KR20180049328A - Method of preparing three-dimensional circuit board using chemical resistance layer - Google Patents

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KR20180049328A
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Abstract

An embodiment of the present invention provides a method for forming a conductive pattern and a three-dimensional circuit manufactured by the method. The method comprises the steps of: forming a base layer on a substrate; forming a chemical resistance layer on the base layer; forming a plating active region by irradiating the chemical resistance layer and the base layer with a laser; and plating the plating active region. By introducing the chemical resistance layer, a defect rate generated by overplating and stripping during a plating process can be reduced.

Description

내화학층을 이용한 입체 회로기판 제조방법{Method of preparing three-dimensional circuit board using chemical resistance layer}TECHNICAL FIELD The present invention relates to a method of manufacturing a three-dimensional circuit board using a chemical layer,

본 발명은 내화학층을 도입한 입체 회로기판의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 입체 회로기판의 도전성 패턴을 형성하기 전에 내화학층을 도입하여 도금과정에서 발생되는 과도금 및 박리현상을 방지하고 샘플간 충돌 등으로 인하여 발생하는 기계적 충격에 의한 베이스층의 손상을 최소화하여 우수한 품질의 입체 회로기판을 제조하는 방법에 관한 것이다.More particularly, the present invention relates to a method of manufacturing a three-dimensional circuit board by introducing a chemical layer before forming a conductive pattern of a three-dimensional circuit board, And to minimize the damage of the base layer due to a mechanical impact caused by collision between the samples and the like, thereby manufacturing a high quality molded circuit board.

기존의 회로기판의 경우, 2차원적 구조를 사용하는 것이 일반적이었으므로, 기판 자체를 식각하여 식각된 부분에 음각으로 도금공정을 실시하여 평면 형상의 회로기판을 제조하는 방법을 사용했었다.In the case of a conventional circuit board, it has been common to use a two-dimensional structure. Therefore, a method of manufacturing a planar circuit board by etching the substrate itself and performing a plating process on the etched portion with a negative angle has been used.

그러나, 기존의 2차원 기판을 기반으로 하는 제조기술은 평면 형상을 기반으로 하기 때문에 3차원적 디자인을 구성하는 것에 있어서 한계가 있었다. 따라서 3차원적 디자인으로 제품을 제조하기 위해 회로기판 또한 입체 회로기판에 대한 수요가 증대되고 있다. However, since the manufacturing technology based on the existing two-dimensional substrate is based on the planar shape, there is a limitation in constructing the three-dimensional design. Therefore, there is an increasing demand for circuit boards and also for circuit boards in order to manufacture products with a three-dimensional design.

입체 회로기판을 형성하기 위해서는 기판상에 다양한 식각방법을 이용하여 도금활성영역을 형성한 후 패턴 모양대로 도금을 하는 방법을 사용하는 것이 일반적이다. 일반적으로 레이저에 의하여, 패턴을 형성하기 위해서는 기재에 지지물질을 도포한 후, 패턴 형상과 대응되는데로 식각하여 그 부분에만 패턴을 형성시키는 방법을 사용한다. 한국 공개 특허 1983-0007029호(이하 인용문헌 1이라 함)에 따르면, 인쇄회로 기판을 제조하기 위하여 유기적 광도체층으로 전지전도 지지체를 피복시킨 후 피복제거매체를 이용해 용해시켜 적절히 지지체 표면을 에칭시키는 방법에 다라 인쇄회로 기판을 제조하는 방법에 대해 개시되어 있다. In order to form a three-dimensional circuit substrate, it is common to use a method of forming a plating active region on a substrate by various etching methods, and then plating the substrate in a pattern shape. Generally, in order to form a pattern by a laser, a method of applying a supporting material to a base material and then etching the base material to correspond to the pattern shape to form a pattern only on that portion is used. According to Korean Unexamined Patent Publication No. 1983-0007029 (hereinafter referred to as reference 1), a battery conductive support is coated with an organic photoconductor layer to prepare a printed circuit board, and then dissolved using a coating removal medium to appropriately etch the support surface A method for manufacturing a printed circuit board is disclosed.

하지만 인용문헌 1과 같이 지지물질에 별도의 처리를 하지 않는 경우에는 패턴을 형성하기 위하여 식각하는 과정에서 지지물질 자체가 부식이 되어 회로기판 자체가 박리되는 문제점이 있었고, 박리됨에 따라 생긴 결함부분에 도금공정 도중 패턴형상과 대응되는 영역이 아닌 다른 부분에까지 도금액이 흘러들어가 불량률이 높아지는 문제점이 발생하였다. 또한, 지지물질 자체가 부식되지 않았더라도, 지지물질이 함유하고 있는 도금을 활성화시키는 물질이 식각된 위치에 노출됨에 따라 도금하는 도중에 패턴을 형성해야하는 영역을 초과하여 다른 영역으로 침범하며 도금이 이루어지게 되는 과도금 현상이 발생하게 되어 불량률이 높아지는 문제점 또한 존재하였다.However, in the case where the support material is not subjected to a separate treatment as in the reference 1, there is a problem that the support material itself is corroded during the etching process to form a pattern, and the circuit board itself is peeled off. There is a problem that the plating solution flows into the portion other than the region corresponding to the pattern shape during the plating process to increase the defect rate. In addition, even if the supporting material itself is not corroded, since the plating activating material contained in the supporting material is exposed to the etched position, There is also a problem that the defective rate is increased due to occurrence of over-gold phenomenon.

대한민국 공개특허 제1983-0007029호Korea Patent Publication No. 1983-0007029

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 도금공정을 거쳐 입체 회로기판의 도전성 패턴을 형성함에 있어서, 내화학층을 도입하여 도금과정에서 발생되는 과도금 및 박리로 인해 발생하는 불량률을 낮출 수 있는 입체 회로기판의 도전성 패턴 형성방법을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and it is an object of the present invention to provide a three-dimensional circuit board capable of lowering a defective rate caused by over-plating and peeling generated in a plating process by introducing a chemical- And a method of forming a conductive pattern of the conductive pattern.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.It is to be understood that both the foregoing general description and the following detailed description are exemplary and explanatory and are not intended to limit the invention to the precise form disclosed. There will be.

상기 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명에 따른 도전성 패턴 형성방법은 기판상에 베이스층을 형성하는 단계; 상기 베이스층 상에 내화학층을 형성하는 단계, 상기 내화학층 및 상기 베이스층에 레이저를 조사하여 도금활성영역을 형성하는 단계 및 상기 도금활성영역을 도금하는 단계를 포함하는 도전성 패턴 형성방법을 제공할 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of forming a conductive pattern, including: forming a base layer on a substrate; Forming a chemical-resistant layer on the base layer, irradiating a laser to the chemical-resistant layer and the base layer to form a plating active region, and plating the plating active region. .

도전성 패턴 형성방법의 일 실시예에 있어서, 상기 도금활성영역을 형성한 후, 도금하기 전에 상기 도금활성영역을 추가로 활성처리하는 단계를 더 포함할 수 있다.In one embodiment of the method for forming a conductive pattern, after forming the plating active region, the plating active region may further be activated before the plating.

도전성 패턴 형성방법의 다른 실시예에 있어서, 상기 도금활성영역을 형성하는 단계는, 도전성 패턴의 형상에 대응하는 상기 내화학층의 일 영역 및 상기 내화학층의 일 영역 하부에 위치하는 베이스층 영역의 일부를 제거하여 도금활성영역을 형성하는 것을 제공할 수 있다.In another embodiment of the method for forming a conductive pattern, the step of forming the plating active region may include forming a plating layer on a portion of the inner chemical layer corresponding to the shape of the conductive pattern, May be removed to form a plating active region.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 베이스층은, 감광성 수지 및 금속촉매를 포함할 수 있다.In one embodiment of the present invention, the base layer may include a photosensitive resin and a metal catalyst.

본 발명의 다른 실시예에 있어서, 상기 감광성 수지는 플라스틱 수지 및 감광성 물질을 포함할 수 있다.In another embodiment of the present invention, the photosensitive resin may include a plastic resin and a photosensitive material.

본 발명의 다른 실시예에 있어서, 상기 베이스층의 두께는 0.1㎛ 내지 100㎛일 수 있다.In another embodiment of the present invention, the thickness of the base layer may be 0.1 m to 100 m.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 금속촉매는, Pd(팔라듐), Ni(니켈), Cu(구리), Fe(철), Ag(은), Au(금), Pt(백금) 및 Co(코발트)로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상의 금속을 포함할 수 있다.In one embodiment of the present invention, the metal catalyst is at least one selected from the group consisting of Pd (palladium), Ni (nickel), Cu (copper), Fe (iron) (Cobalt), and the like.

본 발명의 다른 실시예에 있어서, 상기 Pd(팔라듐)을 포함하는 촉매는 PdCl2, PdSO4, Pd(NO3)2, K2[PdCl4], [Pd(NH3)4Cl2], 및 [Pd(NH3)2(NO2)2]로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상의 팔라듐염을 포함할 수 있다.In another embodiment of the present invention, the catalyst comprising Pd (Pd) is selected from the group consisting of PdCl 2 , PdSO 4 , Pd (NO 3 ) 2 , K 2 [PdCl 4 ], [Pd (NH 3 ) 4 Cl 2 ] And [Pd (NH 3 ) 2 (NO 2 ) 2 ].

본 발명의 다른 실시예에 있어서, 상기 내화학층은, 레이저에 대한 투과율이 70% 이하인 것을 특징으로 할 수 있다.In another embodiment of the present invention, the chemical resistant layer may be characterized in that the transmittance to the laser is 70% or less.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 내화학층은, 초발수성 화합물을 포함할 수 있다.  In one embodiment of the present invention, the chemical resistant layer may comprise a super water repellent compound.

본 발명의 다른 실시예에 있어서, 상기 초발수성 화합물은, 아크릴 실리콘 화합물, 알킬 사슬 실리콘 화합물, 알킬 실리콘 화합물, 플루오르 화합물 및 알루미늄 화합물 중 선택되는 1종 또는 2종 이상의 화합물을 포함할 수 있다.In another embodiment of the present invention, the super-water-repellent compound may include one or more compounds selected from an acrylic silicone compound, an alkyl chain silicone compound, an alkyl silicone compound, a fluorine compound, and an aluminum compound.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 내화학층의 두께는 0.01㎛ 내지 100㎛일 수 있다.In one embodiment of the present invention, the thickness of the chemical-resistant layer may be 0.01 탆 to 100 탆.

도전성 패턴 형성방법의 일 실시예에 있어서, 상기 도금활성영역을 추가로 활성처리하는 단계는, 도금하고자 하는 영역에 레이저를 더 조사하는 것을 특징으로 할 수 있다.In one embodiment of the conductive pattern forming method, the step of further activating the plating active region may further include irradiating a laser to the region to be plated.

본 발명의 다른 실시예에 있어서, 기판, 기판상에 위치하는 베이스층, 상기 베이스층 상에 위치하는 내화학층, 및 상기 내화학층의 일 영역 및 상기 내화학층의 일 영역 하부에 위치하는 상기 베이스층 영역의 일부를 관통하도록 도금된 도전성 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 도전성 패턴이 구비된 입체회로를 제공할 수 있다.In another embodiment of the present invention, there is provided a method of forming a substrate, comprising the steps of: providing a substrate, a base layer located on the substrate, a chemical-resistant layer located on the base layer, and one region of the chemical- And a conductive pattern plated to penetrate a part of the base layer region.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 내화학층은, 레이저에 대한 투과율이 70% 이하인 것을 특징으로 하는 도전성 패턴이 구비된 입체회로를 제공할 수 있다.In one embodiment of the present invention, the chemical-resistant layer can provide a three-dimensional circuit with a conductive pattern characterized in that the transmittance to the laser is 70% or less.

본 발명의 다른 실시예에 있어서, 상기의 도전성 패턴 형성방법에 따라 형성된 도전성 패턴을 구비하는 입체회로를 제공할 수 있다.In another embodiment of the present invention, a three-dimensional circuit having a conductive pattern formed according to the conductive pattern forming method described above can be provided.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기와 같은 도전성 패턴 형성방법에 따라 형성된 도전성 패턴을 구비하는 입체회로를 포함하는 자동차용 회로부품을 제공할 수 있다.In an embodiment of the present invention, an automotive circuit component including a molded circuit having a conductive pattern formed according to the conductive pattern forming method as described above can be provided.

본 발명의 다른 실시예에 있어서, 상기와 같이 기판; 기판상에 위치하는 베이스층, 상기 베이스층 상에 위치하는 내화학층 및 상기 내화학층의 일 영역 및 상기 내화학층의 일 영역 하부에 위치하는 상기 베이스층 영역의 일부를 관통하도록 도금된 도전성 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 도전성 패턴이 구비된 입체회로를 포함하는 자동차용 회로부품을 제공할 수 있다.In another embodiment of the present invention, as described above, A base layer disposed on the substrate; a chemical-resistant layer disposed on the base layer; and a conductive layer formed on the base layer, the conductive layer being plated to penetrate a portion of the base layer region located under one region of the chemical- And a conductive pattern formed on the conductive pattern.

본 발명의 실시예에 따르면, 도금에 의하여 기판에 도전성 패턴을 형성하기 이전에 내화학층을 추가적으로 형성하여 도금하려는 도전성 패턴 형상과 정확하게 대응되는 부분에만 도금을 할 수 있다.According to the embodiment of the present invention, before the conductive pattern is formed on the substrate by plating, a chemical resistant layer may be additionally formed, and plating may be performed only on a portion corresponding exactly to the conductive pattern shape to be plated.

또한, 본 발명의 실시예에 따르면, 내화학층 없이 곧바로 도금하는 경우, 레이저 식각과정에서 발생하는 지지물질 내의 도금활성물질이 노출되어 발생할 수 있는 과도금이 발생하지 않아 불량률이 낮은 기판의 도전성 패턴을 형성할 수 있다.In addition, according to the embodiment of the present invention, when plating is performed directly without the chemical-resistant layer, over-plating, which may occur due to exposure of the plating active material in the support material generated in the laser etching process, Can be formed.

나아가, 샘플 운송이나, 공정 중에 발생할 수 있는 샘플 간 충돌 등으로 인한 기계적 충격에 의한 베이스층의 손상을 최소화하여 도금 시에 발생할 수 있는 불량을 미연에 방지할 수 있다.Further, damage of the base layer due to mechanical impact due to sample transportation or collision between samples that may occur during the process can be minimized, thereby preventing defects that may occur during plating.

본 발명의 효과는 상기한 효과로 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 상세한 설명 또는 특허청구범위에 기재된 발명의 구성으로부터 추론 가능한 모든 효과를 포함하는 것으로 이해되어야 한다.It should be understood that the effects of the present invention are not limited to the above effects and include all effects that can be deduced from the detailed description of the present invention or the configuration of the invention described in the claims.

도 1은 도금에 의하여 도전성 패턴 형성하는 방법에 대한 순서도이다.
도 2는 도전성 패턴이 형성되는 과정을 개략적으로 표현한 모식도이다.
도 3은 도금활성영역에만 도금이 된 입체회로의 단면도이다.1 is a flowchart of a method of forming a conductive pattern by plating.
2 is a schematic diagram schematically illustrating a process of forming a conductive pattern.
3 is a cross-sectional view of a molded circuit obtained by plating only the plating active region.

이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며, 따라서 여기에서 설명하는 실시예로 한정되는 것은 아니다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. In order to clearly illustrate the present invention, parts not related to the description are omitted, and similar parts are denoted by like reference characters throughout the specification.

명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결(접속, 접촉, 결합)"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 부재를 사이에 두고 "간접적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 구비할 수 있다는 것을 의미한다.Throughout the specification, when a part is referred to as being "connected" (connected, connected, coupled) with another part, it is not only the case where it is "directly connected" "Is included. Also, when an element is referred to as "comprising ", it means that it can include other elements, not excluding other elements unless specifically stated otherwise.

본 명세서에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. The singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In this specification, the terms "comprises" or "having" and the like refer to the presence of stated features, integers, steps, operations, elements, components, or combinations thereof, But do not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, steps, operations, elements, components, or combinations thereof.

이하 첨부된 도면을 참고하여 본 발명에 따른 도전성 패턴 형성방법에 대하여 설명하기로 한다. Hereinafter, a method of forming a conductive pattern according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

첨부된 도면은 본 발명의 기술적 사상을 더욱 구체적으로 설명하기 위하여 도시한 일 예에 불과하므로 본 발명의 기술적 사상이 첨부된 도면의 형태에 한정되는 것은 아니다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The accompanying drawings, which are included to provide a further understanding of the invention and are incorporated in and constitute a part of this application, illustrate embodiments of the invention and, together with the description, serve to explain the principles of the invention.

도 1은 도금에 의하여 도전성 패턴을 형성하는 방법에 대해 나타낸 순서도이다. 1 is a flowchart showing a method of forming a conductive pattern by plating.

도 2는 도전성 패턴이 형성되는 과정을 개략적으로 표현한 모식도이다.2 is a schematic diagram schematically illustrating a process of forming a conductive pattern.

도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 도전성 패턴 형성방법은 기판상에 베이스층을 형성하는 단계(S100), 상기 베이스층 상에 내화학층을 형성하는 단계(S200), 상기 내화학층 및 상기 베이스층에 레이저를 조사하여 도금활성영역을 형성하는 단계(S300), 상기 도금활성영역을 도금하는 단계를 포함하며, 도 2 내지 도3을 참조하여 본 발명의 일실시예에 따른 도전성 패턴을 형성하는 방법에 대해 상세히 설명하기로 한다.As shown in FIG. 1, a method of forming a conductive pattern according to an exemplary embodiment of the present invention includes forming a base layer on a substrate (S100), forming an internal chemical layer on the base layer (S200) Forming a plating active region by irradiating a laser to the chemical-resistant layer and the base layer (S300), plating the plating active region, and referring to FIGS. 2 to 3, A method of forming a conductive pattern according to the present invention will be described in detail.

도 2의 (b)를 참조하면, 준비된 기판상에 베이스층을 형성할 수 있다. 기판상에 베이스층을 형성하는 단계(S100)는, 도전성 패턴을 형성하고자 하는 기판상에 도금하기 이전에 먼저 감광성 수지 및 금속촉매를 포함하는 물질을 도포하는 단계일 수 있다. Referring to FIG. 2 (b), a base layer can be formed on a prepared substrate. The step of forming the base layer (S100) on the substrate may be a step of applying a material including the photosensitive resin and the metal catalyst, before plating on the substrate on which the conductive pattern is to be formed.

우선, 도 2의 (a)를 참조하면, 인쇄회로를 형성할 기판을 준비할 수 있다. 상기 기판은 철, 구리, 알루미늄을 포함하는 금속기판, 종이에 페놀, 에폭시 등을 함침시킨 프린트 기판, 유리섬유에 페놀, 에폭시 등을 함침시킨 유리 기판, 테플론 기판, 및 세라믹 기판 중 어느 하나일 수 있으나, 상기 종류에 한정되지 않는다.First, referring to Fig. 2 (a), a substrate on which a printed circuit is to be formed can be prepared. The substrate may be any one of a metal substrate including iron, copper, and aluminum, a printed substrate impregnated with phenol, epoxy, or the like on a paper, a glass substrate impregnated with phenol, epoxy, or the like, a Teflon substrate, or a ceramic substrate However, it is not limited to this kind.

상기 기판상에 도전성 패턴을 형성하기 위해서는 기판 자체를 식각하여 식각한 부분에 도금을 하는 방법, 지지물질을 기판에 먼저 도포한 후 도전성 패턴 형상에 대응되는 부분만을 식각하는 방법이 있을 수 있다.In order to form the conductive pattern on the substrate, there may be a method of plating the portion of the substrate itself etched by etching, a method of first applying the supporting material to the substrate, and then etching only the portion corresponding to the conductive pattern shape.

다만, 기판상에 입체적으로 도전성 패턴을 형성하기 위해서는 기판의 손상 없이 도전성 패턴 형상에 대응되는 부분에 도금을 할 필요가 있는바, 지지물질을 기판에 먼저 도포하여 베이스층을 형성한 후, 베이스층에 도전성 패턴 형상에 대응되는 부분만을 식각하는 방법을 사용하는 것이 바람직하다.However, in order to form a conductive pattern three-dimensionally on a substrate, it is necessary to perform plating on a portion corresponding to the conductive pattern shape without damaging the substrate. Since the supporting material is first applied to the substrate to form a base layer, It is preferable to use a method of etching only the portion corresponding to the conductive pattern shape.

베이스층을 형성한 경우, 도전성 패턴을 형성하기 이전에 물리적인 힘으로 식각하는 방법 또는 일정 강도 이상의 빛(레이저)을 조사하여 식각하는 방법이 있을 수 있는데, 빛(레이저)을 사용하는 경우에는 도전성 패턴 형상에 대응되는 부분에 레이저를 조사했을 때 식각이 용이하게 이루어질 수 있도록 베이스층은 감광성 수지를 포함할 수 있다.In the case of forming the base layer, there may be a method of etching by physical force before forming the conductive pattern, or a method of etching by irradiating light (laser) having a certain intensity or more. In the case of using light (laser) The base layer may include a photosensitive resin so that etching can be easily performed when a laser beam is irradiated to a portion corresponding to the pattern shape.

상기 감광성 수지는, 플라스틱 수지에 감광성 물질을 더 한 것일 수 있다.The photosensitive resin may be a photosensitive resin added to a plastic resin.

상기 플라스틱 수지는 폴리에틸렌(polyethylene, PE), 폴리프로필렌(polypropylene, PP), 폴리스티렌(polystyrene, PS), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate, PET), 폴리아미드(polyamides, PA, 나일론), 폴리에스터(polyester, PES), 폴리염화비닐(polyvinyl chloride, PVC), 폴리우레탄(polyurethanes, PU), 폴리카보네이트(polycarbonate, PC), 및 폴리염화비닐리덴(polyvinylidene chloride, PVDC, 사란) 중 어느 하나 일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. The plastic resin may be selected from the group consisting of polyethylene (PE), polypropylene (PP), polystyrene (PS), polyethylene terephthalate (PET), polyamide (PA), nylon (PES), polyvinyl chloride (PVC), polyurethane (PU), polycarbonate (PC), and polyvinylidene chloride (PVDC) But is not limited thereto.

상기 감광성 물질이란 노광에 사용되는 광 조사 또는 방사선 조사에 의하여 직 간접적으로 성질이 변화하는 물질이며, 이와 같은 성질을 가지는 것이라면, 그 종류 및 구조 등은 특별히 한정되는 것은 아니다. The photosensitive material is a substance that changes its properties directly or indirectly by irradiation with light or radiation used for exposure. The type and structure of the photosensitive material are not particularly limited as far as they have such properties.

예를 들어, 상기 감광성 물질은 디아조메탄 화합물, 오늄염 화합물, 설폰이미드 화합물, 디설폰계 화합물, 설폰산 유도체 화합물, 니트로벤질 화합물, 벤조인토실레이트 화합물, 철 아렌 착체, 할로겐 함유 트리아진 화합물, 아세토페논 유도체 화합물 및 시아노기 함유 옥심설포네이트 화합물 등을 들 수 있다. 종래 알려져 있거나 종래부터 사용되고 있는 감광성 물질은 모두, 특별히 한정되지 않고, 본 발명에서 적용할 수 있다. For example, the photosensitive material may be a diazomethane compound, an onium salt compound, a sulfonimide compound, a disulfone compound, a sulfonic acid derivative compound, a nitrobenzyl compound, a benzoin tosylate compound, an iron isocyanate compound, , An acetophenone derivative compound, and a cyano group-containing oxime sulfonate compound. All known or conventionally used photosensitive materials are not particularly limited and can be applied to the present invention.

한편, 본 발명에 있어서, 감광성 물질은, 1종 단독으로 이용할 수도 있고, 또한 2종 이상을 조합하여 이용할 수도 있다. 이들 화합물은 극히 다수의 적용 가능한 감광성 물질 중 일 예로서, 이들로 한정되는 것은 아니다.On the other hand, in the present invention, the photosensitive material may be used singly or in combination of two or more. These compounds are examples of, but not limited to, an extremely large number of applicable photosensitive materials.

상기 베이스층에 포함된 금속 촉매는 하기와 같이 도전성 패턴을 형성하기 위하여 도금하는 경우에 도금의 촉진을 도모하기 위하여 함유될 수 있다.The metal catalyst contained in the base layer may be contained in order to facilitate plating when plating to form a conductive pattern as described below.

또한, 상기 금속 촉매를 베이스층에 포함하는 경우 하기와 같이 도금영역 부분에 도금을 할 때, 도금액이 도금활성영역에 위치하는 경우에 보이드(도금해야할 공간에 빈 공간이 생기는 결함의 한 종류)등이 발생하는 것을 방지할 수 있다.In addition, when the metal catalyst is included in the base layer, when the plating area is plated as described below, voids (a kind of defects in which spaces are to be formed in the space to be plated) Can be prevented.

예를 들어, 상기 금속 촉매는 Pd(팔라듐), Ni(니켈), Cu(구리), Fe(철), Ag(은), Au(금), Pt(백금), 및 Co(코발트) 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다. For example, the metal catalyst may be any of Pd (palladium), Ni (nickel), Cu (copper), Fe (iron), Ag (silver), Au (gold), Pt (platinum), and Co (cobalt) And may include one or more.

예를 들어 팔라듐 촉매는 PdCl2, PdSO4, Pd(NO3)2, K2[PdCl4], [Pd(NH3)4Cl2], 및 [Pd(NH3)2(NO2)2]로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상의 팔라듐염일 수 있다.For example, the palladium catalyst is PdCl 2, PdSO 4, Pd ( NO 3) 2, K 2 [PdCl 4], [Pd (NH 3) 4 Cl 2], and [Pd (NH 3) 2 ( NO 2) 2 ] Or a mixture of two or more kinds of palladium salts.

상기 베이스층의 두께는 0.1㎛ 내지 100㎛ 일 수 있다. The thickness of the base layer may be 0.1 탆 to 100 탆.

상기 베이스층의 두께는 입체회로에 형성되는 도전성 패턴의 높낮이에 따라 조절될 수 있는 것이므로 입체 회로의 디자인에 따라 두께는 상기의 범위에 한정되지 않는다.Since the thickness of the base layer can be adjusted according to the height of the conductive pattern formed on the three-dimensional circuit, the thickness is not limited to the above-mentioned range according to the design of the three-dimensional circuit.

상기 베이스층을 형성한 이후 상기 베이스층 상에 내화학층을 형성할 수 있다(S200).After forming the base layer, a chemical resistant layer may be formed on the base layer (S200).

도 2의 (c)를 참조하면, 상기 기판상에 상기 베이스층이 형성되어 있고, 상기 베이스층 상에 상기 내화학층이 형성되어 있는 것을 확인할 수 있다.Referring to FIG. 2 (c), it can be confirmed that the base layer is formed on the substrate, and the chemical resistant layer is formed on the base layer.

기판상에 감광성 재료를 포함하는 베이스층을 형성한 후에 빛(레이저)을 조사하는 경우, 식각하는 도중에 감광성 재료가 원하는 위치에만 식각되는 것이 아니라, 그 주변의 감광성 재료들이 더 반응하게 되어 과도하게 식각될 수 있다.In the case of irradiating light (laser) after forming a base layer containing a photosensitive material on a substrate, the photosensitive material is not only etched at a desired position during etching, but photosensitive materials around the photosensitive material become more reactive, .

과도하게 식각되는 경우, 도전성 패턴형상에 대응되는 부분 외에 다른 부분에도 식각이 이루어짐은 물론, 별도의 조치 없이 도금공정이 진행되는 경우 과도금현상이 발생할 수 있어서 회로기판 도전성 패턴 형성 시 불량률이 늘어날 수 있다는 문제점이 있을 수 있다.In the case of excessive etching, etching is performed not only on the portion corresponding to the conductive pattern shape but also on other portions, and when the plating process proceeds without any other measures, the over-plating phenomenon may occur, There may be a problem.

이에 상기 문제를 해소하기 위하여 본 발명에서는 베이스층을 형성한 이후, 상기 베이스층 상에 내화학층을 형성할 수 있다(S200).In order to solve the above problem, in the present invention, after forming the base layer, a chemical resistant layer may be formed on the base layer (S200).

내화학층이란 화학적 반응을 일으키지 않고, 화학적인 외부 요인이 상기 내화학층에 가해지더라도 일정한 물성을 유지하는 특성을 가지는 층을 의미한다.The chemical-resistant layer means a layer that does not cause a chemical reaction and has a property of maintaining a constant physical property even when a chemical external factor is applied to the chemical-resistant layer.

상기 내화학층은, 레이저에 대한 투과율이 70% 이하일 수 있다. The chemical-resistant layer may have a transmittance to the laser of 70% or less.

상기 내화학층의 레이저에 대한 투과율을 한정하는 이유는, 내화학층의 레이저 투과율이 높게 되면, 레이저가 내화학층을 통과하여 내화학층은 전부 제거하지 못한채로, 베이스층의 일부만 제거될 수 있기 때문이다.The reason for limiting the transmittance of the chemical-resistant layer to the laser is that when the laser transmittance of the chemical-resistant layer is high, only a part of the base layer can be removed because the laser does not completely remove the chemical- It is because.

도금활성영역을 형성하는 단계에서, 내화학층이 잔존한 상태에서 베이스층의 일부만 제거되는 경우, 레이저로 베이스층을 식각할 때, 베이스층을 구성하는 물질이 증발(evaporation)되면서 발생되는 증기가 배출될 경로를 잔존하는 내화학층이 막게되면 그 증기가 잔류하는 부분의 공간이 부풀게 되는 문제가 발생할 수 있다.In the step of forming the plating active region, when only a part of the base layer is removed with the chemical-resistant layer remaining, when the base layer is etched with the laser, the vapor generated as the material constituting the base layer evaporates If the remaining chemical-resistant layer is blocked by the path to be discharged, there may arise a problem that the space of the portion where the steam remains is inflated.

또한, 내화학층이 잔존하게 되는 경우, 도금활성영역이 제대로 형성되지 않아, 도금액을 도포하는 과정에서 도금활성영역 부근에 정확하게 도금되지 못하고, 다른 부분에 도금이 되는 문제가 발생하여 도금패턴 부분에 오염물질이 잔존할 수 있어, 도금패턴을 형성함에 있어서 불량률이 증대될 수 있다.In addition, when the chemical-resistant layer remains, the plating active region is not properly formed. In the process of applying the plating liquid, plating is not accurately performed in the vicinity of the plating active region, The contaminants may remain, and the defective rate may be increased in forming the plating pattern.

이때, 일반적으로 사용되는 레이저의 파장은, 200nm 내지 20㎛ 정도이고, 보다 구체적으로 사용되는 레이저의 파장은 266nm, 355nm, 405nm 532nm, 785nm, 633nm, 1064nm, 10.6㎛인데, 이에 이러한 파장을 가지는 레이저에 대한 내화학층의 투과율이 70% 이하일 경우에 상기와 같은 문제가 발생되지 않고, 내화학층이 대부분 제거될 수 있다.In this case, the wavelength of the laser generally used is about 200 nm to 20 μm, and more specifically, the wavelengths of the laser used are 266 nm, 355 nm, 405 nm 532 nm, 785 nm, 633 nm, 1064 nm, and 10.6 μm, When the transmittance of the chemical-resistant layer with respect to the chemical-resistant layer is 70% or less, the above-mentioned problems do not occur and most of the chemical-resistant layer can be removed.

또한, 상기 내화학층을 구성하는 물질로서 초발수(hydrophobic)성 화합물을 포함할 수 있다.In addition, the material constituting the chemical resistant layer may include a hydrophobic compound.

내화학층을 구성하는 물질로서 초발수성 화합물을 사용하게 되면, 베이스층 상에 내화학층을 형성한 후, 패턴형성에 대응되는 부분만을 빛(레이저)으로 식각하여 무전해도금을 하는 경우에 내화학층이 식각되지 않고 유지하고 있는 위치에는 초발수성의 특성상 무전해 도금액이 침투되지 않고, 식각에 의하여 내화학층이 박리된 부분에만 도금액이 침투되면서 도전성 패턴형상에 대응되는 부분에만 도금이 이루어져 효율적으로 패턴을 형성할 수 있다.When a super-water-repellent compound is used as a material constituting the chemical-resistant layer, when a chemical-resistant layer is formed on the base layer and only a portion corresponding to the pattern formation is etched by light (laser) The electroless plating solution is not penetrated due to the nature of the super-water repellent property at the position where the chemical layer is not etched and plating is performed only on the portion corresponding to the conductive pattern shape while the plating solution is penetrated only to the portion where the chemical layer is peeled off by etching. A pattern can be formed.

상기 초발수성 화합물로서는 아크릴 실리콘 화합물, 알킬 사슬 실리콘 화합물, 알킬 실리콘 화합물, 플루오르 화합물 및 알루미늄 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상의 화합물을 포함할 수 있다.The super-water-repellent compound may include one or more compounds selected from the group consisting of an acrylic silicone compound, an alkyl chain silicone compound, an alkyl silicone compound, a fluorine compound, and an aluminum compound.

예를 들어, 아크릴 실리콘 화합물은 아크릴레이트/트리데실 아크릴레이트/트리에톡시실리프로필 메타크릴레이트/디메티콘메타크릴레 이트 공중합체(Acrylate/Tridecyl Acrylate/Triethoxysilypropyl Methacrylate/Dimethicone Methacrylate Copolymer), 아크릴레이트/디메티콘 공중합체(Acrylate/Dimethicone Copolymer), 아크릴레이트/디메티콘 아크 릴레이트/에틸헥실 아크릴레이트 공중합체(Acrylate/Dimethicone Acrylate/Ethylhexyl Acrylate Copolymer), 아크릴레이트/스테아릴 아크릴레이트/디메티콘 아크릴레이트 공중합체(Acrylate/Stearyl Acrylate/Dimethicone Acrylate Copolymer), 아크릴레이트/베헤닐 아크릴레이트/디메티콘 아크릴레이트 공중합체(Acrylate/Behenyl Acrylate/Dimethicone Acrylate Copolymer) 및 아크릴레이트/에틸헥실 아크릴레이트/디메티콘 메타크릴레이트 공중합체(Acrylate/Ethylhexyl Acrylate/Dimethicone Methacrylate Copolymer)로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 고비점 아크릴 실리콘(acryl silicone OEt)계 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 화합물일 수 있다.Examples of the acrylic silicone compound include acrylate / tridecyl acrylate / triethoxysilylpropyl methacrylate / dimethicone methacrylate copolymer (Acrylate / Tridecyl Acrylate / Triethoxysilypropyl Methacrylate / Dimethicone Methacrylate Copolymer), acrylate / Dimethicone copolymer, an acrylate / dimethicone acrylate / ethylhexyl acrylate copolymer, an acrylate / stearyl acrylate / dimethicone acrylate copolymer, an acrylate / dimethicone acrylate / ethylhexyl acrylate copolymer, (Acrylate / stearyl acrylate / dimethicone acrylate copolymer), acrylate / behenyl acrylate / dimethicone acrylate copolymer (acrylate / behenyl acrylate / dimethicone acrylate copolymer) and acrylate / ethylhexyl acrylate / dimethicone methacrylate Copolymer (Acrylate / Ethylhexyl Acrylate / Dimethicone Methacrylate Cop (acryl silicone OEt) compound selected from the group consisting of acrylonitrile-butadiene-acrylonitrile-butadiene-

예를 들어, 알킬 사슬 실리콘 화합물은 트리에톡시실리에틸 폴리디메틸실록시에틸헥 실 디메티콘(Triethoxysilyethyl Polydimethylsiloxyethylhexyl Dimethicone) 또는 트리에톡시실리에틸 폴리디 메틸실록시에틸 디메티콘(Triethoxysilyethyl Polydimethylsiloxyethyl Dimethicone)인 알킬 사슬 실리콘 (branched alkyl & silicone OEt)계 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 화합물일 수 있다.For example, the alkyl chain silicone compound may be an alkyl chain such as triethoxysilylethylpolydimethylsiloxyethylhexyl dimethicone or triethoxysilylethylpolydimethylsiloxyethyl dimethicone, And silicon (branched alkyl & silicone OEt) based compounds.

예를 들어, 상기 알킬 실리콘 화합물은 트리메틸 실록시 실리케이트, 메틸 하이드로젠 폴리 실록산, 헥사메틸 사이 클로 트리실록산, 옥타 메틸 폴리실록산, 메틸 사이클로 폴리실록산, 옥타 메틸 사이클로 테트라 실록산, 데카 메틸 사이클로 펜타 실록산, 테트라 데카 메틸 사이클로 헵타 실록산 및 트리에톡시 카프릴리 실란으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 화합물일 수 있다. For example, the alkyl silicone compound may be selected from the group consisting of trimethylsiloxysilicate, methylhydrogenpolysiloxane, hexamethylcyclotrisiloxane, octamethylpolysiloxane, methylcyclopolysiloxane, octamethylcyclotetrasiloxane, decamethylcyclopentasiloxane, tetradecamethyl Cyclopentasiloxane, cyclopentasiloxane, cycloheptasiloxane, and triethoxycaprylylsilane.

상기 내화학층의 두께는 0.01㎛ 내지 100㎛ 일 수 있다. 이는 0.01㎛미만의 층두께를 가지는 경우에는 하기와 같이 내화학층으로서 빛(레이저)으로 도금활성영역을 식각하는 도중 또는 도금을 하는 도중에 손상되는 문제가 발생하는 등 기계적 성질은 물론 내화학적인 성질이 잘 발현되지 않을 수 있다.The thickness of the chemical-resistant layer may be 0.01 탆 to 100 탆. In the case of having a layer thickness of less than 0.01 탆, there is a problem of being damaged during the etching of the plating active region by light (laser) or during plating as the chemical resistant layer as described below, May not be expressed well.

반면 100㎛를 초과하여 층 두께를 가지는 경우에는 내화학층에 도포하기 위하여 과도한 비용을 들이게 되어 비경제적일 수 있고, 도전성 패턴을 형성하기 위해서는 내화학층을 관통해야 하는데, 내화학층을 관통할 수 있도록 레이저로 내화학층을 식각하기 위하여 걸리는 공정의 운영시간이 더 오래 걸릴 수 있기 때문이다. 또한, 내화학층의 경우 레이저를 조사한 이후에 일반적으로 증발(evaporation)되어 사라지는 것이 일반적인데, 100㎛를 초과하는 경우에는 모두 증발되어 사라지지 못하고 잔류하게 되면, 이후에 도금하는 과정에서도 도금이 제대로 이루어지지 않아 기판 표면이 부푸는 현상이 발생하는 등, 도금영역에 도전성 패턴 형상과 정확하게 도금이 되지 못하는 문제점이 발생할 수 있는바, 100㎛를 초과하지 않도록 내화학층을 형성하는 것이 바람직하다. On the other hand, when the layer thickness is more than 100 μm, the layer may be excessively expensive to be applied to the chemical layer, which may be uneconomical. In order to form the conductive pattern, the chemical layer must penetrate through the chemical layer. This is because the operating time of the process to etch the chemical layer with the laser may take longer. In addition, in the case of the chemical-resistant layer, it is generally evaporated and disappears after laser irradiation. If it exceeds 100 탆, it is evaporated and does not disappear. If it remains, The surface of the substrate may be swollen, resulting in a problem that the conductive pattern shape and the plating may not be precisely formed in the plating region. In this case, it is preferable to form the chemical resistant layer so as not to exceed 100 탆.

내화학층을 형성한 후, 상기 내화학층 및 상기 베이스층에 레이저를 조사하여 도금활성영역을 형성할 수 있다(S300).After the formation of the chemical-resistant layer, the chemical-resistant layer and the base layer may be irradiated with laser to form a plating active region (S300).

도 2의 (d)를 참조하면, 화살표의 방향으로 빛(레이저)을 조사하여 상기 내화학층 및 상기 베이스층에 조사하여 식각되는 것을 확인할 수 있고, 도 2의 (e)를 참조하면, 상기 빛(레이저)의 조사에 의한 식각공정에 의해서 도전성 패턴을 형성하고자 하는 부분이 정확하게 식각된 것을 확인할 수 있다. 이때, 상기 식각된 부분의 근처에 위치하는 내화학층이 일정하게 형상을 유지하고 있는 것 또한 확인할 수 있다.Referring to FIG. 2 (d), it can be confirmed that the substrate is irradiated with light (laser) in the direction of an arrow and irradiated to the chemical layer and the base layer to be etched. Referring to FIG. 2 (e) It can be confirmed that the portion to be formed with the conductive pattern is accurately etched by the etching process by irradiation of light (laser). At this time, it is also confirmed that the chemical-resistant layer located near the etched portion maintains a constant shape.

빛(레이저)를 조사하여 도금활성영역을 형성하는 것에 있어서, 도전성 패턴의 형상에 대응하는 상기 내화학층의 일 영역 및 상기 내화학층의 일 영역 하부에 위치하는 베이스 층 영역의 일부를 제거하여 도금활성영역을 형성하는 것일 수 있다.In the formation of the plating active region by irradiating light (laser), a part of the base layer region located under one region of the chemochemical layer corresponding to the shape of the conductive pattern and one region of the chemochemical layer is removed To form a plating active region.

입체 회로 기판을 형성하는 경우, 도전성 패턴을 형성함에 있어서 패턴의 높낮이가 다를 수 있는바, 다른 높낮이에 따라 도금활성영역의 깊이 또한 조절되므로, 그에 따라 베이스 층의 일부가 제거될 수 있다.In forming a conductive circuit pattern, the height of the pattern may be different in forming the conductive pattern, and the depth of the plating active region is also adjusted according to other height, so that a part of the base layer can be removed.

다만, 베이스 층의 소재에 따라, 베이스 층이 금속과 같은 도전체인 경우에는, 내화학층의 일 영역 하부에 위치하는 베이스 층 영역의 일부만이 제거되어야 하나, 베이스 층의 소재가 금속이 아닌, 플라스틱과 같은 부도전체의 경우에 있어서는 베이스 층의 전부가 제거될 수도 있다. However, depending on the material of the base layer, if the base layer is a conductive material such as a metal, only a part of the base layer region located under one region of the chemical-resistant layer should be removed, The entirety of the base layer may be removed.

또한, 도전성 패턴을 형성함에 있어서, 패턴의 형상에 따라 베이스층의 일부만이 제거될 필요가 있는 점에서 상기 베이스층의 일부가 제거될 수 있다.Further, in forming the conductive pattern, a part of the base layer may be removed in that only a part of the base layer needs to be removed depending on the shape of the pattern.

다만, 패턴 형상과 대응되는 위치에 존재하는 내화학층이 일정량 이상 잔류하는 경우에는 내화학층의 성분에 의하여 도금이 이뤄질 수 없으므로, 회로 기판의 불량률을 낮추기 위하여 패턴 형성과 대응되는 위치에 존재하는 내화학층은 전부가 제거될 수 있다.However, in the case where the chemical-resistant layer existing at a position corresponding to the pattern shape remains a certain amount or more, plating can not be performed by the chemical-resistant layer component. Therefore, in order to lower the defect rate of the circuit board, All chemical layers can be removed.

상기 도금활성영역을 추가로 활성처리하는 단계는, 도금하고자 하는 영역에 레이저를 더 조사할 수 있다.The step of further activating the plating active region may further include irradiating a laser to the region to be plated.

예를 들어 빛(레이저)을 1회에 그치지 않고 50회 이상 조사하여 원하는 깊이로 식각하여 도금활성영역을 추가적으로 활성처리할 수 있다. For example, the plating active region can be additionally activated by etching at a desired depth by irradiation with light (laser) 50 times or more without stopping once.

또는 입체적 패턴 형상에 대응하여 도전성 패턴에 대응되는 부분에 빛(레이저)을 일정하게 조사한 이후에, 다른 형상을 추가적으로 도입하는 경우 등에도 빛(레이저)을 추가적으로 조사하는 방법을 이용하여 도금활성영역을 추가적으로 활성처리할 수 있다.(Laser) is further irradiated to a portion corresponding to the conductive pattern corresponding to the three-dimensional pattern shape, and then another shape is additionally introduced, a method of additionally irradiating light (laser) Can be additionally activated.

추가적으로 활성처리함에 따라, 입체 회로 기판의 불량률을 낮출 수 있고, 그에 따라 도전성 패턴의 입체적 형상이 더 명확하게 형성될 수 있다. As a result of further active treatment, the defective rate of the molded circuit board can be lowered, and consequently, the three-dimensional shape of the conductive pattern can be formed more clearly.

상기의 방법에 의하여 도금활성영역을 형성한 이후에는 상기 도금활성영역을 도금할 수 있다(S300).After the plating active region is formed by the above-described method, the plating active region may be plated (S300).

도 2의 (f)를 참조하면, 빛(레이저)으로 식각된 부분에 한하여만 정확하게 도금이 이루어져 도금활성영역만이 도금이 되는 것을 확인할 수 있다.Referring to FIG. 2 (f), it can be confirmed that only the portion etched with light (laser) is plated accurately, and only the plating active region is plated.

나아가, 도 2의 (e)를 참조하면, 빛(레이저)으로 식각된 부분 이외에는 내화학층이 일정하게 형상을 유지하는바, 식각된 부분만이 도금이 이루어질 수 있어서, 도금한 후, 도전성 패턴이 형성되는 도금부분과 근접한 부분에는 내화학층이 존재하여 도금을 활성화시키는 금속촉매와의 접촉을 방지할 수 있게되어, 과도금의 문제점을 해소할 수 있다. In addition, referring to FIG. 2 (e), since the chemical-resistant layer remains uniform except for the portion that is etched by light (laser), only the etched portion can be plated, The present invention can prevent contact with the metal catalyst for activating the plating due to the existence of the chemical layer at a portion close to the plating portion where the plating is formed.

또한, 상기 내화학층이 일정하게 유지되어 과도금이 방지됨과 동시에 그에 따른 인쇄회로의 박리 현상 또한 해소할 수 있다.In addition, since the chemical-resistant layer is kept constant, the over-plating can be prevented and also the peeling phenomenon of the printed circuit can be solved.

도금활성영역을 도금하는 방법으로서는 전해도금 또는 무전해도금 방법을 사용할 수 있다.Electroplating or electroless plating may be used for plating the plating active region.

특히, 무전해도금 방법이란, 외부에서 수용액에 별도의 전기에너지를 주지 않고 행하는 도금법으로서, 치환도금, 접촉도금, 비촉매 화학도금, 촉매 화학도금 방법 등을 이용하여 수행될 수 있다. In particular, the electroless plating method is a plating method which is performed without applying any additional electric energy to the aqueous solution from the outside, and can be performed using substitution plating, contact plating, non-catalytic chemical plating, catalytic chemical plating and the like.

상기 치환도금이란 환원력이 더 높은 금속의 수용액에 낮은 금속을 침적시키면 치환반응이 일어나 높은 금속이 석출되며, Au도금, Sn도금 등이 있다.The substitutional plating means that when a low metal is immersed in an aqueous solution of a metal having a higher reducing power, a substitution reaction occurs and a high metal precipitates, and Au plating, Sn plating and the like are available.

상기 접촉도금이란 서로 다른 금속 사이의 전위차를 이용하는 무전해 도금방법이다. The contact plating is an electroless plating method using a potential difference between different metals.

비촉매 화학도금은 환원제로 도금액 중의 금속을 피도금물의 표면에 석출시키는 것이며, 피도금물 이외에도 석출되며 선택성은 낮을 수 있다.The non-catalytic chemical plating is to deposit the metal in the plating solution on the surface of the object to be plated with a reducing agent and may precipitate in addition to the object to be plated and the selectivity may be low.

촉매 화학도금은 무전해도금의 대표적 도금방법의 하나로 환원제를 함유한 도금액 중에서 촉매작용이 있는 천이금속의 표면으로만 선택적으로 금속이 석출되는 도금법이다.Catalytic chemical plating is one of the typical plating methods for electroless plating. It is a plating method in which a metal is selectively deposited only on the surface of a transition metal having a catalytic action in a plating solution containing a reducing agent.

본 발명에 있어서, 상기 도금활성영역을 형성하기 이전에 내화학층을 형성하는 단계에 있어서, 내화학층의 물질을 초발수 물질로 하는 것은 무전해 도금 방법으로 도금하는 경우에 있어서, 무전해 도금액이 도전성 패턴형상과 대응되는 부분이 아닌 부분에 도금이 되어 과도금되는 현상을 방지하기 위함이다. In the present invention, in the step of forming the chemical-resistant layer before forming the plating active area, when the material of the chemical-resistant layer is plated with the electroless plating method, the electroless plating solution This is to prevent a phenomenon that plating is applied to a portion which is not a portion corresponding to the conductive pattern shape and is thus overturned.

이하, 하기 도 3을 참조하여 상기와 같은 방법에 의하여 도전성 패턴이 형성된 입체회로에 대하여 설명한다. 도 3은 도금활성영역에만 도금이 된 도전성 패턴이 포함된 회로기판(100)의 단면도이다.Hereinafter, referring to Fig. 3, a stereoscopic circuit having a conductive pattern formed by the above method will be described. 3 is a cross-sectional view of a circuit board 100 including a conductive pattern plated only on a plating active region.

상기와 같은 도전성 패턴 형성 방법에 의하여 제조된 입체회로는 기판(110), 기판상에 위치하는 베이스층(120), 상기 베이스층 상에 위치하는 내화학층(130), 및 상기 내화학층의 전부 및 상기 베이스층의 일부를 관통하는 도금 패턴(140)을 포함할 수 있다.The three-dimensional circuit manufactured by the conductive pattern forming method as described above includes a substrate 110, a base layer 120 located on the substrate, a chemical-resistant layer 130 located on the base layer, And a plating pattern 140 penetrating the entirety of the base layer and a part of the base layer.

상기 기판(110)은 철, 구리, 알루미늄을 포함하는 금속기판, 종이에 페놀, 에폭시등을 함침시킨 프린트 기판, 유리섬유에 페놀, 에폭시 등을 함침시킨 유리 기판, 테플론 기판, 및 세라믹 기판 중 어느 하나일 수 있으나, 상기 종류에 한정되지 않는다. The substrate 110 may be a metal substrate including iron, copper, or aluminum, a printed substrate impregnated with phenol, epoxy, or the like on a paper, a glass substrate, a Teflon substrate, or a ceramic substrate impregnated with phenol, But it is not limited to this kind.

상기 기판상에 위치하는 베이스층(120)은, 감광성 수지(121)를 포함하는데, 상기 감광성 수지(121)는 플라스틱 수지에 감광성 물질을 더 한 것일 수 있다.The base layer 120 located on the substrate includes a photosensitive resin 121, which may be a photosensitive resin added to a plastic resin.

상기 플라스틱 수지는 폴리에틸렌(polyethylene, PE), 폴리프로필렌(polypropylene, PP), 폴리스티렌(polystyrene, PS), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate, PET), 폴리아미드(polyamides, PA, 나일론), 폴리에스터(polyester, PES), 폴리염화비닐(polyvinyl chloride, PVC), 폴리우레탄(polyurethanes, PU), 폴리카보네이트(polycarbonate, PC), 및 폴리염화비닐리덴(polyvinylidene chloride, PVDC, 사란) 중 어느 하나 일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. The plastic resin may be selected from the group consisting of polyethylene (PE), polypropylene (PP), polystyrene (PS), polyethylene terephthalate (PET), polyamide (PA), nylon (PES), polyvinyl chloride (PVC), polyurethane (PU), polycarbonate (PC), and polyvinylidene chloride (PVDC) But is not limited thereto.

상기 감광성 물질이란 노광에 사용되는 광 조사 또는 방사선 조사에 의하여 직 간접적으로 성질이 변화하는 물질이며, 이와 같은 성질을 가지는 것이라면, 그 종류 및 구조 등은 특별히 한정되는 것은 아니다. The photosensitive material is a substance that changes its properties directly or indirectly by irradiation with light or radiation used for exposure. The type and structure of the photosensitive material are not particularly limited as far as they have such properties.

예를 들어, 상기 감광성 물질은 디아조메탄 화합물, 오늄염 화합물, 설폰이미드 화합물, 디설폰계 화합물, 설폰산 유도체 화합물, 니트로벤질 화합물, 벤조인토실레이트 화합물, 할로겐 함유 트리아진 화합물, 아세토페논 유도체 화합물 및 시아노기 함유 옥심설포네이트 화합물 등을 들 수 있다. 종래 알려져 있거나 종래부터 사용되고 있는 감광성 물질은 모두, 특별히 한정되지 않고, 본 발명에서 적용할 수 있다. For example, the photosensitive material may be a diazomethane compound, an onium salt compound, a sulfonimide compound, a disulfone compound, a sulfonic acid derivative compound, a nitrobenzyl compound, a benzoin tosylate compound, a halogen-containing triazine compound, Compounds and cyano group-containing oxime sulfonate compounds. All known or conventionally used photosensitive materials are not particularly limited and can be applied to the present invention.

한편, 본 발명에 있어서, 감광성 물질은, 1종 단독으로 이용할 수도 있고, 또한 2종 이상을 조합하여 이용할 수도 있다. 이들 화합물은 극히 다수의 적용 가능한 감광성 물질 중 일 예로서, 이들로 한정되는 것은 아니다.On the other hand, in the present invention, the photosensitive material may be used singly or in combination of two or more. These compounds are examples of, but not limited to, an extremely large number of applicable photosensitive materials.

상기 베이스층(120)의 두께는 0.1㎛ 내지 100㎛일 수 있다. The thickness of the base layer 120 may be between 0.1 μm and 100 μm.

상기 베이스층(120)의 두께는 입체회로에 형성되는 패턴의 높낮이에 따라 조절될 수 있는 것이므로 입체 회로의 디자인에 따라 두께는 상기의 범위에 한정되지 않는다.Since the thickness of the base layer 120 can be adjusted according to the height of the pattern formed on the stereoscopic circuit, the thickness is not limited to the above range according to the design of the stereoscopic circuit.

상기 베이스층(120)은 금속 촉매(121)를 더 포함할 수 있다.The base layer 120 may further include a metal catalyst 121.

상기 금속 촉매를 더 포함하는 경우 하기와 같이 도금영역 부분에 도금을 할 때, 도금액이 도금활성영역에 위치하는 경우에 보이드(도금해야할 공간에 빈 공간이 생기는 결함의 한 종류)등이 발생하는 것을 방지할 수 있다.In the case where the metal catalyst is further included, voids (one kind of defects causing voids in the space to be plated) occur when the plating solution is located in the plating active region when plating the plating region as described below .

예를 들어, 도금반응을 활성화시키는 금속 촉매는 Pd(팔라듐), Ni(니켈), Cu(구리), Fe(철), Ag(은), Au(금), Pt(백금), 및 Co(코발트) 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.For example, the metal catalyst for activating the plating reaction is selected from the group consisting of Pd (palladium), Ni (nickel), Cu (copper), Fe (iron), Ag (silver), Au (gold) Cobalt) may be included.

예를 들어 팔라듐 촉매는 PdCl2, PdSO4, Pd(NO3)2, K2[PdCl4], [Pd(NH3)4Cl2], 및 [Pd(NH3)2(NO2)2]로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상의 팔라듐염일 수 있다.For example, the palladium catalyst is PdCl 2, PdSO 4, Pd ( NO 3) 2, K2 [PdCl 4], [Pd (NH 3) 4 Cl 2], and [Pd (NH 3) 2 ( NO 2) 2] And at least one kind of palladium salt may be used.

상기 베이스층 상에 위치하는 내화학층(130)은, The chemical-resistant layer 130, which is located on the base layer,

화학적 반응을 일으키지 않고, 화학적인 외부 요인이 상기 내화학층(130)에 가해지더라도 일정한 물성을 유지하는 특성을 가지는 층을 의미한다. Refers to a layer that does not cause a chemical reaction and has a property of maintaining a constant physical property even when a chemical external factor is applied to the chemical resistant layer 130. [

이때, 상기 내화학층은, 레이저에 대한 투과율이 70% 이하일 수 있다. At this time, the chemical resistance layer may have a transmittance of 70% or less with respect to the laser.

상기 내화학층의 레이저에 대한 투과율을 한정하는 이유는, 내화학층의 레이저 투과율이 높게 되면, 레이저가 내화학층을 통과하여 내화학층이 전부 제거되지 못한채로, 베이스층의 일부만 제거될 수 있기 때문이다.The reason for limiting the transmittance of the chemical-resistant layer to the laser is that when the laser transmittance of the chemical-resistant layer is high, only a part of the base layer can be removed because the laser does not completely remove the chemical- It is because.

도금활성영역을 형성하는 단계에서, 내화학층이 잔존한 상태에서 베이스층의 일부만 제거되는 경우, 레이저로 베이스층을 식각할 때, 베이스층을 구성하는 물질이 증발(evaporation)되면서 발생되는 증기가 배출될 경로를 잔존하는 내화학층이 막게되면 그 증기가 잔류하는 부분의 공간이 부풀게 되는 문제가 발생할 수 있다.In the step of forming the plating active region, when only a part of the base layer is removed with the chemical-resistant layer remaining, when the base layer is etched with the laser, the vapor generated as the material constituting the base layer evaporates If the remaining chemical-resistant layer is blocked by the path to be discharged, there may arise a problem that the space of the portion where the steam remains is inflated.

또한, 내화학층이 잔존하게 되는 경우, 도금활성영역이 제대로 형성되지 않아, 도금액을 도포하는 과정에서 도금활성영역 부근에 정확하게 도금되지 못하고, 다른 부분에 도금이 되는 문제가 발생하여 도금패턴 부분에 오염물질이 잔존할 수 있어, 도금패턴을 형성함에 있어서 불량률이 증대될 수 있다.In addition, when the chemical-resistant layer remains, the plating active region is not properly formed. In the process of applying the plating liquid, plating is not accurately performed in the vicinity of the plating active region, The contaminants may remain, and the defective rate may be increased in forming the plating pattern.

이때, 일반적으로 사용되는 레이저의 파장은, 200nm 내지 20㎛ 정도이고, 보다 구체적으로 사용되는 레이저의 파장은 266nm, 355nm, 405nm 532nm, 785nm, 633nm, 1064nm, 10.6㎛인데, 이에 이러한 파장을 가지는 레이저에 대한 내화학층의 투과율이 70% 이하일 경우에 상기와 같은 문제가 발생되지 않고, 내화학층이 대부분 제거될 수 있다.In this case, the wavelength of the laser generally used is about 200 nm to 20 μm, and more specifically, the wavelengths of the laser used are 266 nm, 355 nm, 405 nm 532 nm, 785 nm, 633 nm, 1064 nm, and 10.6 μm, When the transmittance of the chemical-resistant layer with respect to the chemical-resistant layer is 70% or less, the above-mentioned problems do not occur and most of the chemical-resistant layer can be removed.

또한, 상기 내화학층(130)을 구성하는 물질로서 초발수(hydrophobic)성 화합물을 포함할 수 있다.In addition, the material forming the chemical-resistant layer 130 may include a hydrophobic compound.

내화학층(130)을 구성하는 물질로서 초발수성 화합물을 사용하게 되면, 베이스층 상에 내화학층(130)을 형성한 후, 도전성 패턴형성에 대응되는 부분만을 빛(레이저)으로 식각하여 무전해도금을 하는 경우에 내화학층(130)이 식각되지 않고 유지하고 있는 위치에는 초발수성의 특성상 무전해 도금액이 침투되지 않고, 식각에 의하여 내화학층(130)이 박리된 부분에만 도금액이 침투되면서 패턴형상에 대응되는 부분에만 도금이 이루어져 효율적으로 도전성 패턴을 형성할 수 있다.When a super-water-repellent compound is used as a material constituting the chemical-resistant layer 130, the chemical-resistant layer 130 is formed on the base layer, and then only a portion corresponding to the conductive pattern formation is etched by light (laser) When the plating is performed, the electroless plating solution is not penetrated due to the nature of super-water repellency at the position where the chemical layer 130 is not etched, and only the plating solution penetrates into the portion where the chemical layer 130 is peeled off by etching The plating is performed only on the portion corresponding to the pattern shape, so that the conductive pattern can be efficiently formed.

상기 초발수성 화합물로서는 아크릴 실리콘 화합물, 알킬 사슬 실리콘 화합물, 알킬 실리콘 화합물, 플루오르 화합물 및 알루미늄 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상의 화합물을 포함하는 것일 수 있다.The super-water-repellent compound may include one or more compounds selected from the group consisting of an acrylic silicone compound, an alkyl chain silicone compound, an alkyl silicone compound, a fluorine compound, and an aluminum compound.

예를 들어, 아크릴 실리콘 화합물은 아크릴레이트/트리데실 아크릴레이트/트리에톡시실리프로필 메타크릴레이트/디메티콘메타크릴레 이트 공중합체(Acrylate/Tridecyl Acrylate/Triethoxysilypropyl Methacrylate/Dimethicone Methacrylate Copolymer), 아크릴레이트/디메티콘 공중합체(Acrylate/Dimethicone Copolymer), 아크릴레이트/디메티콘 아크 릴레이트/에틸헥실 아크릴레이트 공중합체(Acrylate/Dimethicone Acrylate/Ethylhexyl Acrylate Copolymer), 아크릴레이트/스테아릴 아크릴레이트/디메티콘 아크릴레이트 공중합체(Acrylate/Stearyl Acrylate/Dimethicone Acrylate Copolymer), 아크릴레이트/베헤닐 아크릴레이트/디메티콘 아크릴레이트 공중합체(Acrylate/Behenyl Acrylate/Dimethicone Acrylate Copolymer) 및 아크릴레이트/에틸헥실 아크릴레이트/디메티콘 메타크릴레이트 공중합체(Acrylate/Ethylhexyl Acrylate/Dimethicone Methacrylate Copolymer)로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 고비점 아크릴 실리콘(acryl silicone OEt)계 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 화합물일 수 있다.Examples of the acrylic silicone compound include acrylate / tridecyl acrylate / triethoxysilylpropyl methacrylate / dimethicone methacrylate copolymer (Acrylate / Tridecyl Acrylate / Triethoxysilypropyl Methacrylate / Dimethicone Methacrylate Copolymer), acrylate / Dimethicone copolymer, an acrylate / dimethicone acrylate / ethylhexyl acrylate copolymer, an acrylate / stearyl acrylate / dimethicone acrylate copolymer, an acrylate / dimethicone acrylate / ethylhexyl acrylate copolymer, (Acrylate / stearyl acrylate / dimethicone acrylate copolymer), acrylate / behenyl acrylate / dimethicone acrylate copolymer (acrylate / behenyl acrylate / dimethicone acrylate copolymer) and acrylate / ethylhexyl acrylate / dimethicone methacrylate Copolymer (Acrylate / Ethylhexyl Acrylate / Dimethicone Methacrylate Cop (acryl silicone OEt) compound selected from the group consisting of acrylonitrile-butadiene-acrylonitrile-butadiene-

예를 들어, 알킬 사슬 실리콘 화합물은 트리에톡시실리에틸 폴리디메틸실록시에틸헥 실 디메티콘(Triethoxysilyethyl Polydimethylsiloxyethylhexyl Dimethicone) 또는 트리에톡시실리에틸 폴리디 메틸실록시에틸 디메티콘(Triethoxysilyethyl Polydimethylsiloxyethyl Dimethicone)인 알킬 사슬 실리콘 (branched alkyl & silicone OEt)계 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 화합물일 수 있다.For example, the alkyl chain silicone compound may be an alkyl chain such as triethoxysilylethylpolydimethylsiloxyethylhexyl dimethicone or triethoxysilylethylpolydimethylsiloxyethyl dimethicone, And silicon (branched alkyl & silicone OEt) based compounds.

예를 들어, 상기 알킬 실리콘 화합물은 트리메틸 실록시 실리케이트, 메틸 하이드로젠 폴리 실록산, 헥사메틸 사이 클로 트리실록산, 옥타 메틸 폴리실록산, 메틸 사이클로 폴리실록산, 옥타 메틸 사이클로 테트라 실록산, 데카 메틸 사이클로 펜타 실록산, 테트라 데카 메틸 사이클로 헵타 실록산 및 트리에톡시 카프릴리 실란으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 화합물일 수 있다. For example, the alkyl silicone compound may be selected from the group consisting of trimethylsiloxysilicate, methylhydrogenpolysiloxane, hexamethylcyclotrisiloxane, octamethylpolysiloxane, methylcyclopolysiloxane, octamethylcyclotetrasiloxane, decamethylcyclopentasiloxane, tetradecamethyl Cyclopentasiloxane, cyclopentasiloxane, cycloheptasiloxane, and triethoxycaprylylsilane.

상기 내화학층의 두께는 0.01㎛ 내지 100㎛일 수 있다. 이는 0.01㎛미만의 층두께를 가지는 경우에는 하기와 같이 내화학층으로서 빛(레이저)으로 도금활성영역을 식각하는 도중 또는 도금을 하는 도중에 손상되는 문제가 발생하는 등 기계적 성질은 물론 내화학적인 성질이 잘 발현되지 않을 수 있다.The thickness of the chemical-resistant layer may be 0.01 탆 to 100 탆. In the case of having a layer thickness of less than 0.01 탆, there is a problem of being damaged during the etching of the plating active region by light (laser) or during plating as the chemical resistant layer as described below, May not be expressed well.

반면 100㎛를 초과하여 층 두께를 가지는 경우에는 내화학층에 도포하기 위하여 과도한 비용을 들이게 되어 비경제적일 수 있고, 도전성 패턴을 형성하기 위해서는 내화학층을 관통해야 하는데, 내화학층을 관통할 수 있도록 레이저로 내화학층을 식각하기 위하여 걸리는 공정의 운영시간이 더 오래 걸릴 수 있기 때문이다. 또한, 내화학층의 경우 레이저를 조사한 이후에 일반적으로 증발(evaporation)되어 사라지는 것이 일반적인데, 100㎛를 초과하는 경우에는 모두 증발되어 사라지지 못하고 잔류하게 되면, 이후에 도금하는 과정에서도 도금이 제대로 이루어지지 않아 기판 표면이 부푸는 현상이 발생하는 등, 도금영역에 도전성 패턴 형상과 정확하게 도금이 되지 못하는 문제점이 발생할 수 있는바, 100㎛를 초과하지 않도록 내화학층을 형성하는 것이 바람직하다. On the other hand, when the layer thickness is more than 100 μm, the layer may be excessively expensive to be applied to the chemical layer, which may be uneconomical. In order to form the conductive pattern, the chemical layer must penetrate through the chemical layer. This is because the operating time of the process to etch the chemical layer with the laser may take longer. In addition, in the case of the chemical-resistant layer, it is generally evaporated and disappears after laser irradiation. If it exceeds 100 탆, it is evaporated and does not disappear. If it remains, The surface of the substrate may be swollen, resulting in a problem that the conductive pattern shape and the plating may not be precisely formed in the plating region. In this case, it is preferable to form the chemical resistant layer so as not to exceed 100 탆.

상기 내화학층(130)의 전부 및 상기 베이스층(120)의 일부를 관통하는 도금 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 도전성 패턴(140)이 입체회로 기판에 위치할 수 있다.The conductive pattern 140 may include a plating pattern that penetrates the whole of the chemical-resistant layer 130 and a part of the base layer 120.

상기 도전성 패턴(140)이란, 상기와 같은 방법으로 도전성 패턴을 형성하는 방법에 있어서 빛(레이저)로 식각되어 나타나는 도금활성영역을 도금하여 형성될 수 있다.The conductive pattern 140 may be formed by plating a plating active region exposed by light (laser) in the method of forming a conductive pattern in the same manner as described above.

상기 도전성 패턴(140)은, 구리, 아연, 니켈, 금, 및 은으로 구성되는 금속 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다. 다만 상기 도전성 패턴(140)을 구성하는 금속은 상기와 같은 금속에 한정되지 않으며, 상기의 금속들은 일 예시일 수 있다. The conductive pattern 140 may include at least one of copper, zinc, nickel, gold, and silver. However, the metal constituting the conductive pattern 140 is not limited to the above metal, and the metals may be an example.

전술한 본 발명의 설명은 예시를 위한 것이며, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다.It will be understood by those skilled in the art that the foregoing description of the present invention is for illustrative purposes only and that those of ordinary skill in the art can readily understand that various changes and modifications may be made without departing from the spirit or essential characteristics of the present invention. will be. It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive. For example, each component described as a single entity may be distributed and implemented, and components described as being distributed may also be implemented in a combined form.

본 발명의 범위는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.The scope of the present invention is defined by the appended claims, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents should be construed as being included within the scope of the present invention.

100 : 도전성 패턴이 포함된 회로기판
110: 기판
120: 베이스층
121: 감광성 수지
122: 촉매
130 : 내화학층
140: 도전성 패턴 100: Circuit board including conductive pattern
110: substrate
120: base layer
121: Photosensitive resin
122: catalyst
130: chemical layer
140: conductive pattern

Claims (17)

기판상에 베이스층을 형성하는 단계;
상기 베이스층 상에 내화학층을 형성하는 단계;
상기 내화학층 및 상기 베이스층에 레이저를 조사하여 도금활성영역을 형성하는 단계; 및
상기 도금활성영역을 도금하는 단계를 포함하는 도전성 패턴 형성방법.
Forming a base layer on the substrate;
Forming a chemical resistant layer on the base layer;
Forming a plating active region by irradiating a laser to the chemical-resistant layer and the base layer; And
And plating the plating active region.
제1항에 있어서,
상기 도금활성영역을 형성한 후, 도금하기 전에 상기 도금활성영역을 추가로 활성처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 도전성 패턴 형성방법.
The method according to claim 1,
Further comprising the step of further activating the plating active region after the plating active region is formed and before plating.
제1항에 있어서,
상기 도금활성영역을 형성하는 단계는,
도전성 패턴의 형상에 대응하는 상기 내화학층의 일 영역 및 상기 내화학층의 일 영역 하부에 위치하는 베이스층 영역의 일부를 제거하여 도금활성영역을 형성하는 것을 특징으로 하는 도전성 패턴 형성방법.
The method according to claim 1,
Wherein forming the plating active region comprises:
Forming a plating active region by removing a portion of the base layer region located under one region of the chemical-resistant layer and one region of the chemical-resistant layer corresponding to the shape of the conductive pattern.
제1항에 있어서,
상기 베이스층은, 감광성 수지 및 금속촉매를 포함하는 것을 특징으로 하는 도전성 패턴 형성방법.
The method according to claim 1,
Wherein the base layer comprises a photosensitive resin and a metal catalyst.
제4항에 있어서,
상기 감광성 수지는 플라스틱 수지 및 감광성 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 도전성 패턴 형성방법.
5. The method of claim 4,
Wherein the photosensitive resin comprises a plastic resin and a photosensitive material.
제1항에 있어서,
상기 베이스층의 두께는 0.1㎛ 내지 100㎛인 것을 특징으로 하는 도전성 패턴 형성방법.
The method according to claim 1,
Wherein the thickness of the base layer is 0.1 占 퐉 to 100 占 퐉.
제4항에 있어서,
상기 금속촉매는, Pd(팔라듐), Ni(니켈), Cu(구리), Fe(철), Ag(은), Au(금), Pt(백금) 및 Co(코발트)로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상의 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 도전성 패턴 형성방법.
5. The method of claim 4,
The metal catalyst is selected from the group consisting of Pd (palladium), Ni (nickel), Cu (copper), Fe (iron), Ag (silver), Au (gold), Pt (platinum) and Co (cobalt) Wherein the conductive pattern comprises one or more metals.
제7항에 있어서,
상기 Pd(팔라듐)을 포함하는 촉매는, PdCl2, PdSO4, Pd(NO3)2, K2[PdCl4], [Pd(NH3)4Cl2], 및 [Pd(NH3)2(NO2)2]로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상의 팔라듐염을 포함하는 것을 특징으로 하는 도전성 패턴 형성방법.
8. The method of claim 7,
Catalyst comprising the Pd (palladium) is, PdCl 2, PdSO 4, Pd (NO 3) 2, K 2 [PdCl 4], [Pd (NH 3) 4 Cl 2], and [Pd (NH 3) 2 (NO 2 ) 2 ]. The conductive pattern forming method according to claim 1,
제1항에 있어서,
상기 내화학층은, 레이저에 대한 투과율이 70% 이하인 것을 특징으로 하는 도전성 패턴 형성방법.
The method according to claim 1,
Wherein the chemical-resistant layer has a transmittance to a laser of 70% or less.
제1항에 있어서,
상기 내화학층은, 초발수성 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 도전성 패턴 형성방법.
The method according to claim 1,
Wherein the chemical-resistant layer comprises a super-water-repellent compound.
제10항에 있어서,
상기 초발수성 화합물은, 아크릴 실리콘 화합물, 알킬 사슬 실리콘 화합물, 알킬 실리콘 화합물, 플루오르 화합물 및 알루미늄 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상의 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 도전성 패턴 형성방법.
11. The method of claim 10,
Wherein the superhydrophobic compound comprises at least one compound selected from the group consisting of an acrylic silicone compound, an alkyl chain silicone compound, an alkyl silicone compound, a fluorine compound and an aluminum compound.
제1항에 있어서,
상기 내화학층의 두께는 0.01㎛ 내지 100㎛인 것을 특징으로 하는 도전성 패턴 형성방법.
The method according to claim 1,
Wherein the chemical-resistant layer has a thickness of 0.01 탆 to 100 탆.
제2항에 있어서,
상기 도금활성영역을 추가로 활성처리하는 단계는, 도금하고자 하는 영역에 레이저를 더 조사하는 것을 특징으로 하는 도전성 패턴 형성방법.
3. The method of claim 2,
Wherein the step of further activating the plating active region further comprises irradiating a laser to the region to be plated.
기판;
기판상에 위치하는 베이스층;
상기 베이스층 상에 위치하는 내화학층; 및
상기 내화학층의 일 영역 및 상기 내화학층의 일 영역 하부에 위치하는 상기 베이스층 영역의 일부를 관통하도록 도금된 도전성 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 도전성 패턴이 구비된 입체회로.
Board;
A base layer disposed on the substrate;
An inner chemical layer located on the base layer; And
And a conductive pattern plated to penetrate a part of the base layer region located under one region of the chemical-resistant layer and one region of the chemical-resistant layer.
제14항에 있어서,
상기 내화학층은, 레이저에 대한 투과율이 70% 이하인 것을 특징으로 하는 도전성 패턴이 구비된 입체회로.
15. The method of claim 14,
Wherein the chemical-resistant layer has a transmittance to a laser of 70% or less.
제1항의 형성방법에 따라 형성된 도전성 패턴을 구비하는 입체회로.
A three-dimensional circuit comprising a conductive pattern formed according to the method of claim 1.
제14항의 입체회로를 포함하는 자동차용 회로부품. A circuit component for an automobile comprising the three-dimensional circuit of claim 14.
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