KR20190019402A - Apparatus for wafer cleaning - Google Patents
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Abstract
Description
실시예는, 웨이퍼 세정 장치에 관한 것으로, 웨이퍼 세정 장치에 SC-1 용액을 공급하여, 웨이퍼 세정 시, 웨이퍼 세정 장치 내의 오염을 제어하는 장치에 관한 것이다.An embodiment relates to a wafer cleaning apparatus, and relates to an apparatus for controlling contamination in a wafer cleaning apparatus by supplying SC-1 solution to the wafer cleaning apparatus and cleaning the wafer.
본 발명은 반도체 웨이퍼 세정장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 화학세정 공정 후에 웨이퍼 상에 잔존하는 화학처리제를 제거하기 위한 반도체 웨이퍼 세정장치에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor wafer cleaning apparatus, and more particularly, to a semiconductor wafer cleaning apparatus for removing a chemical treatment agent remaining on a wafer after a chemical cleaning process.
화학 용액을 이용한 웨이퍼 세정 후, 웨이퍼 상에 묻어 있는 화학처리제를 반드시 제거해야 하기 때문에 탈 이온수(Deionized water)(DIW)를 이용한 세정 공정이 추가로 요구된다.After the wafer is cleaned with a chemical solution, a cleaning process using deionized water (DIW) is further required since the chemical treatment agent on the wafer must be removed.
웨이퍼 세정공정은 웨이퍼 에피택셜 증착 공정 이후 클리닝 공정에 관한 것으로, 웨이퍼에 부착된 여러 가지 불순물들을 제거하는 공정이다. 이러한 웨이퍼 세정공정은 웨이퍼 세정장치에서 세정액인 케미컬 용액을 사용하여 진행될 수 있다.The wafer cleaning process relates to a cleaning process after the wafer epitaxial deposition process, and is a process for removing various impurities attached to the wafer. Such a wafer cleaning process can be carried out using a chemical solution which is a cleaning liquid in a wafer cleaning apparatus.
상기 웨이퍼 세정장치의 케미컬 용액은 세정 공정 시, 베스 내 오염이 발생한 경우, 상기 베스 내에서 오염 물질이 웨이퍼에 흡착하는 문제점이 있다.The chemical solution of the wafer cleaning apparatus has a problem that, when the contamination of the bath occurs during the cleaning process, the contamination material is adsorbed to the wafer in the bath.
실시예는, 본 발명은 상기한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 웨이퍼 세정 공정에서 DIW 공급단에 SC-1 공급을 통하여 파티클 흡착을 제어하여 품질을 개선하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-described problems of the prior art, and an object of the present invention is to improve quality by controlling particle adsorption through supply of SC-1 to a DIW supply end in a wafer cleaning process.
실시예가 이루고자 하는 기술적 과제는 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 실시예가 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.It is to be understood that both the foregoing general description and the following detailed description are exemplary and explanatory and are intended to provide further explanation of the invention as claimed.
실시예는, 본 발명은 상기한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 웨이퍼 세정 장치로 웨이퍼가 배치되고, 상기 웨이퍼를 SC-1 용액에 의해 세정하는 SC-1베스(bath), 상기 SC-1 베스의 웨이퍼를 반복하여 세정하기 위하여, 상기 SC-1 용액을 순환하여 공급하는 SC-1 순환라인, 상기 SC-1 순환라인과 연결되어, SC-1 용액을 린즈 베스로 공급하는 SC-1 공급라인, 상기 SC-1 공급라인으로부터 공급된 SC-1 용액을 포함하는 케미컬 용액으로 웨이퍼를 세정하는 린즈 베스 및 상기 린즈 베스의 웨이퍼를 반복하여 세정하기 위하여, 상기 케미컬 용액을 순환하여 공급하는 린즈 베스 순환라인을 포함할 수 있다.An SC-1 bath for cleaning a wafer with a SC-1 solution, a SC-1 bath for cleaning the wafer with a SC-1 solution, An SC-1 circulation line for circulating and supplying the SC-1 solution to repeatedly clean the wafer of the bath, an SC-1 supply connected to the SC-1 circulation line for supplying the SC-1 solution to the rinse bath, Line, a rinsing bath for cleaning a wafer with a chemical solution containing an SC-1 solution supplied from the SC-1 supply line, and a rinsing bath for supplying the chemical solution in a circulating manner to repeatedly clean the wafer of the rinsing bath And may include a circulating line.
실시예에 따라, 상기 SC-1 순환라인은 상기 케미컬 용액을 펌핑하는 펌프, 상기 케미컬 용액의 유동을 안정화하는 댐퍼 및 상기 케미컬 용액 내의 불순물을 제거하는 필터를 더 포함할 수 있다.According to an embodiment, the SC-1 circulation line may further include a pump for pumping the chemical solution, a damper for stabilizing the flow of the chemical solution, and a filter for removing impurities in the chemical solution.
