KR20190003363A - 라인 폭 측정 시스템 및 장치 - Google Patents
라인 폭 측정 시스템 및 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20190003363A KR20190003363A KR1020180072841A KR20180072841A KR20190003363A KR 20190003363 A KR20190003363 A KR 20190003363A KR 1020180072841 A KR1020180072841 A KR 1020180072841A KR 20180072841 A KR20180072841 A KR 20180072841A KR 20190003363 A KR20190003363 A KR 20190003363A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- measurement
- line width
- light
- substrate surface
- reflected
- Prior art date
Links
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 201
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 123
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 32
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 105
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims description 71
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 27
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 claims description 23
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 3
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 claims 4
- 238000007689 inspection Methods 0.000 abstract description 7
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 25
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 16
- 101700004678 SLIT3 Proteins 0.000 description 11
- 102100027339 Slit homolog 3 protein Human genes 0.000 description 11
- 238000013461 design Methods 0.000 description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 2
- 235000002245 Penicillium camembertii Nutrition 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/24—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring contours or curvatures
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/24—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring contours or curvatures
- G01B11/25—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring contours or curvatures by projecting a pattern, e.g. one or more lines, moiré fringes on the object
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/02—Details
- G01J3/0205—Optical elements not provided otherwise, e.g. optical manifolds, diffusers, windows
- G01J3/021—Optical elements not provided otherwise, e.g. optical manifolds, diffusers, windows using plane or convex mirrors, parallel phase plates, or particular reflectors
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/12—Generating the spectrum; Monochromators
- G01J2003/1208—Prism and grating
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
본 발명은 라인 폭 측정 시스템을 개시하는데, 상기 라인 폭 측정 시스템은 기판 표면의 그래픽 라인 폭을 측정하는데 이용되고, 라인 폭 측정 유닛 및, 초점 표면(focal surface) 검측 및 윤곽 측정 유닛을 포함하고, 상기 초점 표면 검측 및 윤곽 측정 유닛은 제1 측정 광속(beam), 제1 탐측 모듈 및 제2 탐측 모듈을 포함하고, 상기 제1 측정 광속은 기판 표면까지 경사지게 조사(irradiate)되어, 상기 기판 표면에 의해 반사된 후, 제1 반사 광속을 형성하고, 상기 제1 반사 광속은 상기 제1 탐측 모듈로부터 수신되어, 상기 기판 표면의 디포커싱(defocusing)을 측정하고, 상기 제1 반사 광속은 상기 제2 탐측 모듈로부터 수신되어, 상기 기판 표면의 그래픽 윤곽을 측정하고, 상기 라인 폭 측정 유닛은 제2 측정 광속을 포함하고, 상기 초점 표면 검측 및 윤곽 측정 유닛과 상기 제2 탐측 모듈을 공유하고, 상기 제2 측정 광속은 상기 기판 표면까지 수직으로 입사되고, 상기 기판 표면에 의해 반사된 후, 제2 반사 광속을 형성하고, 상기 제2 반사 광속은 상기 제2 탐측 모듈로부터 수신되어, 상기 기판 표면의 그래픽 라인 폭을 측정한다.
Description
본 발명은 일종의 라인 폭 측정 시스템 및 장치에 관한 것이다.
집적 회로의 광 마스크 제조 및 광학 리소그래피(lithograpy) 프로세스에 있어서, 평가 및 제어 프로세스의 그래픽 처리 정확도, 특히 일종의 집적회로의 특징인 라인 폭의 전용 라인 그래픽을 설계함에 있어서, 상기 그래픽의 관건인 크기(Critical Dimension, 약칭 CD), 또는 라인 폭, 측정은 매우 중요한 것으로, 그 크기의 대소를 제어하는 것은 상기 집적회로의 설치 성능 채용에 직접적인 영향을 미치는데, 현재 이용되는 기술 중, 미크론(micron) CD 측정 장치의 일반적인 작업 원리는, 광학 현미 대물 렌즈를 이용하여 측정 마크의 그래픽을 획득하고, 알고리즘 연산을 통해 그 CD 등의 인덱스를 계산한다.
2003년 1월 30일 출원된 중국특허 CN1220032C는 일종의 CD 측정 장치를 공개하는데(도 1에 도시된 것과 같이), 상기 장치는 광학 현미경을 통해 유리 기판에 대해 이미징(imaging)을 수행하고, CCD로부터 이미지를 획득하도록 하고, 이미지 처리를 채용하여 와이어링(wiring) 그래픽의 라인 폭을 측정한다. 상기 장치는 유리기판의 배면에 대해 이미징을 수행하고, 광도-픽셀 특성(밝기 파형)에 기초하여 와이어링 이미지의 중요 사이즈를 획득하고, 상기 장치는 부분적인 라인 폭의 프로파일(profile) 형상을 획득할 수 있으나, 상부(upper) 레이어 라인 폭의 이미지보다 작은, 근접한 유리기판 측면의 라인 폭에만 적용될 수 있고, 상기 장치에 있어서, 대수 조리개(large numerical aperture)(NA) 및 고배율의 광학현미경(100)을 사용하고, 측정의 필드 깊이(depth of field)가 비교적 작으나, 측정 대상 기판 표면 형태의 파동이 비교적 커서, 디포커싱이 CD 측정 결과에 매우 큰 영향을 미칠 수 있고, 특히 광도-픽셀 특성 곡선에 대해 비교적 큰 영향을 미치고, 상기 CD 측정 장치에 있어서, 광학 현미경(100)의 현미경 렌즈는 전체 이동을 수행할 수 있으나, 최적 초점 표면의 장치 및 방법을 제시하지 못하고, 그 밖에, 광학 현미경(100)의 필드 시야(field of view)가 극히 작고, 테스트가 필요한 와이어링 그래픽 유리 기판 상의 위치에 대해, 상기 특허는 검색 측위 장치를 개시하지 않는다.
상술한 문제를 해결하기 위해, 최근 이용되고 있는 방법은, 저배율 렌즈를 이용하여 전역(full field) 마크 검색을 수행하고, 측정되는 와이어 그래픽을 탐색하고, 광학 현미경이 촬영한 이미지를 다시 이용하여 이미지 알고리즘 처리하여 라인 폭을 계산하며, 그 밖에, 수직 방향 조정 장치를 이용하여 렌즈에 대해 고도 조정을 더 수행할 수 있다.
2013년 3월 25일 출원된 중국 특허CN103364935A에 공개된 CD 측정 장치는(도 2에 도시된 것과 같이), 다양한 종류의 배율을 가진 렌즈를 사용하여, 각각 마크 검색 및 라인 폭 측정을 수행한다. 레이저(laser)를 이용하여 자동으로 초점 거리 장치에 대해 최적 초점 표면을 조정하기는 하나, 상기 방법은 와이어링 이미지의 프로파일 윤곽을 측정해 낼 수 없다.
본 발명은 일종의 라인 폭 측정 시스템을 제공하여, 현재 이용되고 있는 라인 폭 측정 시스템이 와이어링 그래픽의 프로파일 윤곽의 문제를 측정할 수 없는 문제를 해결한다.
상술한 문제를 해결하기 위해, 본 발명은 라인 측정 시스템을 제공하는데, 상기 라인 측정 시스템은 기판 표면의 그래픽 라인 폭 측정에 이용되고, 상기 라인 폭 측정 시스템은 라인 폭 측정 유닛 및, 초점 표면 및 윤곽 측정 유닛을 포함하고, 상기 초점 표면 검측 및 윤곽 측정 유닛은 제1 측정 광속, 제1 탐측 모듈 및 제2 탐측 모듈을 포함하고, 상기 제1 측정 광속은 기판 표면까지 경사지게 조사되어, 상기 기판 표면에 의해 반사된 후, 제1 반사 광속을 형성하고, 상기 제1 반사 광속은 상기 제1 탐측 모듈로부터 수신되어, 상기 기판 표면의 디포커싱을 측정하고, 상기 제1 반사 광속은 상기 제2 탐측 모듈로부터 수신되어, 상기 기판 표면의 그래픽 윤곽을 측정하고, 상기 라인 폭 측정 유닛은 제2 측정 광속을 포함하고, 상기 초점 표면 검측 및 윤곽 측정 유닛과 상기 제2 탐측 모듈을 공유하고, 제2 측정 광속은 상기 기판 표면까지 수직으로 입사되고, 상기 기판 표면에 의해 반사된 후 제2 반사 광속을 형성하고, 상기 제2 반사 광속은 상기 제2 탐측 모듈로부터 수신되어, 상기 기판 표면의 그래픽 라인 폭을 측정한다.
바람직하게는, 상기 제1 측정 광속 및 제2 측정 광속은 서로 다른 파장을 가진다.
바람직하게는, 상기 제1 측정 광속은 프로젝션 백반의 형태를 채용한다.
바람직하게는, 상기 라인 측정 시스템은 그래픽 검색 측위 유닛을 더 포함하고, 상기 그래픽 검색 측위 유닛은 제3 측정 광속 및, 상기 초점 표면 검측 및 윤곽 측정 유닛과 공유하는 상기 제1 탐측 모듈을 포함하고, 상기 제3 측정 광속은 상기 기판 표면까지 경사지게 조사되어, 상기 기판 표면에 의해 반사된 후 제3 반사 광속을 형성하고, 상기 제3 반사 광속은 상기 제1 탐측 모듈로부터 수신되어, 상기 기판 표면의 그래픽을 검색한다.
바람직하게는, 상기 라인 폭 측정 시스템은 제1 광원, 프로젝션 슬릿을 더 포함하고, 상기 제1 광원이 출력하는 조명 광속은 상기 프로젝션 슬릿을 거친 후, 각각 상기 제1 측정 광속 및 상기 제3 측정 광속을 형성한다.
바람직하게는, 상기 프로젝션 슬릿은 슬릿부 및 평면부를 포함하고, 상기 평면부는 상기 슬릿부를 따라 회전하도록 설치되고, 상기 제1 광원이 출력하는 조명 광속은 상기 슬릿부를 투과한 후, 상기 제1 측정 광속을 형성하고, 상기 제1 광원이 출력하는 조명 광속은 상기 평면부를 투과한 후, 상기 제3 측정 광속을 형성한다.
바람직하게는, 상기 초점 표면 검측 및 윤곽 측정 유닛은, 제1 분광 프리즘을 더 포함하고, 상기 제1 반사 광속은 상기 제1 분광 프리즘을 투과한 후, 두 개의 광속을 더 형성하고, 각각 상기 제1 탐측 모듈 및 상기 제2 탐측 모듈에 의해 수신된다.
대안적으로, 상기 라인 폭 시스템은 두 개 또는 그 이상의 초점 표면 검측 및 윤곽 측정 유닛을 포함하고, 상기 두 개 또는 그 이상의 초점 표면 검측 및 윤곽 측정 유닛은 다른 각도로부터 상기 기판 상의 그래픽 정보를 획득한다.
상술한 문제를 해결하기 위해, 본 발명은 일종의 측정 시스템을 제공하는데, 상기 측정 시스템은 제1 측정 유닛 및 제2 측정 유닛을 포함하고, 상기 제1 측정 유닛은 제1 광원, 프로젝션 슬릿, 프로젝션 미러 그룹, 제1 분광 프리즘, 제1 필터 및 제1 탐측 모듈을 포함하고, 상기 제1 광원이 생성하는 광속은 상기 프로젝션 슬릿을 거친 후 제1 측정 광속을 형성하고, 제1 측정 광속은 상기 프로젝션 미러 그룹을 거쳐 기판 표면까지 조사되고, 상기 기판 표면에서 반사된 후, 상기 제1 분광 프리즘에 진입하고, 상기 제1 분광 프리즘은 제1 서브 광속 및 제2 서브 광속으로 구분되고, 상기 제1 서브 빔은 상기 제2 측정 유닛까지 입사되고, 상기 제2 서브 빔은 상기 제1 필터까지 입사된 후, 상기 제1 탐측 모듈로 진입하고, 상기 제2 측정 유닛은 제2 광원, 현미(microscope) 대물 렌즈 및 제2 탐측 모듈을 포함하고, 상기 제2 광원이 생성하는 제2 측정 광속은 모듈링(moduling) 후 수직으로 상기 기판 표면으로 입사되고, 상기 기판 표면에서 반사된 후 상기 현미 대물 렌즈를 거쳐 상기 제2 탐측 모듈로 진입하고, 상기 제2 측정 유닛 및 상기 제1 측정 유닛 사이에 제2 필터 및 제2 분광 프리즘이 더 설치되고, 상기 제1 서브 광속은 상기 제2 필터를 통해 상기 제2 분광 프리즘으로 진입하고, 상기 제2 분광 프리즘 반사를 거쳐 상기 제2 탐측 모듈로 진입하고, 상기 제1 필터는 파장이 서로 다른 제1 단색광 및 제2 단색광을 투과 가능하고, 상기 제2 필터는 상기 제1 단색광 및 상기 제2 단색광 중 어느 하나에 대해서만 투과 가능하다.
바람직하게는, 상기 제1 탐측 모듈의 탐측면은 상기 제2 서브 빔과 경사지도록 설치된다.
바람직하게는, 상기 프로젝션 슬릿은 슬릿부 및 평면부를 포함하고, 상기 평면부는 상기 슬릿부를 따라 회전하도록 설치되고, 상기 제1 광원이 출력하는 조명 광속은 상기 슬릿부를 투과한 후, 상기 제1 단색광을 형성하고, 상기 제1 광원이 출력하는 조명 광속은 상기 평면부를 투과한 후, 상기 제2 단색광을 형성하고, 상기 제2 필터는 상기 제1 단색광에 대해서만 투과 가능하다.
바람직하게는, 상기 제1 측정 유닛은 상기 제1 광원 및 프로젝션 슬릿 사이에 설치되는 조명 미러 그룹을 더 포함하고, 상기 조명 미러 그룹은 상기 제1 광원이 출력하는 조명 광속을 시준(collimate)하는데 이용된다.
바람직하게는, 상기 제1 측정 유닛은 제1 렌즈 그룹을 더 포함하고, 상기 제1 렌즈 그룹은 렌즈 프론트(front) 컴포넌트 및 렌즈 리어(rear) 컴포넌트를 포함하고, 상기 제1 분광 프리즘 및 상기 제1 필터는 상기 렌즈 프론트 컴포넌트 및 상기 렌즈 리어 컴포넌트 사이에 설치되고, 상기 제1 렌즈 그룹은 상기 기판을 거쳐 반사되는 제1 측정 광속을 집중(converge)시키는데 이용된다.
바람직하게는, 상기 제1 측정 유닛은 반사 미러 그룹을 더 포함하고, 상기 반사 미러 그룹은 프론트(front) 반사경 및 리어(rear) 반사경을 포함하고, 상기 제1 측정 광속은 상기 프로젝션 미러 그룹을 거쳐 상기 프론트 반사경까지 조사되고, 상기 전반사경을 거쳐 상기 기판 표면까지 조사되고, 상기 기판 표면을 거쳐 상기 리어 반사경까지 조사되고, 상기 리어 반사경을 거쳐 상기 제1 분광 프리즘으로 진입한다.
바람직하게는, 상기 프론트 반사경 및 상기 리어 반사경은 입사되는 상기 제1 측정 광속과 상대적으로 경사지도록 설치된다.
바람직하게는, 상기 제2 측정 유닛은 제2 렌즈 그룹을 더 포함하고, 상기 제2 렌즈 그룹은 제2 측정 광속이 상기 제2 탐측 모듈로 진입하기 전, 상기 제2 측정 광속을 집중(converge)하는데 이용된다.
상술한 문제를 해결하기 위해, 본 발명이 제공하는 라인 폭 측정 방법은,
하나의 프로젝션 백반(facula)이 기판까지 경사지게 조사되도록 하고, 하나의 제2 탐측 모듈이 기판 표면에 의해 반사된 후의 백반 정보를 수신하여, 기판 표면의 그래픽 윤곽을 측정하도록 하는 단계(1); 및
하나의 탐측광이 상기 기판까지 수직으로 조사되도록 하고, 상기 제2 탐측 모듈이 상기 기판 표면에 의해 반사된 후의 탐측광 정보를 수신하여, 기판 표면의 그래픽 라인 폭 정보를 획득하도록 하는 단계(2)
를 포함한다.
바람직하게는, 상기 방법은, 하나의 평행 탐측광이 상기 기판까지 경사지게 조사되도록 하고, 제1 탐측 모듈이 상기 기판 표면에 의해 반사되는 평행 탐측광 정보를 수신하여, 기판 표면의 그래픽의 위치를 확정하도록 하는 단계(0)을 더 포함한다.
바람직하게는, 상기 단계(0)은 상기 단계(1)에 우선하여 수행된다.
바람직하게는, 상기 단계(1)은, 제1 탐측 모듈이 상기 기판 표면에 의해 반사되는 백반 정보를 수신하여, 상기 기판 표면의 디포커싱 양(amount)을 확정하는 단계를 더 포함한다.
