KR20180090260A - A phosphor sheet, a phosphor, a light source unit, a display, and a manufacturing method of a phosphor using the phosphor sheet - Google Patents

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Abstract

적색 형광체와 β형 사이알론 형광체와 수지를 포함하는 형광체층을 구비하는 형광체 시트이다. 이 적색 형광체는, 일반식 (1)로 표시되는 Mn 부활 복불화물이다.
(일반식)
A2MF6: Mn ···(1)
(일반식 (1)에 있어서, A는 Li, Na, K, Rb 및 Cs로 이루어지는 군에서 선택되며, 또한 Na 및 K 중 적어도 하나를 포함하는 1종 이상의 알칼리 금속이고, M은 Si, Ti, Zr, Hf, Ge 및 Sn으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상의 4가 원소임)
A phosphor sheet comprising a red phosphor, a? -Type sialon phosphor and a phosphor layer. This red phosphor is the Mn-activated double fluoride represented by the general formula (1).
(General formula)
A 2 MF 6 : Mn (1)
Wherein A is at least one alkali metal selected from the group consisting of Li, Na, K, Rb and Cs and further comprising at least one of Na and K, M is at least one element selected from the group consisting of Si, Ti, Zr, Hf, Ge, and Sn.

Description

형광체 시트, 그것을 사용한 발광체, 광원 유닛, 디스플레이 및 발광체의 제조 방법A phosphor sheet, a phosphor, a light source unit, a display, and a manufacturing method of a phosphor using the phosphor sheet

본 발명은 형광체 시트, 그것을 사용한 발광체, 광원 유닛, 디스플레이 및 발광체의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a phosphor sheet, a phosphor body using the same, a light source unit, a display, and a method of manufacturing a phosphor.

발광 다이오드(LED, Light Emitting Diode)는, 그의 발광 효율의 놀라운 향상을 배경으로 하여, 낮은 소비 전력, 장수명, 의장성 등을 특징으로서 액정 디스플레이(LCD, Liquid Crystal Display)의 백라이트 방면이나, 차 헤드라이트 등의 차량 탑재 분야에서 급격하게 시장을 확대하고 있다. LED는, 환경 부하도 낮다는 점에서, 금후, 일반 조명 분야에서도 거대한 시장을 형성할 것으로 기대되고 있다.BACKGROUND ART A light emitting diode (LED) is a backlight of a liquid crystal display (LCD), characterized by low power consumption, long life, Light and other vehicles. LEDs are expected to form a huge market in the field of general lighting in the future because of their low environmental load.

LED의 발광 스펙트럼은, LED 칩을 형성하는 반도체 재료에 의존하기 때문에, 그의 발광색은 한정되어 있다. 그로 인해, LED를 사용하여 LCD의 백라이트나 일반 조명에 적합한 백색광을 얻기 위해서는, LED 칩 상에 각각의 칩에 맞는 형광체를 설치하여, 발광 파장을 변환할 필요가 있다. 구체적으로는, 청색을 발광하는 LED 칩(이하, 청색 LED 칩이라고 적절히 말함) 상에 황색 형광체를 설치하는 방법, 청색 LED 칩 상에 적색 형광체 및 녹색 형광체를 설치하는 방법, 자외선을 발하는 LED 칩 상에 적색 형광체, 녹색 형광체 및 청색 형광체를 설치하는 방법 등이 제안되어 있다. 이들 중에서 LED 칩의 발광 효율이나 비용의 면에서, 청색 LED 칩 상에 황색 형광체를 설치하는 방법 및 청색 LED 칩 상에 적색 형광체 및 녹색 형광체를 설치하는 방법이, 현재 가장 널리 채용되고 있다.Since the emission spectrum of the LED depends on the semiconductor material forming the LED chip, its emission color is limited. Therefore, in order to obtain white light suitable for the backlight of the LCD or the general illumination using the LED, it is necessary to provide a phosphor suitable for each chip on the LED chip to convert the light emission wavelength. Specifically, there are a method of providing a yellow phosphor on a blue LED chip (hereinafter referred to as a blue LED chip), a method of providing a red phosphor and a green phosphor on a blue LED chip, A method of providing a red phosphor, a green phosphor and a blue phosphor is proposed. Among these methods, a method of installing a yellow phosphor on a blue LED chip and a method of installing a red phosphor and a green phosphor on a blue LED chip are most widely adopted at present from the viewpoint of luminous efficiency and cost of the LED chip.

디스플레이 용도의 LED 등에 사용되는 형광체로서는, 색 재현 범위를 확대한다는 관점에서, 발광 피크의 반값폭이 좁은 것이 요망된다. 특허문헌 1에는, 발광 피크의 반값폭이 좁은 적색 형광체인 Mn 부활 복불화물 형광체와, 황색 형광체 또는 녹색 형광체인 Eu2 + 부활 알칼리 토류 규질화물 형광체를 사용함으로써 백색 발광을 얻는 방법이 기재되어 있다.As a phosphor used for display-purpose LEDs and the like, it is desired that the half-width of the emission peak is narrow from the viewpoint of expanding the color reproduction range. In Patent Document 1, a method of obtaining a white light emission is described the use of a half width of the emission peak in a narrow red phosphor is Mn-activated clothing fluoride phosphor, a yellow phosphor or a green phosphor of Eu 2 + resurrection alkaline-earth silicon nitride phosphor.

일본 특허 공개 제2012-178574호 공보Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 178574

그러나, 특허문헌 1에 기재와 같은 종래의 형광체를 사용한 발광체에서는, 색 재현성의 향상과 고광속의 양립이 곤란하였다. 본 발명은, 이러한 문제점을 해결하는 것을 목적으로 한다.However, in a light emitting body using a conventional phosphor as described in Patent Document 1, it is difficult to improve the color reproducibility and compatibility with high light. The present invention aims to solve such a problem.

상술한 과제를 해결하고, 목적을 달성하기 위해서, 본 발명에 따른 형광체 시트는, 적색 형광체와 β형 사이알론 형광체와 수지를 포함하는 형광체층을 구비하며, 상기 적색 형광체는, 일반식 (1)로 표시되는 Mn 부활 복불화물인 것을 특징으로 한다.In order to solve the above problems and achieve the object, the phosphor sheet according to the present invention comprises a phosphor layer containing a red phosphor, a? -Sialon phosphor and a resin, wherein the red phosphor is represented by the general formula (1) Is a Mn-activated double fluoride.

(일반식)(General formula)

A2MF6:Mn ···(1)A 2 MF 6 : Mn (1)

(일반식 (1)에 있어서, A는 Li, Na, K, Rb 및 Cs로 이루어지는 군에서 선택되며, 또한 Na 및 K 중 적어도 하나를 포함하는 1종 이상의 알칼리 금속이고, M은 Si, Ti, Zr, Hf, Ge 및 Sn으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상의 4가 원소임)Wherein A is at least one alkali metal selected from the group consisting of Li, Na, K, Rb and Cs and further comprising at least one of Na and K, M is at least one element selected from the group consisting of Si, Ti, Zr, Hf, Ge, and Sn.

또한, 본 발명에 따른 형광체 시트는, 상기의 발명에 있어서, 상기 형광체층은, 상기 적색 형광체와 상기 β형 사이알론 형광체와 상기 수지를 포함하는 단일층 또는 복수층으로 이루어지고, 상기 적색 형광체, 상기 β형 사이알론 형광체 및 상기 수지는, 동일층에 포함되는 것을 특징으로 한다.The phosphor sheet according to the present invention is the phosphor sheet according to the above invention, wherein the phosphor layer comprises a single layer or a plurality of layers comprising the red phosphor, the? -Sialon phosphor and the resin, The? -Sialon phosphor and the resin are included in the same layer.

또한, 본 발명에 따른 형광체 시트는, 상기의 발명에 있어서, 상기 수지의 굴절률은 1.45 이상 1.7 이하인 것을 특징으로 한다.Further, the phosphor sheet according to the present invention is characterized in that, in the above-mentioned invention, the refractive index of the resin is 1.45 or more and 1.7 or less.

또한, 본 발명에 따른 형광체 시트는, 상기의 발명에 있어서, 상기 수지는 실리콘 수지인 것을 특징으로 한다.Further, the phosphor sheet according to the present invention is characterized in that, in the above invention, the resin is a silicone resin.

또한, 본 발명에 따른 형광체 시트는, 상기의 발명에 있어서, 상기 형광체층에 있어서의 전체 고형분에서 차지하는 상기 적색 형광체의 비율은, 20중량% 이상 60중량% 이하인 것을 특징으로 한다.Further, the phosphor sheet according to the present invention is characterized in that, in the above-mentioned invention, the proportion of the red phosphor in the total solid content in the phosphor layer is 20 wt% or more and 60 wt% or less.

또한, 본 발명에 따른 형광체 시트는, 상기의 발명에 있어서, 상기 형광체층에 있어서의 전체 고형분에서 차지하는 상기 적색 형광체의 비율과 상기 β형 사이알론 형광체의 비율의 합계는 50중량% 이상 90중량% 이하인 것을 특징으로 한다.Further, in the phosphor sheet according to the present invention, in the above-mentioned invention, the total of the proportion of the red phosphor and the proportion of the? -Sialon phosphor in the total solid content in the phosphor layer is preferably 50% by weight or more and 90% Or less.

또한, 본 발명에 따른 형광체 시트는, 상기의 발명에 있어서, 상기 적색 형광체의 D50은 10㎛ 이상 40㎛ 이하인 것을 특징으로 한다.Further, the phosphor sheet according to the present invention is characterized in that, in the above-described invention, the D50 of the red phosphor is 10 m or more and 40 m or less.

또한, 본 발명에 따른 형광체 시트는, 상기의 발명에 있어서, 상기 적색 형광체의 D10은 3㎛ 이상인 것을 특징으로 한다.Further, the phosphor sheet according to the present invention is characterized in that, in the above-described invention, the D10 of the red phosphor is 3 m or more.

또한, 본 발명에 따른 형광체 시트는, 상기의 발명에 있어서, 상기 적색 형광체의 (D90-D10)/D50은 0.5 이상 1.5 이하인 것을 특징으로 한다.Further, in the phosphor sheet according to the present invention, in the above-described invention, (D90-D10) / D50 of the red phosphor is 0.5 or more and 1.5 or less.

또한, 본 발명에 따른 형광체 시트는, 상기의 발명에 있어서, 상기 형광체층 중의 공극률은 0.1% 이상 3% 이하인 것을 특징으로 한다.Further, the phosphor sheet according to the present invention is characterized in that, in the above-mentioned invention, the porosity in the phosphor layer is 0.1% or more and 3% or less.

또한, 본 발명에 따른 형광체 시트는, 상기의 발명에 있어서, 상기 형광체층에 미립자를 함유하는 것을 특징으로 한다.Further, the phosphor sheet according to the present invention is characterized in that, in the above-described invention, the phosphor layer contains fine particles.

또한, 본 발명에 따른 형광체 시트는, 상기의 발명에 있어서, 상기 미립자는 실리콘 미립자인 것을 특징으로 한다.Further, the phosphor sheet according to the present invention is characterized in that, in the above invention, the fine particles are silicon fine particles.

또한, 본 발명에 따른 형광체 시트는, 상기의 발명에 있어서, 상기 형광체층 상에 추가로 투명 수지층이 적층되는 것을 특징으로 한다.Further, the phosphor sheet according to the present invention is characterized in that, in the above invention, a transparent resin layer is further laminated on the phosphor layer.

또한, 본 발명에 따른 형광체 시트는, 상기의 발명에 있어서, 상기 투명 수지층에 포함되는 수지의 굴절률은 1.3 이상 1.6 이하인 것을 특징으로 한다.Further, the phosphor sheet according to the present invention is characterized in that, in the above-mentioned invention, the refractive index of the resin contained in the transparent resin layer is 1.3 to 1.6.

또한, 본 발명에 따른 형광체 시트는, 상기의 발명에 있어서, 상기 투명 수지층에 포함되는 수지의 굴절률은, 상기 형광체층에 포함되는 수지의 굴절률 이하인 것을 특징으로 한다.Further, the phosphor sheet according to the present invention is characterized in that, in the above-mentioned invention, the refractive index of the resin contained in the transparent resin layer is not more than the refractive index of the resin contained in the phosphor layer.

또한, 본 발명에 따른 형광체 시트는, 상기의 발명에 있어서, 상기 투명 수지층은 미립자를 함유하는 것을 특징으로 한다.Further, the phosphor sheet according to the present invention is characterized in that, in the above-mentioned invention, the transparent resin layer contains fine particles.

또한, 본 발명에 따른 형광체 시트는, 상기의 발명에 있어서, 상기 투명 수지층에 포함되는 미립자는 실리카 미립자, 알루미나 미립자, 실리콘 미립자로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 한다.The phosphor sheet according to the present invention is characterized in that the fine particles contained in the transparent resin layer are at least one selected from the group consisting of silica fine particles, alumina fine particles and silicon fine particles.

또한, 본 발명에 따른 형광체 시트는, 상기의 발명에 있어서, 상기 투명 수지층의 파장 400nm 내지 800nm에서의 최소 투과율은 80% 이상인 것을 특징으로 한다.The phosphor sheet according to the present invention is characterized in that the transparent resin layer has a minimum transmittance of 80% or more at a wavelength of 400 to 800 nm.

또한, 본 발명에 따른 형광체 시트는, 상기의 발명에 있어서, 상기 투명 수지층에 있어서의 전체 고형분에서 차지하는 미립자의 비율은 0.1중량% 이상 30중량% 이하인 것을 특징으로 한다.The phosphor sheet according to the present invention is characterized in that the ratio of the fine particles in the total solid content in the transparent resin layer in the above invention is 0.1 wt% or more and 30 wt% or less.

또한, 본 발명에 따른 형광체 시트는, 상기의 발명에 있어서, 상기 투명 수지층에 포함되는 미립자의 평균 입경은 1nm 이상 1000nm 이하인 것을 특징으로 한다.The phosphor sheet according to the present invention is characterized in that the average particle diameter of the fine particles contained in the transparent resin layer in the above invention is 1 nm or more and 1000 nm or less.

또한, 본 발명에 따른 발광체의 제조 방법은, 상기의 발명의 어느 하나에 기재된 형광체 시트를 개편화하는 개편화 공정과, 개편화된 상기 형광체 시트를 픽업하는 픽업 공정과, 개편화된 상기 형광체 시트를 광원에 부착하는 부착 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.Further, a method of manufacturing a phosphor according to the present invention is a method of manufacturing a phosphor, comprising: a step of separating a phosphor sheet according to any one of the above inventions; a pickup step of picking up the separated phosphor sheet; And attaching the light source to the light source.

또한, 본 발명에 따른 발광체는, 상기의 발명의 어느 하나에 기재된 형광체 시트를 구비하는 것을 특징으로 한다.Further, the phosphor according to the present invention is characterized by comprising the phosphor sheet according to any one of the above-mentioned inventions.

또한, 본 발명에 따른 광원 유닛은, 상기의 발명의 어느 하나에 기재된 형광체 시트를 구비하는 것을 특징으로 한다.Further, the light source unit according to the present invention is characterized by including the phosphor sheet described in any one of the above inventions.

또한, 본 발명에 따른 디스플레이는, 상기의 발명에 기재된 광원 유닛을 구비하는 것을 특징으로 한다.Further, the display according to the present invention is characterized by including the light source unit described in the above invention.

본 발명에 따르면, 색 재현성의 향상과 고광속을 양립시키는 형광체 시트를 제공할 수 있다는 효과를 발휘한다. 본 발명에 따른 형광체 시트를 구비하는 발광체, 광원 유닛 및 디스플레이는, 색 재현성의 향상과 고휘도를 양립시킬 수 있다는 효과를 발휘한다.INDUSTRIAL APPLICABILITY According to the present invention, it is possible to provide an improvement in color reproducibility and a phosphor sheet capable of satisfying a high luminous flux. The light emitting unit, the light source unit, and the display including the phosphor sheet according to the present invention exert the effect of improving the color reproducibility and ensuring high brightness.

도 1A는, 본 발명의 실시 형태에 따른 형광체 시트의 일례를 나타내는 측면도이다.
도 1B는, 본 발명의 실시 형태에 따른 형광체 시트의 별도 예를 나타내는 측면도이다.
도 2는, 본 발명의 실시 형태에 따른 형광체 시트를 사용한 발광체의 제조 방법의 일례를 나타내는 공정도이다.
1A is a side view showing an example of a phosphor sheet according to an embodiment of the present invention.
1B is a side view showing another example of the phosphor sheet according to the embodiment of the present invention.
2 is a process diagram showing an example of a method of manufacturing a phosphor using a phosphor sheet according to an embodiment of the present invention.

이하, 본 발명에 따른 형광체 시트, 그것을 사용한 발광체, 광원 유닛, 디스플레이 및 발광체의 제조 방법 적합한 실시 형태를 상세하게 설명한다. 단, 본 발명은 이하의 실시 형태에 한정되는 것은 아니고, 목적이나 용도에 따라서 여러 가지로 변경하여 실시할 수 있다.Hereinafter, preferred embodiments of a phosphor sheet according to the present invention, a light emitting unit using the same, a light source unit, a display, and a method for manufacturing a light emitting body will be described in detail. However, the present invention is not limited to the following embodiments, and various modifications may be made depending on the purpose and use.

<형광체 시트><Phosphor Sheet>

본 발명의 실시 형태에 따른 형광체 시트는, 적색 형광체, β형 사이알론 형광체 및 수지를 포함하는 형광체층을 함유하는 것이다. 이 형광체 시트에 있어서, 적색 형광체는, 일반식 (1)로 표시되는 Mn 부활 복불화물이다.The phosphor sheet according to the embodiment of the present invention contains a phosphor layer containing a red phosphor, a? -Sialon phosphor and a resin. In this phosphor sheet, the red phosphor is a Mn-activated double fluoride represented by the general formula (1).

A2MF6:Mn ···(1)A 2 MF 6 : Mn (1)

일반식 (1)에 있어서, A는 리튬(Li), 나트륨(Na), 칼륨(K), 루비듐(Rb) 및 세슘(Cs)으로 이루어지는 군에서 선택되며, 또한 Na 및 K 중 적어도 하나를 포함하는 1종 이상의 알칼리 금속이다. M은 규소(Si), 티타늄(Ti), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 게르마늄(Ge) 및 주석(Sn)으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상의 4가 원소이다.In the general formula (1), A is selected from the group consisting of lithium (Li), sodium (Na), potassium (K), rubidium (Rb) and cesium (Cs) At least one alkali metal. M is at least one tetravalent element selected from the group consisting of silicon (Si), titanium (Ti), zirconium (Zr), hafnium (Hf), germanium (Ge) and tin (Sn).

도 1A는, 본 발명의 실시 형태에 따른 형광체 시트의 일례를 나타내는 측면도이다. 도 1A에 도시하는 바와 같이, 본 발명의 실시 형태에 따른 형광체 시트(4)는, 지지체(3) 상에, 형광체(1)와 수지(14)를 함유하는 형광체층(2)을 구비한다. 형광체층(2)은, 수지(14) 중에 복수의 형광체(1)을 함유하는 층이다. 형광체층(2)은 형광체(1)로서, 일반식 (1)로 표시되는 적색 형광체와, β형 사이알론 형광체를 함유한다. 예를 들어, 도 1A에 도시하는 바와 같이, 형광체층(2)은 지지체(3) 상에 형성되어, 형광체 시트(4)를 구성한다.1A is a side view showing an example of a phosphor sheet according to an embodiment of the present invention. 1A, a phosphor sheet 4 according to an embodiment of the present invention includes a phosphor layer 2 containing a phosphor 1 and a resin 14 on a support 3. As shown in Fig. The phosphor layer 2 is a layer containing a plurality of phosphors 1 in the resin 14. The phosphor layer 2 contains, as the phosphor 1, a red phosphor represented by the general formula (1) and a? -Type sialon phosphor. For example, as shown in Fig. 1A, a phosphor layer 2 is formed on a support 3 to constitute a phosphor sheet 4. Fig.

형광체층(2)은, 형광체(1)로서의 적색 형광체 및 β형 사이알론 형광체와, 수지(14)를 함유하는 단일층으로 이루어지는 것이어도 된다. 또는, 형광체층(2)은, 형광체(1)와 수지(14)를 함유하는 복수층으로 이루어지는 것이어도 된다. 형광체층(2)이 복수층으로 이루어지는 경우, 형광체(1)로서의 적색 형광체와 수지(14)를 함유하는 제1 형광체층과, 형광체(1)로서의 β형 사이알론 형광체와 수지(14)를 함유하는 제2 형광체층이, 각각 1개 이상 적층되어서, 형광체층(2)의 복수층을 구성해도 된다. 바람직하게는, 형광체층(2)을 구성하는 단일층 또는 복수층의 각 층에 있어서, 형광체(1)로서의 적색 형광체 및 β형 사이알론 형광체와 수지(14)는 동일층에 포함된다. 이것은, 이하에 나타내는 이유에 의한다.The phosphor layer 2 may be composed of a single layer containing the red phosphor and the? -Sialon phosphor as the phosphor 1 and the resin 14. Alternatively, the phosphor layer 2 may be composed of a plurality of layers containing the phosphor 1 and the resin 14. In the case where the phosphor layer 2 is composed of a plurality of layers, the first phosphor layer containing the red phosphor and the resin 14 as the phosphor 1, the? -Type sialon phosphor as the phosphor 1 and the resin (14) And the second phosphor layer may be stacked one on top of the other to constitute a plurality of layers of the phosphor layer 2. Preferably, the red phosphor and the? -Sialon phosphor as the phosphor 1 and the resin 14 are contained in the same layer in the single layer or the plurality of layers constituting the phosphor layer 2. This is for the reasons given below.

형광체층(2)이, 적색 형광체를 포함하는 층(제1 형광체층)과 β형 사이알론 형광체를 포함하는 층(제2 형광체층)의 적층체여도, 색 재현성의 향상과 고광속의 양립은 가능하지만, 이 형광체층(2)에서는, 각 층의 막 두께를 각각 따로따로 제어할 필요가 있다. 이로 인해, 결과로서 얻어지는 형광체 시트(4)의 색도 변동이 커져 버린다. 이에 비해, 형광체층(2)에 있어서 형광체(1)로서의 적색 형광체 및 β형 사이알론 형광체와 수지(14)가 동일층에 포함됨으로써, 형광체 시트(4)의 색도 변동이 개선된다.Even if the phosphor layer 2 is a laminate of a layer including a red phosphor (first phosphor layer) and a layer including a? -Type sialon phosphor (second phosphor layer), improvement in color reproducibility and compatibility with high light are possible However, in the phosphor layer 2, it is necessary to separately control the film thickness of each layer. As a result, the resulting chromaticity fluctuation of the phosphor sheet 4 becomes large. By contrast, in the phosphor layer 2, since the red phosphor and the? -Sialon phosphor as the phosphor 1 and the resin 14 are included in the same layer, the chromaticity variation of the phosphor sheet 4 is improved.

도 1B는, 본 발명의 실시 형태에 따른 형광체 시트의 별도 예를 도시하는 측면도이다. 도 1B에 도시하는 바와 같이, 형광체 시트(4)는, 지지체(3) 상에 형성된 형광체층(2) 상에, 추가로 투명 수지층(5)을 구비해도 된다. 도 1B에 나타내는 형광체 시트(4)에 있어서, 투명 수지층(5)은, 예를 들어 단일층 또는 복수층으로 이루어지는 형광체층(2)의 상면(지지체(3)와는 반대측의 면)에 형성되어 있다. 이렇게 투명 수지층(5)이 있음으로써, 형광체 시트(4)의 내구성이 향상된다.1B is a side view showing another example of the phosphor sheet according to the embodiment of the present invention. The phosphor sheet 4 may further include a transparent resin layer 5 on the phosphor layer 2 formed on the support 3 as shown in Fig. In the phosphor sheet 4 shown in Fig. 1B, the transparent resin layer 5 is formed on the upper surface (the surface opposite to the support 3) of the phosphor layer 2 composed of, for example, a single layer or a plurality of layers have. The presence of the transparent resin layer 5 improves the durability of the phosphor sheet 4.

본 실시 형태에 있어서, 형광체 시트(4)는, 단일층 또는 복수층의 형광체층(2)을 구비한 것, 또는 이 형광체층(2)과 투명 수지층(5)을 구비한 것인데, 그 시트 형상의 유지 및 취급 용이함 등의 관점에서, 통상, 지지체(3)에 의해 지지된 상태로 있다. 즉, 본 실시 형태에서는, 형광체 시트(4)와 지지체(3)을 포함하여 「형광체 시트」라고 칭하는 경우가 있다.In the present embodiment, the phosphor sheet 4 is provided with a phosphor layer 2 of a single layer or a plurality of layers, or the phosphor layer 2 and the transparent resin layer 5, From the standpoint of maintenance of shape and ease of handling, it is usually supported by the support 3. That is, in the present embodiment, the phosphor sheet 4 and the support 3 are sometimes referred to as a &quot; phosphor sheet &quot;.

<형광체층><Phosphor layer>

형광체층(2)은, 예를 들어 도 1A, 1B에 도시하는 바와 같이, 주로 형광체(1)와 수지(14)를 포함하는 층이다. 형광체(1)로서는, 적어도 일반식 (1)로 표시되는 적색 형광체와, β형 사이알론 형광체를 들 수 있다.The phosphor layer 2 is a layer mainly containing the phosphor 1 and the resin 14, for example, as shown in Figs. 1A and 1B. As the phosphor 1, at least a red phosphor represented by the general formula (1) and a? -Type sialon phosphor can be given.

(적색 형광체)(Red phosphor)

적색 형광체란, 파장 590nm 내지 750nm에 발광 피크를 갖는 형광체이다. 본 발명의 실시 형태에 따른 형광체 시트(4)는, 그의 색 재현성을 향상시키기 위해서, 형광체층(2) 중에, 상술한 일반식 (1)로 표시되는 Mn 부활 복불화물(A2MF6:Mn)인 적색 형광체를 포함할 필요가 있다. 이 Mn 부활 복불화물인 적색 형광체는, 「Mn 부활 복불화물 착체 형광체」라고 칭해진다. 이하, Mn 부활 복불화물 착체 형광체는, 「적색 형광체」라고 적절히 약기된다.The red phosphor is a phosphor having an emission peak at a wavelength of 590 nm to 750 nm. In order to improve the color reproducibility of the phosphor sheet 4 according to the embodiment of the present invention, the phosphor sheet 2 contains a Mn-activated double fluoride (A 2 MF 6 : Mn ). &Lt; / RTI &gt; The red phosphor which is the Mn-activated double fluoride is referred to as &quot; Mn-activated double fluoride complex fluorescent substance &quot;. Hereinafter, the Mn-recovered complex fluorophore complex fluorescent material is appropriately abbreviated as &quot; red fluorescent substance &quot;.

Mn 부활 복불화물 착체 형광체란, 망간(Mn)을 부활제로 하고, 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속의 불화물 착체염을 모체 결정으로 하는 형광체이다. 이 Mn 부활 복불화물 착체 형광체에 있어서, 모체 결정을 형성하는 불화물 착체의 배위 중심은, 4가 금속(Si, Ti, Zr, Hf, Ge, Sn)인 것이 바람직하고, 그 주위에 배위하는 불소 원자의 수는 6인 것이 바람직하다. 바람직한 Mn 부활 복불화물 착체 형광체는, 일반식 (1)에 있어서, A가 K(칼륨)이고, M이 Si(규소)인 것, 즉 K2SiF6:Mn이다. 이것은, KSF 형광체라고 불린다.The Mn-activated birefringent complex fluorescent substance is a phosphor which uses manganese (Mn) as an activator and a fluoride complex salt of an alkali metal or an alkaline earth metal as a host crystal. In the Mn-activated birefringent complex fluorescent material, the coordination center of the fluoride complex forming the host crystal is preferably a tetravalent metal (Si, Ti, Zr, Hf, Ge, or Sn) Is preferably 6. A preferable Mn-activated birefringent complex fluorescent material is K 2 SiF 6 : Mn in which A is K (potassium) and M is Si (silicon) in the general formula (1). This is called a KSF phosphor.

형광체층(2)에 있어서의 전체 고형분에서 차지하는 적색 형광체(즉 Mn 부활 복불화물 착체 형광체)의 비율은, 10중량% 이상인 것이 바람직하고, 20중량% 이상인 것이 보다 바람직하다. 또한, 이 비율은, 80중량% 이하인 것이 바람직하고, 60중량% 이하인 것이 보다 바람직하다. 이 비율이 바람직한 하한값 이상임으로써, 형광체 시트(4)의 색 재현 범위가 보다 개선된다. 한편, 이 비율이 80중량% 이하임으로써, 형광체 시트(4)의 색도 변동이 개선되고, 이 비율이 60중량% 이하임으로써, 형광체 시트(4)의 색도 변동이 보다 개선된다.The proportion of the red phosphor (i.e., the Mn-activated birefringent complex fluorescent substance) in the total solid content in the phosphor layer 2 is preferably 10% by weight or more, and more preferably 20% by weight or more. Further, this ratio is preferably 80% by weight or less, more preferably 60% by weight or less. Since this ratio is equal to or more than the preferable lower limit value, the color reproduction range of the phosphor sheet 4 is further improved. On the other hand, when the ratio is 80% by weight or less, the chromaticity fluctuation of the phosphor sheet 4 is improved. When the ratio is 60% by weight or less, the chromaticity variation of the phosphor sheet 4 is further improved.

형광체(1)(도 1A 참조)로서의 적색 형광체의 D50은, 5㎛ 이상인 것이 바람직하고, 10㎛ 이상인 것이 보다 바람직하다. 또한, 이 적색 형광체의 D50은, 40㎛ 이하인 것이 바람직하고, 30㎛ 이하인 것이 보다 바람직하다. 이 적색 형광체의 D50이 5㎛ 이상임으로써, 고광속의 형광체 시트(4)를 얻을 수 있다. 이 적색 형광체의 D50이 40㎛ 이하임으로써, 형광체 시트(4)의 색도 변동이 개선된다.The D50 of the red phosphor as the phosphor 1 (see Fig. 1A) is preferably 5 mu m or more, and more preferably 10 mu m or more. Further, the D50 of the red phosphor is preferably 40 m or less, more preferably 30 m or less. When the D50 of the red phosphor is 5 占 퐉 or more, the phosphor sheet 4 in high light can be obtained. When the D50 of the red phosphor is 40 占 퐉 or less, the chromaticity variation of the phosphor sheet 4 is improved.

또한, 형광체(1)로서의 적색 형광체의 D10은, 3㎛ 이상인 것이 바람직하고, 5㎛ 이상인 것이 보다 바람직하다. 이에 의해, 형광체 시트(4)의 내구성이 개선된다. 이 적색 형광체의 D10의 상한으로서는 특별히 제한은 없지만, 15㎛ 이하인 것이 바람직하고, 12㎛ 이하인 것이 보다 바람직하다.Further, D10 of the red phosphor as the phosphor (1) is preferably 3 m or more, and more preferably 5 m or more. Thus, the durability of the phosphor sheet 4 is improved. The upper limit of D10 of the red phosphor is not particularly limited, but is preferably 15 占 퐉 or less, more preferably 12 占 퐉 or less.

