KR20180046713A - 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 장치의 임피던스 제어 방법 - Google Patents

플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 장치의 임피던스 제어 방법 Download PDF

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Abstract

플라즈마 처리 장치가 개시된다. 플라즈마 처리 장치는, RF 신호를 제공하는 RF 전원, RF 신호를 이용하여 플라즈마를 생성하는 플라즈마 챔버, 플라즈마 챔버의 임피던스를 조절하는 임피던스 매칭기 및 플라즈마 챔버의 임피던스가 부정합(mismatching)되도록 임피던스 매칭기 및 RF 전원을 제어하는 제어기를 포함한다.

Description

플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 장치의 임피던스 제어 방법{APPARATUS FOR GENERATING PLASMA AND METHOD FOR CONTROLLING IMPEDANCE THEREOF}
본 발명은 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 장치의 임피던스 제어 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 임피던스 부정합(mismatching)을 이용하는 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 장치의 임피던스 제어 방법에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼를 제조하는 공정 중 건식 식각 공정에 사용되는 식각 장치나 이온 주입을 위해 사용되는 이온 주입기 등은 플라즈마 공정을 위한 챔버를 포함한다. 이러한 플라즈마 공정을 위하여, RF 전원으로부터 출력된 고주파 전력이 챔버로 공급된다. 이 과정에서, 상기 고주파 전력의 특성상 주변 환경에 따라 시스템의 임피던스가 변화할 수 있다. 그 결과, 상기 RF 전원으로부터 출력된 고주파 전력이 반사파에 의해 손실되어 상기 챔버로 전부 전송되지 않을 수 있다.
이러한 반사파를 최소로 줄이기 위해, 임피던스 매칭기가 상기 챔버에 연결된다. 일반적으로 상기 임피던스 매칭기는 가변 커패시터와 인덕터로 구성되어 있으며, 상기 가변 커패시터의 커패시턴스를 조절하여 임피던스 매칭을 구현한다.
다만, 임피던스 매칭을 구현하면 반사파가 최소가 되어 RF 전원으로부터 출력된 전력이 챔버로 최대로 전달될 수 있으나, DC 바이어스 펄스의 시작점에서 버스트(burst)가 발생하는 문제가 있었다. 또한, 반사파를 최소로 하는 임피던스 매칭의 경우, DC 바이어스 펄스의 이온 에너지가 일정하지 않은 문제가 있었다.
본 발명의 목적은 플라즈마 챔버의 임피던스가 부정합(mismatching)을 이용하여 DC 바이어스 펄스의 시작점에서의 버스트를 줄이고 DC 바이어스 펄스의 이온 에너지를 안정화하는 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 장치의 임피던스 제어 방법을 제공함에 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 처리 장치는, RF 신호를 제공하는 RF 전원, 상기 RF 신호를 이용하여 플라즈마를 생성하는 플라즈마 챔버, 상기 플라즈마 챔버의 임피던스를 조절하는 임피던스 매칭기 및 상기 플라즈마 챔버의 임피던스가 부정합(mismatching)되도록 상기 임피던스 매칭기 및 상기 RF 전원을 제어하는 제어기를 포함한다.
여기서, 상기 플라즈마 챔버로부터 반사되는 반사 신호의 세기를 측정하는 감지기를 더 포함하고, 상기 제어기는, 상기 감지기에서 측정된 반사 신호의 세기가 기설정된 크기가 되도록 상기 임피던스 매칭기의 임피던스 및 상기 RF 전원의 주파수를 조절할 수 있다.
또한, 상기 RF 전원은, 서로 다른 주파수의 펄스 신호를 생성하는 복수의 서브 전원을 포함할 수 있다.
또한, 본 플라즈마 처리 장치는, 상기 플라즈마 챔버의 상단에 형성되는 탑 전극 및 상기 플라즈마 챔버의 하단에 형성되며, 상기 임피던스 매칭기에 연결되는 기판 전극을 더 포함할 수 있다.
여기서, 상기 탑 전극은, 10 MHz 내지 3 GHz의 주파수를 가지며, 상기 기판 전극은, 50 kHz 내지 100 MHz의 주파수를 가질 수 있다.
또한, 상기 임피던스 매칭기는 인덕터 및 커패시터를 포함하는 LC 유닛을 포함하고, 상기 제어기는, 상기 LC 유닛의 상기 커패시터의 커패시턴스를 조절하여 상기 플라즈마 챔버의 임피던스를 조절할 수 있다.
