KR20180064018A - Chemical-mechanical polishing slurry composition and method for manufacturing semiconductor by using the same - Google Patents
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
Abstract
Description
본 발명은 화학적 기계적 연마 슬러리 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법에 관한 것으로, 특히 포토레지스트(PR)과정에서 적정 깊이의 패터닝을 위한 비정질탄소막 연마용 화학적 기계적 연마 슬러리 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법에 관한 것이다. The present invention relates to a chemical mechanical polishing slurry composition and a method of manufacturing a semiconductor device using the same. More particularly, the present invention relates to a chemical mechanical polishing slurry composition for polishing an amorphous carbon film for patterning at an appropriate depth in a photoresist (PR) ≪ / RTI >
반도체 소자의 부재들을 절연하기 위한 방법으로서, 에칭 또는 포토리소그래피를 통해 쉘로우 트렌치(shallow trench)를 형성하고, 유전층을 침착시켜 트렌치를 충전하는 쉘로우 트렌치 분리(STI) 공정이 최근 사용되고 있다. 이러한 STI 공정의 한 단계로서 과량의 절연물질로 인하여 생긴 단차를 제거하는 평탄화 공정이 포함되며, 상기 평탄화 공정을 위해서 최근에는 화학적 기계적 연마 (Chemical Mechanical Polishing, CMP) 방법이 가장 널리 사용되고 있다.As a method for insulating members of a semiconductor device, a shallow trench isolation (STI) process has recently been used to form a shallow trench through etching or photolithography, and to deposit a dielectric layer to fill the trench. One step of the STI process includes a planarization process for removing a step caused by an excessive amount of insulating material. Chemical mechanical polishing (CMP) is the most widely used method for the planarization process.
화학적 기계적 연마 공정(Chemical Mechanical Polishing, CMP)은 표면 평탄화 공정으로 플래시 메모리 소자 등과 같은 반도체 소자의 평탄화에 일반적으로 이용되는 방법 중의 하나이다. 화학적 기계적 연마 공정(Chemical Mechanical Polishing: CMP)에서는 회전판 상에 평탄화 공정을 수행할 웨이퍼를 안착시키고, 이 웨이퍼의 표면과 연마기의 패드를 접촉시킨 후, 슬러리의 공급과 함께 회전판 및 연마기의 패드를 회전시켜 연마 공정을 수행한다. 즉, 웨이퍼 표면과 패드 사이로 슬러리가 유동 하여 슬러리 내의 연마 입자와 패드의 표면돌기에 의한 기계적 마찰에 의해 웨이퍼 표면의 연마가 이루어지는 동시에, 슬러리 내의 화학적 성분과 웨이퍼 표면의 화학적 반응에 의해 화학적 제거가 이루어진다.BACKGROUND ART Chemical mechanical polishing (CMP) is one of the methods commonly used for planarizing semiconductor devices such as flash memory devices in a surface planarization process. In the chemical mechanical polishing (CMP) process, a wafer to be subjected to a planarization process is placed on a rotating plate, the surface of the wafer is brought into contact with the pad of the polishing machine, and then the pad of the rotating plate and the polishing machine is rotated Thereby performing a polishing process. That is, the slurry flows between the surface of the wafer and the pad, and the surface of the wafer is polished by the mechanical friction caused by the abrasive particles in the slurry and the surface protrusions of the pad, and chemical removal is performed by chemical reaction between the chemical components in the slurry and the wafer surface .
반도체 소자의 제조 과정은 증착 공정, 식각 공정 및 이온 주입 공정 등의 공정들을 포함 한다. 즉, 반도체 소자는 웨이퍼 상에 다결정막, 산화막, 질화막 및 금속막 등과 같은 여러 층의 박막을 증착한 후에 사진 공정, 식각 공정 및 이온 주입 공정 등을 통해 패턴을 형성하는데, 미세 패턴을 형성하는 포토리소그래피 (Photo-lithography) 공정의 해상력 향상이 반도체 소자의 고집적화를 이루기 위한 핵심 기술이다. 이러한 포토리소그래피(Photo-lithography) 공정은 포토레지스트 패턴을 형성하는 공정 및 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 하는 식각 공정을 통해 피식각층을 식각하여 원하는 형태의 패턴, 예를 들어 콘택홀 등을 형성하는 공정을 포함하고, 이러한 포토레지스트 패턴은 피식각층 상에 포토레지스트(포토레지스트)을 도포하는 공정, 준비된 노광 마스크를 이용하여 포토레지스트를 노광하는 공정 및 소정의 화학 용액으로 노광되거나 혹은 노광 되지 않은 포토레지스트 부분을 제거하는 공정을 포함하여 형성된다.The manufacturing process of the semiconductor device includes processes such as a deposition process, an etching process, and an ion implantation process. That is, a semiconductor device forms a pattern through a photolithography process, an etching process, and an ion implantation process after depositing a thin film of a plurality of layers such as a polycrystalline film, an oxide film, a nitride film and a metal film on a wafer, Improvement of resolving power of photo-lithography process is key technology for achieving high integration of semiconductor devices. Such a photolithography process is a process in which a pattern of a desired shape, for example, a contact hole or the like is formed by etching the etching layer through a process of forming a photoresist pattern and an etching process using the photoresist pattern as an etching mask Such a photoresist pattern is formed by a process of applying a photoresist (photoresist) on the etching layer, a process of exposing the photoresist using the prepared exposure mask, a process of exposing the photoresist using a prepared chemical solution, And a step of removing the portion.
종래의 패터닝 기술에서 70nm이하의 패턴을 구현하기 위해서는 약 300nm이상의 코팅 두께의 포토레지스트를 사용하게 되며, 이 때문에 높이/바닥 비율이 높아져서 패턴이 붕괴되어 적정 두께의 패터닝의 구현이 어려울 수 있다. 반면, 포토레지스트의 코팅두께를 낮추면 에칭(etching)공정에서 기판(substrate)에 대한 마스크로서의 역할을 충분히 못하게 되어, 반도체 공정에서 요구하는 깊이만큼의 패턴을 새겨 넣을 수 없다는 단점이 존재한다.In order to realize a pattern of 70 nm or less in the conventional patterning technique, a photoresist having a coating thickness of about 300 nm or more is used. As a result, the height / floor ratio is increased and the pattern is collapsed. On the other hand, if the coating thickness of the photoresist is lowered, there is a disadvantage in that it can not sufficiently serve as a mask for a substrate in an etching process, and it is impossible to inscribe a pattern of a depth required by a semiconductor process.
따라서, 기판에 대한 하드마스크(hardmask)의 필요성이 대두되고 있으며, 포토레지스트 과정 중 하드마스크로서 비정질탄소막의 이용가능성이 제기되어 이에 관한 연구 및 비정질탄소막의 화학적 기계적 연마가 용이한 새로운 CMP 슬러리의 제공이 요구되고 있다. Therefore, there is a need for a hardmask for the substrate, and the possibility of using an amorphous carbon film as a hard mask during the photoresist process is raised, and a new CMP slurry which is easy to chemically and mechanically polish the amorphous carbon film .
본 발명의 목적은 하드마스크용도로서 비정질 탄소막을 이용하여 적정 깊이의 패터닝을 유지할 수 있는 화학적 기계적 연마용 슬러리 조성물을 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to provide a slurry composition for chemical mechanical polishing capable of maintaining an appropriate depth of patterning by using an amorphous carbon film as a hard mask application.
본 발명의 다른 목적은 상기 화학적 기계적 연마용 슬러리 조성물을 이용한 반도체 소자의 제조 방법을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a method of manufacturing a semiconductor device using the slurry composition for chemical mechanical polishing.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.It is to be understood that both the foregoing general description and the following detailed description are exemplary and explanatory and are not intended to limit the invention to the precise form disclosed. There will be.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 일측면에 따른 화학적 기계적 연마용 슬러리 조성물은 연마재, 연마 촉진제 및 pH조절제를 포함하고, 상기 연마 촉진제는 하기의 화학식1을 포함하는 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마용 슬러리 조성물이다.According to one aspect of the present invention, there is provided a chemical mechanical polishing slurry composition comprising an abrasive, a polishing accelerator, and a pH adjusting agent, wherein the polishing accelerator includes the following chemical formula Polishing slurry composition.
[화학식1][Chemical Formula 1]
여기서, 상기 R1은 수소, 아릴기 및 탄소수 1 내지 7인 알킬기로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나이고, 상기 R2 및 R3는 각각 수소, 아릴기, 탄소수 1 내지 7인 알킬기, 인산기(-PO3H), 카르복시메틸기(-CH2CO2H), 인산기가 치환된 탄소수 1 내지 7인 아미노 알킬기로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나이다.Wherein R 1 is any one selected from the group consisting of hydrogen, an aryl group and an alkyl group having 1 to 7 carbon atoms, each of R 2 and R 3 is independently selected from the group consisting of hydrogen, an aryl group, an alkyl group having 1 to 7 carbon atoms, PO 3 H), a carboxymethyl group (-CH 2 CO 2 H), and an aminoalkyl group having 1 to 7 carbon atoms substituted with a phosphoric acid group.
상기 화학식1에서, 상기 R1은 수소, 탄소수1 내지3인 알킬기 및 페닐기로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나일 수 있고, 상기 R2 및 R3 는 각각 수소, 탄소수1내지3인 알킬기, 페닐기, 메틸포스포닉산(-CH2PO3H), 카르복시메틸기(-CH2CO2H), 치환 또는 비치환된 메틸포스포닉산을 포함하는 3차 아미노 알킬기로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나일 수 있다.In Formula 1, R 1 may be any one selected from the group consisting of hydrogen, an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, and a phenyl group; each of R 2 and R 3 is independently selected from the group consisting of hydrogen, an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, A tertiary aminoalkyl group including methylphosphonic acid (-CH 2 PO 3 H), a carboxymethyl group (-CH 2 CO 2 H), and a substituted or unsubstituted methylphosphonic acid. have.
상기 연마 촉진제는 니트릴로트리(메틸 포스포닉산), (아미노메틸)포스포닉산, (1-아미노프로필)포스포닉산, 이미노디(메틸 포스포닉산), 디에틸렌트리아민펜타키스 메틸 포스포닉산, 아미노(페닐)메틸 포스포닉산, 에틸렌디아민테트라(메틸렌 포스포닉산) 및 이들의 조합으로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나인 것 일 수 있다.The abrasive accelerator may be at least one selected from the group consisting of nitrilotri (methylphosphonic acid), (aminomethyl) phosphonic acid, (1-aminopropyl) phosphonic acid, iminodi (methylphosphonic acid), diethylenetriaminepentaquis methylphosphonic acid , Amino (phenyl) methylphosphonic acid, ethylenediaminetetra (methylenephosphonic acid), and combinations thereof.
상기 연마 촉진제는 전체 조성물 100 중량%를 기준으로 0.01 내지 0.5중량%로 포함되는 것 일 수 있다.The polishing accelerator may be 0.01 to 0.5% by weight based on 100% by weight of the total composition.
상기 조성물의pH가 2 내지 5인 것일 수 있다.The pH of the composition may be between 2 and 5.
상기 조성물은 비정질탄소막(ACL) 대 실리콘산화막의 연마 선택비가 1:10 내지 1:1인 것 일 수 있다.The composition may have a polishing selectivity ratio of amorphous carbon film (ACL) to silicon oxide film of 1:10 to 1: 1.
상기 조성물은 포토레지스트(PR) 공정에서의 비정질탄소막을 연마하는 용도인 것 일 수 있다.The composition may be one for polishing an amorphous carbon film in a photoresist (PR) process.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 또 다른 측면에 따른 반도체 소자의 제조 방법은 상기 화학적 기계적 연마용 슬러리 조성물을 이용하여 연마하는 단계를 포함한다.According to still another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, comprising polishing the slurry composition using the chemical mechanical polishing slurry composition.
본 발명의 일 실시예에 따른 화학적 기계적 연마용 슬러리 조성물은 하드마스크용으로서 비정질 탄소막의 연마 속도가 향상될 수 있으며, 실리콘 산화막과의 선택비를 낮출 수 있다. The slurry composition for chemical mechanical polishing according to one embodiment of the present invention can improve the polishing rate of the amorphous carbon film for a hard mask and lower the selectivity to the silicon oxide film.
본 발명의 효과는 상기한 효과로 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 상세한 설명 또는 특허청구범위에 기재된 발명의 구성으로부터 추론 가능한 모든 효과를 포함하는 것으로 이해되어야 한다.It should be understood that the effects of the present invention are not limited to the above effects and include all effects that can be deduced from the detailed description of the present invention or the configuration of the invention described in the claims.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 비정질탄소막 연마 속도 실험 결과 그래프이다.1 is a graph showing an experimental result of polishing rate of an amorphous carbon film according to an embodiment of the present invention.
이하, 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다. 다만, 이는 예시로서 제시되는 것으로, 이에 의해 본 발명이 제한되지는 않으며 본 발명은 후술할 청구범위의 범주에 의해 정의될 뿐이다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail. However, it should be understood that the present invention is not limited thereto, and the present invention is only defined by the scope of the following claims.
덧붙여, 본 발명에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. In addition, the terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. The singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise.
본 발명의 명세서 전체에서 어떤 구성요소를 ?포함?한다는 것은 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다.
The inclusion of any element throughout the specification of the present invention does not exclude other elements, but may include other elements, unless specifically stated otherwise.
본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한 '알킬기'는 1차 알킬기, 2차 알킬기 및 3차 알킬기를 포함한다. 여기서 사용된 '알킬기'의 예로는 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, n-부틸, iso부틸, t-부틸, n-펜틸, 이소펜틸 및 헥실을 들 수 있으나, 이에 국한되지는 않는다Unless otherwise specified herein, an "alkyl group" includes a primary alkyl group, a secondary alkyl group, and a tertiary alkyl group. Examples of the 'alkyl group' as used herein include, but are not limited to, methyl, ethyl, n-propyl, isopropyl, n-butyl, iso butyl, t-butyl, n-pentyl, isopentyl and hexyl
본 명세서에서 모든 화합물 또는 치환기는 특별한 언급이 없는 한 치환되거나 비치환된 것일 수 있다. 여기서, '치환된'이란 수소가 할로겐 원자, 하이드록시기, 카르복시기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 사이오기, 메틸 사이오기, 알콕시기, 나이트릴기, 알데하이드기, 에폭시기, 에테르기, 에스테르기, 카르보닐기, 아세탈기, 케톤기, 알킬기, 시클로알킬기, 헤테로시클로알킬기, 알릴기, 벤질기, 아릴기, 헤테로아릴기, 이들의 유도체 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나로 대체된 것을 의미하며, 이에 국한되지는 않는다.In the present specification, all the compounds or substituents may be substituted or unsubstituted unless otherwise specified. The term "substituted" as used herein refers to a hydrogen atom, a hydrogen atom, a hydroxyl group, a carboxyl group, a cyano group, a nitro group, an amino group, a cyano group, a methyl cyano group, an alkoxy group, a nitrile group, an aldehyde group, Means a substituted one selected from the group consisting of a carbonyl group, an acetal group, a ketone group, an alkyl group, a cycloalkyl group, a heterocycloalkyl group, an allyl group, a benzyl group, an aryl group, a heteroaryl group, , ≪ / RTI >
또한, 본 명세서에서 사용한 용어 '이들의 조합' 이란 특별한 언급이 없는 한, 둘 이상의 치환기가 단일 결합 또는 연결기로 결합되어 있거나, 둘 이상의 치환기가 축합하여 연결되어 있는 것을 의미한다.
As used herein, the term " combination thereof " means that two or more substituents are bonded to each other through a single bond or a linking group, or two or more substituents are condensed and connected.
본 발명의 일측면에 따른 화학적 기계적 연마용 슬러리 조성물은 연마재, 연마 촉진제 및 pH조절제를 포함하고, 상기 연마 촉진제는 하기의 화학식1을 포함하는 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마용 슬러리 조성물이다.A slurry composition for chemical mechanical polishing according to one aspect of the present invention comprises an abrasive, an abrasive accelerator, and a pH adjuster, and the abrasive accelerator includes the following chemical formula (1).
[화학식1][Chemical Formula 1]
여기서, 상기 R1은 수소, 아릴기 및 탄소수 1 내지 7인 알킬기로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나이고, 상기 R2 및 R3는 각각 수소, 아릴기, 탄소수 1 내지 7인 알킬기, 인산기(-PO3H), 카르복시메틸기(-CH2CO2H), 인산기가 치환된 탄소수 1 내지 7인 아미노 알킬기로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나이다.Wherein R 1 is any one selected from the group consisting of hydrogen, an aryl group and an alkyl group having 1 to 7 carbon atoms, each of R 2 and R 3 is independently selected from the group consisting of hydrogen, an aryl group, an alkyl group having 1 to 7 carbon atoms, PO 3 H), a carboxymethyl group (-CH 2 CO 2 H), and an aminoalkyl group having 1 to 7 carbon atoms substituted with a phosphoric acid group.
상기 아릴기는 분자내에서 방향족 탄화수소의 수소가 떨어진 작용기로서 페닐기, 토릴기, 나프틸기등이 있으며 바람직하게는 페닐기일 수 있다. The aryl group is a functional group in which hydrogen of the aromatic hydrocarbon is separated in the molecule, such as a phenyl group, a tolyl group, a naphthyl group and the like, preferably a phenyl group.
상기 아미노 알킬기는 주쇄(chain)에 질소(N)를 포함하는 아미노기를 포함하는 알킬기로서, 상기 아미노기는 1차 아민, 2차 아민 또는 3차 아민 중에서 선택된 하나 일 수 있으며 바람직하게는 3차 아미노기가 결합된 에틸기(-CH2CH2N-)일 수 있다.The aminoalkyl group is an alkyl group containing an amino group containing nitrogen (N) in the main chain. The amino group may be any one selected from a primary amine, a secondary amine or a tertiary amine, and preferably a tertiary amino group And may be a bonded ethyl group (-CH 2 CH 2 N-).
바람직하게는, 상기 화학식1에서, 상기 R1은 수소, 탄소수1 내지3인 알킬기 및 페닐기로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나이며, 상기 R2 및 R3 는 각각 수소, 탄소수1내지3인 알킬기, 페닐기, 메틸포스포닉산(-CH2PO3H), 카르복시메틸기(-CH2CO2H), 치환 또는 비치환된 메틸포스포닉산을 포함하는 3차 아미노 알킬기로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나일 수 있다.Preferably, in Formula 1, R 1 is any one selected from the group consisting of hydrogen, an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, and a phenyl group; each of R 2 and R 3 is hydrogen, an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, A tertiary aminoalkyl group including a phenyl group, methylphosphonic acid (-CH 2 PO 3 H), a carboxymethyl group (-CH 2 CO 2 H), and a substituted or unsubstituted methylphosphonic acid. Lt; / RTI >
보다 바람직하게, 상기 연마 촉진제는 하기의 화학식 2 내지 9의 화합물 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나일 수 있으며, 가장 바람직하게는 화학식2의 니트릴로트리(메틸 포스포닉산) 일 수 있다.More preferably, the polishing accelerator may be any one selected from the group consisting of compounds represented by the following formulas (2) to (9) and combinations thereof, and most preferably nitrilotri (methylphosphonic acid) represented by formula (2).
[화학식2](2)
상기 화학식2의 화합물은 니트릴로트리(메틸 포스포닉산)이다.The compound of Formula 2 is nitrilotri (methylphosphonic acid).
[화학식3](3)
상기 화학식3의 화합물은 (아미노메틸)포스포닉산이다.The compound of formula (3) is (aminomethyl) phosphonic acid.
[화학식4][Chemical Formula 4]
상기 화학식4의 화합물은 (1-아미노프로필)포스포닉산이다.The compound of Formula 4 is (1-aminopropyl) phosphonic acid.
[화학식5][Chemical Formula 5]
상기 화학식5의 화합물은 이미노디(메틸 포스포닉산)이다.The compound of Chemical Formula 5 is iminodi (methylphosphonic acid).
[화학식6][Chemical Formula 6]
상기 화학식6의 화합물은 디체틸렌트리아민펜타키스 메틸 포스포닉산이다.The compound of formula (6) is dicetylenetriamine pentaquis-methylphosphonic acid.
[화학식7](7)
상기 화학식7의 화합물은 아미노(페닐)메틸 포스포닉산이다.The compound of Formula 7 is amino (phenyl) methylphosphonic acid.
[화학식8][Chemical Formula 8]
상기 화학식8의 화합물은 아미노(페닐)메틸 포스포닉산이다.The compound of Formula 8 is amino (phenyl) methylphosphonic acid.
[화학식9][Chemical Formula 9]
상기 화학식9의 화합물은 에틸렌디아민테트라(메틸렌 포스포닉산)이다.The compound of Formula 9 is ethylenediaminetetra (methylenephosphonic acid).
상기 연마 촉진제는 슬러리 조성물 전체 100 중량%를 기준으로 0.01 내지 0.5 중량일 수 있으며, 바람직하게는 0.1 내지 0.2일 수 있다. 산(acid) 성분의 연마 촉진제가 0.01중량% 미만일 경우에는 산의 세기가 지나치게 약해서 연마 촉진역할을 제대로 수행하기 어려우며 반면 0.5 중량% 초과시에는 슬러리 조성물 내에서 다른 화합물과 착물을 형성할 수 있어 연마효율이 감소할 수 있다.The polishing accelerator may be 0.01 to 0.5 wt%, preferably 0.1 to 0.2 wt% based on 100 wt% of the entire slurry composition. When the amount of the acid accelerator is less than 0.01% by weight, the strength of the acid is too weak to perform the function of accelerating the polishing. On the other hand, when the amount is more than 0.5% by weight, the complex with the other compound can be formed in the slurry composition, Can be reduced.
상기 연마재는 통상의 금속 산화물 입자를 사용할 수 있다. 바람직하게는 세리아(CeO2), 실리카(SiO2), 알루미나(Al2O3), 지르코니아(ZrO2), 티타니아(TiO2), 게르마니아(GeO2) 또는 이들의 혼합물일 수 있고, 보다 바람직하게는 콜로이달 실리카를 사용할 수 있다. 상기 콜로이달 실리카(collioid silica)는 실리카졸(silica sol)로도 호칭되며, 물이나 유기용제(organic solvent)와 같은 액체에 고형의 실리카 입자가 침전되거나 응집되지 않은 상태로 안정하게 분산되어 있는 것을 의미한다. 상기 콜로이달 실리카는 투석법, 전기투석법, 해교법, 산-중화법, 이온교환법 등 여러 가지 방법으로 제조될 수 있다. 상기 콜로이달 실리카는 발연 실리카나 알루미나와 같은 연마재에 비해 실리콘 산화막의 연마속도가 높아 유리하다.The abrasive may be a conventional metal oxide particle. Preferably it may be ceria (CeO 2), silica (SiO 2), alumina (Al 2 O 3), zirconia (ZrO 2), titania (TiO 2), germania (GeO 2) or a mixture thereof, more preferably Colloidal silica can be used. The colloidal silica is also referred to as silica sol and means that solid silica particles are stably dispersed in a liquid such as water or an organic solvent without being precipitated or agglomerated do. The colloidal silica can be prepared by various methods such as dialysis, electrodialysis, peptization, acid-neutralization, and ion exchange. The colloidal silica is advantageous because the polishing rate of the silicon oxide film is higher than that of an abrasive such as fumed silica or alumina.
상기 연마재로 사용되는 콜로이달 실리카의 입자 사이즈는 20nm 내지 120nm이며 구형인 것이 바람직하다. The particle size of the colloidal silica used as the abrasive is preferably 20 nm to 120 nm and is spherical.
연마재로서 같은 사이즈의 콜로이달 실리카만을 사용하거나 다른 사이즈의 콜로이달 실리카를 혼합하여 사용할 수도 있다. 상기 연마재의 입자 사이즈가 20nm 미만일 경우에는 기판의 연마 효율이 떨어지는 문제가 발생할 수 있고, 금속 막질 상 위에 결함을 유발할 수 있는 가능성이 높아 진다. 120nm를 초과하는 경우에는 슬러리 분산 안정성에 악영향을 미칠 수 있으며, 스크래치 발생 빈도가 높아질 수 있다. 또한 연마속도 구현을 위해 많은 양의 연마재의 양을 필요로 한다. 따라서 전술한 범위의 평균 입경을 갖는 콜로이달 실리카를 사용할 수 있다. It is also possible to use only colloidal silica of the same size as the abrasive, or to mix colloidal silica of different sizes. If the particle size of the abrasive is less than 20 nm, there is a possibility that the polishing efficiency of the substrate is lowered and the possibility of causing defects on the metal film quality is increased. If it is more than 120 nm, the dispersion stability of the slurry may be adversely affected, and the occurrence frequency of scratches may be increased. It also requires a large amount of abrasive material to achieve the polishing rate. Therefore, colloidal silica having an average particle diameter in the above-mentioned range can be used.
상기 콜로이달 실리카의 함량은 전체 연마 조성물의 0.1 내지 5중량%가 될 수 있다. 콜로이달 실리카의 함량이 너무 적은 경우, 연마속도가 낮아지는 문제가 발생할 수 있다. 콜로이달 실리카의 함량이 너무 많은 경우, 분산 안정성 면에서 문제가 발생할 수 있다. 따라서 전술한 범위로 콜로이달 실리카의 함량을 조절할 수 있다. The content of the colloidal silica may be 0.1 to 5% by weight of the total polishing composition. When the content of the colloidal silica is too small, the polishing rate may be lowered. If the content of colloidal silica is too large, problems may arise in terms of dispersion stability. Therefore, the content of the colloidal silica can be controlled within the above-mentioned range.
상기 조성물의 pH를 조절하기 위한 pH 조절제가 더 포함될 수 있으며, 상기 pH조절제는 산으로서 황산, 염산, 질산, 탄산, 카르복시산 및 아세트산 중 1종 이상을 사용할 수 있고, 염기로서 수산화칼륨, 수산화나트륨 및 암모니아 중 1종 이상을 사용할 수 있다. The pH adjusting agent may be at least one acid selected from the group consisting of sulfuric acid, hydrochloric acid, nitric acid, carbonic acid, carboxylic acid, and acetic acid. The pH adjuster may be potassium hydroxide, sodium hydroxide, At least one of ammonia can be used.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 pH 조절제를 사용하여 바람직하게는 조성물의 pH를 2 내지 5로 조절할 수 있다. pH가 너무 낮은 경우, 텅스텐 막 표면에 부식현상이 발생하는 문제가 발생할 수 있다. pH가 너무 높은 경우, 콜로이드 실리카 입자의 분산안정성이 나빠질 수 있으며 또한 비정질 탄소막의 연마속도가 저하되는 문제가 발생할 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the pH of the composition is preferably adjusted to 2 to 5 using the pH adjusting agent. If the pH is too low, corrosion may occur on the surface of the tungsten film. If the pH is too high, the dispersion stability of the colloidal silica particles may deteriorate and the polishing rate of the amorphous carbon film may be lowered.
한편, 상기 조성물은 기타 첨가제로서 안정제를 더 포함할 수 있다. 상기 안정제는 금속 착물의 존재 하에 산화제를 안정화시키는 물질이다. 안정제가 없다면, 촉매 및 산화제는 시간이 경과함에 따라 신속히 산화제를 열화시키는 방식으로 반응할 수 있다. 안정제의 구체적인 예로써 인산, 유기산(예, 아디프산, 시트르산, 말론산, 오르쏘프탈산 및 EDTA), 인산염 화합물, 니트릴 및 금속에 결합하여 그들의 과산화수소 분해 반응성을 저하시키는 기타 리간드 및 이들의 혼합물이 포함할 수 있으며, 이에 한정되지 않는다. 산 안정제는 컨쥬게이트 형태로 사용될 수 있으며, 예를 들면, 카르복실 산 대신 카르복실레이트를 사용할 수 있다. 상기 안정제를 서술하는데 사용된 용어 "산"은 산 안정제의 컨쥬게이트 염기를 또한 나타낸다. 예를 들어, 용어 "아디프산"은 아디프산 및 그의 컨쥬게이트 염기를 나타낸다. 상기 안정제는 단독으로 또는 배합물로서 사용될 수 있고 과산화수소와 같은 산화제가 분해되는 속도를 크게 저하시킬 수 있다. 구체적으로, 상기 안정제는 인산, 프탈산, 시트르산, 아디프산, 옥살산, 말론산, 벤조니트릴 및 그들의 혼합물이 포함될 수 있으며, 바람작하게는 철이온과 결합하여 안정화 효과를 나타내는 아미노산 화합물, 더 바람직하게는 말론산일 수 있다. Meanwhile, the composition may further contain a stabilizer as an additive. The stabilizer is a substance which stabilizes the oxidizing agent in the presence of a metal complex. Without stabilizers, catalysts and oxidants can react in a manner that quickly degrades the oxidant over time. Specific examples of stabilizers include phosphoric acid, organic acids (such as adipic acid, citric acid, malonic acid, orthophthalic acid and EDTA), phosphate compounds, nitriles, and other ligands which lower their hydrogen peroxide decomposability by binding to metals, But is not limited thereto. The acid stabilizer may be used in the form of a conjugate. For example, a carboxylate may be used instead of a carboxylic acid. The term "acid" used to describe the stabilizer also refers to the conjugate base of the acid stabilizer. For example, the term "adipic acid" refers to adipic acid and its conjugate base. The stabilizer can be used alone or as a blend and can significantly reduce the rate at which the oxidizing agent such as hydrogen peroxide decomposes. Specifically, the stabilizer may include phosphoric acid, phthalic acid, citric acid, adipic acid, oxalic acid, malonic acid, benzonitrile, and mixtures thereof, and preferably an amino acid compound that combines with iron ions to exhibit a stabilizing effect, May be malonic acid.
상기 슬러리 조성물의 연마재 및 연마촉진제등을 용해시키기 위한 용매는 전술한 조성물의 구성을 용이하게 분산시킬 수 있는 것이라면 특별히 한정되지 아니하며, 구체적으로 물, 메탄올, 에탄올, 이소프로판올 및 프로필렌 글리콜 로부터 선택되는 1종 이상이 될 수 있다. 물을 용매로 사용하는 경우에는 탈이온수(DIW)를 사용하는 것이 바람직하다.The solvent for dissolving the abrasive and the abrasive accelerator in the slurry composition is not particularly limited as long as it can disperse the composition of the composition described above and specifically includes water, Or more. When water is used as a solvent, it is preferable to use deionized water (DIW).
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 하드마스크용 비정질탄소막 CMP슬러리 조성물은 탈이온수를 용매로 하여 콜로이드 실리카 연마제를 0.1 내지 5%를 포함하고, 연마 촉진제를 0.01 내지 0.5%, 및 기타 첨가 화합물로서 pH조절제를 첨가하여 pH조건 2 내지 5인 것 일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the amorphous carbon film CMP slurry composition for a hard mask contains 0.1 to 5% of a colloidal silica abrasive with deionized water as a solvent, 0.01 to 0.5% of a polishing accelerator, and may be a pH condition of 2 to 5 by adding a pH adjusting agent.
한편, 반도체소자의 제조에 있어서, 패턴의 형성은 포토리소그래피라고 하는 공정을 통해 구현되는데, 패턴이 형성될 재료층 상에, 식각(etching) 마스크로서의 하드 마스크층, 반사 방지막 및 포토레지스트막을 적층한 후, 노광, 현상, 식각, 애싱(ashing) 및 스트립(strip) 공정을 수행하여 상기 재료층에 원하는 패턴을 형성할 수 있다. 이러한 포토리소그래피 공정을 통해 고집적화되고 고성능화된 소자를 보다 정밀하고 효율적으로 제조하기 위해 다양한 공정기술과 재료들이 개발되고 있다. 근래들어 이와 같은 미세한 패턴을 형성하기 위해서 하드 마스크용 비정질 탄소막이 사용되고 있다. 상기 하드마스크는 두께가 두꺼워서 공정시간이 길어질 수 있으므로, 하드마스크인 비정질탄소막의 연마용CMP 슬러리로서 본 발명의 일 실시예에 따른 슬러리 조성물이 이용될 수 있다.On the other hand, in the production of a semiconductor device, the formation of a pattern is realized through a process called photolithography. A hard mask layer as an etching mask, an antireflection film and a photoresist film are stacked on a material layer on which a pattern is to be formed After that, a desired pattern can be formed on the material layer by performing exposure, development, etching, ashing, and strip processes. Various photolithography processes and materials have been developed to more precisely and efficiently manufacture highly integrated and high performance devices. In recent years, an amorphous carbon film for a hard mask has been used to form such a fine pattern. Since the hard mask is thick, the process time may be prolonged. Therefore, a slurry composition according to an embodiment of the present invention may be used as a CMP slurry for polishing an amorphous carbon film which is a hard mask.
상기 슬러리 조성물은 비정질탄소막(ACL)의 연마속도를 향상시킬수 있다. 이에 따라서 비정질 탄소막의 연마 속도 대 실리콘산화막의 연마 속도의 선택비가 1:10 내지 1:1일 수 있다. The slurry composition can improve the polishing rate of the amorphous carbon film (ACL). Accordingly, the selection ratio of the polishing rate of the amorphous carbon film to the polishing rate of the silicon oxide film can be 1: 10 to 1: 1.
반도체층을 박막화할 때, 마스크에 덮혀 있지 않는 영역의 절연층은 거의 같은 높이가 되도록 식각(etching)하는 것이 바람직한데, 이것은 즉 반도체층 및 절연층의 에칭 레이트가 거의 같아지는 조건으로서 선택비 1에 가까울수록 박막 효율이 높다. 반면에 선택비가 1:10 미만이되는 경우 에칭 불균형으로 인하여 패터닝 불량이 발생할 수 있다.When the semiconductor layer is made thin, it is preferable to etch the insulating layer in a region not covered with the mask so that the insulating layer has almost the same height. This is because the etching rate of the semiconductor layer and the insulating layer is almost the same, The thin film efficiency is higher. On the other hand, if the selectivity is less than 1:10, patterning defects may occur due to etching imbalance.
상기 화학적 기계적 연마용 슬러리 조성물은 연마재, 용매 및 기타 첨가제와 같은 모든 성분을 포함하는 1액형 슬러리 조성물 형태로 제공될 수도 있고, 필요에 따라 2 용기, 또는 3개 이상의 용기에 상기 성분들을 각기 저장된 후 사용 시점 또는 사용 시점 부근에서 이를 혼합하는 2액형 또는 3 액형 슬러리 조성물 형태로 제공될 수도 있다. 이러한 제공 형태의 선택 및 저장 성분 조합은 당해 분야에 통상 의 기술을 가진 자의 지식에 속하며, 혼합 비율을 변화시킴으로써 전체적인 연마 특성 및 연마 속도를 조정할 수 있다.
The slurry composition for chemical mechanical polishing may be provided in the form of a one-component slurry composition containing all components such as abrasives, solvents and other additives, and may be stored in two containers or three or more containers as needed May be provided in the form of a two-part or three-part slurry composition which mixes them at the point of use or near the point of use. The combination of selection and storage components of this type of provision is within the knowledge of one of ordinary skill in the art and the overall polishing properties and polishing rate can be adjusted by varying the mixing ratio.
한편, 본 발명의 다른 일 측면에 따른 반도체 소자의 제조 방법은 상기 화학 기계적 연마 슬러리 조성물을 사용하여 배리어 금속막, 실리콘 산화막 및 실리콘 질화막을 동시에 연마하는 단계를 포함하며, 상기 연마하는 단계를 통하여 관통 전극을 형성할 수 있다. 상기 화학 기계적 연마 슬러리 조성물을 사용하여 배리어 금속막, 실리콘 산화막 및 실리콘 질화막을 동시에 연마하는 방법은 종래 일반적으로 사용되는 연마 방법 및 조건이면 어느 것이나 사용할 수 있으며, 본 발명에서 특별히 한정되지 않는다. 따라서, 본 명세서에서는 그 구체적인 설명에 대해서는 생략한다.
According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, comprising simultaneously polishing a barrier metal film, a silicon oxide film, and a silicon nitride film using the chemical mechanical polishing slurry composition, An electrode can be formed. The method of simultaneously polishing the barrier metal film, the silicon oxide film, and the silicon nitride film using the chemical mechanical polishing slurry composition may be any conventional polishing method and conditions, and is not particularly limited in the present invention. Therefore, detailed description thereof will be omitted in this specification.
전술한 본 발명의 설명은 예시를 위한 것이며, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다.It will be understood by those skilled in the art that the foregoing description of the present invention is for illustrative purposes only and that those of ordinary skill in the art can readily understand that various changes and modifications may be made without departing from the spirit or essential characteristics of the present invention. will be. It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive. For example, each component described as a single entity may be distributed and implemented, and components described as being distributed may also be implemented in a combined form.
본 발명의 범위는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
The scope of the present invention is defined by the appended claims, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents should be construed as being included within the scope of the present invention.
이하, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예에 대하여 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail so that those skilled in the art can easily carry out the present invention. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein.
비교예Comparative Example
연마 촉진제를 제외하고, 사이즈 20 ~ 120 nm 구형입자의 콜로이달실리카 연마제 2중량%, 및 탈이온수를 혼합하여 연마용 슬러리 조성물을 제조하였다. 제조된 슬러리 조성물에 산성 pH 조절제를 적정량 첨가하여 조성물의 pH를 3.5 으로 조절하였다.
A polishing slurry composition was prepared by mixing 2 wt% of a colloidal silica polishing agent having a spherical particle size of 20 to 120 nm and deionized water except for the polishing accelerator. The pH of the composition was adjusted to 3.5 by adding an appropriate amount of an acidic pH regulator to the slurry composition.
실시예1Example 1
비정질탄소막 연마 촉진제로 Nitrilotri(methylphosphonic acid) 0.1 중량%, 사이즈 20 ~ 120 nm 구형입자의 콜로이달실리카 연마제 2 중량%와 탈이온수를 혼합하여 연마용 슬러리 조성물을 제조하였다. 제조된 슬러리 조성물에 산성 pH 조절제를 적정량 첨가하여 조성물의 pH 3.5으로 조절하였다.
0.1% by weight of nitrilotri (methylphosphonic acid) as an amorphous carbon film polishing promoter and 2% by weight of a colloidal silica polishing agent having spherical particles of 20 to 120 nm in size and deionized water were mixed to prepare a polishing slurry composition. The pH of the composition was adjusted to 3.5 by adding an appropriate amount of an acidic pH regulator to the slurry composition.
실시예2Example 2
비정질탄소막 연마 촉진제로 Nitrilotri(methylphosphonic acid) 0.2 중량% 첨가하는 것을 제외하고 실시예1과 동일한 방법으로 제조하였다.
Was prepared in the same manner as in Example 1, except that 0.2 wt% of nitrilotri (methylphosphonic acid) was added as an amorphous carbon film polishing accelerator.
시험예1Test Example 1 : 연마 평가 : Abrasive evaluation
상기 실시예와 비교예에서 제조된 CMP 슬러리 조성물을 이용하여 하기 연마기 및 연마조건대로 연마를 수행하여, 실리콘 산화막(Oxide) 및 비정질탄소막(ACL)에 대한 연마속도를 계산하여, 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다
Polishing was carried out using the CMP slurry composition prepared in the above Examples and Comparative Examples under the following conditions and polishing conditions to calculate polishing rates for the silicon oxide film and the amorphous carbon film ACL, 1
연마기 : 폴리 400(Poli 400, G&P Technology社 제조)Polishing machine: Poli 400 (Poli 400, manufactured by G & P Technology)
웨이퍼 : 실리콘산화막이 5000 Å 증착된 평판 웨이퍼Wafer: a flat wafer on which a 5000 Å silicon oxide film was deposited
비정질탄소막이 5000 Å 증착된 평판 웨이퍼 A flat wafer having an amorphous carbon film deposited thereon at 5000 A
연마 패드 : IC1010(다우社)Polishing pad: IC1010 (Dow)
연마 시간(Polishing time) : 60 secPolishing time: 60 sec
연마 속도: 100rpmPolishing speed: 100 rpm
Pressure : 1.5 psiPressure: 1.5 psi
콜로이달 실리카 농도 : 2.0 중량%Colloidal silica concentration: 2.0 wt%
슬러리 pH : 3.5
Slurry pH: 3.5
상기 표1과 도 1을 참조하면, NTPA의 첨가로 비정질 탄소막의 연마속도가 향상되었으며, 실리콘 산화막과의 연마선택비가 낮아 졌음을 확인할 수 있었다.
Referring to Table 1 and FIG. 1, it was confirmed that the polishing rate of the amorphous carbon film was improved by adding NTPA, and the polishing selectivity with the silicon oxide film was lowered.
Claims (8)
상기 연마 촉진제는 하기의 화학식1을 포함하는 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마용 슬러리 조성물.
[화학식1]
여기서,
상기 R1은 수소, 아릴기 및 탄소수 1 내지 7인 알킬기로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나이고,
상기 R2 및 R3는 각각 수소, 아릴기, 탄소수 1 내지 7인 알킬기, 인산기(-PO3H), 카르복시메틸기(-CH2CO2H), 인산기가 치환된 탄소수 1 내지 7인 아미노 알킬기로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나이다.An abrasive, an abrasive accelerator, and a pH adjusting agent,
Wherein the polishing accelerator comprises the following chemical formula (1).
[Chemical Formula 1]
here,
Wherein R 1 is any one selected from the group consisting of hydrogen, an aryl group and an alkyl group having 1 to 7 carbon atoms,
Each of R 2 and R 3 is independently selected from the group consisting of hydrogen, an aryl group, an alkyl group having 1 to 7 carbon atoms, a phosphoric acid group (-PO 3 H), a carboxymethyl group (-CH 2 CO 2 H), an aminoalkyl group having 1 to 7 carbon atoms And the like.
상기 R1은 수소, 탄소수1 내지3인 알킬기 및 페닐기로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나이고,
상기 R2 및 R3 는 각각 수소, 탄소수1내지3인 알킬기, 페닐기, 메틸포스포닉산(-CH2PO3H), 카르복시메틸기(-CH2CO2H), 치환 또는 비치환된 메틸포스포닉산을 포함하는 3차 아미노 알킬기로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나이다.The method according to claim 1,
Wherein R 1 is any one selected from the group consisting of hydrogen, an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, and a phenyl group,
R 2 and R 3 are each independently selected from the group consisting of hydrogen, an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, a phenyl group, methylphosphonic acid (-CH 2 PO 3 H), a carboxymethyl group (-CH 2 CO 2 H) And a tertiary aminoalkyl group including phenolic acid.
상기 연마 촉진제는 니트릴로트리(메틸 포스포닉산), (아미노메틸)포스포닉산, (1-아미노프로필)포스포닉산, 이미노디(메틸 포스포닉산), 디에틸렌트리아민펜타키스 메틸 포스포닉산, 아미노(페닐)메틸 포스포닉산, 에틸렌디아민테트라(메틸렌 포스포닉산) 및 이들의 조합으로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마용 슬러리 조성물.The method according to claim 1,
The abrasive accelerator may be at least one selected from the group consisting of nitrilotri (methylphosphonic acid), (aminomethyl) phosphonic acid, (1-aminopropyl) phosphonic acid, iminodi (methylphosphonic acid), diethylenetriaminepentaquis methylphosphonic acid , Amino (phenyl) methylphosphonic acid, ethylenediaminetetra (methylenephosphonic acid), and combinations thereof. The slurry composition for chemical mechanical polishing according to claim 1,
상기 연마 촉진제는 전체 조성물 100 중량%를 기준으로 0.01 내지 0.5중량%로 포함되는 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마용 슬러리 조성물.The method according to claim 1,
Wherein the polishing accelerator is included in an amount of 0.01 to 0.5% by weight based on 100% by weight of the total composition.
상기 조성물의pH가 2 내지 5인 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마용 슬러리 조성물.The method according to claim 1,
Wherein the composition has a pH of from 2 to 5. < RTI ID = 0.0 > 8. < / RTI >
상기 조성물은 비정질탄소막(ACL) 대 실리콘산화막의 연마 선택비가 1:10 내지 1:1인 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마용 슬러리 조성물.The method according to claim 1,
Wherein the composition has a polishing selectivity ratio of the amorphous carbon film (ACL) to the silicon oxide film is from 1:10 to 1: 1.
상기 조성물은 포토레지스트(PR) 공정에서의 비정질탄소막 연마용인 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마용 슬러리 조성물.The method according to claim 1,
Wherein the composition is for polishing amorphous carbon films in a photoresist (PR) process.
7. A method for manufacturing a semiconductor device comprising the step of polishing using a slurry composition for chemical mechanical polishing according to any one of claims 1 to 7.
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| KR20200057566A (en) * | 2018-11-16 | 2020-05-26 | 삼성에스디아이 주식회사 | Cmp slurry composition for amorphous carbon layer and method for polishing using the same |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| E902 | Notification of reason for refusal |