KR20180087191A - method for manufacturing multi-stacked thin film display device - Google Patents

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KR20180087191A
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Abstract

The present invention discloses a method of manufacturing a display device. The method includes a step of fabricating a first display module including a first functional element on a first substrate having a flexible substrate and a detachment layer; a step of removing the first substrate; a step of manufacturing a second display module different from the first display module; and a step of bonding the first display module onto the second display module. The thickness of the display device can be minimized.

Description

박형 다중 접합 표시소자의 제조방법{method for manufacturing multi-stacked thin film display device}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a thin film multi-

본 발명은 표시소자의 제조방법에 관한 것으로, 상세하게는 다 기능의 표시소자들이 집적되는 박형 다중 접합 표시소자의 제조방법에 관한 것이다. The present invention relates to a method of manufacturing a display device, and more particularly, to a method of manufacturing a thin multi-junction display device in which multi-function display elements are integrated.

일반적으로 다기능 소자들은 개별적으로 수직 방향으로 적층되거나, 수평 방향으로 집적되어 전기적으로 결합(coupled)될 수 있다. 그럼에도 불구하고, 이 경우, 다기능 소자들의 접합 공정 정합성 또는 동작 호환성(compatibility) 문제가 종종 발생할 수 있다. 때문에, 제품 생산 공정의 난이도 및/또는 생산 비용이 상승할 수 있다. 이를 해결하기 위해 다기능 소자들은 각각 개별적으로 제작된 후에 접합될 수 있다. 일반적인 다기능 소자들의 단순 접합 방법은 상기 다기능 소자들의 복합 패키징에 따른 부피의 증가를 야기할 수 있다. 예를 들어, 다기능 소자들의 신호/전력 전달을 위한 배선이 외곽으로 형성되면서 크기가 늘어날 수 있다. 또한, 일반적인 적층 다중 접합 표시소자의 제조방법은 다기능 소자들 각각의 기판에 의한 두께 증가의 문제점을 발생시킬 수 있다.In general, the multifunctional devices can be stacked individually in the vertical direction or can be integrated in the horizontal direction and electrically coupled. Nevertheless, in this case, problems of junction process compatibility or compatibility of the multifunctional devices often arise. Therefore, difficulty and / or production cost of the product production process can be increased. To solve this problem, the multifunctional devices can be individually manufactured and then bonded. The simple joining method of general multifunctional devices may cause an increase in volume due to the composite packaging of the multifunctional devices. For example, the wiring for signal / power delivery of multifunctional devices may be formed in the outskirts and may increase in size. In addition, a general method of manufacturing a multilayer multiple junction display device may cause a problem of an increase in thickness due to the substrate of each of the multifunctional elements.

본 발명이 이루고자 하는 과제는 두께를 최소화할 수 있는 박형 다중 접합 표시소자의 제조방법을 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a thin multi-junction display device capable of minimizing thickness.

본 발명은 박형 다중 접합 표시소자의 제조방법을 개시한다. 그의 방법은, 유연 기판과 탈착 층을 갖는 제 1 기판 상의 제 1 기능 소자를 포함하는 제 1 표시 모듈을 제조하는 단계; 상기 제 1 기판을 제거하는 단계; 상기 제 1 표시 모듈과 다른 제 2 표시 모듈을 제조하는 단계; 및 상기 2 표시 모듈 상에 제 1 표시 모듈을 접합하는 단계를 포함한다. 여기서, 상기 탈착 층은 친수성의 수산기를 갖는 실리콘 산화물을 포함할 수 있다. 상기 제 1 기판을 제거하는 단계는 상기 제 1 표시 모듈을 DI 워터 내에 침지하고, 상기 DI 워터를 상기 탈착 층과 상기 유연 기판 사이에 침투시켜 상기 탈착 층을 상기 유연 기판으로부터 분리하는 단계를 포함할 수 있다. The present invention discloses a method of manufacturing a thin multi-junction display element. The method includes the steps of: fabricating a first display module comprising a first functional element on a first substrate having a flexible substrate and a desorption layer; Removing the first substrate; Fabricating a second display module different from the first display module; And bonding the first display module to the second display module. Here, the desorption layer may include a silicon oxide having a hydrophilic hydroxyl group. The step of removing the first substrate includes immersing the first display module in the DI water and penetrating the DI water between the desorption layer and the flexible substrate to separate the desorption layer from the flexible substrate .

상술한 바와 같이, 본 발명의 개념에 따른 박형 다중 접합 표시소자의 제조방법은 DI 워터 내의 침지방법으로 제 1 표시 모듈의 제 1 기판들을 제거하고, 제 2 표시 모듈 상에 상기 제 1 표시 모듈을 접합할 수 있다. 따라서, 상기 제 1 표시 모듈의 두께는 최소화될 수 있다. As described above, in the method of manufacturing a thin multi-junction display device according to the concept of the present invention, the first substrates of the first display module are removed by the immersion method in the DI water, and the first display module Can be bonded. Thus, the thickness of the first display module can be minimized.

도 1은 본 발명의 개념에 따른 박형 다중 접합 표시소자의 제조방법을 보여주는 플로우 챠트이다.
도 2는 도 1의 제 1 표시 모듈의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 3은 도 1의 제 1 표시 모듈을 제조하는 단계의 일 예를 보여주는 플로우 챠트이다.
도 4는 실란/아산화질소 비율이 다르게 형성된 탈착 층을 비교하여 보여주는 도면이다.
도 5는 도 1의 제 1 기판을 제거하는 단계의 일 예를 보여주는 플로우 챠트이다.
도 6a 내지 도 6d는 도 5의 제 1 기판을 제거하는 단계를 보여주는 공정 단면도들이다.
도 7a 및 도 7b는 대기중에서 분리된 유연 기판과 DI 워터 내에서 분리된 유연 기판을 보여주는 도면들이다.
도 8은 제 2 표시 모듈을 보여주는 단면도이다.
도 9는 도 1의 제 2 표시 모듈을 제조하는 단계의 일 예를 보여주는 그래프이다.
도 10은 도 8의 제 2 표시 모듈 상에 접합된 제 1 표시 모듈의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 11은 도 8의 제 2 표시 모듈 상에 접합된 제 1 표시 모듈의 다른 예를 보여주는 단면도이다.
도 12는 도 11의 제 2 기판이 제거된 제 2 표시 모듈을 보여주는 단면도이다.
도 13은 제 n 기판이 제거된 제 n 표시 모듈과, 제 1 및 제 2 표시 모듈들을 보여주는 단면도이다.
도 14는 도 1의 제 1 표시 모듈의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 15는 도 14의 제 1 표시 모듈을 제조하는 단계의 일 예를 보여주는 플로우 챠트이다.
도 16은 도 14의 실런트 층의 탄성 계수의 크기에 따라 생성되는 크랙을 보여주는 도면들이다.
도 17은 도 14의 탈착 층과 버퍼 층의 일부가 제거되어 패드가 노출된 것을 보여주는 단면도이다..
도 18은 제 1 표시 모듈의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 19는 도 18의 제 1 표시 모듈을 제조하는 단계의 일 예를 보여주는 플로우 챠트이다.
도 20은 도 18의 탈착 층과 버퍼 층의 일부가 제거되어 패드가 노출된 것을 보여주는 단면도이다.
도 21은 제 2 표시 모듈의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 22는 도 20의 제 1 표시 모듈과 도 22의 제 2 표시 모듈이 접합된 것을 보여주는 단면도이다.1 is a flow chart showing a method of manufacturing a thin multi-junction display device according to the concept of the present invention.
2 is a cross-sectional view showing an example of the first display module of FIG.
FIG. 3 is a flow chart showing an example of a step of manufacturing the first display module of FIG. 1; FIG.
FIG. 4 is a view showing a comparison of desorption layers formed with different silane / nitrous oxide ratios. FIG.
FIG. 5 is a flow chart showing an example of a step of removing the first substrate of FIG. 1. FIG.
6A to 6D are process cross-sectional views illustrating the step of removing the first substrate of FIG.
7A and 7B are views showing a flexible substrate separated in the atmosphere and a flexible substrate separated in the DI water.
8 is a sectional view showing the second display module.
9 is a graph showing an example of a step of manufacturing the second display module of FIG.
10 is a cross-sectional view showing an example of a first display module bonded on the second display module of Fig.
11 is a cross-sectional view showing another example of the first display module bonded on the second display module of Fig.
12 is a sectional view showing a second display module in which the second substrate of FIG. 11 is removed.
13 is a sectional view showing the n-th display module and the first and second display modules from which the n-th substrate is removed.
14 is a cross-sectional view showing an example of the first display module of FIG.
15 is a flow chart showing an example of a step of manufacturing the first display module of Fig.
FIG. 16 is a view showing a crack generated according to the magnitude of elastic modulus of the sealant layer of FIG.
FIG. 17 is a cross-sectional view showing the pad is exposed after a portion of the desorption layer and the buffer layer of FIG. 14 are removed.
18 is a sectional view showing an example of the first display module.
19 is a flow chart showing an example of a step of manufacturing the first display module of Fig.
FIG. 20 is a cross-sectional view showing the pad exposed by removing a part of the desorption layer and the buffer layer of FIG. 18; FIG.
21 is a sectional view showing an example of the second display module.
22 is a cross-sectional view showing the first display module of Fig. 20 and the second display module of Fig. 22 joined together.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세히 설명하기로 한다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면들과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시 예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당 업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전문에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The advantages and features of the present invention and the manner of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described in detail below with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments described herein but may be embodied in different forms. Rather, the embodiments disclosed herein are provided so that the disclosure can be thorough and complete, and will fully convey the concept of the invention to those skilled in the art, and the present invention is only defined by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification.

