KR20180071596A - Current sensor and manufacturing method thereof - Google Patents

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Abstract

The present invention provides a current sensor which is not affected by external noise or the temperature and has high reliability, and a manufacturing method thereof. The current sensor according to the present invention comprises: a sensing signal processing part; a first insulating layer on the sensing signal processing part; a noise blocking part on the first insulating layer; a second insulating layer on the noise blocking part; and a sensing electrode part on the second insulating layer. The noise blocking part blocks current generated from the sensing signal processing part so as not to reach the sensing electrode part.

Description

전류센서 및 그의 제조방법{Current sensor and manufacturing method thereof}Current sensor and manufacturing method < RTI ID = 0.0 >

본 발명은 전류센서 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 상세하게는 외부 노이즈나 온도에 영향받지 않는 신뢰성 높은 전류센서 및 그의 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a current sensor and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a current sensor of high reliability that is not affected by external noise or temperature and a method of manufacturing the same.

최근에 전력 사용량이 급증하고 대전력을 사용하는 수용가가 증가함에 따라, 정확한 전류의 측정은 전력 시스템의 보호와 전력 사용 효율의 극대화 측면에서 필수 불가결한 요소가 되었다. 수용가의 측면에서는 정확한 전류의 측정을 통해 전력 수요를 예측 및 분석하면 효율을 높일 수 있으며, 전력 시스템의 측면에서는 정격전류뿐만 아니라 이상 및 고장 전류의 정확한 측정을 통해 사고전류를 검출하고 사고계통을 신속히 분리함으로써 전원 계통(power system)을 보호할 수 있다.As power consumption has surged and power consumption has increased in recent years, accurate current measurement has become an indispensable element in terms of protecting power systems and maximizing power use efficiency. From the aspect of the customer, it is possible to predict and analyze power demand through accurate current measurement. In the aspect of power system, in addition to the rated current, it is possible to detect fault current through accurate measurement of fault and fault current, By separating, the power system can be protected.

이를 위해 현재 사용되고 있는 전류센서로는 변류기(current transformer), 분류기(shunt), 로고스키 센서(rogowski sensor), 및 홀 센서(hall sensor) 등이 있으며, 국내외적으로 변류기(CT) 형태의 전류센서가 가장 많이 사용되고 있다.Current sensors currently used include current transformers, shunts, rogowski sensors, hall sensors, etc., and current sensors in the form of current transformers (CT) Are most commonly used.

그러나, 변류기는 CT 철심의 자기포화로 인하여 오차가 발생하는 한계로 인하여 하나의 변류기로 일정 오차범위 내에서 측정할 수 있는 전류 범위는 극히 제한적이며, 정격전류의 수십 ~ 수백 배에 이르는 사고전류를 정확히 검출하는 것은 거의 불가능하다. 또한, 현재의 전력기기는 전력전자와 펄스파워 기술의 발달로 수 십 KHz에 이르는 주파수 범위를 갖는 전원을 사용하는 예가 많으나, 변류기는 상용 주파수 전류 이외의 주파수 전류를 측정하는데 한계가 있다. However, due to the limit of error caused by the magnetic saturation of the CT iron core, the current range that can be measured within a certain error range by a single current transformer is extremely limited and the fault current ranging from several tens to several hundred times of the rated current It is almost impossible to detect it accurately. In addition, current power equipment has a power source having a frequency range of several tens of KHz due to development of power electronics and pulse power technology, but the current transformer has a limitation in measuring frequency current other than the commercial frequency current.

홀 센서(hall sensor)는 홀 소자(Hall Element)를 이용한 센서로서, 홀 효과(Hall Effect)를 이용한 자기전기 변환기(Magneto-Electro Transducer)이다. 반도체 물질에 제어전류를 인가하고, 수직한 방향으로 자계가 가해지면 Hall 출력 전압인 전위차가 발생하게 된다. 따라서, 제어전류와 자계의 자속밀도의 곱에 비례하는 전압을 출력하게 되므로 전류값의 측정이 가능하다. A hall sensor is a sensor using a Hall element, and is a magnet-electro-transducer using a Hall effect. When a control current is applied to a semiconductor material and a magnetic field is applied in a vertical direction, a potential difference that is a Hall output voltage is generated. Therefore, since a voltage proportional to the product of the control current and the magnetic flux density of the magnetic field is outputted, it is possible to measure the current value.

이러한 홀 센서는 주변 환경의 노이즈, 온도 변화 등에 따라 민감한 반응을 보이므로 이러한 문제를 해결하기 위하여 별도의 보상회로를 구비하여 측정값의 정확도를 높이고 있는데 이에 따라 회로가 복잡해지고, 공정비용이 증가하며 불량률이 높아지는 문제가 있다. In order to solve this problem, the Hall sensor is sensitive to the noise of the surrounding environment and the temperature change. Therefore, a separate compensation circuit is provided to increase the accuracy of the measured value, thereby increasing the complexity of the circuit, There is a problem that the defect rate increases.

도 1은 종래의 홀 센서를 도시한 도면이다. 도 1을 참조하면, 종래 홀 센서는 센싱전극과 신호처리회로가 동일평면에 위치하여 센서의 면적이 증가하고, 특히 보상회로 등이 부가되어 회로가 복잡해지는 경우 더욱 면적이 증가하는 문제가 있다. 1 is a view showing a conventional Hall sensor. Referring to FIG. 1, in the conventional Hall sensor, the sensing electrode and the signal processing circuit are located on the same plane, thereby increasing the area of the sensor. Particularly, when a circuit is complicated due to the addition of a compensation circuit, the area increases.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은, 외부 노이즈나 온도에 영향받지 않는 신뢰성 높은 전류센서 및 그의 제조방법을 제공함에 있다. SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a current sensor with high reliability that is not affected by external noise or temperature and a method of manufacturing the same.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 전류센서는 센싱신호처리부; 센싱신호처리부 상의 제1절연층; 제1절연층 상의 노이즈 차단부; 노이즈 차단부 상의 제2절연층; 및 제2절연층 상의 센싱전극부;를 포함하고, 노이즈 차단부는 센싱신호처리부로부터 발생하는 전류를 센싱전극부에 도달하지 않도록 차단한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a current sensor including: a sensing signal processor; A first insulation layer on the sensing signal processor; A noise blocking portion on the first insulating layer; A second insulating layer on the noise blocking portion; And a sensing electrode portion on the second insulating layer, and the noise blocking portion blocks the current generated from the sensing signal processing portion from reaching the sensing electrode portion.

노이즈 차단부는 알루미늄, 구리, 티타늄 및 이들의 합금 중 어느 하나일 수 있다. The noise blocking portion may be any one of aluminum, copper, titanium, and alloys thereof.

제1절연층 및 제2절연층은 질화실리콘(SiN)계 화합물일 수 있다. The first insulating layer and the second insulating layer may be silicon nitride (SiN) based compounds.

센싱신호처리부로부터 발생하는 열을 센싱전극부에 도달하지 않도록 열을 방출하는 방열부;를 더 포함할 수 있다. And a heat dissipation unit for dissipating heat to prevent the heat generated from the sensing signal processing unit from reaching the sensing electrode unit.

방열부는 노이즈 차단부와 연결될 수 있다. The heat dissipation unit can be connected to the noise isolation unit.

센싱전극부는 제1센싱전극부 및 제2센싱전극부를 포함하고, 제1센싱전극부에는 센싱대상전류가 제1방향으로 흐르고, 제2센싱전극부에는 센싱대상전류가 제2방향으로 흐를 수 있다. 이 때, 센싱신호처리부는 제1센싱전극부에서 측정된 제1신호값 및 제2센싱전극부에서 측정된 제2신호값의 차이값에 기초하여 전류값을 획득할 수 있다. The sensing electrode unit includes a first sensing electrode unit and a second sensing electrode unit. The sensing target current flows in the first sensing electrode unit and the sensing current flows in the second sensing electrode unit. . At this time, the sensing signal processor may acquire a current value based on the difference between the first signal value measured at the first sensing electrode unit and the second signal value measured at the second sensing electrode unit.

획득된 전류값은 외부 노이즈 및 외부 온도변화에 따른 변화가 제거된 것일 수 있다. The obtained current value may be that the change due to the external noise and the external temperature change is removed.

본 발명의 다른 측면에 따르면, 기판에 센싱신호처리부를 형성하는 단계; 센싱신호처리부가 형성된 기판에 제1절연층을 형성하는 단계; 제1절연층 상에 노이즈 차단부를 형성하는 단계; 노이즈 차단부 상에 제2절연층을 형성하는 단계; 및 제2절연층 상에 센싱전극부를 형성하는 단계;를 포함하는 전류센서 제조방법이 제공된다. According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, comprising: forming a sensing signal processing unit on a substrate; Forming a first insulating layer on a substrate on which a sensing signal processing unit is formed; Forming a noise blocking portion on the first insulating layer; Forming a second insulating layer on the noise blocking portion; And forming a sensing electrode portion on the second insulating layer.

센싱전극부는 서로 이격되어 각각 센싱이 가능한 제1센싱전극부 및 제2센싱전극부를 포함하도록 형성될 수 있다. The sensing electrode unit may include a first sensing electrode unit and a second sensing electrode unit that are spaced from each other and capable of sensing, respectively.

본 발명의 또다른 측면에 따르면, 제1센싱전극부 및 제1센싱전극부와 이격되어 형성되는 제2센싱전극부를 포함하는 센싱전극부; 및 센싱전극부로부터 획득한 센싱신호를 처리하여 전류값을 산출하는 센싱신호처리부;를 전류센서로서, 제1센싱전극부 및 제2센싱전극부는 1개의 회선을 흐르는 전류를 센싱하되, 회선은 제1센싱전극부에서의 전류방향과 제2센싱전극부에서의 전류방향이 상이하도록 위치하는 것을 특징으로 하는 전류센서가 제공된다. According to another aspect of the present invention, there is provided a sensing device comprising: a sensing electrode unit including a first sensing electrode unit and a second sensing electrode unit spaced apart from the first sensing electrode unit; And a sensing signal processing unit for processing the sensing signal obtained from the sensing electrode unit to calculate a current value, wherein the first sensing electrode unit and the second sensing electrode unit sense a current flowing in one line, And the second sensing electrode portion is positioned such that the current direction in the first sensing electrode portion and the current direction in the second sensing electrode portion are different from each other.

본 발명의 또다른 측면에 따르면, 센싱신호처리부; 센싱신호처리부 상의 제1절연층; 제1절연층 상의 열차단부; 열차단부 상의 제2절연층; 및 제2절연층 상의 센싱전극부;를 포함하고, 열차단부는 센싱신호처리부로부터 발생하는 열을 센싱전극부에 도달하지 않도록 외부로 방출하는 전류센서가 제공된다. According to another aspect of the present invention, there is provided a sensing apparatus comprising: a sensing signal processing unit; A first insulation layer on the sensing signal processor; A train end on the first insulating layer; A second insulating layer on the end of the train; And a sensing electrode portion on the second insulating layer, and the end portion of the heat source is provided with a current sensor for discharging heat generated from the sensing signal processing portion to the outside so as not to reach the sensing electrode portion.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 실시예들에 따르면, 센싱전극과 신호처리부를 별개의 층에 구비하여 센서의 면적을 최소화하여 초소형 전류센서 구현이 가능하다. As described above, according to the embodiments of the present invention, it is possible to realize a very small current sensor by providing the sensing electrode and the signal processing unit in separate layers to minimize the area of the sensor.

또한, 신호처리부로부터의 노이즈나 외부 온도 변화 등에 대하여 센서로의 영향을 최소화하여 보다 정확한 전류값 측정이 가능한 전류센서 구현이 가능하다. In addition, it is possible to realize a current sensor capable of measuring the current value more accurately by minimizing the influence on the sensor due to noise from the signal processing unit and external temperature change.

도 1은 종래의 홀 센서를 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 전류센서의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 전류센서의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 전류센서의 평면도이다.
도 5는 본 발명에 따라 제작한 전류센서에 외부 전류인가시 제1센싱전극부에서 획득한 제1신호를 도시한 도면이고, 도 6은 제2센싱전극부에서 획득한 제2신호이며, 도 7은 제1신호 및 제2신호의 차이값에 기반한 신호값을 도시한 도면이다.
도 8은 본 발명에 따라 제작한 전류센서에 노이즈 인가시 제1센싱전극부 및 제2센싱전극부로부터 획득한 제1신호, 제2신호 및 제1신호와 제2신호의 차이값에 기반한 신호값을 도시한 도면이다.
도 9는 본 발명에 따라 제작한 전류센서의 온도변화에 따른 저항특성을 도시한 도면이고, 도 10은 온도변화에 따른 제1신호 및 제2신호의 차이값에 기반한 신호값을 도시한 도면이다. 1 is a view showing a conventional Hall sensor.
2 is a cross-sectional view of a current sensor according to an embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view of a current sensor according to another embodiment of the present invention.
4 is a plan view of a current sensor according to another embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a view showing a first signal obtained by the first sensing electrode unit when an external current is applied to the current sensor manufactured according to the present invention, FIG. 6 is a second signal obtained by the second sensing electrode unit, 7 is a diagram showing signal values based on difference values of the first signal and the second signal.
FIG. 8 is a graph showing a relationship between a first signal, a second signal, and a signal based on a difference between a first signal and a second signal acquired from a first sensing electrode unit and a second sensing electrode unit when a noise is applied to a current sensor manufactured according to the present invention. Fig.
FIG. 9 is a graph showing resistance characteristics of a current sensor manufactured according to the present invention in response to a temperature change, and FIG. 10 is a diagram showing signal values based on a difference between a first signal and a second signal according to a temperature change .

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태를 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시형태는 여러가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시형태는 당업계에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 첨부된 도면에서 특정 패턴을 갖도록 도시되거나 소정두께를 갖는 구성요소가 있을 수 있으나, 이는 설명 또는 구별의 편의를 위한 것이므로 특정패턴 및 소정두께를 갖는다고 하여도 본 발명이 도시된 구성요소에 대한 특징만으로 한정되는 것은 아니다.DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. However, the embodiments of the present invention can be modified into various other forms, and the scope of the present invention is not limited to the embodiments described below. The embodiments of the present invention are provided to enable those skilled in the art to more fully understand the present invention. It should be understood that while the present invention may be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein, The present invention is not limited thereto.

도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 전류센서의 단면도이다. 본 발명에 따른 전류센서(100)는 센싱신호처리부(110); 센싱신호처리부(110) 상의 제1절연층(120); 제1절연층(120) 상의 노이즈 차단부(130); 노이즈 차단부(130) 상의 제2절연층(140) 및 제2절연층(140) 상의 센싱전극부(150);를 포함하고, 노이즈 차단부(130)는 센싱신호처리부(110)로부터 발생하는 전류를 센싱전극부(150)에 도달하지 않도록 차단한다. 도 1에서는 전류센서(100)가 가장 하부에 센싱신호처리부(110)가 위치하고, 가장 상부에 센싱전극부(150)가 위치하나, 측정대상이 되는 센싱대상전류의 위치에 따라 가장 하부에 센싱전극부(150)가 위치하고, 가장 상부에 센싱신호처리부(110)가 위치할 수 있다. 2 is a cross-sectional view of a current sensor according to an embodiment of the present invention. The current sensor 100 according to the present invention includes a sensing signal processing unit 110; A first insulating layer 120 on the sensing signal processing unit 110; A noise blocking portion 130 on the first insulating layer 120; And a sensing electrode unit 150 on the second insulating layer 140 and the second insulating layer 140 on the noise shielding unit 130. The noise shielding unit 130 includes a sensing signal processing unit 110, The current is blocked so as not to reach the sensing electrode unit 150. 1, the sensing signal processing unit 110 is located at the bottom of the current sensor 100 and the sensing electrode unit 150 is located at the uppermost position. In accordance with the position of the current to be measured, And the sensing signal processing unit 110 may be located at the uppermost position.

센싱신호처리부(110)는 센싱전극부(150)로부터 획득한 신호값을 처리하여 측정하고자 하는 센싱대상전류의 전류값을 산출한다. 센싱신호처리부(110)는 CMOS 기판 등을 이용하여 상부의 센싱전극부(150)로부터 획득한 신호에 기반하여 전류값을 산출한다. The sensing signal processing unit 110 processes the signal value acquired from the sensing electrode unit 150 and calculates the current value of the sensing target current to be measured. The sensing signal processing unit 110 calculates a current value based on a signal obtained from the upper sensing electrode unit 150 using a CMOS substrate or the like.

본 실시예에 따른 전류센서(100)는 센싱대상전류의 전류를 감지하기 위한 센싱전극부(150)와 센싱신호처리부(110)가 동일한 평면에 위치하는 것이 아니라, 도 2에서와 같이 서로 다른 평면에 위치하고, 서로 전기적으로 연결되어 있어 면적이 최소화될 수 있다. 또한, 센싱전극부(150) 및 센싱신호처리부(110)가 동일한 평면에 위치하고 있는 경우, 센싱신호처리부(110)의 동작에 따라 발생하는 미세전류나 열 등에 의해 직접 영향을 미치게 되는데, 본 발명에 따르면 센싱신호처리부(110)의 영향을 최소화할 수 있다. The current sensor 100 according to the present embodiment is configured such that the sensing electrode unit 150 and sensing signal processing unit 110 for sensing the current of the current to be sensed are not located on the same plane, And are electrically connected to each other, so that the area can be minimized. When the sensing electrode unit 150 and the sensing signal processing unit 110 are located on the same plane, the sensing electrode unit 150 directly affects the sensing electrode unit 150 and the sensing signal processing unit 110 due to micro current or heat generated by the sensing signal processing unit 110. The influence of the sensing signal processing unit 110 can be minimized.

센싱신호처리부(110)의 일면에는 제1절연층(120)이 형성된다. 또한, 노이즈 차단부(130) 상부에도 제2절연층(140)이 형성된다. 제1절연층(120) 및 제2절연층(140)은 절연물질을 포함하는 층으로, 센싱신호처리부(110), 노이즈 차단부(130) 및 센싱전극부(150)의 전기적 절연을 위한 층들이다. 제1절연층(120) 및 제2절연층(140)에 사용될 수 있는 절연물질로는 질화실리콘(SiN)계 화합물이 사용될 수 있다. A first insulating layer 120 is formed on one surface of the sensing signal processing unit 110. The second insulating layer 140 is also formed on the noise blocking portion 130. The first insulating layer 120 and the second insulating layer 140 are layers including an insulating material and are formed of a layer for electrically insulating the sensing signal processing unit 110, the noise blocking unit 130, and the sensing electrode unit 150, admit. Silicon nitride (SiN) -based compounds may be used as the insulating material that can be used for the first insulating layer 120 and the second insulating layer 140.

제1절연층(120) 및 제2절연층(140)은 특히 노이즈 차단부(130)의 물성에 영향을 미치지 않는 절연물질을 사용하는 것이 바람직하다. 제1절연층(120)의 상부에는 노이즈 차단부(130)가 형성된다. 노이즈 차단부(130)는 센싱신호처리부(110)로부터 발생하는 전류를 센싱전극부(150)에 도달하지 않도록 차단한다. 또한, 노이즈 차단부(130)는 센싱신호처리부(110)에서 발생하는 열이 센싱전극부(150)에 도달하지 않도록 차단한다. It is preferable that the first insulating layer 120 and the second insulating layer 140 use an insulating material that does not affect the physical properties of the noise blocking portion 130. The noise blocking portion 130 is formed on the first insulating layer 120. The noise blocking unit 130 blocks the current generated from the sensing signal processing unit 110 from reaching the sensing electrode unit 150. The noise blocking unit 130 blocks the heat generated in the sensing signal processing unit 110 from reaching the sensing electrode unit 150.

노이즈 차단부(130)는 센싱신호처리부(110)의 동작시 발생할 수 있는 미세전류의 전류패스로서 동작할 수 있으며, 이에 따라 금속을 포함할 수 있다. 노이즈 차단부(130)는 알루미늄, 구리, 티타늄 및 이들의 합금 중 어느 하나의 금속을 포함할 수 있다. 또한, 노이즈 차단부(130)는 센싱전극부(150)의 전류센싱에 영향을 미치지 않아야 하므로 금속 중 니켈과 같은 강자성체와 같이 센싱전극부(150)에 영향을 미치지 않는 금속을 사용하는 것이 바람직하다. 노이즈 차단부(130)가 금속으로 구현되기 때문에 제1절연층(120) 및 제2절연층(140)은 실리콘산화물과 같이 절연물질이면서도 금속을 산화시킬 수 있는 물질은 사용되지 않는 것이 바람직하다. The noise blocking unit 130 may operate as a current path of a minute current that may occur in the operation of the sensing signal processing unit 110, and may include a metal. The noise blocking portion 130 may include any one of aluminum, copper, titanium, and alloys thereof. In addition, since the noise shielding unit 130 should not affect the current sensing of the sensing electrode unit 150, it is preferable to use a metal that does not affect the sensing electrode unit 150, such as a ferromagnetic material such as nickel in the metal . It is preferable that the first insulating layer 120 and the second insulating layer 140 are made of an insulating material such as silicon oxide and can oxidize the metal because the noise blocking portion 130 is formed of metal.

제2절연층(140) 상에는 센싱전극부(150)가 형성된다. 본 발명에서 센싱전극부(150)는 홀센서를 의미한다. 특히 본 발명에서 센싱전극부(150)는 평면홀저항(planar Hall Resistance, PHR) 센서일 수 있다. PHR 센서는 자기저항센서 중 홀효과를 이용한 자기저항센서이다. 자기 저항이란 자성체에 자기장을 걸어주면 변화하는 전기 비저항을 지칭한다. 이러한 자기 저항은 종류에 따라 이방성자기 저항, 거대자기 저항, 터널링 자기 저항, 초거대 자기 저항으로 분류된다. The sensing electrode unit 150 is formed on the second insulating layer 140. In the present invention, the sensing electrode unit 150 means a Hall sensor. In particular, in the present invention, the sensing electrode unit 150 may be a planar Hall Resistance (PHR) sensor. The PHR sensor is a magnetoresistive sensor using Hall effect among magnetoresistive sensors. Magnetoresistance refers to an electrical resistivity that changes when a magnetic field is applied to a magnetic body. Such magnetoresistance is classified into anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance, tunneling magnetoresistance, and giant magnetoresistance depending on the type.

이러한 자기저항을 이용한 자기저항센서 중 홀효과(Hall effect)를 이용한 평면홀저항(planar Hall Resistance)자기센서를 이용하여 전류측정이 가능하다. 일반적인 자기 센서에서는 전압 측정 방향과 흐르는 전류의 방향은 서로 평행이 되지만, 평면홀저항(PHR) 자기 센서에서는 이들의 방향이 서로 수직이 된다. 즉, 흐르는 계측용 전류가 외부자기장에 의해 영향받은 홀 효과에 의해 발생한 전압을 이용하여 계측할 수 있다. 센싱전극부(150)의 센싱대상전류 계측에 대하여는 이하 도 4를 참조하여 더 설명하기로 한다. Among the magnetoresistive sensors using the magnetoresistance, a current can be measured using a planar Hall Resistance magnetic sensor using a Hall effect. In a typical magnetic sensor, the direction of voltage measurement and the direction of current flow are parallel to each other, but in a planar Hall Resistance (PHR) magnetic sensor, their directions are perpendicular to each other. That is, the measurement current can be measured using the voltage generated by the Hall effect, which is influenced by the external magnetic field. The sensing current measurement of the sensing electrode unit 150 will be further described with reference to FIG.

도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 전류센서의 단면도이다. 본 실시예의 전류센서(100)는 방열부(160)를 더 포함한다. 방열부(160)는 센싱신호처리부(110)로부터 발생하는 열을 센싱전극부(150)에 도달하지 않도록 열을 방출한다. 즉, 방열부(160)는 센싱신호처리부(110)로부터 발생하는 열의 열전달패스로 동작한다.3 is a cross-sectional view of a current sensor according to another embodiment of the present invention. The current sensor 100 of the present embodiment further includes a heat dissipation unit 160. [ The heat dissipation unit 160 dissipates heat to prevent the heat generated from the sensing signal processing unit 110 from reaching the sensing electrode unit 150. That is, the heat dissipation unit 160 operates as a heat transfer path of heat generated from the sensing signal processing unit 110.

방열부(160)는 열방출을 위하여 열전도율이 높은 물질로 구현될 수 있다. 방열부(160)는 금속을 포함할 수 있다. 방열부(160)는 노이즈 차단부(130)와 연결될 수 있는데, 노이즈 차단부(130)가 금속으로 구현되는 경우, 방열부(160)는 노이즈 차단부(130)가 방열연결부(161)로 연장되어 센싱신호처리부(110)의 하부에 형성되는 형태로 구현될 수 있다. 즉, 방열부(160)는 노이즈 차단부(130)와 일체로 구현되어 노이즈 차단부(130)의 위치에서는 센싱신호처리부(110)에서 발생한 열을 센싱전극부(150)에 도달하지 않도록 차단하게 하고, 센싱신호처리부(110)의 하부에서는 센싱신호처리부(110)에서 발생한 열을 외부로 방출하여 전류센서(100) 전체의 열을 외부로 방출하는 기능을 수행한다. The heat dissipation unit 160 may be formed of a material having a high thermal conductivity for heat dissipation. The heat dissipation unit 160 may include a metal. The heat dissipation unit 160 may be connected to the noise isolation unit 130. When the noise isolation unit 130 is formed of metal, the heat dissipation unit 160 may extend to the heat dissipation connection unit 161 And is formed below the sensing signal processing unit 110. That is, the heat dissipation unit 160 is integrated with the noise isolation unit 130 so as to prevent the heat generated in the sensing signal processing unit 110 from reaching the sensing electrode unit 150 at the position of the noise isolation unit 130 And discharges the heat generated from the sensing signal processing unit 110 to the outside of the sensing signal processing unit 110 to discharge heat of the entire current sensor 100 to the outside.

본 발명의 다른 측면에 따르면, 기판에 센싱신호처리부를 형성하는 단계; 센싱신호처리부가 형성된 기판에 제1절연층을 형성하는 단계; 제1절연층 상에 노이즈 차단부를 형성하는 단계; 노이즈 차단부 상에 제2절연층을 형성하는 단계; 및 제2절연층 상에 센싱전극부를 형성하는 단계;를 포함하는 전류센서 제조방법이 제공된다. According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, comprising: forming a sensing signal processing unit on a substrate; Forming a first insulating layer on a substrate on which a sensing signal processing unit is formed; Forming a noise blocking portion on the first insulating layer; Forming a second insulating layer on the noise blocking portion; And forming a sensing electrode portion on the second insulating layer.

본 발명에 따른 전류센서 제조방법에서는, 먼저 CMOS기판과 같은 회로기판에 절연물질을 이용하여 제1절연층을 형성한다. 제1절연층 상에는 노이즈 차단부가 형성되는데, 노이즈 차단부는 금속을 증착하여 형성할 수 있다. 금속층이 형성되면 다시 절연물질을 이용하여 제2절연층을 형성한다. 제2절연층 상에 센싱전극부를 형성하고, 최종적으로 센싱전극부를 보호할 수 있는 보호층을 형성하여 전류센서를 제조한다. 보호층은 폴리머 계열을 물질로 형성할 수 있다. In the method of manufacturing a current sensor according to the present invention, a first insulating layer is formed on a circuit board such as a CMOS substrate using an insulating material. A noise blocking portion is formed on the first insulating layer. The noise blocking portion may be formed by depositing a metal. When the metal layer is formed, a second insulating layer is formed using an insulating material again. A sensing electrode portion is formed on the second insulating layer, and a protective layer for protecting the sensing electrode portion is finally formed to manufacture a current sensor. The protective layer may be formed of a polymeric material.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 전류센서의 평면도이다. 본 실시예에 따르면, 센싱전극부(150)는 제1센싱전극부(151) 및 제2센싱전극부(152)를 포함한다. 제1센싱전극부(151) 및 제2센싱전극부(152)는 각각 센싱대상전류의 신호값을 측정할 수 있다. 4 is a plan view of a current sensor according to another embodiment of the present invention. According to the present embodiment, the sensing electrode unit 150 includes a first sensing electrode unit 151 and a second sensing electrode unit 152. The first sensing electrode unit 151 and the second sensing electrode unit 152 can measure the signal value of the sensing target current, respectively.

제1센싱전극부(151) 및 제2센싱전극부(152)는 도 4에서와 같이 하나의 센싱대상전류(170)를 센싱할 수 있다. 즉, 센싱대상전류(170)는 제1방향으로 흘러 제1센싱전극부(151)를 통과하고, 다시 제2방향으로 흐르게 되어 제2센싱전극부(152)를 통과한다. 다시말하면, 제1센싱전극부(151)를 통과하는 센싱대상전류(170)의 방향과 제2센싱전극부(152)를 통과하는 센싱대상전류(170)의 방향은 서로 상이하다. 따라서, 제1센싱전극부(151)를 통과하는 센싱대상전류(170)에 의해 형성되는 자계의 방향과 제2센싱전극부(152)를 통과하는 센싱대상전류(170)에 의해 형성되는 자계의 방향이 상이하게 되므로 발생되는 신호값도 상이하게 된다. The first sensing electrode unit 151 and the second sensing electrode unit 152 can sense one sensing target current 170 as shown in FIG. That is, the sensing target current 170 flows in the first direction, passes through the first sensing electrode unit 151, flows again in the second direction, and passes through the second sensing electrode unit 152. In other words, the direction of the sensing target current 170 passing through the first sensing electrode unit 151 and the sensing target current 170 passing through the second sensing electrode unit 152 are different from each other. Therefore, the direction of the magnetic field formed by the sensing target current 170 passing through the first sensing electrode unit 151 and the sensing current 170 passing through the second sensing electrode unit 152 So that the signal value to be generated also becomes different.

이에 따라 제1센싱전극부(151)에서 획득하는 신호값과 제2센싱전극부(152)에서 획득하는 신호값은 서로 상이하다. 이 때, 제1센싱전극부(151)에서 획득한 신호값을 제1신호라 하고, 제2센싱전극부(152)에서 획득한 신호값을 제2신호라 하면, 제1신호와 제2신호는 서로 상이한 값이고, 각각에는 센싱신호처리부(110)로부터의 미세전류노이즈가 부가되어 있다. 따라서, 제1신호 및 제2신호의 차이값을 이용하여 전류값을 얻는다면, 노이즈값을 제거할 수 있어 정확한 전류값 획득이 가능하다. 즉, 본 실시예에 따르면, 노이즈 차단부(130)에 의해 물리적으로 센싱신호처리부(110)로부터의 노이즈 등이 제거된 후, 동일한 측정대상전류에 대하여 두개의 서로 다른 신호값을 얻어 차이값으로 전류값을 얻게 되므로 더욱 정확한 전류값 획득이 가능하다.Accordingly, the signal value acquired by the first sensing electrode unit 151 and the signal value acquired by the second sensing electrode unit 152 are different from each other. If the signal value acquired by the first sensing electrode unit 151 is a first signal and the signal value acquired by the second sensing electrode unit 152 is a second signal, And fine current noise from the sensing signal processing unit 110 is added to each of them. Therefore, if the current value is obtained by using the difference value between the first signal and the second signal, the noise value can be removed and accurate current value acquisition is possible. That is, according to the present embodiment, after the noise from the sensing signal processing unit 110 is physically removed by the noise blocking unit 130, two different signal values are obtained for the same measurement target current, The current value can be obtained, so that a more accurate current value can be obtained.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 제1센싱전극부 및 제1센싱전극부와 이격되어 형성되는 제2센싱전극부를 포함하는 센싱전극부; 및 센싱전극부로부터 획득한 센싱신호를 처리하여 전류값을 산출하는 센싱신호처리부;를 전류센서로서, 제1센싱전극부 및 제2센싱전극부는 1개의 회선을 흐르는 전류를 센싱하되, 회선은 제1센싱전극부에서의 전류방향과 제2센싱전극부에서의 전류방향이 상이하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 전류센서가 제공된다. 이상 전술한 바와 동일한 내용의 설명은 생략하기로 한다.According to another embodiment of the present invention, there is provided a sensing device comprising: a sensing electrode unit including a first sensing electrode unit and a second sensing electrode unit spaced apart from the first sensing electrode unit; And a sensing signal processing unit for processing the sensing signal obtained from the sensing electrode unit to calculate a current value, wherein the first sensing electrode unit and the second sensing electrode unit sense a current flowing in one line, And the current direction in the first sensing electrode unit is different from the current direction in the second sensing electrode unit. The description of the same contents as those described above will be omitted.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 센싱신호처리부; 센싱신호처리부 상의 제1절연층; 제1절연층 상의 열차단부; 열차단부 상의 제2절연층; 및 제2절연층 상의 센싱전극부;를 포함하고, 열차단부는 센싱신호처리부로부터 발생하는 열을 센싱전극부에 도달하지 않도록 외부로 방출하는 전류센서가 제공된다. 본 실시예에서는 노이즈 차단부가 센싱신호처리부로부터의 노이즈가 아닌 열을 차단하는 열차단부로 기능한다. 이상 전술한 바와 동일한 내용의 설명은 생략하기로 한다.According to another embodiment of the present invention, a sensing signal processing unit; A first insulation layer on the sensing signal processor; A train end on the first insulating layer; A second insulating layer on the end of the train; And a sensing electrode portion on the second insulating layer, and the end portion of the heat source is provided with a current sensor for discharging heat generated from the sensing signal processing portion to the outside so as not to reach the sensing electrode portion. In the present embodiment, the noise shielding part functions as a train end that blocks heat, not noise, from the sensing signal processing part. The description of the same contents as those described above will be omitted.

도 5는 본 발명에 따라 제작한 전류센서에 외부 전류인가시 제1센싱전극부에서 획득한 제1신호를 도시한 도면이고, 도 6은 제2센싱전극부에서 획득한 제2신호이며, 도 7은 제1신호 및 제2신호의 차이값에 기반한 신호값을 도시한 도면이며, 도 8은 본 발명에 따라 제작한 전류센서에 노이즈 인가시 제1센싱전극부 및 제2센싱전극부로부터 획득한 제1신호, 제2신호 및 제1신호와 제2신호의 차이값에 기반한 신호값을 도시한 도면이다. FIG. 5 is a view showing a first signal obtained by the first sensing electrode unit when an external current is applied to the current sensor manufactured according to the present invention, FIG. 6 is a second signal obtained by the second sensing electrode unit, 7 is a diagram showing signal values based on the difference between the first signal and the second signal, and FIG. 8 is a graph showing signal values obtained from the first sensing electrode unit and the second sensing electrode unit when noise is applied to the current sensor manufactured according to the present invention And a signal value based on a difference between a first signal, a second signal, and a first signal and a second signal.

2이상의 센싱전극부를 포함하는 구조의 전류센서에서 노이즈 제거를 확인하기 위하여 3-layer, 5-Ring 형태의 PHR 센서를 제작하였다. PHR센서의 bias 전류는 1mA를 인가하였으며, PCB는 7층 형태로 제작하였다. 노이즈는 2G였다. 노이즈를 입력하고 최종 센서의 출력변화를 도 8에 도시하였다. 3-layer and 5-ring type PHR sensors were fabricated to confirm the noise removal in the current sensor having the structure including two or more sensing electrode portions. The bias current of the PHR sensor is 1mA and the PCB is 7 layers. Noise was 2G. The noise input and the output change of the final sensor are shown in Fig.

외부에서 입력된 전류를 측정하기 위한 실시예인 도 5 및 도 6에서 제1센싱전극부 및 제2센싱전극부의 신호값이 각각 획득되고, 이들 신호값의 차이는 A-B=k-(-k)=2k로 도 7에서와 같이 전체 감도는 증가하는 것으로 나타났다. The signal values of the first sensing electrode unit and the second sensing electrode unit are respectively obtained in FIGS. 5 and 6, which are examples for measuring an externally input current, and the difference between these signal values is AB = k - (- k) As shown in FIG. 7, the overall sensitivity was increased at 2k.

도 8에서는 노이즈가 인가될 때 제1센싱전극부와 제2센싱전극부가 노이즈에 의하여 신호값이 출력되고, 그 신호값은 k1과 k2로 나타나며 전체 신호는 감소된 k1과 증가된 k2로 결국 노이즈는 제거된 신호값이 츨력되는 것을 확인할 수 있다. In FIG. 8, when noises are applied, the first sensing electrode unit and the second sensing electrode unit output signal values due to noise, and the signal values thereof are represented by k1 and k2. The entire signal is reduced k1 and increased k2, It can be confirmed that the removed signal value is outputted.

도 9는 본 발명에 따라 제작한 전류센서의 온도변화에 따른 저항특성을 도시한 도면이고, 도 10은 온도변화에 따른 제1신호 및 제2신호의 차이값에 기반한 신호값을 도시한 도면이다. 도 9를 참조하면, 센싱전극부를 1개 포함하는 전류센서의 경우, 온도변화에 따라 저항변화가 나타나는 것을 알 수 있다. 그러나, 2개의 센싱전극부를 포함하는 전류센서의 경우, 온도 변화에 따른 오차값이 두개의 센싱전극부에서 서로 상쇄되어 외부출력값이 0이 되는 것을 확인할 수 있다. FIG. 9 is a graph showing resistance characteristics of a current sensor manufactured according to the present invention in response to a temperature change, and FIG. 10 is a diagram showing signal values based on a difference between a first signal and a second signal according to a temperature change . Referring to FIG. 9, in the case of the current sensor including one sensing electrode unit, it is understood that a resistance change occurs according to the temperature change. However, in the case of the current sensor including two sensing electrode portions, it can be confirmed that the error value according to the temperature change is canceled by the two sensing electrode portions, and the external output value becomes zero.

이상, 본 발명의 실시예들에 대하여 설명하였으나, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서, 구성 요소의 부가, 변경, 삭제 또는 추가 등에 의해 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있을 것이며, 이 또한 본 발명의 권리범위 내에 포함된다고 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, many modifications and changes may be made by those skilled in the art without departing from the spirit and scope of the invention as defined in the appended claims. The present invention can be variously modified and changed by those skilled in the art, and it is also within the scope of the present invention.

100 전류센서
110 센싱신호처리부
120 제1절연층
130 노이즈 차단부
140 제2절연층
150 센싱전극부
160 방열부
161 방열연결부
170 센싱대상전류100 current sensor
110 sensing signal processor
120 first insulation layer
130 noise blocking section
140 second insulation layer
150 sensing electrode section
160 heat sink
161 heat-
170 Current to be sensed

Claims (12)

센싱신호처리부;
상기 센싱신호처리부 상의 제1절연층;
상기 제1절연층 상의 노이즈 차단부;
상기 노이즈 차단부 상의 제2절연층; 및
상기 제2절연층 상의 센싱전극부;를 포함하고,
상기 노이즈 차단부는 상기 센싱신호처리부로부터 발생하는 전류를 상기 센싱전극부에 도달하지 않도록 차단하는 것인 전류센서.A sensing signal processor;
A first insulation layer on the sensing signal processor;
A noise blocking portion on the first insulating layer;
A second insulating layer on the noise blocking portion; And
And a sensing electrode portion on the second insulating layer,
Wherein the noise blocking unit blocks the current generated from the sensing signal processing unit from reaching the sensing electrode unit. 청구항 1에 있어서,
상기 노이즈 차단부는 알루미늄, 구리, 티타늄 및 이들의 합금 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전류센서.The method according to claim 1,
Wherein the noise blocking portion is any one of aluminum, copper, titanium, and alloys thereof. 청구항 1에 있어서,
상기 제1절연층 및 제2절연층은 질화실리콘(SiN)계 화합물인 것을 특징으로 하는 전류센서.The method according to claim 1,
Wherein the first insulating layer and the second insulating layer are silicon nitride (SiN) based compounds. 청구항 1에 있어서,
상기 센싱신호처리부로부터 발생하는 열을 상기 센싱전극부에 도달하지 않도록 열을 방출하는 방열부;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전류센서.The method according to claim 1,
And a heat dissipation unit for dissipating heat generated by the sensing signal processing unit so as not to reach the sensing electrode unit. 청구항 4에 있어서,
상기 방열부는 상기 노이즈 차단부와 연결된 것을 특징으로 하는 전류센서.The method of claim 4,
Wherein the heat dissipation unit is connected to the noise isolation unit. 청구항 1에 있어서,
상기 센싱전극부는 제1센싱전극부 및 제2센싱전극부를 포함하고,
상기 제1센싱전극부에는 센싱대상전류가 제1방향으로 흐르고,
상기 제2센싱전극부에는 센싱대상전류가 제2방향으로 흐르는 것을 특징으로 하는 전류센서.The method according to claim 1,
Wherein the sensing electrode unit includes a first sensing electrode unit and a second sensing electrode unit,
A current to be sensed flows in a first direction in the first sensing electrode portion,
And a current to be sensed flows in a second direction in the second sensing electrode part. 청구항 6에 있어서,
상기 센싱신호처리부는 상기 제1센싱전극부에서 측정된 제1신호값 및 상기 제2센싱전극부에서 측정된 제2신호값의 차이값에 기초하여 전류값을 획득하는 것을 특징으로 하는 전류센서.The method of claim 6,
Wherein the sensing signal processor obtains a current value based on a difference between a first signal value measured at the first sensing electrode unit and a second signal value measured at the second sensing electrode unit. 청구항 7에 있어서,
상기 획득된 전류값은 외부 노이즈 및 외부 온도변화에 따른 변화가 제거된 것을 특징으로 하는 전류센서.The method of claim 7,
Wherein the obtained current value is removed from external noise and a change due to an external temperature change. 기판에 센싱신호처리부를 형성하는 단계;
상기 센싱신호처리부가 형성된 기판에 제1절연층을 형성하는 단계;
상기 제1절연층 상에 노이즈 차단부를 형성하는 단계;
상기 노이즈 차단부 상에 제2절연층을 형성하는 단계; 및
상기 제2절연층 상에 센싱전극부를 형성하는 단계;를 포함하는 전류센서 제조방법.Forming a sensing signal processing unit on a substrate;
Forming a first insulation layer on the substrate on which the sensing signal processor is formed;
Forming a noise blocking portion on the first insulating layer;
Forming a second insulating layer on the noise blocking portion; And
And forming a sensing electrode portion on the second insulating layer. 청구항 9에 있어서,
상기 센싱전극부는 서로 이격되어 각각 센싱이 가능한 제1센싱전극부 및 제2센싱전극부를 포함하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 전류센서 제조방법.The method of claim 9,
Wherein the sensing electrode unit is formed to include a first sensing electrode unit and a second sensing electrode unit that are spaced from each other and capable of sensing, respectively. 제1센싱전극부 및 상기 제1센싱전극부와 이격되어 형성되는 제2센싱전극부를 포함하는 센싱전극부; 및
상기 센싱전극부로부터 획득한 센싱신호를 처리하여 전류값을 산출하는 센싱신호처리부;를 전류센서로서,
상기 제1센싱전극부 및 상기 제2센싱전극부는 1개의 회선을 흐르는 전류를 센싱하되, 상기 회선은 상기 제1센싱전극부에서의 전류방향과 상기 제2센싱전극부에서의 전류방향이 상이하도록 위치하는 것을 특징으로 하는 전류센서.A sensing electrode unit including a first sensing electrode unit and a second sensing electrode unit spaced apart from the first sensing electrode unit; And
And a sensing signal processing unit for processing the sensing signal obtained from the sensing electrode unit to calculate a current value,
The first sensing electrode unit and the second sensing electrode unit sense a current flowing through one line, and the line is different between the current direction in the first sensing electrode unit and the current direction in the second sensing electrode unit Wherein the current sensor is located at a predetermined position. 센싱신호처리부;
상기 센싱신호처리부 상의 제1절연층;
상기 제1절연층 상의 열차단부;
상기 열차단부 상의 제2절연층; 및
상기 제2절연층 상의 센싱전극부;를 포함하고,
상기 열차단부는 상기 센싱신호처리부로부터 발생하는 열을 상기 센싱전극부에 도달하지 않도록 외부로 방출하는 전류센서.A sensing signal processor;
A first insulation layer on the sensing signal processor;
A train end on said first insulating layer;
A second insulating layer on the end of the train; And
And a sensing electrode portion on the second insulating layer,
And the heat terminal unit discharges heat generated from the sensing signal processing unit to the outside so as not to reach the sensing electrode unit.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2001174486A (en) * 1999-12-20 2001-06-29 Sanken Electric Co Ltd Current detector with hall element
JP2003526083A (en) * 1998-03-04 2003-09-02 ノンボラタイル エレクトロニクス， インコーポレイテッド Magnetic digital signal coupler
JP2011145273A (en) * 2010-01-15 2011-07-28 Kohshin Electric Corp Current sensor
JP2016090440A (en) * 2014-11-06 2016-05-23 株式会社東芝 Current sensor and smart meter

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003526083A (en) * 1998-03-04 2003-09-02 ノンボラタイル エレクトロニクス， インコーポレイテッド Magnetic digital signal coupler
JP2001174486A (en) * 1999-12-20 2001-06-29 Sanken Electric Co Ltd Current detector with hall element
JP2011145273A (en) * 2010-01-15 2011-07-28 Kohshin Electric Corp Current sensor
JP2016090440A (en) * 2014-11-06 2016-05-23 株式会社東芝 Current sensor and smart meter

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