KR20180080869A - 반도체 발광소자 - Google Patents
반도체 발광소자 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20180080869A KR20180080869A KR1020170001944A KR20170001944A KR20180080869A KR 20180080869 A KR20180080869 A KR 20180080869A KR 1020170001944 A KR1020170001944 A KR 1020170001944A KR 20170001944 A KR20170001944 A KR 20170001944A KR 20180080869 A KR20180080869 A KR 20180080869A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- light emitting
- emitting device
- semiconductor light
- light
- wavelength converting
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 92
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract description 46
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 claims description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 claims description 7
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 claims description 7
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 6
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 4
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 claims description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 6
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 abstract 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 abstract 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 17
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 4
- PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N neodymium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Nd+3].[Nd+3] PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- RCYIWFITYHZCIW-UHFFFAOYSA-N 4-methoxybut-1-yne Chemical compound COCCC#C RCYIWFITYHZCIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017493 Nd 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 244000154870 Viola adunca Species 0.000 description 1
- 235000005811 Viola adunca Nutrition 0.000 description 1
- 235000013487 Viola odorata Nutrition 0.000 description 1
- 235000002254 Viola papilionacea Nutrition 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- -1 neodymium aluminate Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12041—LED
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0058—Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
본 개시는 반도체 발광소자에 있어서, 파장을 가지는 빛을 발광하는 반도체 발광소자 칩; 그리고, 빛의 파장을 변화시키는 파장변환제와 파장변환제의 표면에 형성되며, 빛의 일부를 흡수하는 흡광제를 포함하는 흡광파장변환제;를 포함하는 반도체 발광소자에 관한 것이다.
Description
본 개시(Disclosure)는 전체적으로 반도체 발광소자에 관한 것으로, 특히 색재현율이 향상되는 반도체 발광소자에 관한 것이다.
여기서는, 본 개시에 관한 배경기술이 제공되며, 이들이 반드시 공지기술을 의미하는 것은 아니다(This section provides background information related to the present disclosure which is not necessarily prior art).
도 1은 미국 공개특허공보 제20160079484호에 제시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면이다. 설명의 편의를 위해 용어와 부호를 변경하였다.
도 1(a)는 종래의 반도체 발광소자의 평면도를 나타내었으며, 도 1(b)는 도 1(a)의 II-II의 단면이다. 반도체 발광소자(10)는 반도체 발광소자 칩(1), 리드(2,3), 몰드 부재(4), 봉지재(5), 와이어(6), 형광체(7), 및 충전재(8)를 포함한다. 반도체 발광소자 칩(1)은 리드(2,3)에 와이어(6)를 통해 전기적으로 연결되고, 봉지재(5)에는 형광체(7)와 충전재(8)를 혼합하여 포함한다. 형광체(7)와 충전재(8)가 혼합된 봉지재(5)는 반도체 발광소자 칩(1) 주위에 형성된다.
색 이름 및 색 좌표 사이의 관계의 설명에 단색 빛, 빛 파장 범위와 같은 관계는 JIS표준(JIS Z8110)을 기반으로 한다. 특히, 380~455nm 청보라색 색상, 455~480nm에 파랑, 485~495nm 청녹색, 495~548nm 녹색, 548~573 노란색을 띄는 녹색, 573~584nm 노란색, 610~780nm 빨강에 해당하는 범위를 나타낸다.
