KR20180122610A - Adhesive tape for semiconductor processing, and method of manufacturing semiconductor device - Google Patents
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Abstract
본 발명의 반도체 가공용 점착 테이프는, 반도체 웨이퍼 표면에 홈이 형성되거나, 또는 개질 영역이 형성된 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭하고, 그 연삭에 의해 반도체 웨이퍼를 반도체 칩으로 개편화하는 공정에 있어서, 반도체 웨이퍼의 표면에 첩부되어 사용되는 반도체 가공용 점착 테이프로서, 기재와, 상기 기재의 일방의 면에 형성되는 완충층과, 상기 기재의 타방의 면에 형성되는 점착제층을 구비하고, 반도체 가공용 점착 테이프의 테이프 총 두께가 160 ㎛ 이하이고, 또한 상기 완충층의 두께 (D2) 의 기재의 두께 (D1) 에 대한 비 (D2/D1) 가 0.7 이하임과 함께, 반도체 웨이퍼에 대한 박리력이 1000 mN/50 ㎜ 이하이다.A pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing according to the present invention is a process for grinding a back surface of a semiconductor wafer in which grooves are formed on a surface of a semiconductor wafer or on which a modified region is formed and the semiconductor wafer is divided into semiconductor chips by grinding, And a pressure-sensitive adhesive layer formed on the other surface of the base material, wherein the pressure-sensitive adhesive layer formed on one surface of the base material, and the pressure-sensitive adhesive layer formed on the other surface of the base material, And a ratio D2 / D1 of the thickness D2 of the buffer layer to a thickness D1 of the substrate is not more than 0.7 and the peel force on the semiconductor wafer is not more than 1000 mN / to be.
Description
본 발명은, 선(先)다이싱법에 의해 반도체 장치를 제조할 때에, 반도체 웨이퍼에 첩부하여 사용하는 반도체 가공용 점착 테이프, 및 그 점착 테이프를 사용한 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD The present invention relates to a pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing which is used by attaching to a semiconductor wafer when a semiconductor device is manufactured by a pre-dicing method, and a method of manufacturing a semiconductor device using the pressure-sensitive adhesive tape.
각종 전자 기기의 소형화, 다기능화가 진행되면서, 그것들에 탑재되는 반도체 칩도 동일하게, 소형화, 박형화가 요구되고 있다. 칩의 박형화를 위해서, 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭하여 두께 조정을 실시하는 것이 일반적이다. 또한, 웨이퍼의 표면측으로부터 소정 깊이의 홈을 형성한 후, 웨이퍼 이면측으로부터 연삭을 실시하고, 그 연삭에 의해 칩을 개편화하는 선다이싱법이라고 불리는 공법을 이용하는 경우도 있다. 선다이싱법에서는, 웨이퍼의 이면 연삭과, 칩의 개편화를 동시에 실시할 수 있기 때문에, 박형 칩을 효율적으로 제조하는 것이 가능하다. 또한, 선다이싱법에는, 상기 서술한 바와 같이, 웨이퍼 표면측으로부터 소정 깊이의 홈을 형성한 후, 웨이퍼 이면측으로부터 연삭하는 방법 외에, 레이저로 웨이퍼 내부에 개질층을 형성하고, 웨이퍼 이면 연삭시의 압력 등으로 칩의 개편화를 실시하는 방법도 있다.2. Description of the Related Art As various electronic devices have been made smaller and more versatile, semiconductor chips to be mounted thereon have been required to be reduced in size and thickness. In order to make the chip thinner, it is general to perform the thickness adjustment by grinding the back surface of the semiconductor wafer. There is also a case where a method called a die dicing method in which a groove with a predetermined depth is formed from the front surface side of the wafer, grinding is performed from the back side of the wafer, and the chips are separated by grinding. In the dedinging method, since the back grinding of the wafer and the disengagement of the chip can be performed at the same time, it is possible to efficiently manufacture a thin chip. As described above, in the die dicing method, a groove is formed at a predetermined depth from the front surface side of the wafer, and then the wafer is ground from the wafer back side. In addition, a modified layer is formed inside the wafer by laser, And the pressure is applied to the chip.
종래, 반도체 웨이퍼의 이면 연삭시에는, 웨이퍼 표면의 회로를 보호하고, 또한, 반도체 웨이퍼 및 개편화된 반도체 칩을 고정시켜 두기 위해서, 웨이퍼 표면에 백 그라인드 시트라고 불리는 점착 테이프를 첩부하는 것이 일반적이다. 선다이싱법에 있어서 사용하는 백 그라인드 시트로는, 기재와, 기재의 일방의 면에 형성한 점착제층을 구비하는 점착 시트에 있어서, 기재의 타방의 면측에 추가로 완충층을 형성한 것이 알려져 있다.BACKGROUND ART Conventionally, when back-grinding a semiconductor wafer, an adhesive tape called a back grind sheet is generally applied to the surface of the wafer in order to protect circuits on the wafer surface and to fix the semiconductor wafer and the individual semiconductor chips . BACKGROUND OF THE INVENTION [0002] It is known that a back grind sheet used in the dedinging method is a pressure-sensitive adhesive sheet comprising a substrate and a pressure-sensitive adhesive layer formed on one surface of the substrate, wherein a buffer layer is further formed on the other surface side of the substrate.
백 그라인드 시트는, 완충층을 형성함으로써, 웨이퍼 이면 연삭시에 발생하는 진동을 완화하는 것이 가능하다. 또한, 반도체 웨이퍼는, 이면 연삭시, 백 그라인드 시트를 형성한 웨이퍼 표면측이 척 테이블에 흡착됨으로써, 그 테이블에 고정되는데, 완충층에 의해, 테이블 상에 존재하는 이물질 등에 의한 요철을 흡수하는 것도 가능하다. 백 그라인드 시트는, 이상의 완충층의 작용에 의해, 이면 연삭시에 발생하는 반도체 웨이퍼의 균열이나, 칩의 결손 등을 방지하고 있다.The back grind sheet can mitigate the vibration generated at the back grinding of the wafer by forming the buffer layer. The back surface of the wafer on which the back grind sheet is formed is attracted to the chuck table to be fixed to the table when grinding the back surface of the semiconductor wafer. It is also possible to absorb irregularities due to foreign substances existing on the table by the buffer layer Do. The back grind sheet prevents cracks of semiconductor wafers, chip defects, and the like, which are generated during back grinding, by the action of the buffer layer above.
또한, 특허문헌 1 에서는, 상기한 바와 같은 기재, 점착제층, 및 완충층을 갖는 점착 시트에 있어서, 기재의 두께를 10 ∼ 150 ㎛ 로 하고, 또한 그 영률을 1000 ∼ 30000 ㎫ 로 함과 함께, 완충층의 두께를 5 ∼ 80 ㎛ 로 하고, 또한 그 동적 점탄성의 tanδ 최대치를 0.5 이상으로 한 점착 시트가 개시되어 있다. 특허문헌 1 에는, 이 점착 시트를 백 그라인드 시트로서 사용함으로써, 선다이싱법에 의해 반도체 칩을 제조할 때에, 칩의 결손 및 변색을 방지할 수 있는 것이 개시되어 있다.Further, in Patent Document 1, in the pressure-sensitive adhesive sheet having the base material, the pressure-sensitive adhesive layer and the buffer layer as described above, the thickness of the base material is 10 to 150 탆, the Young's modulus thereof is 1000 to 30000 MPa, Has a thickness of 5 to 80 占 퐉 and has a tan? Maximum value of dynamic viscoelasticity of 0.5 or more. Patent Document 1 discloses that the use of this adhesive sheet as a back grind sheet can prevent chip defects and discoloration when a semiconductor chip is manufactured by the pre-dicing method.
그러나, 최근, 반도체 칩의 박형화 및 소형화의 요구는 더욱 높아지고 있고, 예를 들어, 두께 50 ㎛ 미만의 것이나, 가로세로 0.5 ㎜ 정도의 반도체 칩을 제조하는 것도 요구되게 되고 있다. 이와 같이 소형화 및 박형화된 반도체 칩을 제조할 때에는, 특허문헌 1 에 기재된 바와 같이, 기재의 영률 및 완충층의 tanδ 최대치를 조정하면서, 기재 및 완충층 각각의 두께를 일정한 범위로 설정하는 것만으로는, 반도체 칩의 결손이나 균열 등의 파손 (칩 크랙) 을 억제하는 것이 어려운 경우가 있다. 특히, 연삭 후의 웨이퍼 표면으로부터, 표면 보호 테이프를 박리할 때에, 전술한 바와 같은 소형화 및 박형화된 반도체 칩에 큰 부하가 걸려 칩 파손의 원인이 되는 것을 알 수 있었다.In recent years, however, demands for thinning and downsizing of semiconductor chips have been increasing. For example, semiconductor chips having a thickness of less than 50 mu m and a width of about 0.5 mm are required to be manufactured. In manufacturing such a miniaturized and thinned semiconductor chip, it is only necessary to set the thickness of each of the base material and the buffer layer to a predetermined range while adjusting the Young's modulus of the base material and the tan 隆 maximum value of the buffer layer as described in Patent Document 1, It may be difficult to suppress breakage (chip crack) such as chip defects and cracks. Particularly, when peeling the surface protective tape from the surface of the wafer after grinding, a large load is applied to the miniaturized and thinned semiconductor chip as described above, which is a cause of chip breakage.
본 발명은, 이상의 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 선다이싱법에 있어서, 박형화 및 소형화된 반도체 칩을 제조하는 것과 같은 경우에도, 반도체 칩에 결손이나 파손이 발생하는 것을 방지하는 것이 가능한 반도체 가공용 점착 테이프를 제공하는 것을 과제로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems and it is an object of the present invention to provide an adhesive tape for semiconductor processing capable of preventing a semiconductor chip from being damaged or broken even in the case of producing a thinned and miniaturized semiconductor chip, And to provide the above-mentioned object.
본 발명자들은, 반도체 칩에 결손이나 파손이 발생하는 메커니즘에 대하여 고찰한 결과, 선다이싱법에 의해 박형화 그리고 소형화된 반도체 칩을 제조하는 경우에는, 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭할 때, 및, 반도체 칩으로부터 점착 테이프를 박리할 때에, 반도체 칩에 결손이나 파손이 발생하고 있는 것을 밝혀냈다. 그리고, 선다이싱법에 있어서, 반도체 웨이퍼를 연삭하여 칩으로 개편화할 때, 및 점착 테이프를 반도체 칩으로부터 박리할 때에 발생하는 반도체 칩의 결손이나 파손을 방지하기 위해서는, 점착 테이프의 테이프 총 두께, 및 기재와 완충층의 두께 비를 일정 범위로 설정하면서, 반도체 웨이퍼에 대한 점착 테이프의 박리력을 소정치 이하로 하는 것이 중요한 것을 알아내고, 이하의 본 발명을 완성시켰다.The inventors of the present invention have investigated a mechanism for causing a defect or breakage of a semiconductor chip. As a result, in the case of manufacturing a thinned and miniaturized semiconductor chip by the die dicing method, It is found that there is a defect or breakage in the semiconductor chip. In order to prevent the semiconductor chips from being broken or broken when grinding the semiconductor wafer into chips and separating the adhesive tape from the semiconductor chip in the die dicing method, It has been found that it is important to set the peeling force of the adhesive tape on the semiconductor wafer to a predetermined value or less while setting the thickness ratio of the substrate and the buffer layer to a certain range.
본 발명은, 이하의 (1) ∼ (13) 을 제공한다.The present invention provides the following (1) to (13).
(1) 반도체 웨이퍼 표면에 홈이 형성되거나, 또는 반도체 웨이퍼에 개질 영역이 형성된 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭하고, 그 연삭에 의해 반도체 웨이퍼를 반도체 칩으로 개편화하는 공정에 있어서, 반도체 웨이퍼의 표면에 첩부되어 사용되는 반도체 가공용 점착 테이프로서,(1) In the step of grinding the back surface of a semiconductor wafer in which a groove is formed on the surface of the semiconductor wafer or a modified region is formed on the semiconductor wafer, and the semiconductor wafer is divided into semiconductor chips by the grinding, A pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing,
기재와, 상기 기재의 일방의 면에 형성되는 완충층과, 상기 기재의 타방의 면에 형성되는 점착제층을 구비하고,A pressure-sensitive adhesive sheet comprising: a substrate; a buffer layer formed on one surface of the substrate; and a pressure-sensitive adhesive layer formed on the other surface of the substrate,
반도체 가공용 점착 테이프의 테이프 총 두께가 160 ㎛ 이하이고, 또한 상기 완충층의 두께 (D2) 의 기재의 두께 (D1) 에 대한 비 (D2/D1) 가 0.7 이하임과 함께, 반도체 웨이퍼에 대한 박리력이 1000 mN/50 ㎜ 이하인 반도체 가공용 점착 테이프.The total thickness of the adhesive tape for semiconductor processing is not more than 160 占 퐉 and the ratio of the thickness D2 of the buffer layer to the thickness D1 of the substrate is 0.7 or less and the peeling force Is not more than 1000 mN / 50 mm.
(2) 상기 기재의 영률이 1000 ㎫ 이상인 상기 (1) 에 기재된 반도체 가공용 점착 테이프.(2) The pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing according to (1) above, wherein the Young's modulus of the substrate is 1000 MPa or more.
(3) 상기 기재의 두께 (D1) 이 110 ㎛ 이하인 상기 (1) 또는 (2) 에 기재된 반도체 가공용 점착 테이프.(3) The pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing according to (1) or (2), wherein the thickness (D1) of the substrate is 110 탆 or less.
(4) 상기 기재가 적어도 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 갖는 상기 (1) ∼ (3) 의 어느 한 항에 기재된 반도체 가공용 점착 테이프.(4) The pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing according to any one of (1) to (3), wherein the substrate has at least a polyethylene terephthalate film.
(5) 상기 점착제층이 에너지선 경화성 점착제로 형성되는 상기 (1) ∼ (4) 의 어느 한 항에 기재된 반도체 가공용 점착 테이프.(5) The pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing according to any one of (1) to (4), wherein the pressure-sensitive adhesive layer is formed of an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive.
(6) 상기 점착제층의 23 ℃ 에 있어서의 탄성률이 0.10 ∼ 0.50 ㎫ 인 상기 (1) ∼ (5) 의 어느 한 항에 기재된 반도체 가공용 점착 테이프.(6) The pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing according to any one of (1) to (5), wherein the pressure-sensitive adhesive layer has an elastic modulus at 23 ° C of 0.10 to 0.50 MPa.
(7) 상기 점착제층의 두께 (D3) 이 70 ㎛ 이하인 상기 (1) ∼ (6) 의 어느 한 항에 기재된 반도체 가공용 점착 테이프.(7) The pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing according to any one of (1) to (6), wherein the pressure-sensitive adhesive layer has a thickness (D3) of 70 m or less.
(8) 상기 점착제층이, 알킬기의 탄소수가 4 이상인 알킬(메트)아크릴레이트 유래의 구성 단위와, 알킬기의 탄소수가 1 ∼ 3 인 알킬(메트)아크릴레이트 유래의 구성 단위와, 관능기 함유 모노머 유래의 구성 단위를 갖는 아크릴계 수지를 포함하는 점착제 조성물로 형성되는 상기 (1) ∼ (7) 의 어느 한 항에 기재된 반도체 가공용 점착 테이프.(8) The pressure-sensitive adhesive sheet according to any one of the above items (1) to (3), wherein the pressure-sensitive adhesive layer comprises a structural unit derived from an alkyl (meth) acrylate having an alkyl group of 4 or more and a structural unit derived from an alkyl (meth) acrylate in which the alkyl group has 1 to 3 carbon atoms, Sensitive adhesive tape for semiconductor processing according to any one of (1) to (7), which is formed of a pressure-sensitive adhesive composition comprising an acrylic resin having constituent units of the following structural units.
(9) 상기 완충층의 23 ℃ 에 있어서의 저장 탄성률이 100 ∼ 1500 ㎫ 인 상기 (1) ∼ (8) 의 어느 한 항에 기재된 반도체 가공용 점착 테이프.(9) The pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing according to any one of (1) to (8), wherein the buffer layer has a storage elastic modulus at 23 ° C of 100 to 1500 MPa.
(10) 상기 완충층의 응력 완화율이 70 ∼ 100 ％ 인 상기 (1) ∼ (9) 의 어느 한 항에 기재된 반도체 가공용 점착 테이프.(10) The pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing according to any one of (1) to (9), wherein the buffer layer has a stress relaxation rate of 70 to 100%.
(11) 상기 완충층이, 우레탄(메트)아크릴레이트 (a1), 고리 형성 원자수 6 ∼ 20 의 지환기 또는 복소 고리기를 갖는 중합성 화합물 (a2), 및 관능기를 갖는 중합성 화합물 (a3) 을 포함하는 완충층 형성용 조성물로 형성되는 상기 (1) ∼ (10) 의 어느 한 항에 기재된 반도체 가공용 점착 테이프.(11) The optical recording medium according to any one of the above items (1) to (11), wherein the buffer layer comprises a urethane (meth) acrylate (a1), a polymerizable compound (a2) having a pericyclic or heterocyclic group having 6 to 20 ring- Sensitive adhesive tape for semiconductor processing according to any one of (1) to (10), wherein the pressure-sensitive adhesive tape is formed from a composition for forming a buffer layer.
(12) 성분 (a2) 가 지환기 함유 (메트)아크릴레이트임과 함께, 성분 (a3) 이 수산기 함유 (메트)아크릴레이트인 상기 (11) 에 기재된 반도체 가공용 점착 테이프.(12) The pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing according to (11), wherein the component (a2) is a peroxy group-containing (meth) acrylate and the component (a3) is a hydroxyl group-containing (meth) acrylate.
(13) 상기 (1) ∼ (12) 의 어느 한 항에 기재된 반도체 가공용 점착 테이프를, 반도체 웨이퍼의 표면에 첩부하는 공정과,(13) A method for manufacturing a semiconductor wafer, comprising the steps of sticking the adhesive tape for semiconductor processing according to any one of (1) to (12)
반도체 웨이퍼의 표면측으로부터 홈을 형성하거나, 또는 반도체 웨이퍼의 표면 혹은 이면으로부터 반도체 웨이퍼 내부에 개질 영역을 형성하는 공정과,A step of forming a groove from the surface side of the semiconductor wafer or forming a modified region inside the semiconductor wafer from the front surface or back surface of the semiconductor wafer,
상기 반도체 가공용 점착 테이프가 표면에 첩부되고, 또한 상기 홈 또는 개질 영역이 형성된 반도체 웨이퍼를, 이면측으로부터 연삭하여, 상기 홈 또는 개질 영역을 기점으로 하여, 복수의 칩으로 개편화시키는 공정과,A step of grinding a semiconductor wafer on which the semiconductor processing adhesive tape is adhered to the surface and on which the groove or the modified region is formed from the back side and using the groove or the modified region as a start point,
상기 복수의 칩으로부터 반도체 가공용 점착 테이프를 박리하는 공정을 구비하는 반도체 장치의 제조 방법.And peeling the adhesive tape for semiconductor processing from the plurality of chips.
본 발명에 있어서는, 선다이싱법에 있어서, 반도체 웨이퍼를 연삭하여 칩으로 개편화할 때, 및 점착 테이프를 반도체 칩으로부터 박리할 때에 발생하는 반도체 칩의 결손이나 파손을 방지하는 것이 가능하다.In the present invention, it is possible to prevent defects or breakage of a semiconductor chip, which occurs when the semiconductor wafer is ground into chips and when the adhesive tape is peeled off from the semiconductor chip in the die dicing method.
다음으로, 본 발명에 대하여 더욱 상세하게 설명한다.Next, the present invention will be described in more detail.
또한, 본 명세서에 있어서, 「중량 평균 분자량 (Mw)」 은, 겔 퍼미에이션 크로마토그래피 (GPC) 법으로 측정되는 폴리스티렌 환산의 값이고, 구체적으로는 실시예에 기재된 방법에 기초하여 측정한 값이다.In the present specification, the "weight average molecular weight (Mw)" is a value measured in terms of polystyrene measured by gel permeation chromatography (GPC), specifically a value measured based on the method described in the examples .
또한, 예를 들어 「(메트)아크릴레이트」 란, 「아크릴레이트」 및 「메타크릴레이트」 의 쌍방을 나타내는 용어로서 사용되고 있고, 다른 유사 용어에 대해서도 동일하다.In addition, for example, "(meth) acrylate" is used as a term indicating both "acrylate" and "methacrylate", and the same applies to other similar terms.
본 발명의 반도체 가공용 점착 테이프 (이하, 간단히 「점착 테이프」 라고도 한다) 는, 기재와, 기재의 일방의 면에 형성되는 완충층과, 기재의 타방의 면 (즉, 완충층이 형성된 면과는 반대측의 면) 에 형성되는 점착제층을 구비하는 것이다.The pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing of the present invention (hereinafter also simply referred to as " pressure-sensitive adhesive tape ") comprises a substrate, a buffer layer formed on one surface of the substrate and a buffer layer formed on the other surface of the substrate And a pressure-sensitive adhesive layer formed on the surface of the pressure-sensitive adhesive layer.
점착 테이프는, 선다이싱법에 있어서, 점착제층을 개재하여 반도체 웨이퍼의 표면에 첩부되어 사용되는 것이다. 즉, 점착 테이프는, 후술하는 바와 같이, 반도체 웨이퍼 표면에 홈이 형성되거나, 또는 반도체 웨이퍼에 개질 영역이 형성된, 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭하고, 그 연삭에 의해 반도체 웨이퍼를 반도체 칩으로 개편화하는 공정에 있어서, 반도체 웨이퍼의 표면에 첩부되어 사용되는 것이다.The adhesive tape is used in the die dicing method by being attached to the surface of a semiconductor wafer via a pressure-sensitive adhesive layer. That is, as described later, the adhesive tape is formed by grinding the back surface of a semiconductor wafer in which grooves are formed on the surface of the semiconductor wafer or a modified region is formed on the semiconductor wafer, and the semiconductor wafer is divided into semiconductor chips by grinding In the process, it is used by being attached to the surface of a semiconductor wafer.
본 발명의 점착 테이프는, 점착 테이프의 테이프 총 두께가 160 ㎛ 이하이고, 또한 완충층의 두께 (D2) 의 기재의 두께 (D1) 에 대한 비 (D2/D1) 가 0.7 이하임과 함께, 점착 테이프의 반도체 웨이퍼에 대한 박리력이 1000 mN/50 ㎜ 이하가 되는 것이다. 본 발명에서는, 이와 같이, 테이프 총 두께, 두께 비 (D2/D1), 및 박리력 모두 소정의 값으로 함으로써, 반도체 웨이퍼를 연삭하여 칩으로 개편화할 때, 및 점착 테이프를 반도체 칩으로부터 박리할 때에 발생하는 반도체 칩의 결손이나 파손을 방지하는 것이 가능해진다.The adhesive tape according to the present invention is characterized in that the adhesive tape has a total thickness of 160 m or less and a ratio D2 / D1 of the thickness D2 of the buffer layer to the thickness D1 of the substrate is 0.7 or less, Is not more than 1000 mN / 50 mm on the semiconductor wafer. According to the present invention, by setting both the total thickness of the tape, the thickness ratio (D2 / D1), and the peeling force to predetermined values, the semiconductor wafer is ground into chips and the adhesive tape is peeled from the semiconductor chip It is possible to prevent defects or breakage of the generated semiconductor chips.
한편으로, 점착 테이프의 테이프 총 두께를 160 ㎛ 보다 크게 하면, 점착제층의 점착 성능 및 완충층의 충격 흡수 성능을 적절히 유지하면서 박리력을 작게 하는 것이 어려워진다. 그 때문에, 점착 테이프를 반도체 칩으로부터 박리할 때에, 반도체 칩에 부하가 걸려, 칩 결손이 발생하기 쉬워진다.On the other hand, if the total thickness of the adhesive tape is larger than 160 탆, it becomes difficult to reduce the peeling force while appropriately maintaining the adhesive property of the pressure-sensitive adhesive layer and the shock absorbing performance of the buffer layer. Therefore, when peeling off the adhesive tape from the semiconductor chip, a load is applied to the semiconductor chip, and chip defects are likely to occur.
또한, 테이프 총 두께는, 박리력을 보다 낮게 하는 관점에서, 155 ㎛ 이하인 것이 바람직하고, 145 ㎛ 이하인 것이 보다 바람직하다. 또한, 점착제층, 기재, 및 완충층을 적당한 두께로 하고, 각각의 기능을 적절히 발휘시키기 위해서, 테이프 총 두께는, 40 ㎛ 이상이 바람직하고, 55 ㎛ 이상인 것이 보다 바람직하다.The total thickness of the tape is preferably not more than 155 占 퐉, more preferably not more than 145 占 퐉, from the viewpoint of lowering the peeling force. The total thickness of the tape is preferably 40 占 퐉 or more, and more preferably 55 占 퐉 or more, in order to properly set the pressure-sensitive adhesive layer, the base material, and the buffer layer to have appropriate functions.
또한, 본 명세서에 있어서, 테이프 총 두께란, 반도체 웨이퍼에 첩부되고, 반도체 웨이퍼를 연삭할 때에, 점착 테이프에 함유되는 층의 합계 두께를 의미한다. 따라서, 점착 테이프에 박리 가능하게 첩부된 박리 시트가 형성되는 경우에는, 그 박리 시트의 두께는 총 두께에 포함되지 않는다. 통상적으로, 점착 테이프의 총 두께는, 기재와, 점착제층과, 완충층의 합계 두께이다.In the present specification, the total tape thickness refers to the total thickness of the layers contained in the adhesive tape when the semiconductor wafer is bonded to the semiconductor wafer and is ground. Therefore, when a peeling sheet peelably adhered to the adhesive tape is formed, the thickness of the peeling sheet is not included in the total thickness. Typically, the total thickness of the adhesive tape is the total thickness of the substrate, the pressure-sensitive adhesive layer, and the buffer layer.
또한, 두께 비 (D2/D1) 가, 0.7 보다 크면, 점착 테이프에 있어서, 강성이 높은 부분의 비율이 적어지기 때문에, 반도체 웨이퍼나 반도체 칩은, 기재에 의해 적절히 유지되기 어려워져, 연삭시의 진동이 잘 저감되지 않게 된다. 따라서, 선다이싱법에 의해, 소형 그리고 박형의 반도체 칩으로 개편화하는 것과 같은 경우에, 완충층의 재료에 적절한 것을 선택해도, 이면 연삭에 의해 개편화할 때에 발생하는 반도체 칩의 결손이 방지되기 어려워진다.When the thickness ratio (D2 / D1) is larger than 0.7, the proportion of the high-rigidity portion of the adhesive tape is decreased, so that the semiconductor wafer or the semiconductor chip is hardly appropriately held by the base material, Vibration is not reduced well. Therefore, in the case of disassembling into small and thin semiconductor chips by the die dicing method, even when a material suitable for the material of the buffer layer is selected, it is difficult to prevent the semiconductor chip from being broken due to disengagement by back grinding .
칩 결손을 저감시키면서, 완충층을 적절한 두께로 하여 점착 테이프의 완충 성능을 양호하게 하기 위해서, 두께 비 (D2/D1) 는, 0.10 ∼ 0.70 인 것이 바람직하고, 0.13 ∼ 0.66 인 것이 보다 바람직하다.The thickness ratio (D2 / D1) is preferably 0.10 to 0.70, and more preferably 0.13 to 0.66 in order to reduce the chip defects and to make the buffer layer have a proper thickness and to improve the buffering performance of the adhesive tape.
또한, 반도체 웨이퍼에 대한 점착 테이프의 박리력이, 1000 mN/50 ㎜ 보다 커지면, 점착 테이프를 반도체 칩으로부터 박리할 때에, 반도체 칩에 결손이 발생하기 쉬워진다.Further, when the peeling force of the adhesive tape to the semiconductor wafer is larger than 1000 mN / 50 mm, defects tend to occur in the semiconductor chip when peeling off the adhesive tape from the semiconductor chip.
여기서, 점착 테이프 박리시의 칩 결손을 보다 적절히 방지하기 위해서는, 상기 점착 테이프의 박리력은, 970 mN/50 ㎜ 이하가 바람직하고, 850 mN/50 ㎜ 이하인 것이 보다 바람직하다. 또한, 점착 테이프의 박리력은, 특별히 한정되지 않지만, 점착 테이프의 반도체 웨이퍼 또는 반도체 칩에 대한 접착성을 양호하게 하기 위해서, 300 mN/50 ㎜ 이상인 것이 바람직하고, 450 mN/50 ㎜ 이상인 것이 보다 바람직하다.Here, in order to more suitably prevent chip defects when peeling off the adhesive tape, the peeling force of the adhesive tape is preferably 970 mN / 50 mm or less, and more preferably 850 mN / 50 mm or less. The peeling force of the adhesive tape is not particularly limited but is preferably 300 mN / 50 mm or more, more preferably 450 mN / 50 mm or more in order to improve the adhesive property of the adhesive tape to the semiconductor wafer or the semiconductor chip desirable.
또한, 점착 테이프의 박리력이란, 후술하는 실시예에서 나타내는 바와 같이, 점착 테이프의 점착제층 표면을 반도체 웨이퍼에 첩부한 후, 점착 테이프를 반도체 웨이퍼로부터 박리할 때에 필요로 하는 힘이다. 단, 후술하는 바와 같이 점착제층이 에너지선 경화성 점착제로 형성되는 경우에는, 반도체 웨이퍼에 첩부된 점착 테이프에 에너지선을 조사하고, 점착제층을 경화시킨 후에 측정되는 박리력이다. 한편으로, 점착제층이 비에너지선 경화성 점착제로 형성되는 경우에는, 에너지선 조사 전의 점착 테이프에 대하여, 박리력을 동일하게 측정한 것이다.The peeling force of the pressure-sensitive adhesive tape is a force required for peeling the pressure-sensitive adhesive tape from the semiconductor wafer after the surface of the pressure-sensitive adhesive layer of the pressure-sensitive adhesive tape is attached to the semiconductor wafer as shown in Examples described later. However, when the pressure-sensitive adhesive layer is formed of an energy radiation curable pressure-sensitive adhesive as described later, it is a peeling force measured after irradiating the energy ray onto the pressure-sensitive adhesive tape adhered to the semiconductor wafer and curing the pressure-sensitive adhesive layer. On the other hand, when the pressure-sensitive adhesive layer is formed of a non-energy ray curable pressure-sensitive adhesive, the pressure-sensitive adhesive tape before the energy ray irradiation is measured in the same manner as the peeling force.
다음으로, 본 발명의 점착 테이프의 각 부재의 구성을 더욱 상세하게 설명한다.Next, the constitution of each member of the adhesive tape of the present invention will be described in more detail.
[기재][materials]
점착 테이프의 기재로는, 각종 수지 필름을 들 수 있고, 구체적으로는, 저밀도 폴리에틸렌 (LDPE), 직사슬 저밀도 폴리에틸렌 (LLDPE), 고밀도 폴리에틸렌 (HDPE) 등의 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리부텐, 폴리부타디엔, 폴리메틸펜텐, 에틸렌-노르보르넨 공중합체, 노르보르넨 수지 등의 폴리올레핀 ; 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 에틸렌-(메트)아크릴산 공중합체, 에틸렌-(메트)아크릴산에스테르 공중합체 등의 에틸렌계 공중합체 ; 폴리염화비닐, 염화비닐 공중합체 등의 폴리염화비닐 ; 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 전체 방향족 폴리에스테르 등의 폴리에스테르 ; 폴리우레탄, 폴리이미드, 폴리아미드, 폴리카보네이트, 불소 수지, 폴리아세탈, 변성 폴리페닐렌옥사이드, 폴리페닐렌술파이드, 폴리술폰, 폴리에테르케톤, 아크릴계 중합체 등에서 선택되는 1 종 이상으로 이루어지는 수지 필름을 들 수 있다. 또한 이들의 가교 필름, 아이오노머 필름과 같은 변성 필름도 사용된다. 기재는, 이들 수지로부터 선택되는 1 종 또는 2 종 이상의 수지로 이루어지는 수지 필름의 단층 필름이어도 되고, 이들 수지 필름을 2 종 이상 적층한 적층 필름이어도 된다.Specific examples of the base material for the adhesive tape include various types of resin films such as polyethylene, polypropylene, polybutene, polybutadiene, and the like, such as low density polyethylene (LDPE), linear low density polyethylene (LLDPE), and high density polyethylene , Polymethylpentene, ethylene-norbornene copolymer and norbornene resin; Ethylenic copolymers such as ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene- (meth) acrylic acid copolymer and ethylene- (meth) acrylic acid ester copolymer; Polyvinyl chloride such as polyvinyl chloride and vinyl chloride copolymer; Polyesters such as polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polybutylene terephthalate and all aromatic polyester; A resin film comprising at least one selected from polyurethane, polyimide, polyamide, polycarbonate, fluorine resin, polyacetal, modified polyphenylene oxide, polyphenylene sulfide, polysulfone, polyether ketone, . Also, a modified film such as a crosslinked film or an ionomer film may be used. The base material may be a single layer film of a resin film made of one or more resins selected from these resins, or a laminated film in which two or more of these resin films are laminated.
또한, 기재는, 영률이 1000 ㎫ 이상인 강성 기재인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 1800 ∼ 30000 ㎫, 더욱 바람직하게는 2500 ∼ 6000 ㎫ 이다.The base material is preferably a rigid base material having a Young's modulus of 1000 MPa or more, more preferably 1800 to 30,000 MPa, and still more preferably 2500 to 6000 MPa.
이와 같이, 기재로서 영률이 높은 강성 기재를 사용하면, 상기와 같이 테이프 총 두께를 작게 해도, 점착 테이프에 의한 반도체 웨이퍼 또는 반도체 칩에 대한 유지 성능이 높아져, 이면 연삭시의 진동 등을 억제함으로써, 반도체 칩의 결손이나 파손을 방지하기 쉬워진다. 또한, 영률이 상기 범위임으로써, 점착 테이프를 반도체 칩으로부터 박리할 때의 응력을 작게 하는 것이 가능해져, 테이프 박리시에 발생하는 칩 결손이나 파손을 방지하기 쉬워진다. 또한, 점착 테이프를 반도체 웨이퍼에 첩부할 때의 작업성도 양호하게 하는 것이 가능하다.When a rigid base material having a high Young's modulus is used as the base material as described above, even if the total thickness of the tape is reduced as described above, the holding performance against the semiconductor wafer or the semiconductor chip by the adhesive tape is enhanced, It is easy to prevent defects or breakage of the semiconductor chip. In addition, when the Young's modulus is in the above-mentioned range, it is possible to reduce the stress at the time of peeling off the adhesive tape from the semiconductor chip, and it is easy to prevent chip defects or breakage occurring at the peeling of the tape. In addition, it is possible to improve workability in attaching the adhesive tape to a semiconductor wafer.
여기서, 영률이 1000 ㎫ 이상인 강성 기재로는, 상기한 수지 필름 중에서 적절히 선택하면 되는데, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 전체 방향족 폴리에스테르 등의 폴리에스테르, 폴리이미드, 폴리아미드, 폴리카보네이트, 폴리아세탈, 변성 폴리페닐렌옥사이드, 폴리페닐렌술파이드, 폴리술폰, 폴리에테르케톤, 2 축 연신 폴리프로필렌 등의 필름을 들 수 있다.Here, the rigid base material having a Young's modulus of 1000 MPa or more may be appropriately selected from the above-mentioned resin films, and examples thereof include polyesters such as polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polybutylene terephthalate and all aromatic polyesters, , Polycarbonate, polyacetal, modified polyphenylene oxide, polyphenylene sulfide, polysulfone, polyether ketone, biaxially oriented polypropylene and the like.
이들 수지 필름 중에서도, 폴리에스테르 필름, 폴리아미드 필름, 폴리이미드 필름, 2 축 연신 폴리프로필렌 필름으로부터 선택되는 1 종 이상을 포함하는 필름이 바람직하고, 폴리에스테르 필름을 포함하는 것이 보다 바람직하고, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 포함하는 것이 더욱 바람직하다.Among these resin films, a film containing at least one selected from a polyester film, a polyamide film, a polyimide film and a biaxially stretched polypropylene film is preferable, and a polyester film is more preferable, and a polyethylene terephthalate It is more preferable to include a phthalate film.
기재의 두께 (D1) 은, 110 ㎛ 이하인 것이 바람직하고, 15 ∼ 110 ㎛ 인 것이 보다 바람직하고, 20 ∼ 105 ㎛ 인 것이 더욱 바람직하다. 기재의 두께를 110 ㎛ 이하로 함으로써, 점착 테이프의 테이프 총 두께, 두께 비 (D2/D1), 및 점착 테이프의 박리력을 상기한 소정의 값으로 조정하기 쉬워진다. 또한, 15 ㎛ 이상으로 함으로써, 기재가 점착 테이프의 지지체로서의 기능을 하기 쉬워진다.The thickness (D1) of the base material is preferably 110 占 퐉 or less, more preferably 15 to 110 占 퐉, and still more preferably 20 to 105 占 퐉. By setting the thickness of the base material to 110 m or less, it becomes easy to adjust the tape total thickness, the thickness ratio (D2 / D1) of the adhesive tape, and the peeling force of the adhesive tape to the predetermined values. When the thickness is 15 m or more, the base material tends to function as a support for the adhesive tape.
또한, 기재에는, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에 있어서, 가소제, 활제, 적외선 흡수제, 자외선 흡수제, 필러, 착색제, 대전 방지제, 산화 방지제, 촉매 등을 함유시켜도 된다. 또한, 기재는, 투명한 것이어도 되고, 불투명한 것이어도 되고, 원하는 바에 따라 착색 또는 증착되어 있어도 된다.The base material may contain a plasticizer, a lubricant, an infrared absorbent, an ultraviolet absorber, a filler, a colorant, an antistatic agent, an antioxidant, a catalyst, and the like within a range that does not impair the effect of the present invention. Further, the substrate may be transparent or opaque, or may be colored or vapor-deposited according to a desired manner.
또한, 기재의 적어도 일방의 표면에는, 완충층 및 점착제층의 적어도 일방과의 밀착성을 향상시키기 위해서, 코로나 처리 등의 접착 처리를 실시해도 된다. 또한, 기재는, 상기한 수지 필름과, 수지 필름의 적어도 일방의 표면에 피막된 접착 용이층을 가지고 있는 것이어도 된다.Further, at least one surface of the substrate may be subjected to an adhesion treatment such as corona treatment in order to improve the adhesion with at least one of the buffer layer and the pressure-sensitive adhesive layer. Further, the base material may have an easy adhesion layer coated on at least one surface of the resin film and the resin film.
접착 용이층을 형성하는 접착 용이층 형성용 조성물로는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 폴리에스테르계 수지, 우레탄계 수지, 폴리에스테르우레탄계 수지, 아크릴계 수지 등을 포함하는 조성물을 들 수 있다. 접착 용이층 형성용 조성물에는, 필요에 따라, 가교제, 광 중합 개시제, 산화 방지제, 연화제 (가소제), 충전제, 방청제, 안료, 염료 등을 함유해도 된다.Examples of the composition for forming an easy-to-adhere layer include a composition including a polyester resin, a urethane resin, a polyester urethane resin, and an acrylic resin, although the composition is not particularly limited. The composition for forming a facilitating layer may contain a crosslinking agent, a photopolymerization initiator, an antioxidant, a softening agent (plasticizer), a filler, a rust inhibitor, a pigment, a dye and the like, if necessary.
접착 용이층의 두께로는, 바람직하게는 0.01 ∼ 10 ㎛, 보다 바람직하게는 0.03 ∼ 5 ㎛ 이다. 또한, 접착 용이층의 두께는, 기재의 두께에 대하여 작고, 재질도 부드럽기 때문에, 영률에 주는 영향은 작아, 기재의 영률은, 접착 용이층을 갖는 경우에도, 수지 필름의 영률과 실질적으로 동일하다.The thickness of the adhesion-facilitating layer is preferably 0.01 to 10 占 퐉, more preferably 0.03 to 5 占 퐉. Further, since the thickness of the easy-to-adhere layer is small relative to the thickness of the base material and the material is smooth, the Young's modulus is small and the Young's modulus of the base material is substantially the same as the Young's modulus of the resin film .
[완충층][Buffer layer]
완충층은, 반도체 웨이퍼의 연삭에 의한 진동을 완화하여, 반도체 웨이퍼에 균열 및 결손이 발생하는 것을 방지한다. 또한, 점착 테이프를 첩부한 반도체 웨이퍼는, 이면 연삭시에, 진공 테이블 상에 배치되지만, 점착 테이프는 완충층을 형성한 것에 의해, 진공 테이블에 적절히 유지되기 쉬워진다.The buffer layer relaxes vibrations caused by grinding of the semiconductor wafer, thereby preventing cracks and defects from occurring in the semiconductor wafer. Further, the semiconductor wafer to which the adhesive tape is pasted is disposed on the vacuum table at the time of grinding the back surface, but the adhesive tape is easily held in the vacuum table by forming the buffer layer.
본 발명의 완충층은, 23 ℃ 에 있어서의 저장 탄성률이 100 ∼ 1500 ㎫ 인 것이 바람직하고, 200 ∼ 1200 ㎫ 인 것이 보다 바람직하다. 또한, 완충층의 응력 완화율은, 70 ∼ 100 ％ 가 바람직하고, 78 ∼ 98 ％ 인 것이 보다 바람직하다.The buffer layer of the present invention preferably has a storage elastic modulus at 23 ° C of 100 to 1500 MPa, more preferably 200 to 1200 MPa. The stress relaxation rate of the buffer layer is preferably 70 to 100%, more preferably 78 to 98%.
완충층이, 상기 범위 내의 저장 탄성률 및 응력 완화율을 가짐으로써, 점착 테이프가 첩부된 반도체 웨이퍼와 척 테이블 사이에 끼게 된 미세 이물질의 요철이나, 이면 연삭시에 발생하는 지석의 진동이나 충격을 완충층이 흡수하는 효과가 높아진다. 그 때문에, 상기와 같이, 두께 비 (D2/D1) 가 0.7 이하가 되어 완충층의 두께가 얇은 경우에도, 이면 연삭시에 발생하는 칩 결손을 방지하기 쉬워진다.Since the buffer layer has the storage elastic modulus and the stress relaxation rate within the above range, it is possible to prevent the vibration or impact of the microballoons that are sandwiched between the semiconductor wafer and the chuck table to which the adhesive tape is applied and the chuck table, The effect of absorption is enhanced. Therefore, even when the thickness ratio (D2 / D1) is 0.7 or less and the thickness of the buffer layer is thin as described above, it is easy to prevent chip defects that occur during the back grinding.
완충층의 -5 ∼ 120 ℃ 에 있어서의 동적 점탄성의 tanδ 의 최대치 (이하, 간단히 「tanδ 의 최대치」 라고도 한다) 는, 바람직하게는 0.7 이상, 보다 바람직하게는 0.8 이상, 더욱 바람직하게는 1.0 이상이다. 또한, tanδ 의 최대치의 상한은, 특별히 한정되지 않지만, 통상적으로, 2.0 이하이다.The maximum value of the tan? Of the dynamic viscoelasticity of the buffer layer at -5 to 120 占 폚 (hereinafter simply referred to as "maximum value of tan?") Is preferably 0.7 or more, more preferably 0.8 or more, and still more preferably 1.0 or more . The upper limit of the maximum value of tan? Is not particularly limited, but is usually 2.0 or less.
완충층의 tanδ 의 최대치가 0.7 이상이면, 이면 연삭시에 발생하는 지석의 진동이나 충격을 완충층이 흡수하는 효과가 높아진다. 그 때문에, 선다이싱법에 있어서, 반도체 웨이퍼 또는 개편화된 반도체 칩을, 극박이 될 때까지 연삭해도, 칩의 모서리 등에 있어서 결손이 발생하는 것을 방지하기 쉬워진다.When the maximum tan 隆 value of the buffer layer is 0.7 or more, the buffer layer absorbs vibrations or shocks generated when the back side grinding is performed. Therefore, even if the semiconductor wafer or the individual semiconductor chips are ground until they become polarized in the die dicing method, it is easy to prevent defects such as the edges of the chips from being generated.
또한, tanδ 는 손실 정접이라고 불리고, 「손실 탄성률/저장 탄성률」 로 정의되고, 동적 점탄성 측정 장치에 의해 대상물에 부여한 인장 응력이나 비틀림 응력 등의 응력에 대한 응답에 의해 측정되는 값으로, 구체적으로는 실시예에 기재된 방법에 의해 측정된 값을 의미한다.Tan? Is called loss tangent and is defined as "loss elastic modulus / storage elastic modulus" and is a value measured by a response to a stress such as a tensile stress or a torsional stress given to an object by a dynamic viscoelasticity measuring apparatus. Specifically, Quot; means the value measured by the method described in the embodiment.
완충층의 두께 (D2) 는, 8 ∼ 40 ㎛ 인 것이 바람직하고, 10 ∼ 35 ㎛ 인 것이 더욱 바람직하다. 완충층의 두께를 8 ㎛ 이상으로 함으로써, 완충층이 이면 연삭시의 진동을 적절히 완충할 수 있게 된다. 또한, 40 ㎛ 이하임으로써, 테이프 총 두께, 두께 비 (D2/D1) 를 상기한 소정의 값으로 조정하기 쉬워진다.The thickness (D2) of the buffer layer is preferably 8 to 40 mu m, more preferably 10 to 35 mu m. By setting the thickness of the buffer layer to 8 占 퐉 or more, the buffer layer can adequately buffer the vibration during back grinding. Further, when the thickness is 40 占 퐉 or less, the total thickness of the tape and the thickness ratio (D2 / D1) can be easily adjusted to the predetermined value.
완충층은, 에너지선 중합성 화합물을 포함하는 완충층 형성용 조성물로 형성되는 층인 것이 바람직하다. 완충층은, 에너지선 중합성 화합물을 포함함으로써, 에너지선이 조사됨으로써 경화하는 것이 가능해진다. 또한, 「에너지선」 이란, 자외선, 전자선 등을 가리키고, 바람직하게는 자외선을 사용한다.The buffer layer is preferably a layer formed of a composition for forming a buffer layer containing an energy ray polymerizable compound. The buffer layer contains an energy ray-polymerizable compound, so that it can be cured by irradiating the energy ray. The " energy ray " refers to ultraviolet rays, electron rays, and the like, preferably ultraviolet rays.
또한, 완충층 형성용 조성물은, 보다 구체적으로는, 우레탄(메트)아크릴레이트 (a1), 고리 형성 원자수 6 ∼ 20 의 지환기 또는 복소 고리기를 갖는 중합성 화합물 (a2) 를 포함하는 것이 바람직하다. 완충층 형성용 조성물은, 이들 2 성분을 함유함으로써, 완충층의 탄성률, 완충층의 응력 완화율, 및 tanδ 의 최대치를 상기한 범위 내로 하기 쉬워진다. 또한, 완충층 형성용 조성물은, 이들 관점에서, 상기 (a1) 및 (a2) 성분에 더하여, 관능기를 갖는 중합성 화합물 (a3) 을 함유하는 것이 보다 바람직하다.More specifically, the composition for forming the buffer layer preferably comprises a urethane (meth) acrylate (a1) and a polymerizable compound (a2) having a pericyclic or heterocyclic group having 6 to 20 ring-forming atoms . By containing these two components, the composition for forming the buffer layer can easily make the elastic modulus of the buffer layer, the stress relaxation rate of the buffer layer, and the maximum value of tan delta within the above-mentioned range. From these viewpoints, it is more preferable that the composition for forming a buffer layer contains a polymerizable compound (a3) having a functional group in addition to the components (a1) and (a2).
또한, 완충층 형성용 조성물은, 상기 (a1) 및 (a2) 또는 (a1) ∼ (a3) 성분에 더하여, 광 중합 개시제를 함유하는 것이 더욱 바람직하고, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에 있어서, 그 밖의 첨가제나 수지 성분을 함유해도 된다.It is more preferable that the composition for forming a buffer layer contains a photopolymerization initiator in addition to the components (a1) and (a2) or (a1) to (a3) , And other additives or resin components.
이하, 완충층 형성용 조성물 중에 포함되는 각 성분에 대하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, each component contained in the composition for forming a buffer layer will be described in detail.
(우레탄(메트)아크릴레이트 (a1))(Urethane (meth) acrylate (a1))
우레탄(메트)아크릴레이트 (a1) 로는, 적어도 (메트)아크릴로일기 및 우레탄 결합을 갖는 화합물이고, 에너지선 조사에 의해 중합 경화하는 성질을 갖는 것이다. 우레탄(메트)아크릴레이트 (a1) 은, 올리고머 등의 폴리머이다.The urethane (meth) acrylate (a1) is a compound having at least a (meth) acryloyl group and a urethane bond, and has a property of polymerizing and curing by irradiation with energy rays. The urethane (meth) acrylate (a1) is a polymer such as an oligomer.
성분 (a1) 의 질량 평균 분자량 (Mw) 은, 바람직하게는 1,000 ∼ 100,000, 보다 바람직하게는 2,000 ∼ 60,000, 더욱 바람직하게는 3,000 ∼ 20,000 이다. 또한, 성분 (a1) 중의 (메트)아크릴로일기수 (이하, 「관능기수」 라고도 한다) 로는, 단관능, 2 관능, 혹은 3 관능 이상이어도 되지만, 단관능 또는 2 관능인 것이 바람직하다.The mass average molecular weight (Mw) of the component (a1) is preferably 1,000 to 100,000, more preferably 2,000 to 60,000, and still more preferably 3,000 to 20,000. The (meth) acryloyl group in the component (a1) (hereinafter also referred to as "functional group number") may be monofunctional, bifunctional or trifunctional or more, but is preferably monofunctional or bifunctional.
성분 (a1) 은, 예를 들어, 폴리올 화합물과, 다가 이소시아네이트 화합물을 반응시켜 얻어지는 말단 이소시아네이트우레탄 프리 폴리머에, 하이드록시기를 갖는 (메트)아크릴레이트를 반응시켜 얻을 수 있다. 또한, 성분 (a1) 은, 단독으로 또는 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.The component (a1) can be obtained, for example, by reacting a (meth) acrylate having a hydroxy group with a terminal isocyanate urethane prepolymer obtained by reacting a polyol compound with a polyisocyanate compound. The component (a1) may be used alone or in combination of two or more.
성분 (a1) 의 원료가 되는 폴리올 화합물은, 하이드록시기를 2 개 이상 갖는 화합물이면 특별히 한정되지 않는다. 구체적인 폴리올 화합물로는, 예를 들어, 알킬렌디올, 폴리에테르형 폴리올, 폴리에스테르형 폴리올, 폴리카보네이트형 폴리올 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 폴리에스테르형 폴리올이 바람직하다.The polyol compound to be used as a raw material for the component (a1) is not particularly limited as long as it is a compound having two or more hydroxy groups. Specific examples of polyol compounds include alkylene diols, polyether-type polyols, polyester-type polyols, polycarbonate-type polyols, and the like. Of these, polyester type polyols are preferred.
또한, 폴리올 화합물로는, 2 관능의 디올, 3 관능의 트리올, 4 관능 이상의 폴리올의 어느 것이어도 되지만, 2 관능의 디올이 바람직하고, 폴리에스테르형 디올이 보다 바람직하다.The polyol compound may be any of a bifunctional diol, a trifunctional triol, and a tetrafunctional or higher polyol, but a bifunctional diol is preferable, and a polyester-based diol is more preferable.
다가 이소시아네이트 화합물로는, 예를 들어, 테트라메틸렌디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 트리메틸헥사메틸렌디이소시아네이트 등의 지방족계 폴리이소시아네이트류 ; 이소포론디이소시아네이트, 노르보르난디이소시아네이트, 디시클로헥실메탄-4,4'-디이소시아네이트, 디시클로헥실메탄-2,4'-디이소시아네이트, ω,ω'-디이소시아네이트디메틸시클로헥산 등의 지환족계 디이소시아네이트류 ; 4,4'-디페닐메탄디이소시아네이트, 톨릴렌디이소시아네이트, 자일릴렌디이소시아네이트, 톨리딘디이소시아네이트, 테트라메틸렌자일릴렌디이소시아네이트, 나프탈렌-1,5-디이소시아네이트 등의 방향족계 디이소시아네이트류 등을 들 수 있다.Examples of the polyvalent isocyanate compound include aliphatic polyisocyanates such as tetramethylene diisocyanate, hexamethylene diisocyanate and trimethylhexamethylene diisocyanate; Diisobutylene diisocyanate, isophorone diisocyanate, norbornadiisocyanate, dicyclohexylmethane-4,4'-diisocyanate, dicyclohexylmethane-2,4'-diisocyanate, and omega, omega-diisocyanate dimethylcyclohexane. Diisocyanates; Aromatic diisocyanates such as 4,4'-diphenylmethane diisocyanate, tolylene diisocyanate, xylylene diisocyanate, tolylidine diisocyanate, tetramethylene xylylene diisocyanate and naphthalene-1,5-diisocyanate. have.
이들 중에서도, 이소포론디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 자일릴렌디이소시아네이트가 바람직하다.Among these, isophorone diisocyanate, hexamethylene diisocyanate and xylylene diisocyanate are preferable.
상기 서술한 폴리올 화합물과, 다가 이소시아네이트 화합물을 반응시켜 얻어지는 말단 이소시아네이트우레탄 프리 폴리머에, 하이드록시기를 갖는 (메트)아크릴레이트를 반응시켜 우레탄(메트)아크릴레이트 (a1) 을 얻을 수 있다. 하이드록시기를 갖는 (메트)아크릴레이트로는, 적어도 1 분자 중에 하이드록시기 및 (메트)아크릴로일기를 갖는 화합물이면, 특별히 한정되지 않는다.(Meth) acrylate (a1) can be obtained by reacting a (meth) acrylate having a hydroxy group with a terminal isocyanate urethane prepolymer obtained by reacting the above-mentioned polyol compound with a polyvalent isocyanate compound. The (meth) acrylate having a hydroxy group is not particularly limited so long as it is a compound having a hydroxyl group and a (meth) acryloyl group in at least one molecule.
구체적인 하이드록시기를 갖는 (메트)아크릴레이트로는, 예를 들어, 2-하이드록시에틸(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시프로필(메트)아크릴레이트, 4-하이드록시부틸(메트)아크릴레이트, 4-하이드록시시클로헥실(메트)아크릴레이트, 5-하이드록시시클로옥틸(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시-3-페닐옥시프로필(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜모노(메트)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜모노(메트)아크릴레이트 등의 하이드록시알킬(메트)아크릴레이트 ; N-메틸올(메트)아크릴아미드 등의 하이드록시기 함유 (메트)아크릴아미드 ; 비닐알코올, 비닐페놀, 비스페놀 A 의 디글리시딜에스테르에 (메트)아크릴산을 반응시켜 얻어지는 반응물 등을 들 수 있다.Specific examples of the (meth) acrylate having a hydroxy group include 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 4-hydroxybutyl (Meth) acrylate, 2-hydroxy-3-phenyloxypropyl (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, Hydroxyalkyl (meth) acrylates such as polyethylene glycol mono (meth) acrylate and polypropylene glycol mono (meth) acrylate; (Meth) acrylamides such as N-methylol (meth) acrylamide; Vinyl alcohol, vinyl phenol, and a reaction product obtained by reacting diglycidyl ester of bisphenol A with (meth) acrylic acid.
이들 중에서도, 하이드록시알킬(메트)아크릴레이트가 바람직하고, 2-하이드록시에틸(메트)아크릴레이트가 보다 바람직하다.Among them, hydroxyalkyl (meth) acrylate is preferable, and 2-hydroxyethyl (meth) acrylate is more preferable.
말단 이소시아네이트우레탄 프리 폴리머 및 하이드록시기를 갖는 (메트)아크릴레이트를 반응시키는 조건으로는, 필요에 따라 첨가되는 용제, 촉매의 존재하, 60 ∼ 100 ℃ 에서, 1 ∼ 4 시간 반응시키는 조건이 바람직하다.The conditions for reacting the terminal isocyanate urethane prepolymer and (meth) acrylate having a hydroxy group are preferably a condition of reacting at 60 to 100 ° C for 1 to 4 hours in the presence of a solvent or catalyst added as needed .
완충층 형성용 조성물 중의 성분 (a1) 의 함유량은, 완충층 형성용 조성물의 전체량 (100 질량％) 에 대하여, 바람직하게는 10 ∼ 70 질량％, 보다 바람직하게는 20 ∼ 60 질량％, 더욱 바람직하게는 25 ∼ 55 질량％, 보다 더욱 바람직하게는 30 ∼ 50 질량％ 이다.The content of the component (a1) in the buffer layer forming composition is preferably 10 to 70% by mass, more preferably 20 to 60% by mass, more preferably 20 to 60% by mass, relative to the total amount (100% Is 25 to 55 mass%, and more preferably 30 to 50 mass%.
(고리 형성 원자수 6 ∼ 20 의 지환기 또는 복소 고리기를 갖는 중합성 화합물 (a2))(Polymerizable compound (a2) having a ring-opening or heterocyclic group having 6 to 20 ring-forming atoms)
성분 (a2) 는, 고리 형성 원자수 6 ∼ 20 의 지환기 또는 복소 고리기를 갖는 중합성 화합물이고, 적어도 1 개의 (메트)아크릴로일기를 갖는 화합물인 것이 바람직하다. 이 성분 (a2) 를 사용함으로써, 얻어지는 완충층 형성용 조성물의 성막성을 향상시킬 수 있다.The component (a2) is preferably a polymerizable compound having a ring-forming group or a heterocyclic group having 6 to 20 ring-forming atoms, and is preferably a compound having at least one (meth) acryloyl group. By using the component (a2), the film-forming property of the obtained composition for forming a buffer layer can be improved.
성분 (a2) 가 갖는 지환기 또는 복소 고리기의 고리 형성 원자수는, 바람직하게는 6 ∼ 20 이지만, 보다 바람직하게는 6 ∼ 18, 더욱 바람직하게는 6 ∼ 16, 보다 더욱 바람직하게는 7 ∼ 12 이다. 당해 복소 고리기의 고리 구조를 형성하는 원자로는, 예를 들어, 탄소 원자, 질소 원자, 산소 원자, 황 원자 등을 들 수 있다.The number of ring-forming atoms of the heterocyclic group or heterocyclic group of the component (a2) is preferably from 6 to 20, more preferably from 6 to 18, still more preferably from 6 to 16, 12. Examples of the nuclear reactor forming the ring structure of the heterocyclic group include a carbon atom, a nitrogen atom, an oxygen atom, and a sulfur atom.
또한, 고리 형성 원자수란, 원자가 고리형으로 결합한 구조의 화합물의 당해 고리 자체를 구성하는 원자의 수를 나타내고, 고리를 구성하지 않는 원자 (예를 들어, 고리를 구성하는 원자에 결합한 수소 원자) 나, 당해 고리가 치환기에 의해 치환되는 경우의 치환기에 포함되는 원자는 고리 형성 원자수에는 포함하지 않는다.The number of ring-forming atoms means the number of atoms constituting the ring itself of a compound having a structure in which the atoms are bonded in a cyclic form, and an atom not constituting a ring (for example, a hydrogen atom bonded to an atom constituting a ring) Or an atom contained in a substituent group when the ring is substituted by a substituent does not include the number of ring-forming atoms.
구체적인 성분 (a2) 로는, 예를 들어, 이소보르닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜테닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜타닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜테닐옥시(메트)아크릴레이트, 시클로헥실(메트)아크릴레이트, 아다만탄(메트)아크릴레이트 등의 지환기 함유 (메트)아크릴레이트 ; 테트라하이드로푸르푸릴(메트)아크릴레이트, 모르폴린(메트)아크릴레이트 등의 복소 고리기 함유 (메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.Examples of the specific component (a2) include isobornyl (meth) acrylate, dicyclopentenyl (meth) acrylate, dicyclopentanyl (meth) acrylate, dicyclopentenyloxy (meth) (Meth) acrylate containing perylene groups such as cyclohexyl (meth) acrylate and adamantane (meth) acrylate; (Meth) acrylate having a heterocyclic group such as tetrahydrofurfuryl (meth) acrylate and morpholine (meth) acrylate.
또한, 성분 (a2) 는, 단독으로 또는 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.The component (a2) may be used alone or in combination of two or more.
이들 중에서도, 지환기 함유 (메트)아크릴레이트가 바람직하고, 이소보르닐(메트)아크릴레이트가 보다 바람직하다.Among them, preferred is a vicinal group-containing (meth) acrylate, and isobornyl (meth) acrylate is more preferable.
완충층 형성용 조성물 중의 성분 (a2) 의 함유량은, 완충층 형성용 조성물의 전체량 (100 질량％) 에 대하여, 바람직하게는 10 ∼ 70 질량％, 보다 바람직하게는 20 ∼ 60 질량％, 더욱 바람직하게는 25 ∼ 55 질량％, 보다 더욱 바람직하게는 30 ∼ 50 질량％ 이다.The content of the component (a2) in the buffer layer forming composition is preferably 10 to 70% by mass, more preferably 20 to 60% by mass, more preferably 20 to 60% by mass, relative to the total amount (100% Is 25 to 55 mass%, and more preferably 30 to 50 mass%.
(관능기를 갖는 중합성 화합물 (a3))(Polymerizable compound (a3) having a functional group)
성분 (a3) 은, 수산기, 에폭시기, 아미드기, 아미노기 등의 관능기를 함유하는 중합성 화합물이고, 나아가, 적어도 1 개의 (메트)아크릴로일기를 갖는 화합물인 것이 바람직하다.The component (a3) is preferably a polymerizable compound containing a functional group such as a hydroxyl group, an epoxy group, an amide group or an amino group, and further preferably a compound having at least one (meth) acryloyl group.
성분 (a3) 은, 성분 (a1) 과의 상용성이 양호하고, 완충층 형성용 조성물의 점도를 적당한 범위로 조정하기 쉬워진다. 또한, 당해 조성물로 형성되는 완충층의 탄성률이나 tanδ 의 값을 상기한 범위로 하기 쉬워져, 완충층을 비교적 얇게 해도 완충 성능이 양호해진다.The component (a3) has good compatibility with the component (a1), and it is easy to adjust the viscosity of the composition for forming the buffer layer to an appropriate range. Further, the elastic modulus and tan? Of the buffer layer formed of the composition can be easily set within the above-mentioned range, and even when the buffer layer is made relatively thin, the buffering performance is improved.
성분 (a3) 으로는, 예를 들어, 수산기 함유 (메트)아크릴레이트, 에폭시기 함유 화합물, 아미드기 함유 화합물, 아미노기 함유 (메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.Examples of the component (a3) include a hydroxyl group-containing (meth) acrylate, an epoxy group-containing compound, an amide group-containing compound and an amino group-containing (meth) acrylate.
수산기 함유 (메트)아크릴레이트로는, 예를 들어, 2-하이드록시에틸(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시프로필(메트)아크릴레이트, 3-하이드록시프로필(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시부틸(메트)아크릴레이트, 3-하이드록시부틸(메트)아크릴레이트, 4-하이드록시부틸(메트)아크릴레이트, 페닐하이드록시프로필(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.Examples of the hydroxyl group-containing (meth) acrylate include 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 3-hydroxypropyl (meth) Hydroxybutyl (meth) acrylate, 3-hydroxybutyl (meth) acrylate, 4-hydroxybutyl (meth) acrylate and phenylhydroxypropyl (meth) acrylate.
에폭시기 함유 화합물로는, 예를 들어, 글리시딜(메트)아크릴레이트, 메틸글리시딜(메트)아크릴레이트, 알릴글리시딜에테르 등을 들 수 있고, 이들 중에서는, 글리시딜(메트)아크릴레이트, 메틸글리시딜(메트)아크릴레이트 등의 에폭시기 함유 (메트)아크릴레이트가 바람직하다.Examples of the epoxy group-containing compound include glycidyl (meth) acrylate, methylglycidyl (meth) acrylate and allylglycidyl ether. Of these, glycidyl (meth) Acrylate, and (meth) acrylate having an epoxy group such as methylglycidyl (meth) acrylate.
아미드기 함유 화합물로는, 예를 들어, (메트)아크릴아미드, N,N-디메틸(메트)아크릴아미드, N-부틸(메트)아크릴아미드, N-메틸올(메트)아크릴아미드, N-메틸올프로판(메트)아크릴아미드, N-메톡시메틸(메트)아크릴아미드, N-부톡시메틸(메트)아크릴아미드 등을 들 수 있다.Examples of the amide group-containing compound include (meth) acrylamide, N, N-dimethyl (meth) acrylamide, N-butyl (meth) acrylamide, (Meth) acrylamide, N-methoxymethyl (meth) acrylamide, N-butoxymethyl (meth) acrylamide and the like.
아미노기 함유 (메트)아크릴레이트로는, 예를 들어, 제 1 급 아미노기 함유 (메트)아크릴레이트, 제 2 급 아미노기 함유 (메트)아크릴레이트, 제 3 급 아미노기 함유 (메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.Examples of the amino group-containing (meth) acrylate include (meth) acrylate containing a primary amino group, secondary amino group-containing (meth) acrylate, and tertiary amino group- have.
이들 중에서도, 수산기 함유 (메트)아크릴레이트가 바람직하고, 페닐하이드록시프로필(메트)아크릴레이트 등의 방향 고리를 갖는 수산기 함유 (메트)아크릴레이트가 보다 바람직하다.Among them, a hydroxyl group-containing (meth) acrylate is preferable, and a hydroxyl group-containing (meth) acrylate having an aromatic ring such as phenylhydroxypropyl (meth) acrylate is more preferable.
또한, 성분 (a3) 은, 단독으로 또는 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.The component (a3) may be used alone or in combination of two or more.
완충층 형성용 조성물 중의 성분 (a3) 의 함유량은, 완충층의 탄성률 및 응력 완화율을 상기 서술한 범위로 하기 쉽게 하고, 또한, 완충층 형성용 조성물의 성막성을 향상시키기 위해서, 완충층 형성용 조성물의 전체량 (100 질량％) 에 대하여, 바람직하게는 5 ∼ 40 질량％, 보다 바람직하게는 7 ∼ 35 질량％, 더욱 바람직하게는 10 ∼ 30 질량％, 보다 더욱 바람직하게는 13 ∼ 25 질량％ 이다.The content of the component (a3) in the composition for forming a buffer layer is preferably such that the elastic modulus and the stress relaxation rate of the buffer layer are made to fall within the above-mentioned range and that the total of the composition for buffer layer formation Is preferably from 5 to 40 mass%, more preferably from 7 to 35 mass%, still more preferably from 10 to 30 mass%, still more preferably from 13 to 25 mass%, based on 100 mass%
또한, 완충층 형성용 조성물 중의 성분 (a2) 와 성분 (a3) 의 함유량비〔(a2)/(a3)〕는, 바람직하게는 0.5 ∼ 3.0, 보다 바람직하게는 1.0 ∼ 3.0, 더욱 바람직하게는 1.3 ∼ 3.0, 보다 더욱 바람직하게는 1.5 ∼ 2.8 이다.The content ratio [(a2) / (a3)] between the components (a2) and (a3) in the buffer layer forming composition is preferably 0.5 to 3.0, more preferably 1.0 to 3.0, To 3.0, even more preferably from 1.5 to 2.8.
(성분 (a1) ∼ (a3) 이외의 중합성 화합물)(Polymerizable compounds other than the components (a1) to (a3)
완충층 형성용 조성물에는, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에 있어서, 상기의 성분 (a1) ∼ (a3) 이외의 그 밖의 중합성 화합물을 함유해도 된다.The composition for forming a buffer layer may contain other polymerizable compounds other than the above-mentioned components (a1) to (a3) within the range not inhibiting the effect of the present invention.
그 밖의 중합성 화합물로는, 예를 들어, 탄소수 1 ∼ 20 의 알킬기를 갖는 알킬(메트)아크릴레이트 ; 스티렌, 하이드록시에틸비닐에테르, 하이드록시부틸비닐에테르, N-비닐포름아미드, N-비닐피롤리돈, N-비닐카프로락탐 등의 비닐 화합물 등을 들 수 있다. 또한, 이들 그 밖의 중합성 화합물은, 단독으로 또는 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.Other polymerizable compounds include, for example, alkyl (meth) acrylates having an alkyl group of 1 to 20 carbon atoms; Vinyl compounds such as styrene, hydroxyethyl vinyl ether, hydroxybutyl vinyl ether, N-vinyl formamide, N-vinyl pyrrolidone and N-vinyl caprolactam. These other polymerizable compounds may be used alone or in combination of two or more.
완충층 형성용 조성물 중의 그 밖의 중합성 화합물의 함유량은, 바람직하게는 0 ∼ 20 질량％, 보다 바람직하게는 0 ∼ 10 질량％, 더욱 바람직하게는 0 ∼ 5 질량％, 보다 더욱 바람직하게는 0 ∼ 2 질량％ 이다.The content of other polymerizable compounds in the composition for forming a buffer layer is preferably 0 to 20% by mass, more preferably 0 to 10% by mass, still more preferably 0 to 5% by mass, still more preferably 0 to 5% 2% by mass.
(광 중합 개시제)(Photopolymerization initiator)
완충층 형성용 조성물에는, 완충층을 형성할 때, 광 조사에 의한 중합 시간을 단축시키고, 또한, 광 조사량을 저감시키는 관점에서, 추가로 광 중합 개시제를 함유하는 것이 바람직하다.The composition for forming a buffer layer preferably further contains a photopolymerization initiator in order to shorten the polymerization time by light irradiation and reduce the light irradiation amount when forming the buffer layer.
광 중합 개시제로는, 예를 들어, 벤조인 화합물, 아세토페논 화합물, 아실포스피녹사이드 화합물, 티타노센 화합물, 티오크산톤 화합물, 퍼옥사이드 화합물, 나아가, 아민이나 퀴논 등의 광 증감제 등을 들 수 있고, 보다 구체적으로는, 예를 들어, 1-하이드록시시클로헥실페닐케톤, 2-하이드록시-2-메틸-1-페닐-프로판-1-온, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤질페닐설파이드, 테트라메틸티우람모노설파이드, 아조비스이소부틸올니트릴, 디벤질, 디아세틸, 8-클로르안트라퀴논, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)페닐포스핀옥사이드 등을 들 수 있다.Examples of the photopolymerization initiator include a benzoin compound, an acetophenone compound, an acylphosphinoxide compound, a titanocene compound, a thioxanthone compound, a peroxide compound, and further a photosensitizer such as amine or quinone And more specifically, for example, 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenyl-propan-1-one, benzoin, benzoin methyl ether, Benzoin isopropyl ether, benzylphenyl sulfide, tetramethylthiuram monosulfide, azobisisobutylol nitrile, dibenzyl, diacetyl, 8-chlorantraquinone, bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) And phenylphosphine oxide.
이들 광 중합 개시제는, 단독으로 또는 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.These photopolymerization initiators may be used alone or in combination of two or more.
완충층 형성용 조성물 중의 광 중합 개시제의 함유량은, 에너지선 중합성 화합물의 합계량 100 질량부에 대하여, 바람직하게는 0.05 ∼ 15 질량부, 보다 바람직하게는 0.1 ∼ 10 질량부, 더욱 바람직하게는 0.3 ∼ 5 질량부이다.The content of the photopolymerization initiator in the composition for forming a buffer layer is preferably 0.05 to 15 parts by mass, more preferably 0.1 to 10 parts by mass, and still more preferably 0.3 to 10 parts by mass, relative to 100 parts by mass of the total amount of the energy ray- 5 parts by mass.
(그 밖의 첨가제)(Other additives)
완충층 형성용 조성물에는, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에 있어서, 그 밖의 첨가제를 함유해도 된다. 그 밖의 첨가제로는, 예를 들어, 대전 방지제, 산화 방지제, 연화제 (가소제), 충전제, 방청제, 안료, 염료 등을 들 수 있다. 이들 첨가제를 배합하는 경우, 완충층 형성용 조성물 중의 각 첨가제의 함유량은, 에너지선 중합성 화합물의 합계량 100 질량부에 대하여, 바람직하게는 0.01 ∼ 6 질량부, 보다 바람직하게는 0.1 ∼ 3 질량부이다.The composition for forming the buffer layer may contain other additives insofar as the effect of the present invention is not impaired. Other additives include, for example, antistatic agents, antioxidants, softening agents (plasticizers), fillers, rust inhibitors, pigments, dyes and the like. When these additives are blended, the content of each additive in the buffer layer forming composition is preferably 0.01 to 6 parts by mass, more preferably 0.1 to 3 parts by mass based on 100 parts by mass of the total amount of the energy ray polymerizable compounds .
(수지 성분)(Resin component)
완충층 형성용 조성물에는, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에 있어서, 수지 성분을 함유해도 된다. 수지 성분으로는, 예를 들어, 폴리엔·티올계 수지나, 폴리부텐, 폴리부타디엔, 폴리메틸펜텐 등의 폴리올레핀계 수지, 및 스티렌계 공중합체 등의 열 가소성 수지 등을 들 수 있다.The composition for forming the buffer layer may contain a resin component in a range not hindering the effect of the present invention. Examples of the resin component include polyene-thiol resins, polyolefin resins such as polybutene, polybutadiene and polymethylpentene, and thermoplastic resins such as styrene-based copolymers.
완충층 형성용 조성물 중의 이들 수지 성분의 함유량은, 바람직하게는 0 ∼ 20 질량％, 보다 바람직하게는 0 ∼ 10 질량％, 더욱 바람직하게는 0 ∼ 5 질량％, 보다 더욱 바람직하게는 0 ∼ 2 질량％ 이다.The content of these resin components in the composition for forming a buffer layer is preferably 0 to 20 mass%, more preferably 0 to 10 mass%, still more preferably 0 to 5 mass%, still more preferably 0 to 2 mass% % to be.
[점착제층][Pressure sensitive adhesive layer]
점착제층은, 23 ℃ 에 있어서의 탄성률이 0.10 ∼ 0.50 ㎫ 인 것이 바람직하다. 반도체 웨이퍼의 표면에는, 회로 등이 형성되어 통상적으로 요철이 있다. 점착 테이프는, 탄성률이 상기 범위 내가 됨으로써, 요철이 있는 웨이퍼 표면에 첩부될 때, 웨이퍼 표면의 요철과 점착제층을 충분히 접촉시키고, 또한 점착제층의 접착성을 적절히 발휘시키는 것이 가능해진다. 그 때문에, 점착 테이프의 반도체 웨이퍼에 대한 고정을 확실하게 실시하고, 또한 이면 연삭시에 웨이퍼 표면을 적절히 보호하는 것이 가능해진다. 이들 관점에서, 점착제층의 탄성률은, 0.12 ∼ 0.35 ㎫ 인 것이 보다 바람직하다. 또한, 점착제층의 탄성률이란, 점착제층이 에너지선 경화성 점착제로 형성되는 경우에는, 에너지선 조사에 의한 경화 전의 탄성률을 의미하고, 후술하는 실시예의 측정법에 의해 측정되어 얻은 저장 탄성률의 값이다.The pressure-sensitive adhesive layer preferably has a modulus of elasticity at 23 占 폚 of 0.10 to 0.50 MPa. On the surface of the semiconductor wafer, a circuit or the like is formed and usually has irregularities. When the pressure-sensitive adhesive tape has a modulus of elasticity within the above-mentioned range, it becomes possible to sufficiently bring the unevenness of the surface of the wafer and the pressure-sensitive adhesive layer into contact with each other and to exert the adhesive property of the pressure-sensitive adhesive layer properly. Therefore, it is possible to securely fix the adhesive tape to the semiconductor wafer, and to appropriately protect the wafer surface at the time of back side grinding. From these viewpoints, the pressure-sensitive adhesive layer preferably has a modulus of elasticity of 0.12 to 0.35 MPa. The elastic modulus of the pressure-sensitive adhesive layer means the elastic modulus before curing by energy ray irradiation when the pressure-sensitive adhesive layer is formed of an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive, and is a value of the storage elastic modulus measured by the measuring method of Examples described later.
점착제층의 두께 (D3) 은, 70 ㎛ 이하가 바람직하고, 40 ㎛ 미만인 것이 보다 바람직하고, 35 ㎛ 이하가 더욱 바람직하고, 30 ㎛ 이하가 특히 바람직하다. 또한, 두께 (D3) 은, 5 ㎛ 이상이 바람직하고, 10 ㎛ 이상이 더욱 바람직하다. 점착제층을 이와 같이 얇게 하면, 테이프 총 두께를 상기한 바와 같이 160 ㎛ 이하로 하기 쉬워진다. 또한, 점착 테이프에 있어서, 강성이 낮은 부분의 비율을 적게 할 수 있기 때문에, 이면 연삭시에 발생하는 반도체 칩의 결손을 더욱 방지하기 쉬워진다.The thickness (D3) of the pressure-sensitive adhesive layer is preferably 70 占 퐉 or less, more preferably 40 占 퐉 or less, further preferably 35 占 퐉 or less, and particularly preferably 30 占 퐉 or less. The thickness D3 is preferably 5 占 퐉 or more, more preferably 10 占 퐉 or more. If the pressure-sensitive adhesive layer is made as thin as described above, it becomes easy to make the total thickness of the tape to 160 m or less as described above. Further, in the pressure-sensitive adhesive tape, since the ratio of the low-rigidity portion can be reduced, it is easier to further prevent the semiconductor chip from being broken during the back-grinding.
점착제층은, 예를 들어, 아크릴계 점착제, 우레탄계 점착제, 고무계 점착제, 실리콘계 점착제 등으로 형성되지만, 아크릴계 점착제가 바람직하다.The pressure-sensitive adhesive layer is formed of, for example, an acrylic pressure-sensitive adhesive, a urethane pressure-sensitive adhesive, a rubber pressure-sensitive adhesive, a silicone pressure-sensitive adhesive or the like, but an acrylic pressure-sensitive adhesive is preferred.
또한, 점착제층은, 에너지선 경화성 점착제로 형성되는 것이 바람직하다. 점착제층은, 에너지선 경화성 점착제로 형성됨으로써, 에너지선 조사에 의한 경화 전에는, 23 ℃ 에 있어서의 탄성률을 상기 범위로 설정하면서, 경화 후에 있어서는 박리력을 1000 mN/50 ㎜ 이하로 용이하게 설정하는 것이 가능해진다.The pressure-sensitive adhesive layer is preferably formed of an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive. The pressure-sensitive adhesive layer is formed of an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive. Thus, before curing by energy ray irradiation, the modulus of elasticity at 23 ° C is set within the above range while the peel force after curing is easily set to 1000 mN / 50 mm or less Lt; / RTI >
에너지선 경화성 점착제로는, 예를 들어, 비에너지선 경화성의 점착성 수지 (「점착성 수지 I」 이라고도 한다) 에 더하여, 점착성 수지 이외의 에너지선 경화성 화합물을 포함하는 에너지선 경화성 점착제 조성물 (이하, 「X 형의 점착제 조성물」 이라고도 한다) 이 사용 가능하다. 또한, 에너지선 경화성 점착제로서, 비에너지선 경화성의 점착성 수지의 측사슬에 불포화기를 도입한 에너지선 경화성의 점착성 수지 (이하, 「점착성 수지 II」 라고도 한다) 를 주성분으로서 포함하고, 점착성 수지 이외의 에너지선 경화성 화합물을 포함하지 않는 점착제 조성물 (이하, 「Y 형의 점착제 조성물」 이라고도 한다) 을 사용해도 된다.As the energy radiation curable pressure sensitive adhesive, for example, an energy ray curable pressure sensitive adhesive composition (hereinafter referred to as " pressure sensitive adhesive composition ") containing an energy ray curable compound other than a pressure sensitive adhesive resin in addition to a pressure sensitive adhesive resin X-type pressure-sensitive adhesive composition ") can be used. As an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive, an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive resin (hereinafter also referred to as "pressure-sensitive adhesive resin II") in which an unsaturated group is introduced into a side chain of a non-energy ray curable pressure-sensitive adhesive resin as a main component, A pressure-sensitive adhesive composition that does not contain an energy ray-curable compound (hereinafter, also referred to as a "Y-type pressure-sensitive adhesive composition") may be used.
또한, 에너지선 경화성 점착제로는, X 형과 Y 형의 병용형, 즉, 에너지선 경화성의 점착성 수지 II 에 더하여, 점착성 수지 이외의 에너지선 경화성 화합물도 포함하는 에너지선 경화성 점착제 조성물 (이하, 「XY 형의 점착제 조성물」 이라고도 한다) 을 사용해도 된다.As the energy ray-curable pressure-sensitive adhesive, an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive composition (hereinafter also referred to as " pressure-sensitive adhesive composition ") containing an energy ray curable compound other than a pressure- XY type pressure-sensitive adhesive composition ") may be used.
이들 중에서는, XY 형의 점착제 조성물을 사용하는 것이 바람직하다. XY 형의 것을 사용함으로써, 경화 전에 있어서는 충분한 점착 특성을 갖는 한편으로, 경화 후에 있어서는, 반도체 웨이퍼에 대한 박리력을 충분히 낮게 하는 것이 가능하다.Of these, it is preferable to use an XY type pressure-sensitive adhesive composition. By using the XY type, it is possible to sufficiently lower the peeling force to the semiconductor wafer after curing while having sufficient adhesive property before curing.
단, 점착제로는, 에너지선을 조사해도 경화하지 않는 비에너지선 경화성의 점착제 조성물로 형성해도 된다. 비에너지선 경화성의 점착제 조성물은, 적어도 비에너지선 경화성의 점착성 수지 I 을 함유하는 한편, 상기한 에너지선 경화성의 점착성 수지 II 및 에너지선 경화성 화합물을 함유하지 않는 것이다.However, the pressure-sensitive adhesive may be formed from a pressure-sensitive adhesive composition having a non-energy radiation curable property that does not harden even when an energy ray is irradiated. The non-energy radiation curable pressure-sensitive adhesive composition contains at least a non-energy radiation curable tackifying resin I and does not contain the above-mentioned energy ray curable tackifying resin II and an energy ray curable compound.
또한, 이하의 설명에 있어서 "점착성 수지" 는, 상기한 점착성 수지 I 및 점착성 수지 II 의 일방 또는 양방을 가리키는 용어로서 사용한다. 구체적인 점착성 수지로는, 예를 들어, 아크릴계 수지, 우레탄계 수지, 고무계 수지, 실리콘계 수지 등을 들 수 있지만, 아크릴계 수지가 바람직하다.In the following description, " adhesive resin " is used as a term indicating one or both of the above-mentioned adhesive resin I and adhesive resin II. Specific examples of the adhesive resin include an acrylic resin, a urethane resin, a rubber resin, a silicone resin and the like, but an acrylic resin is preferable.
이하, 점착성 수지로서, 아크릴계 수지가 사용되는 아크릴계 점착제에 대하여 보다 상세히 설명한다.Hereinafter, the acrylic pressure-sensitive adhesive in which an acrylic resin is used as the adhesive resin will be described in more detail.
아크릴계 수지에는, 아크릴계 중합체 (b) 가 사용된다. 아크릴계 중합체 (b) 는, 적어도 알킬(메트)아크릴레이트를 포함하는 모노머를 중합하여 얻은 것으로, 알킬(메트)아크릴레이트 유래의 구성 단위를 포함한다. 알킬(메트)아크릴레이트로는, 알킬기의 탄소수가 1 ∼ 20 인 것을 들 수 있고, 알킬기는 직사슬이어도 되고, 분기여도 된다. 알킬(메트)아크릴레이트의 구체예로는, 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, 이소프로필(메트)아크릴레이트, n-프로필(메트)아크릴레이트, n-부틸(메트)메타크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트, n-옥틸(메트)아크릴레이트, 이소옥틸(메트)아크릴레이트, 노닐(메트)아크릴레이트, 데실(메트)아크릴레이트, 운데실(메트)아크릴레이트, 도데실(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 알킬(메트)아크릴레이트는, 단독으로 또는 2 종 이상 조합하여 사용해도 된다.As the acrylic resin, an acrylic polymer (b) is used. The acrylic polymer (b) is obtained by polymerizing at least a monomer containing an alkyl (meth) acrylate and includes a structural unit derived from an alkyl (meth) acrylate. As the alkyl (meth) acrylate, the alkyl group has 1 to 20 carbon atoms, and the alkyl group may be linear or branched. Specific examples of the alkyl (meth) acrylate include methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, isopropyl (meth) acrylate, n-propyl (meth) acrylate, (Meth) acrylate, octyl (meth) acrylate, nonyl (meth) acrylate, nonyl (meth) acrylate, decyl (meth) acrylate, undecyl Dodecyl (meth) acrylate, and the like. The alkyl (meth) acrylates may be used singly or in combination of two or more kinds.
또한, 아크릴계 중합체 (b) 는, 점착제층의 점착력을 향상시키는 관점에서, 알킬기의 탄소수가 4 이상인 알킬(메트)아크릴레이트 유래의 구성 단위를 포함하는 것이 바람직하다. 그 알킬(메트)아크릴레이트의 탄소수로는, 바람직하게는 4 ∼ 12, 더욱 바람직하게는 4 ∼ 6 이다. 또한, 알킬기의 탄소수가 4 이상인 알킬(메트)아크릴레이트는, 알킬아크릴레이트인 것이 바람직하다.From the viewpoint of improving the adhesive force of the pressure-sensitive adhesive layer, the acrylic polymer (b) preferably contains a structural unit derived from an alkyl (meth) acrylate having an alkyl group having 4 or more carbon atoms. The number of carbon atoms of the alkyl (meth) acrylate is preferably 4 to 12, more preferably 4 to 6. The alkyl (meth) acrylate having an alkyl group having 4 or more carbon atoms is preferably an alkyl acrylate.
아크릴계 중합체 (b) 에 있어서, 알킬기의 탄소수가 4 이상인 알킬(메트)아크릴레이트는, 아크릴계 중합체 (b) 를 구성하는 모노머 전체량 (이하 간단히 "모노머 전체량" 이라고도 한다) 에 대하여, 바람직하게는 40 ∼ 98 질량％, 보다 바람직하게는 45 ∼ 95 질량％, 더욱 바람직하게는 50 ∼ 90 질량％ 이다.In the acrylic polymer (b), the alkyl (meth) acrylate whose alkyl group has 4 or more carbon atoms is preferably an alkyl (meth) acrylate based on the total amount of the monomers constituting the acrylic polymer (b) 40 to 98% by mass, more preferably 45 to 95% by mass, and still more preferably 50 to 90% by mass.
아크릴계 중합체 (b) 는, 알킬기의 탄소수가 4 이상인 알킬(메트)아크릴레이트 유래의 구성 단위에 더하여, 점착제층의 탄성률이나 점착 특성을 조정하기 위해서, 알킬기의 탄소수가 1 ∼ 3 인 알킬(메트)아크릴레이트 유래의 구성 단위를 포함하는 공중합체인 것이 바람직하다. 또한, 그 알킬(메트)아크릴레이트는, 탄소수 1 또는 2 의 알킬(메트)아크릴레이트인 것이 바람직하고, 메틸(메트)아크릴레이트가 보다 바람직하고, 메틸메타크릴레이트가 가장 바람직하다. 아크릴계 중합체 (b) 에 있어서, 알킬기의 탄소수가 1 ∼ 3 인 알킬(메트)아크릴레이트는, 모노머 전체량에 대하여, 바람직하게는 1 ∼ 30 질량％, 보다 바람직하게는 3 ∼ 26 질량％, 더욱 바람직하게는 6 ∼ 22 질량％ 이다.The acrylic polymer (b) is preferably an alkyl (meth) acrylate having 1 to 3 carbon atoms in the alkyl group in order to adjust the elastic modulus and the adhesive property of the pressure-sensitive adhesive layer, in addition to the constituent unit derived from alkyl (meth) acrylate having an alkyl group having 4 or more carbon atoms. Acrylate-containing structural unit is preferable. The alkyl (meth) acrylate is preferably an alkyl (meth) acrylate having 1 or 2 carbon atoms, more preferably methyl (meth) acrylate, and most preferably methyl methacrylate. In the acrylic polymer (b), the alkyl (meth) acrylate having 1 to 3 carbon atoms in the alkyl group is preferably contained in an amount of preferably 1 to 30 mass%, more preferably 3 to 26 mass% And preferably 6 to 22 mass%.
아크릴계 중합체 (b) 는, 상기한 알킬(메트)아크릴레이트 유래의 구성 단위에 더하여, 관능기 함유 모노머 유래의 구성 단위를 갖는 것이 바람직하다. 관능기 함유 모노머의 관능기로는, 수산기, 카르복실기, 아미노기, 에폭시기 등을 들 수 있다. 관능기 함유 모노머는, 후술하는 가교제와 반응하여, 가교 기점이 되거나, 불포화기 함유 화합물과 반응하여, 아크릴계 중합체 (b) 의 측사슬에 불포화기를 도입시키는 것이 가능하다.It is preferable that the acrylic polymer (b) has a constituent unit derived from a functional group-containing monomer, in addition to the above-mentioned constituent unit derived from an alkyl (meth) acrylate. Examples of the functional group of the functional group-containing monomer include a hydroxyl group, a carboxyl group, an amino group, and an epoxy group. The functional group-containing monomer can react with a crosslinking agent to be described later to become a crosslinking starting point or react with an unsaturated group-containing compound to introduce an unsaturated group into the side chain of the acrylic polymer (b).
관능기 함유 모노머로는, 수산기 함유 모노머, 카르복실기 함유 모노머, 아미노기 함유 모노머, 에폭시기 함유 모노머 등을 들 수 있다. 이들 모노머는, 단독으로 또는 2 종 이상 조합하여 사용해도 된다. 이들 중에서도, 수산기 함유 모노머, 카르복실기 함유 모노머가 바람직하고, 수산기 함유 모노머가 보다 바람직하다.Examples of the functional group-containing monomer include a hydroxyl group-containing monomer, a carboxyl group-containing monomer, an amino group-containing monomer, and an epoxy group-containing monomer. These monomers may be used alone or in combination of two or more. Among them, a hydroxyl group-containing monomer and a carboxyl group-containing monomer are preferable, and a hydroxyl group-containing monomer is more preferable.
수산기 함유 모노머로는, 예를 들어, 2-하이드록시에틸(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시프로필(메트)아크릴레이트, 3-하이드록시프로필(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시부틸(메트)아크릴레이트, 3-하이드록시부틸(메트)아크릴레이트, 4-하이드록시부틸(메트)아크릴레이트 등의 하이드록시알킬(메트)아크릴레이트 ; 비닐알코올, 알릴알코올 등의 불포화 알코올 등을 들 수 있다.Examples of the hydroxyl group-containing monomer include 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 3-hydroxypropyl (meth) acrylate, 2- ) Hydroxyalkyl (meth) acrylates such as 3-hydroxybutyl (meth) acrylate and 4-hydroxybutyl (meth) acrylate; And unsaturated alcohols such as vinyl alcohol and allyl alcohol.
카르복실기 함유 모노머로는, 예를 들어, (메트)아크릴산, 크로톤산 등의 에틸렌성 불포화 모노카르복실산 ; 푸마르산, 이타콘산, 말레산, 시트라콘산 등의 에틸렌성 불포화 디카르복실산 및 그 무수물, 2-카르복시에틸메타크릴레이트 등을 들 수 있다.Examples of the carboxyl group-containing monomer include ethylenically unsaturated monocarboxylic acids such as (meth) acrylic acid and crotonic acid; Ethylenically unsaturated dicarboxylic acids such as fumaric acid, itaconic acid, maleic acid and citraconic acid, and anhydrides thereof, and 2-carboxyethyl methacrylate.
관능기 모노머는, 아크릴계 중합체 (b) 를 구성하는 모노머 전체량에 대하여, 바람직하게는 1 ∼ 35 질량％, 보다 바람직하게는 3 ∼ 32 질량％, 더욱 바람직하게는 6 ∼ 30 질량％ 이다.The functional monomer is preferably 1 to 35 mass%, more preferably 3 to 32 mass%, and still more preferably 6 to 30 mass%, based on the total amount of the monomers constituting the acrylic polymer (b).
또한, 아크릴계 중합체 (b) 는, 상기 이외에도, 스티렌, α-메틸스티렌, 비닐톨루엔, 포름산비닐, 아세트산비닐, 아크릴로니트릴, 아크릴아미드 등의 상기의 아크릴계 모노머와 공중합 가능한 모노머 유래의 구성 단위를 포함해도 된다.The acrylic polymer (b) may further contain a structural unit derived from a monomer copolymerizable with the above acrylic monomer such as styrene,? -Methylstyrene, vinyltoluene, vinyl formate, vinyl acetate, acrylonitrile and acrylamide You can.
상기 아크릴계 중합체 (b) 는, 비에너지선 경화성의 점착성 수지 I (아크릴계 수지) 로서 사용할 수 있다. 또한, 에너지선 경화성의 아크릴계 수지로는, 상기 아크릴계 중합체 (b) 의 관능기에, 광 중합성 불포화기를 갖는 화합물 (불포화기 함유 화합물이라고도 한다) 을 반응시킨 것을 들 수 있다.The acrylic polymer (b) can be used as a non-energy radiation curable tackifying resin I (acrylic resin). Examples of the energy radiation curable acrylic resin include those obtained by reacting a compound having a photopolymerizable unsaturated group (also referred to as an unsaturated group-containing compound) with the functional group of the acrylic polymer (b).
불포화기 함유 화합물은, 아크릴계 중합체 (b) 의 관능기와 결합 가능한 치환기, 및 광 중합성 불포화기의 쌍방을 갖는 화합물이다. 광 중합성 불포화기로는, (메트)아크릴로일기, 비닐기, 알릴기 등을 들 수 있지만, (메트)아크릴로일기가 바람직하다.The unsaturated group-containing compound is a compound having both a substituent capable of binding to the functional group of the acrylic polymer (b) and a photopolymerizable unsaturated group. Examples of the photopolymerizable unsaturated group include a (meth) acryloyl group, a vinyl group and an allyl group, but a (meth) acryloyl group is preferable.
또한, 불포화기 함유 화합물이 갖는, 관능기와 결합 가능한 치환기로는, 이소시아네이트기나 글리시딜기 등을 들 수 있다. 따라서, 불포화기 함유 화합물로는, 예를 들어, (메트)아크릴로일옥시에틸이소시아네이트, (메트)아크릴로일이소시아네이트, 글리시딜(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.Examples of the substituent group of the unsaturated group-containing compound capable of bonding with the functional group include an isocyanate group and a glycidyl group. Accordingly, examples of the unsaturated group-containing compound include (meth) acryloyloxyethyl isocyanate, (meth) acryloyl isocyanate, glycidyl (meth) acrylate and the like.
또한, 불포화기 함유 화합물은, 아크릴계 중합체 (b) 의 관능기의 일부에 반응하는 것이 바람직하고, 구체적으로는, 아크릴계 중합체 (b) 가 갖는 관능기의 50 ∼ 98 몰％ 에, 불포화기 함유 화합물을 반응시키는 것이 바람직하고, 55 ∼ 93 몰％ 반응시키는 것이 보다 바람직하다. 이와 같이, 에너지선 경화성 아크릴계 수지에 있어서, 관능기의 일부가 불포화기 함유 화합물과 반응하지 않고 잔존함으로써, 가교제에 의해 가교되기 쉬워진다.The unsaturated group-containing compound preferably reacts with a part of the functional groups of the acrylic polymer (b). More specifically, the unsaturated group-containing compound is reacted with 50 to 98 mol% of the functional group of the acrylic polymer (b) , And more preferably 55 to 93 mol%. As described above, in the energy-ray-curable acrylic resin, a part of the functional group remains without reacting with the unsaturated group-containing compound, so that it is likely to be crosslinked by the crosslinking agent.
또한, 아크릴계 수지의 중량 평균 분자량 (Mw) 은, 바람직하게는 30 만 ∼ 160 만, 보다 바람직하게는 40 만 ∼ 140 만, 더욱 바람직하게는 50 만 ∼ 120 만이다.The weight average molecular weight (Mw) of the acrylic resin is preferably 300,000 to 160,000, more preferably 400,000 to 1,400,000, and still more preferably 500,000 to 1,200,000.
(에너지선 경화성 화합물)(Energy radiation curable compound)
X 형 또는 XY 형의 점착제 조성물에 함유되는 에너지선 경화성 화합물로는, 분자 내에 불포화기를 갖고, 에너지선 조사에 의해 중합 경화 가능한 모노머 또는 올리고머가 바람직하다.The energy ray curable compound contained in the X- or XY-type pressure-sensitive adhesive composition is preferably a monomer or oligomer having an unsaturated group in the molecule and capable of polymerization curing by energy ray irradiation.
이와 같은 에너지선 경화성 화합물로는, 예를 들어, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 1,4-부틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 1,6-헥산디올(메트)아크릴레이트 등의 다가 (메트)아크릴레이트 모노머, 우레탄(메트)아크릴레이트, 폴리에스테르(메트)아크릴레이트, 폴리에테르(메트)아크릴레이트, 에폭시(메트)아크릴레이트 등의 올리고머를 들 수 있다.Examples of such energy ray curable compounds include trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa Poly (meth) acrylate monomers such as urethane (meth) acrylate, 1,4-butylene glycol di (meth) acrylate and 1,6-hexanediol (meth) Acrylate, polyether (meth) acrylate, epoxy (meth) acrylate and the like.
이들 중에서도, 비교적 분자량이 많고, 점착제층의 탄성률을 저하시키기 어려운 관점에서, 우레탄(메트)아크릴레이트 올리고머가 바람직하다.Among them, a urethane (meth) acrylate oligomer is preferable from the viewpoints of a relatively high molecular weight and difficulty in lowering the elastic modulus of the pressure-sensitive adhesive layer.
에너지선 경화성 화합물의 분자량 (올리고머의 경우에는 중량 평균 분자량) 은, 바람직하게는 100 ∼ 12000, 보다 바람직하게는 200 ∼ 10000, 더욱 바람직하게는 400 ∼ 8000, 보다 더욱 바람직하게는 600 ∼ 6000 이다.The molecular weight (weight average molecular weight in the case of oligomers) of the energy ray curable compound is preferably 100 to 12000, more preferably 200 to 10000, even more preferably 400 to 8000, still more preferably 600 to 6000.
X 형의 점착제 조성물에 있어서의 에너지선 경화성 화합물의 함유량은, 점착성 수지 100 질량부에 대하여, 바람직하게는 40 ∼ 200 질량부, 보다 바람직하게는 50 ∼ 150 질량부, 더욱 바람직하게는 60 ∼ 90 질량부이다.The content of the energy ray-curable compound in the X-type pressure-sensitive adhesive composition is preferably 40 to 200 parts by mass, more preferably 50 to 150 parts by mass, and still more preferably 60 to 90 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the adhesive resin Mass part.
한편으로, XY 형의 점착제 조성물에 있어서의 에너지선 경화성 화합물의 함유량은, 점착성 수지 100 질량부에 대하여, 바람직하게는 1 ∼ 30 질량부, 보다 바람직하게는 2 ∼ 20 질량부, 더욱 바람직하게는 3 ∼ 15 질량부이다. XY 형의 점착제 조성물에서는, 점착성 수지가, 에너지선 경화성이기 때문에, 에너지선 경화성 화합물의 함유량이 적어도, 에너지선 조사 후, 충분히 박리력을 저하시키는 것이 가능하다.On the other hand, the content of the energy ray-curable compound in the XY type pressure-sensitive adhesive composition is preferably 1 to 30 parts by mass, more preferably 2 to 20 parts by mass, 3 to 15 parts by mass. In the pressure-sensitive adhesive composition of the XY type, since the adhesive resin is energy ray-curable, the content of the energy ray-curable compound can be at least sufficiently lowered after the energy ray irradiation.
(가교제)(Crosslinking agent)
점착제 조성물은, 추가로 가교제를 함유하는 것이 바람직하다. 가교제는, 예를 들어 점착성 수지가 갖는 관능기 모노머 유래의 관능기에 반응하여, 점착성 수지끼리를 가교하는 것이다. 가교제로는, 예를 들어, 톨릴렌디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트 등, 및 그들의 어덕트체 등의 이소시아네이트계 가교제 ; 에틸렌글리콜글리시딜에테르 등의 에폭시계 가교제 ; 헥사〔1-(2-메틸)-아지리디닐〕트리포스파트리아진 등의 아지리딘계 가교제 ; 알루미늄킬레이트 등의 킬레이트계 가교제 등을 들 수 있다. 이들 가교제는, 단독으로 또는 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.The pressure-sensitive adhesive composition preferably further contains a crosslinking agent. The cross-linking agent is, for example, a cross-linkable adhesive resin in response to a functional group derived from a functional group monomer contained in the adhesive resin. Examples of the crosslinking agent include isocyanate-based crosslinking agents such as tolylene diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, and their adducts; Epoxy-based crosslinking agents such as ethylene glycol glycidyl ether; Aziridine crosslinking agents such as hexa [1- (2-methyl) -aziridinyl] triphospatriazine; And chelate-based crosslinking agents such as aluminum chelate. These crosslinking agents may be used alone or in combination of two or more.
이들 중에서도, 응집력을 높여 점착력을 향상시키는 관점, 및 입수의 용이함 등의 관점에서, 이소시아네이트계 가교제가 바람직하다.Of these, an isocyanate-based crosslinking agent is preferable from the viewpoints of increasing the cohesive force to improve the adhesive strength and the ease of obtaining water.
가교제의 배합량은, 가교 반응을 촉진시키는 관점에서, 점착성 수지 100 질량부에 대하여, 바람직하게는 0.01 ∼ 10 질량부, 보다 바람직하게는 0.03 ∼ 7 질량부, 더욱 바람직하게는 0.05 ∼ 4 질량부이다.The blending amount of the crosslinking agent is preferably 0.01 to 10 parts by mass, more preferably 0.03 to 7 parts by mass, still more preferably 0.05 to 4 parts by mass, relative to 100 parts by mass of the adhesive resin, from the viewpoint of promoting the crosslinking reaction .
(광 중합 개시제)(Photopolymerization initiator)
또한, 점착제 조성물이 에너지선 경화성인 경우에는, 점착제 조성물은, 추가로 광 중합 개시제를 함유하는 것이 바람직하다. 광 중합 개시제를 함유함으로써, 자외선 등의 비교적 저에너지의 에너지선이어도, 점착제 조성물의 경화 반응을 충분히 진행시킬 수 있다.When the pressure-sensitive adhesive composition is energy ray-curable, it is preferable that the pressure-sensitive adhesive composition further contains a photopolymerization initiator. By containing a photopolymerization initiator, the curing reaction of the pressure-sensitive adhesive composition can be sufficiently advanced even if the energy line is relatively low energy such as ultraviolet rays.
광 중합 개시제로는, 예를 들어, 벤조인 화합물, 아세토페논 화합물, 아실포스피녹사이드 화합물, 티타노센 화합물, 티오크산톤 화합물, 퍼옥사이드 화합물, 나아가, 아민이나 퀴논 등의 광 증감제 등을 들 수 있고, 보다 구체적으로는, 예를 들어, 1-하이드록시시클로헥실페닐케톤, 2-하이드록시-2-메틸-1-페닐-프로판-1-온, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤질페닐설파이드, 테트라메틸티우람모노설파이드, 아조비스이소부틸올니트릴, 디벤질, 디아세틸, 8-클로르안트라퀴논, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)페닐포스핀옥사이드 등을 들 수 있다.Examples of the photopolymerization initiator include a benzoin compound, an acetophenone compound, an acylphosphinoxide compound, a titanocene compound, a thioxanthone compound, a peroxide compound, and further a photosensitizer such as amine or quinone And more specifically, for example, 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenyl-propan-1-one, benzoin, benzoin methyl ether, Benzoin isopropyl ether, benzylphenyl sulfide, tetramethylthiuram monosulfide, azobisisobutylol nitrile, dibenzyl, diacetyl, 8-chlorantraquinone, bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) And phenylphosphine oxide.
이들 광 중합 개시제는, 단독으로 또는 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.These photopolymerization initiators may be used alone or in combination of two or more.
광 중합 개시제의 배합량은, 점착성 수지 100 질량부에 대하여, 바람직하게는 0.01 ∼ 10 질량부, 보다 바람직하게는 0.03 ∼ 5 질량부, 더욱 바람직하게는 0.05 ∼ 5 질량부이다.The blending amount of the photopolymerization initiator is preferably 0.01 to 10 parts by mass, more preferably 0.03 to 5 parts by mass, still more preferably 0.05 to 5 parts by mass, based on 100 parts by mass of the adhesive resin.
(그 밖의 첨가제)(Other additives)
점착성 조성물은, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에 있어서, 그 밖의 첨가제를 함유해도 된다. 그 밖의 첨가제로는, 예를 들어, 대전 방지제, 산화 방지제, 연화제 (가소제), 충전제, 방청제, 안료, 염료 등을 들 수 있다. 이들 첨가제를 배합하는 경우, 첨가제의 배합량은, 점착성 수지 100 질량부에 대하여, 바람직하게는 0.01 ∼ 6 질량부이다.The adhesive composition may contain other additives insofar as the effect of the present invention is not impaired. Other additives include, for example, antistatic agents, antioxidants, softening agents (plasticizers), fillers, rust inhibitors, pigments, dyes and the like. When these additives are blended, the blending amount of the additive is preferably 0.01 to 6 parts by mass based on 100 parts by mass of the adhesive resin.
또한, 점착성 조성물은, 기재나 박리 시트에 대한 도포성을 향상시키는 관점에서, 추가로 유기 용매로 희석하여, 점착성 조성물의 용액의 형태로 해도 된다.The adhesive composition may be further diluted with an organic solvent to form a solution of the adhesive composition, from the viewpoint of improving the applicability to the substrate or the release sheet.
유기 용매로는, 예를 들어, 메틸에틸케톤, 아세톤, 아세트산에틸, 테트라하이드로푸란, 디옥산, 시클로헥산, n-헥산, 톨루엔, 자일렌, n-프로판올, 이소프로판올 등을 들 수 있다.Examples of the organic solvent include methyl ethyl ketone, acetone, ethyl acetate, tetrahydrofuran, dioxane, cyclohexane, n-hexane, toluene, xylene, n-propanol and isopropanol.
또한, 이들 유기 용매는, 점착성 수지의 합성시에 사용된 유기 용매를 그대로 사용해도 되고, 그 점착제 조성물의 용액을 균일하게 도포할 수 있도록, 합성시에 사용된 유기 용매 이외의 1 종 이상의 유기 용매를 첨가해도 된다.The organic solvent used in the synthesis of the adhesive resin may be used as it is. In order to uniformly apply the solution of the adhesive composition, at least one organic solvent other than the organic solvent used in the synthesis May be added.
[박리 시트][Peeling sheet]
점착 테이프의 표면에는, 박리 시트가 첩부되어 있어도 된다. 박리 시트는, 구체적으로는, 점착 테이프의 점착제층의 표면, 및 완충층의 표면의 적어도 일방에 첩부된다. 박리 시트는, 이들 표면에 첩부됨으로써 점착제층 및 완충층을 보호한다. 박리 시트는, 박리 가능하게 점착 테이프에 첩부되어 있고, 점착 테이프가 사용되기 전 (즉, 웨이퍼 이면 연삭 전) 에는, 점착 테이프로부터 박리되어 제거된다.The release sheet may be pasted on the surface of the adhesive tape. Specifically, the release sheet is attached to at least one of the surface of the pressure-sensitive adhesive layer of the pressure-sensitive adhesive tape and the surface of the buffer layer. The release sheet is attached to these surfaces to protect the pressure-sensitive adhesive layer and the buffer layer. The release sheet is attached to the adhesive tape so that it can be peeled off, and is peeled off from the adhesive tape before the adhesive tape is used (that is, before grinding the back surface of the wafer).
박리 시트는, 적어도 일방의 면이 박리 처리가 된 박리 시트가 이용되고, 구체적으로는, 박리 시트용 기재의 표면 상에 박리제를 도포한 것 등을 들 수 있다.The release sheet is a release sheet having at least one surface subjected to the release treatment, specifically, a release agent coated on the surface of the release sheet base.
박리 시트용 기재로는, 수지 필름이 바람직하고, 당해 수지 필름을 구성하는 수지로는, 예를 들어, 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지, 폴리부틸렌테레프탈레이트 수지, 폴리에틸렌나프탈레이트 수지 등의 폴리에스테르 수지 필름, 폴리프로필렌 수지, 폴리에틸렌 수지 등의 폴리올레핀 수지 등을 들 수 있다. 박리제로는, 예를 들어, 실리콘계 수지, 올레핀계 수지, 이소프렌계 수지, 부타디엔계 수지 등의 고무계 엘라스토머, 장사슬 알킬계 수지, 알키드계 수지, 불소계 수지 등을 들 수 있다.As the base material for the release sheet, a resin film is preferable. As the resin constituting the resin film, for example, a polyester resin film such as a polyethylene terephthalate resin, a polybutylene terephthalate resin and a polyethylene naphthalate resin, And polyolefin resins such as polypropylene resin and polyethylene resin. Examples of the releasing agent include rubber-based elastomers such as silicone resins, olefin resins, isoprene resins and butadiene resins, long-chain alkyl resins, alkyd resins, and fluorine resins.
박리 시트의 두께는, 특별히 제한은 없지만, 바람직하게는 10 ∼ 200 ㎛, 보다 바람직하게는 20 ∼ 150 ㎛ 이다.The thickness of the release sheet is not particularly limited, but is preferably 10 to 200 占 퐉, more preferably 20 to 150 占 퐉.
(점착 테이프의 제조 방법)(Production method of adhesive tape)
본 발명의 점착 테이프의 제조 방법으로는, 특별히 제한은 없고, 공지된 방법에 의해 제조할 수 있다.The method for producing the pressure-sensitive adhesive tape of the present invention is not particularly limited and can be produced by a known method.
예를 들어, 박리 시트 상에 형성한 완충층과, 박리 시트 상에 형성한 점착제층을, 기재의 양면 각각에 첩합하여, 완충층 및 점착제층의 양 표면에 박리 시트가 첩부된 점착 테이프를 제조할 수 있다. 완충층 및 점착제층의 양 표면에 첩부되는 박리 시트는, 점착 테이프의 사용 전에 적절히 박리하여 제거하면 된다.For example, an adhesive tape having a buffer layer formed on a release sheet and a pressure-sensitive adhesive layer formed on the release sheet may be laminated on both sides of a substrate to form a pressure-sensitive adhesive tape adhered to both surfaces of the buffer layer and the pressure- have. The release sheet to be attached to both surfaces of the buffer layer and the pressure-sensitive adhesive layer may be peeled off properly before use of the adhesive tape.
박리 시트 상에 완충층 또는 점착제층을 형성하는 방법으로는, 박리 시트 상에 완충층 형성용 조성물 또는 점착제 (점착제 조성물) 를, 공지된 도포 방법으로, 직접 도포하여 도포막을 형성하고, 이 도포막에 에너지선을 조사하거나, 또는 가열 건조시킴으로써, 완충층 또는 점착제층을 형성할 수 있다.As a method for forming the buffer layer or the pressure-sensitive adhesive layer on the release sheet, a coating composition is formed by directly applying a composition for forming a buffer layer or a pressure-sensitive adhesive (pressure-sensitive adhesive composition) on a release sheet by a known coating method, Or by heating and drying it, a buffer layer or a pressure-sensitive adhesive layer can be formed.
또한, 기재의 양면 각각에, 완충층 형성용 조성물 및 점착제 (점착제 조성물) 각각을 직접 도포하여, 완충층 및 점착제층을 형성해도 된다. 나아가, 기재의 일방의 면에, 완충층 형성용 조성물 또는 점착제 (점착제 조성물) 를 직접 도포하여 완충층 및 점착제층을 형성함과 함께, 기재의 타방의 면에, 박리 시트 상에 형성한 점착제층 또는 완충층을 첩합해도 된다.Further, the buffer layer-forming composition and the pressure-sensitive adhesive (pressure-sensitive adhesive composition) may be respectively applied directly to both sides of the substrate to form the buffer layer and the pressure-sensitive adhesive layer. Further, a buffer layer-forming composition or a pressure-sensitive adhesive (pressure-sensitive adhesive composition) is directly applied to one surface of the base material to form a buffer layer and a pressure-sensitive adhesive layer, and a pressure-sensitive adhesive layer or a buffer layer .
완충층 형성용 조성물 및 점착제의 도포 방법으로는, 예를 들어, 스핀 코트법, 스프레이 코트법, 바 코트법, 나이프 코트법, 롤 코트법, 블레이드 코트법, 다이 코트법, 그라비아 코트법 등을 들 수 있다. 또한, 도포성을 향상시키기 위해서, 완충층 형성용 조성물이나 점착제 조성물에 대하여 유기 용매를 배합하고, 용액의 형태로서, 박리 시트 상에 도포해도 된다.Examples of the application method of the buffer layer forming composition and the pressure-sensitive adhesive include a spin coating method, a spray coating method, a bar coating method, a knife coating method, a roll coating method, a blade coating method, a die coating method and a gravure coating method . In order to improve the coating property, an organic solvent may be added to the composition for forming a buffer layer or the pressure-sensitive adhesive composition, and the solution may be applied on a release sheet in the form of a solution.
완충층 형성용 조성물이 에너지선 중합성 화합물을 포함하는 경우, 완충층 형성용 조성물의 도포막에 대하여, 에너지선을 조사함으로써 경화시켜, 완충층을 형성하는 것이 바람직하다. 완충층의 경화는, 한 번의 경화 처리로 실시해도 되고, 복수회로 나누어 실시해도 된다. 예를 들어, 박리 시트 상의 도포막을 완전하게 경화시켜 완충층을 형성한 후에 기재에 첩합해도 되고, 당해 도포막을 완전하게 경화시키지 않고 반경화의 상태의 완충층 형성막을 형성하고, 당해 완충층 형성막을 기재에 첩합한 후, 재차 에너지선을 조사하여 완전하게 경화시켜 완충층을 형성해도 된다. 당해 경화 처리에서 조사하는 에너지선으로는, 자외선이 바람직하다. 또한, 경화할 때에는, 완충층 형성용 조성물의 도포막이 노출된 상태여도 되지만, 박리 시트나 기재로 도포막이 덮여, 도포막이 노출되지 않은 상태로 에너지선을 조사하여 경화시키는 것이 바람직하다.When the composition for forming a buffer layer contains an energy ray polymerizable compound, it is preferable to form a buffer layer by curing the coating film of the composition for forming a buffer layer by irradiation of an energy ray. The curing of the buffer layer may be performed by a single curing treatment or by dividing into a plurality of circuits. For example, the coating film on the release sheet may be completely cured to form a buffer layer and then may be applied to the substrate. Alternatively, the buffer layer may be formed in a semi-cured state without completely curing the coating film, After the addition, the buffer layer may be formed by completely curing by irradiating the energy ray again. As the energy ray to be irradiated in the curing treatment, ultraviolet ray is preferable. When cured, the coating film of the composition for forming a buffer layer may be exposed. However, it is preferable that the coated film is covered with the release sheet or base material, and the energy ray is irradiated in the state in which the coated film is not exposed.
[반도체 장치의 제조 방법][Method of Manufacturing Semiconductor Device]
본 발명의 점착 테이프는, 상기한 바와 같이, 선다이싱법에 있어서, 반도체 웨이퍼의 표면에 첩부하여 웨이퍼의 이면 연삭이 실시될 때에 사용되는 것이지만, 보다 구체적으로는, 반도체 장치의 제조 방법에 있어서 사용된다.The adhesive tape of the present invention is used when the back grinding of the wafer is performed by sticking to the surface of the semiconductor wafer in the die dicing method as described above. More specifically, do.
본 발명의 반도체 장치의 제조 방법은, 구체적으로는, 이하의 공정 1 ∼ 공정 4 를 적어도 구비한다.Specifically, the method for manufacturing a semiconductor device of the present invention includes at least the following steps 1 to 4.
공정 1 : 상기의 점착 테이프를, 반도체 웨이퍼의 표면에 첩부하는 공정 Step 1: Step of attaching the adhesive tape to the surface of a semiconductor wafer
공정 2 : 반도체 웨이퍼의 표면측으로부터 홈을 형성하거나, 또는 반도체 웨이퍼의 표면 혹은 이면으로부터 반도체 웨이퍼 내부에 개질 영역을 형성하는 공정Step 2: A step of forming a groove from the surface side of the semiconductor wafer or a step of forming a modified region inside the semiconductor wafer from the front surface or back surface of the semiconductor wafer
공정 3 : 점착 테이프가 표면에 첩부되고, 또한 상기 홈 또는 개질 영역이 형성된 반도체 웨이퍼를, 이면측으로부터 연삭하여, 홈 또는 개질 영역을 기점으로 하여, 복수의 칩으로 개편화시키는 공정Step 3: A step of grinding a semiconductor wafer to which the adhesive tape is attached to the surface and on which the grooves or modified regions have been formed, from the back side and separating the groove or the modified region into a plurality of chips
공정 4 : 개편화된 반도체 웨이퍼 (즉, 복수의 반도체 칩) 로부터, 점착 테이프를 박리하는 공정Step 4: A step of peeling off the adhesive tape from the separated semiconductor wafer (i.e., a plurality of semiconductor chips)
이하, 상기 반도체 장치의 제조 방법의 각 공정을 상세하게 설명한다.Hereinafter, each step of the method for manufacturing the semiconductor device will be described in detail.
(공정 1)(Step 1)
공정 1 에서는, 반도체 웨이퍼 표면에, 본 발명의 점착 테이프를 점착제층을 개재하여 첩부한다. 본 공정은, 후술하는 공정 2 전에 실시되어도 되지만, 공정 2 후에 실시해도 된다. 예를 들어, 반도체 웨이퍼에 개질 영역을 형성하는 경우에는, 공정 1 을 공정 2 전에 실시하는 것이 바람직하다. 한편으로, 반도체 웨이퍼 표면에, 다이싱 등에 의해 홈을 형성하는 경우에는, 공정 2 후에 공정 1 을 실시한다. 즉, 후술하는 공정 2 로 형성한 홈을 갖는 웨이퍼의 표면에, 본 공정 1 로 점착 테이프를 첩부하게 된다.In Step 1, the adhesive tape of the present invention is affixed to the surface of a semiconductor wafer with a pressure-sensitive adhesive layer interposed therebetween. The present step may be carried out before the step 2 described later, but may be carried out after the step 2. For example, in the case of forming a modified region on a semiconductor wafer, it is preferable to carry out Step 1 before Step 2. On the other hand, when grooves are formed on the surface of the semiconductor wafer by dicing or the like, Step 1 is performed after Step 2. That is, the adhesive tape is affixed to the surface of the wafer having grooves formed in Step 2 described later in this Step 1.
본 제조 방법에서 사용되는 반도체 웨이퍼는 실리콘 웨이퍼여도 되고, 또한 갈륨·비소 등의 웨이퍼나, 유리 웨이퍼여도 된다. 반도체 웨이퍼의 연삭 전의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 통상적으로는 500 ∼ 1000 ㎛ 정도이다. 또한, 반도체 웨이퍼는, 통상적으로, 그 표면에 회로가 형성되어 있다. 웨이퍼 표면에 대한 회로의 형성은, 에칭법, 리프트 오프법 등의 종래 범용되고 있는 방법을 포함하는 다양한 방법에 의해 실시할 수 있다.The semiconductor wafer used in this manufacturing method may be a silicon wafer, a wafer such as gallium arsenide, or a glass wafer. The thickness of the semiconductor wafer before grinding is not particularly limited, but is usually about 500 to 1000 占 퐉. In addition, a circuit is usually formed on the surface of a semiconductor wafer. The circuit formation on the wafer surface can be carried out by a variety of methods including conventional methods commonly used, such as an etching method and a lift-off method.
(공정 2)(Step 2)
공정 1 에서는, 반도체 웨이퍼의 표면측으로부터 홈을 형성하거나, 또는 반도체 웨이퍼의 표면 또는 이면으로부터 반도체 웨이퍼의 내부에 개질 영역을 형성한다.In Step 1, grooves are formed from the surface side of the semiconductor wafer, or a modified region is formed inside the semiconductor wafer from the front surface or back surface of the semiconductor wafer.
본 공정으로 형성되는 홈은, 반도체 웨이퍼의 두께보다 얕은 깊이의 홈이다. 홈의 형성은, 종래 공지된 웨이퍼 다이싱 장치 등을 사용하여 다이싱에 의해 실시하는 것이 가능하다. 또한, 반도체 웨이퍼는, 후술하는 공정 3 에 있어서, 홈을 따라 복수의 반도체 칩으로 분할된다.The groove formed in this process is a groove having a depth shallower than the thickness of the semiconductor wafer. The formation of the grooves can be performed by dicing using a conventionally known wafer dicing apparatus or the like. The semiconductor wafer is divided into a plurality of semiconductor chips along the grooves in the step 3 described later.
또한, 개질 영역은, 반도체 웨이퍼에 있어서, 취질화된 부분으로, 연삭 공정에 있어서의 연삭에 의해, 반도체 웨이퍼가 얇아지거나, 연삭에 의한 힘이 가해짐으로써 반도체 웨이퍼가 파괴되어 반도체 칩으로 개편화되는 기점이 되는 영역이다. 즉, 공정 2 에 있어서 홈 및 개질 영역은, 후술하는 공정 3 에 있어서, 반도체 웨이퍼가 분할되어 반도체 칩으로 개편화될 때의 분할선을 따르도록 형성된다.The modified region is a nitrided portion of the semiconductor wafer. The semiconductor wafer is thinned by grinding in the grinding step, or a force due to grinding is applied, so that the semiconductor wafer is broken into pieces of semiconductor chips Is a starting point. That is, in the step 2, the groove and the modified region are formed so as to follow the dividing line when the semiconductor wafer is divided into the semiconductor chips in the step 3 described later.
개질 영역의 형성은, 반도체 웨이퍼의 내부에 초점을 맞춘 레이저의 조사에 의해 실시하고, 개질 영역은, 반도체 웨이퍼의 내부에 형성된다. 레이저의 조사는, 반도체 웨이퍼의 표면측으로부터 실시해도 되고, 이면측으로부터 실시해도 된다. 또한, 개질 영역을 형성하는 양태에 있어서, 공정 2 를 공정 1 후에 실시하여 웨이퍼 표면으로부터 레이저 조사를 실시하는 경우, 점착 테이프를 개재하여 반도체 웨이퍼에 레이저를 조사하게 된다.The formation of the modified region is carried out by irradiation of a laser focused on the inside of the semiconductor wafer, and the modified region is formed inside the semiconductor wafer. The laser irradiation may be performed from the front surface side of the semiconductor wafer or from the back surface side. When the laser beam is irradiated from the wafer surface in Step 2 after Step 1 in the mode of forming the modified region, the semiconductor wafer is irradiated with a laser beam via the adhesive tape.
점착 테이프가 첩부되고, 또한 홈 또는 개질 영역을 형성한 반도체 웨이퍼는, 척 테이블 상에 탑재되어, 척 테이블에 흡착되어 유지된다. 이 때, 반도체 웨이퍼는, 표면측이 테이블측에 배치되어 흡착된다.The semiconductor wafer to which the adhesive tape is pasted and on which the grooved or modified region is formed is mounted on the chuck table and held on the chuck table. At this time, the surface side of the semiconductor wafer is arranged on the table side and adsorbed.
(공정 3)(Step 3)
공정 1 및 공정 2 후, 척 테이블 상의 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭하여, 반도체 웨이퍼를 복수의 반도체 칩으로 개편화한다.After steps 1 and 2, the back surface of the semiconductor wafer on the chuck table is ground to separate the semiconductor wafer into a plurality of semiconductor chips.
여기서, 이면 연삭은, 반도체 웨이퍼에 홈이 형성되는 경우에는, 적어도 홈의 저부에 이르는 위치까지 반도체 웨이퍼를 얇게 하도록 실시한다. 이 이면 연삭에 의해, 홈은, 웨이퍼를 관통하는 절입이 되고, 반도체 웨이퍼는 절입에 의해 분할되어, 개개의 반도체 칩으로 개편화된다.Here, the back side grinding is performed so that the semiconductor wafer is thinned at least to the position reaching the bottom of the groove when the groove is formed in the semiconductor wafer. By this back-grinding, the groove is cut through the wafer, and the semiconductor wafer is divided by cutting into individual semiconductor chips.
한편, 개질 영역이 형성되는 경우에는, 연삭에 의해 연삭면 (웨이퍼 이면) 은, 개질 영역에 이르러도 되지만, 엄밀하게 개질 영역까지 도달하지 않아도 된다. 즉, 개질 영역을 기점으로 하여 반도체 웨이퍼가 파괴되어 반도체 칩으로 개편화되도록, 개질 영역에 근접하는 위치까지 연삭하면 된다. 예를 들어, 반도체 칩의 실제의 개편화는, 후술하는 픽업 테이프를 첩부한 후 픽업 테이프를 연신함으로써 실시해도 된다.On the other hand, when the modified region is formed, the grinding surface (back surface of the wafer) may reach the modified region by grinding, but it may not reach the modified region strictly. That is, the semiconductor wafer may be ground to a position close to the modified region such that the semiconductor wafer is broken and separated into semiconductor chips with the modified region as a starting point. For example, actual disconnection of the semiconductor chip may be carried out by attaching a pickup tape to be described later and then stretching the pickup tape.
개편화된 반도체 칩의 형상은, 방형이어도 되고, 사각형 등의 가늘고 긴 형상으로 되어 있어도 된다. 또한, 개편화된 반도체 칩의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 5 ∼ 100 ㎛ 정도이지만, 보다 바람직하게는 10 ∼ 45 ㎛ 이다. 또한, 개편화된 반도체 칩의 크기는, 특별히 한정되지 않지만, 칩 사이즈가 바람직하게는 50 ㎟ 미만, 보다 바람직하게는 30 ㎟ 미만, 더욱 바람직하게는 10 ㎟ 미만이다.The shape of the discrete semiconductor chip may be a square shape or a shape such as a square or the like having an elongated shape. The thickness of the individual semiconductor chip is not particularly limited, but is preferably about 5 to 100 占 퐉, more preferably 10 to 45 占 퐉. The size of the individual semiconductor chip is not particularly limited, but the chip size is preferably less than 50 mm 2, more preferably less than 30 mm 2, and still more preferably less than 10 mm 2.
본 발명의 점착 테이프를 사용하면, 이와 같이 박형 및/또는 소형의 반도체 칩이어도, 이면 연삭시 (공정 3), 및 점착 테이프 박리시 (공정 4) 에 반도체 칩에 결손이 발생하는 것이 방지된다.By using the adhesive tape of the present invention, it is possible to prevent the occurrence of defects in the semiconductor chip during the back grinding (step 3) and the peeling off of the adhesive tape (step 4) even with such a thin and / or small semiconductor chip.
(공정 4)(Step 4)
다음으로, 개편화된 반도체 웨이퍼 (즉, 복수의 반도체 칩) 로부터, 반도체 가공용 점착 테이프를 박리한다. 본 공정은, 예를 들어, 이하의 방법에 의해 실시한다.Next, the adhesive tape for semiconductor processing is peeled off from the semiconductor wafer (i.e., a plurality of semiconductor chips) that have been separated. The present step is carried out, for example, by the following method.
먼저, 점착 테이프의 점착제층이, 에너지선 경화성 점착제로 형성되는 경우에는, 에너지선을 조사하여 점착제층을 경화시킨다. 이어서, 개편화된 반도체 웨이퍼의 이면측에, 픽업 테이프를 첩부하고, 픽업이 가능하도록 위치 및 방향 맞춤을 실시한다. 이 때, 웨이퍼의 바깥 둘레측에 배치한 링 프레임도 픽업 테이프에 첩합하고, 픽업 테이프의 외주연부를 링 프레임에 고정시킨다. 픽업 테이프에는, 웨이퍼와 링 프레임을 동시에 첩합해도 되고, 별도의 타이밍으로 첩합해도 된다. 이어서, 픽업 테이프 상에 고정된 복수의 반도체 칩으로부터 점착 테이프를 박리한다.First, when the pressure-sensitive adhesive layer of the pressure-sensitive adhesive tape is formed of the energy ray-curable pressure-sensitive adhesive, the pressure-sensitive adhesive layer is cured by irradiating the energy ray. Then, the pick-up tape is pasted on the back side of the semiconductor wafer which has been separated, and the position and orientation are adjusted so that pick-up is possible. At this time, the ring frame arranged on the outer peripheral side of the wafer is also juxtaposed to the pickup tape, and the outer peripheral edge of the pickup tape is fixed to the ring frame. To the pickup tape, the wafer and the ring frame may be concurrently joined together, or they may be joined at different timings. Then, the adhesive tape is peeled off from the plurality of semiconductor chips fixed on the pickup tape.
그 후, 픽업 테이프 상에 있는 복수의 반도체 칩을 픽업하여 기판 등의 상에 고정화시켜, 반도체 장치를 제조한다.Then, a plurality of semiconductor chips on the pickup tape are picked up and fixed on a substrate or the like to manufacture a semiconductor device.
또한, 픽업 테이프는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 기재와, 기재의 일방의 면에 형성된 점착제층을 구비하는 점착 시트에 의해 구성된다.The pickup tape is not particularly limited, but is constituted by, for example, a substrate and a pressure-sensitive adhesive sheet having a pressure-sensitive adhesive layer formed on one surface of the substrate.
실시예Example
이하, 실시예에 기초하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들 예에 의해 제한되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail based on examples, but the present invention is not limited to these examples.
본 발명에 있어서의 측정 방법, 평가 방법은 이하와 같다.The measurement method and evaluation method in the present invention are as follows.
[질량 평균 분자량 (Mw)][Mass average molecular weight (Mw)]
겔 침투 크로마토그래프 장치 (토소 주식회사 제조, 제품명 「HLC-8020」) 를 사용하여, 하기의 조건하에서 측정하고, 표준 폴리스티렌 환산으로 측정한 값을 사용하였다.The value measured in terms of standard polystyrene was measured using a gel permeation chromatograph device (product name: " HLC-8020 ", manufactured by Tosoh Corporation) under the following conditions.
(측정 조건)(Measuring conditions)
· 칼럼 : 「TSK guard column HXL-H」 「TSK gel GMHXL (× 2)」 「TSK gel G2000HXL」 (모두 토소 주식회사 제조)Column: "TSK guard column HXL-H" "TSK gel GMHXL (× 2)" "TSK gel G2000HXL" (all Toso Co., Ltd.)
· 칼럼 온도 : 40 ℃Column temperature: 40 ° C
· 전개 용매 : 테트라하이드로푸란· Developing solvent: tetrahydrofuran
· 유속 : 1.0 ㎖/min Flow rate: 1.0 ml / min
[기재의 영률][Young's modulus of substrate]
시험 속도 200 ㎜/분으로 JISK-7127 (1999) 에 준거하여, 기재의 영률을 측정하였다.The Young's modulus of the substrate was measured in accordance with JIS K-7127 (1999) at a test speed of 200 mm / min.
[완충층의 탄성률, 및 tanδ 의 최대치][Modulus of elasticity of the buffer layer, and maximum value of tan delta]
기재 대신에, 박리 시트 (린텍 주식회사 제조, 상품명 「SP-PET381031」, 두께 : 38 ㎛) 를 이용하고, 또한, 얻어지는 완충층의 두께를 200 ㎛ 로 한 것 이외에는, 후술하는 실시예, 비교예의 완충층과 동일한 방법으로, 시험용 완충층을 제작하였다. 시험용 완충층 상의 박리 시트를 제거한 후, 소정의 크기로 절단한 시험편을 사용하여, 동적 점탄성 장치 (오리엔테크사 제조, 상품명 「Rheovibron DDV-II-EP1」) 에 의해, 주파수 11 ㎐ 로, 온도 범위 -20 ∼ 150 ℃ 에 있어서의, 손실 탄성률 및 저장 탄성률을 측정하였다.Except that a release sheet (trade name: "SP-PET381031" manufactured by Lintec Co., Ltd., thickness: 38 μm) was used in place of the substrate and the thickness of the obtained buffer layer was changed to 200 μm. In the same manner, a test buffer layer was prepared. The peel sheet on the test buffer layer was removed and then the test piece cut into a predetermined size was subjected to measurement with a dynamic viscoelastic device (Rheenbibron DDV-II-EP1 manufactured by Orientech Co., Ltd.) at a frequency of 11 Hz, The loss elastic modulus and the storage elastic modulus at 20 to 150 占 폚 were measured.
각 온도의 「손실 탄성률/저장 탄성률」 의 값을, 그 온도의 tanδ 로서 산출하고, -5 ∼ 120 ℃ 의 범위에 있어서의 tanδ 의 최대치를, 「완충층의 tanδ 의 최대치」 라고 하였다.The value of the " loss elastic modulus / storage elastic modulus " at each temperature was calculated as the tan delta of the temperature, and the maximum value of tan delta in the range of -5 to 120 DEG C was referred to as " maximum value of tan delta of the buffer layer ".
[완충층의 응력 완화율][Stress Relaxation Rate of Buffer Layer]
상기와 동일하게 시험용 완충층을 박리 시트 상에 제작하고, 15 ㎜ × 140 ㎜ 로 커트하여 샘플을 형성하였다. 만능 인장 시험기 (SHIMADZU 사 제조 오토 그래프 AG-10kNIS) 를 사용하여, 이 샘플의 양단 20 ㎜ 를 잡고, 매분 200 ㎜ 의 속도로 잡아당겨, 10 ％ 신장했을 때의 응력 A (N/㎡) 와, 테이프의 신장 정지로부터 1 분 후의 응력 B (N/㎡) 를 측정하였다. 이들 응력 A, B 의 값으로부터, (A - B)/A × 100 (％) 을 응력 완화율로서 산출하였다.A test buffer layer was prepared on the release sheet in the same manner as described above, and cut to a size of 15 mm x 140 mm to form a sample. Using a universal tensile tester (Autograph AG-10kNIS, manufactured by SHIMADZU), 20 mm of both ends of the sample was held, and the stress A (N / m 2) at 10% elongation at a rate of 200 mm per minute, The stress B (N / m < 2 >) was measured one minute after the stop of elongation of the tape. From the values of these stresses A and B, (A - B) / A × 100 (%) was calculated as the stress relaxation rate.
[점착제층의 탄성률][Modulus of elasticity of pressure-sensitive adhesive layer]
점탄성 측정 장치 (Rheometrics 사 제조, 장치명 「DYNAMIC ANALYZER RDAII」) 를 사용하여, 실시예 및 비교예에서 사용한 점착제 조성물의 용액으로 형성된 단층의 점착제층을 적층시켜 얻은 직경 8 ㎜ × 두께 3 ㎜ 사이즈의 샘플을, 1 ㎐ 로 23 ℃ 의 환경하에서 저장 탄성률 G' 를 비틀림 전단법에 의해 측정하고, 얻어진 값을 점착제층의 탄성률로 하였다.A sample of 8 mm in diameter × 3 mm in thickness obtained by laminating a single-layer pressure-sensitive adhesive layer formed of a solution of the pressure-sensitive adhesive composition used in the Examples and Comparative Examples, using a viscoelasticity measuring apparatus (manufactured by Rheometrics Co., Ltd., apparatus name "DYNAMIC ANALYZER RDAII" Was measured by a twist shear method under an environment of 23 DEG C at 1 Hz in terms of a storage elastic modulus G ', and the obtained value was defined as the elastic modulus of the pressure-sensitive adhesive layer.
[박리력 측정][Peeling force measurement]
실시예, 비교예에서 얻어진 박리 시트가 형성된 점착 테이프를 길이 250 ㎜, 폭 50 ㎜ 로 재단하고, 박리 시트를 박리하여, 점착 테이프를 2 ㎏ 의 고무 롤을 사용하여 8 인치의 실리콘 미러 웨이퍼에 첩부하였다. 20 분 정치 (靜置) 한 후, 자외선 조사 장치 (린텍 주식회사 제조, 상품명 「RAD-2000」) 로 조도 230 ㎽/㎠, 광량 380 mJ/㎠ 의 조건으로 테이프측으로부터 자외선 조사를 실시하였다. 자외선 조사에 의해, 점착제층이 경화한 점착 테이프를 만능 시험기 (에이 앤드 디사 제조, 상품명 「텐실론」) 에 의해, 박리 속도 4 ㎜/sec, 박리 각도 180°로 박리하고, 박리력을 측정하였다. 또한, 본 시험은, 실온 (23 ℃), 50 ％RH 조건하에서 실시하였다.EXAMPLES The adhesive tape on which the release sheet obtained in Examples and Comparative Examples were formed was cut to a length of 250 mm and a width of 50 mm and the release sheet was peeled off and the adhesive tape was stuck to an 8 inch silicon mirror wafer using a rubber roll of 2 kg Respectively. After standing for 20 minutes, ultraviolet light was irradiated from the tape side under conditions of an illumination intensity of 230 mW / cm 2 and a light intensity of 380 mJ / cm 2 with an ultraviolet irradiator (trade name: "RAD-2000" manufactured by LINTEC CORPORATION). The adhesive tape with the pressure-sensitive adhesive layer cured by ultraviolet irradiation was peeled off at a peeling speed of 4 mm / sec and a peeling angle of 180 deg. By a universal testing machine (manufactured by A & D Corporation, trade name "Tensilon") and the peeling force was measured . This test was conducted at room temperature (23 ° C) and 50% RH.
[점착 테이프의 두께 측정][Measurement of Thickness of Adhesive Tape]
정압 두께 측정기 (테크로크사 제조, PG-02) 에 의해 점착 테이프의 총 두께, 기재, 점착제층, 및 완충층의 두께를 측정하였다. 이 때, 임의의 10 점을 측정하고, 평균치를 산출하였다.The total thickness of the pressure-sensitive adhesive tape, the substrate, the pressure-sensitive adhesive layer, and the thickness of the buffer layer were measured by a constant pressure thickness gauge (PG-02; At this time, arbitrary ten points were measured and an average value was calculated.
또한, 본 실시예에 있어서, 점착 테이프의 총 두께는, 박리 시트가 형성된 점착 테이프의 두께를 측정하고, 그 두께로부터 박리 시트의 두께를 뺀 값이다. 또한, 완충층의 두께는, 완충층이 형성된 기재의 두께로부터, 기재의 두께를 뺀 값이다. 또한, 점착제층의 두께는, 점착 테이프 총 두께로부터 완충층 및 기재의 두께를 뺀 값이다.In the present embodiment, the total thickness of the adhesive tape is a value obtained by measuring the thickness of the adhesive tape on which the release sheet is formed, and subtracting the thickness of the release sheet from the thickness. The thickness of the buffer layer is a value obtained by subtracting the thickness of the substrate from the thickness of the substrate on which the buffer layer is formed. The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is a value obtained by subtracting the thickness of the buffer layer from the total thickness of the pressure-sensitive adhesive tape.
(성능 평가)(Performance evaluation)
[칩핑 시험 1][Chipping test 1]
직경 12 인치 (30.48 ㎝) 의 실리콘 웨이퍼의 웨이퍼 표면으로부터 홈을 형성하고, 그 후 점착 테이프를 웨이퍼 표면에 첩부하여, 이면 연삭에 의해 웨이퍼를 개편화하는, 선다이싱법에 의해 두께 30 ㎛, 칩 사이즈 가로세로 1 ㎜ 의 칩으로 개편화하였다. 그 후 점착 테이프를 박리하지 않고, 웨이퍼 연삭면으로부터 개편화된 칩의 모서리 부분을 디지털 현미경 (주식회사 키엔스 제조 VE-9800) 에 의해 관찰하고, 각 칩의 모서리의 칩핑의 유무를 관찰하여, 700 칩에 있어서의 칩핑 발생율을 측정하고, 이하의 평가 기준으로 평가하였다.A thickness of 30 占 퐉 and a thickness of 30 占 퐉 were formed by a pre-dicing method in which a groove was formed from the wafer surface of a silicon wafer having a diameter of 12 inches (30.48 cm), the adhesive tape was then attached to the wafer surface, The chip was disassembled into chips of 1 mm in width and 1 mm in size. Thereafter, without removing the adhesive tape, the edge portions of the chips, which were separated from the wafer grinding surface, were observed with a digital microscope (VE-9800, manufactured by KYOSEN Co., Ltd.) and the presence or absence of chipping at the corners of each chip was observed. Was measured and evaluated according to the following evaluation criteria.
A : 1.0 ％ 미만, B : 1.0 ∼ 2.0 ％, C : 2.0 ％ 초과A: less than 1.0%, B: 1.0 to 2.0%, C: more than 2.0%
[칩 크랙 시험 2][Chip crack test 2]
먼저, 직경 12 인치 (30.48 ㎝) 의 실리콘 웨이퍼 표면에 점착 테이프를 첩부하였다. 다음으로, 점착 테이프를 첩부한 면의 반대측의 면으로부터 레이저 소를 이용하여, 실리콘 웨이퍼에 격자상의 개질 영역을 형성하였다. 또한, 격자 사이즈는 가로세로 1 ㎜ 로 하였다. 계속해서, 이면 연삭 장치를 사용하여, 두께가 30 ㎛ 가 될 때까지 연삭하고, 가로세로 1 ㎜ 의 칩으로 개편화하였다. 연삭 공정 후에 에너지선 조사를 실시하여, 점착 테이프의 첩부면의 반대면에 다이싱 테이프 (린텍 주식회사, 제품명 「D-821HS」) 를 첩부 후, 점착 테이프를 박리하지 않고, 다이싱 테이프 넘어로 개편화된 칩을 디지털 현미경에 의해 관찰하고, 각 칩 모서리의 칩 크랙의 유무를 관찰하고, 700 칩에 있어서의 칩 크랙 발생율을 측정하고, 이하의 평가 기준으로 평가하였다.First, an adhesive tape was attached to the surface of a silicon wafer having a diameter of 12 inches (30.48 cm). Next, a lattice-like modified region was formed on the silicon wafer using a laser beam from a surface opposite to the surface to which the adhesive tape was attached. The lattice size was set to 1 mm square. Subsequently, the back-grinding apparatus was used to grind to a thickness of 30 mu m, and to be separated into chips each having a width of 1 mm. After the dicing tape (LINTEC Co., Ltd., product name " D-821HS ") was attached to the opposite side of the adhesive side of the adhesive tape, the adhesive tape was peeled off, The chips were observed with a digital microscope, and the presence or absence of chip cracks at each chip edge was observed. The occurrence rate of chip cracks in 700 chips was measured and evaluated by the following evaluation criteria.
A : 1.0 ％ 미만, B : 1.0 ∼ 2.0 ％, C : 2.0 ％ 초과A: less than 1.0%, B: 1.0 to 2.0%, C: more than 2.0%
[박리 평가 1][Peeling Evaluation 1]
실시예, 비교예에서 얻어진 박리 시트가 형성된 점착 테이프를, 박리 시트를 박리하면서 테이프 라미네이너 (린텍 주식회사 제조, 상품명 「RAD-3510」) 에 세트하고, 선다이싱법에 의해 웨이퍼 표면에 홈을 형성한 12 인치의 실리콘 웨이퍼 (두께 760 ㎛) 에 다음의 조건으로 첩부하였다.The adhesive tape on which the release sheet obtained in Examples and Comparative Examples was formed was set in a tape laminer (trade name: "RAD-3510" manufactured by LINTEC CORPORATION) while peeling off the release sheet and grooves were formed on the wafer surface by the die dicing method The thus-fabricated 12-inch silicon wafer (thickness 760 占 퐉) was attached under the following conditions.
롤 높이 : 0 ㎜ 롤 온도 : 23 ℃ (실온)Roll height: 0 mm Roll temperature: 23 占 폚 (room temperature)
테이블 온도 : 23 ℃ (실온)Table temperature: 23 ° C (room temperature)
얻어진 점착 테이프가 형성된 실리콘 웨이퍼는, 이면 연삭 (선다이싱법) 에 의해 두께 30 ㎛, 칩 사이즈 가로세로 1 ㎜ 로 개편화하였다. 개편화가 완료된 칩이 형성된 점착 테이프를 다이싱 테이프 마운터 (린텍 주식회사 제조, 상품명 「RAD-2700」) 로 테이프측으로부터 자외선 조사 (조건 : 230 ㎽/㎠, 380 mJ/㎠) 를 실시하여, 점착제를 경화시켰다. 그 후, 동일하게 RAD-2700 장치 내에서, 칩측으로부터 다이싱 테이프 (린텍 주식회사 제조, 상품명 「D-821HS」) 를 첩부하였다. 이 때, 픽업 공정에서 사용하는 링 프레임이라고 불리는 지그도 함께 픽업 테이프에 첩부하였다. 다음으로, RAD-2700 장치 내에서, 경화가 완료된 점착 테이프를 박리하였다. 점착 테이프 박리 후의 칩 700 개를 다이싱 테이프 넘어로, 디지털 현미경 (주식회사 키엔스 제조, 상품명 「VE-9800」) 으로 관찰하고, 칩의 결손의 발생율을 측정하였다. 동 발생율로부터 칩핑 시험 1 에서의 발생율을 뺀 수치를 박리 평가 1 의 발생율로 하고, 이하의 평가 기준으로 평가하였다.The silicon wafer on which the obtained adhesive tape was formed was individualized to a thickness of 30 占 퐉 and a chip size of 1 mm by a back grinding (pre-dicing method). (Pressure: 230 mW / cm2, 380 mJ / cm2) was applied from a tape side with a dicing tape mounter (trade name "RAD-2700" manufactured by LINTEC CORPORATION) And cured. Thereafter, a dicing tape (trade name: D-821HS, manufactured by LINTEC CORPORATION) was pasted from the chip side in the same manner as in the RAD-2700 apparatus. At this time, a jig called a ring frame used in the pick-up process was also attached to the pickup tape. Next, in the RAD-2700 apparatus, the cured adhesive tape was peeled off. 700 chips after peeling off the adhesive tape were observed with a digital microscope (product name: "VE-9800" manufactured by KYOSEN CO., LTD.) Beyond the dicing tape, and the occurrence rate of chip defects was measured. A value obtained by subtracting the incidence from the chipping test 1 from the incidence was used as the incidence of the peel evaluation 1, and evaluation was made based on the following evaluation criteria.
OK : 1.0 ％ 미만, NG : 1.0 ％ 이상OK: Less than 1.0%, NG: 1.0% or more
[박리 평가 2][Peel evaluation 2]
실시예, 비교예에서 얻어진 박리 시트가 형성된 점착 테이프를, 박리 시트를 박리하면서 테이프 라미네이터 (린텍 주식회사 제조, 상품명 「RAD-3510」) 에 의해, 12 인치 (30.48 ㎝) 의 실리콘 웨이퍼 (두께 760 ㎛) 에 다음의 조건으로 첩부하였다.EXAMPLES The adhesive tape on which the release sheet obtained in Examples and Comparative Examples were formed was peeled off from a 12 inch (30.48 cm) silicon wafer (thickness: 760 mu m (thickness) by a tape laminator (trade name: RAD- ) With the following conditions.
롤 높이 : 0 ㎜ 롤 온도 : 23 ℃ (실온)Roll height: 0 mm Roll temperature: 23 占 폚 (room temperature)
테이블 온도 : 23 ℃ (실온)Table temperature: 23 ° C (room temperature)
다음으로, 테이프를 첩부한 면의 반대측의 면으로부터 레이저 소에 의해 레이저 조사를 실시하여, 웨이퍼에 격자상의 개질 영역을 형성하였다. 또한, 격자 사이즈는 가로세로 1 ㎜ 로 하였다. 얻어진 점착 테이프가 형성된 실리콘 웨이퍼는, 이면 연삭에 의해 두께 30 ㎛, 칩 사이즈 가로세로 1 ㎜ 로 개편화하였다. 개편화가 완료된 칩이 형성된 점착 테이프를 다이싱 테이프 마운터 (린텍 주식회사 제조, 상품명 「RAD-2510」) 로 테이프측으로부터 자외선 조사 (조건 : 230 ㎽/㎠, 380 mJ/㎠) 를 실시하여, 점착제를 경화시켰다. 그 후, 동일하게 RAD-2510 장치 내에서, 칩측으로부터 픽업 테이프 (린텍 주식회사 제조, 상품명 「D-821HS」) 를 첩부하였다. 이 때, 픽업 공정에서 사용하는 링 프레임도 함께 픽업 테이프에 첩부하였다. 다음으로, RAD-2510 장치 내에서, 경화가 완료된 점착 테이프를 박리하였다. 점착 테이프 박리 후의 칩 700 개를 다이싱 테이프 넘어로, 디지털 현미경 (주식회사 키엔스 제조, 상품명 「VE-9800」) 으로 관찰하고, 칩 크랙의 발생율을 측정하였다. 동 발생율로부터 칩 크랙 시험 1 에서의 발생율을 뺀 수치를 박리 평가 1 의 발생율로 하고, 이하의 평가 기준으로 평가하였다.Next, laser irradiation was performed from a surface opposite to the surface to which the tape was pasted by a laser beam to form a modified region on the lattice on the wafer. The lattice size was set to 1 mm square. The silicon wafer on which the obtained adhesive tape was formed was individualized to a thickness of 30 탆 and a chip size of 1 mm by back grinding. The adhesive tape on which the chip having been subjected to the dismounting was formed was irradiated with ultraviolet rays (condition: 230 mW / cm2, 380 mJ / cm2) from the tape side with a dicing tape mounter (trade name "RAD-2510" manufactured by LINTEC CORPORATION) And cured. Thereafter, a pickup tape (trade name: D-821HS, manufactured by LINTEC CORPORATION) was pasted from the chip side in the same manner as in the RAD-2510 apparatus. At this time, the ring frame used in the pickup process was attached to the pickup tape together. Next, in the RAD-2510 apparatus, the cured adhesive tape was peeled off. 700 chips after peeling off the adhesive tape were observed with a digital microscope (product name: "VE-9800" manufactured by KYOSEN CO., LTD.) Beyond the dicing tape, and the occurrence rate of chip cracks was measured. A value obtained by subtracting the occurrence rate in the chip crack test 1 from the copper generation rate was regarded as the occurrence rate of the peel evaluation 1, and was evaluated by the following evaluation criteria.
OK : 1.0 ％ 미만, NG : 1.0 ％ 이상OK: Less than 1.0%, NG: 1.0% or more
또한, 이하의 실시예, 및 비교예의 질량부는 모두 고형분치이다.In addition, the mass parts of the following examples and comparative examples all have solid contents.
[실시예 1][Example 1]
(1) 우레탄아크릴레이트계 올리고머의 합성(1) Synthesis of urethane acrylate oligomer
폴리에스테르디올과, 이소포론디이소시아네이트를 반응시켜 얻어진 말단 이소시아네이트우레탄 프리 폴리머에, 2-하이드록시에틸아크릴레이트를 반응시켜, 질량 평균 분자량 (Mw) 5000 의 2 관능의 우레탄아크릴레이트계 올리고머 (UA-1) 을 얻었다.2-hydroxyethyl acrylate was reacted with a terminal isocyanate urethane prepolymer obtained by reacting a polyester diol and isophorone diisocyanate to obtain a urethane acrylate oligomer (UA-2) having a weight average molecular weight (Mw) 1).
(2) 완충층 형성용 조성물의 조제(2) Preparation of a composition for forming a buffer layer
상기에서 합성한 우레탄아크릴레이트계 올리고머 (UA-1) 40 질량부, 이소보르닐아크릴레이트 (IBXA) 40 질량부, 및 페닐하이드록시프로필아크릴레이트 (HPPA) 20 질량부를 배합하고, 추가로 광 중합 개시제로서의 1-하이드록시시클로헥실페닐케톤 (BASF 사 제조, 제품명 「이르가큐어 184」) 2.0 질량부, 및 프탈로시아닌계 안료 0.2 질량부를 배합하여, 완충층 형성용 조성물을 조제하였다.40 parts by mass of the urethane acrylate oligomer (UA-1) synthesized above, 40 parts by mass of isobornyl acrylate (IBXA), and 20 parts by mass of phenylhydroxypropyl acrylate (HPPA) 2.0 parts by mass of 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone (product name: Irgacure 184, manufactured by BASF Corporation) as an initiator, and 0.2 part by mass of a phthalocyanine pigment were compounded to prepare a composition for forming a buffer layer.
(3) 점착제 조성물의 조제(3) Preparation of pressure-sensitive adhesive composition
부틸아크릴레이트 (BA) 52 질량부, 메틸메타크릴레이트 (MMA) 20 질량부, 및 2-하이드록시에틸아크릴레이트 (HEA) 28 질량부를 공중합하여 얻은 아크릴계 중합체 (b) 에, 아크릴계 중합체 (b) 의 전체 수산기 중 90 몰％ 의 수산기에 부가하도록, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트 (MOI) 를 반응시켜, 에너지선 경화성의 아크릴계 수지 (Mw : 50 만) 를 얻었다.Acrylic polymer (b) was added to the acrylic polymer (b) obtained by copolymerizing 52 parts by mass of butyl acrylate (BA), 20 parts by mass of methyl methacrylate (MMA) and 28 parts by mass of 2-hydroxyethyl acrylate (HEA) Methacryloyloxyethyl isocyanate (MOI) was added so as to add to 90 mol% of the hydroxyl groups in the total hydroxyl groups of the acrylic resin (Mw: 500,000).
이 에너지선 경화성의 아크릴계 수지 100 질량부에, 에너지선 경화성 화합물인 다관능 우레탄아크릴레이트 (상품명. 시코우 UT-4332, 닛폰 합성 화학 공업 주식회사 제조) 6 중량부, 이소시아네이트계 가교제 (토요켐 주식회사 제조, 상품명 : BHS-8515) 를 고형분 기준으로 0.375 질량부, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)페닐포스핀옥사이드로 이루어지는 광 중합 개시제 1 중량부를 첨가하고, 용제로 희석함으로써 점착제 조성물의 도공액을 조제하였다.6 parts by weight of an energy ray curable compound, a polyfunctional urethane acrylate (trade name: Sikou UT-4332, manufactured by Nippon Synthetic Chemical Industry Co., Ltd.), 10 parts by weight of an isocyanate crosslinking agent (produced by Toyochem Co., Ltd.) , Trade name: BHS-8515) as a solid component and 1 part by weight of a photopolymerization initiator comprising bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) phenylphosphine oxide were added and diluted with a solvent to obtain a coating composition Was prepared.
(4) 점착 테이프의 제작(4) Production of adhesive tape
기재로서의 두께 50 ㎛ 의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 (영률 : 2500 ㎫) 의 일방의 면에, 상기에서 얻은 완충층 형성용 조성물을 도공하고, 또한 조도 160 ㎽/㎠, 조사량 500 mJ/㎠ 의 조건으로 자외선 조사를 함으로써 완충층 형성용 조성물을 경화시켜, 두께 13 ㎛ 의 완충층을 얻었다.The composition for forming a buffer layer was coated on one surface of a polyethylene terephthalate film (Young's modulus: 2500 MPa) having a thickness of 50 占 퐉 as a substrate and irradiated with ultraviolet rays under conditions of an illumination of 160 mW / cm2 and an irradiation dose of 500 mJ / To thereby cure the composition for forming a buffer layer to obtain a buffer layer having a thickness of 13 占 퐉.
또한, 박리 시트 기재가 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름인 박리 시트 (린텍 주식회사 제조, 상품명 : SP-PET381031) 의 박리 처리면에, 상기에서 얻은 점착제 조성물의 도공액을 건조 후의 두께가 20 ㎛ 가 되도록 도공하고, 가열 건조시켜, 박리 시트 상에 점착제층을 형성하였다. 이 점착제층을, 완충층이 형성된 기재의 타방의 면에 첩부하여, 박리 시트가 형성된 점착 테이프를 얻었다.The coating solution of the pressure-sensitive adhesive composition obtained above was coated on the release-treated surface of a release sheet (trade name: SP-PET381031, manufactured by LINTEC CORPORATION) as a release sheet base material so as to have a thickness after drying of 20 m, And dried by heating to form a pressure-sensitive adhesive layer on the release sheet. This pressure-sensitive adhesive layer was attached to the other surface of the base material on which the buffer layer was formed to obtain a pressure-sensitive adhesive tape on which a release sheet was formed.
또한, 점착제층의 23 ℃ 에 있어서의 탄성률은, 0.15 ㎫ 였다. 또한, 완충층의 저장 탄성률은 250 ㎫, 응력 완화율은 90 ％, tanδ 의 최대치는 1.24 였다.The elastic modulus of the pressure-sensitive adhesive layer at 23 캜 was 0.15 MPa. The storage modulus of the buffer layer was 250 MPa, the stress relaxation rate was 90%, and the maximum value of tan? Was 1.24.
[실시예 2 ∼ 8, 비교예 1 ∼ 15][Examples 2 to 8 and Comparative Examples 1 to 15]
기재, 완충층, 및 점착제층의 두께를 표 1 에 기재된 바와 같이 변경한 점을 제외하고 실시예 1 과 동일하게 실시하였다.The thickness of the substrate, the buffer layer, and the pressure-sensitive adhesive layer were changed as described in Table 1,
또한, 각 실시예 및 비교예에 있어서 기재로는, 실시예 1 과 동일한 영률을 갖는 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 사용하였다.In each of Examples and Comparative Examples, a polyethylene terephthalate film having the same Young's modulus as that of Example 1 was used.
표 중의 "-" 는 미실시인 것을 나타낸다."-" in the table indicates that it is unavailable.
이상과 같이, 실시예 1 ∼ 8 에 있어서는, 점착 테이프의 테이프 총 두께가 160 ㎛ 이하, 두께 비 (D2/D1) 가 0.7 이하, 박리력이 1000 mN/25 ㎜ 이하였기 때문에, 칩핑 시험, 및 박리 평가의 결과가 양호하고, 선다이싱법에 있어서, 반도체 웨이퍼의 이면 연삭시, 및 점착 테이프의 박리시에 칩 결손이 잘 발생하지 않게 되었다.As described above, in Examples 1 to 8, since the adhesive tape had a total tape thickness of 160 占 퐉 or less, a thickness ratio (D2 / D1) of 0.7 or less and a peel force of 1000 mN / 25 mm or less, The result of the peeling evaluation was good, and chip defects were hardly generated at the back grinding of the semiconductor wafer and the peeling of the adhesive tape in the pre-dicing method.
그에 반하여, 비교예 1 ∼ 10 에서는, 완충층의 두께가 커져, 두께 비 (D2/D1) 가 0.7 보다 컸기 때문에, 칩핑 시험에 있어서, 칩핑 발생율이 높아져, 반도체 웨이퍼의 이면 연삭시에 반도체 칩의 결손이 발생하기 쉬워졌다. 나아가, 두께 비 (D2/D1) 가 커지면, 박리력도 커지는 경향이 있어, 비교예 3, 4 에 나타내는 바와 같이, 점착 테이프 박리시에 반도체 칩에 결손이 발생할 가능성도 높아졌다.On the other hand, in Comparative Examples 1 to 10, since the thickness of the buffer layer was large and the thickness ratio (D2 / D1) was larger than 0.7, the chipping occurrence rate was increased in the chipping test, . Furthermore, as the thickness ratio D2 / D1 increases, the peeling force also tends to increase. As shown in Comparative Examples 3 and 4, there is also a high possibility that a semiconductor chip is broken at the time of peeling off the adhesive tape.
또한, 비교예 11 ∼ 13 에서는, 점착 테이프의 테이프 총 두께가 컸기 때문에, 박리력이 커져, 점착 테이프 박리시에 반도체 웨이퍼에 결손이 발생하였다. 또한, 비교예 14 에서는, 두께 비 (D2/D1), 및 점착 테이프의 테이프 총 두께 모두 컸기 때문에, 반도체 웨이퍼의 이면 연삭시 및 점착 테이프 박리시의 양방에서, 반도체 웨이퍼의 결손 등이 발생하였다. 비교예 15 에서도, 테이프 총 두께가 크기 때문에, 동일하게 칩 결손 등이 발생하였다.In Comparative Examples 11 to 13, since the total thickness of the adhesive tape was large, the peeling force became large, and a defect occurred in the semiconductor wafer at the time of peeling off the adhesive tape. In Comparative Example 14, since the thickness ratio (D2 / D1) and the total thickness of the tape of the adhesive tape were both large, defects of the semiconductor wafer occurred at both of the back grinding of the semiconductor wafer and the peeling of the adhesive tape. Also in Comparative Example 15, since the total thickness of the tape was large, chip defects occurred in the same manner.
Claims (13)
기재와, 상기 기재의 일방의 면에 형성되는 완충층과, 상기 기재의 타방의 면에 형성되는 점착제층을 구비하고,
반도체 가공용 점착 테이프의 테이프 총 두께가 160 ㎛ 이하이고, 또한 상기 완충층의 두께 (D2) 의 기재의 두께 (D1) 에 대한 비 (D2/D1) 가 0.7 이하임과 함께, 반도체 웨이퍼에 대한 박리력이 1000 mN/50 ㎜ 이하인, 반도체 가공용 점착 테이프.A process for grinding a back surface of a semiconductor wafer in which a groove is formed on the surface of the semiconductor wafer or a modified region is formed on the semiconductor wafer and the semiconductor wafer is divided into semiconductor chips by grinding, A pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing,
A pressure-sensitive adhesive sheet comprising: a substrate; a buffer layer formed on one surface of the substrate; and a pressure-sensitive adhesive layer formed on the other surface of the substrate,
The total thickness of the adhesive tape for semiconductor processing is not more than 160 占 퐉 and the ratio of the thickness D2 of the buffer layer to the thickness D1 of the substrate is 0.7 or less and the peeling force Is not more than 1000 mN / 50 mm.
상기 기재의 영률이 1000 ㎫ 이상인, 반도체 가공용 점착 테이프.The method according to claim 1,
Wherein said base material has a Young's modulus of 1000 MPa or more.
상기 기재의 두께 (D1) 이 110 ㎛ 이하인, 반도체 가공용 점착 테이프.3. The method according to claim 1 or 2,
And the thickness (D1) of the base material is 110 占 퐉 or less.
상기 기재가 적어도 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 갖는, 반도체 가공용 점착 테이프.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein the substrate has at least a polyethylene terephthalate film.
상기 점착제층이 에너지선 경화성 점착제로 형성되는, 반도체 가공용 점착 테이프.5. The method according to any one of claims 1 to 4,
Wherein the pressure-sensitive adhesive layer is formed of an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive.
상기 점착제층의 23 ℃ 에 있어서의 탄성률이 0.10 ∼ 0.50 ㎫ 인, 반도체 가공용 점착 테이프.6. The method according to any one of claims 1 to 5,
Wherein the pressure-sensitive adhesive layer has an elastic modulus at 23 占 폚 of 0.10 to 0.50 MPa.
상기 점착제층의 두께 (D3) 이 70 ㎛ 이하인, 반도체 가공용 점착 테이프.7. The method according to any one of claims 1 to 6,
Wherein a thickness (D3) of the pressure-sensitive adhesive layer is 70 占 퐉 or less.
상기 점착제층이, 알킬기의 탄소수가 4 이상인 알킬(메트)아크릴레이트 유래의 구성 단위와, 알킬기의 탄소수가 1 ∼ 3 인 알킬(메트)아크릴레이트 유래의 구성 단위와, 관능기 함유 모노머 유래의 구성 단위를 갖는 아크릴계 수지를 포함하는 점착제 조성물로 형성되는, 반도체 가공용 점착 테이프.8. The method according to any one of claims 1 to 7,
Wherein the pressure-sensitive adhesive layer comprises a structural unit derived from an alkyl (meth) acrylate in which the alkyl group has 4 or more carbon atoms, a structural unit derived from an alkyl (meth) acrylate having an alkyl group of 1 to 3 carbon atoms and a structural unit derived from a functional group- Wherein the pressure-sensitive adhesive layer is formed of a pressure-sensitive adhesive composition comprising an acrylic resin having a hydroxyl group-containing acrylic resin.
상기 완충층의 23 ℃ 에 있어서의 저장 탄성률이 100 ∼ 1500 ㎫ 인, 반도체 가공용 점착 테이프.9. The method according to any one of claims 1 to 8,
Wherein the buffer layer has a storage elastic modulus at 23 占 폚 of 100 to 1500 MPa.
상기 완충층의 응력 완화율이 70 ∼ 100 ％ 인, 반도체 가공용 점착 테이프.10. The method according to any one of claims 1 to 9,
Wherein the buffer layer has a stress relaxation rate of 70 to 100%.
상기 완충층이, 우레탄(메트)아크릴레이트 (a1), 고리 형성 원자수 6 ∼ 20 의 지환기 또는 복소 고리기를 갖는 중합성 화합물 (a2), 및 관능기를 갖는 중합성 화합물 (a3) 을 포함하는 완충층 형성용 조성물로 형성되는, 반도체 가공용 점착 테이프.11. The method according to any one of claims 1 to 10,
Wherein the buffer layer comprises a buffer layer comprising a urethane (meth) acrylate (a1), a polymerizable compound (a2) having a pericyclic or heterocyclic group having 6 to 20 ring-forming atoms, and a polymerizable compound (a3) Wherein the pressure-sensitive adhesive layer is formed of a composition for forming a pressure-sensitive adhesive tape.
성분 (a2) 가 지환기 함유 (메트)아크릴레이트임과 함께, 성분 (a3) 이 수산기 함유 (메트)아크릴레이트인, 반도체 가공용 점착 테이프.12. The method of claim 11,
The pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing, wherein the component (a2) is a peroxy group-containing (meth) acrylate and the component (a3) is a hydroxyl group-containing (meth) acrylate.
반도체 웨이퍼의 표면측으로부터 홈을 형성하거나, 또는 반도체 웨이퍼의 표면 혹은 이면으로부터 반도체 웨이퍼 내부에 개질 영역을 형성하는 공정과,
상기 반도체 가공용 점착 테이프가 표면에 첩부되고, 또한 상기 홈 또는 개질 영역이 형성된 반도체 웨이퍼를, 이면측으로부터 연삭하여, 상기 홈 또는 개질 영역을 기점으로 하여 복수의 칩으로 개편화시키는 공정과,
상기 복수의 칩으로부터 반도체 가공용 점착 테이프를 박리하는 공정을 구비하는, 반도체 장치의 제조 방법.A process for attaching the adhesive tape for semiconductor processing according to any one of claims 1 to 12 to a surface of a semiconductor wafer,
A step of forming a groove from the surface side of the semiconductor wafer or forming a modified region inside the semiconductor wafer from the front surface or back surface of the semiconductor wafer,
A step of grinding a semiconductor wafer to which the adhesive tape for semiconductor processing is pasted on the surface and the groove or modified region formed thereon from the back side and dividing the semiconductor wafer into a plurality of chips starting from the groove or the modified region;
And peeling the adhesive tape for semiconductor processing from the plurality of chips.
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