KR20180079267A - Substrate processing apparatus, substrate processing method and storage medium - Google Patents

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노리유키 이와부치
사토시 도다
데츠로 다카하시
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

In the present invention, provided are a substrate processing apparatus and a substrate processing method wherein an exhaust device is in common and substrate processing in difference conditions can be performed when multiple substrates to be processed are individually processed by multiple processing units. The substrate processing apparatus comprises multiple processing units (11a, 11b) which perform substrate processing with respect to multiple substrates (Wa, Wb) to be processed; an exhaust device (15) which ventilates, in common, gas from the processing units (11a, 11b); a gas supply device (14) which independently supplies to the processing units (11a, 11b); and a control unit (16). The control unit (16) controls the exhaust device (15) to collectively exhaust gas from the processing units (11a, 11b) when substrate processing is performed with respect to multiple substrates (Wa, Wb) to be processed, independently supplies processing gas with respect to the processing unit (11a, 11b), and at the same time, controls the gas supply device (14) to prevent internal pressure difference from being generated in the processing units (11a, 11b).

Description

기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND STORAGE MEDIUM}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a substrate processing apparatus, a substrate processing method,

본 발명은 피처리 기판에 처리를 실시하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for performing processing on a substrate to be processed.

반도체 디바이스의 제조에 있어서는, 피처리 기판인 반도체 웨이퍼(이하, 간단히 웨이퍼라 기재함)에 에칭 처리나 성막 처리 등의 각종 처리를 반복해서 행하여 원하는 디바이스를 제조한다. In the production of a semiconductor device, a desired device is manufactured by repeating various processes such as an etching process and a film forming process on a semiconductor wafer (hereinafter, simply referred to as a wafer) to be processed.

종래, 이러한 기판 처리를 행하는 장치로서는, 피처리 기판을 1매씩 기판 처리하는 낱장식의 처리 장치가 다용되고 있다. 그러나, 처리 장치에는 스루풋을 향상시킬 것이 요구되고 있어, 낱장식의 처리 장치의 플랫폼을 유지한 채 한번에 2매 이상의 피처리 기판에 대하여 기판 처리를 실시하는 기판 처리 장치도 사용되고 있다(예를 들어 특허문헌 1). Conventionally, as a device for performing such a substrate processing, a single-type processing device for substrate-processing the substrates to be processed one by one is often used. However, a processing apparatus is required to improve the throughput, and a substrate processing apparatus that performs substrate processing on two or more substrates to be processed at once while maintaining the platform of the single-type processing apparatus is also used (for example, a patent Document 1).

특허문헌 1에 기재된 기판 처리 장치는, 챔버 내에, 복수매의 피처리 기판을 적재하는 기판 적재대를 설치하고, 복수의 처리 영역과, 복수의 처리 영역을 분리하는 분리 영역을 기판 적재대의 원주 방향을 따라 교대로 설치한다. 기판 처리 시에는, 기판 적재대를 회전시켜, 복수매의 피처리 기판이 "처리 영역, 분리 영역, 처리 영역, 분리 영역 …"과 같이 차례차례 거쳐 나가게 함으로써, 복수매의 피처리 기판에 대하여 서로 다른 가스 공급 조건의 기판 처리를 실시한다.The substrate processing apparatus described in Patent Document 1 has a substrate mounting table for mounting a plurality of substrates to be processed in a chamber and is provided with a plurality of processing regions and a separation region for separating the plurality of processing regions from each other in the circumferential direction As shown in FIG. During substrate processing, the substrate table is rotated to sequentially move a plurality of target substrates through a process area such as "processing area, separation area, processing area, separation area ..." And substrate processing is performed under different gas supply conditions.

일본 특허 공개 제2010-80924호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2010-80924

특허문헌 1에서는, 복수매의 피처리 기판에 대하여 서로 다른 가스 공급 조건의 기판 처리를 실시하기 위해서, 배기 기구는, 처리 영역마다 독립하여 각각 별도로 설치되어 있다. 이 때문에, 기판 처리 장치의 제조 비용이 상승해버린다. In Patent Document 1, the exhaust mechanism is separately provided for each processing region in order to perform substrate processing of a plurality of substrates to be processed under different gas supply conditions. As a result, the manufacturing cost of the substrate processing apparatus is increased.

본 발명은, 복수매의 피처리 기판에 대하여 복수의 처리부에서 각각 처리함에 있어서, 배기 기구를 공통화하면서, 서로 다른 가스 공급 조건의 기판 처리를 실시할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공한다. The present invention provides a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of performing substrate processing with different gas supply conditions while making a plurality of processing target substrates uniform in a plurality of processing sections by a plurality of processing sections .

본 발명의 제1 관점은, 진공 분위기 하에서 복수매의 피처리 기판에 미리 정해진 기판 처리를 실시하는 기판 처리 장치로서, 상기 복수매의 피처리 기판 각각에 대하여 상기 기판 처리를 실시하는 복수의 처리부와, 상기 복수의 처리부의 각각에 대하여 처리 가스를 독립적으로 공급하는 가스 공급 기구와, 상기 복수의 처리부 내의 처리 가스를 일괄해서 배기하는 공통의 배기 기구와, 상기 가스 공급 기구 및 상기 공통의 배기 기구를 제어하는 제어부를 포함하고, 상기 제어부는, 상기 복수의 처리부로부터 상기 처리 가스를 일괄해서 배기하도록 상기 공통의 배기 기구를 제어하면서, 상기 복수의 처리부의 각각에 대하여 독립하여 상기 처리 가스를 공급함과 함께, 상기 복수의 처리부에서의 내부 압력차가 발생하는 것을 저지하도록, 상기 가스 공급 기구를 제어하는 기판 처리 장치를 제공한다. According to a first aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus for performing predetermined substrate processing on a plurality of target substrates in a vacuum atmosphere, comprising: a plurality of processing sections for performing the substrate processing on each of the plurality of target substrates; A gas supply mechanism for independently supplying a process gas to each of the plurality of processing sections, a common exhaust mechanism for collectively exhausting the process gases in the plurality of processing sections, and a common exhaust mechanism Wherein the control unit controls the common exhaust mechanism to collectively exhaust the processing gases from the plurality of processing units and independently supplies the processing gases to each of the plurality of processing units , And to prevent the occurrence of an internal pressure difference in the plurality of processing sections It provides a substrate processing apparatus for controlling a phrase.

상기 제1 관점에서, 상기 제어부는, 상기 복수의 처리부로부터 상기 처리 가스를 공통으로 배기하도록 상기 공통의 배기 기구를 제어하면서, 상기 복수의 처리부의 모두에 대하여 상기 처리 가스로서 제1 가스를 동일한 가스 공급 조건에서 공급하는 제1 모드와, 상기 복수의 처리부로부터 상기 처리 가스를 일괄해서 배기하도록 상기 공통의 배기 기구를 제어하면서, 상기 복수의 처리부의 일부에 대해서는 상기 제1 가스를 공급하고, 상기 복수의 처리부의 나머지에 대해서는 상기 제1 가스와는 상이한 제2 가스를 공급하는 제2 모드를 실행하고, 상기 제2 모드 시에, 상기 복수의 처리부에서의 상기 내부 압력차가 발생하는 것을 저지하도록, 상기 가스 공급 기구를 제어하는 것이 바람직하다. In the first aspect, the control unit controls the common exhaust mechanism so as to exhaust the process gas from the plurality of processing units in common, and controls the first gas as the process gas to all of the plurality of process units, A first mode in which the processing gas is supplied from a plurality of processing sections while supplying the first gas to a part of the plurality of processing sections while controlling the common exhaust mechanism to exhaust the processing gases collectively from the plurality of processing sections, A second mode in which a second gas different from the first gas is supplied to the rest of the processing sections of the plurality of processing sections and a second mode in which the second gas is supplied to the processing sections in the second mode, It is preferable to control the gas supply mechanism.

또한, 상기 제어부는, 상기 제2 모드 시, 상기 복수의 처리부에서의 상기 내부 압력차가 발생하는 것을 저지하기 위하여 충분한 레벨로, 상기 복수의 처리부 중 나머지에 대한 상기 제2 가스의 공급량을 제어하는 것이 바람직하다. It is also preferable that the control unit controls the supply amount of the second gas to the rest of the plurality of processing units at a level sufficient to prevent the occurrence of the internal pressure difference in the plurality of processing units in the second mode desirable.

또한, 상기 제2 가스는, 불활성 가스 및 상기 피처리 기판에 대하여 비반응인 비반응성 가스 중 적어도 어느 하나를 사용할 수 있다. The second gas may be at least one of an inert gas and a non-reactive gas which is non-reactive with respect to the substrate to be processed.

상기 제어부는, 상기 제2 모드 시, 상기 복수의 처리부의 일부에서는, 상기 피처리 기판에 대하여 상기 제1 가스에 의한 상기 기판 처리를 속행하고, 상기 복수의 처리부의 나머지에서는, 상기 피처리 기판에 대하여 상기 제1 가스의 공급을 정지하여 상기 기판 처리를 정지하고, 상기 제2 가스를 보완 가스로서 공급하도록 상기 가스 공급 기구를 제어할 수 있다. Wherein the control unit continues the substrate processing by the first gas with respect to the substrate to be processed in a part of the plurality of processing units in the second mode, The supply of the first gas is stopped to stop the substrate processing, and the gas supply mechanism can be controlled so as to supply the second gas as a complementary gas.

이 경우에, 상기 제어부는, 상기 기판 처리에 앞서, 상기 복수의 처리부를 압력 조절 가스에 의해 압력 조절함과 함께 내부 압력을 안정화시키는 압력 안정화를 더 실행시키고, 상기 압력 안정화 시에, 상기 압력 조절 가스의 유량을, 상기 제2 모드에서 상기 복수의 처리부의 사이에서, 상기 제1 가스와 상기 제2 가스가 역확산하는 것을 억제 가능한 상기 압력 조절 가스의 상기 공통의 배기 기구를 향하는 흐름을 형성할 수 있는 유량으로 제어하는 것이 바람직하다. 상기 압력 조절 가스는, 상기 기판 처리 시에 공급하는 가스의 일부이며, 상기 압력 안정화 시의 상기 압력 조절 가스의 유량을, 상기 기판 처리 시의 상기 일부의 가스의 유량보다도 많게 하면 되며, 상기 압력 안정화 시의 상기 압력 조절 가스의 유량을, 상기 기판 처리 시의 상기 일부의 가스의 유량의 3배 이상으로 하는 것이 바람직하다. In this case, the control unit may further perform pressure stabilization to regulate the plurality of processing units with the pressure regulating gas and stabilize the internal pressure prior to the substrate processing, and in the pressure stabilization, The flow rate of the gas is set so that the flow of the pressure regulating gas capable of restricting the despreading of the first gas and the second gas from the plurality of processing sections in the second mode toward the common exhaust mechanism It is preferable to control the flow rate to a certain level. The pressure regulating gas is a part of the gas supplied during the substrate processing and the flow rate of the pressure regulating gas at the time of stabilizing the pressure is made larger than the flow rate of the part of the gas at the time of processing the substrate, It is preferable that the flow rate of the pressure regulating gas at the time of processing the substrate is three times or more the flow rate of the part of the gas at the time of the substrate processing.

또한, 상기 제2 가스로서, 상기 처리 가스의 희석 가스로서 사용되는 것을 사용해도 된다. As the second gas, a gas used as a diluting gas for the process gas may be used.

상기 제1 관점에서, 상기 복수의 처리부는, 하나의 공통된 챔버 내에 설치되고, 상기 공통의 배기 기구는, 상기 하나의 공통된 챔버 내에 설치된 상기 복수의 처리부에서 공유되는 구성으로 할 수 있다. 또한, 상기 복수의 처리부의 각각은, 각각 독립된 챔버 내에 설치되고, 상기 공통의 배기 기구는, 상기 독립된 챔버에서 공유되는 구성으로 할 수도 있다. In the first aspect, the plurality of processing sections may be provided in one common chamber, and the common exhaust mechanism may be shared by the plurality of processing sections provided in the one common chamber. In addition, each of the plurality of processing sections may be provided in an independent chamber, and the common exhaust mechanism may be configured to be shared by the independent chambers.

본 발명의 제2 관점은, 복수매의 피처리 기판 각각에 대하여 기판 처리를 실시하는 복수의 처리부와, 상기 복수의 처리부의 각각에 대하여 가스를 독립적으로 공급하는 가스 공급 기구와, 상기 복수의 처리부 내의 가스를 일괄해서 배기하는 공통의 배기 기구를 구비한 기판 처리 장치를 사용하여, 진공 분위기 하에서 상기 복수매의 피처리 기판에 미리 정해진 기판 처리를 실시하는 기판 처리 방법으로서, 상기 공통의 배기 기구에 의해, 상기 복수의 처리부로부터 처리 가스를 일괄해서 배기하도록 하고, 상기 가스 공급 기구에 의해, 상기 복수의 처리부에 대하여 독립하여 상기 처리 가스를 공급함과 함께, 상기 복수의 처리부에서의 내부 압력차가 발생하는 것을 저지하도록 하는 기판 처리 방법을 제공한다. A second aspect of the present invention is summarized as a plasma processing apparatus comprising: a plurality of processing sections for performing substrate processing on each of a plurality of target substrates; a gas supply mechanism for independently supplying gas to each of the plurality of processing sections; A substrate processing apparatus having a common exhaust mechanism for exhausting the gases in a plurality of substrates to a predetermined exhausting process in a vacuum atmosphere, Wherein the processing gas is exhausted from the plurality of processing units collectively and the gas supply mechanism independently supplies the processing gas to the plurality of processing sections and an internal pressure difference in the plurality of processing sections is generated The substrate processing method comprising the steps of:

본 발명의 제3 관점은, 복수매의 피처리 기판 각각에 대하여 기판 처리를 실시하는 복수의 처리부와, 상기 복수의 처리부의 각각에 대하여 가스를 독립적으로 공급하는 가스 공급 기구와, 상기 복수의 처리부 내의 가스를 일괄해서 배기하는 공통의 배기 기구를 구비한 기판 처리 장치를 사용하여, 진공 분위기 하에서 상기 복수매의 피처리 기판에 미리 정해진 기판 처리를 실시하는 기판 처리 방법으로서, 상기 복수의 처리부로부터 처리 가스를 공통으로 배기하면서, 상기 복수의 처리부 모두에 대하여 상기 처리 가스로서 제1 가스를 동일한 가스 공급 조건에서 공급하는 제1 모드를 실행하고, 상기 복수의 처리부로부터 상기 처리 가스를 일괄해서 배기하도록 상기 공통의 배기 기구를 제어하면서, 상기 가스 공급 기구에 있어서 상기 복수의 처리부의 일부에 대해서는 상기 제1 가스를 공급하고, 상기 복수의 처리부의 나머지에 대해서는 상기 제1 가스와는 상이한 제2 가스를 공급하는 제2 모드를 실행하고, 상기 제2 모드 시에, 상기 복수의 처리부에서의 압력차가 발생하는 것을 저지하도록 하는 기판 처리 방법을 제공한다. A third aspect of the present invention is summarized as a plasma processing apparatus comprising a plurality of processing sections for performing substrate processing on each of a plurality of substrates to be processed, a gas supply mechanism for independently supplying gas to each of the plurality of processing sections, A substrate processing method for performing predetermined substrate processing on a plurality of substrates to be processed in a vacuum atmosphere using a substrate processing apparatus having a common exhaust mechanism for collectively exhausting gases in the processing chamber, A first mode in which the first gas is supplied as the process gas under the same gas supply condition to all of the plurality of process sections while exhausting the gas in common, and a second mode in which the process gas is exhausted from the plurality of process sections collectively While controlling a common exhaust mechanism, in the gas supply mechanism, A second mode in which the first gas is supplied to a part of the plurality of processing sections and a second gas different from the first gas is supplied to the rest of the plurality of processing sections, and in the second mode, So as to prevent the occurrence of a pressure difference in the substrate.

제3 관점에서, 상기 제2 모드 시, 상기 복수의 처리부에서의 상기 내부 압력차가 발생하는 것을 저지하기 위하여 충분한 레벨로, 상기 복수의 처리부의 나머지에서의 상기 제2 가스의 공급량을 제어하는 것이 바람직하다. In the third aspect, it is preferable to control the supply amount of the second gas in the rest of the plurality of processing sections at a level sufficient to prevent the internal pressure difference in the plurality of processing sections from occurring in the second mode Do.

또한, 상기 제2 가스는, 불활성 가스 및 상기 피처리 기판에 대하여 비반응인 비반응성 가스 중 적어도 어느 하나인 것이 바람직하다. 또한, 제2 모드 시, 상기 복수의 처리부의 일부에서는, 상기 피처리 기판에 대한 상기 제1 가스에 의한 상기 기판 처리가 속행하고, 상기 복수의 처리부의 나머지에서는, 상기 피처리 기판에 대한 상기 제1 가스의 공급을 정지하여 상기 기판 처리를 정지시키고, 상기 제2 가스를 보완 가스로서 공급 해도 된다. It is preferable that the second gas is at least one of an inert gas and a non-reactive gas which is non-reactive with the substrate to be processed. In the second mode, in the part of the plurality of processing sections, the substrate processing by the first gas to the substrate to be processed is continued, and in the remainder of the plurality of processing sections, 1 gas may be stopped to stop the substrate processing, and the second gas may be supplied as a complementary gas.

이 경우에, 상기 기판 처리에 앞서, 상기 복수의 처리부를 압력 조절 가스에 의해 압력 조절함과 함께 내부 압력을 안정화시키는 압력 안정화 공정을 더 실행하고, 상기 압력 안정화 공정 시에, 상기 압력 조절 가스의 유량을, 상기 제2 모드에서 상기 복수의 처리부의 사이에서, 상기 제1 가스와 상기 제2 가스가 역확산하는 것을 억제 가능한 상기 압력 조절 가스의 상기 공통의 배기 기구를 향하는 흐름을 형성할 수 있는 유량으로 하는 것이 바람직하다. 상기 압력 조절 가스는, 상기 기판 처리 시에 공급하는 가스의 일부이며, 상기 압력 안정화 공정 시의 상기 압력 조절 가스의 유량을, 상기 기판 처리 시의 상기 일부의 가스의 유량보다도 많게 하면 되며, 상기 압력 안정화 공정 시의 상기 압력 조절 가스의 유량을, 상기 기판 처리 시의 상기 일부의 가스의 유량의 3배 이상으로 하는 것이 바람직하다. In this case, prior to the substrate processing, further performing a pressure stabilization step of adjusting the pressure of the plurality of processing sections by the pressure regulating gas and stabilizing the internal pressure, and in the pressure stabilization step, And a flow rate of the pressure regulating gas capable of suppressing the despreading of the first gas and the second gas between the plurality of processing sections in the second mode to flow toward the common exhaust mechanism Flow rate is preferable. Wherein the pressure regulating gas is a part of the gas supplied during the substrate processing and the flow rate of the pressure regulating gas during the pressure stabilization step is made larger than the flow rate of the part of the gas during the substrate processing, It is preferable that the flow rate of the pressure regulating gas during the stabilization process be three times or more the flow rate of the part of the gas at the time of the substrate processing.

또한, 상기 제2 가스로서, 상기 제1 가스의 희석 가스로서 사용되는 것을 사용해도 된다. As the second gas, a gas used as a diluting gas for the first gas may be used.

또한, 본 발명의 또 다른 관점은, 컴퓨터상에서 동작하고, 기판 처리 장치를 제어하기 위한 프로그램이 기억된 기억 매체로서, 상기 프로그램은, 실행 시에, 상기 제2 또는 제3 관점의 기판 처리 방법이 행해지도록, 컴퓨터에 상기 기판 처리 장치를 제어시키는 기억 매체를 제공한다.According to still another aspect of the present invention, there is provided a storage medium storing a program for controlling a substrate processing apparatus, which is operated on a computer, wherein the program causes the substrate processing method of the second or third aspect, A computer readable medium storing a program for causing a computer to control a substrate processing apparatus.

본 발명에 따르면, 복수매의 피처리 기판에 대하여 기판 처리를 실시할 때, 복수의 처리부로부터 가스를 일괄해서 배기하도록 배기 기구를 제어하면서, 복수의 처리부에 대하여 독립하여 처리 가스를 공급함과 함께, 복수의 처리부에서의 압력차가 발생하는 것을 저지하도록 했기 때문에, 복수매의 피처리 기판에 대하여 복수의 처리부에서 각각 처리함에 있어서, 배기 기구를 공통화하면서, 서로 다른 가스 조건의 기판 처리를 실시할 수 있다. According to the present invention, when the substrate processing is performed on a plurality of substrates to be processed, the processing gas is independently supplied to the plurality of processing sections while controlling the exhaust mechanism to exhaust the gases collectively from the plurality of processing sections, It is possible to perform the substrate processing with different gas conditions while making the exhaust mechanism common to each of the plurality of processing target substrates by the plurality of processing target substrates .

도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 일례를 나타내는 단면도이다.
도 2는 가스 공급 기구의 일 시스템 구성예를 나타내는 시스템 구성도이다.
도 3a는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 기판 처리 장치에 의한 공통 기판 처리 모드를 개략적으로 도시하는 도면이다.
도 3b는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 기판 처리 장치에 의한 독립 기판 처리 모드를 개략적으로 도시하는 도면이다.
도 4는 참고 예에 따른 기판 처리 모드를 개략적으로 도시하는 도면이다.
도 5는 도 1의 기판 처리 장치에서의 시퀀스의 일례를 나타내는 도면이다.
도 6은 도 1의 기판 처리 장치에서의 시퀀스의 다른 예를 나타내는 도면이다.
도 7은 도 6의 시퀀스 효과를 설명하기 위한 도면이다.
도 8a는 일 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 챔버 구성의 일례를 개략적으로 도시하는 도면이다.
도 8b는 일 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 챔버 구성의 다른 예를 개략적으로 도시하는 도면이다.1 is a cross-sectional view showing an example of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a system configuration diagram showing an example of a system configuration of the gas supply mechanism.
3A is a view schematically showing a common substrate processing mode by a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
3B is a view schematically showing an independent substrate processing mode by the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention.
4 is a view schematically showing the substrate processing mode according to the reference example.
5 is a diagram showing an example of a sequence in the substrate processing apparatus of FIG.
6 is a diagram showing another example of a sequence in the substrate processing apparatus of FIG.
Fig. 7 is a diagram for explaining the sequence effect of Fig. 6. Fig.
8A is a view schematically showing an example of the chamber configuration of the substrate processing apparatus according to one embodiment.
8B is a view schematically showing another example of the chamber configuration of the substrate processing apparatus according to the embodiment.

이하, 도면을 참조하면서 본 발명의 실시 형태에 대해서 설명한다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

<기판 처리 장치> <Substrate Processing Apparatus>

도 1은, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 일례를 나타내는 단면도이다. 또한, 도 1에는, 기판 처리 장치의 일례로서, 화학적 산화물 제거(Chemical Oxide Removal; COR) 처리를 행하는 COR 처리 장치(100)가 도시되어 있다. 또한, COR 처리의 전형적인 예는, 챔버 내에서, 기판, 예를 들어 실리콘 웨이퍼 표면에 존재하는 산화막에 대하여 HF 가스를 포함하는 가스, 및 NH3 가스를 포함하는 가스를 공급해서 기판 처리를 행하여, 실리콘 웨이퍼 표면으로부터 산화막을 제거하는 처리이다. 1 is a cross-sectional view showing an example of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. 1 shows a COR processing apparatus 100 that performs a chemical oxide removal (COR) process as an example of a substrate processing apparatus. A typical example of the COR process is a process in which a substrate, for example, a gas containing HF gas and a gas containing NH 3 gas are supplied to an oxide film existing on a surface of a substrate, for example, a silicon wafer, And removing the oxide film from the silicon wafer surface.

도 1에 도시한 바와 같이, COR 처리 장치(100)는, 밀폐 구조의 챔버(10)를 구비하고 있다. 챔버(10)는, 예를 들어 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 이루어지고, 챔버 본체(51)와 덮개부(52)에 의해 구성되어 있다. 챔버 본체(51)는, 측벽부(51a)와 저부(51b)를 갖고, 상부는 개구로 되어 있으며, 이 개구가 덮개부(52)에 의해 닫혀진다. 측벽부(51a)와 덮개부(52)는, 시일 부재(51c)에 의해 밀봉되어서, 챔버(10) 내의 기밀성이 확보된다. As shown in Fig. 1, the COR processing apparatus 100 is provided with a chamber 10 of a closed structure. The chamber 10 is made of, for example, aluminum or an aluminum alloy, and is composed of a chamber body 51 and a lid portion 52. The chamber main body 51 has a side wall portion 51a and a bottom portion 51b and an upper portion is an opening and the opening is closed by the lid portion 52. [ The side wall portion 51a and the lid portion 52 are sealed by the seal member 51c so that the airtightness in the chamber 10 is secured.

챔버(10)의 내부에는, 복수매의 피처리 기판에 대하여 기판 처리를 실시하는 2개의 처리부(11a, 11b)가 설치되어 있다. 2개의 처리부(11a, 11b) 각각에는, 기판 적재대(61a, 61b)가 각각 설치되어 있다. 기판 적재대(61a, 61b)에는, 피처리 기판인 웨이퍼(Wa, Wb(단순히 웨이퍼(W) 라고 칭하는 경우도 있다.)가 1매씩 수평 상태로 적재된다. 기판 적재대(61a, 61b)의 상방에는, 처리 가스를 챔버(10) 내에 도입하기 위한 가스 도입 부재(12a, 12b)가 설치되어 있다. 가스 도입 부재(12a, 12b)는 덮개부(52)의 내측에 장착된다. 가스 도입 부재(12a)와 기판 적재대(61a), 및 가스 도입 부재(12b)와 기판 적재대(61b)는, 각각 대향해서 설치되어 있다. 그리고, 가스 도입 부재(12a)와 기판 적재대(61a)를 둘러 싸도록 원통 형상을 이루는 내벽(71a)이 설치되어 있고, 가스 도입 부재(12b)와 기판 적재대(61b)를 둘러 싸도록 내벽(71b)이 설치되어 있다. 내벽(71a, 71b)은, 덮개부(52)의 상벽 내측으로부터 챔버 본체(51)의 저부(51b)에 걸쳐서 설치되어 있고, 이들 상부는 각각 가스 도입 부재(12a 및 12b)의 측벽을 구성하고 있다. 가스 도입 부재(12a)와 기판 적재대(61a)의 사이 및 가스 도입 부재(12b)와 기판 적재대(61b)의 사이의 공간은, 내벽(71a, 71b)에 의해 대략 밀폐되어, 웨이퍼(Wa, Wb)에 대하여 기판 처리를 실시하는 처리 공간(S)이 형성된다. Inside the chamber 10, there are provided two processing sections 11a and 11b for performing substrate processing on a plurality of target substrates. In each of the two processing sections 11a and 11b, substrate mounting tables 61a and 61b are provided, respectively. Wafers Wa and Wb (sometimes simply referred to as wafers W), which are substrates to be processed, are horizontally stacked one by one on the substrate stacking tables 61a and 61b. Gas introduction members 12a and 12b for introducing a process gas into the chamber 10 are provided above the gas introduction member 12a and the gas introduction member 12b are mounted inside the lid unit 52. The gas introduction member 12a, The gas introducing member 12a and the substrate mounting table 61a are provided so as to face each other and the gas introducing member 12b and the substrate mounting table 61b are opposed to each other. And an inner wall 71b is provided so as to surround the gas introducing member 12b and the substrate mounting table 61b. The inner walls 71a and 71b are formed in the shape of a cylinder, And the bottom portion 51b of the chamber body 51 from the inside of the upper wall of the lid portion 52. These upper portions are respectively connected to the gas introducing members 12a and 12b, The space between the gas introducing member 12a and the substrate mounting table 61a and between the gas introducing member 12b and the substrate mounting table 61b are formed by the inner walls 71a and 71b, So that the processing space S for performing the substrate processing on the wafers Wa and Wb is formed.

챔버(10)의 외측에는, 가스 도입 부재(12a, 12b)에 가스를 공급하는 가스 공급 기구(14)와, 챔버(10) 내를 배기하는 배기 기구(15)와, COR 처리 장치(100)를 제어하는 제어부(16)가 설치되어 있다. 챔버 본체(51)의 측벽부(51a)에는, 외부와의 사이에서 웨이퍼(W)를 반출입하기 위한 반출입구(도시하지 않음)가 형성되어 있고, 이 반출입구는, 게이트 밸브(도시하지 않음)에 의해 개폐 가능하게 되어 있다. 또한, 내벽(71a, 71b)에도 반출입구(도시하지 않음)가 설치되어 있고, 이들 반출입구는 셔터(도시하지 않음)에 의해 개폐 가능하게 되어 있다. A gas supply mechanism 14 for supplying gas to the gas introducing members 12a and 12b, an exhaust mechanism 15 for exhausting the inside of the chamber 10, a COR processing apparatus 100, And a control unit 16 for controlling the control unit. The side wall portion 51a of the chamber main body 51 is provided with a semi-entry / exit port (not shown) for loading / unloading the wafer W between the side wall portion 51a and the outside. As shown in Fig. Also, a loading / unloading opening (not shown) is also provided in the inner walls 71a and 71b, and the loading / unloading opening / closing can be opened / closed by a shutter (not shown).

처리부(11a, 11b)는 각각, 대략 원 형상을 이룬다. 기판 적재대(61a, 61b)는 각각, 베이스 블록(62)에 의해 지지된다. 베이스 블록(62)은, 챔버 본체(51)의 저부(51b)에 고정되어 있다. 기판 적재대(61a, 61b) 각각의 내부에는 웨이퍼(W)를 온도 조절하는 온도 조절기(63)가 설치되어 있다. 온도 조절기(63)는, 예를 들어 온도 조절용 매체(예를 들어 물 등)가 순환하는 관로를 구비하고 있고, 관로 내를 흐르는 온도 조절용 매체와 열교환이 행하여짐으로써, 웨이퍼(W)의 온도 제어가 이루어진다. 또한, 기판 적재대(61a, 61b)에는 각각, 웨이퍼(W)를 반송할 때 사용하는 복수의 승강 핀(도시하지 않음)이 웨이퍼의 적재면에 대하여 돌출 및 함몰 가능하게 설치되어 있다. Each of the processing sections 11a and 11b has a substantially circular shape. The substrate mounts 61a and 61b are supported by the base block 62, respectively. The base block 62 is fixed to the bottom portion 51b of the chamber main body 51. A temperature regulator 63 for regulating the temperature of the wafer W is provided in each of the substrate mounts 61a and 61b. The temperature regulator 63 is provided with a pipe through which a temperature control medium (for example, water or the like) circulates and performs heat exchange with the temperature control medium flowing in the pipe, thereby controlling the temperature of the wafer W . A plurality of ascending pins (not shown) used for carrying the wafer W are provided on the substrate mounting tables 61a and 61b so as to protrude and retract from the mounting surface of the wafer.

가스 공급 기구(14)는, HF 가스, NH3 가스 등의 처리 가스, Ar 가스나 N2 가스 등의 불활성 가스(희석 가스)를 가스 도입 부재(12a, 12b)를 통해서 처리부(11a, 11b)에 대하여 공급하는 것이며, 각 가스의 공급원, 공급 배관, 밸브 및 매스 플로우 컨트롤러로 대표되는 유량 제어기 등을 갖고 있다. The gas supply mechanism 14 is configured to supply a processing gas such as HF gas or NH 3 gas or an inert gas such as an Ar gas or an N 2 gas to the processing sections 11a and 11b through gas introduction members 12a and 12b, And has a flow controller represented by a supply source of each gas, a supply pipe, a valve, and a mass flow controller.

도 2는 가스 공급 기구(14)의 구성의 일례를 나타내는 구성도이다. Fig. 2 is a configuration diagram showing an example of the configuration of the gas supply mechanism 14. Fig.

도 2에 도시한 바와 같이, 가스 공급 기구(14)는, 가스의 공급원으로서, Ar 가스 공급원(141), HF 가스 공급원(142), N2 가스 공급원(143) 및 NH3 가스 공급원(144)을 구비하고 있다. 2, the gas supply mechanism 14 includes an Ar gas supply source 141, an HF gas supply source 142, an N 2 gas supply source 143, and an NH 3 gas supply source 144 as a gas supply source, .

본 예에서는, HF 가스 공급원(142)으로부터의 HF 가스는, Ar 가스 공급원(141)으로부터의 Ar 가스에 의해 희석된 후, 가스 도입 부재(12a, 12b)에 공급된다. 또한, NH3 가스 공급원(144)으로부터의 NH3 가스도 마찬가지로, N2 가스 공급원(143)으로부터의 N2 가스에 의해 희석된 후, 가스 도입 부재(12a, 12b)에 공급된다. In this example, the HF gas from the HF gas supply source 142 is diluted by the Ar gas from the Ar gas supply source 141, and then supplied to the gas introduction members 12a and 12b. Further, NH 3 NH 3 gas similarly from the gas supply source 144 is supplied to the gas introduction member (12a, 12b) after being diluted by the N 2 gas from a N 2 gas supply source (143).

HF 가스가 통류하는 HF 가스 공급 배관(145)은, 2개의 HF 가스 공급 배관(145a, 145b)으로 분기되어, 각각 가스 도입 부재(12a)에 접속되는 공급 배관(146a) 및 가스 도입 부재(12b)에 접속되는 공급 배관(146b)에 접속된다. 또한, Ar 가스가 통류하는 Ar 가스 공급 배관(147)도 또한, 2개의 Ar 가스 공급 배관(147a, 147b)으로 분기되어, 각각 HF 가스 공급 배관(145a, 145b)에 접속된다. 이에 의해, HF 가스는 Ar 가스에 의해 희석하는 것이 가능하게 된다. The HF gas supply pipe 145 through which the HF gas flows is branched into two HF gas supply pipes 145a and 145b and is connected to the gas supply member 12a through the supply pipe 146a and the gas introduction member 12b To the supply pipe 146b connected to the supply pipe 146b. The Ar gas supply pipe 147 through which the Ar gas flows also branches to two Ar gas supply pipes 147a and 147b and is connected to the HF gas supply pipes 145a and 145b, respectively. Thereby, the HF gas can be diluted by the Ar gas.

동일하게 NH3 가스가 통류하는 NH3 가스 공급 배관(148)도, 2개의 NH3 가스 공급 배관(148a, 148b)으로 분기되어, 각각 공급 배관(146a, 146b)에 접속된다. N2 가스가 통류하는 N2 가스 공급 배관(149)도 또한, 2개의 N2 가스 공급 배관(149a, 149b)으로 분기되어, 각각 NH3 가스 공급 배관(148a, 148b)에 접속된다. 이에 의해, NH3 가스는 N2 가스에 의해 희석하는 것이 가능하게 된다. Is branched to the NH 3 gas supply pipe 148 degrees, the two NH 3 gas supply pipe (148a, 148b) of the same NH 3 gas throughflow, and is connected to each supply line (146a, 146b). The N 2 gas supply pipe 149 through which the N 2 gas flows also branches to the two N 2 gas supply pipes 149 a and 149 b and is connected to the NH 3 gas supply pipes 148 a and 148 b , respectively. As a result, the NH 3 gas can be diluted with the N 2 gas.

또한, Ar 가스 및 N2 가스는, 희석 가스로서 사용되는 것 외에, 퍼지 가스나 후술하는 압력 조정을 위한 보완 가스로서도 사용된다. In addition to being used as a diluting gas, Ar gas and N 2 gas are also used as a purge gas and a complementary gas for adjusting a pressure to be described later.

HF 가스 공급 배관(145a, 145b), Ar 가스 공급 배관(147a, 147b), NH3 가스 공급 배관(148a, 148b), 및 N2 가스 공급 배관(149a, 149b) 각각에는, 매스 플로우 컨트롤러(이하, MFC)(150a 내지 150h) 및 공급 배관을 개폐하는 개폐 밸브(151a 내지 151h)가 설치되어 있다. 이들 MFC(150a 내지 150h), 및 개폐 밸브(151a 내지 151h)는 각각, 제어부(16)에 의해 독립하여 제어하는 것이 가능하게 되어 있다. HF gas supply pipe (145a, 145b), Ar gas supply pipe (147a, 147b), NH, the third gas supply pipe (148a, 148b), and N 2 gas feed pipe (149a, 149b), respectively, the mass flow controller (hereinafter referred to as , MFC) 150a to 150h, and on / off valves 151a to 151h for opening and closing the supply pipe. The MFCs 150a to 150h and the opening / closing valves 151a to 151h can be independently controlled by the control unit 16, respectively.

예를 들어, 2개의 처리부(11a, 11b)에서 통상의 COR 처리를 행하는 경우, 가스 도입 부재(12a, 12b) 각각에는, HF 가스 및 NH3 가스 양쪽이 공급된다. 이 경우에는, 제어부(16)에 의해, 개폐 밸브가 이하의 "케이스 a"와 같이 모두 오픈되도록 제어된다. For example, when performing the normal COR process in the two processing sections 11a and 11b, both the HF gas and the NH 3 gas are supplied to the gas introduction members 12a and 12b. In this case, the control unit 16 controls the open / close valves to be all opened as in the case a below.

[케이스 a] [Case a]

·가스 도입 부재(12a)에의 공급계 The supply system to the gas introducing member 12a

개폐 밸브(151a)(Ar) 오픈 The open / close valve 151a (Ar) opens

개폐 밸브(151c)(HF) 오픈 Opening / closing valve 151c (HF) opened

개폐 밸브(151e)(N2) 오픈 On-off valve (151e) (N 2) Open

개폐 밸브(151g)(NH3) 오픈 The opening and closing valve 151g (NH 3 ) is opened

·가스 도입 부재(12b)에의 공급계 The supply system to the gas introducing member 12b

개폐 밸브(151b)(Ar) 오픈 The open / close valve 151b (Ar) opens

개폐 밸브(151d)(HF) 오픈 Opening / closing valve 151d (HF) opened

개폐 밸브(151f)(N2) 오픈 On-off valve (151f) (N 2) Open

개폐 밸브(151h)(NH3) 오픈 The opening and closing valve 151h (NH 3 ) is opened

한편, 가스 도입 부재(12a, 12b)를 통해서 처리부(11a, 11b)에 공급하는 가스 조건이 상이하도록 제어하는 것도 가능하다. 예를 들어, 이하의 "케이스 b", "케이스 c"와 같이 제어하는 것도 가능하다. On the other hand, it is also possible to perform control so that gas conditions supplied to the processing sections 11a and 11b are different through the gas introducing members 12a and 12b. For example, it is also possible to control them in the following "case b" and "case c".

[케이스 b] [Case b]

·가스 도입 부재(12a)에의 공급계 The supply system to the gas introducing member 12a

개폐 밸브(151a)(Ar) 오픈 The open / close valve 151a (Ar) opens

개폐 밸브(151c)(HF) 오픈 Opening / closing valve 151c (HF) opened

개폐 밸브(151e)(N2) 오픈 On-off valve (151e) (N 2) Open

개폐 밸브(151g)(NH3) 오픈 The opening and closing valve 151g (NH 3 ) is opened

·가스 도입 부재(12b)에의 공급계 The supply system to the gas introducing member 12b

개폐 밸브(151b)(Ar) 오픈 The open / close valve 151b (Ar) opens

개폐 밸브(151d)(HF) 클로즈 Closing valve 151d (HF) close

개폐 밸브(151f)(N2) 오픈 On-off valve (151f) (N 2) Open

개폐 밸브(151h)(NH3) 클로즈 Closing valve 151h (NH 3 ) close

[케이스 c] [Case c]

·가스 도입 부재(12a)에의 공급계 The supply system to the gas introducing member 12a

개폐 밸브(151a)(Ar) 오픈 The open / close valve 151a (Ar) opens

개폐 밸브(151c)(HF) 클로즈 Closing valve 151c (HF) close

개폐 밸브(151e)(N2) 오픈 On-off valve (151e) (N 2) Open

개폐 밸브(151g)(NH3) 클로즈 On-off valve (151g) (NH 3) closed

·가스 도입 부재(12b)에의 공급계 The supply system to the gas introducing member 12b

개폐 밸브(151b)(Ar) 오픈 The open / close valve 151b (Ar) opens

개폐 밸브(151d)(HF) 오픈 Opening / closing valve 151d (HF) opened

개폐 밸브(151f)(N2) 오픈 On-off valve (151f) (N 2) Open

개폐 밸브(151h)(NH3) 오픈 The opening and closing valve 151h (NH 3 ) is opened

즉, 케이스 b는, 케이스 a의 상태로부터, 개폐 밸브(151d) 및 개폐 밸브(151h)를 클로즈하여, 가스 도입 부재(12b)에는, 처리 가스인 HF 가스 및 NH3 가스의 공급이 정지되고, Ar 가스 및 N2 가스만이 공급되도록 하고, 가스 도입 부재(12a)에 대해서는 계속해서 처리 가스인 HF 가스 및 NH3 가스가 공급되도록 하고 있고, 케이스 c는 그 반대로, 가스 도입 부재(12a)에의 HF 가스 및 NH3 가스의 공급이 정지되고, 가스 도입 부재(12b)에 대해서는 계속해서 처리 가스인 HF 가스 및 NH3 가스가 공급되도록 하고 있다. That is, the case b closes the open / close valve 151d and the open / close valve 151h from the state of the case a, and the supply of the HF gas and the NH 3 gas, which are process gases, is stopped to the gas introducing member 12b, Only the Ar gas and the N 2 gas are supplied and the gas introduction member 12a is continuously supplied with the HF gas and the NH 3 gas which are the process gases. In the case c, on the contrary, the supply of HF gas and NH 3 gas is stopped, and to continue to supply a process gas of HF gas and NH 3 gas for the gas introduction member (12b).

이 때문에, 케이스 b에서는, 가스 도입 부재(12a)로부터는 처리부(11a)에 대하여 HF 가스 및 NH3 가스가 각각 불활성 가스인 Ar 가스 및 N2 가스와 함께 공급되는 한편, 가스 도입 부재(12b)로부터는 처리부(11b)에 대하여 불활성 가스인 Ar 가스 및 N2 가스만이 공급되고, 케이스 c에서는, 그 반대로, 가스 도입 부재(12b)로부터는 처리부(11b)에 대하여 HF 가스 및 NH3 가스가 각각 불활성 가스인 Ar 가스 및 N2 가스와 함께 공급되는 한편, 가스 도입 부재(12a)로부터는 처리부(11a)에 대하여 불활성 가스인 Ar 가스 및 N2 가스만이 공급되는 것처럼, 처리 도중에, 처리부(11a)와 처리부(11b)에 대하여, 동시에 서로 다른 가스 조건으로 하는 것이 가능하게 된다. 이러한 개폐 밸브의 제어에 의한 기판 처리 모드의 상세에 대해서는 후술한다. Therefore, in the case b, the HF gas and the NH 3 gas are supplied together with the Ar gas and the N 2 gas, which are inert gases, from the gas introduction member 12a to the processing section 11a, while the gas introduction member 12b, Only the Ar gas and the N 2 gas are supplied to the processing section 11b from the gas introduction member 12b and the Hf gas and the NH 3 gas are supplied to the processing section 11b from the gas introduction member 12b each inert gas of Ar gas and N 2 gas is supplied with the other hand, as will be from the gas inlet member (12a) is supplied, only the inert gas, Ar gas and N 2 gas with respect to the processing unit (11a), processed during, processing ( 11a and the processing portion 11b can be made to be different gas conditions at the same time. Details of the substrate processing mode by the control of the open / close valve will be described later.

가스 도입 부재(12a, 12b)는, 가스 공급 기구(14)로부터의 가스를 챔버(10) 내에 도입하여, 처리부(11a, 11b)에 대하여 공급하기 위한 것이다. 가스 도입 부재(12a, 12b)는 각각, 내부에 가스 확산 공간(64)을 갖고, 전체 형상이 원통 형상을 이루고 있다. 가스 도입 부재(12a, 12b)의 상면에는 챔버(10)의 상벽으로부터 연결되는 가스 도입 구멍(65)이 형성되고, 저면에 가스 확산 공간(64)에 연결되는 다수의 가스 토출 구멍(66)을 갖고 있다. 그리고, 가스 공급 기구(14)로부터 공급된 HF 가스, NH3 가스 등의 가스가, 가스 도입 구멍(65)을 거쳐서 가스 확산 공간(64)에 이르고, 가스 확산 공간(64)에서 확산하여, 가스 토출 구멍(66)으로부터 균일하게 샤워 형상으로 토출된다. 즉, 가스 도입 부재(12a, 12b)는, 가스를 분산시켜 토출하는 가스 분산 헤드(샤워 헤드)로서 기능한다. 또한, 가스 도입 부재(12a, 12b)는, HF 가스와 NH3 가스를 별개의 유로로 챔버(10) 내에 도입하여 혼합하는 포스트 믹스 타입이어도 된다. The gas introducing members 12a and 12b are for introducing the gas from the gas supply mechanism 14 into the chamber 10 and supplying the gas to the processing sections 11a and 11b. Each of the gas introducing members 12a and 12b has a gas diffusion space 64 therein and has a cylindrical shape as a whole. Gas introduction holes 65 connected to the upper wall of the chamber 10 are formed on the upper surfaces of the gas introduction members 12a and 12b and a plurality of gas discharge holes 66 connected to the gas diffusion space 64 I have. The gas such as HF gas or NH 3 gas supplied from the gas supply mechanism 14 reaches the gas diffusion space 64 through the gas introduction hole 65 and diffuses in the gas diffusion space 64, And is discharged uniformly from the discharge holes 66 in the form of a shower. That is, the gas introducing members 12a and 12b function as a gas dispersion head (showerhead) for dispersing and discharging gas. The gas introducing members 12a and 12b may be a post mix type in which HF gas and NH 3 gas are introduced into the chamber 10 through separate channels and mixed.

배기 기구(15)는, 챔버(10)의 저부(51b)에 형성된 배기구(도시하지 않음)에 연결되는 배기 배관(101)을 갖고 있으며, 또한 배기 배관(101)에 설치된, 챔버(10) 내의 압력을 제어하기 위한 자동 압력 제어 밸브(APC)(102) 및 챔버(10) 내를 배기하기 위한 진공 펌프(P)(103)를 갖고 있다. 배기구는, 내벽(71a, 71b)의 외측에 설치되어있고, 내벽(71a, 71b)의 기판 적재대(61a, 61b)보다도 아래의 부분에는, 배기 기구(15)에 의해, 처리부(11a, 11b)의 양측으로부터 배기 가능하도록, 다수의 슬릿이 형성되어있다. 이에 의해, 배기 기구(15)에 의해 처리부(11a, 11b) 내가 일괄해서 배기된다. 또한, APC(102) 및 진공 펌프(103)는, 처리부(11a, 11b)에 의해 공유된다. The exhaust mechanism 15 has an exhaust pipe 101 connected to an exhaust port (not shown) formed in a bottom portion 51b of the chamber 10 and also has an exhaust pipe 101 in the chamber 10 An automatic pressure control valve (APC) 102 for controlling the pressure, and a vacuum pump (P) 103 for exhausting the inside of the chamber 10. The exhaust ports are provided on the outer sides of the inner walls 71a and 71b and exhaust portions 15a and 15b are formed on the lower portions of the inner walls 71a and 71b below the substrate mounts 61a and 61b, A plurality of slits are formed so as to be able to be exhausted from both sides. As a result, the processing units 11a and 11b are evacuated collectively by the exhaust mechanism 15. Further, the APC 102 and the vacuum pump 103 are shared by the processing units 11a and 11b.

또한, 챔버(10) 내의 압력을 계측하기 위해서, 챔버(10)의 저부(51b)로부터 배기 공간(68)에 삽입되도록, 압력계로서 고압력용의 캐패시턴스 마노미터(105a) 및 저압력용의 캐패시턴스 마노미터(105b)가 각각 설치되어 있다. 자동 압력 제어밸브(APC)(102)의 개방도는, 캐패시턴스 마노미터(105a 또는 105b)에 의해 검출된 압력에 기초해서 제어된다. A pressure manometer 105a for high pressure and a capacitance manometer 105a for low pressure are provided as a pressure gauge so as to be inserted into the exhaust space 68 from the bottom portion 51b of the chamber 10 in order to measure the pressure in the chamber 10. [ Respectively. The opening degree of the automatic pressure control valve (APC) 102 is controlled based on the pressure detected by the capacitance manometer 105a or 105b.

제어부(16)는, COR 처리 장치(100)의 각 구성부를 제어하는 마이크로프로세서(컴퓨터)를 구비한 프로세스 컨트롤러(161)를 갖고 있다. 프로세스 컨트롤러(161)에는, 오퍼레이터가 COR 처리 장치(100)를 관리하기 위해서 커맨드의 입력 조작 등을 행하는 키보드나 터치 패널 디스플레이, COR 처리 장치(100)의 가동 상황을 가시화해서 표시하는 디스플레이 등을 갖는 유저 인터페이스(162)가 접속되어 있다. 또한, 프로세스 컨트롤러(161)에는, COR 처리 장치(100)에서 실행되는 각종 처리를 프로세스 컨트롤러(161)의 제어로 실현하기 위한 제어 프로그램이나 처리 조건에 따라서 COR 처리 장치(100)의 각 구성부에 소정의 처리를 실행시키기 위한 제어 프로그램인 처리 레시피나, 각종 데이터베이스 등이 저장된 기억부(163)가 접속되어 있다. 레시피는 기억부(163) 내의 적당한 기억 매체(도시하지 않음)에 기억되어 있다. 그리고, 필요에 따라, 임의의 레시피를 기억부(163)로부터 호출해서 프로세스 컨트롤러(161)에 실행시킴으로써, 프로세스 컨트롤러(161)의 제어 하에서, COR 처리 장치(100)에서의 원하는 처리가 행하여진다. The control unit 16 includes a process controller 161 having a microprocessor (a computer) for controlling each component of the COR processing apparatus 100. [ The process controller 161 is provided with a keyboard or a touch panel display for inputting a command or the like for managing the COR processing device 100 by the operator or a display for visually displaying the operating status of the COR processing device 100 And a user interface 162 are connected. The process controller 161 is also provided with a control program for realizing various processes to be executed in the COR processing device 100 under the control of the process controller 161, A processing recipe, which is a control program for executing a predetermined process, and a storage unit 163 in which various databases are stored. The recipe is stored in a suitable storage medium (not shown) in the storage unit 163. If desired, an arbitrary recipe is called from the storage unit 163 and executed by the process controller 161, whereby the desired processing in the COR processing apparatus 100 is performed under the control of the process controller 161. [

또한, 본 실시 형태에서, 제어부(16)는, 가스 공급 기구(14)의 MFC(150a 내지 150h), 및 개폐 밸브(151a 내지 151h)를 상술한 바와 같이 독립적으로 제어하는 것에 큰 특징을 갖는다. In the present embodiment, the control unit 16 is characterized in that the MFCs 150a to 150h and the opening / closing valves 151a to 151h of the gas supply mechanism 14 are independently controlled as described above.

<기판 처리 동작> &Lt; Substrate processing operation &

이어서, 이러한 기판 처리 장치에서의 기판 처리 동작에 대해서 설명한다. Next, a substrate processing operation in such a substrate processing apparatus will be described.

도 3a는 일 실시 형태에 따른 COR 처리 장치(100)에 의한 기판 처리 동작의 일례를 개략적으로 도시하는 도면이고, 도 3b는 일 실시 형태에 따른 COR 처리 장치(100)에 의한 기판 처리 동작의 다른 예를 개략적으로 도시하는 도면이다. 3A is a view schematically showing an example of a substrate processing operation performed by the COR processing apparatus 100 according to one embodiment, and FIG. 3B is a flowchart showing an example of a substrate processing operation performed by the COR processing apparatus 100 according to the embodiment, Fig. 3 is a view schematically showing an example.

표면에 에칭 대상 막(예를 들어 SiO2막)이 형성된 2매의 웨이퍼(Wa, Wb)를 챔버(10) 내의 처리부(11a) 및 처리부(11b) 내에 반입하여, 각각 기판 적재대(61a) 및 기판 적재대(61b) 상에 적재한다. 그리고, 배기 기구(15)에 의해 챔버(10) 내를 소정의 압력으로 조정하고, 압력을 안정시키는 압력 안정화 공정 후, 기판 처리 공정을 실시한다. 처리부(11a, 11b)는 배기 기구(15)를 공유하고 있으므로, 압력 안정화 공정 및 기판 처리 공정 시의 압력 조정은, 공통의 자동 압력 제어 밸브(APC)(102)에 의해 행한다. Two wafers Wa and Wb having a film to be etched (for example, SiO 2 film) formed on its surface are carried into the processing section 11a and the processing section 11b in the chamber 10, And the substrate stage 61b. Then, the substrate processing step is carried out after the pressure stabilizing step of adjusting the inside of the chamber 10 to a predetermined pressure by the exhaust mechanism 15 and stabilizing the pressure. Since the processing units 11a and 11b share the exhaust mechanism 15, the pressure adjustment in the pressure stabilization step and the substrate processing step is performed by a common automatic pressure control valve (APC)

기판 처리 공정은, 도 3a에 나타내는 공통 기판 처리 모드 또는 도 3b에 나타내는 독립 기판 처리 모드에 의해 행하여진다. The substrate processing step is performed by the common substrate processing mode shown in FIG. 3A or the independent substrate processing mode shown in FIG. 3B.

(공통 기판 처리 모드) (Common substrate processing mode)

도 3a에 나타내는 상태는, 공통 기판 처리 모드에서의 처리를 나타내는 것이다. 공통 기판 처리 모드는, 웨이퍼(Wa, Wb)에 대하여 동일한 가스 공급 조건에서 처리를 하고 있는 모드이다. 이 공통 기판 처리 모드에 의해, 처리부(11a, 11b)의 양쪽에서 COR 처리가 행하여진다. 이 모드에서는, 개폐 밸브(151a 내지 151h)의 상태는, 상술한 케이스 a가 된다. 이에 의해, 도 3a에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(Wa, Wb)에는, 가스 도입 부재(12a, 12b)로부터 HF 가스 및 NH3 가스가, 각각 불활성 가스인 Ar 가스 및 N2 가스로 희석된 상태에서 공급되어, 웨이퍼(Wa, Wb)에 대하여 동일한 기판 처리가 이루어진다. The state shown in Fig. 3A shows processing in the common substrate processing mode. The common substrate processing mode is a mode in which wafers Wa and Wb are processed under the same gas supply condition. By this common substrate processing mode, COR processing is performed on both of the processing sections 11a and 11b. In this mode, the states of the opening and closing valves 151a to 151h become the case a described above. 3A, HF gas and NH 3 gas from the gas introducing members 12a and 12b are diluted with an inert gas such as Ar gas and N 2 gas, respectively, in the wafers Wa and Wb And the same wafer processing is performed on the wafers Wa and Wb.

(독립 기판 처리 모드) (Independent substrate processing mode)

도 3b에 나타내는 상태는, 독립 기판 처리 모드에서의 처리를 나타내는 것이다. 독립 기판 처리 모드는, 웨이퍼(Wa, Wb)에 대하여 서로 다른 가스 공급 조건에서 처리를 하고 있는 모드이다. 이 모드에서는, 개폐 밸브(151a 내지 151h)의 상태는, 예를 들어 상술한 케이스 b가 된다. 이에 의해, 도 3b에 도시한 바와 같이, 처리부(11a)의 웨이퍼(Wa)에는, 가스 도입 부재(12a)로부터 HF 가스 및 NH3 가스가 각각 Ar 가스 및 N2 가스로 희석된 상태에서 공급되고, 처리부(11b)의 웨이퍼(Wb)에는, 가스 도입 부재(12b)로부터 Ar 가스 및 N2 가스만이 공급되어, 웨이퍼(Wa, Wb)에 대하여 서로 다른 기판 처리가 이루어진다. 즉, 처리부(11a)에서는, 웨이퍼(Wa)에 대한 HF 가스 및 NH3 가스에 의한 처리가 속행되는 한편, 처리부(11b)에서는, 웨이퍼(Wb)에 대한 HF 가스 및 NH3 가스의 공급이 정지된다. 또한, 이 경우에, 가스 도입 부재(12b)로부터 공급되는 불활성 가스로서는 Ar 가스 및 N2 가스의 한쪽이어도 된다. The state shown in Fig. 3B represents the processing in the independent substrate processing mode. The independent substrate processing mode is a mode in which wafers Wa and Wb are processed under different gas supply conditions. In this mode, the states of the opening and closing valves 151a to 151h are, for example, the case b described above. 3B, HF gas and NH 3 gas are supplied from the gas introducing member 12a to the wafer Wa of the processing section 11a in a diluted state with Ar gas and N 2 gas, respectively Only Ar gas and N 2 gas are supplied from the gas introducing member 12b to the wafer Wb of the processing section 11b to perform different substrate processing on the wafers Wa and Wb. That is, in the processing section 11a, the processing by the HF gas and the NH 3 gas to the wafer Wa is continued, while in the processing section 11b, the supply of the HF gas and the NH 3 gas to the wafer Wb is stopped do. In this case, the inert gas supplied from the gas introducing member 12b may be one of Ar gas and N 2 gas.

또한, 독립 기판 처리 모드는, 도 3b와는 반대로, 처리부(11b)에서는, 웨이퍼(Wb)에 대한 HF 가스 및 NH3 가스에 의한 처리가 속행되는 한편, 처리부(11a)에서는, 웨이퍼(Wa)에 대한 HF 가스 및 NH3 가스의 공급이 정지되는 경우에도 적용되고, 개폐 밸브(151a 내지 151h)의 상태는, 예를 들어 상술한 케이스 c가 된다. In addition, stand-substrate processing mode, in the Figure 3b In contrast, processing unit (11b) in the other hand a treatment with a HF gas and NH 3 gas to the wafer (Wb) to be continued, the processing unit (11a), the wafer (Wa) for being applied to the case that the supply of HF gas and NH 3 gas stopped, the state of the on-off valve (151a to 151h) are, for instance, the above-mentioned case c.

독립 기판 처리 모드는, 상기 공통 기판 처리 모드에서 처리부(11a, 11b)에서 동일한 가스 공급 조건에서 웨이퍼(Wa, Wb)에 대하여 COR 처리를 행한 후, 예를 들어 처리부(11b)에서의 COR 처리를 먼저 종료시키고자 하는 경우에 유효하게 사용할 수 있다. In the independent substrate processing mode, after the COR processing is performed on the wafers Wa and Wb under the same gas supply conditions in the processing sections 11a and 11b in the common substrate processing mode, the COR processing in the processing section 11b is performed It can be used effectively if you want to exit first.

독립 기판 처리 모드를 적용하여, 처리부(11b)의 HF 가스 및 NH3 가스의 공급을 정지해서 기판 처리를 정지할 때, 예를 들어 도 4에 도시하는 참고 예와 같이, 가스 도입 부재(12b)로부터 처리부(11b)에의 가스의 공급을 멈추어버리는 경우도 생각할 수 있다. 그러나, 배기 기구(15)는 처리부(11a, 11b)에서 공통이며, 단일의 APC(102)로 챔버(10)의 내부 압력을 제어하고 있기 때문에, 가스 도입 부재(12a)로부터의 가스의 공급을 계속하면서, 가스 도입 부재(12b)로부터의 가스의 공급을 멈추어버리면, 처리부(11a)와 처리부(11b)의 사이에는 내부 압력차가 발생하여, 처리부(11a, 11b)의 처리 공간(S)이 대략 밀폐 구조를 포함하여도, 도 4 중의 파선으로 나타낸 것과 같이, 가스 도입 부재(12a)로부터의 처리부(11a)로 도입된 가스가 내벽(71a, 71b_의 하부의 슬릿을 통해서 처리부(11b)로 역류하여, 처리부(11b)에 유입되어버린다. 처리부(11b)에서는, 웨이퍼(Wb)에 대한 HF 가스 및 NH3 가스에 의한 처리를 완전히 정지시키는 것이 곤란해져버린다. 이 때문에, 독립 기판 처리 모드에서는, 도 3b에 도시한 바와 같이, 가스 도입 부재(12b)로부터 Ar 가스 및 N2 가스와 같은 불활성 가스의 공급을 계속하고 있지만, 이들 유량이 공통 기판 처리 모드 시와 동일한 유량이라면, 각 불활성 가스의 토탈 유량이 도 3a의 것과 비교하여 감소하게 되므로, 역시 처리부(11a)와 처리부(11b)의 사이의 내부 압력차가 발생하고, 그에 의한 역류가 발생하여, 처리를 완전히 정지시키는 것이 곤란해진다. When the substrate processing is stopped by stopping the supply of the HF gas and the NH 3 gas of the processing section 11b by applying the independent substrate processing mode, for example, as shown in the reference example shown in FIG. 4, The supply of the gas to the processing section 11b may be stopped. However, since the exhaust mechanism 15 is common to the processing sections 11a and 11b and the internal pressure of the chamber 10 is controlled by the single APC 102, the supply of the gas from the gas introducing member 12a If the supply of the gas from the gas introducing member 12b is stopped, an internal pressure difference is generated between the processing portion 11a and the processing portion 11b to allow the processing space S of the processing portions 11a, The gas introduced into the processing section 11a from the gas introducing member 12a flows into the processing section 11b through slits under the inner walls 71a and 71b_ as shown by the broken line in Fig. countercurrent to, would have been introduced into the processing unit (11b). discard becomes processing section (11b) in, it is difficult to completely stop the process by the HF gas and NH 3 gas to the wafer (Wb). Accordingly, in the stand-substrate processing mode , As shown in Fig. 3B, from the gas introducing member 12b The supply of the inert gas such as the Ar gas and the N 2 gas is continued. However, if these flow rates are the same as those in the common substrate processing mode, the total flow rate of each inert gas is reduced as compared with that in FIG. 11a and the processing portion 11b, and the reverse flow is caused thereby, thereby making it difficult to completely stop the process.

따라서, 본 실시 형태에서는, 독립 기판 처리 모드에서 처리부(11a)와 처리부(11b)에 대하여 서로 다른 가스 공급 조건에서 처리를 행할 때, 처리부(11a)와 처리부(11b)의 사이에 압력차가 발생하는 것을 저지하도록, 가스 공급 기구(14)를 제어한다. Therefore, in the present embodiment, when the processing section 11a and the processing section 11b are subjected to different gas supply conditions in the independent substrate processing mode, a pressure difference is generated between the processing section 11a and the processing section 11b The gas supply mechanism 14 is controlled.

예를 들어, 제어부(16)는, 개폐 밸브(151d 및 151h)를 폐쇄해서 HF 가스 및 NH3 가스의 가스 도입 부재(12b)에의 공급을 정지하면서, 개폐 밸브(151b 및 151f)는 개방한 상태로 두어, MFC(150b 및 150f)에 의해, Ar 가스 및 N2 가스의 유량을 증가시켜, 처리부(11a)와 처리부(11b)의 사이의 내부 압력차가 발생하는 것을 저지하도록, 바람직하게는 처리부(11a) 내의 압력과 처리부(11b) 내의 압력이 동등해지도록 가스 공급 기구(14)를 제어하는 것이 가능하게 된다. 즉, Ar 가스 및 N2 가스를 압력 조정용의 보완 가스로서 사용한다. For example, when the control unit 16 closes the open / close valves 151d and 151h to stop the supply of the HF gas and the NH 3 gas to the gas introducing member 12b, the open / close valves 151b and 151f are opened So that the flow rate of the Ar gas and the N 2 gas is increased by the MFCs 150b and 150f to prevent the internal pressure difference between the processing section 11a and the processing section 11b from being generated, It is possible to control the gas supply mechanism 14 so that the pressure in the treatment section 11a and the pressure in the treatment section 11b become equal. That is, Ar gas and N 2 gas are used as the pressure adjusting gas.

이와 같이, 처리부(11a, 11b) 중, 기판 처리를 정지시키고자 하는 처리부에 대해서는, 단순히 처리 가스를 멈추는 것이 아니라, 예를 들어 불활성 가스를 압력 조정을 위한 보완 가스로서 공급하여, 내부 압력 조정을 행한다. 이에 의해, 1개의 배기 기구(15)에 의해 처리부(11a, 11b)로부터 가스를 공통으로 배기했다고 해도, 처리부(11a, 11b) 상호간에서의 가스의 유입을 억제할 수 있다. As described above, among the processing sections 11a and 11b, the processing section for stopping the substrate processing is not simply stopped, but for example, an inert gas is supplied as a complementary gas for adjusting the pressure, I do. This makes it possible to suppress the inflow of gas between the processing sections 11a and 11b even if the single exhaust mechanism 15 exhausts the gases from the processing sections 11a and 11b in common.

(처리 시퀀스의 일례) (An example of the processing sequence)

본 실시 형태에서의 처리 시퀀스의 일례를 도 5를 참조하여 설명한다. An example of the processing sequence in this embodiment will be described with reference to Fig.

먼저 개폐 밸브(151a, 151b, 151e, 151f, 151g, 151h)를 개방하고, 처리부(11a, 11b)의 양쪽에, Ar 가스, N2 가스, NH3 가스를 소정 유량으로, 또한 처리부(11a, 11b)에서 동일한 유량이 되도록 공급해서 소정의 압력으로 조정하여, 압력을 안정화시킨다(압력 안정화 공정 S1). First on-off valve (151a, 151b, 151e, 151f , 151g, 151h) for opening and, on either side of the processing unit (11a, 11b), an Ar gas, N 2 gas, NH 3 gas at a predetermined flow rate, and processing unit (11a, 11b so as to have the same flow rate, and is adjusted to a predetermined pressure to stabilize the pressure (pressure stabilization step S1).

압력이 안정된 시점에서, 기판 처리를 개시한다(기판 처리 공정 S2). 기판 처리 공정 S2에서는, 먼저, Ar 가스, N2 가스, NH3 가스를 흘린 상태에서, 개폐 밸브(151c, 151d)를 개방해서 HF 가스를 공급하여, 처리부(11a, 11b)의 양쪽에서, HF 가스와 NH3 가스에 의한 COR 처리가 행하여진다(공통 기판 처리 모드 S2-1). 그리고, 처리부(11b)에서의 COR 처리가 먼저 종료하고자 하는 경우, 처리부(11a)에 의한 COR 처리를 계속한 상태에서, 개폐 밸브(151d, 151h)를 폐쇄해서 처리부(11b)에의 HF 가스 및 NH3의 공급을 정지함과 함께, MFC(150b, 150f)에 의해, 처리부(11b)에의 Ar 가스 유량 및 N2 가스 유량을 한층 더 증가시킨다(독립 기판 처리 모드 S2-2). 유량 증가분의 Ar 가스 및 N2 가스는, 처리부(11a)와 처리부(11b)에서 내부 압력차가 발생하는 것을 저지하는 보완 가스로서 기능한다. 이때의 Ar 가스 및 N2 가스의 증가분(보완 가스 유량)은, HF 가스 및 NH3의 공급을 정지함으로 인한 유량 감소분에 상당하는 양인 것이 바람직하다. When the pressure is stabilized, the substrate processing is started (substrate processing step S2). In the substrate processing step S2, first, the Ar gas, N 2 gas, while shed the NH 3 gas, and opening the on-off valve (151c, 151d) to supply the HF gas, on either side of the processing unit (11a, 11b), HF And the COR process is performed by the gas and the NH 3 gas (common substrate processing mode S2-1). When the COR processing in the processing section 11b is to be terminated first, the opening and closing valves 151d and 151h are closed and the HF gas and the NH (NH) gas are supplied to the processing section 11b while the COR processing by the processing section 11a is continued. with the box to stop the supply of the third, MFC (150b, 150f), the processing section (11b) to the Ar gas flow rate of N 2 gas flow rate and thus further increase (stand-substrate processing mode S2-2) by. The Ar gas and the N 2 gas of the flow rate increase functions as a complementary gas preventing the internal pressure difference from occurring in the processing section 11a and the processing section 11b. At this time, the increment (complementary gas flow rate) of the Ar gas and the N 2 gas is preferably an amount corresponding to the flow rate reduction caused by stopping the supply of HF gas and NH 3 .

처리부(11a)에서의 처리도 종료된 후, 모든 개폐 밸브를 폐쇄해서 가스의 공급을 정지하고, 배기 기구(15)에 의해 처리 공간(S)을 배기한다(배기 공정 S3). After the processing in the processing section 11a is completed, all the open / close valves are closed to stop the supply of the gas, and the processing space S is exhausted by the exhaust mechanism 15 (exhausting step S3).

(처리 시퀀스의 다른 예) (Another example of the processing sequence)

상기 처리 시퀀스 예에서는, 독립 기판 처리 모드 S2-2에서, 한쪽의 처리부에의 처리 가스(HF 가스, NH3 가스)의 공급를 정지했을 때, 해당 한쪽의 처리부에서 Ar 가스 및 N2 가스를 한층 더 증량시켜서 보완 가스로서 기능시킴으로써, 처리부(11a)와 처리부(11b)의 사이의 압력차가 발생하는 것을 저지하도록 하여, 처리부(11a, 11b) 상호간에서의 가스의 유입을 억제하는데, 처리부(11a, 11b)는 내벽(71a, 71b)의 기판 적재대(61a, 61b)보다도 아래 부분에 형성된 슬릿을 통해서 연결되어 있기 때문에, 한쪽의 처리부로부터 다른 처리부로의 처리 가스(HF 가스, NH3 가스)의 유입, 및 다른 쪽의 처리부로부터 한쪽의 처리부로의 보완 가스(Ar 가스, N2 가스)의 유입을 완전히 방지하는 것은 곤란해서, 약간의 가스의 유입(가스의 역확산)이 발생한다. 처리 가스의 토탈 유량이 어느 정도 이상인 경우에는, 이러한 약간의 가스의 유입은 에칭량에 큰 영향을 주지 않고, 처리부(11a, 11b)에서 원하는 에칭량으로의 처리를 실현할 수 있지만, 저유량 영역의 처리에서는, 이러한 가스의 유입의 영향을 무시할 수 없게 되어, 설정한 에칭량에 대한 편차가 커져버려, 처리부(11a, 11b)에서 원하는 독립 기판 처리를 행할 수 없게 된다. In the example of the processing sequence, when the supply of the processing gas (HF gas, NH 3 gas) to one processing section is stopped in the independent substrate processing mode S2-2, Ar gas and N 2 gas are further The processing sections 11a and 11b are configured so as to prevent the pressure difference between the processing section 11a and the processing section 11b from being generated by functioning as a compensating gas by increasing the volume of the processing sections 11a and 11b (HF gas, NH 3 gas) from one of the processing sections to the other processing section because the inner wall 71a and the inner wall 71b are connected to each other through the slits formed below the substrate mounting tables 61a and 61b of the inner walls 71a and 71b (Ar gas, N 2 gas) from one of the processing sections to the other processing section is difficult to completely prevent the inflow of gas (despreading of the gas). When the total flow rate of the process gas is a certain level or more, the inflow of such a small amount of gas does not greatly affect the etching amount, and the processing to the desired etching amount can be realized in the processing sections 11a and 11b. The influence of the inflow of such gas can not be neglected in the processing, and the variation with respect to the set etching amount becomes large, and the desired independent substrate processing can not be performed in the processing sections 11a and 11b.

한편, 이러한 문제를 방지하기 위해서 처리 가스(HF 가스, NH3 가스) 및 보완 가스(Ar 가스, N2 가스)를 대유량화하면, 에칭 레이트가 증가해버려, 처리 시간이나 가스 유량비 등으로 에칭량을 조정할 필요가 있으며, 프로세스 마진이 좁아져버린다. On the other hand, when the process gas (HF gas, NH 3 gas) and the complementary gas (Ar gas, N 2 gas) are increased in flow rate in order to prevent such a problem, the etching rate increases, It is necessary to adjust the amount and the process margin becomes narrow.

따라서, 본 예에서는, 압력 안정화 공정 S1 시에, 다음의 기판 처리 공정 S2의 독립 기판 처리 모드 S2-2에서 처리부(11a)와 (11b)의 사이에서 처리 가스 및 보완 가스가 역확산하는 것을 억제 가능한, 가스 도입 부재(12a, 12b)로부터 배기 기구(15)를 향하는 압력 조절 가스의 흐름을 형성할 수 있는 소정의 유량으로 압력 조절 가스를 흘린다. 이에 의해, 저유량 영역에서 기판 처리 공정 S2의 독립 기판 처리 모드 S2-2에서의 가스의 유입(역확산)을 효과적으로 억제한다. Therefore, in this example, in the pressure stabilization step S1, the process gas and the complementary gas are prevented from being despread between the processing sections 11a and 11b in the independent substrate processing mode S2-2 in the next substrate processing step S2 The pressure regulating gas is flowed at a predetermined flow rate capable of forming a flow of the pressure regulating gas from the gas introducing members 12a and 12b toward the exhaust mechanism 15. [ This effectively suppresses the inflow (despreading) of the gas in the independent substrate processing mode S2-2 in the substrate processing step S2 in the low flow rate region.

구체적으로는 도 6에 도시한 바와 같이, 압력 안정화 공정 S1 시에 압력 조절 가스로서 공급하는 Ar 가스, N2 가스, NH3 가스의 유량을 기판 처리 공정 S2보다도 많게 한다. 이 경우의 압력 조절 가스의 토탈 유량은, 기판 처리 공정 S2 시의 3배 이상인 것이 바람직하다. 압력 조절 가스로서는, 기판 처리 공정 S2 시에 공급하는 가스의 일부이며, 기판 처리가 발생하지 않는 것을 사용할 수 있다. 그 후의 기판 처리 공정 S2에서는, 공통 기판 처리 모드 S2-1 및 독립 기판 처리 모드 S2-2를 도 5의 처리 시퀀스와 마찬가지로 행한다. 그 후, 도 5의 처리 시퀀스와 마찬가지로, 가스를 정지하고, 배기 기구(15)에 의해 처리 공간(S)을 배기하는 배기 공정 S3을 행한다. Specifically, as shown in FIG. 6, the flow rate of Ar gas, N 2 gas, and NH 3 gas supplied as the pressure regulating gas at the pressure stabilization step S 1 is made larger than the flow rate of the substrate processing step S 2. In this case, it is preferable that the total flow rate of the pressure regulating gas is three times or more as large as that in the substrate processing step S2. As the pressure regulating gas, it is possible to use a part of the gas supplied at the time of the substrate processing step S2, which does not cause substrate processing. In the subsequent substrate processing step S2, the common substrate processing mode S2-1 and the independent substrate processing mode S2-2 are performed in the same manner as the processing sequence of Fig. Thereafter, as in the processing sequence of Fig. 5, the gas is stopped and an evacuation step S3 for evacuating the processing space S by the evacuation mechanism 15 is performed.

이에 의해, 저유량 영역에서, 독립 기판 처리 모드 S2-2 시에, 보완 가스에 의해 압력 조정만 하는 경우보다도, 더 효과적으로 처리 가스 및 보완 가스의 역류를 억제할 수 있다. 구체적으로는, 저유량 영역에서도, 처리를 멈추고자 하는 처리부(11b)에 처리부(11a)로부터 처리 가스(HF 가스, NH3 가스)가 역류하는 것, 및 처리를 계속하고자 하는 처리부(11a)에 처리부(11b)로부터 보완 가스(Ar 가스, N2 가스)가 역류하는 것을 매우 효과적으로 억제할 수 있어, 처리부(11a, 11b)의 어느 경우든 설정한 에칭량에 가까운 에칭량이 되도록 기판 처리를 행할 수 있다. This makes it possible to more effectively suppress backflow of the process gas and the complementary gas in the low flow rate region in the independent substrate processing mode S2-2 than in the case where only the pressure adjustment is performed by the complementary gas. Specifically, even in the low flow rate region, the processing gas (HF gas, NH 3 gas) flows backward from the processing section 11a to the processing section 11b to stop the processing, and the processing section 11a It is possible to effectively suppress the backward flow of the complementary gas (Ar gas and N 2 gas) from the processing section 11b and to perform the substrate processing so as to obtain an etching amount close to the set etching amount in any of the processing sections 11a and 11b have.

실제로 압력 안정화 공정(S1)에서 압력 조절 가스의 유량을 증가시킨 경우의 실험 결과에 대해서 도 7을 참조하여 설명한다. 여기에서는, 도 1의 COR 처리 장치(100)를 사용해서 압력 안정화 공정(S1)을 행한 후, 기판 처리 공정(S2)에서, 한쪽의 처리부에서 처리를 계속하고, 다른 쪽의 처리부에서 처리 가스(HF 가스, NH3 가스)를 도중에 멈추고 보완 가스(Ar 가스, N2 가스)를 도입하였다. 도 7은 처리를 계속한 쪽의 처리부에서의, 기판 처리 공정(S2) 시의 토탈 가스 유량과, 에칭량 편차(실제의 에칭량과 설정한 에칭량의 차)와의 관계를 도시하는 도면이다. 도면 중 검은 원은 압력 안정화 공정(S1)에서의 압력 조절 가스(Ar 가스, N2 가스, NH3 가스)의 유량을 기판 처리 공정(S2)과 동일하게 한 경우의 에칭량 편차이며, 토탈 유량이 낮은 영역에서는 에칭량 편차가 커지는 경향이 있어, 토탈 유량이 300sccm에서는 에칭량 편차가 -0.33nm 정도로 큰 값을 나타냈다. 이에 반해 검은 사각형은, 압력 조절 가스의 유량을 3배로 한 경우이며, 이 경우에는, 기판 처리 공정(S2) 시의 토탈 유량이 300sccm이어도 에칭량 편차가 -0.03nm 정도로 매우 설정값에 가까워졌다. 이로부터 압력 조절 가스의 유량을 증가시키는 효과가 확인되었다. Experimental results in the case where the flow rate of the pressure regulating gas is actually increased in the pressure stabilization step (S1) will be described with reference to Fig. Here, after performing the pressure stabilization step (S1) using the COR processing apparatus 100 of Fig. 1, the processing is continued in one processing section in the substrate processing step (S2), and the processing gas HF gas, and NH 3 gas) was stopped on the way and a complementary gas (Ar gas, N 2 gas) was introduced. 7 is a diagram showing the relationship between the total gas flow rate in the substrate processing step (S2) and the etching amount deviation (the difference between the actual etching amount and the set etching amount) in the processing section on the side of continuing the processing. In the drawing, the black circles show the variation in the etching amount when the flow rate of the pressure control gas (Ar gas, N 2 gas, NH 3 gas) in the pressure stabilization step (S 1) is the same as that of the substrate processing step (S 2) The etching amount deviation tends to increase in this low region, and the etching amount deviation is as large as -0.33 nm at the total flow amount of 300 sccm. On the other hand, the black square corresponds to a case in which the flow rate of the pressure regulating gas is tripled. In this case, even if the total flow rate during the substrate processing step (S2) is 300 sccm, the etching amount deviation approaches -0.03 nm, From this, the effect of increasing the flow rate of the pressure regulating gas was confirmed.

또한, 이상과 같이 HF 가스 및 NH3 가스를 사용해서 웨이퍼의 SiO2막에 대하여 COR 처리를 행하면, 반응 생성물로서 플루오로규산암모늄((NH4)2SiF6; AFS)이 생성되기 때문에, COR 처리 장치(100)에서 처리 후의 웨이퍼를, 열처리 장치에서 열처리하여, AFS를 분해 제거한다. Further, when COR treatment is performed on the SiO 2 film of the wafer using HF gas and NH 3 gas as described above, ammonium fluorosilicate ((NH 4 ) 2 SiF 6 ; AFS) is produced as a reaction product, The processed wafer in the processing apparatus 100 is subjected to heat treatment in a heat treatment apparatus to decompose and remove the AFS.

이상과 같이, 본 실시 형태에 따르면, 2매의 웨이퍼에 대하여 2개의 처리부에서 처리함에 있어서, 배기 기구를 공통화하면서, 이들 처리부에서 서로 다른 가스 공급 조건에서의 처리를 실시하는 것이 가능하다. As described above, according to the present embodiment, it is possible to perform processing under different gas supply conditions in these processing sections while processing the two wafers in the two processing sections, while making the exhaust mechanism common.

또한, 상기 일 실시 형태에서는, HF 가스 및 NH3 가스를 사용해서 COR 처리를 행하는 경우에 대해서 설명했지만, 도 1의 기판 처리 장치에 의해 HF 가스만 또는 NH3 가스만으로의 처리를 행할 수도 있다. 예를 들어, HF 가스를 Ar 가스로 희석해서 공급하여, 처리를 행하는 경우, 개폐 밸브(151e, 151f, 151g, 151h)는 닫은 상태에서, 개폐 밸브(151a, 151b, 151c, 151d)를 오픈하여 HF 가스 및 Ar 가스를 공급하고, 공통 기판 처리 모드(S2-1)에서 처리한 후, 독립 기판 모드(S2-2) 시에는, 예를 들어 이하의 케이스 d에 나타낸 바와 같이 개폐 밸브를 제어하면 된다. In the above embodiment, the case where the COR process is performed using the HF gas and the NH 3 gas has been described. However, the substrate processing apparatus of FIG. 1 can also perform the process using only the HF gas or the NH 3 gas. For example, when the HF gas is diluted with Ar gas and supplied, the open / close valves 151a, 151b, 151c, 151d are opened while the open / close valves 151e, 151f, 151g, 151h are closed After the HF gas and the Ar gas are supplied and processed in the common substrate processing mode S2-1, in the independent substrate mode S2-2, for example, as shown in case d below, do.

[케이스 d] [Case d]

·가스 도입 부재(12a)에의 공급계 The supply system to the gas introducing member 12a

개폐 밸브(151a)(Ar) 오픈 The open / close valve 151a (Ar) opens

개폐 밸브(151c)(HF) 오픈 Opening / closing valve 151c (HF) opened

개폐 밸브(151e)(N2) 클로즈 On-off valve (151e) (N 2) closed

개폐 밸브(151g)(NH3) 클로즈 On-off valve (151g) (NH 3) closed

·가스 도입 부재(12b)에의 공급계 The supply system to the gas introducing member 12b

개폐 밸브(151b)(Ar) 오픈 The open / close valve 151b (Ar) opens

개폐 밸브(151d)(HF) 클로즈 Closing valve 151d (HF) close

개폐 밸브(151f)(N2) 클로즈 On-off valve (151f) (N 2) closed

개폐 밸브(151h)(NH3) 클로즈 Closing valve 151h (NH 3 ) close

<챔버 구성> <Chamber Configuration>

도 8a는 일 실시 형태에 따른 COR 처리 장치(100)의 챔버(10)의 구성의 일례를 개략적으로 도시하는 도면이고, 도 8b는 다른 실시 형태에 따른 COR 처리 장치(100a)의 챔버 구성의 다른 예를 개략적으로 도시하는 도면이다. Fig. 8A is a view schematically showing an example of the configuration of the chamber 10 of the COR processing apparatus 100 according to one embodiment, and Fig. 8B is a schematic view showing another example of the chamber configuration of the COR processing apparatus 100a according to another embodiment Fig. 3 is a view schematically showing an example.

도 1에 도시한 COR 처리 장치(100)는, 도 8a에 도시한 바와 같이, 처리부(11a, 11b) 각각은, 하나의 공통된 챔버(10) 내에 설치되고, 배기 기구(15)는, 하나의 공통된 챔버(10) 내에 설치된 처리부(11a, 11b)에서 공유되는 구성이다. 또한, 도 8a의 구성은 도 1의 COR 처리 장치(100)에 한정되지 않고, 단일의 챔버 내에 독립하여 처리를 행할 수 있는 2개의 처리부를 갖는 장치이면 된다. The COR processing apparatus 100 shown in Fig. 1 is configured such that each of the processing sections 11a and 11b is installed in one common chamber 10 and the exhaust mechanism 15 is provided in one common chamber 10 as shown in Fig. And shared by the processing sections 11a and 11b provided in the common chamber 10. [ The configuration of Fig. 8A is not limited to the COR processing apparatus 100 of Fig. 1, but may be an apparatus having two processing sections capable of independently performing processing in a single chamber.

또한, 도 8a와 같이 하나의 공통된 챔버(10) 내에 처리부(11a, 11b)를 각각 설치하는 구성에 한정되지 않고, 예를 들어 도 8b에 나타내는 COR 처리 장치(100a)에 도시한 바와 같이, 처리부(11a, 11b) 각각은, 각각 독립된 챔버(10a, 10b) 내에 설치하고, 배기 기구(15)는, 각각 독립된 챔버(10a, 10b)에서 공유되는 구성으로 해도 된다. 8A, the present invention is not limited to the configuration in which the processing units 11a and 11b are provided in one common chamber 10, and for example, as shown in the COR processing apparatus 100a shown in FIG. 8B, Each of the chambers 11a and 11b may be provided in a separate chamber 10a or 10b and the exhaust mechanism 15 may be shared by a separate chamber 10a or 10b.

처리부(11a, 11b) 각각은, 각각 독립된 챔버(10a, 10b) 내에 설치한 경우에도, 처리부(11a, 11b)는, 배기 배관(101)을 통해서 연결되어 있다. 이 때문에, 처리부(11a, 11b) 중 어느 한쪽에의 가스의 공급을 멈추었을 경우, 배기 배관(101)을 통해서 처리부(11a)와 처리부(11b)의 사이에 내부 압력차가 발생해버린다. 이 때문에, 처리부(11a, 11b) 각각을, 하나의 공통된 챔버(10) 내에 설치한 경우와 마찬가지로, 처리부(11a, 11b) 상호간에서의 가스의 유입이 발생한다. The processing sections 11a and 11b are connected to each other through the exhaust pipe 101 even when the processing sections 11a and 11b are provided in the independent chambers 10a and 10b respectively. Therefore, when the supply of the gas to any one of the processing sections 11a and 11b is stopped, an internal pressure difference is generated between the processing section 11a and the processing section 11b through the exhaust pipe 101. [ For this reason, as in the case where each of the processing sections 11a and 11b is provided in one common chamber 10, gas is introduced into the processing sections 11a and 11b.

처리부(11a, 11b) 각각은, 각각 독립된 챔버(10a, 10b) 내에 설치한 경우에도, 제어부(16)가, 처리부(11a)와 처리부(11b)의 사이의 압력차가 확대되지 않도록, 바람직하게는 처리부(11a)의 압력과 처리부(11b)의 압력이 동등해지도록, 가스 공급 기구(14)에 포함된 개폐 밸브(151a 내지 151h)나 MFC(150a 내지 150h)를 제어해서, 예를 들어 불활성 가스를 압력 조정을 위한 "보완 가스"로서 흘린다. 이에 의해, 챔버(10a, 10b)에서 1개의 배기 기구(15)에 의해 처리부(11a, 11b)로부터 가스를 공통으로 배기했다고 해도, 도 1에 도시한 COR 처리 장치(100)와 마찬가지로, 처리부(11a, 11b) 상호간에서의 가스의 유입을 억제할 수 있다. Each of the processing sections 11a and 11b is provided so as not to increase the pressure difference between the processing section 11a and the processing section 11b even when the processing sections 11a and 11b are provided in the independent chambers 10a and 10b, Closing valves 151a to 151h and MFCs 150a to 150h included in the gas supply mechanism 14 are controlled so that the pressure of the processing section 11a and the pressure of the processing section 11b are equal to each other, As a "complementary gas" for pressure adjustment. Thus, even if the gases are commonly exhausted from the processing parts 11a and 11b by the single exhaust mechanism 15 in the chambers 10a and 10b, as in the COR processing device 100 shown in Fig. 1, 11a, and 11b can be restrained from flowing into each other.

<보완 가스에 대해서> <About complementary gas>

상기 일 실시 형태에서는, 압력 조정을 위한 "보완 가스"로서, HF 가스나 NH3 가스 등의 처리 가스를 희석하는 희석 가스, 즉, Ar 가스나 N2 가스 등으로 대표되는 불활성 가스를 사용하였다. 그러나, 압력 조정을 위한 "보완 가스"로서는, 불활성 가스에 한정되는 것은 아니며, 처리되는 웨이퍼(Wa, Wb)의 에칭 대상 막에 대하여 비반응인 비반응성 가스를 사용하는 것도 가능하다. 또한, 반응성 가스이어도, 처리에 영향을 주지 않고 각 처리부의 내부 압력을 조정할 수 있는 것이라면 사용하는 것이 가능하다. In the above embodiment, a diluting gas for diluting a process gas such as HF gas or NH 3 gas, that is, an inert gas represented by Ar gas, N 2 gas or the like is used as the "complementary gas" for pressure adjustment. However, the "complementary gas" for adjusting the pressure is not limited to the inert gas. It is also possible to use a non-reactive gas which is not reactive with the film to be etched of the wafers Wa and Wb to be processed. It is also possible to use a reactive gas as long as it can adjust the internal pressure of each treatment section without affecting the treatment.

또한, 상기 일 실시 형태에서는, 압력 조정을 위한 "보완 가스"로서, 기판 처리 시에 처리 가스와 동시에 사용되는 희석 가스를 사용했지만, 처리 가스와 동시에 사용되는 희석 가스와는 별도로, 전용의 "보완 가스"을 사용하도록 해도 된다. 이 경우에는, 가스 공급 기구(14)에는, 새롭게 "보완 가스 공급원", "보완 가스를 공급하는 공급 배관", "MFC" 및 "개폐 밸브"를 별도 설치하도록 하면 된다. In the embodiment described above, a diluent gas used simultaneously with the process gas at the time of substrate processing is used as the "complementary gas" for adjusting the pressure. However, apart from the diluent gas used simultaneously with the process gas, Gas "may be used. In this case, the gas supply mechanism 14 may be provided with a "supplementary gas supply source", a "supply pipe for supplying complementary gas", an "MFC" and an "opening and closing valve" separately.

<다른 적용> <Other applications>

이상, 본 발명을 일 실시 형태에 따라서 설명했지만, 본 발명은 상기 일 실시 형태에 한정되지 않고, 그 취지를 일탈하지 않는 범위에서 다양하게 변형 가능하다. 또한, 본 발명의 실시 형태는, 상기 일 실시 형태가 유일한 실시 형태인 것도 아니다. While the present invention has been described with reference to the preferred embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but may be modified in various ways without departing from the spirit of the invention. In addition, the embodiment of the present invention is not the only embodiment.

예를 들어, 상기 일 실시 형태에서는, 복수의 처리부에 대하여 서로 다른 가스 공급 조건에서 기판 처리를 행하는 예로서, 한쪽에서 처리 가스로의 처리를 계속하고, 다른 쪽에서 처리를 정지하는 경우에 대해서 주로 설명했지만, 복수의 처리부에서 처리 가스의 유량을 상이하게 하는 경우나, 서로 다른 처리 가스를 사용하는 경우에도 적용 가능하다. For example, in the above-described embodiment, the case where the substrate processing is performed under different gas supply conditions for a plurality of processing sections is described mainly as to the case where the processing to the processing gas is continued from one side and the processing is stopped from the other side , The case where the flow rates of the processing gases are made different from each other in the plurality of processing sections, or the case where different processing gases are used is also applicable.

또한, 상기 일 실시 형태에서는, 피처리 기판으로서 반도체 웨이퍼를 예로 들어서 설명했지만, 본 발명의 원리로 보아 피처리 기판은 반도체 웨이퍼에 한정하는 것이 아님은 명확하며, 다른 다양한 기판의 처리에 적용할 수 있음은 물론이다. Although the semiconductor wafer has been described as an example of the substrate to be processed in the above embodiment, it is clear that the substrate to be processed is not limited to the semiconductor wafer in view of the principle of the present invention, Of course it is.

또한, 상기 일 실시 형태에서는, 복수의 처리부로서, 처리부(11a, 11b)의 2개를 갖는 기판 처리 장치를 예시했지만, 처리부의 수는 2개에 한정되지 않는다. 본 발명은 2 이상의 처리부를 갖는 기판 처리 장치라면, 그 이점을 손상시키지 않고 적용할 수 있다. Further, in the above embodiment, the substrate processing apparatus having two processing units 11a and 11b is exemplified as a plurality of processing units, but the number of processing units is not limited to two. The present invention can be applied to a substrate processing apparatus having two or more processing sections without impairing its advantages.

또한, 상기 일 실시 형태에서는, COR 처리 장치(100)이 기판 처리 장치로 사용되는 경우를 예시했지만, 이것에 한정되는 것도 아니다. In the above embodiment, the case where the COR processing apparatus 100 is used as the substrate processing apparatus is exemplified, but the present invention is not limited to this.

그 밖에, 본 발명은 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 다양하게 변형될 수 있다. In addition, the present invention can be variously modified without departing from the gist of the present invention.

10, 10a, 10b : 챔버
11a, 11b : 처리부
12a, 12b : 가스 도입 부재
14 : 가스 공급 기구
15 : 배기 기구
16 : 제어부
71a, 71b : 내벽
101 : 배기 배관
141 : Ar 가스 공급원
142 : HF 가스 공급원
143 : N2 가스 공급원
144 : NH3 가스 공급원
145, 145a, 145b : HF 가스 공급 배관
146a, 146b : 공급 배관
147, 147a, 147b : Ar 가스 공급 배관
148, 148a, 148b : NH3 가스 공급 배관
149, 149a, 149b : N2 가스 공급 배관
150a 내지 150h : 매스 플로우 컨트롤러
151a 내지 151h : 개폐 밸브 10, 10a, 10b: chamber
11a and 11b:
12a, 12b: gas introduction member
14: gas supply mechanism
15: Exhaust mechanism
16:
71a, 71b: inner wall
101: Exhaust piping
141: Ar gas source
142: HF gas source
143: N 2 gas source
144: NH 3 gas source
145, 145a, 145b: HF gas supply pipe
146a, 146b: Supply piping
147, 147a, 147b: Ar gas supply pipe
148, 148a and 148b: NH 3 gas supply pipe
149, 149a, 149b: N 2 gas supply pipe
150a to 150h: mass flow controller
151a to 151h:

Claims (2)

진공 분위기 하에서 복수매의 피처리 기판에 미리 정해진 기판 처리를 실시하는 기판 처리 장치로서,
하나의 공통된 챔버 내에 설치되고, 상기 복수매의 피처리 기판 각각에 대하여 상기 기판 처리를 실시하는 복수의 처리부와,
상기 하나의 공통된 챔버 외부에 설치되고, 상기 복수의 처리부의 각각에 대하여 처리 가스와 압력 조절 가스를 독립적으로 공급하는 가스 공급 기구와,
상기 복수의 처리부 내의 처리 가스를 일괄해서 배기하고, 상기 하나의 공통된 챔버 내에 설치된 상기 복수의 처리부에서 공유되는 공통의 배기 기구와,
상기 가스 공급 기구 및 상기 공통의 배기 기구를 제어하는 제어부를 포함하고,
상기 가스 공급 기구는 처리 가스 공급 배관 및 압력 조절 가스 공급 배관을 포함하고,
각각의 처리 가스 공급 배관 및 압력 조절 가스 공급 배관은 유량 제어기 및 개폐 밸브를 포함하고,
상기 제어부는,
상기 복수의 처리부로부터 상기 처리 가스를 일괄해서 배기하도록 상기 공통의 배기 기구를 제어하면서, 처리 가스 및 압력 조절 가스가 복수의 처리부의 각각에 공급되고, 상기 복수의 처리부의 각각으로의 처리 가스의 공급이 다른 경우, 상기 복수의 처리부에서의 내부 압력차가 발생하는 것을 저지하도록 상기 압력 조절 가스의 유량을 제어하기 위해 상기 가스 공급 기구의 유량 제어기 및 개폐 밸브를 독립적으로 제어하도록 구성되는, 기판 처리 장치. 1. A substrate processing apparatus for performing predetermined substrate processing on a plurality of target substrates in a vacuum atmosphere,
A plurality of processing units installed in one common chamber for performing the substrate processing on each of the plurality of target substrates,
A gas supply mechanism provided outside the common chamber for independently supplying a process gas and a pressure control gas to each of the plurality of processing sections,
A common exhaust mechanism that exhausts the processing gases in the plurality of processing sections collectively and is shared by the plurality of processing sections provided in the one common chamber,
And a control unit for controlling the gas supply mechanism and the common exhaust mechanism,
Wherein the gas supply mechanism includes a process gas supply line and a pressure control gas supply line,
Each of the process gas supply pipe and the pressure control gas supply pipe includes a flow controller and an on-off valve,
Wherein,
Wherein the processing gas and the pressure control gas are supplied to each of the plurality of processing sections while the common exhaust mechanism is controlled so as to exhaust the processing gas collectively from the plurality of processing sections, The flow rate controller and the opening / closing valve of the gas supply mechanism are independently controlled so as to control the flow rate of the pressure regulating gas so as to prevent the internal pressure difference in the plurality of processing sections from being generated. 하나의 공통된 챔버 내에 설치되고, 복수매의 피처리 기판 각각에 대하여 기판 처리를 실시하는 복수의 처리부와, 상기 하나의 공통된 챔버 외부에 설치되고, 상기 복수의 처리부의 각각에 대하여 처리 가스와 압력 조절 가스를 독립적으로 공급하는 가스 공급 기구와, 상기 복수의 처리부 내의 처리 가스를 일괄해서 배기하고, 상기 하나의 공통된 챔버 내에 설치된 상기 복수의 처리부에서 공유되는 공통의 배기 기구를 포함하고, 상기 가스 공급 기구는 처리 가스 공급 배관 및 압력 조절 가스 공급 배관을 포함하고, 각각의 처리 가스 공급 배관 및 압력 조절 가스 공급 배관은 유량 제어기 및 개폐 밸브를 포함하는, 기판 처리 장치를 사용하여, 진공 분위기 하에서 상기 복수매의 피처리 기판에 미리 정해진 기판 처리를 실시하는 기판 처리 방법으로서,
상기 공통의 배기 기구에 의해, 상기 복수의 처리부로부터 처리 가스를 일괄해서 배기하도록 하고,
상기 가스 공급 기구의 유량 제어기 및 개폐 밸브를 독립적으로 제어함에 의해, 처리 가스 및 압력 조절 가스가 복수의 처리부의 각각에 공급되고, 상기 복수의 처리부의 각각으로의 처리 가스의 공급이 다른 경우, 상기 압력 조절 가스의 유량을 제어하여 상기 복수의 처리부에서의 내부 압력차가 발생하는 것을 저지하도록 하는, 기판 처리 방법.A plurality of processing units provided in a common chamber for performing substrate processing on each of a plurality of substrates to be processed; and a plurality of processing units provided outside the one common chamber, And a common exhaust mechanism that exhausts the processing gases in the plurality of processing sections collectively and is shared by the plurality of processing sections provided in the one common chamber, Wherein each of the process gas supply pipe and the pressure control gas supply pipe includes a flow rate controller and an on-off valve, wherein the process gas supply pipe and the pressure- The substrate processing method comprising the steps of:
Wherein the common exhaust mechanism allows the processing gases to be collectively exhausted from the plurality of processing sections,
When the process gas and the pressure regulating gas are supplied to each of the plurality of processing sections by independently controlling the flow controller and the opening and closing valve of the gas supply mechanism and the supply of the process gas to each of the plurality of processing sections is different, And controlling the flow rate of the pressure regulating gas so as to prevent an internal pressure difference in the plurality of processing sections from being generated.
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