KR20180089590A - 이중대역 슬롯 안테나 - Google Patents
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Abstract
이중대역 슬롯 안테나를 개시한다.
본 발명의 실시예들은 무선랜 시스템을 위한 이중대역 슬롯 안테나에 있어, 높은 전송 속도를 제공하며 휴대용 단말기에 이용되기 적합한 소형의 안테나를 제공하는 데 주된 목적이 있다.
본 발명의 실시예들은 무선랜 시스템을 위한 이중대역 슬롯 안테나에 있어, 높은 전송 속도를 제공하며 휴대용 단말기에 이용되기 적합한 소형의 안테나를 제공하는 데 주된 목적이 있다.
Description
본 실시예는 이중대역 슬롯 안테나에 관한 것이다.
이 부분에 기술된 내용은 단순히 본 실시예에 대한 배경 정보를 제공할 뿐 종래기술을 구성하는 것은 아니다.
무선랜(Wireless LAN)은 노트북, PDA 등 다양한 전자기기에서 사용되고 있는 보편적이고 대중적인 이동 인터넷 접속 기술이다. 기존의 무선랜은 2.4 GHz ISM 대역에서 2 Mbps의 전송률을 지원하지만 이러한 규격으로는 점점 더 높은 전송 속도를 요구하는 수요자층을 만족시킬 수 없었다. 이에 따라 1999년 IEEE 802.11a와 11 Mbps의 전송률을 지원하는 IEEE 802.11b의 새로운 물리계층 표준안이 확정되었다. 2003년에는 IEEE 802.11g가, 2009년에는 최대 600 Mbps까지 지원하는 IEEE 802.11n 규격이 최종 승인되어 보급되었다.
그러나, 최근 각종 영상 관련 기술이 발달함에 따라, 일반적으로 제공되는 HD 급 해상도를 넘어 UHD(Ultra High Definition) 급 이상의 해상도를 지원하는 초고화질의 영상이 제공되고 있다. 이러한 상황에서 초고화질의 영상을 압축하지 않고 전송하려면 Gbps 이상의 보다 높은 전송 속도가 요구된다.
다만, 이동통신 단말기의 크기가 소형화되는 경향에 따라 안테나의 크기 역시 소형화됨으로써 위와 같은 높은 전송 속도를 제공하도록 구현하는 것에는 어려움이 있다.
본 발명의 실시예들은 무선랜 시스템을 위한 이중대역 슬롯 안테나에 있어, 높은 전송 속도를 제공하며 휴대용 단말기에 이용되기 적합한 소형의 안테나를 제공하는 데 주된 목적이 있다.
본 발명의 실시예들이 해결하려는 과제는 이상에서 언급한 것으로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 해결하고자 하는 과제는 아래 기재로부터 본 발명이 속하는 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 실시예에 의하면, 이중대역 슬롯 안테나(Dual Band Slot Antenna)에 있어서, 유전체 기판; 유전체 기판의 중심축으로부터 대칭되게 유전체 기판의 외측으로 연장하는 제1 슬롯 및 제1 슬롯의 양단에서 절곡되어 'ㄷ'자 형상을 갖는 제2 슬롯이 유전체 기판의 일면 상에 형성된 슬롯부; 제1 슬롯 내에 유전체 기판의 중심축으로부터 좌우 양 방향으로 서로 다른 길이로 연장되어 형성된 스터브(stub); 일단은 스터브와 연결되고 타단은 전원과 연결되는 급전부; 및 급전부와 소정 간격 이격되어 슬롯부를 둘러싸는 구조로 형성된 접지부를 포함하는 슬롯 안테나를 제공한다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명의 실시예들에 의하면, 무선랜 시스템을 위한 이중대역 슬롯 안테나에 있어, 높은 전송 속도를 제공하며 휴대용 단말기에 이용되기 적합한 소형의 경량화된 안테나를 제공할 수 있는 효과가 있다.
본 발명의 실시예에 의하면, 무선랜 시스템 또는 RFID 시스템 등에 적용되어 협대역 특성을 갖는 제1 공진주파수 대역과 광대역 특성을 갖는 제2 공진주파수 대역을 제공할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 이중대역 슬롯 안테나의 구조도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 이중대역 슬롯 안테나의 슬롯부의 폭 변화에 따른 반사손실 특성 모의실험 결과이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 이중대역 슬롯 안테나의 슬롯부의 폭 변화에 따른 반사손실 특성 모의실험 결과이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 이중대역 슬롯 안테나의 슬롯부의 폭 변화에 따른 반사손실 특성 모의실험 결과이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 이중대역 슬롯 안테나의 스터브의 길이 변화에 따른 반사손실 특성 모의실험 결과이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 이중대역 슬롯 안테나의 스터브의 길이 변화에 따른 반사손실 특성 모의실험 결과이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 이중대역 슬롯 안테나의 스터브의 길이 변화에 따른 반사손실 특성 모의실험 결과이다.
도 8은 도 1에 도시한 구조를 최적화하여 실제 제작한 이중대역 슬롯 안테나의 평면도이다.
도 9는 도 1에 도시한 구조를 최적화하여 실제 제작한 이중대역 슬롯 안테나의 측정 결과와 모의실험 결과를 나타낸다.
도 10 내지 도 12는 도 1에 도시한 구조를 최적화하여 실제 제작한 이중대역 슬롯 안테나에 대하여 측정된 방사패턴이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 이중대역 슬롯 안테나의 슬롯부의 폭 변화에 따른 반사손실 특성 모의실험 결과이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 이중대역 슬롯 안테나의 슬롯부의 폭 변화에 따른 반사손실 특성 모의실험 결과이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 이중대역 슬롯 안테나의 슬롯부의 폭 변화에 따른 반사손실 특성 모의실험 결과이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 이중대역 슬롯 안테나의 스터브의 길이 변화에 따른 반사손실 특성 모의실험 결과이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 이중대역 슬롯 안테나의 스터브의 길이 변화에 따른 반사손실 특성 모의실험 결과이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 이중대역 슬롯 안테나의 스터브의 길이 변화에 따른 반사손실 특성 모의실험 결과이다.
도 8은 도 1에 도시한 구조를 최적화하여 실제 제작한 이중대역 슬롯 안테나의 평면도이다.
도 9는 도 1에 도시한 구조를 최적화하여 실제 제작한 이중대역 슬롯 안테나의 측정 결과와 모의실험 결과를 나타낸다.
도 10 내지 도 12는 도 1에 도시한 구조를 최적화하여 실제 제작한 이중대역 슬롯 안테나에 대하여 측정된 방사패턴이다.
이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명의 실시예를 설명함에 있어서 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 실시예의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다.
본 발명에 따른 실시예의 구성요소를 설명하는 데 있어서, 제1, 제2, i), ii), a), b) 등의 부호를 사용할 수 있다. 이러한 부호는 그 구성요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 부호에 의해 해당 구성요소의 본질 또는 차례나 순서 등이 한정되지 않는다. 명세서에서 어떤 부분이 어떤 구성요소를 '포함' 또는 '구비'한다고 할 때, 이는 명시적으로 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 또한, 명세서에 기재된 '…부', '모듈' 등의 용어는 적어도 하나의 기능이나 동작을 처리하는 단위를 의미하며, 이는 하드웨어나 소프트웨어 또는 하드웨어 및 소프트웨어의 결합으로 구현될 수 있다.
이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 이중대역 슬롯 안테나(Dual Band Slot Antenna)에 대하여 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 이중대역 슬롯 안테나의 구조도이다. 이중대역 슬롯 안테나(100)는 평면형 구조를 가지며, 유전체 기판(110)과 유전체 기판(110)의 일면 상에 형성된 단일평면 도파관(CPW: Coplanar Wave Guide) 구조의 도체(120)를 포함한다. 본 실시예에 따른 이중대역 슬롯 안테나(100)의 바람직한 크기는 20 × 18 × 1 mm3 이고, 2.4 GHz에서의 파장이 125 mm로서 0.16λ× 0.144λ이다. 그러나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
유전체 기판(110)은 저온 소성 세라믹(LTCC, Low Temperature Co-fired Ceramic), 세라믹, 인쇄회로기판(PCB: Printed Circuit Board), 실리콘(Si), 갈륨비소(GaAs) 중 적어도 하나의 재질을 선택하여 형성될 수 있다. 바람직하게는, 인쇄회로기판(PCB)을 사용하여 안테나(100)의 두께를 줄일 수 있다. 유전체 기판(110)으로는 예를 들어, 두께가 1.0 mm이고 비유전율은 4.22이며, 손실 탄젠트는 0.019인 FR-4 기판이 이용될 수 있다.
