KR20190047169A - Display apparatus and method of fabricating the same - Google Patents

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KR20190047169A
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김진락
안수민
김영준
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삼성디스플레이 주식회사
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Abstract

Provided are a display device and a manufacturing method of the display device. The display device comprises: a first insulating substrate and a second insulating substrate facing each other, and separately including a pixel region and a pixel boundary; a column spacer disposed on the second insulating substrate; and a common electrode disposed on the second insulating substrate, at least partially covering the column spacer, and including a conductive polymer. Therefore, an objective of the present invention is to provide the display device with improved external light reflection.

Description

표시 장치 및 그 제조 방법{Display apparatus and method of fabricating the same}DISPLAY APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

본 발명은 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a display device and a method of manufacturing the same.

액정 표시 장치는 TV, 모니터, 노트북 뿐만 아니라, 모바일폰, PDA, 스마트폰 등 다양한 장치에 적용되고 있다. 액정 표시 장치는 하부 기판과 상부 기판 사이에 액정층을 개재하고, 액정의 배향 각도를 제어하여 투과율을 조절함으로써 화상을 표시한다. 상부 기판에는 컬럼 스페이서가 배치되어 셀갭을 유지한다. Liquid crystal display devices are being applied not only to TVs, monitors, and laptops but also to various devices such as mobile phones, PDAs, and smart phones. A liquid crystal display displays an image by interposing a liquid crystal layer between a lower substrate and an upper substrate and adjusting the transmittance by controlling the orientation angle of the liquid crystal. A column spacer is disposed on the upper substrate to maintain the cell gap.

액정의 배향 각도는 전계에 의해 제어된다. 액정 표시 장치는 전계 생성 전극으로서 화소 전극과 공통 전극을 포함한다. 통상 화소 전극은 하부 기판에 구비되고, 공통 전극은 상부 기판에 구비된다. The alignment angle of the liquid crystal is controlled by an electric field. The liquid crystal display device includes a pixel electrode and a common electrode as electric field generating electrodes. Usually, the pixel electrode is provided on the lower substrate, and the common electrode is provided on the upper substrate.

공통 전극은 투명한 물질로 이루어져 기본적으로 빛을 투과시키지만, 다른 한편으로 광학 계면에서 일부의 빛을 반사시킬 수 있다. 공통 전극은 표시면 측에 위치하므로 외광에 노출되었을 때 외광 반사를 유발하여 표시 품질을 저하시킬 수 있다. 공통 전극으로 많이 사용되는 ITO는 굴절율이 1.8 내지 1.9 정도로 반사율을 저감시키는 데에 한계가 있다. The common electrode is made of a transparent material so that it basically transmits light, but on the other hand it can reflect some light at the optical interface. Since the common electrode is located on the display surface side, it may cause reflection of external light when exposed to external light, thereby deteriorating display quality. ITO, which is widely used as a common electrode, has a refractive index of 1.8 to 1.9, which limits the reduction of the reflectance.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 외광 반사가 개선된 표시 장치를 제공하고자 하는 것이다. SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a display device with improved external light reflection.

본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 외광 반사가 개선된 표시 장치의 제조 방법을 제공하고자 하는 것이다. Another object of the present invention is to provide a method of manufacturing a display device with improved external light reflection.

본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems of the present invention are not limited to the above-mentioned problems, and other technical subjects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치는 서로 대향하며, 각각 화소 영역 및 화소 경계를 포함하는 제1 절연 기판과 제2 절연 기판, 상기 제2 절연 기판 상에 배치된 컬럼 스페이서, 및 상기 제2 절연 기판 상에 배치되고 상기 컬럼 스페이서를 적어도 부분적으로 덮으며, 전도성 고분자를 포함하는 공통 전극을 포함한다. According to an embodiment of the present invention, there is provided a display device comprising: a first insulating substrate and a second insulating substrate which are opposed to each other and which each include a pixel region and a pixel boundary, a column spacer disposed on the second insulating substrate, And a common electrode disposed on the second insulating substrate and at least partially covering the column spacer, the common electrode including a conductive polymer.

상기 컬럼 스페이서는 상기 제2 절연 기판의 상기 화소 경계 상에 위치할 수 있다. The column spacer may be located on the pixel boundary of the second insulating substrate.

상기 제2 절연 기판의 상기 화소 경계 상에 배치된 블랙 매트릭스를 더 포함하되, 상기 컬럼 스페이서는 상기 블랙 매트릭스 상에 배치될 수 있다. And a black matrix disposed on the pixel boundary of the second insulating substrate, wherein the column spacer may be disposed on the black matrix.

상기 공통 전극은 상기 제2 절연 기판의 상기 화소 영역 및 상기 컬럼 스페이서의 단부에 배치되고, 상기 화소 영역 상의 상기 공통 전극의 두께는 상기 컬럼 스페이서의 단부 상의 상기 공통 전극의 두께보다 두꺼울 수 있다. The common electrode may be disposed at the pixel region of the second insulating substrate and at the end of the column spacer and the thickness of the common electrode on the pixel region may be thicker than the thickness of the common electrode on the end of the column spacer.

상기 컬럼 스페이서는 메인 컬럼 스페이서 및 상기 메인 컬럼 스페이서보다 높이가 작은 서브 컬럼 스페이서를 포함하고, 상기 메인 컬럼 스페이서의 단부 상의 상기 공통 전극의 두께는 상기 서브 컬럼 스페이서의 단부 상의 상기 공통 전극의 두께보다 작을 수 있다.Wherein the column spacer includes a main column spacer and a sub column spacer having a height smaller than that of the main column spacer, wherein a thickness of the common electrode on an end portion of the main column spacer is smaller than a thickness of the common electrode on an end portion of the sub column spacer .

상기 공통 전극은 상기 컬럼 스페이서의 측벽 상단부를 노출하고, 상기 컬럼 스페이서의 단부 상에 배치된 공통 전극은 상기 화소 영역 상의 상기 공통 전극과 분리된 플로팅 전극일 수 있다. The common electrode exposes an upper end of the sidewall of the column spacer, and the common electrode disposed on the end of the column spacer may be a floating electrode separated from the common electrode on the pixel region.

상기 공통 전극은 상기 컬럼 스페이서의 측벽 하단부를 덮고, 상기 컬럼 스페이서의 단부 및 측벽 상단부를 노출할 수 있다.The common electrode covers the bottom of the sidewall of the column spacer, and exposes the end of the column spacer and the top of the sidewall.

상기 제1 절연 기판 상의 상기 화소 영역에 배치되며, 투명한 도전성 산화 물질을 포함하는 화소 전극을 더 포함할 수 있다. And a pixel electrode disposed on the pixel region on the first insulating substrate and including a transparent conductive oxide material.

상기 공통 전극의 반사율은 상기 화소 전극의 반사율보다 낮을 수 있다. The reflectance of the common electrode may be lower than that of the pixel electrode.

상기 공통 전극은 상기 제2 절연 기판의 상기 화소 영역 상에 배치되고, 상기 화소 영역 상의 상기 공통 전극은 상기 화소 전극보다 두꺼울 수 있다. The common electrode may be disposed on the pixel region of the second insulating substrate, and the common electrode on the pixel region may be thicker than the pixel electrode.

상기 공통 전극의 굴절율은 1.5 이하일 수 있다. The refractive index of the common electrode may be 1.5 or less.

상기 공통 전극의 반사율은 1.7% 이하이고, 면저항은 150Ω/□ 이하이고, 투과율은 88% 이상일 수 있다. The reflectance of the common electrode may be 1.7% or less, the sheet resistance may be 150 Ω / □ or less, and the transmittance may be 88% or more.

상기 공통 전극의 두께는 100nm 내지 2000nm일 수 있다. The thickness of the common electrode may be 100 nm to 2000 nm.

상기 공통 전극은 PEDOT:PSS막을 포함할 수 있다. The common electrode may include a PEDOT: PSS film.

상기 다른 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은 절연 기판 상에 컬럼 스페이서를 형성하는 단계, 상기 컬럼 스페이서가 형성된 절연 기판 상에 전도성 고분자 및 용매를 포함하는 조성물층을 형성하는 단계, 및 상기 용매를 제거하여 전도성 고분자를 포함하는 공통 전극을 형성하는 단계를 포함한다. According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a display device including forming a column spacer on an insulating substrate, forming a composition layer including a conductive polymer and a solvent on the insulating substrate on which the column spacer is formed And removing the solvent to form a common electrode including the conductive polymer.

상기 용매를 제거하는 단계는 건조 및 베이크 단계를 포함할 수 있다. The step of removing the solvent may include a drying and baking step.

상기 컬럼 스페이서를 형성하는 단계는 유기물을 도포하는 단계, 및 마스크를 이용하여 노광하고 현상하는 단계를 포함할 수 있다. The step of forming the column spacer may include applying organic material, and exposing and developing using a mask.

