KR20180129625A - Determination method, exposure method, information processing apparatus, program, and article manufacturing method - Google Patents

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Abstract

The purpose of the present invention is to provide a determination method which is favorable in the determination of a coefficient indicating saturated values of the imaging properties used in a model formula showing variations in imaging properties of a projection optical system. According to the present invention, the determination method determines the coefficient indicating the saturated values of the imaging properties used in the model formula showing variations in the imaging properties of the projection optical system in an exposure apparatus for transferring patterns of a mask to a substrate through the projection optical system. The determination method comprises: a first process of obtaining a first coefficient indicating the saturated values of the imaging properties based on a plurality of measurement values obtained by measuring the imaging properties a plurality of times, and prediction values of the imaging properties in initiating light exposure of the substrate obtained from the model formula; a second process of determining whether a difference between the first coefficient and a second coefficient indicating the saturated values of the imaging properties used in the model formula memorized in the exposure apparatus is within an allowable range or not; a third process of renewing the coefficient so that the first coefficient is used in the model formula when the difference is within the allowable range; and a fourth process of comparing a first evaluation value of the first coefficient obtained from the prediction values with a second evaluation value of the second coefficient obtained from the prediction values of the imaging properties obtained from the model formula in obtaining the second coefficient, when the difference is not within the allowable range, and, if the first evaluation value is less than the second evaluation value, renewing the coefficient by using the first coefficient as a temporary coefficient, and if the first evaluation value is not less than the second evaluation value, not renewing the coefficient.

Description

결정방법, 노광방법, 정보 처리장치, 프로그램 및 물품의 제조방법{DETERMINATION METHOD, EXPOSURE METHOD, INFORMATION PROCESSING APPARATUS, PROGRAM, AND ARTICLE MANUFACTURING METHOD}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an information processing method, an information processing method, an information processing method, a determination method, an exposure method, an information processing apparatus,

본 발명은, 결정방법, 노광방법, 정보 처리장치, 프로그램 및 물품의 제조방법에 관한 것이다. The present invention relates to a determination method, an exposure method, an information processing apparatus, a program, and a method of manufacturing an article.

LSI나 초LSI 등의 미세한 반도체 디바이스를 제조할 때에, 마스크(레티클)의 패턴을, 레지스트(감광제)가 도포된 기판에 투영(축소 투영)해서 전사하는 노광장치가 사용되고 있다. 반도체 디바이스의 실장밀도의 향상에 따라, 패턴이 미세화가 더욱 더 요구되고, 레지스트 프로세스의 발전과 함께, 노광장치의 해상력의 향상에의 대응이 진행되고 있다. 노광장치의 해상력을 향상시키는 기술로서, 노광 광의 단파장화와 투영 광학계의 개구수(NA)의 증대가 있다. 단, 이렇게 해상력을 향상시키면, 투영 광학계의 초점심도가 얕아지기 때문에, 투영 광학계의 결상면(초점면)에 기판의 표면을 합치시키는 포커스 정밀도의 향상이 중요하게 된다. There has been used an exposure apparatus for projecting (reducing projection) a pattern of a mask (reticle) onto a substrate coated with a resist (photosensitive agent) and transferring the pattern of the mask (reticle) when manufacturing a fine semiconductor device such as an LSI or a super LSI. As the mounting density of the semiconductor device is improved, the pattern is further required to be finer, and with the development of the resist process, the resolution of the exposure apparatus is being improved. As a technique for improving the resolving power of the exposure apparatus, there are a shortening of the wavelength of exposure light and an increase in the numerical aperture (NA) of the projection optical system. However, when the resolution is improved in this way, since the depth of focus of the projection optical system becomes shallow, it is important to improve the focus accuracy of fitting the surface of the substrate to the image plane (focal plane) of the projection optical system.

또한, 노광장치의 중요한 성능의 1개로서, 복수의 공정을 거쳐 기판에 전사 되는 각 패턴의 중첩 정밀도가 있다. 투영 광학계의 결상 특성(포커스, 배율, 왜곡 수차, 비점수차, 파면수차 등)은, 중첩 정밀도에 영향을 미치는 중요한 요소다. 최근에는, 초LSI에 사용되는 패턴은 미세화의 경향을 강하게 하고, 그것에 따라 중첩 정밀도의 향상에 대한 요구가 높아지고 있다. As one of the important performances of the exposure apparatus, there is a superposition accuracy of each pattern transferred to the substrate through a plurality of processes. The imaging characteristics (focus, magnification, distortion aberration, astigmatism, wavefront aberration, etc.) of the projection optical system are important factors affecting the superposition accuracy. In recent years, the pattern used in the super LSI tends to become finer, and there is a growing demand for improvement in superimposing accuracy.

노광장치에 있어서는, 노광을 반복하면, 투영 광학계가 노광 광의 에너지의 일부를 흡수해서 가열되고, 그후, 방열함으로써, 투영 광학계의 결상 특성의 변동(열수차, 노광 수차)이 발생한다. 이러한 투영 광학계의 결상 특성의 변동은, 중첩 정밀도를 저하시키는 요인이 된다. 따라서, 투영 광학계에의 노광 광의 조사에 의한 투영 광학계의 결상 특성의 변동을 보상하기 위한 기술이 일본국 특공소 63-16725호 공보와 일본국 특허 제2828226호 공보에 제안되어 있다. In the exposure apparatus, when the exposure is repeated, the projection optical system absorbs a part of the energy of the exposure light and is heated. Thereafter, heat radiation causes variation in the imaging characteristics of the projection optical system (thermal aberration and exposure aberration). Such fluctuation of the imaging characteristic of the projection optical system causes a factor of lowering the overlapping accuracy. Therefore, a technique for compensating for the fluctuation of the imaging characteristic of the projection optical system by the irradiation of the exposure light to the projection optical system has been proposed in Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 63-16725 and 2828226.

예를 들면, 일본국 특공소 63-16725호 공보에는, 투영 광학계의 결상 특성의 변동량을, 노광량, 노광 시간, 비노광 시간 등을 변수로 하는 모델식으로 연산하고, 그 연산 결과에 근거하여 투영 광학계의 결상 특성을 보정(조정)하는 기술이 개시되어 있다. 이러한 모델식은, 결상 특성마다 투영 광학계에 고유한 보정계수를 갖고, 그 보정계수는, 투영 광학계의 동공면에 형성되는 광원 분포에 의존해서 변화한다. 그 때문에, 일본국 특허 제2828226호 공보에는, 투영 광학계의 동공면에 형성되는 광원 분포가 변화하여도 결상 특성의 변동을 양호하게 보정하는 것이 가능한 기술이 제안되어 있다. 일본국 특허 제2828226호 공보에서는, 투영 광학계의 동공면에 형성되는 각 광원 분포에 대응한 보정계수를 기억하고, 광원 분포가 변경될 경우에는, 이러한 광원 분포에 대응하는 보정계수를 판독하고, 투영 광학계의 결상 특성의 변동량을 연산하고 있다. For example, Japanese Unexamined Patent Publication No. 63-16725 discloses a method of calculating a variation amount of an imaging characteristic of a projection optical system by a model formula using exposure amount, exposure time, and non-exposure time as parameters, (Adjustment) of the imaging characteristic of the optical system is disclosed. Such a model expression has a correction coefficient unique to the projection optical system for every imaging characteristic, and the correction coefficient changes depending on the light source distribution formed on the pupil plane of the projection optical system. For this reason, Japanese Patent No. 2828226 proposes a technique capable of satisfactorily correcting variations in imaging characteristics even when the distribution of light sources formed on the pupil plane of the projection optical system changes. In Japanese Patent No. 2828226, a correction coefficient corresponding to each light source distribution formed on the pupil plane of the projection optical system is stored. When the light source distribution is changed, a correction coefficient corresponding to such light source distribution is read, The variation amount of the imaging characteristic of the optical system is calculated.

종래기술에서는, 노광중에 있어서의 투영 광학계의 결상 특성의 변동을 예측하기 위해서, 투영 광학계의 결상 특성을 노광중에 복수회 계측하고, 그 계측 결과로부터 보정계수를 구하고 있다. 보정계수를 구한 후, 동일한 노광 조건(조명 모드, 마스크 등)에서 노광이 행해질 경우에는, 투영 광학계의 결상 특성을 노광중에 계측하지 않고, 보정계수를 사용해서 투영 광학계의 변동을 예측한다. In the prior art, in order to predict the fluctuation of the imaging characteristic of the projection optical system during exposure, the imaging characteristic of the projection optical system is measured a plurality of times during exposure, and a correction coefficient is obtained from the measurement result. When the exposure is performed under the same exposure conditions (illumination mode, mask, etc.) after calculating the correction coefficient, the imaging characteristic of the projection optical system is not measured during exposure, and the variation of the projection optical system is predicted using the correction coefficient.

그렇지만, 투영 광학계의 결상 특성을 노광중에 복수회 계측할 때에, 그 직전의 노광에 의한 노광 수차의 영향이 투영 광학계에 잔존하고 있으면, 오차를 포함하는 보정계수가 구해져 버린다. 따라서, 보정계수를 구하기 전, 즉, 투영 광학계의 결상 특성을 노광중에 복수회 계측하기 전에는, 노광 수차의 영향을 배제하기 위한 충분한 쿨링(대기) 시간을 확보하지 않으면 안되어, 생산성이 저하해 버린다. However, when the imaging characteristic of the projection optical system is measured plural times during exposure, if the influence of the exposure aberration caused by the exposure immediately before the projection optical system remains in the projection optical system, a correction coefficient including an error is obtained. Therefore, before the correction coefficient is obtained, that is, before the imaging characteristic of the projection optical system is measured plural times during exposure, sufficient cooling (waiting) time for excluding the influence of the exposure aberration must be ensured, and the productivity is lowered.

본 발명은, 투영 광학계의 결상 특성의 변동을 표시하는 모델식에 사용되는 결상 특성의 포화값을 나타내는 계수를 결정하는데 유리한 결정방법을 제공한다. The present invention provides a determination method advantageous for determining a coefficient indicating a saturation value of an imaging characteristic used in a model equation that expresses a variation in the imaging characteristic of a projection optical system.

본 발명의 일측면으로서의 결정방법은, 마스크의 패턴을 투영 광학계를 거쳐 기판에 전사하는 노광장치에 있어서 상기 투영 광학계의 결상 특성의 변동을 나타내는 모델식에 사용되는 상기 결상 특성의 포화값을 나타내는 계수를 결정하는 결정방법으로서, 상기 결상 특성을 복수회 계측해서 얻어지는 복수의 계측값과, 상기 모델식으로부터 얻어진 상기 기판의 노광의 개시시에 있어서의 상기 결상 특성의 예측값에 근거하여, 상기 결상 특성의 포화값을 나타내는 제1계수를 구하는 제1공정과, 상기 제1계수와, 상기 노광장치에 기억되어 있는 상기 모델식에 사용되는 상기 결상 특성의 포화값을 나타내는 제2계수와의 차이가 허용범위에 들어가 있는지 아닌지를 판정하는 제2공정과, 상기 차이가 상기 허용범위에 들어가 있는 경우에, 상기 제1계수가 상기 모델식에 사용되도록 상기 계수를 갱신하는 제3공정과, 상기 차이가 상기 허용범위에 들어가 있지 않은 경우에, 상기 예측값으로부터 얻어지는 상기 제1계수의 제1평가값과, 상기 제2계수를 구할 때에 상기 모델식으로부터 얻어진 상기 결상 특성의 예측값으로부터 얻어지는 상기 제2계수의 제2평가값을 비교하여, 상기 제1평가값이 상기 제2평가값 미만이면, 상기 제1계수를 임시의 계수로 하여 상기 계수를 갱신하고, 상기 제1평가값이 상기 제2평가값 이상이면, 상기 계수를 갱신하지 않는 제4공정을 갖는 것을 특징으로 한다. A determination method as one aspect of the present invention is a method of determining a coefficient representing a saturation value of the imaging characteristic used in a model expression that represents fluctuation of the imaging characteristic of the projection optical system in an exposure apparatus that transfers a pattern of a mask onto a substrate via a projection optical system The method comprising the steps of: determining, based on a plurality of measured values obtained by measuring the imaging characteristic a plurality of times and a predicted value of the imaging characteristic at the start of exposure of the substrate obtained from the model formula, And a second coefficient indicating a saturation value of the imaging characteristic used in the model equation stored in the exposure apparatus is within an allowable range A second step of determining whether or not the difference is in the allowable range, A third step of updating the coefficient to be used in the model equation; and a third step of, when the difference does not fall within the allowable range, obtaining the first evaluation value and the second coefficient of the first coefficient obtained from the predicted value The second evaluation value of the second coefficient obtained from the predicted value of the imaging characteristic obtained from the model expression is compared with the first evaluation value, and when the first evaluation value is less than the second evaluation value, And a fourth step of updating the coefficient and not updating the coefficient if the first evaluation value is equal to or more than the second evaluation value.

본 발명이 또 다른 목적 또는 다른 측면은, 이하, 첨부도면을 참조해서 설명되는 바람직한 실시형태에 의해 명확해질 것이다. Other objects or other aspects of the present invention will be apparent from the following description of preferred embodiments with reference to the accompanying drawings.

도 1은, 노광장치의 구성을 도시한 개략도다.
도 2는, 투영 광학계의 수차의 변동의 일례를 도시한 도면이다.
도 3은, 투영 광학계의 수차의 변동의 일례를 도시한 도면이다.
도 4는, 투영 광학계의 수차의 변동의 일례를 도시한 도면이다.
도 5a 및 도 5b는, 보정계수를 정확하게 구할 수 없는 이유를 설명하기 위한 도면이다.
도 6은, 본 발명의 일측면으로서의 결정방법을 설명하기 위한 흐름도다.
도 7은, 투영 광학계의 결상 특성(포커스)의 예측값의 일례를 도시한 도면이다.
도 8a 및 도 8b는, 가중 계수를 설명하기 위한 도면이다.
1 is a schematic view showing a configuration of an exposure apparatus.
Fig. 2 is a view showing an example of variation of aberration of the projection optical system. Fig.
Fig. 3 is a diagram showing an example of variation of aberration of the projection optical system. Fig.
4 is a diagram showing an example of variation of aberration of the projection optical system.
5A and 5B are diagrams for explaining the reason why correction coefficients can not be obtained accurately.
Fig. 6 is a flowchart for explaining a determination method as one aspect of the present invention.
7 is a diagram showing an example of a predicted value of the imaging characteristic (focus) of the projection optical system.
8A and 8B are diagrams for explaining weighting coefficients.

이하, 첨부도면을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 설명한다. 이때, 각 도면에 있어서, 동일한 부재에 대해서는 동일한 참조번호를 붙이고, 중복하는 설명은 생략한다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. In the drawings, the same reference numerals are used to denote the same members, and redundant explanations are omitted.

도 1은, 노광장치(1)의 구성을 도시한 개략도다. 노광장치(1)는, 기판을 노광한다, 구체적으로는, 스텝 앤드 스캔 방식으로 마스크(레티클)의 패턴을 투영 광학계를 거쳐 기판에 전사하는 리소그래피 장치다. 단, 노광장치(1)는, 스텝·앤드·리피트 방식이나 그 밖의 노광 방식을 적용하는 것도 가능하다. 1 is a schematic view showing a configuration of an exposure apparatus 1. Fig. The exposure apparatus 1 exposes a substrate. Specifically, the exposure apparatus 1 is a lithography apparatus that transfers a pattern of a mask (reticle) to a substrate via a projection optical system in a step-and-scan manner. However, the exposure apparatus 1 may employ a step-and-repeat method or other exposure method.

노광장치(1)는, 광원부(101)로부터의 빛을 사용해서 마스크(109)를 조명하는 조명 광학계(104)와, 투영 광학계(110)와, 기판(115)을 유지해서 이동하는 기판 스테이지(116)를 가진다. 또한, 노광장치(1)는, 개구 구동부(112)와, 렌즈 구동부(113)와, 레이저 간섭계(118)와, 투광 광학계(121)와, 검출 광학계(122)와, 계측부(123)를 가진다. 또한, 노광장치(1)는, 광원 제어부(102)와, 조명 제어부(108)와, 투영 제어부(114)와, 스테이지 제어부(120)와, 주 제어부(125)를 가진다. The exposure apparatus 1 includes an illumination optical system 104 for illuminating a mask 109 using light from a light source unit 101, a projection optical system 110, a substrate stage 116). The exposure apparatus 1 also has an opening drive unit 112, a lens driving unit 113, a laser interferometer 118, a light projecting optical system 121, a detection optical system 122 and a measuring unit 123 . The exposure apparatus 1 further includes a light source control unit 102, a lighting control unit 108, a projection control unit 114, a stage control unit 120, and a main control unit 125. [

광원부(101)는, 예를 들면, KrF나 ArF 등의 가스가 봉입된 펄스 광원을 포함하고, 파장 약 248nm의 원자외 영역의 빛을 출사한다. 또한, 광원부(101)는, 협대화 모듈, 모니터 모듈, 셔터 등도 포함한다. 협대화 모듈은, 공진기를 구성하는 프론트 미러, 파장(노광 파장)을 협대화하기 위한 회절격자 및 프리즘 등으로 이루어지고, 모니터 모듈은, 파장의 안정성이나 스펙트럼 폭을 모니터하기 위한 분광기 및 디텍터 등으로 이루어진다. The light source unit 101 includes, for example, a pulse light source in which a gas such as KrF or ArF is sealed, and emits light in an out-of-atom region having a wavelength of about 248 nm. The light source unit 101 also includes a narrow-talk module, a monitor module, a shutter, and the like. The negotiating module is composed of a front mirror constituting a resonator, a diffraction grating for narrowing the wavelength (exposure wavelength), a prism, and the like, and the monitor module is constituted by a spectroscope and a detector for monitoring the stability of the wavelength and the spectrum width .

광원 제어부(102)는, 광원부(101)에 있어서의 가스의 교환 동작, 광원부(101)로부터 출사되는 빛의 파장 안정화 동작, 광원부(101)에 있어서의 방전 인가 전압 등을 제어한다. 본실시형태에서는, 광원 제어부(102)는, 광원부(101)를 단독으로 제어하는 것이 아니고, 주 제어부(125)의 제어하에 있어서, 광원부(101)를 제어한다. The light source control unit 102 controls the gas exchange operation in the light source unit 101, the wavelength stabilization operation of the light emitted from the light source unit 101, the discharge application voltage in the light source unit 101, and the like. In the present embodiment, the light source control unit 102 controls the light source unit 101 under the control of the main control unit 125, instead of controlling the light source unit 101 alone.

광원부(101)로부터 출사된 빛은, 조명 광학계(104)에 입사한다. 조명 광학계(104)에 입사한 빛은, 빔 정형 광학계(미도시)를 거쳐 소정의 빔 형상으로 정형되고, 옵티컬 인테그레이터(미도시)에 입사한다. 이러한 옵티컬 인테그레이터는, 마스크(109)를 균일한 조도 분포에서 조명하기 위해, 다수의 2차 광원을 형성한다. The light emitted from the light source unit 101 is incident on the illumination optical system 104. The light incident on the illumination optical system 104 is shaped into a predetermined beam shape through a beam shaping optical system (not shown), and is incident on an optical integrator (not shown). This optical integrator forms a plurality of secondary light sources in order to illuminate the mask 109 with a uniform illumination distribution.

조명 광학계(104)에 포함되는 개구 조리개(105)는, 대략 원형 형상의 개구부를 가진다. 조명 제어부(108)는, 주 제어부(125)의 제어하에 있어서, 개구 조리개(105)의 개구부의 직경이나 조명 광학계(104)의 개구수(NA)가 소정의 값이 되도록, 조명 광학계(104)의 각 부를 제어한다. 투영 광학계(110)의 개구수(NA)에 대한 조명 광학계(104)의 개구수의 비의 값이 코히런스 팩터(σ값)이기 때문에, 조명 제어부(108)는, 개구 조리개(105)의 개구부의 직경을 제어함으로써, σ값을 조정(설정) 할 수 있다. The aperture stop 105 included in the illumination optical system 104 has an opening of a substantially circular shape. The illumination control unit 108 controls the illumination optical system 104 so that the diameter of the aperture of the aperture stop 105 and the numerical aperture NA of the illumination optical system 104 become a predetermined value under the control of the main control unit 125. [ Respectively. Since the value of the ratio of the numerical aperture of the illumination optical system 104 to the numerical aperture NA of the projection optical system 110 is the coherence factor (sigma value), the illumination control unit 108 controls the aperture stop 105, The σ value can be adjusted (set).

조명 광학계(104)의 광로 위에는, 마스크(109)를 조명하는 빛의 일부를 반사하기(추출하기) 위한 하프미러(106)가 배치되어 있다. 하프미러(106)에서 반사되는 빛의 광로 위에는, 자외광용의 포토센서(107)가 배치되어 있다. 포토센서(107)는, 마스크(109)를 조명하는 빛의 강도(즉, 노광 에너지)에 대응한 출력을 생성한다. 포토센서(107)의 출력은, 광원부(101)의 펄스 발광마다 적분을 행하는 적분회로(미도시)에 의해 1 펄스당의 노광 에너지로 변환되어, 조명 제어부(108)를 거쳐 주 제어부(125)에 입력된다. On the optical path of the illumination optical system 104, a half mirror 106 for reflecting (extracting) a part of the light illuminating the mask 109 is disposed. On the optical path of the light reflected by the half mirror 106, a photosensor 107 for ultraviolet light is disposed. The photosensor 107 generates an output corresponding to the intensity of the light illuminating the mask 109 (i.e., the exposure energy). The output of the photosensor 107 is converted into exposure energy per pulse by an integration circuit (not shown) that performs integration for each pulse emission of the light source unit 101 and is output to the main control unit 125 via the illumination control unit 108 .

마스크(109)는, 기판(115)에 전사해야 할 패턴(회로 패턴)을 갖는 원판이며, 마스크 스테이지(미도시)에 유지된다. 마스크 스테이지는, 마스크(109)를 유지하고, 예를 들면, 리니어모터 등을 이용해서 3차원 방향(투영 광학계(110)의 광축 방향 및 광축에 직교하는 면 내)으로 이동한다. 노광장치(1)는, 스텝 앤드 스캔 방식을 채용하고 있기 때문에, 마스크(109)와 기판(115)을 주사(스캔)함으로써, 마스크(109)의 패턴을 기판(115)에 전사한다. The mask 109 is an original plate having a pattern (circuit pattern) to be transferred to the substrate 115, and is held in a mask stage (not shown). The mask stage holds the mask 109 and moves in the three-dimensional direction (in the direction of the optical axis of the projection optical system 110 and in the plane orthogonal to the optical axis) using, for example, a linear motor or the like. The pattern of the mask 109 is transferred to the substrate 115 by scanning the mask 109 and the substrate 115 because the exposure apparatus 1 employs the step-and-scan method.

