KR20180056252A - Heater jig and method for mounting heater jig of substrate processing apparatus - Google Patents

Heater jig and method for mounting heater jig of substrate processing apparatus Download PDF

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박대홍
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Abstract

The present invention relates to a heater jig of a substrate processing apparatus, and a method for mounting a heater thereof, arranging and installing the heater in a reaction space in a process chamber. The method may comprise: a heater temporary-mounting step of inserting and temporarily mounting the heater in the process chamber in which the reaction space for deposition of a thin film is formed; a heater arrangement step of inserting and mounting the heater jig between an inner surface of the reaction space and the heater to arrange the temporarily mounted heater; a heater mounting step of fixing and mounting the arranged heater; and a jig removing step of removing the heater jig from the heater.

Description

기판 처리 장치의 히터 지그 및 히터 장착 방법{Heater jig and method for mounting heater jig of substrate processing apparatus}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a heater jig for a substrate processing apparatus,

본 발명은 기판 처리 장치의 히터 지그 및 히터 장착 방법에 관한 것으로서, 더 상세하게는 공정 챔버 내의 반응 공간에 히터를 정렬하여 장착할 수 있는 기판 처리 장치의 히터 지그 및 히터 장착 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a heater jig and a heater mounting method of a substrate processing apparatus, and more particularly, to a heater jig and a heater mounting method of a substrate processing apparatus capable of aligning and mounting a heater in a reaction space in a process chamber.

일반적으로, 반도체 또는 디스플레이는 웨이퍼 또는 글라스기판(이하 기판으로 통칭함) 상에 증착, 식각, 세정 등의 각종 공정을 거쳐 제조된다. 박막 증착의 대표적인 방법으로 CVD(Chemical Vapor Deposition)법, PVD(Physical Vapor Deposition)법이 있다. CVD법은 기체상태의 혼합물을 가열된 기판 표면에서 화학 반응시켜 생성물을 기판 표면에 증착시키는 기술이다.In general, a semiconductor or a display is manufactured on a wafer or a glass substrate (hereinafter referred to as a substrate) through various processes such as deposition, etching, and cleaning. Typical methods of thin film deposition include CVD (Chemical Vapor Deposition) and PVD (Physical Vapor Deposition). CVD is a technique in which a gaseous mixture is chemically reacted on the surface of a heated substrate to deposit a product on the surface of the substrate.

CVD법에 의한 증착 공정의 경우, 기판 처리장치는 챔버와, 챔버 내에서 상면에 기판을 지지하도록 장착된 히터(서셉터)와, 히터의 상측에 기판을 향해 공정 가스를 분사하도록 장착된 가스 분사부를 구비한다. 증착 공정 중에, 히터는 내장된 열선에 의해 가열되어 상면에 지지된 기판을 가열시키며, 가스 분사부는 히터에 지지된 기판 상으로 공정 가스를 분사하여 기판 상면에 박막이 증착될 수 있게 한다.In the case of the deposition process by the CVD method, the substrate processing apparatus includes a chamber, a heater (susceptor) mounted to support the substrate on the upper surface in the chamber, a gas injection . During the deposition process, the heater is heated by the built-in hot wire to heat the substrate supported on the upper surface, and the gas injection portion injects the process gas onto the substrate supported by the heater, so that the thin film can be deposited on the upper surface of the substrate.

이와 같이 히터는 증착 공정 중에 고온과 공정 가스에 노출되므로, 열화에 따른 손상을 입거나 오염된다. 따라서, 히터는 일정 주기로 새 것으로 교체될 필요가 있다. 이때, 히터 교체 시 히터의 정렬 위치가 변경되는데 이는 공정 및 막질의 균일성에 영향을 줄 수 있다. 이를 방지하기 위해 종래에는 이송 로봇의 티칭 펜던트(Teaching Pendant)를 사용하여 히터의 정렬을 진행함으로서, 이송 챔버와 공정 챔버간의 이송 로봇 설정 값을 조율하였다.As such, the heater is exposed to high temperatures and process gases during the deposition process, and thus is subject to damage or contamination due to deterioration. Therefore, the heater needs to be replaced with a new one at regular intervals. At this time, when the heater is replaced, the alignment position of the heater is changed, which may affect the uniformity of the process and the film quality. In order to prevent this, conventionally, the alignment of the heaters is progressed using a teaching pendant of the transfer robot, thereby adjusting the transfer robot setting values between the transfer chamber and the process chamber.

그러나 이러한 종래의 기판 처리 장치의 히터 장착 방법은, 이송 로봇의 티칭 펜던트를 사용하여 히터의 정렬을 진행함으로서, 같은 이송 로봇을 사용하는 타 공정 챔버의 공정이 진행되지 않을 때 히터의 정렬이 가능하여, 교체 공정 챔버의 백업 타임 로스(Back-up Time Loss)가 증가하는 문제점이 있었다.However, in the conventional heater mounting method of the substrate processing apparatus, the alignment of the heater is performed using the teaching pendant of the transfer robot, so that the heater can be aligned when the process of another process chamber using the same transfer robot does not proceed , The back-up time loss of the replacement process chamber increases.

본 발명은 상기와 같은 문제점들을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 기판 처리 장치의 히터 교체 시 히터 지그를 이용한 히터 정렬을 진행하여, 타 공정 챔버의 공정 진행여부와 관계없이 히터를 정렬할 수 있는 기판 처리 장치의 히터 지그 및 히터 장착 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.The present invention has been made to solve the above problems and it is an object of the present invention to provide a method of aligning a heater by using a heater jig when a heater of a substrate processing apparatus is replaced, And a method of mounting a heater jig and a heater of the substrate processing apparatus. However, these problems are exemplary and do not limit the scope of the present invention.

본 발명의 일 관점에 따르면, 기판 처리 장치의 히터 장착 방법이 제공된다. 상기 기판 처리 장치의 히터 장착 방법은, 박막을 증착하기 위한 반응 공간이 형성되는 공정 챔버에 히터를 삽입하여 가장착하는 히터 가장착 단계; 상기 반응 공간의 내경면과 상기 히터 사이에 히터 지그를 삽입 장착하여 가장착된 상기 히터를 정렬하는 히터 정렬 단계; 정렬된 상기 히터를 고정하여 장착하는 히터 장착 단계; 및 상기 히터로부터 상기 히터 지그를 탈거하는 지그 탈거 단계;를 포함할 수 있다.According to one aspect of the present invention, there is provided a heater mounting method of a substrate processing apparatus. The heater mounting method of the substrate processing apparatus includes a heater mounting step in which a heater is inserted into a process chamber in which a reaction space for depositing a thin film is formed; A heater aligning step of inserting a heater jig between the inner surface of the reaction space and the heater to align the heater with the heater; A heater mounting step of fixing and mounting the aligned heater; And a jig removing step of removing the heater jig from the heater.

상기 기판 처리 장치의 히터 장착 방법의 상기 히터 정렬 단계에서, 상기 히터를 정위치에 정렬시킬수 있도록 상기 히터 지그의 외경면은 원형으로 형성된 상기 반응 공간의 내경면과 면접촉될 수 있다.In the heater aligning step of the heater mounting method of the substrate processing apparatus, the outer surface of the heater jig may be in surface contact with the inner surface of the reaction space formed in a circular shape so that the heater can be aligned in position.

상기 기판 처리 장치의 히터 장착 방법의 상기 히터 정렬 단계에서, 상기 히터 지그는 내측을 관통하는 관통부가 형성되며, 상기 관통부의 하면에는 상기 히터 지그가 상기 히터의 상면에 걸리도록 걸림턱부가 형성될 수 있다.In the heater aligning step of the heater mounting method of the substrate processing apparatus, a penetrating portion penetrating through the inside of the heater jig is formed, and a latching jaw portion is formed on a lower surface of the penetrating portion so that the heater jig is caught on the upper surface of the heater have.

상기 기판 처리 장치의 히터 장착 방법의 상기 히터 정렬 단계에서, 상기 히터 지그의 외측에 상기 공정 챔버로부터 방출되는 열에 대한 열전도율을 감소시키기 위한 관통홈부가 형성될 수 있다.In the heater aligning step of the heater mounting method of the substrate processing apparatus, a through groove may be formed on the outer side of the heater jig to reduce the thermal conductivity of heat emitted from the process chamber.

상기 기판 처리 장치의 히터 장착 방법에서, 상기 관통홈부는, 상기 히터 지그의 몸체 주변에 원호 형상으로 형성될 수 있다.In the heater mounting method of the substrate processing apparatus, the through-hole portion may be formed in an arc shape around the body of the heater jig.

상기 기판 처리 장치의 히터 장착 방법에서, 상기 히터 지그는, 상기 공정 챔버에 용이하게 삽입 및 탈거할 수 있도록, 상기 히터 지그의 상기 몸체 상면의 양측에 손잡이부가 형성될 수 있다.In the heater mounting method of the substrate processing apparatus, the heater jig may be formed with handle portions on both sides of the upper surface of the body of the heater jig so that the heater jig can be easily inserted and removed in the process chamber.

상기 기판 처리 장치의 히터 장착 방법에서, 상기 손잡이부는, 상기 반응 공간의 중심부를 향해 내측 각도로 기울어지게 형성될 수 있다.In the heater mounting method of the substrate processing apparatus, the handle may be inclined at an inner angle toward the center of the reaction space.

본 발명의 일 관점에 따르면, 기판 처리 장치의 히터 지그가 제공된다. 상기 기판 처리 장치의 히터 지그는, 공정 챔버에 원형으로 형성된 반응 공간과 대응되는 형상으로 형성되는 몸체; 및 상기 반응 공간내에서 히터를 정렬할 수 있도록, 상기 몸체에 상기 히터의 외측면과 대응되는 형상으로 관통하는 관통부가 형성되고, 상기 관통부가 상기 히터의 상면에 걸리도록 걸림턱부가 형성되는 히터 정렬부;를 포함할 수 있다.According to one aspect of the present invention, there is provided a heater jig for a substrate processing apparatus. The heater jig of the substrate processing apparatus includes a body formed in a shape corresponding to a reaction space formed in a circular shape in a process chamber; And a heater array in which a through hole is formed in the body so as to correspond to an outer surface of the heater so as to align the heater in the reaction space and a through hole is formed on the upper surface of the heater, And the like.

상기 기판 처리 장치의 히터 지그에서, 상기 몸체를 상기 반응 공간에 원활하게 탈부착 할 수 있도록 상기 몸체의 상면의 양측에 형성되는 손잡이부;를 더 포함할 수 있다.The heating jig of the substrate processing apparatus may further include knobs formed on both sides of the upper surface of the body so that the body can be smoothly detached and attached to the reaction space.

상기 기판 처리 장치의 히터 지그에서, 상기 몸체는, 세라믹 재질의 링형상으로 형성되고, 상기 반응 공간에 원활하게 삽입될 수 있도록 상기 몸체의 하면에 외경면을 따라서 경사부가 형성될 수 있다.In the heater jig of the substrate processing apparatus, the body may be formed in a ring shape of a ceramic material, and an inclined portion may be formed on the lower surface of the body so as to be smoothly inserted into the reaction space.

상기 기판 처리 장치의 히터 지그에서, 상기 몸체는, 상기 공정 챔버로부터 방출되는 열에 대한 열전도율을 감소시킬 수 있도록 외측에 형성되는 관통홈부;를 포함할 수 있다.In the heater jig of the substrate processing apparatus, the body may include a through groove formed on the outer side so as to reduce a thermal conductivity of heat emitted from the process chamber.

상기 기판 처리 장치의 히터 지그에서, 상기 관통홈부는, 상기 몸체 주변에 원호 형상으로 형성될 수 있다.In the heater jig of the substrate processing apparatus, the penetrating groove portion may be formed in an arc shape around the body.

상기 기판 처리 장치의 히터 지그에서, 상기 손잡이부는, 상단부가 상기 반응 공간의 중심부를 향해 내측 각도로 기울어지게 형성될 수 있다.In the heater jig of the substrate processing apparatus, the handle portion may be formed such that an upper end thereof is inclined at an inner angle toward a central portion of the reaction space.

상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 히터 지그 및 히터 장착 방법에 따르면, 기판 처리 장치의 히터 교체 시 히터 지그를 이용한 히터 정렬을 진행하여, 이송 로봇의 티칭 펜던트(Teaching Pendant)를 사용하지 않고 기존의 히터와 동일한 위치로 새로운 히터를 셋업(Set-up)할 수 있으므로, 타 공정 챔버의 공정 진행여부와 관계없이 히터를 정렬하여, 교체 공정 챔버의 백업 타임 로스(Back-up Time Loss)를 줄일 수 있다.According to the heater jig and the heater mounting method of the substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, when the heater of the substrate processing apparatus is replaced, the heater alignment using the heater jig is performed, and the teaching pendant It is possible to set up a new heater at the same position as the existing heater without using a pendant, so that the heaters are aligned regardless of the progress of the other process chamber, -up Time Loss) can be reduced.

또한, 히터 지그를 사용하여 공정 챔버 내에 히터를 더욱 정밀하게 정렬함으로써, 공정 시 기판에 박막을 더욱 균일하게 형성할 수 있는 기판 처리 장치의 히터 지그 및 히터 장착 방법을 구현할 수 있다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.In addition, a heater jig and a heater mounting method of a substrate processing apparatus that can more uniformly form a thin film on a substrate during a process can be realized by aligning the heater more precisely in the process chamber using the heater jig. Of course, the scope of the present invention is not limited by these effects.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 히터 지그를 나타내는 사시도이다.
도 2는 히터 지그를 이용하여 공정 챔버 내에 히터를 정렬한 것을 나타내는 사시도이다.
도 3은 히터 지그를 이용하여 공정 챔버 내에 히터를 정렬한 것을 나타내는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 히터 장착 방법을 나타내는 순서도이다.1 is a perspective view showing a heater jig of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a perspective view showing the arrangement of the heaters in the process chamber using the heater jig.
3 is a cross-sectional view showing the arrangement of the heaters in the process chamber using the heater jig.
4 is a flowchart showing a heater mounting method of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 여러 실시예들을 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려 이들 실시예들은 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다. 또한, 도면에서 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장된 것이다.The embodiments of the present invention are described in order to more fully explain the present invention to those skilled in the art, and the following embodiments may be modified into various other forms, It is not limited to the embodiment. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be more thorough and complete, and will fully convey the concept of the invention to those skilled in the art. In the drawings, the thickness and size of each layer are exaggerated for convenience and clarity of explanation.

명세서 전체에 걸쳐서, 막, 영역 또는 기판과 같은 하나의 구성요소가 다른 구성요소 "상에", "연결되어", "적층되어" 또는 "커플링되어" 위치한다고 언급할 때는, 상기 하나의 구성요소가 직접적으로 다른 구성요소 "상에", "연결되어", "적층되어" 또는 "커플링되어" 접촉하거나, 그 사이에 개재되는 또 다른 구성요소들이 존재할 수 있다고 해석될 수 있다. 반면에, 하나의 구성요소가 다른 구성요소 "직접적으로 상에", "직접 연결되어", 또는 "직접 커플링되어" 위치한다고 언급할 때는, 그 사이에 개재되는 다른 구성요소들이 존재하지 않는다고 해석된다. 동일한 부호는 동일한 요소를 지칭한다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 용어 "및/또는"은 해당 열거된 항목 중 어느 하나 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.It is to be understood that throughout the specification, when an element such as a film, region or substrate is referred to as being "on", "connected to", "laminated" or "coupled to" another element, It will be appreciated that elements may be directly "on", "connected", "laminated" or "coupled" to another element, or there may be other elements intervening therebetween. On the other hand, when one element is referred to as being "directly on", "directly connected", or "directly coupled" to another element, it is interpreted that there are no other components intervening therebetween do. Like numbers refer to like elements. As used herein, the term "and / or" includes any and all combinations of one or more of the listed items.

본 명세서에서 제 1, 제 2 등의 용어가 다양한 부재, 부품, 영역, 층들 및/또는 부분들을 설명하기 위하여 사용되지만, 이들 부재, 부품, 영역, 층들 및/또는 부분들은 이들 용어에 의해 한정되어서는 안 됨은 자명하다. 이들 용어는 하나의 부재, 부품, 영역, 층 또는 부분을 다른 영역, 층 또는 부분과 구별하기 위하여만 사용된다. 따라서, 이하 상술할 제 1 부재, 부품, 영역, 층 또는 부분은 본 발명의 가르침으로부터 벗어나지 않고서도 제 2 부재, 부품, 영역, 층 또는 부분을 지칭할 수 있다.Although the terms first, second, etc. are used herein to describe various elements, components, regions, layers and / or portions, these members, components, regions, layers and / It is obvious that no. These terms are only used to distinguish one member, component, region, layer or section from another region, layer or section. Thus, a first member, component, region, layer or section described below may refer to a second member, component, region, layer or section without departing from the teachings of the present invention.

또한, "상의" 또는 "위의" 및 "하의" 또는 "아래의"와 같은 상대적인 용어들은 도면들에서 도해되는 것처럼 다른 요소들에 대한 어떤 요소들의 관계를 기술하기 위해 여기에서 사용될 수 있다. 상대적 용어들은 도면들에서 묘사되는 방향에 추가하여 소자의 다른 방향들을 포함하는 것을 의도한다고 이해될 수 있다. 예를 들어, 도면들에서 소자가 뒤집어 진다면(turned over), 다른 요소들의 상부의 면상에 존재하는 것으로 묘사되는 요소들은 상기 다른 요소들의 하부의 면상에 방향을 가지게 된다. 그러므로, 예로써 든 "상의"라는 용어는, 도면의 특정한 방향에 의존하여 "하의" 및 "상의" 방향 모두를 포함할 수 있다. 소자가 다른 방향으로 향한다면(다른 방향에 대하여 90도 회전), 본 명세서에 사용되는 상대적인 설명들은 이에 따라 해석될 수 있다.Also, relative terms such as "top" or "above" and "under" or "below" can be used herein to describe the relationship of certain elements to other elements as illustrated in the Figures. Relative terms are intended to include different orientations of the device in addition to those depicted in the Figures. For example, in the figures, when the element is turned over, the elements depicted as being on the upper surface of the other elements are oriented on the lower surface of the other elements. Thus, the example "top" may include both "under" and "top" directions depending on the particular orientation of the figure. If the elements are oriented in different directions (rotated 90 degrees with respect to the other direction), the relative descriptions used herein can be interpreted accordingly.

본 명세서에서 사용된 용어는 특정 실시예를 설명하기 위하여 사용되며, 본 발명을 제한하기 위한 것이 아니다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 단수 형태는 문맥상 다른 경우를 분명히 지적하는 것이 아니라면, 복수의 형태를 포함할 수 있다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 경우 "포함한다(comprise)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급한 형상들, 숫자, 단계, 동작, 부재, 요소 및/또는 이들 그룹의 존재를 특정 하는 것이며, 하나 이상의 다른 형상, 숫자, 동작, 부재, 요소 및/또는 그룹들의 존재 또는 부가를 배제하는 것이 아니다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. As used herein, the singular forms "a," "an," and "the" include singular forms unless the context clearly dictates otherwise. Also, " comprise "and / or" comprising "when used herein should be interpreted as specifying the presence of stated shapes, numbers, steps, operations, elements, elements, and / And does not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, operations, elements, elements, and / or groups.

이하, 본 발명의 실시예들은 본 발명의 이상적인 실시예들을 개략적으로 도시하는 도면들을 참조하여 설명한다. 도면들에 있어서, 예를 들면, 제조 기술 및/또는 공차(tolerance)에 따라, 도시된 형상의 변형들이 예상될 수 있다. 따라서, 본 발명 사상의 실시예는 본 명세서에 도시된 영역의 특정 형상에 제한된 것으로 해석되어서는 아니 되며, 예를 들면 제조상 초래되는 형상의 변화를 포함하여야 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings schematically showing ideal embodiments of the present invention. In the figures, for example, variations in the shape shown may be expected, depending on manufacturing techniques and / or tolerances. Accordingly, the embodiments of the present invention should not be construed as limited to the particular shapes of the regions shown herein, but should include, for example, changes in shape resulting from manufacturing.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 히터 지그(100)를 나타내는 사시도이고, 도 2 및 도 3은 히터 지그(100)를 이용하여 공정 챔버(C)내에 히터(H)를 정렬한 것을 나타내는 사시도 및 단면도이다.FIG. 1 is a perspective view showing a heater jig 100 of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 and FIG. 3 show a heater jig 100 in which a heater H is placed in a process chamber C And FIG.

먼저, 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 히터 지그(100)는, 몸체(10)와, 히터 정렬부(20) 및 손잡이부(30)를 포함할 수 있다.1 to 3, a heater jig 100 of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a body 10, a heater alignment unit 20, and a handle 30, . ≪ / RTI >

도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 몸체(10)는, 공정 챔버(C)에 원형으로 형성된 반응 공간(S)과 대응되는 형상으로 형성될 수 있다. 더욱 구체적으로, 몸체(10)는 세라믹 재질의 링형상으로 형성되고, 반응 공간(S)에 원활하게 삽입될 수 있도록 몸체(10)의 하면에 외경면을 따라서 경사부(12)가 형성될 수 있다.As shown in FIGS. 1 to 3, the body 10 may be formed in a shape corresponding to the reaction space S formed in the process chamber C in a circular shape. More specifically, the body 10 is formed in a ring shape of a ceramic material, and an inclined portion 12 may be formed on the lower surface of the body 10 along the outer diameter surface so as to be smoothly inserted into the reaction space S. have.

예컨대, 몸체(10)는, 공정 챔버(C)의 반응 공간(S) 내에서 히터(H)와 접촉하여 히터(H)의 정위치 정렬을 가이드할 수 있는 적절한 강도와 내구성을 갖는 링형상의 구조체일 수 있다. 이러한 몸체(10)는, 세라믹 재질을 선택하여 구성되는 구조체일 수 있다. 그러나, 몸체(10)는, 도 1에 반드시 국한되지 않고, 히터(H)와 접촉하여 히터(H)의 정위치 정렬을 가이드할 수 있는 매우 다양한 형태나 종류나 재질의 부재들이 적용될 수 있다.For example, the body 10 is a ring-shaped member having appropriate strength and durability capable of guiding the correct positioning of the heater H in contact with the heater H in the reaction space S of the process chamber C Structure. The body 10 may be a structure formed by selecting a ceramic material. However, the body 10 is not limited to FIG. 1, and can be applied to various types, materials, or materials of various types that can guide the heater H to be brought into direct contact with the heater H.

여기서, 히터(H)는, 박막을 증착하기 위한 반응 공간(S)이 형성되는 공정 챔버(C)에 설치되고, 기판을 지지할 수 있는 서셉터나 테이블 등의 기판 지지 구조체일 수 있다. 더욱 구체적으로, 히터(H)는, 내부에 열선이 내장되어, 그 상면에 안착되는 상기 기판을 일정온도로 가열시킬 수 있고, 또한, 공정 가스를 플라즈마화 하기 위한 하부 전극으로의 기능을 할 수 있다.Here, the heater H may be a substrate supporting structure such as a susceptor or a table capable of supporting the substrate, which is provided in the process chamber C in which the reaction space S for depositing the thin film is formed. More specifically, the heater (H) has a built-in heating wire and can heat the substrate placed on the upper surface thereof to a predetermined temperature, and can serve as a lower electrode for converting the process gas into plasma have.

또한, 히터(H)는, 기판(S)이 안착되어 지지할 수 있는 적절한 강도와 내구성을 갖는 구조체일 수 있다. 예컨대, 이러한 히터(H)는, 스틸, 스테인레스, 알루미늄, 마그네슘 및 아연 중 어느 하나 이상의 재질을 선택하여 구성되는 구조체일 수 있다. 그러나, 히터(H)는, 도 2 및 도 3에 반드시 국한되지 않고, 기판(S)을 지지할 수 있는 매우 다양한 형태나 종류나 재질의 부재들이 적용될 수 있다.Further, the heater H may be a structure having suitable strength and durability that the substrate S can support and support. For example, the heater H may be a structure selected from a material selected from the group consisting of steel, stainless steel, aluminum, magnesium, and zinc. However, the heater H is not necessarily limited to those shown in Figs. 2 and 3, and members of various types, materials, and materials capable of supporting the substrate S can be applied.

또한, 몸체(10)는, 공정 챔버(C)의 반응 공간(S) 내에서 히터(H)와 접촉하여 히터(H)의 정위치 정렬을 가이드할 수 있도록, 몸체(10)의 외경면은 원형으로 형성된 반응 공간(S)의 내경면과 면접촉 될 수 있다.The body 10 has an outer diameter surface of the body 10 so that the body 10 can be brought into contact with the heater H in the reaction space S of the process chamber C to guide the proper positioning of the heater H. [ And may be in surface contact with the inner surface of the reaction space S formed in a circular shape.

더욱 구체적으로, 몸체(10)의 외경면이 반응 공간(S)의 내경면과 면접촉된 상태에서, 몸체(10)가 반응 공간(S)의 내경면을 따라서 상승 및 하강을 할 수 있도록, 몸체(10)의 외경면과 반응 공간(S)의 내경면은 미세한 갭(Gap)을 가질 수 있다.More specifically, in order that the body 10 can rise and fall along the inner diameter surface of the reaction space S in a state in which the outer diameter surface of the body 10 is in surface contact with the inner diameter surface of the reaction space S, The outer diameter surface of the body 10 and the inner diameter surface of the reaction space S may have a fine gap.

예컨대, 몸체(10)의 외경면과 반응 공간(S)의 내경면은 동일한 치수를 가지되, 몸체(10)의 외경면은 마이너스 공차를 주고 반응 공간(S)의 내경면은 플러스 공차를 준 상태로 가공을 하여, 몸체(10)의 외경면과 반응 공간(S)의 내경면 사이에 미세한 갭을 발생하게 할 수 있다.For example, the outer diameter surface of the body 10 and the inner diameter surface of the reaction space S have the same dimensions, the outer diameter surface of the body 10 gives a negative tolerance, and the inner diameter surface of the reaction space S has a positive tolerance It is possible to generate a fine gap between the outer diameter surface of the body 10 and the inner diameter surface of the reaction space S. [

또한, 경사부(12)는, 몸체(10)의 하면에 외경면을 따라서 형성되어, 몸체(10)를 공정 챔버(C)의 반응 공간(S)으로 삽입 시, 몸체(10) 외경면과 반응 공간(S)의 내경면이 정확하게 일치하지 않더라도 경사부(12)를 따라 몸체(10)가 반응 공간(S) 내로 원활하게 삽입될 수 있도록 유도할 수 있다. 그러나, 경사부(12)는, 도 3에 반드시 국한되지 않고, 라운드 형상과 같은 몸체(10)를 반응 공간(S) 내로 원활하게 삽입되도록 유도할 수 있는 매우 다양한 형상들이 적용될 수 있다.When the body 10 is inserted into the reaction space S of the process chamber C, the inclined portion 12 is formed on the outer surface of the body 10, The body 10 can be smoothly inserted into the reaction space S along the inclined portion 12 even if the inner surface of the reaction space S does not coincide exactly. However, the inclined portion 12 is not necessarily limited to that shown in Fig. 3, and a very wide variety of shapes that can induce the body 10 such as a round shape to be smoothly inserted into the reaction space S can be applied.

또한, 몸체(10)는 공정 챔버(C)로부터 방출되는 열에 대한 열전도율을 감소시킬 수 있도록 외측에 형성되는 관통홈부(11)를 포함할 수 있다. 예컨대, 관통홈부(11)는, 히터(H)에서 발생하는 열에 의해 몸체(10)가 변형되는 것을 방지할 수 있도록, 몸체(10)를 관통하게 형성되어 히터(H)로부터 전달되는 열을 방출할 수 있다.아울러, 관통홈부(11)는, 몸체(10) 주변에 원호 형상으로 형성될 수 있다.In addition, the body 10 may include a through-hole 11 formed on the outside so as to reduce the thermal conductivity of heat emitted from the process chamber C. For example, the penetrating groove portion 11 is formed to penetrate through the body 10 so as to prevent the body 10 from being deformed by the heat generated in the heater H, The through grooves 11 may be formed in the shape of an arc around the body 10.

더욱 구체적으로, 몸체(10)가 반응 공간(S) 내에서 히터(H)와 접촉하여 히터(H)의 정위치 정렬을 가이드 시, 히터(H)로부터 전달되는 열에 의해 몸체(10)의 변형이 생기는 것을 방지할 수 있도록 관통홈부(11)가 형성되어, 몸체(10) 누적되는 열응력을 해소하고 열을 원활히 대기 중으로 방출하도록 유도할 수 있다.More specifically, when the body 10 is brought into contact with the heater H in the reaction space S to guide the proper positioning of the heater H, the deformation of the body 10 by heat transmitted from the heater H So that heat stress accumulated in the body 10 can be eliminated and heat can be smoothly guided to the atmosphere.

또한, 관통홈부(11)는, 원호 형상 이외에도 정원 형상으로 형성되어 링형상의 몸체(10)를 따라서 복수개가 배치되는 형태일 수 있다. 또한, 몸체(10)의 열방출을 더욱 용이하게 할 수 있도록, 몸체(10)의 상면에 방열핀 또는 방열돌기가 형성될 수 있다.Further, the through grooves 11 may be formed in a garden shape other than an arc shape, and a plurality of through grooves 11 may be arranged along the ring-shaped body 10. In order to further facilitate heat dissipation of the body 10, a radiating fin or a heat dissipating protrusion may be formed on the upper surface of the body 10.

또한, 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 히터 정렬부(20)는, 반응 공간(S) 내에서 히터(H)를 정렬할 수 있도록, 몸체(10)에 히터(H)의 외측면과 대응되는 형상으로 관통하는 관통부(21)가 형성되고, 관통부(21)가 히터(H)의 상면에 걸리도록 걸림턱부(22)가 형성될 수 있다.1 to 3, the heater aligning unit 20 is provided on the body 10 so as to align the heater H in the reaction space S, And the engaging step 22 can be formed so that the penetrating part 21 is caught on the upper surface of the heater H. In this case,

더욱 구체적으로, 히터 정렬부(20)는, 히터(H)의 외측면 일부가 관통부(21)에 삽입되고 상면의 일부가 걸림턱부(22)에 접촉되어 히터(H)의 정위치 정렬을 가이드할 수 있다. 상술한 바와 같이, 히터(H)의 일부분만 접촉되어 히터(H)를 정렬할 수 있도록 히터 정렬부(20)가 구성되어, 히터(H)에서 발생되는 열이 몸체(10)로 전달되는 것을 최소화하고, 히터(H)의 정위치 정렬이 완료된 후 히터(H)로부터 히터 지그(100)의 탈거를 용이하게 할 수 있도록 유도할 수 있다. 또한, 히터 정렬부(20)는, 히터(H)가 용이하게 삽입될 수 있도록, 히터(H)가 삽입되는 입구부에 경사면이 형성될 수 있다.More specifically, the heater aligning portion 20 is formed in such a manner that a part of the outer surface of the heater H is inserted into the through portion 21 and a part of the upper surface thereof contacts the engaging shoulder portion 22, You can guide. As described above, the heater alignment unit 20 is formed so that only a part of the heater H is in contact with the heater H so that the heat generated in the heater H is transmitted to the body 10 So that the heater jig 100 can be easily removed from the heater H after the heater H is properly aligned. The heater alignment portion 20 may be formed with an inclined surface at an inlet portion into which the heater H is inserted so that the heater H can be easily inserted.

또한, 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 손잡이부(30)는, 몸체(10)를 반응 공간(S)에 원활하게 탈부착 할 수 있도록 몸체(10)의 상면의 양측에 형성될 수 있다.1 to 3, the handle 30 can be formed on both sides of the upper surface of the body 10 so that the body 10 can be smoothly attached to and detached from the reaction space S .

더욱 구체적으로, 손잡이부(30)는, 반응 공간(S)내에서 작업자가 용이하게 파지하여, 반응 공간(S) 내에서 몸체(10)를 용이하게 상승 또는 하강 시킬 수 있도록, 손잡이부(30)의 상단부가 반응 공간(S)의 중심부를 향해 내측 각도(K)로 기울어지게 형성될 수 있다. 또한, 손잡이부(30)는 몸체(10)와 연결되는 연결부위에 힌지부가 형성되어 작업자의 필요에 따라 손잡이부(30)의 내측 각도(K)를 다양하게 조절할 수 있다.More specifically, the grip portion 30 is formed in the reaction space S so that the operator can easily grasp the handle 10 in the reaction space S to easily raise or lower the body 10 in the reaction space S, May be formed so as to be inclined at an inner angle K toward the center of the reaction space S. The handle 30 has a hinge portion at a connection portion to be connected to the body 10 so that the inner angle K of the handle 30 can be variously adjusted according to the needs of the operator.

따라서, 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 히터 지그(100)는, 기판 처리 장치의 히터(H) 교체 시, 히터 지그(100)를 이용하여 히터(H)의 정렬을 진행할 수 있도록 반응 공간(S) 내에서 히터(H)의 정위치를 가이드 하여, 이송 로봇의 티칭 펜던트(Teaching Pendant)를 사용하지 않고 기존의 히터와 동일한 위치로 새로운 히터(H)를 셋업(Set-up)할 수 있다.1 to 3, the heater jig 100 of the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention is configured such that when the heater H of the substrate processing apparatus is replaced, the heater jig 100 is used The position of the heater H is guided in the reaction space S so that the alignment of the heater H can be progressed and a new position of the heater H can be maintained at the same position as the existing heater without using the teaching pendant of the transfer robot. The heater H can be set up.

그러므로, 타 공정 챔버의 공정 진행여부와 관계없이 히터(H)를 정렬하여, 교체 공정 챔버(C)의 백업 타임 로스(Back-up Time Loss)를 줄일 수 있으며, 히터 지그(100)를 사용하여 공정 챔버(C)내에 히터(H)를 더욱 정밀하게 정렬함으로써, 공정 시 기판에 박막을 더욱 균일하게 형성할 수 있는 효과를 가질 수 있다.Therefore, it is possible to reduce the back-up time loss of the replacement process chamber (C) by aligning the heater (H) regardless of whether or not the process chamber is being processed, By more precisely aligning the heater (H) in the process chamber (C), the thin film can be formed more uniformly on the substrate during the process.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 히터 장착 방법을 나타내는 순서도이다.4 is a flowchart showing a heater mounting method of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 히터 장착 방법은, 박막을 증착하기 위한 반응 공간(S)이 형성되는 공정 챔버(C)에 히터(H)를 삽입하여 가장착하는 히터 가장착 단계(S10)와, 반응 공간(S)의 내경면과 히터(H) 사이에 히터 지그(100)를 삽입 장착하여 가장착된 히터(H)를 정렬하는 히터 정렬 단계(S20)와, 정렬된 히터(H)를 고정하여 장착하는 히터 장착 단계(S30) 및 히터(H)로부터 히터 지그(100)를 탈거하는 지그 탈거 단계(S40)를 포함할 수 있다.4, a heater mounting method of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes the steps of inserting a heater H into a process chamber C in which a reaction space S for depositing a thin film is formed, And the heater jig 100 is inserted between the inner surface of the reaction space S and the heater H so as to align the heater H which has been heated most. A heater mounting step S30 for mounting and fixing the aligned heater H and a jig removing step S40 for removing the heater jig 100 from the heater H. [

더욱 구체적으로, 히터 정렬 단계(S20)에서, 히터(H)를 정위치에 정렬시킬 수 있도록 히터 지그(100)의 외경면은 원형으로 형성된 반응 공간(S)의 내경면과 면접촉 될 수 있다. 아울러, 히터 지그(100)는 내측을 관통하는 관통부(21)가 형성되며, 관통부(21)의 하면에는 히터 지그(100)가 히터(H)의 상면에 걸리도록 걸림턱부(22)가 형성될 수 있다.More specifically, in the heater aligning step S20, the outer diameter surface of the heater jig 100 can be in surface contact with the inner diameter surface of the circular reaction space S so that the heater H can be aligned in position . The heater jig 100 is formed with a penetrating portion 21 penetrating through the inside of the heater jig 100. The lower surface of the penetrating portion 21 is provided with a latching jaw 22 so that the heater jig 100 is caught on the upper surface of the heater H. .

또한, 히터 지그(100)는, 히터 지그(100)를 공정 챔버(C)에 용이하게 삽입 및 탈거할 수 있도록, 히터 지그(100)의 몸체(10) 상면의 양측에 손잡이부(30)가 형성될 수 있다. 예컨대, 손잡이부(30)는, 공정 챔버(C)의 반응 공간(S)내에서 작업자가 용이하게 파지할 수 있도록, 손잡이부(30)의 상단부가 반응 공간(S)의 중심부를 향해 내측 각도(K)로 기울어지게 형성될 수 있다.The heater jig 100 has a handle 30 on both sides of the upper surface of the body 10 of the heater jig 100 so that the heater jig 100 can be easily inserted into and detached from the process chamber C . For example, the handle 30 may be configured such that the upper end of the handle 30 is inclined at an inner angle (?) Toward the center of the reaction space S, so that the operator can easily grip the reaction chamber S in the reaction space S of the process chamber C. [ (K).

또한, 히터 정렬 단계(S20)에서, 히터 지그(100)의 외측에 공정 챔버(C)로부터 방출되는 열에 대한 열전도율을 감소시키기 위한 관통홈부(11)가 형성될 수 있다. 더욱 구체적으로, 관통홈부(11)는, 히터 지그(100)의 몸체(10) 주변에 원호 형상으로 형성될 수 있다.In addition, in the heater aligning step S20, a through groove 11 may be formed on the outer side of the heater jig 100 to reduce the thermal conductivity against heat emitted from the process chamber C. [ More specifically, the penetrating groove portion 11 may be formed in an arc shape around the body 10 of the heater jig 100.

따라서, 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 히터 장착 방법은, 열화에 의한 손상을 입거나 이물질에 오염된 히터를 공정 챔버(C)로부터 제거한 후 상술한 방법과 같이 기판 처리 장치의 히터(H)를 교체함으로써, 기판 처리 장치의 히터(H) 교체 시, 히터 지그(100)를 이용하여 히터(H)의 정렬을 진행할 수 있도록 반응 공간(S) 내에서 히터(H)의 정위치를 가이드 하여, 이송 로봇의 티칭 펜던트(Teaching Pendant)를 사용하지 않고 기존의 히터와 동일한 위치로 새로운 히터(H)를 셋업(Set-up)할 수 있다.4, a method of mounting a heater in a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes removing a heater damaged by deterioration or contaminated with a foreign substance from the process chamber C, The heater H of the substrate processing apparatus is replaced with the heater jig 100 to replace the heater H of the substrate processing apparatus so that the alignment of the heater H can be performed using the heater jig 100. [ The new heater H can be set up at the same position as the existing heater without using the teaching pendant of the transfer robot by guiding the correct position of the heater H at the same position.

그러므로, 타 공정 챔버의 공정 진행여부와 관계없이 히터(H)를 정렬하여, 교체 공정 챔버(C)의 백업 타임 로스(Back-up Time Loss)를 줄일 수 있으며, 히터 지그(100)를 사용하여 공정 챔버(C)내에 히터(H)를 더욱 정밀하게 정렬함으로써, 공정 시 기판에 박막을 더욱 균일하게 형성할 수 있는 효과를 가질 수 있다.Therefore, it is possible to reduce the back-up time loss of the replacement process chamber (C) by aligning the heater (H) regardless of whether or not the process chamber is being processed, By more precisely aligning the heater (H) in the process chamber (C), the thin film can be formed more uniformly on the substrate during the process.

본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.While the present invention has been described with reference to exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, is intended to cover various modifications and equivalent arrangements included within the spirit and scope of the invention. Accordingly, the true scope of the present invention should be determined by the technical idea of the appended claims.

10: 몸체
11: 관통홈부
12: 경사부
20: 히터 정렬부
21: 관통부
22: 걸림턱부
30: 손잡이부
C: 공정 챔버
S: 반응 공간
K: 내측 각도
H: 히터
100: 히터 지그10: Body
11: Through groove
12:
20:
21:
22:
30: Handle portion
C: Process chamber
S: reaction space
K: Inner angle
H: Heater
100: heater jig

Claims (13)

박막을 증착하기 위한 반응 공간이 형성되는 공정 챔버에 히터를 삽입하여 가장착하는 히터 가장착 단계;
상기 반응 공간의 내경면과 상기 히터 사이에 히터 지그를 삽입 장착하여 가장착된 상기 히터를 정렬하는 히터 정렬 단계;
정렬된 상기 히터를 고정하여 장착하는 히터 장착 단계; 및
상기 히터로부터 상기 히터 지그를 탈거하는 지그 탈거 단계;
를 포함하는, 기판 처리 장치의 히터 장착 방법.A heater mounting step in which a heater is inserted into a process chamber in which a reaction space for depositing a thin film is formed;
A heater aligning step of inserting a heater jig between the inner surface of the reaction space and the heater to align the heater with the heater;
A heater mounting step of fixing and mounting the aligned heater; And
A jig removing step of removing the heater jig from the heater;
And a heater for heating the substrate. 제 1 항에 있어서,
상기 히터 정렬 단계에서, 상기 히터를 정위치에 정렬시킬수 있도록 상기 히터 지그의 외경면은 원형으로 형성된 상기 반응 공간의 내경면과 면접촉되는, 기판 처리 장치의 히터 정렬 방법.The method according to claim 1,
Wherein the outer surface of the heater jig is in surface contact with the inner surface of the reaction space formed in a circular shape so that the heater can be aligned in the predetermined position in the heater aligning step. 제 2 항에 있어서,
상기 히터 정렬 단계에서, 상기 히터 지그는 내측을 관통하는 관통부가 형성되며, 상기 관통부의 하면에는 상기 히터 지그가 상기 히터의 상면에 걸리도록 걸림턱부가 형성되는, 기판 처리 장치의 히터 장착 방법.3. The method of claim 2,
Wherein the heater jig has a penetrating portion penetrating through the inside of the heater jig, and a lower surface of the penetrating portion is formed with a latching jaw portion so that the heater jig is caught by the upper surface of the heater. 제 3 항에 있어서,
상기 히터 정렬 단계에서, 상기 히터 지그의 외측에 상기 공정 챔버로부터 방출되는 열에 대한 열전도율을 감소시키기 위한 관통홈부가 형성되는, 기판 처리 장치의 히터 장착 방법.The method of claim 3,
Wherein the heater jig is provided with a through groove for reducing the thermal conductivity of heat emitted from the process chamber on the outside of the heater jig. 제 4 항에 있어서,
상기 관통홈부는,
상기 히터 지그의 몸체 주변에 원호 형상으로 형성되는, 기판 처리 장치의 히터 장착 방법.5. The method of claim 4,
The through-
Wherein the heater jig is formed in an arc shape around the body of the heater jig. 제 5 항에 있어서,
상기 히터 지그는,
상기 공정 챔버에 용이하게 삽입 및 탈거할 수 있도록, 상기 히터 지그의 상기 몸체 상면의 양측에 손잡이부가 형성되는, 기판 처리 장치의 히터 정렬 방법.6. The method of claim 5,
The heater jig
Wherein a handle portion is formed on both sides of the upper surface of the body of the heater jig so that the heater jig can be easily inserted and removed in the process chamber. 제 6 항에 있어서,
상기 손잡이부는,
상기 반응 공간의 중심부를 향해 내측 각도로 기울어지게 형성되는, 기판 처리 장치의 히터 정렬 방법.The method according to claim 6,
The handle portion
Wherein the heater is inclined at an inner angle toward a central portion of the reaction space. 공정 챔버에 원형으로 형성된 반응 공간과 대응되는 형상으로 형성되는 몸체; 및
상기 반응 공간내에서 히터를 정렬할 수 있도록, 상기 몸체에 상기 히터의 외측면과 대응되는 형상으로 관통하는 관통부가 형성되고, 상기 관통부가 상기 히터의 상면에 걸리도록 걸림턱부가 형성되는 히터 정렬부;
를 포함하는, 기판 처리 장치의 히터 지그.A body formed in a shape corresponding to the reaction space formed in the process chamber in a circular shape; And
A through hole penetrating the body in a shape corresponding to the outer surface of the heater is formed in the body so as to align the heater in the reaction space, ;
And a heater jig for heating the substrate. 제 8 항에 있어서,
상기 몸체를 상기 반응 공간에 원활하게 탈부착 할 수 있도록 상기 몸체의 상면의 양측에 형성되는 손잡이부;
를 더 포함하는, 기판 처리 장치의 히터 지그.9. The method of claim 8,
A grip portion formed on both sides of an upper surface of the body so as to smoothly detach and attach the body to the reaction space;
Further comprising: a heater jig for heating the substrate. 제 8 항에 있어서,
상기 몸체는,
세라믹 재질의 링형상으로 형성되고, 상기 반응 공간에 원활하게 삽입될 수 있도록 상기 몸체의 하면에 외경면을 따라서 경사부가 형성되는, 기판 처리 장치의 히터 지그.9. The method of claim 8,
The body,
And a sloped portion is formed on the lower surface of the body so as to be smoothly inserted into the reaction space along an outer diameter surface of the body. 제 8 항에 있어서,
상기 몸체는,
상기 공정 챔버로부터 방출되는 열에 대한 열전도율을 감소시킬 수 있도록 외측에 형성되는 관통홈부;
를 포함하는, 기판 처리 장치의 히터 지그.9. The method of claim 8,
The body,
A penetrating groove portion formed on the outer side so as to reduce a thermal conductivity of heat emitted from the process chamber;
And a heater jig for heating the substrate. 제 11 항에 있어서,
상기 관통홈부는,
상기 몸체 주변에 원호 형상으로 형성되는, 기판 처리 장치의 히터 지그.12. The method of claim 11,
The through-
And is formed in an arc shape around the body. 제 9 항에 있어서,
상기 손잡이부는,
상단부가 상기 반응 공간의 중심부를 향해 내측 각도로 기울어지게 형성되는, 기판 처리 장치의 히터 지그.10. The method of claim 9,
The handle portion
Wherein an upper end portion is formed to be inclined at an inner angle toward a central portion of the reaction space.
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