현재 이용되고 있는 기술과 비교할 때, 본 발명은 이하와 같은 장점이 있다. 상기 라인 폭 측정 장치 및 방법은 CD 측정, 마크 검색 측위, 프로파일 윤곽 측정 및 초점 표면 검측을 수행할 수 있고, 마크 검색 측위, 초점 표면 검측은 다른 싱글-밴드(single-band)를 채용하여 조명을 경사지게 입사시키고, 부분 싱글-밴드는 큰 필드 시야 조명 제공에 이용되고, 경사 SC 탐측 이미징을 채용하여, 큰 필드 시야 범위 이미징을 구현하고, 측정 대상 검색에 이용될 수 있다. 광학 필터 및 특정 그래픽 특징의 프로젝션 슬릿을 채용함으로써, 싱글-밴드의 프로젝션을 형성하고, 경사 SC 탐측 이미징을 통해, 초점 표면의 러프(rough) 측정에 이용된다.
도 1 및 도 2는 현재 이용되는 라인 폭 측정 장치의 구조도를 도시한다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 라인 폭 측정 시스템의 구조도를 도시한다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 프로젝션 슬릿의 구조도를 도시한다.
도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 디포커싱 양 및 프로젝션 백반의 제1 탐측 모듈 또는 제2 탐측 모듈 상의 위치와의 관계를 도시한다.
도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 입사 광속 및 기판 간의 관계를 도시한다.
도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 탐측 백반이 기판 상의 와이어링 그래픽을 거치기 전후의 그래픽 특징을 도시한다.
도 8은 본 발명의 일실시예에 따른 와이어링 그래픽의 프로파일 윤곽 및 다른 고도에서의 라인 폭을 도시한다.
도 9는 본 발명의 일실시예에 따른 검색 범위를 더 넓게 하는 SC 탐측 광로(light path)를 채용한 예를 도시한다.
도 10은 본 발명의 일실시예에 따른 획득 또는 도시되는 그래픽 중 동시에 관측되는 와이어링 그래픽 및 그것의 프로파일 윤곽을 도시한다.
도 11은 본 발명의 다른 일실시예에 따른 라인 폭 측정 시스템의 구조를 도시한다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 라인 폭 측정 시스템의 구조도를 도시한다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 프로젝션 슬릿의 구조도를 도시한다.
도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 디포커싱 양 및 프로젝션 백반의 제1 탐측 모듈 또는 제2 탐측 모듈 상의 위치와의 관계를 도시한다.
도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 입사 광속 및 기판 간의 관계를 도시한다.
도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 탐측 백반이 기판 상의 와이어링 그래픽을 거치기 전후의 그래픽 특징을 도시한다.
도 8은 본 발명의 일실시예에 따른 와이어링 그래픽의 프로파일 윤곽 및 다른 고도에서의 라인 폭을 도시한다.
도 9는 본 발명의 일실시예에 따른 검색 범위를 더 넓게 하는 SC 탐측 광로(light path)를 채용한 예를 도시한다.
도 10은 본 발명의 일실시예에 따른 획득 또는 도시되는 그래픽 중 동시에 관측되는 와이어링 그래픽 및 그것의 프로파일 윤곽을 도시한다.
도 11은 본 발명의 다른 일실시예에 따른 라인 폭 측정 시스템의 구조를 도시한다.
본 발명의 상술한 목적을 달성하기 위해, 특징 및 장점이 명확히 이해되도록 아래에서 첨부된 도면과 함께 구체적인 실시 방법을 설명한다. 미리 설명해 둘 것은, 본원에 첨부된 도면은 간단화된 형식 및 실물과 다른 비율을 채용하는데, 이는 설명의 편의 및 명확성을 위한 것으로 본 발명 실시예의 목적의 이해를 돕기 위한 것이다.
실시예 1
일종의 라인 폭 측정 시스템에 있어서, 상기 시스템은 기판 표면의 그래픽 라인 폭 측정에 이용되고, 라인 폭 측정 유닛 및, 초점 표면 검측 및 윤곽 측정 유닛을 포함한다. 도 3을 참조하면, 상기 초점 표면 검측 및 윤곽 측정 유닛은 제1 측정 광속, 제1 탐측 모듈(10) 및 제2 탐측 모듈(15)을 포함하고, 상기 제1 측정 광속은 기판(34) 표면까지 경사지게 조사되어, 상기 기판 표면에 의해 반사된 후 제1 반사 광속을 형성하고, 상기 제1 반사 광속은 상기 제1 탐측 모듈(10)로부터 수신되어, 상기 기판 표면의 디포커싱을 측정하고, 상기 제1 반사 광속은 상기 제2 탐측 모듈(15)로부터 수신되어, 상기 기판 표면의 그래픽 윤곽을 측정한다. 상기 라인 폭 측정 유닛은 제2 측정 광속을 포함하고, 상기 초점 표면 검측 및 윤곽 측정 유닛과 상기 제2 탐측 모듈(15)을 공유하고, 상기 제2 측정 광속은 기판(34) 표면까지 수직으로 입사되고, 상기 기판(34) 표면에 의해 반사된 후, 제2 반사 광속을 형성하고, 제2 반사 광속은 상기 제2 탐측 모듈(15)로부터 수신되어, 상기 기판 표면의 그래픽 라인 폭을 측정한다.
상기 제1 측정 광속 및 제2 측정 광속은 서로 다른 파장을 채용한다. 상기 제1 측정 광속은 프로젝션 백반의 형태를 채용한다.
상기 제1 측정 광속은 하나의 제1 광원(1)이 생성하고, 상기 제1 광원(1)이 출력하는 조명 광속은 상기 프로젝션 슬릿(3)을 거친 후 상기 제1 측정 광속을 형성한다. 상기 라인 폭 측정 시스템은 하나의 프로젝션 조리개(도시되지 않음)를 더 포함할 수 있고, 상기 프로젝션 조리개는 상기 프로젝션 슬릿(3)에 구비된다.
상기 초점 표면 검측 및 윤곽 측정 유닛은 디포커싱의 러프(rough) 측정 기능을 더 구비한다. 상기 디포커싱 러프 측정 기능은 상기 제1 측정 광속, 상기 제1 탐측 모듈(10)로부터 구현된다. 상기 제1 측정 광속은 상기 기판(34) 표면까지 경사지도록 조사되고, 상기 기판(34) 표면에 의해 반사된 후 상기 제1 탐측 모듈(10)로부터 수신되어, 디포커싱 러프 추측을 수행한다.
상기 라인 폭 측정 시스템은 제1 분광 프리즘(8)을 더 포함할 수 있고, 상기 입사 측정 광속은 상기 기판(34) 표면에 의해 반사된 후 상기 제1 분광 프리즘(8)을 거친 후, 각각 상기 라인 폭 측정 유닛 및 상기 초점 표면 검측 및 윤곽 측정 유닛에 의해 수신된다.
상기 라인 폭 측정 시스템은 그래픽 검색 측위 유닛을 더 포함한다. 상기 그래픽 검색 측위 유닛은 제3 측정 광속 및, 상기 초점 표면 검측 및 윤곽 측정 유닛과 공유하는 상기 제1 측정 모듈을 포함하고, 상기 제3 측정 광속은 상기 기판(34) 표면까지 경사지게 조사되고, 상기 기판(34) 표면에 의해 반사된 후 상기 제1 탐측 모듈(10)로부터 수신되어, 상기 기판 표면의 그래픽을 검색한다. 더 구체적으로, 기판 표면의 정렬(alignment) 마크 검색을 통해 기판 표면의 그래픽 위치를 확정할 수 있고, 이로 인해, 상기 그래픽 검색 측위 유닛도 마크 검색 측위 유닛으로 지칭될 수 있고, 정렬 마크의 검색 및 측위를 통해, 기판 표면의 측정될 그래픽이 각각의 탐측 모듈의 필드 시야 내로 진입하도록 하도록 한다.
상기 라인 폭 측정 시스템은 두 개 또는 그 이상의 초점 표면 검측 및 윤곽 측정 유닛을 더 구비할 수 있고, 복수의 초점 표면 검측 및 윤곽 측정 유닛은 다른 각도로부터 상기 기판 상의 마크 정보를 획득한다. 그 밖에, 상기 라인 폭 측정 시스템은 필요한 광학 쉐이핑(shaping), 전송 등의 컴포넌트를 더 포함하여 측정 광속 및 반사된 탐측 광속에 대한 조절 및 최적화를 구현할 수 있고, 탐측 결과에 대해 제어 및/또는 계산을 수행하는 모듈 등을 포함할 수 있음은 본 발명이 속한 기술 분야의 통상의 기술자에게 자명하므로 자세히 설명하지 않는다.
