KR20190012424A - 페로브스카이트를 이용한 백라이트 유닛 및 이를 포함하는 액정표시장치 - Google Patents

페로브스카이트를 이용한 백라이트 유닛 및 이를 포함하는 액정표시장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20190012424A
KR20190012424A KR1020170095355A KR20170095355A KR20190012424A KR 20190012424 A KR20190012424 A KR 20190012424A KR 1020170095355 A KR1020170095355 A KR 1020170095355A KR 20170095355 A KR20170095355 A KR 20170095355A KR 20190012424 A KR20190012424 A KR 20190012424A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
perovskite
backlight unit
metal
shell
nucleus
Prior art date
Application number
KR1020170095355A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102357896B1 (ko
Inventor
최경철
신정빈
이호승
김명철
Original Assignee
한국과학기술원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국과학기술원 filed Critical 한국과학기술원
Priority to KR1020170095355A priority Critical patent/KR102357896B1/ko
Publication of KR20190012424A publication Critical patent/KR20190012424A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102357896B1 publication Critical patent/KR102357896B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133615—Edge-illuminating devices, i.e. illuminating from the side
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/30—Three-dimensional structures
    • C01P2002/34—Three-dimensional structures perovskite-type (ABO3)

Abstract

본 발명은 램프; 및 핵-껍질 구조의 페로브스카이트 나노결정입자(110)를 포함하는, 복수의 페로브스카이트 층(100)을 포함하는 백라이트 유닛(1000)인 것을 특징으로 한다.
본 발명은 페로브스카이트를 사용한 백라이트 유닛(1000)을 이용하여 액정 표시 장치를 구성함으로써 기존의 장치보다 색재현율 및 색순도를 크게 향상시킬 수 있다. 또한 페로브스카이트 발광체에 금속 나노 입자와의 국소 표면 플라즈몬 공명 현상을 적용하여 동일 소비 전력에 대해 페로브스카이트 발광체로부터의 광 출력을 더 크게 함으로써 고색재현, 고색순도, 저소비전력의 액정 표시 장치를 구현할 수 있다.

Description

페로브스카이트를 이용한 백라이트 유닛 및 이를 포함하는 액정표시장치 {BACKLIGHT UNITS USING PEROVSKITE EMITTERS AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICES INCLUDING THE SAME}
본 발명은 페로브스카이트를 이용한 백라이트 유닛 및 이를 포함하는 액정표시장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 입사된 광의 파장 대역을 새로운 파장 대역으로 변환하여 출력하는 페로브스카이트 (perovskite)층을 포함하는 백라이트 유닛 및 이를 포함하는 액정 표시 장치에 관한 것이다.
도 1은 액정 표시장치 구조를 나타낸 것으로, 일반적으로 백라이트 유닛, 편광판, 어레이 기판, 액정층 및 컬러필터 기판으로 구성된다.
액정 표시 장치는 OLED(Organic Light-Emitting Diodes)와 같이 자체적으로 발광하는 소자가 아니기 때문에 화면 구현을 위해서는 인위적으로 빛을 공급해주는 장치가 필요하다. 따라서 상기 구조 하부에 위치하는 백라이트 유닛을 광 소스로 이용하며 액정층에 위치한 액정들의 거동에 의해 광의 투과율을 조절한다. 상기 백라이트 유닛은 액정 표시 장치 소자의 소비전력 및 휘도와 직접적으로 관련이 있을 뿐만 아니라, 액정 표시 장치의 구성 요소 가운데 가장 값비싼 요소이기 때문에 백라이트 유닛 자체의 비용 절감이 액정 표시 장치의 수요 환기에도 중요한 영향을 미친다.
액정 표시 장치의 광 소스로 사용되는 백라이트 유닛의 구성 요소인 발광 램프로는 냉 음극 형광램프(CCFL), 외부 전극 형광램프(EEFL), 열 음극 형광램프(HCFL), 발광 다이오드(LED) 또는 반도체 양자점(quantum dot) 등 다양하다.
최근에는 CCFL보다 응답속도가 빠르고, 색재현율 및 색순도가 우수하고, 환경 친화적이라는 장점으로 LED(Light-Emitting Diodes)의 채용 빈도가 점차 높아지고 있다. 또한, LED보다 색재현율 및 색순도 측면에서 특성이 우수한 반도체 양자점을 광 소스로도 많이 사용하고 있으며, 실제 국내 기업인 삼성 에서는 반도체 양자점을 백라이트 유닛에 사용한 액정 표시 장치를 TV 또는 모니터 제품으로도 현재 양산하여 시중에 판매하고 있다.
그러나, LED를 이용한 상용화된 백색 LED 백라이트 유닛은 주로 청색 LED칩(blue LED chip)과 노란색 형광체인 YAG(Yttrium Aluminium Garnet)계 형광체를 이용하여 백색을 구현한다. 즉, 청색 LED칩에서 청색광이 방출되고 YAG계 형광체가 이 청색광을 일부 흡수하여 노란색 빛으로 변환하여 방출하게 됨으로써 청색과 노란색의 혼합광에 의해 백색광을 구현하게 된다.
이 경우, 백색 LED 광원은 적색, 녹색, 청색 파장대의 빛을 모두 포함하고는 있지만, 각 파장들이 명확하게 구분이 되지 않는 문제가 있다.
청색 LED 칩을 이용하여 청색은 순색에 가까운 색을 표현할 수 있지만 녹색과 적색은 순색에는 미치지 못한 빛을 출력하게 되어 전체적으로 색재현율 및 색순도 특성이 낮다. 또한, 반도체 양자점을 이용한 광 소스는 상기 언급된 백색 LED보다 발광 스펙트럼 밴드(Band)가 좁아 색재현율 및 색순도 특성이 더 좋다고 알려져 왔지만, 청색 반도체 양자점의 경우는 양자점 크기가 매우 작아 제조 과정에서 그 크기를 균일하게 제어하기가 어렵다는 단점이 있다.