본 명세서에서 사용된 용어는 실시 예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 포함한다(comprises) 및/또는 포함하는(comprising)은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 장치는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다. 또한, 명세서에서 단일 모드 또는 다중 모드는 레이저 분야에서 주로 사용되는 의미로 이해될 수 있을 것이다. 바람직한 실시 예에 따른 것이기 때문에, 설명의 순서에 따라 제시되는 참조 부호는 그 순서에 반드시 한정되지는 않는다.The terminology used herein is for the purpose of illustrating embodiments and is not intended to be limiting of the present invention. In the present specification, the singular form includes plural forms unless otherwise specified in the specification. It is to be understood that the phrase "comprises" and / or "comprising" used in the specification exclude the presence or addition of one or more other elements, steps, operations and / or elements, I never do that. Also, in the specification, single mode or multi-mode may be understood as meaning mainly used in the laser field. The reference numerals shown in the order of description are not necessarily limited to those in the order of the preferred embodiments.

도 1은 본 발명의 개념에 따른 박형 다중 접합 표시소자의 제조방법을 보여준다.1 shows a method of manufacturing a thin multi-junction display device according to the concept of the present invention.

도 1을 참조하면, 박형 다중 접합 표시소자의 제조방법은, 제 1 표시 모듈을 제조하는 단계(S100), 상기 제 1 표시 모듈의 제 1 기판을 제거하는 단계(S200), 제 2 표시 모듈을 제조하는 단계(S300), 상기 제 2 표시 모듈 상에 상기 제 1 표시 모듈을 접합하는 단계(S400), 상기 제 2 표시 모듈의 제 2 기판을 제거하는 단계(S500), 제 n 표시 모듈을 제조하는 단계(S600), 상기 제 n 표시 모듈 상에 제 n-1 표시모듈을 접합하는 단계(S700) 및 상기 제 n 표시 모듈의 제 n 기판을 제거하는 단계(S800)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 1, a method of manufacturing a thin type multi-junction display device includes a step of manufacturing a first display module S100, a step S200 of removing a first substrate of the first display module S200, (S400) of joining the first display module on the second display module (S400), removing the second substrate of the second display module (S500), forming the n-th display module (S600), joining the (n-1) th display module on the n-th display module (S700), and removing the n-th substrate of the n-th display module (S800).

도 2는 도 1의 제 1 표시 모듈(100)의 일 예를 보여준다. 도 3은 도 1의 제 1 표시 모듈(100)을 제조하는 단계(S100)의 일 예를 보여준다. Fig. 2 shows an example of the first display module 100 of Fig. FIG. 3 shows an example of step S100 of manufacturing the first display module 100 of FIG.

도 2 및 도 3을 참조하면, 상기 제 1 표시 모듈(100)을 제조하는 단계(S100)는 제 1 기판(10)을 제공하는 단계(S110), 제 1 배선들(120)을 형성하는 단계(S120), 제 1 기능 소자(130)를 형성하는 단계(S130), 실런트 층(140)을 형성하는 단계(S140) 및 캡 층(150)을 형성하는 단계(S150)를 포함할 수 있다.2 and 3, step S100 of manufacturing the first display module 100 includes providing a first substrate 10 (S110), forming first wirings 120 A step S140 of forming the first functional element 130, a step S140 of forming the sealant layer 140 and a step S150 of forming the cap layer 150 may be included.

먼저, 상기 제 1 기판(110)을 제공한다(S110). 상기 제 1 기판(110)은 평탄할 수 있다. 일 예에 따르면, 상기 제 1 기판(110)은 지지 기판(12), 유연 기판(14) 및 탈착 층(16)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 기판(110)을 제공하는 단계(S110)는 지지 기판(12) 상에 유연 기판(14)을 형성하는 단계(S112) 및 상기 유연 기판(14) 상에 탈착 층(16)을 형성하는 단계(S114)를 포함할 수 있다. First, the first substrate 110 is provided (S110). The first substrate 110 may be flat. According to one example, the first substrate 110 may include a support substrate 12, a flexible substrate 14, and a desorption layer 16. For example, the step S110 of providing the first substrate 110 may include forming a flexible substrate 14 on the supporting substrate 12 and forming a desorption layer (not shown) on the flexible substrate 14 (S114).

상기 유연 기판(14)을 상기 지지 기판(12) 상에 형성한다(S112). 상기 유연 기판(14)은 글래스의 상기 지지 기판(12) 상에 코팅될 수 있다. 상기 유연 기판(I4)은 PI (Polyimide), PES (Polyether Sulfone), PET (Polyethylene Terephthalate), PEN (Polyethylene Naphthalate), PAR (Polyarylate), COC (Cyclo Olefin) PC (Polycarbonate) 및 FPR (Fiber Reinforced Plastic)의 고분자를 포함할 수 있다. 상기 유연 기판(14)은 UV ozone, 산소 플라즈마, Laser 조사, SAM (Self-assembled monolayer)의 방법에 의해 개질된 상부 표면을 가질 수 있다. 상기 유연 기판(14)의 상부 표면은 극성기 및/또는 표면 거칠기를 가질 수 있다. The flexible substrate 14 is formed on the supporting substrate 12 (S112). The flexible substrate 14 may be coated on the support substrate 12 of the glass. The flexible substrate I4 may be formed of one or more materials selected from the group consisting of PI (Polyimide), PES (Polyether Sulfone), PET (Polyethylene Terephthalate), PEN (Polyethylene Naphthalate), PAR (Polyarylate), COC (Cyclo Olefin) ). ≪ / RTI > The flexible substrate 14 may have a top surface modified by a method of UV ozone, oxygen plasma, laser irradiation, or SAM (self-assembled monolayer). The upper surface of the flexible substrate 14 may have a polarity and / or a surface roughness.

이후, 상기 유연 기판(14) 상에 상기 탈착 층(16)을 형성한다(S114). 상기 유연 기판(14)의 표면 거칠기가 클수록, 상기 유연 기판(14)과 상기 탈착 층(16)의 접착력은 증가할 수 있다. 또한, 상기 탈착 층(16)은 상기 유연 기판(14)의 두께보다 작은 두께를 갖고, 상기 유연 기판(14)과의 접착력 조절을 위한 극성을 가질 수 있다. 상기 탈착 층(16)은 약 1㎛이하의 두께를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 탈착 층(16)은 증착 방법, 졸겔 방법, 프린팅 방법, 또는 라미네이션 방법으로 형성된 유기물, 무기물, 또는 유무기 복합물을 포함할 수 있다. 상기 탈착 층(16)의 극성은 원료의 배합, 온도 또는 습도의 조절 또는 반응 가스의 유량/비율 또는 압력의 조절에 의해 생성될 수 있다. 상기 탈착 층(16)과 상기 유연 기판(14) 사이의 접합력 및/또는 접착력은 극성에 의해 결정될 할 수 있다. 예를 들어, 상기 유연 기판(14)과 상기 탈착 층(16)이 유사한 극성을 가질 때, 상기 유연 기판(14)과 상기 탈착 층(16) 사이의 접착력은 증가할 수 있다. 예를 들어, 상기 유연 기판(14)이 약 50도 내지 약 80도의 극성을 갖는 PI를 포함할 경우, 상기 탈착 층(16)은 상기 유연 기판(14)의 극성과 유사한 극성의 친수기(ex, -OH(수산기, hydroxyl)을 갖는 실리콘 산화물(SiO2)를 포함할 수 있다. 상기 탈착 층(16)은 PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 방법으로 상기 유연 기판(14) 상에 증착될 수 있다. 상기 탈착 층(16)의 증착 공정의 온도, 압력, 파워는 각각 200도, 1.2Torr, 75W일 수 있다. 상기 탈착 층(16) 내의 상기 친수기의 양은 Si precursor인 실란(SiH4) 가스와 산화제인 아산화질소(N2O) 가스의 혼합 비율에 의해 조절될 수 있다. 즉, 상기 탈착 층(16) 내의 수소 함량은 실란(SiH4)/아산화질소(N2O) 비율에 따라 결정될 수 있다. 예를 들어, 상기 아산화질소(N2O)가스 대비 실란(SiH4) 가스의 비율이 이 증가하면, 친수기의 양과 극성은 증가할 수 있다. 예를 들어, 상기 탈착 층(16)의 water contact angle이 90도 이상으로 비극성(ex, 중성)을 띄게 되면, 상기 유연 기판(14)과 상기 탈착 층(16) 사이의 접착력은 약해질 수 있다. 이 경우, 상기 유연 기판(14)과 상기 탈착 층(16)의 탈착은 용이해질 수 있으나, 후속에서 설명될 상기 제 1 배선들(120)과 상기 제 1 기능 소자(130)의 형성 공정 중 상기 유연 기판(14)과 상기 탈착 층(16)은 분리되어버릴 수 있다. 따라서, 상기 유연 기판(14)과 상기 탈착 층(16)이 상기 제 1 배선들(120)과 상기 제 1 기능 소자(130)의 형성 후에까지 결합되도록 상기 탈착 층(16)의 극성은 상기 유연 기판(14)의 극성과 유사하게 조절될 수 있다.Thereafter, the desorption layer 16 is formed on the flexible substrate 14 (S114). The greater the surface roughness of the flexible substrate 14, the greater the adhesion between the flexible substrate 14 and the desorption layer 16. The desiccant layer 16 may have a thickness smaller than the thickness of the flexible substrate 14 and may have a polarity for controlling adhesion with the flexible substrate 14. The desorption layer 16 may have a thickness of about 1 탆 or less. For example, the desorption layer 16 may comprise an organic, inorganic, or organic composite formed by a deposition method, a sol-gel method, a printing method, or a lamination method. The polarity of the desorption layer 16 can be produced by controlling the mixing of the raw materials, the temperature or the humidity, or the flow rate / ratio or the pressure of the reaction gas. The bonding force and / or adhesion force between the desorption layer 16 and the flexible substrate 14 may be determined by the polarity. For example, when the flexible substrate 14 and the desorption layer 16 have similar polarities, the adhesive force between the flexible substrate 14 and the desorption layer 16 may increase. For example, when the flexible substrate 14 includes PI having a polarity of about 50 degrees to about 80 degrees, the desorption layer 16 is formed of a hydrophilic group ex, which is similar to the polarity of the flexible substrate 14, (SiO 2 ) having -OH (hydroxyl). The desorption layer 16 may be deposited on the flexible substrate 14 by a PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) method Pressure, and power of the desorption layer 16 may be 200 ° C., 1.2 Torr, or 75 W, respectively. The amount of the hydrophilic group in the desorption layer 16 is controlled by the Si precursor SiH 4 gas may be controlled by a mixture ratio of the oxidizing agent is nitrous oxide (N 2 O) gas, that is, the hydrogen content in the removable layer 16 may be determined in accordance with the silane (SiH 4) / nitrous oxide (N 2 O) ratio For example, when the ratio of the silane (SiH 4 ) gas to the nitrous oxide (N 2 O) gas increases, the amount of the hydrophilic group When the water contact angle of the desorption layer 16 is 90 degrees or more and nonpolar (ex) (neutral), for example, between the flexible substrate 14 and the desorption layer 16 Detachment of the flexible substrate 14 and the desorption layer 16 may be facilitated, but the first interconnection lines 120 and the first functional element 16, which will be described later, The flexible substrate 14 and the desorption layer 16 may be separated from each other during the forming process of the flexible substrate 14 and the desorption layer 16. Therefore, And the polarity of the desorption layer 16 may be adjusted to be similar to the polarity of the flexible substrate 14 so as to be coupled until after the formation of the first functional element 130.

상부소자의 공정이 완료될 때까지 떨어지지 않고 견딜 수 있을 정도의 극성을 만들어 주어야 한다.The polarity must be such that the upper element can withstand without falling until the process is completed.

도 4는 실란/아산화질소(SiH4/N2O) 비율이 다르게 형성된 탈착 층(16)을 비교하여 보여준다.FIG. 4 shows a comparison of the desorption layer 16 formed with different silane / nitrous oxide (SiH 4 / N 2 O) ratios.

도 4를 참조하면, 상기 실란 가스와 상기 아산화질소 가스가 약 5SCCM 및 약 1500SCCM으로 제공되면, 상기 탈착 층(16)은 주름(11)을 가질 수 있다. 상기 아산화질소 가스 대비 상기 실란 가스가 과도하게 적을 때, 상기 탈착 층(16)은 stoichiometric하게 형성되어 상기 유연 기판(14)로부터 들뜰 수 있다.Referring to FIG. 4, when the silane gas and the nitrous oxide gas are supplied at about 5 SCCM and about 1500 SCCM, the desorption layer 16 may have a corrugation 11. When the silane gas is excessively small as compared with the nitrous oxide gas, the desorption layer 16 is formed stoichiometrically and can be lifted from the flexible substrate 14. [

반면, 상기 실란 가스와 상기 아산화질소 가스가 약 10SCCM 및 약 750SCCM으로 제공되면, 상기 탈착 층(16)은 주름(11) 및 들뜸없이 평탄할 수 있다. 두 gas 조건(SiH4/N2O, 10SCCM/750SCCM과 5SCCM/1500SCCM)에서 stress는 각각 260MPa, 280MPa로 큰 차이가 없을 수 있다. 즉, 상기 탈착 층(16)은 그의 stress가 아니라, 비극성(ex, 중성)에 의해 상기 유연 기판(14)으로부터 들뜰 수 있다. On the other hand, if the silane gas and the nitrous oxide gas are supplied at about 10 SCCM and about 750 SCCM, the desorption layer 16 can be flat without wrinkles 11 and lifting. The stresses in the two gas conditions (SiH4 / N2O, 10 SCCM / 750 SCCM and 5 SCCM / 1500 SCCM) may not be as great as 260 MPa and 280 MPa, respectively. That is, the desorption layer 16 can be lifted from the flexible substrate 14 by its non-polarity (ex, neutral), not by its stress.