실시예 2
도 3에 도시된 것과 같이, 측정 시스템은, 제1 측정 유닛 및 제2 측정 유닛을 포함하고, 상기 제1 측정 유닛은 제1 광원(1), 프로젝션 슬릿(3), 프로젝션 미러 그룹, 제1 분광 프리즘(8), 제1 필터(41) 및 제1 탐측 모듈(10)을 포함하고, 상기 제1 광원이 생성하는 광속은 프로젝션 슬릿(3)을 거친 후 제1 광속을 형성하고, 제1 측정 광속은 상기 프로젝션 미러 그룹을 거쳐 기판(34) 표면까지 조사되고, 상기 기판(34) 표면에서 반사된 후 상기 제1 분광 프리즘(8)에 진입하고, 제1 측정 광속은 상기 제1 분광 프리즘(8)을 거친 후 그 중 일부가 제2 측정 유닛까지 입사되고, 나머지 일부는 상기 제1 필터(41)까지 입사된 후 상기 제1 탐측 모듈(10)로 진입한다.
상기 제2 측정 유닛은 제2 광원(11), 현미(microscope) 대물 렌즈(12) 및 제2 탐측 모듈(15)을 포함하고, 상기 제2 광원(11)이 생성하는 제2 측정 광속은 모듈링 후 기판(34) 표면으로 수직으로 입사되고, 상기 기판(34) 표면에 의해 반사된 후 상기 현미 대물 렌즈(12)는 상기 제2 탐측 모듈(15)로 진입한다. 상술한 모듈링은 현미 대물 렌즈(12)를 통해 수행될 수 있고, 즉 제2 광원(11)이 생성하는 제2 측정 광속은 우선 현미 대물 렌즈(12)로 입사하고, 현미 대물 렌즈(12) 중의 광학 엘레먼트(element)을 통해 반사된 후, 기판 표면과 수직하는 방향으로 기판까지 입사되고, 기판 표면에 의해 반사된 후 상기 현미 대물 렌즈(12)를 거쳐 상기 제2 탐측 모듈(15)로 진입한다. 상술한 모듈링은 단독으로 설치된 하나의 광학 엘레먼트를 통해(예를 들어, 분광 프리즘 구현) 구현될 수 있는 것으로 이에 의해 제한되는 것은 아니다.
제2 측정 유닛 및 제1 측정 유닛 사이에 제2 필터(42) 및 제2 분광 프리즘(13)이 더 설치되고, 제1 측정 광속은 상기 제1 분광 프리즘(8)을 거친 후, 상기 제2 필터(42)를 통해 필터링되고, 상기 제2 분광 프리즘(13) 반사를 거쳐 상기 제2 탐측 모듈(15)로 진입하고, 제2 측정 광속은 상기 기판(34) 표면에 의해 반사된 후, 상기 현미 대물 렌즈(12) 및 제2 분광 프리즘(13)을 거쳐 상기 제2 탐측 모듈(15)로 진입한다.
상기 제1 탐측 모듈(10) 및 상기 제2 탐측 모듈(15)는 CCD 카메라 또는 CMOS 카메라를 채용할 수 있다.
상기 제1 탐측 모듈(10)의 탐측면은 상대적으로 입사되는 제1 측정 광속과 경사지도록 설치되고, 큰 필드 시야 범위의 이미징을 구현한다.
상기 프로젝션 슬릿(3)은 슬릿부(301) 및 평면부(302)를 포함하고, 상기 평면부(302)는 슬릿부(301)를 따라 회전하도록 설치되고, 상기 슬릿부(301)는 파장이 λ1인 단색광만 투과 가능하고, 상기 평면부(302)는 파장이 λ2인 단색광만 투과 가능하다. 영역 분할을 통해 빛에 대한 필터링을 수행하여, 브로드-밴드(broad band) 복합 경사 입사 조명을 구현할 수 있다.
상기 제1 필터(41)는 파장이 λ1 및 λ2인 단색광을 투과 가능하도록 설계되고, 상기 제2 필터(42)는 파장이 λ1인 단색광만을 투과 가능하도록 설계될 수 있다.
상기 제1 측정 유닛은 상기 제1 광원(1) 및 프로젝션 슬릿(3) 사이에 설치되는 조명 미러 그룹(2)을 더 포함할 수 있고, 상기 조명 미러 그룹(2)는 제1 광원(1)이 출력하는 광속을 시준(collimate)하는데 이용된다.
상기 제1 측정 유닛은 제1 렌즈 그룹을 더 포함하고, 상기 제1 렌즈 그룹은 렌즈 프론트 컴포넌트(7) 및 렌즈 리어 컴포넌트(9)를 포함하고, 상기 제1 분광 프리즘(8) 및 상기 제1 필터(41)는 모두 상기 렌즈 프론트 컴포넌트(7) 및 상기 렌즈 리어 컴포넌트(9) 사이에 설치되고, 상기 제1 렌즈 컴포넌트는 제1 측정 광속을 집중(converge)시키는데 이용된다.
상기 제1 측정 유닛은 반사 미러 그룹을 더 포함하고, 상기 반사 미러 그룹은 프론트 반사경(5) 및 리어 반사경(6)을 포함하고, 상기 제1 측정 광속은 상기 프로젝션 미러 그룹을 거쳐 상기 프론트 반사경(5)까지 조사되고, 상기 프론트 반사경(5)을 거쳐 상기 기판(34) 표면까지 조사되고, 상기 기판(34) 표면을 거쳐 상기 리어 반사경(6)까지 조사되고, 상기 리어 반사경(6) 반사를 거쳐 상기 제1 분광 프리즘(8)으로 진입한다. 상기 프론트 반사경(5) 및 리어 반사경(6)은 제1 측정 광속과 경사지도록 설치되고, 경사SC(Scheimpflug) 탐측 이미징을 채용하여, 큰 필드 시야 범위 이미징을 구현한다.
상기 제2 측정 유닛은 제2 렌즈 그룹(14)을 더 포함하고, 상기 제2 렌즈 그룹(14)는 제2 측정 광속이 상기 제2 탐측 모듈(15)로 진입하기 전 제2 측정 광속을 집중(converge)시키는데 이용된다.
상기 제1 광원(1)은 백광(white light) 광원을 채용하고, 그것은 조명 광속을 출력하고, 상기 조명 렌즈 그룹(2)을 통해 프로젝션 슬릿(3)에 도달하고, 상기 프로젝션 슬릿(3)은 도 4에 따라 설계되고, 슬릿부(301) 및 평면부(302)를 포함하고, 상기 슬릿부(301)은 파장이 λ1인 단색광(예를 들어 녹색광)만 투과 가능하고, 상기 평면부(302)는 파장이 λ2인 단색광(예를 들어 홍색광)만 투과 가능할 수 있고, 따라서, 제1 광원(1)이 출력하는 광속은 프로젝션 슬릿(3)을 거친 후, 두 부분으로 구분되고, 그 중 일부는 파장이 λ1인 프로젝션 백반이고, 나머지 일부는 파장이 λ2인 조명 광속이고, 따라서 파장이 λ1인 부분이 상기 제1 측정 광속을 형성하고, 파장이 λ2인 부분이 상기 제3 측정 광속을 형성한다.
파장이 λ1인 제1 측정 광속은 프로젝션 이전 컴포넌트(4) 및 프로젝션 이후 컴포넌트(16)을 거친 후 프론트 반사경(5) 상에서 반사되고, 기판(34) 표면 상에서 형성되어, 슬릿부(301) 크기와 대응되는 백반, 백반이 기판(34) 표면을 거쳐 반사되고, 다시 순차적으로 리어 반사경(6) 및 렌즈 프론트 컴포넌트(7)을 거친 후, 제1 분광 프리즘(8)에 도달하고, 그 부분 프로젝션 백반은 두 개의 광속으로 변할 수 있고, 하나의 광속은 제2 필터(42)를 거친 후 제2 분광 프리즘(13)까지 도달하고, 제2 분광 프리즘(13)이 반사하여, 프로젝션 백반을 제2 렌즈 컴포넌트(14)까지 이미징하고, 마지막으로 프로젝션 백반은 제2 탐측 모듈(15) 상에서 이미징될 수 있고, 제2 필터(42)의 작용은 파장이 λ1인 광을 투과하게 하는 것이고, 나머지 하나의 광속은 파장이 λ1인 프로젝션 백반은 렌즈 리어 컴포넌트(9)를 거쳐, 제1 탐측 모듈(10) 상에서 이미징되고, 이 부분의 이미징은 디포커싱의 러프 측정에 이용되고, 그 측정 범위는 상대적으로 크고, 그 목적은 디포커싱 양이 소재한 범위를 찾는 것으로, 후속으로 진행되는 작은 범위, 높은 정확도의 디포커싱 검측을 용이하게 하여 구체적인 디포커싱 양을 측정할 수 있다.
