KR20180040318A - Substrate supporting unit and substrate processing apparatus having the same - Google Patents

Substrate supporting unit and substrate processing apparatus having the same Download PDF

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Abstract

Disclosed are a substrate support unit and a substrate processing apparatus including the same. The substrate support unit according to the present invention comprises: a heater wire having a predetermined pattern and installed in a susceptor; and a thermal conductor having thermal conductivity different from thermal conductivity of a susceptor and installed on a portion of a susceptor requiring temperature control among portions in which the heater wire is not provided. Accordingly, the portion of the susceptor in which the thermal conductor is installed maintains a higher temperature or a lower temperature than other portions, thereby maintaining the susceptor in an optimal environment required for processing a substrate. In other words, since a temperature of the susceptor can be locally controlled, the susceptor can be maintained in an optimal environment required for processing a substrate, thereby improving reliability of a product.

Description

기판지지유닛 및 이를 포함하는 기판처리장치 {SUBSTRATE SUPPORTING UNIT AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS HAVING THE SAME}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a substrate supporting unit,

본 발명은 서셉터의 온도를 국부적으로 조절할 수 있는 기판지지유닛 및 이를 포함하는 기판처리장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate supporting unit capable of locally controlling the temperature of a susceptor and a substrate processing apparatus including the same.

반도체 소자, 평판 디스플레이 또는 박막형 태양전지(Solar Cell) 등을 제조하기 위해서는 실리콘 웨이퍼 또는 글라스 등과 같은 기판의 표면에 소정의 회로 패턴 또는 광학 패턴을 형성하여야 한다. 그리고, 기판에 회로 패턴 또는 광학 패턴을 형성하기 위해서는, 기판에 특정물질을 증착하여 박막을 형성하는 증착공정, 감광성 물질을 이용하여 형성된 박막 중 선택된 영역을 노출시키거나 은폐시키는 포토공정, 선택된 박막을 제거하여 패턴을 형성하는 식각공정 등을 수행한다.In order to manufacture a semiconductor device, a flat panel display, or a thin-film solar cell, a predetermined circuit pattern or optical pattern must be formed on the surface of a substrate such as a silicon wafer or glass. In order to form a circuit pattern or an optical pattern on a substrate, a deposition process for depositing a specific material on the substrate to form a thin film, a photolithography process for exposing or hiding a selected region of the thin film formed using the photosensitive material, And an etching process for forming a pattern is performed.

증착공정, 포토공정 및 식각공정 등은 각 공정에 적합한 최적의 환경으로 설계된 기판처리장치에서 진행되며, 최근에는 플라즈마를 이용하여 증착공정 또는 식각공정을 수행하는 기판처리장치가 개발되어 사용되고 있다.The deposition process, the photolithography process, and the etching process are performed in a substrate processing apparatus designed for an optimal environment suitable for each process. Recently, a substrate processing apparatus for performing a deposition process or an etching process using plasma has been developed and used.

기판처리장치에는, 기판의 처리시, 기판이 탑재 지지되는 기판지지유닛이 설치되는데, 종래의 기판지지유닛에 대하여 도 1을 참조하여 설명한다. 도 1은 종래의 기판지지유닛의 평면도이다.The substrate processing apparatus is provided with a substrate supporting unit on which a substrate is mounted and supported during processing of the substrate. A conventional substrate supporting unit will be described with reference to Fig. 1 is a plan view of a conventional substrate supporting unit.

도시된 바와 같이, 종래의 기판지지유닛은 소정 두께를 가지는 판 형상으로 형성되며 기판이 탑재 지지되는 서셉터(11)와 서셉터(11)의 내부에 설치되어 서셉(11)를 가열하는 히터선(15)을 포함한다. 이때, 히터선(15)은 소정 패턴을 이루면서 서셉터(11)에 설치된다.As shown in the drawing, the conventional substrate supporting unit includes a susceptor 11 formed in a plate shape having a predetermined thickness and on which a substrate is mounted and supported, and a heater wire 11 disposed inside the susceptor 11 to heat the susceptor 11, (15). At this time, the heater wires 15 are installed in the susceptor 11 in a predetermined pattern.

그리하여, 서셉터(11)의 온도를 올리거나 낮추고자 할 때, 히터선(15)의 온도를 조절하여 서셉터(11)의 온도를 조절한다.Thus, when the temperature of the susceptor 11 is to be increased or decreased, the temperature of the susceptor 11 is adjusted by regulating the temperature of the heater wire 15.

