KR20190015511A - Method for processing substrates and substrate carrier system - Google Patents

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KR20190015511A
KR20190015511A KR1020197000273A KR20197000273A KR20190015511A KR 20190015511 A KR20190015511 A KR 20190015511A KR 1020197000273 A KR1020197000273 A KR 1020197000273A KR 20197000273 A KR20197000273 A KR 20197000273A KR 20190015511 A KR20190015511 A KR 20190015511A
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KR1020197000273A
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토마스 베르너 질바우어
헤럴드 크라우스
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어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
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Abstract

본 명세서에 설명된 실시예들은 기판을 프로세싱하는 방법에 관한 것이다. 방법은, 정전 또는 자기 척 어셈블리의 복수의 이격된 척 구역들을 이용하여 지지 표면에 기판을 척킹하는 단계를 포함하며, 여기서, 복수의 척 구역들 중 적어도 하나의 리던던트 척 구역(31)은, 적어도 하나의 리던던트 척 구역의 고장 또는 단락의 경우, 기판이 복수의 척 구역들 중 나머지 척 구역들(33)에 의해 지지 표면에 홀딩되도록 하는 리던던트 그립력을 제공한다. 추가적인 양상에 따르면, 본 명세서에 설명된 방법들을 수행하기 위한 기판 캐리어 시스템(20)이 제공된다.The embodiments described herein relate to a method of processing a substrate. The method includes chucking a substrate on a support surface using a plurality of spaced apart chuck sections of the electrostatic or magnetic chuck assembly wherein at least one of the plurality of chuck sections has a redundant chuck section In the event of a failure or short in one redundant chuck, the substrate is provided with a redundant gripping force to be held on the support surface by the remaining chuck sections 33 of the plurality of chuck areas. According to a further aspect, a substrate carrier system 20 for performing the methods described herein is provided.

Description

기판을 프로세싱하는 방법 및 기판 캐리어 시스템Method for processing substrates and substrate carrier system

[0001] 본 개시내용의 실시예들은 기판을 프로세싱하는 방법들에 관한 것으로, 더 상세하게는, 진공 챔버에서 이송하는 동안 기판 및/또는 마스크를 홀딩(hold)하도록 구성된 척 어셈블리를 통해 지지 표면에 기판 및/또는 마스크를 척킹(chuck)하는 방법들에 관한 것이다. 추가적인 실시예들은 기판 캐리어 시스템에 관한 것으로, 더 상세하게는, 진공 챔버에서 이송하는 동안 기판 및/또는 마스크를 홀딩하도록 구성된 통합형 정전 또는 자기 척 어셈블리를 갖는 기판 캐리어 시스템에 관한 것이다. 더 구체적으로, 통합형 척 어셈블리를 갖는 기판 캐리어 시스템은 기판 상에 얇은 층을 증착하는 동안 기판 및/또는 마스크를 수직 배향으로 홀딩하도록 구성될 수 있다.[0001] Embodiments of the present disclosure relate to methods of processing a substrate, and more particularly to methods of processing a substrate through a chuck assembly configured to hold a substrate and / or a mask during transfer in a vacuum chamber, And methods of chucking a substrate and / or a mask. Additional embodiments relate to a substrate carrier system, and more particularly, to a substrate carrier system having an integrated electrostatic or magnetic chuck assembly configured to hold a substrate and / or a mask during transfer in a vacuum chamber. More specifically, a substrate carrier system with an integrated chuck assembly can be configured to hold the substrate and / or the mask in a vertical orientation while depositing a thin layer on the substrate.

[0002] 정전 척 어셈블리들은 정전기장들을 사용하여, 기판 프로세싱 동안 기판들을 기판 캐리어들에 클램핑하기 위해 사용될 수 있다. 기판의 홀딩은 또한, 높은-온도의 코팅 및 플라즈마 프로세스들 동안, 또한 진공 환경에서 가능해질 수 있다. 자기 척 어셈블리들은 자기장들을 사용하여 기판 프로세싱 동안 기판들을 기판 캐리어들에 클램핑하기 위해 사용될 수 있다.[0002] Electrostatic chuck assemblies can be used to clamp substrates to substrate carriers during substrate processing, using electrostatic fields. Holding of the substrate may also be possible during high-temperature coating and plasma processes, and also in a vacuum environment. Magnetic chuck assemblies can be used to clamp substrates to substrate carriers during substrate processing using magnetic fields.

[0003] 수직 또는 오버헤드 배향으로 프로세싱된 기판들은 종종 기계식 클램핑력(clamping force)을 사용하여 기판 캐리어 상에 홀딩된다. 그러나, 기계식 클램핑 캐리어들은 불충분한 포지션 정확도를 가질 수 있으며, 또한, 높은 기계식 클램핑력으로 인해 척킹 동안 미립자를 생성할 수 있다.[0003] Substrates processed in a vertical or overhead orientation are often held on a substrate carrier using a mechanical clamping force. However, mechanical clamping carriers can have insufficient position accuracy and can also produce particulates during chucking due to their high mechanical clamping forces.

[0004] OLED 제조 뿐만 아니라 대면적 기판들, 예컨대, 예를 들어 디스플레이 제조를 위한 대면적 기판들의 제조에서, 기판 상에 얇은 재료층을 증착하는 동안 기판 위에서 사용되는 마스크의 포지션 정확도는, 특히 기판들의 사이즈가 증가함에 따라, 난제이다. 특히, 0.5 m2 초과의 면적을 갖거나 또는 1 m2 초과의 면적을 갖는 얇거나 매우-얇은 대면적 기판을 수직 배향으로 홀딩하는 것이 난제이다. 기판의 에지들을 일반적으로 홀딩하는 기계식 클램핑 캐리어들은, 클램핑력이 기판에 균일하게 적용되기에는 어려우므로, 기판 위의 마스크들의 불량한 포지셔닝에 기여할 수 있으며, 이는 기판 또는 마스크로 하여금 휘어지게 하거나 또는 포지션을 시프트하게 할 수 있다.[0004] In OLED manufacturing as well as large area substrates, for example in the manufacture of large area substrates for example for the manufacture of displays, the position accuracy of a mask used on a substrate during deposition of a thin layer of material on the substrate, As their size increases, it is a challenge. In particular, it is a challenge to hold a thin, very thin, large area substrate having an area greater than 0.5 m 2 or having an area greater than 1 m 2 in a vertical orientation. The mechanical clamping carriers that generally hold the edges of the substrate may contribute to poor positioning of the masks on the substrate because clamping forces are difficult to uniformly apply to the substrate and may cause the substrate or mask to bend, Can be shifted.

[0005] 따라서, 기판 캐리어의 지지 표면에서 수직 및 수평 기판 프로세싱 동안 기판들 및 마스크들을 안전하게 홀딩하기 위한 고장 방지 시스템들 및 방법들이 유익하다. 추가로, 프로세싱 동안 향상된 열 제어를 위해 기판을 지지 표면 상에 균질하게 가압하는, 면적 당 일정한 척킹력을 제공하는 것이 유익하다.[0005] Accordingly, failure prevention systems and methods for securely holding substrates and masks during vertical and horizontal substrate processing at the support surface of the substrate carrier are beneficial. Additionally, it is advantageous to provide a constant chucking force per area, which uniformly presses the substrate onto the support surface for improved thermal control during processing.

[0006] 위의 관점에서, 기판을 프로세싱하는 방법 및 기판 캐리어 시스템들이 제공된다.[0006] In view of the above, a method and substrate carrier systems for processing a substrate are provided.

[0007] 본 개시내용의 일 양상에 따르면, 기판을 프로세싱하는 방법이 제공된다. 방법은, 정전 또는 자기 척 어셈블리의 복수의 이격된 척 구역들을 이용하여 지지 표면에 기판 및/또는 마스크를 척킹하는 단계를 포함하며, 여기서, 복수의 척 구역들 중 적어도 하나의 리던던트(redundant) 척 구역은, 적어도 하나의 리던던트 척 구역의 고장 또는 단락(short circuit)의 경우, 기판 및/또는 마스크가 복수의 척 구역들 중 나머지 척 구역들에 의해 지지 표면에 홀딩되도록 하는 리던던트 그립력을 제공한다.[0007] According to an aspect of the present disclosure, a method of processing a substrate is provided. The method includes chucking a substrate and / or a mask on a support surface using a plurality of spaced apart chuck sections of the electrostatic or magnetic chuck assembly, wherein at least one redundant chuck The zone provides a redundant gripping force to cause the substrate and / or mask to be held on the support surface by the remaining of the plurality of chuck areas in the event of a failure or short circuit of the at least one redundant chuck area.

[0008] 몇몇 실시예들에서, 복수의 척 구역들의 각각의 척 구역은, 복수의 척 구역들 중 임의의 하나의 척 구역의 고장 또는 단락의 경우, 기판 및/또는 마스크가 복수의 척 구역들 중 나머지 척 구역들에 의해 지지 표면에 홀딩되도록 하는 리던던트 척 구역으로서 구성된다.[0008] In some embodiments, each of the chuck areas of the plurality of chuck areas is configured such that, in the event of a failure or short of any one of the plurality of chuck areas, the substrate and / As a redundant chuck area to be held on the support surface by the remaining chuck areas.

[0009] 본 개시내용의 추가적인 양상에 따르면, 기판을 프로세싱하는 방법이 제공된다. 방법은, 정전 또는 자기 척 어셈블리의 복수의 이격된 척 구역들을 이용하여 지지 표면에 기판을 척킹하는 단계 ― 복수의 척 구역들 중 적어도 하나의 리던던트 척 구역은, 적어도 하나의 리던던트 척 구역의 고장 또는 단락의 경우, 기판이 복수의 척 구역들 중 나머지 척 구역들에 의해 지지 표면에 홀딩되도록 하는 리던던트 그립력을 제공함 ―; 척 어셈블리와 기판의 일부 사이의 균등한 움직임을 허용하기 위해 적어도 하나의 리던던트 척 구역의 리던던트 그립력을 해제하는 단계; 및 적어도 하나의 리던던트 척 구역의 리던던트 그립력을 복원하는 단계를 포함한다.[0009] According to a further aspect of the present disclosure, a method of processing a substrate is provided. The method includes the steps of chucking a substrate on a support surface using a plurality of spaced chuck sections of the electrostatic or magnetic chuck assembly, the at least one redundant chuck section of the plurality of chuck sections comprising at least one redundant chuck section, In the case of a short, providing a redundant gripping force such that the substrate is held on the support surface by the remaining of the plurality of chuck areas; Releasing the redundant gripping force of the at least one redundant chuck region to permit even movement between the chuck assembly and a portion of the substrate; And restoring the redundant gripping force of the at least one redundant chuck region.

[0010] 본 개시내용의 추가적인 양상에 따르면, 기판 캐리어 시스템이 제공된다. 기판 캐리어 시스템은, 기판을 지지하기 위한 지지 표면을 갖는 기판 캐리어; 기판 캐리어에 배치된 복수의 이격된 척 구역들을 포함하는 정전 또는 자기 척 어셈블리를 포함하며, 여기서, 복수의 척 구역들 중 적어도 하나의 리던던트 척 구역은, 적어도 하나의 리던던트 척 구역의 고장 또는 단락의 경우, 기판이 복수의 척 구역들 중 나머지 척 구역들에 의해 지지 표면에 홀딩되도록 하는 리던던트 그립력을 제공하도록 구성된다.[0010] According to a further aspect of the present disclosure, a substrate carrier system is provided. The substrate carrier system includes: a substrate carrier having a support surface for supporting a substrate; Wherein the at least one redundant chuck region of the plurality of chuck regions comprises at least one redundant chuck region having a plurality of spaced apart chuck regions disposed in a substrate carrier, The substrate is configured to provide a redundant gripping force such that the substrate is held on the support surface by the remaining of the plurality of chuck areas.

[0011] 본 개시내용의 추가적인 양상들, 이점들 및 특성들은 설명 및 첨부한 도면들로부터 명백하다.[0011] Further aspects, advantages and features of the present disclosure are apparent from the description and the accompanying drawings.

[0012] 본 개시내용의 위에서 언급된 특성들이 상세히 이해될 수 있는 방식으로, 위에서 간략하게 요약된 본 개시내용의 더 구체적인 설명이 실시예들을 참조하여 이루어질 수 있다. 첨부한 도면들은 본 개시내용의 실시예들에 관한 것이며, 다음에 설명된다. 실시예들은 도면들에 도시되며, 아래의 설명에서 상세히 설명된다.
[0013] 도 1은 본 명세서에 설명된 실시예들에 따른 방법들을 수행하도록 구성된 기판 캐리어 시스템의 개략도이다.
[0014] 도 2는 본 명세서에 설명된 실시예들에 따른 방법들을 수행하도록 구성된 기판 캐리어 시스템의 개략도이다.
[0015] 도 3은 본 명세서에 설명된 실시예들에 따른 방법들을 수행하도록 구성된 기판 캐리어 시스템의 개략도이다.
[0016] 도 4는 본 명세서에 설명된 실시예들에 따른 방법들을 수행하도록 구성된 기판 캐리어 시스템의 개략도이다.
[0017] 도 5는 본 명세서에 설명된 실시예들에 따른 방법들을 수행하기 위한 기판 캐리어 시스템을 갖는 진공 프로세싱 시스템의 개략도이다.
[0018] 도 6은 본 명세서에 설명된 실시예들에 따른, 기판을 프로세싱하는 방법을 예시한 흐름도이다.
[0019] 도 7은 본 명세서에 설명된 실시예들에 따른, 기판을 프로세싱하는 방법을 예시한 흐름도이다.
[0020] 도 8은 본 명세서에 설명된 실시예들에 따른, 기판을 프로세싱하는 방법을 예시한 흐름도이다.[0012] In the manner in which the above-recited features of the present disclosure can be understood in detail, a more particular description of the disclosure briefly summarized above may be made with reference to the embodiments. The accompanying drawings relate to embodiments of the present disclosure and are described below. Embodiments are shown in the drawings and are described in detail in the following description.
[0013] FIG. 1 is a schematic diagram of a substrate carrier system configured to perform methods in accordance with the embodiments described herein.
[0014] FIG. 2 is a schematic diagram of a substrate carrier system configured to perform methods in accordance with the embodiments described herein.
[0015] FIG. 3 is a schematic diagram of a substrate carrier system configured to perform methods in accordance with the embodiments described herein.
[0016] FIG. 4 is a schematic diagram of a substrate carrier system configured to perform methods in accordance with the embodiments described herein.
[0017] FIG. 5 is a schematic diagram of a vacuum processing system having a substrate carrier system for performing methods in accordance with the embodiments described herein.
[0018] FIG. 6 is a flow chart illustrating a method of processing a substrate, in accordance with embodiments described herein.
[0019] FIG. 7 is a flow chart illustrating a method of processing a substrate, in accordance with the embodiments described herein.
[0020] FIG. 8 is a flow chart illustrating a method of processing a substrate, in accordance with embodiments described herein.

[0021] 이제, 다양한 실시예들에 대한 참조가 상세히 이루어질 것이며, 다양한 실시예들의 하나 또는 그 초과의 예들은 각각의 도면에 예시되어 있다. 각각의 예는 설명에 의해 제공되며, 제한을 의미하지 않는다. 예컨대, 일 실시예의 일부로서 예시되거나 설명된 특성들은 더 추가적인 실시예를 산출하기 위해 임의의 다른 실시예에 대해 또는 그와 함께 사용될 수 있다. 본 개시내용이 그러한 수정들 및 변경들을 포함한다는 것이 의도된다.[0021] Reference will now be made in detail to various embodiments, and one or more examples of various embodiments are illustrated in the individual figures. Each example is provided by way of explanation and not by way of limitation. For example, the features illustrated or described as part of an embodiment may be used with or in conjunction with any other embodiment to yield further embodiments. It is intended that the present disclosure include all such modifications and variations.

[0022] 도면들의 다음의 설명 내에서, 동일한 참조 부호들은 동일하거나 또는 유사한 컴포넌트들을 지칭한다. 일반적으로, 개별 실시예들에 대한 차이들만이 설명된다. 달리 명시되지 않으면, 일 실시예의 일부 또는 양상의 설명은 다른 실시예의 대응하는 일부 또는 양상에 또한 적용된다.[0022] In the following description of the drawings, the same reference numbers refer to the same or similar components. In general, only the differences for the individual embodiments are described. Unless otherwise stated, the description of some or all aspects of one embodiment also applies to corresponding portions or aspects of other embodiments.

[0023] 도 1은 일 실시예에 따른, 기판 캐리어 시스템(20)의 개략적인 정면도이다. 기판 캐리어 시스템(20)은, 아래에서 추가로 설명되는 진공 프로세싱 시스템을 통해 기판(10) 및 선택적으로는 마스크(도시되지 않음)를 운반하기 위해 사용될 수 있다. 도 1에서, 기판 캐리어 시스템(20)의 기판 캐리어(21)의 지지 표면(22)에 홀딩되는 기판(10)은 파선 사각형으로서 개략적으로 도시된다.[0023] FIG. 1 is a schematic front view of a substrate carrier system 20, in accordance with one embodiment. The substrate carrier system 20 can be used to transport the substrate 10 and optionally a mask (not shown) through a vacuum processing system, which is further described below. 1, the substrate 10 held on the support surface 22 of the substrate carrier 21 of the substrate carrier system 20 is shown schematically as a dashed rectangle.

[0024] 본 명세서에 설명된 다른 실시예들과 결합될 수 있는 몇몇 실시예들에서, 기판(10)은 본질적으로 수직 배향으로 지지 표면(22)에 홀딩될 수 있다. 예컨대, 기판은 진공 프로세싱 시스템을 통한 이송 동안 및/또는 증착 프로세스(여기서, 하나 또는 그 초과의 얇은 층들이 기판 상에 증착됨) 동안 실질적으로 수직 배향으로 홀딩될 수 있다. 따라서, 기판 캐리어(21)의 지지 표면(22)은 기판의 프로세싱 동안 적어도 일시적으로, 본질적으로 수직으로 배향될 수 있다. 대면적 기판을 본질적으로 수직 배향으로 홀딩하는 것은 난제인데, 그 이유는, 기판이 기판의 무게로 인해 구부러질 수 있고, 불충분한 그립력의 경우 기판이 지지 표면으로부터 아래로 미끄러질 수 있고, 그리고/또는 기판의 전방에 홀딩될 수 있는 마스크에 대해 기판이 이동될 수 있기 때문이다.[0024] In some embodiments, which may be combined with other embodiments described herein, the substrate 10 may be held on the support surface 22 in an essentially vertical orientation. For example, the substrate may be held in a substantially vertical orientation during transport through a vacuum processing system and / or during a deposition process (where one or more thin layers are deposited on the substrate). Thus, the support surface 22 of the substrate carrier 21 can be oriented essentially vertically, at least temporarily, during processing of the substrate. Holding a large area substrate in an essentially vertical orientation is a challenge because the substrate can bend due to the weight of the substrate and the substrate can slide down from the support surface in case of insufficient gripping force and / Since the substrate can be moved relative to a mask that can be held in front of the substrate.