파장이 λ2인 제3 측정 광속은, 기판(34) 표면을 거쳐 반사된 후, 순차적으로 리어 반사경(6) 및 렌즈 프론트 컴포넌트(7)을 거친 후, 제1 분광 프리즘(8)에 도달하고, 이 때 두 개의 광속으로 변할 수 있는데, 제2 필터(42)의 작용으로 인해, 파장이 λ2인 광속은 제2 탐측 모듈(15)로 진입하지 않고, 렌즈 리어 컴포넌트(9)만을 거칠 수 있고, 제1 탐측 모듈(10) 상에 경사지도록 이미징된다. 이 부분의 이미징은 기판 표면의 정렬 마크 검색 및 측위에 이용된다. 그 밖에, 기판 표면은 와이어링 그래픽 외에도, 하나 또는 복수의 정렬 마크(도시되지 않음)를 더 형성하여, 탐측 모듈(10)이 정렬 마크에 대한 캡쳐를 통해 정렬을 구현하고, 기판 표면의 와이어링 그래픽이 탐측 모듈(10)의 탐측 표면 상에 이미징되도록 한다. 정렬 마크의 설계 및 배치에 관해서는, 본 발명이 속한 기술 분야의 통상적으로 이용되는 기술이므로, 구체적으로 설명하지 않는다.
그 밖에, 제2 광원(11)이 출력하는 파장은 λ3(예를 들면, 남색광)의 제2 측정 광속이고, 수직 입사가 진행되고, 기판(34) 표면 반사를 거친 후, 순차적으로 현미 대물 렌즈(12), 제2 분광 프리즘(13) 및 제2 렌즈 컴포넌트(14)를 거친 후, 제2 탐측 모듈(15) 상에 이미징되고, 이 부분 이미징은 기판 표면의 와이어링 그래픽의 CD 측정에 이용된다.
최종적으로 제2 탐측 모듈(15) 상에서, 동시에 두 부분의 이미징이 발생할 수 있고(도 10에 도시된 것과 같이), 도면 중 좌측 부분은 와이어링 그래픽의 CD 측정용의 파장이 λ3인 제2 측정 광속에 이용되고, 우측 부분은 와이어링 그래픽 프로파일 윤곽 측정용 파장이 λ1의 제1 측정 광속에 이용된다.
제2 필터(42)는 파장이 λ3인 제2 측정 광속을 더 필터링할 수 있고, 제2 측정 광속의 느린 반사로 인한 제1 탐측 모듈(10) 상에 대해 이미징이 형성되는 영향을 방지할 수 있다.
프로젝션 슬릿(3) 중의 슬릿부(301)는, 초점 표면 검측 및 프로파일 윤곽 측정의 제1 측정 광속 수행에 이용되고(도 5에 도시된 것과 같이), 디포커싱 양 및 프로젝션 백반에 따라 각각 제1 탐측 모듈(10) 및 제2 탐측 모듈(15) 상의 위치 관계를 획득할 수 있다.
상기 수학식 1에 있어서, L은 제1 탐측 모듈(10)의 탐측기 길이이고, α1은 제1 탐측 광속 및, 입사 광선, 반사 광선의 대칭축(즉, 기판(34)의 축선과 수직인)의 끼인각(included angle)이고, 상기 끼인각의 수치는 제2 탐측 광속(기판(34)과 수직인)과 제1 탐측 광속의 광축의 끼인각과 같고, M1은 렌즈 배율이고, H는 디포커싱 양이다. 그 밖에 M1은 리어 반사경(6), 렌즈 프론트 컴포넌트(7), 제1 분광 프리즘(8), 제1 필터(41) 및 렌즈 리어 컴포넌트(9)에 따라 확정되고, 다시 말해, 본 실시예 중의 리어 반사경(6), 렌즈 프론트 컴포넌트(7), 제1 분광 프리즘(8), 제1 필터(41) 및 렌즈 리어 컴포넌트(9)가 함께 하나의 렌즈 컴포넌트를 구성하고, 즉, M1은 상기 렌즈 컴포넌트의 배율을 의미한다.
수학식 1을 통해 측정되는 구역(즉, 기판 표면)의 디포커싱 양을 추정해낼 수 있고, 기판(34)에 대해 수직 Z 방향의 위치 조정을 수행하고, 그것을 최적 초면 위치까지 이동시키고, 프로젝션 백반을 통해(즉, 제1 탐측 광속) 제2 탐측 모듈(15) 상의 이미징은 와이어링 그래픽의 프로파일 윤곽 측정을 수행할 수 있다. 프로젝션 백반은 도 6에 도시된 기울어진 입사에 따라, 측정되는 와이어링 그래픽의 고도 및 기판(34) 표면 고도의 불일치로 인해, 제2 탐측 모듈(15) 상에 도 7에 도시된 것과 같은 윤곽이 드러난다(즉, 와이어링 그래픽의 프로파일 이미지). 기판(34) 표면 와이어링 그래픽의 프로파일 윤곽은 직사각형(단일한 폭을 가진)인 경우, 현미 대물 렌즈(12)의 이미징을 사용하는 것은 그것의 와이어 폭 값을 정확하게 측정해낼 수 있다. 기판(34) 표면 와이어링 그래픽의 프로파일 윤곽이 사다리꼴(점차 변하는 폭을 가진)(도 8에 도시된 것과 같이)인 경우, 현미 대물 렌즈(12)의 이미징을 사용하여 측정해내는 것은 그것의 기판(34) 표면의 라인 폭CD3이고, 프로파일 윤곽 측정을 사용하여, 프로파일 서로 다른 고도의 CD 값(꼭대기 부의 라인 폭 CD1 및 중간부의 라인 폭 CD2와 같은)을 측정해낼 수 있다.
전술한 디포커싱 러프 측정 및 정렬 마크 검색의 조명은 2 종류의 파장 λ1 및 λ2를 공통 조명으로 채용하고, 마크 검색의 탐측 부분에 있어, SC 광로 결합을 채용하고, 기판(34) 표면의 이미지는 제1 탐측 모듈(10) 상에 경사지게 형성되고, 이렇게 하여 더 큰 범위의 마크 검색 구역을 증가시키고(도 9에 도시된 것과 같이), 현미 대물 렌즈(12)의 렌즈 배율은 M2이고, 수직 이미징의 필드 시야로 W1을 채용하고, SC 이미징을 채용하는 필드 시야로 W2을 채용한다.
그 중, β2는 제2 탐측 광속 및 대칭축의 끼인각을 의미하고, α2는 제2 탐측 광속 및 대칭축의 끼인각의 여각(complementary angle)을 의미하고, 마크 검색의 범위는 더 넓어진다.
본 기술방안은 3종류의 서로 다른 파장의 분광을 채용하여 각각 서로 다른 기능의 측정을 수행하는데,
파장이 λ1(예를 들어, 녹색광)인의 조명은 디포커싱 검측(및 디포커싱 정밀 측정) 및 와이어링 그래픽 프로파일 윤곽 측정에 이용되고,
파장이 λ3(예를 들어, 남색광)인의 조명은, 와이어링 그래픽의 CD 측정에 이용되고,
파장이 λ2(예를 들어, 홍색광)이고, 파장이 λ1(예를 들어, 녹색광)인 조명은, 정렬 마크 검색 측위 및 디포커싱 러프 측정에 이용된다.
전형적인 파라미터 및 예상되는 기술효과:
TFT 유리 기판을 채용하고, 크기는 730mmХ920mm이고, 기판 전면형 파동은 25㎛보다 작고, 국부적으로 10㎛左右정도이다.
마크 검색 측위 및 관측 부분에 있어서, 상기 제1 탐측 모듈(10)은 1인치(inch)의 CMOS 카메라를 채용하고, 필드 시야는 12.8mm××9.6mm이고, 이미징 렌즈 배율은 0.5 배율을 채용하고, 입사 각도는 82도이고, 파장은 홍색 및 녹색을 채용하고, 상술한 수학식 2에 따라, 물체면의 검색 범위는 50mm××37.6mm로, 수직 입사 반사 이미징의 필드 시야 25.6mm××19.2mm의 2배이다.
와이어링 그래픽CD 측정 부분에 있어서, 측정되는 와이어링 그래픽의 라인 폭은 1~10μ㎛이다. 제2 탐측 모듈(15)가 1인치의 CMOS 카메라를 채용하는 경우, 픽셀 크기는 5μ㎛이고, 현미 대물 렌즈(12) 렌즈 배율은 50X를 채용하고, NA는 0.55이고, 필드 깊이 범위는 +/- 1μ㎛이다. 제2 측정 광속 및 현미 대물 렌즈(12) 슬릿부 필터 파장은 모두 465nm 남색광을 채용하여, 이상의 파라미터로부터 필드 시야 0.256mm××0.192mm를 획득할 수 있고, CD 측정의 레졸루션(resolution)율은 0.5μ㎛에 달하여 CD 라인 폭 측정 요구를 만족시킬 수 있다.
