KR20180074997A - Stacked type surface discharge plasma generating source - Google Patents
Stacked type surface discharge plasma generating source Download PDFInfo
- Publication number
- KR20180074997A KR20180074997A KR1020160178849A KR20160178849A KR20180074997A KR 20180074997 A KR20180074997 A KR 20180074997A KR 1020160178849 A KR1020160178849 A KR 1020160178849A KR 20160178849 A KR20160178849 A KR 20160178849A KR 20180074997 A KR20180074997 A KR 20180074997A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- floating electrode
- dielectric layer
- floating
- plasma generation
- electrode
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 230000001954 sterilising effect Effects 0.000 claims description 5
- 235000013305 food Nutrition 0.000 claims description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 3
- 238000004659 sterilization and disinfection Methods 0.000 claims description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/2406—Generating plasma using dielectric barrier discharges, i.e. with a dielectric interposed between the electrodes
- H05H1/2437—Multilayer systems
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/2406—Generating plasma using dielectric barrier discharges, i.e. with a dielectric interposed between the electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/2406—Generating plasma using dielectric barrier discharges, i.e. with a dielectric interposed between the electrodes
- H05H1/2439—Surface discharges, e.g. air flow control
-
- H05H2001/2412—
-
- H05H2245/1225—
-
- H05H2245/123—
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H2245/00—Applications of plasma devices
- H05H2245/30—Medical applications
- H05H2245/36—Sterilisation of objects, liquids, volumes or surfaces
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H2245/00—Applications of plasma devices
- H05H2245/40—Surface treatments
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Abstract
Description
본 발명은 플라즈마 발생 소스에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 플라즈마 발생 영역이 확대될 수 있는 적층형 면방전 플라즈마 발생 소스에 관한 것이다.Field of the Invention [0002] The present invention relates to a plasma generating source, and more particularly, to a stacked surface discharge plasma generating source in which a plasma generating region can be enlarged.
플라즈마(plasma)란 이온화된 가스를 의미하고, 원자 또는 분자로 이루어진 가스에 에너지를 이용하여 여기시키면, 전자, 이온, 분해된 가스, 및 광자(photon) 등으로 이루어진 플라즈마가 형성된다. 이러한 플라즈마는 피처리물의 표면 처리, 살균 등에 널리 이용되고 있다.Plasma means an ionized gas. When a gas composed of atoms or molecules is excited by using energy, a plasma composed of electrons, ions, decomposed gases, and photons is formed. Such a plasma is widely used for surface treatment, disinfection, and the like of an object to be treated.
또한, 대면적 또는 대용량의 피처리물을 플라즈마 처리하기 위해 플라즈마의 생성 영역을 증대시킬 수 있는 플라즈마 장치가 개발되고 있다.In addition, a plasma apparatus capable of increasing the area of plasma generation for plasma processing of large-area or large-capacity objects to be processed has been developed.
플라즈마를 생성시키는 기술의 일 예로, 유전막 방전 기술이 있다. 유전막 방전 기술로는 대표적으로 DBD(Dielectric Barrier Discharge) 방전기술이 이용되고 있다. DBD 방전기술을 이용한 플라즈마 처리장치는 평판 전극 사이에 피처리대상물을 놓고, 불활성 기체를 이용하여 유전막 방전을 일으키면, 플라즈마가 발생되고, 플라즈마를 피처리대상물의 표면에 접촉시켜 피처리대상물의 표면을 처리하게 된다.One example of a technique for generating a plasma is a dielectric film discharge technique. DBD (Dielectric Barrier Discharge) discharge technology is typically used as a dielectric film discharge technology. In the plasma processing apparatus using the DBD discharge technique, when an object to be treated is placed between flat plate electrodes and a dielectric film discharge is caused by using an inert gas, a plasma is generated and the plasma is brought into contact with the surface of the object to be treated, .
플라즈마 생성 영역을 증대시키기 위해, 예를 들어, 상기 DBD 방전 기술의 경우 플라즈마 생성 영역의 증대를 위해 전극의 크기를 대면적으로 하여 방전 부피를 증대시키는 기술이 알려져 있다. 전극의 크기를 대면적으로 하여 방전 부피를 증대시키는 것은 2차원의 평면적인 플라즈마 생성 영역의 증대만을 가능하게 한다.In order to increase the plasma generation region, for example, in the case of the DBD discharge technique, a technique of increasing the discharge volume by increasing the size of the electrode in order to increase the plasma generation region is known. Increasing the discharge volume by making the size of the electrode large is only possible to increase the two-dimensional planar plasma generation region.
이러한 2차원의 평면적인 플라즈마 생성 영역의 증대는 대면적의 피처리물, 예를 들면, 대면적의 기판의 표면을 처리하기에는 용이하지만, 대용량의 피처리물, 예를 들면, 다량으로 쌓인 대용량의 농작물, 식품 등의 살균, 저장을 위해 플라즈마가 이용되는 경우 플라즈마가 생성되는 전극의 표면에 근접한 피처리물에 대해서만 살균 효과가이 우수하고, 플라즈마가 생성되는 전극의 표면보다 높게 위치한 원거리의 피처리물에 대해서는 살균 효과가 미비해지는 문제가 발생된다.Such an increase in the two-dimensional planar plasma generation region is easy to process the surface of a large-area object to be processed, for example, a large-area substrate, but a large amount of the object to be processed, for example, When a plasma is used for sterilizing and storing agricultural products and foods, the sterilizing effect is excellent only for the object to be processed which is close to the surface of the electrode on which the plasma is generated, and the distant object There is a problem that the sterilizing effect becomes insufficient.
따라서 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 수평면에 평행한 수평 방향 및 수평면에 수직한 높이 방향으로 방전 부피가 확대될 수 있으므로 플라즈마 생성 범위가 수평면에 평행한 수평 방향 및 수평면에 수직한 높이 방향으로 확대될 수 있고, 플라즈마 생성 범위가 수평 방향 및 높이 방향으로 확대됨에 따라 대면적 또는 대용량의 피처리 대상에 대한 플라즈마 처리가 가능하도록 한 적층형 면방전 플라즈마 발생 소스를 제공하는데 있다.Therefore, a problem to be solved by the present invention is to enlarge the discharge volume in the horizontal direction parallel to the horizontal plane and in the height direction perpendicular to the horizontal plane, so that the plasma generation range is enlarged in the horizontal direction parallel to the horizontal plane and in the height direction perpendicular to the horizontal plane And the plasma generation range is expanded in the horizontal direction and the height direction, so that the plasma processing can be performed on the large-area or large-capacity object to be processed, thereby providing a stacked surface discharge plasma generation source.
또한, 수평면에 수직한 높이 방향으로 확대되는 방전 부피를 조절할 수 있도록 한 적층형 면방전 플라즈마 발생 소스를 제공하는데 목적이 있다.It is also an object of the present invention to provide a stacked surface discharge plasma generation source capable of adjusting a discharge volume expanded in a height direction perpendicular to a horizontal plane.
상술한 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 적층형 면방전 플라즈마 발생 소스는, 일정 면적을 갖는 베이스 전극; 상기 베이스 전극의 상면에 적층되어 있는 유전층; 및 상기 유전층 상면에 적층되어 있는 플로팅 전극모듈을 포함하고, 상기 플로팅 전극모듈은 둘 이상의 플로팅 전극 및 하나 이상의 유전체가 상기 유전층의 상면에서 상기 플로팅 전극을 시작으로 하여 교대로 적층되어 구성되고, 상기 베이스 전극 및 상기 플로팅 전극모듈에서 최상층에 위치한 플로팅 전극 사이에 고전압이 인가되고, 상기 고전압이 인가되면 상기 유전층 및 유전층과 접한 최하부 플로팅 전극으로부터 최상부 플로팅 전극 방향으로 플라즈마 발생 영역이 연속되는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a stacked surface discharge plasma generating source comprising: a base electrode having a predetermined area; A dielectric layer laminated on the upper surface of the base electrode; And a floating electrode module laminated on the upper surface of the dielectric layer, wherein the floating electrode module comprises at least two floating electrodes and at least one dielectric layer alternately stacked on the upper surface of the dielectric layer starting from the floating electrode, A high voltage is applied between the electrode and the floating electrode located on the uppermost layer in the floating electrode module and the plasma generation region is continued from the lowermost floating electrode contacting the dielectric layer and the dielectric layer toward the uppermost floating electrode when the high voltage is applied.
일 실시예로, 상기 플로팅 전극모듈은 둘 이상이 상기 유전층 상에 일정 패턴으로 분포하여 위치할 수 있다.In one embodiment, two or more of the floating electrode modules may be distributed in a predetermined pattern on the dielectric layer.
일 실시예로, 상기 플로팅 전극모듈이 다수인 경우 각각의 플로팅 전극모듈은 상기 제2 전압이 전달되도록 서로 연결될 수 있다.In one embodiment, when there are a plurality of floating electrode modules, each floating electrode module may be connected to each other to transfer the second voltage.
일 실시예로, 상기 플로팅 전극 및 유전체의 적층개수는, 상기 플로팅 전극은 2n개이고, 유전체는 2n-1개이고, 상기 n은 1이상의 자연수일 수 있다.In one embodiment, the number of laminated layers of the floating electrode and the dielectric may be 2n, the floating electrode is 2n-1, and the n may be a natural number of 1 or more.
일 실시예로, 상기 유전체는 세라믹이고, 상기 플로팅 전극은 스테인레스일 수 있다.In one embodiment, the dielectric is a ceramic and the floating electrode may be stainless steel.
상기 플라즈마 발생 소스는 살균을 요하는 피처리 대상의 살균, 농수산물 및 식품의 저장 및 유통을 위해 이용될 수 있다.The plasma generating source may be used for sterilization of an object to be sterilized, storage and distribution of agricultural and marine products and foods.
본 발명에 따른 적층형 면방전 플라즈마 발생 소스에 의하면, 수평 방향 및 수평면에 수직한 높이 방향으로 방전 부피가 확대될 수 있으므로 플라즈마 생성 범위가 수평면에 평행한 수평 방향 및 수평면에 수직한 높이 방향으로 확대될 수 있고, 플라즈마 생성 범위가 수평 방향 및 높이 방향으로 확대됨에 따라 대면적 또는 대용량의 피처리 대상에 대한 플라즈마 처리가 가능해지는 이점이 있다.According to the stacked surface discharge plasma generation source of the present invention, since the discharge volume can be enlarged in the horizontal direction and the height direction perpendicular to the horizontal plane, the plasma generation range is expanded in the horizontal direction parallel to the horizontal plane and in the height direction perpendicular to the horizontal plane And as the plasma generation range expands in the horizontal direction and the height direction, there is an advantage that the plasma processing can be performed on the large-area or large-capacity object to be processed.
또한, 수평면에 수직한 높이 방향으로 확대되는 방전 부피를 조절할 수 있는 이점이 있다.Further, there is an advantage that the discharge volume enlarged in the height direction perpendicular to the horizontal plane can be controlled.
도 1은 본 발명에 따른 적층형 면방전 플라즈마 발생 소스를 설명하기 위한 단면도이다.
도 2는 본 발명에 따른 적층형 면방전 플라즈마 발생 소스의 일 실시 형태를 나타낸 사시도이다.
도 3은 도 2의 단면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a stacked surface discharge plasma generating source according to the present invention.
2 is a perspective view showing one embodiment of a stacked surface discharge plasma generating source according to the present invention.
3 is a cross-sectional view of Fig.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 적층형 면방전 플라즈마 발생 소스에 대해 상세히 설명한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. Hereinafter, a stacked surface discharge plasma generating source according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The present invention is capable of various modifications and various forms, and specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail in the text. It should be understood, however, that the invention is not intended to be limited to the particular forms disclosed, but includes all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention. Like reference numerals are used for like elements in describing each drawing. In the accompanying drawings, the dimensions of the structures are enlarged to illustrate the present invention in order to clarify the present invention.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. The terms first, second, etc. may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, the first component may be referred to as a second component, and similarly, the second component may also be referred to as a first component.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used in this application is used only to describe a specific embodiment and is not intended to limit the invention. The singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In this application, the terms "comprises", "having", and the like are used to specify that a feature, a number, a step, an operation, an element, a part or a combination thereof is described in the specification, But do not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Terms such as those defined in commonly used dictionaries are to be interpreted as having a meaning consistent with the contextual meaning of the related art and are to be interpreted as either ideal or overly formal in the sense of the present application Do not.
도 1은 본 발명에 따른 적층형 면방전 플라즈마 발생 소스를 설명하기 위한 단면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a stacked surface discharge plasma generating source according to the present invention.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 적층형 면방전 플라즈마 발생 소스는, 베이스 전극(110), 유전층(120), 플로팅 전극모듈(130)을 포함한다.Referring to FIG. 1, a stacked surface discharge plasma generating source according to the present invention includes a
베이스 전극(110)은 유전층(120) 및 플로팅 전극모듈(130)과의 적층 구조에서 최하부에 위치하는 전극이다. 베이스 전극(110)에는 제1 전압이 인가될 수 있다. 예를 들면, 제1 전압은 그라운드(ground) 전압일 수 있다. 베이스 전극(110)의 형상에는 특별한 제한은 없으며, 일 예로, 사각의 기판 형태로 이루어질 수 있다. 또한 베이스 전극(110)의 재질에는 특별한 제한은 없으며, 예를 들면, 스테인레스 재질일 수 있다.The
유전층(120)은 베이스 전극(110)의 형상 및 크기에 대응하는 형상 및 크기로 베이스 전극(110)의 상면에 적층될 수 있다. 유전층(120)의 재질은 베이스 전극(110) 및 플로팅 전극모듈(130)을 물리적 및 전기적으로 절연시킬 수 있는 재질일 수 있고, 예를 들면, 세라믹 재질일 수 있다.The
플로팅 전극모듈(130)은 둘 이상의 플로팅 전극(131) 및 플로팅 전극들 사이에 면접하여 배치되는 유전체(132)가 조합되어 모듈 형태로 구비될 수 있고, 유전층(120) 상에 적층된다.The
둘 이상의 플로팅 전극(131)에는 베이스 전극(110)에 인가되는 제1 전압과 크기가 다른 제2 전압, 예를 들면, 플로팅 전극(131) 간의 방전이 가능한 고전압이 인가될 수 있고, 상부로 적층되는 플로팅 전극(131)은 하부에 위치한 플로팅 전극(131)으로부터 플로팅되어 있다. 여기서, 전기적으로 플로팅되어 있다는 것은 두 전극이 물리적으로는 유전체(132)와 접하여 있으나 도선을 통해 연결되지 않고 유전체(132)를 통해 이격되어 있는 상태를 의미한다. A second voltage having a different magnitude from the first voltage applied to the
유전체(132)는 플로팅 전극모듈(130)의 각각의 플로팅 전극(131)에 대응하는 형상 및 크기로 적층될 수 있다. 유전체(132)는 서로 평행하게 위치한 플로팅 전극(131) 대 플로팅 전극(131)의 사이에서 두 전극을 물리적 및 전기적으로 절연시킬 수 있는 재질일 수 있다. 예를 들면, 세라믹 재질일 수 있다.The dielectric 132 may be stacked in a shape and size corresponding to the respective
둘 이상의 플로팅 전극(131) 및 유전체(132)는 베이스 전극(110) 및 유전층(120)의 적층 방향을 따라 교대로 적층된다. 즉, 순차적으로 플로팅 전극(131), 유전체(132), 플로팅 전극(131)이 교대로 적층된다. 둘 이상의 플로팅 전극(131) 및 유전체(132)의 적층 개수는, 플로팅 전극(131)은 2n개이고, 유전체(132)는 2n-1개이다. 여기서, n은 1이상의 자연수이다.Two or more
이러한 플로팅 전극모듈(130)의 형상에는 특별한 제한은 없으며, 예를 들면, 플로팅 전극모듈(130)의 평면 형상이 원, 막대, 다각형 등의 형상으로 구비될 수 있다. The shape of the
또한, 플로팅 전극모듈(130)은 유전층(120) 상에 일정 패턴으로 둘 이상 분포하여 위치할 수 있다. 상기 패턴의 형태에는 특별한 제한은 없으며, 예를 들면, 각각의 플로팅 전극모듈(130)이 일정 간격으로 병렬 배열되는 형태로 분포하여 위치할 수 있다. 이러한 경우, 각각의 플로팅 전극모듈(130)은 제2 전압이 인가되기 위해 각각의 플로팅 전극모듈(130)의 최상층에 위치한 플로팅 전극(131)에 각각 도선을 연결하여 제2 전압을 인가시키는 형태로 구성될 수도 있고, 또는 각각의 플로팅 전극모듈(130)의 최상층에 위치한 플로팅 전극(131)이 서로 연결되어 하나의 플로팅 전극모듈(130)에 제2 전압을 인가하면 나머지 플로팅 전극모듈(130)들에도 제2 전압이 전달될 수 있는 형태로 구비될 수도 있다.The
도 2는 본 발명에 따른 적층형 면방전 플라즈마 발생 소스의 일 실시 형태를 나타낸 사시도이다.2 is a perspective view showing one embodiment of a stacked surface discharge plasma generating source according to the present invention.
도 2를 참조하면, 베이스 전극(110)은 사각의 기판 형태로 구비될 수 있고, 베이스 전극(110)의 위로 적층된 유전층(120)은 베이스 전극(110)과 동일한 기판 형태로 구비될 수 있다.Referring to FIG. 2, the
유전층(120) 상에 적층되는 플로팅 전극모듈(130)은 다수일 수 있고, 각각의 플로팅 전극모듈(130)은 바 형태를 이루어 등간격으로 병렬로 배열될 수 있다. 각각의 플로팅 전극모듈(130)은 3개의 플로팅 전극(131) 및 2개의 유전체(132)가 교대로 적층된 형태일 수 있다. 이러한 플로팅 전극(131) 및 유전체(132)의 적층 개수는 예시적인 형태일 뿐 더 많은 개수로 적층될 수 있다.A plurality of
이러한 각각의 플로팅 전극모듈(130)의 배열 형태에서 각각의 플로팅 전극모듈(130)을 구성하는 플로팅 전극(131) 및 유전체(132)는 전극 대 전극, 유전체 대 유전체를 연결하는 일체형의 각각의 연결부(131a, 132a)를 통해 연결될 수 있다.The floating
이러한 본 발명에 따른 적층형 면방전 플라즈마 발생 소스는 베이스 전극(110) 및 플로팅 전극모듈(130)의 최상층에 위치한 플로팅 전극(131)에 각각 제1 전압 및 제2 전압을 인가하면 플로팅 전극모듈(130) 주위에 방전이 일어나고, 이에 따라 유전층(120) 및 유전층(120)과 접한 최하부 플로팅 전극(131)으로부터 최상부 플로팅 전극(131) 방향으로 플라즈마 발생 영역(10)이 연속된다. 여기서, 베이스 전극(110) 및 플로팅 전극모듈(130)의 최상층에 위치한 플로팅 전극(131)에 인가되는 전압은 교류 전압일 수 있다. When the first voltage and the second voltage are respectively applied to the
플로팅 전극(131) 주위에 발생되는 방전은 플로팅 전극(131)의 적층 방향을 따라 발생된다. 즉, 유전체(132)를 사이에 두고 적층되어 있는 플로팅 전극(131)들 사이에 방전이 발생된다. 따라서, 플로팅 전극(131)의 적층 개수에 따라 방전 범위는 확대되어 플라즈마 발생 영역(10)이 확대된 방전 범위에 따라 연속된다.The discharge generated around the floating
이러한 본 발명에 따른 적층형 면방전 플라즈마 발생 소스는 플로팅 전극모듈(130)의 플로팅 전극(131)의 적층 개수에 따라 방전 범위가 확대되므로 플라즈마 발생 가능한 방전 부피가 플로팅 전극(131) 및 유전체(132)의 적층 방향에 평행한 높이 방향으로 확대될 수 있다. Since the discharge range of the stacked surface discharge plasma generating source according to the present invention is increased according to the number of stacking of the floating
또한, 플로팅 전극모듈(130)은 유전층(120) 상에 일정 패턴으로 다수 분포하여 위치할 수 있으므로 상기 높이 방향에 수직하는 수평 방향으로도 방전 부피가 확대될 수 있다.Also, since the floating
따라서, 플라즈마 생성 범위가 수평면에 평행한 수평 방향 및 수평면에 수직한 높이 방향으로 확대될 수 있고, 플라즈마 생성 범위가 수평 방향 및 높이 방향으로 확대됨에 따라 대면적 또는 대용량의 피처리 대상에 대한 플라즈마 처리가 가능한 이점이 있다.Therefore, the plasma generation range can be expanded in the horizontal direction parallel to the horizontal plane and in the height direction perpendicular to the horizontal plane, and as the plasma generation range expands in the horizontal direction and the height direction, the plasma processing for the large- .
또한, 플로팅 전극(131) 및 유전체(132)의 적층 개수에 따라 방전 부피가 상기 높이 방향으로 증가하므로 플로팅 전극(131) 및 유전체(132)의 적층 개수를 조절하여 방전 부피를 조절할 수도 있는 이점이 있다.In addition, since the discharge volume increases in the height direction according to the number of lamination of the floating
제시된 실시예들에 대한 설명은 임의의 본 발명의 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 이용하거나 또는 실시할 수 있도록 제공된다. 이러한 실시예들에 대한 다양한 변형들은 본 발명의 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명백할 것이며, 여기에 정의된 일반적인 원리들은 본 발명의 범위를 벗어남이 없이 다른 실시예들에 적용될 수 있다. 그리하여, 본 발명은 여기에 제시된 실시예들로 한정되는 것이 아니라, 여기에 제시된 원리들 및 신규한 특징들과 일관되는 최광의의 범위에서 해석되어야 할 것이다.The description of the disclosed embodiments is provided to enable any person skilled in the art to make or use the present invention. Various modifications to these embodiments will be readily apparent to those skilled in the art, and the generic principles defined herein may be applied to other embodiments without departing from the scope of the invention. Thus, the present invention is not intended to be limited to the embodiments shown herein but is to be accorded the widest scope consistent with the principles and novel features presented herein.
Claims (6)
상기 베이스 전극의 상면에 적층되어 있는 유전층; 및
상기 유전층 상면에 적층되어 있는 플로팅 전극모듈을 포함하고,
상기 플로팅 전극모듈은 둘 이상의 플로팅 전극 및 하나 이상의 유전체가 상기 유전층의 상면에서 상기 플로팅 전극을 시작으로 하여 교대로 적층되어 구성되고,
상기 베이스 전극 및 상기 플로팅 전극모듈에서 최상층에 위치한 플로팅 전극 사이에 고전압이 인가되고,
상기 고전압이 인가되면 상기 유전층 및 유전층과 접한 최하부 플로팅 전극으로부터 최상부 플로팅 전극 방향으로 플라즈마 발생 영역이 연속되는 것을 특징으로 하는,
적층형 면방전 플라즈마 발생 소스.A base electrode having a predetermined area;
A dielectric layer laminated on the upper surface of the base electrode; And
And a floating electrode module laminated on the upper surface of the dielectric layer,
Wherein the floating electrode module comprises at least two floating electrodes and at least one dielectric layer alternately stacked on the top surface of the dielectric layer starting with the floating electrode,
A high voltage is applied between the base electrode and the floating electrode located on the uppermost layer in the floating electrode module,
Wherein the plasma generating region is continuous from the lowermost floating electrode contacting the dielectric layer and the dielectric layer toward the uppermost floating electrode when the high voltage is applied.
Stacked surface discharge plasma generation source.
상기 플로팅 전극모듈은 둘 이상이 상기 유전층 상에 일정 패턴으로 분포하여 위치하는 것을 특징으로 하는,
적층형 면방전 플라즈마 발생 소스.The method according to claim 1,
Wherein at least two of the floating electrode modules are distributed in a predetermined pattern on the dielectric layer.
Stacked surface discharge plasma generation source.
상기 플로팅 전극모듈이 다수인 경우 각각의 플로팅 전극모듈은 상기 제2 전압이 전달되도록 서로 연결되는 것을 특징으로 하는,
적층형 면방전 플라즈마 발생 소스.3. The method of claim 2,
Wherein when the plurality of floating electrode modules are plural, each floating electrode module is connected to each other to transfer the second voltage.
Stacked surface discharge plasma generation source.
상기 유전체는 세라믹이고, 상기 플로팅 전극은 스테인레스인 것을 특징으로 하는,
적층형 면방전 플라즈마 발생 소스.The method according to claim 1,
Characterized in that the dielectric is a ceramic and the floating electrode is stainless steel.
Stacked surface discharge plasma generation source.
상기 플로팅 전극 및 유전체의 적층개수는,
상기 플로팅 전극은 2n개이고, 유전체는 2n-1개이고,
상기 n은 1이상의 자연수인 것을 특징으로 하는,
적층형 면방전 플라즈마 발생 소스.The method according to claim 1,
The number of stacked layers of the floating electrode and the dielectric may be,
The floating electrode is 2n, the dielectric is 2n-1,
Wherein n is a natural number of 1 or more,
Stacked surface discharge plasma generation source.
상기 플라즈마 발생 소스는 살균을 요하는 피처리 대상의 살균, 농수산물 및 식품의 저장 및 유통을 위해 이용되는 것을 특징으로 하는,
적층형 면방전 플라즈마 발생 소스.The method according to claim 1,
Characterized in that the plasma generating source is used for sterilization of an object to be sterilized, for storage and distribution of agricultural and marine products and foods,
Stacked surface discharge plasma generation source.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020160178849A KR101952484B1 (en) | 2016-12-26 | 2016-12-26 | Stacked type surface discharge plasma generating source |
| PCT/KR2017/015445 WO2018124681A1 (en) | 2016-12-26 | 2017-12-26 | Laminated surface discharge plasma generation source |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020160178849A KR101952484B1 (en) | 2016-12-26 | 2016-12-26 | Stacked type surface discharge plasma generating source |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20180074997A true KR20180074997A (en) | 2018-07-04 |
| KR101952484B1 KR101952484B1 (en) | 2019-05-10 |
Family
ID=62710369
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020160178849A KR101952484B1 (en) | 2016-12-26 | 2016-12-26 | Stacked type surface discharge plasma generating source |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101952484B1 (en) |
| WO (1) | WO2018124681A1 (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20210012488A (en) * | 2019-07-25 | 2021-02-03 | 김민환 | Cold Micro Plasma Generator |
| KR20220013117A (en) * | 2020-07-24 | 2022-02-04 | 주식회사 캐스트 | Smart sterilization storage system |
| WO2022045546A1 (en) * | 2020-08-27 | 2022-03-03 | 주식회사 캐스트 | Low temperature microplasma ozone generating apparatus |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4090841B2 (en) * | 2002-10-25 | 2008-05-28 | 株式会社真空デバイス | Electrode for plasma CVD |
| KR20120032894A (en) * | 2010-09-29 | 2012-04-06 | 김영귀 | Apparatus for generating atmospheric pressure plasma and method for removing air pollutants using the same |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5197036B2 (en) * | 2008-01-23 | 2013-05-15 | 株式会社ピュアロンジャパン | Plasma generator |
| JP5445966B2 (en) * | 2010-06-30 | 2014-03-19 | 国立大学法人名古屋大学 | Water treatment method and water treatment apparatus |
| JP6008359B2 (en) * | 2012-03-30 | 2016-10-19 | 公立大学法人大阪市立大学 | In-liquid plasma generation apparatus, liquid to be treated purification apparatus, and ion-containing liquid generation apparatus |
-
2016
- 2016-12-26 KR KR1020160178849A patent/KR101952484B1/en active IP Right Grant
-
2017
- 2017-12-26 WO PCT/KR2017/015445 patent/WO2018124681A1/en active Application Filing
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4090841B2 (en) * | 2002-10-25 | 2008-05-28 | 株式会社真空デバイス | Electrode for plasma CVD |
| KR20120032894A (en) * | 2010-09-29 | 2012-04-06 | 김영귀 | Apparatus for generating atmospheric pressure plasma and method for removing air pollutants using the same |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20210012488A (en) * | 2019-07-25 | 2021-02-03 | 김민환 | Cold Micro Plasma Generator |
| KR20220013117A (en) * | 2020-07-24 | 2022-02-04 | 주식회사 캐스트 | Smart sterilization storage system |
| WO2022045546A1 (en) * | 2020-08-27 | 2022-03-03 | 주식회사 캐스트 | Low temperature microplasma ozone generating apparatus |
| KR20220027503A (en) * | 2020-08-27 | 2022-03-08 | 주식회사 캐스트 | Cold micro plasma ozone generator |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR101952484B1 (en) | 2019-05-10 |
| WO2018124681A1 (en) | 2018-07-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101952484B1 (en) | Stacked type surface discharge plasma generating source | |
| JP6277493B2 (en) | Plasma generator | |
| JP2021168302A (en) | Electrode row for generating non-thermal plasma, plasma source, and operation method of the plasma source | |
| CN104519992B (en) | Powder plasma processing means | |
| EP1838140A3 (en) | Plasma generation electrode, plasma reactor, and exhaust gas cleaning apparatus | |
| NO20001469L (en) | Multidimensional addressing architecture for electronic devices | |
| US20150022948A1 (en) | Capacitor structure | |
| KR20140071250A (en) | Plasma generating apparatus | |
| JP2020017419A (en) | Plasma generator | |
| JPWO2019049230A1 (en) | Active gas generator | |
| JP6600834B2 (en) | Apparatus and method for generating non-thermal atmospheric pressure plasma | |
| EP2803637B1 (en) | Discharge device | |
| JP2019523057A5 (en) | ||
| CN110754023B (en) | Multilayer electrode assembly | |
| CN108993730B (en) | Plate-like article decomposing device | |
| KR100861559B1 (en) | Atmospheric plasma generating apparatus with the electrode part that has several electrodes on the lower surface of a dielectric coupled to the power applied electrode | |
| US20140265939A1 (en) | Dual Polarity Transmission Line | |
| KR101037009B1 (en) | Capacitor structure | |
| KR102232916B1 (en) | Cold Micro Plasma Generator | |
| JP5996654B2 (en) | Plasma processing equipment | |
| KR102596075B1 (en) | High voltage output apparatus with serial and parallel laminated structure of capacitor | |
| CN112289732B (en) | Substrate processing apparatus | |
| CN101146397B (en) | Processing system and palsm generation device | |
| US20140332513A1 (en) | Device for drilling a substrate and a method for drilling a substrate | |
| WO2016121423A1 (en) | Ozone generator |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |