KR20180124270A - Wafer heating device - Google Patents

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KR20180124270A KR1020170058485A KR20170058485A KR20180124270A KR 20180124270 A KR20180124270 A KR 20180124270A KR 1020170058485 A KR1020170058485 A KR 1020170058485A KR 20170058485 A KR20170058485 A KR 20170058485A KR 20180124270 A KR20180124270 A KR 20180124270A
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Abstract

The present disclosure relates to a wafer heating device for heating a wafer, including: a substrate; a semiconductor light emitting element provided on the substrate and provided under the wafer; and a light transmitting plate which is provided between the semiconductor light emitting element and the wafer and through which light passes, wherein the edge of the light transmitting plate is a refracting unit for refracting a part of the light emitted from the semiconductor light emitting element in a wafer edge direction. Accordingly, the present invention can effectively heat the edge of the wafer.

Description

웨이퍼 가열장치{WAFER HEATING DEVICE}[0001] WAFER HEATING DEVICE [0002]

본 개시(Disclosure)는 전체적으로 웨이퍼 가열장치에 관한 것으로, 특히 웨이퍼를 균일하게 가열하는 웨이퍼 가열장치에 관한 것이다.Disclosure relates generally to a wafer heating apparatus, and more particularly to a wafer heating apparatus for uniformly heating a wafer.

도 1은 한국 공개등록특허공보 특1999-0039394호에 제시된 웨이퍼 가열장치의 일 예를 나타내는 도면이다. 설명의 편의를 위해 용어를 변경하였다.1 is a view showing an example of a wafer heating apparatus disclosed in Korean Patent Laid-Open Publication No. 1999-0039394. The terminology has been changed for convenience of explanation.

종래의 웨이퍼 가열장치는, 일반적으로 내부에 진공압을 형성하고, 웨이퍼(10)를 파지하는 척(11)을 설치하여 파지한 웨이퍼(10)를 가열하는 본체(12)와, 상기 본체(12)의 일측에 형성된 통로를 통하여 웨이퍼(10)에 빛과 열을 공급하는 램프(15)와, 상기 통로에 설치되어 상기 램프(15)에서 발생한 빛을 통과시켜서 상기 램프(15)의 빛을 웨이퍼(10)에 전달시키는 창(13)과, 상기 램프(15)를 보호하는 하우징(16)를 포함하여 이루어진다. 또한, 상기 본체(12)와 상기 램프(15)사이에 상기 본체(12)의 진공압을 유지하기 위하여 패킹부재(14)를 설치하게 된다. 상기 창(13)은 일반적으로 평판형 투명창을 사용하고 있다. 그러나, 상기와 같은 평판형 창(13)을 상기 웨이퍼(10)와, 상기 램프(15)사이에 설치하여 상기 램프(15)에서 발생한 빛을 통과시키는 종래의 웨이퍼 가열장치는 상기 창(13)을 통과한 빛이 웨이퍼(10)외에 챔버 내의 다른 곳에도 조사되기 때문에 가열효과가 떨어지고 에너지 소모율이 높은 문제점이 있었다. The conventional wafer heating apparatus generally includes a main body 12 for heating a wafer 10 provided with a chuck 11 for gripping the wafer 10 and forming a vacuum pressure therein, A lamp 15 for supplying light and heat to the wafer 10 through a passage formed at one side of the lamp 15 and passing light generated from the lamp 15 installed in the passage, And a housing (16) for protecting the lamp (15). A packing member 14 is provided between the main body 12 and the lamp 15 in order to maintain the vacuum pressure of the main body 12. The window 13 generally uses a flat transparent window. However, the conventional wafer heating apparatus in which the flat plate type window 13 is installed between the wafer 10 and the lamp 15 to pass the light generated from the lamp 15 can not be formed in the window 13, Since the light passing through the wafer 10 is also irradiated to other places in the chamber, the heating effect is lowered and the energy consumption rate is high.

도 1의 웨이퍼 가열장치는 전체적으로 웨이퍼 가열장치이며, 웨이퍼(10)를 균일하게 가열할 때, 웨이퍼(10)를 회전하면서 가열하게 된다. 그러나, 회전 때문에 웨이퍼의 가장자리가 빨리 식어버려 웨이퍼가 균일하게 가열되지 않는 문제점이 발생한다.The wafer heating apparatus shown in Fig. 1 is a wafer heating apparatus as a whole, and when the wafer 10 is uniformly heated, the wafer 10 is heated while being rotated. However, the edge of the wafer is rapidly cooled due to the rotation, and the wafer is not uniformly heated.

또한, 웨이퍼 가열장치의 소형화로 인해, 웨이퍼(10)의 크기보다 웨이퍼 가열장치의 크기가 작아져, 웨이퍼(10)의 가장자리에 빛이 닿지 않아 균일하게 가열되지 않는 문제점이 있다. In addition, due to the miniaturization of the wafer heating apparatus, the size of the wafer heating apparatus becomes smaller than the size of the wafer 10, and the edge of the wafer 10 is not irradiated with light.

도 2는 한국 공개등록특허공보 제10-2016-0024759호에 제시된 웨이퍼 가열장치의 일 예를 나타내는 도면이다.2 is a view showing an example of a wafer heating apparatus disclosed in Korean Patent Laid-Open Publication No. 10-2016-0024759.

도 2(a)는 웨이퍼 가열장치가 구비된 챔버를 전체적으로 나타내는 도면이며, 도 2(b)는 웨이퍼 가열장치의 III부분을 확대한 도면이다. Fig. 2 (a) is an overall view of a chamber equipped with a wafer heating apparatus, and Fig. 2 (b) is an enlarged view of a part III of the wafer heating apparatus.

내부 커버(2)는, 웨이퍼(W)의 프로세싱에 대응하는 폐쇄된 위치로 이동되었다. 즉, 웨이퍼(W)가 회전 척(30)상으로 로딩된 후, 사이드 도어(50)는 폐쇄 또는 제1 위치로 이동되고, 커버(2)는 중공 샤프트(22)상에서 작용하는 적합한 모터(미도시)에 의해 챔버(1)에 대해 상향으로 이동된다. 내부 커버(2)가 폐쇄된 위치에 도달할 때, 따라서 폐쇄된 프로세스 챔버(1)내에 제2 챔버(48)가 생성된다. 내측 챔버(48)는 또한 챔버(1)의 나머지로부터 기밀 방식으로 시일된다. 또한, 챔버(48)는 바람직하게 챔버(1)의 나머지와 별개로 발산된다. 웨이퍼의 프로세싱 동안, 프로세싱 유체들은, 프로세싱을 겪는 웨이퍼의 에칭, 세정, 린싱, 및 임의의 다른 목표된 표면 처리와 같은 다양한 프로세스들을 수행하기 위해, 매질 유입부들(43 내지 46 및/또는 28)을 통해 회전하는 웨이퍼(W)로 지향될 수도 있다.The inner cover 2 has been moved to a closed position corresponding to the processing of the wafer W. That is, after the wafer W is loaded onto the rotary chuck 30, the side door 50 is closed or moved to the first position, and the cover 2 is moved to a suitable position on the hollow shaft 22 Is moved upwardly with respect to the chamber 1 by means of a valve (not shown). When the inner cover 2 reaches the closed position, therefore, the second chamber 48 is created in the closed process chamber 1. The inner chamber 48 is also sealed in an airtight manner from the rest of the chamber 1. In addition, the chamber 48 is preferably divergent from the rest of the chamber 1. During the processing of the wafers, the processing fluids may be supplied to the substrate processing system through the media inlets 43-46 and / or 28 to perform various processes, such as etching, cleaning, rinsing, and any other desired surface treatment of the wafers undergoing processing. Or may be directed to a wafer W that rotates therethrough.

본 실시예에서 내부 커버(2)는 웨이퍼 가열장치(60)를 구비한다. 본 실시예의 웨이퍼 가열장치(60)는 내부 커버(2)에 의해 반송된 다수의 청색 LED 램프들(62)을 포함한다. 단면도는 한 줄의 이러한 램프들을 도시하지만, 웨이퍼(W)와 같은 공간에 걸치는(coextensive) 내부 커버(2) 상의 원형 구역을 가능한 한 완전히 채우도록 배열되는 것이 바람직하다. 램프들(62)에 의해 점유된 면적은 원한다면, 회전 척(30)이 홀딩하도록 설계된 웨이퍼(W)의 면적보다 다소 클 수도 있다. 이러한 배열은 웨이퍼(W)가 웨이퍼 가열장치(60)에 의해 중심으로부터 웨이퍼의 최외곽 둘레까지 충분히 가열될 수 있다는 장점을 갖는다. 본 실시예에서 청색 LED 램프들(62)의 어레이는 플레이트(64)에 의해 커버된다. 플레이트(64)는 바람직하게 석영 또는 사파이어로 형성되고, 양자는 청색 LED 램프들(62)에 의해 방출된 파장들을 실질적으로 투과하는 재료들이다. 따라서 유사한 투과 특성들을 갖는 다른 재료들이 플레이트(64)에 대해 사용될 수 있다. 플레이트(64)는 프로세스 챔버 내에서 사용된 화학물질들로부터 LED 램프들(62)을 보호하도록 기능한다. 중앙 개구부가 유체 매질 유입부(28)을 수용하도록, 내부 커버(2)및 플레이트(64) 내에 형성된다. In this embodiment, the inner cover 2 is provided with a wafer heating apparatus 60. The wafer heating apparatus 60 of the present embodiment includes a plurality of blue LED lamps 62 carried by the inner cover 2. The cross-section shows such a row of such lamps, but is preferably arranged to fill as completely as possible a circular zone on the inner cover 2 coextensive with the wafer W. [ The area occupied by the ramps 62 may be somewhat larger than the area of the wafer W designed to hold the rotary chuck 30, if desired. This arrangement has the advantage that the wafer W can be sufficiently heated from the center to the outermost periphery of the wafer by the wafer heating apparatus 60. [ In this embodiment, the array of blue LED lamps 62 is covered by a plate 64. The plate 64 is preferably formed of quartz or sapphire, both of which are materials that substantially transmit the wavelengths emitted by the blue LED lamps 62. Other materials having similar permeation properties can thus be used for the plate 64. [ The plate 64 serves to protect the LED lamps 62 from chemicals used in the process chamber. A central opening is formed in the inner cover 2 and the plate 64 to receive the fluid medium inlet 28.

제2 플레이트(54)가 웨이퍼(W) 위에 위치된다. 플레이트(64)는 내부 커버(2)에 대해 고정되지만, 플레이트(54)는 회전 척 상에 장착되어 회전 척과 함께 회전한다. 원한다면, 플레이트(54)는 또한 회전 척(30)에 대해 고정된 방식으로 장착될 수 있지만, 플레이트(54)가 회전 척(30)과 함께 회전하게 하는 것이 바람직하다.And the second plate 54 is placed on the wafer W. The plate 64 is fixed with respect to the inner cover 2, but the plate 54 is mounted on the rotary chuck and rotates together with the rotary chuck. If desired, the plate 54 may also be mounted in a fixed manner with respect to the rotary chuck 30, but it is preferred that the plate 54 rotate with the rotary chuck 30.

플레이트(54)가 바람직하게, 유체 유입부들(43, 44, 45)의 방출 단부들을 통과하는, 중앙 개구부(55)를 갖는 것을 제외하고, 플레이트(54)는 바람직하게 웨이퍼(W)의 전체 상부 표면 위에 놓인다.The plate 54 preferably has a central opening 55 through which the plate 54 preferably has a central opening 55 through which the discharge ends of the fluid inflows 43,44 and 45 pass. Lt; / RTI >

플레이트(64)는, LED 램프들(62)의 과열(overheating)을 방지하기 위해 내부 커버(2)와 함께, 냉각 유체(66)(예를 들어, 가스 또는 액체)가 순환하는 시일링된 챔버를 형성한다.The plate 64 is in fluid communication with the sealed chamber 6 through which the cooling fluid 66 (e.g., gas or liquid) circulates, together with the inner cover 2 to prevent overheating of the LED lamps 62. [ .

도 2는 챔버 내에 웨이퍼 가열장치가 구비된 것이며, 최근의 웨이퍼 가열장치는 소형화 되어, 웨이퍼 보다 웨이퍼 가열장치가 작아지고 있다. 이로 인해, 웨이퍼보다 웨이퍼 가열장치의 크기가 작아지면서 웨이퍼의 엣지까지 균일하게 가열하는 것이 힘든 문제점이 있다.Fig. 2 shows a wafer heating apparatus provided in the chamber. In recent years, the wafer heating apparatus has been miniaturized, and the wafer heating apparatus has become smaller than the wafer. Therefore, there is a problem that it is difficult to uniformly heat the wafer to the edge of the wafer as the size of the wafer heating apparatus becomes smaller than the wafer.

이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.This will be described later in the Specification for Implementation of the Invention.

여기서는, 본 개시의 전체적인 요약(Summary)이 제공되며, 이것이 본 개시의 외연을 제한하는 것으로 이해되어서는 아니된다(This section provides a general summary of the disclosure and is not a comprehensive disclosure of its full scope or all of its features).SUMMARY OF THE INVENTION Herein, a general summary of the present disclosure is provided, which should not be construed as limiting the scope of the present disclosure. of its features).

본 개시에 따른 일 태양에 의하면(According to one aspect of the present disclosure), 웨이퍼를 가열하는 웨이퍼 가열장치에 있어서, 기판; 기판에 구비되어, 웨이퍼 아래에 구비되는 반도체 발광소자; 그리고, 반도체 발광소자와 웨이퍼 사이에 구비되어 빛이 통과하는 투광판;으로서, 투광판의 가장자리가, 반도체 발광소자에서 나오는 빛 중 일부를 웨이퍼 엣지방향으로 굴절시키는 굴절부인 투광판;을 포함하는 웨이퍼 가열장치가 제공된다.A wafer heating apparatus for heating a wafer according to one aspect of the present disclosure, comprising: a substrate; A semiconductor light emitting element provided on the substrate and provided below the wafer; And a light transmitting plate provided between the semiconductor light emitting element and the wafer and passing light therethrough, wherein the edge of the light transmitting plate is a refracting portion which refracts a part of the light emitted from the semiconductor light emitting element in the wafer edge direction, A heating device is provided.

이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.This will be described later in the Specification for Implementation of the Invention.

도 1은 한국 공개등록특허공보 특1999-0039394호에 제시된 웨이퍼 가열장치의 일 예를 나타내는 도면,
도 2는 한국 공개등록특허공보 제10-2016-0024759호에 제시된 웨이퍼 가열장치의 일 예를 나타내는 도면,
도 3은 본 개시에 따른 웨이퍼 가열장치의 일 예를 나타내는 도면,
도 4는 본 개시에 따른 웨이퍼 가열장치의 다른 예를 나타내는 도면,
도 5는 본 개시에 따른 웨이퍼 가열장치의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 6은 본 개시에 따른 웨이퍼 가열장치의 또 다른 예를 나타내는 도면.1 is a view showing an example of a wafer heating apparatus disclosed in Korean Patent Laid-Open Publication No. 1999-0039394,
2 is a view showing an example of a wafer heating apparatus disclosed in Korean Patent Laid-Open Publication No. 10-2016-0024759,
3 is a view showing an example of a wafer heating apparatus according to the present disclosure,
4 is a view showing another example of the wafer heating apparatus according to the present disclosure,
5 is a diagram showing another example of a wafer heating apparatus according to the present disclosure,
6 is a view showing another example of the wafer heating apparatus according to the present disclosure;

이하, 본 개시를 첨부된 도면을 참고로 하여 자세하게 설명한다(The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing(s)). The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 개시에 따른 웨이퍼 가열장치의 일 예를 나타내는 도면이다.3 is a view showing an example of a wafer heating apparatus according to the present disclosure.

웨이퍼(W)를 가열하는 웨이퍼 가열장치(300)에 있어서, 웨이퍼 가열장치(300)는 기판(310), 반도체 발광소자(320), 투광판(340)을 포함한다. 기판(310)은 웨이퍼(W) 아래에 구비된다. 기판(310)은 인쇄회로기판 일 수 있다. 반도체 발광소자(320)는 기판(310)에 구비되고, 적어도 하나 이상의 반도체 발광소자(320)가 구비될 수 있다. 투광판(340)은 웨이퍼(W)와 기판(310) 사이에 구비된다. 투광판(340)은 굴절부(330)를 포함하며, 굴절부(330)는 투광판(340)의 가장자리에 형성되어 반도체 발광소자(320)에서 나오는 빛 중 일부를 웨이퍼(W) 엣지방향으로 굴절시킨다. 투광판(340)은 굴절부(330)와 일체로 형성된다. 굴절부(330)는 빛을 퍼지게 하는 오목렌즈일 수 있다. 투광판(340)은 쿼츠나 사파이어일 수 있으며, 쿼츠 또는 사파이어에 따라서 굴절부(330)의 곡률이 달라질 수 있다. 투광판(340)은 상면(341)과 하면(342)을 가지며, 하면(342)의 중심은 평평한 평탄면(343)이 형성되고, 하면(342)의 엣지방향에는 경사면(331)이 구비된다. 투광판(340)은 중심은 평평하고, 투광판(340)의 엣지방향으로 점점 두께가 두꺼워진다. 투광판(340)의 상면(341)은 평평하게 형성되는 것이 바람직하다. 경사면(331)은 직선으로 형성될 수도 있고, 곡선으로 형성될 수도 있다. 투광판(340) 아래에 구비되는 반도체 발광소자(320) 중 굴절부(330) 아래에 구비되는 반도체 발광소자(321)는 같은 종류의 반도체 발광소자이지만 구분될 필요가 있어 번호를 다르게 표시하였다.In the wafer heating apparatus 300 for heating the wafer W, the wafer heating apparatus 300 includes a substrate 310, a semiconductor light emitting element 320, and a translucent plate 340. The substrate 310 is provided below the wafer W. The substrate 310 may be a printed circuit board. The semiconductor light emitting device 320 is provided on the substrate 310 and may include at least one semiconductor light emitting device 320. The translucent plate 340 is provided between the wafer W and the substrate 310. The light transmitting plate 340 includes a refracting portion 330. The refracting portion 330 is formed at the edge of the light transmitting plate 340 so that a part of the light emitted from the semiconductor light emitting device 320 is directed toward the edge of the wafer W Refract. The translucent plate 340 is formed integrally with the refracting portion 330. The refracting portion 330 may be a concave lens that emits light. The translucent plate 340 may be quartz or sapphire, and the curvature of the refracting portion 330 may vary depending on the quartz or sapphire. The translucent plate 340 has an upper surface 341 and a lower surface 342. A flat flat surface 343 is formed at the center of the lower surface 342 and an inclined surface 331 is provided at an edge direction of the lower surface 342 . The center of the translucent plate 340 is flat and becomes thicker gradually in the edge direction of the transparent plate 340. It is preferable that the upper surface 341 of the transparent plate 340 is formed flat. The inclined surface 331 may be formed in a straight line or in a curved line. The semiconductor light emitting device 321 provided under the refraction portion 330 of the semiconductor light emitting device 320 provided below the light transmitting plate 340 is the same type of semiconductor light emitting device but is numbered differently as it needs to be distinguished.

본 예와 같은 복사방식의 웨이퍼 가열장치(300)는 빛이 닿는 부분이 가열이 된다. 웨이퍼 가열장치(300)의 소형화로 인해 웨이퍼(W)가 웨이퍼 가열장치(300)보다 커짐으로써, 웨이퍼(W)의 엣지부분에는 빛이 닿지 않는 문제점이 생긴다. 이 문제점을 해결하기 위해 굴절부(330)를 이용해 웨이퍼(W) 엣지부분으로 빛을 반사시켜 웨이퍼(W) 엣지부분이 가열되도록 한다.In the wafer heating apparatus 300 of the copying system as in the present example, a portion where light is irradiated is heated. Since the wafer W is larger than the wafer heating apparatus 300 due to the miniaturization of the wafer heating apparatus 300, there is a problem that light does not reach the edge of the wafer W. In order to solve this problem, the edge portion of the wafer W is heated by reflecting light to the edge portion of the wafer W by using the refraction portion 330.

웨이퍼(W) 엣지부분은 웨이퍼(W)의 회전으로 인해 빠른속도로 공기와 접촉하기 때문에 온도가 빠르게 식는 문제점이 있다. 이를 해결하기 위해, 굴절부(330) 아래에 구비된 반도체 발광소자(320)의 밀도는 평탄면(343) 아래에 구비된 반도체 발광소자(320)보다 밀도 있게 구비되는 것이 바람직하다. 반도체 발광소자(320)의 밀도에 관련된 자세한 내용은 도 5에서 설명한다.The edge portion of the wafer W comes into contact with the air at a high speed due to the rotation of the wafer W, which causes a problem that the temperature is rapidly cooled. In order to solve this problem, it is preferable that the density of the semiconductor light emitting device 320 provided under the refracting portion 330 is denser than that of the semiconductor light emitting device 320 provided below the flat surface 343. Details related to the density of the semiconductor light emitting device 320 will be described with reference to FIG.

도 4는 본 개시에 따른 웨이퍼 가열장치의 다른 예를 나타내는 도면이다.4 is a view showing another example of the wafer heating apparatus according to the present disclosure.

투광판(340)을 지지하는 측벽(350)이 구비될 수 있으며, 측벽(350), 투광판(340) 및 기판(310) 사이에 내부공간(360)이 형성될 수 있다. 내부공간(360)에는 습기, 약액, 이물질 등이 침투할 수 없도록 형성되어, 복수의 반도체 발광소자(320)나 굴절부(330)가 보호될 수 있다. 측벽(350)은 빛을 통과시키지 않을 수 있다. 이로 인해, 빛은 투광판(340)을 통해서만 나갈 수 있다. 측벽(150)의 높이는 5~10mm 일 수 있다. 이는 웨이퍼 가열장치와 웨이퍼를 가능한 밀착시키는 것이 공정진행에 유리하기 때문이다.A side wall 350 supporting the translucent plate 340 may be provided and an internal space 360 may be formed between the side wall 350 and the translucent plate 340 and the substrate 310. Moisture, chemicals, foreign substances, and the like can not penetrate into the inner space 360, so that the plurality of semiconductor light emitting devices 320 and the refracting portions 330 can be protected. The sidewall 350 may not pass light. Thus, the light can be emitted only through the transparent plate 340. The height of the side wall 150 may be 5 to 10 mm. This is because it is advantageous for the process to make the wafer heating device and the wafer as close as possible to each other.

굴절부(330)는 프레넬 렌즈로 형성될 수 있다. 프레넬 렌즈로 형성되면, 보통의 렌즈보다 훨씬 두께가 얇게 형성되는 장점이 있다.The refraction portion 330 may be formed of a Fresnel lens. When the lens is formed of a Fresnel lens, it is advantageous that the lens is formed much thinner than an ordinary lens.

측벽(350)은 내측면(351)을 가질 수 있으며, 내측면(351)에 빛을 반사하는 반사층이 구비될 수 있다. The side wall 350 may have an inner surface 351 and the inner surface 351 may have a reflective layer reflecting light.

기판(310)의 지름보다 웨이퍼(W)의 지름이 더 크다. 웨이퍼 가열장치(300)는 웨이퍼(W)보다 작은 것이 바람직하다. 왜냐하면, 웨이퍼(W)를 처리하는 장치들이 소형화 되는 추세이기 때문에, 웨이퍼 가열장치(300)도 웨이퍼(W) 지름보다 작게 형성되어, 아래에 소형으로 작게 형성되는 것이 바람직하기 때문이다.The diameter of the wafer W is larger than the diameter of the substrate 310. [ It is preferable that the wafer heating apparatus 300 is smaller than the wafer W. This is because it is preferable that the wafer heating apparatus 300 is formed smaller than the diameter of the wafer W and smaller than the wafer W because the apparatuses for processing the wafer W are downsized.

도 5는 본 개시에 따른 웨이퍼 가열장치의 또 다른 예를 나타내는 도면이다.5 is a view showing another example of the wafer heating apparatus according to the present disclosure.

굴절부(330)가 형성되는 너비(ℓ)는 웨이퍼(W)의 지름(D)에 따라서 변할 수 있다. 또한, 너비(ℓ)는 웨이퍼(W)의 지름(D)이 커질수록 넓게 형성될 수 있다. 웨이퍼(W)의 지름(D)이 커질수록 빛의 굴절이 많이 되어야 하기 때문이다.The width l of the refracting portion 330 may be varied depending on the diameter D of the wafer W. [ In addition, the width (l) can be made wider as the diameter D of the wafer W becomes larger. This is because the larger the diameter D of the wafer W is, the more the refraction of light must be.

반도체 발광소자(320)는 굴절부(330) 아래에 구비되는 반도체 발광소자(321)를 포함한다. 투광판(340) 아래에 구비된 반도체 발광소자(320)들을 나타낸 도면이다. 굴절부(330) 아래에 구비된 반도체 발광소자(321)들은 평탄면(343) 아래에 구비되는 반도체 발광소자(320)들보다 밀도가 높게 구비된다. 왜냐하면, 굴절부(230)에 의해서 빛이 웨이퍼(W) 엣지방향으로 퍼지기 때문에, 굴절부(230) 아래에 반도체 발광소자(220)가 더 많이 구비되어야 웨이퍼(W) 중심부분부터 웨이퍼(W) 엣지방향까지 균일하게 가열될 수 있기 때문이다.The semiconductor light emitting device 320 includes a semiconductor light emitting device 321 provided under the refracting portion 330. And the semiconductor light emitting devices 320 provided below the light transmitting plate 340. FIG. The semiconductor light emitting devices 321 provided under the refracting portion 330 are formed on the flat surface 343, The semiconductor light emitting device 320 has a higher density than the semiconductor light emitting devices 320 provided below. This is because the light is spread in the edge direction of the wafer W by the refracting portion 230 so that the semiconductor light emitting device 220 must be provided under the refracting portion 230 so that the wafer W, So that it can be uniformly heated up to the edge direction.

굴절부(330)는 수직면(332)과 경사면(331)을 포함한다. 수직면(332)은 웨이퍼(W) 엣지방향으로 구비되고, 경사면(331)은 웨이퍼(W) 내측방향으로 구비된다.The refracting portion 330 includes a vertical surface 332 and an inclined surface 331. The vertical surface 332 is provided in the edge direction of the wafer W and the inclined surface 331 is provided in the wafer W inward direction.

도 6은 본 개시에 따른 웨이퍼 가열장치의 또 다른 예를 나타내는 도면이다.6 is a diagram showing another example of the wafer heating apparatus according to the present disclosure.

도 6(a)는 웨이퍼 가열장치(300)의 평면도, 도 6(b)는 도 6(a)의 A-A' 단면도를 나타낸 도면이다. 웨이퍼(W)가 구비된 웨이퍼 척(400)과 웨이퍼 가열장치(300)가 나타나있다. 도면과 같이 웨이퍼 가열장치(300)는 웨이퍼(W) 아래에 구비되고, 웨이퍼 척(400)의 내측에 구비된다.6 (a) is a plan view of the wafer heating apparatus 300, and Fig. 6 (b) is a view showing a cross-sectional view along the line A-A 'in Fig. 6 (a). A wafer chuck 400 equipped with a wafer W and a wafer heating apparatus 300 are shown. As shown in the figure, the wafer heating apparatus 300 is provided below the wafer W and is provided inside the wafer chuck 400.

이하 본 개시의 다양한 실시 형태에 대하여 설명한다.Various embodiments of the present disclosure will be described below.

(1) 웨이퍼를 가열하는 웨이퍼 가열장치에 있어서, 기판; 기판에 구비되어, 웨이퍼 아래에 구비되는 반도체 발광소자; 그리고, 반도체 발광소자와 웨이퍼 사이에 구비되어 빛이 통과하는 투광판;으로서, 투광판의 가장자리가 반도체 발광소자에서 나오는 빛 중 일부를 웨이퍼 엣지방향으로 굴절시키는 굴절부인 투광판;을 포함하는 웨이퍼 가열장치.(1) A wafer heating apparatus for heating a wafer, comprising: a substrate; A semiconductor light emitting element provided on the substrate and provided below the wafer; And a translucent plate provided between the semiconductor light emitting device and the wafer to allow light to pass therethrough, the translucent plate being a refraction part for refracting a part of the light emitted from the semiconductor light emitting device at an edge of the translucent plate toward the wafer edge direction, Device.

(2) 투광판은 하면을 가지며, 굴절부 이외의 하면은 평탄면인 웨이퍼 가열장치.(2) The wafer heating apparatus according to any one of (1) to (4), wherein the light transmitting plate has a lower surface and the lower surface other than the refracting surface is a flat surface.

(3) 굴절부는 프레넬 오목렌즈로 형성되는 웨이퍼 가열장치.(3) The wafer heating apparatus in which the refracting portion is formed of a Fresnel concave lens.

(4) 굴절부는 수직면과 경사면을 포함하며, 수직면은 웨이퍼 엣지 방향으로 구비되고, 경사면은 웨이퍼 내측 방향으로 구비되는 웨이퍼 가열장치.(4) The wafer heating apparatus according to any one of (1) to (4), wherein the refracting portion includes a vertical plane and an inclined plane, the vertical plane is provided in the wafer edge direction, and the inclined plane is provided in the wafer inner direction.

(5) 굴절부 아래에 구비된 반도체 발광소자는 평탄면 아래에 구비된 반도체 발광소자보다 밀도 있게 구비된 웨이퍼 가열장치.(5) The semiconductor light emitting device provided below the refraction portion is provided more densely than the semiconductor light emitting device provided below the flat surface.

(6) 투광판은 투광판의 평탄면에서의 두께보다 굴절부에서의 두께가 두꺼운 웨이퍼 가열장치.(6) The wafer heating apparatus according to any one of (1) to (5), wherein the light transmitting plate has a thicker thickness at the refracting portion than the thickness at the flat surface of the light transmitting plate.

(7) 웨이퍼의 지름에 비례해서 굴절부의 너비가 넓어지는 웨이퍼 가열장치.(7) A wafer heating apparatus in which the width of the refracting portion is widened in proportion to the diameter of the wafer.

(8) 투광판의 지름보다 웨이퍼의 지름이 더 큰 웨이퍼 가열장치.(8) A wafer heating apparatus in which the diameter of the wafer is larger than the diameter of the light transmitting plate.

(9) 투광판을 지지하는 측벽;이 구비되는 웨이퍼 가열장치.(9) a side wall supporting the light transmitting plate.

(10) 투광판은 상면을 가지며, 상면은 평탄한 웨이퍼 가열장치.(10) A wafer heating apparatus having a translucent plate having an upper surface and a flat upper surface.

본 개시에 의하면, 웨이퍼의 가장자리까지 효과적으로 가열하는 웨이퍼 가열장치를 제공한다.According to the present disclosure, there is provided a wafer heating apparatus that effectively heats to the edge of a wafer.

또한 본 개시에 의하면, 웨이퍼의 가장자리까지 가열이 가능한 소형화된 웨이퍼 가열장치를 제공한다.Further, according to the present disclosure, there is provided a miniaturized wafer heating apparatus capable of heating up to the edge of the wafer.

W:웨이퍼 300:웨이퍼 가열장치 310:기판 320: 반도체 발광소자 330:굴절부 331:경사면 332:수직면 340:투광판 341:상면 342:하면 343:평탄면 350:측벽 351:내측면 360:내부공간W: Wafer 300: Wafer heating device 310: substrate 320: Semiconductor light emitting element 330: refraction part 331: 332: 340: Transparent plate 341: Top surface 342: When 343: flat surface 350: side wall 351: My side 360: interior space

Claims (10)

웨이퍼를 가열하는 웨이퍼 가열장치에 있어서,
기판;
기판에 구비되어, 웨이퍼 아래에 구비되는 반도체 발광소자; 그리고,
반도체 발광소자와 웨이퍼 사이에 구비되어 빛이 통과하는 투광판;으로서,
투광판의 가장자리가 반도체 발광소자에서 나오는 빛 중 일부를 웨이퍼 엣지방향으로 굴절시키는 굴절부인 투광판;을 포함하는 웨이퍼 가열장치.A wafer heating apparatus for heating a wafer,
Board;
A semiconductor light emitting element provided on the substrate and provided below the wafer; And,
A light transmitting plate provided between the semiconductor light emitting element and the wafer and through which light passes,
And a light transmitting plate which is a refracting portion for refracting a part of the light emitted from the semiconductor light emitting element toward the edge of the wafer in the edge of the light transmitting plate. 청구항 1에 있어서,
투광판은 하면을 가지며,
굴절부 이외의 하면은 평탄면인 웨이퍼 가열장치.The method according to claim 1,
The translucent plate has a bottom surface,
And the lower surface other than the refracting portion is a flat surface. 청구항 1에 있어서,
굴절부는 프레넬 오목렌즈로 형성되는 웨이퍼 가열장치.The method according to claim 1,
And the refracting portion is formed of a Fresnel concave lens. 청구항 1에 있어서,
굴절부는 수직면과 경사면을 포함하며,
수직면은 웨이퍼 엣지 방향으로 구비되고,
경사면은 웨이퍼 내측 방향으로 구비되는 웨이퍼 가열장치.The method according to claim 1,
The refracting portion includes a vertical surface and an inclined surface,
The vertical plane is provided in the wafer edge direction,
And the inclined surface is provided in an inward direction of the wafer. 청구항 2에 있어서,
굴절부 아래에 구비된 반도체 발광소자는 평탄면 아래에 구비된 반도체 발광소자보다 밀도 있게 구비된 웨이퍼 가열장치.The method of claim 2,
Wherein the semiconductor light emitting device provided below the refraction portion is provided more densely than the semiconductor light emitting device provided below the flat surface. 청구항 2에 있어서,
투광판은 투광판의 평탄면에서의 두께보다 굴절부에서의 두께가 두꺼운 웨이퍼 가열장치.The method of claim 2,
Wherein the light transmitting plate is thicker in the refracting portion than in the flat surface of the light transmitting plate. 청구항 1에 있어서,
웨이퍼의 지름에 비례해서 굴절부의 너비가 넓어지는 웨이퍼 가열장치.The method according to claim 1,
The width of the refracting portion is widened in proportion to the diameter of the wafer. 청구항 1에 있어서,
투광판의 지름보다 웨이퍼의 지름이 더 큰 웨이퍼 가열장치.The method according to claim 1,
Wherein the diameter of the wafer is larger than the diameter of the light transmitting plate. 청구항 1에 있어서,
투광판을 지지하는 측벽;이 구비되는 웨이퍼 가열장치.The method according to claim 1,
And a side wall supporting the light transmitting plate. 청구항 1에 있어서,
투광판은 상면을 가지며,
상면은 평탄한 웨이퍼 가열장치.The method according to claim 1,
The translucent plate has an upper surface,
The upper surface is a flat wafer heating apparatus.
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