[0025] 본 개시내용 전반에 걸쳐 사용되는 바와 같이, "실질적으로 수직"은, 특히 기판 배향을 지칭할 경우 ±20° 또는 그 미만, 예컨대, ±10° 또는 그 미만의 수직 방향 또는 배향으로부터의 편차를 허용하는 것으로 이해된다. 예컨대, 수직 배향으로부터 일부 편차를 갖는 기판 캐리어가 더 안정된 기판 포지션을 초래할 수 있거나 또는 아래로 향한 기판 배향이 증착 동안 기판 상에서 입자들을 훨씬 더 양호하게 감소시킬 수 있기 때문에, 이러한 편차가 제공될 수 있다. 그러나, 예컨대 층 증착 프로세스 동안, 기판 배향은 실질적으로 수직인 것으로 고려되며, 이는 수평 기판 배향과는 상이하다.As used throughout this disclosure, "substantially vertical" refers to a direction perpendicular to a direction or orientation from a direction or orientation of ± 20 ° or less, eg, ± 10 ° or less, Is understood to allow for variations. This variation can be provided, for example, because a substrate carrier with some deviation from vertical orientation can result in a more stable substrate position, or a downwardly oriented substrate orientation can significantly reduce particles on the substrate during deposition . However, for example, during a layer deposition process, the substrate orientation is considered to be substantially vertical, which is different from horizontal substrate orientation.

[0026] 구체적으로, 본 개시내용 전반에 걸쳐 사용되는 바와 같이, "수직 방향" 또는 "수직 배향"과 같은 용어들은 "수평 방향" 또는 "수평 배향"에 대해 구별되는 것으로 이해된다. 수직 방향은 중력에 실질적으로 평행하다.[0026] Specifically, as used throughout this disclosure, terms such as "vertical direction" or "vertical orientation" are understood to be distinguished for "horizontal direction" or "horizontal orientation". The vertical direction is substantially parallel to gravity.

[0027] 몇몇 실시예들에서, 기판은, 예컨대 증착을 위해, 예컨대 아래로-향한 또는 오버헤드 포지션에서 프로세싱하는 동안 적어도 일시적으로, 본질적으로 수평 배향으로 홀딩될 수 있다. 예컨대, 기판은 본질적으로 수평 지지 표면 상에서 하방으로 향하게 홀딩될 수 있다. 기판 표면 상에서 입자 흡수(uptake)를 최소로 유지하기 위해 기판의 아래로-향한 포지션이 유익할 수 있다.[0027] In some embodiments, the substrate may be held in an essentially horizontal orientation, eg, at least temporarily during processing, eg, for deposition, in a down-facing or overhead position. For example, the substrate may be held downwardly on an essentially horizontal support surface. A downward-facing position of the substrate may be beneficial to keep the particle uptake on the substrate surface to a minimum.

[0028] 몇몇 실시예들에서, 기판 캐리어(21)는 수직 배향과 비-수직 배향, 예컨대 수평 배향 사이에서 이동가능, 예컨대 피봇가능할 수 있다. 예컨대, 기판은 비-수직 배향으로 지지 표면(22) 상에 놓여지고 그것에 척킹될 수 있고, 후속하여, 척킹된 기판을 갖는 기판 캐리어(21)는 본질적으로 수직 배향으로 이동될 수 있으며, 기판이 지지 표면에 홀딩되면서, 기판이 본질적으로 수직 배향으로 이송 및/또는 추가로 프로세싱될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 기판은 비-수직 배향으로 지지 표면으로부터 디-척킹 및 제거될 수 있다.[0028] In some embodiments, the substrate carrier 21 may be movable, eg, pivotable, between a vertical orientation and a non-vertical orientation, eg, a horizontal orientation. For example, the substrate may be placed on the support surface 22 in a non-vertical orientation and chucked thereon, and subsequently the substrate carrier 21 with the chucked substrate may be moved in an essentially vertical orientation, While held on the support surface, the substrate can be transported and / or further processed in an essentially vertical orientation. In some embodiments, the substrate can be de-chucked and removed from the support surface in a non-vertical orientation.

[0029] 몇몇 경우들에서, 예컨대, 진공 증착 시스템 내로 그리고 진공 증착 시스템 밖으로 기판을 이송하기 위해, (예컨대, 시스템에서 또는 진공 하에서 유지되는) 정전 척 어셈블리를 갖는 하나의 기판 캐리어로부터 프로세싱 동안 정전 척 어셈블리를 갖는 다른 캐리어로의 본질적으로 수직 이송 또는 전달이 또한 존재할 수 있다.[0029] In some cases, for example, to transfer a substrate into and out of a vacuum deposition system, from one substrate carrier having an electrostatic chuck assembly (eg, held in a system or under vacuum) Essentially vertical transfer or transfer to another carrier with the assembly may also be present.

[0030] 본 개시내용의 기판(10)은 이송 및 프로세싱 동안, 예컨대 층 증착, 진공 프로세싱 시스템을 통한 기판의 이송 및/또는 진공 프로세싱 시스템으로의 로딩 및 진공 프로세싱 시스템으로부터의 언-로딩(un-loading) 동안 기판 캐리어(21)에 의해 지지될 수 있다.[0030] The substrate 10 of the present disclosure may be used to perform various processes during transport and processing, such as by layer deposition, transfer of the substrate through a vacuum processing system and / or loading into a vacuum processing system, and un- the substrate carrier 21 can be supported by the substrate carrier 21 during loading.

[0031] 본 개시내용의 실시예들에 따르면, 하나 또는 그 초과의 이송 디바이스들을 갖는 인라인(in-line) 또는 배치-타입(batch-type) 프로세싱 시스템은 이송 경로를 따라 각각의 기판과 함께 하나 또는 그 초과의 기판 캐리어들을 이송하기 위해 사용될 수 있다. 몇몇 구현들에서, 이송 디바이스들은 기판 캐리어들을 현수된 상태(suspended state)로 홀딩하기 위한 자기 부상 시스템으로서 제공될 수 있다. 선택적으로, 인라인 프로세싱 시스템은 이송 경로를 따라 이송 방향으로 기판 캐리어들을 이동시키거나 또는 운반하도록 구성된 자기 구동 시스템을 사용할 수 있다. 자기 구동 시스템은 자기 부상 시스템에 포함될 수 있거나 또는 별개의 엔티티로서 제공될 수 있다.[0031] According to embodiments of the present disclosure, an in-line or batch-type processing system having one or more transport devices can be used with one substrate along with the transport path Or more substrate carriers. In some implementations, the transfer devices may be provided as a magnetic levitation system for holding the substrate carriers in a suspended state. Optionally, the inline processing system may use a magnetic drive system configured to move or transport substrate carriers in the transport direction along the transport path. The magnetic drive system may be included in the magnetic levitation system or may be provided as a separate entity.

[0032] 몇몇 구현들에서, 기계식 이송 시스템이 제공될 수 있다. 이송 시스템은 기판 캐리어들을 이송 방향으로 이송하기 위한 롤러들을 포함할 수 있으며, 여기서, 롤러들을 회전시키기 위한 구동부가 제공될 수 있다. 기계식 이송 시스템들은 구현하기에 용이하고, 견고하고, 내구성이 있으며, 유지보수가 친화적일 수 있다.[0032] In some implementations, a mechanical transport system may be provided. The transport system may include rollers for transporting the substrate carriers in the transport direction, wherein a drive for rotating the rollers may be provided. Mechanical transport systems are easy to implement, robust, durable, and maintenance friendly.

[0033] 몇몇 실시예들에서, 기판(10)은 기판 상에 코팅 재료를 증착하는 동안 기판 캐리어(21)의 지지 표면(22)에 홀딩될 수 있다. 예컨대, CVD 및 PVD 시스템들은 진공 프로세싱 챔버에서, 예컨대 디스플레이 애플리케이션들을 위한 기판들, 예컨대 얇은 유리 기판들을 코팅하기 위해 개발되었다. 진공 프로세싱 시스템들에서, 각각의 기판은 기판 캐리어에 의해 홀딩될 수 있으며, 기판 캐리어들은 각각의 이송 디바이스들에 의하여 진공 프로세싱 챔버를 통해 이송될 수 있다. 기판 캐리어들은 기판들의 주 표면들의 적어도 일부들이 코팅 디바이스들, 예컨대 스퍼터 디바이스들을 향해 노출되도록 이송 디바이스들에 의해 이동될 수 있다. 기판들이 코팅 디바이스들의 전방에 포지셔닝되거나 또는 미리 결정된 속도로 코팅 디바이스들을 지나 이송될 수 있는 동안, 기판들의 주 표면들은 얇은 코팅 층으로 코팅될 수 있다.[0033] In some embodiments, the substrate 10 may be held on the support surface 22 of the substrate carrier 21 while depositing coating material on the substrate. For example, CVD and PVD systems have been developed for coating substrates, e.g., thin glass substrates, for display applications, for example, in vacuum processing chambers. In vacuum processing systems, each substrate can be held by a substrate carrier, which can be transported through the vacuum processing chamber by respective transfer devices. The substrate carriers may be moved by the transport devices such that at least some of the major surfaces of the substrates are exposed towards the coating devices, e.g., sputter devices. While the substrates can be positioned in front of the coating devices or can be transported past the coating devices at a predetermined rate, the major surfaces of the substrates can be coated with a thin coating layer.

[0034] 본 명세서에 설명되는 몇몇 실시예들에서 사용되는 기판은 비가요성(inflexible) 기판, 예컨대 웨이퍼, 투명 결정, 이를테면 사파이어 등의 슬라이스들, 유리 플레이트, 또는 세라믹 플레이트일 수 있다. 그러나, 본 개시내용은 그에 제한되지 않으며, 용어 기판은 또한, 가요성 기판들, 이를테면 웹 또는 포일, 예컨대 금속 포일 또는 플라스틱 포일을 포함할 수 있다.[0034] The substrate used in some of the embodiments described herein may be an inflexible substrate, such as a wafer, a transparent crystal, such as slices such as sapphire, a glass plate, or a ceramic plate. However, the disclosure is not so limited, and the term substrate may also include flexible substrates, such as a web or foil, such as a metal foil or a plastic foil.

[0035] 구체적으로, "대면적 기판"은 디스플레이 제조를 위해 사용되고 유리 또는 플라스틱 기판일 수 있다. 예컨대, 본 명세서에 설명된 바와 같은 기판들은, LCD(Liquid Crystal Display), PDP(Plasma Display Panel) 등에 대해 통상적으로 사용되는 기판들을 포괄해야 한다. 예컨대, 대면적 기판은 0.5 m2 또는 그 초과, 특히 1 m2 또는 그 초과의 면적을 갖는 주 표면을 가질 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 대면적 기판은, 약 0.67 m2 기판들(0.73 x 0.92m)에 대응하는 GEN 4.5, 약 1.4 m2 기판들(1.1 m x 1.3 m)에 대응하는 GEN 5, 또는 그 초과일 수 있다. 대면적 기판은 추가로, 약 4.29 m2 기판들(1.95 m x 2.2 m)에 대응하는 GEN 7.5, 약 5.7 m2 기판들(2.2 m x 2.5 m)에 대응하는 GEN 8.5, 또는 심지어, 약 8.7 m2 기판들(2.85 m × 3.05 m)에 대응하는 GEN 10일 수 있다. 훨씬 더 큰 세대들, 이를테면 GEN 11 및 GEN 12 및 대응하는 기판 면적들이 유사하게 구현될 수 있다.[0035] Specifically, the "large-area substrate" is used for display manufacture and may be a glass or plastic substrate. For example, substrates such as those described herein should cover substrates commonly used for liquid crystal displays (LCDs), plasma display panels (PDP), and the like. For example, a large area substrate may have a major surface having an area of 0.5 m 2 or greater, especially 1 m 2 or greater. In some embodiments, the large area substrate has a GEN 4.5 corresponding to about 0.67 m 2 substrates (0.73 x 0.92 m), a GEN 5 corresponding to about 1.4 m 2 substrates (1.1 mx 1.3 m) Lt; / RTI > The large area substrate may additionally include GEN 7.5 corresponding to about 4.29 m 2 substrates (1.95 mx 2.2 m), GEN 8.5 corresponding to about 5.7 m 2 substrates (2.2 mx 2.5 m), or even about 8.7 m 2 0.0 > 10 < / RTI > corresponding to substrates (2.85 m x 3.05 m). Much larger generations, such as GEN 11 and GEN 12, and corresponding substrate areas can similarly be implemented.

[0036] 몇몇 구현들에서, 수 cm2, 예컨대 2 cm x 4 cm 이하의 표면적들을 갖는 더 작은 사이즈의 기판들의 어레이 및/또는 다양한 개별 형상들이 더 큰 기판 캐리어 상에 포지셔닝될 수 있다.[0036] In some implementations, an array of smaller size substrates and / or various individual shapes having surface areas of several cm 2 , for example, 2 cm x 4 cm or less, can be positioned on a larger substrate carrier.

[0037] 몇몇 구현들에서, 기판의 주 표면에 수직한 방향의 기판의 두께는 1 mm 또는 그 미만, 예컨대 0.3 mm 내지 0.7 mm일 수 있다. 몇몇 구현들에서, 기판의 두께는 5 μm 또는 그 초과 및/또는 700 μm 또는 그 미만일 수 있다. 단지 수 미크론, 예컨대 8 μm 또는 그 초과 및 50 μm 또는 그 미만의 두께를 갖는 얇은 기판들의 처리가 난제일 수 있다.[0037] In some implementations, the thickness of the substrate in a direction perpendicular to the major surface of the substrate may be 1 mm or less, such as 0.3 mm to 0.7 mm. In some implementations, the thickness of the substrate may be 5 [mu] m or more and / or 700 [mu] m or less. Treatment of thin substrates having a thickness of only a few microns, such as 8 [mu] m or greater and 50 [mu] m or less, may be difficult.

[0038] 코팅 동안 기판 및/또는 마스크의 움직임들이 회피되도록 기판 캐리어(21)의 지지 표면(22)에 기판(10)을 홀딩하는 것은 양호한 코팅 결과에 대한 관점에서 유익할 수 있다. 지지 표면 상의 그리고 마스크에 대한 기판의 정확한 포지셔닝은, 기판 사이즈들이 증가하고 코팅 구조들이 감소함에 따라, 점차 난제가 되고 있다.Holding the substrate 10 on the support surface 22 of the substrate carrier 21 so that movement of the substrate and / or mask during the coating is avoided can be beneficial in view of good coating results. Accurate positioning of the substrate on the support surface and against the mask is becoming increasingly challenging as substrate sizes increase and coating structures decrease.

[0039] 본 명세서에 설명된 방법들에 따르면, 기판은 프로세싱 동안 지지 표면(22)에 정확하고 신뢰가능하게 홀딩될 수 있으며, 고장 방지 기판 캐리어 시스템이 제공된다. 기판 캐리어 시스템(20)은, "e-척 어셈블리"로 또한 지칭되는 정전 또는 자기 척 어셈블리(30)를 포함한다. 정전 또는 자기 척 어셈블리(30)는, 각각의 척 구역이 기판의 일부를 지지 표면의 연관된 부분에 고정시키도록 구성되도록 서로 이격되어 제공될 수 있는 복수의 척 구역들(32)을 포함한다. 몇몇 실시예들에서, 복수의 척 구역들(32)은 기판 캐리어(21)의 몸체에서 서로 측방향으로 이격되어 제공된다. 예컨대, 척 구역들은 미리 결정된 패턴으로 기판 캐리어의 주 연장 평면에 분포될 수 있다.[0039] According to the methods described herein, the substrate can be accurately and reliably held on the support surface 22 during processing, and a fail-safe substrate carrier system is provided. The substrate carrier system 20 includes an electrostatic or magnetic chuck assembly 30, also referred to as an "e-chuck assembly ". The electrostatic or magnetic chuck assembly 30 includes a plurality of chuck sections 32 that may be provided spaced apart from one another such that each chuck section is configured to secure a portion of the substrate to an associated portion of the support surface. In some embodiments, the plurality of chuck areas 32 are provided laterally spaced apart from each other in the body of the substrate carrier 21. For example, the chuck areas may be distributed in the main extension plane of the substrate carrier in a predetermined pattern.

[0040] 몇몇 실시예들에서, 척 구역들은 선형 어레인지먼트(arrangement)로, 예컨대 수평 행 또는 수직 열로 나란히 배열될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 척 구역들은 2차원 어레이로, 예컨대 복수의 행들 및 열들로 배열될 수 있다. 다른 2D-패턴들 또는 이들의 조합들, 예컨대, 동심으로 배열된 척 구역들 또는 교직된(interwoven) 척 구역들, 이를테면 교직된 미앤더(meander) 구조들이 가능하다. 예컨대, 도 1의 실시예의 척 구역들은 2개의 행들 및 2개의 열들을 갖는 2차원 어레이로 배열된다. 용어들 "척 구역", "척 세그먼트" 및 "척 패드"는 본 명세서에서 동의어로 사용될 수 있으며, 지지 표면의 일부에서 정전 또는 자기 그립력을 생성하도록 구성된 척 어셈블리의 일부를 나타낼 수 있다. 각각의 척 구역은 척 어셈블리의 전체 그립력에 기여할 수 있다.[0040] In some embodiments, the chuck areas may be arranged in a linear arrangement, for example, side by side in a horizontal row or vertical row. In some embodiments, the chuck areas may be arranged in a two-dimensional array, e.g., a plurality of rows and columns. Other 2D-patterns or combinations thereof, such as concentrically arranged chuck sections or interwoven chuck sections, such as interwoven meander structures, are possible. For example, the chuck areas of the embodiment of FIG. 1 are arranged in a two-dimensional array having two rows and two columns. The terms "chuck "," chuck segment "and" chuck pad "may be used synonymously herein and may refer to a portion of a chuck assembly configured to generate a static or magnetic grip at a portion of the support surface. Each chuck area may contribute to the overall gripping force of the chuck assembly.

[0041] 예컨대, 각각의 척 구역은 지지 표면(22)의 영역의 일부를 커버할 수 있으며, 조정가능할 수 있는 미리 결정된 정전 또는 자기 그립력을 생성하도록 구성될 수 있다. 각각의 척 세그먼트에 의해 생성된 그립력은 척 세그먼트에 의해 커버되는 지지 표면의 영역의 일부에 비례할 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 척 어셈블리에 의해 생성된 전체 그립력이 단일 척 구역에 의해 생성된 그립력의 배수일 수 있도록 복수의 척 구역들의 각각의 척 구역은 지지 표면의 영역의 본질적으로 동일한 부분을 커버한다.[0041] For example, each of the chuck areas may cover a portion of the area of the support surface 22 and may be configured to generate a predetermined electrostatic or magnetic grip force that may be adjustable. The grip force generated by each chuck segment can be proportional to a portion of the area of the support surface covered by the chuck segment. In some embodiments, each chuck area of the plurality of chuck areas covers essentially the same area of the area of the support surface such that the total grip force generated by the chuck assembly is a multiple of the grip force produced by the single chuck area .

[0042] 몇몇 실시예들에서, 척 구역들은 독립적으로 제어가능할 수 있다. 예컨대, 척 구역들은 독립적으로 전력공급 및 전력차단될 수 있고, 그리고/또는 척 구역들 각각에 의해 생성될 그립력은 독립적으로 설정될 수 있다.[0042] In some embodiments, the chuck areas may be independently controllable. For example, the chuck areas can be independently powered and powered off, and / or the grip forces generated by each of the chuck areas can be set independently.

[0043] 다음에서, 복수의 정전 척 구역들을 갖는 정전 척 어셈블리가 설명될 것이다. 그러나, 몇몇 실시예들에서, 복수의 자기 척 구역들을 갖는 자기 척 어셈블리가 제공될 수 있다. 또 다른 실시예들에서, 척 어셈블리는, 부분적으로는 정전 척 어셈블리로서 그리고 부분적으로는 자기 척 어셈블리로서 제공될 수 있다. 예컨대, 복수의 척 구역들의 제1 서브세트는 정전 척 구역들로서 구성될 수 있고, 복수의 척 구역들의 제2 서브세트는 자기 척 구역들로서 구성될 수 있다.[0043] In the following, an electrostatic chuck assembly having a plurality of electrostatic chuck zones will be described. However, in some embodiments, a magnetic chuck assembly having a plurality of magnetic chuck zones may be provided. In yet other embodiments, the chuck assembly may be provided, in part, as an electrostatic chuck assembly and in part as a magnetic chuck assembly. For example, a first subset of a plurality of chuck zones may be configured as electrostatic chuck zones, and a second subset of the plurality of chuck zones may be configured as magnetic chuck zones.

[0044] e-척 어셈블리는 단극 척 어셈블리로서, 양극 척 어셈블리로서 또는 다극 척 어셈블리로서 구성될 수 있다. "단극 척 어셈블리"는 척 어셈블리로서 이해될 수 있으며, 여기서, 각각의 척 구역은 전력 어셈블리, 예컨대 고전압 소스에 연결가능한 적어도 하나의 전극 어레인지먼트를 포함하고, 전력 어셈블리는 단일 극성의 전기 전압을 전극 어레인지먼트들에 제공하도록 구성된다. 예컨대, 본 명세서에 설명된 다른 실시예들과 결합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 음의 전하가 기판 캐리어의 지지 표면 상에서 유도되도록, 양의 전압이 척 구역들의 각각의 구역의 전극 어레인지먼트들에 적용될 수 있다. 대안적으로, 양의 전하가 기판 캐리어의 지지 표면 상에서 유도되도록, 음의 전압이 전극 어레인지먼트에 적용될 수 있다.[0044] The e-chuck assembly may be configured as a unipolar chuck assembly, as a bipolar chuck assembly, or as a multipolar chuck assembly. Quot; monopolar chuck assembly "can be understood as a chuck assembly, where each chuck section includes at least one electrode arrangement connectable to a power assembly, e.g., a high voltage source, wherein the power assembly applies a single polarity electrical voltage to the electrode assembly Lt; / RTI > For example, according to some embodiments that may be combined with other embodiments described herein, a positive voltage is applied to the electrode arrangements of the respective areas of the chuck sections such that negative charges are induced on the support surface of the substrate carrier. Lt; / RTI > Alternatively, a negative voltage may be applied to the electrode arrangement, such that a positive charge is induced on the support surface of the substrate carrier.

[0045] 본 명세서에서 사용되는 바와 같이, "양극 척 어셈블리"는 척 어셈블리로서 이해될 수 있으며, 여기서, 각각의 척 구역은 전력 어셈블리, 예컨대 고전압 소스에 연결가능한 적어도 제1 전극 및 제2 전극을 갖는 전극 어레인지먼트를 포함하고, 전력 어셈블리는 제1 극성의 전기 전압을 제1 전극에 제공하고 제2 극성의 전기 전압을 제2 전극에 제공하도록 구성된다. 예컨대, 음의 전압이 각각의 척 구역의 제1 전극에 인가될 수 있고, 양의 전압이 제2 전극에 인가될 수 있거나, 또는 그 역도 가능하다. 따라서, 대응하는 음으로 대전된 구역들 및 대응하는 양으로 대전된 구역들이 정전 유도에 의해 기판 캐리어의 지지 표면에서 생성될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 대칭적인 양극 전압이 제공된다.As used herein, a "bipolar assembly" can be understood as a chuck assembly, where each chuck section includes at least a first electrode and a second electrode connectable to a power assembly, eg, a high voltage source, And the power assembly is configured to provide an electrical voltage of a first polarity to the first electrode and an electrical voltage of a second polarity to the second electrode. For example, a negative voltage may be applied to the first electrode of each chuck region, a positive voltage may be applied to the second electrode, or vice versa. Thus, corresponding negatively charged regions and corresponding positively charged regions can be generated at the support surface of the substrate carrier by electrostatic induction. In some embodiments, a symmetrical anode voltage is provided.

[0046] 다극 척 어셈블리에서, 각각의 척 구역은, 독립적으로 제어가능할 수 있는 복수의 전극들, 예컨대 6개의 전극들을 포함할 수 있다.[0046] In a multipolar assembly, each chuck region may comprise a plurality of electrodes, such as six electrodes, which may be independently controllable.

[0047] 도 1에 도시된 기판 캐리어 시스템(20)은 정전 척 어셈블리(30)를 포함하며, 여기서, 복수의 척 구역들(32)은, 기판 캐리어(21)의 주 연장 평면에서 서로 측방향으로 이격되어 있는 사각형들로 도시된 총 4개의 척 구역들로 이루어진다. 몇몇 실시예들에서, 4개 미만의 척 구역들, 예컨대 2개 또는 3개의 척 구역들이 제공된다. 몇몇 실시예들에서, 4개 초과의 척 구역들, 예컨대 6개 또는 그 초과, 10개 또는 그 초과, 또는 20개 또는 그 초과의 척 구역들이 제공된다. 몇몇 실시예들에서, 2개 또는 그 초과의 척 구역들은 수평 방향 및/또는 수직 방향으로 나란히 배열된다. 몇몇 실시예들에서, 척 구역들은 사각형들로 형상화되지 않고, 상이한 형상, 예컨대 반구형 형상, 원형 형상, 라인 형상, 또는 다각형 형상을 가질 수 있다. 척 구역의 "형상"은 지지 표면의 평면 내의 척 구역의 전극들의 외측 윤곽을 지칭할 수 있다.The substrate carrier system 20 shown in FIG. 1 includes an electrostatic chuck assembly 30 wherein a plurality of chuck sections 32 extend laterally from each other in the main extension plane of the substrate carrier 21 And four chuck zones shown as squares spaced apart from each other. In some embodiments, less than four chuck areas, such as two or three chuck areas, are provided. In some embodiments, more than four chuck areas are provided, such as six or more, ten or more, or twenty or more chuck areas. In some embodiments, two or more chuck areas are arranged side by side in the horizontal and / or vertical directions. In some embodiments, the chuck areas are not shaped into squares, but may have different shapes, such as hemispherical, circular, line, or polygonal. The "shape" of the chuck region may refer to the outer contour of the electrodes of the chuck region in the plane of the support surface.

[0048] 몇몇 실시예들에서, 복수의 척 구역들(32)의 각각의 척 구역은 전극 어레인지먼트, 예컨대 제1 전극 및 제2 전극을 포함하는 전극 어레인지먼트를 포함하며, 여기서, 전력 어셈블리, 예컨대 고전압 소스를 통해 제1 전압이 제1 전극에 인가될 수 있고, 제2 전압이 제2 전극에 인가될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 척 구역에 의해 제공되는 그립력을 증가시키기 위해 제1 전극은 제2 전극과 인터리빙될 수 있다.[0048] In some embodiments, each of the chuck areas of the plurality of chuck areas 32 includes an electrode arrangement, eg, an electrode arrangement including a first electrode and a second electrode, wherein a power assembly, eg, a high voltage A first voltage may be applied to the first electrode through the source and a second voltage may be applied to the second electrode. In some embodiments, the first electrode may be interleaved with the second electrode to increase the grip force provided by the chuck area.

[0049] 본 명세서에 개시되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 몇몇 실시예들에서, 기판 캐리어(21)는 유전체 몸체를 포함하며, 여기서 정전 척 어셈블리의 전극 어레인지먼트들은 유전체 몸체에 매립된다. 유전체 몸체는 유전체 재료, 예컨대 높은 열 전도율 유전체 재료, 이를테면 열분해 질화 붕소, 질화 알루미늄, 실리콘 질화물, 알루미나 또는 등가 재료, 예컨대, 내열성 폴리머계 재료, 이를테면 폴리이미드계 재료 또는 다른 유기 재료들로부터 제조될 수 있다. 전극 어레인지먼트들의 전극들은, 미리 결정된 그립력을 생성하기 위해 전극 어레인지먼트들에 미리 결정된 전압을 제공할 수 있는 전력 어셈블리, 예컨대 전압 소스에 각각 커플링될 수 있다. 그립력은, 기판 캐리어의 지지 표면 상에 기판을 고정시키기 위해 기판에 작용하는 정전력일 수 있다.[0049] In some embodiments that may be combined with other embodiments disclosed herein, the substrate carrier 21 includes a dielectric body, wherein the electrode arrangements of the electrostatic chuck assembly are embedded in the dielectric body. The dielectric body may be made from a dielectric material such as a high thermal conductivity dielectric material such as pyrolytic boron nitride, aluminum nitride, silicon nitride, alumina or an equivalent material such as a heat resistant polymeric material such as a polyimide based material or other organic materials have. The electrodes of the electrode arrangements can each be coupled to a power assembly, e.g., a voltage source, that can provide a predetermined voltage to the electrode arrangements to generate a predetermined grip force, respectively. The gripping force may be an electrostatic force acting on the substrate to secure the substrate on the support surface of the substrate carrier.

[0050] 정전 척 어셈블리가 복수의 도전성 어레인지먼트들, 예컨대 복수의 전극 어레인지먼트들, 이를테면 제2 전극 다음에 배열된 제1 전극을 포함하는 경우, 도전성 어레인지먼트들 사이에 단락의 위험성이 존재할 수 있다. 예컨대, 척 구역의 제1 전극과 제2 전극 사이의 쇼트(short)가 각각의 척 구역의 고장을 유발할 수 있다.[0050] If the electrostatic chuck assembly includes a plurality of conductive arrangements, such as a plurality of electrode arrangements, such as a first electrode arranged after the second electrode, there may be a risk of shorting between the conductive arrangements. For example, a short between the first electrode and the second electrode of the chuck area can cause failure of each chuck area.

[0051] 종래의 e-척 어셈블리들에서, e-척 어셈블리의 단일의 잘못된 포지션에서의 고장 또는 단락은 e-척 어셈블리의 전체 척킹 영역의 고장을 유발할 수 있다. 따라서, 프로세싱 동안 기판이 기판 캐리어에 대해 이동하거나 또는 지지 표면에서 떨어질 위험성이 존재할 수 있다. 그와 반대로, 본 명세서에 개시된 방법들에 따르면, 기판 프로세싱 동안 하나 또는 그 초과의 리던던트 척 구역들에서의 고장 또는 단락은, 여전히 기능을 유지할 수 있는 나머지 척 구역들의 그립력에 부정적인 영향을 주지 않을 수 있다.[0051] In conventional e-chuck assemblies, a failure or short circuit in a single faulty position of the e-chuck assembly can cause a failure of the entire chucking area of the e-chuck assembly. Thus, there may be a risk that the substrate will move relative to the substrate carrier or fall off the support surface during processing. Conversely, according to the methods disclosed herein, a failure or short circuit in one or more redundant chuck areas during substrate processing may not negatively impact the grip of the remaining chuck areas that may still be functional have.

[0052] 본 명세서에 설명된 방법들에 따르면, 기판(10)은 복수의 이격된 척 구역들을 이용하여 기판 캐리어의 지지 표면(22)에 척킹되며, 여기서, 복수의 척 구역들 중 적어도 하나의 리던던트 척 구역(31)은, 적어도 하나의 리던던트 척 구역의 고장 또는 단락의 경우, 복수의 척 구역들 중 나머지 척 구역들(33)에 의해 제공되는 그립력에 의해 기판이 지지 표면에 부착되어 홀딩되도록 하는 리던던트 그립력을 제공한다.[0052] According to the methods described herein, the substrate 10 is chucked to the support surface 22 of the substrate carrier using a plurality of spaced apart chuck sections, wherein at least one of the plurality of chuck sections The redundant chuck area 31 is configured such that in the event of a failure or short of at least one redundant chuck area, the substrate is attached to and held on the support surface by the grip force provided by the remaining chuck areas 33 of the plurality of chuck areas To provide redundant grip.

[0053] 다시 말하면, 복수의 척 구역들(32) 중 나머지 척 구역들(33), 즉 리던던트 척 구역을 배제한 모든 척 구역들은, 기판 프로세싱 동안 적어도 하나의 리던던트 척 구역(31)의 고장 또는 단락의 경우라도, 지지 표면에 기판을 신뢰가능하게 홀딩하기에 충분한 전체 그립력을 제공할 수 있다.In other words, all of the remaining chuck sections 33 of the plurality of chuck sections 32, that is, excluding the redundant chuck sections, may be broken or shorted during at least one redundant chuck section 31 during substrate processing , It is possible to provide a sufficient total gripping force to reliably hold the substrate on the support surface.

[0054] 본 명세서에 설명된 다른 실시예들과 결합될 수 있는 몇몇 실시예들에서, 복수의 척 구역들(32)의 각각의 척 구역은, 복수의 척 구역들 중 임의의 하나의 척 구역의 고장 또는 단락의 경우, 기판(10)이 복수의 척 구역들 중 나머지 척 구역들에 의해 지지 표면(22)에 홀딩되도록 하는 리던던트 척 구역으로서 구성될 수 있다.[0054] In some embodiments, which may be combined with other embodiments described herein, each chuck section of a plurality of chuck sections 32 includes a plurality of chuck sections, The substrate 10 may be configured as a redundant chuck area to hold the support surface 22 by the remaining of the plurality of chuck areas.

[0055] 다시 말하면, 복수의 척 구역들 중 임의의 척 구역의 고장 또는 쇼트의 경우, 각각의 나머지 척 구역들은, 지지 표면에 기판을 신뢰가능하게 홀딩하기에 충분히 강한 그립력을 제공한다. 기판 캐리어에 대한 기판의 움직임 또는 시프트가 회피될 수 있다.[0055] In other words, in the event of a failure or short of any of the plurality of chuck areas, each remaining chuck area provides a grip force strong enough to reliably hold the substrate on the support surface. Movement or shift of the substrate relative to the substrate carrier can be avoided.

[0056] 본 명세서에 설명된 몇몇 실시예들에 따르면, 복수의 척 구역들(32)은, 다른 척 구역들이 기능적으로 유지되고 여전히 기판을 홀딩할 때, 복수의 척 구역들(32)에 의해 생성된 전체 그립력이 적어도 단일 척 구역의 고장을 용인(tolerate)하기에 충분하도록 구성된다. 특히, 기판이 수직 배향으로 지지 표면에 홀딩되는 상황에 있더라도, 단일 리던던트 척 구역의 고장 또는 2개 또는 그 초과의 리던던트 척 구역들의 고장이 용인될 수 있다.[0056] According to some embodiments described herein, a plurality of chuck areas 32 are formed by a plurality of chuck areas 32 when the other chuck areas are functionally retained and still hold the substrate The generated total grip force is sufficient to tolerate at least a failure of the single chuck area. In particular, even in the situation where the substrate is held in a vertical orientation on the support surface, a failure of a single redundant chuck area or a failure of two or more redundant chuck areas can be tolerated.

[0057] 본 명세서에 설명된 다른 실시예들과 결합될 수 있는 몇몇 실시예들에서, 복수의 척 구역들의 5% 또는 그 초과 및 50% 또는 그 미만, 특히 10% 또는 그 초과 및 35% 또는 그 미만을 포함하는 복수의 척 구역들의 서브세트는, 복수의 척 구역들(32)의 서브세트의 고장 또는 단락의 경우, 기판이 복수의 척 구역들 중 나머지 척 구역들에 의해 지지 표면에 홀딩되도록 하는 리던던트 그립력을 제공할 수 있다.[0057] In some embodiments that may be combined with other embodiments described herein, 5% or more and 50% or less, particularly 10% or more, and 35% or more of a plurality of chuck areas A subset of the plurality of chuck areas including less than a few of the plurality of chuck areas 32 may be configured such that in the event of a failure or short of a subset of the plurality of chuck areas 32, So that it is possible to provide a redundant gripping force.

[0058] 예컨대, 몇몇 실시예들에서, 복수의 척 구역들의 50%를 포함하는 임의의 서브세트의 고장 또는 단락이 용인될 수 있다. 도 1의 실시예에서, 복수의 척 구역들 중 2개의 임의의 척 구역들의 쇼트의 경우, 기판은 여전히 지지 표면(22)에 홀딩될 수 있다. 추가적인 실시예들에서, 복수의 척 구역들의 25%를 포함하는 임의의 서브세트의 고장 또는 단락이 용인될 수 있다. 도 1의 실시예에서, 복수의 척 구역들의 임의의 척 구역의 쇼트의 경우, 기판은 여전히 지지 표면(22)에 홀딩될 수 있다. 더 추가적인 실시예들에서, 복수의 척 구역들의 10%를 포함하는 임의의 서브세트의 고장 또는 단락이 용인될 수 있다. 예컨대, 총 20개의 척 구역들을 포함하는 실시예에서, 복수의 척 구역들 중 2개의 임의의 척 구역들의 단락의 경우, 기판은 여전히 지지 표면에 홀딩될 수 있다.[0058] For example, in some embodiments, failure or shorting of any subset including 50% of a plurality of chuck areas may be tolerated. In the embodiment of FIG. 1, in the case of a shot of two arbitrary chuck areas of a plurality of chuck areas, the substrate may still be held on the support surface 22. In further embodiments, failure or shorting of any subset including 25% of the plurality of chuck areas may be tolerated. In the embodiment of FIG. 1, in the case of a shot of any of the chuck areas of the plurality of chuck areas, the substrate may still be held on the support surface 22. In further additional embodiments, failure or shorting of any subset including 10% of the plurality of chuck areas may be tolerated. For example, in an embodiment involving a total of 20 chuck areas, in the case of a short of two arbitrary chuck areas of the plurality of chuck areas, the substrate may still be held on the support surface.

[0059] 몇몇 실시예들에서, 나머지 척 구역들의 기능을 손상시키는 척 구역들 중 하나의 고장 또는 단락을 회피하기 위해, 척 구역들은, 적어도, 기판이 척 어셈블리에 의해 홀딩되는 상황에서 서로 전기적으로 디커플링될 수 있다. 본 명세서에서 사용되는 바와 같이, "전기적으로 디커플링된"은, 척 구역들 중 하나에서의 결함, 예컨대 전하 누설, 2개 또는 그 초과의 전극들 사이의 쇼트, 및/또는 2개 또는 그 초과의 전극들 사이에서의 전압 변화 또는 전압 파괴(voltage breakdown)가 나머지 척 구역들의 그립력에 어떠한 영향도 주지 않도록 하는 척 구역들 사이의 전기 분리로서 이해될 수 있다. 예컨대, 복수의 척 구역들(32)의 각각의 척 구역은 전극 어레인지먼트를 포함할 수 있으며, 여기서, 적어도 하나의 리던던트 척 구역(31)의 제1 전극 어레인지먼트는, 기판의 프로세싱 동안, 예컨대 기판 상에서의 코팅 층의 이송 및 증착 동안, 나머지 척 구역들의 나머지 전극 어레인지먼트들로부터 전기적으로 디커플링될 수 있다. 따라서, 제1 전극 어레인지먼트의 쇼트는 나머지 전극 어레인지먼트들에서의 전압 및 전하 분포들에 어떠한 영향도 주지 않을 수 있다.[0059] In some embodiments, to avoid a failure or short circuit of one of the chucking zones that impairs the function of the remaining chucking zones, the chucking zones may be electrically connected to each other at least in a situation where the substrate is held by the chucking assembly Can be decoupled. As used herein, "electrically decoupled" refers to defects in one of the chuck areas, such as charge leakage, shorts between two or more electrodes, and / or two or more It can be understood as an electrical separation between the chuck areas such that a voltage change or voltage breakdown between the electrodes does not affect the gripping force of the remaining chuck areas. For example, each of the chuck areas of the plurality of chuck areas 32 may comprise an electrode arrangement, wherein the first electrode arrangement of the at least one redundant chuck area 31 is configured to be aligned with the first electrode arrangement during processing of the substrate, During the transfer and deposition of the coating layer of the remainder of the chuck areas, from the remaining electrode arrangements. Thus, the shorting of the first electrode arrangement may not have any effect on the voltage and charge distributions in the remaining electrode arrangements.

[0060] 본 명세서에 설명된 실시예들에 따르면, 적어도 하나의 리던던트 척 구역(31)과 나머지 척 구역들(33) 사이의 전기 분리를 획득하기 위한 상이한 옵션들이 존재한다. 하나의 옵션이 도 1에 도시된다. 적어도 하나의 리던던트 척 구역(31)은, 개별적인 전력 어셈블리(51)를 이용하여, 예컨대 적어도 하나의 리던던트 척 구역(31)만을 충전하도록 구성되는 연관된 전압 소스를 이용하여 적어도 하나의 리던던트 척 구역(31)에 전력공급함으로써 나머지 척 구역들로부터 전기적으로 디커플링될 수 있다. 다른 실시예들과 결합될 수 있는 몇몇 실시예들에서, 복수의 척 구역들의 각각의 척 구역은 개별적인 전력 어셈블리(51)에 의해, 예컨대, 단일의 연관된 척 구역만을 충전하도록 구성되는 연관된 전압 소스를 이용하여 전력공급받을 수 있다. 따라서, 척 구역들 중 하나의 고장 또는 쇼트는, 나머지 척 구역들이 상이한 개별적인 전압 소스들에 의해 전력공급받기 때문에 나머지 척 구역들에 어떠한 영향도 주지 않을 것이다. 몇몇 실시예들에서, 개별적인 전력 어셈블리들(51)은 제어기에 의해 제어될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 개별적인 전력 어셈블리들은 기판 캐리어 상에서 제공될 수 있는 공통 하우징에 통합될 수 있다.[0060] According to the embodiments described herein, there are different options for achieving electrical separation between the at least one redundant chuck area 31 and the remaining chuck areas 33. One option is shown in FIG. The at least one redundant chuck section 31 may be configured to use at least one redundant chuck section 31 (for example, at least one redundant chuck section 31) using an associated power source, Lt; RTI ID = 0.0 > electrochromic < / RTI > from the remaining chucks. In some embodiments, which may be combined with other embodiments, each of the chuck areas of the plurality of chuck areas is coupled to a respective voltage source, such as, for example, an associated voltage source So that the power can be supplied. Thus, a failure or short in one of the chuck areas will have no effect on the remaining chuck areas since the remaining chuck areas are powered by the different individual voltage sources. In some embodiments, the individual power assemblies 51 may be controlled by a controller. In some embodiments, individual power assemblies may be integrated into a common housing that may be provided on a substrate carrier.

[0061] 개별적인 전력 어셈블리들(51)은, 1kV 또는 그 초과, 특히 2kV 또는 그 초과, 및/또는 10kV 또는 그 미만, 특히 4kV 또는 그 미만의 전압을 각각 제공하도록 구성되는 고전압 모듈들로서 구성될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 개별적인 전력 어셈블리들(51)은, 예컨대, 유기 매트릭스 전극 어레인지먼트들이 사용되는 경우, 예컨대, 1kV 내지 2kV의 전압 범위 내에서 전력 어셈블리들의 전압들을 개별적으로 제어하기 위한 제어기에 연결된다. 세라믹 매트릭스의 경우, 더 높은 전압들이 사용될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 고전압 모듈들은 전압 변환기 또는 변압기를 각각 포함할 수 있다.[0061] The individual power assemblies 51 may be configured as high voltage modules configured to provide voltages of 1 kV or more, in particular 2 kV or more, and / or 10 kV or less, in particular 4 kV or less, respectively have. In some embodiments, the individual power assemblies 51 are connected to a controller for individually controlling the voltages of the power assemblies, e.g., within a voltage range of 1 kV to 2 kV, for example when organic matrix electrode arrangements are used . In the case of a ceramic matrix, higher voltages may be used. In some embodiments, the high voltage modules may each include a voltage converter or a transformer.

[0062] 본 명세서에 설명된 몇몇 실시예들에 따르면, 기판 및 선택적으로는 마스크는 복수의 척 구역들을 이용하여 기판 캐리어의 지지 표면에 클램핑되며, 여기서, 하나 또는 그 초과의 척 구역들은 리던던트 척 구역들로서 구성된다. 척 어셈블리에 의해 지지 표면에 홀딩되는 기판은 "척킹된 기판"으로 또한 지칭될 수 있다. 척킹된 기판은, 척 어셈블리에 의해 생성된 정전 또는 자기 그립력을 통해 지지 표면에 클램핑되는 동안, 예컨대, 본질적으로 수직 배향으로 기판을 홀딩하는 동안 프로세싱 챔버 내로 이송될 수 있다. 척킹된 기판은 프로세싱 챔버에서 코팅될 수 있다.[0062] According to some embodiments described herein, a substrate and optionally a mask are clamped to a support surface of a substrate carrier using a plurality of chuck sections, wherein one or more of the chuck sections are connected to a redundant chuck ≪ / RTI > A substrate held on a support surface by a chuck assembly may also be referred to as a "chucked substrate ". The chucked substrate may be transferred into the processing chamber while being clamped to the support surface through electrostatic or magnetic grip forces generated by the chuck assembly, e.g., while holding the substrate in an essentially vertical orientation. The chucked substrate may be coated in a processing chamber.

[0063] 코팅 이후, 척킹된 기판은 프로세싱 챔버 밖으로 이송되고, 지지 표면으로부터 디-척킹 및 제거될 수 있다.[0063] After coating, the chucked substrate may be transported out of the processing chamber and de-chucked and removed from the support surface.

[0064] 특히 기판의 본질적으로 수직 배향으로의 기판의 이전(transferal) 및 코팅 동안, 척 구역들 중 하나의 쇼트 또는 다른 결함이 나머지 척 구역들의 고장을 유발할 수 없도록 척 구역들은 서로 계속 전기적으로 디커플링될 수 있다. 고장 방지가 개선될 수 있다.[0064] During transfer and coating of the substrate, especially in the essentially vertical orientation of the substrate, the chuck sections continue to be electrically decoupled from one another so that one of the chuck sections or other defects can not cause failure of the remaining chuck sections . The failure prevention can be improved.

[0065] 도 2는 본 명세서에 설명된 실시예들에 따른 방법들을 수행하도록 구성된 기판 캐리어 시스템(20)의 개략도이다. 도 2의 실시예는 위에서 설명된 실시예들과 유사하므로, 도 2에서 반복되지 않는 위의 설명들에 대한 참조가 이루어질 수 있다.[0065] FIG. 2 is a schematic diagram of a substrate carrier system 20 configured to perform methods in accordance with the embodiments described herein. Since the embodiment of Figure 2 is similar to the embodiments described above, references to the above descriptions that are not repeated in Figure 2 can be made.

[0066] 도 2를 예시적으로 참조하면, 본 명세서에 설명된 임의의 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따라, 기판 캐리어 시스템(20)은, 선형 어레인지먼트로 배열된 총 3개의 척 구역들을 갖는 정전 척 어셈블리(30)를 포함할 수 있다. 기판 캐리어 시스템(20)은, 파선 사각형으로 개략적으로 도시된 기판(10)을 지지하기 위한 지지 표면(22)을 갖는 기판 캐리어(21)를 포함할 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 마스크(도시되지 않음)는 기판(10) 위에 정전 척 어셈블리(30)에 의해 홀딩된다. 복수의 척 구역들(32)은 기판 캐리어(21) 내에 또는 그 곳에, 예컨대 기판 캐리어의 몸체 내에 배치될 수 있다.2, according to embodiments that may be combined with any of the other embodiments described herein, the substrate carrier system 20 may include a total of three And an electrostatic chuck assembly 30 having chuck sections. The substrate carrier system 20 may include a substrate carrier 21 having a support surface 22 for supporting a substrate 10 schematically illustrated by a dashed square. In some embodiments, a mask (not shown) is held on the substrate 10 by an electrostatic chuck assembly 30. A plurality of chuck areas 32 may be disposed in or on the substrate carrier 21, e.g., within the body of the substrate carrier.

[0067] 복수의 척 구역들(32) 중 적어도 하나의 척 구역은, 적어도 하나의 리던던트 척 구역(31)의 결함의 경우, 예컨대, 적어도 하나의 리던던트 척 구역에 의해 제공된 그립력의 중단(lapse)을 유발하는 단락 또는 다른 결함의 경우, 복수의 척 구역들(32) 중 나머지 척 구역들(33)에 의해 기판이 지지 표면에 홀딩되도록 하는 리던던트 그립력을 제공하도록 구성된 리던던트 척 구역으로서 구성된다.[0067] At least one of the plurality of chuck areas 32 may have a chuck area, in the case of a defect in at least one redundant chuck area 31, for example, a lapse of grip force provided by at least one redundant chuck area, In the case of a short circuit or other defect causing the substrate to be held on the support surface by the remaining chuck sections 33 of the plurality of chuck sections 32.

[0068] 적어도 하나의 리던던트 척 구역(31)은, 척킹된 기판의 프로세싱 동안 나머지 척 구역들(33)의 나머지 전극 어레인지먼트들(43)로부터 전기적으로 디커플링될 수 있는 제1 전극 어레인지먼트(41)를 포함할 수 있다. 따라서, 적어도 하나의 리던던트 척 구역(31)의 쇼트는, 여전히 기능적으로 유지될 수 있는 나머지 척 구역들(33)에 어떠한 영향도 주지 않는다.At least one redundant chuck section 31 may include a first electrode arrangement 41 that can be electrically decoupled from the remaining electrode arrangements 43 of the remaining chuck sections 33 during processing of the chucked substrate . Thus, the shorting of at least one redundant chuck area 31 has no effect on the remaining chuck areas 33, which can still be retained functionally.

[0069] 본 명세서에 설명된 다른 실시예들과 결합될 수 있는 몇몇 실시예들에서, 복수의 척 구역들(32)의 각각의 척 구역은 제1 전극(45) 및 제2 전극(46)을 포함하며, 여기서, 제2 전극(46)은 제1 전극(45)과 인터리빙될 수 있다. 제1 전극(45)은, 제1 전압, 예컨대 양의 전압을 제1 전극에 인가하도록 구성된 각각의 전력 어셈블리(51)의 제1 전압 단자에 연결될 수 있고, 제2 전극(46)은, 제1 전압과는 상이한 제2 전압, 예컨대 음의 전압을 제2 전극에 인가하도록 구성된 각각의 전력 어셈블리(51)의 제2 전압 단자에 연결될 수 있다. 개별적인 전력 어셈블리들(51)은, 각각 배터리에 의해 충전될 수 있고 그리고/또는 제어기(55)에 의해 제어될 수 있는 고전압 소스들로서 구성될 수 있다.[0069] In some embodiments, which may be combined with other embodiments described herein, each of the chuck areas of the plurality of chuck areas 32 includes a first electrode 45 and a second electrode 46, Wherein the second electrode 46 may be interleaved with the first electrode 45. The first electrode 45 may be connected to a first voltage terminal of each power assembly 51 configured to apply a first voltage, e.g., a positive voltage, to the first electrode, 1 voltage to a second voltage terminal of each power assembly 51 configured to apply a second voltage, e. G., A negative voltage, to the second electrode. The individual power assemblies 51 may be configured as high voltage sources, each of which may be charged by the battery and / or controlled by the controller 55. [

[0070] 본 명세서에 개시된 다른 실시예들과 결합될 수 있는 몇몇 실시예들에서, 제어기(55)는, 전력 어셈블리들(51)에 의해 척 구역들로 제공되는 전압들이 개별적으로 조정될 수 있도록 하는 제어 신호들을 전력 어셈블리들에 제공하도록 동작될 수 있다. 예컨대, 전력 어셈블리들(51)에 의해 제공되는 전압 타이밍, 전압 레벨 및/또는 전압 곡선이 개별적으로 제어될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 바람직하지 않은 입자들을 생성하는 방식으로 기판이 지지 표면과 접촉하는 것을 방지하기 위해, 기판(10)을 지지 표면에 정전식으로 클램핑하는 데 사용되는 정전 그립력이 점차 증가하도록, 전력 어셈블리들에 의해 제공되는 전압들이 램핑 업(ramp up)될 수 있다. 각각의 척 구역은 다른 척 구역들과 독립적으로 제어될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 전극 어레인지먼트들은, 기판과 지지 표면 사이에 에어 포켓(air pocket)들이 포획(trap)되는 것을 감소시키거나 또는 방지하는 방식으로 기판을 지지 표면에 척킹하는 중심 대 에지 또는 에지 대 대향하는 에지 시퀀스로 에너자이징(energize) 또는 랩핑 업될 수 있으며, 이는 척킹된 기판의 평탄도를 개선시킨다.[0070] In some embodiments, which may be combined with other embodiments described herein, the controller 55 may be configured to allow the voltages provided by the power assemblies 51 to be individually adjusted And to provide control signals to the power assemblies. For example, the voltage timing, voltage level, and / or voltage curve provided by the power assemblies 51 can be controlled individually. In some embodiments, the electrostatic gripping force used to electrostatically clamp the substrate 10 to the support surface is gradually increased to prevent the substrate from contacting the support surface in a manner that produces undesirable particles, The voltages provided by the power assemblies can be ramped up. Each chuck area can be controlled independently of other chuck areas. In some embodiments, the electrode arrangements include a center-to-edge or edge-to-edge assembly that chucks the substrate to the support surface in a manner that reduces or prevents air pockets between the substrate and the support surface from being trapped. Can be energized or wrapped up in opposing edge sequences, which improves the flatness of the chucked substrate.

[0071] 개별적인 전력 어셈블리들(51)은, 이를테면, 기판이 진공 프로세싱 시스템을 통해 이송될 경우 기판 캐리어(21)와 함께 이동가능하도록 기판 캐리어(21) 상에 제공될 수 있다. 따라서, 기판 프로세싱 동안 척 구역들의 전극 어레인지먼트들에 계속 전력공급하는 것, 즉 전극 어레인지먼트들을 전력공급 전압과 계속 연결시키는 것이 가능하다. 몇몇 경우들에서, 계속적인 전력공급이 필요하지 않을 수 있다. 예컨대, 전극 어레인지먼트들이 시간에 걸쳐 너무 많은 전하를 잃지 않는 것을 보장하기 위해 그리고/또는 전극 어레인지먼트들이 기판의 사이즈 및/또는 무게에 적응된 일정 양의 전하를 끊임없이 제공받는 것을 보장하기 위해, 미리 결정된 시간 간격들로 전극 어레인지먼트들을 재충전하는 것이 충분할 수 있다. 예컨대, 몇몇 실시예들에서, 척 구역들은 기판 프로세싱 동안, 수 분 또는 수 초의 시간 간격들 또는 심지어 1초-미만(sub-second)의 시간 간격들로 재충전된다. 몇몇 실시예들에서, 제어기(55)는 미리 결정된 시간 간격들의 척 구역들의 재충전을 제어하도록 구성된다.[0071] Individual power assemblies 51 may be provided on the substrate carrier 21 to be movable with the substrate carrier 21, such as when the substrate is transported through a vacuum processing system. Thus, it is possible to continue to power the electrode arrangements of the chuck areas during substrate processing, i.e., to continuously connect the electrode arrangements with the power supply voltage. In some cases, continuous power supply may not be required. For example, in order to ensure that the electrode arrangements do not lose too much charge over time and / or to ensure that the electrode arrangements are constantly provided with a certain amount of charge adapted to the size and / or weight of the substrate, It may be sufficient to refill the electrode arrangements at intervals. For example, in some embodiments, the chuck areas are recharged during substrate processing with time intervals of a few minutes or even a few seconds, or even sub-second time intervals. In some embodiments, the controller 55 is configured to control recharging of the chucking areas of predetermined time intervals.

[0072] 도 3은 본 명세서에 설명된 실시예들에 따른 방법들을 수행하도록 구성된 기판 캐리어 시스템(20)의 개략도이다. 도 3의 실시예는 위에서 설명된 실시예들과 유사하므로, 도 3에서 반복되지 않는 위의 설명들에 대한 참조가 이루어질 수 있다.[0072] FIG. 3 is a schematic diagram of a substrate carrier system 20 configured to perform methods in accordance with the embodiments described herein. Since the embodiment of Figure 3 is similar to the embodiments described above, references to the above descriptions that are not repeated in Figure 3 can be made.

