KR20190015447A - Inductively coupled plasma processing apparatus - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to an inductively coupled plasma processing apparatus capable of uniformly forming plasma. The inductively coupled plasma processing apparatus comprises: a chamber body having an opening unit formed thereon; one or more dielectrics covering the opening unit to form a processing space with the chamber body; a substrate support installed at the chamber body and supporting a substrate; a gas spray unit spraying a gas to the processing space; and an antenna unit formed on the dielectrics and forming an induced electric field in the processing space. The antenna unit includes one or more conductor groups having a plurality of conductors, wherein first ends of the conductor groups are connected to an RF power source, second ends of the conductor groups are connected to the ground, and the conductor groups are installed adjacent to each other. A plurality of conductors of the conductor groups are arranged in parallel so that the conductors installed adjacent to each other do not overlap each other in a vertical direction.

Description

유도결합 플라즈마 처리장치{Inductively coupled plasma processing apparatus}[0001] The present invention relates to an inductively coupled plasma processing apparatus,

본 발명은 유도결합 플라즈마 처리장치에 관한 것이다.The present invention relates to an inductively coupled plasma processing apparatus.

유도결합 플라즈마 처리장치는 증착공정, 식각공정 등 기판처리를 수행하는 장치로서, 밀폐된 처리공간을 형성하는 챔버본체와 챔버본체의 천정에 유전체를 설치하고 유전체의 상측에 고주파(RF) 안테나를 설치하여 안테나에 전원을 인가하여 처리공간에 유도전계를 형성하고 유도전계에 의하여 처리가스를 플라즈마화하여 기판처리를 수행한다.The inductively coupled plasma processing apparatus is a device for performing substrate processing such as a deposition process and an etching process. The apparatus includes a chamber body forming a closed processing space, a dielectric body disposed on a ceiling of the chamber body, and a high frequency (RF) A power source is applied to the antenna to form an induction field in the process space, and a substrate process is performed by converting the process gas into plasma by the induction field.

여기서 상기 유도결합 플라즈마 처리장치의 기판처리의 대상에는 LCD 패널용 기판, 웨이퍼 등 증착, 식각 등 기판처리가 필요한 대상이면 어떠한 기판도 가능하다.Here, the substrate of the inductively coupled plasma processing apparatus may be a substrate for an LCD panel, a wafer, or the like, as long as it is an object requiring substrate processing such as deposition and etching.

한편 종래의 유도결합 플라즈마 처리장치에 사용되는 안테나는 발열저항에 의하여 전력손실을 방지하기 위하여 수냉이 가능하도록 금속관으로 이루어지는 것이 일반적이었다.Meanwhile, the antenna used in the conventional inductively coupled plasma processing apparatus is generally made of a metal tube so as to be water-cooled in order to prevent power loss due to exothermic resistance.

그런데 대형기판에 대한 수요의 증가, 보다 많은 수의 기판처리에 의한 생산속도의 증가의 요구에 부응하여 기판처리를 수행하는 유도결합 플라즈마 처리장치 또한 대형화되고 있다. However, an inductively coupled plasma processing apparatus that performs substrate processing in response to an increase in demand for a large-sized substrate and a demand for an increase in the production rate by a larger number of substrates is also becoming larger.

그리고 상기 유도결합 플라즈마 처리장치가 대형화되면서, 유도결합 플라즈마 처리장치에 설치되는 부재들, 특히 유전체의 크기 또한 대형화될 필요가 있다.As the size of the inductively-coupled plasma processing apparatus is increased, the size of the members installed in the inductively-coupled plasma processing apparatus, particularly, the dielectric, must also be increased.

이에 처리대상인 기판의 대면적화 및 플라즈마의 균일도 향상을 위하여 안테나 구조가 다중 복잡화되는 경향에 있는데, 금속관 형태의 안테나는 복잡한 구조에 적용하기에는 적합하지 않은 문제점이 있다.Therefore, the antenna structure tends to be complicated multiple times in order to increase the size of the substrate to be processed and uniformity of the plasma. However, the metal tube type antenna is not suitable for application to a complicated structure.

상기와 같은 문제점을 해결하고자, 판형구조(plate type)를 이루어 공냉방식을 취하는 안테나가 사용되고 있다.In order to solve the above problems, an antenna having a plate type air cooling type is used.

그리고 판형구조를 가지는 안테나는 전원인가에 의하여 형성되는 플라즈마가 균일하게 형성하기 위하여 한국특허공개공보 제2012-0025430호 등 다양한 방식의 구조가 제안되고 있다.In order to uniformly form a plasma formed by power application, an antenna having a plate-shaped structure has been proposed in various structures such as Korean Patent Laid-Open Publication No. 2001-0025430.

그러나 한국특허공개공보 제2012-0025430호에 게시된 안테나구조는 RF전원이 연결되는 제1단부로부터 접지와 연결되는 제2단부에 이르기까지 그 길이방향으로 전압차가 있으며, 전압차에 의하여 플라즈마가 불균일하게 형성되는 문제점이 있다.However, the antenna structure disclosed in Korean Patent Publication No. 2012-0025430 has a voltage difference in the longitudinal direction from the first end connected to the RF power source to the second end connected to the ground, and the plasma is not uniform There is a problem that it is formed.

본 발명의 목적은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 유전체 하부에 고밀도의 플라즈마 발생영역이 증가시키면서 플라즈마를 균일하게 형성할 수 있는 유도결합 플라즈마 처리장치를 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an inductively coupled plasma processing apparatus capable of uniformly forming a plasma while increasing a high density plasma generation region under a dielectric.

본 발명은 상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 창출된 것으로서, 본 발명은 상측에 개구부가 형성된 챔버본체와; 상기 챔버본체와 함께 처리공간을 형성하도록 상기 개구부를 복개하는 하나 이상의 유전체와; 상기 챔버본체에 설치되어 기판을 지지하는 기판지지대와; 상기 처리공간으로 가스를 분사하는 가스분사부와; 상기 유전체의 상측에 설치되어 상기 처리공간에 유도전계를 형성하는 안테나부를 포함하며, 상기 안테나부는 제1단부가 RF전원과 연결되고 제2단부가 접지와 연결되며 서로 인접하여 설치되는 복수의 도전체들을 가지는 하나 이상의 도전체군을 포함하며, 상기 도전체군의 복수의 도전체들은 서로 인접하여 설치된 도전체들이 서로 상하방향으로 중첩되지 않게 평행하게 배치된 것을 특징으로 하는 유도전계 플라즈마 처리장치를 개시한다.The present invention has been made in order to achieve the above-mentioned object of the present invention. At least one dielectric covering the opening to form a processing space with the chamber body; A substrate support installed on the chamber body to support the substrate; A gas spraying part for spraying gas into the processing space; And a plurality of conductors connected to the ground and having a first end connected to the RF power source and a second end connected to the ground, Wherein the plurality of conductors of the conductor group are arranged in parallel so that conductors provided adjacent to each other do not overlap with each other in the vertical direction.

상기 도전체군에서 서로 인접하여 설치된 도전체들이 배치되는 길이방향과 수직을 이루는 폭방향의 가상선을 상기 서로 인접하여 설치된 도전체들과 교차시켰을 때, 상기 가상선과 상기 서로 인접하여 설치된 도전체들과 각각 교차되는 교차지점들에서, 상기 도전체군의 복수의 도전체들의 적어도 일부가 상기 유전체의 상면으로부터의 각 도전체들의 높이가 서로 다르게 구성될 수 있다.When a virtual line in the width direction perpendicular to the longitudinal direction in which the conductors disposed adjacent to each other in the conductor group is arranged is intersected with the conductors provided adjacent to each other, At each intersecting point, at least some of the plurality of conductors of the conductor group may be configured to have different heights of the respective conductors from the top surface of the dielectric.

