정 구조의 박막트랜지스터에 한정되는 것이 아니라 탑 게이트(top gate)방식 박막트랜지스터와 같이 다양한 구조의 박막트랜지터가 적용될 수 있을 것이다.Though the thin film transistor (TFT) is a bottom gate thin film transistor in the drawing, the present invention is not limited to the thin film transistor having such a specific structure, but the thin film transistor having various structures such as a top gate thin film transistor Transistors can be applied.

패드영역에 배치되는 패드(152)는 Cr, Mo, Ta, Cu, Ti, Al 또는 Al합금 등의 금속 또는 이들의 합금으로 형성될 수 있다. 이때 패드(152)는 박막트랜지스터(TFT)의 게이트 전극(101)과 다른 공정에 의해 형성될 수 있지만, 공정의 단순화를 위해서는 패드(152)를 게이트 전극(101)과 동일한 공정에서 형성하는 것이 바람직할 것이다.The pad 152 disposed in the pad region may be formed of a metal such as Cr, Mo, Ta, Cu, Ti, Al, or an Al alloy, or an alloy thereof. At this time, the pad 152 may be formed by a process different from the process for forming the gate electrode 101 of the thin film transistor TFT. However, in order to simplify the process, it is preferable to form the pad 152 in the same process as the gate electrode 101 something to do.

도면에는 도시하지 않았지만, 패드(152)는 게이트 절연층(112) 위에 형성될 수도 있다. 패드(152)는 게이트 절연층(112) 위에 형성되는 경우, 패드(152)는 박막트랜지스터(TFT)의 소스 전극(105) 및 드레인 전극(107)과 다른 공정에 의해 형성될 수도 있지만, 공정의 단순화를 위해서는 패드(152)를 소스 전극(105) 및 드레인 전극(107)과 동일한 공정에서 형성하는 것이 바람직할 것이다.Although not shown in the drawing, the pad 152 may be formed on the gate insulating layer 112. [ When the pad 152 is formed on the gate insulating layer 112, the pad 152 may be formed by a process other than the source electrode 105 and the drain electrode 107 of the thin film transistor TFT, It is preferable to form the pad 152 in the same process as the source electrode 105 and the drain electrode 107 for simplification.

또한, 표시영역의 게이트 절연층(114) 위에는 제2전극(109)이 형성된다. 이때, 제2전극(109)은 Cr, Mo, Ta, Cu, Ti, Al 또는 Al합금 등의 금속 또는 이들의 합금으로 형성될 수 있으며, 제2 전극(109)(즉, 박막트랜지스터(TFT)의 드레인 전극(107))과 동일한 공정에 의해 형성될 수 있다.A second electrode 109 is formed on the gate insulating layer 114 in the display region. The second electrode 109 may be formed of a metal such as Cr, Mo, Ta, Cu, Ti, Al, or an Al alloy, (The drain electrode 107 of the pixel electrode 102).

박막트랜지스터(TFT)가 형성된 기판(110) 위에는 제1 절연층(114)이 형성되며, 표시영역의 제1 절연층(114) 위에 마이크로LED(140)가 배치된다. 이때, 도면에서는 제1 절연층(114)의 일부가 제거되고 제거된 영역에 마이크로LED(140)가 배치되지만, 제1 절연층(114)이 제거되지 않을 수도 있다. 제1 절연층(114)은 포토아크릴과 같은 유기층으로 구성될 수도 있고, 무기층/유기층 또는 무기층/유기층/무기층 등의 복층 구조로 구성될 수도 있다.A first insulating layer 114 is formed on a substrate 110 on which a thin film transistor TFT is formed and a micro LED 140 is disposed on a first insulating layer 114 in a display area. In this case, although the micro LED 140 is disposed in a region where a part of the first insulating layer 114 is removed and removed, the first insulating layer 114 may not be removed. The first insulating layer 114 may be formed of an organic layer such as photoacryl or a multilayer structure such as an inorganic layer / an organic layer or an inorganic layer / an organic layer / an inorganic layer.

마이크로LED(140)는 Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체 물질을 주로 사용하지만, 이에 한정되는 것은 아니다.The micro LED 140 mainly uses a group III-V nitride semiconductor material, but is not limited thereto.

도 3은 본 발명에 따른 표시장치의 마이크로LED(140)의 구조를 나타내는 도면이다. 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 마이크로LED(140)는 도핑되지 않은 GaN층(144), GaN층(144) 위에 배치된 n-형 GaN층(145), n-형 GaN층(145) 위에 배치된 다중양자우물(Multi-Quantum-Well: MQW) 구조를 가진 활성층(146), 활성층(145) 위에 배치된 p-형 GaN층(147), 투명 도전성 물질로 형성되어 p-형 GaN층(147) 위에 배치되는 오믹접촉층(148), 오믹접촉층(148)의 일부와 접촉되는 p-형 전극(141), 활성층(146), p-형 GaN층(147) 및 오믹접촉층(148)의 일부를 식각하여 노출되는 n-형 GaN층(145)의 일부와 접촉되는 n-형 전극(143)으로 구성된다.3 is a view showing a structure of a micro LED 140 of a display device according to the present invention. 3, the micro LED 140 according to the present invention includes an undoped GaN layer 144, an n-type GaN layer 145 disposed on the GaN layer 144, an n-type GaN layer 145 An active layer 146 having a multi-quantum well (MQW) structure disposed on the active layer 145, a p-type GaN layer 147 disposed on the active layer 145, a p- An ohmic contact layer 148 disposed on the GaN layer 147, a p-type electrode 141 contacting the part of the ohmic contact layer 148, an active layer 146, a p-type GaN layer 147, And an n-type electrode 143 which is in contact with a part of the n-type GaN layer 145 exposed by etching a part of the layer 148. [

n-형 GaN층(145)은 활성층(146)에 전자를 공급하기 위한 층으로, GaN 반도체층에 Si와 같은 n-형 불순물을 도핑함으로써 형성된다.The n-type GaN layer 145 is a layer for supplying electrons to the active layer 146 and is formed by doping an n-type impurity such as Si in the GaN semiconductor layer.

활성층(146)은 주입되는 전자와 정공이 결합되어 광을 발산하는 층이다. 도면에는 도시하지 않았지만, 활성층(146)의 다중양자우물구조는 복수의 장벽층과 우물층이 교대로 배치되며, 우물층은 InGaN층으로 구성되고 장벽층은 GaN으로 구성되지만 이에 한정되는 것은 아니다.The active layer 146 is a layer in which electrons injected and holes are combined to emit light. Though not shown in the figure, a multiple quantum well structure of the active layer 146 is formed by alternately arranging a plurality of barrier layers and a well layer, the well layer is composed of an InGaN layer and the barrier layer is made of GaN, but the present invention is not limited thereto.

p-형 GaN층(147)은 활성층(146)에 정공을 주입하기 위한 층으로, GaN 반도체층에 Mg, Zn 및 Be와 같은 p-형 불순물이 도핑되어 형성된다.The p-type GaN layer 147 is a layer for injecting holes into the active layer 146, and the GaN semiconductor layer is doped with p-type impurities such as Mg, Zn, and Be.

오믹접촉층(148)은 p-형 GaN층(147)과 p-형 전극(141)을 오믹접촉(ohmic contact)시키기 위한 것으로, ITO(Indium Tin Oxide), IGZO(Indium Galium Zinc Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide)와 같은 투명한 금속산화물을 사용할 수 있다.The ohmic contact layer 148 may be formed of indium tin oxide (ITO), indium gallium zinc oxide (IGZO), or indium zinc oxide (IZO) for ohmic contact between the p-type GaN layer 147 and the p- (Indium Zinc Oxide) can be used.

p-형 전극(141)과 n-형 전극(143)은 Ni, Au, Pt, Ti, Al, Cr 중 적어도 하나의 금속 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 복수의 층으로 구성될 수 있다.The p-type electrode 141 and the n-type electrode 143 may be formed of a single layer or a plurality of layers made of at least one of Ni, Au, Pt, Ti, Al, and Cr or an alloy thereof.

이러한 구조의 마이크로LED(140)에서 p-형 전극(141) 및 n-형 전극(143)에 전압이 인가됨에 따라 n-형 GaN층(145) 및 p-형 GaN층(147)으로부터 활성층(145)으로 각각 전자 및 정공이 주입되면, 활성층(146)내에는 여기자(exciton)가 생성되며 이 여기자가 소멸(decay)함에 따라 발광층의 LUMO(Lowest Unoccupied Molecular Orbital)와 HOMO(Highest Occupied Molecular Orbital)의 에너지 차이에 해당하는 광이 발생하게 되어 외부로 발산하게 된다.Type GaN layer 145 and the p-type GaN layer 147 as voltages are applied to the p-type electrode 141 and the n-type electrode 143 in the micro LED 140 having such a structure, Electrons and holes are injected into the active layer 146 and electrons and holes are injected into the active layer 146. Excitons are generated in the active layer 146 and the excitons are decayed so that the lowest unoccupied molecular orbital (LUMO) and the highest Occupied Molecular Orbital (HOMO) The light corresponding to the energy difference of the light source is generated and diverges to the outside.