실시예에 따라, 상기 SC-1 공급라인은 상기 SC-1 순환라인에 의하여 불순물이 제거된 SC-1 용액의 일부를 공급받을 수 있다.According to an embodiment, the SC-1 supply line may receive a portion of the SC-1 solution from which impurities have been removed by the SC-1 circulation line.
실시예에 따라 상기 SC-1 공급라인은 상기 SC-1 베스와 연결되는 제1 분리관을 포함할 수 있다.According to an embodiment, the SC-1 supply line may include a first separator connected to the SC-1 bass.
실시예에 따라 상기 SC-1 공급라인은 상기 린즈 베스와 연결되는 제2 분리관을 포함할 수 있다. According to an embodiment, the SC-1 supply line may include a second separation pipe connected to the rinsing bath.
실시예에 따라, 상기 SC-1 공급라인은, 상기 SC-1 용액의 공급량을 조절하는 밸브를 포함할 수 있다.According to an embodiment, the SC-1 supply line may include a valve for regulating the supply amount of the SC-1 solution.
실시예에 따라, 상기 린즈 베스 순환라인은, 상기 케미컬 용액을 펌핑하는 펌프, 상기 케미컬 용액의 유동을 안정화하는 댐퍼 및 상기 케미컬 용액 내의 불순물을 제거하는 필터를 더 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the Linsburgh circulation line may further include a pump for pumping the chemical solution, a damper for stabilizing the flow of the chemical solution, and a filter for removing impurities in the chemical solution.
본 발명의 또 다른 실시예의 웨이퍼 세정 장치는 웨이퍼가 배치되고, 상기 웨이퍼를 SC-1 용액에 의해 세정하는 SC-1베스, 상기 SC-1 베스의 웨이퍼를 반복하여 세정하기 위하여, 상기 SC-1 용액을 순환하여 공급하는 SC-1 순환라인, 상기 SC-1 순환라인과 연결되어, SC-1 용액을 DIW 공급라인으로 공급하는 SC-1 공급라인, 상기 DIW 공급라인으로부터 공급된 SC-1 용액 및 DIW를 포함하는 케미컬 용액으로 웨이퍼를 세정하는 제1, 제2 린즈 베스, 상기 세정된 웨이퍼를 건조하는 리프트 드라이 베스, 및 상기 제1, 제2 린즈 베스 및 상기 리프트 드라이 베스에 DIW를 공급하는 DIW 공급라인을 포함할 수 있다.The wafer cleaning apparatus of another embodiment of the present invention includes a SC-1 bath in which a wafer is placed and which cleans the wafer with an SC-1 solution, and the SC-1 bath for repeatedly cleaning the wafer of the SC- An SC-1 circulation line connected to the SC-1 circulation line for supplying the SC-1 solution to the DIW supply line, an SC-1 supply line connected to the SC- And first and second linseeds for cleaning the wafer with a chemical solution comprising DIW, a lift drivet for drying the cleaned wafer, and a second drier for supplying the DIW to the first and second linersbes and the lift drier DIW supply line.
실시 예에 따라, 상기 SC-1 순환라인은 상기 케미컬 용액을 펌핑하는 펌프, 상기 케미컬 용액의 유동을 안정화하는 댐퍼; 및 상기 케미컬 용액 내의 불순물을 제거하는 필터를 더 포함하는 웨이퍼 세정장치.According to an embodiment, the SC-1 circulation line comprises a pump for pumping the chemical solution, a damper for stabilizing the flow of the chemical solution, And a filter for removing impurities in the chemical solution.
실시 예에 따라, 상기 SC-1 공급라인은 상기 SC-1 순환라인에 의하여 불순물이 제거된 SC-1 용액의 일부를 공급받을 수 있다.According to an embodiment, the SC-1 supply line may receive a portion of the SC-1 solution from which impurities have been removed by the SC-1 circulation line.
실시에 따라, 상기 SC-1 용액이 상기 SC-1 공급 라인으로 1회에 공급되는 양은 NH4OH는 0.0000065 wt%이고, H2O2 는 0.00001644 wt% 일 수 있다.In practice, the amount of SC-1 solution fed to the SC-1 supply line at one time may be 0.0000065 wt% for NH4OH and 0.00001644 wt% for H2O2.
실시에 따라, 상기 SC-1 용액이 상기 SC-1 공급 라인으로 공급되는 총 횟수는 48회이고, 공급되는 SC-1 전체 양은 NH4OH는 0.0000065 ~ 0.000312 wt%이고 H2O2는 0.00001644 ~ 0.000789 wt%일 수 있다. 실시예가 이루고자 하는 기술적 과제는 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 실시예가 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The total amount of SC-1 supplied to the SC-1 supply line is 48 times, and the total amount of SC-1 supplied is 0.0000065 to 0.000312 wt% for NH4OH and 0.00001644 to 0.000789 wt% for H2O2, have. It is to be understood that both the foregoing general description and the following detailed description are exemplary and explanatory and are intended to provide further explanation of the invention as claimed.
