KR20190058300A - Imprint apparatus, imprint method, and article manufacturing method - Google Patents

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Abstract

The present invention provides an imprinting apparatus advantageous in terms of both the antistatic performance of a mold and the throughput of the apparatus. An imprinting material on a substrate is cured while the mold is in contact with the imprint material, and an imprinting process for forming a pattern on the substrate by separating the mold from the cured imprinting material. The imprinting apparatus comprises: an antistatic unit for performing an antistatic process of the mold; a processing unit for determining a timing for performing the antistatic process of the mold by the antistatic unit based on electrification characteristics indicating the relationship between the number of the imprinting process and the surface potential of the mold.

Description

임프린트 장치, 임프린트 방법 및 물품의 제조 방법{IMPRINT APPARATUS, IMPRINT METHOD, AND ARTICLE MANUFACTURING METHOD}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to an imprint apparatus, an imprint method, and a method of manufacturing an article,

본 발명은 임프린트 장치, 임프린트 방법 및 물품의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an imprint apparatus, an imprint method, and a method of manufacturing an article.

임프린트 장치는, 기판 상의 임프린트재와 형을 접촉시킨 상태에서 임프린트재를 경화시켜, 경화된 임프린트재로부터 형을 분리함으로써 기판 상에 패턴을 형성한다.An imprint apparatus forms a pattern on a substrate by curing the imprint material while separating the imprint material from the imprint material on the substrate and separating the mold from the cured imprint material.

경화된 임프린트재로부터 형을 분리할 때에, 형이 대전되는 박리 대전이 일어날 수 있다. 이것은, 형에 정전기가 발생되는 현상이다. 형의 재질은, 석영 유리 등의 자외선을 투과시키는 유전체이기 때문에, 일단 대전되면 발생한 정전기는 소멸되지 않고 대전 상태가 유지된다.When the mold is separated from the cured imprint material, peeling electrification in which the mold is electrified may occur. This is a phenomenon in which static electricity is generated in the mold. Since the material of the mold is a dielectric material that transmits ultraviolet rays such as quartz glass, the static electricity generated when the object is once charged does not disappear and the charged state is maintained.

이러한 박리 대전이 일어나면, 주위의 이물(파티클)이 형에 끌어 모아져서 부착된다. 형에 이물이 부착된 상태에서 형과 기판 상의 임프린트재를 접촉시켜버리면, 형성된 패턴에 결함이 발생하거나 형이 파손되거나 할 수 있다.When this peeling electrification occurs, foreign particles (particles) around the periphery are attracted to the mold and attached. If the mold is brought into contact with the imprint material on the substrate in the state that the foreign object is attached to the mold, defects may be generated in the formed pattern or the mold may be damaged.

특허문헌 1은, 형의 표면 전위를 계측하고, 계측된 형의 표면 전위에 따라 제전을 행하는 기술이 개시되어 있다. 여기에서는, 샷마다 제전을 행하는 것이 아니고, 계측된 형의 표면 전위가 형에 이물이 부착되어 있을 가능성이 높다고 생각되는 값을 초과한 경우에 형의 제전을 행함으로써, 스루풋의 저하를 억제하고 있다.Patent Document 1 discloses a technique of measuring the surface potential of a mold and performing a charge discharge in accordance with the surface potential of the measured mold. In this case, the discharge is not performed for each shot, and if the surface potential of the measured mold exceeds a value that is considered to have a high possibility that the foreign matter is attached to the mold, the discharge of the mold is carried out to suppress the decrease in throughput .

일본 특허 공개 제2009-286085호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2009-286085

그러나, 인용 문헌 1의 기술에서는 여전히 샷마다 형의 표면 전위를 계측할 필요가 있으며, 이것이 패턴 전사에 있어서의 스루풋을 저하시키는 요인이 되고 있다.However, in the technique of the cited document 1, it is still necessary to measure the surface potential of each type of shot, which is a cause of lowering the throughput in pattern transfer.

본 발명은 예를 들어 형의 제전 성능과 장치의 스루풋 양립에 유리한 임프린트 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.It is an object of the present invention to provide an imprint apparatus which is advantageous for, for example, the discharge performance of a mold and the throughput of the apparatus.

본 발명의 일측면에 의하면, 기판 상의 임프린트재에 형을 접촉시킨 상태에서 해당 임프린트재를 경화시켜, 해당 경화된 임프린트재로부터 상기 형을 분리함으로써 상기 기판 상에 패턴을 형성하는 임프린트 처리를 행하는 임프린트 장치이며, 상기 형의 제전을 행하는 제전부와, 상기 임프린트 처리의 횟수와 상기 형의 표면 전위의 관계를 나타내는 대전 특성에 기초하여, 상기 제전부에 의해 상기 형의 제전을 행할 타이밍을 결정하는 처리부를 구비하는 것을 특징으로 하는 임프린트 장치가 제공된다.According to an aspect of the present invention, there is provided an imprint apparatus for performing imprint processing for forming a pattern on a substrate by curing the imprint material while the mold is in contact with the imprint material on the substrate and separating the mold from the cured imprint material, And a processing unit for determining a timing for performing the erasure of the mold by the erasing unit based on the charging characteristics indicating the relationship between the number of times of the imprinting process and the surface potential of the mold, The imprint apparatus of the present invention is characterized by comprising:

본 발명에 따르면, 예를 들어 형의 제전 성능과 장치의 스루풋 양립에 유리한 임프린트 장치를 제공할 수 있다.INDUSTRIAL APPLICABILITY According to the present invention, it is possible to provide an imprint apparatus advantageous for, for example, both eliminating performance of a mold and throughput of the apparatus.

도 1은 실시 형태에서의 임프린트 장치의 구성을 나타내는 도면.
도 2는 실시 형태에서의, 제1 기판에 대한 임프린트 처리 및 형의 제전 처리의 흐름도.
도 3은 실시 형태에서의, 제2 기판에 대한 임프린트 처리 및 형의 제전 처리의 흐름도.
도 4는 실시 형태에서의 제전 타이밍을 결정하는 처리의 흐름도.
도 5는 실시 형태에서의, 제1 기판에 대한 임프린트 처리 및 형의 제전 처리의 흐름도.
도 6은 실시 형태에서의 제전 타이밍을 결정하는 처리의 흐름도.
도 7은 형의 표면 전위가 소정값을 초과할 때까지의 샷수를 추정하는 처리를 설명하는 도면.
도 8은 실시 형태에서의, 제1 기판에 대한 임프린트 처리 및 형의 제전 처리의 흐름도.
도 9는 실시 형태에서의 제전 타이밍을 결정하는 처리의 흐름도.
도 10은 형의 표면 전위가 소정값을 초과할 때까지의 샷수를 추정하는 처리를 설명하는 도면.
도 11은 실시 형태에서의 제전 타이밍 테이블의 데이터 구조예를 나타내는 도면.
도 12는 실시 형태에서의 물품의 제조 방법을 설명하는 도면.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a view showing a configuration of an imprint apparatus in the embodiment; Fig.
Fig. 2 is a flow chart of the imprint process and the mold erasure process for the first substrate in the embodiment; Fig.
Fig. 3 is a flow chart of the imprint process and the mold erasure process for the second substrate in the embodiment; Fig.
4 is a flowchart of a process for determining a discharge timing in the embodiment;
Fig. 5 is a flow chart of the imprint process and the mold erasure process for the first substrate in the embodiment; Fig.
6 is a flowchart of a process for determining discharge elimination timing in the embodiment;
7 is a view for explaining a process of estimating the number of shots until the surface potential of the mold exceeds a predetermined value.
Fig. 8 is a flow chart of the imprint process and the mold erasure process for the first substrate in the embodiment; Fig.
Fig. 9 is a flowchart of a process for determining the erasing timing in the embodiment; Fig.
10 is a view for explaining a process of estimating the number of shots until the surface potential of the mold exceeds a predetermined value.
11 is a diagram showing an example of a data structure of an erasing timing table in the embodiment;
12 is a view for explaining a method of manufacturing an article in the embodiment;

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시 형태에 대해 상세하게 설명한다. 또한, 이하의 실시 형태는 본 발명의 실시 구체예를 나타내는 것에 지나지 않는 것이며, 본 발명은 이하의 실시 형태에 한정되는 것은 아니다. 또한, 이하의 실시 형태 중에서 설명되고 있는 특징의 조합 모두가 본 발명의 과제 해결을 위하여 필수적인 것만은 아니다. 또한, 도면 중, 동일한 부재, 동일한 처리 블록에는 동일한 참조 부호를 부여하고, 그것에 의해 중복되는 설명은 생략한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The following embodiments are merely illustrative of embodiments of the present invention, and the present invention is not limited to the following embodiments. In addition, all of the combinations of the features described in the following embodiments are not necessarily essential for solving the problems of the present invention. In the drawings, the same members and the same processing blocks are denoted by the same reference numerals, and a duplicate description thereof will be omitted.

<제1 실시 형태>&Lt; First Embodiment >

먼저, 실시 형태에 관한 임프린트 장치의 개요에 대해 설명한다. 임프린트 장치는, 기판 상에 공급된 임프린트재를 형과 접촉시켜, 임프린트재에 경화용 에너지를 부여함으로써, 형의 요철 패턴이 전사된 경화물의 패턴을 형성하는 장치이다.First, the outline of the imprint apparatus according to the embodiment will be described. An imprint apparatus is an apparatus for forming a pattern of a cured product on which a concave-convex pattern of a mold is transferred by bringing an imprint material supplied on a substrate into contact with a mold and applying energy for curing to the imprint material.

임프린트재로서는, 경화용 에너지가 부여됨으로서 경화되는 경화성 조성물(미경화 상태의 수지라고 칭할 수도 있음)이 사용된다. 경화용 에너지로서는, 전자파, 열 등이 사용될 수 있다. 전자파는, 예를 들어 그 파장이 10㎚ 이상 1㎜ 이하의 범위로부터 선택되는 광, 예를 들어 적외선, 가시광선, 자외선 등일 수 있다. 경화성 조성물은, 광의 조사에 의해, 또는 가열에 의해 경화되는 조성물일 수 있다. 이들 중 광의 조사에 의해 경화되는 광 경화성 조성물은, 적어도 중합성 화합물과 광중합 개시제를 함유하고, 필요에 따라 비중합성 화합물 또는 용제를 추가로 함유해도 된다. 비중합성 화합물은, 증감제, 수소 공여체, 내첨형 이형제, 계면 활성제, 산화 방지제, 폴리머 성분 등의 군에서 선택되는 적어도 1종이다. 임프린트재는, 임프린트재 공급 장치에 의해, 액적형, 혹은 복수의 액적이 연결되어 형성된 섬형 또는 막형으로 되어 기판 상에 배치될 수 있다. 임프린트재의 점도(25℃에서의 점도)는, 예를 들어 1mPa·s 이상 100mPa·s 이하일 수 있다. 기판의 재료로는, 예를 들어 유리, 세라믹스, 금속, 반도체, 수지 등이 사용될 수 있다. 필요에 따라, 기판의 표면에, 기판과는 다른 재료를 포함하는 부재가 마련되어도 된다. 기판은, 예를 들어 실리콘 웨이퍼, 화합물 반도체 웨이퍼, 석영 유리이다.As the imprint material, a curable composition (also referred to as a resin in an uncured state) which is cured by imparting curing energy is used. As the curing energy, electromagnetic wave, heat, or the like can be used. The electromagnetic wave may be, for example, light whose wavelength is selected from the range of 10 nm or more and 1 mm or less, for example, infrared light, visible light, ultraviolet light, or the like. The curable composition may be a composition which is cured by irradiation of light or by heating. Among them, the photocurable composition which is cured by irradiation of light contains at least a polymerizable compound and a photopolymerization initiator, and may optionally further contain a non-polymerizable compound or a solvent. The non-polymer compound is at least one member selected from the group consisting of a sensitizer, a hydrogen donor, an internal release agent, a surfactant, an antioxidant, and a polymer component. The imprint material can be arranged on the substrate in a droplet shape or in a island shape or a film shape formed by connecting a plurality of droplets by the imprint re-supply device. The viscosity (viscosity at 25 캜) of the imprint material may be, for example, 1 mPa · s or more and 100 mPa · s or less. As a material of the substrate, for example, glass, ceramics, metal, semiconductor, resin, or the like can be used. If necessary, a member including a material different from that of the substrate may be provided on the surface of the substrate. The substrate is, for example, a silicon wafer, a compound semiconductor wafer, or quartz glass.

도 1은, 본 실시 형태에서의 임프린트 장치(100)의 구성을 나타내는 도면이다. 여기에서는 광 경화법을 채용한 임프린트 장치를 예시하지만, 열경화법을 채용해도 된다. 또한, 이하의 도면에 있어서는, 기판 상의 임프린트재에 대해 자외선을 조사하는 조명계의 광축과 평행인 방향으로 XYZ 좌표계에 있어서의 Z축을 취하고, Z축에 수직인 평면 내에 있어서 서로 직교하는 방향으로 X축 및 Y축을 취하는 것으로 한다.1 is a view showing a configuration of an imprint apparatus 100 according to the present embodiment. Here, an imprint apparatus employing a photo-curing method is exemplified, but a thermosetting method may be employed. In the following drawings, the imprint material on the substrate is taken as the Z axis in the XYZ coordinate system in the direction parallel to the optical axis of the illumination system for irradiating ultraviolet rays, and the X axis in the plane perpendicular to the Z axis And a Y-axis.

도 1에 있어서, 기판 척(2)은, 기판(1)을 보유 지지한다. θ 스테이지(3) 및 XY 스테이지(4)를 포함하는 기판 스테이지는, 기판 척(2)을 지지함으로써 기판(1)을 보유 지지하여 이동한다. 여기서,θ 스테이지(3)는, 기판(1)의 θ(Z축 주위의 회전) 방향에 관하여 위치를 보정함으로써, XY 스테이지(4) 상에 배치된다. XY 스테이지(4)는, 기판(1)을 XY 방향의 위치에 관하여 위치 결정을 행하기 위한 것으로, 리니어 모터(19)에 의해 구동된다. XY 스테이지(4)는, 베이스 정반(5) 상에 적재된다. 리니어 인코더(6)는, 베이스 정반(5) 상에 X 방향 및 Y 방향의 각각에 장착되고, XY 스테이지(4)의 위치를 계측한다. 지주(8)는, 베이스 정반(5) 상에 우뚝 솟아, 천장판(9)을 지지하고 있다.In Fig. 1, the substrate chuck 2 holds the substrate 1. The substrate chuck 2, as shown in Fig. The substrate stage including the? stage 3 and the XY stage 4 holds and moves the substrate 1 by supporting the substrate chuck 2. Here, the? Stage 3 is disposed on the XY stage 4 by correcting the position with respect to the? Direction (rotation about the Z axis) of the substrate 1. The XY stage 4 is for performing positioning with respect to the position of the substrate 1 in the XY directions and is driven by the linear motor 19. [ The XY stage 4 is mounted on the base table 5. The linear encoder 6 is mounted on the base table 5 in the X direction and the Y direction, respectively, and measures the position of the XY stage 4. The column 8 rises above the base table 5 to support the top plate 9. [

형(10)을 보유 지지하는 형 척(11)은, 임프린트 헤드(12)에 의해 보유 지지되어 있다. 임프린트 헤드(12)는, 형 척(11)(즉 형(10))의 Z 위치의 조정 기능 및 형(10)의 기울기를 보정하기 위한 틸트 기능을 갖는다. 액추에이터(15)는, 형 척(11)으로 보유 지지된 형(10)을 Z축 방향으로 구동하고, 형(10)의 패턴부를 기판(1) 상의 임프린트재(60)에 대해 접촉시키거나 또는 분리하는 것을 행한다. 액추에이터(15)는, 예를 들어 에어 실린더 또는 리니어 모터일 수 있다.The mold chuck 11 for holding the mold 10 is held by the imprint head 12. The imprint head 12 has a function of adjusting the Z position of the mold chuck 11 (that is, mold 10) and a tilt function for correcting the inclination of mold 10. The actuator 15 drives the mold 10 held by the mold chuck 11 in the Z axis direction to bring the pattern portion of the mold 10 into contact with the imprint material 60 on the substrate 1, . The actuator 15 may be, for example, an air cylinder or a linear motor.

계측부(70)는, 형(10)의 패턴부에 있어서의 표면 전위를 계측한다. 계측부(70)는, 예를 들어 XY 스테이지(4)에 설치된 표면 전위 센서일 수 있다. 또한, 이러한 표면 전위 센서는 다른 장소에 장착되어 있어도 상관없다. 예를 들어, 암혹은 스테이 등을 통하여 천장판(9)에 장착되어 있어도 된다.The measuring unit 70 measures the surface potential in the pattern portion of the die 10. [ The measuring section 70 may be, for example, a surface potential sensor provided on the XY stage 4. [ The surface potential sensor may be mounted at another place. For example, it may be mounted on the ceiling plate 9 through an arm or a stay.

광원(16)은, 콜리메이터 렌즈(17)를 통해서, 임프린트재(60)를 감광시키기 위한 자외광을 조사한다. 임프린트재 공급 장치인 디스펜서(18)는, 기판(1)의 표면에 임프린트재(60)를 공급한다. 빔 스플리터(20)는, 광원(16)의 광로 중에 배치되고, 광원(16)으로부터의 광의 일부를 촬상계(21)로 유도한다. 촬상계(21)는, 형(10)의 임프린트재(60)의 접촉 상태를 관찰하기 위해서 사용된다. 또한, 형 척(11) 및 임프린트 헤드(12)는, 광원(16)으로부터 조사되는 광을 형(10)에 통과시키는 개구(도시되지 않음)를 각각 갖는다.The light source 16 irradiates ultraviolet light for exposing the imprint material 60 through the collimator lens 17. [ The dispenser 18, which is an imprint re-supply device, supplies the imprint material 60 to the surface of the substrate 1. The beam splitter 20 is disposed in the optical path of the light source 16 and guides a part of the light from the light source 16 to the imaging system 21. [ The imaging system 21 is used to observe the contact state of the imprint material 60 of the mold 10. [ The mold chuck 11 and the imprint head 12 each have an opening (not shown) for passing light irradiated from the light source 16 through the mold 10.