이때, 마이크로LED(140)에서 발광하는 광의 파장은 활성층(146)의 다중양자우물구조의 장벽층의 두께를 조절함으로써 조절할 수 있게 된다.At this time, the wavelength of the light emitted from the micro LED 140 can be adjusted by adjusting the thickness of the barrier layer of the multiple quantum well structure of the active layer 146.

마이크로LED(140)는 약 10-100㎛ 크기로 형성된다. 도면에 도시하지 않았지만, 마이크로LED(140)는 기판 위에 버퍼층을 형성하고 버퍼층 위에 GaN 박막을 성장함으로써 제작된다. 이때, GaN 박막의 성장을 위한 기판으로는 사파이어(sapphire), 실리콘(si), GaN, 실리콘 카바이드(SiC), 갈륨비소(GaAs), 산화아연(ZnO) 등이 사용될 수 있다.The micro LED 140 is formed to have a size of about 10-100 mu m. Although not shown in the drawing, the micro LED 140 is fabricated by forming a buffer layer on a substrate and growing a GaN thin film on the buffer layer. At this time, sapphire, silicon, GaN, silicon carbide (SiC), gallium arsenide (GaAs), and zinc oxide (ZnO) can be used as a substrate for growing the GaN thin film.

또한, 버퍼층은 GaN 박막성장용 기판이 GaN기판이 아닌 다른 물질로 이루어진 경우, 기판상에 에피(Epi)층인 n-GaN층(120)을 직접 성장시킬 때 발생하는 격자부정합에 의한 품질저하를 방지하기 위한 것으로, AlN 또는 GaN 등이 사용될 수 있다.In addition, when the substrate for GaN thin film growth is made of a material other than the GaN substrate, the buffer layer prevents deterioration in quality due to lattice mismatch occurring when the n-GaN layer 120, which is an Epi layer, is directly grown on the substrate For example, AlN or GaN may be used.

n-형 GaN층(145)은 불순물이 도핑되지 않은 GaN층(144)을 성장시킨 후, 도핑되지 않은 박막의 상부에 Si와 같은 n형 불순물을 도핑함으로써 형성될 수 있다. 또한, p-형 GaN층(147)은 도핑되지 않은 GaN박막을 성장시킨 후 Mg, Zn, Be 등의 p-형 불순물을 도핑함으로써 형성할 수 있다.The n-type GaN layer 145 may be formed by growing a GaN layer 144 not doped with an impurity and then doping an n-type impurity such as Si on the undoped thin film. In addition, the p-type GaN layer 147 can be formed by growing an undoped GaN thin film and then doping p-type impurities such as Mg, Zn, and Be.

도면에서는 특정 구조의 마이크로LED(140)가 제1 절연층(114) 위에 배치되지만, 본 발명이 이러한 특정 구조의 마이크로LED(140)만 한정되는 것이 아니라 수직 구조 마이크로LED 및 수평 구조 마이크로LED와 같이 다양한 구조의 마이크로LED를 적용할 수 있을 것이다.Although the micro LED 140 having a specific structure is disposed on the first insulating layer 114 in the drawing, the present invention is not limited to the micro LED 140 having such a specific structure. Micro LEDs of various structures can be applied.

다시, 도 2를 참조하면, 마이크로LED(140)가 배치된 제1 절연층(114) 위에는 제2 절연층(116)이 형성된다. 이때, 제2 절연층(116)은 포토아크릴과 같은 유기층으로 구성될 수도 있고, 무기층/유기층으로 또는 무기층/유기층/무기층 등의 복층으로 구성될 수도 있으며, 마이크로LED(140)의 상부 영역을 덮는다.Referring again to FIG. 2, a second insulating layer 116 is formed on the first insulating layer 114 on which the micro LED 140 is disposed. At this time, the second insulating layer 116 may be composed of an organic layer such as photoacryl or a multilayer of an inorganic layer / an organic layer or an inorganic layer / an organic layer / an inorganic layer, Cover the area.

박막트랜지스터(TFT)와 제2 전극(119) 상부의 제1 절연층(114) 및 제2 절연층(116)에는 각각 제1 컨택홀(114a) 및 제2 컨택홀(114b)이 형성되어 박막트랜지스터(TFT)의 드레인 전극(107)과 제2 전극(119)이 각각 외부로 노출된다. 또한, 마이크로LED(140)의 p-형 전극(141)과 n-형 전극(143) 상부의 제2 절연층(116)에는 각각 제3 컨택홀(116a) 및 제4 컨택홀(116b)이 형성되어 p-형 전극(141)과 n-형 전극(143)이 외부로 노출된다.A first contact hole 114a and a second contact hole 114b are formed in the first insulating layer 114 and the second insulating layer 116 above the thin film transistor TFT and the second electrode 119, The drain electrode 107 and the second electrode 119 of the transistor TFT are respectively exposed to the outside. The third contact hole 116a and the fourth contact hole 116b are formed in the p-type electrode 141 of the micro LED 140 and the second insulating layer 116 of the n-type electrode 143, And the p-type electrode 141 and the n-type electrode 143 are exposed to the outside.

도 2에서는 마이크로LED 표시장치 제조 시 2개의 절연층(114, 116)이 사용되는 것으로 도시하였으나, 이는 단일의 절연층으로 형성하는 경우 공정 시간 등이 지나치게 증가하는 것을 방지하기 위함이다. 따라서, 절연층(114, 116)은 반드시 복수로 이루어져야 하는 것은 아니고, 단일층으로 이루어질 수 있다. 또한, 절연층(114, 116)은 2개 이상의 층으로 구성될 수도 있다.In FIG. 2, two insulating layers 114 and 116 are used in manufacturing a micro LED display device. However, in order to prevent an excessively long process time or the like when forming a single insulating layer. Therefore, the insulating layers 114 and 116 do not necessarily have to be plural, but may be made of a single layer. Further, the insulating layers 114 and 116 may be composed of two or more layers.

제2 절연층(116)의 상부에는 ITO, IGZO나 IGO와 같은 투명한 금속산화물로 구성된 제1 연결전극(117a) 및 제2 연결전극(117b)이 형성되어, 제1 컨택홀(114a) 및 제3 컨택홀(116a)을 통해 박막트랜지스터(TFT)의 드레인 전극(107)과 마이크로LED(140)의 p-형 전극(141)이 제1 연결전극(117a)에 의해 전기적으로 접속되며, 제2 컨택홀(114b) 및 제4 컨택홀(116b)을 통해 제2 전극(109)과 마이크로LED(140)의 n-형 전극(143)이 제2 연결전극(117b)에 의해 전기적으로 접속된다.A first connection electrode 117a and a second connection electrode 117b made of a transparent metal oxide such as ITO, IGZO or IGO are formed on the second insulating layer 116 so that the first contact hole 114a and the second connection electrode 117b The drain electrode 107 of the thin film transistor TFT and the p-type electrode 141 of the micro LED 140 are electrically connected through the third contact hole 116a by the first connection electrode 117a, The second electrode 109 and the n-type electrode 143 of the micro LED 140 are electrically connected through the contact hole 114b and the fourth contact hole 116b by the second connection electrode 117b.

한편, 패드영역의 기판(110) 상면과 측면 및 배면에는 링크라인(154)이 형성된다. 또한 기판(110)의 배면에는 신호모듈(170)이 배치되어, 링크라인(154)을 통해 기판(110) 상면의 패드(152)와 전기적으로 접속된다.On the other hand, a link line 154 is formed on the upper surface, the side surface, and the back surface of the substrate 110 of the pad region. A signal module 170 is disposed on the back surface of the substrate 110 and is electrically connected to the pad 152 on the upper surface of the substrate 110 through the link line 154.

신호모듈(170)은 타이밍 콘트롤러, EEPROM 등의 메모리, 마이크로LED(140)를 구동하기 위한 전압원 등의 회로와 링크라인(154)과 전기적으로 접속되는 각종 배선이 형성된 PCB(Printed Circuit Board)일 수 있으며, 게이트 라인과 데이터 라인에 각각 주사신호 및 영상신호를 인가하는 게이트 구동부 및 데이터 구동부기 형성된 PCB일 수도 있다.The signal module 170 may be a PCB (Printed Circuit Board) having a circuit such as a timing controller, a memory such as an EEPROM, a voltage source for driving the micro LED 140, and various wirings electrically connected to the link line 154. And may be a gate driver for applying scan signals and image signals to the gate lines and data lines, respectively, and a PCB formed by a data driver.

이러한 구조에서는 신호모듈(170)에서 출력된 신호가 링크라인(154)을 통해 패드(152)에 인가된 후, 게이트 라인 및 데이터 라인을 통해 신호가 공급되어 박막트랜지스터(TFT)가 턴온된다. 박막트랜지스터(TFT)가 턴온됨에 따라 박막트랜지스터(TFT) 및 제2 전극(109)을 통해 마이크로LED(140)에 신호가 공급됨으로써 마이크로LED(140)가 발광하게 된다.In this structure, the signal output from the signal module 170 is applied to the pad 152 through the link line 154, and then the signal is supplied through the gate line and the data line to turn on the thin film transistor TFT. A signal is supplied to the micro LED 140 through the thin film transistor TFT and the second electrode 109 as the thin film transistor TFT is turned on so that the micro LED 140 emits light.

