KR20180085869A - Substrate procesing apparatus having the same - Google Patents

Substrate procesing apparatus having the same Download PDF

Info

Publication number
KR20180085869A
KR20180085869A KR1020170009465A KR20170009465A KR20180085869A KR 20180085869 A KR20180085869 A KR 20180085869A KR 1020170009465 A KR1020170009465 A KR 1020170009465A KR 20170009465 A KR20170009465 A KR 20170009465A KR 20180085869 A KR20180085869 A KR 20180085869A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
guard
guard member
polishing
substrate
polishing platen
Prior art date
Application number
KR1020170009465A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
김준영
Original Assignee
주식회사 케이씨텍
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 케이씨텍 filed Critical 주식회사 케이씨텍
Priority to KR1020170009465A priority Critical patent/KR20180085869A/en
Publication of KR20180085869A publication Critical patent/KR20180085869A/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like

Abstract

The present invention relates to a substrate treating apparatus. The substrate treating apparatus comprises a platen on which a polishing pad polishing a substrate is disposed; a guard member disposed to surround the circumference of the platen; and a fluid supply unit supplying a cleaning fluid between a side surface of the platen and an inner surface of the guard member. The substrate treating apparatus can obtain an advantageous effect of preventing secondary contamination and damage caused by foreign matters scattered around while performing a polishing process of the substrate.

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE PROCESING APPARATUS HAVING THE SAME}[0001] SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS HAVING THE SAME [0002]

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 기판의 연마 공정을 행하는 도중에 주변으로 비산되는 슬러리, 연마 입자 등의 이물질에 의한 2차 오염 및 손상을 방지할 수 있는 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus capable of preventing secondary contamination and damage caused by foreign substances such as slurry and abrasive particles scattered around in the course of polishing a substrate.

일반적으로 화학 기계식 연마(Chemical Mechanical Polishing; CMP) 공정은 연마층이 구비된 반도체 제작을 위한 웨이퍼 등의 기판과 연마정반 사이에 상대 회전 시킴으로써 기판의 표면을 연마하는 표준 공정으로 알려져 있다. BACKGROUND ART In general, a chemical mechanical polishing (CMP) process is known as a standard process for polishing a surface of a substrate by relatively rotating between a substrate such as a wafer for manufacturing a semiconductor provided with a polishing layer and a polishing table.

최근에는 대한민국 등록특허공보 제10-1188579호에 개시된 바와 같이, 웨이퍼 캐리어가 웨이퍼를 파지한 상태로 이송하면서 다수의 연마정반에서 슬러리의 종류나 회전 속도 등의 연마 조건을 변경해가면서 다단계 화학 기계적 연마 공정을 행하는 구성이 제안되고 있다. 즉, 도 1에 도시된 바와 같이, 웨이퍼 캐리어(90)는 웨이퍼를 파지한 상태로 로딩 유닛(70)으로부터 정해진 경로(82, 81, 83)을 따라 도면부호 61d1, 61d2, 61d3, 61d4를 따라 이동하면서, 이 경로 상에 배치된 연마정반(I, II,..; 11)에서 웨이퍼(W)의 화학 기계적 연마 공정을 행하도록 구성된다.Recently, as disclosed in Korean Patent Registration No. 10-1188579, while a wafer carrier is being transported while grasping a wafer, a multistage chemical mechanical polishing process is carried out while changing the polishing conditions such as the kind of the slurry and the rotation speed in a plurality of polishing bases Is proposed. 1, the wafer carrier 90 moves along the path 82, 81, 83 from the loading unit 70 while grasping the wafer along the reference numerals 61d1, 61d2, 61d3, 61d4 Mechanical polishing of the wafer W is performed on the polishing platen (I, II, ...) 11 disposed on this path while moving.

이때, 웨이퍼 캐리어(90)는 도 2에 도시된 바와 같이 가이드 레일(82R)을 따라 이동하며, 가이드 레일(82R)은 화학 기계적 연마 시스템이 설치되는 프레임(2)에 고정 설치된다. At this time, the wafer carrier 90 moves along the guide rail 82R as shown in Fig. 2, and the guide rail 82R is fixed to the frame 2 on which the chemical mechanical polishing system is installed.

웨이퍼 캐리어(90)가 어느 하나의 정반(11) 상으로 웨이퍼(W)를 이동하여, 웨이퍼(W)의 연마면이 연마정반(11) 상의 연마패드에 접촉하면, 연마정반(11)은 정해진 회전(11d) 구동되고, 슬러리 공급부(50)로부터 슬러리가 연마패드 상에 공급되면, 컨디셔너(40)는 선회 운동(41d)을 하면서 회전 운동을 하여 연마패드의 표면 개질하여 슬러리가 웨이퍼(W)로 원활히 유입되도록 한다. When the wafer carrier 90 moves the wafer W onto one of the platens 11 and the polishing surface of the wafer W comes into contact with the polishing pad on the polishing platen 11, And the slurry is supplied onto the polishing pad from the slurry supply unit 50. The conditioner 40 is rotated while performing the swing motion 41d to modify the surface of the polishing pad, .

이와 같이 웨이퍼(W)는 웨이퍼 캐리어(90)에 의해 파지된 상태로 이동하여, 다수의 연마정반(11) 상에서 화학 기계적 연마 공정이 행해진다. Thus, the wafer W moves in a state gripped by the wafer carrier 90, and a chemical mechanical polishing process is performed on the plurality of polishing plates 11. [

그러나, 화학 기계적 연마 공정이 행해지는 연마패드 상에는 슬러리가 공급되고, 웨이퍼(W)의 연마면에서 연마 입자가 발생되며, 화학 기계적 연마 공정이 마무리되면 순수가 공급되므로, 연마패드 상에는 액체와 입자 등의 이물질이 존재하게 된다. 그리고, 이 상태에서 웨이퍼(W)와 연마패드가 각각 회전하면서 화학 기계적 연마 공정이 행해지므로, 도 3의 도면부호 68d로 표시된 바와 같이 슬러리 등의 이물질이 주변으로 튀는 현상이 발생되며, 이로 인하여 웨이퍼(W)를 파지하여 이동시키는 웨이퍼 캐리어(90)의 센서에 고장을 야기하기도 하고, 기계 부품에 수분과 입자 등의 이물질이 유입되어 기계 부품의 손상을 야기하는 문제가 있었다.However, since slurry is supplied to the polishing pad on which the chemical mechanical polishing process is performed, abrasive particles are generated on the polishing surface of the wafer W, and pure water is supplied when the chemical mechanical polishing process is completed, There is a foreign substance. In this state, the chemical mechanical polishing process is performed while rotating the wafer W and the polishing pad, respectively, so that foreign matter such as slurry splashes to the periphery as indicated by reference numeral 68d in FIG. 3, The sensor of the wafer carrier 90 which grasps and moves the wafer W causes a trouble, and foreign matter such as moisture and particles flows into the mechanical parts, causing damage of the mechanical parts.

이에 종래에는 도 4와 같이, 연마정반(11)의 둘레를 감싸도록 가드 부재(110)를 승강 가능하게 장착하고, 화학 기계적 연마 공정시 연마정반(연마패드 또는 웨이퍼)으로부터 비산되는 이물질이 가드 부재(110)의 내벽면을 따라 흘러내린 후, 가드 부재(110)의 하부에 형성된 배출홀(미도시)을 통해 가드 부재(110)의 외부로 배출되도록 하였다.Conventionally, as shown in FIG. 4, a guard member 110 is movably mounted so as to surround the periphery of the polishing table 11, and foreign matter scattered from the polishing table (polishing pad or wafer) (Not shown) formed at a lower portion of the guard member 110 to be discharged to the outside of the guard member 110. [

그러나, 기존에는 도 5와 같이, 가드 부재(110)의 내벽면으로 비산된 이물질(예를 들어, 슬러리)(D)이 가드 부재(110)의 내벽면에 부착된 상태로 고화되는 문제점이 있으며, 고화된 이물질(D)에 의해 파티클이 발생되고, 기판의 측면에 스크레치가 발생하는 문제점이 있다.However, as shown in FIG. 5, there is a problem that foreign matter (for example, slurry) D scattered on the inner wall surface of the guard member 110 is adhered to the inner wall surface of the guard member 110 , Particles are generated by the solidified foreign matter (D), and scratches are generated on the side surface of the substrate.

또한, 연마정반(연마패드 또는 웨이퍼)(11)로부터 비산된 처리액(슬러리 또는 세정액)은, 연마정반(11)과 가드 부재(110)의 사이 공간을 통해 가드 부재(110)의 하부에 형성된 배출홀(미도시)로 배출되는데, 가드 부재(110)의 내벽면에 고화된 이물질(D)에 의해 처리액 배출 성능이 저하되고, 처리액이 역류하는 문제점이 있다. 더욱이, 가드 부재(110)의 내벽면에서 고화된 후 탈락된 이물질(D)이 배출홀에 쌓이면 배출홀을 막아 배출 효율이 저하되는 문제점이 있다.The treatment liquid scattered from the polishing platen (polishing pad or wafer) 11 (slurry or cleaning liquid) is formed on the lower portion of the guard member 110 through the space between the polishing platen 11 and the guard member 110 (Not shown). However, there is a problem that the treatment liquid discharge performance is lowered due to the foreign matter D solidified on the inner wall surface of the guard member 110, and the treatment liquid flows backward. Furthermore, if foreign matter D that has been removed from the inner wall surface of the guard member 110 after being removed is accumulated in the discharge hole, there is a problem that the discharge efficiency is lowered by blocking the discharge hole.