따라서 청색 반도체 양자점으로 인해 전체적인 색재현율 및 색순도가 떨어지는 문제점이 있기에 백색 LED 백라이트 유닛의 경우와 같이 청색 LED칩을 사용하고 색 변환이 가능한 녹색 및 적색 반도체 양자점을 사용한다. 하지만, 이와 같은 구성을 취할 경우 백색 LED 백라이트 유닛보다는 비용이 과다하게 소요되고, 색재현율 및 색순도 특성의 개선 정도도 미미하여 큰 한계점이 존재한다.
본 발명의 목적은 페로브스카이트를 사용한 백라이트 유닛을 이용하여 고색재현, 고색순도, 저소비전력의 성능을 제공하는 액정 표시 장치를 제공 하는데 있다.
상기 기술적 과제를 해결하기 위하여 본 발명은 램프; 및 핵-껍질 구조의 페로브스카이트 나노결정입자를 포함하는, 복수의 페로브스카이트 층을 포함하는 백라이트 유닛인 것을 특징으로 한다.
또한 상기 램프는 청색 램프이고, 상기 복수의 페로브스카이트 층은 적색 및 녹색 페로브스카이트 층인 것을 특징으로 한다.
또한 상기 램프는 자외선(UV) 램프이고, 상기 복수의 페로브스카이트 층은 적색, 녹색 및 청색 페로브스카이트 층인 것을 특징으로 한다.
또한 상기 핵-껍질 구조의 페로브스카이트 나노결정입자는, 페로브스카이트 나노결정을 포함하는 핵; 및 상기 핵을 둘러싸며, 상기 핵의 밴드갭 에너지(Band gap energy)를 초과하는 밴드갭 에너지를 갖는 물질을 포함하는 껍질을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한 상기 페로브스카이트 나노결정입자는 상기 껍질을 둘러싸는 유기리간드들을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한 상기 껍질은 페로브스카이트 재료, 무기물 반도체, 유기물 고분자 또는 유기물 저분자를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한 상기 페로브스카이트는 ABX3, A2BX4, ABX4, An- 1PbnX3n +1 또는 An- 1BnX3n +1의 결정 구조를 포함하고, 상기 A는 알칼리 금속, 1가의 유기 양이온, 1가의 금속 양이온, 아미디니움계(amidinium group) 유기 물질, 1가의 알칼리 금속 양이온(Cs+) 또는 유기 암모늄이고, 상기 B는 금속 물질이고, 상기 X는 할로겐 원소이며, 상기 n은 2 내지 6 에서 선택되는 정수인 것을 특징으로 한다.
또한 상기 유기암모늄은 (CH3NH3)n, ((CxH2x + 1)nNH3)2(CH3NH3)n, RNH3, (RNH3)2, (CnH2n+1NH3)2, (CF3NH3), (CF3NH3)n, ((CxF2x + 1)nNH3)2(CF3NH3)n, ((CxF2x + 1)nNH3)2 또는 (CnF2n+1NH3)2을 포함하는 것을 특징으로 한다. 여기서 n 및 x는 1이상인 정수이다.
또한 상기 B는 2가의 전이 금속, 희토류 금속, 알칼리 토류 금속, Pb, Mn, Cu, Ga, Ge, In, Al, Sb, Bi, Po, Sn, Eu, Yb, Ni, Co, Fe, Cr, Pd, Cd, Ca, 및 Sr 중에서 선택되는 어느 하나의 물질 또는 이들의 조합으로 이루어지는 물질을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한 상기 X는 Cl, Br, 및 I 중에서 선택되는 어느 하나의 물질 또는 이들의 조합으로 이루어지는 물질을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한 상기 복수의 페로브스카이트 층 중 하나 이상의 페로브스카이트 층 내부에 핵-껍질 구조를 가지는 복수개의 금속 나노 입자들을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한 상기 핵-껍질 구조의 금속 나노 입자의 핵은 Ag, Au, Pt, Cu, Al과 이들의 합금을 포함하는 금속 나노 입자 또는 ZnO 입자 또는 박막을 포함하고, 상기 껍질은 SiO2, Al2O3, TiO2, ZnO, MgO, ZnS, WO3, MoO3, LiF, HfO2 또는 SiNx 의 유전체를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한 상기 백라이트 유닛은, 복수개의 금속 나노 입자들이 포함된 층을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한 상기 금속 나노 입자는 Ag, Au, Pt, Cu, Al과 이들의 합금을 포함하는 금속 나노 입자 또는 ZnO 입자 또는 박막을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한 상기 백라이트 유닛을 포함하는 액정 표시 장치인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 실시 예들에 따른 페로브스카이트를 이용한 백라이트 유닛 및 이를 포함하는 액정표시장치의 효과에 대해 설명하면 다음과 같다.
본 발명은 페로브스카이트를 사용한 백라이트 유닛을 이용하여 액정 표시 장치를 구성함으로써 기존의 장치보다 색재현율 및 색순도를 크게 향상시킬 수 있다.
또한 페로브스카이트 발광체에 금속 나노 입자의 국소 표면 플라즈몬 공명 현상을 적용하여 동일 소비 전력에 대해 페로브스카이트 발광체로부터의 광 출력을 더 크게 함으로써 고색재현, 고색순도, 저소비전력의 액정 표시 장치를 구현할 수 있다.
다만, 본 발명의 실시 예들에 따른 페로브스카이트를 이용한 백라이트 유닛 및 이를 포함하는 액정표시장치가 달성할 수 있는 효과는 이상에서 언급한 것들로 제한되지 않으며, 언급하지 않은 또 다른 효과들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명에 관한 이해를 돕기 위해 상세한 설명의 일부로 포함되는, 첨부 도면은 본 발명에 대한 실시예를 제공하고, 상세한 설명과 함께 본 발명의 기술적 사상을 설명한다.
도 1은 일반적인 액정 표시 장치 구조를 나타내는 단면도이다.
도 2는 본 발명에 따른 백라이트 유닛(1000)의 페로브스카이트 층(100) 및 이를 구성하는 핵-껍질 구조의 페로브스카이트 나노결정입자(110)를 나타낸 것이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 청색 램프(200A) 및, 적색 및 녹색의 페로브스카이트 층(100)을 포함하는 백라이트 유닛(1000)의 단면도이다.