상기 컬럼 스페이서는 메인 컬럼 스페이서 및 상기 메인 컬럼 스페이서보다 높이가 작은 서브 컬럼 스페이서를 포함하고, 상기 마스크는 슬릿 마스크 또는 하프톤 마스크를 포함할 수 있다.The column spacer includes a main column spacer and a sub column spacer having a height smaller than the main column spacer, and the mask may include a slit mask or a halftone mask.

상기 전도성 고분자는 PEDOT:PSS를 포함할 수 있다. The conductive polymer may include PEDOT: PSS.

상기 조성물층은 상기 컬럼 스페이서가 모두 잠기는 두께로 코팅될 수 있다. The composition layer may be coated to a thickness such that all the column spacers are submerged.

기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.The details of other embodiments are included in the detailed description and drawings.

일 실시예에 따른 표시 장치에 의하면, 공통 전극으로 상대적으로 굴절율이 낮은 전도성 고분자 물질을 사용하므로 외광 반사를 줄일 수 있다. 또, 공통 전극을 슬릿 코팅 등의 방식으로 형성하므로 공정 비용을 절감할 수 있다. According to the display device of one embodiment, since the conductive polymer material having a relatively low refractive index is used as the common electrode, the reflection of external light can be reduced. In addition, since the common electrode is formed by a method such as slit coating, the process cost can be reduced.

일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법에 의하면 공통 전극 형성 단계 이전에 컬럼 스페이서 형성 단계를 완료하므로, 전도성 고분자가 컬럼 스페이서의 현상액에 노출되는 것을 미연에 방지할 수 있다. According to the method of manufacturing a display device according to an embodiment, since the column spacer forming step is completed before the common electrode forming step, the conductive polymer can be prevented from being exposed to the developer of the column spacer in advance.

실시예들에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.Effects according to the embodiments are not limited by the contents exemplified above, and more various effects are included in the specification.

도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면 배치도이다.
도 2는 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 3은 일 실시예에 따른 박막 트랜지스터 기판을 나타낸 단면도이다.
도 4는 일 실시예에 따른 표시 장치의 화소 전극과 공통 전극을 나타낸 개략적인 단면도이다.
도 5는 일 실시예에 따른 표시 장치의 상부 기판의 단면도이다.
도 6 내지 도 8은 도 5의 상부 기판을 제조하는 방법을 나타낸 공정 단계별 단면도들이다.
도 9는 다른 실시예에 따른 표시 장치의 상부 기판의 단면도이다.
도 10은 도 9의 공통 전극의 배치도이다.
도 11은 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 상부 기판의 단면도이다.
도 12는 도 11의 공통 전극의 배치도이다.
도 13은 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 상부 기판의 단면도이다.
도 14는 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 상부 기판의 단면도이다.
1 is a plan view of a display device according to an embodiment.
2 is a cross-sectional view of a display device according to an embodiment.
3 is a cross-sectional view of a thin film transistor substrate according to an embodiment.
4 is a schematic cross-sectional view illustrating a pixel electrode and a common electrode of a display device according to an embodiment.
5 is a cross-sectional view of an upper substrate of a display device according to an embodiment.
FIGS. 6 to 8 are cross-sectional views showing steps of a method of manufacturing the upper substrate of FIG.
9 is a cross-sectional view of an upper substrate of a display device according to another embodiment.
10 is a layout diagram of the common electrode of FIG.
11 is a cross-sectional view of an upper substrate of a display device according to yet another embodiment.
12 is a layout diagram of the common electrode of FIG.
13 is a cross-sectional view of an upper substrate of a display device according to yet another embodiment.
14 is a cross-sectional view of an upper substrate of a display device according to another embodiment.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The advantages and features of the present invention and the manner of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described in detail below with reference to the accompanying drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as being limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art. Is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims.

소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.It is to be understood that elements or layers are referred to as " on " of other elements or layers, including all other elements or layers intervening directly or intervening other elements. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification.

비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있음은 물론이다.Although the first, second, etc. are used to describe various components, it goes without saying that these components are not limited by these terms. These terms are used only to distinguish one component from another. Therefore, it goes without saying that the first component mentioned below may be the second component within the technical scope of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참고로 하여 실시예들에 대해 설명한다.Hereinafter, embodiments will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면 배치도이다. 1 is a plan view of a display device according to an embodiment.

도 1을 참조하면, 표시 장치(10)는 복수의 화소(PX)를 포함한다. 복수의 화소(PX)는 매트릭스 형상으로 배열될 수 있다. 복수의 화소(PX)는 특정 컬러를 표시하는 복수의 색 화소들 나뉠 수 있다. 예를 들어, 복수의 화소(PX)는 복수의 적색 화소, 복수의 녹색 화소 및 복수의 청색 화소를 포함할 수 있다. 적색, 녹색, 청색 화소는 각각 교대로 배열될 수 있다. Referring to Fig. 1, the display device 10 includes a plurality of pixels PX. The plurality of pixels PX may be arranged in a matrix form. The plurality of pixels PX may be divided into a plurality of color pixels indicating a specific color. For example, the plurality of pixels PX may include a plurality of red pixels, a plurality of green pixels, and a plurality of blue pixels. The red, green, and blue pixels may be alternately arranged.

각 화소(PX)의 경계에는 블랙 매트릭스(220)가 배치되어 빛의 투과를 막을 수 있다. 블랙 매트릭스(220)는 격자 형상을 가질 수 있다. A black matrix 220 is disposed at the boundary of each pixel PX to prevent transmission of light. The black matrix 220 may have a lattice shape.

표시 장치(10)는 서로 대향하는 하부 기판(100)과 상부 기판(200)을 포함할 수 있고, 이들간의 간격을 유지하는 역할을 하는 컬럼 스페이서(230)를 포함할 수 있다. 컬럼 스페이서(230)는 상부 기판(200) 또는 하부 기판(100) 상에 형성될 수 있다. The display device 10 may include a lower substrate 100 and an upper substrate 200 facing each other and may include a column spacer 230 serving to maintain an interval therebetween. The column spacers 230 may be formed on the upper substrate 200 or the lower substrate 100.

컬럼 스페이서(230)는 화소의 경계에 위치할 수 있다. 컬럼 스페이서(230)는 블랙 매트릭스(220)와 중첩할 수 있다. 일 실시예에서, 컬럼 스페이서(230)는 블랙 매트릭스(220)의 행 방향 연장부(REP)와 열 방향 연장부(CEP)가 교차하는 교차 영역(CSR) 상에 배치될 수 있다. 그러나, 이에 제한되는 것은 아니고, 블랙 매트릭스(220)의 행 방향 연장부(REP)나 열 방향 연장부(CEP) 상에 배치될 수도 있다. The column spacer 230 may be located at the boundary of the pixel. The column spacer 230 may overlap the black matrix 220. In one embodiment, the column spacer 230 may be disposed on a crossing area CSR where the column direction extension part REP and the column direction extension part CEP of the black matrix 220 intersect. However, the present invention is not limited thereto, and it may be arranged on the row direction extending portion REP of the black matrix 220 or the column direction extending portion CEP.

컬럼 스페이서(230)는 메인 컬럼 스페이서(231)와 서브 컬럼 스페이서(232)를 포함할 수 있다. 메인 컬럼 스페이서(231)는 통상적인 비가압 상황에서 상부 기판(200)과 하부 기판(100)의 간격을 유지하고, 서브 컬럼 스페이서(232)는 가압 상황에서 상부 기판(200)과 하부 기판(100)의 간격을 유지하는 역할을 할 수 있다. 서브 컬럼 스페이서(232)의 단부의 높이는 메인 컬럼 스페이서(231)의 단부의 높이보다 작을 수 있다. 컬럼 스페이서(230)가 상부 기판(200)에 형성된 경우, 비가압 상황에서 메인 컬럼 스페이서(231)의 단부는 하부 기판(100)과 맞닿지만, 서브 컬럼 스페이서(232)의 단부는 하부 기판(100)과 맞닿지 않고 이격될 수 있다. The column spacer 230 may include a main column spacer 231 and a sub column spacer 232. The main column spacer 231 maintains the gap between the upper substrate 200 and the lower substrate 100 under a normal unpressurized condition and the sub column spacer 232 maintains the spacing between the upper substrate 200 and the lower substrate 100 ) In the direction of the arrow. The height of the end portion of the sub column spacer 232 may be smaller than the height of the end portion of the main column spacer 231. When the column spacer 230 is formed on the upper substrate 200, the end of the main column spacer 231 comes into contact with the lower substrate 100 in the unpressurized state, but the end of the sub column spacer 232 is in contact with the lower substrate 100).

