KR20190031026A - Shift Resister and Display Device having the Same - Google Patents

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KR20190031026A
KR20190031026A KR1020170118833A KR20170118833A KR20190031026A KR 20190031026 A KR20190031026 A KR 20190031026A KR 1020170118833 A KR1020170118833 A KR 1020170118833A KR 20170118833 A KR20170118833 A KR 20170118833A KR 20190031026 A KR20190031026 A KR 20190031026A
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박지현
심다혜
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엘지디스플레이 주식회사
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Abstract

According to the present invention, a display device includes a pixel array on which pixels connected to a gate line are disposed and first and second shift resisters. The first resister synchronized with timing of an L clock signal outputs a 2n^th scan signal in a data writing period of the pixels arranged in an even-numbered pixel line, wherein n is a natural number. The second shift resister synchronized with timing of an R clock signal outputs a (2n-1)^th scan signal in the data writing period of the pixels arranged in an odd-numbered pixel line. The voltage difference between turn-on voltages and turn-off voltages of the L clock signal and the R clock signal is set larger than the voltage difference between the turn-on voltage of the L clock signal and the R clock signal and turn-off voltages of the 2n^th scan signal and the (2n-1)^th scan signal.

Description

시프트레지스터 및 이를 포함하는 표시장치{Shift Resister and Display Device having the Same}Technical Field [0001] The present invention relates to a shift register and a display device including the shift register,

본 명세서는 베젤을 줄일 수 있는 시프트레지스터 및 이를 포함하는 표시장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a shift register capable of reducing a bezel and a display device including the shift register.

평판 표시장치(Flat Panel Display; FPD)는 소형화 및 경량화에 유리한 장점으로 인해서 데스크탑 컴퓨터의 모니터뿐만 아니라, 노트북컴퓨터, 태블릿 등의 휴대용 컴퓨터나 휴대 전화 단말기 등에 폭넓게 이용되고 있다. 현재는 평판 표시장치뿐만 아니라 커브드 표시장치(Curved Display), 플렉서블 표시장치(Flexible Display), 롤러블 표시장치(Rollable Display), 및 웨어러블 표시장치(Wearable Display) 등 다양한 형태의 표시장치가 개발되고 있다. 이러한 표시장치들은 액정표시장치{Liquid Crystal Display; LCD), 전계 방출표시장치{Field Emission Display; FED), 유기발광 표시장치(Organic Light Emitting diode Display; 이하, OLED), 및 양자점 표시장치(Quantum Dot Display; QD) 등이 있다. Flat panel displays (FPDs) are widely used not only for monitors of desktop computers but also for portable computers such as notebook computers and tablets, as well as mobile phone terminals, due to their advantages of miniaturization and light weight. Currently, various types of display devices such as a curved display, a flexible display, a rollable display, and a wearable display have been developed not only in the flat panel display, have. Such display devices include a liquid crystal display (LCD) LCD, Field Emission Display, An organic light emitting diode (OLED), and a quantum dot display (QD).

이 중에서 유기발광 표시장치는 응답속도가 빠르고, 발광효율이 높은 휘도를 표현할 수 있으며 시야각이 큰 장점이 있다. 일반적으로 유기발광 표시장치는 스캔신호에 의해서 턴-온 되는 트랜지스터를 이용하여 데이터전압을 구동트랜지스터의 게이트 전극에 인가하고, 구동트랜지스터에 공급되는 데이터전압을 스토리지 커패시터에 충전한다. 그리고 발광제어신호를 이용하여 스토리지 커패시터에 충전된 데이터전압을 출력함으로써 유기발광소자를 발광시킨다. Among these, the organic light emitting display device has advantages of high response speed, high luminance efficiency, and large viewing angle. In general, an organic light emitting display uses a transistor turned on by a scan signal to apply a data voltage to a gate electrode of a driving transistor, and charges a data voltage supplied to the driving transistor to a storage capacitor. The organic light emitting element emits light by outputting the data voltage charged to the storage capacitor using the emission control signal.

유기발광 표시장치는 에미션신호와 하나 이상의 스캔신호를 이용하여 구동된다. 게이트신호인 에미션신호 및 스캔신호들을 생성하는 게이트 구동회로는 게이트신호를 순차적으로 출력하기 위한 시프트레지스터를 포함하는 것이 일반적이다. 게이트 구동회로는 표시패널에서 비표시영역인 베젤 영역에 박막 트랜지스터들의 조합으로 이루어지는 게이트-인-패널(Gate In Panel, 이하 GIP) 형태로 구현되기도 한다. The OLED display device is driven using an emission signal and one or more scan signals. The gate driving circuit for generating the emission signal and the scan signals, which are gate signals, generally includes a shift register for sequentially outputting the gate signals. The gate driving circuit may be implemented as a gate-in-panel (GIP) type in which a bezel region in a display panel is a non-display region and a combination of thin film transistors.

게이트 구동회로는 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 구동의 신뢰성을 높이기 위한 회로 구성을 최적화하기 위한 방안이 모색되고 있다.The gate driving circuit can be implemented in various forms, and a method for optimizing the circuit configuration for increasing the reliability of the driving is being sought.

본 발명의 베젤을 줄일 수 있는 시프트레지스터 및 이를 포함한 표시장치를 제공하기 위한 것이다.A shift register capable of reducing the bezel of the present invention and a display device including the shift register.

본 발명에 의한 표시장치는 게이트라인에 연결된 픽셀들이 배치된 픽셀 어레이, 제1 및 제2 시프트레지스터를 포함한다. 제1 시프트레지스터는 L클럭신호의 타이밍에 동기되어, 우수 번째 픽셀라인에 배치된 픽셀들의 데이터기입 기간에 제2n(n은 자연수) 스캔신호를 출력한다. 제2 시프트레지스터는 R클럭신호의 타이밍에 동기되어, 기수 번째 픽셀라인에 배치된 픽셀들의 데이터기입 기간에 제(2n-1) 스캔신호를 출력한다. L클럭신호 및 R클럭신호의 턴-온 전압과 턴-오프 전압 간의 전압 차이는, L클럭신호 및 R클럭신호의 턴-온 전압과 제2n 스캔신호 및 제(2n-1) 스캔신호의 턴-오프 전압 간의 전압 차이보다 크게 설정된다.A display device according to the present invention includes a pixel array in which pixels connected to a gate line are arranged, first and second shift registers. The first shift register outputs a second (n is a natural number) scan signal in the data writing period of the pixels arranged in the odd-numbered pixel line in synchronism with the timing of the L clock signal. The second shift register outputs the (2n-1) th scan signal in the data writing period of the pixels arranged in the odd-numbered pixel line in synchronism with the timing of the R clock signal. The voltage difference between the turn-on voltage and the turn-off voltage of the L clock signal and the R clock signal is the difference between the turn-on voltage of the L clock signal and the R clock signal, the turn of the (2n-1) - < / RTI > off voltage.

본 발명은 시프트레지스터에 인가되는 클럭신호들의 전압레벨을 높여서 스캔신호의 딜레이 현상을 개선할 수 있다. 그 결과 스캔라인의 한 쪽 방향에서 스캔신호를 인가하는 싱글 피딩 방식으로 표시패널을 구동하여 스캔신호 딜레이 현상을 개선할 수 있다. 싱글 피딩 방식으로도 딜레이 현상이 발생하지 않기 때문에, 스캔신호 지연 현상을 개선하기 위한 더블 피딩 방식의 게이트 구동회로에 대비하여 게이트 구동회로의 사이즈를 절반 수준으로 줄일 수 있다.The present invention can improve the delay of the scan signal by increasing the voltage level of the clock signals applied to the shift register. As a result, it is possible to improve the scan signal delay phenomenon by driving the display panel by a single feeding method in which a scan signal is applied in one direction of the scan line. Since the delay phenomenon does not occur even with the single feeding method, the size of the gate driving circuit can be reduced to half the size of the double feeding type gate driving circuit for improving the scanning signal delay.

도 1은 본 발명에 의한 표시장치의 구성을 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 의한 픽셀 회로를 나타내는 모식도이다.
도 3은 도 2에 도시된 픽셀 회로를 구동하는 스캔신호들의 타이밍을 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명에 의한 게이트 구동회로를 나타내는 블록도이다.
도 5는 도 4에 도시된 스테이지의 세부 구성을 나타내는 회로도이다.
도 6은 도 5에 도시된 스테이지를 구동하는 클럭신호들의 타이밍을 나타내는 도면이다.
도 7은 도 4에 도시된 제2 시프트레지스터의 제1 스테이지의 구동 타이밍을 나타내는 도면이다.
1 is a view showing a configuration of a display device according to the present invention.
2 is a schematic diagram showing a pixel circuit according to an embodiment of the present invention.
3 is a timing chart of scan signals for driving the pixel circuit shown in FIG.
4 is a block diagram showing a gate drive circuit according to the present invention.
5 is a circuit diagram showing a detailed configuration of the stage shown in Fig.
6 is a timing chart of clock signals driving the stage shown in FIG.
Fig. 7 is a diagram showing the drive timing of the first stage of the second shift register shown in Fig. 4;

본 명세서의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 명세서는 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 명세서의 개시가 완전하도록 하며, 본 명세서가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 명세서는 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. Brief Description of the Drawings The advantages and features of the present disclosure, and how to accomplish them, will become apparent with reference to the embodiments described in detail below with reference to the accompanying drawings. It should be understood, however, that the description is not limited to the embodiments disclosed herein but is to be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the specific embodiments set forth herein; rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art. Is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and this specification is only defined by the scope of the claims.

본 명세서의 게이트 구동회로에서 스위치 소자들은 n 타입 또는 p 타입 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) 구조의 트랜지스터로 구현될 수 있다. 이하의 실시예에서 p 타입 트랜지스터를 예시하였지만, 본 명세서는 이에 한정되지 않는다. 트랜지스터는 게이트(gate), 소스(source) 및 드레인(drain)을 포함한 3 전극 소자이다. 소스는 캐리어(carrier)를 트랜지스터에 공급하는 전극이다. 트랜지스터 내에서 캐리어는 소스로부터 흐르기 시작한다. 드레인은 트랜지스터에서 캐리어가 외부로 나가는 전극이다. 즉, MOSFET에서의 캐리어의 흐름은 소스로부터 드레인으로 흐른다. n 타입 MOSFET(NMOS)의 경우, 캐리어 가 전자(electron)이기 때문에 소스에서 드레인으로 전자가 흐를 수 있도록 소스 전압이 드레인 전압보다 낮은 전압을 가진다. n 타입 MOSFET에서 전자가 소스로부터 드레인 쪽으로 흐르기 때문에 전류의 방향은 드레인으로부터 소스 쪽으로 흐른다. p 타입 MOSFET(PMOS)의 경우, 캐리어가 정공(hole)이기 때문에 소스로부터 드레인으로 정공이 흐를 수 있도록 소스 전압이 드레인 전압보다 높다. p 타입 MOSFET에서 정공이 소스로부터 드레인 쪽으로 흐르기 때문에 전류가 소스로부터 드레인 쪽으로 흐른다. MOSFET의 소스와 드레인은 고정된 것은 아니다. 예컨대, MOSFET의 소스와 드레인은 인가 전압에 따라 변경될 수 있다. 이하의 실시예에서 트랜지스터의 소스와 드레인으로 인하여 발명이 제한되지 않는다. In the gate driving circuit of the present specification, the switching elements may be implemented as n-type or p-type metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) transistors. Although p-type transistors are exemplified in the following embodiments, the present specification is not limited thereto. A transistor is a three-electrode device including a gate, a source, and a drain. The source is an electrode that supplies a carrier to the transistor. Within the transistor, the carriers begin to flow from the source. The drain is an electrode from which the carrier exits from the transistor. That is, the flow of carriers in the MOSFET flows from the source to the drain. In the case of an n-type MOSFET (NMOS), since the carrier is an electron, the source voltage has a voltage lower than the drain voltage so that electrons can flow from the source to the drain. In an n-type MOSFET, the direction of current flows from drain to source because electrons flow from source to drain. In the case of a p-type MOSFET (PMOS), since the carrier is a hole, the source voltage is higher than the drain voltage so that holes can flow from the source to the drain. In a p-type MOSFET, the current flows from the source to the drain because the holes flow from the source to the drain. The source and drain of the MOSFET are not fixed. For example, the source and drain of the MOSFET may be changed depending on the applied voltage. In the following embodiments, the invention is not limited by the source and the drain of the transistor.

도 1은 본 명세서에 의한 표시장치의 구성을 나타내는 도면이다. BRIEF DESCRIPTION OF DRAWINGS FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a display device according to the present invention; FIG.

도 1을 참조하면, 본 명세서에 의한 표시장치는 픽셀(P)이 매트릭스 형태로 배열되는 표시패널(100), 데이터 구동회로(120), 게이트 구동회로(130,140) 및 타이밍 콘트롤러(110)를 구비한다. 1, a display device according to the present invention includes a display panel 100 in which pixels P are arranged in a matrix, a data driving circuit 120, gate driving circuits 130 and 140, and a timing controller 110 do.

표시패널(100)은 픽셀(P)들이 배치되어 영상을 표시하는 픽셀 어레이(100A) 및 게이트 구동회로(130,140)가 배치되고 영상을 표시하지 않는 비표시부(100B)를 포함한다.The display panel 100 includes a pixel array 100A in which pixels P are arranged to display an image and a non-display portion 100B in which gate drive circuits 130 and 140 are disposed and an image is not displayed.

픽셀 어레이(100A)는 복수 개의 픽셀(P)을 포함하고, 각각의 픽셀(P)들이 표시하는 계조를 기반으로 영상을 표시한다. 픽셀(P)들은 제1 내지 제n 픽셀라인(HL1 내지 HLn)들을 따라 배열된다. 각각의 픽셀(P)은 컬럼라인을 따라 배열되는 데이터라인(DL)과 연결되고, 픽셀라인(HL)을 따라 배열되는 게이트라인(GL)에 연결된다. 즉, 동일한 픽셀라인에 배치된 픽셀들은 동일한 게이트라인(GL)을 공유하여 동시에 구동된다. 그리고 제1 픽셀라인(HL1)에 배치된 픽셀들을 제1 픽셀(P1)들이라 정의하고, 제n 픽셀라인(HLn)에 배치된 픽셀들을 제n 픽셀(Pn)들이라고 정의할 때, 제1 픽셀(P1)들부터 제n 픽셀(Pn)들은 순차적으로 구동된다. 그리고, 하나의 스캔라인에 데이터를 기입하는 샘플링 기간을 1수평기간(1H)이라고 정의할 수 있다.The pixel array 100A includes a plurality of pixels P, and displays an image based on the gradation displayed by each of the pixels P. [ The pixels P are arranged along the first to n-th pixel lines HL1 to HLn. Each pixel P is connected to a data line DL arranged along the column line and connected to a gate line GL arranged along the pixel line HL. That is, the pixels arranged in the same pixel line share the same gate line GL and are simultaneously driven. When the pixels arranged in the first pixel line HL1 are defined as the first pixels P1 and the pixels arranged in the nth pixel line HLn are defined as the nth pixels Pn, (P1) to the n-th pixel (Pn) are sequentially driven. A sampling period for writing data into one scan line can be defined as one horizontal period (1H).

타이밍 콘트롤러(110)는 데이터 구동회로(120) 및 게이트 구동회로(130,140)의 구동 타이밍을 제어하기 위한 것이다. 이를 위해서 타이밍 콘트롤러(110)는 외부로부터 입력되는 영상데이터(RGB)를 표시패널(100)의 해상도에 맞게 재정렬하여 데이터 구동회로(120)에 공급한다. 또한, 타이밍 콘트롤러(110)는 데이터 구동회로(120)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 데이터 제어신호(DDC)와, 게이트 구동회로의 동작 타이밍을 제어하기 위한 게이트 제어신호(GDC)를 발생한다. The timing controller 110 is for controlling the driving timings of the data driving circuit 120 and the gate driving circuits 130 and 140. To this end, the timing controller 110 rearranges image data (RGB) input from the outside according to the resolution of the display panel 100 and supplies the same to the data driving circuit 120. The timing controller 110 generates a data control signal DDC for controlling the operation timing of the data driving circuit 120 and a gate control signal GDC for controlling the operation timing of the gate driving circuit.

데이터 구동회로(120)는 데이터라인부(DL)를 구동하기 위한 것이다. 데이터 구동회로(120)는 데이터 제어신호(DDC)를 기반으로 타이밍 콘트롤러(110)로부터 입력되는 영상데이터(RGB)를 아날로그 데이터전압으로 변환하여 데이터라인(DL)들에 공급한다. The data driving circuit 120 drives the data line section DL. The data driving circuit 120 converts the image data RGB input from the timing controller 110 into an analog data voltage based on the data control signal DDC and supplies the analog data voltage to the data lines DL.

게이트 구동회로(130,140)는 레벨 시프터(130) 및 시프트레지스터(140)를 포함한다. 레벨 시프터(130)는 IC 형태로 표시패널(100)에 접속되는 인쇄회로기판에 형성되고, 시프트레지스터(140)는 표시패널(100)의 비표시영역(100B)에 GIP 회로로 형성될 수 있다. The gate drive circuits 130 and 140 include a level shifter 130 and a shift register 140. The level shifter 130 may be formed on a printed circuit board connected to the display panel 100 in the form of an IC and the shift register 140 may be formed of a GIP circuit in the non-display area 100B of the display panel 100 .

레벨 시프터(130)는 타이밍 콘트롤러(110)의 제어하에 클럭신호들 및 스타트신호를 레벨 쉬프팅한 후 시프트레지스터(140)에 공급한다. 시프트레지스터(140)는 GIP 방식에 의해 표시패널(100)의 비표시영역(100B)에서 다수의 박막 트랜지스터(이하 트랜지스터)조합으로 형성된다. The level shifter 130 level-shifts the clock signals and the start signal under the control of the timing controller 110, and supplies the level shift signal to the shift register 140. The shift register 140 is formed by a combination of a plurality of thin film transistors (hereinafter referred to as transistors) in the non-display area 100B of the display panel 100 by the GIP method.

시프트레지스터(140)는 스캔신호를 출력하기 위한 스캔신호 생성부 및 에미션 신호를 출력하기 위한 에미션신호 생성부를 포함할 수 있다. 도 1에서는 도면의 간소화를 위해서 시프트레지스터(140)를 픽셀 어레이의 일측에 도시하였지만, 시프트레지스터는 픽셀 어레이의 양측에 분산되어 배치될 수 있다.The shift register 140 may include a scan signal generator for outputting a scan signal and an emission signal generator for outputting an emission signal. In Fig. 1, the shift registers 140 are shown on one side of the pixel array for the sake of simplification of the drawings, but the shift registers can be distributed on both sides of the pixel array.

도 2는 본 발명의 실시 예에 의한 픽셀 구조를 나타내는 모식도이고, 도 3은 스캔신호의 타이밍을 나타내는 도면이다.FIG. 2 is a schematic diagram showing a pixel structure according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a timing diagram of a scan signal.

도 2 및 도 3을 참조하면, 픽셀은 제1 및 제2 스위칭 트랜지스터들(SW1,SW2), 구동 트랜지스터(DT), 보상회로(C_com) 및 유기발광다이오드(OLED)를 포함한다. 유기발광다이오드(OLED)는 구동 트랜지스터(DT)에 의해 형성된 구동 전류에 따라 빛을 발광하도록 동작한다. 제1 스위칭 트랜지스터(SW1)는 제(n-1)(n은 자연수) 스캔라인(SL(n-1))을 통해서 인가되는 제(n-1) 스캔신호(SCAN(n-1))에 응답하여, 구동 트랜지스터(DT)의 게이트전압에 초기화 전압(Vini)을 인가한다. 제2 스위칭 트랜지스터(SW2)는 제n 스캔라인(SL(n))을 통해 인가되는 제n 스캔신호(SCAN(N))에 응답하여, 구동 트랜지스터(DT)의 소스전극에 데이터전압(Vdata)을 인가한다. 따라서, 제n 스캔신호(SCAN(N))는 제n 픽셀(P(n))의 데이터기입을 제어하는 스캔신호로 정의할 수 있다. 보상회로(C_com)는 픽셀(P)의 주요 노드들(N1,N2,N3,N4)의 전압을 제어한다. 2 and 3, the pixel includes first and second switching transistors SW1 and SW2, a driving transistor DT, a compensation circuit C_com, and an organic light emitting diode OLED. The organic light emitting diode OLED operates to emit light in accordance with the driving current formed by the driving transistor DT. The first switching transistor SW1 is connected to the (n-1) th scan signal SCAN (n-1) applied through the (n-1) th scan line SL (n-1) In response to this, the initializing voltage Vini is applied to the gate voltage of the driving transistor DT. The second switching transistor SW2 applies a data voltage Vdata to the source electrode of the driving transistor DT in response to the nth scan signal SCAN (N) applied through the nth scan line SL (n) . Therefore, the nth scan signal SCAN (N) may be defined as a scan signal for controlling data writing of the nth pixel P (n). The compensation circuit C_com controls the voltage of the main nodes N1, N2, N3 and N4 of the pixel P. [

도 4는 본 발명에 의한 스캔신호 생성부를 나타내는 도면이다. 4 is a diagram illustrating a scan signal generator according to the present invention.

도 4를 참조하면, 시프트레지스터(140)는 픽셀 어레이(100A)의 양측에 각각 배치되는 제1 시프트레지스터(141) 및 제2 시프트레지스터(142)를 포함한다. 4, the shift register 140 includes a first shift register 141 and a second shift register 142 disposed on both sides of the pixel array 100A, respectively.

제1 시프트레지스터(141)는 더미 스테이지(STG(D)) 및 제2k(k는 자연수) 스테이지들로 이루어진다. 즉, 제1 시프트레지스터(141)는 더미 스테이지(STG(D))와 제2 스테이지(STG2), 제4 스테이지(STG4)들을 포함한다. 더미 스테이지(STG(D))와 제2 스테이지(STG2), 제4 스테이지(STG4)들은 서로 종속적으로 연결된다.The first shift register 141 consists of a dummy stage STG (D) and a second k (k is a natural number) stages. That is, the first shift register 141 includes the dummy stage STG (D), the second stage STG2, and the fourth stage STG4. The dummy stage STG (D), the second stage STG2, and the fourth stage STG4 are connected to each other.

제1 시프트레지스터(141)의 각 스테이지들(STG(D),STG2,STG4)은 저전위전압(VGL), 제1 고전위전압(VGH1) 및 제2 고전위전압(VGH2)을 이용하여, 제1 L클럭신호(LCLK1) 및 제2 L클럭신호(LCLK2)의 타이밍에 따라 스캔신호들(SCAN(D),SCAN2,SCAN4)을 출력한다.Each of the stages STG (D), STG2 and STG4 of the first shift register 141 uses the low potential voltage VGL, the first high potential voltage VGH1 and the second high potential voltage VGH2, And outputs the scan signals SCAN (D), SCAN2, and SCAN4 according to the timings of the first L clock signal LCLK1 and the second L clock signal LCLK2.

제2n 스테이지들은 제2n 스캔신호를 출력한다. 제2n 스캔신호는 제2n 픽셀들의 제n 스캔라인(SL(n))에 인가되고, 제(2n+1) 스테이지의 제(n-1) 스캔라인(SL(n-1))에 인가된다. 예컨대, 제2 스테이지(STG2)는 제2 스캔신호(SCAN2)를 출력하고, 제4 스테이지(STG4)는 제4 스캔신호(SCAN4)를 출력한다. 제2 스캔신호(SCAN2)는 제2 픽셀(P2)의 제n 스캔라인(SL(n))에 인가되고, 제3 픽셀(P3)의 제(n-1) 스캔라인(SL(n-1))에 인가된다. 제4 스캔신호(SCAN4)는 제4 픽셀(P4)의 제n 스캔라인(SL(n))에 인가되고, 제5 픽셀(P)의 제(n-1) 스캔라인(SL(n-1))에 인가된다. 더미 스테이지(STG(D))가 출력하는 더미 스캔신호(SCAN(D))는 제1 픽셀(P1)의 제(n-1) 스캔라인(SL(n-1))에 인가된다.And the 2 < n > n stages output the 2 < n > scan signal. The second scan signal is applied to the nth scan line SL (n) of the second 2n pixels and is applied to the (n-1) th scan line SL (n-1) of the (2n + . For example, the second stage STG2 outputs the second scan signal SCAN2, and the fourth stage STG4 outputs the fourth scan signal SCAN4. The second scan signal SCAN2 is applied to the nth scan line SL (n) of the second pixel P2 and the (n-1) th scan line SL (n-1) of the third pixel P3 ). The fourth scan signal SCAN4 is applied to the nth scan line SL (n) of the fourth pixel P4 and the (n-1) th scan line SL (n-1) of the fifth pixel P ). The dummy scan signal SCAN (D) output from the dummy stage STG (D) is applied to the (n-1) th scan line SL (n-1) of the first pixel P1.

제2 시프트레지스터(142)의 각 스테이지들(STG1,STG3,STG5))은 저전위전압(VGL), 제1 고전위전압(VGH1) 및 제2 고전위전압(VGH2)을 이용하여, 제1 R클럭신호(RCLK1) 및 제2 R클럭신호(RCLK2)의 타이밍에 따라 스캔신호를 출력한다.The respective stages STG1, STG3 and STG5 of the second shift register 142 use the low potential voltage VGL, the first high potential voltage VGH1 and the second high potential voltage VGH2, And outputs a scan signal according to the timing of the R clock signal RCLK1 and the second R clock signal RCLK2.

제2 시프트레지스터(142)는 제(2n-1) 스테이지들로 이루어진다. 즉, 제2 시프트레지스터(142)는 제1 스테이지(STG1), 제3 스테이지(STG3) 및 제5 스테이지(STG5)들을 포함한다. 제1 스테이지(STG1), 제3 스테이지(STG3) 및 제5 스테이지(STG5)들은 서로 종속적으로 연결된다.The second shift register 142 consists of (2n-1) stages. That is, the second shift register 142 includes a first stage STG1, a third stage STG3, and a fifth stage STG5. The first stage STG1, the third stage STG3, and the fifth stage STG5 are connected to each other in a dependent manner.

제(2n-1) 스테이지들은 제(2n-1) 스캔신호를 출력한다. 제(2n-1) 스캔신호는 제(2n-1) 픽셀들의 제n 스캔라인(SL(n))에 인가되고, 제2k 스테이지의 제(n-1) 스캔라인(SL(n-1))에 인가된다. 예컨대, 제1 스테이지(STG1)는 제1 스캔신호(SCAN1)를 출력하고, 제3 스테이지(STG3)는 제3 스캔신호(SCAN3)를 출력하며, 제5 스테이지(STG5)는 제5 스캔신호(SCAN5)를 출력한다. 제1 스캔신호(SCAN1)는 제1 픽셀(P1)의 제n 스캔라인(SL(n))에 인가되고, 제2 픽셀(P2)의 제(n-1) 스캔라인(SL(n-1))에 인가된다. 제3 스캔신호(SCAN3)는 제3 픽셀(P3)의 제n 스캔라인(SL(n))에 인가되고, 제4 픽셀(P4)의 제(n-1) 스캔라인(SL(n-1))에 인가된다. 제5 스캔신호(SCAN5)는 제5 픽셀(P5)의 제n 스캔라인(SL(n))에 인가되고, 제6 픽셀의 제(n-1) 스캔라인(SL(n-1))에 인가된다.The (2n-1) th stages output the (2n-1) th scan signal. The (n-1) th scan line SL (n-1) scan signal is applied to the nth scan line SL (n) of the (2n- . For example, the first stage STG1 outputs the first scan signal SCAN1, the third stage STG3 outputs the third scan signal SCAN3, the fifth stage STG5 outputs the fifth scan signal SCAN5). The first scan signal SCAN1 is applied to the nth scan line SL (n) of the first pixel P1 and the (n-1) th scan line SL (n-1) of the second pixel P2 ). The third scan signal SCAN3 is applied to the nth scan line SL (n) of the third pixel P3 and the (n-1) th scan line SL (n-1) of the fourth pixel P4 ). The fifth scan signal SCAN5 is applied to the nth scan line SL (n) of the fifth pixel P5 and the (n-1) th scan line SL (n-1) .

도 5는 본 발명에 의한 게이트 구동회로의 스테이지를 도시한 도면이다. 도 5는 도 4에 도시된 제2 쉬프트레지스터의 스테이지를 도시하고 있지만, 제1 스테이지 또한 동일한 회로 구성으로 구현될 수 있다.5 is a diagram showing a stage of a gate drive circuit according to the present invention. Although FIG. 5 shows the stage of the second shift register shown in FIG. 4, the first stage may also be implemented with the same circuit configuration.

도 5를 참조하면, 본 발명에 의한 제n 스테이지는 스타트 제어부(T1,T2), 노드 제어부(T3,T4,T5,T8), 스캔 풀업 트랜지스터(T6), 캐리 풀업 트랜지스터(T6C), 스캔 풀다운 트랜지스터(T7) 및 캐리 풀다운 트랜지스터(T7C)를 포함한다. Referring to FIG. 5, the n-th stage according to the present invention includes start control units T1 and T2, node control units T3, T4, T5 and T8, a scan pull-up transistor T6, a carry pull-up transistor T6C, A transistor T7 and a carry pull-down transistor T7C.

스타트 제어부(T1,T2)는 스타트 신호에 응답하여, Q 노드를 프리챠지한다. 스타트 제어부(T1,T2)는 제1 트랜지스터(T1) 및 제2 트랜지스터(T2)를 포함한다. 제1 트랜지스터(T1)는 저전위전압(VGL)의 입력단과 QA 노드 사이에 접속되고, 스타트 입력단(GVST)에 연결되는 게이트전극을 포함한다. 제1 트랜지스터(T1)는 스타트 신호에 응답하여, QA 노드를 저전위전압(VGL)으로 프리챠지시킨다. 제2 트랜지스터(T2)는 QA 노드와 Q 노드 사이에 접속되고, 저전위전압(VGL)의 입력단에 연결되는 게이트전극을 포함한다. 제2 트랜지스터(T2)는 항상 턴-온 상태를 유지하고, Q 노드가 부트스트래핑할 때에 QA 노드의 전압 변화를 방지한다. 안정화 트랜지스터는 Q 노드의 부트스트래핑 과정에서 QA 노드의 전압 변화가 급격히 변하는 것을 방지하여, 제1 트랜지스터(T1) 및 제3 트랜지스터(T3)에 전기적 스트레스가 심해지는 것을 방지할 수 있다.The start control units T1 and T2 precharge the Q node in response to the start signal. The start control units T1 and T2 include a first transistor T1 and a second transistor T2. The first transistor T1 includes a gate electrode connected between the input terminal of the low potential voltage VGL and the QA node and connected to the start input terminal GVST. The first transistor (T1), in response to the start signal, precharges the QA node to the low potential voltage (VGL). The second transistor T2 includes a gate electrode connected between the QA node and the Q node and connected to the input terminal of the low potential voltage VGL. The second transistor T2 is always kept in the turn-on state and prevents the voltage change of the QA node when the Q node is bootstrapped. The stabilization transistor prevents the voltage change of the QA node from suddenly changing during the bootstrapping process of the Q node, thereby preventing the electrical stress on the first transistor T1 and the third transistor T3 from becoming excessive.

노드 제어부(T3,T4,T5,T8)는 Q 노드 또는 QB 노드의 전압을 제어한다. 노드 제어부(T3,T4,T5,T8)는 제3 트랜지스터(T3), 제4 트랜지스터(T4), 제5 트랜지스터(T5) 및 제8 트랜지스터(T8)를 포함한다. The node controllers T3, T4, T5 and T8 control the voltage of the Q node or the QB node. The node controllers T3, T4, T5 and T8 include a third transistor T3, a fourth transistor T4, a fifth transistor T5 and an eighth transistor T8.

제3 트랜지스터(T3)는 QA 노드 및 제2 고전위전압(VGH2)의 입력단 사이에 접속되고, QB 노드에 연결되는 게이트전극을 포함한다. 제3 트랜지스터(T3)는 QB 노드 전압에 응답하여, QA 노드에 제2 고전위전압(VGH2)을 인가한다. The third transistor T3 includes a gate electrode connected between the QA node and the input of the second high potential voltage VGH2 and connected to the QB node. The third transistor T3, in response to the QB node voltage, applies a second high potential voltage VGH2 to the QA node.

제4 트랜지스터(T4)는 저전위전압(VGL)의 입력단과 QB 노드 사이에 접속하며, CB 노드에 연결되는 게이트전극을 포함한다. 제4 트랜지스터(T4)는 CB 노드의 전압에 응답하여, QB 노드에 저전위전압을 인가한다. 제1 커패시터(Cb1)는 제2 R클럭신호(RCLK2)의 입력단과 CB 노드 사이에 접속하여, 제2 R클럭신호(RCLK2)의 전압을 충전한다. The fourth transistor T4 is connected between the input terminal of the low potential voltage VGL and the QB node and includes a gate electrode connected to the CB node. The fourth transistor T4, in response to the voltage of the CB node, applies a low potential voltage to the QB node. The first capacitor Cb1 is connected between the input node of the second R clock signal RCLK2 and the CB node to charge the voltage of the second R clock signal RCLK2.

제5 트랜지스터(T5)는 CB 노드 및 제2 고전위전압(VGH2)의 입력단 사이에 접속되며, 스타트 입력단(GVST)에 연결되는 게이트전극을 포함한다. 제5 트랜지스터(T5)는 스타트신호에 응답하여, CB 노드에 제2 고전위전압(VGH2)을 인가한다. 즉, 제5 트랜지스터(T5)는 CB 노드를 턴-오프 전압으로 초기화시켜서 제4 트랜지스터(T4)를 턴-오프 시킨다.  The fifth transistor T5 is connected between the CB node and the input terminal of the second high voltage VGH2 and includes a gate electrode connected to the start input terminal GVST. The fifth transistor T5, in response to the start signal, applies the second high potential voltage VGH2 to the CB node. That is, the fifth transistor T5 initializes the CB node to a turn-off voltage, and turns off the fourth transistor T4.

제8 트랜지스터(T8)는 QB 노드와 제2 고전위전압(VGH2)의 입력단 사이에 접속하고, 스타트 입력단(GVST)에 연결되는 게이트전극을 포함한다. 제8 트랜지스터(T8)는 스타트 신호(VST_R)에 응답하여, QB 노드에 제2 고전위전압(VGH2)을 인가한다. The eighth transistor T8 includes a gate electrode connected between the QB node and the input terminal of the second high-potential voltage VGH2 and connected to the start input terminal GVST. The eighth transistor T8, in response to the start signal VST_R, applies the second high potential voltage VGH2 to the QB node.

제2 커패시터(Cb2)는 QB 노드 및 제2 고전위전압(VGH2) 사이에 접속하고, QB 노드의 전압레벨을 유지시킨다. The second capacitor Cb2 connects between the QB node and the second high potential voltage VGH2 and maintains the voltage level of the QB node.

스캔 풀업 트랜지스터(T6)는 제1 R클럭신호(RCLK1)의 입력단과 스캔 출력단(SRO_N) 사이에 접속하며, Q 노드에 연결되는 게이트전극을 포함한다. 스캔 풀업 트랜지스터(T6)는 Q 노드 전압에 응답하여, 스캔 출력단(SRO_N)에 턴-온 전압을 인가한다. The scan pull-up transistor T6 is connected between the input terminal of the first R clock signal RCLK1 and the scan output terminal SRO_N and includes a gate electrode connected to the Q node. The scan pull-up transistor T6 applies a turn-on voltage to the scan output terminal SRO_N in response to the Q node voltage.

캐리 풀업 트랜지스터(T6C)는 제1 R클럭신호(RCLK1)의 입력단과 캐리 출력단(CRO_N) 사이에 접속하며, Q 노드에 연결되는 게이트전극을 포함한다. 캐리 풀업 트랜지스터(T6C)는 Q 노드 전압에 응답하여, 캐리 출력단(CRO_N)에 턴-온 전압을 인가한다.The carry pull-up transistor T6C is connected between the input terminal of the first R clock signal RCLK1 and the carry output terminal CRO_N and includes a gate electrode connected to the Q node. The carry pull-up transistor T6C, in response to the Q node voltage, applies a turn-on voltage to the carry output CRO_N.

스캔 풀다운 트랜지스터(T7)는 스캔 출력단(SRO_N)과 제1 고전위전압(VGH1)의 입력단 사이에 접속되며, QB 노드에 연결되는 게이트전극을 포함한다. 스캔 풀다운 트랜지스터(T7)는 QB 노드의 전압에 응답하여, 스캔 출력단(SRO_N)에 턴-오프 전압을 인가한다. The scan pull-down transistor T7 is connected between the scan output terminal SRO_N and the input terminal of the first high potential voltage VGH1, and includes a gate electrode connected to the QB node. The scan pull-down transistor T7 applies a turn-off voltage to the scan output terminal SRO_N in response to the voltage of the QB node.

캐리 풀다운 트랜지스터(T7C)는 캐리 출력단(CRO_N)과 제2 고전위전압(VGH2)의 입력단 사이에 접속되며, QB 노드에 연결되는 게이트전극을 포함한다. 캐리 풀다운 트랜지스터(T7C)는 QB 노드의 전압에 응답하여, 캐리 출력단(CRO_N)에 턴-오프 전압을 인가한다. The carry pull-down transistor T7C is connected between the carry output CRO_N and the input terminal of the second high voltage VGH2, and includes a gate electrode connected to the QB node. The carry pull-down transistor T7C, in response to the voltage of the QB node, applies a turn-off voltage to the carry output CRO_N.

도 6은 도 5에 도시된 스캔 드라이버의 동작을 위한 클럭신호들의 타이밍을 나타내는 도면이다. 6 is a timing chart of clock signals for the operation of the scan driver shown in FIG.

도 6을 참조하면, 제1 시프트레지스터(141)를 구동하기 위한 클럭신호들은 제1 스타트신호(VST_L) 및 L클럭신호들을 포함하고, L클럭신호들은 제1 L클럭신호(LCLK1) 및 제2 L클럭신호(LCLK2)를 포함한다. 제2 시프트레지스터(142)를 구동하기 위한 클럭신호들은 제2 스타트신호(VST_R) 및 R클럭신호들을 포함하고, R클럭신호들은 제1 R클럭신호(RCLK1) 및 제2 R클럭신호(RCLK2)를 포함한다. 클럭신호들의 고전위전압레벨은 제2 고전위전압(VGH2)이다. 도면에는 표시하지 않았지만, 모든 클럭신호들은 턴-온 전압은 저전위전압(VGL)을 이용할 수 있다.6, clock signals for driving the first shift register 141 include a first start signal VST_L and L clock signals, and L clock signals include a first L clock signal LCLK1 and a second L clock signal LCLK1. L clock signal LCLK2. The clock signals for driving the second shift register 142 include a second start signal VST_R and R clock signals and the R clock signals include a first R clock signal RCLK1 and a second R clock signal RCLK2, . The high-potential voltage level of the clock signals is the second high-potential voltage (VGH2). Although not shown in the figure, all clock signals can utilize a low potential voltage (VGL) for the turn-on voltage.

L클럭신호들(LCLK1,LCLK2) 및 R클럭신호들(RCLK1,RCLK2) 각각이 턴-온전압으로 유지되는 기간은 1수평기간(1H)이며, L클럭신호들(LCLK1,LCLK2) 및 R클럭신호들(RCLK1,RCLK2) 각각의 주기는 4 수평기간이다. 또한 L클럭신호들(LCLK1,LCLK2) 및 R클럭신호들(RCLK1,RCLK2) 각각은 2개의 위상을 갖는다. The period in which each of the L clock signals LCLK1 and LCLK2 and the R clock signals RCLK1 and RCLK2 are maintained at the turn-on voltage is one horizontal period (1H), and the L clock signals LCLK1 and LCLK2 and the R clock The period of each of the signals RCLK1 and RCLK2 is four horizontal periods. Each of the L clock signals LCLK1 and LCLK2 and R clock signals RCLK1 and RCLK2 has two phases.

도 7은 제1 스테이지에 인가되는 클럭신호들 및 구동 타이밍에 따른 주요 노드의 전압변화를 나타내는 도면이다. 도 5 및 도 7을 참조하여, 제1 스테이지의 동작을 살펴보면 다음과 같다. 7 is a diagram showing voltage changes of main nodes according to the clock signals and the driving timing applied to the first stage. 5 and 7, the operation of the first stage will be described below.

제1 타이밍(t1)에서, 스타트신호(VST_R)는 턴-온 전압인 저전위전압(VGL)으로 반전된다. At the first timing t1, the start signal VST_R is inverted to the low potential voltage VGL which is the turn-on voltage.

제1 트랜지스터(T1)는 스타트신호(VST_R)에 응답하여, QA 노드에 저전위전압(VGL)을 인가함으로써 QA 노드를 프리챠지시킨다. 제2 트랜지스터(T2)는 항상 턴-온 상태를 유지하기 때문에, 제1 타이밍(t1)에서 Q 노드의 전압은 QA 노드의 전압과 동일한 수준인 저전위전압(VGL)이 된다. The first transistor (T1) precharges the QA node by applying a low potential voltage (VGL) to the QA node in response to the start signal (VST_R). The voltage of the Q node becomes the low potential voltage VGL which is the same level as the voltage of the QA node at the first timing t1 since the second transistor T2 always maintains the turn-on state.

제5 트랜지스터(T5)는 스타트신호(VST_R)에 응답하여, CB 노드에 턴-오프 전압인 제2 고전위전압(VGH2)을 인가한다. 제4 트랜지스터(T4)가 턴-오프 되어서, 제4 트랜지스터(T4)를 통해서 QB 노드에 턴-온 전압이 인가되는 전류 경로는 차단된다. The fifth transistor T5, in response to the start signal VST_R, applies a second high-potential voltage VGH2, which is a turn-off voltage, to the CB node. The fourth transistor T4 is turned off so that the current path through which the turn-on voltage is applied to the QB node through the fourth transistor T4 is cut off.

제8 트랜지스터(T8)는 스타트신호(VST_R)에 응답하여, QB 노드에 턴-오프 전압인 제2 고전위전압(VGH2)을 인가한다. 그 결과, 캐리 풀다운 트랜지스터(T7C) 및 스캔 풀다운 트랜지스터(T7)는 턴-오프된다. Q 노드가 턴-온 전압인 동안, 제2 커패시터(Cb2)는 QB 노드의 전압을 안정적으로 턴-오프전압으로 유지시키기 때문에, 캐리신호(CARRY(n)) 및 스캔신호(SCAN(n))의 출력이 안정적으로 유지된다.The eighth transistor T8, in response to the start signal VST_R, applies a second high potential voltage VGH2, which is a turn-off voltage, to the QB node. As a result, the carry pull-down transistor T7C and the scan pull-down transistor T7 are turned off. The carry signal CARRY (n) and the scan signal SCAN (n) are supplied to the second capacitor Cb2 since the second capacitor Cb2 keeps the voltage of the QB node stably at the turn-off voltage while the Q node is at the turn- Is maintained stably.

제2 타이밍(t2)에서 제1 R클럭신호(RCLK1)는 저전위전압(VGL)으로 반전되고, Q 노드는 부트스트래핑 된다. 제1 R클럭신호(RCLK1)가 제2 고전위전압(VGH2)에서 저전위전압(VGL)으로 반전될 때의 전압 변화량에 따라 Q 노드는 부트스트래핑된다. 그 결과, 스캔 풀업 트랜지스터(T6)는 스캔 출력단(SRO_N)에 턴-온 전압인 저전위전압(VGL)을 인가하고, 캐리 풀업 트랜지스터(T6C)는 캐리 출력단(CRO_N)에 턴-온 전압인 저전위전압(VGL)을 인가한다.At the second timing t2, the first R clock signal RCLK1 is inverted to the low potential voltage VGL, and the Q node is bootstrapped. The Q node is bootstrapped according to the amount of voltage change when the first R clock signal RCLK1 is inverted from the second high potential voltage VGH2 to the low potential voltage VGL. As a result, the scan pull-up transistor T6 applies a low potential voltage VGL which is a turn-on voltage to the scan output terminal SRO_N, and the carry pull-up transistor T6C applies a turn- And applies the potential voltage VGL.

제2 트랜지스터(T2)는 Q 노드가 부트스트래핑 될 때, 제1 트랜지스터(T1)의 드레인전압이 순간적으로 크게 변하는 것을 방지한다. 만약 제2 트랜지스터(T2)가 없으면, Q 노드가 부트스트래핑 될 때 제1 트랜지스터(T1)의 드레인전극의 전압 및 제3 트랜지스터(T3)의 소스전극의 전압은 크게 낮아진다. 그 결과, 제1 트랜지스터(T1) 및 제3 트랜지스터(T3)는 순간적으로 큰 전기적 스트레스를 받는다. The second transistor T2 prevents an instantaneous large change in the drain voltage of the first transistor T1 when the Q node is bootstrapped. Without the second transistor T2, the voltage of the drain electrode of the first transistor T1 and the voltage of the source electrode of the third transistor T3 are significantly lowered when the Q node is bootstrapped. As a result, the first transistor T1 and the third transistor T3 are instantaneously subjected to a large electrical stress.

하지만, 제2 트랜지스터(T2)의 게이트전압은 항상 저전위전압(VGL)이기 때문에, 제2 트랜지스터(T2)의 소스전극에 해당하는 QA 노드의 전압은 저전위전압(VGL) 보다 낮은 전압레벨이 되지 않는다. QA 노드의 전압이 저전위전압(VGL) 보다 낮아지면 제2 트랜지스터(T2)는 턴-오프되기 때문이다. 따라서, Q 노드가 부트스트래핑 된다고 할지라도 QA 노드는 저전위전압(VGL)을 유지할 수 있고, 제1 트랜지스터(T1)의 드레인-소스 간의 전압레벨이 순간적으로 크게 변하는 것을 방지할 수 있다. However, since the gate voltage of the second transistor T2 is always the low potential VGL, the voltage of the QA node corresponding to the source electrode of the second transistor T2 is lower than the low potential VGL It does not. This is because the second transistor T2 is turned off when the voltage of the QA node becomes lower than the low voltage VGL. Therefore, even if the Q node is bootstrapped, the QA node can maintain the low potential voltage VGL, and the voltage level between the drain and the source of the first transistor T1 can be prevented from changing instantaneously.

제3 타이밍(t3)에서, 제1 R 클럭신호(RCLK1)는 제2 고전위전압(VGH2)으로 반전되어서, 스캔 출력단(SRO_N) 및 캐리 출력단(CRO_N)은 제2 고전위전압(VGH2)이 된다. 제2 고전위전압(VGH2)은 픽셀 어레이(100A)의 구동에 이용되는 제1 고전위전압(VGH1) 보다 높은 전압이다. 일반적인 시프트레지스터를 구동할 때, 클럭신호들의 고전위전압은 픽셀 어레이에 인가되는 고전위전압과 동일한 전압을 이용한다. 본 발명은 시프트레지스터(140)에 인가되는 R클럭신호들(RCLK1,RCLK2) 및 L클럭신호들(LCLK1,LCLK2)의 고전위전압을 제2 고전위전압(VGH2)을 이용하기 때문에, 제3 타이밍(t3)에서 스캔 출력단(SRO_N) 및 캐리 출력단(CRO_N)의 전압 변화량이 커진다. 일정한 시간 동안의 스캔 출력단(SRO_N) 및 캐리 출력단(CRO_N)의 전압 변화량이 커지는 것은 전압 변화율이 크다는 것을 의미한다. 즉, 본 발명에서는 스캔 출력단(SRO_N) 및 캐리 출력단(CRO_N)이 턴-오프 전압으로 반전되는 딜레이가 줄어든다. 스캔 출력단(SRO_N)이 출력하는 스캔신호의 딜레이 현상이 개선되기 때문에, 스캔라인들의 한 쪽 방향에서 스캔신호를 인가하여도 스캔신호의 딜레이 현상으로 인한 문제점이 개선된다.At the third timing t3, the first R clock signal RCLK1 is inverted to the second high potential voltage VGH2 so that the scan output stage SRO_N and the carry output stage CRO_N become the second high potential voltage VGH2 do. The second high-potential voltage VGH2 is higher than the first high-potential voltage VGH1 used for driving the pixel array 100A. When driving a typical shift register, the high-potential voltage of the clock signals utilizes the same voltage as the high-potential voltage applied to the pixel array. Since the high potential voltage of the R clock signals RCLK1 and RCLK2 and the L clock signals LCLK1 and LCLK2 applied to the shift register 140 is used as the second high potential voltage VGH2, The voltage variation amount of the scan output stage SRO_N and the carry output stage CRO_N becomes large at the timing t3. The increase in the voltage variation of the scan output stage SRO_N and the carry output stage CRO_N for a constant time means that the voltage change rate is large. That is, in the present invention, the delay in which the scan output terminal SRO_N and the carry output terminal CRO_N are inverted to the turn-off voltage is reduced. The delay effect of the scan signal output from the scan output stage SRO_N is improved, so that even if a scan signal is applied in one direction of the scan lines, the problem caused by the delay of the scan signal is improved.

제4 타이밍(t4)에서, 제2 R클럭신호(RCLK2)는 턴-온 전압이 된다.At the fourth timing (t4), the second R clock signal RCLK2 becomes the turn-on voltage.

제2 커패시터(Cb2)에 저전위전압(VGL)이 인가될 때, CB 노드는 부트스트래핑되면서 저전위전압(VGL)이 된다. CB 노드가 턴-온 전압이 되어서, 제4 트랜지스터(T4)는 QB 노드에 저전위전압(VGL)을 인가한다. 캐리 풀다운 트랜지스터(T7C)는 QB 노드 전압에 응답하여, 캐리 출력단(CRO_N)에 제2 고전위전압(VGH2)을 인가한다. 스캔 풀다운 트랜지스터(T7)는 QB 노드 전압에 응답하여, 스캔 출력단(SRO_N)에 제1 고전위전압(VGH1)을 인가한다. 제3 타이밍(t3)에서 스캔 출력단(SRO_N)은 제1 R클럭신호(RCLK1)의 제2 고전위전압(VGH2)으로 상승하였다가, 제4 타이밍(t4)에서 스캔 출력단(SRO_N)은 제1 고전위전압(VGH1)으로 다소 낮아진다. 즉, 4 타이밍(t4)에서 스캔 출력단(SRO_N)은 픽셀 어레이(100A)의 픽셀들을 구동하기 위한 턴-온 전압에 해당하는 제1 고전위전압(VGH1)과 동일한 전압레벨의 스캔신호를 출력한다. When the low potential voltage VGL is applied to the second capacitor Cb2, the CB node is bootstrapped and becomes the low potential voltage VGL. The CB node becomes the turn-on voltage, and the fourth transistor T4 applies the low potential voltage VGL to the QB node. The carry pull-down transistor T7C, in response to the QB node voltage, applies the second high potential voltage VGH2 to the carry output CRO_N. The scan pull-down transistor T7, in response to the QB node voltage, applies the first high potential voltage VGH1 to the scan output terminal SRO_N. The scan output terminal SRO_N rises to the second high potential voltage VGH2 of the first R clock signal RCLK1 at the third timing t3 and the scan output terminal SRO_N rises to the first high potential voltage VGH2 at the fourth timing t4, It is somewhat lowered to the high potential voltage (VGH1). That is, at the fourth timing t4, the scan output terminal SRO_N outputs a scan signal having the same voltage level as the first high-potential voltage VGH1 corresponding to the turn-on voltage for driving the pixels of the pixel array 100A .

제3 트랜지스터(T3)는 QB 노드에 응답하여, Q 노드에 제2 고전위전압(VGH2)을 인가한다. 그 결과 스캔 풀업 트랜지스터(T6) 및 캐리 풀업 트랜지스터(T6C)는 안정적으로 턴-오프된다. The third transistor T3, in response to the QB node, applies a second high potential voltage VGH2 to the Q node. As a result, the scan pull-up transistor T6 and the carry pull-up transistor T6C are stably turned off.

살펴본 바와 같이, 본 발명에 의한 시프트레지스터는 풀업 트랜지스터들(T6,T6C)에 인가되는 클럭신호들(LCLK1,LCKL2,RCLK1,RCLK2)의 고전위전압을 픽셀 어레이(100A)에 인가되는 제1 고전위전압(VGH1) 보다 높은 제2 고전위전압(VGH2)을 이용한다. 따라서, 스캔신호가 턴-오프되는 순간의 딜레이를 줄일 수 있어서, 싱글 피딩 방식으로 스캔라인을 구동하여도 스캔신호의 지연 현상을 개선할 수 있다. 따라서 본 발명의 시프트레지스터의 사이즈는 더블 피딩 방식의 시프트레지스터에 대비하여 절반 수준이 되고, 그 결과 시프트레지스터가 배치되는 영역을 줄일 수 있다. 즉, 표시패널의 베젤을 대폭 감소시킬 수 있다. As described above, the shift register according to the present invention controls the high-potential voltage of the clock signals LCLK1, LCKL2, RCLK1 and RCLK2 applied to the pull-up transistors T6 and T6C to the first classical And uses the second high-potential voltage VGH2 higher than the upper voltage VGH1. Therefore, the delay time at which the scan signal is turned off can be reduced, and the delay of the scan signal can be improved even if the scan line is driven by the single feeding method. Therefore, the size of the shift register of the present invention is half the size of the double-feeding type shift register, and as a result, the area in which the shift register is disposed can be reduced. That is, the bezel of the display panel can be greatly reduced.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 명세서의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 명세서의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention. Accordingly, the technical scope of the present specification should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification, but should be defined by the claims.

100: 표시패널 110: 타이밍 콘트롤러
120: 데이터 구동회로 130: 레벨 시프터
140 : 시프트레지스터 STG: 스테이지
100: display panel 110: timing controller
120: Data driving circuit 130: Level shifter
140: shift register STG: stage

Claims (10)

게이트라인에 연결된 픽셀들이 배치된 픽셀 어레이; 및
L클럭신호의 타이밍에 동기되어, 우수 번째 픽셀라인에 배치된 픽셀들의 데이터기입 기간에 제2n(n은 자연수) 스캔신호를 출력하는 제1 시프트레지스터; 및
R클럭신호의 타이밍에 동기되어, 기수 번째 픽셀라인에 배치된 픽셀들의 데이터기입 기간에 제(2n-1) 스캔신호를 출력하는 제2 시프트레지스터를 포함하고,
상기 L클럭신호 및 R클럭신호의 턴-온 전압과 턴-오프 전압 간의 전압 차이는, 상기 L클럭신호 및 R클럭신호의 턴-온 전압과 상기 제2n 스캔신호 및 제(2n-1) 스캔신호의 턴-오프 전압 간의 전압 차이보다 큰 표시장치.
A pixel array in which pixels connected to a gate line are arranged; And
A first shift register for outputting a second (n is a natural number) scan signal in a data writing period of pixels arranged in the odd-numbered pixel line in synchronization with the timing of the L clock signal; And
And a second shift register for outputting a (2n-1) th scan signal in a data writing period of pixels arranged in an odd-numbered pixel line in synchronization with the timing of the R clock signal,
The voltage difference between the turn-on voltage and the turn-off voltage of the L clock signal and the R clock signal is a difference between the turn-on voltage of the L clock signal and the R clock signal, the second n scan signal and the (2n-1) The voltage difference between the turn-off voltage of the signal.
제 1 항에 있어서,
상기 제1 시프트레지스터는 상기 픽셀 어레이의 일측에 배치되고, 서로 종속적으로 연결되는 서로 종속적으로 연결되는 제2n 스테이지를 포함하고,
상기 제2 시프트레지스터는 상기 픽셀 어레이의 타측에 배치되고, 서로 종속적으로 연결되는 제(2n-1) 스테이지를 포함하며,
상기 제2n 스테이지는 상기 제2n 스캔신호를 출력하고, 상기 제(2n-1) 스테이지는 상기 제(2n-1) 스캔신호를 출력하는 표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the first shift register comprises a second n stage arranged on one side of the pixel array and connected to each other in a dependent manner,
The second shift register includes a (2 < n-1) > stage arranged on the other side of the pixel array and connected to each other in a dependent manner,
Wherein the (2n-1) th stage outputs the (2n-1) th scan signal.
제 2 항에 있어서,
상기 제2n 스테이지는 제2(n+1) 스테이지의 스타트신호로 이용되는 캐리신호를 출력하고,
상기 제(2n-1) 스테이지는 제2n 스테이지의 스타트신호로 이용되는 캐리신호를 출력하는 표시장치.
3. The method of claim 2,
The second n stage outputs a carry signal used as a start signal of the second (n + 1) stage,
And the (2n-1) th stage outputs a carry signal used as a start signal of the second n-th stage.
제 2 항에 있어서,
상기 픽셀들 각각은, 유기발광 다이오드 및 상기 유기발광 다이오드를 구동하는 구동 트랜지스터를 포함하고,
상기 제2n 스캔신호는 제2n+1 픽셀라인의 상기 구동 트랜지스터들의 게이트전극을 초기화하는 타이밍을 제어하고,
상기 제(2n-1) 스캔신호는 제2n 픽셀라인의 상기 구동 트랜지스터들의 게이트전극을 초기화하는 타이밍을 제어하는 표시장치.
3. The method of claim 2,
Wherein each of the pixels includes an organic light emitting diode and a driving transistor for driving the organic light emitting diode,
The second scan signal controls the timing of initializing the gate electrodes of the driving transistors of the second (n + 1) -th pixel line,
And the (2n-1) th scan signal controls the timing for initializing the gate electrode of the driving transistors of the second n-pixel line.
제 1 항에 있어서,
상기 L클럭신호 및 상기 R클럭신호는 각각 1수평기간 동안 턴-온 전압을 유지하고, 주기가 4 수평기간이며,
상기 L클럭신호 및 상기 R클럭신호의 턴-온 전압 구간은 중첩되지 않는 표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the L clock signal and the R clock signal each maintain a turn-on voltage for one horizontal period, the period is four horizontal periods,
And the turn-on voltage sections of the L clock signal and the R clock signal do not overlap.
픽셀들에 스캔신호를 공급하고, 서로 종속적으로 접속되는 스테이지로 이루어지는 시프트레지스터에 있어서,
상기 스테이지는
스타트신호에 응답하여 Q 노드를 프리챠지하는 스타트 제어부;
상기 Q 노드 전압에 응답하여, 제1 클럭신호의 전압을 스캔 출력단에 인가하는 스캔 풀업 트랜지스터;
상기 Q 노드 전압에 응답하여, 제1 클럭신호의 전압을 캐리 출력단에 인가하는 스캔 풀업 트랜지스터;
상기 Q 노드와 반대 전위를 갖는 QB 노드 전압에 응답하여, 상기 스캔 출력단에 제1 턴-오프 전압을 인가하는 스캔 풀다운 트랜지스터; 및
상기 QB 노드 전압에 응답하여, 상기 캐리 출력단에 제2 턴-오프 전압을 인가하는 캐리 풀다운 트랜지스터를 포함하고,
상기 클럭신호의 턴-온 전압과 상기 제2 턴-오프 전압 간의 전압 차이는, 상기 클럭신호의 턴-온 전압과 상기 제1 턴-오프 전압 간의 전압 차이보다 큰 시프트레지스터.
A shift register comprising a stage for supplying a scan signal to pixels and being connected to each other in a dependent manner,
The stage
A start control unit for precharging a Q node in response to a start signal;
A scan pull-up transistor responsive to the Q node voltage for applying a voltage of a first clock signal to a scan output terminal;
A scan pull-up transistor responsive to the Q node voltage for applying a voltage of a first clock signal to a carry output;
A scan pull-down transistor for applying a first turn-off voltage to the scan output terminal in response to a QB node voltage having an opposite potential to the Q node; And
And a carry pull-down transistor responsive to the QB node voltage for applying a second turn-off voltage to the carry output,
And a voltage difference between the turn-on voltage of the clock signal and the second turn-off voltage is greater than a voltage difference between the turn-on voltage of the clock signal and the first turn-off voltage.
제 6 항에 있어서,
상기 제1 턴-오프 전압은 상기 픽셀들에 배치된 트랜지스터들의 턴-오프 전압과 동일한 전압레벨을 갖는 시프트레지스터.
The method according to claim 6,
Wherein the first turn-off voltage has the same voltage level as the turn-off voltage of the transistors disposed in the pixels.
제 6 항에 있어서,
상기 스타트 제어부는
저전위전압의 입력단과 QA 노드 사이에 접속되며, 게이트전극이 상기 스타트신호를 입력받는 제1 트랜지스터; 및
상기 QA 노드 및 상기 Q 노드 사이에 접속하며, 게이트전극이 상기 저전위전압의 입력단에 연결되는 제2 트랜지스터를 포함하는 시프트레지스터.
The method according to claim 6,
The start control unit
A first transistor connected between an input terminal of a low potential voltage and a QA node, and having a gate electrode receiving the start signal; And
And a second transistor connected between the QA node and the Q node and having a gate electrode connected to an input terminal of the low potential voltage.
제 6 항에 있어서,
상기 저전위전압의 입력단과 상기 QB 노드 사이에 접속되며, 제2 클럭신호에 의해서 충전되는 CB 노드에 연결되는 게이트전극을 포함하는 노드 제어부를 더포함하고,
상기 제1 클럭신호 및 상기 제2 클럭신호는 2개의 위상을 갖는 시프트레지스터.
The method according to claim 6,
And a gate electrode connected between the input terminal of the low potential voltage and the QB node and connected to the CB node charged by the second clock signal,
Wherein the first clock signal and the second clock signal have two phases.
제 9 항에 있어서,
상기 제1 클럭신호 및 상기 제2 클럭신호는 각각 주기가 4수평기간이고, 1수평기간의 펄스폭을 갖는 시프트레지스터.
10. The method of claim 9,
Wherein the first clock signal and the second clock signal each have a period of four horizontal periods and have a pulse width of one horizontal period.
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WO2024198427A1 (en) * 2023-03-30 2024-10-03 武汉华星光电技术有限公司 Display panel

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