상기와 같은 종래의 기판지지유닛은 소정 패턴을 이루는 히터선(15)의 온도를 조절하여 서셉터(11)의 온도를 조절하므로, 서셉터(11)의 온도를 국부적으로 조절할 수 없다.The conventional substrate support unit can not locally control the temperature of the susceptor 11 because the temperature of the susceptor 11 is controlled by adjusting the temperature of the heater line 15 having a predetermined pattern.

상세히 설명하면, 기판처리장치는 챔버를 구비하며, 상기 챔버의 내부에 서셉터(11)가 설치된다. 그리고, 상기 챔버에는 기판이 출입하는 출입구가 형성된다. 이때, 서셉터(11)의 부위 중, 상기 출입구와 인접하는 서셉터(11) 부위는 다른 부위 보다 온도가 낮다. 이와 같이, 서셉터(11)는 그 부위별도 그 온도가 상이할 수 있으므로, 서셉터(11)의 온도를 국부적으로 조절할 수 있어야 한다.In detail, the substrate processing apparatus has a chamber, and a susceptor 11 is installed inside the chamber. The chamber is formed with an entrance through which the substrate enters and exits. At this time, among the portions of the susceptor 11, the portions of the susceptor 11 adjacent to the entrance are lower in temperature than other portions. Since the temperature of the susceptor 11 may be different from that of the susceptor 11, the temperature of the susceptor 11 must be locally adjustable.

그런데, 종래의 기판지지유닛은 서셉터(11)의 온도를 국부적으로 조절할 수 있는 아무런 수단이 없으므로, 서셉터(11)의 온도를 국부적으로 조절할 수 없다. 그러므로, 기판을 처리하기 위한 최적의 환경으로 서셉터(11)를 유지할 수 없으므로, 서셉터(11)에 기판을 탑재하여 처리한 후, 제품을 제조하였을 때, 상대적으로 제품의 신뢰성이 저하되는 단점이 있다.However, since the conventional substrate supporting unit has no means for locally controlling the temperature of the susceptor 11, the temperature of the susceptor 11 can not be locally controlled. Therefore, since the susceptor 11 can not be held in an optimal environment for treating the substrate, there is a disadvantage that the reliability of the product is lowered when the product is manufactured after the substrate is mounted on the susceptor 11 and processed .

본 발명의 목적은 상기와 같은 종래 기술의 모든 문제점들을 해결할 수 있는 기판지지유닛 및 이를 포함하는 기판처리장치를 제공하는 것일 수 있다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a substrate supporting unit and a substrate processing apparatus including the same, which can solve all the problems of the related art.

본 발명의 다른 목적은 서셉터의 온도를 국부적으로 조절할 수 있도록 구성하여, 기판의 처리시 요구되는 최적의 환경으로 유지함으로써, 제품의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 기판지지유닛 및 이를 포함하는 기판처리장치를 제공하는 것일 수 있다.It is another object of the present invention to provide a substrate supporting unit capable of locally controlling the temperature of a susceptor and maintaining the optimum environment required for processing the substrate, thereby improving the reliability of the product, and a substrate processing apparatus . ≪ / RTI >

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판지지유닛은, 기판이 탑재 지지되는 서셉터; 소정 패턴을 이루면서 상기 서셉터의 내부에 설치된 히터선; 상기 히터선이 설치되지 않는 상기 서셉터의 부위 내부에 설치되며 상기 서셉터의 열전도율과 상이한 열전도율을 가지는 열전도체를 포함할 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a substrate supporting unit including: a susceptor on which a substrate is mounted; A heater wire disposed inside the susceptor to form a predetermined pattern; And a heat conductor disposed inside the susceptor in which the heater wire is not installed and having a thermal conductivity different from the thermal conductivity of the susceptor.

또한, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판처리장치는, 기판이 투입되어 처리되는 공간을 제공하는 챔버; 상기 챔버의 내부에 설치되며 기판이 탑재 지지되는 기판지지유닛을 포함하며, 상기 기판지지유닛은, 기판이 탑재 지지되는 서셉터; 소정 패턴을 이루면서 상기 서셉터의 내부에 설치된 히터선; 상기 히터선이 설치되지 않는 상기 서셉터의 부위 내부에 설치되며 상기 서셉터의 열전도율과 상이한 열전도율을 가지는 열전도체를 포함할 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus including: a chamber for providing a space through which a substrate is inserted and processed; And a substrate supporting unit installed inside the chamber and on which a substrate is mounted, the substrate supporting unit including: a susceptor on which a substrate is mounted; A heater wire disposed inside the susceptor to form a predetermined pattern; And a heat conductor disposed inside the susceptor in which the heater wire is not installed and having a thermal conductivity different from the thermal conductivity of the susceptor.

본 발명의 실시예에 따른 기판지지유닛 및 이를 포함하는 기판처리장치는, 서셉터의 내부에 소정 패턴으로 히터선이 설치되고, 히터선이 설치되지 않은 서셉터의 부위 중, 온도의 조절이 필요한 서셉터의 부위에 서셉터의 열전도율과 상이한 열전도율을 가지는 열전도체가 설치된다. 그러면, 열전도체가 설치된 서셉터의 부위는, 다른 부위 보다 높은 온도 또는 낮은 온도를 유지하게 되므로, 기판의 처리시 요구되는 최적의 환경으로 서셉터를 유지할 수 있다. 즉, 서셉터의 온도를 국부적으로 조절할 수 있으므로, 기판의 처리시 요구되는 최적의 환경으로 서셉터를 유지할 수 있다. 이로 인해, 제품의 신뢰성이 향상되는 효과가 있을 수 있다.A substrate supporting unit and a substrate processing apparatus including the same according to an embodiment of the present invention are characterized in that a heater wire is provided in a predetermined pattern inside a susceptor and the temperature of the susceptor, A thermally conductive material having a thermal conductivity different from the thermal conductivity of the susceptor is provided at a portion of the susceptor. Then, the portion of the susceptor provided with the thermally conductive material maintains a temperature higher or lower than that of the other portion, so that the susceptor can be held in the optimal environment required for processing the substrate. That is, since the temperature of the susceptor can be locally adjusted, the susceptor can be maintained in the optimal environment required for processing the substrate. As a result, the reliability of the product can be improved.

도 1은 종래의 기판지지유닛의 평면도.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치의 개략 단면도.
도 3은 도 2에 도시된 기판지지유닛의 평면도.
도 4는 도 3에 도시된 열전도체의 구성을 보인 단면도.1 is a plan view of a conventional substrate supporting unit;
2 is a schematic cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention;
3 is a plan view of the substrate supporting unit shown in Fig.
4 is a sectional view showing a configuration of the heat conductor shown in Fig.

본 명세서에서 각 도면의 구성요소들에 참조번호를 부가함에 있어서 동일한 구성 요소들에 한해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 번호를 가지도록 하고 있음에 유의하여야 한다.It should be noted that, in the specification of the present invention, the same reference numerals as in the drawings denote the same elements, but they are numbered as much as possible even if they are shown in different drawings.

한편, 본 명세서에서 서술되는 용어의 의미는 다음과 같이 이해되어야 할 것이다.Meanwhile, the meaning of the terms described in the present specification should be understood as follows.

단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 정의하지 않는 한 복수의 표현을 포함하는 것으로 이해되어야 하고, "제1", "제2" 등의 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하기 위한 것으로, 이들 용어들에 의해 권리범위가 한정되어서는 아니 된다.The word " first, "" second," and the like, used to distinguish one element from another, are to be understood to include plural representations unless the context clearly dictates otherwise. The scope of the right should not be limited by these terms.

"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.It should be understood that the terms "comprises" or "having" does not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, steps, operations, elements, components, or combinations thereof.

"적어도 하나"의 용어는 하나 이상의 관련 항목으로부터 제시 가능한 모든 조합을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 예를 들어, "제1항목, 제2항목 및 제3항목 중에서 적어도 하나"의 의미는 제1항목, 제2항목 또는 제3항목 각각 뿐만 아니라 제1항목, 제2항목 및 제3항목 중에서 2개 이상으로부터 제시될 수 있는 모든 항목의 조합을 의미한다.It should be understood that the term "at least one" includes all possible combinations from one or more related items. For example, the meaning of "at least one of the first item, the second item and the third item" means not only the first item, the second item or the third item, but also the second item and the second item among the first item, Means any combination of items that can be presented from more than one.

"및/또는"의 용어는 하나 이상의 관련 항목으로부터 제시 가능한 모든 조합을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 예를 들어, "제1항목, 제2항목 및/또는 제3항목"의 의미는 제1항목, 제2항목 또는 제3항목뿐만 아니라 제1항목, 제2항목 또는 제3항목들 중 2개 이상으로부터 제시될 수 있는 모든 항목의 조합을 의미한다.It should be understood that the term "and / or" includes all possible combinations from one or more related items. For example, the meaning of "first item, second item and / or third item" may include not only the first item, the second item or the third item but also two of the first item, Means a combination of all items that can be presented from the above.

어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결된다 또는 설치된다"고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결 또는 설치될 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결된다 또는 설치된다"라고 언급된 때에는 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 한편, 구성요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 즉 "∼사이에"와 "바로 ∼사이에" 또는 "∼에 이웃하는"과 "∼에 직접 이웃하는" 등도 마찬가지로 해석되어야 한다.It is to be understood that when an element is referred to as being "connected or installed" to another element, it may be directly connected or installed with the other element, although other elements may be present in between. On the other hand, when an element is referred to as being "directly connected or installed" to another element, it should be understood that there are no other elements in between. On the other hand, other expressions that describe the relationship between components, such as "between" and "between" or "neighboring to" and "directly adjacent to" should be interpreted as well.

이하에서는, 본 발명의 실시예에 따른 기판지지유닛 및 이를 포함하는 기판처리장치에 대하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a substrate holding unit and a substrate processing apparatus including the same according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치의 개략 단면도이고, 도 3은 도 2에 도시된 기판지지유닛의 평면도이다.FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a plan view of the substrate supporting unit shown in FIG.

도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치는 육면체 형상으로 형성되고, 내부에 기판(S)이 반입되어 처리되는 공간을 제공하는 챔버(110)를 포함하며, 챔버(110)는 접지될 수 있다.As shown, the substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a chamber 110 formed in a hexahedron shape and providing a space in which a substrate S is carried and processed, Can be grounded.

챔버(110)는 상면이 개방되며 접지된 챔버 월(Wall)(111)과 챔버 월(111)의 개방된 상면에 결합되며 챔버 월(111)과 절연된 리드(Lid)(115)를 포함할 수 있다. 챔버 월(111)과 리드(115)에 의하여 형성되는 공간이 기판(S)이 반입되어 처리되는 챔버(110)의 공간이다.The chamber 110 includes a chamber wall 111 having an open upper surface and a ground 111 and a lid 115 coupled to an open upper surface of the chamber wall 111 and insulated from the chamber wall 111 . The space defined by the chamber walls 111 and the leads 115 is a space in the chamber 110 where the substrate S is carried in and processed.

챔버 월(111)의 일측면에는 기판(S)이 출입하는 출입구(111a) 가 형성될 수 있고, 하면측에는 가스 등을 배출시키기 위한 배출구(111b)가 형성될 수 있다.An inlet port 111a through which the substrate S enters and exits may be formed on one side of the chamber wall 111 and a discharge port 111b through which gas or the like is discharged may be formed on the lower surface side.

챔버(110)의 상면인 리드(115)의 상면에는 가스공급부로부터 불활성가스와 증착가스 등을 포함하는 가스를 공급받는 가스공급관(117)이 설치될 수 있다. 그리고, 챔버(110)의 내부 상측인 리드(115)의 하면에는 챔버(110)의 내부 하측인 챔버 월(111)의 하측 부위로 가스를 균일하게 분사하는 샤워헤드(120)가 설치될 수 있다. 이때, 샤워헤드(120)는 플라즈마를 발생하기 위한 플라즈마 전극의 기능을 할 수 있고, 리드(115)와 샤워헤드(120) 사이에는 버퍼공간이 형성될 수 있다.A gas supply pipe 117 may be installed on the upper surface of the lead 115, which is the upper surface of the chamber 110, to receive a gas containing inert gas and deposition gas from the gas supply unit. A showerhead 120 may be installed on the lower surface of the lead 115 on the upper side of the chamber 110 to uniformly spray the gas to the lower side of the chamber wall 111 which is the lower side of the chamber 110 . At this time, the showerhead 120 may function as a plasma electrode for generating plasma, and a buffer space may be formed between the reed 115 and the showerhead 120.

가스공급관(117)을 통하여 상기 버퍼공간으로 유입된 가스는, 샤워헤드(120)에 형성된 분사공(121)을 통하여, 기판(S)측으로 균일하게 분사될 수 있다.The gas introduced into the buffer space through the gas supply pipe 117 can be uniformly injected toward the substrate S through the spray holes 121 formed in the shower head 120. [

기판(S)은 기판지지유닛(130)에 탑재 지지된다.The substrate S is mounted and supported on the substrate supporting unit 130.

