KR20190074148A - 파장 가변 레이저 소자 - Google Patents

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KR20190074148A
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Abstract

이득 영역, 위상 조절 영역, 분포 영역을 갖는 기판, 상기 기판 상에 배치된 하부 클래드 층, 상기 분포 영역 상의 상기 하부 클래드 층 내에 배치된 회절 격자들, 상기 하부 클래드 층 상에 배치되고, 상기 분포 영역에서 상기 이득 영역까지 연장하는 광 도파로, 상기 광 도파로 상에 배치된 상부 클래드 층, 및 상기 분포 영역, 상기 위상 조절 영역 및 상기 이득 영역의 상기 상부 클래드 층 상에 각각 배치된 제 1 내지 제 3 전극들을 포함하는 파장 가변 레이저 소자를 제공하되, 상기 회절 격자들은 상기 기판 및 상기 광 도파로와 평행한 방향으로 분포하고, 상기 회절 격자들의 배열 패턴은 상기 제 1 방향으로 제 1 길이 및 제 1 간격을 갖는 제 1 격자 패턴과 상기 제 1 방향으로 제 2 길이 및 제 2 간격을 갖는 제 2 격자 패턴을 중첩시킨 것과 동일할 수 있다.

Description

파장 가변 레이저 소자{WAVELENGTH TUNABLE LASER DEVICE}
본 발명은 파장 가변 레이저 소자에 관한 것으로, 상세하게는 분포궤환 레이저 다이오드에 관한 것이다.
최근 반도체 기반의 광 소자들 중에서, 분포귀환(Distributed FeedBack) 레이저 다이오드 및/또는 분포 브래그 반사형(Distributed Bragg Reflector) 레이저 다이오드 등의 특정 파장을 선택하는 기능성 레이저 소자들이 개발되고 있다. 이러한 기능성 레이저 소자들은 회절 격자를 이용하여 파장 필터링을 수행할 수 있다. 예컨대, 광파가 주기적인 굴절률 변화에 의한 브래그 파장에 해당하는 특정 파장을 갖는 광파만이 반사될 수 있다. 이로써, 파장 필터링이 이루어질 수 있다. 반사된 특정 파장의 광파는 게인 영역으로 피드백(feedback)되어 발진될 수 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 짧은 길이의 파장 가변 레이저 소자를 제공하는데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 낮은 문턱전류의 파장 가변 레이저 소자를 제공하는데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급한 과제에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상술한 기술적 과제들을 해결하기 위한 본 발명의 실시예들에 따른 파장 가변 레이저 소자는 이득 영역, 위상 조절 영역, 분포 영역을 갖는 기판, 상기 기판 상에 배치된 하부 클래드 층, 상기 분포 영역 상의 상기 하부 클래드 층 내에 배치된 회절 격자들, 상기 하부 클래드 층 상에 배치되고, 상기 분포 영역에서 상기 이득 영역까지 연장하는 광 도파로, 상기 광 도파로 상에 배치된 상부 클래드 층, 및 상기 분포 영역, 상기 위상 조절 영역 및 상기 이득 영역의 상기 상부 클래드 층 상에 각각 배치된 제 1 내지 제 3 전극들을 포함할 수 있다. 상기 회절 격자들은 상기 기판 및 상기 광 도파로와 평행한 방향으로 분포할 수 있다. 상기 회절 격자들의 배열 패턴은 상기 제 1 방향으로 제 1 길이 및 제 1 간격을 갖는 제 1 격자 패턴과 상기 제 1 방향으로 제 2 길이 및 제 2 간격을 갖는 제 2 격자 패턴을 중첩시킨 것과 동일할 수 있다.
상술한 기술적 과제들을 해결하기 위한 본 발명의 실시예들에 따른 파장 가변 레이저 소자는 이득 영역, 위상 조절 영역, 분포 영역을 갖는 기판, 상기 기판 상에 배치된 하부 클래드 층, 상기 분포 영역 상의 상기 하부 클래드 층 내에 배치된 제 1 회절 격자들, 상기 하부 클래드 층 상에 배치되고, 상기 분포 영역에서 상기 이득 영역까지 연장하는 광 도파로, 상기 광 도파로 상에 배치된 상부 클래드 층, 기 분포 영역 상의 상기 상부 클래드 층 내에 배치된 제 2 회절 격자들, 및 상기 분포 영역, 상기 위상 조절 영역 및 상기 이득 영역의 상기 상부 클래드 층 상에 각각 배치된 제 1 내지 제 3 전극들을 포함할 수 있다. 상기 제 1 및 제 2 회절 격자들은 상기 기판 및 상기 광 도파로와 평행한 방향으로 분포할 수 있다. 상기 제 1 회절 격자들의 주기 및 상기 제 2 회절 격자들의 주기는 서로 다를 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 파장 가변 레이저 소자는 회절 격자들이 반사율이 높고, 좁은 대역폭(bandwidth)을 가질 수 있다. 또한, 레이저 광에 따라 회절 격자들이 최적화된 반사율을 갖도록 설정될 수 있다. 더하여, 파장 가변 레이저 소자는 높은 부모드 억제율을 나타내며, 단일 모드 발진 특성이 안정적으로 나타낼 수 있다.
도 1 및 도 2는 본 발명의 실시예들에 따른 파장 가변 레이저 소자를 설명하기 위한 단면도들이다.
도 3은 회절 격자를 설명하기 위한 도면이다.
도 4 및 5는 회절 격자들의 반사 스펙트럼을 설명하기 위한 도면들이다.
도 6은 파장 가변 레이저 소자의 발진 스펙트럼을 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 파장 가변 레이저 소자의 튜닝 스펙트럼을 설명하기 위한 도면이다.
도 8 및 도 9는 본 발명의 실시예들에 따른 파장 가변 레이저 소자를 설명하기 위한 단면도들이다.
본 발명의 구성 및 효과를 충분히 이해하기 위하여, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예들을 설명한다. 그러나 본 발명은, 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라, 여러 가지 형태로 구현될 수 있고 다양한 변경을 가할 수 있다. 단지, 본 실시예들의 설명을 통해 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위하여 제공되는 것이다. 당해 기술분야에서 통상의 기술을 가진 자는 본 발명의 개념이 어떤 적합한 환경에서 수행될 수 있다는 것을 이해할 것이다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 ‘포함한다(comprises)’ 및/또는 ‘포함하는(comprising)’은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
본 명세서에서 어떤 막(또는 층)이 다른 막(또는 층) 또는 기판상에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 막(또는 층) 또는 기판상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 막(또는 층)이 개재될 수도 있다.
본 명세서의 다양한 실시 예들에서 제 1, 제 2, 제 3 등의 용어가 다양한 영역, 막들(또는 층들) 등을 기술하기 위해서 사용되었지만, 이들 영역, 막들이 이 같은 용어들에 의해서 한정되어서는 안 된다. 이들 용어들은 단지 어느 소정 영역 또는 막(또는 층)을 다른 영역 또는 막(또는 층)과 구별시키기 위해서 사용되었을 뿐이다. 따라서, 어느 한 실시 예에의 제 1 막질로 언급된 막질이 다른 실시 예에서는 제 2 막질로 언급될 수도 있다. 여기에 설명되고 예시되는 각 실시 예는 그것의 상보적인 실시예도 포함한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호로 표시된 부분들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
본 발명의 실시예들에서 사용되는 용어들은 다르게 정의되지 않는 한, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 통상적으로 알려진 의미로 해석될 수 있다.
이하, 도면들 참조하여 본 발명의 개념에 따른 파장 가변 레이저 소자를 설명한다.
도 1 및 도 2는 본 발명의 실시예들에 따른 파장 가변 레이저 소자를 설명하기 위한 단면도들이다. 도 3은 회절 격자를 설명하기 위한 도면이다.
도 1을 참조하여, 본 발명의 개념에 따른 파장 가변 레이저 소자가 제공될 수 있다. 파장 가변 레이저 소자는 DBR(Distributed Bragg Reflector) 레이저 다이오드일 수 있다. 파장 가변 레이저 소자는 기판(10), 하부 클래드 층(20), 광 도파로(30), 상부 클래드층(40), 회절 격자들(70) 및 전극들(52, 54, 56)을 포함할 수 있다.