상기 본 발명의 양태들은 본 발명의 바람직한 실시예들 중 일부에 불과하며, 본원 발명의 기술적 특징들이 반영된 다양한 실시예들이 당해 기술분야의 통상적인 지식을 가진 자에 의해 이하 상술할 본 발명의 상세한 설명을 기반으로 도출되고 이해될 수 있다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, And can be understood and understood.
본 발명에 따른 웨이퍼 세정 장치에 대한 효과를 설명하면 다음과 같다.Effects of the wafer cleaning apparatus according to the present invention will be described below.
실시예의 웨이퍼 세정 장치에 따른 SC-1 공급을 통하여, 파티클 의한 웨이퍼 세정 장치의 오염을 제어할 수 있으며, 이를 통해, 웨이퍼의 품질 향상에 기여할 수 있다.Through the supply of SC-1 according to the wafer cleaning apparatus of the embodiment, the contamination of the wafer cleaning apparatus by particles can be controlled, thereby contributing to the improvement of the quality of the wafer.
본 발명에서 얻을 수 있는 효과는 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급하지 않은 또 다른 효과들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The effects obtained by the present invention are not limited to the above-mentioned effects, and other effects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description will be.
이하에 첨부되는 도면들은 본 발명에 관한 이해를 돕기 위한 것으로, 상세한 설명과 함께 본 발명에 대한 실시예들을 제공한다. 다만, 본 발명의 기술적 특징이 특정 도면에 한정되는 것은 아니며, 각 도면에서 개시하는 특징들은 서로 조합되어 새로운 실시예로 구성될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 웨이퍼 세정장치를 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 세정장치의 실험결과를 나타낸 그래프이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 제2 웨이퍼 세정장치를 나타낸 도면이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The accompanying drawings, which are included to provide a further understanding of the invention and are incorporated in and constitute a part of this specification, illustrate embodiments of the invention and, together with the description, serve to explain the principles of the invention. It is to be understood, however, that the technical features of the present invention are not limited to the specific drawings, and the features disclosed in the drawings may be combined with each other to constitute a new embodiment.
1 is a view showing a first wafer cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a graph showing experimental results of a wafer cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a view illustrating a second wafer cleaner according to an embodiment of the present invention.
이하, 본 발명을 구체적으로 설명하기 위해 실시 예를 들어 설명하고, 발명에 대해 이해를 돕기 위해 첨부도면을 참조하여 상세하게 설명하기로 한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings in order to facilitate understanding of the present invention.
그러나 본 발명에 따른 실시 예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시 예들에 한정되는 것으로 해석되지 않아야 한다. 본 발명의 실시 예들은 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.However, the embodiments according to the present invention can be modified into various other forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the above-described embodiments. Embodiments of the invention are provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art.
또한, 이하에서 이용되는 "제1" 및 "제2," "상부" 및 "하부" 등과 같은 관계적 용어들은, 그런 실체 또는 요소들 간의 어떠한 물리적 또는 논리적 관계 또는 순서를 반드시 요구하거나 내포하지는 않으면서, 어느 한 실체 또는 요소를 다른 실체 또는 요소와 구별하기 위해서만 이용될 수도 있다.It is also to be understood that the terms "first" and "second", "upper" and "lower", etc., as used below, do not necessarily imply or imply any physical or logical relationship or order between such entities or elements And may be used only to distinguish one entity or element from another entity or element.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 웨이퍼 세정장치를 나타낸 도면이다.1 is a view showing a first wafer cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention.
도 1에 도시된 바와 같이, 실시예의 제1 웨이퍼 세정장치는 SC-1 베스(110), SC-1 베스 순환 라인(120), 린즈 베스(130), 린즈 베스 순환 라인(140), SC-1 공급라인(150)을 포함할 수 있다.1, the first wafer cleaner of the embodiment includes an SC-1
SC-1 베스(110)는 웨이퍼를 SC-1 용액에 의해 세정할 수 있다.The SC-1
이때, 상기 SC-1 용액은 예를 들어, 탈 이온수(Deionized water)(DIW)에 플루오르화수소(HF), 염산(HCl) 등을 일정한 비율로 혼합하여 세정력을 강화시킨 것을 사용할 수 있다. 상기 SC-1 용액(NH4OH+H2O2 +H2O)을 포함할 수 있다.At this time, the SC-1 solution may be prepared by mixing hydrogen fluoride (HF), hydrochloric acid (HCl), and the like in a certain ratio to enhance the cleaning power, for example, in deionized water (DIW). The SC-1 solution (NH4OH + H2O2 + H2O).
상기 웨이퍼는 에피택셜 증착 공정 이후에 클리닝 단계를 가질 수 있다. 이때, 에피택셜 증착 공정에서 발생한 파티클(particle) 등의 불순물이 웨이퍼 표면에 부착될 수 있다. 따라서 상기 클리닝 단계에서 상기 웨이퍼에 부착되는 파티클 등의 불순물은 상기 케미컬 용액에 의해 제거될 수 있다.The wafer may have a cleaning step after the epitaxial deposition process. At this time, impurities such as particles generated in the epitaxial deposition process may be attached to the surface of the wafer. Therefore, impurities such as particles adhering to the wafer in the cleaning step can be removed by the chemical solution.
SC-1베스(110)는 세정작업의 대상인 웨이퍼가 배치되고, 상기 웨이퍼를 세정하는 케미컬 용액이 담길 수 있다. 이때, 상기 케미컬 용액은 상기 웨이퍼가 상기 케미컬 용액에 전부 잠길 정도로 상기 SC-1베스(110)에 저장될 수 있다.The SC-1
SC-1베스(110)는 상기 케미컬 용액을 보충하기 위한 용액보충라인이 상기 SC-1 베스 순환 라인(120)이 연결될 수 있다.The SC-1
SC-1베스(110)는 SC-1 베스 순환 라인(120)으로부터 상기 케미컬 용액이 공급되어 상기 웨이퍼를 반복하여 세정할 수 있다. 이때, 상기 케미컬 용액은 상기 웨이퍼로부터 제거된 상기 불순물이 함유될 수 있다.The SC-1
따라서, SC-1 베스 순환 라인(120)은 SC-1베스(110)으로부터 공급되는 상기 케미컬 용액에 함유되는 불순물을 제거할 필요가 있다.Therefore, the SC-1
이를 위해 상기 SC-1 베스 순환 라인(120)은 상기 불순물을 제거하기 위하여 필터를 포함 수 있다.To this end, the SC-1
한편, SC-1 베스 순환 라인(120)은 펌프와 댐퍼가 구비될 수 있다. 펌프는 SC-1 베스 순환 라인(120)에 설치되어 상기 케미컬 용액이 SC-1 베스 순환 라인(120)을 통해 필터로 공급되도록, 상기 케미컬 용액을 펌핑하는 역할을 할 수 있다.Meanwhile, the SC-1
SC-1 베스 순환 라인(120)는 상기 케미컬 용액을 펌핑하는 펌프를 포함할 수 있다. 상기 펌프는 상기 케미컬 용액을 일정하게 펌핑하지 않을 수도 있고, 이에 따라 펌프를 통과한 케미컬 용액의 유량, 유속 등이 불규칙하게 변화할 수 있다.The SC-1
SC-1 베스 순환 라인(120)는 케미컬 용액의 유동을 안정화하는 댐퍼를 포함할 수 있다. 상기 댐퍼는 케미컬 용액의 유동방향을 기준으로 상기 펌프의 후방에 배치될 수 있다.The SC-1
린즈 베스(130)는 웨이퍼를 상기 케미컬 용액에 의해 세정할 수 있다.The
이때, 상기 케미컬 용액은 예를 들어, 탈 이온수(De-ionized water)에 플루오르화수소(HF), 염산(HCl) 등을 일정한 비율로 혼합하여 세정력을 강화시킨 것을 사용할 수 있다.At this time, the chemical solution may be prepared by mixing hydrogen fluoride (HF), hydrochloric acid (HCl), and the like in deionized water at a predetermined ratio to enhance the washing power.
상기 웨이퍼는 에피택셜 증착 공정 이후에 클리닝 단계를 가질 수 있다. 이때, 에피택셜 증착 공정에서 발생된 파티클 등의 불순물이 웨이퍼 표면에 부착될 수 있다. 따라서 상기 클리닝 단계에서 상기 웨이퍼에 부착되는 파티클 등의 불순물은 상기 케미컬 용액에 의해 제거될 수 있다.The wafer may have a cleaning step after the epitaxial deposition process. At this time, impurities such as particles generated in the epitaxial deposition process can be attached to the surface of the wafer. Therefore, impurities such as particles adhering to the wafer in the cleaning step can be removed by the chemical solution.
린즈 베스(130)는 세정작업의 대상인 웨이퍼가 배치되고, 상기 웨이퍼를 세정하는 케미컬 용액이 담길 수 있다. 이때, 상기 케미컬 용액은 상기 웨이퍼가 상기 케미컬 용액에 전부 잠길 정도로 상기 SC-1베스(110)에 저장될 수 있다.The
린즈 베스(130)는 상기 케미컬 용액을 보충하기 위한 용액보충라인이 상기 린즈 베스 순환 라인(140)이 연결될 수 있다.A solution replenishing line for replenishing the chemical solution may be connected to the Rinnzbes
린즈 베스(130)는 린즈 베스 순환 라인(140)으로부터 상기 케미컬 용액이 공급되어 상기 웨이퍼를 반복하여 세정할 수 있다. 이때, 상기 케미컬 용액은 상기 웨이퍼로부터 제거된 상기 불순물이 함유될 수 있다.The
따라서, 린즈 베스 순환 라인(140)은 린즈 베스(130)로부터 공급되는 상기 케미컬 용액에 함유되는 불순물을 제거할 필요가 있다.Therefore, it is necessary to remove the impurities contained in the chemical solution supplied from the
이를 위해 상기 린즈 베스 순환 라인(140)은 상기 불순물을 제거하기 위하여 필터를 포함 수 있다.To this end, the
한편, 린즈 베스 순환 라인(140)은 펌프와 댐퍼가 구비될 수 있다. 펌프는 린즈 베스 순환 라인(140)에 설치되어 상기 케미컬 용액이 SC-1 베스 순환 라인(120)을 통해 필터로 공급되도록, 상기 케미컬 용액을 펌핑하는 역할을 할 수 있다.On the other hand, the
린즈 베스 순환 라인(140)은 상기 케미컬 용액을 펌핑하는 펌프를 포함할 수 있다. 상기 펌프는 상기 케미컬 용액을 일정하게 펌핑하지 않을 수도 있고, 이에 따라 펌프를 통과한 케미컬 용액의 유량, 유속 등이 불규칙하게 변화할 수 있다.The Linz-
린즈 베스 순환 라인(140)은 케미컬 용액의 유동을 안정화하는 댐퍼를 포함할 수 있다. 상기 댐퍼는 케미컬 용액의 유동방향을 기준으로 상기 펌프의 후방에 배치될 수 있다.The
SC-1 공급라인(150)은 상기 린즈 베스 순환 라인(140)과 연결될 수 있다. SC-1 공급라인(150)은 밸브를 포함할 수 있다.The SC-1
SC-1 공급라인(150)은 상기 SC-1 순환 라인(200)에 존재하는 SC-1 용액의 적어도 일부를 상기 밸브에 대응하여 상기 린즈 베스 순환 라인(140)으로 공급하는 통로역할을 할 수 있다.The SC-1
SC-1 공급라인(150)은 분기되어, 상기 SC-1 베스로 연결되는 제1 분기관(151) 및 상기 린즈 베스(200)로 연결되는 제2 분기관(152)을 포함할 수 있다. 상기 제1, 제2 분기관(151,152) 각각은 밸브를 포함할 수 있다.The SC-1
또한, 상기 SC-1 공급라인(150)으로 배출된 SC-1 용액의 일부는 상기 밸브의 조정에 대응하여 상기 SC-1 베스(110)로 다시 공급될 수 있다. 상기 분기관의 단면적, 개수 배치위치 등은 상기 필터를 포함하는 웨이퍼 세정장치의 전체적인 구조, 크기, SC-1 공급라인(150)으로 공급되는 SC-1 용액 및/또는 SC-1 용액을 함유하지 않는 케미컬 용액의 유량 등을 고려하여 적절히 선택할 수 있다.Further, a portion of the SC-1 solution discharged into the SC-1
SC-1 공급라인(150)은 상기 SC-1 용액을 상기 린즈 베스(130)로 공급하여 상기 린즈 베스(130)에서의 파티클 흡착을 억제할 수 있다. 한편, 상기 린즈 베스(130)는 상기 SC-1 용액과 함께 SC-1 용액이 함유되지 않은 케미컬 용액도 일부 공급될 수 있다. SC-1 용액이 포함된 케미컬 용액은 SC-1 공급라인(150)을 통해 상기 린즈 베스(130)에 다시 공급될 수 있다.The SC-1
SC-1 공급라인(150)은 상기 SC-1 순환라인(120)에 의하여 불순물이 제거된 SC-1 용액의 일부를 공급받을 수 있다.The SC-1
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 세정장치의 실험결과를 나타낸 그래프이다.2 is a graph showing experimental results of a wafer cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention.
그래프에서 세로축은 린즈 베스(120)에서 웨이퍼가 세정되어 케미컬 용액에 남아있는 파티클 수를 나타낸 것이다.In the graph, the vertical axis indicates the number of particles remaining in the chemical solution after the wafer was cleaned in the
그래프에서 가로축은 상기 린즈 베스(120)에 탈 이온수만 사용되는 제1 실시예 및 상기 린즈 베스에 SC-1 용액이 공급된 제2 실시예를 나타낸 것이다.In the graph, the horizontal axis indicates the first embodiment in which only deionized water is used for the
이때, 상기 각 경우 반복실험을 총 25회 실시하여 웨이퍼의 SC-1 용액으로 인한 오염 발생 수준을 나타내었다.At this time, repeated experiments were repeated 25 times in each of the above-mentioned cases to show contamination levels caused by the SC-1 solution on the wafer.
실험결과, 도 2에 도시된 바와 같이, 제1 실시예의 경우 파티클에 의한 오염의 최소값이 10이상 된다.As a result of the experiment, as shown in FIG. 2, in the case of the first embodiment, the minimum value of contamination by particles is 10 or more.
그러나, 제1 실시예의 경우 파티클에 의한 오염의 최댓값이 10으로, 제1 실시예의 경우에 비해 오염 정도가 현저히 감소되는 것을 알 수 있다.However, in the case of the first embodiment, the maximum value of the contamination by the particles is 10, which means that the degree of contamination is remarkably reduced as compared with the case of the first embodiment.
이상의 실험결과를 통해, 일반적인 웨이퍼 세정장치보다 린즈 베스에 SC-1 용액을 공급하는 웨이퍼 세정장치에서 SC-1 용액으로 인한 린즈 베스의 오염 정도가 줄어드는 것을 알 수 있다.From the above experimental results, it can be seen that the degree of contamination of the rinsed vesicles due to the SC-1 solution in the wafer cleaning apparatus that supplies the SC-1 solution to Rinzevess is lower than that of a general wafer cleaning apparatus.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 제2 웨이퍼 세정장치를 나타낸 도면이다.3 is a view illustrating a second wafer cleaner according to an embodiment of the present invention.
도 3을 참조하면, 제2 웨이퍼 세정 장치는 SC-1 베스(311), SC-2 베스(313), 제1 린즈 베스(321), 제2 린즈 베스(323), 리프트 드라이 베스(Lift Dry Bath)(330)를 포함할 수 있다.3, the second wafer cleaner includes an SC-1
SC-1베스(311)는 웨이퍼를 SC-1 용액에 의해 세정할 수 있다.The SC-1
SC-1베스(311)는 상기 케미컬 용액을 보충하기 위한 용액보충라인이 상기 SC-1 베스 순환 라인(312)이 연결될 수 있다.In the SC-1
SC-1베스(311)는 SC-1 베스 순환 라인(312)으로부터 상기 케미컬 용액이 공급되어 상기 웨이퍼를 반복하여 세정할 수 있다. 이때, 상기 케미컬 용액은 상기 웨이퍼로부터 제거된 상기 불순물이 함유될 수 있다.The SC-1
따라서, SC-1 베스 순환 라인(312)은 SC-1베스(311)로부터 공급되는 상기 케미컬 용액에 함유되는 불순물을 제거할 필요가 있다.Therefore, the SC-1
이를 위해 상기 SC-1 베스 순환 라인(312)은 상기 불순물을 제거하기 위하여 필터를 포함 수 있다. 한편, SC-1 베스 순환 라인(312)은 펌프와 댐퍼가 구비될 수 있다.To this end, the SC-1
SC-1 베스 순환 라인(312)은 SC-1 공급 라인(340)과 연결될 수 있다.The SC-1
상기 SC-1 공급 라인(340)은 DIW 공급라인(350)과 연결될 수 있다.The SC-1
상기 SC-1 공급 라인(340)은 상기 SC-1 용액을 DIW 공급라인(350)에 공급할 수 있다.The SC-1
SC-2베스(313)는 SC-2 용액에 웨이퍼를 세정할 수 있다.The SC-2
SC-2베스(313)는 상기 케미컬 용액을 보충하기 위한 용액보충라인이 상기 SC-1 베스 순환 라인(312)이 연결될 수 있다.The SC-1
SC-2베스(313)는 SC-2베스 순환 라인(200)으로부터 상기 케미컬 용액이 공급되어 상기 웨이퍼를 반복하여 세정할 수 있다. 이때, 상기 케미컬 용액은 상기 웨이퍼로부터 제거된 상기 불순물이 함유될 수 있다.The SC-2
따라서, SC-2 베스 순환 라인(314)은 SC-2 베스(313)로부터 공급되는 상기 케미컬 용액에 함유되는 불순물을 제거할 필요가 있다.Therefore, the SC-2
이를 위해 상기 SC-2 베스 순환 라인(314)은 상기 불순물을 제거하기 위하여 필터를 포함 수 있다. 한편, SC-2 베스 순환 라인(314)은 펌프와 댐퍼가 구비될 수 있다.To this end, the SC-2
제1, 제2 린즈 베스(321,323)는 웨이퍼를 탈 이온수에 의해 세정할 수 있다.The first and second linzbes 321 and 323 can clean the wafer with deionized water.
상기 제1, 제2 린즈 베스(321,323)에 공급되는 탈 이온수에는 상기 SC-1 베스(311)로부터 SC-1 용액이 공급될 수 있다.The SC-1 solution may be supplied to the deionized water supplied to the first and
이때, 상기 SC-1 용액이 공급되는 양은 평가 조건에 따라 1회 공급 시, NH4OH는 0.0000065 wt%만큼 공급되고, H2O2는 0.00001644 wt%만큼 공급될 수 있다.At this time, the amount of the SC-1 solution supplied may be 0.0000065 wt% for NH4OH and 0.00001644 wt% for H2O2 in one feeding according to the evaluation conditions.
실시예에 따라, 상기 제1, 제2 린즈 베스 내에 케미컬 용액의 품질이 안정되는 범위는 상기 SC-1 용액을 48회 공급한 경우일 수 있다.According to the embodiment, the range in which the quality of the chemical solution in the first and second lint baths is stabilized may be a case where the SC-1 solution is supplied 48 times.
이때, 상기 품질 안정을 위해 공급되는 SC-1 용액의 양은 NH4OH는 0.0000065 ~ 0.000312 wt%만큼 공급되고, H2O2는 0.00001644 ~ 0.000789 wt%만큼 공급 될 수 있다.At this time, the amount of SC-1 solution supplied for stabilizing the quality may be supplied by 0.0000065-0.000312 wt% of NH4OH and 0.00001644-0.000789 wt% of H2O2.
리프트 드라이 베스(330)는 웨이퍼를 케미컬 용액과 탈 이온수를 이용하여 파티클을 제거하고, 젖어있는 웨이퍼를 건조할 수 있다.The lift
웨이퍼 세정 장치는 제1, 제2 린즈 베스(321,323) 및 리프트 드라이 베스(330)에 연결되는 DIW 공급라인에 SC-1 공급을 통하여 Particle 흡착을 제어하여 품질을 개선할 수 있다.The wafer cleaner can improve the quality by controlling the particle adsorption through the supply of SC-1 to the DIW supply line connected to the first and
이상과 같이 실시예는 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, This is possible.
그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.Therefore, the scope of the present invention should not be limited to the described embodiments, but should be determined by the equivalents of the claims, as well as the claims.
110,311: SC-1베스
120: SC-1 순환라인
130,321,323: 린즈베스
140: 린즈 베스 순환라인
150,340: SC-1 공급라인
313: SC-2 베스
330: 리프트 드라이 베스
350: DIW 공급라인110, 311: SC-1 Bess 120: SC-1 circulation line
130,321,323: Linz Beth 140: Linz Beth Circulation Line
150,340: SC-1 supply line 313: SC-2 Bess
330: Lift Dry Bath 350: DIW supply line
Claims (12)
상기 SC-1 베스의 웨이퍼를 반복하여 세정하기 위하여, 상기 SC-1 용액을 순환하여 공급하는 SC-1 순환라인;
상기 SC-1 순환라인과 연결되어, SC-1 용액을 린즈베스로 공급하는 SC-1 공급라인;
상기 SC-1 공급라인으로부터 공급된 상기 SC-1 용액을 포함하는 케미컬 용액으로 웨이퍼를 세정하는 린즈 베스(Rinse Bath); 및
상기 린즈 베스의 웨이퍼를 반복하여 세정하기 위하여, 상기 케미컬 용액을 순환하여 공급하는 린즈 베스 순환라인을 포함하는 웨이퍼 세정 장치.An SC-1 bath in which a wafer is placed and the wafer is cleaned by SC-1 solution;
An SC-1 circulation line for circulating and supplying the SC-1 solution for repeatedly cleaning the wafer of the SC-1 bath;
An SC-1 supply line connected to the SC-1 circulation line for supplying the SC-1 solution to the rinse bath;
A Rinse Bath for cleaning the wafer with a chemical solution containing the SC-1 solution supplied from the SC-1 supply line; And
And a Rinnzbes circulation line circulatingly supplying the chemical solution for repeatedly cleaning the wafer of the Rinnzbes.
상기 SC-1 순환라인은,
상기 케미컬 용액을 펌핑하는 펌프;
상기 케미컬 용액의 유동을 안정화하는 댐퍼; 및
상기 케미컬 용액 내의 불순물을 제거하는 필터를 더 포함하는 웨이퍼 세정 장치.The method according to claim 1,
The SC-1 circulation line includes:
A pump for pumping the chemical solution;
A damper for stabilizing the flow of the chemical solution; And
And a filter for removing impurities in the chemical solution.
상기 SC-1 공급라인은
상기 SC-1 순환라인에 의하여 불순물이 제거된 SC-1 용액의 일부를 공급받는 웨이퍼 세정 장치.The method according to claim 1,
The SC-1 supply line
And a portion of the SC-1 solution from which impurities have been removed by the SC-1 circulation line.
상기 SC-1 공급라인은,
상기 SC-1 베스와 연결되는 제1 분리관을 포함하는 웨이퍼 세정 장치.The method according to claim 1,
In the SC-1 supply line,
And a first separation pipe connected to the SC-1 bath.
상기 SC-1 공급라인은,
상기 린즈 베스와 연결되는 제2 분리관을 포함하는 웨이퍼 세정 장치.The method according to claim 1,
In the SC-1 supply line,
And a second separation pipe connected to the rinsing bath.
상기 SC-1 공급라인은,
상기 SC-1 용액의 공급량을 조절하는 밸브를 포함하는 웨이퍼 세정 장치.The method according to claim 1,
In the SC-1 supply line,
And a valve for controlling the supply amount of the SC-1 solution.
상기 린즈 베스 순환라인은,
상기 케미컬 용액을 펌핑하는 펌프;
상기 케미컬 용액의 유동을 안정화하는 댐퍼; 및
상기 케미컬 용액 내의 불순물을 제거하는 필터를 더 포함하는 웨이퍼 세정 장치.The method according to claim 1,
The Linsburgh circulation line includes:
A pump for pumping the chemical solution;
A damper for stabilizing the flow of the chemical solution; And
And a filter for removing impurities in the chemical solution.
상기 SC-1 베스의 웨이퍼를 반복하여 세정하기 위하여, 상기 SC-1 용액을 순환하여 공급하는 SC-1 순환라인;
상기 SC-1 순환라인과 연결되어, 상기 SC-1 용액을 DIW 공급라인으로 공급하는 SC-1 공급라인;
상기 DIW 공급라인으로부터 공급된 SC-1 용액 및 탈 이온수(DIW)를 포함하는 케미컬 용액으로 웨이퍼를 세정하는 제1, 제2 린즈 베스;
상기 세정된 웨이퍼를 건조하는 리프트 드라이 베스(Lift Dry Bath); 및
상기 제1, 제2 린즈 베스 및 상기 리프트 드라이 베스에 상기 SC-1 용액을 포함하는 탈 이온수(DIW)를 공급하는 DIW 공급라인을 포함하는 웨이퍼 세정 장치.An SC-1 bath in which a wafer is placed and which cleans the wafer with SC-1 solution;
An SC-1 circulation line for circulating and supplying the SC-1 solution for repeatedly cleaning the wafer of the SC-1 bath;
An SC-1 supply line connected to the SC-1 circulation line for supplying the SC-1 solution to the DIW supply line;
First and second linzbes for cleaning the wafer with a chemical solution containing SC-1 solution and DIW supplied from the DIW supply line;
A lift dry bath for drying the cleaned wafer; And
And a DIW supply line for supplying de-ionized water (DIW) containing the SC-1 solution to the first and second linseeves and the lift drier.
상기 SC-1 순환라인은
상기 케미컬 용액을 펌핑하는 펌프;
상기 케미컬 용액의 유동을 안정화하는 댐퍼; 및
상기 케미컬 용액 내의 불순물을 제거하는 필터를 더 포함하는 웨이퍼 세정 장치.9. The method of claim 8,
The SC-1 circulation line
A pump for pumping the chemical solution;
A damper for stabilizing the flow of the chemical solution; And
And a filter for removing impurities in the chemical solution.
상기 SC-1 공급라인은
상기 SC-1 순환라인에 의하여 불순물이 제거된 SC-1 용액의 일부를 공급받는 웨이퍼 세정 장치.9. The method of claim 8,
The SC-1 supply line
And a portion of the SC-1 solution from which impurities have been removed by the SC-1 circulation line.
상기 SC-1 용액이
상기 SC-1 공급 라인으로 1회에 공급되는 양은
NH4OH는 0.0000065 wt%이고, H2O2 는 0.00001644 wt% 인 웨이퍼 세정 장치.The method according to claim 1 or 8,
The SC-1 solution
The amount supplied at a time to the SC-1 supply line
NH4OH is 0.0000065 wt%, and H2O2 is 0.00001644 wt%.
상기 SC-1 용액이
상기 SC-1 공급 라인으로 공급되는 총 횟수는 48회 이고,
상기 SC-1 공급 라인으로 공급되는 SC-1 전체 양은 NH4OH는 0.0000065 ~ 0.000312 wt%이고, H2O2는 0.00001644 ~ 0.000789 wt%인 웨이퍼 세정 장치.The method according to claim 1 or 8,
The SC-1 solution
The total number of times supplied to the SC-1 supply line is 48,
Wherein the total amount of SC-1 supplied to the SC-1 supply line is 0.0000065 to 0.000312 wt% for NH4OH and 0.00001644 to 0.000789 wt% for H2O2.
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| KR1020170104239A KR20190019402A (en) | 2017-08-17 | 2017-08-17 | Apparatus for wafer cleaning |
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Publications (1)
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