기판지지유닛(130)은 챔버(110)의 내부 하측에 설치될 수 있으며, 서셉터(131)와 히터선(133)을 포함할 수 있다.The substrate supporting unit 130 may be installed inside the chamber 110 and may include a susceptor 131 and a heater wire 133.

서셉터(131)는 챔버(110)의 내부 하측인 챔버 월(111)의 하면측에 설치될 수 있다. 서셉터(131)는 사각 형상의 동판(銅版)으로 마련될 수 있으며, 상면에는 기판(S)이 탑재 지지될 수 있다. 그리고, 서셉터(131)는 하면측이 지지축(140)에 지지될 수 있으며, 지지축(140)은 모터 또는 실린더 등과 같은 구동부에 연결되어 승강 및 회전할 수 있다. 그러므로, 서셉터(131)는 승강 및 회전할 수 있다.The susceptor 131 may be installed on the lower side of the chamber wall 111, which is an inner lower side of the chamber 110. The susceptor 131 may be formed of a rectangular copper plate, and the substrate S may be mounted on the upper surface thereof. The lower surface of the susceptor 131 can be supported by the support shaft 140 and the support shaft 140 can be moved up and down by being connected to a driving unit such as a motor or a cylinder. Therefore, the susceptor 131 can move up and down.

서셉터(131)는 플라즈마 전극인 샤워헤드(120)의 상대 전극의 기능을 하므로 서셉터(131)와 샤워헤드(120)는 상호 대향하는 것이 바람직하고, 서셉터(131)는 지지축(140)을 통하여 접지될 수 있다. 즉, 서셉터(131)의 전류는 지지축(140)을 통하여 챔버 월(111)로 방전될 수 있다.Since the susceptor 131 functions as a counter electrode of the showerhead 120 which is a plasma electrode, the susceptor 131 and the showerhead 120 are preferably opposed to each other, and the susceptor 131 is supported by the support shaft 140 As shown in FIG. That is, the current of the susceptor 131 can be discharged to the chamber wall 111 through the support shaft 140.

기판(S)의 처리시, 기판(S)을 가열할 필요가 있다. 이를 위하여, 서셉터(131)의 내부에는 히터선(133)이 설치되며, 히터선(133)은 소정 패턴을 이룰 수 있다. 히터선(133)은 동관(銅管)과 상기 동관의 내부에 설치된 열선을 포함하면서, 서셉터(131)를 가열할 수 있다.It is necessary to heat the substrate S when the substrate S is processed. To this end, a heater wire 133 is provided inside the susceptor 131, and the heater wire 133 may have a predetermined pattern. The heater wire 133 can heat the susceptor 131, including a copper tube and a heat wire provided inside the copper tube.

챔버(110)의 외측에는 샤워헤드(120)와 접속되어 샤워헤드(120)에 RF(Radio Frequency) 전원 등을 인가하기 위한 전원장치(151) 및 임피던스를 정합하기 위한 매처(155)가 설치될 수 있다.A power supply 151 connected to the showerhead 120 for applying a RF power or the like to the showerhead 120 and a matcher 155 for matching impedance are installed outside the chamber 110 .

그리하여, 서셉터(131)의 상면에 기판(S)을 탑재 지지한 후, 샤워헤드(120)를 통하여 가스를 기판(S)측으로 분사하면서 샤워헤드(120)에 RF 전원을 인가하면, 샤워헤드(120)와 서셉터(131) 사이에서 플라즈마 생성되고, 플라즈마에 의하여 가스가 여기된다. 그러면, 여기된 가스의 분자들이 기판(S)에 증착되므로, 기판(S) 상에 박막이 형성된다.When the RF power is applied to the showerhead 120 while the substrate S is supported on the upper surface of the susceptor 131 and the gas is sprayed to the substrate S side through the showerhead 120, Plasma is generated between the susceptor 120 and the susceptor 131, and the gas is excited by the plasma. Then, molecules of the excited gas are deposited on the substrate S, so that a thin film is formed on the substrate S.

챔버(110)에 기판(S)을 반입하여 서셉터(131)에 탑재한 다음, 기판(S)을 처리할 때, 기판(S)을 가열할 필요가 있다. 그리고, 기판(S)을 가열하기 위하여 히터선(133)에 전원을 인가한 다음, 서셉터(131)를 가열한다. 이때, 기판(S)을 처리하고자 하는 특성에 따라, 서셉터(131)의 온도를 국부적으로 조절할 수 있어야 한다. 그런데, 히터선(133)이 소정 패턴을 이루므로, 히터선(133)이 설치되지 않은 서셉터(131) 부위의 온도는 조절하기가 어렵다.It is necessary to heat the substrate S when the substrate S is carried into the chamber 110 and mounted on the susceptor 131 and then the substrate S is processed. Then, power is applied to the heater wire 133 to heat the substrate S, and then the susceptor 131 is heated. At this time, the temperature of the susceptor 131 must be locally adjustable depending on characteristics of the substrate S to be processed. However, since the heater wire 133 has a predetermined pattern, it is difficult to control the temperature of the susceptor 131 where the heater wire 133 is not provided.

본 실시예에 따른 기판지지유닛 및 이를 포함하는 기판처리장치는 히터선(133)이 설치되지 않은 서셉터(131) 부위의 온도를 국부적으로 조절할 수 있도록 마련된다. 그리고, 서셉터(131)의 내부에 설치된 열전도체(135)를 이용하여, 히터선(133)이 설치되지 않은 서셉터(131) 부위의 온도를 국부적으로 조절할 수 있다.The substrate supporting unit and the substrate processing apparatus including the substrate supporting unit according to the present embodiment are provided so as to locally control the temperature of the portion of the susceptor 131 where the heater wire 133 is not provided. The temperature of the portion of the susceptor 131 where the heater wire 133 is not provided can be locally adjusted by using the heat conductor 135 provided inside the susceptor 131.

열전도체(135)에 대하여 도 3 및 도 4를 참조하여 설명한다. 도 4는 도 3에 도시된 열전도체의 구성을 보인 단면도이다.The heat conductor 135 will be described with reference to Figs. 3 and 4. Fig. 4 is a cross-sectional view showing the configuration of the heat conductor shown in FIG.

도시된 바와 같이, 열전도체(135)는 히터선(133)이 설치되지 않는 서셉터(131)의 부위 내부에 설치될 수 있으며, 서셉터(131)와 상이한 열전도율을 가질 수 있다. 그리고, 열전도체(135)는 서셉터(131)의 열전도율 보다 높은 열전도율을 가지는 제1열전도체(135a)와 서셉터(131)의 열전도율 보다 낮은 열전도율을 가지는 제2열전도체(135b)를 포함할 수 있다. 이때, 높은 열전도율이란 열의 전달 정도를 나타내는 물질에 관한 상수인 열전도계수가 큰 것을 의미할 수 있고, 낮은 열전도율이란 열전도계수가 작은 것을 의미할 수 있다.The heat conductor 135 may be installed inside a portion of the susceptor 131 where the heater wire 133 is not provided and may have a thermal conductivity different from that of the susceptor 131. [ The thermal conductor 135 includes a first thermal conductor 135a having a higher thermal conductivity than the susceptor 131 and a second thermal conductor 135b having a thermal conductivity lower than the thermal conductivity of the susceptor 131 . At this time, the high thermal conductivity may mean that the coefficient of thermal conductivity, which is a constant relating to the substance showing the degree of heat transmission, is large, and the low thermal conductivity means that the coefficient of thermal conductivity is small.

그러면, 히터선(133)에 전원이 인가되어 서셉터(131)가 가열되면, 제1열전도체(135a)는 서셉터(131)로부터 단위 시간당 많은 열에너지를 받으므로, 제1열전도체(135a)가 설치된 서셉터(131)의 부위는 다른 부위 보다 고온이 될 수 있다. 또한, 제2열전도체(135b)는 서셉터(131)로부터 단위 시간당 적은 열에너지를 받으므로, 제2열전도체(135b)가 설치된 서셉터(131)의 부위는 다른 부위 보다 저온이 될 수 있다. 그러므로, 서셉터(131)의 부위 중, 온도의 조절이 필요한 서셉터(131)의 부위에 제1열전도체(135a) 또는 제1열전도체(135a)를 적절하게 설치하면, 서셉터(131)의 온도를 국부적으로 조절할 수 있다.When the susceptor 131 is heated by applying power to the heater wire 133, the first heat conductor 135a receives a large amount of heat energy per unit time from the susceptor 131. Therefore, the first heat conductor 135a, The susceptor 131 can be heated to a higher temperature than other regions. Since the second heat conductor 135b receives a small amount of thermal energy per unit time from the susceptor 131, the portion of the susceptor 131 provided with the second heat conductor 135b can be lower in temperature than the other portions. Therefore, if the first heat conductor 135a or the first heat conductor 135a is appropriately provided on the portion of the susceptor 131 where the temperature needs to be adjusted, Can be controlled locally.

제1열전도체(135a)는 동관(銅管)(135aa)과 동관(135aa)의 내부에 충전(充塡)된 충전물(充塡物)(135ab)을 포함할 수 있다. 이때, 충전물(135ab)은 탄소나노튜브(Carbon Nanotube), 그래핀(Graphene), 다이아몬드, 탄소섬유(Carbon Fiber) 및 흑연(Graphite) 중에서 선택된 어느 하나일 수 있다.The first heat conductor 135a may include a copper tube 135aa and a filler 135ab filled in the copper tube 135aa. In this case, the filling material 135ab may be any one selected from carbon nanotubes, graphene, diamond, carbon fiber, and graphite.

그리고, 제2열전도체(135b)도 동관과 상기 동관의 내부에 충전된 충전물을 포함할 수 있다. 그리고, 제2열전도체(135b)의 상기 충전물은, 보라존(Borazon), 질화알루미늄(Aluminum Nitride), 산화마그네슘(MgO), 산화알루미늄(Al2O3) 및 산화아연(ZnO) 중에서 선택된 어느 하나일 수 있다.The second heat conductor 135b may include a copper tube and a filler filled in the copper tube. The filler of the second heat conductor 135b may be any one selected from borazon, aluminum nitride, magnesium oxide, aluminum oxide (Al 2 O 3 ), and zinc oxide (ZnO) It can be one.

즉, 본 실시예에 따른 기판지지유닛 및 이를 포함하는 기판처리장치는, 서셉터(131)의 내부에 소정 패턴으로 히터선(133)이 설치되고, 히터선(133)이 설치되지 않은 서셉터(131)의 부위에 서셉터(131)의 열전도율과 상이한 열전도율을 가지는 열전도체(135)가 설치된다. 이때, 열전도체(135)가 설치되는 서셉터(131)의 부위는 온도의 조절이 필요한 부위이다. 그러면, 열전도체(135)가 설치된 서셉터(131)의 부위는, 다른 부위 보다 높은 온도 또는 낮은 온도를 유지하게 되므로, 기판(S)의 처리시 요구되는 최적의 환경으로 서셉터(131)를 유지할 수 있다.That is, the substrate supporting unit and the substrate processing apparatus including the same according to the present embodiment include a heater wire 133 having a predetermined pattern inside the susceptor 131, a susceptor 131 having no heater wire 133, A heat conductor 135 having a thermal conductivity different from the thermal conductivity of the susceptor 131 is provided at a portion of the heat conductor 131. At this time, the portion of the susceptor 131 where the heat conductor 135 is installed is a portion where the temperature needs to be adjusted. Since the portion of the susceptor 131 provided with the heat conductor 135 maintains a temperature higher or lower than that of the other portions, the susceptor 131 is prevented from reaching the optimal environment required for processing the substrate S .

즉, 서셉터(131)의 온도를 국부적으로 조절할 수 있으므로, 기판(S)의 처리시 요구되는 최적의 환경으로 서셉터(131)를 유지할 수 있고, 이로 인해 제품의 신뢰성이 향상될 수 있다.In other words, since the temperature of the susceptor 131 can be locally adjusted, the susceptor 131 can be maintained in the optimal environment required for processing the substrate S, thereby improving the reliability of the product.

본 발명에 따른 기판지지유닛(130)은 그래핀(Graphene)을 제조하는 장치 및 방법에도 적용할 수 있음은 당연하다.It is a matter of course that the substrate supporting unit 130 according to the present invention can also be applied to an apparatus and a method for manufacturing a graphene.

이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다. 그러므로, 본 발명의 범위는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention. Will be clear to those who have knowledge of. Therefore, the scope of the present invention is defined by the appended claims, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents should be interpreted as being included in the scope of the present invention.

110: 챔버
130: 기판지지유닛
131: 서셉터
133: 히터선
135: 열전도체110: chamber
130:
131: susceptor
133: Heater line
135: thermoconductor

Claims (10)

기판이 탑재 지지되는 서셉터;
소정 패턴을 이루면서 상기 서셉터의 내부에 설치된 히터선;
상기 히터선이 설치되지 않는 상기 서셉터의 부위 내부에 설치되며 상기 서셉터의 열전도율과 상이한 열전도율을 가지는 열전도체를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판지지유닛.A susceptor on which a substrate is mounted and supported;
A heater wire disposed inside the susceptor to form a predetermined pattern;
And a heat conductor provided inside a portion of the susceptor in which the heater wire is not provided, the heat conductor having a thermal conductivity different from the thermal conductivity of the susceptor. 제1항에 있어서,
상기 열전도체는 상기 서셉터의 열전도율 보다 높은 열전도율을 가지는 제1열전도체와 상기 서셉터의 열전도율 보다 낮은 열전도율을 가지는 제2열전도체를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판지지유닛.The method according to claim 1,
Wherein the heat conductor includes a first heat conductor having a thermal conductivity higher than that of the susceptor and a second heat conductor having a thermal conductivity lower than the thermal conductivity of the susceptor. 제2항에 있어서,
상기 제1열전도체 및 상기 제2열전도체는 동관(銅管)과 상기 동관의 내부에 충전(充塡)된 충전물(充塡物)을 각각 포함하는 것을 특징으로 하는 기판지지유닛.3. The method of claim 2,
Wherein the first heat conductor and the second heat conductor each include a copper tube and a filler filled in the inside of the copper tube. 제3항에 있어서,
상기 제1열전도체의 충전물은, 탄소나노튜브(Carbon Nanotube), 그래핀(Graphene), 다이아몬드, 탄소섬유(Carbon Fiber) 및 흑연(Graphite) 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 기판지지유닛.The method of claim 3,
Wherein the filling material of the first heat conductor is any one selected from the group consisting of carbon nanotubes, graphene, diamond, carbon fiber, and graphite. 제3항에 있어서,
상기 제2열전도체의 충전물은, 보라존(Borazon), 질화알루미늄(Aluminum Nitride), 산화마그네슘(MgO), 산화알루미늄(Al2O3) 및 산화아연(ZnO) 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 기판지지유닛.The method of claim 3,
The second thermal conductor is characterized in that the filler is any one selected from Borazon, Aluminum Nitride, MgO, Al 2 O 3 and ZnO. . 기판이 투입되어 처리되는 공간을 제공하는 챔버;
상기 챔버의 내부에 설치되며 기판이 탑재 지지되는 기판지지유닛을 포함하며,
상기 기판지지유닛은,
기판이 탑재 지지되는 서셉터;
소정 패턴을 이루면서 상기 서셉터의 내부에 설치된 히터선;
상기 히터선이 설치되지 않는 상기 서셉터의 부위 내부에 설치되며 상기 서셉터의 열전도율과 상이한 열전도율을 가지는 열전도체를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.A chamber for providing a space in which the substrate is charged and processed;
And a substrate supporting unit installed inside the chamber and on which a substrate is mounted,
Wherein the substrate supporting unit comprises:
A susceptor on which a substrate is mounted and supported;
A heater wire disposed inside the susceptor to form a predetermined pattern;
And a heat conductor provided inside a portion of the susceptor in which the heater wire is not provided and having a thermal conductivity different from the thermal conductivity of the susceptor. 제6항에 있어서,
상기 열전도체는 동관(銅管)의 내부에 충전물(充塡物)을 충전(充塡)한 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to claim 6,
Wherein the thermal conductor is filled with a filling material in a copper pipe. 제7항에 있어서,
상기 열전도체는 상기 서셉터의 열전도율 보다 높은 열전도율을 가지는 제1열전도체와 상기 서셉터의 열전도율 보다 낮은 열전도율을 가지는 제2열전도체를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.8. The method of claim 7,
Wherein the thermal conductor includes a first thermal conductor having a thermal conductivity higher than the thermal conductivity of the susceptor and a second thermal conductor having a thermal conductivity lower than the thermal conductivity of the susceptor. 제8항에 있어서,
상기 제1열전도체의 충전물은, 탄소나노튜브(Carbon Nanotube), 그래핀(Graphene), 다이아몬드, 탄소섬유(Carbon Fiber) 및 흑연(Graphite) 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.9. The method of claim 8,
Wherein the filling material of the first heat conductor is any one selected from the group consisting of carbon nanotubes, graphene, diamond, carbon fiber, and graphite. 제8항에 있어서,
상기 제2열전도체의 충전물은, 보라존(Borazon), 질화알루미늄(Aluminum Nitride), 산화마그네슘(MgO), 산화알루미늄(Al2O3) 및 산화아연(ZnO) 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.9. The method of claim 8,
The second thermal conductor is characterized in that the filler is any one selected from Borazon, Aluminum Nitride, MgO, Al 2 O 3 and ZnO. .
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