[0073] 도 3을 예시적으로 참조하면, 본 명세서에 설명된 임의의 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따라, 기판 캐리어 시스템(20)은, 복수의 척 구역들(32)을 갖는 정전 척 어셈블리(30)를 포함할 수 있다. 각각의 척 구역은, 예컨대, 적어도 제1 전극(45) 및 제2 전극(46)을 갖는 전극 어레인지먼트를 포함할 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 적어도 하나의 리던던트 척 구역(31)의 제1 전극 어레인지먼트(41)는 나머지 척 구역들(33)의 나머지 전극 어레인지먼트들(43)로부터 전기적으로 디커플링될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 복수의 척 구역들의 각각의 척 구역은, 제1 척 구역의 쇼트가 나머지 척 구역들에 의해 제공되는 그립력을 손상시키지 않도록 나머지 척 구역들로부터 전기적으로 디커플링된다.3, according to embodiments that may be combined with any of the other embodiments described herein, the substrate carrier system 20 includes a plurality of chuck sections 32, Lt; RTI ID = 0.0 > 30 < / RTI > Each of the chuck areas may comprise, for example, an electrode arrangement having at least a first electrode 45 and a second electrode 46. In some embodiments, the first electrode arrangement 41 of at least one redundant chuck area 31 may be electrically decoupled from the remaining electrode arrangements 43 of the remaining chuck areas 33. In some embodiments, each of the chuck areas of the plurality of chuck areas is electrically decoupled from the remaining chuck areas such that the short of the first chuck area does not impair the gripping force provided by the remaining chuck areas.

[0074] 도 3에 도시된 실시예에서, 복수의 척 구역들(32) 중 2개 또는 그 초과의 척 구역들 및 특히 모든 척 구역들은 동일한 전력 어셈블리에 의해, 예컨대 고전압 소스에 의해 전력공급받을 수 있다. 본 명세서에서 사용되는 바와 같이, "전력공급"은, 전극 어레인지먼트가 충전 또는 재충전되도록 하는 전력 어레인지먼트의 하나 또는 그 초과의 전압 단자들과 척 구역의 전극 어레인지먼트의 전기 연결로서 이해될 수 있다.[0074] In the embodiment shown in Figure 3, two or more of the plurality of chuck sections 32, and in particular all of the chuck sections, and in particular all of the chuck sections, are received by the same power assembly, . As used herein, "power supply" can be understood as the electrical connection of one or more of the voltage terminals of the power arrangement that causes the electrode arrangement to be charged or refilled to the electrode arrangement of the chuck area.

[0075] 척 구역들 사이의 전기 분리를 보장하기 위해, 후속하여 척 구역들은 전력공급받을 수 있다. 다시 말하면, 제1 전력공급 페이즈에서, 적어도 하나의 리던던트 척 구역(31)의 제1 전극 어레인지먼트(41)는 스위칭 디바이스(61)를 이용하여 제1 전극 어레인지먼트(41)와 전력 어셈블리(50) 사이의 전기 연결을 폐쇄함으로써 전력공급받을 수 있다. 제1 전력공급 페이즈에서, 제1 전극 어레인지먼트(41)만이 전력공급받을 수 있지만, 나머지 척 구역들(33)의 나머지 전극 어레인지먼트들(43)은, 예컨대, 스위칭 디바이스(61)를 이용하여 각각의 전기 연결들을 개방함으로써 전력 어셈블리(50)로부터 연결해제될 수 있다.[0075] To ensure electrical separation between the chuck areas, subsequently the chuck areas can be powered. In other words, in the first power supply phase, the first electrode arrangement 41 of the at least one redundant chuck section 31 is connected between the first electrode arrangement 41 and the power assembly 50 using the switching device 61 Lt; / RTI > can be powered by closing the electrical connection of the < / RTI > In the first power supply phase, only the first electrode arrangement 41 can be powered, but the remaining electrode arrangements 43 of the remaining chuck areas 33 are connected to the respective electrode arrangements 43, And may be disconnected from the power assembly 50 by opening electrical connections.

[0076] 제2 전력공급 페이즈에서, 제2 척 구역의 제2 전극 어레인지먼트가 전력공급받을 수 있는 반면, 제1 전극 어레인지먼트(41) 및 나머지 전극 어레인지먼트들은 전력 어셈블리(50)로부터 연결해제될 수 있다. 제2 척 구역만이 제2 전력공급 페이즈에서 전력공급받을 수 있다.[0076] In the second power supply phase, the second electrode arrangement of the second chuck area can be powered up, while the first electrode arrangement 41 and the remaining electrode arrangements can be disconnected from the power assembly 50 . Only the second chuck area can be powered up in the second power supply phase.

[0077] 전력공급은, 스위칭 디바이스를 이용하여 복수의 척 구역들 중 다른 척 구역들을 후속하여 전력 어셈블리에 연결시킴으로써 계속될 수 있으며, 특히 여기서, 복수의 척 구역들 중 한번에 하나의 척 구역만이 전력 어셈블리에 전기적으로 연결되는 반면, 각각의 나머지 척 구역들과 전력 어셈블리 사이의 연결들은 개방될 수 있다.[0077] The power supply can be continued by connecting the other of the plurality of chuck areas to the power assembly using a switching device, in particular, where only one chuck area at a time, While the electrical connections to the power assemblies are electrically connected, the connections between the respective remaining chucks and the power assemblies can be opened.

[0078] 몇몇 실시예들에서, 스위칭 디바이스(61)는 전력 어셈블리(50)와 척 구역들의 전극 어레인지먼트들 사이에 배열될 수 있다. 척 구역들 사이의 전기 분리는, 한번에 하나의 척 구역만이 전력 어셈블리의 살아있는(live) 전압 단자에 전기적으로 연결되도록 스위칭 디바이스를 제어함으로써 보장될 수 있다.[0078] In some embodiments, the switching device 61 may be arranged between the electrode assemblies of the power assembly 50 and the chuck areas. Electrical separation between the chuck areas can be ensured by controlling the switching device so that only one chuck area at a time is electrically connected to the live voltage terminal of the power assembly.

[0079] 스위칭 디바이스(61)는 복수의 스위치 포지션들을 갖는 스위치로서 구성될 수 있으며, 여기서, 복수의 스위치 포지션들의 각각의 스위치 포지션은, 전력 어셈블리로부터 각각의 나머지 척 구역들을 연결해제하면서 하나의 척 구역에 전력공급 또는 전력차단하도록 구성될 수 있다. 스위치 포지션들의 수는 척 구역들의 수에 대응할 수 있다.[0079] The switching device 61 may be configured as a switch having a plurality of switch positions, wherein each switch position of the plurality of switch positions is coupled to one chuck Or may be configured to power or power down the zone. The number of switch positions may correspond to the number of chuck zones.

[0080] 스위칭 디바이스(61)는, 복수의 스위치 포지션들 각각에서, 복수의 척 구역들 중 일정 척 구역들이 서로 전기적으로 분리될 수 있도록 구성될 수 있다.[0080] The switching device 61 can be configured such that, in each of a plurality of switch positions, certain ones of the plurality of chuck areas are electrically disconnected from each other.

[0081] 척 구역은, 척 구역의 전극 어레인지먼트를 전력 어셈블리의 하나 또는 그 초과의 전압 단자들과 전기적으로 연결시킴으로써 기판을 그립하도록 전력공급받을 수 있다. 척 구역은, 척 구역의 전극 어레인지먼트를 전력 어셈블리의 하나 또는 그 초과의 전압 단자들과 재연결시킴으로써 미리 결정된 시간 간격들로 재충전될 수 있다. 상이한 전압을 제공하는, 전력 어셈블리의 하나 또는 그 초과의 전압 단자들과 척 구역의 전극 어레인지먼트를 연결시킴으로써, 예컨대, 전극 어레인지먼트를 접지시킴으로써, 예컨대, 기판을 해제하기 위해 척 구역은 전력차단될 수 있다.[0081] The chuck area may be powered to grip the substrate by electrically connecting the electrode arrangement of the chuck area to one or more voltage terminals of the power assembly. The chuck area may be recharged at predetermined time intervals by reconnecting the electrode arrangement of the chuck area with one or more voltage terminals of the power assembly. By connecting one or more voltage terminals of the power assembly to the electrode arrangement of the chuck area, providing different voltages, for example by grounding the electrode arrangement, for example, the chuck area can be powered off to release the substrate .

[0082] 몇몇 실시예들에서, 척 구역들은, 제1 전극(45) 및 제2 전극(46)을 갖는 전극 어레인지먼트를 각각 포함하는 양극 척 구역들 또는 다극 척 구역들로서 구성될 수 있다. 전력 어셈블리(50)는, 전극 어레인지먼트들의 제1 전극들(45)에 후속하여 연결가능할 수 있는 제1 전압 단자(52), 및 전극 어레인지먼트들의 제2 전극들(46)에 후속하여 연결가능할 수 있는 제2 전압 단자(53)를 포함할 수 있다. 제1 전압 단자(52)는 제2 전압 단자(53)와는 상이한 전압을 제공할 수 있다. 양극 e-척 어셈블리가 사용되면, 제1 전압 단자(52)에 의해 제공되는 전압은 제2 전압 단자(53)에 의해 제공되는 전압의 역일 수 있다.[0082] In some embodiments, the chuck areas may be configured as bipolar chuck areas or multipole chuck areas, each comprising an electrode arrangement having a first electrode 45 and a second electrode 46. The power assembly 50 includes a first voltage terminal 52 that may be subsequently connectable to the first electrodes 45 of the electrode arrangements and a second voltage terminal 52 that may subsequently be coupled to the second electrodes 46 of the electrode arrangements. And a second voltage terminal 53 as shown in FIG. The first voltage terminal 52 may provide a different voltage than the second voltage terminal 53. [ When the bipolar e-chuck assembly is used, the voltage provided by the first voltage terminal 52 may be the inverse of the voltage provided by the second voltage terminal 53. [

[0083] 도 3에 예시적으로 도시된 제1 전력공급 페이즈에서, 스위칭 디바이스(61)가 제1 스위치 포지션으로 제공되며, 여기서, 적어도 하나의 리던던트 척 구역(31)의 제1 전극(45)은 제1 전압 단자(52)에 연결되고, 적어도 하나의 리던던트 척 구역(31)의 제2 전극(46)은 제2 전압 단자(53)에 연결된다. 동시에, 나머지 척 구역들(33)은 스위칭 디바이스(61)에 의해 전력 어셈블리(50)로부터 그리고/또는 서로 연결해제될 수 있다. 적어도 하나의 리던던트 척 구역(31)은 개별적으로 전력공급받거나, 재충전되거나, 그리고/또는 전력차단될 수 있다. 적어도 하나의 리던던트 척 구역에 의해 제공될 그립력은 적절하게 조정될 수 있다.3, the switching device 61 is provided in a first switch position, wherein the first electrode 45 of the at least one redundant chuck section 31 is connected to the first electrode 45 of the at least one redundant chuck section 31. [0083] In the first power supply phase, And the second electrode 46 of the at least one redundant chuck region 31 is connected to the second voltage terminal 53. The second voltage terminal 53 is connected to the first voltage terminal 52, At the same time, the remaining chucks 33 may be disconnected from the power assembly 50 and / or by the switching device 61. At least one redundant chuck area 31 may be individually powered, recharged, and / or powered off. The grip force to be provided by the at least one redundant chuck region can be appropriately adjusted.

[0084] 제2 전력공급 페이즈(도시되지 않음)에서, 스위칭 디바이스(61)는 제2 스위치 포지션으로 설정될 수 있으며, 여기서, 추가적인 척 구역의 제1 전극 및 제2 전극만이 제1 전압 단자(52) 및 제2 전압 단자(53)에 각각 연결되는 반면, 각각의 나머지 척 구역들은 전력 어셈블리(50)로부터 전기적으로 분리된다. 추가적인 척 구역에 의해 제공될 그립력은 적절하게 조정될 수 있다. 나머지 척 구역들에 전력공급하거나, 그들을 재충전하거나 또는 그들에 전력차단하기 위한 추가적인 전력공급 페이즈들이 후속할 수 있다.In the second power supply phase (not shown), the switching device 61 may be set to the second switch position, where only the first electrode and the second electrode of the additional chuck section are connected to the first voltage terminal Each of the remaining chucks is electrically disconnected from the power assembly 50, while the second voltage terminal 52 is connected to the second voltage terminal 53, respectively. The gripping force to be provided by the additional chucking area can be appropriately adjusted. Additional power supply phases may be followed to power the remaining chucks, recharge them, or power them off.

[0085] 따라서, 본 명세서에 설명된 다른 실시예들과 결합될 수 있는 몇몇 실시예들에서, 복수의 척 구역들(32)과 전력 어셈블리(50) 사이에 연결된 스위칭 디바이스(61)는, 복수의 척 구역들(32) 중 선택된 척 구역을 한번에 전력 어셈블리와 연결시켜, 선택된 척 구역에 전력공급 또는 전력차단하도록 구성될 수 있다. 예컨대, 척킹된 기판의 프로세싱 동안에 기판의 그립 동안 그리고 전극 어레인지먼트의 재충전 동안, 척 구역들 사이의 계속적인 전기 분리가 보장될 수 있다.[0085] Thus, in some embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the switching device 61 connected between the plurality of chuck areas 32 and the power assembly 50 may comprise a plurality May be configured to connect a selected one of the chuck areas (32) of the at least one of the plurality of chuck sections (32) to the power assembly at one time to power or cut off power to the selected chuck area. For example, during the processing of the chucked substrate during grip of the substrate and during recharging of the electrode arrangement, continuous electrical separation between the chuck areas can be ensured.

[0086] 본 명세서에 설명된 다른 실시예들과 결합될 수 있는 몇몇 실시예들에서, 스위칭 디바이스(61)는 전자기계 스위치, 중계부, 재설정가능한 퓨즈, 다이오드 회로, 및/또는 트랜지스터 회로 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.[0086] In some embodiments, which may be combined with other embodiments described herein, the switching device 61 may include at least one of an electromechanical switch, a relay, a resettable fuse, a diode circuit, and / One can be included.

[0087] 몇몇 실시예들에서, 전력 어셈블리(50) 및/또는 스위칭 디바이스(61)를 제어하여, 후속으로(subsequently), 미리 결정된 전력공급 시퀀스로 복수의 척 구역들에 전력공급하기 위한 제어기(55)가 제공된다. 몇몇 실시예들에서, 전력공급 시퀀스는, 이미 충전된 척 구역들을 특정한 시간 간격들로 재충전하기 위해 2회 또는 그 초과의 횟수들로 반복될 수 있다. 예컨대, 척 구역들의 전극 어레인지먼트들은 시간에 걸쳐 전하를 잃을 수 있으며, 미리 결정된 시간 간격들로 전압 단자들과 전극 어레인지먼트들을 재연결시킴으로써 재충전될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 전력공급 시퀀스는 계속 반복된다.[0087] In some embodiments, a controller (not shown) for controlling power assembly 50 and / or switching device 61 to subsequently power multiple chuck zones with a predetermined power supply sequence 55 are provided. In some embodiments, the power supply sequence may be repeated two or more times to recharge already filled chuck areas at specific time intervals. For example, the electrode arrangements of the chuck areas may lose charge over time and may be recharged by reconnecting voltage terminals and electrode arrangements at predetermined time intervals. In some embodiments, the power supply sequence is continuously repeated.

[0088] 도 4는 본 명세서에 설명된 실시예들에 따른 방법들 중 임의의 방법을 수행하도록 구성된 기판 캐리어 시스템(20)의 개략도이다. 도 4의 실시예는 위에서 설명된 실시예들의 특성들 중 일부 또는 전부를 임의의 조합으로 포함할 수 있으므로, 도 4에서 반복되지 않는 위의 설명들에 대한 참조가 이루어질 수 있다.[0088] FIG. 4 is a schematic diagram of a substrate carrier system 20 configured to perform any of the methods according to the embodiments described herein. The embodiment of FIG. 4 may include some or all of the features of the embodiments described above in any combination, so that references to the above descriptions not repeated in FIG. 4 may be made.

[0089] 도 4를 예시적으로 참조하면, 본 명세서에 설명된 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따라, 적어도 하나의 리던던트 척 구역(31)은 적어도 하나의 전극을 갖는 제1 전극 어레인지먼트(41)를 포함할 수 있다. 적어도 하나의 전극은 적어도 하나의 전극에 전력공급하기 위해 전력 어셈블리(50)의 전압 단자에 연결가능할 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 전력 어셈블리(50)는 복수의 척 구역들의 각각의 척 구역에 전력공급하도록 구성될 수 있다.4, according to embodiments that may be combined with other embodiments described herein, at least one redundant chuck region 31 may include a first And an electrode arrangement 41. At least one electrode may be connectable to a voltage terminal of the power assembly 50 to power at least one electrode. In some embodiments, the power assembly 50 may be configured to power each of the chuck areas of the plurality of chuck areas.

[0090] 본 명세서에 설명된 다른 실시예들과 결합될 수 있는 몇몇 실시예들에서, 기판 캐리어 시스템(20)은, 예컨대 척킹 동안, 전력공급 포지션에서 적어도 하나의 전극을 향한 방향으로만 전류 유동을 허용하도록 구성된 보호 회로(65)를 더 포함할 수 있다. 적어도 하나의 전극으로부터 멀어지는, 예컨대 전력 어셈블리를 향한 및/또는 나머지 척 구역들을 향한 방향의 전류 유동은, 예컨대 척킹 동안, 이송 동안 및/또는 척킹된 기판의 추가적인 프로세싱 동안 전력공급 포지션에서 차단될 수 있다. 따라서, 적어도 하나의 전극으로부터 멀어지는 전류 유동이 전력공급 포지션에서 보호 회로(65)에 의해 차단될 수 있으므로, 나머지 척 구역들 중 하나에서의 전압 파괴 또는 전하 파괴조차도 적어도 하나의 리던던트 척 구역에서 전하 드롭을 유발하지 않을 수 있다.[0090] In some embodiments, which may be combined with other embodiments described herein, the substrate carrier system 20 may include a current flow only in a direction toward at least one electrode in the power supply position, The protection circuit 65 may be configured to allow the protection circuit 65 to operate. The current flow away from the at least one electrode, e.g., toward the power assembly and / or toward the remaining chuck areas, can be blocked at the power supply position, e.g. during chucking, during transfer and / or during further processing of the chucked substrate . Thus, since the current flow away from the at least one electrode can be blocked by the protection circuit 65 at the power supply position, even voltage breakdown or charge breakdown in one of the remaining chuck areas can be prevented by the charge drop in at least one redundant chuck area . ≪ / RTI >

[0091] 예컨대, 보호 회로(65)는 하나의 방향으로의 전하 유동을 차단하고 다른 방향으로의 전하 유동을 허용하기 위한 다이오드(67) 또는 다른 반도체 엘리먼트를 포함할 수 있다.[0091] For example, the protection circuit 65 may include a diode 67 or other semiconductor element for blocking charge flow in one direction and allowing charge flow in another direction.

[0092] 몇몇 실시예들에서, 적어도 하나의 리던던트 척 구역(31)의 제1 전극 어레인지먼트(41)는 제1 전극(45) 및 제2 전극(46)을 적어도 포함할 수 있다. 기판 프로세싱 동안, 제1 전극(45)은 양의 전위 상에 제공될 수 있고, 제2 전극(46)은 음의 전위 상에 제공될 수 있거나, 또는 그 역도 가능하다. 예컨대, 제1 전극(45)은, 예컨대 양의 전압을 제공하는, 전력 어셈블리(50)의 제1 전압 단자(52)에 연결가능할 수 있고, 제2 전극(46)은, 예컨대 대응하는 음의 전압을 제공하는, 전력 어셈블리의 제2 전압 단자(53)에 연결가능할 수 있다.[0092] In some embodiments, the first electrode array 41 of the at least one redundant chuck region 31 may include at least a first electrode 45 and a second electrode 46. During substrate processing, the first electrode 45 may be provided on a positive potential and the second electrode 46 may be provided on a negative potential, or vice versa. For example, the first electrode 45 may be connectable to a first voltage terminal 52 of the power assembly 50, which provides a positive voltage, for example, and the second electrode 46 may be coupled to the first voltage terminal 52, May be connectable to a second voltage terminal (53) of the power assembly, providing a voltage.

[0093] 보호 회로(65)는, 전력공급 포지션의 제1 전극(45)으로부터의 유동으로부터 멀어지는 전류 유동을 차단하면서, 제1 전극(45)을 향한 전류 유동을 허용하도록 구성될 수 있다. 예컨대, 다이오드(67)는, 전압이 순방향, 예컨대 양의 전압으로 인가되는 경우 제1 전극(45)을 향한 전류 유동이 허용되도록 제1 전압 단자(52)와 제1 전극(45) 사이에 연결될 수 있다. 추가로, 보호 회로(65)는, 전력공급 포지션에서 제2 전극(46)으로부터 멀어지는 음의 전류 유동을 차단하면서, 제2 전극(46)을 향한 음의 전류 유동을 허용하도록 구성될 수 있다. 예컨대, 제2 다이오드(69)는, 전압이 역방향, 예컨대 음의 전압으로 인가되는 경우 제2 전극(46)을 향한 전류 유동이 허용되도록 제2 전압 단자(53)와 제2 전극(46) 사이에 연결될 수 있다. 따라서, 제2 전극(46)이 제1 전극(45)에 대해 역으로 충전될 수 있으면서, 양으로 충전된 제1 전극 및 음으로 충전된 제2 전극 둘 모두의 방전이 방지될 수 있다.The protection circuit 65 may be configured to allow current flow toward the first electrode 45 while blocking current flow away from the flow from the first electrode 45 of the power supply position. For example, the diode 67 is connected between the first voltage terminal 52 and the first electrode 45 such that current flow toward the first electrode 45 is allowed when the voltage is applied in a forward direction, e.g., a positive voltage . In addition, the protection circuit 65 may be configured to allow a negative current flow toward the second electrode 46 while blocking negative current flow away from the second electrode 46 at the power supply position. For example, the second diode 69 may be connected between the second voltage terminal 53 and the second electrode 46 such that a current flow toward the second electrode 46 is permitted when the voltage is applied in a reverse direction, Lt; / RTI > Thus, the discharge of both the positively charged first electrode and the negatively charged second electrode can be prevented while the second electrode 46 can be reversely charged with respect to the first electrode 45.

[0094] 본 명세서에 설명된 다른 실시예들과 결합될 수 있는 몇몇 실시예들에서, 보호 회로(65)는, 예컨대 전극에 전력공급하기 위해 전극을 향한 전류 유동, 또는 예컨대 전극에 전력차단하기 위해 전극으로부터 멀어지는 방향의 전류 유동 중 어느 하나를 선택적으로 허용하도록 구성될 수 있다. 전극에 전력공급하기 위해 전력 어셈블리(50)로부터 전극을 향한 방향의 전류 유동을 허용하는 전력공급 포지션으로 보호 회로(65)를 설정하기 위해 스위치(66)가 제공될 수 있다. 전극에 전력차단하기 위해, 스위치(66)는, 전극으로부터 멀어지는 전류 유동을 허용하는 전력차단 포지션으로 설정될 수 있다. 예컨대, 전력차단 다이오드(71)는 전극과 전력 어셈블리(50) 사이에 연결될 수 있으며, 이는 다이오드(67)와 비교할 때 역으로 배열될 수 있다.[0094] In some embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the protection circuitry 65 may include, for example, a current flow towards the electrodes to power the electrodes, And a current flow in a direction away from the hazardous electrode. A switch 66 may be provided to set the protection circuitry 65 to a power supply position that allows current flow from the power assembly 50 toward the electrodes to power the electrodes. To power off the electrode, switch 66 may be set to a power off position that allows current flow away from the electrode. For example, a power cutoff diode 71 may be connected between the electrode and the power assembly 50, which may be reversed as compared to the diode 67. [

[0095] 도 4에 표시된 바와 같이, 몇몇 실시예들에서, 복수의 척 구역들의 각각의 척 구역은 각각의 보호 회로(65)를 통해 전력 어셈블리(50)에 연결가능할 수 있다. 척킹된 기판이 지지 표면에 홀딩되는 경우, 전극들로부터 멀어지는 전하 유동 또는 전류은 보호 회로들에 의해 차단될 수 있다. 기판을 디-척킹하기 위해, 보호 회로들은, 전극들로부터 멀어지는 전하 유동 또는 전류를 허용할 수 있는 전력차단 포지션으로 설정될 수 있다.[0095] As shown in FIG. 4, in some embodiments, each of the chuck areas of the plurality of chuck areas may be connectable to the power assembly 50 via a respective protective circuit 65. When the chucked substrate is held on the support surface, the charge flow or current away from the electrodes can be blocked by the protection circuits. To de -chuck the substrate, the protection circuits may be set to a charge shutoff position that may allow a charge flow or current away from the electrodes.

[0096] 도 4의 실시예는 선택적으로 스위칭 디바이스(61)를 포함할 수 있다. 스위칭 디바이스(61)는 도 4에서 검은색 점으로 표시되며, 더 상세한 방식으로 도 3에 도시된 스위칭 디바이스(61)에 따라 구성될 수 있다.[0096] The embodiment of FIG. 4 may optionally include a switching device 61. The switching device 61 is indicated by black dots in Fig. 4 and may be constructed in accordance with the switching device 61 shown in Fig. 3 in a more detailed manner.

[0097] 스위칭 디바이스(61)는 전력 어셈블리(50)와 복수의 척 구역들(32) 사이에 연결될 수 있으며, 복수의 척 구역들(32) 중 한번에 단일의 선택된 척 구역을 전력 어셈블리(50)와 연결시키도록 구성될 수 있다.The switching device 61 may be coupled between the power assembly 50 and the plurality of chuck sections 32 and may include a single selected chuck section at a time of the plurality of chuck sections 32, As shown in FIG.

[0098] 스위칭 디바이스(61)는 척 구역들을 서로 전기적으로 분리시키도록 구성될 수 있다. 예컨대, 한번에 하나의 척 구역만이 전력 어셈블리(50)에 연결가능할 수 있다.[0098] The switching device 61 may be configured to electrically separate the chuck areas from each other. For example, only one chuck area at a time may be connectable to the power assembly 50.

[0099] 전력 어셈블리(50)는 고전압을 제공하도록 구성된 고전압 모듈로서 구성될 수 있다. 고전압 모듈은 전하 소스, 예컨대 배터리(59)로부터 전하들을 제공받을 수 있는 전압 변환기로서 구성될 수 있다.[0099] The power assembly 50 may be configured as a high voltage module configured to provide a high voltage. The high voltage module may be configured as a voltage converter capable of being supplied with charges from a charge source,

[00100] 제어기(55)는, (i) 기판을 지지 표면에 척킹하기 위해 척 구역들의 전극 어레인지먼트들 내로 전하들을 로딩하고, (ii) 후속하여, 척킹된 기판의 프로세싱 동안 척 구역들을 체크 및/또는 재충전하며 그리고/또는 (iii) 지지 표면으로부터 기판을 디-척킹 및 제거하기 위해 척 구역들의 전극 어레인지먼트들을 언로딩하기 위해 전력공급 시퀀스로 척 구역들을 개별적으로 어드레싱하도록 구성될 수 있다.[00100] The controller 55 is configured to (i) load the charges into the electrode arrangements of the chuck areas to chuck the substrate to the support surface, and (ii) subsequently check and / or move the chuck areas during processing of the chucked substrate, And / or (iii) individually address the chuck sections with a power supply sequence to unload the electrode arrangements of the chuck sections to de-chuck and remove the substrate from the support surface.

[00101] 몇몇 실시예들에서, 복수의 척 구역들의 모든 척 구역들은 동시에 로딩 및 언로딩될 수 있다. 그러나, 후속하여, 척 구역들은 척킹된 기판이 척 어레인지먼트에 의해 홀딩되는 시간 기간 동안 재충전될 수 있다.[00101] In some embodiments, all of the chuck areas of the plurality of chuck areas may be loaded and unloaded simultaneously. However, subsequently, the chuck areas may be recharged for a period of time during which the chucked substrate is held by the chuck arrangement.

[00102] 도 5는 본 명세서에 설명된 실시예들에 따른, 기판 캐리어 시스템(20)을 갖는 진공 프로세싱 시스템이다. 진공 프로세싱 시스템은 진공 프로세싱 챔버(101)를 포함하며, 여기서, 코팅 디바이스(102)는 진공 프로세싱 챔버(101)에 배열된다. 기판 캐리어 시스템(20)은 이송 디바이스(103)를 통하여 진공 프로세싱 챔버(101)를 통해 기판 캐리어(21)를 이송하도록 구성된다. 이송 동안, 복수의 척 구역들을 통해 기판 캐리어(21)의 지지 표면(22) 상에 홀딩된 기판(10)이 코팅된다.[00102] FIG. 5 is a vacuum processing system having a substrate carrier system 20, in accordance with the embodiments described herein. The vacuum processing system includes a vacuum processing chamber 101, wherein the coating device 102 is arranged in a vacuum processing chamber 101. The substrate carrier system 20 is configured to transfer the substrate carrier 21 through the vacuum processing chamber 101 via the transfer device 103. During transfer, the substrate 10 held on the support surface 22 of the substrate carrier 21 is coated through a plurality of chuck sections.

[00103] 기판 캐리어 시스템(20)은, 복수의 척 구역들(32)을 포함하는 정전 또는 자기 척 어셈블리(30)를 더 포함한다. 각각의 척 구역은, 특히, 척킹된 기판의 프로세싱 동안 본질적으로 수직 배향으로 지지 표면(22)에 기판을 홀딩하기 위해 정전 또는 자기 그립력을 생성하도록 구성되는 기판 캐리어(21)에 배치된 전극 어레인지먼트를 포함한다.[00103] The substrate carrier system 20 further includes an electrostatic or magnetic chuck assembly 30 that includes a plurality of chuck sections 32. Each of the chuck compartments includes an electrode arrangement disposed in the substrate carrier 21 configured to generate electrostatic or magnetic grip forces to hold the substrate in the support surface 22 in an essentially vertical orientation during processing of the chucked substrate, .

[00104] 적어도 하나의 척 구역은, 나머지 척 구역들의 나머지 전극 어레인지먼트들로부터 전기적으로 디커플링되는 제1 전극 어레인지먼트를 포함하는 리던던트 척 구역으로서 구성될 수 있다. 전력 어셈블리(50), 예컨대 고전압 소스는 척 구역들에 개별적으로 전력공급하기 위해 제공될 수 있다. 특히, 몇몇 실시예들에서, 척 구역들은 순차적으로 재충전될 수 있다.[00104] The at least one chuck area may be configured as a redundant chuck area that includes a first electrode arrangement that is electrically decoupled from the remaining electrode arrangements of the remaining chuck areas. A power assembly 50, such as a high voltage source, may be provided for separately powering the chuck areas. In particular, in some embodiments, the chuck areas may be recharged sequentially.

[00105] 전력 어셈블리(50)는 제어기(55)에 의해 제어될 수 있고, 전하 소스, 예컨대 배터리(59)에 연결될 수 있다. 전력 어셈블리(50)는, 이를테면 또한 기판의 이송 및/또는 프로세싱 동안 척 구역들의 재충전을 허용하기 위해 진공 프로세싱 챔버(101)를 통하여 기판 캐리어(21)와 함께 이동될 수 있다.[00105] The power assembly 50 may be controlled by a controller 55 and may be coupled to a charge source, such as a battery 59. The power assembly 50 may be moved with the substrate carrier 21 through the vacuum processing chamber 101 to permit recharging of the chuck compartments, such as also during transport and / or processing of the substrate.

[00106] 마스크(11)는 선택적으로, 코팅 디바이스(102)를 통해 기판 상에 미리 결정된 재료 패턴을 증착하기 위하여 척 어셈블리에 의해 기판(10)에 클램핑될 수 있다.The mask 11 may optionally be clamped to the substrate 10 by a chuck assembly to deposit a predetermined material pattern on the substrate through the coating device 102.

[00107] 제어기(55)는, 전력 어셈블리(50) 및/또는 스위칭 디바이스(61)를 제어하여, 후속으로, 미리 결정된 전력공급 시퀀스로 복수의 척 구역들(32)에 전력공급하도록 구성될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 전력공급 시퀀스는, 각각, 미리 결정된 시간 간격들로 척 구역들의 전극 어레인지먼트들을 재충전하기 위해 동일한 순서로 또는 상이한 순서로 반복될 수 있다.The controller 55 may be configured to control the power assembly 50 and / or the switching device 61 to subsequently power the plurality of chuck sections 32 in a predetermined power supply sequence have. In some embodiments, the power supply sequence may be repeated in the same order or in a different order, respectively, to recharge the electrode arrangements of the chuck zones at predetermined time intervals.

[00108] 도 6은 본 명세서에 설명된 실시예들에 따른, 기판을 프로세싱하는 방법을 예시한 흐름도이다. 박스(500)에서, 기판 및/또는 마스크는 본 명세서에 설명된 방법들 중 임의의 방법에 따라, 정전 또는 자기 척 어셈블리의 복수의 척 구역들을 이용하여 기판 지지부의 지지 표면에 척킹된다. 선택적인 박스(510)에서, 척킹된 기판은 특히 본질적으로 수직 배향으로 프로세싱 챔버 내로 이송된다. 대안적으로, 척킹된 기판은 본질적으로 수평 오버헤드 배향으로 지지 표면에 홀딩될 수 있다. 다시 말하면, 기판은 접지를 향해 하방 방향으로 향하는 본질적으로 수평으로 배열된 지지 표면 상에 홀딩될 수 있다. 박스(520)에서, 기판이 지지 표면에 홀딩되고 있으면서 선택적으로 코팅 디바이스들을 지나 이송되는 동안, 척킹된 기판은 프로세싱 챔버에서 코팅된다. 선택적으로, 마스크는 부가적으로 척 어셈블리에 클램핑될 수 있다. 선택적인 박스(530)에서, 척킹된 기판은 프로세싱 챔버 밖으로 이송된다. 박스(540)에서, 기판은 지지 표면으로부터 디-척킹 및 제거된다.[00108] FIG. 6 is a flow chart illustrating a method of processing a substrate, in accordance with the embodiments described herein. At box 500, the substrate and / or mask is chucked to the support surface of the substrate support using a plurality of chuck sections of the electrostatic or magnetic chuck assembly, according to any of the methods described herein. In the optional box 510, the chucked substrate is transferred into the processing chamber, particularly in a substantially vertical orientation. Alternatively, the chucked substrate may be held on the support surface in an essentially horizontal overhead orientation. In other words, the substrate can be held on an essentially horizontally arranged support surface that faces downward toward the ground. At box 520, the chucked substrate is coated in the processing chamber while the substrate is being held on the support surface and selectively transported past the coating devices. Optionally, the mask can additionally be clamped to the chuck assembly. In the optional box 530, the chucked substrate is transported out of the processing chamber. At box 540, the substrate is de-chucked and removed from the support surface.

[00109] 이전 동안, 이송 동안 및/또는 코팅 동안의 리던던트 척 구역의 쇼트 또는 다른 결함의 경우, 나머지 척 구역들은 기능적으로 유지되며, 지지 표면에 기판을 홀딩하기에 충분한 그립력을 제공할 수 있다.[00109] In the case of prior, during transport and / or during short or other defects of the redundant chuck area during coating, the remaining chuck areas are functionally retained and can provide sufficient grip to hold the substrate to the support surface.

[00110] 도 7은 본 명세서에 설명된 실시예들에 따른, 기판을 프로세싱하는 방법을 예시한 흐름도이다. 박스(500)에서, 기판 및/또는 마스크는 본 명세서에 설명된 방법들 중 임의의 방법에 따라, 정전 또는 자기 척 어셈블리의 복수의 척 구역들을 이용하여 기판 지지부의 지지 표면에 척킹된다. 기판은, 예컨대, 특히 플러드(flooded) 진공 챔버에서 또는 진공 챔버 외부에서 제1 백그라운드(background) 압력으로, 예컨대 대기압으로 정전 그립력을 생성하기 위해 복수의 척 구역들의 전극 어레인지먼트들에 전력공급함으로써 지지 표면에 척킹될 수 있다.[00110] Figure 7 is a flow chart illustrating a method of processing a substrate, in accordance with the embodiments described herein. At box 500, the substrate and / or mask is chucked to the support surface of the substrate support using a plurality of chuck sections of the electrostatic or magnetic chuck assembly, according to any of the methods described herein. The substrate can be heated by applying electric power to the electrode arrangements of the plurality of chuck areas, for example, in order to generate electrostatic gripping force at a first background pressure, for example at atmospheric pressure, in a flooded vacuum chamber or outside the vacuum chamber, As shown in FIG.

[00111] 다시 말하면, 기판은 지지 표면 상에 놓여질 수 있으며, 척 어셈블리는 대기압일 수 있는 제1 압력으로 그립력을 설정하도록 전력공급받을 수 있다. 지지 표면으로의 기판의 척킹 전에 진공 챔버의 진공배기가 필요하지 않은 경우, 프로세싱 속도가 증가될 수 있다.[00111] In other words, the substrate can be placed on the support surface, and the chuck assembly can be powered to set the gripping force at a first pressure that can be atmospheric pressure. If vacuum evacuation of the vacuum chamber is not required before chucking the substrate to the support surface, the processing rate can be increased.

[00112] 박스(501)에서, 척킹된 기판을 포함하는 진공 챔버는, 제1 압력보다 낮은 제2 압력 아래로 진공배기될 수 있다. 제2 압력은 100 mbar 미만, 특히 10 mbar 미만, 더욱 특히 1 mbar 미만의 압력일 수 있다. 다시 말하면, 척킹된 표면은 수 100 mbar의 압력 강하를 겪을 수 있다. 프로세싱 속도가 증가될 수 있지만, 진공배기 동안 기판 및/또는 마스크의 움직임의 위험성이 존재할 수 있다. 추가로, 진공배기 동안, 예컨대 전극 어레인지먼트들이 고전압으로 제공될 경우 척 구역들 중 하나 또는 그 초과의 척 구역들의 고장 또는 쇼트의 위험성이 존재할 수 있다. 본 명세서에 설명된 실시예들에 따르면, 척킹된 기판은 주변 압력의 변화를 겪을 수 있지만, 기판의 움직임의 위험성 및 전체 척 어셈블리의 고장의 위험성이 감소될 수 있다. 본 명세서에 설명된 방법들에 따르면, 하나 또는 그 초과의 리던던트 척 구역들의 결함이 용인될 수 있다.In box 501, the vacuum chamber comprising the chucked substrate may be evacuated to a second pressure below the first pressure. The second pressure may be less than 100 mbar, especially less than 10 mbar, more particularly less than 1 mbar. In other words, the chucked surface may experience a pressure drop of several hundreds of mbar. Although the processing speed can be increased, there may be a risk of substrate and / or mask movement during vacuum evacuation. Further, during vacuum evacuation, there may be a risk of failure or shorting of one or more of the chuck areas if, for example, the electrode arrangements are provided at a high voltage. According to the embodiments described herein, the chucked substrate can undergo a change in ambient pressure, but the risk of movement of the substrate and the risk of failure of the overall chuck assembly can be reduced. According to the methods described herein, defects in one or more redundant chuck areas can be tolerated.

[00113] 도 8은 본 명세서에 설명된 실시예들에 따른, 기판을 프로세싱하는 방법을 예시한 흐름도이다. 박스(500)에서, 기판 및/또는 마스크는 본 명세서에 설명된 방법들에 따라, 정전 또는 자기 척 어셈블리의 복수의 척 구역들을 이용하여 기판 지지부의 지지 표면에 척킹된다. 박스(525)에서, 적어도 하나의 리던던트 척 구역의 리던던트 그립력은 척 어셈블리와 기판의 일부 사이의 균등한 움직임을 허용하기 위해 해제될 수 있다. 예컨대, 복수의 척 구역들 중 척 구역들의 서브세트의 그립력은, 기판 캐리어에 대한 기판의 열적으로 야기된 움직임, 예컨대 팽창을 허용하기 위해 일시적으로 해제될 수 있다. 예컨대, 기판 및 기판 캐리어 몸체의 상이한 열 팽창 계수에 의해 야기될 수 있는 기판의 기복(undulation), 웨이브(wave), 휘어짐 또는 다른 불균일은, 예컨대, 기판 상으로의 코팅 재료의 증착 동안 척킹 어셈블리의 그립력의 일부의 일시적인 해제에 의해 감소 또는 제거될 수 있다. 나머지 척 구역들이 충분한 그립력을 제공할 수 있으므로, 전체 그립력의 일부의 해제가 용인될 수 있다. 전체 기판의 움직임들 및 포지션 변화들이 회피될 수 있다.[00113] FIG. 8 is a flow chart illustrating a method of processing a substrate, in accordance with the embodiments described herein. In box 500, the substrate and / or mask is chucked to the support surface of the substrate support using a plurality of chuck sections of the electrostatic or magnetic chuck assembly, according to the methods described herein. At box 525, the redundant gripping force of the at least one redundant chuck region may be released to allow for even movement between the chuck assembly and a portion of the substrate. For example, the gripping force of a subset of the chuck sections of the plurality of chuck sections may be temporarily released to permit thermally induced movement, e.g., expansion, of the substrate relative to the substrate carrier. For example, undulations, waves, warpage, or other unevenness of the substrate, which can be caused by different coefficients of thermal expansion of the substrate and substrate carrier body, may occur, for example, during deposition of the coating material onto the substrate Can be reduced or eliminated by temporary release of a portion of the grip force. Since the remaining chucks can provide sufficient gripping force, the release of a portion of the total gripping force can be tolerated. Movements and position changes of the entire substrate can be avoided.

[00114] 박스(527)에서, 적어도 하나의 리던던트 척 구역의 리던던트 그립력이 복원될 수 있다. 기판 프로세싱, 예컨대 기판의 이송 또는 코팅은 계속될 수 있다.[00114] At box 527, the redundant gripping force of at least one redundant chuck region can be restored. Substrate processing, such as transfer or coating of the substrate, may continue.

[00115] 본 명세서에 설명된 임의의 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 기판을 프로세싱하는 방법이 제공된다. 방법은, 정전 또는 자기 척 어셈블리(30)의 복수의 척 구역들(32)을 이용하여 기판 캐리어(21)의 지지 표면(22)에 기판 및/또는 마스크를 척킹하는 단계를 포함하며, 여기서, 복수의 척 구역들 중 적어도 하나의 리던던트 척 구역(31)은, 적어도 하나의 리던던트 척 구역의 고장 또는 단락의 경우, 기판 및 마스크 중 적어도 하나가 복수의 척 구역들(32) 중 나머지 척 구역들(33)에 의해 지지 표면(22)에 홀딩되도록 하는 리던던트 그립력을 제공한다.[00115] According to embodiments that may be combined with any of the other embodiments described herein, a method of processing a substrate is provided. The method includes chucking a substrate and / or a mask to a support surface (22) of a substrate carrier (21) using a plurality of chuck sections (32) of the electrostatic or magnetic chuck assembly (30) At least one redundant chuck area (31) of the plurality of chuck areas is configured such that, in the event of a failure or short of at least one redundant chuck area, at least one of the substrate and the mask To be held on the support surface (22) by the support surface (33).

[00116] 본 명세서에 설명된 임의의 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 복수의 척 구역들의 각각의 척 구역은, 복수의 척 구역들 중 임의의 하나의 척 구역의 고장 또는 단락의 경우, 기판 및 마스크 중 적어도 하나가 복수의 척 구역들 중 나머지 척 구역들에 의해 지지 표면에 홀딩되도록 하는 리던던트 척 구역으로서 구성된다.[00116] According to embodiments that may be combined with any of the other embodiments described herein, each chuck area of the plurality of chuck areas may include a plurality of chuck areas, Or in the case of a short circuit, at least one of the substrate and the mask is held on the support surface by the remaining of the plurality of chuck areas.

[00117] 본 명세서에 설명된 임의의 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 복수의 척 구역들의 5% 또는 그 초과 및 50% 또는 그 미만을 포함하는 서브세트는, 서브세트의 고장 또는 단락의 경우, 기판 및 마스크 중 적어도 하나가 복수의 척 구역들 중 나머지 척 구역들에 의해 지지 표면에 홀딩되도록 하는 리던던트 그립력을 제공한다.[00117] According to embodiments that may be combined with any of the other embodiments described herein, a subset comprising 5% or more and 50% or less of a plurality of chuck zones may be sub- In the event of a failure or short circuit, at least one of the substrate and the mask is held on the support surface by the remaining of the plurality of chuck areas.

[00118] 본 명세서에 설명된 임의의 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 복수의 척 구역들의 각각의 척 구역은 전극 어레인지먼트를 포함하며, 여기서, 적어도 하나의 리던던트 척 구역의 제1 전극 어레인지먼트는 나머지 척 구역들의 나머지 전극 어레인지먼트들로부터 전기적으로 디커플링된다.[00118] According to embodiments that may be combined with any of the other embodiments described herein, each of the plurality of chuck sections has an electrode arrangement, wherein at least one of the at least one redundant chuck section The first electrode arrangement is electrically decoupled from the remaining electrode arrangements of the remaining chuck areas.

[00119] 본 명세서에 설명된 임의의 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 적어도 하나의 리던던트 척 구역은 개별적인 전력 어셈블리를 이용하여, 특히 고전압 모듈을 이용하여 전력공급받는다.[00119] In accordance with embodiments that may be combined with any of the other embodiments described herein, at least one redundant chuck area is powered using a separate power assembly, particularly using a high voltage module.

[00120] 본 명세서에 설명된 임의의 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 복수의 척 구역들의 각각의 척 구역은 각각의 개별적인 전력 어셈블리(51)를 이용하여 전력공급받으며, 특히 여기서, 개별적인 전력 어셈블리들은 모든 개별적인 전력 어셈블리들에 대한 공통 제어기일 수 있는 제어기(55)에 의해 제어된다.[00120] According to embodiments that may be combined with any of the other embodiments described herein, each of the chuck sections of the plurality of chuck sections is powered using a respective individual power assembly 51, In particular here, the individual power assemblies are controlled by a controller 55, which may be a common controller for all individual power assemblies.

[00121] 본 명세서에 설명된 임의의 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 복수의 척 구역들은 전력 어셈블리의 적어도 하나의 전압 단자에 연속적으로 복수의 척 구역들을 연결시킴으로써 전력공급받으며, 특히 여기서, 한번에 하나의 척 구역만이 적어도 하나의 전압 단자에 연결된다.[00121] According to embodiments that may be combined with any of the other embodiments described herein, a plurality of chuck sections may be connected to at least one voltage terminal of the power assembly by successively connecting a plurality of chuck sections, Particularly where only one chuck area at a time is connected to at least one voltage terminal.

[00122] 본 명세서에 설명된 임의의 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 복수의 척 구역들의 각각의 척 구역은 제1 전극(45) 및 제1 전극과 인터리빙된 제2 전극(46)을 포함하며, 여기서, 제1 전극들은 제1 전압을 제공하는, 전력 어셈블리(50)의 제1 전압 단자에 연속적으로 연결되고, 제2 전극들은 제1 전압과는 상이한 제2 전압을 제공하는, 전력 어셈블리(50)의 제2 전압 단자에 연속적으로 연결된다.[00122] According to embodiments that may be combined with any of the other embodiments described herein, each of the plurality of chuck regions has a first electrode 45 and a second electrode interleaved with the first electrode Wherein the first electrodes are connected to a first voltage terminal of the power assembly 50 which provides a first voltage and the second electrodes are connected to a second voltage < RTI ID = 0.0 > To a second voltage terminal of the power assembly 50,

[00123] 본 명세서에 설명된 임의의 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 방법은, 척킹된 기판 및/또는 마스크를 프로세싱 챔버 내로 이송하는 단계, 프로세싱 챔버에서 척킹된 기판을 코팅하는 단계, 프로세싱 챔버 밖으로 척킹된 기판을 이송하는 단계, 및 지지 표면으로부터 기판을 디-척킹하는 단계를 더 포함할 수 있다. 본 명세서에 설명된 실시예들에 따르면, 척킹된 기판 및/또는 척킹된 마스크는 또한, 예컨대, 진공 상태들 하에서 또는 대기압 하에서 제1 기판 캐리어로부터 다른 기판 캐리어로 시스템 내부에서 전달될 수 있다.[00123] According to embodiments that may be combined with any of the other embodiments described herein, a method may include transferring a chucked substrate and / or a mask into a processing chamber, Coating, transferring the chucked substrate out of the processing chamber, and de-chucking the substrate from the support surface. According to the embodiments described herein, the chucked substrate and / or the chucked mask may also be transferred from the first substrate carrier to another substrate carrier, for example, under vacuum conditions or under atmospheric pressure.

[00124] 본 명세서에 설명된 임의의 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 기판은 제1 백그라운드 압력으로, 특히 대기압으로 지지 표면에 척킹될 수 있으며, 여기서 방법은, 척킹된 기판 및/또는 마스크를 포함하는 진공 챔버를 제1 백그라운드 압력보다 낮은 제2 백그라운드 압력으로 진공배기시키는 단계를 더 포함할 수 있다.[00124] According to embodiments that may be combined with any of the other embodiments described herein, the substrate may be chucked to a support surface at a first background pressure, especially at atmospheric pressure, And evacuating the vacuum chamber comprising the substrate and / or the mask to a second background pressure lower than the first background pressure.

[00125] 본 명세서에 설명된 임의의 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 방법은, 마스크 및/또는 기판의 일부와 척 어셈블리 사이의 균등한 움직임을 허용하기 위해 적어도 하나의 리던던트 척 구역의 리던던트 그립력을 해제하는 단계, 및 적어도 하나의 리던던트 척 구역의 리던던트 그립력을 복원하는 단계를 포함할 수 있다.[00125] According to embodiments that may be combined with any of the other embodiments described herein, the method may include providing at least one of a mask and / or a substrate, Releasing the redundant gripping force of the redundant chuck region, and restoring the redundant gripping force of the at least one redundant chucking region.

[00126] 본 개시내용의 추가적인 양상에 따르면, 기판을 프로세싱하는 방법이 제공된다. 방법은, 제1 정전 또는 자기 척 어셈블리의 복수의 이격된 척 구역들을 이용하여 제1 기판 캐리어의 제1 지지 표면에 기판을 척킹하는 단계를 포함하며, 여기서, 복수의 척 구역들 중 적어도 하나의 리던던트 척 구역은, 적어도 하나의 리던던트 척 구역의 고장 또는 단락의 경우, 기판이 복수의 척 구역들 중 나머지 척 구역들에 의해 제1 지지 표면에 홀딩되도록 하는 리던던트 그립력을 제공하고; 방법은, 제2 기판 캐리어의 제2 정전 또는 자기 척 어셈블리의 제2 복수의 이격된 척 구역들을 이용하여 제2 기판 캐리어의 제2 지지 표면에 척킹된 기판을 척킹하고, 이어서, 기판이 제2 기판 캐리어에만 척킹되도록 제1 척 어셈블리의 적어도 하나의 리던던트 척 구역의 리던던트 그립력을 해제하고, 제1 척 어셈블리의 복수의 척 구역들 중 나머지 척 구역들의 그립력을 해제함으로써, 척킹된 기판을 제2 기판 캐리어에 전달하는 단계를 더 포함한다.[00126] According to a further aspect of the present disclosure, a method of processing a substrate is provided. The method includes chucking a substrate to a first support surface of a first substrate carrier using a plurality of spaced apart chuck zones of a first electrostatic or magnetic chuck assembly wherein at least one of the plurality of chuck zones The redundant chuck area provides a redundant gripping force such that, in the event of a failure or short of at least one redundant chuck area, the substrate is held on the first support surface by the remaining of the plurality of chuck areas; The method includes chucking a chucked substrate to a second support surface of a second substrate carrier using a second plurality of spaced chuck sections of a second electrostatic or magnetic chuck assembly of a second substrate carrier, By releasing the redundant gripping force of the at least one redundant chuck region of the first chuck assembly to be chucked only to the substrate carrier and releasing the gripping force of the remaining chuck sections of the plurality of chuck areas of the first chuck assembly, To the carrier.

[00127] 본 명세서에 설명된 임의의 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 기판을 프로세싱하기 위한 기판 캐리어 시스템(20)이 제공되며, 그 기판 캐리어 시스템(20)은, 기판 및/또는 마스크를 지지하기 위한 지지 표면(22)을 갖는 기판 캐리어(21), 및 기판 캐리어(21)에 복수의 척 구역들(32)을 갖는 정전 또는 자기 척 어셈블리(30)를 포함하고, 여기서, 복수의 척 구역들(32) 중 적어도 하나의 리던던트 척 구역(31)은, 적어도 하나의 리던던트 척 구역의 고장 또는 단락의 경우, 기판 및/또는 마스크가 복수의 척 구역들 중 나머지 척 구역들(33)에 의해 지지 표면(22)에 홀딩되도록 하는 리던던트 그립력을 제공하도록 구성된다.[00127] According to embodiments that may be combined with any of the other embodiments described herein, there is provided a substrate carrier system 20 for processing a substrate, the substrate carrier system 20 comprising: And a substrate carrier (21) having a support surface (22) for supporting a mask and / or a mask, and an electrostatic or magnetic chuck assembly (30) having a plurality of chuck areas (32) Here, at least one redundant chuck section 31 of the plurality of chuck sections 32 is configured such that, in the event of a failure or short of at least one redundant chuck section, the substrate and / To be held on the support surface (22) by a plurality of fasteners (33).

[00128] 본 명세서에 설명된 임의의 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 복수의 척 구역들의 각각의 척 구역은 전극 어레인지먼트를 포함할 수 있으며, 여기서, 적어도 하나의 리던던트 척 구역의 제1 전극 어레인지먼트(41)는 나머지 척 구역들의 나머지 전극 어레인지먼트들(43)로부터 전기적으로 디커플링된다.[00128] According to embodiments that may be combined with any of the other embodiments described herein, each chuck section of the plurality of chuck sections may include an electrode arrangement, wherein at least one redundant chuck The first electrode arrangement 41 of the zone is electrically decoupled from the remaining electrode arrangements 43 of the remaining chuck zones.

[00129] 본 명세서에 설명된 임의의 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 기판 캐리어 시스템은, 복수의 척 구역들에 전력공급하기 위한 적어도 하나의 전력 어셈블리(50), 및 적어도 하나의 전력 어셈블리(50)와 복수의 척 구역들(32) 사이에 연결된 적어도 하나의 스위칭 디바이스를 더 포함할 수 있으며, 여기서, 적어도 하나의 스위칭 디바이스는, 선택된 척 구역에 전력공급 또는 전력차단하기 위해 복수의 척 구역들(32) 중 일정 척 구역들을 전력 어셈블리(50)와 연결시키도록 구성될 수 있다.[00129] According to embodiments that may be combined with any of the other embodiments described herein, the substrate carrier system may include at least one power assembly 50 for powering a plurality of chuck sections, The at least one switching device may further include at least one switching device connected between the at least one power assembly 50 and the plurality of chuck sections 32, May be configured to couple certain of the plurality of chuck sections (32) with the power assembly (50).

[00130] 본 명세서에 설명된 임의의 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 스위칭 디바이스(61)는, 척 구역이 개별적으로 전력공급받고 그리고/또는 전력차단될 수 있도록 한번에 단일의 선택된 척 구역을 전력 어셈블리(50)와 연결시키도록 구성될 수 있다.[00130] According to embodiments that may be combined with any of the other embodiments described herein, the switching device 61 may be configured so that the chuck areas may be individually powered and / To connect the selected chuck area of the power assembly 50 to the power assembly 50.

[00131] 본 명세서에 설명된 임의의 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 스위칭 디바이스(61)는 전자기계 스위치, 중계부, 재설정가능한 퓨즈, 다이오드 회로, 및 트랜지스터 회로 중 적어도 하나를 포함한다.[00131] According to embodiments that may be combined with any of the other embodiments described herein, the switching device 61 may include at least one of an electromechanical switch, a relay, a resettable fuse, a diode circuit, One.

[00132] 본 명세서에 설명된 임의의 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 기판 캐리어 시스템은, 적어도 하나의 전력 어셈블리(50) 및/또는 적어도 하나의 스위칭 디바이스를 제어하여, 후속으로, 반복될 수 있는 미리 결정된 전력공급 시퀀스로 복수의 척 구역들(32)에 전력공급하도록 구성된 제어기(55)를 더 포함할 수 있다.[00132] According to embodiments that may be combined with any of the other embodiments described herein, the substrate carrier system may control at least one power assembly 50 and / or at least one switching device, Subsequently, it may further comprise a controller 55 configured to power a plurality of chuck areas 32 with a predetermined power supply sequence that may be repeated.

[00133] 본 명세서에 설명된 임의의 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 적어도 하나의 리던던트 척 구역은 적어도 하나의 전극을 포함할 수 있으며, 기판 캐리어 시스템(20)은 전력공급 포지션에서, 적어도 하나의 전극을 향한 방향으로의 전하 유동을 허용하고, 그리고 적어도 하나의 전극으로부터 멀어지는 방향으로의 전하 유동을 차단하도록 구성된 보호 회로(65)를 더 포함한다.[00133] According to embodiments that may be combined with any of the other embodiments described herein, the at least one redundant chuck region may include at least one electrode, and the substrate carrier system 20 may comprise at least one electrode Further comprising a protection circuit (65) configured to allow charge flow in a direction toward the at least one electrode and block charge flow in a direction away from the at least one electrode in the supply position.

[00134] 몇몇 실시예들에서, 보호 회로(65)는, 전력차단 포지션에서 적어도 하나의 전극으로부터 멀어지는 방향으로의 전하 유동을 허용하도록 구성될 수 있다. 스위치(66)는, 보호 회로를 전력공급 포지션으로부터 전력차단 포지션으로 또는 그 역으로 스위칭시키기 위해 제공될 수 있다.[00134] In some embodiments, the protection circuit 65 may be configured to allow charge flow in a direction away from the at least one electrode in the power off position. The switch 66 may be provided for switching the protection circuit from the power supply position to the power shutoff position or vice versa.

[00135] 몇몇 실시예들에서, 복수의 척 구역들의 각각의 척 구역은 각각의 보호 회로를 통해 전력 어셈블리에 연결가능할 수 있다.[00135] In some embodiments, each of the chuck sections of the plurality of chuck sections may be connectable to the power assembly through a respective protective circuit.

[00136] 본 명세서에 설명된 임의의 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 적어도 하나의 리던던트 척 구역은 제1 전극 및 제2 전극을 포함할 수 있고, 기판 캐리어 시스템(20)은 보호 회로(65)를 포함할 수 있다. 스위치의 전력공급 포지션에서, 보호 회로는, 제1 전극 및 제2 전극을 반대로 충전시키기 위해 제1 전극을 향하면서 제2 전극으로부터 멀어지는 방향으로의 전하 유동을 허용하도록 구성될 수 있다. 스위치의 전력차단 포지션에서, 보호 회로는, 반대로 충전된 제1 전극 및 제2 전극에 전력차단하기 위해 제1 전극으로부터 멀어지는 방향 및 제2 전극을 향한 방향으로의 전하 유동을 허용하도록 구성될 수 있다.[00136] According to embodiments that may be combined with any of the other embodiments described herein, the at least one redundant chuck region may include a first electrode and a second electrode, and the substrate carrier system 20 May include a protection circuit 65. In the power supply position of the switch, the protection circuit may be configured to allow charge flow in a direction away from the second electrode while facing the first electrode to reverse charge the first and second electrodes. In the power shutoff position of the switch, the protection circuit may be configured to allow charge flow in a direction away from the first electrode and toward the second electrode to power off the oppositely charged first and second electrodes .

[00137] 이러한 서술된 설명은, 최상의 모드를 포함하는 본 개시내용을 개시하고 또한, 임의의 디바이스들 또는 시스템들을 제작 및 사용하고 임의의 통합된 방법들을 수행하는 것을 포함하여 당업자가 설명된 청구대상을 실시할 수 있도록 예들을 사용한다. 다양한 특정 실시예들이 전술한 것에서 개시되었지만, 위에서 설명된 실시예들의 상호 비-배타적인 특성들은 서로 결합될 수 있다. 특허가능한 범위는 청구항들에 의해 정의되며, 다른 예들은, 그들이 청구항들의 문자 그대로의 언어와 다르지 않은 구조 엘리먼트들을 갖는다면, 또는 그들이 청구항들의 문자 그대로의 언어와 실질적이지 않은 차이들을 갖는 동등한 구조 엘리먼트들을 포함한다면, 청구항들의 범위 내에 있는 것으로 의도된다.[00137] The foregoing description discloses the teachings of the present disclosure, including the best mode, and is not intended to limit the scope of the claimed subject matter to those skilled in the art, including making and using any devices or systems and performing any integrated methods The examples are used so that you can do. While various specific embodiments have been disclosed above, the mutually non-exclusive characteristics of the embodiments described above may be combined with one another. A patentable scope is defined by the claims, and other examples are intended to encompass equivalent structural elements that have structural elements that do not differ from the literal language of the claims, or that have substantial differences with the literal language of the claims Are intended to be within the scope of the claims.

Claims (15)

기판(10)을 프로세싱하는 방법으로서,
정전 또는 자기 척 어셈블리(30)의 복수의 이격된 척 구역들(32)을 이용하여 지지 표면(22)에 기판 및 마스크 중 적어도 하나를 척킹하는 단계를 포함하며,
상기 복수의 척 구역들 중 적어도 하나의 리던던트(redundant) 척 구역(31)은, 상기 적어도 하나의 리던던트 척 구역의 고장 또는 단락(short circuit)의 경우, 상기 기판 및 상기 마스크 중 적어도 하나가 상기 복수의 척 구역들(32) 중 나머지 척 구역들(33)에 의해 상기 지지 표면(22)에 홀딩되도록 하는 리던던트 그립력을 제공하는, 기판을 프로세싱하는 방법.A method of processing a substrate (10)
Chucking at least one of the substrate and the mask on the support surface (22) using a plurality of spaced chuck sections (32) of the electrostatic or magnetic chuck assembly (30)
At least one redundant chuck section (31) of the plurality of chuck sections is configured such that, in the event of a failure or short circuit of the at least one redundant chuck section, at least one of the substrate and the mask Provides a redundant gripping force to be held on the support surface (22) by remaining chuck sections (33) of the chuck sections (32) of the substrate (32). 제1항에 있어서,
상기 복수의 척 구역들(32)의 각각의 척 구역은, 상기 복수의 척 구역들(32) 중 임의의 하나의 척 구역의 고장 또는 단락의 경우, 상기 기판 및 상기 마스크 중 적어도 하나가 상기 복수의 척 구역들(32) 중 나머지 척 구역들에 의해 상기 지지 표면(22)에 홀딩되도록 하는 리던던트 척 구역으로서 구성되는, 기판을 프로세싱하는 방법.The method according to claim 1,
Wherein each chuck area of the plurality of chuck areas (32) is configured such that, in the event of a failure or short circuit of any one of the plurality of chuck areas (32), at least one of the substrate Is configured as a redundant chuck area to be held on the support surface (22) by remaining chuck sections of the chuck sections (32) of the substrate (22). 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 복수의 척 구역들(32)의 5% 또는 그 초과 및 50% 또는 그 미만을 포함하는 서브세트는, 상기 서브세트의 고장 또는 단락의 경우, 상기 기판 및 상기 마스크 중 적어도 하나가 상기 복수의 척 구역들(32) 중 나머지 척 구역들에 의해 상기 지지 표면(22)에 홀딩되도록 하는 리던던트 그립력을 제공하는, 기판을 프로세싱하는 방법.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein a subset comprising 5% or more and 50% or less of the plurality of chuck areas (32) is configured such that, in the event of a failure or short of the subset, at least one of the substrate and the mask Provides a redundant gripping force to be held on the support surface (22) by the remaining ones of the chuck sections (32). 제1항 내지 제3항 어느 한 항에 있어서,
개별적인 전력 어셈블리(51)를 이용하여 상기 적어도 하나의 리던던트 척 구역(31)에 전력공급하는 단계, 특히 개별적인 전력 어셈블리를 이용하여 상기 복수의 척 구역들(32)의 각각의 척 구역에 전력공급하는 단계를 포함하며,
상기 개별적인 전력 어셈블리들은 제어기(55)에 의해 제어되는, 기판을 프로세싱하는 방법.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
Powering said at least one redundant chuck area (31) with a separate power assembly (51), in particular powering each chuck area of said plurality of chuck areas (32) using a separate power assembly ≪ / RTI >
Wherein the individual power assemblies are controlled by a controller (55). 제1항 내지 제3항 어느 한 항에 있어서,
특히, 전력 어셈블리(50)의 적어도 하나의 전압 단자에 상기 복수의 척 구역들(32)을 연속적으로 연결시킴으로써 상기 복수의 척 구역들(32)에 연속적으로 전력공급하는 단계를 포함하며,
특히, 상기 복수의 척 구역들(32) 중 한번에 하나의 척 구역만이 전력공급받는, 기판을 프로세싱하는 방법.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
In particular, the method comprises continuously powering the plurality of chuck sections (32) by continuously connecting the plurality of chuck sections (32) to at least one voltage terminal of the power assembly (50)
In particular, only one of the plurality of chuck sections (32) is energized at one time. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 복수의 척 구역들(32)의 각각의 척 구역은 제1 전극(45) 및 상기 제1 전극(45)과 인터리빙된 제2 전극(46)을 포함하며,
제1 전극들은 제1 전압을 제공하는, 전력 어셈블리(50)의 제1 전압 단자(52)에 연속적으로 연결되고, 제2 전극들은 상기 제1 전압과는 상이한 제2 전압을 제공하는, 상기 전력 어셈블리(50)의 제2 전압 단자(53)에 연속적으로 연결되는, 기판을 프로세싱하는 방법.6. The method according to any one of claims 1 to 5,
Each of the chuck areas of the plurality of chuck areas 32 includes a first electrode 45 and a second electrode 46 interleaved with the first electrode 45,
Wherein the first electrodes are connected to a first voltage terminal (52) of the power assembly (50) providing a first voltage and the second electrodes provide a second voltage different from the first voltage, Is connected to a second voltage terminal (53) of the assembly (50). 제1항 내지 제6항 어느 한 항에 있어서,
척킹된 기판을 프로세싱 챔버 내로 이송하는 단계;
상기 프로세싱 챔버에서 상기 척킹된 기판을 코팅하는 단계;
상기 프로세싱 챔버 밖으로 상기 척킹된 기판을 이송하는 단계; 및
상기 지지 표면으로부터 상기 기판을 디-척킹하는 단계를 더 포함하는, 기판을 프로세싱하는 방법.7. The method according to any one of claims 1 to 6,
Transferring the chucked substrate into the processing chamber;
Coating the chucked substrate in the processing chamber;
Transferring the chucked substrate out of the processing chamber; And
And de-chucking the substrate from the support surface. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기판은 제1 백그라운드(background) 압력으로, 특히 대기압으로 상기 지지 표면에 척킹되며,
상기 방법은, 척킹된 기판을 포함하는 진공 챔버를 상기 제1 백그라운드 압력보다 낮은 제2 백그라운드 압력으로 진공배기시키는 단계를 더 포함하는, 기판을 프로세싱하는 방법.8. The method according to any one of claims 1 to 7,
The substrate is chucked to the support surface at a first background pressure, in particular at atmospheric pressure,
The method further comprises evacuating a vacuum chamber comprising the chucked substrate to a second background pressure that is lower than the first background pressure. 기판을 프로세싱하는 방법으로서,
정전 또는 자기 척 어셈블리(30)의 복수의 이격된 척 구역들(32)을 이용하여 지지 표면(22)에 기판을 척킹하는 단계 ― 상기 복수의 척 구역들(32) 중 적어도 하나의 리던던트 척 구역(31)은, 상기 적어도 하나의 리던던트 척 구역의 고장 또는 단락의 경우, 상기 기판이 상기 복수의 척 구역들 중 나머지 척 구역들에 의해 상기 지지 표면(22)에 홀딩되도록 하는 리던던트 그립력을 제공함 ―;
상기 척 어셈블리와 상기 기판의 일부 사이의 균등한 움직임을 허용하기 위해 상기 적어도 하나의 리던던트 척 구역(31)의 상기 리던던트 그립력을 해제하는 단계; 및
상기 적어도 하나의 리던던트 척 구역(31)의 상기 리던던트 그립력을 복원하는 단계를 포함하는, 기판을 프로세싱하는 방법.A method of processing a substrate,
Chucking a substrate to a support surface (22) using a plurality of spaced chuck sections (32) of the electrostatic or magnetic chuck assembly (30), wherein at least one of the plurality of chuck sections (32) (31) provides a redundant gripping force to cause the substrate to be held on the support surface (22) by the remaining of the plurality of chuck areas in the event of a failure or short circuit of the at least one redundant chuck area, ;
Releasing the redundant gripping force of the at least one redundant chuck section (31) to permit even movement between the chuck assembly and a portion of the substrate; And
And restoring the redundant gripping force of the at least one redundant chuck region (31). 기판을 프로세싱하기 위한 기판 캐리어 시스템(20)으로서,
기판을 지지하기 위한 지지 표면(22)을 갖는 기판 캐리어(21); 및
상기 기판 캐리어(21)에 배치된 복수의 이격된 척 구역들(32)을 포함하는 정전 또는 자기 척 어셈블리(30)를 포함하며,
상기 복수의 척 구역들(32) 중 적어도 하나의 리던던트 척 구역(31)은, 상기 적어도 하나의 리던던트 척 구역의 고장 또는 단락의 경우, 상기 기판이 상기 복수의 척 구역들(32) 중 나머지 척 구역들(33)에 의해 상기 지지 표면(22)에 홀딩되도록 하는 리던던트 그립력을 제공하도록 구성되는, 기판을 프로세싱하기 위한 기판 캐리어 시스템.A substrate carrier system (20) for processing a substrate,
A substrate carrier (21) having a support surface (22) for supporting a substrate; And
And an electrostatic or magnetic chuck assembly (30) comprising a plurality of spaced apart chuck areas (32) disposed in the substrate carrier (21)
Wherein at least one redundant chuck section (31) of the plurality of chuck sections (32) is configured such that in the event of a failure or short of the at least one redundant chuck section, Is configured to provide a redundant gripping force to be held on the support surface (22) by zones (33). 제10항에 있어서,
상기 복수의 척 구역들(32)의 각각의 척 구역은 전극 어레인지먼트(arrangement)를 포함하며,
상기 적어도 하나의 리던던트 척 구역(31)의 제1 전극 어레인지먼트(41)는 상기 나머지 척 구역들(33)의 나머지 전극 어레인지먼트들(43)로부터 전기적으로 디커플링되는, 기판을 프로세싱하기 위한 기판 캐리어 시스템.11. The method of claim 10,
Each chuck area of the plurality of chuck areas (32) includes an electrode arrangement,
Wherein the first electrode arrangement (41) of the at least one redundant chuck area (31) is electrically decoupled from the remaining electrode arrangements (43) of the remaining chuck areas (33). 제10항 또는 제11항에 있어서,
상기 복수의 척 구역들(32)에 전력공급하기 위한 적어도 하나의 전력 어셈블리(50); 및
상기 적어도 하나의 전력 어셈블리(50)와 상기 복수의 척 구역들(32) 사이에 연결된 적어도 하나의 스위칭 디바이스(61)를 더 포함하며,
상기 적어도 하나의 스위칭 디바이스(61)는, 상기 복수의 척 구역들(32) 중 한번에 하나의 선택된 척 구역을 상기 전력 어셈블리(50)와 연결시켜, 상기 선택된 척 구역에 전력공급하도록 구성되는, 기판을 프로세싱하기 위한 기판 캐리어 시스템.The method according to claim 10 or 11,
At least one power assembly (50) for powering the plurality of chuck sections (32); And
Further comprising at least one switching device (61) connected between said at least one power assembly (50) and said plurality of chuck sections (32)
Wherein the at least one switching device (61) is configured to couple one selected chuck area of the plurality of chuck areas (32) with the power assembly (50) to power the selected chuck area / RTI > substrate carrier system. 제12항에 있어서,
상기 적어도 하나의 스위칭 디바이스(61)는 전자기계 스위치, 중계부, 재설정가능한 퓨즈, 다이오드 회로, 및 트랜지스터 회로 중 적어도 하나를 포함하는, 기판을 프로세싱하기 위한 기판 캐리어 시스템.13. The method of claim 12,
The at least one switching device (61) includes at least one of an electromechanical switch, a relay, a resettable fuse, a diode circuit, and a transistor circuit. 제12항 또는 제13항에 있어서,
상기 적어도 하나의 전력 어셈블리(50) 및/또는 상기 적어도 하나의 스위칭 디바이스(61)를 제어하여, 후속으로(subsequently), 반복되는 미리 결정된 전력공급 시퀀스로 상기 복수의 척 구역들(32)에 전력공급하도록 구성된 제어기(55)를 더 포함하는, 기판을 프로세싱하기 위한 기판 캐리어 시스템.The method according to claim 12 or 13,
The method according to any of the preceding claims, further comprising controlling the at least one power assembly (50) and / or the at least one switching device (61) ≪ / RTI > further comprising a controller (55) configured to supply a substrate to the substrate. 제10항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 리던던트 척 구역(31)은 적어도 하나의 전극을 포함하며,
상기 기판 캐리어 시스템(20)은, 전력공급 포지션에서, 상기 적어도 하나의 전극을 향한 방향으로의 전하 유동을 허용하고 그리고 상기 적어도 하나의 전극으로부터 멀어지는 방향으로의 전하 유동을 차단하도록 구성된 보호 회로(65)를 더 포함하고, 그리고/또는
상기 보호 회로(65)는 전력차단 포지션에서, 상기 적어도 하나의 전극으로부터 멀어지는 방향으로의 전하 유동을 허용하도록 구성되는, 기판을 프로세싱하기 위한 기판 캐리어 시스템.15. The method according to any one of claims 10 to 14,
The at least one redundant chuck region (31) comprises at least one electrode,
The substrate carrier system (20) includes a protection circuit (65) configured to permit a charge flow in a direction toward the at least one electrode and a charge flow in a direction away from the at least one electrode at a power supply position ), And / or
Wherein the protection circuit is configured to allow charge flow in a direction away from the at least one electrode in a power shutdown position.
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