기판(10)은 인듐 인(InP)을 포함할 수 있다. 기판(10)은 이득 영역(G), 위상 조절 영역(P), 및 분포 영역(D)을 가질 수 있다. 기판(10)은 접지될 수 있다. 다른 실시예들에 따르면, 기판(10)은 위상 조절 영역(P)을 포함하지 않을 수 있다. 예를 들어, 도 2에 도시된 바와 같이, 기판(10)은 서로 인접한 이득 영역(G) 및 분포 영역(D)을 포함할 수 있다.
기판(10) 상에 하부 클래드 층(20)이 배치될 수 있다. 하부 클래드 층(20)의 굴절률은 기판(10)의 굴절률보다 높고, 후술되는 광 도파로(30)의 굴절률보다 낮을 수 있다. 하부 클래드 층(20)은 n 타입의 인듐 인(InP)을 포함할 수 있다.
하부 클래드 층(20) 상에 광 도파로(30)가 배치될 수 있다. 광 도파로(30)는 기판(10)과 평행한 방향으로 연장될 수 있다. 광 도파로(30)는 진성 인듐 인(intrinsic InP)을 포함할 수 있다. 광 도파로(30)는 활성 광 도파로(32)와 수동 광 도파로(34)를 포함할 수 있다. 활성 광 도파로(32)는 이득 영역(G) 상에 배치될 수 있다. 수동 광 도파로(34)는 활성 광 도파로(32)와 연결될 수 있다. 수동 광 도파로(34)는 위상 조절 영역(P) 및 분포 영역(D) 상에 배치될 수 있다. 이와는 다르게, 기판(10)이 위상 조절 영역(P)을 갖지 않는 도 2의 실시예의 경우, 광 도파로(30)는 이득 영역(G) 상의 활성 광 도파로(32) 및 분포 영역(D) 상의 수동 광 도파로(34)를 포함할 수 있다.
광 도파로(30) 상에 상부 클래드 층(40)이 배치될 수 있다. 상부 클래드 층(40)은 n 타입의 인듐 인(InP)을 포함할 수 있다. 상부 클래드 층(40)은 광 도파로(30)의 굴절률보다 낮은 굴절률을 가질 수 있다.
상부 클래드 층(40) 상에 제 1 내지 제 3 전극들(52, 54, 56)이 배치될 수 있다. 제 1 내지 제 3 전극들(52, 54, 56)은 각각 이득 영역(G), 위상 조절 영역(P), 및 분포 영역(D) 상에 배치될 수 있다. 제 1 내지 제 3 전극들(52, 54, 56)은 기판(10)으로 전류를 제공할 수 있다. 상기 전류는 하부 클래드 층(20), 광 도파로(30), 및 상부 클래드 층(40)의 굴절률을 전기적으로 변화시킬 수 있다. 이와는 다르게, 기판(10)이 위상 조절 영역(P)을 갖지 않는 도 2의 실시예의 경우, 제 2 전극(54)은 제공되지 않을 수 있다.
제 1 내지 제 3 전극들(52, 54, 56) 중 적어도 하나에 전류가 제공되면, 광 도파로(30)를 따라 레이저 광(80)이 생성될 수 있다.
제 1 전극(52)에 전류가 인가되면, 이득 영역(G) 내의 활성 광 도파로(32)는 레이저 광(80)의 게인(Gain)을 얻을 수 있다. 레이저 광(80)의 세기는 상기 제 1 전극(52)에 인가되는 전류에 비례할 수 있다.
제 2 전극(54)에 전류가 인가되면, 레이저 광(80)의 위상이 변조될 수 있다. 상기 제 2 전극(54)에 인가되는 전류는 위상 조절 영역(P) 내의 수동 광 도파로(34)의 굴절률을 전기적으로 변화시켜, 레이저 광(80)의 파장을 가변(tune)할 수 있다.
광 도파로(30)의 양측에 제 1 및 제 2 무반사 코팅 층들(62, 64)이 배치될 수 있다. 제 1 및 제 2 무반사 코팅 층들(62, 64)은 하부 클래드 층(20), 광 도파로(30), 및 상부 클래드 층(40)의 가장자리 양 측벽들 상에 배치될 수 있다. 제 1 및 제 2 무반사 코팅 층들(62, 64)은 광 도파로(30)를 진행하는 레이저 광(80)을 공진시킬 수 있다. 레이저 광(80)은 제 2 무반사 코팅 층(64)을 투과하여 외부로 출력될 수 있다.
하부 클래드 층(20) 내에 회절 격자들(70)이 배치될 수 있다. 회절 격자들(70)은 분포 영역(D)의 하부 클래드 층(20) 내에 배치될 수 있다. 회절 격자들(70)은 기판(10)에 대해 수직 방향으로 광 도파로(30)와 이격될 수 있다. 회절 격자들(70)은 P 타입 인듐 인(InP), 인듐 갈륨 비소(InGaAs), 또는 캐버티를 포함할 수 있다. 회절 격자들(70)의 패턴들은 광 도파로(30)가 연장되는 방향과 동일한 방향으로 배열될 수 있다. 회절 격자들(70)의 패턴들은 0.1 ㎛의 폭 또는 길이를 가질 수 있다. 회절 격자들(70)의 패턴들은 0.1 ㎛의 간격을 가질 수 있다. 이하, 도 3을 참조하여, 회절 격자들(70)의 패턴들을 상세히 설명한다.
도 3을 참조하여, 회절 격자들(70)의 패턴들 각각은 서로 다른 길이(L) 및 간격(S)을 갖고 배치될 수 있다. 회절 격자들(70)의 배열 패턴은 서로 다른 주기를 갖는 두 가지의 패턴이 중첩된 것과 동일할 수 있다. 상세하게는, 회절 격자들(70)의 배열 패턴은 가상의 제 1 격자 패턴들(72) 및 제 2 격자 패턴들(74)을 중첩시킨 것과 동일할 수 있다. 제 1 격자 패턴들(72)의 주기(△1)와 제 2 격자 패턴들(74)의 주기(△2)는 서로 다를 수 있다. 예를 들어, 제 1 격자 패턴들(72)은 제 1 길이(L1)를 갖고, 제 1 간격(S1)으로 배열될 수 있다. 제 2 격자 패턴들(74)은 제 2 길이(L2)를 갖고, 제 2 간격(S2)으로 배열될 수 있다. 이때, 제 2 길이(L2)는 제 1 길이(L1)보다 길 수 있고, 제 2 간격(S2)은 제 1 간격(S1)보다 길 수 있다. 도 2에 도시된 바와 같이, 제 1 격자 패턴들(72) 및 제 2 격자 패턴들(74)을 중첩시킬 경우, 회절 격자들(70)의 배열 패턴의 길이(L)는 제 2 길이(L2)보다 길고, 제 1 길이(L1)의 두 배와 제 2 길이(L2)의 합(2×L1+L2)보다 짧은 범위 내에서 주기적으로 변화할 수 있다. 회절 격자들(70)의 간격(S)은 제 2 간격(S2)과 제 1 간격(S1)의 차이(S2-S1)보다 길고, 제 2 간격(S2)보다 짧은 범위 내에서 주기적으로 변화할 수 있다.
상기와 같은 배열 패턴에 따라 회절 격자들(70)의 반사 스펙트럼이 조절될 수 있다. 예를 들어, 회절 격자들(70)의 반사 스펙트럼은 제 1 격자 패턴들(72)의 반사 스펙트럼 및 제 2 격자 패턴들(74)의 반사 스펙트럼의 교집합 영역에 해당할 수 있다. 레이저 광(80)의 대역폭은 회절 격자들(70)의 배열 패턴에 따라 변화될 수 있다.
도 4 및 5는 회절 격자들의 반사 스펙트럼을 설명하기 위한 도면들이다.
도 4를 참조하여, 일정한 주기(길이 및 간격)을 갖는 비교예와 본원 발명의 회절 격자들(70)을 갖는 실시예의 반사 스펙트럼을 비교하여 보았다. 도 4에 도시된 바와 같이, 비교예의 반사 스펙트럼에 비하여, 아래의 실시예의 반사 스펙트럼은 레이저의 동작을 위한 적정 반사율을 제공하면서 대역폭(bandwidth)이 동시에 감소한 것을 확인할 수 있다.
한편, 회절 격자들(70)의 반사 스펙트럼은 제 1 격자 패턴들(72)의 주기(△1)와 제 2 격자 패턴들(74)의 주기(△2)에 따라 변화될 수 있다. 도 5를 참조하여, 제 1 격자 패턴들(72)의 주기(△1)와 제 2 격자 패턴들(74)의 주기(△2)의 차이(△)를 변화시켜 가며, 회절 격자들(70)의 반사 스펙트럼을 계산하였다. 도 5에 도시된 바와 같이, 제 1 격자 패턴들(72)의 주기(△1)와 제 2 격자 패턴들(74)의 주기(△2)의 차이(△)에 따라, 회절 격자들(70)의 반사 스펙트럼 피크의 최대치 및 폭이 달라질 수 있다. 이에 따라, 레이저 광(80)에 따라 회절 격자들(70)이 최적화된 반사율을 갖도록, 제 1 격자 패턴들(72)의 주기(△1)와 제 2 격자 패턴들(74)의 주기(△2)가 설정될 수 있다.
도 6은 파장 가변 레이저 소자의 발진 스펙트럼을 설명하기 위한 도면이다.
도 6을 참조하여, 일정한 주기(길이 및 간격)을 갖는 비교예의 레이저 발진 특성과 본원 발명의 회절 격자들(70)을 갖는 실시예의 레이저 발진 특성을 비교하여 보았다. 비교예의 경우, 주 피크의 주변에 다른 피크들이 함께 발견되며, 실시예는 비교예에 비하여 부모드 억제율(side-mode suppression ratio)이 높은 것을 확인할 수 있다. 또한, 실시예의 경우, 문턱 전류(Ith)가 약 12.4 mA로 직접변조에 적합한 특성을 나타내는 것을 알 수 있다.
도 7은 파장 가변 레이저 소자의 튜닝 스펙트럼을 설명하기 위한 도면이다. 파장 가변 레이저 소자의 파장 가변은 분포 영역(D)에 전류 주입을 하여, 광 도파로의 유효 굴절률을 변화시켜 얻어진다. 도 7은 전류 주입에 따른 발진 모드의 파장 이동성을 측정한 그래프로, 분포 영역(D)에 서로 다른 전류를 주입하여 파장 가변 레이저 소자에서 발진 모드가 나타나는 파장을 측정하였다. 도 7에 도시된 바와 같이, 파장 가변 레이저 소자는 인가된 전류가 인가되었을 때 높은 부모드 억제율을 나타내며, 단일 모드 발진 특성이 안정적으로 나타나는 것을 확인할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 파장 가변 레이저 소자는 회절 격자들이 적정 반사율을 유지하며 좁은 대역폭(bandwidth)을 가질 수 있다. 또한, 레이저 광에 따라 회절 격자들이 최적화된 반사율을 갖도록 설정될 수 있다. 더하여, 파장 가변 레이저 소자는 높은 부모드 억제율을 나타내며, 단일 모드 발진 특성이 안정적으로 나타낼 수 있다.
도 8 및 도 9는 본 발명의 실시예들에 따른 파장 가변 레이저 소자를 설명하기 위한 단면도들이다. 여기서, 설명의 편의를 위해, 상술한 내용과 다르거나, 설명되지 않은 점을 위주로 설명하며, 생략된 부분은 본 발명의 상술한 내용의 실시예에 따른다.
도 8을 참조하여, 파장 가변 레이저 소자가 제공될 수 있다. 파장 가변 레이저 소자는 DBR(Distributed Bragg Reflector) 레이저 다이오드일 수 있다. 파장 가변 레이저 소자는 기판(10), 하부 클래드 층(20), 광 도파로(30), 상부 클래드 층(40), 회절 격자들(76, 78) 및 전극들(52, 54, 56)을 포함할 수 있다.
파장 가변 레이저 소자의 기판(10), 하부 클래드 층(20), 광 도파로(30), 상부 클래드 층(40) 및 전극들(52, 54, 56)은 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한 바와 동일/유사할 수 있다.
회절 격자들(76, 78)은 제 1 회절 격자(76) 및 제 2 회절 격자(78)를 포함할 수 있다.
제 1 회절 격자들(76)은 상부 클래드 층(40) 내에 배치될 수 있다. 제 1 회절 격자들(76)은 분포 영역(D)의 상부 클래드 층(40) 내에 배치될 수 있다. 제 1 회절 격자들(76)은 기판(10)에 대해 수직 방향으로 광 도파로(30)와 이격될 수 있다. 제 1 회절 격자들(76)은 P 타입 인듐 인(InP), 인듐 갈륨 비소(InGaAs), 또는 캐버티를 포함할 수 있다. 제 1 회절 격자들(76)의 패턴들은 광 도파로(30)가 연장되는 방향과 동일한 방향으로 배열될 수 있다.
제 2 회절 격자들(78)은 하부 클래드 층(20) 내에 배치될 수 있다. 제 2 회절 격자들(78)은 분포 영역(D)의 하부 클래드 층(20) 내에 배치될 수 있다. 제 2 회절 격자들(78)은 기판(10)에 대해 수직 방향으로 광 도파로(30)와 이격될 수 있다. 제 2 회절 격자들(78)은 P 타입 인듐 인(InP), 인듐 갈륨 비소(InGaAs), 또는 캐버티를 포함할 수 있다. 제 2 회절 격자들(78)의 패턴들은 광 도파로(30)가 연장되는 방향과 동일한 방향으로 배열될 수 있다.
제 1 회절 격자들(76)의 주기과 제 2 회절 격자들(78)의 주기는 서로 다를 수 있다. 예를 들어, 도 3을 이용하여 설명한 제 1 격자 패턴들(72) 및 제 2 격자 패턴들(74)과 동일하게, 제 1 회절 격자들(76)은 제 1 길이(L1)를 갖고, 제 1 간격(S1)으로 배열될 수 있다. 제 2 회절 격자들(78)은 제 2 길이(L2)를 갖고, 제 2 간격(S2)으로 배열될 수 있다. 이때, 제 2 길이(L2)는 제 1 길이(L1)보다 길 수 있고, 제 2 간격(S2)은 제 1 간격(S1)보다 길 수 있다.
제 1 및 제 2 회절 격자들(76, 78)의 주기에 따라, 광 도파로(30)에 반영되는 총 반사 스펙트럼이 조절될 수 있다. 광 도파로(30)의 상하에 서로 다른 주기를 갖는 제 1 및 제 2 회절 격자들(76, 78)이 배치됨에 따라, 광 도파로(30)에 반영되는 총 반사 스펙트럼은 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명한 회절 격자들(70)과 동일/유사할 수 있다.
이상, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
10: 기판 20: 하부 클래드 층
30: 광 도파로 40: 상부 클래드 층
52, 54, 56: 전극 62, 64: 무반사 코팅 층
70, 76, 78: 회절 격자

Claims (1)

  1. 이득 영역, 위상 조절 영역, 분포 영역을 갖는 기판;
    상기 기판 상에 배치된 하부 클래드 층;
    상기 분포 영역 상의 상기 하부 클래드 층 내에 배치된 회절 격자들;
    상기 하부 클래드 층 상에 배치되고, 상기 분포 영역에서 상기 이득 영역까지 연장하는 광 도파로;
    상기 광 도파로 상에 배치된 상부 클래드 층; 및
    상기 분포 영역, 상기 위상 조절 영역 및 상기 이득 영역의 상기 상부 클래드 층 상에 각각 배치된 제 1 내지 제 3 전극들을 포함하되,
    상기 회절 격자들은 상기 기판 및 상기 광 도파로와 평행한 제 1 방향으로 배열하고,
    상기 회절 격자들의 배열 패턴은 상기 제 1 방향으로 제 1 길이 및 제 1 간격을 갖는 제 1 격자 패턴과 상기 제 1 방향으로 제 2 길이 및 제 2 간격을 갖는 제 2 격자 패턴을 중첩시킨 것과 동일한 파장 가변 레이저 소자.
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