KR20190031789A - Method of preparing freestanding thin film - Google Patents
Method of preparing freestanding thin film Download PDFInfo
- Publication number
- KR20190031789A KR20190031789A KR1020170119666A KR20170119666A KR20190031789A KR 20190031789 A KR20190031789 A KR 20190031789A KR 1020170119666 A KR1020170119666 A KR 1020170119666A KR 20170119666 A KR20170119666 A KR 20170119666A KR 20190031789 A KR20190031789 A KR 20190031789A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- thin film
- free
- supporting thin
- polymer
- patterns
- Prior art date
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 130
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 48
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 69
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 48
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 26
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 43
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims description 42
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 25
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 19
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 18
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 11
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 11
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 claims description 8
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 claims description 8
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 4
- CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N molybdenum disulfide Chemical compound S=[Mo]=S CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052982 molybdenum disulfide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- ITRNXVSDJBHYNJ-UHFFFAOYSA-N tungsten disulfide Chemical compound S=[W]=S ITRNXVSDJBHYNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 claims description 3
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229920002319 Poly(methyl acrylate) Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 claims description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 3
- SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N diacetone alcohol Natural products CC(=O)CC(C)(C)O SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 claims description 3
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 claims description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 238000003841 Raman measurement Methods 0.000 description 2
- 229910001870 ammonium persulfate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N o-cresol Chemical compound CC1=CC=CC=C1O QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000002860 competitive effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- -1 or the like Substances 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000000352 supercritical drying Methods 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/28008—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes
- H01L21/28017—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon
- H01L21/28026—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon characterised by the conductor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
- H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
- H01L21/28512—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L21/28556—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table by chemical means, e.g. CVD, LPCVD, PECVD, laser CVD
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L29/1606—Graphene
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Abstract
Description
본 발명은 새로운 자유지지형 박막의 제조 방법에 관한 것이다. 구체적으로, 보다 간편하고도 경제적인 자유지지형 박막의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for producing a new free supporting thin film. More specifically, the present invention relates to a method of manufacturing a free-supporting thin film which is simpler and more economical.
그래핀(graphene)은 물리적, 화학적 안정성도 높으면서, 전기전도성 및 강도가 우수할 뿐만 아니라, 휨 특성(flexibility)이 뛰어나 늘리거나 구부려도 전기적 성질을 잃지 않는다. 이런 특성으로 인해 그래핀은 차세대 신소재로 각광받는 탄소나노튜브를 뛰어넘는 소재로 평가받으며 '꿈의 나노물질'이라 불린다. 그리하여 그래핀은 구부릴 수 있는 디스플레이나 전자종이, 착용식 컴퓨터(wearable computer), 초고속 트랜지스터 등을 만들 수 있는 전자정보 산업분야의 미래 신소재로 주목받고 있다.Graphene has high physical and chemical stability, and is not only excellent in electrical conductivity and strength, but also excellent in flexibility and does not lose its electrical properties even when stretched or bent. Because of these properties, graphene is regarded as a material that goes beyond carbon nanotubes, which are regarded as the next generation of new materials, and is called 'dream nanomaterial'. Thus, graphene is attracting attention as a future-oriented new material in the electronic information industry that can produce bendable displays, electronic paper, wearable computers, and ultra-high-speed transistors.
일반적으로 이러한 그래핀은 기판(substrate)의 일면에 밀착되어 기판에 의해 지지되는 형태로 제조된다. 그런데 이렇게 기판에 의해 지지되는 그래핀은 본래의 광학적, 물리적 특성이 매우 저하된다. 따라서 그래핀 자체의 우수한 물성 및 특성을 확보하기 위해서는 기판을 제거한 자유지지 형태(기판으로부터 그래핀이 떠있는 형태)의 그래핀 구조물이 필수적이다. 이때, 이러한 자유지지 그래핀 구조물을 이용한 응용을 위해서는 자유지지된 그래핀의 면적이 매우 넓은 것이 바람직하다.Generally, such graphenes are manufactured in such a manner that the graphenes adhere to one surface of a substrate and are supported by the substrate. However, the graphenes supported by the substrate in this way are very poor in inherent optical and physical properties. Therefore, in order to secure the excellent physical properties and properties of the graphene itself, a graphene structure in which a substrate is removed and in which free grains are floating from the substrate is essential. At this time, it is preferable that the area of free graphene is very wide for the application using such a free graphene structure.
그러나 화학기상증착(Chemical vapor deposition, CVD)으로 합성된 그래핀의 경우 결함(defect) 등의 영향으로 인해 대면적의 자유지지 그래핀 구조물을 제작하는 것이 매우 어려운 실정이다. 그리고 이와 같이 화학기상증착에 의해 제조된 자유지지 그래핀은 흑연으로부터의 박리법을 이용하여 제조된 그래핀에 비해 많은 연구가 진행되어 있지 않으며, 기존의 화학기상증착에 의해 제조된 자유지지 그래핀은 크기가 매우 제한되어 있다.However, in the case of graphene synthesized by chemical vapor deposition (CVD), it is very difficult to fabricate a large-area free supporting graphene structure due to defects and the like. The free graphene produced by the chemical vapor deposition has not been studied much in comparison with the graphene produced by the peeling method from the graphite, and the free graphene produced by the conventional chemical vapor deposition Is very limited in size.
아울러, 자유지지형 그래핀을 제조하기 위해서 그래핀 패터닝, 벌크 실리콘 기판의 에칭, 이빔(e-beam) 리소그래피 공정을 수행하고, 그래핀의 형태를 유지시켜주는 임계점 건조 공정을 필수적으로 수행하는데, 이러한 공정들은 복잡하고 진공상태를 필요로 하거나, 고온 공정이 필요하다는 단점이 있다. In addition, a critical-point drying process is performed to perform graphene patterning, bulk silicon substrate etching, e-beam lithography, and graphene formation in order to produce freely supporting graphenes, These processes are complicated, require a vacuum state, or require a high temperature process.
이에 따라, 자유지지형 박막(자유지지형 그래핀)을 제조하는 방법에 대한 것으로서 보다 효율적이고 경제적인 방법에 대한 개발이 시급한 실정이다.Accordingly, there is an urgent need to develop a more efficient and economical method for manufacturing a free supporting thin film (free supporting type graphene).
본 발명의 구현예들에서는 자유지지형 박막의 제조 방법으로서, 기존의 제조 방법과 비교하여 보다 간편하게 자유지지형 박막을 제조할 수 있는 자유지지형 박막의 제조 방법을 제공하고자 한다.Embodiments of the present invention provide a method of manufacturing a free supporting thin film which can manufacture a free supporting thin film more easily than a conventional manufacturing method.
본 발명의 다른 구현예들에서는 상기 자유지지형 박막의 제조 방법을 이용하여 자유지지형 박막의 형상을 제어하는 방법을 제공하고자 한다.In another embodiment of the present invention, there is provided a method of controlling the shape of a free supporting thin film using the method of manufacturing the free supporting thin film.
본 발명의 일 구현예에서, 자유지지형 박막의 제조 방법으로서, 기판상에 둘 이상의 시드층 패턴 및 둘 이상의 전극 패턴을 형성하는 단계; 고분자 지지층이 부착된 예비 자유지지형 박막을 상기 전극 패턴에 전사하는 단계; 및 상기 고분자 지지층 및 예비 자유지지형 박막의 일부를 제거하여 전극 패턴의 상부에 형성되며, 이웃한 전극 패턴의 상부를 연결하는 자유지지형 박막을 제조하는 단계; 를 포함하는 자유지지형 박막의 제조 방법이 제공된다.In one embodiment of the present invention, there is provided a method of manufacturing a free supporting thin film, comprising: forming two or more seed layer patterns and two or more electrode patterns on a substrate; Transferring the preliminarily free supporting thin film having the polymer supporting layer to the electrode pattern; Forming a free supporting thin film on the electrode pattern by removing a portion of the polymer supporting layer and the free free supporting thin film and connecting the upper portion of the adjacent electrode pattern; A method of manufacturing a free-supporting thin film comprising the steps of:
예시적인 구현예에서, 상기 자유지지형 박막의 길이(l)는 이웃한 전극 패턴의 간격(d)과 각 전극 패턴의 가로 길이(w)를 합한 값과 동일할 수 있다.In an exemplary embodiment, the length l of the free-supporting thin film may be equal to the sum of the distance d between adjacent electrode patterns and the width w of each electrode pattern.
예시적인 구현예에서, 상기 자유지지형 박막은 그래핀, 질화붕소, 이황화텅스텐, 이황화몰리브덴 및 금속 디칼코게니드로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상을 포함할 수 있다.In an exemplary embodiment, the free-supporting thin film may include at least one selected from the group consisting of graphene, boron nitride, tungsten disulfide, molybdenum disulfide, and metal decalconeide.
예시적인 구현예에서, 상기 예비 자유지지형 박막은 화학기상증착공정(chemical vapor deposition, CVD)을 통해 형성되고, 상기 고분자 지지층은 예비 자유지지형 박막형성 후, 고분자 지지층용 물질을 코팅하는 공정을 통해 형성될 수 있다.In an exemplary embodiment, the preliminary free supporting thin film is formed through chemical vapor deposition (CVD), and the polymer supporting layer is formed by forming a preliminary free supporting thin film and coating the material for the polymer supporting layer As shown in FIG.
예시적인 구현예에서, 기판 상에 둘 이상의 시드층 패턴 및 둘 이상의 전극 패턴을 형성하는 단계는, 기판 상에 시드층을 형성하는 단계; 상기 시드층 상에 서로 이격되며 둘 이상으로 형성되는 광감응성 폴리머 패턴을 형성하는 단계; 상기 광감응성 폴리머 패턴을 매립하는 둘 이상의 전극 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 광감응성 폴리머 패턴을 제거하고, 시드층의 일부를 식각하여 기판 상과 전극 패턴 사이에 시드층 패턴을 형성하는 단계; 를 포함할 수 있다.In an exemplary embodiment, the step of forming two or more seed layer patterns and two or more electrode patterns on a substrate includes: forming a seed layer on the substrate; Forming a photoresponsive polymer pattern on the seed layer, the photoresponsive polymer patterns being spaced apart from each other and formed in two or more layers; Forming two or more electrode patterns for embedding the photosensitive polymer pattern; Removing the photoresponsive polymer pattern and etching a part of the seed layer to form a seed layer pattern between the substrate and the electrode pattern; . ≪ / RTI >
예시적인 구현예에서, 상기 전극 패턴은 100nm ~ 60㎛의 높이를 가질 수 있다.In an exemplary embodiment, the electrode pattern may have a height of 100 nm to 60 占 퐉.
예시적인 구현예에서, 상기 이웃한 전극 패턴은 1nm ~30㎛의 거리로 이격될 수 있다.In an exemplary embodiment, the neighboring electrode patterns may be spaced a distance of 1 nm to 30 μm.
예시적인 구현예에서, 상기 고분자 지지층은, 폴리메틸아크릴레이트(PMMA), 폴리카보네이트(PC), 폴리스타이렌(PS) 및 폴리우레탄(PU)로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상을 포함할 수 있다.In an exemplary embodiment, the polymeric support layer may comprise at least one selected from the group consisting of polymethyl acrylate (PMMA), polycarbonate (PC), polystyrene (PS) and polyurethane (PU).
예시적인 구현예에서, 상기 고분자 지지층을 제거할 때, 30mN/m이하의 표면장력을 갖는 유기용매를 통해 고분자 지지층을 제거할 수 있다.In an exemplary embodiment, when removing the polymer support layer, the polymer support layer can be removed through an organic solvent having a surface tension of 30 mN / m or less.
예시적인 구현예에서, 상기 유기 용매는 클로로폼(chloroform), 클로로벤젠(chlorobenzene), 에탄올(ethanol), 아세톤(acetone) 및 이소프로필알콜(IPA)로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상을 포함할 수 있다.In an exemplary embodiment, the organic solvent may include one or more selected from the group consisting of chloroform, chlorobenzene, ethanol, acetone, and isopropyl alcohol (IPA) .
본 발명의 다른 구현예에서, 자유지지형 박막의 형상 조절 방법으로서, 기판상에 둘 이상의 시드층 패턴 및 둘 이상의 전극 패턴을 형성하는 단계; 고분자 지지층이 부착된 예비 자유지지형 박막을 상기 전극 패턴에 전사하는 단계; 및 상기 고분자 지지층 및 예비 자유지지형 박막의 일부를 제거하여 전극 패턴의 상부에 형성되며, 이웃한 전극 패턴의 상부를 연결하는 자유지지형 박막을 제조하는 단계; 를 포함하며, 전극 패턴 형성시 이웃한 전극 패턴의 간격을 조절하여, 자유지지형 박막의 형상을 조절하는 자유지지형 박막의 형상 조절 방법이 제공된다.In another embodiment of the present invention, there is provided a method of adjusting the shape of a free supporting thin film, comprising: forming two or more seed layer patterns and two or more electrode patterns on a substrate; Transferring the preliminarily free supporting thin film having the polymer supporting layer to the electrode pattern; Forming a free supporting thin film on the electrode pattern by removing a portion of the polymer supporting layer and the free free supporting thin film and connecting the upper portion of the adjacent electrode pattern; The shape of the free supporting thin film is adjusted by adjusting the interval between adjacent electrode patterns when the electrode pattern is formed.
예시적인 구현예에서, 상기 전극 패턴 간의 거리(d)가 10㎛이하일 때는 자유지지형 박막이 필름 형태로 제조될 수 있으며, 상기 전극 패턴 간의 거리(d)가 10㎛을 초과하는 경우에는 자유지지형 박막이 섬유 필라멘트 형태로 제조될 수 있다.In an exemplary embodiment, when the distance d between the electrode patterns is 10 탆 or less, the free supporting thin film may be formed into a film, and when the distance d between the electrode patterns exceeds 10 탆, Type thin film can be produced in the form of a fiber filament.
본 발명의 구현예에 따르면, 기존의 복잡했던 공정 과정과 달리, 고분자 지지층과 3차원 전극 구조를 이용하여 간편하게 자유지지형 박막을 제조할 수 있다. 아울러, 이 경우 공정비용이 낮아 가격경쟁력도 꾀할 수 있다.According to the embodiment of the present invention, a free supporting thin film can be easily manufactured using a polymer supporting layer and a three-dimensional electrode structure unlike the conventional complicated process. In addition, in this case, the process cost is low and the price can be competitive.
본 발명의 또 다른 구현예에 따르면, 또한, 자유지지형 박막을 구성하는 2차원 물질의 부가적인 패터닝 없이도 3차원 전극 간의 거리를 조절하여 2차원 물질의 두께를 제어할 할 수 있다. 이에 따라, 다양한 분야에서 널리 사용될 수 있다.According to another embodiment of the present invention, the thickness of the two-dimensional material can be controlled by adjusting the distance between the three-dimensional electrodes without additional patterning of the two-dimensional material constituting the free supporting thin film. Accordingly, it can be widely used in various fields.
도 1a 내지 1e는 본 발명의 구현예에 따른 자유지지형 박막의 제조 방법에 따른 각 단계에서의 단면도이다.
도 2는 전극 패턴을 형성하는 단계의 예시를 나타낸 순서도 이다.
도 3a 및 3b는 상기 제조 방법에 따라 제조된 자유지지형 박막의 단면도로서, 이웃한 전극 패턴들의 간격 변화에 따른 자유지지형 박막의 형태 변화를 나타낸다(도 6a).
도 4a 및 4b는 각각 본 발명의 다른 구현예에 따른 자유지지형 박막의 제조 방법에 따라 제조된 자유지지형 박막을 나타낸다.
도 5는 본 발명의 구현예에 따른 자유지지형 박막의 제조 방법의 제조시 그래핀층의 적층 전/후의 SEM 사진이다.
도 6a은 전극 패턴의 거리 조절에 따른 자유지지형 박막의 두께 및 형상 변화를 나타내는 SEM 사진이다. 도 6b는 전극 패턴의 거리 조절에 따른 자유지지형 박막의 두께 및 형상 변화에 따른 라만 측정 결과를 나타낸 그래프이다.
도 7a는 본 발명의 구현예에 따른 자유지지형 그래핀의 가시광 영역에서의 빛 발현에 대한 광학현미경 사진이다. 도 7b는 실시예에 따른 가시광 영역에서의 대면적의 빛 발현에 대한 광학현미경 사진이다.FIGS. 1A through 1E are cross-sectional views of respective steps of a method of manufacturing a free-supporting thin film according to an embodiment of the present invention.
2 is a flowchart showing an example of a step of forming an electrode pattern.
FIGS. 3A and 3B are cross-sectional views of a free-supporting thin film produced according to the above-described manufacturing method, and show a change in shape of a free-supporting thin film according to a change in spacing of neighboring electrode patterns (FIG.
4A and 4B each show a free supporting thin film produced according to another embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a SEM photograph of the graphene layer before and after stacking in the manufacturing method of the free supporting thin film according to the embodiment of the present invention.
6A is an SEM photograph showing a change in the thickness and shape of the free supporting thin film according to the adjustment of the distance of the electrode pattern. 6B is a graph showing Raman measurement results according to changes in the thickness and shape of the free supporting thin film according to the distance adjustment of the electrode pattern.
FIG. 7A is an optical microscope photograph of light emission in a visible light region of a free supporting type graphene according to an embodiment of the present invention. FIG. FIG. 7B is an optical microscope photograph of light emission of a large area in the visible light region according to the embodiment.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
본문에 개시되어 있는 본 발명의 실시예들은 단지 설명을 위한 목적으로 예시된 것으로서, 본 발명의 실시예들은 다양한 형태로 실시될 수 있으며 본문에 설명된 실시예들에 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. The embodiments of the present invention disclosed in the present specification are for illustrative purposes only and the embodiments of the present invention can be embodied in various forms and should not be construed as limited to the embodiments described in the text .
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 실시예들은 본 발명을 특정한 개시 형태로 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 할 것이다. It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims. As will be understood by those skilled in the art.
용어정의Term Definition
본 명세서에서, ‘자유지지형 박막’이란 기판으로부터 일부가 떠있는 구조를 갖는 박막을 의미한다.As used herein, the term " free supporting thin film " means a thin film having a structure partially floating from a substrate.
본 명세서에서, ‘2차원 물질’이란 그래핀, 이황화몰리브덴, 이황화텅스텐 등과 같이 단 한 층의 원자로 이루어지 물질을 의미하고, ‘3차원 구조’란 100nm이상의 높이를 가지는 구조를 의미한다.In the present specification, 'two-dimensional material' means a material consisting of only one atom such as graphene, molybdenum disulfide, tungsten disulfide, etc., and 'three-dimensional structure' means a structure having a height of 100 nm or more.
본 명세서에서, 자유지지형 박막의 ‘길이(l)’란 가로 길이를 의미한다.In this specification, the term " length (l) " of the free-supporting thin film means a transverse length.
본 명세서에서, 전극 패턴 사이의 ‘간격(d)’이란 이웃한 전극 패턴 사이의 가로로 측정된 거리로서, 가장 작은 값으로 측정될 수 있는 간격을 의미한다.In the present specification, the 'interval d' between the electrode patterns means a distance measured horizontally between neighboring electrode patterns, which can be measured as the smallest value.
자유지지형 박막의 제조 방법Manufacturing method of free-supporting thin film
본 발명의 일 구현예에서, 자유지지형 박막의 제조 방법으로서, 기판상에 둘 이상의 시드층 패턴 및 둘 이상의 전극 패턴을 형성하는 단계; 고분자 지지층이 부착된 예비 자유지지형 박막을 상기 전극 패턴에 전사하는 단계; 및 상기 고분자 지지층 및 예비 자유지지형 박막의 일부를 제거하여 전극 패턴의 상부에 형성되며, 이웃한 전극 패턴의 상부를 연결하는 자유지지형 박막을 제조하는 단계; 를 포함하는 자유지지형 박막의 제조 방법이 제공된다.In one embodiment of the present invention, there is provided a method of manufacturing a free supporting thin film, comprising: forming two or more seed layer patterns and two or more electrode patterns on a substrate; Transferring the preliminarily free supporting thin film having the polymer supporting layer to the electrode pattern; Forming a free supporting thin film on the electrode pattern by removing a portion of the polymer supporting layer and the free free supporting thin film and connecting the upper portion of the adjacent electrode pattern; A method of manufacturing a free-supporting thin film comprising the steps of:
도 1a 내지 1e는 본 발명의 구현예에 따른 자유지지형 박막의 제조 방법의 각 단계에 있어서의 단면도이다.1A to 1E are cross-sectional views of respective steps of a method of manufacturing a free-supporting thin film according to an embodiment of the present invention.
이하, 도 1a 내지 1e를 참조하여 상기 제조 방법을 자세히 살펴본다.Hereinafter, the manufacturing method will be described in detail with reference to FIGS. 1A to 1E.
먼저, 기판상에 시드층 패턴(115) 및 전극 패턴(130)을 형성한다. 이때, 시드층 패턴(115) 및 전극 패턴(130)은 2 이상으로 형성될 수 있다.First, a
기판(100) 상에 전극 패턴(130)을 형성하는 단계는, 광감응성 폴리머 패턴을 형성하여 이를 이용한 후, 리프트 오프 하는 방법, 쉐도우 마스크를 이용하는 공정 등 다양한 공정을 통해 수행될 수 있다. 다만, 이하에서는 설명의 편의상 도 2에 기재된 광감응성 폴리머 패턴을 이용하는 공정을 예를 들어 설명한다.The step of forming the
도 2를 살펴보면, 기판(100)상에 2(둘) 이상의 시드층 패턴(115) 및 전극 패턴(130)을 형성하는 단계는, 기판(100) 상에 시드층(110)을 형성하는 단계; 시드층(110) 상에 서로 이격되며 복수 개로 형성되는 광감응성 폴리머 패턴(125)을 형성하는 단계; 광감응성 폴리머 패턴(125)을 매립하는 전극 패턴(130)을 형성하는 단계; 광감응성 폴리머 패턴(125)을 제거하고, 시드층(110)을 식각하여 기판(100)과 전극 패턴(130) 사이에 시드층 패턴(115)을 형성하는 단계; 를 포함할 수 있다.2, forming two or more
기판(100)은 세라믹, 금속, 반도체 물질 등을 포함할 수 있으며, 불활성의 안정화된 상면이 평탄화된 기판을 사용할 수 있다. The
일 구현예에서, 기판(100)은 실리콘 산화물, 실리콘 탄화물 등을 포함할 수 있다. 기판(100)으로서 전도성/비전도성 구분없이 다양한 물질이 사용될 수 있으나, 기판(100)이 전도성 물질을 포함하는 경우 추후 전극 형성 공정에서 용이하게 작용할 수 있다.In one embodiment, the
한편 기판(100)에는 전극 패턴을 형성하기 이전에 시드층(110)이 형성될 수 있는데, 시드층(110)은 구리, 크롬 등과 같은 금속을 포함할 수 있다. 시드층(110)은 5 내지 60nm의 높이를 가질 수 있다.시드층(110)은 기판(100) 상에 e-빔(e-beam)리소그래피 공정을 통해 금속이 증착되어 형성될 수 있다.Meanwhile, the
이후, 시드층(110) 상에 광감응성 폴리머 막을 형성한 후, 이를 패터닝하여 서로 이격되며 복수 개로 형성되는 광감응성 폴리머 패턴(125)을 형성할 수 있다. 광감응성 폴리머 패턴(125)을 형성할 때는 통상의 포토리소그래피 공정을 수행할 수 있다.Thereafter, a photoresponsive polymer film is formed on the
일 구현예에서, 광감응성 폴리머 패턴(125)은 페놀, o-크레졸, 3,5-키시레놀과 같은 노볼락계 수지, 폴리히드록시스티렌계 수지, 폴리메타크릴레이트계 수지와 술포늄염, 요오드늄염 또는 유기계 화합물 등이 섞인 고분자를 포함하는 포지티브형 감광성 수지 같은 물질을 포함할 수 있다.In one embodiment, the
이어서, 광감응성 폴리머 패턴(125)을 매립할 수 있도록 전극 패턴(130)을 형성한다.Subsequently, an
구체적으로 시드층(110) 및 광감응성 폴리머 패턴(125) 상에 열증착(thermal evaporatorization), e-beam 증착(e-beam evaporatorization), 전기도금, 스퍼터링 공정 등을 수행하여 도 1a에 도시된 바와 같은 전극 패턴을 형성한다. 이때, 광감응성 폴리머 패턴(125)은 시드층(110) 상에서 일정한 간격으로 서로 이격되어 있는 바, 전극 패턴(130)은 광감응성 폴리머 패턴(125)간의 간격을 매립하는 구조를 가질 수 있다.More specifically, thermal evaporation, e-beam evaporation, electroplating, sputtering, and the like are performed on the
도 1a에서는 전극 패턴(130)이 2개로 형성됨(즉, 135 및 137)을 도시하였으나, 이에 제한되지 않고, 전극 패턴(130)은 복수 개로 형성될 수 있고, 그 수에 제한되지 않는다. 이하에서는, 설명의 편의상 2개의 전극 패턴(135, 137)을 형성한 경우를 예를 들어 설명한다.1A, two
예시적인 구현예에서, 전극 패턴(135, 137)은 100nm ~ 60㎛의 높이를 가질 수 있으며, 예컨대, 40 내지 55㎛의 높이를 가질 수 있다. 전극 패턴(135, 137)의 높이가 100nm 미만일 경우, 전극 패턴(135, 137)과 추후 형성되는 예비 자유지지형 박막(210, 도 1d 참조) 사이에 공극(140)이 생기지 않아 결점이 없이 전사되기 때문에 본 발명에 따른 자유지지형 박막을 제조할 수 없다. 한편, 전극패턴(135, 137)의 높이가 60㎛ 을 초과하는 경우는 증착 소요 시간 등이 높아서 바람직하지 않다. In an exemplary embodiment, the
한편, 전극 패턴(135, 137)은 3차원 전극으로 제조될 수 있다. 여기서 3차원 전극은 3차원 구조를 가지는 전극으로, 3차원 구조는 100nm이상의 높이를 가지는 구조를 의미한다.On the other hand, the
예시적인 구현예에서, 이웃한 전극 패턴(135, 137)은 1nm ~30㎛의 거리로 이격될 수 있다. 30㎛를 초과하는 경우 이웃한 전극 패턴(135, 137) 사이의 기판(100)에 전사 필름(220, 도 1b참조)이 닿게 되어 자유지지형 박막(215, 도 1e참조)을 제조하기 어렵다. In an exemplary embodiment, neighboring
한편, 전극 패턴(135, 137)의 거리 조절을 통해 추후 형성되는 자유지지형 박막(215)의 형상을 제어할 수 있다. 예컨대, 전극 패턴(135, 137)의 거리(d)가 10㎛ 이하인 경우, 자유지지형 박막(215)이 필름 형태로 제조될 수 있으며, 10㎛을 초과하는 경우에는 섬유 필라멘트 형태로 제조될 수 있다. 예를 들어, 도 3a 및 3b에 기재된 바와 같이 전극 패턴(135, 137)의 거리(d)가 10㎛ 이하인 경우, 자유지지형 박막(215)이 일정한 너비를 가져 필름 형태를 가질 수 있으나, 전극 패턴(135, 137)의 거리(d)가 10㎛를 초과하는 경우에는 자유지지형 박막(215)의 너비가 매우 얇아져 섬유 필라멘트 형태로 제조될 수 있다. On the other hand, the shape of the free supporting
이와 같이 전극 패턴(130)이 제조되는 방법을 기술하였으나, 도 2에 기재된 바에 제한되지 않고, 다양한 공정을 통해 전극 패턴(130)이 제조될 수 있다.Although the method of manufacturing the
이후, 광감응성 폴리머(125) 패턴을 제거한 후, 시드층(110)을 식각한다.After removing the
먼저, 광감응성 폴리머(125) 패턴을 제거하는데, 이때 아세톤 등과 같은 용매를 사용할 수 있다. 이어서, 암모늄펄설페이트용액, 크롬에칭용액 등과 같은 용매를 사용하여 시드층(110)을 식각한다. 이때, 시드층(110) 식각 시에는 시드층(110)의 전부가 제거되는 것이 아니라, 전극 패턴(130)의 하부의 시드층(110)은 제거되지 않고 잔존하여 시드층 패턴(115)이 되도록 식각공정을 수행한다. First, the photoresponsive polymer (125) pattern is removed, and a solvent such as acetone or the like may be used. Then, the
한편 도 1b를 살펴보면, 2차원 물질을 포함하는 예비 자유지지형 박막(210) 상에 고분자 지지층용 물질을 코팅하여, 예비 자유지지형 박막(210) 및 고분자 지지층(200)을 포함하는 전사 필름(220)을 제조할 수 있다.On the other hand, referring to FIG. 1B, a polymer supporting layer material is coated on a preliminary free supporting
예비 자유지지형 박막(210)은 화학기상증착공정(chemical vapor deposition, CVD), 박리, 분산 공정 등을 통해 합성될 수 있다. The preliminary free supporting
예시적인 구현예에서, 예비 자유지지형 박막(210)은 2차원 물질을 포함하도록 제조될 수 있다. In an exemplary embodiment, the preliminary free-standing
예를 들어, 예비 자유지지형 박막 (210)은 그래핀, 질화붕소, 이황화텅스텐, 이황화몰리브덴 및 금속 디칼코게니드로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상을 포함할 수 있다. For example, the preliminary free supporting
일 구현예에서, 예비 자유지지형 박막(210)은 2차원 물질인 그래핀을 포함하도록 제조될 수 있다.In one embodiment, the preliminary free-standing
한편, 고분자 지지층(200)은 고분자 지지층용 물질을 예비 자유지지형 박막(210) 상에 코팅 및 건조하여 형성될 수 있는데 이때 고분자 지지층용 물질은 유리전이온도 이하에서 강도가 강하고 깨지기 쉬운 특성을 갖는 비결정질 고분자 물질을 포함할 수 있다.The
일 구현예에서, 고분자 지지층(200)은 예컨대, 폴리메틸아크릴레이트(PMMA), 폴리카보네이트(PC), 폴리스타이렌(PS) 및 폴리우레탄(PU)으로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상을 포함할 수 있다.In one embodiment, the
이후, 형성된 예비 자유지지형 박막(210)이 전극 패턴(135, 137)에 접하도록 전사 필름(220)을 전극 패턴(135, 137)에 전사한다(도 1c및 도 1d). 상기 전사 공정은 통상의 전사 공정을 통해 진행될 수 있다. 상기 공정을 통해, 전극 패턴(135, 137)과 예비 자유지지형 박막(210)이 서로 접하도록 형성될 수 있다. 한편, 전극 패턴(135, 137)은 서로 일정한 간격으로 이격되어 있으므로, 예비 자유지지형 박막 (210)의 일부분은 전극 패턴(135, 137)으로부터 지지되어 있지 않고 공중에 떠있을 수 있다.Thereafter, the
한편 이와 같이 고분자 지지층(200)을 이용한 전사 방법으로 전극 패턴(135, 137)이 형성된 기판(100) 위에 전사를 하게 되면, 전극 패턴(135, 137) 외측에서 기판(100)과 전사 필름(220) 일부가 접하게 되고, 이때 고분자 특성으로 인하여 전극 패턴(135, 137)에 전사 필름(220)이 완벽하게 밀착하지 못하고 전극 패턴(135, 137) 옆 쪽과 전극 패턴(135, 137) 간의 사이에 공극(140)이 형성된다(도 1d참조).On the other hand, when the transfer is performed on the
이어서, 고분자 지지층(200)와 예비 자유지지형 박막(210)의 일부를 제거하여 전극 패턴(135, 137)의 상부에 형성되며, 이웃한 전극 패턴(135, 137)의 상부를 연결하는 자유지지형 박막(215)을 제조한다(도 1e).The
구체적으로, 습식 식각 공정을 통해, 기판(100) 상에 형성된 고분자 지지층(200) 및 예비 자유지지형 박막(210)의 일부와 공극(140) 상에 위치한 고분자 지지층(200) 및 예비 자유지지형 박막(210)을 제거한다. Specifically, a wet etching process may be performed to remove the
이때, 도 1d에 도시된 공극(140)과 전극 패턴(135, 137)간의 거리조절이 자유지지형 박막(215)을 제조하는데 있어서 큰 역할을 수행한다. 공극(140)과 관련해서 살펴보면, 고분자 지지층(200)을 유기 용매를 이용하여 제거할 때, 고분자 지지층(200)이 제거될 뿐만 아니라, 공극(140)이 결점 역할을 하는데, 특히 전극 패턴(135, 137)의 측면에 존재하는 공극(140)을 중심으로 전사 필름(220)의 예비 자유지지형 박막(215)이 절단될 수 있다. 즉, 예비 자유지지형 박막(210)의 공극(140)이 형성된 전극 패턴(135, 137) 의 외측을 중심으로 예비 자유지지형 박막(210)이 절단될 수 있다. At this time, the distance between the
일 구현예에서, 자유지지형 박막(215)의 길이(l)는 이웃한 전극 패턴의 간격(d)과 각 전극 패턴의 가로 길이(w)를 합한 값과 동일할 수 있다. In one embodiment, the
한편, 전극 패턴(135, 137)의 크기가 낮은 경우, 공극(140)의 영향을 받지 않아, 전사 필름(220)의 예비 자유지지형 박막(215)이 절단되지 않고 고분자 지지층(200)만이 제거될 수 있다. 전극 패턴(135, 137)간의 거리가 먼 경우, 전극패턴(135, 137) 사이의 거리(d)를 버티지 못하고 전극 패턴(135, 137) 사이의 기판(100)에 전사 필름(220)이 붙는 부분이 발생하기 때문에 전극 패턴(135, 137) 간격 상에 자유지지형 박막(215)이 형성되기 어렵다.On the other hand, when the
한편, 상기 습식 식각 공정시 표면 장력이 30mN/m 이하인 유기 용매를 사용할 수 있는데 예컨대, 클로로폼(chloroform), 클로로벤젠(chlorobenzene), 아세톤 (acetone) 및 이소프로필알콜(IPA)로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상을 포함하는 유기 용매를 통해 고분자 지지층(200)을 제거하고, 예비 자유지지형 박막(210)의 일부를 제거하여 자유지지형 박막(215)을 제조할 수 있다.An organic solvent having a surface tension of 30 mN / m or less may be used in the wet etching process. For example, an organic solvent selected from the group consisting of chloroform, chlorobenzene, acetone and isopropyl alcohol (IPA) The
한편, 자유지지형 박막(215)은 전극 패턴 상에 형성되며 전극 패턴으로부터 지지되는 제1영역과 전극 패턴에 형성되지 않은 것으로서 형성되며 전극 패턴으로부터 지지되지 않는 제2 영역으로 이루어질 수 있다. On the other hand, the free supporting
예시적인 구현예에서, 제2 영역의 두께는 제1 영역보다 두껍게 제조될 수 있다. 즉, 전극 패턴으로부터 지지 받지 않는 제2 영역은 전극 패턴의 지지를 받는 제1 영역보다 더 두꺼운 두께를 갖도록 제조될 수 있다.In an exemplary embodiment, the thickness of the second region may be made thicker than the first region. That is, the second region that is not supported by the electrode pattern can be manufactured to have a thicker thickness than the first region that is supported by the electrode pattern.
본 발명의 또 다른 구현예로서는, 자유지지형 박막의 형상 조절 방법으로서, 기판상에 2 이상의 시드층 패턴 및 전극 패턴을 형성하는 단계; 고분자 지지층이 부착된 예비 자유지지형 박막을 상기 전극 패턴에 전사하는 단계; 및 상기 고분자 지지층을 및 예비 자유지지형 박막의 일부를 제거하여 전극 패턴의 상부에 형성되며, 이웃한 전극 패턴의 상부를 연결하는 자유지지형 박막을 제조하는 단계; 를 포함하며, 전극 패턴 형성시 이웃한 전극 패턴의 간격을 조절하여, 자유지지형 박막의 형상을 조절하는 자유지지형 박막의 형상 조절 방법이 제공된다.As another embodiment of the present invention, there is provided a method of adjusting the shape of a free supporting thin film, comprising: forming at least two seed layer patterns and electrode patterns on a substrate; Transferring the preliminarily free supporting thin film having the polymer supporting layer to the electrode pattern; Forming a free supporting thin film on the electrode pattern by removing the polymer supporting layer and a part of the free free supporting thin film and connecting the upper part of the adjacent electrode pattern; The shape of the free supporting thin film is adjusted by adjusting the interval between adjacent electrode patterns when the electrode pattern is formed.
구체적으로 도 3a 및 3b를 살펴보면, 전극 패턴 간의 거리(d)가 10㎛이하 일 때는 유기 용매의 영향을 받는 면적이 작아지기 때문에 필름이 말리지 않아, 자유지지형 박막이 필름 형태로 제조될 수 있으며, 상기 전극 패턴 간의 거리(d)가 10㎛을 초과하는 경우에는 유기 용매의 영향을 받는 면적이 커지고, 전단응력의 영향을 받아 자유지지형 박막이 섬유 필라멘트 형태로 제조될 수 있다.Specifically, referring to FIGS. 3A and 3B, when the distance d between the electrode patterns is 10 μm or less, the area affected by the organic solvent becomes small, so that the film is not curled, and the free supporting thin film can be produced in a film form If the distance d between the electrode patterns exceeds 10 mu m, the area affected by the organic solvent becomes large, and the free supporting thin film can be produced in the form of a fiber filament under the influence of shear stress.
예시적인 구현예에서, 자유지지형 박막은 전극 패턴 상에 형성된 제1영역과 전극 패턴에 형성되지 않은 제2 영역으로 이루어질 수 있다. In an exemplary embodiment, the free-supporting thin film may consist of a first region formed on the electrode pattern and a second region not formed in the electrode pattern.
예시적인 구현예에서, 제2영역의 두께는 제1 영역보다 두껍게 제조될 수 있다. 즉, 전극 패턴으로부터 지지 받지 않는 제2 영역은 기판의 지지를 받는 제1 영역보다 더 큰 두께를 갖도록 제조될 수 있다.In an exemplary embodiment, the thickness of the second region may be made thicker than the first region. That is, the second region not supported from the electrode pattern can be manufactured to have a larger thickness than the first region supported by the substrate.
상술한 바와 같이 본 발명에 따른 자유지지형 제조 방법에 따르면 간단한 공정으로 자유지지형 박막을 형성할 수 있다. 이와 같은 방법을 이용하여, 간편하고도 경제적으로 대면적의 자유지지형 박막을 제조할 수 있으며, 이를 응용하여 어레이 형성을 할 수 있다(도 4a 및 4b 참조). 도 4를 예를 들어 설명하면, 기판(1000)상에 복수 개로 형성된 시드층(1150) 상에 형성된 전극 패턴(1310, 1330, 1350, 1370)에는 2 이상의 자유지지형 박막(2150, 2170)이 형성될 수 있다. 제1 자유지지형 박막(2150)은 전극패턴(1310, 1330) 상부에 형성되어 이웃한 전극 패턴(1310,1330)을 연결하도록 형성될 수 있으며, 제2 자유지지형 박막(2170)은 전극패턴(1350, 1370) 상부에 형성되어 이웃한 전극 패턴(1350,1370)을 연결하도록 형성될 수 있다.As described above, according to the free supporting type manufacturing method of the present invention, a free supporting thin film can be formed by a simple process. By using such a method, a free-supporting thin film having a large area can be manufactured easily and economically, and an array can be formed by applying the thin film (see FIGS. 4A and 4B). 4, two or more free supporting
아울러, 상기 자유지지형 박막은 일부가 기판으로부터 지지되지 않고 공중에 떠있는 자유지지형이기 때문에 기판의 영향을 벗어나 물질 고유의 특성들을 발현할 수 있다. 이에 따라, 이를 이용하여 초 박막형 기능성 반도체 소자, 전자소자, 광학소자, 센서 등에 널리 활용할 수 있다.In addition, since the free-supporting thin film is partially supported in the air without being supported by the substrate, it is free from influence of the substrate and can manifest the characteristics inherent to the material. Accordingly, the present invention can be widely utilized for ultra thin film type functional semiconductor devices, electronic devices, optical devices, sensors, and the like.
이하, 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 상세히 설명하고자 한다. 이들 실시예는 오로지 본 발명을 예시하기 위한 것으로, 본 발명의 범위가 이들 실시예들에 의해 제한되는 것으로 해석되지 않는 것은 당업계에서 통상의 지식을 가진 자에 있어서 자명할 것이다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples. It is to be understood by those skilled in the art that these embodiments are only for illustrating the present invention and that the scope of the present invention is not construed as being limited by these embodiments.
실시예Example
[실시예 1][Example 1]
15 × 15 × 1mm 크기의 실리콘 기판을 준비한 후, 준비한 기판에 e-빔(e-beam)을 이용하여 Cu/Cr (50nm/5nm)의 시드층을 증착하였다. 그 후, 원하는 전극 모양으로 광감응성 고분자를 이용하여 포토리소그래피 공정을 진행하여 광감응성 폴리머 패턴을 제조하였다. 이후, 전기 도금법을 이용하여 광감응성 폴리머 패턴간의 간격을 매립하여, 30μm 높이의 2개의 전극 패턴을 형성한다. 이때 전극 패턴간의 거리는 15μm로 조절하였다.A 15 × 15 × 1 mm silicon substrate was prepared and a seed layer of Cu / Cr (50 nm / 5 nm) was deposited on the prepared substrate using an e-beam. Thereafter, a photoresponsive polymer was used as a desired electrode shape, and then a photolithography process was carried out to prepare a photosensitive polymer pattern. Thereafter, the gap between the photosensitivity polymer patterns is filled with an electroplating method to form two electrode patterns having a height of 30 mu m. At this time, the distance between the electrode patterns was adjusted to 15 mu m.
그 후, 아세톤으로 광감응성 폴리머 패턴을 제거하고, 시드층을 암모늄펄설페이트용액과 크롬에칭용액으로 제거하였다. 한편, CVD 공정을 통해 합성된 그래핀에 지지층에 PMMA를 코팅하여 (PMMA/그래핀층)의 구조를 제조하였다. 기판에 형성된 2개의 전극 패턴 상에 상기 그래핀층을 전사한 후, PMMA를 클로로벤젠, 이소프로필알코올 순으로 담궈 제거하여, 실리콘 기판에 형성된 전극 패턴 상에 자유지지형 그래핀박막을 제조하였다. The photoresponsive polymer pattern was then removed with acetone, and the seed layer was removed with an ammonium persulfate solution and a chromium etch solution. On the other hand, the structure of PMMA / graphene layer was prepared by coating PMMA on the support layer of the graphene synthesized through the CVD process. After transferring the graphene layer onto two electrode patterns formed on a substrate, PMMA was immersed in order of chlorobenzene and isopropyl alcohol and removed to prepare a free supporting type graphene thin film on an electrode pattern formed on a silicon substrate.
[실시예 2][Example 2]
[실시예 1]에서, 전극 패턴 간의 길이를 5μm로 조절한 점 이외의 동일한 공정을 수행하여 자유지지형 그래핀박막을 제조하였다.In Example 1, a free supporting graphene thin film was prepared by performing the same process except that the length between the electrode patterns was adjusted to 5 탆.
[실시예 3][Example 3]
[실시예 1]에서, 전극 패턴 간의 길이를 10μm로 조절한 점 이외의 동일한 공정을 수행하여 자유지지형 그래핀박막을 제조하였다.In Example 1, a free supporting graphene thin film was prepared by performing the same process except that the length between the electrode patterns was adjusted to 10 μm.
[실시예 4][Example 4]
[실시예 1]에서, 전극 패턴 간의 길이를 20μm로 조절한 점 이외의 동일한 공정을 수행하여 자유지지형 그래핀박막을 제조하였다.In Example 1, a free supporting graphene thin film was prepared by performing the same process except that the length between electrode patterns was adjusted to 20 μm.
[실시예 5][Example 5]
[실시예 1]에서, 전극 패턴 간의 길이를 25μm로 조절한 점 이외의 동일한 공정을 수행하여 자유지지형 그래핀박막을 제조하였다.In Example 1, a free supporting type graphene thin film was manufactured by performing the same process except that the length between electrode patterns was adjusted to 25 탆.
[실시예 6][Example 6]
[실시예 1]의 방법을 이용하여, 15 × 15 × 1 mm의 실리콘 기판 위에 약 1080개의 전극 패턴을 형성하였다. 이때, 모든 전극 패턴들은 글로벌 전극으로 연결되어 었으며, 전극 패턴간의 거리는 10μm로 조절하였다. PMMA/그래핀 필름을 상기 3차원 전극들 상에 필름형으로 전사한 후, PMMA를 클로로벤젠, 이소프로필알코올 순으로 담그어 3차원 전극들 상에 형성되며, 인접한 전극들을 연결시키는 복수 개의 자유지지형 그래핀 박막을 형성하였다.About 1080 electrode patterns were formed on a 15 × 15 × 1 mm silicon substrate using the method of Example 1. At this time, all the electrode patterns were connected to the global electrode, and the distance between the electrode patterns was adjusted to 10 μm. The PMMA / graphene film is transferred onto the three-dimensional electrodes in a film form, and PMMA is immersed in the order of chlorobenzene and isopropyl alcohol to form a plurality of free supporting types Thereby forming a graphene thin film.
[실험예 1][Experimental Example 1]
도 5는 실시예 4에 따른 자유지지형 박막의 제조 방법의 제조시 그래핀층의 적층 전/후의 SEM 사진이다. 도 5를 살펴보면, 필름 및 섬유 필라멘트 형상을 갖는 자유지지형 그래핀 박막이 제조될 수 있음을 확인할 수 있었다.FIG. 5 is a SEM photograph of the graphene layer before and after lamination at the time of manufacturing the method of manufacturing the free supporting thin film according to Example 4. FIG. Referring to FIG. 5, it can be seen that a free supporting graphene thin film having a film and a fiber filament shape can be manufactured.
[실험예 2][Experimental Example 2]
도 6a은 실시예 1 내지 5에 따른 전극 간의 거리에 따른 형상에 관한 SEM 사진이다. 도 6b는 실시예 1 내지 5에 따른 전극 간의 거리에 따른 형상에 대한 라만 측정 결과를 나타낸 그래프이다. 6A is an SEM photograph of shapes according to distances between electrodes according to Examples 1 to 5. FIG. 6B is a graph showing Raman measurement results of the shape according to the distance between the electrodes according to Examples 1 to 5. FIG.
도 6a 및 6b를 살펴보면, 전극 패턴 간의 거리가 짧으면, 전극 패턴을 그래핀 박막이 연결하도록 제조되고, 전극 패턴 간의 거리가 길면 전극 패턴을 섬유형상의 그래핀이 연결하도록 제조되는 것을 확인할 수 있었다. 이에 따라, 전극 패턴 간의 거리를 조절하여 자유지지형 그래핀 박막의 형상을 제어할 수 있음을 확인할 수 있었다. 6A and 6B, when the distance between the electrode patterns is short, it is confirmed that the electrode pattern is manufactured to connect the graphene thin film. If the distance between the electrode patterns is long, it is confirmed that the electrode pattern is formed so as to connect the fibrous graphene. Thus, it was confirmed that the shape of the free supporting type graphene thin film can be controlled by adjusting the distance between the electrode patterns.
[실험예 3][Experimental Example 3]
[실시예 1]을 통해 형성된 자유지지형 그래핀 박막의 전기적 성능을 살펴보기 위해, 높은 전압(2.5V이상 6V미만)을 인가하였다. 도 7a를 살펴보면, 줄히팅에 의해 자유지지형 그래핀 박막에 가시광 영역대의 빛이 발현됨을 확인할 수 있었다.In order to examine the electrical performance of the free-supported graphene thin film formed through [Example 1], a high voltage (less than 2.5 V and less than 6 V) was applied. Referring to FIG. 7A, it can be confirmed that light of a visible light region is expressed on the free supporting type graphene thin film by row heating.
[실험예 4][Experimental Example 4]
[실시예 6]를 통해 형성된 자유지지형 그래핀 박막의 전기적 성능을 살펴보기 위해, 실시예 2에 따라 제조된 글로벌 전극에 높은 전압을 인가하여 모든 자유지지형 그래핀 박막으로부터 가시광 영역대의 빛을 발현시켰으며, 다수의 어레이를 형성하여 대면적에서의 빛을 구현함을 확인할 수 있었다(도 7b).In order to examine the electrical performance of the free supporting type graphene thin film formed through Example 6, a high voltage was applied to the global electrode manufactured according to Example 2, and the light of the visible light region from all free supporting type graphene thin films And a large number of arrays were formed to realize light in a large area (Fig. 7B).
앞에서 설명된 본 발명의 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 한정하는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 발명의 보호범위는 청구범위에 기재된 사항에 의하여만 제한되고, 본 발명의 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상을 다양한 형태로 개량 변경하는 것이 가능하다. 따라서, 이러한 개량 및 변경은 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것인 한 본 발명의 보호범위에 속하게 될 것이다.The embodiments of the present invention described above should not be construed as limiting the technical idea of the present invention. The scope of protection of the present invention is limited only by the matters described in the claims, and those skilled in the art will be able to modify the technical idea of the present invention in various forms. Accordingly, such improvements and modifications will fall within the scope of protection of the present invention as long as it is obvious to those skilled in the art.
100: 기판
110: 시드층
115: 시드층 패턴
125: 광감응성 폴리머 패턴
135, 137: 전극 패턴
140: 공극
200: 고분자 지지층
210: 예비 자유지지형 박막
215: 자유지지형 박막
1000: 기판
1150: 시드층 패턴
1310, 1330, 1350, 1370: 전극패턴
2150, 2170: 자유지지형 박막100: substrate
110: Seed layer
115: seed layer pattern
125: Photosensitive polymer pattern
135, 137: electrode pattern
140: Pore
200: polymer support layer
210: preliminary free supporting thin film
215: free supporting thin film
1000: substrate
1150: seed layer pattern
1310, 1330, 1350, 1370: electrode patterns
2150, 2170: free supporting thin film
Claims (12)
기판상에 둘 이상의 시드층 패턴 및 둘 이상의 전극 패턴을 형성하는 단계;
고분자 지지층이 부착된 예비 자유지지형 박막을 상기 전극 패턴에 전사하는 단계; 및
상기 고분자 지지층 및 예비 자유지지형 박막의 일부를 제거하여 전극 패턴의 상부에 형성되며, 이웃한 전극 패턴의 상부를 연결하는 자유지지형 박막을 제조하는 단계; 를 포함하는 자유지지형 박막의 제조 방법.A method for producing a free supporting thin film,
Forming two or more seed layer patterns and two or more electrode patterns on a substrate;
Transferring the preliminarily free supporting thin film having the polymer supporting layer to the electrode pattern; And
Forming a free supporting thin film on the electrode pattern by removing a part of the polymer supporting layer and the free free supporting thin film and connecting the upper part of the adjacent electrode pattern; Wherein the free-supporting thin film has a thickness of 100 nm or less.
상기 자유지지형 박막의 길이(l)는 이웃한 전극 패턴의 간격(d)과 각 전극 패턴의 가로 길이(w)를 합한 값과 동일한, 자유지지형 박막의 제조 방법.The method according to claim 1,
Wherein the length (1) of the free supporting thin film is equal to the sum of the interval (d) of adjacent electrode patterns and the width (w) of each electrode pattern.
상기 자유지지형 박막은 그래핀, 질화붕소, 이황화텅스텐, 이황화몰리브덴 및 금속 디칼코게니드로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상을 포함하는, 자유지지형 박막의 제조 방법.The method according to claim 1,
Wherein the free-supporting thin film comprises at least one selected from the group consisting of graphene, boron nitride, tungsten disulfide, molybdenum disulfide and metal decalcogenide.
상기 예비 자유지지형 박막은 화학기상증착공정(chemical vapor deposition, CVD) 공정을 통해 형성되고,
상기 고분자 지지층은 예비 자유지지형 박막의 형성 후, 고분자 지지층용 물질을 코팅하는 공정을 통해 형성되는 자유지지형 박막의 제조 방법.The method according to claim 1,
The preliminary free supporting thin film is formed through a chemical vapor deposition (CVD) process,
Wherein the polymer support layer is formed through a process of coating a material for a polymer support layer after formation of a preliminary free supporting thin film.
기판 상에 둘 이상의 시드층 패턴 및 둘 이상의 전극 패턴을 형성하는 단계는,
기판 상에 시드층을 형성하는 단계;
상기 시드층 상에 서로 이격되며 둘 이상으로 형성되는 광감응성 폴리머 패턴을 형성하는 단계;
상기 광감응성 폴리머 패턴을 매립하는 둘 이상의 전극 패턴을 형성하는 단계;
상기 광감응성 폴리머 패턴을 제거하고, 시드층의 일부를 식각하여 기판 상과 전극 패턴 사이에 시드층 패턴을 형성하는 단계; 를 포함하는 자유지지형 박막의 제조 방법.The method according to claim 1,
The step of forming two or more seed layer patterns and two or more electrode patterns on the substrate includes:
Forming a seed layer on the substrate;
Forming a photoresponsive polymer pattern on the seed layer, the photoresponsive polymer patterns being spaced apart from each other and formed in two or more layers;
Forming two or more electrode patterns for embedding the photosensitive polymer pattern;
Removing the photoresponsive polymer pattern and etching a part of the seed layer to form a seed layer pattern between the substrate and the electrode pattern; Wherein the free-supporting thin film has a thickness of 100 nm or less.
상기 전극 패턴은 100nm ~ 60㎛의 높이를 갖는, 자유지지형 박막의 제조 방법.The method according to claim 1,
Wherein the electrode pattern has a height of 100 nm to 60 占 퐉.
상기 이웃한 전극 패턴은 1nm ~30㎛의 거리로 이격되는, 자유지지형 박막의 제조 방법.The method according to claim 1,
Wherein the neighboring electrode patterns are spaced apart by a distance of 1 nm to 30 占 퐉.
상기 고분자 지지층은, 폴리메틸아크릴레이트(PMMA), 폴리카보네이트(PC), 폴리스타이렌(PS) 및 폴리우레탄(PU)으로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상을 포함하는, 자유지지형 박막의 제조 방법.The method according to claim 1,
Wherein the polymer support layer comprises at least one selected from the group consisting of polymethyl acrylate (PMMA), polycarbonate (PC), polystyrene (PS), and polyurethane (PU).
상기 고분자 지지층을 제거할 때, 30mN/m이하의 표면장력을 갖는 유기용매를 통해 고분자 지지층을 제거하는, 자유지지형 박막의 제조 방법.The method according to claim 1,
Wherein the polymer support layer is removed through an organic solvent having a surface tension of 30 mN / m or less when removing the polymer support layer.
상기 유기 용매는 클로로폼(chloroform), 클로로벤젠(chlorobenzene), 에탄올(ethanol), 아세톤(acetone) 및 이소프로필알콜(IPA)로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상을 포함하는, 자유지지형 박막의 제조 방법.10. The method of claim 9,
Wherein the organic solvent comprises at least one selected from the group consisting of chloroform, chlorobenzene, ethanol, acetone and isopropyl alcohol (IPA). .
기판상에 둘 이상의 시드층 패턴 및 둘 이상의 전극 패턴을 형성하는 단계;
고분자 지지층이 부착된 예비 자유지지형 박막을 상기 전극 패턴에 전사하는 단계; 및
상기 고분자 지지층 및 예비 자유지지형 박막의 일부를 제거하여 전극 패턴의 상부에 형성되며, 이웃한 전극 패턴의 상부를 연결하는 자유지지형 박막을 제조하는 단계; 를 포함하며,
전극 패턴 형성시 이웃한 전극 패턴의 간격을 조절하여, 자유지지형 박막의 형상을 조절하는 자유지지형 박막의 형상 조절 방법.A method for adjusting the shape of a free supporting thin film,
Forming two or more seed layer patterns and two or more electrode patterns on a substrate;
Transferring the preliminarily free supporting thin film having the polymer supporting layer to the electrode pattern; And
Forming a free supporting thin film on the electrode pattern by removing a part of the polymer supporting layer and the free free supporting thin film and connecting the upper part of the adjacent electrode pattern; / RTI >
A method of controlling the shape of a free supporting thin film by adjusting the interval between neighboring electrode patterns when forming an electrode pattern, and adjusting the shape of the free supporting thin film.
상기 전극 패턴 간의 거리(d)가 10㎛이하일 때는 자유지지형 박막이 필름 형태로 제조되고, 상기 전극 패턴 간의 거리(d)가 10㎛을 초과하는 경우에는 자유지지형 박막이 섬유 필라멘트 형태로 제조되는, 자유지지형 박막의 형상 조절 방법.12. The method of claim 11,
When the distance d between the electrode patterns is 10 μm or less, the free supporting thin film is formed into a film form. When the distance d between the electrode patterns exceeds 10 μm, the free supporting thin film is formed into a fiber filament form Free thin film.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020170119666A KR101989985B1 (en) | 2017-09-18 | 2017-09-18 | Method of preparing freestanding thin film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020170119666A KR101989985B1 (en) | 2017-09-18 | 2017-09-18 | Method of preparing freestanding thin film |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20190031789A true KR20190031789A (en) | 2019-03-27 |
| KR101989985B1 KR101989985B1 (en) | 2019-06-18 |
Family
ID=65906679
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020170119666A KR101989985B1 (en) | 2017-09-18 | 2017-09-18 | Method of preparing freestanding thin film |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101989985B1 (en) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20130046262A (en) * | 2011-10-27 | 2013-05-07 | 김진형 | Manufacturing method of semiconductor device for esd protection |
| KR20130078310A (en) | 2011-12-30 | 2013-07-10 | 그래핀스퀘어 주식회사 | Radio frequancy device using suspended graphene |
| KR101300014B1 (en) | 2012-09-19 | 2013-08-26 | 한국기계연구원 | Fabrication method and apparatus of freestanding nanofilm |
| KR20150133877A (en) * | 2014-05-20 | 2015-12-01 | 한양대학교 산학협력단 | Graphene touch sensor comprising contacted graphene patterns and method of fabricating ths same |
| KR101587224B1 (en) | 2008-03-26 | 2016-01-20 | 그래핀 인더스트리즈 리미티드 | Method of forming an ultra-thin sheet suspended on a support member |
-
2017
- 2017-09-18 KR KR1020170119666A patent/KR101989985B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101587224B1 (en) | 2008-03-26 | 2016-01-20 | 그래핀 인더스트리즈 리미티드 | Method of forming an ultra-thin sheet suspended on a support member |
| KR20130046262A (en) * | 2011-10-27 | 2013-05-07 | 김진형 | Manufacturing method of semiconductor device for esd protection |
| KR20130078310A (en) | 2011-12-30 | 2013-07-10 | 그래핀스퀘어 주식회사 | Radio frequancy device using suspended graphene |
| KR101300014B1 (en) | 2012-09-19 | 2013-08-26 | 한국기계연구원 | Fabrication method and apparatus of freestanding nanofilm |
| KR20150133877A (en) * | 2014-05-20 | 2015-12-01 | 한양대학교 산학협력단 | Graphene touch sensor comprising contacted graphene patterns and method of fabricating ths same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR101989985B1 (en) | 2019-06-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7989798B2 (en) | Fabricating arrays of metallic nanostructures | |
| US6966997B1 (en) | Methods for patterning polymer films, and use of the methods | |
| KR101131178B1 (en) | Novel conductor geometry for electronic circuits fabricated on flexible substrates | |
| US7413973B2 (en) | Method for manufacturing nano-gap electrode device | |
| CN103578923B (en) | For patterning the self-assembled monolayer formed | |
| WO2008068009A1 (en) | A universal method for selective area growth of organic molecules by vapor deposition | |
| KR20130044646A (en) | Graphene-transferring member and method of transferring graphene and method of fabrication graphene device using the same | |
| US20070140946A1 (en) | Dispersed growth of nanotubes on a substrate | |
| EP2231508A2 (en) | Carbon nanotube patterning on a metal substrate | |
| KR100951946B1 (en) | Transparent and flexible thin film transistor having carbon nano tube, and method of fabricating thereof | |
| CN106044759B (en) | A kind of regulation graphene band gap method | |
| CN1961259B (en) | Fabrication and use of superlattice | |
| US20110268884A1 (en) | Formation of nanoscale carbon nanotube electrodes using a self-aligned nanogap mask | |
| KR101989985B1 (en) | Method of preparing freestanding thin film | |
| KR102143058B1 (en) | Flexible device on which pattern of 2 dimensional material is formed and manufacturing method thereof | |
| TWI794527B (en) | Device comprising physical properties controlled by microstructure and method of manufacturing the same | |
| TW202334733A (en) | Pellicle for euv reflective masks and methods of manufacturing thereof | |
| CN108735892A (en) | A kind of Hall element and preparation method thereof | |
| KR101618974B1 (en) | Semiconductor light emitting device, method of manufacturing semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting device manufactured by the same | |
| Kubo et al. | Embedding of a gold nanofin array in a polymer film to create transparent, flexible and anisotropic electrodes | |
| KR20190063045A (en) | Tansparent electrode using graphene and nanowire and method for fabricating the same | |
| KR20180002275A (en) | Vertically-suspended graphene structure and the method of manufacturing thereof | |
| CN114613844B (en) | Miniaturized array preparation method of nano air channel electronic device | |
| US10370240B2 (en) | Layer structure and method of manufacturing a layer structure | |
| KR101043688B1 (en) | Field Effect Transistor Device and Method for fabricating the same |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |