KR20180119134A - Resin composision - Google Patents

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Abstract

An object of the present invention is to provide a cured product having a 10-point average roughness (Rz) and a low coefficient of linear thermal expansion, high peel strength, and alleviated frangibleness even when an inorganic filler having a small average particle diameter or a large specific surface area is used. The resin composition comprises: (A) an epoxy resin; (B) an active ester-based curing agent; (C) a polyimide resin having a polycyclic aromatic hydrocarbon skeleton; and (D) an inorganic filler having an average particle diameter of 100 nm or less.

Description

수지 조성물{RESIN COMPOSISION}RESIN COMPOSITION [0001]

본 발명은 수지 조성물에 관한 것이다. 또한, 상기 수지 조성물을 포함하는 수지 시트, 수지 조성물의 경화물로 형성된 절연층을 함유하는 프린트 배선판, 및 반도체 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a resin composition. The present invention also relates to a resin sheet containing the resin composition, a printed wiring board containing an insulating layer formed of a cured product of the resin composition, and a semiconductor device.

프린트 배선판의 제조 기술로서, 절연층과 도체층을 교대로 포개어 쌓는 빌드 업 방식에 의한 제조 방법이 알려져 있다. 빌드 업 방식에 의한 제조 방법에서는 일반적으로, 절연층은 수지 조성물을 경화시켜서 형성된다. 예를 들면, 특허문헌 1에는, 에폭시 수지, 활성 에스테르 화합물, 카르보디이미드 화합물, 열가소성 수지, 및 무기 충전재를 포함하는 수지 조성물을 경화시켜서 절연층을 형성하는 것이 기재되어 있다.BACKGROUND ART [0002] As a manufacturing technique of a printed wiring board, a manufacturing method by a build-up method in which an insulating layer and a conductor layer are alternately stacked is known. In the build-up method, generally, the insulating layer is formed by curing the resin composition. For example, Patent Document 1 discloses that an insulating layer is formed by curing a resin composition containing an epoxy resin, an active ester compound, a carbodiimide compound, a thermoplastic resin, and an inorganic filler.

일본 공개특허공보 특개2016-27097호Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2016-27097

본 발명자들은 수지 조성물에 대하여 새로운 검토를 한 바, 하기의 지견을 얻었다. 수지 조성물에 무기 충전재를 대량으로 함유시키면, 무기 충전재의 표면적이 커지는 동시에, 무기 충전재의 계면의 면적도 커진다. 그 결과, 수지 조성물의 경화물이 물러져, 조화 처리 후의 조면이 거칠어지는 것을 지견하였다. 또한, 박막화 등의 관점에서, 수지 조성물에 평균 입자 직경이 작거나 비표면적이 큰 무기 충전재를 함유시킨 경우에도, 무기 충전재의 표면적이 크기 때문에, 수지 조성물의 경화물이 더욱 물러지는 것을 지견하였다.The present inventors have made a new study on the resin composition and obtained the following findings. When a large amount of inorganic filler is contained in the resin composition, the surface area of the inorganic filler is increased and the area of the interface of the inorganic filler is also increased. As a result, it was found that the cured product of the resin composition was decomposed and the roughened surface after the roughening treatment was roughened. From the viewpoint of thinning and the like, it has been found that even when an inorganic filler having a small average particle diameter or a large specific surface area is contained in the resin composition, the surface area of the inorganic filler is large and the cured product of the resin composition is further decomposed.

본 발명의 과제는, 평균 입자 직경이 작거나 비표면적이 큰 무기 충전재를 사용하여도 10점 평균 거칠기(Rz) 및 선열팽창 계수가 낮고, 필 강도가 높은 경화물을 수득할 수 있는 수지 조성물; 상기 수지 조성물을 포함하는 수지 시트; 상기 수지 조성물을 사용하여 형성된 절연층을 구비한 프린트 배선판, 및 반도체 장치를 제공하는 것에 있다.Disclosed is a resin composition capable of obtaining a cured product having a 10-point average roughness (Rz) and a low coefficient of linear thermal expansion and a high fill strength even when an inorganic filler having a small average particle diameter or a large specific surface area is used; A resin sheet comprising the resin composition; A printed wiring board having an insulating layer formed using the resin composition, and a semiconductor device.

본 발명의 과제를 달성하기 위해 본 발명자들은 예의 검토한 결과, 페녹시 수지나 지방족 등을 포함하는 열가소성 수지는 유연성이 우수하고, 경화시에 알코올 등의 극성이 높은 성분이 생기기 쉬우므로 디스미어 내성이 떨어지고, 그 결과, 조화 처리를 행하면 10점 평균 거칠기(Rz)가 높아지는 경우가 있는 것을 지견하였다. 이러한 지견에 기초하여 본 발명자들은 또한 예의 검토한 결과, 강직하고 소수성이 높은 다환식 방향족 탄화수소 골격을 갖는 (C) 성분을 수지 조성물에 함유시키면, 평균 입자 직경이 작거나 비표면적이 큰 무기 충전재를 사용하여도 10점 평균 거칠기(Rz) 및 선열팽창 계수가 낮고, 필 강도가 높고, 무름이 개선된 경화물을 수득할 수 있는 수지 조성물을 얻을 수 있다는 것을 찾아내어 본 발명을 완성하기에 이르렀다.In order to achieve the object of the present invention, the inventors of the present invention have conducted intensive studies and, as a result, have found that a thermoplastic resin containing phenoxy resin, aliphatic or the like is excellent in flexibility and easy to generate a component having high polarity such as alcohol at the time of curing, As a result, it has been found that when the roughening treatment is carried out, the 10-point average roughness (Rz) may increase. Based on these findings, the inventors of the present invention have also conducted intensive investigations. As a result of intensive studies, it has been found that, when a component (C) having a rigid and hydrophobic polycyclic aromatic hydrocarbon skeleton is contained in a resin composition, an inorganic filler having a small average particle diameter or a large specific surface area (Rz) and a coefficient of linear thermal expansion (CTE), a high fill strength and an improved curability can be obtained even when the cured product has a 10-point average roughness (Rz), thereby completing the present invention.

즉, 본 발명은 이하의 내용을 포함한다.That is, the present invention includes the following contents.

[1] (A) 에폭시 수지,[1] A resin composition comprising (A) an epoxy resin,

(B) 활성 에스테르계 경화제,(B) an active ester-based curing agent,

(C) 다환식 방향족 탄화수소 골격을 갖는 폴리이미드 수지, 및(C) a polyimide resin having a polycyclic aromatic hydrocarbon skeleton, and

(D) 무기 충전재를 함유하고,(D) an inorganic filler,

(D) 성분의 평균 입자 직경이 100nm 이하인, 수지 조성물.(D) has an average particle diameter of 100 nm or less.

[2] (A) 에폭시 수지,[2] A resin composition comprising (A) an epoxy resin,

(B) 활성 에스테르계 경화제,(B) an active ester-based curing agent,

(C) 다환식 방향족 탄화수소 골격을 갖는 폴리이미드 수지, 및(C) a polyimide resin having a polycyclic aromatic hydrocarbon skeleton, and

(D) 무기 충전재를 함유하고,(D) an inorganic filler,

(D) 성분의 비표면적이 15m2/g 이상인, 수지 조성물.(D) has a specific surface area of 15 m 2 / g or more.

[3] 다환식 방향족 탄화수소 골격이 5원환 화합물과 방향환이 축합된 방향족 탄화수소 골격인, [1] 또는 [2]에 기재된 수지 조성물.[3] The resin composition according to [1] or [2], wherein the polycyclic aromatic hydrocarbon skeleton is an aromatic hydrocarbon skeleton in which a 5-membered ring compound and an aromatic ring are condensed.

[4] 다환식 방향족 탄화수소 골격이 인단 골격 및 플루오렌 골격 중 적어도 어느 하나인, [1] 내지 [3] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.[4] The resin composition according to any one of [1] to [3], wherein the polycyclic aromatic hydrocarbon skeleton is at least one of an indane skeleton and a fluorene skeleton.

[5] (C) 성분의 중량 평균 분자량이 5000 이상인, [1] 내지 [4] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.[5] The resin composition according to any one of [1] to [4], wherein the component (C) has a weight average molecular weight of 5000 or more.

[6] (C) 성분이 다환식 방향족 탄화수소 골격을 갖는 반복 단위와 이미드 구조를 갖는 반복 단위를 갖는, [1] 내지 [5] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.[6] The resin composition according to any one of [1] to [5], wherein the component (C) has a repeating unit having a polycyclic aromatic hydrocarbon skeleton and a repeating unit having an imide structure.

[7] 다환식 방향족 탄화수소 골격을 갖는 반복 단위와 이미드 구조를 갖는 반복 단위의 질량비(다환식 방향족 탄화수소 골격을 갖는 반복 단위의 질량/이미드 구조를 갖는 반복 단위의 질량)가 0.5 이상 2 이하인, [6]에 기재된 수지 조성물.(7) a mass ratio of a recurring unit having a polycyclic aromatic hydrocarbon skeleton to a recurring unit having an imide structure (mass of recurring unit having polycyclic aromatic hydrocarbon skeleton / mass of recurring unit having imide structure) of not less than 0.5 and not more than 2 , And [6].

[8] (C) 성분의 함유량이, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 했을 경우, 0.1질량% 이상 3질량% 이하인, [1] 내지 [7] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.[8] The resin composition according to any one of [1] to [7], wherein the content of the component (C) is 0.1% by mass or more and 3% by mass or less based on 100% by mass of the nonvolatile component in the resin composition.

[9] (B) 성분의 함유량이, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 했을 경우, 1질량% 이상 25질량% 이하인, [1] 내지 [8] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.[9] The resin composition according to any one of [1] to [8], wherein the content of the component (B) is 1% by mass or more and 25% by mass or less based on 100% by mass of the nonvolatile component in the resin composition.

[10] (D) 성분의 함유량이, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 했을 경우, 30질량% 이상 80질량% 이하인, [1] 내지 [9] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.[10] The resin composition according to any one of [1] to [9], wherein the content of the component (D) is 30 mass% or more and 80 mass% or less when the nonvolatile component in the resin composition is 100 mass%.

[11] 추가로 (E) 경화제를 함유하는, [1] 내지 [10] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.[11] The resin composition according to any one of [1] to [10], further comprising (E) a curing agent.

[12] (E) 경화제가 페놀계 경화제인, [11]에 기재된 수지 조성물.[12] The resin composition according to [11], wherein the (E) curing agent is a phenol-based curing agent.

[13] 도체층을 형성하기 위한 절연층 형성용인, [1] 내지 [12] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.[13] The resin composition according to any one of [1] to [12], which is used for forming an insulating layer for forming a conductor layer.

[14] 프린트 배선판의 절연층 형성용인, [1] 내지 [13] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.[14] The resin composition according to any one of [1] to [13], which is used for forming an insulating layer of a printed wiring board.

[15] 프린트 배선판의 층간 절연층 형성용인, [1] 내지 [14] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.[15] The resin composition according to any one of [1] to [14], which is for forming an interlayer insulating layer of a printed wiring board.

[16] 지지체와, 상기 지지체 위에 설치된 [1] 내지 [15] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물층을 포함하는, 수지 시트.[16] A resin sheet comprising a support and a resin composition layer according to any one of [1] to [15] provided on the support.

[17] 제1 도체층, 제2 도체층, 및 제1 도체층과 제2 도체층 사이에 형성된 절연층을 포함하는 프린트 배선판으로서,[17] A printed wiring board comprising a first conductor layer, a second conductor layer, and an insulating layer formed between the first conductor layer and the second conductor layer,

상기 절연층은 [1] 내지 [15] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물의 경화물인, 프린트 배선판.Wherein the insulating layer is a cured product of the resin composition according to any one of [1] to [15].

[18] [17]에 기재된 프린트 배선판을 포함하는, 반도체 장치.[18] A semiconductor device comprising a printed wiring board according to [17].

본 발명에 의하면, 평균 입자 직경이 작거나 비표면적이 큰 무기 충전재를 사용하여도 10점 평균 거칠기(Rz) 및 선열팽창 계수가 낮고, 필 강도가 높고, 무름이 개선된 경화물을 수득할 수 있는 수지 조성물; 상기 수지 조성물을 포함하는 수지 시트; 상기 수지 조성물을 사용하여 형성된 절연층을 구비한 프린트 배선판, 및 반도체 장치를 제공할 수 있다.According to the present invention, even when an inorganic filler having a small average particle diameter or a large specific surface area is used, it is possible to obtain a cured product having a 10-point average roughness (Rz) and a low coefficient of linear thermal expansion, ; A resin sheet comprising the resin composition; A printed wiring board having an insulating layer formed using the resin composition, and a semiconductor device.

도 1은, 프린트 배선판의 일례를 모식적으로 도시한 일부 단면도이다.1 is a partial cross-sectional view schematically showing an example of a printed wiring board.

이하, 본 발명의 수지 조성물, 수지 시트, 프린트 배선판, 및 반도체 장치에 대하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, the resin composition, resin sheet, printed wiring board, and semiconductor device of the present invention will be described in detail.

[수지 조성물][Resin composition]

본 발명의 제1 실시형태의 수지 조성물은, (A) 에폭시 수지, (B) 활성 에스테르계 경화제, (C) 다환식 방향족 탄화수소 골격을 갖는 폴리이미드 수지, 및 (D) 무기 충전재를 함유하고, (D) 성분의 평균 입자 직경이 100nm 이하이다. 또한, 본 발명의 제2 실시형태의 수지 조성물은, (A) 에폭시 수지, (B) 활성 에스테르계 경화제, (C) 다환식 방향족 탄화수소 골격을 갖는 폴리이미드 수지, 및 (D) 무기 충전재를 함유하고, (D) 성분의 비표면적이 15m2/g 이상이다. 제1 실시형태의 수지 조성물은 (C) 다환식 방향족 탄화수소 골격을 갖는 폴리이미드 수지를 함유함으로써, (D) 평균 입자 직경이 100nm 이하인 무기 충전재를 함유시켜도, 10점 평균 거칠기(Rz) 및 선열팽창 계수가 낮고, 필 강도가 높고, 무름이 개선된 경화물을 수득할 수 있는 수지 조성물을 얻을 수 있다. 마찬가지로, 제2 실시형태의 수지 조성물은 (C) 다환식 방향족 탄화수소 골격을 갖는 폴리이미드 수지를 함유함으로써, (D) 비표면적이 15m2/g 이상인 무기 충전재를 함유시켜도, 10점 평균 거칠기(Rz) 및 선열팽창 계수가 낮고, 필 강도가 높고, 무름이 개선된 경화물을 수득할 수 있는 수지 조성물을 얻을 수 있다.A resin composition according to a first embodiment of the present invention is a resin composition comprising (A) an epoxy resin, (B) an active ester curing agent, (C) a polyimide resin having a polycyclic aromatic hydrocarbon skeleton, and (D) (D) has an average particle diameter of 100 nm or less. The resin composition of the second embodiment of the present invention is a resin composition comprising (A) an epoxy resin, (B) an active ester curing agent, (C) a polyimide resin having a polycyclic aromatic hydrocarbon skeleton, and (D) , And the specific surface area of the component (D) is not less than 15 m 2 / g. The resin composition of the first embodiment contains (C) a polyimide resin having a polycyclic aromatic hydrocarbon skeleton, (D) even when an inorganic filler having an average particle diameter of 100 nm or less is contained, the 10-point average roughness (Rz) It is possible to obtain a resin composition capable of obtaining a cured product having a low coefficient, high peel strength, and improved driability. Likewise, the resin composition of the second embodiment contains (C) a polyimide resin having a polycyclic aromatic hydrocarbon skeleton, and (D) even if an inorganic filler having a specific surface area of 15 m 2 / g or more is contained, the 10 point average roughness ) And a resin composition capable of obtaining a cured product having a low coefficient of linear thermal expansion, high peel strength and improved drift can be obtained.

수지 조성물은 필요에 따라, (E) 경화제(활성 에스테르계 경화제는 제외함), (F) 경화 촉진제, (G) 열가소성 수지, 및 (H) 그 외의 첨가제 등의 성분을 추가로 포함하고 있어도 좋다. 이하, 본 발명의 제1 및 제2 실시형태의 수지 조성물에 포함되는 각 성분에 대하여 상세하게 설명한다. 여기서, 제1 실시형태의 수지 조성물 및 제2 실시형태의 수지 조성물을 통합하여 「수지 조성물」이라고 하는 경우가 있다.The resin composition may further contain components such as (E) a curing agent (excluding the active ester type curing agent), (F) a curing accelerator, (G) a thermoplastic resin, and (H) . Hereinafter, each component contained in the resin composition of the first and second embodiments of the present invention will be described in detail. Here, the resin composition of the first embodiment and the resin composition of the second embodiment may be collectively referred to as " resin composition ".

<(A) 에폭시 수지>&Lt; (A) Epoxy resin >

수지 조성물은 (A) 에폭시 수지를 포함한다. 에폭시 수지로서는, 예를 들면, 비크실레놀형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 비스페놀 AF형 에폭시 수지, 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지, 트리스페놀형 에폭시 수지, 나프톨노볼락형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, tert-부틸-카테콜형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 안트라센형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 글리시딜에스테르형 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 선상 지방족 에폭시 수지, 부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 복소환식 에폭시 수지, 스피로환 함유 에폭시 수지, 사이클로헥산형 에폭시 수지, 사이클로헥산디메탄올형 에폭시 수지, 나프틸렌에테르형 에폭시 수지, 트리메틸올형 에폭시 수지, 테트라페닐에탄형 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 에폭시 수지는 1종 단독으로 사용하여도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용하여도 좋다.The resin composition comprises (A) an epoxy resin. Examples of the epoxy resin include epoxy resins such as biquicylenol type epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, bisphenol AF type epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin, A naphthalene type epoxy resin, an anthracene type epoxy resin, a glycidylamine type epoxy resin, a glycidyl ether type epoxy resin, a glycidyl ether type epoxy resin, a glycidyl type epoxy resin, Alicyclic epoxy resin, cycloaliphatic epoxy resin, spiro-ring-containing epoxy resin, cyclohexane-type epoxy resin, cyclohexane-type epoxy resin, Epoxy resin, cyclohexanedimethanol type epoxy resin, naphthylene ether type epoxy resin, Trimethylol-type epoxy resins, and tetraphenylethanepolyoxy resins. The epoxy resins may be used alone or in combination of two or more.

에폭시 수지는, 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 에폭시 수지를 포함하는 것이 바람직하다. 에폭시 수지의 불휘발 성분을 100질량%로 했을 경우에, 적어도 50질량% 이상은 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 에폭시 수지인 것이 바람직하다. 그 중에서도, 수지 조성물은 온도 20℃에서 액상인 에폭시 수지(이하, 「액상 에폭시 수지」라고 함)와, 온도 20℃에서 고체상인 에폭시 수지(이하, 「고체상 에폭시 수지」라고도 함)를 조합하여 포함하는 것이 바람직하다. 액상 에폭시 수지로서는, 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 액상 에폭시 수지가 바람직하고, 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 방향족계 액상 에폭시 수지가 보다 바람직하다. 고체상 에폭시 수지로서는, 1분자 중에 3개 이상의 에폭시기를 갖는 고체상 에폭시 수지가 바람직하고, 1분자 중에 3개 이상의 에폭시기를 갖는 방향족계 고체상 에폭시 수지가 보다 바람직하다. 본 발명에 있어서, 방향족계 에폭시 수지란, 이의 분자 내에 방향환을 갖는 에폭시 수지를 의미한다.The epoxy resin preferably contains an epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule. When the nonvolatile component of the epoxy resin is 100 mass%, it is preferable that at least 50 mass% or more is an epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule. Among them, the resin composition includes a combination of an epoxy resin (hereinafter referred to as a &quot; liquid epoxy resin &quot;) that is liquid at a temperature of 20 캜 and an epoxy resin that is solid at 20 캜 (hereinafter also referred to as &quot; solid epoxy resin & . As the liquid epoxy resin, a liquid epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule is preferable, and an aromatic liquid epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule is more preferable. As the solid epoxy resin, a solid epoxy resin having three or more epoxy groups in one molecule is preferable, and an aromatic solid epoxy resin having three or more epoxy groups in one molecule is more preferable. In the present invention, an aromatic epoxy resin means an epoxy resin having an aromatic ring in its molecule.

액상 에폭시 수지로서는, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 AF형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 글리시딜에스테르형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 에스테르 골격을 갖는 지환식 에폭시 수지, 사이클로헥산형 에폭시 수지, 사이클로헥산디메탄올형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 및 부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지가 바람직하고, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지 및 사이클로헥산형 에폭시 수지가 보다 바람직하고, 비스페놀 A형 에폭시 수지가 더욱 바람직하다. 액상 에폭시 수지의 구체예로서는, DIC사 제조의 「HP4032」, 「HP4032D」, 「HP4032SS」(나프탈렌형 에폭시 수지), 미쓰비시카가쿠사 제조의 「828US」, 「jER828EL」, 「825」, 「에피코트 828EL」(비스페놀 A형 에폭시 수지), 「jER807」, 「1750」(비스페놀 F형 에폭시 수지), 「jER152」(페놀노볼락형 에폭시 수지), 「630」, 「630LSD」(글리시딜아민형 에폭시 수지), 신닛데츠스미킨카가쿠사 제조의 「ZX1059」(비스페놀 A형 에폭시 수지와 비스페놀 F형 에폭시 수지의 혼합품), 나가세켐텍스사 제조의 「EX-721」(글리시딜에스테르형 에폭시 수지), 다이셀사 제조의 「셀록사이드 2021P」(에스테르 골격을 갖는 지환식 에폭시 수지), 「PB-3600」(부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지), 신닛데츠스미킨카가쿠사 제조의 「ZX1658」, 「ZX1658GS」(액상 1,4-글리시딜사이클로헥산형 에폭시 수지), 미쓰비시카가쿠사 제조의 「630LSD」(글리시딜아민형 에폭시 수지) 등을 들 수 있다. 이들은 1종 단독으로 사용하여도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용하여도 좋다.Examples of the liquid epoxy resin include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol AF type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, glycidyl ester type epoxy resin, glycidylamine type epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin , An alicyclic epoxy resin having an ester skeleton, a cyclohexane-type epoxy resin, a cyclohexane dimethanol-type epoxy resin, a glycidylamine-type epoxy resin, and an epoxy resin having a butadiene structure are preferable. Bisphenol A type epoxy resins, F type epoxy resin and cyclohexane type epoxy resin are more preferable, and a bisphenol A type epoxy resin is more preferable. Specific examples of the liquid epoxy resin include "HP4032", "HP4032D", "HP4032SS" (naphthalene type epoxy resin) manufactured by DIC, "828US", "jER828EL", "825", "Epikote 828EL (Bisphenol A type epoxy resin), "jER807", "1750" (bisphenol F type epoxy resin), "jER152" (phenol novolak type epoxy resin) "630" ZX1059 &quot; (a mixture of a bisphenol A type epoxy resin and a bisphenol F type epoxy resin) manufactured by Shinnitetsu Sumikinka Chemical Co., and EX-721 (a glycidyl ester type epoxy resin (Alicyclic epoxy resin having an ester skeleton), &quot; PB-3600 &quot; (epoxy resin having a butadiene structure), &quot; ZX1658 &quot;, &quot; ZX1658GS (Liquid 1,4-glycidyl cyclohexane type epoxy resin ), Mitsubishi car "630LSD" (glycidyl amine-type epoxy resin of the flexors, Ltd.) and the like. These may be used alone, or two or more kinds may be used in combination.

고체상 에폭시 수지로서는, 비크실레놀형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 나프탈렌형 4관능 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지, 트리스페놀형 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 나프틸렌에테르형 에폭시 수지, 안트라센형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 AF형 에폭시 수지, 테트라페닐에탄형 에폭시 수지가 바람직하고, 비크실레놀형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 비스페놀 AF형 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지 및 나프틸렌에테르형 에폭시 수지가 보다 바람직하고, 비크실레놀형 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지가 더욱 바람직하다. 고체상 에폭시 수지의 구체예로서는, DIC사 제조의 「HP4032H」(나프탈렌형 에폭시 수지), 「HP-4700」, 「HP-4710」(나프탈렌형 4관능 에폭시 수지), 「N-690」(크레졸노볼락형 에폭시 수지), 「N-695」(크레졸노볼락형 에폭시 수지), 「HP-7200」(디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지), 「HP-7200HH」, 「HP-7200H」, 「EXA-7311」, 「EXA-7311-G3」, 「EXA-7311-G4」, 「EXA-7311-G4S」, 「HP6000」(나프틸렌에테르형 에폭시 수지), 니혼카야쿠사 제조의 「EPPN-502H」(트리스페놀형 에폭시 수지), 「NC7000L」(나프톨노볼락형 에폭시 수지), 「NC3000H」, 「NC3000」, 「NC3000L」, 「NC3100」(비페닐형 에폭시 수지), 신닛데츠스미킨카가쿠사 제조의 「ESN475V」(나프탈렌형 에폭시 수지), 「ESN485」(나프톨노볼락형 에폭시 수지), 미쓰비시카가쿠사 제조의 「YX4000H」, 「YX4000」, 「YL6121」(비페닐형 에폭시 수지), 「YX4000HK」(비크실레놀형 에폭시 수지), 「YX8800」(안트라센형 에폭시 수지), 오사카가스케미컬사 제조의 「PG-100」, 「CG-500」, 미쓰비시카가쿠사 제조의 「YL7760」(비스페놀 AF형 에폭시 수지), 「YL7800」(플루오렌형 에폭시 수지), 미쓰비시카가쿠사 제조의 「jER1010」(고체상 비스페놀 A형 에폭시 수지), 「jER1031S」(테트라페닐에탄형 에폭시 수지) 등을 들 수 있다. 이들은 1종 단독으로 사용하여도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용하여도 좋다.Examples of the solid epoxy resin include epoxy resins such as bicalcylenol type epoxy resins, naphthalene type epoxy resins, naphthalene type tetrafunctional epoxy resins, cresol novolak type epoxy resins, dicyclopentadiene type epoxy resins, trisphenol type epoxy resins, naphthol type epoxy resins, Epoxy resins such as phenylene type epoxy resin, naphthylene ether type epoxy resin, anthracene type epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol AF type epoxy resin and tetraphenyl ethane type epoxy resin are preferable, and biscylenol type epoxy resin, More preferably a bisphenol AF type epoxy resin, a naphthol type epoxy resin, a biphenyl type epoxy resin and a naphthylene ether type epoxy resin, and more preferably a biquilene type epoxy resin, a naphthol type epoxy resin and a biphenyl type epoxy resin. Specific examples of the solid epoxy resin include HP4032H (naphthalene type epoxy resin), HP-4700, HP-4710 (naphthalene type tetrafunctional epoxy resin), N-690 HP-7200H "," HP-7200H "," EXA-7311 "(dicyclopentadiene type epoxy resin)," N-695 "(cresol novolak type epoxy resin) EXA-7311-G4 "," EXA-7311-G4S "," HP6000 "(naphthylene ether type epoxy resin)" EPPN-502H "(manufactured by Nippon Kayaku Co., Quot; NC3000L &quot;, &quot; NC3100L &quot;, &quot; NC3100 &quot; (biphenyl type epoxy resin), &quot; NC7000L &quot; (naphthol novolak type epoxy resin) ESN475V "(naphthalene type epoxy resin)," ESN485 "(naphthol novolak type epoxy resin)," YX4000H "," YX4000 ", and" YL6121 "manufactured by Mitsubishi Kagaku ), "YX4000HK" (biquileneol type epoxy resin), "YX8800" (anthracene type epoxy resin), "PG-100", "CG-500" manufactured by Osaka Gas Chemical Co., Ltd., "YL7760" manufactured by Mitsubishi Kagaku Co., Quot; jER1010 &quot; (solid bisphenol A type epoxy resin) and &quot; jER1031S &quot; (tetraphenyl ethane type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Kagaku Co., have. These may be used alone, or two or more kinds may be used in combination.

(A) 성분으로서, 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지를 병용할 경우, 이들의 양비(액상 에폭시 수지:고체상 에폭시 수지)는 질량비로, 1:0.1 내지 1:20의 범위가 바람직하다. 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지의 양비를 이러한 범위로 함으로써, i) 수지 시트의 형태로 사용할 경우에 적당한 점착성이 초래되고, ii) 수지 시트의 형태로 사용할 경우에 충분한 가요성을 얻을 수 있어, 취급성이 향상되고, 그리고 iii) 충분한 파단 강도를 갖는 경화물을 수득할 수 있는 등의 효과를 얻을 수 있다. 상기 i) 내지 iii)의 효과의 관점에서, 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지의 양비(액상 에폭시 수지:고체상 에폭시 수지)는 질량비로, 1:0.3 내지 1:10의 범위가 보다 바람직하고, 1:0.5 내지 1:1.5의 범위가 더욱 바람직하다.When the liquid epoxy resin and the solid epoxy resin are used in combination as the component (A), their ratio (liquid epoxy resin: solid epoxy resin) is preferably in the range of 1: 0.1 to 1:20 in terms of the mass ratio. By setting the proportions of the liquid epoxy resin and the solid epoxy resin within this range, it is possible to obtain appropriate flexibility when i) the resin is used in the form of a resin sheet, and ii) when it is used in the form of a resin sheet, And (iii) a cured product having sufficient breaking strength can be obtained. From the viewpoint of the effects of i) to iii), the ratio of the liquid epoxy resin to the solid epoxy resin (liquid epoxy resin: solid epoxy resin) in the mass ratio is more preferably in the range of 1: 0.3 to 1:10, 0.5 to 1: 1.5 is more preferable.

수지 조성물 중의 (A) 성분의 함유량은 양호한 기계 강도, 절연 신뢰성을 나타내는 절연층을 수득하는 관점에서, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 했을 경우, 바람직하게는 15질량% 이상, 보다 바람직하게는 20질량% 이상, 더욱 바람직하게는 25질량% 이상이다. 에폭시 수지의 함유량의 상한은 본 발명의 효과가 나타나는 한 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 60질량% 이하, 보다 바람직하게는 45질량% 이하, 40질량% 이하, 또는 35질량% 이하이다.The content of the component (A) in the resin composition is preferably 15% by mass or more, more preferably 15% by mass or more, more preferably 15% by mass or more when the nonvolatile component in the resin composition is 100% by mass from the viewpoint of obtaining an insulating layer showing good mechanical strength and insulation reliability By mass or more, and more preferably 25% by mass or more. The upper limit of the content of the epoxy resin is not particularly limited as long as the effects of the present invention are exhibited, but is preferably 60 mass% or less, more preferably 45 mass% or less, 40 mass% or less, or 35 mass% or less.

(A) 성분의 에폭시 당량은, 바람직하게는 50 내지 5000, 보다 바람직하게는 50 내지 3000, 더욱 바람직하게는 80 내지 2000, 보다 더 바람직하게는 110 내지 1000이다. 이러한 범위가 됨으로써 경화물의 가교 밀도가 충분해져 표면 거칠기가 작은 절연층을 초래할 수 있다. 또한, 에폭시 당량은 JIS K7236에 따라 측정할 수 있으며, 1당량의 에폭시기를 포함하는 수지의 질량이다.The epoxy equivalent of the component (A) is preferably 50 to 5000, more preferably 50 to 3000, still more preferably 80 to 2000, still more preferably 110 to 1000. By such a range, the cross-linking density of the cured product becomes sufficient, resulting in an insulating layer having a small surface roughness. The epoxy equivalent can be measured in accordance with JIS K7236, and is the mass of the resin containing one equivalent of an epoxy group.

(A) 성분의 중량 평균 분자량은, 바람직하게는 100 내지 5000, 보다 바람직하게는 250 내지 3000, 더욱 바람직하게는 400 내지 1500이다. 여기서, 에폭시 수지의 중량 평균 분자량은 겔 투과 크로마토그래피(GPC)법에 의해 측정되는 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량이다.The weight average molecular weight of the component (A) is preferably 100 to 5000, more preferably 250 to 3000, and still more preferably 400 to 1500. Here, the weight average molecular weight of the epoxy resin is the weight average molecular weight in terms of polystyrene measured by a gel permeation chromatography (GPC) method.

<(B) 활성 에스테르계 경화제><(B) Active ester-based curing agent>

수지 조성물은 (B) 활성 에스테르계 경화제를 포함한다. 활성 에스테르계 경화제는, 1분자 중에 활성 에스테르기를 1개 이상 갖는 활성 에스테르 화합물이다. 활성 에스테르계 경화제로서는, 1분자 중에 활성 에스테르기를 2개 이상 갖는 활성 에스테르계 경화제가 바람직하고, 예를 들면, 페놀에스테르류, 티오페놀에스테르류, N-하이드록시아민에스테르류, 복소환 하이드록시 화합물의 에스테르류 등의 반응 활성이 높은 에스테르기를 1분자 중에 2개 이상 갖는 활성 에스테르계 경화제가 바람직하게 사용된다. 활성 에스테르계 경화제는 1종 단독으로 사용하여도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용하여도 좋다.The resin composition includes (B) an active ester-based curing agent. The active ester-based curing agent is an active ester compound having at least one active ester group in one molecule. As the active ester-based curing agent, an active ester-based curing agent having two or more active ester groups per molecule is preferable, and examples thereof include phenol esters, thiophenol esters, N-hydroxyamine esters, heterocyclic hydroxy compounds Of an ester group-containing curing agent having two or more ester groups having a high reaction activity such as esters. The active ester type curing agents may be used singly or in combination of two or more kinds.

내열성 향상의 관점에서, 카복실산 화합물 및/또는 티오카복실산 화합물과, 하이드록시 화합물 및/또는 티올 화합물과의 축합 반응에 의해 수득되는 활성 에스테르계 경화제가 바람직하다. 그 중에서도, 카복실산 화합물과, 페놀 화합물, 나프톨 화합물 및 티올 화합물로부터 선택되는 1종 이상을 반응시켜 수득되는 활성 에스테르계 경화제가 보다 바람직하고, 카복실산 화합물과, 페놀성 수산기를 갖는 방향족 화합물을 반응시켜 수득되는, 1분자 중에 2개 이상의 활성 에스테르기를 갖는 방향족 화합물이 더욱 바람직하고, 적어도 2개 이상의 카르복시기를 1분자 중에 갖는 카복실산 화합물과, 페놀성 수산기를 갖는 방향족 화합물을 반응시켜 수득되는 방향족 화합물로서, 1분자 중에 2개 이상의 활성 에스테르기를 갖는 방향족 화합물이 보다 더 바람직하다. 활성 에스테르계 경화제는 직쇄상이라도 좋고, 분기 상이라도 좋다. 또한, 적어도 2개 이상의 카르복시기를 1분자 중에 갖는 카복실산 화합물이 지방족쇄를 포함하는 화합물이면 수지 조성물과의 상용성을 높게 할 수 있고, 방향환을 갖는 화합물이면 내열성을 높게 할 수 있다.From the viewpoint of improving heat resistance, an active ester-based curing agent obtained by condensation reaction of a carboxylic acid compound and / or a thiocarboxylic acid compound with a hydroxy compound and / or a thiol compound is preferable. Among them, an active ester curing agent obtained by reacting a carboxylic acid compound with at least one selected from a phenol compound, a naphthol compound and a thiol compound is more preferable, and a carboxylic acid compound is reacted with an aromatic compound having a phenolic hydroxyl group to obtain More preferably an aromatic compound having at least two active ester groups in a molecule and an aromatic compound obtained by reacting a carboxylic acid compound having at least two or more carboxyl groups in one molecule with an aromatic compound having a phenolic hydroxyl group, Even more preferred are aromatic compounds having at least two active ester groups in the molecule. The active ester-based curing agent may be in a linear form or in a branched form. In addition, if the carboxylic acid compound having at least two or more carboxyl groups in one molecule contains a fat chain, compatibility with the resin composition can be enhanced, and heat resistance can be enhanced if the compound has an aromatic ring.

카복실산 화합물로서는, 예를 들면, 탄소 원자수 1 내지 20의 지방족 카복실산, 탄소 원자수 7 내지 20의 방향족 카복실산을 들 수 있다. 지방족 카복실산으로서는 탄소 원자수 1 내지 20이 바람직하고, 탄소 원자수 2 내지 10이 보다 바람직하고, 탄소 원자수 2 내지 8이 더욱 바람직하고, 구체적으로는, 아세트산, 말론산, 석신산, 말레산, 이타콘산 등을 들 수 있다. 방향족 카복실산으로서는 탄소 원자수 1 내지 20이 바람직하고, 탄소 원자수 7 내지 10이 보다 바람직하고, 구체적으로는, 벤조산, 프탈산, 이소프탈산, 테레프탈산, 피로멜리트산 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 내열성의 관점에서, 석신산, 말레산, 이타콘산, 프탈산, 이소프탈산, 테레프탈산이 바람직하고, 이소프탈산, 테레프탈산이 보다 바람직하다.Examples of the carboxylic acid compound include an aliphatic carboxylic acid having 1 to 20 carbon atoms and an aromatic carboxylic acid having 7 to 20 carbon atoms. The aliphatic carboxylic acid preferably has 1 to 20 carbon atoms, more preferably 2 to 10 carbon atoms, and even more preferably 2 to 8 carbon atoms. Specific examples thereof include acetic acid, malonic acid, succinic acid, Itaconic acid and the like. The aromatic carboxylic acid preferably has 1 to 20 carbon atoms, more preferably 7 to 10 carbon atoms, and specifically includes benzoic acid, phthalic acid, isophthalic acid, terephthalic acid, and pyromellitic acid. Among them, succinic acid, maleic acid, itaconic acid, phthalic acid, isophthalic acid and terephthalic acid are preferable from the viewpoint of heat resistance, and isophthalic acid and terephthalic acid are more preferable.

티오카복실산 화합물로서는 특별히 제한은 없지만, 예를 들면, 티오아세트산, 티오벤조산 등을 들 수 있다.The thiocarboxylic acid compound is not particularly limited, and examples thereof include thioacetic acid and thiobenzoic acid.

페놀 화합물로서는, 예를 들면, 탄소 원자수 6 내지 40이 바람직하고, 탄소 원자수 6 내지 30이 보다 바람직하고, 탄소 원자수 6 내지 23이 더욱 바람직하고, 탄소 원자수 6 내지 22가 보다 더 바람직하다. 페놀 화합물의 적합한 구체예로서는, 하이드로퀴논, 레조르신, 비스페놀 A, 비스페놀 F, 비스페놀 S, 페놀프탈린, 메틸화 비스페놀 A, 메틸화 비스페놀 F, 메틸화 비스페놀 S, 페놀, o-크레졸, m-크레졸, p-크레졸, 카테콜, 디하이드록시벤조페논, 트리하이드록시벤조페논, 테트라하이드록시벤조페논, 플로로글루신, 벤젠트리올, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 등을 들 수 있다. 페놀 화합물로서는 또한, 페놀노볼락, 일본 공개특허공보 특개2013-40270호에 기재된 페놀성 수산기를 갖는 인 원자 함유 올리고머를 사용하여도 좋다.The phenol compound preferably has 6 to 40 carbon atoms, more preferably 6 to 30 carbon atoms, more preferably 6 to 23 carbon atoms, and more preferably 6 to 22 carbon atoms Do. Suitable specific examples of the phenol compound include hydroquinone, resorcin, bisphenol A, bisphenol F, bisphenol S, phenol phthaline, methylated bisphenol A, methylated bisphenol F, methylated bisphenol S, phenol, o- Cresol, catechol, dihydroxybenzophenone, trihydroxybenzophenone, tetrahydroxybenzophenone, fluoroglucine, benzene triol, dicyclopentadiene type diphenol, and the like. As the phenol compound, a phenol novolak, a phosphorus atom-containing oligomer having a phenolic hydroxyl group described in JP-A-2013-40270 may be used.

나프톨 화합물로서는, 예를 들면, 탄소 원자수 10 내지 40이 바람직하고, 탄소 원자수 10 내지 30이 보다 바람직하고, 탄소 원자수 10 내지 20이 더욱 바람직하다. 나프톨 화합물의 적합한 구체예로서는, α-나프톨, β-나프톨, 1,5-디하이드록시나프탈렌, 1,6-디하이드록시나프탈렌, 2,6-디하이드록시나프탈렌 등을 들 수 있다. 나프톨 화합물로서는 또한, 나프톨노볼락을 사용하여도 좋다.The naphthol compound preferably has 10 to 40 carbon atoms, more preferably 10 to 30 carbon atoms, and more preferably 10 to 20 carbon atoms. Suitable specific examples of the naphthol compound include? -Naphthol,? -Naphthol, 1,5-dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene and 2,6-dihydroxynaphthalene. As the naphthol compound, naphthol novolak may also be used.

그 중에서도, 비스페놀 A, 비스페놀 F, 비스페놀 S, 메틸화 비스페놀 A, 메틸화 비스페놀 F, 메틸화 비스페놀 S, 카테콜, α-나프톨, β-나프톨, 1,5-디하이드록시나프탈렌, 1,6-디하이드록시나프탈렌, 2,6-디하이드록시나프탈렌, 디하이드록시벤조페논, 트리하이드록시벤조페논, 테트라하이드록시벤조페논, 플로로글루신, 벤젠트리올, 디사이클로펜타디엔형 디페놀, 페놀노볼락, 페놀성 수산기를 갖는 인 원자 함유 올리고머가 바람직하고, 카테콜, 1,5-디하이드록시나프탈렌, 1,6-디하이드록시나프탈렌, 2,6-디하이드록시나프탈렌, 디하이드록시벤조페논, 트리하이드록시벤조페논, 테트라하이드록시벤조페논, 플로로글루신, 벤젠트리올, 디사이클로펜타디엔형 디페놀, 페놀노볼락, 페놀성 수산기를 갖는 인 원자 함유 올리고머가 보다 바람직하고, 1,5-디하이드록시나프탈렌, 1,6-디하이드록시나프탈렌, 2,6-디하이드록시나프탈렌, 디하이드록시벤조페논, 트리하이드록시벤조페논, 테트라하이드록시벤조페논, 디사이클로펜타디엔형 디페놀, 페놀노볼락, 페놀성 수산기를 갖는 인 원자 함유 올리고머가 더욱 바람직하고, 1,5-디하이드록시나프탈렌, 1,6-디하이드록시나프탈렌, 2,6-디하이드록시나프탈렌, 디사이클로펜타디엔형 디페놀, 페놀노볼락, 페놀성 수산기를 갖는 인 원자 함유 올리고머가 보다 더 바람직하고, 1,5-디하이드록시나프탈렌, 1,6-디하이드록시나프탈렌, 2,6-디하이드록시나프탈렌, 디사이클로펜타디엔형 디페놀, 페놀성 수산기를 갖는 인 원자 함유 올리고머가 특히 바람직하고, 디사이클로펜타디엔형 디페놀이 특히 바람직하다.Among them, bisphenol A, bisphenol F, bisphenol S, methylated bisphenol A, methylated bisphenol F, methylated bisphenol S, catechol, alpha -naphthol, beta -naphthol, 1,5- dihydroxynaphthalene, Dihydroxynaphthalene, dihydroxybenzophenone, trihydroxybenzophenone, tetrahydroxybenzophenone, fluoroglucine, benzene triol, dicyclopentadiene type diphenol, phenol novolac, And phosphorus atom-containing oligomers having a phenolic hydroxyl group are preferable, and catechol, 1,5-dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene, 2,6-dihydroxynaphthalene, dihydroxybenzophenone, Containing oligomers having a phenolic hydroxyl group are more preferable, and 1,5-dihydroxybenzophenone, tetrahydroxybenzophenone, fluoroglucine, benzenetriol, dicyclopentadiene-type diphenol, phenol novolac, - dihydroxyl Dihydroxynaphthalene, dihydroxybenzophenone, trihydroxybenzophenone, tetrahydroxybenzophenone, dicyclopentadiene type diphenol, phenol novolac, phenol novolac, And phosphorus atom-containing oligomers having a phenolic hydroxyl group are more preferable, and 1,5-dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene, 2,6-dihydroxynaphthalene, dicyclopentadiene- Phenol novolac and phosphorus atom-containing oligomers having a phenolic hydroxyl group are more preferable, and 1,5-dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene, 2,6-dihydroxynaphthalene, dicyclopentadiene Type diphenol, phosphorus atom-containing oligomers having a phenolic hydroxyl group are particularly preferable, and dicyclopentadiene type diphenyl is particularly preferable.

티올 화합물로서는 특별히 제한은 없지만, 예를 들면, 벤젠디티올, 트리아진디티올 등을 들 수 있다.The thiol compound is not particularly limited, and examples thereof include benzene dithiol, triazinedithiol and the like.

활성 에스테르계 경화제의 적합한 구체예로서는, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조를 포함하는 활성 에스테르계 경화제, 나프탈렌 구조를 포함하는 활성 에스테르계 경화제, 페놀노볼락의 아세틸화물을 포함하는 활성 에스테르계 경화제, 페놀노볼락의 벤조일화물을 포함하는 활성 에스테르계 경화제, 방향족 카복실산과 페놀성 수산기를 갖는 인 원자 함유 올리고머를 반응시켜 수득되는 활성 에스테르계 경화제 등을 들 수 있고, 그 중에서도 디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조를 포함하는 활성 에스테르계 경화제, 나프탈렌 구조를 포함하는 활성 에스테르계 경화제, 방향족 카복실산과 페놀성 수산기를 갖는 인 원자 함유 올리고머를 반응시켜 수득되는 활성 에스테르계 경화제가 보다 바람직하다. 또한, 본 발명에 있어서, 「디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조」란, 페닐렌-디사이클로펜틸렌-페닐렌으로 이루어지는 2가의 구조 단위를 나타낸다.Suitable specific examples of the active ester type curing agent include active ester type curing agents containing a dicyclopentadiene type diphenol structure, active ester type curing agents containing a naphthalene structure, active ester type curing agents containing an acetylated phenol novolac, An active ester type curing agent containing a benzoyl compound of novolac, and an active ester type curing agent obtained by reacting an aromatic carboxylic acid with a phosphorus atom containing oligomer having a phenolic hydroxyl group. Of these, a dicyclopentadiene type diphenol structure An active ester-based curing agent containing a naphthalene structure, and an active ester-based curing agent obtained by reacting an aromatic carboxylic acid with a phosphorus atom-containing oligomer having a phenolic hydroxyl group are more preferable. Further, in the present invention, the "dicyclopentadiene-type diphenol structure" refers to a divalent structural unit comprising phenylene-dicyclopentylene-phenylene.

활성 에스테르계 경화제로서는, 일본 공개특허공보 특개2004-277460호, 일본 공개특허공보 특개2013-40270호에 개시되어 있는 활성 에스테르계 경화제를 사용하여도 좋고, 또한 시판의 활성 에스테르계 경화제를 사용할 수도 있다. 활성 에스테르계 경화제의 시판품으로서는, 예를 들면, DIC사 제조의 「EXB9451」, 「EXB9460」, 「EXB9460S」, 「HPC-8000-65T」, 「HPC-8000L-65M」(디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조를 포함하는 활성 에스테르계 경화제), DIC사 제조의 「EXB9416-70BK」(나프탈렌 구조를 포함하는 활성 에스테르계 경화제), 미쓰비시카가쿠사 제조의 「DC808」(페놀노볼락의 아세틸화물을 포함하는 활성 에스테르계 경화제), 미쓰비시카가쿠사 제조의 「YLH1026」(페놀노볼락의 벤조일화물을 포함하는 활성 에스테르계 경화제), DIC사 제조의 「EXB9050L-62M」(인 원자 함유 활성 에스테르계 경화제)을 들 수 있다.As the active ester-based curing agent, the active ester-based curing agents disclosed in JP-A-2004-277460 and JP-A-2013-40270 may be used, or a commercially available active ester-based curing agent may be used . EXB9451 "," EXB9460 "," EXB9460S "," HPC-8000-65T "," HPC-8000L-65M "(dicyclopentadiene type di Quot; EXB9416-70BK &quot; (active ester type curing agent containing a naphthalene structure) manufactured by DIC Corporation, &quot; DC808 &quot; (including acetylated phenol novolak manufactured by Mitsubishi Kagaku Co., EXB9050L-62M &quot; (phosphorus atom-containing active ester-based curing agent) manufactured by DIC Co., Ltd.) as the curing accelerator for active ester based curing agent, YLH1026 (active ester curing agent containing phenol novolak benzoylate) manufactured by Mitsubishi Kagaku Co., .

활성 에스테르계 경화제의 함유량은 선열팽창 계수를 낮게 하고, 필 강도를 높게 하는 관점에서, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 했을 경우, 1질량% 이상이 바람직하고, 5질량% 이상이 보다 바람직하고, 10질량% 이상이 더욱 바람직하다. 활성 에스테르계 경화제의 함유량의 상한은 특별히 한정되지 않지만, 25질량% 이하가 바람직하고, 20질량% 이하가 보다 바람직하고, 15질량% 이하가 더욱 바람직하다.The content of the active ester-based curing agent is preferably 1% by mass or more, more preferably 5% by mass or more when the nonvolatile component in the resin composition is 100% by mass from the viewpoint of lowering the linear thermal expansion coefficient and increasing the peel strength And more preferably 10% by mass or more. The upper limit of the content of the active ester-based curing agent is not particularly limited, but is preferably 25 mass% or less, more preferably 20 mass% or less, still more preferably 15 mass% or less.

또한, (A) 에폭시 수지의 에폭시기 수를 1로 한 경우, 기계 강도가 양호한 절연층을 수득하는 관점에서, (B) 활성 에스테르계 경화제의 반응기 수는 0.1 내지 10이 바람직하고, 0.1 내지 5가 보다 바람직하고, 0.1 내지 1이 더욱 바람직하다. 여기서, 「에폭시 수지의 에폭시기 수」란, 수지 조성물 중에 존재하는 각 에폭시 수지의 고형분 질량을 에폭시 당량으로 나눈 값을 모든 에폭시 수지에 대하여 합계한 값이다. 또한, 「반응기」란 에폭시기와 반응할 수 있는 관능기를 의미하고, 「활성 에스테르계 경화제의 반응기 수」란, 수지 조성물 중에 존재하는 활성 에스테르계 경화제의 고형분 질량을 반응기 당량으로 나눈 값을 모두 합계한 값이다.When the number of epoxy groups in the epoxy resin (A) is 1, the number of reactors of the active ester curing agent (B) is preferably 0.1 to 10, more preferably 0.1 to 5, in view of obtaining an insulating layer having a good mechanical strength More preferably from 0.1 to 1, and still more preferably from 0.1 to 1. Here, the "number of epoxy groups of the epoxy resin" is a value obtained by dividing the value obtained by dividing the solid content of each epoxy resin present in the resin composition by the epoxy equivalent, for all the epoxy resins. The term &quot; reactor &quot; means a functional group capable of reacting with an epoxy group. The term &quot; reactor number of active ester-based curing agent &quot; means the sum of values obtained by dividing the solid content of active ester- Value.

<(C) 다환식 방향족 탄화수소 골격을 갖는 폴리이미드 수지>&Lt; Polyimide resin having polycyclic aromatic hydrocarbon skeleton (C) >

수지 조성물은 (C) 다환식 방향족 탄화수소 골격을 갖는 폴리이미드 수지를 포함한다. 강직한 골격인 다환식 방향족 탄화수소 골격을 가짐으로써 평균 입자 직경이 작거나 비표면적이 큰 무기 충전재를 사용하여도 10점 평균 거칠기(Rz) 및 선열팽창 계수가 낮고, 필 강도가 높은 경화물을 수득할 수 있다. 상기한 바와 같이, 페녹시 수지나 지방족 등을 포함하는 열가소성 수지는 극성이 높기 때문에 디스미어 내성이 떨어지고, 그 결과 10점 평균 거칠기(Rz)가 높아지는 경우가 있다. (C) 성분은, 강직한 이미드 수지에 더하여 강직하고 소수성이 우수한 골격인 다환식 방향족 탄화수소 골격을 갖는다. 이러한 (C) 성분을 함유하는 수지 조성물의 경화물은 페녹시 수지 등의 열가소성 수지를 함유하는 경우보다도 극성이 낮아지고, 그 결과 조화 처리 후의 조도를 낮게 할 수 있으므로 10점 평균 거칠기(Rz)를 낮게 할 수 있다. 또한, (C) 성분은, 강직한 골격을 갖기 때문에 수지의 파괴가 생기기 어렵고, 그러므로, 필 강도가 높아진다. 또한, (C) 성분은, 강직한 골격을 갖기 때문에 팽창하기 어려우므로, 선열팽창 계수가 낮아진다고 생각된다.The resin composition comprises (C) a polyimide resin having a polycyclic aromatic hydrocarbon skeleton. By using an inorganic filler having a small average particle diameter or a large specific surface area by having a rigid skeleton, a polycyclic aromatic hydrocarbon skeleton, a 10-point mean roughness (Rz) and a low coefficient of linear thermal expansion are obtained, can do. As described above, the thermoplastic resin containing phenoxy resin, aliphatic or the like has a high polarity, and therefore the resistance to demerit is low, and as a result, the 10-point average roughness (Rz) may be increased. The component (C) has a rigid imide resin and a polycyclic aromatic hydrocarbon skeleton which is rigid and has a good hydrophobic structure. The cured product of the resin composition containing the component (C) has a lower polarity than that of a thermoplastic resin such as a phenoxy resin, and as a result, the roughness after the roughening treatment can be lowered so that the 10-point average roughness (Rz) Can be lowered. Further, since the component (C) has a rigid skeleton, the resin is hardly broken, and therefore, the peel strength is increased. Further, since the component (C) has a rigid skeleton and is therefore difficult to expand, it is considered that the coefficient of linear thermal expansion is lowered.

다환식 방향족 탄화수소란, 1개의 분자 중에 2개 이상의 환상 구조를 포함하고, 상기 환상 구조 중 적어도 1개는 방향환인 탄화수소를 말하고, 2개 이상의 환상 구조는 축합되어 있어도 좋고, 축합되어 있지 않아도 좋다.The polycyclic aromatic hydrocarbon refers to a hydrocarbon having two or more cyclic structures in one molecule and at least one of the cyclic structures is an aromatic ring, and two or more cyclic structures may be condensed or not condensed.

다환식 방향족 탄화수소 골격은 치환기를 갖고 있지 않아도 좋고, 치환기를 갖고 있어도 좋다. 치환기로서는 특별히 제한은 없고, 예를 들면, 할로겐 원자, -OH, -O-C1-6알킬기, -N(C1-6알킬기)2, C1-6알킬기, C6-10아릴기, -NH2, -CN, -C(O)O-C1-6알킬기, -COOH, -C(O)H, -NO2 등을 들 수 있고, C1-6알킬기가 바람직하고, 메틸기가 보다 바람직하다. 치환기는 1종만 갖고 있어도 좋고, 복수 갖고 있어도 좋다.The polycyclic aromatic hydrocarbon skeleton may have no substituent or may have a substituent. Substituent is not particularly limited, for example, a halogen atom, -OH, -OC 1-6 alkyl, -N (C 1-6 alkyl) 2, C 1-6 alkyl, C 6-10 aryl groups, -NH 2 , -CN, -C (O) OC 1-6 alkyl group, -COOH, -C (O) H, -NO 2 , and the like, and more preferably a C 1-6 alkyl group. The substituent may be either one kind or a plurality of substituents.

여기서, 「Cp-q」(p 및 q는 정의 정수이고, p<q를 만족시킴)라는 용어는 이 용어의 직후에 기재된 유기 기의 탄소 원자수가 p 내지 q인 것을 나타낸다. 예를 들면, 「C1 - 6알킬기」라는 표현은 탄소 원자수 1 내지 6의 알킬기를 나타낸다.Here, the term "C p-q " (p and q are positive integers, and p <q is satisfied) indicates that the number of carbon atoms of the organic group described immediately after this term is p to q. For example, "C 1 - 6 alkyl group" term represents an alkyl group of 1 to 6 carbon atoms.

다환식 방향족 탄화수소 골격으로서는, 예를 들면, 1,1,3-트리메틸인단 골격 등을 포함시킨 인단 골격, 및 플루오렌 골격 등의 5원환 화합물과 방향환이 축합된 방향족 탄화수소 골격; 나프탈렌 골격, 및 안트라센 골격 등의 방향족이 축합된 방향족 탄화수소 골격; 비페닐 골격 등 2개 이상의 방향족이 축합되지 않고 갖는 방향족 탄화수소 골격(비축합형 방향족 탄화수소 골격) 등을 들 수 있고, 10점 평균 거칠기(Rz)를 보다 낮게 하는 관점에서, 5원환 화합물과 방향환이 축합된 방향족 탄화수소 골격이 바람직하다. 그 중에서도, 수지 조성물의 경화물의 선열팽창 계수를 낮게 하고, 유리 전이 온도 및 필 강도를 높게 하는 관점에서, 다환식 방향족 탄화수소 골격은 인단 골격 및 플루오렌 골격 중 적어도 어느 하나인 것이 바람직하다.Examples of the polycyclic aromatic hydrocarbon skeleton include an aromatic hydrocarbon skeleton condensed with an aromatic ring and a 5-membered ring compound such as an indane skeleton including a 1,1,3-trimethylindane skeleton and a fluorene skeleton; An aromatic hydrocarbon skeleton condensed with an aromatic group such as a naphthalene skeleton and an anthracene skeleton; And an aromatic hydrocarbon skeleton (non-condensed aromatic hydrocarbon skeleton) in which two or more aromatic groups such as a biphenyl skeleton are not condensed. From the viewpoint of lowering the 10-point average roughness (Rz), the 5-membered ring compound and the aromatic ring are condensed Aromatic hydrocarbon skeleton is preferred. Among them, the polycyclic aromatic hydrocarbon skeleton is preferably at least one of an indane skeleton and a fluorene skeleton from the viewpoint of lowering the linear thermal expansion coefficient of the cured product of the resin composition and increasing the glass transition temperature and the fill strength.

(C) 성분으로서는, 다환식 방향족 탄화수소 골격을 갖는 이미드 수지이면 특별히 한정되지 않지만, 수지 조성물의 경화물의 선열팽창 계수를 낮게 하고, 유리 전이 온도 및 필 강도를 높게 하는 관점에서, 환상 이미드 구조를 갖는 폴리이미드 수지인 것이 바람직하다.(C) is not particularly limited as long as it is an imide resin having a polycyclic aromatic hydrocarbon skeleton. From the viewpoint of lowering the coefficient of linear thermal expansion of the cured product of the resin composition and increasing the glass transition temperature and the peel strength, the cyclic imide structure Is preferably a polyimide resin.

환상 이미드 구조로서는, 예를 들면, 프탈이미드, 석신이미드, 글루탈이미드, 3-메틸글루탈이미드, 말레이미드, 디메틸말레이미드, 트리멜리트이미드, 피로멜리트이미드, 바람직하게는 프탈이미드, 석신이미드를 들 수 있고, 그 중에서도 방향족 이미드 구조를 갖는 폴리이미드 수지가 바람직하고, 프탈이미드가 보다 바람직하다.Examples of the cyclic imide structure include phthalimide, succinimide, glutarimide, 3-methylglutarimide, maleimide, dimethylmaleimide, trimellitimide, pyromellitimide, May be phthalimide or succinimide. Among them, a polyimide resin having an aromatic imide structure is preferable, and phthalimide is more preferable.

(C) 성분은 수지 조성물의 경화물의 선열팽창 계수를 낮게 하고, 유리 전이 온도 및 필 강도를 높게 하는 관점에서, 다환식 방향족 탄화수소 골격을 갖는 반복 단위와, 이미드 구조를 갖는 반복 단위를 갖는 것이 바람직하다.From the viewpoint of lowering the coefficient of linear thermal expansion of the cured product of the resin composition and increasing the glass transition temperature and the peel strength, the component (C) has a repeating unit having a polycyclic aromatic hydrocarbon skeleton and a repeating unit having an imide structure desirable.

다환식 방향족 탄화수소 골격을 갖는 반복 단위로서는, 예를 들면, 하기 화학식 1로 표시되는 반복 단위가 바람직하다.As the repeating unit having a polycyclic aromatic hydrocarbon skeleton, for example, a repeating unit represented by the following formula (1) is preferable.

[화학식 1][Chemical Formula 1]

Figure pat00001
Figure pat00001

(화학식 1 중, A는 다환식 방향족 탄화수소 골격을 나타내고, D는 단결합 또는 2가의 연결기를 나타냄)(Wherein A represents a polycyclic aromatic hydrocarbon skeleton and D represents a single bond or a divalent linking group)

화학식 1 중의 A는 다환식 방향족 탄화수소 골격을 나타내고, 다환식 방향족 탄화수소 골격의 상세는 상기한 바와 같다.A in the general formula (1) represents a polycyclic aromatic hydrocarbon skeleton, and details of the polycyclic aromatic hydrocarbon skeleton are as described above.

화학식 1 중의 D는 단결합 또는 2가의 연결기를 나타내고, 2가의 연결기가 바람직하다. 2가의 연결기로서는, 예를 들면, 산소 원자, 유황 원자, 알킬렌기, 아릴렌기, -NH-, -C(=O)-, -SO-, 또는 이들 중 2개 이상의 조합으로 이루어지는 기 등을 들 수 있다.D in the general formula (1) represents a single bond or a divalent linking group, and a divalent linking group is preferable. Examples of the divalent linking group include a group consisting of an oxygen atom, a sulfur atom, an alkylene group, an arylene group, -NH-, -C (= O) -, -SO-, .

알킬렌기로서는 탄소 원자수 1 내지 10의 알킬렌기가 바람직하고, 탄소 원자수 1 내지 6의 알킬렌기가 보다 바람직하고, 탄소 원자수 1 내지 3의 알킬렌기가 더욱 바람직하다. 알킬렌기는 직쇄, 분기, 환상 중 어느 것이라도 좋다. 이러한 알킬렌기로서는, 예를 들면, 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기, 부틸렌기, 펜틸렌기, 헥실렌 등을 들 수 있고, 메틸렌기가 바람직하다.The alkylene group is preferably an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, more preferably an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms, and still more preferably an alkylene group having 1 to 3 carbon atoms. The alkylene group may be linear, branched or cyclic. Examples of such an alkylene group include a methylene group, an ethylene group, a propylene group, a butylene group, a pentylene group and a hexylene group, and a methylene group is preferable.

아릴렌기로서는 탄소 원자수 6 내지 14의 아릴렌기가 바람직하고, 탄소 원자수 6 내지 10의 아릴렌기가 보다 바람직하다. 아릴렌기로서는, 예를 들면, 페닐렌기, 나프틸렌기, 안트라세닐렌기 등을 들 수 있고, 페닐렌기가 바람직하다.The arylene group is preferably an arylene group having 6 to 14 carbon atoms, and more preferably an arylene group having 6 to 10 carbon atoms. Examples of the arylene group include a phenylene group, a naphthylene group and an anthracenylene group, and a phenylene group is preferable.

알킬렌기 및 아릴렌기는 치환기를 갖고 있지 않아도 좋고, 치환기를 갖고 있어도 좋다. 치환기로서는, 다환식 방향족 탄화수소 골격이 갖고 있어도 좋은 치환기와 같다.The alkylene group and the arylene group may have no substituent or may have a substituent. The substituent is the same as the substituent which may have a polycyclic aromatic hydrocarbon skeleton.

이들 중 2개 이상의 조합으로 이루어지는 기로서는 산소 원자, 아릴렌기, 및 알킬렌기 중 2개 이상의 조합으로 이루어지는 기가 바람직하다. 이러한 기로서는, 예를 들면, 1개 이상의 아릴렌기와 1개 이상의 알킬렌기가 결합한 기(아릴렌기 및 알킬렌기의 조합으로 이루어지는 기), 1개 이상의 산소 원자와 1개 이상의 아릴렌기가 결합한 기(산소 원자 및 아릴렌기의 조합으로 이루어지는 기) 등을 들 수 있다. 1개 이상의 아릴렌기와 1개 이상의 알킬렌기가 결합한 기로서는, 예를 들면, 페닐렌-메틸렌으로 이루어지는 2가의 기, 페닐렌-디메틸메틸렌으로 이루어지는 2가의 기 등을 들 수 있다. 1개 이상의 산소 원자와 1개 이상의 아릴렌기가 결합한 기로서는, 예를 들면, 페닐렌-산소 원자-페닐렌으로 이루어지는 2가의 기, 산소 원자-페닐렌으로 이루어지는 2가의 기, 산소 원자-나프탈렌으로 이루어지는 2가의 기 등을 들 수 있다.The group formed by combining two or more of them is preferably a group formed by combining two or more of oxygen atom, arylene group, and alkylene group. Examples of such groups include groups in which at least one arylene group and at least one alkylene group are bonded (a group formed by a combination of an arylene group and an alkylene group), a group in which at least one oxygen atom is combined with at least one arylene group An oxygen atom and an arylene group), and the like. Examples of the group in which at least one arylene group and at least one alkylene group are bonded include a bivalent group comprising phenylene-methylene and a bivalent group comprising phenylene-dimethylmethylene. Examples of the group in which at least one oxygen atom and at least one arylene group are bonded include a divalent group consisting of a phenylene-oxygen atom-phenylene group, a divalent group composed of an oxygen atom-phenylene group, an oxygen atom-naphthalene group And the like.

다환식 방향족 탄화수소 골격을 갖는 반복 단위의 적합한 예로서는 이하의 것을 들 수 있다.Suitable examples of the repeating unit having a polycyclic aromatic hydrocarbon skeleton include the following.

Figure pat00002
Figure pat00002

이미드 구조를 갖는 반복 단위로서는 이미드 구조를 갖고 있으면 특별히 한정되지 않지만, 수지 조성물의 경화물의 선열팽창 계수를 낮게 하고, 유리 전이 온도 및 필 강도를 높게 하는 관점에서, 환상 이미드 구조를 갖는 반복 단위인 것이 바람직하다.The repeating unit having an imide structure is not particularly limited as long as it has an imide structure. From the viewpoint of lowering the linear thermal expansion coefficient of the cured product of the resin composition and increasing the glass transition temperature and the peel strength, the repeating unit having a cyclic imide structure Unit.

환상 이미드 구조로서는, 예를 들면, 프탈이미드, 석신이미드, 글루탈이미드, 3-메틸글루탈이미드, 말레이미드, 디메틸말레이미드, 트리멜리트이미드, 피로멜리트이미드, 바람직하게는 프탈이미드, 석신이미드를 들 수 있고, 그 중에서도 방향족 이미드 구조가 바람직하고, 프탈이미드가 보다 바람직하다. 이미드 구조를 갖는 반복 단위는 상기한 이미드 구조가 2가의 연결기와 결합한 형태라도 좋다. 2가의 연결기로서는, 화학식 1 중의 D가 나타내는 2가의 연결기와 같다.Examples of the cyclic imide structure include phthalimide, succinimide, glutarimide, 3-methylglutarimide, maleimide, dimethylmaleimide, trimellitimide, pyromellitimide, Phthalimide, and succinimide. Of these, an aromatic imide structure is preferable, and phthalimide is more preferable. The repeating unit having an imide structure may be a form in which the above-mentioned imide structure is combined with a divalent linking group. The divalent linking group is the same as the divalent linking group represented by D in formula (1).

이미드 구조를 갖는 반복 단위의 적합한 예로서는 이하의 것을 들 수 있다.Suitable examples of the repeating unit having an imide structure include the following.

Figure pat00003
Figure pat00003

다환식 방향족 탄화수소 골격을 갖는 반복 단위와, 이미드 구조를 갖는 반복 단위의 질량비(다환식 방향족 탄화수소 골격을 갖는 반복 단위의 질량/이미드 구조를 갖는 반복 단위의 질량)로서는, 바람직하게는 0.5 이상, 보다 바람직하게는 0.6 이상, 더욱 바람직하게는 0.8 이상이고, 바람직하게는 2 이하, 보다 바람직하게는 1.8 이하, 더욱 바람직하게는 1.5 이하이다. 상기 질량비를 이러한 범위 내로 함으로써, 수지 조성물의 경화물의 선열팽창 계수를 낮게 하고, 유리 전이 온도 및 필 강도를 높게 하는 것이 가능해진다.The mass ratio (mass of the repeating unit having a polycyclic aromatic hydrocarbon skeleton / mass of the repeating unit having an imide structure) of the repeating unit having a polycyclic aromatic hydrocarbon skeleton and the repeating unit having an imide structure is preferably 0.5 or more More preferably not less than 0.6, further preferably not less than 0.8, preferably not more than 2, more preferably not more than 1.8, further preferably not more than 1.5. By making the mass ratio fall within this range, it becomes possible to lower the coefficient of linear thermal expansion of the cured product of the resin composition and to increase the glass transition temperature and the peel strength.

(C) 성분의 제조 방법은 특별히 한정되지 않고, 다양한 방법에 따라 제조할 수 있다. 적합한 일 실시형태로서, 이미드 구조를 갖는 반복 단위가 되는 단량체와, 다환식 방향족 탄화수소 골격을 갖는 반복 단위가 되는 단량체를 사용하여 중합을 행함으로써 얻을 수 있다. 중합을 행할 때, 필요에 따라 중합 개시제 등을 사용하여도 좋다.The method for producing the component (C) is not particularly limited, and can be produced by various methods. As a suitable embodiment, polymerization can be carried out by using a monomer as a repeating unit having an imide structure and a monomer as a repeating unit having a polycyclic aromatic hydrocarbon skeleton. When polymerization is carried out, a polymerization initiator or the like may be used if necessary.

(C) 성분의 중량 평균 분자량은 10점 평균 거칠기(Rz) 및 선열팽창 계수가 낮고, 필 강도가 높은 경화물을 수득하는 관점에서, 바람직하게는 5000 이상, 보다 바람직하게는 10000 이상, 더욱 바람직하게는 11000 이상이고, 바람직하게는 100000 이하, 보다 바람직하게는 50000 이하, 더욱 바람직하게는 30000 이하이다. 여기서, (C) 성분의 중량 평균 분자량은 겔 투과 크로마토그래피(GPC)법에 의해 측정되는 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량이다.The weight average molecular weight of the component (C) is preferably 5000 or more, more preferably 10000 or more, still more preferably 100 or more, from the viewpoint of obtaining a cured product having a 10-point average roughness (Rz) and a low coefficient of linear thermal expansion Is preferably 11000 or more, preferably 100000 or less, more preferably 50,000 or less, further preferably 30,000 or less. Here, the weight average molecular weight of the component (C) is the weight average molecular weight in terms of polystyrene measured by a gel permeation chromatography (GPC) method.

(C) 성분의 함유량은 10점 평균 거칠기(Rz) 및 선열팽창 계수가 낮고, 필 강도가 높은 경화물을 수득하는 관점에서, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 했을 경우, 바람직하게는 0.1질량% 이상, 보다 바람직하게는 0.3질량% 이상, 더욱 바람직하게는 0.5질량% 이상이다. 상한은 바람직하게는 3질량% 이하, 보다 바람직하게는 2질량% 이하, 더욱 바람직하게는 1.5질량% 이하이다.From the viewpoint of obtaining a cured product having a low 10-point average roughness (Rz) and a low coefficient of linear thermal expansion and a high fill strength, the content of the component (C) is preferably 100% by mass or less, 0.1% by mass or more, more preferably 0.3% by mass or more, further preferably 0.5% by mass or more. The upper limit is preferably 3 mass% or less, more preferably 2 mass% or less, and further preferably 1.5 mass% or less.

<(D) 무기 충전재><(D) Inorganic filler>

제1 실시형태의 수지 조성물은 (D) 평균 입자 직경이 100nm 이하인 무기 충전재를 포함한다. 또한, 제2 실시형태의 수지 조성물은 (D) 비표면적이 15m2/g 이상인 무기 충전재를 포함한다. (D) 성분의 재료는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 실리카, 알루미나, 유리, 코디에라이트, 실리콘 산화물, 황산바륨, 탄산바륨, 활석, 클레이, 운모분, 산화아연, 하이드로탈사이트, 베마이트, 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 산화마그네슘, 질화붕소, 질화알루미늄, 질화망간, 붕산알루미늄, 탄산스트론튬, 티탄산스트론튬, 티탄산칼슘, 티탄산마그네슘, 티탄산비스무스, 산화티탄, 산화지르코늄, 티탄산바륨, 티탄산-지르콘산바륨, 지르콘산바륨, 지르콘산칼슘, 인산지르코늄, 및 인산-텅스텐산지르코늄 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 실리카가 특히 적합하다. 실리카로서는, 예를 들면, 무정형 실리카, 용융 실리카, 결정 실리카, 합성 실리카, 중공 실리카 등을 들 수 있다. 또한 실리카로서는 구상 실리카가 바람직하다. 무기 충전재는 1종 단독으로 사용하여도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용하여도 좋다.The resin composition of the first embodiment includes (D) an inorganic filler having an average particle diameter of 100 nm or less. The resin composition of the second embodiment includes (D) an inorganic filler having a specific surface area of 15 m 2 / g or more. The material of the component (D) is not particularly limited, and examples thereof include silica, alumina, glass, cordierite, silicon oxide, barium sulfate, barium carbonate, talc, clay, mica powder, zinc oxide, hydrotalcite, Magnesium oxide, magnesium oxide, magnesium oxide, boron nitride, aluminum nitride, manganese nitride, aluminum borate, strontium carbonate, strontium titanate, calcium titanate, magnesium titanate, bismuth titanate, titanium oxide, zirconium oxide, Barium titanate, barium titanate-barium zirconate, barium zirconate, calcium zirconate, zirconium phosphate, and zirconium-tungstate phosphate. Of these, silica is particularly suitable. Examples of the silica include amorphous silica, fused silica, crystalline silica, synthetic silica, hollow silica and the like. As the silica, spherical silica is preferable. The inorganic fillers may be used singly or in combination of two or more kinds.

제1 실시형태에서의 무기 충전재의 평균 입자 직경은 박막화의 관점과 10점 평균 거칠기(Rz)를 저하시키는 관점에서, 100nm 이하이고, 바람직하게는 90nm 이하, 보다 바람직하게는 80nm 이하이다. 평균 입자 직경의 하한은 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 1nm 이상, 보다 바람직하게는 5nm 이상, 더욱 바람직하게는 10nm 이상 등으로 할 수 있다.The average particle diameter of the inorganic filler in the first embodiment is 100 nm or less, preferably 90 nm or less, and more preferably 80 nm or less from the viewpoint of thinning and lowering the 10-point average roughness (Rz). The lower limit of the average particle diameter is not particularly limited, but is preferably 1 nm or more, more preferably 5 nm or more, and further preferably 10 nm or more.

또한, 제2 실시형태에서의 무기 충전재의 평균 입자 직경은 박막화의 관점과 10점 평균 거칠기(Rz)를 저하시키는 관점에서, 바람직하게는 100nm 이하이고, 보다 바람직하게는 90nm 이하, 더욱 바람직하게는 80nm 이하이다. 평균 입자 직경의 하한은 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 1nm 이상, 보다 바람직하게는 5nm 이상, 더욱 바람직하게는 10nm 이상 등으로 할 수 있다.The average particle diameter of the inorganic filler in the second embodiment is preferably 100 nm or less, more preferably 90 nm or less, still more preferably 90 nm or less, from the viewpoint of thinning and lowering the 10-point average roughness (Rz) 80 nm or less. The lower limit of the average particle diameter is not particularly limited, but is preferably 1 nm or more, more preferably 5 nm or more, and further preferably 10 nm or more.

이러한 평균 입자 직경을 갖는 무기 충전재의 시판품으로서는, 예를 들면, 덴키카가쿠코교사 제조 「UFP-30」 등을 들 수 있다.Examples of commercially available inorganic fillers having such an average particle diameter include &quot; UFP-30 &quot; manufactured by Denki Kagaku Kogyo Co., Ltd. and the like.

무기 충전재의 평균 입자 직경은 미(Mie) 산란 이론에 기초한 레이저 회절·산란법에 의해 측정할 수 있다. 구체적으로는 레이저 회절 산란식 입도 분포 측정 장치에 의해, 무기 충전재의 입도 분포를 체적 기준으로 작성하고, 그 메디안 직경을 평균 입자 직경으로 함으로써 측정할 수 있다. 측정 샘플은 무기 충전재를 초음파에 의해 메틸에틸케톤 중에 분산시킨 것을 바람직하게 사용할 수 있다. 레이저 회절 산란식 입도 분포 측정 장치로서는 호리바세이사쿠쇼사 제조 「LA-500」, 시마즈세이사쿠쇼사 제조 「SALD-2200」 등을 사용할 수 있다.The average particle diameter of the inorganic filler can be measured by a laser diffraction / scattering method based on the Mie scattering theory. Specifically, the particle size distribution of the inorganic filler can be measured with a laser diffraction scattering type particle size distribution measuring apparatus, and the median diameter is determined as the average particle diameter. The sample to be measured is preferably an inorganic filler dispersed in methyl ethyl ketone by ultrasonic waves. As the laser diffraction scattering type particle size distribution measuring apparatus, "LA-500" manufactured by Horiba Seisakusho Co., Ltd., "SALD-2200" manufactured by Shimadzu Corporation can be used.

제2 실시형태에서의 무기 충전재의 비표면적은 박막화의 관점과 10점 평균 거칠기(Rz)를 저하시키는 관점에서, 15m2/g 이상이고, 보다 바람직하게는 20m2/g 이상, 더욱 바람직하게는 30m2/g 이상이다. 상한에 특별한 제한은 없지만, 바람직하게는 60m2/g 이하, 보다 바람직하게는 50m2/g 이하, 더욱 바람직하게는 40m2/g 이하이다. The specific surface area of the inorganic filler in the second embodiment is preferably not less than 15 m 2 / g, more preferably not less than 20 m 2 / g, and still more preferably not less than 20 m 2 / g, from the viewpoint of thinning and lowering the 10-point average roughness (Rz) 30 m 2 / g or more. The upper limit is not particularly limited, but is preferably 60 m 2 / g or less, more preferably 50 m 2 / g or less, and still more preferably 40 m 2 / g or less.

또한, 제1 실시형태에서의 무기 충전재의 비표면적은 박막화의 관점과 10점 평균 거칠기(Rz)를 저하시키는 관점에서, 바람직하게는 15m2/g 이상, 보다 바람직하게는 20m2/g 이상, 더욱 바람직하게는 30m2/g 이상이다. 상한에 특별한 제한은 없지만, 바람직하게는 60m2/g 이하, 보다 바람직하게는 50m2/g 이하, 더욱 바람직하게는 40m2/g 이하이다.The specific surface area of the inorganic filler in the first embodiment is preferably not less than 15 m 2 / g, more preferably not less than 20 m 2 / g, and more preferably not less than 20 m 2 / g, from the viewpoint of thinning and lowering of the 10-point average roughness (Rz) More preferably 30 m 2 / g or more. The upper limit is not particularly limited, but is preferably 60 m 2 / g or less, more preferably 50 m 2 / g or less, and still more preferably 40 m 2 / g or less.

비표면적은 BET법에 따라, 비표면적 측정 장치(마운텍사 제조 Macsorb HM-1210)를 사용하여 시료 표면에 질소 가스를 흡착시키고, BET 다점법을 사용하여 비표면적을 산출함으로써 얻을 수 있다.The specific surface area can be obtained by adsorbing nitrogen gas on the sample surface using a specific surface area measuring apparatus (Macsorb HM-1210, manufactured by Mountain Tex) according to the BET method, and calculating the specific surface area using the BET multi-point method.

무기 충전재는 내습성 및 분산성을 높이는 관점에서, 불소 함유 실란커플링제, 아미노실란계 커플링제, 에폭시실란계 커플링제, 머캅토실란계 커플링제, 실란계 커플링제, 알콕시실란, 오가노실라잔 화합물, 티타네이트계 커플링제 등의 1종 이상의 표면 처리제로 처리되어 있는 것이 바람직하고, 아미노실란계 실란커플링제로 처리되어 있는 것이 보다 바람직하다. 표면 처리제의 시판품으로서는, 예를 들면, 신에츠카가쿠코교사 제조 「KBM403」(3-글리시독시프로필트리메톡시실란), 신에츠카가쿠코교사 제조 「KBM803」(3-머캅토프로필트리메톡시실란), 신에츠카가쿠코교사 제조 「KBE903」(3-아미노프로필트리에톡시실란), 신에츠카가쿠코교사 제조 「KBM573」(N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란), 신에츠카가쿠코교사 제조 「SZ-31」(헥사메틸디실라잔), 신에츠카가쿠코교사 제조 「KBM103」(페닐트리메톡시실란), 신에츠카가쿠코교사 제조 「KBM-4803」(장쇄 에폭시형 실란커플링제), 신에츠카가쿠코교사 제조 「KBM-7103」(3,3,3-트리플루오로프로필트리메톡시실란) 등을 들 수 있다.From the viewpoint of enhancing the moisture resistance and dispersibility, the inorganic filler is preferably a fluorine-containing silane coupling agent, an aminosilane coupling agent, an epoxy silane coupling agent, a mercaptosilane coupling agent, a silane coupling agent, an alkoxysilane, , Titanate-based coupling agents, and the like, and more preferably those treated with an aminosilane-based silane coupling agent. Examples of commercial products of surface treatment agents include KBM403 (3-glycidoxypropyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., KBM803 (3-mercaptopropyltrimethoxy Silane), KBE903 (3-aminopropyltriethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., KBM573 (N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane) manufactured by Shin- KBM103 "(phenyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.," KBM-4803 "manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. (long-chain epoxy-type silane couples , KBM-7103 (3,3,3-trifluoropropyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., and the like.

표면 처리제에 의한 표면 처리의 정도는 무기 충전재의 분산성 향상의 관점에서, (D) 성분 100질량부에 대하여, 0.2질량부 내지 5질량부의 표면 처리제로 표면 처리되어 있는 것이 바람직하고, 0.2질량부 내지 4질량부로 표면 처리되어 있는 것이 바람직하고, 0.3질량부 내지 3질량부로 표면 처리되어 있는 것이 바람직하다.From the viewpoint of improving the dispersibility of the inorganic filler, the surface treatment by the surface treatment agent is preferably surface-treated with 0.2 to 5 parts by mass of the surface treating agent per 100 parts by mass of the component (D), preferably 0.2 part by mass To 4 parts by mass, more preferably 0.3 part by mass to 3 parts by mass.

표면 처리제에 의한 표면 처리의 정도는 무기 충전재의 단위 표면적당 카본량에 의해 평가할 수 있다. 무기 충전재의 단위 표면적당 카본량은 무기 충전재의 분산성 향상의 관점에서, 0.02mg/m2 이상이 바람직하고, 0.1mg/m2 이상이 보다 바람직하고, 0.2mg/m2 이상이 더욱 바람직하다. 한편, 수지 바니시의 용융 점도 및 시트 형태에서의 용융 점도의 상승을 억제하는 관점에서, 1mg/m2 이하가 바람직하고, 0.8mg/m2 이하가 보다 바람직하고, 0.5mg/m2 이하가 더욱 바람직하다.The degree of surface treatment by the surface treatment agent can be evaluated by the amount of carbon per unit surface area of the inorganic filler. Suitable amount of the carbon surface unit of the inorganic filler is from the point of view of improving the dispersibility of the inorganic filler, 0.02mg / m 2 or more is preferable, and, 0.1mg / m 2 or more is more preferable, 0.2mg / m 2 or more is more preferred . On the other hand, from the viewpoint of suppressing the increase in the melt viscosity of the resin varnish and the melt viscosity of the sheet form, 1mg / m 2 or less are preferred, 0.8mg / m 2 or less, more preferably, 0.5mg / m 2 or less, more desirable.

무기 충전재의 단위 표면적당 카본량은 표면 처리 후의 무기 충전재를 용제(예를 들면, 메틸에틸케톤(MEK))에 의해 세정 처리한 후에 측정할 수 있다. 구체적으로는, 용제로서 충분한 양의 MEK를 표면 처리제로 표면 처리된 무기 충전재에 첨가하여, 25℃에서 5분간 초음파 세정한다. 상청액을 제거하고, 고형분을 건조시킨 후, 카본 분석계를 사용하여 무기 충전재의 단위 표면적당 카본량을 측정할 수 있다. 카본 분석계로서는 호리바세이사쿠쇼사 제조 「EMIA-320V」 등을 사용할 수 있다.The amount of carbon per unit surface area of the inorganic filler can be measured after the surface-treated inorganic filler is washed with a solvent (for example, methyl ethyl ketone (MEK)). Specifically, a sufficient amount of MEK as a solvent is added to the inorganic filler surface-treated with the surface treatment agent, and ultrasonically cleaned at 25 占 폚 for 5 minutes. After the supernatant is removed and the solid content is dried, the amount of carbon per unit surface area of the inorganic filler can be measured using a carbon analyzer. As the carbon analyzer, "EMIA-320V" manufactured by Horiba Seisakusho Co., Ltd. and the like can be used.

(D) 성분의 함유량은 선열팽창 계수를 낮게 하는 관점에서, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 했을 경우, 바람직하게는 30질량% 이상, 보다 바람직하게는 35질량% 이상, 더욱 바람직하게는 40질량% 이상이다. 상한은 절연 성능을 향상시키는 관점에서, 바람직하게는 80질량% 이하, 보다 바람직하게는 70질량% 이하, 더욱 바람직하게는 65질량% 이하이다.The content of the component (D) is preferably not less than 30% by mass, more preferably not less than 35% by mass, more preferably not less than 30% by mass, more preferably not less than 30% Is at least 40% by mass. The upper limit is preferably 80 mass% or less, more preferably 70 mass% or less, further preferably 65 mass% or less, from the viewpoint of improving the insulating performance.

<(E) 경화제><(E) Curing agent>

일 실시형태에 있어서 수지 조성물은 (E) 경화제를 함유할 수 있다. 단, 여기에서 말하는 (E) 경화제는, (B) 활성 에스테르계 경화제를 포함시키지 않는다. (E) 성분으로서는 (A) 성분을 경화하는 기능을 갖는 것이면 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 페놀계 경화제, 나프톨계 경화제, 벤조옥사진계 경화제, 시아네이트에스테르계 경화제, 및 카르보디이미드계 경화제 등을 들 수 있다. 그 중에서도, (E) 성분으로서는 페놀계 경화제가 바람직하다. 경화제는 1종 단독으로 사용하여도 좋고, 2종 이상을 병용하여도 좋다.In one embodiment, the resin composition may contain (E) a curing agent. However, the (E) curing agent referred to herein does not include the active ester curing agent (B). The component (E) is not particularly limited as long as it has a function of curing the component (A), and examples thereof include a phenol series curing agent, a naphthol series curing agent, a benzoxazine series curing agent, a cyanate ester series curing agent and a carbodiimide series curing agent And the like. Among them, as the component (E), a phenol-based curing agent is preferable. The curing agent may be used alone or in combination of two or more.

페놀계 경화제 및 나프톨계 경화제로서는 내열성 및 내수성의 관점에서, 노볼락 구조를 갖는 페놀계 경화제, 또는 노볼락 구조를 갖는 나프톨계 경화제가 바람직하다. 또한, 도체층과의 밀착성의 관점에서, 함질소 페놀계 경화제가 바람직하고, 트리아진 골격 함유 페놀계 경화제가 보다 바람직하다.As the phenol-based curing agent and naphthol-based curing agent, a phenol-based curing agent having a novolak structure or a naphthol-based curing agent having a novolak structure is preferable from the viewpoints of heat resistance and water resistance. From the viewpoint of adhesion with the conductor layer, a nitrogen-containing phenol-based curing agent is preferable, and a phenazine-based curing agent containing a triazine skeleton is more preferable.

페놀계 경화제 및 나프톨계 경화제의 구체예로서는, 예를 들면, 메이와 카세이사 제조의 「MEH-7700」, 「MEH-7810」, 「MEH-7851」, 니혼카야쿠사 제조의 「NHN」, 「CBN」, 「GPH」, 신닛데츠스미킨카가쿠사 제조의 「SN170」, 「SN180」, 「SN190」, 「SN475」, 「SN485」, 「SN495」, 「SN-495V」, 「SN375」, 「SN395」, DIC사 제조의 「TD-2090」, 「LA-7052」, 「LA-7054」, 「LA-1356」, 「LA-3018-50P」, 「EXB-9500」 등을 들 수 있다.Specific examples of the phenol-based curing agent and naphthol-based curing agent include MEH-7700, MEH-7810 and MEH-7851 manufactured by Meiwa Kasei Co., Ltd., NHN manufactured by Nippon Kayaku Co., SN375 "," SN-495V "," SN375 "," SN395 "," SN375 "," TD-2090 "," LA-7052 "," LA-7054 "," LA-1356 "," LA-3018-50P "and" EXB-9500 "manufactured by DIC Corporation.

벤조옥사진계 경화제의 구체예로서는, 쇼와코분시사 제조의 「HFB2006M」, 시코쿠카세이코교사 제조의 「P-d」, 「F-a」를 들 수 있다.Specific examples of the benzoxazine type curing agent include "HFB2006M" manufactured by Showa Kobunshi Co., Ltd., "P-d" manufactured by Shikoku Kasei Corporation, and "F-a".

시아네이트에스테르계 경화제로서는, 예를 들면, 비스페놀 A 디시아네이트, 폴리페놀시아네이트, 올리고(3-메틸렌-1,5-페닐렌시아네이트), 4,4'-메틸렌비스(2,6-디메틸페닐시아네이트), 4,4'-에틸리덴디페닐디시아네이트, 헥사플루오로비스페놀 A 디시아네이트, 2,2-비스(4-시아네이트)페닐프로판, 1,1-비스(4-시아네이트페닐메탄), 비스(4-시아네이트-3,5-디메틸페닐)메탄, 1,3-비스(4-시아네이트페닐-1-(메틸에틸리덴))벤젠, 비스(4-시아네이트페닐)티오에테르, 및 비스(4-시아네이트페닐)에테르 등의 2관능 시아네이트 수지, 페놀노볼락 및 크레졸노볼락 등으로부터 유도되는 다관능 시아네이트 수지, 이들 시아네이트 수지가 일부 트리아진화된 프레폴리머 등을 들 수 있다. 시아네이트에스테르계 경화제의 구체예로서는, 론자재팬사 제조의 「PT30」및 「PT60」(페놀노볼락형 다관능 시아네이트에스테르 수지), 「ULL-950S」(다관능 시아네이트에스테르 수지), 「BA230」, 「BA230S75」(비스페놀 A 디시아네이트의 일부 또는 전부가 트리아진화되어 3량체가 된 프레폴리머) 등을 들 수 있다.Examples of the cyanate ester curing agent include bisphenol A dicyanate, polyphenol cyanate, oligo (3-methylene-1,5-phenylene cyanate), 4,4'- Dimethylphenyl cyanate), 4,4'-ethylidenediphenyl dicyanate, hexafluorobisphenol A dicyanate, 2,2-bis (4-cyanate) phenylpropane, 1,1- Cyanate phenylmethane), bis (4-cyanate-3,5-dimethylphenyl) methane, 1,3-bis Bifunctional cyanate resins derived from phenolic novolacs and cresol novolacs such as bis (4-cyanophenyl) thioether and bis (4-cyanate phenyl) ether, and polyfunctional cyanate resins derived from these cyanate resins, And prepolymers. Specific examples of the cyanate ester curing agent include "PT30" and "PT60" (phenol novolac type polyfunctional cyanate ester resin), "ULL-950S" (multifunctional cyanate ester resin), "BA230 BA230S75 &quot; (a prepolymer obtained by trimerizing a part or all of bisphenol A dicyanate to form a trimer), and the like.

카르보디이미드계 경화제의 구체예로서는, 닛신보케미컬사 제조의 「V-03」, 「V-07」 등을 들 수 있다.Specific examples of the carbodiimide-based curing agent include "V-03" and "V-07" manufactured by Nisshinbo Chemical Co.,

수지 조성물이 (E) 성분을 함유할 경우, (A) 성분과 (E) 성분의 양비는 [(A) 성분의 에폭시기의 합계수]:[(E) 성분의 반응기의 합계수]의 비율로, 1:0.01 내지 1:2의 범위가 바람직하고, 1:0.05 내지 1:1.5가 보다 바람직하고, 1:0.08 내지 1:1이 더욱 바람직하다. 여기서, (E) 성분의 반응기란, 활성 수산기 등이고, (E) 성분의 종류에 따라 다르다. 또한, (A) 성분의 에폭시기의 합계수란, 각 (A) 성분의 고형분 질량을 에폭시 당량으로 나눈 값을 모든 (A) 성분에 대하여 합계한 값이고, (E) 성분의 반응기의 합계수란, 각 (E) 성분의 고형분 질량을 반응기 당량으로 나눈 값을 모든 (E) 성분에 대하여 합계한 값이다. (A) 성분과 (E) 성분의 양비를 이러한 범위로 함으로써, 수지 조성물의 경화물의 선열팽창 계수를 보다 낮게 할 수 있고, 필 강도를 보다 향상시킬 수 있다.When the resin composition contains the component (E), the ratio of the amount of the component (A) to the amount of the component (E) is the ratio of [the total number of epoxy groups in component (A)]: , Preferably in the range of 1: 0.01 to 1: 2, more preferably 1: 0.05 to 1: 1.5, and even more preferably 1: 0.08 to 1: 1. Here, the reactor of the component (E) is an active hydroxyl group or the like and varies depending on the kind of the component (E). The total number of epoxy groups in the component (A) refers to a value obtained by dividing the solid component mass of each component (A) by the epoxy equivalent, relative to all the component (A), and the total number of reactors of the component , And the value obtained by dividing the solid mass of each component (E) by the equivalent of the reactor is calculated for all the (E) components. By setting the proportions of the component (A) and the component (E) to such a range, the coefficient of linear thermal expansion of the cured product of the resin composition can be lowered, and the peel strength can be further improved.

또한, 수지 조성물이 (E) 성분을 함유할 경우, (A) 에폭시 수지와, (B) 성분및 (E) 성분의 양비는 [(A) 성분의 에폭시기의 합계수]:[(B) 성분의 반응기 및 (E) 성분의 반응기의 합계수]의 비율로, 1:0.01 내지 1:3의 범위가 바람직하고, 1:0.005 내지 1:2가 보다 바람직하고, 1:0.1 내지 1:1.5가 더욱 바람직하다.When the resin composition contains the component (E), the ratio of the epoxy resin to the component (B) and the component (E) is the total number of the epoxy groups of the component (A) Is preferably in the range of 1: 0.01 to 1: 3, more preferably 1: 0.005 to 1: 2, and more preferably 1: 0.1 to 1: 1.5, in the ratio of the total number of the reactors of the component More preferable.

수지 조성물이 (E) 성분을 함유할 경우, 수지 조성물의 경화물의 선열팽창 계수를 낮게 하고, 필 강도를 높게 하는 관점에서, (E) 성분의 함유량은 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 했을 경우, 바람직하게는 15질량% 이하, 보다 바람직하게는 10질량% 이하, 더욱 바람직하게는 5질량% 이하이다. 또한, 하한은 특별히 제한은 없지만 바람직하게는 1질량% 이상, 보다 바람직하게는 2질량% 이상, 더욱 바람직하게는 3질량% 이상이다.When the resin composition contains the component (E), the content of the component (E) is preferably 100% by mass or less, more preferably 100% by mass or less, from the viewpoint of lowering the linear thermal expansion coefficient of the cured product of the resin composition, , It is preferably not more than 15 mass%, more preferably not more than 10 mass%, further preferably not more than 5 mass%. The lower limit is not particularly limited, but is preferably 1% by mass or more, more preferably 2% by mass or more, further preferably 3% by mass or more.

<(F) 경화 촉진제><(F) Curing accelerator>

일 실시형태에 있어서 수지 조성물은 (F) 경화 촉진제를 함유할 수 있다. 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 인계 경화 촉진제, 아민계 경화 촉진제, 이미다졸계 경화 촉진제, 구아니딘계 경화 촉진제, 금속계 경화 촉진제 등을 들 수 있고, 인계 경화 촉진제, 아민계 경화 촉진제, 이미다졸계 경화 촉진제, 금속계 경화 촉진제가 바람직하고, 아민계 경화 촉진제가 보다 바람직하다. 경화 촉진제는 1종 단독으로 사용하여도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용하여도 좋다.In one embodiment, the resin composition may contain (F) a curing accelerator. Examples of the curing accelerator include phosphorus hardening accelerators, amine hardening accelerators, imidazole hardening accelerators, guanidine hardening accelerators and metal hardening accelerators. Phosphorus hardening accelerators, amine hardening accelerators, imidazole hardening accelerators, Accelerators and metal-based curing accelerators are preferable, and amine-based curing accelerators are more preferable. The curing accelerator may be used singly or in combination of two or more.

인계 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 트리페닐포스핀, 포스포늄보레이트 화합물, 테트라페닐포스포늄테트라페닐보레이트, n-부틸포스포늄테트라페닐보레이트, 테트라부틸포스포늄데칸산염, (4-메틸페닐)트리페닐포스포늄티오시아네이트, 테트라페닐포스포늄티오시아네이트, 부틸트리페닐포스포늄티오시아네이트 등을 들 수 있고, 트리페닐포스핀, 테트라부틸포스포늄데칸산염이 바람직하다.Examples of phosphorus hardening accelerators include triphenylphosphine, phosphonium borate compounds, tetraphenylphosphonium tetraphenylborate, n-butylphosphonium tetraphenylborate, tetrabutylphosphonium decanoate, (4-methylphenyl) triphenyl Phosphonium thiocyanate, tetraphenylphosphonium thiocyanate, butyltriphenylphosphonium thiocyanate, and the like, and triphenylphosphine and tetrabutylphosphonium decanoate are preferable.

아민계 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 트리에틸아민, 트리부틸아민 등의 트리알킬아민, 4-디메틸아미노피리딘, 벤질디메틸아민, 2,4,6-트리스(디메틸아미노메틸)페놀, 1,8-디아자바이사이클로(5,4,0)-운데센 등을 들 수 있고, 4-디메틸아미노피리딘, 1,8-디아자바이사이클로(5,4,0)-운데센이 바람직하다.Examples of the amine-based curing accelerator include trialkylamines such as triethylamine and tributylamine, 4-dimethylaminopyridine, benzyldimethylamine, 2,4,6-tris (dimethylaminomethyl) -Diazabicyclo (5,4,0) undecene, and 4-dimethylaminopyridine and 1,8-diazabicyclo (5,4,0) -undecene are preferred.

이미다졸계 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 2-메틸이미다졸, 2-운데실이미다졸, 2-헵타데실이미다졸, 1,2-디메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 1,2-디메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 1-벤질-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸, 1-시아노에틸-2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸륨트리멜리테이트, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸륨트리멜리테이트, 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-운데실이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-에틸-4'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진이소시아눌산 부가물, 2-페닐이미다졸이소시아눌산 부가물, 2-페닐-4,5-디하이드록시메틸이미다졸, 2-페닐-4-메틸-5-하이드록시메틸이미다졸, 2,3-디하이드로-1H-피롤로[1,2-a]벤즈이미다졸, 1-도데실-2-메틸-3-벤질이미다졸륨클로라이드, 2-메틸이미다졸린, 2-페닐이미다졸린 등의 이미다졸 화합물 및 이미다졸 화합물과 에폭시 수지와의 어덕트체를 들 수 있고, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-벤질-2-페닐이미다졸이 바람직하다.Examples of the imidazole-based curing accelerator include 2-methylimidazole, 2-undecylimidazole, 2-heptadecylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, Imidazole, 1,2-dimethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl- Benzyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole, 1-cyanoethyl- 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazolium trimellitate, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium Trimellitate, 2,4-diamino-6- [2'-methylimidazolyl- (1 ')] -ethyl-s-triazine, 2,4- diamino-6- [ Imidazolyl- (1 ')] - ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- [2'-ethyl-4'-methylimidazolyl- Triazine, 2,4-diamino-6- [2'-methylimidazolyl- (1 ')] - ethyl- , 2-phenylimidazole isocyanuric acid adduct, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole, 2,3- Dihydro-1H-pyrrolo [1,2-a] benzimidazole, 1-dodecyl-2-methyl-3-benzylimidazolium chloride, 2-methylimidazoline and 2-phenylimidazoline An imidazole compound and an adduct of an imidazole compound and an epoxy resin, and 2-ethyl-4-methylimidazole and 1-benzyl-2-phenylimidazole are preferable.

이미다졸계 경화 촉진제로서는 시판품을 사용하여도 좋고, 예를 들면, 미쓰비시카가쿠사 제조의 「P200-H50」 등을 들 수 있다.As the imidazole-based curing accelerator, a commercially available product may be used. Examples thereof include &quot; P200-H50 &quot; manufactured by Mitsubishi Kagaku Co.,

구아니딘계 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 디시안디아미드, 1-메틸구아니딘, 1-에틸구아니딘, 1-사이클로헥실구아니딘, 1-페닐구아니딘, 1-(o-톨릴)구아니딘, 디메틸구아니딘, 디페닐구아니딘, 트리메틸구아니딘, 테트라메틸구아니딘, 펜타메틸구아니딘, 1,5,7-트리아자바이사이클로[4.4.0]데카-5-엔, 7-메틸-1,5,7-트리아자바이사이클로[4.4.0]데카-5-엔, 1-메틸비구아니드, 1-에틸비구아니드, 1-n-부틸비구아니드, 1-n-옥타데실비구아니드, 1,1-디메틸비구아니드, 1,1-디에틸비구아니드, 1-사이클로헥실비구아니드, 1-알릴비구아니드, 1-페닐비구아니드, 1-(o-톨릴)비구아니드 등을 들 수 있고, 디시안디아미드, 1,5,7-트리아자바이사이클로[4.4.0]데카-5-엔이 바람직하다.Examples of the guanidine curing accelerator include dicyandiamide, 1-methylguanidine, 1-ethylguanidine, 1-cyclohexylguanidine, 1-phenylguanidine, 1- (o-tolyl) guanidine, dimethylguanidine, , Trimethylguanidine, tetramethylguanidine, pentamethylguanidine, 1,5,7-triazabicyclo [4.4.0] deca-5-ene, 7-methyl-1,5,7-triazabicyclo [4.4.0] 1-n-butylbiguanide, 1-n-octadecylbiguanide, 1,1-dimethylbiguanide, 1, 1-cyclohexylbiguanide, 1-allylbiguanide, 1-phenylbiguanide, 1- (o-tolyl) biguanide, and the like, and dicyandiamide, 1,5,7-triazabicyclo [4.4.0] deca-5-ene are preferred.

금속계 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 코발트, 동, 아연, 철, 니켈, 망간, 주석 등의 금속의, 유기 금속 착체 또는 유기 금속염을 들 수 있다. 유기 금속 착체의 구체예로서는, 코발트(II)아세틸아세토네이트, 코발트(III)아세틸아세토네이트 등의 유기 코발트 착체, 동(II)아세틸아세토네이트 등의 유기 동 착체, 아연(II)아세틸아세토네이트 등의 유기 아연 착체, 철(III)아세틸아세토네이트 등의 유기 철 착체, 니켈(II)아세틸아세토네이트 등의 유기 니켈 착체, 망간(II)아세틸아세토네이트 등의 유기 망간 착체 등을 들 수 있다. 유기 금속염으로서는, 예를 들면, 옥틸산아연, 옥틸산주석, 나프텐산아연, 나프텐산코발트, 스테아르산주석, 스테아르산아연 등을 들 수 있다.Examples of the metal-based curing accelerator include organic metal complexes or organic metal salts of metals such as cobalt, copper, zinc, iron, nickel, manganese and tin. Specific examples of the organometallic complexes include organic cobalt complexes such as cobalt (II) acetylacetonate and cobalt (III) acetylacetonate, organic copper complexes such as copper (II) acetylacetonate, and zinc An organic iron complex such as an organic zinc complex and iron (III) acetylacetonate, an organic nickel complex such as nickel (II) acetylacetonate, and an organic manganese complex such as manganese (II) acetylacetonate. Examples of the organic metal salt include zinc octylate, tin octylate, zinc naphthenate, cobalt naphthenate, tin stearate and zinc stearate.

수지 조성물이 경화 촉진제를 함유할 경우, 경화 촉진제의 함유량은 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 했을 경우, 바람직하게는 0.01질량% 이상, 보다 바람직하게는 0.05질량% 이상, 더욱 바람직하게는 0.1질량% 이상이다. 상한은 바람직하게는 3질량% 이하, 보다 바람직하게는 2질량% 이하, 더욱 바람직하게는 1질량% 이하이다. 경화 촉진제의 함유량을 이러한 범위 내로 함으로써, 선열팽창 계수가 낮고, 필 강도가 높은 수지 조성물의 경화물을 수득할 수 있다.When the resin composition contains a curing accelerator, the content of the curing accelerator is preferably 0.01% by mass or more, more preferably 0.05% by mass or more, more preferably 0.05% by mass or more, 0.1% by mass or more. The upper limit is preferably 3 mass% or less, more preferably 2 mass% or less, further preferably 1 mass% or less. When the content of the curing accelerator is within this range, a cured product of the resin composition having a low coefficient of linear thermal expansion and high peel strength can be obtained.

<(G) 열가소성 수지>&Lt; (G) Thermoplastic resin >

일 실시형태에 있어서 수지 조성물은 (G) 열가소성 수지를 함유할 수 있다. 단, 여기에서 말하는 (G) 열가소성 수지는 (C) 다환식 방향족 탄화수소를 갖는 폴리이미드 수지를 포함시키지 않는다.In one embodiment, the resin composition may contain (G) a thermoplastic resin. However, the (G) thermoplastic resin referred to herein does not include a polyimide resin having (C) a polycyclic aromatic hydrocarbon.

열가소성 수지로서는, 예를 들면, 페녹시 수지, 폴리비닐아세탈 수지, 폴리올레핀 수지, 폴리부타디엔 수지, 폴리이미드 수지(단, (C) 성분에 해당하는 폴리이미드 수지는 제외함), 폴리아미드이미드 수지, 폴리에테르이미드 수지, 폴리설폰 수지, 폴리에테르설폰 수지, 폴리페닐렌에테르 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리에테르에테르케톤 수지, 폴리에스테르 수지 등을 들 수 있고, 페녹시 수지가 바람직하다. 열가소성 수지는 1종 단독으로 사용하여도 좋고, 또는 2종 이상을 조합하여 사용하여도 좋다.Examples of the thermoplastic resin include phenoxy resin, polyvinyl acetal resin, polyolefin resin, polybutadiene resin, polyimide resin (except for polyimide resin corresponding to component (C)), polyamideimide resin, A polyether imide resin, a polyether imide resin, a polysulfone resin, a polyether sulfone resin, a polyphenylene ether resin, a polycarbonate resin, a polyether ether ketone resin, a polyester resin and the like, and phenoxy resin is preferable. The thermoplastic resins may be used alone or in combination of two or more.

열가소성 수지의 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량은, 바람직하게는 8,000 이상, 보다 바람직하게는 10,000 이상, 더욱 바람직하게는 20,000 이상, 특히 바람직하게는 40,000 이상이다. 상한은 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 70,000 이하, 보다 바람직하게는 60,000 이하이다. 열가소성 수지의 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량은 겔 투과 크로마토그래피(GPC)법으로 측정된다. 구체적으로는, 열가소성 수지의 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량은, 측정 장치로서 시마즈세이사쿠쇼사 제조 LC-9A/RID-6A를, 칼럼으로서 쇼와덴코사 제조 Shodex K-800P/K-804L/K-804L을, 이동상으로서 클로로포름 등을 사용하여 칼럼 온도를 40℃에서 측정하고, 표준 폴리스티렌의 검량선을 사용하여 산출할 수 있다.The weight average molecular weight of the thermoplastic resin in terms of polystyrene is preferably 8,000 or more, more preferably 10,000 or more, still more preferably 20,000 or more, particularly preferably 40,000 or more. The upper limit is not particularly limited, but is preferably 70,000 or less, and more preferably 60,000 or less. The weight average molecular weight of the thermoplastic resin in terms of polystyrene is measured by a gel permeation chromatography (GPC) method. Specifically, the weight average molecular weight of the thermoplastic resin in terms of polystyrene was measured using LC-9A / RID-6A manufactured by Shimadzu Corporation, Shodex K-800P / K-804L / K- 804L as a mobile phase, chloroform at a column temperature of 40 占 폚, and using a standard polystyrene calibration curve.

페녹시 수지로서는, 예를 들면, 비스페놀 A 골격, 비스페놀 F 골격, 비스페놀 S 골격, 비스페놀아세토페논 골격, 노볼락 골격, 비페닐 골격, 플루오렌 골격, 디사이클로펜타디엔 골격, 노르보르넨 골격, 나프탈렌 골격, 안트라센 골격, 아다만탄 골격, 테르펜 골격, 및 트리메틸사이클로헥산 골격으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 골격을 갖는 페녹시 수지를 들 수 있다. 페녹시 수지의 말단은 페놀성 수산기, 에폭시기 등 중 어느 관능기라도 좋다. 페녹시 수지는 1종 단독으로 사용하여도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용하여도 좋다. 페녹시 수지의 구체예로서는, 미쓰비시카가쿠사 제조의 「1256」및 「4250」(모두 비스페놀 A 골격 함유 페녹시 수지), 「YX8100」(비스페놀 S 골격 함유 페녹시 수지), 및 「YX6954」(비스페놀아세토페논 골격 함유 페녹시 수지)를 들 수 있고, 그 외에도, 신닛데츠스미킨카가쿠사 제조의 「FX280」및 「FX293」, 미쓰비시카가쿠사 제조의 「YL7500BH30」, 「YX6954BH30」, 「YX7553」, 「YX7553BH30」, 「YL7769BH30」, 「YL6794」, 「YL7213」, 「YL7290」 및 「YL7482」 등을 들 수 있다.Examples of the phenoxy resin include bisphenol A skeleton, bisphenol F skeleton, bisphenol S skeleton, bisphenol acetophenone skeleton, novolac skeleton, biphenyl skeleton, fluorene skeleton, dicyclopentadiene skeleton, norbornene skeleton, naphthalene skeleton, A phenoxy resin having at least one skeleton selected from the group consisting of a skeleton, an anthracene skeleton, an adamantane skeleton, a terpene skeleton, and a trimethyl cyclohexane skeleton. The terminal of the phenoxy resin may be any functional group such as a phenolic hydroxyl group or an epoxy group. The phenoxy resins may be used alone or in combination of two or more. Specific examples of the phenoxy resin include "1256" and "4250" (both phenol resins containing a bisphenol A skeleton), "YX8100" (phenoxy resin containing a bisphenol S skeleton) and "YX6954" Phenone skeleton-containing phenoxy resin), and in addition, "FX280" and "FX293" manufactured by Shin Nitetsu Sumikinka Chemical Co., Ltd., "YL7500BH30", "YX6954BH30", "YX7553", "YX7553BH30" manufactured by Mitsubishi Kagaku Co., YL7769BH30 "," YL6794 "," YL7213 "," YL7290 ", and" YL7482 ".

폴리비닐아세탈 수지로서는, 예를 들면, 폴리비닐포르말 수지, 폴리비닐부티랄 수지를 들 수 있고, 폴리비닐부티랄 수지가 바람직하다. 폴리비닐아세탈 수지의 구체예로서는, 예를 들면, 덴키카가쿠코교사 제조의 「덴키(電化) 부티랄 4000-2」, 「덴키 부티랄 5000-A」, 「덴키 부티랄 6000-C」, 「덴키 부티랄 6000-EP」, 세키스이카가쿠코교사 제조의 에스렉 BH 시리즈, BX 시리즈(예를 들면 BX-5Z), KS 시리즈(예를 들면 KS-1), BL 시리즈, BM 시리즈 등을 들 수 있다.Examples of the polyvinyl acetal resin include a polyvinyl formal resin and a polyvinyl butyral resin, and a polyvinyl butyral resin is preferable. Specific examples of the polyvinyl acetal resin include, for example, "DENKI (electrification) butyral 4000-2", "DENKYBUTYRAL 5000-A", "DENKYBUTYRAL 6000-C", " (E.g., BK-5Z), KS series (e.g. KS-1), BL series, BM series, etc., manufactured by Sekisui Chemical Co., .

폴리이미드 수지의 구체예로서는, 신니혼케미컬사 제조의 「리카코트 SN20」및 「리카코트 PN20」을 들 수 있다. 폴리이미드 수지의 구체예로서는 또한, 2관능성 하이드록실기 말단 폴리부타디엔, 디이소시아네이트 화합물 및 4염기산무수물을 반응시켜 수득되는 선상 폴리이미드(일본 공개특허공보 특개2006-37083호에 기재된 폴리이미드), 폴리실록산 골격 함유 폴리이미드(일본 공개특허공보 특개2002-12667호 및 일본 공개특허공보 특개2000-319386호 등에 기재된 폴리이미드) 등의 변성 폴리이미드를 들 수 있다.Specific examples of the polyimide resin include "Rika coat SN20" and "Rika coat PN20" manufactured by Shin-Nihon Chemical Co., Ltd. Specific examples of the polyimide resin include a linear polyimide (polyimide described in JP-A 2006-37083) obtained by reacting a bifunctional hydroxyl-terminated polybutadiene, a diisocyanate compound and a tetrabasic acid anhydride, Modified polyimides such as polysiloxane skeleton-containing polyimide (Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-12667 and Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-319386, etc.).

폴리에테르설폰 수지의 구체예로서는, 쓰미토모카가쿠사 제조의 「PES5003P」 등을 들 수 있다. 폴리페닐렌에테르 수지의 구체예로서는, 미쓰비시가스카가쿠사 제조의 비닐기를 갖는 올리고페닐렌에테르·스티렌 수지 「OPE-2St 1200」 등을 들 수 있다.Specific examples of the polyether sulfone resin include "PES 5003P" manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd. Specific examples of the polyphenylene ether resin include an oligophenylene ether styrene resin "OPE-2St 1200" having a vinyl group manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd., and the like.

폴리설폰 수지의 구체예로서는, 솔베이어드밴스트폴리머즈사 제조의 폴리설폰 「P1700」, 「P3500」 등을 들 수 있다.Specific examples of the polysulfone resin include polysulfone "P1700" and "P3500" manufactured by Solvay Advanced Polymers Co., Ltd.

수지 조성물이 열가소성 수지를 함유할 경우, 열가소성 수지의 함유량은 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 했을 경우, 바람직하게는 0.1질량% 이상, 보다 바람직하게는 0.3질량% 이상, 더욱 바람직하게는 0.5질량% 이상이다. 상한은 바람직하게는 10질량% 이하, 보다 바람직하게는 5질량% 이하, 더욱 바람직하게는 3질량%이다.When the resin composition contains a thermoplastic resin, the content of the thermoplastic resin is preferably 0.1% by mass or more, more preferably 0.3% by mass or more, more preferably 0.3% by mass or more, 0.5% by mass or more. The upper limit is preferably 10 mass% or less, more preferably 5 mass% or less, still more preferably 3 mass%.

<(H) 기타 첨가제><(H) Other additives>

일 실시형태에 있어서 수지 조성물은 또한 필요에 따라 기타 첨가제를 포함하고 있어도 좋고, 이러한 기타 첨가제로서는, 예를 들면, 유기 인계 화합물, 유기계 질소 함유 인 화합물, 질소 화합물, 실리콘 화합물, 및 금속 수산화물 등의 난연제; 고무 입자 등의 유기 충전재; 유기 동 화합물, 유기 아연 화합물 및 유기 코발트 화합물 등의 유기 금속 화합물; 증점제, 소포제, 레벨링제, 밀착성 부여제, 및 착색제 등의 수지 첨가제 등을 들 수 있다.In one embodiment, the resin composition may further contain other additives as required. Examples of the other additives include organic phosphorus compounds, organic nitrogen-containing phosphorus compounds, nitrogen compounds, silicon compounds, metal hydroxides and the like Flame retardant; Organic fillers such as rubber particles; Organic metal compounds such as organic copper compounds, organic zinc compounds and organic cobalt compounds; A thickening agent, a defoaming agent, a leveling agent, an adhesion-imparting agent, and a coloring agent.

<수지 조성물의 물성, 용도>&Lt; Physical properties and uses of resin composition >

본 발명의 수지 조성물은 조화 처리 후의 10점 평균 거칠기(Rz) 및 선열팽창 계수가 낮고, 필 강도가 높은 절연층(수지 조성물층의 경화물)을 초래한다. 따라서, 본 발명의 수지 조성물은, 절연 용도의 수지 조성물층으로서 적합하게 사용할 수 있다. 구체적으로는, 본 발명의 수지 조성물은, 프린트 배선판의 절연층을 형성하기 위한 수지 조성물(프린트 배선판의 절연층용 수지 조성물)로서 적합하게 사용할 수 있고, 프린트 배선판의 층간 절연층을 형성하기 위한 수지 조성물(프린트 배선판의 층간 절연층용 수지 조성물)로서 더 적합하게 사용할 수 있다. 또한, 본 발명의 수지 조성물은 부품 매립성이 양호한 절연층을 초래하기 때문에, 프린트 배선판이 부품 내장 회로판인 경우에도 적합하게 사용할 수 있다. 또한, 본 발명의 수지 조성물은, 절연층 위에 도체층(재배선층을 포함함)을 형성하기 위한 상기 절연층을 형성하기 위한 수지 조성물(도체층을 형성하기 위한 절연층 형성용 수지 조성물)로서 적합하게 사용할 수 있다.The resin composition of the present invention results in an insulating layer (cured resin composition layer) having a low ten point average roughness (Rz) and a coefficient of linear thermal expansion after roughening treatment and a high peel strength. Therefore, the resin composition of the present invention can be suitably used as a resin composition layer for insulation purposes. Specifically, the resin composition of the present invention can be suitably used as a resin composition (a resin composition for an insulating layer of a printed wiring board) for forming an insulating layer of a printed wiring board, and a resin composition for forming an interlayer insulating layer of a printed wiring board (A resin composition for an interlaminar insulating layer of a printed wiring board). In addition, the resin composition of the present invention can be suitably used even in the case where the printed wiring board is a component built-in circuit board, because it results in an insulating layer having a good part filling property. Further, the resin composition of the present invention is suitable as a resin composition (a resin composition for forming an insulating layer for forming a conductor layer) for forming the insulating layer for forming a conductor layer (including a rewiring layer) on an insulating layer Can be used.

수지 조성물을, 100℃에서 30분간, 이어서 180℃에서 30분간 열경화시킨 경화물은 조화 처리 후의 10점 평균 거칠기(Rz)가 낮다는 특성을 나타낸다. 즉, 10점 평균 거칠기가 낮은 절연층을 초래한다. 10점 평균 거칠기(Rz)로서는, 바람직하게는 1500nm 이하, 보다 바람직하게는 1000nm 이하, 더욱 바람직하게는 600nm 이하이다. 하한은 특별히 한정되지 않지만, 1nm 이상 등으로 할 수 있다. 10점 평균 거칠기(Rz)의 측정은 후술하는 <필 강도, 10점 평균 거칠기(Rz값)의 측정>의 기재 방법에 따라 측정할 수 있다.The cured product obtained by thermosetting the resin composition at 100 占 폚 for 30 minutes and then at 180 占 폚 for 30 minutes shows a characteristic that the ten-point average roughness (Rz) after the roughening treatment is low. That is, the 10-point average roughness results in a lower insulating layer. The 10-point average roughness (Rz) is preferably 1500 nm or less, more preferably 1000 nm or less, and further preferably 600 nm or less. The lower limit is not particularly limited, but may be 1 nm or more. The measurement of the ten-point average roughness (Rz) can be carried out according to the description method of &quot; Measurement of Peel Strength, 10-point Average Roughness (Rz Value) &quot;

수지 조성물을, 100℃에서 30분간, 이어서 180℃에서 30분간 열경화시킨 경화물은 필 강도(도금 필 강도)가 높다는 특성을 나타낸다. 즉, 필 강도가 높은 절연층을 초래한다. 필 강도로서는, 바람직하게는 145kgf/cm 이상, 보다 바람직하게는 148kgf/cm 이상, 더욱 바람직하게는 150kgf/cm 이상이다. 상한은 특별히 한정되지 않지만, 300kgf/cm 이하 등으로 할 수 있다. 필 강도의 측정은 후술하는 <필 강도, 10점 평균 거칠기(Rz값)의 측정>의 기재 방법에 따라 측정할 수 있다.The cured product obtained by thermosetting the resin composition at 100 占 폚 for 30 minutes and then at 180 占 폚 for 30 minutes exhibits a high fill strength (plated fill strength). That is, it results in an insulating layer having a high peel strength. The fill strength is preferably at least 145 kgf / cm, more preferably at least 148 kgf / cm, and even more preferably at least 150 kgf / cm. The upper limit is not particularly limited, but may be 300 kgf / cm or less. The measurement of the peel strength can be performed according to the description method of &quot; Measurement of Peel Strength, 10-point Average Roughness (Rz Value) &quot;

수지 조성물을 200℃에서 90분간 열경화시킨 경화물은 유리 전이 온도가 높다는 특성을 나타낸다. 따라서, 무름이 개선된 절연층을 초래한다. 유리 전이 온도로서는, 바람직하게는 145℃ 이상, 보다 바람직하게는 148℃ 이상, 더욱 바람직하게는 150℃ 이상이다. 상한은 특별히 한정되지 않지만, 300℃ 이하 등으로 할 수 있다. 유리 전이 온도의 측정은 후술하는 <유리 전이 온도 및 선열팽창 계수의 측정>의 기재 방법에 따라 측정할 수 있다.The cured product obtained by thermosetting the resin composition at 200 占 폚 for 90 minutes exhibits a high glass transition temperature. Thus, the smoothing results in an improved insulating layer. The glass transition temperature is preferably 145 占 폚 or higher, more preferably 148 占 폚 or higher, even more preferably 150 占 폚 or higher. The upper limit is not particularly limited, but may be 300 deg. C or lower. The glass transition temperature can be measured according to the description method of &quot; Measurement of Glass Transition Temperature and Linear Thermal Expansion Coefficient &quot;

수지 조성물을 200℃에서 90분간 열경화시킨 경화물은 선열팽창 계수가 낮다는 특성을 나타낸다. 즉, 선열팽창 계수가 낮은 절연층을 초래한다. 선열팽창 계수로서는, 바람직하게는 45ppm 이하, 보다 바람직하게는 44ppm 이하, 더욱 바람직하게는 43ppm 이하이다. 하한은 특별히 한정되지 않지만, 1ppm 이상 등으로 할 수 있다. 선열팽창 계수의 측정은 후술하는 <유리 전이 온도 및 선열팽창 계수의 측정>의 기재 방법에 따라 측정할 수 있다.The cured product obtained by thermosetting the resin composition at 200 占 폚 for 90 minutes exhibits a low coefficient of linear thermal expansion. That is, it results in an insulating layer having a low coefficient of linear thermal expansion. The linear thermal expansion coefficient is preferably 45 ppm or less, more preferably 44 ppm or less, and further preferably 43 ppm or less. The lower limit is not particularly limited, but may be 1 ppm or more. Measurement of the coefficient of linear thermal expansion can be performed according to the description method of &quot; Measurement of Glass Transition Temperature and Linear Thermal Expansion Coefficient &quot;

[수지 시트][Resin sheet]

본 발명의 수지 시트는 지지체와, 상기 지지체 위에 설치된, 본 발명의 수지 조성물로 형성된 수지 조성물층을 포함한다.The resin sheet of the present invention comprises a support and a resin composition layer formed on the support and formed from the resin composition of the present invention.

수지 조성물층의 두께는 프린트 배선판의 박형화의 관점에서, 바람직하게는 200㎛ 이하, 보다 바람직하게는 100㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 50㎛ 이하, 보다 더 바람직하게는 20㎛ 이하, 15㎛ 이하, 또는 10㎛ 이하이다. 수지 조성물층의 두께의 하한은 특별히 한정되지 않지만, 통상, 1㎛ 이상, 3㎛ 이상 등으로 할 수 있다.The thickness of the resin composition layer is preferably 200 占 퐉 or less, more preferably 100 占 퐉 or less, still more preferably 50 占 퐉 or less, still more preferably 20 占 퐉 or less, 15 占 퐉 or less, Or 10 μm or less. The lower limit of the thickness of the resin composition layer is not particularly limited, but may be usually 1 占 퐉 or more, 3 占 퐉 or more, and the like.

지지체로서는, 예를 들면, 플라스틱 재료로 이루어진 필름, 금속박, 이형지를 들 수 있고, 플라스틱 재료로 이루어진 필름, 금속박이 바람직하다.As the support, for example, a film made of a plastic material, a metal foil and a release paper can be mentioned, and a film or a metal foil made of a plastic material is preferable.

지지체로서 플라스틱 재료로 이루어진 필름을 사용할 경우, 플라스틱 재료로서는, 예를 들면, 폴리에틸렌테레프탈레이트(이하, 「PET」라고 약칭하는 경우가 있음), 폴리에틸렌나프탈레이트(이하, 「PEN」이라고 약칭하는 경우가 있음) 등의 폴리에스테르, 폴리카보네이트(이하, 「PC」라고 약칭하는 경우가 있음), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA) 등의 아크릴, 환상 폴리올레핀, 트리아세틸셀룰로오스(TAC), 폴리에테르설파이드(PES), 폴리에테르케톤, 폴리이미드 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트가 바람직하고, 저렴한 폴리에틸렌테레프탈레이트가 특히 바람직하다.When a film made of a plastic material is used as the support, examples of the plastic material include polyethylene terephthalate (hereinafter may be abbreviated as "PET"), polyethylene naphthalate (hereinafter abbreviated as "PEN" (TAC), polyether sulfide (PES), and the like, such as polyester, polycarbonate (hereinafter sometimes abbreviated as "PC") and polymethylmethacrylate (PMMA) ), Polyether ketone, polyimide and the like. Among them, polyethylene terephthalate and polyethylene naphthalate are preferable, and inexpensive polyethylene terephthalate is particularly preferable.

지지체로서 금속박을 사용할 경우, 금속박으로서는, 예를 들면, 동박, 알루미늄박 등을 들 수 있고, 동박이 바람직하다. 동박으로서는 동의 단금속으로 이루어진 박을 사용하여도 좋고, 동와 다른 금속(예를 들면, 주석, 크롬, 은, 마그네슘, 니켈, 지르코늄, 규소, 티탄 등)의 합금으로 이루어진 박을 사용하여도 좋다.When a metal foil is used as a support, examples of the metal foil include copper foil and aluminum foil, and copper foil is preferable. As the copper foil, a foil made of a copper alloy metal may be used, or a foil made of an alloy of copper and another metal (for example, tin, chromium, silver, magnesium, nickel, zirconium, silicon, titanium, etc.) may be used.

지지체는 수지 조성물층과 접합하는 면에 매트 처리, 코로나 처리, 대전 방지 처리를 실시하여도 좋다.The support may be subjected to a matting treatment, a corona treatment, and an antistatic treatment on the surface to be bonded to the resin composition layer.

또한, 지지체로서는 수지 조성물층과 접합하는 면에 이형층을 갖는 이형층 부착 지지체를 사용하여도 좋다. 이형층 부착 지지체의 이형층에 사용하는 이형제로서는, 예를 들면, 알키드 수지, 폴리올레핀 수지, 우레탄 수지, 및 실리콘 수지로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 이형제를 들 수 있다. 이형층 부착 지지체는 시판품을 사용하여도 좋고, 예를 들면, 알키드 수지계 이형제를 주성분으로 하는 이형층을 갖는 PET 필름인, 린텍사 제조의 「SK-1」, 「AL-5」, 「AL-7」, 도레이사 제조의 「루미러 T60」, 데이진사 제조의 「퓨렉스」, 유니치카사 제조의 「유니필」 등을 들 수 있다.As the support, a support having a release layer having a release layer on the surface to be bonded to the resin composition layer may be used. Examples of the release agent used for the release layer of the release layer-adherend support include at least one release agent selected from the group consisting of an alkyd resin, a polyolefin resin, a urethane resin, and a silicone resin. SK-1 &quot;, &quot; AL-5 &quot;, and &quot; AL-5 &quot;, manufactured by Lintec Corporation, which is a PET film having a release layer composed mainly of an alkyd resin releasing agent as a main component, 7, &quot; Lumirror T60 &quot; manufactured by Toray Industries, Inc., &quot; Purex &quot; manufactured by Dejin Corporation, and Unipyl manufactured by Uniqica Corporation.

지지체의 두께로서는 특별히 한정되지 않지만, 5㎛ 내지 75㎛의 범위가 바람직하고, 10㎛ 내지 60㎛의 범위가 보다 바람직하다. 또한, 이형층 부착 지지체를 사용할 경우, 이형층 부착 지지체 전체의 두께가 상기 범위인 것이 바람직하다.The thickness of the support is not particularly limited, but is preferably in the range of 5 탆 to 75 탆, more preferably in the range of 10 탆 to 60 탆. When the release layer-adhered support is used, it is preferable that the thickness of the entirety of the release layer-adhered support is in the above range.

일 실시형태에 있어서 수지 시트는 또한 필요에 따라 그 외의 층을 포함하고 있어도 좋다. 이러한 그 외의 층으로서는, 예를 들면, 수지 조성물층의 지지체와 접합하지 않은 면(즉, 지지체와는 반대측의 면)에 설치된, 지지체에 준한 보호 필름 등을 들 수 있다. 보호 필름의 두께는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면, 1㎛ 내지 40㎛이다. 보호 필름을 적층함으로써 수지 조성물층의 표면으로의 먼지 등의 부착이나 상처를 억제할 수 있다.In one embodiment, the resin sheet may further include other layers as required. Examples of such other layers include a protective film based on a support provided on the surface of the resin composition layer not bonded to the support (i.e., the surface opposite to the support). The thickness of the protective film is not particularly limited, but is, for example, 1 m to 40 m. By laminating a protective film, it is possible to suppress adhesion and scratches of dust or the like on the surface of the resin composition layer.

수지 시트는, 예를 들면, 유기용제에 수지 조성물을 용해한 수지 바니시를 조제하고, 이 수지 바니시를, 다이코터 등을 사용하여 지지체 위에 도포하고, 또한 건조시켜 수지 조성물층을 형성시킴으로써 제조할 수 있다.The resin sheet can be produced, for example, by preparing a resin varnish obtained by dissolving a resin composition in an organic solvent, coating the resin varnish on a support using a die coater or the like, and drying the resin varnish to form a resin composition layer .

유기용제로서는, 예를 들면, 아세톤, 메틸에틸케톤(MEK) 및 사이클로헥산온 등의 케톤류, 아세트산에틸, 아세트산부틸, 셀로솔브아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 및 카르비톨아세테이트 등의 아세트산에스테르류, 셀로솔브 및 부틸카르비톨 등의 카르비톨류, 톨루엔 및 크실렌 등의 방향족 탄화수소류, 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드(DMAc) 및 N-메틸피롤리돈 등의 아미드계 용제 등을 들 수 있다. 유기용제는 1종 단독으로 사용하여도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용하여도 좋다.Examples of the organic solvent include ketones such as acetone, methyl ethyl ketone (MEK) and cyclohexanone, acetic acid esters such as ethyl acetate, butyl acetate, cellosolve acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate and carbitol acetate, Carbitol such as cellosolve and butyl carbitol, aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene, and amide solvents such as dimethylformamide, dimethylacetamide (DMAc) and N-methylpyrrolidone. The organic solvents may be used alone, or two or more kinds may be used in combination.

건조는 가열, 열풍 분무 등의 공지된 방법에 의해 실시하여도 좋다. 건조 조건은 특별히 한정되지 않지만, 수지 조성물층 중의 유기용제의 함유량이 10질량% 이하, 바람직하게는 5질량% 이하가 되도록 건조시킨다. 수지 바니시 중의 유기용제의 비점에 따라서도 다르지만, 예를 들면 30질량% 내지 60질량%의 유기용제를 포함하는 수지 바니시를 사용할 경우, 50℃ 내지 150℃에서 3분간 내지 10분간 건조시킴으로써, 수지 조성물층을 형성할 수 있다.The drying may be carried out by a known method such as heating or hot air spraying. The drying conditions are not particularly limited, but the drying is carried out so that the content of the organic solvent in the resin composition layer is 10 mass% or less, preferably 5 mass% or less. For example, 30 to 60% by mass, is used, the resin varnish is dried at 50 to 150 캜 for 3 minutes to 10 minutes, whereby the resin composition Layer can be formed.

수지 시트는 롤 형상으로 말아서 보존하는 것이 가능하다. 수지 시트가 보호 필름을 갖는 경우, 보호 필름을 벗김으로써 사용 가능해진다.The resin sheet can be rolled and stored. When the resin sheet has a protective film, it can be used by peeling off the protective film.

[프린트 배선판][Printed circuit board]

본 발명의 프린트 배선판은 본 발명의 수지 조성물의 경화물에 의해 형성된 절연층, 제1 도체층, 및 제2 도체층을 포함한다. 절연층은 제1 도체층과 제2 도체층 사이에 설치되어 있어, 제1 도체층과 제2 도체층을 절연하고 있다(도체층은 배선층이라고 하는 경우가 있음).The printed wiring board of the present invention comprises an insulating layer, a first conductor layer, and a second conductor layer formed by a cured product of the resin composition of the present invention. The insulating layer is provided between the first conductor layer and the second conductor layer to insulate the first conductor layer from the second conductor layer (the conductor layer may be referred to as a wiring layer).

제1 및 제2 도체층간의 절연층의 두께는, 바람직하게는 6㎛ 이하, 보다 바람직하게는 5.5㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 5㎛ 이하이다. 하한에 대해서는 특별히 한정되지 않지만 0.1㎛ 이상으로 할 수 있다. 제1 도체층과 제2 도체층의 간격(제1 및 제2 도체층간의 절연층의 두께)이란, 도 1에 일례를 도시한 바와 같이, 제1 도체층(1)의 주면(11)과 제2 도체층(2)의 주면(21) 사이의 절연층(3)의 두께(t1)를 말한다. 제1 및 제2 도체층은 절연층을 통하여 서로 이웃하는 도체층이고, 주면(11) 및 주면(21)은 서로 마주 향하고 있다.The thickness of the insulating layer between the first and second conductor layers is preferably 6 占 퐉 or less, more preferably 5.5 占 퐉 or less, and still more preferably 5 占 퐉 or less. The lower limit is not particularly limited, but may be 0.1 탆 or more. The distance between the first conductor layer and the second conductor layer (the thickness of the insulating layer between the first and second conductor layers) is, as shown in an example in Fig. 1, the distance between the major surface 11 of the first conductor layer 1 Refers to the thickness t1 of the insulating layer 3 between the main surfaces 21 of the second conductor layer 2. [ The first and second conductor layers are adjacent conductor layers through the insulating layer, and the main surface 11 and the main surface 21 are opposed to each other.

또한, 절연층 전체의 두께(t2)는, 바람직하게는 15㎛ 이하, 보다 바람직하게는 13㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 10㎛ 이하이다. 하한에 대해서는 특별히 한정되지 않지만, 통상, 1㎛ 이상, 1.5㎛ 이상, 2㎛ 이상 등으로 할 수 있다.The total thickness t2 of the insulating layer is preferably 15 mu m or less, more preferably 13 mu m or less, and further preferably 10 mu m or less. The lower limit is not particularly limited, but may be usually 1 占 퐉 or more, 1.5 占 퐉 or more, 2 占 퐉 or more, or the like.

프린트 배선판은 상기한 수지 시트를 사용하여, 하기 (I) 및 (II)의 공정을 포함하는 방법에 의해 제조할 수 있다.The printed wiring board can be produced by a method including the following steps (I) and (II) using the resin sheet described above.

(I) 내층 기판 위에, 수지 시트의 수지 조성물층이 내층 기판과 접합하도록 적층하는 공정(I) a step of laminating a resin composition layer of a resin sheet to be laminated on an inner layer substrate on an inner layer substrate

(II) 수지 조성물층을 열경화하여 절연층을 형성하는 공정(II) a step of thermally curing the resin composition layer to form an insulating layer

공정 (I)에서 사용하는 「내층 기판」이란, 프린트 배선판의 기판이 되는 부재로서, 예를 들면, 유리 에폭시 기판, 금속 기판, 폴리에스테르 기판, 폴리이미드 기판, BT 레진 기판, 열경화형 폴리페닐렌에테르 기판 등을 들 수 있다. 또한, 상기 기판은 이의 한면 또는 양면에 도체층을 갖고 있어도 좋고, 이러한 도체층은 패턴 가공되어 있어도 좋다. 기판의 한면 또는 양면에 도체층(회로)이 형성된 내층 기판은 「내층 회로 기판」이라고 하는 경우가 있다. 또한 프린트 배선판을 제조할 때에, 절연층 및/또는 도체층이 형성되어야 할 중간 제조물도 또한 본 발명에서 말하는 「내층 기판」에 포함된다. 프린트 배선판이 부품 내장 회로판인 경우, 부품을 내장한 내층 기판을 사용할 수 있다.The &quot; inner layer substrate &quot; used in the step (I) is a member which becomes a substrate of a printed wiring board, and examples thereof include glass epoxy substrate, metal substrate, polyester substrate, polyimide substrate, BT resin substrate, Ether substrates and the like. The substrate may have a conductor layer on one side or both sides thereof, and the conductor layer may be patterned. An inner-layer substrate on which a conductor layer (circuit) is formed on one or both surfaces of the substrate is sometimes referred to as an &quot; inner-layer circuit substrate &quot;. Further, in manufacturing a printed wiring board, an intermediate product to be formed with an insulating layer and / or a conductor layer is also included in the &quot; inner layer substrate &quot; When the printed wiring board is a component built-in circuit board, an inner-layer board containing components can be used.

내층 기판과 수지 시트의 적층은, 예를 들면, 지지체 측으로부터 수지 시트를 내층 기판에 가열 압착함으로써 행할 수 있다. 수지 시트를 내층 기판에 가열 압착하는 부재(이하, 「가열 압착 부재」라고도 함)로서는, 예를 들면, 가열된 금속판(SUS 경판 등) 또는 금속 롤(SUS 롤) 등을 들 수 있다. 또한, 가열 압착 부재를 수지 시트에 직접 프레스하는 것이 아니고, 내층 기판의 표면 요철에 수지 시트가 충분히 추종하도록, 내열 고무 등의 탄성재를 통하여 프레스하는 것이 바람직하다.The lamination of the inner layer substrate and the resin sheet can be performed, for example, by heating and pressing the resin sheet from the support side to the inner layer substrate. Examples of the member for heating and pressing the resin sheet to the inner layer substrate (hereinafter also referred to as "hot pressing member") include a heated metal plate (SUS hard plate) or a metal roll (SUS roll). Further, it is preferable to press the heat-press member through an elastic material such as heat-resistant rubber so that the resin sheet can sufficiently follow the surface unevenness of the inner layer substrate, not directly press the resin sheet.

내층 기판과 수지 시트의 적층은 진공 라미네이트법에 의해 실시하여도 좋다. 진공 라미네이트법에 있어서 가열 압착 온도는, 바람직하게는 60℃ 내지 160℃, 보다 바람직하게는 80℃ 내지 140℃의 범위이고, 가열 압착 압력은, 바람직하게는 0.098MPa 내지 1.77MPa, 보다 바람직하게는 0.29MPa 내지 1.47MPa의 범위이고, 가열 압착 시간은, 바람직하게는 20초간 내지 400초간, 보다 바람직하게는 30초간 내지 300초간의 범위이다. 적층은, 바람직하게는 압력 26.7hPa 이하의 감압 조건하에서 실시한다.The lamination of the inner layer substrate and the resin sheet may be carried out by a vacuum lamination method. The hot-pressing temperature in the vacuum laminating method is preferably in the range of 60 占 폚 to 160 占 폚, more preferably 80 占 폚 to 140 占 폚, and the hot pressing pressure is preferably 0.098 MPa to 1.77 MPa, Preferably 0.29 MPa to 1.47 MPa, and the heat pressing time is preferably 20 seconds to 400 seconds, more preferably 30 seconds to 300 seconds. The lamination is preferably performed under a reduced pressure of 26.7 hPa or less.

적층은 시판의 진공 라미네이터에 의해 행할 수 있다. 시판의 진공 라미네이터로서는, 예를 들면, 메이키세이사쿠쇼사 제조의 진공 가압식 라미네이터, 닛코·머티리얼즈사 제조의 배큠 어플리케이터, 배치식 진공 가압 라미네이터 등을 들 수 있다.The lamination can be performed by a commercially available vacuum laminator. As a commercially available vacuum laminator, for example, a vacuum pressurized laminator manufactured by Meiji Seisakusho Co., Ltd., a vacuum applicator manufactured by Nikko Material Co., Ltd., and a batch type vacuum pressure laminator can be given.

적층 후에, 상압하(대기압하), 예를 들면, 가열 압착 부재를 지지체 측으로부터 프레스함으로써, 적층된 수지 시트의 평활화 처리를 행하여도 좋다. 평활화 처리의 프레스 조건은 상기 적층의 가열 압착 조건과 같은 조건으로 할 수 있다. 평활화 처리는 시판의 라미네이터에 의해 행할 수 있다. 또한, 적층과 평활화 처리는 상기의 시판의 진공 라미네이터를 사용하여 연속적으로 행하여도 좋다.After lamination, the laminated resin sheet may be subjected to smoothing treatment under atmospheric pressure (under atmospheric pressure), for example, by pressing a hot press member from the support side. The pressing condition of the smoothing treatment can be set to the same conditions as the hot pressing conditions of the lamination. The smoothing process can be performed by a commercially available laminator. The lamination and smoothing process may be continuously performed using the commercially available vacuum laminator.

지지체는 공정 (I)과 공정 (II) 사이에 제거하여도 좋고, 공정 (II) 후에 제거하여도 좋다.The support may be removed between step (I) and step (II), or may be removed after step (II).

공정 (II)에서, 수지 조성물층을 열경화하여 절연층을 형성한다.In the step (II), the resin composition layer is thermally cured to form an insulating layer.

수지 조성물층의 열경화 조건은 특별히 한정되지 않고, 프린트 배선판의 절연층을 형성함에 있어서 통상 채용되는 조건을 사용하여도 좋다.The thermosetting conditions of the resin composition layer are not particularly limited, and conditions generally employed in forming the insulating layer of the printed wiring board may be used.

예를 들면, 수지 조성물층의 열경화 조건은 수지 조성물의 종류 등에 따라서도 다르지만, 경화 온도는 120℃ 내지 240℃의 범위(바람직하게는 150℃ 내지 220℃의 범위, 보다 바람직하게는 170℃ 내지 200℃의 범위), 경화 시간은 5분간 내지 120분간의 범위(바람직하게는 10분간 내지 100분간, 보다 바람직하게는 15분간 내지 90분간)로 할 수 있다.For example, although the thermosetting conditions of the resin composition layer are different depending on the type of the resin composition and the like, the curing temperature is in the range of 120 캜 to 240 캜 (preferably in the range of 150 캜 to 220 캜, 200 占 폚), and the curing time may be in the range of 5 minutes to 120 minutes (preferably 10 minutes to 100 minutes, more preferably 15 minutes to 90 minutes).

수지 조성물층을 열경화시키기 전에, 수지 조성물층을 경화 온도보다도 낮은 온도로 예비 가열하여도 좋다. 예를 들면, 수지 조성물층을 열경화시키기에 앞서, 50℃ 이상 120℃ 미만(바람직하게는 60℃ 이상 115℃ 이하, 보다 바람직하게는 70℃ 이상 110℃ 이하)의 온도로, 수지 조성물층을 5분간 이상(바람직하게는 5분간 내지 150분간, 보다 바람직하게는 15분간 내지 120분간, 더욱 바람직하게는 15분간 내지 100분간) 예비 가열하여도 좋다.The resin composition layer may be preheated to a temperature lower than the curing temperature before thermosetting the resin composition layer. For example, before the resin composition layer is thermally cured, the resin composition layer is heated to a temperature of 50 占 폚 or more and less than 120 占 폚 (preferably 60 占 폚 or more and 115 占 폚 or less, more preferably 70 占 폚 or more and 110 占 폚 or less) It may be preheated for 5 minutes or more (preferably 5 minutes to 150 minutes, more preferably 15 minutes to 120 minutes, more preferably 15 minutes to 100 minutes).

프린트 배선판을 제조할 때에는, (III) 절연층에 천공하는 공정, (IV) 절연층을 조화 처리하는 공정, (V) 도체층을 형성하는 공정을 추가로 실시하여도 좋다. 이들 공정 (III) 내지 공정 (V)는 프린트 배선판의 제조에 사용되는, 당업자에게 공지된 각종 방법에 따라 실시하여도 좋다. 또한, 지지체를 공정 (II) 후에 제거할 경우, 상기 지지체의 제거는 공정 (II)와 공정 (III) 사이, 공정 (III)과 공정 (IV) 사이, 또는 공정 (IV)와 공정 (V) 사이에 실시하여도 좋다. 또한, 필요에 따라, 공정 (II) 내지 공정 (V)의 절연층 및 도체층의 형성을 반복하여 실시하여, 다층 배선판을 형성하여도 좋다. 이 경우, 각각의 도체층간의 절연층의 두께(도 1의 t1)는 상기 범위 내인 것이 바람직하다.In the production of a printed wiring board, (III) a step of piercing the insulating layer, (IV) a step of roughening the insulating layer, and (V) a step of forming a conductor layer may be further performed. These steps (III) to (V) may be carried out according to various methods known to those skilled in the art, which are used in the production of printed wiring boards. When the support is removed after the step (II), the removal of the support is carried out between the steps (II) and (III), between the steps (III) and (IV) Or the like. Further, if necessary, the multilayer wiring board may be formed by repeating the formation of the insulating layer and the conductor layer in the process (II) to the process (V). In this case, it is preferable that the thickness of the insulating layer (t1 in Fig. 1) between the respective conductor layers is within the above range.

공정 (III)은 절연층에 천공하는 공정이고, 이로써 절연층에 비아홀, 스루홀 등의 홀을 형성할 수 있다. 공정 (III)은 절연층의 형성에 사용한 수지 조성물의 조성 등에 따라, 예를 들면, 드릴, 레이저, 플라즈마 등을 사용하여 실시하여도 좋다. 홀의 치수나 형상은 프린트 배선판의 디자인에 따라 적절히 결정하여도 좋다.Step (III) is a step of perforating the insulating layer, whereby holes such as via holes and through holes can be formed in the insulating layer. The step (III) may be carried out using, for example, a drill, a laser, a plasma or the like depending on the composition of the resin composition used for forming the insulating layer. The dimensions and shape of the holes may be appropriately determined in accordance with the design of the printed wiring board.

공정 (IV)는 절연층을 조화 처리하는 공정이다. 조화 처리의 순서, 조건은 특별히 한정되지 않고, 프린트 배선판의 절연층을 형성함에 있어서 통상 사용되는 공지된 순서, 조건을 채용할 수 있다. 예를 들면, 팽윤액에 의한 팽윤 처리, 산화제에 의한 조화 처리, 중화액에 의한 중화 처리를 이러한 순서로 실시하여 절연층을 조화 처리할 수 있다. 조화 처리에 사용하는 팽윤액으로서는 특별히 한정되지 않지만, 알칼리 용액, 계면활성제 용액 등을 들 수 있고, 바람직하게는 알칼리 용액이며, 상기 알칼리 용액으로서는 수산화나트륨 용액, 수산화칼륨 용액이 보다 바람직하다. 시판되고 있는 팽윤액으로서는, 예를 들면, 아토텍재팬사 제조의 「스웰링·딥·시큐리간스 P」, 「스웰링·딥·시큐리간스 SBU」 등을 들 수 있다. 팽윤액에 의한 팽윤 처리는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 30℃ 내지 90℃의 팽윤액에 절연층을 1분간 내지 20분간 침지시킴으로써 행할 수 있다. 절연층 수지의 팽윤을 적당한 레벨로 억제하는 관점에서, 40℃ 내지 80℃의 팽윤액에 절연층을 5분간 내지 15분간 침지시키는 것이 바람직하다. 조화 처리에 사용하는 산화제로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 수산화나트륨의 수용액에 과망간산칼륨이나 과망간산나트륨을 용해한 알칼리성 과망간산 용액을 들 수 있다. 알칼리성 과망간산 용액 등의 산화제에 의한 조화 처리는, 60℃ 내지 80℃로 가열한 산화제 용액에 절연층을 10분간 내지 30분간 침지시켜 행하는 것이 바람직하다. 또한, 알칼리성 과망간산 용액에서의 과망간산염의 농도는 5질량% 내지 10질량%가 바람직하다. 시판되고 있는 산화제로서는, 예를 들면, 아토텍재팬사 제조의 「콘센트레이트·컴팩트 CP」, 「도징솔루션·시큐리간스 P」 등의 알칼리성 과망간산 용액을 들 수 있다. 또한, 조화 처리에 사용하는 중화액으로서는 산성의 수용액이 바람직하고, 시판품으로서는, 예를 들면, 아토텍재팬사 제조의 「리덕션 솔루션·시큐리간스 P」를 들 수 있다. 중화액에 의한 처리는 산화제에 의한 조화 처리가 이루어진 처리면을 30℃ 내지 80℃의 중화액에 5분간 내지 30분간 침지시킴으로써 행할 수 있다. 작업성 등의 점에서, 산화제에 의한 조화 처리가 이루어진 대상물을, 40℃ 내지 70℃의 중화액에 5분간 내지 20분간 침지하는 방법이 바람직하다.Step (IV) is a step of roughening the insulating layer. The order and condition of the harmonization treatment are not particularly limited, and a well-known sequence and conditions commonly used in forming the insulating layer of the printed wiring board can be adopted. For example, swelling treatment with a swollen liquid, coarsening treatment with an oxidizing agent, and neutralization treatment with a neutralizing liquid can be carried out in this order to roughen the insulating layer. The swelling liquid used for the harmonic treatment is not particularly limited, but examples thereof include an alkali solution and a surfactant solution, preferably an alkali solution, and more preferably a sodium hydroxide solution or a potassium hydroxide solution. Examples of commercially available swelling liquids include Swelling Dip Siculiganth P, Swelling Dip Sicurgis SBU manufactured by Atotech Japan Co., Ltd., and the like. The swelling treatment by the swelling liquid is not particularly limited, but can be carried out, for example, by immersing the swelling liquid at 30 캜 to 90 캜 for 1 minute to 20 minutes. From the viewpoint of suppressing the swelling of the resin of the insulating layer to an appropriate level, it is preferable to immerse the insulating layer in the swelling solution at 40 캜 to 80 캜 for 5 minutes to 15 minutes. The oxidizing agent used for the harmonic treatment is not particularly limited, and for example, an alkaline permanganic acid solution obtained by dissolving potassium permanganate or sodium permanganate in an aqueous solution of sodium hydroxide can be mentioned. The roughening treatment with an oxidizing agent such as an alkaline permanganic acid solution is preferably carried out by immersing the insulating layer in an oxidizing agent solution heated at 60 캜 to 80 캜 for 10 minutes to 30 minutes. The concentration of the permanganate in the alkaline permanganic acid solution is preferably 5% by mass to 10% by mass. Examples of commercially available oxidizing agents include alkaline permanganic acid solutions such as "Concentrate Compact CP" manufactured by Atotech Japan Co., Ltd. and "Dozing Solution · Securigans P". An acidic aqueous solution is preferable as a neutralizing solution used for harmonization treatment, and commercially available products include, for example, "Reduction Solution · Securigans P" manufactured by Atotech Japan Co., Ltd. The treatment with the neutralizing liquid can be carried out by soaking the treated surface subjected to the roughening treatment with an oxidizing agent in a neutralizing solution at 30 ° C to 80 ° C for 5 minutes to 30 minutes. From the standpoint of workability and the like, it is preferable to immerse the object subjected to the roughening treatment with an oxidizing agent in a neutralizing solution at 40 to 70 캜 for 5 to 20 minutes.

일 실시형태에 있어서, 조화 처리 후의 절연층 표면의 산술 평균 거칠기(Ra)는, 바람직하게는 400nm 이하, 보다 바람직하게는 350nm 이하, 더욱 바람직하게는 300nm 이하이다. 하한에 대해서는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 0.5nm 이상, 보다 바람직하게는 1nm 이상 등으로 할 수 있다. 또한, 조화 처리 후의 절연층 표면의 자승 평균 평방근 거칠기(Rq)는, 바람직하게는 400nm 이하, 보다 바람직하게는 350nm 이하, 더욱 바람직하게는 300nm 이하이다. 하한에 대해서는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 0.5nm 이상, 보다 바람직하게는 1nm 이상 등으로 할 수 있다. 절연층 표면의 산술 평균 거칠기(Ra) 및 자승 평균 평방근 거칠기(Rq)는 비접촉형 표면 거칠기계를 사용하여 측정할 수 있다.In one embodiment, the arithmetic mean roughness (Ra) of the surface of the insulating layer after the roughening treatment is preferably 400 nm or less, more preferably 350 nm or less, further preferably 300 nm or less. The lower limit is not particularly limited, but is preferably 0.5 nm or more, more preferably 1 nm or more. The square root mean square roughness (Rq) of the surface of the insulating layer after the roughening treatment is preferably 400 nm or less, more preferably 350 nm or less, still more preferably 300 nm or less. The lower limit is not particularly limited, but is preferably 0.5 nm or more, more preferably 1 nm or more. The arithmetic average roughness (Ra) and the square root mean square roughness (Rq) of the insulating layer surface can be measured using a non-contact surface roughing machine.

공정 (V)는 도체층을 형성하는 공정이다. 내층 기판에 도체층이 형성되어 있지 않은 경우, 공정 (V)는 제1 도체층을 형성하는 공정이고, 내층 기판에 도체층이 형성되어 있는 경우, 상기 도체층이 제1 도체층이고, 공정 (V)는 제2 도체층을 형성하는 공정이다.Step (V) is a step of forming a conductor layer. Step (V) is a step of forming the first conductor layer when the conductor layer is not formed on the inner layer substrate, and when the conductor layer is formed on the inner layer substrate, the conductor layer is the first conductor layer, V) is a step of forming the second conductor layer.

도체층에 사용하는 도체 재료는 특별히 한정되지 않는다. 적합한 실시형태에서는, 도체층은 금, 백금, 팔라듐, 은, 동, 알루미늄, 코발트, 크롬, 아연, 니켈, 티탄, 텅스텐, 철, 주석 및 인듐으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 금속을 포함한다. 도체층은 단금속층이라도 합금층이라도 좋고, 합금층으로서는, 예를 들면, 상기한 그룹으로부터 선택되는 2종 이상의 금속의 합금(예를 들면, 니켈·크롬 합금, 동·니켈 합금 및 동·티탄 합금)으로 형성된 층을 들 수 있다. 그 중에서도, 도체층 형성의 범용성, 비용, 패터닝의 용이성 등의 관점에서, 크롬, 니켈, 티탄, 알루미늄, 아연, 금, 팔라듐, 은 또는 동의 단금속층, 또는 니켈·크롬 합금, 동·니켈 합금, 동·티탄 합금의 합금층이 바람직하고, 크롬, 니켈, 티탄, 알루미늄, 아연, 금, 팔라듐, 은 또는 동의 단금속층, 또는 니켈·크롬 합금의 합금층이 보다 바람직하고, 동의 단금속층이 더욱 바람직하다.The conductor material used for the conductor layer is not particularly limited. In a preferred embodiment, the conductor layer comprises at least one metal selected from the group consisting of gold, platinum, palladium, silver, copper, aluminum, cobalt, chromium, zinc, nickel, titanium, tungsten, iron, tin and indium . The conductor layer may be a single metal layer or an alloy layer, and examples of the alloy layer include alloys of two or more metals selected from the above-mentioned group (for example, nickel-chromium alloy, copper-nickel alloy and copper- ). &Lt; / RTI &gt; Among them, chromium, nickel, titanium, aluminum, zinc, gold, palladium, silver or copper single metal layer or nickel-chromium alloy, copper-nickel alloy, An alloy layer of copper-titanium alloy is preferable and an alloy layer of chromium, nickel, titanium, aluminum, zinc, gold, palladium, silver or copper single metal layer or nickel-chromium alloy is more preferable, Do.

도체층은 단층 구조라도, 다른 종류의 금속 또는 합금으로 이루어진 단금속층 또는 합금층이 2층 이상 적층된 복층 구조라도 좋다. 도체층이 복층 구조인 경우, 절연층과 접하는 층은 크롬, 아연 또는 티탄의 단금속층, 또는 니켈·크롬 합금의 합금층인 것이 바람직하다.The conductor layer may have a single-layer structure or a multi-layer structure in which two or more single metal layers or alloy layers made of different kinds of metals or alloys are stacked. When the conductor layer is a multilayer structure, the layer in contact with the insulating layer is preferably a single metal layer of chromium, zinc or titanium, or an alloy layer of nickel-chromium alloy.

도체층의 두께는 원하는 프린트 배선판의 디자인에 따르지만, 일반적으로 3㎛ 내지 35㎛, 바람직하게는 5㎛ 내지 30㎛이다.The thickness of the conductor layer depends on the design of the desired printed wiring board, but is generally from 3 탆 to 35 탆, preferably from 5 탆 to 30 탆.

일 실시형태에 있어서, 도체층은 도금에 의해 형성하여도 좋다. 예를 들면, 세미 애디티브법, 풀 애디티브법 등의 종래 공지된 기술에 의해 절연층의 표면에 도금하여, 원하는 배선 패턴을 갖는 도체층을 형성할 수 있고, 제조의 간편성의 관점에서, 세미 애디티브법에 의해 형성하는 것이 바람직하다. 이하, 도체층을 세미 애디티브법에 의해 형성하는 예를 개시한다.In one embodiment, the conductor layer may be formed by plating. For example, the surface of the insulating layer can be plated by a conventionally known technique such as a semi-additive method or a pull additive method to form a conductor layer having a desired wiring pattern. In view of simplicity of manufacture, It is preferably formed by the additive method. Hereinafter, an example of forming the conductor layer by the semi-additive method is described.

우선, 절연층의 표면에 무전해 도금에 의해 도금 시드층을 형성한다. 이어서, 형성된 도금 시드층 위에, 원하는 배선 패턴에 대응하여 도금 시드층의 일부를 노출시키는 마스크 패턴을 형성한다. 노출된 도금 시드층 위에, 전해 도금에 의해 금속층을 형성한 후, 마스크 패턴을 제거한다. 그 후, 불필요한 도금 시드층을 에칭 등에 의해 제거하여, 원하는 배선 패턴을 갖는 도체층을 형성할 수 있다.First, a plating seed layer is formed on the surface of the insulating layer by electroless plating. Subsequently, a mask pattern is formed on the formed plating seed layer to expose a part of the plating seed layer corresponding to the desired wiring pattern. A metal layer is formed on the exposed plating seed layer by electrolytic plating, and then the mask pattern is removed. Thereafter, an unnecessary plating seed layer is removed by etching or the like, and a conductor layer having a desired wiring pattern can be formed.

본 발명의 수지 시트는 부품 매립성에도 양호한 절연층을 초래하기 때문에, 프린트 배선판이 부품 내장 회로판인 경우에도 적합하게 사용할 수 있다. 부품 내장 회로판은 공지된 제조 방법에 의해 제작할 수 있다.The resin sheet of the present invention can be suitably used even in the case where the printed wiring board is a component built-in circuit board, because it leads to a good insulating layer in terms of part embedding property. The component built-in circuit board can be manufactured by a known manufacturing method.

본 발명의 수지 시트를 사용하여 제조되는 프린트 배선판은 수지 시트의 수지 조성물층의 경화물인 절연층과, 절연층에 매립된 매립형 배선층을 구비하는 양태라도 좋다.The printed wiring board manufactured using the resin sheet of the present invention may be an embodiment in which the insulating layer which is a cured product of the resin composition layer of the resin sheet and the buried wiring layer buried in the insulating layer.

[반도체 장치][Semiconductor device]

본 발명의 반도체 장치는 본 발명의 프린트 배선판을 포함한다. 본 발명의 반도체 장치는 본 발명의 프린트 배선판을 사용하여 제조할 수 있다.The semiconductor device of the present invention includes the printed wiring board of the present invention. The semiconductor device of the present invention can be manufactured by using the printed wiring board of the present invention.

반도체 장치로서는, 전기 제품(예를 들면, 컴퓨터, 휴대전화, 디지털 카메라 및 텔레비전 등) 및 탈것(예를 들면, 자동 이륜차, 자동차, 전차, 선박 및 항공기 등) 등에 제공되는 각종 반도체 장치를 들 수 있다.Examples of the semiconductor device include various semiconductor devices provided in an electric product (such as a computer, a mobile phone, a digital camera and a television) and a vehicle (such as a motorcycle, a car, a train, have.

본 발명의 반도체 장치는 프린트 배선판의 도통 개소에, 부품(반도체 칩)을 실장함으로써 제조할 수 있다. 「도통 개소」란, 「프린트 배선판에서의 전기 신호를 전달하는 개소」이고, 그 장소는 표면이라도, 매립된 개소라도 어느 쪽이라도 상관없다. 또한, 반도체 칩은 반도체를 재료로 하는 전기 회로 소자이면 특별히 한정되지 않는다.The semiconductor device of the present invention can be manufactured by mounting a component (semiconductor chip) in a conductive portion of a printed wiring board. The &quot; conduction site &quot; is a &quot; location where electrical signals are transmitted from the printed wiring board &quot;, and the location may be either a surface or a buried site. The semiconductor chip is not particularly limited as long as it is an electric circuit element made of a semiconductor material.

반도체 장치를 제조할 때의 반도체 칩의 실장 방법은 반도체 칩이 유효하게 기능하기만 하면 특별히 한정되지 않지만, 구체적으로는, 와이어 본딩 실장 방법, 플립 칩 실장 방법, 범프리스 빌드업층(BBUL)에 의한 실장 방법, 이방성 도전 필름(ACF)에 의한 실장 방법, 비도전성 필름(NCF)에 의한 실장 방법 등을 들 수 있다. 여기서, 「범프리스 빌드업층(BBUL)에 의한 실장 방법」이란, 「반도체 칩을 프린트 배선판의 오목부에 직접 매립하여, 반도체 칩과 프린트 배선판 위의 배선을 접속시키는 실장 방법」이다.The method of mounting the semiconductor chip at the time of manufacturing the semiconductor device is not particularly limited as long as the semiconductor chip functions effectively. Specifically, the semiconductor chip is manufactured by a wire bonding mounting method, a flip chip mounting method, a bump- A mounting method using an anisotropic conductive film (ACF), a mounting method using a non-conductive film (NCF), and the like. Here, the "mounting method using the bumpless buildup layer (BBUL)" is a "mounting method in which the semiconductor chip is directly embedded in the concave portion of the printed wiring board to connect the wiring on the semiconductor chip and the printed wiring board".

실시예Example

이하, 본 발명을 실시예에 보다 구체적으로 설명한다. 본 발명은 이들의 실시예에 한정되는 것은 아니다. 또한, 이하에서 양을 나타내는 「부」 및 「%」는 별도 명시가 없는 한, 각각 「질량부」 및 「질량%」를 의미한다.Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to Examples. But the present invention is not limited to these examples. In the following description, &quot; part (s) &quot; and &quot;% &quot;, representing amounts, means &quot; part by mass &quot; and &quot;% by mass &quot;

우선은 각종 측정 방법·평가 방법에 대하여 설명한다.First, various measurement methods and evaluation methods will be described.

<필 강도, 10점 평균 거칠기(Rz값)의 측정>&Lt; Measurement of Peel Strength, 10-point Average Roughness (Rz Value) >

(필 강도, 10점 평균 거칠기(Rz값) 측정용 샘플의 조제)(Preparation of sample for measurement of peel strength, 10-point average roughness (Rz value)) [

(1) 내층 회로 기판의 하지(下地) 처리(1) Underlayer treatment of inner layer circuit board

내층 회로를 형성한 유리포 기재 에폭시 수지 양면 동장 적층판(동박의 두께 18㎛, 기판의 두께 0.8mm, 파나소닉사 제조 「R1766」)을 내층 회로 기판으로서 준비하고, 그 양면을 마이크로 에칭제(맥크사 제조 「CZ8101」)에 침지하여 동 표면의 조화 처리(동 에칭량: 1.0㎛)을 행하였다.(A copper foil having a thickness of 18 mu m and a thickness of 0.8 mm, &quot; R1766 &quot; manufactured by Panasonic Corporation) having an inner layer circuit formed thereon was prepared as an inner layer circuit board, Manufactured by &quot; CZ8101 &quot;) to conduct copper surface roughening treatment (copper etching amount: 1.0 탆).

(2) 수지 시트의 적층(2) Lamination of resin sheet

실시예 및 비교예에서 제작한 수지 조성물층의 두께가 10㎛인 수지 시트를, 배취식 진공 가압 라미네이터(닛코·머티리얼즈사 제조, 2 스테이지 빌트업 라미네이터, CVP700)를 사용하여, 수지 조성물층이 내층 회로 기판과 접합하도록, 내층 회로 기판의 양면에 라미네이트 처리하였다. 라미네이트 처리는 30초간 감압하여 기압을 13hPa 이하로 한 후, 100℃, 압력 0.74MPa로 30초간 압착함으로써 실시하였다. 이어서, 100℃, 압력 0.5MPa로 60초간 열 프레스를 행하였다.A resin sheet having a thickness of 10 占 퐉 of the resin composition layer prepared in Examples and Comparative Examples was applied to the inner layer by using a vacuum type vacuum laminator (Niko Material, Inc., two stage built-up laminator, CVP700) Both sides of the inner-layer circuit board were laminated to bond with the circuit board. The lamination treatment was carried out by reducing the pressure for 30 seconds to bring the air pressure to 13 hPa or less, followed by pressing at 100 DEG C and a pressure of 0.74 MPa for 30 seconds. Then, hot pressing was performed at 100 占 폚 and a pressure of 0.5 MPa for 60 seconds.

(3) 수지 조성물의 경화(3) Curing of resin composition

수지 조성물층의 두께가 10㎛인 수지 시트를 적층한 후, 100℃에서 30분간, 이어서 180℃에서 30분간의 조건으로 수지 조성물층을 열경화하여 절연층을 형성하였다. 그 후, 지지체를 박리하여 절연층을 노출시켰다.After laminating a resin sheet having a thickness of 10 占 퐉 of the resin composition layer, the resin composition layer was thermally cured at 100 占 폚 for 30 minutes and then at 180 占 폚 for 30 minutes to form an insulating layer. Thereafter, the support was peeled off to expose the insulating layer.

(4) 조화 처리(4) Harmonization processing

절연층이 노출된 기판을, 팽윤액(아토텍재팬사 제조 「스웰링 딥·시큐리간스 P」, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르 함유의 수산화나트륨 수용액)에 60℃에서 10분간 침지하고, 이어서 산화제(아토텍재팬사 제조 「콘센트레이트·컴팩트 CP」, 과망간산칼륨 농도 약 6질량%、수산화나트륨 농도 약 4질량%의 수용액)에 80℃에서 20분간 침지하고, 마지막으로 중화액(아토텍재팬사 제조 「리덕션 솔루션·시큐리간스 P」, 황산 하이드록실아민 수용액)에 40℃에서 5분간 침지하였다. 그 후, 80℃에서 15분간 건조시켰다. 수득된 기판을 「평가 기판 a」라고 칭한다.The substrate on which the insulating layer was exposed was immersed in a swelling liquid ("Swelling Deep Sucrygan G P" manufactured by Atotech Japan Co., Ltd., sodium hydroxide aqueous solution containing diethylene glycol monobutyl ether) at 60 ° C for 10 minutes, (Concentrate Compact CP manufactured by Atotech Japan Co., Ltd., an aqueous solution having a potassium permanganate concentration of about 6 mass% and a sodium hydroxide concentration of about 4 mass%) for 20 minutes at 80 ° C, &Quot; Reduction Solution · Securigans P &quot;, aqueous solution of hydroxylamine sulfate) at 40 ° C for 5 minutes. Thereafter, it was dried at 80 DEG C for 15 minutes. The resulting substrate is referred to as &quot; evaluation substrate a &quot;.

(5) 도체층의 형성(5) Formation of conductor layer

세미 애디티브법에 따라 절연층의 조화면에 도체층을 형성하였다. 즉, 하기 1 내지 6의 공정을 포함하는 도금 공정(아토텍재팬사 제조의 약액을 사용한 동 도금 공정)을 행하여 도체층을 형성하였다.A conductor layer was formed on the roughened surface of the insulating layer according to the semi-additive method. That is, a plating process (a copper plating process using a chemical solution manufactured by Atotech Japan) including the processes of the following 1 to 6 was carried out to form a conductor layer.

1. 알칼리 크리닝(비아홀이 설치된 절연층 표면의 세정과 전하 조정)1. Alkali cleaning (cleaning and charge adjustment of insulating layer surface with via hole)

평가 기판 a의 표면을, Cleaning cleaner Securiganth 902(상품명)를 사용하여 60℃에서 5분간 세정하였다.The surface of the evaluation substrate a was cleaned using a Cleaning cleaner Securiganth 902 (trade name) at 60 캜 for 5 minutes.

2. 소프트 에칭(비아홀 내의 세정)2. Soft etching (cleaning in via hole)

평가 기판 a의 표면을, 황산 산성 퍼옥소이황산나트륨 수용액을 사용하여 30℃에서 1분간 처리하였다.The surface of the evaluation substrate a was treated with an aqueous sulfuric acid peroxodisulfate solution at 30 占 폚 for 1 minute.

3. 프리 딥(Pd 부여를 위한 절연층 표면의 전하의 조정)3. Pre-dip (adjustment of charge on the insulating layer surface for Pd application)

평가 기판 a의 표면을, Pre.Dip Neoganth B(상품명)를 사용하여 실온에서 1분간 처리하였다.The surface of the evaluation substrate a was treated with Pre.Dip Neoganth B (trade name) at room temperature for 1 minute.

4. 액티베이터 부여(절연층의 표면에 대한 Pd의 부여)4. Assignment of activator (application of Pd to the surface of insulating layer)

평가 기판 a의 표면을, Activator Neoganth 834(상품명)를 사용하여 35℃에서 5분간 처리하였다.The surface of the evaluation substrate a was treated with Activator Neoganth 834 (trade name) at 35 캜 for 5 minutes.

5. 환원(절연층에 부여된 Pd를 환원)5. Reduction (reduction of Pd given to insulating layer)

평가 기판 a의 표면을, Reducer Neoganth WA(상품명)와 Reducer Acceralator 810 mod.(상품명)의 혼합액을 사용하여 30℃에서 5분간 처리하였다.The surface of the evaluation substrate a was treated with a mixture of Reducer Neoganth WA (trade name) and Reducer Accelerator 810 mod. (Trade name) at 30 ° C for 5 minutes.

6. 무전해 동 도금 공정(Cu를 절연층의 표면(Pd 표면)에 석출)6. Electroless copper plating process (depositing Cu on the surface of the insulating layer (Pd surface))

평가 기판 a의 표면을, Basic Solution Printganth MSK-DK(상품명)와, Copper solution Printganth MSK(상품명)와, Stabilizer Printganth MSK-DK(상품명)와, Reducer Cu(상품명)의 혼합액을 사용하여 35℃에서 30분간 처리하였다. 형성된 무전해 동 도금층의 두께는 1㎛이었다.The surface of the evaluation substrate a was treated with a mixture solution of Basic Solution Printganth MSK-DK (trade name), Copper solution Printganth MSK (trade name), Stabilizer Printganth MSK-DK (trade name) and Reducer Cu And treated for 30 minutes. The thickness of the electroless copper plated layer formed was 1 占 퐉.

이어서, 150℃에서 30분간 가열하여 어닐 처리를 행한 후에, 에칭 레지스트를 형성하고, 에칭에 의해 패턴 형성하였다. 그 후, 아토텍재팬사 제조의 약액을 사용하여 황산 동 전해 도금을 행하고, 두께 25㎛의 도체층을 형성하고, 어닐 처리를 200℃로 60분간 행하였다. 수득된 기판을 「평가 기판 b」라고 칭한다.Subsequently, annealing was performed by heating at 150 DEG C for 30 minutes, and then an etching resist was formed and patterned by etching. Thereafter, copper sulfate electroplating was performed using a chemical solution manufactured by Atotech Japan Co., Ltd. to form a conductor layer having a thickness of 25 mu m, and annealing was performed at 200 DEG C for 60 minutes. The resulting substrate is referred to as &quot; evaluation substrate b &quot;.

(10점 평균 거칠기(Rz)의 측정)(Measurement of ten-point average roughness (Rz)) [

도체층을 형성하기 전의 평가 기판 a에 대하여, 비접촉형 표면 거칠기계(비코인스트루먼트사 제조 「WYKO NT3300」)를 사용하여, VSI 콘택트 모드, 50배 렌즈에 의해 측정 범위를 121㎛×92㎛으로 하여 얻어지는 수치에 의해, 일본공업규격(JIS B0601-2001)에 기재되는 최대 높이 거칠기(Rz)를 구하였다.The evaluation substrate a before the conductor layer was formed was measured with a non-contact surface roughness machine ("WYKO NT3300" manufactured by Vico Instruments Co., Ltd.) using a VSI contact mode and a 50x lens to set the measurement range to 121 μm × 92 μm The maximum height roughness (Rz) described in Japanese Industrial Standards (JIS B0601-2001) was obtained from the obtained numerical values.

(도금 도체층의 필 강도의 측정)(Measurement of Peel Strength of Plated Conductor Layer)

도금 도체층의 필 강도의 측정은 평가 기판 b에 대하여, 일본공업규격(JIS C6481)에 준거하여 행하였다. 구체적으로는, 평가 기판 b의 도체층에, 폭 10mm, 길이 100mm 부분의 절개를 넣고, 이 일단을 벗겨서 집기 도구로 집어서, 실온 중에서 50mm/분의 속도로 수직 방향으로 35mm를 박리했을 때의 하중(kgf/cm)을 측정하여, 박리 강도(필 강도)를 구하였다. 측정에는 인장 시험기(TSE사 제조 「AC-50C-SL」)를 사용하였다.The measurement of the peel strength of the plated conductor layer was performed on the evaluation board b in accordance with Japanese Industrial Standards (JIS C6481). Specifically, a cut 10 mm in width and 100 mm in length was inserted into the conductor layer of the evaluation board b, the one end was peeled off and picked up with a collecting tool, and 35 mm was peeled in the vertical direction at a rate of 50 mm / The load (kgf / cm) was measured to determine the peel strength (peel strength). A tensile tester (&quot; AC-50C-SL &quot; manufactured by TSE) was used for measurement.

<유리 전이 온도, 및 선열팽창 계수의 측정><Measurement of Glass Transition Temperature and Line Thermal Expansion Coefficient>

(평가용 경화물의 제작)(Preparation of cured product for evaluation)

실시예 및 비교예에서 제작한, 수지 조성물층의 두께가 25㎛인 수지 시트를 200℃에서 90분간 가열하여 수지 조성물층을 열경화시킨 후, 지지체를 박리하였다. 수득된 경화물을 「평가용 경화물 c」라고 칭한다.A resin sheet having a thickness of 25 占 퐉 of the resin composition layer prepared in Examples and Comparative Examples was heated at 200 占 폚 for 90 minutes to thermally cure the resin composition layer, and then the support was peeled off. The resulting cured product is referred to as &quot; cured product for evaluation c &quot;.

(유리 전이 온도 및 선열팽창 계수의 측정)(Measurement of Glass Transition Temperature and Linear Thermal Expansion Coefficient)

평가용 경화물 c를 폭 5mm, 길이 15mm의 시험편으로 절단하였다. 상기 시험편에 대하여, 열기계 분석 장치(리가크사 제조 「Thermo Plus TMA8310」)를 사용하여, 인장 가중법으로 열기계 분석을 행하였다. 상세하게는, 시험편을 상기 열기계 분석 장치에 장착한 후, 하중 1g, 승온 속도 5℃/분의 측정 조건으로 연속하여 2회 측정하였다. 그리고 2회의 측정에서, 유리 전이 온도(℃), 및 25℃로부터 150℃까지의 범위에서의 평면 방향의 선열팽창 계수(ppm/℃)를 산출하고, 그 평균값을 구하였다.The cured product for evaluation c was cut into test pieces having a width of 5 mm and a length of 15 mm. The test piece was subjected to thermomechanical analysis by a tensile weighting method using a thermomechanical analyzer ("Thermo Plus TMA8310" manufactured by Rigaku Corporation). Specifically, after the test piece was mounted on the thermomechanical analyzer, the test piece was continuously measured twice under the measurement conditions of a load of 1 g and a temperature raising rate of 5 캜 / minute. In the two measurements, the coefficient of linear thermal expansion (ppm / 占 폚) in the plane direction in the range of glass transition temperature (占 폚) and 25 占 폚 to 150 占 폚 was calculated and the average value thereof was determined.

<합성예 1: 다환식 방향족 탄화수소 골격을 갖는 폴리이미드 수지 1의 합성>&Lt; Synthesis Example 1: Synthesis of polyimide resin 1 having polycyclic aromatic hydrocarbon skeleton >

환류 냉각기를 연결한 수분 정량수기, 질소 도입관, 및 교반기를 구비한, 500mL의 세퍼러블 플라스크를 준비하였다. 이 플라스크에, 4,4'-옥시디프탈산무수물(ODPA) 20.3g, γ-부티로락톤 200g, 톨루엔 20g, 및 5-(4-아미노페녹시)-3-[4-(4-아미노페녹시)페닐]-1,1,3-트리메틸인단 29.6g을 첨가하여, 질소 기류하에서 45℃로 2시간 교반하여 반응을 행하여 반응 용액을 수득하였다.A 500 mL separable flask equipped with a moisture quantifying machine connected to a reflux condenser, a nitrogen introducing tube, and a stirrer was prepared. To this flask was added 20.3 g of 4,4'-oxydiphthalic anhydride (ODPA), 200 g of? -Butyrolactone, 20 g of toluene and 10 g of 5- (4-aminophenoxy) -3- [4- Yl) phenyl] -1,1,3-trimethylindane was added, and the mixture was stirred at 45 DEG C for 2 hours under a nitrogen stream to carry out the reaction to obtain a reaction solution.

이어서, 이 반응 용액을 승온하고, 약 160℃로 유지하면서, 질소 기류하에서 축합수를 톨루엔과 함께 공비 제거하였다. 수분 정량수기에 소정량의 물이 고여 있는 것, 및 물의 유출이 보이지 않게 된 것을 확인하였다. 확인 후, 반응 용액을 더욱 승온하고, 200℃에서 1시간 교반하였다. 그 후, 냉각하여, 1,1,3-트리메틸인단 골격을 갖는 폴리이미드 수지(이하, 「폴리이미드 수지 1」이라고 하는 경우가 있음)를 20질량% 포함하는 바니시를 수득하였다. 수득된 폴리이미드 수지 1은 하기 화학식 X1로 표시되는 반복 단위 및 화학식 X2로 표시되는 반복 단위를 갖고 있었다. 또한, 폴리이미드 수지 1의 중량 평균 분자량은 12000이었다.Then, the reaction solution was heated, and the condensed water was azeotropically removed with toluene under a nitrogen stream while maintaining the temperature at about 160 ° C. It was confirmed that a predetermined amount of water was accumulated in the water quantitative handwriting machine and that the water spill was not observed. After confirming, the reaction solution was further heated and stirred at 200 占 폚 for 1 hour. Thereafter, the resultant was cooled to obtain a varnish containing 20 mass% of a polyimide resin having a 1,1,3-trimethylindane skeleton (hereinafter sometimes referred to as &quot; polyimide resin 1 &quot;). The obtained polyimide resin 1 had a repeating unit represented by the following formula (X1) and a repeating unit represented by the following formula (X2). The polyimide resin 1 had a weight average molecular weight of 12,000.

[화학식 X1](X1)

Figure pat00004
Figure pat00004

[화학식 X2](X2)

Figure pat00005
Figure pat00005

<합성예 2: 다환식 방향족 탄화수소 골격을 갖는 폴리이미드 수지 2의 합성>&Lt; Synthesis Example 2: Synthesis of polyimide resin 2 having polycyclic aromatic hydrocarbon skeleton >

합성예 1에 있어서, 5-(4-아미노페녹시)-3-[4-(4-아미노페녹시)페닐]-1,1,3-트리메틸인단 29.6g을, 9,9-비스(4-아미노페닐)플루오렌 22.9g으로 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 합성예 1과 같이 하여 플루오렌 골격을 갖는 폴리이미드 수지(이하, 「폴리이미드 수지 2」라고 하는 경우가 있음)를 20질량% 포함하는 바니시를 수득하였다. 수득된 폴리이미드 수지 2는 하기 화학식 X3으로 표시되는 반복 단위 및 상기 화학식 X2로 표시되는 반복 단위를 갖고 있었다. 또한, 폴리이미드 수지 2의 중량 평균 분자량은 14000이었다.29.6 g of the 5- (4-aminophenoxy) -3- [4- (4-aminophenoxy) phenyl] -1,1,3-trimethylindane was dissolved in 9,9-bis -Aminophenyl) fluorene was changed to 22.9 g. A varnish containing 20 mass% of a polyimide resin having fluorene skeleton (hereinafter sometimes referred to as &quot; polyimide resin 2 &quot;) was obtained in the same manner as in Synthesis Example 1 except for the above. The obtained polyimide resin 2 had a repeating unit represented by the following formula (X3) and a repeating unit represented by the above formula (X2). The weight average molecular weight of the polyimide resin 2 was 14,000.

[화학식 X3](X3)

Figure pat00006
Figure pat00006

<합성예 3: 다환식 방향족 탄화수소 골격을 갖지 않는 폴리이미드 수지 3의 합성>&Lt; Synthesis Example 3: Synthesis of polyimide resin 3 having no polycyclic aromatic hydrocarbon skeleton >

교반기, 분수기, 온도계 및 질소 가스 도입관을 구비한 반응 용기에, 방향족 테트라카복실산 2무수물(SABIC재팬사 제조 「BisDA-1000」) 65.0g, 사이클로헥산온 266.5g, 및 메틸사이클로헥산 44.4g을 주입하고, 용액을 60℃까지 가열하였다. 이어서, 다이머디아민(크로다재팬사 제조 「PRIAMINE 1075」) 43.7g, 및 1,3-비스아미노메틸사이클로헥산 5.4g을 적하한 후, 140℃에서 1시간 동안 이미드화 반응을 시켰다. 이로써, 다이머디아민 폴리이미드 수지를 포함하는 바니시(불휘발분 30질량%)를 수득하였다(이하, 「폴리이미드 수지 3」이라고 하는 경우가 있음). 또한, 폴리이미드 수지 3의 중량 평균 분자량은 25000이었다.65.0 g of aromatic tetracarboxylic acid dianhydride ("BisDA-1000" manufactured by SABIC Japan), 266.5 g of cyclohexanone, and 44.4 g of methylcyclohexane were placed in a reaction vessel equipped with a stirrer, a thermometer, a thermometer and a nitrogen gas introducing tube And the solution was heated to 60 占 폚. Then, 43.7 g of dimer diamine ("PRIAMINE 1075" manufactured by Kuroda Japan Co., Ltd.) and 5.4 g of 1,3-bisaminomethylcyclohexane were added dropwise, followed by imidization reaction at 140 ° C. for 1 hour. Thus, a varnish (nonvolatile matter content of 30 mass%) containing dimer diamine polyimide resin was obtained (hereinafter sometimes referred to as &quot; polyimide resin 3 &quot;). The weight average molecular weight of the polyimide resin 3 was 25,000.

<실시예 1>&Lt; Example 1 >

비스페놀 A형 에폭시 수지(미쓰비시카가쿠사 제조 「828US」, 에폭시 당량 약 180) 30부, 비페닐형 에폭시 수지(니혼카야쿠사 제조 「NC3000H」, 에폭시 당량 약 269) 30부를, 솔벤트 나프타 40부 및 사이클로헥산온 15부의 혼합 용제에 교반하면서 가열 용해시키고, 그 후 실온까지 냉각하였다. 이러한 혼합 용액에, 아미노실란계 커플링제(신에츠카가쿠코교사 제조 「KBM573」)로 표면 처리된 구형 실리카(평균 입자 직경 0.078㎛, 비표면적 30.7m2/g, 덴키카가쿠코교사 제조 「UFP-30」) 100부, 트리아진 골격 함유 페놀계 경화제(DIC사 제조 「LA-3018-50P」, 수산기 당량 약 151, 고형분 50%의 2-메톡시프로판올 용액) 14부, 활성 에스테르계 경화제(DIC사 제조 「HPC-8000-65T」, 활성기 당량 약 223, 불휘발 성분 65질량%의 톨루엔 용액) 40부, 합성예 1에서 합성한 폴리이미드 수지 1을 포함하는 바니시(고형분 20질량%의 γ-부티로락톤 용액) 20부, 경화 촉진제(「DMAP」, 4-디메틸아미노피리딘, 고형분 5질량%의 메틸에틸케톤(이하 「MEK」라고 약칭함) 용액) 6부를 혼합하고, 고속회전 믹서로 균일하게 분산하여 수지 바니시 1을 조제하였다., 30 parts of a bisphenol A type epoxy resin ("828US" manufactured by Mitsubishi Kagaku Co., Ltd., epoxy equivalent weight 180) and 30 parts of a biphenyl type epoxy resin ("NC3000H" manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., epoxy equivalent weight 269) Hexane and 15 parts of hexane was heated and dissolved while stirring, and then cooled to room temperature. In this mixed solution, an aminosilane-based coupling agent (manufactured by Shin-Etsu Kagaku Kogyo Preparation "KBM573") surface-treated spherical silica (mean particle diameter 0.078㎛, a specific surface area of 30.7m 2 / g, Den kika Kagaku Kogyo Preparation "UFP 14 parts of phenol-based curing agent ("LA-3018-50P" manufactured by DIC Co., Ltd., hydroxyl group equivalent of about 151, 50% of solid content 50% of 2-methoxypropanol solution containing triazine skeleton), 100 parts of active ester curing agent 40 parts of a toluene solution of a nonvolatile component of about 223, an active group equivalent of about 223, and 40 parts of a varnish containing a polyimide resin 1 synthesized in Synthesis Example 1 (having a solid content of 20% by mass of? , 6 parts of a curing accelerator (&quot; DMAP &quot;, 4-dimethylaminopyridine, 5% by mass of solid content of methyl ethyl ketone (hereinafter abbreviated as &quot; MEK &quot;) solution) And uniformly dispersed to prepare resin varnish 1.

지지체로서 알키드 수지계 이형층 부착 PET 필름(린텍사 제조 「AL5」, 두께 38㎛)을 2개 준비하였다. 각각의 지지체의 이형층 위에, 건조 후의 수지 조성물층의 두께가 10㎛, 25㎛이 되도록 수지 바니시 1을 균일하게 도포하고, 70 내지 95℃에서 2분간 건조시켜 수지 시트 1을 제작하였다.Two PET films with an alkyd resin-based release layer (&quot; AL5 &quot;, manufactured by LINTEX, thickness 38 mu m) were prepared as supports. The resin varnish 1 was uniformly coated on the release layer of each support so that the resin composition layer after drying had a thickness of 10 탆 and 25 탆 and dried at 70 to 95 캜 for 2 minutes to prepare a resin sheet 1.

<실시예 2>&Lt; Example 2 >

실시예 1에 있어서, 비페닐형 에폭시 수지(니혼카야쿠사 제조 「NC3000H」, 에폭시 당량 약 269) 30부를, 나프톨형 에폭시 수지(신닛데츠스미킨카가쿠사 제조 「ESN475V」, 에폭시 당량 332) 30부로 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 1과 같이 하여 수지 바니시 2, 수지 시트 2를 제작하였다.In Example 1, 30 parts of a biphenyl type epoxy resin ("NC3000H" manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., epoxy equivalent weight: about 269) was mixed with 30 parts of a naphthol type epoxy resin ("ESN475V" manufactured by Shinetsettsu Sumikin Chemical Co., Change. Resin varnish 2 and resin sheet 2 were produced in the same manner as in Example 1 except for the above.

<실시예 3>&Lt; Example 3 >

실시예 1에 있어서, 비페닐형 에폭시 수지(니혼카야쿠사 제조 「NC3000H」, 에폭시 당량 약 269) 30부를, 비크실레놀형 에폭시 수지(미쓰비시카가쿠사 제조 「YX4000HK」, 에폭시 당량 약 185) 30부로 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 1과 같이 하여 수지 바니시 3, 수지 시트 3을 제작하였다.In Example 1, 30 parts of a biphenyl-type epoxy resin ("NC3000H" manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., epoxy equivalent: 269) was changed to 30 parts of a biquilene type epoxy resin ("YX4000HK" manufactured by Mitsubishi Kagaku Co., Ltd., epoxy equivalent weight: about 185) Respectively. Resin varnish 3 and resin sheet 3 were produced in the same manner as in Example 1 except for the above.

<실시예 4><Example 4>

실시예 1에 있어서, 합성예 1에서 합성한 폴리이미드 수지 1을 포함하는 바니시(고형분 20질량%의 γ-부티로락톤 용액) 20부를 10부로 변경하고, 또한, 페녹시 수지(미쓰비시카가쿠사 제조 「YX6954BH30」, 고형분 30질량%의 MEK와 사이클로헥산온의 1:1 용액)를 7부 첨가하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 1과 같이 하여 수지 바니시 4, 수지 시트 4를 제작하였다.20 parts of a varnish (solid content 20% by mass of? -Butyrolactone solution) containing polyimide resin 1 synthesized in Synthesis Example 1 was changed to 10 parts, and a phenoxy resin (manufactured by Mitsubishi Kagaku Co., Ltd.) 7 parts of &quot; YX6954BH30 &quot;, a 1: 1 solution of MEK and cyclohexanone in a solid content of 30 mass%) was added. Resin varnish 4 and resin sheet 4 were produced in the same manner as in Example 1 except for the above.

<실시예 5>&Lt; Example 5 >

실시예 1에 있어서, 합성예 1에서 합성한 폴리이미드 수지 1을 포함하는 바니시(고형분 20질량%의 γ-부티로락톤 용액) 20부를, 합성예 2에서 합성한 폴리이미드 수지 2를 포함하는 바니시(고형분 20질량%의 γ-부티로락톤 용액) 20부로 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 1과 같이 하여 수지 바니시 5, 수지 시트 5를 제작하였다.20 parts of a varnish (solid content 20% by mass of? -Butyrolactone solution) containing polyimide resin 1 synthesized in Synthesis Example 1 was added to 20 parts of a varnish containing polyimide resin 2 synthesized in Synthesis Example 2 (20 parts by mass of a? -Butyrolactone solution having a solid content of 20% by mass). Resin varnish 5 and resin sheet 5 were produced in the same manner as in Example 1 except for the above.

<비교예 1>&Lt; Comparative Example 1 &

실시예 1에 있어서, 합성예 1에서 합성한 폴리이미드 수지를 포함하는 바니시(고형분 20질량%의 γ-부티로락톤 용액) 20부를, 페녹시 수지(미쓰비시카가쿠사 제조 「YX6954BH30」, 고형분 30질량%의 MEK와 사이클로헥산온의 1:1 용액) 13부로 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 1과 같이 하여 수지 바니시 6, 수지 시트 6을 제작하였다.20 parts of a varnish (solid content 20% by mass of? -Butyrolactone solution) containing the polyimide resin synthesized in Synthesis Example 1 was mixed with 20 parts of phenoxy resin ("YX6954BH30" manufactured by Mitsubishi Kagaku Co., Ltd., % Of MEK and 1: 1 solution of cyclohexanone). Resin varnish 6 and resin sheet 6 were produced in the same manner as in Example 1 except for the above.

<비교예 2>&Lt; Comparative Example 2 &

실시예 1에 있어서, 합성예 1에서 합성한 폴리이미드 수지를 포함하는 바니시(고형분 20질량%의 γ-부티로락톤 용액) 20부를, 합성예 3에서 합성한 폴리이미드 수지 3을 포함하는 바니시(고형분 30질량%의 사이클로헥산온과 메틸사이클로헥산의 혼합 용액) 13부로 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 1과 같이 하여 수지 바니시 7, 수지 시트 7을 제작하였다.20 parts of a varnish (solid content 20% by mass of? -Butyrolactone solution) containing polyimide resin synthesized in Synthesis Example 1 was added to 20 parts of a varnish containing polyimide resin 3 synthesized in Synthesis Example 3 A mixed solution of cyclohexanone and methylcyclohexane having a solid content of 30 mass%) was changed to 13 parts. Resin varnish 7 and resin sheet 7 were produced in the same manner as in Example 1 except for the above.

수지 조성물 1 내지 7의 조제에 사용한 성분과 그 배합량(비휘발 성분 환산)을 하기 표에 기재하였다. 또한, 하기 표 중의 「(D) 성분의 함유량(질량%)」은, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 했을 경우의 (D) 성분의 함유량을 나타낸다.The components used in the preparation of Resin Compositions 1 to 7 and their blending amounts (in terms of nonvolatile components) are shown in the following table. The content (% by mass) of the component (D) in the following table indicates the content of the component (D) when the nonvolatile component in the resin composition is 100% by mass.

Figure pat00007
Figure pat00007

실시예 1 내지 5에 있어서, (E) 성분 내지 (G) 성분을 함유하지 않는 경우라도, 정도에 차이는 있지만 상기 실시예와 같은 결과에 귀착하는 것을 확인하였다.In Examples 1 to 5, even when the components (E) to (G) were not contained, it was confirmed that the results were the same as those of the above-mentioned Examples although there were differences in the degree.

1: 제1 도체층
11: 제1 도체층의 주면
2: 제2 도체층
21: 제2 도체층의 주면
3: 절연층
t1: 제1 도체층과 제2 도체층의 간격(제1 및 제2 도체층간의 절연층의 두께)
t2: 절연층 전체의 두께
1: first conductor layer
11: Main surface of first conductor layer
2: second conductor layer
21: Main surface of second conductor layer
3: Insulating layer
t1: the distance between the first conductor layer and the second conductor layer (the thickness of the insulating layer between the first and second conductor layers)
t2: thickness of the entire insulating layer

Claims (18)

(A) 에폭시 수지,
(B) 활성 에스테르계 경화제,
(C) 다환식 방향족 탄화수소 골격을 갖는 폴리이미드 수지, 및
(D) 무기 충전재를 함유하고,
(D) 성분의 평균 입자 직경이 100nm 이하인, 수지 조성물.
(A) an epoxy resin,
(B) an active ester-based curing agent,
(C) a polyimide resin having a polycyclic aromatic hydrocarbon skeleton, and
(D) an inorganic filler,
(D) has an average particle diameter of 100 nm or less.
(A) 에폭시 수지,
(B) 활성 에스테르계 경화제,
(C) 다환식 방향족 탄화수소 골격을 갖는 폴리이미드 수지, 및
(D) 무기 충전재를 함유하고,
(D) 성분의 비표면적이 15m2/g 이상인, 수지 조성물.
(A) an epoxy resin,
(B) an active ester-based curing agent,
(C) a polyimide resin having a polycyclic aromatic hydrocarbon skeleton, and
(D) an inorganic filler,
(D) has a specific surface area of 15 m 2 / g or more.
제1항 또는 제2항에 있어서, 다환식 방향족 탄화수소 골격이 5원환 화합물과 방향환이 축합된 방향족 탄화수소 골격인, 수지 조성물.The resin composition according to claim 1 or 2, wherein the polycyclic aromatic hydrocarbon skeleton is an aromatic hydrocarbon skeleton in which an aromatic ring is condensed with a 5-membered ring compound. 제1항 또는 제2항에 있어서, 다환식 방향족 탄화수소 골격이 인단 골격 및 플루오렌 골격 중 적어도 어느 하나인, 수지 조성물.The resin composition according to claim 1 or 2, wherein the polycyclic aromatic hydrocarbon skeleton is at least one of an indane skeleton and a fluorene skeleton. 제1항 또는 제2항에 있어서, (C) 성분의 중량 평균 분자량이 5000 이상인, 수지 조성물.3. The resin composition according to claim 1 or 2, wherein the component (C) has a weight average molecular weight of 5,000 or more. 제1항 또는 제2항에 있어서, (C) 성분이 다환식 방향족 탄화수소 골격을 갖는 반복 단위와 이미드 구조를 갖는 반복 단위를 갖는, 수지 조성물.The resin composition according to claim 1 or 2, wherein the component (C) has a repeating unit having a polycyclic aromatic hydrocarbon skeleton and a repeating unit having an imide structure. 제6항에 있어서, 다환식 방향족 탄화수소 골격을 갖는 반복 단위와 이미드 구조를 갖는 반복 단위의 질량비(다환식 방향족 탄화수소 골격을 갖는 반복 단위의 질량/이미드 구조를 갖는 반복 단위의 질량)가 0.5 이상 2 이하인, 수지 조성물.7. The method for producing a polyolefin film according to claim 6, wherein the mass ratio of the recurring unit having a polycyclic aromatic hydrocarbon skeleton to the recurring unit having an imide structure (mass of recurring unit having polycyclic aromatic hydrocarbon skeleton / mass of recurring unit having imide structure) Lt; 2 &gt; or less. 제1항 또는 제2항에 있어서, (C) 성분의 함유량이, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 했을 경우, 0.1질량% 이상 3질량% 이하인, 수지 조성물.The resin composition according to any one of claims 1 to 3, wherein the content of the component (C) is 0.1% by mass or more and 3% by mass or less when the content of the nonvolatile component in the resin composition is 100% by mass. 제1항 또는 제2항에 있어서, (B) 성분의 함유량이, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 했을 경우, 1질량% 이상 25질량% 이하인, 수지 조성물.The resin composition according to any one of claims 1 to 5, wherein the content of the component (B) is 1% by mass or more and 25% by mass or less when the content of the nonvolatile component in the resin composition is 100% by mass. 제1항 또는 제2항에 있어서, (D) 성분의 함유량이, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 했을 경우, 30질량% 이상 80질량% 이하인, 수지 조성물.The resin composition according to Claim 1 or 2, wherein the content of the component (D) is 30% by mass or more and 80% by mass or less when the content of the nonvolatile component in the resin composition is 100% by mass. 제1항 또는 제2항에 있어서, 추가로 (E) 경화제를 함유하는, 수지 조성물.The resin composition according to claim 1 or 2, further comprising (E) a curing agent. 제11항에 있어서, (E) 경화제가 페놀계 경화제인, 수지 조성물.12. The resin composition according to claim 11, wherein the (E) curing agent is a phenolic curing agent. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 도체층을 형성하기 위한 절연층 형성용인, 수지 조성물.13. The resin composition according to any one of claims 1 to 12, which is used for forming an insulating layer for forming a conductor layer. 제1항 또는 제2항에 있어서, 프린트 배선판의 절연층 형성용인, 수지 조성물.The resin composition according to claim 1 or 2, which is for forming an insulating layer of a printed wiring board. 제1항 또는 제2항에 있어서, 프린트 배선판의 층간 절연층 형성용인, 수지 조성물.The resin composition according to claim 1 or 2, which is used for forming an interlayer insulating layer of a printed wiring board. 지지체와, 상기 지지체 위에 설치된 제1항 내지 제15항 중 어느 한 항에 기재된 수지 조성물층을 포함하는, 수지 시트.15. A resin sheet comprising a support and a resin composition layer according to any one of claims 1 to 15 provided on the support. 제1 도체층, 제2 도체층, 및 제1 도체층과 제2 도체층 사이에 형성된 절연층을 포함하는 프린트 배선판으로서,
상기 절연층은 제1항 내지 제15항 중 어느 한 항에 기재된 수지 조성물의 경화물인, 프린트 배선판.
A printed wiring board comprising a first conductor layer, a second conductor layer, and an insulating layer formed between the first conductor layer and the second conductor layer,
Wherein the insulating layer is a cured product of the resin composition according to any one of claims 1 to 15.
제17항에 기재된 프린트 배선판을 포함하는, 반도체 장치.A semiconductor device comprising the printed wiring board according to claim 17.
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