KR20190051654A - method for treating substrate - Google Patents

method for treating substrate Download PDF

Info

Publication number
KR20190051654A
KR20190051654A KR1020170147527A KR20170147527A KR20190051654A KR 20190051654 A KR20190051654 A KR 20190051654A KR 1020170147527 A KR1020170147527 A KR 1020170147527A KR 20170147527 A KR20170147527 A KR 20170147527A KR 20190051654 A KR20190051654 A KR 20190051654A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
lower housing
upper housing
housing
guiding groove
Prior art date
Application number
KR1020170147527A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102538114B1 (en
Inventor
조용진
박상진
조병권
길연진
이근택
차지훈
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020170147527A priority Critical patent/KR102538114B1/en
Publication of KR20190051654A publication Critical patent/KR20190051654A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102538114B1 publication Critical patent/KR102538114B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68721—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge clamping, e.g. clamping ring

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

The present invention discloses a substrate processing apparatus. The apparatus includes: a lower housing; an upper housing covering the lower housing; and a chuck provided between the upper housing and the lower housing and receiving a substrate. The upper housing can have a gap of 1.5 mm to 5.5 mm from the substrate on the chuck.

Description

기판 처리 장치 {method for treating substrate}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001]

본 발명은 반도체 소자의 제조장치에 관한 것으로, 상세하게는 기판을 건조하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device manufacturing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus for drying a substrate.

최근, 반도체 소자의 디자인 룰은 빠르게 감소하고 있다. 이에 따른 반도체 소자의 제조 방법은 다양하게 개발되고 있다. 예를 들어, 습식 세정 공정의 세정액은 건조 시 표면 장력에 의해 패턴을 붕괴시키거나 패턴간에 달라 붙는 불량을 일으킬 수 있다. 초임계 건조 공정은 기판 상의 세정액을 초임계 유체로 대체하여 패턴 붕괴 불량 및 패턴 접합 불량을 방지할 수 있다. 그럼에도 불구하고, 초임계 건조 공정은 세정 공정에 비해 장시간 소요될 수 있다.In recent years, the design rule of semiconductor devices has been rapidly decreasing. Accordingly, various methods for manufacturing semiconductor devices have been developed. For example, a cleaning liquid in a wet cleaning process may cause a failure in drying due to surface tension, or a defect in sticking between the patterns. The supercritical drying process can replace the cleaning liquid on the substrate with supercritical fluid to prevent pattern collapse failure and pattern bonding failure. Nevertheless, the supercritical drying process can take a longer time than the cleaning process.

본 발명의 일 과제는 파티클 발생을 억제하고, 건조 시간을 단축할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 데 있다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of suppressing the generation of particles and shortening the drying time.

본 발명은 기판 처리 장치를 개시한다. 그의 장치는, 하부 하우징; 상기 하부 하우징을 덮는 상부 하우징; 및 상기 상부 하우징과 하부 하우징 사이에 배치되어 기판을 수납하는 척을 포함한다. 상기 상부 하우징은 상기 척 상의 상기 기판으로부터 1.5mm 내지 5.5mm의 갭을 가질 수 있다.The present invention discloses a substrate processing apparatus. The apparatus includes a lower housing; An upper housing covering the lower housing; And a chuck disposed between the upper housing and the lower housing to receive the substrate. The upper housing may have a gap of 1.5 mm to 5.5 mm from the substrate on the chuck.

