KR20180122200A - Serial Type Connected Device and Method for Absorbing Harmonic Current - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 고전도성 금속물질로 이루어지고 전기적으로 상호 절연됨과 동시에 편극 현상을 최소화시키는 기 설정된 배치 관계로 일정 간격 이상 이격 배치된 M(M≥2)개의 전도성 전극을 포함하는 전극부와, M개의 각 전도성 전극의 일 측과 연결되고 외부로 노출되는 M개의 제1 전선을 포함하는 제1 전선부와, 상기 M개의 각 전도성 전극의 다른 일 측과 연결되고 외부로 노출되는 M개의 제2 전선을 포함하는 제2 전선부와, 99% 품위의 규소(metal Si)를 포함하는 N(N≥2)개의 지정된 물질을 기 설정된 혼합 비율로 혼합하고 10μm 이내의 크기로 분쇄하면서 교반한 혼합 분말을 80℃의 저온 건조로에서 산화시켜 산화 혼합물을 생성한 후 전기로에서 기 설정된 온도로 소성 후 냉각시켜 생성된 소성 혼합물을 지정된 바인더와 기 설정된 배합 비율에 따라 배합하여 액상화시킨 후 상기 전극부와 상기 액상화된 혼합물을 액상 밀착시킨 상태에서 상온 건조하여 고형화된 강유전체 혼합물과, 상기 강유전체 혼합물을 내부에 수용하고 상기 제1 전선부와 제2 전선부를 외부로 노출하면서 상기 강유전체 혼합물의 내부에 구비된 전극부와 전기적으로 절연된 상태를 유지하는 하부 케이스부와, 상기 하부 케이스부의 상부에 덮여지고 상기 강유전체 혼합물의 내부에 구비된 전극부와 전기적으로 절연된 상태를 유지하는 상판부를 구비하는 직렬식 고조파 전류 흡수 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an electrode unit comprising M (M? 2) conductive electrodes which are made of a highly conductive metallic material and are electrically insulated from each other and spaced apart from each other by a predetermined interval in a predetermined arrangement relationship that minimizes polarization, A first wire portion including M first wires connected to one side of each of the conductive electrodes and exposed to the outside, and M second wires connected to the other side of the M respective conductive electrodes and exposed to the outside, And N (N? 2) specified materials containing 99% of silicon (metal Si) were mixed at a predetermined mixing ratio, and the mixed powder was pulverized to a size within 10 μm, ° C to produce an oxidizing mixture, sintering the mixture at a predetermined temperature in an electric furnace, cooling the resultant mixture, and mixing the resultant sintered mixture with the specified binder according to a predetermined blending ratio to obtain a solution And a solidified ferroelectric mixture in which the electrode portion and the liquefied mixture are in liquid contact with each other and then dried at room temperature to form a solidified ferroelectric mixture and a ferroelectric liquid mixture containing the ferroelectric mixture therein, A lower case portion which is kept electrically insulated from an electrode portion provided in the interior of the mixture, and a lower case portion which is covered on the upper portion of the lower case portion and which is electrically insulated from the electrode portion provided inside the ferroelectric mixture, To a series harmonic current absorbing device.
우리나라는 각 상업시설이나 산업체에서 에너지원으로 사용하는 상용 교류전기는 발전소로부터 송전용 변전소와 배전용 변전소를 거쳐 일반 수용가로 전송되기까지 상용주파수로 60Hz를 사용한다. In Korea, commercial AC electricity used as an energy source in each commercial facility or industry uses a commercial frequency of 60 Hz until it is transmitted from a power plant to a general customer through a transmission substation and a distribution substation.
발전소에서 60hz로 전기를 만들어 송전하기 때문에 가정이나 공장에 사용하는 제품은 모두 60Hz/sec로 동작되도록 제작되어 있다. 그래서 전기에서는 전압도 중요하지만 주파수도 매우 중요하게 취급한다. Since electricity is generated at the power plant at 60Hz, all products used in the home or factory are designed to operate at 60Hz / sec. So in electricity, voltage is important, but frequency is also very important.
대개 전압은 송전과정에 손실로 인하여 전압변동이 생기기 때문에 허용치를 두고 있어 모든 전기제품들이 이에 맞게 동작폭을 두고 제작을 한다. 하지만 주파수는 전압과 다르다. 만약 주파수 편차가 크면 클수록 히스테리 손실 때문에 모터같은 코일에서는 과열이 생겨 모터 회전 속도가 떨어짐은 물론 화재가 발생할 수도 있다. 따라서, 전력회사에서는 최첨단의 초정밀 주파수 발생장치를 운용한다.Generally, voltage is fluctuated due to loss in the transmission process, so it is allowed. But the frequency is different from the voltage. If the frequency deviation is large, the hysteresis loss causes overheating in the motor-like coils, which may cause the motor rotation speed to drop and the fire to occur. Therefore, the power company operates a state-of-the-art ultra-precise frequency generator.
최근 문제가 되고 있는 것은 상업시설이나 산업현장에서 사용하고 있는 첨단 제어모듈 및 전력 전자기기 등과 같은 다양한 반도체 전력변환모듈 사용 증가와 더불어 기존 전력기기(변압기 및 기타 전력관리 설비) 비선형 특성 영역에서의 불안정한 운전으로 인하여 고조파 발생이 늘어나고, 이에 따라 기계장치가 고장나고, 오동작이 일어나는 피해가 날로 늘어가고 있는 실정이다. A recent problem is the increase in the use of various semiconductor power conversion modules such as advanced control modules and power electronics used in commercial facilities or industrial fields, and the unstable characteristics of conventional power devices (transformers and other power management facilities) As a result of the operation, harmonic generation is increased, so that the damage of the mechanical device and the malfunction are increasing day by day.
고조파(harmonic)란 기본 주파수에 대해 2배, 3배, 4배와 같이 정수의 배에 해당하는 물리적 전기량을 말하며, 현실적으로 큰 문제가 되는 것은 3차, 5차, 7차 고조파이다. 고조파전류(Harmonic Current)는 고조파의 불평형에 의해 발생한 전류를 말하며, 정상분, 역상분, 영상분으로 구분한다. Harmonic refers to a physical quantity equivalent to an integer multiple such as 2, 3, or 4 times the fundamental frequency. In reality, the harmonics are the third, fifth, and seventh harmonics. Harmonic current refers to the current generated by the unbalance of harmonics, and is divided into normal, reverse, and image components.
비선형 부하에서 발생되는 고조파전류는 전원측으로 유출되므로 유출되는 영상분 고조파는 변압기 1차로 변환되어 부하 평형시 권선내를 순환하게 된다. 이 순환하는 전류가 열로 바뀌게 되어 열이 많이 발생하게 되는데 빌딩에서 사무용기기를 많이 사용할수록 열이 많이 발생하는 것이 이와 같은 이유이다. Since the harmonic current generated in the nonlinear load flows out to the power source side, the image harmonic wave that is discharged is converted into the primary of the transformer and circulated in the winding during the load balancing. This circulating current is converted into heat, which causes a lot of heat. This is the reason why a lot of office equipment in the building use more heat.
과거에는 전력설비에 비선형 부하가 적을 때는 고조파전류를 고려하지 않았으나, 최근에 컴퓨터와 인버터를 비롯한 전력전자 설비의 사용 증가로 인한 고조파 전류에 의해 나타나는 각종 계전기 오동작, 정밀 전자기기의 동작 불량, 역율저하, 소음 및 진동 발생, 기기 손상 및 과열의 원인으로 작용하여 막대한 전기에너지 손실을 초래하고 있다. In the past, harmonic currents were not considered when there was a small amount of nonlinear load in electric power facilities. However, in recent years, malfunctions of various relays caused by harmonic currents due to increase in use of power electronic equipment including computers and inverters, , Causing noise and vibration, damaging the equipment and overheating, resulting in a great loss of electrical energy.
따라서, 고조파 관리기준은 국제적으로 IEC EN 규격 (IEC EN61000-3-2)에서는 전자 기기가 발생하는 고조파 전류를 클래스 A ~ D 등급으로 분류하고 각각에 대해 고조파 전류 발생의 한계를 규제하고 있으며, 국내에서도 KSC 4802에 의해 규제하고 있다.Harmonic control standards Internationally, the IEC EN standard (IEC EN 61000-3-2) classifies harmonic currents generated by electronic equipment into Class A to Class D, limits the limits of harmonic current generation, Is regulated by KSC 4802.
상기와 같은 문제점을 해소하기 위한 본 발명의 목적은, 가정 뿐만 아니라 상업시설, 산업체 공장 등에서 현장 환경과 상관없이 전기를 사용하는 모든 장소에서 부하장치의 유효전력을 줄여주는 절전효과와 전압 레벨이 안정이 되어 부하장치의 고장횟수가 줄어 수명이 연장되도록 할 수 있는 직렬식 고조파 전류 흡수 장치를 제공하는 것이다.An object of the present invention to solve the above problems is to provide a power saving effect that reduces the effective power of the load device at all places where electricity is used irrespective of the field environment at a home, a commercial facility, So that the number of failures of the load device is reduced and the service life can be prolonged.
본 발명에 따른 직렬식 고조파 전류 흡수 장치는, 고전도성 금속물질로 이루어지고 전기적으로 상호 절연됨과 동시에 편극 현상을 최소화시키는 기 설정된 배치 관계로 일정 간격 이상 이격 배치된 M(M≥2)개의 전도성 전극을 포함하는 전극부와, M개의 각 전도성 전극의 일 측과 연결되고 외부로 노출되는 M개의 제1 전선을 포함하는 제1 전선부와, 상기 M개의 각 전도성 전극의 다른 일 측과 연결되고 외부로 노출되는 M개의 제2 전선을 포함하는 제2 전선부와, 99% 품위의 규소(metal Si)를 포함하는 N(N≥2)개의 지정된 물질을 기 설정된 혼합 비율로 혼합하고 10μm 이내의 크기로 분쇄하면서 교반한 혼합 분말을 80℃의 저온 건조로에서 산화시켜 산화 혼합물을 생성한 후 전기로에서 기 설정된 온도로 소성 후 냉각시켜 생성된 소성 혼합물을 지정된 바인더와 기 설정된 배합 비율에 따라 배합하여 액상화시킨 후 상기 전극부와 상기 액상화된 혼합물을 액상 밀착시킨 상태에서 상온 건조하여 고형화된 강유전체 혼합물과, 상기 강유전체 혼합물을 내부에 수용하고 상기 제1 전선부와 제2 전선부를 외부로 노출하면서 상기 강유전체 혼합물의 내부에 구비된 전극부와 전기적으로 절연된 상태를 유지하는 하부 케이스부와, 상기 하부 케이스부의 상부에 덮여지고 상기 강유전체 혼합물의 내부에 구비된 전극부와 전기적으로 절연된 상태를 유지하는 상판부를 구비하여 구성될 수 있다.The tandem harmonic current absorbing device according to the present invention comprises M (M? 2) conductive electrodes which are made of a highly conductive metal material and are electrically insulated from each other and spaced apart from each other by a predetermined interval in a predetermined arrangement relationship that minimizes polarization, A first wire portion including M first wires connected to one side of M conductive electrodes and exposed to the outside, and a second wire portion connected to the other side of the M conductive wires, And N (N > = 2) specified materials including 99% silicon (metal Si) are mixed at a predetermined mixing ratio, and the size of the second wire portion including M second wires , The mixed powder was oxidized in a low-temperature drying furnace at a temperature of 80 ° C to produce an oxidizing mixture, fired at a predetermined temperature in an electric furnace, cooled, and the resulting fired mixture was transferred to a specified binder A solidified ferroelectric mixture is formed by mixing the electrode portion and the liquefied mixture in liquid contact with each other and drying at a room temperature to form a solidified ferroelectric mixture and a ferroelectric mixture containing the ferroelectric mixture in the first and second wires, And a lower case part which is covered with an upper part of the lower case part and is electrically connected to the electrode part provided inside the ferroelectric mixture, the lower case part being electrically insulated from the electrode part provided inside the ferroelectric mixture while exposing the part to the outside, And an upper plate portion that maintains an insulated state.
본 발명에 따르면 상기 직렬식 고조파 전류 흡수 장치는, 상기 M개의 전도성 전극을 전기적으로 상호 절연됨과 동시에 편극 현상을 최소화시키는 기 설정된 배치 관계로 일정 간격 이상 이격시킴과 동시에 상기 하부 케이스부와도 전기적으로 절연되도록 배치 고정하는 고정부를 더 구비하여 구성될 수 있다.According to the present invention, the above-mentioned series harmonic current absorbing device is characterized in that the M conductive electrodes are electrically insulated from each other and spaced apart from each other by a predetermined interval in a predetermined arrangement relationship that minimizes polarization phenomenon, And a fixing part for fixing and disposing it so as to be insulated.
본 발명에 따르면, 상기 고정부는, 상기 하부 케이스부에 구비되어 상기 M개의 전도성 전극을 기 설정된 배치 관계로 배치 고정하는 것이 가능하다.According to the present invention, the fixing portion is provided in the lower case portion, and the M conductive electrodes can be arranged and fixed in a predetermined arrangement relationship.
본 발명에 따르면, 상기 고정부는, 상기 하부 케이스부에 구비되어 상기 M개의 전도성 전극이 액상화된 혼합물과 밀착하기 전부터 상기 M개의 전도성 전극을 기 설정된 배치 관계로 배치 고정하는 것이 가능하다.According to the present invention, it is possible that the fixing portion is provided in the lower case portion, and the M conductive electrodes are arranged and fixed in a predetermined arrangement relationship before the M conductive electrodes come into close contact with the liquefied mixture.
본 발명에 따르면, 상기 고정부는, 상기 하부 케이스부에 구비되어 상기 M개의 전도성 전극을 상기 하부 케이스부의 밑 면과 0.5cm 이상 이격시키는 배치 관계로 배치 고정하는 것이 가능하다.According to the present invention, it is possible to arrange the fixing portion in the lower case portion so that the M conductive electrodes are spaced apart from the bottom surface of the lower case portion by 0.5 cm or more.
본 발명에 따르면, 상기 고정부는, 상기 하부 케이스부에 구비되어 상기 M개의 전도성 전극을 상기 상판부와 0.5cm 이상 이격시키는 배치 관계로 배치 고정하는 것이 가능하다.According to the present invention, it is possible that the fixing portion is disposed and fixed to the lower case portion in such a manner that the M conductive electrodes are separated from the upper plate portion by 0.5 cm or more.
본 발명에 따르면, 상기 전극부는, 적어도 2개의 전도성 전극의 대향하는 면이 최소화되는 배치 관계로 배치되는 것이 가능하다.According to the present invention, it is possible that the electrode portion is arranged in an arrangement relationship in which the opposing faces of the at least two conductive electrodes are minimized.
본 발명에 따르면, 상기 전도성 전극은, 상기 하부 케이스부의 밑 면의 면적을 2로 나눈 면적보다 작은 면적을 포함하여 구성될 수 있다.According to the present invention, the conductive electrode may include an area smaller than an area obtained by dividing the area of the bottom surface of the lower case part by two.
본 발명에 따르면, 상기 전도성 전극은, 상기 액상화된 혼합물과 고전도성 금속물질을 공극 없이 밀착시키기 위한 홀이 형성되는 것이 가능하다.According to the present invention, it is possible that the conductive electrode is formed with a hole for bringing the liquefied mixture and the highly conductive metal material into close contact without any gap.
본 발명에 따르면, 상기 전극부는, 각 전도성 전극 사이의 간격을 3.1cm 이상의 간격으로 이격시켜 배치하는 배치 관계로 배치 고정하는 것이 가능하다.According to the present invention, it is possible to arrange and arrange the electrode portions in such a manner that the intervals between the respective conductive electrodes are spaced apart by an interval of 3.1 cm or more.
본 발명에 따르면, 상기 전극부는, 2개의 전도성 전극을 포함하여 구성될 수 있고, 상기 제1 전선부는, 상기 2개의 전도성 전극의 일 측과 전기적으로 연결되는 2개의 전선을 포함하고, 상기 제2 전선부는, 상기 2개의 전도성 전극의 다른 일 측과 전기적으로 연결되는 2개의 전선을 포함하여 구성될 수 있다.According to the present invention, the electrode portion may be configured to include two conductive electrodes, and the first electric wire portion may include two electric wires electrically connected to one side of the two conductive electrodes, The wire portion may include two wires electrically connected to the other side of the two conductive electrodes.
본 발명에 따르면, 상기 전극부는, 3개의 전도성 전극을 포함하여 구성될 수 있고, 상기 제1 전선부는, 상기 3개의 전도성 전극의 일 측과 전기적으로 연결되는 3개의 전선을 포함하고, 상기 제2 전선부는, 상기 3개의 전도성 전극의 다른 일 측과 전기적으로 연결되는 3개의 전선을 포함하여 구성될 수 있다.According to the present invention, the electrode portion may be configured to include three conductive electrodes, and the first electric wire portion may include three electric wires electrically connected to one side of the three conductive electrodes, The wire section may include three wires electrically connected to the other side of the three conductive electrodes.
본 발명에 따르면, 상기 하부 케이스부는, 상기 M개의 제1 전선을 외부로 노출하는 것이 가능하다. According to the present invention, the lower case portion can expose the M first wires to the outside.
본 발명에 따르면, 상기 하부 케이스부는, 상기 M개의 제2 전선을 외부로 노출하는 것이 가능하다. According to the present invention, the lower case portion can expose the M second wires to the outside.
본 발명에 따르면, 상기 제1 전선부는, M개의 각 전도성 전극의 일 측과 전기적으로 연결되는 M개의 제1 내부 전선과, 상기 M개의 제1 내부 전선을 외부로 노출되는 M개의 제1 전선과 연결하는 제1 전선 연결부를 포함하여 구성될 수 있다.According to the present invention, the first electric wire portion includes M first internal wires electrically connected to one side of each of the M conductive electrodes, M first internal wires exposed to the M first external wires, And a first wire connection portion for connecting the first wire connection portion and the second wire connection portion.
본 발명에 따르면, 상기 하부 케이스부는, 상기 제1 전선 연결부를 외부로 노출하고, 상기 제1 전선 연결부는, 상기 외부로 노출되는 M개의 제1 전선과 전기적으로 연결되는 것이 가능하다.According to the present invention, the lower case portion exposes the first wire connection portion to the outside, and the first wire connection portion can be electrically connected to the M first wires exposed to the outside.
본 발명에 따르면, 상기 M개의 제1 전선은, 1.15m 이내 길이의 전선인 것이 가능하다. According to the present invention, the M first wires can be a wire having a length of less than 1.15 m.
본 발명에 따르면, 상기 제2 전선부는, M개의 각 전도성 전극의 다른 일 측과 전기적으로 연결되는 M개의 제2 내부 전선과, 상기 M개의 제2 내부 전선을 외부로 노출되는 M개의 제2 전선과 연결하는 제2 전선 연결부를 포함하여 구성될 수 있다. According to the present invention, the second electric wire portion includes M second internal wires electrically connected to the other side of the M conductive electrodes, M second internal wires exposed to the M second internal wires, And a second wire connection part for connecting the first wire connection part and the second wire connection part.
본 발명에 따르면, 상기 하부 케이스부는, 상기 제2 전선 연결부를 외부로 노출하고, 상기 제2 전선 연결부는, 상기 외부로 노출되는 M개의 제2 전선과 전기적으로 연결되는 것이 가능하다.According to the present invention, the lower case portion exposes the second wire connection portion to the outside, and the second wire connection portion can be electrically connected to the M second wires exposed to the outside.
본 발명에 따르면, 상기 M개의 제2 전선은, 1.15m 이내 길이의 전선인 것이 가능하다.According to the present invention, the M second wires can be a wire having a length of less than 1.15 m.
본 발명에 따르면, 상기 혼합 분말은, 99% 품위의 규소(metal Si), 지르코늄(Zr), 나트륨(Na), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 칼륨(K), 칼슘(Ca), 타이타늄(Ti), 철(Fe), 탄화규소(SiC), 붕소화지르코늄(ZrB₂), 타이타늄화합물(TiB₂), 타이타늄바륨(BaTi)를 기 설정된 혼합 비율로 혼합하고 10μm 이내의 크기로 분쇄하고 교반하여 생성되는 것이 가능하다.According to the present invention, the mixed powder is composed of 99% of metal Si, Zr, Na, Mg, Al, K, Ca, (Ti), iron (Fe), silicon carbide (SiC), zirconium boron (ZrB2), titanium compound (TiB2) and titanium barium (BaTi) at a predetermined mixing ratio, .
본 발명에 따르면, 상기 혼합 비율은, 26.8(Wt(%))의 규소(metal Si), 3.20(Wt(%))의 지르코늄(Zr), 2.20(Wt(%))의 나트륨(Na), 9.50(Wt(%))의 마그네슘(Mg), 26.0(Wt(%))의 알루미늄(Al), 4.60(Wt(%))의 칼륨(K), 2.20(Wt(%))의 칼슘(Ca), 1.00(Wt(%))의 타이타늄(Ti), 8.20(Wt(%))의 철(Fe), 10.00(Wt(%))의 탄화규소(SiC), 4.00(Wt(%))의 붕소화지르코늄(ZrB₂), 1.20(Wt(%))의 타이타늄화합물(TiB2), 3.10(Wt(%))의 타이타늄바륨(BaTi)을 포함하여 구성될 수 있다.According to the present invention, the mixing ratio is set to a value of 26.8 (Wt (%)) of silicon (Si), 3.20 (Wt%) of zirconium (Zr), or 2.20 (Wt% (Al), 4.60 (Wt (%)) of potassium (K), and 2.20 (Wt%) of calcium (Ca ), 1.00 (Wt (%)) titanium (Ti), 8.20 (Wt (%)) iron (Fe), 10.00 (Wt%) silicon carbide (SiC) (ZrB2), 1.20 (Wt (%)) titanium compound (TiB2), and 3.10 (Wt%) titanium barium (BaTi).
본 발명에 따르면, 상기 산화 혼합물은, 저온 건조로에서 80℃의 건공기를 통해 상기 혼합 분말을 45시간 이상 산화시켜 생성되는 것이 가능하다.According to the present invention, the oxidation mixture can be produced by oxidizing the mixed powder for at least 45 hours through dry air at 80 ° C in a low-temperature drying furnace.
본 발명에 따르면, 상기 산화 혼합물은, 이산화규소(Si02), 산화지르코늄(ZrO2), 초산화나트륨(NaO2), 산화마그네슘(MgO), 산화알루미늄(AlO2), 초산화칼륨(K2O), 산화칼슘(CaO), 산화타이타늄(TiO2), 산화철(Fe2O3), 탄화규소(SiC), 붕소화지르코늄(ZrB₂), 타이타늄화합물(TiB2), 타이타늄산바륨(BaTiO3)을 포함하여 구성될 수 있다.According to the present invention, the oxidation mixture comprises at least one selected from the group consisting of silicon dioxide (SiO2), zirconium oxide (ZrO2), sodium oxide (NaO2), magnesium oxide (MgO), aluminum oxide (AlO2), potassium oxide (K2O) (CaO), titanium oxide (TiO2), iron oxide (Fe2O3), silicon carbide (SiC), zirconium boron (ZrB2), titanium compounds (TiB2), and barium titanate (BaTiO3).
본 발명에 따르면, 상기 혼합 비율은, 26.8(Wt(%))의 이산화규소(Si02), 3.20(Wt(%))의 산화지르코늄(ZrO2), 2.20(Wt(%))의 초산화나트륨(NaO2), 9.50(Wt(%))의 산화마그네슘(MgO), 26.0(Wt(%))의 산화알루미늄(AlO2), 4.60(Wt(%))의 초산화칼륨(K2O), 2.20(Wt(%))의 산화칼슘(CaO), 1.00(Wt(%))의 산화타이타늄(TiO2), 8.20(Wt(%))의 산화철(Fe2O3), 10.00(Wt(%))의 탄화규소(SiC), 4.00(Wt(%))의 붕소화지르코늄(ZrB₂), 1.20(Wt(%))의 타이타늄화합물(TiB2), 3.10(Wt(%))의 타이타늄산바륨(BaTiO3)을 포함하여 구성될 수 있다.According to the present invention, the mixing ratio is set to a value of 26.8 (Wt%) of silicon dioxide (SiO2), 3.20 (Wt%) of zirconium oxide (ZrO2), or 2.20 (Wt% NaO2), 9.50 (Wt (%)) magnesium oxide (MgO), 26.0 (Wt (%)) aluminum oxide (AlO2), 4.60 (Wt%) potassium oxide (K2O) (SiC) of 10.00 (Wt%)), calcium oxide (CaO) of 1.00 (Wt%), titanium oxide (TiO2) of 8.20 (Wt%), iron oxide (Fe2O3) (ZrB2), 1.20 (Wt (%)) titanium compound (TiB2) and 3.10 (Wt%) barium titanate (BaTiO3) have.
본 발명에 따르면, 상기 소성 혼합물은, 전기로에서 890℃ 내지 970℃의 온도로 상기 산화 혼합물을 10시간 이상 소성하여 생성되는 것이 가능하다.According to the present invention, the firing mixture can be produced by firing the oxidation mixture at a temperature of 890 캜 to 970 캜 in an electric furnace for 10 hours or more.
본 발명에 따르면, 상기 바인더는, 광물질 분말을 결합시켜 액상화하는 무기 화합물로서 규산나트륨(Sodium Silicates) 물질을 포함하여 구성될 수 있다.According to the present invention, the binder may be composed of a sodium silicate material as an inorganic compound that liquefies a mineral powder by binding.
본 발명에 따르면, 상기 배합 비율은, 상기 소성 혼합물 대비 바인더의 비율이 10% 이내인 것이 가능하다. According to the present invention, it is possible that the blending ratio is such that the ratio of the binder to the fired mixture is within 10%.
본 발명에 따른 고조파 전류 흡수 장치의 제조 방법은, 99% 품위의 규소(metal Si)를 포함하는 N(N≥2)개의 물질을 기 설정된 혼합 비율에 따라 혼합하면서 분쇄기에 투입하여 상기 분쇄기에서 상기 N개의 물질을 10μm 이내의 크기로 분쇄하면서 교반하여 혼합 분말을 생성하는 제1 단계와, 저온 건조로에서 80℃의 건공기를 통해 상기 혼합 분말을 45시간 이상 산화시켜 산화 혼합물을 생성하는 제2 단계와, 전기로에서 890℃ 내지 970℃의 온도로 상기 산화 혼합물을 10시간 이상 소성하여 소성 혼합물을 생성하고 상온으로 냉각시키는 제3 단계와, 상기 소성 후 상온으로 냉각된 소성 혼합물과 지정된 바인더를 기 설정된 배합 비율에 따라 배합하고 교반기를 통해 교반하여 액상화된 혼합물을 생성하는 제4 단계와, M(M≥2)개의 전도성 전극을 상호 절연됨과 동시에 하부 케이스부와도 절연되는 기 설정된 배치 관계로 배치 고정하며 상기 M개의 전도성 전극의 일 측과 전기적으로 연결된 M개의 제1 전선 및 상기 M개의 전도성 전극의 다른 일 측과 전기적으로 연결된 제2 전선을 하부 케이스부의 외부로 노출시키면서 상기 액상화된 혼합물을 수용 가능한 기 설정된 부피를 지니게 설계 제작된 하부 케이스부에 상기 액상화된 혼합물을 투입하여 상기 하부 케이스부에서 상기 M개의 전도성 전극과 상기 액상화된 혼합물을 기 설정된 두께로 액상 밀착시킨 상태에서 상온 건조하여 고형화된 강유전체 혼합물을 생성하는 제5 단계와, 상기 고형화된 강유전체 혼합물을 수용한 하부 케이스부에 상판부를 하우징하는 제6 단계를 포함하여 구성될 수 있다.A method of manufacturing a harmonic current absorber according to the present invention is a method of manufacturing a harmonic current absorber comprising the steps of charging N (N? 2) materials containing 99% silicon (metal Si) And a second step of oxidizing the mixed powder for at least 45 hours through dry air at 80 DEG C in a low temperature drying furnace to produce an oxidizing mixture, A third step of baking the oxidation mixture at a temperature of 890 to 970 캜 in an electric furnace for 10 hours or longer to produce a sintered mixture and cooling the sintered mixture to a room temperature; (M > = 2) conductive electrodes are simultaneously insulated from each other at the same time M first wires electrically connected to one side of the M conductive electrodes and second wires electrically connected to the other side of the M conductive electrodes are arranged and fixed in a predetermined arrangement relation, The liquefied mixture is injected into a lower case portion designed to have a predetermined volume capable of accommodating the liquefied mixture while exposing to the outside of the lower case portion so that the M conductive electrodes and the liquefied mixture A fifth step of forming a solidified ferroelectric mixture by drying at a room temperature in a liquid state close to a predetermined thickness, and a sixth step of housing the upper plate part in a lower case part containing the solidified ferroelectric mixture.
본 발명에 따르면, 상기 제2 단계는, 상기 저온 건조로를 통해 산화된 산화 혼합물을 질소 기체를 통해 냉각시키는 단계를 더 포함하여 구성될 수 있따.According to the present invention, the second step may further include cooling the oxidation mixture oxidized through the low temperature drying furnace through nitrogen gas.
본 발명에 따르면, 상기 제2 단계는, 상기 혼합 분말에 포함된 N개의 물질 중 지정된 하나 이상의 물질을 공기 중의 산소와 결합시켜 안정화된 상태의 산화 혼합물을 생성하는 것이 가능하다. According to the present invention, in the second step, it is possible to combine one or more specified substances out of the N substances contained in the mixed powder with oxygen in the air to produce a stabilized oxidation mixture.
본 발명에 따르면, 상기 제3 단계는, 산화 혼합물의 안정화 상태를 유지하면서 자력을 갖는 강유전체의 특성을 부여하는 것이 가능하다. According to the present invention, in the third step, it is possible to impart the property of the ferroelectric having magnetic force while maintaining the stabilized state of the oxidation mixture.
본 발명에 따르면, 강유전체를 이용한 고조파전류 흡수모듈은 각 유전체 물질이 가지고 있는 고유의 물성과 자기력의 결합과 중첩을 통하여 고조파를 흡수함으로써 선로의 저항성분을 감소시켜 도선에 흐르는 자유전자의 이동 속도를 급격히 증가시켜 주는 이점이 있다. According to the present invention, a harmonic current-absorbing module using a ferroelectric material absorbs harmonics by coupling and superimposing inherent physical properties and magnetic forces of each dielectric material, thereby reducing the resistance component of the line, There is an advantage that it increases rapidly.
또한, 순수(Metal) 광물질을 공기중의 산소와 인위적으로 결합시키는 산화과정을 통하여 제조된 강유전성 분말을 모듈 내부의 단자(전선 또는 얇고 좁은 동판)에 바인더를 사용하여 결합시켜 사용하면, 일반적인 경우보다 고조파 성분을 빨리 흡수하여 열로 신속히 방출하게 되므로, 부하장치의 유효전력을 줄여주는 절전효과와 전압 레벨이 안정이 되어 부하장치의 고장횟수가 줄어 수명이 연장되는 이점이 있다.In addition, when a ferroelectric powder prepared through an oxidation process of artificially bonding a metal mineral with oxygen in the air is used in combination with a terminal (a wire or a thin and narrow copper plate) inside the module by using a binder, The harmonic component is absorbed quickly and is rapidly discharged to the heat. Therefore, there is an advantage that the power saving effect which reduces the effective power of the load device and the voltage level become stable, and the number of failures of the load device is shortened and the service life is prolonged.
도 1은 본 발명의 실시 방법에 따른 직렬식 고조파 전류 흡수 장치의 구성을 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시 방법에 따른 직렬식 고조파 전류 흡수 장치를 제조하기 위한 제조장치의 구성을 도시한 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시 방법에 따른 직렬식 고조파 전류 흡수 장치에 대한 예시도이다.
도 4는 본 발명의 실시 방법에 따라 직렬식 고조파 전류 흡수 장치를 제조하는 과정을 도시한 도면이다.
도 5는 본 발명에 따른 가전제품 전기효율개선을 위한 직렬식 고조파 전류 흡수 장치 사용 시 고조파 감소예를 실제 측정한 그래프를 나타낸 도면이다.
도 6은 본 발명에 따른 가전제품 전기효율개선을 위한 직렬식 고조파 전류 흡수 장치 사용시 도선에 흐르는 고조파전류를 제거하여 전류가 흐르는 대역폭이 확대되는 것을 보여주는 파형을 나타내는 도면이다.
도 7은 본 발명에 따른 직렬식 고조파 전류 흡수 장치를 가전제품 전기효율개선을 위해 사용시 시간변화에 따른 열 방출량을 열영상 카메라로 촬영한 도면이다.1 is a diagram showing a configuration of a tandem harmonic current absorber according to an embodiment of the present invention.
2 is a view showing a configuration of a manufacturing apparatus for manufacturing a tandem harmonic current absorber according to an embodiment of the present invention.
3 is a diagram illustrating an example of a tandem harmonic current absorber according to an embodiment of the present invention.
4 is a view illustrating a process of manufacturing a series harmonic current absorber according to an embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a graph illustrating an example of a practical example of harmonic reduction when using a series harmonic current absorber for improving electric efficiency of a home appliance according to the present invention.
FIG. 6 is a graph showing waveforms in which a current flowing through a conductor is enlarged by removing a harmonic current flowing in a conductor when using a series harmonic current absorber for improving electrical efficiency of a home appliance according to the present invention.
FIG. 7 is a view showing a thermal image camera of a heat source according to the present invention when the tandem harmonic current absorber according to the present invention is used to improve the electrical efficiency of a home appliance.
이하 첨부된 도면과 설명을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시에 대한 동작 원리를 상세히 설명한다. 다만, 하기에 도시되는 도면과 후술되는 설명은 본 발명의 특징을 효과적으로 설명하기 위한 여러 가지 방법 중에서 바람직한 실시 방법에 대한 것이며, 본 발명이 하기의 도면과 설명만으로 한정되는 것은 아니다. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. It should be understood, however, that the drawings and the following detailed description are exemplary and explanatory and are intended to provide further explanation of the invention, and are not to be construed as limiting the present invention.
즉, 하기의 실시예는 본 발명의 수 많은 실시예 중에 바람직한 합집합 형태의 실시예 예에 해당하며, 하기의 실시예에서 특정 구성(또는 단계)를 생략하는 실시예, 또는 특정 구성(또는 단계)에 구현된 기능을 특정 구성(또는 단계)로 분할하는 실시예, 또는 둘 이상의 구성(또는 단계)에 구현된 기능을 어느 하나의 구성(또는 단계)에 통합하는 실시예, 특정 구성(또는 단계)의 동작 순서를 교체하는 실시예 등은, 하기의 실시예에서 별도로 언급하지 않더라도 모두 본 발명의 권리범위에 속함을 명백하게 밝히는 바이다. 따라서 하기의 실시예를 기준으로 부분집합 또는 여집합에 해당하는 다양한 실시예들이 본 발명의 출원일을 소급받아 분할될 수 있음을 분명하게 명기하는 바이다.In other words, the following embodiments correspond to the preferred embodiment of the preferred embodiment of the present invention. In the following embodiments, a specific configuration (or step) is omitted, or a specific configuration (or step) (Or steps), or an embodiment that incorporates functions implemented in more than one configuration (or step) into any one configuration (or step), a particular configuration (or step) And the like are replaced by the operational scope of the present invention, and the like are all within the scope of the present invention unless otherwise mentioned in the following examples. Therefore, it should be clearly stated that various embodiments corresponding to subsets or combinations based on the following embodiments can be subdivided based on the filing date of the present invention.
또한, 하기에서 본 발명을 설명함에 있어 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략할 것이다. 그리고 후술되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로써, 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 그러므로 그 정의는 본 발명에서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다. In the following description of the present invention, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear. The terms used below are defined in consideration of the functions of the present invention, and may be changed according to the intention of the user, the intention or the custom of the operator. Therefore, the definition should be based on the contents throughout the present invention.
결과적으로, 본 발명의 기술적 사상은 청구범위에 의해 결정되며, 이하 실시예는 진보적인 본 발명의 기술적 사상을 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 효율적으로 설명하기 위한 일 수단일 뿐이다.As a result, the technical idea of the present invention is determined by the claims, and the following embodiments are merely means for effectively explaining the technical idea of the present invention to a person having ordinary skill in the art to which the present invention belongs Only.
도면1은 본 발명의 실시 방법에 따른 직렬식 고조파 전류 흡수 장치의 구성을 도시한 도면이다.1 is a diagram showing a configuration of a tandem harmonic current absorber according to an embodiment of the present invention.
보다 상세하게 본 도면1은 하나 이상의 유전체 물질이 가지고 있는 유도 자기력의 결합과 중첩을 통하여 고조파전류를 흡수, 제거함으로써 선로의 저항성분을 감소시켜 도선에 흐르는 자유전자의 이동 속도를 급격히 증가시켜 줘 유효전력을 줄여주며, 또한 전압이 안정되면서 고조파전류로 인하여 발생하는 무부하 손실의 증가, 제어선의 유도장해 증가, 발전기 과열, 케이블 손실 증가, 역률저하 등의 문제들이 해결되어 부하장치의 고장횟수가 줄어 들고 기계장치의 수명이 늘어나도록 하는 직렬식 고조파 전류 흡수 장치의 구성을 도시한 것으로서, 본 발명이 속한 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면, 본 도면1을 참조 및/또는 변형하여 상기 직렬식 고조파 전류 흡수 장치의 구성에 대한 다양한 실시 방법을 유추할 수 있을 것이나, 본 발명은 상기 유추되는 모든 실시 방법을 포함하여 이루어지며, 본 도면1에 도시된 실시 방법만으로 그 기술적 특징이 한정되지 아니한다In more detail, FIG. 1 absorbs and removes harmonic currents by coupling and superimposing induction magnetic forces possessed by one or more dielectric materials, thereby reducing the resistance component of the line, thereby rapidly increasing the moving speed of free electrons flowing through the conductor The problem is solved by the increase of the no load loss caused by the harmonic current, the increase of the inductance of the control line, the overheating of the generator, the increase of the cable loss, and the power factor decrease due to the stabilization of the voltage while the voltage is stabilized. 1 is a block diagram illustrating a configuration of a series harmonic current absorbing device in which the lifetime of a mechanical device is increased according to an embodiment of the present invention. Various implementations of the configuration of the current sink may be inferred, Is made, including any exemplary method inferred group, is not limited that the technical features of only the exemplary method shown in the figure 1
도면1을 참조하면, 도시된 직렬식 고조파 전류 흡수 장치는, 전기적 절연 및 편극 현상을 줄이기 위해 고전도성 금속물질로 구성된 M(M≥2)개의 전도성 전극을 포함하는 전극부(105)와, M개의 각 전도성 전극의 일 측과 연결되고 외부로 노출되는 M개의 제1 전선을 포함하는 제1 전선부(110)와, 상기 M개의 각 전도성 전극의 다른 일 측과 연결되고 외부로 노출되는 M개의 제2 전선을 포함하는 제2 전선부(115)와, 지정된 물질을 혼합하고 분쇄하여 산화한 산화 혼합물을 냉각, 액상화 및 상온 건조 과정을 통해 생성한 고형화된 강유전체 혼합물(120)과, 상기 제1 전선부(110)와 제2 전선부(115)를 외부로 노출하면서 상기 강유전체 혼합물(120)의 내부에 구비된 전극부(105)와 전기적으로 절연된 상태를 유지하는 하부 케이스부(125)와, 상기 하부 케이스부(125)의 상부에 덮여지는 상판부(130)와, 상기 M개의 전도성 전극을 전기적으로 상호 절연되도록 이격시키고, 상기 하부 케이스부(125)와도 전기적으로 절연되도록 배치 고정하는 고정부(135)를 포함하여 구성될 수 있다.Referring to FIG. 1, the illustrated series harmonic current absorbing device includes an electrode unit 105 including M (M? 2) conductive electrodes composed of a highly conductive metal material for reducing electrical insulation and polarization, A
상기 전극부(105)는 고전도성 금속물질로 이루어지고 전기적으로 상호 절연됨과 동시에 편극 현상을 최소화시키는 기 설정된 배치 관계로 일정 간격 이상 이격 배치된 M(M≥2)개의 전도성 전극을 포함하여 구성될 수 있다.The electrode unit 105 includes M (M? 2) conductive electrodes which are made of a highly conductive metal material and are electrically insulated from each other and spaced apart from each other by a predetermined interval in a predetermined arrangement relationship that minimizes polarization .
본 발명의 실시 방법에 따르면, 상기 전극부(105)는, 적어도 2개의 전도성 전극의 대향하는 면이 최소화되는 배치 관계로 배치되는 것이 바람직하다.According to the method of the present invention, it is preferable that the electrode unit 105 is disposed in a positional relationship in which the opposing faces of the at least two conductive electrodes are minimized.
예컨대, 2개의 전도성 전극을 면적 방향으로 대향(마주보게) 배치(예: 전극을 '=' or '||' 이렇게 면적 방향으로 마주보게 배치)하면 전극 사이에 편극현상이 크게 작용하게 '=' or '||' 와 같이 마주보게 배치하면 안되고, 2개의 전극을 두께 방향으로 '- -'와 같이 배치하는 것이 바람직하다.For example, when two conductive electrodes are arranged facing each other in the direction of the surface (for example, the electrodes are arranged so as to face each other in the area direction) or '||' , And it is preferable to dispose the two electrodes in the thickness direction as '- -'.
본 발명의 실시 방법에 따르면, 상기 전도성 전극은, 상기 하부 케이스부의 밑 면의 면적을 2로 나눈 면적보다 작은 면적을 포함하도록 구성될 수 있다. 예컨대, 단상의 경우 2개의 전극이 '- -'와 같이 옆으로 배치되므로, 전도성 전극 1개의 면적은 하부 케이스부의 밑 면의 면적을 2로 나눈 면적보다 작아야 되는 것은 당연할 것이다.According to the method of the present invention, the conductive electrode may be configured to include an area smaller than an area obtained by dividing the area of the bottom surface of the lower case part by two. For example, in the case of a single-phase, since two electrodes are arranged side by side like '- -', it is natural that the area of the
본 발명의 실시 방법에 따르면, 상기 전도성 전극은, 상기 액상화된 혼합물과 고전도성 금속물질을 공극 없이 밀착시키기 위한 홀이 형성되도록 구성될 수 있다.According to the method of the present invention, the conductive electrode can be configured to form a hole for bringing the liquefied mixture and the highly conductive metal material into close contact without any gap.
또한, 본 발명의 실시 방법에 따르면, 상기 전극부(105)는 각 전도성 전극 사이의 간격을 3.1cm 이상의 간격으로 이격시켜 배치하는 배치 관계로 배치 고정할 수 있다.Further, according to the method of the present invention, the electrode unit 105 can be arranged and fixed in such a manner that the intervals between the respective conductive electrodes are spaced apart by an interval of 3.1 cm or more.
본 발명의 실시 방법에 따르면, 상기 전극부(105)는 2개의 전도성 전극을 포함하여 구성될 수 있고, 상기 제1 전선부(110)는, 상기 2개의 전도성 전극의 일 측과 전기적으로 연결되는 2개의 전선을 포함하고, 상기 제2 전선부(115)는, 상기 2개의 전도성 전극의 다른 일 측과 전기적으로 연결되는 2개의 전선을 포함하여 구성될 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the electrode unit 105 may include two conductive electrodes, and the first
또한, 본 발명의 다른 실시 방법에 따르면, 상기 전극부(105)는 3개의 전도성 전극을 포함하여 구성될 수 있고, 상기 제1 전선부(110)는, 상기 3개의 전도성 전극의 일 측과 전기적으로 연결되는 3개의 전선을 포함하고, 상기 제2 전선부(115)는, 상기 3개의 전도성 전극의 다른 일 측과 전기적으로 연결되는 3개의 전선을 포함하여 구성될 수 있다.In addition, according to another embodiment of the present invention, the electrode unit 105 may include three conductive electrodes, and the first
상기 제1 전선부(110)는 M개의 각 전도성 전극의 일 측과 연결되고 외부로 노출되는 M개의 제1 전선을 포함하여 구성될 수 있다.The
본 발명의 실시 방법에 따르면, 상기 제1 전선부(110)는 M개의 각 전도성 전극의 일 측과 전기적으로 연결되는 M개의 제1 내부 전선(별도 도시하지 않음)과, 상기 M개의 제1 내부 전선을 외부로 노출되는 M개의 제1 전선과 연결하는 제1 전선 연결부(별도 도시하지 않음)를 포함하여 구성될 수 있다.According to the method of the present invention, the
또한, 상기 하부 케이스부(125)를 통해 상기 제1 전선 연결부가 외부로 노출되는 경우, 상기 제1 전선 연결부는, 상기 외부로 노출되는 M개의 제1 전선과 전기적으로 연결되는 것이 가능하다.In addition, when the first wire connection part is exposed to the outside through the
본 발명의 실시 방법에 따르면, 상기 M개의 제1 전선은 1.15m 이내 길이의 전선인 것이 가능하다.According to the method of the present invention, the M first wires can be a wire having a length of less than 1.15 m.
상기 제2 전선부(115)는 상기 M개의 각 전도성 전극의 다른 일 측과 연결되고 외부로 노출되는 M개의 제2 전선을 포함하여 구성될 수 있다.The
본 발명의 실시 방법에 따르면, 상기 제2 전선부(115)는 M개의 각 전도성 전극의 다른 일 측과 전기적으로 연결되는 M개의 제2 내부 전선(별도 도시하지 않음)과, 상기 M개의 제2 내부 전선을 외부로 노출되는 M개의 제2 전선과 연결하는 제2 전선 연결부(별도 도시하지 않음)를 포함하여 구성될 수 있다.According to the embodiment of the present invention, the
또한, 상기 하부 케이스부(125)를 통해 상기 제2 전선 연결부가 외부로 노출되는 경우, 상기 제2 전선 연결부는, 상기 외부로 노출되는 M개의 제2 전선과 전기적으로 연결되는 것이 가능하다.In addition, when the second wire connection part is exposed to the outside through the
본 발명의 실시 방법에 따르면, 상기 M개의 제2 전선은 1.15m 이내 길이의 전선인 것이 가능하다.According to the method of the present invention, the M second wires can be a wire having a length of less than 1.15 m.
상기 강유전체 혼합물(120)는 99% 품위의 규소(metal Si)를 포함하는 N(N≥2)개의 지정된 물질을 기 설정된 혼합 비율로 혼합하고 10μm 이내의 크기로 분쇄하면서 교반한 혼합 분말을 80℃의 저온 건조로에서 산화시켜 산화 혼합물을 생성한 후 전기로에서 기 설정된 온도로 소성 후 냉각시켜 생성된 소성 혼합물을 지정된 바인더와 기 설정된 배합 비율에 따라 배합하여 액상화시킨 후 상기 전극부와 상기 액상화된 혼합물을 액상 밀착시킨 상태에서 상온 건조하여 고형화된 형태로 구성될 수 있다.The ferroelectric mixture 120 is prepared by mixing N (N? 2) specified materials containing 99% silicon (metal Si) at a predetermined mixing ratio and pulverizing the mixture to a size within 10 μm, The mixture is fired at a predetermined temperature in an electric furnace and then cooled. The resulting fired mixture is blended with a specified binder in accordance with a predetermined blending ratio to be liquefied, and then the electrode portion and the liquefied mixture And solidified by drying at room temperature in a liquid-tight state.
본 발명의 실시 방법에 따르면, 상기 혼합 분말은, 99% 품위의 규소(metal Si), 지르코늄(Zr), 나트륨(Na), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 칼륨(K), 칼슘(Ca), 타이타늄(Ti), 철(Fe), 탄화규소(SiC), 붕소화지르코늄(ZrB₂), 타이타늄화합물(TiB₂), 타이타늄바륨(BaTi)를 기 설정된 혼합 비율로 혼합하고 10μm 이내의 크기로 분쇄하고 교반하여 생성되는 것이 바람직하다.According to the method of the present invention, the mixed powder may contain at least one selected from the group consisting of 99% of metal Si, zirconium (Zr), sodium (Na), magnesium (Mg), aluminum (Al), potassium (K) (Ti), titanium (Ti), iron (Fe), silicon carbide (SiC), boron zirconium (ZrB2), titanium compound (TiB2) and titanium barium (BaTi) It is preferably produced by pulverizing and stirring.
여기서, 상기 혼합 비율은, 26.8(Wt(%))의 규소(metal Si), 3.20(Wt(%))의 지르코늄(Zr), 2.20(Wt(%))의 나트륨(Na), 9.50(Wt(%))의 마그네슘(Mg), 26.0(Wt(%))의 알루미늄(Al), 4.60(Wt(%))의 칼륨(K), 2.20(Wt(%))의 칼슘(Ca), 1.00(Wt(%))의 타이타늄(Ti), 8.20(Wt(%))의 철(Fe), 10.00(Wt(%))의 탄화규소(SiC), 4.00(Wt(%))의 붕소화지르코늄(ZrB₂), 1.20(Wt(%))의 타이타늄화합물(TiB2), 3.10(Wt(%))의 타이타늄바륨(BaTi)을 포함하여 이루어지는 것이 바람직하다.Herein, the mixing ratio is set to 26.8 (Wt (%)) of silicon (Si), 3.20 (Wt (%)) of zirconium (Zr), 2.20 (Mg), 26.0 (Wt (%)) aluminum (Al), 4.60 (Wt (%)) potassium (K), 2.20 (Wt% (SiC), 4.00 (Wt (%)) of boronized zirconium (Wt (%)) of titanium (Ti), 8.20 (ZrB2), 1.20 (Wt (%)) titanium compound (TiB2), and 3.10 (Wt%) titanium barium (BaTi).
본 발명의 실시 방법에 따르면, 상기 산화 혼합물은, 저온 건조로에서 80℃의 건공기를 통해 상기 혼합 분말을 45시간 이상 산화시켜 생성되는 것이 바람직하다.According to the method of the present invention, the oxidation mixture is preferably produced by oxidizing the mixed powder for at least 45 hours through dry air at 80 ° C in a low-temperature drying furnace.
또한, 상기 산화 혼합물은, 이산화규소(Si02), 산화지르코늄(ZrO2), 초산화나트륨(NaO2), 산화마그네슘(MgO), 산화알루미늄(AlO2), 초산화칼륨(K2O), 산화칼슘(CaO), 산화타이타늄(TiO2), 산화철(Fe2O3), 탄화규소(SiC), 붕소화지르코늄(ZrB₂), 타이타늄화합물(TiB2), 타이타늄산바륨(BaTiO3)을 포함하여 이루어지는 것이 바람직하다.The oxidation mixture may be at least one selected from the group consisting of silicon dioxide (SiO2), zirconium oxide (ZrO2), sodium oxide (NaO2), magnesium oxide (MgO), aluminum oxide (AlO2), potassium oxide (K2O) , Titanium oxide (TiO2), iron oxide (Fe2O3), silicon carbide (SiC), zirconium boride (ZrB2), titanium compound (TiB2) and barium titanate (BaTiO3).
본 발명의 다른 실시 방법에 따르면, 상기 혼합 비율은, 26.8(Wt(%))의 이산화규소(Si02), 3.20(Wt(%))의 산화지르코늄(ZrO2), 2.20(Wt(%))의 초산화나트륨(NaO2), 9.50(Wt(%))의 산화마그네슘(MgO), 26.0(Wt(%))의 산화알루미늄(AlO2), 4.60(Wt(%))의 초산화칼륨(K2O), 2.20(Wt(%))의 산화칼슘(CaO), 1.00(Wt(%))의 산화타이타늄(TiO2), 8.20(Wt(%))의 산화철(Fe2O3), 10.00(Wt(%))의 탄화규소(SiC), 4.00(Wt(%))의 붕소화지르코늄(ZrB₂), 1.20(Wt(%))의 타이타늄화합물(TiB2), 3.10(Wt(%))의 타이타늄산바륨(BaTiO3)을 포함하여 이루어지는 것이 바람직하다.According to another embodiment of the present invention, the mixing ratio is selected from the group consisting of 26.8 (Wt%) silicon dioxide (SiO2), 3.20 (Wt%) zirconium oxide (ZrO2) (NaO2), 9.50 (Wt (%)) magnesium oxide (MgO), 26.0 (Wt%) aluminum oxide (AlO2), 4.60 (Wt%) potassium oxide (K2O) , 2.20 (Wt%) of calcium oxide (CaO), 1.00 (Wt (%)) of titanium oxide (TiO2), 8.20 (Wt%) of iron oxide (Fe2O3) (ZrB2), 1.20 (Wt (%)) titanium compound (TiB2), and 3.10 (Wt%) barium titanate (BaTiO3) .
본 발명의 실시 방법에 따르면, 상기 소성 혼합물은 전기로에서 890℃ 내지 970℃의 온도로 상기 산화 혼합물을 10시간 이상 소성하여 생성되는 것이 바람직하다. According to the method of the present invention, it is preferable that the firing mixture is produced by firing the oxidation mixture at a temperature of 890 캜 to 970 캜 in an electric furnace for 10 hours or more.
본 발명의 실시 방법에 따르면, 상기 소성 혼합물과 지정된 배합 비율로 배합되는 상기 바인더는 광물질 분말을 결합시켜 액상화하는 무기 화합물로서 규산나트륨(Sodium Silicates) 물질을 포함하여 이루어지는 것이 바람직하다.According to the method of the present invention, it is preferable that the binder to be blended with the fired mixture at a specified blend ratio comprises a sodium silicate material as an inorganic compound that liquefies a mineral powder by binding.
여기서, 상기 배합 비율은 상기 소성 혼합물 대비 바인더의 비율이 10% 이내인 것이 바람직하다.Here, it is preferable that the ratio of the binder to the fired mixture is within 10%.
상기 하부 케이스부(125)는 상기 강유전체 혼합물(120)을 내부에 수용하고 상기 제1 전선부(110)와 제2 전선부(115)를 외부로 노출하면서 상기 강유전체 혼합물(120)의 내부에 구비된 전극부(105)와 전기적으로 절연된 상태를 유지하도록 할 수 있다.The
본 발명의 실시 방법에 따르면, 상기 하부 케이스부(120)는 상기 M개의 제1 전선을 외부로 노출할 수 있다. 예컨대, 상기 M개의 제1 전선이 전선 연결부 없이 직접 전극과 연결되는 것이 가능하다.According to the method of the present invention, the lower case part 120 may expose the M first wires to the outside. For example, it is possible that the M first wires are directly connected to the electrodes without a wire connection.
본 발명의 다른 실시 방법에 따르면, 상기 하부 케이스부(120)는 상기 M개의 제2 전선을 외부로 노출할 수 있다. 예컨대, 상기 M개의 제2 전선이 전선 연결부 없이 직접 전극과 연결되는 것이 가능하다.According to another embodiment of the present invention, the lower case part 120 may expose the M second wires to the outside. For example, it is possible that the M second wires are directly connected to the electrodes without a wire connection.
상기 상판부(130)는 상기 하부 케이스부(120)의 상부에 덮어지지고 상기 강유전체 혼합물(115)의 내부에 구비된 전극부(105)와 전기적으로 절연된 상태를 유지하도록 할 수 있다.The
상기 고정부(130)는 상기 M개의 전도성 전극을 전기적으로 상호 절연됨과 동시에 편극 현상을 최소화시키는 기 설정된 배치 관계로 일정 간격 이상 이격시킴과 동시에 상기 하부 케이스부(125)와도 전기적으로 절연되도록 배치 고정할 수 있다.The fixing
본 발명의 실시 방법에 따르면, 상기 고정부(135)는 상기 하부 케이스부(125)에 구비되어 상기 M개의 전도성 전극을 기 설정된 배치 관계로 배치 고정하는 것이 가능하다.According to the method of the present invention, the fixing portion 135 is provided in the
또한, 본 발명의 다른 실시 방법에 따르면, 상기 고정부(135)는 상기 하부 케이스부(125)에 구비되어 상기 M개의 전도성 전극이 액상화된 혼합물과 밀착하기 전부터 상기 M개의 전도성 전극을 기 설정된 배치 관계로 배치 고정하는 것이 가능하다.According to another embodiment of the present invention, the fixing portion 135 is provided in the
또한, 본 발명의 또 다른 실시 방법에 따르면, 상기 고정부(135)는 상기 하부 케이스부(125)에 구비되어 상기 M개의 전도성 전극을 상기 하부 케이스부(125)의 밑면과 0.5cm 이상 이격시키는 배치 관계로 배치 고정하는 것이 가능하다. According to another embodiment of the present invention, the fixing portion 135 is provided in the
또한, 본 발명의 또 다른 실시 방법에 따르면, 상기 고정부(1305는 상기 하부 케이스부(125)에 구비되어 상기 M개의 전도성 전극을 상기 상판부(130)와 0.5cm 이상 이격시키는 배치 관계로 배치 고정하는 것이 가능하다.According to still another embodiment of the present invention, the fixing portion 1305 is provided in the
도면2는 본 발명의 실시 방법에 따른 직렬식 고조파 전류 흡수 장치를 제조하기 위한 제조장치의 구성을 도시한 도면이다.2 is a view showing a configuration of a manufacturing apparatus for manufacturing a tandem harmonic current absorber according to an embodiment of the present invention.
보다 상세하게 본 도면2는 상기 도면1에 도시된 직렬식 고조파 전류 흡수 장치를 제조하기 위한 제조장치(200)의 구성을 도시한 것으로서, 본 발명이 속한 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면, 본 도면2를 참조 및/또는 변형하여 상기 직렬식 고조파 전류 흡수 장치를 제조하기 위한 제조 장치(200)의 구성에 대한 다양한 실시 방법을 유추할 수 있을 것이나, 본 발명은 상기 유추되는 모든 실시 방법을 포함하여 이루어지며, 본 도면2에 도시된 실시 방법만으로 그 기술적 특징이 한정되지 아니한다2 shows a configuration of a manufacturing apparatus 200 for manufacturing the tandem harmonic current absorber shown in FIG. 1, and it will be understood by those skilled in the art that, It should be appreciated that various implementations of the construction of the fabrication apparatus 200 for fabricating the tandem harmonic current absorber can be seen and / or modified with reference to FIG. 2, but the present invention is not limited to any of the above- And the technical features thereof are not limited only by the method shown in FIG. 2
도면2를 참조하면, 도시된 직렬식 고조파 전류 흡수 장치를 제조하기 위한 제조장치(200)는 99% 품위의 규소(metal Si)를 포함하는 N(N≥2)개의 물질을 10μm 이내의 크기로 분쇄하면서 교반하여 혼합 분말을 생성하는 분쇄기(205)와, 상기 혼합 분말을 45시간 이상 산화시켜 산화 혼합물을 생성하는 저온 건조로(210)와, 상기 산화 혼합물을 소성하여 소성 혼합물을 생성하고 상온으로 냉각시키는 전기로(215)와, 상기 소성 혼합물과 지정된 바인더를 기 설정된 배합 비율에 따라 배합하고 교반하여 액상화된 혼합물을 생성하는 교반기(220)와, M(M≥2)개의 전도성 전극을 기 설정된 배치 관계로 배치 고정하며, 상기 액상화된 혼합물을 투입하여 M개의 전도성 전극과 상기 액상화된 혼합물을 기 설정된 두께로 액상 밀착시킨 상태에서 상온 건조하여 고형화된 강유전체 혼합물을 생성하는 하부 케이스부(225)를 포함하여 구성될 수 있다.Referring to FIG. 2, a manufacturing apparatus 200 for manufacturing the illustrated in-line harmonic current absorbing device includes N (N? 2) materials including silicon (metal Si) of 99% A low temperature drying furnace (210) for oxidizing the mixed powder for at least 45 hours to produce an oxidizing mixture; and a calcination step of calcining the oxidized mixture to produce a calcined mixture, A stirrer 220 for mixing the plastic mixture and the specified binder according to a predetermined blending ratio and stirring to produce a liquefied mixture; and an M (M? 2) And the liquefied mixture is put in a liquid state so that the M conductive electrodes and the liquefied mixture are in liquid contact with each other to a predetermined thickness and dried at room temperature to form a solidified ferroelectric substance It may be configured to include a lower case part 225 to generate the compound.
상기 분쇄기(205)는 투입되는 99% 품위의 규소(metal Si)를 포함하는 N(N≥2)개의 물질을 기 설정된 혼합 비율에 따라 혼합하면서 상기 N개의 물질을 10μm 이내의 크기로 분쇄하면서 교반하여 혼합 분말을 생성할 수 있다.The pulverizer 205 mixes N (N > = 2) materials containing 99% silicon (metal Si) in a predetermined mixing ratio while pulverizing the N materials to a size of 10 [ Whereby a mixed powder can be produced.
상기 저온 건조로(210)는 상기 분쇄기(205)를 통해 혼합 분말이 생성되면, 80℃의 건공기를 통해 상기 혼합 분말을 45시간 이상 산화시켜 산화 혼합물을 생성할 수 있다.When the mixed powder is generated through the pulverizer 205, the low-temperature drying furnace 210 may oxidize the mixed powder for at least 45 hours through dry air at 80 ° C to produce an oxidizing mixture.
본 발명에 따르면, 상기 저온 건조로(210)는 상기 산화된 산화 혼합물을 질소 기체를 통해 냉각시키는 것이 가능하다.According to the present invention, the low temperature drying furnace 210 can cool the oxidized oxidation mixture through nitrogen gas.
본 발명의 실시 방법에 따르면, 상기 저온 건조로(210)는 상기 혼합 분말에 포함된 N개의 물질 중 지정된 하나 이상의 물질을 공기 중의 산소와 결합시켜 안정화된 상태의 산화 혼합물을 생성하는 것이 가능하다.According to the method of the present invention, the low-temperature drying furnace 210 can combine at least one of the N materials included in the mixed powder with oxygen in the air to produce a stabilized oxidizing mixture.
상기 전기로(215)는 상기 저온 건조로(210)를 통해 상기 산화 혼합물이 생성되면, 890℃ 내지 970℃의 온도로 상기 산화 혼합물을 10시간 이상 소성하여 소성 혼합물을 생성하고 상온으로 냉각시킬 수 있다.When the oxidizing mixture is generated through the low temperature drying furnace 210, the oxidizing mixture is fired at a temperature of 890 ° C to 970 ° C for 10 hours or more to produce a sintered mixture and cooled to room temperature have.
본 발명의 실시 방법에 따르면, 상기 산화 혼합물의 안정화 상태를 유지하면서 자력을 갖는 강유전체의 특성을 부여하는 것이 가능하다.According to the method of the present invention, it is possible to impart the property of a ferroelectric having a magnetic force while maintaining the stabilized state of the oxidation mixture.
상기 교반기(220)는 상기 전기로(215)를 통해 소성 혼합물이 생성되고, 상온으로 냉각된 소성 혼합물과 지정된 바인더를 기 설정된 배합 비율에 따라 배합하고 교반하여 액상화된 혼합물을 생성할 수 있다.The fired mixture is produced through the electric furnace 215 of the stirrer 220, and the fired mixture cooled to room temperature and the designated binder are mixed according to a predetermined mixing ratio and stirred to produce a liquefied mixture.
상기 하부 케이스부(225)는 M(M≥2)개의 전도성 전극을 상호 절연됨과 동시에 하부 케이스부(225)와도 절연되는 기 설정된 배치 관계로 배치 고정하며 상기 M개의 전도성 전극의 일 측과 전기적으로 연결된 M개의 제1 전선 및 상기 M개의 전도성 전극의 다른 일 측과 전기적으로 연결된 제2 전선을 하부 케이스부(225)의 외부로 노출시키면서 상기 액상화된 혼합물을 수용 가능한 기 설정된 부피를 지니게 설계 제작된 하부 케이스부(225)에 상기 액상화된 혼합물을 투입하여 상기 하부 케이스부에서 상기 M개의 전도성 전극과 상기 액상화된 혼합물을 기 설정된 두께로 액상 밀착시킨 상태에서 상온 건조하여 고형화된 강유전체 혼합물을 생성할 수 있다. The lower case part 225 is disposed and fixed in a predetermined arrangement relationship in which M (M? 2) conductive electrodes are insulated from each other while being insulated from the lower case part 225, and electrically connected to one side of the M conductive electrodes The M wires and the second wires electrically connected to the other side of the M conductive electrodes are exposed to the outside of the lower case part 225 while being designed to have a predetermined volume capable of accommodating the liquefied mixture The liquefied mixture is injected into the lower case part 225 to dry the liquid at a room temperature in a state where the M conductive electrodes and the liquefied mixture are in liquid contact with each other to form a solidified ferroelectric mixture have.
또한, 상기 하부 케이스부(225)는 상기 고형화된 강유전체 혼합물이 수용된 이후, 상판부를 하우징할 수 있다.In addition, the lower case part 225 can house the upper plate after the solidified ferroelectric mixture is received.
도면3은 본 발명의 실시 방법에 따른 직렬식 고조파 전류 흡수 장치에 대한 예시도이다.3 is an exemplary diagram of a tandem harmonic current absorber according to an embodiment of the present invention.
보다 상세하게 본 도면3은 상기 도면1에 도시된 직렬식 고조파 전류 흡수 장치(100)에 대한 간단한 예시도를 도시한 것으로서, 본 발명이 속한 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면, 본 도면3을 참조 및/또는 변형하여 상기 직렬식 고조파 전류 흡수 장치(100)의 구성에 대한 다양한 실시 방법을 유추할 수 있을 것이나, 본 발명은 상기 유추되는 모든 실시 방법을 포함하여 이루어지며, 본 도면3에 도시된 실시 방법만으로 그 기술적 특징이 한정되지 아니한다3 shows a simple example of the tandem harmonic current absorber 100 shown in FIG. 1, and it will be understood by those skilled in the art that, It is possible to refer to and / or modify various embodiments of the configuration of the tandem harmonic current absorbing apparatus 100. However, the present invention includes all of the above-described embodiments, The technical features are not limited only by the illustrated embodiment
도면3을 참조하면, 도시된 고정부(135)는 나사 및 홀더 등으로 구성될 수 있으나, 이에 한정하지 않고, 당업자 수준에서 다양한 형태의 고정부(130)가 구현될 수 있음을 밝힌다.Referring to FIG. 3, the fixing portion 135 may be formed of a screw, a holder, or the like, but it is not limited thereto, and various types of fixing
도면4는 본 발명의 실시 방법에 따라 직렬식 고조파 전류 흡수 장치를 제조하는 과정을 도시한 도면이다.4 is a view illustrating a process of manufacturing a series harmonic current absorbing device according to an embodiment of the present invention.
보다 상세하게 본 도면4는 상기 도면2에 도시된 제조장치(200)를 통해 직렬식 고조파 전류 흡수 장치(100)를 제조하는 과정을 도시한 것으로서, 본 발명이 속한 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면, 본 도면4를 참조 및/또는 변형하여 상기 직렬식 고조파 전류 흡수 장치를 제조하는 과정에 대한 다양한 실시 방법을 유추할 수 있을 것이나, 본 발명은 상기 유추되는 모든 실시 방법을 포함하여 이루어지며, 본 도면4에 도시된 실시 방법만으로 그 기술적 특징이 한정되지 아니한다. 4 illustrates a process of fabricating a series harmonic current absorber 100 through the manufacturing apparatus 200 shown in FIG. 2. Referring to FIG. 4, It will be appreciated that various ways of practicing the process of making the tandem harmonic current absorber can be deduced by referring to and / or modifying FIG. 4, but the present invention includes all of the above- , The technical features thereof are not limited only by the method shown in FIG.
도면4를 참조하면, 도시된 직렬식 고조파 전류 흡수 장치를 제조하는 과정은, 제조장치(200)에 구비되는 99% 품위의 규소(metal Si)를 포함하는 N개의 물질을 10μm 이내의 크기로 분쇄하면서 교반하여 혼합 분말을 생성하는 분쇄기(205)에서, 기 설정된 혼합 비율에 따라 투입되는 상기 99% 품위의 규소(metal Si)를 포함하는 N개의 물질을 확인하는 과정으로부터 개시될 수 있다(400).Referring to FIG. 4, the process of fabricating the illustrated series harmonic current absorbing device comprises: milling N materials including 99% silicon (metal Si) included in the manufacturing apparatus 200 into a size of 10 μm or less (400) of the silicon material (metal Si) to be added according to a predetermined blending ratio in a pulverizer (205) which generates a mixed powder by stirring the raw material powder .
상기 제조장치(200)의 분쇄기(205)는 상기 투입이 확인된 상기 N개의 물질을 10μm 이내의 크기로 분쇄하면서 교반하여 혼합 분말을 생성한다(405).The pulverizer 205 of the manufacturing apparatus 200 mills the N materials that have been confirmed to be injected into a size of 10 μm or less while stirring to produce a mixed powder (405).
상기 제조장치(200)의 저온 건조로(210)는 상기 분쇄기(205)를 통해 혼합 분말이 생성되면, 80℃의 건공기를 통해 상기 혼합 분말을 45시간 이상 산화시켜 산화 혼합물을 생성한다(410).When the mixed powder is generated through the crusher 205, the low temperature drying furnace 210 of the manufacturing apparatus 200 oxidizes the mixed powder for at least 45 hours through dry air at 80 ° C to produce an oxidizing mixture (410 ).
그리고, 상기 저온 건조로(210)는 상기 산화된 산화 혼합물을 질소 기체를 통해 냉각시킨다(415).The low-temperature drying furnace 210 cools the oxidized oxidation mixture through nitrogen gas (415).
상기 제조장치(200)의 전기로(215)는 상기 저온 건조로(210)를 통해 상기 산화 혼합물이 생성되면, 890℃ 내지 970℃의 온도로 상기 산화 혼합물을 10시간 이상 소성하여 소성 혼합물을 생성한 후(420), 상기 생성된 소성 혼합물을 상온으로 냉각시킨다(425).When the oxidation mixture is generated through the low temperature drying furnace 210, the furnace 215 of the manufacturing apparatus 200 is fired at a temperature of 890 to 970 캜 for 10 hours or more to produce a fired mixture (420), and the resulting fired mixture is cooled to room temperature (425).
상기 제조장치(200)의 교반기(220)는 상기 전기로(215)를 통해 소성 혼합물이 생성되고 상온으로 냉각되면, 상기 냉각된 소성 혼합물과 지정된 바인더를 기 설정된 배합 비율에 따라 배합한다(430). When the fired mixture is produced through the electric furnace 215 and is cooled to room temperature, the agitator 220 of the manufacturing apparatus 200 mixes the fired plasticized mixture and the specified binder according to a predetermined mixing ratio (step 430) .
그리고, 상기 교반기(220)는 상기 기 설정된 배합 비율에 따라 배합된 소성 혼합물과 바인더를 교반하여 액상화된 혼합물을 생성한다(435).Then, the stirrer 220 stirs the plastic mixture and the binder blended according to the predetermined blending ratio to produce a liquefied mixture (435).
상기 제조장치(200)의 하부 케이스부(225)는 상기 교반기(220)를 통해 상기 액상화된 혼합물을 투입되면, 상기 M개의 전도성 전극과 상기 액상화된 혼합물을 기 설정된 두께로 액상 밀착시킨다(440). The lower casing unit 225 of the manufacturing apparatus 200 is in liquid contact with the M conductive electrodes and the liquefied mixture at a predetermined thickness (440) when the liquefied mixture is introduced through the agitator 220, .
여기서, 상기 하부 케이스부(225)를 통해 상기 M개의 전도성 전극을 상호 절연됨과 동시에 하부 케이스부(225)와도 절연되는 기 설정된 배치 관계로 배치 고정하며 상기 M개의 전도성 전극의 일 측과 전기적으로 연결된 M개의 제1 전선 및 상기 M개의 전도성 전극의 다른 일 측과 전기적으로 연결된 제2 전선을 하부 케이스부(225)의 외부로 노출시키면서 상기 액상화된 혼합물을 수용 가능한 기 설정된 부피를 지니게 설계 제작되는 것이 바람직하다.Here, the M conductive electrodes are mutually insulated through the lower case part 225 and are arranged and fixed in a predetermined arrangement relation to be insulated from the lower case part 225, and electrically connected to one side of the M conductive electrodes M first wires and a second electric wire electrically connected to the other side of the M conductive electrodes are exposed to the outside of the lower case part 225 while having a preset volume capable of accommodating the liquefied mixture desirable.
이후, 상기 하부 케이스부(225)는 상기 기 설정된 두께로 액상 밀착시킨 상태에서 상온 건조하여 고형화된 강유전체 혼합물을 생성하고(445), 상기 고형화된 강유전체 혼합물이 수용된 이후, 상판부를 하우징 하여 본 발명에 따른 직렬식 고조파 전류 흡수 장치(100)를 제조하는 과정을 종료한다.Thereafter, the lower case part 225 is dried at room temperature in a liquid state close to the predetermined thickness to produce a solidified ferroelectric mixture (445). After the solidified ferroelectric mixture is accommodated, the upper plate part is housed in the present invention The process of manufacturing the series harmonic current absorber 100 is completed.
도면5는 본 발명에 따른 가전제품 전기효율개선을 위한 직렬식 고조파 전류 흡수 장치 사용 시 고조파 감소예를 실제 측정한 그래프를 나타낸 도면이다.FIG. 5 is a graph illustrating an example of a practical example of harmonic reduction when a tandem harmonic current absorber is used to improve the electrical efficiency of a home appliance according to the present invention.
도면5를 참조하면, 3고조파는 -17.5%, 5조조파는 -29.7%, 제 7고조파는 -9.0%가 감소하였다. 이러한 경우, 절전율은 17% 수준이다. 크게 영향을 미치는 상기 고조파 중 3고조파의 감소율이 높을수록 절전율은 상대적으로 높게 나온다.Referring to FIG. 5, the third harmonic is -17.5%, the fifth harmonic is -29.7%, and the seventh harmonic is -9.0%. In this case, the power saving rate is 17%. The higher the reduction rate of the third harmonic among the above-mentioned harmonics, the higher the power saving rate becomes.
도면6은 본 발명에 따른 가전제품 전기효율개선을 위한 직렬식 고조파 전류 흡수 장치 사용시 도선에 흐르는 고조파전류를 제거하여 전류가 흐르는 대역폭이 확대되는 것을 보여주는 파형을 나타내는 도면이다.FIG. 6 is a graph showing a waveform showing that a current flowing through a conductor is enlarged by removing a harmonic current flowing in a conductor when using a series harmonic current absorber for improving electric efficiency of a household appliance according to the present invention.
도면6을 참조하여, 도면(a)를 보면 직렬식 고조파 전류 흡수 장치(100)를 설치하지 않은 상태에서 전류 흐름상태이고, 도면(b)는 직렬식 고조파 전류 흡수 장치(100)를 설치한 다음에 나타난 전류 흐름상태이다. 6, a series harmonic current absorber 100 is installed in a state where a series harmonic current absorber 100 is not installed, FIG. 6 (b) The current flowing state shown in Fig.
설치하지 않은 상태에서 전류의 진폭은 90 ~ 120 이다. 그러나 설치후 전류의 진폭은 60 ~ 140으로 늘어난 것을 볼 수 있다. 따라서 전류 대역폭이 확대되어 원활하게 전류가 흐름을 알 수 있다.The amplitude of the current is 90-120 when not installed. However, the amplitude of the current after installation is increased to 60 ~ 140. Therefore, the current bandwidth is enlarged and the current flows smoothly.
도면7은 본 발명에 따른 직렬식 고조파 전류 흡수 장치를 가전제품 전기효율개선을 위해 사용시 시간변화에 따른 열 방출량을 열영상 카메라로 촬영한 도면이다.FIG. 7 is a view of a thermal image camera capturing heat emission amount according to time when using a tandem harmonic current absorber according to the present invention for improving electric efficiency of a home appliance.
도면7을 참조하면, 직렬형 고조파 전류 흡수 장치(100)는 수 mA가 흐르는 직렬형과 달리 부하장치(냉장고, 세탁기, 애어컨 등)에 부하가 100% 통과하기 때문에 열이 많이 발생할 수 있는데, 이 문제를 해결하기 위해서는 반드시 부하장치에 사용하는 전원선과 동등 또는 굵은 선을 사용하고, 부하장치의 최대 부하 용량 2배에 해당하는 에너지 밀도를 갖는 고형체를 사용하면 해결할 수 있다. 7, the series harmonic current absorber 100 may generate a large amount of heat because the load passes 100% through the load device (refrigerator, washing machine, alarm, etc.) unlike the series type in which several mA flows. In order to solve this problem, it is possible to solve this problem by using a solid body having an energy density equal to twice the maximum load capacity of the load device by using the same or thick wire as the power line used for the load device.
대개, 고조파 전류 흡수 장치는 냉장고, 에어컨, 세탁기 및 기계장치 등과 1:1로 설치하기 때문에 에너지밀도가 장치의 부하용량을 상회하면 흡수 장치의 표면온도는 13℃~19℃ 수준이다. Generally, the harmonic current absorber is installed 1: 1 with refrigerator, air conditioner, washing machine and machinery, so if the energy density exceeds the load capacity of the device, the surface temperature of the absorber is about 13 ℃ ~ 19 ℃.
본 도면6에서 보여진 4장의 사진은 냉장고를 문을 모두 3cm 정도 열어 놓은 최대 부하를 가장하여 시험한 결과로 18.7℃ 이상을 넘지 않음을 알 수 있다. The four photographs shown in FIG. 6 show that the refrigerator is opened by about 3 cm at all the doors, and the maximum load is measured. As a result, it is found that the temperature does not exceed 18.7 ° C.
내장형의 경우 밀폐된 공간에 설치되어 열을 외부로 방출할 수가 없기 때문에, 고조파 전류 흡수 장치의 표면온도가 20℃를 상회하지 않아야 안정적으로 사용할 수 있다.Since the built-in type is installed in a closed space and can not discharge heat to the outside, the surface temperature of the harmonic current absorber must be not more than 20 ° C to be used stably.
100 : 직렬식 고조파 전류 흡수 장치
105 : 전극부
110 : 제1 전선부
115 : 제2 전선부
120 : 강유전체 혼합물
125 : 하부 케이스부
130 : 상판부
135 : 고정부
200 : 제조장치
205 : 분쇄기
210 : 저온 건조로
215 : 전기로
220 : 교반기
225 : 하부 케이스부100: In-line harmonic current absorbing device 105:
110: first wire portion 115: second wire portion
120: ferroelectric mixture 125: lower case part
130: upper plate 135: fixing part 200: manufacturing device 205: crusher
210: low-temperature drying furnace 215: electric furnace
220: stirrer 225: lower case part
Claims (32)
M개의 각 전도성 전극의 일 측과 연결되고 외부로 노출되는 M개의 제1 전선을 포함하는 제1 전선부;
상기 M개의 각 전도성 전극의 다른 일 측과 연결되고 외부로 노출되는 M개의 제2 전선을 포함하는 제2 전선부;
99% 품위의 규소(metal Si)를 포함하는 N(N≥2)개의 지정된 물질을 기 설정된 혼합 비율로 혼합하고 10μm 이내의 크기로 분쇄하면서 교반한 혼합 분말을 80℃의 저온 건조로에서 산화시켜 산화 혼합물을 생성한 후 전기로에서 기 설정된 온도로 소성 후 냉각시켜 생성된 소성 혼합물을 지정된 바인더와 기 설정된 배합 비율에 따라 배합하여 액상화시킨 후 상기 전극부와 상기 액상화된 혼합물을 액상 밀착시킨 상태에서 상온 건조하여 고형화된 강유전체 혼합물;
상기 강유전체 혼합물을 내부에 수용하고 상기 제1 전선부와 제2 전선부를 외부로 노출하면서 상기 강유전체 혼합물의 내부에 구비된 전극부와 전기적으로 절연된 상태를 유지하는 하부 케이스부; 및
상기 하부 케이스부의 상부에 덮여지고 상기 강유전체 혼합물의 내부에 구비된 전극부와 전기적으로 절연된 상태를 유지하는 상판부;를 구비하는 직렬식 고조파 전류 흡수 장치.
(M > = 2) conductive electrodes spaced apart from each other by a predetermined interval in a predetermined arrangement relationship that is made of a highly conductive metal material and electrically insulated from each other and minimized polarization;
A first wire portion including M first wires connected to one side of each of the M conductive electrodes and exposed to the outside;
A second wire portion including M second wires connected to the other side of the M conductive electrodes and exposed to the outside;
N (N? 2) specified materials containing 99% of silicon (metal Si) were mixed at predetermined mixing ratios, and the mixed powders were agitated while being pulverized to a size within 10 μm and oxidized in a low temperature drying furnace at 80 ° C. The mixture is fired at a preset temperature in an electric furnace and then cooled, and the resulting fired mixture is mixed with a specified binder in accordance with a predetermined blending ratio to be liquefied. Thereafter, the electrode portion and the liquefied mixture are brought into close contact with each other, A solidified ferroelectric mixture;
A lower case portion which receives the ferroelectric mixture therein and maintains a state of being electrically insulated from an electrode portion provided inside the ferroelectric mixture while exposing the first and second electric wire portions to the outside; And
And an upper plate covering an upper portion of the lower case portion and maintaining a state of being electrically insulated from an electrode portion provided inside the ferroelectric mixture.
상기 M개의 전도성 전극을 전기적으로 상호 절연됨과 동시에 편극 현상을 최소화시키는 기 설정된 배치 관계로 일정 간격 이상 이격시킴과 동시에 상기 하부 케이스부와도 전기적으로 절연되도록 배치 고정하는 고정부를 더 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 직렬식 고조파 전류 흡수 장치.
The method according to claim 1,
Further comprising a fixing unit for electrically isolating the M conductive electrodes from each other and spaced apart from each other by a predetermined distance in a predetermined arrangement relationship that minimizes the polarization phenomenon while being electrically insulated from the lower case unit Characterized by a series harmonic current absorber.
상기 하부 케이스부에 구비되어 상기 M개의 전도성 전극을 기 설정된 배치 관계로 배치 고정하는 것을 특징으로 하는 직렬식 고조파 전류 흡수 장치.
The apparatus according to claim 2,
And the M conductive electrodes are provided in the lower case part to fix the M conductive electrodes in a predetermined arrangement relationship.
상기 하부 케이스부에 구비되어 상기 M개의 전도성 전극이 액상화된 혼합물과 밀착하기 전부터 상기 M개의 전도성 전극을 기 설정된 배치 관계로 배치 고정하는 것을 특징으로 하는 직렬식 고조파 전류 흡수 장치.
The apparatus according to claim 2,
Wherein the M conductive electrodes are arranged and fixed in a predetermined arrangement relationship before the M conductive electrodes are brought into close contact with the liquefied mixture.
상기 하부 케이스부에 구비되어 상기 M개의 전도성 전극을 상기 하부 케이스부의 밑 면과 0.5cm 이상 이격시키는 배치 관계로 배치 고정하는 것을 특징으로 하는 직렬식 고조파 전류 흡수 장치.
The apparatus according to claim 2,
And the M conductive electrodes are disposed in the lower case to be arranged and fixed in a spacing relationship of 0.5 cm or more from the bottom surface of the lower case part.
상기 하부 케이스부에 구비되어 상기 M개의 전도성 전극을 상기 상판부와 0.5cm 이상 이격시키는 배치 관계로 배치 고정하는 것을 특징으로 하는 직렬식 고조파 전류 흡수 장치.
The apparatus according to claim 2,
And the M conductive electrodes are arranged and fixed in a positional relationship with the upper case so as to be spaced apart from each other by 0.5 cm or more.
적어도 2개의 전도성 전극의 대향하는 면이 최소화되는 배치 관계로 배치되는 것을 특징으로 하는 직렬식 고조파 전류 흡수 장치.
The plasma display apparatus according to claim 1,
And wherein at least two conductive electrodes are arranged in an arrangement relationship in which the facing surfaces are minimized.
상기 하부 케이스부의 밑 면의 면적을 2로 나눈 면적보다 작은 면적을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 직렬식 고조파 전류 흡수 장치.
2. The electrochemical device according to claim 1,
And an area smaller than an area obtained by dividing an area of the bottom surface of the lower case part by two.
상기 액상화된 혼합물과 고전도성 금속물질을 공극 없이 밀착시키기 위한 홀이 형성되는 것을 특징으로 하는 직렬식 고조파 전류 흡수 장치.
2. The electrochemical device according to claim 1,
Wherein a hole is formed to closely contact the liquefied mixture with the highly conductive metal material without any gap.
각 전도성 전극 사이의 간격을 3.1cm 이상의 간격으로 이격시켜 배치하는 배치 관계로 배치 고정하는 것을 특징으로 하는 직렬식 고조파 전류 흡수 장치.
The plasma display apparatus according to claim 1,
And the conductive electrodes are arranged and fixed in such a layout that the intervals between the conductive electrodes are spaced apart by an interval of 3.1 cm or more.
상기 전극부는, 2개의 전도성 전극을 포함하고,
상기 제1 전선부는, 상기 2개의 전도성 전극의 일 측과 전기적으로 연결되는 2개의 전선을 포함하고,
상기 제2 전선부는, 상기 2개의 전도성 전극의 다른 일 측과 전기적으로 연결되는 2개의 전선을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 직렬식 고조파 전류 흡수 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the electrode portion includes two conductive electrodes,
Wherein the first electric wire portion includes two electric wires electrically connected to one side of the two conductive electrodes,
Wherein the second wire portion comprises two wires electrically connected to the other side of the two conductive electrodes.
상기 전극부는, 3개의 전도성 전극을 포함하고,
상기 제1 전선부는, 상기 3개의 전도성 전극의 일 측과 전기적으로 연결되는 3개의 전선을 포함하고,
상기 제2 전선부는, 상기 3개의 전도성 전극의 다른 일 측과 전기적으로 연결되는 3개의 전선을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 직렬식 고조파 전류 흡수 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the electrode portion includes three conductive electrodes,
Wherein the first electric wire portion includes three electric wires electrically connected to one side of the three conductive electrodes,
Wherein the second wire portion includes three wires electrically connected to the other side of the three conductive electrodes.
상기 M개의 제1 전선을 외부로 노출하는 것을 특징으로 하는 직렬식 고조파 전류 흡수 장치.
[3] The apparatus of claim 1,
And the M first wires are exposed to the outside.
상기 M개의 제2 전선을 외부로 노출하는 것을 특징으로 하는 직렬식 고조파 전류 흡수 장치.
[3] The apparatus of claim 1,
And the M second wires are exposed to the outside.
M개의 각 전도성 전극의 일 측과 전기적으로 연결되는 M개의 제1 내부 전선과,
상기 M개의 제1 내부 전선을 외부로 노출되는 M개의 제1 전선과 연결하는 제1 전선 연결부를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 직렬식 고조파 전류 흡수 장치.
The electronic apparatus according to claim 1,
M first internal wires electrically connected to one side of each of the M conductive electrodes,
And a first wire connection part connecting the M first inner wires to M first wires exposed to the outside.
상기 하부 케이스부는, 상기 제1 전선 연결부를 외부로 노출하고,
상기 제1 전선 연결부는, 상기 외부로 노출되는 M개의 제1 전선과 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 직렬식 고조파 전류 흡수 장치.
16. The method of claim 15,
The lower case part exposes the first wire connecting part to the outside,
Wherein the first wire connection portion is electrically connected to M first wires exposed to the outside.
1.15m 이내 길이의 전선인 것을 특징으로 하는 직렬식 고조파 전류 흡수 장치.
The method according to claim 1 or 16, wherein the M first wires
Wherein the wire is a wire having a length of less than 1.15 m.
M개의 각 전도성 전극의 다른 일 측과 전기적으로 연결되는 M개의 제2 내부 전선과,
상기 M개의 제2 내부 전선을 외부로 노출되는 M개의 제2 전선과 연결하는 제2 전선 연결부를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 직렬식 고조파 전류 흡수 장치.
The electronic device according to claim 1,
M second internal wires electrically connected to the other side of each of the M conductive electrodes,
And a second wire connection part connecting the M second internal wires to M second wires exposed to the outside.
상기 하부 케이스부는, 상기 제2 전선 연결부를 외부로 노출하고,
상기 제2 전선 연결부는, 상기 외부로 노출되는 M개의 제2 전선과 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 직렬식 고조파 전류 흡수 장치.
19. The method of claim 18,
The lower case part exposes the second wire connecting part to the outside,
And the second wire connection portion is electrically connected to the M second wires exposed to the outside.
1.15m 이내 길이의 전선인 것을 특징으로 하는 직렬식 고조파 전류 흡수 장치.
22. The method of claim 1 or 21, wherein the M second wires
Wherein the wire is a wire having a length of less than 1.15 m.
99% 품위의 규소(metal Si), 지르코늄(Zr), 나트륨(Na), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 칼륨(K), 칼슘(Ca), 타이타늄(Ti), 철(Fe), 탄화규소(SiC), 붕소화지르코늄(ZrB₂), 타이타늄화합물(TiB₂), 타이타늄바륨(BaTi)를 기 설정된 혼합 비율로 혼합하고 10μm 이내의 크기로 분쇄하고 교반하여 생성되는 것을 특징으로 하는 직렬식 고조파 전류 흡수 장치.
The method according to claim 1,
(Si), zirconium (Zr), sodium (Na), magnesium (Mg), aluminum (Al), potassium (K), calcium (Ca), titanium (Ti) Wherein the first harmonic wave is generated by mixing silicon carbide (SiC), zirconium boron (ZrB2), titanium compound (TiB2), and titanium barium (BaTi) at a predetermined mixing ratio, Current absorption device.
26.8(Wt(%))의 규소(metal Si),
3.20(Wt(%))의 지르코늄(Zr),
2.20(Wt(%))의 나트륨(Na),
9.50(Wt(%))의 마그네슘(Mg),
26.0(Wt(%))의 알루미늄(Al),
4.60(Wt(%))의 칼륨(K),
2.20(Wt(%))의 칼슘(Ca),
1.00(Wt(%))의 타이타늄(Ti),
10.20(Wt(%))의 철(Fe),
10.00(Wt(%))의 탄화규소(SiC),
2.00(Wt(%))의 붕소화지르코늄(ZrB2),
1.20(Wt(%))의 타이타늄화합물(TiB2),
3.10(Wt(%))의 타이타늄바륨(BaTi)을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 직렬식 고조파 전류 흡수 장치.
The method according to claim 1 or 21,
26.8 (Wt (%)) silicon (metal Si),
3.20 (Wt (%)) zirconium (Zr),
2.20 (Wt (%)) of sodium (Na),
9.50 (Wt (%)) of magnesium (Mg),
26.0 (Wt (%)) aluminum (Al),
4.60 (Wt (%)) of potassium (K),
2.20 (Wt (%)) of calcium (Ca),
1.00 (Wt (%)) of titanium (Ti),
10.20 (Wt (%)) of iron (Fe),
10.00 (Wt (%)) silicon carbide (SiC),
2.00 (Wt (%)) of boron zirconium (ZrB2),
1.20 (Wt (%)) of the titanium compound (TiB2),
3.10 (Wt (%)) of titanium barium (BaTi).
저온 건조로에서 80℃의 건공기를 통해 상기 혼합 분말을 45시간 이상 산화시켜 생성되는 것을 특징으로 하는 직렬식 고조파 전류 흡수 장치.
The method of claim 1, wherein the oxidation mixture comprises
Wherein the mixed powder is generated by oxidizing the mixed powder for at least 45 hours through dry air at 80 ° C in a low-temperature drying furnace.
이산화규소(Si02), 산화지르코늄(ZrO2), 초산화나트륨(NaO2), 산화마그네슘(MgO), 산화알루미늄(AlO2), 초산화칼륨(K2O), 산화칼슘(CaO), 산화타이타늄(TiO2), 산화철(Fe2O3), 탄화규소(SiC), 붕소화지르코늄(ZrB₂), 타이타늄화합물(TiB2), 타이타늄산바륨(BaTiO3)을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 직렬식 고조파 전류 흡수 장치.
24. The method of claim 1 or 23,
(SiO2), zirconium oxide (ZrO2), sodium oxide (NaO2), magnesium oxide (MgO), aluminum oxide (AlO2), potassium oxide (K2O), calcium oxide (CaO) Wherein the first electrode comprises iron oxide (Fe2O3), silicon carbide (SiC), zirconium boron (ZrB2), titanium compound (TiB2), and barium titanate (BaTiO3).
26.8(Wt(%))의 이산화규소(Si02),
3.20(Wt(%))의 산화지르코늄(ZrO2),
2.20(Wt(%))의 초산화나트륨(NaO2),
9.50(Wt(%))의 산화마그네슘(MgO),
26.0(Wt(%))의 산화알루미늄(AlO2),
4.60(Wt(%))의 초산화칼륨(K2O),
2.20(Wt(%))의 산화칼슘(CaO),
1.00(Wt(%))의 산화타이타늄(TiO2),
10.20(Wt(%))의 산화철(Fe2O3),
10.00(Wt(%))의 탄화규소(SiC),
2.00(Wt(%))의 붕소화지르코늄(ZrB2),
1.20(Wt(%))의 타이타늄화합물(TiB2),
3.10(Wt(%))의 타이타늄산바륨(BaTiO3)을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 직렬식 고조파 전류 흡수 장치.
The method according to claim 1 or 21,
26.8 (Wt (%)) of silicon dioxide (SiO2),
3.20 (Wt (%)) zirconium oxide (ZrO2),
2.20 (Wt (%)) of sodium monoxide (NaO2),
9.50 (Wt (%)) of magnesium oxide (MgO),
26.0 (Wt (%)) aluminum oxide (AlO2),
4.60 (Wt (%)) potassium oxide (K2O),
2.20 (Wt (%)) of calcium oxide (CaO),
1.00 (Wt (%)) of titanium oxide (TiO2),
10.20 (Wt (%)) iron oxide (Fe2O3),
10.00 (Wt (%)) silicon carbide (SiC),
2.00 (Wt (%)) of boron zirconium (ZrB2),
1.20 (Wt (%)) of the titanium compound (TiB2),
3.10 (Wt (%)) of barium titanate (BaTiO3).
전기로에서 890℃ 내지 970℃의 온도로 상기 산화 혼합물을 10시간 이상 소성하여 생성되는 것을 특징으로 하는 직렬식 고조파 전류 흡수 장치.
The method according to claim 1,
Wherein said oxidation product is produced by firing said oxidation mixture at a temperature of 890 캜 to 970 캜 in an electric furnace for 10 hours or more.
광물질 분말을 결합시켜 액상화하는 무기 화합물로서 규산나트륨(Sodium Silicates) 물질을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 직렬식 고조파 전류 흡수 장치.
The image forming apparatus according to claim 1,
And a sodium silicate material as an inorganic compound which is liquefied by binding a mineral powder.
상기 소성 혼합물 대비 바인더의 비율이 10% 이내인 것을 특징으로 하는 직렬식 고조파 전류 흡수 장치.
The method according to claim 1,
Wherein a ratio of the binder to the sintered mixture is within 10%.
99% 품위의 규소(metal Si)를 포함하는 N(N≥2)개의 물질을 기 설정된 혼합 비율에 따라 혼합하면서 분쇄기에 투입하여 상기 분쇄기에서 상기 N개의 물질을 10μm 이내의 크기로 분쇄하면서 교반하여 혼합 분말을 생성하는 제1 단계;
저온 건조로에서 80℃의 건공기를 통해 상기 혼합 분말을 45시간 이상 산화시켜 산화 혼합물을 생성하는 제2 단계;
전기로에서 890℃ 내지 970℃의 온도로 상기 산화 혼합물을 10시간 이상 소성하여 소성 혼합물을 생성하고 상온으로 냉각시키는 제3 단계;
상기 소성 후 상온으로 냉각된 소성 혼합물과 지정된 바인더를 기 설정된 배합 비율에 따라 배합하고 교반기를 통해 교반하여 액상화된 혼합물을 생성하는 제4 단계;
M(M≥2)개의 전도성 전극을 상호 절연됨과 동시에 하부 케이스부와도 절연되는 기 설정된 배치 관계로 배치 고정하며 상기 M개의 전도성 전극의 일 측과 전기적으로 연결된 M개의 제1 전선 및 상기 M개의 전도성 전극의 다른 일 측과 전기적으로 연결된 제2 전선을 하부 케이스부의 외부로 노출시키면서 상기 액상화된 혼합물을 수용 가능한 기 설정된 부피를 지니게 설계 제작된 하부 케이스부에 상기 액상화된 혼합물을 투입하여 상기 하부 케이스부에서 상기 M개의 전도성 전극과 상기 액상화된 혼합물을 기 설정된 두께로 액상 밀착시킨 상태에서 상온 건조하여 고형화된 강유전체 혼합물을 생성하는 제5 단계;
상기 고형화된 강유전체 혼합물을 수용한 하부 케이스부에 상판부를 하우징하는 제6 단계;를 포함하는 고조파 전류 흡수 장치의 제조 방법.
A method of manufacturing a harmonic current absorbing device,
N (N > = 2) materials containing 99% of silicon (metal Si) were mixed into a pulverizer while being mixed according to a predetermined mixing ratio, and the N materials were pulverized to a size of 10 m or less in the pulverizer A first step of producing a mixed powder;
A second step of oxidizing the mixed powder for at least 45 hours through dry air at 80 ° C in a low-temperature drying furnace to produce an oxidizing mixture;
A third step of baking the oxidation mixture at a temperature of 890 캜 to 970 캜 in an electric furnace for at least 10 hours to produce a sintered mixture and cooling it to room temperature;
Mixing the fired mixture cooled to room temperature after the firing with a specified binder according to a predetermined blending ratio, and stirring the mixture through a stirrer to produce a liquefied mixture;
(M > = 2) conductive electrodes are mutually insulated and arranged and fixed in a predetermined arrangement relation to be insulated from the lower case part, M first wires electrically connected to one side of the M conductive electrodes and M first wires The liquefied mixture is injected into the lower case portion designed to have a predetermined volume capable of accommodating the liquefied mixture while exposing the second electric wire electrically connected to the other side of the conductive electrode to the outside of the lower case portion, A fifth step of forming a solidified ferroelectric mixture by drying at room temperature in a state in which the M conductive electrodes and the liquefied mixture are in liquid contact with a predetermined thickness;
And a sixth step of housing the upper plate part in the lower case part accommodating the solidified ferroelectric mixture.
상기 저온 건조로를 통해 산화된 산화 혼합물을 질소 기체를 통해 냉각시키는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 고조파 전류 흡수 장치의 제조 방법.
30. The method of claim 29,
And cooling the oxidized mixture oxidized through the low temperature drying furnace through nitrogen gas.
상기 혼합 분말에 포함된 N개의 물질 중 지정된 하나 이상의 물질을 공기 중의 산소와 결합시켜 안정화된 상태의 산화 혼합물을 생성하는 것을 특징으로 하는 고조파 전류 흡수 장치의 제조 방법.
30. The method of claim 29,
Wherein at least one of the N materials included in the mixed powder is combined with oxygen in the air to generate a stabilized oxidation mixture.
산화 혼합물의 안정화 상태를 유지하면서 자력을 갖는 강유전체의 특성을 부여하는 것을 특징으로 하는 고조파 전류 흡수 장치의 제조 방법.
30. The method of claim 29,
Wherein a characteristic of a ferroelectric having a magnetic force is given while maintaining the stabilized state of the oxidation mixture.
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| N231 | Notification of change of applicant | ||
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |