KR20180048210A - Device and method for detecting optical signal - Google Patents

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KR20180048210A
KR20180048210A KR1020160160555A KR20160160555A KR20180048210A KR 20180048210 A KR20180048210 A KR 20180048210A KR 1020160160555 A KR1020160160555 A KR 1020160160555A KR 20160160555 A KR20160160555 A KR 20160160555A KR 20180048210 A KR20180048210 A KR 20180048210A
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optical
optical signal
coupling lens
optical signals
different wavelengths
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강세경
이준기
이지현
허준영
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한국전자통신연구원
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Abstract

An optical signal detecting apparatus and an optical signal detecting method are provided. The optical signal detecting apparatus according to an embodiment of the present invention includes: an optical demultiplexing unit for demultiplexing an inputted optical signal into optical signals of different wavelengths; an optical coupling lens to which the optical signals with different wavelengths are incident; an optical signal reflecting unit for reflecting the optical signals of different wavelengths emitted from the optical coupling lens; and a light detecting unit for detecting the optical signals of different wavelengths which are reflected. Accordingly, the present invention can provide a low-cost multichannel optical signal detecting module.

Description

광 신호 검출 장치 및 광 신호 검출 방법{DEVICE AND METHOD FOR DETECTING OPTICAL SIGNAL}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to an optical signal detecting apparatus and an optical signal detecting method.

아래 설명은 광 신호 검출 장치 및 광 신호 검출 방법에 관한 것이다.The following description relates to an optical signal detecting apparatus and an optical signal detecting method.

광통신 시스템은 전기 신호를 광신호로 변환하는 광송신부와 광신호를 수신하는 광수신부가 있다.The optical communication system includes an optical transmitter for converting an electrical signal into an optical signal and a light receiver for receiving the optical signal.

광전송 시스템에서 광수신부는 평판형 광도파로(PLC; Planar Lightwave Circuit)를 이용하는 방식과 박막 필터(Thin Film Filter)를 이용하는 방식이 주로 사용되고 있다.In the optical transmission system, the light receiving part mainly uses a planar lightwave circuit (PLC) method and a thin film filter (thin film filter) method.

이를 위해서는, 측면 패턴을 가지는 기판이 필요하다. 하지만, 측면 패턴을 가지는 기판 제조 공정이 복잡하여 제조 단가가 높다.For this purpose, a substrate having a side pattern is required. However, the manufacturing cost of the substrate having the side pattern is high due to the complicated manufacturing process.

일 실시예에 따르면, 제작이 용이하고 모듈 저가화가 가능한 구조의 대용량의 다채널 광신호 검출 모듈을 제공할 수 있다.According to an embodiment, it is possible to provide a large-capacity multichannel optical signal detection module of a structure which is easy to manufacture and can be built at low cost.

일 실시예에 따르면, 고가의 측면 패턴이 형성된 기판 기술을 적용하지 않고 저비용으로 구현이 가능한 광신호의 진행 경로를 변경하는 저가의 다채널 광신호 검출 모듈을 제공할 수 있다.According to an embodiment, it is possible to provide a low-cost multi-channel optical signal detection module that changes a traveling path of an optical signal that can be implemented at low cost without applying a substrate technique in which an expensive side pattern is formed.

일 실시예에 따른, 광 신호 검출 장치는, 입력된 광 신호를 다른 파장의 광 신호들로 역다중화하는 광 역다중화부; 상기 다른 파장의 광 신호들이 입사되는 광 결합 렌즈; 상기 광 결합 렌즈로부터 출사된 상기 다른 파장의 광 신호들을 반사시키는 광 신호 반사부; 및 상기 반사된 다른 파장의 광 신호들을 검출하는 광 검출부를 포함할 수 있다.According to an embodiment, an optical signal detecting apparatus includes a optical demultiplexer for demultiplexing an input optical signal into optical signals of different wavelengths; A light coupling lens through which the optical signals of the different wavelengths are incident; An optical signal reflector for reflecting the optical signals of the other wavelength emitted from the optical coupling lens; And a photodetector for detecting the optical signals of the other wavelengths reflected.

일 실시예에 따른, 상기 광 결합 렌즈는, 상기 입사된 다른 파장의 광 신호들을 입사된 광신호의 진행 경로를 변경시킬 수 있다.According to one embodiment, the optical coupling lens can change the traveling path of the incident optical signal of the optical signals having the different wavelengths.

일 실시예에 따른, 상기 광 결합 렌즈는, 상기 다른 파장의 광 신호들이 입사하는 입사면의 형태와 상기 다른 파장의 광 신호들이 출사하는 출사면의 형태가 서로 다를 수 있다.According to an embodiment, the shape of the incident surface on which the optical signals of the different wavelengths are incident and the shape of the outgoing surface on which the optical signals of the different wavelengths are emitted may be different from each other.

일 실시예에 따른, 상기 광 신호 반사부는, 상기 광 결합 렌즈로부터 출사된 상기 다른 파장의 광 신호들이 반사되어 상기 광 검출부를 향하도록 일정 각도의 경사로 배치되는 반사면을 포함할 수 있다.According to an exemplary embodiment, the optical signal reflector may include a reflective surface having optical signals of different wavelengths emitted from the optical coupling lens reflected by the optical coupling portion and disposed at a predetermined angle to the optical detection portion.

일 실시예에 따른, 광 신호 검출 장치는, 상기 검출된 다른 파장의 광 신호들이 전류 신호로 변환되어 전달되는 제1 본드와이어; 상기 제1 본드와이어를 통해 전달된 상기 변환된 전류 신호를 전압 신호로 변환 및 증폭시키는 TIA(Transimpedance Amplifier); 상기 변환 및 증폭된 전압 신호가 전기 신호로 출력되어 전달되는 제2 본드와이어; 및 상기 제2 본드와이어를 통해 전달된 상기 전기 신호를 외부로 전달하는 피드쓰루(Feedthru)를 더 포함할 수 있다.According to an embodiment, an optical signal detecting apparatus includes: a first bond wire in which optical signals of the detected other wavelength are converted into a current signal and transmitted; A TIA (Transimpedance Amplifier) for converting and converting the converted current signal transmitted through the first bond wire into a voltage signal; A second bond wire through which the converted and amplified voltage signal is outputted as an electric signal and is transmitted; And a feedthrough for transmitting the electric signal transmitted through the second bond wire to the outside.

일 실시예에 따른, 상기 광 결합 렌즈는, 상기 다른 파장의 광 신호들 각각이 입사되도록 복수로 상기 광 신호 반사부의 설정된 위치에 배치될 수 있다.According to an embodiment, the plurality of optical coupling lenses may be disposed at predetermined positions of the optical signal reflector so that the optical signals of the different wavelengths are incident on the optical coupling lens.

일 실시예에 따른, 상기 광 검출부는, 상기 검출된 다른 파장의 광 신호들을 변환한 전류 신호를 비아(via) 홀을 이용하여 TIA에 전달할 수 있다.According to an exemplary embodiment, the photodetector may transmit a current signal obtained by converting optical signals of the detected other wavelength to the TIA using a via hole.

일 실시예에 따른, 상기 광 검출부는, 상기 광 신호 반사부의 정렬 마크를 이용하여 정렬되어 배치될 수 있다.According to an exemplary embodiment, the optical detecting unit may be arranged by using alignment marks of the optical signal reflecting unit.

일 실시예에 따른, 상기 광 결합 렌즈는, 상기 다른 파장의 광 신호들이 입사되는 입사면, 상기 입사된 다른 파장의 광 신호들이 출사되는 출사면 중 적어도 하나가 볼록할 수 있다.According to an embodiment, at least one of the incident surface on which the optical signals of the different wavelengths are incident and the outgoing surface on which the incident optical signals of different wavelengths are emitted may be convex.

일 실시예에 따른, 상기 광 검출부는, 상기 입력된 광 신호의 진행 방향에 평행하도록 배치될 수 있다.According to an embodiment, the optical detection unit may be arranged to be parallel to the traveling direction of the input optical signal.

일 실시예에 따른, 상기 광 결합 렌즈는, 상기 입력된 광 신호의 진행 방향의 수직으로 배치될 수 있다.According to an embodiment, the optical coupling lens may be disposed perpendicular to a traveling direction of the input optical signal.

일 실시예에 따른, 상기 광 결합 렌즈는, 상기 입사된 다른 파장의 광 신호들이 출사되는 출사면의 형태에 따라 상기 입사된 다른 파장의 광 신호들을 다른 방향으로 출사할 수 있다.According to an embodiment, the optical coupling lens may emit the optical signals of the different wavelengths in different directions according to the shape of the outgoing plane on which the optical signals of the different wavelengths are emitted.

일 실시예에 따른, 상기 광 결합 렌즈는, 상기 광 신호 반사부의 반사면의 각도에 따라 상기 출사면의 형태가 설정될 수 있다.According to one embodiment, the shape of the exit surface may be set according to the angle of the reflecting surface of the optical signal reflecting portion.

일 실시예에 따른, 상기 광 검출부는, 상기 TIA와 동일한 기판의 반대 방향에 배치될 수 있다.According to one embodiment, the photodetector portion may be disposed in a direction opposite to the same substrate as the TIA.

일 실시예에 따른, 광 신호 검출 방법은, 입력된 광 신호를 다른 파장의 광 신호들로 역다중화하는 단계; 광 결합 렌즈를 이용하여 상기 다른 파장의 광 신호들의 진행 경로를 변경시키는 단계 - 상기 진행 경로가 변경된 다른 파장의 광 신호들은 광 신호 반사부에 입사됨; 및 상기 광 신호 반사부에 의해 반사된 다른 파장의 광 신호들을 검출하는 단계를 포함할 수 있다.According to an exemplary embodiment, an optical signal detection method includes: demultiplexing an input optical signal into optical signals having different wavelengths; Modifying a traveling path of the optical signals of the other wavelength by using the optical coupling lens, the optical signals of the other wavelengths of which the traveling path is changed are incident on the optical signal reflecting portion; And detecting optical signals of other wavelengths reflected by the optical signal reflector.

일 실시예에 따르면, 고가의 측면 패턴이 형성된 기판 기술을 적용하지 않고 저비용으로 구현이 가능한 저가의 다채널 광신호 검출 모듈을 제공할 수 있는 효과가 있다.According to an embodiment of the present invention, it is possible to provide a low-cost multi-channel optical signal detecting module that can be implemented at low cost without applying a substrate technique in which an expensive side pattern is formed.

일 실시예에 따르면, 저비용으로 구현이 가능한 광신호의 진행 경로를 변경하는 기술을 제공할 수 있는 효과가 있다.According to an embodiment of the present invention, there is an effect that it is possible to provide a technique for changing the progress path of an optical signal that can be implemented at a low cost.

일 실시예에 따르면, 광신호 검출 모듈을 구성하고 있는 주요 부품을 수동 정렬 조립함으로써 공정의 단순화 및 저가형 패키지를 통해 모듈 단가를 낮출 수 있다는 효과가 있다.According to one embodiment, the major components constituting the optical signal detecting module are manually aligned and assembled, thereby simplifying the process and lowering the module unit cost through a low-cost package.

도 1은 광 신호 검출 장치의 일 실시예에 따른 광 신호 검출 장치를 나타내는 블록도이다.
도 2a, 2b는 광 신호 검출 장치의 일 실시예에 따른 광 신호 검출 장치의 구조를 나타내는 것이다.
도 3은 광 신호 검출 장치의 일 실시예에 따른 광 결합 렌즈의 형상을 나타내는 것이다.
도 4a, 4b, 4c는 광 신호 검출 장치의 일 실시예에 따른 광 신호 반사부의 구조를 나타내는 것이다.
도 5a, 5b는 광 신호 검출 장치의 일 실시예에 따른 광 신호 검출 장치를 나타내는 것이다.
도 6a, 6b, 6c는 광 신호 검출 장치의 일 실시예에 따른 광 신호 반사부의 구조와 광 결합 렌즈의 형상을 나타내는 것이다.
도 7a, 7b는 광 신호 검출 장치의 일 실시예에 따른 광 신호 검출 장치의 구성을 나타내는 것이다.
도 8a, 8b, 8c는 광 신호 검출 장치의 일 실시예에 따른 광 신호 반사부의 구조를 나타내는 도면이다.
도 9a, 9b는 광 신호 검출 장치의 일 실시예에 따른 광 신호 검출 장치를 나타내는 도면이다.
도 10a, 10b는 광 신호 검출 장치의 일 실시예에 따른 광 신호 반사부의 구조와 광 결합 렌즈의 형상을 나타내는 도면이다.
도 11은 광 신호 검출 방법의 일 실시예에 따른 광 신호 검출 방법을 나타내는 흐름도이다.1 is a block diagram showing an optical signal detecting apparatus according to an embodiment of the optical signal detecting apparatus.
2A and 2B show a structure of an optical signal detecting apparatus according to an embodiment of the optical signal detecting apparatus.
3 shows the shape of the optical coupling lens according to an embodiment of the optical signal detecting apparatus.
4A, 4B and 4C show the structure of the optical signal reflector according to an embodiment of the optical signal detecting apparatus.
5A and 5B show an optical signal detecting apparatus according to an embodiment of the optical signal detecting apparatus.
6A, 6B and 6C show the structure of the optical signal reflector and the shape of the optical coupling lens according to the embodiment of the optical signal detecting apparatus.
7A and 7B show a configuration of an optical signal detecting apparatus according to an embodiment of the optical signal detecting apparatus.
8A, 8B and 8C are views showing the structure of an optical signal reflector according to an embodiment of the optical signal detecting apparatus.
9A and 9B are diagrams showing an optical signal detecting apparatus according to an embodiment of the optical signal detecting apparatus.
10A and 10B are views showing the structure of the optical signal reflector and the shape of the optical coupling lens according to the embodiment of the optical signal detecting apparatus.
11 is a flowchart showing an optical signal detecting method according to an embodiment of the optical signal detecting method.

실시예들에 대한 특정한 구조적 또는 기능적 설명들은 단지 예시를 위한 목적으로 개시된 것으로서, 다양한 형태로 변경되어 실시될 수 있다. 따라서, 실시예들은 특정한 개시형태로 한정되는 것이 아니며, 본 명세서의 범위는 기술적 사상에 포함되는 변경, 균등물, 또는 대체물을 포함한다.Specific structural or functional descriptions of embodiments are set forth for illustration purposes only and may be embodied with various changes and modifications. Accordingly, the embodiments are not intended to be limited to the specific forms disclosed, and the scope of the disclosure includes changes, equivalents, or alternatives included in the technical idea.

제1 또는 제2 등의 용어를 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 이런 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 해석되어야 한다. 예를 들어, 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소는 제1 구성요소로도 명명될 수 있다.The terms first or second, etc. may be used to describe various elements, but such terms should be interpreted solely for the purpose of distinguishing one element from another. For example, the first component may be referred to as a second component, and similarly, the second component may also be referred to as a first component.

어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.It is to be understood that when an element is referred to as being "connected" to another element, it may be directly connected or connected to the other element, although other elements may be present in between.

단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 설명된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함으로 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In this specification, the terms "comprises ", or" having ", and the like, are used to specify one or more of the described features, numbers, steps, operations, elements, But do not preclude the presence or addition of steps, operations, elements, parts, or combinations thereof.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가진다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하며, 본 명세서에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless otherwise defined, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art. Terms such as those defined in commonly used dictionaries are to be interpreted as having a meaning consistent with the meaning of the context in the relevant art and, unless explicitly defined herein, are to be interpreted as ideal or overly formal Do not.

이하, 실시예들을 첨부된 도면들을 참조하여 상세하게 설명한다. 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 도면 부호에 관계없이 동일한 구성 요소는 동일한 참조 부호를 부여하고, 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, embodiments will be described in detail with reference to the accompanying drawings. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In the following description of the present invention with reference to the accompanying drawings, the same components are denoted by the same reference numerals regardless of the reference numerals, and a duplicate description thereof will be omitted.

도 1은 광 신호 검출 장치의 일 실시예에 따른 광 신호 검출 장치(100)를 나타내는 블록도이다.1 is a block diagram showing an optical signal detecting apparatus 100 according to an embodiment of the optical signal detecting apparatus.

광 신호 검출 장치(100)를 포함하는 광 통신 시스템에서 광 송신부는 전기 신호를 광 신호로 변환하고, 전기 트랜시버는 전기 신호를 받아 광 신호를 생성할 수 있다. 또한, 광 수신부는 광 신호를 수신하여 전기 신호로 변환할 수 있다. 광 송신부는 전송해야 되는 데이터 용량이 늘어남에 따라서, 파장분할 다중(WDM; Wavelength Division Multiplexing) 전송 방식을 이용하여 다수개의 파장 신호를 하나의 광섬유에 다중화하여 전송할 수 있다. In the optical communication system including the optical signal detecting apparatus 100, the optical transmitting unit converts an electrical signal into an optical signal, and the electrical transceiver receives an electrical signal to generate an optical signal. Further, the light receiving unit can receive the optical signal and convert it into an electric signal. As the data capacity to be transmitted increases, the optical transmitter can multiplex and transmit a plurality of wavelength signals to one optical fiber using a WDM (Wavelength Division Multiplexing) transmission scheme.

또한, 광 송신부는, WDM 전송방식을 이용하여 기간 전송 망뿐만 아니라, 단거리 이더넷 전송분야 에서도 적용하여, 100G 이더넷 신호를 단일 모드 및 다중 모드 광섬유를 통해 전송할 수 있다. 광 송신부는 다수개의 파장을 가지는 광원을 기초로 광 신호로 변환된 광 신호를 광다중화기를 통해서 파장분할 다중화하여 하나의 광섬유를 이용하여 전송할 수 있다.Also, the optical transmitter can transmit the 100G Ethernet signal through the single mode and the multimode optical fiber by applying the WDM transmission method to the short-range Ethernet transmission field as well as the periodic transmission network. The optical transmitter may wavelength-division-multiplex an optical signal converted into an optical signal based on a light source having a plurality of wavelengths through an optical multiplexer, and transmit the optical signal using one optical fiber.

이때, 광 신호 검출 장치(100)를 포함하는 광 수신부는 다수개의 파장을 갖는 광 신호가 입력되면 광 신호를 광 역다중화부(110)에서 파장별로 분리하고, 파장별로 분리된 광 신호는 각 채널별로 광 검출부(140) 및 TIA(Trans-Impedance Amplifier)에 인가될 수 있다. 이때, 광 신호 검출 장치(100)를 포함하는 광 수신부는 광 신호를 검출하여 검출된 광 신호를 전기 신호로 변환 및 증폭하여 출력할 수 있다. When a plurality of optical signals having a plurality of wavelengths are inputted, the optical signal receiving unit including the optical signal detecting apparatus 100 separates the optical signals into wavelengths in the optical demultiplexing unit 110, May be applied to the optical detecting unit 140 and the TIA (Trans-Impedance Amplifier). At this time, the light receiving unit including the optical signal detecting apparatus 100 can detect the optical signal, convert the detected optical signal into an electric signal, amplify and output the electric signal.

도 1을 참조하면, 광 신호 검출 장치(100)는 광 역다중화부(110), 광 결합 렌즈(120), 광 신호 반사부(130), 광 검출부(140)를 포함할 수 있다. 이때, 광 신호 검출 장치(100)는 다채널 광 신호를 검출하는 모듈인 다채널 광 신호 검출 모듈(Multi-channel optical signal detecting module)일 수 있다.1, the optical signal detecting apparatus 100 may include a optical demultiplexing unit 110, an optical coupling lens 120, an optical signal reflecting unit 130, and a light detecting unit 140. At this time, the optical signal detecting apparatus 100 may be a multi-channel optical signal detecting module that detects a multi-channel optical signal.

광 역다중화부(110)는 입력된 광 신호를 다른 파장의 광 신호들로 역다중화할 수 있다. 이때, 역다중화된 다른 파장의 광 신호들은 서로 다른 파장의 광 신호들일 수 있다. 한편, 광 역다중화부(110)는 광 역다중화기일 수도 있다. The optical demultiplexing unit 110 demultiplexes the input optical signal into optical signals having different wavelengths. At this time, the demultiplexed optical signals of different wavelengths may be optical signals of different wavelengths. Meanwhile, the optical demultiplexer 110 may be a optical demultiplexer.

광 결합 렌즈(120)는 다른 파장의 광 신호들이 입사될 수 있다. 이때, 광 결합 렌즈(120)는 입사된 다른 파장의 광 신호들을 입사된 광신호의 진행 경로를 변경시킬 수 있다. 경우에 따라서, 광 결합 렌즈(120)는 다른 파장의 광 신호들이 입사하는 입사면의 형태와 다른 파장의 광 신호들이 출사하는 출사면의 형태가 서로 다를 수 있다. 또한, 광 결합 렌즈(120)는 다른 파장의 광 신호들이 입사되는 입사면, 입사된 다른 파장의 광 신호들이 출사되는 출사면 중 적어도 하나가 볼록 할 수 있다.The optical coupling lens 120 may receive optical signals having different wavelengths. At this time, the optical coupling lens 120 can change the traveling path of the incident optical signal to the optical signals having different wavelengths. In some cases, the shape of the incident surface on which the optical signals of different wavelengths are incident and the shape of the output surface on which the optical signals of different wavelengths are emitted may be different from each other in the optical coupling lens 120. In addition, at least one of the incident surface on which the optical signals of different wavelengths are incident and the outgoing surface on which the optical signals of different incident wavelengths are emitted may be convex.

일 실시예에 따르면, 광 결합 렌즈(120)는 다른 파장의 광 신호들 각각이 입사되도록 복수로 광 신호 반사부(130)의 설정된 위치에 배치될 수 있다. 또한, 광 결합 렌즈(120)는 입력된 광 신호의 진행 방향의 수직으로 배치될 수 있다.According to an embodiment, the optical coupling lens 120 may be disposed at a predetermined position of a plurality of optical signal reflectors 130 such that optical signals of different wavelengths are incident. Further, the optical coupling lens 120 may be disposed perpendicular to the traveling direction of the input optical signal.

일 실시예에 따르면, 광 결합 렌즈(120)는 입사된 다른 파장의 광 신호들이 출사되는 출사면의 형태에 따라 입사된 다른 파장의 광 신호들을 다른 방향으로 출사할 수 있다. 한편, 광 결합 렌즈(120)는 광 신호 반사부(130)의 반사면의 각도에 따라 출사면의 형태가 설정될 수도 있다.According to one embodiment, the optical coupling lens 120 can emit the optical signals of different wavelengths in different directions according to the shape of the outgoing surface on which the optical signals of the different wavelengths are emitted. The shape of the emitting surface of the optical coupling lens 120 may be set according to the angle of the reflecting surface of the optical signal reflecting unit 130.

광 신호 반사부(130)는 광 결합 렌즈(120)로부터 출사된 다른 파장의 광 신호들을 반사시킬 수 있다. 이때, 광 신호 반사부(130)는 광 결합 렌즈(120)로부터 출사된 다른 파장의 광 신호들이 반사되어 광 검출부(140)를 향하도록 일정 각도의 경사로 배치되는 반사면을 포함할 수 있다. 한편, 광 신호 반사부(130)는 광 신호 반사 블록일 수도 있다.The optical signal reflecting unit 130 may reflect optical signals of other wavelengths emitted from the optical coupling lens 120. In this case, the optical signal reflector 130 may include a reflective surface having optical signals of different wavelengths emitted from the optical coupling lens 120 and reflected at the optical detector 140 and disposed at an inclination of a predetermined angle. Meanwhile, the optical signal reflector 130 may be an optical signal reflection block.

광 검출부(140)는 반사된 다른 파장의 광 신호들을 검출할 수 있다. 이때, 광 검출부(140)는 검출된 다른 파장의 광 신호들을 변환한 전류 신호를 비아(via) 홀을 이용하여 TIA에 전달할 수 있다.The optical detecting unit 140 may detect optical signals having different wavelengths. At this time, the photodetector 140 may transmit the current signal obtained by converting the optical signals having the different wavelengths to the TIA using a via hole.

일 실시예에 따르면, 광 검출부(140)는 광 신호 반사부(130)의 정렬 마크를 이용하여 정렬되어 배치될 수 있다. 이때, 광 검출부(140)는 광 검출 소자(PD, Photodiode)일 수도 있다. 한편, 광 검출부(140)는 입력된 광 신호의 진행 방향에 평행하도록 배치될 수 있다. 또한, 경우에 따라서, 광 검출부(140)는 TIA와 동일한 기판의 반대 방향에 배치될 수도 있다.According to one embodiment, the optical detector 140 may be arranged by using the alignment mark of the optical signal reflector 130. At this time, the optical detector 140 may be a photodiode (PD). Meanwhile, the optical detector 140 may be arranged to be parallel to the traveling direction of the input optical signal. In some cases, the photodetector 140 may be disposed in the opposite direction to the substrate, such as the TIA.

일 실시예에 따르면, 광 신호 검출 장치(100)는 TIA, 피드쓰루, 제1 본드와이어, 제2 본드와이어를 더 포함할 수도 있다. 이때, 제1 본드와이어는 검출된 다른 파장의 광 신호들이 전류 신호로 변환되어 전달될 수 있다. 또한, TIA는 제1 본드와이어를 통해 전달된 변환된 전류 신호를 전압 신호로 변환 및 증폭시킬 수 있다. 한편, 제2 본드와이어는 변환 및 증폭된 전압 신호가 전기 신호로 출력되어 전달될 수 있다. 또한, 피드쓰루는 제2 본드와이어를 통해 전달된 전기 신호를 외부로 전달할 수 있다.According to one embodiment, the optical signal detecting apparatus 100 may further include a TIA, a feedthrough, a first bond wire, and a second bond wire. At this time, the first bond wires can convert the detected optical signals of different wavelengths into current signals and transmit the current signals. In addition, the TIA can convert and convert the converted current signal passed through the first bond wire into a voltage signal. On the other hand, the second bond wire can transmit and output the converted and amplified voltage signal as an electric signal. Also, the feedthrough can deliver an electrical signal delivered via the second bond wire to the outside.

도 2a, 2b는 광 신호 검출 장치(100)의 일 실시예에 따른 광 신호 검출 장치(100)의 구조를 나타내는 것이다.2A and 2B show a structure of an optical signal detecting apparatus 100 according to an embodiment of the optical signal detecting apparatus 100. As shown in FIG.

도 2a는 광 신호 검출 장치(100)의 평면도이고, 도 2b는 광 신호 검출 장치(100)의 측면도임을 알 수 있다. 도 2a 및 2b를 참조하면, 다채널 또는 다파장의 광 신호를 검출하는 광 신호 검출 장치(100)로의 광 입력은 평행한 빔 형태로 인입될 수 있다. 이때, 외부 광 접속 방식은 광섬유 연결 형태이거나 리셉터클(receptacle) 형태로 광섬유 페룰(Ferrule)이 접속되도록 구현될 수 있다.FIG. 2A is a plan view of the optical signal detecting apparatus 100, and FIG. 2B is a side view of the optical signal detecting apparatus 100. Referring to FIGS. 2A and 2B, the optical input to the optical signal detecting apparatus 100 for detecting multi-channel or multi-wavelength optical signals can be introduced in a parallel beam form. At this time, the external optical connection method may be implemented as an optical fiber connection type or an optical fiber ferrule connected to a receptacle type.

일 실시예에 따르면, 다파장으로 구성된 광 신호는 인입되어 광역다중화 블록을 통해 파장 역다중화될 수 있다. 다파장으로 구성된 광 신호는 λ1 ~ λ4일 수 있으나, 한정되는 것은 아니다. 이때, 역다중화되어 출력된 광 신호는 각각의 광 검출부(140)에 광결합될 수 있다. 역다중화되어 출력된 광 신호는 λ1, λ2, λ3, λ4일 수 있으나, 한정되는 것은 아니다. 광 신호 검출 장치(100)는 광 신호 검출 방법을 수행함으로써, 광 역다중화부(110)로부터 출사되는 광 신호의 경로를 변경할 수 있다. 또한, 광 신호 검출 장치(100)는, 경로가 변경된 광신호를 광 검출부(140)에 광 결합시키는 구조를 포함할 수도 있다.According to one embodiment, an optical signal composed of multiple wavelengths may be introduced and wavelength demultiplexed through a wide-mux block. The optical signal composed of multiple wavelengths may be λ 1 to λ 4 , but is not limited thereto. At this time, the demultiplexed and outputted optical signal can be optically coupled to each optical detector 140. The demultiplexed and outputted optical signal may be λ 1 , λ 2 , λ 3 , λ 4 , but is not limited thereto. The optical signal detecting apparatus 100 can change the path of the optical signal emitted from the optical demultiplexer 110 by performing the optical signal detecting method. In addition, the optical signal detecting apparatus 100 may include a structure for optically coupling the optical signal whose path has been changed to the optical detecting section 140.

일 실시예에 따르면, 광 역다중화부(110)를 통해 출사되는 각각의 광 신호는 어레이(array) 형태 또는 단일 채널 형태의 광 결합 렌즈(120)에 입사될 수 있다. 이때, 입사되는 광 신호는 평행빔 형태 또는 광 역다중화부(110) 출사부의 경계면과 외부 매질의 굴절율에 따라 발산되는 빔의 형태를 포함할 수도 있다. 가령, 광 신호 검출 장치(100)는 평행빔 형태의 광 신호를 입사시킬 수 있다.Each of the optical signals output through the optical demultiplexer 110 may be incident on the optical coupling lens 120 in the form of an array or a single channel. In this case, the incident optical signal may include the shape of a parallel beam or a beam that is diverged according to the refractive index of the external medium and the boundary surface of the output portion of the optical demultiplexer 110. For example, the optical signal detecting apparatus 100 can make an incident optical signal in the form of a parallel beam.

일 실시예에 따르면, 광 결합 렌즈(120)를 통해 출사되는 광 신호는 광 신호 반사부(130)에 인가될 수 있다. 이때, 광 신호 반사부(130)에 의하여 반사된 광 신호는 광 검출부(140)에 인가될 수 있다. 한편, 광 신호 반사부(130)는 광 신호 진행 경로를 변경하기 위하여 반사면이 형성되어 있을 수 있다. 또한, 광 검출부(140)는 광 신호 반사부(130) 상에 정해진 위치에 금-주석(AuSn)과 같은 솔더(solder)를 이용하여 실장될 수도 있다.According to an exemplary embodiment, an optical signal emitted through the optical coupling lens 120 may be applied to the optical signal reflector 130. FIG. At this time, the optical signal reflected by the optical signal reflector 130 may be applied to the optical detector 140. On the other hand, the optical signal reflector 130 may have a reflective surface for changing the optical signal propagation path. The optical detector 140 may be mounted on the optical signal reflector 130 at a predetermined position using a solder such as gold-tin (AuSn).

일 실시예에 따르면, 광 검출부(140)에 인가된 광 신호는 전류 신호로 변환되어 제1 본드와이어를 통해 TIA 칩에 인가되어 전압 신호로 변환 및 증폭될 수 있다. TIA 칩으로부터 출력된 전기 신호는 제2 본드와이어를 통해 패키지의 피드쓰루(Feedthru)에 연결되어 외부와 연결될 수 있다.According to one embodiment, the optical signal applied to the photodetector 140 may be converted into a current signal, applied to the TIA chip through the first bond wire, and converted into a voltage signal and amplified. The electrical signal output from the TIA chip can be connected to the feedthru of the package through the second bond wire and connected to the outside.

일 실시예에 따르면, 광 결합 렌즈(120)는 제2 기판의 한 측면상에 렌즈 지지대(support)를 이용하여 실장되거나 제1 기판상에 바로 실장 될 수도 있다. 이때, 제1 기판은 모듈의 구조에 따라 전기적으로 절연성을 가지면서 열전도성이 높은 재질일 수 있다. 또한, 제1 기판은 전기적으로 모듈 케이스와 모듈에 사용되는 칩 사이에 동일한 전위 및 그라운드를 가질 경우, 금속과 같은 재질로 구성될 수도 있다. 한편, 제2 기판은 광 신호 반사부(130)와 TIA 칩을 실장하기 위해 크기를 확장하도록 설정할 수도 있다. 또한, 제2 기판은 제1 기판의 상단에 배치될 수 있으며, 제1 기판은 패키지 하부의 상단에 배치될 수도 있다. 또한, 광 역다중화부(110)는 제1 기판 상에 배치될 수도 있다.According to one embodiment, the optically coupled lens 120 may be mounted using a lens support on one side of the second substrate, or may be mounted directly on the first substrate. At this time, the first substrate may be a material having a high thermal conductivity with electrical insulation depending on the structure of the module. Also, the first substrate may be made of a material such as a metal, when the first substrate has the same potential and ground between the chip used in the module case and the module electrically. On the other hand, the second substrate may be set to expand the size to mount the optical signal reflector 130 and the TIA chip. Also, the second substrate may be disposed at the top of the first substrate, and the first substrate may be disposed at the top of the package bottom. Also, the optical demultiplexer 110 may be disposed on the first substrate.

도 3은 광 신호 검출 장치(100)의 일 실시예에 따른 광 결합 렌즈(120)의 형상을 나타내는 것이다.3 shows the shape of the optical coupling lens 120 according to an embodiment of the optical signal detecting apparatus 100. As shown in FIG.

도 3을 참조하면, 광 결합 렌즈(120)의 입사면과 출사면의 측면도를 알 수 있다. 광 결합 렌즈(120)는, 어레이 형태의 광 결합 렌즈(120)일 수 있다. 이때, 광 결합 렌즈(120)는 광 검출부(140)의 중심과의 정렬을 위해 정렬용 돌기가 형성되어 있을 수도 있다. 또한, 광 결합 렌즈(120)로부터 출사되는 광 신호는 광 결합 렌즈(120)의 출사면의 형상에 따라 수평 방향으로 출사 또는 경사진 방향으로 출사될 수도 있다. 이때, 광 결합 렌즈(120)의 출사면 형상은 광 신호 반사부(130)에 형성된 반사면의 형성 각도에 따라 선택되도록 설정될 수 있다. Referring to FIG. 3, a side view of an incident surface and an exit surface of the optical coupling lens 120 can be seen. The optical coupling lens 120 may be an optical coupling lens 120 in the form of an array. At this time, the optical coupling lens 120 may be provided with alignment protrusions for aligning with the center of the optical detector 140. The optical signal emitted from the optical coupling lens 120 may be output in a horizontal direction or in an inclined direction depending on the shape of the exit surface of the optical coupling lens 120. [ At this time, the shape of the exit surface of the optical coupling lens 120 can be set to be selected in accordance with the angle of the reflection surface formed on the optical signal reflecting portion 130.

일 실시예에 따르면, 광 결합 렌즈(120)의 측면의 입사면은 볼록한 형태를 포함하도록 구성되고, 출사면은 평면 형태를 포함하도록 구성될 수 있다. 이때, 볼록한 형태의 입사면으로 입사된 광 신호는 평면 형태의 기울기에 따라서 출사되는 출사광의 진행 방향이 다를 수 있다. 가령, 출사되는 광 신호는 입사된 광 신호와 평행 방향으로 출사되어 진행 될 수도 있으나, 입사된 광 신호와 소정의 각도를 이루도록 출사되어 진행될 수도 있다.According to one embodiment, the incident surface on the side surface of the optically-coupled lens 120 is configured to include a convex shape, and the outgoing surface may be configured to include a planar shape. At this time, the optical signal incident on the incident surface of the convex shape may have different directions of the outgoing light emitted according to the slope of the planar shape. For example, the emitted optical signal may be output in a direction parallel to the incident optical signal, but it may be emitted and emitted at a predetermined angle with the incident optical signal.

도 4a, 4b, 4c는 광 신호 검출 장치(100)의 일 실시예에 따른 광 신호 반사부(130)의 구조를 나타내는 것이다.4A, 4B and 4C show the structure of the optical signal reflector 130 according to an embodiment of the optical signal detecting apparatus 100. As shown in FIG.

도 4a는 광 신호 반사부(130)의 평면도이고, 도 4b, 4c는 광 신호 반사부(130)의 측면도이다. 도 4a를 참조하면, 광 신호 반사부(130)는 광 결합 렌즈(120)와 정렬하기 위한 정렬마크를 포함할 수 있다. 또한, 광 신호 반사부(130)는 광 검출부(140)가 실장되기 위한 금-주석과 같은 솔더, 광 신호 진행 경로 변경을 위한 반사면 등을 포함하여 구성될 수도 있다. 4A is a plan view of the optical signal reflector 130, and FIGS. 4B and 4C are side views of the optical signal reflector 130. FIG. Referring to FIG. 4A, the optical signal reflector 130 may include an alignment mark for aligning with the optical coupling lens 120. Also, the optical signal reflector 130 may include a solder such as gold-tin for mounting the optical detector 140, a reflective surface for changing the optical signal path, and the like.

일 실시예에 따르면, 도 4b, 4c는 도 4a의 A-A’의 단면일 수 있다. 도 4b를 참조하면, 광 신호 반사부(130)에 형성된 반사면은 90도 광 신호 경로 변경을 위하여, 반사면 각(θ1)을 45도가 되도록 배치될 수 있다. 이때, 광 신호 반사부(130)에 입사되는 광 신호는 반사면에 의하여 90도 광 신호 경로 변경을 하도록, 수평 방향으로 반사면에 입사될 수 있다.According to one embodiment, Figs. 4B and 4C can be cross-sectioned at A-A 'in Fig. 4A. Referring to FIG. 4B, the reflection surface formed on the optical signal reflection unit 130 may be disposed so that the reflection surface angle? 1 is 45 degrees to change the optical path of 90 degrees. At this time, the optical signal incident on the optical signal reflector 130 may be incident on the reflective surface in the horizontal direction so as to change the optical signal path by 90 degrees by the reflective surface.

일 실시예에 따르면, 광 신호 반사부(130)의 반사면은 실리콘 광학 벤치(silicon optical bench)에서 사용되는 {111} 결정면을 화학적 에칭(etching)을 이용하여 형성될 수 있다. 도 4c를 참조하면, 결정면 에칭을 통해 형성된 반사면의 각(θ1)은 54.74도일 수 있다. 이때, 광 신호를 광 검출부(140)에 수직으로 입사시키기 위하여, 광 신호 반사부(130)에 입사된 광 신호가 수평선에 비해 특정각(θ2)을 가지고 경사지게 입사되었을 경우, 입사된 광 신호는 54.74도로 형성된 반사면을 통해 반사되어 수직 방향으로 광 검출부(140)에 입사될 수 있다. 이때, 특정각(θ2)는 19.48도일 수 있다. 한편, 수평선은 광 신호 검출 장치(100)에 입사된 광 신호와 평행하거나 광 신호 검출 장치(100)의 패키지 하부 또는 기판과 평행할 수 있다.According to one embodiment, the reflective surface of the optical signal reflector 130 may be formed using chemical etching of a {111} crystal plane used in a silicon optical bench. Referring to FIG. 4C, the angle? 1 of the reflective surface formed through the crystal plane etching may be 54.74 degrees. In this case, when the optical signal incident on the optical signal reflector 130 is inclined at a specific angle (? 2 ) with respect to the horizontal line in order to vertically enter the optical detector 140, May be reflected through the reflecting surface formed at 54.74 degrees and incident on the photodetector 140 in the vertical direction. At this time, the specific angle (? 2 ) may be 19.48 degrees. On the other hand, the horizontal line may be parallel to the optical signal incident on the optical signal detecting apparatus 100 or parallel to the package under the package of the optical signal detecting apparatus 100 or the substrate.

도 5a, 5b는 광 신호 검출 장치(100)의 일 실시예에 따른 광 신호 검출 장치(100)를 나타내는 것이다.5A and 5B show an optical signal detecting apparatus 100 according to an embodiment of the optical signal detecting apparatus 100. As shown in FIG.

도 5a는 광 신호 검출 장치(100)의 평면도이고, 도 5b는 광 신호 검출 장치(100)의 측면도이다. 도 5a를 참조하면, 광 신호 검출 장치(100)는 광 결합 렌즈(120)를 광 신호 반사부(130)에 개별적으로 설정된 위치에 실장할 수 있다. 이때, 광 신호 반사부(130)는 실리콘 광학 벤치 형태로 구현될 수 있다. 한편, 광 신호 검출 장치(100)는 실리콘 광학 벤치 공정을 이용하여 광 결합 렌즈(120)의 실장용 홈(groove)을 형성할 수 있다. 광 신호 검출 장치(100)의 광 결합 렌즈(120)의 실장용 홈은 비교적 정교한 공정을 통해 제작되므로, 광 결합 렌즈(120)를 수동 정렬 조립할 수 있다는 장점이 있다.5A is a plan view of the optical signal detecting apparatus 100, and FIG. 5B is a side view of the optical signal detecting apparatus 100. FIG. Referring to FIG. 5A, the optical signal detecting apparatus 100 may mount the optical coupling lens 120 at a position separately set in the optical signal reflecting unit 130. [0053] FIG. At this time, the optical signal reflector 130 may be implemented in the form of a silicon optical bench. Meanwhile, the optical signal detecting apparatus 100 can form a mounting groove of the optical coupling lens 120 using a silicon optical bench process. Since the mounting groove of the optical coupling lens 120 of the optical signal detecting apparatus 100 is manufactured through a relatively complicated process, the optical coupling lens 120 can be manually aligned and assembled.

일 실시예에 따르면, 광 역다중화부(110)를 통해 출사되는 각각의 광 신호는 개별 광 결합 렌즈(120)에 입사될 수 있다. 이때, 입사되는 광 신호는 평행빔 형태 또는 광 역다중화부(110) 출사부의 경계면과 외부 매질의 굴절율에 따라 발산되는 빔의 형태를 포함할 수 있다. 광 결합 렌즈(120)를 통해 출사되는 광 신호는 광 신호 반사부(130)에 인가 및 반사되어 광 검출부(140)에 인가될 수 있다. 이때, 광 신호 반사부(130)는 광 신호 진행 경로 변경을 위한 반사면을 포함할 수 있다. Each of the optical signals output through the optical demultiplexing unit 110 may be incident on the individual optical coupling lens 120 according to one embodiment. In this case, the incident optical signal may include a shape of a parallel beam or a beam that is diverged according to a refractive index of an external medium and an interface of an output unit of the optical demultiplexer 110. The optical signal emitted through the optical coupling lens 120 may be applied to the optical signal reflecting unit 130 and reflected thereby to be applied to the optical detecting unit 140. At this time, the optical signal reflector 130 may include a reflection surface for changing the optical signal propagation path.

도 5b를 참조하면, 광 결합 렌즈(120)는 광 신호 반사부(130)상에 형성된 홈에 실장될 수 있다. 이때, 광 결합 렌즈(120) 실장시 에폭시를 이용하여 고정할 경우, 에폭시가 반사면을 오염시키는 것을 방지하기 위해 광 결합 렌즈(120) 홈과 반사면 사이에 트렌치(trench)가 형성될 수도 있다. 또한, 광 검출부(140)는 광 신호 반사부(130)상에 정해진 위치에 금-주석과 같은 솔더를 이용하여 실장될 수도 있다.Referring to FIG. 5B, the optical coupling lens 120 may be mounted in a groove formed on the optical signal reflector 130. In this case, when the optical coupling lens 120 is fixed using epoxy, a trench may be formed between the groove of the optical coupling lens 120 and the reflective surface to prevent the epoxy from contaminating the reflective surface . Also, the optical detector 140 may be mounted on the optical signal reflector 130 at a predetermined position using solder such as gold-tin.

한편, 광 검출부(140)에 인가된 광 신호는 전류 신호 변환되어 제1 본드와이어를 통해 TIA에 인가되어 전압 신호로 변환 및 증폭될 수 있다. 이때, TIA 칩으로부터 출력된 전기 신호는 제2 본드와이어를 통해 패키지의 피드쓰루에 연결되어 외부와 연결되도록 출력될 수도 있다. 제1 기판은 모듈의 구조에 따라 전기적으로 절연성을 가지면서 열전도성이 높은 재질을 포함하거나, 전기적으로 모듈 케이스와 모듈에 사용되는 칩사이에 동일한 전위 또는 그라운드를 가질 경우 금속과 같은 재질을 포함할 수도 있다. 또한, 제2 기판은 광 신호 반사부(130)를 TIA와 근접하도록 실장하기 위하여 크기가 확장되도록 이용될 수도 있다.On the other hand, the optical signal applied to the optical detector 140 is converted into a current signal and applied to the TIA through the first bond wire to be converted into a voltage signal and amplified. At this time, the electrical signal output from the TIA chip may be connected to the feedthrough of the package through the second bond wire and output to be connected to the outside. The first substrate may include a material having a high thermal conductivity with electrical insulation depending on the structure of the module or a material such as a metal when the module has the same potential or ground between the chip used for the module case and the module It is possible. Also, the second substrate may be used so that the optical signal reflector 130 is enlarged in size to be mounted close to the TIA.

도 6a, 6b, 6c는 광 신호 검출 장치(100)의 일 실시예에 따른 광 신호 반사부(130)의 구조와 광 결합 렌즈(120)의 형상을 나타내는 것이다.6A, 6B, and 6C illustrate the structure of the optical signal reflector 130 and the shape of the optical coupling lens 120 according to an embodiment of the optical signal detecting apparatus 100. As shown in FIG.

도 6a, 6b, 6c는 광 신호 반사부(130)의 평면도이고, 도 6c는 광 결합 렌즈(120)의 형상의 측면도를 포함하고 있다. 도 6a, 6b를 참조하면, 광 결합 렌즈(120) 또는 광 검출부(140)의 부품이 실장되기 전과 후의 광 신호 반사부(130)의 구성 및 전체 형상을 알 수 있다. 광 신호 반사부(130)는 광 결합 렌즈(120)용 홈(groove), 인접 부품간 정렬을 위한 정렬마크를 포함할 수 있다. 물론, 광 신호 반사부(130)는 광 검출부(140)를 본딩하기 위한 금-주석과 같은 솔더, 광 신호 진행 경로 변경을 위한 반사면 등을 포함할 수도 있다.FIGS. 6A, 6B and 6C are plan views of the optical signal reflector 130, and FIG. 6C is a side view of the shape of the optical coupling lens 120. FIG. 6A and 6B, the configuration and the overall shape of the optical signal reflector 130 before and after mounting the components of the optical coupling lens 120 or the optical detection unit 140 can be known. The optical signal reflector 130 may include a groove for the optically coupled lens 120, and an alignment mark for alignment between adjacent components. Of course, the optical signal reflector 130 may include a solder such as gold-tin for bonding the optical detector 140, a reflection surface for changing the optical signal path, and the like.

일 실시예에 따르면, 광 신호 반사부(130)에 형성된 반사면은 90도 광 신호 경로 변경을 위해 반사면 각 (θ1)을 45도로 배치할 수 있다. 이때, 광 신호 반사부(130)는 반사면을 이용하여, 90도 광 신호 경로 변경을 위해 입사되는 광 신호를 수평 방향으로 반사면에 입사시킬 수 있다. 이때, 도 6b의 광 결합 렌즈(120)의 출사면은 입사되는 광 신호와 수직이 되도록 기울기가 설정될 수 있다. 물론, 경우에 따라서, 반사면 각(θ1)이 45도가 아닐 경우, 광 결합 렌즈(120)의 출사면은 다른 기울기로 설정될 수도 있다.According to one embodiment, the reflective surface formed on the optical signal reflector 130 may have a reflection surface angle? 1 of 45 degrees for changing the optical path of 90 degrees. At this time, the optical signal reflector 130 can use the reflection surface to make the incident optical signal incident on the reflection surface in the horizontal direction to change the optical path of 90 degrees. At this time, the exit surface of the optical coupling lens 120 of FIG. 6B can be set to be perpendicular to the incident optical signal. Of course, in some cases, the exit surface of the optical coupling lens 120 may be set at a different slope when the reflection surface angle? 1 is not 45 degrees.

일 실시예에 따르면, 도 6c는 도 6b의 A-A’ 단면일 수 있다. 도 6c를 참조하면, 광 신호 반사부(130)의 반사면은 실리콘 광학 벤치에서 이용되는 {111} 결정면을 화학적 에칭을 이용하여 형성될 수 있다. 이때, 형성된 반사면의 각(θ1)이 54.74도이고, 광 신호는 수평선에 비해 특정각(θ2)을 가지고 경사지게 입사되었을 경우, 입사된 광 신호는 반사면을 통해 수직 방향으로 광 검출부(140)에 입사 될 수 있다. 가령, 특정각(θ2)은 19.48도일 수 있다. 한편, 특정각(θ2)으로 반사면에 광 신호를 입사시키기 위하여, 광 결합 렌즈(120)의 형상 중에서 출사면이 경사지게 형성되도록 처리될 수도 있다.According to one embodiment, FIG. 6C can be taken along the line A-A 'of FIG. 6B. Referring to FIG. 6C, the reflective surface of the optical signal reflector 130 may be formed by chemical etching the {111} crystal plane used in the silicon optical bench. At this time, when the angle (? 1 ) of the formed reflection surface is 54.74 degrees and the optical signal is inclined with a specific angle (? 2 ) with respect to the horizontal line, the incident optical signal passes through the reflection surface 140, respectively. For example, the specific angle? 2 may be 19.48 degrees. On the other hand, in order to cause the optical signal to be incident on the reflecting surface at the specific angle? 2 , the exit surface may be processed to be inclined in the shape of the optical coupling lens 120.

도 7a, 7b는 광 신호 검출 장치(100)의 일 실시예에 따른 광 신호 검출 장치(100)의 구성을 나타내는 것이다.7A and 7B show the configuration of an optical signal detecting apparatus 100 according to an embodiment of the optical signal detecting apparatus 100. As shown in FIG.

도 7a는 광 신호 검출 장치(100)의 평면도이고, 도 7b는 광 신호 검출 장치(100)의 측면도임을 알 수 있다. 도 7a를 참조하면, 광 신호 검출 장치(100)는 광 검출부(140)와 TIA 칩을 제3 기판에 하나의 기판으로서 실장할 수 있다. 이때, 광 역다중화부(110)를 통해 출사되는 각각의 광 신호는 어레이 형태 또는 단일 채널 형태의 광 결합 렌즈(120)에 입사될 수 있다. 한편, 입사되는 광 신호는 평행빔 형태 또는 광 역다중화부(110) 출사부의 경계면과 외부 매질의 굴절율에 따라 발산되는 빔의 형태를 포함할 수 있다. 7A is a plan view of the optical signal detecting apparatus 100, and FIG. 7B is a side view of the optical signal detecting apparatus 100. FIG. Referring to FIG. 7A, the optical signal detecting apparatus 100 can mount the optical detecting unit 140 and the TIA chip as a single substrate on a third substrate. At this time, each optical signal output through the optical demultiplexer 110 may be incident on the optical coupling lens 120 in the form of an array or a single channel. The incident optical signal may include a shape of a parallel beam or a shape of a beam that is diverged according to a refractive index of an external medium and an interface of an output unit of the optical demultiplexer 110.

일 실시예에 따르면, 광 결합 렌즈(120)를 통해 출사되는 광 신호는 광 신호 반사부(130)에 인가 및 반사되어 광 검출부(140)에 인가될 수 있다. 이때, 광 신호 반사부(130)는 광 신호 진행 경로를 변경하기 위한 반사면을 포함할 수 있다. 광 검출부(140)는 제3 기판상에 정해진 위치에 금-주석과 같은 솔더를 이용하여 실장될 수 있다.According to one embodiment, an optical signal emitted through the optical coupling lens 120 may be applied to the optical signal reflector 130 and reflected thereby to be applied to the optical detector 140. At this time, the optical signal reflector 130 may include a reflection surface for changing the optical signal propagation path. The photodetector 140 may be mounted on the third substrate at a predetermined position using a solder such as gold-tin.

일 실시예에 따르면, 광 검출부(140)에 인가된 광 신호는 전류 신호로 변환되어 제3 기판상에 형성된 비아 (via) 홀(hole)에 의해 광 검출부(140) 실장된 기판면의 반대쪽 기판면으로 연결되도록 제1 본드와이어를 통해 TIA 칩 에 인가될 수 있다. 이때, 인가된 광 신호는 전압 신호로 변환 및 증폭될 수 있다. 한편, 광 신호 반사부(130)와 제3 기판상에 실장된 광 검출부(140)의 정렬은 광 신호 반사부(130) 및 제3 기판에 새겨진 정렬 마크를 통해 수동 정렬 및 조립 될 수 있다. 이때, 광 신호 반사부(130)에 형성된 반사면은 실리콘 광학 벤치 공정을 통해 하나의 기판상에서 형성될 수도 있고, 별도의 기판에 반사면이 형성된 블록을 광 신호 반사부(130)로서 실장하여 광 신호 반사부(130)가 구성될 수도 있다. The optical signal applied to the photodetector 140 is converted into a current signal and is converted into a current signal by a via hole formed on the third substrate, Plane to the TIA chip via the first bond wire. At this time, the applied optical signal can be converted into a voltage signal and amplified. The alignment of the optical signal reflector 130 and the optical detector 140 mounted on the third substrate may be manually aligned and assembled through the alignment marks engraved on the optical signal reflector 130 and the third substrate. In this case, the reflection surface formed on the optical signal reflection unit 130 may be formed on one substrate through a silicon optical bench process, and a block having a reflection surface formed on a separate substrate may be mounted as the optical signal reflection unit 130, The signal reflector 130 may be configured.

도 7b를 참조하면, TIA 칩으로부터 출력된 전기 신호는 제2 본드와이어를 통해 패키지의 피드쓰루에 연결되어 외부와 연결되도록 출력될 수 있다. 한편, 광 결합 렌즈(120)는 제2 기판의 한 측면상에 렌즈 지지대를 이용하여 실장되거나 제1 기판상에 바로 실장될 수 있다. 또한, 제1 기판은 모듈의 구조에 따라 전기적으로 절연성을 가지면서 열전도성이 높은 재질이 사용될 수도 있고, 전기적으로 모듈 케이스와 모듈에 사용되는 칩사이에 동일한 전위 또는 그라운드를 가질 경우 금속과 같은 재질로 구성될 수 있다. 또한, 제2 기판은 광 신호 반사부(130)를 실장하기 위해 크기가 확장되어 사용될 수도 있다. 또한, 경우에 따라서, 제3 기판은 TIA를 실장하기 위해 크기가 확장되어 사용될 수도 있다.Referring to FIG. 7B, an electrical signal output from the TIA chip may be connected to the feedthrough of the package through the second bond wire and output to be connected to the outside. Meanwhile, the optically-coupled lens 120 may be mounted using a lens support on one side of the second substrate or may be mounted directly on the first substrate. In addition, the first substrate may be made of a material having high electrical conductivity and electrically insulating property depending on the structure of the module, or may be made of a material such as a metal if the electrical potential is the same between the chip used in the module case and the module ≪ / RTI > Also, the second substrate may be enlarged to be used for mounting the optical signal reflector 130. Also, as occasion demands, the third substrate may be used in an expanded size to mount the TIA.

일 실시예에 따르면, 광 결합 렌즈(120)의 형상은, 어레이 형태의 광 결합 렌즈(120)일 수 있으며, 광 검출부(140)의 중심과의 정렬을 위해 정렬용 돌기가 형성될 수도 있다. 이때, 광 결합 렌즈(120)로부터 출사되는 광 신호는 광 결합 렌즈(120)의 출사면의 형상에 따라 수평 방향으로 출사 또는 경사진 방향으로 출사될 수 있다. 한편, 광 결합 렌즈(120)의 출사면 형상은 광 신호 반사부(130)에 형성된 반사면의 형성 각도에 따라 선택되어 형성될 수 있다.According to one embodiment, the shape of the optical coupling lens 120 may be an optical coupling lens 120 in the form of an array, and an alignment protrusion may be formed for alignment with the center of the optical detection section 140. At this time, the optical signal emitted from the optical coupling lens 120 may be output in a horizontal direction or in an inclined direction depending on the shape of the exit surface of the optical coupling lens 120. On the other hand, the shape of the exit surface of the optical coupling lens 120 can be selected and formed in accordance with the angle of the reflection surface formed on the optical signal reflector 130.

도 8a, 8b, 8c는 광 신호 검출 장치(100)의 일 실시예에 따른 광 신호 반사부(130)의 구조를 나타내는 도면이다.8A, 8B and 8C are diagrams showing the structure of the optical signal reflector 130 according to an embodiment of the optical signal detecting apparatus 100. As shown in FIG.

도 8a, 8b, 8c는 광 신호 반사부(130)의 평면도이다. 도 8a를 참조하면, 광 신호 반사부(130)와 광 검출부(140)가 실장된 제3 기판을 두 부분에 각각 형성된 정렬 마크를 통해 정렬 및 조립된 형상을 알 수 있다. 또한, 도 8b를 참조하면, 실리콘 광학 벤치를 이용하여 형성된 광 신호 반사부(130)를 알 수 있다. 이때, 실리콘 광학 벤치는 {111}면을 화학적으로 에칭하여 반사면을 형성할 수 있다. 한편, 형성된 반사면의 각(θ1)은 54.74도이고, 광 결합 렌즈(120) 출사면 형상이 경사진 구조를 적용하여 특정각을 가질 경우, 광 신호가 반사면에 입사되면 수직 방향으로 광 신호의 경로가 변경될 수 있다. 8A, 8B and 8C are plan views of the optical signal reflector 130. FIG. Referring to FIG. 8A, the shape of the third substrate, on which the optical signal reflector 130 and the optical detector 140 are mounted, is aligned and assembled through alignment marks respectively formed on the two portions. Also, referring to FIG. 8B, the optical signal reflector 130 formed using the silicon optical bench can be known. At this time, the silicon optical bench can chemically etch the {111} surface to form a reflecting surface. On the other hand, when the optical signal is incident on the reflection surface, the angle? 1 of the formed reflection surface is 54.74 degrees, and when the optical signal is incident on the reflection surface, The path of the signal can be changed.

일 실시예에 따르면, 실리콘 광학 벤치를 적용할 경우, 광 검출부(140)가 실장된 제3 기판의 정렬 마크는 실리콘 광학 벤치로 구현될 수 있다. 이때, 광 신호 반사부(130)는 실리콘에 화학적 에칭에 의해 형성된 “V”자 홈에 정렬되어 실장될 수 있다.According to one embodiment, when a silicon optical bench is applied, the alignment mark of the third substrate on which the light detecting portion 140 is mounted may be implemented as a silicon optical bench. At this time, the optical signal reflector 130 may be mounted in alignment with the V-shaped groove formed by chemical etching on the silicon.

도 8c를 참조하면, 정렬 마크가 형성된 임의의 기판에 반사면 블록을 실장한 형태로 광 신호 반사부(130)를 구현할 수 있다. 이때, 반사면의 각(θ1)은 45도로 형성할 수도 있다. 물론, 경우에 따라서, 반사면의 각(θ1)은 특정각(θ2) 등의 다른 각도일 수도 있다. 한편, 광 신호 검출 장치(100)는 광 신호 반사부(130)와 출사면이 평평한 광 결합 렌즈(120)를 이용하여, 광 신호의 경로를 수직 방향으로 변경할 수 있다. 이때, 광 신호 검출 장치(100)는 광 검출부(140)가 실장된 제3 기판의 정렬 마크와 광 신호 반사부(130)에 형성된 각각의 정렬 마크의 정렬을 이용하여 부품이 실장될 수 있다. Referring to FIG. 8C, the optical signal reflector 130 may be implemented by mounting a reflection surface block on an arbitrary substrate on which alignment marks are formed. At this time, the angle? 1 of the reflection surface may be formed at 45 degrees. Of course, depending on the case, the angle? 1 of the reflection surface may be another angle such as the specific angle? 2 . On the other hand, the optical signal detecting apparatus 100 can change the optical signal path in the vertical direction by using the optical signal reflecting unit 130 and the optical coupling lens 120 having a flat exit surface. At this time, the optical signal detecting apparatus 100 can be mounted with the alignment mark of the third substrate on which the optical detecting unit 140 is mounted and the alignment of each alignment mark formed on the optical signal reflecting unit 130.

도 9a, 9b는 광 신호 검출 장치(100)의 일 실시예에 따른 광 신호 검출 장치(100)를 나타내는 도면이다.9A and 9B are diagrams showing an optical signal detecting apparatus 100 according to an embodiment of the optical signal detecting apparatus 100. FIG.

도 9a는 광 신호 검출 장치(100)의 평면도이고, 도 9b는 광 신호 검출 장치(100)의 측면도임을 알 수 있다. 도 9a를 참조하면, 광 신호 검출 장치(100)는 광 검출부(140)와 TIA 칩을 하나의 기판으로서 제3 기판에 실장할 수 있다. 광 역다중화부(110)를 통해 출사되는 각각의 광 신호는 각각의 단일 채널 형태의 광 결합 렌즈(120)에 입사될 수 있다. 한편, 입사되는 광 신호는 평행빔 형태 또는 광 역다중화부(110) 출사부의 경계면과 외부 매질의 굴절율에 따라 발산되는 빔의 형태를 포함할 수 있다. 또한, 광 결합 렌즈(120)를 통해 출사되사 되는 광 신호는 광 신호 반사부(130)에 인가되고 반사되어 광 검출부(140)에 인가될 수 있다.9A is a plan view of the optical signal detecting apparatus 100, and FIG. 9B is a side view of the optical signal detecting apparatus 100. FIG. Referring to FIG. 9A, the optical signal detecting apparatus 100 can mount the optical detecting unit 140 and the TIA chip as a single substrate on a third substrate. Each of the optical signals output through the optical demultiplexing unit 110 may be incident on the optical coupling lens 120 of each single channel type. The incident optical signal may include a shape of a parallel beam or a shape of a beam that is diverged according to a refractive index of an external medium and an interface of an output unit of the optical demultiplexer 110. The optical signal output through the optical coupling lens 120 may be applied to the optical signal reflector 130, reflected and applied to the optical detector 140.

일 실시예에 따르면, 광 신호 반사부(130)는 광 신호 진행 경로를 변경하기 위해 반사면이 형성되어 있을 수 있다. 광 검출부(140)는 제3 기판상에 정해진 위치에 솔더를 이용하여 실장될 수 있다. 이때, 광 검출부(140)에 인가된 광 신호는 전류 신호로 변환되어 제3 기판상에 형성된 비아에 의해 광 검출부(140) 실장된 기판면의 반대쪽 기판면으로 연결되어 제1 본드와이어를 통해 TIA 칩에 인가될 수 있다. TIA 칩에 인가된 광 신호는 전압 신호로 변환 및 증폭될 수 있다. According to one embodiment, the optical signal reflector 130 may be formed with a reflective surface to change the optical signal propagation path. The photodetector 140 may be mounted on the third substrate at a predetermined position using solder. At this time, the optical signal applied to the optical detector 140 is converted into a current signal and connected to the substrate surface opposite to the surface of the substrate on which the optical detector 140 is mounted by the via formed on the third substrate, Chip. ≪ / RTI > The optical signal applied to the TIA chip can be converted and amplified into a voltage signal.

일 실시예에 따르면, 광 신호 반사부(130)와 제3 기판상에 실장된 광 검출부(140)는 광 신호 반사부(130) 및 제3 기판에 새겨진 정렬 마크를 이용하여 수동 정렬 또는 조립될 수 있다. 광 신호 반사부(130)에 형성된 반사면은 실리콘 광학 벤치 공정을 통해 하나의 기판상에서 형성될 수도 있고, 별도의 기판에 반사면이 형성된 블록을 실장하여 형성될 수도 있다. According to one embodiment, the optical signal reflector 130 and the optical detector 140 mounted on the third substrate may be manually aligned or assembled using the alignment mark on the optical signal reflector 130 and the third substrate . The reflection surface formed on the optical signal reflection unit 130 may be formed on one substrate through a silicon optical bench process or may be formed by mounting a block having a reflection surface on a separate substrate.

도 9b를 참조하면, TIA 칩으로부터 출력된 전기 신호는 제2 본드와이어를 통해 패키지의 피드쓰루에 연결되어 외부와 연결되도록 출력되며, 광 결합 렌즈(120)는 광 신호 반사부(130)에 형성된 광 결합 렌즈(120)를 위한 홈에 실장될 수 있다. 한편 광 결합 렌즈(120)의 출사면은 경우에 따라서 볼록할 수도 있으며, 입사면의 볼록 렌즈에 비하여 출사면의 볼록 렌즈의 크기 또는 직경이 작을 수도 있다.Referring to FIG. 9B, the electrical signal output from the TIA chip is connected to the feedthrough of the package through the second bond wire and is output to be connected to the outside. The optical coupling lens 120 is formed in the optical signal reflector 130 And can be mounted in a groove for the optically-coupled lens 120. [ On the other hand, the exit surface of the optical coupling lens 120 may be convex depending on the case, and the size or diameter of the convex lens on the exit surface may be smaller than that of the convex lens on the incident surface.

일 실시예에 따르면, 제1 기판은 광 신호 검출 장치(100)의 구조에 따라 전기적으로 절연성을 가지면서 열전도성이 높은 재질을 사용할 수 있다. 경우에 따라, 제1 기판은 전기적으로 광 신호 검출 장치(100)의 케이스와 광 신호 검출 장치(100)에 사용되는 칩사이에 동일한 전위 또는 그라운드를 가질 경우, 금속과 같은 재질로 구성될 수 있다. 또한, 제2 기판 또는 제3 기판은 광 신호 반사부(130) 또는 TIA 칩 또는 광 검출부(140)를 실장하기 위해 크기가 확장되어 사용될 수도 있다. According to one embodiment, the first substrate may be made of a material having a high thermal conductivity while having electrical insulation according to the structure of the optical signal detecting device 100. In some cases, the first substrate may be made of a material such as a metal, when the first substrate has the same potential or ground between the case of the optical signal detecting device 100 and the chip used in the optical signal detecting device 100 . Also, the second substrate or the third substrate may be enlarged and used to mount the optical signal reflecting unit 130 or the TIA chip or the optical detecting unit 140.

도 10a, 10b는 광 신호 검출 장치(100)의 일 실시예에 따른 광 신호 반사부(130)의 구조와 광 결합 렌즈(120)의 형상을 나타내는 도면이다.FIGS. 10A and 10B are views showing the structure of the optical signal reflector 130 and the shape of the optical coupling lens 120 according to the embodiment of the optical signal detecting apparatus 100. FIG.

도 10a를 참조하면, 광 신호 반사부(130)는 실리콘 광학 벤치를 이용하여 구현 될 수 있는 것을 알 수 있다. 광 신호 반사부(130)는 실리콘의 화학적 에칭 방법에 의해 결정 방향에 따라 반사면의 형성 각이 45도 또는 54.74도로 형성될 수 있다. 또한, 광 신호 반사부(130)는 광 결합 렌즈(120)용 홈 (groove)를 형성하여 렌즈 중심축과 반사면의 중심을 정확하게 정렬 및 조립이 하도록 설정할 수 있다. 한편, 광 결합 렌즈(120) 실장시 에폭시를 이용하여 고정할 경우 에폭시가 반사면을 오염시키는 것을 방지하기 위해 광 결합 렌즈(120) 홈과 반사면 사이에 트렌치가 형성될 수도 있다.Referring to FIG. 10A, it can be seen that the optical signal reflector 130 can be implemented using a silicon optical bench. The optical signal reflector 130 may be formed at an angle of 45 degrees or 54.74 degrees depending on the crystal direction by a chemical etching method of silicon. In addition, the optical signal reflector 130 may be configured to form a groove for the optically coupling lens 120 so that the center of the lens center axis and the center of the reflection surface are accurately aligned and assembled. Meanwhile, when fixing the optical coupling lens 120 using epoxy, a trench may be formed between the groove of the optical coupling lens 120 and the reflective surface to prevent the epoxy from contaminating the reflective surface.

일 실시예에 따르면, 광 신호 반사부(130) 상에 형성된 정렬 마크와 광 검출부(140)가 실장된 제3 기판에 형성된 정렬 마크를 이용하여 수동 정렬 및 조립을 할 수 있다. 광 신호 반사부(130)를 통해 광 신호 진행 경로를 수직 방향 인 90도로 변경하기 위하여 반사면의 각이 45도 형성될 수 있다.According to one embodiment, the alignment marks formed on the optical signal reflector 130 and the alignment marks formed on the third substrate on which the optical detector 140 is mounted can be used for manual alignment and assembly. The angle of the reflection surface may be formed to be 45 degrees so as to change the optical signal propagation path through the optical signal reflector 130 to 90 degrees in the vertical direction.

도 10b를 참조하면, 광 결합 렌즈(120)의 출사면이 평평한 렌즈가 이용될 수 있다. 또한, 경우에 따라서, 광 신호 반사부(130)의 반사면의 각이 54.74도일 경우, 광 신호는 특정각(θ2)으로 54.74도로 형성된 반사면에 입사되어야 한다. 이때, 광 신호 검출 장치(100)는, 광 결합 렌즈(120)의 출사면이 경사진 형상을 이용하여 광 신호 진행 경로를 수직 방향으로 변경할 수도 있다. 한편, A-A’는 광 신호 반사부(130)의 단면일 수 있다.Referring to FIG. 10B, a lens having a flat exit surface of the optical coupling lens 120 may be used. In some cases, when the angle of the reflection surface of the optical signal reflection unit 130 is 54.74 degrees, the optical signal should be incident on the reflection surface formed at 54.74 degrees at a specific angle ([theta] 2 ). At this time, the optical signal detecting apparatus 100 may change the optical signal traveling path in a vertical direction by using a shape in which the exit surface of the optical coupling lens 120 is inclined. On the other hand, A-A 'may be a cross section of the optical signal reflector 130.

도 11은 광 신호 검출 방법의 일 실시예에 따른 광 신호 검출 방법을 나타내는 흐름도이다.11 is a flowchart showing an optical signal detecting method according to an embodiment of the optical signal detecting method.

도 11을 참조하면, 광 신호 검출 장치(100)가 수행하는 광 신호 검출 방법은 하기와 같은 단계를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 11, the optical signal detecting method performed by the optical signal detecting apparatus 100 may include the following steps.

단계(1110)에서, 광 신호 검출 장치(100)는 입력된 광 신호를 다른 파장의 광 신호들로 역다중화할 수 있다. 이때, 다른 파장의 광 신호들은 서로 다른 파장의 광 신호들일 수 있다. In step 1110, the optical signal detecting apparatus 100 may demultiplex the input optical signal into optical signals of different wavelengths. At this time, optical signals of different wavelengths may be optical signals of different wavelengths.

단계(1120)에서, 광 신호 검출 장치(100)는 광 결합 렌즈(120)를 이용하여 다른 파장의 광 신호들의 진행 경로를 변경시킬 수 있다. 이때, 진행 경로가 변경된 다른 파장의 광 신호들은 광 신호 반사부(130)에 입사될 수 있다. 단계(1130)에서, 광 신호 검출 장치(100)는 광 신호 반사부(130)에 의해 반사된 다른 파장의 광 신호들을 검출할 수 있다.In step 1120, the optical signal detecting apparatus 100 may change the traveling path of optical signals of different wavelengths using the optically-coupled lens 120. [ At this time, optical signals having different wavelengths whose propagation paths are changed can be incident on the optical signal reflector 130. In step 1130, the optical signal detecting apparatus 100 may detect optical signals of other wavelengths reflected by the optical signal reflecting unit 130. [

일 실시예에 따르면, 광 신호 검출 방법은 대용량의 광 신호 검출 장치(100)를 제작하는데 있어, 제작이 용이하고 모듈 저가화가 가능한 구조를 제공할 수 있다.According to the embodiment, the optical signal detecting method can provide a structure that is easy to manufacture and can be reduced in module cost in manufacturing a large-capacity optical signal detecting apparatus 100. [

일 실시예에 따르면, 광 신호 검출 방법은 고가의 측면 패턴이 형성된 기판 기술을 적용하지 않고 저비용으로 구현이 가능한 광 신호의 진행 경로를 변경하는 기술을 적용하여 저가의 광 신호 검출 장치(100)를 제공할 수 있다. 또한, 광 신호 검출 장치(100)는, 광 신호 검출 장치(100)를 구성하고 있는 주요 부품을 수동 정렬 조립함으로써 공정의 단순화 및 저가형 패키지를 통해 모듈 단가를 낮출 수 있는 장점이 있다.According to one embodiment, the optical signal detection method can be applied to a low-cost optical signal detection apparatus 100 by applying a technique of changing a progress path of an optical signal that can be implemented at low cost without applying a substrate technique in which an expensive side pattern is formed . In addition, the optical signal detecting apparatus 100 has advantages of simplifying the process and lowering the module unit cost through a low-cost package by manually assembling and assembling main components constituting the optical signal detecting apparatus 100. [

이상에서 설명된 실시예들은 하드웨어 구성요소, 소프트웨어 구성요소, 및/또는 하드웨어 구성요소 및 소프트웨어 구성요소의 조합으로 구현될 수 있다. 예를 들어, 실시예들에서 설명된 장치, 방법 및 구성요소는, 예를 들어, 프로세서, 콘트롤러, ALU(arithmetic logic unit), 디지털 신호 프로세서(digital signal processor), 마이크로컴퓨터, FPGA(field programmable gate array), PLU(programmable logic unit), 마이크로프로세서, 또는 명령(instruction)을 실행하고 응답할 수 있는 다른 어떠한 장치와 같이, 하나 이상의 범용 컴퓨터 또는 특수 목적 컴퓨터를 이용하여 구현될 수 있다. 이해의 편의를 위하여, 처리 장치는 하나가 사용되는 것으로 설명된 경우도 있지만, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는, 처리 장치가 복수 개의 처리 요소(processing element) 및/또는 복수 유형의 처리 요소를 포함할 수 있음을 알 수 있다. 예를 들어, 처리 장치는 복수 개의 프로세서 또는 하나의 프로세서 및 하나의 콘트롤러를 포함할 수 있다. 또한, 병렬 프로세서(parallel processor)와 같은, 다른 처리 구성(processing configuration)도 가능하다.The embodiments described above may be implemented in hardware components, software components, and / or a combination of hardware components and software components. For example, the devices, methods, and components described in the embodiments may be implemented within a computer system, such as, for example, a processor, a controller, an arithmetic logic unit (ALU), a digital signal processor, such as an array, a programmable logic unit (PLU), a microprocessor, or any other device capable of executing and responding to instructions. For ease of understanding, the processing apparatus may be described as being used singly, but those skilled in the art will recognize that the processing apparatus may have a plurality of processing elements and / As shown in FIG. For example, the processing unit may comprise a plurality of processors or one processor and one controller. Other processing configurations are also possible, such as a parallel processor.

이상과 같이 실시예들이 비록 한정된 도면에 의해 설명되었으나, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기를 기초로 다양한 기술적 수정 및 변형을 적용할 수 있다. 예를 들어, 설명된 기술들이 설명된 방법과 다른 순서로 수행되거나, 및/또는 설명된 시스템, 구조, 장치, 회로 등의 구성요소들이 설명된 방법과 다른 형태로 결합 또는 조합되거나, 다른 구성요소 또는 균등물에 의하여 대치되거나 치환되더라도 적절한 결과가 달성될 수 있다.Although the embodiments have been described with reference to the drawings, various technical modifications and variations may be applied to those skilled in the art. For example, it is to be understood that the techniques described may be performed in a different order than the described methods, and / or that components of the described systems, structures, devices, circuits, Lt; / RTI > or equivalents, even if it is replaced or replaced.

Claims (15)

입력된 광 신호를 다른 파장의 광 신호들로 역다중화하는 광 역다중화부;
상기 다른 파장의 광 신호들이 입사되는 광 결합 렌즈;
상기 광 결합 렌즈로부터 출사된 상기 다른 파장의 광 신호들을 반사시키는 광 신호 반사부; 및
상기 반사된 다른 파장의 광 신호들을 검출하는 광 검출부
를 포함하는 광 신호 검출 장치.An optical demultiplexer for demultiplexing the input optical signal into optical signals of different wavelengths;
A light coupling lens through which the optical signals of the different wavelengths are incident;
An optical signal reflector for reflecting the optical signals of the other wavelength emitted from the optical coupling lens; And
And a photodetector for detecting the reflected optical signals having different wavelengths
And the optical signal detecting device. 제1항에 있어서,
상기 광 결합 렌즈는,
상기 입사된 다른 파장의 광 신호들을 입사된 광신호의 진행 경로를 변경시키는, 광 신호 검출 장치.The method according to claim 1,
The optical coupling lens includes:
And changes the traveling path of the incident optical signal to the optical signals having the different wavelengths. 제1항에 있어서,
상기 광 결합 렌즈는,
상기 다른 파장의 광 신호들이 입사하는 입사면의 형태와 상기 다른 파장의 광 신호들이 출사하는 출사면의 형태가 서로 다른, 광 신호 검출 장치.The method according to claim 1,
The optical coupling lens includes:
Wherein the shape of the incident surface on which the optical signals of the different wavelengths are incident and the shape of the exit surface on which the optical signals of the different wavelengths exit are different from each other. 제1항에 있어서,
상기 광 신호 반사부는,
상기 광 결합 렌즈로부터 출사된 상기 다른 파장의 광 신호들이 반사되어 상기 광 검출부를 향하도록 일정 각도의 경사로 배치되는 반사면을 포함하는, 광 신호 검출 장치.The method according to claim 1,
The optical signal-
And a reflection surface on which the optical signals of the other wavelength emitted from the optical coupling lens are reflected and arranged at a predetermined angle of inclination so as to face the optical detection unit. 제1항에 있어서,
상기 검출된 다른 파장의 광 신호들이 전류 신호로 변환되어 전달되는 제1 본드와이어;
상기 제1 본드와이어를 통해 전달된 상기 변환된 전류 신호를 전압 신호로 변환 및 증폭시키는 TIA(Transimpedance Amplifier);
상기 변환 및 증폭된 전압 신호가 전기 신호로 출력되어 전달되는 제2 본드와이어; 및
상기 제2 본드와이어를 통해 전달된 상기 전기 신호를 외부로 전달하는 피드쓰루(Feedthru)
를 더 포함하는 광 신호 검출 장치.The method according to claim 1,
A first bond wire for converting the detected optical signals having different wavelengths into a current signal and transmitting the current signal;
A TIA (Transimpedance Amplifier) for converting and converting the converted current signal transmitted through the first bond wire into a voltage signal;
A second bond wire through which the converted and amplified voltage signal is outputted as an electric signal and is transmitted; And
A feedthrough for transmitting the electric signal transmitted through the second bond wire to the outside,
Further comprising: 제1항에 있어서,
상기 광 결합 렌즈는,
상기 다른 파장의 광 신호들 각각이 입사되도록 복수로 상기 광 신호 반사부의 설정된 위치에 배치되는, 광 신호 검출 장치.The method according to claim 1,
The optical coupling lens includes:
And a plurality of optical signals are arranged at predetermined positions of the optical signal reflector so that the optical signals of the different wavelengths are incident. 제1항에 있어서,
상기 광 검출부는,
상기 검출된 다른 파장의 광 신호들을 변환한 전류 신호를 비아(via) 홀을 이용하여 TIA에 전달하는, 광 신호 검출 장치.The method according to claim 1,
The photodetector unit includes:
And transmits a current signal obtained by converting the detected optical signals of different wavelengths to a TIA using a via hole. 제1항에 있어서,
상기 광 검출부는,
상기 광 신호 반사부의 정렬 마크를 이용하여 정렬되어 배치되는, 광 신호 검출 장치.The method according to claim 1,
The photodetector unit includes:
And an alignment mark of the optical signal reflector. 제1항에 있어서,
상기 광 결합 렌즈는,
상기 다른 파장의 광 신호들이 입사되는 입사면, 상기 입사된 다른 파장의 광 신호들이 출사되는 출사면 중 적어도 하나가 볼록한, 광 신호 검출 장치.The method according to claim 1,
The optical coupling lens includes:
Wherein at least one of an incident surface on which the optical signals with different wavelengths are incident and an outgoing surface on which the incident optical signals with different wavelengths are emitted is convex. 제1항에 있어서,
상기 광 검출부는,
상기 입력된 광 신호의 진행 방향에 평행하도록 배치되는, 광 신호 검출 장치.The method according to claim 1,
The photodetector unit includes:
And is disposed so as to be parallel to a traveling direction of the input optical signal. 제1항에 있어서,
상기 광 결합 렌즈는,
상기 입력된 광 신호의 진행 방향의 수직으로 배치되는, 광 신호 검출 장치.The method according to claim 1,
The optical coupling lens includes:
And is disposed perpendicular to a traveling direction of the input optical signal. 제1항에 있어서,
상기 광 결합 렌즈는,
상기 입사된 다른 파장의 광 신호들이 출사되는 출사면의 형태에 따라 상기 입사된 다른 파장의 광 신호들을 다른 방향으로 출사하는, 광 신호 검출 장치.The method according to claim 1,
The optical coupling lens includes:
And the optical signals of the other wavelengths are emitted in different directions according to the shape of the exit surface on which the incident optical signals of different wavelengths are emitted. 제12항에 있어서,
상기 광 결합 렌즈는,
상기 광 신호 반사부의 반사면의 각도에 따라 상기 출사면의 형태가 설정된, 광 신호 검출 장치.13. The method of claim 12,
The optical coupling lens includes:
And the shape of the exit surface is set in accordance with the angle of the reflecting surface of the optical signal reflecting portion. 제5항에 있어서,
상기 광 검출부는,
상기 TIA와 동일한 기판의 반대 방향에 배치되는, 광 신호 검출 장치.6. The method of claim 5,
The photodetector unit includes:
And is disposed in the opposite direction to the substrate same as the TIA. 광 신호 검출 방법에 있어서,
입력된 광 신호를 다른 파장의 광 신호들로 역다중화하는 단계;
광 결합 렌즈를 이용하여 상기 다른 파장의 광 신호들의 진행 경로를 변경시키는 단계 - 상기 진행 경로가 변경된 다른 파장의 광 신호들은 광 신호 반사부에 입사됨; 및
상기 광 신호 반사부에 의해 반사된 다른 파장의 광 신호들을 검출하는 단계
를 포함하는 광 신호 검출 방법.
A method for detecting an optical signal,
Demultiplexing the input optical signal into optical signals having different wavelengths;
Modifying a traveling path of the optical signals of the other wavelength by using the optical coupling lens, the optical signals of the other wavelengths of which the traveling path is changed are incident on the optical signal reflecting portion; And
Detecting optical signals of other wavelengths reflected by the optical signal reflector
/ RTI >
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