한편, 링크라인(154)은 기판(110)의 상면, 측면 및 배면에 형성되어 패드(152) 및 신호모듈(170)을 전기적으로 접속한다. The link line 154 is formed on the upper surface, the side surface, and the back surface of the substrate 110 to electrically connect the pad 152 and the signal module 170.

또한, 기판(110) 상면과 측면 및 배면의 일부에는 무기물질 또/및 유기물질로 이루어진 버퍼층(118)이 형성되어 마이크로LED(140) 및 링크라인(154)을 덮을 수 있게 된다.A buffer layer 118 made of an inorganic material and / or an organic material is formed on the upper surface, the side surface and the rear surface of the substrate 110 to cover the micro LED 140 and the link line 154.

상술한 바와 같이, 본 발명에서는 링크라인(154)이 기판(110)의 상면에서 측면을 거쳐 배면으로 형성되어 신호모듈(170)과 연결되므로, 표시장치의 베젤 면적을 최소화할 수 있게 된다.As described above, in the present invention, since the link line 154 is formed as a rear surface from the upper surface of the substrate 110 through the side surface and connected to the signal module 170, the bezel area of the display device can be minimized.

종래의 유기전계발광 표시소자의 경우, 패드영역에 각종 배선이 형성된 FPCB(Flexible Printed Circuit Board)가 부착된 후, FPCB가 후면으로 접혀져 후면의 신호모듈과 접속되었다. 따라서, 종래 유기전계발광 표시소자의 경우 FPCB가 접착되는 영역이 필요하게 되어 패드영역의 면적이 증가하게 되고 FPCB가 후방으로 접혀지는 공간이 필요하게 되므로, 표시영역 외곽에는 설정된 면적의 베젤 영역를 확보해야만 한다.In the case of a conventional organic light emitting display device, an FPCB (Flexible Printed Circuit Board) in which various wirings are formed is attached to a pad area, and then the FPCB is folded back to connect to a signal module on the rear side. Therefore, in the conventional organic light emitting display device, a region to which the FPCB is bonded is required, so that the area of the pad region is increased and the space in which the FPCB is folded backward is required. Therefore, do.

그러나, 본 발명의 마이크로LED 표시장치에서는 FPCB없이 링크라인(154)이 기판(110)의 측면에 배치되어 기판(110) 상면의 패드(152)와 기판(110) 배면의 신호모듈(170)이 접속되므로, FPCB의 부착영역 및 접히는 공간이 필요없게 되어 베젤을 대폭 감소할 수 있게 된다.However, in the micro LED display device of the present invention, the link line 154 is disposed on the side surface of the substrate 110 without the FPCB, so that the pad 152 on the top surface of the substrate 110 and the signal module 170 on the back surface of the substrate 110 The attachment region and the folding space of the FPCB are not required, and the bezel can be greatly reduced.

도 4는 복수의 마이크로LED 표시패널이 타일링된 타일링 마이크로LED 표시장치를 개략적으로 나타내는 도면이다. 그리고 도 5는 본 발명에 따른 마이크로LED 표시패널로서, 서로 이웃하는 픽셀들을 개략적으로 나타내는 평면도이다.4 is a view schematically showing a tiled micro LED display device in which a plurality of micro LED display panels are tiled. And FIG. 5 is a plan view schematically showing neighboring pixels of a micro LED display panel according to the present invention.

도 4에 도시된 타일링 마이크로LED 표시장치(200)는 도 1에 도시된 구조의 마이크로LED 표시패널(100)이 복수개 타일링(tiling)된 표시장치다. 또는 도 4에 도시된 타일링 마이크로LED 표시장치(200)는 마이크로LED 표시장치가 복수개 타일링된 표시장치로 설명될 수도 있다. 이 도면에서는 설명의 편의를 위해 4개의 마이크로LED 표시패널(100)이 타일링되어 있지만, 마이크로LED 표시패널(100)이 6개, 8개 또는 그 이상이 타일링되어 타일링 마이크로LED 표시장치(200)를 형성할 수 있다.The tiled micro LED display device 200 shown in FIG. 4 is a display device in which a plurality of micro LED display panels 100 of the structure shown in FIG. 1 are tiled. Or the tiled micro LED display device 200 shown in FIG. 4 may be described as a display device in which a plurality of micro LED display devices are tiled. Although four micro LED display panels 100 are tiled for convenience of description, six, eight, or more micro LED display panels 100 are tiled to form the tiled micro LED display device 200 .

도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일실시예에 따른 타일링 마이크로LED 표시장치(200)는 복수의 마이크로LED 표시패널(100)이 매트릭스 형태로 배치 또는 결합되어 구성된다. 마이크로LED 표시패널(100) 각각은 복수의 화소영역(P)을 포함하며, 각각의 화소영역(P)에는 제1 마이크로LED(140)와 제2 마이크로LED(142)가 배치된다. 제1 마이크로LED(140)는 적어도 세 가지 컬러로 발광하는 R,G,B 마이크로LED(140R,140G,140B)를 포함하며, 제2 마이크로LED(142)는 적어도 세 가지 컬러로 발광하는 R,G,B 마이크로LED(142R,142G,142B)를 포함한다. As shown in FIG. 4, the tiled micro LED display device 200 according to an embodiment of the present invention includes a plurality of micro LED display panels 100 arranged or connected in a matrix form. Each of the micro LED display panels 100 includes a plurality of pixel regions P and a first micro LED 140 and a second micro LED 142 are disposed in each pixel region P. [ The first micro LED 140 includes R, G, and B micro LEDs 140R, 140G, and 140B that emit light in at least three colors, and the second micro LED 142 includes R, G, and B micro LEDs 142R, 142G, and 142B.

제1 마이크로LED(140) 또는 제2 마이크로LED(142)는 각각 흰색으로 발광될 수 있다. 따라서, 제1 마이크로LED(140) 또는 제2 마이크로LED(142)를 포함하는 화소영역(P)은 단위화소로 지칭될 수 있다.The first micro LED 140 or the second micro LED 142 may emit white light, respectively. Accordingly, the pixel region P including the first micro LED 140 or the second micro LED 142 may be referred to as a unit pixel.

도 5를 참조하면, 본 발명에 따른 마이크로LED 표시패널(100)의 단일 픽셀(P)은 각각 제1 마이크로LED(140) 및 제2 마이크로LED(142)를 포함한다. 설명의 편의를 위해, 제1 행에 배열된 복수 개의 픽셀(P)을 좌측부터 순서대로 P11, P12, P13 으로, 제2 행에 배열된 복수 개의 픽셀(P)을 좌측부터 순서대로 P21, P22, P23 으로 설명한다. Referring to FIG. 5, a single pixel P of the micro LED display panel 100 according to the present invention includes a first micro LED 140 and a second micro LED 142, respectively. For convenience of explanation, a plurality of pixels P arranged in the first row are arranged in order from P11 to P12 and P13 in the order from the left, and a plurality of pixels P arranged in the second row are arranged in order from P21 to P22 , And P23.

각각의 픽셀(P)에 포함된 제1 마이크로LED(140) 및 제2 마이크로LED(142)는 동일한 구조로 형성되고 동일한 발광특성을 가진다. 이때, 제1 마이크로LED(140)와 제2 마이크로LED(142)는 도 3에 도시된 구조로 구성되며, 도 2에 도시된 구조물상에 제1 마이크로LED(140)와 제2 마이크로LED(142)를 전사함으로써 마이크로LED 표시장치가 제작된다. The first micro LED 140 and the second micro LED 142 included in each pixel P are formed in the same structure and have the same light emission characteristic. In this case, the first micro LED 140 and the second micro LED 142 are configured as shown in FIG. 3. The first micro LED 140 and the second micro LED 142 ) Is transferred to fabricate a micro LED display device.

이때, 각각의 R,G,B 제1 마이크로LED(140R,140G,140B)는 마이크로LED 표시패널(100)의 화소영역 내에서 수평방향(x-방향)을 따라 일렬로 배열되며, 각각의 R,G,B 제2 마이크로LED(142R,142G,142B)도 화소영역내에서 수평방향(x-방향)을 따라 일렬로 배열된다.The first micro LEDs 140R, 140G, and 140B are arranged in a row in the horizontal direction (x-direction) within the pixel region of the micro LED display panel 100, and each R G, and B second micro LEDs 142R, 142G, and 142B are arranged in a line along the horizontal direction (x-direction) within the pixel region.

한편, 상기와 같은 마이크로LED 표시패널은 기판 상에 마이크로LED를 전사시키는 과정에서 마이크로LED가 정상적으로 발광하지 못하는 불량이 발생할 수 있다. 특히, 특정 면적당 발광하지 못하는 LED가 다수 개 포함될 경우 사용자로 하여금 불량이 쉽게 인지될 수 있다.On the other hand, the micro LED display panel may fail to emit light normally when the micro LED is transferred onto the substrate. In particular, if a plurality of LEDs that can not emit light per a specific area are included, the user can be easily recognized as defective.