이에 따라, 최근에는 기판의 연마 공정을 행하는 도중에 주변으로 비산되는 슬러리, 연마 입자 등의 이물질에 의한 2차 오염 및 손상을 방지하기 위한 다양한 검토가 이루어지고 있으나, 아직 미흡하여 이에 대한 개발이 요구되고 있다.Accordingly, in recent years, various investigations have been made to prevent secondary contamination and damage caused by foreign materials such as slurry and abrasive particles scattered to the periphery during the polishing process of the substrate, but it is still insufficient and development thereof is required have.

본 발명은 기판의 연마 공정을 행하는 도중에 주변으로 비산되는 이물질에 의한 2차 오염 및 손상을 방지할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of preventing secondary contamination and damage caused by foreign matter scattered to the surroundings during polishing of the substrate.

특히, 본 발명은 연마정반으로부터 가드 부재로 비산된 이물질의 고화를 방지할 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다.In particular, it is an object of the present invention to prevent solidification of foreign matter scattered from a polishing platen to a guard member.

또한, 본 발명은 기판 처리액의 배수 성능을 보장하고, 처리액의 역류를 방지할 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다.It is another object of the present invention to ensure drainage performance of a substrate processing liquid and to prevent reverse flow of the processing liquid.

또한, 본 발명은 기판 및 주변 부품의 손상을 방지하고, 안정성 및 신뢰성을 향상시킬 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다.It is another object of the present invention to prevent damage to a substrate and surrounding components, and to improve stability and reliability.

상술한 본 발명의 목적들을 달성하기 위한 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 기판 처리 장치는, 기판을 연마하는 연마패드가 배치되는 연마정반과, 연마정반의 둘레를 감싸도록 배치되는 가드 부재와, 연마정반의 측면과 가드 부재의 내면의 사이에 세정유체를 공급하는 유체공급부를 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus including a polishing platen on which a polishing pad for polishing a substrate is disposed, a guard member disposed to surround the periphery of the polishing platen, And a fluid supply portion for supplying a cleaning fluid between the side surface of the polishing platen and the inner surface of the guard member.

이는, 기판의 연마 공정을 행하는 도중에 연마정반의 주변으로 비산되는 이물질에 의한 2차 오염 및 손상을 방지하기 위함이다.This is to prevent secondary contamination and damage caused by foreign matter scattered to the periphery of the polishing platen during the polishing process of the substrate.

즉, 연마정반을 감싸도록 배치되는 가드 부재를 배치하는 것에 의하여, 화학 기계적 연마 공정을 행하는 도중에 주변으로 튀는 슬러리, 연마 입자 등의 이물질에 의하여 주변 기계 부품이 손상되거나 주변을 어지럽히는 것을 방지할 수 있으나, 가드 부재의 내면으로 비산된 이물질이 가드 부재의 내면에 부착된 상태로 고화되는 문제점이 있으며, 고화된 이물질에 의해 파티클이 발생되고, 기판의 측면에 스크레치가 발생하는 문제점이 있다. 이에 본 발명은, 연마정반의 측면과 가드 부재의 내면의 사이에 세정유체가 공급되도록 하는 것에 의하여, 화학 기계적 연마 공정시 연마정반(연마패드 또는 기판)으로부터 가드 부재의 내면으로 비산되는 이물질(예를 들어, 슬러리)이 가드 부재의 내면에 부착된 상태로 고화되는 것을 미연에 방지하는 유리한 효과를 얻을 수 있다. 또한, 가드 부재의 내면에서 이물질의 고화를 방지할 수 있으므로, 고화된 이물질에 의한 2차 오염(파티클 발생) 및 기판의 손상(기판 측면의 스크레치)를 방지하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.That is, by arranging the guard member arranged to surround the polishing platen, it is possible to prevent the peripheral mechanical parts from being damaged or disturbed by the foreign substances such as slurry and abrasive particles which are scattered around during the chemical mechanical polishing step However, there is a problem that foreign matter scattered on the inner surface of the guard member is solidified in a state of being attached to the inner surface of the guard member, particles are generated by solidified foreign matter, and scratches are generated on the side surface of the substrate. Accordingly, the cleaning fluid is supplied between the side surface of the polishing platen and the inner surface of the guard member, so that the foreign matter scattered from the polishing platen (polishing pad or substrate) to the inside surface of the guard member during chemical mechanical polishing The slurry) can be prevented from being solidified in the state of being attached to the inner surface of the guard member. In addition, since the solidification of foreign matter can be prevented on the inner surface of the guard member, it is possible to obtain an advantageous effect of preventing secondary contamination (particle generation) and damage of the substrate (scratch on the side surface of the substrate) caused by solidified foreign matter.

바람직하게, 유체공급부는 가드 부재의 내면을 따라 세정유체를 공급하도록 구성된다. 이와 같이, 유체공급부가 가드 부재의 내면을 따라 세정유체를 공급하는 것에 의하여, 연마정반(연마패드 또는 기판)으로부터 가드 부재의 내면측으로 비산되는 이물질이 가드 부재의 내면에 달라붙지 않고(고화되기 전에) 세정유체와 함께 가드 부재의 내면을 따라 흘러 내려갈 수 있으므로, 가드 부재의 내면에 이물질이 부착 및 고화되는 것을 보다 확실하게 방지하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Preferably, the fluid supply portion is configured to supply the cleaning fluid along the inner surface of the guard member. By supplying the cleaning fluid along the inner surface of the guard member as described above, the foreign matter scattered from the polishing platen (polishing pad or substrate) to the inner surface side of the guard member does not stick to the inner surface of the guard member The cleaning fluid can flow along the inner surface of the guard member together with the cleaning fluid. Therefore, it is possible to obtain an advantageous effect of more reliably preventing the foreign matter from adhering and solidifying to the inner surface of the guard member.

유체공급부는 연마정반의 측면과 가드 부재의 내면의 사이에 세정유체를 공급 가능한 다양한 구조로 형성될 수 있다.The fluid supply portion may be formed in various structures capable of supplying the cleaning fluid between the side surface of the polishing platen and the inner surface of the guard member.

일 예로, 유체공급부는 가드 부재의 내부에 형성되는 유체공급유로로 구성된다. 보다 구체적으로, 유체공급부는, 가드 부재의 내부에 형성되는 제1공급유로와, 제1공급유로에 연결되며 제1공급유로를 따라 공급된 세정유체를 연마정반의 측면과 가드 부재의 내면의 사이에 공급하는 제2공급유로를 포함한다.In one example, the fluid supply portion is constituted by a fluid supply passage formed inside the guard member. More specifically, the fluid supply portion includes a first supply passage formed inside the guard member, and a second supply passage formed between the side of the polishing plate and the inner surface of the guard member and connected to the first supply passage, And the second supply passage.

바람직하게, 제2공급유로는 제1공급유로와 연통되게 가드 부재의 원주 방향을 따라 이격되게 복수개가 형성된다. 이때, 세정유체는 제1공급유로에 채워진 후, 복수개의 제2공급유로를 통해 가드 몸체의 내면에 전체적으로 공급된다. 이와 같이, 세정유체가 제1공급유로를 거친 후 복수개의 제2공급유로를 통해 가드 몸체의 내면에 공급되도록 하는 것에 의하여, 복수개의 제2공급유로로부터 공급되는 세정유체의 공급 압력 및 공급량을 가드 몸체의 원주 방향을 따라 균일하게 유지하는 유리한 효과를 얻을 수 있다. 다르게는, 제2공급유로를 가드 부재의 원주 방향을 따라 링 형태로 형성하는 것도 가능하다.Preferably, a plurality of second supply passages are formed so as to be communicated with the first supply passages and spaced along the circumferential direction of the guard member. At this time, the cleaning fluid is supplied to the inner surface of the guard body through the plurality of second supply flow paths after being filled in the first supply flow path. By supplying the cleaning fluid to the inner surface of the guard body through the plurality of second supply paths after passing through the first supply path, the supply pressure and the supply amount of the cleaning fluid supplied from the plurality of second supply paths, It is possible to obtain an advantageous effect of keeping uniformly along the circumferential direction of the body. Alternatively, the second supply passage may be formed in a ring shape along the circumferential direction of the guard member.

경우에 따라서는, 유체공급부가 가드 부재의 외측에 별도로 장착되거나 배치되어 가드 부재의 내면과 연마정반의 사이에 세정유체를 공급하는 것도 가능하다.In some cases, the fluid supply portion may be separately mounted or disposed outside the guard member to supply a cleaning fluid between the inner surface of the guard member and the polishing platen.

아울러, 유체공급부는 다양한 종류의 세정유체를 공급하도록 구성될 수 있다. 바람직하게, 유체공급부는 액체를 공급하도록 구성된다. 일 예로, 유체공급부는 순수(DIW)한다. 경우에 따라서는 유체공급부가 기체와 액체가 혼합된 혼합 유체(예를 들어, 질소와 순수의 혼합 유체)를 분사하는 것도 가능하다.In addition, the fluid supply portion can be configured to supply various kinds of cleaning fluid. Preferably, the fluid supply portion is configured to supply the liquid. In one example, the fluid supply portion is pure water (DIW). In some cases, it is also possible that the fluid supply portion injects a mixed fluid (for example, a mixed fluid of nitrogen and pure water) in which a gas and a liquid are mixed.

가드 부재는, 연마정반의 둘레 일부를 감싸도록 배치되는 제1분할가드부와, 연마정반의 둘레 다른 일부를 감싸도록 배치되며 제1분할가드부와 분할된 제2분할가드부를 포함한다.The guard member includes a first split guard portion arranged to surround a part of the periphery of the polishing platen, and a first split guard portion and a second split guard portion which are arranged so as to surround a part different from the periphery of the polishing platen.

바람직하게, 제1분할가드부와 제2분할가드부는 각각 독립적으로 상하 이동하도록 구성된다. 이와 같이, 기판을 연마정반 상으로 이동하거나 화학 기계적 연마 공정이 완료된 기판을 연마정반의 바깥으로 이동하는 때에 가드 부재를 하방으로 이동시켜, 기판의 이동 경로를 열어줌으로써, 가드 부재가 구비됨에도 불구하고 기판의 이동과 간섭이 발생되지 않고, 기판을 운반하는 캐리어 헤드의 상하 이동 거리를 최소화하면서 기판을 연마 패드 상측으로 유입시키고 화학 기계적 연마 공정 후 배출시키는 작업을 연속적으로 원활하게 행하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Preferably, the first split guard portion and the second split guard portion independently move up and down. In this way, when the substrate is moved to the polishing platen or when the substrate on which the chemical mechanical polishing process is completed is moved to the outside of the polishing platen, the guard member is moved downward to open the moving path of the substrate, It is possible to obtain a favorable effect of continuously and smoothly performing the operation of introducing the substrate onto the upper side of the polishing pad and discharging the substrate after the chemical mechanical polishing process while minimizing the vertical moving distance of the carrier head carrying the substrate have.

보다 구체적으로, 기판을 이송하는 캐리어 헤드가 연마정반으로 진입(연마정반의 외측에서 연마정반의 상에 진입)할 때에는 상기 제1분할가드부가 하향 이동하였다가, 캐리어 헤드가 상기 연마정반 상에 위치하면 제1분할가드부가 상향 이동한다. 반대로, 캐리어 헤드가 연마정반의 바깥으로 진출(연마정반 상에서 연마정반의 외측으로 진출)할 때에는 제2분할가드부가 하향 이동하였다가, 캐리어 헤드가 연마정반의 바깥에 위치하면 제2분할가드부가 상향 이동한다.More specifically, when the carrier head for transferring the substrate enters the polishing platen (on the outside of the polishing platen and enters the polishing platen), the first divided guard portion moves downward, and the carrier head is positioned on the polishing platen The first split guard portion moves upward. Conversely, when the carrier head advances to the outside of the polishing platen (advances to the outside of the polishing platen on the polishing platen), the second divided guard portion moves downward. When the carrier head is positioned outside the polishing platen, Move.

이와 같이, 가드 부재를 제1분할가드부와 제2분할가드부로 분할하고, 각각 독립적으로 상하 이동하도록 하는 것에 의하여, 가드 부재를 상하 방향으로 이동하면서 가드 부재의 일부가 다른 일부에 비하여 밀려 올라가는 높이 차이에 의해 가드 부재의 자세가 기울어지는 틸팅(tilting) 현상으로 원활히 상하 이동되지 않는 문제를 해소하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.As described above, by dividing the guard member into the first divided guard portion and the second divided guard portion, and moving the guard member up and down independently, the height of the portion of the guard member that is pushed up It is possible to obtain the advantageous effect of eliminating the problem that the guard member is not vertically moved due to a tilting phenomenon in which the posture of the guard member is tilted due to the difference.

또한, 가드 부재는, 연마정반의 둘레를 감싸도록 배치되는 가드 몸체와, 가드 몸체의 상단에 형성되며 가드 몸체보다 연마정반의 중심에 인접하게 배치되는 가이드부를 포함한다. 여기서, 가이드부가 가드 몸체보다 연마정반의 중심에 인접하게 배치된다 함은, 가이드부가 가드 몸체의 내면으로부터 돌출되게 배치되는 것으로 정의된다. 이때, 가이드부는 가드 몸체에 대해 경사지게 형성되거나, 절곡되게 형성될 수 있다.The guard member includes a guard body disposed to surround the periphery of the polishing platen and a guide portion formed at the upper end of the guard body and disposed closer to the center of the polishing platen than the guard body. Here, the guide portion is disposed closer to the center of the polishing platen than the guard body is defined as the guide portion being disposed so as to protrude from the inner surface of the guard body. At this time, the guide portion may be formed to be inclined with respect to the guard body or may be bent.

바람직하게, 제2공급유로는 가이드부에 형성되며 가드 몸체의 내면보다 연마정반의 중심에 인접한 위치에서 세정유체를 공급한다.Preferably, the second supply passage is formed in the guide portion and supplies the cleaning fluid at a position adjacent to the center of the polishing table than the inner surface of the guard body.

이와 같이, 제2공급유로가 가이드부에 형성되어 가드 몸체의 내면보다 연마정반의 중심에 인접한 위치에서 세정유체를 공급하도록 하는 것에 의하여, 연마정반의 측면과 가드 부재의 내면의 사이를 향해 세정유체를 강하게 분사할 수 있으므로, 세정유체에 의한 세정 효율을 보다 높이는 유리한 효과를 얻을 수 있다.By supplying the cleaning fluid at a position adjacent to the center of the polishing platen than the inner surface of the guard body, the second supply flow path is formed in the guide portion, so that the cleaning fluid flows between the side surface of the polishing platen and the inner surface of the guard member. It is possible to obtain an advantageous effect of further increasing the cleaning efficiency by the cleaning fluid.

더욱 바람직하게, 제2공급유로는 가드 몸체의 내면을 향하도록 경사지게 형성되며, 세정유체는 가드 부재의 내면을 향해 공급된다. 이와 같이, 제2공급유로를 통해 공급된 세정유체가 가드 몸체의 내면에 직접 분사되도록 하는 것에 의하여, 연마정반(연마패드 또는 기판)으로부터 가드 부재의 내면측으로 비산되는 이물질이 가드 부재의 내면에 달라붙는 것을 보다 효과적으로 억제하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.More preferably, the second supply passage is inclined toward the inner surface of the guard body, and the cleaning fluid is supplied toward the inner surface of the guard member. Thus, foreign matter scattered from the polishing platen (polishing pad or substrate) to the inner surface side of the guard member is different from the inner surface of the guard member by causing the cleaning fluid supplied through the second supply passage to be directly sprayed to the inner surface of the guard body. It is possible to obtain an advantageous effect of more effectively suppressing adhesion.

또한, 제2공급유로에는 분사부가 연결될 수 있으며, 분사부는 제2공급유로를 따라 공급된 세정유체를 연마정반의 측면과 가드 부재의 내면의 사이에 분사할 수 있다. 분사부로서는 분사 노즐과 같은 분사수단이 사용될 수 있으며, 분사부의 종류 및 특성에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다.Further, the jetting section may be connected to the second supply passage, and the jetting section may jet the cleaning fluid supplied along the second supply passage between the side surface of the polishing platen and the inner surface of the guard member. As the jetting part, a jetting device such as a jetting nozzle may be used, and the present invention is not limited or limited by the type and characteristics of the jetting part.

한편, 유체공급부에 의한 세정은 기판의 화학 기계적 연마 공정 중에 행해지거나, 기판의 화학 기계적 연마 공정이 완료된 후에 행해질 수 있다.On the other hand, the cleaning by the fluid supply unit can be performed during the chemical mechanical polishing process of the substrate, or after the chemical mechanical polishing process of the substrate is completed.

일 예로, 유체공급부는 기판의 화학 기계적 연마 공정 중에 세정유체를 공급하도록 구성된다. 이때, 기판의 화학 기계적 연마 공정 중에는 가드 부재가 연마정반보다 높은 높이에 배치된다.In one example, the fluid supply is configured to supply a cleaning fluid during the chemical mechanical polishing process of the substrate. At this time, during the chemical mechanical polishing process of the substrate, the guard member is disposed at a higher height than the polishing platen.

다른 일 예로, 유체공급부는 기판의 화학 기계적 연마 공정이 완료된 후 세정유체를 공급하도록 구성될 수 있다. 보다 구체적으로, 기판의 화학 기계적 연마 공정이 완료된 후 가드 부재는 연마정반보다 낮은 높이에 배치되도록 하향 이동하고, 유체공급부는 연마정반에 대해 가드 부재가 하향 이동한 상태에서 세정 유체를 공급하여, 가드 부재의 내면에 비산된 이물질을 세정한다.In another example, the fluid supply may be configured to supply a cleaning fluid after the chemical mechanical polishing process of the substrate is complete. More specifically, after the chemical mechanical polishing process of the substrate is completed, the guard member moves downward to be disposed at a lower height than the polishing platen, and the fluid supply portion supplies the cleaning fluid with the guard member moving downward with respect to the polishing platen, The foreign matter scattered on the inner surface of the member is cleaned.

상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 기판의 연마 공정을 행하는 도중에 연마정반의 주변으로 비산되는 이물질에 의한 2차 오염 및 손상을 방지하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.As described above, according to the present invention, it is possible to obtain an advantageous effect of preventing secondary contamination and damage caused by foreign matter scattered to the periphery of the polishing platen during the polishing process of the substrate.

특히, 본 발명에 따르면 연마정반의 측면과 가드 부재의 내면의 사이에 세정유체가 공급되도록 하는 것에 의하여, 가드 부재의 내면에서 이물질의 고화를 방지할 수 있으며, 고화된 이물질에 의한 2차 오염(파티클 발생) 및 기판의 손상(기판 측면의 스크레치)를 방지하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Particularly, according to the present invention, by supplying the cleaning fluid between the side surface of the polishing platen and the inner surface of the guard member, it is possible to prevent the solidification of foreign matter on the inner surface of the guard member and to prevent secondary contamination Particle generation) and damage to the substrate (scratch on the side surface of the substrate) can be obtained.

즉, 연마정반을 감싸도록 배치되는 가드 부재를 배치하는 것에 의하여, 화학 기계적 연마 공정을 행하는 도중에 주변으로 튀는 슬러리, 연마 입자 등의 이물질에 의하여 주변 기계 부품이 손상되거나 주변을 어지럽히는 것을 방지할 수 있으나, 가드 부재의 내면으로 비산된 이물질이 가드 부재의 내면에 부착된 상태로 고화되는 문제점이 있으며, 고화된 이물질에 의해 파티클이 발생되고, 기판의 측면에 스크레치가 발생하는 문제점이 있다. 하지만, 본 발명에 따르면, 연마정반의 측면과 가드 부재의 내면의 사이에 세정유체가 공급되도록 하는 것에 의하여, 화학 기계적 연마 공정시 연마정반(연마패드 또는 기판)으로부터 가드 부재의 내면으로 비산되는 이물질(예를 들어, 슬러리)이 가드 부재의 내면에 부착된 상태로 고화되는 것을 미연에 방지하는 유리한 효과를 얻을 수 있다. 또한, 가드 부재의 내면에서 이물질의 고화를 방지할 수 있으므로, 고화된 이물질에 의한 2차 오염(파티클 발생) 및 기판의 손상(기판 측면의 스크레치)를 방지하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.That is, by arranging the guard member arranged to surround the polishing platen, it is possible to prevent the peripheral mechanical parts from being damaged or disturbed by the foreign substances such as slurry and abrasive particles which are scattered around during the chemical mechanical polishing step However, there is a problem that foreign matter scattered on the inner surface of the guard member is solidified in a state of being attached to the inner surface of the guard member, particles are generated by solidified foreign matter, and scratches are generated on the side surface of the substrate. However, according to the present invention, by supplying the cleaning fluid between the side surface of the polishing platen and the inner surface of the guard member, the foreign matter scattered from the polishing platen (polishing pad or substrate) to the inside surface of the guard member during the chemical mechanical polishing process (For example, slurry) is prevented from solidifying in a state of being attached to the inner surface of the guard member. In addition, since the solidification of foreign matter can be prevented on the inner surface of the guard member, it is possible to obtain an advantageous effect of preventing secondary contamination (particle generation) and damage of the substrate (scratch on the side surface of the substrate) caused by solidified foreign matter.

또한, 본 발명에 따르면 가드 몸체의 내면보다 연마정반의 중심에 인접한 위치에서 세정유체를 공급하도록 하는 것에 의하여, 연마정반의 측면과 가드 부재의 내면의 사이를 향해 세정유체를 강하게 분사할 수 있으므로, 세정유체에 의한 세정 효율을 보다 높이는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Further, according to the present invention, since the cleaning fluid is supplied at a position adjacent to the center of the polishing platen more than the inner surface of the guard body, the cleaning fluid can be injected strongly between the side surface of the polishing platen and the inner surface of the guard member, An advantageous effect of further increasing the cleaning efficiency by the cleaning fluid can be obtained.

또한, 본 발명에 따르면 가드 몸체의 내면으로 비산된 이물질이 고화되기 전에 세정유체와 함께 슬려 배출될 수 있기 때문에, 기판 처리액의 배수 성능을 보장하고, 처리액의 역류를 방지하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Further, according to the present invention, since the foreign matter scattered on the inner surface of the guard body can be slipped out together with the cleaning fluid before solidification, an advantageous effect of ensuring the drainage performance of the substrate processing solution and preventing the backflow of the processing solution .

또한, 본 발명에 따르면, 기판 및 주변 부품의 손상을 방지하고, 안정성 및 신뢰성을 향상시키는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Further, according to the present invention, it is possible to obtain an advantageous effect of preventing damage to the substrate and surrounding components, and improving stability and reliability.

또한, 본 발명에 따르면, 가드 부재를 제1분할가드부와 제2분할가드부로 분할하고, 각각 독립적으로 상하 이동되도록 하는 것에 의하여, 가드 부재가 구비됨에도 불구하고 기판의 이동과 간섭이 발생되지 않고, 기판을 운반하는 캐리어 헤드의 상하 이동 거리를 최소화하면서 기판을 연마 패드 상측으로 유입시키고 화학 기계적 연마 공정 후 배출시키는 작업을 연속적으로 원활하게 행하는 유리한 효과를 얻을 수 있다. 더욱이, 가드 부재의 자세가 기울어지는 틸팅(tilting) 현상으로 원활히 상하 이동되지 않는 문제를 해소하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Further, according to the present invention, the guard member is divided into the first divided guard portion and the second divided guard portion, and each of them is independently moved up and down, so that the movement and interference of the substrate does not occur It is possible to obtain an advantageous effect that the substrate is flowed upward onto the polishing pad and discharged after the chemical mechanical polishing process while continuously moving the carrier head for transporting the substrate to a minimum. Furthermore, it is possible to obtain an advantageous effect of solving the problem that the posture of the guard member does not move up and down smoothly due to a tilting phenomenon in which the guard member is tilted.

또한, 본 발명에 따르면 공정 효율 및 수율을 향상시키는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Further, according to the present invention, an advantageous effect of improving process efficiency and yield can be obtained.

도 1은 종래의 다단계 화학 기계식 연마시스템의 구성을 도시한 개략도,
도 2는 도 1의 웨이퍼 캐리어가 다수의 연마정반을 이동하는 구성을 도시한 도면,
도 3은 연마정반 상에서 행해지는 단위 화학 기계적 연마 장비의 구성을 도시한 평면 개략도,
도 4는 종래의 화학 기계적 연마 시스템의 가드를 도시한 사시도,
도 5는 도 4의 'A'부분의 확대 단면도,
도 6은 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 평면도,
도 7은 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 단면도,
도 8은 도 7의 'B'부분의 확대 단면도,
도 9는 도 6의 가드 부재의 작동 구조를 설명하기 위한 도면,
도 10 및 도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 도면이다.1 is a schematic view showing the configuration of a conventional multi-stage chemical mechanical polishing system,
FIG. 2 is a view showing a configuration in which the wafer carrier of FIG. 1 moves a plurality of polishing platens;
3 is a schematic plan view showing the configuration of the unit chemical mechanical polishing equipment performed on the polishing platen,
4 is a perspective view showing a guard of a conventional chemical mechanical polishing system,
5 is an enlarged cross-sectional view of a portion 'A' in FIG. 4,
6 is a plan view for explaining a substrate processing apparatus according to the present invention,
7 is a sectional view for explaining a substrate processing apparatus according to the present invention,
8 is an enlarged cross-sectional view of a portion 'B' in FIG. 7,
FIG. 9 is a view for explaining the operating structure of the guard member of FIG. 6;
10 and 11 are views for explaining a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.

이하 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명하지만, 본 발명이 실시예에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 참고로, 본 설명에서 동일한 번호는 실질적으로 동일한 요소를 지칭하며, 이러한 규칙 하에서 다른 도면에 기재된 내용을 인용하여 설명할 수 있고, 당업자에게 자명하다고 판단되거나 반복되는 내용은 생략될 수 있다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments. For reference, the same numbers in this description refer to substantially the same elements and can be described with reference to the contents described in the other drawings under these rules, and the contents which are judged to be obvious to the person skilled in the art or repeated can be omitted.

도 6은 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 평면도이고, 도 7은 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 단면도이며, 도 8은 도 7의 'B'부분의 확대 단면도이다. 또한, 도 9는 도 6의 가드 부재의 작동 구조를 설명하기 위한 도면이다.FIG. 6 is a plan view for explaining a substrate processing apparatus according to the present invention, FIG. 7 is a cross-sectional view for explaining a substrate processing apparatus according to the present invention, and FIG. 8 is an enlarged cross- Fig. 9 is a view for explaining the operating structure of the guard member of Fig. 6. Fig.

도 6 내지 도 8을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 기판(W)을 연마하는 연마패드(11)가 배치되는 연마정반(10)과, 연마정반(10)의 둘레를 감싸도록 배치되는 가드 부재(110)와, 연마정반(10)의 측면과 가드 부재(110)의 내면의 사이에 세정유체를 공급하는 유체공급부(120)를 포함한다.6 to 8, a substrate processing apparatus 1 according to an embodiment of the present invention includes an abrasive platen 10 on which a polishing pad 11 for abrading a substrate W is disposed, And a fluid supply unit 120 for supplying a cleaning fluid between the side surface of the polishing platen 10 and the inner surface of the guard member 110. The guard member 110 is disposed to surround the periphery of the guard member 110,

연마정반(10)은 연마 파트 상에 회전 가능하게 마련되며, 연마정반(10)의 상면에는 기판(W)을 연마하기 위한 연마패드(11)가 배치된다.The polishing table 10 is rotatably provided on a polishing part and a polishing pad 11 for polishing the substrate W is disposed on the upper surface of the polishing table 10. [

연마패드(11)는 원형 디스크 형태를 갖도록 형성될 수 있으며, 연마패드(11)의 형상 및 특성에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다.The polishing pad 11 may be formed to have a circular disk shape, and the present invention is not limited or limited by the shape and characteristics of the polishing pad 11.

연마패드(11)의 상면에 슬러리 공급부(50)로부터 슬러리가 공급되는 상태에서 캐리어 헤드(90)에 의해 기판을 연마패드(11)의 상면에 가압함으로써 화학 기계적 연마 공정이 수행될 수 있으며, 연마패드(11) 및 슬러리를 이용한 화학 기계적 연마 공정이 끝난 후에는 기판은 세정 파트로 이송되어 세정 공정이 행해진다.A chemical mechanical polishing process can be performed by pressing the substrate onto the upper surface of the polishing pad 11 by the carrier head 90 in a state where the slurry is supplied from the slurry supply unit 50 to the upper surface of the polishing pad 11, After the chemical mechanical polishing process using the pad 11 and the slurry is completed, the substrate is transferred to the cleaning part to perform the cleaning process.

참고로, 본 발명에 기판(W)이라 함은 연마패드(11) 상에 연마될 수 있는 연마대상물로 이해될 수 있으며, 기판(W)의 종류 및 특성에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 일 예로, 기판(W)으로서는 웨이퍼가 사용될 수 있다.For reference, the substrate W in the present invention can be understood as an object to be polished which can be polished on the polishing pad 11, and the present invention is limited or limited depending on the type and characteristics of the substrate W no. As an example, a wafer may be used as the substrate W.

또한, 연마패드(11)의 상부에는 연마패드(11)의 표면을 개질하는 컨디셔너(40)가 구비된다. 즉, 컨디셔너(40)는 연마패드(11)의 표면에 연마제와 화학 물질이 혼합된 슬러리를 담아두는 역할을 하는 수많은 발포 미공들이 막히지 않도록 연마패드(11)의 표면을 미세하게 절삭하여, 연마패드(11)의 발포 기공에 채워졌던 슬러리가 캐리어 헤드(90)에 파지된 기판에 원활하게 공급될 수 있게 한다.Further, a conditioner 40 for modifying the surface of the polishing pad 11 is provided on the polishing pad 11. That is, the conditioner 40 finely cuts the surface of the polishing pad 11 so that a large number of foam micropores serving as a slurry in which the slurry in which the abrasive and the chemical are mixed are not clogged on the surface of the polishing pad 11, So that the slurry filled in the foam pores of the carrier head (11) can be smoothly supplied to the substrate held by the carrier head (90).

가드 부재(110)는 화학 기계적 연마 공정을 행하는 도중에 주변으로 튀는 슬러리, 연마 입자 등의 이물질에 의하여 주변 기계 부품이 손상되거나 주변을 어지럽히는 것을 방지하기 위해 마련된다.The guard member 110 is provided to prevent peripheral mechanical parts from being damaged or disturbed by foreign substances such as slurry, abrasive particles, etc., which are scattered around during the chemical mechanical polishing process.

구체적으로, 가드 부재(110)는 연마정반(10)의 둘레를 감싸는 링 형태로 형성되며, 상하 방향을 따라 승강 가능하게 장착된다.Specifically, the guard member 110 is formed in a ring shape surrounding the periphery of the polishing platen 10, and is mounted so as to be vertically movable along the vertical direction.

기판의 화학 기계적 연마 공정시 연마정반(10)(연마패드 또는 웨이퍼)으로부터 비산되는 이물질(슬러리, 세정액, 파티클 중 적어도 어느 하나)은 가드 부재(110)의 내벽면을 따라 흘러내린 후, 가드 부재(110)의 하부의 형성된 배출홀(미도시)을 통해 가드 부재(110)의 외부로 배출된다. 보다 구체적으로, 기판의 화학 기계적 연마 공정 중에는 가드 부재(110)가 연마정반(10)보다 높은 높이(연마패드(11)보다 높은 높이)에 배치되어 이물질을 받아낸다.(At least one of slurry, cleaning liquid, and particles) scattered from the polishing platen 10 (polishing pad or wafer) flows down along the inner wall surface of the guard member 110 during the chemical mechanical polishing process of the substrate, (Not shown) formed in the lower portion of the guard member 110. More specifically, during the chemical mechanical polishing process of the substrate, the guard member 110 is disposed at a height higher than the polishing platen 10 (higher than the polishing pad 11) to receive foreign matter.

가드 부재(110)는 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양한 구조로 형성될 수 있다. 일 예로, 가드 부재(110)는, 연마정반(10)의 둘레 일부를 감싸도록 배치되는 제1분할가드부(110a)와, 연마정반(10)의 둘레 다른 일부를 감싸도록 배치되며 제1분할가드부(110a)와 분할된 제2분할가드부(110b)를 포함한다.The guard member 110 may be formed in various structures according to required conditions and design specifications. For example, the guard member 110 may include a first split guard portion 110a disposed to surround a part of the periphery of the polishing platen 10, a second split guard portion 110b disposed to surround a portion of the periphery of the polishing platen 10, And includes a guard portion 110a and a divided second split guard portion 110b.

제1분할가드부(110a)와 제2분할가드부(110b)는 서로 대칭되는 형태로 형성될 수 있으며, 제1분할가드부(110a)와 제2분할가드부(110b)는 각각 독립적으로 상하 이동하도록 구성된다.The first split guard portion 110a and the second split guard portion 110b may be formed symmetrically with respect to each other and the first split guard portion 110a and the second split guard portion 110b may be formed independently of each other Lt; / RTI >

이와 같이, 기판을 연마정반(10) 상으로 이동하거나 화학 기계적 연마 공정이 완료된 기판을 연마정반(10)의 바깥으로 이동하는 때에 가드 부재(110)를 하방으로 이동시켜, 기판의 이동 경로를 열어줌으로써, 가드 부재(110)가 구비됨에도 불구하고 웨이퍼의 이동과 간섭이 발생되지 않고, 기판을 운반하는 캐리어 헤드(90)의 상하 이동 거리를 최소화하면서 기판을 연마 패드 상측으로 유입시키고 화학 기계적 연마 공정 후 배출시키는 작업을 연속적으로 원활하게 행할 수 있는 이점도 얻을 수 있다.When the substrate is moved onto the polishing platen 10 or the substrate on which the chemical mechanical polishing process is completed is moved to the outside of the polishing platen 10, the guard member 110 is moved downward, The substrate is introduced into the upper side of the polishing pad while minimizing the upward and downward movement distances of the carrier head 90 carrying the substrate, without causing movement and interference of the wafer even though the guard member 110 is provided, It is possible to obtain an advantage that the work for discharging it afterwards can be carried out continuously smoothly.

보다 구체적으로, 기판을 이송하는 캐리어 헤드(90)가 연마정반(10)으로 진입(연마정반(10)의 외측에서 연마정반(10)의 상에 진입)할 때에는 상기 제1분할가드부(110a)가 하향 이동하였다가, 캐리어 헤드(90)가 상기 연마정반(10) 상에 위치하면 제1분할가드부(110a)가 상향 이동한다. 반대로, 캐리어 헤드(90)가 연마정반(10)의 바깥으로 진출(연마정반(10) 상에서 연마정반(10)의 외측으로 진출)할 때에는 제2분할가드부(110b)가 하향 이동하였다가, 캐리어 헤드(90)가 연마정반(10)의 바깥에 위치하면 제2분할가드부(110b)가 상향 이동한다.More specifically, when the carrier head 90 for transferring the substrate enters the polishing table 10 (enters the polishing table 10 from the outside of the polishing table 10), the first split guard portion 110a And when the carrier head 90 is positioned on the polishing platen 10, the first split guard portion 110a moves upward. Conversely, when the carrier head 90 advances to the outside of the polishing platen 10 (advances to the outside of the polishing platen 10 on the polishing platen 10), the second divided guard portion 110b moves downward, When the carrier head 90 is positioned outside the polishing platen 10, the second split guard portion 110b moves upward.

이와 같이, 가드 부재(110)를 제1분할가드부(110a)와 제2분할가드부(110b)로 분할하고, 각각 독립적으로 상하 이동하도록 하는 것에 의하여, 가드 부재(110)를 상하 방향으로 이동하면서 가드 부재(110)의 일부가 다른 일부에 비하여 밀려 올라가는 높이 차이에 의해 가드 부재(110)의 자세가 기울어지는 틸팅(tilting) 현상으로 원활히 상하 이동되지 않는 문제를 해소할 수 있다. As described above, by dividing the guard member 110 into the first divided guard portion 110a and the second divided guard portion 110b and moving them independently up and down, the guard member 110 is moved in the vertical direction It is possible to solve the problem that the guard member 110 does not move up and down smoothly due to a tilting phenomenon in which the posture of the guard member 110 is tilted due to a height difference in which a part of the guard member 110 is pushed up compared with other portions.

즉, 가드 부재(110)의 전체를 이동시키는 경우에 하중 불균형으로 틸팅이 발생되기 쉽지만, 가드 부재(110)의 일부만을 떼어 상하 이동되게 제어되므로, 가드 부재(110) 전체를 이동시키는 것에 비하여 하중의 불균형에 의하여 자세가 좀처럼 기울어지지 않으며, 하중의 불균형에 의하여 자세가 기울어지더라도, 가드 부재(110)의 원주 길이가 짧으므로 기울어짐에 의해 상하 이동이 멈추는 제어 오류까지 발생되지는 않게 된다. 하지만, 본 발명에서는 가드 부재(110)를 부분적으로 이동(제1분할가드부와 제2분할가드부 중 어느 하나를 이동)시키는 것에 의하여, 가드 부재(110)의 기울어짐없이 상하 이동을 안정적으로 보장하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.That is, when the entire guard member 110 is moved, tilting is likely to occur due to unbalanced load. However, since only a part of the guard member 110 is detached and controlled to move up and down, Even if the posture is inclined due to the unbalance of the load, the circumferential length of the guard member 110 is short, so that a control error of stopping the vertical movement due to the inclination does not occur. However, in the present invention, by moving the guard member 110 partially (moving one of the first split guard portion and the second split guard portion), the guard member 110 can be stably moved up and down without tilting It is possible to obtain advantageous effects.

참고로, 본 발명의 실시예에서는 가드 부재(110)가 2개의 가드부(제1분할가드부와 제2분할가드부)로 구성된 예를 들어 설명하고 있지만, 경우에 따라서는 가드 부재가 3개 이상의 가드부를 포함하여 구성되는 것도 가능하다. 다르게는 가드 부재가 링 형태를 갖는 단 하나의 가드부로 구성되는 것도 가능하다.For reference, in the embodiment of the present invention, an example in which the guard member 110 is composed of two guard portions (a first divided guard portion and a second divided guard portion) is described, but in some cases, The above-described guard portion may be included. Alternatively, it is also possible that the guard member is composed of only one guard portion having a ring shape.

유체공급부(120)는 연마정반(10)의 측면과 가드 부재(110)의 내면의 사이에 세정유체를 공급하도록 마련된다.The fluid supply part 120 is provided to supply a cleaning fluid between the side surface of the polishing platen 10 and the inner surface of the guard member 110. [

이와 같이, 연마정반(10)의 측면과 가드 부재(110)의 내면의 사이에 세정유체가 공급되도록 하는 것에 의하여, 화학 기계적 연마 공정시 연마정반(10)(연마패드 또는 기판)으로부터 가드 부재(110)의 내면으로 비산되는 이물질(예를 들어, 슬러리)이 가드 부재(110)의 내면에 부착된 상태로 고화되는 것을 미연에 방지하는 유리한 효과를 얻을 수 있다. 또한, 가드 부재(110)의 내면에서 이물질의 고화를 방지할 수 있으므로, 고화된 이물질에 의한 2차 오염(파티클 발생) 및 기판의 손상(기판 측면의 스크레치)를 방지하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.By supplying the cleaning fluid between the side surface of the polishing platen 10 and the inner surface of the guard member 110 as described above, the polishing surface of the guard member (polishing pad or substrate) (For example, slurry) scattered on the inner surface of the guard member 110 can be prevented from being solidified in a state of being attached to the inner surface of the guard member 110. [ In addition, since it is possible to prevent the solidification of foreign matter on the inner surface of the guard member 110, it is possible to obtain an advantageous effect of preventing secondary contamination (particle generation) and damage of the substrate (scratch on the side surface of the substrate) .

바람직하게, 유체공급부(120)는 가드 부재(110)의 내면을 따라 세정유체를 공급하도록 구성된다. 이와 같이, 유체공급부(120)가 가드 부재(110)의 내면을 따라 세정유체를 공급하는 것에 의하여, 연마정반(10)(연마패드 또는 기판)으로부터 가드 부재(110)의 내면측으로 비산되는 이물질이 가드 부재(110)의 내면에 달라붙지 않고(고화되기 전에) 세정유체와 함께 가드 부재(110)의 내면을 따라 흘러 내려갈 수 있으므로, 가드 부재(110)의 내면에 이물질이 부착 및 고화되는 것을 보다 확실하게 방지하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Preferably, the fluid supply portion 120 is configured to supply a cleaning fluid along the inner surface of the guard member 110. As described above, since the fluid supply unit 120 supplies the cleaning fluid along the inner surface of the guard member 110, foreign matter scattered from the polishing platen 10 (polishing pad or substrate) to the inner surface side of the guard member 110 It is possible to flow along the inner surface of the guard member 110 together with the cleaning fluid without sticking to the inner surface of the guard member 110 (before solidification), so that foreign matter adheres to and solidifies on the inner surface of the guard member 110 An advantageous effect of reliably preventing can be obtained.

유체공급부(120)는 다양한 종류의 세정유체를 공급하도록 구성될 수 있다. 바람직하게, 유체공급부(120)는 액체를 공급하도록 구성된다. 일 예로, 유체공급부(120)는 순수(DIW)한다. 경우에 따라서는 세정유체에 의한 세정 효과를 높일 수 있도록 유체공급부가 기체와 액체가 혼합된 혼합 유체(예를 들어, 질소와 순수의 혼합 유체)를 분사하는 것도 가능하다.The fluid supply part 120 may be configured to supply various types of cleaning fluid. Preferably, the fluid supply portion 120 is configured to supply liquid. In one example, the fluid supply unit 120 is pure water (DIW). In some cases, it is also possible to inject a mixed fluid (for example, a mixed fluid of nitrogen and pure water) in which a fluid and a gas are mixed, so that the cleaning effect by the cleaning fluid can be enhanced.

또한, 유체공급부(120)는 연마정반(10)의 측면과 가드 부재(110)의 내면의 사이에 세정유체를 공급 가능한 다양한 구조로 형성될 수 있다.The fluid supply part 120 may be formed in various structures capable of supplying the cleaning fluid between the side surface of the polishing platen 10 and the inner surface of the guard member 110.

일 예로, 유체공급부(120)는 가드 부재(110)의 내부에 형성되는 유체공급유로로 구성된다. 보다 구체적으로, 유체공급부(120)는, 가드 부재(110)의 내부에 형성되는 제1공급유로(122)와, 제1공급유로(122)에 연결되며 제1공급유로(122)를 따라 공급된 세정유체를 연마정반(10)의 측면과 가드 부재(110)의 내면의 사이에 공급하는 제2공급유로(124)를 포함한다. 이하에서는 제1공급유로(122)가 가드 부재(110)의 상하 방향을 따라 형성되고, 제2공급유로(124)가 수평 방향을 따라 형성되며, 제1공급유로(122)와 제2공급유로(124)가 상호 협조적으로 대략 "L"자 형태의 유체공급유로를 형성하는 예를 들어 설명하기로 한다.For example, the fluid supply unit 120 may include a fluid supply path formed inside the guard member 110. More specifically, the fluid supply unit 120 includes a first supply passage 122 formed in the guard member 110, a second supply passage 122 connected to the first supply passage 122, And a second supply passage 124 for supplying the cleaning fluid to the gap between the side surface of the polishing platen 10 and the inner surface of the guard member 110. The first supply passage 122 is formed along the vertical direction of the guard member 110 and the second supply passage 124 is formed along the horizontal direction and the first supply passage 122, The fluid supply passage 124 cooperatively forms an approximately L-shaped fluid supply passage.

바람직하게, 제2공급유로(124)는 제1공급유로(122)와 연통되게 가드 부재(110)의 원주 방향을 따라 이격되게 복수개가 형성된다. 이때, 세정유체는 제1공급유로(122)에 채워진 후, 복수개의 제2공급유로(124)를 통해 가드 몸체(112)의 내면에 전체적으로 공급된다. 이와 같이, 세정유체가 제1공급유로(122)를 거친 후 복수개의 제2공급유로(124)를 통해 가드 몸체(112)의 내면에 공급되도록 하는 것에 의하여, 복수개의 제2공급유로(124)로부터 공급되는 세정유체의 공급 압력 및 공급량을 가드 몸체(112)의 원주 방향을 따라 균일하게 유지하는 유리한 효과를 얻을 수 있다. 다르게는, 제2공급유로를 가드 부재의 원주 방향을 따라 연속적인 링 형태로 형성하는 것도 가능하다.Preferably, the second supply passage 124 is formed so as to be spaced apart from the first supply passage 122 in the circumferential direction of the guard member 110. At this time, the cleaning fluid is supplied to the inner surface of the guard body 112 through the plurality of second supply flow paths 124 after being filled in the first supply flow path 122. By supplying the cleaning fluid to the inner surface of the guard body 112 through the plurality of second supply flow paths 124 after passing through the first supply flow path 122 as described above, It is possible to obtain an advantageous effect of uniformly maintaining the supply pressure and the supply amount of the cleaning fluid supplied from the cleaning body 112 along the circumferential direction of the guard body 112. [ Alternatively, the second supply passage may be formed in a continuous ring shape along the circumferential direction of the guard member.

이와 같이, 제1공급유로(122)와 제2공급유로(124)를 거쳐 연마정반(10)의 측면과 가드 부재(110)의 내면의 사이에 세정유체를 공급하는 것에 의하여, 도 8과 같이, 연마정반(10)(연마패드 또는 기판)으로부터 가드 부재(110)의 내면측으로 비산되는 이물질이 가드 부재(110)의 내면에 달라붙지 않고 세정유체와 함께 가드 부재(110)의 내면을 따라 흘러 내려갈 수 있으므로, 가드 부재(110)의 내면에 이물질이 부착 및 고화되는 것을 최소화하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.8, by supplying the cleaning fluid between the side surface of the polishing platen 10 and the inner surface of the guard member 110 via the first supply passage 122 and the second supply passage 124, The foreign matter scattered from the polishing platen 10 (polishing pad or substrate) to the inner surface side of the guard member 110 flows along the inner surface of the guard member 110 together with the cleaning fluid without sticking to the inner surface of the guard member 110 It is possible to obtain an advantageous effect of minimizing adhesion and solidification of foreign matter on the inner surface of the guard member 110. [

한편, 도 10 및 도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 도면이다. 아울러, 전술한 구성과 동일 및 동일 상당 부분에 대해서는 동일 또는 동일 상당한 참조 부호를 부여하고, 그에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.10 and 11 are views for explaining a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention. In addition, the same or equivalent portions as those in the above-described configuration are denoted by the same or equivalent reference numerals, and a detailed description thereof will be omitted.

도 10 및 도 11을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 기판을 연마하는 연마패드(11)가 배치되는 연마정반(10)과, 연마정반(10)의 둘레를 감싸도록 배치되는 가드 부재(110')와, 연마정반(10)의 측면과 가드 부재(110')의 내면의 사이에 세정유체를 공급하는 유체공급부(120)를 포함하되, 가드 부재(110')는, 연마정반(10)의 둘레를 감싸도록 배치되는 가드 몸체(112)와, 가드 몸체(112)의 상단에 형성되며 가드 몸체(112)보다 연마정반(10)의 중심에 인접하게 배치되는 가이드부(114)를 포함한다.10 and 11, a substrate processing apparatus 1 according to another embodiment of the present invention includes a polishing table 10 on which a polishing pad 11 for polishing a substrate is placed, And a fluid supply unit 120 for supplying a cleaning fluid between the side surface of the polishing platen 10 and the inner surface of the guard member 110 ', wherein the guard member 110' 110 'are formed on the upper surface of the guard body 112 and are disposed adjacent to the center of the polishing platen 10 with respect to the guard body 112 And a guiding portion 114 which is disposed.

여기서, 가이드부(114)가 가드 몸체(112)보다 연마정반(10)의 중심에 인접하게 배치된다 함은, 가이드부(114)가 가드 몸체(112)의 내면으로부터 돌출되게 배치되는 것으로 정의된다.Here, the guide part 114 is disposed closer to the center of the polishing platen 10 than the guard body 112 is defined as the guide part 114 being disposed so as to protrude from the inner surface of the guard body 112 .

일 예로, 가이드부(114)는 가드 몸체(112)에 대해 경사지게 형성된다. 경우에 따라서는, 가이드부를 절곡되게 형성함으로써 가이드부가 가드 몸체의 내면으로부터 돌출되게 배치되도록 하는 것도 가능하다. For example, the guide portion 114 is formed to be inclined with respect to the guard body 112. In some cases, the guide portion is formed to be bent so that the guide portion is disposed so as to protrude from the inner surface of the guard body.

이때, 유체공급부(120)는, 가드 부재(110')의 내부에 형성되는 제1공급유로(122')와, 제1공급유로(122')에 연결되며 제1공급유로(122')를 따라 공급된 세정유체를 연마정반(10)의 측면과 가드 부재(110')의 내면의 사이에 공급하는 제2공급유로(124')를 포함하되, 제2공급유로(124')는 가이드부(114)에 형성되며 가드 몸체(112)의 내면보다 연마정반(10)의 중심에 인접한 위치에서 세정유체를 공급한다.The fluid supply part 120 includes a first supply path 122 'formed in the guard member 110' and a second supply path 122 'connected to the first supply path 122' And a second supply passage 124 'for supplying the cleaning fluid supplied between the side surface of the polishing platen 10 and the inner surface of the guard member 110'. The second supply passage 124 ' The cleaning fluid is supplied to the guard body 112 at a position adjacent to the center of the polishing platen 10 than the inner surface of the guard body 112. [

이와 같이, 제2공급유로(124')가 가이드부(114)에 형성되어 가드 몸체(112)의 내면보다 연마정반(10)의 중심에 인접한 위치에서 세정유체를 공급하도록 하는 것에 의하여, 연마정반(10)의 측면과 가드 부재(110')의 내면의 사이를 향해 세정유체를 강하게 분사할 수 있으므로, 세정유체에 의한 세정 효율을 보다 높이는 유리한 효과를 얻을 수 있다.By supplying the cleaning fluid at a position where the second supply passage 124 'is formed in the guide portion 114 and is closer to the center of the polishing platen 10 than the inner surface of the guard body 112, The cleaning fluid can be injected strongly toward the side between the side surface of the guard member 10 and the inner surface of the guard member 110 '. Thus, an advantageous effect of further increasing the cleaning efficiency by the cleaning fluid can be obtained.

더욱 바람직하게, 제2공급유로(124')는 가드 몸체(112)의 내면을 향하도록 소정 각도(θ)로 경사지게 형성되며, 세정유체는 가드 부재(110')의 내면을 향해 공급된다. 이와 같이, 제2공급유로(124')를 통해 공급된 세정유체가 가드 몸체(112)의 내면에 직접 분사되도록 하는 것에 의하여, 연마정반(10)(연마패드 또는 기판)으로부터 가드 부재(110')의 내면측으로 비산되는 이물질이 가드 부재(110')의 내면에 달라붙는 것을 보다 효과적으로 억제하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.More preferably, the second supply passage 124 'is inclined at a predetermined angle? To face the inner surface of the guard body 112, and the cleaning fluid is supplied toward the inner surface of the guard member 110'. Thus, the cleaning fluid supplied through the second supply passage 124 'is directly sprayed to the inner surface of the guard body 112, so that the guard member 110' (polishing pad or substrate) The foreign matter scattered to the inner surface side of the guard member 110 'can be more effectively suppressed from sticking to the inner surface of the guard member 110'.

또한, 제2공급유로(124')에는 분사부가 연결될 수 있으며, 분사부는 제2공급유로(124')를 따라 공급된 세정유체를 연마정반(10)의 측면과 가드 부재(110')의 내면의 사이에 분사할 수 있다.In addition, the jetting portion can be connected to the second supply passage 124 ', and the jetting portion can supply the cleaning fluid supplied along the second supply passage 124' to the side surface of the polishing platen 10 and the inner surface of the guard member 110 ' As shown in FIG.

분사부로서는 분사 노즐과 같은 통상의 분사수단이 사용될 수 있으며, 분사부의 종류 및 특성에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 바람직하게는 분사부를 통해 세정유체의 분사력이 증가되도록 하는 것이 세정 효율면에서 유리하다.Conventional injection means such as injection nozzles may be used as the injection portion, and the present invention is not limited or limited by the kind and characteristics of the injection portion. It is advantageous in terms of cleaning efficiency that the spraying force of the cleaning fluid is preferably increased through the spraying portion.

참고로, 전술 및 도시한 본 발명의 실시예에서는 유체공급부(120)가 유체공급유로(제1공급유로, 제2공급유로)로 구성된 예를 들어 설명하고 있지만, 경우에 따라서는, 유체공급부가 가드 부재의 외측에 별도로 장착되거나 배치되어 가드 부재의 내면과 연마정반의 사이에 세정유체를 공급하는 것도 가능하다.For reference, although in the above-described embodiments of the present invention, the fluid supply unit 120 is described as being composed of the fluid supply channels (the first supply channel and the second supply channel), in some cases, It is also possible to separately mount or dispose on the outside of the guard member to supply a cleaning fluid between the inner surface of the guard member and the polishing platen.

한편, 유체공급부(120)에 의한 세정은 기판의 화학 기계적 연마 공정 중에 행해지거나, 기판의 화학 기계적 연마 공정이 완료된 후에 행해질 수 있다.On the other hand, cleaning by the fluid supply unit 120 can be performed during the chemical mechanical polishing process of the substrate, or after the chemical mechanical polishing process of the substrate is completed.

일 예로, 유체공급부(120)는 기판의 화학 기계적 연마 공정 중에 세정유체를 공급하도록 구성된다. 따라서, 기판의 화학 기계적 연마 공정중에 연마정반(10)(연마패드 또는 웨이퍼)으로부터 비산되는 이물질(슬러리, 세정액, 파티클 중 적어도 어느 하나)은 세정유체에 의해 가드 부재(110)의 내면에 달라붙지 않고 세정유체와 함께 가드 부재(110)와 연마정반(10)의 사이로 배출될 수 있다. 참고로, 기판의 화학 기계적 연마 공정 중에는 가드 부재(110)가 연마정반(10)보다 높은 높이에 배치된다.In one example, the fluid supply 120 is configured to supply a cleaning fluid during the chemical mechanical polishing process of the substrate. Accordingly, foreign matter (slurry, cleaning liquid, or particles) scattered from the polishing platen 10 (polishing pad or wafer) during the chemical mechanical polishing process of the substrate is adhered to the inner surface of the guard member 110 by the cleaning fluid And can be discharged together with the cleaning fluid between the guard member 110 and the polishing platen 10. For reference, during the chemical mechanical polishing process of the substrate, the guard member 110 is disposed at a height higher than the polishing platen 10.

다른 일 예로, 유체공급부(120)는 기판의 화학 기계적 연마 공정이 완료된 후 세정유체를 공급하도록 구성될 수 있다. 보다 구체적으로, 기판의 화학 기계적 연마 공정이 완료된 후 가드 부재(110)는 연마정반(10)보다 낮은 높이에 배치되도록 하향 이동하고, 유체공급부(120)는 연마정반(10)에 대해 가드 부재(110)가 하향 이동한 상태에서 세정 유체를 공급하여, 가드 부재(110)의 내면에 비산된 이물질을 세정한다.In another example, the fluid supply 120 may be configured to supply a cleaning fluid after the chemical mechanical polishing process of the substrate is complete. More specifically, after the chemical mechanical polishing process of the substrate is completed, the guard member 110 moves downward to be disposed at a lower height than the polishing platen 10, and the fluid supply unit 120 moves the guard member 110 against the polishing platen 10 110 are moved downward, the cleaning fluid is supplied to clean the foreign matter scattered on the inner surface of the guard member 110. [

상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although the preferred embodiments of the present invention have been disclosed for illustrative purposes, those skilled in the art will appreciate that various modifications, additions and substitutions are possible, without departing from the scope and spirit of the invention as disclosed in the accompanying claims. It will be understood that the present invention can be changed.

10 : 연마정반 11 : 연마패드
110 : 가드 부재 110a : 제1분할가드부
110b : 제2분할가드부 112 : 가드 몸체
114 : 가이드부 120 : 유체공급부
122 : 제1공급유로 124 : 제2공급유로10: polishing pad 11: polishing pad
110: guard member 110a: first split guard portion
110b: second split guard portion 112: guard body
114: guide part 120: fluid supply part
122: first supply passage 124: second supply passage

Claims (22)

기판 처리 장치로서,
기판을 연마하는 연마패드가 배치되는 연마정반과;
상기 연마정반의 둘레를 감싸도록 배치되는 가드 부재와;
상기 연마정반의 측면과 상기 가드 부재의 내면의 사이에 세정유체를 공급하는 유체공급부를;
포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
A substrate processing apparatus comprising:
A polishing pad on which a polishing pad for polishing a substrate is disposed;
A guard member disposed to surround the periphery of the polishing platen;
A fluid supply unit for supplying a cleaning fluid between the side surface of the polishing platen and the inner surface of the guard member;
The substrate processing apparatus comprising:
제1항에 있어서,
상기 유체공급부는 상기 가드 부재의 내면을 따라 상기 세정유체를 공급하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the fluid supply part supplies the cleaning fluid along the inner surface of the guard member.
제1항에 있어서,
상기 유체공급부는 상기 가드 부재의 내부에 형성되는 유체공급유로인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the fluid supply part is a fluid supply path formed inside the guard member.
제3항에 있어서,
상기 유체공급부는,
상기 가드 부재의 내부에 형성되는 제1공급유로와;
상기 제1공급유로에 연결되며, 상기 제1공급유로를 따라 공급된 상기 세정유체를 상기 연마정반의 측면과 상기 가드 부재의 내면의 사이에 공급하는 제2공급유로를;
포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method of claim 3,
Wherein the fluid supply portion includes:
A first supply passage formed inside the guard member;
A second supply passage connected to the first supply passage and supplying the cleaning fluid supplied along the first supply passage between the side surface of the polishing platen and the inner surface of the guard member;
The substrate processing apparatus comprising:
제4항에 있어서,
상기 제2공급유로는 상기 가드 부재의 원주 방향을 따라 이격되게 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
5. The method of claim 4,
Wherein the second supply passage is formed so as to be spaced along the circumferential direction of the guard member.
제4항에 있어서,
상기 제2공급유로는 상기 가드 부재의 원주 방향을 따라 링 형태로 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
5. The method of claim 4,
Wherein the second supply passage is formed in a ring shape along the circumferential direction of the guard member.
제4항에 있어서,
상기 제2공급유로에 연결되며, 상기 제2공급유로를 따라 공급된 상기 세정유체를 상기 연마정반의 측면과 상기 가드 부재의 내면의 사이에 분사하는 분사부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
5. The method of claim 4,
And a jetting part connected to the second supply flow path and jetting the cleaning fluid supplied along the second supply flow path between a side surface of the polishing platen and an inner surface of the guard member.
제4항에 있어서,
상기 가드 부재는,
상기 연마정반의 둘레를 감싸도록 배치되는 가드 몸체와;
상기 가드 몸체의 상단에 형성되며, 상기 가드 몸체보다 상기 연마정반의 중심에 인접하게 배치되는 가이드부를;
포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
5. The method of claim 4,
The guard member
A guard body disposed to surround the periphery of the polishing platen;
A guiding portion formed at an upper end of the guard body and disposed closer to the center of the polishing platen than the guard body;
The substrate processing apparatus comprising:
제8항에 있어서,
상기 제2공급유로는 상기 가이드부에 형성되며, 상기 가드 몸체의 내면보다 상기 연마정반의 중심에 인접한 위치에서 상기 세정유체를 공급하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
9. The method of claim 8,
Wherein the second supply passage is formed in the guide portion and supplies the cleaning fluid at a position closer to the center of the polishing platen than the inner surface of the guard body.
제9항에 있어서,
상기 제2공급유로는 상기 가드 몸체의 내면을 향하도록 경사지게 형성되며, 상기 세정유체는 상기 가드 부재의 내면을 향해 공급되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
10. The method of claim 9,
Wherein the second supply passage is inclined to face the inner surface of the guard body, and the cleaning fluid is supplied toward the inner surface of the guard member.
제8항에 있어서,
상기 가이드부는 상기 가드 몸체에 대해 경사지게 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
9. The method of claim 8,
Wherein the guide portion is inclined with respect to the guard body.
제8항에 있어서,
상기 가이드부는 절곡되게 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
9. The method of claim 8,
Wherein the guide portion is formed to be bent.
제1항에 있어서,
상기 유체공급부는 액체를 공급하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the fluid supply part supplies liquid.
제13항에 있어서,
상기 액체는 순수(DIW)인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
14. The method of claim 13,
Wherein the liquid is pure water (DIW).
제1항에 있어서,
상기 유체공급부는 기체와 액체가 혼합된 혼합 유체를 공급하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the fluid supply unit supplies a mixed fluid in which a gas and a liquid are mixed.
제1항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 유체공급부는 상기 기판의 화학 기계적 연마 공정 중에 상기 세정유체를 공급하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
16. The method according to any one of claims 1 to 15,
Wherein the fluid supply part supplies the cleaning fluid during a chemical mechanical polishing process of the substrate.
제16항에 있어서,
상기 기판의 화학 기계적 연마 공정 중에 상기 가드 부재는 상기 연마정반보다 높은 높이에 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
17. The method of claim 16,
Wherein during the chemical mechanical polishing process of the substrate, the guard member is disposed at a height higher than the polishing platen.
제1항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 유체공급부는 상기 기판의 화학 기계적 연마 공정이 완료된 후 상기 세정유체를 공급하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
16. The method according to any one of claims 1 to 15,
Wherein the fluid supply unit supplies the cleaning fluid after the chemical mechanical polishing process of the substrate is completed.
제18항에 있어서,
상기 기판의 화학 기계적 연마 공정이 완료된 후 상기 가드 부재는 연마정반보다 낮은 높이에 배치되도록 하향 이동하고, 상기 유체공급부는 상기 연마정반에 대해 상기 가드 부재가 하향 이동한 상태에서 상기 세정유체를 공급하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
19. The method of claim 18,
After the chemical mechanical polishing process of the substrate is completed, the guard member moves downward to be disposed at a lower height than the polishing platen, and the fluid supply unit supplies the cleaning fluid in a state in which the guard member moves downward with respect to the polishing platen And the substrate processing apparatus.
제1항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 가드 부재는,
상기 연마정반의 둘레 일부를 감싸도록 배치되는 제1분할가드부와;
상기 연마정반의 둘레 다른 일부를 감싸도록 배치되며, 상기 제1분할가드부와 분할된 제2분할가드부를;
포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
16. The method according to any one of claims 1 to 15,
The guard member
A first split guard portion arranged to surround a part of the periphery of the polishing platen;
A first split guard portion and a second split guard portion which are disposed so as to surround a part of the periphery of the polishing platen;
The substrate processing apparatus comprising:
제20항에 있어서,
상기 제1분할가드부와 상기 제2분할가드부는 독립적으로 상하 이동하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
21. The method of claim 20,
Wherein the first divided guard portion and the second divided guard portion independently move up and down.
제21항에 있어서,
상기 기판을 이송하는 캐리어 헤드가 상기 연마정반으로 진입할 때에는 상기 제1분할가드부가 하향 이동하였다가, 상기 캐리어 헤드가 상기 연마정반 상에 위치하면 상기 제1분할가드부가 상향 이동하고,
상기 캐리어 헤드가 상기 연마정반의 바깥으로 진출할 때에는 상기 제2분할가드부가 하향 이동하였다가, 상기 캐리어 헤드가 상기 연마정반의 바깥에 위치하면 상기 제2분할가드부가 상향 이동하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
22. The method of claim 21,
Wherein when the carrier head for transferring the substrate enters the polishing platen, the first divided guard portion moves downward, and when the carrier head is positioned on the polishing platen, the first divided guard portion moves upward,
Wherein when the carrier head moves out of the polishing platen, the second split guard portion moves downward, and when the carrier head is positioned outside the polishing platen, the second split guard portion moves upward. Processing device.
KR1020170009465A 2017-01-20 2017-01-20 Substrate procesing apparatus having the same KR20180085869A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170009465A KR20180085869A (en) 2017-01-20 2017-01-20 Substrate procesing apparatus having the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170009465A KR20180085869A (en) 2017-01-20 2017-01-20 Substrate procesing apparatus having the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20180085869A true KR20180085869A (en) 2018-07-30

Family

ID=63048400

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170009465A KR20180085869A (en) 2017-01-20 2017-01-20 Substrate procesing apparatus having the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20180085869A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101816694B1 (en) Chemical mechanical polishing apparatus and control method thereof
KR100549879B1 (en) Method for cleaning treatment of a cap for coating machine
KR100451615B1 (en) Polishing apparatus
KR100328607B1 (en) Combined slurry dispenser and rinse arm and method of operation
KR20160024818A (en) Substrate processing apparatus
TWI733849B (en) Grinding device
JP2001015466A (en) Chemical mechanical polishing apparatus and method for cleaning away contaminant in polishing head
KR20120103465A (en) Two-fluid nozzle, substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method, and computer-readable storage medium for storing substrate liquid processing program
KR101816692B1 (en) Substrate processing system
CN103786090A (en) Polishing apparatus and polishing method
JP2013099828A (en) Method and apparatus for polishing
JP4109175B2 (en) Semiconductor manufacturing equipment
JP2007036152A (en) Wafer cleaning/drying method and wafer cleaning/drying equipment
US20160052104A1 (en) Polishing apparatus
KR19980024865A (en) Cleaning processing method and cleaning processing apparatus
KR20180085869A (en) Substrate procesing apparatus having the same
KR20180027073A (en) Substrate procesing system and substrate processing method
KR102121738B1 (en) Chemical mechanical polishing apparatus with improved efficiency of removing slurry from polishing pad
JP2015037147A (en) Cleaning device and cleaning method
KR101881379B1 (en) An apparatus for cleaning a grinding surface plate
JP6758066B2 (en) Polishing equipment
JP2021074825A (en) Holding surface cleaning device
JP2007000968A (en) Cleaning mechanism for polishing face of polishing table, and polishing device
CN218692049U (en) Wafer cleaning device
JP7216601B2 (en) Polishing equipment

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
N231 Notification of change of applicant
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application