KR20190003363A - 라인 폭 측정 시스템 및 장치 - Google Patents
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- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 201
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 123
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 32
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 105
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims description 71
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 27
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 claims description 23
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 3
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 claims 4
- 238000007689 inspection Methods 0.000 abstract description 7
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 25
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 16
- 101700004678 SLIT3 Proteins 0.000 description 11
- 102100027339 Slit homolog 3 protein Human genes 0.000 description 11
- 238000013461 design Methods 0.000 description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 2
- 235000002245 Penicillium camembertii Nutrition 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/24—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring contours or curvatures
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/24—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring contours or curvatures
- G01B11/25—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring contours or curvatures by projecting a pattern, e.g. one or more lines, moiré fringes on the object
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/02—Details
- G01J3/0205—Optical elements not provided otherwise, e.g. optical manifolds, diffusers, windows
- G01J3/021—Optical elements not provided otherwise, e.g. optical manifolds, diffusers, windows using plane or convex mirrors, parallel phase plates, or particular reflectors
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/12—Generating the spectrum; Monochromators
- G01J2003/1208—Prism and grating
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
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- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Abstract
Description
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 라인 폭 측정 시스템의 구조도를 도시한다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 프로젝션 슬릿의 구조도를 도시한다.
도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 디포커싱 양 및 프로젝션 백반의 제1 탐측 모듈 또는 제2 탐측 모듈 상의 위치와의 관계를 도시한다.
도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 입사 광속 및 기판 간의 관계를 도시한다.
도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 탐측 백반이 기판 상의 와이어링 그래픽을 거치기 전후의 그래픽 특징을 도시한다.
도 8은 본 발명의 일실시예에 따른 와이어링 그래픽의 프로파일 윤곽 및 다른 고도에서의 라인 폭을 도시한다.
도 9는 본 발명의 일실시예에 따른 검색 범위를 더 넓게 하는 SC 탐측 광로(light path)를 채용한 예를 도시한다.
도 10은 본 발명의 일실시예에 따른 획득 또는 도시되는 그래픽 중 동시에 관측되는 와이어링 그래픽 및 그것의 프로파일 윤곽을 도시한다.
도 11은 본 발명의 다른 일실시예에 따른 라인 폭 측정 시스템의 구조를 도시한다.
1: 제1 광원
2: 조명 미러 그룹
3: 프로젝션 슬릿
301: 슬릿부
302: 평면부
4: 프로젝션 이전 컴포넌트
5: 프론트 반사경
6: 리어 반사경
7: 렌즈 프론트 컴포넌트
8: 제1 분광 프리즘
9: 렌즈 리어 컴포넌트
10: 제1 탐측 모듈
11: 제2 광원
12: 현미 대물 렌즈
13: 제2 분광 프리즘
14: 제2 렌즈 그룹
15: 제2 탐측 모듈
16: 프로젝션 이후 컴포넌트
17: 제3 분광 프리즘
31: X 방향 이동 궤도
32: Y 방향 이동 궤도
33: Z 방향 조정 테이블
34: 기판
35: 동작 처리 유닛
41: 제1 필터
42: 제2 필터
Claims (20)
- 라인 폭 측정 시스템에 있어서,
상기 라인 폭 측정 시스템은 기판(substrate) 표면의 그래픽(graphic) 라인 폭을 측정하는데 이용되고, 라인 폭 측정 유닛 및, 초점 표면(focal surface) 검측 및 윤곽 측정 유닛을 포함하고, 상기 초점 표면 검측 및 윤곽 측정 유닛은 제1 측정 광속(beam), 제1 탐측 모듈 및 제2 탐측 모듈을 포함하고, 상기 제1 측정 광속은 기판 표면까지 경사지게 조사(irradiate)되어, 상기 기판 표면에 의해 반사된 후, 제1 반사 광속을 형성하고, 상기 제1 반사 광속은 상기 제1 탐측 모듈로부터 수신되어, 상기 기판 표면의 디포커싱(defocusing)을 측정하고, 상기 제1 반사 광속은 상기 제2 탐측 모듈로부터 수신되어, 상기 기판 표면의 그래픽 윤곽을 측정하고, 상기 라인 폭 측정 유닛은 제2 측정 광속을 포함하고, 상기 초점 표면 검측 및 윤곽 측정 유닛과 상기 제2 탐측 모듈을 공유하고, 상기 제2 측정 광속은 상기 기판 표면까지 수직으로 입사되고, 상기 기판 표면에 의해 반사된 후, 제2 반사 광속을 형성하고, 상기 제2 반사 광속은 상기 제2 탐측 모듈로부터 수신되어, 상기 기판 표면의 그래픽 라인 폭을 측정하는 것을 특징으로 하는,
라인 폭 측정 시스템. - 제1항에 있어서,
상기 제1 측정 광속 및 상기 제2 측정 광속은 서로 다른 파장을 가지는 것을 특징으로 하는,
라인 폭 측정 시스템. - 제1항에 있어서,
상기 제1 측정 광속은 프로젝션(projection) 백반(facula)의 형태(form)를 채용하는 것을 특징으로 하는,
라인 폭 측정 시스템. - 제1항에 있어서,
그래픽 검색 측위 유닛을 더 포함하고, 상기 그래픽 검색 측위 유닛은 제3 측정 광속 및, 상기 초점 표면 검측 및 윤곽 측정 유닛과 공유하는 상기 제1 탐측 모듈을 포함하고, 상기 제3 측정 광속은 상기 기판 표면까지 경사지게 조사되어, 상기 기판 표면에 의해 반사된 후 제3 반사 광속을 형성하고, 상기 제3 반사 광속은 상기 제1 탐측 모듈로부터 수신되어, 상기 기판 표면의 그래픽을 검색하는 것을 특징으로 하는,
라인 폭 측정 시스템. - 제4항에 있어서,
제1 광원(light source) 및 프로젝션 슬릿(slit)을 더 포함하고, 상기 제1 광원이 출력하는 조명 광속은 상기 프로젝션 슬릿을 거친(via) 후, 각각 상기 제1 측정 광속 및 상기 제3 측정 광속을 형성하는 것을 특징으로 하는,
라인 폭 측정 시스템. - 제5항에 있어서,
상기 프로젝션 슬릿은 슬릿부와 평면부를 포함하고, 상기 평면부는 상기 슬릿부를 따라 회전하도록 설치되고, 상기 제1 광원이 출력하는 조명 광속은 상기 슬릿부를 투과한 후, 상기 제1 측정 광속을 형성하고, 상기 제1 광원이 출력하는 조명 광속은 상기 평면부를 투과한 후, 상기 제3 측정 광속을 형성하는 것을 특징으로 하는,
라인 폭 측정 시스템. - 제1항에 있어서,
상기 초점 표면 검측 및 윤곽 측정 유닛은, 제1 분광 프리즘을 더 포함하고, 상기 제1 반사 광속은 상기 제1 분광 프리즘을 투과한 후, 두 개의 광속을 형성하고, 각각 상기 제1 탐측 모듈 및 상기 제2 탐측 모듈에 의해 수신되는 것을 특징으로 하는,
라인 폭 측정 시스템. - 제1항에 있어서,
상기 초점 표면 검측 및 윤곽 측정 유닛을 두 개 또는 그 이상 포함하고, 상기 두 개 또는 그 이상의 초점 표면 검측 및 윤곽 측정 유닛은 다른 각도로부터 상기 기판 상의 그래픽 정보를 획득하는 것을 특징으로 하는,
라인 폭 측정 시스템. - 측정 시스템에 있어서,
제1 측정 유닛 및 제2 측정 유닛을 포함하고, 상기 제1 측정 유닛은 제1 광원, 프로젝션 슬릿, 프로젝션 미러 그룹(mirror group), 제1 분광 프리즘, 제1 필터 및 제1 탐측 모듈을 포함하고, 상기 제1 광원이 생성하는 광속은 상기 프로젝션 슬릿을 거친 후, 제1 측정 광속을 형성하고,
제1 측정 광속은 상기 프로젝션 미러 그룹을 거쳐 기판 표면까지 조사되고, 상기 기판 표면에서 반사된 후, 상기 제1 분광 프리즘에 진입하고, 상기 제1 분광 프리즘은 제1 서브 광속 및 제2 서브 광속으로 구분되고, 상기 제1 서브 빔은 상기 제2 측정 유닛까지 입사되고, 상기 제2 서브 빔은 상기 제1 필터까지 입사된 후, 상기 제1 탐측 모듈로 진입하고,
상기 제2 측정 유닛은 제2 광원, 현미(microscope) 대물 렌즈 및 제2 탐측 모듈을 포함하고, 상기 제2 광원이 생성하는 제2 측정 광속은 모듈링(moduling) 후 수직으로 상기 기판 표면으로 입사되고, 상기 기판 표면에서 반사된 후 상기 현미 대물 렌즈를 거쳐 상기 제2 탐측 모듈로 진입하고,
상기 제2 측정 유닛 및 상기 제1 측정 유닛 사이에 제2 필터 및 제2 분광 프리즘이 더 설치되고, 상기 제1 서브 광속은 상기 제2 필터를 통해 상기 제2 분광 프리즘으로 진입하고, 상기 제2 분광 프리즘 반사를 거쳐 상기 제2 탐측 모듈로 진입하고,
상기 제1 필터는 파장이 서로 다른 제1 단색광 및 제2 단색광을 투과 가능하고, 상기 제2 필터는 상기 제1 단색광 및 상기 제2 단색광 중 어느 하나에 대해서만 투과 가능한 것을 특징으로 하는,
측정 시스템. - 제9항에 있어서,
상기 제1 탐측 모듈의 탐측면은 상기 제2 서브 빔과 경사지도록 설치되는 것을 특징으로 하는,
측정 시스템. - 제9항에 있어서,
상기 프로젝션 슬릿은 슬릿부 및 평면부를 포함하고, 상기 평면부는 상기 슬릿부를 따라 회전하도록 설치되고, 상기 제1 광원이 출력하는 조명 광속은 상기 슬릿부를 투과한 후, 상기 제1 단색광을 형성하고, 상기 제1 광원이 출력하는 조명 광속은 상기 평면부를 투과한 후, 상기 제2 단색광을 형성하고, 상기 제2 필터는 상기 제1 단색광에 대해서만 투과 가능한 것을 특징으로 하는,
측정 시스템. - 제9항에 있어서,
상기 제1 측정 유닛은 상기 제1 광원 및 프로젝션 슬릿 사이에 설치되는 조명 미러 그룹을 더 포함하고, 상기 조명 미러 그룹은 상기 제1 광원이 출력하는 조명 광속을 시준(collimate)하는데 이용되는 것을 특징으로 하는,
측정 시스템. - 제9항에 있어서,
상기 제1 측정 유닛은 제1 렌즈 그룹을 더 포함하고, 상기 제1 렌즈 그룹은 렌즈 프론트(front) 컴포넌트 및 렌즈 리어(rear) 컴포넌트를 포함하고, 상기 제1 분광 프리즘 및 상기 제1 필터는 상기 렌즈 프론트 컴포넌트 및 상기 렌즈 리어 컴포넌트 사이에 설치되고, 상기 제1 렌즈 그룹은 상기 기판을 거쳐 반사되는 제1 측정 광속을 집중(converge)시키는데 이용되는 것을 특징으로 하는,
측정 시스템. - 제9항에 있어서,
상기 제1 측정 유닛은 반사 미러 그룹을 더 포함하고, 상기 반사 미러 그룹은 프론트(front) 반사경 및 리어(rear) 반사경을 포함하고, 상기 제1 측정 광속은 상기 프로젝션 미러 그룹을 거쳐 상기 프론트 반사경까지 조사되고, 상기 전반사경을 거쳐 상기 기판 표면까지 조사되고, 상기 기판 표면을 거쳐 상기 리어 반사경까지 조사되고, 상기 리어 반사경을 거쳐 상기 제1 분광 프리즘으로 진입하는 것을 특징으로 하는,
측정 시스템. - 제14항에 있어서,
상기 프론트 반사경 및 상기 리어 반사경은 입사되는 상기 제1 측정 광속과 상대적으로 경사지도록 설치되는 것을 특징으로 하는,
측정 시스템. - 제9항에 있어서,
상기 제2 측정 유닛은 제2 렌즈 그룹을 더 포함하고, 상기 제2 렌즈 그룹은 제2 측정 광속이 상기 제2 탐측 모듈로 진입하기 전, 상기 제2 측정 광속을 집중(converge)하는데 이용되는 것을 특징으로 하는,
측정 시스템. - 라인 폭 측정 방법에 있어서,
하나의 프로젝션 백반(facula)이 기판까지 경사지게 조사되도록 하고, 하나의 제2 탐측 모듈이 기판 표면에 의해 반사된 후의 백반 정보를 수신하여, 기판 표면의 그래픽 윤곽을 측정하도록 하는 단계(1); 및
하나의 탐측광이 상기 기판까지 수직으로 조사되도록 하고, 상기 제2 탐측 모듈이 상기 기판 표면에 의해 반사된 후의 탐측광 정보를 수신하여, 기판 표면의 그래픽 라인 폭 정보를 획득하도록 하는 단계(2)
를 포함하는 것을 특징으로 하는,
라인 폭 측정 방법. - 제17항에 있어서,
하나의 평행 탐측광이 상기 기판까지 경사지게 조사되도록 하고, 제1 탐측 모듈이 상기 기판 표면에 의해 반사되는 평행 탐측광 정보를 수신하여, 기판 표면의 그래픽의 위치를 확정하도록 하는 단계(0)
을 더 포함하는 것을 특징으로 하는,
라인 폭 측정 방법. - 제18항에 있어서,
상기 단계(0)은 상기 단계(1)에 우선하여 수행되는 것을 특징으로 하는,
라인 폭 측정 방법. - 제17항에 있어서,
상기 단계(1)은, 제1 탐측 모듈이 상기 기판 표면에 의해 반사되는 백반 정보를 수신하여, 상기 기판 표면의 디포커싱 양을 확정하도록 하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는,
라인 폭 측정 방법.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710527292.8A CN109211117B (zh) | 2017-06-30 | 2017-06-30 | 线宽测量系统和线宽测量装置 |
CN201710527292.8 | 2017-06-30 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20190003363A true KR20190003363A (ko) | 2019-01-09 |
KR102022799B1 KR102022799B1 (ko) | 2019-09-18 |
Family
ID=64991656
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020180072841A KR102022799B1 (ko) | 2017-06-30 | 2018-06-25 | 라인 폭 측정 시스템 및 장치 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102022799B1 (ko) |
CN (1) | CN109211117B (ko) |
TW (1) | TWI681165B (ko) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2017
- 2017-06-30 CN CN201710527292.8A patent/CN109211117B/zh active Active
-
2018
- 2018-06-25 KR KR1020180072841A patent/KR102022799B1/ko active IP Right Grant
- 2018-06-28 TW TW107122355A patent/TWI681165B/zh active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN109211117A (zh) | 2019-01-15 |
CN109211117B (zh) | 2021-04-09 |
TW201905414A (zh) | 2019-02-01 |
KR102022799B1 (ko) | 2019-09-18 |
TWI681165B (zh) | 2020-01-01 |
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A201 | Request for examination | ||
PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20180625 |
|
PA0201 | Request for examination | ||
PG1501 | Laying open of application | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20190226 Patent event code: PE09021S01D |
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E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20190830 |
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GRNT | Written decision to grant | ||
PR0701 | Registration of establishment |
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|
PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20190910 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
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PG1601 | Publication of registration | ||
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20220902 Start annual number: 4 End annual number: 4 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20240703 Start annual number: 6 End annual number: 6 |