본 발명에서는 마이크로LED 표시패널(100)의 화소영역(P)에 제2 마이크로LED(142)를 배치함으로써, 불량 화소가 시인되는 것을 방지할 수 있다. In the present invention, the second micro LED 142 is disposed in the pixel region P of the micro LED display panel 100 to prevent the defective pixel from being visually recognized.

제1 마이크로LED(140)는 주발광 마이크로LED로서 외부로부터 인가되는 화상신호에 따라 발광하여 영상을 구현하며, 제2 마이크로LED(142)는 리던던시 마이크로LED로서 특정 화소의 제1 마이크로LED(140)에 불량이 발생하는 경우 제1 마이크로LED(140) 대신에 작동할 수 있다. 한편, 제2 마이크로LED(142)가 주발광 마이크로LED로 동작할 수 있고, 제1 마이크로LED(140)가 리던던시 마이크로LED로서 동작할 수 있다. The first micro LED 140 is a main emission micro LED and emits light according to an image signal applied from the outside to implement an image. The second micro LED 142 is a redundant micro LED, and the first micro LED 140 of a specific pixel, The first micro LED 140 may operate in place of the first micro LED. Meanwhile, the second micro LED 142 may operate as the main emission micro LED, and the first micro LED 140 may operate as the redundant micro LED.

도면에는 도시하지 않았지만, 각각의 마이크로LED 표시패널(100)의 화소영역에는 제1 마이크로LED(140)를 구현하기 위한 게이트 라인, 데이터 라인 및 박막트랜지스터가 형성될 뿐만 아니라 제2 마이크로LED(142)를 구동하기 위한 리던던시 게이트 라인, 리던던시 데이터 라인 및 리던던시 박막트랜지스터가 형성된다. 다시 말해서, 제1 마이크로LED(140) 및 제2 마이크로LED(142)는 서로 다른 박막트랜지스터에 의해 별도로 작동한다.A gate line, a data line, and a thin film transistor for implementing the first micro LED 140 are formed in the pixel region of each micro LED display panel 100 as well as the second micro LED 142, A redundancy gate line, a redundancy data line, and a redundancy thin film transistor are formed. In other words, the first micro LED 140 and the second micro LED 142 operate separately by different thin film transistors.

이하에서는 본 발명에 따라 제1 마이크로LED(140) 및 제2 마이크로LED(142)에 의해 화면상에 불량 픽셀이 인지되는 것을 방지하는 방법을 설명한다.Hereinafter, a method for preventing recognition of defective pixels on the screen by the first micro LED 140 and the second micro LED 142 according to the present invention will be described.

도 6은 본 발명에 따른 마이크로LED 표시패널로서, 단위 픽셀을 개략적으로 나타내는 평면도이다.6 is a plan view schematically showing a unit pixel of a micro LED display panel according to the present invention.

도 6은 단위 픽셀(P) 내에서 수평 및 수직방향으로 배열된 제1 마이크로LED(140) 및 제2 마이크로LED(142)의 발광 상태를 보여주는 일 실시예이다. 이하에서 소개될 구동방법에 대한 이해를 돕기 위해, 픽셀(P)의 발광 상태를 나타내는 픽셀맵에 대해 설명한다. 픽셀맵에서는 제1 마이크로LED(140)가 P[5], P[3], P[1] 로 정의되고, 제2 마이크로LED(142)가 P[4], P[2], P[0] 로 정의된다. 6 is a view illustrating an emission state of the first micro LED 140 and the second micro LED 142 arranged in the horizontal and vertical directions within the unit pixel P. Referring to FIG. In order to facilitate understanding of the driving method to be described below, a pixel map representing the light emitting state of the pixel P will be described. In the pixel map, the first micro LED 140 is defined as P [5], P [3], P [1], and the second micro LED 142 is defined as P [4], P [ ].

도 5에 도시된 픽셀 P12 를 참조하여 다시 설명하면, 도 6에 도시된 픽셀(P)은 R 발광 마이크로LED(140R, 142R)를 P[5] 및 P[4] 로 표현할 수 있고, G 발광 마이크로LED(140G, 142G)를 P[3] 및 P[2] 로 표현할 수 있고, B 발광 마이크로LED(140B, 142B)를 P[1] 및 P[0] 으로 표현할 수 있다. 또한, 발광 상태가 정상인 LED의 속성(값)은 아라비아 숫자 '1'로 정의하고, 발광 상태가 불량인 LED의 속성은 아라비아 숫자 '0'으로 정의한다. 이후부터는 임의의 픽셀(P)의 픽셀맵은 각 LED의 속성을 괄호 안에 나열하여 기재하도록 한다. 즉, 임의 픽셀(P)의 픽셀맵은 (P[5]P[4] P[3]P[2] P[1]P[0]) 으로 표현된다.Referring to the pixel P12 shown in FIG. 5, the pixel P shown in FIG. 6 can express the R-emission micro LEDs 140R and 142R as P [5] and P [4] The micro LEDs 140G and 142G can be expressed by P [3] and P [2], and the B emission micro LEDs 140B and 142B can be expressed by P [1] and P [0]. In addition, the attribute (value) of the LED having a normal light emitting state is defined as the Arabic numeral '1', and the attribute of the LED having the poor light emitting state is defined as the Arabic number '0'. Hereinafter, the pixel map of an arbitrary pixel P describes the attributes of the LEDs in parentheses. That is, the pixel map of an arbitrary pixel P is represented by (P [5] P [4] P [3] P [2] P [1] P [0]).

예를 들어, 도 6에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 픽셀(P)은 정상적으로 발광하지 않는 불량 LED인 P[5] 와, 정상적으로 발광하는 정상 LED인 P[4], P[3], P[2], P[1], 및 P[0] 을 포함한다. 따라서, 픽셀(P)의 불량 픽셀맵은 (01 11 11) 로 표현될 수 있다. 여기서, 불량 픽셀맵이란 임의의 픽셀(P) 내에 포함된 복수 개의 LED의 정상 작동 유무를 알 수 있는 지표이며, 구동 픽셀맵이란 게이트 라인 및 데이터 라인에 의해 발광되도록 제어되는 복수 개의 LED 배치에 대한 지표이다. 구동 픽셀맵은 불량 픽셀맵을 바탕으로 적절히 선택될 수 있다. For example, a pixel P according to an embodiment of the present invention shown in FIG. 6 includes P [5] which is a bad LED which does not normally emit, P [4] and P [3] which are normal LEDs which emit normally, , P [2], P [1], and P [0]. Therefore, the defective pixel map of the pixel P can be expressed by (01 11 11). Here, the defective pixel map is an indicator for determining whether or not the plurality of LEDs included in an arbitrary pixel P are normally operated, and the driving pixel map is a map for a plurality of LED arrangements controlled to emit light by the gate line and the data line. It is an indicator. The driving pixel map can be appropriately selected based on the defective pixel map.

도 7은 본 발명에 따른 마이크로LED 표시장치로서, 서로 이웃하는 픽셀들을 개략적으로 나타내는 평면도이다. 7 is a plan view schematically showing neighboring pixels, according to the present invention.

도 7에 도시된 마이크로LED 표시패널(100)은 제1 행에 배열된 픽셀 P11, P12, P13 및 제2 행에 배열된 픽셀 P21, P22, P23을 포함한다. 또한, 픽셀 P13은 정상적으로 구동하지 않는 불량 LED를 하나 포함하며, 상기 불량 LED는 제2 B 마이크로LED(142B)이며, 상기 불량 LED는 P[1]로 표현될 수 있다. 또한, 상기 P[1]의 값은 0 이며, 픽셀 P13의 P[1]을 제외한 LED 들은 모두 정상적으로 동작함을 나타낸다. 따라서, 픽셀 P11, P12, P21, P22, P23의 불량 픽셀맵은 모두 (11 11 11) 이며, 픽셀 P13의 불량 픽셀맵은 (11 11 01) 이다. 또한, 도 7에 도시된 바와 같이, 픽셀 P11, P12, P21, P22, P23의 구동 픽셀맵은 모두 (10 10 10) 이며, 픽셀 P13의 구동 픽셀맵은 (10 10 01) 이다. The micro LED display panel 100 shown in Fig. 7 includes pixels P11, P12 and P13 arranged in the first row and pixels P21, P22 and P23 arranged in the second row. Further, the pixel P13 includes one defective LED that does not normally operate, the defective LED is the second B micro LED 142B, and the defective LED can be represented by P [1]. Further, the value of P [1] is 0, indicating that all the LEDs other than P [1] of the pixel P13 operate normally. Therefore, the defective pixel maps of the pixels P11, P12, P21, P22 and P23 are all (11 11 11), and the defective pixel map of the pixel P13 is (11 11 01). 7, the driving pixel maps of the pixels P11, P12, P21, P22 and P23 are all (10 10 10), and the driving pixel map of the pixel P13 is (10 10 01).