또한, 형광체(1)로서의 적색 형광체에 있어서, 하기의 식 (11)로 표시되는 값 x는 0.5 이상 1.8 이하인 것이 바람직하고, 1.5 이하인 것이 보다 바람직하다. 나아가, 이 값 x의 상한값으로서, 1.50 이하인 것이 바람직하고, 1.4 이하인 것이 보다 바람직하고, 1.35 이하인 것이 보다 한층 바람직하고, 1 이하인 것이 더욱 바람직하다.Further, in the red phosphor as the phosphor 1, the value x represented by the following formula (11) is preferably 0.5 or more and 1.8 or less, more preferably 1.5 or less. Further, the upper limit value of the value x is preferably 1.50 or less, more preferably 1.4 or less, even more preferably 1.35 or less, still more preferably 1 or less.

x=(D90-D10)/D50 ···(11)x = (D90-D10) / D50 (11)

값 x는, 적색 형광체의 입도 분포의 지표이다. 값 x가 작다는 것은, 내구성 저하의 원인이 되는 소입경의 적색 형광체(예를 들어 KSF 형광체)가 적고, 또한 색도 변동의 원인이 되는 대입경의 적색 형광체(예를 들어 KSF 형광체)가 적은 것을 의미한다. 값 x가 1.5 이하임으로써, 형광체 시트(4)의 내구성 및 색도 변동이 더욱 개선된다.The value x is an index of the particle size distribution of the red phosphor. The small value x means that a red phosphor (for example, KSF phosphor) having a small particle diameter, which causes a decrease in durability, is few and a red phosphor having a large diameter (for example, KSF phosphor) do. When the value x is 1.5 or less, the durability and chromaticity fluctuation of the phosphor sheet 4 are further improved.

단, 형광체층(2)에 있어서의 적색 형광체의 입도 분포가 너무 좁으면, 형광체 시트(4) 중에서 광이 산란하기 어려워진다. 이 경우, 형광체 시트(4)를 사용하여 발광체를 조립했을 때, 옐로우 링이라고 불리는 문제가 발생한다. 옐로우 링이란, 발광체를 정면에서 본 경우와, 경사 방향에서 본 경우에 색이 상이하게 보이는 현상인 것이다. 이 옐로우 링은, 형광체층(2) 중에서의 광의 산란이 적은 경우, 현저하게 보여지는 현상이다. 옐로우 링 억제의 관점에서, 값 x는 0.5 이상인 것이 바람직하다.However, if the particle size distribution of the red phosphor in the phosphor layer 2 is too narrow, light is hardly scattered in the phosphor sheet 4. In this case, when the phosphor sheet 4 is used to assemble the phosphor, a problem called a yellow ring occurs. The yellow ring is a phenomenon in which the colors appear different when the light emitting body is viewed from the front and when viewed from the oblique direction. This yellow ring is a phenomenon that is conspicuous when light scattering in the phosphor layer 2 is small. From the viewpoint of suppression of yellowing, the value x is preferably 0.5 or more.

여기에서 말하는 D10, D50, D90이란, 이하의 방법으로 측정되는 입경이다. 예를 들어, 형광체층(2)의 단면을 SEM으로 관찰하고, 얻어진 2차원 화상에서, 형광체(1)의 입자 외측 테두리와 2점으로 교차하는 직선의 당해 2개의 교점 간의 거리 중, 최대가 되는 거리를 산출하여, 그것을 입자의 개별 입경이라고 정의한다. 관찰된 전체 입자의 개별 입경으로부터 구해지는 입도 분포에서, 소입경 측에서부터의 통과분 적산 10%의 입경을 D10으로 하고, 통과분 적산 50%의 입경(평균 입경)을 D50으로 하고, 통과분 적산 90%의 입경을 D90으로 한다.Here, D10, D50 and D90 are particle diameters measured by the following methods. For example, the cross section of the phosphor layer 2 is observed with an SEM, and in the obtained two-dimensional image, the distance between the two intersections of the straight line intersecting the outer edge of the particle of the phosphor 1 at two points becomes the maximum The distance is calculated, and it is defined as the individual particle diameter of the particle. (Particle diameter) of 50% of the passing particle size distribution was taken as D50, the particle diameter of 10% of the passing particle size distribution from the small particle size side was D10, and the particle size distribution The particle size of 90% is D90.

형광체 시트(4)를 탑재한 LED 발광체를 대상으로 하는 경우에는, 기계 연마법, 마이크로톰법, CP법(Cross-section Polisher) 및 집속 이온빔(FIB) 가공법 중 어느 것의 방법으로, 이 형광체 시트(4)를, 형광체층(2)의 단면이 관측되도록 연마한 후, 얻어진 단면을 SEM으로 관찰하여 얻어지는 2차원 화상으로부터 상술한 입경을 산출할 수 있다.In the case of the LED light source on which the phosphor sheet 4 is mounted, the fluorescent sheet 4 (4) may be formed by any of a mechanical polishing method, a microtome method, a CP method (Cross-section Polisher), and a focused ion beam ) Is polished so that the cross section of the phosphor layer 2 is observed, and then the above-mentioned grain size can be calculated from a two-dimensional image obtained by observing the obtained cross section with an SEM.

(β형 사이알론 형광체)(? -type sialon phosphors)

β형 사이알론 형광체란, β형 질화규소의 고용체이고, β형 질화규소 결정의 Si 위치에 알루미늄(Al)이 치환 고용하고, 질소(N) 위치에 산소(O)가 치환 고용한 것이다. β형 사이알론 형광체에 사용되는 β형 사이알론의 단위포(단위 격자)에 2식량의 원자가 있으므로, β형 사이알론의 일반식으로서, Si6 - zAlzOzN8 -z가 사용된다. 이 일반식에서, z는 0 초과 4.2 미만의 값이다. 본 실시 형태에 있어서의 β형 사이알론 형광체에 있어서, β형 사이알론의 고용 범위는 매우 넓고, 또한 (Si, Al)/(N, O)의 몰비는 3/4를 유지할 필요가 있다. β형 사이알론이 일반적인 제법은, 질화규소 이외에, 산화규소와 질화알루미늄을, 또는 산화알루미늄과 질화알루미늄을 첨가하여 가열하는 방법이다.The? -type sialon phosphor is a solid solution of? -type silicon nitride, in which aluminum (Al) is solid-solved at the Si position of the? -type silicon nitride crystal and oxygen (O) is substituted at the nitrogen (N) position. Si 6 - z Al z O z N 8 -z is used as a general formula of β-type sialon since there are two food atoms in the unit cell (unit lattice) of β-type sialon used for β-type sialon phosphors . In this general formula, z is a value of more than 0 and less than 4.2. In the? -Type sialon phosphors of the present embodiment, the solubility range of? -Sialon is very wide and the molar ratio of (Si, Al) / (N, O) needs to be maintained at 3/4. The general method for producing β-type sialon is to add silicon oxide and aluminum nitride in addition to silicon nitride, or to add aluminum oxide and aluminum nitride.

β형 사이알론은, 결정 구조 내에 희토류 등의 발광 원소(Eu, Sr, Mn, Ce 등)를 도입함으로써, 자외로부터 청색의 광에서 여기하여 파장 520nm 내지 560nm의 녹색 발광을 나타내는 β형 사이알론 형광체가 된다. 이것은, 백색 LED 등의 발광체의 녹색 발광 성분으로서 바람직하게 사용된다. 특히, 유로퓸(Eu2 +)을 함유시킨 β형 사이알론 형광체인 Eu2 + 부활 β형 사이알론 형광체는, 발광 스펙트럼이 매우 샤프하기 때문에, 청색, 녹색, 적색의 협대역 발광이 요구되는 화상 처리 표시 장치 또는 액정 디스플레이 패널의 백라이트 광원에 적합한 소재이다.The β-type sialon is a β-type sialon phosphor which is excited by ultraviolet to blue light and exhibits green light emission with a wavelength of 520 nm to 560 nm by introducing a light emitting element (Eu, Sr, Mn, Ce or the like) . This is preferably used as a green light emission component of a light emitting body such as a white LED. Specifically, europium (Eu 2 +) having β-type sialon phosphor is Eu 2 + phosphor between the resurrection β-type sialon is, since the emission spectrum is very sharp, blue, green, and image processing is required of the red narrow band emission containing It is a material suitable for a display device or a backlight source of a liquid crystal display panel.

형광체(1)(도 1A 참조)로서의 β형 사이알론 형광체의 D50은, 1㎛ 이상이 바람직하고, 10㎛ 이상이 보다 바람직하다. 또한, 이 β형 사이알론 형광체의 D50은 100㎛ 이하가 바람직하고, 50㎛ 이하가 보다 바람직하다. β형 사이알론 형광체의 형상으로서는 특별히 제한은 없으며, 구상, 기둥상 등, 각양각색의 것을 사용할 수 있다. 여기에서 말하는 D50은, 상술한 적색 형광체의 경우와 동일한 방법으로 측정되는 입경이다.The D50 of the? -Sialon phosphor as the phosphor 1 (see FIG. 1A) is preferably 1 占 퐉 or more, and more preferably 10 占 퐉 or more. The D50 of the? -Sialon phosphor is preferably 100 占 퐉 or less, more preferably 50 占 퐉 or less. The shape of the β-type sialon phosphor is not particularly limited and various spheres such as spheres and columns can be used. Here, D50 is the particle diameter measured in the same manner as in the case of the above-mentioned red phosphor.

형광체층(2)에 있어서의 형광체(1)로서의 β형 사이알론 형광체의 함유량은, 색 재현 범위의 확대라고 하는 관점에서, 형광체층(2) 전체의 3중량% 이상인 것이 바람직하고, 형광체층(2) 전체의 5중량% 이상인 것이 보다 바람직하다. 또한, 이 β형 사이알론 형광체의 함유량은, 형광체층(2) 전체의 50중량% 이하인 것이 바람직하고, 형광체층(2) 전체의 40중량% 이하인 것이 보다 바람직하다.The content of the? -Sialon phosphor as the phosphor 1 in the phosphor layer 2 is preferably not less than 3% by weight of the entire phosphor layer 2 from the viewpoint of enlarging the color reproduction range, 2) is more preferably 5% by weight or more. The content of the? -Sialon phosphor is preferably not more than 50% by weight of the entire phosphor layer (2), more preferably not more than 40% by weight of the entire phosphor layer (2).

또한, 형광체층(2)에 있어서의 전체 고형분에서 차지하는 적색 형광체의 비율과 β형 사이알론 형광체의 비율의 합계는 50중량% 이상 90중량% 이하인 것이 바람직하다. 이들 양쪽 비율의 합계 하한으로서는, 65중량% 이상인 것이 보다 바람직하고, 70중량% 이상인 것이 더욱 바람직하다. 이들 양쪽 비율의 합계 상한으로서는, 85중량% 이하인 것이 보다 바람직하고, 80중량% 이하인 것이 더욱 바람직하다. 이들 양쪽 비율의 합계가 50중량% 이상임으로써, 형광체층(2)의 방열성이 향상되기 때문에, 형광체층(2)에 함유의 형광체(1)의 축열을 억제할 수 있다. 이 결과, 형광체 시트(4)의 고광속을 유지할 수 있다. 또한, 이들 양쪽 비율의 합계가 90중량% 이하임으로써, 형광체 시트(4)의 색도 변동이 개선된다.The sum of the proportion of the red phosphor and the proportion of the? -Sialon phosphor in the total solid content in the phosphor layer 2 is preferably 50 wt% or more and 90 wt% or less. The lower limit of the total of these proportions is more preferably 65% by weight or more, and still more preferably 70% by weight or more. The total upper limit of these proportions is more preferably 85% by weight or less, and even more preferably 80% by weight or less. Since the total of both of these ratios is 50% by weight or more, the heat radiation of the phosphor layer 2 is improved, so that the heat storage of the phosphor 1 contained in the phosphor layer 2 can be suppressed. As a result, the high luminous flux of the phosphor sheet 4 can be maintained. Further, when the sum of both of these ratios is 90 wt% or less, the chromaticity variation of the phosphor sheet 4 is improved.

본 발명에 있어서의 적색 형광체 및 β형 사이알론 형광체를 형광체(1)로서 형광체층(2) 중에 갖는 형광체 시트(4)에 있어서, 형광체층(2) 중의 공극률은, 3% 이하인 것이 바람직하고, 2% 이하인 것이 보다 바람직하고, 1% 이하인 것이 보다 한층 바람직하고, 0.5% 이하인 것이 더욱 바람직하다. 왜냐하면, 형광체층(2) 중의 공극률이 작을수록, 형광체층(2)으로부터의 광의 취출 효율이 향상되기 때문에, 고광속의 발광체를 부여하는 형광체 시트(4)를 얻을 수 있기 때문이다. 또한, 이 형광체층(2) 중의 공극률은, 특별히 하한에 제한은 없지만, 0.1% 이상인 것이 바람직하다.The porosity of the phosphor layer 2 in the phosphor sheet 4 having the phosphor 1 and the phosphor 2 in the present invention is preferably 3% More preferably 2% or less, still more preferably 1% or less, still more preferably 0.5% or less. This is because the smaller the porosity of the phosphor layer 2 is, the higher the extraction efficiency of the light from the phosphor layer 2 is, and hence the phosphor sheet 4 that gives a light emitter in high light can be obtained. The porosity in the phosphor layer 2 is not particularly limited to a lower limit, but is preferably 0.1% or more.

여기에서 말하는 공극률이란, 형광체층(2)에 있어서의 공극의 비율이다. 이 공극률은, 이하의 방법으로 측정할 수 있다. 예를 들어, 기계 연마법, 마이크로톰법, CP법(Cross-section Polisher) 및 집속 이온빔(FIB) 가공법 중 어느 것의 방법으로, 형광체 시트(4)를, 형광체층(2)의 단면이 관측되도록 연마한다. 그 후, 얻어진 단면을 SEM으로 관찰하여 얻어지는 2차원 화상으로부터, 형광체층(2)의 공극에 상당하는 면적을 산출하고, 이 산출한 공극의 면적을, 당해 단면에서의 형광체층(2) 전체의 면적으로 나눈다. 이에 의해, 형광체층(2)의 공극률이 얻어진다.Here, the porosity is the ratio of the voids in the phosphor layer 2. This porosity can be measured by the following method. For example, the phosphor sheet 4 may be formed by a method such as mechanical polishing, microtome method, CP method (cross-section polisher), and focused ion beam (FIB) do. Thereafter, the area corresponding to the voids of the phosphor layer 2 is calculated from the two-dimensional image obtained by observing the obtained cross section with an SEM, and the area of the calculated voids is calculated by dividing the area of the whole of the phosphor layer 2 Divide by area. Thereby, the porosity of the phosphor layer 2 is obtained.

형광체층(2)에 함유하는 적색 형광체의 D10 및 D50을 상술의 바람직한 범위로 함으로써, 또한 이 적색 형광체의 입도 분포의 지표인 상기의 값 x(식 (11) 참조)가 작아지도록 함으로써, 형광체층(2)의 공극률은 작아지는 경향이 있다.By setting the D10 and D50 of the red phosphor contained in the phosphor layer 2 within the above preferable range and by making the above value x (see Expression (11)), which is an index of the particle size distribution of the red phosphor, smaller, The porosity of the substrate 2 tends to decrease.

(다른 형광체)(Other phosphors)

형광체층(2)은, 상기한 형광체(1) 이외의 형광체를 추가로 함유하고 있어도 된다. 상기한 형광체(1) 이외의 형광체로서는, 예를 들어 다른 적색 형광체, 다른 녹색 형광체, 황색 형광체, 청색 형광체 등을 들 수 있다. 본 실시 형태에 있어서, 녹색 형광체란, 파장 500nm 내지 560nm에 발광 피크를 갖는 형광체이다. 황색 형광체란, 파장 560nm 내지 590nm에 발광 피크를 갖는 형광체이다. 청색 형광체란, 파장 430nm 내지 500nm에 발광 피크를 갖는 형광체이다.The phosphor layer 2 may further contain a phosphor other than the above-mentioned phosphor (1). Examples of the fluorescent substance other than the above-mentioned fluorescent substance 1 include other red fluorescent substance, other green fluorescent substance, yellow fluorescent substance, and blue fluorescent substance. In the present embodiment, the green phosphor is a phosphor having an emission peak at a wavelength of 500 nm to 560 nm. The yellow phosphor is a phosphor having an emission peak at a wavelength of 560 nm to 590 nm. The blue phosphor is a phosphor having an emission peak at a wavelength of 430 to 500 nm.

다른 적색 형광체는, 일반식 (1)로 표시되는 적색 형광체(Mn 부활 복불화물 착체 형광체) 이외의 것이다. 이러한 다른 적색 형광체로서, 예를 들어 Y2O2S:Eu, La2O2S:Eu, Y2O3:Eu, Gd2O2S:Eu 등을 들 수 있다.The other red phosphor is other than the red phosphor represented by the general formula (1) (Mn activated polyfluoride complex fluorescent material). Examples of other red phosphors include Y 2 O 2 S: Eu, La 2 O 2 S: Eu, Y 2 O 3 : Eu, and Gd 2 O 2 S: Eu.

다른 녹색 형광체는, β형 사이알론 형광체 이외의 것이다. 이러한 다른 녹색 형광체로서, 예를 들어 SrAl2O4:Eu, Y2SiO5:Ce, Tb, MgAl11O19:Ce, Tb, Sr7Al12O25:Eu, (Mg, Ca, Sr, Ba 중 적어도 하나 이상의 원소)Ga2S4:Eu 등을 들 수 있다.Other green phosphors are other than? -Type sialon phosphors. As other green phosphors, for example, SrAl 2 O 4 : Eu, Y 2 SiO 5 : Ce, Tb, MgAl 11 O 19 : Ce, Tb, Sr 7 Al 12 O 25 : Eu, Ba) Ga 2 S 4 : Eu, and the like.

황색 형광체로서, 예를 들어 적어도 세륨으로 부활된 이트륨·알루미늄 산화물 형광체, 적어도 세륨으로 부활된 이트륨·가돌리늄·알루미늄 산화물 형광체, 및 적어도 세륨으로 부활된 이트륨·갈륨·알루미늄 산화물 형광체 등을 들 수 있다.Examples of the yellow phosphor include a yttrium-aluminum oxide phosphor activated with at least cerium, a yttrium-gadolinium-aluminum oxide phosphor activated with at least cerium, and a yttrium-gallium aluminum oxide phosphor activated with at least cerium.

청색 형광체로서, 예를 들어 Sr5(PO4)3Cl:Eu, (SrCaBa)5(PO4)3Cl:Eu, (BaCa)5(PO4)3Cl:Eu, (Mg, Ca, Sr, Ba 중 적어도 하나 이상의 원소)2B5O9Cl:Eu, Mn, (Mg, Ca, Sr, Ba 가운데 적어도 하나 이상의 원소)(PO4)6Cl2:Eu, Mn 등을 들 수 있다.As a blue phosphor, such as Sr 5 (PO 4) 3 Cl : Eu, (SrCaBa) 5 (PO 4) 3 Cl: Eu, (BaCa) 5 (PO 4) 3 Cl: Eu, (Mg, Ca, Sr And Ba) 2 B 5 O 9 Cl: Eu, Mn, (PO 4 ) 6 Cl 2 : Eu, Mn and the like (at least one element among Mg, Ca, Sr and Ba)

또한, 현재 주류의 청색 LED에 대응하여 발광하는 형광체로서는, 예를 들어 Y3(Al, Ga)5O12:Ce, (Y, Gd)3Al5O12:Ce, Lu3Al5O12:Ce, Y3Al5O12:Ce 등의 YAG계 형광체, Tb3Al5O12:Ce 등의 TAG계 형광체, (Ba, Sr)2SiO4:Eu계 형광체나 Ca3Sc2Si3O12:Ce계 형광체, (Sr, Ba, Mg)2SiO4:Eu 등의 실리케이트계 형광체, (Ca, Sr)2Si5N8:Eu, (Ca, Sr)AlSiN3:Eu, CaSiAlN3:Eu 등의 나이트라이드계 형광체, Cay(Si, Al)12(O, N)16:Eu 등의 옥시나이트라이드계 형광체, 나아가 (Ba, Sr, Ca)Si2O2N2:Eu계 형광체, Ca8MgSi4O16Cl2:Eu계 형광체, SrAl2O4:Eu, Sr4Al14O25:Eu 등의 형광체를 들 수 있다.Examples of fluorescent materials that emit light in response to current mainstream blue LEDs include Y 3 (Al, Ga) 5 O 12 : Ce, (Y, Gd) 3 Al 5 O 12 : Ce, Lu 3 Al 5 O 12 : Ce, Y 3 Al 5 O 12: YAG -based phosphor, such as Ce, Tb 3 Al 5 O 12 : TAG -based phosphors, such as Ce, (Ba, Sr) 2 SiO 4: Eu -based phosphors or Ca 3 Sc 2 Si 3 O 12: Ce based phosphor, (Sr, Ba, Mg) 2 SiO 4: silicate-based phosphor such as Eu, (Ca, Sr) 2 Si 5 N 8: Eu, (Ca, Sr) AlSiN 3: Eu, CaSiAlN 3 : nitro, such as Eu nitride-based phosphor, Ca y (Si, Al) 12 (O, N) 16: Eu , etc. of the oxynitride-based fluorescent material, and further (Ba, Sr, Ca) Si 2 O 2 N 2: Eu -based Phosphors, Ca 8 MgSi 4 O 16 Cl 2 : Eu-based phosphors, and SrAl 2 O 4 : Eu and Sr 4 Al 14 O 25 : Eu phosphors.

(수지)(Suzy)

형광체층(2)에 포함되는 수지(14)의 굴절률은 1.45 이상 1.7 이하이다. 이 수지(14)의 굴절률은, 1.5 이상인 것이 보다 바람직하고, 또한 1.65 이하인 것이 보다 바람직하다. 이 수지(14)의 굴절률이 1.45 이상임으로써, 평균적인 굴절률이 1.4 전후인 Mn 부활 복불화물 착체 형광체(형광체(1)로서의 적색 형광체)와의 굴절률 차가 커져서, 형광체층(2) 중에서 광이 산란하기 쉬워진다. 그로 인해, 광이 형광체층(2)에 들어가고 나서 나올 때까지의 광로 길이가 길어진다. 광로 길이가 길어짐으로써, LED 칩으로부터 방사되는 청색광이 형광체층(2) 중의 형광체(1)에 의해 색 변환되기 쉬워지기 때문에, 원하는 색도를 발현하기 위한 형광체량을 적게 할 수 있다.The refractive index of the resin 14 contained in the phosphor layer 2 is 1.45 or more and 1.7 or less. The refractive index of the resin 14 is more preferably 1.5 or more, and more preferably 1.65 or less. When the refractive index of the resin 14 is 1.45 or more, the refractive index difference with the Mn-activated birefringent complex fluorescent material having the average refractive index of about 1.4 (the red fluorescent material as the fluorescent substance 1) becomes large and light is easily scattered in the fluorescent substance layer 2 Loses. As a result, the length of the optical path from when the light enters the phosphor layer 2 to when it emerges becomes longer. By increasing the optical path length, the blue light emitted from the LED chip is easily color-converted by the phosphor 1 in the phosphor layer 2, so that the amount of the phosphor for expressing the desired chromaticity can be reduced.

한편으로, 이 수지(14)의 굴절률이 1.7을 초과하면, 형광체층(2) 중에서의 광이 과잉의 산란에 의해, 필요 이상으로 광로 길이가 길어진다. 그로 인해, 형광체층(2) 중의 형광체(1)로부터 방사된 발광 광이 형광체(1)에 흡수되기 쉬워지고, 이 결과, 발광체로부터 방사되는 광의 강도가 저하되어 버린다.On the other hand, when the refractive index of the resin 14 exceeds 1.7, the light in the phosphor layer 2 is excessively scattered and the optical path length becomes longer than necessary. As a result, the luminescent light emitted from the phosphor 1 in the phosphor layer 2 is likely to be absorbed by the phosphor 1, and as a result, the intensity of the light emitted from the phosphor is lowered.

수지(14)의 재질은, 내부에 형광체(도 1A에 나타내는 형광체(1) 등)를 균질하게 분산시킬 수 있는 것이고, 형광체층(2)를 형성할 수 있는 것이면, 특별히 제한은 없다. 이러한 수지(14)로서는, 예를 들어 실리콘 수지, 에폭시 수지, 폴리아릴레이트 수지, PET 변성 폴리아릴레이트 수지, 폴리카르보네이트 수지, 환상 올레핀 수지, 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지, 폴리메틸메타크릴레이트 수지, 폴리프로필렌 수지, 변성 아크릴 수지, 폴리스티렌 수지 및 아크릴니트릴·스티렌 공중합체 수지 등을 들 수 있다. 이들 중, 투명성의 면에서, 실리콘 수지나 에폭시 수지가 바람직하다. 또한, 내열성의 면에서, 실리콘 수지가 특히 바람직하다.The material of the resin 14 is not particularly limited as long as it can uniformly disperse the fluorescent substance (such as the fluorescent substance 1 shown in Fig. 1A) therein and can form the fluorescent substance layer 2. Fig. As the resin 14, for example, a silicone resin, an epoxy resin, a polyarylate resin, a PET modified polyarylate resin, a polycarbonate resin, a cyclic olefin resin, a polyethylene terephthalate resin, a polymethyl methacrylate resin, A polypropylene resin, a modified acrylic resin, a polystyrene resin, and an acrylonitrile-styrene copolymer resin. Of these, silicone resins and epoxy resins are preferable from the viewpoint of transparency. In view of heat resistance, a silicone resin is particularly preferable.

본 발명에서 사용되는 수지(14)의 일례인 실리콘 수지로서는, 경화형 실리콘 수지가 바람직하다. 수지(14)로서 사용하는 경화형 실리콘 수지는 1액형, 2액형(3액형) 중 어느 것의 액 구성의 것이어도 된다. 이 경화형 실리콘 수지에는, 공기 중의 수분 또는 촉매에 의해 축합 반응을 일으키는 타입으로서, 탈알코올형, 탈옥심형, 탈아세트산형, 탈히드록실아민형 등이 있다. 또한, 이 경화형 실리콘 수지에는, 촉매에 의해 히드로실릴화 반응을 일으키는 타입으로서, 부가 반응형이 있다. 수지(14)로서는, 이들의 어느 타입의 경화형 실리콘 수지가 사용되어도 된다. 특히, 부가 반응형의 실리콘 수지는, 경화 반응에 수반하는 부산물이 없고, 경화 수축이 작은 점과, 가열에 의해 경화를 빠르게 하는 것이 용이한 점으로부터, 보다 바람직하다.As the silicone resin which is an example of the resin (14) used in the present invention, a curable silicone resin is preferable. The curable silicone resin used as the resin (14) may be any one of a one-liquid type and a two-liquid type (three-liquid type). The curable silicone resin is a type which causes a condensation reaction by moisture or catalyst in the air, such as a dealcohol type, a defoaming type, a deacetyl type, a dehydroxylamine type and the like. Further, the curable silicone resin has a side reaction type which causes a hydrosilylation reaction by a catalyst. As the resin 14, any of these types of curable silicone resins may be used. Particularly, the addition reaction type silicone resin is more preferable because it has no byproducts accompanied by the curing reaction, has a small curing shrinkage, and is easy to accelerate curing by heating.

수지(14)의 일례로서의 부가 반응형의 실리콘 수지는, 예를 들어 규소 원자에 결합한 알케닐기를 함유하는 화합물과, 규소 원자에 결합한 수소 원자를 갖는 화합물의 히드로실릴화 반응에 의해 형성된다. 「규소 원자에 결합한 알케닐기를 함유하는 화합물」로서는, 예를 들어 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 알릴트리메톡시실란, 프로페닐트리메톡시실란, 노르보르네닐트리메톡시실란, 옥테닐트리메톡시실란 등을 들 수 있다. 「규소 원자에 결합한 수소 원자를 갖는 화합물」로서는, 예를 들어 메틸히드로겐폴리실록산, 디메틸폴리실록산-CO-메틸히드로겐폴리실록산, 에틸히드로겐폴리실록산, 메틸히드로겐폴리실록산-CO-메틸페닐폴리실록산 등을 들 수 있다. 부가 반응형의 실리콘 수지로서는, 이러한 재료의 히드로실릴화 반응에 의해 형성되는 것을 들 수 있다. 또한, 수지(14)로서는, 그 밖에도, 예를 들어 일본 특허 공개 제2010-159411호 공보에 기재되어 있는 것과 같은 공지된 것을 이용할 수 있다.The addition reaction type silicone resin as an example of the resin (14) is formed by, for example, a hydrosilylation reaction of a compound containing an alkenyl group bonded to a silicon atom and a compound having a hydrogen atom bonded to a silicon atom. Examples of the "compound containing an alkenyl group bonded to a silicon atom" include vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, allyltrimethoxysilane, propenyltrimethoxysilane, norbornenyltrimethoxysilane, Octenyltrimethoxysilane, and the like. Examples of the "compound having a hydrogen atom bonded to a silicon atom" include methylhydrogenpolysiloxane, dimethylpolysiloxane-CO-methylhydrogenpolysiloxane, ethylhydrogenpolysiloxane and methylhydrogenpolysiloxane-CO-methylphenylpolysiloxane . Examples of the addition reaction type silicone resin include those formed by the hydrosilylation reaction of such a material. As the resin 14, other known resins such as those described in, for example, JP-A-2010-159411 can be used.

이러한 수지(14)로서는 시판되고 있는 것, 예를 들어 일반적인 LED 용도의 실리콘 밀봉재를 사용하는 것도 가능하다. 이것의 구체예로서는, 도레이·다우 코닝사제의 OE-6630A/B, OE-6336A/B나 신에쯔 가가꾸 고교 가부시키가이샤제의 SCR-1012A/B, SCR-1016A/B 등을 들 수 있다.As the resin 14, for example, a commercially available silicone sealant for general LED applications can be used. Specific examples thereof include OE-6630A / B and OE-6336A / B manufactured by Toray Dow Coming Co., Ltd. and SCR-1012A / B and SCR-1016A / B manufactured by Shinetsu Chemical Industry Co., .

또한, 수지(14)로서의 실리콘 수지는, 열 융착성을 갖는 것이어도 된다. 왜냐하면, 형광체층(2)의 수지(14)가 열 융착성을 갖는 실리콘 수지인 경우, 이 형광체층(2)을 구비하는 형광체 시트(4)가 열 융착성을 갖는 것이 되고, 이 열 융착성을 갖는 형광체 시트(4)를 가열하여 LED 칩에 부착할 수 있기 때문이다. 여기에서 말하는 열 융착성이란, 가열에 의해 연화되는 성질이다. 형광체 시트(4)가 열 융착성을 갖는 경우, LED 칩으로의 형광체 시트(4)의 부착에 접착제를 사용할 필요가 없기 때문에, 발광체 등의 제조 공정을 간략화할 수 있다. 열 융착성을 갖는 형광체 시트(4)의 형광체층(2)에 있어서는, 25℃에서의 저장 탄성률이 0.1MPa 이상이고, 또한 100℃에서의 저장 탄성률이 0.1MPa 미만이다.Further, the silicone resin as the resin 14 may be one having heat-sealability. This is because when the resin 14 of the phosphor layer 2 is a silicone resin having heat sealability, the phosphor sheet 4 having the phosphor layer 2 has heat-sealability, Can be heated and attached to the LED chip. The heat fusion property referred to herein is a property of being softened by heating. When the phosphor sheet 4 has heat-sealability, it is not necessary to use an adhesive for attaching the phosphor sheet 4 to the LED chip, so that the manufacturing process of the light-emitting body and the like can be simplified. In the phosphor layer 2 of the heat-sealable phosphor sheet 4, the storage elastic modulus at 25 ° C is 0.1 MPa or more and the storage elastic modulus at 100 ° C is less than 0.1 MPa.

열 융착성을 갖는 실리콘 수지의 일례로서는, 이하에 나타내는 (A) 성분 내지 (D) 성분의 조성을 포함하는 가교성 실리콘 조성물을 히드로실릴화 반응하여 이루어지는 가교물인 것이 특히 바람직하다. 이 가교물은, 60℃ 내지 250℃에서 저장 탄성률이 감소하고, 가열에 의해 높은 접착력이 얻어지기 때문에, 접착제 불필요의 형광체 시트(4)용의 매트릭스 수지로서 바람직하게 사용할 수 있다.As an example of the silicone resin having heat sealability, it is particularly preferable to be a crosslinked product obtained by a hydrosilylation reaction of a crosslinkable silicone composition containing the following components (A) to (D). The crosslinked product can be preferably used as a matrix resin for a phosphor sheet 4 which does not require an adhesive since the storage elastic modulus at 60 ° C to 250 ° C is reduced and a high adhesive force is obtained by heating.

(A) 성분은, 하기의 평균 단위식 (21)로 표시되는 오르가노폴리실록산이다.(A) is an organopolysiloxane represented by the following average unit formula (21).

(R1 2SiO2/2)a(R1SiO3/2)b(R2O1/2)c ···(21) (R 1 2 SiO 2/2) a (R 1 SiO 3/2) b (R 2 O 1/2) c ··· (21)

평균 단위식 (21)에 있어서, R1은 페닐기, 탄소 원자수 1 내지 6의 알킬기 또는 시클로알킬기 또는 탄소 원자수 2 내지 6의 알케닐기이다. 단, R1의 65몰% 내지 75몰%는 페닐기이고, R1의 10몰% 내지 20몰%는 알케닐기이다. R2는, 수소 원자 또는 탄소 원자수 1 내지 6의 알킬기이다. a, b 및 c는 0.5≤a≤0.6, 0.4≤b≤0.5, 0≤c≤0.1, 또한 a+b=1을 만족하는 수이다.In the average unit formula (21), R 1 is a phenyl group, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or a cycloalkyl group or an alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms. However, 65 mol% to 75 mol% of R 1 is a phenyl group, and 10 mol% to 20 mol% of R 1 is an alkenyl group. R 2 is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms. a, b and c are numbers satisfying 0.5? a? 0.6, 0.4? b? 0.5, 0? c? 0.1 and a + b =

(B) 성분은, 하기의 일반식 (2)로 표시되는 오르가노폴리실록산이다. 이 오르가노폴리실록산은, (A) 성분의 100중량부에 대하여 5 내지 15중량부의 범위 내로 되는 함유량의 것이다.The component (B) is an organopolysiloxane represented by the following general formula (2). This organopolysiloxane has a content within a range of 5 to 15 parts by weight based on 100 parts by weight of the component (A).

R3 3SiO(R3 2SiO)mSiR3 3 ···(2)R 3 3 SiO (R 3 2 SiO) m SiR 3 3 (2)

일반식 (2)에 있어서, R3은 페닐기, 탄소 원자수 1 내지 6의 알킬기 또는 시클로알킬기 또는 탄소 원자수 2 내지 6의 알케닐기이다. 단, R3의 40몰% 내지 70몰%는 페닐기이고, R3의 적어도 1개는 알케닐기이다. m은 5 내지 50의 범위 내의 정수이다.In the general formula (2), R 3 is a phenyl group, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or a cycloalkyl group or an alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms. However, 40 mol% to 70 mol% of R 3 is a phenyl group, at least one of R 3 is an alkenyl group. m is an integer within the range of 5 to 50;

(C) 성분은, 하기의 일반식 (3)으로 표시되는 오르가노트리실록산이다. 이 오르가노트리실록산은, (A) 성분 중의 알케닐기와 (B) 성분 중의 알케닐기의 합계에 대한 (C) 성분 중의 규소 원자 결합 수소 원자의 몰비가 0.5 내지 2의 범위 내로 되는 양의 것이다.The component (C) is an organotrisiloxane represented by the following general formula (3). The organotrisiloxane is an amount such that the molar ratio of the silicon atom-bonded hydrogen atoms in the component (C) to the sum of the alkenyl groups in the component (A) and the alkenyl groups in the component (B) is within the range of 0.5 to 2.

(HR4 2SiO)2SiR4 2 ···(3) (HR 4 2 SiO) 2 SiR 4 2 ··· (3)

일반식 (3)에 있어서, R4는 페닐기 또는 탄소 원자수 1 내지 6의 알킬기 또는 시클로알킬기이다. 단, R4의 30몰% 내지 70몰%는, 페닐기이다.In the general formula (3), R 4 is a phenyl group or an alkyl group or a cycloalkyl group having 1 to 6 carbon atoms. Provided that 30 to 70 mol% of R 4 is a phenyl group.

(D) 성분은, 히드로실릴화 반응용 촉매이다. 이 히드로실릴화 반응용 촉매는, (A) 성분 중 및 (B) 성분 중의 알케닐기와 (C) 성분 중의 규소 원자 결합 수소 원자와의 히드로실릴화 반응을 촉진하는 것에 충분한 양의 것이다.Component (D) is a catalyst for hydrosilylation reaction. The catalyst for hydrosilylation reaction is an amount sufficient to promote the hydrosilylation reaction of the alkenyl group in the component (A) and the silicon atom-binding hydrogen atom in the component (B).

(A) 성분의 평균 단위식 (21)에 있어서 a, b 및 c의 값이 상기 조건을 충족시키는 경우, 얻어지는 가교물의 실온에서의 충분한 경도가 얻어지고, 또한 이 가교물의 고온에서의 연화가 얻어진다. (B) 성분의 일반식 (2)에 있어서, 페닐기의 함유량이 상기 범위의 하한 미만이면, 얻어지는 가교물의 고온에서의 연화가 불충분하다. 한편, 페닐기의 함유량이 상기 범위의 상한을 초과하면, 얻어지는 가교물의 투명성이 상실되고, 그의 기계적 강도도 저하된다. 또한, 일반식 (2)에 있어서, R3의 적어도 1개는 알케닐기이다. 이것은, (B) 성분이 알케닐기를 갖지 않으면, (B) 성분이 가교 반응에 도입되지 않고, 얻어지는 가교물로부터 (B) 성분이 블리드 아웃할 우려가 있기 때문이다. 또한, 일반식 (2)에 있어서, m은 5 내지 50의 범위 내의 정수이다. 이 m의 수치 범위는, 얻어지는 가교물의 기계적 강도를 유지하면서 취급 작업성을 유지할 수 있는 범위이다.When the values of a, b and c in the average unit formula (21) of the component (A) satisfy the above conditions, a sufficient hardness at room temperature of the obtained crosslinked product is obtained, and softening at a high temperature of the crosslinked product is obtained Loses. When the content of the phenyl group in the general formula (2) of the component (B) is less than the lower limit of the above range, softening at a high temperature of the resulting crosslinked product is insufficient. On the other hand, if the content of the phenyl group exceeds the upper limit of the above range, the transparency of the resultant crosslinked product is lost and the mechanical strength thereof is lowered. In the general formula (2), at least one of R 3 is an alkenyl group. This is because, when the component (B) does not have an alkenyl group, the component (B) is not introduced into the crosslinking reaction, and the component (B) may bleed out from the resulting crosslinked product. Further, in the general formula (2), m is an integer within a range of 5 to 50. The numerical value of m is a range in which the handling workability can be maintained while maintaining the mechanical strength of the resulting crosslinked product.

(B) 성분의 함유량은, (A) 성분의 100중량부에 대하여 5 내지 15중량부의 범위 내로 되는 양이다. 이 함유량의 범위는, 얻어지는 가교물의 고온에서의 충분한 연화를 얻기 위한 범위이다.The content of the component (B) is an amount that falls within a range of 5 to 15 parts by weight based on 100 parts by weight of the component (A). The range of the content is a range for obtaining sufficient softening at a high temperature of the resulting crosslinked product.

(C) 성분의 일반식 (3)에 있어서, R4는 페닐기 또는 탄소 원자수 1 내지 6의 알킬기 또는 시클로알킬기이다. R4의 알킬기로서는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헵틸기가 예시된다. R4의 시클로알킬기로서는 시클로펜틸기, 시클로헵틸기가 예시된다. 또한, R4 중, 페닐기의 함유량은 30몰% 내지 70몰%의 범위 내이다. 이 함유량의 범위는, 얻어지는 가교물의 고온에서의 충분한 연화가 얻어지고, 또한 이 가교물의 투명성과 기계적 강도를 유지할 수 있는 범위이다.In the general formula (3) of the component (C), R 4 is a phenyl group or an alkyl group or a cycloalkyl group having 1 to 6 carbon atoms. Examples of the alkyl group for R 4 include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a pentyl group and a heptyl group. Examples of the cycloalkyl group as R 4 include a cyclopentyl group and a cycloheptyl group. The content of the phenyl group in R 4 is within a range of 30 mol% to 70 mol%. This content range is a range in which sufficient softening can be obtained at a high temperature of the obtained crosslinked product and the transparency and mechanical strength of the crosslinked product can be maintained.

(C) 성분의 함유량은, (A) 성분 중의 알케닐기와 (B) 성분 중의 알케닐기의 합계에 대하여, (C) 성분 중의 규소 원자 결합 수소 원자의 몰비가 0.5 내지 2의 범위 내로 되는 양이다. 이 함유량의 범위는, 얻어지는 가교물의 실온에서의 충분한 경도가 얻어지는 범위이다.The content of the component (C) is such that the molar ratio of the silicon atom-bonded hydrogen atoms in the component (C) is in the range of 0.5 to 2, relative to the total of the alkenyl groups in the component (A) and the alkenyl groups in the component . This content range is a range in which sufficient hardness at room temperature of the obtained crosslinked product can be obtained.

(D) 성분은, (A) 성분 중 및 (B) 성분 중의 알케닐기와 (C) 성분 중의 규소 원자 결합 수소 원자와의 히드로실릴화 반응을 촉진하기 위한 히드로실릴화 반응용 촉매이다. (D) 성분으로서는 백금계 촉매, 로듐계 촉매, 팔라듐계 촉매가 예시된다. 이들 중, 실리콘 조성물의 경화를 현저하게 촉진할 수 있는 점에서, 백금계 촉매가 바람직하다. 이 백금계 촉매로서는, 백금 미분말, 염화백금산, 염화백금산의 알코올 용액, 백금-알케닐실록산 착체, 백금-올레핀 착체, 백금-카르보닐 착체가 예시된다. 특히, 이 백금계 촉매는, 백금-알케닐실록산 착체인 것이 바람직하다. 이 알케닐실록산으로서는, 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산, 1,3,5,7-테트라메틸-1,3,5,7-테트라비닐시클로테트라실록산, 이들의 알케닐실록산의 메틸기 일부를 에틸기, 페닐기 등으로 치환한 알케닐실록산, 이들의 알케닐실록산의 비닐기를 알릴기, 헥세닐기 등으로 치환한 알케닐실록산이 예시된다. 특히, 이 백금-알케닐실록산 착체의 안정성이 양호한 점에서, 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산이 바람직하다.The component (D) is a hydrosilylation reaction catalyst for promoting the hydrosilylation reaction between the alkenyl group in the component (A) and the silicon atom-binding hydrogen atom in the component (C). Examples of the component (D) include platinum-based catalysts, rhodium-based catalysts, and palladium-based catalysts. Of these, platinum-based catalysts are preferable in that the curing of the silicone composition can be remarkably accelerated. Examples of the platinum catalyst include platinum fine powder, chloroplatinic acid, alcohol solution of chloroplatinic acid, platinum-alkenylsiloxane complex, platinum-olefin complex, and platinum-carbonyl complex. In particular, the platinum-based catalyst is preferably a platinum-alkenylsiloxane complex. Examples of the alkenylsiloxane include 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane, 1,3,5,7-tetramethyl-1,3,5,7-tetravinylcyclotetrasiloxane , Alkenylsiloxanes obtained by substituting a part of methyl groups in these alkenylsiloxanes with ethyl groups or phenyl groups, and alkenylsiloxanes in which vinyl groups of these alkenylsiloxanes are substituted with allyl groups or hexenyl groups. Particularly, 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane is preferable in view of good stability of the platinum-alkenylsiloxane complex.

또한, 이 백금-알케닐실록산 착체의 안정성을 향상시킬 수 있는 점에서, 이 착체에 대하여 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산, 1,3-디알릴-1,1,3,3-테트라메틸디실록산, 1,3-디비닐-1,3-디메틸-1,3-디페닐디실록산, 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라페닐디실록산, 1,3,5,7-테트라메틸-1,3,5,7-테트라비닐시클로테트라실록산 등의 알케닐실록산이나 디메틸실록산 올리고머 등의 오르가노실록산 올리고머를 첨가하는 것이 바람직하다. 특히, 이 착체에 대하여 알케닐실록산을 첨가하는 것이 바람직하다.In order to improve the stability of the platinum-alkenylsiloxane complex, 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane, 1,3-diallyl- 1,1,3,3-tetramethyldisiloxane, 1,3-divinyl-1,3-dimethyl-1,3-diphenyldisiloxane, 1,3-divinyl- Tetraphenyldisiloxane, and 1,3,5,7-tetramethyl-1,3,5,7-tetravinylcyclotetrasiloxane, or an organosiloxane oligomer such as a dimethylsiloxane oligomer is preferably added . Particularly, it is preferable to add an alkenylsiloxane to the complex.

(D) 성분의 함유량은, (A) 성분 중 및 (B) 성분 중의 알케닐기와 (C) 성분 중의 규소 원자 결합 수소 원자의 히드로실릴화 반응을 촉진하는 것에 충분한 양이면 특별히 한정되지 않는다. 바람직하게는, (D) 성분의 함유량은, 실리콘 조성물에 대하여, (D) 성분 중의 금속 원자가 질량 단위로 0.01ppm 내지 500ppm의 범위 내로 되는 양이다. 나아가, (D) 성분의 함유량은, 이 금속 원자가 0.01ppm 내지 100ppm의 범위 내로 되는 양인 것이 바람직하고, 특히는 이 금속 원자가 0.01ppm 내지 50ppm의 범위 내로 되는 양인 것이 바람직하다. 이 함유량의 범위는, 얻어지는 실리콘 조성물이 충분히 가교하고, 또한 착색 등의 문제가 발생하지 않도록 하는 범위이다.The content of the component (D) is not particularly limited as far as it is sufficient to accelerate the hydrosilylation reaction of the silicon atom-bonded hydrogen atoms in the component (A) and the alkenyl groups in the component (B) and the component (C). Preferably, the content of the component (D) is such that the metal atom in the component (D) is in the range of 0.01 ppm to 500 ppm by mass in the silicone composition. Furthermore, the content of the component (D) is preferably such that the metal atom is within the range of 0.01 ppm to 100 ppm, particularly preferably the metal atom is within the range of 0.01 ppm to 50 ppm. The range of the content is such that the resulting silicone composition is sufficiently crosslinked, and problems such as coloring do not occur.

한편, 형광체층(2) 중의 전체 고형분에서 차지하는 수지(14)의 비율은, 10중량% 이상 60중량% 이하인 것이 바람직하다. 왜냐하면, 이 수지(14)의 비율을 상기의 범위로 함으로써, 형광체 시트(4)의 색 재현성의 향상과 고내구성을 양립할 수 있기 때문이다.On the other hand, the ratio of the resin (14) in the total solid content in the phosphor layer (2) is preferably 10 wt% or more and 60 wt% or less. This is because, by setting the ratio of the resin 14 within the above range, it is possible to improve both the color reproducibility of the phosphor sheet 4 and high durability.

수지(14)의 굴절률은, 굴절률·막 두께 측정 장치 "프리즘 커플러 MODEL2010/M"(메트리콘사제)을 사용하여, 굴절률 측정 샘플의 굴절률을 측정함으로써 측정할 수 있다. 굴절률 측정 샘플은, 수지(14)를, 유성식 교반 탈포 장치 "마제르스타 KK-400"(구라보사제)을 사용하여 1000rpm으로 10분간 교반, 탈포하여, 수지(14)의 분산액을 제작하고, 이 분산액을, PET 필름 상에 5cc 적하한 후, 오븐에서 150℃에서 1시간 가열함으로써, 얻을 수 있다.The refractive index of the resin 14 can be measured by measuring the refractive index of the refractive index measurement sample using a refractive index and film thickness measuring apparatus "prism coupler MODEL 2010 / M" (manufactured by Metricon). The refractive index measurement sample was prepared by preparing a dispersion of the resin 14 by stirring and defoaming the resin 14 at 1000 rpm for 10 minutes using a planetary stirring defoaming apparatus "Mazerstar KK-400" (manufactured by Gurabo) , Dropping 5 cc of the dispersion liquid onto the PET film, and then heating in an oven at 150 캜 for 1 hour.

(미립자)(Fine particles)

본 발명의 실시 형태에 따른 형광체 시트(4)는, 형광체층(2) 중의 형광체(1)의 수지(14)에 대한 분산 안정성을 향상시키는 것을 목적으로서, 형광체층(2) 중에 미립자를 함유해도 된다. 이 미립자의 예로서는 티타니아, 실리카, 알루미나, 실리콘, 지르코니아, 세리아, 질화알루미늄, 탄화규소, 질화규소, 티타늄산바륨 등으로 구성되는 미립자를 들 수 있다. 이들은 단독으로 사용되어도 되고, 2종류 이상 병용되어도 된다. 형광체층(2) 중에 함유되는 미립자로서는, 입수하기 쉽다고 하는 관점에서, 실리카 미립자, 알루미나 미립자, 실리콘 미립자가 바람직하고, 경도가 낮다는 관점에서, 실리콘 미립자가 특히 바람직하다. 이 미립자의 경도가 낮음으로써, 형광체(1)의 분산 공정에서 적색 형광체의 파쇄를 억제하는 효과가 있고, 이 결과, 보다 발광 강도가 높은 형광체 시트(4)를 얻는 것이 가능하다.The phosphor sheet 4 according to the embodiment of the present invention is intended to improve dispersion stability of the phosphor 1 in the phosphor layer 2 with respect to the resin 14 even when the phosphor sheet 2 contains fine particles do. Examples of the fine particles include fine particles composed of titania, silica, alumina, silicon, zirconia, ceria, aluminum nitride, silicon carbide, silicon nitride, barium titanate and the like. These may be used alone or in combination of two or more. The fine particles contained in the phosphor layer 2 are preferably fine particles of silica, fine particles of alumina or fine particles of silicon and fine particles of silicon in view of low hardness from the viewpoint that they are easy to obtain. As the hardness of the fine particles is low, there is an effect of suppressing the breakage of the red phosphor in the dispersing step of the phosphor 1, and as a result, it is possible to obtain the phosphor sheet 4 having higher luminescence intensity.

실리콘 미립자의 예로서는, 특히 오르가노트리알콕시실란이나 오르가노디알콕시실란, 오르가노트리아세톡시실란, 오르가노디아세톡시실란, 오르가노트리옥심실란, 오르가노디옥심실란 등의 오르가노실란을 가수분해하고, 계속하여 축합시키는 방법에 의해 얻어지는 실리콘 미립자를 들 수 있다.As examples of the silicon fine particles, hydrolysis of organosilanes such as organotrialkoxysilane, organodialkoxysilane, organotriacetoxysilane, organanediacetoxysilane, organotrioxime silane and organosiloxymesilane, Followed by condensation. Examples of the silicon fine particles include silicon fine particles.

오르가노트리알콕시실란으로서는, 예를 들어 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 메틸트리-n-프록시실란, 메틸트리-i-프록시실란, 메틸트리-n-부톡시실란, 메틸트리-i-부톡시실란, 메틸트리-s-부톡시실란, 메틸트리-t-부톡시실란, 에틸트리메톡시실란, n-프로필트리메톡시실란, i-프로필트리메톡시실란, n-부틸트리부톡시실란, i-부틸트리부톡시실란, s-부틸트리메톡시실란, t-부틸트리부톡시실란, N-β(아미노에틸)γ-아미노프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, 비닐트리메톡시실란, 페닐트리메톡시실란 등을 들 수 있다.Examples of the organotrialkoxysilane include methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, methyltri-n-propoxysilane, methyltri-i-propoxysilane, methyltri-n-butoxysilane, propyltrimethoxysilane, i-propyltrimethoxysilane, n-butyltriethoxysilane, i-propyltrimethoxysilane, i-propyltrimethoxysilane, Butyltriethoxysilane, t-butyltributoxysilane, N-beta (aminoethyl) gamma -aminopropyltrimethoxysilane, gamma -glycidoxypropylsilane, Trimethoxysilane, vinyltrimethoxysilane, phenyltrimethoxysilane, and the like.

오르가노디알콕시실란으로서는, 예를 들어 디메틸디메톡시실란, 디메틸디에톡시실란, 메틸에틸디메톡시실란, 메틸에틸디에톡시실란, 디에틸디에톡시실란, 디에틸디메톡시실란, 3-아미노프로필메틸디에톡시실란, N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필메틸디메톡시실란, N-(2-아미노에틸)-3-아미노이소부틸메틸디메톡시실란, N-에틸아미노이소부틸메틸디에톡시실란, (페닐아미노메틸)메틸디메톡시실란, 비닐메틸디에톡시실란 등을 들 수 있다.Examples of the organodialkoxysilane include, for example, dimethyldimethoxysilane, dimethyldiethoxysilane, methylethyldimethoxysilane, methylethyldiethoxysilane, diethyldiethoxysilane, diethyldimethoxysilane, 3-aminopropylmethyldiethoxy Silane, N- (2-aminoethyl) -3-aminopropylmethyldimethoxysilane, N- (2-aminoethyl) -3-aminoisobutylmethyldimethoxysilane, N-ethylaminoisobutylmethyldiethoxysilane, (Phenylaminomethyl) methyldimethoxysilane, vinylmethyldiethoxysilane, and the like.

오르가노트리아세톡시실란으로서는, 예를 들어 메틸트리아세톡시실란, 에틸 트리아세톡시실란, 비닐트리아세톡시실란 등을 들 수 있다. 오르가노디아세톡시실란으로서는, 예를 들어 디메틸디아세톡시실란, 메틸에틸디아세톡시실란, 비닐메틸디아세톡시실란, 비닐에틸디아세톡시실란 등을 들 수 있다. 오르가노트리옥심실란으로서는, 예를 들어 메틸트리스메틸에틸케토옥심실란, 비닐트리스메틸에틸케토옥심실란 등을 들 수 있다. 오르가노디옥심실란으로서는, 예를 들어 메틸에틸비스메틸에틸케토옥심실란 등을 들 수 있다.Examples of the organotriacetoxysilane include methyltriacetoxysilane, ethyltriacetoxysilane, vinyltriacetoxysilane, and the like. Examples of the organanediacetoxysilane include dimethyldiacetoxysilane, methylethyldiacetoxysilane, vinylmethyldiacetoxysilane, vinylethyldiacetoxysilane, and the like. Examples of the organotrioxime silane include methyltrismethylethylketooxime silane, vinyltrismethylethylketooxime silane, and the like. Examples of the organosiloxane silane include methylethylbismethylethylketooxime silane and the like.

이러한 미립자(형광체층(2) 중에 함유되는 미립자)는, 구체적으로는 일본 특허 공개 소63-77940호 공보에서 보고되어 있는 방법, 일본 특허 공개 평6-248081호 공보에서 보고되어 있는 방법, 일본 특허 공개 제2003-342370호 공보에서 보고되어 있는 방법, 일본 특허 공개 평4-88022호 공보에서 보고되어 있는 방법 등에 의해 얻을 수 있다. 또한, 오르가노트리알콕시실란이나 오르가노디알콕시실란, 오르가노트리아세톡시실란, 오르가노디아세톡시실란, 오르가노트리옥심실란, 오르가노디옥심실란 등의 오르가노실란 및 그의 부분 가수분해물의 적어도 하나를 알칼리 수용액에 첨가하여, 가수분해·축합시켜서 미립자를 얻는 방법이나, 물 또는 산성 용액에 오르가노실란 및 그의 부분 가수분해물의 적어도 하나를 첨가하고, 해당 오르가노실란 및 그의 부분 가수분해물의 적어도 하나의 가수분해 부분 축합물을 얻은 후, 알칼리를 첨가하여 축합 반응을 진행시켜서 미립자를 얻는 방법, 오르가노실란 및 그의 가수분해물의 적어도 하나를 상층으로 하고, 알칼리 또는 알칼리와 유기 용매와의 혼합액을 하층으로 하여, 이들의 계면에서 해당 오르가노실란 및 그의 가수분해물의 적어도 하나를 가수분해·중축합시켜서 미립자를 얻는 방법 등도 알려져 있다. 이들 어느 쪽의 방법에 있어서도, 본 발명에서 형광체층(2) 중에 함유하는 미립자를 얻을 수 있다.Such fine particles (fine particles contained in the phosphor layer 2) are specifically disclosed in Japanese Laid-Open Patent Application No. 63-77940, Japanese Laid-Open Patent Publication No. 6-248081, A method reported in JP-A-2003-342370, a method reported in JP-A-4-88022, and the like. It is also possible to use at least one organosilane such as organotrialkoxy silane, organodialkoxysilane, organotriacetoxysilane, organotriacetoxysilane, organotrioxime silane, organosiloxane silane, and the like, and partial hydrolyzate thereof To an aqueous alkali solution to obtain fine particles by hydrolysis and condensation; or by adding at least one of organosilane and partial hydrolyzate thereof to water or an acidic solution and adding at least one of the organosilane and its partial hydrolyzate A method in which a hydrolyzed partial condensate is obtained and then an alkali is added to proceed the condensation reaction to obtain fine particles; a method in which at least one of organosilane and its hydrolyzate is used as an upper layer and a mixed solution of alkali or alkali and an organic solvent is used as a lower layer At their interface, at least one of the organosilane and its hydrolyzate By total hydrolysis-condensation is known also how to obtain the fine particles. In either of these methods, fine particles contained in the phosphor layer 2 in the present invention can be obtained.

이들 중에서 오르가노실란 및 그의 부분 가수분해물의 적어도 하나를 가수분해·축합시켜, 구상 오르가노 폴리실세스퀴옥산 미립자를 제조하는 데 있어서, 일본 특허 공개 제2003-342370호 공보에서 보고되어 있는 것과 같은 반응 용액 내에 고분자 분산제를 첨가하는 방법에 의해 얻어진 실리콘 미립자를 사용하는 것이 바람직하다.In the preparation of spherical organopolysilsesquioxane fine particles by hydrolysis and condensation of at least one of organosilane and partial hydrolyzate thereof among them, as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2003-342370 It is preferable to use the silicon fine particles obtained by the method of adding the polymer dispersant into the reaction solution.

본 발명에 있어서, 실리콘 미립자의 평균 입경은, D50으로 표시된다. 이 평균 입경의 하한으로서는, 0.05㎛ 이상인 것이 바람직하고, 0.1㎛ 이상인 것이 더욱 바람직하다. 또한, 이 평균 입경의 상한으로서는 2.0㎛ 이하인 것이 바람직하고, 1.0㎛ 이하인 것이 더욱 바람직하다. 이러한 실리콘 미립자를 사용함으로써 슬릿 다이 코터를 사용한 경우의 토출성이 우수하고, 막 두께 균일성이 우수한 형광체층(2)을 얻을 수 있다. 또한, 단분산으로 진구 형상의 실리콘 미립자를 사용하는 것이 바람직하다. 실리콘 미립자의 평균 입경(D50)은, 상술한 형광체(1)로서의 적색 형광체의 평균 입경과 동일한 방법으로 구할 수 있다.In the present invention, the average particle diameter of the silicon fine particles is represented by D50. The lower limit of the average particle diameter is preferably 0.05 탆 or more, more preferably 0.1 탆 or more. The upper limit of the average particle diameter is preferably 2.0 탆 or less, and more preferably 1.0 탆 or less. By using such silicon fine particles, it is possible to obtain a phosphor layer (2) having excellent discharging property and excellent film thickness uniformity when a slit die coater is used. It is also preferable to use spherical silicon fine particles as the monodisperse. The average particle diameter (D50) of the silicon fine particles can be obtained by the same method as the average particle diameter of the red phosphor as the above-mentioned phosphor (1).

형광체층(2) 중의 전체 고형분에서 차지하는 미립자의 비율은, 0.1중량% 이상 10중량% 이하인 것이 바람직하다. 이 미립자의 비율이 상기의 범위 내임으로써, 형광체층(2) 중(수지(14) 중)에서의 형광체(1)의 분산 안정성을 향상할 수 있고, 이 결과, 형광체 시트(4)의 색 재현성의 향상과 고광속 및 고내구성을 양립할 수 있다.The proportion of the fine particles in the total solid content in the phosphor layer 2 is preferably 0.1 wt% or more and 10 wt% or less. The dispersion stability of the phosphor 1 in the phosphor layer 2 (among the resin 14) can be improved, and as a result, the color reproducibility of the phosphor sheet 4 And high light flux and high durability can both be achieved.

본 발명에 있어서의 형광체층(2) 중의 형광체(1), 수지(14) 및 실리콘 미립자의 각 함유량은, 제작 완료의 형광체층(2)이나, 그것을 탑재한 LED 발광체로부터도 구하는 것이 가능하다. 예를 들어, 형광체층(2)을 소정의 수지로 포매하여 절단하고, 단면을 연마한 시료를 제작하여, 그의 노출한 단면을 주사형 전자 현미경(SEM)으로 관측함으로써, 형광체층(2) 중에서의 형광체(1)의 입자 부분, 실리콘 미립자의 부분 및 수지(14)의 부분을 명확하게 판별하는 것이 가능하다. 그 단면상의 면적비로부터, 형광체층(2) 전체에서 차지하는 형광체(1)(형광체 입자), 실리콘 미립자 및 수지(14)의 각 부피 비율을 정확하게 측정하는 것이 가능하다. 형광체층(2)을 형성하는 각 성분의 비중이 명확한 경우에는, 이들의 각 부피 비율을 각각의 비중으로 나눔으로써, 형광체(1)가 형광체층(2)에서 차지하는 중량 비율을 계산할 수 있다. 형광체층(2)을 형성하는 각 성분의 조성이 명확하지 않은 경우에는, 형광체층(2)의 단면을 고분해능의 현미 적외 분광이나 IPC 발광 분석으로 분석함으로써, 이들의 각 성분의 조성을 판별할 수 있다. 이들의 각 성분의 조성이 밝혀지면, 수지(14)나 형광체(1)의 물질 고유의 비중은 상당 정도의 정확함으로 추정할 수 있으므로, 이것을 사용하여 상기의 중량 비율을 구할 수 있다.The respective contents of the phosphor 1, the resin 14 and the silicon fine particles in the phosphor layer 2 in the present invention can be obtained from the phosphor layer 2 that has been produced and the LED light source on which the phosphor layer 2 is mounted. For example, a phosphor layer 2 is embedded and cut with a predetermined resin, and a sample having a section polished is prepared. The exposed cross section is observed with a scanning electron microscope (SEM) It is possible to clearly distinguish the particle portion of the phosphor 1, the silicon fine particle portion and the resin 14 portion of the phosphor 1. It is possible to accurately measure the respective volume ratios of the phosphor 1 (phosphor particles), the silicon fine particles and the resin 14 in the entire phosphor layer 2 from the area ratio on the cross section. When the specific gravity of each component forming the phosphor layer 2 is clear, the weight ratio of the phosphor 1 to the phosphor layer 2 can be calculated by dividing the respective volume ratios by the respective specific gravity. When the composition of each component forming the phosphor layer 2 is not clear, the composition of each of these components can be determined by analyzing the cross-section of the phosphor layer 2 by high-resolution spectroscopic infrared spectroscopy or IPC emission analysis . If the composition of each of these components is known, the specific gravity inherent to the material of the resin 14 and the phosphor 1 can be estimated to be considerably accurate, and the weight ratio can be obtained by using this.

(그 밖의 성분)(Other components)

형광체층(2)에는, 그 밖의 성분으로서, 상온에서의 경화를 억제하여 가용 시간을 길게 하기 위해서, 히드로실릴화 반응 지연제를 배합하는 것이 바람직하다. 히드로실릴화 반응 지연제로서는, 예를 들어 3-메틸-1-부틴-3-올, 3,5-디메틸-1-헥신-3-올, 페닐부티놀, 1-에티닐-1-시클로헥산올 등의 탄소-탄소 삼중 결합을 갖는 알코올 유도체, 3-메틸-3-펜텐-1-인, 3,5-디메틸-3-헥센-1-인 등의 엔인 화합물, 테트라메틸테트라비닐시클로테트라실록산, 테트라메틸테트라헥세닐시클로테트라실록산 등의 알케닐기 함유 저분자량 실록산, 메틸-트리스(3-메틸-1-부틴-3-옥시)실란, 비닐-트리스(3-메틸-1-부틴-3-옥시)실란 등의 알킨 함유 실란 등을 들 수 있다.In the phosphor layer 2, a hydrosilylation reaction retarder is preferably added as another component in order to suppress curing at room temperature and to increase the usable time. As the hydrosilylation reaction retarder, for example, 3-methyl-1-butyne-3-ol, 3,5-dimethyl-1-hexyn-3-ol, phenylbutynol, 1-ethynyl-1-cyclohexane 3-pentene-1-yne and 3,5-dimethyl-3-hexene-1-yne and the like, and organic compounds such as tetramethyltetravinylcyclotetra Methyl-1-butyne-3-oxy) silane, vinyl-tris (3-methyl-1-butyne-3 -Oxy) silane, and the like.

또한, 형광체층(2)에는, 본 발명의 효과가 손상되지 않는 범위에서, 필요에 따라 퓸드 실리카, 유리 분말, 석영 분말 등의 미립자, 산화아연 등의 무기 충전제나 안료, 난연제, 내열제, 산화 방지제, 분산제, 용제, 실란 커플링제나 티타늄 커플링제 등의 접착성 부여제 등을 배합해도 된다.In the phosphor layer 2, fine particles such as fumed silica, glass powder, quartz powder and the like, an inorganic filler such as zinc oxide, a pigment, a flame retardant, a heat resistant agent, an oxidizing agent A dispersant, a solvent, an adhesion-imparting agent such as a silane coupling agent or a titanium coupling agent, or the like.

<투명 수지층>&Lt; Transparent resin layer >

투명 수지층(5)(도 1B 참조)은, 파장 450nm에서의 전체 광선 투과율이 90% 이상이고, 형광체(1)를 포함하지 않는 수지층이다. 투명 수지층(5)은, 예를 들어 도 1B에 도시하는 바와 같이, 형광체층(2) 상에 적층된다. 또한, 투명 수지층(5)의 파장 400nm 내지 800nm에서의 최소 투과율은, 80% 이상인 것이 바람직하다. 여기에서 말하는 최소 투과율이란, 파장 400nm 내지 800nm에서의 광 투과율 중 가장 작은 값이다. 이 최소 투과율이 80% 이상임으로써, 형광체 시트(4)는, 고광속화와 고내구성을 양립하기 쉬워진다. 형광체층(2) 상에 투명 수지층(5)이 있음으로써, 형광체층(2) 중의 형광체(1)(예를 들어 적색 형광체 등)의 내구성이 향상되고, 이 결과, 형광체 시트(4)로서의 내구성이 향상된다.The transparent resin layer 5 (see Fig. 1B) is a resin layer having a total light transmittance at a wavelength of 450 nm of 90% or more and not containing the phosphor 1. The transparent resin layer 5 is laminated on the phosphor layer 2, for example, as shown in Fig. 1B. The minimum transmittance of the transparent resin layer 5 at a wavelength of 400 to 800 nm is preferably 80% or more. The minimum transmittance referred to here is the smallest value among the light transmittances at wavelengths of 400 nm to 800 nm. With the minimum transmittance of 80% or more, the phosphor sheet 4 is easily compatible with high light-fastness and high durability. The presence of the transparent resin layer 5 on the phosphor layer 2 improves the durability of the phosphor 1 (for example, a red phosphor or the like) in the phosphor layer 2 and as a result, Durability is improved.

또한, 투명 수지층(5)은, 추가로 미립자를 함유하고 있어도 된다. 투명 수지층(5)이 미립자를 함유함으로써, 투명 수지층(5)의 막 두께 균일성이 향상되기 때문에, 후술하는 형광체 시트(4)의 픽업 공정에서 형광체 시트(4)를 고정밀도로 픽업하는 것이 가능하다. 투명 수지층(5)의 막 두께가 불균일해지는 원인의 하나로, 투명 수지층(5)의 형성 시의 건조 공정에서의 수지의 유동이 있다. 이 건조 공정에 있어서, 투명 수지층(5)에 포함되는 수지는, 가열됨으로써 점도가 저하되기 때문에, 유동하기 쉬워진다. 특히, 투명 수지층(5)에 포함되는 수지가 열 융착성을 갖는 실리콘 수지인 경우, 이 수지의 점도 저하가 현저하기 때문에, 투명 수지층(5)의 막 두께가 불균일해지기 쉽다. 열 융착성을 갖는 실리콘 수지를 투명 수지층(5)에 사용하는 경우, 투명 수지층(5)의 막 두께 균일성을 유지하기 위해서, 투명 수지층(5)이 미립자를 함유하는 것은, 특히 중요하다.The transparent resin layer 5 may further contain fine particles. Since the transparent resin layer 5 contains fine particles, the uniformity of the film thickness of the transparent resin layer 5 is improved. Therefore, the phosphor sheet 4 is picked up with high accuracy in the pickup process of the phosphor sheet 4 It is possible. One reason for the non-uniformity of the thickness of the transparent resin layer 5 is the flow of the resin in the drying step when the transparent resin layer 5 is formed. In this drying step, since the resin contained in the transparent resin layer 5 is reduced in viscosity by heating, the resin easily flows. Particularly, in the case where the resin contained in the transparent resin layer 5 is a silicone resin having heat-sealability, since the viscosity of the resin is remarkably lowered, the film thickness of the transparent resin layer 5 tends to become uneven. It is particularly important that the transparent resin layer 5 contains fine particles in order to maintain the uniformity of the thickness of the transparent resin layer 5 when a silicone resin having thermal fusion bonding is used for the transparent resin layer 5 Do.

투명 수지층(5)의 막 두께 균일성이 향상되는 것은, 투명 수지층(5)의 보호층으로서의 기능을 높이는 효과도 있다. 국소적으로 투명 수지층(5)의 막 두께가 얇은 부분이 있는 경우, 이 얇은 부분은 보호층으로서 충분히 기능하지 않기 때문에, 얻어지는 발광체의 내구성이 떨어진다. 본 발명에 따르면, 그러한 사태를 억제할 수 있다.The improvement in the uniformity of the film thickness of the transparent resin layer 5 also has the effect of enhancing the function of the transparent resin layer 5 as a protective layer. If there is a thin portion of the transparent resin layer 5 locally, this thin portion does not sufficiently function as a protective layer, and therefore the durability of the resulting light emitting body is low. According to the present invention, such a situation can be suppressed.

(수지)(Suzy)

투명 수지층(5)에 사용되는 수지로서는 실리콘 수지, 불소 수지, 에폭시 수지, 폴리아릴레이트 수지, PET 변성 폴리아릴레이트 수지, 폴리카르보네이트 수지, 환상 올레핀 수지, 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지, 폴리메틸메타크릴레이트 수지, 폴리프로필렌 수지, 변성 아크릴 수지, 폴리스티렌 수지 및 아크릴니트릴·스티렌 공중합체 수지로부터 선택되는 1종 이상의 수지인 것이 바람직하다. 그 중에서도, 실리콘 수지, 불소 수지, 에폭시 수지로부터 선택되는 1종 이상의 수지가 보다 바람직하고, 내열성의 면에서, 실리콘 수지가 특히 바람직하다.Examples of the resin used for the transparent resin layer 5 include silicone resins, fluororesins, epoxy resins, polyarylate resins, PET modified polyarylate resins, polycarbonate resins, cyclic olefin resins, polyethylene terephthalate resins, It is preferable that the resin is at least one resin selected from acrylate resin, polypropylene resin, modified acrylic resin, polystyrene resin and acrylonitrile / styrene copolymer resin. Of these, at least one resin selected from a silicone resin, a fluororesin and an epoxy resin is more preferable, and a silicone resin is particularly preferable from the viewpoint of heat resistance.

투명 수지층(5)에 사용되는 수지가 실리콘 수지인 경우, 이 실리콘 수지는, 열 융착성을 갖는 것이어도 된다. 이 실리콘 수지가 열 융착성을 가짐으로써, 후술하는 투명 수지 시트법에 의해 투명 수지층(5)을 형성하는 경우, 형광체층(2)과 투명 수지층(5)을 견고하게 접착할 수 있다.When the resin used for the transparent resin layer 5 is a silicone resin, the silicone resin may be one having heat-sealability. When the transparent resin layer 5 is formed by the transparent resin sheet method described later because the silicone resin has thermal fusion property, the phosphor layer 2 and the transparent resin layer 5 can be firmly adhered to each other.

(미립자)(Fine particles)

투명 수지층(5)에 사용되는 미립자는, 가시광에서의 흡수나 발광이 작은 것이 바람직하다. 이 미립자로서는, 예를 들어 티타니아, 실리카, 알루미나, 실리콘, 지르코니아, 세리아, 질화알루미늄, 탄화규소, 질화규소, 티타늄산바륨 등의 미립자를 들 수 있다. 이들 중, 입수하기 쉽다고 하는 관점에서, 실리카 미립자, 알루미나 미립자, 실리콘 미립자로부터 선택되는 1종 이상의 미립자가 보다 바람직하고, 굴절률이나 입경을 제어하기 쉽다고 하는 관점에서, 실리콘 미립자가 특히 바람직하다.It is preferable that the fine particles used for the transparent resin layer 5 have small absorption and light emission in visible light. Examples of the fine particles include fine particles such as titania, silica, alumina, silicon, zirconia, ceria, aluminum nitride, silicon carbide, silicon nitride, and barium titanate. Of these, at least one fine particle selected from silica fine particles, alumina fine particles and silicon fine particles is more preferable from the viewpoint of availability, and from the viewpoint that the refractive index and the particle diameter can be easily controlled, the fine silicon particles are particularly preferable.

투명 수지층(5) 중의 미립자의 입경을 작게 하고, 또한 투명 수지층(5) 중의 수지와 미립자의 굴절률 차를 작게 함으로써, 투명 수지층(5)의 파장 400nm 내지 800nm에서의 최소 투과율을 80% 이상으로 할 수 있다.The minimum transmittance of the transparent resin layer 5 at a wavelength of 400 to 800 nm is reduced to 80% by decreasing the particle diameter of the fine particles in the transparent resin layer 5 and further reducing the difference in refractive index between the resin and the fine particles in the transparent resin layer 5. [ Or more.

투명 수지층(5)에 포함되는 미립자의 평균 입경은, 1nm 이상인 것이 바람직하고, 3nm 이상인 것이 보다 바람직하다. 또한, 이 미립자의 평균 입경은, 1000nm 이하인 것이 바람직하고, 300nm 이하인 것이 보다 바람직하다. 이 미립자의 평균 입경이 바람직한 하한값 이상임으로써, 투명 수지층(5) 중에 안정되게 미립자를 분산할 수 있다. 이 미립자의 평균 입경이 1000nm 이하임으로써, 투명 수지층(5) 중에서의 광의 산란을 억제할 수 있기 때문에, 투명 수지층(5)이 높은 광 투과율을 유지할 수 있다.The average particle diameter of the fine particles contained in the transparent resin layer 5 is preferably 1 nm or more, more preferably 3 nm or more. The average particle diameter of the fine particles is preferably 1000 nm or less, more preferably 300 nm or less. By setting the average particle diameter of the fine particles to a preferable lower limit value or more, the fine particles can be stably dispersed in the transparent resin layer 5. When the average particle diameter of the fine particles is 1000 nm or less, scattering of light in the transparent resin layer 5 can be suppressed, so that the transparent resin layer 5 can maintain a high light transmittance.

여기에서 말하는 미립자(투명 수지층(5)에 포함되는 미립자)의 평균 입경이란, 메디안 직경(D50)이다. 이 미립자의 평균 입경은, 상술한 형광체(1)로서의 적색 형광체의 평균 입경과 동일한 방법으로 구할 수 있다.The average particle diameter of the fine particles (fine particles contained in the transparent resin layer 5) referred to herein is the median diameter (D50). The average particle diameter of the fine particles can be obtained by the same method as the average particle diameter of the red phosphor as the above-described phosphor 1.

투명 수지층(5)에 있어서의 전체 고형분에서 차지하는 미립자의 비율은, 0.1중량% 이상인 것이 바람직하고, 1중량% 이상인 것이 보다 바람직하다. 또한, 이 미립자의 비율은, 30중량% 이하인 것이 바람직하고, 10중량% 이상인 것이 보다 바람직하다. 이 미립자의 비율이 바람직한 하한값 이상임으로써, 투명 수지층(5)의 막 두께 변동을 억제할 수 있다. 이 미립자의 비율이 바람직한 상한값 이하임으로써, 투명 수지층(5)의 높은 광 투과율을 유지할 수 있다.The proportion of the fine particles in the total solid content in the transparent resin layer 5 is preferably 0.1% by weight or more, more preferably 1% by weight or more. The proportion of the fine particles is preferably 30% by weight or less, and more preferably 10% by weight or more. By controlling the ratio of the fine particles to a preferable lower limit value or more, the film thickness variation of the transparent resin layer 5 can be suppressed. When the ratio of the fine particles is not more than the preferable upper limit value, the high light transmittance of the transparent resin layer 5 can be maintained.

(그 밖의 특징)(Other features)

미립자를 함유하는 투명 수지층(5)의 광 투과율은, 분광 광도계를 사용하여 측정할 수 있다. 예를 들어, 히다치 세이사꾸쇼제: U-4100 Spectrophotomater를 사용하는 경우에는, 이 측정 장치에 부속되는 적분구를 사용한 기본 구성으로 투명 수지층(5)의 샘플 광 투과율을 측정할 수 있다. 이 광 투과율의 측정 조건에 대해서는, 슬릿은 2nm로 하고, 주사 속도는 600nm/분으로 한다.The light transmittance of the transparent resin layer 5 containing fine particles can be measured using a spectrophotometer. For example, when using a U-4100 spectrophotometer manufactured by Hitachi Seisakusho Co., Ltd., the sample light transmittance of the transparent resin layer 5 can be measured with the basic configuration using an integrating sphere attached to this measuring apparatus. As for the measurement conditions of the light transmittance, the slit is 2 nm and the scanning speed is 600 nm / min.

투명 수지층(5)의 광 투과율 측정용의 샘플(이하, 「투과율 측정 샘플」이라고 함)은, 하기의 방법에 의해 제작할 수 있다. 예를 들어, 투명 수지층(5)에 사용하는 수지 및 미립자를 교반, 탈포하여 분산액을 제작하고, 이 분산액을, 석영 유리 상에 블레이드 코터에 의해 도포한 후, 오븐에 의해 150℃에서 1시간 가열한다. 이와 같이 하여, 투과율 측정 샘플을 제작할 수 있다.A sample for measuring the light transmittance of the transparent resin layer 5 (hereinafter referred to as &quot; transmittance measurement sample &quot;) can be produced by the following method. For example, the resin and fine particles used in the transparent resin layer 5 are stirred and defoamed to prepare a dispersion. The dispersion is coated on a quartz glass with a blade coater, and then heated in an oven at 150 DEG C for 1 hour Heat it. In this way, a sample for measuring the transmittance can be produced.

투과율 측정 샘플의 막 두께는, 하기의 방법에 의해 측정할 수 있다. 예를 들어, 석영 유리의 소정 위치 두께를 미리 마이크로미터에서 측정하고, 이 측정한 위치를 마킹해 둔다. 계속해서, 이 석영 유리 상에 상술한 방법으로 투명 수지층(5)의 투과율 측정 샘플을 형성한 후, 마킹 부분의 두께를 다시 마이크로미터로 측정한다. 얻어진 두께로부터, 먼저 측정해 둔 석영 유리의 두께를 차감함으로써, 이 투과율 측정 샘플의 막 두께를 얻을 수 있다.Measurement of Transmittance The film thickness of the sample can be measured by the following method. For example, the predetermined position of the quartz glass is measured in advance in the micrometer, and the measured position is marked. Subsequently, a sample for measuring the transmittance of the transparent resin layer 5 is formed on the quartz glass by the above-described method, and then the thickness of the marking portion is measured again by micrometer. The film thickness of this transmittance measurement sample can be obtained by subtracting the thickness of the quartz glass measured first from the thickness thus obtained.

투명 수지층(5)에 포함되는 수지와 미립자의 굴절률 차는, 0.5 이하인 것이 바람직하고, 0.3 이하인 것이 보다 바람직하고, 0.1 이하인 것이 특히 바람직하다. 투명 수지층(5)에 포함되는 수지의 굴절률은, 1.3 이상인 것이 바람직하고, 1.6 이하인 것이 바람직하다. 이 수지의 굴절률이 1.3 이상임으로써, 투명 수지층(5)과 형광체층(2)의 굴절률 차가 비교적 작아지기 때문에, 형광체층(2)으로부터 투명 수지층(5)에 대한 광 취출 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 이 수지의 굴절률이 1.6 이하임으로써, 투명 수지층(5)과 공기층의 굴절률 차가 비교적 작아지기 때문에, 투명 수지층(5)으로부터 공기층에 대한 광 취출 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 광 취출 효율을 보다 향상시킨다는 관점에서, 투명 수지층(5)에 포함되는 수지의 굴절률은, 형광체층(2)에 포함되는 수지의 굴절률 이하인 것이 바람직하다.The difference in refractive index between the resin and the fine particles contained in the transparent resin layer 5 is preferably 0.5 or less, more preferably 0.3 or less, and particularly preferably 0.1 or less. The refractive index of the resin contained in the transparent resin layer 5 is preferably 1.3 or more, and is preferably 1.6 or less. Since the refractive index of the resin is 1.3 or more, the refractive index difference between the transparent resin layer 5 and the phosphor layer 2 becomes relatively small, so that the light extraction efficiency from the phosphor layer 2 to the transparent resin layer 5 can be improved have. In addition, since the refractive index of this resin is 1.6 or less, the refractive index difference between the transparent resin layer 5 and the air layer becomes relatively small, and thus the light extraction efficiency from the transparent resin layer 5 to the air layer can be improved. The refractive index of the resin contained in the transparent resin layer 5 is preferably not more than the refractive index of the resin contained in the phosphor layer 2 from the viewpoint of further improving the light extraction efficiency.

투명 수지층(5)에 포함되는 수지의 굴절률은, 굴절률·막 두께 측정 장치 "프리즘 커플러 MODEL2010/M"(메트리콘사제)을 사용하여, 굴절률 측정 샘플의 굴절률을 측정함으로써 측정할 수 있다. 굴절률 측정 샘플은, 이 수지를 구라보사제 유성식 교반 탈포 장치 "마제르스타 KK-400"을 사용하여 1000rpm으로 10분간 교반, 탈포하여 분산액을 제작하고, 이 분산액을, PET 필름 상에 5cc 적하한 후, 오븐에 의해 150℃에서 1시간 가열함으로써, 얻을 수 있다.The refractive index of the resin contained in the transparent resin layer 5 can be measured by measuring the refractive index of the refractive index measurement sample using a refractive index / film thickness measuring apparatus "prism coupler MODEL 2010 / M" (Metric Corporation). The refractive index measurement sample was prepared by dispersing the resin by stirring and defoaming at 1000 rpm for 10 minutes using a planetary stirring type defoaming device "Mazerstar KK-400 ", and then dispersing the dispersion by 5 cc onto the PET film , And heating it at 150 占 폚 for 1 hour in an oven.

<그 밖의 층>&Lt; Other layer >

본 발명의 실시 형태에 따른 형광체 시트(4)는, 형광체층(2) 상 및 하 중 적어도 한쪽에, 형광체층(2)과는 다른 별도의 형광체층이나 확산층을 구비하고 있어도 된다. 이 경우, 형광체층(2) 또는 별도의 형광체층 하(예를 들어, 어느 것의 형광체층과 LED 칩 표면 사이)에 형성되는 투명 수지층은, LED 칩에 접착제를 사용하지 않고 부착할 수 있도록, 열 융착성을 구비하는 것이 바람직하다. 굴절률이 높은 GaN이나 사파이어 등의 LED 칩 표면에 상기의 투명 수지층이 부착된 경우, 이 LED 칩 표면의 굴절률과, 어느 것의 형광체층 아래에 위치하는 투명 수지층의 굴절률 차가 작을수록, 이 LED 칩 표면으로부터 이 투명 수지층에 대한 광 취출 효율을 향상시킬 수 있다. 그로 인해, 이 경우에는, 이 투명 수지층의 굴절률이 1.56 이상인 것이 바람직하다.The phosphor sheet 4 according to the embodiment of the present invention may have a phosphor layer or a diffusion layer separate from the phosphor layer 2 on at least one of the phosphor layer 2 and the phosphor layer 2. In this case, the transparent resin layer formed under the phosphor layer 2 or a separate phosphor layer (for example, between any phosphor layer and the surface of the LED chip) can be attached to the LED chip without using an adhesive, It is preferable to have heat-sealability. When the above-mentioned transparent resin layer is attached to the surface of an LED chip such as GaN or sapphire having a high refractive index, the smaller the difference between the refractive index of the surface of the LED chip and the refractive index difference of the transparent resin layer positioned below the phosphor layer, The light extraction efficiency for the transparent resin layer can be improved from the surface. Therefore, in this case, the refractive index of the transparent resin layer is preferably 1.56 or more.

확산층이란, 소정의 수지와, 실리카, 티타니아, 지르코니아 등의 확산재를 포함하는 층이다. 확산층의 형성에 의해, 발광 광의 지향성을 약화시켜, 보다 등방적인 발광 광을 얻을 수 있다. 그로 인해, 확산층은, 형광체층(2)의 상층에 형성되는 것이 바람직하다.The diffusion layer is a layer containing a predetermined resin and a diffusion material such as silica, titania or zirconia. By forming the diffusion layer, the directivity of the emitted light can be weakened and more uniform light emitted can be obtained. Therefore, it is preferable that the diffusion layer is formed on the upper layer of the phosphor layer 2.

<형광체 시트의 제작 방법><Production method of phosphor sheet>

다음으로, 본 발명의 실시 형태에 따른 형광체 시트(4)의 제작 방법에 대해서, 상세하게 설명한다. 또한, 이하에 설명하는 제작 방법은 일례이고, 형광체 시트(4)의 제작 방법은, 이것에 한정되지 않는다.Next, a method of manufacturing the phosphor sheet 4 according to the embodiment of the present invention will be described in detail. The manufacturing method described below is an example, and the manufacturing method of the phosphor sheet 4 is not limited to this.

형광체 시트(4)를 제작하는 하나의 방법으로서는, 형광체층(2)을 지지체(3) 상에 직접 도포하는 방법이 있다. 이 방법에서는 먼저, 형광체층(2)의 형성용 도포액으로서, 형광체(1)를 수지(14)에 분산한 용액(이하, 「형광체층 제작용 수지액」이라고 함)을 제작한다. 형광체층 제작용 수지액은, 형광체(1)와 수지(14)를 용매 중에서 혼합함으로써 얻어진다.One method of manufacturing the phosphor sheet 4 is to directly coat the phosphor layer 2 on the support 3. [ In this method, first, a solution in which the phosphor 1 is dispersed in the resin 14 (hereinafter referred to as a &quot; resin solution for forming a phosphor layer &quot;) is prepared as a coating solution for forming the phosphor layer 2. The resin liquid for preparing the phosphor layer is obtained by mixing the phosphor (1) and the resin (14) in a solvent.

점도를 조정하기 위하여 용매를 첨가할 필요가 있는 경우에는, 유동 상태의 수지(14)의 점도를 조정할 수 있는 것이면, 용매의 종류는 특별히 한정되지 않는다. 이 용매로서는, 예를 들어 톨루엔, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 헥산, 헵탄, 시클로헥산, 아세톤, 테르피네올, 부틸카르비톨, 부틸카르비톨아세테이트, 글라임, 디글라임, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르 아세테이트 등을 들 수 있다.When it is necessary to add a solvent to adjust the viscosity, the kind of the solvent is not particularly limited as long as it can adjust the viscosity of the resin 14 in a flowing state. Examples of the solvent include toluene, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, hexane, heptane, cyclohexane, acetone, terpineol, butyl carbitol, butyl carbitol acetate, glyme, diglyme, propylene glycol monomethyl Ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, and the like.

형광체층(2)을 구성하는데 필요한 성분과, 필요에 따라 첨가되는 용매 등의 성분을 소정의 조성이 되도록 조합한 후, 이들 성분의 조합물을 균질기, 자공전형 교반기, 3개 롤러, 볼 밀, 유성식 볼 밀, 비즈 밀 등의 교반·혼련기로 균질하게 혼합 분산함으로써, 형광체층 제작용 수지액이 얻어진다. 이 혼합 분산 후, 또는, 이 혼합 분산의 과정에 있어서, 진공 또는 감압 조건 하에서 탈포하는 것도 바람직하게 행해진다.The components necessary for constituting the phosphor layer 2 and the components such as a solvent to be added as required are combined so as to have a predetermined composition, and then the combination of these components is mixed with a homogenizer, a self-ball type stirrer, , A planetary ball mill, a bead mill or the like to obtain a resin solution for producing a phosphor layer. It is also preferable to perform defoaming under the condition of vacuum or reduced pressure after this mixed dispersion or in the course of this mixed dispersion.

단, 형광체(1)로서의 Mn 부활 복불화물 착체 형광체는, β형 사이알론 형광체 등의 고온에서 소성하여 제조하는 형광체와 비교하여, 경도가 낮고, 무르다는 성질을 갖고 있다. 그로 인해, Mn 부활 복불화물 착체 형광체를 교반·혼련기 등으로 분산시킬 때는, Mn 부활 복불화물 착체 형광체에 가해지는 충격이 가능한 한 작아지도록 분산 조건을 설정함으로써, Mn 부활 복불화물 착체 형광체의 파쇄를 억제하는 것이 바람직하다. Mn 부활 복불화물 착체 형광체의 파쇄를 억제함으로써, 발광 강도가 강한 형광체 시트(4)를 얻을 수 있다.However, the Mn-activated birefringent complex fluorescent substance as the fluorescent substance 1 has a property of being low in hardness and tough as compared with a fluorescent substance produced by baking at a high temperature such as a? -Sialon selenium fluorescent substance. Therefore, when dispersing the Mn-recovered complex fluorophore complex fluorescent substance by a stirring / kneading machine or the like, the dispersion condition is set so that the impact applied to the Mn-activated birefringent complex fluorescent substance becomes as small as possible, . By suppressing the fracture of the Mn-activated birefringent complex fluorescent substance, it is possible to obtain the fluorescent substance sheet 4 having high light emission intensity.

다음으로, 상술한 바와 같이 제작한 형광체층 제작용 수지액을, 지지체(3) 상에 도포하고, 건조시킨다. 이에 의해 지지체(3) 상에 얻어지는 형광체층(2)을, 가열 경화하여 제작한다. 지지체(3) 상으로의 형광체층 제작용 수지액의 도포는, 리버스 롤 코터, 블레이드 코터, 슬릿 다이 코터, 다이렉트 그라비아 코터, 오프셋 그라비아 코터, 키스 코터, 스크린 인쇄, 내츄럴 롤 코터, 에어나이프 코터, 롤 블레이드 코터, 투 스트림 코터, 로드 코터, 와이어 바 코터, 어플리케이터, 딥 코터, 커튼 코터, 스핀 코터, 나이프 코터 등에 의해 행할 수 있다. 형광체층(2)의 막 두께 균일성을 얻기 위해서는, 슬릿 다이 코터에서 도포하는 것이 바람직하다. 또한, 형광체층(2)은, 스크린 인쇄나 그라비아 인쇄, 평판 인쇄 등의 인쇄법을 사용해도 제작할 수도 있다. 특히, 스크린 인쇄가 바람직하게 사용된다.Next, the resin solution for fabricating the phosphor layer prepared as described above is coated on the support 3 and dried. Thus, the phosphor layer (2) obtained on the support (3) is produced by heating and curing. The application of the resin solution for forming the phosphor layer onto the support 3 can be carried out by using a reverse roll coater, a blade coater, a slit die coater, a direct gravure coater, an offset gravure coater, a kiss coater, a screen printing, a natural roll coater, Roll coater, roll coater, roll coater, rod coater, wire bar coater, applicator, dip coater, curtain coater, spin coater, knife coater and the like. In order to obtain the uniformity of the film thickness of the phosphor layer 2, it is preferable to coat the phosphor layer 2 with a slit die coater. The phosphor layer 2 can also be formed by a printing method such as screen printing, gravure printing, or flat printing. In particular, screen printing is preferably used.

형광체층 제작용 수지액의 건조는, 열풍 건조기나 적외선 건조기 등의 일반적인 가열 장치를 사용하여 행할 수 있다. 형광체층(2)의 가열 경화에는, 열풍 건조기나 적외선 건조기 등의 일반적인 가열 장치가 사용된다. 이 경우, 가열 경화 조건은, 통상 40℃ 내지 250℃에서 1분 내지 5시간, 바람직하게는 100℃ 내지 200℃에서 2분 내지 3시간이다.Drying of the resin solution for forming the phosphor layer can be performed using a general heating apparatus such as a hot-air drier or an infrared drier. For heating and curing the phosphor layer 2, a general heating apparatus such as a hot-air dryer or an infrared dryer is used. In this case, the heat curing conditions are usually 40 ° C to 250 ° C for 1 minute to 5 hours, preferably 100 ° C to 200 ° C for 2 minutes to 3 hours.

상술한 방법에 의해, 적어도 형광체층(2)을 구비하는 형광체 시트(4)를 제작할 수 있다. 이 형광체 시트(4)는, 도 1A에 예시되는 바와 같이, 시트 단체에서는 지지체(3)에 의해 지지된 상태로 있다.By the above-described method, the phosphor sheet 4 including at least the phosphor layer 2 can be manufactured. As shown in Fig. 1A, the phosphor sheet 4 is supported by the support 3 in a single sheet.

본 발명에서 사용되는 지지체(3)로서는 특별히 제한 없이, 예를 들어 공지된 금속, 수지 필름, 유리, 세라믹, 종이, 셀룰로오스아세테이트를 들 수 있다. 이들 중, 형광체 시트(4)의 제작의 용이함이나 형광체 시트(4)의 개편화의 용이함으로부터, 유리나 수지 필름이 바람직하게 사용된다. 특히, 형광체 시트(4)를 LED 칩에 부착할 때의 밀착성으로부터, 지지체(3)는, 유연한 필름상인 것이 바람직하다. 또한, 필름상의 지지체(3)를 다룰 때에 파단 등의 우려가 없는 것처럼, 강도가 높은 필름이, 지지체(3)로서 바람직하다. 이들의 요구 특성이나 경제성의 면에서, 수지 필름이, 지지체(3)로서 바람직하다. 지지체(3)로서 사용되는 수지 필름 중에서도, 경제성이나 취급성의 면에서, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리페닐렌술피드, 폴리프로필렌, 폴리이미드로 이루어지는 군에서 선택되는 플라스틱 필름이 바람직하다. 또한, 형광체층 제작용 수지액을 건조시킬 때나 형광체 시트(4)를 LED 칩에 부착할 때에 200℃ 이상의 고온을 필요로 하는 경우에는, 내열성의 면에서, 폴리이미드 필름이 바람직하다. 지지체(3)로부터의 형광체 시트(4)의 박리의 용이함으로부터, 지지체(3)는, 미리 표면이 이형 처리되어 있어도 된다.The support (3) used in the present invention is not particularly limited, and examples thereof include known metals, resin films, glass, ceramics, paper, and cellulose acetate. Of these, glass or a resin film is preferably used because of ease of production of the phosphor sheet 4 and ease of fragmentation of the phosphor sheet 4. Particularly, from the viewpoint of adhesion when the phosphor sheet 4 is attached to the LED chip, the support 3 is preferably a flexible film. Further, a film having high strength is preferable as the support 3, as there is no fear of breaking or the like when handling the support 3 in film form. In view of their required characteristics and economical efficiency, a resin film is preferable as the support 3. Of the resin films used as the support 3, plastic films selected from the group consisting of polyethylene terephthalate, polyphenylene sulfide, polypropylene and polyimide are preferable from the viewpoint of economy and handleability. Further, in the case of drying the resin solution for forming the phosphor layer or when a high temperature of 200 DEG C or more is required for attaching the phosphor sheet 4 to the LED chip, a polyimide film is preferable in terms of heat resistance. In order to facilitate the peeling of the phosphor sheet 4 from the support 3, the surface of the support 3 may be subjected to release treatment in advance.

또한, 형광체 시트(4)의 제작 방법에 있어서, 투명 수지층(5)을 형광체층(2) 상에 형성하는 경우, 투명 수지층(5)의 형성 방법으로서는, 직접 도포법과, 투명 수지 시트법이 있다. 직접 도포법이란, 예를 들어 투명 수지층(5)의 제작용으로서 투명 수지 용매에 의해 점도 조정한 수지 용액(이하, 「투명 수지층 제작용 수지액」이라고 함)을 형광체층(2) 상에 직접 도포한 후, 건조, 가열 경화 처리를 행하는 방법이다.When the transparent resin layer 5 is formed on the phosphor layer 2 in the method of manufacturing the phosphor sheet 4, the transparent resin layer 5 may be formed by a direct coating method, a transparent resin sheet method . The direct coating method is a method in which a resin solution (hereinafter referred to as &quot; resin solution for producing a transparent resin layer &quot;) viscosity-adjusted by a transparent resin solvent for the production of a transparent resin layer 5, , Followed by drying and heat curing treatment.

직접 도포법에 있어서, 투명 수지층 제작용 수지액의 도포는, 형광체층(2)의 제작(형광체층 제작용 수지액의 도포)과 동일한 방법을 사용할 수 있지만, 투명 수지층(5)의 막 두께 균일성을 얻기 위해서, 슬릿 다이 코터로 투명 수지층 제작용 수지액을 도포하는 것이 바람직하다. 투명 수지층 제작용 수지액의 건조는, 열풍 건조기나 적외선 건조기 등의 일반적인 가열 장치를 사용하여 행할 수 있다. 이 건조에 의해 형성되는 투명 수지층(5)의 가열 경화에는, 열풍 건조기나 적외선 건조기 등의 일반적인 가열 장치가 사용된다. 이 경우, 가열 경화 조건은 통상, 40℃ 내지 250℃에서 1분 내지 5시간, 바람직하게는 100℃ 내지 200℃에서 2분 내지 3시간이다.In the direct coating method, the resin solution for forming the transparent resin layer may be applied by the same method as the preparation of the phosphor layer 2 (application of the resin solution for forming the phosphor layer) In order to obtain thickness uniformity, it is preferable to apply a resin liquid for forming a transparent resin layer with a slit die coater. The resin liquid for forming the transparent resin layer can be dried by using a general heating apparatus such as a hot air drier or an infrared drier. For heating and curing the transparent resin layer 5 formed by the drying, a general heating apparatus such as a hot air drier or an infrared drier is used. In this case, the heat curing is usually carried out at 40 ° C to 250 ° C for 1 minute to 5 hours, preferably at 100 ° C to 200 ° C for 2 minutes to 3 hours.

투명 수지 시트법이란, 투명 수지 시트를 제작하고, 형광체 시트(4)의 형광체층(2)측과, 제작한 투명 수지 시트의 투명 수지층(5)측을 접합함으로써, 형광체층(2) 상에 투명 수지층(5)을 형성하는 방법이다. 투명 수지 시트는, 상술한 형광체층(2)을 구비하는 형광체 시트(4)와 동일한 방법에 의해 제작할 수 있다. 즉, 「형광체층 제작용 수지액」 대신 「투명 수지층 제작용 수지액」을 사용하여, 상술한 형광체 시트(4)의 제작 방법과 동일한 방법을 행하고, 소정의 지지체(예를 들어 지지체(3)와 동일한 것) 상에 투명 수지층(5)을 형성함으로써, 투명 수지 시트를 제작할 수 있다.The transparent resin sheet method is a method in which a transparent resin sheet is produced and the phosphor layer 2 side of the phosphor sheet 4 and the transparent resin layer 5 side of the prepared transparent resin sheet are bonded to each other, And a transparent resin layer 5 is formed on the transparent resin layer 5. The transparent resin sheet can be produced by the same method as the phosphor sheet 4 having the above-described phosphor layer 2. That is, the same method as the above-mentioned method for producing the phosphor sheet 4 is carried out using the "resin liquid for preparing a transparent resin layer" instead of the "resin liquid for phosphor layer preparation", and a predetermined support (for example, ), A transparent resin sheet 5 can be formed.

투명 수지 시트법에 의해 형광체층(2) 상에 투명 수지층(5)을 형성하는 경우, 형광체층(2) 및 투명 수지층(5) 중 적어도 한쪽의 층의 수지는, 반경화의 상태일 필요가 있다. 적어도 한쪽의 층의 수지가 반경화의 상태임으로써, 형광체층(2)과 투명 수지층(5)을 접착할 수 있다. 이 투명 수지 시트법에 있어서는, 적어도 투명 수지층(5)의 수지가 반경화인 것이 보다 바람직하고, 형광체층(2)의 수지(14) 및 투명 수지층(5)의 수지 양쪽이 반경화의 상태인 것이 특히 바람직하다.When the transparent resin layer 5 is formed on the phosphor layer 2 by the transparent resin sheet method, the resin of at least one of the phosphor layer 2 and the transparent resin layer 5 is in the semi-cured state There is a need. The phosphor layer 2 and the transparent resin layer 5 can be adhered to each other when the resin of at least one of the layers is in a semi-cured state. In this transparent resin sheet method, it is more preferable that at least the resin of the transparent resin layer 5 is semi-cured, and both of the resin of the resin 14 and the transparent resin layer 5 of the phosphor layer 2 are in a semi-cured state Is particularly preferable.

형광체층(2)과 투명 수지층(5)의 접합은, 가열하여 접합하는 것이 바람직하다. 가열함으로써, 형광체층(2) 및 투명 수지층(5)의 각 수지의 점도가 내려가기 때문에, 형광체층(2)과 투명 수지층(5)을 견고하게 접합할 수 있다. 이 접합 시의 각 수지의 점도를 충분히 내리기 위해서, 가열 조건으로서는, 40℃ 이상인 것이 바람직하고, 60℃ 이상인 것이 보다 바람직하고, 80℃ 이상인 것이 특히 바람직하다. 또한, 접합 시의 각 수지의 온도가 너무 높으면, 형광체층(2)과 투명 수지층(5)이 접착하기 전에, 반경화 상태의 수지(예를 들어 투명 수지층(5)의 수지)가 경화해버리기 때문에, 형광체층(2)과 투명 수지층(5)이 접착하기 어려워져 버린다. 이 접합 시의 열경화를 억제한다는 관점에서, 가열 조건으로서는, 200℃ 이하인 것이 바람직하고, 170℃ 이하인 것이 보다 바람직하고, 150℃ 이하인 것이 특히 바람직하다.The bonding of the phosphor layer 2 and the transparent resin layer 5 is preferably performed by heating. The viscosity of each resin of the phosphor layer 2 and the transparent resin layer 5 is lowered by heating so that the phosphor layer 2 and the transparent resin layer 5 can be firmly bonded. In order to sufficiently lower the viscosity of each resin at the time of bonding, the heating conditions are preferably 40 ° C or higher, more preferably 60 ° C or higher, and particularly preferably 80 ° C or higher. If the temperature of each resin at the time of bonding is too high, the semi-cured resin (for example, the resin of the transparent resin layer 5) is cured before the fluorescent layer 2 and the transparent resin layer 5 are bonded It is difficult for the phosphor layer 2 and the transparent resin layer 5 to adhere to each other. From the viewpoint of suppressing thermal curing at the time of bonding, the heating conditions are preferably 200 ° C or lower, more preferably 170 ° C or lower, and particularly preferably 150 ° C or lower.

또한, 형광체층(2)과 투명 수지층(5)이 접합 시에 기포를 혼입한 경우, 기포와 형광체층(2)의 계면과, 기포와 투명 수지층(5)의 계면에서, 광이 난반사한다. 이에 의해, 형광체 시트(4)로부터의 광 취출 효율이 저하되고, 결과적으로, 이 형광체 시트(4)를 사용하여 제조된 발광체의 휘도가 저하되어 버린다. 이러한 기포의 혼입을 방지한다는 관점에서, 형광체층(2)과 투명 수지층(5)의 접합은, 진공 분위기 하에서 행하는 것이 바람직하다. 진공 분위기 하란, 압력이 소정값 이하의 분위기이다. 이 진공 분위기 하에서의 압력은 100hPa 이하이고, 10hPa 이하인 것이 보다 바람직하고, 5hPa 이하인 것이 더욱 바람직하고, 1hPa 이하인 것이 특히 바람직하다.When bubbles are mixed at the time of bonding the phosphor layer 2 and the transparent resin layer 5, light is diffused from the interface between the bubbles and the phosphor layer 2 and the interface between the bubbles and the transparent resin layer 5, do. As a result, the light extraction efficiency from the phosphor sheet 4 is lowered, and as a result, the luminance of the light emitting body manufactured using the phosphor sheet 4 is lowered. It is preferable that the bonding of the phosphor layer 2 and the transparent resin layer 5 be performed in a vacuum atmosphere from the viewpoint of preventing the incorporation of such bubbles. In an atmosphere of vacuum, the pressure is not higher than a predetermined value. The pressure in this vacuum atmosphere is 100 hPa or less, more preferably 10 hPa or less, further preferably 5 hPa or less, particularly preferably 1 hPa or less.

(형광체 시트를 사용한 발광체의 제조 방법)(Method for manufacturing phosphor with phosphor sheet)

본 발명의 실시 형태에 따른 발광체의 제조 방법(형광체 시트(4)를 사용한 발광체의 제조 방법)에 대하여 설명한다. 도 2는, 본 발명의 실시 형태에 따른 형광체 시트를 사용한 발광체의 제조 방법 일례를 나타내는 공정도이다. 또한, 이하의 설명은 일례이고, 본 발명의 실시 형태에 따른 발광체의 제조 방법은, 이하에 설명하는 것에 한정되지 않는다.A method of manufacturing a phosphor according to an embodiment of the present invention (a method of manufacturing a phosphor using the phosphor sheet 4) will be described. 2 is a process diagram showing an example of a method of manufacturing a phosphor using a phosphor sheet according to an embodiment of the present invention. The following description is only an example, and the method of manufacturing the light emitting device according to the embodiment of the present invention is not limited to the following description.

형광체 시트(4)를 사용한 발광체의 제조 방법은, 크게 나누어서 3개의 공정을 포함한다. 제1 공정은, 형광체 시트(4)를 개편화하는 개편화 공정이다. 제2 공정은, 개편화된 형광체 시트(4)를 픽업하는 픽업 공정이다. 제3 공정은, 픽업한 형광체 시트(4)(개편화 공정에 의해 개편화된 것)를 광원에 부착하는 부착 공정이다. 또한, 이 발광체의 제조 방법은, 필요에 따라, 그 밖의 공정을 포함하고 있어도 된다.The manufacturing method of the phosphor using the phosphor sheet 4 includes three processes in a largely divided manner. The first step is a step of separating the phosphor sheet 4 into individual pieces. The second step is a pick-up step of picking up the individualized phosphor sheet 4. The third step is an adhering step of adhering the picked-up phosphor sheet 4 (separated by the individualizing step) to the light source. In addition, the method for manufacturing the light-emitting body may include other steps as necessary.

이하, 형광체 시트(4)는, 지지체(3) 상에 형성된 형광체층(2)을 포함하는 것으로 하고, 이 형광체 시트(4)로서의 형광체층(2)을 개편화하여, 광원의 일례인 LED 칩에 부착하는 경우를 예로 들어, 도 2를 참조하면서, 본 발명의 실시 형태에 따른 발광체의 제조 방법을 설명한다.Hereinafter, the phosphor sheet 4 includes the phosphor layer 2 formed on the support 3, and the phosphor layer 2 as the phosphor sheet 4 is discretized to form an LED chip A method of manufacturing a light emitting device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

(개편화 공정)(Discretization process)

개편화 공정에 있어서, 형광체 시트(4)의 개편화는, 금형에 의한 펀칭, 레이저에 의한 가공, 다이싱이나 커팅 등의 방법에 의해 행할 수 있다. 이때, 형광체 시트(4)로서의 형광체층(2)은 반경화 상태여도 되고, 미리 경화되어 있어도 된다. 레이저에 의한 가공은, 형광체층(2)에 고에너지가 부여되므로, 형광체층(2)의 수지(예를 들어 도 1A에 나타내는 수지(14))의 타서 눌음이나 형광체(예를 들어 도 1A에 나타내는 형광체(1))의 열화를 회피하는 것이 매우 어렵다. 따라서, 형광체 시트(4)의 개편화 방법으로서는, 칼날에 의한 절삭 또는 절단이 바람직하다.In the disassembling step, the disassembling of the phosphor sheet 4 can be performed by a method such as punching using a metal mold, laser processing, dicing or cutting. At this time, the phosphor layer 2 as the phosphor sheet 4 may be semi-cured or cured in advance. Since the high energy is applied to the phosphor layer 2, it is possible to prevent the resin (e.g., the resin 14 shown in Fig. 1A) of the phosphor layer 2 from being rubbed off and the phosphor (for example, It is very difficult to avoid deterioration of the phosphor (1). Therefore, as a method of separating the phosphor sheet 4, cutting or cutting with a blade is preferable.

예를 들어, 도 2에 도시한 바와 같이, 형광체 시트(4)로서의 형광체층(2)은, 지지체(3)에 의해 지지된 상태로 있다. 개편화 공정에 있어서, 지지체(3) 상의 형광체층(2)은, 칼날(6)에 의해 절단된다(상태 S1). 이에 의해, 이 형광체층(2)은, 복수로 개편화되어서, 개편화 형광체층(7)에 가공된다(상태 S2). 이때, 개편화 형광체층(7)은, 지지체(3)에 부착된 채이다.For example, as shown in Fig. 2, the phosphor layer 2 as the phosphor sheet 4 is supported by the support 3. In the disassembling step, the phosphor layer 2 on the support 3 is cut by the blade 6 (state S1). As a result, the phosphor layer 2 is divided into a plurality of segments and processed into the discrete phosphor layer 7 (state S2). At this time, the discrete fluorescent substance layer 7 remains attached to the support 3.

칼날(6)은, 예를 들어 회전 날이다. 형광체층(2)을 회전 날에 의해 절단하는 장치로서는, 다이서라고 불리는 반도체 기판을 개별의 칩에 절단(다이싱)하는데 사용하는 장치가, 적합하게 이용될 수 있다. 다이서를 사용하면, 회전 날의 두께나 조건 설정에 의해, 형광체층(2)의 분할 라인의 폭을 정밀하게 제어할 수 있기 때문에, 단순한 칼날의 압입에 의한 형광체층(2)의 절단보다도 높은 가공 정밀도가 얻어진다. 이들 어느 것의 절단 방법의 경우도, 형광체층(2)은 지지체(3)마다 개편화해도 된다. 또는, 형광체층(2)은 개편화하면서, 지지체(3)는 절단하지 않아도 된다. 이때, 지지체(3)에 대해서는, 관통하지 않는 절입 라인이 들어가는 소위 하프컷을 행하는 것이 바람직하다.The blade 6 is, for example, a rotary blade. As a device for cutting the phosphor layer 2 by a rotary blade, an apparatus used for cutting (dicing) a semiconductor substrate called a dicer into individual chips can be suitably used. By using the dicer, the width of the divided line of the phosphor layer 2 can be precisely controlled by setting the thickness and condition of the rotary blade. Therefore, the cutting of the phosphor layer 2 by simply pressing the blade can be performed Precision is obtained. In the case of any of these cutting methods, the phosphor layer 2 may be individualized for each support 3. Alternatively, the phosphor layer 2 may be separated and the support 3 may not be cut. At this time, with respect to the support 3, it is preferable to perform a so-called half cut in which an infeed line which does not penetrate is inserted.

개편화 공정에 있어서, 형광체층(2)의 절단은, 드라이 컷에 의한 절단인 것이 바람직하다. 드라이 컷이란, 절단 시에 물 등의 액체를 사용하지 않는 절단 방법이다. 개편화 공정에서의 형광체층(2)의 절단은, 이것에 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어 톰슨 칼날에 의한 절단 등을 들 수 있다. 형광체층(2)이, K2SiF6:Mn 등과 같이, 물과 반응함으로써 발광 효율이 저하되는 형광체를 포함하는 경우, 드라이 컷이 특히 유효하다.In the discretization process, it is preferable that the phosphor layer 2 is cut by dry cutting. A dry cut is a cutting method that does not use a liquid such as water at the time of cutting. The cutting of the phosphor layer 2 in the individualizing step is not limited to this, and for example, cutting by the Thomson blade can be mentioned. The dry cut is particularly effective when the phosphor layer 2 contains a phosphor such as K 2 SiF 6 : Mn, etc., whose luminous efficiency is lowered by reacting with water.

형광체 시트(4)는, 개편화 공정 전후에 있어서, 또는 개편화 공정과 동시에, 형광체층(2)의 펀칭 가공이 실시되어도 된다. 이 펀칭 가공으로서는, 레이저 가공, 금형에 의한 펀칭 등의 공지된 방법을 적합하게 사용할 수 있지만, 레이저 가공은 형광체층(2)의 수지를 타서 눌음이나 형광체의 열화를 야기하므로, 금형에 의한 펀칭 가공이 보다 바람직하다.The phosphor sheet 4 may be subjected to punching processing before, after, or simultaneously with the discretization step. As the punching processing, known methods such as laser processing and punching using a metal mold can be suitably used. However, since laser processing causes the resin of the phosphor layer 2 to be crushed or deteriorated, the punching process Is more preferable.

(픽업 공정)(Pickup process)

상술한 개편화 공정에 의해 개편화된 형광체 시트(4)는, 개편화 공정의 다음 공정인 픽업 공정에 의해 픽업된다. 예를 들어, 도 2에 도시한 바와 같이, 개편화 형광체층(7)은, 지지체(3) 상에 부착된 상태로 있다. 픽업 공정에 있어서, 개편화 형광체층(7)은, 콜릿(8) 등의 흡인 장치를 구비한 픽업 장치(도시하지 않음)에 의해, 지지체(3)로부터 박리되어서 픽업된다(상태 S3).The phosphor sheet 4 separated by the above-described fragmentation process is picked up by a pick-up process which is the next step of the fragmentation process. For example, as shown in Fig. 2, the discrete fluorescent substance layer 7 is attached on the support 3. Fig. In the pickup process, the discrete phosphor layer 7 is peeled from the support 3 and picked up (state S3) by a pick-up device (not shown) provided with a suction device such as a collet 8 or the like.

(부착 공정)(Attaching step)

상술한 픽업 공정에 의해 픽업된 개편화 형광체층(7)(개편화된 형광체 시트(4)의 일례)은, 픽업 공정의 다음 공정인 부착 공정에 의해 광원에 부착된다. 예를 들어, 도 2에 도시한 바와 같이, 개편화 형광체층(7)은, 콜릿(8)에 의해 픽업된 상태로 있다. 콜릿(8)은, 기판(11)에 실장된 LED 칩(9)(광원의 일례)의 위치로 개편화 형광체층(7)과 함께 반송되고, 이에 의해, LED 칩(9)의 광 취출면과 개편화 형광체층(7)의 접착면(예를 들어 하면)을 대향시킨다. 계속해서, 콜릿(8)은, LED 칩(9)의 광 취출면에, 개편화 형광체층(7)의 접착면을 압박하여 부착한다(상태 S4). 이때, 기판(11) 상의 LED 칩(9)의 주위에는, 리플렉터(10)가 형성되어 있어도 된다.The discrete fluorescent substance layer 7 (an example of the discrete fluorescent substance sheet 4) picked up by the pick-up process described above is attached to the light source by an attaching step which is the next step of the pickup process. For example, as shown in Fig. 2, the individualized fluorescent substance layer 7 is picked up by the collet 8. The collet 8 is transported together with the individual fluorescent material layer 7 to the position of the LED chip 9 (an example of the light source) mounted on the substrate 11, (For example, the lower surface) of the discrete fluorescent material layer 7 are opposed to each other. Subsequently, the collet 8 presses the adhesion surface of the individualized fluorescent substance layer 7 on the light extraction surface of the LED chip 9 (S4). At this time, the reflector 10 may be formed around the LED chip 9 on the substrate 11.

부착 공정에서의 개편화 형광체층(7)과 LED 칩(9)의 부착에는, 접착제(도시하지 않음)를 사용하는 것이 바람직하다. 이 접착제로서는, 공지된 다이 본드제나 접착제를 사용할 수 있다. 예를 들어, 아크릴 수지계, 에폭시 수지계, 우레탄 수지계, 실리콘 수지계, 변성 실리콘 수지계, 페놀 수지계, 폴리이미드계, 폴리비닐알코올계, 폴리메타크릴레이트 수지계, 멜라민 수지계, 우레아 수지계의 접착제를 사용할 수 있다. 형광체층(2)이 점착성을 갖는 경우에는, 이 점착성을 이용하여, 개편화 형광체층(7)과 LED 칩(9)을 부착해도 된다.It is preferable to use an adhesive (not shown) for attaching the discrete fluorescent substance layer 7 and the LED chip 9 in the attaching step. As the adhesive, known die bonding agents or adhesives can be used. For example, an adhesive of acrylic resin type, epoxy resin type, urethane resin type, silicone resin type, modified silicone resin type, phenol resin type, polyimide type, polyvinyl alcohol type, polymethacrylate resin type, melamine resin type and urea resin type can be used. When the phosphor layer 2 has adhesiveness, the individualized phosphor layer 7 and the LED chip 9 may be adhered using the stickiness.

또한, 부착 공정이 개편 형광체층(7)을 가열하여 LED 칩(9)에 부착하는 공정인 경우, 이 부착 공정을 대기 중에서 행하면, LED 칩(9)과 개편화 형광체층(7) 사이에 기포를 혼입하는 경우가 있다. 기포를 혼입한 경우, 기포와 LED 칩(9)의 계면과, 기포와 개편화 형광체층(7)의 계면에서, 광이 난반사한다. 이에 의해, LED 칩(9)으로부터의 광 취출 효율이 저하되고, 결과적으로, 형광체 시트(4)를 사용하여 제조된 발광체(예를 들어 도 2에 도시하는 발광체(13))의 휘도가 저하되어 버린다. 이러한 기포의 혼입을 방지한다는 관점에서, 이 부착 공정은, 진공 분위기 하에서 행하는 것이 바람직하다.In the case where the attaching step is a step of heating the discrete fluorescent substance layer 7 and attaching the discrete fluorescent substance layer 7 to the LED chip 9, . &Lt; / RTI &gt; When bubbles are mixed, light diffuses irregularly at the interface between the bubbles and the LED chip 9 and at the interface between the bubbles and the individual fluorescent material layer 7. As a result, the light extraction efficiency from the LED chip 9 is lowered, and as a result, the luminance of the light emitting body (for example, the light emitting body 13 shown in Fig. 2) produced using the phosphor sheet 4 is lowered Throw away. From the viewpoint of preventing the incorporation of such bubbles, it is preferable that the attachment step is performed in a vacuum atmosphere.

(그 밖의 공정)(Other processes)

상술한 발광체의 제조 방법에는, 그 밖의 공정으로서, LED 칩(9)과 회로 기판의 일례인 기판(11)을 전기적으로 접속하는 접속 공정이 추가로 포함되어도 된다. 이 접속 공정에 있어서, LED 칩(9)의 전극과 기판(11)의 배선이, 공지된 방법으로 전기적으로 접속된다. 이에 의해, 발광체(13)를 얻을 수 있다. LED 칩(9)이 광 취출면측에 전극을 갖는 경우에는, LED 칩(9)의 상면 전극과 기판(11)의 배선이, 와이어 본딩에 의해 접속된다. 또한, LED 칩(9)이 발광면의 반대면에 전극 패드를 갖는 플립 칩 타입인 경우에는, LED 칩(9)의 전극면을 기판(11)의 배선과 대향시켜, 이들이 일괄 접합에 의해 접속된다. 이 경우, 기판(11)과 LED 칩(9)의 접속은, 개편화된 형광체 시트(4)(예를 들어 개편화 형광체층(7))의 부착 전에 행해도 된다.The above-described manufacturing method of the light-emitting body may further include a connection step for electrically connecting the LED chip 9 and the substrate 11, which is an example of a circuit substrate, as another process. In this connection step, the electrode of the LED chip 9 and the wiring of the substrate 11 are electrically connected by a known method. Thereby, the light emitting body 13 can be obtained. When the LED chip 9 has an electrode on the light extraction surface side, the upper surface electrode of the LED chip 9 and the wiring of the substrate 11 are connected by wire bonding. When the LED chip 9 is a flip-chip type having an electrode pad on the opposite surface of the light emitting surface, the electrode surface of the LED chip 9 is made to face the wiring of the substrate 11, do. In this case, the connection between the substrate 11 and the LED chip 9 may be performed before attachment of the individualized phosphor sheet 4 (for example, the individual fluorescent material layer 7).

개편 형광체층(7)이 반경화 상태에서 LED 칩(9)과 부착되어 있었던 경우에는, 상술한 접속 공정 전 또는 후의 적합한 타이밍에, 개편 형광체층(7)을 경화시킬 수 있다. 예를 들어, 플립 칩 타입의 LED 칩(9)을 기판(11)에 일괄 접합하기 위해 열 압착의 접합을 행하는 경우에는, 그 가열에 의해 동시에 개편화 형광체층(7)을 경화시켜도 된다. 또한, LED 칩(9)과 기판(11)을 접속한 패키지를, 보다 큰 회로 기판 상에 표면 실장하는 경우에는, 땜납 리플로우에서 납땜을 행함과 동시에 개편화 형광체층(7)을 경화시켜도 된다.In the case where the modified phosphor layer 7 is adhered to the LED chip 9 in a semi-cured state, the individual-modified phosphor layer 7 can be cured at a suitable timing before or after the above-described connection step. For example, when joining thermocompression bonding to bond the flip chip type LED chip 9 to the substrate 11 in a lump, it is also possible to cure the discrete fluorescent material layer 7 simultaneously with the heating. When the package in which the LED chip 9 and the substrate 11 are connected to each other is surface-mounted on a larger circuit board, soldering may be performed in the solder reflow and the singulated phosphor layer 7 may be cured .

개편화 형광체층(7)이 경화된 상태에서 LED 칩(9)과 부착되는 경우에는, 개편화 형광체층(7)과 LED 칩(9)을 부착한 후에, 개편화 형광체층(7)의 경화 과정을 설치할 필요는 없다. 개편화 형광체층(7)이 경화된 상태에서 LED 칩(9)에 부착되는 경우란, 예를 들어 경화한 개편화 형광체층(7)에 별도 접착층이 형성되는 경우나, 개편화 형광체층(7)이 경화 후에 열 융착성을 갖는 경우 등이다.In the case where the discrete fluorescent substance layer 7 adheres to the LED chip 9 in a cured state, after the discrete fluorescent substance layer 7 and the LED chip 9 are attached, the curing of the discrete fluorescent substance layer 7 There is no need to install the course. The case where the discrete fluorescent substance layer 7 is adhered to the LED chip 9 in a cured state is a case where an adhesive layer is separately formed on the cured discrete fluorescent substance layer 7 or the discrete fluorescent substance layer 7 ) Has heat-sealability after curing, and the like.

또한, 상술한 발광체의 제조 방법에는, 그 밖의 공정으로서, 부착 공정이 행해진 후의 LED 칩(9)을 밀봉하는 밀봉 공정이 추가로 포함되어도 된다. 예를 들어, 도 2에 도시한 바와 같이, 밀봉 공정에 있어서, 투명 밀봉재(12)는, 개편화 형광체층(7)이 부착된 후의 LED 칩(9)을 덮도록 기판(11) 상(상세하게는 리플렉터(10)의 내측)에 주입된다. 이에 의해, 이 LED 칩(9)은, 투명 밀봉재(12)에 의해 밀봉된다(상태 S5). 이와 같이 하여, 도 2에 도시한 바와 같은 발광체(13)가 제작된다. 투명 밀봉재(12)로서는, 투명성이나 내열성의 관점에서, 실리콘 수지가 적합하게 사용된다.Further, in the above-described manufacturing method of the light emitting body, as a further step, a sealing step for sealing the LED chip 9 after the attachment step is performed may be further included. 2, the transparent sealing material 12 is formed on the substrate 11 so as to cover the LED chip 9 after the individualized fluorescent substance layer 7 is adhered The inside of the reflector 10). Thus, the LED chip 9 is sealed by the transparent sealing material 12 (state S5). In this manner, the light emitting body 13 as shown in Fig. 2 is manufactured. As the transparent sealing material 12, a silicone resin is suitably used from the viewpoints of transparency and heat resistance.

상술한 바와 같이 도 2를 참조하면서 설명한 발광체의 제조 방법에서는, 형광체 시트(4)가 지지체(3) 상의 형광체층(2)을 포함하는 경우를 예시했지만, 이 발광체의 제조 방법은, 이것에 한정되는 것은 아니다. 즉, 이 발광체의 제조 방법에 사용되는 형광체 시트(4)는, 형광체층(2)을 포함하는 것이어도 되고, 도 1B에 예시되는 것과 같은 형광체층(2)과 투명 수지층(5)의 적층체를 포함하는 것이어도 되고, 상술한 확산층 등의 그 밖의 층을 추가로 구비하는 것이어도 된다. 예를 들어, 형광체 시트(4)가 형광체층(2) 및 투명 수지층(5)을 구비하는 것인 경우, 개편화 공정에서는, 지지체(3) 상의 형광체층(2) 및 투명 수지층(5)이 모두 개편화된다. 픽업 공정에서는, 형광체층(2) 및 투명 수지층(5)의 개편화된 적층체가 지지체(3)로부터 픽업된다. 부착 공정에서는, 이 픽업된 적층체(개편화된 것)가 LED 칩(9)의 광 취출면에 부착된다.2, the case where the phosphor sheet 4 includes the phosphor layer 2 on the support member 3 is exemplified. However, the method of manufacturing the phosphor member is not limited thereto It is not. That is, the phosphor sheet 4 used in the method for manufacturing the phosphor may include the phosphor layer 2, or may be a laminate of the phosphor layer 2 and the transparent resin layer 5, Or may include another layer such as the diffusion layer described above. For example, in the case where the phosphor sheet 4 includes the phosphor layer 2 and the transparent resin layer 5, the phosphor layer 2 and the transparent resin layer 5 on the support 3 ) Are all reorganized. In the pick-up step, the individualized laminate of the phosphor layer 2 and the transparent resin layer 5 is picked up from the support 3. In the attaching step, the picked-up laminate (individual piece) is attached to the light extraction surface of the LED chip 9.

<발광체, 광원 유닛, 디스플레이><Light Emitting Device, Light Source Unit, Display>

본 발명의 실시 형태에 따른 발광체는, 상술한 형광체 시트(4)를 구비한다. 예를 들어, 도 2에 도시되는 발광체(13)는, 형광체 시트(4)로서의 개편화 형광체층(7)을 LED 칩(9)의 광 취출면 상에 구비한다. 이러한 발광체는, 차량 탑재의 헤드라이트, 텔레비전이나 스마트폰의 백라이트, 조명 등에 폭넓게 적용할 수 있다. 본 발명에 있어서, 형광체 시트(4) 및 이것을 사용한 발광체는, 색 재현성의 향상에 우수하고, 고광속, 고내구성을 갖기 때문에, 백라이트 등의 광원 유닛에 적용하는 것이 바람직하다.The phosphor according to the embodiment of the present invention comprises the phosphor sheet 4 described above. For example, the light emitting body 13 shown in Fig. 2 is provided with a discrete fluorescent substance layer 7 as a phosphor sheet 4 on the light extraction surface of the LED chip 9. Such a light emitting body can be widely applied to a headlight mounted on a vehicle, a backlight of a television or a smart phone, illumination, and the like. In the present invention, the phosphor sheet 4 and the light emitting body using the phosphor sheet 4 are preferably applied to a light source unit such as a backlight, because the phosphor sheet 4 is excellent in improvement of color reproducibility and has high light flux and high durability.

본 발명의 실시 형태에 따른 광원 유닛은, 상술한 형광체 시트(4)를 구비한다. 이 광원 유닛에는, 형광체 시트(4)를 갖는 발광체를 구비한 것도 포함된다. 이러한 광원 유닛은 텔레비전용, 스마트폰용, 태블릿형 컴퓨터용, 게임 기기용의 디스플레이에 적용할 수 있다.The light source unit according to the embodiment of the present invention includes the phosphor sheet 4 described above. This light source unit also includes a light emitting body having a phosphor sheet 4. Such a light source unit can be applied to a display for a television, a smart phone, a tablet computer, or a game machine.

본 발명의 실시 형태에 따른 디스플레이는, 상술한 형광체 시트(4)를 갖는 광원 유닛을 구비한다. 이 디스플레이에는, 본 발명에 있어서의 발광체(형광체 시트(4)를 사용하여 제작된 발광체)를 갖는 광원 유닛을 구비한 것도 포함된다. 이러한 디스플레이로서는, 예를 들어 액정 디스플레이 등을 들 수 있다.The display according to the embodiment of the present invention includes the light source unit having the above-described phosphor sheet 4. [ This display also includes a light source unit having a light emitting body (a light emitting body manufactured using the phosphor sheet 4) in the present invention. Examples of such a display include a liquid crystal display and the like.

<색 재현 범위 측정><Color reproduction range measurement>

형광체 시트(4)를 사용하여 제작한 발광체를 액정 디스플레이의 백라이트로서 사용했을 때의 액정 디플레이의 색 재현 범위는, DCI비로 평가할 수 있다. DCI비란, DCI(Digital Cinema Initiative) 규격에 관한 DCI 색도 영역의 면적을 기준(100%)으로 했을 때의, 색도 영역에서의 면적비이다. DCI비는, 하기의 수순으로 측정할 수 있다.The color reproduction range of the liquid crystal display when the phosphor prepared using the phosphor sheet 4 is used as the backlight of the liquid crystal display can be evaluated by the DCI ratio. DCI is the area ratio in the chromaticity region when the area of the DCI chromaticity region concerning the DCI (Digital Cinema Initiative) standard is set as a reference (100%). The DCI ratio can be measured by the following procedure.

먼저, 제작한 발광체 상에 공지된 방법으로 제작한 적색광을 투과하는 컬러 필터를 얹어, 이 발광체에 1W의 전력을 투입하여, 이 발광체를 점등시켜, 전체 광속 측정 시스템(HM-3000, 오츠카 덴시사제)을 사용하여 발광 광의 색도를 측정한다. 마찬가지로, 이 발광체 상에 녹색 광을 투과하는 컬러 필터를 얹었을 경우와 청색광을 투과하는 컬러 필터를 얹었을 경우의 각각에 대해서, 발광 광의 색도를 측정한다. 얻어진 3개의 색도를 정점으로 한 삼각형의 면적을 DCI 색도 영역의 면적으로 나눔으로써, DCI비를 산출할 수 있다.First, a color filter for transmitting red light produced by a known method was placed on a manufactured luminous body, power of 1 W was applied to the luminous body, the luminous body was turned on, and the whole luminous flux measurement system (HM-3000, The chromaticity of the emitted light is measured. Likewise, the chromaticity of emitted light is measured for each of a case where a color filter transmitting green light is placed on this light emitting body and a case where a color filter transmitting blue light is put on. The DCI ratio can be calculated by dividing the area of the obtained triangle having the three chromaticities as apexes by the area of the DCI chromaticity region.

실시예Example

이하에, 본 발명을 실시예에 의해, 구체적으로 설명한다. 단, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in detail by way of examples. However, the present invention is not limited thereto.

<실리콘 수지><Silicone Resin>

실리콘 수지 T11은, OE-6351A/B(도레이·다우코닝사제)이다. 실리콘 수지 T11의 굴절률은, 1.41이다. 실리콘 수지 T12는, KER6075LV A/B(신에쯔 가가꾸 고교사제)이다. 실리콘 수지 T12의 굴절률은, 1.45이다. 실리콘 수지 T13은, XE14-C2860(모멘티브·퍼포먼스·머티리얼사제)이다. 실리콘 수지 T13의 굴절률은, 1.50이다. 실리콘 수지 T14는, OE6630 A/B(도레이·다우코닝 가부시키가이샤제)이다. 실리콘 수지 T14의 굴절률은, 1.53이다.The silicone resin T11 is OE-6351A / B (manufactured by Dow Corning Toray Co., Ltd.). The refractive index of the silicone resin T11 is 1.41. The silicone resin T12 is KER6075LV A / B (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.). The refractive index of the silicone resin T12 is 1.45. The silicone resin T13 is XE14-C2860 (manufactured by Momentive Performance Materials). The refractive index of the silicone resin T13 is 1.50. The silicone resin T14 is OE6630 A / B (manufactured by Dow Corning Toray Co., Ltd.). The refractive index of the silicone resin T14 is 1.53.

실리콘 수지 T15는, 하기의 (E) 성분을 75중량부, (F) 성분을 10중량부, (G) 성분을 25중량부, 반응 억제제를 0.025중량부, 백금 촉매를 0.01중량부 혼합함으로써 얻었다. 실리콘 수지 T15를 사용하여 제작한 투명 수지 시트는, 25℃에서의 저장 탄성률이 1Mpa이고, 100℃에서의 저장 탄성률이 0.01MPa이고, 양호한 열 융착성을 나타냈다. 실리콘 수지 T15의 굴절률은, 1.56이다.Silicone resin T15 was obtained by mixing 75 parts by weight of the following component (E), 10 parts by weight of the component (F), 25 parts by weight of the component (G), 0.025 part by weight of the reaction inhibitor and 0.01 part by weight of the platinum catalyst . The transparent resin sheet produced using the silicone resin T15 had a storage elastic modulus at 25 占 폚 of 1 Mpa and a storage elastic modulus at 100 占 폚 of 0.01 MPa and exhibited good heat-sealability. The refractive index of the silicone resin T15 is 1.56.

실리콘 수지 T15에 있어서, (E) 성분은 (MeViSiO2/2)0.25(Ph2SiO2/2)0.3(PhSiO3/2)0.45(HO1/2)0.03이다. (F) 성분은 ViMe2SiO(MePhSiO)17.5SiMe2Vi이다. (G) 성분은 (HMe2SiO)2SiPh2이다. 단, Me는 메틸기이고, Vi는 비닐기이고, Ph는 페닐기이다. 또한, 반응 억제제는, 1-에티닐헥산올이다. 백금 촉매는, 백금-1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 착체의 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 용액이다. 이 용액의 백금 함유량은, 5중량%이다.In the silicone resin T15, the component (E) is (MeViSiO 2/2 ) 0.25 (Ph 2 SiO 2/2 ) 0.3 (PhSiO 3/2 ) 0.45 (HO 1/2 ) 0.03 . (F) is ViMe 2 SiO (MePhSiO) 17.5 SiMe 2 Vi. (G) component is (HMe 2 SiO) 2 SiPh 2 . Provided that Me is a methyl group, Vi is a vinyl group, and Ph is a phenyl group. The reaction inhibitor is 1-ethynylhexanol. The platinum catalyst is a 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane solution of a platinum-1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane complex. The platinum content of this solution was 5 wt%.

실리콘 수지 T16은, 하기의 제조법에 의해 얻었다. 실리콘 수지 T16의 굴절률은 1.60이다.The silicone resin T16 was obtained by the following production method. The refractive index of silicone resin T16 is 1.60.

실리콘 수지 T16의 제조법에서는, 반응 용기에, 1-나프틸트리메톡시실란(892.8g) 및 1,3-디비닐-1,3-디페닐디메틸디실록산(372.0g)을 투입하여, 미리 혼합한 후, 트리플루오로메탄술폰산(6.15g)을 투입하고, 교반 하, 물(213.84g)을 투입하여, 2시간 가열 환류를 행하였다. 그 후, 85℃가 될 때까지 가열 상압 증류 제거를 행하였다. 계속해서, 톨루엔(435.6g), 수산화칼륨(3.28g)을 투입하고, 반응 온도가 120℃가 될 때까지 가열 상압 증류 제거를 행하여, 이 온도에서 6시간 반응시켰다. 그 후, 실온까지 냉각하고, 아세트산(3.524g)을 투입하여, 중화하였다. 생성한 염을 여과 분별한 후, 얻어진 투명한 용액으로부터 저비점물을 가열 감압 증류 제거하여, 평균 단위식: (MePhViSiO1 / 2)0.40(NaphSiO3/2)0 .60으로 표시되는 오르가노폴리실록산 레진 P1을 957.4g 얻었다.In the production method of silicone resin T16, 1-naphthyltrimethoxysilane (892.8 g) and 1,3-divinyl-1,3-diphenyldimethyldisiloxane (372.0 g) were charged into a reaction vessel and mixed Then, trifluoromethanesulfonic acid (6.15 g) was added thereto, and water (213.84 g) was added thereto while stirring, and the mixture was heated under reflux for 2 hours. Thereafter, heating and atmospheric pressure distillation was carried out until the temperature reached 85 ° C. Subsequently, toluene (435.6 g) and potassium hydroxide (3.28 g) were charged, and the mixture was distilled off under reduced pressure and heated at 120 캜 until reaction was carried out at this temperature for 6 hours. Thereafter, the reaction mixture was cooled to room temperature, and acetic acid (3.524 g) was added to neutralize. One was separated by filtration and then the resulting salt, by removing heat from the reduced pressure distillation of the low boiling point of water a clear solution is obtained, the average unit formula: (MePhViSiO 1/2) 0.40 (NaphSiO 3/2) organopolysiloxane resin represented by P1 0 .60 Was obtained.

또한, 반응 용기에, 1-나프틸트리메톡시실란(50g)을 투입하고, 가열 용융시킨 후, 트리플루오로메탄술폰산(0.06g)을 첨가하였다. 계속해서, 45℃ 내지 50℃로 가열하면서, 아세트산(9.3g)을 적하하였다. 적하 종료 후, 50℃에서 30분간 가열 교반하였다. 반응 온도가 80℃가 될 때까지 저비점물을 가열 상압 증류 제거하였다. 그 후, 실온까지 냉각하고, 1,3,3-테트라메틸디실록산(4.4g)을 적하하여, 반응 온도가 45℃가 될 때까지 가열하였다. 계속해서, 아세트산(18g)을 45℃ 내지 50℃에서 적하하였다. 적하 종료 후, 50℃에서 30분간 가열 교반하였다. 공랭 또는 수냉에 의해 온도를 60℃ 이하로 유지하면서, 무수아세트산(15.5g)을 적하하고, 적하 종료 후, 50℃에서 30분간 가열 교반을 행하였다. 다음으로, 톨루엔과 물을 투입하고, 교반, 정치 및 하층 발출을 반복하여, 수세를 행하였다. 하층의 pH가 7인 것을 확인한 후, 상층인 톨루엔층으로부터 저비점물을 가열 감압 증류 제거하여, 평균 단위식: (HMe2SiO1 / 2)0.60(NaphSiO3/2)0 .40으로 표시되는, 무색 투명 액상의 오르가노폴리실록산 P2를 43g 얻었다.Further, 1-naphtyltrimethoxysilane (50 g) was added to the reaction vessel, and after heating and melting, trifluoromethanesulfonic acid (0.06 g) was added. Subsequently, acetic acid (9.3 g) was added dropwise while heating to 45 캜 to 50 캜. After completion of dropwise addition, the mixture was heated and stirred at 50 占 폚 for 30 minutes. The low boiling point product was distilled off under reduced pressure until the reaction temperature became 80 ° C. Thereafter, the mixture was cooled to room temperature, 1,3,3-tetramethyldisiloxane (4.4 g) was added dropwise, and the mixture was heated until the reaction temperature reached 45 ° C. Subsequently, acetic acid (18 g) was added dropwise at 45 캜 to 50 캜. After completion of dropwise addition, the mixture was heated and stirred at 50 占 폚 for 30 minutes. Acetic anhydride (15.5 g) was added dropwise by air cooling or water cooling while keeping the temperature at 60 캜 or lower, and the mixture was heated and stirred at 50 캜 for 30 minutes. Then, toluene and water were added, and the mixture was stirred, left standing, and lower layer were repeatedly washed with water. After confirming that the pH of the lower layer 7, to remove heat from the upper layer was evaporated under reduced pressure to a low-boiling water in the toluene layer, and the average unit formula: (HMe 2 SiO 1/2 ) 0.60 (NaphSiO 3/2) represented by 0, 0.40, 43 g of colorless transparent liquid organopolysiloxane P2 was obtained.

오르가노폴리실록산 레진 P1을 52.0질량부, 오르가노폴리실록산 P2를 30.0질량부, 식: HMe2SiOPh2SiOSiMe2H로 표시되는 오르가노트리실록산을 14.0질량부 및 백금-1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 착체의 1,3,5,7-테트라메틸-1,3,5,7-테트라비닐시클로테트라실록산의 용액(백금으로서 0.1질량% 함유하는 용액)을 0.25질량부 혼합하고, 경화성 실리콘 조성물을 제조하였다.52.0 parts by mass of organopolysiloxane resin P1, 30.0 parts by mass of organopolysiloxane P2, 14.0 parts by mass of organotrisiloxane represented by the formula: HMe 2 SiOPh 2 SiOSiMe 2 H, and platinum-1, 3-divinyl- , A solution of 1,3,5,7-tetramethyl-1,3,5,7-tetravinylcyclotetrasiloxane of 1,3,3-tetramethyldisiloxane complex (a solution containing 0.1% by mass of platinum) 0.25 parts by mass were mixed to prepare a curable silicone composition.

실리콘 수지 T17은, 하기의 제조법에 의해 얻었다. 실리콘 수지 T17의 굴절률은, 1.65이다.The silicone resin T17 was obtained by the following production method. The refractive index of the silicone resin T17 is 1.65.

실리콘 수지 T17의 제조법에서는, 메틸트리메톡시실란(16.6g), 페닐트리메톡시실란(56.2g), 수 평균 입경 15nm의 "옵트레이크 TR-527"(상품명, 쇼쿠바이 가세 고교(주)제 조성: 산화티타늄 입자 20중량%, 메탄올 80중량%)(194g), 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(126.9g)를 반응 용기에 넣고, 이 용액에, 물(21.9g) 및 인산(0.36g)을 교반하면서, 반응 온도가 40℃를 초과하지 않도록 적하하였다. 적하 후, 플라스크에 증류 장치를 설치하고, 얻어진 용액을 배스 온도 105℃에서 2.5시간 가열 교반하여, 가수분해에 의해 생성한 메탄올을 증류 제거하면서 반응시켰다. 그 후, 이 용액을 배스 온도 115℃에서 추가로 2시간 가열 교반한 후, 실온까지 냉각하여, 폴리실록산으로 그래프트화된 산화티타늄 입자를 얻었다.In the process for producing the silicone resin T17, methyltrimethoxysilane (16.6 g), phenyltrimethoxysilane (56.2 g), "Optraque TR-527" (trade name, manufactured by Shokubai Kasei Kogyo Co., (19.9 g) and propylene glycol monomethyl ether acetate (126.9 g) were charged in a reaction vessel and to the solution were added water (21.9 g) and phosphoric acid (0.36 g) While stirring, the reaction temperature was dropped so as not to exceed 40 캜. After the dropwise addition, a distillation apparatus was provided in the flask, and the obtained solution was heated and stirred at a bath temperature of 105 DEG C for 2.5 hours to carry out a reaction while distilling off methanol produced by hydrolysis. Thereafter, this solution was further heated and stirred at a bath temperature of 115 캜 for 2 hours, and then cooled to room temperature to obtain titanium oxide particles grafted with polysiloxane.

다음으로, 이 얻어진 산화티타늄 입자(50.00g)에 실리콘 수지 T14(8.00g)를 혼합하고, 유성식 교반·탈포 장치 "마제르스타 KK-400"(구라보사제)을 사용하여, 1000rpm으로 20분간 교반·탈포하고, 이에 의해, 실리콘 수지 T17을 제작하였다. 굴절률 측정을 행한 결과, 실리콘 수지 T17의 평균 굴절률은, 1.65였다.Next, silicone resin T14 (8.00 g) was mixed with the resulting titanium oxide particles (50.00 g) and stirred at 1000 rpm for 20 minutes using a planetary stirring and defoaming device "Mazerstar KK-400" . By defoaming, a silicone resin T17 was produced. As a result of measuring the refractive index, the average refractive index of the silicone resin T17 was 1.65.

실리콘 수지 T18은, 하기의 제조법에 의해 얻었다. 실리콘 수지 T18의 굴절률은, 1.70이다.The silicone resin T18 was obtained by the following production method. The refractive index of the silicone resin T18 is 1.70.

실리콘 수지 T18의 제조법에서는, 상술한 실리콘 수지 T17의 제조법과 동일하게 폴리실록산으로 그래프트화된 산화티타늄 입자(60.0g)에, 실리콘 수지 T14(3.0g)를 혼합하고, 유성식 교반·탈포 장치 "마제르스타 KK-400"(구라보제)을 사용하여, 1000rpm으로 20분간 교반·탈포하였다. 이에 의해, 실리콘 수지 T18을 제작하였다. 굴절률 측정을 행한 결과, 실리콘 수지 T18의 굴절률은, 1.70이었다.In the production method of the silicone resin T18, silicone resin T14 (3.0 g) was mixed with 60.0 g of the titanium oxide grains grafted with polysiloxane in the same manner as in the above-mentioned production of the silicone resin T17, Star KK-400 "(Kurabo Industries, Ltd.) for 20 minutes at 1000 rpm. Thus, a silicone resin T18 was produced. As a result of measuring the refractive index, the refractive index of the silicone resin T18 was 1.70.

<불소 수지><Fluorine Resin>

불소 수지 T21은, AF2400S(미츠이·듀퐁 플루오로 케미컬사제)이다. 불소 수지 T21의 굴절률은, 1.30이다. 불소 수지 T22는, CTX-800(CT-solv180 용액)(아사히 글래스사제)이다. 불소 수지 T22의 굴절률은, 1.35이다.The fluororesin T21 is AF2400S (manufactured by Mitsui DuPont Fluorochemical Co., Ltd.). The refractive index of the fluororesin T21 is 1.30. The fluororesin T22 is CTX-800 (CT-solv 180 solution) (manufactured by Asahi Glass). The refractive index of the fluororesin T22 is 1.35.

<형광체><Phosphor>

녹색 형광체는, GR-MW540K(덴카 가부시키가이샤제)라고 하는 β형 사이알론 형광체이다. 황색 형광체는, NYAG-02(Intematix사제)라고 하는 Ce 도프 YAG 형광체이다. 적색 형광체 T1은, KSF 형광체 샘플 A(가부시키가이샤 네모토·루미머티리얼제)이다. 적색 형광체 T2는, KSF 형광체 샘플 B(가부시키가이샤 네모토·루미머티리얼제)이다. 적색 형광체 T3은, KSF 형광체 샘플 C(가부시키가이샤 네모토·루미머티리얼제)이다. 적색 형광체 T4는, KSF 형광체 샘플 D(가부시키가이샤 네모토·루미머티리얼제)이다. 적색 형광체 T5는, KSF 형광체 샘플 E(가부시키가이샤 네모토·루미머티리얼제)이다. 적색 형광체 T6은, KSF 형광체 샘플 F(가부시키가이샤 네모토·루미머티리얼제)이다.The green phosphor is a β-type sialon phosphor called GR-MW540K (manufactured by Denka Kogyo Co., Ltd.). The yellow phosphor is a Ce-doped YAG phosphor called NYAG-02 (manufactured by Intematix). The red phosphor T1 is a KSF phosphor sample A (manufactured by NEMOTO RUMI MATERIALS CO., LTD.). And the red phosphor T2 is a KSF phosphor sample B (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., Rumi Material Co., Ltd.). The red phosphor T3 is a KSF phosphor sample C (manufactured by Nemoto, Rumi Material Co., Ltd.). The red phosphor T4 is a KSF phosphor sample D (manufactured by Nemoto, Rumi Material Co., Ltd.). The red phosphor T5 is a KSF phosphor sample E (manufactured by Nemoto, Rumi Material Co., Ltd.). The red phosphor T6 is a KSF phosphor sample F (manufactured by Nemoto, Rumi Material Co., Ltd.).

본 실시예에서 사용한 적색 형광체 T1 내지 T6의 D10, D50 및 D90은, 이하의 방법으로 측정하였다. 이 측정 결과는, 표 1에 나타내었다. 표 1에는, 측정한 D10, D50 및 D90을 바탕으로 상술한 식 (11)에 기초하여 산출되는 값 x도 나타낸다.D10, D50 and D90 of the red phosphors T1 to T6 used in this example were measured by the following methods. The measurement results are shown in Table 1. Table 1 also shows the value x calculated on the basis of the above-described formula (11) based on the measured D10, D50 and D90.

적색 형광체 T1 내지 T6의 D10, D50 및 D90의 측정 방법에서는, 후술하는 바와 같이 형광체 시트(예를 들어 도 1A, 1B에 나타내는 형광체 시트(4))를 제작하고, 그 형광체층의 단면을 SEM으로 관찰하여, 얻어진 2차원 화상에서, 입자의 외측 테두리와 2점에서 교차하는 직선의 당해 2개의 교점 간의 거리 중, 최대가 되는 거리를 산출하고, 그것을 입자의 개별 입경으로 정의하였다. 관찰된 전체 입자의 개별 입경으로부터 구해지는 입도 분포에서, 소입경 측에서부터의 통과분 적산 10%의 입경을 D10으로 하고, 통과분 적산 50%의 입경을 D50으로 하고, 통과분 적산 90%의 입경을 D90으로 하였다.In the method of measuring D10, D50 and D90 of the red phosphors T1 to T6, a phosphor sheet (for example, a phosphor sheet 4 shown in Figs. 1A and 1B) is prepared as described below and the cross section of the phosphor layer is measured by SEM From the obtained two-dimensional image, the maximum distance among the two intersections of the straight line intersecting with the outer edge of the particle at two points was calculated and defined as individual particle diameters of the particles. The particle size of 10% of the passing particle size distribution from the small particle size side was D10, the particle size of the passing particle size distribution 50% was D50, and the particle size of the passing particle size distribution 90% To D90.

Figure pct00001
Figure pct00001

<기재 필름><Base film>

기재 필름은, 본 발명에 있어서의 형광체 시트의 지지체(예를 들어 도 1A, 1B에 나타내는 지지체(3))의 일례이다. 본 실시예에 있어서, 기재 필름은, PET 필름으로 하였다. 이 PET 필름은, "세라필" BX9(도레이 필름 가공(주)제)이고, 그 막 두께는 50㎛이다.The base film is an example of a support (for example, the support 3 shown in Figs. 1A and 1B) of the phosphor sheet in the present invention. In the present embodiment, the base film was a PET film. This PET film is "Cerafil" BX9 (manufactured by Toray Film Processing Co., Ltd.), and its film thickness is 50 μm.

<실리콘 미립자>&Lt; Silicon fine particles &

실리콘 미립자는, 이하의 제조 방법에 의해 얻었다.The silicon fine particles were obtained by the following production methods.

실리콘 미립자의 제조 방법에서는, 2L 4구 둥근 바닥 플라스크에 교반기, 온도계, 환류관, 적하 깔때기를 설치하고, 이 플라스크에, 계면 활성제로서 폴리에테르 변성 실록산 "BYK333"을 10000ppm 포함하는 2.5%의 암모니아수(2L)를 넣고, 300rpm으로 교반하면서, 오일 배스에 의해 승온하였다. 내온 50℃에 도달한 곳에서, 적하 깔때기로부터 메틸트리메톡시실란과 페닐트리메톡시실란의 혼합물(22/78mol%)(200g)을 30분에 걸쳐 적하하였다. 그대로의 온도에서, 추가로 60분간 교반을 계속한 후, 아세트산(시약 특급)(약 5g)을 첨가하고, 교반 혼합한 후, 여과를 행하였다. 여과기 상의 생성 입자에 물(600mL)을 2회, 메탄올(200mL)을 1회 첨가하고, 여과, 세정을 행하였다. 여과기 상의 케이크를 취출하고, 해쇄 후, 10시간에 걸쳐 동결 건조함으로써, 실리콘 미립자로서 백색 분말(40g)을 얻었다.In the method for producing silicon fine particles, a stirrer, a thermometer, a reflux tube, and a dropping funnel were placed in a 2 L four-necked round bottom flask, and 2.5% ammonia water containing 10000 ppm of polyether modified siloxane "BYK333" as a surfactant 2L) was added, and the mixture was heated with an oil bath while stirring at 300 rpm. When the internal temperature reached 50 캜, a mixture (22/78 mol%) of methyltrimethoxysilane and phenyltrimethoxysilane (200 g) was added dropwise from the dropping funnel over 30 minutes. Stirring was further continued at the same temperature for 60 minutes, acetic acid (reagent grade) (about 5 g) was added, stirred and mixed, and filtration was carried out. Water (600 mL) was added to the resulting particles on the filter twice, and methanol (200 mL) was added once, followed by filtration and washing. The cake on the filter was taken out and freeze-dried for 10 hours after being crushed to obtain a white powder (40 g) as silicon fine particles.

얻어진 실리콘 미립자는, SEM으로 관찰한 바, 단분산 구상 미립자인 것을 확인할 수 있었다. 얻어진 SEM 화상으로부터, 이 실리콘 미립자의 평균 입경을 산출한 결과, 50nm였다. 이 실리콘 미립자의 굴절률을 액침법에 의해 측정한 결과, 1.54였다. 이 실리콘 미립자를 단면 TEM에서 관찰한 결과, 입자 내가 단일 구조의 미립자인 것을 확인할 수 있었다.As a result of observation by SEM, it was confirmed that the obtained silicon fine particles were monodispersed spherical fine particles. From the obtained SEM image, the average particle diameter of the silicon fine particles was calculated and found to be 50 nm. The refractive index of the silicon fine particles was measured by an immersion method and found to be 1.54. As a result of observing the silicon microparticles in cross section TEM, it was confirmed that the particles were fine particles having a single structure.

<실리카 미립자>&Lt; Silica fine particles &

실리카 미립자 T31은, Aerosil 200(닛본 에어로실(주)제)이다. 실리카 미립자 T31의 평균 입경은, 12nm이다. 실리카 미립자 T31의 굴절률은, 1.46이다. 실리카 미립자 T32는, "애드마나노" YA050C(애드마텍스(주)제)이다. 실리카 미립자 T32의 평균 입경은, 50nm이다. 실리카 미립자 T32의 굴절률은, 1.46이다. 실리카 미립자 T33은, "애드마나노" YA100C(애드마텍스(주)제)이다. 실리카 미립자 T33의 평균 입경은 100nm이다. 실리카 미립자 T33의 굴절률은, 1.46이다. 실리카 미립자 T34는, "애드마파인" SO-E1(애드마텍스(주)제)이다. 실리카 미립자 T34의 평균 입경은 250nm이다. 실리카 미립자 T34의 굴절률은, 1.46이다. 실리카 미립자 T35는, HPS-1000(도아 고세(주)제)이다. 실리카 미립자 T35의 평균 입경은, 1000nm이다. 실리카 미립자 T35의 굴절률은, 1.46이다. 실리카 미립자 T36은, "애드마파인" SO-E5(애드마텍스(주)제)이다. 실리카 미립자 T36의 평균 입경은, 1500nm이다. 실리카 미립자 T36의 굴절률은, 1.46이다.The fine silica particles T31 are Aerosil 200 (manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd.). The average particle diameter of the fine silica particles T31 is 12 nm. The refractive index of the fine silica particles T31 is 1.46. The silica fine particle T32 is "Adamanano" YA050C (manufactured by Admatechs Co., Ltd.). The average particle diameter of the fine silica particles T32 is 50 nm. The refractive index of the silica fine particle T32 is 1.46. The fine silica particles T33 are "Adamanano" YA100C (manufactured by Admatechs Co., Ltd.). The average particle diameter of the silica fine particles T33 is 100 nm. The refractive index of the silica fine particle T33 is 1.46. The fine silica particles T34 are "Admafine" SO-E1 (manufactured by Admatechs Co., Ltd.). The average particle diameter of the fine silica particles T34 is 250 nm. The refractive index of the fine silica particles T34 is 1.46. The silica fine particle T35 is HPS-1000 (manufactured by Dojo Kasei Corporation). The average particle diameter of the fine silica particles T35 is 1000 nm. The refractive index of the silica fine particle T35 is 1.46. The fine silica particles T36 are "ADMAPINE" SO-E5 (manufactured by Admatechs Co., Ltd.). The average particle diameter of the silica fine particles T36 is 1500 nm. The refractive index of the silica fine particle T36 is 1.46.

<알루미나 미립자><Alumina fine particles>

알루미나 미립자는, Aeroxide AluC(닛본 에어로실(주)제)이다. 이 알루미나 미립자의 평균 입경은, 12nm이다. 이 알루미나 미립자의 굴절률은, 1.77이다.The alumina fine particles are Aeroxide AluC (manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd.). The average particle diameter of the alumina fine particles is 12 nm. The refractive index of the alumina fine particles is 1.77.

<티타니아 미립자><Titania fine particles>

티타니아 미립자는, MT-01(테이카 가부시키가이샤제)이다. 이 티타니아 미립자의 평균 입경은, 10nm이다. 이 티타니아 미립자의 굴절률은, 2.50이다.The titania fine particle is MT-01 (manufactured by Teika K.K.). The average particle diameter of the titania fine particles is 10 nm. The refractive index of the titania fine particles is 2.50.

<형광체 시트의 제작><Fabrication of phosphor sheet>

본 실시예에 있어서의 형광체 시트의 제작에서는, 용적 300mL의 폴리에틸렌제 용기에 실리콘 수지, 실리콘 미립자, 적색 형광체, 녹색 형광체를 소정의 비율로 혼합하였다. 또한, 용매로서 톨루엔을 8wt% 첨가하고, 유성식 교반·탈포 장치 "마제르스타 KK-400"(구라보제)을 사용하여, 1000rpm으로 교반·탈포하고, 형광체층 제작용 수지액을 얻었다. 그 후, 슬릿 다이 코터를 사용하여 형광체층 제작용 수지액을 PET 필름 상에 도포하고, 130℃에서 30분 건조시킴으로써, 형광체층을 제작하고, 형광체 시트를 얻었다.In the production of the phosphor sheet in the present embodiment, a silicone resin, a silicon fine particle, a red phosphor and a green phosphor were mixed at a predetermined ratio in a polyethylene container having a volume of 300 mL. Further, toluene was added as a solvent in an amount of 8 wt% and stirred and defoamed at 1000 rpm using a planetary stirring and defoaming device "Mazerstar KK-400" (Kurabo) to obtain a resin solution for producing a phosphor layer. Thereafter, a resin solution for forming a phosphor layer was coated on a PET film using a slit die coater and dried at 130 DEG C for 30 minutes to obtain a phosphor layer, and a phosphor sheet was obtained.

<형광체층의 막 두께 측정><Measurement of Film Thickness of Phosphor Layer>

본 실시예에 있어서의 형광체층의 막 두께 측정으로는, 형광체층을 제작하는 PET 필름의 소정 위치 두께를 미리 마이크로미터로 측정하고, 마킹하였다. 계속해서, 형광체층을 이 PET 필름 상에 제작하고, 그 후, 마킹 부분의 두께를 다시 마이크로미터로 측정하였다. 얻어진 두께로부터, 먼저 측정해 둔 PET 필름의 두께를 차감함으로써, 이 형광체층의 막 두께를 얻었다. 본 실시예에 있어서, 막 두께는 10mm 간격으로 바둑판눈상으로 25점 측정하고, 이들의 평균값을 형광체층의 막 두께로 하였다.In the film thickness measurement of the phosphor layer in the present embodiment, the predetermined position thickness of the PET film for fabricating the phosphor layer was measured in advance in micrometers and marked. Subsequently, a phosphor layer was formed on the PET film, and then the thickness of the marking portion was measured again by micrometer. The film thickness of the phosphor layer was obtained by subtracting the thickness of the PET film measured first from the obtained thickness. In the present embodiment, the film thickness was measured at 25 points on a checkerboard eye at intervals of 10 mm, and the average value thereof was defined as the film thickness of the phosphor layer.

<직접 도포법에 의한 투명 수지층의 형성><Formation of Transparent Resin Layer by Direct Coating Method>

본 실시예에 있어서의 직접 도포법에 의한 투명 수지층의 형성에서는, 용적 300mL의 폴리에틸렌제 용기에 실리콘 수지 또는 불소 수지, 미립자를 소정의 비율로 혼합하였다. 또한, 용매로서 톨루엔을 5wt% 첨가하고, 그 후, 유성식 교반·탈포 장치 "마제르스타 KK-400"(구라보제)을 사용하여, 1000rpm으로 20분간 교반·탈포하고, 투명 수지층 제작용 수지액을 얻었다. 계속해서, 슬릿 다이 코터를 사용하여 투명 수지층 제작용 수지액을 형광체층 상에 도포하고, 130℃에서 30분 건조시킴으로써, 이 형광체층 상에 투명 수지층을 형성하였다. 이 결과, 형광체층 상에 투명 수지층을 구비하는 형광체 시트를 얻었다. 이하, 「형광체층 상에 투명 수지층을 구비하는 형광체 시트」는, 「투명 수지층 구비 형광체 시트」라고 적절히 칭해진다.In the formation of the transparent resin layer by the direct coating method in the present embodiment, a silicone resin, a fluororesin, and fine particles were mixed at a predetermined ratio in a polyethylene container having a volume of 300 mL. Further, 5 wt% of toluene was added as a solvent, and then stirred and defoamed at 1000 rpm for 20 minutes using a planetary stirring and defoaming device "Mazerusta KK-400" (Kurabo) Solution. Subsequently, a resin solution for forming a transparent resin layer was coated on the phosphor layer using a slit die coater and dried at 130 캜 for 30 minutes to form a transparent resin layer on the phosphor layer. As a result, a phosphor sheet having a transparent resin layer on the phosphor layer was obtained. Hereinafter, the &quot; phosphor sheet having a transparent resin layer on the phosphor layer &quot; is appropriately referred to as &quot; phosphor sheet with transparent resin layer &quot;.

<투명 수지 시트법에 의한 투명 수지층의 형성>&Lt; Formation of transparent resin layer by transparent resin sheet method >

본 실시예에 있어서의 투명 수지 시트법에 의한 투명 수지층의 형성에서는, 슬릿 다이 코터를 사용하여 투명 수지층 제작용 수지액을 PET 필름 상에 도포하고, 130℃에서 30분 건조시킴으로써, 투명 수지 시트를 얻었다. 계속해서, 닛코·머티리얼즈 가부시키가이샤제의 진공 라미네이터 V130을 사용하여, 형광체 시트의 형광체층과 투명 수지 시트의 투명 수지층을, 1hPa의 진공 분위기 하에서 100℃에서 30초 가열 압착함으로써, 접합하였다. 그 후, 투명 수지 시트측의 PET 필름을 박리하고, 이에 의해, 이 형광체층 상에 투명 수지층을 형성하였다. 이 결과, 투명 수지층 구비 형광체 시트를 얻었다.In the formation of the transparent resin layer by the transparent resin sheet method in the present embodiment, a resin solution for forming a transparent resin layer was applied on a PET film using a slit die coater and dried at 130 DEG C for 30 minutes, A sheet was obtained. Subsequently, the phosphor layer of the phosphor sheet and the transparent resin layer of the transparent resin sheet were heated and pressed at 100 캜 for 30 seconds in a vacuum atmosphere of 1 hPa by using a vacuum laminator V130 manufactured by Nikko-Materials, Ltd. . Thereafter, the PET film on the transparent resin sheet side was peeled off, thereby forming a transparent resin layer on the phosphor layer. As a result, a phosphor sheet with a transparent resin layer was obtained.

<투명 수지층의 막 두께 측정><Measurement of Film Thickness of Transparent Resin Layer>

본 실시예에 있어서의 투명 수지층의 막 두께 측정에서는, 투명 수지층을 제작하는 형광체 시트의 소정 위치 두께를 미리 마이크로미터로 측정하고, 마킹하였다. 계속해서, 투명 수지층을 이 형광체 시트 상에 형성하고, 그 후, 마킹 부분의 두께를 다시 마이크로미터로 측정하였다. 얻어진 두께로부터, 먼저 측정해 둔 두께를 차감함으로써, 이 투명 수지층의 막 두께를 얻었다. 본 실시예에 있어서, 막 두께는 10mm 간격으로 바둑판눈상으로 25점 측정하였다. 이 측정 결과로부터, 각각의 샘플의 평균값 및 막 두께 변동(=최대 막 두께-최소 막 두께)을 산출하였다.In the film thickness measurement of the transparent resin layer in the present embodiment, the predetermined position thickness of the phosphor sheet for producing the transparent resin layer was measured in advance by micrometer and marked. Subsequently, a transparent resin layer was formed on the phosphor sheet, and then the thickness of the marking portion was measured again with a micrometer. The film thickness of the transparent resin layer was obtained by subtracting the thickness measured first from the obtained thickness. In the present embodiment, the film thickness was measured at 25 points on a checkerboard at intervals of 10 mm. From this measurement result, the average value and film thickness variation (= maximum film thickness - minimum film thickness) of each sample were calculated.

<공극률 측정>&Lt; Measurement of porosity &

본 실시예에 있어서의 공극률 측정으로는, 형광체 시트를 집속 이온빔(FIB) 가공법에 의해 절단하고, 형광체층의 단면을 SEM에 의해 관찰하였다. 1개의 형광체 시트에 대하여 20군데의 단면을 관찰하고, 얻어진 20장의 2차원 화상의 공극에 상당하는 단면적의 합계를 산출하였다. 이 공극에 상당하는 단면적의 합계를, 이들 20장의 2차원 화상의 단면적 합계로 나눔으로써, 이 형광체층의 공극률을 얻었다.In the porosity measurement in the present embodiment, the phosphor sheet was cut by a focused ion beam (FIB) processing method, and the cross section of the phosphor layer was observed by SEM. 20 cross sections were observed with respect to one phosphor sheet and the sum of the cross sectional areas corresponding to the voids of the 20 two-dimensional images obtained was calculated. The porosity of this phosphor layer was obtained by dividing the total cross-sectional area corresponding to this gap by the cross-sectional sum of these 20 two-dimensional images.

<발광체의 제조 방법>&Lt; Method of producing luminous body &

본 실시예에 있어서의 발광체의 제조 방법에서는, 상술한 바와 같이 제작한 형광체 시트 또는 투명 수지층 구비 형광체 시트(1cm각(角))를 커팅 장치(UHT사제GCUT)에 의해 커트하고, 이에 의해, 1mm각의 개편 시트를 100개, 제작하였다. 본 실시예에 있어서, 개편 시트는, 형광체 시트 또는 투명 수지층 구비 형광체 시트를 개편화한 것이다. 계속해서, 다이 본딩 장치(도레이 엔지니어링제)를 사용하여, 1mm각의 개편 시트(형광체층 등)을 콜릿으로 진공 흡착하여 기재 필름으로부터 박리하였다. 이 개편 시트의 형광체층을, 플립칩형의 청색 LED 칩이 실장되고, 또한 이 청색 LED 칩의 주위에 리플렉터가 형성된 LED 패키지의 청색 LED 칩 표면에, 위치 정렬하여 부착하였다. 이때, 이 청색 LED 칩 상에 미리 접착제를 도포하고, 이 접착제를 개재하여 형광체층을 부착하였다. 이 접착제에는, 실리콘 수지 T15를 사용하였다. 이와 같이 하여, 형광체 시트 또는 투명 수지층 구비 형광체 시트를 구비한 발광체를 제작하였다.In the method of manufacturing the light emitting body in this embodiment, the phosphor sheet prepared as described above or the phosphor sheet (1 cm square) having the transparent resin layer is cut with a cutting device (GCUT manufactured by UHT) 100 pieces of 1 mm-square pieces of the prepared sheets were produced. In the present embodiment, the textured sheet is a piece of a phosphor sheet or a phosphor sheet having a transparent resin layer. Subsequently, using a die bonding apparatus (manufactured by TORAY ENGINEERING CO., LTD.), A 1 mm square piece of a release sheet (phosphor layer or the like) was vacuum-adsorbed by a collet to peel off from the base film. The phosphor layers of the redistributed sheets were aligned and attached to the surface of the blue LED chip of the LED package having the flip chip type blue LED chip mounted thereon and the reflector formed around the blue LED chip. At this time, an adhesive was applied on the blue LED chip in advance, and the phosphor layer was attached via the adhesive. Silicone resin T15 was used for this adhesive. Thus, a phosphor sheet or a phosphor sheet with a transparent resin layer was produced.

<색도, 전체 광속 측정><Chromaticity, Total luminous flux measurement>

본 실시예에 있어서의 색도 및 전체 광속의 측정에서는, 상술한 바와 같이 제작한 발광체에 1W의 전력을 투입하고, 이 발광체의 LED 칩을 점등시켜, 전체 광속 측정 시스템(HM-3000, 오츠카 덴시사제)을 사용하여, CIE1931 XYZ 표색계의 색도(Cx, Cy) 및 전체 광속(lm)을 측정하였다. 본 실시예에서는, 각 형광체 시트에 대해서, 각각 10개의 발광체(LED 칩을 구비한 것)를 제작하고, 이들 10개의 발광체의 색도 평균값과, 색도 변동의 지표인 색도 Cx의 표준 편차(σ)를 구하였다.In the measurement of the chromaticity and the total flux of light in the present embodiment, electric power of 1 W was applied to the luminous body prepared as described above, and the LED chip of the luminous body was turned on to measure the total luminous flux measurement system (HM- 3000, (Cx, Cy) and the total luminous flux (lm) of the CIE 1931 XYZ color coordinate system were measured using a spectrophotometer. In this embodiment, ten light emitting bodies (including LED chips) are fabricated for each phosphor sheet, and the average of chromaticity values of these ten light emitting bodies and the standard deviation (?) Of the chromaticity Cx, which is an index of chromaticity fluctuation, Respectively.

<전체 광속 유지율 측정>&Lt; Measurement of total lumen maintenance ratio &

본 실시예에 있어서의 전체 광속 유지율의 측정에서는, 각 형광체 시트를 청색 LED 칩에 탑재한 발광체에, 1W의 전력을 투입하고, 이 청색 LED 칩을 점등시켜, 이 점등 상태의 발광체(청색 LED 칩)를 온도 85℃, 습도 85%의 조건 하에서 방치하고, 300시간 경과 후의 전체 광속을 측정하였다. 하기의 식에 기초하여 전체 광속 유지율을 산출함으로써, 발광체 및 그 형광체 시트의 내구성을 평가하였다. 전체 광속 유지율이 높을수록, 내구성이 우수한 것을 나타낸다.In the measurement of the total luminous flux retention ratio in the present embodiment, power of 1 W is supplied to a light emitting body on which each phosphor sheet is mounted on the blue LED chip, and the blue LED chip is lit, and the light emitting body ) Was left under the conditions of a temperature of 85 DEG C and a humidity of 85%, and the total luminous flux after 300 hours passed was measured. The durability of the phosphor and the phosphor sheet was evaluated by calculating the total luminous flux retention ratio based on the following formula. The higher the total luminous flux maintenance ratio, the better the durability.

전체 광속 유지율(%)=(300시간 경과 후의 전체 광속/시험 개시 직후의 전체 광속)×100Total luminous flux maintenance rate (%) = (total luminous flux after 300 hours / total luminous flux immediately after start of test) × 100

<색 재현 범위 측정><Color reproduction range measurement>

본 실시예에 있어서의 색 재현 범위의 측정에서는, 상술한 바와 같이 제작한 발광체 상에 공지된 방법으로 제작한 적색광을 투과하는 컬러 필터를 얹어, 발광 광의 색도를 측정하였다. 마찬가지로, 이 발광체 상에 녹색 광을 투과하는 컬러 필터를 얹었을 경우와 청색광을 투과하는 컬러 필터를 얹었을 경우의 각각에 대해서, 발광 광의 색도를 측정하였다. 얻어진 3개의 색도를 정점으로 한 삼각형의 면적을 DCI 색도 영역의 면적으로 나눔으로써, DCI비를 산출하였다. DCI비가 높을수록, 색 재현성이 양호하다.In the measurement of the color reproduction range in the present embodiment, a color filter transmitting red light produced by a known method on a luminous body prepared as described above was placed, and the chromaticity of the emitted light was measured. Likewise, the chromaticity of the emitted light was measured for each of a case where a color filter transmitting green light was placed on this light emitting body and a case where a color filter transmitting blue light was placed. The DCI ratio was calculated by dividing the area of the triangle having the obtained three chromaticities as apexes by the area of the DCI chromaticity region. The higher the DCI ratio, the better the color reproducibility.

<굴절률 측정>&Lt; Measurement of refractive index &

본 실시예에 있어서의 굴절률의 측정에서는, 굴절률·막 두께 측정 장치 "프리즘 커플러 MODEL2010/M"(메트리콘사제)을 사용하여, 굴절률 측정 샘플의 굴절률을 측정하고, 이에 의해, 실리콘 수지 및 불소 수지 경화물의 굴절률을 측정하였다.In the measurement of the refractive index in the present embodiment, the refractive index of the refractive index measurement sample was measured using a refractive index / film thickness measuring apparatus "prism coupler MODEL2010 / M" (manufactured by Metricon) The refractive index of the cured product was measured.

<굴절률 측정 샘플 제작>&Lt; Preparation of refractive index measurement sample &

본 실시예에 있어서의 굴절률 측정 샘플의 제작에서는, 형광체 시트에 함유하는 수지를, 유성식 교반 탈포 장치 "마제르스타 KK-400"(구라보사제)을 사용하여, 1000rpm으로 10분간 교반하고, 탈포하여, 이 수지의 분산액을 제작하였다. 이 분산액을, PET 필름 상에 5cc 적하한 후, 오븐에 의해 150℃에서 1시간 가열하고, 이에 의해, 굴절률 측정 샘플로 하여 평균 굴절률 측정 샘플을 제작하였다.In the production of the refractive index measurement sample in this example, the resin contained in the phosphor sheet was stirred for 10 minutes at 1000 rpm using a planetary stirring defoaming device "Mazerstar KK-400" (manufactured by Gurabo) , And a dispersion of this resin was prepared. 5 cc of this dispersion was dropped onto the PET film, and then heated in an oven at 150 占 폚 for 1 hour, thereby obtaining an average refractive index measurement sample as a refractive index measurement sample.

<투과율 측정><Measurement of transmittance>

본 실시예에 있어서의 투과율 측정에 있어서, 미립자를 함유하는 투명 수지층의 광 투과율은, 분광 광도계(U-4100 Spectrophotomater(히다치 세이사꾸쇼제))에 부속의 적분구를 사용한 기본 구성으로, 투과율 측정 샘플의 광 투과율을 측정함으로써 얻었다. 투과율 측정 샘플은, 각 실시예에서 제작한 것을 사용하였다. 이 광 투과율의 측정 조건에 대해서는, 슬릿은 2nm로 하고, 주사 속도는 600nm/분으로 하였다. 또한, 얻어진 측정 결과에 있어서, 파장 400nm 내지 800nm에서의 광 투과율 중 가장 작은 값은, 최소 투과율로 하였다.In the transmittance measurement in the present embodiment, the light transmittance of the transparent resin layer containing fine particles was measured using a spectrophotometer (U-4100 Spectrophotomater (Hitachi Sekisui Co., Ltd.) And measuring the light transmittance of the measurement sample. The transmittance measurement samples used in the examples were used. Regarding the measurement conditions of the light transmittance, the slit was 2 nm and the scanning speed was 600 nm / min. Further, in the obtained measurement results, the smallest value among the light transmittances at wavelengths of 400 nm to 800 nm was set to the minimum transmittance.

<투과율 측정 샘플의 제작>&Lt; Preparation of transmittance measurement sample >

본 실시예에 있어서의 투과율 측정 샘플의 제작에서는, 투명 수지층에 사용하는 실리콘 수지 및 미립자를, 용적 300mL의 폴리에틸렌제 용기에 혼합하고, 유성식 교반 탈포 장치 "마제르스타 KK-400"(구라보사제)을 사용하여, 1000rpm으로 10분간 교반하고, 탈포하여, 분산액을 제작하였다. 이 분산액을, 석영 유리 상에 블레이드 코터에 의해 도포한 후, 오븐에 의해 150℃에서 1시간 가열한다. 이와 같이 하여, 투과율 측정 샘플은, 각 실시예에 대하여 제작하였다.In the production of the transmittance measurement sample in the present embodiment, the silicone resin and the fine particles used for the transparent resin layer were mixed in a polyethylene container having a volume of 300 mL, and a planetary stirring defoaming apparatus "Mazerstar KK-400" ) At 1000 rpm for 10 minutes and defoamed to prepare a dispersion. This dispersion is coated on quartz glass by a blade coater and then heated in an oven at 150 DEG C for 1 hour. Thus, the transmittance measurement sample was prepared for each example.

<투과율 측정 샘플의 막 두께 측정><Measurement of Film Thickness of Transmittance Measurement Sample>

본 실시예에 있어서의 투과율 측정 샘플의 막 두께 측정에서는, 석영 유리의 소정 위치 두께를 미리 마이크로미터로 측정하고, 이 측정한 위치를 마킹하였다. 계속해서, 이 석영 유리 상에 투명 수지층의 투과율 측정 샘플을 형성한 후, 마킹 부분의 두께를 다시 마이크로미터로 측정하였다. 얻어진 두께로부터, 먼저 측정해 둔 석영 유리의 두께를 차감함으로써, 이 투과율 측정 샘플의 막 두께를 얻었다. 막 두께는 10mm 간격으로 바둑판눈상으로 25점 측정하고, 이들의 평균값을 투과율 측정 샘플의 막 두께로 하였다.In the measurement of the film thickness of the transmittance measuring sample in the present embodiment, the predetermined position thickness of the quartz glass was measured in micrometers in advance, and the measured position was marked. Subsequently, a sample for measuring the transmittance of the transparent resin layer was formed on the quartz glass, and then the thickness of the marking portion was measured again by micrometer. The film thickness of this transmittance measurement sample was obtained by subtracting the thickness of the quartz glass which was measured from the obtained thickness first. The film thickness was measured at 25 points on a checkerboard at intervals of 10 mm, and the average value thereof was defined as the film thickness of the transmittance measurement sample.

(실시예 1 내지 6)-형광체의 입경에 의한 영향-(Examples 1 to 6) - Influence by particle size of phosphor -

실시예 1 내지 6에서는, 표 2에 나타낸 조성의 형광체층을 구비한 형광체 시트를 제작하고, 상술한 방법에 의해 공극률을 측정하였다. 또한, 실시예 1 내지 6의 각각에서 얻어진 형광체 시트를 사용하여 발광체(발광 장치)를 제작하고, 상술한 방법에 의해, 색도, 전체 광속, 전체 광속 유지율, 색 재현 범위를 측정하였다. 이들의 측정 결과는, 표 3에 나타내었다. 표 2, 3을 참조하여 알 수 있는 바와 같이, 본 발명에 따른 형광체 시트를 사용한 경우, 실시예 1 내지 6 모두, 색 재현성이 우수하고, 고광속의 발광체를 얻을 수 있었다. 또한, 표 1에 나타내는 적색 형광체 T2 내지 T6의 D50과 같이, 적색 형광체의 D50이 10㎛ 이상이면, 전체 광속이 보다 향상되고, 표 1에 나타내는 적색 형광체 T3 내지 T6의 D10과 같이, 적색 형광체의 D10이 5㎛ 이상이면, 전체 광속 유지율이 보다 향상되는 것을 알 수 있었다. 또한, 표 1에 나타내는 적색 형광체 T1 내지 T6의 D10 및 D50과 같이, 적색 형광체의 D10 및 D50이 클수록, 형광체 시트의 공극률은 작아지는 경향이 보였다.In Examples 1 to 6, a phosphor sheet having a phosphor layer having the composition shown in Table 2 was prepared, and the porosity was measured by the above-described method. Further, a phosphor (light-emitting device) was produced using the phosphor sheet obtained in each of Examples 1 to 6, and the chromaticity, total luminous flux, total luminous flux maintenance ratio and color reproduction range were measured by the above-described method. The results of these measurements are shown in Table 3. As can be seen from Tables 2 and 3, when the phosphor sheet according to the present invention was used, in all of Examples 1 to 6, a luminous body with high color reproducibility and high brightness was obtained. Further, as in the D50 of the red phosphors T2 to T6 shown in Table 1, if the D50 of the red phosphor is 10 m or more, the total luminous flux is further improved, and as in D10 of the red phosphors T3 to T6 shown in Table 1, It was found that when the D10 was 5 占 퐉 or more, the total luminous flux retention ratio was further improved. In addition, as D10 and D50 of the red phosphors T1 to T6 shown in Table 1, the larger the D10 and D50 of the red phosphor, the smaller the porosity of the phosphor sheet was.

Figure pct00002
Figure pct00002

Figure pct00003
Figure pct00003

(실시예 7 내지 13)-형광체의 농도에 의한 영향-(Examples 7 to 13) Influence of phosphor concentration -

실시예 7 내지 13에서는, 표 4에 나타낸 조성의 형광체층을 구비한 형광체 시트를 제작하고, 상술한 방법에 의해 공극률을 측정하였다. 또한, 실시예 7 내지 13의 각각에서 얻어진 형광체 시트를 사용하여 발광체를 제작하고, 상술한 방법에 의해, 색도, 전체 광속, 전체 광속 유지율, 색 재현 범위를 측정하였다. 이들의 측정 결과는, 표 5에 나타내었다. 또한, 표 4는 실시예 6의 조성을 재게하고, 표 5는 실시예 6의 결과를 재게한다. 표 4, 5로부터, 적색 형광체 T6 및 녹색 형광체 등의 형광체의 농도가 높을수록, 전체 광속 유지율이 보다 향상되는 것을 알 수 있었다.In Examples 7 to 13, a phosphor sheet having a phosphor layer of the composition shown in Table 4 was prepared, and the porosity was measured by the above-mentioned method. In addition, a phosphor was produced using the phosphor sheet obtained in each of Examples 7 to 13, and the chromaticity, total luminous flux, total luminous flux maintenance ratio, and color reproduction range were measured by the above-described method. The results of these measurements are shown in Table 5. Table 4 shows the composition of Example 6, and Table 5 shows the results of Example 6. From Tables 4 and 5, it can be seen that the higher the concentration of the phosphor such as the red phosphor T6 and the green phosphor is, the more the total luminous flux retention rate is improved.

Figure pct00004
Figure pct00004

Figure pct00005
Figure pct00005

(실시예 14 내지 17)-실리콘 미립자의 효과-(Examples 14 to 17) - Effect of silicon fine particles -

실시예 14 내지 17에서는, 표 6에 나타낸 조성의 형광체층을 구비한 형광체 시트를 제작하고, 상술한 방법에 의해 공극률을 측정하였다. 또한, 실시예 14 내지 17의 각각에서 얻어진 형광체 시트를 사용하여 발광체를 제작하고, 상술한 방법에 의해, 색도, 전체 광속, 전체 광속 유지율, 색 재현 범위를 측정하였다. 이들의 측정 결과는, 표 7에 나타내었다. 표 6, 7로부터, 실리콘 미립자를 함유함으로써, 색도 변동(σ(Cx))은 더욱 개선되는 것을 알 수 있었다.In Examples 14 to 17, a phosphor sheet having a phosphor layer having the composition shown in Table 6 was prepared, and the porosity was measured by the above-described method. Further, a phosphor was produced using the phosphor sheets obtained in Examples 14 to 17, and the chromaticity, total luminous flux, total luminous flux maintenance ratio, and color reproduction range were measured by the above-described method. The results of these measurements are shown in Table 7. From Tables 6 and 7, it was found that the chromaticity variation (? (Cx)) was further improved by containing silicon fine particles.

Figure pct00006
Figure pct00006

Figure pct00007
Figure pct00007

(실시예 18)-적색 형광체층과 녹색 형광체층의 2층품-(Example 18) - A two-layer product of a red phosphor layer and a green phosphor layer -

실시예 18에서는, 실리콘 수지 T15가 50wt%이고, 적색 형광체 T6이 50wt%인 조성으로, 형광체 시트를 제작하였다. 마찬가지로, 실리콘 수지 T15가 50wt%이고, 녹색 형광체가 50wt%인 조성으로, 형광체 시트를 제작하였다. 이들의 얻어진 2매의 형광체 시트의 형광체층측을, 진공 라미네이터 V130(닛코·머티리얼즈 가부시키가이샤제)을 사용하여 접합하고, 이에 의해, 적색 형광체를 포함하는 형광체층과 녹색 형광체를 포함하는 층이 적층된 형광체 시트를 제작하고, 상술한 방법에 의해 공극률을 측정하였다. 또한, 이 얻어진 형광체 시트를 사용하여 발광체를 제작하고, 상술한 방법에 의해, 색도, 전체 광속, 전체 광속 유지율, 색 재현 범위를 측정하였다. 이들의 측정 결과는, 표 8에 나타내었다. 표 8로부터, 실시예 18에서는, 색 재현성의 향상과 고광속을 양립할 수 있지만, 색도 변동은 커지는 것을 알 수 있었다.In Example 18, a phosphor sheet was produced with a composition of 50 wt% of silicone resin T15 and 50 wt% of red phosphor T6. Similarly, a phosphor sheet was prepared with a composition of 50 wt% silicone resin T15 and 50 wt% green phosphor. The phosphor layer side of the obtained two phosphor sheets was bonded by using a vacuum laminator V130 (manufactured by Nikko Material Products Co., Ltd.), whereby a layer including a red phosphor and a layer containing a green phosphor A laminated phosphor sheet was prepared, and the porosity was measured by the above-mentioned method. Further, a phosphor was produced by using the obtained phosphor sheet, and chromaticity, total luminous flux, total luminous flux maintenance ratio and color reproduction range were measured by the above-mentioned method. The results of these measurements are shown in Table 8. From Table 8, it can be seen that although the color reproducibility can be improved and the high luminous flux can be compatible in Example 18, the chromaticity fluctuation becomes large.

Figure pct00008
Figure pct00008

(실시예 19 내지 25)-형광체층 수지의 굴절률의 영향-(Examples 19 to 25) Influence of Refractive Index of Phosphor Layer Resin -

실시예 19 내지 25에서는, 표 9에 나타낸 조성의 형광체층을 구비한 형광체 시트를 제작하였다. 또한, 실시예 19 내지 25의 각각에서 제작한 형광체 시트의 형광체층의 막 두께는, 상술한 방법에 의해 측정하였다. 또한, 실시예 10의 형광체 시트에 대해서도, 형광체층의 막 두께를 측정하였다. 또한, 실시예 19 내지 25의 각각에서 제작한 형광체 시트를 사용하여 발광체를 제작하고, 상술한 방법에 의해, 색도, 전체 광속, 색 재현 범위를 측정하였다. 이들의 측정 결과는, 표 10에 나타내었다. 또한, 표 9는 실시예 10의 조성을 재게하고, 표 10은 실시예 10의 측정 결과를 재게한다.In Examples 19 to 25, a phosphor sheet having a phosphor layer of the composition shown in Table 9 was produced. The film thickness of the phosphor layer of the phosphor sheet produced in each of Examples 19 to 25 was measured by the above-mentioned method. The film thickness of the phosphor layer was also measured for the phosphor sheet of Example 10. In addition, a phosphor was produced by using the phosphor sheets prepared in each of Examples 19 to 25, and chromaticity, total luminous flux and color reproduction range were measured by the above-mentioned method. The results of these measurements are shown in Table 10. Table 9 shows the composition of Example 10, and Table 10 shows the results of measurement of Example 10.

표 9, 10을 참조하여 알 수 있는 바와 같이, 형광체층의 수지의 굴절률이 높을수록, 적색 형광체 T6, 녹색 형광체의 충전율이 낮아도 같은 색도의 발광체를 얻을 수 있었다. 또한, 이 수지의 굴절률이 1.56인 경우에, 전체 광속이 극대값이 되었다. 이것은, 형광체층의 수지와 공기층의 굴절률 차가 커짐으로써, 광의 취출 효율이 저하되었기 때문이라고 생각된다.As can be seen from Tables 9 and 10, a phosphor having the same chromaticity was obtained as the refractive index of the resin of the phosphor layer was higher and the filling rate of the red phosphor T6 and the green phosphor was lower. Further, when the refractive index of this resin was 1.56, the total luminous flux became a maximum value. It is considered that this is because the difference in refractive index between the resin of the phosphor layer and the air layer is increased and the light extraction efficiency is lowered.

Figure pct00009
Figure pct00009

Figure pct00010
Figure pct00010

(실시예 26 내지 36)-투명 수지층의 굴절률 영향에 대하여-(Examples 26 to 36) - Influence of refractive index of transparent resin layer -

실시예 26 내지 32 및 실시예 34 내지 36에서는, 실시예 6에서 제작한 형광체 시트 상에, 슬릿 다이 코터를 사용하여 투명 수지층 제작용 수지액을 도포하고, 이 투명 수지층 제작용 수지액을 130℃에서 30분 건조시킴으로써, 형광체층 상에 투명 수지층을 갖는 형광체 시트를 제작하였다. 실시예 33에서는, 실리콘 수지 T15를 사용하여 상술한 방법에 의해 투명 수지 시트를 제작하고, 형광체층과 투명 수지층을 접합함으로써, 형광체층 상에 투명 수지층을 갖는 형광체 시트를 제작하였다. 실시예 26 내지 36의 각각에서 제작한 형광체 시트의 투명 수지층의 막 두께를, 상술한 방법으로 측정하였다. 또한, 실시예 26 내지 36의 각각에서 제작한 투명 수지층 구비 형광체 시트의 형광체층측을 LED 칩 상에 부착함으로써, 발광체를 제작하고, 상술한 방법에 의해, 색도, 전체 광속, 전체 광속 유지율, 색 재현 범위를 측정하였다. 실시예 26 내지 36의 각각에서 투명 수지층 제작용 수지액의 제작에 사용한 수지의 종류 및 실시예 26 내지 36에서의 측정 결과는, 표 11에 나타내었다.In Examples 26 to 32 and Examples 34 to 36, a resin solution for forming a transparent resin layer was applied on the phosphor sheet prepared in Example 6 using a slit die coater, and the resin solution for making the transparent resin layer was applied And dried at 130 DEG C for 30 minutes to prepare a phosphor sheet having a transparent resin layer on the phosphor layer. In Example 33, a transparent resin sheet was produced by the above-described method using the silicone resin T15, and the phosphor layer and the transparent resin layer were bonded to each other to produce a phosphor sheet having a transparent resin layer on the phosphor layer. The film thickness of the transparent resin layer of the phosphor sheet produced in each of Examples 26 to 36 was measured by the above-described method. Further, by attaching the phosphor layer side of the phosphor sheet with transparent resin layer prepared in each of Examples 26 to 36 to the LED chip, a light emitting body was manufactured, and the chromaticity, total light flux, total light flux retention, The reproducibility range was measured. The types of resins used in the production of the resin solution for making the transparent resin layer in each of Examples 26 to 36 and the measurement results in Examples 26 to 36 are shown in Table 11. [

표 11로부터, 투명 수지층을 형성함으로써, 전체 광속 유지율은 향상되는 것을 알 수 있었다. 또한, 투명 수지층에 포함되는 수지의 굴절률이, 형광체층에 포함되는 수지의 굴절률 이하인 경우, 전체 광속은 향상되는 것을 알 수 있었다.From Table 11, it was found that the total luminous flux retention ratio was improved by forming the transparent resin layer. It was also found that when the refractive index of the resin contained in the transparent resin layer is lower than or equal to the refractive index of the resin contained in the phosphor layer, the total light flux is improved.

Figure pct00011
Figure pct00011

(실시예 37 내지 42)-미립자의 굴절률-(Examples 37 to 42) - Refractive index of fine particles -

실시예 37 내지 42에서는, 표 12에 나타낸 조성의 투명 수지층 제작용 수지액을 제작하였다. 다음으로, 실시예 10에서 제작한 형광체 시트 상에, 실시예 37 내지 42의 각각에서 제작한 투명 수지층 제작용 수지액을 도포하고, 이 투명 수지층 제작용 수지액을 130℃에서 30분 건조시킴으로써, 형광체층 상에 투명 수지층을 갖는 형광체 시트를 제작하였다.In Examples 37 to 42, a resin solution for producing a transparent resin layer having the composition shown in Table 12 was prepared. Next, the resin liquid for preparing a transparent resin layer prepared in each of Examples 37 to 42 was applied onto the phosphor sheet prepared in Example 10, and the resin liquid for preparing the transparent resin layer was dried at 130 DEG C for 30 minutes Thereby preparing a phosphor sheet having a transparent resin layer on the phosphor layer.

실시예 37 내지 42의 각각에서 제작한 형광체 시트의 투명 수지층의 막 두께는, 상술한 방법에 의해 측정하였다. 다음으로, 실시예 37 내지 42의 각각에서 제작한 투명 수지층 구비 형광체 시트의 형광체층측을 LED 칩 상에 부착함으로써, 발광체를 제작하고, 상술한 방법에 의해, 색도, 전체 광속, 전체 광속 유지율, 색 재현 범위를 측정하였다. 또한, 실시예 37 내지 42의 각각에서 제작한 투명 수지층 제작용 수지액을 사용하여, 두께 100㎛의 투과율 측정 샘플을 제작하고, 상술한 방법에 의해, 투명 수지층의 광 투과율을 측정하였다. 실시예 37 내지 42의 각각에 있어서의 투명 수지층의 수지와 미립자의 굴절률 차, 및 이들의 측정 결과는, 표 13에 나타내었다.The film thickness of the transparent resin layer of the phosphor sheet produced in each of Examples 37 to 42 was measured by the above-mentioned method. Next, by attaching the phosphor layer side of the phosphor sheet with a transparent resin layer prepared in each of Examples 37 to 42 to the LED chip, a light emitting body was manufactured, and the chromaticity, total light flux, total light flux retention, The color reproduction range was measured. Further, transmittance measurement samples each having a thickness of 100 占 퐉 were prepared using the resin liquid for transparent resin layer fabrication prepared in each of Examples 37 to 42, and the light transmittance of the transparent resin layer was measured by the above-described method. The refractive index difference between the resin and the fine particles of the transparent resin layer in each of Examples 37 to 42 and the measurement results thereof are shown in Table 13.

표 12, 13을 참조하여 알 수 있는 바와 같이, 투명 수지층에 있어서의 수지의 굴절률과 미립자의 굴절률의 차가 작을수록, 투명 수지층의 최소 투과율이 높고, 전체 광속이 높다는 결과가 얻어졌다. 또한, 투명 수지층에 미립자를 첨가함으로써, 투명 수지층의 막 두께 변동이 억제되고 있는 것을 알 수 있었다. 또한, 실시예 37 및 실시예 38의 결과로부터, 양호한 열 융착성을 나타내는 실리콘 수지 T15를 사용한 경우, 투명 수지층의 막 두께 변동은 특히 커지는 것을 알 수 있었다.As can be seen from Tables 12 and 13, the smaller the difference between the refractive index of the resin and the refractive index of the fine particles in the transparent resin layer, the higher the minimum transmittance of the transparent resin layer and the higher the total light flux. It was also found that the addition of the fine particles to the transparent resin layer suppressed the film thickness variation of the transparent resin layer. Further, from the results of Examples 37 and 38, it was found that when the silicone resin T15 exhibiting good heat-sealability was used, the film thickness variation of the transparent resin layer was particularly large.

Figure pct00012
Figure pct00012

Figure pct00013
Figure pct00013

(실시예 43 내지 47)-실리카 미립자의 첨가량-(Examples 43 to 47) - Addition amount of fine silica particles -

실시예 43 내지 47에서는, 표 14에 나타낸 조성의 투명 수지층 제작용 수지액을 제작하였다. 다음으로, 실시예 10에서 제작한 형광체 시트 상에, 실시예 43 내지 47의 각각에서 제작한 투명 수지층 제작용 수지액을 도포하고, 이 투명 수지층 제작용 수지액을 130℃에서 30분 건조시킴으로써, 형광체층 상에 투명 수지층을 갖는 형광체 시트를 제작하였다.In Examples 43 to 47, a resin solution for producing a transparent resin layer having the composition shown in Table 14 was prepared. Next, the resin liquid for forming the transparent resin layer prepared in each of Examples 43 to 47 was applied onto the phosphor sheet prepared in Example 10, and the resin liquid for forming the transparent resin layer was dried at 130 DEG C for 30 minutes Thereby preparing a phosphor sheet having a transparent resin layer on the phosphor layer.

실시예 43 내지 47의 각각에서 제작한 형광체 시트의 투명 수지층의 막 두께는, 상술한 방법에 의해 측정하였다. 다음으로, 실시예 43 내지 47의 각각에서 제작한 투명 수지층 구비 형광체 시트의 형광체층측을 LED 칩 상에 부착함으로써, 발광체를 제작하고, 상술한 방법에 의해, 색도, 전체 광속, 전체 광속 유지율, 색 재현 범위를 측정하였다. 또한, 실시예 43 내지 47의 각각에서 제작한 투명 수지층 제작용 수지액을 사용하여, 두께 100㎛의 투과율 측정 샘플을 제작하고, 상술한 방법에 의해, 투명 수지층의 광 투과율을 측정하였다. 실시예 43 내지 47의 각각에 있어서의 투명 수지층의 수지와 미립자의 굴절률 차, 및 이들의 측정 결과는, 표 15에 나타내었다. 또한, 표 14는 실시예 38, 39의 조성을 재게하고, 표 15는 실시예 38, 39의 결과를 재게한다.The film thickness of the transparent resin layer of the phosphor sheet prepared in each of Examples 43 to 47 was measured by the above-mentioned method. Next, by attaching the phosphor layer side of the phosphor sheet with a transparent resin layer prepared in each of Examples 43 to 47 on the LED chip, a phosphor was manufactured, and the chromaticity, total luminous flux, total luminous flux retention, The color reproduction range was measured. Further, transmittance measurement samples each having a thickness of 100 占 퐉 were prepared using the resin liquid for transparent resin layer fabrication prepared in each of Examples 43 to 47, and the light transmittance of the transparent resin layer was measured by the above-described method. The refractive index difference between the resin and the fine particles of the transparent resin layer in each of Examples 43 to 47 and the measurement results thereof are shown in Table 15. Table 14 shows the compositions of Examples 38 and 39, and Table 15 shows the results of Examples 38 and 39.

표 14, 15를 참조하여, 최소 투과율의 관점에서, 실리카 미립자 T31의 함유량은, 30중량% 이하인 것이 바람직하고, 10중량% 이하인 것이 보다 바람직한 것을 알 수 있었다. 또한, 투명 수지층의 막 두께 변동을 억제한다는 관점에서, 실리카 미립자 T31의 함유량은, 0.1중량% 이상인 것이 바람직하고, 1중량% 이상인 것이 보다 바람직한 것을 알 수 있었다.With reference to Tables 14 and 15, it was found that the content of the silica fine particles T31 is preferably 30% by weight or less, more preferably 10% by weight or less, from the viewpoint of the minimum transmittance. From the viewpoint of suppressing the film thickness variation of the transparent resin layer, the content of the fine silica particles T31 is preferably 0.1 wt% or more, more preferably 1 wt% or more.

Figure pct00014
Figure pct00014

Figure pct00015
Figure pct00015

(실시예 48 내지 52)-알루미나 미립자의 첨가량-(Examples 48 to 52) - Addition amount of alumina fine particles -

실시예 48 내지 52에서는, 표 16에 나타낸 조성의 투명 수지층 제작용 수지액을 제작하였다. 다음으로, 실시예 10에서 제작한 형광체 시트 상에, 실시예 48 내지 52의 각각에서 제작한 투명 수지층 제작용 수지액을 도포하고, 이 투명 수지층 제작용 수지액을 130℃에서 30분 건조시킴으로써, 형광체층 상에 투명 수지층을 갖는 형광체 시트를 제작하였다.In Examples 48 to 52, a resin solution for producing a transparent resin layer having the composition shown in Table 16 was prepared. Next, on the phosphor sheet prepared in Example 10, the resin liquid for forming the transparent resin layer prepared in each of Examples 48 to 52 was applied, and the resin liquid for forming the transparent resin layer was dried at 130 DEG C for 30 minutes Thereby preparing a phosphor sheet having a transparent resin layer on the phosphor layer.

실시예 48 내지 52의 각각에서 제작한 형광체 시트의 투명 수지층의 막 두께는, 상술한 방법에 의해 측정하였다. 다음으로, 실시예 48 내지 52의 각각에서 제작한 투명 수지층 구비 형광체 시트의 형광체층측을 LED 칩 상에 부착함으로써, 발광체를 제작하고, 상술한 방법에 의해, 색도, 전체 광속, 전체 광속 유지율, 색 재현 범위를 측정하였다. 또한, 실시예 48 내지 52의 각각에서 제작한 투명 수지층 제작용 수지액을 사용하여, 두께 100㎛의 투과율 측정 샘플을 제작하고, 상술한 방법에 의해, 투명 수지층의 광 투과율을 측정하였다. 실시예 48 내지 52의 각각에 있어서의 투명 수지층의 수지와 미립자의 굴절률 차, 및 이들의 측정 결과는, 표 17에 나타내었다. 또한, 표 16은 실시예 38, 41의 조성을 재게하고, 표 17은 실시예 38, 41의 결과를 재게한다.The film thickness of the transparent resin layer of the phosphor sheet produced in each of Examples 48 to 52 was measured by the above-mentioned method. Next, by attaching the phosphor layer side of the phosphor sheet with transparent resin layer prepared in each of Examples 48 to 52 to the LED chip, a phosphor was manufactured, and the chromaticity, total luminous flux, total luminous flux retention, The color reproduction range was measured. Further, transmittance measurement samples each having a thickness of 100 占 퐉 were prepared using the resin liquid for transparent resin layer fabrication prepared in each of Examples 48 to 52, and the light transmittance of the transparent resin layer was measured by the above-described method. The refractive index difference between the resin and the fine particles of the transparent resin layer in each of Examples 48 to 52 and the measurement results thereof are shown in Table 17. Table 16 shows the compositions of Examples 38 and 41, and Table 17 shows the results of Examples 38 and 41.

표 16, 17을 참조하여, 최소 투과율의 관점에서, 알루미나 미립자의 함유량은, 30중량% 이하인 것이 바람직하고, 10중량% 이하인 것이 보다 바람직한 것을 알 수 있었다. 또한, 투명 수지층의 막 두께 변동을 억제한다는 관점에서, 알루미나 미립자의 함유량은, 0.1중량% 이상인 것이 바람직하고, 1중량% 이상인 것이 보다 바람직한 것을 알 수 있었다.With reference to Tables 16 and 17, it was found that the content of the alumina fine particles is preferably 30% by weight or less, more preferably 10% by weight or less, from the viewpoint of the minimum transmittance. From the viewpoint of suppressing the film thickness variation of the transparent resin layer, the content of the alumina fine particles is preferably 0.1 wt% or more, more preferably 1 wt% or more.

Figure pct00016
Figure pct00016

Figure pct00017
Figure pct00017

(실시예 53 내지 57)-실리콘 미립자의 첨가량-(Examples 53 to 57) - Addition amount of silicon fine particles -

실시예 53 내지 57에서는, 표 18에 나타낸 조성의 투명 수지층 제작용 수지액을 제작하였다. 다음으로, 실시예 10에서 제작한 형광체 시트 상에, 실시예 53 내지 57의 각각에서 제작한 투명 수지층 제작용 수지액을 도포하고, 이 투명 수지층 제작용 수지액을 130℃에서 30분 건조시킴으로써, 형광체층 상에 투명 수지층을 갖는 형광체 시트를 제작하였다.In Examples 53 to 57, a resin solution for producing a transparent resin layer having the composition shown in Table 18 was prepared. Next, the resin liquid for forming the transparent resin layer prepared in each of Examples 53 to 57 was applied onto the phosphor sheet prepared in Example 10, and the resin liquid for preparing the transparent resin layer was dried at 130 DEG C for 30 minutes Thereby preparing a phosphor sheet having a transparent resin layer on the phosphor layer.

실시예 53 내지 57의 각각에서 제작한 형광체 시트의 투명 수지층의 막 두께는, 상술한 방법에 의해 측정하였다. 다음으로, 실시예 53 내지 57의 각각에서 제작한 투명 수지층 구비 형광체 시트의 형광체층측을 LED 칩 상에 부착함으로써, 발광체를 제작하고, 상술한 방법에 의해, 색도, 전체 광속, 전체 광속 유지율, 색 재현 범위를 측정하였다. 또한, 실시예 53 내지 57의 각각에서 제작한 투명 수지층 제작용 수지액을 사용하여, 두께 100㎛의 투과율 측정 샘플을 제작하고, 상술한 방법에 의해, 투명 수지층의 광 투과율을 측정하였다. 실시예 53 내지 57의 각각에 있어서의 투명 수지층의 수지와 미립자의 굴절률 차, 및 이들의 측정 결과는, 표 19에 나타내었다. 또한, 표 18은 실시예 38, 40의 조성을 재게하고, 표 19는 실시예 38, 40의 결과를 재게한다.The film thickness of the transparent resin layer of the phosphor sheet produced in each of Examples 53 to 57 was measured by the above-described method. Next, by attaching the phosphor layer side of the phosphor sheet with a transparent resin layer prepared in each of Examples 53 to 57 to the LED chip, a phosphor was produced, and the chromaticity, total luminous flux, total luminous flux retention, The color reproduction range was measured. The transmittance of the transparent resin layer was measured by the above-mentioned method by using the resin liquid for transparent resin layer production prepared in each of Examples 53 to 57 and measuring the transmittance of 100 탆 in thickness. The refractive index difference between the resin and the fine particles of the transparent resin layer in each of Examples 53 to 57 and the measurement results thereof are shown in Table 19. Table 18 shows the compositions of Examples 38 and 40, and Table 19 shows the results of Examples 38 and 40.

표 18, 19로부터, 실리콘 미립자의 함유량이 50중량%여도, 최소 투과율은 80% 이상을 유지할 수 있는 것을 알 수 있었다. 또한, 투명 수지층의 막 두께 변동을 억제한다는 관점에서, 실리콘 미립자의 함유량은, 0.1중량% 이상인 것이 바람직하고, 1중량% 이상인 것이 보다 바람직한 것을 알 수 있었다.It can be seen from Tables 18 and 19 that even if the content of silicon fine particles is 50% by weight, the minimum transmittance can be maintained at 80% or more. From the viewpoint of suppressing the film thickness variation of the transparent resin layer, the content of the silicon fine particles is preferably 0.1 wt% or more, more preferably 1 wt% or more.

Figure pct00018
Figure pct00018

Figure pct00019
Figure pct00019

(실시예 58 내지 62)-미립자의 입경-(Examples 58 to 62) - Particle size of fine particles -

실시예 58 내지 62에서는, 표 20에 나타낸 조성의 투명 수지층 제작용 수지액을 제작하였다. 다음으로, 실시예 10에서 제작한 형광체 시트 상에, 실시예 58 내지 62의 각각에서 제작한 투명 수지층 제작용 수지액을 도포하고, 이 투명 수지층 제작용 수지액을 130℃에서 30분 건조시킴으로써, 형광체층 상에 투명 수지층을 갖는 형광체 시트를 제작하였다.In Examples 58 to 62, a resin solution for producing a transparent resin layer having the composition shown in Table 20 was prepared. Next, on the phosphor sheet produced in Example 10, the resin liquid for making the transparent resin layer prepared in each of Examples 58 to 62 was applied, and the resin liquid for making the transparent resin layer was dried at 130 DEG C for 30 minutes Thereby preparing a phosphor sheet having a transparent resin layer on the phosphor layer.

실시예 58 내지 62의 각각에서 제작한 형광체 시트의 투명 수지층의 막 두께는, 상술한 방법에 의해 측정하였다. 다음으로, 실시예 58 내지 62의 각각에서 제작한 투명 수지층 구비 형광체 시트의 형광체층측을 LED 칩 상에 부착함으로써, 발광체를 제작하고, 상술한 방법에 의해, 색도, 전체 광속, 전체 광속 유지율, 색 재현 범위를 측정하였다. 또한, 실시예 58 내지 62의 각각에서 제작한 투명 수지층 제작용 수지액을 사용하여, 두께 100㎛의 투과율 측정 샘플을 제작하고, 상술한 방법에 의해, 투명 수지층의 광 투과율을 측정하였다. 실시예 58 내지 62의 각각에 있어서의 투명 수지층의 수지와 미립자와의 굴절률 차, 및 이들의 측정 결과는, 표 21에 나타내었다. 또한, 표 20은 실시예 38, 39의 조성을 재게하고, 표 21은 실시예 38, 39의 결과를 재게한다. 표 20, 21로부터, 미립자의 입경이 작을수록, 최소 투과율이 높고, 투명 수지층의 막 두께 변동도 억제되는 것을 알 수 있었다.The film thickness of the transparent resin layer of the phosphor sheet produced in each of Examples 58 to 62 was measured by the above-described method. Next, by attaching the phosphor layer side of the phosphor sheet with a transparent resin layer prepared in each of Examples 58 to 62 to the LED chip, a light emitting body was manufactured, and the chromaticity, total light flux, total light flux retention, The color reproduction range was measured. Further, transmittance measurement samples each having a thickness of 100 占 퐉 were prepared by using the resin liquid for transparent resin layer fabrication prepared in each of Examples 58 to 62, and the light transmittance of the transparent resin layer was measured by the above-described method. The refractive index difference between the resin and the fine particles of the transparent resin layer in each of Examples 58 to 62 and the measurement results thereof are shown in Table 21. Table 20 shows the compositions of Examples 38 and 39, and Table 21 shows the results of Examples 38 and 39. It can be seen from Tables 20 and 21 that the smaller the particle size of the fine particles is, the higher the minimum transmittance is, and the film thickness variation of the transparent resin layer is also suppressed.

Figure pct00020
Figure pct00020

Figure pct00021
Figure pct00021

(비교예)(Comparative Example)

실시예 1 내지 62에 대한 비교예에서는, 실리콘 수지 T15가 40wt%이고, 황색 형광체(YAG계 황색 형광체)가 60wt%인 조성으로, 형광체 시트를 제작하고, 상술한 방법에 의해 공극률을 측정하였다. 또한, 얻어진 형광체 시트를 사용하여 발광체를 제작하고, 상술한 방법에 의해, 색도, 전체 광속, 전체 광속 유지율, 색 재현 범위를 측정하였다. 이들의 측정 결과는, 표 22에 나타내었다. 표 22로부터, YAG계 황색 형광체를 사용한 경우, 색 재현 범위는 70%이고, 액정 디스플레이용 백라이트로서는 부적합한 것인 것을 알 수 있었다.In the comparative examples of Examples 1 to 62, a phosphor sheet was prepared with a composition in which the silicone resin T15 was 40 wt% and the yellow fluorescent material (YAG yellow fluorescent material) was 60 wt%, and the porosity was measured by the above-mentioned method. Further, a phosphor was produced using the obtained phosphor sheet, and chromaticity, total luminous flux, total luminous flux maintenance ratio and color reproduction range were measured by the above-described method. The results of these measurements are shown in Table 22. From Table 22, it was found that when the YAG yellow phosphor was used, the color reproduction range was 70%, which was unsuitable as a backlight for a liquid crystal display.

Figure pct00022
Figure pct00022

이상과 같이, 본 발명에 따른 형광체 시트, 그것을 사용한 발광체, 광원 유닛, 디스플레이 및 발광체의 제조 방법은, 색 재현성의 향상과 고광속을 양립시키는 형광체 시트, 그것을 사용한 발광체, 광원 유닛, 디스플레이 및 발광체의 제조 방법에 적합하다.INDUSTRIAL APPLICABILITY As described above, the phosphor sheet according to the present invention, the light emitting unit, the light source unit, the display, and the method for manufacturing the light emitting body are improved in color reproducibility and the phosphor sheet capable of achieving high light fluxes, It is suitable for the manufacturing method.

1: 형광체
2: 형광체층
3: 지지체
4: 형광체 시트
5: 투명 수지층
6: 칼날
7: 개편화 형광체층
8: 콜릿
9: LED 칩
10: 리플렉터
11: 기판
12: 투명 밀봉재
13: 발광체
14: 수지
1: Phosphor
2: phosphor layer
3: Support
4: phosphor sheet
5: Transparent resin layer
6: blade
7: Scattered phosphor layer
8: Collet
9: LED chip
10: Reflector
11: substrate
12: Transparent seal material
13:
14: Resin

Claims (24)

적색 형광체와 β형 사이알론 형광체와 수지를 포함하는 형광체층을 구비하며,
상기 적색 형광체는, 일반식 (1)로 표시되는 Mn 부활 복불화물인
것을 특징으로 하는 형광체 시트.
(일반식)
A2MF6: Mn ···(1)
(일반식 (1)에 있어서, A는 Li, Na, K, Rb 및 Cs로 이루어지는 군에서 선택되며, 또한 Na 및 K 중 적어도 하나를 포함하는 1종 이상의 알칼리 금속이고, M은 Si, Ti, Zr, Hf, Ge 및 Sn으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상의 4가 원소임)
A phosphor layer comprising a red phosphor, a? -Type sialon phosphor and a resin,
The red phosphor is a Mn-activated fluorophosphate represented by the general formula (1)
And the phosphor sheet.
(General formula)
A 2 MF 6 : Mn (1)
Wherein A is at least one alkali metal selected from the group consisting of Li, Na, K, Rb and Cs and further comprising at least one of Na and K, M is at least one element selected from the group consisting of Si, Ti, Zr, Hf, Ge, and Sn.
제1항에 있어서, 상기 형광체층은, 상기 적색 형광체와 상기 β형 사이알론 형광체와 상기 수지를 포함하는 단일층 또는 복수층으로 이루어지고,
상기 적색 형광체, 상기 β형 사이알론 형광체 및 상기 수지는 동일층에 포함되는
것을 특징으로 하는 형광체 시트.
2. The phosphor according to claim 1, wherein the phosphor layer comprises a single layer or a plurality of layers including the red phosphor, the? -Sialon phosphor and the resin,
The red phosphor, the? -Sialon phosphor and the resin are contained in the same layer
And the phosphor sheet.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 수지의 굴절률은 1.45 이상 1.7 이하인 것을 특징으로 하는 형광체 시트.The phosphor sheet according to claim 1 or 2, wherein the refractive index of the resin is 1.45 or more and 1.7 or less. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 수지는 실리콘 수지인 것을 특징으로 하는 형광체 시트.The phosphor sheet according to any one of claims 1 to 3, wherein the resin is a silicone resin. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 형광체층에 있어서의 전체 고형분에서 차지하는 상기 적색 형광체의 비율은 20중량% 이상 60중량% 이하인 것을 특징으로 하는 형광체 시트.The phosphor sheet according to any one of claims 1 to 4, wherein the proportion of the red phosphor in the total solid content in the phosphor layer is 20 wt% or more and 60 wt% or less. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 형광체층에 있어서의 전체 고형분에서 차지하는 상기 적색 형광체의 비율과 상기 β형 사이알론 형광체의 비율의 합계는 50중량% 이상 90중량% 이하인 것을 특징으로 하는 형광체 시트.The phosphor according to any one of claims 1 to 5, wherein the total of the ratio of the red phosphor and the? -Sialon phosphor in the total solid content of the phosphor layer is 50 wt% or more and 90 wt% or less Features a phosphor sheet. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 적색 형광체의 D50은 10㎛ 이상 40㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 형광체 시트.The phosphor sheet according to any one of claims 1 to 6, wherein the red phosphor has a D50 of 10 mu m or more and 40 mu m or less. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 적색 형광체의 D10은 3㎛ 이상인 것을 특징으로 하는 형광체 시트.The phosphor sheet according to any one of claims 1 to 7, wherein D10 of the red phosphor is 3 m or more. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 적색 형광체의 (D90-D10)/D50은 0.5 이상 1.5 이하인 것을 특징으로 하는 형광체 시트.9. The phosphor sheet according to any one of claims 1 to 8, wherein (D90-D10) / D50 of the red phosphor is 0.5 or more and 1.5 or less. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 형광체층 중의 공극률은 0.1% 이상 3% 이하인 것을 특징으로 하는 형광체 시트.10. The phosphor sheet according to any one of claims 1 to 9, wherein the porosity of the phosphor layer is 0.1% or more and 3% or less. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 형광체층에 미립자를 함유하는 것을 특징으로 하는 형광체 시트.11. The phosphor sheet according to any one of claims 1 to 10, wherein the phosphor layer contains fine particles. 제11항에 있어서, 상기 미립자는 실리콘 미립자인 것을 특징으로 하는 형광체 시트.The phosphor sheet according to claim 11, wherein the fine particles are silicon fine particles. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 형광체층 상에 추가로 투명 수지층이 적층되는 것을 특징으로 하는 형광체 시트.The phosphor sheet according to any one of claims 1 to 12, further comprising a transparent resin layer laminated on the phosphor layer. 제13항에 있어서, 상기 투명 수지층에 포함되는 수지의 굴절률은 1.3 이상 1.6 이하인 것을 특징으로 하는 형광체 시트.14. The phosphor sheet according to claim 13, wherein the refractive index of the resin contained in the transparent resin layer is from 1.3 to 1.6. 제14항에 있어서, 상기 투명 수지층에 포함되는 수지의 굴절률은, 상기 형광체층에 포함되는 수지의 굴절률 이하인 것을 특징으로 하는 형광체 시트.15. The phosphor sheet according to claim 14, wherein the refractive index of the resin contained in the transparent resin layer is lower than or equal to the refractive index of the resin contained in the phosphor layer. 제13항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 투명 수지층은 미립자를 함유하는 것을 특징으로 하는 형광체 시트.16. The phosphor sheet according to any one of claims 13 to 15, wherein the transparent resin layer contains fine particles. 제16항에 있어서, 상기 투명 수지층에 포함되는 미립자는 실리카 미립자, 알루미나 미립자, 실리콘 미립자로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 형광체 시트.The phosphor sheet according to claim 16, wherein the fine particles contained in the transparent resin layer are at least one selected from fine silica particles, fine alumina particles, and fine silicon particles. 제13항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 투명 수지층의 파장 400nm 내지 800nm에서의 최소 투과율은 80% 이상인 것을 특징으로 하는 형광체 시트.The phosphor sheet according to any one of claims 13 to 17, wherein the transparent resin layer has a minimum transmittance of 80% or more at a wavelength of 400 to 800 nm. 제16항, 제17항, 제16항을 인용하는 제18항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 투명 수지층에 있어서의 전체 고형분에서 차지하는 미립자의 비율은 0.1중량% 이상 30중량% 이하인 것을 특징으로 하는 형광체 시트.The transparent resin layer according to any one of claims 16, 17 and 16, wherein the ratio of the fine particles in the total solid content in the transparent resin layer is 0.1 wt% to 30 wt% Lt; / RTI &gt; 제16항, 제17항, 제16항을 인용하는 제18항, 제19항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 투명 수지층에 포함되는 미립자의 평균 입경은 1nm 이상 1000nm 이하인 것을 특징으로 하는 형광체 시트.20. The phosphor sheet according to any one of claims 18 to 19, wherein the average particle diameter of the fine particles contained in the transparent resin layer is 1 nm or more and 1000 nm or less, . 제1항 내지 제20항 중 어느 한 항에 기재된 형광체 시트를 개편화하는 개편화 공정과,
개편화된 상기 형광체 시트를 픽업하는 픽업 공정과,
개편화된 상기 형광체 시트를 광원에 부착하는 부착 공정
을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광체의 제조 방법.
20. A method of manufacturing a phosphor sheet, comprising the steps of: disposing a phosphor sheet according to any one of claims 1 to 20 into individual pieces;
A pick-up step of picking up the fragmented phosphor sheet,
Attaching step of attaching the fragmented phosphor sheet to a light source
Wherein the light emitting device comprises a light emitting diode.
제1항 내지 제20항 중 어느 한 항에 기재된 형광체 시트를 구비하는 것을 특징으로 하는 발광체.A light emitting body comprising the phosphor sheet according to any one of claims 1 to 20. 제1항 내지 제20항 중 어느 한 항에 기재된 형광체 시트를 구비하는 것을 특징으로 하는 광원 유닛.A light source unit comprising the phosphor sheet according to any one of claims 1 to 20. 제23항에 기재된 광원 유닛을 구비하는 것을 특징으로 하는 디스플레이.A display comprising the light source unit according to claim 23.
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