도 4의 (a), (b)는 본 발명의 제1 실시예에서, 페로브스카이트 층 내부에 핵-껍질 구조의 금속 나노 입자(400B)가 도입된 백라이트 유닛(1000)을 나타낸 단면도이다.
도 5의 (a)는 금속 나노 입자 껍질이 도입되지 않은 금속 나노 입자(400A) 및 이의 SEM 이미지를 나타낸 것이고, (b)는 금속 나노 입자 껍질(420)이 도입된 금속 나노 입자(400B) 및 이의 SEM 이미지를 나타낸 것이다.
도 6의 (a), (b)는 본 발명의 제1 실시예에서, 금속 나노 입자 층(500)이 추가로 도입된 백라이트 유닛(1000)을 나타낸 단면도이다.
도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따른 자외선(UV) 램프(200B) 및, 적색, 녹색 및 청색의 페로브스카이트 층(100)을 포함하는 백라이트 유닛(1000)의 단면도이다.
도 8의 (a), (b), (c)는 본 발명의 제2 실시예에서, 페로브스카이트 층 내부에 핵-껍질 구조의 금속 나노 입자(400B)가 도입된 백라이트 유닛(1000)을 나타낸 단면도이다.
도 9의 (a), (b), (c)는 본 발명의 제2 실시예에서, 금속 나노 입자 층 (500)이 추가로 도입된 백라이트 유닛(1000)을 나타낸 단면도이다.
도 10의 (a)는 종래의 백색 LED 백라이트 유닛의 정규화된 스펙트럼 세기를 나타낸 개념도이고, (b)는 종래의 백색 LED 백라이트 유닛의 정규화된 스펙트럼 세기를 실제로 실험하여 측정한 그래프이다.
도 11의 (a)는 종래의 백색 반도체 양자점 백라이트 유닛의 정규화된 스펙트럼 세기를 나타낸 개념도이고, (b)는 적색 및 녹색 반도체 양자점 발광체의 정규화된 스펙트럼 세기를 실제로 실험하여 측정한 그래프이다.
도 12의 (a)는 본 발명에 따른 백색 페로브스카이트 백라이트 유닛의 정규화된 스펙트럼 세기를 나타낸 개념도이고, (b)는 CsPbBr3 나노결정입자 기반의 녹색 페로브스카이트 발광체의 정규화된 스펙트럼 세기를 실제로 실험하여 측정한 그래프이다.
도 13은 금속 나노 입자의 국소 표면 플라즈몬 공명 현상을 이용하여 CsPbBr3 나노결정입자 기반의 녹색 페로브스카이트 발광체의 발광 효율을 향상시켰음을 나타내는 photoluminescence (PL) 실험의 측정 결과를 나타낸 그래프이다.
본 명세서 및 특허청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정하여 해석되어서는 아니되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해서 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여, 본 발명의 기술적 사상에 부합되는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. 따라서 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 하나의 실시예에 불과할 뿐이고, 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원 시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다. 이하에서는, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 페로브스카이트를 이용한 백라이트 유닛 및 이를 포함하는 액정표시장치를 상세하게 설명하기로 한다.
도 1은 액정 표시 장치 구조를 나타내는 단면도이다.
도 1은 일반적인 액정 표시장치 구조를 나타낸 것으로, 아래에서부터 백라이트 유닛, 편광판, 어레이 기판, 액정층, 컬러필터 기판 및 편광판으로 구성된다.
본 발명은 상기 액정 표시장치의 구성 중 백라이트 유닛에 관한 것으로 기존과 차별화 되는 백라이트 유닛을 제시하는 것을 발명의 목적으로 한다.
액정 패널의 광원으로 사용되는 백라이트 유닛은 발광 램프를 배치하는 방식에 따라 엣지(edge) 방식과 직하(direct) 방식으로 구분된다. 엣지 방식은 액정패널의 일측에 광원으로서 램프를 배치하여 광을 공급하는 형태이다. 본 명세서에서는 설명의 편의를 위해 엣지 방식의 백라이트 유닛 형태로 설명하였지만, 엣지 방식 또는 직하 방식에 한정되지 않는다.
본 발명에 따른 백라이트 유닛은 램프; 및 핵-껍질 구조의 페로브스카이트 나노결정입자를 포함하는 복수의 페로브스카이트 층을 포함한다.
본 발명에 따른 백라이트 유닛의 제1 실시예로서, 상기 램프는 청색 램프이고, 상기 복수의 페로브스카이트 층은 적색 및 녹색의 페로브스카이트 층으로 구성될 수 있다.
본 발명에 따른 백라이트 유닛의 제2 실시예로서, 상기 램프는 자외선 (UV) 램프이고, 상기 복수의 페로브스카이트 층은 적색, 녹색 및 청색의 페로브스카이트 층으로 구성될 수 있다.
도 2는 본 발명에 따른 백라이트 유닛(1000)의 페로브스카이트 층(100) 및 이를 구성하는 핵-껍질 구조의 페로브스카이트 나노결정입자(110)를 나타낸 것이다.
본 발명에 따른 백라이트 유닛(1000)의 일구성요소인 페로브스카이트 층(100)은, 핵-껍질 구조의 페로브스카이트 나노결정입자(110)로 구성되며, 상기 핵-껍질 구조의 페로브스카이트 나노결정입자(110)는 페로브스카이트 나노결정입자 핵(120) 및 상기 핵(120)을 둘러싸며, 상기 핵(120)의 밴드갭 에너지를 초과하는 밴드갭 에너지를 갖는 물질을 포함하는 껍질(130)을 포함할 수 있다.
또한 상기 페로브스카이트 나노결정입자(110)는 상기 껍질(130)을 둘러싸는 유기리간드들을 더 포함할 수 있다.
유무기 하이브리드 페로브스카이트 물질은 높은 색순도를 가지는데 이는, 유기 평면과 무기 평면이 교대로 적층되어 있는 구조이고, 무기 평면 내에 엑시톤 (Exciton)의 속박이 가능하기 때문에 반도체 양자점과 달리 물질의 크기보다는 결정구조에 의해 매우 높은 색순도의 빛을 발광할 수 있다.
