KR20180074599A - 유기 전계 발광 물질 및 디바이스 - Google Patents

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Abstract

하기 화학식 I을 갖는 제1 리간드 LA를 가진 인광 이미터 화합물이 개시된다:
Figure pat00118
. 내부에 상기 화합물이 포함된 OLED가 또한 개시된다.

Description

유기 전계 발광 물질 및 디바이스{ORGANIC ELECTROLUMINESCENT MATERIALS AND DEVICES}
관련 출원의 상호 참조
본 출원은 2016년 12월 23일자 출원된 미국 가출원 제62/438,840호에 대해 35 U.S.C. §119(e)(1) 하에 우선권을 주장하며, 이의 전체 내용은 본원에서 참고로 포함된다.
본 발명의 분야
본 발명은 이미터로서 사용하기 위한 화합물 및 이것을 포함하는 유기 발광 다이오드와 같은 디바이스에 관한 것이다.
유기 물질을 사용하는 광전자 디바이스는 여러 이유로 인하여 점차로 중요해지고 있다. 이와 같은 디바이스를 제조하는데 사용되는 다수의 물질들은 비교적 저렴하기 때문에, 유기 광전자 디바이스는 무기 디바이스에 비하여 비용 잇점면에서 잠재성을 갖는다. 또한, 유기 물질의 고유한 특성, 예컨대 이의 가요성은 그 유기 물질이 가요성 기판 상에서의 제작과 같은 특정 적용예에 매우 적합하게 할 수 있다. 유기 광전자 디바이스의 예로는 유기 발광 다이오드/디바이스(OLED), 유기 광트랜지스터, 유기 광전지 및 유기 광검출기를 들 수 있다. OLED의 경우, 유기 물질은 통상의 물질에 비하여 성능 면에서의 잇점을 가질 수 있다. 예를 들어, 유기 발광층이 광을 방출하는 파장은 일반적으로 적절한 도펀트로 용이하게 조절될 수 있다.
OLED는 디바이스를 가로질러 전압을 인가할 때 광을 방출하는 유기 박막을 사용한다. OLED는 평판 디스플레이, 조명 및 백라이팅(backlighting)과 같은 적용예의 용도에 있어 점차로 중요해지는 기술이다. 여러가지의 OLED 재료 및 구성은 미국 특허 제5,844,363호, 제6,303,238호 및 제5,707,745호에 기재되어 있으며, 이들 특허 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 포함된다.
인광 방출 분자에 대한 하나의 적용예는 풀 컬러 디스플레이이다. 이러한 디스플레이에 대한 산업적 기준은 "포화" 색상으로 지칭되는 특정 색상을 방출하도록 조정된 픽셀을 필요로 한다. 특히, 이러한 기준은 포화 적색, 녹색 및 청색 픽셀을 필요로 한다. 대안적으로 OLED는 백색 광을 방출하도록 설계될 수 있다. 통상적인 액정 디스플레이에서, 백색 백라이트에서 나온 발광이 흡수 필터를 사용하여 여과되어 적색, 녹색 및 청색 발광을 생성한다. 동일한 기법이 또한 OLED에도 사용될 수 있다. 백색 OLED는 단일 EML 디바이스 또는 스택 구조일 수 있다. 색상은 당업계에 주지된 CIE 좌표를 사용하여 측정될 수 있다.
녹색 발광 분자의 한 예는, Ir(ppy)3으로 표기되는, 하기 구조를 갖는 트리스(2-페닐피리딘) 이리듐이다:
Figure pat00001
본원에서의 이와 같은 화학식 및 하기의 화학식에서, 본 출원인은 질소로부터 금속(여기에서는 Ir)에의 배위 결합을 직선으로 도시한다.
본원에서 사용한 바와 같이, 용어 "유기"는 유기 광전자 디바이스를 제작하는 데 사용될 수 있는 중합체 물질뿐 아니라, 소분자 유기 물질도 포함한다. "소분자"는 중합체가 아닌 임의의 유기 물질을 지칭하며, "소분자"는 실제로 꽤 클 수도 있다. 소분자는 일부의 상황에서는 반복 단위를 포함할 수 있다. 예를 들면, 치환기로서 장쇄 알킬기를 사용하는 것은 "소분자" 유형으로부터 분자를 제외시키지 않는다. 소분자는 또한 예를 들면 중합체 주쇄 상에서의 펜던트 기로서 또는 주쇄의 일부로서 중합체에 혼입될 수 있다. 소분자는 또한 코어 모이어티 상에 생성된 일련의 화학적 셸로 이루어진 덴드리머의 코어 모이어티로서 작용할 수 있다. 덴드리머의 코어 모이어티는 형광 또는 인광 소분자 이미터일 수 있다. 덴드리머는 "소분자"일 수 있으며, OLED 분야에서 현재 사용되는 모든 덴드리머는 소분자인 것으로 여겨진다.
본원에서 사용한 바와 같이, "상단부"는 기판으로부터 가장 멀리 떨어졌다는 것을 의미하며, "하단부"는 기판에 가장 근접하다는 것을 의미한다. 제1층이 제2층의 "상부에 배치되는" 것으로 기재되는 경우, 제1층은 기판으로부터 멀리 떨어져 배치된다. 제1층이 제2층과 "접촉되어 있는" 것으로 명시되지 않는다면 제1층과 제2층 사이에는 다른 층이 존재할 수 있다. 예를 들면, 캐소드와 애노드의 사이에 다양한 유기층이 존재한다고 해도, 캐소드는 애노드의 "상부에 배치되는" 것으로 기재될 수 있다.
본원에서 사용한 바와 같이, "용액 가공성"은 용액 또는 현탁액 형태로 액체 매체에 용해, 분산 또는 수송될 수 있고/있거나 액체 매체로부터 증착될 수 있다는 것을 의미한다.
리간드가 발광 물질의 광활성 특성에 직접적으로 기여하는 것으로 여겨지는 경우, 리간드는 "광활성"으로서 지칭될 수 있다. 보조적 리간드가 광활성 리간드의 특성을 변경시킬 수 있을지라도, 리간드가 발광 물질의 광활성 특성에 기여하지 않는 것으로 여겨지는 경우, 리간드는 "보조적"인 것으로 지칭될 수 있다.
본원에서 사용한 바와 같이, 그리고 일반적으로 당업자가 이해하고 있는 바와 같이, 제1 에너지 준위가 진공 에너지 준위에 더 근접하는 경우, 제1 "최고 점유 분자 궤도"(HOMO) 또는 "최저 비점유 분자 궤도"(LUMO) 에너지 준위는 제2 HOMO 또는 LUMO 에너지 준위보다 "더 크거나" 또는 "더 높다". 이온화 전위(IP)가 진공 준위에 대하여 음의 에너지로서 측정되므로, 더 높은 HOMO 에너지 준위는 더 작은 절댓값을 갖는 IP(더 적게 음성인 IP)에 해당한다. 마찬가지로, 더 높은 LUMO 에너지 준위는 절댓값이 더 작은 전자 친화도(EA)(더 적게 음성인 EA)에 해당한다. 상단부에서 진공 준위를 갖는 통상의 에너지 준위 다이아그램에서, 물질의 LUMO 에너지 준위는 동일한 물질의 HOMO 에너지 준위보다 더 높다. "더 높은" HOMO 또는 LUMO 에너지 준위는 "더 낮은" HOMO 또는 LUMO 에너지 준위보다 상기 다이아그램의 상단부에 더 근접하게 나타난다.
본원에서 사용한 바와 같이, 그리고 일반적으로 당업자가 이해하는 바와 같이, 제1 일함수의 절댓값이 더 클 경우, 제1 일함수는 제2 일함수보다 "더 크거나" 또는 "더 높다". 일함수는 일반적으로 진공 준위에 대하여 음의 수로서 측정되므로, 이는 "더 높은" 일함수가 더 음성임을 의미한다. 상단부에서 진공 준위를 갖는 통상의 에너지 준위 다이아그램에서, "더 높은" 일함수는 진공 준위로부터 아래 방향으로 더 먼 것으로서 예시된다. 따라서, HOMO 및 LUMO 에너지 준위의 정의는 일함수와는 상이한 관례를 따른다.
OLED에 대한 더욱 상세한 내용 및 전술한 정의는, 미국 특허 제7,279,704호에서 찾을 수 있으며, 이의 전문은 본원에 참고로 포함된다.
하기 화학식 I을 갖는 제1 리간드 LA를 포함하는 화합물이 개시된다:
Figure pat00002
화학식 I에서, 고리 A는 5원 또는 6원 방향족 고리이고; R은 일치환 내지 최대 가능한 수의 치환, 또는 비치환을 나타내고; Z1 내지 Z5는 각각 독립적으로 질소 원자 또는 Z1에 대해 CR1, Z2에 대해 CR2, Z3에 대해 CR3, Z4에 대해 CR4, 및 Z5에 대해 CR5이고; 각각의 R, R1 내지 R5는 독립적으로 수소, 중수소, 할라이드, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카보닐, 카복실산, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 설파닐, 설피닐, 설포닐, 포스피노, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되고; 임의의 인접한 R, R2 내지 R4는 경우에 따라 결합되거나 융합되어 고리가 되고; Z1 및 Z5 중 적어도 하나는 질소가 아니고; 하기 조건 (1), (2), 및 (3) 중 적어도 하나가 성립되며:
(1) Z1은 N, CH, 또는 CD이고; Z5는 CR5이고, R5는 시클로알킬, 아릴, 헤테로아릴, 이들의 치환된 변이체, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택됨;
(2) Z5는 N, CH, 또는 CD이고; Z1은 CR1이고, R1은 시클로알킬, 치환된 시클로알킬, 알킬-치환된 아릴, 및 알킬-치환된 헤테로아릴로 이루어진 군으로부터 선택됨; 및
(3) R3은 아릴, 헤테로아릴, 이들의 치환된 변이체, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되고; R1은 불소, 알킬, 부분 플루오르화 알킬, 부분 플루오르화 시클로알킬, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택됨;
리간드 LA는 금속 M에 배위 결합되고;
금속 M은 다른 리간드에 배위 결합될 수 있고;
리간드 LA는 경우에 따라 다른 리간드와 결합되어 3좌, 4좌, 5좌 또는 6좌 리간드를 구성한다.
유기 발광 디바이스(OLED)가 또한 개시되며, 여기서, OLED는 애노드; 캐소드; 및 화학식 I을 갖는 제1 리간드 LA를 포함하는 화합물을 포함하는, 애노드와 캐소드 사이에 배치된 유기층;을 포함한다:
Figure pat00003
OLED를 포함하는 소비자 제품이 또한 개시된다.
도 1은 유기 발광 디바이스를 나타낸다.
도 2는 별도의 전자 수송층을 갖지 않는 역전된 유기 발광 디바이스를 나타낸다.
일반적으로, OLED는 애노드와 캐소드 사이에 배치되어 이에 전기 접속되는 하나 이상의 유기층을 포함한다. 전류가 인가되면, 애노드는 유기층(들)에 정공을 주입하고, 캐소드는 전자를 주입한다. 주입된 정공 및 전자는 각각 반대로 하전된 전극을 향하여 이동한다. 전자와 정공이 동일한 분자상에 편재화될 경우, 여기된 에너지 상태를 갖는 편재화된 전자-정공 쌍인 "엑시톤"이 생성된다. 엑시톤이 광방출 메카니즘을 통해 이완될 경우 광이 방출된다. 일부의 경우에서, 엑시톤은 엑시머 또는 엑시플렉스 상에 편재화될 수 있다. 비-방사 메카니즘, 예컨대 열 이완이 또한 발생할 수 있으나, 일반적으로 바람직하지 않은 것으로 간주된다.
초기 OLED는 예를 들면 미국 특허 제4,769,292호에 개시된 바와 같은 단일항 상태로부터 광("형광")을 방출하는 발광 분자를 사용하였으며, 상기 특허 문헌은 그 전문이 참고로 포함된다. 형광 방출은 일반적으로 10 나노초 미만의 시간 프레임으로 발생한다.
보다 최근에는, 삼중항 상태로부터의 광("인광")을 방출하는 발광 물질을 갖는 OLED가 제시되었다. 문헌[Baldo et al., "Highly Efficient Phosphorescent Emission from Organic Electroluminescent Devices," Nature, vol. 395, 151-154, 1998; ("Baldo-I")] 및 문헌[Baldo et al., "Very high-efficiency green organic light-emitting devices based on electrophosphorescence," Appl. Phys. Lett., vol. 75, No. 3, 4-6 (1999)("Baldo-II")]은 그 전문이 참고로 포함된다. 인광은 참고로 포함되는 미국 특허 제7,279,704호의 컬럼 5-6에 보다 구체적으로 기재되어 있다.
도 1은 유기 발광 디바이스(100)를 나타낸다. 도면은 반드시 축척에 의하여 도시하지는 않았다. 디바이스(100)는 기판(110), 애노드(115), 정공 주입층(120), 정공 수송층(125), 전자 차단층(130), 발광층(135), 정공 차단층(140), 전자 수송층(145), 전자 주입층(150), 보호층(155), 캐소드(160) 및 배리어층(170)을 포함할 수 있다. 캐소드(160)는 제1 전도층(162) 및 제2 전도층(164)을 갖는 화합물 캐소드이다. 디바이스(100)는 기재된 순서로 층을 증착시켜 제작될 수 있다. 이들 다양한 층뿐 아니라, 예시 물질의 특성 및 기능은 참고로 포함되는 US 제7,279,704호의 컬럼 6-10에 보다 구체적으로 기재되어 있다.
이들 층 각각에 대한 더 많은 예도 이용 가능하다. 예를 들면 가요성이고 투명한 기판-애노드 조합은 미국 특허 제5,844,363호에 개시되어 있으며, 이 특허 문헌은 그 전문이 참고로 포함된다. p-도핑된 정공 수송층의 한 예는 미국 특허 출원 공개 공보 제2003/0230980호에 개시된 바와 같이, 50:1의 몰비로 F4-TCNQ로 도핑된 m-MTDATA이며, 이 특허 문헌은 그 전문이 참고로 포함된다. 발광 및 호스트 물질의 예는 미국 특허 제6,303,238호(Thompson 등)에 개시되어 있으며, 이 특허 문헌은 그 전문이 참고로 포함된다. n-도핑된 전자 수송층의 예는 미국 특허 출원 공개 공보 제2003/0230980호에 개시된 바와 같이, 1:1의 몰비로 Li로 도핑된 BPhen이고, 이 특허 문헌은 그 전문이 참고로 포함된다. 그 전문이 참고로 포함되는 미국 특허 제5,703,436호 및 제5,707,745호에는, 적층된 투명, 전기전도성 스퍼터-증착된 ITO 층을 갖는 Mg:Ag와 같은 금속의 박층을 갖는 화합물 캐소드를 비롯한 캐소드의 예가 개시되어 있다. 차단층의 이론 및 용도는 미국 특허 제6,097,147호 및 미국 특허 출원 공개 공보 제2003/0230980호에 보다 구체적으로 기재되어 있으며, 이들 특허 문헌은 그 전문이 참고로 포함된다. 주입층의 예는 미국 특허 출원 공개 공보 제2004/0174116호에 제공되어 있으며, 이 특허 문헌은 그 전문이 참고로 포함된다. 보호층의 설명은 미국 특허 출원 공개 공보 제2004/0174116호에서 찾아볼 수 있으며, 이 특허 문헌은 그 전문이 참고로 포함된다.
도 2는 역전된 OLED(200)를 나타낸다. 디바이스는 기판(210), 캐소드(215), 발광층(220), 정공 수송층(225) 및 애노드(230)를 포함한다. 디바이스(200)는 기재된 순서로 층을 증착시켜 제작될 수 있다. 가장 흔한 OLED 구성이 애노드의 위에 캐소드가 배치되어 있는 것이고, 디바이스(200)는 애노드(230)의 아래에 배치된 캐소드(215)를 갖고 있으므로, 디바이스(200)는 "역전된" OLED로 지칭될 수 있다. 디바이스(100)에 관하여 기재된 것과 유사한 물질이 디바이스(200)의 해당 층에 사용될 수 있다. 도 2는 디바이스(100)의 구조로부터 일부 층이 어떻게 생략될 수 있는지의 일례를 제공한다.
도 1 및 도 2에 도시된 단순 적층된 구조는 비제한적인 예로서 제공되며, 본 발명의 실시양태는 다양한 기타의 구조와 관련하여 사용될 수 있는 것으로 이해된다. 기재된 특정한 물질 및 구조는 사실상 예시를 위한 것이며, 기타의 물질 및 구조도 사용될 수 있다. 기능성 OLED는 기재된 다양한 층을 상이한 방식으로 조합하여 달성될 수 있거나, 또는 층은 디자인, 성능 및 비용 요인에 기초하여 전적으로 생략될 수 있다. 구체적으로 기재되지 않은 기타의 층도 또한 포함될 수 있다. 구체적으로 기재된 물질과 다른 물질을 사용할 수 있다. 본원에 제공된 다수의 예가 단일 물질을 포함하는 것으로 다양한 층을 기재하기는 하나, 물질의 조합, 예컨대 호스트와 도펀트의 혼합물, 또는 보다 일반적으로 혼합물을 사용할 수 있는 것으로 이해된다. 또한, 층은 다양한 하부층을 가질 수 있다. 본원에서 다양한 층에 제시된 명칭은 엄격하게 제한하고자 하는 것은 아니다. 예를 들면, 디바이스(200)에서, 정공 수송층(225)은 정공을 수송하고 정공을 발광층(220)에 주입하며, 정공 수송층 또는 정공 주입층으로서 기재될 수 있다. 한 실시양태에서, OLED는 캐소드와 애노드 사이에 배치된 "유기층"을 갖는 것으로 기재될 수 있다. 이러한 유기층은 단일 층을 포함할 수 있거나, 또는 예를 들면 도 1 및 도 2와 관련하여 기재된 바와 같은 상이한 유기 물질들의 복수의 층을 더 포함할 수 있다.
구체적으로 기재하지 않은 구조 및 물질, 예컨대 미국 특허 제5,247,190호(Friend 등)에 개시된 바와 같은 중합체 물질을 포함하는 OLED(PLED)를 또한 사용할 수 있으며, 이 특허 문헌은 그 전문이 참고로 포함된다. 추가의 예로서, 단일 유기층을 갖는 OLED를 사용할 수 있다. OLED는 예를 들면 미국 특허 제5,707,745호(Forrest 등)에 기재된 바와 같이 적층될 수 있으며, 이 특허 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 포함된다. OLED 구조는 도 1 및 도 2에 도시된 단순 적층된 구조로부터 벗어날 수 있다. 예를 들면, 기판은 미국 특허 제6,091,195호(Forrest 등)에 기재된 바와 같은 메사형(mesa) 구조 및/또는 미국 특허 제5,834,893호(Bulovic 등)에 기재된 피트형(pit) 구조와 같은 아웃-커플링(out-coupling)을 개선시키기 위한 각진 반사면을 포함할 수 있으며, 이들 특허 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 포함된다.
반대의 의미로 명시하지 않는 한, 다양한 실시양태의 임의의 층은 임의의 적합한 방법에 의하여 증착될 수 있다. 유기층의 경우, 바람직한 방법으로는 미국 특허 제6,013,982호 및 제6,087,196호(이 특허 문헌들은 그 전문이 참고로 포함됨)에 기재된 바와 같은 열 증발, 잉크-제트, 미국 특허 제6,337,102호(Forrest 등)(이 특허 문헌은 그 전문이 참고로 포함됨)에 기재된 바와 같은 유기 기상 증착(OVPD) 및 미국 특허 제7,431,968호(이 특허 문헌은 그 전문이 참고로 포함됨)에 기재된 바와 같은 유기 증기 제트 프린팅(OVJP)에 의한 증착을 들 수 있다. 기타의 적합한 증착 방법은 스핀 코팅 및 기타의 용액계 공정을 포함한다. 용액계 공정은 질소 또는 불활성 분위기 중에서 실시되는 것이 바람직하다. 기타의 층의 경우, 바람직한 방법은 열 증발을 포함한다. 바람직한 패턴 형성 방법은 마스크를 통한 증착, 미국 특허 제6,294,398호 및 제6,468,819호(이 특허 문헌들은 그 전문이 참고로 포함됨)에 기재된 바와 같은 냉간 용접 및 잉크-제트 및 OVJP와 같은 일부 증착 방법과 관련된 패턴 형성을 포함한다. 다른 방법들도 또한 사용될 수 있다. 증착시키고자 하는 물질은 특정한 증착 방법과 상용성을 갖도록 변형될 수 있다. 예를 들면, 분지형 또는 비분지형, 바람직하게는 3개 이상의 탄소를 포함하는 알킬 및 아릴기와 같은 치환기는 소분자에 사용되어 이의 용액 가공 처리 능력을 향상시킬 수 있다. 20개 이상의 탄소를 갖는 치환기를 사용할 수 있으며, 3개 내지 20개의 탄소가 바람직한 범위이다. 비대칭 물질은 더 낮은 재결정화 경향성을 가질 수 있기 때문에, 비대칭 구조를 갖는 물질은 대칭 구조를 갖는 물질보다 더 우수한 용액 가공성을 가질 수 있다. 덴드리머 치환기를 사용하여 소분자의 용액 가공 처리 능력을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 실시양태에 따라 제작된 디바이스는 배리어층을 임의로 더 포함할 수 있다. 배리어층의 한 목적은 전극 및 유기층이 수분, 증기 및/또는 기체 등을 포함하는 환경에서 유해한 종에 대한 노출로 인하여 손상되지 않도록 보호하는 것이다. 배리어층은 엣지를 포함하는 디바이스의 임의의 기타 부분의 위에서, 전극 또는, 기판의 위에서, 기판의 아래에서 또는 기판의 옆에서 증착될 수 있다. 배리어층은 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다. 배리어층은 다양한 공지의 화학 기상 증착 기법에 의하여 형성될 수 있으며 복수의 상을 갖는 조성물뿐 아니라 단일 상을 갖는 조성물을 포함할 수 있다. 임의의 적합한 물질 또는 물질의 조합을 배리어층에 사용할 수 있다. 배리어층은 무기 또는 유기 화합물 또는 둘 다를 포함할 수 있다. 바람직한 배리어층은 미국 특허 제7,968,146호, PCT 특허 출원 번호 PCT/US2007/023098 및 PCT/US2009/042829에 기재된 바와 같은 중합체 물질 및 비-중합체 물질의 혼합물을 포함하며, 이들 문헌은 본원에 그 전문이 참고로 포함된다. "혼합물"로 간주되기 위해, 배리어층을 포함하는 전술한 중합체 및 비-중합체 물질은 동일한 반응 조건 하에서 및/또는 동일한 시간에 증착되어야만 한다. 중합체 대 비-중합체 물질의 중량비는 95:5 내지 5:95 범위 내일 수 있다. 중합체 및 비-중합체 물질은 동일한 전구체 물질로부터 생성될 수 있다. 한 예에서, 중합체 및 비-중합체 물질의 혼합물은 본질적으로 중합체 규소 및 무기 규소로 이루어진다.
본 발명의 실시양태에 따라 제작된 디바이스는 다양한 전자 제품 또는 중간 부품 내에 포함될 수 있는 광범위하게 다양한 전자 부품 모듈(또는 유닛) 내에 포함될 수 있다. 이러한 전자 제품 또는 중간 부품의 예는 디스플레이 스크린, 발광 디바이스, 예컨대 개별 광원 디바이스 또는 최종 소비자 제품 생산자에 의해 사용될 수 있는 조명 패널 등을 포함한다. 이러한 전자 부품 모듈은 임의로 구동 전자 장치 및/또는 동력원(들)을 포함할 수 있다. 본 발명의 실시양태에 따라 제작된 디바이스는 하나 이상의 전자 부품 모듈(또는 유닛)을 그 안에 포함하는 광범위하게 다양한 소비자 제품 내에 포함될 수 있다. OLED 내 유기층에 본 개시내용의 화합물을 포함하는 OLED를 포함하는 소비자 제품이 개시된다. 이러한 소비자 제품은 하나 이상의 광원(들) 및/또는 하나 이상의 어떤 종류의 영상 디스플레이를 포함하는 임의 종류의 제품을 포함할 것이다. 이러한 소비자 제품의 일부 예는 평판 디스플레이, 컴퓨터 모니터, 의료용 모니터, 텔레비젼, 광고판, 실내 또는 실외 조명 및/또는 신호용 라이트, 헤드업 디스플레이(heads-up display), 완전 또는 부분 투명 디스플레이, 플렉시블 디스플레이, 레이저 프린터, 전화기, 휴대전화, 태블릿, 패블릿, 개인용 정보 단말기(PDA), 웨어러블 디바이스, 랩탑 컴퓨터, 디지털 카메라, 캠코더, 뷰파인더, 마이크로디스플레이(대각선으로 2인치 미만인 디스플레이), 3-D 디스플레이, 가상 현실 또는 증강 현실 디스플레이, 차량, 함께 타일링된 다수의 디스플레이를 포함하는 비디오 월, 극장 또는 스타디움 스크린 및 간판을 포함한다. 패시브 매트릭스 및 액티브 매트릭스를 비롯한 다양한 조절 메카니즘을 사용하여 본 발명에 따라 제작된 디바이스를 조절할 수 있다. 다수의 디바이스는 사람에게 안락감을 주는 온도 범위, 예컨대 18℃ 내지 30℃, 더욱 바람직하게는 실온(20℃ 내지 25℃)에서 사용하고자 하지만, 상기 온도 범위 밖의 온도, 예컨대 -40℃ 내지 +80℃에서도 사용될 수 있다.
본원에 기재된 물질 및 구조는 OLED 이외의 디바이스에서의 적용예를 가질 수 있다. 예를 들면, 기타의 광전자 디바이스, 예컨대 유기 태양 전지 및 유기 광검출기는 상기 물질 및 구조를 사용할 수 있다. 보다 일반적으로, 유기 디바이스, 예컨대 유기 트랜지스터는 상기 물질 및 구조를 사용할 수 있다.
본원에서 사용한 바와 같이, 용어 "할로", "할로겐" 또는 "할라이드"는 불소, 염소, 브롬 및 요오드를 포함한다.
본원에서 사용한 바와 같이, 용어 "알킬"은 직쇄 및 분지쇄 알킬 라디칼을 모두 고려한다. 바람직한 알킬기는 1∼15개의 탄소 원자를 함유하는 것으로서, 메틸, 에틸, 프로필, 1-메틸에틸, 부틸, 1-메틸프로필, 2-메틸프로필, 펜틸, 1-메틸부틸, 2-메틸부틸, 3-메틸부틸, 1,1-디메틸프로필, 1,2-디메틸프로필, 2,2-디메틸프로필 등을 포함한다. 추가로, 알킬기는 임의로 치환될 수 있다.
본원에서 사용한 바와 같이, 용어 "시클로알킬"은 시클릭 알킬 라디칼을 고려한다. 바람직한 시클로알킬기는 3∼10개의 고리 탄소 원자를 함유하는 것으로서, 시클로프로필, 시클로펜틸, 시클로헥실, 아다만틸 등을 포함한다. 추가로, 시클로알킬기는 임의로 치환될 수 있다.
본원에서 사용한 바와 같이, 용어 "알케닐"은 직쇄 및 분지쇄 알켄 라디칼을 모두 고려한다. 바람직한 알케닐기는 2∼15개의 탄소 원자를 함유하는 것이다. 추가로, 알케닐기는 임의로 치환될 수 있다.
본원에서 사용한 바와 같이, 용어 "알키닐"은 직쇄 및 분지쇄 알킨 라디칼을 모두 고려한다. 바람직한 알키닐기는 2∼15개의 탄소 원자를 함유하는 것이다. 추가로, 알키닐기는 임의로 치환될 수 있다.
본원에서 사용한 바와 같이, 용어 "아르알킬" 또는 "아릴알킬"은 교환적으로 사용되며 치환기로서 방향족 기를 갖는 알킬기를 고려한다. 추가로, 아르알킬기는 임의로 치환될 수 있다.
본원에서 사용한 바와 같이, 용어 "헤테로시클릭 기"는 방향족 및 비방향족 시클릭 라디칼을 고려한다. 헤테로방향족 시클릭 라디칼은 또한 헤테로아릴을 지칭한다. 바람직한 헤테로비방향족 시클릭 기는, 하나 이상의 헤테로 원자를 포함하는 3 내지 7개의 고리 원자를 함유하는 것들이며, 모르폴리노, 피페리디노, 피롤리디노 등과 같은 시클릭 아민 및 테트라히드로푸란, 테트라히드로피란 등과 같은 시클릭 에테르를 포함한다. 추가로, 헤테로시클릭 기는 임의로 치환될 수 있다.
본원에서 사용한 바와 같이, 용어 "아릴" 또는 "방향족 기"는 단일 고리 기 및 폴리시클릭 고리계를 고려한다. 폴리시클릭 고리는 2개의 탄소가 두 인접 고리(이들 고리는 "융합됨")에 공통인 2개 이상의 고리를 가질 수 있으며, 여기서, 예를 들면 고리들 중 하나 이상은 방향족이고, 다른 고리들은 시클로알킬, 시클로알케닐, 아릴, 헤테로사이클 및/또는 헤테로아릴일 수 있다. 바람직한 아릴기는 6~30개의 탄소 원자, 바람직하게는 6~20개의 탄소 원자, 더 바람직하게는 6~12개의 탄소 원자를 함유하는 것이다. 6개의 탄소, 10개의 탄소 또는 12개의 탄소를 가진 아릴기가 특히 바람직하다. 적합한 아릴기는 페닐, 비페닐, 트리페닐, 트리페닐렌, 테트라페닐렌, 나프탈렌, 안트라센, 페날렌, 펜안트렌, 플루오렌, 피렌, 크리센, 페릴렌 및 아줄렌, 바람직하게는 페닐, 비페닐, 트리페닐, 트리페닐렌, 플루오렌 및 나프탈렌을 포함한다. 추가로, 아릴기는 임의로 치환될 수 있다.
본원에서 사용한 바와 같이, 용어 "헤테로아릴"은 1∼5개의 헤테로 원자를 포함할 수 있는 단일 고리 헤테로방향족 기를 고려한다. 용어 헤테로아릴은 또한 2개의 원자가 두 인접 고리(이들 고리는 "융합됨")에 공통인 2 이상의 고리를 갖는 폴리시클릭 헤테로방향족계를 포함하며, 여기서, 예를 들면 고리들 중 하나 이상은 헤테로아릴이고, 다른 고리들은 시클로알킬, 시클로알케닐, 아릴, 헤테로사이클 및/또는 헤테로아릴일 수 있다. 바람직한 헤테로아릴기는 3~30개의 탄소 원자, 바람직하게는 3~20개의 탄소 원자, 더 바람직하게는 3~12개의 탄소 원자를 함유하는 것이다. 적합한 헤테로아릴기는 디벤조티오펜, 디벤조푸란, 디벤조셀레노펜, 푸란, 티오펜, 벤조푸란, 벤조티오펜, 벤조셀레노펜, 카바졸, 인돌로카바졸, 피리딜인돌, 피롤로디피리딘, 피라졸, 이미다졸, 트리아졸, 옥사졸, 티아졸, 옥사디아졸, 옥사트리아졸, 디옥사졸, 티아디아졸, 피리딘, 피리다진, 피리미딘, 피라진, 트리아진, 옥사진, 옥사티아진, 옥사디아진, 인돌, 벤즈이미다졸, 인다졸, 인독사진, 벤즈옥사졸, 벤즈이속사졸, 벤조티아졸, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 시놀린, 퀴나졸린, 퀴녹살린, 나프티리딘, 프탈라진, 프테리딘, 크산텐, 아크리딘, 펜아진, 페노티아진, 펜옥사진, 벤조푸로피리딘, 푸로디피리딘, 벤조티에노피리딘, 티에노디피리딘, 벤조셀레노페노피리딘 및 셀레노페노디피리딘, 바람직하게는 디벤조티오펜, 디벤조푸란, 디벤조셀레노펜, 카바졸, 인돌로카바졸, 이미다졸, 피리딘, 트리아진, 벤즈이미다졸, 1,2-아자보린, 1,3-아자보린, 1,4-아자보린, 보라진 및 이의 아자-유사체를 포함한다. 추가로, 헤테로아릴기는 임의로 치환될 수 있다.
알킬, 시클로알킬, 알케닐, 알키닐, 아르알킬, 헤테로시클릭 기, 아릴 및 헤테로아릴은 비치환될 수 있거나 또는 중수소, 할로겐, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 시클릭 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카보닐, 카복실산, 에테르, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 설파닐, 설피닐, 설포닐, 포스피노 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 치환기로 치환될 수 있다.
본원에서 사용한 바와 같이, "치환된"은 H 이외의 치환기가 관련된 위치, 예컨대 탄소에 결합함을 나타낸다. 따라서, 예를 들어, R1이 단일 치환되는 경우, 하나의 R1은 H 이외의 것이어야 한다. 마찬가지로, R1이 이중 치환되는 경우, R1 중 2개는 H 이외의 것이어야 한다. 마찬가지로, R1이 비치환된 경우, R1은 모든 가능한 위치에 대하여 수소이다.
본원에 기재된 분절(fragment), 즉 아자-디벤조푸란, 아자-디벤조티오펜 등에서 "아자" 표기는 각각의 분절에서의 C-H 기 중 하나 이상이 질소 원자로 치환될 수 있다는 것을 의미하며, 예를 들면 아자트리페닐렌은 디벤조[f,h]퀴녹살린 및 디벤조[f,h]퀴놀린 모두를 포함하나, 이에 제한되지 않는다. 당업자는 전술된 아자-유도체의 기타 질소 유사체를 용이하게 고려할 수 있으며, 상기 모든 유사체는 본원에 기술된 용어들을 포괄하는 것으로 의도된다.
분자 분절이 치환기인 것으로 기재되거나 그렇지 않은 경우 또다른 모이어티에 결합되는 것으로 기술되는 경우, 이의 명칭은 분절(예를 들어, 페닐, 페닐렌, 나프틸, 디벤조푸릴)인 것처럼 또는 전체 분자(예를 들어, 벤젠, 나프탈렌, 디벤조푸란)인 것처럼 기재될 수 있는 것으로 이해되어야 한다. 본원에서 사용한 바와 같이, 이러한 치환기 또는 결합된 분절의 상이한 표기 방식은 동등한 것으로 간주된다.
본 개시내용의 일 양태에 따르면, 화학식 I,
Figure pat00004
을 갖는 제1 리간드 LA를 포함하는 화합물이 개시되며, 여기서, 고리 A는 5원 또는 6원 방향족 고리이고; R은 일치환 내지 최대 가능한 수의 치환, 또는 비치환을 나타내고; Z1 내지 Z5는 각각 독립적으로 질소 원자 또는 Z1에 대해 CR1, Z2에 대해 CR2, Z3에 대해 CR3, Z4에 대해 CR4, 및 Z5에 대해 CR5이고; 각각의 R, R1 내지 R5는 독립적으로 수소, 중수소, 할라이드, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카보닐, 카복실산, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 설파닐, 설피닐, 설포닐, 포스피노, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되고; 임의의 인접한 R, R2 내지 R4는 경우에 따라 결합되거나 융합되어 고리가 되고; Z1 및 Z5 중 적어도 하나는 질소가 아니고; 하기 조건 (1), (2), 및 (3) 중 적어도 하나가 성립되며:
(1) Z1은 N, CH, 또는 CD이고; Z5는 CR5이고, R5는 시클로알킬, 아릴, 헤테로아릴, 이들의 치환된 변이체, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택됨;
(2) Z5는 N, CH, 또는 CD이고; Z1은 CR1이고, R1은 시클로알킬, 치환된 시클로알킬, 알킬-치환된 아릴, 및 알킬-치환된 헤테로아릴로 이루어진 군으로부터 선택됨;
(3) R3은 아릴, 헤테로아릴, 이들의 치환된 변이체, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되고; R1은 불소, 알킬, 부분 플루오르화 알킬, 부분 플루오르화 시클로알킬, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택됨;
리간드 LA는 금속 M에 배위 결합되고;
금속 M은 다른 리간드에 배위 결합될 수 있고;
리간드 LA는 경우에 따라 다른 리간드와 결합되어 3좌, 4좌, 5좌 또는 6좌 리간드를 구성한다.
화합물의 일부 실시양태들에서, M은 Ir, Rh, Re, Ru, Os, Pt, Au, 및 Cu로 이루어진 군으로부터 선택된다. 화합물의 일부 실시양태들에서, M은 Ir 또는 Pt이다. 화합물의 일부 실시양태들에서, 화합물은 호모렙틱(homoleptic)이다. 화합물의 일부 실시양태들에서, 화합물은 헤테로렙틱(heteroleptic)이다.
화합물의 일부 실시양태들에서, Z1은 N, CH, 또는 CD이고; Z5는 CR5이고, R5는 시클로알킬, 아릴, 헤테로아릴, 이들의 치환된 변이체, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된다. 화합물의 일부 실시양태들에서, Z5는 N, CH, 또는 CD이고; Z1은 CR1이고, R1은 시클로알킬, 치환된 시클로알킬, 알킬-치환된 아릴, 및 알킬-치환된 헤테로아릴로 이루어진 군으로부터 선택된다. 화합물의 일부 실시양태들에서, R3은 아릴, 헤테로아릴, 이들의 치환된 변이체, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되고; R1은 불소, 알킬, 시클로알킬, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된다. 화합물의 일부 실시양태들에서, Z1 내지 Z5는 질소가 아니다. 화합물의 일부 실시양태들에서, Z1 내지 Z4 중 적어도 하나는 질소이다.
화합물의 일부 실시양태들에서, 고리 A는 벤젠이다.
화합물의 일부 실시양태들에서, 리간드 LA는 하기 화학식으로 이루어진 군으로부터 선택된다:
Figure pat00005
Figure pat00006
화합물의 일부 실시양태들에서, 리간드 LA는 하기 화학식으로 이루어진 군으로부터 선택된다:
Figure pat00007
Figure pat00008
Figure pat00009
Figure pat00010
Figure pat00011
Figure pat00012
Figure pat00013
Figure pat00014
화합물의 일부 실시양태들에서, 화합물은 M(LA)n(LB)m -n의 화학식을 가지고; 여기서, M은 Ir 또는 Pt이고; LB는 2좌 리간드이고; M이 Ir인 경우, m은 3이고, n은 1, 2, 또는 3이고; M이 Pt인 경우, m은 2이고, n은 1 또는 2이다.
M(LA)n(LB)m -n의 화학식을 갖는 화합물의 일부 실시양태들에서, 화합물은 Ir(LA)3의 화학식을 갖는다.
M(LA)n(LB)m -n의 화학식을 갖는 화합물의 일부 실시양태들에서, 화합물은 Ir(LA)(LB)2 또는 Ir(LA)2(LB)의 화학식을 가지고; LB는 LA와 상이하다.
M(LA)n(LB)m -n의 화학식을 갖는 화합물의 일부 실시양태들에서, 화합물은 Pt(LA)(LB)의 화학식을 가지고; LA 및 LB는 동일하거나 상이할 수 있다. 일부 실시양태들에서, LA 및 LB는 연결되어 4좌 리간드를 형성한다. 일부 실시양태들에서, LA 및 LB는 두 위치에서 연결되어 거대환형 4좌 리간드를 형성한다.
M(LA)n(LB)m -n의 화학식을 갖는 화합물의 일부 실시양태들에서, LB는 하기 화학식으로 이루어진 군으로부터 선택된다:
Figure pat00015
Figure pat00016
상기 식에서, 각각의 X1 내지 X13은 독립적으로 탄소 및 질소로 이루어진 군으로부터 선택되고;
X는 BR', NR', PR', O, S, Se, C=O, S=O, SO2, CR'R", SiR'R", 및 GeR'R"로 이루어진 군으로부터 선택되고; 여기서, R' 및 R"는 경우에 따라 융합되거나 결합되어 고리를 형성하고; 각각의 Ra, Rb, Rc, 및 Rd는 일치환 내지 최대 가능한 수의 치환, 또는 비치환을 나타낼 수 있고; R', R", Ra, Rb, Rc, 및 Rd는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할라이드, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카보닐, 카복실산, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 설파닐, 설피닐, 설포닐, 포스피노, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되고;
Ra, Rb, Rc, 및 Rd 중 임의의 2개의 인접한 치환기는 경우에 따라 융합되거나 결합되어 고리를 형성하거나 다좌 리간드를 형성한다.
화합물의 일부 실시양태들에서, LB는 하기 화학식으로 이루어진 군으로부터 선택된다:
Figure pat00017
Figure pat00018
화합물의 일부 실시양태들에서, LB는 하기 화학식:
Figure pat00019
을 갖고, 이하에서 정의된 LB1 내지 LB275로 이루어진 군으로부터 선택된다:
Figure pat00020
Figure pat00021
Figure pat00022
Figure pat00023
Figure pat00024
Figure pat00025
Figure pat00026
Figure pat00027
Figure pat00028
Figure pat00029
Figure pat00030
Figure pat00031
화합물의 일부 실시양태들에서, 화합물은 화학식 Ir(LA k )(LB j )2에 따른 구조를 가지며, 여기서, 화합물은 화합물 x로 이루어진 군으로부터 선택되고, x는 1 내지 53970의 정수이며, 화학식 Ir(LA k )(LB j )2의 각 화합물 x에 대해, k는 1 내지 210의 정수이고, j는 1 내지 275의 정수이고; x = 275k + j - 275, LA1 내지 LA210 및 LB1 내지 LB275는 앞서 정의된 바와 같다.
화합물의 일부 실시양태들에서, 화합물은 화학식 Ir(LA k )2(LB j )에 따른 구조를 가지며, 여기서, 화합물은 화합물 y로 이루어진 군으로부터 선택되고, y는 1 내지 53970의 정수이고, 화학식 Ir(LA k )2(LB j )의 각 화합물 y에 대해, k는 1 내지 210의 정수이고, j는 1 내지 275의 정수이고; x = 210j + k - 210, LA1 내지 LA272 및 LB1 내지 LB275는 앞서 정의된 바와 같다.
또 다른 양태에 따르면, 애노드; 캐소드; 및 애노드와 캐소드 사이에 배치된 유기층을 포함하는 OLED가 개시된다. 유기층은 화학식 I을 갖는 제1 리간드 LA를 포함하는 화합물을 포함한다:
Figure pat00032
상기 식에서, 고리 A는 5원 또는 6원 방향족 고리이고; R은 일치환 내지 최대 가능한 수의 치환, 또는 비치환을 나타내고; Z1 내지 Z5는 각각 독립적으로 질소 원자 또는 Z1에 대해 CR1, Z2에 대해 CR2, Z3에 대해 CR3, Z4에 대해 CR4, 및 Z5에 대해 CR5이고; 각각의 R, R1 내지 R5는 독립적으로 수소, 중수소, 할라이드, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카보닐, 카복실산, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 설파닐, 설피닐, 설포닐, 포스피노, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되고; 임의의 인접한 R, R2 내지 R4는 경우에 따라 연결되거나 융합되어 고리가 되고; Z1 및 Z5 중 적어도 하나는 질소가 아니고; 하기 조건 (1), (2), 및 (3) 중 적어도 하나가 성립되며:
(1) Z1은 N, CH, 또는 CD이고; Z5는 CR5이고, R5는 시클로알킬, 아릴, 헤테로아릴, 이들의 치환된 변이체, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택됨;
(2) Z5는 N, CH, 또는 CD이고; Z1은 CR1이고, R1은 시클로알킬, 치환된 시클로알킬, 알킬-치환된 아릴, 및 알킬-치환된 헤테로아릴로 이루어진 군으로부터 선택됨; 및
(3) R3은 아릴, 헤테로아릴, 이들의 치환된 변이체, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되고; R1은 불소, 알킬, 시클로알킬, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택됨;
리간드 LA는 금속 M에 배위 결합되고;
금속 M은 다른 리간드에 배위 결합될 수 있고;
리간드 LA는 경우에 따라 다른 리간드와 결합되어 3좌, 4좌, 5좌 또는 6좌 리간드를 구성한다.
OLED의 일부 실시양태들에서, 유기층은 발광층이고 화합물은 발광 도펀트 또는 비발광 도펀트이다.
OLED의 일부 실시양태들에서, 유기층은 호스트를 더 포함하고, 여기서, 호스트는 트리페닐렌 함유 벤조 융합된 티오펜 또는 벤조 융합된 푸란을 포함하고; 호스트에서의 임의의 치환기는 CnH2n +1, OCnH2n +1, OAr1, N(CnH2n + 1)2, N(Ar1)(Ar2), CH=CH-CnH2n+1, C≡CCnH2n +1, Ar1, Ar1-Ar2, 및 CnH2n-Ar1로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택된 비융합 치환기이거나, 또는 호스트는 비치환을 가지며; 여기서, n은 1 내지 10이고; Ar1 및 Ar2는 독립적으로 벤젠, 비페닐, 나프탈렌, 트리페닐렌, 카바졸, 및 이들의 헤테로방향족 유사체로 이루어진 군으로부터 선택된다.
OLED의 일부 실시양태들에서, 유기층은 호스트를 더 포함하고, 여기서 호스트는 트리페닐렌, 카바졸, 디벤조티오펜, 디벤조푸란, 디벤조셀레노펜, 아자트리페닐렌, 아자카바졸, 아자-디벤조티오펜, 아자-디벤조푸란, 및 아자-디벤조셀레노펜으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 화학 기를 포함한다.
OLED의 일부 실시양태들에서, 유기층은 호스트를 더 포함하고, 여기서 호스트는 하기 화학식 및 이들의 조합으로 이루어진 호스트 화합물 군으로부터 선택된다:
Figure pat00033
Figure pat00034
OLED의 일부 실시양태들에서, 유기층은 호스트를 더 포함하고, 여기서 호스트는 금속 착물을 포함한다.
또 다른 양태에 따르면, 본원에서 정의된 OLED를 포함하는 소비자 제품이 또한 개시된다.
일부 실시양태에서, OLED는 가요성, 롤링 가능성, 폴딩 가능성, 스크레치 가능성, 및 굴곡성으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 특성을 갖는다. 일부 실시양태에서, OLED는 투명 또는 반투명이다. 일부 실시양태에서, OLED는 탄소 나노튜브를 포함하는 층을 추가로 포함한다.
일부 실시양태에서, OLED는 지연 형광 이미터를 포함하는 층을 추가로 포함한다. 일부 실시양태에서, OLED는 RGB 픽셀 배열 또는 백색 플러스 컬러 필터 픽셀 배열을 포함한다. 일부 실시양태에서, OLED는 모바일 디바이스, 핸드 헬드 디바이스, 또는 웨어러블 디바이스이다. 일부 실시양태에서, OLED는 대각선 10 인치 또는 50 인치 제곱 면적 미만을 갖는 디스플레이 패널이다. 일부 실시양태에서, OLED는 대각선 10 인치 또는 50 인치 제곱 면적 이상을 갖는 디스플레이 패널이다. 일부 실시양태에서, OLED는 조명 패널이다.
OLED에서의 발광 영역이 개시된다. 발광 영역은 화학식 I,
Figure pat00035
을 갖는 제1 리간드 LA를 포함하는 화합물을 포함하고, 여기서, 고리 A는 5원 또는 6원 방향족 고리이고; R은 일치환 내지 최대 가능한 수의 치환, 또는 비치환을 나타내고; Z1 내지 Z5는 각각 독립적으로 질소 원자 또는 Z1에 대해 CR1, Z2에 대해 CR2, Z3에 대해 CR3, Z4에 대해 CR4, 및 Z5에 대해 CR5이고; 각각의 R, R1 내지 R5는 독립적으로 수소, 중수소, 할라이드, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카보닐, 카복실산, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 설파닐, 설피닐, 설포닐, 포스피노, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되고; 임의의 인접한 R, R2 내지 R4는 경우에 따라 연결되거나 융합되어 고리가 되고; Z1 및 Z5 중 적어도 하나는 질소가 아니고; 하기 조건 (1), (2), 및 (3) 중 적어도 하나가 성립되며:
(1) Z1은 N, CH, 또는 CD이고; Z5는 CR5이고, R5는 시클로알킬, 아릴, 헤테로아릴, 이들의 치환된 변이체, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택됨;
(2) Z5는 N, CH, 또는 CD이고; Z1은 CR1이고, R1은 시클로알킬, 치환된 시클로알킬, 알킬-치환된 아릴, 및 알킬-치환된 헤테로아릴로 이루어진 군으로부터 선택됨; 및
(3) R3은 아릴, 헤테로아릴, 이들의 치환된 변이체, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되고; R1은 불소, 알킬, 부분 플루오르화 알킬, 부분 플루오르화 시클로알킬, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택됨;
리간드 LA는 금속 M에 배위 결합되고;
금속 M은 다른 리간드에 배위 결합될 수 있고;
리간드 LA는 경우에 따라 다른 리간드와 결합되어 3좌, 4좌, 5좌 또는 6좌 리간드를 구성한다.
발광 영역의 일부 실시양태들에서, 화합물은 발광 도펀트 또는 비발광 도펀트이다. 발광 영역의 일부 실시양태들에서, 발광 영역은 호스트를 더 포함하고, 여기서 호스트는 금속 착물, 트리페닐렌, 카바졸, 디벤조티오펜, 디벤조푸란, 디벤조셀레노펜, 아자-트리페닐렌, 아자-카바졸, 아자-디벤조티오펜, 아자-디벤조푸란, 및 아자-디벤조셀레노펜으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나를 포함한다.
발광 영역의 일부 실시양태들에서, 발광 영역은 호스트를 더 포함하고, 여기서 호스트는 호스트 화합물 군으로부터 선택된다.
일부 실시양태에서, 화합물은 발광 도펀트일 수 있다. 일부 실시양태에서, 상기 화합물은 인광, 형광, 열 활성화 지연 형광, 즉 TADF(E형 지연 형광으로도 지칭됨), 삼중항-삼중항 소멸, 또는 이들 과정의 조합을 통해 발광을 생성할 수 있다.
또다른 양태에 따르면, 본원에 기술된 화합물을 포함하는 배합물이 또한 개시된다.
본원에 개시된 OLED는 소비자 제품, 전자 부품 모듈 및 조명 패널 중 하나 이상 내에 포함될 수 있다. 일부 실시양태에서 유기층은 발광층일 수 있고 화합물은 발광 도펀트일 수 있으며, 한편 다른 실시양태에서 화합물은 비발광 도펀트일 수 있다.
유기층은 또한 호스트를 포함할 수 있다. 일부 실시양태에서, 2 이상의 호스트가 바람직하다. 일부 실시양태에서, 호스트는 a) 바이폴라, b) 전자 수송, c) 정공 수송 또는 d) 전하 수송에서의 역할이 거의 없는 와이드 밴드 갭 물질일 수 있다. 일부 실시양태에서, 호스트는 금속 착물을 포함할 수 있다. 호스트는 트리페닐렌 함유 벤조 융합 티오펜 또는 벤조 융합 푸란일 수 있다. 호스트 중의 임의의 치환기는 독립적으로 CnH2n +1, OCnH2n +1, OAr1, N(CnH2n + 1)2, N(Ar1)(Ar2), CH=CH-CnH2n +1, C≡C-CnH2n+1, Ar1, Ar1-Ar2, 및 CnH2n-Ar1로 이루어지는 군으로부터 선택되는 비융합 치환기일 수 있거나, 또는 호스트는 비치환이다. 상기 치환기에서, n은 1 내지 10 범위일 수 있고; Ar1 및 Ar2는 독립적으로 벤젠, 비페닐, 나프탈렌, 트리페닐렌, 카바졸, 및 이의 헤테로방향족 유사체로 이루어지는 군으로부터 선택될 수 있다. 호스트는 무기 화합물일 수 있다. 예를 들어 Zn 함유 무기 물질, 예컨대 ZnS일 수 있다.
호스트는 트리페닐렌, 카바졸, 디벤조티오펜, 디벤조푸란, 디벤조셀레노펜, 아자트리페닐렌, 아자카바졸, 아자-디벤조티오펜, 아자-디벤조푸란 및 아자-디벤조셀레노펜으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 화학 기를 포함하는 화합물일 수 있다. 호스트는 금속 착물을 포함할 수 있다. 호스트는 하기 화학식 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 특정 화합물일 수 있으나 이에 한정되지 않는다:
Figure pat00036
Figure pat00037
가능한 호스트에 대한 추가의 정보를 이하에 제공한다.
본 개시내용의 또 하나의 다른 양태에서, 본원에 개시된 신규한 화합물을 포함하는 배합물이 기재된다. 배합물은 본 명세서에 개시된 용매, 호스트, 정공 주입 물질, 정공 수송 물질, 및 전자 수송층 물질로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 이상의 성분을 포함할 수 있다.
다른 물질과의 조합
유기 발광 디바이스에서 특정 층에 대하여 유용한 것으로 본원에 기재된 물질은 디바이스에 존재하는 광범위하게 다양한 기타의 물질과의 조합으로 사용될 수 있다. 예를 들면, 본원에 개시된 발광 도펀트는 광범위하게 다양한 호스트, 수송층, 차단층, 주입층, 전극 및 존재할 수 있는 기타의 층과 결합되어 사용될 수 있다. 하기에 기재되거나 또는 참조된 물질은 본원에 개시된 화합물과의 조합에 유용할 수 있는 물질의 비제한적인 예시이며, 당업자는 조합에 유용할 수 있는 기타의 물질을 식별하기 위해 문헌을 용이하게 참조할 수 있다.
전도성 도펀트:
전하 수송층은 전도성 도펀트로 도핑되어 이의 전하 캐리어 밀도를 실질적으로 변화시킬 수 있고, 이는 결과적으로 이의 전도성을 변화시킬 것이다. 전도성은 매트릭스 물질에서 전하 캐리어를 생성시킴으로써 증가되며, 도펀트의 유형에 따라, 반도체의 페르미 준위에서의 변화가 또한 달성될 수 있다. 정공 수송층은 p형 전도성 도펀트로 도핑될 수 있고 n형 전도성 도펀트는 전자 수송층에서 사용된다.
본원에 개시된 물질과의 조합으로 OLED에서 사용될 수 있는 전도성 도펀트의 비제한적인 예시는 그 물질들을 개시하는 참조문헌과 함께 하기에 예시되어 있다: EP01617493, EP01968131, EP2020694, EP2684932, US20050139810, US20070160905, US20090167167, US2010288362, WO06081780, WO2009003455, WO2009008277, WO2009011327, WO2014009310, US2007252140, US2015060804 및 US2012146012.
Figure pat00038
Figure pat00039
HIL/HTL:
본 발명에서 사용하고자 하는 정공 주입/수송 물질은 특정하게 제한되지 않으며, 화합물이 통상적으로 정공 주입/수송 물질로서 사용되는 한 임의의 화합물을 사용할 수 있다. 물질의 비제한적인 예로는 프탈로시아닌 또는 포르피린 유도체; 방향족 아민 유도체; 인돌로카바졸 유도체; 플루오로히드로카본을 포함하는 중합체; 전도성 도펀트를 갖는 중합체; 전도성 중합체, 예컨대 PEDOT/PSS; 포스폰산 및 실란 유도체와 같은 화합물로부터 유도된 자체조립 단량체; 금속 산화물 유도체, 예컨대 MoOx; p-형 반도체 유기 화합물, 예컨대 1,4,5,8,9,12-헥사아자트리페닐렌헥사카르보니트릴; 금속 착물 및 가교성 화합물을 들 수 있다.
HIL 또는 HTL에 사용된 방향족 아민 유도체의 비제한적인 예로는 하기 구조식을 들 수 있다:
Figure pat00040
각각의 Ar1 내지 Ar9는 벤젠, 비페닐, 트리페닐, 트리페닐렌, 나프탈렌, 안트라센, 페날렌, 페난트렌, 플루오렌, 피렌, 크리센, 페릴렌 및 아줄렌과 같은 방향족 탄화수소 시클릭 화합물로 이루어진 군; 디벤조티오펜, 디벤조푸란, 디벤조셀레노펜, 푸란, 티오펜, 벤조푸란, 벤조티오펜, 벤조셀레노펜, 카바졸, 인돌로카바졸, 피리딜인돌, 피롤로디피리딘, 피라졸, 이미다졸, 트리아졸, 옥사졸, 티아졸, 옥사디아졸, 옥사트리아졸, 디옥사졸, 티아디아졸, 피리딘, 피리다진, 피리미딘, 피라진, 트리아진, 옥사진, 옥사티아진, 옥사디아진, 인돌, 벤즈이미다졸, 인다졸, 인독사진, 벤족사졸, 벤즈이속사졸, 벤조티아졸, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 시놀린, 퀴나졸린, 퀴녹살린, 나프티리딘, 프탈라진, 프테리딘, 크산텐, 아크리딘, 페나진, 페노티아진, 펜옥사진, 벤조푸로피리딘, 푸로디피리딘, 벤조티에노피리딘, 티에노디피리딘, 벤조셀레노페노피리딘 및 셀레노페노디피리딘과 같은 방향족 헤테로시클릭 화합물로 이루어진 군; 및 방향족 탄화수소 고리형 기 및 방향족 헤테로시클릭 기로부터 선택된 동일한 유형 또는 상이한 유형의 군이며 산소 원자, 질소 원자, 황 원자, 규소 원자, 인 원자, 붕소 원자, 쇄 구조 단위 및 지방족 고리형 기에 서로 직접 또는 이들 중 하나 이상을 통하여 결합되는 2 내지 10개의 시클릭 구조 단위로 이루어진 군으로부터 선택된다. 각각의 Ar은 비치환될 수 있거나 중수소, 할라이드, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카보닐, 카복실산, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 설파닐, 설피닐, 설포닐, 포스피노 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 치환기로 치환될 수 있다.
한 양태에서, Ar1 내지 Ar9은 독립적으로 하기 화학식으로 이루어진 군으로부터 선택된다:
Figure pat00041
여기서, k는 1 내지 20의 정수이며; X101 내지 X108은 C(CH 포함) 또는 N이고; Z101은 NAr1, O 또는 S이고; Ar1은 상기 정의된 바와 동일한 기를 가진다.
HIL 또는 HTL에 사용된 금속 착물의 비제한적인 예는 하기 화학식을 들 수 있다:
Figure pat00042
여기서, Met는 금속이며, 40 초과의 원자량을 가질 수 있고; (Y101-Y102)는 2좌 리간드이고, Y101 및 Y102는 독립적으로 C, N, O, P 및 S로부터 선택되며; L101은 보조적 리간드이며; k'는 1 내지 금속에 결합될 수 있는 리간드 최대수의 정수값이고; k'+k"는 금속에 결합될 수 있는 리간드 최대수이다.
한 양태에서, (Y101-Y102)는 2-페닐피리딘 유도체이다. 또 다른 양태에서, (Y101-Y102)는 카르벤 리간드이다. 또 다른 양태에서, Met는 Ir, Pt, Os 및 Zn로부터 선택된다. 추가 양태에서, 금속 착물은 약 0.6 V 미만의 용액 중의 최소 산화 전위 대 Fc+/Fc 커플을 가진다.
본원에 개시된 물질과의 조합으로 OLED에서 사용될 수 있는 HIL 및 HTL 물질의 비제한적인 예시는 그 물질들을 개시하는 참조문헌과 함께 하기에 예시되어 있다: CN102702075, DE102012005215, EP01624500, EP01698613, EP01806334, EP01930964, EP01972613, EP01997799, EP02011790, EP02055700, EP02055701, EP1725079, EP2085382, EP2660300, EP650955, JP07-073529, JP2005112765, JP2007091719, JP2008021687, JP2014-009196, KR20110088898, KR20130077473, TW201139402, US06517957, US20020158242, US20030162053, US20050123751, US20060182993, US20060240279, US20070145888, US20070181874, US20070278938, US20080014464, US20080091025, US20080106190, US20080124572, US20080145707, US20080220265, US20080233434, US20080303417, US2008107919, US20090115320, US20090167161, US2009066235, US2011007385, US20110163302, US2011240968, US2011278551, US2012205642, US2013241401, US20140117329, US2014183517, US5061569, US5639914, WO05075451, WO07125714, WO08023550, WO08023759, WO2009145016, WO2010061824, WO2011075644, WO2012177006, WO2013018530, WO2013039073, WO2013087142, WO2013118812, WO2013120577, WO2013157367, WO2013175747, WO2014002873, WO2014015935, WO2014015937, WO2014030872, WO2014030921, WO2014034791, WO2014104514, WO2014157018.
Figure pat00043
Figure pat00044
Figure pat00045
Figure pat00046
Figure pat00047
Figure pat00048
Figure pat00049
Figure pat00050
EBL:
전자 차단층(EBL)을 사용하여 발광층을 떠나는 전자 및/또는 엑시톤의 수를 감소시킬 수 있다. 디바이스에서 이러한 차단층의 존재는 차단층이 없는 유사한 디바이스에 비하여 현저하게 더 높은 효율, 및/또는 더 긴 수명을 유도할 수 있다. 또한, 차단층은 OLED의 원하는 영역으로 발광을 국한시키도록 사용될 수 있다. 일부 실시양태에서, EBL 물질은 EBL 인터페이스에 가장 가까운 이미터보다 더 높은 LUMO(진공 수준에 더 가까움) 및/또는 그보다 높은 삼중항 에너지를 가진다. 일부 실시양태에서, EBL 물질은 EBL 인터페이스에 가장 가까운 호스트 중 하나 이상보다 더 높은 LUMO(진공 수준에 더 가까움) 및/또는 그보다 높은 삼중항 에너지를 가진다. 한 양태에서, EBL에서 사용된 화합물은 하기 기재된 호스트 중 하나와 동일한 사용된 분자 또는 동일한 사용된 작용기를 함유한다.
호스트:
본 발명의 유기 EL 디바이스의 발광층은 바람직하게는 발광 물질로서 적어도 금속 착물을 포함하며, 도펀트 물질로서 금속 착물을 사용하는 호스트 물질을 포함할 수 있다. 호스트 물질의 예는 특별히 제한되지 않으며, 임의의 금속 착물 또는 유기 화합물은 호스트의 삼중항 에너지가 도펀트의 삼중항 에너지보다 더 크기만 하다면 사용될 수 있다. 삼중항 기준을 충족하는 한, 임의의 호스트 물질은 임의의 도펀트와 함께 사용될 수 있다.
호스트로서 사용된 금속 착물의 예는 하기 화학식을 갖는 것이 바람직하다:
Figure pat00051
여기서, Met는 금속이고; (Y103-Y104)는 2좌 리간드이고, Y103 및 Y104는 독립적으로 C, N, O, P 및 S로부터 선택되며; L101은 또 다른 리간드이며; k'는 1 내지 금속에 결합될 수 있는 리간드의 최대 수의 정수값이고; k'+k"는 금속에 결합될 수 있는 리간드의 최대 수이다.
한 양태에서, 금속 착물은
Figure pat00052
이며, 여기서, (O-N)은 원자 O 및 N에 배위 결합된 금속을 갖는 2좌 리간드이다.
또 다른 양태에서, Met는 Ir 및 Pt로부터 선택된다. 추가 양태에서, (Y103-Y104)는 카르벤 리간드이다.
호스트로서 사용된 다른 유기 화합물의 예는 방향족 탄화수소 시클릭 화합물, 예컨대 벤젠, 비페닐, 트리페닐, 트리페닐렌, 테트라페닐렌, 나프탈렌, 안트라센, 페날렌, 페난트렌, 플루오렌, 피렌, 크리센, 페릴렌 및 아줄렌으로 이루어진 군; 방향족 헤테로시클릭 화합물, 예컨대 디벤조티오펜, 디벤조푸란, 디벤조셀레노펜, 푸란, 티오펜, 벤조푸란, 벤조티오펜, 벤조셀레노펜, 카바졸, 인돌로카바졸, 피리딜인돌, 피롤로디피리딘, 피라졸, 이미다졸, 트리아졸, 옥사졸, 티아졸, 옥사디아졸, 옥사트리아졸, 디옥사졸, 티아디아졸, 피리딘, 피리다진, 피리미딘, 피라진, 트리아진, 옥사진, 옥사티아진, 옥사디아진, 인돌, 벤즈이미다졸, 인다졸, 인독사진, 벤즈옥사졸, 벤즈이속사졸, 벤조티아졸, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 시놀린, 퀴나졸린, 퀴녹살린, 나프티리딘, 프탈라진, 프테리딘, 크산텐, 아크리딘, 페나진, 페노티아진, 페녹사진, 벤조푸로피리딘, 푸로디피리딘, 벤조티에노피리딘, 티에노디피리딘, 벤조셀레노페노피리딘 및 셀레노페노디피리딘으로 이루어진 군; 및 방향족 탄화수소 시클릭 기 및 방향족 헤테로시클릭 기로부터 선택된 동일한 유형 또는 상이한 유형의 기이며 산소 원자, 질소 원자, 황 원자, 규소 원자, 인 원자, 붕소 원자, 쇄 구조 단위 및 지방족 시클릭 기에 서로 직접 또는 이들 중 하나 이상에 의하여 결합되는 2 내지 10개의 시클릭 구조 단위로 이루어진 군으로부터 선택된다. 각각의 기 내의 각 선택지는 비치환될 수 있거나 중수소, 할라이드, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카보닐, 카복실산, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 설파닐, 설피닐, 설포닐, 포스피노 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 치환기로 치환될 수 있다.
한 양태에서, 호스트 화합물은 분자에서 하기 기 중 하나 이상을 포함한다:
Figure pat00053
여기서, R101 내지 R107은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할라이드, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카보닐, 카복실산, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 설파닐, 설피닐, 설포닐, 포스피노 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되며, 아릴 또는 헤테로아릴인 경우, 상기 기술한 Ar과 유사한 정의를 갖는다. k는 0 내지 20 또는 1 내지 20의 정수이며; k"'는 0 내지 20의 정수이다. X101 내지 X108은 C(CH 포함) 또는 N으로부터 선택된다.
Z101 및 Z102는 NR101, O 또는 S로부터 선택된다.
본원에 개시된 물질과의 조합으로 OLED에서 사용될 수 있는 호스트 물질의 비제한적인 예시는 그 물질들을 개시하는 참조문헌과 함께 하기에 예시되어 있다: EP2034538, EP2034538A, EP2757608, JP2007254297, KR20100079458, KR20120088644, KR20120129733, KR20130115564, TW201329200, US20030175553, US20050238919, US20060280965, US20090017330, US20090030202, US20090167162, US20090302743, US20090309488, US20100012931, US20100084966, US20100187984, US2010187984, US2012075273, US2012126221, US2013009543, US2013105787, US2013175519, US2014001446, US20140183503, US20140225088, US2014034914, US7154114, WO2001039234, WO2004093207, WO2005014551, WO2005089025, WO2006072002, WO2006114966, WO2007063754, WO2008056746, WO2009003898, WO2009021126, WO2009063833, WO2009066778, WO2009066779, WO2009086028, WO2010056066, WO2010107244, WO2011081423, WO2011081431, WO2011086863, WO2012128298, WO2012133644, WO2012133649, WO2013024872, WO2013035275, WO2013081315, WO2013191404, WO2014142472,
Figure pat00054
Figure pat00055
Figure pat00056
Figure pat00057
Figure pat00058
추가 이미터:
하나 이상의 추가 이미터 도펀트는 본 개시의 화합물과 함께 사용될 수 있다. 추가 이미터 도펀트의 예는 특별히 한정되지 않으며, 이미터 재료로서 전형적으로 사용되는 한 임의의 화합물이 사용될 수 있다. 적합한 이미터 물질의 예는, 인광, 형광, 열 활성화 지연 형광, 즉, TADF(또한 E형 지연 형광으로도 지칭됨), 삼중항-삼중항 소멸 또는 이들 과정의 조합을 통해 발광을 생성할 수 있는 화합물을 포함하지만, 이에 제한되지 않는다.
본원에 개시된 물질과의 조합으로 OLED에 사용될 수 있는 이미터 물질의 비제한적인 예시는 그 물질들을 개시하는 참조문헌과 함께 하기에 예시되어 있다: CN103694277, CN1696137, EB01238981, EP01239526, EP01961743, EP1239526, EP1244155, EP1642951, EP1647554, EP1841834, EP1841834B, EP2062907, EP2730583, JP2012074444, JP2013110263, JP4478555, KR1020090133652, KR20120032054, KR20130043460, TW201332980, US06699599, US06916554, US20010019782, US20020034656, US20030068526, US20030072964, US20030138657, US20050123788, US20050244673, US2005123791, US2005260449, US20060008670, US20060065890, US20060127696, US20060134459, US20060134462, US20060202194, US20060251923, US20070034863, US20070087321, US20070103060, US20070111026, US20070190359, US20070231600, US2007034863, US2007104979, US2007104980, US2007138437, US2007224450, US2007278936, US20080020237, US20080233410, US20080261076, US20080297033, US200805851, US2008161567, US2008210930, US20090039776, US20090108737, US20090115322, US20090179555, US2009085476, US2009104472, US20100090591, US20100148663, US20100244004, US20100295032, US2010102716, US2010105902, US2010244004, US2010270916, US20110057559, US20110108822, US20110204333, US2011215710, US2011227049, US2011285275, US2012292601, US20130146848, US2013033172, US2013165653, US2013181190, US2013334521, US20140246656, US2014103305, US6303238, US6413656, US6653654, US6670645, US6687266, US6835469, US6921915, US7279704, US7332232, US7378162, US7534505, US7675228, US7728137, US7740957, US7759489, US7951947, US8067099, US8592586, US8871361, WO06081973, WO06121811, WO07018067, WO07108362, WO07115970, WO07115981, WO08035571, WO2002015645, WO2003040257, WO2005019373, WO2006056418, WO2008054584, WO2008078800, WO2008096609, WO2008101842, WO2009000673, WO2009050281, WO2009100991, WO2010028151, WO2010054731, WO2010086089, WO2010118029, WO2011044988, WO2011051404, WO2011107491, WO2012020327, WO2012163471, WO2013094620, WO2013107487, WO2013174471, WO2014007565, WO2014008982, WO2014023377, WO2014024131, WO2014031977, WO2014038456, WO2014112450.
Figure pat00059
Figure pat00060
Figure pat00061
Figure pat00062
Figure pat00063
Figure pat00064
HBL:
정공 차단층(HBL)은 발광층을 떠나는 정공 및/또는 엑시톤의 수를 감소시키도록 사용될 수 있다. 디바이스에서의 이러한 차단층의 존재는 차단층이 없는 유사한 디바이스에 비하여 현저하게 더 높은 효율 및/또는 더 긴 수명을 유도할 수 있다. 또한, 차단층은 OLED의 원하는 영역으로 발광을 국한시키도록 사용될 수 있다. 일부 실시양태에서, HBL 물질은 HBL 인터페이스에 가장 가까운 이미터보다 더 낮은 HOMO(진공 수준으로부터 더 멂) 및/또는 그보다 높은 삼중항 에너지를 가진다. 일부 실시양태에서, HBL 물질은 HBL 인터페이스에 가장 가까운 호스트 중 하나 이상보다 더 낮은 HOMO(진공 수준으로부터 더 멂) 및/또는 그보다 높은 삼중항 에너지를 가진다.
한 양태에서, HBL에 사용되는 화합물은 전술한 호스트와 동일한 사용되는 분자 또는 동일한 사용되는 작용기를 포함한다.
또 다른 양태에서, HBL에 사용되는 화합물은 분자에서 하기 기 중 하나 이상을 포함한다:
Figure pat00065
여기서, k는 1 내지 20의 정수이며; L101은 또 다른 리간드이고, k'은 1 내지 3의 정수이다.
ETL:
전자 수송층(ETL)은 전자를 수송할 수 있는 물질을 포함할 수 있다. 전자 수송층은 고유하거나(도핑되지 않음) 또는 도핑될 수 있다. 도핑은 전도성을 향상시키는데 사용될 수 있다. ETL 물질의 예는 특별히 제한되지는 않으며, 임의의 금속 착물 또는 유기 화합물은 이들이 통상적으로 전자를 수송하는데 사용되는 한 사용될 수 있다.
한 양태에서, ETL에 사용되는 화합물은 분자에서 하기 기 중 하나 이상을 포함한다:
Figure pat00066
여기서, R101은 수소, 중수소, 할라이드, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카보닐, 카복실산, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 설파닐, 설피닐, 설포닐, 포스피노 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되며, 아릴 또는 헤테로아릴인 경우, 상기 기술한 Ar과 유사한 정의를 가진다. Ar1 내지 Ar3는 상기 기술한 Ar과 유사한 정의를 가진다. k는 1 내지 20의 정수이다. X101 내지 X108은 C(CH 포함) 또는 N으로부터 선택된다.
또 다른 양태에서, ETL에 사용되는 금속 착물은 하기 화학식을 포함하나, 이에 제한되지 않는다:
Figure pat00067
여기서, (O-N) 또는 (N-N)은 원자 O, N 또는 N, N에 배위 결합한 금속을 갖는 2좌 리간드이며; L101은 또 다른 리간드이며; k'은 1 내지 금속이 결합될 수 있는 리간드의 최대 수인 정수 값이다.
본원에 개시된 물질과의 조합으로 OLED에서 사용될 수 있는 ETL 물질의 비제한적인 예는, 그 물질들을 개시하는 참조문헌과 함께 하기에 예시되어 있다: CN103508940, EP01602648, EP01734038, EP01956007, JP2004-022334, JP2005149918, JP2005-268199, KR0117693, KR20130108183, US20040036077, US20070104977, US2007018155, US20090101870, US20090115316, US20090140637, US20090179554, US2009218940, US2010108990, US2011156017, US2011210320, US2012193612, US2012214993, US2014014925, US2014014927, US20140284580, US6656612, US8415031, WO2003060956, WO2007111263, WO2009148269, WO2010067894, WO2010072300, WO2011074770, WO2011105373, WO2013079217, WO2013145667, WO2013180376, WO2014104499, WO2014104535,
Figure pat00068
Figure pat00069
Figure pat00070
전하 생성층(CGL):
탠덤형(tandem) 또는 적층형 OLED에서, CGL은 성능 면에서 필수적인 역할을 수행하며, 이는 각각 전자와 정공을 주입하기 위한 n-도핑된 층 및 p-도핑된 층으로 이루어진다. 전자와 정공은 CGL 및 전극으로부터 공급된다. CGL에서 소모된 전자와 정공은 각각 캐소드와 애노드로부터 주입된 전자와 정공에 의해 다시 채워지며; 이후, 바이폴라 전류는 점차적으로 정상 상태에 도달한다. 통상의 CGL 물질은 수송층에서 사용되는 n 및 p 전도성 도펀트를 포함한다.
OLED 디바이스의 각 층에서 사용되는, 임의의 상기 기술한 화합물들에서, 수소 원자는 부분 또는 완전 중수소화될 수 있다. 따라서, 임의의 구체적으로 열거된 치환기, 예컨대, 비제한적으로, 메틸, 페닐, 피리딜 등은 이의 비중수소화, 부분 중수소화 및 완전 중수소화된 형태일 수 있다. 마찬가지로, 치환기 유형, 예컨대, 비제한적으로, 알킬, 아릴, 시클로알킬, 헤테로아릴 등은 또한 이의 비중수소화, 부분 중수소화 및 완전 중수소화된 형태일 수 있다.
실험
재료 합성
본 문서 전반에 걸쳐 사용되는 화학 약어는 하기와 같다:
Pd2(dba)3은 트리(디벤질리덴아세톤) 디팔라듐(0)이고,
SPhos는 디시클로헥실(2',6'-디메톡시-[1,1'-비페닐]-2-일)포스핀이다.
화합물 Ir(LA15)3의 합성
Figure pat00071
페닐보론산(9.8 g, 80 mmol), 2,3-디클로로피리딘(10.70 g, 72.3 mmol), Na2CO3(25.6 g, 241 mmol), DME(100 ml), 및 물(25 ml)을 250 mL 둥근 바닥 플라스크에 첨가했다. 15분간 N2를 혼합물에 직접 버블링시켜 혼합물을 탈기시켰다. Pd(PPh3)4(2.79 g, 2.41 mmol)를 첨가했다. 혼합물을 N2 하에 환류에서 밤새 가열했다. 반응 플라스크를 실온으로 냉각한 후, 생성물을 EtOAc로 추출했다. 모아진 유기 상을 브라인으로 세척했다. 용매를 제거하고 잔사를 셀라이트 상에 코팅하고 9/1 헵탄/THF로 용출된 실리카 겔 컬럼 상에서 정제하여 생성물 13 g(85%)을 얻었다.
Figure pat00072
메시틸보론산(10.38 g, 63.3 mmol), 3-클로로-2-페닐피리딘(6.0 g, 31.6 mmol), Pd2dba3(1.16 g, 1.27 mmol), Sphos(2.08 g, 5.06 mmol), K3PO4 일수화물(21.86 g, 95 mmol), DME(120 ml)를 250 mL 둥근 바닥 플라스크에 첨가했다. 15분간 N2를 혼합물에 직접 버블링시켜 혼합물을 탈기시키고 N2 하에 환류에서 밤새 가열했다. 반응 플라스크를 실온으로 냉각한 후, 생성물을 EtOAc로 추출했다. 모아진 유기 상을 브라인으로 세척했다. 용매를 제거하고 잔사를 셀라이트 상에 코팅하고 9/1 헵탄/THF로 용출된 실리카 겔 컬럼 상에서 정제하여 생성물 9.0 g(99%)을 얻었다.
Figure pat00073
3-메시틸-2-페닐피리딘(9.0 g, 31.6 mmol)을 (((메틸-d3)설피닐)메탄-d3(67 ml, 949 mmol)에 용해시켜 250 mL 둥근 바닥 플라스크에 첨가했다. 혼합물을 40℃로 가열했다. 칼륨 2-메틸프로판-2-올레이트(1.78 g, 15.82 mmol)를 첨가했다. 반응 플라스크를 실온으로 냉각한 후, D2O(20 mL)를 첨가한 다음, 과량의 물을 첨가했다. 혼합물을 EtOAc로 추출했다. 모아진 유기 상을 브라인으로 세척했다. 용매를 제거했다. 잔사를 셀라이트 상에 코팅하고 헵탄 중의 10% EtOAc로 용출된 실리카 겔 컬럼 상에서 정제하여 생성물 7.73 g(86%)을 수득했다.
Figure pat00074
염화이리듐 수화물(1.5 g, 4.05 mmol), 2-페닐-3-(2,4,6-트리스(메틸-d3)페닐)피리딘(2.51 g, 8.90 mmol), 2-에톡시에탄올(66 mL), 및 물(22 mL)을 250 mL 둥근 바닥 플라스크에 첨가했다. 혼합물을 110℃에서 24시간 동안 가열했다. 반응 플라스크를 실온으로 냉각한 후, 노란색 침전물을 여과하고, MeOH 및 헵탄으로 세척하고, 진공하에 건조시켜 생성물 2.55 g(80%)을 얻었다.
Figure pat00075
이리듐 이량체(2.55 g, 1.61 mmol), 은 트리플레이트(1.0 g, 3.87 mmol), CH2Cl2(120 mL), 및 MeOH(120 mL)를 250 mL 둥근 바닥 플라스크에 첨가했다. 반응 혼합물을 24시간 동안 교반했다. 완료 시, 반응 혼합물을 여과하고 여액을 모았다. 용매를 제거하여 생성물 3.2 g(99%)을 얻었다.
Figure pat00076
이리듐 삼량체(1.60 g, 1.65 mmol) 및 2-페닐-3-(2,4,6-트리스(메틸-d3)페닐)피리딘(0.93 g, 3.31 mmol)을 DMF(25 mL) 및 2-에톡시에탄올(25 mL)에 첨가했다. 혼합물을 N2 하에 20분간 탈기시켰다. 혼합물을 N2 하에 20시간 동안 환류(130℃)로 가열했다. 반응 플라스크를 실온으로 냉각한 후, 용매를 제거했다. 잔사를 실리카 겔 상에 코팅하고 CH2Cl2 및 헵탄의 혼합물(1/1, v/v)로 용출된 실리카 겔 컬럼 상에서 정제하고 톨루엔에서 재결정시켜 생성물 1.10 g(64%)을 얻었다.
1. 화합물 Ir(LB186)2LA19의 합성
Figure pat00077
3-클로로-2-페닐피리딘(5.2 g, 27.4 mmol), Pd(OAc)2(0.19 g, 0.82 mmol), 2'-(디시클로헥실포스파닐)-N2,N2,N6,N6-테트라메틸-[1,1'-비페닐]-2,6-디아민(0.72 g, 1.65 mmol), 및 톨루엔(20 mL)을 250 mL 둥근 바닥 플라스크에 첨가했다. 15분간 N2를 혼합물 내에 직접 버블링시켜 혼합물을 탈기시켰다. 시클로헥실징크 브로마이드(88 mL, 0.5 M)를 첨가했다. 혼합물을 N2 하에 실온에서 밤새 교반했다. 생성물을 EtOAc로 추출했다. 모아진 유기 상을 브라인으로 세척했다. 용매를 제거하고 잔사를 셀라이트 상에 코팅하고 9/1 헵탄/THF로 용출된 실리카 겔 컬럼 상에서 정제하여 생성물 6.4 g(98%)을 얻었다.
Figure pat00078
3-시클로헥실-2-페닐피리딘(6.4 g, 27.0 mmol)을 (((메틸-d3)설피닐)메탄-d3 (57.2ml, 809 mmol)에 용해시켰다. 혼합물을 40℃에서 가열했다. 칼륨 2-메틸프로판-2-올레이트(1.51 g, 13.48 mmol)를 첨가하고 반응 혼합물을 밤새 교반했다. 반응 플라스크를 실온으로 냉각한 후, D2O(20 mL)를 첨가하고, 이후에 과량의 물을 첨가했다. 혼합물을 EtOAc로 추출했다. 모아진 유기 상을 브라인으로 세척했다. 용매를 제거했다. 잔사를 셀라이트 상에 코팅하고 헵탄 중의 10% EtOAc로 용출된 실리카 겔 컬럼 상에서 정제하여 생성물 5.5 g(85%)을 얻었다.
Figure pat00079
이리듐 삼량체(2.5 g, 3.2 mmol) 및 3-시클로헥실-2-페닐피리딘(1.6 g, 6.71 mmol)을 DMF(30 mL) 및 2-에톡시에탄올(30 mL)에 첨가했다. 혼합물을 N2 하에 20분간 탈기시켰다. 혼합물을 N2 하에 20시간 동안 환류(130℃)로 가열했다. 반응 플라스크를 실온으로 냉각한 후, 용매를 제거했다. 잔사를 실리카 겔 상에서 코팅하고 CH2Cl2 및 헵탄의 혼합물(1/1, v/v)로 용출된 실리카 겔 컬럼 상에서 정제하고 톨루엔에서 재결정시켜 생성물(0.8 g, 31% 수율)을 얻었다.
디바이스 예
모든 디바이스를 고 진공(~ 10-7 Torr) 열 증발에 의해 제작했다. 애노드 전극은 80 nm의 인듐 주석 산화물(ITO)이었다. 캐소드 전극은 1 nm의 LiF 이후에 100 nm의 Al로 이루어졌다. 모든 디바이스를, 제작 직후에 질소 글러브 박스(<1 ppm의 H2O 및 O2) 내에서 에폭시 수지로 실링된 유리 뚜껑으로 봉지시키고, 수분 게터를 패키지 내부에 포함시켰다.
한 세트의 디바이스 예들은, ITO 표면으로부터 순차적으로, 정공 주입층(HIL)으로서 10 nm의 LG101(LG Chem, HATCN), 정공 수송층(HTL)으로서 45 nm의 PPh-TPD, 전자 차단층(EBL)으로서 5 nm의 EBL-1, 40 nm의 발광층(EML), 이후에 전자 수송층(ETL)으로서 35 wt% LiQ를 갖는 35 nm의 aDBT-ADN으로 이루어진 유기 스택을 갖는다. EML은 세 성분을 갖는다: 90 wt%의 EML(호스트들의 혼합물(60 wt% H1 및 40 wt% H2)); 및 10 wt%의 EML(이미터로서 본 발명의 화합물 또는 비교 화합물 (CC-1)). 사용되는 화합물들의 화학 구조는 이하에 도시되어있다.
Figure pat00080
Figure pat00081
하기 표 1에는 디바이스 예들에 대해 1000 nits에서 기록된 디바이스 데이터의 요약이 제공된다. 디바이스 수명은 발광이 9K nits에서 시작하는 초기 발광의 97%로 감쇠될 때 LT97로서 보고된다. 모든 결과는 디바이스 C-1에 대해 상대적으로 보고된다.
Figure pat00082
표 1의 데이터는, 이미터로서 본 발명예(Ir(L A15 ) 3 )를 사용하는 디바이스 1이 비교예와 비교해서 동일한 컬러를 달성하면서 이보다 더 높은 효율을 달성하는 것을 보여준다. 본 발명예(Ir(L A15 ) 3 )와 비교예(CC-1) 간의 유일한 차이는 2-페닐피리딘 리간드의 3-위치에서의 메시틸렌 치환이며 이는 아마도 집적도가 감소하고 디바이스의 이미터 정렬이 향상되어 보다 높은 디바이스 효율을 달성하는 데 있어 중요하다. 부가적으로, 비교 디바이스와 비교하여 디바이스 2에서 이미터로서 본 발명예(Ir(L B186 ) 2 L A19 )를 사용하여 보다 낮은 전압, 보다 높은 효율, 및 보다 긴 디바이스 수명이 달성되었다.
본원에 기재된 다양한 실시양태는 단지 예시를 위한 것이며, 본 발명의 범위를 한정하려는 것이 아님을 이해하여야 한다. 예를 들면, 본원에 기재된 다수의 물질 및 구조는 본 발명의 취지로부터 벗어나는 일 없이 다른 물질 및 구조로 대체될 수 있다. 특허 청구된 본 발명은 이에 따라 당업자에게 명백한 바와 같이 본원에 기재된 특정 예시 및 바람직한 실시양태로부터의 변형예를 포함할 수 있다. 본 발명이 어떻게 작동하는지에 대한 다양한 이론들은 제한되지 않도록 의도된 것으로 이해되어야 한다.

Claims (20)

  1. 화학식 I을 갖는 제1 리간드 LA를 포함하는 화합물:
    Figure pat00083

    상기 식에서, 고리 A는 5원 또는 6원 방향족 고리이고;
    R은 일치환 내지 최대 가능한 수의 치환, 또는 비치환을 나타내고;
    Z1 내지 Z5는 각각 독립적으로 질소 원자 또는 Z1에 대해 CR1, Z2에 대해 CR2, Z3에 대해 CR3, Z4에 대해 CR4, 및 Z5에 대해 CR5이고;
    각각의 R, R1 내지 R5는 독립적으로 수소, 중수소, 할라이드, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카보닐, 카복실산, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 설파닐, 설피닐, 설포닐, 포스피노, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되고;
    임의의 인접한 R, R2 내지 R4는 경우에 따라 연결되거나 융합되어 고리가 되고;
    Z1 및 Z5 중 적어도 하나는 질소가 아니고;
    하기 조건 (1), (2), 및 (3) 중 적어도 하나가 성립되고:
    (1) Z1은 N, CH, 또는 CD이고; Z5는 CR5이고, R5는 시클로알킬, 아릴, 헤테로아릴, 이들의 치환된 변이체, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택됨;
    (2) Z5는 N, CH, 또는 CD이고; Z1은 CR1이고, R1은 시클로알킬, 치환된 시클로알킬, 알킬-치환된 아릴, 및 알킬-치환된 헤테로아릴로 이루어진 군으로부터 선택됨;
    (3) R3은 아릴, 헤테로아릴, 이들의 치환된 변이체, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되고; R1은 불소, 알킬, 부분 플루오르화 알킬, 부분 플루오르화 시클로알킬, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택됨;
    리간드 LA는 금속 M에 배위 결합되고;
    금속 M은 다른 리간드에 배위 결합될 수 있고;
    리간드 LA는 경우에 따라 다른 리간드와 결합되어 3좌, 4좌, 5좌 또는 6좌 리간드를 구성한다.
  2. 제1항에 있어서, M이 Ir, Rh, Re, Ru, Os, Pt, Au, 및 Cu로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 화합물.
  3. 제1항에 있어서, Z1이 N, CH, 또는 CD이고; Z5가 CR5이고, R5가 시클로알킬, 아릴, 헤테로아릴, 이들의 치환된 변이체, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 화합물.
  4. 제1항에 있어서, Z5가 N, CH, 또는 CD이고; Z1이 CR1이고, R1이 시클로알킬, 치환된 시클로알킬, 알킬-치환된 아릴, 및 알킬-치환된 헤테로아릴로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 화합물.
  5. 제1항에 있어서, R3이 아릴, 헤테로아릴, 이들의 치환된 변이체, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되고; R1이 불소, 알킬, 시클로알킬, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 화합물.
  6. 제1항에 있어서, 고리 A가 벤젠인 화합물.
  7. 제1항에 있어서, 리간드 LA가 하기 화학식으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 화합물:
    Figure pat00084

    Figure pat00085
  8. 제1항에 있어서, 리간드 LA가 하기 화학식으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 화합물:
    Figure pat00086

    Figure pat00087

    Figure pat00088

    Figure pat00089

    Figure pat00090

    Figure pat00091

    Figure pat00092

    Figure pat00093
  9. 제1항에 있어서, 화합물이 M(LA)n(LB)m -n의 화학식을 가지며;
    여기서, M이 Ir 또는 Pt이고; LB가 2좌 리간드이며;
    M이 Ir인 경우, m은 3이고, n은 1, 2, 또는 3이며;
    M이 Pt인 경우, m은 2이고, n은 1 또는 2인 화합물.
  10. 제9항에 있어서, 화합물이 Ir(LA)3, Ir(LA)(LB)2, 또는 Ir(LA)2(LB)의 화학식을 가지며; 여기서 LB는 LA와 다른 것인 화합물.
  11. 제9항에 있어서, 화합물이 Pt(LA)(LB)의 화학식을 가지며; 여기서 LA 및 LB는 동일하거나 상이할 수 있는 것인 화합물.
  12. 제9항에 있어서, LB가 하기 화학식으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 화합물:
    Figure pat00094

    Figure pat00095

    상기 식에서, 각각의 X1 내지 X13은 독립적으로 탄소 및 질소로 이루어진 군으로부터 선택되고;
    X는 BR', NR', PR', O, S, Se, C=O, S=O, SO2, CR'R", SiR'R", 및 GeR'R"로 이루어진 군으로부터 선택되고;
    R' 및 R"는 경우에 따라 융합되거나 연결되어 고리를 형성하고;
    각각의 Ra, Rb, Rc, 및 Rd는 일치환 내지 가능한 최대 수의 치환, 또는 비치환을 나타낼 수 있고;
    R', R", Ra, Rb, Rc, 및 Rd는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할라이드, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카보닐, 카복실산, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 설파닐, 설피닐, 설포닐, 포스피노, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되고;
    Ra, Rb, Rc, 및 Rd 중 임의의 2개의 인접한 치환기가 경우에 따라 융합되거나 연결되어 고리를 형성하거나 다좌 리간드를 형성한다.
  13. 제12항에 있어서, LB가 하기 화학식으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 화합물:
    Figure pat00096

    Figure pat00097
  14. 제9항에 있어서, LB가 하기 화학식:
    Figure pat00098
    을 갖고, 이하에서 정의된 LB1 내지 LB275로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 화합물:
    Figure pat00099

    Figure pat00100

    Figure pat00101

    Figure pat00102

    Figure pat00103

    Figure pat00104

    Figure pat00105

    Figure pat00106

    Figure pat00107

    Figure pat00108

    Figure pat00109

    Figure pat00110

    Figure pat00111

    Figure pat00112
  15. 애노드;
    캐소드; 및
    화학식 I을 갖는 제1 리간드 LA를 포함하는 화합물을 포함하는, 애노드와 캐소드 사이에 배치된 유기층
    을 포함하는 유기 발광 디바이스(OLED):
    Figure pat00113

    상기 식에서, 고리 A는 5원 또는 6원 방향족 고리이고;
    R은 일치환 내지 최대 가능한 수의 치환, 또는 비치환을 나타내고;
    Z1 내지 Z5는 각각 독립적으로 질소 원자 또는 Z1에 대해 CR1, Z2에 대해 CR2, Z3에 대해 CR3, Z4에 대해 CR4, 및 Z5에 대해 CR5이고;
    각각의 R, R1 내지 R5는 독립적으로 수소, 중수소, 할라이드, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카보닐, 카복실산, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 설파닐, 설피닐, 설포닐, 포스피노, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되고;
    임의의 인접한 R, R2 내지 R4는 경우에 따라 연결되거나 융합되어 고리가 되고;
    Z1 및 Z5 중 적어도 하나는 질소가 아니고;
    하기 조건 (1), (2), 및 (3) 중 적어도 하나가 성립되고:
    (1) Z1은 N, CH, 또는 CD이고; Z5는 CR5이고, R5는 시클로알킬, 아릴, 헤테로아릴, 이들의 치환된 변이체, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택됨;
    (2) Z5는 N, CH, 또는 CD이고; Z1은 CR1이고, R1은 시클로알킬, 치환된 시클로알킬, 알킬-치환된 아릴, 및 알킬-치환된 헤테로아릴로 이루어진 군으로부터 선택됨; 및
    (3) R3은 아릴, 헤테로아릴, 이들의 치환된 변이체, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되고; R1은 불소, 알킬, 시클로알킬, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택됨;
    리간드 LA는 금속 M에 배위 결합되고;
    금속 M은 다른 리간드에 배위 결합될 수 있고;
    리간드 LA는 경우에 따라 다른 리간드와 결합되어 3좌, 4좌, 5좌 또는 6좌 리간드를 구성한다.
  16. 제15항에 있어서, 유기층이 발광층이고 화합물이 발광 도펀트 또는 비발광 도펀트인 OLED.
  17. 제16항에 있어서, 유기층이 호스트를 더 포함하고, 여기서 호스트는 트리페닐렌, 카바졸, 디벤조티오펜, 디벤조푸란, 디벤조셀레노펜, 아자트리페닐렌, 아자카바졸, 아자-디벤조티오펜, 아자-디벤조푸란, 및 아자-디벤조셀레노펜으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 화학 기를 포함하는 것인 OLED.
  18. 제16항에 있어서, 유기층이 호스트를 더 포함하고, 여기서 호스트는 하기 화학식 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 OLED:
    Figure pat00114

    Figure pat00115

    Figure pat00116
  19. 애노드;
    캐소드; 및
    화학식 I을 갖는 제1 리간드 LA를 포함하는 화합물을 포함하는, 애노드와 캐소드 사이에 배치된 유기층
    을 포함하는 유기 발광 디바이스(OLED)를 포함하는 소비자 제품:
    Figure pat00117

    상기 식에서, 고리 A는 5원 또는 6원 방향족 고리이고;
    R은 일치환 내지 최대 가능한 수의 치환, 또는 비치환을 나타내고;
    Z1 내지 Z5는 각각 독립적으로 질소 원자 또는 Z1에 대해 CR1, Z2에 대해 CR2, Z3에 대해 CR3, Z4에 대해 CR4, 및 Z5에 대해 CR5이고;
    각각의 R, R1 내지 R5는 독립적으로 수소, 중수소, 할라이드, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카보닐, 카복실산, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 설파닐, 설피닐, 설포닐, 포스피노, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되고;
    임의의 인접한 R, R2 내지 R4는 경우에 따라 연결되거나 융합되어 고리가 되고;
    Z1 및 Z5 중 적어도 하나는 질소가 아니고;
    하기 조건 (1), (2), 및 (3) 중 적어도 하나가 성립되고:
    (1) Z1은 N, CH, 또는 CD이고; Z5는 CR5이고, R5는 시클로알킬, 아릴, 헤테로아릴, 이들의 치환된 변이체, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택됨;
    (2) Z5는 N, CH, 또는 CD이고; Z1은 CR1이고, R1은 시클로알킬, 치환된 시클로알킬, 알킬-치환된 아릴, 및 알킬-치환된 헤테로아릴로 이루어진 군으로부터 선택됨; 및
    (3) R3은 아릴, 헤테로아릴, 이들의 치환된 변이체, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되고; R1은 불소, 알킬, 시클로알킬, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택됨;
    리간드 LA는 금속 M에 배위 결합되고;
    금속 M은 다른 리간드에 배위 결합될 수 있고;
    리간드 LA는 경우에 따라 다른 리간드와 결합되어 3좌, 4좌, 5좌 또는 6좌 리간드를 구성한다.
  20. 제19항에 있어서, 평판 디스플레이, 곡면 디스플레이, 컴퓨터 모니터, 의료용 모니터, 텔레비젼, 광고판, 실내 또는 실외 조명 및/또는 신호용 라이트, 헤드업 디스플레이, 완전 또는 부분 투명 디스플레이, 플렉시블 디스플레이, 롤러블 디스플레이, 폴더블 디스플레이, 스트레처블 디스플레이, 레이저 프린터, 전화기, 휴대전화, 태블릿, 패블릿, 개인용 정보 단말기(PDA), 웨어러블 디바이스, 랩탑 컴퓨터, 디지털 카메라, 캠코더, 뷰파인더, 대각선으로 2인치 미만인 마이크로-디스플레이, 3-D 디스플레이, 가상 현실 또는 증강 현실 디스플레이, 차량, 함께 타일링된 다수의 디스플레이를 포함하는 비디오 월, 극장 또는 스타디움 스크린, 또는 간판 중 하나인 소비자 제품.
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