한편, 도 7에 도시된 바와 같이, 기본적으로 제1 마이크로LED(140)가 발광하는 상태에서 픽셀 P13의 제2 마이크로LED(142) 하나만 발광하게 될 경우, 특정 거리 내에서는 사용자에게 인지되거나, 또는 정확히 인지되지 못하더라도 눈이 쉽게 피로해질 수 있다. 따라서, 본 발명의 발명자들은 불량 픽셀맵의 패턴에 따라 특정한 구동 픽셀맵을 갖도록 구동방법을 제어할 필요가 있음을 파악하였다. 이에, 본 발명의 발명자들은 사용자의 심미감을 향상시킬 수 있는 구동 픽셀맵에 대해 연구하였으며, 본 발명을 통해 마이크로LED 표시패널(100)의 시인성이 개선된 구동방법을 제공한다. 7, when only one second micro LED 142 of the pixel P13 emits light in a state where the first micro LED 140 is emitting light, it is recognized by the user within a specific distance, or, Even if it is not recognized correctly, the eyes can easily become tired. Therefore, the inventors of the present invention have found that it is necessary to control the driving method so as to have a specific driving pixel map according to the pattern of the defective pixel map. Accordingly, the inventors of the present invention have studied a driving pixel map that can improve a user's aesthetic sense, and provide a driving method in which visibility of the micro LED display panel 100 is improved through the present invention.

도 8a 내지 도 8c는 본 발명에 따른 마이크로LED 표시패널로서, 서로 이웃하는 픽셀들을 개략적으로 나타내는 평면도이다.8A to 8C are plan views schematically showing neighboring pixels of a micro LED display panel according to the present invention.

도 8a 내지 도 8c에 도시된 본 발명의 마이크로LED 표시패널(100)은 불량 LED를 포함하는 경우의 구동 픽셀맵의 실시예들을 나타낸다. 먼저 도 8a를 참조하면, 픽셀 P13의 P[1]에 해당하는 제1 B 마이크로LED(140B)만 불량 상태임을 나타내며, P13의 P[1]을 제외한 픽셀 P11, P12, P13, P21, P22, P23의 모든 LED들은 정상 상태임을 나타낸다. 따라서, 픽셀 P11, P12, P21, P22, P23의 불량 픽셀맵은 (11 11 11)이며, 픽셀 P13의 불량 픽셀맵은 (11 11 01)이다. 도 8b 및 도 8c의 불량 필셀맵은 도 8a의 불량 픽셀맵과 동일하다.The micro LED display panel 100 of the present invention shown in Figs. 8A to 8C shows embodiments of a driving pixel map in the case where a bad LED is included. 8A, only the first B micro LED 140B corresponding to P [1] of the pixel P13 is in a defective state, and pixels P11, P12, P13, P21, P22, All the LEDs of P23 indicate a normal state. Therefore, the defective pixel map of the pixels P11, P12, P21, P22, and P23 is (11 11 11) and the defective pixel map of the pixel P 13 is (11 11 01). 8B and 8C are the same as the bad pixel map of FIG. 8A.

한편, 불량 상태의 LED가 포함된 마이크로LED 표시패널(100)은 다양한 방법으로 구동될 수 있다. On the other hand, the micro LED display panel 100 including the defective LED may be driven by various methods.

도 8a를 참조하면, 픽셀 P11, P13, P22의 구동 픽셀맵은 (01 10 01)이고, 이에 따라 데이터 신호에 따라 발광하도록 동작되는 LED들은 단일 픽셀(P) 내에서 델타(Δ) 형상을 갖는다. 또한, 픽셀 P12, P21, P23의 구동 픽셀맵은 (10 01 10)이고, 이에 따라 데이터 신호에 따라 발광하도록 동작되는 LED들은 단일 픽셀(P) 내에서 역델타(▽) 형상을 갖는다. 8A, the driving pixel map of the pixels P11, P13 and P22 is (01 10 01), so that LEDs which are operated to emit light in accordance with the data signal have a delta (?) Shape in a single pixel P . Further, the driving pixel map of the pixels P12, P21, and P23 is (10 01 10), so that the LEDs that are operated to emit light in accordance with the data signal have a reverse delta (?) Shape within a single pixel P.

도 8b를 참조하면, 픽셀 P11, P12, P13, P21, P22, P23의 구동 픽셀맵은 (01 10 01)이고, 이에 따라 데이터 신호에 따라 발광하도록 동작되는 LED들은 단일 픽셀(P) 내에서 델타(Δ) 형상을 갖는다. 그리고 도 8c를 참조하면, 픽셀 P11, P13, P22의 구동 픽셀맵은 (01 01 01)이고, 픽셀 P12, P21, P23의 구동 픽셀맵은 (10 10 10)이다.8B, the driving pixel map of the pixels P11, P12, P13, P21, P22 and P23 is (01 10 01), so that the LEDs which are operated to emit light in accordance with the data signal, (?). Referring to FIG. 8C, the driving pixel map of the pixels P11, P13 and P22 is (01 01 01), and the driving pixel map of the pixels P12, P21 and P23 is (10 10 10).

도 8a 내지 도 8c의 구동 픽셀맵을 갖도록 마이크로LED를 구동하면, 표시패널과 가까운 거리에서도 불량 LED가 시인되지 않는다. 이 뿐만 아니라, 마이크로LED의 각 픽셀(P)의 구동방법을 제어하여 표시 영상을 부드럽게 처리할 수 있고, 이에 따라 사용자에게 편안한 영상을 제공할 수 있다. When the micro LED is driven to have the driving pixel map of Figs. 8A to 8C, the defective LED is not visually observed at a distance close to the display panel. In addition, it is possible to smoothly process the display image by controlling the driving method of each pixel P of the micro LED, thereby providing a comfortable image to the user.

이러한 구동 제어는 마이크로LED 표시장치의 회로모듈에 구비된 데이터 보정부(300)에 의해 이루어진다. 데이터 보정부(300)는 마이크로LED 표시장치의 배면에 배치될 수 있으나, 반드시 이에 한정하는 것은 아니다.This drive control is performed by the data correction unit 300 provided in the circuit module of the micro LED display device. The data correction unit 300 may be disposed on the back surface of the micro LED display device, but is not limited thereto.

도 9는 본 발명에 따른 마이크로LED 표시장치의 데이터 보정부의 블럭도이다. 그리고 도 10a 및 도 10b는 본 발명에 따른 마이크로LED 표시장치의 데이터 보정부의 상세한 블럭도이다. 그리고 도 11a 내지 도 13b는 본 발명에 따른 마이크로LED 표시패널로서, 데이터 보정된 픽셀을 개략적으로 나타내는 평면도이다.9 is a block diagram of a data correction unit of a micro LED display device according to the present invention. 10A and 10B are detailed block diagrams of the data correction unit of the micro LED display device according to the present invention. And Figs. 11A to 13B are plan views schematically showing a data-corrected pixel, which is a micro LED display panel according to the present invention.

도 9에 도시된 바와 같이, 데이터 보정부(300)는 불량 픽셀맵을 생성하는(S100)단계, 구동 픽셀맵을 생성하는 단계(S200), 프레임 픽셀맵을 생성하는 단계(S300)를 수행한다.9, the data correcting unit 300 performs a step S100 of generating a defective pixel map, a step S200 of generating a driving pixel map, and a step S300 of generating a frame pixel map .

불량 픽셀맵을 생성하는 단계(S100)는 마이크로LED 표시장치의 화면을 촬영한 촬영장비로부터 입력된 영상데이터를 기초로 하여, 각 픽셀에 포함된 LED의 정상 상태 또는 불량 상태를 나타내는 불량 픽셀맵을 생성한다.The step (S100) of generating the defective pixel map is based on the image data inputted from the photographing equipment which photographs the screen of the micro LED display device, and the defective pixel map indicating the steady state or the defective state of the LED contained in each pixel .

도 9 및 도 10a를 참조하면, 불량 픽셀맵을 생성하는 단계(S100)는 단일 픽셀의 제N 라인에 배열된 LED들의 발광유무를 검사하는 단계(S110)와, 이를 토대로 제N 라인에 배열된 LED의 픽셀맵을 산출하는 단계(S120)를 포함하고, 제N+1 라인에 배열된 LED들의 발광유무를 검사하는 단계(S130)와, 이를 토대로 제N+1 라인에 배열된 LED의 픽셀맵을 산출하는 단계(S140)와, 상기 픽셀맵을 토대로 단일 픽셀(P)의 불량 픽셀맵을 산출하는 단계(S150)를 포함한다.9 and 10A, the step of generating a defective pixel map (S100) includes a step (S110) of checking whether or not the LEDs arranged in the N-th line of a single pixel emit light, (S130) of determining whether or not the LEDs arranged in the (N + 1) th line are emitted (S130), and calculating a pixel map of the LEDs arranged in the (N + 1) (S140) of calculating a defective pixel map of a single pixel (P) based on the pixel map (S150).

마이크로LED 표시패널(100)의 모든 LED가 발광하도록 제어하는 게이트 신호 및 데이터 신호가 인가된 조건에서, 제1 라인에 배열된 LED의 발광 상태를 촬영장치로 촬영한다. 이어서, 촬영된 LED의 동작 상태를 값으로 변환하여 제1 라인에 배열된 LED의 불량 픽셀맵을 얻는다. 아울러 동일한 조건에서, 제2 라인에 배열된 LED의 발광 상태를 촬영장치로 촬영한다. 이어서, 촬영된 LED의 동작 상태를 값으로 변환하여 제2 라인에 배열된 LED의 불량 픽셀맵을 얻는다. 이어서, 제1 라인 LED의 불량 픽셀맵과 제2 라인 LED의 불량 픽셀맵을 토대로 하여 단일 픽셀의 불량 픽셀맵이 완성된다. The light emitting state of the LEDs arranged in the first line is photographed by the photographing apparatus under the condition that the gate signal and the data signal for controlling all the LEDs of the micro LED display panel 100 are emitted. Then, the operation state of the photographed LED is converted into a value to obtain a defective pixel map of the LED arranged in the first line. In addition, under the same condition, the light emitting state of the LEDs arranged in the second line is photographed by the photographing apparatus. Then, the operation state of the photographed LED is converted into a value to obtain a defective pixel map of the LED arranged in the second line. Then, a defective pixel map of a single pixel is completed based on the defective pixel map of the first line LED and the defective pixel map of the second line LED.

도 11a의 좌측 픽셀을 예로 들어 설명하면, 제1 라인에 배열된 LED 중 P[5]에 해당하는 LED는 불량 상태이고, P[3], P[1]에 해당하는 LED는 정상 상태이다. 따라서, 제1 라인에 배열된 LED의 불량 픽셀맵은 (0 1 1)이 된다. 또한, 제2 라인에 배열된 LED는 모두 정상 상태이므로, 제2 라인에 배열된 LED의 불량 픽셀맵은 (1 1 1)이 된다. 상기 두 라인의 상태를 조합하면 (01 11 11)이라는 불량 픽셀맵이 완성된다. 동일한 방법으로 도 11b의 좌측 픽셀의 불량 픽셀맵은 (10 11 11)이 된다. 11A, LEDs corresponding to P [5] among the LEDs arranged in the first line are in a defective state, and LEDs corresponding to P [3] and P [1] are in a normal state. Therefore, the defective pixel map of the LED arranged in the first line becomes (0 1 1). Further, since all of the LEDs arranged in the second line are in a normal state, the defective pixel map of the LEDs arranged in the second line becomes (1 1 1). When the states of the two lines are combined, a defective pixel map of (01 11 11) is completed. In the same way, the defective pixel map of the left pixel of FIG. 11B becomes (10 11 11).

도 9 및 도 10b를 참조하여 구동 픽셀맵을 생성하는 단계(S200)에 대해 설명한다. Referring to Figs. 9 and 10B, a step S200 of generating a driving pixel map will be described.

구동 픽셀맵을 생성하는 단계(S200)는 제1 구동 픽셀맵을 결정하는 단계(S210)와, 제2 구동 픽셀맵을 결정하는 단계(S220)와, 제3 구동 픽셀맵을 결정하는 단계(S230)와, 최종 구동 픽셀맵을 결정하는 단계(S240)를 포함한다. The step S200 of generating the driving pixel map includes a step S210 of determining a first driving pixel map, a step S220 of determining a second driving pixel map, a step S230 of determining a third driving pixel map And determining a final driving pixel map (S240).

제1 구동 픽셀맵을 결정하는 단계(S210)에서는 불량 픽셀맵을 생성하는 단계(S100)로부터 입력 받은 불량 픽셀맵이 유형A에 해당하는지를 판단하고, 이에 따라 제1 구동 픽셀맵을 결정한다. 유형A는 P[5], P[2], P[1]에 해당하는 LED 중 하나가 불량 상태인 경우이거나, P[4], P[3], P[0]에 해당하는 LED 중 하나가 불량 상태인 경우로 정의될 수 있다. 불량 픽셀맵이 유형A에 해당하는지 여부에 따라 미리 정해진 값으로 제1 구동 픽셀맵을 저장한다. 만일, 불량 픽셀맵을 생성하는 단계(S100)로부터 입력 받은 불량 픽셀맵이 유형A에 해당하지 않는 경우, 즉, 모든 LED가 정상 상태인 경우에는 구동 픽셀맵을 미리 정해진 값으로 저장한 후 최종 구동 픽셀맵을 결정하는 단계(S250)로 전달할 수 있다. In the step S210 of determining the first driving pixel map, it is determined whether the defective pixel map inputted from the step S100 of generating the defective pixel map corresponds to the type A, and the first driving pixel map is determined accordingly. Type A is either one of the LEDs corresponding to P [5], P [2], P [1] is in a bad state, or one of the LEDs corresponding to P [4], P [3], P [ Can be defined as a case of a defective state. The first driving pixel map is stored with a predetermined value according to whether the defective pixel map corresponds to the type A or not. If the defective pixel map inputted from the step S100 of generating the defective pixel map does not correspond to the type A, that is, if all the LEDs are in the normal state, the driving pixel map is stored as a predetermined value, To the step of determining the pixel map (S250).

도 11a 내지 도 13b를 참조하면, 좌측 픽셀은 불량 픽셀맵에 대응되는 픽셀을 나타내고, 우측 픽셀은 구동 픽셀맵에 대응되는 픽셀을 나타낸다. 구동 픽셀맵의 정보에 따라 데이터 신호가 보정되어 픽셀에 포함된 복수 개의 LED는 정해진 패턴으로 발광하게 된다.11A to 13B, the left pixel represents a pixel corresponding to a defective pixel map, and the right pixel represents a pixel corresponding to a driving pixel map. The data signal is corrected according to the information of the driving pixel map, and the plurality of LEDs included in the pixel emit light in a predetermined pattern.

도 11a에 도시된 픽셀은 P[5]에 해당하는 LED가 불량 상태이므로 유형A에 해당하고, 이에 따라 제1 구동 픽셀맵은 (01 10 01)로 저장된다. 도 11b에 도시된 픽셀은 P[4]에 해당하는 LED가 불량 상태이므로 유형A에 해당하고, 이에 따라 제1 구동 픽셀맵은 (10 01 10)으로 저장된다. 한편, 구동 픽셀맵이 (01 10 01)인 도 11a의 우측 픽셀은 델타(Δ)형상으로 발광하고, 구동 픽셀맵이 (10 01 10)인 도 11b의 우측 픽셀은 역델타(▽)형상으로 발광하게 된다. 이에 따라 영상을 부드럽게 처리할 수 있고, 사용자가 느끼는 심미감을 향상시킬 수 있다.The pixel shown in FIG. 11A corresponds to the type A since the LED corresponding to P [5] is in a defective state, and accordingly, the first driving pixel map is stored as (01 101). The pixel shown in FIG. 11B corresponds to the type A since the LED corresponding to P [4] is in a defective state, and thus the first driving pixel map is stored as (10 01 10). On the other hand, the right pixel of FIG. 11A in which the driving pixel map is (01 10 01) emits in a delta (?) Shape and the right pixel of FIG. 11B in which the driving pixel map is (10 01 10) The light is emitted. Accordingly, the image can be smoothly processed, and the aesthetics felt by the user can be improved.

이어서, 제2 구동 픽셀맵을 결정하는 단계(S220)에서는 불량 픽셀맵을 생성하는 단계(S100)로부터 입력 받은 불량 픽셀맵이 유형B에 해당하는지를 판단하고, 이에 따라 제2 구동 픽셀맵을 결정한다. 유형B는 수직으로 배열된 한 쌍의 LED가 동시에 불량 상태인 경우로 정의될 수 있다. 즉, 본 발명의 일 실시예에 따른 유형B는 P[5] 및 P[4]에 해당하는 LED가 불량 상태이거나, P[3] 및 P[2]에 해당하는 LED가 불량 상태이거나, P[1] 및 P[0]에 해당하는 LED가 불량 상태인 경우이다. 만일, 불량 픽셀맵을 생성하는 단계(S100)로부터 입력 받은 불량 픽셀맵이 유형B에 포함되지 않는 경우에는, 제1 구동 픽셀맵을 최종 구동 픽셀맵을 결정하는 단계(S250)로 전달할 수 있다. Next, in the step S220 of determining the second driving pixel map, it is determined whether the defective pixel map inputted from the step S100 of generating the defective pixel map corresponds to the type B, and the second driving pixel map is determined accordingly . Type B can be defined as a case in which a pair of vertically arranged LEDs are in a bad state at the same time. That is, in the type B according to the embodiment of the present invention, LEDs corresponding to P [5] and P [4] are in a defective state, LEDs corresponding to P [3] and P [2] And the LEDs corresponding to [1] and P [0] are in a defective state. If the bad pixel map received from the step S100 of generating the defective pixel map is not included in the type B, the first driving pixel map may be transmitted to the step S250 of determining the final driving pixel map.

도 12a에 도시된 픽셀의 불량 픽셀맵은 (00 11 11)이므로 유형B에 해당하고, 이에 따라 제2 구동 픽셀맵은 (00 10 01)로 저장된다. 도 12b에 도시된 픽셀의 불량 픽셀맵은 (11 00 11)이므로 유형B에 해당하고, 이에 따라 제2 구동 픽셀맵은 (10 00 01)로 저장된다. 그리고 불량 픽셀맵이 (11 11 00)인 픽셀의 경우도 유형B에 해당하고, 이에 따라 제2 구동 픽셀맵은 (10 01 00)으로 저장된다. 따라서, 상기의 제2 구동 픽셀맵에 따라 구동할 경우, 정상 상태인 LED가 지그 재그 형상으로 발광할 수 있도록 제어하는 것이 가능하다. 이에 따라 영상을 부드럽게 처리할 수 있고, 사용자가 느끼는 심미감을 향상시킬 수 있다.The bad pixel map of the pixel shown in Fig. 12A corresponds to type B since it is (001111), and thus the second driving pixel map is stored as (0010 01). The bad pixel map of the pixel shown in FIG. 12B corresponds to type B since it is (11 00 11), and thus the second driving pixel map is stored as (10 00 01). A pixel with a bad pixel map of (11 11 00) also corresponds to type B, and thus the second driving pixel map is stored as (10 01 00). Therefore, when driving according to the second driving pixel map, it is possible to control the LEDs in a steady state to emit light in a jigged shape. Accordingly, the image can be smoothly processed, and the aesthetics felt by the user can be improved.

이어서, 제3 구동 픽셀맵을 결정하는 단계(S230)에서는 불량 픽셀맵을 생성하는 단계(S100)로부터 입력 받은 불량 픽셀맵이 유형C에 해당하는지를 판단하고, 이에 따라 제3 구동 픽셀맵을 결정한다. 유형C는 두 쌍의 LED가 동시에 불량 상태인 경우로 정의될 수 있다. 즉, 본 발명의 일 실시예에 따른 유형C는 P[5], P[4], P[3], P[2]에 해당하는 LED가 모두 불량 상태이거나, P[5], P[4], P[1], P[0]에 해당하는 LED가 모두 불량 상태이거나, P[3], P[2], P[1], P[0]에 해당하는 LED가 모두 불량 상태인 경우이다. 만일 불량 픽셀맵을 생성하는 단계(S100)로부터 입력 받은 불량 픽셀맵이 유형C에 포함되지 않는 경우에는, 제2 구동 픽셀맵을 최종 구동 픽셀맵을 결정하는 단계(S250)로 전달할 수 있다. Next, in the step of determining the third driving pixel map (S230), it is determined whether the defective pixel map inputted from the step S100 of generating the defective pixel map corresponds to the type C, and the third driving pixel map is determined accordingly . Type C can be defined as when two pairs of LEDs are in a bad state at the same time. That is, the type C according to the embodiment of the present invention is a case where all the LEDs corresponding to P [5], P [4], P [3], and P [2] ], P [1], and P [0] are all in a bad state, or all LEDs corresponding to P [3], P [2], P [1], and P [0] to be. If the bad pixel map inputted from the step S100 of generating the defective pixel map is not included in the type C, the second driving pixel map may be transmitted to the step S250 of determining the final driving pixel map.

도 13a의 좌측 픽셀의 불량 픽셀맵은 (00 00 11)이므로 유형C에 해당하고, 이에 따라 제3 구동 픽셀맵은 (00 00 10)으로 저장된다. 도 13b에 도시된 픽셀의 불량 픽셀맵은 (11 00 00)이므로 유형C에 해당하고, 이에 따라 제3 구동 픽셀맵은 (10 00 00)으로 저장된다. 그리고 도시하지는 않았지만 불량 픽셀맵이 (00 11 00)인 픽셀의 경우도 유형C에 해당하고, 이에 따라 제3 구동 픽셀맵은 (00 10 00)으로 저장된다. Since the defective pixel map of the left pixel of FIG. 13A is (00 00 11), it corresponds to the type C, and thus the third driving pixel map is stored as (00 00 10). Since the defective pixel map of the pixel shown in FIG. 13B is (11 00 00), it corresponds to the type C, and thus the third driving pixel map is stored as (10 00 00). Although not shown, a pixel having a bad pixel map of (00 11 00) also corresponds to type C, and accordingly, the third driving pixel map is stored as (00 10 00).

이어서, 최종 구동 픽셀맵을 결정하는 단계(S240)에서는 앞서 제1 내지 제3 구동 픽셀맵을 결정하는 단계(S210, S220, S230, S240)를 통해 최종적으로 저장된 구동 픽셀맵을 취합하는 단계이다. Subsequently, in the step S240 of determining the last driving pixel map, the driving pixel maps finally stored are collected through the steps S210, S220, S230, and S240 of determining the first to third driving pixel maps.

이어서, 프레임 픽셀맵을 생성하는 단계(S300)에서는 마이크로LED 표시패널(100)에 포함된 모든 픽셀에 대한 구동 픽셀맵을 취합하여 별도 마련된 메모리부에 저장한다. 즉, 구동 픽셀맵을 결정하는 단계(S200)를 반복하여 실행함으로써, 마이크로LED 표시패널(100)에 포함된 모든 픽셀에 대한 구동 픽셀맵의 조합인 프레임 픽셀맵을 완성한다. Subsequently, in step S300 of generating a frame pixel map, driving pixel maps for all the pixels included in the micro LED display panel 100 are collected and stored in a separate memory unit. That is, by repeating the step S200 of determining the driving pixel map, a frame pixel map, which is a combination of driving pixel maps for all the pixels included in the micro LED display panel 100, is completed.

이어서, 데이터를 변조하는 단계(S400)는 프레임 픽셀맵의 정보에 따라 외부 시스템으로부터 입력되는 영상 테이터를 변조한다.Subsequently, the modulating the data (S400) modulates the image data input from the external system according to the information of the frame pixel map.

데이터 보정부(300)에서 보정된 영상데이터는 회로모듈(170)에 구비된 타이밍 콘트롤러로 공급된다. 타이밍 콘트롤러는 외부 시스템으로부터 입력되는 수평동기신호, 수직동기신호 및 클럭신호를 이용하여 데이터 제어신호와 게이트 제어신호를 생성하며, 데이터 제어신호와 보정된 영상 데이터를 데이터 드라이버에 공급하고 게이트 제어신호를 게이트 드라이버에 공급한다. The image data corrected by the data correction unit 300 is supplied to a timing controller provided in the circuit module 170. The timing controller generates a data control signal and a gate control signal by using a horizontal synchronizing signal, a vertical synchronizing signal and a clock signal input from an external system, and supplies the data control signal and the corrected image data to the data driver, To the gate driver.

데이터 드라이버는 타이밍 콘트롤러로부터 입력되는 데이터 제어신호에 따라 보정된 영상 데이터들을 샘플링한 후에, 매 수평기간 마다 한 수평라인 분에 해당하는 샘플링된 영상 데이터들을 래치하고 래치된 영상 데이터들을 데이터 라인에 공급하여 마이크로LED 표시패널(100)을 구동한다.The data driver samples the corrected image data according to the data control signal input from the timing controller, latches the sampled image data corresponding to one horizontal line in each horizontal period, and supplies the latched image data to the data line The micro LED display panel 100 is driven.

이와 같이 본 발명에서는 픽셀 내에 불량 LED가 포함된 경우, 구동 픽셀맵을 생성하고 이에 따라 데이터를 보정함으로써, 불량 픽셀이 인지되는 것을 방지할 수 있다. As described above, in the present invention, when a bad LED is included in a pixel, it is possible to prevent a bad pixel from being recognized by generating a driving pixel map and correcting the data accordingly.

또한, 본 발명에서는 불량 픽셀이 포함하지 않는 픽셀도 지그 재그 형상, 델타(Δ)형상, 또는 역델타(▽)형상 등으로 발광하도록 구동 픽셀맵을 생성하고 이에 따라 데이터를 보정함으로써, 영상을 부드럽게 처리하여 심미감을 향상시킬 수 있다.In the present invention, a driving pixel map is generated so that a pixel not including a defective pixel also emits light with a jiggag shape, a delta (?) Shape or a reverse delta (?) Shape, It is possible to improve the esthetic feeling.

본 발명의 다양한 실시예에 따른 마이크로LED 표시장치는 다음과 같이 설명될 수 있다.The micro LED display device according to various embodiments of the present invention can be described as follows.

본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로LED 표시장치는 백색 광의 구현이 가능한 단위화소, 단위화소에 위치한 제1 마이크로LED, 및 단위화소에 위치하며 제1 마이크로LED에 인접하여 배치된 제2 마이크로LED를 포함하고, 제1 마이크로LED 및 제2 마이크로LED는 인가된 영상신호에 따라 발광하며, 정상적으로 발광하지 않는 불량LED의 위치에 따라 제1 마이크로LED 및 제2 마이크로LED의 발광이 결정된다.A micro LED display device according to an embodiment of the present invention includes a unit pixel capable of realizing white light, a first micro LED disposed in a unit pixel, and a second micro LED disposed in a unit pixel and disposed adjacent to the first micro LED, The first micro LED and the second micro LED emit light according to the applied image signal, and the light emission of the first micro LED and the second micro LED is determined according to the position of the defective LED which does not normally emit light.

본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로LED 표시장치에 있어서, 제1 마이크로LED 및 제2 마이크로LED는 두 줄로 나란히 배치될 수 있다.In the micro LED display device according to an embodiment of the present invention, the first micro LED and the second micro LED may be arranged in two rows.