상기 도전체군은 상기 도전체군의 복수의 도전체들에 대한 상기 교차지점에서의 전위들의 합이 일정하도록 배치될 수 있다.The group of conductors may be arranged so that the sum of the potentials at the intersection points with respect to the plurality of conductors of the group of conductors is constant.

상기 교차지점에서 인접한 도전체들 사이의 상기 폭방향의 간격은 0~150㎜일 수 있다.The spacing in the width direction between adjacent conductors at the intersection may be 0-150 mm.

상기 도전체군의 복수의 도전체들은 각각 상기 제1단부 및 상기 제2단부 사이에 전방구간 및 후방구간으로 구분되며, 상기 도전체군의 복수의 도전체들은 전방구간이 후방구간보다 상기 유전체의 상면으로부터의 높이가 다르게 배치될 수 있다.Wherein a plurality of conductors of the group of conductors is divided into a front section and a rear section between the first end and the second end, respectively, and wherein the plurality of conductors of the conductor group have a forward section extending from an upper surface of the dielectric Can be arranged differently.

상기 도전체군은 순차적으로 배치되어 단일의 루프구조를 이루며, 상기 도전체군의 복수의 도전체들은 각각 상기 제1단부 및 상기 제2단부 사이에 전방구간 및 후방구간으로 구분되며, 상기 도전체군의 복수의 도전체들은 각각 후방구간이 다음의 도전체의 전방구간과 그 길이방향으로 인접하여 평행하게 배치되고, 마지막 도전체의 후방구간이 첫 번째 도전체의 전방구간과 그 길이방향으로 인접하여 평행하게 배치될 수 있다.Wherein the conductor groups are sequentially disposed to form a single loop structure, wherein a plurality of conductors of the conductor group are respectively divided into a front section and a rear section between the first end and the second end, Each of the conductors of the first conductor is arranged in parallel with the front section of the next conductor in parallel with the front section of the next conductor and the rear section of the last conductor is adjacent to and parallel to the front section of the first conductor in the longitudinal direction .

상기 도전체군의 복수의 도전체들은 전방구간이 후방구간보다 상기 유전체의 상면으로부터의 높이가 다르게 배치될 수 있다.The plurality of conductors of the conductor group may be arranged such that the front section is different in height from the upper surface of the dielectric than the rear section.

상기 도전체군의 복수의 도전체들은 후방구간이 전방구간보다 상기 유전체의 가장자리와 더 가깝게 배치될 수 있다.The plurality of conductors of the group of conductors may be arranged so that the rear section is closer to the edge of the dielectric than to the front section.

상기 도전체군들 중 적어도 일부의 도전체군의 도전체들 및 그와 인접한 도전체는 각각 그 길이방향으로 분기되었다가 다시 합쳐지는 하나 이상의 분기부가 형성될 수 있다.At least some of the conductors of the conductor groups and adjacent conductors of the conductor groups may each be formed with one or more branches branched in the longitudinal direction and then rejoined.

상기 도전체의 분기부는 평행하게 배치된 인접한 도전체의 분기부의 일부와 상하방향으로 중첩될 수 있다.The branch portion of the conductor may be overlapped with a part of the branch portion of the adjacent conductor arranged in parallel in the vertical direction.

상기 도전체군들 중 적어도 일부는 상기 후방구간 및 상기 제2단부 사이에서 연장구간이 추가로 구분되며, 상기 연장구간이 추가로 구분된 도전체들은 후방구간 및 연장구간이 각각 다음의 도전체의 전방구간 및 후방구간과 그 길이방향으로 인접하여 평행하게 배치되고, 마지막 도전체의 후방구간 및 연장구간이 첫 번째 도전체의 전방구간 및 후방구간과 그 길이방향으로 인접하여 평행하게 배치될 수 있다.At least some of the conductive groups are further divided into an extended section between the rear section and the second section, and the conductors further having the extended section are divided into a rear section and an extended section, And the rear section and the extension section of the last conductor may be disposed in parallel with the front section and the rear section of the first conductor adjacent to each other in the longitudinal direction.

상기 연장구간이 추가로 구분된 도전체들은 전방구간이 후방구간보다 상기 유전체의 상면으로부터 더 높게 배치되며, 상기 연장구간은 후방구간과 같은 높이를 가지거나 더 낮게 배치될 수 있다.The conductors further having the extended section may be disposed higher than the rear section of the dielectric from the upper surface thereof, and the extended section may have the same height as the rear section or may be disposed lower.

상기 연장구간이 추가로 구분된 도전체들은 후방구간, 전방구간 및 연장구간 순으로 상기 유전체가장자리와 더 가깝게 배치될 수 있다.The conductors further having the extended section may be disposed closer to the dielectric edge in the rear section, the front section, and the extending section.

상기 도전체군들 중 적어도 일부의 도전체군의 도전체들 및 그와 인접한 도전체는 각각 그 길이방향으로 분기되었다가 다시 합쳐지는 하나 이상의 분기부가 형성될 수 있다.At least some of the conductors of the conductor groups and adjacent conductors of the conductor groups may each be formed with one or more branches branched in the longitudinal direction and then rejoined.

상기 도전체의 분기부는 평행하게 배치된 인접한 도전체의 분기부의 일부와 상하방향으로 중첩될 수 있다.The branch portion of the conductor may be overlapped with a part of the branch portion of the adjacent conductor arranged in parallel in the vertical direction.

상기 복수의 도전체들 중 적어도 일부는 일부분에서 인접하는 도전체와 서로 상하로 중첩될 수 있다.At least some of the plurality of conductors may overlap each other up and down with adjacent conductors at a portion.

상기 도전체군은 상기 유전체의 중앙부분에 배치되어 루프구조를 이루는 중심도전체군과; 상기 유전체의 외곽 쪽에 배치되어 루프구조를 이루는 외곽도전체군을 포함할 수 있다.The conductor group includes a central conductor group arranged at a central portion of the dielectric and forming a loop structure; And may include a whole group of enclosures arranged on the outer side of the dielectric to form a loop structure.

상기 중심도전체군과 상기 외곽도전체군은 상기 유전체의 중심을 기준으로 점대칭을 이룰 수 있다.The central conductor group and the entire outer conductor conductor group may have a point symmetry with respect to the center of the dielectric.

상기 유전체는 평면형상이 직사각형을 이루며, 상기 외곽도전체군을 이루는 상기 복수의 도전체들은 4개로 구성될 수 있다.The dielectric may have a rectangular planar shape, and the plurality of conductors constituting the entire group of the outer conductor may be composed of four.

상기 외곽도전체군을 이루는 4개의 도전체들은 각각 그 제1단부 및 제2단부가 직사각형의 변에 서로 대향되어 위치될 수 있다.The four conductors constituting the entire group of the enclosure may be positioned so that the first end and the second end thereof are opposed to each other on the sides of the rectangle.

본 발명에 따른 유도결합 플라즈마 처리장치는 유도전계 형성을 위한 안테나부를 적어도 일부가 서로 상하로 중첩되지 않게 평행하게 배치된 복수의 도전체들을 포함하는 하나 이상의 도전체군으로 구성함으로써 안테나를 이루는 도전체들 간의 간섭없이 고밀도의 플라즈마가 형성되는 플라즈마형성영역을 증가시킬 수 있는 이점이 있다.The inductively coupled plasma processing apparatus according to the present invention comprises at least a part of an antenna unit for forming an induction electric field by constituting at least one conductor group including a plurality of conductors arranged in parallel so as not to overlap each other vertically, There is an advantage that the plasma forming region in which a high-density plasma is formed can be increased without interfering with each other.

특히 상하로 중첩되지 않게 평행하게 배치되는 도전체의 후방구간과 다음의 도전체의 전방구간이 서로 상하로 중첩되지 않게 그 길이방향으로 인접하여 평행하게 배치되고, 유전체의 상면을 기준으로 전위가 상대적으로 높은 전방구간(RF전원과 가까운 구간)을 높게 설치함으로써 안테나에 의하여 형성되는 고밀도의 플라즈마를 보다 균일하게 형성할 수 있는 이점이 있다.In particular, the rear section of the conductor arranged parallel and not overlapping with the top and bottom and the front section of the next conductor are arranged parallel to each other in the longitudinal direction so as not to overlap each other in the vertical direction, (High frequency plasma generated by the antenna) can be more uniformly formed by providing a high forward section (a section close to the RF power source) at a high level.

더 나아가 본 발명에 따른 유도결합 플라즈마 처리장치는 안테나를 구성하는 도전체들의 배치에 있어서, 도전체의 후방구간이 다음 도전체의 전방구간과 상하로 중첩되지 않게 평행하게 배치됨으로써 안테나에 의하여 형성되는 플라즈마의 밀도를 균일하게 유지하면서 고밀도의 플라즈마가 형성되는 영역을 증가킬 수 있다.Furthermore, in the inductively coupled plasma processing apparatus according to the present invention, in the arrangement of the conductors constituting the antenna, the rear section of the conductor is arranged parallel to the front section of the next conductor so as not to overlap with the front section of the next conductor, It is possible to increase a region where a high-density plasma is formed while keeping the density of the plasma uniform.

더 나아가 본 발명에 따른 유도결합 플라즈마 처리장치는 도전체의 후방구간이 다음 도전체의 전방구간과 상하로 중첩되지 않게 평행하게 배치함으로써 전원인가 및 접지를 위한 전원연결선의 설치시 도전체의 설치에 따른 간섭을 방지하여, 도전체에 대한 전원인가 및 접지연결이 보다 간단한 이점이 있다.Further, the inductively coupled plasma processing apparatus according to the present invention is characterized in that the rear section of the conductor is disposed parallel to the front section of the next conductor so as not to overlap with the front section of the next conductor, So that power supply to the conductor and ground connection are simpler.

도 1은 본 발명에 따른 유도결합 플라즈마 처리장치를 보여주는 단면도이다.
도 2는 도 1의 유도결합 플라즈마 처리장치를 보여주는 평면도이다.
도 3a 및 도 3b는 각각 도 2의 유도결합 플라즈마 처리장치에서 중앙도전체군 및 외곽도전체군을 단순화한 개념도들이다.
도 4는 도 3a 및 도 3b에서 Ⅳ-Ⅳ 방향의 단면도이다.
도 5는 본 발명에 따른 유도결합 플라즈마 처리장치의 안테나부의 등가회로를 보여주는 회로도이다.
도 6은 본 발명에 따른 유도결합 플라즈마 처리장치의 다른 예를 보여주는 평면도이다.
도 7은 도 6의 유도결합 플라즈마 처리장치에서 외곽도전체군을 단순화한 개념도이다.
도 8은 도 7에서 Ⅷ-Ⅷ 방향의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of an inductively coupled plasma processing apparatus according to the present invention.
2 is a plan view showing the inductively coupled plasma processing apparatus of FIG.
FIGS. 3A and 3B are simplified conceptual diagrams of the central conductor group and the entire outer conductor group in the inductively coupled plasma processing apparatus of FIG. 2, respectively.
4 is a cross-sectional view taken along the line IV-IV in Figs. 3A and 3B.
5 is a circuit diagram showing an equivalent circuit of the antenna unit of the inductively coupled plasma processing apparatus according to the present invention.
6 is a plan view showing another example of the inductively coupled plasma processing apparatus according to the present invention.
FIG. 7 is a conceptual diagram of a simplified whole of the outline diagram of the inductively coupled plasma processing apparatus of FIG. 6. FIG.
8 is a cross-sectional view taken along line VIII-VIII in FIG.

이하 본 발명에 따른 유도결합 플라즈마 처리장치에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, an inductively coupled plasma processing apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명에 따른 유도결합 플라즈마 처리장치는 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 상측에 개구부가 형성된 챔버본체(110)와; 챔버본체(110)와 함께 처리공간(S)을 형성하도록 챔버본체(110)의 개구부를 복개하는 하나 이상의 유전체(150)와; 처리공간(S)에 가스를 분사하는 가스분사부(120)와; 챔버본체(110)에 설치되어 기판(10)을 지지하는 기판지지대(130)와; 유전체(150)의 상측에 설치되어 처리공간(S)에 유도전계를 형성하는 안테나부(200)를 포함한다.As shown in FIGS. 1 and 2, the inductively coupled plasma processing apparatus according to the present invention includes: a chamber body 110 having an opening formed on an upper side thereof; At least one dielectric (150) covering the opening of the chamber body (110) to form a processing space (S) with the chamber body (110); A gas spraying part (120) for spraying a gas to the processing space (S); A substrate support 130 installed on the chamber body 110 to support the substrate 10; And an antenna unit 200 disposed on the dielectric 150 to form an induction field in the processing space S.

상기 챔버본체(110)는 처리공간(S)을 형성하기 위한 구성으로서 공정수행에 필요한 소정의 진공압을 견딜 수 있는 구성이면 어떠한 구성도 가능하다.The chamber body 110 may have any structure as long as it can withstand a predetermined vacuum pressure necessary for performing the process.

상기 챔버본체(110)는 처리되는 기판(10)의 형상에 대응되는 형상을 이룸이 바람직하며, 기판(10)의 입출을 위한 하나 이상의 게이트(111)가 형성되며 처리공간(S) 내의 압력제어 및 부산물을 제거하기 위하여 진공펌프(미도시)와 연결되는 배기관(180)이 연결될 수 있다.The chamber body 110 preferably has a shape corresponding to the shape of the substrate 10 to be processed and at least one gate 111 for the entrance and exit of the substrate 10 is formed and the pressure control And an exhaust pipe 180 connected to a vacuum pump (not shown) to remove by-products.

또한 상기 챔버본체(110)는 후술하는 유전체(150) 등의 설치를 보조하기 위한 보조부재(112)가 개구부에 설치될 수 있다.Further, the chamber body 110 may be provided with an auxiliary member 112 for supporting the installation of the dielectric 150, which will be described later, in the opening.

상기 보조부재(112)는 오링(미도시) 등이 개재된 상태로 챔버본체(110) 상에 설치될 수 있으며, 유전체(150) 등의 설치를 위하여 단차 등이 형성될 수 있다.The auxiliary member 112 may be installed on the chamber main body 110 with an O-ring or the like interposed therebetween. A step or the like may be formed for installing the dielectric 150 and the like.

또한 상기 챔버본체(110)는 안테나부(200)의 지지, 안테나부(200)에서 형성되는 유도전계의 차폐 등을 위하여 안테나부(200)를 복개하도록 설치되는 상부리드(140)가 탈착가능하게 결합될 수 있다.The chamber main body 110 may further include an upper lead 140 detachably attached to the antenna unit 200 for supporting the antenna unit 200 and shielding an induction field formed in the antenna unit 200 Can be combined.

상기 가스분사부(120)는 공정수행을 위하여 가스공급장치와 연결되어 처리공간(S)으로 가스를 분사하는 구성으로서 다양한 구성이 가능하다.The gas injecting unit 120 may be configured to inject gas into the process space S by being connected to the gas supplying device for performing the process.

상기 가스분사부(120)는 도 1에 도시된 바와 같이, 챔버본체(110)의 측벽에 설치되거나 유전체(150)의 하측에 설치되는 등 다양하게 설치될 수 있다.As shown in FIG. 1, the gas injecting unit 120 may be installed on the side wall of the chamber body 110 or may be installed on the lower side of the dielectric 150.

특히 상기 가스분사부(120)는 도 1과는 달리 유전체(150)를 지지하는 지지프레임(미도시)이 설치된 경우에 지지프레임에 설치될 수도 있다.In particular, unlike FIG. 1, the gas injector 120 may be installed in a support frame when a support frame (not shown) is mounted to support the dielectric 150.

상기 기판지지대(130)는 기판(10)이 안착되는 구성으로서 기판(10)을 지지할 수 있는 구성이면 어떠한 구성도 가능하며 공정에 따라서 전원이 인가되거나 접지될 수 있으며, 냉각 또는 가열을 위한 열전달부재가 설치될 수 있다.The substrate support 130 may be any configuration capable of supporting the substrate 10 as the substrate 10 is mounted thereon, and may be powered or grounded according to the process, Member can be installed.

상기 유전체(150)는 안테나부(200)에 의하여 처리공간(S)에 유도전계를 형성할 수 있도록 처리공간(S)과 안테나부(200) 사이에 개재되는 구성으로서 다양한 구조를 가질 수 있으며 그 재질은 석영, 세라믹 등이 사용될 수 있다.The dielectric 150 may have various structures as a structure interposed between the processing space S and the antenna unit 200 so as to form an induced electric field in the processing space S by the antenna unit 200, The material may be quartz, ceramic, or the like.

상기 유전체(150)는 대형기판의 처리를 위하여 단일의 유전체(150)로 구성되지 않고 복수개의 유전체(150)들로 구성될 수도 있다. 이때 상기 복수의 유전체(150)들은 프레임(미도시) 등에 의하여 지지되어 설치될 수 있다.The dielectric 150 may be composed of a plurality of dielectrics 150 rather than a single dielectric 150 for processing large substrates. At this time, the plurality of dielectrics 150 may be supported by a frame (not shown) or the like.

상기 안테나부(200)는 유전체(150)의 상측에 설치되어 처리공간(S)에 유도전계를 형성하기 위한 구성으로서, 도 1 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 제1단부(201)가 RF전원에 연결되고 제2단부(202)가 접지와 연결되는 복수의 도전체(211~212, 221~224)들을 포함하는 하나 이상의 도전체군(210, 220)을 포함한다.1 to 5, the antenna unit 200 is provided on the dielectric 150 to form an induction field in the process space S. The first end 201 is connected to the RF And at least one conductor group 210, 220 including a plurality of conductors 211-212, 221-224 coupled to a power source and having a second end 202 connected to ground.

상기 도전체군(210, 220)은 공정조건에 맞게 처리공간(S)에 유도전계를 형성할 수 있도록 유전체(150)의 상측에 하나 이상으로 설치되며, 복수의 도전체(211~212, 221~224)들의 숫자 및 배치 패턴은 공정조건에 따라 결정된다.The conductor groups 210 and 220 are installed on the dielectric 150 so as to form an induction field in the processing space S in accordance with the process conditions and include a plurality of conductors 211 to 212, 224 are determined according to the process conditions.

여기서 상기 도전체군(210, 220)은 복수의 도전체(211~212, 221~224)들이 다양한 패턴으로 배치될 수 있으나, 루프구조를 가짐이 바람직하다.Here, in the conductive groups 210 and 220, the plurality of conductors 211 to 212 and 221 to 224 may be arranged in various patterns, but they preferably have a loop structure.

그 배치의 일예로서, 상기 도전체군(210, 220)는 도 2 및 도 5에 도시된 바와 같이, 유전체(150)의 중앙부분에 배치되어 루프구조를 이루는 중심도전체군(210)과; 유전체(150)의 외곽부분에 배치되어 루프구조를 이루는 외곽도전체군(220)을 포함할 수 있다.As an example of the arrangement, the conductor groups 210 and 220 include a central conductor group 210 arranged in a central portion of the dielectric 150 to form a loop structure, as shown in FIGS. 2 and 5; And may include a whole group 220 of the outer conductor formed in the outer portion of the dielectric 150 and forming a loop structure.

이때 상기 중심도전체군(210)과 외곽도전체군(220)은 유전체(150)의 중심을 기준으로 점대칭 또는 선대칭을 이룰 수 있다.At this time, the central conductor group 210 and the entire conductor group 220 may be point symmetric or line symmetric with respect to the center of the dielectric 150.

상기 중심도전체군(210)과 외곽도전체군(220)이 이루는 안테나부(200)의 보다 구체적인 예로서, 평면형상이 직사각형을 이루는 유전체(150)의 형상에 대응하여 전체적으로 직사각형 형상을 가지며, 중심도전체군(210)을 이루는 복수의 도전체(211~212)들은 2개, 외곽도전체군(220)을 이루는 복수의 도전체(221~224)들은 4개로 구성될 수 있다.As a more specific example of the antenna unit 200 formed by the central conductor group 210 and the entire conductor group 220, the antenna unit 200 has a generally rectangular shape corresponding to the shape of the dielectric 150 having a planar shape of a rectangular shape, The plurality of conductors 211 to 212 constituting the central conductor group 210 may be composed of two and the plurality of conductors 221 to 224 constituting the entire conductor group 220 may be composed of four.

또한 상기 외곽도전체군(220)을 이루는 각 도전체(211~224)들은 도 2 및 도 6에 도시된 바와 같이, 각각 그 제1단부(201) 및 제2단부(202)가 직사각형의 변에 서로 대향되어 위치될 수 있다.As shown in FIGS. 2 and 6, each of the conductors 211 to 224 constituting the subframe 220 includes a first end portion 201 and a second end portion 202, As shown in Fig.

한편 상기 도전체군(210, 220)를 이루는 복수의 도전체(211~212, 221~224)들은 제1단부(201)가 RF전원에 연결되고 제2단부(202)가 접지와 연결되어 유도전계를 형성하는 구성으로서, 알루미늄, 알루미늄 합금 등의 금속재질을 가지며, 판형구조를 가진다.The plurality of conductors 211 to 212 and 221 to 224 constituting the conductor groups 210 and 220 are connected to the RF power source through the first end 201 and the ground terminal, And has a metal material such as aluminum or an aluminum alloy, and has a plate-like structure.

또한 상기 도전체(211~212, 221~224)들의 제2단부(202)는 도 5에 도시된 바와 같이, 전체 임피던스의 조정을 위한 가변커패시터(VVC; Voltage-Variable Capacitor; 170)가 연결될 수 있다.5, a second end 202 of the conductors 211 to 212 and 221 to 224 may be connected to a voltage-variable capacitor (VVC) 170 for adjusting the overall impedance have.

한편 상기 도전체군(210, 220)를 이루는 복수의 도전체(211~212, 221~224)들 중 적어도 일부의 도전체군(220)의 도전체(221~224)들과 인접한 도전체는 유도전계를 형성하는 영역을 확대하기 위하여, 도 2 및 도 6에 도시된 바와 같이, 각각 그 길이방향으로 분기되었다가 다시 합쳐지는 하나 이상의 분기부(225)가 서로 대응되어 형성될 수 있다.The conductors adjacent to the conductors 221 to 224 of the conductor group 220 of at least a part of the plurality of conductors 211 to 212 and 221 to 224 constituting the conductor groups 210 and 220 are electrically connected to the induction field As shown in Figs. 2 and 6, one or more branched portions 225 branched and rejoined in the longitudinal direction may be formed in correspondence with each other, in order to enlarge a region forming the first electrode layer.

상기 분기부(225)는 유도전계를 형성하는 영역을 확대하기 위한 구성으로서, 유전체(150)의 평면 크기 및 공정조건에 따라서 그 숫자 및 패턴이 결정될 수 있다.The branching portion 225 is configured to enlarge a region forming the induction field, and the number and the pattern thereof can be determined according to the planar size of the dielectric 150 and the process conditions.

또한 상기 도전체(221~224)의 분기부(225)는 도전체의 설치 편의를 위하여 평행하게 배치된 인접한 도전체의 분기부의 일부와 상하로 중첩될 수 있다.In addition, the branched portions 225 of the conductors 221 to 224 may be vertically overlapped with a part of the branch portions of adjacent conductors arranged in parallel for the purpose of setting the conductors.

한편 상기 도전체(211~212, 221~224)들은 복수개로 구성되어 처리공간(S) 내에 요구되는 플라즈마의 형성을 위하여 적절하게 배치될 수 있다.On the other hand, the conductors 211 to 212 and 221 to 224 may be formed of a plurality of conductors and may be appropriately disposed for forming plasma required in the process space S.

특히 상기 복수의 도전체(211~212, 221~224)들은 균일하고 다양한 기판처리의 수행을 위하여, 처리공간(S) 내에서 플라즈마 형성영역이 증가와, 고밀도의 플라즈마의 형성이 요구된다.Particularly, the plurality of conductors 211 to 212 and 221 to 224 are required to increase the plasma forming area in the processing space S and to form a high-density plasma in order to perform uniform and various substrate processing.

이에 상기 하나 이상의 도전체군(210, 220)를 이루며 서로 인접하여 설치된 복수의 도전체(211~212, 221~224)들은 도 2 내지 도 3b에 도시된 바와 같이, 적어도 일부가 서로 상하방향으로 중첩되지 않게 평행하게 배치되는 것이 바람직하다.As shown in FIGS. 2 to 3B, at least a part of the plurality of conductors 211 to 212 and 221 to 224, which form the one or more conductor groups 210 and 220 and are adjacent to each other, It is preferable to arrange them in parallel.

여기서 상기 복수의 도전체(211~212, 221~224)들 중 적어도 일부는 일부분에서 인접하는 도전체와 상하로 중첩될 수 있음은 물론이다.Of course, at least some of the plurality of conductors 211 to 212 and 221 to 224 may be overlapped with the adjacent conductors in a part thereof.

또한 상기 도전체군(210, 220)을 이루는 복수의 도전체(211~212, 221~224)들은 도 3a 내지 도 5, 도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 도전체(211~212, 221~224)들이 배치되는 길이방향과 수직을 이루는 폭방향의 가상선(L)을 도전체(211~212, 221~224)들과 교차시켰을 때 가상선(L)과 도전체(211~212, 221~224)들과 각각 교차되는 교차지점(P1, P2 또는 P3, P4)들에서 유전체(150)의 상면으로부터의 높이가 서로 다르게 설치되는 것이 바람직하다.The plurality of conductors 211 to 212 and 221 to 224 constituting the conductor groups 210 and 220 may be electrically connected to the conductors 211 to 212 and 221 to 224 as shown in FIGS. 3A to 5, 6 and 7, 212 and 221 to 224 intersecting the imaginary line L in the transverse direction perpendicular to the longitudinal direction in which the imaginary line L and the conductors 211 to 212, The height from the top surface of the dielectric 150 at the intersecting points P1, P2, or P3, P4 intersecting with the first to Nth lines 221 to 224 are preferably set to be different from each other.

이때 상기 복수의 도전체(211~212, 221~224)들은 도 3a 및 도 3b, 및 도 7에 도시된 바와 같이, 각각 제1단부(201) 및 제2단부(202) 사이에 전방구간 및 후방구간으로 구분될 수 있다. 도면에서는 전방구간은 실선, 후방구간은 일점쇄선으로 표시하였다.At this time, the plurality of conductors 211 to 212 and 221 to 224 may be divided into a front section and a rear section between the first end 201 and the second end 202, respectively, as shown in Figs. 3A and 3B and Fig. And a rear section. In the drawing, the front section is indicated by a solid line and the rear section is indicated by a one-dot chain line.

상기 전방구간 및 후방구간은 판형구조의 도전체(211~212, 221~224)들에 대하여 길이방향으로 논리적으로 구간으로 나눈 것으로서, 유전체(150)의 상면에 대한 높이를 기준으로 구분될 수 있다.The front section and the rear section are logically divided into sections in the longitudinal direction with respect to the conductors 211 to 212 and 221 to 224 of the plate structure and can be distinguished based on the height of the top surface of the dielectric 150 .

그리고 상기 전방구간 및 후방구간 사이에는 제1높이의 전방구간에서 제2높이의 후방구간으로 연결하기 위한 경계구간으로 구분된다. And a boundary section for connecting the front section of the first height to the rear section of the second height between the front section and the rear section.

상기 경계구간은 높이 변경 이외에 유전체(150)가 프레임부재(미도시)에 의하여 지지되어 복수개로 구성된 경우 프레임부재를 'U'자 형태로 우회하기 위한 구간으로서 전방구간 및 후방구간 중 일부에 구분될 수 있다. The boundary section is divided into a front section and a rear section as a section for bypassing the frame member in a U-shape when the dielectric member 150 is supported by the frame member (not shown) .

한편 상기 복수의 도전체(211~212, 221~224)들은 후방구간이 인접하는 도전체의 전방구간과 상하방향으로 중첩되지 않게 그 길이방향으로 인접하여 평행하게 배치됨에 따라서 RF전원(160)에 가까운 전방구간의 전위가 후방구간의 전위보다 높은바, 전방구간 및 후방구간에 의하여 형성되는 플라즈마 밀도 또한 편차가 발생할 수 있다.On the other hand, the plurality of conductors 211 to 212 and 221 to 224 are disposed parallel to the longitudinal direction of the RF power source 160 so that the rear sections of the conductors 211 to 212 and 221 to 224 do not overlap with each other in the vertical direction The potential of the near front region is higher than the potential of the rear region, and the plasma density formed by the front region and the rear region may also vary.

따라서 상기 복수의 도전체(211~212, 221~224)들의 전방구간 및 후방구간은 도 2 및 도 4에 도시된 바와 같이, 유전체(150)의 상면으로부터의 높이가 서로 다르게, 특히 도전체(211~212, 221~224)의 전방구간은 후방구간보다 유전체(150)의 상면으로부터의 높이를 다르게, 구체적으로 더 높게 배치될 수 있다.Therefore, as shown in FIGS. 2 and 4, the front section and the rear section of the plurality of conductors 211 to 212 and 221 to 224 have different heights from the upper surface of the dielectric 150, 211 to 212, and 221 to 224 may be disposed at a different height from the upper surface of the dielectric 150 than the rear section, specifically, higher than the rear section.

또한 상기 도전체(211~212, 221~224)는 후방구간이 전방구간보다 유전체(150)의 가장자리와 더 가깝게 배치될 수 있다. 여기서 도전체 설치의 편의상 전방구간이 후방구간보다 유전체(150)의 가장자리와 더 가깝게 배치될 수도 있음은 물론이다.Also, the conductors 211 to 212 and 221 to 224 may be arranged such that the rear section is closer to the edge of the dielectric 150 than the front section. It should be noted that the front section may be arranged closer to the edge of the dielectric 150 than the rear section for convenience of the conductor installation.

상기와 같이 상기 도전체(211~212, 221~224)의 전방구간 및 후방구간은 유전체(150) 상면으로부터의 높이를 서로 다르게 하면, 도전체의 길이방향에서의 위치에 따른 전위편차를 개선하여 플라즈마 밀도를 보다 균일하게 형성할 수 있게 된다.As described above, when the heights of the conductors 211 to 212 and 221 to 224 from the upper surface of the dielectric 150 are different from each other, the potential difference according to the position in the longitudinal direction of the conductor is improved The plasma density can be more uniformly formed.

또한 상기 도전체(211~212, 221~224)의 전방구간 및 후방구간은 유전체(150) 상면으로부터의 높이를 서로 다르게 하면, 도전체에 대한 RF전원인가 및 접지를 위한 전원연결선 설치시 상호 간섭이 방지되어 RF전원인가 및 접지를 위한 전원연결선을 보다 편리하게 설치할 수 있는 이점이 있다. 여기서 RF전원인가 및 접지와의 연결의 편의를 위하여, 전방구간이 후방구간보다 낮게도 설치될 수 있음은 물론이다.Further, when the heights of the conductors 211 to 212 and 221 to 224 from the upper surface of the dielectric 150 are different from each other, the power supply line for RF power supply and grounding of the conductors may cause mutual interference The power supply line for RF power supply and grounding can be more conveniently installed. Here, for convenience of connection with RF power supply and ground, the front section may be installed lower than the rear section.

한편 상기 도전체군(210, 220)을 이루는 복수의 도전체(211~212, 221~224)들은 복수의 도전체(211~212, 221~224)들이 교차지점(P1, P2 또는 P3, P4)에서의 도전체군(210, 220)을 이루는 복수의 도전체(211~212, 221~224)들의 전위의 합이 일정하도록 배치됨이 바람직하다.The plurality of conductors 211 to 212 and 221 to 224 constituting the conductor groups 210 and 220 are connected to the intersections P1 and P2 or P3 and P4 of the plurality of conductors 211 to 212 and 221 to 224, It is preferable that the sum of the potentials of the plurality of conductors 211 to 212 and 221 to 224 constituting the conductor groups 210 and 220 in the power supply line 210 is constant.

상기와 같이 각 교차지점(P1, P2 또는 P3, P4)에서의 전위들의 합이 일정하게 하면 유전체(150)의 평면위치에 따라 형성되는 플라즈마 밀도를 균일하게 할 수 있다.As described above, when the sum of the potentials at the intersections (P1, P2 or P3, P4) is made constant, the plasma density formed along the plane position of the dielectric 150 can be made uniform.

여기서 상기 복수의 도전체(211~212, 221~224)들이 교차지점(P1, P2 또는 P3, P4)에서의 도전체군(210, 220)을 이루는 복수의 도전체(211~212, 221~224)들의 전위의 합이 일정하다는 의미는 유전체(150)의 상부 전체 영역에 걸친 것을 의미하는 것이 아니라, 유전체(150)의 상부 중 중심부 내 일부영역, 또는 외곽부 내 일부영역에서 전위의 합이 일정하다 것을 의미한다.The plurality of conductors 211 to 212 and 221 to 224 constituting the conductor groups 210 and 220 at the intersecting points P1 and P2 or P3 and P4 The sum of the dislocations of the dielectric 150 does not mean that it extends over the entire upper area of the dielectric 150 but the sum of the dislocations in the partial area in the center part of the upper part of the dielectric 150, It means to do.

참고로, 상기 전위의 합은 유전체(150)의 상부 중 중심부 내 일부영역과 외곽부 내 일부영역에서의 전위의 합은 서로 다르게 형성될 수 있음은 물론이다.It is needless to say that the sum of the potentials may be different from each other in the sum of the potentials in a part of the upper part of the dielectric 150 in the central part and a part of the area of the outer part.

또한 상기 교차지점(P1, P2 또는 P3, P4)에서의 도전체군(210, 220)을 이루는 복수의 도전체(221~224)들 사이의 간격은 0~150㎜인 것이 바람직하다. The spacing between the plurality of conductors 221 to 224 constituting the conductor groups 210 and 220 at the intersections P1 and P2 or P3 and P4 is preferably 0 to 150 mm.

여기서 상기 중앙도전체군(210)와 같이 유도전계의 분포에 따라서 복수의 도전체(211~212)들 사이의 간격은 150㎜ 이상이 될 수 있음은 물론이다.Here, it is needless to say that the distance between the conductors 211 to 212 may be 150 mm or more according to the distribution of the induction field like the central conductor 210.

상기와 같이 복수의 도전체(211~212, 221~224)들로 구성된 하나 이상의 도전체군(210)은 루프구조를 이루며, 각 도전체(211~212, 221~224)들의 후방구간이 다음 도전체(211~212, 221~224)들의 전방구간과 상하방향으로 중첩되지 않게 평행하게 배치되면, 플라즈마 형성을 위한 안테나부(200)의 수직 투영면적을 증가시켜 결과적으로 고밀도의 플라즈마 형성영역을 증가시킬 수 있게 된다.As described above, the at least one conductor group 210 composed of the plurality of conductors 211 to 212 and 221 to 224 has a loop structure, and the rear section of each conductor 211 to 212 and 221 to 224 is the next The vertical projection area of the antenna unit 200 for plasma formation is increased so as to increase the density of the plasma forming area of the plasma display panel 200. As a result, .

더 나아가 인접한 두 개의 도전체들이 상하로 중첩되어 배치된 경우 상측에 위치된 부분이 하측에 위치된 부분에 의하여 전자기장이 차폐되는 문제점이 있으나, 서로 인접한 도전체들의 적어도 일부가 서로 상하로 중첩되지 않게 평행하게 배치됨으로써 전자기장이 차폐되는 문제점을 개선하여 결과적으로 고밀도의 플라즈마 형성영역을 증가시킬 수 있게 된다.In addition, when two adjacent conductors are arranged in an overlapping manner, there is a problem that an electromagnetic field is shielded by a portion positioned on the upper side and a portion located on the lower side, but there is a problem that at least a part of the adjacent conductors do not overlap each other By arranging them in parallel, it is possible to improve the problem of shielding the electromagnetic field and consequently to increase the density of the plasma forming region.

한편 상기 안테나부(200)는 대형 기판처리를 위하여 유전체(150) 하측에 형성되는 플라즈마 형성영역을 더 증가시킬 필요가 있다.Meanwhile, the antenna unit 200 needs to further increase the plasma forming area formed under the dielectric 150 for the large substrate processing.

따라서 상기 도전체군(210, 220)들 중 적어도 일부의 도전체군(220)는 도 6 내지 도 8에 도시된 바와 같이, 후방구간 및 제2단부 사이에서 연장구간이 추가로 구분되고 단일의 루프구조를 이룰 수 있다. 도 7에서 이점쇄선으로 표시하였다.Therefore, at least some of the conductive groups 220 of the conductive groups 210 and 220 may be further divided into extended sections between the rear section and the second ends, as shown in FIGS. 6 to 8, . Dotted line in Fig.

상기 연장구간은 유전체(150) 하측에 형성되는 플라즈마 형성영역을 증가시키기 위하여, 도전체군(220)의 도전체(221~224)의 후방구간으로부터 더 연장되고 그 끝단에 접지와 연결되는 제2단부(202)를 이루는 구간이다.The extension section further extends from the rear section of the conductors 221 to 224 of the conductor group 220 to increase the plasma forming area formed under the dielectric 150 and has a second end (202).

그리고 상기 연장구간이 추가로 구분된 도전체(221~224)들은 후방구간 및 연장구간이 각각 다음의 도전체(221~224)의 전방구간 및 후방구간과 그 길이방향으로 인접하여 평행하게 배치되고, 마지막 도전체(224)의 후방구간 및 연장구간이 첫 번째 도전체(221)의 전방구간 및 후방구간과 그 길이방향으로 인접하여 평행하게 배치될 수 있다.The conductors 221 to 224, which are further divided into the extended sections, are disposed in parallel with the front section and the rear section of the next conductors 221 to 224 in the longitudinal direction thereof, respectively, The rear section and the extension section of the last conductor 224 may be disposed in parallel with the front section and the rear section of the first conductor 221 in the longitudinal direction thereof.

여기서 상기 연장구간이 추가로 구분된 도전체(221~224)들은 후방구간, 전방구간 및 연장구간 순으로 유전체(150)의 가장자리와 더 가깝게 배치됨이 바람직하다.Here, it is preferable that the conductors 221 to 224 having the extended sections are further disposed closer to the edge of the dielectric 150 in the order of the rear section, the front section, and the extending section.

상기와 같이, 도전체(211~212, 221~224)들 중 적어도 일부의 도전체(221~224)들이 연장구간을 가지게 되면, 유전체(150)의 상면에 대한 안테나부(150)의 수직투영면적을 증가시킴으로써 유전체(150) 하부에 형성되는 플라즈마형성영역을 증가시킬 수 있으며, 플라즈마형성을 위하여 설치되는 각 도전체(221~224) 간의 간섭을 배제하여 보다 균일한 플라즈마를 형성할 수 있는 이점이 있다.As described above, when at least some of the conductors 221 to 224 of the conductors 211 to 212 and 221 to 224 have extended sections, the vertical projection of the antenna section 150 to the upper surface of the dielectric 150 It is possible to increase the plasma forming area formed under the dielectric 150 by increasing the area and to eliminate the interference between the conductors 221 to 224 provided for the plasma formation to provide a more uniform plasma .

이상은 본 발명에 의해 구현될 수 있는 바람직한 실시예의 일부에 관하여 설명한 것에 불과하므로, 주지된 바와 같이 본 발명의 범위는 위의 실시예에 한정되어 해석되어서는 안 될 것이며, 위에서 설명된 본 발명의 기술적 사상과 그 근본을 함께 하는 기술적 사상은 모두 본 발명의 범위에 포함된다고 할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention as defined in the appended claims. It is to be understood that both the technical idea and the technical spirit of the invention are included in the scope of the present invention.

100 : 진공챔버 150 : 유전체
200 : 안테나부
210, 220 : 도전체군100: vacuum chamber 150: dielectric
200:
210, 220: Conductor group

Claims (20)

상측에 개구부가 형성된 챔버본체와;
상기 챔버본체와 함께 처리공간을 형성하도록 상기 개구부를 복개하는 하나 이상의 유전체와;
상기 챔버본체에 설치되어 기판을 지지하는 기판지지대와;
상기 처리공간으로 가스를 분사하는 가스분사부와;
상기 유전체의 상측에 설치되어 상기 처리공간에 유도전계를 형성하는 안테나부를 포함하며,
상기 안테나부는 제1단부가 RF전원과 연결되고 제2단부가 접지와 연결되며 서로 인접하여 설치되는 복수의 도전체들을 가지는 하나 이상의 도전체군을 포함하며,
상기 도전체군의 복수의 도전체들은 서로 인접하여 설치된 도전체들이 서로 상하방향으로 중첩되지 않게 평행하게 배치된 것을 특징으로 하는 유도전계 플라즈마 처리장치.A chamber body having an opening formed on an upper side thereof;
At least one dielectric covering the opening to form a processing space with the chamber body;
A substrate support installed on the chamber body to support the substrate;
A gas spraying part for spraying gas into the processing space;
And an antenna unit provided on the dielectric to form an induction field in the processing space,
Wherein the antenna unit includes at least one conductor group having a plurality of conductors, the first ends of which are connected to an RF power source, the second ends of which are connected to a ground,
Wherein the plurality of conductors of the conductor group are arranged in parallel so that conductors provided adjacent to each other do not overlap each other in the vertical direction. 청구항 1에 있어서,
상기 도전체군에서 서로 인접하여 설치된 도전체들이 배치되는 길이방향과 수직을 이루는 폭방향의 가상선을 상기 서로 인접하여 설치된 도전체들과 교차시켰을 때, 상기 가상선과 상기 서로 인접하여 설치된 도전체들과 각각 교차되는 교차지점들에서, 상기 도전체군의 복수의 도전체들의 적어도 일부가 상기 유전체의 상면으로부터의 각 도전체들의 높이가 서로 다른 것을 특징으로 하는 유도결합 플라즈마 처리장치.The method according to claim 1,
When a virtual line in the width direction perpendicular to the longitudinal direction in which the conductors disposed adjacent to each other in the conductor group is arranged is intersected with the conductors provided adjacent to each other, Wherein each of the plurality of conductors of the group of conductors has a different height from each of the conductors from the top surface of the dielectric at crossing points that intersect each other. 청구항 2에 있어서,
상기 도전체군은 상기 도전체군의 복수의 도전체들에 대한 상기 교차지점에서의 전위들의 합이 일정하도록 배치된 것을 특징으로 하는 유도결합 플라즈마 처리장치The method of claim 2,
Wherein the group of conductors is arranged so that the sum of the potentials at the intersection points with respect to the plurality of conductors of the group of conductors is constant. ≪ RTI ID = 0.0 & 청구항 2에 있어서,
상기 교차지점에서 인접한 도전체들 사이의 상기 폭방향의 간격은 0~150㎜인 것을 특징으로 하는 유도결합 플라즈마 처리장치The method of claim 2,
And an interval between the adjacent conductors in the width direction at the intersection point is 0 to 150 mm. 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 도전체군의 복수의 도전체들은 각각 상기 제1단부 및 상기 제2단부 사이에 전방구간 및 후방구간으로 구분되며,
상기 도전체군의 복수의 도전체들은 전방구간이 후방구간보다 상기 유전체의 상면으로부터의 높이가 다르게 배치된 것을 특징으로 하는 유도결합 플라즈마 처리장치.The method according to any one of claims 1 to 4,
Wherein a plurality of conductors of the conductor group are respectively divided into a front section and a rear section between the first end and the second end,
Wherein the plurality of conductors of the conductor group are arranged such that the front section is different in height from the upper surface of the dielectric than the rear section. 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 도전체군은 순차적으로 배치되어 단일의 루프구조를 이루며,
상기 도전체군의 복수의 도전체들은 각각 상기 제1단부 및 상기 제2단부 사이에 전방구간 및 후방구간으로 구분되며,
상기 도전체군의 복수의 도전체들은 각각 후방구간이 다음의 도전체의 전방구간과 그 길이방향으로 인접하여 평행하게 배치되고, 마지막 도전체의 후방구간이 첫 번째 도전체의 전방구간과 그 길이방향으로 인접하여 평행하게 배치된 것을 특징으로 하는 유도결합 플라즈마 처리장치.The method according to any one of claims 1 to 4,
The conductive groups are sequentially arranged to form a single loop structure,
Wherein a plurality of conductors of the conductor group are respectively divided into a front section and a rear section between the first end and the second end,
Wherein the plurality of conductors of the group of conductors are arranged such that a rear section thereof is parallel to and adjacent to a front section of the next conductor in a longitudinal direction thereof and wherein a rear section of the last conductor is divided into a front section of the first conductor, And wherein the inductively coupled plasma processing apparatus is disposed adjacent to and parallel to the inductively coupled plasma processing apparatus. 청구항 6에 있어서,
상기 도전체군의 복수의 도전체들은 전방구간이 후방구간보다 상기 유전체의 상면으로부터의 높이가 다르게 배치된 것을 특징으로 하는 유도결합 플라즈마 처리장치.The method of claim 6,
Wherein the plurality of conductors of the conductor group are arranged such that the front section is different in height from the upper surface of the dielectric than the rear section. 청구항 6에 있어서,
상기 도전체군의 복수의 도전체들은 후방구간이 전방구간보다 상기 유전체의 가장자리와 더 가깝게 배치된 것을 특징으로 하는 유도결합 플라즈마 처리장치.The method of claim 6,
Wherein the plurality of conductors of the group of conductors are disposed such that the rear section is closer to the edge of the dielectric than to the front section. 청구항 6에 있어서,
상기 도전체군들 중 적어도 일부의 도전체군의 도전체들 및 그와 인접한 도전체는 각각 그 길이방향으로 분기되었다가 다시 합쳐지는 하나 이상의 분기부가 형성된 것을 특징으로 하는 유도결합 플라즈마 처리장치.The method of claim 6,
Wherein at least some of the conductors of the group of conductors and adjacent conductors of the group of conductors are each formed with one or more branches that branch in the longitudinal direction and rejoin the conductors. 청구항 9에 있어서,
상기 도전체의 분기부는 평행하게 배치된 인접한 도전체의 분기부의 일부와 상하방향으로 중첩되는 것을 특징으로 하는 유도 결합 플라즈마 처리장치.The method of claim 9,
Wherein the branch portion of the conductor overlaps with a part of the branch portion of the adjacent conductor arranged in parallel in the vertical direction. 청구항 6에 있어서,
상기 도전체군들 중 적어도 일부는 상기 후방구간 및 상기 제2단부 사이에서 연장구간이 추가로 구분되며,
상기 연장구간이 추가로 구분된 도전체들은 후방구간 및 연장구간이 각각 다음의 도전체의 전방구간 및 후방구간과 그 길이방향으로 인접하여 평행하게 배치되고, 마지막 도전체의 후방구간 및 연장구간이 첫 번째 도전체의 전방구간 및 후방구간과 그 길이방향으로 인접하여 평행하게 배치된 것을 특징으로 하는 유도결합 플라즈마 처리장치.The method of claim 6,
At least some of the conductive groups are further divided into an extended section between the rear section and the second section,
The conductors further having the extended section are arranged in parallel with the front section and the rear section of the next conductor in parallel with each other in the longitudinal direction and the rear section and the extended section of the last conductor are arranged in parallel with each other, Wherein the first conductor and the second conductor are disposed in parallel with each other in the longitudinal direction of the front section and the rear section of the first conductor. 청구항 11에 있어서,
상기 연장구간이 추가로 구분된 도전체들은 전방구간이 후방구간보다 상기 유전체의 상면으로부터 더 높게 배치되며, 상기 연장구간은 후방구간과 같은 높이를 가지거나 더 낮게 배치된 것을 특징으로 하는 유도결합 플라즈마 처리장치.The method of claim 11,
Wherein the conductors further having the extended section are disposed higher than the rear section of the dielectric from the upper surface thereof and the extended sections are disposed at the same height or lower than the rear section, Processing device. 청구항 11에 있어서,
상기 연장구간이 추가로 구분된 도전체들은 후방구간, 전방구간 및 연장구간 순으로 상기 유전체가장자리와 더 가깝게 배치된 것을 특징으로 하는 유도결합 플라즈마 처리장치.The method of claim 11,
Wherein the conductors further having the extension section are disposed closer to the dielectric edge in the rear section, the front section, and the extension section. 청구항 11에 있어서,
상기 도전체군들 중 적어도 일부의 도전체군의 도전체들 및 그와 인접한 도전체는 각각 그 길이방향으로 분기되었다가 다시 합쳐지는 하나 이상의 분기부가 형성된 것을 특징으로 하는 유도결합 플라즈마 처리장치.The method of claim 11,
Wherein at least some of the conductors of the group of conductors and adjacent conductors of the group of conductors are each formed with one or more branches that branch in the longitudinal direction and rejoin the conductors. 청구항 11에 있어서,
상기 도전체의 분기부는 평행하게 배치된 인접한 도전체의 분기부의 일부와 상하방향으로 중첩되는 것을 특징으로 하는 유도 결합 플라즈마 처리장치.The method of claim 11,
Wherein the branch portion of the conductor overlaps with a part of the branch portion of the adjacent conductor arranged in parallel in the vertical direction. 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 복수의 도전체들 중 적어도 일부는 일부분에서 인접하는 도전체와 서로 상하로 중첩되는 것을 특징으로 하는 유도결합 플라즈마 처리장치.The method according to any one of claims 1 to 4,
Wherein at least a portion of the plurality of conductors overlaps with adjacent conductors at a portion in an up-and-down manner. 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 도전체군은 상기 유전체의 중앙부분에 배치되어 루프구조를 이루는 중심도전체군과;
상기 유전체의 외곽 쪽에 배치되어 루프구조를 이루는 외곽도전체군을 포함하는 것을 특징으로 하는 유도결합 플라즈마 처리장치.The method according to any one of claims 1 to 4,
The conductor group includes a central conductor group arranged at a central portion of the dielectric and forming a loop structure;
And an inductor connected to the outer periphery of the dielectric to form a loop structure. 청구항 17에 있어서,
상기 중심도전체군과 상기 외곽도전체군은 상기 유전체의 중심을 기준으로 점대칭을 이루는 것을 특징으로 하는 유도결합 플라즈마 처리장치.18. The method of claim 17,
Wherein the central conductor group and the entire outer conductor group are point-symmetric with respect to the center of the dielectric. 청구항 17에 있어서,
상기 유전체는 평면형상이 직사각형을 이루며,
상기 외곽도전체군을 이루는 상기 복수의 도전체들은 4개인 것을 특징으로 하는 유도결합 플라즈마 처리장치.18. The method of claim 17,
The dielectric has a rectangular shape in plan view,
Wherein the plurality of conductors constituting the entire group of the enclosure is four. 청구항 19에 있어서,
상기 외곽도전체군을 이루는 4개의 도전체들은 각각 그 제1단부 및 제2단부가 직사각형의 변에 서로 대향되어 위치된 것을 특징으로 하는 유도결합 플라즈마 처리장치.The method of claim 19,
Wherein the four conductors constituting the entire group of the enclosure are positioned so that the first end and the second end thereof are opposed to each other on the side of the rectangle.
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