상술한 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 약 100cm3 내지 약 400 cm3의 내부 부피(internal volume)을 갖는 챔버를 포함할 수 있다. 상기 챔버는 초임계 유체 내의 파티클을 약 1만개이하로 억제하고, 기판의 건조시간을 약 1분 40초 이하로 단축할 수 있다.As described above, the substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention may include a chamber having an internal volume of about 100 cm 3 to about 400 cm 3 . The chamber can suppress particles in the supercritical fluid to about 10,000 or less and shorten the drying time of the substrate to about 1 minute and 40 seconds or less.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 시스템을 보여주는 평면도이다.
도 2는 도 1의 건조 장치들의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 3은 도 2의 기판과 상부 하우징 사이의 거리에 따른 파티클의 개수와 기판 처리 시간을 보여주는 그래프들이다.
도 4는 도 2의 척의 일 예를 보여주는 사시도이다.
도 5는 도 2의 오링의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 6은 도 2의 하부 하우징의 일 예를 보여주는 평면도이다.1 is a plan view showing a substrate processing system according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view showing an example of the drying apparatus of FIG. 1;
FIG. 3 is a graph showing the number of particles and the substrate processing time according to the distance between the substrate and the upper housing of FIG. 2. FIG.
Fig. 4 is a perspective view showing an example of the chuck of Fig. 2;
5 is a cross-sectional view showing an example of the O-ring of FIG.
FIG. 6 is a plan view showing an example of the lower housing of FIG. 2. FIG.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 시스템(10)을 보여준다. Figure 1 shows a substrate processing system 10 in accordance with an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 기판 처리 시스템(10)은 습식 처리 시스템(wet process system)를 포함할 수 있다. 일 예에 따르면, 기판 처리 시스템(10)은 기판 반송 장치(20), 연마 장치들(30), 세정 장치들(40), 및 건조 장치들(50)를 포함할 수 있다. Referring to Figure 1, the substrate processing system 10 of the present invention may include a wet process system. According to one example, the substrate processing system 10 may include a substrate transfer device 20, polishing devices 30, cleaning devices 40, and drying devices 50.

상기 기판 반송 장치(20)는 상기 연마 장치들(30), 상기 세정 장치들(40) 및 상기 건조 장치들(50)로 가이드 레일(22)을 따라 기판(W)을 반송할 수 있다. 상기 기판(W)은 기판 반송 장치(20)에 의해 로드 포트들(14) 상의 캐리어들(12)에 로딩/언로딩될 수 있다. The substrate transfer apparatus 20 can transfer the substrate W along the guide rails 22 to the polishing apparatuses 30, the cleaning apparatuses 40 and the drying apparatuses 50. The substrate W can be loaded / unloaded by the substrate transfer device 20 into the carriers 12 on the load ports 14. [

상기 연마 장치들(30)은 가이드 레일(22)의 말단에 배치될 수 있다. 상기 연마 장치들(30)은 상기 기판(W)을 연마할 수 있다. 예를 들어, 상기 연마 장치들(30)은 습식의 슬러리를 이용하여 상기 기판(W)의 화학적기계적연마(CMP) 공정을 수행할 수 있다.The polishing apparatuses 30 may be disposed at the distal end of the guide rail 22. The polishing apparatuses 30 may polish the substrate W. [ For example, the polishing apparatuses 30 may perform a chemical mechanical polishing (CMP) process of the substrate W using a wet slurry.

상기 세정 장치들(40)은 상기 연마 장치들(30)과 상기 로드 포트들(14) 사이에 배치될 수 있다. 상기 세정 장치들(40)은 강산성 세정제 및/또는 유기 용매를 사용하여 상기 기판(W)을 습식으로 세정할 수 있다. 예를 들어, 상기 세정 장치들(40)은 이소프로필렌 알코올(IPA)을 사용하여 상기 기판(W)을 세정할 수 있다. The cleaning devices 40 may be disposed between the polishing devices 30 and the load ports 14. The cleaning devices 40 can wet the substrate W using a strongly acidic cleaning agent and / or an organic solvent. For example, the cleaning devices 40 may clean the substrate W using isopropylene alcohol (IPA).

상기 건조 장치들(50)은 상기 세정 장치들(40)과 상기 로드 포트들(14) 사이에 배치될 수 있다. 상기 건조 장치들(50)은 상기 기판(W)을 건조할 수 있다. 예를 들어, 상기 건조 장치들(50)은 초임계 유체(ex, CO2)를 사용하여 상기 기판(W) 상의 이소프로필렌 알코올을 건조 및/또는 처리할 수 있다. The drying devices 50 may be disposed between the cleaning devices 40 and the load ports 14. The drying devices 50 may dry the substrate W. For example, the drying devices 50 can dry and / or treat isopropylene alcohol on the substrate W using supercritical fluid (ex, CO 2 ).

도 2는 도 1의 건조 장치들(50)의 일 예를 보여준다.Fig. 2 shows an example of the drying devices 50 of Fig.

도 2를 참조하면, 건조 장치들(50)의 각각은 챔버(60), 초임계 유체 공급 부(70) 및 배기 부(80)를 포함할 수 있다. 상기 챔버(60) 내에는 상기 기판(W)이 제공될 수 있다. 상기 초임계 유체 공급 부(70)는 상기 챔버(60) 내에 초임계 유체(72)를 공급할 수 있다. 상기 초임계 유체(72)는 상기 기판(W) 상의 이소프로필렌 알코올을 용해시켜 상기 기판(W)을 건조시킬 수 있다. 상기 배기 부(80)는 상기 챔버(60) 내의 상기 초임계 유체(72)를 배기할 수 있다. 상기 기판(W)은 상기 초임계 유체(72)에 의해 상기 이소프로필렌 알코올(IPA)의 건조 자국없이 건조될 수 있다. Referring to FIG. 2, each of the drying apparatuses 50 may include a chamber 60, a supercritical fluid supply unit 70, and an exhaust unit 80. The substrate W may be provided in the chamber 60. The supercritical fluid supply part 70 may supply the supercritical fluid 72 into the chamber 60. The supercritical fluid 72 may dissolve isopropylene alcohol on the substrate W to dry the substrate W. [ The exhaust portion 80 may exhaust the supercritical fluid 72 in the chamber 60. The substrate W may be dried by the supercritical fluid 72 without drying the isopropylene alcohol (IPA).

한편, 상기 초임계 유체(72)는 상기 챔버(60) 내에 상압(ex, 1기압)보다 높은 고압(ex, 10 기압 내지 100기압)으로 제공될 수 있다. 상기 챔버(60)의 내부 부피 및/또는 내부 용적은 상기 초임계 유체(72)의 공급 량 및/또는 소모 량에 비례할 수 있다. 상기 챔버(60)의 내부 부피가 감소되면, 상기 초임계 유체(72)의 공급 량 및/또는 소모 량은 감소할 수 있다. 그럼에도 불구하고, 상기 챔버(60)의 내부 부피가 감소되면, 상기 초임계 유체(72) 내의 파티클(90)의 생성 량(natural generation amount and/or inherent yield)은 증가할 수 있다. The supercritical fluid 72 may be supplied to the chamber 60 at a high pressure (eg, 10 to 100 atm) higher than the atmospheric pressure (ex. 1 atm). The inner volume and / or the inner volume of the chamber 60 may be proportional to the supply amount and / or the consumption amount of the supercritical fluid 72. When the internal volume of the chamber 60 is reduced, the supply amount and / or the consumption amount of the supercritical fluid 72 may be reduced. Nevertheless, as the internal volume of the chamber 60 is reduced, the natural generation amount and / or inherent yield of the particles 90 in the supercritical fluid 72 may increase.

이하, 상기 챔버(60)의 구조에 대해 살펴본 후 상기 파티클(90)의 발생에 대해 설명하기로 한다.Hereinafter, the structure of the chamber 60 will be described, and the generation of the particles 90 will now be described.

도 2를 다시 참조하면, 상기 챔버(60)는 하부 하우징(62), 상부 하우징(64), 척(66), 및 오링(68)을 포함할 수 있다. Referring again to FIG. 2, the chamber 60 may include a lower housing 62, an upper housing 64, a chuck 66, and an O-ring 68.

상기 하부 하우징(62)은 기판(W)의 하부에 배치될 수 있다. 상기 기판(W)은 상기 하부 하우징(62)의 내부 바닥 상에 배치될 수 있다. 이상적으로, 상기 기판(W)은 상기 하부 하우징(62)의 내부 바닥 상에 접촉될 수 있다. The lower housing 62 may be disposed below the substrate W. The substrate W may be disposed on the inner bottom of the lower housing 62. Ideally, the substrate W may be in contact with the inner bottom of the lower housing 62.

상기 상부 하우징(64)은 상기 하부 하우징(62) 상에 배치되어 상기 기판(W)을 덮을 수 있다. 상기 챔버(60)의 내부 부피는 상기 하부 하우징(62)과 상기 상부 하우징(64)에 의해 결정될 수 있다. 상기 초임계 유체 공급 부(70)는 상기 상부 하우징(64)의 중심으로 연결될 수 있다. 상기 기판(W)은 상기 상부 하우징(64)과의 갭(D1)을 가질 수 있다. 상기 초임계 유체(72)는 상기 갭(D1) 내에 충진될 수 있다. 상기 갭(D1)은 약 1.5mm 내지 약 5.5mm의 거리 및/또는 높이일 수 있다. 상기 기판(W)은 약 0.5mm의 두께를 가질 수 있다.The upper housing 64 may be disposed on the lower housing 62 to cover the substrate W. [ The inner volume of the chamber 60 may be determined by the lower housing 62 and the upper housing 64. The supercritical fluid supply part 70 may be connected to the center of the upper housing 64. The substrate W may have a gap D1 with the upper housing 64. The supercritical fluid 72 may be filled in the gap D1. The gap D1 may be a distance and / or height of between about 1.5 mm and about 5.5 mm. The substrate W may have a thickness of about 0.5 mm.

상기 척(66)은 상기 하부 하우징(62)과 상기 상부 하우징(64) 사이에 배치될 수 있다. 상기 척(66)은 상기 기판(W)을 상기 하부 하우징(62)과 상기 상부 하우징(64) 사이에 고정할 수 있다. The chuck 66 may be disposed between the lower housing 62 and the upper housing 64. The chuck 66 may fix the substrate W between the lower housing 62 and the upper housing 64.

상기 오링(68)은 상기 하부 하우징(62)과 상기 상부 하우징(64)의 가장자리들 사이에 배치될 수 있다. 상기 오링(68)은 상기 하부 하우징(62)과 상기 상부 하우징(64)을 밀봉할 수 있다.The O-ring 68 may be disposed between the lower housing 62 and the upper housing 64. The O-ring 68 may seal the lower housing 62 and the upper housing 64.

도 3은 도 2의 갭(D1)에 따른 파티클(90)의 개수와, 기판(W)의 건조 시간을 보여준다.Fig. 3 shows the number of particles 90 along the gap D1 in Fig. 2 and the drying time of the substrate W. Fig.

도 2 및 도 3을 참조하면, 상기 갭(D1)이 약 1.5mm 내지 약 5.5mm일 때, 상기 파티클(90)은 상기 챔버(60) 내에 약 1만 내지 500개정도로 발생될 수 있다. Referring to FIGS. 2 and 3, when the gap D1 is about 1.5 mm to about 5.5 mm, the particles 90 may be generated in the chamber 60 in a range of about 10,000 to about 500.

상기 기판(W)과 상기 상부 하우징(64) 사이의 거리가 약 1.5mm 일 때, 상기 챔버(60)의 내부 부피는 약 100cm3 일 수 있다. 상기 기판(W)의 건조 공정은 약 1분정도 소요될 수 있다. 상기 기판(W)과 상기 상부 하우징(64) 사이의 거리가 약 5.5mm 일 때, 상기 챔버(60)의 내부 부피는 약 400cm3일 수 있다. 상기 기판(W)의 건조 공정은 기존의 2분보다 작은 약 1분 40초 정도 소요될 수 있다. 상기 초임계 유체(72)는 상기 챔버(60) 내에 약 100cm3 내지 약 400cm3 정도 제공될 수 있다. When the distance between the substrate W and the upper housing 64 is about 1.5 mm, the inner volume of the chamber 60 may be about 100 cm 3 . The drying process of the substrate W may take about one minute. When the distance between the substrate W and the upper housing 64 is about 5.5 mm, the inner volume of the chamber 60 may be about 400 cm 3 . The drying process of the substrate W may take about 1 minute and 40 seconds shorter than the conventional 2 minutes. The supercritical fluid 72 may be provided about 100cm to about 400cm 3 3 degree in the chamber 60.

도 4는 도 2의 척(66)을 보여준다.Fig. 4 shows the chuck 66 of Fig.

도 4를 참조하면, 상기 척(66)은 홀더들(65) 및 고정 판들(67)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 4, the chuck 66 may include holders 65 and fixing plates 67.

상기 홀더들(65)은 상기 기판(W)을 수납할 수 있다. 상기 홀더들(65)은 상기 기판(W)의 가장자리를 지지할 수 있다. 예를 들어, 상기 기판(W)은 4개의 상기 홀더들(65)에 의해 수평으로 지지될 수 있다. The holders 65 may house the substrate W. The holders 65 may support the edge of the substrate W. For example, the substrate W may be supported horizontally by four of the holders 65.

상기 고정 판들(67)의 각각은 한 쌍의 상기 홀더들(65)을 서로 연결시킬 수 있다. 상기 고정 판들(67)은 상기 홀더들(65)을 도 3의 상기 상부 하우징(64)에 연결시킬 수 있다. 상기 고정 판들(67)의 각각은 상기 초임계 유체(72)를 통과시키는 유체 홀(69)을 가질 수 있다. Each of the fixing plates 67 may connect a pair of the holders 65 to each other. The fixing plates 67 may connect the holders 65 to the upper housing 64 of FIG. Each of the fixing plates 67 may have a fluid hole 69 through which the supercritical fluid 72 passes.

도 5는 도 2의 오링(68)을 보여준다.Figure 5 shows the O-ring 68 of Figure 2.

도 5를 참조하면, 상기 오링(68)은 상기 하부 하우징(62) 가장자리의 가이딩 홈(63) 내에 배치될 수 있다. 상기 가이딩 홈(63)은 상기 홀더(65)와 정렬될 수 있다. 즉, 상기 가이딩 홈(63)은 상기 상부 하우징(64)의 가장자리 하부 면, 또는 상기 하부 하우징(62)의 가장자리 상부면으로부터 상기 고정 판들(67)의 수직 길이(D2)와 동일한 깊이(D3)를 가질 수 있다. 또한, 상기 가이딩 홈(63)은 상기 하부 하우징(62)의 가장자리 방향으로 경사진 요철(61)을 가질 수 있다. 상기 오링(68)은 상기 경사진 요철(61) 내에 제공될 수 있다. 상기 오링(68)은 비대칭 사다리꼴 모양의 단면을 가질 수 있다. 상기 가이딩 홈(63)과 오링(68)은 그들의 결합 공간(coupling space)을 최소화할 수 있다. 초임계 유체(72)의 배기 시에 상기 가이딩 홈(63)과 오링(68)은 상기 결합 공간 내의 잔류 가스(74)에 의한 상기 기판(W)의 오염을 최소화할 수 있다.Referring to FIG. 5, the O-ring 68 may be disposed in the guiding groove 63 at the edge of the lower housing 62. The guiding groove 63 may be aligned with the holder 65. [ That is, the guiding groove 63 has a depth D3 equal to the vertical length D2 of the fixing plates 67 from the lower surface of the upper housing 64 or the upper surface of the lower housing 62, ). Further, the guiding groove 63 may have a concavity and convexity inclined in the direction of the edge of the lower housing 62. The O-rings 68 may be provided in the inclined irregularities 61. The O-ring 68 may have an asymmetrical trapezoidal cross section. The guiding groove 63 and the O-ring 68 can minimize their coupling space. When the supercritical fluid 72 is evacuated, the guiding groove 63 and the O-ring 68 can minimize contamination of the substrate W by the residual gas 74 in the coupling space.

도 6은 도 2의 하부 하우징(62)의 일 예를 보여준다.Fig. 6 shows an example of the lower housing 62 of Fig.

도 6을 참조하면, 상기 하부 하우징(62)은 상기 가이딩 홈(63) 상에 배치되어 상기 오링(68)을 상기 가이딩 홈(63) 내에 고정(clamp)하는 클램핑 부들(92)을 포함할 수 있다. 상기 클램핑 부들(92)은 상기 오링(68)의 원주 방향으로 서로 이격할 수 있다. 초임계 유체(72)의 배기 시, 상기 가이딩 홈(63)과 오링(68) 사이의 상기 결합 공간 내의 잔류 가스(74)는 상기 클램핑 부들(92) 사이로 배기될 수 있다. 예를 들어, 상기 클램핑 부들(92)의 각각은 기둥(pillar)을 포함할 수 있다. 6, the lower housing 62 includes clamping portions 92 disposed on the guiding groove 63 to clamp the O-ring 68 in the guiding groove 63 can do. The clamping portions 92 may be spaced from each other in the circumferential direction of the O-ring 68. The residual gas 74 in the engagement space between the guiding groove 63 and the O-ring 68 can be exhausted between the clamping portions 92 when the supercritical fluid 72 is evacuated. For example, each of the clamping portions 92 may include a pillar.

이상, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시 예들을 예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들 및 응용 예에는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the exemplary embodiments or constructions. It can be understood that It is therefore to be understood that the above-described embodiments and applications are illustrative in all aspects and not restrictive.

Claims (10)

하부 하우징;
상기 하부 하우징을 덮는 상부 하우징; 및
상기 상부 하우징과 하부 하우징 사이에 배치되어 기판을 수납하는 척을 포함하되,
상기 상부 하우징은 상기 척 상의 상기 기판으로부터 1.5mm 내지 5.5mm의 갭을 갖는 기판 처리 장치.
A lower housing;
An upper housing covering the lower housing; And
And a chuck disposed between the upper housing and the lower housing to receive the substrate,
Wherein the upper housing has a gap of 1.5 mm to 5.5 mm from the substrate on the chuck.
제 1 항에 있어서,
상기 상부 하우징의 중심으로 연결되고, 상기 상부 하우징과 상기 하부 하우징 사이에 초임계 유체를 제공하는 초임계 유체 공급 부를 더 포함하는 기판 처리 장치.
The method according to claim 1,
Further comprising a supercritical fluid supply coupled to a center of the upper housing and providing a supercritical fluid between the upper housing and the lower housing.
제 2 항에 있어서,
상기 척은 상기 기판의 가장자리를 지지하는 복수개의 홀더들을 포함하는 기판 처리 장치.
3. The method of claim 2,
Wherein the chuck comprises a plurality of holders for supporting an edge of the substrate.
제 3 항에 있어서,
상기 척은 상기 홀더들을 상기 상부 하우징에 연결하고 상기 초임계 유체를 통과시키는 유체 홀들을 갖는 고정 판을 더 포함하는 기판 처리 장치.
The method of claim 3,
Wherein the chuck further comprises a fixation plate having fluid holes connecting the holders to the upper housing and allowing the supercritical fluid to pass therethrough.
제 4 항에 있어서,
상기 하부 하우징의 가장자리와 상기 상부 하우징의 가장자리 사이에 배치되어 상기 하부 하우징과 상기 상부 하우징을 밀봉하는 오링을 더 포함하는 기판 처리장치.
5. The method of claim 4,
And an O-ring disposed between an edge of the lower housing and an edge of the upper housing to seal the lower housing and the upper housing.
제 5 항에 있어서,
상기 하부 하우징은 상기 오링을 고정하는 가이딩 홈을 갖는 기판 처리장치.
6. The method of claim 5,
Wherein the lower housing has a guiding groove for fixing the O-ring.
제 6 항에 있어서,
상기 가이딩 홈은 상기 홀더들과 정렬되는 기판 처리 장치.
The method according to claim 6,
Wherein the guiding groove is aligned with the holders.
제 6 항에 있어서,
상기 가이딩 홈은 상기 고정 판의 수직 길이와 동일한 깊이를 갖는 기판 처리 장치.
The method according to claim 6,
Wherein the guiding groove has a depth equal to a vertical length of the fixing plate.
제 6 항에 있어서,
상기 하부 하우징은 상기 가이딩 홈의 상에 배치되어, 상기 가이딩 홈 내에 상기 오링을 고정하는 클램핑 부들을 더 포함하는 기판 처리 장치.
The method according to claim 6,
Wherein the lower housing further comprises clamping portions disposed on the guiding groove for clamping the O-ring in the guiding groove.
제 6 항에 있어서,
상기 가이딩 홈은 상기 하부 하우징의 외곽 방향으로 요철을 갖되,
상기 오링은 상기 요철 내에 제공되고, 비대칭 사다리꼴 모양의 단면을 갖는 기판 처리 장치.
The method according to claim 6,
Wherein the guiding groove has a concavo-convex shape in the outward direction of the lower housing,
Wherein the O-ring is provided in the concavity and convexity and has an asymmetrical trapezoidal cross section.
KR1020170147527A 2017-11-07 2017-11-07 method for treating substrate KR102538114B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170147527A KR102538114B1 (en) 2017-11-07 2017-11-07 method for treating substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170147527A KR102538114B1 (en) 2017-11-07 2017-11-07 method for treating substrate

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190051654A true KR20190051654A (en) 2019-05-15
KR102538114B1 KR102538114B1 (en) 2023-05-31

Family

ID=66579565

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170147527A KR102538114B1 (en) 2017-11-07 2017-11-07 method for treating substrate

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102538114B1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11688623B2 (en) 2019-08-21 2023-06-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Wafer inspection apparatuses

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0357190U (en) * 1989-10-06 1991-05-31
JP2007187289A (en) * 2006-01-16 2007-07-26 Tokyo Electron Ltd Decompression container and decompression processing apparatus
KR20100054518A (en) * 2008-11-14 2010-05-25 세메스 주식회사 Vessel of washing device for super critical fluid
KR20150073527A (en) * 2013-12-23 2015-07-01 삼성전자주식회사 Sealing member and substrate processing apparatus having the same
KR20160053339A (en) * 2014-11-03 2016-05-13 세메스 주식회사 Apparatus for treating a substrate
KR101654627B1 (en) * 2015-07-31 2016-09-07 세메스 주식회사 Apparatus and method for treating substrate

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0357190U (en) * 1989-10-06 1991-05-31
JP2007187289A (en) * 2006-01-16 2007-07-26 Tokyo Electron Ltd Decompression container and decompression processing apparatus
KR20100054518A (en) * 2008-11-14 2010-05-25 세메스 주식회사 Vessel of washing device for super critical fluid
KR20150073527A (en) * 2013-12-23 2015-07-01 삼성전자주식회사 Sealing member and substrate processing apparatus having the same
KR20160053339A (en) * 2014-11-03 2016-05-13 세메스 주식회사 Apparatus for treating a substrate
KR101654627B1 (en) * 2015-07-31 2016-09-07 세메스 주식회사 Apparatus and method for treating substrate

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11688623B2 (en) 2019-08-21 2023-06-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Wafer inspection apparatuses

Also Published As

Publication number Publication date
KR102538114B1 (en) 2023-05-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102632725B1 (en) Substrate support plate, thin film deposition apparatus including the same, and thin film deposition method
US10529594B2 (en) Apparatus and method for treating substrate
CN108140603B (en) Substrate support and baffle apparatus
KR101935953B1 (en) Apparatus and Method for treating substrate
KR101853377B1 (en) Apparatus and Method for treating substrate
KR20170009539A (en) Unit for supplying treating liquid and Apparatus for treating substrate
KR100900594B1 (en) Substrate processing system, substrate processing method, and storage medium
US10446425B2 (en) Substrate treating system
KR20190051654A (en) method for treating substrate
KR101981559B1 (en) Apparatus for treating substrate with the unit
KR20140029095A (en) Substrates treating method
JP2021034738A (en) Substrate treatment apparatus and substrate treatment method
JP6944830B2 (en) Work holding mechanism and work processing system
KR102215641B1 (en) Lift pin assembly and substrate processing apparatus having the same
TW201539563A (en) Method for drying wafer substrates and wafer holder for conduction of the method
KR102061004B1 (en) Substrate treating apparatus and substrate treating method
KR101053997B1 (en) Substrate Processing Apparatus and Method
JP7335935B2 (en) SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND CONNECTING METHOD OF SUPPORT UNIT
KR102392490B1 (en) Apparatus for treating substrate
JP7225359B2 (en) Substrate processing equipment
CN115148625A (en) Substrate processing apparatus and substrate processing apparatus
KR20060116375A (en) Lift pin for plasma discharger
KR100887582B1 (en) Apparatus for processing a wafer and method of processing a wafer using the apparatus
KR101873804B1 (en) Apparatus and method for treating substrate
TW202414641A (en) Drying apparatus and substrate treating apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
GRNT Written decision to grant