KR20190064091A - Organic light emitting display device - Google Patents
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Abstract
Description
본 출원은 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting display.
정보화 사회에서 시각 정보를 영상 또는 화상으로 표시하기 위한 표시 장치 분야 기술이 많이 개발되고 있다. 표시 장치 중 유기 발광 표시 장치는 전자와 정공의 재결합에 의하여 빛을 발생하는 유기 발광 다이오드를 이용하여 화상을 표시한다. 유기 발광 표시 장치는 빠른 응답속도를 가짐과 동시에 자발광에 따라 저계조 표현력이 가능하여 차세대 디스플레이로 각광받고 있다.Description of the Related Art [0002] A display device technology for displaying visual information as an image or an image in an information society has been developed. Among display devices, an organic light emitting display uses an organic light emitting diode that generates light by recombination of electrons and holes to display an image. The organic light emitting display device has a fast response speed and is capable of expressing low gradation according to the self light emission, and thus, it is attracting attention as a next generation display.
유기 발광 표시 장치는 화상을 표시하는 화소들이 마련된 표시 영역과 표시 영역의 외곽에 배치되어 화상을 표시하지 않는 비표시 영역을 갖는 표시 패널을 포함한다. 화소들 각각은 스캔 신호에 의해 구동하며, 데이터 전압의 크기에 대응하는 밝기로 발광한다.The organic light emitting display includes a display region provided with pixels for displaying an image and a display panel disposed outside the display region and having a non-display region that does not display an image. Each of the pixels is driven by a scan signal and emits light at a brightness corresponding to the magnitude of the data voltage.
또한, 표시 패널을 구동하기 위해, 표시 패널의 캐소드 전극에는 기준 전원 전압(VSS 전압)이 공급되어야 한다. 기준 전원 전압을 공급하기 위해, 기준 전원 전압이 하나의 소스/드레인 금속층으로 이루어진 기준 전원 전압 라인에 연결되어 평탄화막을 관통하는 컨택홀을 통해 표시 패널 전면에 증착된 캐소드 전극에 공급되었다. 이 경우, 캐소드 전극의 면 저항 및 기준 전원 전압 라인의 선 저항에 의해 표시 패널의 면 내부에서 캐소드 전극의 기준 전원 전압에 차이가 발생한다.Further, in order to drive the display panel, the reference power supply voltage (VSS voltage) must be supplied to the cathode electrode of the display panel. In order to supply the reference power source voltage, the reference power source voltage was supplied to the cathode electrode deposited on the entire surface of the display panel through the contact hole penetrating the planarization film, connected to the reference power source voltage line composed of one source / drain metal layer. In this case, a difference occurs in the reference power supply voltage of the cathode electrode within the plane of the display panel due to the surface resistance of the cathode electrode and the line resistance of the reference power supply voltage line.
기준 전원 전압의 전위는 그라운드 전압의 전위보다 낮다. 이에 따라, 기준 전원 전압의 전위값은 음(-)의 값을 갖는다. 표시 패널의 영역 별로 소스/드레인 금속층과 캐소드 전극의 면 저항에 의해 기준 전원 전압의 전위가 상승하는 현상인 VSS Rising 현상이 발생한다. VSS Rising 현상이 발생하는 경우, 표시 패널에서 기준 전원 전압이 공급되는 부분인 표시 패널의 상부와 기준 전원 전압이 공급되는 부분과 반대 부분인 표시 패널의 하부 사이에 기준 전원 전압의 전압 편차가 발생한다. 시뮬레이션 결과, 표시 패널의 하부가 가장 문제가 많이 발생하는 지점(Worst Point)이다. 정상적인 경우의 기준 전원 전압이 -2.5V인 경우, 표시 패널의 하부에서는 기준 전원 전압이 -2.18V로, VSS Rising 현상이 0.32V 발생한다.The potential of the reference power supply voltage is lower than the potential of the ground voltage. Accordingly, the potential value of the reference power supply voltage has a negative value. A VSS Rising phenomenon occurs in which the potential of the reference power supply voltage rises due to the surface resistance of the source / drain metal layer and the cathode electrode in each region of the display panel. When the VSS rising phenomenon occurs, a voltage deviation of the reference power supply voltage occurs between the upper portion of the display panel, which is the portion where the reference power supply voltage is supplied from the display panel, and the lower portion of the display panel, which is the portion opposite to the portion where the reference power supply voltage is supplied . As a result of simulation, the lower part of the display panel is the point at which the most trouble occurs (Worst Point). When the reference power supply voltage is -2.5 V in the normal case, the reference power supply voltage is -2.18 V and the VSS rising phenomenon occurs 0.32 V in the lower part of the display panel.
본 출원은 표시 패널의 영역 별로 소스/드레인 금속층과 캐소드 전극의 면 저항에 의해 기준 전원 전압의 전위가 상승하는 현상인 VSS Rising 현상을 방지하여 기준 전원 전압의 전압 편차를 감소시킬 수 있는 유기 발광 표시 장치를 제공하고자 한다.The present invention relates to an organic light emitting diode (OLED) display device capable of preventing a VSS rising phenomenon, which is a phenomenon in which a potential of a reference power source voltage rises due to a surface resistance of a source / drain metal layer and a cathode electrode, Device.
본 출원에 따른 유기 발광 표시 장치는 화상을 표시하는 화소들이 마련된 표시 영역과 상기 표시 영역을 둘러싸도록 마련된 비표시 영역을 갖는 표시 패널, 표시 영역과 비표시 영역 상에 일체로 배치된 캐소드 전극, 및 비표시 영역에 배치되어 캐소드 전극에 기준 전원 전압을 공급하는 복수의 기준 전원 전압 라인을 포함한다. 복수의 기준 전원 전압 라인 각각은 서로 다른 기준 전원 전압을 공급한다.The organic light emitting display according to the present application includes a display panel having a display region provided with pixels for displaying an image and a non-display region provided so as to surround the display region, a cathode electrode disposed integrally on the display region and the non- And a plurality of reference power supply voltage lines arranged in a non-display area for supplying a reference power supply voltage to the cathode electrodes. Each of the plurality of reference power supply voltage lines supplies different reference power supply voltages.
본 출원은 기준 전원 전압 라인을 분리하고 각각의 기준 전원 전압 라인에 공급하는 기준 전원 전압을 차등적으로 적용하여 표시 패널의 영역 별 전압 편차를 감소시키는 구조를 제공할 수 있다. 본 출원은 VSS Rising 현상 발생 시 Worst Point의 캐소드 전극의 전압 편차를 감소시킬 수 있다. 표시 패널의 상부에 공급하는 기준 전원 전압을 -2.5V로 설정하고, 표시 패널의 하부에 공급하는 기준 전원 전압을 -2.7V로 설정한 시뮬레이션 결과 VSS Rising 수준이 0.09V로 기존 구조에서의 VSS Rising 0.32V 대비 70% 감소하였다.The present application can provide a structure for separating a reference power supply voltage line and applying a reference power supply voltage that supplies the reference power supply voltage line to each of the reference power supply voltage lines to reduce a voltage deviation for each region of the display panel. The present application can reduce the voltage deviation of the cathode electrode of the worst point when the VSS rising phenomenon occurs. As a result of a simulation in which the reference power supply voltage supplied to the top of the display panel is set to -2.5 V and the reference power supply voltage supplied to the lower portion of the display panel is set to -2.7 V, the VSS Rising level is 0.09 V, 70% less than 0.32V.
도 1은 본 출원에 따른 유기 발광 표시 장치의 개념적 블록도이다.
도 2는 본 출원의 일 예에 따른 화소의 내부 회로도이다.
도 3은 본 출원의 일 예에 따른 화소의 단면도이다.
도 4는 일 예에 따른 복수의 기준 전원 전압 라인 및 캐소드 전극을 나타낸 평면도이다.
도 5는 도 4의 등가 회로도이다.
도 6은 다른 예에 따른 복수의 기준 전원 전압 라인 및 캐소드 전극을 나타낸 평면도이다.
도 7은 또 다른 예에 따른 복수의 기준 전원 전압 라인, 애노드 전극, 및 캐소드 전극을 나타낸 평면도이다.
도 8은 도 7의 Ⅰ-Ⅰ`를 나타낸 단면도이다.
도 9는 또 다른 예에 따른 복수의 기준 전원 전압 라인, 애노드 전극, 및 캐소드 전극을 나타낸 평면도이다.
도 10은 도 9의 Ⅱ-Ⅱ`를 나타낸 단면도이다.1 is a conceptual block diagram of an organic light emitting diode display according to the present application.
2 is an internal circuit diagram of a pixel according to an example of the present application.
3 is a cross-sectional view of a pixel according to an example of the present application.
4 is a plan view showing a plurality of reference power source voltage lines and a cathode electrode according to an example.
Fig. 5 is an equivalent circuit diagram of Fig.
6 is a plan view showing a plurality of reference power source voltage lines and a cathode electrode according to another example.
7 is a plan view showing a plurality of reference power supply voltage lines, an anode electrode, and a cathode electrode according to yet another example.
8 is a cross-sectional view showing I-I 'of Fig.
9 is a plan view showing a plurality of reference power supply voltage lines, an anode electrode, and a cathode electrode according to yet another example.
10 is a cross-sectional view showing II-II` of FIG.
본 출원의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 일 예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 출원은 이하에서 개시되는 일 예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 출원의 일 예들은 본 출원의 개시가 완전하도록 하며, 본 출원이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 출원은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.Brief Description of the Drawings The advantages and features of the present application, and how to accomplish them, will become apparent with reference to the embodiments described in detail below with reference to the accompanying drawings. It should be understood, however, that this application is not limited to the examples disclosed herein, but may be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the specific embodiments set forth herein, To fully disclose the scope of the invention to those skilled in the art, and this application is only defined by the scope of the claims.
본 출원의 일 예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 출원이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 출원을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 출원의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다.The shapes, sizes, ratios, angles, numbers, and the like described in the drawings for describing an example of the present application are illustrative, and thus the present application is not limited thereto. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification. In the description of the present application, a detailed description of known related arts will be omitted if it is determined that the gist of the present application may be unnecessarily obscured.
본 명세서에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.Where the terms "comprises," "having," "consisting of," and the like are used in this specification, other portions may be added as long as "only" is not used. Unless the context clearly dictates otherwise, including the plural unless the context clearly dictates otherwise.
구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.In interpreting the constituent elements, it is construed to include the error range even if there is no separate description.
위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.In the case of a description of the positional relationship, for example, if the positional relationship between two parts is described as 'on', 'on top', 'under', and 'next to' Or " direct " is not used, one or more other portions may be located between the two portions.
시간 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~후에', '~에 이어서', '~다음에', '~전에' 등으로 시간적 선후 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.In the case of a description of a temporal relationship, for example, if the temporal relationship is described by 'after', 'after', 'after', 'before', etc., May not be continuous unless they are not used.
제 1, 제 2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제 1 구성요소는 본 출원의 기술적 사상 내에서 제 2 구성요소일 수도 있다.The first, second, etc. are used to describe various components, but these components are not limited by these terms. These terms are used only to distinguish one component from another. Accordingly, the first component mentioned below may be the second component within the scope of the present application.
"제 1 수평 축 방향", "제 2 수평 축 방향" 및 "수직 축 방향"은 서로 간의 관계가 수직으로 이루어진 기하학적인 관계만으로 해석되어서는 아니 되며, 본 출원의 구성이 기능적으로 작용할 수 있는 범위 내에서보다 넓은 방향성을 가지는 것을 의미할 수 있다.The terms "first horizontal axis direction "," second horizontal axis direction ", and "vertical axis direction" should not be interpreted solely by the geometric relationship in which the relationship between them is vertical, It may mean having a wider directionality in the inside.
"적어도 하나"의 용어는 하나 이상의 관련 항목으로부터 제시 가능한 모든 조합을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 예를 들어, "제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 적어도 하나"의 의미는 제 1 항목, 제 2 항목 또는 제 3 항목 각각 뿐만 아니라 제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 2개 이상으로부터 제시될 수 있는 모든 항목의 조합을 의미할 수 있다.It should be understood that the term "at least one" includes all possible combinations from one or more related items. For example, the meaning of "at least one of the first item, the second item and the third item" means not only the first item, the second item or the third item, but also the second item and the second item among the first item, May refer to any combination of items that may be presented from more than one.
본 출원의 여러 예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.Each of the features of the various embodiments of the present application may be combined or combined with each other partially or entirely, technically various interlocking and driving are possible, and the examples may be independently performed with respect to each other, .
이하에서는 본 출원에 따른 유기 발광 표시 장치의 바람직한 예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 각 도면의 구성 요소들에 참조 부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가질 수 있다.Hereinafter, preferred embodiments of the organic light emitting display according to the present application will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the drawings, like reference numerals are used to denote like elements throughout the drawings, even if they are shown on different drawings.
도 1은 본 출원에 따른 유기발광 표시장치의 개념적 블록도이다. 본 출원에 따른 유기 발광 표시 장치는 표시 패널(100), 게이트 구동부(110), 데이터 구동부(120), 및 타이밍 컨트롤러(Timing Controller, T-CON)(130)를 포함한다.1 is a conceptual block diagram of an organic light emitting diode display according to the present application. The OLED display includes a
표시 패널(100)은 표시영역과 표시영역의 주변에 마련된 비표시영역을 포함한다. 표시영역은 화소(P)들이 마련되어 화상을 표시하는 영역이다. 비표시영역은 표시 패널(100)의 외곽에 있으며, 표시영역을 외부의 충격으로부터 보호하는 영역이다. 표시 패널(100)에는 게이트 라인들(GL1~GLp, p는 2 이상의 양의 정수), 데이터 라인들(DL1~DLq, q는 2 이상의 양의 정수) 및 센싱 라인들(SL1~SLq)이 마련된다.The
데이터 라인들(DL1~DLq) 및 센싱 라인들(SL1~SLq)은 게이트 라인들(GL1~GLp)과 교차할 수 있다. 데이터 라인들(DL1~DLq)과 센싱 라인들(SL1~SLq)은 서로 평행할 수 있다. 표시 패널(100)은 화소(P)들이 마련되는 하부기판과 외부의 이물질로부터 화소(P)들을 보호하기 위한 봉지(Encapsulation) 기능을 수행하는 상부기판을 포함할 수 있다. 화소(P)들 각각은 게이트 라인들(GL1~GLp) 중 어느 하나, 데이터 라인들(DL1~DLq) 중 어느 하나 및 센싱 라인들(SL1~SLq) 중 어느 하나에 접속될 수 있다.The data lines DL1 to DLq and the sensing lines SL1 to SLq may intersect the gate lines GL1 to GLp. The data lines DL1 to DLq and the sensing lines SL1 to SLq may be parallel to each other. The
게이트 구동부(120)는 타이밍 컨트롤러(130)로부터 게이트 구동부 제어 신호(GCS)를 공급받고, 게이트 구동부 제어 신호(GCS)에 따라 게이트 신호들을 생성하여 게이트 라인들(GL1~GLp)에 공급한다.The
데이터 구동부(120)는 타이밍 컨트롤러(130)로부터 데이터 구동부 제어 신호(DCS)를 공급받고, 데이터 구동부 제어 신호(DCS)에 따라 데이터전압들을 생성하여 데이터 라인들(DL1~DLq)에 공급한다. 또한, 데이터 구동부(120)는 화소(P)들 각각의 전압 및 전류 특성을 센싱하여 센싱 데이터(SEN)를 생성하여 타이밍 컨트롤러(130)로 공급한다.The
타이밍 컨트롤러(130)는 외부로부터 화상의 표시 타이밍을 제어하는 타이밍 신호(TS)와 화상을 구현하기 위한 색상 별 정보를 포함하고 있는 디지털 비디오 데이터(DATA)를 공급받는다. 타이밍 컨트롤러(130)의 입력단에는 타이밍 신호(TS)와 디지털 비디오 데이터(DATA)가 설정된 프로토콜에 의해 입력된다. 또한, 타이밍 컨트롤러(130)는 데이터 구동부(120)로부터 화소(P)들 각각의 전압 및 전류 특성에 따른 센싱 데이터(SEN)를 공급받는다.The
타이밍 신호(TS)는 수직 동기 신호(Vertical sync signal, Vsync), 수평 동기 신호(Horizontal sync signal, Hsync), 데이터 인에이블 신호(Data Enable signal, DE), 및 도트 클럭(Dot clock, DCLK)을 포함한다. 타이밍 컨트롤러(130)는 센싱 데이터(SEN)에 기초하여 디지털 비디오 데이터(DATA)를 보상한다.The timing signal TS includes a vertical sync signal Vsync, a horizontal sync signal Hsync, a data enable signal DE and a dot clock DCLK. . The
타이밍 컨트롤러(130)는 게이트 구동부(110), 데이터 구동부(120), 스캔 구동부 및 센싱 구동부의 동작 타이밍을 제어하기 위한 구동부 제어 신호들을 생성한다. 구동부 제어 신호들은 게이트 구동부(110)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 게이트 구동부 제어 신호(GCS), 데이터 구동부(120)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 데이터 구동부 제어 신호(DCS), 스캔 구동부의 동작 타이밍을 제어하기 위한 스캔 구동부 제어 신호 및 센싱 구동부의 동작 타이밍을 제어하기 위한 센싱 구동부 제어 신호를 포함한다.The
타이밍 컨트롤러(130)는 모드 신호에 따라 표시 모드와 센싱 모드 중 어느 하나의 모드로 데이터 구동부(120), 스캔 구동부 및 센싱 구동부를 동작시킨다. 표시 모드는 표시 패널(100)의 화소(P)들이 화상을 표시하는 모드이고, 센싱 모드는 표시 패널(100)의 화소(P)들 각각의 구동 트랜지스터(DT)의 전류를 센싱하는 모드이다. 표시 모드와 센싱 모드 각각에서 화소(P)들 각각에 공급되는 스캔 신호의 파형과 센싱 신호의 파형이 변경되는 경우, 표시 모드와 센싱 모드 각각에서 데이터 구동부 제어 신호(DCS), 스캔 구동부 제어 신호 및 센싱 구동부 제어 신호 역시 변경될 수 있다. 따라서, 타이밍 컨트롤러(130)는 표시 모드와 센싱 모드 중 어느 모드인지에 따라 해당하는 모드에 대응하여 데이터 구동부 제어 신호(DCS), 스캔 구동부 제어 신호 및 센싱 구동부 제어 신호를 생성한다.The
타이밍 컨트롤러(130)는 게이트 구동부 제어 신호(GCS)를 게이트 구동부(110)로 출력한다. 타이밍 컨트롤러(130)는 보상 디지털 비디오 데이터와 데이터 구동부 제어 신호(DCS)를 데이터 구동부(120)로 출력한다. 타이밍 컨트롤러(130)는 스캔 구동부 제어 신호를 스캔 구동부로 출력한다. 타이밍 컨트롤러(130)는 센싱 구동부 제어 신호를 센싱 구동부로 출력한다.The
또한, 타이밍 컨트롤러(130)는 데이터 구동부(120), 스캔 구동부 및 센싱 구동부를 표시 모드와 센싱 모드 중에 어느 모드로 구동할지에 따라 해당 모드를 구동하기 위한 모드 신호를 생성한다. 타이밍 컨트롤러(130)는 모드 신호에 따라 표시 모드와 센싱 모드 중 어느 하나의 모드로 데이터 구동부(120), 스캔 구동부 및 센싱 구동부를 동작시킨다.The
도 2는 본 출원의 일 예에 따른 화소(P)의 내부 회로도이다. 일 예에 따른 화소(P)는 구동 트랜지스터(DT), 발광 소자(EL), 스토리지 커패시터(Cst), 및 제 1 내지 제 6 트랜지스터(T1~T6)을 포함한다. 이하의 설명에서, 본 출원의 일 예에 다른 구동 트랜지스터(DT) 및 제 1 내지 제 6 트랜지스터(T1~T6)는 게이트(gate) 전극, 소스(source) 전극, 및 드레인(drain) 전극을 갖는 P형 MOSFET으로 구현되는 것으로 가정하기로 한다.2 is an internal circuit diagram of a pixel P according to an example of the present application. The pixel P according to one example includes a driving transistor DT, a light emitting element EL, a storage capacitor Cst, and first through sixth transistors T1 through T6. In the following description, the driving transistor DT and the first to sixth transistors T1 to T6 according to an example of the present application have a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode It is assumed that the MOSFET is implemented as a P-type MOSFET.
구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극은 스토리지 커패시터(Cst)의 일 측 전극, 제 1 트랜지스터(T1)의 드레인 전극, 및 제 5 트랜지스터(T5)의 드레인 전극이 연결된 제 1 노드(Node)(N1)에 접속된다. 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극은 화소 구동 전원(ELVDD)을 소스 전극으로 공급받는 제 3 트랜지스터(T3)의 드레인 전극과 연결된다. 구동 트랜지스터(DT)의 드레인 전극은 제 4 트랜지스터(T4)의 소스 전극과 연결된다.A gate electrode of the driving transistor DT is connected to a first node N1 to which one electrode of the storage capacitor Cst, a drain electrode of the first transistor T1, and a drain electrode of the fifth transistor T5 are connected, Respectively. The source electrode of the driving transistor DT is connected to the drain electrode of the third transistor T3 which receives the pixel driving power ELVDD as a source electrode. The drain electrode of the driving transistor DT is connected to the source electrode of the fourth transistor T4.
구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극에 문턱 전압보다 큰 전압이 공급되는 경우 턴-온 된다. 턴-온 된 구동 트랜지스터(DT)는 소스 전극에서 드레인 전극으로 구동 전류를 흘린다.And is turned on when a voltage higher than the threshold voltage is supplied to the gate electrode of the driving transistor DT. The turned-on driving transistor DT passes a driving current from the source electrode to the drain electrode.
발광 소자(EL)는 애노드 전극 및 캐소드 전극을 포함한다. 발광 소자(EL)는 애노드 전극으로부터 캐소드 전극으로 구동 전류를 흘린다. 발광 소자(EL)의 애노드 전극은 제 4 트랜지스터(T4)의 드레인 전극이 연결된 제 2 노드(N2)에 접속된다. 발광 소자(EL)의 캐소드 전극은 저전위 전원 전압(ELVSS)이 형성된 접지 라인에 캐소드 전극이 연결된다. 발광 소자(EL)는 구동 트랜지스터(DT)로부터 흐르는 구동 전류에 대응하는 밝기로 발광한다.The light emitting element EL includes an anode electrode and a cathode electrode. The light emitting element EL flows a driving current from the anode electrode to the cathode electrode. The anode electrode of the light emitting device EL is connected to the second node N2 to which the drain electrode of the fourth transistor T4 is connected. The cathode electrode of the light emitting device EL is connected to the cathode electrode of the ground line where the low potential supply voltage ELVSS is formed. The light emitting element EL emits light with brightness corresponding to the driving current flowing from the driving transistor DT.
스토리지 커패시터(Cst)는 양 측 전극을 갖는다. 스토리지 커패시터(Cst)의 일 측 전극은 제 1 노드(N1)에 연결된다. 스토리지 커패시터(Cst)의 타 측 전극은 화소 구동 전원(ELVDD) 라인에 연결된다.The storage capacitor Cst has both electrodes. One electrode of the storage capacitor Cst is connected to the first node N1. The other electrode of the storage capacitor Cst is connected to the pixel drive power supply ELVDD line.
스토리지 커패시터(Cst)는 제 1 노드(N1)에 연결된 제 5 트랜지스터(T5)가 턴-온 된 경우 화소 구동 전원(ELVDD)과 제 1 노드(N1)의 차전압을 저장한다. 스토리지 커패시터(Cst)는 제 5 트랜지스터(T5)가 턴-오프 된 경우 제 1 노드(N1)에 저장한 차전압을 유지한다. 또한, 스토리지 커패시터(Cst)는 저장되어 유지한 전압을 이용하여 구동 트랜지스터(DT)의 구동을 제어할 수 있다.The storage capacitor Cst stores the difference voltage between the pixel drive power source ELVDD and the first node N1 when the fifth transistor T5 connected to the first node N1 is turned on. The storage capacitor Cst maintains the difference voltage stored in the first node N1 when the fifth transistor T5 is turned off. Further, the storage capacitor Cst can control driving of the driving transistor DT by using the stored and held voltage.
제 1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극은 제 2 스캔 신호(Scan2)를 공급받는다. 제 1 트랜지스터(T1)의 소스 전극은 구동 트랜지스터(DT)의 드레인 전극과 연결된다. 제 1 트랜지스터(T1)의 드레인 전극은 제 1 노드(N1)와 연결된다. 제 1 트랜지스터(T1)는 제 2 스캔 신호(Scan2)에 의해 턴-온 되어, 제 1 노드(N1)의 전압을 데이터 전압(Vdata)과 구동 트랜지스터(DT)의 문턱 전압(Vtp)의 합인 Vdata+Vtp까지 상승시킨다.The gate electrode of the first transistor T1 receives the second scan signal Scan2. The source electrode of the first transistor T1 is connected to the drain electrode of the driving transistor DT. The drain electrode of the first transistor T1 is connected to the first node N1. The first transistor T1 is turned on by the second scan signal Scan2 so that the voltage of the first node N1 is set to Vdata which is the sum of the data voltage Vdata and the threshold voltage Vtp of the driving transistor DT. + Vtp.
제 2 트랜지스터(T2)의 게이트 전극은 제 2 스캔 신호(Scan2)를 공급받는다. 제 2 트랜지스터(T2)의 소스 전극은 데이터 라인(DL)과 연결되어 데이터 전압(Vdata)을 공급받는다. 제 2 트랜지스터(T2)의 드레인 전극은 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극과 연결된다. 제 2 트랜지스터(T1)는 제 2 스캔 신호(Scan2)에 의해 턴-온 되어, 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극에 데이터 전압(Vdata)을 공급한다.The gate electrode of the second transistor T2 receives the second scan signal Scan2. The source electrode of the second transistor T2 is connected to the data line DL to receive the data voltage Vdata. The drain electrode of the second transistor T2 is connected to the source electrode of the driving transistor DT. The second transistor T1 is turned on by the second scan signal Scan2 and supplies the data voltage Vdata to the source electrode of the driving transistor DT.
제 3 트랜지스터(T3)의 게이트 전극은 발광 제어 신호(EM)를 공급받는다. 제 3 트랜지스터(T3)의 소스 전극은 화소 구동 전원(ELVDD)을 공급받는다. 제 3 트랜지스터(T3)의 드레인 전극은 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극과 연결된다. 제 3 트랜지스터(T3)는 발광 제어 신호(EM)에 의해 턴-온 되어, 구동 트랜지스터(DT)에 화소 구동 전원(ELVDD)을 공급하여 구동 트랜지스터(DT)가 구동 전류를 흐르게 한다.The gate electrode of the third transistor T3 is supplied with the emission control signal EM. The source electrode of the third transistor T3 is supplied with the pixel driving power ELVDD. The drain electrode of the third transistor T3 is connected to the source electrode of the driving transistor DT. The third transistor T3 is turned on by the emission control signal EM and supplies the pixel driving power ELVDD to the driving transistor DT so that the driving transistor DT allows the driving current to flow.
제 4 트랜지스터(T4)의 게이트 전극은 발광 제어 신호(EM)를 공급받는다. 제 4 트랜지스터(T4)의 소스 전극은 구동 트랜지스터(DT)의 드레인 전극과 연결된다. 제 4 트랜지스터(T4)의 드레인 전극은 제 2 노드(N2)와 연결된다. 제 4 트랜지스터(T4)는 발광 제어 신호(EM)에 의해 턴-온 되어, 구동 전류가 발광 소자(EL)를 흐르게 하여 발광 소자(EL)를 발광시킨다.The gate electrode of the fourth transistor T4 is supplied with the emission control signal EM. The source electrode of the fourth transistor T4 is connected to the drain electrode of the driving transistor DT. The drain electrode of the fourth transistor T4 is connected to the second node N2. The fourth transistor T4 is turned on by the emission control signal EM so that a drive current flows through the light emitting element EL to emit the light emitting element EL.
제 5 트랜지스터(T5)의 게이트 전극은 제 1 스캔 신호(Scan1)를 공급받는다. 제 5 트랜지스터(T5)의 소스 전극은 초기화 전압(Vinit)을 공급받는다. 제 5 트랜지스터(T5)의 드레인 전극은 제 1 노드(N1)와 연결된다. 제 5 트랜지스터(T5)는 제 1 스캔 신호(Scan1)에 의해 턴-온 되어, 제 1 노드(N1)의 전압을 초기화 전압(Vinit)으로 초기화시킨다.The gate electrode of the fifth transistor T5 receives the first scan signal Scan1. The source electrode of the fifth transistor T5 is supplied with the initializing voltage Vinit. The drain electrode of the fifth transistor T5 is connected to the first node N1. The fifth transistor T5 is turned on by the first scan signal Scan1 to initialize the voltage of the first node N1 to the initialization voltage Vinit.
제 6 트랜지스터(T6)의 게이트 전극은 제 1 스캔 신호(Scan1)를 공급받는다. 제 6 트랜지스터(T6)의 소스 전극은 초기화 전압(Vinit)을 공급받는다. 제 6 트랜지스터(T6)의 드레인 전극은 제 2 노드(N2)와 연결된다. 제 6 트랜지스터(T6)는 제 1 스캔 신호(Scan1)에 의해 턴-온 되어, 제 2 노드(N2)의 전압을 초기화 전압(Vinit)으로 초기화시킨다.The gate electrode of the sixth transistor T6 receives the first scan signal Scan1. The source electrode of the sixth transistor T6 is supplied with the initializing voltage Vinit. The drain electrode of the sixth transistor T6 is connected to the second node N2. The sixth transistor T6 is turned on by the first scan signal Scan1 to initialize the voltage of the second node N2 to the initializing voltage Vinit.
본 발명의 제 1 실시예에 따른 화소(P)는 7개의 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor, TFT)와 1개의 커패시터(Capacitor)로 이루어져 있어 7T1C 보상 회로로 통칭한다. 또한, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 화소(P)는 2종류의 스캔 신호(Scan)와 1종류의 발광 제어 신호(EM)로 동작한다.The pixel P according to the first embodiment of the present invention includes seven thin film transistors (TFT) and one capacitor and is collectively referred to as a 7T1C compensation circuit. In addition, the pixel P according to the first embodiment of the present invention operates with two types of scan signals (Scan) and one type of emission control signal (EM).
임의의 프레임(Frame)이 시작하는 시점에 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전압과 소스 전압의 차전압(Vgs)은 게이트 로우 전압(VGL) 상태를 유지하고 있다. 또한, 발광 제어 신호(EM) 역시 게이트 로우 전압(VGL) 상태이다. 이에 따라, 제 3 및 제 4 트랜지스터(T3, T4)가 턴-온 된다. 이에 따라 구동 트랜지스터(DT)에 일정량의 구동 전류가 흐르게 되어 발광 소자(EL)를 발광시킨다.The difference voltage Vgs between the gate voltage of the driving transistor DT and the source voltage maintains the gate-low voltage (VGL) state at the start of an arbitrary frame. Further, the emission control signal EM is also in a gate low voltage (VGL) state. Thus, the third and fourth transistors T3 and T4 are turned on. Accordingly, a predetermined amount of driving current flows through the driving transistor DT to cause the light emitting element EL to emit light.
이후, 발광 제어 신호(EM)가 게이트 하이 전압(VGH)을 갖고, 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극과 드레인 전극은 플로팅(Floating) 상태가 된다.Thereafter, the emission control signal EM has the gate high voltage VGH, and the source electrode and the drain electrode of the driving transistor DT are in the floating state.
이후, 화소(P)는 초기화(Initialization) 단계를 갖는다. 초기화 단계에서, 제 1 스캔 신호(Scan1)가 게이트 로우 전압(VGL)이 되면 제 5 트랜지스터(T5)가 턴-온 되고, 초기화 전압(Vinit)이 제 1 노드(N1)에 인가된다. 초기화 단계 후 제 1 스캔 신호(Scan1)가 다시 게이트 하이 전압(VGH)이 되면 제 5 트랜지스터(T5)는 턴-오프 되고 제 1 노드(N1)는 플로팅 상태가 된다.Thereafter, the pixel P has an initialization step. In the initialization step, when the first scan signal Scan1 becomes the gate-low voltage VGL, the fifth transistor T5 is turned on and the initialization voltage Vinit is applied to the first node N1. When the first scan signal Scan1 again becomes the gate high voltage VGH after the initialization step, the fifth transistor T5 is turned off and the first node N1 becomes a floating state.
이후, 화소(P)는 프로그래밍(Programming) 단계를 갖는다. 프로그래밍 단계에서, 제 2 스캔 신호(Scan2)가 게이트 로우 전압(VGL)이 되면 제 1, 2, 6 트랜지스터(T1, T2, T6)가 턴-온 된다. 제 6 트랜지스터(T6)에 의해 발광 소자(EL)는 리셋된다. 또한, 제 2 트랜지스터(T2)가 턴-온 되어 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극에 데이터 전압(Vdata)이 공급된다.Thereafter, the pixel P has a Programming step. In the programming step, the first, second and sixth transistors T1, T2 and T6 are turned on when the second scan signal Scan2 becomes the gate-low voltage VGL. The light emitting element EL is reset by the sixth transistor T6. Further, the second transistor T2 is turned on, and the data voltage Vdata is supplied to the source electrode of the driving transistor DT.
본 출원의 일 예에 따른 화소(P)의 초기화 전압(Vinit)은 데이터 전압(Vdata)보다 낮다. 또한, 구동 트랜지스터(DT)의 소스 전극에 데이터 전압(Vdata)이 공급되고, 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극에 초기화 전압이 공급된다. 이에 따라, 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전압과 소스 전압의 차전압(Vgs)은 음(negative, -)의 전압 값을 갖게 된다.The initialization voltage Vinit of the pixel P according to an example of the present application is lower than the data voltage Vdata. The data voltage Vdata is supplied to the source electrode of the driving transistor DT and the initializing voltage is supplied to the gate electrode of the driving transistor DT. Accordingly, the difference voltage Vgs between the gate voltage of the driving transistor DT and the source voltage has a negative (-) voltage value.
게이트 전압과 소스 전압의 차전압(Vgs)이 음의 전압 값을 갖는 경우 구동 트랜지스터(DT)는 선형(Linear) 영역에서 동작한다. 이에 따라, 구동 트랜지스터(DT)의 드레인 전극의 전압은 상승한다. 제 1 트랜지스터(T1)가 턴-온 되어 있는 상태이기 때문에 구동 트랜지스터의 드레인 전극과 게이트 전극은 전기적으로 동일한 노드로 볼 수 있다. 결과적으로, 제1 노드(N1)의 전압은 데이터 전압(Vdata)과 구동 트랜지스터(DT)의 문턱 전압(Vth)을 합한 전압 값인 Vdata+Vth까지 상승한다. 여기에서 문턱 전압(Vth)은 음의 전압 값을 갖는다.When the difference voltage Vgs between the gate voltage and the source voltage has a negative voltage value, the driving transistor DT operates in a linear region. As a result, the voltage of the drain electrode of the driving transistor DT rises. Since the first transistor T1 is in a turned-on state, the drain electrode and the gate electrode of the driving transistor can be regarded as electrically identical nodes. As a result, the voltage of the first node N1 rises to Vdata + Vth, which is the sum of the data voltage Vdata and the threshold voltage Vth of the driving transistor DT. Here, the threshold voltage Vth has a negative voltage value.
이후, 화소(P)는 문턱 전압(Vth) 센싱(sensing) 단계를 갖는다. 문턱 전압(Vth) 센싱 단계에서, 제1 노드(N1)의 전압이 데이터 전압(Vdata)과 구동 트랜지스터(DT)의 문턱 전압(Vth)을 합한 전압 값까지 상승한 상태이므로, 구동 트랜지스터(DT)는 턴-오프되어 누설(Subthreshold) 전류만이 흐르는 상태가 된다.Thereafter, the pixel P has a step of sensing a threshold voltage Vth. Since the voltage of the first node N1 is raised to the sum of the data voltage Vdata and the threshold voltage Vth of the driving transistor DT in the threshold voltage Vth sensing step, So that only the subthreshold current flows.
이 때, 데이터 전압(Vdata)을 기준으로 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극의 전압인 Vdata+Vth를 센싱하여 문턱 전압(Vth)을 센싱할 수 있다.At this time, the threshold voltage Vth can be sensed by sensing Vdata + Vth, which is the voltage of the gate electrode of the driving transistor DT, based on the data voltage Vdata.
이후, 발광 제어 신호(EM)가 다시 게이트 로우 전압(VGL)이 될 때 구동 트랜지스터의 드레인 전극에 화소 구동 전압(ELVDD)이 공급된다. 이에 따라 다음 프레임이 시작하고, 발광 소자(EL)는 발광한다.Thereafter, the pixel driving voltage ELVDD is supplied to the drain electrode of the driving transistor when the emission control signal EM becomes the gate-low voltage VGL again. As a result, the next frame starts, and the light emitting element EL emits light.
도 3은 본 출원의 일 예에 따른 화소(P)의 단면도이다. 일 예에 따른 화소(P)는 베이스층(210), 버퍼층(220), 반도체층(230), 게이트 절연층(235), 게이트 금속층(240), 제 1 브릿지(241), 소스/드레인 금속층(250), 제 1 층간 절연막(260), 중간 금속층(270), 제 2 층간 절연막(280), 평탄화막(290), 애노드 전극(300), 발광층(320), 캐소드 전극(330), 및 격벽(340)을 포함한다.3 is a cross-sectional view of a pixel P according to an example of the present application. The pixel P according to one example includes a
베이스층(210)은 유기 발광 표시 장치의 최하층을 형성한다. 베이스층(210)은 상부에 마련된 회로부를 이루는 회로 소자들 및 배선들을 지지할 수 있다. 또는, 베이스층(210)은 가요성이 있는 플라스틱으로 형성되어, 유기 발광 표시 장치가 가요성이 있도록 할 수 있다.The
버퍼층(220)은 베이스층(210)의 상부를 덮는다. 버퍼층(220)은 절연성이 우수한 재료로 형성된다. 버퍼층(220)은 베이스층(210)의 상부에 마련된 회로부를 이루는 회로 소자들 및 배선들을 외부의 충격 또는 정전기로부터 보호한다.The
반도체층(230)은 버퍼층(220)의 상부에 배치된다. 반도체층(230)은 도핑된 반도체로 이루어진다. 반도체층(230)은 화소(P)를 구성하는 박막 트랜지스터의 채널을 형성한다. 반도체층(230)은 게이트 채널(231), 제 1 채널(232), 및 제 2 채널(233)을 포함한다. 게이트 채널(231)은 박막 트랜지스터의 게이트 전극의 채널을 형성한다. 제 1 및 제 2 전극층(233)은 박막 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극의 채널을 형성한다.The
게이트 절연층(235)은 버퍼층(220) 및 반도체층(230)의 상부에 배치된다. 게이트 절연층(235)은 버퍼층(220) 및 반도체층(230)을 전체적으로 덮는다. 게이트 절연층(235)은 절연성이 우수한 재료로 형성된다. 게이트 절연층(235)은 반도체층(230)이 게이트 금속층(240)과 단락되는 것을 방지하고, 반도체층(230)이 이루는 박막 트랜지스터의 채널을 구분한다.A
게이트 금속층(240)은 게이트 절연층(235)의 상부에 배치된다. 게이트 금속층(240)은 박막 트랜지스터의 게이트 전극 및 게이트 라인(GL1~GLp)을 형성하는 게이트 금속층이다. 게이트 금속층(240)은 전기 전도성이 우수한 금속 또는 합금으로 형성될 수 있다.A
제 1 층간 절연막(260)은 게이트 금속층(240) 및 제 1 브릿지(241)의 상부에 배치된다. 제 1 층간 절연막(260)은 전기 절연성이 우수한 물질로 형성된다.The first
중간 금속층(270)은 제 1 층간 절연막(260)의 상부에 배치된다. 중간 금속층(270)은 게이트 금속층(240) 중 박막 트랜지스터의 게이트 전극을 형성하는 게이트 금속층(240)과 중첩되어 배치된다. 중간 금속층(270)은 박막 트랜지스터의 게이트 전극을 형성하는 게이트 금속층(240)과 상호 정전 용량을 형성한다. 중간 금속층(270)은 스토리지 커패시턴스의 일 측 전극의 기능을 수행한다.The
제 2 층간 절연막(280)은 제 1 층간 절연막(260) 및 중간 금속층(270)의 상부에 배치된다. 제 2 층간 절연막(280)은 전기 절연성이 우수한 물질로 형성된다.The second
소스/드레인 금속층(250)은 제 2 층간 절연막(280)의 상부에 배치된다. 소스/드레인 금속층(250)은 화소(P)를 이루는 박막 트랜지스터의 제 1 전극(251) 및 제 2 전극(252)을 형성한다. 소스/드레인 금속층(250)은 제 1 연결 트랜지스터(CT1)의 제 1 전극(253), 반전 인에이블 라인(254), 인에이블 라인(255), 및 점등 검사 데이터 라인(256)을 형성한다. 소스/드레인 금속층(250)은 게이트 금속층(240)의 상부에 배치된 소스/드레인 금속층이다. 소스/드레인 금속층(250)은 전기 전도성이 우수한 금속 또는 합금으로 형성될 수 있다.The source /
평탄화막(290)은 제 2 층간 절연막(280) 및 소스/드레인 금속층(250)의 상부에 배치된다. 평탄화막(290)은 상부면의 높이 차이를 감소시킨다. 이에 따라, 평탄화막(290)은 베이스층(210)을 기준으로 Z축 방향으로의 높이가 영역에 따라 편차가 발생하는 것을 해결할 수 있다.The
애노드 전극(300)은 평탄화막(290)의 상부에 배치된다. 애노드 전극(300)은 화소(P)를 이루는 박막 트랜지스터의 제 2 전극(252)과 연결된다. 애노드 전극(300)은 박막 트랜지스터의 제 2 전극(252)에 구동 전압 또는 데이터 전압을 공급한다. 애노드 전극(300)은 화소(P) 별로 구분될 수 있다. 서로 인접한 애노드 전극(300) 사이는 격벽(340)으로 인하여 전기적으로 절연될 수 있다.The
발광층(320)은 애노드 전극(300) 상에 마련된다. 발광층(320)은 정공 수송층(hole transporting layer), 유기 발광층(organic light emitting layer), 전자 수송층(electron transporting layer)을 포함할 수 있다. 발광층(320)은 애노드 전극(300)과 캐소드 전극(330)에 전압이 인가되면 정공과 전자가 각각 정공 수송층과 전자 수송층을 통해 유기 발광층으로 이동되어 유기 발광층에서 서로 결합하여 발광하게 된다.The
캐소드 전극(330)은 발광층(320) 및 뱅크(340) 상에 마련된다. 캐소드 전극(330)은 구동 전압을 공급한다.A
뱅크(340)는 화소(P)들의 애노드 전극(300) 사이에 마련된다. 뱅크(340)는 화소(P)들을 구획한다.The
도 4는 일 예에 따른 복수의 기준 전원 전압 라인(VSSL1~VSSL3) 및 캐소드 전극(330)을 나타낸 평면도이다.4 is a plan view showing a plurality of reference power source voltage lines (VSSL1 to VSSL3) and a
일 예에 따른 복수의 기준 전원 전압 라인(VSSL1~VSS3)은 제 1 내지 제 3 기준 전원 전압 라인(VSSL1~VSSL3)을 포함할 수 있다. 그러나 이에 한정되지 않으며, 복수의 기준 전원 전압 라인(VSSL1~VSS3)의 개수는 3개보다 많거나 적을 수 있다.The plurality of reference power supply voltage lines VSSL1 to VSS3 according to an example may include first to third reference power supply voltage lines VSSL1 to VSSL3. However, the present invention is not limited to this, and the number of the plurality of reference power supply voltage lines VSSL1 to VSS3 may be more or less than three.
제 1 기준 전원 전압 라인(VSSL1)은 복수의 기준 전원 전압 라인(VSSL1~VSS3) 중 가장 안쪽에 배치된다. 제 1 기준 전원 전압 라인(VSSL1)은 표시 영역에 인접하게 배치된다. 제 1 기준 전원 전압 라인(VSSL1)은 제 1 기준 전원 전압(VSS1)을 공급한다.The first reference power supply voltage line VSSL1 is disposed in the innermost of the plurality of reference power supply voltage lines VSSL1 to VSS3. The first reference power supply voltage line VSSL1 is disposed adjacent to the display area. The first reference power supply voltage line VSSL1 supplies the first reference power supply voltage VSS1.
제 2 기준 전원 전압 라인(VSSL2)은 제 1 기준 전원 전압 라인(VSSL1)의 바깥쪽에 배치된다. 제 2 기준 전원 전압 라인(VSSL2)은 제 1 기준 전원 전압 라인(VSSL1)과 전기적으로 분리된다. 제 2 기준 전원 전압 라인(VSSL2)은 제 1 기준 전원 전압 라인(VSSL1)보다 표시 영역으로부터 이격되어 배치된다. 제 2 기준 전원 전압 라인(VSSL2)은 제 2 기준 전원 전압(VSS2)을 공급한다.The second reference power supply voltage line VSSL2 is disposed outside the first reference power supply voltage line VSSL1. The second reference power supply voltage line VSSL2 is electrically separated from the first reference power supply voltage line VSSL1. The second reference power supply voltage line VSSL2 is disposed apart from the display region from the first reference power supply voltage line VSSL1. The second reference power supply voltage line VSSL2 supplies the second reference power supply voltage VSS2.
제 3 기준 전원 전압 라인(VSSL3)은 제 2 기준 전원 전압 라인(VSSL2)의 바깥쪽에 배치된다. 제 3 기준 전원 전압 라인(VSSL3)은 제 2 기준 전원 전압 라인(VSSL2)과 전기적으로 분리된다. 제 3 기준 전원 전압 라인(VSSL3)은 제 2 기준 전원 전압 라인(VSSL2)보다 표시 영역으로부터 이격되어 배치된다. 제 3 기준 전원 전압 라인(VSSL3)은 제 3 기준 전원 전압(VSS3)을 공급한다.And the third reference power supply voltage line VSSL3 is disposed outside the second reference power supply voltage line VSSL2. And the third reference power supply voltage line VSSL3 is electrically separated from the second reference power supply voltage line VSSL2. The third reference power supply voltage line VSSL3 is disposed apart from the display region from the second reference power supply voltage line VSSL2. The third reference power supply voltage line VSSL3 supplies the third reference power supply voltage VSS3.
캐소드 전극(330)은 표시 영역 전체 및 비표시 영역의 일부 상에 일체로 배치된다. 캐소드 전극(330)은 비표시 영역 상에서 제 1 내지 제 3 기준 전원 전압 라인(VSSL1~VSSL3)과 일부 또는 전부가 중첩된다. 캐소드 전극(330)은 제 1 내지 제 3 기준 전원 전압 라인(VSSL1~VSSL3) 각각과 적어도 일부 영역에서 중첩된다. 일 예로, 캐소드 전극(330)은 제 1 및 제 2 기준 전원 전압 라인(VSSL1~VSSL2) 상의 모든 영역에 배치되고, 제 3 기준 전원 전압 라인(VSSL3) 상의 일부 영역에 배치될 수 있다.The
일 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 화상을 표시하는 화소(P)들이 마련된 표시 영역과 표시 영역을 둘러싸도록 마련된 비표시 영역을 갖는 표시 패널(100), 표시 영역과 비표시 영역 상에 일체로 배치된 캐소드 전극(330), 및 비표시 영역에 배치되어 캐소드 전극(330)에 기준 전원 전압(VSS1~VSS3)을 공급하는 복수의 기준 전원 전압 라인(VSSL1~VSSL3)을 포함한다.The organic light emitting display device according to one example includes a
복수의 기준 전원 전압 라인(VSSL1~VSSL3)을 갖는 경우, 단일한 기준 전원 전압 라인에서 단일한 크기를 갖는 기준 전원 전압을 공급하는 경우 대비 표시 패널(100) 및 캐소드 전극(330)의 영역 별 특성을 반영하여 알맞은 크기의 기준 전원 전압을 공급할 수 있다. 이에 따라, 기준 전원 전압을 보다 안정적으로 공급할 수 있어, 화상의 품질을 향상시키고 구동 안정성을 증가시킬 수 있다.In the case of having a plurality of reference power supply voltage lines (VSSL1 to VSSL3), when a reference power supply voltage having a single size is supplied in a single reference power supply voltage line, characteristics of regions of the
특히, 일 예에 따른 복수의 기준 전원 전압 라인(VSSL1~VSSL3) 각각은 서로 다른 기준 전원 전압(VSS1~VSS3)을 공급한다. 이에 따라, 표시 패널(100) 및 캐소드 전극(330)의 영역 별로 서로 다른 기준 전원 전압(VSS1~VSS3)을 공급할 수 있다. 캐소드 전극(330)의 면 저항, 복수의 기준 전원 전압 라인(VSSL1~VSSL3)의 선 저항에 따른 거리 별 및 영역 별 기준 전원 전압의 편차를 반영하여 서로 다른 기준 전원 전압(VSS1~VSS3)을 설정하여 공급할 수 있다. 이에 따라, 복수의 기준 전원 전압 라인(VSSL1~VSSL3)의 선 저항에 따른 거리 별 및 영역 별 기준 전원 전압의 편차를 감소시킬 수 있다.In particular, each of the plurality of reference power supply voltage lines VSSL1 to VSSL3 according to an example supplies different reference power supply voltages VSS1 to VSS3. Accordingly, different reference power supply voltages VSS1 to VSS3 can be supplied to the
일 예에 따른 제 1 기준 전원 전압(VSS1)은 제 2 기준 전원 전압(VSS2)보다 높은 전위를 갖는다. 기준 전원 전압은 발광 소자(EL)의 캐소드 전극의 전위를 의미하며, 화소 구동 전원(ELVDD)이 공급되는 구동 트랜지스터(DT)의 드레인 전극과 반대의 층에 공급되는 전압이다. 이에 따라, 기준 전원 전압의 전위는 그라운드 전압보다 낮은 음(-)의 전위를 갖는다. 제 2 기준 전원 전압(VSS2)은 제 1 기준 전원 전압(VSS1)보다 더욱 낮은 전위를 가지므로, 제 2 기준 전원 전압(VSS2)의 절대값의 크기는 제 1 기준 전원 전압(VSS1)의 절대값의 크기보다 크다. 일 예로, 제 1 기준 전원 전압(VSS1)이 -2.5V인 경우, 제 2 기준 전원 전압(VSS2)은 -2.6V일 수 있다.The first reference power supply voltage VSS1 according to an example has a potential higher than the second reference power supply voltage VSS2. The reference power supply voltage refers to the potential of the cathode electrode of the light emitting element EL and is a voltage supplied to the layer opposite to the drain electrode of the driving transistor DT to which the pixel driving power supply ELVDD is supplied. Thus, the potential of the reference power supply voltage has a negative (-) potential lower than the ground voltage. Since the second reference power supply voltage VSS2 has a potential lower than the first reference power supply voltage VSS1, the magnitude of the absolute value of the second reference power supply voltage VSS2 is smaller than the absolute value of the first reference power supply voltage VSS1 . For example, when the first reference power supply voltage VSS1 is -2.5V, the second reference power supply voltage VSS2 may be -2.6V.
또한, 일 예에 따른 제 2 기준 전원 전압(VSS2)은 제 3 기준 전원 전압(VSS3)보다 높은 전위를 갖는다. 제 3 기준 전원 전압(VSS3)은 제 2 기준 전원 전압(VSS2)보다 더욱 낮은 전위를 가지므로, 제 3 기준 전원 전압(VSS3)의 절대값의 크기는 제 2 기준 전원 전압(VSS2)의 절대값의 크기보다 크다. 일 예로, 제 2 기준 전원 전압(VSS2)이 -2.6V인 경우, 제 3 기준 전원 전압(VSS3)은 -2.7V일 수 있다.Also, the second reference power supply voltage VSS2 according to one example has a potential higher than the third reference power supply voltage VSS3. Since the third reference power supply voltage VSS3 has a potential lower than the second reference power supply voltage VSS2, the magnitude of the absolute value of the third reference power supply voltage VSS3 is smaller than the absolute value of the second reference power supply voltage VSS2 . For example, when the second reference power supply voltage VSS2 is -2.6V, the third reference power supply voltage VSS3 may be -2.7V.
기준 전원 전압은 본래 음(-)의 전압을 갖고 있어야 하는데, 복수의 기준 전원 전압 라인(VSSL1~VSSL3)의 선 저항 및 캐소드 전극(330)의 면 저항에 의해 그라운드 전압에 가까워진다. 즉, 기준 전원 전압의 전위가 상승하는 VSS Rising 현상이 발생한다. VSS Rising 현상에 따른 기준 전원 전압의 전위의 상승값은 기준 전원 전압 라인의 길이가 증가할수록 증가한다. 또한, VSS Rising 현상에 따른 기준 전원 전압의 전위의 상승값은 기준 전원 전압이 공급되는 지점으로부터의 거리가 멀어질수록 증가한다. 이에 따라, 표시 패널(100)에서 기준 전원 전압이 공급되는 부분인 표시 패널(100)의 상부와 기준 전원 전압이 공급되는 부분과 반대 부분인 표시 패널의 하부 사이에 기준 전원 전압의 전압 편차가 발생한다.The reference power supply voltage should have a negative negative voltage and it approaches the ground voltage due to the line resistance of the plurality of reference power supply voltage lines VSSL1 to VSSL3 and the surface resistance of the
일 예에 따른 복수의 기준 전원 전압 라인(VSSL1~VSSL3)에서는 표시 패널(100)의 상부에 기준 전원 전압을 공급하는 제 1 기준 전원 전압 라인(VSSL1)에서는 제 1 기준 전원 전압(VSS1)을 공급한다. 또한, 표시 패널(100)의 중앙 영역에 기준 전원 전압을 공급하는 제 2 기준 전원 전압 라인(VSSL2)에서는 제 2 기준 전원 전압(VSS2)을 공급한다. 또한, 표시 패널(100)의 하부 영역에 기준 전원 전압을 공급하는 제 3 기준 전원 전압 라인(VSSL3)에서는 제 3 기준 전원 전압(VSS3)을 공급한다. The first reference power supply voltage VSS1 is supplied to the first reference power supply voltage line VSSL1 for supplying the reference power supply voltage to the upper portion of the
이에 따라, 일 예에 따른 표시 패널(100)의 상부에는 본래 공급하던 기준 전원 전압과 동일한 전위의 제 1 기준 전원 전압(VSS1)이 그대로 공급할 수 있다. 이와 동시에, 표시 패널(100)의 중앙부에는 제 1 기준 전원 전압(VSS1)보다 전위가 낮은 제 2 기준 전원 전압(VSS2)을 공급하여 표시 패널(100)의 중앙부에서의 VSS Rising 현상을 보상할 수 있다. 또한, 이와 동시에 표시 패널(100)의 하부에는 제 2 기준 전원 전압(VSS2)보다 전위가 낮은 제 3 기준 전원 전압(VSS3)을 공급하여 표시 패널(100)의 하부에서의 VSS Rising 현상을 보상할 수 있다.Accordingly, the first reference power supply voltage VSS1 having the same potential as the reference power supply voltage originally supplied can be supplied directly to the upper portion of the
VSS Rising 현상에 따라 표시 패널(100)의 영역 별로 얼마나 기준 전원 전압이 상승하는지 산출하고, 산출한 전압 상승값만큼 낮은 전위의 전압을 해당 영역에 기준 전원 전압으로 공급하는 경우, 표시 패널(100)의 상부, 중앙부, 및 하부에서의 기준 전원 전압의 크기를 모두 동일하게 할 수 있다. 이에 따라, 표시 패널(100)의 영역 별 기준 전원 전압의 편차를 감소시킬 수 있어, 표시 패널(100)의 휘도 편차 및 구동 안정성을 개선할 수 있다.In the case where the reference power supply voltage is increased for each region of the
일 예에 따른 제 1 기준 전원 전압 라인(VSSL1)은 제 1 컨택홀(CNT1) 및 제 4 컨택홀(CNT4)을 통해 캐소드 전극(330)과 연결되고, 제 2 기준 전원 전압 라인(VSSL2)은 제 2 컨택홀(CNT2) 및 제 5 컨택홀(CNT5)을 통해 캐소드 전극(330)과 연결되고, 제 3 기준 전원 전압 라인(VSSL3)은 제 3 컨택홀(CNT3), 제 6 컨택홀(CNT6), 및 제 7 컨택홀(CNT7)을 통해 캐소드 전극(330)과 연결된다. 제 1 내지 제 7 컨택홀(CNT1~CNT7)은 동일한 레이어 상에 형성된다. 제 1 내지 제 7 컨택홀(CNT1~CNT7)은 서로 중첩되지 않도록 형성된다. 제 1 내지 제 7 컨택홀(CNT1~CNT7)은 평탄화막(290)을 관통하여 형성된다. The first reference power supply voltage line VSSL1 is connected to the
제 1 컨택홀(CNT1) 및 제 4 컨택홀(CNT4)은 제 1 기준 전원 전압 라인(VSSL1)과 캐소드 전극(330)이 중첩된 영역 중 제 1 기준 전원 전압(VSS1)을 공급받는 캐소드 전극(300)의 상부에 인접하게 배치된다. 일 예로, 제 1 기준 전원 전압(VSS1)이 캐소드 전극(330)의 상부로부터 공급되는 경우, 제 1 컨택홀(CNT1)은 캐소드 전극(330)의 좌측 상부에 배치되고, 제 4 컨택홀(CNT4)은 캐소드 전극(330)의 우측 상부에 배치될 수 있다. 제 1 컨택홀(CNT1) 및 제 4 컨택홀(CNT4)은 캐소드 전극(330)의 양 측 상부에 대칭으로 배치될 수 있다.The first contact hole CNT1 and the fourth contact hole CNT4 are connected to the
제 2 컨택홀(CNT2) 및 제 5 컨택홀(CNT5)은 제 2 기준 전원 전압 라인(VSSL2) 과 캐소드 전극(330)이 중첩된 영역 중 제 2 기준 전원 전압(VSS2)을 공급받는 캐소드 전극(300)의 중앙부에 인접하게 배치된다. 일 예로, 제 2 기준 전원 전압(VSS2)이 캐소드 전극(330)의 상부로부터 공급되는 경우, 제 2 컨택홀(CNT2)은 캐소드 전극(330)의 좌측 중앙부에 배치되고, 제 5 컨택홀(CNT5)은 캐소드 전극(330)의 우측 중앙부에 배치될 수 있다. 제 2 컨택홀(CNT2) 및 제 5 컨택홀(CNT5)은 캐소드 전극(330)의 양 측 중앙부에 대칭으로 배치될 수 있다.The second contact hole CNT2 and the fifth contact hole CNT5 are connected to the
제 3 컨택홀(CNT3) 및 제 6 컨택홀(CNT6)은 제 3 기준 전원 전압 라인(VSSL3) 과 캐소드 전극(330)이 중첩된 영역 중 제 3 기준 전원 전압(VSS3)을 공급받는 캐소드 전극(330)의 하부에 인접하게 배치된다. 일 예로, 제 3 기준 전원 전압(VSS3)이 캐소드 전극(330)의 상부로부터 공급되는 경우, 제 3 컨택홀(CNT3)은 캐소드 전극(330)의 좌측 하부에 배치되고, 제 6 컨택홀(CNT6)은 캐소드 전극(330)의 우측 하부에 배치될 수 있다. 제 3 컨택홀(CNT3) 및 제 6 컨택홀(CNT6)은 캐소드 전극(330)의 양 측 하부에 대칭으로 배치될 수 있다.The third contact hole CNT3 and the sixth contact hole CNT6 are connected to the
제 4 컨택홀(CNT4)은 제 3 기준 전원 전압 라인(VSSL3) 과 캐소드 전극(330)이 중첩된 영역 중 제 3 기준 전원 전압(VSS3)을 공급받는 캐소드 전극(330)의 하부에 배치된다. 일 예로, 제 3 기준 전원 전압(VSS3)이 캐소드 전극(330)의 상부로부터 공급되는 경우, 제 4 컨택홀(CNT4)은 캐소드 전극(330)의 하부 중앙에 배치된다.The fourth contact hole CNT4 is disposed under the
제 4 컨택홀(CNT4)의 크기는 제 1 내지 제 3 컨택홀(CNT1~CNT3) 및 제 5 내지 제 7 컨택홀(CNT5~CNT7)의 크기보다 클 수 있다. 제 4 컨택홀(CNT4)은 제 3 기준 전원 전압(VSS3)이 공급되는 캐소드 전극(330)의 하부 중 제 3 기준 전원 전압(VSS3)의 공급 지점으로부터의 거리가 가장 먼 하부 중앙에 연결된다. 이에 따라, 제 3 기준 전원 전압(VSS3)의 공급을 원활하게 하기 위해, 제 4 컨택홀(CNT4)은 캐소드 전극(330)의 하부 중앙에서 제 1 내지 제 3 컨택홀(CNT1~CNT3) 및 제 5 내지 제 7 컨택홀(CNT5~CNT7)보다 넓은 면적을 가질 수 있다.The size of the fourth contact hole CNT4 may be larger than the sizes of the first through third contact holes CNT1 through CNT3 and the fifth through seventh contact holes CNT5 through CNT7. The fourth contact hole CNT4 is connected to the lower center of the lower portion of the
또한, 제 4 컨택홀(CNT4)의 면적이 증가하는 경우, 제 4 컨택홀(CNT4)에서 제 3 기준 전원 전압 라인(VSSL3)과 캐소드 전극(330)이 접촉하는 면적 역시 증가한다. 이에 따라, 제 3 기준 전원 전압 라인(VSSL3)과 캐소드 전극(330)의 접촉 저항이 감소하여 제 4 컨택홀(CNT4)에서의 접촉 저항에 따른 전압 강하로 인한 VSS Rising 현상을 감소시킬 수 있다.In addition, when the area of the fourth contact hole CNT4 is increased, the area in which the third reference power source voltage line VSSL3 and the
일 예에서, 도 4와 같이 제 1 기준 전원 전압 라인(VSSL1)은 표시 영역을 둘러싸도록 배치되고, 제 2 기준 전원 전압 라인(VSSL2)은 제 1 기준 전원 전압 라인(VSSL1)을 둘러싸도록 배치되고, 제 3 기준 전원 전압 라인(VSSL3)은 제 2 기준 전원 전압 라인(VSSL2)을 둘러싸도록 배치된다.4, the first reference power supply voltage line VSSL1 is arranged to surround the display region, and the second reference power supply voltage line VSSL2 is arranged to surround the first reference power supply voltage line VSSL1 , And the third reference power supply voltage line VSSL3 is disposed so as to surround the second reference power supply voltage line VSSL2.
제 1 내지 제 3 기준 전원 전압 라인(VSSL1~VSSL3) 각각은 표시 영역을 중심으로 표시 영역의 양 측 모서리 및 하부 모서리 상에서 모두 이어지도록 형성된다. 이에 따라 제 1 내지 제 3 기준 전원 전압 라인(VSSL1~VSSL3)을 캐소드 전극(330) 상의 원하는 영역에 연결하면서도, 기존의 단일한 기준 전원 전압 라인 구조와 동일한 형태로 제 1 내지 제 3 기준 전원 전압 라인(VSSL1~VSSL3)을 형성할 수 있어, 제 1 내지 제 3 기준 전원 전압 라인(VSSL1~VSSL3)을 형성하기 위한 추가적인 제조 비용을 최소화할 수 있다.Each of the first to third reference power supply voltage lines VSSL1 to VSSL3 is formed so as to extend on both the side edges and the bottom edge of the display region with the display region as the center. The first to third reference power supply voltage lines VSSL1 to VSSL3 are connected to a desired region on the
도 5는 도 4의 등가 회로도이다. 도 5에 따른 등가 회로를 참고하면, 제 1 내지 제 3 기준 전원 전압 라인(VSSL1~VSSL3)의 선 저항 및 표시 패널(100) 상의 캐소드 전극(330)의 영역 별 면 저항을 저항(R)으로 모델링하였다.Fig. 5 is an equivalent circuit diagram of Fig. 5, the line resistance of the first to third reference power supply voltage lines VSSL1 to VSSL3 and the area resistance of the
캐소드 전극(330)의 하부 영역 방향으로 갈수록 제 1 내지 제 3 기준 전원 전압(VSS1~VSS3)을 공급받는 지점으로부터의 거리가 증가한다. 캐소드 전극(330)의 영역 별 면 저항이 균일한 경우, 캐소드 전극(330)의 하부 영역 방향으로 갈수록 제 1 내지 제 3 기준 전원 전압(VSS1~VSS3)의 전압 강하 원리에 따른 VSS Rising 현상이 증가한다.The distance from the point where the first to third reference power supply voltages VSS1 to VSS3 are supplied increases in the direction of the lower region of the
도 5와 같이 제 1 내지 제 3 기준 전원 전압 라인(VSSL1~VSSL3)을 배치하는 경우, 제 1 내지 제 3 기준 전원 전압(VSS1~VSS3)이 캐소드 전극(330)의 상부, 중앙부, 및 하부에 개별적으로 공급된다. 이에 따라, 제 1 내지 제 3 기준 전원 전압 라인(VSSL1~VSSL3)의 선 저항 및 표시 패널(100) 상의 캐소드 전극(330)의 영역 별 면 저항에 따른 캐소드 전극(330)의 상부, 중앙부, 및 하부까지의 저항의 편차를 감소시킬 수 있다. 5, when the first to third reference power supply voltage lines VSSL1 to VSSL3 are arranged, the first to third reference power supply voltages VSS1 to VSS3 are applied to the upper, middle, and lower portions of the
도 6은 다른 예에 따른 복수의 기준 전원 전압 라인(VSSL1~VSSL3) 및 캐소드 전극(330)을 나타낸 평면도이다.6 is a plan view showing a plurality of reference power source voltage lines (VSSL1 to VSSL3) and a
다른 예에 따른 제 1 기준 전원 전압 라인(VSSL1)은 비표시 영역의 모서리 일부에 배치되고, 제 2 기준 전원 전압 라인(VSSL2)은 제 1 기준 전원 전압 라인(VSSL1)보다 연장되도록 배치되고, 제 3 기준 전원 전압 라인(VSSL3)은 제 2 기준 전원 전압 라인(VSSL2)보다 연장되도록 배치된다.The first reference power supply voltage line VSSL1 according to another example is arranged at a corner of the non-display region, the second reference power supply voltage line VSSL2 is arranged to extend beyond the first reference power supply voltage line VSSL1, The three reference power supply voltage lines VSSL3 are arranged to extend from the second reference power supply voltage line VSSL2.
제 1 기준 전원 전압 라인(VSSL1)은 제 1 기준 전원 전압(VSS1)이 공급되는 지점부터 제 1 및 제 4 컨택홀(CNT1, CNT4)이 배치된 지점까지 연장된다. 예를 들어, 제 1 기준 전원 전압(VSS1)이 표시 패널(100)의 상부 중앙에서 공급되는 경우, 제 1 기준 전원 전압 라인(VSSL1)의 일 측은 캐소드 전극(330)이 형성된 비표시 영역 중 상부 중앙부터 좌측 상부까지 연장된다. 또한, 제 1 기준 전원 전압 라인(VSSL1)의 타 측은 캐소드 전극(330)이 형성된 비표시 영역 중 상부 중앙부터 우측 상부까지 연장된다.The first reference power supply voltage line VSSL1 extends from the point where the first reference power supply voltage VSS1 is supplied to the point where the first and fourth contact holes CNT1 and CNT4 are disposed. For example, when the first reference power supply voltage VSS1 is supplied from the upper center of the
제 2 기준 전원 전압 라인(VSSL2)은 제 2 기준 전원 전압(VSS2)이 공급되는 지점부터 제 2 및 제 5 컨택홀(CNT2, CNT5)이 배치된 지점까지 연장된다. 예를 들어, 제 2 기준 전원 전압(VSS3)이 표시 패널(100)의 상부 중앙에서 공급되는 경우, 제 2 기준 전원 전압 라인(VSSL2)의 일 측은 캐소드 전극(330)이 형성된 비표시 영역 중 상부 중앙부터 좌측 중앙부까지 연장된다. 또한, 제 2 기준 전원 전압 라인(VSSL2)의 타 측은 캐소드 전극(330)이 형성된 비표시 영역 중 상부 중앙부터 우측 중앙부까지 연장된다.The second reference power supply voltage line VSSL2 extends from the point where the second reference power supply voltage VSS2 is supplied to the point where the second and fifth contact holes CNT2 and CNT5 are disposed. For example, when the second reference power source voltage VSS3 is supplied from the upper center of the
제 3 기준 전원 전압 라인(VSSL3)은 제 3 기준 전원 전압(VSS3)이 공급되는 지점부터 제 3 컨택홀, 제 6 컨택홀, 및 제 7 컨택홀(CNT3, CNT6, CNT7)이 배치된 지점까지 연장된다. 예를 들어, 제 3 기준 전원 전압(VSS3)이 표시 패널(100)의 상부 중앙에서 공급되는 경우, 제 3 기준 전원 전압 라인(VSSL3)의 일 측은 캐소드 전극(330)이 형성된 비표시 영역 중 상부 중앙부터 좌측 하부까지 연장된다. 또한, 제 3 기준 전원 전압 라인(VSSL3)의 타 측은 캐소드 전극(330)이 형성된 비표시 영역 중 상부 중앙부터 우측 하부까지 연장된다. 또한, 제 3 기준 전원 전압 라인(VSSL3)은 캐소드 전극(330)이 형성된 비표시 영역 중 하부의 제 7 컨택홀(CNT7)이 형성된 영역 전체에 형성된다. 이에 따라, 제 3 기준 전원 전압 라인(VSSL3)은 표시 영역, 제 1 기준 전원 전압 라인(VSSL1), 및 제 2 기준 전원 전압 라인(VSSL2)을 둘러싸도록 배치된다.The third reference power supply voltage line VSSL3 is connected from the point where the third reference power supply voltage VSS3 is supplied to the point where the third, sixth, and seventh contact holes CNT3, CNT6, CNT7 are disposed . For example, when the third reference power supply voltage VSS3 is supplied from the upper center of the
다른 예에 따른 제 2 기준 전원 전압 라인(VSSL2)의 제 2 및 제 5 컨택홀(CNT2, CNT5)이 형성된 영역의 폭은 제 1 기준 전원 전압 라인(VSSL1)의 폭보다 넓고, 제 3 기준 전원 전압 라인(VSSL3)의 제 3 및 제 6 컨택홀(CNT2, CNT5)이 형성된 영역의 폭은 제 2 기준 전원 전압 라인(VSSL2)의 폭보다 넓다.The width of the region where the second and fifth contact holes CNT2 and CNT5 are formed in the second reference power source voltage line VSSL2 according to another example is wider than the width of the first reference power source voltage line VSSL1, The width of the region where the third and sixth contact holes CNT2 and CNT5 of the voltage line VSSL3 is formed is wider than the width of the second reference power source voltage line VSSL2.
제 2 기준 전원 전압 라인(VSSL2)의 제 2 및 제 5 컨택홀(CNT2, CNT5)이 형성된 영역은 제 2 기준 전원 전압 라인(VSSL2)의 연장된 부분으로 정의할 수 있다. 또한, 제 3 기준 전원 전압 라인(VSSL2)의 제 3 컨택홀, 제 6 컨택홀, 및 제 7 컨택홀(CNT3, CNT6, CNT7)이 형성된 영역은 제 3 기준 전원 전압 라인(VSSL3)의 연장된 부분으로 정의할 수 있다.The region where the second and fifth contact holes CNT2 and CNT5 of the second reference power supply voltage line VSSL2 are formed can be defined as an extended portion of the second reference power supply voltage line VSSL2. The region where the third, sixth, and seventh contact holes CNT3, CNT6, and CNT7 are formed in the third reference power supply voltage line VSSL2 is formed by extending the third reference power supply voltage line VSSL3 It can be defined as a part.
제 2 기준 전원 전압 라인(VSSL2)의 연장된 부분에서 제 2 기준 전원 전압 라인(VSSL2)의 폭은 제 2 기준 전원 전압 라인(VSSL2)의 나머지 부분의 폭보다 두껍다. 제 2 기준 전원 전압 라인(VSSL2)의 연장된 부분에서, 제 2 기준 전원 전압 라인(VSSL2)은 제 1 기준 전원 전압 라인(VSSL1) 방향으로 폭이 증가한다. 제 2 기준 전원 전압 라인(VSSL2)은 연장된 부분에서 제 2 기준 전원 전압 라인(VSSL2)의 나머지 부분의 폭, 제 1 기준 전원 전압 라인(VSSL1)의 폭, 제 1 및 제 2 기준 전압 라인(VSSL1, VSSL2) 사이의 거리를 합한 폭을 갖는다.The width of the second reference power supply voltage line VSSL2 in the extended portion of the second reference power supply voltage line VSSL2 is thicker than the width of the remaining portion of the second reference power supply voltage line VSSL2. In the extended portion of the second reference power supply voltage line (VSSL2), the second reference power supply voltage line (VSSL2) increases in width toward the first reference power supply voltage line (VSSL1). The second reference power supply voltage line VSSL2 has a width of the remaining portion of the second reference power supply voltage line VSSL2 in the extended portion, a width of the first reference power supply voltage line VSSL1, VSSL1, and VSSL2, respectively.
제 3 기준 전원 전압 라인(VSSL3)의 연장된 부분에서 제 3 기준 전원 전압 라인(VSSL3)의 폭은 제 3 기준 전원 전압 라인(VSSL3)의 나머지 부분의 폭보다 두껍다. 제 3 기준 전원 전압 라인(VSSL3)의 연장된 부분에서, 제 3 기준 전원 전압 라인(VSSL3)은 제 1 및 제 2 기준 전원 전압 라인(VSSL1, VSSL2) 방향으로 폭이 증가한다. 제 3 기준 전원 전압 라인(VSSL3)은 연장된 부분에서 제 1 및 제 2 기준 전원 전압 라인(VSSL1~VSSL3)의 폭을 합한 것보다 두꺼운 폭을 갖는다.The width of the third reference power supply voltage line VSSL3 in the extended portion of the third reference power supply voltage line VSSL3 is thicker than the width of the remaining portion of the third reference power supply voltage line VSSL3. In the extended portion of the third reference power supply voltage line VSSL3, the third reference power supply voltage line VSSL3 increases in width toward the first and second reference power supply voltage lines VSSL1 and VSSL2. The third reference power supply voltage line VSSL3 has a width that is thicker than the sum of the widths of the first and second reference power supply voltage lines VSSL1 to VSSL3 in the extended portion.
이와 같이, 제 2 및 제 3 기준 전원 전압 라인(VSSL2, VSSL3)의 연장된 부분에서 폭을 증가시키는 경우, 제 2 내지 제 3 및 제 5 내지 제 7 컨택홀(CNT2~CNT3, CNT5~CNT7)이 배치된 영역의 면적을 증가시킬 수 있다. 이에 따라, 제 2 및 제 3 기준 전원 전압 라인(VSSL2, VSSL3)이 제 2 내지 제 3 및 제 5 내지 제 7 컨택홀(CNT2~CNT3, CNT5~CNT7)이 캐소드 전극(330)과 보다 안정적으로 연결될 수 있도록 한다. 또한, 제 2 내지 제 3 및 제 5 내지 제 7 컨택홀(CNT2~CNT3, CNT5~CNT7)이 배치된 영역의 면적을 증가시키는 경우 제 2 및 제 3 기준 전원 전압 라인(VSSL2, VSSL3)과 캐소드 전극(330)이 접촉하는 면적을 증가시킬 수 있다. 이에 따라, 제 2 및 제 3 기준 전원 전압 라인(VSSL2, VSSL3)과 캐소드 전극(330) 사이의 접촉 저항을 감소시켜, 접촉 저항에 따른 전압 강하로 인한 VSS Rising 현상을 방지할 수 있다.When the width of the second and third reference power source voltage lines VSSL2 and VSSL3 is increased in this manner, the second through third and fifth through seventh contact holes CNT2 through CNT3 and CNT5 through CNT7, It is possible to increase the area of the area in which this is disposed. The second and third reference power source voltage lines VSSL2 and VSSL3 are connected to the
도 7은 또 다른 예에 따른 복수의 기준 전원 전압 라인(VSSL1~VSSL3), 애노드 전극(300), 및 캐소드 전극(330)을 나타낸 평면도이다.7 is a plan view showing a plurality of reference power source voltage lines VSSL1 to VSSL3, an
또 다른 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 비표시 영역 상에 배치된 애노드 전극(300)을 더 포함한다. 애노드 전극(300)은 복수의 기준 전원 전압 라인(VSSL1~VSSL3)을 따라 배치된다. 도 7에서는 캐소드 전극(330)의 일 측에 배치된 복수의 기준 전원 전압 라인(VSSL1~VSSL3) 및 애노드 전극(300) 만을 도시하였다. 그러나 이에 한정되지 않으며, 복수의 기준 전원 전압 라인(VSSL1~VSSL3) 및 애노드 전극(300)은 캐소드 전극(330)의 양 측 및 하부 모서리 전체에 배치된다. 노드 전극(300)은 비표시 영역 중 적어도 일부 영역에서 복수의 기준 전원 전압 라인(VSSL1~VSSL3) 및 캐소드 전극(330)과 모두 중첩되도록 배치된다.The OLED display according to another example further includes an
제 1 내지 제 3 기준 전원 전압 라인(VSSL1~VSSL3) 각각은 애노드 전극(300)과 연결된다. 일 측에 마련된 제 1 내지 제 3 기준 전원 전압 라인(VSSL1~VSSL3)을 예로 들면, 제 1 기준 전원 전압 라인(VSSL1)은 제 1 컨택홀(CNT1)을 통해 애노드 전극(300)과 연결된다. 제 2 기준 전원 전압 라인(VSSL2)은 제 2 컨택홀(CNT2)을 통해 애노드 전극(300)과 연결된다. 제 3 기준 전원 전압 라인(VSSL3)은 제 3 컨택홀(CNT3)을 통해 애노드 전극(300)과 연결된다.Each of the first to third reference power supply voltage lines VSSL1 to VSSL3 is connected to the
이와 동일한 방식으로, 타 측에 마련된 제 1 기준 전원 전압 라인(VSSL1)은 제 4 컨택홀(CNT4)을 통해 애노드 전극(300)과 연결된다. 제 2 기준 전원 전압 라인(VSSL2)은 제 5 컨택홀(CNT5)을 통해 애노드 전극(300)과 연결된다. 제 3 기준 전원 전압 라인(VSSL3)은 제 6 컨택홀(CNT6)을 통해 애노드 전극(300)과 연결된다.In this manner, the first reference power supply voltage line VSSL1 provided on the other side is connected to the
또한, 제 3 기준 전원 전압 라인(VSSL3)은 제 7 컨택홀(CNT3)을 통해 애노드 전극(300)과 연결된다.Also, the third reference power supply voltage line VSSL3 is connected to the
도 8은 도 7의 Ⅰ-Ⅰ`를 나타낸 단면도이다.8 is a cross-sectional view showing I-I 'of Fig.
일 예에 따른 제 1 내지 제 3 기준 전원 전압 라인(VSSL1~VSSL3) 각각은 소스/드레인 금속층(250)으로 이루어진다. 제 1 내지 제 3 기준 전원 전압 라인(VSSL1~VSSL3) 각각은 화소(P)의 박막 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극을 이루는 층과 동일한 물질을 사용하여 동일한 층에 배치된다.Each of the first to third reference power supply voltage lines VSSL1 to VSSL3 according to an exemplary embodiment includes a source /
일 예에 따른 애노드 전극(300)과 제 1 내지 제 3 기준 전원 전압 라인(VSSL1~VSSL3) 각각은 소스/드레인 금속층(250)의 상부에 배치된 평탄화막(290)을 관통하는 컨택홀을 통해 전기적으로 연결된다.The
일 예에 따른 캐소드 전극(330)과 애노드 전극(300)은 애노드 전극(300)의 상부에 배치된 전극 분리층(310)을 관통하는 컨택홀을 통해 전기적으로 연결된다. 전극 분리층(310)은 애노드 전극(300)의 상부에 배치되어 애노드 전극(300)과 캐소드 전극(330)을 분리한다. 전극 분리층(310)은 전기 절연성이 우수하고, 컨택 홀을 마련하기 용이한 무기물로 형성될 수 있다.The
이와 같이, 일 예에 따른 제 1 내지 제 7 컨택홀(CNT1~CNT7)은 모두 평탄화막(290)을 관통하는 컨택홀과 전극 분리층(310)을 관통하는 컨택홀을 포함하는 이중 컨택홀 구조를 갖는다. 이에 따라, 제 1 내지 제 7 컨택홀(CNT1~CNT7)은 제 1 내지 제 3 기준 전원 전압 라인(VSSL1~VSSL3)으로부터 애노드 전극(300)을 통해 캐소드 전극(330)으로 제 1 내지 제 3 기준 전원 전압(VSS1~VSS3)을 공급할 수 있다.As described above, the first to seventh contact holes CNT1 to CNT7 according to an exemplary embodiment of the present invention have a double contact hole structure including a contact hole passing through the
일 예에 따른 애노드 전극(300)은 제 1 내지 제 3 기준 전원 전압 라인(VSSL1~VSSL3) 상부에 전체적으로 배치된다.The
일 예에 따른 애노드 전극(300)은 제 1 내지 제 3 기준 전원 전압 라인(VSSL1~VSSL3) 각각과 컨택홀(CNT1~CNT7)을 통해 연결된다. 각각의 컨택홀(CNT1~CNT7)을 통해서는 서로 다른 기준 전원 전압이 공급된다. 일 예로, 제 1 및 제 4 컨택홀(CNT1, CNT4)은 제 1 기준 전원 전압 라인(VSSL1)과 연결되므로, 제 1 및 제 4 컨택홀(CNT1, CNT4)을 통해서는 제 1 기준 전원 전압(VSS1)이 공급된다. 또한, 제 2 및 제 5 컨택홀(CNT2, CNT5)은 제 2 기준 전원 전압 라인(VSSL2)과 연결되므로, 제 2 및 제 5 컨택홀(CNT2, CNT5)을 통해서는 제 2 기준 전원 전압(VSS2)이 공급된다. 또한, 제 3 컨택홀, 제 6 컨택홀, 및 제 7 컨택홀(CNT3, CNT6, CNT7)은 제 3 기준 전원 전압 라인(VSSL3)과 연결되므로, 제 3 컨택홀, 제 6 컨택홀, 및 제 7 컨택홀(CNT3, CNT6, CNT7)을 통해서는 제 3 기준 전원 전압(VSS3)이 공급된다.The
도 9는 또 다른 예에 따른 복수의 기준 전원 전압 라인(VSSL1~VSSL3), 애노드 전극(300), 및 캐소드 전극(330)을 나타낸 평면도이다. 도 10은 도 9의 Ⅱ-Ⅱ`를 나타낸 단면도이다.9 is a plan view showing a plurality of reference power source voltage lines VSSL1 to VSSL3, an
또 다른 예에 따른 애노드 전극(300)은 제 1 내지 제 3 기준 전원 전압 라인(VSSL1~VSSL3) 상부에 패터닝되어 배치된다. 애노드 전극(300)은 제 1 내지 제 7 컨택홀(CNT1~CNT7)마다 패터닝되어 배치된다.The
또 다른 예에 따른 패터닝된 애노드 전극(300) 각각에는 서로 다른 기준 전원 전압이 공급된다. 일 예로, 제 1 및 제 4 컨택홀(CNT1, CNT4)은 제 1 기준 전원 전압 라인(VSSL1)과 연결되므로, 제 1 및 제 4 컨택홀(CNT1, CNT4) 상에 배치된 애노드 전극(300)에는 제 1 기준 전원 전압(VSS1)이 공급된다. 또한, 제 2 및 제 5 컨택홀(CNT2, CNT5)은 제 2 기준 전원 전압 라인(VSSL2)과 연결되므로, 제 2 및 제 5 컨택홀(CNT2, CNT5) 상에 배치된 애노드 전극(300)에는 제 2 기준 전원 전압(VSS2)이 공급된다. 또한, 제 3 컨택홀, 제 6 컨택홀, 및 제 7 컨택홀(CNT3, CNT6, CNT7)은 제 3 기준 전원 전압 라인(VSSL3)과 연결되므로, 제 3 컨택홀, 제 6 컨택홀, 및 제 7 컨택홀(CNT3, CNT6, CNT7) 상에 배치된 애노드 전극(300)에는 제 3 기준 전원 전압(VSS3)이 공급된다.Different reference power supply voltages are supplied to each of the patterned
이 경우, 애노드 전극(300)이 단일한 층으로 배치된 경우 대비 표시 패널(100) 상의 캐소드 전극(330)의 영역 별로 상이한 기준 전원 전압을 갖는 애노드 전극(300)을 배치할 수 있다. 이에 따라, 캐소드 전극(330)의 영역 별 특성에 맞도록 상이한 기준 전원 전압을 공급할 수 있다. 특히, 캐소드 전극(330)의 하부 영역에 상부 영역보다 전위가 낮은 기준 전원 전압을 공급할 수 있어, VSS Rising 현상이 캐소드 전극(330)의 하부 영역에서 많이 발생하더라도 이를 보상할 수 있다.In this case, when the
본 출원은 기준 전원 전압 라인을 분리하고 각각의 기준 전원 전압 라인에 공급하는 기준 전원 전압을 차등적으로 적용하여 표시 패널의 영역 별 전압 편차를 감소시키는 구조를 제공할 수 있다. 본 출원은 VSS Rising 현상 발생 시 Worst Point의 캐소드 전극의 전압 편차를 감소시킬 수 있다. 표시 패널의 상부에 공급하는 기준 전원 전압을 -2.5V로 설정하고, 표시 패널의 하부에 공급하는 기준 전원 전압을 -2.7V로 설정한 시뮬레이션 결과 VSS Rising 수준이 0.09V로 기존 구조에서의 VSS Rising 0.32V 대비 70% 감소하였다.The present application can provide a structure for separating a reference power supply voltage line and applying a reference power supply voltage that supplies the reference power supply voltage line to each of the reference power supply voltage lines to reduce a voltage deviation for each region of the display panel. The present application can reduce the voltage deviation of the cathode electrode of the worst point when the VSS rising phenomenon occurs. As a result of a simulation in which the reference power supply voltage supplied to the top of the display panel is set to -2.5 V and the reference power supply voltage supplied to the lower portion of the display panel is set to -2.7 V, the VSS Rising level is 0.09 V, 70% less than 0.32V.
이상 설명한 내용을 통해 이 분야의 통상의 기술자는 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit of the invention. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification, but should be defined by the claims.
100: 표시 패널
110: 게이트 구동부
120: 데이터 구동부
130: 타이밍 컨트롤러
P: 화소
DT: 구동 트랜지스터
EL: 발광 소자
Cst: 스토리지 커패시터
T1~T6: 제 1 내지 제 6 트랜지스터
VSSL1~VSSL3: 제 1 내지 제 3 기준 전원 전압 라인
210: 베이스층
220: 버퍼층
230: 반도체층
235: 게이트 절연층
240: 게이트 금속층
250: 소스/드레인 금속층
260: 제 1 층간 절연막
270: 중간 금속층
280: 제 2 층간 절연막
290: 평탄화막
300: 애노드 전극
310: 전극 분리층
320: 발광층
330: 캐소드 전극
340: 뱅크100: display panel 110: gate driver
120: Data driver 130: Timing controller
P: pixel DT: driving transistor
EL: light emitting element Cst: storage capacitor
T1 to T6: first to sixth transistors
VSSL1 to VSSL3: first to third reference power supply voltage lines
210: base layer 220: buffer layer
230: semiconductor layer 235: gate insulating layer
240: gate metal layer 250: source / drain metal layer
260: first interlayer insulating film 270: intermediate metal layer
280: second interlayer insulating film 290: planarization film
300: anode electrode 310: electrode separation layer
320: light emitting layer 330: cathode electrode
340: Bank
Claims (9)
상기 표시 영역과 상기 비표시 영역 상에 일체로 배치된 캐소드 전극; 및
상기 비표시 영역에 배치되어 상기 캐소드 전극에 기준 전원 전압을 공급하는 복수의 기준 전원 전압 라인을 포함하고,
상기 복수의 기준 전원 전압 라인 각각은 서로 다른 기준 전원 전압을 공급하는 유기 발광 표시 장치.A display panel having a display area provided with pixels for displaying an image and a non-display area provided so as to surround the display area;
A cathode electrode integrally disposed on the display region and the non-display region; And
And a plurality of reference power supply voltage lines arranged in the non-display area to supply a reference power supply voltage to the cathode electrode,
Wherein each of the plurality of reference power supply voltage lines supplies different reference power supply voltages.
상기 복수의 기준 전원 전압 라인은,
상기 표시 영역에 인접하게 배치되어 제 1 기준 전원 전압을 공급하는 제 1 기준 전원 전압 라인;
상기 제 1 기준 전원 전압 라인보다 상기 표시 영역으로부터 이격되어 배치되어 제 2 기준 전원 전압을 공급하는 제 2 기준 전원 전압 라인; 및
상기 제 2 기준 전원 전압 라인보다 상기 표시 영역으로부터 이격되어 배치되어 제 3 기준 전원 전압을 공급하는 제 3 기준 전원 전압 라인을 포함하고,
상기 제 1 기준 전원 전압은 상기 제 2 기준 전원 전압보다 높은 전위를 갖고,
상기 제 2 기준 전원 전압은 상기 제 3 기준 전원 전압보다 높은 전위를 갖는 유기 발광 표시 장치.The method according to claim 1,
The plurality of reference power supply voltage lines
A first reference power supply voltage line disposed adjacent to the display region to supply a first reference power supply voltage;
A second reference power supply voltage line arranged apart from the display region and supplying a second reference power supply voltage to the first reference power supply voltage line; And
And a third reference power supply voltage line that is disposed apart from the display region and supplies a third reference power supply voltage than the second reference power supply voltage line,
Wherein the first reference power supply voltage has a potential higher than the second reference power supply voltage,
Wherein the second reference power supply voltage has a potential higher than the third reference power supply voltage.
상기 제 1 기준 전원 전압 라인은 제 1 컨택홀 및 제 4 컨택홀을 통해 상기 캐소드 전극과 연결되고,
상기 제 2 기준 전원 전압 라인은 제 2 컨택홀 및 제 5 컨택홀을 통해 상기 캐소드 전극과 연결되고,
상기 제 3 기준 전원 전압 라인은 제 3 컨택홀, 제 6 컨택홀, 및 제 7 컨택홀을 통해 상기 캐소드 전극과 연결된 유기 발광 표시 장치.3. The method of claim 2,
The first reference power supply voltage line is connected to the cathode electrode through a first contact hole and a fourth contact hole,
The second reference power supply voltage line is connected to the cathode electrode through the second contact hole and the fifth contact hole,
And the third reference power supply voltage line is connected to the cathode electrode through a third contact hole, a sixth contact hole, and a seventh contact hole.
상기 제 1 기준 전원 전압 라인은 상기 표시 영역을 둘러싸도록 배치되고,
상기 제 2 기준 전원 전압 라인은 상기 제 1 기준 전원 전압 라인을 둘러싸도록 배치되고,
상기 제 3 기준 전원 전압 라인은 상기 제 2 기준 전원 전압 라인을 둘러싸도록 배치된 유기 발광 표시 장치.3. The method of claim 2,
Wherein the first reference power supply voltage line is arranged to surround the display region,
The second reference power supply voltage line is arranged to surround the first reference power supply voltage line,
And the third reference power supply voltage line is arranged to surround the second reference power supply voltage line.
상기 제 1 기준 전원 전압 라인은 상기 비표시 영역의 모서리 일부에 배치되고,
상기 제 2 기준 전원 전압 라인은 상기 제 1 기준 전원 전압 라인보다 연장되도록 배치되고,
상기 제 3 기준 전원 전압 라인은 상기 제 2 기준 전원 전압 라인보다 연장되도록 배치되고,
상기 제 2 기준 전원 전압 라인의 연장된 부분의 폭은 상기 제 1 기준 전원 전압 라인의 폭보다 넓고,
상기 제 3 기준 전원 전압 라인의 연장된 부분의 폭은 상기 제 2 기준 전원 전압 라인의 폭보다 넓은 유기 발광 표시 장치.3. The method of claim 2,
The first reference power supply voltage line is disposed at a corner of the non-display region,
Wherein the second reference power supply voltage line is arranged to extend from the first reference power supply voltage line,
The third reference power supply voltage line is arranged to extend from the second reference power supply voltage line,
The width of the extended portion of the second reference power supply voltage line is wider than the width of the first reference power supply voltage line,
Wherein a width of an extended portion of the third reference power supply voltage line is greater than a width of the second reference power supply voltage line.
상기 비표시 영역 상에 배치된 애노드 전극을 더 포함하며,
상기 제 1 내지 제 3 기준 전원 전압 라인 각각은 상기 애노드 전극과 연결된 유기 발광 표시 장치.3. The method of claim 2,
And an anode electrode disposed on the non-display region,
And each of the first to third reference power supply voltage lines is connected to the anode electrode.
상기 제 1 내지 제 3 기준 전원 전압 라인 각각은 소스/드레인 금속층으로 이루어지고,
상기 애노드 전극과 상기 제 1 내지 제 3 기준 전원 전압 라인 각각은 상기 소스/드레인 금속층의 상부에 배치된 평탄화막을 관통하는 컨택홀을 통해 전기적으로 연결되고,
상기 캐소드 전극과 상기 애노드 전극은 상기 애노드 전극의 상부에 배치된 전극 분리층을 관통하는 컨택홀을 통해 전기적으로 연결된 유기 발광 표시 장치.The method according to claim 6,
Each of the first to third reference power supply voltage lines is composed of a source / drain metal layer,
The anode electrode and the first to third reference power supply voltage lines are electrically connected through contact holes passing through the planarization layer disposed on the source / drain metal layer,
And the cathode electrode and the anode electrode are electrically connected through a contact hole passing through the electrode separation layer disposed on the anode electrode.
상기 애노드 전극은 상기 제 1 내지 제 3 기준 전원 전압 라인 상부에 전체적으로 배치되며,
상기 애노드 전극은 상기 제 1 내지 제 3 기준 전원 전압 라인 각각과 컨택홀을 통해 연결되고,
상기 컨택홀을 통해 서로 다른 기준 전원 전압이 공급되는 유기 발광 표시 장치.The method according to claim 6,
Wherein the anode electrode is disposed entirely above the first to third reference power supply voltage lines,
The anode electrode is connected to each of the first to third reference power supply voltage lines through a contact hole,
And different reference power supply voltages are supplied through the contact holes.
상기 애노드 전극은 상기 제 1 내지 제 3 기준 전원 전압 라인 상부에 패터닝되어 배치되며,
상기 패터닝된 애노드 전극 각각에는 서로 다른 기준 전원 전압이 공급되는 유기 발광 표시 장치.The method according to claim 6,
The anode electrode is patterned on the first to third reference power supply voltage lines,
And each of the patterned anode electrodes is supplied with a different reference power supply voltage.
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