본 실시 형태와 관련한 반도체 발광소자(10)는 반도체 발광소자 칩(1)과 반도체 발광소자 칩(1)를 유지하는 몰드 부재(4)와 반도체 발광소자 칩(1)을 덮어 봉지재(5)를 갖춘다. 봉지재(5)는 형광체(7)와 충전재(8)를 포함한다. 형광체(7)는 반도체 발광소자 칩(1)의 빛에 의해서 자극되고 발광 방사선을 방출할 수 있다. 충전재(8)는 반도체 발광소자 칩(1)과 형광체(7)의 혼합 빛의 스펙트럼의 일부를 흡수하고 이 혼합 빛의 스펙트럼의 다른 부분을 반사한다. 반도체 발광소자 칩(1)과 형광체(7)의 혼합 빛의 스펙트럼의 일부가 흡수되므로 그것에 대응한 혼합 빛의 스펙트럼의 프로파일이 저하한다. 이로써, 반도체 발광소자(10)의 연색성을 향상시킬 수 있다. 한편 충전재(8)에 따른 반사 빛은 반도체 발광소자(10)가 발하는 빛으로 추출된다. 반도체 발광소자 칩(1)의 발광 효율을 향상시키기 위해서는 반사 광선을 증가시킬 필요가 있다. 이를 달성하기 위해서, 본 실시 형태의 충전 재료는 수산화 네오디뮴, 알루민산 네오디뮴, 또는 규산 네오디뮴을 함유한다. 이들 재료는 앞에서 논의한 산화 네오디뮴 및 네오디뮴 유리보다 특정 파장 범위에 더 높은 반사율을 가진다. 그러므로 본 실시 형태의 반도체 발광소자(10)는 배경 기술로 설명한 반도체 발광소자(10)보다 높은 발광 효율을 발휘하며 높은 연색성을 가질 수 있다.
종래의 반도체 발광소자(10)에서 봉지재(5)에 형광체(7)와 충전재(8)를 혼합하여 사용하는 방법은 전체적인 빛을 흡수하여, 빛의 방출효율이 떨어지는 문제점이 있다. 또한, 반도체 발광소자(10)에서 발생하는 열로 인해 충전재(8)의 빛을 흡수하는 정도가 줄어드는 문제점이 있다.
이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.
여기서는, 본 개시의 전체적인 요약(Summary)이 제공되며, 이것이 본 개시의 외연을 제한하는 것으로 이해되어서는 아니된다(This section provides a general summary of the disclosure and is not a comprehensive disclosure of its full scope or all of its features).
본 개시에 따른 일 태양에 의하면(According to one aspect of the present disclosure), 반도체 발광소자에 있어서, 파장을 가지는 빛을 발광하는 반도체 발광소자 칩; 그리고, 빛의 파장을 변화시키는 파장변환제와 파장변환제의 표면에 형성되며, 빛의 일부를 흡수하는 흡광제를 포함하는 흡광파장변환제;를 포함하는 반도체 발광소자가 제공된다.
이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.
도 1은 한국 등록특허공보 제10-14767710000호에 제시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 1은 미국 공개특허공보 제20160079484호에 제시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 2는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 3은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 다른 예를 나타내는 도면,
도 4는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 5는 본 개시에 따른 반도체 발광소자에 따른 광방출 스펙트럼을 나타내는 도면,
도 6은 본 개시에 따른 흡광파장변환제를 만드는 방법의 일 예를 나타내는 도면,
도 7은 본 개시에 따른 반도체 발광소자를 만드는 방법의 다른 예를 나타내는 도면,
도 8은 종래의 반도체 발광소자 및 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 광방출 그래프를 나타내는 도면.
도 1은 미국 공개특허공보 제20160079484호에 제시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 2는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 3은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 다른 예를 나타내는 도면,
도 4는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 5는 본 개시에 따른 반도체 발광소자에 따른 광방출 스펙트럼을 나타내는 도면,
도 6은 본 개시에 따른 흡광파장변환제를 만드는 방법의 일 예를 나타내는 도면,
도 7은 본 개시에 따른 반도체 발광소자를 만드는 방법의 다른 예를 나타내는 도면,
도 8은 종래의 반도체 발광소자 및 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 광방출 그래프를 나타내는 도면.
이하, 본 개시를 첨부된 도면을 참고로 하여 자세하게 설명한다(The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing(s)).
도 2는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면이다.
반도체 발광소자(100)는 반도체 발광소자 칩(120), 반도체 발광소자 칩(120) 주위에 구비되는 흡광파장변환제(140)를 포함한다. 반도체 발광소자 칩(120)은 파장을 가지는 빛을 발광하며, 흡광파장변환제(140)는 파장변환제(141)와 흡광제(142)를 포함한다. 파장변환제(141)는 빛의 파장을 변화시키며, 이로인해, 빛의 파장이 변화하여 빛의 색이 바뀐다. 흡광제(142)는 파장변환제(141)의 표면에 형성되어 빛의 일부를 흡수한다. 바람직하게는 흡광제(142)는 파장변환제(141)의 주위를 둘러싸고 파장변환제(141)의 표면에 20%~80%가 형성될 수 있다. 예를 들면, 파장변환제(141)는 형광체(Phosphor)일 수 있고, 파장변환제(141)의 크기는 10um~30um일 수 있다. 또한, 흡광제(142)는 파장변환제(141)의 표면에서 고르게 분포되어 형성될 수 있다. 흡광제(142)는 네오디뮴(Nd)을 포함할 수 있다. 예를 들면, 흡광제(142)는 네오디뮴으로 형성될 수 있고, 흡광제(142)의 크기는 약 2nm일 수 있다.
반도체 발광소자 칩(120)은 기판(110)에 구비될 수 있으며, 기판(110)에는 반도체 발광소자 칩(120)과 전기적으로 연결될 수 있는 회로(미도시)가 구비될 수 있다.
흡광파장변환제(140)는 파장변환제(141)를 흡광제(142)가 포함된 용액에 넣어 화학적으로 파장변환제(141)에 흡광제(142)를 코팅하여 형성될 수 있다. 예를 들면, Nd2O3 용액에 파장변환제(141)를 넣어 화학반응을 통해 네오디뮴이 적어도 일부의 파장변환제(141)를 둘러싸도록 할 수 있다.
반도체 발광소자(100)는 봉지재(150)를 더 포함할 수 있다. 봉지재(150)는 실리콘일 수 있으며, 봉지재(150)에는 흡광파장변환제(140)가 균일하게 섞일 수 있다.
도 3은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 다른 예를 나타내는 도면이다.
도 3(a)와 도 3(b)의 반도체 발광소자(100)는 흡광파장변환제(140)가 포함된 시트(200)를 포함하고 있다. 도 3(a)에는 봉지재(150) 위에 시트(200)가 구비되었고, 도 3(b)에는 반도체 발광소자 칩(120) 위에 시트(200)가 구비되었다.
도 2와 다르게 도 3과 같이 형성될 수 있으며, 시트(200)를 만들어 놓고 반도체 발광소자 칩(120) 위에 부착하거나, 봉지재(150) 위에 부착하여 사용할 수 있는 장점이 있다.
도 4는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 나타내는 도면이다.
반도체 발광소자(100)는 리드프레임(160), 반사벽(130)을 더 포함할 수 있다. 반도체 발광소자 칩(120)은 리드프레임(160)과 전기적으로 연결될 수 있다. 반도체 발광소자 칩(120)은 레터럴 칩, 버티컬 칩, 플립 칩 중 적어도 하나 일 수 있다. 레터럴 칩의 경우에는 두 개의 극이 와이어(170)를 이용해 리드프레임(160)과 전기적으로 연결될 수 있고, 버티컬 칩의 경우에는 한 극이 리드프레임(160)과 와이어(170)를 이용해 리드프레임(160)에 전기적으로 연결될 수 있으며, 다른 극은 리드프레임(160)에 부착되어 직접 연결될 수 있다. 플립 칩인 경우에는 2개의 극을 리드프레임(160)에 각각 부착되어 직접 연결될 수 있다. 리드프레임(160) 위에 반사벽(130)이 구비될 수 있다. 반사벽(130)은 반도체 발광소자 칩(120)으로부터 나가는 빛 중 측면으로 나가는 빛을 반사시켜 사용자가 원하는 방향으로 빛이 반사 되도록 할 수 있고, 측면으로 나가는 빛을 반사시켜 빛이 흡광파장변환제(140)와 더 반응할 수 있도록 할 수 있다.
도 5은 본 개시에 따른 반도체 발광소자에 따른 광방출 스펙트럼을 나타내는 도면이다.
실선은 흡광파장변환제(140)가 구비된 반도체 발광소자(100)의 빛의 스펙트럼을 나타낸 그래프이며, 점선은 파장변환제(141)만 구비된 반도체 발광소자(100)의 빛의 스펙트럼을 나타낸 그래프이다.
점선은 유효한 빛의 세기를 가지는 파장의 대역이 500nm~600nm이며, 실선은 유효한 빛의 세기를 가지는 파장의 대역이 500nm~575nm이다. 실선의 파장의 대역이 점선의 대역보다 줄어들어 있다. 실선은 점선에 비해 570nm~600nm사이의 파장과 525nm에서 일부가 흡수되어 570nm~600nm사이와 525nm에서 빛의 세기가 줄어들었다. 이로 인해, 실선은 570~600nm 사이의 빛(노란색빛)의 세기가 적어져, 600nm 이후의 붉은색빛과 겹치는 부분이 적어졌고, 525nm의 파장의 일부가 흡수되었다.
그 결과, 흡광파장변환제(140)를 사용한 반도체 발광소자(100)는 빛의 색재현율이 향상된다.
도 6은 본 개시에 따른 흡광파장변환제를 만드는 방법의 일 예를 나타내는 도면이다.
먼저, 흡광제(142)가 포함된 용액 및 파장변환제(141)를 준비한다. 예를 들면, 흡광제(142)가 포함된 용액은 Nd2O3 용액일 수 있다. 예를 들면, 파장변환제(141)는 형광체일 수 있다. 이후, 파장변환제(141)를 흡광제(142)가 포함된 용액과 섞는다. 이후, 흡광파장변환제(140)가 형성된다. 이후, 흡광파장변환제(140)가 포함된 용액을 건조한다. 예를 들면, 건조할 때에는 오븐 또는 건조기에 넣어 수분을 증발 시킬 수 있다. 또한, 건조할 때, 온도는 스텝을 가지도록 형성할 수 있다. 왜냐하면, 각 스탭별로 각기 다른 물질을 건조시키고, 안정적으로 건조를 할 수 있기 때문이다.
도 7은 본 개시에 따른 반도체 발광소자를 만드는 방법의 다른 예를 나타내는 도면이다.
먼저, 기판(110)에 구비된 적어도 하나 이상의 반도체 발광소자 칩(120)을 준비한다. 기판(110)은 리드프레임(미도시)으로 변경될 수 있다. 이후, 흡광파장변환제(140)가 반도체 발광소자 칩(120) 주위에 구비된다. 예를 들면, 봉지재(150)와 흡광파장변환제(140)를 섞어 반도체 발광소자 칩(120) 위에 도포하거나, 흡광파장변환제(140)가 구비된 시트(200)를 형성하여 각각의 반도체 발광소자 칩(120) 및 반도체 발광소자 칩(120) 주위에 구비할 수 있다. 반도체 발광소자 칩(120)에서 나온 빛은 파장을 가지며, 반도체 발광소자 칩(120) 주위에 흡광파장변환제(140)에 의해 일부의 빛의 파장이 변환될 수 있도록 파장변환제(141)와 파장변환제(141) 표면의 일부를 덮고 있는 흡광제(142)를 포함하는 흡광파장변환제(140)를 구비한다. 이후, 반도체 발광소자 칩(120) 사이를 자른다.
도 8은 종래의 반도체 발광소자 및 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 광방출 그래프를 나타내는 도면이다.
도 8(a)의 그래프는 파장변환제(141)와 흡광제(142)가 혼합된 반도체 발광소자를 이용한 광방출 그래프이며, 도 8(b)의 그래프는 흡광파장변환제(140)가 구비된 반도체 발광소자를 이용한 광방출 그래프이다.
도 8(a)에서 반도체 발광소자의 구동시간이 0시간(hr), 40시간(hr), 100시간(hr)이 지났을 때의 그래프를 나타내며, 530nm~630nm 사이의 광방출 그래프가 가파른 굴곡을 가지고 있다가 시간이 지남에 따라 점점 완만하게 변함을 알 수 있다. 왜냐하면, 반도체 발광소자의 구동하는 시간이 길어질수록 흡광제(142)의 빛을 흡수하는 정도가 떨어지기 때문이다. 이로 인해, 색재현율이 떨어짐을 알 수 있다.
도 8(a)에 비해 도 8(b)에서는 0시간(hr), 118시간(hr), 290시간(hr), 534시간(hr), 700시간(hr)이 지났을 때에도 변함없어, 그래프가 겹쳐 형성되는 것을 알 수 있다.
도 8(b)에 사용된 흡광파장변환제(140)를 사용하면, 온도에 따라 색재현율이 변하지 않는 반도체 발광소자를 사용할 수 있다.
이하 본 개시의 다양한 실시 형태에 대하여 설명한다.
(1) 반도체 발광소자에 있어서, 파장을 가지는 빛을 발광하는 반도체 발광소자 칩; 그리고, 빛의 파장을 변화시키는 파장변환제와 파장변환제의 표면에 형성되며, 빛의 일부를 흡수하는 흡광제를 포함하는 흡광파장변환제;를 포함하는 반도체 발광소자.
(2) 반도체 발광소자 칩 위에 구비되며, 흡광파장변환제와 섞이는 봉지재;를 포함하는 반도체 발광소자.
(3) 흡광제는 570nm~600nm 사이의 빛을 흡수하는 반도체 발광소자.
(4) 흡광제는 파장변환제의 20%~80%를 둘러싸는 반도체 발광소자.
(5) 흡광제는 네오디뮴(neodymium)을 포함하는 반도체 발광소자.
(6) 흡광제는 파장변환제의 표면에서 고르게 분포되어 형성되는 반도체 발광소자.
(7) 반도체 발광소자 칩 위에 구비되며, 흡광파장변환제를 포함하는 시트;를 포함하는 반도체 발광소자.
(8) 반도체 발광소자 칩 주위와 시트 사이에 구비되는 봉지재;를 포함하는 반도체 발광소자.
(9) 흡광파장변환제를 제조하는 방법에 있어서,흡광제가 포함된 용액을 준비하는 단계; 흡광제가 포함된 용액에 파장변환제를 넣는 단계; 흡광파장변환제가 형성되는 단계;그리고, 흡광파장변환제가 포함된 용액을 건조하는 단계;를 포함하는 흡광파장변환제를 제조하는 방법.
본 개시에 의하면, 색재현율이 향상되는 반도체 발광소자를 제공한다.
또한 본 개시에 의하면, 흡광제에 의해 일부의 빛이 흡수되어 색재현율이 향상되는 반도체 발광소자를 제공한다.
또한 본 개시에 의하면, 온도에 영향을 받지 않는 파장변환제 표면에 구비된 흡광제를 포함하는 반도체 발광소자를 제공한다.
100: 반도체 발광소자
110: 기판
120: 반도체 발광소자 칩
130: 반사벽
140: 흡광파장변환제 141: 파장변환제 142: 흡광제 150: 봉지재
160: 리드프레임 200:시트
140: 흡광파장변환제 141: 파장변환제 142: 흡광제 150: 봉지재
160: 리드프레임 200:시트
Claims (9)
- 반도체 발광소자에 있어서,
파장을 가지는 빛을 발광하는 반도체 발광소자 칩; 그리고,
빛의 파장을 변화시키는 파장변환제와 파장변환제의 표면에 형성되며, 빛의 일부를 흡수하는 흡광제를 포함하는 흡광파장변환제;를 포함하는 반도체 발광소자. - 청구항 1에 있어서,
반도체 발광소자 칩 위에 구비되며, 흡광파장변환제와 섞이는 봉지재;를 포함하는 반도체 발광소자. - 청구항 1에 있어서,
흡광제는 570nm~600nm 사이의 빛을 흡수하는 반도체 발광소자. - 청구항 1에 있어서,
흡광제는 파장변환제의 20%~80%를 둘러싸는 반도체 발광소자. - 청구항 1에 있어서,
흡광제는 네오디뮴(neodymium)을 포함하는 반도체 발광소자. - 청구항 1에 있어서,
흡광제는 파장변환제의 표면에서 고르게 분포되어 형성되는 반도체 발광소자. - 청구항 1에 있어서,
반도체 발광소자 칩 위에 구비되며, 흡광파장변환제를 포함하는 시트;를 포함하는 반도체 발광소자. - 청구항 7에 있어서,
반도체 발광소자 칩 주위와 시트 사이에 구비되는 봉지재;를 포함하는 반도체 발광소자. - 흡광파장변환제를 제조하는 방법에 있어서,
흡광제가 포함된 용액과 파장변환제를 준비하는 단계;
흡광제가 포함된 용액과 파장변환제를 섞는 단계;
흡광파장변환제가 형성되는 단계;그리고,
흡광파장변환제가 포함된 용액을 건조하는 단계;를 포함하는 흡광파장변환제를 제조하는 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020170001944A KR20180080869A (ko) | 2017-01-05 | 2017-01-05 | 반도체 발광소자 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020170001944A KR20180080869A (ko) | 2017-01-05 | 2017-01-05 | 반도체 발광소자 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20180080869A true KR20180080869A (ko) | 2018-07-13 |
Family
ID=62913549
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020170001944A KR20180080869A (ko) | 2017-01-05 | 2017-01-05 | 반도체 발광소자 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20180080869A (ko) |
-
2017
- 2017-01-05 KR KR1020170001944A patent/KR20180080869A/ko not_active Application Discontinuation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9882097B2 (en) | Optoelectronic semiconductor chip, optoelectronic semiconductor component, and a method for producing an optoelectronic semiconductor component | |
| JP4350183B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
| US7800121B2 (en) | Light emitting diode component | |
| US8597963B2 (en) | Manufacture of light emitting devices with phosphor wavelength conversion | |
| US10309587B2 (en) | Light emitting diode component | |
| TWI418050B (zh) | 可轉換色光之發光二極體 | |
| EP2417219B1 (en) | Luminescent converter for a phosphor- enhanced light source comprising organic and inorganic phosphors | |
| US10340424B2 (en) | Light emitting diode component | |
| US20140285996A1 (en) | White light apparatus with enhanced color contrast | |
| US20080265749A1 (en) | Phosphor-Converted Electroluminescent Device with Absorbing Filter | |
| JP2003051622A (ja) | 白色系半導体発光装置 | |
| JP2012531043A (ja) | 蛍光体変換赤外線ｌｅｄ関連アプリケーション | |
| JP2011082568A (ja) | 飽和変換材料を有するエミッタパッケージ | |
| GB2430305A (en) | Visible light source with UV reflector | |
| CN103222077A (zh) | 发光装置 | |
| JP2010016029A (ja) | Ｌｅｄ光源 | |
| JP2004327518A (ja) | 白色発光装置 | |
| JP2000031530A (ja) | 半導体発光装置およびその製造方法 | |
| KR100837847B1 (ko) | 형광체를 이용한 파장 변환형 발광다이오드 및 그 제조방법 | |
| KR20180080869A (ko) | 반도체 발광소자 | |
| JP7171972B2 (ja) | 発光装置 | |
| KR101819912B1 (ko) | 광원, 방사선 변환 요소 및 필터를 갖는 조명 시스템 | |
| US20110237007A1 (en) | Phosphor, method of coating the same, and method of manufacturing light emitting apparatus | |
| CN217214711U (zh) | 发光装置 | |
| KR102135626B1 (ko) | 자외선 발광 다이오드를 이용한 발광 소자 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E601 | Decision to refuse application |