제전부(30)는, 형(10)의 제전을 행한다. 제전부(30)는 예를 들어, 임프린트 헤드(12)에 마련된, 제전용 기체를 공급하는 기체 공급 노즐을 포함할 수 있다. 제전용 기체는, 전자에 대한 평균 자유 공정이 공기보다도 긴 기체를 포함할 필요가 있다. 제전용 기체로서는, 구체적으로는, 단 원자 분자인 희가스가 바람직하지만, 특히, 희가스 중에서도 가장 긴 평균 자유 공정을 갖는 헬륨(He)이 바람직하다. 전계 중에 존재하는 전자는, 전계에 의해 양극측으로 운반되고, 그 도중에 기체 분자에 충돌한다. 이 때, 전자가 충분히 가속되어 기체의 전리 전압 이상의 에너지를 갖고 기체 분자에 충돌하면 전리가 일어나, 전자-양이온 쌍이 생성된다. 여기서 생성된 전자도 전계로 가속되어, 기체 분자를 전리시킨다. 이와 같이, 전리가 차례 차례로 일어남으로써 대량인 전자-양이온 쌍이 생성되는 현상을 전자 눈사태라고 칭한다. 전자에 대한 평균 자유 공정이 긴 기체는, 가속 중의 전자가 도중에 기체 분자에 충돌하지 않고, 고에너지 상태까지 가속된다. 따라서, 전자에 대한 평균 자유 공정이 긴 기체는, 공기와 비교하여, 낮은 전계 중이라도 전자 눈사태가 일어나기 쉽고, 형(10)에 큰 전압이 축적되기 전에 제전할 수 있다.The deelectrifying unit (30) discharges the die (10). The de-energizing unit 30 may include, for example, a gas supply nozzle provided in the imprint head 12 for supplying a deoxidizing gas. The degassing gas needs to include a gas whose average free process for electrons is longer than air. Specifically, helium (He) having the longest average free process among the rare gases is preferable. The electrons present in the electric field are transported to the anode side by the electric field, and collide with the gas molecules in the middle. At this time, if the electrons are sufficiently accelerated to collide with gas molecules having energy above the ionization potential of the gas, ionization occurs and an electron-cation pair is generated. The electrons generated here are also accelerated by the electric field to ionize the gas molecules. The phenomenon that a large amount of electron-cation pairs are generated by successive ionization in this way is called an electronic avalanche. The mean free process for the electrons is accelerated to a high energy state, with electrons in acceleration not colliding with gas molecules on the way. Therefore, a long, average free process for electrons is likely to cause electronic avalanche even during a low electric field compared with air, and can be discharged before a large voltage is accumulated in the mold 10. [

제어부(80)는, 임프린트 장치(100)의 동작을 통괄적으로 제어한다. 제어부(80)는, 예를 들어 CPU(81) 및 메모리(82)를 포함하는 컴퓨터로 구성될 수 있다. 그리고, 이하에 기재된 바와 같이, 제어부(80)는, 제전부(30)에 의해 형(10)의 제전을 행할 타이밍을 결정하는 처리부로서 기능할 수 있다.The control unit 80 controls the operation of the imprint apparatus 100 in a general manner. The control unit 80 may be constituted by, for example, a computer including a CPU 81 and a memory 82. [ As described below, the control unit 80 can function as a processing unit that determines the timing for discharging the die 10 by the charge removing unit 30. [

또한, 제전부(30)는, 이러한 헬륨을 공급하는 것에 한정되지 않고, 다른 타입의 제전부를 사용해도 된다. 예를 들어, 제전부(30)는, 연 X선을 형(10)에 조사하는, 소위 이오나이저여도 된다. 혹은, 제전부(30)는, α선을 형(10)에 조사하는 제전 장치여도 된다. 또한, 도 1의 예에서는, 제전부(30)는 임프린트 헤드(12)에 장착되어 있지만, 별도의 장소, 예를 들어 천장판(9)이나 XY 스테이지(4)에 마련되어도 된다.The discharger 30 is not limited to supplying helium, and other types of dischargers may be used. For example, the deelectrifier 30 may be a so-called ionizer that irradiates the mold 10 with a soft X-ray. Alternatively, the charge removing unit 30 may be a charge removing apparatus that irradiates? 1, the electrification unit 30 is mounted on the imprint head 12, but it may be provided in another place, for example, the ceiling board 9 or the XY stage 4. In this case,

도 2는, 임프린트 장치(100)에 의한, 제1 기판으로서의 기판(1)에 대한 임프린트 처리 및 형(10)의 제전 처리의 흐름도이다. 또한, 본 명세서에 있어서, 「제1 기판」이란, 1로트 내에서 최초로 처리되는 기판, 장치 기동 시에 최초로 처리되는 기판 등, 소정의 처리 단위에 있어서 최초로 처리되는 기판을 의미한다. 또한, 「제2 기판」이란, 제1 기판과는 다른 기판을 의미한다.2 is a flow chart of the imprint process for the substrate 1 as the first substrate and the erasure process for the mold 10 by the imprint apparatus 100. Fig. In this specification, the term "first substrate" means a substrate that is first processed in a predetermined processing unit, such as a substrate that is first processed in a lot, or a substrate that is first processed at the time of starting the apparatus. The &quot; second substrate &quot; means a substrate different from the first substrate.

먼저, 제어부(80)는, XY 스테이지(4)를 제어하여, 기판(1)의 샷 영역이 디스펜서(18)에 의한 임프린트재의 공급이 행해지는 위치에 오도록 기판(1)을 반송한다(S1). 다음에, 제어부(80)는, 디스펜서(18)를 제어하고, 기판(1)의 샷 영역에 임프린트재를 공급한다(S2). 다음에, 제어부(80)는, XY 스테이지(4)를 제어하여, 기판(1)의 샷 영역이 형(10)의 패턴부 밑에 오도록 기판(1)을 반송한다. 그 후, 제어부(80)는, 임프린트 헤드(12)(액추에이터(15))를 제어하여, 형 척(11)의 Z 방향의 높이와 기울기를 조정하고, 형(10)의 패턴부와 기판(1)의 샷 영역의 위치 정렬을 행한다(S3).First, the control unit 80 controls the XY stage 4 to transport the substrate 1 so that the shot area of the substrate 1 is positioned at the position where the imprint material is supplied by the dispenser 18 (S1) . Next, the control unit 80 controls the dispenser 18 to supply the imprint material to the shot area of the substrate 1 (S2). Next, the control unit 80 controls the XY stage 4 to transport the substrate 1 so that the shot area of the substrate 1 is located below the pattern part of the mold 10. [ Thereafter, the control unit 80 controls the imprint head 12 (actuator 15) to adjust the height and tilt of the mold chuck 11 in the Z direction, 1) is aligned (S3).

계속해서, 제어부(80)는, 임프린트 헤드(12)(액추에이터(15))를 제어하여, 형(10)을 하강시켜 기판(1)의 샷 영역 상의 임프린트재(60)에 접촉시킨다(S4). 이 접촉에 의해, 임프린트재(60)는 형(10)의 패턴부에 형성되어 있는 홈에 충전된다. 형 척(11) 또는 임프린트 헤드(12)에는, 복수의 로드셀(도시되지 않음)이 장착되어 있고, 제어부(80)는, 이들 로드셀의 값에 기초하여, 형(10)의 임프린트재(60)에의 압박력이 소정값이 되도록, 임프린트 헤드(12)를 제어한다. 이 제어에 의해, 형(10)의 압박력이 조정된다(S5, S6).Subsequently, the control unit 80 controls the imprint head 12 (actuator 15) to lower the mold 10 to make contact with the imprint material 60 on the shot area of the substrate 1 (S4) . By this contact, the imprint material 60 is filled in the groove formed in the pattern portion of the mold 10. A plurality of load cells (not shown) are mounted on the mold chuck 11 or the imprint head 12 and the controller 80 controls the imprint material 60 of the mold 10 based on the values of these load cells. The imprint head 12 is controlled so that the pressing force on the imprint head 12 becomes a predetermined value. By this control, the pressing force of the die 10 is adjusted (S5, S6).

형(10)의 압박력이 조정된 후, 제어부(80)는, 광원(16)에 자외광을 발생시킨다(S7). 광원(16)으로부터의 자외광은, 콜리메이터 렌즈(17), 빔 스플리터(20)를 통하여 형(10)을 통과하고, 임프린트재(60)에 입사된다. 이렇게 자외선을 조사한 임프린트재(60)는 경화된다. 경화된 임프린트재(60)에는, 형(10)의 패턴의 반전 패턴이 형성되게 된다.After the pressing force of the mold 10 is adjusted, the control unit 80 causes the light source 16 to generate ultraviolet light (S7). The ultraviolet light from the light source 16 passes through the mold 10 through the collimator lens 17 and the beam splitter 20 and is incident on the imprint material 60. The imprint material 60 irradiated with ultraviolet rays is cured. In the cured imprint material 60, an inverted pattern of the pattern of the mold 10 is formed.

자외선의 조사가 개시되고 나서 임프린트재(60)가 경화하는 것으로서 미리 정해진 시간이 경과한 후, 제어부(80)는, 임프린트 헤드(12)를 제어하여 형(10)을 상승시켜, 경화된 임프린트재(60)으로부터 형(10)을 분리한다(이형)(S8).The control unit 80 controls the imprint head 12 to raise the mold 10 so that the cured imprint material 60 is cured after the irradiation of ultraviolet light is started, (Release) the mold 10 from the mold 60 (S8).

여기까지가, 하나의 샷 영역에 대한 임프린트 처리(샷)이지만, 이 이형 시에형(10)이 대전되는 박리 대전이 생길 수 있다. 제전부(30)에 의해 형(10)의 제전을 행함으로써, 박리 대전을 해소할 수 있다. 그러나, 이 제전부(30)에 의한 제전을 임프린트 처리마다 실행할 경우에는 스루풋이 저하된다. 나아가, 제전부(30)에 의한 제전을 임프린트 처리마다 실행할 경우에는, He의 소비량도 증대하게 된다. 또한, 계측부(70)로 형(10)의 표면 전위를 계측하는 것도 스루풋 저하의 요인이 될 수 있다. 따라서, 본 실시 형태에서는, 형의 제전 성능을 유지할 수 있는 범위에서, 제전부(30)에 의한 제전 및 계측부(70)에 의한 계측의 횟수를 저감시킨다. 따라서, 본 실시 형태에서는 제전 타이밍을 적절하게 정할 필요가 있다. 형(10)에 대전하는 정전기는, 사용하는 임프린트재나 이형 속도 등의 프로세스 조건에 의해 변동하므로, 프로세스 조건에 적합한 제전 타이밍을 구할 필요가 있다. 본 실시 형태에서는, 이 제전 타이밍을 이하와 같이 하여 결정한다.Up to this point, although the imprint process (shot) is performed for one shot area, peeling electrification in which the mold 10 is charged at the time of this release can occur. By removing the mold 10 by the discharger 30, peeling electrification can be eliminated. However, when erasing by the discharging unit 30 is performed every imprinting process, the throughput is lowered. Further, when the erasing discharge by the discharging unit 30 is performed every imprinting process, the consumption of He is also increased. Measurement of the surface potential of the mold 10 by the measuring unit 70 may also cause a decrease in the throughput. Therefore, in the present embodiment, the number of times of measurement by the electrification section 30 and the measurement section 70 is reduced within a range where the electrification performance of the mold can be maintained. Therefore, in this embodiment, it is necessary to set the erasing timing appropriately. Static electricity to be charged to the mold 10 varies depending on the process conditions such as the imprint material and the mold release speed to be used and therefore it is necessary to find the charge removal timing suitable for the process conditions. In the present embodiment, the erasure discharge timing is determined as follows.

S8에서의 이형 후, 제어부(80)는, XY 스테이지(4)를 제어하여, 계측부(70)를 형(10)의 패턴부의 밑으로 이동시켜, 형(10)의 패턴부의 표면 전위를 계측한다(S9). 제어부(80)는, 계측된 표면 전위의 값을 샷 번호 등과 관련지어, 메모리(82)에 기억되어 있는 제전 타이밍 테이블(83)에 기입한다(S10). 도 11에, 제전 타이밍 테이블(83)의 데이터 구조예를 나타낸다. 도 11에 있어서, 제전 타이밍 테이블(83)은, 로트를 식별하는 로트 ID, 기판을 식별하는 기판 ID와, 1매의 기판에 있어서 처리되는 샷 영역의 순서를 나타내는 샷 번호와, 누적 샷수와, 표면 전위와, 제전 플래그의 필드를 갖는다. 여기서, 제전 플래그는, 그 샷에서 형(10)의 제전을 행할지 여부를 나타내는 플래그이다. 예를 들어, 제전 플래그가 0이면, 그 샷에서는 제전은 행하지 않고, 제전 플래그가 1이면 그 샷에서 제전을 행해야 하는 것을 나타내고 있다. 이 시점에서는, 제전 플래그는 모두 0으로 초기화되어 있다.After the mold release in S8, the control unit 80 controls the XY stage 4 to move the measuring unit 70 below the pattern unit of the mold 10 to measure the surface potential of the pattern unit of the mold 10 (S9). The control unit 80 writes the measured value of the surface potential in association with the shot number or the like in the erasure timing table 83 stored in the memory 82 (S10). 11 shows an example of the data structure of the erasing timing table 83. As shown in Fig. 11, the erasure timing table 83 includes a lot ID for identifying the lot, a substrate ID for identifying the substrate, a shot number indicating the order of the shot area processed in one substrate, The surface potential, and the erase flag. Here, the elimination flag is a flag indicating whether or not to erase the mold 10 in the shot. For example, if the erasing flag is 0, no erasing is performed on the shot, and if the erasing flag is 1, the erasing is to be performed on the shot. At this point, the erase flags are all initialized to zero.

제어부(80)는, 계측된 표면 전위가 소정값 이하인지 여부를 판정한다(S11). 소정값은, 사전 시험에 의해, 형(10)의 표면 전위가 이 이하에서는 형(10)에 이물이 부착될 가능성은 낮은 것으로서 허용되는 상한의 값으로 설정되어 있다. 계측된 표면 전위가 소정값 이하인 경우는, 제어부(80)는, XY 스테이지(4)를 제어하고, 다음 샷 영역이 디스펜서(18)에 의한 임프린트재의 공급이 행해지는 위치에 오도록 기판을 반송한다(S12). 한편, 계측된 표면 전위가 소정값을 초과하는 경우는, 제어부(80)는, S12 이전에, 제전부(30)를 제어하고, 형(10)의 제전을 행한다(S13). 본 실시 형태에서는, 형(10)의 제전 방법으로서 He를 공급하는 방법을 사용하고 있고, S13에서는, 도 1에 도시된 바와 같이, 제전부(30)는 He를 형(10)을 향하여 공급한다. 이에 의해 형(10)에 대전된 정전기를 제거할 수 있다.The control unit 80 determines whether or not the measured surface potential is lower than a predetermined value (S11). The predetermined value is set to a value of an upper limit allowed by the preliminary test that the probability of foreign matter adhering to the mold 10 is low when the surface potential of the mold 10 is below this. When the measured surface potential is equal to or lower than a predetermined value, the control unit 80 controls the XY stage 4 and conveys the substrate so that the next shot area is located at a position where supply of the imprint material by the dispenser 18 is performed ( S12). On the other hand, if the measured surface potential exceeds the predetermined value, the control unit 80 controls the power-saving unit 30 before S12 to perform the erasure of the mold 10 (S13). In this embodiment, a method of supplying He as a discharging method of the mold 10 is used. In S13, the discharger 30 supplies He toward the mold 10 as shown in Fig. 1 . Whereby the static electricity charged in the mold 10 can be removed.

그 후, 제어부(80)는, 모든 샷 영역에 대한 임프린트 처리가 종료되었는지를 판정한다(S14). 모든 샷 영역에 대한 임프린트 처리가 종료되지 않았으면, S2로 되돌아가서 다음 샷 영역에 대한 처리가 행하여진다. 모든 샷 영역에 대한 임프린트 처리가 종료된 경우는, 제어부(80)는, XY 스테이지(4)를 제어하고, 기판(1)을 소정의 위치로 이동하여(S15), 기판(1)에 대한 패턴 전사가 종료된다. 이상의 처리에 의해, 제작된 제전 타이밍 테이블(83)은 적어도, 제1 기판에 대해 임프린트 처리가 복수회 행해지는 동안에 있어서의 임프린트 처리의 횟수와 형의 표면 전위의 관계를 나타내는 대전 특성을 나타내고 있다.Thereafter, the control unit 80 determines whether or not the imprint processing for all the shot areas is completed (S14). If the imprint process for all the shot areas has not been completed, the process returns to S2 and the process for the next shot area is performed. The control unit 80 controls the XY stage 4 to move the substrate 1 to a predetermined position (S15), and the pattern on the substrate 1 Transcription is terminated. The erasing timing table 83 produced by the above processing shows at least charging characteristics indicating the relationship between the number of times of the imprinting process and the surface potential of the mold while the imprint process is performed for the first substrate a plurality of times.

이렇게 해서, 제어부(80)는, 임프린트 처리가 행하여질 때마다 계측부(70)에 의해 형(10)의 표면 전위를 계측하는 것과, 계측된 표면 전위가 소정값을 초과한 경우는 제전부(30)에 의해 형(10)의 제전을 행하는 것을, 제1 기판의 복수의 샷 영역에서 반복한다. 이에 의해, 형(10)의 대전 특성이 취득된다.In this way, the control unit 80 measures the surface potential of the mold 10 by the measuring unit 70 every time the imprinting process is performed, and when the measured surface potential exceeds the predetermined value, To perform the erasing of the mold 10 is repeated in the plurality of shot regions of the first substrate. Thus, the charging characteristics of the mold 10 are obtained.

그 후, 제어부(80)는, 제전 타이밍 테이블(83)에 기술되어 있는 형(10)의 표면 전위의 계측 결과에 기초하여 제전을 행할 타이밍을 결정하고, 제전 타이밍 테이블(83)을 갱신한다(S16). 도 4는, S16에 있어서의 제전 타이밍을 결정하는 처리의 흐름도이다. 이 처리는, 제전 타이밍 테이블(83)에 있어서의, 각 샷의 표면 전위의 값을 순차 검사하여 제전을 행해야 할 샷을 특정하는 처리를 포함한다. 구체적으로는, 제어부(80)는, 제전 타이밍 테이블(83)로부터, 현재 착안하고 있는 샷 번호에 대응하는 형(10)의 표면 전위가 소정값 이하인지 여부를 판정한다(S201). 여기서, 형(10)의 표면 전위가 소정값 이하인 경우는, 착안하는 샷 번호를 다음 샷 번호로 하여 S201을 반복한다. 형(10)의 표면 전위가 소정값을 초과하는 경우, 제어부(80)는, S202에서, 현재 착안하고 있는 샷 번호의 제전 플래그를 「1」로 한다(S202). 그 후, 제어부(80)는, 현재 착안하고 있는 샷 번호가 최후인지 여부를 판단한다. 현재 착안하고 있는 샷 번호가 최후가 아니면, 착안하는 샷 번호를 다음 샷 번호로 해서, S201로 되돌아가서 처리를 반복한다.Thereafter, the control unit 80 determines the timing of performing the erasing based on the measurement result of the surface potential of the mold 10 described in the erasing timing table 83, and updates the erasing timing table 83 S16). Fig. 4 is a flowchart of a process for determining the erasing timing at S16. This process includes a process of sequentially specifying the values of the surface potentials of the shots in the erasing timing table 83 to specify the shots to be erased. More specifically, the control unit 80 judges whether or not the surface potential of the mold 10 corresponding to the shot number currently being observed is equal to or smaller than a predetermined value from the erasing timing table 83 (S201). Here, when the surface potential of the mold 10 is equal to or smaller than the predetermined value, S201 is repeated with the shot number of interest as the next shot number. When the surface potential of the mold 10 exceeds a predetermined value, the control unit 80 sets the erasure flag of the shot number currently being observed to "1" (S202) in S202. Thereafter, the control unit 80 determines whether the shot number currently under consideration is the last. If the current shot number is not the last, the target shot number is set as the next shot number, and the process returns to S201 to repeat the process.

이렇게 하여 S16의 처리에 있어서는, 대전 특성에 기초하여, 형의 표면 전위가 소정값을 초과하는 샷 번호의 제전 플래그를 1로 하도록, 제전 타이밍 테이블(83)이 갱신된다. 또한, 제전 타이밍 테이블(83)은, 임프린트 장치(100)의 콘솔 화면(도시되지 않음)을 통하여 작성하는 것도 가능하다. 또한, 작성된 제전 타이밍 테이블(83)은, 다른 임프린트 장치에 전송(출력)하는 것도 가능하다. 그 때문에, 예를 들어 제어부(80)는 이러한 대전 특성의 정보인 제전 타이밍 테이블(83)을 출력하는 출력부를 구비하고 있어도 된다.Thus, in the process of S16, the erasing timing table 83 is updated so that the erasing flag of the shot number whose surface potential exceeds the predetermined value is set to 1, based on the charging characteristics. The elimination timing table 83 can also be created through a console screen (not shown) of the imprint apparatus 100. [ It is also possible to transfer (output) the created erasure discharge timing table 83 to another imprint apparatus. For this reason, for example, the control unit 80 may include an output unit for outputting the discharge timing table 83, which is the information of the charging characteristics.

제어부(80)는, 이 제전 타이밍 테이블(83)에 기술된 샷 번호와 제전 플래그에 기초하여, 제2 기판에 대해 임프린트 처리를 행할 때의 제전 타이밍을 결정할 수 있다. 즉 제어부(80)는, 제1 기판에 있어서의 형(10)의 표면 전위가 소정값을 초과했을 때의 샷 영역과 샷 레이아웃에 있어서 동일 위치의 제2 기판의 샷 영역에 대해 임프린트 처리가 행하여질 때를, 제전을 행할 타이밍으로서 결정할 수 있다. 이 처리를 도 3을 참조하여 이하에서 상세하게 설명한다.The control unit 80 can determine the erasure timing at the time of performing the imprint processing on the second substrate based on the shot number and the erase flag described in this erasure timing table 83. [ That is, the control unit 80 performs the imprint process on the shot area when the surface potential of the mold 10 on the first substrate exceeds the predetermined value and the shot area on the second substrate at the same position in the shot layout Can be determined as the timing at which erasing is to be performed. This process will be described in detail below with reference to FIG.

제2 기판에 대한 임프린트 처리 및 형(10)의 제전 처리를 설명한다. 상기한 바와 같이 제1 기판에 대해서는, 샷마다 형(10)의 표면 전위를 계측했지만, 제2 기판에 대해서는, 제1 기판의 처리에 있어서 제작된 제전 타이밍 테이블(83)에 기초하여, 형(10)의 표면 전위의 계측을 행하지 않고 특정한 샷만으로 제전을 행한다. 먼저, 콘솔 화면의 조작 등에 응답하여, 제전 타이밍 테이블(83)이 임프린트 장치(100)에 입력된다. 제전 타이밍 테이블(83)은, 상기한 처리에 의해 임프린트 장치(100)로 생성된 것이어도 되고, 별도의 임프린트 장치로 생성된 것이어도 된다. 또한, 임프린트 장치(100)에 의해 자동으로 제작된 것이 아니고, 실험 등에 의해 수동으로 생성된 것이어도 된다.The imprinting process for the second substrate and the erasing process for the mold 10 will be described. As described above, the surface potential of the mold 10 is measured for each shot with respect to the first substrate, and the surface potential of the mold 10 is measured with respect to the second substrate on the basis of the erasure discharge timing table 83 produced in the process of the first substrate 10 without performing the measurement of the surface potential. First, the elimination timing table 83 is inputted to the imprint apparatus 100 in response to an operation of the console screen or the like. The elimination timing table 83 may be generated in the imprint apparatus 100 by the above process or may be generated in a separate imprint apparatus. Further, it may be not manually produced by the imprint apparatus 100, but manually generated by an experiment or the like.

도 3은, 임프린트 장치(100)에 의한, 제2 기판인 기판(1)에 대한 임프린트 처리 및 형(10)의 제전 처리의 흐름도이다. 도 3의 흐름도에서는, 도 2의 흐름도와 비교하여, S9, S10 및 S16이 생략되고, S11 대신 S111이 마련되어 있다. S111에서는, 제어부(80)는, 제전 타이밍 테이블(83)에 기초하여, 제전의 타이밍이 도래한 것인지 여부를 판정한다. 구체적으로는, 제어부(80)는, 제전 타이밍 테이블(83)에 있어서, 처리 대상의 샷 영역의 샷 번호의 제전 플래그가 1이면, 제전 타이밍이라고 판정한다. 여기서, 제어부(80)는, 제전 타이밍이라고 판정했을 때는, 제전부(30)에 의해 형(10)의 제전을 행한다. 그렇지 않으면 제전은 행하지 않는다. 이렇게 해서, 제어부(80)는, 예를 들어 임프린트 처리의 횟수와 형의 제전을 행할 타이밍의 관계에 기초하여, 형의 제전을 행하도록 제전부(30)를 제어한다. 이와 같이, 제2 기판에 있어서는, 제1 기판일 때와 같이 계측부(70)에 의한 계측을 매회 행할 필요가 없다. 이에 의해, 스루풋이 향상된다. 또한, 제전은, 임프린트 처리가 소정 횟수 행하여질 때마다 1회 행해질 뿐이므로, 종래와 같이 제전을 임프린트 처리시 마다 행하는 경우에 비하여, 스루풋이 향상될 뿐만 아니라, He의 소비량을 삭감할 수도 있다.3 is a flow chart of the imprinting process for the substrate 1 as the second substrate and the erasing process for the mold 10 by the imprint apparatus 100. As shown in Fig. In the flowchart of Fig. 3, S9, S10, and S16 are omitted, and S111 is provided instead of S11, as compared with the flowchart of Fig. In S111, the control unit 80 determines, based on the erasing timing table 83, whether the erasure timing has arrived. Specifically, when the erasure flag of the shot number of the shot area to be processed is 1 in the erasure timing table 83, the control section 80 determines that erasure is to be erased. Here, when the control unit 80 judges the erasing timing, the erasing unit 30 discharges the eraser 10. Otherwise, there is no discharge. In this way, the control section 80 controls the discharger section 30 so as to discharge the molds based on, for example, the relationship between the number of times of the imprint process and the timing at which the discharge of the mold is to be performed. Thus, in the second substrate, measurement by the measuring unit 70 need not be performed every time as in the case of the first substrate. Thus, the throughput is improved. In addition, since erasing is performed only once each time the imprinting process is performed a predetermined number of times, the throughput is improved and the consumption of He can be reduced as compared with the case where the erasing is performed every imprinting process as in the conventional case.

또한, 제전 타이밍이 1매의 기판이나 1로트(후프)를 넘어버리는 경우도 있을 수 있다. 그러한 경우는, 이전회의 제전으로부터의 임프린트 처리 횟수를 다음 기판에 이어받게 하면 된다. 또는, 1매의 기판 또는 1로트(후프)마다, 임프린트 처리 횟수를 리셋해도 된다. 단 그 경우는, 소정의 샷 영역(예를 들어, 1매의 기판의 최종 샷 영역 또는 1로트의 최종 기판의 최종 샷 영역)으로, 형(10)의 제전도 행할 필요가 있다.In addition, there may be a case where the erasing timing exceeds one substrate or one lot (hoop). In such a case, the number of times of imprint processing from the previous meeting elimination may be successively received on the next board. Alternatively, the number of times of imprint processing may be reset for each substrate or one lot (hoop). In this case, however, it is also necessary to erase the mold 10 at a predetermined shot area (for example, a final shot area of one substrate or a final shot area of the last substrate of a lot).

그런데, 임프린트 장치에는, 예를 들어 형(10)의 패턴부에의 임프린트재(60)의 충전을 촉진하기 위해서 형(10)과 기판 상의 임프린트재(60) 사이의 공간에 퍼지 가스를 공급하는 구성이 별도 마련될 수 있다. 이 때의 퍼지 가스에도 헬륨이 사용될 수 있다. 이 퍼지 가스로서의 헬륨이 형(10)의 패턴부 및 그의 주변의 공간에 잔존하면, 제전 타이밍에 영향을 미치고, 제전 타이밍을 일정 시간 간격으로 해서는 부적당해지는 것도 생각된다. 바꾸어 말하면, 임프린트 처리의 횟수에 대한 형의 제전 빈도는, 임프린트 처리의 누적 횟수에 따라 변화할 수 있다. 예를 들어, 임프린트 처리의 횟수와 형의 제전을 행할 타이밍의 관계는, 임프린트 처리의 누적 횟수가 증가되면, 임프린트 처리의 횟수에 대한 형의 제전 빈도가 높아지는 관계일 수 있다. 상술한 실시 형태에서는, 제1 기판에 형성된 복수의 샷 영역의 모두에 관한 대전 특성을 취득하고, 모든 샷 영역에 대해 제전 플래그를 설정한다. 따라서, 제전 타이밍이 퍼지 가스의 영향 등에 의해 일정 주기가 되지 않는 경우에 특히 유효하다.By the way, in the imprint apparatus, for example, a purge gas is supplied to a space between the mold 10 and the imprint material 60 on the substrate in order to promote the filling of the imprint material 60 to the pattern portion of the mold 10 A configuration may be separately provided. Helium may also be used for purge gas at this time. If the helium as the purge gas remains in the pattern portion of the mold 10 and the space around the pattern portion, it may be considered that the erasing timing is affected and the erasing timing is not appropriate at certain time intervals. In other words, the elimination frequency of the mold with respect to the number of times of imprint processing can be changed according to the cumulative number of imprint processing. For example, the relationship between the number of times of imprint processing and the timing of erasing of the mold may be such that, when the cumulative number of times of imprint processing is increased, the frequency of elimination of the type with respect to the number of times of imprint processing is increased. In the above-described embodiment, the charging characteristics relating to all of the plurality of shot areas formed on the first substrate are acquired, and the erasure flags are set for all the shot areas. Therefore, this is particularly effective when the elimination timing does not reach a certain period due to the influence of the purge gas or the like.

<제2 실시 형태>&Lt; Second Embodiment >

도 2에 도시된 예에서는, 제1 기판의 복수의 샷 영역의 모두에 있어서 형(10)의 표면 전위를 계측하고, 전체 샷 영역에 관한 대전 특성을 취득하는 것이었다. 이에 비해 제2 실시 형태에서는, 가일층 스루풋의 향상을 도모하기 위해서, 제1 기판의 복수의 샷 영역 중의 일부의 샷 영역에 관한 대전 특성이 취득된다. 예를 들어, 복수의 샷 영역에 대해 미리 정해진 임프린트 처리순에 있어서의 처음부터 소정수의 샷 영역에 대해 대전 특성이 취득된다. 제어부(80)는, 이 대전 특성에 기초하여, 표면 전위의 증가 경향을 추정하고, 제전 타이밍을 결정한다. 이하, 구체예를 나타낸다.In the example shown in Fig. 2, the surface potential of the mold 10 is measured in all of the plurality of shot regions of the first substrate, and the charging characteristics concerning the entire shot region are acquired. On the other hand, in the second embodiment, in order to improve the throughput of the entire substrate, the charging characteristics of a part of the shot regions of the plurality of shot regions of the first substrate are acquired. For example, the charging characteristics are acquired for a predetermined number of shot regions from the beginning in a predetermined imprint processing sequence for a plurality of shot regions. The control unit 80 estimates the increasing tendency of the surface potential based on the charging characteristics and determines the erasing timing. Specific examples are shown below.

도 5는, 본 실시 형태에서의, 제1 기판에 대한 임프린트 처리 및 형의 제전 처리의 흐름도이다. 도 5의 흐름도는, 도 2의 흐름도와 비교하여, S8과 S9의 사이에 S114가 마련되어 있다. S114에서는, 제어부(80)는, 소정의 샷수의 임프린트 처리가 종료되었는지 여부를 판정한다. 소정의 샷수의 임프린트 처리가 종료되지 않은 경우는, S9로 진행하고, 소정의 샷수의 임프린트 처리가 종료된 경우는, S12에 진행한다. 또한, 도 5에서는, S16 대신 S116이 마련되어 있다. S116은, 소정의 샷수까지의 제전 타이밍 테이블(83)로부터 제전 타이밍을 생성하는 스텝이다.Fig. 5 is a flowchart of the imprint processing and the type elimination processing for the first substrate in the present embodiment. The flowchart of Fig. 5 is compared with the flowchart of Fig. 2, and S114 is provided between S8 and S9. In S114, the control unit 80 determines whether or not the imprint processing of the predetermined number of shots has been completed. If the imprint process of the predetermined number of shots has not been completed, the process proceeds to S9, and if the imprint process of the predetermined number of shots is completed, the process proceeds to S12. In Fig. 5, S116 is provided instead of S16. Step S116 is a step of generating the erasing timing from the erasing timing table 83 up to the predetermined number of shots.

도 6은, S116에 있어서의 제전 타이밍을 결정하는 처리의 흐름도이다. 여기에서는, 제어부(80)는, 임프린트 처리순에 있어서의 처음부터 소정수의 샷 영역에 대해 임프린트 처리가 행하여질 때의 대전 특성에 기초하여, 제2 기판에 대해 임프린트 처리를 행할 때에 형(10)의 표면 전위가 소정값을 초과하는 샷 영역을 추정한다. 그리고 제어부(80)는, 그 추정된 샷 영역에 대해 임프린트 처리가 행하여질 때를, 형(10)의 제전을 행할 타이밍으로서 결정한다. 예를 들어, 제어부(80)는, 소정의 샷수에 관한 대전 특성이 기술된 제전 타이밍 테이블(83)에 기초하여, 형(10)의 표면 전위가 소정값을 초과할 때까지의 샷수(임프린트 처리 횟수)를 추정한다(S301). 예를 들어, 도 7에 나타내는 바와 같이, 소정의 샷 영역까지의 형의 표면 전위의 변화를 선형 근사 또는 다항식 근사시켜, 외삽에 의해, 형(10)의 표면 전위가 소정값을 초과하는 샷수를 추정한다. 계속해서, 추정된 샷수마다 제전 타이밍 테이블(83)의 제전 플래그를 「1」로 한다(S302). 이에 의해, 전체 샷에서 형의 표면 전위의 계측을 행하지 않고, 제전 타이밍 테이블(83)을 생성할 수 있고, 스루풋을 향상시킬 수 있다.6 is a flowchart of a process for determining the discharge timing at S116. Here, the control unit 80 determines whether or not the imprinting process is to be performed on the second substrate 10 when the imprint process is performed on the second substrate, based on the charging characteristics when the imprint process is performed on the predetermined number of shot areas from the beginning in the imprint processing order ) Exceeds a predetermined value. Then, the control unit 80 determines when the imprint process is to be performed on the estimated shot area as the timing to perform the erasure of the mold 10. For example, based on the erasing timing table 83 describing the charging characteristics with respect to the predetermined number of shots, the control unit 80 calculates the number of shots (the number of shots until the surface potential of the mold 10 exceeds the predetermined value (Step S301). For example, as shown in Fig. 7, a change in the surface potential of the mold up to a predetermined shot area is approximated to a linear approximation or a polynomial, and the number of shots in which the surface potential of the mold 10 exceeds a predetermined value . Subsequently, the elimination flag of the elimination timing table 83 is set to &quot; 1 &quot; every estimated number of shots (S302). Thereby, the elimination timing table 83 can be generated without measuring the surface potential of the mold in the entire shot, and the throughput can be improved.

<제3 실시 형태>&Lt; Third Embodiment >

본 실시 형태는, 제1 기판의 복수의 샷 영역 중의 일부의 샷 영역에 관한 대전 특성으로부터, 제2 기판에 대해 임프린트 처리를 행할 때에 표면 전위가 소정값을 초과하는 샷 영역을 추정하는 제2 실시 형태의 변형예이다.The present embodiment is a second implementation for estimating a shot area whose surface potential exceeds a predetermined value when performing imprint processing on a second substrate from the charging characteristics of a part of the shot areas of the plurality of shot areas of the first substrate .

도 8은, 본 실시 형태에서의, 제1 기판에 대한 임프린트 처리 및 형의 제전 처리의 흐름도이다. 도 8의 흐름도는, 도 2의 흐름도와 비교하여, S9의 이전에, S200의 처리가 추가되어 있다. S200에서는, 제어부(80)는 현재 착안되어 있는 샷이 소정의 계측 대상의 샷인지 여부를 판정하고 있다. 여기에서 소정의 계측 대상의 샷이라고 판정된 경우에만, S9, S10, S11 및 S13의 처리가 행하여진다. 이와 같이, 이 예에서는, 형의 표면 전위의 계측을, 전체 샷 영역에서 행하는 것이 아니고, 미리 정해진 임프린트 처리순에 있어서의 소정수 간격의 샷 영역의 집합에 대해 행한다. 또한, 도 5에서는, S16 대신 S216이 마련되어 있다.Fig. 8 is a flowchart of the imprint processing and the type erasure processing for the first substrate in this embodiment. The flow chart of Fig. 8 is the same as the flowchart of Fig. 2 except that the process of S200 is added before S9. In S200, the control unit 80 determines whether the shot currently being viewed is a shot of a predetermined measurement target. Only in the case where it is determined that a shot to be measured is a target to be measured, the processes of S9, S10, S11, and S13 are performed. Thus, in this example, the measurement of the surface potential of the mold is not performed in the entire shot area, but on a set of shot areas at a predetermined number of intervals in a predetermined imprint processing sequence. In Fig. 5, S216 is provided instead of S16.

도 9는, S216에 있어서의 제전 타이밍을 결정하는 처리의 흐름도이다. 여기서 제어부(80)는, 임프린트 처리순에 있어서의 소정수 간격의 샷 영역의 집합에 대해 임프린트 처리가 행하여질 때의 대전 특성에 기초하여, 제2 기판에 대해 임프린트 처리를 행할 때에 형(10)의 표면 전위가 소정값을 초과하는 샷 영역을 추정한다. 그리고 제어부(80)는, 그 추정된 샷 영역에 대해 임프린트 처리가 행하여질 때를, 형(10)의 제전을 행할 타이밍으로서 결정한다. 예를 들어, 제어부(80)는, 상기 소정수 간격의 샷 영역의 집합에 대한 임프린트 처리에 관한 대전 특성이 기술된 제전 타이밍 테이블(83)에 기초하여, 형(10)의 표면 전위가 소정값을 초과할 때까지의 샷수를 추정한다(S401). 예를 들어, 도 10에 도시하는 바와 같이, 상기 소정수 간격의 샷 영역의 집합에 대해 임프린트 처리가 행하여졌을 때에 계측된 표면 전위의 변화를 선형 근사 또는 다항식 근사시켜, 내삽에 의해, 형(10)의 표면 전위가 소정값을 초과하는 샷수를 추정한다. 계속해서, 추정된 샷수마다 제전 타이밍 테이블(83)의 제전 플래그를 「1」로 한다(S402). 이에 의해, 전체 샷의 이형을 행할 때마다 표면 전위의 계측을 행하지 않고, 제전 타이밍 테이블(83)을 생성할 수 있고, 스루풋을 향상시킬 수 있다.Fig. 9 is a flowchart of a process for determining the erasing timing in S216. Here, the control unit 80 determines whether or not the mold 10 is to be used when the imprint process is performed on the second substrate, based on the charging characteristics when the imprint process is performed on the set of shot areas at a predetermined number of intervals in the imprint process order, The surface potential of the shot area exceeds a predetermined value. Then, the control unit 80 determines when the imprint process is to be performed on the estimated shot area as the timing to perform the erasure of the mold 10. For example, based on the erasure timing table 83 describing the charging characteristics relating to the imprint process for the set of the shot areas at the predetermined number of intervals, the controller 80 determines whether the surface potential of the mold 10 is a predetermined value Is estimated (S401). For example, as shown in Fig. 10, a change in the measured surface potential when the imprint process is performed on the set of shot areas at the predetermined number of intervals is linear approximated or polynomial approximated, Quot;) exceeds a predetermined value. Subsequently, the elimination flag of the erasing timing table 83 is set to &quot; 1 &quot; for each estimated number of shots (S402). This makes it possible to generate the erasing timing table 83 without measuring the surface potential every time the entire shot is formed, and the throughput can be improved.

또한, 제전 타이밍 테이블(83)의 생성 방법은, 상기와 같은 임프린트 장치(100)을 사용한 자동에 의한 생성 방법뿐만 아니라, 수동에 의한 실험 결과나, 시뮬레이션에 의한 예측, 혹은, 경험치를 사용하여 생성하는 방법도 있을 수 있다.The generation timing of the erasing timing table 83 is not limited to the above-described automatic generation method using the imprint apparatus 100, but also by using experimental results by manual, prediction by simulation, There is also a way to do it.

<물품 제조 방법의 실시 형태>&Lt; Embodiment of Product Manufacturing Method >

임프린트 장치를 사용하여 형성한 경화물의 패턴은, 각종 물품의 적어도 일부에 영구적으로, 혹은 각종 물품을 제조할 때에 일시적으로 사용된다. 물품이란, 전기 회로 소자, 광학 소자, MEMS, 기록 소자, 센서, 혹은, 형 등이다. 전기 회로 소자로서는, DRAM, SRAM, 플래시 메모리, MRAM과 같은, 휘발성 혹은 불휘발성 반도체 메모리나, LSI, CCD, 이미지 센서, FPGA와 같은 반도체 소자 등을 들 수 있다. 형으로는, 임프린트용 몰드 등을 들 수 있다.The pattern of the cured product formed by using the imprint apparatus is temporarily used in at least part of various articles, either permanently or when producing various articles. An article is an electric circuit element, an optical element, a MEMS, a recording element, a sensor, or a mold. Examples of the electric circuit element include a volatile or nonvolatile semiconductor memory such as a DRAM, an SRAM, a flash memory, and an MRAM, and a semiconductor element such as an LSI, a CCD, an image sensor, and an FPGA. Examples of the mold include an imprint mold and the like.

경화물의 패턴은, 상기 물품의 적어도 일부의 구성 부재로서, 그대로 사용되거나, 혹은, 레지스트 마스크로서 일시적으로 사용된다. 기판의 가공 공정에 있어서 에칭 또는 이온 주입 등이 행해진 후, 레지스트 마스크는 제거된다.The pattern of the cured product is used as a constituent member of at least a part of the article as it is, or temporarily used as a resist mask. After etching or ion implantation is performed in the processing step of the substrate, the resist mask is removed.

다음에, 도 12를 참조하여, 물품의 제조 방법에 대해 설명한다. 공정 SA에서는, 절연체 등의 피가공재(2z)가 표면에 형성된 실리콘 기판 등의 기판(1z)을 준비하고, 계속해서, 잉크젯 방법 등에 의해, 피가공재(2z)의 표면에 임프린트재(3z)를 부여한다. 여기에서는, 복수의 액적형으로 된 임프린트재(3z)가 기판 상에 부여된 모습을 나타내고 있다.Next, with reference to Fig. 12, a method of manufacturing an article will be described. In the process SA, a substrate 1z such as a silicon substrate on which a material to be processed 2z such as an insulator is formed is prepared and then an imprint material 3z is applied to the surface of the material to be processed 2z by an inkjet method or the like . Here, a plurality of droplet-shaped imprint materials 3z are provided on the substrate.

공정 SB에서는, 임프린트용 형(4z)을, 그 요철 패턴이 형성된 측을 기판 상의 임프린트재(3z)를 향해, 대향시킨다. 공정 SC에서는, 임프린트재(3z)가 부여된 기판(1z)과 형(4z)을 접촉시켜, 압력을 가한다. 임프린트재(3z)는 형(4z)과 피가공재(2z)의 간극에 충전된다. 이 상태에서 경화용 에너지로서 광을 형(4z)을 통하여 조사하면, 임프린트재(3z)는 경화된다.In the process SB, the imprint mold 4z faces the side on which the concavo-convex pattern is formed toward the imprint material 3z on the substrate. In the process SC, the substrate 1z to which the imprint material 3z is applied is brought into contact with the mold 4z, and pressure is applied. The imprint material 3z is filled in the gap between the mold 4z and the material to be processed 2z. When light is irradiated through the mold 4z as curing energy in this state, the imprint material 3z is cured.

공정 SD에서는, 임프린트재(3z)를 경화시킨 후, 형(4z)과 기판(1z)을 분리하면, 기판(1z) 상에 임프린트재(3z)의 경화물의 패턴이 형성된다. 이 경화물의 패턴은, 형의 오목부가 경화물의 볼록부에, 형의 볼록부가 경화물의 오목부에 대응한 형상으로 되어 있어, 즉, 임프린트재(3z)에 형(4z)의 요철 패턴이 전사되게 된다.In step SD, when the mold 4z and the substrate 1z are separated after the imprint material 3z is cured, a pattern of the cured material of the imprint material 3z is formed on the substrate 1z. In this pattern of the cured product, the concave portion of the mold has a shape corresponding to the convex portion of the cured product and the convex portion of the mold corresponding to the concave portion of the cured product, that is, the convex and concave pattern of the mold 4z is transferred to the imprint material 3z do.

공정 SE에서는, 경화물의 패턴을 내에칭형으로서 에칭을 행하면, 피가공재(2z)의 표면 중 경화물이 없거나 혹은 얇게 잔존한 부분이 제거되어, 홈(5z)이 된다. 공정 SF에서는, 경화물의 패턴을 제거하면, 피가공재(2z)의 표면에 홈(5z)이 형성된 물품을 얻을 수 있다. 여기에서는 경화물의 패턴을 제거했지만, 가공 후에도 제거하지 않고, 예를 들어 반도체 소자 등에 포함되는 층간 절연용의 막, 즉, 물품의 구성 부재로서 이용해도 된다.In the process SE, when the pattern of the cured product is etched as an etch-resistant type, the portion of the surface of the material to be processed 2z free or thinly remaining is removed to form the groove 5z. In the process SF, when the pattern of the cured product is removed, an article in which the groove 5z is formed on the surface of the material to be processed 2z can be obtained. Although the pattern of the cured product is removed here, it may be used as a constituent member of an interlayer insulating film, that is, an article included in a semiconductor device or the like, without being removed after processing.

(그밖의 실시 형태)(Other Embodiments)

본 발명은 상술한 실시 형태의 하나 이상의 기능을 실현하는 프로그램을, 네트워크 또는 기억 매체를 통해 시스템 또는 장치에 공급하고, 그 시스템 또는 장치의 컴퓨터에 있어서의 1개 이상의 프로세서가 프로그램을 판독하여 실행하는 처리로도 실현 가능하다. 또한, 하나 이상의 기능을 실현하는 회로(예를 들어, ASIC)에 의해서도 실현 가능하다.The present invention can be realized by supplying a program or a program for realizing one or more functions of the above-described embodiments to a system or an apparatus via a network or a storage medium, and by causing one or more processors in the computer of the system or apparatus to read and execute the program It can also be realized by processing. It is also possible to realize a circuit (for example, an ASIC) that realizes one or more functions.

1: 기판
10: 형
30: 제전부
70: 계측부
80: 제어부
100: 임프린트 장치
1: substrate
10: Type
30: All in all
70:
80:
100: Imprint device

Claims (13)

기판 상의 임프린트재에 형을 접촉시킨 상태에서 해당 임프린트재를 경화시켜, 해당 경화된 임프린트재와 상기 형을 분리함으로써 상기 기판 상에 패턴을 형성하는 임프린트 처리를 행하는 임프린트 장치이며,
상기 형의 제전을 행하는 제전부와,
상기 임프린트 처리의 횟수와 상기 형의 표면 전위와의 관계를 나타내는 대전 특성에 기초하여, 상기 제전부에 의해 상기 형의 제전을 행할 타이밍을 결정하는 처리부
를 구비하는 것을 특징으로 하는 임프린트 장치.
There is provided an imprint apparatus for performing an imprint process for forming a pattern on a substrate by curing the imprint material while the mold is in contact with the imprint material on the substrate and separating the cured imprint material from the mold,
A discharger for discharging the mold,
A processing section for determining a timing of performing the erasure of the mold by the discharger section based on the charging characteristic indicating the relationship between the number of times of the imprint process and the surface potential of the mold,
And an imprinting unit that conveys the imprinted image.
제1항에 있어서, 상기 형의 표면 전위를 계측하는 계측부를 추가로 구비하고,
상기 처리부는, 상기 임프린트 처리가 행하여질 때마다 상기 계측부에 의해 상기 형의 표면 전위를 계측하는 것과, 해당 계측된 표면 전위가 소정값을 초과한 경우는 상기 제전부에 의해 상기 형의 제전을 행하는 것을, 제1 기판의 복수의 샷 영역에서 반복함으로써, 상기 대전 특성을 취득하는
것을 특징으로 하는 임프린트 장치.
The apparatus according to claim 1, further comprising a measuring section for measuring a surface potential of the mold,
Wherein the processing section is configured to measure the surface potential of the mold by the metering section every time the imprinting process is performed and if the measured surface potential exceeds a predetermined value, Is repeated in a plurality of shot regions of the first substrate to acquire the charging characteristics
And the imprint apparatus.
제2항에 있어서, 상기 처리부는, 상기 취득된 대전 특성에 기초하여, 상기 제1 기판에 있어서의 상기 표면 전위가 상기 소정값을 초과했을 때의 샷 영역과 샷 레이아웃에 있어서 동일 위치의 상기 제1 기판과는 다른 제2 기판의 샷 영역에 대해 상기 임프린트 처리가 행하여질 때를, 상기 형의 제전을 행할 타이밍으로서 결정하는 것을 특징으로 하는 임프린트 장치.3. The image pickup apparatus according to claim 2, wherein the processing section determines, based on the obtained charging characteristics, a difference between the shot area when the surface potential of the first substrate exceeds the predetermined value, Wherein the timing when the imprinting process is performed on the shot area of the second substrate different from the one substrate is determined as the timing to perform the erasure of the mold. 제1항에 있어서, 상기 형의 표면 전위를 계측하는 계측부를 추가로 구비하고,
상기 처리부는, 상기 임프린트 처리가 행하여질 때마다 상기 계측부에 의해 상기 형의 표면 전위를 계측하는 것과, 해당 계측된 표면 전위가 소정값을 초과한 경우는 상기 제전부에 의해 상기 형의 제전을 행하는 것을, 제1 기판의 복수의 샷 영역 중의 일부의 샷 영역에 있어서 반복함으로써, 상기 일부의 샷 영역에 관한 상기 대전 특성을 취득하는
것을 특징으로 하는 임프린트 장치.
The apparatus according to claim 1, further comprising a measuring section for measuring a surface potential of the mold,
Wherein the processing section is configured to measure the surface potential of the mold by the metering section every time the imprinting process is performed and if the measured surface potential exceeds a predetermined value, Is obtained in a shot area of a part of a plurality of shot areas of the first substrate to acquire the charging characteristics of the part of the shot area
And the imprint apparatus.
제4항에 있어서, 상기 일부의 샷 영역은, 상기 복수의 샷 영역에 대해 미리 정해진 임프린트 처리순에 있어서의 처음부터 소정수의 샷 영역이며,
상기 처리부는, 상기 소정수의 샷 영역에 대해 상기 임프린트 처리가 행하여질 때의 상기 대전 특성에 기초하여, 상기 제1 기판과는 다른 제2 기판에 대해 상기 임프린트 처리를 행할 때에 상기 표면 전위가 상기 소정값을 초과하는 샷 영역을 추정하고, 해당 추정된 샷 영역에 대해 상기 임프린트 처리가 행하여질 때를, 상기 형의 제전을 행할 타이밍으로 결정하는
것을 특징으로 하는 임프린트 장치.
The image processing apparatus according to claim 4, wherein the part of the shot area is a predetermined number of shot areas from the beginning in the order of the predetermined imprint processing for the plurality of shot areas,
Wherein the processing unit is configured to determine whether or not the surface potential is higher than the surface potential when the imprint process is performed on the second substrate different from the first substrate based on the charging property when the imprint process is performed on the predetermined number of shot regions A shot area exceeding a predetermined value is estimated, and when the imprint process is performed on the estimated shot area, it is determined as a timing to perform the erasure of the type
And the imprint apparatus.
제4항에 있어서, 상기 일부의 샷 영역은, 상기 복수의 샷 영역에 대해 미리 정해진 임프린트 처리순에 있어서의 소정수 간격의 샷 영역의 집합이며,
상기 처리부는, 상기 소정수 간격의 샷 영역의 집합에 대해 상기 임프린트 처리가 행하여질 때의 상기 대전 특성에 기초하여, 상기 제1 기판과는 다른 제2 기판에 대해 상기 임프린트 처리를 행할 때에 상기 표면 전위가 상기 소정값을 초과하는 샷 영역을 추정하고, 해당 추정된 샷 영역에 대해 상기 임프린트 처리가 행하여질 때를, 상기 형의 제전을 행할 타이밍으로 결정하는
것을 특징으로 하는 임프린트 장치.
The image processing apparatus according to claim 4, wherein the part of the shot area is a set of shot areas at a predetermined number of intervals in the order of predetermined imprint processing for the plurality of shot areas,
Wherein the processing section is configured to perform the imprint processing on the second substrate different from the first substrate based on the charging characteristics when the imprint processing is performed on the set of shot areas at the predetermined number of intervals, A shot region in which the potential exceeds the predetermined value is estimated and the timing when the imprint process is performed on the estimated shot region is determined as the timing to perform the erasure of the type
And the imprint apparatus.
제2항에 있어서, 상기 취득한 대전 특성의 정보를 출력하는 출력부를 구비하는 것을 특징으로 하는 임프린트 장치.The imprint apparatus according to claim 2, further comprising an output section for outputting information of the obtained charging characteristics. 기판 상의 임프린트재에 형을 접촉시킨 상태에서 해당 임프린트재를 경화시켜, 해당 경화된 임프린트재와 상기 형을 분리함으로써 상기 기판 상에 패턴을 형성하는 임프린트 처리를 행하는 임프린트 장치이며,
상기 형의 제전을 행하는 제전부와,
상기 임프린트 처리의 횟수와 상기 형의 제전을 행할 타이밍의 관계에 기초하여, 상기 형의 제전을 행하도록 상기 제전부를 제어하는 제어부
를 구비하는 것을 특징으로 하는 임프린트 장치.
There is provided an imprint apparatus for performing an imprint process for forming a pattern on a substrate by curing the imprint material while the mold is in contact with the imprint material on the substrate and separating the cured imprint material from the mold,
A discharger for discharging the mold,
A control unit for controlling the discharging unit to discharge the mold on the basis of the relationship between the number of times of the imprinting process and the timing of discharging the mold,
And an imprinting unit that conveys the imprinted image.
제8항에 있어서, 상기 임프린트 처리의 횟수에 대한 상기 형의 제전의 빈도는, 상기 임프린트 처리의 누적 횟수에 따라 변화되는 것을 특징으로 하는 임프린트 장치.The imprint apparatus according to claim 8, wherein the frequency of erasure of the type with respect to the number of times of the imprint processing changes according to the cumulative number of the imprint processing. 제8항에 있어서, 상기 임프린트 처리의 횟수와 상기 형의 제전을 행할 타이밍의 관계는, 상기 임프린트 처리의 누적 횟수가 증가되면, 상기 임프린트 처리의 횟수에 대한 상기 형의 제전의 빈도가 높아지는 관계인 것을 특징으로 하는 임프린트 장치.9. The method according to claim 8, wherein the relationship between the number of times of imprinting processing and the timing of erasing the type is such that, when the cumulative number of times of the imprint processing increases, the frequency of erasure of the type increases with respect to the number of times of the imprint processing Characterized by an imprint device. 기판 상의 임프린트재에 형을 접촉시키는 접촉 공정과,
상기 접촉 공정에 의해 상기 기판 상의 상기 임프린트재에 상기 형을 접촉시킨 상태에서 해당 임프린트재를 경화시키는 경화 공정과,
상기 경화된 임프린트재와 상기 형을 분리하는 이형 공정과,
상기 이형 공정의 횟수와 상기 형의 표면 전위의 관계를 나타내는 대전 특성에 기초하여, 상기 형의 제전을 행할 타이밍을 결정하는 결정 공정
을 갖는 것을 특징으로 하는 임프린트 방법.
A contact step of bringing the mold into contact with the imprint material on the substrate,
A curing step of curing the imprint material while the mold is in contact with the imprint material on the substrate by the contact step;
A mold releasing step of separating the cured imprint material from the mold,
Based on the charging characteristics indicating the relationship between the number of times of the mold-releasing process and the surface potential of the mold,
Wherein the imprinting method comprises:
기판 상의 임프린트재에 형을 접촉시키는 접촉 공정과,
상기 접촉 공정에 의해 상기 기판 상의 상기 임프린트재에 상기 형을 접촉시킨 상태에서 해당 임프린트재를 경화시키는 경화 공정과,
상기 경화된 임프린트재와 상기 형을 분리하는 이형 공정과,
상기 이형 공정의 횟수와 상기 형의 제전을 행할 타이밍의 관계에 기초하여, 상기 형의 제전을 행하는 제전 공정
을 갖는 것을 특징으로 하는 임프린트 방법.
A contact step of bringing the mold into contact with the imprint material on the substrate,
A curing step of curing the imprint material while the mold is in contact with the imprint material on the substrate by the contact step;
A mold releasing step of separating the cured imprint material from the mold,
Based on the relationship between the number of times of the above-mentioned mold-releasing process and the timing of carrying out the above-described type of erasing,
Wherein the imprinting method comprises:
제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 기재된 임프린트 장치를 사용하여 기판에 패턴을 형성하는 공정과,
상기 패턴이 형성된 기판을 가공하는 공정
을 갖고, 상기 가공된 기판으로부터 물품을 제조하는 것을 특징으로 하는 물품의 제조 방법.
A method for manufacturing a semiconductor device, comprising the steps of: forming a pattern on a substrate using the imprint apparatus according to any one of claims 1 to 10;
A step of processing the substrate on which the pattern is formed
Wherein the article is manufactured from the processed substrate.
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