도체(120)에는 스터브(140), 급전부(150) 및 접지부(160)가 포함되며, 슬롯부(130)가 형성된다. 도체(120)는 동일한 재질의 금속일 수 있으며, 예를 들어 구리(Copper), 은(Silver), 금(Gold), 알루미늄(Aluminum) 중 어느 하나인 단일 금속 물질 또는 적어도 둘 이상을 포함하는 합금(Alloy)일 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
단일평면 도파관(CPW) 구조에 따라, 슬롯부(130), 스터브(140), 급전부(150) 및 접지부(160)는 동일 평면상에 형성된다. 예를 들어, 모두 한번의 식각 공정으로 형성되거나 직접 인쇄(Direct Printing) 공정으로 형성될 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
이하, 도 1을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 이중대역 슬롯 안테나(100)의 구성요소에 대하여 구체적으로 설명한다.
이중대역 슬롯 안테나(100)는 길이가 다른 두 개의 스터브와 구부러진 슬롯 구조를 이용함으로써 안테나를 소형화하고 대역폭을 넓힌다. 이중대역 슬롯 안테나(100)를 구성하는 파라미터들의 다양한 조합으로 이중대역의 공진주파수를 형성할 수 있다. 본 실시예에 따르면, 이중대역 슬롯 안테나(100)는 협대역 특성을 갖는 제1 공진주파수 대역과 광대역 특성을 갖는 제2 공진주파수 대역을 제공할 수 있다.
도 1에 나타난 파라미터들에 대해 간략히 설명하면 다음과 같다. LLx는 스터브(140)를 구성하는 선로(또는 세그먼트)들 중 유전체 기판(110)의 중심축을 기준으로 좌측에 형성된 선로(또는 세그먼트)들의 길이를 나타낸다. LRx는 스터브(140)를 구성하는 선로(또는 세그먼트)들 중 유전체 기판(110)의 중심축을 기준으로 우측에 형성된 선로(또는 세그먼트)들의 길이를 나타낸다. Wx는 스터브(140) 및 급전부(150)를 구성하는 선로(또는 세그먼트)들의 폭을 나타내며, Wgx는 접지부(160)를 구성하는 선로(또는 세그먼트)들의 폭을 나타낸다. Gapx는 도체(120)에 포함된 선로(또는 세그먼트)들 간의 간극을 나타낸다. 다만, Gap3 내지 Gap 5는 슬롯부(130)의 폭으로도 칭할 수 있다.
슬롯부(130)는 유전체 기판(110)의 일면 상에 형성되어, 직선 형태의 제1 슬롯과 'ㄷ'자 형상의 제2 슬롯을 포함한다. 구체적으로, 슬롯부(130)는 유전체 기판(110)의 중심축으로부터 대칭되게 유전체 기판(110)의 외측으로 연장하는 제1 슬롯과, 제1 슬롯의 양단에서 절곡되어 'ㄷ'자 형상을 갖는 제2 슬롯을 포함한다.
제2 슬롯은 제1 슬롯의 양단에서 유전체 기판(110)의 중심축과 평행하게(즉, y축 방향으로) 연장하여 유전체 기판(110)의 내측으로 절곡되어 형성될 수 있다. 구체적으로, 제2 슬롯은 제1 슬롯 세그먼트(Slot Segment), 제2 슬롯 세그먼트 및 제3 슬롯 세그먼트를 포함할 수 있다. 제1 슬롯 세그먼트는 제1 슬롯의 양단에서 유전체 기판(110)의 중심축과 평행하게 연장한다. 제2 슬롯 세그먼트는 제1 슬롯 세그먼트의 일단에서 유전체 기판(110)의 중심축의 수직방향(즉, x축 방향)으로 연장한다. 제3 슬롯 세그먼트는 제2 슬롯 세그먼트의 일단에서 유전체 기판(110)의 중심축과 평행하게 연장하여 폐쇄된 단부를 갖는다.
제2 슬롯 세그먼트의 폭(Gap4) 및 제3 슬롯 세그먼트의 폭(Gap5)은 서로 동일하되 제1 슬롯 세그먼트의 폭(Gap3)보다는 길게 형성될 수 있다. 바람직하게, 제1 슬롯 세그먼트의 폭(Gap3)은 1.9 mm, 제2 슬롯 세그먼트의 폭(Gap4)은 2 mm, 제3 슬롯 세그먼트의 폭(Gap5)은 2 mm가 될 수 있다.
스터브(140)는 제1 슬롯부(즉, 직선 형태의 슬롯) 내에 유전체 기판(110)의 중심축으로부터 좌우 양 방향으로 서로 다른 길이로 연장되어 형성된다. 스터브(140)는 제1 스터브(142) 및 제2 스터브(144)를 포함한다. 예를 들어, 제1 스터브의 길이는 약 10.6 mm, 제2 스터브의 길이는 약 4 mm 정도가 될 수 있다.
제1 스터브(142)는 유전체 기판(110)의 중심축으로부터 좌측 방향으로 연장하여 'ㄷ'자 형상으로 절곡될 수 있다. 제1 스터브(142)는 제1 스터브 세그먼트(LL1), 제2 스터브 세그먼트(LL2) 및 제3 스터브 세그먼트(LL3)를 포함할 수 있다. 구체적으로, 제1 스터브 세그먼트(LL1)는 유전체 기판(110)의 중심축으로부터 좌측 방향으로 연장할 수 있다. 제2 스터브 세그먼트(LL2)는 제1 스터브 세그먼트(LL1)의 일단에서 유전체 기판(110)의 중심축과 평행하게(즉, y축 방향으로) 연장할 수 있다. 제3 스터브 세그먼트(LL3)는 제2 스터브 세그먼트(LL2)의 일단에서 유전체 기판(110)의 중심축의 수직방향(즉, x축 방향)으로 연장하여 개방된 단부를 가질 수 있다.
제1 스터브 세그먼트(LL1)의 길이는 제2 스터브 세그먼트(LL2)의 길이보다 짧고 제3 스터브 세그먼트(LL3)의 길이보다는 길게 형성될 수 있다. 바람직하게, 제1 스터브 세그먼트(LL1)의 길이는 4 mm, 제2 스터브 세그먼트(LL2)의 길이는 4.6 mm, 제3 스터브 세그먼트(LL3)의 길이는 2 mm가 될 수 있다.
제2 스터브(144)는 유전체 기판(110)의 중심축으로부터 우측 방향으로 연장하여 역 'L'자 형상으로 절곡될 수 있다. 제2 스터브(144)는 제4 스터브 세그먼트(LR1) 및 제5 스터브 세그먼트(LR2)를 포함할 수 있다. 구체적으로, 제4 스터브 세그먼트(LR1)는 유전체 기판(110)의 중심축으로부터 우측 방향으로 연장할 수 있다. 제5 스터브 세그먼트(LR2)는 제4 스터브 세그먼트(LR1)의 일단에서 유전체 기판(110)의 중심축과 평행하게(즉, y축 방향으로) 연장하여 개방된 단부를 가질 수 있다.
제4 스터브 세그먼트(LR1)의 길이는 제5 스터브 세그먼트(LR2)의 길이와 동일하게 형성될 수 있다. 바람직하게, 제4 스터브 세그먼트(LR1)의 길이는 2 mm, 제5 스터브 세그먼트(LR2)의 길이는 2 mm가 될 수 있다.
본 실시예의 이중대역 슬롯 안테나(100)는 협대역 특성의 제1 공진주파수 대역과 광대역 특성의 제2 공진주파수 대역을 제공할 수 있다. 예를 들어, 제1 공진주파수 대역은 2.4 - 2.484 GHz, 제2 공진주파수 대역은 5.150 - 5.875 GHz이다. 이에 따라, 본 실시예의 폴디드 패치 안테나(100)는 WLAN, RFID 등을 포함한 서로 다른 주파수를 사용하는 다양한 형태의 이동통신 시스템을 지원할 수 있다.
급전부(150)는 스터브(140)와 연결되어 이에 전기 에너지를 공급하도록 형성된다. 급전부(150)의 일단은 스터브(140)와 연결되고 타단은 전원과 연결된다.
접지부(160)는 급전부(150)와 소정 간격 이격되어 슬롯부(130)를 둘러싸는 구조로 형성된다. 예를 들어, 접지부(160)는 유전체 기판(110)의 가장자리로부터 소정의 폭으로 형성될 수 있다. 접지부(160)는 유전체 기판(110)의 하측 가장자리로부터 Wg1, 좌우측 가장자리로부터 Wg2, 상측 가장자리로부터 Wg3의 폭을 갖도록 형성될 수 있다. 바람직하게, Wg1은 2.5 mm, Wg2는 1.65 mm, Wg3는 3 mm가 될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 이중대역 슬롯 안테나(100)의 구성요소들에 대한 최적의 파라미터 값은 [표 1]과 같다.
[표 1]은 본 실시예의 이중대역 슬롯 안테나(100)의 크기(Dimension)가 20 × 18 × 1 mm3인 경우에 각 파라미터들의 최적값을 나타낸다.
이하, [표 1]에 도시된 파라미터 값들로 설계된 이중대역 슬롯 안테나(100)에 대한 반사손실 특성 모의실험 결과에 대하여 도 2 내지 도 7을 참조하여 설명한다.
도 2 내지 도 4는 본 발명의 실시예에 따른 이중대역 슬롯 안테나(100)의 슬롯부(130)의 폭 변화에 따른 반사손실 특성 모의실험 결과이다. 구체적으로, 도 2는 파라미터 Gap3의 변화에 따른 반사손실, 도 3은 파라미터 Gap4의 변화에 따른 반사손실, 도 4는 파라미터 Gap5의 변화에 따른 반사손실을 나타낸다.
도 2 내지 도 4를 참조하면, Gap의 크기가 작아짐에 따라 공진주파수가 낮아지는 것을 관찰할 수 있다. 이는 Gap의 크기가 작아지면 슬롯부(130)에 의한 접지부(160)의 길이가 증가하기므로 접지부(160)에 흐르는 전류경로의 길이가 증가하기 때문이다.
도 5 내지 도 7은 본 발명의 실시예에 따른 이중대역 슬롯 안테나(100)의 스터브(140)의 길이 변화에 따른 반사손실 특성 모의실험 결과이다. 구체적으로, 도 5는 파라미터 LL2의 변화에 따른 반사손실, 도 6은 파라미터 LL3의 변화에 따른 반사손실, 도 7은 파라미터 LR2의 변화에 따른 반사손실을 나타낸다.
도 5 및 도 도 6을 참조하면, 제1 스터브(142)의 길이(LL2, LL3)가 증가할수록 2.4 GHz 대역과 5 GHz 대역의 공진주파수가 낮아지는 것을 알 수 있다. 이와 달리, 도 7을 참조하면, 제2 스터브(144)의 길이(LR3)가 증가함에 따라 첫 번째 대역의 공진 주파수는 낮아지지만 두 번째 대역의 공진 주파수는 약간 높아지는 경향을 보인다. LR3가 2 mm일 때 5.904 GHz에서 -10 dB의 반사 손실을 얻을 수 있다.
도 8은 도 1에 도시한 구조를 최적화하여 실제 제작한 이중대역 슬롯 안테나(100)의 평면도이다. [표 1]에 따라 최적화된 파라미터로 RF-4 기판상에 제작한 안테나이다.
도 9는 도 1에 도시한 구조를 최적화하여 실제 제작한 이중대역 슬롯 안테나의 측정 결과와 모의실험 결과를 나타낸다. 측정 결과와 모의실험 결과가 약간의 오차가 있지만 두 결과의 값이 비슷한 경향을 보이고 있는 것을 확인할 수 있다. 측정 결과 -10 dB에서 2.4 GHz 대역(2.4 GHz - 2.484 GHz)과 5 GHz 대역(5.15 GHz - 5.875 GHz)을 만족하고 있음을 확인할 수 있다. 모의실험결과와 측정결과에 차이가 생기는 이유는 여러 가지가 있지만 설계치를 따르는 정확한 안테나의 제작이 어려운 점도 있고, 실험환경이 모의실험환경과 차이가 있는 점에서 기인할 것이다.
도 10 내지 도 12는 도 1에 도시한 구조를 최적화하여 실제 제작한 이중대역 슬롯 안테나에 대하여 측정된 방사패턴이다. 구체적으로, 도 10은 본 실시예에 따른 이중대역 슬롯 안테나(100)의 x-z 평면의 방사패턴, 도 11은 y-z 평면의 방사패턴, 도 12는 x-y 평면의 방사패턴을 나타낸다. 방사패턴의 측정은 MTG사의 전자파 무반사실(Anechoic Chamber)에서 이루어졌으며, 송신안테나로 표준 혼안테나(Horn Antenna)를 사용하였다.
무선랜 안테나는 안테나가 어느 방향에 있든지 전파 수신이 가능해야 하므로 모노폴 안테나처럼 전방향성에 가까운 복사패턴이 요구되는데, 도 10 내지 도 12를 참조하면, 본 실시예의 안테나(100)는 전방향성에 가까운 방사패턴을 나타내므로 무선랜용 안테나로 적합하다고 할 수 있다.
[표 2]는 실제 제작된 이중대역 슬롯 안테나를 이용하여 측정한 주파수에 따른 효율(efficiency, %), 평균이득(average gain, dBi) 및 최대이득(peak gain, dBi)을 나타낸다. [표 2]를 보면, IEEE 802.11b의 2.4 GHz - 2.484 GHz 대역에서 -3.58 dBi ~ -2.43 dBi의 평균이득과 1.53 dBi ~ 2.96 dBi의 최대이득 및 43.90% ~ 57.14%의 효율을 가지며, IEEE의 802.11a의 5.15 GHz - 5.35 GHz와 5.725 GHz - 5.825 GHz 대역에서 -1.29 dBi ~ -0.36 dBi의 평균이득과 3.75 dBi ~ 5.20 dBi의 최대이득 및 74.35% ~ 91.99 %의 효율을 가짐으로써 무선랜용 안테나로 사용하기에 충분한 이득과 효율을 나타내고 있다.
이상의 설명은 본 실시예의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 실시예가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 실시예들은 본 실시예의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 실시예의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 실시예의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 실시예의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100: 이중대역 슬롯 안테나
110: 유전체 기판
120: 도체
130: 슬롯부
140: 스터브
142: 제1 스터브
144: 제2 스터브
150: 급전부
160: 접지부
110: 유전체 기판
120: 도체
130: 슬롯부
140: 스터브
142: 제1 스터브
144: 제2 스터브
150: 급전부
160: 접지부
Claims (11)
- 이중대역 슬롯 안테나(Dual Band Slot Antenna)에 있어서,
유전체 기판;
상기 유전체 기판의 중심축으로부터 대칭되게 상기 유전체 기판의 외측으로 연장하는 제1 슬롯 및 상기 제1 슬롯의 양단에서 절곡되어 'ㄷ'자 형상을 갖는 제2 슬롯이 상기 유전체 기판의 일면 상에 형성된 슬롯부;
상기 제1 슬롯 내에 상기 유전체 기판의 중심축으로부터 좌우 양 방향으로 서로 다른 길이로 연장되어 형성된 스터브(stub);
일단은 상기 스터브와 연결되고 타단은 전원과 연결되는 급전부; 및
상기 급전부와 소정 간격 이격되어 상기 슬롯부를 둘러싸는 구조로 형성된 접지부
를 포함하는 슬롯 안테나. - 제1항에 있어서,
상기 스터브는,
상기 중심축으로부터 좌측 방향으로 연장하여 'ㄷ'자 형상으로 절곡되는 제1 스터브 및 상기 중심축으로부터 우측 방향으로 연장하여 역 'L'자 형상으로 절곡되는 제2 스터브를 포함하는 것을 특징으로 하는 슬롯 안테나. - 제2항에 있어서,
상기 제1 스터브는,
상기 중심축으로부터 좌측 방향으로 연장하는 제1 스터브 세그먼트, 상기 제1 스터브 세그먼트의 일단에서 상기 중심축과 평행하게 연장하는 제2 스터브 세그먼트, 및 상기 제2 스터브 세그먼트의 일단에서 상기 중심축의 수직 방향으로 연장하여 개방된 단부를 갖는 제3 스터브 세그먼트를 포함하는 것을 특징으로 하는 슬롯 안테나. - 제3항에 있어서,
상기 제1 스터브 세그먼트의 길이는 상기 제2 스터브 세그먼트의 길이보다 짧고 상기 제3 스터브 세그먼트의 길이보다는 긴 것을 특징으로 하는 슬롯 안테나. - 제2항에 있어서,
상기 제2 스터브는,
상기 중심축으로부터 우측 방향으로 연장하는 제4 스터브 세그먼트 및 상기 제4 스터브 세그먼트의 일단에서 상기 중심축과 평행하게 연장하여 개방된 단부를 갖는 제5 스터브 세그먼트를 포함하는 것을 특징으로 하는 슬롯 안테나. - 제5항에 있어서,
상기 제4 스터브 세그먼트의 길이와 상기 제5 스터브 세그먼트의 길이는 동일한 것을 특징으로 하는 슬롯 안테나. - 제1항에 있어서,
상기 제2 슬롯은 상기 제1 슬롯의 양단에서 상기 중심축과 평행하게 연장하여 상기 유전체 기판의 내측으로 절곡되어 형성되는 것을 특징으로 하는 슬롯 안테나. - 제7항에 있어서,
상기 제2 슬롯은,
상기 제1 슬롯의 양단에서 상기 중심축과 평행하게 연장하는 제1 슬롯 세그먼트, 상기 제1 슬롯 세그먼트의 일단에서 상기 중심축의 수직 방향으로 연장하는 제2 슬롯 세그먼트, 및 상기 제2 슬롯 세그먼트의 일단에서 상기 중심축과 평행하게 연장하여 폐쇄된 단부를 갖는 제3 슬롯 세그먼트를 포함하는 것을 특징으로 하는 슬롯 안테나. - 제8항에 있어서,
상기 제2 슬롯 세그먼트 및 상기 제3 슬롯 세그먼트의 폭은 서로 동일하되 상기 제1 슬롯 세그먼트의 폭보다 긴 것을 특징으로 하는 슬롯 안테나. - 제1항에 있어서,
상기 슬롯부, 상기 스터브, 상기 급전부 및 상기 접지부는 동일 평면상에 형성되는 것을 특징으로 하는 슬롯 안테나. - 제1항에 있어서,
상기 스터브, 상기 급전부 및 상기 접지부는 구리(copper), 은(silver), 금(gold) 및 알루미늄(aluminum) 중 어느 하나의 도체로 형성되는 것을 특징으로 하는 슬롯 안테나.
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
KR1020170013545A KR101903990B1 (ko) | 2017-01-31 | 2017-01-31 | 이중대역 슬롯 안테나 |
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KR20180089590A true KR20180089590A (ko) | 2018-08-09 |
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Family
ID=63251225
Family Applications (1)
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115051146A (zh) * | 2022-06-16 | 2022-09-13 | 领翌技术(横琴)有限公司 | 天线和电子设备 |
US12095182B2 (en) * | 2020-04-20 | 2024-09-17 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Circuit integrated antenna |
-
2017
- 2017-01-31 KR KR1020170013545A patent/KR101903990B1/ko active IP Right Grant
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