KR20190013263A - Method for plasma etching using imprinted fine pattern - Google Patents

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KR20190013263A
KR20190013263A KR1020170097631A KR20170097631A KR20190013263A KR 20190013263 A KR20190013263 A KR 20190013263A KR 1020170097631 A KR1020170097631 A KR 1020170097631A KR 20170097631 A KR20170097631 A KR 20170097631A KR 20190013263 A KR20190013263 A KR 20190013263A
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fine pattern
metal layer
plasma etching
vertical direction
exposed
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이성중
김민중
구자붕
권상민
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Abstract

In the present invention, provided is a plasma etching method using an imprinted fine pattern which comprises the following steps: applying UV resin on an upper side of a metal layer formed on a glass substrate, forming a fine pattern on the UV resin by performing an imprinting process for pressing a fine pattern master, and curing the fine pattern by irradiating the UV resin with UV; forming a fine pattern reinforcement unit by performing an inclination deposition process on one lateral side and an upper side of the cured fine pattern; removing the UV resin in an area exposed in a vertical direction, since the fine pattern reinforcement unit is not formed from the fine pattern, by performing a first plasma etching process; removing a metal layer from the area exposed in the vertical direction from the metal layer by performing a second plasma etching process; and removing a fine pattern, remaining on an upper portion of the metal layer from which the area is exposed in the vertical direction, and the fine pattern reinforcement unit.

Description

임프린트된 미세 패턴을 이용한 플라즈마 에칭 방법{Method for plasma etching using imprinted fine pattern}[0001] The present invention relates to a plasma etching method using an imprinted fine pattern,

본 발명은 임프린팅 공정을 수행하고 자외선을 조사하여 형성한 미세 패턴을 이용하여 금속층을 제거하는 플라즈마 에칭 공정을 수행하는 경우에 미세 패턴의 일 측면과 상면에 미세 패턴 강화부를 형성함으로써, 금속층을 효과적으로 제거할 수 있는 임프린트된 미세 패턴을 이용한 플라즈마 에칭 방법에 관한 것이다.
The present invention is characterized in that, when performing a plasma etching process for removing a metal layer using a fine pattern formed by imprinting and irradiating ultraviolet rays, a fine pattern strengthening portion is formed on one side surface and an upper surface of the fine pattern, And more particularly, to a plasma etching method using an imprinted fine pattern that can be removed.

최근에 유리 기판이나 웨이퍼 상에 자외선 레진을 도포한 후에, 전자빔 리소리그래피 공정 등을 수행하여 제작된 미세 패턴 마스터를 접촉시켜 미세 패턴을 형성하고, 미세 패턴에 자외선을 조사하여 경화시킨 후에, 경화된 미세 패턴을 이용하여 플라즈마 에칭을 수행함으로써, 원하는 패턴을 형성하는 방법이 각광을 받고 있다.Recently, an ultraviolet resin is applied on a glass substrate or a wafer, and then a fine pattern master produced by carrying out an electron beam lithography process or the like is contacted to form a fine pattern. After a fine pattern is cured by irradiating ultraviolet rays, A method of forming a desired pattern by performing plasma etching using a fine pattern that has been obtained has been spotlighted.

상술한 임프린트된 미세 패턴을 이용하는 플라즈마 에칭 방법은 미세한 패턴을 용이하게 형성시킬 수 있는 장점이 있는 반면에, 금속층에 원하는 패턴을 형성시키는 경우에 임프린트된 미세 패턴이 플라즈마 에칭 공정을 수행하는 동안에 충분히 유지되지 않아서, 금속층에 원하는 패턴을 효과적으로 형성시키는데 어려움이 있었다.The plasma etching method using the imprinted fine pattern described above has an advantage in that a fine pattern can be easily formed. On the other hand, when the desired pattern is formed on the metal layer, the imprinted fine pattern is sufficiently retained during the plasma etching process And it was difficult to effectively form a desired pattern on the metal layer.

본 발명의 배경기술은 대한민국 특허청에 공개특허공보 10-2006-0008663호가 2006. 01. 27. 자로 게시되어 있다.
BACKGROUND ART [0002] The background art of the present invention is disclosed in the Korean Intellectual Property Office (KIPO) Patent Publication No. 10-2006-0008663 on Jan. 27, 2006.