컬럼 스페이서(230)는 모든 교차 영역(CSR)마다 배치될 필요는 없다. 예를 들어, 3개의 교차 영역(CSR) 당 하나씩 배치될 수 있고 다른 다양한 배열이 가능하다. 메인 컬럼 스페이서(231)와 서브 컬럼 스페이서(232)의 배치 밀도는 동일할 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다.The column spacer 230 need not be arranged for every crossing region (CSR). For example, one per three crossing regions (CSR) can be arranged and various other arrangements are possible. The arrangement density of the main column spacer 231 and the sub column spacer 232 may be the same, but is not limited thereto.

도 2는 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다. 도 2에서는 설명의 편의상 메인 컬럼 스페이서(231)와 서브 컬럼 스페이서(232)가 하나의 화소의 일측과 타측에 각각 배치된 경우를 도시하였다. 2 is a cross-sectional view of a display device according to an embodiment. In FIG. 2, the main column spacer 231 and the sub column spacer 232 are disposed on one side and the other side, respectively, of one pixel for convenience of explanation.

도 2를 참조하면, 표시 장치(10)는 서로 대향하는 하부 기판(100)과 상부 기판(200)을 포함한다. 하부 기판(100)과 상부 기판(200) 사이에는 액정층(300)이 배치된다. 도면으로 도시하지는 않았지만, 액정층(300)에 접하는 하부 기판(100)과 상부 기판(200)에는 각각 배향막이 배치될 수 있다. Referring to FIG. 2, the display device 10 includes a lower substrate 100 and an upper substrate 200 facing each other. A liquid crystal layer 300 is disposed between the lower substrate 100 and the upper substrate 200. Although not shown in the drawing, an alignment layer may be disposed on the lower substrate 100 and the upper substrate 200, which are in contact with the liquid crystal layer 300.

하부 기판(100)은 제1 절연 기판(110), 컬러 필터(120), 및 화소 전극(140)을 포함할 수 있다. 제1 절연 기판(110)은 유리, 석영 등 투명한 물질로 이루어질 수 있다. The lower substrate 100 may include a first insulating substrate 110, a color filter 120, and a pixel electrode 140. The first insulating substrate 110 may be made of a transparent material such as glass or quartz.

컬러 필터(120)와 화소 전극(140)은 제1 절연 기판(110) 상에 배치될 수 있다. 컬러 필터(120)는 제1 절연 기판(110)과 화소 전극(140) 사이에 배치될 수 있다. 컬러 필터(120)와 화소 전극(140)은 각각 화소마다 배치될 수 있다. 컬러 필터(120)는 적색 컬러 필터(120R), 청색 컬러 필터(120B) 및 녹색 컬러 필터(120G)를 포함할 수 있다.The color filter 120 and the pixel electrode 140 may be disposed on the first insulating substrate 110. The color filter 120 may be disposed between the first insulating substrate 110 and the pixel electrode 140. The color filter 120 and the pixel electrode 140 may be disposed for each pixel. The color filter 120 may include a red color filter 120R, a blue color filter 120B, and a green color filter 120G.

이웃하는 화소의 컬러 필터(120)는 부분적으로 중첩될 수 있다. 컬러 필터(120)는 단차를 유발할 수 있는데, 컬러 필터(120) 상에 평탄화막(130)이 배치됨으로써 단차가 해소될 수 있다. 화소 전극(140)은 평탄화막(130) 상에 배치될 수 있다. The color filters 120 of neighboring pixels may be partially overlapping. The color filter 120 can cause a step difference, and the level difference can be solved by disposing the planarization film 130 on the color filter 120. The pixel electrode 140 may be disposed on the planarization layer 130.

화소 전극(140)은 화소별로 구분되고, 별도의 스위칭 소자에 의해 화소 전압을 인가받을 수 있다. 스위칭 소자는 박막 트랜지스터를 포함할 수 있다. 박막 트랜지스터를 구비하는 예시적인 하부 기판(100)의 구조가 도 3에 도시되어 있다. 이하에서, 용어 "박막 트랜지스터 기판"은 박막 트랜지스터를 포함하는 기판을 지칭한다. The pixel electrode 140 is divided into pixels, and a pixel voltage can be applied by a separate switching element. The switching element may comprise a thin film transistor. The structure of an exemplary lower substrate 100 having thin film transistors is shown in FIG. Hereinafter, the term " thin film transistor substrate " refers to a substrate comprising thin film transistors.

도 3은 일 실시예에 따른 박막 트랜지스터 기판을 나타낸 단면도이다. 도 1 내지 도 3을 참조하면, 제1 절연 기판(110) 상에 게이트 전극(121)이 배치된다. 게이트 전극(121)은 화소의 경계를 따라 행 방향으로 연장되는 게이트 라인과 연결된다. 게이트 라인은 블랙 매트릭스(220)의 행 방향 연장부(REP)와 중첩할 수 있다. 게이트 전극(121) 상에는 게이트 절연막(122)이 배치되고, 게이트 절연막(122) 상에는 반도체층(123)이 배치된다. 반도체층(123)은 비정질 실리콘, 다결정 실리콘 등의 실리콘 반도체나 IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide) 등과 같은 산화물 반도체를 포함할 수 있다. 반도체층(123) 상에는 소스 전극(124) 및 그와 이격된 드레인 전극(125)이 배치된다. 소스 전극(124)은 화소의 경계를 따라 열 방향으로 연장되는 데이터 라인과 연결된다. 데이터 라인은 블랙 매트릭스(220)의 열 방향 연장부(CEP)와 중첩할 수 있다.3 is a cross-sectional view of a thin film transistor substrate according to an embodiment. Referring to FIGS. 1 to 3, a gate electrode 121 is disposed on a first insulating substrate 110. The gate electrode 121 is connected to the gate line extending in the row direction along the boundary of the pixel. The gate line may overlap the row direction extension portion REP of the black matrix 220. [ A gate insulating film 122 is disposed on the gate electrode 121 and a semiconductor layer 123 is disposed on the gate insulating film 122. The semiconductor layer 123 may include a silicon semiconductor such as amorphous silicon or polycrystalline silicon, or an oxide semiconductor such as IGZO (Indium Gallium Zinc Oxide). A source electrode 124 and a drain electrode 125 spaced apart from the source electrode 124 are disposed on the semiconductor layer 123. The source electrode 124 is connected to the data line extending in the column direction along the boundary of the pixel. The data lines may overlap the column-direction extension (CEP) of the black matrix (220).

상술한 게이트 전극(121), 소스 전극(124), 및 드레인 전극(125)은 박막 트랜지스터의 3단자를 이룬다. 반도체층은 박막 트랜지스터의 채널이 된다. 박막 트랜지스터는 블랙 매트릭스(220)의 교차 영역(CSR)과 중첩할 수 있다. The gate electrode 121, the source electrode 124, and the drain electrode 125 described above constitute three terminals of the thin film transistor. The semiconductor layer becomes a channel of the thin film transistor. The thin film transistor may overlap the intersection region CSR of the black matrix 220. [

소스 전극(124)과 드레인 전극(125) 상에는 패시베이션막(126)이 배치되고, 그 위에 컬러 필터(120)가 배치된다. 컬러 필터(120) 상에 평탄화막(130)이 배치되고, 그 위에 화소 전극(140)이 배치된다. 화소 전극(140)은 평탄화막(130), 컬러 필터(120), 및 패시베이션막(126)을 관통하여 드레인 전극(125)을 노출하는 콘택홀(127)을 통해 드레인 전극(125)과 전기적으로 연결된다. 화소 전극(140)은 ITO, IZO 등과 같은 투명한 도전성 산화 물질로 이루어질 수 있다. A passivation film 126 is disposed on the source electrode 124 and the drain electrode 125, and a color filter 120 is disposed thereon. A planarization film 130 is disposed on the color filter 120, and a pixel electrode 140 is disposed thereon. The pixel electrode 140 is electrically connected to the drain electrode 125 through the contact hole 127 that exposes the drain electrode 125 through the planarization layer 130, the color filter 120, and the passivation layer 126 . The pixel electrode 140 may be formed of a transparent conductive oxide material such as ITO or IZO.

도 3에서는 바텀 게이트 방식의 박막 트랜지스터를 포함하는 박막 트랜지스터 기판을 예시하였지만, 탑 게이트 방식의 박막 트랜지스터가 적용될 수도 있다.Although a thin film transistor substrate including a bottom gate type thin film transistor is illustrated in FIG. 3, a top gate type thin film transistor may also be applied.

다시 도 2를 참조하면, 상부 기판(200)은 제2 절연 기판(210), 블랙 매트릭스(220), 컬럼 스페이서(230) 및 공통 전극(240)을 포함한다. Referring again to FIG. 2, the upper substrate 200 includes a second insulating substrate 210, a black matrix 220, a column spacer 230, and a common electrode 240.

제2 절연 기판(210)은 유리, 석영 등 투명한 물질로 이루어질 수 있다. 제2 절연 기판(210) 상에는 블랙 매트릭스(220)가 배치된다. 블랙 매트릭스(220)는 상술한 바와 같이 화소의 경계를 따라 배치될 수 있다. 블랙 매트릭스(220)는 감광성 물질을 포함하는 유기 물질이나 유무기 물질로 이루어지거나, 금속 등과 같은 불투명 무기 물질로 이루어질 수 있다. The second insulating substrate 210 may be made of a transparent material such as glass or quartz. A black matrix 220 is disposed on the second insulating substrate 210. The black matrix 220 may be disposed along the boundary of the pixel as described above. The black matrix 220 may be formed of an organic material including a photosensitive material, a organic material, or an opaque inorganic material such as a metal.

컬럼 스페이서(230)는 블랙 매트릭스(220) 상에 배치될 수 있다. 컬럼 스페이서(230)는 화소 경계 상에 위치할 수 있다. 컬럼 스페이서(230)는 감광성 물질을 포함하는 유기 물질로 이루어질 수 있다. 컬럼 스페이서(230)는 투명한 물질로 이루어질 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 메인 컬럼 스페이서(231)와 서브 컬럼 스페이서(232)는 동일한 물질을 이용하여 하나의 마스크 공정을 통해 동시에 형성될 수 있다. The column spacers 230 may be disposed on the black matrix 220. The column spacer 230 may be located on the pixel boundary. The column spacer 230 may be made of an organic material including a photosensitive material. The column spacer 230 may be made of a transparent material, but is not limited thereto. The main column spacer 231 and the sub column spacer 232 may be simultaneously formed through a single mask process using the same material.

컬럼 스페이서(230) 상에는 공통 전극(240)이 배치된다. 공통 전극(240)은 화소 전극(140)과 대향한다. 공통 전극(240)은 복수의 화소에 걸쳐 배치된다. 공통 전극(240)에는 공통 전압이 인가될 수 있다. 화소 전극(140)의 화소 전압과 공통 전극(240)의 공통 전압은 그 사이에 위치하는 액정층(300)에 전계를 형성한다. 화소 전극(140)과 공통 전극(240)은 액정층(300)을 유전체로 하는 액정 커패시터를 이룰 수 있다. A common electrode 240 is disposed on the column spacer 230. The common electrode 240 faces the pixel electrode 140. The common electrode 240 is disposed over a plurality of pixels. A common voltage may be applied to the common electrode 240. The pixel voltage of the pixel electrode 140 and the common voltage of the common electrode 240 form an electric field in the liquid crystal layer 300 located therebetween. The pixel electrode 140 and the common electrode 240 may form a liquid crystal capacitor having the liquid crystal layer 300 as a dielectric.

공통 전극(240)은 전체가 하나로 연결된 통전극일 수 있다. 공통 전극(240)은 표시 장치(10)에 정전기가 발생할 경우, 정전기가 빠져나가는 통로 역할을 할 수 있다. The common electrode 240 may be a current-collecting electrode connected in series. The common electrode 240 may serve as a passage for discharging static electricity when the display device 10 generates static electricity.

공통 전극(240)은 제2 절연 기판(210)의 화소 영역 뿐만 아니라 화소의 경계에도 배치되며, 컬럼 스페이서(230) 상에도 배치되어 컬럼 스페이서(230)의 측벽과 단부를 덮을 수 있다. 공통 전극(240)이 컬럼 스페이서(230)를 덮음에 따라 컬럼 스페이서(230) 상의 공통 전극(240)과 화소 전극(140) 사이에도 전계가 형성될 수 있다. 컬럼 스페이서(230)의 측벽 상의 공통 전극(240)은 화소 영역 상의 공통 전극(240)과 향하는 방향이 상이하므로 전계 방향도 다르게 된다. 그에 따라 컬럼 스페이서(230) 측벽 부근에서 액정(301)의 배향이 달라져 투과율이 달라질 수 있지만, 해당 위치를 블랙 매트릭스(220)가 대체로 커버하고 있으므로, 해당 위치에서의 빛의 누설을 최소화할 수 있다. The common electrode 240 may be disposed not only on the pixel region of the second insulating substrate 210 but also on the boundary of the pixel and may also be disposed on the column spacer 230 to cover the side wall and the end portion of the column spacer 230. An electric field may be formed between the common electrode 240 and the pixel electrode 140 on the column spacer 230 as the common electrode 240 covers the column spacer 230. The direction of the common electrode 240 on the sidewall of the column spacer 230 is different from that of the common electrode 240 on the pixel region. Accordingly, although the alignment of the liquid crystal 301 is changed in the vicinity of the sidewall of the column spacer 230 to change the transmittance, since the black matrix 220 covers the position, the leakage of light at the corresponding position can be minimized .

공통 전극(240)은 투명한 도전 물질로 이루어질 수 있다. 공통 전극(240)은 투명한 도전 물질 중에서 전도성 고분자 물질을 포함하여 이루어질 수 있다. 상기 전도성 고분자 물질의 예는 이에 제한되는 것은 아니지만, 폴리에틸렌 디옥시티오펜(polyethylene dioxythiophene, PEDOT), 폴리에틸렌 디옥시티오펜 폴리스티렌 설포네이트(polyethylene dioxythiophene polystyrene sulfonate, PEDOT:PSS), 폴리(3-알킬)티오펜(poly(3-alkyl)thiophene, P3AT), 폴리(3-헥실)티오펜(poly( 3-hexyl)thiophene, P3HT), 폴리아닐린(polyaniline), 폴리아세틸렌(polyacetylene), 폴리아줄렌(polyazulene), 폴리이소시아나프탈렌(polyisothianapthalene), 폴리이소티아나프텐(polyisothianaphthene), 폴리티에닐렌비닐렌(polythienylenevinylene), 폴리티오펜(polythiophene), 폴리페닐렌(polyphenylene), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide), 폴리파라페닐렌(polyparaphenylene), 폴리파라페닐렌 비닐렌(polyparaphenylene vinylene), 폴리퓨란(polyfuran), 폴리피롤(polypyrrole) 폴리헵타디엔(polyheptadiyne) 등을 들 수 있다. 예시적인 실시예에서, 공통 전극(240)은 PEDOT:PSS를 포함할 수 있다. 전도성 고분자 물질 중 하나인 PEDOT:PSS는 공통 전극(240)에서 요구하는 투과율과 도전성을 만족하면서도 낮은 굴절율을 가져 외광 반사를 줄일 수 있다. 이에 대한 구체적인 설명을 위해 도 4가 참조된다.The common electrode 240 may be made of a transparent conductive material. The common electrode 240 may include a conductive polymer material in a transparent conductive material. Examples of the conductive polymer material include, but are not limited to, polyethylene dioxythiophene (PEDOT), polyethylene dioxythiophene polystyrene sulfonate (PEDOT: PSS), poly (3-alkyl) thiophene (3-alkyl) thiophene, P3AT, poly (3-hexyl) thiophene, P3HT, polyaniline, polyacetylene, polyazulene, It is preferable to use one or more selected from the group consisting of polyisothianaphthalene, polyisothianaphthene, polythienylenevinylene, polythiophene, polyphenylene, polyphenylene sulfide, Polyparaphenylene, polyparaphenylene vinylene, polyfuran, polypyrrole, polyheptadiyne, and the like. In an exemplary embodiment, the common electrode 240 may comprise PEDOT: PSS. PEDOT: PSS which is one of the conductive polymer materials satisfies the transmittance and conductivity required by the common electrode 240, but has a low refractive index, thereby reducing external light reflection. Reference is made to Figure 4 for a detailed description of this.

도 4는 일 실시예에 따른 표시 장치의 화소 전극과 공통 전극을 나타낸 개략적인 단면도이다. 4 is a schematic cross-sectional view illustrating a pixel electrode and a common electrode of a display device according to an embodiment.

도 4는 화소 전극(140) 물질로 ITO를 사용하고, 공통 전극(240) 물질로 PEDOT:PSS을 사용한 경우를 예시한다. 도 4에 도시된 바와 같이, PEDOT/PSS를 포함하는 공통 전극(240)은 ITO를 포함하는 화소 전극(140)에 비해 평균 두께가 두껍고, 굴절율은 더 낮을 수 있다. 4 illustrates a case where ITO is used for the pixel electrode 140 and PEDOT: PSS is used for the common electrode 240. FIG. As shown in FIG. 4, the common electrode 240 including PEDOT / PSS may have a thicker average thickness and a lower refractive index than the pixel electrode 140 including ITO.

공통 전극(240)은 상부 기판(200)에 배치되는데, 외부광이 입사되면 계면에서 외광 반사가 일어날 수 있다. 외광 반사율은 공통 전극(240)의 굴절율이 높을수록 더 크게 나타난다. 예를 들어, 공통 전극(240)으로 굴절율이 1.8 내지 1.9인 ITO를 약 50nm로 적용할 경우, 반사율은 4.47%에 육박한다. ITO의 두께를 135nm까지 늘릴 경우 1.7%까지 반사율을 낮출 수 있지만, 이 경우에도 반사율 저감에 한계가 있다. 뿐만 아니라, ITO는 통상 스퍼터링 증착으로 형성되기 때문에 두께 증가를 위해 많은 공정 시간이 소요되고 재료 소모량도 증가하여 공정 비용이 증가할 수 있다. The common electrode 240 is disposed on the upper substrate 200. When external light is incident, external light may be reflected at the interface. The external light reflectance becomes larger as the refractive index of the common electrode 240 becomes higher. For example, when ITO having a refractive index of 1.8 to 1.9 is applied to the common electrode 240 at about 50 nm, the reflectance is close to 4.47%. If the thickness of the ITO is increased up to 135 nm, the reflectance can be lowered to 1.7%. In this case, however, the reduction of the reflectance is also limited. In addition, since ITO is usually formed by sputtering deposition, it takes a lot of processing time to increase the thickness, and material consumption may increase, which may increase the process cost.

반면, PEDOT:PSS막은 ITO막보다 낮은 굴절율인 약 1.5 또는 그 이하의 굴절율을 가질 수 있다. PEDOT:PSS막은 슬릿 코팅 등의 방식으로 형성될 수 있으므로, ITO보다 두꺼운 두께, 예컨대 100 내지 2000nm 정도로 형성하더라도 공정 비용을 절감할 수 있다. 위와 같은 두께 범위에서 PEDOT/PSS막은 150Ω/□ 이하의 면저항을 갖고, 88% 이상의 투과율을 가지면서 반사율은 1.7%보다 작을 수 있다. PEDOT/PSS막의 반사율은 바람직하게는 1.5% 이하일 수 있다. On the other hand, the PEDOT: PSS film may have a refractive index of about 1.5 or less, which is a lower refractive index than the ITO film. Since the PEDOT: PSS film can be formed by a method such as slit coating, the process cost can be reduced even if it is thicker than ITO, for example, about 100 to 2000 nm. In such a thickness range, the PEDOT / PSS film has a sheet resistance of less than 150? / ?, and the reflectance can be less than 1.7% while having a transmittance of 88% or more. The reflectance of the PEDOT / PSS film may preferably be 1.5% or less.

PEDOT:PSS막의 반사율을 알아보기 위해 18.2인치 크기의 유리 기판 상에 PEDOT:PSS 물질을 슬릿 코팅하였다. 이후 230℃에서 20분간 베이크하여 두께 680nm의 PEDOT:PSS막을 형성하였다. 형성된 PEDOT:PSS막의 물리적 특성을 측정한 결과, 면저항은 116Ω/□이고, 투과율은 89%이면서, 1.4% 반사율을 갖는 것으로 나타나, ITO막과 동등한 수준의 투명 도전 특성을 나타내면서도 더 낮은 반사율을 갖는 것이 확인되었다. The PEDOT: PSS material was slit coated on a 18.2 inch glass substrate to investigate the reflectivity of the PEDOT: PSS film. Thereafter, the film was baked at 230 DEG C for 20 minutes to form a PEDOT: PSS film having a thickness of 680 nm. The physical properties of the formed PEDOT: PSS film were measured. As a result, the sheet resistance was found to be 116 OMEGA / & squ &, the transmittance was 89%, and the reflectance was 1.4%, which exhibited a transparent conductive property equivalent to that of ITO film .

한편, 도 4의 실시예에서는 화소 전극(140)으로 ITO를 적용한 경우를 예시하였지만, 화소 전극(140)도 PEDOT:PSS 등과 같은 전도성 고분자 물질로 이루어질 수도 있다. 4, ITO is applied to the pixel electrode 140. However, the pixel electrode 140 may also be formed of a conductive polymer material such as PEDOT: PSS.

도 5는 일 실시예에 따른 표시 장치의 상부 기판의 단면도이다. 설명의 편의상 도 5는 도 2와 상하 방향이 반대로 도시되어 있다. 5 is a cross-sectional view of an upper substrate of a display device according to an embodiment. For the convenience of explanation, FIG. 5 is reversed from FIG. 2 and the vertical direction.

도 2 및 도 5를 참조하면, 공통 전극(240)의 두께는 위치별로 상이할 수 있다. 공통 전극(240)은 화소 전극(140)과 대향하는 부위, 다시 말하면 화소 영역에서의 두께(d1)가 컬럼 스페이서(230)가 위치하는 부분의 두께보다 클 수 있다. 메인 컬럼 스페이서(231)의 단부 상에 위치하는 공통 전극(240)의 두께(d4)는 서브 컬럼 스페이서(232)의 단부 상에 위치하는 공통 전극(240)의 두께(d3)보다 작을 수 있다. 화소의 경계 중 컬럼 스페이서(230)가 배치되지 않은 영역에서는 블랙 매트릭스(220) 상에 공통 전극(240)이 배치된다. 블랙 매트릭스(220) 상에 위치하는 공통 전극(240)의 두께(d2)는 화소 영역에서의 두께(d1)보다 작고 컬럼 스페이서(230) 단부의 두께(d3, d4)보다 클 수 있다. Referring to FIGS. 2 and 5, the thickness of the common electrode 240 may vary depending on the position. The common electrode 240 may have a thickness d1 in a portion opposed to the pixel electrode 140, that is, in a pixel region, which is greater than a thickness of a portion where the column spacer 230 is located. The thickness d4 of the common electrode 240 located on the end of the main column spacer 231 may be smaller than the thickness d3 of the common electrode 240 located on the end of the sub column spacer 232. [ The common electrode 240 is disposed on the black matrix 220 in the region where the column spacer 230 is not disposed. The thickness d2 of the common electrode 240 located on the black matrix 220 may be smaller than the thickness d1 in the pixel region and larger than the thicknesses d3 and d4 of the end portions of the column spacer 230. [

이와 같은 위치별 공통 전극(240)의 두께 차이는 제2 절연 기판(210)을 기준으로 한 구조물의 높이와 관련된다. 공통 전극(240)이 형성되는 하부 구조물의 높이가 클수록 공통 전극(240)의 두께는 감소한다. 즉, 공통 전극(240)은 제2 절연 기판(210)의 표면에 가장 가까이 위치하는 화소 영역에서 가장 두꺼운 제1 두께(d1)를 갖고, 블랙 매트릭스(220) 상에서 제2 두께(d2)를 갖고, 블랙 매트릭스(220)보다 높이가 큰 서브 컬럼 스페이서(232)의 단부에서 제3 두께(d3)를 가지며, 서브 컬럼 스페이서(232)보다 높이가 큰 메인 컬럼 스페이서(231)의 단부에서 제4 두께(d4)를 갖는다. 여기서, 두께의 크기는 제1 두께(d1), 제2 두께(d2), 제3 두께(d3), 제4 두께(d4)의 순이다. The difference in the thickness of the common electrode 240 is related to the height of the structure based on the second insulating substrate 210. The thickness of the common electrode 240 decreases as the height of the lower structure in which the common electrode 240 is formed increases. That is, the common electrode 240 has the first thickest thickness d1 in the pixel region closest to the surface of the second insulating substrate 210 and the second thickness d2 on the black matrix 220 Column spacer 233 having a third thickness d3 at the end of the sub-column spacer 232 that is greater than the black matrix 220 and greater than the sub-column spacer 232 at the end of the main column spacer 231, (d4). Here, the thickness is in the order of the first thickness d1, the second thickness d2, the third thickness d3, and the fourth thickness d4.

상술한 바와 같이 위치별 다른 두께를 갖는 공통 전극(240)을 형성하는 방법이 도 6 내지 도 8을 참고로 하여 설명된다. 도 6 내지 도 8는 도 5의 상부 기판(200)을 제조하는 방법을 나타낸 공정 단계별 단면도들이다. A method of forming the common electrode 240 having a different thickness for each position as described above will be described with reference to FIGS. 6 to 8. FIG. FIGS. 6 to 8 are cross-sectional views illustrating steps of the method for manufacturing the upper substrate 200 of FIG.

도 6을 참조하면, 제2 절연 기판(210) 상에 블랙 매트릭스(220)를 형성한다. 예를 들어 감광성 물질을 포함하는 유기물을 도포하고, 마스크를 이용하여 노광하고, 이후 현상하여 특정 패턴을 갖는 블랙 매트릭스(220)를 형성할 수 있다. Referring to FIG. 6, a black matrix 220 is formed on a second insulating substrate 210. For example, an organic material including a photosensitive material may be applied, exposed using a mask, and then developed to form a black matrix 220 having a specific pattern.

도 7을 참조하면, 이어 컬럼 스페이서(230)를 형성한다. 예를 들어, 블랙 매트릭스(220)가 형성된 제2 절연 기판(210) 상에 감광성 물질을 유기물을 도포한다. 이후, 마스크를 이용하여 노광한다. 서로 다른 높이의 컬럼 스페이서(230)를 하나의 공정으로 동시에 형성하기 위해서는 마스크로 슬릿 마스크나 하프톤 마스크를 이용할 수 있다. 이후 현상 공정을 통해 서로 다른 높이를 갖는 메인 컬럼 스페이서(231)와 서브 컬럼 스페이서(232)를 형성할 수 있다. Referring to FIG. 7, a column spacer 230 is formed. For example, organic materials are coated on the second insulating substrate 210 on which the black matrix 220 is formed. Thereafter, exposure is performed using a mask. A slit mask or a halftone mask can be used as a mask in order to simultaneously form the column spacers 230 having different heights by a single process. Subsequently, the main column spacer 231 and the sub column spacer 232 having different heights can be formed through the developing process.

상술한 컬럼 스페이서(230) 형성 단계는 공통 전극(240) 형성 단계 이전에 진행된다. 일반적으로 전도성 고분자는 컬럼 스페이서(230)의 현상 용액에 취약하다. 따라서, 공통 전극(240)을 먼저 형성한 후 컬럼 스페이서(230)를 형성하게 되면 컬럼 스페이서(230)의 현상액에 전도성 고분자를 포함하는 공통 전극(240)이 노출되어 데미지를 입어 면저항값이 증가할 우려가 있다. 본 실시예와 같이 컬럼 스페이서(230)를 먼저 형성하고 공통 전극(240)을 형성하게 되면 전도성 고분자가 컬럼 스페이서(230)의 현상액에 노출되는 것을 미연에 방지할 수 있다. The above-described column spacer 230 is formed before the common electrode 240 is formed. Generally, the conductive polymer is vulnerable to the developing solution of the column spacer 230. Accordingly, if the common electrode 240 is formed first and then the column spacer 230 is formed, the common electrode 240 including the conductive polymer is exposed to the developer of the column spacer 230 to increase the sheet resistance value There is a concern. When the column spacer 230 is formed first and the common electrode 240 is formed as in the present embodiment, the conductive polymer can be prevented from being exposed to the developer of the column spacer 230 in advance.

도 8을 참조하면, 컬럼 스페이서(230)가 형성된 제2 절연 기판(210) 상에 전도성 고분자를 포함하는 조성물을 코팅하여 조성물층(240p)을 형성한다. 상기 조성물은 고형분인 전도성 고분자 뿐만 아니라 용매를 더 포함한다. 용매는 후속 공정에서 제거되고 고형분만 남기 때문에, 조성물의 두께는 목표로 하는 공통 전극(240)의 두께보다 훨씬 두꺼운 두께로 코팅된다. 일 실시예에서, 조성물은 컬럼 스페이서(230)가 모두 잠길 정도의 두께로 코팅될 수 있다. Referring to FIG. 8, a composition including a conductive polymer is coated on a second insulating substrate 210 on which a column spacer 230 is formed to form a composition layer 240p. The composition further comprises a solvent as well as a conductive polymer which is solid. Since the solvent is removed in the subsequent process and only the solids are left, the thickness of the composition is coated to a much thicker thickness than the target common electrode 240. In one embodiment, the composition may be coated to a thickness such that all of the column spacers 230 are submerged.

한편, 상기 조성물은 액체 상태이기 때문에 코팅된 조성물층(240p의 표면은 하부 구조물의 표면 형상을 반영하지 않고 평탄할 수 있다. 따라서, 조성물이 코팅된 두께(수직 방향의 두께)는 영역별로 상이할 수 있다. 즉, 화소 영역에서는 제5 두께(d5)를 갖고, 블랙 매트릭스(220) 위에서는 제6 두께(d6)를 갖고, 서브 컬럼 스페이서(232) 상에서는 제7 두께(d7)를 갖고, 메인 컬럼 스페이서(231) 상에서는 제8 두께(d8)를 갖는다. 여기서, 두께의 크기는 제5 두께(d5), 제6 두께(d6), 제7 두께(d7), 제8 두께(d8)의 순이다. On the other hand, since the composition is in a liquid state, the surface of the coated composition layer 240p may be flat without reflecting the surface shape of the lower structure. Accordingly, the thickness (vertical thickness) A sixth thickness d6 on the black matrix 220 and a seventh thickness d7 on the subcolumn spacers 232 and a third thickness d7 on the sub column spacer 232. In other words, And the eighth thickness d8 on the column spacer 231. The thickness of the column spacer 231 may be selected from the group consisting of a fifth thickness d5, a sixth thickness d6, a seventh thickness d7, to be.

이후, 건조 및 베이크 공정을 거치면서 조성물의 용매가 제거되고 고형분인 전도성 고분자가 제2 절연 기판(210) 상에 잔류하면서 도 5에 도시된 바와 같은 공통 전극(240)이 형성될 수 있다. 조성물층(240p)의 두께가 클수록 고형분의 양도 많기 때문에 더 두꺼운 층을 형성할 수 있다. 따라서, 상술한 바와 같이 가장 두꺼운 조성물층(240p)의 층두께를 가졌던 화소 영역에서 공통 전극(240)의 두께가 가장 크고, 블랙 매트릭스(220) 위, 서브 컬럼 스페이서(232)의 단부 위, 그리고 메인 컬럼 스페이서(231)의 단부 위 순으로 공통 전극(240)의 두께가 작아지게 된다. Thereafter, the solvent of the composition is removed while drying and baking, and the conductive polymer, which is a solid component, remains on the second insulating substrate 210, so that the common electrode 240 as shown in FIG. 5 can be formed. The larger the thickness of the composition layer 240p is, the larger the amount of the solid component is, so that a thicker layer can be formed. The thickness of the common electrode 240 is the largest in the pixel region having the layer thickness of the thickest composition layer 240p as described above and the thickness of the common electrode 240 on the black matrix 220, The thickness of the common electrode 240 becomes smaller in the order of the ends of the main column spacer 231.

공통 전극(240)의 위치별 두께의 차이는 하부 구조물 단차가 클수록 크게 될 것이다. 하부 구조물의 단차가 가장 큰 위치는 컬럼 스페이서(230)와 블랙 매트릭스(220) 사이일 수 있다. 이 경우, 제3 두께(d3)와 제2 두께(d2)의 차이 및 제4 두께(d4)와 제2 두께의 차이는 제1 두께(d1)와 제2 두께(d2)의 차이보다 클 수 있다. The difference in the thickness of the common electrode 240 with respect to the position will be larger as the step height of the lower structure is larger. The position where the step of the substructure is largest may be between the column spacer 230 and the black matrix 220. In this case, the difference between the third thickness d3 and the second thickness d2 and the difference between the fourth thickness d4 and the second thickness are larger than the difference between the first thickness d1 and the second thickness d2 have.

한편, 화소 영역 상의 공통 전극(240)의 두께(d1)는 화소 전극(140)보다 크지만, 다른 위치에서의 공통 전극(240)의 두께(d2, d3, d4)는 화소 전극(140)과 비교할 때 클 수도 있고, 같은 수도 있고, 작을 수도 있다. 예를 들어, 공통 전극(240) 중 가장 작은 두께를 갖는 메인 컬럼 스페이서(231) 상의 공통 전극(240)의 제4 두께(d4)는 화소 전극(140)보다 클 수 있다. 이 경우, 모든 위치에서 공통 전극(240)의 두께는 화소 전극(140)보다 크게 된다. 다른 예로, 메인 컬럼 스페이서(231) 상의 공통 전극(240)의 제4 두께(d4)는 화소 전극(140)보다 작거나 같을 수 있다. 나아가, 서브 컬럼 스페이서(232) 상의 공통 전극(240)의 제3 두께(d3)도 화소 전극(140)보다 작거나 같을 수 있다. Although the thickness d1 of the common electrode 240 on the pixel region is larger than that of the pixel electrode 140, the thicknesses d2, d3, and d4 of the common electrode 240 at other positions are smaller than the thickness d2, It may be large, it may be the same, or it may be small. For example, the fourth thickness d4 of the common electrode 240 on the main column spacer 231 having the smallest thickness among the common electrodes 240 may be larger than the pixel electrode 140. In this case, the common electrode 240 is thicker than the pixel electrode 140 at all positions. As another example, the fourth thickness d4 of the common electrode 240 on the main column spacer 231 may be less than or equal to the pixel electrode 140. Further, the third thickness d3 of the common electrode 240 on the sub-column spacer 232 may be smaller than or equal to the pixel electrode 140. [

이하, 다른 실시예들에 대해 설명한다. 이하의 실시예에서 이전 실시예에서 언급된 것과 동일한 구성에 대해서는 동일한 참조 부호로 지칭하고, 중복 설명은 생략하거나 간략화하기로 한다.Hereinafter, other embodiments will be described. In the following embodiments, the same components as those described in the previous embodiment will be referred to by the same reference numerals, and duplicate descriptions will be omitted or simplified.

도 9는 다른 실시예에 따른 표시 장치의 상부 기판의 단면도이다. 도 10은 도 9의 공통 전극의 배치도이다. 9 is a cross-sectional view of an upper substrate of a display device according to another embodiment. 10 is a layout diagram of the common electrode of FIG.

도 9 및 도 10을 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치의 상부 기판(201)은 공통 전극(241)이 컬럼 스페이서(230)를 완전히 덮지 않고, 컬럼 스페이서(230) 측벽의 일부를 노출하는 점에서 도 5의 실시예와 차이가 있다. 9 and 10, the upper substrate 201 of the display device according to the present embodiment is configured such that the common electrode 241 does not completely cover the column spacer 230 but exposes a part of the sidewall of the column spacer 230 Which is different from the embodiment of Fig.

구체적으로, 컬럼 스페이서(230)의 단부 상에는 공통 전극(241)이 배치되지만, 컬럼 스페이서(230)의 측벽 상단부는 공통 전극(241)에 의해 덮이지 않고 노출된다. 다시 말하면, 컬럼 스페이서(230)의 측벽 상단부 상에서 공통 전극(241)의 두께는 0이 된다. 컬럼 스페이서(230)의 측벽 하단부는 공통 전극(241)에 의해 덮인다. 제2 절연 기판(210)의 표면으로부터 메인 컬럼 스페이서(231) 측벽 하단부 상의 공통 전극(240)의 높이와 서브 컬럼 스페이서(232) 측벽 하단부 상의 공통 전극(240)의 높이는 실질적으로 동일할 수 있다. Specifically, the common electrode 241 is disposed on the end of the column spacer 230, but the upper end of the sidewall of the column spacer 230 is exposed without being covered by the common electrode 241. In other words, the thickness of the common electrode 241 on the upper side of the sidewall of the column spacer 230 becomes zero. The lower end of the side wall of the column spacer 230 is covered by the common electrode 241. The height of the common electrode 240 on the lower side wall of the main column spacer 231 from the surface of the second insulating substrate 210 and the height of the common electrode 240 on the lower side wall of the sub column spacer 232 may be substantially the same.

도 9의 단면도상 분리된 것으로 보이는 컬럼 스페이서(230) 측벽 하단부 상의 공통 전극(241)은 실제로는 도 10의 평면도에 도시된 것처럼 컬럼 스페이서(230)의 단부를 둘러싸면서 서로 연결되어 있다. The common electrode 241 on the lower side of the sidewall of the column spacer 230, which appears to be separated in the sectional view of Fig. 9, is actually connected to each other surrounding the end of the column spacer 230 as shown in the plan view of Fig.

컬럼 스페이서(230)의 단부 상의 공통 전극(241)은 화소 영역 상의 공통 전극(241)과 분리될 수 있다. 그 결과, 컬럼 스페이서(230)의 단부 상의 공통 전극(241)은 플로팅 전극이 될 수 있다. 공통 전극(241)은 컬럼 스페이서(230)의 단부를 중심으로 링 형상의 오픈부(241R)를 포함할 수 있다. The common electrode 241 on the end of the column spacer 230 can be separated from the common electrode 241 on the pixel region. As a result, the common electrode 241 on the end of the column spacer 230 can be a floating electrode. The common electrode 241 may include a ring-shaped open portion 241R around the end of the column spacer 230. [

메인 컬럼 스페이서(231) 단부 상의 공통 전극(241)의 두께는 서브 컬럼 스페이서(232) 단부 상의 공통 전극(241)의 두께보다 작을 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다.The thickness of the common electrode 241 on the end of the main column spacer 231 may be smaller than the thickness of the common electrode 241 on the end of the sub column spacer 232, but is not limited thereto.

본 실시예와 같은 공통 전극(241)의 형상은 표시 장치의 상부 기판(201)의 제조 단계에서 조성물층을 코팅하고 건조 및 베이크할 때 상대적으로 경사가 급한 컬럼 스페이서(230)의 상단부 부근에서 고형분이 흘러내려 비잔류하게 된 것에 기인할 수 있다. The shape of the common electrode 241 as in the present embodiment is such that when the composition layer is coated on the upper substrate 201 of the display device and dried and baked, This is due to the fact that it has flowed down and remained non-residing.

도 11은 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 상부 기판의 단면도이다. 도 12는 도 11의 공통 전극의 배치도이다. 11 is a cross-sectional view of an upper substrate of a display device according to yet another embodiment. 12 is a layout diagram of the common electrode of FIG.

도 11 및 도 12를 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치의 상부 기판(202)는 공통 전극(242)이 컬럼 스페이서(230)의 측벽 상단부 뿐만 아니라 단부 상에도 미형성되어 해당 부위에서 컬럼 스페이서(230)를 노출하는 점이 도 9 및 도 10의 실시예와 차이가 있다. 공통 전극(242)이 컬럼 스페이서(230)의 단부에도 미형성됨에 따라 평면도 상 도 12에 도시된 것처럼 컬럼 스페이서(230)의 단부마다 공통 전극 홀(242H)이 형성될 수 있다. 11 and 12, the upper substrate 202 of the display device according to the present embodiment is formed such that the common electrode 242 is formed not only on the upper end of the side wall of the column spacer 230 but also on the end portion thereof, The present embodiment differs from the embodiment of Figs. A common electrode hole 242H may be formed at each end of the column spacer 230 as shown in FIG. 12 on a plan view, as the common electrode 242 is formed at the end of the column spacer 230.

본 실시예와 같은 공통 전극(242)의 형상은 표시 장치의 상부 기판(202)의 제조 단계에서 조성물층의 코팅 높이가 컬럼 스페이서(230)의 높이보다 작은 경우에 형성될 수 있다. 즉, 조성물층을 컬럼 스페이서(230)의 단부와 측벽 상단부가 잠기지 않을 정도로 코팅하게 되면, 건조 및 베이크에 의해 형성되는 공통 전극(242) 또한 컬럼 스페이서(230)의 단부와 측벽 상단부 상에 미형성될 수 있다. The shape of the common electrode 242 as in this embodiment can be formed when the coating height of the composition layer is smaller than the height of the column spacer 230 in the manufacturing step of the upper substrate 202 of the display device. That is, when the composition layer is coated to such an extent that the end of the column spacer 230 and the upper portion of the side wall are not immersed, the common electrode 242 formed by drying and baking is also formed on the end of the column spacer 230 and the upper end of the side wall .

도 13은 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 상부 기판의 단면도이다. 13 is a cross-sectional view of an upper substrate of a display device according to yet another embodiment.

도 13을 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치의 상부 기판(203)은 블랙 매트릭스(220)와 컬럼 스페이서(230) 사이에서 오버코트층(250)을 더 포함하는 점에서 도 5의 실시예와 차이가 있다. 오버코트층(250)은 블랙 매트릭스(220)를 덮고, 컬럼 스페이서(230)는 오버코트층(250) 상에 배치된다. 또한, 공통 전극(243)은 오버코트층(250) 상에 배치되고, 컬럼 스페이서(230)를 덮는다. 13, the upper substrate 203 of the display according to the present embodiment includes the overcoat layer 250 between the black matrix 220 and the column spacer 230, There is a difference. The overcoat layer 250 covers the black matrix 220 and the column spacers 230 are disposed on the overcoat layer 250. In addition, the common electrode 243 is disposed on the overcoat layer 250 and covers the column spacer 230.

오버코트층(250)은 폴리이미드(Polyimide), 포토아크릴(Photoacrylic) 등과 같은 유기 절연물질로 이루어지며, 평탄화 역할을 할 수 있다. 오버코트층(250)에 의해 블랙 매트릭스(220)에 의한 단차가 해소될 수 있다. 따라서, 본 실시예의 경우, 도 5의 실시예에서 논의하였던 블랙 매트릭스(220) 단차에 의한 공통 전극(243)의 두께 차이는 발생하지 않을 수 있다. The overcoat layer 250 is made of an organic insulating material such as polyimide, photoacrylic, or the like, and can perform a planarization function. The stepped portion by the black matrix 220 can be eliminated by the overcoat layer 250. Therefore, in the case of this embodiment, the difference in thickness of the common electrode 243 due to the step of the black matrix 220 discussed in the embodiment of Fig. 5 may not occur.

도 14는 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 상부 기판의 단면도이다. 14 is a cross-sectional view of an upper substrate of a display device according to another embodiment.

도 14를 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치는 상부 기판(204)이 컬러 필터를 포함하는 점에서 도 13의 실시예와 차이가 있다. Referring to Fig. 14, the display device according to the present embodiment is different from the embodiment of Fig. 13 in that the upper substrate 204 includes a color filter.

구체적으로, 제2 절연 기판(210) 상에 블랙 매트릭스(220)가 배치되고, 그 위에 컬러 필터(260R, 260B, 260G)가 배치될 수 있다. 컬러 필터(260R, 260B, 260G) 상에는 오버코트층(250)이 배치되고, 그 위에 컬럼 스페이서(230)가 배치된다. 공통 전극(243)은 오버코트층(250) 상에 배치되고, 컬럼 스페이서(230)를 덮도록 배치된다. Specifically, the black matrix 220 may be disposed on the second insulating substrate 210, and the color filters 260R, 260B, and 260G may be disposed thereon. An overcoat layer 250 is disposed on the color filters 260R, 260B, and 260G, and a column spacer 230 is disposed thereon. The common electrode 243 is disposed on the overcoat layer 250 and is arranged to cover the column spacer 230.

도 14는 컬러 필터(260R, 260B, 260G)가 하부 기판(100)이 아닌 상부 기판(200)에 형성될 수 있음을 예시한다. 컬러 필터(260R, 260B, 260G)가 상부 기판(200)에 배치된 경우, 도 2에 도시된 하부 기판(100)의 컬러 필터(120)는 생략될 수 있다. 14 illustrates that the color filters 260R, 260B, and 260G may be formed on the upper substrate 200 rather than the lower substrate 100. FIG. When the color filters 260R, 260B and 260G are disposed on the upper substrate 200, the color filter 120 of the lower substrate 100 shown in FIG. 2 may be omitted.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be practical exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, You will understand. It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive.

10: 표시 장치
100: 하부 기판
200: 상부 기판
230: 컬럼 스페이서
240: 공통 전극
10: Display device
100: Lower substrate
200: upper substrate
230: Column spacer
240: common electrode

Claims (20)

서로 대향하며, 각각 화소 영역 및 화소 경계를 포함하는 제1 절연 기판과 제2 절연 기판;
상기 제2 절연 기판 상에 배치된 컬럼 스페이서; 및
상기 제2 절연 기판 상에 배치되고 상기 컬럼 스페이서를 적어도 부분적으로 덮으며, 전도성 고분자를 포함하는 공통 전극을 포함하는 표시 장치.
A first insulating substrate and a second insulating substrate facing each other and including a pixel region and a pixel boundary;
A column spacer disposed on the second insulating substrate; And
And a common electrode disposed on the second insulating substrate and at least partially covering the column spacer, the common electrode including a conductive polymer.
제1 항에 있어서,
상기 컬럼 스페이서는 상기 제2 절연 기판의 상기 화소 경계 상에 위치하는 표시 장치.
The method according to claim 1,
And the column spacer is located on the pixel boundary of the second insulating substrate.
제2 항에 있어서,
상기 제2 절연 기판의 상기 화소 경계 상에 배치된 블랙 매트릭스를 더 포함하되,
상기 컬럼 스페이서는 상기 블랙 매트릭스 상에 배치되는 표시 장치.
3. The method of claim 2,
Further comprising a black matrix disposed on the pixel boundary of the second insulating substrate,
Wherein the column spacer is disposed on the black matrix.
제2 항에 있어서,
상기 공통 전극은 상기 제2 절연 기판의 상기 화소 영역 및 상기 컬럼 스페이서의 단부에 배치되고,
상기 화소 영역 상의 상기 공통 전극의 두께는 상기 컬럼 스페이서의 단부 상의 상기 공통 전극의 두께보다 두꺼운 표시 장치.
3. The method of claim 2,
The common electrode is disposed at the pixel region of the second insulating substrate and at the end of the column spacer,
Wherein a thickness of the common electrode on the pixel region is thicker than a thickness of the common electrode on an end portion of the column spacer.
제4 항에 있어서,
상기 컬럼 스페이서는 메인 컬럼 스페이서 및 상기 메인 컬럼 스페이서보다 높이가 작은 서브 컬럼 스페이서를 포함하고,
상기 메인 컬럼 스페이서의 단부 상의 상기 공통 전극의 두께는 상기 서브 컬럼 스페이서의 단부 상의 상기 공통 전극의 두께보다 작은 표시 장치.
5. The method of claim 4,
Wherein the column spacer includes a main column spacer and a sub column spacer having a height smaller than the main column spacer,
And the thickness of the common electrode on the end of the main column spacer is smaller than the thickness of the common electrode on the end of the subcolumn spacer.
제4 항에 있어서,
상기 공통 전극은 상기 컬럼 스페이서의 측벽 상단부를 노출하고,
상기 컬럼 스페이서의 단부 상에 배치된 공통 전극은 상기 화소 영역 상의 상기 공통 전극과 분리된 플로팅 전극인 표시 장치.
5. The method of claim 4,
The common electrode exposes an upper end of a sidewall of the column spacer,
And a common electrode disposed on an end of the column spacer is a floating electrode separated from the common electrode on the pixel region.
제2 항에 있어서,
상기 공통 전극은 상기 컬럼 스페이서의 측벽 하단부를 덮고, 상기 컬럼 스페이서의 단부 및 측벽 상단부를 노출하는 표시 장치.
3. The method of claim 2,
Wherein the common electrode covers the lower end of the sidewall of the column spacer and exposes the end of the column spacer and the upper end of the sidewall.
제7 항에 있어서,
상기 제1 절연 기판 상의 상기 화소 영역에 배치되며, 투명한 도전성 산화 물질을 포함하는 화소 전극을 더 포함하는 표시 장치.
8. The method of claim 7,
And a pixel electrode disposed in the pixel region on the first insulating substrate and including a transparent conductive oxide material.
제8 항에 있어서,
상기 공통 전극의 반사율은 상기 화소 전극의 반사율보다 낮은 표시 장치.
9. The method of claim 8,
Wherein the reflectance of the common electrode is lower than the reflectivity of the pixel electrode.
제8 항에 있어서,
상기 공통 전극은 상기 제2 절연 기판의 상기 화소 영역 상에 배치되고,
상기 화소 영역 상의 상기 공통 전극은 상기 화소 전극보다 두꺼운 표시 장치.
9. The method of claim 8,
The common electrode is disposed on the pixel region of the second insulating substrate,
Wherein the common electrode on the pixel region is thicker than the pixel electrode.
제1 항에 있어서,
상기 공통 전극의 굴절율은 1.5이하인 표시 장치.
The method according to claim 1,
And the refractive index of the common electrode is 1.5 or less.
제11 항에 있어서,
상기 공통 전극의 반사율은 1.7% 이하이고, 면저항은 150Ω/□ 이하이고, 투과율은 88% 이상인 표시 장치.
12. The method of claim 11,
The reflectance of the common electrode is 1.7% or less, the sheet resistance is 150? /? Or less, and the transmittance is 88% or more.
제1 항에 있어서,
상기 공통 전극의 두께는 100nm 내지 2000nm인 표시 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the common electrode has a thickness of 100 nm to 2000 nm.
제1 항에 있어서,
상기 공통 전극은 PEDOT:PSS막을 포함하는 표시 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the common electrode comprises a PEDOT: PSS film.
절연 기판 상에 컬럼 스페이서를 형성하는 단계;
상기 컬럼 스페이서가 형성된 절연 기판 상에 전도성 고분자 및 용매를 포함하는 조성물층을 형성하는 단계; 및
상기 용매를 제거하여 전도성 고분자를 포함하는 공통 전극을 형성하는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
Forming a column spacer on the insulating substrate;
Forming a composition layer comprising a conductive polymer and a solvent on an insulating substrate on which the column spacer is formed; And
And removing the solvent to form a common electrode including the conductive polymer.
제15 항에 있어서,
상기 용매를 제거하는 단계는 건조 및 베이크 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
16. The method of claim 15,
Wherein the step of removing the solvent includes a drying and a baking step.
제16 항에 있어서,
상기 컬럼 스페이서를 형성하는 단계는 유기물을 도포하는 단계, 및
마스크를 이용하여 노광하고 현상하는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
17. The method of claim 16,
Wherein forming the column spacer comprises applying an organic material, and
And exposing and developing using a mask.
제17 항에 있어서,
상기 컬럼 스페이서는 메인 컬럼 스페이서 및 상기 메인 컬럼 스페이서보다 높이가 작은 서브 컬럼 스페이서를 포함하고,
상기 마스크는 슬릿 마스크 또는 하프톤 마스크를 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
18. The method of claim 17,
Wherein the column spacer includes a main column spacer and a sub column spacer having a height smaller than the main column spacer,
Wherein the mask comprises a slit mask or a halftone mask.
제15 항에 있어서,
상기 전도성 고분자는 PEDOT:PSS를 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
16. The method of claim 15,
Wherein the conductive polymer comprises PEDOT: PSS.
제15 항에 있어서,
상기 조성물층은 상기 컬럼 스페이서가 모두 잠기는 두께로 코팅되는 표시 장치의 제조 방법.
16. The method of claim 15,
Wherein the composition layer is coated to a thickness at which the column spacer is all submerged.
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