본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로LED 표시장치에 있어서, 제1 마이크로LED 및 제2 마이크로LED는 Y 방향으로 이웃하여 배치되고, 제1 마이크로LED 및 제2 마이크로LED에 포함된 LED들은 각각 X 방향으로 나란히 배치될 수 있다.In the micro LED display device according to an embodiment of the present invention, the first micro LED and the second micro LED are arranged adjacent to each other in the Y direction, and the LEDs included in the first micro LED and the second micro LED are respectively arranged in the X direction As shown in FIG.

본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로LED 표시장치에 있어서, 불량LED의 위치에 따라 제1 마이크로LED 및 제2 마이크로LED는 지그재그로 발광할 수 있다.In the micro LED display device according to an embodiment of the present invention, the first micro LED and the second micro LED may emit zigzag according to the position of the defective LED.

본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로LED 표시장치에 있어서, 불량LED의 위치에 따라 단위화소는 델타(Δ) 형상 또는 역델타(▽) 형상으로 발광할 수 있다.In a micro LED display device according to an embodiment of the present invention, a unit pixel may emit light in a delta (?) Shape or a reverse delta (?) Shape depending on the position of a defective LED.

본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로LED 표시장치에 있어서, 단위화소 내에서 불량LED의 X 방향 또는 Y 방향으로 인접한 LED만 발광할 수 있다.In the micro LED display device according to the embodiment of the present invention, only the LED adjacent to the defective LED in the X direction or the Y direction within the unit pixel can emit light.

본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로LED 표시장치에 있어서, 단위화소의 컬러 및 휘도를 보정하는 데이터 보정부를 더 포함할 수 있다.The micro LED display device according to an embodiment of the present invention may further include a data correction unit for correcting the color and brightness of the unit pixel.

본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로LED 표시장치에 있어서, 데이터 보정부는 단위화소의 상기 불량LED의 위치를 검출하는 불량 픽셀맵 생성부와 불량LED의 위치에 따라 LED의 발광여부를 결정하는 구동 픽셀맵 생성부를 포함한다.In the micro LED display device according to an embodiment of the present invention, the data correction unit may include a defective pixel map generation unit that detects a defective LED position of a unit pixel, and a defective pixel map generation unit that detects a driving pixel And a map generating unit.

본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로LED 표시장치에 있어서, 불량 픽셀맵 생성부는 단위화소 내의 불량LED의 위치정보가 포함된 불량 픽셀맵을 생성한다.In the micro LED display device according to an embodiment of the present invention, the defective pixel map generation unit generates a defective pixel map including positional information of defective LEDs in a unit pixel.

본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로LED 표시장치에 있어서, 구동 픽셀맵 생성부는 서로 이웃한 LED가 발광하지 않도록 구동 픽셀맵을 생성한다.In the micro LED display device according to an embodiment of the present invention, the driving pixel map generator generates a driving pixel map so that neighboring LEDs do not emit light.

본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로LED 표시장치에 있어서, 기판, 기판의 상면에 배치된 복수의 게이트라인 및 복수의 데이터라인, 기판의 상면에 배치된 복수의 박막트랜지스터, 및 기판의 배면에 배치된 회로모듈을 더 포함할 수 있다.A micro LED display device according to an embodiment of the present invention includes a substrate, a plurality of gate lines and a plurality of data lines disposed on the substrate, a plurality of thin film transistors disposed on a top surface of the substrate, Lt; / RTI > circuit module.

본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로LED 표시장치에 있어서, 단위화소 내의 제1 마이크로LED 및 제2 마이크로LED는 각각 서로 다른 박막트랜지스터에 의해 구동될 수 있다.In the micro LED display device according to an embodiment of the present invention, the first micro LED and the second micro LED in the unit pixel may be driven by different thin film transistors.

본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로LED 표시장치에 있어서, 제1 마이크로LED 또는 제2 마이크로LED는 10-100㎛의 크기일 수 있다.In the micro LED display device according to an embodiment of the present invention, the first micro LED or the second micro LED may have a size of 10-100 mu m.

이상에서 설명한 본 출원은 전술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 출원의 기술적 사항을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 출원이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다. 그러므로, 본 출원의 범위는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 출원의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention. Will be clear to those who have knowledge of. Therefore, the scope of the present application is to be defined by the appended claims, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents should be construed as being included within the scope of the present application.

100: 마이크로LED 표시패널 110: 기판
118: 버퍼층 140,142: 마이크로LED
154: 링크라인 170: 회로모듈100: micro LED display panel 110: substrate
118: buffer layer 140, 142: Micro LED
154: link line 170: circuit module

Claims (12)

복수의 단위화소를 포함하는 마이크로LED 표시장치에 있어서,
상기 단위화소에 위치한 제1 마이크로LED; 및
상기 단위화소에 위치하며 상기 제1 마이크로LED에 인접하여 배치된 제2 마이크로LED를 포함하며,
상기 제1 마이크로LED 및 상기 제2 마이크로LED는 인가된 영상신호에 따라 발광하며,
불량LED의 위치에 따라 상기 제1 마이크로LED 및 상기 제2 마이크로LED의 발광이 결정되는 마이크로LED 표시장치.In a micro LED display device including a plurality of unit pixels,
A first micro LED located in the unit pixel; And
And a second micro LED disposed in the unit pixel and disposed adjacent to the first micro LED,
The first micro LED and the second micro LED emit light according to an applied video signal,
And the emission of the first micro LED and the second micro LED is determined according to the position of the defective LED. 제1항에 있어서,
상기 제1 마이크로LED 및 상기 제2 마이크로LED는 두 줄로 나란히 배치된 마이크로LED 표시장치.The method according to claim 1,
Wherein the first micro LED and the second micro LED are arranged in two rows in parallel. 제2항에 있어서,
상기 불량LED의 위치에 따라 상기 제1 마이크로LED 및 상기 제2 마이크로LED는 지그재그로 발광하는 마이크로LED 표시장치.3. The method of claim 2,
And the first micro LED and the second micro LED emit light in a zigzag manner according to the position of the defective LED. 제2항에 있어서,
상기 불량LED의 위치에 따라 상기 단위화소는 델타(Δ) 형상 또는 역델타(▽) 형상으로 발광하는 마이크로LED 표시장치.3. The method of claim 2,
And the unit pixel emits light in a delta (?) Shape or a reverse delta (?) Shape according to the position of the defective LED. 제4항에 있어서,
상기 단위화소 내에서 상기 불량LED의 X 방향 또는 Y 방향으로 인접한 LED만 발광하는 마이크로LED 표시장치.5. The method of claim 4,
Wherein only the LED adjacent to the defective LED in the X direction or Y direction in the unit pixel emits light. 제1항에 있어서,
상기 단위화소의 컬러 및 휘도를 보정하는 데이터 보정부를 더 포함하는 마이크로LED 표시장치.The method according to claim 1,
And a data correction unit for correcting the color and brightness of the unit pixel. 제6항에 있어서,
상기 데이터 보정부는 상기 단위화소의 상기 불량LED의 위치를 검출하는 불량 픽셀맵 생성부; 및
상기 불량LED의 위치에 따라 LED의 발광여부를 결정하는 구동 픽셀맵 생성부를 포함하는 마이크로LED 표시장치.The method according to claim 6,
Wherein the data correction unit comprises: a defective pixel map generation unit that detects a defective LED position of the unit pixel; And
And a driving pixel map generation unit for determining whether or not to emit light according to the position of the defective LED. 제7항에 있어서,
상기 불량 픽셀맵 생성부는 상기 단위화소 내의 불량LED의 위치정보가 포함된 불량 픽셀맵을 생성하는 마이크로LED 표시장치.8. The method of claim 7,
Wherein the defective pixel map generator generates a defective pixel map including positional information of defective LEDs in the unit pixel. 제8항에 있어서,
상기 구동 픽셀맵 생성부는 서로 이웃한 LED가 발광하지 않도록 제어하는 구동 픽셀맵을 생성하는 마이크로LED 표시장치.9. The method of claim 8,
Wherein the driving pixel map generator generates a driving pixel map for controlling the adjacent LEDs not to emit light. 제1항에 있어서,
상기 단위화소가 정의된 기판;
상기 기판의 상면에 배치된 복수의 게이트라인 및 복수의 데이터라인;
상기 기판의 상면에 배치된 복수의 박막트랜지스터; 및
상기 기판의 배면에 배치된 회로모듈을 더 포함하는 마이크로LED 표시장치.The method according to claim 1,
A substrate on which the unit pixel is defined;
A plurality of gate lines and a plurality of data lines arranged on an upper surface of the substrate;
A plurality of thin film transistors arranged on an upper surface of the substrate; And
And a circuit module disposed on a back surface of the substrate. 제10항에 있어서,
상기 단위화소 내의 상기 제1 마이크로LED 및 상기 제2 마이크로LED는 상기 복수의 박막트랜지스터 중 각각 서로 다른 박막트랜지스터에 의해 구동되는 마이크로LED 표시장치.11. The method of claim 10,
Wherein the first micro LED and the second micro LED in the unit pixel are driven by different thin film transistors among the plurality of thin film transistors. 제1항에 있어서,
상기 제1 마이크로LED 또는 상기 제2 마이크로LED는 10-100㎛의 크기인 마이크로LED 표시장치.The method according to claim 1,
Wherein the first micro LED or the second micro LED has a size of 10-100 mu m.
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