따라서 본 발명은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 임프린팅 공정을 수행하고 자외선을 조사하여 형성한 미세 패턴을 이용하여 금속층을 제거하는 플라즈마 에칭 공정을 수행하는 경우에 미세 패턴의 일 측면과 상면에 미세 패턴 강화부를 형성함으로써, 금속층을 효과적으로 제거할 수 있는 임프린트된 미세 패턴을 이용한 플라즈마 에칭 방법을 제공하는 것이다.
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in order to solve the problems of the prior art, and it is an object of the present invention to provide a plasma etching process for removing a metal layer using a fine pattern formed by irradiating ultraviolet The present invention provides a plasma etching method using an imprinted fine pattern capable of effectively removing a metal layer by forming a fine pattern strengthening portion on one side surface and an upper surface of a fine pattern.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
It is to be understood that both the foregoing general description and the following detailed description are exemplary and explanatory and are not intended to limit the invention to the precise forms disclosed. Other objects, which will be apparent to those skilled in the art, It will be possible.

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 일 실시예에 따른 임프린트된 미세 패턴을 이용한 플라즈마 에칭 방법은 유리 기판 상에 형성된 금속층의 상면에 자외선 레진을 도포하고 미세 패턴 마스터를 가압하는 임프린팅 공정을 수행하여 상기 자외선 레진에 미세 패턴을 형성한 후에 자외선을 조사하여 상기 미세 패턴을 경화시키는 단계, 상기 경화된 미세 패턴의 일 측면과 상면에 경사 증착 공정을 수행하여 미세 패턴 강화부를 형성하는 단계, 제 1 플라즈마 에칭 공정을 수행하여 상기 미세 패턴 중에서 상기 미세 패턴 강화부가 형성되지 않아 수직 방향으로 노출되어 있는 영역의 자외선 레진을 제거하는 단계, 제 2 플라즈마 에칭 공정을 수행하여 상기 금속층 중에서 수직 방향으로 노출되어 있는 영역의 금속층을 제거하는 단계 및 상기 수직방향으로 노출된 영역이 제거된 금속층의 상부에 잔존하는 미세 패턴 및 미세 패턴 강화부를 제거하는 단계를 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a plasma etching method using an imprinted fine pattern, the method comprising: imprinting an ultraviolet resin on an upper surface of a metal layer formed on a glass substrate and pressing the fine pattern master; Forming a fine pattern on the ultraviolet resin, and then curing the fine pattern by irradiating ultraviolet rays; performing a tilted deposition process on one side surface and the upper surface of the cured fine pattern to form a fine pattern reinforcing portion; 1 plasma etching process to remove ultraviolet resin in a region of the fine pattern that is exposed in a vertical direction without forming the fine pattern strengthening portion and a second plasma etching process to expose the metal layer in a vertical direction Removing the metal layer in the region Removing the fine pattern and the fine pattern strengthening portion remaining on the upper portion of the metal layer from which the straightly exposed region is removed.

본 발명의 일 실시예에 따른 임프린트된 미세 패턴을 이용한 플라즈마 에칭 방법은, 상기 미세 패턴 강화부를 형성하는 단계에서, 상기 미세 패턴 강화부가 SiO2, TiO2, SiN 또는 SiON으로 형성되는 것이 바람직하다. In the plasma etching method using the imprinted fine pattern according to an embodiment of the present invention, in the step of forming the fine pattern reinforcing portion, the fine pattern reinforcing portion is preferably formed of SiO 2, TiO 2, SiN or SiON.

본 발명의 다른 실시예에 따른 임프린트된 미세 패턴을 이용한 플라즈마 에칭 방법은 유리 기판 상에 형성된 금속층의 상면에 자외선 레진을 도포하고 미세 패턴 마스터를 가압하는 임프린팅 공정을 수행하여 상기 자외선 레진에 미세 패턴을 형성한 후에 자외선을 조사하여 상기 미세 패턴을 경화시키는 단계, 상기 경화된 미세 패턴의 일 측면과 상면에 경사 증착 공정을 수행한 후에, 상기 경화된 미세 패턴의 다른 측면과 상면에 경사 증착을 수행하여 미세 패턴 강화부를 형성하는 단계, 제 1 플라즈마 에칭 공정을 수행하여 상기 미세 패턴 중에서 상기 미세 패턴 강화부가 형성되지 않아 수직 방향으로 노출되어 있는 영역의 자외선 레진을 제거하는 단계, 제 2 플라즈마 에칭 공정을 수행하여 상기 금속층 중에서 수직 방향으로 노출되어 있는 영역의 금속층을 제거하는 단계 및 상기 수직방향으로 노출된 영역이 제거된 금속층의 상부에 잔존하는 미세 패턴 및 미세 패턴 강화부를 제거하는 단계를 포함한다.The plasma etching method using the imprinted fine pattern according to another embodiment of the present invention includes the steps of applying an ultraviolet resin to the upper surface of a metal layer formed on a glass substrate and imprinting the pressed fine pattern master to form a fine pattern A step of irradiating ultraviolet rays to cure the fine pattern, a step of performing an oblique deposition process on one side surface and an upper surface of the cured fine pattern, and then performing oblique deposition on the other side and the top surface of the cured fine pattern Forming a fine pattern reinforcing portion by performing a first plasma etching process to remove ultraviolet resin in a region exposed in a vertical direction without forming the fine pattern reinforcing portion among the fine patterns; A region exposed in the vertical direction in the metal layer Removing the metal layer and removing block strengthening fine pattern and a fine pattern that remains on top of the metal layer exposed area is removed in the vertical direction.

본 발명의 다른 실시예에 따른 임프린트된 미세 패턴을 이용한 플라즈마 에칭 방법은, 상기 미세 패턴 강화부를 형성하는 단계에서, 상기 미세 패턴 강화부가 SiO2, TiO2, SiN 또는 SiON으로 형성되는 것이 바람직하다.
In the plasma etching method using the imprinted fine pattern according to another embodiment of the present invention, in the step of forming the fine pattern reinforcing portion, the fine pattern reinforcing portion is preferably formed of SiO 2, TiO 2, SiN or SiON.

본 발명의 실시예들에 따른 임프린트된 미세 패턴을 이용한 플라즈마 에칭 방법은 임프린팅 공정을 수행하고 자외선을 조사하여 형성한 미세 패턴을 이용하여 금속층을 제거하는 플라즈마 에칭 공정을 수행하는 경우에 미세 패턴의 일 측면과 상면에 미세 패턴 강화부를 형성함으로써, 금속층을 효과적으로 제거할 수 있다.
The plasma etching method using the imprinted fine pattern according to the embodiments of the present invention is characterized in that when a plasma etching process for performing imprinting and removing a metal layer using a fine pattern formed by irradiating ultraviolet rays is performed, By forming the fine pattern strengthening portion on one side surface and the upper surface, the metal layer can be effectively removed.

도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 임프린트된 미세 패턴을 이용한 플라즈마 에칭 방법 중 임프린팅 공정을 수행하는 단면도.
도 2는 본 발명의 실시예들에 따른 임프린트된 미세 패턴을 이용한 플라즈마 에칭 방법 중 세부 공정을 수행하는 단면도.
도 3 내지 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 임프린트된 미세 패턴을 이용한 플라즈마 에칭 방법 중 세부 공정을 수행하는 단면도.
도 7 내지 도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 임프린트된 미세 패턴을 이용한 플라즈마 에칭 방법 중 세부 공정을 수행하는 단면도.1 is a cross-sectional view illustrating an imprinting process in a plasma etching method using an imprinted fine pattern according to embodiments of the present invention.
2 is a cross-sectional view of a plasma etching method using an imprinted fine pattern according to embodiments of the present invention.
FIGS. 3 to 6 are cross-sectional views illustrating details of a plasma etching method using imprinted fine patterns according to an embodiment of the present invention. FIG.
7 to 10 are cross-sectional views illustrating details of a plasma etching method using an imprinted fine pattern according to another embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The advantages and features of the present invention and the manner of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described in detail below with reference to the accompanying drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as being limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the concept of the invention to those skilled in the art. Is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification.

본 발명의 일 실시예에 따른 임프린트된 미세 패턴을 이용한 플라즈마 에칭 방법은 먼저, 도 1 및 도 2에 도시된 것처럼, 유리 기판(100) 상에 형성된 금속층(200)의 상면에 자외선 레진(300)을 도포하고 미세 패턴 마스터(400)를 가압하는 임프린팅 공정을 수행하여 상기 자외선 레진(300)에 미세 패턴(301)을 형성한 후에 자외선(600)을 조사하여 상기 미세 패턴(301)을 경화시킨다.1 and 2, a plasma etching method using an imprinted fine pattern according to an embodiment of the present invention includes a step of forming an ultraviolet resin 300 on an upper surface of a metal layer 200 formed on a glass substrate 100, An ultraviolet ray 600 is applied to the ultraviolet resin 300 to form a fine pattern 301 and then the ultraviolet resin 300 is cured by irradiating the ultraviolet resin 300 with an imprinting process .

여기에서, 미세 패턴 마스터(400)는 전자빔 리소그래피 공정 등을 수행하여 미리 형성하며, 미세 패턴 마스터(400)를 롤러(500)를 이용하여 도포된 자외선 레진(300)에 접촉시켜 가압함으로써 미세 패턴(301)을 형성할 수 있다.Here, the fine pattern master 400 is formed in advance by performing an electron beam lithography process or the like, and the fine pattern master 400 is brought into contact with the ultraviolet resin 300 applied by using the roller 500, 301 can be formed.

다음으로 도 3에 도시된 것처럼, 상기 경화된 미세 패턴(301)의 일 측면과 상면에 경사 증착 공정을 수행하여 미세 패턴 강화부(310)를 형성한다.Next, as shown in FIG. 3, an oblique deposition process is performed on one side surface and the upper surface of the cured fine pattern 301 to form a fine pattern reinforcing portion 310.

여기에서, 상기 미세 패턴 강화부(310)는 SiO2, TiO2, SiN 또는 SiON을 이용하여 경사 증착 공정을 수행함으로써, 용이하게 형성할 수 있다.Here, the fine pattern strengthening part 310 can be easily formed by performing a tilted deposition process using SiO2, TiO2, SiN or SiON.

다음으로, 도 4에 도시된 것처럼, 제 1 플라즈마 에칭 공정을 수행하여 상기 미세 패턴(301) 중에서 상기 미세 패턴 강화부(310)가 형성되지 않아 수직 방향으로 노출되어 있는 영역의 자외선 레진(301)을 제거한다.4, a first plasma etching process is performed to remove the ultraviolet resin 301 in the region where the fine pattern reinforcing portion 310 is not formed and is exposed in the vertical direction in the fine pattern 301, .

다음으로, 도 5에 도시된 것처럼, 제 2 플라즈마 에칭 공정을 수행하여 상기 금속층(200) 중에서 수직 방향으로 노출되어 있는 영역의 금속층(200)을 제거한다.Next, as shown in FIG. 5, a second plasma etching process is performed to remove the metal layer 200 in the region exposed in the vertical direction in the metal layer 200.

여기에서, 상기 금속층(200) 상부에 잔존하는 미세 패턴(301) 및 미세 패턴 강화부(310)가 마스크로 이용되므로, 상기 금속층(200) 중에서 수직 방향으로 노출되어 있는 영역만이 제거되어, 원하는 패턴을 형성할 수 있다.Here, since the fine pattern 301 and the fine pattern reinforcing portion 310 remaining on the metal layer 200 are used as masks, only the region exposed in the vertical direction in the metal layer 200 is removed, A pattern can be formed.

이러한 미세 패턴(301) 및 미세 패턴 강화부(310)가 마스크로 이용되는 경우에는 금속층(200)과 미세 패턴(301) 또는 미세 패턴 강화부(310)의 에칭 선택비가 1:1 ~ 3:1에서 5:1 ~ 50:1로 획기적으로 증가될 수 있으며, 상술한 에칭 선택비는 금속층(200)의 두께, 밀도와 에칭 조건에 따라서 변경될 수 있다.When the fine pattern 301 and the fine pattern reinforcement 310 are used as a mask, the etching selectivity ratio of the metal layer 200 and the fine pattern 301 or the fine pattern reinforcement 310 is 1: 1 to 3: 1 To 5: 1 to 50: 1, and the above-described etching selectivity can be changed according to the thickness, density, and etching conditions of the metal layer 200.

종래에는, 금속층 상부에 미세 패턴만이 잔존하고 있어, 플라즈마 에칭 공정을 수행하는 동안에 충분히 유지되지 못한 반면에, 본 발명의 일 실시예에 따른 임프린트된 미세 패턴을 이용한 플라즈마 에칭 방법에서는 상기 금속층(200) 상부에 미세 패턴(301) 및 미세 패턴 강화부(310)가 같이 잔존하고 있어, 제 2 플라즈마 에칭 공정을 수행하는 동안에 충분히 유지되므로, 금속층(200)을 효과적으로 제거할 수 있다. In the conventional plasma etching method using imprinted fine patterns according to an embodiment of the present invention, only a fine pattern remains on the metal layer and is not sufficiently maintained during the plasma etching process, The fine pattern 301 and the fine pattern strengthening portion 310 are remained on the upper portion of the metal layer 200 and sufficiently maintained during the second plasma etching process.