한편, 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는, 플라즈마를 생성하는 플라즈마 챔버, 상기 플라즈마 챔버 내에 위치하고, 기판을 지지하는 기판 지지 어셈블리, 상기 플라즈마 챔버로 가스를 공급하는 가스 공급 유닛, 상기 플라즈마 챔버로 RF 신호를 제공하는 RF 전원, 상기 플라즈마 챔버의 임피던스를 조절하는 임피던스 매칭기 및 상기 플라즈마 챔버의 임피던스가 부정합(mismatching)되도록 상기 임피던스 매칭기 및 상기 RF 전원을 제어하는 제어기를 포함한다.
여기서, 본 기판 처리 장치는, 상기 플라즈마 챔버로부터 반사되는 반사 신호의 세기를 측정하는 감지기를 더 포함하고, 상기 제어기는, 상기 감지기에서 측정된 반사 신호의 세기가 기설정된 크기가 되도록 상기 임피던스 매칭기의 임피던스 및 상기 RF 전원의 주파수를 조절할 수 있다.
한편, 본 발명의 일 실시 예에 따른 임피던스 제어 방법은, RF 신호를 제공하는 RF 전원, 상기 RF 신호를 이용하여 플라즈마를 생성하는 플라즈마 챔버, 상기 플라즈마 챔버의 임피던스를 조절하는 임피던스 매칭기 및 상기 임피던스 매칭기 및 상기 RF 전원을 제어하는 제어기를 포함하는 플라즈마 처리 장치의 임피던스 제어 방법에 있어서, 상기 플라즈마 챔버의 임피던스가 부정합(mismatching)되도록 상기 임피던스 매칭기 및 상기 RF 전원을 제어하는 단계를 포함한다.
여기서, 본 임피던스 제어 방법은, 상기 플라즈마 챔버로부터 반사되는 반사 신호의 세기를 측정하는 단계를 더 포함하고, 상기 제어하는 단계는, 상기 측정된 반사 신호의 세기가 기설정된 크기가 되도록 상기 임피던스 매칭기의 임피던스 및 상기 RF 전원의 주파수를 조절할 수 있다.
또한, 상기 RF 전원은, 서로 다른 주파수의 펄스 신호를 생성하는 복수의 서브 전원을 포함할 수 있다.
또한, 상기 플라즈마 처리 장치는, 상기 플라즈마 챔버의 상단에 형성되는 탑 전극 및 상기 플라즈마 챔버의 하단에 형성되며, 상기 임피던스 매칭기에 연결되는 기판 전극을 더 포함할 수 있다.
여기서, 상기 탑 전극은, 10 MHz 내지 3 GHz의 주파수를 가지며, 상기 기판 전극은, 50 kHz 내지 100 MHz의 주파수를 가질 수 있다.
이상 설명한 바와 같이 본 발명의 다양한 실시 예에 따르면 플라즈마 챔버의 임피던스가 부정합되도록 조절하여 DC 바이어스 펄스의 시작점에서의 버스트를 줄이고 DC 바이어스 펄스의 이온 에너지를 안정화할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 처리 장치를 나타내는 블럭도이다.
도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 다양한 실시 예에 따른 플라즈마 챔버의 구성을 나타내는 도면이다.
도 3a 내지 도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 임피던스 제어의 결과를 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 임피던스 제어 방법을 나타내는 흐름도이다.
본 발명의 다른 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술 되는 실시 예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시 예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
만일 정의되지 않더라도, 여기서 사용되는 모든 용어들(기술 혹은 과학 용어들을 포함)은 이 발명이 속한 종래 기술에서 보편적 기술에 의해 일반적으로 수용되는 것과 동일한 의미를 가진다. 일반적인 사전들에 의해 정의된 용어들은 관련된 기술 그리고/혹은 본 출원의 본문에 의미하는 것과 동일한 의미를 갖는 것으로 해석될 수 있고, 그리고 여기서 명확하게 정의된 표현이 아니더라도 개념화되거나 혹은 과도하게 형식적으로 해석되지 않을 것이다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시 예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 '포함한다' 및/또는 이 동사의 다양한 활용형들 예를 들어, '포함', '포함하는', '포함하고', '포함하며' 등은 언급된 조성, 성분, 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 조성, 성분, 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
본 명세서에서 '및/또는' 이라는 용어는 나열된 구성들 각각 또는 이들의 다양한 조합을 가리킨다.
한편, 본 명세서 전체에서 사용되는 '~부', '~기', '~블록', '~모듈' 등의 용어는 적어도 하나의 기능이나 동작을 처리하는 단위를 의미할 수 있다. 예를 들어 소프트웨어, FPGA 또는 ASIC과 같은 하드웨어 구성요소를 의미할 수 있다. 그렇지만 '~부', '~기', '~블록', '~모듈' 등이 소프트웨어 또는 하드웨어에 한정되는 의미는 아니다. '~부', '~기', '~블록', '~모듈'은 어드레싱할 수 있는 저장 매체에 있도록 구성될 수도 있고 하나 또는 그 이상의 프로세서들을 재생시키도록 구성될 수도 있다. 따라서, 일 예로서 '~부', '~기', '~블록', '~모듈'은 소프트웨어 구성요소들, 객체지향 소프트웨어 구성요소들, 클래스 구성요소들 및 태스크 구성요소들과 같은 구성요소들과, 프로세스들, 함수들, 속성들, 프로시저들, 서브루틴들, 프로그램 코드의 세그먼트들, 드라이버들, 펌웨어, 마이크로 코드, 회로, 데이터, 데이터베이스, 데이터 구조들, 테이블들, 어레이들 및 변수들을 포함한다. 구성요소들과 '~부', '~기', '~블록', '~모듈'들 안에서 제공되는 기능은 더 작은 수의 구성요소들 및 '~부', '~기', '~블록', '~모듈'들로 결합되거나 추가적인 구성요소들과 '~부', '~기', '~블록', '~모듈'들로 더 분리될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 처리 장치를 나타내는 블럭도이다.
도 1을 참조하면, 플라즈마 처리 장치(100)는 RF 전원(11), 플라즈마 챔버(12), 임피던스 매칭기(13), 제어기(14) 및 감지기(15)를 포함한다.
RF 전원(11)은 RF 신호를 생성하여 상기 플라즈마 챔버(12)로 전송할 수 있다. RF 전원(11)은 RF 신호를 통해 상기 플라즈마 챔버(12)로 고주파 전력을 전달할 수 있다. 본 발명의 일 실시 예에 따르면, RF 전원(11)은 펄스 파형을 갖는 RF 신호를 생성하여 상기 플라즈마 챔버(12)로 제공할 수 있다. 다른 실시 예에 따르면, RF 전원(11)은 정현파 형태의 RF 신호를 생성하여 플라즈마 챔버(12)로 제공할 수 있으나, RF 신호는 이에 제한되지 않고 톱니파, 삼각파 등 다양한 파형을 가질 수 있다.
또한, RF 전원(11)은 서로 다른 주파수의 펄스 신호를 생성하는 복수의 서브 전원을 포함할 수 있다. 예를 들어, RF 전원(11)은 고주파수 펄스 신호를 생성하여 출력하는 제1 서브 전원 및 저주파수 펄스 신호를 생성하여 출력하는 제2 서브 전원으로 구성될 수 있다. 또한, RF 전원(11)은 셋 이상의 서브 전원으로 구성될 수 있으며, 각 서브 전원은 실시 예에 따라 다양한 주파수의 펄스 신호를 생성하여 출력하도록 설계될 수 있다.
플라즈마 챔버(12)는 RF 신호를 이용하여 플라즈마를 생성할 수 있다. 일 예로, 플라즈마 챔버(12)는 RF 신호를 통해 전달되는 고주파 전력을 이용하여 챔버로 유입되는 기체를 플라즈마 상태로 변화시킬 수 있다.
플라즈마 챔버(12)는 상단에 형성되는 탑 전극 및 하단에 형성되는 기판 전극을 포함할 수 있으며, 탑 전극은 용량 결합형 플라즈마(CCP, Capacitively Coupled Plasma) 소스 또는 유도 결합형 플라즈마(ICP, Inductively Coupled Plama) 소스로 구성될 수 있다. 또한, 탑 전극은 10 MHz 내지 3 GHz의 주파수를 가지고, 기판 전극은, 50 kHz 내지 100 MHz의 주파수를 가질 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 실시 예에 따라 다른 다양한 주파수를 가질 수도 있다.
임피던스 매칭기(13)는 플라즈마 챔버(12)의 임피던스를 조절할 수 있다. 임피던스 매칭기(13)는 인덕터 및 커패시터를 포함하는 LC 유닛을 포함할 수 있으며, 커패시터의 커패시턴스가 조절되어 플라즈마 챔버(12)의 임피던스를 조절할 수 있다.
제어기(14)는 플라즈마 챔버(12)의 임피던스가 부정합(mismatching)되도록 임피던스 매칭기(13) 및 RF 전원(11)을 제어할 수 있다. 구체적으로, 제어기(14)는 플라즈마 챔버(12)의 임피던스를 측정하고, 측정된 임피던스와 목표 임피던스를 비교하여, 두 임피던스의 차이를 보상하도록 임피던스 매칭기(13) 및 RF 전원(11)을 제어할 수 있다. 여기서, 목표 임피던스는 플라즈마 챔버(12)의 임피던스가 부정합되어 DC 바이어스 펄스의 시작점 버스트를 감소시킬 수 있는 임피던스 값이 될 수 있다.
감지기(15)는 플라즈마 챔버로부터 반사되는 반사 신호의 세기를 측정할 수 있다. 제어기(14)는 감지기(15)에서 측정된 반사 신호의 세기가 기설정된 크기가 되도록 임피던스 매칭기의 임피던스 및 RF 전원의 주파수를 조절할 수 있다.
도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 다양한 실시 예에 따른 플라즈마 챔버의 구성을 나타내는 도면이다.
도 2a 내지 도 2d를 참조하면, RF 전원(11)은 기판 전극 또는 탑 전극에 연결될 수 있으며, 플라즈마 챔버에 RF 신호를 제공한다. 임피던스 매칭기(13)는 RF 전원(11)과 기판 전극 또는 RF 전원(11)과 탑 전극 사이에 연결되어, 플라즈마 챔버의 임피던스를 조절할 수 있다. 또한, 탑 전극은 용량 결합형 플라즈마(CCP, Capacitively Coupled Plasma) 소스 또는 유도 결합형 플라즈마(ICP, Inductively Coupled Plama) 소스로 구성될 수 있다. 도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 다양한 실시 예에 따른 플라즈마 챔버를 나타낸 것이며, 본 발명의 플라즈마 처리 장치는 이에 한정되지 않고 다양한 방식의 플라즈마 챔버로 수행될 수 있다.
도 3a 내지 도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 임피던스 제어의 결과를 설명하기 위한 도면이다.
도 3a 및 도 4를 참조하면, 플라즈마 처리 장치의 임피던스 매칭에 의하여 반사 신호의 세기가 최소가 되면, DC 바이어스 펄스의 시작점에서 버스트(burst)가 발생할 수 있다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 처리 장치는 플라즈마 챔버의 임피던스가 부정합되도록 임피던스 매칭기 및 RF 전원을 제어하므로, 도 3b 및 도 3c와 같이, DC 바이어스 펄스의 시작점에서의 버스트를 감소시킬 수 있다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 처리 장치는 반사 신호의 세기가 RF 전원의 RF 신호 세기의 0.18배 또는 0.3배가 되도록 임피던스 매칭기의 임피던스 및 RF 전원의 주파수를 조절하여 DC 바이어스 펄스의 시작점에서의 버스트를 감소시킬 수 있다.
이상 설명한 바와 같이 본 발명의 다양한 실시 예에 따르면 플라즈마 챔버의 임피던스가 부정합되도록 조절하여 DC 바이어스 펄스의 시작점에서의 버스트를 줄이고 DC 바이어스 펄스의 이온 에너지를 안정화할 수 있다.
도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 임피던스 제어 방법을 나타내는 흐름도이다.
우선, 플라즈마 챔버로부터 반사되는 반사 신호의 세기를 측정한다(S21).
이어서, 플라즈마 챔버의 임피던스가 부정합되고, 측정된 반사 신호의 세기가 기설정된 크기가 되도록 임피던스 매칭기 및 RF 전원을 제어한다(S22).
한편, 본 발명의 일 실시 예에 따른 임피던스 제어 방법을 순차적으로 수행하는 프로그램이 저장된 비일시적 판독 가능 매체(non-transitory computer readable medium)가 제공될 수 있다.
비일시적 판독 가능 매체란 레지스터, 캐쉬, 메모리 등과 같이 짧은 순간 동안 데이터를 저장하는 매체가 아니라 반영구적으로 데이터를 저장하며, 기기에 의해 판독(reading)이 가능한 매체를 의미한다. 구체적으로는, 상술한 다양한 어플리케이션 또는 프로그램들은 CD, DVD, 하드 디스크, 블루레이 디스크, USB, 메모리카드, ROM 등과 같은 비일시적 판독 가능 매체에 저장되어 제공될 수 있다.
또한, 이상에서는 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시 예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어져서는 안될 것이다.
100: 플라즈마 처리 장치 11: RF 전원
12: 플라즈마 챔버 13: 임피던스 매칭기
14: 제어기 15: 감지기

Claims (13)

  1. RF 신호를 제공하는 RF 전원;
    상기 RF 신호를 이용하여 플라즈마를 생성하는 플라즈마 챔버;
    상기 플라즈마 챔버의 임피던스를 조절하는 임피던스 매칭기; 및
    상기 플라즈마 챔버의 임피던스가 부정합(mismatching)되도록 상기 임피던스 매칭기 및 상기 RF 전원을 제어하는 제어기를 포함하는 플라즈마 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 플라즈마 챔버로부터 반사되는 반사 신호의 세기를 측정하는 감지기를 더 포함하고,
    상기 제어기는,
    상기 감지기에서 측정된 반사 신호의 세기가 기설정된 크기가 되도록 상기 임피던스 매칭기의 임피던스 및 상기 RF 전원의 주파수를 조절하는 플라즈마 처리 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 RF 전원은, 서로 다른 주파수의 펄스 신호를 생성하는 복수의 서브 전원을 포함하는 플라즈마 처리 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 플라즈마 챔버의 상단에 형성되는 탑 전극; 및
    상기 플라즈마 챔버의 하단에 형성되며, 상기 임피던스 매칭기에 연결되는 기판 전극을 더 포함하는 플라즈마 처리 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 탑 전극은, 10 MHz 내지 3 GHz의 주파수를 가지며,
    상기 기판 전극은, 50 kHz 내지 100 MHz의 주파수를 갖는 플라즈마 처리 장치.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 임피던스 매칭기는,
    인덕터 및 커패시터를 포함하는 LC 유닛을 포함하고,
    상기 제어기는,
    상기 LC 유닛의 상기 커패시터의 커패시턴스를 조절하여 상기 플라즈마 챔버의 임피던스를 조절하는 플라즈마 처리 장치.
  7. 플라즈마를 생성하는 플라즈마 챔버;
    상기 플라즈마 챔버 내에 위치하고, 기판을 지지하는 기판 지지 어셈블리;
    상기 플라즈마 챔버로 가스를 공급하는 가스 공급 유닛;
    상기 플라즈마 챔버로 RF 신호를 제공하는 RF 전원;
    상기 플라즈마 챔버의 임피던스를 조절하는 임피던스 매칭기; 및
    상기 플라즈마 챔버의 임피던스가 부정합(mismatching)되도록 상기 임피던스 매칭기 및 상기 RF 전원을 제어하는 제어기를 포함하는 기판 처리 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 플라즈마 챔버로부터 반사되는 반사 신호의 세기를 측정하는 감지기를 더 포함하고,
    상기 제어기는,
    상기 감지기에서 측정된 반사 신호의 세기가 기설정된 크기가 되도록 상기 임피던스 매칭기의 임피던스 및 상기 RF 전원의 주파수를 조절하는 기판 처리 장치.
  9. RF 신호를 제공하는 RF 전원, 상기 RF 신호를 이용하여 플라즈마를 생성하는 플라즈마 챔버, 상기 플라즈마 챔버의 임피던스를 조절하는 임피던스 매칭기 및 상기 임피던스 매칭기 및 상기 RF 전원을 제어하는 제어기를 포함하는 플라즈마 처리 장치의 임피던스 제어 방법에 있어서,
    상기 플라즈마 챔버의 임피던스가 부정합(mismatching)되도록 상기 임피던스 매칭기 및 상기 RF 전원을 제어하는 단계를 포함하는 임피던스 제어 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 플라즈마 챔버로부터 반사되는 반사 신호의 세기를 측정하는 단계를 더 포함하고,
    상기 제어하는 단계는,
    상기 측정된 반사 신호의 세기가 기설정된 크기가 되도록 상기 임피던스 매칭기의 임피던스 및 상기 RF 전원의 주파수를 조절하는 임피던스 제어 방법.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 RF 전원은, 서로 다른 주파수의 펄스 신호를 생성하는 복수의 서브 전원을 포함하는 임피던스 제어 방법.
  12. 제9항에 있어서,
    상기 플라즈마 처리 장치는,
    상기 플라즈마 챔버의 상단에 형성되는 탑 전극; 및
    상기 플라즈마 챔버의 하단에 형성되며, 상기 임피던스 매칭기에 연결되는 기판 전극을 더 포함하는 임피던스 제어 방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 탑 전극은, 10 MHz 내지 3 GHz의 주파수를 가지며,
    상기 기판 전극은, 50 kHz 내지 100 MHz의 주파수를 갖는 임피던스 제어 방법.

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