투영 광학계(110)는, 복수의 광학소자(렌즈 등)를 포함하고, 마스크(109)의 패턴을 소정의 축소 배율 β(예를 들면, β=1/4)로 축소해서 기판(115)(의 숏 영역)에 투영한다. The projection optical system 110 includes a plurality of optical elements (lenses and the like) and reduces the pattern of the mask 109 to a predetermined reduction magnification? (For example,? = 1/4) In a short region of the screen.

투영 광학계(110)의 동공면(마스크(109)에 대한 푸리에 변환면)에는, 대략 원형 형상의 개구부를 갖는 개구 조리개(111)가 배치되어 있다. 개구 구동부(112)는, 모터 등을 포함하고, 개구 조리개(111)의 개구부의 직경이 소정의 값이 되도록, 개구 조리개(111)를 구동한다. 또한, 렌즈 구동부(113)는, 공기압이나 압전소자 등을 이용하여, 투영 광학계(110)를 구성하는 광학소자, 본실시형태에서는, 렌즈의 일부(예를 들면, 필드 렌즈)를 투영 광학계(110)의 광축 방향으로 구동한다. 투영 제어부(114)는, 주 제어부(125)의 제어하에 있어서, 개구 구동부(112) 및 렌즈 구동부(113)를 제어한다. 본실시형태에서는, 투영 광학계(110)를 구성하는 렌즈의 구동에 의해, 투영 광학계(110)의 다양한 수차의 변동을 저감하고, 배율(투영 배율)을 양호하게 유지해서 왜곡 오차를 저감시키고 있다. On the pupil plane (the Fourier transform plane with respect to the mask 109) of the projection optical system 110, an aperture stop 111 having an approximately circular opening is disposed. The aperture drive unit 112 includes a motor and the like and drives the aperture stop 111 so that the diameter of the aperture of the aperture stop 111 becomes a predetermined value. The lens driving unit 113 uses an air pressure, a piezoelectric element, or the like to drive an optical element constituting the projection optical system 110, in this embodiment, a part of the lens (for example, a field lens) In the direction of the optical axis. The projection control section 114 controls the aperture drive section 112 and the lens drive section 113 under the control of the main control section 125. [ In the present embodiment, the fluctuation of various aberrations of the projection optical system 110 is reduced by driving the lenses constituting the projection optical system 110, and the magnification (projection magnification) is well maintained to reduce the distortion error.

기판(115)은, 마스크(109)의 패턴이 투영(전사)되는 기판이다. 기판(115)에는, 포토레지스트(감광제)가 도포되어 있다. 기판(115)은, 웨이퍼, 글래스 플레이트, 그 밖의 기판을 포함한다. The substrate 115 is a substrate on which a pattern of the mask 109 is projected (transferred). The substrate 115 is coated with a photoresist (photosensitive agent). The substrate 115 includes a wafer, a glass plate, and other substrates.

기판 스테이지(116)는, 기판(115)을 유지하고, 예를 들면, 리니어모터 등을 이용해서 3차원 방향(투영 광학계(110)의 광축 방향 및 광축에 직교하는 면 내)으로 이동한다. 기판 스테이지(116)에 고정된 이동 미러(117)까지의 거리를 레이저 간섭계(118)로 계측함으로써, 투영 광학계(110)의 광축에 직교하는 면 내에 있어서의 기판 스테이지(116)의 위치가 검출된다. 스테이지 제어부(120)는, 주 제어부(125)의 제어하에 있어서, 레이저 간섭계(118)의 계측 결과에 근거하여, 기판 스테이지(116)의 위치를 제어한다(예를 들면, 기판 스테이지(116)를 소정의 위치로 이동시킨다). The substrate stage 116 holds the substrate 115 and moves in the three-dimensional direction (within the plane of the optical axis of the projection optical system 110 and in the plane orthogonal to the optical axis) using, for example, a linear motor or the like. The position of the substrate stage 116 in the plane orthogonal to the optical axis of the projection optical system 110 is detected by measuring the distance to the moving mirror 117 fixed on the substrate stage 116 by the laser interferometer 118 . The stage control unit 120 controls the position of the substrate stage 116 based on the measurement result of the laser interferometer 118 under the control of the main control unit 125 To a predetermined position).

투광 광학계(121)와 검출 광학계(122)는, 기판(115)의 투영 광학계(110)의 광축 방향의 위치(즉, 기판(115)의 표면의 높이)를 검출하는 포커스 검출계를 구성한다. 투광 광학계(121)는, 기판(115)에 도포되는 포토레지스트를 감광시키지 않는 빛(비노광 광)을 투광해서 기판(115) 위의 각 위치에 집광한다. 기판(115)의 각 위치에서 반사된 빛은, 검출 광학계(122)에 입사한다. 검출 광학계(122)에는, 기판(115)의 각 위치에서 반사되는 빛에 대응해서 복수의 위치 검출용의 수광소자가 배치되어 있다. 구체적으로는, 복수의 수광소자는, 각 수광소자의 수광면과 기판(115) 위의 반사 점이 결상광학계를 거쳐 대략 공역이 되도록, 배치되어 있다. 따라서, 투영 광학계(110)의 광축 방향에 있어서의 기판(115)의 위치 어긋남은, 검출 광학계(122)에 배치된 각 수광소자에 입사하는 빛의 위치 어긋남으로서 검출된다. The projection optical system 121 and the detection optical system 122 constitute a focus detection system for detecting the position of the substrate 115 in the direction of the optical axis of the projection optical system 110 (that is, the height of the surface of the substrate 115). The projection optical system 121 emits light (non-exposure light) that does not sensitize the photoresist applied to the substrate 115, and condenses it at each position on the substrate 115. Light reflected at each position of the substrate 115 is incident on the detection optical system 122. A plurality of photodetecting elements for position detection are disposed in the detecting optical system 122 in correspondence with the light reflected at each position of the substrate 115. [ Specifically, the plurality of light-receiving elements are arranged so that the light-receiving surface of each light-receiving element and the reflection point on the substrate 115 are substantially conjugate with each other via the imaging optical system. Therefore, the positional deviation of the substrate 115 in the direction of the optical axis of the projection optical system 110 is detected as the positional deviation of the light incident on the respective light-receiving elements arranged in the detection optical system 122. [

계측부(123)는, 투영 광학계(110)의 상면측, 본실시형태에서는, 기판 스테이지(116)에 배치되어 있다. 계측부(123)는, 투영 광학계(110)를 통과한 빛을 검출하여, 투영 광학계(110)의 결상 특성을 계측한다. 계측부(123)는, 예를 들면, 투영 광학계(110)로부터의 빛을 통과시키는 핀홀을 갖는 차광판과, 이러한 핀홀을 통과한 빛을 검출하는 광전변환 소자를 포함한다. The measuring unit 123 is disposed on the upper surface side of the projection optical system 110, in this embodiment, on the substrate stage 116. [ The measuring unit 123 detects the light passing through the projection optical system 110 and measures the imaging characteristic of the projection optical system 110. The measuring section 123 includes, for example, a light shielding plate having a pinhole for passing light from the projection optical system 110, and a photoelectric conversion element for detecting light passing through the pinhole.

주 제어부(125)는, CPU와 메모리 등을 포함하는 컴퓨터(정보 처리장치)로 구성되고, 광원 제어부(102), 조명 제어부(108), 투영 제어부(114), 스테이지 제어부(120) 등을 거쳐, 노광장치(1)의 전체(노광장치(1)의 각 부)를 제어한다. 또한, 본실시형태에서는, 주 제어부(125)는, 후술하는 바와 같이, 투영 광학계(110)의 결상 특성의 변동을 표시하는 모델식에 사용되는 보정계수를 결정하는 기능을 갖는 것도 가능하다. The main control unit 125 is constituted by a computer (information processing apparatus) including a CPU, a memory and the like and is connected to a light source control unit 102, a lighting control unit 108, a projection control unit 114, a stage control unit 120, , And controls the entire exposure apparatus 1 (each section of the exposure apparatus 1). Further, in the present embodiment, the main control unit 125 can also have a function of determining a correction coefficient used in a model expression that expresses fluctuation of the imaging characteristic of the projection optical system 110, as will be described later.

여기에서, 노광 광의 조사에 의한 투영 광학계(110)의 결상 성능의 변동을 표시하는 모델식, 및, 이러한 모델식을 정량화하기 위해서 사용하는 노광 조건마다의 결상 특성의 변동을 보상하기 위한 보정계수에 대해 설명한다. 본 실시형태에 있어서, 투영 광학계(110)의 결상 특성은, 포커스, 배율, 왜곡 수차, 비점수차, 구면수차, 코마수차 및 파면수차 중 적어도 1개를 포함하는 것으로 한다. 또한, 파면수차는, 당업계에서 잘 알려진 바와 같이, 파면 형상을 Zernike 다항식에서 전개한 각 항으로서 표현할 수 있다. 또한, 이들을 합쳐서 「수차」로 부르는 일도 있다. Here, a model expression for expressing the fluctuation of the imaging performance of the projection optical system 110 by the irradiation of the exposure light, and a correction coefficient for compensating the fluctuation of the imaging characteristic for each exposure condition used for quantifying the model expression . In this embodiment, it is assumed that the imaging characteristic of the projection optical system 110 includes at least one of focus, magnification, distortion aberration, astigmatism, spherical aberration, coma aberration, and wavefront aberration. Further, the wavefront aberration can be expressed as each term developed in the Zernike polynomial, as is well known in the art. In some cases, these are collectively referred to as " aberration ".

도 2는, 투영 광학계(110)의 수차의 변동(경시 변화)의 일례를 도시한 도면이다. 도 2에서는, 가로축은, 시간 t를 나타내고, 세로축은, 투영 광학계(110)의 어떤 상고에 있어서의 수차량 F를 나타내고 있다. ΔF는, 투영 광학계(110)의 수차 변동량을 나타내고, 수차 변동량 ΔF는, 상고마다 다른 값이 된다. 또한, 투영 광학계(110)의 초기(즉, 노광전)의 수차량을 F0으로 한다. Fig. 2 is a view showing an example of a variation (a change with time) of the aberration of the projection optical system 110. Fig. 2, the horizontal axis represents time t, and the vertical axis represents aberration amount F at a certain elevation of the projection optical system 110. In FIG. ? F represents the aberration variation amount of the projection optical system 110, and the aberration variation amount? F is different for each image height. In addition, the initial number (before exposure) of the projection optical system 110 is F0.

도 2를 참조하면, 노광이 시간 t0로부터 개시되면, 시간의 경과와 함께 수차가 변동하고, 시간 t1에서 일정한 수차량(최대 변동량) F1으로 안정된다. 시간 t1 이후에는, 투영 광학계(110)에 빛(노광 광)이 입사해도, 투영 광학계(110)에 흡수되는 열 에너지와 투영 광학계(110)로부터 방출되는 열 에너지와가 평형상태에 도달하고 있기 때문에, 수차량은 F1으로부터 변화하지 않는다. 그리고, 노광이 시간 t2에 종료하면, 시간의 경과와 함께 수차는 초기의 상태로 되돌아가, 시간 t3에서 초기의 수차량 F0이 된다. Referring to Fig. 2, when the exposure starts from the time t0, the aberration fluctuates with the elapse of time, and is stabilized at a constant number of vehicles (maximum variation) F1 at time t1. Even after the time t1, even when light (exposure light) enters the projection optical system 110, the thermal energy absorbed by the projection optical system 110 and the thermal energy emitted from the projection optical system 110 reach an equilibrium state , The aberration amount does not change from F1. Then, when the exposure ends at time t2, the aberration returns to the initial state with the passage of time, and becomes the initial number vehicle F0 at time t3.

도 2에 나타내는 시정수 TS1은, 투영 광학계(110)의 열전달 특성의 시정수이다. 이들 시정수은, 투영 광학계(110)에 고유한 값이며, 수차마다 다른 값이다. 따라서, 시정수는, 예를 들면, 노광장치(1)의 메인티넌스시에, 투영 광학계(110)마다, 또한, 투영 광학계(110)의 수차마다 취득한다. The time constant TS1 shown in Fig. 2 is the time constant of the heat transfer characteristic of the projection optical system 110. Fig. These time constants are values unique to the projection optical system 110 and are different values for each aberration. Therefore, the time constant is acquired for each projection optical system 110, and also for each aberration of the projection optical system 110, for example, during maintenance of the exposure apparatus 1.

도 2에 나타내는 수차의 최대 변동량 F1은, 단위 광량(단위 노광 에너지)당의 수차 변동량 K와, 노광 시간, 노광량, 주사 속도, 노광 영역 정보 등의 파라미터로부터 결정되는 실제 노광 에너지 Q를 사용하여, 이하의 식 (1)으로 표시된다. The maximum variation F1 of the aberration shown in Fig. 2 is obtained by using the aberration variation amount K per unit light amount (unit exposure energy) and the actual exposure energy Q determined from parameters such as exposure time, exposure amount, scanning speed, (1).

F1=K×Q …(1) F1 = K x Q ... (One)

어떤 시간에 있어서의 수차량을 ΔFk로 한다. 이 경우, 노광을 행하고 있는 상태에서는, 어떤 시간으로부터 시간 Δt만큼 경과한 후의 수차량 ΔFk+1은, 최대 변동량 F1과, 시정수 TS1을 사용하여, 이하의 식 (2)으로 근사된다. 마찬가지로, 노광을 행하지 않고 있는 상태에서는, 어떤 시간으로부터 시간 Δt만큼 경과한 후의 수차량 ΔFk+1은, 이하의 식 (3)으로 근사된다.The number of vehicles at a certain time is denoted by? F k . In this case, in the state in which exposure is performed, the aberration amount? F k + 1 after elapse of the time? T from a certain time is approximated by the following formula (2) using the maximum variation amount F1 and the time constant TS1. Likewise, in the state in which no exposure is performed, the aberration amount? F k + 1 after elapse of time? T from a certain time is approximated by the following expression (3).

ΔFk+1=ΔFk+F1×(1-exp(-Δt/TS1)) …(2)? F k + 1 =? F k + F 1 (1-exp (-Δt / TS 1)) (2)

ΔFk+1=ΔFk×exp(-Δt/TS1) …(3)? F k + 1 =? F k × exp (-Δt / TS 1 ) (3)

도 2에 나타내는 투영 광학계(110)의 수차의 변동(도 2에 나타내는 곡선)은, 식 (1), 식 (2) 및 식 (3)을 사용해서 모델화된다. 단, 식 (1), 식 (2) 및 식 (3)은, 본 실시형태에 있어서의 일례이며, 다른 식을 사용해서 모델화해도 된다. The variation of the aberration of the projection optical system 110 shown in Fig. 2 (the curve shown in Fig. 2) is modeled by using the equations (1), (2) and (3). However, the formulas (1), (2) and (3) are only examples in this embodiment, and may be modeled by using other formulas.

투영 광학계(110)의 수차의 변동을 표시하는 모델식은, 식 (2)로 표시되는 노광 모델식과, 식 (3)으로 표시되는 비노광 모델식를 포함한다. 노광 모델식은, 투영 광학계(110)에의 노광 광의 조사중에 있어서의 투영 광학계(110)의 수차의 변동, 즉, 노광을 행하고 있는 동안의 투영 광학계(110)의 수차의 변동을 나타낸다. 비노광 모델식은, 투영 광학계(110)에의 노광 광의 조사를 정지한 상태에 있어서의 투영 광학계(110)의 수차의 변동, 즉, 노광을 종료한 후의 투영 광학계(110)의 수차의 변동을 나타낸다. The model equation representing the variation of the aberration of the projection optical system 110 includes an exposure model equation expressed by equation (2) and a non-exposure model equation expressed by equation (3). The exposure model equation shows the variation of the aberration of the projection optical system 110 during the irradiation of the exposure light to the projection optical system 110, that is, the variation of the aberration of the projection optical system 110 during exposure. The non-exposure model equation shows the variation of the aberration of the projection optical system 110 in the state where the irradiation of the exposure light to the projection optical system 110 is stopped, that is, the variation of the aberration of the projection optical system 110 after completing the exposure.

식 (2)에 이용되고 있는 최대 변동량 F1은, 투영 광학계(110)의 수차의 포화값을 나타내고, 후술하는 보정계수다. 보정계수는, 투영 광학계(110)의 수차마다 취득되고, 시정수의 다른 복수의 모델식에서 예측해도 된다. The maximum variation F1 used in equation (2) represents the saturation value of the aberration of the projection optical system 110, which is a correction coefficient described later. The correction coefficient is acquired for each aberration of the projection optical system 110, and may be predicted by a plurality of model expressions having different time constants.

여기에서는, 보정계수는, 서로 다른 복수의 시정수 TS1, TS2 및 TS3의 모델식을 사용해서 예측하고 있다. 복수의 시정수 TS1, TS2 및 TS3의 각각의 모델식에 대해서, 어떤 시간에 있어서의 투영 광학계(110)의 수차의 예측값을 F_TS1, F_TS2 및 F_TS3로 한다. 이 경우, 투영 광학계(110)의 수차의 예측값은, 모델식마다의 예측값의 총합(F_TS1+F_TS2+F_TS3)이 된다. 이때, 여기에서는, 투영 광학계(110)의 수차를 3개의 모델식으로 예측하고 있지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. Here, the correction coefficient is predicted by using a model equation of a plurality of time constants TS1, TS2 and TS3 which are different from each other. For each of the plurality of time constants TS1, TS2 and TS3, the predicted values of the aberrations of the projection optical system 110 at certain times are F_TS1, F_TS2 and F_TS3. In this case, the predicted value of the aberration of the projection optical system 110 is the sum (F_TS1 + F_TS2 + F_TS3) of the predicted values for each model expression. Here, the aberration of the projection optical system 110 is predicted by three model equations, but the present invention is not limited to this.

노광 조건을 변경하면, 투영 광학계(110)에 입사하는 빛(노광 광)의 에너지 밀도 분포가 변화하기 때문에, 투영 광학계(110)의 수차 변동량 및 그것의 상고 의존성이 변화한다. 따라서, 보정계수는, 노광 조건마다 구하지 않으면 안된다. 여기에서, 노광 조건은, 예를 들면, 유효 광원의 형상, 마스크(109)의 패턴, 마스크(109)를 조명하는 조명 영역 등을 포함한다. When the exposure conditions are changed, the energy density distribution of the light (exposure light) incident on the projection optical system 110 changes, so the aberration variation amount of the projection optical system 110 and its dependence on the image height change. Therefore, the correction coefficient must be obtained for each exposure condition. Here, the exposure conditions include, for example, the shape of the effective light source, the pattern of the mask 109, the illumination area illuminating the mask 109, and the like.

다른 노광 조건, 예를 들면, 제1 노광 조건 및 제2 노광 조건의 각각에 대해서, 보정계수를 구할 경우에 대해서 생각한다. 이 경우, 보정계수를 고정밀도로 구하기 위해서는, 예를 들면, 도 3에 나타낸 것과 같이, 다른 노광 조건에서의 잔존 수차의 영향이 없어질 때까지, 충분한 쿨링(대기) 시간을 확보하면 된다. 단, 쿨링 시간을 설치함으로써, 생산성이 저하해 버린다. 도 3은, 투영 광학계(110)의 수차의 변동의 일례를 도시한 도면이다. 도 3에서는, 가로축은, 시간을 나타내고, 세로축은, 투영 광학계(110)의 수차(수차량)를 나타내고 있다. 도 3에는, 제1 노광 조건에서 기판(115)을 노광했을 경우의 투영 광학계(110)의 수차의 변동, 및, 제2 노광 조건에서 기판(115)을 노광했을 경우의 투영 광학계(110)의 수차의 변동이 표시되어 있다. A case is considered in which correction coefficients are obtained for different exposure conditions, for example, the first exposure condition and the second exposure condition. In this case, in order to obtain the correction coefficient with high accuracy, a sufficient cooling (waiting) time can be ensured until the influence of the residual aberration under the different exposure conditions is eliminated, for example, as shown in Fig. However, by providing a cooling time, productivity is lowered. 3 is a diagram showing an example of variation of the aberration of the projection optical system 110. As shown in Fig. 3, the horizontal axis represents time, and the vertical axis represents aberration (aberration) of the projection optical system 110. In FIG. 3 shows the variation of the aberration of the projection optical system 110 when the substrate 115 is exposed under the first exposure condition and the variation of the aberration of the projection optical system 110 when the substrate 115 is exposed under the second exposure condition The variation of the aberration is indicated.

또한, 식(1) 내지 식 (3)은, 다른 노광 조건 사이에서도 성립한다. 따라서, 예를 들면, 도 4에 나타낸 것과 같이 제1 노광 조건의 직전 잡에 있어서의 보정계수가 정확하게 구해져 있으면, 쿨링 시간을 생략해도, 각각의 노광 조건에 있어서의 보정계수도 정확하게 구할 수 있다. 단, 제1 노광 조건의 직전 잡에 있어서의 보정계수에 오차가 있을 경우에, 도 4에 나타낸 것과 같이, 쿨링 시간을 생략해 버리면, 각각의 노광 조건에 있어서의 보정계수를 정확하게 구할 수 없다. 도 4는, 투영 광학계(110)의 수차의 변동의 일례를 도시한 도면이다. 도 4에서는, 가로축은, 시간을 나타내고, 세로축은, 투영 광학계(110)의 수차(수차량)를 나타내고 있다. 도 4에는, 제1 노광 조건, 제2 노광 조건 및 제3 노광 조건의 각각에서 기판(115)을 노광했을 경우의 투영 광학계(110)의 수차의 변동이 표시되어 있다. The formulas (1) to (3) also hold between other exposure conditions. Therefore, for example, as shown in Fig. 4, if the correction coefficient in the immediately preceding job for the first exposure condition is accurately obtained, the correction coefficient in each exposure condition can be accurately obtained even if the cooling time is omitted . However, if there is an error in the correction coefficient in the immediately preceding job of the first exposure condition, as shown in Fig. 4, if the cooling time is omitted, the correction coefficient in each exposure condition can not be obtained accurately. 4 is a diagram showing an example of variation of the aberration of the projection optical system 110. Fig. In Fig. 4, the horizontal axis represents time, and the vertical axis represents aberration (aberration) of the projection optical system 110. Fig. 4 shows variations in the aberration of the projection optical system 110 when the substrate 115 is exposed in each of the first exposure condition, the second exposure condition, and the third exposure condition.

여기에서, 어떤 노광 조건의 직전 잡에 있어서의 보정계수에 오차가 있을 경우에, 어떤 노광 조건에 있어서의 보정계수를 정확하게 구할 수 없는 이유에 대해 설명한다. 이해를 쉽게 하기 위해서, 우선, 직전 잡에 있어서의 보정계수에 오차가 없을 경우에 대해 설명한다. Here, the reason why the correction coefficient in an exposure condition can not be accurately obtained when there is an error in the correction coefficient in a job immediately before an exposure condition will be described. First, for ease of understanding, the case where there is no error in the correction coefficient in the immediately preceding job will be described.

여기에서, 예를 들면, 1 로트의 노광중에 투영 광학계(110)의 결상 특성, 구체적으로는, 포커스를 복수회 계측하는 것으로 하고, 1 로트의 노광 시간은, 400초로 한다. 또한, 시정수 TS1은, 1종류로 하고, 200초로 한다. 노광 개시시(t=0)에 있어서 직전 잡에 의한 투영 광학계(110)의 포커스의 예측값을 15nm로 한다. 이러한 예측값은, 식 (1) 내지 식 (3)을 사용해서 예측하기 때문에, 보정계수에 오차가 없으면, 노광 개시시에 있어서의 예측값에도 오차가 없게 된다. 투영 광학계(110)의 포커스를, 실제로, 노광 개시시에 계측했을 때의 계측값을 도 5a에 나타낸다. Here, for example, the imaging characteristic of the projection optical system 110 during the exposure of one lot, more specifically, the focus is measured plural times, and the exposure time of one lot is set to 400 seconds. The time constant TS1 is set to one type and is set to 200 seconds. At the start of exposure (t = 0), the predicted value of the focus of the projection optical system 110 by the previous job is 15 nm. Since these predicted values are predicted using the equations (1) to (3), if there is no error in the correction coefficients, there is no error in the predicted values at the start of exposure. 5A shows measured values when the focus of the projection optical system 110 is actually measured at the start of exposure.

노광후의 어떤 시간에 있어서의 예측값을 ΔF2, 노광후의 다음의 시간에 있어서의 예측값을 ΔF3로 하면, 식 (2) 및 식 (3)을 사용해서(즉, 노광 모델식과 비노광 모델식을 선택하여 사용함으로써), 이하의 식이 얻어진다. Assuming that the predicted value at a certain time after exposure is DELTA F2 and the predicted value at the next time after exposure is DELTA F3, the exposure model equation and the non-exposure model equation are selected by using equations (2) and , The following equation is obtained.

ΔF2=ΔF1+F1×(1-exp(-Δt/TS1)) ? F2 =? F1 + F1 (1-exp (-Δt / TS1))

ΔF3=ΔF2×(1-exp(-Δt/TS1)) ? F3 =? F2 (1-exp (-Δt / TS1))

이러한 식에 ΔF1=15nm을 대입하고, 투영 광학계(110)의 포커스를 복수회 계측해서 얻어진 복수의 계측값에 대하여 피팅을 행함으로써 보정계수(최대 변동량 F1)를 구한다. 이 경우, 보정계수는, 100nm가 된다. The correction coefficient (maximum variation F1) is obtained by substituting ΔF1 = 15 nm into this equation and fitting the plurality of measurement values obtained by measuring the focus of the projection optical system 110 a plurality of times. In this case, the correction coefficient is 100 nm.

다음에, 직전 잡에 있어서의 보정계수에 오차가 있을 경우, 즉, 노광 개시시에 있어서 예측값에 오차(예측 오차)가 있을 경우를 생각한다. 여기에서, 예측 오차를 15nm로 하면, 도 5a에 나타낸 것과 같이, 노광 개시시(t=0)에서의 예측값은, 30nm가 된다. 예측값에 오차가 있어도, 각 계측값 사이의 변동량은 바뀌지 않기 때문에, 도 5a에 실선의 커브에서 예측값에 대하여 보정계수를 구하게 된다. 이 경우, 상기한 식에 대하여 ΔF1=30nm을 대입하기 때문에, 보정계수는, 115nm가 된다. Next, a case is considered where there is an error in the correction coefficient in the immediately preceding job, that is, when there is an error (prediction error) in the predicted value at the start of exposure. Assuming that the prediction error is 15 nm, as shown in Fig. 5A, the predicted value at the start of exposure (t = 0) is 30 nm. Even if there is an error in the predicted value, the amount of variation between the measured values does not change. Therefore, a correction coefficient is obtained for the predicted value on the solid line curve in Fig. In this case, since? F1 = 30 nm is substituted for the above formula, the correction coefficient is 115 nm.

이러한 다른 보정계수에 대하여, ΔF1=0으로 했을 때의 식 (2)을 도 5b에 나타낸다. 도 5b에서 명확한 것과 같이, 예측 오차가 있을 경우에는, 오차를 포함하는 보정계수를 구해 버리기 때문에, 참인 보정계수에 대하여 변화가 큰 커브가 된다. 이렇게, 예측 오차가 있을 경우에는, 결과적으로, 잘못된 보정계수가 구해진다. For these other correction coefficients, equation (2) when? F1 = 0 is shown in Fig. 5B. As apparent from Fig. 5B, when there is a prediction error, a correction coefficient including an error is obtained, so that a curve having a large change with respect to the true correction coefficient is obtained. In this way, when there is a prediction error, as a result, a wrong correction coefficient is obtained.

따라서, 본실시형태에서는, 투영 광학계(110)의 결상 특성의 변동을 표시하는 모델식에 사용되는 보정계수를 결정하는 결정방법에 있어서, 쿨링 시간을 단축하면서도 보정계수의 정밀도를 단계적으로 향상시키는 방법을 제안한다. Therefore, in the present embodiment, in the determination method for determining the correction coefficient used in the model expression that expresses the fluctuation of the imaging characteristic of the projection optical system 110, there is a method of stepping up the accuracy of the correction coefficient while shortening the cooling time .

도 6은, 본 실시형태에 있어서의 투영 광학계(110)의 결상 특성의 변동을 표시하는 모델식에 사용되는 보정계수를 결정하는 결정방법을 설명하기 위한 흐름도다. 이러한 결정방법은, 주 제어부(125)에서 실행하는 것도 가능하고, 노광장치(1)의 외부의 정보 처리장치에서 실행하는 것도 가능하다. FIG. 6 is a flowchart for explaining a determination method for determining a correction coefficient used in a model expression that represents a variation in imaging characteristic of the projection optical system 110 in the present embodiment. This determination method can be executed by the main control unit 125 or by an information processing apparatus outside the exposure apparatus 1. [

S1에 있어서, 노광장치(1)에서 행해지는 노광의 노광 조건에 대응하는 보정계수(제2계수)를 취득한다. 이러한 보정계수는, 노광장치(1)(주 제어부(125)의 메모리나 노광장치(1)의 기억장치)에 미리 기억되어 있다. (Second coefficient) corresponding to the exposure condition of the exposure performed in the exposure apparatus 1 in step S1. These correction coefficients are stored in advance in the exposure apparatus 1 (the memory of the main control unit 125 and the memory of the exposure apparatus 1).

S2에 있어서, 노광의 개시시에 있어서의 투영 광학계(110)의 결상 특성의 예측값을 취득한다. 이러한 예측값은, 본 노광(이제부터 행하는 노광) 앞의 노광에 있어서의 투영 광학계(110)의 결상 특성의 변동의 잔차에 해당한다. 앞의 노광의 종료로부터 쿨링 시간을 충분하게 설치하면, S2에서 취득되는 노광의 개시시에 있어서의 투영 광학계(110)의 결상 특성의 예측값은, 제로에 가까워진다. 단, 본실시형태에서는, 쿨링 시간을 단축하기 위해서, S2에서 취득되는 노광의 개시시에 있어서의 투영 광학계(110)의 결상 특성의 예측값은, 제로는 아니다. S2, a predicted value of the imaging characteristic of the projection optical system 110 at the start of exposure is obtained. This predicted value corresponds to the residual of the fluctuation of the imaging characteristic of the projection optical system 110 in the exposure prior to the present exposure (exposure to be performed from now). If the cooling time is sufficiently provided from the end of the previous exposure, the predicted value of the imaging characteristic of the projection optical system 110 at the start of exposure acquired in S2 becomes close to zero. However, in the present embodiment, in order to shorten the cooling time, the predicted value of the imaging characteristic of the projection optical system 110 at the start of exposure acquired in S2 is not zero.

S3에 있어서, 노광을 개시한다. S4에 있어서, 노광장치(1)가 기판(115)의 노광을 행하고 있는 동안에, 투영 광학계(110)의 결상 특성을 복수회 계측해서 복수의 계측값을 취득한다. 예를 들면, 상기한 바와 같이, 1 로트의 노광과 노광 사이(예를 들면, 기판(115)의 교환시)에, 계측부(123)에 의해, 투영 광학계(110)의 결상 특성을 복수회 계측한다. In S3, exposure is started. In S4, while the exposure apparatus 1 is performing exposure of the substrate 115, the imaging characteristics of the projection optical system 110 are measured a plurality of times to acquire a plurality of measured values. For example, as described above, the measuring unit 123 measures the imaging characteristic of the projection optical system 110 a plurality of times (for example, when the substrate 115 is exchanged) between exposure and exposure of one lot do.

S5에 있어서, S2에서 취득된 노광의 개시시에 있어서의 투영 광학계(110)의 결상 특성의 예측값과, S4에서 취득한 복수의 계측값에 근거하여, 식 (1) 내지 식 (3)을 사용해서 보정계수(제1계수)를 구한다(제1공정). (1) to (3) on the basis of the predicted value of the imaging characteristic of the projection optical system 110 at the start of exposure acquired at S2 and the plurality of measured values acquired at S4 in S5 A correction coefficient (first coefficient) is obtained (first step).

S6에 있어서, S5에서 구한 보정계수를, 모델식에 사용되는 최종적인 보정계수로서 갱신할 것인가 아닌지를 판정한다. 구체적으로는, S1에서 취득된 보정계수(노광장치(1)에 미리 기억되어 있는 제2계수)와, S5에서 구한 보정계수(제1계수)의 차이의 절대값이 허용범위에 들어가 있는지 아닌지 판정한다(제2공정). 허용범위는, 노광장치(1)에 미리 기억되어 있다. S1에서 취득한 보정계수와, S5에서 구한 보정계수의 차이의 절대값이 허용범위에 들어가 있을 경우에는, S7로 이행한다. 또한, S1에서 취득된 보정계수와, S5에서 구한 보정계수의 차이의 절대값이 허용범위에 들어가 있지 않은 경우에는, S8으로 이행한다. In S6, it is determined whether or not the correction coefficient obtained in S5 is to be updated as the final correction coefficient used in the model expression. Specifically, it is determined whether or not the absolute value of the difference between the correction coefficient (the second coefficient stored in advance in the exposure apparatus 1) obtained in S1 and the correction coefficient (the first coefficient) obtained in S5 is within the permissible range (Second step). The allowable range is stored in the exposure apparatus 1 in advance. If the absolute value of the difference between the correction coefficient obtained in S1 and the correction coefficient obtained in S5 is within the allowable range, the process proceeds to S7. When the absolute value of the difference between the correction coefficient obtained in S1 and the correction coefficient obtained in S5 is not within the permissible range, the process proceeds to S8.

S7에 있어서, S5에서 구한 보정계수(제1계수)를 노광장치(1)에 설정한다, 즉, S5에서 구한 보정계수가 모델식에 사용되도록, 노광장치(1)에 기억되어 있는 보정계수(제2계수)를 갱신한다(제3공정). 이에 따라, 동일한 노광 조건에서 노광이 행해질 경우에는, 투영 광학계(110)의 결상 특성을 복수회 계측하지(S4) 않고, S5에서 구한 보정계수를 사용해서 투영 광학계(110)의 결상 특성을 예측하면서 노광을 행하는 것이 가능해 진다. 따라서, 1 로트의 노광에 있어서, 투영 광학계(110)의 결상 특성을 복수회 계측하는 것이 불필요하게 되기 때문에, 스루풋의 저하를 억제할 수 있다. The correction coefficient (first coefficient) obtained in S5 is set in the exposure apparatus 1 in S7, that is, the correction coefficient obtained in S5 is stored in the exposure apparatus 1 Second coefficient) (third step). Accordingly, when the exposure is performed under the same exposure conditions, the imaging characteristic of the projection optical system 110 is predicted using the correction coefficient obtained in S5 without measuring the imaging characteristic of the projection optical system 110 plural times (S4) It is possible to perform exposure. Therefore, it is not necessary to measure the imaging characteristic of the projection optical system 110 a plurality of times in one lot exposure, so that it is possible to suppress deterioration of the throughput.

S8에 있어서, S2에서 취득한 예측값으로부터 얻어지는 보정계수(제1계수)의 제1평가값과, S1에서 취득한 보정계수를 구할 때에 모델식으로부터 얻어진 예측값으로부터 얻어지는 보정계수(제2계수)의 제2평가값을 비교한다. 본실시형태에서는, 제1평가값이 제2평가값 미만인지, 제1평가값이 제2평가값 이상인지를 판정한다. 이때, 제2평가값은, S1에서 취득되는 보정계수(제2계수)에 관련시켜 노광장치(1)에 미리 기억되어 있다. (Second coefficient) obtained from the predictive value obtained from the model equation when obtaining the first evaluation value of the correction coefficient (first coefficient) obtained from the predictive value obtained in S2 and the correction coefficient obtained in S1 in S8, Compare the values. In the present embodiment, it is determined whether the first evaluation value is less than the second evaluation value and whether the first evaluation value is greater than or equal to the second evaluation value. At this time, the second evaluation value is stored in advance in the exposure apparatus 1 in association with the correction coefficient (second coefficient) acquired in S1.

제1평가값 및 제2평가값, 상세하게는, 보정계수의 신뢰성을 나타내는 평가값은, S1에서 취득한 보정계수를 구할 때에 취득한, 노광의 개시시에 있어서의 예측값 ΔF1, 및, S2에서 취득한 예측값 ΔF1에 의해 구해진다. 구체적으로는, 평가값 V는, 이하의 식 (4)에 나타낸 것과 같이, 복수의 시정수의 각각에 설정된 가중 계수와, 예측값 ΔF1과의 선형 합의 절대값으로 표시된다. More specifically, the evaluation value indicating the reliability of the correction coefficient is a value obtained by subtracting the predicted value? F1 at the start of exposure and the predicted value? Is obtained by? F1. Specifically, the evaluation value V is expressed by the absolute value of the linear sum of the weighting coefficient set for each of the plurality of time constants and the predicted value? F1, as shown in the following equation (4).

V=|ΔF1_TS1×가중_TS1+ΔF1_TS2×가중_TS2+ΔF1_TS3×가중_TS3|…(4) V = | ΔF1_TS1 × weight_TS1 + ΔF1_TS2 × weight_TS2 + ΔF1_TS3 × weight_TS3 | (4)

예측값 ΔF1은, 식 (3)을 사용해서 앞의 노광 조건에 있어서의 투영 광학계(110)의 결상 특성의 변동으로부터 예측하기 때문에, 시정수마다 예측값이 구해진다. 이러한 예측값은, ΔF1_TS1, ΔF1_TS2 및 ΔF1_TS3이다. 여기에서는, 시정수를 3종류로 가정하고 있다. 또한, 가중_TS1, 가중_TS2 및 가중_TS3은, 시정수마다 노광장치(1)에 미리 설정되어 있는 가중 계수다. Since the predicted value? F1 is predicted from the fluctuation of the imaging characteristic of the projection optical system 110 in the previous exposure condition using the equation (3), a predicted value is obtained for each time constant. These predicted values are? F1_TS1,? F1_TS2 and? F1_TS3. In this case, the time constant is assumed to be three types. Further, the weight_TS1, the weight_TS2, and the weight_TS3 are weighting factors preset in the exposure apparatus 1 for each time constant.

여기에서, 예측값 ΔF1에 오차(예측 오차)가 있을 경우를 생각한다. 예측값 ΔF1은, 직전 잡에 있어서 식 (3)을 사용해서 예측한다. 예측값 ΔF1에 예측 오차가 있는 경우와 예측값 ΔF1에 예측 오차가 없는 경우를 도 7에 나타낸다. 도 7에서는, 세로축은, 투영 광학계(110)의 포커스를 나타내고, 가로축은, 시간을 나타내고 있다. 식 (3)의 특성으로부터, 예측 오차량 A는, 예측 오차가 있는 경우의 예측값 B에 의존하고, 예측값 B가 작아짐에 따라서, 예측 오차량 A도 작아진다. 충분한 쿨링 시간을 설치함으로써, 예측값 B를 무한히 제로에 가깝게 할 수 있다. 이에 따라, 예측 오차량 A도 제로에 가까워지고, 이 상태로부터 보정계수를 구하면, 이러한 보정계수에는 오차가 포함되지 않게 된다. Here, a case where an error (prediction error) exists in the predicted value? F1 is considered. The predicted value? F1 is predicted using equation (3) in the immediately preceding job. FIG. 7 shows the case where the predicted value? F1 has a prediction error and the case where the predicted value? F1 has no prediction error. In Fig. 7, the vertical axis represents the focus of the projection optical system 110, and the horizontal axis represents time. From the characteristics of the equation (3), the prediction error A depends on the prediction value B when there is a prediction error, and as the prediction value B becomes smaller, the prediction error A also becomes smaller. By providing a sufficient cooling time, the predicted value B can be infinitely close to zero. Accordingly, the prediction error A also becomes zero, and when the correction coefficient is obtained from this state, the correction coefficient does not include an error.

식 (4)에 있어서의 가중 계수에 대해 설명한다. 시정수가 긴 성분에 오차가 있는 경우와, 시정수가 짧은 성분에 오차가 있는 경우에서는, 모델식에 사용하고 있는 시정수의 크기에 의해, 1 로트 내의 투영 광학계(110)의 결상 특성의 변동에 미치는 영향이 다르다. The weighting coefficient in the equation (4) will be described. In the case where there is an error in a component with a long time constant and in a case where there is an error in a component with a short time constant, the influence of variation in the imaging characteristic of the projection optical system 110 in one lot The effects are different.

노광의 개시시에 있어서의 예측값에 오차가 있으면, 이러한 예측값으로부터 얻어지는 보정계수에도 오차가 포함되어 버린다. 도 8a 및 도 8b의 각각 나타낸 것과 같이, 긴 시정수를 200초로 하고, 짧은 시정수를 5000초로 한다. 도 8a 및 도 8b에서는, 세로축은, 투영 광학계(110)의 포커스를 나타내고, 가로축은, 시간을 나타내고 있다. 참인 보정계수를 긴 시정수 및 짧은 시정수에서 모두 100nm로 하고, 보정계수의 오차를 긴 시정수 및 짧은 시정수에서 모두 50nm로 한다. 도 8a 및 도 8b로부터 명확해지는 것과 같이, 1 로트 내에서의 예측 오차량은, 짧은 시정수 쪽이 영향이 큰 것을 알 수 있다. If there is an error in the predicted value at the start of exposure, the correction coefficient obtained from such a predicted value also includes an error. As shown in Figs. 8A and 8B, the long time constant is set to 200 seconds and the short time constant is set to 5000 seconds. 8A and 8B, the vertical axis represents the focus of the projection optical system 110, and the horizontal axis represents time. The true correction coefficient is set to 100 nm in both the long time constant and the short time constant, and the error of the correction coefficient is set to 50 nm in both the long time constant and the short time constant. As can be seen from Figs. 8A and 8B, it can be seen that the prediction error in one lot has a large effect on the short time constant.

따라서, 상기한 바와 같이, 시정수의 크기에 따라, 가중 계수를 설정할 필요가 있다. 평가량 V는, 시정수의 영향도 고려하여, S5에서 구한 보정계수(오차를 포함하는 보정계수)에 의해, 소정의 노광 기간에 있어서의 예측 오차의 영향도에 해당한다. 그 때문에, 값이 큰 쪽이 오차를 주기 쉬워지기 때문에, 보정계수의 신뢰성은 낮은 것으로 판단할 수 있다. Therefore, as described above, it is necessary to set a weighting factor according to the size of the time constant. The evaluation amount V corresponds to the influence of the prediction error in the predetermined exposure period by the correction coefficient (correction coefficient including the error) obtained in S5 in consideration of the influence of the time constant. Therefore, the larger the value, the easier the error is to be made, so that the reliability of the correction coefficient can be judged to be low.

도 6으로 되돌아가, S8에 있어서, 제1평가값이 제2평가값 미만일 경우에는, S9로 이행한다. 이 경우, S5에서 구한 보정계수(제1계수) 쪽이, 노광장치(1)에 기억되어 있는 보정계수(제2계수)보다도 신뢰성이 높다. 따라서, S9에 있어서, S5에서 구한 보정계수를 임시의 계수로 하여, 모델식에 사용되는 보정계수, 즉, 노광장치(1)에 기억되어 있는 보정계수를 갱신한다(제4공정). 단, S5에서 구한 보정계수는, S6에서의 조건을 만족시키고 있지 않기 때문에, 임시의 보정계수가 된다. 그 때문에, 다음에 동일한 노광 조건에서 노광을 행할 경우에는, S9에서 갱신한 보정계수, 또는, S1에서 취득한 보정계수를 사용하여, 노광이 행해진다. 또한, S9에서는, 보정계수의 갱신과 함께, 평가값도 S5에서 구한 보정계수(제1계수)의 평가값(제1평가값)으로 갱신한다. Returning to Fig. 6, in S8, when the first evaluation value is less than the second evaluation value, the process proceeds to S9. In this case, the correction coefficient (first coefficient) obtained in S5 is higher than the correction coefficient (second coefficient) stored in the exposure apparatus 1. Therefore, in S9, the correction coefficient used in the model expression, that is, the correction coefficient stored in the exposure apparatus 1, is updated with the correction coefficient obtained in S5 as a temporary coefficient (fourth step). However, since the correction coefficient obtained in S5 does not satisfy the condition in S6, it becomes a temporary correction coefficient. Therefore, when exposure is performed under the same exposure conditions, exposure is performed using the correction coefficient updated in S9 or the correction coefficient obtained in S1. In step S9, the evaluation value is updated to the evaluation value (first evaluation value) of the correction coefficient (first coefficient) obtained in S5, along with the update of the correction coefficient.

또한, S8에 있어서, 제1평가값이 제2평가값 이상일 경우에는, 모델식에 사용되는 보정계수를 갱신하지 않고, S1으로 이행한다(제4공정). If the first evaluation value is equal to or larger than the second evaluation value in S8, the correction coefficient used in the model expression is not updated, and the process proceeds to S1 (fourth process).

이렇게, 본실시형태에서는, 쿨링 시간을 단축하면서도, 신뢰성이 높은 보정계수를 채용함으로써, 보정계수의 정밀도를 효율적으로 향상시킬 수 있다. 또한, 노광에 있어서는, 이렇게 하여 보정계수가 결정된 모델식으로부터(결정 공정), 투영 광학계(110)의 결상 특성의 변동을 예측한다. 그리고, 투영 광학계(110)의 결상 특성의 변동에 근거하여, 개구 구동부(112)와 렌즈 구동부(113)에 의한 투영 광학계(110)의 결상 특성의 조정 및 기판(115)의 위치의 변경을 행하여, 기판(115)을 노광한다(노광 공정). 이러한 노광방법도 본 발명의 일측면을 구성한다. In this way, in the present embodiment, the accuracy of the correction coefficient can be efficiently improved by employing the correction coefficient with high reliability while reducing the cooling time. Further, in exposure, the fluctuation of the imaging characteristic of the projection optical system 110 is predicted from the model equation (correction process) in which correction coefficients are determined in this manner. The aperture driving unit 112 and the lens driving unit 113 adjust the imaging characteristics of the projection optical system 110 and change the position of the substrate 115 based on the fluctuation of the imaging characteristics of the projection optical system 110 , And exposes the substrate 115 (exposure step). Such an exposure method constitutes one aspect of the present invention.

본 발명의 실시형태에 있어서의 물품의 제조방법은, 예를 들면, 디바이스(반도체 소자, 자기 기억매체, 액정 표시 소자 등) 등의 물품을 제조하는데 적합하다. 이러한 제조방법은, 노광장치(1)(전술한 노광방법)를 사용하여, 감광제가 도포된 기판을 노광하는 공정과, 노광된 감광제를 현상하는 공정을 포함한다. 또한, 현상된 감광제의 패턴을 마스크로 하여 기판에 대하여 에칭 공정이나 이온 주입 공정 등을 행하여, 기판 위에 회로 패턴이 형성된다. 이들 노광, 현상, 에칭 등의 공정을 반복하여, 기판 위에 복수의 층으로 이루어진 회로 패턴을 형성한다. 후공정에서, 회로 패턴이 형성된 기판에 대하여 다이싱을 행하고, 칩의 마운팅, 본딩, 검사 공정을 행한다. 또한, 이러한 제조방법은, 다른 주지의 공정(산화, 성막, 증착, 도핑, 평탄화, 레지스트 박리 등)을 포함할 수 있다. 본 실시형태에 있어서의 물품의 제조방법은, 종래에 비해, 물품의 성능, 품질, 생산성 및 생산 코스트의 적어도 한개에 있어서 유리하다. The method of manufacturing an article in the embodiment of the present invention is suitable for producing articles such as devices (semiconductor devices, magnetic storage media, liquid crystal display elements, etc.). Such a manufacturing method includes a step of exposing a substrate coated with a photosensitizer using a light exposure apparatus 1 (the above-described exposure method), and a step of developing the exposed photosensitizer. Further, a circuit pattern is formed on the substrate by performing an etching process, an ion implantation process, and the like on the substrate using the pattern of the developed photosensitive agent as a mask. These steps of exposure, development, etching, and the like are repeated to form a circuit pattern composed of a plurality of layers on the substrate. In a later step, the substrate on which the circuit pattern is formed is subjected to dicing, and chip mounting, bonding, and inspecting steps are performed. Such a manufacturing method may also include other known processes (oxidation, deposition, deposition, doping, planarization, resist stripping, etc.). The method of manufacturing an article in the present embodiment is advantageous in at least one of the performance, quality, productivity, and production cost of the article, compared with the conventional method.

(기타 실시형태)(Other Embodiments)

본 발명은, 상기한 실시형태의 1개 이상의 기능을 실현하는 프로그램을, 네트워크 또는 기억매체를 거쳐 시스템 또는 장치에 공급하고, 그 시스템 또는 장치의 컴퓨터에 있어서의 1개 이상의 프로세서가 프로그램을 판독하여 실행하는 처리에서도 실현가능하다. 또한, 1개 이상의 기능을 실현하는 회로(예를 들면, ASIC)에 의해서도 실현가능하다. The present invention can be realized by supplying a program or a program for realizing one or more functions of the above embodiments to a system or an apparatus via a network or a storage medium and by reading one or more programs in the computer of the system or apparatus It is also possible to execute the processing. Further, it can be realized by a circuit (for example, an ASIC) that realizes one or more functions.

이상, 본 발명의 바람직한 실시형태에 대해 설명했지만, 본 발명은 이들 실시형태에 한정되지 않는 것은 말할 필요도 없고, 그 요지의 범위 내에서 다양한 변형 및 변경이 가능하다. Although the preferred embodiments of the present invention have been described above, it is needless to say that the present invention is not limited to these embodiments, and various modifications and changes are possible within the scope of the present invention.

Claims (10)

마스크의 패턴을 투영 광학계를 거쳐 기판에 전사하는 노광장치에 있어서 상기 투영 광학계의 결상 특성의 변동을 나타내는 모델식에 사용되는 상기 결상 특성의 포화값을 나타내는 계수를 결정하는 결정방법으로서,
상기 결상 특성을 복수회 계측해서 얻어지는 복수의 계측값과, 상기 모델식으로부터 얻어진 상기 기판의 노광의 개시시에 있어서의 상기 결상 특성의 예측값에 근거하여, 상기 결상 특성의 포화값을 나타내는 제1계수를 구하는 제1공정과,
상기 제1계수와, 상기 노광장치에 기억되어 있는 상기 모델식에 사용되는 상기 결상 특성의 포화값을 나타내는 제2계수와의 차이가 허용범위에 들어가 있는지 아닌지를 판정하는 제2공정과,
상기 차이가 상기 허용범위에 들어가 있는 경우에, 상기 제1계수가 상기 모델식에 사용되도록 상기 계수를 갱신하는 제3공정과,
상기 차이가 상기 허용범위에 들어가 있지 않은 경우에, 상기 예측값으로부터 얻어지는 상기 제1계수의 제1평가값과, 상기 제2계수를 구할 때에 상기 모델식으로부터 얻어진 상기 결상 특성의 예측값으로부터 얻어지는 상기 제2계수의 제2평가값을 비교하여, 상기 제1평가값이 상기 제2평가값 미만이면, 상기 제1계수를 임시의 계수로 하여 상기 계수를 갱신하고, 상기 제1평가값이 상기 제2평가값 이상이면, 상기 계수를 갱신하지 않는 제4공정을 갖는 것을 특징으로 하는 결정방법.
There is provided a determination method for determining a coefficient indicating a saturation value of the imaging characteristic used in a model equation representing variation in imaging characteristics of the projection optical system in an exposure apparatus that transfers a pattern of a mask onto a substrate via a projection optical system,
A first coefficient indicating a saturation value of the imaging characteristic on the basis of a plurality of measured values obtained by measuring the imaging characteristic a plurality of times and a predicted value of the imaging characteristic at the start of exposure of the substrate obtained from the model equation, A first step of obtaining a first-
A second step of determining whether a difference between the first coefficient and a second coefficient indicating a saturation value of the imaging characteristic used in the model equation stored in the exposure apparatus falls within an allowable range,
A third step of updating the coefficient so that the first coefficient is used for the model expression when the difference falls within the allowable range;
Which is obtained from the predicted value of the imaging characteristic obtained from the model expression when the second coefficient is obtained and the first evaluation value of the first coefficient obtained from the predictive value when the difference does not fall within the allowable range, The first evaluation value is compared with the second evaluation value of the coefficient to update the coefficient with the first coefficient as a temporary coefficient when the first evaluation value is less than the second evaluation value, Value, the fourth step of not updating the coefficient.
제 1항에 있어서,
상기 모델식은, 복수의 시정수를 포함하고,
상기 제1평가값 및 상기 제2평가값의 각각은, 상기 복수의 시정수의 각각에 설정된 가중 계수와, 상기 예측값과의 선형 합의 절대값을 포함하는 것을 특징으로 하는 결정방법.
The method according to claim 1,
The model equation includes a plurality of time constants,
Wherein each of the first evaluation value and the second evaluation value includes an absolute value of a linear sum of the weighting coefficient set for each of the plurality of time constants and the predicted value.
제 1항 또는 제 2항에 있어서,
상기 제2평가값은, 상기 노광장치에 기억되어 있는 것을 특징으로 하는 결정방법.
3. The method according to claim 1 or 2,
And the second evaluation value is stored in the exposure apparatus.
제 3항에 있어서,
상기 제4공정에서는, 상기 제1평가값이 상기 제2평가값 미만이면, 상기 제1평가값을 임시의 평가값으로 하여 상기 제2평가값을 갱신하는 것을 특징으로 하는 결정방법.
The method of claim 3,
And in the fourth step, when the first evaluation value is less than the second evaluation value, the second evaluation value is updated with the first evaluation value as a temporary evaluation value.
제 1항에 있어서,
상기 모델식은, 상기 노광장치가 상기 기판의 노광을 행하고 있는 동안의 상기 결상 특성의 변동을 표시하는 노광 모델식과, 상기 노광장치가 상기 기판의 노광을 종료한 후의 상기 결상 특성의 변동을 표시하는 비노광 모델식을 포함하고,
상기 제1공정에서는, 상기 비노광 모델식을 사용해서 상기 예측값을 구하는 것을 특징으로 하는 결정방법.
The method according to claim 1,
Wherein the model formula includes an exposure model expression that indicates a variation of the imaging characteristic while the exposure apparatus is performing exposure of the substrate and a exposure model expression that expresses a variation of the imaging characteristic after the exposure apparatus finishes exposure of the substrate Exposure model equation,
Wherein in the first step, the predicted value is obtained using the non-exposure model equation.
제 1항에 있어서,
상기 결상 특성은, 포커스, 배율, 왜곡 수차, 비점수차 및 파면수차 중 적어도 1개를 포함하는 것을 특징으로 하는 결정방법.
The method according to claim 1,
Wherein the imaging characteristic includes at least one of a focus, a magnification, a distortion aberration, an astigmatism, and a wavefront aberration.
마스크의 패턴을 투영 광학계를 거쳐 기판에 전사하는 노광장치를 사용해서 상기 기판을 노광하는 노광방법으로서,
상기 투영 광학계의 결상 특성의 변동을 표시하는 모델식에 사용되는 상기 결상 특성의 포화값을 나타내는 계수를 결정하는 결정 공정과,
상기 계수가 결정된 상기 모델식으로부터 얻어지는 상기 투영 광학계의 결상 특성의 변동에 근거하여 상기 투영 광학계의 결상 특성의 조정 또는 상기 기판의 위치의 변경을 행하여, 상기 기판을 노광하는 노광 공정을 갖고,
상기 결정 공정은,
상기 결상 특성을 복수회 계측해서 얻어지는 복수의 계측값과, 상기 모델식으로부터 얻어진 상기 기판의 노광의 개시시에 있어서의 상기 결상 특성의 예측값에 근거하여, 상기 결상 특성의 포화값을 나타내는 제1계수를 구하는 제1공정과,
상기 제1계수와, 상기 노광장치에 기억되어 있는 상기 모델식에 사용되는 상기 결상 특성의 포화값을 나타내는 제2계수의 차이가 허용범위에 들어가 있는지 아닌지를 판정하는 제2공정과,
상기 차이가 상기 허용범위에 들어가 있는 경우에, 상기 제1계수가 상기 모델식에 사용되도록 상기 계수를 갱신하는 제3공정과,
상기 차이가 상기 허용범위에 들어가 있지 않은 경우에, 상기 예측값으로부터 얻어지는 상기 제1계수의 제1평가값과, 상기 제2계수를 구할 때에 상기 모델식으로부터 얻어진 상기 결상 특성의 예측값으로부터 얻어지는 상기 제2계수의 제2평가값을 비교하여, 상기 제1평가값이 상기 제2평가값 미만이면, 상기 제1계수를 임시의 계수로 하여 상기 계수를 갱신하고, 상기 제1평가값이 상기 제2평가값 이상이면, 상기 계수를 갱신하지 않는 제4공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 노광방법.
An exposure method for exposing a substrate using an exposure apparatus that transfers a pattern of a mask onto a substrate via a projection optical system,
A determining step of determining a coefficient indicating a saturation value of the imaging characteristic used in a model equation representing a variation in imaging characteristic of the projection optical system;
And an exposure step of exposing the substrate by adjusting an imaging characteristic of the projection optical system or changing a position of the substrate on the basis of a fluctuation of an imaging characteristic of the projection optical system obtained from the model equation in which the coefficient is determined,
The above-
A first coefficient indicating a saturation value of the imaging characteristic on the basis of a plurality of measured values obtained by measuring the imaging characteristic a plurality of times and a predicted value of the imaging characteristic at the start of exposure of the substrate obtained from the model equation, A first step of obtaining a first-
A second step of determining whether a difference between the first coefficient and a second coefficient indicating a saturation value of the imaging characteristic used in the model equation stored in the exposure apparatus falls within an allowable range,
A third step of updating the coefficient so that the first coefficient is used for the model expression when the difference falls within the allowable range;
Which is obtained from the predicted value of the imaging characteristic obtained from the model expression when the second coefficient is obtained and the first evaluation value of the first coefficient obtained from the predictive value when the difference does not fall within the allowable range, The first evaluation value is compared with the second evaluation value of the coefficient to update the coefficient with the first coefficient as a temporary coefficient when the first evaluation value is less than the second evaluation value, Value, the coefficient is not updated.
마스크의 패턴을 투영 광학계를 거쳐 기판에 전사하는 노광장치에 있어서 상기 투영 광학계의 결상 특성의 변동을 표시하는 모델식에 사용되는 상기 결상 특성의 포화값을 나타내는 계수를 결정하는 정보 처리장치로서,
상기 결상 특성을 복수회 계측해서 얻어지는 복수의 계측값과, 상기 모델식으로부터 얻어진 상기 기판의 노광의 개시시에 있어서의 상기 결상 특성의 예측값에 근거하여, 상기 결상 특성의 포화값을 나타내는 제1계수를 구하고,
상기 제1계수와, 상기 노광장치에 기억되어 있는 상기 모델식에 사용되는 상기 결상 특성의 포화값을 나타내는 제2계수의 차이가 허용범위에 들어가 있는지 아닌지를 판정하여,
상기 차이가 상기 허용범위에 들어가 있는 경우에, 상기 제1계수가 상기 모델식에 사용되도록 상기 계수를 갱신하고,
상기 차이가 상기 허용범위에 들어가 있지 않은 경우에, 상기 예측값으로부터 얻어지는 상기 제1계수의 제1평가값과, 상기 제2계수를 구할 때에 상기 모델식으로부터 얻어진 상기 결상 특성의 예측값으로부터 얻어지는 상기 제2계수의 제2평가값을 비교하여, 상기 제1평가값이 상기 제2평가값 미만이면, 상기 제1계수를 임시의 계수로 하여 상기 계수를 갱신하고, 상기 제1평가값이 상기 제2평가값 이상이면, 상기 계수를 갱신하지 않는 것을 특징으로 하는 정보 처리장치.
There is provided an information processing apparatus for determining a coefficient indicating a saturation value of the imaging characteristic used in a model expression for expressing a variation in imaging characteristic of the projection optical system in an exposure apparatus for transferring a pattern of a mask onto a substrate via a projection optical system,
A first coefficient indicating a saturation value of the imaging characteristic on the basis of a plurality of measured values obtained by measuring the imaging characteristic a plurality of times and a predicted value of the imaging characteristic at the start of exposure of the substrate obtained from the model equation, Is obtained,
It is determined whether or not a difference between the first coefficient and a second coefficient indicating a saturation value of the imaging characteristic used in the model equation stored in the exposure apparatus falls within an allowable range,
Updating the coefficient so that the first coefficient is used in the model expression when the difference falls within the allowable range,
Which is obtained from the predicted value of the imaging characteristic obtained from the model expression when the second coefficient is obtained and the first evaluation value of the first coefficient obtained from the predictive value when the difference does not fall within the allowable range, The first evaluation value is compared with the second evaluation value of the coefficient to update the coefficient with the first coefficient as a temporary coefficient when the first evaluation value is less than the second evaluation value, Value, the coefficient is not updated.
마스크의 패턴을 투영 광학계를 거쳐 기판에 전사하는 노광장치에 있어서 상기 투영 광학계의 결상 특성의 변동을 나타내는 모델식에 사용되는 상기 결상 특성의 포화값을 나타내는 계수를 결정하는 결정방법을 정보 처리장치에 실행시키기 위해 매체에 기억된 프로그램으로서,
상기 프로그램은, 상기 정보 처리장치에,
상기 결상 특성을 복수회 계측해서 얻어지는 복수의 계측값과, 상기 모델식으로부터 얻어진 상기 기판의 노광의 개시시에 있어서의 상기 결상 특성의 예측값에 근거하여, 상기 결상 특성의 포화값을 나타내는 제1계수를 구하는 제1공정과,
상기 제1계수와, 상기 노광장치에 기억되어 있는 상기 모델식에 사용되는 상기 결상 특성의 포화값을 나타내는 제2계수의 차이가 허용범위에 들어가 있는지 아닌지를 판정하는 제2공정과,
상기 차이가 상기 허용범위에 들어가 있는 경우에, 상기 제1계수가 상기 모델식에 사용되도록 상기 계수를 갱신하는 제3공정과,
상기 차이가 상기 허용범위에 들어가 있지 않은 경우에, 상기 예측값으로부터 얻어지는 상기 제1계수의 제1평가값과, 상기 제2계수를 구할 때에 상기 모델식으로부터 얻어진 상기 결상 특성의 예측값으로부터 얻어지는 상기 제2계수의 제2평가값을 비교하여, 상기 제1평가값이 상기 제2평가값 미만이면, 상기 제1계수를 임시의 계수로 하여 상기 계수를 갱신하고, 상기 제1평가값이 상기 제2평가값 이상이면, 상기 계수를 갱신하지 않는 제4공정을 실행시키는 것을 특징으로 하는 매체에 기억된 프로그램.
A determination method for determining a coefficient indicating a saturation value of the imaging characteristic used in a model expression that represents a variation in imaging characteristic of the projection optical system in an exposure apparatus that transfers a pattern of a mask to a substrate via a projection optical system, A program stored in a medium for execution,
The program causes the information processing apparatus to execute:
A first coefficient indicating a saturation value of the imaging characteristic on the basis of a plurality of measured values obtained by measuring the imaging characteristic a plurality of times and a predicted value of the imaging characteristic at the start of exposure of the substrate obtained from the model equation, A first step of obtaining a first-
A second step of determining whether a difference between the first coefficient and a second coefficient indicating a saturation value of the imaging characteristic used in the model equation stored in the exposure apparatus falls within an allowable range,
A third step of updating the coefficient so that the first coefficient is used for the model expression when the difference falls within the allowable range;
Which is obtained from the predicted value of the imaging characteristic obtained from the model expression when the second coefficient is obtained and the first evaluation value of the first coefficient obtained from the predictive value when the difference does not fall within the allowable range, The first evaluation value is compared with the second evaluation value of the coefficient to update the coefficient with the first coefficient as a temporary coefficient when the first evaluation value is less than the second evaluation value, Value is equal to or greater than a predetermined value, the coefficient is not updated.
마스크의 패턴을 기판에 투영하는 투영 광학계의 결상 특성의 변동을 표시하는 모델식에 사용되는 상기 결상 특성의 포화값을 나타내는 계수를 결정하는 결정 공정과,
상기 계수가 결정된 상기 모델식으로부터 얻어지는 상기 투영 광학계의 결상 특성의 변동에 근거하여 상기 투영 광학계의 결상 특성의 조정 또는 상기 기판의 위치의 변경을 행하여, 상기 기판의 감광제를 노광하는 노광 공정과,
노광된 상기 기판의 감광제를 현상해서 상기 감광제의 패턴을 형성하는 공정과,
현상된 상기 감광제의 패턴을 기초로 상기 기판에 패턴을 형성하고, 패턴이 형성된 기판을 가공함으로써 물품을 제조하는 공정을 갖고,
상기 결정 공정은,
상기 결상 특성을 복수회 계측해서 얻어지는 복수의 계측값과, 상기 모델식으로부터 얻어진 상기 기판의 노광의 개시시에 있어서의 상기 결상 특성의 예측값에 근거하여, 상기 결상 특성의 포화값을 나타내는 제1계수를 구하는 제1공정과,
상기 제1계수와, 상기 노광장치에 기억되어 있는 상기 모델식에 사용되는 상기 결상 특성의 포화값을 나타내는 제2계수의 차이가 허용범위에 들어가 있는지 아닌지를 판정하는 제2공정과,
상기 차이가 상기 허용범위에 들어가 있는 경우에, 상기 제1계수가 상기 모델식에 사용되도록 상기 계수를 갱신하는 제3공정과,
상기 차이가 상기 허용범위에 들어가 있지 않은 경우에, 상기 예측값으로부터 얻어지는 상기 제1계수의 제1평가값과, 상기 제2계수를 구할 때에 상기 모델식으로부터 얻어진 상기 결상 특성의 예측값으로부터 얻어지는 상기 제2계수의 제2평가값을 비교하여, 상기 제1평가값이 상기 제2평가값 미만이면, 상기 제1계수를 임시의 계수로 하여 상기 계수를 갱신하고, 상기 제1평가값이 상기 제2평가값 이상이면, 상기 계수를 갱신하지 않는 제4공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 물품의 제조방법.
A determining step of determining a coefficient indicating a saturation value of the imaging characteristic used in a model equation representing a variation in imaging characteristic of a projection optical system for projecting a pattern of a mask onto a substrate;
An exposure step of adjusting the imaging characteristic of the projection optical system or changing the position of the substrate based on the variation of the imaging characteristic of the projection optical system obtained from the model formula in which the coefficient is determined,
Forming a pattern of the photosensitive agent by developing the photosensitive agent of the exposed substrate;
Forming a pattern on the substrate based on the developed pattern of the photosensitive agent, and processing the substrate on which the pattern is formed to produce an article,
The above-
A first coefficient indicating a saturation value of the imaging characteristic on the basis of a plurality of measured values obtained by measuring the imaging characteristic a plurality of times and a predicted value of the imaging characteristic at the start of exposure of the substrate obtained from the model equation, A first step of obtaining a first-
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A third step of updating the coefficient so that the first coefficient is used for the model expression when the difference falls within the allowable range;
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