마지막으로, 도 6에 도시된 것처럼, 상기 수직방향으로 노출된 영역이 제거된 금속층(210)의 상부에 잔존하는 미세 패턴(301) 및 미세 패턴 강화부(310)를 제거한다.
Finally, as shown in FIG. 6, the fine pattern 301 and the fine pattern strengthening portion 310 remaining on the upper portion of the metal layer 210 from which the vertically exposed region is removed are removed.

이하에서는, 본 발명의 다른 실시예에 따른 임프린트된 미세 패턴을 이용한 플라즈마 에칭 방법에 대해서 설명하며, 본 발명의 일 실시예에 따른 임프린트된 미세 패턴을 이용한 플라즈마 에칭 방법과의 차이점에 대해서만 설명한다.Hereinafter, a plasma etching method using an imprinted fine pattern according to another embodiment of the present invention will be described, and differences from the plasma etching method using an imprinted fine pattern according to an embodiment of the present invention will be described.

본 발명의 다른 실시예에 따른 임프린트된 미세 패턴을 이용한 플라즈마 에칭 방법에서는 상기 경화된 미세 패턴(301)의 일 측면과 상면에 경사 증착 공정을 수행한 후에, 상기 경화된 미세 패턴(301)의 다른 측면과 상면에 경사 증착을 수행하여 미세 패턴 강화부(310, 320)를 형성하여, 상기 금속층(200) 상부에 잔존하는 미세 패턴(301) 및 미세 패턴 강화부(310, 320)가 마스크로 이용되므로, 상기 금속층(200) 중에서 수직 방향으로 노출되어 있는 영역만이 제거되어, 원하는 패턴을 형성할 수 있다.
In the plasma etching method using the imprinted fine pattern according to another embodiment of the present invention, after the oblique deposition process is performed on one side and the upper side of the cured fine pattern 301, The fine patterns 301 and the fine pattern reinforcing portions 310 and 320 remaining on the metal layer 200 are used as a mask to form fine pattern reinforcing portions 310 and 320 by performing oblique deposition on the side and top surfaces, Only the regions exposed in the vertical direction in the metal layer 200 are removed, and a desired pattern can be formed.

이상, 본 발명을 본 발명의 원리를 예시하기 위한 바람직한 실시예와 관련하여 설명하고 도시하였지만, 본 발명은 그와 같이 도시되고 설명된 그대로의 구성 및 작용으로 한정되는 것이 아니다.
While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments.

오히려, 첨부된 청구범위의 사상 및 범주를 일탈함이 없이 본 발명에 대한 다수의 변경 및 수정이 가능함을 당업자들은 잘 이해할 수 있을 것이다.
On the contrary, those skilled in the art will appreciate that many modifications and variations of the present invention are possible without departing from the spirit and scope of the appended claims.

따라서, 그러한 모든 적절한 변경 및 수정과 균등물들도 본 발명의 범위에 속하는 것으로 간주되어야 할 것이다.
Accordingly, all such appropriate modifications and changes, and equivalents thereof, should be regarded as within the scope of the present invention.

100 : 유리 기판
200 : 금속층
300 : 자외선 레진
301 : 미세 패턴
310, 320 : 미세 패턴 강화부
400 : 미세 패턴 마스터
500 : 롤러
600 : 자외선100: glass substrate
200: metal layer
300: ultraviolet resin
301: fine pattern
310, 320: fine pattern reinforcing portion
400: Fine pattern master
500: roller
600: ultraviolet ray

Claims (4)

유리 기판 상에 형성된 금속층의 상면에 자외선 레진을 도포하고 미세 패턴 마스터를 가압하는 임프린팅 공정을 수행하여 상기 자외선 레진에 미세 패턴을 형성한 후에 자외선을 조사하여 상기 미세 패턴을 경화시키는 단계;
상기 경화된 미세 패턴의 일 측면과 상면에 경사 증착 공정을 수행하여 미세 패턴 강화부를 형성하는 단계;
제 1 플라즈마 에칭 공정을 수행하여 상기 미세 패턴 중에서 상기 미세 패턴 강화부가 형성되지 않아 수직 방향으로 노출되어 있는 영역의 자외선 레진을 제거하는 단계;
제 2 플라즈마 에칭 공정을 수행하여 상기 금속층 중에서 수직 방향으로 노출되어 있는 영역의 금속층을 제거하는 단계; 및
상기 수직방향으로 노출된 영역이 제거된 금속층의 상부에 잔존하는 미세 패턴 및 미세 패턴 강화부를 제거하는 단계를 포함하는 임프린트된 미세 패턴을 이용한 플라즈마 에칭 방법.
Applying an ultraviolet resin to an upper surface of a metal layer formed on a glass substrate and imprinting the micropattern master to form a fine pattern on the ultraviolet resin and then curing the fine pattern by irradiating ultraviolet rays;
Performing a tilted deposition process on one side surface and the upper surface of the cured fine pattern to form a fine pattern strengthening portion;
Performing a first plasma etching process to remove ultraviolet resin in a region of the fine pattern exposed in a vertical direction without forming the fine pattern strengthening portion;
Performing a second plasma etching process to remove a metal layer in a region exposed in a vertical direction in the metal layer; And
And removing the fine pattern and the fine pattern strengthening portion remaining on the upper portion of the metal layer from which the vertically exposed region is removed.
제1항에 있어서,
상기 미세 패턴 강화부를 형성하는 단계에서, 상기 미세 패턴 강화부는 SiO2, TiO2, SiN 또는 SiON으로 형성되는 것을 특징으로 하는 임프린트된 미세 패턴을 이용한 플라즈마 에칭 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the fine pattern strengthening portion is formed of SiO2, TiO2, SiN, or SiON, in the step of forming the fine pattern strengthening portion.
유리 기판 상에 형성된 금속층의 상면에 자외선 레진을 도포하고 미세 패턴 마스터를 가압하는 임프린팅 공정을 수행하여 상기 자외선 레진에 미세 패턴을 형성한 후에 자외선을 조사하여 상기 미세 패턴을 경화시키는 단계;
상기 경화된 미세 패턴의 일 측면과 상면에 경사 증착 공정을 수행한 후에, 상기 경화된 미세 패턴의 다른 측면과 상면에 경사 증착을 수행하여 미세 패턴 강화부를 형성하는 단계;
제 1 플라즈마 에칭 공정을 수행하여 상기 미세 패턴 중에서 상기 미세 패턴 강화부가 형성되지 않아 수직 방향으로 노출되어 있는 영역의 자외선 레진을 제거하는 단계;
제 2 플라즈마 에칭 공정을 수행하여 상기 금속층 중에서 수직 방향으로 노출되어 있는 영역의 금속층을 제거하는 단계; 및
상기 수직방향으로 노출된 영역이 제거된 금속층의 상부에 잔존하는 미세 패턴 및 미세 패턴 강화부를 제거하는 단계를 포함하는 임프린트된 미세 패턴을 이용한 플라즈마 에칭 방법.
Applying an ultraviolet resin to an upper surface of a metal layer formed on a glass substrate and imprinting the micropattern master to form a fine pattern on the ultraviolet resin and then curing the fine pattern by irradiating ultraviolet rays;
Performing an oblique deposition process on one side surface and an upper surface of the cured fine pattern, and then performing oblique deposition on the other side and the upper surface of the cured fine pattern to form a fine pattern reinforcing portion;
Performing a first plasma etching process to remove ultraviolet resin in a region of the fine pattern exposed in a vertical direction without forming the fine pattern strengthening portion;
Performing a second plasma etching process to remove a metal layer in a region exposed in a vertical direction in the metal layer; And
And removing the fine pattern and the fine pattern strengthening portion remaining on the upper portion of the metal layer from which the vertically exposed region is removed.
제3항에 있어서,
상기 미세 패턴 강화부를 형성하는 단계에서, 상기 미세 패턴 강화부는 SiO2, TiO2, SiN 또는 SiON으로 형성되는 것을 특징으로 하는 임프린트된 미세 패턴을 이용한 플라즈마 에칭 방법.

The method of claim 3,
Wherein the fine pattern strengthening portion is formed of SiO2, TiO2, SiN, or SiON, in the step of forming the fine pattern strengthening portion.

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