다시, 도 2 및 도 3을 참조하면, 상기 탈착 층(16) 상에 상기 제 1 배선들(120)을 형성한다(S120). 상기 제 1 배선들(120)은 스퍼터링 방법, 진공증착 방법, 포토리소그래피 방법 및 식각 방법으로 형성된 금속 패턴들을 포함할 수 있다. Referring again to FIGS. 2 and 3, the first wires 120 are formed on the desorption layer 16 (S120). The first wirings 120 may include metal patterns formed by a sputtering method, a vacuum deposition method, a photolithography method, and an etching method.

다음, 상기 제 1 배선들(120) 상에 상기 제 1 기능 소자(130)를 형성한다(S130). 상기 제 1 기능 소자(130)는 유기발광소자 또는 액정표시소자를 포함할 수 있다.Next, the first functional element 130 is formed on the first wirings 120 (S130). The first functional device 130 may include an organic light emitting device or a liquid crystal display device.

그 다음, 상기 제 1 기능 소자(130) 상에 실런트 층(140)을 형성한다(S140). 상기 실런트 층(140)은 접착제 층을 포함할 수 있다. 상기 실런트 층(140)은 후속에서 설명될 제 1 기판(110)의 제거 시에 DI 워터로부터 상기 제 1 기능 소자(130)를 보호할 수 있다.Next, a sealant layer 140 is formed on the first functional element 130 (S140). The sealant layer 140 may include an adhesive layer. The sealant layer 140 may protect the first functional element 130 from the DI water upon removal of the first substrate 110, which will be described later.

그리고, 상기 실런트 층(140) 상에 상기 캡 층(150)을 형성한다(S150). 상기 캡 층(150)은 PET 층을 포함할 수 있다.The cap layer 150 is formed on the sealant layer 140 (S150). The cap layer 150 may include a PET layer.

다시 도 1을 참조하면, 제 1 기판(110)을 제거한다(S200). 상기 제 1 기판(110)을 제거하는 단계(S200)는 상기 제 1 표시 모듈(100)의 두께를 감소시키는 단계를 포함할 수 있다. Referring back to FIG. 1, the first substrate 110 is removed (S200). The step of removing the first substrate 110 (S200) may include reducing the thickness of the first display module 100.

도 5는 도 1의 제 1 기판(110)을 제거하는 단계(S200)의 일 예를 보여준다. FIG. 5 shows an example of removing the first substrate 110 of FIG. 1 (S200).

도 5를 참조하면, 제 1 기판(110)을 제거하는 단계(S200)는 지지 기판(12)을 제거하는 단계(S210), 유연 기판(14)을 제거하는 단계(S220) 및 탈착 층(16)을 제거하는 단계(S230)를 포함할 수 있다.5, step S200 of removing the first substrate 110 includes removing the support substrate 12 (S210), removing the flexible substrate 14 (S220), and removing the desorption layer 16 (Step S230).

도 6a 내지 도 6d는 도 5의 제 1 기판(110)을 제거하는 단계(S200)를 보여주는 공정 단면도들이다.6A to 6D are process sectional views showing a step S200 of removing the first substrate 110 of FIG.

도 5 및 도 6a를 참조하면, 상기 지지 기판(12)을 제거한다(S210). 상기 지지 기판(12)은 레이저 리프트 오프(laser lift-off) 방법에 의해 상기 유연 기판(14)으로부터 제거될 수 있다. 이와 달리, 상기 지지 기판(12)은 외력 또는 열처리 방법에 의해 상기 유연 기판(14)으로부터 제거될 수 있다.Referring to FIGS. 5 and 6A, the support substrate 12 is removed (S210). The support substrate 12 may be removed from the flexible substrate 14 by a laser lift-off method. Alternatively, the support substrate 12 may be removed from the flexible substrate 14 by an external force or a heat treatment method.

도 5, 도 6b 및 도 6c를 참조하면, 상기 유연 기판(14)을 제거한다(S220). 상기 유연 기판(14)은 DI 워터(17) 또는 워터 내에 침지(dipped)될 수 있다. 상기 DI 워터(17)는 배쓰(15) 내에 저장될 수 있다. 상기 DI 워터(17)는 극성을 가질 수 있다. 상기 DI 워터(17)는 상기 유연 기판(14)과 상기 탈착 층(16) 사이의 계면으로 침투하여 상기 유연 기판(14)과 상기 탈착 층(16)의 접합력 또는 접착력을 감소시킬 수 있다. 따라서, 상기 유연 기판(14)은 상기 탈착 층(16)으로부터 쉽게 분리될 수 있다. 5, 6B and 6C, the flexible substrate 14 is removed (S220). The flexible substrate 14 may be dipped in DI water 17 or water. The DI water 17 can be stored in the bath 15. The DI water 17 may have a polarity. The DI water 17 penetrates into the interface between the flexible substrate 14 and the desorption layer 16 to reduce the bonding force or adhesion between the flexible substrate 14 and the desorption layer 16. Therefore, the flexible substrate 14 can be easily separated from the desorption layer 16.

도 7a 및 도 7b는 대기중에서 분리된 유연 기판(14a)과 DI 워터(17) 내에서 분리된 유연 기판(14b)을 보여준다.Figs. 7A and 7B show a flexible substrate 14a separated in the atmosphere and a flexible substrate 14b separated in the DI water 17. Fig.

도 7a를 참조하면, 대기중에서 분리된 유연 기판(14a)은 잔여물(13)을 가질 수 있다. 상기 잔여물(13)은 도 6b의 탈착 층(16)의 일부를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 7A, the flexible substrate 14a separated in the atmosphere may have the remainder 13. The remainder 13 may comprise a portion of the desorption layer 16 of Figure 6B.

도 7b를 참조하면, DI 워터((17) 내에 서 분리된 유연 기판(14b)은 잔여물(13)없이 깨끗이 분리될 수 있다. Referring to Fig. 7B, the flexible substrate 14b separated in the DI water (17) can be cleanly separated without the remainder (13).

다시 도 6b 및 도 6c를 참조하면, 상기 DI 워터(17) 내에서의 상기 유연 기판(14)과 상기 탈착 층(16)의 분리 시에 상기 실런트 층(140)은 상기 제 1 기능 소자(130)의 주름(11) 및 크랙을 방지할 수 있다. 예를 들어, 상기 실런트 층(140)은 약 240 MPa 이상의 높은 접착력을 갖는 접착제를 포함할 수 있다. 상기 접착력이 이보다 낮을 경우, 상기 제 1 기능 소자(130)는 상기 유연 기판(14) 또는 상기 탈착 층(16)의 응력에 의해 손상될 수 있다. 본 발명은 이에 한정되지 않고, 상기 실런트 층(140)의 접착력은 상기 제 1 기능 소자(130)의 유연성 및 신축성에 따라 조절된 값을 가질 수 있다. 6B and 6C, when the flexible substrate 14 and the desorption layer 16 are separated from each other in the DI water 17, the sealant layer 140 is separated from the first functional device 130 The wrinkles 11 and cracks of the wrinkles can be prevented. For example, the sealant layer 140 may include an adhesive having a high adhesive strength of at least about 240 MPa. If the adhesive force is lower than this, the first functional element 130 may be damaged by the stress of the flexible substrate 14 or the desorption layer 16. The adhesive force of the sealant layer 140 may be adjusted according to the flexibility and stretchability of the first functional device 130. [

도 6d를 참조하면, 탈착 층(16)을 제거한다(S230). 상기 탈착 층(16)은 습식 식각 방법 또는 건식 식각 방법으로 제거될 수 있다. 상기 제 1 배선들(120)은 외부로 노출될 수 있다.Referring to FIG. 6D, the desorption layer 16 is removed (S230). The desorption layer 16 may be removed by a wet etching method or a dry etching method. The first wires 120 may be exposed to the outside.

도 8은 제 2 표시 모듈(200)을 보여준다. 도 9는 도 1의 제 2 표시 모듈(200)을 제조하는 단계(S300)의 일 예를 보여준다.Fig. 8 shows the second display module 200. Fig. FIG. 9 shows an example of a step S300 of manufacturing the second display module 200 of FIG.

도 1, 도 8 및 도 9를 참조하면, 제 2 표시 모듈(200)을 제조하는 단계(S300)는 제 2 기판(210)을 제공하는 단계(S210), 제 2 배선들(220)을 형성하는 단계(S220) 및 제 2 기능 소자(230)를 형성하는 단계(S230)를 포함할 수 있다. Referring to FIGS. 1, 8 and 9, a step S300 of manufacturing the second display module 200 includes providing a second substrate 210 (S210), forming second wires 220 And forming a second functional element 230 (S230).

먼저, 상기 제 2 기판(210)을 제공한다. 상기 제 2 기판(210)을 제공하는 단계(S210)는 도 5의 제 1 기판(110)을 제공하는 단계(S110)와 동일할 수 있다. 상기 제 2 기판(210)은 지지 기판(12), 유연 기판(14) 및 탈착 층(16)을 포함할 수 있다. 상기 탈착 층(16)은 친수기(ex, -OH(수산기, hydroxyl )를 갖는 실리콘 산화물을 포함할 수 있다.First, the second substrate 210 is provided. The step of providing the second substrate 210 (S210) may be the same as the step of providing the first substrate 110 of FIG. 5 (S110). The second substrate 210 may include a support substrate 12, a flexible substrate 14, and a desorption layer 16. The desorption layer 16 may include a silicon oxide having a hydrophilic group (ex, -OH (hydroxyl, hydroxyl).

다음, 상기 제 2 기판(210) 상에 제 2 배선들(220)을 형성한다(S220). 상기 제 2 배선들(220)은 상기 제 1 배선들(120)과 동일한 방법으로 형성될 수 있다. Next, the second wirings 220 are formed on the second substrate 210 (S220). The second wirings 220 may be formed in the same manner as the first wirings 120.

그리고, 상기 제 2 배선들(220) 상에 상기 제 2 기능 소자(230)를 형성한다(S230). 상기 제 2 기능 소자(230)는 유기발광소자 또는 액정표시장치를 포함할 수 있다. 상기 제 2 기능 소자(230)는 상기 제 1 기능 소자(130)과 동일한 방법으로 형성될 수 있다.The second functional element 230 is formed on the second wirings 220 (S230). The second functional device 230 may include an organic light emitting device or a liquid crystal display device. The second functional device 230 may be formed in the same manner as the first functional device 130.

도 10은 도 8의 제 2 표시 모듈(200) 상에 접합된 제 1 표시 모듈(100)의 일 예를 보여준다.FIG. 10 shows an example of the first display module 100 bonded on the second display module 200 of FIG.

도 1 및 도 10을 참조하면, 상기 제 2 표시 모듈(200) 상에 상기 제 1 표시 모듈(100)을 접합한다(S400). 상기 제 1 표시 모듈(100)의 제 1 배선들(120)과 상기 제 2 표시 모듈(200)의 제 2 기능 소자(230)는 열처리 방법 또는 압착 방법에 의해 접합될 수 있다. Referring to FIGS. 1 and 10, the first display module 100 is bonded to the second display module 200 (S400). The first wirings 120 of the first display module 100 and the second functional devices 230 of the second display module 200 may be bonded by a heat treatment method or a pressing method.

도 11은 도 8의 제 2 표시 모듈(200) 상에 접합된 제 1 표시 모듈(100)의 다른 예를 보여준다.FIG. 11 shows another example of the first display module 100 bonded on the second display module 200 of FIG.

도 11을 참조하면, 상기 제 1 표시 모듈(100)과 상기 제 2 표시 모듈(200)은 이방성 전도재(240)에 의해 접합될 수 있다. 상기 이방성 전도재(240)는 제 2 기능 소자(230)를 제 1 배선들(120)에 전기적으로 연결할 수 있다. 상기 이방성 전도재(240)는 플레이트 모양의 도전성 금속 층을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 11, the first display module 100 and the second display module 200 may be joined by an anisotropic conductive material 240. The anisotropic conductive material 240 may electrically couple the second functional element 230 to the first wires 120. The anisotropic conductive material 240 may include a plate-shaped conductive metal layer.

도 12는 도 11의 제 2 기판(210)이 제거된 제 2 표시 모듈(200)을 보여준다.FIG. 12 shows a second display module 200 from which the second substrate 210 of FIG. 11 is removed.

도 1 및 도 12를 참조하면, 제 2 기판(210)을 제거한다(S500). 상기 제 2 기판(210)을 제거하는 단계(S500)는 도 5의 상기 제 1 기판(110)을 제거하는 단계(S200)와 동일할 수 있다.Referring to FIGS. 1 and 12, the second substrate 210 is removed (S500). The step of removing the second substrate 210 may be the same as the step of removing the first substrate 110 of FIG. 5 (S200).

도 1을 참조하면, 제 n 표시 모듈을 제조한다(S600). 상기 제 n 표시 모듈을 제조하는 단계(S600)는 상기 제 1 표시 모듈(100)을 제조하는 단계(S100)와 동일할 수 있다. 도시되지는 않았지만, 상기 제 n 표시 모듈은 제 n 기판을 가질 수 있다. 상기 제 n 기판은 지지 기판, 유연 기판 및 탈착 층을 포함할 수 있다. 여기서, n은 자연수이다.Referring to FIG. 1, an n-th display module is manufactured (S600). The step (S600) of manufacturing the n-th display module may be the same as the step (S100) of manufacturing the first display module (100). Although not shown, the n-th display module may have an n-th substrate. The n-th substrate may include a supporting substrate, a flexible substrate, and a desorption layer. Here, n is a natural number.

다음, 상기 제 n 표시 모듈 상에 제 2 표시 모듈(200) 또는 제 n-1 표시 모듈을 접합한다(S700). 상기 제 2 표시 모듈(200) 또는 상기 제 n-1 표시 모듈을 접합하는 단계(S700)는 도 10 또는 도 11의 제 2 표시 모듈(200) 상에 제 1 표시 모듈(100)을 접합하는 단계(S400)와 동일할 수 있다.Next, the second display module 200 or the (n-1) th display module is bonded on the n-th display module (S700). The step (S700) of joining the second display module 200 or the (n-1) th display module may include joining the first display module 100 on the second display module 200 of FIG. 10 or 11 (S400).

도 13은 제 n 기판이 제거된 제 n 표시 모듈(300)과, 제 1 및 제 2 표시 모듈들(100, 200)을 보여준다.13 shows the n-th display module 300 and the first and second display modules 100 and 200 from which the n-th substrate is removed.

도 1 및 도 13을 참조하면, 제 n 표시 모듈(300)의 제 n 기판을 제거한다(S800). 상기 제 n 기판을 제거하는 단계(S800)는 상기 제 1 기판(110)을 제거하는 단계(S200)와 동일할 수 있다. 상기 제 n 표시 모듈(300)은 제 n 배선들(320)과 상기 제 n 배선들(320) 상의 제 n 기능 소자(330)를 포함할 수 있다.1 and 13, the n-th substrate of the n-th display module 300 is removed (S800). The step of removing the n-th substrate S800 may be the same as the step S200 of removing the first substrate 110. The n-th display module 300 may include n-th wirings 320 and an n-th functional device 330 on the n-th wirings 320.

도 14는 도 1의 제 1 표시 모듈(100)의 일 예를 보여준다. 도 15는 도 14의 제 1 표시 모듈(100)을 제조하는 단계(S100)의 일 예를 보여준다. FIG. 14 shows an example of the first display module 100 of FIG. Fig. 15 shows an example of step S100 of manufacturing the first display module 100 of Fig.

도 14를 참조하면, 제 1 표시 모듈(100)은 유기발광소자를 포함할 수 있다. 일 예에 따르면, 상기 제 1 표시 모듈(100)은 제 1 기판(110), 제 1 배선들(120), 제 1 기능 소자(130), 실런트 층(140) 및 캡 층(150)을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 14, the first display module 100 may include an organic light emitting device. The first display module 100 includes a first substrate 110, first wires 120, a first functional element 130, a sealant layer 140, and a cap layer 150 can do.

상기 제 1 기판(110)은 버퍼 층(116)을 포함할 수 있다. 상기 버퍼 층(116)은 상기 제 1 기판(110)의 탈착 층(114) 상에 형성될 수 있다(S116). 예를 들어, 상기 버퍼 층(116)은 PECVD 방법으로 형성된 실리콘 질화물(SiN)을 포함할 수 있다. 상기 탈착 층(16)은 친수기(ex, -OH(수산기, hydroxyl )를 갖는 실리콘 산화물을 포함할 수 있다.The first substrate 110 may include a buffer layer 116. The buffer layer 116 may be formed on the desorption layer 114 of the first substrate 110 (S116). For example, the buffer layer 116 may comprise silicon nitride (SiN) formed by a PECVD process. The desorption layer 16 may include a silicon oxide having a hydrophilic group (ex, -OH (hydroxyl, hydroxyl).

상기 제 1 배선들(120)은 상기 버퍼 층(116) 상에 형성될 수 있다(S120). 상기 제 1 배선들(120)은 LC 아노드(122), 및 패드(124)을 포함할 수 있다. The first wirings 120 may be formed on the buffer layer 116 (S120). The first wires 120 may include an LC anode 122, and a pad 124.

제 1 기능 소자(130)는 상기 제 1 배선들(120) 상에 형성될 수 있다(S130). 일 예에 따르면, 상기 제 1 기능 소자(130)는 평탄 층(132), 소자 아노드(134), 뱅크 층(136), 유기발광소자 층(137), 소자 캐소드(138) 및 보호 층(139)을 포함할 수 있다. The first functional element 130 may be formed on the first wires 120 (S130). According to an example, the first functional element 130 includes a planarizing layer 132, an element anode 134, a bank layer 136, an organic light emitting element layer 137, an element cathode 138, 139).

상기 평탄 층(132)은 상기 제 1 배선들(120) 및 상기 버퍼 층(18) 상에 형성될 수 있다(S132). 상기 평탄 층(132)은 유기물 층을 포함할 수 있다. The planarization layer 132 may be formed on the first wires 120 and the buffer layer 18 (S132). The planarization layer 132 may include an organic layer.

상기 소자 아노드(134)는 상기 평탄 층(132)과 상기 패드(124) 상에 형성될 수 있다(S134). 상기 소자 아노드(134)는 상기 평탄 층(132)을 관통하여 상기 패드(124)로 연결될 수 있다. The element anode 134 may be formed on the flat layer 132 and the pad 124 (S134). The element anode 134 may be connected to the pad 124 through the flat layer 132.

상기 뱅크 층(136)은 상기 소자 아노드(134)의 일부와 상기 평탄 층(132)의 일부 상에 형성될 수 있다(S136). 상기 뱅크 층(136) 포토리소그래피 공정으로 패터닝될 수 있다. 예를 들어, 상기 뱅크 층(136)은 상기 소자 아노드(134)의 일부를 노출시킬 수 있다. The bank layer 136 may be formed on a part of the element anode 134 and a part of the planarization layer 132 (S136). The bank layer 136 may be patterned by a photolithography process. For example, the bank layer 136 may expose a portion of the element anode 134.

상기 유기발광소자 층(137)은 상기 뱅크 층(136)으로부터 노출된 상기 소자 아노드(134)의 일부 상에 형성될 수 있다(S137). 상기 유기발광소자 층(137)은 화소를 정의하며, 평면적으로, 매트릭스 모양으로 배열될 수 있다. 도시되지는 않았지만, 상기 유기발광소자 층(137)은 전공 주입층, 전공 수송 층, 유기 발광 층, 전자 수송 층 및 전자 주입 층을 포함할 수 있다. 이와 달리, 상기 유기발광소자 층(137)은 상기 뱅크 층(136)보다 먼저 형성될 수도 있다.The organic light emitting device layer 137 may be formed on a part of the element anode 134 exposed from the bank layer 136 (S137). The organic light emitting device layer 137 defines pixels and may be arranged in a matrix in a plane. Although not shown, the organic light emitting device layer 137 may include an electron injection layer, an electron transport layer, an organic light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer. Alternatively, the organic light emitting device layer 137 may be formed prior to the bank layer 136. Referring to FIG.

상기 소자 캐소드(138)는 상기 유기발광소자 층(137) 및 상기 뱅크 층(136) 상에 형성될 수 있다(S138). 상기 소자 아노드(134)와 상기 소자 캐소드(138) 사이에 전류가 흐르면, 상기 유기발광소자 층(137)의 유기 발광 층은 상기 전류에 의해 발광될 수 있다. 생성된 빛은 상기 유기 발광 층의 종류에 따라 다를 수 있다. 상기 유기 발광 층은 빨강, 파랑 및 녹색의 삼원 색 광을 생성할 수 있다.The device cathode 138 may be formed on the organic light emitting device layer 137 and the bank layer 136 (S138). When a current flows between the element anode 134 and the element cathode 138, the organic light emitting layer of the organic light emitting element layer 137 can be emitted by the current. The generated light may be different depending on the type of the organic light emitting layer. The organic light emitting layer may generate red, blue, and green three-color light.

상기 보호 층(139)은 상기 소자 캐소드(138) 상에 형성될 수 있다(S139). 상기 보호 층(139)은 원자층 증착 방법으로 형성된 세라믹(Al2O3)포함할 수 있다. 상기 보호 층(139)은 상기 평탄 층(132), 상기 소자 아노드(134), 상기 뱅크 층(136), 상기 유기발광소자 층(137) 및 소자 캐소드(138)를 보호할 수 있다. The protective layer 139 may be formed on the device cathode 138 (S139). The protective layer 139 may include ceramics (Al 2 O 3 ) formed by an atomic layer deposition method. The protective layer 139 may protect the flat layer 132, the element anode 134, the bank layer 136, the organic light emitting element layer 137, and the element cathode 138.

상기 실런트 층(140)은 상기 보호 층(139) 상에 형성될 수 있다(S140). The sealant layer 140 may be formed on the protective layer 139 (S140).

상기 캡 층(150)은 상기 실런트 층(140) 상에 형성될 수 있다(S150). 상기 캡 층(150)은 박막 필름 엔캡슐레이션(encapsulationr) 방법 또는 면 봉지(face seal) 엔캡슐레이션 방법으로 형성될 수 있다. 도시되지는 않았지만, 상기 면 봉지 엔캡슐레이션 방법의 상기 캡 층(150)은 상기 실런트 층(140)과 상기 소자 캐소드(138) 사이에 형성될 수 있다. 상기 캡 층(150)은 폴리머 또는 세라믹(Al2O3)을 포함할 수 있다. 상기 캡 층(150) 및 상기 실런트 층(140)은 상기 제 1 기능 소자(130)의 유기발광소자 층(137)의 산화를 방지할 수 있다.The cap layer 150 may be formed on the sealant layer 140 (S150). The cap layer 150 may be formed by a thin film encapsulation method or a face seal encapsulation method. Although not shown, the cap layer 150 of the encapsulation method may be formed between the sealant layer 140 and the device cathode 138. The cap layer 150 may include a polymer or ceramic (Al 2 O 3 ). The cap layer 150 and the sealant layer 140 may prevent the organic light emitting device layer 137 of the first functional device 130 from being oxidized.

다시, 도 1, 도 5 및 도 14를 참조하면, 상기 제 1 기판(110)의 지지 기판(12)은 LLO 방법에 의해 제거될 수 있다(S210).1, 5, and 14, the support substrate 12 of the first substrate 110 may be removed by the LLO method (S210).

다음, 유연 기판(14)은 DI 워터(17)의 침지 방법으로 제거될 수 있다(S220). 상기 캡 층(150)이 상기 면 봉지 엔캡슐레이션 방법으로 형성될 경우, 상기 제 1 기능 소자(130)의 손상은 상기 실런트 층(140)의 탄성 계수에 따라 방지될 수 있다.Next, the flexible substrate 14 can be removed by the immersion method of the DI water 17 (S220). When the cap layer 150 is formed by the face encapsulation encapsulation method, the damage of the first functional element 130 may be prevented according to the elastic modulus of the sealant layer 140.

도 16은 도 14의 실런트 층(140)의 탄성 계수의 크기에 따라 생성되는 크랙(19)을 보여준다.Fig. 16 shows a crack 19 generated according to the magnitude of the modulus of elasticity of the sealant layer 140 of Fig.

도 16을 참조하면, 상기 실런트 층(140)이 약 수MPa이하의 탄성계수를 가지면, 제 1 기능 소자(130) 상에 크랙(19)이 생성될 수 있다. 상기 실런트 층(140)이 약 2.2GPa, 240MPa 및 약 17MPa의 탄성계수를 가질 때, 상기 탈착 층(16)은 제 1 기능 소자(130)의 크랙(19)없이 상기 유연 기판(14)으로부터 분리될 수 있다. 따라서, 실런트 층(140)의 탄성 계수가 수십 MPa이상일 경우, 상기 제 1 기능 소자(130)의 손상은 방지될 수 있다. 16, when the sealant layer 140 has a modulus of elasticity of about several MPa or less, a crack 19 may be generated on the first functional device 130. When the sealant layer 140 has an elastic modulus of about 2.2 GPa, 240 MPa and about 17 MPa, the desorption layer 16 is separated from the flexible substrate 14 without crack 19 of the first functional device 130 . Therefore, when the elastic modulus of the sealant layer 140 is tens of MPa or more, damage to the first functional device 130 can be prevented.

도 17은 도 14의 탈착 층(16)과 버퍼 층(18)의 일부가 제거되어 패드(124)가 노출된 것을 보여준다.FIG. 17 shows that the pad 124 is exposed by removing a portion of the desorption layer 16 and the buffer layer 18 of FIG.

도 17을 참조하면, 상기 탈착 층(16)의 일부와 버퍼 층(18)의 일부는 포토리소그래피 공정 및 식각 공정으로 제거될 수 있다. 상기 패드(124)는 외부로 노출될 수 있다. 도시되지는 않았지만, 패드(124)는 외부의 단자와 연결될 수 있다. Referring to FIG. 17, a part of the desorption layer 16 and a part of the buffer layer 18 can be removed by a photolithography process and an etching process. The pad 124 may be exposed to the outside. Although not shown, the pad 124 may be connected to an external terminal.

도 18은 제 1 표시 모듈(100)의 일 예를 보여준다. 도 19는 도 18의 제 1 표시 모듈(100)을 제조하는 단계(S100)의 일 예를 보여준다.Fig. 18 shows an example of the first display module 100. Fig. FIG. 19 shows an example of step S100 of manufacturing the first display module 100 of FIG.

도 18 및 도 19를 참조하면, 상기 제 1 표시 모듈(100)은 액정 표시장치의 배선 모듈 또는 반사 모듈을 포함할 수 있다. 일 예에 따르면, 제 1 표시 모듈(100)은 제 1 기판(110), 제 1 배선들(120), 반사 부(133), 실런트 층(140) 및 캡 층(150)을 포함할 수 있다.18 and 19, the first display module 100 may include a wiring module or a reflection module of a liquid crystal display device. The first display module 100 may include a first substrate 110, first wires 120, a reflector 133, a sealant layer 140, and a cap layer 150 .

상기 제 1 기판(110)은 지지 기판(12), 유연 기판(14), 탈착 층(16) 및 버퍼 층(18)을 포함하고, 상기 유연 기판(14), 상기 탈착 층(16) 및 상기 버퍼 층(18)은 도 19의 S110을 따라 상기 지지 기판(12) 상에 순차적으로 형성될 수 있다. 상기 유연 기판(14)은 약 10㎛의 두께로 형성될 수 있다(S112). 상기 탈착 층(16)은 약 100nm의 두께로 형성될 수 있다(S114). 상기 탈착 층(16)은 1.2Torr의 진공도, 75W의 파워, 10SCCM/750SCCM의 혼합비의 SiH4/N2O의 PECVD 방법으로 형성된 실리콘 산화물을 포함할 수 있다. 상기 버퍼 층(18)은 약 20㎛의 두께로 형성될 수 있다. 상기 버퍼 층(18)은 PECVD 방법으로 형성된 실리콘 질화물을 포함할 수 있다.The first substrate 110 includes a support substrate 12, a flexible substrate 14, a desorption layer 16 and a buffer layer 18, and the flexible substrate 14, the desorption layer 16, The buffer layer 18 may be sequentially formed on the supporting substrate 12 along the S110 of FIG. The flexible substrate 14 may be formed to a thickness of about 10 mu m (S112). The desorption layer 16 may be formed to a thickness of about 100 nm (S114). The desorption layer 16 may comprise a silicon oxide formed by a PECVD process of SiH 4 / N 2 O in a vacuum degree of 1.2 Torr, a power of 75 W, and a mixing ratio of 10 SCCM / 750 SCCM. The buffer layer 18 may be formed to a thickness of about 20 탆. The buffer layer 18 may comprise silicon nitride formed by a PECVD process.

상기 제 1 배선들(120)은 상기 버퍼 층(18) 상에 형성될 수 있다(S120). 상기 제 1 배선들(120)은 반사 층일 수 있다. 일 예에 따르면, 상기 제 1 배선들(120)은 LC 아노드(122) 및 패드(124)를 포함할 수 있다.The first wirings 120 may be formed on the buffer layer 18 (S120). The first wirings 120 may be a reflective layer. According to one example, the first wires 120 may include an LC anode 122 and a pad 124.

상기 반사 부(133)부 상기 제 1 배선들(120) 상에 형성될 수 있다(S133). 상기 반사 부(133)는 평탄 층(132) 및 금속 층(135)을 포함할 수 있다. 상기 평탄 층(132)은 상기 제 1 배선들(120) 상에 형성될 수 있다(S132). 상기 금속 층(135)은 상기 평탄 층(132) 상에 형성될 수 있다(S135). 상기 금속 층(135)은 후속에서 설명될 투과 광을 반사할 수 있다. The reflective portion 133 may be formed on the first wirings 120 (S133). The reflective portion 133 may include a flat layer 132 and a metal layer 135. The planarization layer 132 may be formed on the first wirings 120 (S132). The metal layer 135 may be formed on the flat layer 132 (S135). The metal layer 135 may reflect the transmitted light which will be described later.

상기 실런트 층(140)은 상기 금속 층(135) 상에 형성될 수 있다(S140).The sealant layer 140 may be formed on the metal layer 135 (S140).

상기 캡 층(150)은 상기 실런트 층(140) 상에 형성될 수 있다(S150).The cap layer 150 may be formed on the sealant layer 140 (S150).

다시 도 5를 참조하면, 상기 지지 기판(12)은 LLO 방법에 의해 제거될 수 있다(S210).Referring again to FIG. 5, the support substrate 12 may be removed by the LLO method (S210).

다음, 상기 유연 기판(14)은 DI 워터(17)의 침지 방법으로 제거될 수 있다(S220).Next, the flexible substrate 14 may be removed by immersion of the DI water 17 (S220).

도 20은 도 18의 탈착 층(16)과 버퍼 층(18)의 일부가 제거되어 패드(124)가 노출된 것을 보여준다.FIG. 20 shows that the pad 124 is exposed by removing a portion of the desorption layer 16 and the buffer layer 18 of FIG.

도 5 및 도 20을 참조하면, 패드(124) 아래의 탈착 층(16)과 버퍼 층(18)의 일부는 제거될 수 있다(S230). 상기 패드(124)는 외부로 노출될 수 있다.Referring to FIGS. 5 and 20, a portion of the desorption layer 16 under the pad 124 and the buffer layer 18 may be removed (S230). The pad 124 may be exposed to the outside.

도 21은 제 2 표시 모듈(200)의 일 예를 보여준다.FIG. 21 shows an example of the second display module 200. FIG.

도 21을 참조하면, 제 2 표시 모듈(200)은 액정표시장치를 포함할 수 있다. 일 예에 따르면, 상기 제 2 표시 모듈(200)은 제 2 기판(210), 제 2 배선(220) 및 제 2 기능 소자(230)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 21, the second display module 200 may include a liquid crystal display. According to an example, the second display module 200 may include a second substrate 210, a second wiring 220, and a second functional device 230.

도 9 및 도 21을 참조하면, 상기 제 2 기판(210)이 제공될 수 있다(S310). 상기 제 2 기판(210)은 투명 글래스를 포함할 수 있다. 9 and 21, the second substrate 210 may be provided (S310). The second substrate 210 may include a transparent glass.

다음, 상기 제 2 기판(210) 상에 제 2 배선(220)이 형성될 수 있다(S320). 상기 제 2 배선(220)은 ITO의 캐소드를 포함할 수 있다.Next, a second wiring 220 may be formed on the second substrate 210 (S320). The second wiring 220 may include a cathode of ITO.

그 다음, 상기 제 2 배선(220) 상에 제 2 기능 소자(230)가 형성될 수 있다(S330). 상기 제 2 기능 소자(230)는 액정 소자를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 기능 소자(230)는 액정 층(232) 및 스페이서(234)를 포함할 수 있다. 액정 층(232)은 네마틱 액정, 콜레스테릭 액정 및 스멕틱 액정을 포함할 수 있다. 상기 스페이서(234)는 상기 액정 층(232)내에 제공될 수 있다.Next, the second functional element 230 may be formed on the second wiring 220 (S330). The second functional element 230 may include a liquid crystal element. For example, the second functional element 230 may include a liquid crystal layer 232 and a spacer 234. [ The liquid crystal layer 232 may include a nematic liquid crystal, a cholesteric liquid crystal, and a smectic liquid crystal. The spacer 234 may be provided in the liquid crystal layer 232.

도 22는 도 20의 제 1 표시 모듈(100)과 도 22의 제 2 표시 모듈(200)이 접합된 것을 보여준다.FIG. 22 shows the first display module 100 of FIG. 20 and the second display module 200 of FIG. 22 joined together.

도 1 및 도 22를 참조하면, 상기 제 1 표시 모듈(100)은 상기 제 2 표시 모듈(200)의 액정 층(232) 상에 접합될 수 있다(S400). 상기 제 1 기판(110)이 제거되었기 때문에 상기 제 1 표시 모듈(100)과 상기 제 2 표시 모듈(200)의 두께는 최소화될 수 있다. 상기 액정 층(232)은 상기 제 1 배선들(120)의 LC 아노드(122)와 상기 제 2 배선(220) 사이의 전기장의 유무에 따라 투과 광(미도시)을 단속(switching)할 수 있다. 상기 투과 광은 상기 반사 부(133)의 금속 층(135)에 반사될 수 있다. 도시되지는 않았지만, 상기 액정 층(232)은 상기 씰제에 의해 외부로부터 봉지될 수 있다. Referring to FIGS. 1 and 22, the first display module 100 may be bonded on the liquid crystal layer 232 of the second display module 200 (S400). Since the first substrate 110 is removed, the thicknesses of the first display module 100 and the second display module 200 can be minimized. The liquid crystal layer 232 may switch the transmission light (not shown) depending on the presence or absence of an electric field between the LC anode 122 of the first wires 120 and the second wire 220 have. The transmitted light may be reflected to the metal layer 135 of the reflective portion 133. Although not shown, the liquid crystal layer 232 can be sealed from the outside by the sealing agent.

위에서 설명한 내용은 본 발명을 실시하기 위한 구체적인 예들이다. 본 발명에는 위에서 설명한 실시 예들뿐만 아니라, 단순하게 설계 변경하거나 용이하게 변경할 수 있는 실시 예들도 포함될 것이다. 또한, 본 발명에는 위에서 설명한 실시 예들을 이용하여 앞으로 용이하게 변형하여 실시할 수 있는 기술들도 포함될 것이다.The above description is a concrete example for carrying out the present invention. The present invention includes not only the above-described embodiments, but also embodiments that can be simply modified or easily changed. In addition, the present invention includes techniques that can be easily modified by using the above-described embodiments.

Claims (1)

유연 기판과 탈착 층을 갖는 제 1 기판 상의 제 1 기능 소자를 포함하는 제 1 표시 모듈을 제조하는 단계;
상기 제 1 기판을 제거하는 단계;
상기 제 1 표시 모듈과 다른 제 2 표시 모듈을 제조하는 단계; 및
상기 2 표시 모듈 상에 제 1 표시 모듈을 접합하는 단계를 포함하되,
상기 탈착 층은 친수성의 수산기를 갖는 실리콘 산화물을 포함하되,
상기 제 1 기판을 제거하는 단계는 상기 제 1 표시 모듈을 DI 워터 내에 침지하고, 상기 DI 워터를 상기 탈착 층과 상기 유연 기판 사이에 침투시켜 상기 탈착 층을 상기 유연 기판으로부터 분리시키는 단계를 포함하는 박형 다층 접합 표시 소자의 제조 방법.
Fabricating a first display module comprising a first functional element on a first substrate having a flexible substrate and a desorption layer;
Removing the first substrate;
Fabricating a second display module different from the first display module; And
And joining the first display module on the second display module,
Wherein the desorption layer comprises a silicon oxide having a hydrophilic hydroxyl group,
The step of removing the first substrate includes immersing the first display module in the DI water and penetrating the DI water between the desorption layer and the flexible substrate to separate the desorption layer from the flexible substrate (Method for manufacturing a thin multilayer bonded display device).
KR1020180008455A 2017-01-23 2018-01-23 method for manufacturing multi-stacked thin film display device KR102501299B1 (en)

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