그러나 유무기 하이브리드 페로브스카이트라도 유기 암모늄이 중심 금속과 할로겐 결정구조보다 밴드갭이 작은 발색단을 포함하는 경우에는 발광이 유기 암모늄에서 발생할 수 있기 때문에 높은 색순도의 빛을 내지 못하여 색순도가 좋지 않게 된다. 그러므로, 유기 암모늄이 발색단을 포함하지 않고 발광이 중심 금속과 할로겐 원소로 구성되어 있는 무기물 격자에서 일어나게 하는 것이 중요하다.
본 발명은, 핵-껍질 구조, 즉 유무기 하이브리드 페로브스카이트 나노결정 또는 무기 금속 할라이드 페로브스카이트 나노결정을 핵(120)으로 하고, 이 핵(120)보다 밴드갭 (band gap)이 큰 물질로 껍질(130)을 형성하여, 엑시톤의 속박이 핵(120)에서 더 잘 일어나도록 하였다.
상기 핵-껍질 구조로, 공기중에서 안정한 페로브스카이트 물질, 무기 반도체 물질 또는 유기 물질을 껍질(130)로 사용하여 핵(120)의 페로브스카이트가 공기중에 노출되지 않도록 하여 나노 결정의 내구성 또한 향상시킬 수 있다.
또한 핵-껍질 구조의 페로브스카이트 나노결정입자(110)는 엑시톤의 속박이 핵(120)에서 주로 이루어지기 때문에 후술된 금속 나노 입자와의 국소 표면 플라즈몬 공명을 더욱 강하게 일으키게 되어 페로브스카이트 발광체의 광 효율을 더욱 향상시킬 수 있다.
이러한 페로브스카이트 나노결정입자(110)는 구형, 원기둥, 타원기둥, 다각형 또는 다각기둥 형태인 핵-껍질 구조일 수 있으며 밴드갭 에너지는 반도체 양자점과 달리 입자 크기에 의해서 정해지지 않고 결정의 구조에 의해 정해진다.
상기 페로브스카이트 나노결정입자(110)는 2차원적인 구조 또는 3차원적인 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 핵-껍질 구조의 페로브스카이트 나노결정입자(110) 발광체이다. 상기 껍질(130)은 페로브스카이트 재료, 무기물 반도체, 유기물 고분자 또는 유기물 저분자 물질을 포함할 수 있으며, 추가적으로 상기 껍질(130)을 둘러싸는 복수개의 유기리간드들을 더 포함하여 존재할 수 있다. 이러한 껍질(130) 재료들은 페로브스카이트 나노결정입자 핵(120)보다 밴드갭 에너지가 큰 물질을 선택하는 것이 바람직하다.
한편, 상기 페로브스카이트는, 유무기 하이브리드 페로브스카이트 (유기 금속 할라이드 페로브스카이트)로 ABX3, A2BX4, ABX4 또는 An- 1BnX3n +1의 구조일 수 있다 (여기서 n은 2 내지 6사이의 정수이다).
이 때 A는 유기 암모늄 물질이고, 상기 B는 금속 물질이고, 상기 X는 할로겐 원소이다. 일실시예로서 상기 유기 암모늄 A는 (CH3NH3)n, ((CxH2x + 1)nNH3)2(CH3NH3)n, RNH3, (RNH3)2, (CnH2n + 1NH3)2, (CF3NH3), (CF3NH3)n, ((CxF2x + 1)nNH3)2(CF3NH3)n, ((CxF2x+1)nNH3)2 또는 (CnF2n + 1NH3)2 일 수 있다 (여기서 n은 1이상인 정수, x는 1이상인 정수이다).
또한, 상기 B는 2가의 전이 금속, 희토류 금속, 알칼리 토류 금속, Pb, Mn, Cu, Ga, Ge, In, Al, Sb, Bi, Po, Sn, Eu, Yb, Ni, Co, Fe, Cr, Pd, Cd, Ca, Sr 또는 이들의 조합일 수 있다. 또한, 상기 X는 Cl, Br, I 또는 이들의 조합일 수 있다.
또한, 상기 페로브스카이트는 무기 금속 할라이드 페로브스카이트일 수 있고, ABX3, A2BX4, ABX4 또는 An- 1PbnX3n + 1 의 구조일 수 있다 (여기서 n은 2 내지 6사이의 정수이다).
이 때, 상기 A는 알칼리 금속, 1가의 유기 양이온, 1가의 금속 양이온, 아미디니움계(amidinium group) 유기 이온 또는 1가의 알칼리 금속 양이온(Cs+)일 수 있다. 상기 B는 2가의 전이 금속, 희토류 금속, 알칼리 토류 금속, Pb, Mn, Cu, Ga, Ge, In, Al, Sb, Bi, Po, Sn, Eu, Yb, Ni, Co, Fe, Cr, Pd, Cd, Ca, Sr 또는 이들의 조합일 수 있다. 또한, 상기 X는 Cl, Br, I 또는 이들의 조합일 수 있다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 청색 램프(200A) 및, 적색 및 녹색의 페로브스카이트 층(100)을 포함하는 백라이트 유닛(1000)의 단면도이다.
본 발명에 따른 백라이트 유닛(1000)은 청색 램프(200A) 및 적색 페로브스카이트 층(100) 및 녹색 페로브스카이트 층(100)을 포함하여 구성될 수 있다.
청색 램프(200A)로부터 나온 광의 일부를 적색 및 녹색의 페로브스카이트 층(100)이 흡수하여 각각 적색 및 녹색 광으로 파장을 변환하여 방출함으로써 최종적으로 백색 광을 구현할 수 있다.
이 때, 청색 램프(200A)로부터 방출된 청색광과 적색 및 녹색의 페로브스카이트 층(100)으로부터 방출되는 각각의 적색광 및 녹색광이 서로 혼합되어, 색재현율 및 색순도 특성이 매우 우수한 백색광을 나타낼 수 있다.
한편, 도 3에 도시된 백라이트 유닛(1000)에서의 복수의 페로브스카이트 층(100)은, 적색 페로브스카이트 발광체를 포함하는 페로브스카이트 층(100) 및 녹색 페로브스카이트 발광체를 포함하는 페로브스카이트 층(100)으로 구성되며, 백라이트 유닛(1000) 내에서 상기 적색 페로브스카이트 층(100) 및 녹색 페로브스카이트 층(100)이 배치되는 순서는 무방하다.
도 4의 (a), (b)는 본 발명의 제1 실시예에서, 페로브스카이트 층 내부에 핵-껍질 구조의 금속 나노 입자(400B)가 도입된 백라이트 유닛(1000)을 나타낸 단면도이다.
도 4의 (a), (b)는 페로브스카이트 층(100) 내부에 금속 나노 입자 핵(410)을 금속 나노 입자 껍질(420)이 둘러싸고 있는 핵-껍질 구조의 금속 나노 입자(400B)가 도입되어 하나의 층을 형성한 구조이다.
금속 나노 입자는 그 종류 또는 형태에 따라 특정 주파수 대역의 가시광선 빛에 반응하여 국소 표면 플라즈몬 공명 특성을 보인다. 이 특성을 이용하면 발광체에서 형성되는 엑시톤 (exciton)과 금속 나노 입자에서 형성되는 국소 표면 플라즈몬이 상호작용하여 공명함으로써 양자 효율이 낮은 발광체의 여기종이 광 에너지로 전환되는 비율을 높일 수 있으며, 이로써 발광체의 양자 효율을 높여 발광 효율을 크게 향상시킬 수 있다.
핵-껍질 구조가 아닌 페로브스카이트 나노 결정보다, 핵-껍질 구조 형태를 가지는 페로브스카이트 나노 결정 입자의 경우, 금속 나노 입자와의 국소 표면 플라즈몬 공명 효과가 두드러지게 나타난다. 이는 핵-껍질 형태의 페로브스카이트 나노결정입자의 경우가 그렇지 않은 경우보다 엑시톤 결합 에너지(exciton binding energy)가 더 높아 엑시톤의 속박이 핵에서 주로 일어나기 때문이다.
이 경우, 금속 나노 입자의 플라즈몬 영향권 범위 내에 엑시톤이 존재할 가능성이 커지게 되고, 국소 표면 플라즈몬 영향권 내에 상호작용할 엑시톤이 많아질수록 단위 엑시톤당 양자 효율이 향상될 수 있어, 궁극적으로 발광량이 현저히 증가할 수 있게 되는 것이다. 이 때, 국소 표면 플라즈몬 공명 효과를 크게 유도하기 위해서는 발광체와 인접한 거리 범위 (near-field) 내에 금속 나노 입자를 위치시키는 것이 매우 중요하다.
한편, 상기 핵-껍질 구조의 금속 나노 입자(400B)는 적색 및 녹색 페로브스카이트 층(100) 모두에 도입될 수도 있고, 어느 하나의 페로브스카이트 층(100)에만 도입될 수도 있다.
도 5의 (a)는 금속 나노 입자 껍질이 도입되지 않은 금속 나노 입자(400A) 및 이의 SEM 이미지를 나타낸 것이고, (b)는 금속 나노 입자 껍질(420)이 도입된 금속 나노 입자(400B) 및 이의 SEM 이미지를 나타낸 것이다.
상기 금속 나노 입자는 금속 나노 입자 핵(410)과 이를 둘러싸는 금속 나노 입자 껍질(420)로 구성될 수 있다. 본 발명의 금속 나노 입자는 도 5의 (a)와 같이 금속 입자만 있는 형태와 (b)와 같이 금속 입자인 핵(410)과 금속 입자인 핵(410)을 둘러싸고 있는 금속 나노 입자 껍질(420)로 이루어진 형태와 같이 사용될 수 있다.
금속 나노 입자는 Ag, Au, Pt, Cu, Al 등의 금속 물질이 사용될 수 있으며 그 형태는 구 형태 이외에도 반구 형태, 삼각형 판 형태, 사면체, 육면체, 팔면체, 막대 형태 등 다양한 형태로 사용될 수 있는데, 그 지름 또는 두께의 최대 길이는 150 nm 이하가 바람직하다. 금속 나노 입자는 전술한 대로 도면 5의 (b)와 같이 금속 나노 입자 껍질(420)이 금속 나노 입자 핵(410)에 코팅된 형태로 있을 수 있는데, 이 경우 금속 나노 입자 껍질(420)은 SiO2, Al2O3, TiO2, ZnO, MgO, ZnS, WO3, MoO3, LiF, HfO2, SiNx 등의 유전체 물질을 사용하는 것이 바람직하다.
도 4의 (a), (b)의 경우, 하나의 층 내부에서 금속 나노 입자와 페로브스카이트 나노결정입자 사이의 거리를 제어하기 위해 금속 나노 입자 껍질(420)을 이용하였다. 전체 껍질(420)의 두께 (도 5의 (b)에 표기된 'd'를 의미)를 제어 및 조절함으로써, 금속 나노 입자와 페로브스카이트 나노결정입자 발광체 간의 거리에 따른 플라즈몬 공명 현상을 최적화하여 페로브스카이트로부터의 발광 효율을 극대화 할 수 있다.
이 경우, 금속 나노 입자 껍질(420)의 두께는 3 nm 내지 80 nm 에서 형성되는 것이 바람직하다. 발광체와 금속 나노 입자간의 거리가 3 nm 이하일 경우는 오히려 발광체의 발광 세기가 감쇠되는 ?칭 (quenching)현상이 나타나며, 거리가 80 nm 이상으로 멀리 떨어져 있을 경우에는 국소 표면 플라즈몬 공명의 효과가 나타나지 않아 발광체의 발광 세기의 긍정적인 향상을 기대하기 어렵기 때문이다.
이처럼 금속 나노 입자의 국소 표면 플라즈몬 효과를 적용할 경우, 청색 램프(200A)로부터 나오는 광, 핵-껍질 형태의 페로브스카이트 발광체에서 발생한 엑시톤, 금속 나노 입자의 국소 표면 플라즈몬 특성을 이용하여 페로브스카이트 기반 발광체의 여기 효율 및 발광 효율을 현저히 향상시킬 수 있다. 이로써, 동일 전력을 이용하되 백라이트 유닛(1000)의 광 출력을 더욱 더 크게 하여 전체적으로 소비 전력을 낮출 수 있다.
도 6의 (a), (b)는 본 발명의 제1 실시예에서, 금속 나노 입자 층(500)이 추가로 도입된 백라이트 유닛(1000)을 나타낸 단면도이다.
도 6은 제1 실시예에서, 금속 나노 입자가 도입된 나노 입자 층(500)이 추가로 도입된 형태이다. 이는 도 4의 경우와 동일한 원리하에, 핵-껍질 구조의 페로브스카이트 나노결정입자로 구성된 페로브스카이트 층(100)과 금속 나노 입자 사이에 국소 표면 플라즈몬 공명을 야기시키기 위한 광학적 구조이다.
이러한 구조는, 하나의 층이 아니라, 페로브스카이트 층(100)과 금속 나노 입자가 도입된 층(500)이, 서로 다른 층으로 형성되는 구조이기 때문에, 금속 나노 입자 껍질이 도입되지 않은 금속 나노 입자(400A)를 사용하는 것이 바람직하다.
이 경우, 국소 표면 플라즈몬 공명이 극대화되는 적정 거리를 유지하기 위해 금속 나노 입자가 도입된 층(500)을 페로브스카이트 층(100)과의 이격 수단으로 사용하였다. 페로브스카이트 나노결정입자 층(100)과 금속 나노 입자가 도입된 층(500)이 서로 다른 층을 형성하는 구조에서는 금속 나노 입자를 둘러싸고 있는 박막층(500)의 두께를 제어하여, 페로브스카이트 나노결정입자 층(100)과 금속 나노 입자(400A)간의 이격 거리를 조절하고 이를 통해 국소 표면 플라즈몬 공명 현상의 극대화를 야기시킬 수 있다.
한편, 상기 금속 나노 입자(400A)가 도입된 나노 입자 형성층(500)은 적색 및 녹색 페로브스카이트 층(100) 하단 모두에 도입될 수도 있고, 어느 하나의 페로브스카이트 층(100) 하단에만 도입될 수도 있다.
도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따른 자외선(UV) 램프(200B) 및, 적색, 녹색 및 청색의 페로브스카이트 층(100)을 포함하는 백라이트 유닛(1000)의 단면도이다.
제1 실시예와 비교해 볼 때, 청색 램프 대신 자외선 (UV)램프(200B)가 사용됨으로써, 백색광을 구현하기 위해 백라이트 유닛(1000) 내부에 청색 페로브스카이트 발광체를 포함하는 페로브스카이트 층(100)이 추가로 포함된다는 구조상의 차이점이 있다.
도 7에 도시된 백라이트 유닛(1000)에서의 복수의 페로브스카이트 층은, 적색 페로브스카이트 발광체를 포함하는 페로브스카이트 층(100), 녹색 페로브스카이트 발광체를 포함하는 페로브스카이트 층(100) 및 청색 페로브스카이트 발광체를 포함하는 페로브스카이트 층(100)으로 구성되며, 백라이트 유닛(1000) 내에서 상기 적색 페로브스카이트 층(100), 녹색 페로브스카이트 층(100) 및 청색 페로브스카이트 층(100)이 배치되는 순서는 무방하다. 핵심적인 기술적 사상은 제1 실시예에 따른 백라이트 유닛(1000)과 동일하다.
도 8의 (a), (b), (c)는 본 발명의 제2 실시예에서, 페로브스카이트 층 내부에 핵-껍질 구조의 금속 나노 입자(400B)가 도입된 백라이트 유닛(1000)을 나타낸 단면도이다.
핵심적인 기술적 사상은 도 4를 통해 설명한 제1 실시예에 따른 백라이트 유닛(1000)과 동일하다. 한편, 핵-껍질 구조의 금속 나노 입자(400B)는 적색, 녹색 및 청색 페로브스카이트 층(100) 모두에 도입될 수도 있고, 어느 하나 또는 어느 두 개의 페로브스카이트 층(100)에만 도입될 수도 있다.
도 9의 (a), (b), (c)는 본 발명의 제2 실시예에서, 금속 나노 입자 층 (500)이 추가로 도입된 백라이트 유닛(1000)을 나타낸 단면도이다.
핵심적인 기술적 사상은 도 6을 통해 설명한 제1 실시예에 따른 백라이트 유닛(1000)과 동일하다. 한편, 금속 나노 입자 층(500)은 적색, 녹색 및 청색 페로브스카이트 층(100) 하단 모두에 도입될 수도 있고, 어느 하나 또는 어느 두 개의 하단에만 도입될 수도 있다.
도 10의 (a)는 종래의 백색 LED 백라이트 유닛의 정규화된 스펙트럼 세기를 나타낸 개념도이고, (b)는 종래의 백색 LED 백라이트 유닛의 정규화된 스펙트럼 세기를 실제로 실험하여 측정한 그래프이다. 도 11의 (a)는 종래의 백색 반도체 양자점 백라이트 유닛의 정규화된 스펙트럼 세기를 나타낸 개념도이고, (b)는 적색 및 녹색 반도체 양자점 발광체의 정규화된 스펙트럼 세기를 실제로 실험하여 측정한 그래프이다. 도 12의 (a)는 본 발명에 따른 백색 페로브스카이트 백라이트 유닛(1000)의 정규화된 스펙트럼 세기를 나타낸 개념도이고, (b)는 CsPbBr3 나노결정입자 기반의 녹색 페로브스카이트 발광체의 정규화된 스펙트럼 세기를 실제로 실험하여 측정한 그래프이다.
도 10의 (a) 및 (b)에서 확인할 수 있듯이, 청색의 출력은 명확하게 구분되지만 녹색과 적색의 출력 극치가 높지 않고, 주변 파장과 차이가 작은 것을 볼 수 있다. 이로 인해 청색은 순색에 가까운 색을 표현할 수 있지만 녹색과 적색은 순색에는 미치지 못한 빛을 출력하게 되어 전체적으로 색재현율 및 색순도 특성이 낮다.
또한 도 11의 (a) 및 (b)에서 확인할 수 있듯이 반도체 양자점을 이용한 광 소스는 도 10 에서 언급한 백색 LED 보다 색재현율 및 색순도 특성이 어느정도 개선되기는 하나 그 개선 정도가 크지 않은 것을 알 수 있다.
본 발명에 따른 페로브스카이트 발광체 (CsPbBr3 나노결정입자)를 이용한 실험 결과를 나타낸 도 12를 참조하면, 측정 결과로 알 수 있듯이 도면 11 (a) 및 (b)에서 보여지는 반도체 양자점의 반치폭(FWHM: ~50 nm-60 nm)보다 반치폭이 훨씬 좁은 것을 알 수 있고 (FWHM: <~20 nm), 이를 이용하여 소자를 구성할 경우 매우 높은 색재현율 및 색순도 특성을 나타낼 수 있다.
결론적으로 핵-껍질 구조의 페로브스카이트 나노결정입자를 포함하는 물질을 이용하여 액정 표시 장치의 백라이트 유닛(1000)을 구성할 경우, 천연색에 한층 더 가까워진 고색재현 및 고색순도의 액정 표시 장치 구현이 가능하다.
도 13은 금속 나노 입자의 국소 표면 플라즈몬 공명 현상을 이용하여 CsPbBr3 나노결정입자 기반의 녹색 페로브스카이트 발광체의 발광 효율을 향상시켰음을 나타내는 photoluminescence (PL) 실험의 측정 결과를 나타낸 그래프이다.
도 13은 전술한 금속 나노 입자의 국소 표면 플라즈몬 공명 효과를 이용하여 녹색 발광 페로브스카이트 나노결정 물질(CsPbBr3 나노결정입자)의 발광 효율을 크게 향상시킨 직접적인 측정 결과이다. 실험은 Ag 나노 입자 없는 샘플과 Ag 나노 입자를 이용하여 국소 표면 플라즈몬 현상을 도입한 샘플로 수행하였다. Reference로 표기된 것은 Ag 나노 입자가 없는 샘플이고, Metal nanostructures로 표기된 것은 Ag 나노 입자가 도입되어 국소 표면 플라즈몬 현상을 이용한 샘플이다.
앞서 언급한 바와 같이, 금속 나노 입자의 국소 표면 플라즈몬 효과를 적용할 경우, 페로브스카이트 기반 발광체의 여기 효율 및 발광 효율을 더욱 크게 향상시킴으로써 동일 전력을 이용하되 백라이트 유닛(1000)의 광 출력을 더욱 크게 함으로써 전체적으로 소비 전력을 낮출 수 있다.
이상에서 본 발명의 대표적인 실시예들을 상세하게 설명하였으나, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 상술한 실시예에 대하여 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한도 내에서 다양한 변형이 가능함을 이해할 것이다. 그러므로 본 발명의 권리 범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 안되며, 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
1000 : 백라이트 유닛
100 : 페로브스카이트 층
110 : 페로브스카이트 나노결정입자
120 : 페로브스카이트 나노결정입자 핵
130 : 페로브스카이트 나노결정입자 껍질
200A : 청색램프
200B : UV 램프
300 : 도광판
400A: 금속 나노 입자 껍질이 없는 금속 나노 입자
400B: 금속 나노 입자 껍질이 있는 금속 나노 입자
410 : 금속 나노 입자 핵
420 : 금속 나노 입자 껍질
500 : 금속 나노 입자 층

Claims (15)

  1. 램프; 및
    핵-껍질 구조의 페로브스카이트 나노결정입자를 포함하는, 복수의 페로브스카이트 층;
    을 포함하는 백라이트 유닛.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 램프는 청색 램프이고, 상기 복수의 페로브스카이트 층은 적색 및 녹색 페로브스카이트 층인 것을 특징으로 하는 백라이트 유닛.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 램프는 자외선 (UV) 램프이고, 상기 복수의 페로브스카이트 층은 적색, 녹색 및 청색 페로브스카이트 층인 것을 특징으로 하는 백라이트 유닛.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 핵-껍질 구조의 페로브스카이트 나노결정입자는,
    페로브스카이트 나노결정을 포함하는 핵; 및
    상기 핵을 둘러싸며, 상기 핵의 밴드갭 에너지를 초과하는 밴드갭 에너지를 갖는 물질을 포함하는 껍질;
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 백라이트 유닛.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 페로브스카이트 나노결정입자는 상기 껍질을 둘러싸는 유기리간드들을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 백라이트 유닛.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 껍질은 페로브스카이트 재료, 무기물 반도체, 유기물 고분자 또는 유기물 저분자를 포함하는 것을 특징으로 하는 백라이트 유닛.
  7. 제1항 내지 제3항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 페로브스카이트는 ABX3, A2BX4, ABX4, An- 1PbnX3n +1 또는 An- 1BnX3n +1의 결정 구조를 포함하고,
    상기 A는 알칼리 금속, 1가의 유기 양이온, 1가의 금속 양이온, 아미디니움계(amidinium group) 유기 물질, 1가의 알칼리 금속 양이온(Cs+) 또는 유기 암모늄이고,
    상기 B는 금속 물질이고, 상기 X는 할로겐 원소이며, 상기 n은 2 내지 6 에서 선택되는 정수인 것을 특징으로 하는 백라이트 유닛.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 유기암모늄은 (CH3NH3)n, ((CxH2x + 1)nNH3)2(CH3NH3)n, RNH3, (RNH3)2, (CnH2n+1NH3)2, (CF3NH3), (CF3NH3)n, ((CxF2x + 1)nNH3)2(CF3NH3)n, ((CxF2x + 1)nNH3)2 또는 (CnF2n + 1NH3)2을 포함하는 것을 특징으로 하는 백라이트 유닛. (여기서 n 및 x는 1이상인 정수)
  9. 제7항에 있어서,
    상기 B는 2가의 전이 금속, 희토류 금속, 알칼리 토류 금속, Pb, Mn, Cu, Ga, Ge, In, Al, Sb, Bi, Po, Sn, Eu, Yb, Ni, Co, Fe, Cr, Pd, Cd, Ca, 및 Sr 중에서 선택되는 어느 하나의 물질 또는 이들의 조합으로 이루어지는 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 백라이트 유닛.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 X는 Cl, Br, 및 I 중에서 선택되는 어느 하나의 물질 또는 이들의 조합으로 이루어지는 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 백라이트 유닛.
  11. 제1항 내지 제3항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 복수의 페로브스카이트 층 중 하나 이상의 페로브스카이트 층 내부에 핵-껍질 구조를 가지는 복수개의 금속 나노 입자들을 포함하는 것을 특징으로 하는 백라이트 유닛.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 핵-껍질 구조의 금속 나노 입자의 핵은 Ag, Au, Pt, Cu, Al과 이들의 합금을 포함하는 금속 나노 입자 또는 ZnO 입자 또는 박막을 포함하고,
    상기 껍질은 SiO2, Al2O3, TiO2, ZnO, MgO, ZnS, WO3, MoO3, LiF, HfO2 또는 SiNx 의 유전체를 포함하는 것을 특징으로 하는 백라이트 유닛.
  13. 제1항 내지 제3항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 백라이트 유닛은, 복수개의 금속 나노 입자들이 포함된 층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 백라이트 유닛.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 금속 나노 입자는 Ag, Au, Pt, Cu, Al 과 이들의 합금을 포함하는 금속 나노 입자 또는 ZnO 입자 또는 박막을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 나노 입자.
  15. 제1항 내지 제3항 중 어느 하나의 항에 따른 백라이트 유닛을 포함하는 액정 표시 장치.
KR1020170095355A 2017-07-27 2017-07-27 페로브스카이트를 이용한 백라이트 유닛 및 이를 포함하는 액정표시장치 KR102357896B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170095355A KR102357896B1 (ko) 2017-07-27 2017-07-27 페로브스카이트를 이용한 백라이트 유닛 및 이를 포함하는 액정표시장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170095355A KR102357896B1 (ko) 2017-07-27 2017-07-27 페로브스카이트를 이용한 백라이트 유닛 및 이를 포함하는 액정표시장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190012424A true KR20190012424A (ko) 2019-02-11
KR102357896B1 KR102357896B1 (ko) 2022-02-04

Family

ID=65370423

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170095355A KR102357896B1 (ko) 2017-07-27 2017-07-27 페로브스카이트를 이용한 백라이트 유닛 및 이를 포함하는 액정표시장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102357896B1 (ko)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060114523A (ko) * 2005-05-02 2006-11-07 삼성전기주식회사 백색 ｌｅｄ
KR20100137284A (ko) * 2009-06-22 2010-12-30 한국과학기술원 표면 플라즈몬 공명 현상을 이용한 자외선 발광 다이오드 소자
KR20130103899A (ko) * 2012-03-12 2013-09-25 한국과학기술원 금속 나노 입자의 표면 플라즈몬 공명을 이용하는 백색 발광 다이오드 소자
KR20160055090A (ko) * 2014-11-06 2016-05-17 포항공과대학교 산학협력단 페로브스카이트 나노결정입자 및 이를 이용한 광전자 소자
KR20160054735A (ko) * 2014-11-06 2016-05-17 포항공과대학교 산학협력단 파장변환입자, 파장변환입자의 제조방법, 및 파장변환입자를 포함하는 발광 소자

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060114523A (ko) * 2005-05-02 2006-11-07 삼성전기주식회사 백색 ｌｅｄ
KR20100137284A (ko) * 2009-06-22 2010-12-30 한국과학기술원 표면 플라즈몬 공명 현상을 이용한 자외선 발광 다이오드 소자
KR20130103899A (ko) * 2012-03-12 2013-09-25 한국과학기술원 금속 나노 입자의 표면 플라즈몬 공명을 이용하는 백색 발광 다이오드 소자
KR20160055090A (ko) * 2014-11-06 2016-05-17 포항공과대학교 산학협력단 페로브스카이트 나노결정입자 및 이를 이용한 광전자 소자
KR20160054735A (ko) * 2014-11-06 2016-05-17 포항공과대학교 산학협력단 파장변환입자, 파장변환입자의 제조방법, 및 파장변환입자를 포함하는 발광 소자

Also Published As

Publication number Publication date
KR102357896B1 (ko) 2022-02-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10008644B2 (en) Light emitting device and fabricating method thereof
CN110234926B (zh) 用于led灯的窄带红色磷光体
US9024335B2 (en) Multi-package white LED device
KR101490233B1 (ko) 장파장 투과필터를 포함하는 형광체 전환 단색 ｌｅｄ
TWI589034B (zh) 磷光體轉換發光二極體、燈及燈具
KR101062789B1 (ko) 표면 플라즈몬 공명 현상을 이용한 자외선 발광 다이오드 소자
WO2008134056A1 (en) Photon energy coversion structure
WO2011033910A1 (ja) 白色発光ランプおよびそれを用いた白色ｌｅｄ照明装置
CN1989224A (zh) 含有辐射源和发光材料的发光系统
JP2005264160A (ja) 蛍光体及びその製造方法並びにそれを用いた発光装置
US11342311B2 (en) LED-filaments and LED-filament lamps utilizing manganese-activated fluoride red photoluminescence material
US10240749B2 (en) Light source, luminaire and surgical illumination unit
CN107448780B (zh) 一种量子点led发光装置及其制备方法
US20240117946A1 (en) LED-Filaments and LED-Filament Lamps
KR101619475B1 (ko) 표면 플라즈몬 공명을 이용한 발광소자구조
CN110164910B (zh) 颜色转换层及其制备方法、显示装置
KR102357896B1 (ko) 페로브스카이트를 이용한 백라이트 유닛 및 이를 포함하는 액정표시장치
JP6687349B2 (ja) 液晶表示装置
KR101057349B1 (ko) 휘도가 강화된 백색광원
KR100665221B1 (ko) 백색 발광 장치
KR100714581B1 (ko) 백색 발광 장치
JPH088064A (ja) エレクトロルミネッセンス素子 および 多色発光エレクトロルミネッセンス素子
Chirauri et al. An Insights into Non-RE Doped Materials for Opto-Electronic Display Applications
CN210224035U (zh) 一种白光Micro LED结构
Neyts et al. 41‐2: Invited Paper: Quantum Dots and Aligned Quantum Rods for Polarized LC Backlights

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant