KR20180121145A - Waveguide Antenna type Microwave Plasma Source - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a microwave plasma generating apparatus using a waveguide type antenna for improving efficiency of plasma generation by constructing a field direction control region in a waveguide type antenna. The microwave plasma generating apparatus comprises: a magnetron unit generating an electric signal in a frequency domain; a waveguide unit in which an electric signal generated in the magnetron unit proceeds in a wave form; an antenna unit receiving the electric signal moved through the waveguide unit to transmit energy to a plasma generation unit and forming waveguide type first and second electric field direction control regions at a portion where a region corresponding to both parts of a central portion is cut; and a vacuum chamber having the antenna unit and having a plasma generation region therein.

Description

도파관 형태의 안테나를 이용한 마이크로 웨이브 플라즈마 발생 장치{Waveguide Antenna type Microwave Plasma Source}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a microwave plasma generator using a waveguide type antenna,

본 발명은 플라즈마 발생 장치에 관한 것으로, 구체적으로 도파관 형태의 안테나에 전계 방향 제어 영역을 구성하여 플라즈마 발생 효율을 향상시킬 수 있도록 한 도파관 형태의 안테나를 이용한 마이크로 웨이브 플라즈마 발생 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a plasma generating apparatus, and more particularly, to a microwave plasma generator using a waveguide type antenna capable of improving a plasma generating efficiency by forming a field direction control region in a waveguide type antenna.

플라즈마 발생 소스로 사용되는 일반적인 유도결합형 플라즈마(ICP, Inductively Coupled Plasma) 소스는 비교적 저압의 조건에서 사용되는 플라즈마 발생 장치로서 코일 형태의 안테나 전류가 만드는 자기장에 의해 방전을 하는 것을 특징으로 한다.Generally, an inductively coupled plasma (ICP) source used as a plasma generating source is a plasma generating apparatus used under a relatively low pressure condition and is characterized by discharging by a magnetic field generated by a coil-shaped antenna current.

방전 시 플라즈마 측으로 유도된 전계에 의한 전자의 진행방향은 유전체 윈도우와 평행한 방향이 되어 윈도우 벽면으로의 전자 손실이 적고 용량결합형 플라즈마에 비해 이온에너지가 낮아 높은 전자밀도를 가진다.The direction of the electrons induced by the electric field induced to the plasma side during discharging is parallel to the dielectric window, so that the electron loss to the wall surface of the window is small and the ion energy is low as compared with the capacitively coupled plasma.

또한, ICP는 낮은 공정압력에서는 비충돌성 전자가열에 의해 전력전달효율이 좋고 전류구동력이 커서 주로 낮은 압력의 공정에 사용된다. 이러한 특성 때문에 높은 공정 압력이 필요한 PECVD(Plasma Enhance Chemical Vapor Deposition)에는 한계를 가진다. In addition, ICP is used for low pressure process mainly because of high power transfer efficiency and high current driving force by non-collision electron heating at low process pressure. Due to these characteristics, there is a limit to PECVD (Plasma Enhance Chemical Vapor Deposition) which requires a high process pressure.

플라즈마장비중 용량결합형 플라즈마(CCP,Capacitively Coupled plasma)는 비교적 높은 압력의 공정 조건에서 사용되는 공정 장비로서 평판형 전극에 전압을 인가하여 방전하는 것을 특징으로 한다.Capacitively Coupled Plasma (CCP) among plasma apparatuses is a process equipment used under relatively high pressure process conditions, and is characterized in that a voltage is applied to a flat electrode to discharge the plasma.

전극 전압으로 인하여 생성된 전계의 방향에 따른 입자의 이동방향이 전극과 수직하게 생성되므로 입자의 손실이 크고 이온에너지가 높아 ICP에 비하여 플라즈마생성 효율이 낮다.The plasma generation efficiency is lower than that of ICP due to the high loss of particles and the high ion energy because the direction of the particles moving along the direction of the electric field generated by the electrode voltage is perpendicular to the electrodes.

CCP는 비교적 압력이 높고 이온 에너지가 상대적을 많이 필요한 분야에 필요로 되는데, 높은 압력으로 인하여 다양한 조건의 증착 공정(PECVD)에 사용되고, 식각 공정에서는 Oxide 식각 분야에 주로 사용된다.CCP is required for applications requiring relatively high pressure and relatively high ion energy. It is used for deposition process (PECVD) under various conditions due to high pressure, and is mainly used in the etching process in the etching process.

ICP와 CCP는 각각 낮은 압력과 높은 압력으로 대비되는 공정조건에서 사용되며, 전자 온도 및 전자 밀도와 같은 플라즈마 특성이 상반되는 특징이 있다.ICP and CCP are used in process conditions that are comparable to low pressure and high pressure, respectively, and are characterized by the conflicting plasma characteristics such as electron temperature and electron density.

때문에 각 장비의 공정이 이루어지는 동작 영역이 좁은 한계점을 지니고 있다. 또한, 피처리 기판이 대면적화됨에 따라 플라즈마 장비가 대형화되는 추세에서, 대형 장비에서의 플라즈마 균일도가 중요시되고 있다.Therefore, the operation area where each equipment is processed has a narrow limit. In addition, as the substrate to be processed becomes larger in size, plasma uniformity in large-sized equipment is becoming more important as plasma equipment becomes larger in size.

CCP는 대형화에 따라 전극의 크기가 커지면서 정상파 효과(Standing Wave Effect)가 두드러져 불균일한 플라즈마가 발생하는 문제점이 있다. ICP는 대형화에 따라 안테나 코일의 크기가 커짐에 따라 안테나 위치에 따라 불균일한 플라즈마가 발생하는 문제점이 있다.As the size of the CCP increases, the size of the electrode increases, and the standing wave effect becomes prominent, resulting in a problem of non-uniform plasma generation. As the size of the antenna coil becomes larger as the size of the ICP becomes larger, there is a problem that an uneven plasma is generated depending on the position of the antenna.

마이크로웨이브 플라즈마(MWP, Micro Wave Plasma) 발생 장치는 낮은 압력과 높은 압력 모든 공정 조건에서 사용되는 장비로서, 넓은 공정 조건에서 사용될 수 있으며, 다양한 형태의 식각 및 증착 공정에서 사용된다.A microwave plasma (MWP) generator is used in all process conditions at low pressure and high pressure. It can be used in a wide range of process conditions and is used in various types of etching and deposition processes.

또한, 전기자기파를 이용하여 방전을 하기 때문에 대면적 공정을 비롯한 다양한 크기로의 장비 제작이 용이한 장점이 있다.In addition, since the discharge is performed by using the electromagnetic wave, it is easy to manufacture the equipment of various sizes including the large area process.

마이크로웨이브는 통상적으로 수 GHz 에서 수백 MHz 에 해당하는 주파수를 뜻하며 마이크로웨이브 플라즈마 소스(Micro Wave Plasma source)는 이 영역대의 주파수를 이용하여 플라즈마를 발생시키는 장비를 의미한다.A microwave generally refers to a frequency ranging from several GHz to several hundreds of MHz, and a microwave plasma source refers to a device that generates plasma using the frequency of the area band.

도 1은 종래 기술의 TEM 모드의 플라즈마 발생 장치의 구성도이다.FIG. 1 is a configuration diagram of a conventional plasma mode generating apparatus.

TEM 모드의 플라즈마 발생장치는 도 1에서와 같이, 마그네트론을 통하여 발생된 TE모드의 웨이브가 도파관을 따라 진행한다.In the TEM mode plasma generating apparatus, as shown in FIG. 1, the TE mode wave generated through the magnetron travels along the waveguide.

전도성이 좋은 구리 막대(copper rod) 형태의 안테나를 통하여 마이크로웨이브가 진행하게 된다.The microwave propagates through an antenna of a conductive copper rod type.

이때 도파관 내의 TE 모드가 안테나를 통해 TEM 모드로 모드 변이를 하게 되며 TEM(Transverse Electro Magnetic) 모드, 즉 전계와 자계가 웨이브의 진행 방향에 수직한 방향으로 방사되는 형태를 가지게 된다.At this time, the TE mode in the waveguide is changed to the TEM mode through the antenna, and the TEM (Transverse Electro Magnetic) mode, that is, the electric field and the magnetic field are radiated in a direction perpendicular to the traveling direction of the wave.

종래 기술의 플라즈마 발생 장치의 전계 방향은 도 1에서와 같이 안테나 방사 방향으로 이루어진다.The electric field direction of the plasma generating apparatus of the prior art is made in the antenna radiation direction as shown in Fig.

종래 기술의 플라즈마 발생 장치의 전계 방향에 따른 입자의 진행 방향이 안테나 윈도우 벽면과 수직하게 형성되어 플라즈마 발생 효율이 감소하는 경향이 있다.The traveling direction of the particles along the direction of the electric field of the plasma generating apparatus of the related art is formed to be perpendicular to the wall surface of the antenna window, so that the plasma generation efficiency tends to decrease.

이와 같은 문제를 해결하기 위하여 높은 효율의 플라즈마 발생이 가능하도록 입자의 진행 방향이 윈도우와 수평하게 되는 형태의 새로운 기술개발이 요구되고 있다.In order to solve such problems, it is required to develop a new technique in which the direction of the particle is parallel to the window so as to enable high efficiency plasma generation.

한국공개특허번호 10-2016-0039558호Korean Patent Publication No. 10-2016-0039558 한국공개특허번호 10-2014-0074829호Korean Patent Publication No. 10-2014-0074829 한국공개특허번호 10-2014-0125121호Korean Patent Publication No. 10-2014-0125121

본 발명은 이와 같은 종래 기술의 플라즈마 발생 장치의 문제를 해결하기 위한 것으로, 도파관 형태의 안테나에 전계 방향 제어 영역을 구성하여 플라즈마 발생 효율을 향상시킬 수 있도록 한 도파관 형태의 안테나를 이용한 마이크로 웨이브 플라즈마 발생 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.In order to solve the problem of the plasma generating apparatus of the related art as described above, the present invention provides a microwave plasma generating apparatus using a waveguide type antenna which can improve a plasma generating efficiency by forming a field direction control region in a waveguide- The purpose of the device is to provide.

본 발명은 플라즈마 발생 효율 상승에 관하여 전계 방향에 따른 입자의 진행 방향을 제어하여 입자손실을 줄이고 플라즈마 발생 효율이 낮은 문제를 해결할 수 있도록 도파관 형태의 안테나의 중앙 양쪽 부분이 절단되어 있는 형태로 제작되어 전계가 안테나의 한쪽 끝에서 다른 쪽 끝 방향으로 형성되도록 하는 도파관 형태의 안테나를 이용한 마이크로웨이브 플라즈마 발생 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.In order to solve the problem of reducing the particle loss and the plasma generation efficiency by controlling the traveling direction of the particles along the electric field direction in relation to the increase of the plasma generation efficiency, the present invention is manufactured in such a form that the center portion of the waveguide- It is an object of the present invention to provide a microwave plasma generator using a waveguide type antenna in which an electric field is formed from one end to the other end of the antenna.

본 발명은 마이크로웨이브파를 진행시키는 도파관부와 안테나부를 연결시키는 컨버터부의 길이를 진행파의 반 파장 크기를 갖도록 설계하여 플라즈마 발생의 효율성을 높인 도파관 형태의 안테나를 이용한 마이크로 웨이브 플라즈마 발생 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention provides a microwave plasma generator using a waveguide type antenna in which the efficiency of plasma generation is increased by designing a length of a converter unit connecting a waveguide unit for propagating a microwave wave and an antenna unit to have a half wavelength size of a traveling wave, There is a purpose.

본 발명의 목적들은 이상에서 언급한 목적들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The objects of the present invention are not limited to the above-mentioned objects, and other objects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 도파관 형태의 안테나를 이용한 마이크로 웨이브 플라즈마 발생 장치는 해당 주파수 영역의 전기 신호를 발생시키는 마그네트론부;상기 마그네트론부에서 발생된 전기 신호가 웨이브의 형태로 진행되는 도파관부;상기 도파관부를 통해 이동된 전기 신호를 받아 플라즈마발생부로 에너지를 전달하고, 도파관 형태를 갖고 중앙 양쪽 부분의 서로 대응하는 영역이 절단되는 부분에 제 1 전계방향제어영역 및 제 2 전계방향제어영역이 형성되어 플라즈마 발생시의 전계 방향을 제어하는 안테나부;상기 안테나부를 구비하여 플라즈마 발생 영역을 내부에 갖는 진공 챔버;를 포함하는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided an apparatus for generating microwave plasma using a waveguide type antenna, comprising: a magnetron unit for generating an electric signal in a corresponding frequency range; A waveguide part which receives an electric signal transmitted through the waveguide part and transfers energy to the plasma generating part, and a first field direction control area and a second field direction control part at a part having a waveguide shape, And an antenna unit for controlling an electric field direction at the time of generating a plasma, and a vacuum chamber having the plasma generating region inside the antenna unit.

여기서, 상기 도파관부와 안테나부를 연결시키는 컨버터부를 더 포함하고, 컨버터부의 길이는 도파관부에서 진행되는 진행파의 반 파장 크기를 갖는 것을 특징으로 한다.The converter unit may further include a converter unit connecting the waveguide unit and the antenna unit, and the length of the converter unit is a half wavelength of the traveling wave propagating in the waveguide unit.

그리고 상기 안테나부는, 도파관 형태를 갖고 중앙 양쪽 부분의 서로 대응하는 영역이 절단되어 서로 대응하는 제 1 안테나부와 제 2 안테나부를 갖고, 제 1 안테나부와 제 2 안테나부 사이의 일측 절단 영역에 제 1 전계방향제어영역이 형성되고, 제 1 안테나부와 제 2 안테나부 사이의 타측 절단 영역에 제 2 전계방향제어영역이 형성되는 것을 특징으로 한다.The antenna unit includes a first antenna unit and a second antenna unit having a waveguide shape and corresponding to each other and corresponding to each other in a central region thereof and corresponding to each other, One field direction control region is formed and a second field direction control region is formed in the other cut region between the first antenna portion and the second antenna portion.

그리고 상기 제1,2 전계방향제어영역은 도파관부에서의 웨이브 형태의 전기신호의 진행방향인 x축을 기준으로, y축 방향에서 서로 대응하는 영역에 각각 형성되는 것을 특징으로 한다.The first and second field direction control regions are respectively formed in regions corresponding to each other in the y-axis direction with respect to the x-axis, which is the traveling direction of the electric signal in a wave form in the waveguide portion.

그리고 상기 제1,2 전계방향제어영역은 도파관부에서의 웨이브 형태의 전기신호의 진행방향인 x축을 기준으로, z축 방향에서 서로 대응하는 영역에 각각 형성되는 것을 특징으로 한다.The first and second field direction control regions are formed in regions corresponding to each other in the z-axis direction with respect to the x-axis, which is the traveling direction of the electric signal in a wave form in the waveguide portion.

그리고 상기 제 1 전계방향제어영역 및 제 2 전계방향제어영역이 형성되는 안테나부의 절단되는 부분의 크기를 조절하여 플라즈마로의 에너지 전달 크기 조절을 하는 것을 특징으로 한다.The size of the cut portion of the antenna portion in which the first field direction control region and the second field direction control region are formed is adjusted to adjust the energy transfer size to the plasma.

이와 같은 본 발명에 따른 도파관 형태의 안테나를 이용한 마이크로 웨이브 플라즈마 발생 장치는 다음과 같은 효과를 갖는다.The microwave plasma generator using the waveguide type antenna according to the present invention has the following effects.

첫째, 도파관 형태의 안테나에 전계 방향 제어 영역을 구성하여 플라즈마 발생 효율을 향상시킬 수 있다.First, the plasma generation efficiency can be improved by constructing the field direction control region in the waveguide type antenna.

둘째, 도파관 형태의 안테나의 중앙 양쪽 부분이 절단되어 있는 형태로 제작되어 전계가 안테나의 한쪽 끝에서 다른 쪽 끝 방향으로 형성되도록 제어하는 것이 가능하다.Secondly, it is possible to control the electric field to be formed from one end of the antenna to the other end by being fabricated in such a manner that both the central portions of the waveguide antenna are cut.

셋째, 마이크로웨이브파를 진행시키는 도파관부와 안테나부를 연결시키는 컨버터부의 길이를 진행파의 반 파장 크기를 갖도록 설계하여 플라즈마 발생의 효율성을 높인다.Third, the efficiency of the plasma generation is improved by designing the length of the converter unit connecting the waveguide unit for propagating the microwave and the antenna unit to have a half wavelength size of the traveling wave.

넷째, 안테나가 제1,2 전계방향 제어영역을 구비하여 플라즈마증착 효율이 상승하고, 플라즈마에칭 공정 시에도 높은 전자 밀도를 갖는 공정이 가능하게 되어 높은 효율성을 가지는 플라즈마에칭 공정이 가능하게 된다.Fourth, since the antenna has the first and second field direction control regions, the efficiency of plasma deposition is increased and a process having a high electron density can be performed even in the plasma etching process, thereby enabling a plasma etching process having high efficiency.

다섯째, 도파관 형태의 안테나의 중앙 양쪽 부분 절단 부의 크기를 조절하여 플라즈마로의 에너지 전달 크기 조절이 가능하게 되어 플라즈마 공정 제어가 가능하게 된다.Fifth, it is possible to control the size of the energy transmission to the plasma by controlling the size of the cut portion of the center portion of the waveguide type antenna, and the plasma process control becomes possible.

도 1은 종래 기술의 TEM 모드의 플라즈마 발생 장치의 구성도
도 2는 본 발명에 따른 도파관 형태의 안테나를 이용한 마이크로 웨이브 플라즈마 발생 장치의 구성도
도 3a와 도 3b는 종래 기술의 플라즈마 발생 장치의 웨이브 진행 형태 및 전계 방향을 나타낸 구성도
도 4a와 도 4b는 본 발명에 따른 도파관 형태의 안테나를 이용한 마이크로 웨이브 플라즈마 발생 장치의 웨이브 진행 형태 및 전계 방향을 나타낸 구성도
도 5는 본 발명에 따른 도파관 형태의 안테나를 이용한 마이크로 웨이브 플라즈마 발생 장치의 전자 밀도 시뮬레이션 결과를 나타낸 구성도
도 6은 본 발명에 따른 도파관 형태의 안테나를 이용한 마이크로 웨이브 플라즈마 발생 장치의 전계를 나타낸 구성도
도 7a와 도 7b는 본 발명에 따른 도파관 형태의 안테나를 이용한 마이크로 웨이브 플라즈마 발생 장치의 안테나 구조에 따른 전계 방향을 나타낸 구성도1 is a diagram showing a configuration of a conventional plasma mode generating apparatus of the TEM mode
2 is a schematic view of a microwave plasma generator using a waveguide type antenna according to the present invention
FIGS. 3A and 3B are diagrams showing the wave advancing mode and the electric field direction of the plasma generating apparatus of the prior art
FIGS. 4A and 4B are diagrams showing a wave propagation mode and an electric field direction of a microwave plasma generator using a waveguide type antenna according to the present invention
5 is a diagram showing the result of electron density simulation of a microwave plasma generator using a waveguide type antenna according to the present invention
6 is a view showing an electric field of a microwave plasma generator using a waveguide type antenna according to the present invention
FIGS. 7A and 7B are diagrams showing a direction of an electric field according to an antenna structure of a microwave plasma generator using a waveguide type antenna according to the present invention

이하, 본 발명에 따른 도파관 형태의 안테나를 이용한 마이크로 웨이브 플라즈마 발생 장치의 바람직한 실시 예에 관하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a preferred embodiment of a microwave plasma generator using a waveguide type antenna according to the present invention will be described in detail.

본 발명에 따른 도파관 형태의 안테나를 이용한 마이크로 웨이브 플라즈마 발생 장치의 특징 및 이점들은 이하에서의 각 실시 예에 대한 상세한 설명을 통해 명백해질 것이다.The features and advantages of the microwave plasma generator using the waveguide type antenna according to the present invention will be apparent from the following detailed description of each embodiment.

도 2는 본 발명에 따른 도파관 형태의 안테나를 이용한 마이크로 웨이브 플라즈마 발생 장치의 구성도이다.2 is a configuration diagram of a microwave plasma generator using a waveguide type antenna according to the present invention.

본 발명은 도파관 형태의 안테나에 전계 방향 제어 영역을 구성하여 플라즈마발생 효율을 향상시킬 수 있도록 한 것으로, 도파관 형태의 안테나의 중앙 양쪽 부분이 절단되어 있는 형태로 제작되어 전계가 안테나의 한쪽 끝에서 다른 쪽 끝 방향으로 형성되도록 제어하는 것이 가능하도록 한 것이다.The present invention relates to a waveguide antenna and a method for manufacturing the same, which can improve the plasma generation efficiency by forming a field direction control region in an antenna of a waveguide type. So that it can be controlled so as to be formed in the end direction.

이를 위한 본 발명에 따른 도파관 형태의 안테나를 이용한 마이크로 웨이브 플라즈마 발생 장치는 도파관 형태의 안테나가 중앙 양쪽 부분의 서로 대응하는 영역이 절단되어 있는 형태로 제작되어 제 1 전계방향제어영역 및 제 2 전계방향제어영역을 포함한다.The microwave plasma generator using the waveguide-type antenna according to the present invention is fabricated in such a way that the waveguide-type antenna is cut off in a region corresponding to a center portion of both sides, and is divided into a first field direction control region and a second field direction And a control area.

여기서, 제 1 안테나부와 제 2 안테나부의 사이 영역에 제 1 전계방향제어영역 및 제 2 전계방향제어영역이 위치하고, 상기 제1,2 전계방향제어영역은 도파관부에서의 웨이브 형태의 전기신호의 진행방향인 x축을 기준으로, y축 방향에서 서로 대응하는 영역에 각각 형성되거나, z축 방향에서 서로 대응하는 영역에 각각 형성되는 것이다.Here, a first field direction control region and a second field direction control region are located in a region between the first antenna unit and the second antenna unit, and the first and second field direction control regions are formed in a wave- Axis direction and are respectively formed in regions corresponding to each other in the y-axis direction, or in regions corresponding to each other in the z-axis direction.

본 발명에 따른 도파관 형태의 안테나를 이용한 마이크로 웨이브 플라즈마 발생 장치는 도 2에서와 같이, 해당 주파수 영역의 전기 신호를 발생시키는 마그네트론부(30)와, 마그네트론부(30)에서 발생된 전기 신호가 웨이브의 형태로 진행되는 도파관부(31)와, 도파관부(31)와 안테나부(33)를 연결시키는 컨버터부(32)와, 도파관부(31)를 통해 이동된 전기 신호를 받아 플라즈마발생부(35)로 에너지를 전달하고, 도파관 형태를 갖고 중앙 양쪽 부분의 서로 대응하는 영역이 절단되는 부분에 제 1 전계방향제어영역 및 제 2 전계방향제어영역이 형성되어 플라즈마 발생시의 전계 방향을 제어하는 안테나부(33)와, 안테나부(33)가 내부에 구비되고 플라즈마발생부(35)에서 플라즈마가 발생되어 증착 및 에칭 공정에 사용되는 진공 챔버(34)를 포함한다.As shown in FIG. 2, the microwave plasma generator using the waveguide type antenna according to the present invention includes a magnetron unit 30 for generating an electric signal in a corresponding frequency domain, and a microwave plasma generator 30 for generating an electric signal generated in the magnetron unit 30, A converter section 32 for connecting the waveguide section 31 and the antenna section 33 to each other and an electric signal transmitted through the waveguide section 31 to receive the electric signal transmitted through the wave generator section 31, 35, and the first and second field control regions are formed in a portion having a waveguide shape and corresponding to a region corresponding to a central portion of the central portion, respectively, to control an electric field direction at the time of plasma generation And a vacuum chamber 34 in which plasma is generated in the plasma generating part 35 and used in the deposition and etching processes.

여기서, 마이크로웨이브파를 진행시키는 도파관부(31)와 안테나부(33)를 연결시키는 컨버터부(32)의 길이를 진행파의 반 파장 크기를 갖도록 설계하여 플라즈마 발생의 효율성을 높인다.Here, the length of the converter unit 32 connecting the waveguide unit 31 and the antenna unit 33 for advancing the microwave is designed to have a half-wave length of the traveling wave, thereby improving the efficiency of plasma generation.

그리고 상기 제 1 전계방향제어영역 및 제 2 전계방향제어영역이 형성되는 안테나부(33)의 절단되는 부분의 크기를 조절하여 플라즈마로의 에너지 전달 크기 조절을 하여 플라즈마 공정 제어가 가능하도록 한다.The size of the cut portion of the antenna unit 33 in which the first field direction control region and the second field direction control region are formed is adjusted to control the energy transfer size to the plasma, thereby enabling plasma process control.

그리고 상기 안테나부(33)는 도파관 형태를 갖고 중앙 양쪽 부분의 서로 대응하는 영역이 절단되어 서로 대응하는 제 1 안테나부(33a)와 제 2 안테나부(33b)를 갖고, 제 1 안테나부(33a)와 제 2 안테나부(33b) 사이의 일측 절단 영역에 제 1 전계방향제어영역(33d)이 형성되고, 제 1 안테나부(33a)와 제 2 안테나부(33b) 사이의 타측 절단 영역에 제 2 전계방향제어영역(33c)이 형성되는 구조이다.The antenna unit 33 has a waveguide shape and has a first antenna unit 33a and a second antenna unit 33b corresponding to each other and corresponding to each other in a center region. A first field direction control region 33d is formed in one cut region between the first antenna portion 33a and the second antenna portion 33b and a second field direction control region 33d is formed in the other cut region between the first antenna portion 33a and the second antenna portion 33b. 2 electric field direction control region 33c are formed.

이와 같은 구조를 갖는 도파관 형태의 안테나를 이용한 마이크로 웨이브 플라즈마 발생 장치는 마그네트론부(30)를 통해 발생된 고주파 웨이브가 도파관부(31)를 통하여 진행된다.In the microwave plasma generator using the waveguide type antenna having the above structure, the high frequency wave generated through the magnetron unit 30 is propagated through the waveguide unit 31.

종래의 기술로 예시된 동축TEM 모드에서는 도파관에서 로드(rod) 타입의 안테나로 진행하던 것과는 다르게 본 발명에 따른 도파관 형태의 안테나를 이용한 마이크로웨이브 플라즈마 발생 장치에서는 도파관부(31)에서 플라즈마발생부(35)로 바로 웨이브가 진행하게 된다.In the microwave plasma generator using the waveguide type antenna according to the present invention, unlike the conventional coaxial TEM mode in which the waveguide is routed to a rod-type antenna, the plasma generating unit 35).

이때, 안테나부(33)는 도파관과 비슷한 형태로 제작되며 컨버터부(32)를 통하여 내부에 안테나부(33)가 위치하는 진공챔버(34)내로 진행하게 된다.At this time, the antenna unit 33 is formed in a shape similar to that of the waveguide and proceeds through the converter unit 32 into the vacuum chamber 34 in which the antenna unit 33 is located.

이 과정에서 안테나부(33)가 도파관 형태를 갖고 중앙 양쪽 부분의 서로 대응하는 영역이 절단되어 서로 대응하는 제 1 안테나부(33a)와 제 2 안테나부(33b)를 갖고, 제 1 안테나부(33a)와 제 2 안테나부(33b) 사이의 일측 절단 영역에 제 1 전계방향제어영역(33d)이 형성되고, 제 1 안테나부(33a)와 제 2 안테나부(33b) 사이의 타측 절단 영역에 제 2 전계방향제어영역(33c)이 형성되는 구조이기 때문에, 이로 인하여 전계가 동축 전극 TEM 모드 일 때 방사형으로 진행되는 것과는 다르게 안테나의 한쪽 끝에서 다른 쪽 끝 방향으로 형성되게 된다.In this process, the antenna unit 33 has a waveguide shape and has corresponding first and second antenna units 33a and 33b corresponding to each other, A first field direction control region 33d is formed in one cut-off region between the first antenna portion 33a and the second antenna portion 33b and a second field direction control region 33d is formed in the other cut region between the first antenna portion 33a and the second antenna portion 33b Since the second electric field direction control region 33c is formed, the electric field is formed from one end to the other end of the antenna, unlike the case where the electric field is radially propagated when the coaxial electrode is in the TEM mode.

도 3a와 도 3b는 종래 기술의 플라즈마 발생 장치의 전계 진행 형태 및 전계 방향을 나타낸 구성도이고, 도 4a와 도 4b는 본 발명에 따른 도파관 형태의 안테나를 이용한 마이크로 웨이브 플라즈마 발생 장치의 웨이브 진행 형태 및 전계 방향을 나타낸 구성도이다.FIGS. 3A and 3B are views showing the electric field progression direction and the electric field direction of the conventional plasma generating apparatus. FIGS. 4A and 4B show wave propagation patterns of a microwave plasma generator using a waveguide antenna according to the present invention. And an electric field direction.

도 3b에서와 같이 방사형 전계 방향과는 달리 본 발명에 따른 도파관 형태의 안테나를 이용한 마이크로 웨이브 플라즈마 발생 장치는 전계 방향이 도 4b에서와 같다.As shown in FIG. 3B, the microwave plasma generator using the waveguide type antenna according to the present invention, which is different from the radial electric field direction, has an electric field direction as shown in FIG. 4B.

전계 방향의 변화로 인하여 도파관 형태의 안테나를 이용한 마이크로 웨이브 플라즈마 발생 장치에서의 플라즈마 생성 효율이 상승하게 되고, 이에 따라플라즈마증착 효율이 상승하며, 플라즈마에칭 공정 시에도 높은 전자를 갖는 공정이 가능하게 되어 높은 효율성을 가지는 플라즈마에칭 공정이 가능하게 된다.The plasma generation efficiency in the microwave plasma generator using the waveguide type antenna is increased due to the change of the electric field direction, thereby increasing the plasma deposition efficiency and enabling a process having high electrons in the plasma etching process A plasma etching process with high efficiency becomes possible.

도 5는 본 발명에 따른 도파관 형태의 안테나를 이용한 마이크로 웨이브 플라즈마 발생 장치의 전자 밀도 시뮬레이션 결과를 나타낸 구성도이다.FIG. 5 is a diagram showing a result of electron density simulation of a microwave plasma generator using a waveguide type antenna according to the present invention.

도 5에서와 같이, 본 발명에 따른 도파관 형태의 안테나를 이용한 마이크로 웨이브 플라즈마 발생 장치는 높은 전자 밀도를 가지므로 증착 및 에칭 공정에서 높은 효율을 지니며, 안테나를 통한플라즈마로의 파워 전달 효율이 좋아짐을 알 수 있다.As shown in FIG. 5, the microwave plasma generator using the waveguide type antenna according to the present invention has a high electron density and thus has a high efficiency in the deposition and etching processes, and the power transmission efficiency to the plasma through the antenna is improved .

본 발명에 따른 도파관 형태의 안테나는 원형 혹은 사각형과 같이 다양한 타입으로 제작될 수 있다.The waveguide type antenna according to the present invention can be manufactured in various types such as a circle or a square.

또한, 도파관의 크기와 마이크로웨이브 모드 특성에 따라 다양한 형태로의 컨버터 설계가 가능하다. In addition, it is possible to design various types of converters according to the size of waveguide and microwave mode characteristics.

도 6은 본 발명에 따른 도파관 형태의 안테나를 이용한 마이크로 웨이브 플라즈마 발생 장치의 전계를 나타낸 구성도이다.6 is a view illustrating an electric field of a microwave plasma generator using a waveguide type antenna according to the present invention.

본 발명의 안테나는 도파관과 유사한 형태이지만, 도파관 형태의 안테나가 중앙 양쪽 부분의 서로 대응하는 영역이 절단되어 있는 형태로 제작되어 제 1 전계방향제어영역 및 제 2 전계방향제어영역을 구조이다.The antenna of the present invention is similar in shape to a waveguide, but a waveguide antenna is fabricated in such a manner that regions corresponding to the central portions of the antenna are cut off to form a first field direction control region and a second field direction control region.

이와 같이 본 발명에 따른 도파관 형태의 안테나를 이용한 마이크로 웨이브 플라즈마 발생 장치는 다양한 형태로의 안테나 및 컨버터 제작이 용이하다.As described above, the microwave plasma generator using the waveguide type antenna according to the present invention can easily manufacture various types of antennas and converters.

도 7a와 도 7b는 본 발명에 따른 도파관 형태의 안테나를 이용한 마이크로 웨이브 플라즈마 발생 장치의 전계 방향 및 안테나 구조를 나타낸 구성도이다.FIGS. 7A and 7B are views showing an electric field direction and an antenna structure of a microwave plasma generator using a waveguide type antenna according to the present invention.

본 발명에 따른 안테나는 일 실시 예로 도 7a에서와 같이, 도파관 형태를 갖고 중앙 양쪽 부분의 서로 대응하는 영역이 절단되어 서로 대응하는 제 1 안테나부(91a)와 제 2 안테나부(91b)를 갖고, 제 1 안테나부(91a)와 제 2 안테나부(91b) 사이의 일측 절단 영역에 제 1 전계방향제어영역(91d)이 형성되고, 제 1 안테나부(91a)와 제 2 안테나부(91b) 사이의 타측 절단 영역에 제 2 전계방향제어영역(91c)이 형성되는 구조이고, 제1,2 전계방향제어영역(91d)(91c)은 도파관부(31)에서의 웨이브 형태의 전기신호의 진행방향인 x축을 기준으로, y축 방향에서 서로 대응하는 영역에 각각 형성되는 것이다.As shown in FIG. 7A, the antenna according to the present invention includes a first antenna portion 91a and a second antenna portion 91b, each of which has a waveguide shape, A first field direction control region 91d is formed in one cut-off region between the first antenna portion 91a and the second antenna portion 91b, and the first antenna portion 91a and the second antenna portion 91b, And the first and second field direction control regions 91d and 91c have a structure in which a wave-like electric signal in the waveguide portion 31 is processed Axis direction and the y-axis direction, respectively.

본 발명에 따른 안테나는 다른 실시 예로 도 7b에서와 같이, 도파관 형태를 갖고 중앙 양쪽 부분의 서로 대응하는 영역이 절단되어 서로 대응하는 제 1 안테나부(92a)와 제 2 안테나부(92b)를 갖고, 제 1 안테나부(92a)와 제 2 안테나부(92b) 사이의 일측 절단 영역에 제 1 전계방향제어영역(92c)이 형성되고, 제 1 안테나부(92a)와 제 2 안테나부(92b) 사이의 타측 절단 영역에 제 2 전계방향제어영역(91d)이 형성되는 구조이고, 제1,2 전계방향제어영역(92c)(92d)은 도파관부(31)에서의 웨이브 형태의 전기신호의 진행방향인 x축을 기준으로, z축 방향에서 서로 대응하는 영역에 각각 형성되는 것이다.7B, the antenna according to the present invention may have a first antenna portion 92a and a second antenna portion 92b, which have waveguide shapes and correspond to mutually corresponding regions of both the central portions and correspond to each other A first field direction control region 92c is formed at one side cut region between the first antenna portion 92a and the second antenna portion 92b and the first antenna portion 92a and the second antenna portion 92b are formed, And the first and second field direction control regions 92c and 92d are formed in the waveguide section 31 in such a manner that the electric signal of the wave form is propagated Axis direction and the z-axis direction, respectively.

도파관 형태의 안테나 사이에 유전율이 높은 유전체를 두면 웨이브 침투가 보다 쉬워지기 때문에 장비의 효율을 상승시킬 수 있다. Placing a dielectric with a high dielectric constant between waveguide antennas can increase waveguide penetration and increase equipment efficiency.

본 발명에 따른 도파관 형태의 안테나를 이용한 마이크로 웨이브 플라즈마 발생 장치는 CCP 장비 및 ICP 장비의 단점을 모두 해결하여 증착과 에칭 모든 공정에서 높은 효율을 갖는다.The microwave plasma generator using the waveguide type antenna according to the present invention solves all the disadvantages of the CCP equipment and the ICP equipment and has high efficiency in all of the deposition and etching processes.

특히, 기존의 동축전극형 TEM 모드를 이용한 마이크로웨이브 발생 장비의 단점을 해결하여 보다 뛰어난 파워 전달 효과를갖는다.Particularly, it solves the disadvantages of the microwave generating apparatus using the conventional coaxial electrode type TEM mode, and has a superior power transmission effect.

이상에서 설명한 본 발명에 따른 도파관 형태의 안테나를 이용한 마이크로 웨이브 플라즈마 발생 장치는 안테나가 제1,2 전계방향제어영역을 구비하여 플라즈마증착 공정 시에 보다 많은 화학종이 발생하게 되어 플라즈마증착 효율이 상승하고, 플라즈마에칭 공정 시에도 높은 전자 밀도를 갖는 공정이 가능하게 되어 높은 효율성을 가지는 플라즈마에칭 공정이 가능하도록 한 것이다.In the microwave plasma generator using the waveguide type antenna according to the present invention described above, since the antenna has the first and second field direction control regions, more chemical species are generated in the plasma deposition process, thereby increasing the plasma deposition efficiency , A plasma etching process can be performed at a high electron density even in a plasma etching process, thereby enabling a plasma etching process having a high efficiency.

이상에서의 설명에서와 같이 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 변형된 형태로 본 발명이 구현되어 있음을 이해할 수 있을 것이다.As described above, it will be understood that the present invention is implemented in a modified form without departing from the essential characteristics of the present invention.

그러므로 명시된 실시 예들은 한정적인 관점이 아니라 설명적인 관점에서 고려되어야 하고, 본 발명의 범위는 전술한 설명이 아니라 특허청구 범위에 나타나 있으며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 차이점은 본 발명에 포함된 것으로 해석되어야 할 것이다.It is therefore to be understood that the specified embodiments are to be considered in an illustrative rather than a restrictive sense and that the scope of the invention is indicated by the appended claims rather than by the foregoing description and that all such differences falling within the scope of equivalents thereof are intended to be embraced therein It should be interpreted.

30. 마그네트론부 31. 도파관부
32. 컨버터부 33. 안테나부
34. 진공 챔버 35. 플라즈마 발생부30. Magnetron section 31. Waveguide section
32. Converter section 33. Antenna section
34. Vacuum chamber 35. Plasma generator

Claims (6)

해당 주파수 영역의 전기 신호를 발생시키는 마그네트론부;
상기 마그네트론부에서 발생된 전기 신호가 웨이브의 형태로 진행되는 도파관부;
상기 도파관부를 통해 이동된 전기 신호를 받아 플라즈마발생부로 에너지를 전달하고, 도파관 형태를 갖고 중앙 양쪽 부분의 서로 대응하는 영역이 절단되는 부분에 제 1 전계방향제어영역 및 제 2 전계방향제어영역이 형성되어 플라즈마 발생시의 전계 방향을 제어하는 안테나부;
상기 안테나부를 구비하여 플라즈마 발생 영역을 내부에 갖는 진공 챔버;를 포함하는 것을 특징으로 하는 도파관 형태의 안테나를 이용한 마이크로 웨이브 플라즈마 발생 장치.A magnetron unit for generating an electric signal in the frequency domain;
A waveguide part in which an electric signal generated in the magnetron part proceeds in the form of a wave;
A first electric field direction control region and a second electric field direction control region are formed at portions where waveguide-shaped regions corresponding to the center portions are cut off. An antenna unit for controlling an electric field direction at the time of plasma generation;
And a vacuum chamber including the antenna unit and having a plasma generating region therein. The microwave plasma generator using the waveguide type antenna according to claim 1, 제 1 항에 있어서, 상기 도파관부와 안테나부를 연결시키는 컨버터부를 더 포함하고,
컨버터부의 길이는 도파관부에서 진행되는 진행파의 반 파장 크기를 갖는 것을 특징으로 하는 도파관 형태의 안테나를 이용한 마이크로 웨이브 플라즈마 발생 장치.[2] The apparatus of claim 1, further comprising a converter unit connecting the waveguide unit and the antenna unit,
And the length of the converter unit has a half wavelength size of the traveling wave propagating in the waveguide unit. 제 1 항에 있어서, 상기 안테나부는,
도파관 형태를 갖고 중앙 양쪽 부분의 서로 대응하는 영역이 절단되어 서로 대응하는 제 1 안테나부와 제 2 안테나부를 갖고,
제 1 안테나부와 제 2 안테나부 사이의 일측 절단 영역에 제 1 전계방향제어영역이 형성되고,
제 1 안테나부와 제 2 안테나부 사이의 타측 절단 영역에 제 2 전계방향제어영역이 형성되는 것을 특징으로 하는 도파관 형태의 안테나를 이용한 마이크로 웨이브 플라즈마 발생 장치.The antenna apparatus according to claim 1,
A first antenna portion and a second antenna portion having a waveguide shape and corresponding to each other and corresponding to each other and corresponding to each other,
A first field direction control region is formed in one cut-off region between the first antenna portion and the second antenna portion,
And a second field direction control region is formed in the other cut region between the first antenna unit and the second antenna unit. 제 3 항에 있어서, 상기 제1,2 전계방향제어영역은 도파관부에서의 웨이브 형태의 전기신호의 진행방향인 x축을 기준으로, y축 방향에서 서로 대응하는 영역에 각각 형성되는 것을 특징으로 하는 도파관 형태의 안테나를 이용한 마이크로 웨이브 플라즈마 발생 장치.4. The optical waveguide according to claim 3, wherein the first and second field direction control regions are formed in regions corresponding to each other in the y-axis direction with respect to an x-axis which is a traveling direction of a wave- Microwave plasma generator using waveguide type antenna. 제 3 항에 있어서, 상기 제1,2 전계방향제어영역은 도파관부에서의 웨이브 형태의 전기신호의 진행방향인 x축을 기준으로, z축 방향에서 서로 대응하는 영역에 각각 형성되는 것을 특징으로 하는 도파관 형태의 안테나를 이용한 마이크로 웨이브 플라즈마 발생 장치.[Claim 4] The method according to claim 3, wherein the first and second field direction control regions are respectively formed in regions corresponding to each other in the z-axis direction with respect to the x-axis, which is the traveling direction of the electric signal in a wave form in the waveguide portion Microwave plasma generator using waveguide type antenna. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 전계방향제어영역 및 제 2 전계방향제어영역이 형성되는 안테나부의 절단되는 부분의 크기를 조절하여 플라즈마로의 에너지 전달 크기 조절을 하는 것을 특징으로 하는 도파관 형태의 안테나를 이용한 마이크로 웨이브 플라즈마 발생 장치.2. The antenna of claim 1, wherein the size of the cut portion of the antenna portion in which the first field direction control region and the second field direction control region are formed is adjusted to adjust the energy transfer size to the plasma, For generating microwave plasma.
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140074829A (en) 2012-12-10 2014-06-18 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Microwave radiation antenna, microwave plasma source and plasma processing apparatus
KR20140117630A (en) * 2012-01-27 2014-10-07 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Microwave emission mechanism, microwave plasma source and surface wave plasma processing device
KR20140125121A (en) 2013-04-18 2014-10-28 성균관대학교산학협력단 Inner-type linear antenna, antenna assembly to adjust plasma density and plasma apparatus using thereof
JP5762708B2 (en) * 2010-09-16 2015-08-12 国立大学法人名古屋大学 Plasma generating apparatus, plasma processing apparatus, and plasma processing method
KR20160039558A (en) 2014-10-01 2016-04-11 니신 일렉트릭 컴패니 리미티드 Antenna for generating a plasma and Plasma processing apparatus having the same

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5762708B2 (en) * 2010-09-16 2015-08-12 国立大学法人名古屋大学 Plasma generating apparatus, plasma processing apparatus, and plasma processing method
KR20140117630A (en) * 2012-01-27 2014-10-07 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Microwave emission mechanism, microwave plasma source and surface wave plasma processing device
KR20140074829A (en) 2012-12-10 2014-06-18 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Microwave radiation antenna, microwave plasma source and plasma processing apparatus
KR20140125121A (en) 2013-04-18 2014-10-28 성균관대학교산학협력단 Inner-type linear antenna, antenna assembly to adjust plasma density and plasma apparatus using thereof
KR20160039558A (en) 2014-10-01 2016-04-11 니신 일렉트릭 컴패니 리미티드 Antenna for generating a plasma and Plasma processing apparatus having the same

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