KR20190026548A - A repair system that repairs a defective substrate - Google Patents

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KR20190026548A
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Abstract

The present invention relates to a repair system repairing a defective substrate, comprising: a defect determination apparatus (100) proactively determining a defect; and a repair apparatus (200) repairing the defect determined by the defect determination apparatus (100).

Description

결함이 있는 기판을 리페어하는 리페어 시스템{A repair system that repairs a defective substrate}[0001] The present invention relates to a repair system for repairing a defective substrate,

본 발명은 결함이 있는 기판을 리페어하는 리페어 시스템에 관한 것으로, 보다 상세하게는 결함을 선행적으로 판단하는 결함판단장치와, 상기 결함판단장치에서 판단된 결함을 리페어하는 리페어 장치로 이루어진 리페어 시스템에 관한 것이다. The present invention relates to a repair system for repairing defective boards, and more particularly, to a repair system for repairing defective boards, and more particularly to a repair system for repairing defective boards, .

디스플레이 패널(display panel) 시장은 과거 LCD와 같은 형태에서 OLED로 전환하면서 그에 발맞춰 레이저 수리(laser repair) 시장도 더욱 세밀한 공정이 요구되는 형태로 발전하고 있다. The display panel market has changed from LCD to OLED, and the laser repair market has evolved into a more demanding process.

또한, 상기와 같은 디스플레이의 제조 공정 중에는 검사 공정과 리페어 공정이 있으며, 검사 공정은 기판에 형성된 결함을 검사하고, 리페어 공정은 검출된 기판의 결함 부위를 리페어 장비에서 재확인 하여 레이저로 리페어한다. In the manufacturing process of the display as described above, there are an inspection process and a repair process. In the inspection process, defects formed on the substrate are inspected. In the repair process, the defective portions of the detected substrate are re-

그러나 이러한 기판의 결함 유무를 검사하는 검사 장치와 기판을 리페어하는 리페어장치가 별도로 마련되기 때문에 생산성이 떨어지는 문제가 있다. However, there is a problem that productivity is deteriorated because the inspection apparatus for checking the presence or absence of defects of the substrate and the repair apparatus for repairing the substrate are provided separately.

또한, 기판에 형성된 결함 종류에 따라 리페어 방식이 각각 다르며, 기판의 결함종류를 판별하고 결함종류에 대응하여 기판을 리페어하는 일체형 리페어 시스템을 필요로 하는 실정이다. Further, there is a need for an integrated repair system in which the repair method differs depending on the types of defects formed on the substrate, the types of defects on the substrate are identified, and the substrate is repaired in accordance with the types of defects.

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 결함을 선행적으로 판단하는 결함판단장치와, 상기 결함판단장치에서 판단된 결함을 리페어하는 리페어 장치로 이루어진 리페어 시스템을 제공하고자 하는데 그 목적이 있다.It is an object of the present invention to provide a repair system comprising a defect determination device for determining a defect in advance and a repair device for repairing a defect determined by the defect determination device.

그러나 본 발명의 목적은 상기에 언급된 목적으로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.However, the object of the present invention is not limited to the above-mentioned object, and another object which is not mentioned can be understood by those skilled in the art from the following description.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 결함이 있는 기판을 리페어하는 리페어 시스템에 있어서, 상기 결함을 선행적으로 판단하는 결함판단장치(100)와, 상기 결함판단장치(100)에서 판단된 결함을 리페어하는 리페어 장치(200)로 이루어진다.According to an aspect of the present invention, there is provided a repair system for repairing a defective substrate, the apparatus comprising: a defect determination device (100) for predicting the defect; a defect determination device And a repair device 200 for repairing.

또한, 상기 결함판단장치(100)와 상기 리페어 장치(200)는 별개로 이루어지며, 상기 결함판단장치(100)는 결함정보가 포함된 결함정보파일을 생성한다.In addition, the defect determination apparatus 100 and the repair apparatus 200 are separately provided, and the defect determination apparatus 100 generates a defect information file including defect information.

또한, 상기 결함정보파일에는 결함의 종류와 해당결함의 위치정보와 해당기판의 아이디정보가 포함되어 상기 리페어 장치(200)로 전송된다.Also, the defect information file includes the type of defect, position information of the defect, and ID information of the corresponding substrate, and is transmitted to the repair apparatus 200.

또한, 상기 리페어 장치(200)는 상기 결함정보파일을 전송받아 결함이 있는 기판을 장착하는 스테이지(210)와, 상기 장착된 기판의 아이디를 획득하고 결함의 종류를 다시 판별하기 위해 이미지를 획득하는 카메라부(220)와, 상기 획득된 이미지를 통해 결함의 종류에 따라 판별하는 판별부(230)와, 상기 판별된 결함의 종류에 따라 리페어를 수행하는 리페어부(240)와, 상기 리페어부(240)를 제어하는 제어부(250)를 포함하여 이루어진다. In addition, the repair apparatus 200 may include a stage 210 for mounting a defective substrate on which the defect information file is received, an image acquiring unit 230 for acquiring an ID of the mounted substrate, A repair unit 240 for repairing the defect according to the type of the defect, a repair unit 240 for repairing the defect according to the type of the defect, And a control unit 250 for controlling the display unit 240.

또한, 상기 카메라부(220)를 통해 획득된 이미지를 분석하여 상기 판별부(230)에서 상기 결함종류를 판별하되, 상기 결함종류는, 상기 기판내의 회로에서 회로 라인이 끊어진 결함인 라인끊김결함과, 불필요한 라인이 만들어져 생성된 라인연결결함과, 불필요한 부위에 잉여로 발생한 잉여블럭결함으로 나누고, 상기 리페어부(240)를 통해 상기 결함종류에 맞추어 리페어를 수행한다.In addition, the image obtained through the camera unit 220 is analyzed to determine the kind of defect in the discrimination unit 230. The type of defect includes a line breakage defect, a defect in which a circuit line is broken in a circuit in the substrate, A line connection defect generated by forming an unnecessary line, and an excess block defect caused by a surplus in an unnecessary part, and repair is performed through the repair part 240 according to the defect type.

또한, 상기 리페어부(240)는 3개의 레이저(241)와, 가스 증착공정을 수행하기 위한 가스 증착기(242)와, 레이저의 스폿사이즈의 크기를 변경시키는 슬릿(243)으로 구성된다. The repair unit 240 includes three lasers 241, a gas evaporator 242 for performing a gas deposition process, and a slit 243 for changing the spot size of the laser.

또한, 상기 레이저(241)는 발생펄스 주기가 펨토초 수준의 펨토초레이저(241a)와, 발생펄스 주기가 나노초 수준의 나노레이저로 나누어져 구비되어, 회로의 물성치와 결함의 종류에 따라 상기 펨토초레이저(241a) 혹은 나노레이저를 적용한다. The laser 241 is divided into a femtosecond laser 241a having a pulse period of a femtosecond level and a nano-level laser having a pulse period of nanoseconds. The laser 241 has a femtosecond laser 241a 241a) or a nano-laser is applied.

또한, 상기 나노레이저는 파장대가 ultraviolet(UV)인 제1나노레이저(241b)와 UV ~ infrared 범위에 있는 제2나노레이저(241c)를 사용한다.The nano-laser uses a first nano-laser 241b having a wavelength of ultraviolet (UV) and a second nano-laser 241c having a wavelength range of UV to infrared.

그리고 상기 결함의 종류가 라인끊김결함인 경우, 상기 가스증착기(242)와 상기 제1나노레이저(241b)를 사용하여 해당부위에 가스증착을 통해 라인을 연결한다.If the type of the defect is a line break defect, the gas is evaporated by using the gas evaporator 242 and the first nanolayer 241b.

그리고 상기 결함의 종류가 라인연결결함인 경우, 상기 제2나노레이저(241c) 또는 펨토초레이저(241a)를 사용하여 해당부위의 라인을 커팅하는 것을 특징으로 하는 리페어 시스템.And when the kind of the defect is a line connection defect, the second nano-laser 241c or the femtosecond laser 241a is used to cut the line of the corresponding part.

또한, 상기 결함의 종류가 잉여블럭결함일 때, 상기 잉여블럭결함이 회로의 라인에 형성된 회로결함 잉여블럭인 경우와, 회로와 떨어진 위치에 형성된 회로미결함 잉여블럭인 경우로 나누어 판별한다.Further, when the kind of the defect is a redundant block defect, the redundant block defect is discriminated in the case of a circuit defect redundant block formed in the line of the circuit and the case of a circuit defect redundant block formed in a position apart from the circuit.

그리고 상기 결함종류가 회로결함 잉여블럭인 경우, 상기 제2나노레이저(241c)를 사용하여 상기 회로결함 잉여블럭을 제거하되, 상기 제2나노레이저(241c)가 조사되는 스폿이 상기 회로결함 잉여블럭의 영역내를 이동하면서 회로결함 잉여블럭을 제거한다. If the defect type is a circuit defect redundancy block, the circuit defect redundancy block is removed using the second nanolamer 241c, and the spot irradiated with the second nanolayer 241c is removed from the circuit defect redundancy block To remove the circuit defect redundant block.

또한, 상기 결함종류가 회로미결함 잉여블럭인 경우. 상기 제2나노레이저(241c)를 사용하여 상기 회로미결함 잉여블럭을 제거한다. Also, when the type of defect is a circuit-defective redundant block. The second nano-laser 241c is used to remove the circuit-defective redundant block.

또한, 상기 회로미결함 잉여블럭 제거 시, 상기 회로미결함 잉여블럭의 이미지로부터 상기 잉여블럭의 면적크기와 잉여블럭의 중심좌표를 획득하고, 상기 슬릿(243)을 통해 상기 제2나노레이저(241c)의 스폿사이즈를 상기 획득된 면적크기에 맞추어 변화시킨 후에, 상기 제2나노레이저(241c)의 중심과 상기 잉여블럭의 중심좌표를 일치시킨다.Further, when the circuit-defective excess block is removed, the area size of the redundant block and the center coordinates of the redundant block are obtained from the image of the circuit-defective redundant block, and the second nanolamer 241c ) Is adjusted to match the obtained area size, and then the center of the second nanolayer 241c and the center coordinates of the redundant block coincide with each other.

그리고 상기 제2나노레이저(241c)의 스폿이 상기 회로미결함 잉여블럭 모두에게 한번에 조사되도록 배치하여, 상기 제2나노레이저(241c)와 상기 회로미결함 잉여블럭이 서로 상대이동을 하지 않은 상태로 고정된 상태에서 1회 조사를 통해 상기 회로미결함 잉여블럭을 제거한다.Then, the spot of the second nanolamer 241c is irradiated to all of the circuit-defective redundant blocks at a time so that the second nanolamer 241c and the circuit defective redundant block do not move relative to each other And the circuit-defective excess block is removed through a single irradiation in a fixed state.

또한, 상기 결함종류가 라인끊김결함인 경우, 상기 카메라부(220)를 통해 획득된 이미지로부터 시작위치좌표와 끝위치좌표 및 선폭을 확인한 다음 상기 가스 증착와 상기 제1나노레이저(241b)를 사용하여 해당부위에 가스증착을 통해 라인을 연결한다.If the defect type is a line break defect, the start position coordinates and the end position coordinates and line width are confirmed from the image obtained through the camera unit 220, and then the gas deposition and the first nanolayer 241b are used Connect the line through gas deposition to the site.

그리고 상 라인끊김구간을 따라 상기 스테이지(210) 또는 레이저 헤드(미도시)를 일정속도로 이동하면서 리페어(repair) 가공을 수행하도록 상기 스테이지(210) 또는 레이저 헤드를 X축 또는 Y축 방향으로 이동시키는 각각의 모터(211)가 구비된다.Then, the stage 210 or the laser head is moved in the X-axis or Y-axis direction so as to perform repair processing while moving the stage 210 or the laser head (not shown) Each of the motors 211 is provided.

그리고 상기 스테이지(210) 또는 레이저 헤드는 상기 각각의 모터(211) 구동에 의해 이동될 때, 상기 일정속도까지 도달하는 가속주행구간과, 상기 일정속도를 유지하는 정속주행구간과, 상기 일정속도에서 모터 구동을 정지하는 감속주행구간을 갖되, 상기 라인끊김구간의 리페어는 상기 정속주행구간 내에서만 이루어지도록 형성된다. When the stage 210 or the laser head is moved by the driving of each of the motors 211, an acceleration driving section that reaches the constant speed, a constant speed driving section that maintains the constant speed, And the motor vehicle has a deceleration running section for stopping the motor drive, and the repair of the line breaking section is performed only within the constant speed running section.

또한, 상기 각각의 모터(211)에는 모터 회전축의 회전각도 및 회전수를 검출하는 엔코더(212)가 장착되고, 상기 엔코더(212)의 검출 시그널 정보에 의해 입력되는 펄스(pulse) 감지 주기가 점점 증가할 경우 상기 가속주행구간, 상기 입력되는 펄스 감지 주기가 동일할 경우 상기 정속주행구간 및 상기 입력되는 펄스 감지 주기가 점점 감소할 경우 감속주행구간으로 구분하는 가감속분석부(251)가 구비된다.Each of the motors 211 is provided with an encoder 212 for detecting the rotation angle and the number of revolutions of the motor rotation shaft and the pulse detection period input by the detection signal information of the encoder 212 is gradually increasing The acceleration / deceleration analyzing unit 251 divides the acceleration / deceleration driving interval into the acceleration driving interval, the constant speed driving interval when the input pulse sensing interval is the same, and the deceleration driving interval when the input pulse sensing interval decreases gradually .

또한, 상기 리페어 시스템에는 레이저 발진이 이루어지도록 제어하는 레이저 컨트롤러(controller)가 더 구비되며, 상기 정속구간 내에만 상기 라인끊김 구간을 리페어하는 리페어 구간이 형성된다. The repair system further includes a laser controller for controlling laser oscillation, and a repair interval for repairing the line break interval is formed only in the constant speed section.

본 발명의 특징 및 이점들은 첨부도면에 의거한 다음의 상세한 설명으로 더욱 명백해질 것이다.The features and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description based on the accompanying drawings.

이에 앞서 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이고 사전적인 의미로 해석되어서는 아니 되며, 발명자가 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합되는 의미와 개념으로 해석되어야 한다.Prior to that, terms and words used in the present specification and claims should not be construed in a conventional and dictionary sense, and the inventor may properly define the concept of the term in order to best explain its invention It should be construed as meaning and concept consistent with the technical idea of the present invention.

이상에서 살펴본 바와 같이 본 발명에 따르면, 기판에 형성된 결함 종류를 판별하고 판별된 결함종류에 따라 리페어 방식을 다르게 적용하여 결함을 리페어함으로써 제품신뢰도가 향상되며, 일체형 리페어 시스템을 제공함으로써 생산성을 향상 시킬 수 있는 효과가 있다.As described above, according to the present invention, product reliability is improved by repairing a defect by discriminating a type of defect formed on a substrate and applying a repair method differently according to the determined type of defect, and by improving the productivity by providing an integrated repair system There is an effect that can be.

도 1은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 레이저 리페어 시스템의 구성을 개략적으로 나타낸 블록도,
도 2는 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 카메라부와 판별부의 구성을 통한 동작 흐름을 개략적으로 나타낸 블록도,
도 3은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 판별부와 제어부 및 리페어부의 구성을 통한 동작 흐름을 개략적으로 나타낸 블록도,
도 4 내지 도 8은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 결함종류에 따른 리페어 동작 흐름을 개략적으로 나타낸 블록도,
도 9는 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 결함 종류가 라인끊김결함인 경우에 따른 리페어 동작 흐름을 개략적으로 나타낸 블록도,
도 10은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 결함종류가 라인끊김결함인 경우 스테이지의 동작을 설명하기 위한 도이다. 1 is a block diagram schematically showing a configuration of a laser repair system according to a preferred embodiment of the present invention;
2 is a block diagram schematically illustrating an operation flow of a camera unit and a determination unit according to a preferred embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a block diagram schematically illustrating an operation flow of a determination unit, a control unit, and a repair unit according to a preferred embodiment of the present invention.
4 to 8 are block diagrams schematically illustrating a repair operation flow according to a defect type according to a preferred embodiment of the present invention.
FIG. 9 is a block diagram schematically illustrating a repair operation flow according to a preferred embodiment of the present invention when a defect type is a line breakage defect.
10 is a diagram for explaining an operation of a stage when a defect type according to a preferred embodiment of the present invention is a line break defect.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명하기로 한다. 이 과정에서 도면에 도시된 선들의 두께나 구성요소의 크기 등은 설명의 명료성과 편의상 과장되게 도시되어 있을 수 있다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. In this process, the thicknesses of the lines and the sizes of the components shown in the drawings may be exaggerated for clarity and convenience of explanation.

또한, 후술되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례에 따라 달라질 수 있다. 그러므로 이러한 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 하여 내려져야 할 것이다.In addition, the terms described below are defined in consideration of the functions of the present invention, which may vary depending on the intention or custom of the user, the operator. Therefore, definitions of these terms should be made based on the contents throughout this specification.

아울러, 아래의 실시예는 본 발명의 권리범위를 한정하는 것이 아니라 본 발명의 청구범위에 제시된 구성요소의 예시적인 사항에 불과하며, 본 발명의 명세서 전반에 걸친 기술사상에 포함되고 청구범위의 구성요소에서 균등물로서 치환 가능한 구성요소를 포함하는 실시예는 본 발명의 권리범위에 포함될 수 있다.In addition, the following embodiments are not intended to limit the scope of the present invention, but merely as exemplifications of the constituent elements set forth in the claims of the present invention, and are included in technical ideas throughout the specification of the present invention, Embodiments that include components replaceable as equivalents in the elements may be included within the scope of the present invention.

첨부된 도 1은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 레이저 리페어 시스템의 구성을 개략적으로 나타낸 블록도, 도 2는 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 카메라부와 판별부의 구성을 통한 동작 흐름을 개략적으로 나타낸 블록도, 도 3은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 판별부와 제어부 및 리페어부의 구성을 통한 동작 흐름을 개략적으로 나타낸 블록도, 도 4 내지 도 8은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 결함종류에 따른 리페어 동작 흐름을 개략적으로 나타낸 블록도, 도 9는 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 결함 종류가 라인끊김결함인 경우에 따른 리페어 동작 흐름을 개략적으로 나타낸 블록도, 도 10은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 결함종류가 라인끊김결함인 경우 스테이지의 동작을 설명하기 위한 도이다. FIG. 1 is a block diagram schematically showing a configuration of a laser repair system according to a preferred embodiment of the present invention. FIG. 2 is a schematic diagram illustrating an operation flow of a camera unit and a determination unit according to a preferred embodiment of the present invention. FIG. 3 is a block diagram schematically showing an operation flow through a configuration of a determination unit, a control unit, and a repair unit according to a preferred embodiment of the present invention, and FIGS. 4 to 8 illustrate a preferred embodiment of the present invention And FIG. 9 is a block diagram schematically showing a repair operation flow according to a defect type of a defect type according to a preferred embodiment of the present invention, FIG. 4 is a diagram for explaining an operation of a stage when a defect type according to a preferred embodiment of the present invention is a line break defect.

도 1 이하에 도시된 바와 같이 본 발명에 따른 리페어 시스템은, 상기 결함을 선행적으로 판단하는 결함판단장치(100)와, 상기 결함판단장치(100)에서 판단된 결함을 리페어하는 리페어 장치(200)로 이루어진다.1, a repair system according to the present invention includes a defect determination apparatus 100 for determining a defect in advance, a repair apparatus 200 for repairing a defect determined by the defect determination apparatus 100, ).

또한, 상기 결함판단장치(100)와 상기 리페어 장치(200)는 별개로 이루어지며, 상기 결함판단장치(100)는 결함정보가 포함된 결함정보파일을 생성한다.In addition, the defect determination apparatus 100 and the repair apparatus 200 are separately provided, and the defect determination apparatus 100 generates a defect information file including defect information.

또한, 상기 결함정보파일에는 결함의 종류와 해당결함의 위치정보와 해당기판의 아이디정보가 포함되어 상기 리페어 장치(200)로 전송된다.Also, the defect information file includes the type of defect, position information of the defect, and ID information of the corresponding substrate, and is transmitted to the repair apparatus 200.

또한, 상기 리페어 장치(200)는 상기 결함정보파일을 전송받아 결함이 있는 기판을 장착하는 스테이지(210)와, 상기 장착된 기판의 아이디를 획득하고 결함의 종류를 다시 판별하기 위해 이미지를 획득하는 카메라부(220)와, 상기 획득된 이미지를 통해 결함의 종류에 따라 판별하는 판별부(230)와, 상기 판별된 결함의 종류에 따라 리페어를 수행하는 리페어부(240)와, 상기 리페어부(240)를 제어하는 제어부(250)를 포함하여 이루어진다. In addition, the repair apparatus 200 may include a stage 210 for mounting a defective substrate on which the defect information file is received, an image acquiring unit 230 for acquiring an ID of the mounted substrate, A repair unit 240 for repairing the defect according to the type of the defect, a repair unit 240 for repairing the defect according to the type of the defect, And a control unit 250 for controlling the display unit 240.

또한, 상기 카메라부(220)를 통해 획득된 이미지를 분석하여 상기 판별부(230)에서 상기 결함종류를 판별하되, 상기 결함종류는, 상기 기판내의 회로에서 회로 라인이 끊어진 결함인 라인끊김결함과, 불필요한 라인이 만들어져 생성된 라인연결결함과, 불필요한 부위에 잉여로 발생한 잉여블럭결함으로 나누고, 기 리페어부(240)를 통해 상기 결함종류에 맞추어 리페어를 수행한다.In addition, the image obtained through the camera unit 220 is analyzed to determine the kind of defect in the discrimination unit 230. The type of defect includes a line breakage defect, a defect in which a circuit line is broken in a circuit in the substrate, , A line connection defect generated by forming an unnecessary line, and an excess block defect caused by a surplus in an unnecessary portion, and repair is performed through the repair unit 240 according to the defect type.

또한, 상기 리페어부(240)는 3개의 레이저(241)와, 가스 증착공정을 수행하기 위한 가스증착기(242)와, 레이저의 스폿사이즈의 크기를 변경시키는 슬릿(243)으로 구성된다. The repair unit 240 includes three lasers 241, a gas evaporator 242 for performing a gas deposition process, and a slit 243 for changing the spot size of the laser.

또한, 상기 레이저(241)는 발생펄스 주기가 펨토초 수준의 펨토초레이저(241a)와, 발생펄스 주기가 나노초 수준의 나노레이저로 나누어져 구비되어 회로의 물성치와 결함의 종류에 따라 상기 펨토초레이저(241a) 혹은 나노레이저를 적용한다. The laser 241 is divided into a femtosecond laser 241a having a pulse period of a femtosecond level and a nano-level laser having a pulse period of nanoseconds. The laser 241 is divided into the femtosecond laser 241a ) Or a nano-laser is applied.

또한, 상기 나노레이저는 파장대가 ultraviolet(UV)인 제1나노레이저(241b)와 UV(자외서) ~ infrared(적외선) 범위에 있는 제2나노레이저(241c)를 사용한다. The nano-laser uses a first nano-laser 241b having a wavelength of ultraviolet (UV) and a second nano-laser 241c having a wavelength range of UV (infrared) to infrared (IR).

따라서 본 발명에 따른 리페어 시스템은 회로의 물성치에 따라 레이저를 선택 적용하여 리페어할 수 있다. Therefore, the repair system according to the present invention can selectively repair the laser according to the property of the circuit.

또한, 상기 펨토초레이저의 에너지는 나노레이저의 에너지보다 크며, 경우에 따라 펨토초레이저를 이용하여 드릴링 가공도 가능하다. Also, the energy of the femtosecond laser is greater than the energy of the nano-laser, and drilling can be performed using a femtosecond laser in some cases.

또한, 상기 슬릿(243)을 이용하여 스폿사이즈를 수 나노미터(nm) ~ 수십 마이크로미터(um)까지 변경함으로써 결함의 사이즈가 수 나노미터(nm) ~ 수십 마이크로미터(um)까지 리페어가 가능하다. The size of defects can be repaired to several nanometers (nm) to several tens of micrometers (um) by changing the spot size from several nanometers (nm) to several tens of micrometers (um) using the slit 243 Do.

또한, 상기 결함의 종류가 라인끊김결함인 경우, 상기 가스증착기(242)와 상기 제1나노레이저(241b)를 사용하여 해당부위에 가스증착을 통해 라인을 연결하고, 상기 결함의 종류가 라인연결결함인 경우, 상기 제2나노레이저(241c) 또는 펨토초레이저(241a)를 사용하여 해당부위의 라인을 커팅한다. If the type of the defect is a line breakage defect, the line is connected to the corresponding region using the gas evaporator 242 and the first nanolayer 241b through gas deposition, If the defect is a defect, the second nanoraser 241c or the femtosecond laser 241a is used to cut the line of the corresponding portion.

또한, 상기 결함의 종류가 잉여블럭결함일 때, 상기 잉여블럭결함이 회로의 라인에 형성된 회로결함 잉여블럭인 경우와, 회로와 떨어진 위치에 형성된 회로미결함 잉여블럭인 경우로 나누어 판별한다.Further, when the kind of the defect is a redundant block defect, the redundant block defect is discriminated in the case of a circuit defect redundant block formed in the line of the circuit and the case of a circuit defect redundant block formed in a position apart from the circuit.

그리고 상기 결함종류가 회로결함 잉여블럭인 경우, 상기 제2나노레이저(241c)를 사용하여 상기 회로결함 잉여블럭을 제거하되, 상기 제2나노레이저(241c)가 조사되는 스폿이 상기 회로결함 잉여블럭의 영역내를 이동하면서 회로결함 잉여블럭을 제거한다.If the defect type is a circuit defect redundancy block, the circuit defect redundancy block is removed using the second nanolamer 241c, and the spot irradiated with the second nanolayer 241c is removed from the circuit defect redundancy block To remove the circuit defect redundant block.

또한, 상기 결함종류가 회로미결함 잉여블럭인 경우. 상기 제2나노레이저(241c)를 사용하여 상기 회로미결함 잉여블럭을 제거한다. Also, when the type of defect is a circuit-defective redundant block. The second nano-laser 241c is used to remove the circuit-defective redundant block.

또한, 상기 회로미결함 잉여블럭 제거 시, 상기 회로미결함 잉여블럭의 이미지로부터 상기 잉여블럭의 면적크기와 잉여블럭의 중심좌표를 획득하고, 상기 슬릿(243)을 통해 상기 제2나노레이저(241c)의 스폿사이즈를 상기 획득된 면적크기에 맞추어 변화시킨 후에, 상기 제2나노레이저(241c)의 중심과 상기 잉여블럭의 중심좌표를 일치시킨다.Further, when the circuit-defective excess block is removed, the area size of the redundant block and the center coordinates of the redundant block are obtained from the image of the circuit-defective excess block, and the second nanolamer 241c ) Is adjusted to match the obtained area size, and then the center of the second nanolayer 241c and the center coordinates of the redundant block coincide with each other.

그리고 상기 제2나노레이저(241c)의 스폿이 상기 회로미결함 잉여블럭 모두에게 한번에 조사되도록 배치하여, 상기 제2나노레이저(241c)와 상기 회로미결함 잉여블럭이 서로 상대이동을 하지 않은 상태로 고정된 상태에서 1회 조사를 통해 상기 회로미결함 잉여블럭을 제거한다.Then, the spot of the second nanolayer 241c is irradiated to all of the circuit-defective redundant blocks at a time so that the second nanolimer 241c and the circuit defective redundant block do not move relative to each other And the circuit-defective excess block is removed through a single irradiation in a fixed state.

또한, 상기 결함종류가 라인끊김결함인 경우, 상기 카메라부(220)를 통해 획득된 이미지로부터 시작위치좌표와 끝위치좌표 및 선폭을 확인한 다음 상기 가스 증착기와 상기 제1나노레이저(241b)를 사용하여 해당부위에 가스증착을 통해 라인을 연결한다.If the defect type is a line break defect, the start position coordinates and the end position coordinates and line width are checked from the image obtained through the camera unit 220, and then the gas evaporator and the first nanolayer 241b are used Connect the line through gas deposition to the site.

그리고 상기 라인끊김구간을 따라 상기 스테이지(210) 또는 레이저 헤드(미도시)를 일정속도로 이동하면서 리페어(repair) 가공을 수행하도록 상기 스테이지(210) 또는 레이저 헤드를 X축 또는 Y축 방향으로 이동시키는 각각의 모터(211)가 구비된다.Then, the stage 210 or the laser head is moved in the X-axis or Y-axis direction to perform repair processing while moving the stage 210 or the laser head (not shown) Each of the motors 211 is provided.

그리고 상기 스테이지(210) 또는 레이저 헤드는 상기 각각의 모터(211) 구동에 의해 이동될 때, 상기 일정속도까지 도달하는 가속주행구간과, 상기 일정속도를 유지하는 정속주행구간과, 상기 일정속도에서 모터 구동을 정지하는 감속주행구간을 갖되, 상기 라인끊김구간의 리페어는 상기 정속주행구간 내에서만 이루어지도록 형성된다. When the stage 210 or the laser head is moved by the driving of each of the motors 211, an acceleration driving section that reaches the constant speed, a constant speed driving section that maintains the constant speed, And the motor vehicle has a deceleration running section for stopping the motor drive, and the repair of the line breaking section is performed only within the constant speed running section.

또한, 상기 각각의 모터(211)에는 모터 회전축의 회전각도 및 회전수를 검출하는 엔코더(212)가 장착되고, 상기 엔코더(212)의 검출 시그널 정보에 의해 입력되는 펄스(pulse) 감지 주기가 점점 증가할 경우 상기 가속주행구간, 상기 입력되는 펄스 감지 주기가 동일할 경우 상기 정속주행구간 및 상기 입력되는 펄스 감지 주기가 점점 감소할 경우 감속주행구간으로 구분하는 가감속분석부(251)가 구비된다.Each of the motors 211 is provided with an encoder 212 for detecting the rotation angle and the number of revolutions of the motor rotation shaft and the pulse detection period input by the detection signal information of the encoder 212 is gradually The acceleration / deceleration analyzing unit 251 divides the acceleration / deceleration driving interval into the acceleration driving interval, the constant speed driving interval when the input pulse sensing interval is the same, and the deceleration driving interval when the input pulse sensing interval decreases gradually .

또한, 상기 리페어 시스템에는 레이저 발진이 이루어지도록 제어하는 레이저 컨트롤러(controller)가 더 구비되며, 상기 정속구간 내에만 상기 라인끊김 구간을 리페어하는 리페어가공구간이 형성된다. The repair system further includes a laser controller for controlling laser oscillation, and a repair machining interval for repairing the line break interval is formed only in the constant velocity section.

따라서 모터의 엔코더 시그널 정보를 활용하여 레이저 발진을 제어함으로써 균일한 리페어(repair) 가공을 얻을 수 있는 효과가 있다.Therefore, it is possible to obtain uniform repair processing by controlling the laser oscillation using the encoder signal information of the motor.

이상 본 발명을 구체적인 실시예를 통하여 상세히 설명하였으나, 이는 본 발명을 구체적으로 설명하기 위한 것으로, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 그 변형이나 개량이 가능함이 명백하다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be construed as limiting the present invention. It is obvious that the modification or improvement is possible.

본 발명의 단순한 변형 내지 변경은 모두 본 발명의 범주에 속하는 것으로 본 발명의 구체적인 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 의해 명확해질 것이다.It is intended that the present invention cover the modifications and variations of this invention provided they come within the scope of the appended claims and their equivalents.

100 : 결함판단장치 200 : 리페어 장치
210 : 스테이지 211 : 모터
212 : 엔코더 220 : 카메라부
230 : 판별부 240 : 리페어부
241 : 레이저 242 : 가스 증착기
243 : 슬릿 250 : 제어부 100: defect judgment apparatus 200: repair apparatus
210: stage 211: motor
212: encoder 220: camera unit
230: discrimination unit 240: repair unit
241: Laser 242: Gas evaporator
243: Slit 250:

Claims (11)

결함이 있는 기판을 리페어하는 리페어 시스템에 있어서,
상기 결함을 선행적으로 판단하는 결함판단장치(100)와,
상기 결함판단장치(100)에서 판단된 결함을 리페어하다 리페어 장치(200)로 이루어진 것을 특징으로 하는 결함 리페어 시스템.
1. A repair system for repairing a defective substrate, comprising:
A defect determination apparatus (100) for predicting the defect,
And a defect repair apparatus (200) for repairing defects determined by the defect determination apparatus (100).
제1항에 있어서,
상기 결함판단장치(100)와 상기 리페어 장치(200)는 별개로 이루어지며,
상기 결함판단장치(100)는 결함정보가 포함된 결함정보파일을 생성하는 것을 특징으로 하는 결함 리페어 시스템.
The method according to claim 1,
The defect determination apparatus 100 and the repair apparatus 200 are separately provided,
Wherein the defect determination apparatus (100) generates a defect information file including defect information.
제2항에 있어서,
상기 결함정보파일에는 결함의 종류와 해당결함의 위치정보와 해당기판의 아이디정보가 포함되어 상기 리페어 장치(200)로 전송되는 것을 특징으로 하는 결함 리페어 시스템.
3. The method of claim 2,
Wherein the defect information file includes the type of defect, position information of the defect, and ID information of the corresponding substrate, and is transmitted to the repair apparatus (200).
제3항에 있어서, 상기 리페어 장치(200)는,
상기 결함정보파일을 전송받아 결함이 있는 기판을 장착하는 스테이지(210)와,
상기 장착된 기판의 아이디를 획득하고 결함의 종류를 다시 판별하기 위해 이미지를 획득하는 카메라부(220)와,
상기 획득된 이미지를 통해 결함의 종류에 따라 판별하는 판별부(230)와,
상기 판별된 결함의 종류에 따라 리페어를 수행하는 리페어부(240)와,
상기 리페어부(240)를 제어하는 제어부(250)를 포함하는 것을 특징으로 하는 리페어 시스템.
4. The apparatus according to claim 3, wherein the repair apparatus (200)
A stage 210 for receiving a defective information file and mounting a defective substrate thereon,
A camera unit 220 for obtaining an image of the mounted substrate and acquiring an image for discriminating the type of defect again,
A determination unit 230 for determining the type of defect based on the obtained image,
A repair unit 240 for repairing according to the determined types of defects,
And a control unit (250) for controlling the repair unit (240).
제4항에 있어서,
상기 카메라부(220)를 통해 획득된 이미지를 분석하여 상기 판별부(230)에서 상기 결함종류를 판별하되, 상기 결함종류는,
상기 기판내의 회로에서 회로 라인이 끊어진 결함인 라인끊김결함과,
불필요한 라인이 만들어져 생성된 라인연결결함과,
불필요한 부위에 잉여로 발생한 잉여블럭결함으로 나누고,
상기 리페어부(240)를 통해 상기 결함종류에 맞추어 리페어를 수행하는 것을 특징으로 리페어 시스템.
5. The method of claim 4,
The determination unit 230 determines the defect type by analyzing the image obtained through the camera unit 220,
A line breakage defect in which a circuit line is broken in a circuit in the substrate,
Line connection defects generated by unnecessary lines,
A redundant block defect caused by a surplus in an unnecessary portion,
And performs repair according to the defect type through the repair unit (240).
제5항에 있어서,
상기 리페어부(240)는 3개의 레이저(241)와,
가스 증착공정을 수행하기 위한 가스증착기(242)와,
상기 레이저의 스폿사이즈의 크기를 변경시키는 슬릿(243)으로 구성된 것을 특징으로 하는 리페어 시스템.
6. The method of claim 5,
The repair unit 240 includes three lasers 241,
A gas evaporator 242 for performing a gas deposition process,
And a slit (243) for changing the size of the spot size of the laser.
제6항에 있어서,
상기 레이저(241)는 발생펄스 주기가 펨토초 수준의 펨토초레이저(241a)와, 발생펄스 주기가 나노초 수준의 나노레이저로 나누어져 구비되어,
회로의 물성치와 결함의 종류에 따라 상기 펨토초레이저(241a) 혹은 나노레이저를 적용하는 것을 특징으로 하는 리페어 시스템.
The method according to claim 6,
The laser 241 is divided into a femtosecond laser 241a having a femtosecond level and a nano-level laser having a generated pulse cycle of nanosecond level,
Wherein the femtosecond laser 241a or the nano-laser is applied according to the physical property of the circuit and the kind of the defect.
제7항에 있어서,
상기 나노레이저는 파장대가 ultraviolet(UV)인 제1나노레이저(241b)와 UV ~ infrared 범위에 있는 제2나노레이저(241c)를 사용하되,
상기 결함의 종류가 라인끊김결함인 경우, 상기 가스증착기(242)와 상기 제1나노레이저(241b)를 사용하여 해당부위에 가스증착을 통해 라인을 연결하고,
상기 결함의 종류가 라인연결결함인 경우, 상기 제2나노레이저(241c) 또는 펨토초레이저(241a)를 사용하여 해당부위의 라인을 커팅하는 것을 특징으로 하는 리페어 시스템.
8. The method of claim 7,
The nano-laser uses a first nano-laser 241b having a wavelength of ultraviolet (UV) and a second nano-laser 241c having a wavelength range of UV to infrared,
If the type of the defect is a line breakage defect, the line is connected to the corresponding region by gas deposition using the gas evaporator 242 and the first nanolayer 241b,
Wherein the second nano-laser (241c) or the femtosecond laser (241a) is used to cut a line of a corresponding part when the kind of the defect is a line connection defect.
제8항에 있어서,
상기 결함종류가 라인끊김결함인 경우, 상기 카메라부(220)를 통해 획득된 이미지로부터 시작위치좌표와 끝위치좌표 및 선폭을 확인한 다음 상기 가스 증착기와 상기 제1나노레이저(241b)를 사용하여 해당부위에 가스증착을 통해 라인을 연결하되,
상기 라인끊김구간을 따라 상기 스테이지(210) 또는 레이저 헤드(미도시)를 일정속도로 이동하면서 리페어(repair) 가공을 수행하도록 상기 스테이지(210) 또는 레이저 헤드를 X축 또는 Y축 방향으로 이동시키는 각각의 모터(211)가 구비되고,
상기 스테이지(210) 또는 레이저 헤드는 상기 각각의 모터(211) 구동에 의해 이동될 때, 상기 일정속도까지 도달하는 가속주행구간과, 상기 일정속도를 유지하는 정속주행구간과, 상기 일정속도에서 모터 구동을 정지하는 감속주행구간을 갖되,
상기 라인끊김구간의 리페어는 상기 정속주행구간 내에서만 이루어지도록 형성된 것을 특징으로 하는 리페어 시스템.
9. The method of claim 8,
If the defect type is a line break defect, the start position coordinates, the end position coordinates, and the line width are checked from the image obtained through the camera unit 220, and then the gas evaporator and the first nanolayer 241b are used Connect the line through gas deposition to the site,
The stage 210 or the laser head is moved in the X axis direction or the Y axis direction so as to perform a repair process while moving the stage 210 or the laser head (not shown) at a constant speed along the line break interval Each motor 211 is provided,
The stage 210 or the laser head has an acceleration running section that reaches the constant speed when the motor 210 is driven by the driving of each of the motors 211 and a constant speed running section that maintains the constant speed, And a deceleration travel section for stopping the drive,
Wherein the repair of the line break interval is performed only within the constant speed travel section.
제9항에 있어서,
상기 각각의 모터(211)에는 모터 회전축의 회전각도 및 회전수를 검출하는 엔코더(212)가 장착되고,
상기 엔코더(212)의 검출 시그널 정보에 의해 입력되는 펄스(pulse) 감지 주기가 점점 증가할 경우 상기 가속주행구간, 상기 입력되는 펄스 감지 주기가 동일할 경우 상기 정속주행구간 및 상기 입력되는 펄스 감지 주기가 점점 감소할 경우 감속주행구간으로 구분하는 가감속분석부(251)가 구비된 것을 특징으로 하는 리페어 시스템.
10. The method of claim 9,
Each of the motors 211 is equipped with an encoder 212 for detecting the rotation angle and the number of revolutions of the motor rotation shaft,
When the pulse sensing period inputted by the detection signal information of the encoder 212 increases gradually, the constant speed driving section and the input pulse sensing period when the acceleration driving period and the input pulse sensing period are the same, The acceleration / deceleration analysis unit 251 is provided for classifying the vehicle into a deceleration traveling section when the vehicle speed decreases gradually.
제10항에 있어서,
상기 리페어 시스템에는 레이저 발진이 이루어지도록 제어하는 레이저 컨트롤러(controller)가 더 구비되며,
상기 정속구간 내에만 상기 라인끊김 구간을 리페어하는 리페어가공구간이 형성된 것을 특징으로 하는 레이저 시스템.


11. The method of claim 10,
The repair system further includes a laser controller for controlling laser oscillation,
And a repair processing section for repairing the line break interval only within the constant speed section.


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