KR20180134561A - Method of Glass surface treatment to have low reflectivity and anti-fingerprint and Surface treated glass by the same - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a method for treating a surface of glass to ensure low reflectivity and anti-fingerprint characteristics, comprising a step of forming an aluminum film on a surface of the glass; a step of forming an anodic oxidation coating layer and porous aluminum by treating the aluminum film with anodic oxidation; a step of removing the anodic oxidation coating layer; a step of etching the surface of the glass by using the porous aluminum as a mask; and a step of removing the porous aluminum. In the etching step, the surface of the glass is wet etched to form a nanostructure on the surface of the glass.

Description

저반사성 및 내지문성을 가지기 위한 유리 표면 처리방법 및 이를 이용하여 표면 처리된 유리{Method of Glass surface treatment to have low reflectivity and anti-fingerprint and Surface treated glass by the same}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a glass surface treatment method and a glass surface treatment method using the same,

본 발명은 저반사성 및 내지문성을 가지기 위한 유리 표면 처리방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로 유리에 나노 구조물을 형성하여 반사방지 기능을 가지도록 하고 그 위에 내지문 코팅층을 형성하는 표면 처리방법에 관한 것이다.The present invention relates to a glass surface treatment method having low reflectivity and high transparency. More particularly, the present invention relates to a surface treatment method for forming a nanostructure on a glass to have an antireflection function and forming an inner fingerprint coating layer thereon.

최근 휴대폰, 태블릿 PC의 커버글라스, 또 이들의 카메라 렌즈, TV, 컴퓨터모니터, 태양전지의 커버 윈도우, 건축물의 외장형 유리, 안경, 자동차 유리 등에 있어서 빛의 반사를 줄여 시인성을 높이거나 기기의 효율을 높일 수 잇는 반사방지(AR, Anti-Reflection) 기술에 대한 수요가 높다. 일반적으로 빛이 반사되는 정도는 두 매질 사이의 굴절률의 차이, 입사각 및 반사각 등에 따라 달라지는 반사율에 의해 결정된다. 휴대폰을 야외에서 사용하는 경우에는 작은 반사율에 의해서도 시인성이 매우 낮아지게 된다. 또한 태양전지의 커버 윈도우의 경우에는 태양광의 반사율을 줄여서 투과율을 높이면 태양전지의 효율성이 증가하기 때문에 반사를 줄일 필요성이 있다. 건축물의 외장형 유리나 자동차 유리 등에서는 반사로 인한 눈부심이 발생되면 보행자 및 운전자의 안전에 영향을 줄 수 있어 반사방지의 필요가 있다. In recent years, it has become possible to improve the visibility or the efficiency of the device by reducing the reflection of light in the cover glass of a mobile phone, a tablet PC, their camera lens, a TV, a computer monitor, a solar cell cover window, There is a high demand for anti-reflection (AR) technology that can enhance the display quality. In general, the degree of reflection of light is determined by the reflectance which varies depending on the difference in refractive index between the two media, the incident angle and the reflection angle. When the mobile phone is used outdoors, the visibility is very low even with a small reflectance. In addition, in the case of a cover window of a solar cell, it is necessary to reduce reflection because the efficiency of the solar cell is increased by increasing the transmittance by reducing the reflectance of the sunlight. In the case of exterior glass or automobile glass of a building, if glare due to reflection occurs, safety of pedestrians and driver may be affected, and reflection prevention is needed.

기판 표면에서의 빛의 반사를 줄이기 위해서는 입사광의 파장(λ)에 대하여 λ/4만큼의 두께와 공기와 기판의 굴절률 사이의 굴절률을 가지는 물질을 기판의 표면에 코팅하는 기술을 사용할 수 있다.In order to reduce the reflection of light on the surface of the substrate, a technique of coating a material having a refractive index between the air and the refractive index of the substrate to a thickness of? / 4 with respect to the wavelength? Of the incident light is coated on the surface of the substrate.

하지만, 이러한 기술은 특정한 파장인 λ에 대해서만 반사를 억제할 수 있어 가시광선 전 영역에 걸친 반사 방지를 구현하기 위해서는 여러 파장에 대한 반사방지 층이 필요하기 때문에 다층 박막으로 코팅하여야 한다. 이에 따라 기판과의 밀착력 약화에 따른 박리와 이에 따른 표면 불균일에 의한 색상의 발현, 다층 박막에 따른 두께조절 등의 문제가 발생 된다. 이러한 이유에서 다층 박막 코팅을 통한 반사 방지 기술은 터치 패널과 같이 잦은 접촉이 이루어지는 표면에 적용하기 어려운 한계를 갖고 있다.However, this technique can suppress the reflection only for a specific wavelength λ, and therefore, it is necessary to coat the multilayer thin film because an antireflection layer for various wavelengths is required in order to realize reflection prevention over the entire visible light range. As a result, peeling due to the weak adhesion to the substrate, resulting in color unevenness due to surface unevenness, and thickness control depending on the multilayer thin film, arise. For this reason, the antireflection technique using a multilayer thin film coating has a limitation that it is difficult to apply to a surface with frequent contact such as a touch panel.

이에 나방눈 효과(moth-eye effect)를 이용한 반사 방지 기술이 대두되고 있다. 가시광선 파장대보다 작은 직경의 나노 돌기를 기판의 표면에 형성시켜 가시광선이 이러한 나노 구조가 형성된 표면을 투과할 때 나노 돌기의 존재를 인식하지 못하고 단지 돌기의 형상에 따라서 기판 표면의 굴절율이 점진적으로 변하는 것으로 인식하게 됨으로써 다층 박막 코팅의 효과를 얻고 빛의 반사를 줄일 수 있게 된다.Therefore, anti-reflection technology using a moth-eye effect is emerging. A nano-protrusion having a diameter smaller than that of the visible light wavelength band is formed on the surface of the substrate so that the visible light does not recognize the presence of the nano-protrusion when the nano-structured surface passes through the surface, and the refractive index of the substrate surface gradually increases The effect of the multilayer thin film coating can be obtained and the reflection of light can be reduced.

또한, 내지문성과 관련하여, 손가락으로 동작시키는 터치패널 방식의 전자제품이 널리 사용되고 있는데 대표적인 것이 스마트폰이다. 사용 빈도수가 높은 스마트폰의 경우 디스플레이부인 전면부에 지문이 잘 제거되는 특성이 필요하기 때문에, 모든 스마트폰 제작 단계에서 전면 유리에 내지문 처리(Anti fingerprint, AF 코팅)를 실시하고 있지만, 단순히 표면에 불소계의 내지문 물질을 부착시키는 것에 불과하여 그 성능의 개선이 요구되고 있다. 아울러 전자제품의 후면에도 특별한 처리를 하고 있는데 지문이 잘 보이지 않도록 하는 내지문 처리(Invisible fingerprint, IF코팅)이다. IF코팅 또한, 단순히 친수성 친유성의 물질을 표면에 부착시키는 것으로 기술과 성능 개선이 요구된다.[0003] In addition, in relation to the emotional state, a touch panel type electronic product that operates with a finger is widely used. In the case of a smartphone with a high frequency of use, since fingerprints need to be removed on the front of the display, it is necessary to perform fingerprint processing (anti-fingerprint, AF coating) Based fingerprint material only on the surface of the fingerprint. In addition, it is an invisible fingerprint (IF coating) that prevents the fingerprints from being visible even when the back side of the electronic product is subjected to special treatment. IF coating is also required to improve the technique and performance by simply attaching a hydrophilic lipophilic substance to the surface.

또한, 나노 사이즈의 미세한 구조를 제작하는 방법으로 포토리소그래피 (Photolithography) 공정이 일반적으로 이용되고 있다. 포토레지스트(Photoresist)를 도포한 후 자외선을을 이용해서 노광, 현상하여 패턴을 만들고 그 이후 반응성 에칭을 이용해서 나노 구조물을 제조하는 방법으로 생산속도가 매우 느리고 제조비용이 높은 문제가 있다. In addition, a photolithography process is generally used as a method of manufacturing a nano-sized fine structure. There is a problem in that the production speed is very slow and the manufacturing cost is high because a pattern is made by exposure and development using ultraviolet rays after applying a photoresist, and then a nano structure is manufactured using reactive etching.

이에 다양한 마스크 형성방법으로 포토리소그래피 공정을 대체하는 기술 개발과 무마스크 공정 개발이 이루어지고 있지만 공정이 복잡하고 패턴의 제어가 용이하지 않으며, 후속공정인 식각에서 별도의 특별한 식각장치를 사용하는 등 가장 저비용이면서 간단한 전형적인 습식 식각법을 사용하기 어려운 문제가 있어 이를 개선하기 위한 기술이 요구된다.Therefore, development of a technique to replace the photolithography process and development of a maskless process have been carried out by various mask forming methods, but the process is complicated and the control of the pattern is not easy, and a special etching device is used in the subsequent etching There is a problem that it is difficult to use a typical low-cost and simple wet etching method, and a technique for improving this is required.

본 발명은 저반사성 및 내지문성을 가지기 위한 유리의 표면 처리방법을 제공하여 간단하고 용이하게 식각 방지용 마스크를 형성하고, 형성된 마스크를 이용하여 잘 정렬된 나노 구조물을 형성하여 저반사성 및 내지문성을 가지는 유리 표면을 경제적으로 제조할 할 수 있도록 한다.The present invention provides a method of surface treatment of glass for low reflectivity and high transparency to form a simple and easily etch-resistant mask and to form well-aligned nanostructures using the formed mask, So that the glass surface can be economically manufactured.

본 발명의 일 실시예에 의한 저반사성 및 내지문성을 가지기 위한 유리 표면 처리방법은, 유리의 표면에 알루미늄 막을 형성하는 단계, 상기 알루미늄 막을 일정시간 양극산화 처리하여 양극산화 피막층 및 다공성 알루미늄을 형성하는 단계, 상기 양극산화 피막층을 제거하는 단계, 상기 다공성 알루미늄을 마스크로 사용하여 상기 유리 표면을 식각하는 단계, 상기 다공성 알루미늄을 제거하는 단계를 포함하며, 상기 식각하는 단계는, 상기 유리 표면을 습식 식각하여, 상기 유리 표면에 나노 구조물이 형성되는 것을 특징으로 한다.According to an embodiment of the present invention, there is provided a method of treating a glass surface having low reflectivity and smoothness, comprising the steps of: forming an aluminum film on a surface of a glass; anodizing the aluminum film for a certain period of time to form an anodized coating layer and porous aluminum Etching the glass surface using the porous aluminum as a mask; and removing the porous aluminum, wherein the step of etching comprises the steps of: wet etching the glass surface; And a nano structure is formed on the glass surface.

일 실시예에 있어서, 상기 나노 구조물은, 다공성 형태, 뿔 형태 중 어느 하나인 것을 특징으로 한다.In one embodiment, the nanostructure is one of a porous form and a horn form.

일 실시예에 있어서, 상기 다공성 알루미늄이 제거된 유리 표면에 내지문 코팅층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다. In one embodiment, the method further comprises forming an inner fingerprint coating layer on the glass surface from which the porous aluminum is removed.

일 실시예에 있어서, 상기 내지문 코팅층은, 불소계 실란의 자기조립층인 것을 특징으로 한다.In one embodiment, the inner fingerprint coating layer is a self-assembled layer of fluorine-based silane.

일 실시예에 있어서, 상기 내지문 코팅층은, 친수성 친유성의 실란 올리고머의 자기조립층인 것을 특징으로 하고, 상기 실란 올리고머는 [구조식 1]을 가지며,In one embodiment, the inner fingerprint coating layer is a self-assembled layer of a hydrophilic lipophilic silane oligomer, wherein the silane oligomer has the structural formula 1,

Figure pat00001
,
Figure pat00001
,

상기 [구조식 1]에서, R1기는 메톡시에톡시운데실기, 메톡시트리글리콜록시-운데기, 3-메톡시에톡시-4-아세톡시사이클로헥실에틸기, 16-(2-메톡시-에톡시)-헥사데실기 중 적어도 하나 이상을 포함하는 유도체로 이루어지고, R2기는 3-사이클로펜타디에닐프로필기, 다이사이클로펜틸기, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기, 사이클로옥틸기 중 적어도 하나 이상을 포함하는 유도체로 이루어지며, 상기 m 및 n은 1 내지 10에서 선택되는 정수인 것을 특징으로 한다.In the above-mentioned structural formula 1, the group R < 1 > is preferably a methoxyethoxy undecyl group, a methoxy triglycoleoxy group, a 3-methoxyethoxy-4-acetoxy cyclohexyl ethyl group, ethoxy) hexahydro to comprise a derivative thereof which comprises at least one or more of the group, R 2 group is 3-cyclopentadienyl-propyl group, di-cyclo-pentyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cyclo octyl group at least one of And m and n are integers selected from 1 to 10. The term " m "

일 실시예에 있어서, 상기 내지문 코팅층을 형성하는 단계 이전에, 이산화규소층을 5nm 내지 10nm 두께로 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.In one embodiment, the step of forming a silicon dioxide layer is formed to a thickness of 5 nm to 10 nm before the step of forming the inner fingerprint coating layer.

일 실시예에 있어서, 상기 나노 구조물이 형성되어 표면 처리된 유리의 가시광선 투과율이 표면 처리되지 않은 유리의 가시광선 투과율보다 높은 것을 특징으로 한다.In one embodiment, the visible light transmittance of the glass surface treated with the nanostructure is higher than the visible light transmittance of the non-surface treated glass.

일 실시예에 있어서, 상기 유리 표면을 식각하는 단계는, 불산, 불산과 불화암모늄의 혼합물(Buffered HF) 중 어느 하나를 이용하여 식각하는 것을 특징으로 한다.In one embodiment, the step of etching the glass surface is performed using any one of hydrofluoric acid, a mixture of hydrofluoric acid and ammonium fluoride (Buffered HF).

본 발명에 의하면, 유리 표면에 고비용의 포토 공정을 사용하지 않고도 저렴하고 간단한 방식으로 나노 구조물을 형성할 수 있으며, 나노 구조물 상에 내지문 코팅층을 형성하여 광특성이 우수하고 내지문성이 우수한 유리 표면을 제작할 수 있다.According to the present invention, it is possible to form a nanostructure on a glass surface in an inexpensive and simple manner without using a high-cost photolithography process, and to form an inner fingerprint coating layer on a nanostructure to form a glass surface .

도 1a, 1b는 본 발명의 일 실시예에 의한 유리의 표면에 형성된 알루미늄 막의 단면 및 상면을 도시한 도면이다.
도 2a, 2b는 본 발명의 일 실시예에 의한 양극산화 처리된 유리 표면의 단면 및 상면을 도시한 도면이다.
도 3a, 3b는 본 발명의 일 실시예에 의한 다공성 알루미늄이 형성된 유리 표면의 단면 및 상면을 도시한 도면이다.
도 4a, 4b는 본 발명의 일 실시예에 의한 습식 식각 처리된 유리 표면의 단면 및 상면을 도시한 도면이다.
도 5a, 5b는 본 발명의 일 실시예에 의한 다공성 알루미늄이 제거된 유리 표면의 단면 및 상면을 도시한 도면이다.
도 6a, 6b는 본 발명의 다른 실시예에 의한 다공성 알루미늄이 제거된 유리 표면의 단면 및 상면을 도시한 도면이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 의한 유리 표면 처리방법의 순서를 개략적으로 나타낸 흐름도이다.
도 8a는 본 발명의 일 실시예에 의한 알루미늄 막을 부도체 상에 형성하고 양극산화 처리하는 시간에 따른 전류의 변화를 나타낸 그래프이다.
도 8b, 8c, 8d는 본 발명의 일 실시예에 의한 부도체, 도전체, 밸브 메탈 상에 형성된 알루미늄 막을 양극산화 처리한 단면을 도시한 도면이다.
도 9a, 9b는 본 발명의 일 실시예에 의한 다공성 알루미늄이 형성된 유리 표면의 단면 및 상면을 도시한 도면이다.
도 10a, 10b는 본 발명의 다른 실시예에 의한 다공성 알루미늄이 형성된 유리 표면의 단면 및 상면을 도시한 도면이다.
도 11a, 11b는 본 발명의 다른 실시예에 의한 다공성 알루미늄이 섬 형태로 형성된 유리 표면의 단면 및 상면을 도시한 도면이다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 의한 뿔 형태의 나노 구조물이 형성된 유리 표면의 SEM 사진이다.
도 13a는 본 발명의 일 실시예에 의한 표면 처리되지 않은 유리에 지문이 형성된 모습을 나타낸 사진이다.
도 13b는 본 발명의 일 실시예에 의한 내지문층이 형성된 유리에 지문이 형성된 모습을 나타낸 사진이다.
도 13c는 본 발명의 일 실시예에 의한 나노 구조물, 내지문 층이 형성된 유리에 지문이 형성된 모습을 나타낸 사진이다.
1A and 1B are cross-sectional and top views of an aluminum film formed on the surface of a glass according to an embodiment of the present invention.
2A and 2B are cross-sectional and top views of an anodized glass surface according to an embodiment of the present invention.
3A and 3B are cross-sectional and top views of a glass surface on which porous aluminum is formed according to an embodiment of the present invention.
4A and 4B are cross-sectional and top views of a wet etched glass surface according to an embodiment of the present invention.
5A and 5B are cross-sectional and top views of a glass surface on which porous aluminum is removed according to an embodiment of the present invention.
6A and 6B are cross-sectional and top views of a glass surface on which porous aluminum is removed according to another embodiment of the present invention.
7 is a flowchart schematically showing a procedure of a glass surface treatment method according to an embodiment of the present invention.
8A is a graph showing changes in current with time of an anodic oxidation process in which an aluminum film is formed on a nonconductor according to an embodiment of the present invention.
8B, 8C, and 8D are cross-sectional views illustrating an anodization treatment of an aluminum film formed on a nonconductor, a conductor, and a valve metal according to an embodiment of the present invention.
9A and 9B are cross-sectional and top views of a glass surface on which porous aluminum is formed according to an embodiment of the present invention.
10A and 10B are cross-sectional and top views of a glass surface on which porous aluminum is formed according to another embodiment of the present invention.
11A and 11B are cross-sectional and top views of a glass surface in which porous aluminum is formed in an island shape according to another embodiment of the present invention.
12 is an SEM photograph of a glass surface on which a horn-shaped nanostructure is formed according to an embodiment of the present invention.
13A is a photograph showing a fingerprint formed on a non-surface-treated glass according to an embodiment of the present invention.
FIG. 13B is a photograph showing a fingerprint formed on a glass in which an inner fingerprint layer is formed according to an embodiment of the present invention.
13C is a photograph showing a fingerprint formed on a glass in which a fingerprint layer is formed, according to an exemplary embodiment of the present invention.

이하에서 본 발명의 기술적 사상을 명확화하기 위하여 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명하도록 한다. 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기능 또는 구성요소에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략할 것이다. 도면들 중 실질적으로 동일한 기능구성을 갖는 구성요소들에 대하여는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 참조번호들 및 부호들을 부여하였다. 설명의 편의를 위하여 필요한 경우에는 장치와 방법을 함께 서술하도록 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings in order to clarify the technical idea of the present invention. In the following description of the present invention, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a block diagram of a computer system according to an embodiment of the present invention; Fig. For convenience of explanation, the apparatus and method are described together when necessary.

기판의 표면처리는 다양한 목적으로 이루어지는데, 기판 표면에 나노 구조체를 형성하여 표면처리 함에 따라 기판의 발수성, 친수성, 광반사도 등을 제어할 수 있다.The surface treatment of the substrate is performed for various purposes. The nanostructure is formed on the surface of the substrate, and the surface of the substrate is treated to control the water repellency, hydrophilicity, and light reflectivity of the substrate.

발수성이란 물이 스며들지 않는 성질을 말하며 발수성은 표면에 놓여진 물방울의 접촉각 θ로 평가되는데 일반적으로 θ가 90°을 넘으면 발수성, 120°에서 150°는 고발수성, θ가 150°를 넘으면 초발수성이라 정의된다. Water repellency refers to the property that water does not penetrate. Water repellency is evaluated by the contact angle θ of the water droplet placed on the surface. Generally, when θ exceeds 90 °, water repellency, 120 ° to 150 ° high water repellency, Is defined.

예를 들어, 연꽃 잎의 표면에는 수많은 마이크로 내지 나노 크기의 섬모돌기가 존재하고 동시에 왁스성분이 코팅되어 있어 초발수성으로 물에 젖지 않는 특징을 나타낸다. 발수성 막이 형성된 표면에서는 물방울이 쉽게 구르기 때문에 방수 착설 방지 조수에 의한 부식 방지 내지문 등의 기능성이 있어 건축자재 화장품 전자용 부재 등의 다양한 응용 분야에서 주목받고 있으며 특히 휴대폰의 전면부 커버글라스에 널리 사용되고 있다. 하지만 종래의 각종 불소계 재료를 코팅하여 제조되는 발수성 막은 표면에너지가 낮은 재료를 이용하여 가수축합반응을 이용하여 코팅 층을 형성한 예인데 낮은 표면에너지 만으로는 115°-120° 정도의 접촉각을 보이며 보다 발수성이 높게 할 필요가 있다.For example, there are numerous micro- to nano-sized ciliary protrusions on the surface of the lotus leaf, and at the same time, the wax component is coated so that it is super-water-repellent and does not get wet. Since water droplets easily roll on the surface where the water repellent film is formed, it has been attracting attention in various application fields such as construction materials, cosmetics electronic parts, etc. Especially, it is widely used in the front cover glass of a mobile phone have. However, the conventional water-repellent film prepared by coating various fluorine-based materials is an example of forming a coating layer using a hydrolysis condensation reaction using a material having a low surface energy. The low surface energy shows a contact angle of about 115 ° -120 °, It needs to be higher.

본 발명은 이러한 점에 착안하여 유리의 표면에 나노 구조물을 형성하여 저반사성 및 내지문성을 가진 유리를 제조하고자 한다. In view of this point, the present invention intends to produce a glass having low reflectivity and smoothness by forming a nanostructure on the surface of the glass.

도 7은 본 발명의 일 실시예에 의한 유리 표면 처리방법의 순서를 개략적으로 나타낸 흐름도이며, 도 1 내지 도 6은 유리 표면의 단면 및 상면을 유리 표면 처리 순서에 따라 도시한 도면이다. 도 1 내지 도 7을 참조하면, 유리(10)의 표면에 알루미늄 막(20)을 형성한다(S710). 알루미늄 막(20)은 PVD(Physical vapor deposition), CVD(Chemical vapor deposition) 방식을 이용하여 형성할 수 있다. 실시예에 따라, 도 1a, 1b와 같이 스퍼터링 증착법(Sputtering deposition)을 이용하여 수십~수백nm 두께의 알루미늄 막(20)을 유리 표면에 형성할 수 있다.FIG. 7 is a flowchart schematically showing a procedure of a glass surface treatment method according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 1 to 6 are diagrams showing a cross section and an upper surface of the glass surface according to a glass surface treatment procedure. 1 to 7, an aluminum film 20 is formed on the surface of the glass 10 (S710). The aluminum film 20 may be formed using PVD (Physical Vapor Deposition) or CVD (Chemical Vapor Deposition). According to the embodiment, as shown in FIGS. 1A and 1B, an aluminum film 20 having a thickness of several tens to several hundreds of nm can be formed on a glass surface by using a sputtering deposition method.

알루미늄 막(20)을 일정시간 양극산화 처리하여 양극산화 피막층(21) 및 다공성 알루미늄을 형성한다(S720). 유리를 식각할 때 사용되는 마스크를 종래의 포토리소그래피에서 사용하던 포토레지스트 대신 알루미늄 양극산화기술을 이용하여 제작한다.The aluminum film 20 is subjected to anodic oxidation treatment for a certain period of time to form an anodized film layer 21 and porous aluminum (S720). The mask used to etch the glass is fabricated using aluminum anodization technology instead of the photoresist used in conventional photolithography.

양극산화(Anodizing)는 전기화학적인 피막 형성방법 중 하나로서, 황산, 수산, 크롬산 또는 이들의 혼합액을 전해액으로 사용하며, 알루미늄을 양극으로 하여 일정한 전해액에서 분극시켜 기계적, 전기적, 화학적 특성이 우수한 다공질성 산화 알루미늄 피막층을 형성하는 공정이다. 이러한 양극산화 처리법에 의해 형성된 피막층은 대단히 단단하고 내식성이 크며 다양한 색으로 염색 가능하다.Anodizing is one of the electrochemical film formation methods. It uses sulfuric acid, anhydrous acid, chromic acid, or a mixed solution thereof as an electrolyte and polarizes the electrolyte in a certain electrolytic solution using aluminum as a positive electrode to form a porous film having excellent mechanical, electrical and chemical properties Aluminum oxide coating layer. The coating layer formed by such anodizing treatment is extremely hard, has high corrosion resistance, and can be dyed in various colors.

일 실시예에서, 알루미늄 막(20)을 온도, 전압, 전해액의 비율 등 상이한 조건에서 2회 양극산화 처리할 수 있으며, 2회 처리함에 따라 기공이 잘 정렬된 양극산화 피막층(21)을 형성할 수 있다.In one embodiment, the aluminum film 20 may be anodized twice under different conditions, such as temperature, voltage, electrolyte ratio, etc., and the anodized coating layer 21 with well-aligned pores may be formed .

도 2a를 참조하면, 양극산화 시간에 따라, 양극산화 피막층(21)은 유리(10)의 표면에 닿게 되고, 양극산화 시간에 따라 양극산화 피막층(21) 하부에 다공성 알루미늄이 형성될 수 있다. Referring to FIG. 2A, the anodic oxide coating layer 21 contacts the surface of the glass 10 according to the anodizing time, and the porous aluminum may be formed under the anodized coating layer 21 according to the anodization time.

도 2b를 참고하면, 알루미늄 양극산화에서 양극산화 피막층(21)의 기공과 기공 사이의 거리는 전압에 2.5nm/V의 비율로 비례한다. 또한 양극산화 피막층(21)의 기공은 전압에 대하여 1.29nm/V의 비율로 비례한다. 앞서 언급한 바와 같이 알루미늄을 양극산화 처리하여 다공성 알루미늄을 형성하기 때문에 기공의 상대적 위치에는 규칙이 있고 포토리소그래피와 같이 다양한 형태로 제작하는 것은 불가능하다. 따라서 알루미늄에 생기는 기공은 그 상부의 양극산화 피막층(21)의 형태와 똑같이 기공과 기공 사이의 거리가 2.5nm/V 비율인 규칙을 따르는 다공성 육각벌집 형태가 된다. Referring to FIG. 2B, in the aluminum anodization, the distance between the pores and pores of the anodized film layer 21 is proportional to the voltage at a rate of 2.5 nm / V. In addition, the pores of the anodic oxide coating layer 21 are proportional to the voltage at a ratio of 1.29 nm / V. As mentioned above, since aluminum is anodized to form porous aluminum, the relative positions of the pores are regulated and it is impossible to produce various forms such as photolithography. Therefore, the pores generated in the aluminum are in the form of a porous hexagonal honeycomb conforming to the rule that the distance between the pores and the pores is 2.5 nm / V ratio, just like the shape of the anodic oxide coating layer 21 thereon.

알루미늄에 영향을 주지 않고 양극산화 피막층(21)만을 식각하는 식각액을 이용하여 양극산화 피막층(21)을 제거한다(S730). 일 실시예에서, 식각액은 인산과 크롬산의 혼합액일 수 있다. 양극산화 피막층(21)을 제거하면, 양극산화 피막층(21) 아래에 잔존하는 알루미늄이 도 3a와 같이 뿔 형태로 형성될 수 있으며, 도 3b와 같이 다공성 형태로 유리(10) 위에 형성될 수 있다. The anodized film layer 21 is removed using an etching solution for etching only the anodized film layer 21 without affecting the aluminum (S730). In one embodiment, the etchant may be a mixture of phosphoric acid and chromic acid. When the anodized oxide film layer 21 is removed, aluminum remaining under the anodized oxide film layer 21 may be formed into a horn shape as shown in FIG. 3A, and may be formed on the glass 10 in a porous form as shown in FIG. 3B .

다공성 알루미늄을 마스크로 사용하여 유리(10)의 표면을 식각한다(S740). 식각은 등방성 식각법과 비등방석 식각법으로 나뉘며, 비등방성 식각법인 반응성 이온식각법을 사용할 경우, 알루미늄 양극산화 시에 알루미늄이 형성되는 기공 혹은 섬 형태를 마스크로 사용하면 마스크와 동일한 패턴으로 기재가 식각되기 때문에 식각 시간으로 식각 깊이만 조절하면 다양한 나노 구조물을 만들 수 있다. 하지만 반응성 이온식각은 등방성 식각법인 습식 식각과 비교하면 고비용이고 대량생산에 적합하지 않으므로 저비용이고 대량생산이 용이한 습식 식각을 이용한다.The surface of the glass 10 is etched using the porous aluminum as a mask (S740). The etching is divided into isotropic etching and anisotropic etching. When reactive ion etching is used as the anisotropic etching method, if the pores or island shape of aluminum are formed during the anodization of aluminum, the substrate is etched in the same pattern as the mask. Therefore, it is possible to make various nanostructures by adjusting the etching depth only by the etching time. However, reactive ion etching is expensive compared with wet etching, which is isotropic etching, and is not suitable for mass production. Therefore, wet etching using low cost and mass production is used.

또한, 습식 식각의 경우 등방성 식각이기 때문에 기공의 크기는 작고 기공간 거리는 큰 것이 나노 구조물을 형성하기에 용이하다. 나노 구조물이 기공 형태이든 뿔 형태이든 기공의 깊이 혹은 뿔의 높이는 최대 기공과 기공 사이의 거리의 대략 50% 정도이며 나노 구조물이 외력에 안정한 구조로 내구성이 높다. In the case of wet etching, since it is isotropic etching, the pore size is small and the space distance is large, which is easy to form the nanostructure. Whether the nanostructure is porous or horn-shaped, the depth of the pore or the height of the horn is about 50% of the distance between the largest pore and the pore, and the nanostructure is stable to external force and high in durability.

도 4a, 4b는 본 발명의 일 실시예에 의한 습식 식각 처리된 유리 표면의 단면으로, 도 4a를 참조하면, 습식 식각을 이용하여 기공(11)이 다음과 같이 형성되며, 도 4b와 같이 습식 식각 동안 다공성 알루미늄은 그 형태를 유지할 수 있다. 식각 속도가 너무 빠르면 과도 식각으로 나노 구조물이 붕괴되기가 쉬우므로 유리 식각액을 희석시켜 적절한 식각 속도로 유리를 식각하는 것이 바람직하다.4A and 4B are cross-sectional views of a wet-etched glass surface according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 4A, the pores 11 are formed as follows using wet etching, During the etching, the porous aluminum can retain its shape. If the etching rate is too high, it is preferable to etch the glass at an appropriate etching rate by diluting the glass etching solution since the nanostructure is easily collapsed by the excessive etching.

일 실시예에서, 기재가 유리인 경우 습식 식각은 불산 또는 불산과 불화암모늄의 혼합물(Buffered HF)를 물로 희석시켜 사용할 수 있다. 실시예에 따라, 불산 1부피와 40% 불화암모늄 6부피의 BHF를 7배의 물과 희석시킨 식각액은 유리를 80nm/min의 식각 속도로 식각할 수 있다. 식각하고자 하는 양이 크지 않을 경우, 불산과 물을 1:50의 부피비율로 희석한 식각액으로 식각을 수행할 수 있으며, 이 때 유리의 식각 속도는 약 7nm/min이다. 상술한 두 가지 식각액은 다공성 알루미늄의 식각 속도가 유리의 식각 속도의 1% 미만으로 식각이 종료될 때까지 다공성 알루미늄을 마스크로 사용 가능하다.In one embodiment, if the substrate is glass, wet etching may be performed by diluting a mixture of hydrofluoric acid or hydrofluoric acid with ammonium fluoride (Buffered HF) with water. According to the embodiment, the etching of 1 volume of hydrofluoric acid and 6 volumes of 40% ammonium fluoride in BHF with 7 times water can etch the glass at an etching rate of 80 nm / min. If the amount to be etched is not large, etching can be performed with an etching solution diluted with a volume ratio of 1:50 of hydrofluoric acid and water, and the etching rate of the glass is about 7 nm / min. The two etchants described above can be used as a mask of porous aluminum until the etch rate of the porous aluminum is less than 1% of the etch rate of the glass until the etching is terminated.

나노 구조물 형성이 완료되면, 다공성 알루미늄을 제거한다(S750). 일 실시예에서, 다공성 알루미늄은 수산화나트륨 또는 수산화칼륨을 식각액으로 사용하여 제거할 수 있다. 다공성 알루미늄이 제거되면, 도 5a, 도 6a와 같이 다공성 형태, 뿔 형태의 나노 구조물이 형성된 유리만이 남게 되며, 나노 구조물이 형성된 유리(10)는 표면 처리되지 않은 유리보다 투과율이 높다.When formation of the nanostructure is completed, the porous aluminum is removed (S750). In one embodiment, the porous aluminum can be removed using sodium hydroxide or potassium hydroxide as an etchant. When the porous aluminum is removed, only the glass in which the nanostructures of the porous and horn-shaped structures are formed remains as shown in FIGS. 5A and 6A, and the glass 10 on which the nanostructures are formed has a higher transmittance than the non-surface treated glass.

나노 구조물의 형태는 양극산화 피막층(21)의 기공(11)과 기공(11)간 거리 외에도 습식 식각 시간에 따라 결정될 수 있다. 습식 식각은 깊이 방향뿐만 아니라 마스크 하부의 측면 방향으로도 식각이 이루어지기 때문에, 마스크 하부가 모두 식각이 되면 마스크는 기재에서 탈락된다. 따라서 나노 구조물을 형성하는 쪽이 아니라 표면을 평평하게 하는 방향으로 식각이 이루어진다. 따라서 습식 식각의 시간의 조절로 나노 구조물의 형태를 다공성 혹은 뿔 형태로 형성할 수 있다.The shape of the nanostructure can be determined according to the wet etching time in addition to the distance between the pores 11 and the pores 11 of the anodized film layer 21. Since the wet etching is performed not only in the depth direction but also in the lateral direction of the lower portion of the mask, the mask is dropped from the substrate when the entire lower portion of the mask is etched. Therefore, the etching is performed in a direction to flatten the surface, not the formation of the nanostructure. Therefore, the shape of the nanostructure can be formed into a porous or horn shape by controlling the time of the wet etching.

도 8a는 본 발명의 일 실시예에 의한 알루미늄 막을 부도체 상에 형성하고 양극산화 처리하는 시간에 따른 전류의 변화를 나타낸 그래프이며, 도 8b, 8c, 8d는 본 발명의 일 실시예에 의한 부도체, 도전체, 밸브 메탈 상에 형성된 알루미늄 막을 양극산화 처리한 단면을 도시한 도면이다. 도 8a 및 8d를 참조하면, 부도체 기재에 알루미늄 막을 수십-수백nm 정도로 형성하고 양극산화를 하면, 도 8a와 같이 초기에 전류가 급속히 감소하는 구간에서 배리어층이 형성된다. 이후에 전류는 상승하였다가 일정 값을 유지하다가 다시 빠르게 감소하고 결국에는 거의 흐르지 않게 된다. 전류가 초기에 급속히 감소하는 구간은 배리어 레이어가 형성되는 구간이다. 전류가 빠르게 감소되는 구간과 전류가 거의 흐르지 않는 구간은 양극산화 공정에서 산화될 수 있는 알루미늄이 대부분 산화되어 전류가 빠르게 감소되고 흐르지 않는다. 하지만 도 8b와 같이, 기공 3개의 중심부에 알루미늄이 섬의 형태 혹은 나노 파티클의 형태로 존재하게 된다. 전류가 증가하는 구간은 양극산화 피막층(21)에서 기공이 생기기 시작하고 일정 값을 유지하는 구간은 기공의 깊이가 깊어지는 구간이다. 양극산화 피막층(21)의 배리어 레이어가 부도체 표면에 이르게 되면 이후에는 양극산화 피막층(21)과 양극산화 피막층(21)의 사이에 있는 알루미늄을 계속 산화시키게 되는데, 알루미늄이 충분히 남아있지 않으므로 전류가 빠르게 감소한다. 전류가 빠르게 감소하기 시작할 때 양극산화를 중지하면 직경이 작은 기공을 가지는 알루미늄이 남아 있는 상태에서 양극산화를 중지할 수 있다. 도 8c와 도 8d는 각각 도체와 도체 상에 밸브 메탈을 증착한 후 양극산화 처리를 수행한 것으로, 기공과 기공 사이에 잔존하는 알루미늄이 없는 것을 볼 수 있다.FIG. 8A is a graph showing a change in electric current with an elapse of time for forming an aluminum film on a nonconductor according to an embodiment of the present invention and performing an anodizing treatment, and FIGS. 8B, 8C, Conductor, an aluminum film formed on the valve metal, and Fig. 8A and 8D, when an aluminum film is formed on the non-conductive base material to have a thickness of several tens to several hundreds of nm and anodic oxidation is carried out, a barrier layer is formed in a region where the current rapidly decreases initially as shown in FIG. After that, the current rises, then maintains a constant value, then rapidly decreases again, and eventually it hardly flows. The period where the current rapidly decreases at the initial stage is a period in which the barrier layer is formed. In the region where the current is rapidly reduced and the region in which the current hardly flows, most of the aluminum that can be oxidized in the anodizing process is oxidized and the current is rapidly reduced and does not flow. However, as shown in FIG. 8B, aluminum exists in the form of islands or nanoparticles at the center of three pores. In the section where the current increases, pores start to form in the anodic oxide coating layer 21, and the section where the constant value is maintained is a section where the depth of the pores deepens. When the barrier layer of the anodized film layer 21 reaches the non-conductive surface, the aluminum between the anodized film layer 21 and the anodized film layer 21 is continuously oxidized. However, since aluminum is not sufficiently left, . When the anodic oxidation is stopped when the current begins to decrease rapidly, the anodization can be stopped with the remaining aluminum having small pores. FIGS. 8C and 8D illustrate that there is no aluminum remaining between the pores and the pores after the valve metal is deposited on the conductor and the conductor, respectively, and then subjected to the anodic oxidation treatment.

도 9 내지 도 11은 본 발명의 다양한 실시예에 의한 다공성 알루미늄이 형성된 유리 표면의 단면 및 상면을 도시한 도면이다. 도 9 내지 도 11을 참조하면, 양극산화 처리 시간에 따라 잔존하는 알루미늄 막의 형상이 달라진다. 전류가 흐르지 않을 시간까지 양극산화 처리를 하면 도 11과 같이 나노 파티클 형태의 알루미늄만이 남게 된다. 따라서, 양극산화 처리시간을 조절하여 원하는 나노 구조물 크기를 맞출 수 있다.9 to 11 are cross-sectional and top views of a glass surface on which porous aluminum is formed according to various embodiments of the present invention. Referring to Figs. 9 to 11, the shape of the aluminum film remaining depends on the anodizing time. When the anodic oxidation treatment is performed until the current does not flow, only the nanoparticle-type aluminum remains as shown in FIG. Thus, the desired nanostructure size can be adjusted by adjusting the anodizing time.

일 실시예에서, 다공성 알루미늄이 제거된 유리 표면 상에 내지문 코팅층을 형성할 수 있다. 내지문 코팅층을 통해 내지문성이 생기며, 내지문성은 지문이 묻는 것을 방지할 뿐 아니라, 지문이 묻더라도 잘 닦이며, 잘 보이지 않게 하는 성질을 모두 포함한다. In one embodiment, the inner fingerprint coating layer can be formed on the glass surface from which the porous aluminum is removed. The fingerprint coating layer causes the fingerprint to be formed, and the fingerprint does not prevent the fingerprint from being stuck on the fingerprint.

이러한 내지문 코팅층의 형성 방법으로 AG코팅(Anti glare)과 IF(Invisible fingerprint)코팅이 있다. IF 코팅은 지문성분에 대한 접촉각이 AF코팅과는 반대로 작은 물질을 표면에 코팅하는 방법이다. 물과 디아이오도메탄(diiodomethane) 성분을 포함하는 지문 성분이 이들 성분에 대한 접촉각이 큰 표면에 묻으면, 빛이 조사될 때 난반사가 일어나고 눈에 잘 띄게 된다. IF 코팅은 물에 대한 접촉각이 60°에서 80° 사이의 값을 가지고 디아이오도메탄에 대한 접촉각이 45°이하의 값을 가져 친수성 친유성을 띄는 메톡시에톡시운데실기 실란화합물과 사이클로옥틸기 실란화합물을 물에 혼합하여 제작된 실란 올리고머를 표면에 형성시켜, 지문 성분인 물이나 디아이오도메탄을 표면에 넓게 묻히는 방식이다. IF 코팅 후 빛을 조사하면 빛은 대부분 반사되지 않고 기재를 투과한다. 따라서 물 디아이오도메탄 성분을 포함하는 지문이 상기 IF 코팅층에 묻더라도 표면에 얇게 퍼져서 눈에 잘 띄지 않고 지저분해 보이지 않게 된다.There are AG coating (Anti glare) and IF (Invisible fingerprint) coating as a method of forming the inner fingerprint coating layer. IF coating is a method in which the contact angle to the fingerprint component is coated on the surface as opposed to the AF coating. When a fingerprint component containing water and a diiodomethane component adheres to a large contact angle surface with respect to these components, irregular reflection occurs when the light is irradiated and becomes conspicuous. The IF coating has a contact angle to water of 60 ° to 80 ° and a contact angle to diiodomethane of 45 ° or less, and a hydrophilic lipophilic cationic methoxyethoxydoundosilyl silane compound and a cyclooctyl silane A silane oligomer prepared by mixing a compound with water is formed on the surface, and water or diiodomethane as a fingerprint component is spread over the surface. After IF coating, light is irradiated and most of the light is transmitted through the substrate without being reflected. Therefore, even if a fingerprint containing a water diiodomethane component is deposited on the IF coating layer, the fingerprint spreads thinly on the surface, so that it is not conspicuous and does not appear dirty.

AG코팅은 요철구조를 이용하여 난반사를 방지하는 방식이다. 기재의 표면에 엠보싱롤 혹은 미립자를 분산시키는 등의 방법에 의하여 10-2000nm의 요철을 생성하여 빛의 난반사를 방지하고, 주로 필름에 적용되어 접착제를 이용하여 붙이는 형태로 사용되고 있다. The AG coating is a method of preventing diffuse reflection using a concave-convex structure. The film is used in a form in which unevenness of 10 to 2000 nm is generated by dispersing an embossing roll or fine particles on the surface of a substrate to prevent irregular reflection of light and is mainly applied to a film and adhered with an adhesive.

평면의 접촉각이 90°를 넘을 경우에 표면에 적절한 형상과 크기의 요철을 형성하면 접촉각이 상승하여 초발수성을 보인다. 이와는 반대로 평면의 접촉각이 90°보다 작은 경우에 역시 표면에 적절한 형상과 크기의 요철을 형성하면 접촉각이 더욱 감소하고 가끔 초친수성을 보인다고 알려져 있다.When the contact angle of the plane exceeds 90 °, if the irregularity of the appropriate shape and size is formed on the surface, the contact angle increases and the super water repellency is exhibited. On the contrary, when the contact angle of the plane is smaller than 90 °, it is known that when the unevenness of the proper shape and size is formed on the surface, the contact angle is further reduced and sometimes the superhydrophilic property is shown.

따라서 기재 표면에 나노 구조물의 요철을 형성하고 AF 코팅층을 형성하면 접촉각 150°이상의 초발수성 표면을 제작할 수 있으며 기재 표면의 나노 구조물이 친수성 친유성을 가지면 지문이 묻더라도 잘 띄지 않고 난반사도 감소시켜 내지문성이 개선될 수 있다.Therefore, if the nano structure of the substrate surface has a hydrophilic lipophilic property, it is possible to produce a super-water repellent surface having a contact angle of 150 DEG or more by forming the unevenness of the nano structure on the substrate surface and forming the AF coating layer. Moonlight can be improved.

일 실시예에서, 내지문 코팅층은, 불소계 실란의 자기조립층이거나, 친수성 친유성의 실란 올리고머의 자기조립층일 수 있다. 실란(silane)은 수소화규소의 한 계열을 가리키는 명칭으로서, 화학식은 SinH2n+2로 나타낼 수 있다. 실란 화합물은 SinH2n+2에서 하나 이상의 수소가 다른 반응기로 치환된 화합물을 나타내며 치환된 반응기에 따라 다양한 성질을 갖는 화합물을 얻을 수 있다. Si에 결합된 반응기가 하이드록시기(-OH)로 치환되면 기재 표면과 실록산 결합을 하여 내구성이 증가한다.In one embodiment, the inner fingerprint coating layer may be a self-assembled layer of a fluorine-based silane, or a self-assembled layer of a hydrophilic lipophilic silane oligomer. Silane is a designation of a family of silicon hydrides and can be represented by the formula Si n H 2n + 2 . The silane compound represents a compound in which at least one hydrogen in Si n H 2n + 2 is substituted with another reactor, and a compound having various properties can be obtained depending on the substituted reactor. When a reactor bonded to Si is substituted with a hydroxyl group (-OH), the siloxane bonds with the substrate surface to increase durability.

실시예에 따라, 실란 올리고머는 다음과 같은 [구조식 1]을 가질 수 있다.According to the embodiment, the silane oligomer may have the following structural formula (1).

[구조식 1][Structural formula 1]

Figure pat00002
Figure pat00002

일 실시예에서, R1기는 메톡시에톡시운데실기, 메톡시트리글리콜록시-운데기, 3-메톡시에톡시-4-아세톡시사이클로헥실에틸기, 16-(2-메톡시-에톡시)-헥사데실기 중 적어도 하나 이상을 포함하는 유도체로 이루어지고, R2기는 3-사이클로펜타디에닐프로필기, 다이사이클로펜틸기, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기, 사이클로옥틸기 중 적어도 하나 이상을 포함하는 유도체로 이루어지며, m 및 n은 1 내지 10 사이의 정수이다.In one embodiment, the group R < 1 > is selected from the group consisting of a methoxyethoxy undecyl group, a methoxy triglycoloxy group, a 3-methoxyethoxy-4-acetoxy cyclohexyl ethyl group, a 16- (2-methoxy- And a hexadecyl group, and the R 2 group includes at least one of a 3-cyclopentadienyl propyl group, a dicyclopentyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, and a cyclooctyl group And m and n are integers between 1 and 10, inclusive.

일 실시예에서, 내지문 코팅층을 형성하기 전에, 이산화규소 층을 5nm 내지 10nm 두께로 형성할 수 있다. 자기조립층과 결합되는 표면층에서 중요한 것은 표면의 OH기 농도이며, 이는 가수축합반응으로 실록산 결합한다. 이산화규소가 다른 산화물 중에서 비교적 표면의 OH기 농도가 높아서 마지막 표면층으로 많이 사용되고 있지만, 플라즈마 처리 등의 방법으로 표면의 OH기 농도를 증가시키면 이산화규소 층이 반드시 필요하지 않을 수 있다. 예를 들어, 습식 스프레이로 AF코팅을 할 경우 이산화규소 층을 형성하지 않고 표면을 대기압 플라즈마 처리하여 표면에 OH기를 생성시키기 때문에, 이 후 형성된 내지문 코팅 층이 실용에 별다른 문제가 없다. 하지만, 진공 중에서 AF 코팅을 할 경우에는 이산화규소 층을 증착하는 것과 내지문 코팅층을 형성하는 것을 연속적으로 용이하게 수행할 수 있기 때문에 OH기의 농도가 비교적 높은 이산화규소 층을 형성하는 것이 일반적이다.In one embodiment, the silicon dioxide layer may be formed to a thickness of 5 nm to 10 nm before forming the inner fingerprint coating layer. What is important in the surface layer bonded to the self-assembled layer is the OH group concentration on the surface, which is siloxane bonded by the hydrolysis condensation reaction. Silicon dioxide is relatively often used as the final surface layer because of its relatively high OH group concentration in other oxides. However, if the OH group concentration on the surface is increased by a plasma treatment or the like, a silicon dioxide layer may not necessarily be required. For example, AF coating with wet spray does not form a silicon dioxide layer, and the surface is subjected to atmospheric plasma treatment to generate OH groups on the surface, so that the inner fingerprint coating layer formed thereafter has no problem in practical use. However, in the case of performing AF coating in vacuum, it is common that the silicon dioxide layer is deposited and the inner fingerprint coating layer is formed continuously, so that the silicon dioxide layer having a relatively high OH group concentration is formed.

이하에서는 본 발명의 유리 표면 처리 방법에 대한 실시예를 살펴본다.Hereinafter, embodiments of the glass surface treatment method of the present invention will be described.

[실시예 1] [Example 1]

유리 표면을 유기용제로 깨끗이 세척한다. 스퍼터 코팅로 내부에서 플라즈마 처리로 표면을 세정하여 이후에 생성되는 알루미늄 박막과 유리 표면과 밀착력이 우수하도록 한다. 유리와 폴리카보네이트 표면에 스퍼터링법으로 400nm의 알루미늄 박막을 형성한다. 잘 정련된 양극산화 피막층을 제작하기 위하여 2단계에 거쳐 양극산화 처리한다.Clean the glass surface with organic solvent. The surface is cleaned by a plasma treatment in the inside with a sputter coating, so that the adhesion between the aluminum thin film and the glass surface is improved. An aluminum thin film of 400 nm is formed on the glass and polycarbonate surface by sputtering. Anodic oxidation is carried out in two steps in order to produce a well-polished anodized film layer.

1차 양극산화는 0.3M 옥살산 용액에서 200초 동안 0℃, 80V 조건으로 실시한다. 1차 양극산화 시킨 결과 유리 표면과 양극산화층 사이에 알루미늄 박막이 존재하여 불투명한 상태이다. 시편을 6중량% 인산과 1.8중량% 크롬산이 혼합액으로 표면의 양극산화 피막층을 제거한다. 이 시료를 다시 2차 양극산화 시키고 그 조건은 0.3M 옥살산 용액에서 0℃, 80V 이고 양극산화시간에 따라 시료를 제작하였다. 초기에 배리어레이어가 형성되면서 전류가 급속히 감소하고 다시 전류가 증가하고 전류가 일정치를 유지하다가 전류가 빨리 감소하여 전류값이 영에 근접한다. 양극산화 초기에 양극산화를 중지해서 배리어레이어가 유리에 도달하지 않은 상태이면 양극산화 피막층 하부의 알루미늄 막이 기공이 없이 기재 전체 면을 덮는 형태가 되기 때문에 유리 식각에서 마스크로 사용할 수 없다.The primary anodization is carried out in 0.3M oxalic acid solution for 200 seconds at 0 ° C and 80V. As a result of the primary anodization, an aluminum film is present between the glass surface and the anodic oxide layer and is opaque. The surface of the anodic oxidation coating layer is removed with a mixture of 6 wt% phosphoric acid and 1.8 wt% chromic acid. The specimens were subjected to secondary anodization again and the conditions were 0 ° C and 80V in 0.3M oxalic acid solution, and samples were prepared according to the anodization time. As the barrier layer is initially formed, the current rapidly decreases, the current increases again, the current keeps a constant value, and the current decreases rapidly, so that the current value approaches zero. When the anodic oxidation is stopped at the initial stage of the anodic oxidation and the barrier layer does not reach the glass, the aluminum film under the anodized film layer covers the entire surface of the substrate without pores and can not be used as a mask in glass etching.

전류가 증가하는 단계를 지나 일정치를 유지하다가 다시 감소하는 단계 직전에 양극산화를 중지시키면 양극산화 피막층의 하부에 알루미늄이 다공성 형태로 존재하게 된다. 양극산화시간이 증가함에 따라 시편은 불투명에서 투명으로 변한다. 양극산화 피막층의 기공과 기공 사이의 거리는 200nm이다.When the anodization is stopped immediately before the step of increasing the current through the step of maintaining the constant value and then reducing again, aluminum is present in a porous form in the lower part of the anodic oxide coating layer. As the anodization time increases, the specimen changes from opaque to clear. The distance between the pores and pores of the anodized film layer is 200 nm.

시편을 6중량% 인산과 1.8중량% 크롬산이 혼합액으로 표면의 양극산화 피막층을 제거하고 기재 위에는 다공성 알루미늄 형태의 필름 혹은 섬 형태의 알루미늄 또는 나노 파티클 형태의 알루미늄이 존재한다. 유리 표면에 알루미늄만 남아 있는 상태에서 투과율을 측정하고 그 결과는 표 1과 같다.The surface of the specimen was removed with a mixture of 6 wt% phosphoric acid and 1.8 wt% chromic acid to remove the anodic oxide layer on the surface, and a porous aluminum type film or aluminum in the form of aluminum or nanoparticle is present on the substrate. The transmittance was measured with only aluminum remaining on the glass surface, and the results are shown in Table 1.


시편

Psalter

1

One

2

2

3

3

4

4

5

5

6

6

7

7

8

8

양극산화시간 초

Anodization Time Seconds

30

30

60

60

120

120

150

150

180

180

210

210

240

240

270

270

투과율
550nm

Transmittance
550 nm

29

29

45

45

50

50

57

57

65

65

70

70

75

75

78

78

양극산화 시간에 따라 알루미늄 기공의 크기가 변화되어 투과율이 변화됨을 볼 수 있다.It can be seen that the size of the aluminum pore changes with the anodization time and the transmittance is changed.

유리를 습식 식각법을 이용하여 식각한다. 습식 식각법을 사용할 경우 등방성식각 형태이므로 마스크 하부도 동시에 식각되며 계속 식각하면 결국에는 마스크가 기재로부터 떨어지게 된다.The glass is etched by wet etching. If wet etching is used, the bottom of the mask is also etched at the same time because it is an isotropic etching type, and when the etching is continued, the mask is eventually separated from the substrate.

60초 양극산화 조건의 시편 2를 이용하여 유리 식각시간 별로 시편을 제작하였다. The specimens were prepared for each glass etching time using specimen 2 of 60 seconds anodizing condition.

습식 식각법에서는 기재가 유리이므로 기재를 불산을 물에 50:1로 희석시킨 식각액으로 식각을 하였고 유리에 대하여 7nm/min의 식각속도를 보였다. In the wet etching method, the substrate was etched with an etching solution diluted with 50: 1 of hydrofluoric acid in water, and the etching rate was 7 nm / min with respect to the glass.

유리를 식각하고 마스크인 알루미늄을 수산화 나트륨 용액에서 제거하고 시편을 초순수로 세척하였다. 이어 기판을 95% 에탄올 용액에 넣어 1시간 동안 유지하고, 1시간 뒤 에탄올 용액에서 꺼내어 질소 기체를 이용하여 건조한다. The glass was etched and the mask aluminum was removed from the sodium hydroxide solution and the specimens were washed with ultrapure water. Subsequently, the substrate is placed in a 95% ethanol solution and held for 1 hour. After 1 hour, the substrate is taken out of the ethanol solution and dried using a nitrogen gas.

MMT사의 습식용 불소계 AF물질을 스프레이법을 이용해서 각 시편에 내지문층을 형성한다. 각 시료의 투과율과 물에 대한 접촉각을 측정하고 그 결과는 표 2와 같다.A fingerprint layer is formed on each of the specimens by spraying the wet fluorine AF material of MMT. The transmittance of each sample and the contact angle to water were measured. The results are shown in Table 2.


습식 식각 시간 min

Wet etching time min

0

0

5

5

10

10

15

15

20

20

25

25

투과율
550nm

Transmittance
550 nm

92

92

93

93

95

95

95

95

94

94

92

92

접촉각

Contact angle

115

115

140

140

155

155

160

160

152

152

115

115

유리를 식각하지 않은 시료는 유리와 같은 투과율과 접촉각을 보였다.The samples without glass etching showed the same transmittance and contact angle as glass.

유리를 5분에서 20분 식각한 시료는 투과율과 접촉각이 상승 하였고, 광투과도와 내지문성이 개선되었다.The samples with the glass etched for 5 minutes to 20 minutes increased the transmittance and the contact angle, and improved the light transmittance and transparency.

도 12는 나노 구조물의 SEM 사진으로, 도 12을 참조하면, 15분 식각한 시료는 뿔 형태의 나노 구조물을 형성한다. 25분 식각한 시료는 나노 구조물이 없어져 식각하지 않은 시료와 같은 결과를 보였다.FIG. 12 is a SEM photograph of a nano structure. Referring to FIG. 12, a 15-minute etched sample forms a horn-shaped nanostructure. The samples that were etched for 25 minutes showed the same results as the samples without the nanostructures.

[실시예 2] [Example 2]

실시예 1의 유리시료 중 15분 습식 식각한 시료에 내지문층으로 친수성 및 친유성을 보이는 MMT사의 IF 물질을 스프레이 방법을 사용하여 실란 올리고머의 자기조립된 내지문층을 형성한다. A self-assembled inner fingerprint layer of a silane oligomer is formed by spraying an IF material of MMT, which shows hydrophilicity and lipophilicity as an inner fingerprint layer, on a wet-etched sample of the glass sample of Example 1 for 15 minutes.

도 13a 내지 도 13c를 참조하면, 일반 유리 및 일반 유리에 동일한 내지문층을 형성한 것과 지문이 보이는 정도를 육안으로 관찰한 결과를 볼 수 있다. 도 13a는 일반 유리로 지문이 선명하게 보이며, 도 13b는 일반 유리에 내지문층을 형성한 것으로 조금 덜 뚜렷하다. 도 13c는 실시예 2의 결과로 지문이 거의 보이지 않아 내지문성이 개선된다.13A to 13C, it can be seen that the same fingerprint layer is formed on plain glass and plain glass, and the degree of visibility of the fingerprint is visually observed. FIG. 13A shows the fingerprint clearly with plain glass, and FIG. 13B shows that the fingerprint layer is formed on the plain glass, which is slightly less pronounced. Fig. 13C shows that the fingerprint is hardly seen as a result of the second embodiment, and the mobility is improved.

지금까지 본 발명에 대하여 도면에 도시된 바람직한 실시예들을 중심으로 상세히 살펴보았다. 이러한 실시예들은 이 발명을 한정하려는 것이 아니라 예시적인 것에 불과하며, 한정적인 관점이 아니라 설명적인 관점에서 고려되어야 한다. 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 전술한 설명이 아니라 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해서 정해져야 할 것이다. 비록 본 명세서에 특정한 용어들이 사용되었으나 이는 단지 본 발명의 개념을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 본 발명의 각 단계는 반드시 기재된 순서대로 수행되어야 할 필요는 없고, 병렬적, 선택적 또는 개별적으로 수행될 수 있다. 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 특허청구범위에서 청구하는 본 발명의 본질적인 기술사상에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 변형 형태 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 균등물은 현재 공지된 균등물뿐만 아니라 장래에 개발될 균등물 즉 구조와 무관하게 동일한 기능을 수행하도록 발명된 모든 구성요소를 포함하는 것으로 이해되어야 한다.The present invention has been described in detail with reference to the preferred embodiments shown in the drawings. These embodiments are to be considered as illustrative rather than limiting, and should be considered in an illustrative rather than a restrictive sense. The true scope of protection of the present invention should be determined by the technical idea of the appended claims rather than the above description. Although specific terms are used herein, they are used for the purpose of describing the concept of the present invention only and are not used to limit the scope of the present invention described in the claims or the claims. Each step of the present invention need not necessarily be performed in the order described, but may be performed in parallel, selectively, or individually. It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims. It is to be understood that the equivalents include all components that are invented in order to perform the same function irrespective of the currently known equivalents as well as the equivalents to be developed in the future.

10: 유리
11: 기공
20: 알루미늄 막
21: 양극산화 피막층
10: Glass
11: Groundwork
20: Aluminum film
21: Anodic oxidation coating layer

Claims (9)

유리의 표면에 알루미늄 막을 형성하는 단계;
상기 알루미늄 막을 일정시간 양극산화 처리하여 양극산화 피막층 및 다공성 알루미늄을 형성하는 단계;
상기 양극산화 피막층을 제거하는 단계;
상기 다공성 알루미늄을 마스크로 사용하여 상기 유리 표면을 식각하는 단계; 및
상기 다공성 알루미늄을 제거하는 단계를 포함하며,
상기 식각하는 단계는, 상기 유리 표면을 습식 식각하여, 상기 유리 표면에 나노 구조물이 형성되는 것을 특징으로 하는 유리 표면 처리방법.
Forming an aluminum film on the surface of the glass;
Anodizing the aluminum film for a certain period of time to form an anodized coating layer and porous aluminum;
Removing the anodized coating layer;
Etching the glass surface using the porous aluminum as a mask; And
Removing the porous aluminum,
Wherein the etching step comprises wet etching the glass surface to form a nanostructure on the glass surface.
제1항에 있어서,
상기 나노 구조물은, 다공성 형태, 뿔 형태 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유리 표면 처리방법.
The method according to claim 1,
Wherein the nanostructure is one of a porous type and a horn type.
제1항에 있어서,
상기 다공성 알루미늄이 제거된 유리 표면에 내지문 코팅층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유리 표면 처리방법.
The method according to claim 1,
Further comprising the step of forming an inner fingerprint coating layer on the glass surface from which the porous aluminum is removed.
제4항에 있어서,
상기 내지문 코팅층은, 불소계 실란의 자기조립층인 것을 특징으로 하는 유리 표면 처리방법.
5. The method of claim 4,
Wherein the inner fingerprint coating layer is a self-assembled layer of fluorine-based silane.
제4항에 있어서,
상기 내지문 코팅층은, 친수성 친유성의 실란 올리고머의 자기조립층인 것을 특징으로 하고,
상기 실란 올리고머는 [구조식 1]을 가지며,
Figure pat00003

상기 [구조식 1]에서, R1기는 메톡시에톡시운데실기, 메톡시트리글리콜록시-운데기, 3-메톡시에톡시-4-아세톡시사이클로헥실에틸기, 16-(2-메톡시-에톡시)-헥사데실기 중 적어도 하나 이상을 포함하는 유도체로 이루어지고,
R2기는 3-사이클로펜타디에닐프로필기, 다이사이클로펜틸기, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기, 사이클로옥틸기 중 적어도 하나 이상을 포함하는 유도체로 이루어지며,
상기 m 및 n은 1 내지 10에서 선택되는 정수인 것을 특징으로 하는 유리 표면 처리방법.
5. The method of claim 4,
Wherein the inner fingerprint coating layer is a self-assembled layer of a hydrophilic lipophilic silane oligomer,
The silane oligomer has the structural formula 1,
Figure pat00003

In the above-mentioned structural formula 1, the group R < 1 > is preferably a methoxyethoxy undecyl group, a methoxy triglycoleoxy group, a 3-methoxyethoxy-4-acetoxy cyclohexyl ethyl group, Ethoxy) -hexadecyl group and a hexadecyl group,
The R 2 group is composed of a derivative containing at least one of a 3-cyclopentadienylpropyl group, a dicyclopentyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group and a cyclooctyl group,
Wherein m and n are integers selected from 1 to 10. < RTI ID = 0.0 > 11. < / RTI >
제4항에 있어서,
상기 내지문 코팅층을 형성하는 단계 이전에, 이산화규소층을 5nm 내지 10nm 두께로 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유리 표면 처리방법.
5. The method of claim 4,
And forming a silicon dioxide layer to a thickness of 5 nm to 10 nm prior to the step of forming the inner fingerprint coating layer.
제1항에 있어서,
상기 나노 구조물이 형성되어 표면 처리된 유리의 가시광선 투과율이 표면 처리되지 않은 유리의 가시광선 투과율보다 높은 것을 특징으로 하는 유리 표면 처리방법.
The method according to claim 1,
Wherein the visible light transmittance of the glass surface treated with the nanostructure is higher than the visible light transmittance of the non-surface treated glass.
제1항에 있어서,
상기 유리 표면을 식각하는 단계는,
불산, 불산과 불화암모늄의 혼합물(Buffered HF) 중 어느 하나를 이용하여 식각하는 것을 특징으로 하는 유리 표면 처리방법.
The method according to claim 1,
Wherein etching the glass surface comprises:
Wherein the etching is performed using one of hydrofluoric acid, a mixture of hydrofluoric acid and ammonium fluoride (Buffered HF).
제1항 내제 제8항 중 어느 한 항의 방법으로 표면 처리된 유리.A glass surface-treated by the method according to any one of claims 1 to 8.
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