KR20180049411A - Conductive Coated Composition Comprising The Same, Antistatic Film And Display Device Using The Same - Google Patents

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Abstract

A conductive coating liquid composition according to an embodiment of the present invention comprises, 10 to 100 parts by weight of a silane sol based on 100 parts by weight of a carbon nanotube dispersion composition, and 0.1 to 1 parts by weight of a silsesquioxane compound having a disulfide group linking a siloxane group based on 100 parts by weight of the conductive coating liquid composition. An object of the present invention is to provide the carbon nanotube dispersion composition having excellent dispersibility and composition stability of carbon nanotubes.

Description

전도성 코팅액 조성물, 이를 이용한 정전기 방지막 및 표시장치{Conductive Coated Composition Comprising The Same, Antistatic Film And Display Device Using The Same}Technical Field [0001] The present invention relates to a conductive coating liquid composition, an antistatic film using the same,

본 발명은 전도성 코팅액 조성물, 이를 이용한 정전기 방지막 및 표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to a conductive coating liquid composition, an antistatic film using the same, and a display device.

최근 정보화 사회로 시대가 급발전함에 따라 박형화, 경량화, 저 소비전력화 등의 우수한 특성을 가지는 평판표시장치(flat panel display)의 필요성이 대두되었는데, 이 중 액정표시장치(liquid crystal display)가 해상도, 컬러표시, 화질 등에서 우수하여 노트북이나 데스크탑 모니터에 활발하게 적용되고 있다.Recently, as the information society has developed rapidly, there has been a need for a flat panel display having excellent characteristics such as thinness, light weight, and low power consumption. Among them, a liquid crystal display Color display, and picture quality, and is actively applied to a notebook or desktop monitor.

일반적으로 액정표시장치는 일면에 전극이 각각 형성되어 있는 두 기판을 상기 전극이 형성되어 있는 면이 마주 대하도록 배치하고, 두 기판 사이에 액정 물질을 개재한 후, 각 기판에 형성된 전극에 전압을 인가하여 생성되는 전기장에 의해 액정 분자를 움직이게 함으로써 이에 따라 달라지는 빛의 투과율에 의해 화상을 표현하는 장치이다. 이때, 액정표시장치의 각 기판의 제조 시 단위 공정을 진행하는 과정에서 많은 정전기가 발생하고 있다.In general, a liquid crystal display device is a liquid crystal display device in which two substrates, each having electrodes formed on one surface thereof, are disposed so as to face the surface on which the electrodes are formed, a liquid crystal material is interposed between the two substrates, And moving the liquid crystal molecules by an electric field generated by applying the electric field to the liquid crystal molecules. At this time, a lot of static electricity is generated in the course of the unit process of manufacturing each substrate of the liquid crystal display device.

따라서, 이러한 정전기를 방전시키고, 완성된 제품 형성 시에 충친된 전하를 효과적으로 방출시키고자 상부기판의 외측면에 투명 도전성 물질인 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)를 정전기 방지막으로 활용하고 있다. 하지만, 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)는 매우 값비싼 투명 도전성 금속물질이므로 제조 비용을 향상시키는 요인이 되고 있다. 특히, 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)의 주원료인 인듐(Indium)은 희소금속으로 근래들어 그 가격이 급상승하고 있으며, 자원 보유국의 수출억제 정책 등으로 현재 그 수급이 어려워지고 있는 실정이다.Therefore, in order to discharge such static electricity and to effectively discharge the charged electric charge in forming the finished product, indium-tin-oxide (ITO) or indium-zinc-oxide (IZO), which is a transparent conductive material, It is used as antistatic film. However, since indium-tin-oxide (ITO) or indium-zinc-oxide (IZO) is a very expensive transparent conductive metal material, it has become a factor for improving the manufacturing cost. In particular, Indium, which is the main material of indium-tin-oxide (ITO) or indium-zinc-oxide (IZO), is a rare metal and its price is rapidly increasing recently. This is a difficult situation.

최근에 들어서는 개인 휴대가 가능한 휴대폰, PDA 또는 노트북 등에서 터치 센서가 내장되어 화면을 터치하여 동작할 수 있는 기능을 갖는 제품이 출시되어 사용자의 많은 관심을 끌고 있다. 이러한 추세에 편승하여 다양한 응용제품에 표시소자로서 이용되고 있는 액정표시장치에 있어서도 터치 기능을 갖도록 하기 위해 최근 다양한 시도가 진행되고 있다. 이 중 터치 기능이 내부에 탑재된 인셀 타입(In Cell Type)의 액정표시장치의 수요가 증가하고 있다. 인셀 터치 방식의 액정표시장치는 액정표시장치 위에 별도의 터치 패널을 부착하지 않고 표시패널 내부에 터치 전극을 형성하기 때문에 제품의 슬림화, 재료비 절감으로 인한 원가 구조 개선, 경량화 등의 장점을 갖는다.In recent years, a touch sensor has been installed in a mobile phone, a PDA or a notebook which can be carried by a person, and a product having a function of touching the screen has been released. In recent years, various attempts have been made to provide a touch function even in a liquid crystal display device that has been used as a display device in various application products by taking advantage of such a tendency. Among these, the demand for an in-cell type liquid crystal display device in which a touch function is mounted is increasing. The liquid crystal display device of the in-cell touch method has advantages such as slimming of the product, cost structure improvement due to the reduction of the material cost, and lightness because the touch panel is formed inside the display panel without attaching a separate touch panel on the liquid crystal display device.

하지만, 표시패널 내부에 인셀 형식으로 터치센서가 구비된다 하더라도 전술한 정전기 방지막에 의해 방전됨으로써, 손가락 등의 터치에 의해 발생하는 정전용량 변화를 감지할 수 없게 되어 터치 센서의 터치 감도가 저하되는 문제가 발생하고 있다. 다시 말해서, 손가락 터치에 의해 발생되는 정전용량의 크기에 비해 정전기 방지막이 상대적으로 전기 전도도가 크게 형성되어 있기 때문에, 정전기 방지막이 도체로서 작용하여 방전을 일으켜 터치센서가 작업자의 손가락 등의 터치를 인식하지 못하게 되는 것이다. 따라서, 이러한 문제를 해결하기 위해 정전기 방지막을 삭제하게 되면 제조 공정 중 정전기 발생으로 인해 불량률이 상승하며 이로 인해 실패비용 증가로 인해 또 다시 제조 비용이 상승하고 있으며, 표시품질이 저하되고 있는 실정이다.However, even if a touch sensor is provided in the form of an inshell in the display panel, it is impossible to detect a change in capacitance caused by the touch of a finger or the like due to the discharge by the above-mentioned antistatic layer, . In other words, since the antistatic film has a relatively large electrical conductivity compared to the capacitance generated by the finger touch, the antistatic film acts as a conductor to cause a discharge, and the touch sensor recognizes the touch of the operator's finger or the like I will not be able to do it. Therefore, if the antistatic film is removed to solve such a problem, the defective rate increases due to the generation of static electricity during the manufacturing process, which causes the manufacturing cost to rise again due to the increase in the failure cost, and the display quality is degraded.

또한, 표시패널 상에 정전기 방지막이 형성된 후 표시패널의 연마벨트 세정 시 정전기 방지막에 스크래치가 발생하게 된다. 정전기 방지막에 발생된 스크래치는 사용자에게 시인되어 표시품질이 저하된다.In addition, scratches are generated in the antistatic film when cleaning the abrasive belt of the display panel after the antistatic film is formed on the display panel. The scratches generated in the antistatic film are visually recognized by the user and the display quality is deteriorated.

본 발명은 탄소나노튜브의 분산성 및 조성물의 안정성이 우수한 탄소나노튜브 분산액 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a carbon nanotube dispersion composition having excellent dispersibility and composition stability of carbon nanotubes.

또한, 본 발명은 상기 탄소나노튜브 분산액 조성물을 포함하는 전도성 코팅액 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.It is another object of the present invention to provide a conductive coating liquid composition comprising the carbon nanotube dispersion composition.

또한, 본 발명은 상기 전도성 코팅액 조성물로 형성된 정전기 방지막을 구비하는 표시장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.It is another object of the present invention to provide a display device having an antistatic film formed of the conductive coating liquid composition.

또한, 본 발명은 제조 공정시 발생되는 정전기를 외부로 용이하게 방전시켜 정전기에 의한 불량을 억제하고, 터치 감도의 저하를 방지하며, 면저항 균일도, 내열성 및 신뢰성을 향상시키고, 제조 비용을 절감시키는 정전기 방지막 및 표시장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention also provides an electrostatic discharge device which can easily discharge static electricity generated in the manufacturing process to the outside to suppress defects due to static electricity, prevent deterioration of touch sensitivity, improve sheet resistance uniformity, heat resistance and reliability, Prevention film and a display device.

또한, 본 발명은 막 밀도, 경도 및 내 마모성을 향상시킬 수 있는 정전기 방지막 및 표시장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. It is still another object of the present invention to provide an antistatic film and a display device capable of improving film density, hardness and abrasion resistance.

상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 일 실시예에 따른 전도성 코팅액 조성물은 탄소나노튜브 분산액 조성물 100중량부에 대하여, 실란졸 10 내지 100중량부를 포함하고, 전도성 코팅액 조성물 100중량부에 대하여 실록산 그룹을 연결하는 디설파이드 그룹을 가진 실세스퀴옥산 화합물 0.1 내지 1중량부를 포함한다.In order to achieve the above object, the conductive coating liquid composition according to an embodiment of the present invention comprises 10 to 100 parts by weight of a silane sol per 100 parts by weight of a carbon nanotube dispersion composition, And 0.1 to 1 part by weight of a silsesquioxane compound having a disulfide group linking groups.

일례로, 실세스퀴옥산 화합물은 랜덤 및 케이지 타입이 결합된다. As an example, silsesquioxane compounds are bonded in random and cage types.

일례로, 전도성 코팅액 조성물은 금속, 세라믹, 금속 산화물 또는 이들의 혼합으로 이루어진 나노입자들을 더 포함한다.In one example, the conductive coating liquid composition further comprises nanoparticles made of metal, ceramic, metal oxide, or a mixture thereof.

일례로, 탄소나노튜브 분산액 조성물은 탄소나노튜브 분산액 조성물 100중량부에 대하여, 탄소나노튜브 0.05 내지 20중량%, 폴리아크릴산 수지 0.02 내지 40중량%, 탄소수 2 내지 5의 직쇄의 알칸올 50 내지 99.93중량%로 포함한다.For example, the carbon nanotube dispersion composition may contain 0.05 to 20% by weight of carbon nanotubes, 0.02 to 40% by weight of polyacrylic acid resin, 50 to 99.93 of linear alkanols having 2 to 5 carbon atoms per 100 parts by weight of the carbon nanotube dispersion composition By weight.

일례로, 알칸올은 에탄올, n-프로판올, n-부탄올 및 n-펜탄올 중 적어도 하나이다.For example, the alkanol is at least one of ethanol, n-propanol, n-butanol and n-pentanol.

일례로, 아크릴계 블록 공중합체 분산제를 더 포함한다.For example, it further includes an acrylic block copolymer dispersant.

일례로, 아크릴계 블록 공중합체 분산제는 아민기 및 카르복실기 중 적어도 하나로 치환된 것이다.For example, the acrylic block copolymer dispersant is substituted with at least one of an amine group and a carboxyl group.

일례로, 아크릴계 블록 공중합체 분산제는 조성물 총 중량에 대하여 0.1 내지 2중량%로 포함된다.For example, the acrylic block copolymer dispersant is included in an amount of 0.1 to 2% by weight based on the total weight of the composition.

일례로, 실란졸은 알콕시실란 화합물, 산촉매, 알코올계 용매 및 물을 포함한다.For example, the silane sol includes an alkoxysilane compound, an acid catalyst, an alcohol-based solvent, and water.

일례로, 실란졸 총 중량에 대하여, 알콕시실란 화합물 20 내지 60중량%, 산촉매 0.01 내지 10중량%, 알코올계 용매 10 내지 70중량% 및 물 5 내지 60중량%로 포함한다.For example, 20 to 60% by weight of an alkoxysilane compound, 0.01 to 10% by weight of an acid catalyst, 10 to 70% by weight of an alcoholic solvent and 5 to 60% by weight of water, based on the total weight of the silane sol.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 정전기 방지막은 전술한 전도성 코팅액 조성물로 형성된다.In addition, the antistatic film according to an embodiment of the present invention is formed of the above-described conductive coating liquid composition.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는 전술한 전도성 코팅액 조성물로 형성된 정전기 방지막을 포함한다.Further, a display device according to an embodiment of the present invention includes an antistatic film formed of the conductive coating liquid composition described above.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는 표시패널, 상부편광판, 정전기 방지막을 포함한다. 표시패널은 하부편광판 상에 위치하고, 상부편광판은 표시패널 상에 위치한다. 또한, 정전기 방지막은 표시패널의 상부기판과 상부편광판 사이에 배치되며, 매트릭스(Matrix) 물질, 상기 매트릭스 물질에 분산되어 있는 탄소나노튜브(Carbon Nano Tube), 및 실록산 그룹을 연결하는 디설파이드 그룹을 가진 실세스퀴옥산 화합물을 포함한다.Further, a display device according to an embodiment of the present invention includes a display panel, an upper polarizer, and an antistatic film. The display panel is positioned on the lower polarizer plate, and the upper polarizer plate is positioned on the display panel. The antistatic layer is disposed between the upper substrate and the upper polarizer of the display panel and includes a matrix material, a carbon nanotube dispersed in the matrix material, and a disulfide group connecting the siloxane group Silsesquioxane compounds.

실세스퀴옥산 화합물은 랜덤 및 케이지 타입이 결합된다.The silsesquioxane compound is bonded in a random and cage type.

실세스퀴옥산 화합물은 하기 화학식으로 표시되고, R은 독립적으로 방향족 그룹 또는

Figure pat00001
(여기서, R2는 C1~C20의 알킬 그룹)에서 선택된다.The silsesquioxane compound is represented by the following formula, wherein R is independently an aromatic group or
Figure pat00001
(Wherein R < 2 > is an alkyl group of C1-C20).

Figure pat00002
Figure pat00002

정전기 방지막은 금속, 세라믹, 금속 산화물 또는 이들의 혼합으로 이루어진 나노입자들을 더 포함한다.The antistatic film further comprises nanoparticles made of metal, ceramic, metal oxide, or a mixture thereof.

정전기 방지막은 경도가 8 내지 9H이다.The antistatic film has a hardness of 8 to 9H.

정전기 방지막의 면저항은 107 내지 109Ω/□이다.The sheet resistance of the antistatic film is 10 7 to 10 9 Ω / □.

정전기 방지막은 1.37 내지 1500mW/㎠의 광량에서 스크래치가 관찰될 때까지의 스틸울의 왕복 횟수가 113 내지 483회로 나타낸다.The anti-static film shows the number of times the steel wool is reciprocated from 113 to 483 times until a scratch is observed at a light quantity of 1.37 to 1500 mW / cm 2.

표시패널에는 터치 전극이 내장된다.The display panel has a built-in touch electrode.

본 발명의 탄소나노튜브 분산액 조성물은 탄소나노튜브를 효과적으로 분산시킬 수 있으며, 특정 구조의 알코올을 사용함으로써, 분산 안정성 또한 매우 뛰어나다. The carbon nanotube dispersion composition of the present invention is capable of effectively dispersing carbon nanotubes. By using an alcohol having a specific structure, the dispersion stability is also excellent.

본 발명의 탄소나노튜브 분산액 조성물의 제조 방법은 탄소나노튜브의 분산성을 향상시키고 동시에 분산 후 안정성을 현저히 향상시킬 수 있다.The method for producing a carbon nanotube dispersion composition of the present invention can improve the dispersibility of carbon nanotubes and can significantly improve stability after dispersion.

본 발명의 탄소나노튜브 분산액 조성물을 포함하는 전도성 코팅액 조성물은 균일한 코팅막을 형성시킬 수 있으며, 형성된 코팅막의 화학적 안정성 및 전기전도도가 뛰어나다.The conductive coating liquid composition comprising the carbon nanotube dispersion composition of the present invention can form a uniform coating film, and the formed coating film has excellent chemical stability and electric conductivity.

본 발명에 따른 전도성 코팅액 조성물로 제조된 정전기 방지막은 우수한 전기전도도를 나타내며, 기계적 강도 및 투과도 또한 우수하여, 터치스크린 패널 및 화상표시장치의 정전기 방지용 코팅막으로 사용될 수 있다.The antistatic film produced by the conductive coating liquid composition according to the present invention exhibits excellent electrical conductivity and is excellent in mechanical strength and transparency and can be used as a coating film for anti-static use of a touch screen panel and an image display device.

본 발명에 따른 전도성 코팅액 조성물로 제조된 정전기 방지막은 셀프힐링 재료로 디설파이드 그룹을 가진 실세스퀴옥산을 포함함으로써, 막 밀도가 향상되어 경도가 우수하고 내 마모성 또한 우수하여 내 스크래치성을 향상시킬 수 있다.The antistatic film made of the conductive coating liquid composition according to the present invention contains silsesquioxane having a disulfide group as a self-healing material, thereby improving the film density and thus improving hardness and abrasion resistance and improving scratch resistance have.

본 발명에 따른 정전기 방지막 및 이를 포함하는 표시장치는, 제조 공정시 발생되는 정전기를 외부로 용이하게 방전시켜 정전기에 의한 불량을 억제하고, 터치 감도의 저하를 방지하며, 면저항 균일도, 내열성 및 신뢰성을 향상시키고, 제조 비용을 절감시킬 수 있다.The antistatic film and the display device including the same according to the present invention can easily discharge the static electricity generated in the manufacturing process to the outside to suppress the defect caused by the static electricity, to prevent the deterioration of the touch sensitivity, to improve the uniformity of sheet resistance, And the manufacturing cost can be reduced.

도 1은 일반적인 표시장치를 나타낸 단면도.
도 2 및 도 3은 본 발명의 표시장치를 개략적으로 나타낸 도면들.
도 4는 도 2에 도시된 터치 센서에 인가되는 공통 전압과 터치 구동 신호를 나타낸 파형도.
도 5는 본 발명의 표시패널을 나타낸 단면도.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 표시장치를 나타낸 단면도.
도 7은 도 6의 표시장치의 정면을 나태낸 도면.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 정전기 방지막의 평면을 나타낸 도면.
도 9 내지 도 11은 본 발명의 정전기 방지막이 적용되는 다양한 표시장치를 개략적으로 나타낸 도면들.
도 12a는 실시예에 따른 탄소나노튜브의 면저항에 대한 정전기 방지막의 면저항 값과 면저항 균일도를 나타내는 표이고, 도 12b는 도 12a의 면저항 균일도를 나타내는 그래프.
도 13은 실시예에 따른 탄소나노튜브의 함량에 대한 정전기 방지막의 면저항 값을 나타내는 그래프.
도 14은 실시예에 따른 탄소나노튜브의 함량과 면저항 값에 대한 광 투과율을 나타내는 표.
도 15a는 일반적인 정전기 방지막의 시간에 따른 면저항 값의 변화를 나타내는 그래프이고, 도 15b는 실시예에 따른 정전기 방지막의, 고온, 고습 환경에서의 면저항 값의 변화를 나타내는 그래프.
도 16은 일반적인 정전기 방지막의 온도에 따른 중량%와, 실시예에 따른 정전기 방지막의 온도에 따른 중량%를 비교한 그래프.
도 17은 실세스퀴옥산 화합물의 경화 과정을 모식화한 도면.
도 18은 본 발명의 실세스퀴옥산 화합물의 합성 과정을 모식화한 도면.
도 19는 본 발명에서 제조된 실세스퀴옥산 화합물의 라만 분석 그래프.
도 20과 도 21은 다양한 실세스퀴옥산 화합물의 FTIR 분석 그래프.
도 22는 셀프힐링 재료들의 힐링 메커니즘을 모식화한 도면.
도 23과 도 24는 실란졸과 디설파이드 그룹을 가진 실세스퀴옥산 화합물의 힐링 메커니즘을 모식화한 도면.
도 25는 실시예 14, 비교예 6 및 7에 따라 제조된 코팅막에 UV 광량에 따라 스크래치가 관찰되는 스틸울 왕복 횟수를 측정한 그래프.
도 26은 실시예 15에 에 따라 제조된 코팅막들의 면저항 및 연필 경도를 측정한 그래프.
1 is a sectional view showing a general display device;
2 and 3 are views schematically showing a display device of the present invention.
FIG. 4 is a waveform diagram showing a common voltage and a touch driving signal applied to the touch sensor shown in FIG. 2. FIG.
5 is a sectional view showing a display panel of the present invention.
6 is a cross-sectional view illustrating a display device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a front view of the display device of FIG. 6; FIG.
8 is a plan view of an antistatic film according to an embodiment of the present invention.
9 to 11 are views schematically showing various display devices to which the antistatic film of the present invention is applied.
FIG. 12A is a table showing the sheet resistance and sheet resistance uniformity of the antistatic film for the sheet resistance of carbon nanotubes according to the embodiment, and FIG. 12B is a graph showing the sheet resistance uniformity of FIG. 12A.
13 is a graph showing a sheet resistance value of an antistatic film against the content of carbon nanotubes according to an embodiment.
14 is a table showing the light transmittance for the content of carbon nanotubes and the sheet resistance value according to the embodiment.
FIG. 15A is a graph showing changes in sheet resistance values of a general antistatic film over time, and FIG. 15B is a graph showing changes in sheet resistance values of the antistatic film according to the embodiment in a high temperature and high humidity environment.
16 is a graph comparing weight percentages of general antistatic films with temperature and weight percentages according to the temperature of the antistatic film according to the embodiment.
Fig. 17 is a schematic diagram of a curing process of a silsesquioxane compound. Fig.
18 is a schematic diagram showing a synthesis process of the silsesquioxane compound of the present invention.
19 is a Raman analysis graph of the silsesquioxane compound prepared in the present invention.
Figures 20 and 21 are FTIR analysis graphs of various silsesquioxane compounds.
22 is a diagrammatic illustration of the healing mechanism of self-healing materials;
23 and 24 are schematic diagrams of a healing mechanism of a silsesquioxane compound having a silane sol and a disulfide group.
25 is a graph showing the number of steel wool reciprocations in which scratches are observed according to the amount of UV light in the coating film prepared according to Example 14, Comparative Examples 6 and 7;
26 is a graph showing the sheet resistance and pencil hardness of the coating films prepared according to Example 15. Fig.

이하, 본 발명의 일부 실시예들을 예시적인 도면을 통해 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명의 실시예들을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.Hereinafter, some embodiments of the present invention will be described in detail with reference to exemplary drawings. It should be noted that, in adding reference numerals to the constituent elements of the drawings, the same constituent elements are denoted by the same reference symbols as possible even if they are shown in different drawings. In the following description of the embodiments of the present invention, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear.

또한, 발명의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제 1, 제 2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 또 다른 구성 요소가 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 같은 맥락에서, 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소의 "상"에 또는 "아래"에 형성된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접 또는 또 다른 구성 요소를 개재하여 간접적으로 형성되는 것을 모두 포함하는 것으로 이해되어야 할 것이다.In describing the components of the invention, terms such as first, second, A, B, (a), (b), etc. may be used. These terms are intended to distinguish the constituent elements from other constituent elements, and the terms do not limit the nature, order or order of the constituent elements. When a component is described as being "connected", "coupled", or "connected" to another component, the component may be directly connected to or connected to the other component, It should be understood that an element may be "connected," "coupled," or "connected." In the same context, when an element is described as being formed on an "upper" or "lower" side of another element, the element may be formed either directly or indirectly through another element As will be understood by those skilled in the art.

도 1은 일반적인 표시장치를 나타낸 단면도이다. 1 is a cross-sectional view showing a general display device.

도 1을 참조하면, 표시장치(100)는, 하부기판(120), 하부기판(120)에 대향하는 상부기판(140) 및 상부기판(140) 상에 위치하는 정전기 방지막(150)을 포함한다. 하부기판(120)의 외측면(도면에서 아래쪽 방향)에는 하부편광판(110a)이 위치하고, 하부기판(120)과 상부기판(130) 사이에는 셀(Cell, 130)이 위치하며, 셀(130) 내부에는 터치전극(Touch Electrode, 미도시)이 배치될 수 있다. 한편, 상부기판(140) 상에는 상부편광판(110b)이 위치하고, 상부편광판(110b) 상에는 정전기 방지막(150)이 위치한다.1, the display device 100 includes a lower substrate 120, an upper substrate 140 opposed to the lower substrate 120, and an antistatic film 150 positioned on the upper substrate 140 . A lower polarizer 110a is located on the outer side of the lower substrate 120 and a cell 130 is located between the lower substrate 120 and the upper substrate 130, And a touch electrode (not shown) may be disposed inside. On the other hand, the upper polarizer plate 110b is positioned on the upper substrate 140 and the antistatic film 150 is positioned on the upper polarizer plate 110b.

도 1의 표시장치(100)는 터치전극(미도시)이 셀(130) 내부에 위치하는 인셀 타입의 표시장치(100)이다. 다만, 이는 예시적인 것으로서, 설명의 편의를 위한 것이다. 셀(130)은, 예를 들어, 액정층일 수 있고, 표시장치(100)는 액정표시장치일 수 있다. The display device 100 of FIG. 1 is an in-cell type display device 100 in which a touch electrode (not shown) is located inside a cell 130. However, this is for illustrative purposes only and is for convenience of explanation. The cell 130 may be, for example, a liquid crystal layer, and the display device 100 may be a liquid crystal display device.

한편, 정전기 방지막(150)은, 투명 도전성 물질인 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)로 이루어지거나, 도전성 고분자, 예를 들면, PEDOT:PSS(polyethylenedioxythiphene:polystyrene sulfonic acid)로 이루어질 수 있다. 하지만, 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)는 매우 값비싼 금속물질이므로 제조 비용을 향상시키는 요인이 되고 있다. 특히, 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)의 주원료인 인듐(Indium)은 희소 금속으로 근래들어 그 가격이 급상승하고 있으며, 자원 보유국의 수출억제 정책 등으로 현재 그 수급이 어려워지고 있는 실정이다. 또한, 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)는 면저항(Sheet Resistance) 값이 상대적으로 낮고, 전기 전도도가 높기 때문에, 손가락 등의 터치에 의해 발생되는 전압이 정전기 방지막(150)으로 인해 방전되어 버리게 되고, 이로 인해 터치센서가 터치를 인식할 수 없게 되는 문제점이 발생한다. 또한, 정전기 방지막(150)이 PEDOT:PSS와 같은 물질로 이루어지는 경우, 고온 또는 다습(또는 고습) 환경에서 신뢰성이 저하되는 문제점이 발생한다. The antistatic layer 150 may be formed of indium-tin-oxide (ITO) or indium-zinc-oxide (IZO) which is a transparent conductive material or may be formed of a conductive polymer such as PEDOT: PSS (polyethylenedioxythiphene: polystyrene sulfonic acid ). However, indium-tin-oxide (ITO) or indium-zinc-oxide (IZO) is a very expensive metal material, thus increasing manufacturing costs. In particular, Indium, which is the main material of indium-tin-oxide (ITO) or indium-zinc-oxide (IZO), is a rare metal and its price is rapidly increasing recently. This is a difficult situation. Since the sheet resistance value of indium-tin-oxide (ITO) or indium-zinc-oxide (IZO) is relatively low and electric conductivity is high, a voltage generated by a touch of a finger, 150, and thus the touch sensor can not recognize the touch. In addition, when the antistatic film 150 is made of a material such as PEDOT: PSS, reliability is lowered in a high temperature or high humidity (or high humidity) environment.

한편, 정전기 방지막(150)은 제1 도전부재(170a), 도전성 연결부재(172) 및 제2 도전부재(170b)를 통해 하부기판(120)의 가장자리에 연결된다. 하부기판(120)의 가장자리에는, 도시되지는 않았지만, 도전성 물질로 이루어진 접지패드 등이 위치할 수 있다. 표시장치(100)에서 발생한 정전기는 정전기 방지막(150), 제1 도전부재(170a), 도전성 연결부재(172), 제2 도전부재(170b) 및 하부기판(120)의 도전성 물질로 인해 외부로 방전된다.The antistatic layer 150 is connected to the edge of the lower substrate 120 through the first conductive member 170a, the conductive connection member 172, and the second conductive member 170b. A ground pad or the like made of a conductive material may be disposed on the edge of the lower substrate 120, though not shown. The static electricity generated in the display device 100 is transmitted to the outside due to the conductive material of the antistatic layer 150, the first conductive member 170a, the conductive connecting member 172, the second conductive member 170b, Is discharged.

제1 도전부재(170a) 및 제2 도전부재(170b)는, 예를 들어, 은(Ag) 등의 금속재질로 이루어질 수 있고, 도전성 연결부재(172) 또한 금속재질로 이루어질 수 있다. 다만, 제1 도전부재(170a), 도전성 연결부재(172) 및 제2 도전부재(170b)를 각각 형성해야 하기 때문에, 공정 수가 증가하고, 제조 원가가 상승하는 문제점이 발생한다. 또한, 정전기 방지막(250) 상에 배치된 상부편광판(HPOL)이 수축하면서 제1 도전부재(170a)에 크랙이 발생하는 문제가 있다.The first conductive member 170a and the second conductive member 170b may be made of a metal such as silver or the like and the conductive connecting member 172 may be made of a metal material. However, since the first conductive member 170a, the conductive connecting member 172, and the second conductive member 170b must be formed, the number of processes increases and manufacturing cost increases. Further, there is a problem that the upper polarizer HPOL disposed on the antistatic film 250 shrinks and cracks occur in the first conductive member 170a.

이하, 후술하는 본 발명의 실시예들에 따른 정전기 방지막 및 이를 포함하는 표시장치는, 전술한 문제점을 해결하는 구조를 갖는다. 이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들에 대해 자세히 설명한다. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, an antistatic layer and a display device including the same according to embodiments of the present invention described below have a structure for solving the above-described problems. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

<제1 실시예>&Lt; Embodiment 1 >

하기에서는 본 발명의 실시예에 따른 인셀 터치 표시장치에 대해 설명하기로 한다. Hereinafter, an in-cell touch display device according to an embodiment of the present invention will be described.

도 2 및 도 3은 본 발명의 표시장치를 개략적으로 보여 주는 도면들이다. 도 4는 도 2에 도시된 터치 센서(Cs)에 인가되는 공통 전압(Vcom)과 터치 구동 신호(Tdrv)를 보여 주는 파형도이다.2 and 3 are views schematically showing a display device of the present invention. 4 is a waveform diagram showing a common voltage Vcom and a touch driving signal Tdrv applied to the touch sensor Cs shown in FIG.

도 2 내지 도 4를 참조하면, 본 발명의 표시장치는 터치 센싱 장치를 포함한다. 터치 센싱 장치는 표시패널(300)에 내장된 터치 센서들(Cs)을 이용하여 터치 입력을 감지한다. 터치 센싱 장치는 자기 정전 용량 타입의 터치 센서(Cs)에 손가락이 접촉될 때 정전 용량이 증가하기 때문에 터치 센서(Cs)의 정전 용량 변화를 바탕으로 터치 입력을 감지할 수 있다. 2 to 4, the display device of the present invention includes a touch sensing device. The touch sensing device senses a touch input by using the touch sensors Cs built in the display panel 300. Since the capacitance of the touch sensing device increases when a finger touches the self-capacitance type touch sensor Cs, the touch sensing device can sense the touch input based on the capacitance change of the touch sensor Cs.

표시패널(300)에서 두 장의 기판들 사이에는 액정층이 형성된다. 액정 분자들은 픽셀 전극(12)에 인가되는 데이터전압과, 센서 전극(13)에 인가되는 공통 전압(Vcom)의 전위차로 발생되는 전계에 의해 구동된다. 표시패널(300)의 픽셀 어레이는 데이터 라인들(S, S1~Sm, m은 양의 정수)과 게이트 라인들(G, G1~Gn, n은 양의 정수)에 의해 정의된 픽셀들, 픽셀들에 연결된 터치 센서들(Cs)을 포함한다. In the display panel 300, a liquid crystal layer is formed between two substrates. The liquid crystal molecules are driven by an electric field generated by a potential difference between a data voltage applied to the pixel electrode 12 and a common voltage Vcom applied to the sensor electrode 13. [ The pixel array of the display panel 300 includes pixels defined by data lines (S, S1 to Sm, m is a positive integer) and gate lines (G, G1 to Gn, n are positive integers) And touch sensors Cs connected to the touch sensors Cs.

터치 센서(Cs)는 센서 전극과, 센서 전극에 연결된 센서 배선(M3)을 포함한다. 센서 전극들(COM, C1~C4)은 기존의 공통 전극을 분할하는 방법으로 패터닝될 수 있다. 센서 전극들(COM, C1~C4) 각각은 다수의 픽셀들과 중첩된다. 센서 전극들(COM, C1~C4)은 센서 배선(M3)을 통해 디스플레이 구동 기간(Td) 동안 공통 전압(Vcom)을 공급 받고, 터치 센서 구동 기간(Tt) 동안 터치 구동 신호(Tdrv)를 공급 받는다. 공통 전압(Vcom)은 센서 전극들을 통해 픽셀들에 공통으로 인가된다. The touch sensor Cs includes a sensor electrode and a sensor wiring M3 connected to the sensor electrode. The sensor electrodes COM, C1 to C4 may be patterned by a conventional method of dividing the common electrode. Each of the sensor electrodes COM, C1 to C4 is overlapped with a plurality of pixels. The sensor electrodes COM and C1 to C4 receive the common voltage Vcom during the display driving period Td through the sensor wiring M3 and supply the touch driving signal Tdrv during the touch sensor driving period Tt Receive. The common voltage Vcom is commonly applied to the pixels through the sensor electrodes.

센서 배선들(M3)은 스페이서(spacer)의 위치를 회피하여 서브 픽셀들 간의 경계에 배치된다. 센서 배선들(M3)은 픽셀들의 개구 영역 감소 문제가 없도록 절연층(미도시)을 사이에 두고 데이터 라인(S1~Sm)과 중첩될 수 있다. The sensor wirings M3 are disposed at the boundary between the subpixels avoiding the position of the spacers. The sensor wirings M3 may overlap with the data lines S1 to Sm with an insulating layer (not shown) therebetween so that there is no problem of aperture area reduction of the pixels.

터치 센서들이 표시패널(300)의 픽셀 어레이에 내장되기 때문에 터치 센서들(Cs)은 기생 용량을 통해 픽셀들에 연결된다. 본 발명은 픽셀들과 터치 센서들(Cs)의 커플링(Coupling)으로 인한 상호 영향을 줄이기 위하여, 도 14와 같이 1 프레임 기간을 픽셀들을 구동하는 기간(이하, "디스플레이 구동 기간"이라 함)과 터치 센서들을 구동하는 기간(이하, "터치 센서 구동 기간"이라 함)으로 시분할하여 표시패널(300)을 구동한다. 1 프레임 기간은 하나 이상의 디스플레이 구동 기간(Td)과 하나 이상의 터치 센서 구동 기간(Tt)으로 분할될 수 있다. 디스플레이 구동 기간(Td) 동안 픽셀들에 입력 영상의 데이터가 기입된다. 터치 센서 구동 기간(Tt) 동안, 터치 센서들이 구동되어 터치 입력이 감지된다.Since the touch sensors are embedded in the pixel array of the display panel 300, the touch sensors Cs are connected to the pixels through the parasitic capacitance. In order to reduce the mutual influence due to coupling of the pixels and the touch sensors Cs, one frame period is called a display driving period (hereinafter, referred to as "display driving period" (Hereinafter referred to as "touch sensor driving period") for driving the display panel 300. One frame period may be divided into at least one display driving period Td and at least one touch sensor driving period Tt. During the display driving period Td, data of the input image is written to the pixels. During the touch sensor driving period (Tt), the touch sensors are driven and the touch input is sensed.

픽셀들 각각은 데이터 라인들(S1~Sm)과 게이트 라인들(G1~Gn)의 교차부들에 형성된 픽셀 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor, TFT), 픽셀 TFT를 통해 데이터전압을 공급받는 픽셀 전극, 공통 전압(Vcom)이 인가되는 공통전극, 픽셀 전극에 접속되어 액정셀의 전압을 유지시키기 위한 스토리지 커패시터(Storage Capacitor, Cst) 등을 포함한다. Each of the pixels includes a pixel thin film transistor (TFT) formed at the intersections of the data lines S1 to Sm and the gate lines G1 to Gn, a pixel electrode to receive the data voltage through the pixel TFT, A common electrode to which a voltage Vcom is applied, and a storage capacitor (Cst) connected to the pixel electrode to maintain the voltage of the liquid crystal cell.

표시패널(300)의 상부기판에는 블랙매트릭스, 컬러필터 등이 형성될 수 있다. 표시패널(300)의 하부기판은 COT(Color filter On TFT) 구조로 구현될 수 있다. 이 경우에, 컬러필터는 표시패널(100)의 하부기판에 형성될 수 있다. 표시패널(300)의 상부기판과 하부기판 각각에는 편광판이 부착되고 액정과 접하는 내면에 액정의 프리틸트각을 설정하기 위한 배향막이 형성된다. 표시패널(300)의 상부기판과 하부기판 사이에는 액정층의 셀갭(Cell gap)을 유지하기 위한 스페이서가 형성된다. A black matrix, a color filter, and the like may be formed on the upper substrate of the display panel 300. The lower substrate of the display panel 300 may be implemented as a COT (Color Filter On TFT) structure. In this case, the color filter may be formed on the lower substrate of the display panel 100. [ On the upper substrate and the lower substrate of the display panel 300, a polarizing plate is attached and an alignment film for forming a pre-tilt angle of liquid crystal on the inner surface in contact with the liquid crystal is formed. Spacers for maintaining the cell gap of the liquid crystal layer are formed between the upper substrate and the lower substrate of the display panel 300.

표시패널(300)의 배면 아래에는 백라이트 유닛이 배치될 수 있다. 백라이트 유닛은 에지형(edge type) 또는 직하형(Direct type) 백라이트 유닛으로 구현되어 표시패널(300)에 빛을 조사한다. 표시패널(300)은 TN(Twisted Nematic) 모드, VA(Vertical Alignment) 모드, IPS(In Plane Switching) 모드, FFS(Fringe Field Switching) 모드 등 공지된 어떠한 액정 모드로도 구현될 수 있다. 유기발광 다이오드 표시장치와 같은 자발광 표시장치에서 백라이트 유닛은 필요 없다.A backlight unit may be disposed under the rear surface of the display panel 300. [ The backlight unit is implemented as an edge type or direct type backlight unit to irradiate the display panel 300 with light. The display panel 300 may be implemented by any known liquid crystal mode such as TN (Twisted Nematic) mode, VA (Vertical Alignment) mode, IPS (In Plane Switching) mode, FFS (Fringe Field Switching) In a self-luminous display device such as an organic light emitting diode display device, a backlight unit is not required.

본 발명의 표시장치는 픽셀들에 입력 영상의 데이터를 기입하는 디스플레이 구동부(302, 304, 306), 및 터치 센서들(Cs)을 구동하는 터치 센서 구동부(310)를 더 포함한다. 디스플레이 구동부(302, 304, 306)와 터치 센서 구동부(310)는 동기 신호(Tsync)에 응답하여 서로 동기된다. The display apparatus of the present invention further includes a display driver 302, 304, 306 for writing data of an input image to pixels, and a touch sensor driver 310 for driving the touch sensors Cs. The display driver units 302, 304, and 306 and the touch sensor driver unit 310 are synchronized with each other in response to the synchronization signal Tsync.

디스플레이 구동부(302, 304, 306)는 디스플레이 구동 기간(Td) 동안 픽셀들에 데이터를 기입한다. 픽셀들은 터치 센서 구동 기간(Tt) 동안 TFT가 오프 상태이기 때문에 앞선 디스플레이 구동 기간(Td)에 충전하였던 데이터 전압을 유지(hold)한다. 디스플레이 구동부(302, 304, 306)는 터치 센서 구동 기간(Tt) 동안 터치 센서들(Cs)과, 픽셀들에 연결된 신호 라인들 사이의 기생 용량을 최소화하기 위하여, 터치 센서들(Cs)에 인가되는 터치 구동 신호(Tdrv)와 같은 위상의 교류 신호를 신호 라인들(S1~Sm, G1~Gn)에 공급할 수 있다. 여기서, 픽셀들에 연결된 신호 라인들은 데이터 라인 라인들(S1~Sm)과 게이트 라인들(G1~Gn)이다. The display driver 302, 304, and 306 write data to the pixels during the display driving period Td. The pixels hold the data voltage charged in the previous display driving period Td since the TFT is in the off state during the touch sensor driving period Tt. The display driving units 302, 304, and 306 apply the touch signals to the touch sensors Cs in order to minimize the parasitic capacitance between the touch sensors Cs and the signal lines connected to the pixels during the touch sensor driving period Tt. It is possible to supply an AC signal having the same phase as the touch driving signal Tdrv to the signal lines S1 to Sm and G1 to Gn. Here, the signal lines connected to the pixels are the data line lines S1 to Sm and the gate lines G1 to Gn.

디스플레이 구동부(302, 304, 306)는 데이터 구동부(302), 게이트 구동부(304) 및 타이밍 콘트롤러(306)를 포함한다. The display drivers 302, 304, and 306 include a data driver 302, a gate driver 304, and a timing controller 306.

데이터 구동부(302)는 디스플레이 구동 기간(Td) 동안 타이밍 콘트롤러(306)로부터 수신되는 입력 영상의 디지털 비디오 데이터(RGB, RGBW)를 아날로그 정극성/부극성 감마보상전압으로 변환하여 데이터전압을 출력한다. 데이터 구동부(302)로부터 출력된 데이터전압은 데이터 라인들(S1~Sm)에 공급된다. 데이터 구동부(302)는 터치 센서 구동 기간(Tt) 동안 터치 센서들에 인가되는 터치 구동 신호(Tdrv)와 같은 위상의 교류 신호를 데이터 라인들(S1~Sm)에 인가할 수 있다. 이는 기생 용량의 양단 전압이 동시에 변하고 그 전압 차이가 작을수록 기생 용량에 충전되는 전하 양이 작아지기 때문이다.The data driver 302 converts the digital video data RGB and RGBW of the input image received from the timing controller 306 during the display driving period Td into an analog positive / negative gamma compensation voltage to output a data voltage . The data voltage output from the data driver 302 is supplied to the data lines S1 to Sm. The data driver 302 may apply an AC signal having the same phase as the touch driving signal Tdrv applied to the touch sensors during the touch sensor driving period Tt to the data lines S1 to Sm. This is because the voltage across both ends of the parasitic capacitance changes simultaneously and the smaller the voltage difference becomes, the smaller the amount of charge charged in the parasitic capacitance becomes.

게이트 구동부(304)는 디스플레이 구동 기간(Td) 동안, 데이터전압에 동기되는 게이트 펄스(또는 스캔펄스)를 게이트 라인들(G1~Gn)에 순차적으로 공급하여 데이터 전압이 기입되는 표시패널(300)의 라인을 선택한다. 게이트 펄스는 게이트 하이 전압(VGH)과 게이트 로우 전압(VGL) 사이에서 스윙한다. 게이트 펄스는 게이트 라인들(G1~Gn)을 통해 픽셀 TFT들의 게이트에 인가된다. 게이트 하이 전압(VGL)은 픽셀 TFT의 문턱 전압 보다 높은 전압으로 설정되어 픽셀 TFT를 턴온(turn-on)시킨다. 게이트 로우 전압(VGL)은 픽셀 TFT의 문턱 전압 보다 낮은 전압이다. 게이트 구동부(304)는 터치 센서 구동 기간(Tt) 동안 터치 센서들에 인가되는 터치 구동 신호(Tdrv)와 같은 위상의 교류 신호를 게이트 라인들(G1~Gn)에 인가할 수 있다. The gate driver 304 sequentially applies a gate pulse (or a scan pulse) synchronized with the data voltage to the gate lines G1 to Gn during the display driving period Td to sequentially apply the data voltage to the display panel 300, &Lt; / RTI &gt; The gate pulse swings between the gate high voltage (VGH) and the gate low voltage (VGL). The gate pulse is applied to the gate of the pixel TFTs through the gate lines G1 to Gn. The gate high voltage VGL is set to a voltage higher than the threshold voltage of the pixel TFT to turn on the pixel TFT. The gate-low voltage VGL is lower than the threshold voltage of the pixel TFT. The gate driver 304 may apply an AC signal having the same phase as the touch driving signal Tdrv applied to the touch sensors during the touch sensor driving period Tt to the gate lines G1 to Gn.

타이밍 콘트롤러(306)는 호스트 시스템(308)으로부터 입력되는 수직 동기신호, 수평 동기신호, 데이터 인에이블 신호, 메인 클럭 등의 타이밍신호를 입력받아 데이터 구동부(302), 게이트 구동부(304) 및 터치 센서 구동부(310)의 동작 타이밍을 동기시킨다. 스캔 타이밍 제어신호는 게이트 스타트 펄스(Gate Start Pulse, GSP), 게이트 쉬프트 클럭(Gate Shift Clock), 게이트 출력 인에이블신호(Gate Output Enable, GOE) 등을 포함한다. 데이터 타이밍 제어신호는 소스 샘플링 클럭(Source Sampling Clock, SSC), 극성제어신호(Polarity, POL), 소스 출력 인에이블신호(Source Output Enable, SOE) 등을 포함한다.The timing controller 306 receives a timing signal such as a vertical synchronizing signal, a horizontal synchronizing signal, a data enable signal, and a main clock inputted from the host system 308 and supplies the timing signal to the data driving unit 302, the gate driving unit 304, The operation timing of the driving unit 310 is synchronized. The scan timing control signal includes a gate start pulse (GSP), a gate shift clock, a gate output enable signal (GOE), and the like. The data timing control signal includes a source sampling clock (SSC), a polarity control signal (Polarity), a source output enable signal (SOE), and the like.

타이밍 콘트롤러(306)는 호스트 시스템(308)으로부터의 입력 영상 데이터(RGB)를 데이터 구동부(302)로 전송한다. 타이밍 콘트롤러(306)는 공지된 화이트 게인 산출 알고리즘을 이용하여 RGB 데이터를 RGBW 데이터로 변환하여 데이터 구동부(302)로 전송할 수 있다. The timing controller 306 transfers input image data (RGB) from the host system 308 to the data driver 302. The timing controller 306 converts the RGB data into RGBW data using a known white gain calculation algorithm and transmits the RGBW data to the data driver 302.

호스트 시스템(308)은 텔레비젼 시스템, 셋톱박스, 네비게이션 시스템, DVD 플레이어, 블루레이 플레이어, 개인용 컴퓨터(PC), 홈 시어터 시스템, 폰 시스템(Phone system) 중 어느 하나로 구현될 수 있다. 호스트 시스템(308)은 스케일러(scaler)를 내장한 SoC(System on chip)을 포함하여 입력 영상의 디지털 비디오 데이터를 표시패널(300)의 해상도에 적합한 포맷으로 변환한다. 호스트 시스템(308)은 입력 영상의 디지털 비디오 데이터(RGB, RGBW)와 함께 타이밍 신호들을 타이밍 콘트롤러(306)로 전송한다. 또한, 호스트 시스템(308)은 터치 센서 구동부(310)로부터 입력되는 터치 입력의 좌표 정보(XY)와 연계된 응용 프로그램을 실행한다.The host system 308 may be implemented in any one of a television system, a set-top box, a navigation system, a DVD player, a Blu-ray player, a personal computer (PC), a home theater system, and a phone system. The host system 308 includes a system on chip (SoC) with a built-in scaler to convert the digital video data of the input image into a format suitable for the resolution of the display panel 300. The host system 308 transmits the timing signals to the timing controller 306 together with digital video data (RGB, RGBW) of the input image. In addition, the host system 308 executes an application program associated with the coordinate information XY of the touch input input from the touch sensor driver 310. [

타이밍 콘트롤러(306) 또는 호스트 시스템(308)은 디스플레이 구동부(302, 304, 306)와 터치 센서 구동부(310)를 동기시키기 위한 동기 신호(Tsync)를 발생할 수 있다. The timing controller 306 or the host system 308 may generate a synchronization signal Tsync for synchronizing the display drivers 302, 304, and 306 with the touch sensor driver 310.

터치 센서 구동부(310)는 터치 센서 구동 기간(Tt) 동안 터치 구동 신호(Tdrv)를 발생한다. 터치 구동 신호(Tdrv)는 센서 배선(M3)을 통해 센서 전극들(13, C1~C4)에 공급된다. 터치 센서 구동부(310)는 터치 센서(Cs)의 정전 용량 변화를 측정하여 터치 위치와 터치 면적을 감지할 수 있다. 터치 센서 구동부(310)는 터치 입력의 좌표 정보(XY)를 계산하여 호스트 시스템(308)으로 전송한다. The touch sensor driving unit 310 generates the touch driving signal Tdrv during the touch sensor driving period Tt. The touch driving signal Tdrv is supplied to the sensor electrodes 13, C1 to C4 through the sensor wiring M3. The touch sensor driving unit 310 can sense the touch position and the touch area by measuring the capacitance change of the touch sensor Cs. The touch sensor driver 310 calculates coordinate information XY of the touch input and transmits it to the host system 308.

데이터 구동 회로(12)와 터치 센서 구동부(310)는 하나의 IC(Integrated Circuit) 내에 집적될 수 있다.The data driving circuit 12 and the touch sensor driving unit 310 may be integrated in one integrated circuit (IC).

도 5는 표시패널(300)의 단면 구조를 보여 주는 단면도이다. 5 is a sectional view showing the sectional structure of the display panel 300. As shown in Fig.

도 5를 참조하면, 표시패널(300)의 하판은 하부기판(SUBS1) 상에 TFT 어레이를 포함한다. 표시패널(300)의 상판은 상부기판(SUBS2) 상에 컬러필터 어레이를 포함한다. 표시패널(300)의 상판과 하판 사이에는 액정층(LC)이 형성된다. Referring to Fig. 5, the lower plate of the display panel 300 includes a TFT array on the lower substrate SUBS1. The top plate of the display panel 300 includes a color filter array on the top substrate SUBS2. A liquid crystal layer LC is formed between the upper panel and the lower panel of the display panel 300.

하부기판(SUBS1) 상에 버퍼 절연막(BUF), 반도체 패턴(ACT) 및 게이트 절연막(GI)이 형성된다. 게이트 절연막(GI) 위에 제1 금속 패턴이 형성된다. 게이트 금속 패턴은 TFT의 게이트(GE)와, 그 게이트(GE)와 연결된 게이트 라인(G1~Gn)을 포함한다. 층간 절연막(INT)은 제2 금속 패턴을 덮는다. 소스-드레인 금속 패턴은 층간 절연막(INT) 상에 형성된다. 제2 금속 패턴은 데이터 라인(S1~Sm)과, TFT의 소스(SE) 및 드레인(DE)을 포함한다. 드레인(DE)은 데이터 라인(S1~Sm)과 연결된다. TFT의 소스(SE) 및 드레인(DE)은 층간 절연막(INT)을 관통하는 콘택홀(contact hole)을 통해 TFT의 반도체 패턴(ACT)에 접촉된다. A buffer insulating film BUF, a semiconductor pattern ACT, and a gate insulating film GI are formed on the lower substrate SUBS1. A first metal pattern is formed on the gate insulating film (GI). The gate metal pattern includes a gate (GE) of a TFT and gate lines (G1 to Gn) connected to the gate (GE). The interlayer insulating film INT covers the second metal pattern. A source-drain metal pattern is formed on the interlayer insulating film INT. The second metal pattern includes data lines S1 to Sm and a source SE and a drain DE of the TFT. The drain DE is connected to the data lines S1 to Sm. The source SE and the drain DE of the TFT are in contact with the semiconductor pattern ACT of the TFT through the contact hole penetrating the interlayer insulating film INT.

제1 보호막(PAS1)은 제2 금속 패턴을 덮는다. 제1 보호막(PAS1) 위에 제2 보호막(PAS2)이 형성된다. 제2 보호막(PAS2)에는 TFT의 소스(SE)를 노출하는 콘택홀이 형성된다. 제2 보호막(PAS2) 상에 제3 보호막(PAS2)이 형성되고, 제3 보호막(PAS3) 상에 제3 금속 패턴이 형성된다. 제3 금속 패턴은 센서 배선(M3)을 포함한다. 제4 보호막(PAS4)은 제3 금속 패턴을 덮도록 제3 보호막(PAS3) 상에 형성된다. 제4 보호막(PAS4) 상에 제4 금속 패턴이 형성된다. 제4 금속 패턴은 ITO(Indium-Tin Oxide)와 같은 투명 전극 재료로 형성된 센서 전극(13, COM)을 포함한다. 제5 보호막(PAS5)은 제4 금속 패턴을 덮도록 제4 보호막(PAS4) 상에 형성된다. 제1, 제3, 제4 및 제5 보호막(PAS1, PAS3, PAS4, PAS5)은 SiOx 또는 SiNx 등의 무기 절연물질로 형성될 수 있다. 제2 보호막(PAS2)은 포토 아크릴(Photo-acryl)과 같은 유기 절연 물질로 형성될 수 있다.The first protective film PAS1 covers the second metal pattern. A second protective film PAS2 is formed on the first protective film PAS1. A contact hole exposing the source SE of the TFT is formed in the second protective film PAS2. The third protective film PAS2 is formed on the second protective film PAS2 and the third metal pattern is formed on the third protective film PAS3. The third metal pattern includes the sensor wiring M3. The fourth protective film PAS4 is formed on the third protective film PAS3 so as to cover the third metal pattern. And a fourth metal pattern is formed on the fourth protective film PAS4. The fourth metal pattern includes a sensor electrode 13 (COM) formed of a transparent electrode material such as indium-tin oxide (ITO). The fifth protective film PAS5 is formed on the fourth protective film PAS4 so as to cover the fourth metal pattern. The first, third, fourth and fifth protective films PAS1, PAS3, PAS4 and PAS5 may be formed of an inorganic insulating material such as SiOx or SiNx. The second protective film PAS2 may be formed of an organic insulating material such as photo-acryl.

제3, 제4 및 제5 보호막(PAS1, PAS3, PAS4, PAS5)은 패터닝되어 TFT의 소스(SE)를 노출하는 콘택홀을 포함한다. 제5 보호막(PAS5) 상에 제5 금속 패턴이 형성된다. 제5 금속 패턴은 ITO와 같은 투명 전극 재료로 형성된 픽셀 전극(12, PXL)을 포함한다. 배향막(ALM)은 제5 금속 패턴을 덮도록 제5 보호막(PAS5) 상에 형성된다.The third, fourth and fifth protective films PAS1, PAS3, PAS4 and PAS5 are patterned to include a contact hole exposing the source SE of the TFT. A fifth metal pattern is formed on the fifth protective film PAS5. The fifth metal pattern includes a pixel electrode 12 (PXL) formed of a transparent electrode material such as ITO. The alignment film ALM is formed on the fifth protective film PAS5 so as to cover the fifth metal pattern.

상부기판(SUBS2) 상에 블랙 매트릭스(BM)와 컬러 필터(CF)가 형성되고, 그 위에 평탄화막(OC)이 형성된다. 평탄화막(OC)은 유기 절연물질로 형성될 수 있다. 도시하지 않았지만, 상부기판과 하부기판 사이에 스페이서가 형성되어 액정층의 셀갭(cell gap)을 유지한다. A black matrix BM and a color filter CF are formed on the upper substrate SUBS2 and a planarizing film OC is formed thereon. The planarizing film OC may be formed of an organic insulating material. Although not shown, a spacer is formed between the upper substrate and the lower substrate to maintain a cell gap of the liquid crystal layer.

상부기판(SUBS2) 상에 본 발명의 정전기 방지막(250)이 형성된다. 본 발명에 따른 정전기 방지막(250)은 우수한 전기전도도를 나타내며, 기계적 강도 및 투과도 또한 우수하여, 터치스크린 패널 및 표시장치의 정전기 방지용 코팅막으로 사용될 수 있다. 정전기 방지막(250)의 형성 방법은 특별히 한정되지 않으나, 기재에 본 발명에 따른 전도성 코팅액 조성물을 도포하고, 경화시켜 형성된 것일 수 있다. 도포 방법으로 특별히 한정되지 않으나, 슬릿 코팅법, 나이프 코팅법, 스핀 코팅법, 캐스팅법, 마이크로 그라비아 코팅법, 그라비아 코팅법, 바 코팅법, 롤 코팅법, 와이어 바 코팅법, 딥 코팅법, 스프레이 코팅법, 스크린 인쇄법, 그라비아 인쇄법, 플렉소 인쇄법, 오프셋 인쇄법, 잉크젯 코팅법, 디스펜서 인쇄법, 노즐 코팅법, 모세관 코팅법 등의 공지된 방법이 사용 가능하다. 도포 이후에 소정 온도에서 건조 공정을 거쳐, 코팅막을 경화시킴으로써 정전기 방지막(250)을 형성할 수 있다. The antistatic film 250 of the present invention is formed on the upper substrate SUBS2. The antistatic layer 250 according to the present invention exhibits excellent electrical conductivity and is excellent in mechanical strength and transparency and can be used as a coating layer for antistatic use in touch screen panels and display devices. The method of forming the antistatic film 250 is not particularly limited, but it may be formed by applying the conductive coating liquid composition according to the present invention to a substrate and curing the substrate. The coating method is not particularly limited, and a coating method such as a slit coating method, a knife coating method, a spin coating method, a casting method, a micro gravure coating method, a gravure coating method, a bar coating method, a roll coating method, a wire bar coating method, Known methods such as a coating method, a screen printing method, a gravure printing method, a flexo printing method, an offset printing method, an inkjet coating method, a dispenser printing method, a nozzle coating method and a capillary coating method can be used. After the application, the antistatic film 250 can be formed by curing the coating film through a drying process at a predetermined temperature.

전술한 정전기 방지막을 포함하는 표시장치를 자세히 설명하면 다음과 같다. A display device including the above-described antistatic film will be described in detail as follows.

도 6은 본 발명의 실시예에 따른 표시장치를 나타낸 단면도이고, 도 7은 도 6의 표시장치의 정면을 나타낸 도면이며, 도 8은 본 발명의 실시예에 따른 정전기 방지막의 평면을 나타낸다.6 is a cross-sectional view illustrating a display device according to an embodiment of the present invention, FIG. 7 is a front view of the display device of FIG. 6, and FIG. 8 is a plan view of an antistatic film according to an embodiment of the present invention.

도 6 내지 도 8을 참조하면, 표시장치(200)는, 하부편광판(LPOL) 상에 위치하는 표시패널(300), 표시패널(300) 상에 위치하는 상부편광판(HPOL) 및 표시패널(300)의 상부기판(SUBS2)과 상부편광판(HPOL) 사이에 배치된 정전기 방지막(250)을 포함한다. 6 to 8, the display device 200 includes a display panel 300 positioned on the lower polarizer LPOL, an upper polarizer HPOL located on the display panel 300, and a display panel 300 And an antistatic film 250 disposed between the upper substrate SUBS2 and the upper polarizer HPOL.

보다 자세하게, 표시패널(300)은, 순차적으로 적층된 하부기판(SUBS1), 셀(Cell, 230) 및 상부기판(SUBS2)을 포함한다. 여기서, 하부기판(SUBS1)은 셀(230)을 구동하는 트랜지스터와 각종 신호배선과 전극이 형성된 어레이 기판(SUBS1)일 수 있고, 상부기판(SUBS2)은 컬러필터(Color Filter, 미도시) 및 블랙매트릭스(Black Matrix, 미도시)를 컬러필터 기판일 수 있다. 본 명세서에서 하부기판(SUBS1)은 어레이 기판과 동일한 의미로 사용될 수 있고, 상부기판(SUBS2)은 컬러필터 기판과 동일한 의미로 사용될 수 있다. 하부기판(SUBS1) 및 상부기판(SUBS2)은, 예를 들어, 글래스(Glass)로 이루질 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.More specifically, the display panel 300 includes a lower substrate SUBS1, a cell 230, and an upper substrate SUBS2 which are sequentially stacked. Here, the lower substrate SUBS1 may be an array substrate SUBS1 having transistors for driving the cells 230 and various signal lines and electrodes, and the upper substrate SUBS2 may be a color filter (not shown) and a black The matrix (Black Matrix) (not shown) may be a color filter substrate. In this specification, the lower substrate SUBS1 may be used in the same sense as the array substrate, and the upper substrate SUBS2 may be used in the same meaning as the color filter substrate. The lower substrate SUBS1 and the upper substrate SUBS2 may be made of, for example, glass, but are not limited thereto.

표시패널(300)은 액정층을 포함하는 액정표시패널이고, 표시장치(200)는 액정표시장치일 수 있다. 다만, 본 명세서에서는 주로 액정표시장치에 대해서 설명하지만, 본 발명은 이에 제한되지 않는다. 예를 들어, 셀(230)은 유기발광표시장치의 유기층일 수도 있다. 표시장치(200)가 액정표시장치인 경우, 셀(230)에는 액정이 포함될 수 있다. 이에 따라 각 기판(SUBS1, SUBS2)에 형성된 전극에 전압을 인가하여 생성되는 전기장에 의해 액정을 움직이게 함으로써 이에 따라 달라지는 빛의 투과율에 의해 화상을 표현하게 된다.The display panel 300 may be a liquid crystal display panel including a liquid crystal layer, and the display device 200 may be a liquid crystal display device. However, the present invention is not limited to the liquid crystal display device. For example, the cell 230 may be an organic layer of an organic light emitting display. When the display device 200 is a liquid crystal display device, the cell 230 may include liquid crystal. Accordingly, by moving the liquid crystal by the electric field generated by applying a voltage to the electrodes formed on the substrates SUBS1 and SUBS2, the image is expressed by the transmittance of light depending on the electric field.

셀(230)에는 터치 전극이 형성될 수 있다. 전술한 바와 같이, 표시장치(200)는 인셀 타입의 표시장치일 수 있고, 이에 따라 터치 기능을 위한 전극들, 예를 들면, Rx, Tx 전극이 셀(230)에 내장되어 있다. 인셀 터치 방식의 액정표시장치는 액정표시장치 위에 별도의 터치패널을 부착하지 않고 표시패널(300) 내부에 터치 전극을 형성하기 때문에 제품의 슬림화, 재료비 절감으로 인한 원가 구조 개선, 경량화 등의 장점을 갖는다. 예를 들면, 터치 기능을 위한 구조는, 도시되지는 않았지만, 횡전계방식(In-Plane Switching mode, IPS mode)일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.A touch electrode may be formed on the cell 230. As described above, the display device 200 may be an in-cell type display device, and electrodes for the touch function, for example, Rx and Tx electrodes are built in the cell 230. [ Since the touch panel is formed inside the display panel 300 without attaching a separate touch panel on the liquid crystal display device, the in-cell touch type liquid crystal display device has advantages such as slimming of the product, cost structure improvement due to the reduction of the material cost, . For example, although not shown, the structure for the touch function may be an In-Plane Switching mode (IPS mode), but is not limited thereto.

하부편광판(LPOL) 및 상부편광판(HPOL)은 광을 편광시켜 액정표시장치(200)의 외부로 출사시키는 기능을 수행한다. 다만, 표시패널(300)에 하부편광판(LPOL) 및 상부편광판(HPOL)을 부착할 때, 정전기가 발생될 수 있다. 또한 화상의 표시를 위한 구동 중에도 정전기가 발생되는 문제가 발생할 수 있다.The lower polarizing plate LPOL and the upper polarizing plate HPOL polarize the light and output the light to the outside of the liquid crystal display 200. [ However, when the lower polarizer LPOL and the upper polarizer HPOL are attached to the display panel 300, static electricity may be generated. Also, static electricity may be generated during driving for displaying an image.

이러한, 정전기를 제거시키기 위해 정전기 방지막(250)이 배치된다. 도 8에 도시된 바와 같이 정전기 방지막(250)은, 매트릭스(Matrix) 물질(252) 및 매트릭스 물질(252)에 분산되어 있는 탄소나노튜브(Carbon Nano Tube, CNT, 254)를 포함하고, 정전기 방지막(250)의 면저항(Sheet Resistance) 값은 102Ω/□ 내지 109Ω/□이며 바람직하게는 107Ω/□ 내지 109Ω/□ 일 수 있다. 보다 자세하게, 정전기 방지막(250)은 매트릭스 물질(252), 매트릭스 물질에 분산되어 있는 탄소나노튜브(254), 용매 및 분산 첨가제 등을 포함하는 용액이 경화되어 형성될 수 있다. 매트릭스 물질(252)에 분산된 탄소나노튜브(254)를 포함함으로써, 내열성 및 신뢰성이 향상되는 효과를 발생시킨다. 보다 자세한 정전기 방지막(250)의 구성에 대한 설명은 후술하기로 한다. The antistatic film 250 is disposed to remove the static electricity. 8, the antistatic layer 250 includes a matrix material 252 and carbon nanotubes (CNTs) 254 dispersed in the matrix material 252. The antistatic layer 250 includes a matrix material 252, The sheet resistance value of the sheet member 250 may be 10 2 Ω / □ to 10 9 Ω / □, preferably 10 7 Ω / □ to 10 9 Ω / □. More specifically, the antistatic film 250 may be formed by curing a solution containing a matrix material 252, carbon nanotubes 254 dispersed in a matrix material, a solvent, a dispersion additive, and the like. By including the carbon nanotubes 254 dispersed in the matrix material 252, heat resistance and reliability are improved. A more detailed description of the structure of the antistatic film 250 will be described later.

정전기 방지막(250)의 전면에 걸쳐 분산되어 있는 탄소나노튜브(254)는, 탄소와 탄소간에 sp2결합을 이루고 있어서 구조적으로 매우 높은 강성과 강도를 나타내며, 특히, 단일벽 탄소나노튜브(SWCNT)의 경우 영률 5.5 TPa, 인장강도를 45 GPa 까지 확보할 수 있어, 고강도/초경량 복합재료가 될 수 있다.The carbon nanotubes 254 dispersed over the entire surface of the antistatic layer 250 have a very high stiffness and strength due to the sp 2 bond between carbon and carbon. In particular, the single wall carbon nanotube (SWCNT) Can achieve a Young's modulus of 5.5 TPa and tensile strength of up to 45 GPa, making it a high strength / lightweight composite material.

탄소나노튜브(254)의 면저항 값은 1000Ω/□ 내지 20000Ω/□ 일 수 있다. 표시장치(200)가 인셀 터치 방식의 액정표시장치인 경우에 있어서, 정전기 방지막(250)의 면저항 값이 지나치게 작은 경우(107Ω/□ 미만)에는 손가락 등의 터치에 의해 발생되는 전압이 정전기 방지막(250)으로 인해 방전되어 버리게 되고, 이로 인해 터치센서가 터치를 인식할 수 없게 되는 문제점이 발생한다. 따라서 정전기 방지막(250)의 면저항 값을 상승시킬 필요가 있고, 이에 따라 탄소나노튜브(254) 자체의 면저항 값을 증가시켜, 1000Ω/□ 내지 20000Ω/□ 의 면저항 값을 구현할 필요가 있다.The sheet resistance value of the carbon nanotubes 254 may be 1000? /? To 20000? / ?. In the case where the display device 200 is an in-cell touch type liquid crystal display device, when the sheet resistance value of the antistatic film 250 is excessively small (less than 10 7 ? / Square), a voltage generated by a touch of a finger, The barrier film 250 is discharged, which causes a problem that the touch sensor can not recognize the touch. Therefore, it is necessary to increase the sheet resistance value of the antistatic film 250, thereby increasing the sheet resistance value of the carbon nanotubes 254 themselves and realizing a sheet resistance value of 1000? /? To 20000? / ?.

탄소나노튜브(254)의 면저항 값이 1000Ω/□ 보다 작은 경우, 정전기 방지막(250)의 면저항 값이 작아지고, 이에 따라 방전으로 인한 터치 감도 저하의 문제점이 발생한다. 반면, 탄소나노튜브(254)의 면저항 값이 20000Ω/□ 보다 큰 경우에는, 정전기 방지막(250)의 면저항 값이 지나치게 커짐으로 인해서, 방전의 효과가 감소하는 문제점이 발생할 수 있다.When the sheet resistance value of the carbon nanotubes 254 is less than 1,000 OMEGA / &amp; squ &amp;, the sheet resistance value of the antistatic film 250 becomes small, thereby causing a problem of deterioration of touch sensitivity due to discharge. On the other hand, when the sheet resistance value of the carbon nanotubes 254 is larger than 20000? / ?, the sheet resistance value of the antistatic layer 250 becomes excessively large, thereby reducing the effect of the discharge.

정전기 방지막(250)에서의 탄소나노튜브(254)의 함량은, 광 투과율에 대한 설계 값에 따라 조절될 수 있다. 탄소나노튜브(254)의 함량이 높아짐에 따라 정전기 방지막(250)의 광 투과율이 감소하기 때문에, 제품에 요구되는 광 투과율에 따라 함량을 조절할 수 있다.The content of the carbon nanotubes 254 in the antistatic film 250 can be adjusted according to the design value for the light transmittance. As the content of the carbon nanotubes 254 increases, the light transmittance of the antistatic layer 250 decreases, so that the content can be controlled according to the light transmittance required for the product.

한편, 정전기 방지막(250)의 면저항(Sheet Resistance) 값은, 전면에 걸쳐 균일하게 형성되고, 구체적으로 면저항 값은, 102Ω/□ 내지 109Ω/□이며, 바람직하게는 107Ω/□ 내지 109Ω/□ 일 수 있다. 표시장치(200)가 인셀 터치 방식의 액정표시장치인 경우에 있어서, 정전기 방지막(250)의 면저항 값이 지나치게 작은 경우(107Ω/□ 미만)에는 손가락 등의 터치에 의해 발생되는 전압이 정전기 방지막(250)으로 인해 방전되어 버리게 되고, 이로 인해 터치센서가 터치를 인식할 수 없게 되는 문제점이 발생한다. 따라서 상대적으로 고저항 값을 갖는 정전기 방지막(250)이 사용되어야 한다. 반면, 정전기 방지막(250)의 면저항 값이 지나치게 큰 경우(109Ω/□ 초과)에는, 터치 감도는 우수하지만 정전기 방전 현상이 늦어서 방전의 효과가 감소하는 문제점이 발생한다.On the other hand, the sheet resistance value of the antistatic film 250 is uniformly formed over the entire surface. Specifically, the sheet resistance value is 10 2 Ω / □ to 10 9 Ω / □, preferably, 10 7 Ω / □ to 10 9 Ω / □. In the case where the display device 200 is an in-cell touch type liquid crystal display device, when the sheet resistance value of the antistatic film 250 is excessively small (less than 10 7 ? / Square), a voltage generated by a touch of a finger, The barrier film 250 is discharged, which causes a problem that the touch sensor can not recognize the touch. Therefore, an antistatic film 250 having a relatively high resistance value should be used. On the other hand, when the sheet resistance value of the antistatic layer 250 is excessively large (more than 10 9 ? / □), the touch sensitivity is excellent, but the electrostatic discharge phenomenon is delayed.

따라서, 본 발명의 실시예에 따른 표시장치(200)의 정전기 방지막(250)의 면저항 값은, 102Ω/□ 내지 109Ω/□ 이어야 하고, 이에 따라 표시장치(200)는, 정전기를 외부로 용이하게 방전시켜 정전기에 의한 불량을 억제하고, 동시에 터치 감도의 저하를 방지하는 효과를 갖는다.Therefore, the sheet resistance value of the antistatic layer 250 of the display device 200 according to the embodiment of the present invention should be 10 2 Ω / □ to 10 9 Ω / □, It can be easily discharged to the outside to suppress the failure due to the static electricity and at the same time to prevent deterioration of the touch sensitivity.

한편, 정전기 방지막(250)의 일단은, 도전부재(270)를 통해, 표시패널(300)의 하부기판(SUBS1)의 가장자리에 연결된다. 여기서, 도전부재(270)는 정전기 방지막(250)과 표시패널(300)의 하부기판(SUBS1)의 금속패드(또는 접지패드, 미도시)를 연결시킨다. 구체적으로, 도전부재(270)는, 정전기 방지막(250)의 외면의 가장자리를 덮고, 연결부(270')를 통해 금속패드(미도시)와 접촉되어 정전기를 기기 외부로 방출시키는 통로 역할을 한다. 도전부재(270)는, 예를 들어, 금, 은 또는 구리 등의 금속 재질로 이루어질 수 있다. One end of the antistatic film 250 is connected to the edge of the lower substrate SUBS1 of the display panel 300 through the conductive member 270. [ Here, the conductive member 270 connects the antistatic layer 250 and the metal pad (or ground pad, not shown) of the lower substrate SUBS1 of the display panel 300. Specifically, the conductive member 270 covers the edge of the outer surface of the antistatic film 250 and contacts the metal pad (not shown) through the connection portion 270 'to serve as a passage for discharging the static electricity to the outside of the device. The conductive member 270 may be made of a metal material such as gold, silver or copper.

이러한 도전부재(270)를 도 1에 도시된 일반적인 표시장치(200)의 제1 도전부재(170a), 도전성 연결부재(172) 및 제2 도전부재(170b)와 비교하면, 단일의 도전부재(270)로 정전기 방출의 기능을 수행하기 때문에, 공정의 수가 줄고, 공정 시간이 단축되어 제조 원가가 절감되는 효과를 발생시킬 수 있다.Comparing this conductive member 270 with the first conductive member 170a, the conductive connecting member 172 and the second conductive member 170b of the general display device 200 shown in Fig. 1, 270), it is possible to reduce the number of steps, shorten the process time, and reduce the manufacturing cost.

다만, 도 6 및 도 7에 도시된 표시장치(200)의 도전부재(270)의 형상이나 배치 등은, 예를 들어 도시된 것이고, 실시예들은 이에 제한되지 않음에 유의하여야 한다. It should be noted that the shape and arrangement of the conductive member 270 of the display device 200 shown in Figs. 6 and 7 are shown by way of example, and the embodiments are not limited thereto.

도 9 내지 도 11은 본 발명의 정전기 방지막이 적용되는 다양한 표시장치를 개략적으로 나타낸 도면들이다.9 to 11 are views schematically showing various display devices to which the antistatic film of the present invention is applied.

도 9를 참조하면, 본 발명의 일 예에 따른 표시장치는 박막트랜지스터 어레이가 형성된 하부기판(SUBS1)과 컬러필터 어레이가 형성된 상부기판(SUBS2)이 합착된 표시패널(300)을 포함하고, 표시패널(300) 상에 커버윈도우(COV)를 포함한다.본 발명의 정전기 방지막(250)은 표시패널(300)의 양면에 부착될 수 있다. 즉, 하부기판(SUBS1)과 하부 편광판(LPOL) 사이에 정전기 방지막(250)이 배치되고, 상부기판(SUBS2)과 상부 편광판(HPOL) 사이에 상부 편광판(HPOL)이 배치될 수 있다. 이 경우, 정전기 방지막(250)은 터치 노이즈 저감의 목적으로 사용되며, 면저항이 낮을수록 유리하다. 또한, 터치 소자가 인셀 타입의 경우에는 106 내지 109Ω/□의 면저항이 요구되고, 애드온 타입(add-on)의 경우 면저항이 낮을수록 유리하다.9, a display device according to an exemplary embodiment of the present invention includes a display panel 300 on which a lower substrate SUBS1 on which a thin film transistor array is formed and an upper substrate SUBS2 on which a color filter array is formed are adhered, And a cover window (COV) on the panel 300. The antistatic film 250 of the present invention may be attached to both sides of the display panel 300. [ That is, the antistatic film 250 may be disposed between the lower substrate SUBS1 and the lower polarizing plate LPOL, and the upper polarizing plate HPOL may be disposed between the upper substrate SUBS2 and the upper polarizing plate HPOL. In this case, the antistatic film 250 is used for the purpose of reducing touch noise, and the lower the sheet resistance, the better. In addition, when the touch element is an in-cell type, a sheet resistance of 10 6 to 10 9 ? /? Is required, and in the case of an add-on type, the sheet resistance is advantageously lower.

또한, 도 10과 도 11을 참조하면, 본 발명의 일 예에 따른 표시장치는 컬러필터 어레이가 하부기판(SUBS3)에 형성되고, 박막트랜지스터 어레이가 상부기판(SUBS4)에 형성된 표시패널(300)을 포함하고, 표시패널(300) 상에 커버윈도우(COV)를 포함할 수 있다. 도 10과 도 11에 도시된 표시장치는 전술한 도 9와 동일하게 빛이 상부로 취출되지만, 도 9와 달리 컬러필터 어레이와 박막트랜지스터 어레이가 반전된 구조를 가진다. 이 경우, 도 10에 도시된 것처럼 정전기 방지막(250)은 박막트랜지스터 어레이가 형성된 상부기판(SUBS4)과 상부 편광판(HPOL) 사이에 배치될 수 있다. 반면, 도 11에 도시된 것처럼 정전기 방지막(250)은 박막트랜지스터 어레이가 형성된 상부기판(SUBS4)과 상부 편광판(HPOL) 사이에 배치되고 컬러필터 어레이가 형성된 하부기판(SUBS3)과 하부 편광판(LPOL) 사이에도 배치될 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며 정전기 방지막이 다양한 표시장치의 어느 면에나 부착될 수 있다.10 and 11, a display device according to an exemplary embodiment of the present invention includes a display panel 300 in which a color filter array is formed on a lower substrate SUBS3, a thin film transistor array is formed on an upper substrate SUBS4, And may include a cover window (COV) on the display panel 300. 10 and 11 have a structure in which the color filter array and the thin film transistor array are inverted, unlike in FIG. 9, though the light is taken out in the same manner as in FIG. 9 described above. In this case, as shown in FIG. 10, the antistatic film 250 may be disposed between the upper substrate SUBS4 on which the thin film transistor array is formed and the upper polarizer HPOL. 11, the antistatic layer 250 includes a lower substrate SUBS3 and a lower polarizing plate LPOL disposed between an upper substrate SUBS4 on which a thin film transistor array is formed and an upper polarizer HPOL and on which a color filter array is formed, As shown in FIG. However, the present invention is not limited thereto, and the antistatic film may be attached to any surface of various display devices.

이하, 첨부된 표와 그래프들을 참조하여, 본 발명의 실시예의 효과를 설명한다.Hereinafter, effects of the embodiment of the present invention will be described with reference to the attached tables and graphs.

<제1 실험예><First Experimental Example>

도 12a는 실시예에 따른 탄소나노튜브의 면저항에 대한 정전기 방지막의 면저항 값과 면저항 균일도를 나타내는 표이고, 도 12b는 도 12a의 면저항 균일도를 나타내는 그래프이다.12A is a table showing the sheet resistance and sheet resistance uniformity of the antistatic film for the sheet resistance of carbon nanotubes according to the embodiment, and FIG. 12B is a graph showing the sheet resistance uniformity of FIG. 12A.

도 12a를 참조하면, 탄소나노튜브 자체의 면저항 값을 477Ω/□에서 1800Ω/□ 까지 증가시킴에 따라 정전기 방지막의 면저항 균일도(Uniformity)가 17.32% 에서 6.67%로 향상되는 것을 볼 수 있다. 다시 말해서, 정전기 방지막에서의 각 영역별 면저항 값의 편차가 줄어드는 것을 의미한다.Referring to FIG. 12A, it can be seen that the sheet resistance uniformity of the antistatic layer is increased from 17.32% to 6.67% as the sheet resistance value of the carbon nanotubes itself is increased from 477? /? To 1800? / ?. In other words, the variation of the sheet resistance value in each area in the antistatic film is reduced.

전술한 바와 같이, 표시장치가 인셀 방식의 액정표시장치인 경우에 있어서, 터치 감도를 유지하면서 동시에 방전의 기능도 수행하기 위해서는, 정전기 방지막의 면저항 값의 범위가 107Ω/□ 내지 109Ω/□ 이어야 한다.In the case of the display device is a liquid crystal display of Insel system apparatus as described above, in order to maintain the touch sensitivity at the same time performing a function of the discharge, the 10 7 Ω / range of the sheet resistance of the antistatic film □ to 10 9 Ω / □.

다만, 샘플1(Sample 1)의 경우, 면저항 값이 107. 4Ω/□ 내지 1010. 5Ω/□의 편차가 큰 범위에서 형성되어 있고, 샘플2(Sample 2)의 경우에도, 면저항 값이 107.7Ω/□ 내지 1010. 1Ω/□의 편차가 큰 범위에서 형성되어 있는 것을 볼 수 있다. 따라서 샘플1 및 샘플2는 영역별로 면저항의 편차가 크고, 면저항 값이 지나치게 크게 형성된 영역에서는 방전의 기능이 저하되는 문제점이 발생한다.However, for sample 1 (Sample 1), the sheet resistance value is 10 7. 4 Ω / □ to 10 10 are formed in a large range of variation of 5 Ω / □, even in the case of sample 2 (Sample 2), the sheet resistance The value is 10 7.7 ? /? To 10 10. It can be seen that the deviation of 1 ? /? Is formed in a large range. Therefore, in Sample 1 and Sample 2, there arises a problem that the function of discharge is deteriorated in a region where the sheet resistance is large and the sheet resistance is excessively large.

반면, 샘플4(Sample 4)에서 볼 수 있듯이, 탄소나노튜브의 자체 면저항 값을 1800Ω/□ 로 형성하면, 면저항 값이 107. 7Ω/□ 내지 108. 8Ω/□로 형성되어, 터치 감도를 유지하면서 동시에 방전의 기능을 수행할 수 있게 된다.On the other hand, as seen in sample 4 (Sample 4), forming a sheet resistance value itself of the carbon nanotube to 1800Ω / □, the sheet resistance value of 10 7. 7 Ω / □ to 10 8 are formed by 8 Ω / □, The discharge function can be performed while maintaining the touch sensitivity.

정전기 방지막의 면저항 균일도에 관한 그래프가 도 5b에 도시되어 있다. 샘플1(Sample 1)에서 샘플4(Sample 4)로 가면서, 탄소나노튜브의 자체 저항 값이 상승하고, 이에 따라 면저항 균일도가 개선되는 것을 볼 수 있다.A graph relating to the sheet resistance uniformity of the antistatic film is shown in Fig. 5B. From the sample 1 (Sample 1) to the sample 4 (Sample 4), it can be seen that the self-resistance of the carbon nanotubes rises and thus the sheet resistance uniformity improves.

도 13은 실시예에 따른 탄소나노튜브의 함량에 대한 정전기 방지막의 면저항 값을 나타내는 그래프이다.13 is a graph showing a sheet resistance value of an antistatic film with respect to the content of carbon nanotubes according to an embodiment.

도 13을 참조하면, 제1 라인(L1)은 일반적인 표시장치의 정전기 방지막의 면저항 값을 나타낸 것이고, 제2 라인(L2)는 실시예에 따른 표시장치의 정전기 방지막의 면저항 값을 나타낸 것이다. 또한 도 13의 표시장치는 인셀 방식의 액정표시장치이다.Referring to FIG. 13, the first line L1 represents the sheet resistance value of the antistatic film of a general display device, and the second line L2 represents the sheet resistance value of the antistatic film of the display device according to the embodiment. The display device of Fig. 13 is an in-cell type liquid crystal display device.

제1 라인(L1)에서 A 영역을 검토하면, 터치 감도를 유지하면서 동시에 방전의 기능을 수행할 수 있는 정전기 방지막의 면저항 값인 108Ω/□ 부근에서의 기울기가 매우 급격한 것을 볼 수 있다. 이는 탄소나노튜브의 함량의 미세한 변화에도 정전기 방지막의 면저항 값이 크게 변할 수 있다는 것을 의미하고, 다시 말하면, 면저항 값의 균일도가 상대적으로 낮게 형성된다는 것을 의미한다.When examining the area A in the first line (L1), it can be seen that the slope at around 10 8 Ω / □, which is the sheet resistance value of the antistatic film capable of simultaneously performing the discharge function while maintaining the touch sensitivity, is very rapid. This means that the sheet resistance value of the antistatic film can be greatly changed even if the content of the carbon nanotubes is minute. In other words, the uniformity of the sheet resistance value is relatively low.

반면, 제2 라인(L2)의 B 영역을 검토하면, 정전기 방지막의 면저항 값이 108Ω/□ 부근일 경우의 기울기가 매우 완만한 것을 볼 수 있다. 이는 탄소나노튜브의 함량에 변화가 있더라도 면저항 값의 균일도가 상대적으로 높기 때문에, 면저항 값의 변화가 미세한 것을 의미한다. 따라서 실시예에 따른 표시장치는, 탄소나노튜브의 함량이 변화하더라도, 터치 감도가 유지되고, 동시에 정전기 방지 기능을 원활하게 수행할 수 있는 효과를 갖는다.On the other hand, when examining the area B of the second line (L2), it can be seen that the slope when the sheet resistance value of the antistatic film is near 10 8 Ω / □ is very gentle. This means that even when the content of carbon nanotubes is changed, the uniformity of the sheet resistance value is relatively high, so that the change of the sheet resistance value is minute. Therefore, the display device according to the embodiment has the effect that the touch sensitivity can be maintained and the anti-static function can be smoothly performed even when the content of the carbon nanotubes changes.

도 14는 일 실시예에 따른 탄소나노튜브의 함량과 면저항 값에 대한 광 투과율을 나타내는 표이다.14 is a table showing the light transmittance with respect to the content of carbon nanotubes and the sheet resistance value according to one embodiment.

도 14를 참조하면, 광 투과율의 설계 값에 따른 탄소나노튜브의 함량 및 면저항 값을 볼 수 있다. 구체적으로, 광 투과율 100%가 요구되는 표시장치의 경우에는, 탄소나노튜브가 0.13% 포함되고, 탄소나노튜브의 면저항 값이 1800Ω/□로 설계될 수 있다. 또한 광 투과율이 99% 이상이 요구되는 표시장치의 경우에는, 탄소나노튜브가 0.26% 포함되고, 탄소나노튜브의 면저항 값이 5000Ω/□ 로 설계될 수 있다.Referring to FIG. 14, the content and the sheet resistance value of the carbon nanotube according to the design value of the light transmittance can be seen. Specifically, in the case of a display device requiring a light transmittance of 100%, 0.13% of carbon nanotubes are included, and the sheet resistance value of carbon nanotubes is designed to 1800? / ?. Also, in the case of a display device requiring a light transmittance of 99% or more, the carbon nanotubes may contain 0.26%, and the sheet resistance value of the carbon nanotubes may be designed to 5000? / ?.

여기서, 도 14에 나타난 바와 같이, 터치 감도가 유지되고, 동시에 방전 기능을 원활하게 수행할 수 있는 정전기 방지막의 면저항 값이 유지된다면, 탄소나노튜브의 함량 및 면저항 값을 조절하여, 광 투과율을 조절할 수 있다는 것을 알 수 있다.Here, as shown in FIG. 14, if the sheet resistance of the antistatic layer capable of smoothly performing the discharge function is maintained while the touch sensitivity is maintained, the content of the carbon nanotubes and the sheet resistance value are adjusted to adjust the light transmittance Can be seen.

도 15a는 일반적인 정전기 방지막의 시간에 따른 면저항 값의 변화를 나타내는 그래프이고, 도 15b는 정전기 방지막의, 고온, 고습 환경에서의 면저항 값의 변화를 나타내는 그래프이다.15A is a graph showing a change in sheet resistance value of a general antistatic film over time, and FIG. 15B is a graph showing a change in sheet resistance value of an antistatic film in a high temperature and high humidity environment.

도 15a는, 정전기 방지막이 PEDOT:PSS의 도전성 고분자 물질로 이루어지고, 95℃의 환경에서, 시간에 따른 정전기 방지막의 면저항 값의 변화를 나타낸다. 그래프를 참조하면, 시간이 지남에 따라 면저항 값이 계속 증가하는 것을 볼 수 있다. 구체적으로, 초기 면저항 값을 대략 8.5Ω/□로 설정한 경우 9.7Ω/□ 까지 값이 상승하였고, 초기 면저항 값을 대략 8.0Ω/□로 설정한 경우 9.2Ω/□ 까지 값이 상승한 것을 볼 수 있다.15A shows a change in the sheet resistance value of the antistatic film over time in an environment of 95 캜 in which the antistatic film is made of a conductive high molecular material of PEDOT: PSS. Referring to the graph, we can see that the sheet resistance value continues to increase over time. Specifically, when the initial sheet resistance value was set to about 8.5? / ?, the value increased to 9.7? /?, And when the initial sheet resistance value was set to about 8.0? /? have.

반면, 도 15b를 참조하면, 실시예에 따른 정전기 방지막의 경우, 8Ω/□ 정도의 초기 면저항 값을 갖는 정전기 방지막을 105℃에서 1500시간에 걸쳐 노출시켰을 때, 면저항 값의 변화가 거의 없는 것을 알 수 있다. 이는 정전기 방지막을 다습(또는 고습)한 환경에 노출시켰을 경우에도 마찬가지이다.On the other hand, referring to FIG. 15B, in the case of the antistatic layer according to the embodiment, when the antistatic layer having the initial sheet resistance value of about 8? /? Is exposed to the antistatic layer at 105 占 폚 for 1500 hours, . This is also true when the antistatic film is exposed to a high humidity (or high humidity) environment.

따라서, 실시예에 따른 정전기 방지막은, 일반적인 정전기 방지막에 비해 내열성 및 신뢰성이 우수한 것을 알 수 있다.Therefore, it can be seen that the antistatic film according to the embodiment is superior in heat resistance and reliability to a general antistatic film.

도 16은 일반적인 정전기 방지막의 온도에 따른 중량%와, 실시예에 따른 정전기 방지막의 온도에 따른 중량%를 비교한 그래프이다.16 is a graph comparing the weight% of the general antistatic film with the temperature and the weight% of the antistatic film according to the embodiment.

도 16을 참조하면, 일반적인 정전기 방지막과 실시예에 따른 정전기 방지막을 열중량 분석기(Thermo Gravimetric Analyzer, TGA)에 의해 분석한 결과를 볼 수 있다. 열중량 분석기는 시료에 열을 가하여 시료의 질량변화를 온도의 함수로써 측정하는 장비이다.Referring to FIG. 16, a general antistatic layer and an antistatic layer according to an embodiment can be analyzed by a thermogravimetric analyzer (TGA). The thermogravimetric analyzer measures the mass change of a sample as a function of temperature by applying heat to the sample.

일반적인 표시장치의 정전기 방지막의 경우, 정전기 방지막에 포함된 전도성 고분자인 PEDOT:PSS는 대략 500℃의 온도에서, 열에 의해 모두 소실된 것을 볼 수 있다. 반면, 실시예에 따른 표시장치에 포함된 정전기 방지막의 경우에는, 탄소나노튜브가 대략 900℃까지 소실되지 않고 잔류하는 것을 볼 수 있다.In the case of the antistatic film of a general display device, it can be seen that the conductive polymer PEDOT: PSS contained in the antistatic film is completely lost by heat at a temperature of about 500 ° C. On the other hand, in the case of the antistatic film included in the display device according to the embodiment, it can be seen that the carbon nanotubes do not disappear to about 900 DEG C but remain.

따라서 실시예에 따른 정전기 방지막은, 일반적인 정전기 방지막에 비해 내열성이 우수한 것을 알 수 있다.Therefore, it can be seen that the antistatic film according to the embodiment has excellent heat resistance as compared with a general antistatic film.

정리하면, 표시장치가 터치 기능을 포함하는 액정표시장치인 경우, 107Ω/□ 내지 109Ω/□의 면저항 값을 갖고, 전면에 걸쳐 균일한 면저항 값을 갖는 정전기 방지막(250)에 의해, 표시장치는 제조 공정시 발생되는 정전기를 외부로 용이하게 방전시켜 정전기에 의한 불량을 억제하고, 터치 감도의 저하를 방지하며, 면저항 균일도, 내열성 및 신뢰성을 향상시키고, 제조 비용을 절감시키는 효과를 갖는다.In summary, when the display device is a liquid crystal display device including a touch function, by the antistatic film 250 having a sheet resistance value of 10 7 Ω / □ to 10 9 Ω / □ and having a uniform sheet resistance value over the entire surface , The display device can easily discharge the static electricity generated in the manufacturing process to the outside to suppress the defect caused by the static electricity, to prevent the deterioration of the touch sensitivity, to improve the sheet resistance uniformity, heat resistance and reliability, .

이하, 전술한 본 발명의 제1 실시예에 따른 정전기 방지막을 제조하기 위한, 탄소나노튜브 분산액 조성물 이를 포함하는 전도성 코팅액 조성물에 대해 설명한다.Hereinafter, a conductive coating liquid composition comprising the carbon nanotube dispersion composition for producing the antistatic film according to the first embodiment of the present invention will be described.

<제2 실시예>&Lt; Embodiment 2 >

본 발명은 탄소나노튜브 분산액 조성물 및 이를 포함하는 전도성 코팅액 조성물에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는, 탄소나노튜브, 폴리아크릴산 수지 및 탄소수 2 내지 5의 직쇄의 알칸올을 포함함으로써, 탄소나노튜브의 분산성 및 분산 후 안정성을 현저히 향상시킬 수 있으며, 실란졸과 함께 전도성 코팅액 조성물에 사용되어, 화학적 안정성 및 전기전도도가 뛰어난 코팅막을 형성시킬 수 있고, 형성된 코팅막의 균일성도 향상시킬 수 있다. 또한, 탄소나노튜브 분산액 조성물이 실란졸과 함께 실세스퀴옥산 화합물을 포함함으로써, 막 밀도, 경도 및 내 마모성이 향상된 정전기 방지막을 제조할 수 있다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a carbon nanotube dispersion composition and a conductive coating liquid composition comprising the carbon nanotube dispersion composition. More particularly, the present invention relates to a carbon nanotube dispersion composition, The acidity and stability after dispersion can be remarkably improved and it can be used in the conductive coating liquid composition together with the silane sol to form a coating film having excellent chemical stability and electric conductivity and to improve the uniformity of the formed coating film. Further, the carbon nanotube dispersion composition contains a silsesquioxane compound in combination with a silane sol, whereby an antistatic film having improved film density, hardness and abrasion resistance can be produced.

<탄소나노튜브 분산액 조성물><Carbon Nanotube Dispersion Composition>

본 발명에 따른 탄소나노튜브 분산액 조성물은 탄소나노튜브, 폴리아크릴산 수지 및 탄소수 2 내지 5의 직쇄의 알칸올을 포함한다.The carbon nanotube dispersion composition according to the present invention includes a carbon nanotube, a polyacrylic acid resin, and a straight chain alkanol having 2 to 5 carbon atoms.

탄소나노튜브Carbon nanotube

탄소나노튜브는 전도성이 뛰어난 물질로서, 이를 포함하여 코팅막을 형성하는 경우, 우수한 전기전도도를 나타낼 뿐 아니라, 기계적 강도도 확보할 수 있어 표시장치 등의 전자 제품에 전도성층, 정전기 방지막 등에 다양하게 적용될 수 있다. Carbon nanotubes are excellent conductive materials. When a coating film is formed, it can exhibit excellent electrical conductivity as well as mechanical strength and can be applied to a conductive layer, an antistatic film, and the like in electronic products such as display devices .

상기 탄소나노튜브(CNT)는 통상의 아크(arc) 방전법, 레이저 증착법, 플라즈마 화학기상증착법, 기상 합성법, 열분해법 등과 같은 방법으로 제조된 후 열처리된 것일 수 있다. 위 합성법에 의해 제조된 생성물에는 합성된 탄소나노튜브와 함께 비정질 탄소 또는 결정성 흑연 입자와 같은 탄소 불순물과 촉매 전이금속 입자 등이 존재한다. 예컨대, 아크 방전법으로 제조되는 경우 생성물 100중량% 중에 탄소나노튜브 15 내지 30중량%, 탄소 불순물 45 내지 70중량% 및 촉매 전이금속 입자 5 내지 25중량%가 포함된다. 이와 같이 불순물이 함유된 탄소나노튜브를 정제과정 없이 사용하는 경우, 함침액의 분산성과 코팅성이 저하되고 탄소나노튜브 고유의 독특한 물성이 제대로 발현되기 어렵다. 따라서, 본 발명에서는 아크 방전법으로 제조된 생성물을 열처리하여 불순물을 최대한 제거시킨 탄소나노튜브를 사용한다.The carbon nanotubes (CNTs) may be manufactured by a conventional method such as an arc discharge method, a laser deposition method, a plasma chemical vapor deposition method, a gas phase synthesis method, a pyrolysis method, and the like, and then heat-treated. The carbon nanotubes synthesized by the above synthesis method include carbon impurities such as amorphous carbon or crystalline graphite particles and catalyst transition metal particles. For example, when manufactured by an arc discharge method, 15 to 30% by weight of carbon nanotubes, 45 to 70% by weight of carbon impurities and 5 to 25% by weight of catalyst transition metal particles are contained in 100% by weight of the product. When the impurity-containing carbon nanotubes are used without purification, the dispersibility and coating properties of the impregnation solution deteriorate, and unique physical properties inherent to the carbon nanotubes are hardly manifested. Therefore, in the present invention, carbon nanotubes in which impurities are removed as much as possible by heat treatment of a product produced by an arc discharge method are used.

구체적으로, 위 합성법에 의해 제조된 생성물을 시트 또는 평균직경이 2 내지 5㎜인 과립 형상으로 만든 후 진행방향(수평 기준)에 대하여 아래쪽으로 1 내지 5°각도로 경사진 회전성 반응기에 투입하고, 회전성 반응기를 350 내지 500℃로 가열하면서 산화성 가스를 위 투입된 생성물 1g에 대하여 200 내지 500㏄/분의 속도로 공급하여 60 내지 150분 동안 열처리한다. 이때, 경사진 회전성 반응기가 5 내지 20rpm의 속도로 회전함으로써 생성물이 분산되면서 접촉 표면적이 최대화되는 동시에 자동적으로 진행방향으로 이동하여 산화성 가스와의 접촉 표면적이 최대화되고 국부적인 산화가 방지된 상태로 열처리된다. 이 방법에 의하면, 투입된 생성물의 무게가 60 내지 85% 감소되어 고순도의 탄소나노튜브가 수득된다.Specifically, the product prepared by the above synthesis method is made into a sheet or a granular form having an average diameter of 2 to 5 mm, and then the granular product is fed into a rotatable reactor inclined at an angle of 1 to 5 degrees downward with respect to the traveling direction The oxidizing gas is supplied at a rate of 200 to 500 cc / min to 1 g of the charged product while heating the rotatable reactor at 350 to 500 ° C, followed by heat treatment for 60 to 150 minutes. At this time, the inclined rotatable reactor is rotated at a speed of 5 to 20 rpm to disperse the product, thereby maximizing the contact surface area and automatically moving in the traveling direction, maximizing the contact surface area with the oxidizing gas and preventing local oxidation Heat treated. According to this method, the weight of the charged product is reduced by 60 to 85%, and a high-purity carbon nanotube is obtained.

탄소나노튜브는 총 100중량% 중에 탄소 불순물이 40중량% 이하, 보다 바람직하게는 25중량% 이하로 포함된 것이 분산성과 안정성뿐만 아니라 전도성 확보에 있어서 좋다.Carbon nanotubes contain carbon impurities in an amount of not more than 40% by weight, more preferably not more than 25% by weight, in 100% by weight of the total weight of the carbon nanotubes.

탄소나노튜브는 단일벽 탄소나노튜브, 이중벽 탄소나노튜브 또는 다중벽 탄소나노튜브일 수 있으며, 이들은 단독 또는 2종 이상 조합하여 사용할 수 있으며, 후술하는 다른 성분들과의 상호작용 향상 측면에서 단일벽 탄소나노튜브가 보다 바람직하다.The carbon nanotubes may be single-walled carbon nanotubes, double-walled carbon nanotubes, or multi-walled carbon nanotubes. These carbon nanotubes may be used singly or in combination of two or more. In order to improve interaction with other components described below, Carbon nanotubes are more preferable.

본 발명에 따른 탄소나노튜브의 함량은 특별히 한정되지 않으나, 분산액 조성물 총 중량에 대하여, 예를 들면, 0.05 내지 20중량%일 수 있으며, 바람직하게는 0.1 내지 10중량%, 더욱 바람직하게는 0.1 내지 1중량%일 수 있다. 상기 함량 범위로 포함되는 경우, 우수한 분산성을 나타낼 수 있으며, 코팅막으로 형성시 코팅막의 전기전도도, 내스크래치성, 투과도가 확보에 용이하다.The content of the carbon nanotubes according to the present invention is not particularly limited, but may be, for example, 0.05 to 20% by weight, preferably 0.1 to 10% by weight, more preferably 0.1 to 10% by weight, 1% by weight. When it is included in the above content range, it can exhibit excellent dispersibility and it is easy to secure the electric conductivity, scratch resistance and permeability of the coating film when formed into a coating film.

폴리아크릴산 수지Polyacrylic resin

본 발명에 따른 폴리아크릴산 수지는 탄소나노튜브를 효과적으로 분산시키기 위한 분산제 역할을 수행하는 성분이다. 폴리아크릴산 수지는 후술하는 특정 분산매에 잘 용해되며, 소수성인 탄소나노튜브와 잘 결합될 수 있다. 또한 탄소나노튜브 가닥과 가닥 사이에 정전기적 반발력과 고분자 사슬 고유 특성에 의한 입체적 장애 효과를 통해 탄소나노튜브의 분산성을 향상시키고, 재응집을 막을 수 있다. The polyacrylic acid resin according to the present invention is a component that acts as a dispersant for effectively dispersing carbon nanotubes. The polyacrylic acid resin is well dissolved in a specific dispersion medium to be described later, and can be well bonded to a hydrophobic carbon nanotube. Also, the electrostatic repulsion between the carbon nanotube strands and the strands and the steric hindrance effect due to the intrinsic properties of the polymer chain can improve the dispersibility of carbon nanotubes and prevent re-aggregation.

본 발명에 따른 폴리아크릴산 수지의 함량은 특별히 한정되지 않으나, 분산액 조성물 총 중량에 대하여, 0.02 내지 40중량%로 포함될 수 있으며, 바람직하게는 0.05내지 10중량%, 더욱 바람직하게는 0.1 내지 1중량%로 포함될 수 있다. 상기 함량 범위로 포함되는 경우, 조성물 내에서 적정 범위로 용해된 상태로 존재함으로써, 탄소나노튜브를 분산시키기 위한 활성도가 현저히 향상될 수 있다.The content of the polyacrylic acid resin according to the present invention is not particularly limited, but may be in the range of 0.02 to 40% by weight, preferably 0.05 to 10% by weight, more preferably 0.1 to 1% by weight, &Lt; / RTI &gt; When the carbon nanotubes are contained in the above-mentioned content range, their activity for dispersing the carbon nanotubes can be remarkably improved by being present in a dissolved state in an appropriate range in the composition.

본 발명에 따른 폴리아크릴산 수지의 중량평균분자량은 특별히 한정되지 않으나, 예를 들면, 2,000 내지 3,000,000일 수 있으며, 바람직하게는 8,000 내지 12,000일 수 있다. 상기 범위의 중량평균분자량을 가지는 경우, 탄소나노튜브의 가닥과 가닥 사이에 침투하기 용이하며 재응집에 적합한 입체적 장애 효과를 가질 수 있다. 또한, 분산액 조성물 내에서 분산매에 잘 용해된 상태로 존재할 수 있어서 탄소나노튜브를 효과적으로 분산시킬 수 있다.The weight average molecular weight of the polyacrylic acid resin according to the present invention is not particularly limited, but may be, for example, from 2,000 to 3,000,000, and preferably from 8,000 to 12,000. When the weight average molecular weight is in the above range, it is easy to penetrate between the strands and the strands of the carbon nanotubes and can have a steric hindrance effect suitable for re-aggregation. In addition, it can be present in the dispersion composition in a well-dissolved state in the dispersion medium, so that the carbon nanotubes can be effectively dispersed.

본 발명의 분산액 조성물은 미량의 물을 포함할 수 있는 바, 상기 폴리아크릴산 수지는 물에 용해 또는 유화된 형태로 분산액에 포함될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The dispersion composition of the present invention may contain a trace amount of water. The polyacrylic acid resin may be included in the dispersion in a form dissolved or emulsified in water, but is not limited thereto.

탄소수 2 내지 5의 직쇄의 알칸올A straight chain alkanol having 2 to 5 carbon atoms

본 발명에 따른 탄소수 2 내지 5의 직쇄의 알칸올은 탄소나노튜브를 효과적으로 분산시키기 위한 분산매로서, 또한 친수성 알코올계 용매로서 전술한 폴리아크릴산 수지와 상호작용으로 탄소나노튜브의 분산 안정성을 현저히 향상시킬 수 있다. 분산매로서 직쇄가 아닌 분지쇄의 알칸올을 사용하는 경우 폴리아크릴산 수지의 분산매에 대한 용해도 및 안정성이 현저하게 저하되어 분산 안정성을 적정 범위로 유지하기 어려우나 이에 한정되어 해석되어서는 안 된다.The linear alkanol having 2 to 5 carbon atoms according to the present invention is a dispersion medium for effectively dispersing carbon nanotubes and also interacts with the polyacrylic acid resin described above as a hydrophilic alcohol solvent to remarkably improve the dispersion stability of carbon nanotubes . In the case of using a branched chain alkanol as a dispersion medium, the solubility and stability of the polyacrylic acid resin in the dispersion medium are remarkably lowered, and it is difficult to maintain the dispersion stability in an appropriate range.

본 발명에 따른 탄소수 2 내지 5의 직쇄의 알칸올의 구체적인 예로는, 에탄올, n-프로판올, n-부탄올, n-펜탄올 등을 들 수 있으며, 바람직하게는 에탄올, n-프로판올, n-부탄올 및 n-펜탄올 중 적어도 하나를 들 수 있으며, 보다 바람직하게는 n-프로판올을 들 수 있다.Specific examples of the straight chain alkanol having 2 to 5 carbon atoms according to the present invention include ethanol, n-propanol, n-butanol and n-pentanol, and preferably ethanol, n-propanol, n- And n-pentanol, and more preferably n-propanol.

본 발명에 따른 알칸올의 함량은 특별히 한정되지 않으나, 예를 들면, 조성물 총 중량에 대하여, 50 내지 99.93중량%로 포함될 수 있으며, 바람직하게는 80 내지 99중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위 내로 포함되는 경우, 분산액의 점도를 낮게 유지할 수 있어, 탄소나노튜브의 분산 안정성을 더욱 향상시킬 수 있으며, 코팅막에 적용시 바인더 성분과 효과적으로 혼합시킬 수 있다. The content of the alkanol according to the present invention is not particularly limited and may be, for example, from 50 to 99.93% by weight, and preferably from 80 to 99% by weight, based on the total weight of the composition. When the content is within the above range, the viscosity of the dispersion can be kept low, the dispersion stability of the carbon nanotubes can be further improved, and it can be effectively mixed with the binder component when applied to a coating film.

추가 분산제Additional dispersant

본 발명에 따른 탄소나노튜브 분산액 조성물은 필요에 따라 추가 분산제를 더 포함할 수 있으며, 추가 분산제의 종류는 특별히 한정되지 않으나, 예를 들면, 아크릴계 블록 공중합체 분산제일 수 있다.The carbon nanotube dispersion composition according to the present invention may further include an additional dispersant if necessary. The type of the additional dispersant is not particularly limited. For example, the carbon nanotube dispersion composition may be an acrylic block copolymer dispersant.

본 발명에서 아크릴계 블록 공중합체란, 서로 다른 아크릴계 단량체가 중합 반응을 하여, 각각 블록을 이룬 공중합체로서, 각각의 단위체가 A와 B인 경우, AAAAAABBBBBB로 형성된 공중합체를 의미한다. 상기 아크릴계 블록 공중합체 분산제는 공중합체 내의 카보닐기 극성 분리에 의해 분산 안정성을 더욱 향상시킬 수 있다. 또한, 바람직하게는 아크릴계 블록 공중합체는 각각의 단위체에 아민기, 카르복실기 등의 작용기가 적어도 하나 포함될 수 있으며, 상기 치환기를 함유하는 단위체의 함량을 조절함으로써, 친수성 및 소수성 성분비를 조절하여, 탄소나노튜브의 분산성을 더욱 향상시킬 수 있다. 상기 아크릴계 공중합체 분산제의 시판되는 구체적인 예로는 BYK사의 DISPERBYK 2001 또는 DISPERBYK 2155의 고분자 분산제 등을 들 수 있다.In the present invention, the acrylic block copolymer refers to a copolymer formed by block copolymerization of different acrylic monomers and formed of AAAAAABBBBBB when the monomer units are A and B, respectively. The acrylic block copolymer dispersant can further improve dispersion stability by polarity separation of the carbonyl group in the copolymer. Preferably, the acrylic block copolymer may contain at least one functional group such as an amine group or a carboxyl group in each monomer unit. By controlling the content of the monomer unit containing the substituent, the hydrophilic and hydrophobic component ratios can be controlled, The dispersibility of the tube can be further improved. Specific examples of commercially available acrylic copolymer dispersants include polymer dispersants of DISPERBYK 2001 and DISPERBYK 2155 manufactured by BYK Corporation.

추가 분산제의 함량은 특별히 한정되지 않으나, 조성물 총 중량에 대하여, 0.1 내지 2중량%로 포함될 수 있으며, 바람직하게는 0.5 내지 1중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위 내로 포함되는 경우, 추가 분산제 사용에 의한 내스크래치성 저하 및 점도 증가를 방지할 수 있으며 효과적으로 분산 안정성을 유지 할 수 있다.The content of the additional dispersing agent is not particularly limited, but may be in the range of 0.1 to 2% by weight, and preferably in the range of 0.5 to 1% by weight based on the total weight of the composition. When it is contained within the above range, the scratch resistance and the viscosity increase due to the use of the additional dispersing agent can be prevented, and the dispersion stability can be effectively maintained.

본 발명에 따른 탄소나노튜브 분산액 조성물은 필요에 따라 미량의 물을 더 포함할 수 있다. 물은 전술한 성분의 용해성 및 분산성 향상을 위해 사용될 수 있으며, 예를 들면, 폴리아크릴산 수지의 분산 활성도를 향상시키기 위한 용매로 사용될 수 있으나, 이에 특별히 한정되는 것은 아니다.The carbon nanotube dispersion composition according to the present invention may further contain a trace amount of water if necessary. Water can be used for improving the solubility and dispersibility of the above-mentioned components and can be used, for example, as a solvent for improving the dispersing activity of the polyacrylic acid resin, but is not particularly limited thereto.

<탄소나노튜브 분산액 조성물의 제조방법>&Lt; Process for producing carbon nanotube dispersion composition >

전술한 성분을 포함하는 탄소나노튜브 분산액 조성물의 제조 방법을 설명하면 다음과 같다. A method for producing a carbon nanotube dispersion composition containing the above-described components will be described below.

먼저, 탄소나노튜브, 폴리아크릴산 수지 및 탄소수 2 내지 5의 직쇄의 알칸올을 혼합한다. 폴리아크릴산 수지는 혼합 전에 미리 수용핵 형태로 제조되어 사용될 수 있으며, 수용액의 농도는 특별히 한정되지 않으나, 폴리아크릴산 수지의 고형분 함량이 탄소나노튜브 분산액 조성물 총 함량에 대하여 0.02 내지 40%로 포함되는 것이 좋으며, 더욱 바람직하게는 20 내지 30중량%로 포함될 수 있다. 상기 탄소나노튜브 분산액 조성물의 각 성분의 구체적인 종류 혼합 함량 역시 전술한 바와 같다.First, a carbon nanotube, a polyacrylic acid resin, and a straight chain alkanol having 2 to 5 carbon atoms are mixed. The concentration of the aqueous solution is not particularly limited, but it is preferable that the solid content of the polyacrylic acid resin is 0.02 to 40% based on the total content of the carbon nanotube dispersion composition And more preferably from 20 to 30% by weight. The specific content of each component of the carbon nanotube dispersion composition is also as described above.

다음으로, 탄소나노튜브 분산액 조성물의 각 성분들을 혼합한 후, 1000 내지 1800bar로 고압 분산을 수행한다. 1000 내지 1800bar의 고압하에서 분산을 수행하는 경우, 적정 전단응력으로 탄소나노튜브를 충돌시킬 수 있으며, 이에 따라, 탄소나노튜브의 가닥 가닥을 효과적으로 분산시킬 수 있어, 조성물 내에서 탄소나노튜브의 응집 없이 고르게 분산되어, 폴리아크릴산 수지 및 알칸올과의 상호작용이 효과적으로 수행될 수 있다.Next, the components of the carbon nanotube dispersion composition are mixed and then subjected to high-pressure dispersion at 1000 to 1800 bar. When the dispersion is carried out under a high pressure of 1000 to 1800 bar, the carbon nanotubes can be collided with an appropriate shear stress, whereby the strands of the carbon nanotubes can be effectively dispersed, and the aggregation of carbon nanotubes So that the interaction with the polyacrylic acid resin and the alkanol can be effectively carried out.

분산시 압력이 1000bar 미만인 경우, 탄소나노튜브에 전달되는 에너지가 낮아 분산 효과가 현저히 저하될 수 있으며, 1800bar를 초과하는 경우, 폴리아크릴산 수지가 너무 높은 에너지에 의해 고분자 사슬이 끊어져 입체적 장애 효과가 떨어져 분산 안정성이 떨어지는 문제가 발생할 수 있다. 상기 분안 압력은 더욱 바람직하게는 1200 내지 1600bar로 수행할 수 있으며, 이 경우, 전술한 효과가 더욱 향상될 수 있다.When the pressure is less than 1000 bar, the energy transferred to the carbon nanotubes is low, and the dispersing effect may be significantly deteriorated. If the pressure exceeds 1800 bar, the polyacrylic acid resin may break the polymer chains due to too high energy, There is a problem that dispersion stability is poor. The above-mentioned barometric pressure can more preferably be performed at 1200 to 1600 bar, and in this case, the above-mentioned effect can be further improved.

상기 분산은 소정 입경의 노즐로 조성물을 전술한 압력 범위로 분사하여 수행될 수 있으며, 이때, 조성물이 분사되는 노즐의 직경은 50㎛내지 400㎛일 수 있으며, 바람직하게는 80㎛내지 200㎛일 수 있다. 또한, 상기 분산은 크기가 다른 노즐을 직렬 연결하여 동시에 수행하거나 각각의 노즐을 이용하여 두번에 걸쳐서 별도 수행할 수 있다. The dispersion may be performed by spraying the composition with the nozzle having the predetermined particle size in the above-described pressure range, wherein the diameter of the nozzle through which the composition is sprayed may be 50 to 400 탆, preferably 80 to 200 탆 . In addition, the dispersion may be performed simultaneously by connecting nozzles having different sizes in series or may be performed separately using each nozzle twice.

상기 범위의 노즐을 사용하는 경우, 전술한 바와 같이 1,000bar내지 1,800bar의 고압으로 공정을 용이하게 수행할 수 있어, 효과적으로 분산이 이루어질 수 있게 한다. When the nozzle having the above range is used, the process can be easily performed at a high pressure of 1,000 bar to 1,800 bar as described above, so that the dispersion can be effectively performed.

노즐의 구경은 및 유량은 상기 압력 범위에 적합하게, 적정 범위로 선택될 수 있다.The aperture of the nozzle and the flow rate may be selected in an appropriate range to suit the above pressure range.

또한, 상기 고압 분산 공정 전에 교반 공정을 더 수행할 수도 있으며, 이 경우, 조성물의 혼합을 최적화하여 고압 분산 공정 효율성을 더욱 향상시킬 수 있다.Further, the stirring step may be further performed before the high-pressure dispersion step, in which case the efficiency of the high-pressure dispersion step can be further improved by optimizing the mixing of the composition.

<전도성 코팅액 조성물>&Lt; Conductive coating liquid composition >

이하, 전술한 탄소나노튜브 분산액 조성물 100중량부에 대하여, 실란졸 10 내지 100중량부를 포함하고, 전도성 코팅액 조성물 100중량부에 대하여 실록산 그룹을 연결하는 디설파이드 그룹을 가진 실세스퀴옥산 화합물 0.1 내지 10중량부를 포함하는 전도성 코팅액 조성물에 대해 설명한다. A silsesquioxane compound having from 10 to 100 parts by weight of a silane sol and having a disulfide group linking a siloxane group to 100 parts by weight of the conductive coating liquid composition is mixed with a silsesquioxane compound of from 0.1 to 10 parts by weight per 100 parts by weight of the carbon nanotube dispersion composition, By weight based on the total weight of the conductive coating liquid composition.

<탄소나노튜브 분산액 조성물><Carbon Nanotube Dispersion Composition>

상기 탄소나노튜브 분산액 조성물은 전술한 성분 및 함량이 동일하게 적용될 수 있으며, 전술한 바와 같이, 고압 분산에 의해 제조된 것을 사용할 수 있다.The above-described carbon nanotube dispersion composition may be applied in the same manner as the above-mentioned components and contents, and as described above, those prepared by high-pressure dispersion may be used.

<실란졸><Silane sol>

본 발명에 따른 실란졸은 코팅액 조성물에서 바인더 역할을 수행하는 것으로서, 알콕시실란 화합물, 산촉매, 알코올계 용매 및 물을 포함할 수 있다.The silane sol according to the present invention serves as a binder in the coating liquid composition, and may include an alkoxysilane compound, an acid catalyst, an alcohol solvent, and water.

알콕시실란 화합물Alkoxysilane compound

본 발명에 따른 알콕시실란 화합물은 바인더 수지로서, 그 종류는 특별히 한정되지 않으나, 예를 들면, 테트라에톡시실란, 테트라메톡시실란, 테트라-n-프로폭시실란 등의 테트라알콕시실란 화합물; 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 에틸트리에톡시실란, 에틸트리메톡시실란, 메틸트리프로폭시실란, 메틸트리부톡시실란, 프로필트리메톡시실란, 프로필트리에톡시실란, 이소부틸트리에톡시실란, 이소부틸트리메톡시실란, 옥틸트리에톡시실란, 옥틸트리메톡시실란, 메타크릴옥시데실트리메톡시실란 등의 치환 또는 비치환된 직쇄 또는 분지쇄인 알킬기의 알킬알콕시실란; 페닐트리메톡시실란, 페닐트리에톡시실란, 페닐트리프로폭시실란, 페닐트리부톡시실란; 3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란, 2-아미노에틸-3-아미노프로필트리메톡시실란, N-β-(아미노에틸)-γ-아미노프로필트리메톡시실란, N-(n-부틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필메틸디에톡시실란; 디메틸디메톡시실란, 디에틸디에톡시실란, γ-글리시딜옥시프로필트리메톡시실란, γ-글리시딜옥시프로필트리에톡시실란, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 3-머캡토프로필트리메톡시실란; 트리데카플루오로-1,1,2,2-테트라히드로옥틸프리에톡시실란, 트리플루오로프로필트리메톡시실란, 헵타데카플루오로데실트리메톡시실란, 헵타데카플루오로데실트리이소프로폭시실란 등의 플루오로알킬실란 등을 들 수 있으며, 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.The alkoxysilane compound according to the present invention is a binder resin, and its kind is not particularly limited, and examples thereof include tetraalkoxysilane compounds such as tetraethoxysilane, tetramethoxysilane and tetra-n-propoxysilane; Methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, methyltriethoxysilane, ethyltriethoxysilane, ethyltrimethoxysilane, methyltripropoxysilane, methyltributoxysilane, propyltrimethoxysilane, propyltriethoxysilane, isobutyltri Alkylalkoxysilane of a substituted or unsubstituted straight-chain or branched alkyl group such as methoxymethylsilane, diethoxysilane, diethoxysilane, diethoxysilane, diethoxysilane, diethoxysilane, diethoxysilane, diethoxysilane, diethoxysilane, diethoxysilane, diethoxysilane, Phenyltrimethoxysilane, phenyltriethoxysilane, phenyltripropoxysilane, phenyltributoxysilane; Aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltrimethoxysilane, 2-aminoethyl-3-aminopropyltrimethoxysilane, N -? - (aminoethyl) N- (n-butyl) -3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropylmethyldiethoxysilane; Dimethyldimethoxysilane, diethyldiethoxysilane,? -Glycidyloxypropyltrimethoxysilane,? -Glycidyloxypropyltriethoxysilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, 3- Capped propyl trimethoxysilane; Tridecafluoro-1,1,2,2-tetrahydrooctylpryethoxysilane, trifluoropropyltrimethoxysilane, heptadecafluorodecyltrimethoxysilane, heptadecafluorodecyltriisopropoxysilane, etc. Fluoroalkylsilane, and the like. These may be used alone or in combination of two or more.

이 중에서, 알킬기의 탄소수가 1 내지 20인 알킬알콕시실란 화합물이 가장 바람직하며, 더욱 바람직하게는 테트라에톡시실란 화합물을 사용할 수 있다. Of these, alkylalkoxysilane compounds having 1 to 20 carbon atoms in the alkyl group are most preferable, and tetraethoxysilane compounds can be more preferably used.

본 발명에 따른 알콕시실란 화합물의 함량은 특별히 한정되지 않으나, 실란졸 총 중량에 대하여, 20 내지 60중량%로 포함될 수 있으며, 바람직하게는 30 내지 50중량%로 포함될 수 있다. 상기 함량 범위로 포함되는 경우, 졸-겔 반응이 잘 일어나, 얻어진 실란졸의 물성이 좋고, 밀착성이 뛰어나 코팅막 형성에 용이하며, 특히, 유리 기판에 코팅시 더욱 적합하다.The content of the alkoxysilane compound according to the present invention is not particularly limited, but may be 20 to 60 wt%, preferably 30 to 50 wt%, based on the total weight of the silane sol. When the content is within the above range, a sol-gel reaction occurs well, the obtained silane sol has good physical properties and is excellent in adhesion so that it is easy to form a coating film, and is particularly suitable for coating on a glass substrate.

산촉매Acid catalyst

본 발명에 따른 산촉매는 물과 알콕사 실란의 가수분해를 촉진시키며 적정 가교도를 부여하기 위한 것으로서, 그 종류는 특별히 한정되지 않으나, 예를 들면, 염산, 황산, 인산, 질산, 초산, 희석된 플루오르화 수소산 등을 들 수 있으며, 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있으며, 사용되는 산촉매는 혼합시 수용액 형태로 포함될 수 있다.The acid catalyst according to the present invention promotes the hydrolysis of water and alkoxysilane and imparts a proper degree of crosslinking. The type is not particularly limited, and examples thereof include hydrochloric acid, sulfuric acid, phosphoric acid, nitric acid, acetic acid, diluted fluorine And hydrofluoric acid. These may be used alone or in admixture of two or more, and the acid catalyst to be used may be contained in the form of an aqueous solution upon mixing.

본 발명에 따른 산촉매의 함량은 특별히 한정되지 않으나, 실란졸 총 중량에 대하여, 0.01 내지 10중량%로 포함될 수 있으며, 바람직하게는 0.05 내지 5중량%로 포함될 수 있다. 상기 함량 범위로 포함되는 경우, 적정 가교도로 코팅막을 형성할 수 있게 된다.The content of the acid catalyst according to the present invention is not particularly limited, but may be 0.01 to 10% by weight, preferably 0.05 to 5% by weight based on the total weight of the silane sol. When it is included in the above content range, a coating film can be formed with an appropriate degree of crosslinking.

알코올계 용매Alcoholic solvent

본 발명에 따른 알코올계 용매의 종류는 특별히 한정되지 않으나, 탄소나노튜브 분산액과의 상용성 측면에서 친수성 알코올계 용매를 사용하는 것이 좋으며, 예를 들면, 메탄올, 에탄올, n-프로판올, 이소프로판올, n-부탄올, 이소부탄올, sec-부탄올, tert-부탄올, n-아밀알코올, 이소아밀알코올, sec-아밀알코올, tert-아밀알코올, 1-에틸-1-프로판올, 2-메틸-1-부탄올, n-헥산올 또는 시클로헥산올 등을 들 수 있으며, 이들은 단독 또는 2종 이상 조합하여 사용할 수 있다. 이들 중에서, 탄소나노튜브 분산액과의 안정성 향상 측면에서, 에탄올, n-부탄올, n-프로판올, n-펜탄올 등이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 n-프로판올을 사용할 수 있다. The kind of the alcoholic solvent according to the present invention is not particularly limited, but it is preferable to use a hydrophilic alcoholic solvent in view of the compatibility with the carbon nanotube dispersion. Examples thereof include methanol, ethanol, n-propanol, isopropanol, n Butanol, tert-butanol, n-amyl alcohol, isoamyl alcohol, sec-amyl alcohol, tert-amyl alcohol, 1-ethyl-1-propanol, 2-methyl- -Hexanol or cyclohexanol, which may be used alone or in combination of two or more. Of these, ethanol, n-butanol, n-propanol, n-pentanol and the like are preferable from the viewpoint of improvement of stability with the carbon nanotube dispersion, and more preferred is n-propanol.

본 발명에 따른 알코올계 용매의 함량은 특별히 한정되지 않으나, 실란졸 총 중량에 대하여, 10 내지 70중량%로 포함될 수 있으며, 바람직하게는 20 내지 50중량%인 것이 좋다. 상기 함량 범위로 포함되는 경우, 졸-겔 반응의 반응성을 더욱 향상시킬 수 있다.The content of the alcoholic solvent according to the present invention is not particularly limited, but may be 10 to 70% by weight, preferably 20 to 50% by weight, based on the total weight of the silane sol. When included in the above content range, the reactivity of the sol-gel reaction can be further improved.

water

본 발명에 따른 물은 알콕시 실란과 가수분해 반응을 하는 성분으로, 그 함량은 특별히 한정되지 않으나, 실란졸 총 중량에 대하여, 5 내지 60중량%로 포함될 수 있으며, 바람직하게는 8 내지 35중량%인 것이 좋다. 상기 함량 범위로 포함되는 경우, 충분한 가수분해가 이뤄져 기재에 우수한 밀착력을 가질 수 있다.The water according to the present invention is a component which undergoes a hydrolysis reaction with alkoxysilane and the content thereof is not particularly limited and may be 5 to 60% by weight, preferably 8 to 35% by weight, . When it is included in the above content range, sufficient hydrolysis can be carried out and excellent adhesion to the substrate can be obtained.

극성 용매Polar solvent

본 발명에 따른 극성 용매는 전도성 코팅액 조성물 내에서 탄소나노튜브의 분산성을 향상시키며 전도성을 향상시키기 위한 것으로서, 극성도가 10 이상인 극성 용매를 포함한다. The polar solvent according to the present invention includes a polar solvent having a polarity of 10 or more for improving conductivity and improving the dispersibility of carbon nanotubes in a conductive coating liquid composition.

본 발명의 극성 용매는 전도성 코팅액 조성물 내에서 탄소나노튜브를 둘러싼 폴리아크릴산수지의 카르복실기에 의한 반발력을 높여 분산성을 극대화 시키며 이를 통해 코팅막 상태의 전도성 필러인 탄소나노튜브의 산포를 좋게하여 전기 전도성을 향상시킨다. 예를 들어, 도 10을 참조하면, 극성이 낮은 용매가 전도성 코팅액 조성물에 포함되면 탄소나노튜브를 둘러싼 폴리아크릴산수지의 카르복실기에 의한 반발력이 낮아 분산성이 미비하다. 반면, 도 11을 참조하면, 극성이 높은 용매가 전도성 코팅액 조성물에 포함되면 탄소나노튜브를 둘러싼 폴리아크릴산수지의 카르복실기에 의한 반발력을 높여 분산성이 향상된다.The polar solvent of the present invention maximizes the dispersibility by increasing the repulsive force of the carboxyl group of the polyacrylic resin surrounding the carbon nanotubes in the conductive coating liquid composition, thereby improving the dispersion of the carbon nanotubes as the conductive filler in the coating film state, . For example, referring to FIG. 10, when a solvent having a low polarity is included in the conductive coating liquid composition, the dispersibility of the polyacrylic resin surrounding the carbon nanotubes is low due to the low repulsion of carboxyl groups. On the other hand, referring to FIG. 11, when a solvent having a high polarity is included in the conductive coating liquid composition, the repulsive force of the carboxyl group of the polyacrylic resin surrounding the carbon nanotubes is increased to improve the dispersibility.

또한, 본 발명의 극성 용매는 전도성 코팅액 조성물의 코팅시에 적정 점도를 확보하는데 도움이 되고, 코팅시 건조 속도를 적정 범위로 조절하여 균일한 코팅막을 구현할 수 있게 한다.In addition, the polar solvent of the present invention assists in securing an appropriate viscosity at the time of coating the conductive coating liquid composition, and allows a uniform coating film to be realized by controlling the drying speed in an appropriate range during coating.

본 발명의 극성 용매는 극성도가 10 이상인 극성 용매로, n-메틸 피롤리돈(n-methyl pyrolidone, NMP), 디메틸 설폭시드(dimethyl sulphoxide, DMSO) 또는 디메틸 포름아미드(dimethyl formamide, DMF)를 들 수 있다. 특히, n-메틸 피롤리돈, 디메틸 설폭시드 및 디메틸 포름아미드는 고유의 유전율로 전도성을 더욱 향상시킬 수 있어, 저저항의 코팅막을 구현할 수 있다.The polar solvent of the present invention is a polar solvent having a polarity of 10 or more and may be selected from n-methyl pyrolidone (NMP), dimethyl sulphoxide (DMSO), or dimethyl formamide (DMF) . Particularly, n-methylpyrrolidone, dimethylsulfoxide, and dimethylformamide can further improve the conductivity with inherent permittivity, so that a coating film with low resistance can be realized.

본 발명의 극성 용매는 전도성 코팅액 조성물 100중량%에 대해 0.1 내지 5중량%로 포함될 수 있다. 여기서, 극성 용매가 전도성 코팅액 조성물 100중량%에 대해 0.1중량% 이상이면 전도성 코팅액 조성물 내에서 탄소나노튜브의 분산성을 향상시켜 표면 저항의 균일도를 향상시키고 표면 저항의 조절을 용이하게 할 수 있고, 전도성 코팅액 조성물 100중량%에 대해 5중량% 이하이면, 전도성 코팅액 조성물로 제조되는 정전기 방지막의 표면 저항이 너무 낮아지는 것을 방지할 수 있다.The polar solvent of the present invention may be contained in an amount of 0.1 to 5% by weight based on 100% by weight of the conductive coating liquid composition. If the polar solvent is 0.1 wt% or more based on 100 wt% of the conductive coating liquid composition, the dispersibility of the carbon nanotubes in the conductive coating liquid composition can be improved to improve the uniformity of the surface resistance and facilitate the control of the surface resistance, If the amount is 5% by weight or less based on 100% by weight of the conductive coating liquid composition, it is possible to prevent the surface resistance of the antistatic layer made of the conductive coating liquid composition from becoming too low.

첨가제additive

본 발명에 따른 전도성 코팅액 조성물은 전술한 탄소나노튜브 분산액 및 실란졸 외에 필요에 따라 첨가제를 더 포함할 수 있다.The conductive coating liquid composition according to the present invention may further contain additives as required in addition to the carbon nanotube dispersion and the silane sol.

사용 가능한 첨가제로는, 분산제, 실란 커플링제, 레벨링제, 슬립제, 계면활성제, pH 조절제, 지건제, 점도 조절제 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 이들은 단독으로 또는 2종이상 혼합되어 사용될 수 있다.Examples of usable additives include, but are not limited to, a dispersing agent, a silane coupling agent, a leveling agent, a slip agent, a surfactant, a pH adjusting agent, a lubricant, and a viscosity adjusting agent. Can be used.

보다 구체적인 예로, 코팅막의 슬립성 향상을 위해 슬립제를 더 포함할 수 있으며, 상기 슬립제의 종류는 특별히 한정되지 않으나, 시판되는 예로서 BYK사의 BKY 333을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 전술한 BYK 2001의 분산제가 더 사용될 수도 있다.More specifically, the slip agent may further include a slip agent for improving the slipperiness of the coating film. The slip agent is not particularly limited, and examples thereof include BKY 333 manufactured by BYK Corporation, but are not limited thereto. Further, a dispersant of BYK 2001 described above may be further used.

또한, 에틸렌 글리콜 또는 디메틸포름아마이드, 1- 메틸 -2- 피롤리돈등의 극성용매는 분산액내에서 탄소나노튜브를 둘러싼 폴리아크릴산수지의 카르복실기에 의한 반발력을 높여 분산성을 극대화 시키며 이를 통해 코팅막 상태의 전도성 필러인 탄소나노튜브의 산포를 좋게하여 전기 전도성을 향상시킨다. 또한 이들은 코팅시에 적정 점도를 확보하는데 도움이 되고, 코팅시 건조 속도를 적정 범위로 조절하여 균일한 코팅막을 구현할 수 있다. 또한, 에틸렌글리콜, 디메틸포름아마이드, 1- 메틸 -2- 피롤리돈이 가지는 고유의 유전율로 전도성을 더욱 향상시킬 수 있어, 저저항의 코팅막을 구현하는데 보다 적합하다.The polar solvent such as ethylene glycol or dimethylformamide or 1-methyl-2-pyrrolidone maximizes the dispersibility by increasing the repulsive force of the carboxyl group of the polyacrylic resin surrounding the carbon nanotubes in the dispersion, Thereby improving the electric conductivity of the carbon nanotube. In addition, they are effective in securing an appropriate viscosity at the time of coating, and a uniform coating film can be realized by adjusting the drying speed in an appropriate range during coating. In addition, the conductivity can be further improved by the inherent permittivity of ethylene glycol, dimethylformamide and 1-methyl-2-pyrrolidone, which is more suitable for realizing a coating film of low resistance.

상기 추가 첨가제들은 단독으로 또는 2종 이상 혼합하여 사용될 수 있으며, 그 함량은 특별히 한정되지 않으나, 전도성 코팅액 조성물 총 중량에 대하여, 0.01 내지 10중량%, 바람직하게는 0.1 내지 5중량%로 포함될 수 있으며, 상기 범위로 포함되는 경우, 본 발명의 효과를 저해하지 않고, 전술한 첨가제의 고유의 효과를 구현할 수 있다.The additional additives may be used alone or in admixture of two or more. The content of the additional additives may be 0.01 to 10% by weight, preferably 0.1 to 5% by weight based on the total weight of the conductive coating composition, , The effect of the additive described above can be realized without deteriorating the effect of the present invention.

본 발명에 따른 실란졸은 전술한 성분들을 소정 조건에서 반응시킴으로써 제조될 수 있으며, 반응 조건은 특별히 한정되지 않으나, 예를 들면, 30 내지 90℃로 가열 및 교반하는 과정을 포함할 수 있고, 반응 시간은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 4 내지 30시간 동안 수행할 수 있다. 또한, 반응이 일어나는 반응기는 환류 냉각관을 포함하는 것일 수 있다. 반응 후 생성물을 회전 증발 농축한 후 특정 용매에 희석하여 사용될 수도 있다. 이에 따라, 제조된 실란졸은 특히 코팅액을 유리 기재에 적용하는 경우 강한 밀착성을 부여하여 우수한 강도 특성을 확보할 수 있게 된다.The silane sol according to the present invention can be prepared by reacting the above-described components under predetermined conditions. The reaction conditions are not particularly limited. For example, the silane sol may include heating and stirring at 30 to 90 占 폚, The time is not particularly limited, and can be, for example, 4 to 30 hours. In addition, the reactor in which the reaction takes place may include a reflux condenser. After the reaction, the product may be used after being concentrated by rotary evaporation and then diluted with a specific solvent. Accordingly, when the coating solution is applied to a glass substrate, the prepared silane sol is given strong adhesion and excellent strength characteristics can be ensured.

<실세스퀴옥산 화합물><Silsesquioxane compound>

도 17은 실세스퀴옥산 화합물의 경화 과정을 모식화한 도면이고, 도 18은 본 발명의 실세스퀴옥산 화합물의 합성 과정을 모식화한 도면이다.FIG. 17 is a schematic view showing the curing process of the silsesquioxane compound, and FIG. 18 is a schematic view showing a process of synthesizing the silsesquioxane compound of the present invention.

본 발명의 실세스퀴옥산 화합물은 실록산 그룹을 연결하는 디설파이드 그룹을 가지는 화합물이다.The silsesquioxane compound of the present invention is a compound having a disulfide group linking a siloxane group.

도 17을 참조하면, 본 발명의 실세스퀴옥산 화합물은 정전기 방지막의 막 밀도, 내 마모성 및 경도를 향상시키기 위해 도입되는 것으로, 실세스퀴옥산에 셀프힐링(self-healing) 기능을 구현하기 위해 작용기(functional group)로 디설파이드 그룹(disulfide group)(S-S)을 도입하였다. 셀프힐링 기능을 극대화하기 위해서 실세스퀴옥산-디설파이드-실세스퀴옥산(SSQ-disulfide-SSQ)를 경화시켜 클러스터화(cluster)하였다.17, the silsesquioxane compound of the present invention is introduced to improve the film density, abrasion resistance and hardness of the antistatic film. In order to realize a self-healing function for silsesquioxane A disulfide group (SS) was introduced as a functional group. In order to maximize the self-healing function, the silsesquioxane-disulfide-SSQ was clustered by curing.

Figure pat00003
Figure pat00003

도 18을 참조하면, 본 발명의 실세스퀴옥산 화합물은 힐링 사이트(healing site)의 증가 및 실란졸과의 반응성을 향상시키기 위해, 랜덤(random) 타입과 케이지(cage) 타입의 구조를 결합시켰다. R 그룹은 반응성 및 흡광 영역을 조절하는 역할을 한다. R은 독립적으로 방향족 그룹 또는

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(여기서, R2는 C1~C20의 알킬 그룹)에서 선택된다. 그리고 촉매의 조절을 통해 랜덤 타입과 케이지 타입의 실세스퀴옥산 화합물의 비율을 조절할 수 있다.Referring to FIG. 18, the silsesquioxane compound of the present invention combines a random type and a cage type structure in order to increase the healing site and improve the reactivity with the silane sol . The R group plays a role in regulating the reactivity and the light absorption region. R is independently an aromatic group or
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(Wherein R &lt; 2 &gt; is an alkyl group of C1-C20). The ratio of random and cage silsesquioxane compounds can be controlled through the control of the catalyst.

Figure pat00005
Figure pat00005

본 발명의 클러스터화된 실세스퀴옥산 화합물의 합성방법은 다음과 같다. The method of synthesizing the clustered silsesquioxane compound of the present invention is as follows.

0.5 내지 10mL 염산(hydrochloric acid), 10 내지 100mL 메탄올 및 0.5 내지 30 mL MPTS(3-mercaptopropyl trimethoxysilane)를 둥근 바닥 플라스크에서 60 내지 100℃에서 12 내지 60 시간 동안 교반한다. 이후 메탄올로 여러 차례 워싱하여 미 반응물 제거한다. 침전물을 0.1 내지 10mL THF(테트라하이드로퓨란)에 녹인 후, 1 내지 300mL 아세토니트릴(acetonitrile)에 천천히 적가한다. 이후, 혼합물을 0 내지 -20℃에서 24 시간 이상 결정화한다. 이렇게 합성된 디설파이드 그룹을 가진 실세스퀴옥산 화합물(SSQ-SH)을 아세톤에 워싱한 후 진공 오븐에서 12 시간 이상 건조한다. PGMEA 용매에 건조물을 분산시킨 후, 20 내지 100℃에서 시간 별로 가열하여 클러스터화된 실세스퀴옥산 화합물을 얻는다.0.5 to 10 mL hydrochloric acid, 10 to 100 mL methanol and 0.5 to 30 mL MPTS (3-mercaptopropyl trimethoxysilane) are stirred in a round bottom flask at 60-100 ° C for 12-60 hours. The reaction mixture is then washed several times with methanol to remove unreacted materials. The precipitate is dissolved in 0.1 to 10 mL of THF (tetrahydrofuran), and then slowly added dropwise to 1 to 300 mL of acetonitrile. Thereafter, the mixture is crystallized at 0 to -20 DEG C for at least 24 hours. The silsesquioxane compound (SSQ-SH) having the disulfide group thus synthesized is washed in acetone and then dried in a vacuum oven for at least 12 hours. The dried material is dispersed in a PGMEA solvent and heated at 20 to 100 DEG C for each hour to obtain a clustered silsesquioxane compound.

도 19는 본 발명에서 제조된 실세스퀴옥산 화합물의 라만 분석 그래프이고, 도 20과 도 21은 다양한 실세스퀴옥산 화합물의 FTIR 분석 그래프이다.FIG. 19 is a Raman analysis graph of the silsesquioxane compound prepared in the present invention, and FIGS. 20 and 21 are FTIR analysis graphs of various silsesquioxane compounds. FIG.

도 19를 참조하면, 본 발명에서 제조된 실세스퀴옥산 화합물은 라만 분석을 통해 디설파이드 피크(peak)를 확인하여 디설파이드가 형성된 것을 확인할 수 있다.Referring to FIG. 19, the silsesquioxane compound prepared in the present invention can be confirmed to have disulfide peaks by Raman analysis to confirm disulfide peaks.

도 20과 도 21을 참조하면, #1과 #2는 본 발명에서 제조된 랜덤 타입과 케이지 타입이 결합된 실세스퀴옥산 화합물을 나타내고, #3은 공지된 실세스퀴옥산 화합물을 나타내고, #4는 케이지 타입의 실세스퀴옥산 화합물을 나타낸다. 도 20에 나타난 바와 같이, 본 발명의 실세스퀴옥산 화합물 중 #2의 랜덤 타입과 케이지 타입이 결합된 실세스퀴옥산 화합물은 Si-O-Si 결합을 확인할 수 있는 피크가 확인되었다. 도 21에 나타난 바와 같이, #3으로 나타난 공지된 실세스퀴옥산 화합물은 S-H 결합을 확인할 수 없으나, #1, #2 및 #4로 나타난 본 발명의 실세스퀴옥산 화합물은 S-H 결합을 확인할 수 있었다.20 and 21, # 1 and # 2 represent a silsesquioxane compound combined with a random type and a cage type prepared in the present invention, # 3 represents a known silsesquioxane compound, and # 4 represents a silsesquioxane compound of the cage type. As shown in FIG. 20, a silsesquioxane compound having a random type and a cage type bonded with # 2 among the silsesquioxane compounds of the present invention had peaks at which Si-O-Si bonds could be confirmed. As shown in FIG. 21, the known silsesquioxane compounds represented by # 3 can not confirm SH bonds, but the silsesquioxane compounds of the present invention represented by # 1, # 2 and # 4 can confirm SH bonds there was.

도 22는 셀프힐링 재료들의 힐링 메커니즘을 모식화한 도면이다. Figure 22 is a schematic representation of the healing mechanism of self-healing materials.

도 22에 나타난 바와 같이, 셀프힐링 재료가 포함된 막은 고분자 네트워크에 디펙트(defect)가 없으나, 일정 스트레스가 가해지면 마이크로 디펙트(micro defect)가 발생한다. 마이크로 디펙트가 발생한 막에 추가적인 스트레스가 가해지면 마크로 디펙트(macro defect)가 발생하여 크랙이 발생한다. 여기서, 마이크로 디펙트는 시인되지 않는 디펙트이며, 마크로 디펙트는 시인되는 디펙트이다. 전술한 디펙트들이 발생하면 셀프힐링 재료의 특정 결합이 깨지게 되나, 280nm 이상의 광이 조사되면 셀프힐링 재료의 특정 결합이 다시 재결합하여 디펙트들을 치유하게 된다.As shown in FIG. 22, a film containing a self-healing material has no defects in the polymer network, but a micro defect occurs when a certain stress is applied. When additional stress is applied to the film where the micro-defect is generated, a macro defect occurs and a crack occurs. Here, the micro-defect is a defect that is not visually recognized, and the macro-defect is a defect that is recognized. When the above-described defects occur, the specific binding of the self-healing material is broken. However, when light of 280 nm or more is irradiated, the specific binding of the self-healing material is recombined again to heal the defects.

본 발명의 디설파이드 그룹을 가진 실세스퀴옥산 화합물을 정전기 방지막에 도입한 경우의 힐링 메커니즘을 설명하면 다음과 같다. The healing mechanism when the silsesquioxane compound having the disulfide group of the present invention is introduced into the antistatic film will be described as follows.

도 23과 도 24는 실란졸과 디설파이드 그룹을 가진 실세스퀴옥산 화합물의 힐링 메커니즘을 모식화한 도면들이다.23 and 24 are diagrams illustrating the healing mechanism of the silsesquioxane compound having a silane sol and a disulfide group.

도 23을 참조하면, 실란졸의 예로 테트라에톡시 실란 화합물인 TEOS 졸을 가수분해하여 TEOS 실란올을 제조하고 디설파이드 그룹을 가진 실세스퀴옥산 화합물과 혼합한다. 그리고, 이 혼합물에 염산 촉매를 첨가하여 코팅한 후 열처리하여 TEOS와 디설파이드 그룹을 가진 실세스퀴옥산 화합물이 축합된 막이 제조된다. TEOS 졸의 가수분해로 생성된 실란올은 실세스퀴옥산 화합물의 OH와 반응하여 가교(cross-linking)를 촉진함으로서 막의 밀도와 경도를 향상시키는 효과가 있다. Referring to FIG. 23, TEOS silanol, which is a tetraethoxysilane compound, is hydrolyzed to produce a TEOS silanol and mixed with a silsesquioxane compound having a disulfide group. Then, a hydrochloric acid catalyst is added to the mixture, followed by coating and heat treatment to produce a film in which a silsesquioxane compound having TEOS and a disulfide group is condensed. The silanol generated by the hydrolysis of the TEOS sol reacts with OH of the silsesquioxane compound to promote cross-linking, thereby improving the density and hardness of the film.

도 24를 참조하면, 제조된 막에 외부 스트레스가 가해지면 결합 엔탈피(bonding enthalpy)가 상대적으로 낮은 디설파이드(disulfide) 결합이 해리된다. 여기에 광을 조사하면 해리된 부분이 다시 디설파이드 결합을 생성하여 스트레스에 의한 결함을 치유하게 된다.Referring to FIG. 24, when external stress is applied to a manufactured film, disulfide bonds having relatively low bonding enthalpy are dissociated. When irradiated with light, the dissociated portion again generates disulfide bonds and heals the defects due to stress.

전술한 바와 같이, 본 발명은 디설파이드 그룹을 가진 실세스퀴옥산 화합물을 셀프힐링 재료로 포함함으로써, 정전기 방지막의 막 밀도, 내 마모성 및 경도를 향상시킨다. 보다 자세한 효과는 후술하는 실험들에서 증명될 것이다. As described above, the present invention improves the film density, abrasion resistance and hardness of the antistatic film by incorporating a silsesquioxane compound having a disulfide group as a self-healing material. A more detailed effect will be demonstrated in the experiments described below.

한편, 본 발명의 전도성 코팅액 조성물은 정전기 방지막의 경도를 향상시키기 위해, 나노입자들을 더 포함할 수 있다. 나노입자들은 금속, 세라믹, 금속 산화물 또는 이들의 혼합으로 이루어질 수 있으며, 예를 들어, 실리카(SiO2) 또는 산화 알루미늄(Al2O3) 등을 들 수 있다. Meanwhile, the conductive coating liquid composition of the present invention may further include nanoparticles to improve the hardness of the antistatic film. The nanoparticles may be made of metal, ceramic, metal oxide, or a mixture thereof, and examples thereof include silica (SiO 2 ) or aluminum oxide (Al 2 O 3 ).

<전도성 코팅액 조성물의 제조>&Lt; Preparation of conductive coating liquid composition >

본 발명에 따른 전도성 코팅액 조성물은 탄소나노튜브 분산액과 실란졸을 각각 제조한 후, 탄소나노튜브 분산액, 실란졸, 디설파이드 그룹을 가진 실세스퀴옥산 화합물, 극성 용매 및 첨가제 등을 혼합하여 제조될 수 있다. 본 발명의 전도성 코팅액 조성물은 탄소나노튜브 분산액 조성물 100중량부에 대하여, 실란졸 10 내지 100중량부로 혼합하고, 전체 전도성 코팅액 조성물 100중량부에 대하여 디설파이드 그룹을 가진 실세스퀴옥산 화합물 0.1 내지 1중량부로 혼합하여 제조될 수 있다. The conductive coating liquid composition according to the present invention can be prepared by preparing a carbon nanotube dispersion and a silane sol, respectively, and then mixing a carbon nanotube dispersion, a silane sol, a silsesquioxane compound having a disulfide group, a polar solvent, have. The conductive coating liquid composition of the present invention is prepared by mixing 10 to 100 parts by weight of a silane sol with respect to 100 parts by weight of a carbon nanotube dispersion composition and adding 0.1 to 1 weight of a silsesquioxane compound having disulfide groups per 100 parts by weight of the total conductive coating liquid composition By weight.

혼합시에 실란졸의 함량이 10중량부 미만으로 포함되는 경우, 코팅층의 밀착력 확보가 어려우며, 100중량부를 초과하여 혼합되는 경우, 코팅층의 도포성이 저하될 수 있다. 또한, 상기 혼합비는 탄소나노튜브 분산액 조성물 100중량부에 대하여, 실란졸 25 내지 60 중량부일 수 있으며, 또는 실란졸 10 내지 20중량부일 수 있다. 실란졸을 25 내지 60 중량부로 혼합하는 경우, 고저항의 코팅막 구현에 적합하며, 실란졸 10 내지 20중량부로 혼합하는 경우, 저저항의 코팅막 구현에 적합하다.When the content of the silane sol is less than 10 parts by weight at the time of mixing, it is difficult to secure the adhesion of the coating layer. If the content of the silane sol is more than 100 parts by weight, the coatability of the coating layer may be lowered. Also, the mixing ratio may be 25 to 60 parts by weight of the silane sol, or 10 to 20 parts by weight of the silane sol, based on 100 parts by weight of the carbon nanotube dispersion composition. When the silane sol is mixed at 25 to 60 parts by weight, it is suitable for realizing a coating film having a high resistance. When the silane sol is mixed at 10 to 20 parts by weight, it is suitable for realizing a low resistance coating film.

또한, 디설파이드 그룹을 가진 실세스퀴옥산 화합물의 함량이 0.1중량부 미만이면 코팅층의 막 밀도, 경도 및 내 마모성을 향상시킬 수 있고, 디설파이드 그룹을 가진 실세스퀴옥산 화합물의 함량이 1중량부 초과하면 코팅층의 면저항이 증가되어 정전기 방지막으로 사용할 수 없다.If the content of the silsesquioxane compound having a disulfide group is less than 0.1 part by weight, the film density, hardness and abrasion resistance of the coating layer can be improved, and when the content of the silsesquioxane compound having disulfide groups exceeds 1 part by weight The surface resistance of the undercoat layer is increased and it can not be used as an antistatic film.

혼합 방법은 특별히 한정되지 않으나, 초음파분산기, 고압분산기, 균질기, 밀 등을 이용하여 수행될 수 있으며, 바람직하게는 탄소나노튜브분산액 제조시와 동일한 고압 분산 공정을 적용하는 경우, 최종 코팅액의 분산성 및 안정성을 확보할 수 있다. The mixing method is not particularly limited, but may be performed using an ultrasonic dispersing machine, a high pressure dispersing machine, a homogenizer, a mill, or the like. Preferably, when the same high pressure dispersion process as in producing a carbon nanotube dispersion is applied, Acidity and stability can be ensured.

이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예를 제시하나, 이들 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 첨부된 특허청구범위를 제한하는 것이 아니며, 본 발명의 범주 및 기술사상 범위 내에서 실시예에 대한 다양한 변경 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속하는 것도 당연한 것이다.It is to be understood that both the foregoing general description and the following detailed description of the present invention are exemplary and explanatory and are intended to be illustrative of the invention and are not intended to limit the scope of the claims. It will be apparent to those skilled in the art that such variations and modifications are within the scope of the appended claims.

<제2 실험예>&Lt; Second Experimental Example &

이하, 전술한 탄소나노튜브 분산액 및 이를 포함하는 전도성 코팅액 조성물을 이용하여 정전기 방지막을 형성하는 실험예를 개시한다.An experimental example of forming an antistatic film using the carbon nanotube dispersion and a conductive coating liquid composition containing the carbon nanotube dispersion is described below.

실험 1 : 전도성 코팅액 조성물 및 이로 제조된 Experiment 1: Conductive coating liquid composition and its 코팅막(정전기 방지막)의Of the coating film (antistatic film) 특성 측정 Characterization

실시예Example 1 One

<탄소나노튜브 분산액의 제조>&Lt; Production of Carbon Nanotube Dispersion >

아크 방전법으로 합성된 탄소나노튜브(SA100, ㈜나노솔루션)를 경사각도가 3°인 로터리 킬른 회전성 반응기를 이용하여 5-20rpm의 회전속도, 420℃의 온도, 250㏄/분의 산화성 가스 공급 속도로 100분 동안 열처리하여 탄소 불순물의 함량이 15%인 탄소나노튜브A를 사용하였다.A carbon nanotube (SA100, Nano Solutions, Inc.) synthesized by an arc discharge method was rotated at a rotation speed of 5-20 rpm, a temperature of 420 캜, an oxidizing gas of 250 cc / min using a rotary kiln rotary reactor having an inclination angle of 3 Treated at a feed rate for 100 minutes to use carbon nanotubes A having a carbon impurity content of 15%.

이후, 탄소나노튜브A 0.15중량부, 폴리아크릴산 수지 수용액(고형분 25%/ 폴리아크릴산 수지 Mw = (250,000)) 0.24중량부, 아크릴블록공중합체(상품명 DISPERBYK2001 산가 19mg KOH/g, 아민가 29mg KOH/g) 0.23 중량부, n-프로판올99.61중량부를 혼합하고, 노즐의 직경이 100㎛인 분사기를 사용하여 1500bar의 압력으로 분산하여 탄소나노튜브 분산액을 제조하였다.Thereafter, 0.15 part by weight of carbon nanotube A, 0.24 part by weight of a polyacrylic acid resin solution (solid content 25% / polyacrylic acid resin Mw = (250,000)) 0.24 part by weight, acrylic block copolymer (trade name: DISPERBYK2001 acid value 19 mg KOH / g, amine value 29 mg KOH / ) And 99.61 parts by weight of n-propanol were mixed and dispersed at a pressure of 1500 bar using an injector having a nozzle diameter of 100 탆 to prepare a carbon nanotube dispersion.

<실란졸의 제조>&Lt; Preparation of silane sol &

노르말 프로판올 21.7중량부와 TEOS 62.6중량부를 환류관을 구비한 반응기에 넣고 30분간 교반기를 이용하여 상온(25℃)하에서 300rpm으로 교반하고 물 15.2중량부를 넣고 500rpm으로 교반한 후, 3.5% 염산 수용액 0.5중량부를 서서히 적하하였다. 21.7 parts by weight of n-propanol and 62.6 parts by weight of TEOS were charged into a reactor equipped with a reflux tube and stirred for 30 minutes at 300 rpm at room temperature (25 ° C) using a stirrer. 15.2 parts by weight of water was added thereto and stirred at 500 rpm. By weight was slowly added dropwise.

<전도성 코팅액 조성물>&Lt; Conductive coating liquid composition >

제조된 탄소나노튜브 분산액 66 중량부에 바인더 33중량부, BYK2001 0.95중량부, 표면 슬립제로 BYK333 0.05중량부를 넣고 고압분산기를 이용하여 1500기압하에서 100㎛의 노즐을 통과시키는 과정을 5번 수행하여 코팅액을 제조하였으며, 이때 액의 온도가 올라가지 않도록 냉각 장치를 이용하였다.33 parts by weight of a binder, 0.95 parts by weight of BYK2001 and 0.05 parts by weight of BYK333 as a surface slip agent were added to 66 parts by weight of the carbon nanotube dispersion thus prepared, and the mixture was passed through a nozzle having a diameter of 100 mu m under a pressure of 1500 at a pressure of 1,500, And a cooling device was used to prevent the temperature of the solution from rising.

실시예 2 (분산매의 종류가 상이한 경우)Example 2 (when the kind of dispersion medium is different)

탄소나노튜브 분산액 제조시, 분산매로서, 에탄올을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 전도성 코팅액 조성물을 제조하였다.A conductive coating liquid composition was prepared in the same manner as in Example 1, except that ethanol was used as a dispersion medium in the preparation of the carbon nanotube dispersion.

실시예 3 (분산매의 종류가 상이한 경우)Example 3 (when the kind of the dispersion medium is different)

탄소나노튜브 분산액 제조시, 분산매로서, 부탄올을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 전도성 코팅액 조성물을 제조하였다.A conductive coating liquid composition was prepared in the same manner as in Example 1, except that butanol was used as a dispersion medium in the preparation of the carbon nanotube dispersion.

실시예 4 (분산매의 종류가 상이한 경우)Example 4 (when the type of dispersion medium is different)

탄소나노튜브 분산액 제조시, 분산매로서, 펜탄올을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 전도성 코팅액 조성물을 제조하였다.A conductive coating liquid composition was prepared in the same manner as in Example 1, except that pentanols were used as a dispersion medium in the preparation of the carbon nanotube dispersion.

실시예 5 (PAA의 중량평균분자량이 다른 경우)Example 5 (when the weight average molecular weight of PAA is different)

탄소나노튜브 분산액 제조시, 폴리아크릴산 수지의 중량평균분자량이 1,250,000인 것을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 전도성 코팅액 조성물을 제조하였다.A conductive coating liquid composition was prepared in the same manner as in Example 1 except that, in the preparation of the carbon nanotube dispersion, the polyacrylic acid resin having a weight average molecular weight of 1,250,000 was used.

실시예 6 (BYK 2155를 사용한 경우)Example 6 (when BYK 2155 was used)

탄소나노튜브 분산액 제조시, DISPERBYK 2001 대신 DISPERBYK 2155를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 전도성 코팅액 조성물을 제조하였다.A conductive coating liquid composition was prepared in the same manner as in Example 1, except that DISPERBYK 2155 was used instead of DISPERBYK 2001 in the preparation of the carbon nanotube dispersion.

실시예 7 (분사 압력이 상이한 경우)Example 7 (when injection pressure is different)

탄소나노튜브 분산액 제조시, 1000bar의 압력으로 분사한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 전도성 코팅액 조성물을 제조하였다.A conductive coating liquid composition was prepared in the same manner as in Example 1, except that the carbon nanotube dispersion was sprayed at a pressure of 1000 bar.

실시예 8 (분사 압력이 상이한 경우)Example 8 (when injection pressure is different)

탄소나노튜브 분산액 제조시, 1800bar의 압력으로 분사한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 전도성 코팅액 조성물을 제조하였다.A conductive coating liquid composition was prepared in the same manner as in Example 1, except that the carbon nanotube dispersion liquid was sprayed at a pressure of 1,800 bar.

실시예 9 (분사 노즐 직경이 상이한 경우)Example 9 (when jet nozzle diameters were different)

탄소나노튜브 분산액 제조시, 직경이 500㎛의 노즐을 사용하여 분사한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 전도성 코팅액 조성물을 제조하였다.A conductive coating liquid composition was prepared in the same manner as in Example 1, except that the carbon nanotube dispersion liquid was sprayed using a nozzle having a diameter of 500 mu m.

실시예 10 (분사 노즐 직경이 상이한 경우)Example 10 (when jet nozzle diameters were different)

탄소나노튜브 분산액 제조시, 직경이 300㎛의 노즐을 사용하여 분사한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 전도성 코팅액 조성물을 제조하였다.A conductive coating liquid composition was prepared in the same manner as in Example 1, except that the carbon nanotube dispersion liquid was sprayed using a nozzle having a diameter of 300 mu m.

실시예 11Example 11

제조된 탄소나노튜브분산액 80중량부에 바인더14중량부, BYK 2001 0.95중량부, 에틸렌글리콜 5중량부, 표면 슬립제로 BYK 333 0.05중량부를 넣고 고압분산기를 이용하여 1500기압하에서 100㎛의 노즐을 통과시키는 과정을 5번 수행하여, 코팅액을 제조하였으며 이때 액의 온도가 올라가지 않도록 냉각 장치를 이용하였다.14 parts by weight of a binder, 0.95 parts by weight of BYK 2001, 5 parts by weight of ethylene glycol, and 0.05 parts by weight of BYK 333 as a surface slip agent were put in 80 parts by weight of the carbon nanotube dispersion thus prepared and passed through a nozzle Was performed five times to prepare a coating solution. At this time, a cooling device was used to prevent the temperature of the solution from rising.

비교예 1 (분산매의 종류가 본 발명의 범위를 벗어나는 경우)Comparative Example 1 (when the kind of the dispersion medium is out of the range of the present invention)

탄소나노튜브 분산액 제조시, 분산매로서, 이소프로판올을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 전도성 코팅액 조성물을 제조하였다.A conductive coating liquid composition was prepared in the same manner as in Example 1, except that isopropanol was used as a dispersion medium in the preparation of the carbon nanotube dispersion.

비교예 2 (분산제로 PAA 대신 도데실술폰산나트륨을 사용한 경우)Comparative Example 2 (when sodium dodecylsulfonate was used instead of PAA as a dispersant)

탄소나노튜브 분산액 제조시, 폴리아크릴산 수용액 대신 도데실술폰산나트륨 수용액을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 전도성 코팅액 조성물을 제조하였다.A conductive coating liquid composition was prepared in the same manner as in Example 1, except that a sodium dodecylsulfonate aqueous solution was used instead of the polyacrylic acid aqueous solution in the preparation of the carbon nanotube dispersion.

비교예Comparative Example 3 (이소프로판올을 사용하고, 분사 압력이 본 발명의 범위를 벗어나는 경우) 3 (when isopropanol is used and the injection pressure is out of the range of the present invention)

탄소나노튜브 분산액 제조시, 900bar의 압력으로 분사한 것을 제외하고는 비교예 1과 동일한 방법으로 전도성 코팅액 조성물을 제조하였다.A conductive coating liquid composition was prepared in the same manner as in Comparative Example 1, except that the carbon nanotube dispersion was sprayed at a pressure of 900 bar.

비교예Comparative Example 4 (이소프로판올을 사용하고, 분사 압력이 본 발명의 범위를 벗어나는 경우) 4 (if isopropanol is used and the injection pressure is outside the scope of the present invention)

탄소나노튜브 분산액 제조시, 2000bar의 압력으로 분사한 것을 제외하고는 비교예 1과 동일한 방법으로 전도성 코팅액 조성물을 제조하였다.A conductive coating liquid composition was prepared in the same manner as in Comparative Example 1, except that the carbon nanotube dispersion liquid was sprayed at a pressure of 2000 bar.

시험 방법Test Methods

(1) 분산성 평가(1) Evaluation of dispersibility

실시예들 및 비교예들에 따라 제조된 탄소나노튜브 분산액 조성물을 평가하기 위해 제타 포텐셜을 측정하였으며, 하기 평가 기준에 따라 평가하였다.The zeta potential was measured to evaluate the carbon nanotube dispersion composition prepared according to Examples and Comparative Examples and evaluated according to the following evaluation criteria.

<평가 기준><Evaluation Criteria>

○: 절대값이 25mV를 초과하는 경우○: When the absolute value exceeds 25 mV

△: 절대값이 10 내지 25mV 범위인 경우?: When the absolute value is in the range of 10 to 25 mV

Ⅹ: 절대값이 10mV 미만인 경우Ⅹ: When the absolute value is less than 10mV

(2) 분산 안정성 평가(2) Evaluation of dispersion stability

실시예들 및 비교예들에 따라 제조된 탄소나노튜브 분산액 조성물을 유리병에 넣어 상온에서 30일 동안 응집되는지 여부를 하기 평가 기준에 따라 평가하였다.The carbon nanotube dispersion composition prepared according to Examples and Comparative Examples was put into a glass bottle and evaluated for agglomeration at room temperature for 30 days according to the following evaluation criteria.

<평가 기준><Evaluation Criteria>

○: 14일 후 응집 발생○: Coagulation occurred after 14 days

△: 7일 후 응집 발생?: Coagulation occurred after 7 days

Ⅹ: 2일 이내 응집 발생X: Coagulation occurred within 2 days

(3) 코팅성 평가(3) Evaluation of Coating Property

실시예들 및 비교예들에 따라 제조된 전도성 코팅액 조성물을 유리 기판 상에 스핀 코터를 이용하여 400rpm, 15초 동안 도포한 후, 핫 플레이트를 이용하여 140℃에서 10분 동안 건조한 후, 열풍 건조기를 이용하여 30분 동안 추가 건조를 실시하여 전도성 코팅막을 형성하였다. 형성된 코팅막의 균일성을 육안으로 관찰하고, 하기 평가 기준에 따라 평가하였다.The conductive coating liquid compositions prepared according to Examples and Comparative Examples were applied on a glass substrate at 400 rpm for 15 seconds using a spin coater and then dried at 140 ° C. for 10 minutes using a hot plate, And further dried for 30 minutes to form a conductive coating film. The uniformity of the formed coating film was visually observed and evaluated according to the following evaluation criteria.

<평가 기준><Evaluation Criteria>

○: 핀홀 없는 경우○: When there is no pin hole

△: 핀홀이 2개 미만인 경우?: Less than 2 pinholes

Ⅹ: 핀홀이 2개 이상인 경우X: Two or more pinholes

(4) 표면 비저항 평가(4) Surface resistivity evaluation

실시예들 및 비교예들에 따라 제조된 전도성 코팅액 조성물을 유리 기판 상에 스핀 코터를 이용하여 400rpm, 15초 동안 도포한 후, 핫 플레이트를 이용하여 140℃에서 10분 동안 건조한 후, 열풍 건조기를 이용하여 30분 동안 추가 건조를 실시하여 전도성 코팅막을 형성하였다. 형성된 코팅막을 표면저항 특정기를 이용하 표면비저항을 측정하였다. 이때, 표면비저항의 측정은 4-point probe 방식으로 수행하였으며, 코팅막을 길이 방향으로 삼등분으로 나누고, 그 중앙부에서 측정하였다.The conductive coating liquid compositions prepared according to Examples and Comparative Examples were applied on a glass substrate at 400 rpm for 15 seconds using a spin coater and then dried at 140 ° C. for 10 minutes using a hot plate, And further dried for 30 minutes to form a conductive coating film. The surface resistivity of the formed coating film was measured by using a surface resistance analyzer. At this time, the surface resistivity was measured by a 4-point probe method, and the coating film was divided into third portions in the longitudinal direction and measured at the center portion thereof.

(5) 투과도(5) Transmission

실시예들 및 비교예들에 따라 제조된 전도성 코팅액 조성물을 유리 기판 상에 스핀 코터를 이용하여 400rpm, 15초 동안 도포한 후, 핫 플레이트를 이용하여 140℃에서 10분 동안 건조한 후, 열풍 건조기를 이용하여 30분 동안 추가 건조를 실시하여 전도성 코팅막을 형성하였다. 형성된 코팅막을 분광광도계를 이용하여, 550nm에서 투과도를 측정하였으며, 코팅막을 형성하지 않은 유리 기판의 투과도인 90.5%에 대하여 하기 평가 기준에 따라 평가하였다.The conductive coating liquid compositions prepared according to Examples and Comparative Examples were applied on a glass substrate at 400 rpm for 15 seconds using a spin coater and then dried at 140 ° C. for 10 minutes using a hot plate, And further dried for 30 minutes to form a conductive coating film. The formed coating film was measured for transmittance at 550 nm using a spectrophotometer, and the transmittance of 90.5% of the glass substrate on which the coating film was not formed was evaluated according to the following evaluation criteria.

<평가 기준><Evaluation Criteria>

○: 89.5 ≤ 투과도(%) ?: 89.5?? Transmittance (%)

△: 87.5≤ 투과도(%) < 89.5?: 87.5? Transmittance (%) <89.5

Ⅹ: 투과도(%) < 87.5X: Permeability (%) <87.5

(6) 내스크래치성(6) Scratch resistance

실시예들 및 비교예들에 따라 제조된 전도성 코팅액 조성물을 유리 기판 상에 스핀 코터를 이용하여 400rpm, 15초 동안 도포한 후, 핫 플레이트를 이용하여 140℃에서 10분 동안 건조한 후, 열풍 건조기를 이용하여 30분 동안 추가 건조를 실시하여 전도성 코팅막을 형성하였다. 형성된 코팅막의 표면을 연필경도시험기(221-D, Yoshimitsu사)를 사용하여 측정하였다.The conductive coating liquid compositions prepared according to Examples and Comparative Examples were applied on a glass substrate at 400 rpm for 15 seconds using a spin coater and then dried at 140 ° C. for 10 minutes using a hot plate, And further dried for 30 minutes to form a conductive coating film. The surface of the formed coating film was measured using a pencil hardness tester (221-D, Yoshimitsu).

<평가 기준><Evaluation Criteria>

○: 8~9 H?: 8 to 9 H

△: 6~7 H?: 6 to 7 H

Ⅹ: ~5 HX: ~ 5 H

전술한 실시예들 및 비교예들에 따라 제조된 코팅막의 분산 특성, 코팅성, 표면비저항, 투과도 및 내스크래치성을 측정하여 하기 표 1에 나타내었다. 하기 표 1에서는 ○는 우수, △는 양호, Ⅹ는 나쁨으로 설명한다. The dispersion characteristics, coating properties, surface resistivity, permeability and scratch resistance of the coating films prepared according to the above-described Examples and Comparative Examples were measured and shown in Table 1 below. In Table 1, &quot; Good &quot; indicates good, &quot; Good &quot; indicates good, and &quot; Good &quot; indicates poor.


분산 특성Dispersion characteristic 코팅성Coating property 표면비저항(Ω/□)Surface resistivity (Ω / □) 투과도(%)
Permeability (%)

스크래치성
of mine
Scratchiness
분산성Dispersibility 분산 안정성Dispersion stability 실시예 1Example 1 108.0 10 8.0 실시예 2Example 2 108.0 10 8.0 실시예 3Example 3 108.2 10 8.2 실시예 4Example 4 108.7 10 8.7 실시예 5Example 5 108.2 10 8.2 실시예 6Example 6 108.1 10 8.1 실시예 7Example 7 108.1 10 8.1 실시예 8Example 8 108.3 10 8.3 실시예 9Example 9 108.1 10 8.1 실시예 10Example 10 108.3 10 8.3 실시예 11Example 11 105.0 10 5.0 비교예 1Comparative Example 1 X 108.2 10 8.2 비교예 2Comparative Example 2 X X X 109.4 10 9.4 X 비교예 3Comparative Example 3 X 108.3 10 8.3 비교예 4Comparative Example 4 X 108.5 10 8.5

상기 표 1을 참조하면, 탄소나노튜브 분산액 제조시 용매로 프로판올, 에탄올 및 부탄올을 각각 사용한 실시예 1 내지 3은 분산성, 분산 안정성, 코팅성, 투과도 및 내스크래치성이 우수로 나타났고, 표면비저항은 각각 108.0, 108.0 및 108.2(Ω/□)로 나타났다. 실시예 4는 분산성, 코팅성, 투과도 및 내스크래치성이 우수로 나타났고 분산 안정성이 양호로 나타났으며, 표면비저항은 108.7로 나타났다.With reference to Table 1, Examples 1 to 3 using propanol, ethanol and butanol as solvents in the preparation of the carbon nanotube dispersion showed excellent dispersibility, dispersion stability, coating property, permeability and scratch resistance, The specific resistances were 10 8.0 , 10 8.0 and 10 8.2 (Ω / □), respectively. Example 4 exhibited excellent dispersibility, coatability, permeability and scratch resistance, good dispersion stability, and a surface resistivity of 10 8.7 .

또한, 탄소나노튜브 분산액 제조시 폴리아크릴산 수지의 중량평균분자량 1,250,000인 것을 사용한 실시예 5와, DISPERBYK 2155를 사용한 실시예 6은 분산성, 분산 안정성, 코팅성, 투과도 및 내스크래치성이 우수로 나타났고, 표면비저항은 각각 108.2 및 108.1(Ω/□)로 각각 나타났다.In Example 5 using a polyacrylic acid resin having a weight average molecular weight of 1,250,000 and in Example 6 using DISPERBYK 2155 in producing a carbon nanotube dispersion liquid, the dispersibility, dispersion stability, coatability, permeability and scratch resistance were excellent And surface resistivities were 10 8.2 and 10 8.1 (Ω / □), respectively.

또한, 탄소나노튜브 분산액 제조시 1000bar의 압력으로 분사한 실시예 7은 분산성, 분산 안정성, 코팅성, 투과도 및 내스크래치성이 우수로 나타났고, 표면비저항은 108.1(Ω/□)로 나타났다. 그리고, 1800bar의 압력으로 분사한 실시예 8은 분산 안정성이 양호로 나타난 것을 제외하고 분산성, 코팅성, 투과도 및 내스크래치성이 우수로 나타났고, 표면비저항은 108.3(Ω/□)으로 나타났다.Also, Example 7 in which carbon nanotube dispersion was sprayed at 1000 bar pressure showed excellent dispersibility, dispersion stability, coating property, permeability and scratch resistance, and surface resistivity was 10 8.1 (? /?) . In Example 8, which was sprayed at a pressure of 1800 bar, the dispersibility, coatability, permeability and scratch resistance were excellent, and the surface resistivity was 10 8.3 (Ω / □), except that the dispersion stability was good .

또한, 탄소나노튜브 분산액 제조시 직경이 각각 500㎛와 300㎛의 노즐을 사용하여 분사한 실시예 9와 10은 표면비저항이 각각 108.1과 108.3(Ω/□)으로 나타났고, 분산 안정성이 양호로 나타난 것을 제외하고 분산성, 코팅성, 투과도 및 내스크래치성이 우수로 나타났다.Further, in Examples 9 and 10 in which the diameter of the carbon nanotube dispersion was sprayed using nozzles of 500 μm and 300 μm, respectively, the surface resistivities were 10 8.1 and 10 8.3 (Ω / □), respectively. Coating properties, transparency and scratch resistance, except for the good appearance.

또한, 탄소나노튜브분산액 80중량부에 바인더 14중량부, BYK 2001 0.95중량부 및 에틸렌글리콜 5중량부로 달리 제조한 실시예 11은 표면비저항이 105.0(Ω/□)으로 나타났고, 분산성, 분산 안정성, 코팅성, 투과도 및 내스크래치성이 우수로 나타났다. Also, Example 11, which was prepared with 14 parts by weight of the binder, 0.95 part by weight of BYK 2001 and 5 parts by weight of ethylene glycol, showed a surface resistivity of 10 5.0 (? /?) In 80 parts by weight of the carbon nanotube dispersion, Dispersion stability, coating property, permeability and scratch resistance.

반면, 탄소나노튜브 분산액 제조시 분산매로 이소프로판올을 사용한 비교예 1은 표면비저항이 108.2(Ω/□)로 나타났고, 투과도 및 내스크래치성이 우수로 나타났으며 분산성과 코팅성이 양호로 나타났으나, 분산 안정성이 나쁨으로 나타났다. On the other hand, Comparative Example 1 using isopropanol as a dispersion medium in the preparation of the carbon nanotube dispersion showed a surface resistivity of 10 8.2 (Ω / □), excellent permeability and scratch resistance, and good dispersion and coating properties But the dispersion stability was poor.

또한, 탄소나노튜브 분산액 제조시 폴리아크릴산 수용액 대신 도데실술폰산나트륨 수용액을 사용한 비교예 2는 표면비저항이 109.4(Ω/□)로 나타났고, 내스크래치성이 양호로 나타났으나 분산성, 분산 안정성, 코팅성 및 투과도가 나쁨으로 나타났다. Comparative Example 2 using a sodium dodecylsulfonate aqueous solution instead of a polyacrylic acid aqueous solution showed a surface resistivity of 10 9.4 (Ω / □) and a good scratch resistance, but the dispersibility and dispersion Stability, coating properties and permeability were poor.

또한, 탄소나노튜브 분산액 제조시 이소프로판올을 사용하고 각각 900bar와 2000bar의 압력으로 분사한 비교예 3과 4는 표면비저항이 각각 108.3과 108.5(Ω/□)로 나타났고 투과도가 우수로 나타났으나, 분산성 및 코팅성이 양호로 나타났고, 분산 안정성이 나쁨으로 나타났다. 그리고, 비교예 3의 내스크래치성은 양호로 나타났고 비교예 4의 내스크래치성은 우수로 나타났다.Also, in Comparative Examples 3 and 4, in which isopropanol was used in the preparation of the carbon nanotube dispersion liquid at a pressure of 900 bar and 2000 bar, the surface resistivities were 10 8.3 and 10 8.5 (Ω / □), respectively, and the permeability was excellent The dispersibility and coating properties were good, and the dispersion stability was poor. The scratch resistance of Comparative Example 3 was good and the scratch resistance of Comparative Example 4 was excellent.

이 결과를 통해, 본 발명의 탄소나노튜브 분산액의 제조 공정에 따라 제조된 코팅막은 분산성, 분산 안정성, 코팅성, 표면비저항, 투과도 및 내스크래치성 특성이 우수한 것을 확인할 수 있다.From these results, it can be confirmed that the coating film prepared according to the production process of the carbon nanotube dispersion of the present invention is excellent in dispersibility, dispersion stability, coating property, surface resistivity, permeability and scratch resistance.

실험 2 : 전도성 코팅액 조성물 및 이로 제조된 정전기 방지막의 특성 측정Experiment 2: Measurement of the characteristics of the conductive coating liquid composition and the antistatic film made therefrom

실시예 12Example 12

탄소나노튜브 분산액 83.3중량%, TEOS 졸(sol) 바인더 16.65중량%, 첨가제 0.05중량%를 포함하는 전도성 코팅액 조성물에 극성 용매인 n-메틸 피롤리돈(NMP)을 첨가하고 고압분산기를 이용하여 1500기압하에서 100㎛의 노즐을 통과시키는 과정을 5번 수행하여 전도성 코팅액 조성물을 제조하였다. Methylpyrrolidone (NMP) as a polar solvent was added to a conductive coating solution composition containing 83.3% by weight of a carbon nanotube dispersion, 16.65% by weight of a TEOS sol binder and 0.05% by weight of an additive, The process of passing a nozzle of 100 mu m under atmospheric pressure was performed five times to prepare a conductive coating liquid composition.

실시예Example 13 13

전술한 실시예 12와 동일한 조건 하에, 극성 용매로 디메틸 포름아미드(DMF)를 첨가한 것만을 달리하여 전도성 코팅액 조성물을 제조하였다. A conductive coating liquid composition was prepared under the same conditions as in Example 12 except that dimethylformamide (DMF) was added as a polar solvent.

비교예 5Comparative Example 5

전술한 실시예 12와 동일한 조건 하에, 극성 용매를 첨가하지 않은 것만을 달리하여 전도성 코팅액 조성물을 제조하였다. Under the same conditions as in Example 12, except that a polar solvent was not added, a conductive coating liquid composition was prepared.

전술한 실시예 12와 13에서 극성 용매의 함량을 1, 2, 3, 4, 5중량%로 각각 달리하여 전도성 코팅액 조성물을 제조한 뒤, 기판 상에 스핀 코팅한 후 140℃에서 10분간 경화한 후 코팅막의 표면 저항을 측정하여 하기 표 2에 나타내었다. 하기 표 2에서 표면 저항은 10XΩ/□에서 X 지수를 나타낸다. (여기서, 표면 저항은 모델명 ST-4(제조: SYMCO JAPAN, INC.) 표면 저항 측정기를 이용하였다.)In Examples 12 and 13, the conductive coating liquid composition was prepared by varying the polar solvent by 1, 2, 3, 4, and 5 wt%, spin-coated on the substrate, and then cured at 140 ° C for 10 minutes The surface resistance of the back coat was measured and shown in Table 2 below. In Table 2, the surface resistance represents an X index at 10 X ? / ?. (Here, the surface resistance was measured using a surface resistance meter model name ST-4 (manufactured by SYMCO JAPAN, INC.))


극성 용매(중량%)
Polar solvent (wt%)
표면 저항
(10XΩ/□)
Surface resistance
(10 X ? /?)
NMPNMP DMFDMF 비교예 5Comparative Example 5 00 00 8.88.8

실시예 12



Example 12

#1#One 1One 00 77
#2#2 22 00 6.46.4 #3# 3 33 00 5.55.5 #4#4 44 00 4.94.9 #5# 5 55 00 4.54.5

실시예 13



Example 13

#1#One 00 1One 8.28.2
#2#2 00 22 7.57.5 #3# 3 00 33 6.36.3 #4#4 00 44 5.65.6 #5# 5 00 55 5.15.1

상기 표 2를 참조하면, 극성 용매를 포함하지 않은 전도성 코팅액 조성물로 제조된 정전기 방지막은 표면 저항이 108. 8Ω/□로 나타났다. 반면, 극성 용매로 n-메틸 피롤리돈을 포함하는 실시예 12의 전도성 코팅액 조성물로 제조된 정전기 방지막은 극성 용매의 함량이 1에서 5로 증가할수록 표면 저항이 107Ω/□에서 104. 5Ω/□로 낮아지는 것으로 나타났다. 또한, 극성 용매로 디메틸 포름아미드를 포함하는 실시예 13의 전도성 코팅액 조성물로 제조된 정전기 방지막은 극성 용매의 함량이 1에서 5로 증가할수록 표면 저항이 108. 2Ω/□에서 105. 1Ω/□로 낮아지는 것으로 나타났다.Referring to Table 2, the antistatic layer made of the conductive coating liquid composition containing no polar solvent showed a surface resistance of 10 8 8 ? / ?. On the other hand, the antistatic layer made of the conductive coating liquid composition of Example 12 containing n-methylpyrrolidone as a polar solvent had a surface resistivity of 10 7 Ω / □ as the polar solvent content increased from 1 to 5 . 5 Ω / □. In addition, embodiments of antistatic film 13 made of a conductive coating composition containing dimethylformamide as a polar solvent increases to 5, the content of the polar solvent 1, the surface resistance 10 8. 2 Ω / □ at 10 5.1 Ω / □.

이 결과를 통해, 극성 용매를 포함하는 전도성 코팅액 조성물로 제조된 정전기 방지막은 극성 용매를 포함하지 않은 전도성 코팅액 조성물로 제조된 정전기 방지막보다 표면 저항을 낮게 형성할 수 있음을 알 수 있다. 또한, 극성 용매의 함량을 조절하여 정전기 방지막의 표면 저항을 원하는 정도로 낮추거나 높일 수 있는 조절이 가능함을 알 수 있다.From these results, it can be seen that the antistatic layer made of the conductive coating liquid composition containing the polar solvent can have a lower surface resistance than the antistatic layer made of the conductive coating liquid composition containing no polar solvent. Also, it can be seen that it is possible to control the surface resistance of the antistatic film to be lowered or increased to a desired level by controlling the content of the polar solvent.

따라서, 본 발명의 전도성 코팅액 조성물은 극성도가 10 이상인 극성 용매를 포함함으로써, 정전기 방지막의 표면 저항을 낮추고 표면 저항을 조절할 수 있다.Accordingly, the conductive coating liquid composition of the present invention includes a polar solvent having a polarity of 10 or more, so that the surface resistance of the antistatic film can be lowered and the surface resistance can be controlled.

실험 3 : Experiment 3: 디설파이드Disulfide 그룹을 가진  With a group 실세스퀴옥산의Silsesquioxane 셀프힐링Self Healing 특성 측정 Characterization

실시예Example 14 14

아크릴계 하드코팅 조성물에 디설파이드 그룹을 가진 실세스퀴옥산을 혼합하여 코팅하고 소프트 베이킹한 후 UV 경화하여 코팅막을 제조하였다. The acrylic hard coating composition was prepared by mixing silsesquioxane having a disulfide group, coating the mixture, soft baking and UV curing the coating film.

비교예Comparative Example 6 6

전술한 실시예 14와 동일한 조건 하에, 디설파이드 그룹을 가진 실세스퀴옥산 대신에 셀프힐링 재료인 TCE를 혼합하여 코팅막을 제조하였다. Under the same conditions as in Example 14, a coating film was prepared by mixing TCE, which is a self-healing material, instead of silsesquioxane having a disulfide group.

Figure pat00006
< TCE >
Figure pat00006
<TCE>

비교예Comparative Example 7 7

전술한 실시예 14와 동일한 조건 하에, 디설파이드 그룹을 가진 실세스퀴옥산을 혼합하지 않고 코팅막을 제조하였다. A coating film was prepared without mixing silsesquioxane having disulfide groups under the same conditions as in Example 14 described above.

전술한 실시예 14, 비교예 6 및 7에 따라 제조된 코팅막에 UV 광량에 따라 스크래치가 관찰되는 스틸울 왕복 횟수를 측정하여 도 25에 나타내었다. 예를 들어, 도 25에서 73 포인트는 UV 광을 조사하지 않고 코팅막에 스틸울을 마찰시켰을 때 스틸울의 왕복 횟수가 73회에서 스크래치가 관찰되었다는 것을 나타낸다. 또한, 도 25에서 1.5mW/㎠의 광량은 실내 환경을 나타내고, 10mW/㎠의 광량은 백라이트 유닛 환경을 나타내고, 200mW/㎠의 광량은 맑은 날 그늘 환경을 나타내고, 1500mW/㎠의 광량은 맑은 날 정오의 햇빛 환경을 나타낸다.The number of steel wool reciprocations in which scratches were observed according to the amount of UV light was measured on the coating film prepared according to Example 14, Comparative Examples 6 and 7, and is shown in FIG. For example, 73 points in FIG. 25 indicate that when the steel wool was rubbed against the coating film without irradiating UV light, the number of reciprocations of the steel wool was observed at 73 times. 25, the light amount of 1.5 mW / cm 2 represents the indoor environment, the light amount of 10 mW / cm 2 represents the backlight unit environment, the light amount of 200 mW / cm 2 represents the shade environment of clear day and the light amount of 1500 mW / It represents the sunlight environment at noon.

도 25를 참조하면, 공지된 셀프힐링 재료인 TCE를 포함한 비교예 6과 셀프힐링 재료가 포함되지 않은 비교예 7은 광량이 1500mW/㎠까지 증가되어도 스틸울의 왕복 횟수가 약 107회에 불과하나, 본 발명의 디설파이드 그룹을 가진 실세스퀴옥산을 포함한 실시예 14는 왕복 횟수가 약 483회까지 증가된 것을 확인할 수 있다.Referring to FIG. 25, in Comparative Example 6 including TCE, which is a known self-healing material, and Comparative Example 7, which does not include the self-healing material, the number of times the steel wool reciprocates is only about 107 times even if the light amount is increased to 1500 mW / , Example 14 including silsesquioxane having the disulfide group of the present invention shows that the number of reciprocations is increased up to about 483 times.

이 결과를 통해, 본 발명의 디설파이드 그룹을 가진 실세스퀴옥산은 셀프힐링의 효과가 매우 우수하며, 코팅막에 포함되는 경우 내 마모성과 경도을 향상시킬 수 있음을 확인할 수 있다. From these results, it can be seen that the silsesquioxane having the disulfide group of the present invention has an excellent self-healing effect and can improve abrasion resistance and hardness when it is included in a coating film.

실험 4 : Experiment 4: 디설파이드Disulfide 그룹을 가진  With a group 실세스퀴옥산을Silsesquioxane 포함하는 정전기 방지막의 특성 측정 Determination of the characteristics of the antistatic film included

실시예Example 15 15

탄소나노튜브 분산액 83.3중량%, TEOS 졸(sol) 바인더 16.65중량%, 첨가제 0.05중량%를 포함하는 전도성 코팅액 조성물에 셀프힐링 재료인 디설파이드 그룹을 가진 실세스퀴옥산(D-SSQ)을 첨가하였다. 디설파이드 그룹을 가진 실세스퀴옥산의 함량을 0, 0.1, 0.3, 0.5, 0.7, 1.0중량%로 각각 달리하여 전도성 코팅액 조성물들을 제조한 뒤, 고압분산기를 이용하여 1500기압 하에서 100㎛의 노즐을 통과시키는 과정을 5번 수행하여 전도성 코팅액 조성물들을 제조하였다. 기판 상에 슬릿 코터로 코팅한 후 140℃에서 20분간 열 경화하여, 두께 100nm 내외의 코팅막들을 제조하였다. (D-SSQ) having a disulfide group as a self-healing material was added to a conductive coating solution composition containing 83.3% by weight of a carbon nanotube dispersion, 16.65% by weight of a TEOS sol binder, and 0.05% by weight of an additive. The conductive coating liquid compositions were prepared by varying the content of silsesquioxane having disulfide groups to 0, 0.1, 0.3, 0.5, 0.7, and 1.0 wt%, respectively, and then passed through a nozzle having a thickness of 100 μm at 1500 atm using a high pressure disperser Was performed five times to prepare conductive coating liquid compositions. Coated on a substrate with a slit coater, and then thermally cured at 140 ° C for 20 minutes to prepare coating films having a thickness of about 100 nm.

전술한 실시예 15에 에 따라 제조된 코팅막들의 면저항 및 연필 경도를 측정하여 하기 표 3에 나타내었고, 이를 도 26의 그래프로 나타내었다.The sheet resistance and pencil hardness of the coating films prepared according to Example 15 were measured and are shown in the following Table 3 and shown in the graph of FIG.

실세스퀴옥산의 함량(wt%)The content of silsesquioxane (wt%) 00 0.10.1 0.30.3 0.50.5 0.70.7 1.01.0 면저항(Ω/□)Sheet resistance (Ω / □) 107.9 10 7.9 108.0 10 8.0 108.2 10 8.2 108.3 10 8.3 108.5 10 8.5 108.9 10 8.9 경도(H)Hardness (H) 88 88 8~98 ~ 9 8~98 ~ 9 99 8~98 ~ 9

상기 표 3과 도 26을 참조하면, 디설파이드 그룹을 가진 실세스퀴옥산의 함량이 0에서 1.0wt%으로 증가될수록 면저항이 계속 증가되고, 디설파이드 그룹을 가진 실세스퀴옥산의 함량이 0에서 0.7wt%까지 증가되어 9H의 경도를 나타내다가 1.0wt%에서 조금 낮아지는 것으로 나타났다. Referring to Table 3 and FIG. 26, as the content of silsesquioxane having disulfide groups is increased from 0 to 1.0 wt%, the sheet resistance is continuously increased and the content of silsesquioxane having disulfide groups is increased from 0 to 0.7 wt% %, Indicating a hardness of 9H, and a little lowering at 1.0 wt%.

이 결과를 통해, 디설파이드 그룹을 가진 실세스퀴옥산의 함량이 0.1 내지 1.0wt%인 경우, 코팅막의 경도가 8 내지 9H로 향상되고 면저항이 너무 높지 않은 범위 내에서 정전기 방지막의 역할을 수행할 수 있는 것을 확인할 수 있다. As a result, it was found that when the content of silsesquioxane having a disulfide group was 0.1 to 1.0 wt%, the hardness of the coating film was improved to 8 to 9H and the role of the antistatic film .

전술한 바와 같이, 본 발명의 탄소나노튜브 분산액 조성물은 폴리아크릴산 수지를 분산제로 사용함으로써, 탄소나노튜브를 효과적으로 분산시킬 수 있으며, 특정 구조의 알코올을 사용함으로써, 분산 안정성 또한 매우 뛰어나다. As described above, the carbon nanotube dispersion composition of the present invention can effectively disperse carbon nanotubes by using a polyacrylic acid resin as a dispersant, and by using an alcohol having a specific structure, dispersion stability is also excellent.

본 발명의 탄소나노튜브 분산액 조성물의 제조 방법은 특정 압력 범위로 고압 분산을 수행함으로써, 폴리아크릴산 수지의 분산 활성도를 현저히 증가시켜, 탄소나노튜브의 분산성을 향상시키고 동시에 분산 후 안정성을 현저히 향상시킬 수 있다.The method for producing a carbon nanotube dispersion composition of the present invention is a method for producing a carbon nanotube dispersion composition by performing high pressure dispersion in a specific pressure range to significantly increase the dispersing activity of the polyacrylic acid resin to improve the dispersibility of carbon nanotubes, .

본 발명의 탄소나노튜브 분산액 조성물을 포함하는 전도성 코팅액 조성물은 균일한 코팅막을 형성시킬 수 있으며, 형성된 코팅막의 화학적 안정성 및 전기전도도가 뛰어나다.The conductive coating liquid composition comprising the carbon nanotube dispersion composition of the present invention can form a uniform coating film, and the formed coating film has excellent chemical stability and electric conductivity.

본 발명에 따른 전도성 코팅액 조성물로 제조된 정전기 방지막은 우수한 전기전도도를 나타내며, 기계적 강도 및 투과도 또한 우수하여, 터치스크린 패널 및 화상표시장치의 정전기 방지용 코팅막으로 사용될 수 있다.The antistatic film produced by the conductive coating liquid composition according to the present invention exhibits excellent electrical conductivity and is excellent in mechanical strength and transparency and can be used as a coating film for anti-static use of a touch screen panel and an image display device.

본 발명에 따른 전도성 코팅액 조성물로 제조된 정전기 방지막은 셀프힐링 재료로 디설파이드 그룹을 가진 실세스퀴옥산을 포함함으로써, 막 밀도가 향상되어 경도가 우수하고 내 마모성 또한 우수하여 내 스크래치성을 향상시킬 수 있다.The antistatic film made of the conductive coating liquid composition according to the present invention contains silsesquioxane having a disulfide group as a self-healing material, thereby improving the film density and thus improving hardness and abrasion resistance and improving scratch resistance have.

본 발명에 따른 정전기 방지막 및 이를 포함하는 표시장치는, 제조 공정시 발생되는 정전기를 외부로 용이하게 방전시켜 정전기에 의한 불량을 억제하고, 터치 감도의 저하를 방지하며, 면저항 균일도, 내열성 및 신뢰성을 향상시키고, 제조 비용을 절감시킬 수 있다.The antistatic film and the display device including the same according to the present invention can easily discharge the static electricity generated in the manufacturing process to the outside to suppress the defect caused by the static electricity, to prevent the deterioration of the touch sensitivity, to improve the uniformity of sheet resistance, And the manufacturing cost can be reduced.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The foregoing description is merely illustrative of the technical idea of the present invention, and various changes and modifications may be made by those skilled in the art without departing from the essential characteristics of the present invention. Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are intended to illustrate rather than limit the scope of the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The scope of protection of the present invention should be construed according to the following claims, and all technical ideas within the scope of equivalents should be construed as falling within the scope of the present invention.

LPOL : 하부편광판 HPOL : 상부편광판
SUBS1 : 하부기판 230: 셀
SUBS2 : 상부기판 250: 정전기 방지막
LPOL: lower polarizer plate HPOL: upper polarizer plate
SUBS1: Lower substrate 230: Cell
SUBS2: upper substrate 250: antistatic film

Claims (20)

탄소나노튜브 분산액 조성물 100중량부에 대하여, 실란졸 10 내지 100중량부를 포함하고, 전도성 코팅액 조성물 100중량부에 대하여 실록산 그룹을 연결하는 디설파이드 그룹을 가진 실세스퀴옥산 화합물 0.1 내지 1중량부를 포함하는 전도성 코팅액 조성물.0.1 to 1 part by weight of a silsesquioxane compound having 10 to 100 parts by weight of a silane sol based on 100 parts by weight of a carbon nanotube dispersion composition and having a disulfide group linking a siloxane group to 100 parts by weight of a conductive coating liquid composition Conductive coating liquid composition. 제1 항에 있어서,
상기 실세스퀴옥산 화합물은 랜덤 및 케이지 타입이 결합된 전도성 코팅액 조성물.
The method according to claim 1,
The silsesquioxane compound is bonded to a random and cage type conductive composition.
제1 항에 있어서,
상기 전도성 코팅액 조성물은 금속, 세라믹, 금속 산화물 또는 이들의 혼합으로 이루어진 나노입자들을 더 포함하는 전도성 코팅액 조성물.
The method according to claim 1,
Wherein the conductive coating liquid composition further comprises nanoparticles composed of a metal, a ceramic, a metal oxide, or a mixture thereof.
제1 항에 있어서,
탄소나노튜브 분산액 조성물은 탄소나노튜브 분산액 조성물 100중량부에 대하여, 탄소나노튜브 0.05 내지 20중량%, 폴리아크릴산 수지 0.02 내지 40중량%, 탄소수 2 내지 5의 직쇄의 알칸올 50 내지 99.93중량%로 포함하는 전도성 코팅액 조성물.
The method according to claim 1,
The carbon nanotube dispersion composition contains 0.05 to 20% by weight of carbon nanotubes, 0.02 to 40% by weight of a polyacrylic acid resin, 50 to 99.93% by weight of a straight chain alkanol having 2 to 5 carbon atoms per 100 parts by weight of the carbon nanotube dispersion composition &Lt; / RTI &gt;
제1 항에 있어서,
상기 알칸올은 에탄올, n-프로판올, n-부탄올 및 n-펜탄올 중 적어도 하나인 전도성 코팅액 조성물.
The method according to claim 1,
Wherein the alkanol is at least one of ethanol, n-propanol, n-butanol and n-pentanol.
제1 항에 있어서,
아크릴계 블록 공중합체 분산제를 더 포함하는 전도성 코팅액 조성물.
The method according to claim 1,
Acrylic block copolymer dispersing agent.
제6 항에 있어서,
상기 아크릴계 블록 공중합체 분산제는 아민기 및 카르복실기 중 적어도 하나로 치환된 것인 전도성 코팅액 조성물.
The method according to claim 6,
Wherein the acrylic block copolymer dispersant is substituted with at least one of an amine group and a carboxyl group.
제6 항에 있어서,
상기 아크릴계 블록 공중합체 분산제는 조성물 총 중량에 대하여 0.1 내지 2중량%로 포함되는 전도성 코팅액 조성물.
The method according to claim 6,
Wherein the acrylic block copolymer dispersant is contained in an amount of 0.1 to 2% by weight based on the total weight of the composition.
제1 항에 있어서,
상기 실란졸은 알콕시실란 화합물, 산촉매, 알코올계 용매 및 물을 포함하는 전도성 코팅액 조성물.
The method according to claim 1,
Wherein the silane sol comprises an alkoxysilane compound, an acid catalyst, an alcohol-based solvent, and water.
제9 항에 있어서,
상기 실란졸 총 중량에 대하여, 알콕시실란 화합물 20 내지 60중량%, 산촉매 0.01 내지 10중량%, 알코올계 용매 10 내지 70중량% 및 물 5 내지 60중량%로 포함하는 전도성 코팅액 조성물.
10. The method of claim 9,
Wherein the composition comprises 20 to 60% by weight of an alkoxysilane compound, 0.01 to 10% by weight of an acid catalyst, 10 to 70% by weight of an alcoholic solvent and 5 to 60% by weight of water based on the total weight of the silane sol.
제1 항 내지 제10 항 중 어느 한 항에 따른 전도성 코팅액 조성물로 형성된 정전기 방지막.An antistatic film formed from the conductive coating liquid composition according to any one of claims 1 to 10. 제1 항 내지 제10 항 중 어느 한 항에 따른 전도성 코팅액 조성물로 형성된 정전기 방지막을 포함하는 표시장치.A display device comprising an antistatic film formed from the conductive coating liquid composition according to any one of claims 1 to 10. 하부편광판 상에 위치하는 표시패널;
상기 표시패널 상에 위치하는 상부편광판; 및
상기 표시패널의 상부기판과 상기 상부편광판 사이에 배치된 정전기 방지막을 포함하며,
상기 정전기 방지막은,
매트릭스(Matrix) 물질, 상기 매트릭스 물질에 분산되어 있는 탄소나노튜브(Carbon Nano Tube) 및 실록산 그룹을 연결하는 디설파이드 그룹을 가진 실세스퀴옥산 화합물을 포함하는 표시장치.
A display panel positioned on the lower polarizer plate;
An upper polarizer disposed on the display panel; And
And an antistatic layer disposed between the upper substrate and the upper polarizer of the display panel,
The anti-
A display device comprising a matrix material, a carbon nanotube dispersed in the matrix material, and a silsesquioxane compound having a disulfide group linking the siloxane group.
제13 항에 있어서,
상기 실세스퀴옥산 화합물은 하기 랜덤 및 케이지 타입이 결합된 표시장치.
14. The method of claim 13,
Wherein the silsesquioxane compound is bonded with the following random and cage type.
제13 항에 있어서,
상기 실세스퀴옥산 화합물은 하기 화학식으로 표시되고, R은 독립적으로 방향족 그룹 또는
Figure pat00007
(여기서, R2는 C1~C20의 알킬 그룹)에서 선택되는 표시장치.
Figure pat00008
14. The method of claim 13,
Wherein the silsesquioxane compound is represented by the following formula, R is independently an aromatic group or
Figure pat00007
(Wherein R2 is a C1 to C20 alkyl group).
Figure pat00008
제13 항에 있어서,
상기 정전기 방지막은 금속, 세라믹, 금속 산화물 또는 이들의 혼합으로 이루어진 나노입자들을 더 포함하는 표시장치.
14. The method of claim 13,
Wherein the antistatic film further comprises nanoparticles formed of a metal, a ceramic, a metal oxide, or a mixture thereof.
제13 항에 있어서,
상기 정전기 방지막은 경도가 8 내지 9H인 표시장치.
14. The method of claim 13,
Wherein the antistatic film has a hardness of 8 to 9H.
제13 항에 있어서,
상기 정전기 방지막의 면저항은 107 내지 109Ω/□인 표시장치.
14. The method of claim 13,
Wherein the sheet resistance of the antistatic film is 10 7 to 10 9 Ω / square.
제13 항에 있어서,
상기 정전기 방지막은 1.37 내지 1500mW/㎠의 광량에서 스크래치가 관찰될 때까지의 스틸울의 왕복 횟수가 113 내지 483회로 나타나는 표시장치.
14. The method of claim 13,
Wherein the antistatic film exhibits a number of oscillations of the steel wool from 113 to 483 times until a scratch is observed at a light quantity of 1.37 to 1500 mW / cm &lt; 2 &gt;.
제13 항에 있어서,
상기 표시패널에는 터치 전극이 내장되어 있는 표시장치.
14. The method of claim 13,
And a touch electrode is built in the display panel.
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