초점 표면 실시간 검측 및 와이어링 그래픽 프로파일 윤곽 측정 부분에 있어서, 와이어링 그래픽 고도는 대략 1μ㎛이다. 제1 탐측 모듈(10) 및 상술한 CD 측정 부분은 공유되고(공동 사용), 제1 측정 광속은 녹색광 520nm을 채용하고, 입사각 설계는 82도이고, M1 확대 배율 설계는 5배이고, 수직 방향 고도 및 제1 탐측 모듈(10) 간의 비율 관계는 2M1sinαα=10배이고, 픽셀 크기는 5μ㎛이고, 서브 픽셀 설계값은 1/20이고, 즉 설계 레졸루션율은 
이고, 슬릿부(301) 크기 설계는 1mm××0.1mm이고, 5배 확대 후 탐측 부분은 5mm××0.5mm의 이미지가 되고, 초점 표면 검측 범위는 +/- 100μ㎛이고, 디포커싱 양 및 제1 탐측 모듈(10)의 크기 관계는 L-W=2××R××M××sinαα이고, 1인치 CMOS 카메라 획득은 설계 요구를 만족시킬 수 있다. 초점 표면 범위는 기판(34) 표면형 변화보다 크고, 초점 표면 검측 부분의 필드 시야는 현미 대물 렌즈(12) 필드 시야보다 크고 상기 필드 시야를 커버한다.
본 발명의 상술한 라인 폭 측정 시스템은 아래의 특징을 가진다.
특징 1은, 상술한 라인 폭 측정 시스템은 CD 측정, 마크 검색 측위, 프로파일 윤곽 측정 및 초점 표면 검측을 구현할 수 있고, 마크 검색 측위, 초점 표면 검측은 서로 다른 싱글-밴드 입사 조명을 채용하고, 부분 싱글-밴드는 큰 필드 시야 조명 제공에 이용되고, 경사 SC 탐측 이미징을 채용하여, 큰 필드 시야 범위 이미지를 구현하여, 측정되는 대상의 검색에 이용될 수 있다. 광학 필터 및 특정 그래픽 특징을 수반하는 프로젝션 슬릿(3)을 채용하여, 싱글-밴드 프로젝션을 형성하고, 경사 SC 탐측 이미징을 통해, 초점 표면 러프 검측에 이용된다.
특징 2는, 와이어링 그래픽CD 정밀 측정 유닛으로, 고배율 기기 시각 이미징 시스템을 채용하여 CD 정밀 측정을 구현한다.
특징 3은, 와이어링 그래픽 프로파일 윤곽 측정 유닛으로, 싱글-밴드 경사 입사식 프로젝션을 사용하여, 경사 SC 탐측 프론트 컴포넌트를 채용하고, CD 측정 후 이미징을 채용하여, 초점 표면 정밀 측정 및 와이어링 그래픽 윤곽 측정을 구현한다.
특징 4는, 제1 탐측 유닛의 프로젝션 슬릿(3)으로, 구역 분할 필터링을 수행할 수 있고, 브로드-밴드 복합 입사 조명을 구현한다.
특징 5는, CD 측정, 마크 검색 측위, 프로파일 윤곽 측정 및 초점 표면 검측이 서로 다른 파장 광원 조명을 채용하는 것으로, 상호 간의 혼선(crosstalk)을 방지한다.
특징 6은, 상기 라인 폭 측정 장치로, 필터를 포함하고, CD 측정이 초점 표면 정밀 측정 광속을 인입하게 하여, 필드 시야 이미징 광속을 격리시키고, 측정 성능의 독립성을 보장한다.
실시예 3
도 11에 도시된 것과 같이, 실시예 4 및 실시예 3의 차이점은, 실시예 4는 두 개의 제1 측정 유닛을 구비하고, 상기 제2 측정 유닛 중 제3 분광 프리즘(17)을 구비하고, 이러한 라인 폭 측정 시스템은 서로 다른 방향의 와이어링 그래픽의 프로파일 윤곽을 측정할 수 있다.
본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 기술자는, 두 개 컴포넌트 이상의 제1 측정 유닛도 채용할 수 있고, 이를 통해 서로 다른 각도에서 상기 기판 상의 그래픽 정보를 획득할 수 있다.
실시예 4
도 3 또는 도 11에 도시된 것과 같이, 라인 폭 측정 장치는, Z 방향 조정 테이블(33), 상기 Z 방향 조정 테이블(33) 상에 설치된 이동 궤도, 상기 이동 궤도 상에 설치된 실시예 1 또는 실시예 2의 라인 폭 측정 시스템 및 상기 라인 폭 측정 시스템과 서로 연결된 동작 처리 유닛(35)을 포함하고, 기판(34)은 상기 Z 방향 조정 테이블(33) 상에 설치되고, 상기 이동 궤도는 X 방향 이동 궤도(31) 및 Y 방향 이동 궤도(32)를 포함하고, 상기 라인 폭 측정 시스템은 이동 궤도의 조정을 통해 적당한 위치를 조정하여, 기판(34)에 대해 라인 폭 측정을 수행하고, 나아가, 상기 동작 처리 유닛(35)는 상기 제1 탐측 모듈(10) 및 상기 제2 탐측 모듈(15) 상의 정보에 따라, 기판(34) 거리 최적 초점 표면의 위치를 계산하고, 상기 Z 방향 조정 테이블(33)의 조절을 통해, 상기 기판(34)을 최적 초점 표면 위치로 조정한다.
실시예 5
라인 폭 측정 방법은,
단계(0), 하나의 평행 탐측광이 상기 기판(34)까지 경사지게 조사되도록 하고, 제1 탐측 모듈(10)이 상기 기판(34) 표면에 의해 반사되는 평행 탐측광 정보를 수신하여, 기판 표면의 정렬 마크 소재 위치를 확정한다. 그 다음, 정렬 마크 소재 위치에 따라 기판 상의 와이어링 그래픽이 제1 탐측 모듈(10)의 필드 시야로 진입하도록 한다.
단계(1)은, 프로젝션 백반이 기판(34)까지 경사지게 조사되도록 하고, 제2 탐측 모듈(15)이 기판(34) 표면의 그래픽 윤곽을 측정하도록 하고, 제1 탐측 모듈이 상기 기판 표면에 의해 반사된 후의 백반 정보를 획득하여, 상기 기판 표면의 디포커싱 양을 확정하고, 디포커싱 양에 기초하여 기판(34)에 대해 수직 Z 방향의 위치 조정을 수행할 수 있고, 그것을 최적 초점 표면 위치까지 이동시킨다.
단계(2)는, 하나의 탐측광이 상기 기판(34)까지 수직으로 조사되도록 하고, 상기 제2 탐측 모듈(15)이 상기 기판(34) 표면에 의해 반사된 후의 탐측광 정보를 수신하여, 기판 표면의 그래픽 라인 폭 정보를 획득한다.
그 중, 단계(1)의 디포커싱 양의 측정은 그래픽 윤곽의 측정에 전, 후 또는 그래픽 윤곽의 측정과 동시에 수행될 수 있다.
본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 기술자는 본 발명의 정신 및 범위에서 벗어남 없이 본 발명에 대한 각종 개량 및 변경을 가할 수 있다. 이 경우, 본 발명의 이러한 개량 및 변경이 본 발명의 청구항 및 그와 동등한 기술의 범위 내라면, 그것은 본 발명이 의도하는 개량 및 변경의 범위 내로 보아야 한다.
100: 광학 현미경
1: 제1 광원
2: 조명 미러 그룹
3: 프로젝션 슬릿
301: 슬릿부
302: 평면부
4: 프로젝션 이전 컴포넌트
5: 프론트 반사경
6: 리어 반사경
7: 렌즈 프론트 컴포넌트
8: 제1 분광 프리즘
9: 렌즈 리어 컴포넌트
10: 제1 탐측 모듈
11: 제2 광원
12: 현미 대물 렌즈
13: 제2 분광 프리즘
14: 제2 렌즈 그룹
15: 제2 탐측 모듈
16: 프로젝션 이후 컴포넌트
17: 제3 분광 프리즘
31: X 방향 이동 궤도
32: Y 방향 이동 궤도
33: Z 방향 조정 테이블
34: 기판
35: 동작 처리 유닛
41: 제1 필터
42: 제2 필터
1: 제1 광원
2: 조명 미러 그룹
3: 프로젝션 슬릿
301: 슬릿부
302: 평면부
4: 프로젝션 이전 컴포넌트
5: 프론트 반사경
6: 리어 반사경
7: 렌즈 프론트 컴포넌트
8: 제1 분광 프리즘
9: 렌즈 리어 컴포넌트
10: 제1 탐측 모듈
11: 제2 광원
12: 현미 대물 렌즈
13: 제2 분광 프리즘
14: 제2 렌즈 그룹
15: 제2 탐측 모듈
16: 프로젝션 이후 컴포넌트
17: 제3 분광 프리즘
31: X 방향 이동 궤도
32: Y 방향 이동 궤도
33: Z 방향 조정 테이블
34: 기판
35: 동작 처리 유닛
41: 제1 필터
42: 제2 필터
Claims (20)
- 라인 폭 측정 시스템에 있어서,
상기 라인 폭 측정 시스템은 기판(substrate) 표면의 그래픽(graphic) 라인 폭을 측정하는데 이용되고, 라인 폭 측정 유닛 및, 초점 표면(focal surface) 검측 및 윤곽 측정 유닛을 포함하고, 상기 초점 표면 검측 및 윤곽 측정 유닛은 제1 측정 광속(beam), 제1 탐측 모듈 및 제2 탐측 모듈을 포함하고, 상기 제1 측정 광속은 기판 표면까지 경사지게 조사(irradiate)되어, 상기 기판 표면에 의해 반사된 후, 제1 반사 광속을 형성하고, 상기 제1 반사 광속은 상기 제1 탐측 모듈로부터 수신되어, 상기 기판 표면의 디포커싱(defocusing)을 측정하고, 상기 제1 반사 광속은 상기 제2 탐측 모듈로부터 수신되어, 상기 기판 표면의 그래픽 윤곽을 측정하고, 상기 라인 폭 측정 유닛은 제2 측정 광속을 포함하고, 상기 초점 표면 검측 및 윤곽 측정 유닛과 상기 제2 탐측 모듈을 공유하고, 상기 제2 측정 광속은 상기 기판 표면까지 수직으로 입사되고, 상기 기판 표면에 의해 반사된 후, 제2 반사 광속을 형성하고, 상기 제2 반사 광속은 상기 제2 탐측 모듈로부터 수신되어, 상기 기판 표면의 그래픽 라인 폭을 측정하는 것을 특징으로 하는,
라인 폭 측정 시스템. - 제1항에 있어서,
상기 제1 측정 광속 및 상기 제2 측정 광속은 서로 다른 파장을 가지는 것을 특징으로 하는,
라인 폭 측정 시스템. - 제1항에 있어서,
상기 제1 측정 광속은 프로젝션(projection) 백반(facula)의 형태(form)를 채용하는 것을 특징으로 하는,
라인 폭 측정 시스템. - 제1항에 있어서,
그래픽 검색 측위 유닛을 더 포함하고, 상기 그래픽 검색 측위 유닛은 제3 측정 광속 및, 상기 초점 표면 검측 및 윤곽 측정 유닛과 공유하는 상기 제1 탐측 모듈을 포함하고, 상기 제3 측정 광속은 상기 기판 표면까지 경사지게 조사되어, 상기 기판 표면에 의해 반사된 후 제3 반사 광속을 형성하고, 상기 제3 반사 광속은 상기 제1 탐측 모듈로부터 수신되어, 상기 기판 표면의 그래픽을 검색하는 것을 특징으로 하는,
라인 폭 측정 시스템. - 제4항에 있어서,
제1 광원(light source) 및 프로젝션 슬릿(slit)을 더 포함하고, 상기 제1 광원이 출력하는 조명 광속은 상기 프로젝션 슬릿을 거친(via) 후, 각각 상기 제1 측정 광속 및 상기 제3 측정 광속을 형성하는 것을 특징으로 하는,
라인 폭 측정 시스템. - 제5항에 있어서,
상기 프로젝션 슬릿은 슬릿부와 평면부를 포함하고, 상기 평면부는 상기 슬릿부를 따라 회전하도록 설치되고, 상기 제1 광원이 출력하는 조명 광속은 상기 슬릿부를 투과한 후, 상기 제1 측정 광속을 형성하고, 상기 제1 광원이 출력하는 조명 광속은 상기 평면부를 투과한 후, 상기 제3 측정 광속을 형성하는 것을 특징으로 하는,
라인 폭 측정 시스템. - 제1항에 있어서,
상기 초점 표면 검측 및 윤곽 측정 유닛은, 제1 분광 프리즘을 더 포함하고, 상기 제1 반사 광속은 상기 제1 분광 프리즘을 투과한 후, 두 개의 광속을 형성하고, 각각 상기 제1 탐측 모듈 및 상기 제2 탐측 모듈에 의해 수신되는 것을 특징으로 하는,
라인 폭 측정 시스템. - 제1항에 있어서,
상기 초점 표면 검측 및 윤곽 측정 유닛을 두 개 또는 그 이상 포함하고, 상기 두 개 또는 그 이상의 초점 표면 검측 및 윤곽 측정 유닛은 다른 각도로부터 상기 기판 상의 그래픽 정보를 획득하는 것을 특징으로 하는,
라인 폭 측정 시스템. - 측정 시스템에 있어서,
제1 측정 유닛 및 제2 측정 유닛을 포함하고, 상기 제1 측정 유닛은 제1 광원, 프로젝션 슬릿, 프로젝션 미러 그룹(mirror group), 제1 분광 프리즘, 제1 필터 및 제1 탐측 모듈을 포함하고, 상기 제1 광원이 생성하는 광속은 상기 프로젝션 슬릿을 거친 후, 제1 측정 광속을 형성하고,
제1 측정 광속은 상기 프로젝션 미러 그룹을 거쳐 기판 표면까지 조사되고, 상기 기판 표면에서 반사된 후, 상기 제1 분광 프리즘에 진입하고, 상기 제1 분광 프리즘은 제1 서브 광속 및 제2 서브 광속으로 구분되고, 상기 제1 서브 빔은 상기 제2 측정 유닛까지 입사되고, 상기 제2 서브 빔은 상기 제1 필터까지 입사된 후, 상기 제1 탐측 모듈로 진입하고,
상기 제2 측정 유닛은 제2 광원, 현미(microscope) 대물 렌즈 및 제2 탐측 모듈을 포함하고, 상기 제2 광원이 생성하는 제2 측정 광속은 모듈링(moduling) 후 수직으로 상기 기판 표면으로 입사되고, 상기 기판 표면에서 반사된 후 상기 현미 대물 렌즈를 거쳐 상기 제2 탐측 모듈로 진입하고,
상기 제2 측정 유닛 및 상기 제1 측정 유닛 사이에 제2 필터 및 제2 분광 프리즘이 더 설치되고, 상기 제1 서브 광속은 상기 제2 필터를 통해 상기 제2 분광 프리즘으로 진입하고, 상기 제2 분광 프리즘 반사를 거쳐 상기 제2 탐측 모듈로 진입하고,
상기 제1 필터는 파장이 서로 다른 제1 단색광 및 제2 단색광을 투과 가능하고, 상기 제2 필터는 상기 제1 단색광 및 상기 제2 단색광 중 어느 하나에 대해서만 투과 가능한 것을 특징으로 하는,
측정 시스템. - 제9항에 있어서,
상기 제1 탐측 모듈의 탐측면은 상기 제2 서브 빔과 경사지도록 설치되는 것을 특징으로 하는,
측정 시스템. - 제9항에 있어서,
상기 프로젝션 슬릿은 슬릿부 및 평면부를 포함하고, 상기 평면부는 상기 슬릿부를 따라 회전하도록 설치되고, 상기 제1 광원이 출력하는 조명 광속은 상기 슬릿부를 투과한 후, 상기 제1 단색광을 형성하고, 상기 제1 광원이 출력하는 조명 광속은 상기 평면부를 투과한 후, 상기 제2 단색광을 형성하고, 상기 제2 필터는 상기 제1 단색광에 대해서만 투과 가능한 것을 특징으로 하는,
측정 시스템. - 제9항에 있어서,
상기 제1 측정 유닛은 상기 제1 광원 및 프로젝션 슬릿 사이에 설치되는 조명 미러 그룹을 더 포함하고, 상기 조명 미러 그룹은 상기 제1 광원이 출력하는 조명 광속을 시준(collimate)하는데 이용되는 것을 특징으로 하는,
측정 시스템. - 제9항에 있어서,
상기 제1 측정 유닛은 제1 렌즈 그룹을 더 포함하고, 상기 제1 렌즈 그룹은 렌즈 프론트(front) 컴포넌트 및 렌즈 리어(rear) 컴포넌트를 포함하고, 상기 제1 분광 프리즘 및 상기 제1 필터는 상기 렌즈 프론트 컴포넌트 및 상기 렌즈 리어 컴포넌트 사이에 설치되고, 상기 제1 렌즈 그룹은 상기 기판을 거쳐 반사되는 제1 측정 광속을 집중(converge)시키는데 이용되는 것을 특징으로 하는,
측정 시스템. - 제9항에 있어서,
상기 제1 측정 유닛은 반사 미러 그룹을 더 포함하고, 상기 반사 미러 그룹은 프론트(front) 반사경 및 리어(rear) 반사경을 포함하고, 상기 제1 측정 광속은 상기 프로젝션 미러 그룹을 거쳐 상기 프론트 반사경까지 조사되고, 상기 전반사경을 거쳐 상기 기판 표면까지 조사되고, 상기 기판 표면을 거쳐 상기 리어 반사경까지 조사되고, 상기 리어 반사경을 거쳐 상기 제1 분광 프리즘으로 진입하는 것을 특징으로 하는,
측정 시스템. - 제14항에 있어서,
상기 프론트 반사경 및 상기 리어 반사경은 입사되는 상기 제1 측정 광속과 상대적으로 경사지도록 설치되는 것을 특징으로 하는,
측정 시스템. - 제9항에 있어서,
상기 제2 측정 유닛은 제2 렌즈 그룹을 더 포함하고, 상기 제2 렌즈 그룹은 제2 측정 광속이 상기 제2 탐측 모듈로 진입하기 전, 상기 제2 측정 광속을 집중(converge)하는데 이용되는 것을 특징으로 하는,
측정 시스템. - 라인 폭 측정 방법에 있어서,
하나의 프로젝션 백반(facula)이 기판까지 경사지게 조사되도록 하고, 하나의 제2 탐측 모듈이 기판 표면에 의해 반사된 후의 백반 정보를 수신하여, 기판 표면의 그래픽 윤곽을 측정하도록 하는 단계(1); 및
하나의 탐측광이 상기 기판까지 수직으로 조사되도록 하고, 상기 제2 탐측 모듈이 상기 기판 표면에 의해 반사된 후의 탐측광 정보를 수신하여, 기판 표면의 그래픽 라인 폭 정보를 획득하도록 하는 단계(2)
를 포함하는 것을 특징으로 하는,
라인 폭 측정 방법. - 제17항에 있어서,
하나의 평행 탐측광이 상기 기판까지 경사지게 조사되도록 하고, 제1 탐측 모듈이 상기 기판 표면에 의해 반사되는 평행 탐측광 정보를 수신하여, 기판 표면의 그래픽의 위치를 확정하도록 하는 단계(0)
을 더 포함하는 것을 특징으로 하는,
라인 폭 측정 방법. - 제18항에 있어서,
상기 단계(0)은 상기 단계(1)에 우선하여 수행되는 것을 특징으로 하는,
라인 폭 측정 방법. - 제17항에 있어서,
상기 단계(1)은, 제1 탐측 모듈이 상기 기판 표면에 의해 반사되는 백반 정보를 수신하여, 상기 기판 표면의 디포커싱 양을 확정하도록 하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는,
라인 폭 측정 방법.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710527292.8 | 2017-06-30 | ||
| CN201710527292.8A CN109211117B (zh) | 2017-06-30 | 2017-06-30 | 线宽测量系统和线宽测量装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20190003363A true KR20190003363A (ko) | 2019-01-09 |
| KR102022799B1 KR102022799B1 (ko) | 2019-09-18 |
Family
ID=64991656
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020180072841A KR102022799B1 (ko) | 2017-06-30 | 2018-06-25 | 라인 폭 측정 시스템 및 장치 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102022799B1 (ko) |
| CN (1) | CN109211117B (ko) |
| TW (1) | TWI681165B (ko) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113587843B (zh) * | 2021-07-27 | 2022-05-27 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 干涉共聚焦测量系统及测量方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH104055A (ja) * | 1996-06-13 | 1998-01-06 | Canon Inc | 自動焦点合わせ装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
| US20050259272A1 (en) * | 2004-05-19 | 2005-11-24 | Chun-Sheng Wang | Method of wafer height mapping |
| KR20120027702A (ko) * | 2010-09-13 | 2012-03-22 | 케이맥(주) | 간섭계와 2차원-반사광도계의 측정이 가능한 복합시편 표면특성 측정장치 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20060060781A1 (en) * | 1997-08-11 | 2006-03-23 | Masahiro Watanabe | Charged-particle beam apparatus and method for automatically correcting astigmatism and for height detection |
| US6891627B1 (en) * | 2000-09-20 | 2005-05-10 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for determining a critical dimension and overlay of a specimen |
| TW584708B (en) * | 2002-01-21 | 2004-04-21 | Hitachi Int Electric Inc | Method and apparatus for measuring a line width |
| US20060164649A1 (en) * | 2005-01-24 | 2006-07-27 | Eliezer Rosengaus | Multi-spectral techniques for defocus detection |
| CN104280851B (zh) * | 2013-07-01 | 2017-06-27 | 上海微电子装备有限公司 | 一种调焦调平自身零平面调整装置和方法 |
| CN105807571B (zh) * | 2014-12-31 | 2018-08-24 | 上海微电子装备（集团）股份有限公司 | 一种光刻机用调焦调平系统及其调焦调平方法 |
| CN105242501B (zh) * | 2015-11-10 | 2017-07-11 | 中国科学院光电技术研究所 | 一种高精度调焦调平测量系统 |
| CN106814547B (zh) * | 2015-11-30 | 2019-01-29 | 上海微电子装备（集团）股份有限公司 | 一种测校装置及测校方法 |
-
2017
- 2017-06-30 CN CN201710527292.8A patent/CN109211117B/zh active Active
-
2018
- 2018-06-25 KR KR1020180072841A patent/KR102022799B1/ko active IP Right Grant
- 2018-06-28 TW TW107122355A patent/TWI681165B/zh active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH104055A (ja) * | 1996-06-13 | 1998-01-06 | Canon Inc | 自動焦点合わせ装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
| US20050259272A1 (en) * | 2004-05-19 | 2005-11-24 | Chun-Sheng Wang | Method of wafer height mapping |
| KR20120027702A (ko) * | 2010-09-13 | 2012-03-22 | 케이맥(주) | 간섭계와 2차원-반사광도계의 측정이 가능한 복합시편 표면특성 측정장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR102022799B1 (ko) | 2019-09-18 |
| CN109211117B (zh) | 2021-04-09 |
| CN109211117A (zh) | 2019-01-15 |
| TWI681165B (zh) | 2020-01-01 |
| TW201905414A (zh) | 2019-02-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4130531B2 (ja) | 透明な基板上の構造の測定装置及び測定方法 | |
| US8654352B1 (en) | Chromatic confocal scanning apparatus | |
| JP5944850B2 (ja) | 欠陥検査方法及びこれを用いた装置 | |
| US20140043610A1 (en) | Apparatus for inspecting a measurement object with triangulation sensor | |
| US20080278790A1 (en) | Apparatus with enhanced resolution for measuring structures on a substrate for semiconductor manufacture and use of apertures in a measuring apparatus | |
| US7528954B2 (en) | Method of adjusting optical imaging system, positional deviation detecting mark, method of detecting positional deviation, method of detecting position, position detecting device and mark identifying device | |
| KR102401040B1 (ko) | 측정 시스템 및 방법 | |
| CN106772923B (zh) | 基于倾斜狭缝的自动对焦方法和系统 | |
| TWI665444B (zh) | 缺陷檢查裝置及缺陷檢查方法 | |
| CN102087483B (zh) | 一种用于投影光刻中焦面检测的光学系统 | |
| US8836943B2 (en) | Workpiece alignment device | |
| CN114047203B (zh) | 一种基于光谱共焦的内同轴式自动对焦装置、方法及系统 | |
| WO2021197207A1 (en) | Apparatus for surface profile measurement | |
| JPS63220521A (ja) | 焦点合せ装置 | |
| WO2014017977A1 (en) | Method and apparatus for determining coplanarity in integrated circuit packages | |
| CN117491285B (zh) | 基于图像清晰度聚焦的方法及装置 | |
| JP6684992B2 (ja) | 突起検査装置及びバンプ検査装置 | |
| KR20190003363A (ko) | 라인 폭 측정 시스템 및 장치 | |
| JP2016148569A (ja) | 画像測定方法、及び画像測定装置 | |
| CN219390835U (zh) | 检测设备 | |
| KR101239409B1 (ko) | ２ｄ 형상 정보와 ３ｄ 형상 정보의 동시 획득이 가능하며 레이저와 백색광을 광원으로 한 위상천이기반 형상측정장치 및 형상측정방법 | |
| JPH0762604B2 (ja) | アライメント装置 | |
| KR101846189B1 (ko) | 자동 초점 조절 장치 및 그 방법 | |
| EP1139090A2 (en) | Leaded integrated circuit inspection system | |
| TW201940838A (zh) | 三維量測裝置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |