KR20180091619A - 복합 태양 에너지 획득 장치 - Google Patents

복합 태양 에너지 획득 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20180091619A
KR20180091619A KR1020170017069A KR20170017069A KR20180091619A KR 20180091619 A KR20180091619 A KR 20180091619A KR 1020170017069 A KR1020170017069 A KR 1020170017069A KR 20170017069 A KR20170017069 A KR 20170017069A KR 20180091619 A KR20180091619 A KR 20180091619A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
solar cell
metal plate
acquisition device
solar energy
flow path
Prior art date
Application number
KR1020170017069A
Other languages
English (en)
Inventor
이종은
Original Assignee
이종은
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 이종은 filed Critical 이종은
Priority to KR1020170017069A priority Critical patent/KR20180091619A/ko
Publication of KR20180091619A publication Critical patent/KR20180091619A/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02SGENERATION OF ELECTRIC POWER BY CONVERSION OF INFRARED RADIATION, VISIBLE LIGHT OR ULTRAVIOLET LIGHT, e.g. USING PHOTOVOLTAIC [PV] MODULES
    • H02S10/00PV power plants; Combinations of PV energy systems with other systems for the generation of electric power
    • H02S10/30Thermophotovoltaic systems
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0236Special surface textures
    • H01L31/02366Special surface textures of the substrate or of a layer on the substrate, e.g. textured ITO/glass substrate or superstrate, textured polymer layer on glass substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/036Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
    • H01L31/0376Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including amorphous semiconductors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/036Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
    • H01L31/0392Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
    • H01L31/03926Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate comprising a flexible substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042PV modules or arrays of single PV cells
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/052Cooling means directly associated or integrated with the PV cell, e.g. integrated Peltier elements for active cooling or heat sinks directly associated with the PV cells
    • H01L31/0521Cooling means directly associated or integrated with the PV cell, e.g. integrated Peltier elements for active cooling or heat sinks directly associated with the PV cells using a gaseous or a liquid coolant, e.g. air flow ventilation, water circulation
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02SGENERATION OF ELECTRIC POWER BY CONVERSION OF INFRARED RADIATION, VISIBLE LIGHT OR ULTRAVIOLET LIGHT, e.g. USING PHOTOVOLTAIC [PV] MODULES
    • H02S40/00Components or accessories in combination with PV modules, not provided for in groups H02S10/00 - H02S30/00
    • H02S40/40Thermal components
    • H02S40/42Cooling means
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/60Thermal-PV hybrids

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

상업적 생산이 가능할 정도로 생산성과 내구성이 뛰어난, 복합 태양 에너지 획득 장치가 개시된다. 본 발명에 따른 복합 태양 에너지 획득 장치는, 평면적으로 배치되어 상면으로부터 입사한 태양 광을 전기로 변환하는 태양전지 셀; 및, 상기 태양전지 셀의 하면에 부착되어 상기 태양전지 셀로부터 전도된 열 에너지 및 상기 태양전지 셀을 투과하여 그 표면에 도달한 복사 에너지를 흡수하는, 평판 히트펌프부; 를 포함하고, 상기 평판 히트펌프부는, 적어도 상기 태양전지 셀에 인접한 면이 평면인 상부 금속판; 및, 상기 상부 금속판과의 사이에 유로를 형성하며 접합된 하부 금속판;을 포함한다.

Description

복합 태양 에너지 획득 장치 {Integrated Solar Energy Acquiring Apparatus}
본 발명은 태양으로부터 복사되는 빛 에너지와 열 에너지를 복합적으로 획득하여 가용한 에너지 자원으로 변환하는 장치 및 이를 포함하는 시스템에 관한 것이다.
태양전지는 태양으로부터 방출되는 빛 에너지를 전기 에너지로 전환하는 광전 에너지 변환 시스템(phtovoltaic energy conversion system)이다. 실리콘 태양전지는 입사되는 광에 의해 반도체 내부에서 전자와 정공의 쌍이 생성되고, pn 접합에서 발생한 전기장에 의해 전자는 n형 반도체로 이동하고 정공은 p형 반도체로 이동함으로써 전력을 생산할 수 있다.
태양전지는 무한한 태양 광원을 소스로 사용하여 전력을 발생하고, 전력의 발생시 공해가 발생하지 않아 대표적인 미래의 친환경 에너지원으로 각광받고 있다. 다만, 태양전지는 설치 면적의 확보가 어렵고, 광전 에너지 변환 효율이 낮아 활용도가 떨어지는 문제가 있다. 특히, 광전 변환과정에서 발생한 열이 축적되거나 태양의 복사열로 인해 태양전지의 온도가 높아지면 광전 에너지 변환 효율이 더 낮아지게 된다. 일반적으로 태양전지 모듈에는 비, 바람, 먼지 등 외부 환경적 요인으로부터 태양전지 셀의 보호를 위해 그 표면에 유리판이 구비되는데, 유리는 적외선 흡수율이 높기 때문에 그것이 태양전지 온도 상승의 한 요인이 되기도 한다.
태양전지의 온도 상승에 따른 효율 저하의 문제점을 해소하기 위해 태양전지 패널을 능동적으로 냉각시키는 기술도 검토되고 있다. 그러나 태양전지 패널의 배면에 흡열이나 방열을 위한 구성을 추가한다는 개념을 제시하는 수준에 그치고 아직 상용화 단계에 이르지 못하고 있다. 태양광 발전은 설비 산업이기 때문에, 새로운 태양전지 모듈이 상용화되기 위해서는 성능의 향상은 물론 내구성이 담보되어야 하고, 향상된 성능과 수명에 비해 낮은 가격으로 공급될 수 있어야 한다는 어려움이 따른다.
대한민국 등록특허공보 제10-1336087호 (2013.11.27)
본 발명은 전술한 어려움을 해결하기 위한 것이다. 좀 더 구체적으로, 본 발명은 태양전지 모듈의 일부분을 대체하며 결합되어 태양 복사열 및 태양전지 셀에서 발생하는 열을 흡수하여 그 열이 또 하나의 에너지원으로 활용되도록 하는 평판 히트펌프를 구비하되, 상업적 생산이 가능할 정도로 생산성과 내구성이 뛰어난, 복합 태양 에너지 획득 장치를 제공하는 데에 그 목적이 있다.
또한 본 발명은 그 일부를 구성하는 평판 히트펌프의 구조적 강성을 이용하여 유리판을 배제할 수 있고, 대신 투명 태양전지 필름과의 유기적 결합을 통해 태양광 발전 효율을 더욱 향상시킬 수 있는, 복합 태양 에너지 획득 장치를 제공하는 데에 그 목적이 있다.
전술한 과제의 해결을 위하여, 본 발명에 따른 복합 태양 에너지 획득 장치는, 평면적으로 배치되어 상면으로부터 입사한 태양 광을 전기로 변환하는 태양전지 셀; 및, 상기 태양전지 셀의 하면에 부착되어 상기 태양전지 셀로부터 전도된 열 에너지 및 상기 태양전지 셀을 투과하여 그 표면에 도달한 복사 에너지를 흡수하는, 평판 히트펌프부; 를 포함하고, 상기 평판 히트펌프부는, 적어도 상기 태양전지 셀에 인접한 면이 평면인 상부 금속판; 및, 상기 상부 금속판과의 사이에 유로를 형성하며 접합된 하부 금속판;을 포함한다.
상기 평판 히트펌프부는, 상기 상부 금속판과 상기 하부 금속판이 서로 마주보는 두면 중 적어도 한 면에 그 면으로부터 소정의 깊이로 음각 가공된 선형 유로 패턴을 가질 수 있다.
상기 선형 유로 패턴은 상기 마주보는 두면에 음각 가공된 것일 수 있다.
한편, 상기 상부 금속판은 상기 하부 금속판과 마주보는 면에 그 면으로부터 소정의 깊이로 음각 가공된 제 1 선형 유로 패턴을 가지고, 상기 하부 금속판은 프레스 가공에 의해 상기 제 1 선형 유로 패턴을 따라 성형된 제 2 선형 유로 패턴을 가지는 것일 수도 있다.
한편, 상기 평판 히트펌프부는, 상기 태양전지 셀에 인접한 상기 상부 금속판의 표면에 열선 흡수 코팅층을 가질 수 있다.
상기 태양전지 셀은 유연성 태양전지 필름을 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 태양전지 셀은 실리콘 계열의 태양전지 판 상면에 유연성 태양전지 필름이 접합된 것일 수 있다. 상기 실리콘 계열의 태양전지 판은 광전 변환층으로서 비정질 실리콘 박막을 포함하고, 상기 유연성 태양전지 필름은 광전 변환층으로서 유기화합물층을 포함하는 것일 수 있다.
한편, 상기 상부 금속판 및 상기 하부 금속판 중 음각 가공된 상기 선형 유로 패턴을 가지는 금속판은 두께가 약 0.4 mm 내지 1mm인 알루미늄판으로 이루어질 수 있다.
또한, 상기 상부 금속판과 상기 하부 금속판은 상기 유로를 제외한 나머지 부분이 접착 필름으로 서로 접착된 것일 수 있다.
본 발명에 따르면, 태양전지 모듈의 일부분을 대체하며 결합되어, 태양 복사열 및 태양전지 셀에서 발생하는 열을 흡수하여 그 열이 또 하나의 에너지원으로 활용되도록 하는 평판 히트펌프를 구비하되, 상업적 생산이 가능할 정도로 생산성과 내구성이 뛰어난, 복합 태양 에너지 획득 장치를 제공하는 효과가 있다.
또한 본 발명은 그 일부를 구성하는 평판 히트펌프의 구조적 강성을 이용하여 유리판을 배제할 수 있고, 대신 투명 태양전지 필름과의 유기적 결합을 통해 태양광 발전 효율을 더욱 향상시킬 수 있는, 복합 태양 에너지 획득 장치를 제공하는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 복합 태양 에너지 획득 장치 및 시스템의 구성을 개략적으로 보인다.
도 2는 본 발명에 따른 복합 태양 에너지 획득 장치에서 한 실시 유형에 따른 평판 히트펌프부의 단면을 보인다.
도 3은 본 발명에 따른 복합 태양 에너지 획득 장치에서 다른 한 실시 유형에 따른 평판 히트펌프부의 단면을 보인다.
도 4는 본 발명의 한 실시예에 따른 복합 태양 에너지 획득 장치의 수직적 구성을 보인다.
도 5는 본 발명의 다른 한 실시예에 따른 복합 태양 에너지 획득 장치의 수직적 구성을 보인다.
도 6은 본 발명의 다른 한 실시예에 따른 복합 태양 에너지 획득 장치의 수직적 구성을 보인다.
이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 다양한 실시예를 설명한다. 실시예를 통해 본 발명의 기술적 사상이 좀 더 명확하게 이해될 수 있을 것이다. 또한, 본 발명은 이하에 설명된 실시예에 한정되는 것이 아니라 본 발명이 속한 기술적 사상의 범위 내에서 다양한 형태로 변형될 수 있다. 한편 동일한 도면 부호는 동일한 특성을 갖는 구성요소임을 나타내는 것으로서, 한 도면에 관한 설명에서 언급된 것과 동일한 도면 부호를 갖는 구성요소에 대한 설명은 다른 도면에 대한 설명에서는 생략될 수 있다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 복합 태양 에너지 획득 장치 및 시스템의 구성을 개략적으로 보인다.
본 실시예에 따르면, 복합 태양 에너지 획득 장치는 태양전지 셀(10)과 그 하면에 접합된 평판 히트펌프부(20)를 갖는다. 상기 태양전지 셀(10)과 상기 평판 히트펌프부(20)는 다양한 수단에 의해 접합될 수 있으며, 일 예로 양면 접착 필름(15)에 의해 접합될 수 있다. 여기서 태양전지 셀(10)은 일반적으로 실리콘 계열의 광전 변환층을 갖는 태양전지 판뿐만 아니라 유기화합물 광전 변환층을 갖는 태양전지 필름, 또는 이들이 상하로 중첩된 것일 수도 있다. 전술한 태양전지 판을 구성하는 실리콘 계열의 광전 변환층은 단결정 실리콘, 다결정 실리콘 또는 비정질 실리콘으로 이루어질 수 있다. 다만, 비정질 실리콘의 경우 적외선 투과율이 높아 상기 태양전지 셀(10) 하부에 배치된 평판 히트펌프부(20)에 더 많은 태양 열을 전달하는 데에 유리하다. 한편, 상기 접착 필름(15)으로는 예컨대 EVA(Ethylene Vinyl Acetate) 필름이 사용될 수 있다.
상기 평판 히트펌프부(20)는 도시된 바와 같이, 두 장의 금속판 즉, 상부 금속판(21)과 하부 금속판(22)이 서로 접합된 형태로 구성될 수 있다. 이때, 상기 두 금속판 사이에는 히트펌프의 작동 유체가 순환될 수 있는 유로(23)가 형성된다. 상기 두 금속판(21, 22) 역시 접착 필름을 매개로 접합될 수 있으며, 용접이나 솔더링 등 다양한 수단을 통한 접합도 가능하다. 상기 유로(23)의 구체적인 구조에 대해서는 뒤에서 좀 더 자세히 살펴보기로 한다.
상기 상부 금속판(21)과 상기 하부 금속판(22)은 바람직하게는 알루미늄 판으로 이루어질 수 있다. 상부 금속판(21)은 두께 약 0.4mm 내지 1mm 정도의 알루미늄판으로 이루어질 수 있고, 하부 금속판(22)은 상기 상부 금속판(21)의 두께와 비슷하거나 더 얇은 두께의 알루미늄 판으로 이루어질 수 있다. 알루미늄판은 열전도성이 우수하고, 가공이 용이하며, 재료비가 싸다는 점에 장점이 있다. 이와 같은 조건을 충족하는 다른 금속판으로의 대체도 가능하다.
한편, 상기 상부 금속판(21)은 그 상면이 평면을 이룬다. 태양전지 셀(10)과 접합이 용이하고, 그 접촉면이 고르고 넓어야 열전도에 유리하기 때문이다. 상기 평판 히트펌프부(20)는 태양전지 셀(10)에서 태양 광의 빛 에너지를 전기 에너지로 변환하는 과정에서 생기는 열을 흡수할 뿐만 아니라, 상기 태양전지 셀(10)을 투과한 적외선(열선) 등의 복사열을 흡수한다. 외부 공기로부터의 열도 흡수할 수 있음은 물론이다. 이렇게 흡수된 열은 상기 평판 히트펌프부(20) 내부의 유로(23)를 따라 흐르는 작동 유체에 전달된다.
이와 같이, 상기 복합 태양 에너지 획득 장치에서는 상기 태양전지 셀(10)에서 획득되는 전기 에너지 외에도 상기 평판 히트펌프부(20)에서 열에너지가 획득된다. 상기 평판 히트펌프부(20) 내부의 유로(23)를 통과한 작동 유체는 외부 유로(31)를 통해 열교환기(33)로 이동하고, 다시 펌프(32)를 거쳐 상기 평판 히트펌프부(20)로 순환될 수 있다. 복합 태양 에너지 획득 장치에 햇빛이 잘 비치고, 기온이 낮지 않은 환경에서는 작동 유체의 온도는 섭씨 60도 이상까지 올라갈 수 있다. 더구나, 상기 평판 히트펌프부(20)는 주변의 공기열을 흡수할 수 있기 때문에 태양광을 받을 수 없는 야간에도 공기열로부터 에너지를 생산할 수 있다.
본 발명의 복합 태양 에너지 획득 장치를 이용한 시스템에는 상기 열교환기(33)를 통해 공급받는 열을 활용하는 다양한 구성이 포함될 수 있다. 예를 들면, 냉수 공급부(36)에서 공급된 물을 상기 열교환기(33)에서 일차적으로 데우고, 더 필요한 경우 보조 열원(34)을 이용하여 온도를 더 높인 후 활용할 수 있다. 온수 급탕 등의 용도로 활용할 수 있음은 물론, 증기터빈(35)을 돌려 추가적인 전력을 생산할 수도 있다.
도 2는 본 발명에 따른 복합 태양 에너지 획득 장치에서 한 실시 유형에 따른 평판 히트펌프부의 단면을 보인다.
먼저, 도 2의 (a)를 참조하면, 상기 평판 히트펌프부(20A)는, 상기 상부 금속판(21A)과 상기 하부 금속판(22A) 사이에 형성된 것으로 작동 유체가 흐르는 유로(23A)를 갖는데, 상기 유로(23A)는 상부 금속판(21A)과 하부 금속판(22A)의 서로 마주보는 면에 각 면으로부터 소정의 깊이로 음각 가공된 한 쌍의 선형 유로 패턴(213A, 223A)에 의해 형성된 모습을 보인다. 상기 상부 금속판(21A)과 하부 금속판(22A)의 사이에서 상기 유로(23A)를 제외한 부분은 서로 접착 필름(25) 또는 접착제 등을 매개로 접합 될 수 있다.
상기 선형 유로 패턴(213A, 223A)은 일종의 CNC 가공을 통해 형성될 수 있다. 좀 더 구체적으로, 얇은 두께의 금속판에 일정한 깊이의 선형 음각 패턴을 가공하기 위해서는 본 출원인의 특허 기술인 대한민국 등록특허 제10-1336087호, '판의 가공 장치 및 판의 가공 방법'에 개시된 기술을 사용할 수 있다.
한편, 상기 상부 금속판(21A)의 상면(211), 즉 전술한 태양전지 셀과 인접한 면의 표면에는 열선 흡수 코팅층이 마련될 수 있다. 열선 흡수 코팅층은 태양 복사 에너지를 잘 흡수하고 흡수된 열을 방출하지 못하게 하는 특수 도료로 형성될 수 있다. 이러한 특수 도료에는 주로 철, 동, 코발트, 크롬, 망간 등의 산화물이 안료로 이용되고 바인더(binder)로는 에폭시 수지, 우레탄 수지, 키시렌 수지, 폴리비닐 부치랄 수지, 또는 염화비닐리덴 수지 등이 사용될 수 있다. 열선 흡수 코팅층은 이러한 특수 도료 외에도 애노다이징(Anodizing) 등에 의해 형성될 수도 있다. 또한, 상기 하부 금속판(22A)의 하면 등 외부로 노출되는 표면도 내식성을 높이기 위해 애노다이징 처리될 수 있다.
다음으로, 도 2의 (b)를 참조하면, 본 실시예에 따른 평판 히트펌프부(20B)도 상부 금속판(21B)과 하부 금속판(22B) 사이에 형성된 것으로 작동 유체가 흐르는 유로(23B)를 갖는데, 상기 유로(23B)는 상부 금속판(21B)과 하부 금속판(22B)의 서로 마주보는 두면 중에서 어느 한 면, 예컨대 하부 금속판(22B)의 내측면으로부터 소정의 깊이로 음각 가공된 선형 유로 패턴(223B)에 의해 형성될 수 있다. 이 경우에도 상기 상부 금속판(21B)과 하부 금속판(22B)의 사이에서 상기 유로(23B)를 제외한 부분은 서로 접착 필름(25) 또는 접착제 등을 매개로 접합 될 수 있다.
도 3은 본 발명에 따른 복합 태양 에너지 획득 장치에서 다른 한 실시 유형에 따른 평판 히트펌프부의 단면을 보인다.
도 3의 (a)를 참조하면, 본 실시예에 따른 평판 히트펌프부(20C)는 그 상면이 평면인 상부 금속판(21C)과의 사이에 유로(23C)를 형성하며 접합 된 하부 금속판(22C)을 갖는데, 상기 상부 금속판(21C)은 상기 하부 금속판(22C)과 마주보는 면에 그 면으로부터 소정의 깊이로 음각 가공된 제 1 선형 유로 패턴(213C)을 가지고, 상기 하부 금속판(22C)은 프레스 가공에 의해 상기 제 1 선형 유로 패턴(213C)을 따라 성형된 제 2 선형 유로 패턴(224C)을 가지는 것일 수도 있다. 이 경우에도 상기 두 금속판(21C, 22C) 사이에서 상기 유로(23C)를 제외한 부분은 접착 필름(25) 또는 접착제 등으로 접합 될 수 있다.
도 3의 (b)를 참조하면, 평판 히트펌프부(20D)에서 유로(23D)는 전술한 도 3 (a)의 실시예와 달리, 프레스 가공에 의해 하부 금속판(22D)에 형성된 제 2 선형 유로 패턴(224D)만으로 형성될 수도 있다.
도 4는 본 발명의 한 실시예에 따른 복합 태양 에너지 획득 장치의 수직적 구성을 보인다.
일반적인 태양전지 모듈에서는 상면으로부터 유리판-접착 필름-태양전지 셀-접착 필름-백 시트의 순서로 접합 되고, 사이드 프레임이 그 둘레를 둘러싸며, 상기 백 시트의 후면에 정션 박스가 설치된다. 이에 비해 본 실시예에 따른 복합 태양 에너지 획득 장치에서는, 태양전지 셀(10A)의 상면에 접착 필름(12)을 사이에 두고 보호판(13)이 접합 되고, 상기 태양전지 셀(10A)의 하면에는 접착 필름(15)을 사이에 두고 전술한 평판 히트펌프부(20A)가 접합 된다. 상기 평판 히트펌프부(20A)의 하면 측에 상기 태양전지 셀(10A)과 배선(17A)을 통해 연결된 정션 박스(junction box)(19)가 배치될 수 있다. 이들의 테두리를 둘러싸는 사이드 프레임(18)을 구비할 수 있음은 물론이다.
그런데, 종래의 태양전지 모듈에서는 태양전지 셀을 외부 환경, 예컨대 비, 바람, 먼지 등으로부터 보호하는 것 외에도 태양전지 셀이 뒤틀리거나 휘어져서 파손되는 것을 방지하는 역할을 하기 위해 약 3 mm 이상의 상당히 두꺼운 강화유리가 적용되어 왔다. 이에 비해 본 실시예에 따른 복합 태양 에너지 획득 장치의 경우에는 상기 평판 히트펌프부(20A)가 두 장의 금속판으로 이루어져 휘어짐이나 뒤틀림에 대하여 높은 강성을 가지므로, 상기 보호판(13)으로 굳이 두껍고 무거운 강화유리를 채용할 필요가 없게 되었다. 예컨대 1 mm 이내의 상대적으로 얇은 유리판이나 광학적으로 투명한 폴리카보네이트 등의 합성수지 판을 채용할 수 있고, 습기나 햇빛, 온도 변화 등에 대한 내구성만 담보된다면 더 얇은 필름을 채용할 수도 있다.
도 5는 본 발명의 다른 한 실시예에 따른 복합 태양 에너지 획득 장치의 수직적 구성을 보인다.
본 실시예에 따른 복합 태양 에너지 획득 장치에 있어서, 태양전지 셀(10B)은 유연성 태양전지 필름을 포함할 수 있다. 유연성 태양전지 필름은 예를 들면, 합성 수지로 이루어진 유연성 베이스 필름(111) 상에 하부 전극(112), 유기화합물 광전 변환층(113), 보호막(114), 상부 전극(115), 그리고 절연막(116)의 순서로 적층되어 구성될 수 있다. 여기서, 유기화합물 광전 변환층(113)은 가시광선이나 적외선에 대해 투명한 성질을 가지는 것일 수 있다. 한편, 상기 하부 전극(112)으로는 금속 박막이 적용될 수 있으나, 상부 전극(115)으로는 투명 전극이 적용되는데, ITO, IZO 등의 투명 전극 물질 외에도 유기물과 금속의 배위결합으로 형성된 유연성 투명 전극이 적용될 수 있다. 한편, 유연성 태양전지 필름으로 이루어진 태양전지 셀(10B)의 상면에는 추가적으로 보호 필름(14)이 부착될 수 있다. 본 도면에 사이드 프레임은 도시되지 않았으나 추가될 수도 있음은 물론이다.
도 6은 본 발명의 다른 한 실시예에 따른 복합 태양 에너지 획득 장치의 수직적 구성을 보인다.
본 실시예에 따르면, 복합 태양 에너지 획득 장치에 채용된 상기 태양전지 셀은, 실리콘 계열의 태양전지 판(10A)과 유연성 태양전지 필름(10B)이 투명 접착 필름(15B)을 매개로 서로 중첩되게 접합 된 것일 수 있다. 상기 실리콘 계열의 태양전지 판(10A)은 광전 변환층으로서 비정질 실리콘 박막을 포함하고, 상기 유연성 태양전지 필름(10B)은 광전 변환층으로서 유기화합물층을 포함하는 것일 수 있다. 비정질 실리콘 박막을 갖는 태양전지 판(10A)은 공정 온도가 낮고, 대량 생산에 유리하다는 이점이 있는 반면 광전 변환 효율이 낮은 것이 단점인데, 비정질 실리콘 박막과 주 흡수 파장대가 달라 상보적인 유기화합물 광전 변환층을 갖는 유연성 태양전지 필름(10B)을 중첩하여 배치함으로써 효율을 향상시킬 수 있다. 정션 박스(19)는 전술한 태양전지 판(10A) 및 유연성 태양전지 필름(10B)과 배선(17C)을 통해 연결된다.
중첩 구조의 태양전지 셀의 하부에 평판 히트펌프부(20B)가 설치됨은 전술한 실시예들의 경우와 같다.
이상에서 살펴본 바와 같이 본 발명에 대해 다양한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 아니하며 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변형과 수정이 가능할 것이다.
10: 태양전지 셀
15, 15A, 15B, 25: 접착 필름
20: 평판 히트펌프부
21: 상부 금속판
22: 하부 금속판
23, 23A, 23B, 23C, 23D: 유로

Claims (10)

  1. 평면적으로 배치되어 상면으로부터 입사한 태양 광을 전기로 변환하는 태양전지 셀; 및,
    상기 태양전지 셀의 하면에 부착되어 상기 태양전지 셀로부터 전도된 열 에너지 및 상기 태양전지 셀을 투과하여 그 표면에 도달한 복사 에너지를 흡수하는, 평판 히트펌프부; 를 포함하고,
    상기 평판 히트펌프부는,
    적어도 상기 태양전지 셀에 인접한 면이 평면인 상부 금속판; 및,
    상기 상부 금속판과의 사이에 유로를 형성하며 접합된 하부 금속판;을 포함하는,
    복합 태양 에너지 획득 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 평판 히트펌프부는,
    상기 상부 금속판과 상기 하부 금속판이 서로 마주보는 두면 중 적어도 한 면에 그 면으로부터 소정의 깊이로 음각 가공된 선형 유로 패턴을 가지는,
    복합 태양 에너지 획득 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 선형 유로 패턴은 상기 마주보는 두면에 음각 가공된,
    복합 태양 에너지 획득 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 상부 금속판은 상기 하부 금속판과 마주보는 면에 그 면으로부터 소정의 깊이로 음각 가공된 제 1 선형 유로 패턴을 가지고,
    상기 하부 금속판은 프레스 가공에 의해 상기 제 1 선형 유로 패턴을 따라 성형된 제 2 선형 유로 패턴을 가지는,
    복합 태양 에너지 획득 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 평판 히트펌프부는,
    상기 태양전지 셀에 인접한 상기 상부 금속판의 표면에 열선 흡수 코팅층을 가지는,
    복합 태양 에너지 획득 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 태양전지 셀은 유연성 태양전지 필름을 포함하는,
    복합 태양 에너지 획득 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 태양전지 셀은 실리콘 계열의 태양전지 판 상면에 유연성 태양전지 필름이 접합된,
    복합 태양 에너지 획득 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 실리콘 계열의 태양전지 판은 광전 변환층으로서 비정질 실리콘 박막을 포함하고, 상기 유연성 태양전지 필름은 광전 변환층으로서 유기화합물층을 포함하는,
    복합 태양 에너지 획득 장치.
  9. 제 2 항에 있어서,
    상기 상부 금속판 및 상기 하부 금속판 중 음각 가공된 상기 선형 유로 패턴을 가지는 금속판은 두께가 약 0.4 mm 내지 1mm인 알루미늄판인,
    복합 태양 에너지 획득 장치.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 상부 금속판과 상기 하부 금속판은 상기 유로를 제외한 나머지 부분이 접착 필름으로 서로 접착된,
    복합 태양 에너지 획득 장치.
KR1020170017069A 2017-02-07 2017-02-07 복합 태양 에너지 획득 장치 KR20180091619A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170017069A KR20180091619A (ko) 2017-02-07 2017-02-07 복합 태양 에너지 획득 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170017069A KR20180091619A (ko) 2017-02-07 2017-02-07 복합 태양 에너지 획득 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20180091619A true KR20180091619A (ko) 2018-08-16

Family

ID=63443709

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170017069A KR20180091619A (ko) 2017-02-07 2017-02-07 복합 태양 에너지 획득 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20180091619A (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200105265A (ko) * 2019-02-28 2020-09-07 세한에너지 주식회사 태양에너지 수집장치
KR20210066578A (ko) * 2019-11-28 2021-06-07 조선대학교산학협력단 태양광열 하이브리드 발전 장치

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101336087B1 (ko) 2011-09-14 2013-12-03 이종은 판의 가공 장치 및 판의 가공 방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101336087B1 (ko) 2011-09-14 2013-12-03 이종은 판의 가공 장치 및 판의 가공 방법

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200105265A (ko) * 2019-02-28 2020-09-07 세한에너지 주식회사 태양에너지 수집장치
KR20210066578A (ko) * 2019-11-28 2021-06-07 조선대학교산학협력단 태양광열 하이브리드 발전 장치

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101070871B1 (ko) 태양광발전용 솔라셀 모듈의 백시트
CA3016112A1 (en) Photovoltaic module, integrated photovoltaic/photo-thermal module and manufacturing method thereof
CN103430325A (zh) 光伏聚光接收器及其应用
CN101866972A (zh) 太阳能电池与散热器一体化组件
US20140036486A1 (en) Solar lighting system
CN102473766A (zh) 太阳能电池设备
JP2017073903A (ja) 太陽電池モジュール
KR20180091619A (ko) 복합 태양 에너지 획득 장치
JP4898145B2 (ja) 集光型太陽電池モジュール
CN101702410B (zh) 一种双斜面反射聚光太阳能光伏电池组件
US20220085757A1 (en) Hybrid solar panel for producing electrical energy and thermal energy
TW201444105A (zh) 太陽能模組
KR101575177B1 (ko) 내부 열전달 부재를 구비한 태양광 전지 모듈
CN203839391U (zh) 太阳能光伏光热复合组件
CN102184996A (zh) 一种提高光伏组件温度稳定性的方法及太阳能光伏组件
CN210692556U (zh) 一种耐高低温长寿命太阳能光伏背板
WO2017133571A1 (zh) 光伏组件
JP2004317117A (ja) 太陽光発電機能を有する太陽熱集熱器
KR102194268B1 (ko) 롤러블 복합형 태양전지 모듈 장치
CN207353266U (zh) 用于聚光系统的光伏组件
CN205428962U (zh) 一种基于cigs柔性光伏电池薄片的建筑光伏光热一体化构件
CN104639036A (zh) 中低倍聚光光伏组件
CN215646727U (zh) 一种相变材料辅助冷却的光伏电池组件
CN202339930U (zh) 太阳能利用装置
CN106057939A (zh) 一种带热交换器的聚光太阳能电池组件

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application