KR20190047169A - Display apparatus and method of fabricating the same - Google Patents
Display apparatus and method of fabricating the same Download PDFInfo
- Publication number
- KR20190047169A KR20190047169A KR1020170140234A KR20170140234A KR20190047169A KR 20190047169 A KR20190047169 A KR 20190047169A KR 1020170140234 A KR1020170140234 A KR 1020170140234A KR 20170140234 A KR20170140234 A KR 20170140234A KR 20190047169 A KR20190047169 A KR 20190047169A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- column spacer
- common electrode
- insulating substrate
- thickness
- disposed
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
- G02F1/13392—Gaskets; Spacers; Sealing of cells spacers dispersed on the cell substrate, e.g. spherical particles, microfibres
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
- G02F1/13394—Gaskets; Spacers; Sealing of cells spacers regularly patterned on the cell subtrate, e.g. walls, pillars
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133345—Insulating layers
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
- G02F1/133512—Light shielding layers, e.g. black matrix
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
- G02F1/133514—Colour filters
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
- G02F1/13396—Spacers having different sizes
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
- G02F1/13398—Spacer materials; Spacer properties
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/13439—Electrodes characterised by their electrical, optical, physical properties; materials therefor; method of making
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133357—Planarisation layers
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
- G02F1/133514—Colour filters
- G02F1/133519—Overcoatings
-
- G02F2001/13396—
-
- G02F2001/13398—
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/12—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
- G02F2201/121—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode common or background
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/12—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
- G02F2201/123—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode pixel
Abstract
Description
본 발명은 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a display device and a method of manufacturing the same.
액정 표시 장치는 TV, 모니터, 노트북 뿐만 아니라, 모바일폰, PDA, 스마트폰 등 다양한 장치에 적용되고 있다. 액정 표시 장치는 하부 기판과 상부 기판 사이에 액정층을 개재하고, 액정의 배향 각도를 제어하여 투과율을 조절함으로써 화상을 표시한다. 상부 기판에는 컬럼 스페이서가 배치되어 셀갭을 유지한다. Liquid crystal display devices are being applied not only to TVs, monitors, and laptops but also to various devices such as mobile phones, PDAs, and smart phones. A liquid crystal display displays an image by interposing a liquid crystal layer between a lower substrate and an upper substrate and adjusting the transmittance by controlling the orientation angle of the liquid crystal. A column spacer is disposed on the upper substrate to maintain the cell gap.
액정의 배향 각도는 전계에 의해 제어된다. 액정 표시 장치는 전계 생성 전극으로서 화소 전극과 공통 전극을 포함한다. 통상 화소 전극은 하부 기판에 구비되고, 공통 전극은 상부 기판에 구비된다. The alignment angle of the liquid crystal is controlled by an electric field. The liquid crystal display device includes a pixel electrode and a common electrode as electric field generating electrodes. Usually, the pixel electrode is provided on the lower substrate, and the common electrode is provided on the upper substrate.
공통 전극은 투명한 물질로 이루어져 기본적으로 빛을 투과시키지만, 다른 한편으로 광학 계면에서 일부의 빛을 반사시킬 수 있다. 공통 전극은 표시면 측에 위치하므로 외광에 노출되었을 때 외광 반사를 유발하여 표시 품질을 저하시킬 수 있다. 공통 전극으로 많이 사용되는 ITO는 굴절율이 1.8 내지 1.9 정도로 반사율을 저감시키는 데에 한계가 있다. The common electrode is made of a transparent material so that it basically transmits light, but on the other hand it can reflect some light at the optical interface. Since the common electrode is located on the display surface side, it may cause reflection of external light when exposed to external light, thereby deteriorating display quality. ITO, which is widely used as a common electrode, has a refractive index of 1.8 to 1.9, which limits the reduction of the reflectance.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 외광 반사가 개선된 표시 장치를 제공하고자 하는 것이다. SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a display device with improved external light reflection.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 외광 반사가 개선된 표시 장치의 제조 방법을 제공하고자 하는 것이다. Another object of the present invention is to provide a method of manufacturing a display device with improved external light reflection.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems of the present invention are not limited to the above-mentioned problems, and other technical subjects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.
상기 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치는 서로 대향하며, 각각 화소 영역 및 화소 경계를 포함하는 제1 절연 기판과 제2 절연 기판, 상기 제2 절연 기판 상에 배치된 컬럼 스페이서, 및 상기 제2 절연 기판 상에 배치되고 상기 컬럼 스페이서를 적어도 부분적으로 덮으며, 전도성 고분자를 포함하는 공통 전극을 포함한다. According to an embodiment of the present invention, there is provided a display device comprising: a first insulating substrate and a second insulating substrate which are opposed to each other and which each include a pixel region and a pixel boundary, a column spacer disposed on the second insulating substrate, And a common electrode disposed on the second insulating substrate and at least partially covering the column spacer, the common electrode including a conductive polymer.
상기 컬럼 스페이서는 상기 제2 절연 기판의 상기 화소 경계 상에 위치할 수 있다. The column spacer may be located on the pixel boundary of the second insulating substrate.
상기 제2 절연 기판의 상기 화소 경계 상에 배치된 블랙 매트릭스를 더 포함하되, 상기 컬럼 스페이서는 상기 블랙 매트릭스 상에 배치될 수 있다. And a black matrix disposed on the pixel boundary of the second insulating substrate, wherein the column spacer may be disposed on the black matrix.
상기 공통 전극은 상기 제2 절연 기판의 상기 화소 영역 및 상기 컬럼 스페이서의 단부에 배치되고, 상기 화소 영역 상의 상기 공통 전극의 두께는 상기 컬럼 스페이서의 단부 상의 상기 공통 전극의 두께보다 두꺼울 수 있다. The common electrode may be disposed at the pixel region of the second insulating substrate and at the end of the column spacer and the thickness of the common electrode on the pixel region may be thicker than the thickness of the common electrode on the end of the column spacer.
상기 컬럼 스페이서는 메인 컬럼 스페이서 및 상기 메인 컬럼 스페이서보다 높이가 작은 서브 컬럼 스페이서를 포함하고, 상기 메인 컬럼 스페이서의 단부 상의 상기 공통 전극의 두께는 상기 서브 컬럼 스페이서의 단부 상의 상기 공통 전극의 두께보다 작을 수 있다.Wherein the column spacer includes a main column spacer and a sub column spacer having a height smaller than that of the main column spacer, wherein a thickness of the common electrode on an end portion of the main column spacer is smaller than a thickness of the common electrode on an end portion of the sub column spacer .
상기 공통 전극은 상기 컬럼 스페이서의 측벽 상단부를 노출하고, 상기 컬럼 스페이서의 단부 상에 배치된 공통 전극은 상기 화소 영역 상의 상기 공통 전극과 분리된 플로팅 전극일 수 있다. The common electrode exposes an upper end of the sidewall of the column spacer, and the common electrode disposed on the end of the column spacer may be a floating electrode separated from the common electrode on the pixel region.
상기 공통 전극은 상기 컬럼 스페이서의 측벽 하단부를 덮고, 상기 컬럼 스페이서의 단부 및 측벽 상단부를 노출할 수 있다.The common electrode covers the bottom of the sidewall of the column spacer, and exposes the end of the column spacer and the top of the sidewall.
상기 제1 절연 기판 상의 상기 화소 영역에 배치되며, 투명한 도전성 산화 물질을 포함하는 화소 전극을 더 포함할 수 있다. And a pixel electrode disposed on the pixel region on the first insulating substrate and including a transparent conductive oxide material.
상기 공통 전극의 반사율은 상기 화소 전극의 반사율보다 낮을 수 있다. The reflectance of the common electrode may be lower than that of the pixel electrode.
상기 공통 전극은 상기 제2 절연 기판의 상기 화소 영역 상에 배치되고, 상기 화소 영역 상의 상기 공통 전극은 상기 화소 전극보다 두꺼울 수 있다. The common electrode may be disposed on the pixel region of the second insulating substrate, and the common electrode on the pixel region may be thicker than the pixel electrode.
상기 공통 전극의 굴절율은 1.5 이하일 수 있다. The refractive index of the common electrode may be 1.5 or less.
상기 공통 전극의 반사율은 1.7% 이하이고, 면저항은 150Ω/□ 이하이고, 투과율은 88% 이상일 수 있다. The reflectance of the common electrode may be 1.7% or less, the sheet resistance may be 150 Ω / □ or less, and the transmittance may be 88% or more.
상기 공통 전극의 두께는 100nm 내지 2000nm일 수 있다. The thickness of the common electrode may be 100 nm to 2000 nm.
상기 공통 전극은 PEDOT:PSS막을 포함할 수 있다. The common electrode may include a PEDOT: PSS film.
상기 다른 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은 절연 기판 상에 컬럼 스페이서를 형성하는 단계, 상기 컬럼 스페이서가 형성된 절연 기판 상에 전도성 고분자 및 용매를 포함하는 조성물층을 형성하는 단계, 및 상기 용매를 제거하여 전도성 고분자를 포함하는 공통 전극을 형성하는 단계를 포함한다. According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a display device including forming a column spacer on an insulating substrate, forming a composition layer including a conductive polymer and a solvent on the insulating substrate on which the column spacer is formed And removing the solvent to form a common electrode including the conductive polymer.
상기 용매를 제거하는 단계는 건조 및 베이크 단계를 포함할 수 있다. The step of removing the solvent may include a drying and baking step.
상기 컬럼 스페이서를 형성하는 단계는 유기물을 도포하는 단계, 및 마스크를 이용하여 노광하고 현상하는 단계를 포함할 수 있다. The step of forming the column spacer may include applying organic material, and exposing and developing using a mask.
상기 컬럼 스페이서는 메인 컬럼 스페이서 및 상기 메인 컬럼 스페이서보다 높이가 작은 서브 컬럼 스페이서를 포함하고, 상기 마스크는 슬릿 마스크 또는 하프톤 마스크를 포함할 수 있다.The column spacer includes a main column spacer and a sub column spacer having a height smaller than the main column spacer, and the mask may include a slit mask or a halftone mask.
상기 전도성 고분자는 PEDOT:PSS를 포함할 수 있다. The conductive polymer may include PEDOT: PSS.
상기 조성물층은 상기 컬럼 스페이서가 모두 잠기는 두께로 코팅될 수 있다. The composition layer may be coated to a thickness such that all the column spacers are submerged.
기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.The details of other embodiments are included in the detailed description and drawings.
일 실시예에 따른 표시 장치에 의하면, 공통 전극으로 상대적으로 굴절율이 낮은 전도성 고분자 물질을 사용하므로 외광 반사를 줄일 수 있다. 또, 공통 전극을 슬릿 코팅 등의 방식으로 형성하므로 공정 비용을 절감할 수 있다. According to the display device of one embodiment, since the conductive polymer material having a relatively low refractive index is used as the common electrode, the reflection of external light can be reduced. In addition, since the common electrode is formed by a method such as slit coating, the process cost can be reduced.
일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법에 의하면 공통 전극 형성 단계 이전에 컬럼 스페이서 형성 단계를 완료하므로, 전도성 고분자가 컬럼 스페이서의 현상액에 노출되는 것을 미연에 방지할 수 있다. According to the method of manufacturing a display device according to an embodiment, since the column spacer forming step is completed before the common electrode forming step, the conductive polymer can be prevented from being exposed to the developer of the column spacer in advance.
실시예들에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.Effects according to the embodiments are not limited by the contents exemplified above, and more various effects are included in the specification.
도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면 배치도이다.
도 2는 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 3은 일 실시예에 따른 박막 트랜지스터 기판을 나타낸 단면도이다.
도 4는 일 실시예에 따른 표시 장치의 화소 전극과 공통 전극을 나타낸 개략적인 단면도이다.
도 5는 일 실시예에 따른 표시 장치의 상부 기판의 단면도이다.
도 6 내지 도 8은 도 5의 상부 기판을 제조하는 방법을 나타낸 공정 단계별 단면도들이다.
도 9는 다른 실시예에 따른 표시 장치의 상부 기판의 단면도이다.
도 10은 도 9의 공통 전극의 배치도이다.
도 11은 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 상부 기판의 단면도이다.
도 12는 도 11의 공통 전극의 배치도이다.
도 13은 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 상부 기판의 단면도이다.
도 14는 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 상부 기판의 단면도이다. 1 is a plan view of a display device according to an embodiment.
2 is a cross-sectional view of a display device according to an embodiment.
3 is a cross-sectional view of a thin film transistor substrate according to an embodiment.
4 is a schematic cross-sectional view illustrating a pixel electrode and a common electrode of a display device according to an embodiment.
5 is a cross-sectional view of an upper substrate of a display device according to an embodiment.
FIGS. 6 to 8 are cross-sectional views showing steps of a method of manufacturing the upper substrate of FIG.
9 is a cross-sectional view of an upper substrate of a display device according to another embodiment.
10 is a layout diagram of the common electrode of FIG.
11 is a cross-sectional view of an upper substrate of a display device according to yet another embodiment.
12 is a layout diagram of the common electrode of FIG.
13 is a cross-sectional view of an upper substrate of a display device according to yet another embodiment.
14 is a cross-sectional view of an upper substrate of a display device according to another embodiment.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The advantages and features of the present invention and the manner of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described in detail below with reference to the accompanying drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as being limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art. Is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.It is to be understood that elements or layers are referred to as " on " of other elements or layers, including all other elements or layers intervening directly or intervening other elements. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification.
비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있음은 물론이다.Although the first, second, etc. are used to describe various components, it goes without saying that these components are not limited by these terms. These terms are used only to distinguish one component from another. Therefore, it goes without saying that the first component mentioned below may be the second component within the technical scope of the present invention.
이하, 첨부된 도면을 참고로 하여 실시예들에 대해 설명한다.Hereinafter, embodiments will be described with reference to the accompanying drawings.
도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면 배치도이다. 1 is a plan view of a display device according to an embodiment.
도 1을 참조하면, 표시 장치(10)는 복수의 화소(PX)를 포함한다. 복수의 화소(PX)는 매트릭스 형상으로 배열될 수 있다. 복수의 화소(PX)는 특정 컬러를 표시하는 복수의 색 화소들 나뉠 수 있다. 예를 들어, 복수의 화소(PX)는 복수의 적색 화소, 복수의 녹색 화소 및 복수의 청색 화소를 포함할 수 있다. 적색, 녹색, 청색 화소는 각각 교대로 배열될 수 있다. Referring to Fig. 1, the
각 화소(PX)의 경계에는 블랙 매트릭스(220)가 배치되어 빛의 투과를 막을 수 있다. 블랙 매트릭스(220)는 격자 형상을 가질 수 있다. A
표시 장치(10)는 서로 대향하는 하부 기판(100)과 상부 기판(200)을 포함할 수 있고, 이들간의 간격을 유지하는 역할을 하는 컬럼 스페이서(230)를 포함할 수 있다. 컬럼 스페이서(230)는 상부 기판(200) 또는 하부 기판(100) 상에 형성될 수 있다. The
컬럼 스페이서(230)는 화소의 경계에 위치할 수 있다. 컬럼 스페이서(230)는 블랙 매트릭스(220)와 중첩할 수 있다. 일 실시예에서, 컬럼 스페이서(230)는 블랙 매트릭스(220)의 행 방향 연장부(REP)와 열 방향 연장부(CEP)가 교차하는 교차 영역(CSR) 상에 배치될 수 있다. 그러나, 이에 제한되는 것은 아니고, 블랙 매트릭스(220)의 행 방향 연장부(REP)나 열 방향 연장부(CEP) 상에 배치될 수도 있다. The
컬럼 스페이서(230)는 메인 컬럼 스페이서(231)와 서브 컬럼 스페이서(232)를 포함할 수 있다. 메인 컬럼 스페이서(231)는 통상적인 비가압 상황에서 상부 기판(200)과 하부 기판(100)의 간격을 유지하고, 서브 컬럼 스페이서(232)는 가압 상황에서 상부 기판(200)과 하부 기판(100)의 간격을 유지하는 역할을 할 수 있다. 서브 컬럼 스페이서(232)의 단부의 높이는 메인 컬럼 스페이서(231)의 단부의 높이보다 작을 수 있다. 컬럼 스페이서(230)가 상부 기판(200)에 형성된 경우, 비가압 상황에서 메인 컬럼 스페이서(231)의 단부는 하부 기판(100)과 맞닿지만, 서브 컬럼 스페이서(232)의 단부는 하부 기판(100)과 맞닿지 않고 이격될 수 있다. The
컬럼 스페이서(230)는 모든 교차 영역(CSR)마다 배치될 필요는 없다. 예를 들어, 3개의 교차 영역(CSR) 당 하나씩 배치될 수 있고 다른 다양한 배열이 가능하다. 메인 컬럼 스페이서(231)와 서브 컬럼 스페이서(232)의 배치 밀도는 동일할 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다.The
도 2는 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다. 도 2에서는 설명의 편의상 메인 컬럼 스페이서(231)와 서브 컬럼 스페이서(232)가 하나의 화소의 일측과 타측에 각각 배치된 경우를 도시하였다. 2 is a cross-sectional view of a display device according to an embodiment. In FIG. 2, the
도 2를 참조하면, 표시 장치(10)는 서로 대향하는 하부 기판(100)과 상부 기판(200)을 포함한다. 하부 기판(100)과 상부 기판(200) 사이에는 액정층(300)이 배치된다. 도면으로 도시하지는 않았지만, 액정층(300)에 접하는 하부 기판(100)과 상부 기판(200)에는 각각 배향막이 배치될 수 있다. Referring to FIG. 2, the
하부 기판(100)은 제1 절연 기판(110), 컬러 필터(120), 및 화소 전극(140)을 포함할 수 있다. 제1 절연 기판(110)은 유리, 석영 등 투명한 물질로 이루어질 수 있다. The
컬러 필터(120)와 화소 전극(140)은 제1 절연 기판(110) 상에 배치될 수 있다. 컬러 필터(120)는 제1 절연 기판(110)과 화소 전극(140) 사이에 배치될 수 있다. 컬러 필터(120)와 화소 전극(140)은 각각 화소마다 배치될 수 있다. 컬러 필터(120)는 적색 컬러 필터(120R), 청색 컬러 필터(120B) 및 녹색 컬러 필터(120G)를 포함할 수 있다.The
이웃하는 화소의 컬러 필터(120)는 부분적으로 중첩될 수 있다. 컬러 필터(120)는 단차를 유발할 수 있는데, 컬러 필터(120) 상에 평탄화막(130)이 배치됨으로써 단차가 해소될 수 있다. 화소 전극(140)은 평탄화막(130) 상에 배치될 수 있다. The color filters 120 of neighboring pixels may be partially overlapping. The
화소 전극(140)은 화소별로 구분되고, 별도의 스위칭 소자에 의해 화소 전압을 인가받을 수 있다. 스위칭 소자는 박막 트랜지스터를 포함할 수 있다. 박막 트랜지스터를 구비하는 예시적인 하부 기판(100)의 구조가 도 3에 도시되어 있다. 이하에서, 용어 "박막 트랜지스터 기판"은 박막 트랜지스터를 포함하는 기판을 지칭한다. The
도 3은 일 실시예에 따른 박막 트랜지스터 기판을 나타낸 단면도이다. 도 1 내지 도 3을 참조하면, 제1 절연 기판(110) 상에 게이트 전극(121)이 배치된다. 게이트 전극(121)은 화소의 경계를 따라 행 방향으로 연장되는 게이트 라인과 연결된다. 게이트 라인은 블랙 매트릭스(220)의 행 방향 연장부(REP)와 중첩할 수 있다. 게이트 전극(121) 상에는 게이트 절연막(122)이 배치되고, 게이트 절연막(122) 상에는 반도체층(123)이 배치된다. 반도체층(123)은 비정질 실리콘, 다결정 실리콘 등의 실리콘 반도체나 IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide) 등과 같은 산화물 반도체를 포함할 수 있다. 반도체층(123) 상에는 소스 전극(124) 및 그와 이격된 드레인 전극(125)이 배치된다. 소스 전극(124)은 화소의 경계를 따라 열 방향으로 연장되는 데이터 라인과 연결된다. 데이터 라인은 블랙 매트릭스(220)의 열 방향 연장부(CEP)와 중첩할 수 있다.3 is a cross-sectional view of a thin film transistor substrate according to an embodiment. Referring to FIGS. 1 to 3, a
상술한 게이트 전극(121), 소스 전극(124), 및 드레인 전극(125)은 박막 트랜지스터의 3단자를 이룬다. 반도체층은 박막 트랜지스터의 채널이 된다. 박막 트랜지스터는 블랙 매트릭스(220)의 교차 영역(CSR)과 중첩할 수 있다. The
소스 전극(124)과 드레인 전극(125) 상에는 패시베이션막(126)이 배치되고, 그 위에 컬러 필터(120)가 배치된다. 컬러 필터(120) 상에 평탄화막(130)이 배치되고, 그 위에 화소 전극(140)이 배치된다. 화소 전극(140)은 평탄화막(130), 컬러 필터(120), 및 패시베이션막(126)을 관통하여 드레인 전극(125)을 노출하는 콘택홀(127)을 통해 드레인 전극(125)과 전기적으로 연결된다. 화소 전극(140)은 ITO, IZO 등과 같은 투명한 도전성 산화 물질로 이루어질 수 있다. A
도 3에서는 바텀 게이트 방식의 박막 트랜지스터를 포함하는 박막 트랜지스터 기판을 예시하였지만, 탑 게이트 방식의 박막 트랜지스터가 적용될 수도 있다.Although a thin film transistor substrate including a bottom gate type thin film transistor is illustrated in FIG. 3, a top gate type thin film transistor may also be applied.
다시 도 2를 참조하면, 상부 기판(200)은 제2 절연 기판(210), 블랙 매트릭스(220), 컬럼 스페이서(230) 및 공통 전극(240)을 포함한다. Referring again to FIG. 2, the
제2 절연 기판(210)은 유리, 석영 등 투명한 물질로 이루어질 수 있다. 제2 절연 기판(210) 상에는 블랙 매트릭스(220)가 배치된다. 블랙 매트릭스(220)는 상술한 바와 같이 화소의 경계를 따라 배치될 수 있다. 블랙 매트릭스(220)는 감광성 물질을 포함하는 유기 물질이나 유무기 물질로 이루어지거나, 금속 등과 같은 불투명 무기 물질로 이루어질 수 있다. The second
컬럼 스페이서(230)는 블랙 매트릭스(220) 상에 배치될 수 있다. 컬럼 스페이서(230)는 화소 경계 상에 위치할 수 있다. 컬럼 스페이서(230)는 감광성 물질을 포함하는 유기 물질로 이루어질 수 있다. 컬럼 스페이서(230)는 투명한 물질로 이루어질 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 메인 컬럼 스페이서(231)와 서브 컬럼 스페이서(232)는 동일한 물질을 이용하여 하나의 마스크 공정을 통해 동시에 형성될 수 있다. The column spacers 230 may be disposed on the
컬럼 스페이서(230) 상에는 공통 전극(240)이 배치된다. 공통 전극(240)은 화소 전극(140)과 대향한다. 공통 전극(240)은 복수의 화소에 걸쳐 배치된다. 공통 전극(240)에는 공통 전압이 인가될 수 있다. 화소 전극(140)의 화소 전압과 공통 전극(240)의 공통 전압은 그 사이에 위치하는 액정층(300)에 전계를 형성한다. 화소 전극(140)과 공통 전극(240)은 액정층(300)을 유전체로 하는 액정 커패시터를 이룰 수 있다. A
공통 전극(240)은 전체가 하나로 연결된 통전극일 수 있다. 공통 전극(240)은 표시 장치(10)에 정전기가 발생할 경우, 정전기가 빠져나가는 통로 역할을 할 수 있다. The
공통 전극(240)은 제2 절연 기판(210)의 화소 영역 뿐만 아니라 화소의 경계에도 배치되며, 컬럼 스페이서(230) 상에도 배치되어 컬럼 스페이서(230)의 측벽과 단부를 덮을 수 있다. 공통 전극(240)이 컬럼 스페이서(230)를 덮음에 따라 컬럼 스페이서(230) 상의 공통 전극(240)과 화소 전극(140) 사이에도 전계가 형성될 수 있다. 컬럼 스페이서(230)의 측벽 상의 공통 전극(240)은 화소 영역 상의 공통 전극(240)과 향하는 방향이 상이하므로 전계 방향도 다르게 된다. 그에 따라 컬럼 스페이서(230) 측벽 부근에서 액정(301)의 배향이 달라져 투과율이 달라질 수 있지만, 해당 위치를 블랙 매트릭스(220)가 대체로 커버하고 있으므로, 해당 위치에서의 빛의 누설을 최소화할 수 있다. The
공통 전극(240)은 투명한 도전 물질로 이루어질 수 있다. 공통 전극(240)은 투명한 도전 물질 중에서 전도성 고분자 물질을 포함하여 이루어질 수 있다. 상기 전도성 고분자 물질의 예는 이에 제한되는 것은 아니지만, 폴리에틸렌 디옥시티오펜(polyethylene dioxythiophene, PEDOT), 폴리에틸렌 디옥시티오펜 폴리스티렌 설포네이트(polyethylene dioxythiophene polystyrene sulfonate, PEDOT:PSS), 폴리(3-알킬)티오펜(poly(3-alkyl)thiophene, P3AT), 폴리(3-헥실)티오펜(poly( 3-hexyl)thiophene, P3HT), 폴리아닐린(polyaniline), 폴리아세틸렌(polyacetylene), 폴리아줄렌(polyazulene), 폴리이소시아나프탈렌(polyisothianapthalene), 폴리이소티아나프텐(polyisothianaphthene), 폴리티에닐렌비닐렌(polythienylenevinylene), 폴리티오펜(polythiophene), 폴리페닐렌(polyphenylene), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide), 폴리파라페닐렌(polyparaphenylene), 폴리파라페닐렌 비닐렌(polyparaphenylene vinylene), 폴리퓨란(polyfuran), 폴리피롤(polypyrrole) 폴리헵타디엔(polyheptadiyne) 등을 들 수 있다. 예시적인 실시예에서, 공통 전극(240)은 PEDOT:PSS를 포함할 수 있다. 전도성 고분자 물질 중 하나인 PEDOT:PSS는 공통 전극(240)에서 요구하는 투과율과 도전성을 만족하면서도 낮은 굴절율을 가져 외광 반사를 줄일 수 있다. 이에 대한 구체적인 설명을 위해 도 4가 참조된다.The
도 4는 일 실시예에 따른 표시 장치의 화소 전극과 공통 전극을 나타낸 개략적인 단면도이다. 4 is a schematic cross-sectional view illustrating a pixel electrode and a common electrode of a display device according to an embodiment.
도 4는 화소 전극(140) 물질로 ITO를 사용하고, 공통 전극(240) 물질로 PEDOT:PSS을 사용한 경우를 예시한다. 도 4에 도시된 바와 같이, PEDOT/PSS를 포함하는 공통 전극(240)은 ITO를 포함하는 화소 전극(140)에 비해 평균 두께가 두껍고, 굴절율은 더 낮을 수 있다. 4 illustrates a case where ITO is used for the
공통 전극(240)은 상부 기판(200)에 배치되는데, 외부광이 입사되면 계면에서 외광 반사가 일어날 수 있다. 외광 반사율은 공통 전극(240)의 굴절율이 높을수록 더 크게 나타난다. 예를 들어, 공통 전극(240)으로 굴절율이 1.8 내지 1.9인 ITO를 약 50nm로 적용할 경우, 반사율은 4.47%에 육박한다. ITO의 두께를 135nm까지 늘릴 경우 1.7%까지 반사율을 낮출 수 있지만, 이 경우에도 반사율 저감에 한계가 있다. 뿐만 아니라, ITO는 통상 스퍼터링 증착으로 형성되기 때문에 두께 증가를 위해 많은 공정 시간이 소요되고 재료 소모량도 증가하여 공정 비용이 증가할 수 있다. The
반면, PEDOT:PSS막은 ITO막보다 낮은 굴절율인 약 1.5 또는 그 이하의 굴절율을 가질 수 있다. PEDOT:PSS막은 슬릿 코팅 등의 방식으로 형성될 수 있으므로, ITO보다 두꺼운 두께, 예컨대 100 내지 2000nm 정도로 형성하더라도 공정 비용을 절감할 수 있다. 위와 같은 두께 범위에서 PEDOT/PSS막은 150Ω/□ 이하의 면저항을 갖고, 88% 이상의 투과율을 가지면서 반사율은 1.7%보다 작을 수 있다. PEDOT/PSS막의 반사율은 바람직하게는 1.5% 이하일 수 있다. On the other hand, the PEDOT: PSS film may have a refractive index of about 1.5 or less, which is a lower refractive index than the ITO film. Since the PEDOT: PSS film can be formed by a method such as slit coating, the process cost can be reduced even if it is thicker than ITO, for example, about 100 to 2000 nm. In such a thickness range, the PEDOT / PSS film has a sheet resistance of less than 150? / ?, and the reflectance can be less than 1.7% while having a transmittance of 88% or more. The reflectance of the PEDOT / PSS film may preferably be 1.5% or less.
PEDOT:PSS막의 반사율을 알아보기 위해 18.2인치 크기의 유리 기판 상에 PEDOT:PSS 물질을 슬릿 코팅하였다. 이후 230℃에서 20분간 베이크하여 두께 680nm의 PEDOT:PSS막을 형성하였다. 형성된 PEDOT:PSS막의 물리적 특성을 측정한 결과, 면저항은 116Ω/□이고, 투과율은 89%이면서, 1.4% 반사율을 갖는 것으로 나타나, ITO막과 동등한 수준의 투명 도전 특성을 나타내면서도 더 낮은 반사율을 갖는 것이 확인되었다. The PEDOT: PSS material was slit coated on a 18.2 inch glass substrate to investigate the reflectivity of the PEDOT: PSS film. Thereafter, the film was baked at 230 DEG C for 20 minutes to form a PEDOT: PSS film having a thickness of 680 nm. The physical properties of the formed PEDOT: PSS film were measured. As a result, the sheet resistance was found to be 116 OMEGA / & squ &, the transmittance was 89%, and the reflectance was 1.4%, which exhibited a transparent conductive property equivalent to that of ITO film .
한편, 도 4의 실시예에서는 화소 전극(140)으로 ITO를 적용한 경우를 예시하였지만, 화소 전극(140)도 PEDOT:PSS 등과 같은 전도성 고분자 물질로 이루어질 수도 있다. 4, ITO is applied to the
도 5는 일 실시예에 따른 표시 장치의 상부 기판의 단면도이다. 설명의 편의상 도 5는 도 2와 상하 방향이 반대로 도시되어 있다. 5 is a cross-sectional view of an upper substrate of a display device according to an embodiment. For the convenience of explanation, FIG. 5 is reversed from FIG. 2 and the vertical direction.
도 2 및 도 5를 참조하면, 공통 전극(240)의 두께는 위치별로 상이할 수 있다. 공통 전극(240)은 화소 전극(140)과 대향하는 부위, 다시 말하면 화소 영역에서의 두께(d1)가 컬럼 스페이서(230)가 위치하는 부분의 두께보다 클 수 있다. 메인 컬럼 스페이서(231)의 단부 상에 위치하는 공통 전극(240)의 두께(d4)는 서브 컬럼 스페이서(232)의 단부 상에 위치하는 공통 전극(240)의 두께(d3)보다 작을 수 있다. 화소의 경계 중 컬럼 스페이서(230)가 배치되지 않은 영역에서는 블랙 매트릭스(220) 상에 공통 전극(240)이 배치된다. 블랙 매트릭스(220) 상에 위치하는 공통 전극(240)의 두께(d2)는 화소 영역에서의 두께(d1)보다 작고 컬럼 스페이서(230) 단부의 두께(d3, d4)보다 클 수 있다. Referring to FIGS. 2 and 5, the thickness of the
이와 같은 위치별 공통 전극(240)의 두께 차이는 제2 절연 기판(210)을 기준으로 한 구조물의 높이와 관련된다. 공통 전극(240)이 형성되는 하부 구조물의 높이가 클수록 공통 전극(240)의 두께는 감소한다. 즉, 공통 전극(240)은 제2 절연 기판(210)의 표면에 가장 가까이 위치하는 화소 영역에서 가장 두꺼운 제1 두께(d1)를 갖고, 블랙 매트릭스(220) 상에서 제2 두께(d2)를 갖고, 블랙 매트릭스(220)보다 높이가 큰 서브 컬럼 스페이서(232)의 단부에서 제3 두께(d3)를 가지며, 서브 컬럼 스페이서(232)보다 높이가 큰 메인 컬럼 스페이서(231)의 단부에서 제4 두께(d4)를 갖는다. 여기서, 두께의 크기는 제1 두께(d1), 제2 두께(d2), 제3 두께(d3), 제4 두께(d4)의 순이다. The difference in the thickness of the
상술한 바와 같이 위치별 다른 두께를 갖는 공통 전극(240)을 형성하는 방법이 도 6 내지 도 8을 참고로 하여 설명된다. 도 6 내지 도 8는 도 5의 상부 기판(200)을 제조하는 방법을 나타낸 공정 단계별 단면도들이다. A method of forming the
도 6을 참조하면, 제2 절연 기판(210) 상에 블랙 매트릭스(220)를 형성한다. 예를 들어 감광성 물질을 포함하는 유기물을 도포하고, 마스크를 이용하여 노광하고, 이후 현상하여 특정 패턴을 갖는 블랙 매트릭스(220)를 형성할 수 있다. Referring to FIG. 6, a
도 7을 참조하면, 이어 컬럼 스페이서(230)를 형성한다. 예를 들어, 블랙 매트릭스(220)가 형성된 제2 절연 기판(210) 상에 감광성 물질을 유기물을 도포한다. 이후, 마스크를 이용하여 노광한다. 서로 다른 높이의 컬럼 스페이서(230)를 하나의 공정으로 동시에 형성하기 위해서는 마스크로 슬릿 마스크나 하프톤 마스크를 이용할 수 있다. 이후 현상 공정을 통해 서로 다른 높이를 갖는 메인 컬럼 스페이서(231)와 서브 컬럼 스페이서(232)를 형성할 수 있다. Referring to FIG. 7, a
상술한 컬럼 스페이서(230) 형성 단계는 공통 전극(240) 형성 단계 이전에 진행된다. 일반적으로 전도성 고분자는 컬럼 스페이서(230)의 현상 용액에 취약하다. 따라서, 공통 전극(240)을 먼저 형성한 후 컬럼 스페이서(230)를 형성하게 되면 컬럼 스페이서(230)의 현상액에 전도성 고분자를 포함하는 공통 전극(240)이 노출되어 데미지를 입어 면저항값이 증가할 우려가 있다. 본 실시예와 같이 컬럼 스페이서(230)를 먼저 형성하고 공통 전극(240)을 형성하게 되면 전도성 고분자가 컬럼 스페이서(230)의 현상액에 노출되는 것을 미연에 방지할 수 있다. The above-described
도 8을 참조하면, 컬럼 스페이서(230)가 형성된 제2 절연 기판(210) 상에 전도성 고분자를 포함하는 조성물을 코팅하여 조성물층(240p)을 형성한다. 상기 조성물은 고형분인 전도성 고분자 뿐만 아니라 용매를 더 포함한다. 용매는 후속 공정에서 제거되고 고형분만 남기 때문에, 조성물의 두께는 목표로 하는 공통 전극(240)의 두께보다 훨씬 두꺼운 두께로 코팅된다. 일 실시예에서, 조성물은 컬럼 스페이서(230)가 모두 잠길 정도의 두께로 코팅될 수 있다. Referring to FIG. 8, a composition including a conductive polymer is coated on a second insulating
한편, 상기 조성물은 액체 상태이기 때문에 코팅된 조성물층(240p의 표면은 하부 구조물의 표면 형상을 반영하지 않고 평탄할 수 있다. 따라서, 조성물이 코팅된 두께(수직 방향의 두께)는 영역별로 상이할 수 있다. 즉, 화소 영역에서는 제5 두께(d5)를 갖고, 블랙 매트릭스(220) 위에서는 제6 두께(d6)를 갖고, 서브 컬럼 스페이서(232) 상에서는 제7 두께(d7)를 갖고, 메인 컬럼 스페이서(231) 상에서는 제8 두께(d8)를 갖는다. 여기서, 두께의 크기는 제5 두께(d5), 제6 두께(d6), 제7 두께(d7), 제8 두께(d8)의 순이다. On the other hand, since the composition is in a liquid state, the surface of the coated composition layer 240p may be flat without reflecting the surface shape of the lower structure. Accordingly, the thickness (vertical thickness) A sixth thickness d6 on the
이후, 건조 및 베이크 공정을 거치면서 조성물의 용매가 제거되고 고형분인 전도성 고분자가 제2 절연 기판(210) 상에 잔류하면서 도 5에 도시된 바와 같은 공통 전극(240)이 형성될 수 있다. 조성물층(240p)의 두께가 클수록 고형분의 양도 많기 때문에 더 두꺼운 층을 형성할 수 있다. 따라서, 상술한 바와 같이 가장 두꺼운 조성물층(240p)의 층두께를 가졌던 화소 영역에서 공통 전극(240)의 두께가 가장 크고, 블랙 매트릭스(220) 위, 서브 컬럼 스페이서(232)의 단부 위, 그리고 메인 컬럼 스페이서(231)의 단부 위 순으로 공통 전극(240)의 두께가 작아지게 된다. Thereafter, the solvent of the composition is removed while drying and baking, and the conductive polymer, which is a solid component, remains on the second insulating
공통 전극(240)의 위치별 두께의 차이는 하부 구조물 단차가 클수록 크게 될 것이다. 하부 구조물의 단차가 가장 큰 위치는 컬럼 스페이서(230)와 블랙 매트릭스(220) 사이일 수 있다. 이 경우, 제3 두께(d3)와 제2 두께(d2)의 차이 및 제4 두께(d4)와 제2 두께의 차이는 제1 두께(d1)와 제2 두께(d2)의 차이보다 클 수 있다. The difference in the thickness of the
한편, 화소 영역 상의 공통 전극(240)의 두께(d1)는 화소 전극(140)보다 크지만, 다른 위치에서의 공통 전극(240)의 두께(d2, d3, d4)는 화소 전극(140)과 비교할 때 클 수도 있고, 같은 수도 있고, 작을 수도 있다. 예를 들어, 공통 전극(240) 중 가장 작은 두께를 갖는 메인 컬럼 스페이서(231) 상의 공통 전극(240)의 제4 두께(d4)는 화소 전극(140)보다 클 수 있다. 이 경우, 모든 위치에서 공통 전극(240)의 두께는 화소 전극(140)보다 크게 된다. 다른 예로, 메인 컬럼 스페이서(231) 상의 공통 전극(240)의 제4 두께(d4)는 화소 전극(140)보다 작거나 같을 수 있다. 나아가, 서브 컬럼 스페이서(232) 상의 공통 전극(240)의 제3 두께(d3)도 화소 전극(140)보다 작거나 같을 수 있다. Although the thickness d1 of the
이하, 다른 실시예들에 대해 설명한다. 이하의 실시예에서 이전 실시예에서 언급된 것과 동일한 구성에 대해서는 동일한 참조 부호로 지칭하고, 중복 설명은 생략하거나 간략화하기로 한다.Hereinafter, other embodiments will be described. In the following embodiments, the same components as those described in the previous embodiment will be referred to by the same reference numerals, and duplicate descriptions will be omitted or simplified.
도 9는 다른 실시예에 따른 표시 장치의 상부 기판의 단면도이다. 도 10은 도 9의 공통 전극의 배치도이다. 9 is a cross-sectional view of an upper substrate of a display device according to another embodiment. 10 is a layout diagram of the common electrode of FIG.
도 9 및 도 10을 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치의 상부 기판(201)은 공통 전극(241)이 컬럼 스페이서(230)를 완전히 덮지 않고, 컬럼 스페이서(230) 측벽의 일부를 노출하는 점에서 도 5의 실시예와 차이가 있다. 9 and 10, the
구체적으로, 컬럼 스페이서(230)의 단부 상에는 공통 전극(241)이 배치되지만, 컬럼 스페이서(230)의 측벽 상단부는 공통 전극(241)에 의해 덮이지 않고 노출된다. 다시 말하면, 컬럼 스페이서(230)의 측벽 상단부 상에서 공통 전극(241)의 두께는 0이 된다. 컬럼 스페이서(230)의 측벽 하단부는 공통 전극(241)에 의해 덮인다. 제2 절연 기판(210)의 표면으로부터 메인 컬럼 스페이서(231) 측벽 하단부 상의 공통 전극(240)의 높이와 서브 컬럼 스페이서(232) 측벽 하단부 상의 공통 전극(240)의 높이는 실질적으로 동일할 수 있다. Specifically, the
도 9의 단면도상 분리된 것으로 보이는 컬럼 스페이서(230) 측벽 하단부 상의 공통 전극(241)은 실제로는 도 10의 평면도에 도시된 것처럼 컬럼 스페이서(230)의 단부를 둘러싸면서 서로 연결되어 있다. The
컬럼 스페이서(230)의 단부 상의 공통 전극(241)은 화소 영역 상의 공통 전극(241)과 분리될 수 있다. 그 결과, 컬럼 스페이서(230)의 단부 상의 공통 전극(241)은 플로팅 전극이 될 수 있다. 공통 전극(241)은 컬럼 스페이서(230)의 단부를 중심으로 링 형상의 오픈부(241R)를 포함할 수 있다. The
메인 컬럼 스페이서(231) 단부 상의 공통 전극(241)의 두께는 서브 컬럼 스페이서(232) 단부 상의 공통 전극(241)의 두께보다 작을 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다.The thickness of the
본 실시예와 같은 공통 전극(241)의 형상은 표시 장치의 상부 기판(201)의 제조 단계에서 조성물층을 코팅하고 건조 및 베이크할 때 상대적으로 경사가 급한 컬럼 스페이서(230)의 상단부 부근에서 고형분이 흘러내려 비잔류하게 된 것에 기인할 수 있다. The shape of the
도 11은 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 상부 기판의 단면도이다. 도 12는 도 11의 공통 전극의 배치도이다. 11 is a cross-sectional view of an upper substrate of a display device according to yet another embodiment. 12 is a layout diagram of the common electrode of FIG.
도 11 및 도 12를 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치의 상부 기판(202)는 공통 전극(242)이 컬럼 스페이서(230)의 측벽 상단부 뿐만 아니라 단부 상에도 미형성되어 해당 부위에서 컬럼 스페이서(230)를 노출하는 점이 도 9 및 도 10의 실시예와 차이가 있다. 공통 전극(242)이 컬럼 스페이서(230)의 단부에도 미형성됨에 따라 평면도 상 도 12에 도시된 것처럼 컬럼 스페이서(230)의 단부마다 공통 전극 홀(242H)이 형성될 수 있다. 11 and 12, the
본 실시예와 같은 공통 전극(242)의 형상은 표시 장치의 상부 기판(202)의 제조 단계에서 조성물층의 코팅 높이가 컬럼 스페이서(230)의 높이보다 작은 경우에 형성될 수 있다. 즉, 조성물층을 컬럼 스페이서(230)의 단부와 측벽 상단부가 잠기지 않을 정도로 코팅하게 되면, 건조 및 베이크에 의해 형성되는 공통 전극(242) 또한 컬럼 스페이서(230)의 단부와 측벽 상단부 상에 미형성될 수 있다. The shape of the
도 13은 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 상부 기판의 단면도이다. 13 is a cross-sectional view of an upper substrate of a display device according to yet another embodiment.
도 13을 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치의 상부 기판(203)은 블랙 매트릭스(220)와 컬럼 스페이서(230) 사이에서 오버코트층(250)을 더 포함하는 점에서 도 5의 실시예와 차이가 있다. 오버코트층(250)은 블랙 매트릭스(220)를 덮고, 컬럼 스페이서(230)는 오버코트층(250) 상에 배치된다. 또한, 공통 전극(243)은 오버코트층(250) 상에 배치되고, 컬럼 스페이서(230)를 덮는다. 13, the
오버코트층(250)은 폴리이미드(Polyimide), 포토아크릴(Photoacrylic) 등과 같은 유기 절연물질로 이루어지며, 평탄화 역할을 할 수 있다. 오버코트층(250)에 의해 블랙 매트릭스(220)에 의한 단차가 해소될 수 있다. 따라서, 본 실시예의 경우, 도 5의 실시예에서 논의하였던 블랙 매트릭스(220) 단차에 의한 공통 전극(243)의 두께 차이는 발생하지 않을 수 있다. The
도 14는 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 상부 기판의 단면도이다. 14 is a cross-sectional view of an upper substrate of a display device according to another embodiment.
도 14를 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치는 상부 기판(204)이 컬러 필터를 포함하는 점에서 도 13의 실시예와 차이가 있다. Referring to Fig. 14, the display device according to the present embodiment is different from the embodiment of Fig. 13 in that the
구체적으로, 제2 절연 기판(210) 상에 블랙 매트릭스(220)가 배치되고, 그 위에 컬러 필터(260R, 260B, 260G)가 배치될 수 있다. 컬러 필터(260R, 260B, 260G) 상에는 오버코트층(250)이 배치되고, 그 위에 컬럼 스페이서(230)가 배치된다. 공통 전극(243)은 오버코트층(250) 상에 배치되고, 컬럼 스페이서(230)를 덮도록 배치된다. Specifically, the
도 14는 컬러 필터(260R, 260B, 260G)가 하부 기판(100)이 아닌 상부 기판(200)에 형성될 수 있음을 예시한다. 컬러 필터(260R, 260B, 260G)가 상부 기판(200)에 배치된 경우, 도 2에 도시된 하부 기판(100)의 컬러 필터(120)는 생략될 수 있다. 14 illustrates that the
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be practical exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, You will understand. It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive.
10: 표시 장치
100: 하부 기판
200: 상부 기판
230: 컬럼 스페이서
240: 공통 전극10: Display device
100: Lower substrate
200: upper substrate
230: Column spacer
240: common electrode
Claims (20)
상기 제2 절연 기판 상에 배치된 컬럼 스페이서; 및
상기 제2 절연 기판 상에 배치되고 상기 컬럼 스페이서를 적어도 부분적으로 덮으며, 전도성 고분자를 포함하는 공통 전극을 포함하는 표시 장치. A first insulating substrate and a second insulating substrate facing each other and including a pixel region and a pixel boundary;
A column spacer disposed on the second insulating substrate; And
And a common electrode disposed on the second insulating substrate and at least partially covering the column spacer, the common electrode including a conductive polymer.
상기 컬럼 스페이서는 상기 제2 절연 기판의 상기 화소 경계 상에 위치하는 표시 장치.The method according to claim 1,
And the column spacer is located on the pixel boundary of the second insulating substrate.
상기 제2 절연 기판의 상기 화소 경계 상에 배치된 블랙 매트릭스를 더 포함하되,
상기 컬럼 스페이서는 상기 블랙 매트릭스 상에 배치되는 표시 장치.3. The method of claim 2,
Further comprising a black matrix disposed on the pixel boundary of the second insulating substrate,
Wherein the column spacer is disposed on the black matrix.
상기 공통 전극은 상기 제2 절연 기판의 상기 화소 영역 및 상기 컬럼 스페이서의 단부에 배치되고,
상기 화소 영역 상의 상기 공통 전극의 두께는 상기 컬럼 스페이서의 단부 상의 상기 공통 전극의 두께보다 두꺼운 표시 장치.3. The method of claim 2,
The common electrode is disposed at the pixel region of the second insulating substrate and at the end of the column spacer,
Wherein a thickness of the common electrode on the pixel region is thicker than a thickness of the common electrode on an end portion of the column spacer.
상기 컬럼 스페이서는 메인 컬럼 스페이서 및 상기 메인 컬럼 스페이서보다 높이가 작은 서브 컬럼 스페이서를 포함하고,
상기 메인 컬럼 스페이서의 단부 상의 상기 공통 전극의 두께는 상기 서브 컬럼 스페이서의 단부 상의 상기 공통 전극의 두께보다 작은 표시 장치.5. The method of claim 4,
Wherein the column spacer includes a main column spacer and a sub column spacer having a height smaller than the main column spacer,
And the thickness of the common electrode on the end of the main column spacer is smaller than the thickness of the common electrode on the end of the subcolumn spacer.
상기 공통 전극은 상기 컬럼 스페이서의 측벽 상단부를 노출하고,
상기 컬럼 스페이서의 단부 상에 배치된 공통 전극은 상기 화소 영역 상의 상기 공통 전극과 분리된 플로팅 전극인 표시 장치.5. The method of claim 4,
The common electrode exposes an upper end of a sidewall of the column spacer,
And a common electrode disposed on an end of the column spacer is a floating electrode separated from the common electrode on the pixel region.
상기 공통 전극은 상기 컬럼 스페이서의 측벽 하단부를 덮고, 상기 컬럼 스페이서의 단부 및 측벽 상단부를 노출하는 표시 장치.3. The method of claim 2,
Wherein the common electrode covers the lower end of the sidewall of the column spacer and exposes the end of the column spacer and the upper end of the sidewall.
상기 제1 절연 기판 상의 상기 화소 영역에 배치되며, 투명한 도전성 산화 물질을 포함하는 화소 전극을 더 포함하는 표시 장치.8. The method of claim 7,
And a pixel electrode disposed in the pixel region on the first insulating substrate and including a transparent conductive oxide material.
상기 공통 전극의 반사율은 상기 화소 전극의 반사율보다 낮은 표시 장치.9. The method of claim 8,
Wherein the reflectance of the common electrode is lower than the reflectivity of the pixel electrode.
상기 공통 전극은 상기 제2 절연 기판의 상기 화소 영역 상에 배치되고,
상기 화소 영역 상의 상기 공통 전극은 상기 화소 전극보다 두꺼운 표시 장치.9. The method of claim 8,
The common electrode is disposed on the pixel region of the second insulating substrate,
Wherein the common electrode on the pixel region is thicker than the pixel electrode.
상기 공통 전극의 굴절율은 1.5이하인 표시 장치.The method according to claim 1,
And the refractive index of the common electrode is 1.5 or less.
상기 공통 전극의 반사율은 1.7% 이하이고, 면저항은 150Ω/□ 이하이고, 투과율은 88% 이상인 표시 장치.12. The method of claim 11,
The reflectance of the common electrode is 1.7% or less, the sheet resistance is 150? /? Or less, and the transmittance is 88% or more.
상기 공통 전극의 두께는 100nm 내지 2000nm인 표시 장치.The method according to claim 1,
Wherein the common electrode has a thickness of 100 nm to 2000 nm.
상기 공통 전극은 PEDOT:PSS막을 포함하는 표시 장치.The method according to claim 1,
Wherein the common electrode comprises a PEDOT: PSS film.
상기 컬럼 스페이서가 형성된 절연 기판 상에 전도성 고분자 및 용매를 포함하는 조성물층을 형성하는 단계; 및
상기 용매를 제거하여 전도성 고분자를 포함하는 공통 전극을 형성하는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법. Forming a column spacer on the insulating substrate;
Forming a composition layer comprising a conductive polymer and a solvent on an insulating substrate on which the column spacer is formed; And
And removing the solvent to form a common electrode including the conductive polymer.
상기 용매를 제거하는 단계는 건조 및 베이크 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법.16. The method of claim 15,
Wherein the step of removing the solvent includes a drying and a baking step.
상기 컬럼 스페이서를 형성하는 단계는 유기물을 도포하는 단계, 및
마스크를 이용하여 노광하고 현상하는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법.17. The method of claim 16,
Wherein forming the column spacer comprises applying an organic material, and
And exposing and developing using a mask.
상기 컬럼 스페이서는 메인 컬럼 스페이서 및 상기 메인 컬럼 스페이서보다 높이가 작은 서브 컬럼 스페이서를 포함하고,
상기 마스크는 슬릿 마스크 또는 하프톤 마스크를 포함하는 표시 장치의 제조 방법.18. The method of claim 17,
Wherein the column spacer includes a main column spacer and a sub column spacer having a height smaller than the main column spacer,
Wherein the mask comprises a slit mask or a halftone mask.
상기 전도성 고분자는 PEDOT:PSS를 포함하는 표시 장치의 제조 방법.16. The method of claim 15,
Wherein the conductive polymer comprises PEDOT: PSS.
상기 조성물층은 상기 컬럼 스페이서가 모두 잠기는 두께로 코팅되는 표시 장치의 제조 방법.
16. The method of claim 15,
Wherein the composition layer is coated to a thickness at which the column spacer is all submerged.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020170140234A KR20190047169A (en) | 2017-10-26 | 2017-10-26 | Display apparatus and method of fabricating the same |
US16/059,110 US20190129211A1 (en) | 2017-10-26 | 2018-08-09 | Display device and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020170140234A KR20190047169A (en) | 2017-10-26 | 2017-10-26 | Display apparatus and method of fabricating the same |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20190047169A true KR20190047169A (en) | 2019-05-08 |
Family
ID=66243804
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020170140234A KR20190047169A (en) | 2017-10-26 | 2017-10-26 | Display apparatus and method of fabricating the same |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20190129211A1 (en) |
KR (1) | KR20190047169A (en) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106773351A (en) * | 2016-12-29 | 2017-05-31 | 惠科股份有限公司 | A kind of display panel and display device |
CN108181765A (en) * | 2018-01-30 | 2018-06-19 | 厦门天马微电子有限公司 | A kind of display panel and display device |
KR20210147123A (en) * | 2020-05-27 | 2021-12-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | Display panel and manufacturing method of the same |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100717269B1 (en) * | 2005-11-01 | 2007-05-15 | 삼성전자주식회사 | Display device and manufacturing method of the same |
JP4579890B2 (en) * | 2005-11-15 | 2010-11-10 | 三星電子株式会社 | Display device and manufacturing method thereof |
KR101292765B1 (en) * | 2006-10-31 | 2013-08-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | Display Apparatus and Method of Fabricating the Same |
KR20140090853A (en) * | 2013-01-10 | 2014-07-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | Display device |
-
2017
- 2017-10-26 KR KR1020170140234A patent/KR20190047169A/en unknown
-
2018
- 2018-08-09 US US16/059,110 patent/US20190129211A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20190129211A1 (en) | 2019-05-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10312268B2 (en) | Display device | |
US9158147B2 (en) | In-plane switching mode liquid crystal display device | |
CN106468836B (en) | Display device and method for manufacturing the same | |
US20070252928A1 (en) | Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof | |
US7190000B2 (en) | Thin film transistor array panel and manufacturing method thereof | |
US10007157B2 (en) | Color-filter-on-array substrate and method of manufacturing thereof | |
US10564333B2 (en) | Color filter substrate, manufacturing method thereof, and display device | |
US20090303423A1 (en) | Liquid crystal display and a method for manufacturing the same | |
US10274789B2 (en) | Liquid crystal display and method for manufacturing the same | |
WO2013086919A1 (en) | Array substrate, manufacturing method thereof and display apparatus | |
KR20190047169A (en) | Display apparatus and method of fabricating the same | |
CN110223988B (en) | Pixel array substrate | |
KR20070013132A (en) | Thin film transistor substrate and manufacturing method thereof | |
US20160209688A1 (en) | Display device and manufacturing method thereof | |
US8665413B2 (en) | Thin film transistor array panel, liquid crystal display, and manufacturing method thereof | |
KR20120022253A (en) | Electrophoretic display deivce and method of fabrication thereof | |
US20050018111A1 (en) | Liquid crystal display and manufacturing method thereof | |
CN101464603B (en) | Liquid crystal display device | |
KR20140086395A (en) | Liquid crystal display device and Method for manufacturing the same | |
US7834348B2 (en) | Display device and manufacturing method thereof | |
JP5109424B2 (en) | Reflective display device | |
KR20180077784A (en) | Light shutter and and Reflective display device including the same | |
KR102570648B1 (en) | Display device and manufacturing method thereof | |
KR20120130983A (en) | Array substrate for Liquid Crystal Display Device and method of fabricating the same | |
US20160195743A1 (en) | Liquid crystal display |