KR20180034077A - Photosensitive resin composition, cured film prepared therefrom, and electronic device incoporating the cured film - Google Patents

Photosensitive resin composition, cured film prepared therefrom, and electronic device incoporating the cured film Download PDF

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Abstract

The present invention relates to a photosensitive resin composition, a cured film prepared by curing the photosensitive resin composition, and an electronic device including the cured film. An objective of an embodiment of the present invention is to provide the photosensitive resin composition having excellent crack resistance, high heat resistance and high transmittance. The photosensitive resin composition of the present invention comprises a polysiloxane copolymer which is formed by hydrolyzing and condensing a compound represented by chemical formula 1, a compound represented by chemical formula 2, (R^1)_aSiR^2_(4-a), and a compound represented by chemical formula 3, R^3_3Si-Y^1-SiR^4_3. In chemical formulas, 1 to 3, X, Y, R^1 to R^4, and Y^1 are as defined in the specification.

Description

감광성 수지 조성물, 그로부터 형성된 경화막, 및 상기 경화막을 갖는 전자 장치{PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, CURED FILM PREPARED THEREFROM, AND ELECTRONIC DEVICE INCOPORATING THE CURED FILM}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a photosensitive resin composition, a cured film formed therefrom, and an electronic device having the cured film. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001]

본 기재는 감광성 수지 조성물, 그로부터 형성된 경화막, 및 상기 경화막을 포함하는 전자 장치에 관한 것이다. The present invention relates to a photosensitive resin composition, a cured film formed therefrom, and an electronic device including the cured film.

액정 디스플레이나 유기 EL 디스플레이 등에 있어서 한층 더 정밀하고 높은 해상도를 실현하기 위해서는 표시 장치의 개구율을 높여야 하며, 이를 위해 TFT 기판 상부에 투명한 평탄화 막을 보호막으로 설치함으로써 데이터 라인과 화소 전극을 오버랩시켜 고개구율을 가능하게 하는 방법이 있다. In order to realize a more precise and high resolution in a liquid crystal display, an organic EL display, etc., the aperture ratio of a display device must be increased. To this end, a transparent flattening film is provided as a protective film on a TFT substrate to overlap the data line and the pixel electrode, There is a way to enable.

 이러한 TFT 기판용 유기 절연막을 형성하기 위한 재료로는 고내열성, 고투명성, 고온 내크랙성, 저유전율성, 내화학성 등을 갖는 재료가 필요하며, TFT 기판 전극과 ITO 전극과의 도통 확보를 위해 50㎛ 내지 수 ㎛ 정도의 홀 패턴 형성을 할 필요가 있다.As a material for forming the organic insulating film for a TFT substrate, a material having high heat resistance, high transparency, crack resistance at high temperature, low dielectric constant, and chemical resistance is required. In order to secure the conduction between the TFT substrate electrode and the ITO electrode It is necessary to form hole patterns of about 50 mu m to several mu m.

종래에는 페놀계 수지와 퀴논디아지드 화합물을 조합한 재료, 또는 아크릴계 수지와 퀴논디아지드 화합물을 조합한 광감성 수지 조성물이 주로 사용되어 왔다. 그러나, 이들 재료는 200℃ 이상의 고온에서 재료 특성이 급격히 열화하는 것은 아니지만 230℃ 이상에서는 서서히 분해가 시작되고, 막 두께의 저하나 크랙 현상이 발생하는 문제, 또는 기판을 고온 처리함에 의해 투명막이 착색되어 투과율이 저하되는 문제가 있다.Conventionally, a light-sensitive resin composition comprising a combination of a phenolic resin and a quinone diazide compound or a combination of an acrylic resin and a quinone diazide compound has been mainly used. However, these materials do not rapidly deteriorate in material properties at a high temperature of 200 DEG C or more, but decomposition starts slowly at 230 DEG C or higher, and the film thickness or the cracking phenomenon occurs, or the transparent film is colored And the transmittance is lowered.

또한, 최근 액정 디스플레이 등에 있어서 터치 패널이 채용되고 있지만, 터치 패널의 투명성이나 기능성 향상을 위해, 투명 전극 부재인 ITO의 고 투명성과 고 도전성을 목적으로, 보다 높은 온도에서의 열처리나 제막을 행하는 시도가 이루어지고 있다. 그에 수반하여, 투명 전극 부재의 보호막이나 절연막에도 고온 처리에 대한 내열성이 요구되고 있다. 그러나, 아크릴 수지는 내열성이나 내약품성이 불충분하여, 기판의 고온 처리나 투명 전극 등의 고온 제막, 또는 각종 에칭 약액 처리에 의해 경화막이 착색되어 투명성이 저하하거나, 또는 고온 제막 중에서의 탈가스에 의해 전극의 도전율이 저하하는 문제가 있다. 따라서, 당해 투명막 재료 위에 PE-CVD 등의 장치를 사용하여 고온에서 막을 형성하는 것 같은 프로세스에는 사용할 수 없다.In recent years, in order to improve the transparency and the functionality of the touch panel, a transparent electrode member made of ITO having high transparency and high conductivity has been used for a liquid crystal display or the like. However, . Along with this, the protective film or insulating film of the transparent electrode member is required to have heat resistance to high temperature treatment. However, since the acrylic resin is insufficient in heat resistance and chemical resistance, the cured film is colored due to the high temperature treatment of the substrate, the high-temperature film formation such as a transparent electrode or various kinds of etching solution treatment, There is a problem that the conductivity of the electrode is lowered. Therefore, it can not be used in a process of forming a film at a high temperature by using a device such as PE-CVD on the transparent film material.

그리고 유기 EL 소자에 있어서도, 상기 재료들로부터 발생한 크랙이나 분해물은 유기 EL 소자의 발광 효율이나 수명에 대해 악영향을 주기 때문에 사용하기에 최적의 재료라고 할 수 없다. 또한, 내열성을 부여한 아크릴 재료도 300℃ 이상에서 크랙 현상이 발생할 수 있으며, 그렇지 않은 경우 일반적으로 유전율이 높아진다. 따라서 고유전율 때문에 절연막에 의한 기생 용량이 커짐으로써, 소비 전력이 커지거나, 액정 소자 구동 신호의 지연 등으로 화질의 품질에 문제를 일으킨다. 또한 유전율이 높은 절연 재료의 경우도, 예를 들어, 막 두께를 크게 함으로써 용량을 작게 할 수는 있으나, 균일한 후막 형성이 일반적으로 곤란하고, 재료 사용량도 많아져 바람직하지 않다.Also in the organic EL device, cracks and decomposition products generated from the above materials have no adverse effect on the luminous efficiency and lifetime of the organic EL device, and therefore, they are not suitable for use. In addition, the acrylic material imparted with heat resistance may also crack at 300 DEG C or higher, otherwise the dielectric constant generally increases. As a result, the parasitic capacitance due to the insulating film becomes large due to the high dielectric constant, which causes power consumption to increase and a problem of image quality due to delay of the liquid crystal element driving signal. Even in the case of an insulating material having a high dielectric constant, for example, it is possible to reduce the capacitance by increasing the film thickness, but it is generally not preferable to form a uniform thick film and the amount of material used is also increased.

한편, 고내열, 고투명성 재료로서 실세스퀴옥산이 알려져 있다. 특히, 특정 실세스퀴옥산에 아크릴기를 부여한 실세스퀴옥산 화합물과, 불포화 카르복실산 및 에폭시기를 함유한 불포화 화합물, 및 올레핀계 불포화 화합물을 공중합시킨 아크릴계 공중합체와 퀴논디아지드 화합물로 이루어진 감광성 조성물 등이 제안되어 있다. 하지만, 이들 화합물 역시 유기 화합물의 함유량이 높아 250℃ 이상의 고온 경화 후 분해되면서 노랗게 착색되어 투과도가 떨어지는 내열성 문제가 있으며, 현상 후 잔막률이 떨어져 평탄한 막을 이루지 못하거나, 또는 NMP (N-methyl-2-pyrrolidone), 테트라메틸암모늄하이드록사이드(TMAH) 용액, 10% NaOH 등의 용매에 대한 내화학성도 저감되는 문제점이 있다.On the other hand, silsesquioxane is known as a material having high heat resistance and high transparency. In particular, a photosensitive composition comprising a silsesquioxane compound having an acrylic group added to a specific silsesquioxane, an unsaturated compound containing an unsaturated carboxylic acid and an epoxy group, and an acrylic copolymer obtained by copolymerizing an olefinically unsaturated compound and a quinone diazide compound Have been proposed. However, since these compounds also have a high content of organic compounds, they have a problem of heat resistance which is colored and yellow after being cured after being cured at a high temperature of 250 ° C. or higher and have a low permeability. Since the residual film ratio after development is low, a flat film is not formed or NMP the chemical resistance to a solvent such as pyrrolidone, tetramethylammonium hydroxide (TMAH) solution and 10% NaOH is also reduced.

또한, 실록산 중합체에 포지티브형 감광성를 부여하기 위해 퀴논디아지드 화합물을 조합한 계로서, 페놀성 수산기를 말단에 갖는 실록산 중합체와 퀴논디아지드 화합물을 조합한 재료, 환화 열 부가 반응에 의해 페놀성 수산기나 카르복실기 등을 부가시킨 실록산 중합체와 퀴논디아지드 화합물을 조합한 재료 등이 알려져 있다. 그러나, 이들 재료는 다량의 퀴논디아지드 화합물을 함유하고 있거나, 또는 실록산 중합체 중에 페놀성 수산기가 존재하기 때문에, 도포막의 백화나 열경화시 착색이 일어나기 쉽고, 300℃ 이상의 가혹한 고온 조건에서는 크랙이 발생할 수 있어, 이에 따른 투과도 저하로 인해 고투명성 재료로서 이용할 수 없다. 또한, 이들 재료는 투명성이 낮기 때문에 패턴 형성시 감도가 낮다는 문제도 있다.As a system in which a quinone diazide compound is combined with a siloxane polymer in order to impart positive photosensitivity to the siloxane polymer, a material obtained by combining a siloxane polymer having a phenolic hydroxyl group at the terminal thereof with a quinone diazide compound, A material obtained by combining a siloxane polymer having a carboxyl group added thereto and a quinone diazide compound is known. However, since these materials contain a large amount of quinone diazide compound, or phenolic hydroxyl groups are present in the siloxane polymer, coloring of the coating film tends to occur during whitening or thermal curing, and cracking occurs at a high temperature of 300 ° C or higher And can not be used as a material with high transparency due to a decrease in transmittance. Further, since these materials have low transparency, there is also a problem that the sensitivity is low during pattern formation.

폴리실록산과 퀴논디아지드 화합물만으로 이루어진 감광성 조성물 재료가 열경화되는 경우, 폴리실록산 중의 실라놀기의 탈수축합에 의해 가교, 고분자량화가 일어난다. 이 열경화 과정에서는, 패턴의 열경화가 충분히 진행되기 전에 고온에 의한 막의 저점도화로 용융되고, 현상 후 수득된 홀이나 라인 등의 패턴이 플로우하게 된다. 결과적으로, 크랙 현상은 일어나지 않지만 해상도가 저하하는「패턴」열화가 일어나며, 이를 방지하지 않으면 안 된다. When a photosensitive composition made solely of a polysiloxane and a quinone diazide compound is thermally cured, crosslinking and high molecular weight are caused by dehydration condensation of a silanol group in the polysiloxane. In this thermosetting process, before the thermal curing of the pattern sufficiently progresses, it is melted by the low viscosity of the film due to the high temperature, and patterns such as holes and lines obtained after the development flow. As a result, cracks do not occur, but degradation of the pattern, which degrades the resolution, occurs and must be prevented.

또한, 현상액에 불용인 폴리실록산과 가용인 폴리실록산계와 퀴논디아지드 화합물을 조합하고, 이를 가열 경화 시, 현상 후 수득된 홀이나 라인 등의 패턴이 무너져 결과적으로 해상도가 저하하는 "패턴 늘어짐"을 방지하는 감광성 조성물이 제안되어 있다. 하지만, 현상액에 불용인 폴리실록산을 사용하면, 현상 후 녹다 만 잔여물이나 녹기 시작한 난용물이 재부착함으로써 현상 패턴 결함이 발생하는 원인이 된다. 또한, 패턴 열화를 방지하기 위해서는 실록산의 분자량을 충분히 높일 필요가 있다. 그 결과, 감광성 재료로서는 감도가 낮아, 높은 반응 에너지가 필요하게 된다. 또한, 잔막률도 충분하지 않아 재료의 손실이 크다는 결점이 있다.In addition, a combination of a polysiloxane insoluble in a developing solution and a polysiloxane-based compound and a quinone diazide compound which are soluble is used to prevent "pattern sagging" in which patterns of holes and lines obtained after development collapse upon heating and curing, Based on the total weight of the composition. However, if a polysiloxane insoluble in a developing solution is used, it will dissolve after development, but re-adherence of residues or unstable water starting to melt may cause development pattern defects. In order to prevent pattern deterioration, it is necessary to sufficiently increase the molecular weight of the siloxane. As a result, the photosensitive material has low sensitivity and high reaction energy is required. Further, there is a drawback that the residual film ratio is not sufficient and the loss of the material is large.

일 구현예는, 우수한 내크랙성, 고내열성, 및 고투과성을 가지는 감광성 수지 조성물을 제공한다.One embodiment provides a photosensitive resin composition having excellent crack resistance, high heat resistance, and high permeability.

다른 구현예는 상기 감광성 수지 조성물을 경화하여 얻은 경화막를 제공한다.Another embodiment provides a cured film obtained by curing the photosensitive resin composition.

또 다른 구현예는 상기 경화막을 포함하는 전자 장치를 제공한다.Another embodiment provides an electronic device comprising the cured film.

일 구현예는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물, 하기 화학식 2로 표시되는 화합물, 및 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물을 가수분해 축합시켜 형성되는 폴리실록산 공중합체를 포함하는 감광성 수지 조성물을 제공한다:One embodiment provides a photosensitive resin composition comprising a polysiloxane copolymer formed by hydrolysis and condensation of a compound represented by the following formula (1), a compound represented by the following formula (2), and a compound represented by the following formula (3)

[화학식 1] [Chemical Formula 1]

Figure pat00001
Figure pat00001

상기 화학식 1에서,In Formula 1,

X는, 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬렌기이고, X is, independently of each other, a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkylene group,

Y는, 각각 독립적으로, 히드록시기, 카르복실기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알콕시실릴기, 에폭시기, 및 C1 내지 C6 에스테르기 중 어느 하나이고, Y is each independently any one of a hydroxyl group, a carboxyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkoxy group, a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkoxysilyl group, an epoxy group, and a C1 to C6 ester group,

[화학식 2](2)

(R1)aSiR2 4 -a (R 1 ) a SiR 2 4 -a

상기 화학식 2에서,In Formula 2,

R1 은 수소, 히드록시기, 할로겐, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, RO-, R(C=O)- (여기서, R은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30의 아릴알킬기), 또는 이들의 조합이고, R 1 is selected from the group consisting of hydrogen, a hydroxyl group, a halogen, a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C7 to C30 aryl Substituted or unsubstituted C1 to C30 heteroalkyl groups, substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocycloalkyl groups, substituted or unsubstituted C1 to C30 heteroaryl groups, substituted or unsubstituted C2 to C30 alkenyl groups, substituted or unsubstituted C1 to C30 heteroalkyl groups, (C-O) -, wherein R is a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkynyl group, A substituted C6 to C30 aryl group, or a substituted or unsubstituted C7 to C30 arylalkyl group), or a combination thereof,

R2는 C1 내지 C6 알콕시기, 히드록시기, 할로겐, 카르복실기, 또는 이들의 조합이고,R 2 is a C 1 to C 6 alkoxy group, a hydroxy group, a halogen, a carboxyl group,

a는 0≤a<4 이다.a is 0? a < 4.

[화학식 3](3)

R3 3Si-Y1-SiR4 3 R 3 3 Si-Y 1 -SiR 4 3

상기 화학식 3에서, In Formula 3,

Y1는 단일결합, 산소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알키닐렌기, 또는 이들의 조합이고,Y 1 represents a single bond, oxygen, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylene group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkylene group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 arylene group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 A substituted or unsubstituted C2 to C30 alkenylene group, a substituted or unsubstituted C2 to C20 alkynylene group, or a combination thereof,

R3 및 R4 는, 각각 독립적으로, C1 내지 C6 알콕시기, 히드록시기, 할로겐, 카르복실기, 또는 이들의 조합이다.R 3 and R 4 are each independently a C 1 to C 6 alkoxy group, a hydroxy group, a halogen, a carboxyl group, or a combination thereof.

상기 화학식 1에서, 상기 X는 각각 독립적으로, C1 내지 C3 알킬렌기이고, 상기 Y는 각각 독립적으로, 히드록시기, C1 내지 C6 알콕시실릴기, 또는 에폭시기일 수 있다. In Formula 1, each X is independently a C1 to C3 alkylene group, and each Y may independently be a hydroxyl group, a C1 to C6 alkoxysilyl group, or an epoxy group.

상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 1-1 내지 화학식 1-3 중 하나 이상으로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다:The compound represented by Formula 1 may include a compound represented by one or more of the following Chemical Formulas 1-1 to 1-3:

[화학식 1-1][Formula 1-1]

Figure pat00002
Figure pat00002

[화학식 1-2][Formula 1-2]

Figure pat00003
Figure pat00003

[화학식 1-3][Formula 1-3]

Figure pat00004
Figure pat00004

상기 화학식 1-1 내지 화학식 1-3에서, n은 1 내지 5의 정수이다. In Formulas 1-1 to 1-3, n is an integer of 1 to 5.

상기 화학식 2에서, a는 1 일 수 있다.In Formula 2, a may be 1.

상기 화학식 2에서, 상기 R1 은 C1 내지 C10 알킬기, C6 내지 C16의 아릴기, 또는 이들의 조합이고, 상기 R2는 C1 내지 C6 알콕시기, 히드록시기, 또는 이들의 조합일 수 있다.In Formula 2, R 1 may be a C 1 to C 10 alkyl group, a C 6 to C 16 aryl group, or a combination thereof, and R 2 may be a C 1 to C 6 alkoxy group, a hydroxy group, or a combination thereof.

상기 화학식 3에서, 상기 Y1 은 C1 내지 C10 알킬렌기, C3 내지 C10 사이클로알킬렌기, C6 내지 C12 아릴렌기, 또는 이들의 조합이고, 상기 R3 및 R4 는 각각 독립적으로, C1 내지 C6 알콕시기일 수 있다.In the formula 3, wherein Y 1 is a C1 to C10 alkyl group, a C3 to C10 cycloalkyl group, a C6 to C12 arylene group, or a combination thereof, wherein R 3 and R 4 are, each independently, C1 to C6 alkoxy date .

상기 폴리실록산 공중합체는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 20 몰% 이하, 상기 화학식 2로 표시되는 화합물 70 몰% 내지 95 몰%, 및 상기 화학식 3으로 표시되는 화합물 20 몰% 이하를 가수분해 축합반응시켜 제조될 수 있다. The polysiloxane copolymer is hydrolyzed and condensed with 20 mol% or less of the compound represented by the formula (1), 70 to 95 mol% of the compound represented by the formula (2) and 20 mol% or less of the compound represented by the formula .

상기 폴리실록산 공중합체는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 1 몰% 내지 20 몰%, 상기 화학식 2로 표시되는 화합물 75 몰% 내지 95 몰%, 및 상기 화학식 3으로 표시되는 화합물 1 몰% 내지 10 몰%를 가수분해 축합반응시켜 제조될 수 있다.The polysiloxane copolymer is prepared by copolymerizing 1 mol% to 20 mol% of the compound represented by Formula 1, 75 mol% to 95 mol% of the compound represented by Formula 2, 1 mol% to 10 mol% Or a hydrolysis-condensation reaction.

상기 폴리실록산 공중합체는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 5 몰% 내지 15 몰%, 상기 화학식 2로 표시되는 화합물 80 몰% 내지 90 몰%, 및 상기 화학식 3으로 표시되는 화합물 5 몰% 내지 15 몰%를 가수분해 축합반응시켜 제조되는 것일 수 있다.Wherein the polysiloxane copolymer comprises 5 mol% to 15 mol% of the compound represented by Formula 1, 80 mol% to 90 mol% of the compound represented by Formula 2, and 5 mol% to 15 mol% Or a hydrolysis-condensation reaction.

상기 감광성 수지 조성물은 디아조나프토퀴논 유도체, 및 용매를 더 포함할 수 있다.The photosensitive resin composition may further include a diazonaphthoquinone derivative and a solvent.

다른 구현예에서는, 상기 구현예에 따른 감광성 수지 조성물을 경화하여 얻은 경화막을 제공한다.In another embodiment, there is provided a cured film obtained by curing the photosensitive resin composition according to the above embodiment.

상기 경화막은 400 nm 파장에서의 광투과율이 95 % 이상일 수 있다. The cured film may have a light transmittance of 95% or more at a wavelength of 400 nm.

상기 경화막의 크랙 미발생 두께 마진은 4.0 ㎛ 이상일 수 있다.The crack-free thickness margin of the cured film may be 4.0 m or more.

또 다른 구현예에 따르면, 상기 경화막을 포함하는 전자 장치를 제공한다.According to another embodiment, there is provided an electronic device comprising the cured film.

일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물은 고내열성, 고투과성을 가지며, 특히 고온에서의 내크랙성이 우수하고 고해상도를 구현할 수 있는 경화막을 제조할 수 있게 한다.The photosensitive resin composition according to one embodiment makes it possible to produce a cured film having high heat resistance and high permeability, particularly excellent in crack resistance at high temperature and capable of realizing high resolution.

상기 경화막은 박막형 트랜지스터(TFT) 기판용 평탄화막, 반도체 소자의 층간 절연막 등의 제조에 유용하게 사용될 수 있다.The cured film can be usefully used for manufacturing a planarizing film for a thin film transistor (TFT) substrate, an interlayer insulating film for a semiconductor device, and the like.

이하, 본 발명의 구현예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 구현예에 한정되지 않는다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail so that those skilled in the art can easily carry out the present invention. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein.

본 명세서에서 별도의 정의가 없는 한, '치환된'이란, 화합물 중의 수소 원자가 할로겐 원자(F, Br, Cl, 또는 I), 히드록시기, 알콕시기, 니트로기, 시아노기, 아미노기, 아지도기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, 카르보닐기, 카르바밀기, 티올기, 에스테르기, 카르복실기나 그의 염, 술폰산기나 그의 염, 인산이나 그의 염, C1 내지 C20 알킬기, C2 내지 C20 알케닐기, C2 내지 C20 알키닐기, C6 내지 C30 아릴기, C7 내지 C30 아릴알킬기, C1 내지 C30 알콕시기, C1 내지 C20 헤테로알킬기, C3 내지 C20 헤테로아릴알킬기, C3 내지 C30 사이클로알킬기, C3 내지 C15의 사이클로알케닐기, C6 내지 C15 사이클로알키닐기, C3 내지 C30 헤테로사이클로알킬기 및 이들의 조합에서 선택된 치환기로 치환된 것을 의미한다.Unless otherwise defined herein, "substituted" means that the hydrogen atom in the compound is a halogen atom (F, Br, Cl, or I), a hydroxy group, an alkoxy group, a nitro group, a cyano group, an amino group, A thio group, an ester group, a carboxyl group or a salt thereof, a sulfonic acid group or a salt thereof, a phosphoric acid or a salt thereof, a C1 to C20 alkyl group, a C2 to C20 alkenyl group, a C2 to C20 alkenyl group, a C2 to C20 alkenyl group, A C 1 to C 30 arylalkyl group, a C 7 to C 30 arylalkyl group, a C 1 to C 30 alkoxy group, a C 1 to C 20 heteroalkyl group, a C 3 to C 20 heteroarylalkyl group, a C 3 to C 30 cycloalkyl group, a C 3 to C 15 cycloalkenyl group, C6 to C15 cycloalkynyl groups, C3 to C30 heterocycloalkyl groups, and combinations thereof.

또한, 본 명세서에서 별도의 정의가 없는 한, '헤테로'란, N, O, S 및 P에서 선택된 헤테로 원자를 적어도 하나 포함한 것을 의미한다.Also, unless otherwise defined herein, 'hetero' means containing at least one heteroatom selected from N, O, S, and P.

본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, '조합'이란 혼합 또는 공중합을 의미한다.Unless otherwise specified herein, 'combination' means mixing or copolymerization.

이하, 일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물에 대하여 설명한다. Hereinafter, the photosensitive resin composition according to one embodiment will be described.

일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물, 하기 화학식 2로 표시되는 화합물, 및 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물을 가수분해 축합시켜 형성되는 폴리실록산 공중합체를 포함한다:The photosensitive resin composition according to one embodiment includes a polysiloxane copolymer formed by hydrolysis and condensation of a compound represented by the following formula (1), a compound represented by the following formula (2), and a compound represented by the following formula (3)

[화학식 1][Chemical Formula 1]

Figure pat00005
Figure pat00005

X는, 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬렌기이고, X is, independently of each other, a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkylene group,

Y는, 각각 독립적으로, 히드록시기, 카르복실기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알콕시실릴기, 에폭시기, 및 C1 내지 C6 에스테르기 중 어느 하나이다.Y is independently any one of a hydroxyl group, a carboxyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkoxy group, a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkoxysilyl group, an epoxy group, and a C1 to C6 ester group.

[화학식 2](2)

(R1)aSiR2 4 -a (R 1 ) a SiR 2 4 -a

상기 화학식 2에서,In Formula 2,

R1 은 수소, 히드록시기, 할로겐, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, RO-, R(C=O)- (여기서, R은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30의 아릴알킬기), 또는 이들의 조합이고, R 1 is selected from the group consisting of hydrogen, a hydroxyl group, a halogen, a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C7 to C30 aryl Substituted or unsubstituted C1 to C30 heteroalkyl groups, substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocycloalkyl groups, substituted or unsubstituted C1 to C30 heteroaryl groups, substituted or unsubstituted C2 to C30 alkenyl groups, substituted or unsubstituted C1 to C30 heteroalkyl groups, (C-O) -, wherein R is a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkynyl group, A substituted C6 to C30 aryl group, or a substituted or unsubstituted C7 to C30 arylalkyl group), or a combination thereof,

R2는 C1 내지 C6 알콕시기, 히드록시기, 할로겐, 카르복실기, 또는 이들의 조합이고,R 2 is a C 1 to C 6 alkoxy group, a hydroxy group, a halogen, a carboxyl group,

a는 0≤a<4 이다.a is 0? a < 4.

[화학식 3](3)

R3 3Si-Y1-SiR4 3 R 3 3 Si-Y 1 -SiR 4 3

상기 화학식 3에서, In Formula 3,

Y1는 단일결합, 산소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알키닐렌기, 또는 이들의 조합이고,Y 1 represents a single bond, oxygen, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylene group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkylene group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 arylene group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 A substituted or unsubstituted C2 to C30 alkenylene group, a substituted or unsubstituted C2 to C20 alkynylene group, or a combination thereof,

R3 및 R4는, 각각 독립적으로, C1 내지 C6 알콕시기, 히드록시기, 할로겐, 카르복실기, 또는 이들의 조합이다.R 3 and R 4 are each independently a C 1 to C 6 alkoxy group, a hydroxy group, a halogen, a carboxyl group, or a combination thereof.

종래 상기 화학식 2로 표시되는 실란 화합물을 가수분해·축합반응시켜 얻어지는 폴리실록산은 말단 실란올기의 추가적인 탈수, 축합반응에 의해 추가의 가교결합 및 고분자량화가 일어난다. 또한, 고온에서 열경화 과정을 진행하고 나면 표면에 크랙이 발생할 확률이 높고, 이로 인해 막 두께를 높이는 것에 한계가 있다. The polysiloxane obtained by the hydrolysis and condensation reaction of the silane compound represented by the general formula (2) is further subjected to further dehydration and condensation reaction of the terminal silanol group, resulting in further crosslinking and high molecular weight. Further, there is a limit to increase the film thickness due to a high probability of causing cracks on the surface after the heat curing process is performed at a high temperature.

일 구현예에 따른 폴리실록산 공중합체는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하여, 상기 화학식 2 및 화학식 3으로 표시되는 실란 화합물을 함께 가수분해 및 축합반응시켜 수득되는 카보실란-실록산 공중합체를 형성함으로써, 상기와 같은 종래의 문제점을 해결할 수 있다. 즉, 일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물은 고온 경화시 열분해성이 낮은 고내열성 수지 조성물로서, 고온에서의 내크랙성이 증가되고, 고투과 및 고해상도를 가지는 경화막을 제공할 수 있다. The polysiloxane copolymer according to one embodiment includes the compound represented by Formula 1 and forms a carbosilane-siloxane copolymer obtained by hydrolyzing and condensing the silane compound represented by Formula 2 and Formula 3 together , The conventional problems as described above can be solved. That is, the photosensitive resin composition according to one embodiment is a high heat-resistant resin composition having a low thermal decomposition property upon curing at high temperature, and the crack resistance at high temperature is increased, and a cured film having high transparency and high resolution can be provided.

상기 감광성 수지 조성물은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물이 상기 화학식 2 및 화학식 3으로 표시되는 화합물과 함께 가수분해 축합반응 하는 경우, 제조되는 폴리실록산 공중합체 사이에서 가교결합을 형성하여 폴리실록산 공중합체의 말단 실란올기의 함량을 감소시키고, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 구조로 인해 일정 부분 공간을 확보하여 폴리실록산 공중합체에 유연성(flexibility)을 제공할 수 있는 것으로 생각된다. 또한, 상기 화학식 3으로 표시되는 카보실란 화합물 역시, 폴리실록산 공중합체 사이에서 가교결합을 제공하며, 두 규소 원자 사이에 존재하는 Y1이 단일결합 또는 다양한 탄소 원자수 및 구조를 가지는 탄화수소기를 포함함으로써, 폴리실록산 공중합체 내에서 추가로 유연성을 부여하는 역할을 할 수 있다. 이에 따라, 상기 화학식 1 내지 화학식 3으로 표시되는 화합물을 가수분해 축합반응시켜 제조되는 폴리실록산 공중합체를 포함하는 감광성 수지 조성물은 높은 경도를 가지면서도 고온 내크랙성 및 고온 내열성이 개선되고, 높은 투과도 및 고해상도를 구현하는 경화막으로 제조될 수 있다.When the compound represented by Chemical Formula 1 is hydrolyzed and condensed together with the compound represented by Chemical Formula 2 and Chemical Formula 3, the photosensitive resin composition forms cross-linking between the polysiloxane copolymer to be produced, so that the terminal silane of the polysiloxane copolymer It is considered that the content of the polysiloxane copolymer can be reduced and the flexibility of the polysiloxane copolymer can be secured by securing a certain space due to the structure of the compound represented by the formula (1). The carbosilane compound represented by the above formula (3) also provides cross-linking between polysiloxane copolymers, and Y 1 existing between two silicon atoms contains a single bond or a hydrocarbon group having various carbon atom numbers and structures, It can serve to impart additional flexibility within the polysiloxane copolymer. Accordingly, the photosensitive resin composition comprising the polysiloxane copolymer prepared by hydrolysis and condensation of the compounds represented by Chemical Formulas 1 to 3 has improved hardness at high temperatures and improved heat resistance at high temperatures, It can be manufactured as a cured film that realizes high resolution.

일 실시예에서, 상기 화학식 1의 X는, 각각 독립적으로, C1 내지 C3 알킬렌기이고, 상기 Y는 각각 독립적으로, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C6 알콕시실릴기 또는 에폭시기일 수 있다. In one embodiment, X in the above formula (1) is independently a C1 to C3 alkylene group, and each Y may independently be a hydroxyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C6 alkoxysilyl group or an epoxy group.

일 실시예에서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 1-1 내지 화학식 1-3 로 표시되는 화합물을 적어도 하나 포함할 수 있다:In one embodiment, the compound represented by Formula 1 may include at least one compound represented by Formula 1-1 or Formula 1-3:

[화학식 1-1][Formula 1-1]

Figure pat00006
Figure pat00006

[화학식 1-2][Formula 1-2]

[화학식 1-3][Formula 1-3]

Figure pat00008
Figure pat00008

상기 화학식 1-1 내지 화학식 1-3에서, n은 1 내지 5의 정수이다. In Formulas 1-1 to 1-3, n is an integer of 1 to 5.

상기 화학식 2에서, a는 1 일 수 있다.In Formula 2, a may be 1.

상기 화학식 2에서, 상기 R1 은 C1 내지 C10 알킬기, C6 내지 C16의 아릴기, 또는 이들의 조합이고, 상기 R2는 C1 내지 C6 알콕시기, 히드록시기, 또는 이들의 조합일 수 있다.In Formula 2, R 1 may be a C 1 to C 10 alkyl group, a C 6 to C 16 aryl group, or a combination thereof, and R 2 may be a C 1 to C 6 alkoxy group, a hydroxy group, or a combination thereof.

일 실시예에서, 상기 화학식 3의 Y1 은 C1 내지 C10 알킬렌기, C3 내지 C10 사이클로알킬렌기, C6 내지 C12 아릴렌기, 또는 이들의 조합이고, 상기 R3 및 R4 는 C1 내지 C6 알콕시기일 수 있다.In one embodiment, Y 1 in Formula 3 is a C 1 to C 10 alkylene group, a C 3 to C 10 cycloalkylene group, a C 6 to C 12 arylene group, or a combination thereof, and R 3 and R 4 are a C 1 to C 6 alkoxy group have.

상기 폴리실록산 공중합체는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 20 몰% 이하, 상기 화학식 2로 표시되는 화합물 70 몰% 내지 95 몰%, 및 상기 화학식 3으로 표시되는 화합물 20 몰% 이하를 가수분해 및 축합반응하여 제조될 수 있다. The polysiloxane copolymer is obtained by subjecting 20 mol% or less of the compound represented by the formula 1, 70 mol% to 95 mol% of the compound represented by the formula 2, and 20 mol% or less of the compound represented by the formula 3 to hydrolysis and condensation .

예를 들어, 상기 폴리실록산 공중합체는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 1 몰% 내지 20 몰%, 상기 화학식 2로 표시되는 화합물 75 몰% 내지 95 몰%, 및 상기 화학식 3으로 표시되는 화합물 1 몰% 내지 10 몰%를 가수분해 축합반응시켜 제조될 수 있다. For example, the polysiloxane copolymer may contain 1 mol% to 20 mol% of the compound represented by Formula 1, 75 mol% to 95 mol% of the compound represented by Formula 2, and 1 mol% To 10% by mole of the compound of formula (I).

일 실시예에서, 상기 폴리실록산 공중합체는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 5 몰% 내지 15 몰%, 상기 화학식 2로 표시되는 화합물 80 몰% 내지 90 몰%, 및 상기 화학식 3으로 표시되는 화합물 5 몰% 내지 15 몰% 를 가수분해 축합반응시켜 제조될 수 있다. In one embodiment, the polysiloxane copolymer comprises 5 mole% to 15 mole% of the compound represented by Formula 1, 80 to 90 mole% of the compound represented by Formula 2, 5 mole of the compound represented by Formula 3 % To 15 mol% based on the total weight of the composition.

상기 화학식 1 내지 3으로 표시되는 화합물을 상기 범위로 포함하여 가수분해 및 축합반응시켜 제조되는 폴리실록산 공중합체는 경화 후 크랙 미발생 두께 마진이 4.0 ㎛ 이상, 예를 들어, 4.5 ㎛ 이상으로 내크랙성이 우수한 특성을 나타낸다. The polysiloxane copolymer prepared by hydrolyzing and condensing the compounds represented by the above formulas (1) to (3) within the above range has a crack-generating thickness margin after curing of not less than 4.0 탆, for example, not less than 4.5 탆, Exhibit excellent properties.

상기 가수분해 축중합에 의해 형성되는 폴리실록산 공중합체의 분자량은 겔투과크로마토그래피(GPC: Gel Permeation Chromatography)에 의해 측정한 폴리스티렌 표준시료로 환산한 중량평균 분자량이 약 1,000 내지 500,000, 예를 들어, 약 1,000 내지 100,000, 예를 들어, 약 1,000 내지 50,000, 예를 들어, 1,000 내지 30,000, 예를 들어, 1,000 내지 20,000, 예를 들어, 1,000 내지 15,000, 예를 들어, 1,000 내지 10,000, 예를 들어, 1,000 내지 8,000, 예를 들어, 1,000 내지 6,000, 예를 들어, 1,000 내지 5,000, 예를 들어, 2,000 내지 5,000 일 수 있다. The molecular weight of the polysiloxane copolymer formed by the hydrolysis condensation polymerization is preferably about 1,000 to about 500,000, for example, about 1,000 to 500,000 in terms of a polystyrene standard sample measured by Gel Permeation Chromatography (GPC) For example 1,000 to 50,000, for example 1,000 to 30,000, for example 1,000 to 20,000, for example 1,000 to 15,000, for example 1,000 to 10,000, for example 1,000 For example from 1,000 to 6,000, for example from 1,000 to 5,000, for example from 2,000 to 5,000.

상기 폴리실록산 공중합체의 중량평균분자량이 1,000 이상인 경우, 경화시 표면에 크랙이 발생하지 않고 바람직한 경화막의 두께를 구현할 수 있다. 또한, 중량평균분자량이 500,000 이하일 때, 코팅에 필요한 점도를 유지하면서 표면 평탄화성을 개선할 수 있다.When the weight average molecular weight of the polysiloxane copolymer is 1,000 or more, cracks do not occur on the surface during curing, and a preferable thickness of the cured film can be realized. When the weight average molecular weight is 500,000 or less, the surface planarization property can be improved while maintaining the viscosity required for coating.

일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물은 디아조나프토퀴논 유도체를 더 포함할 수 있다. 디아조나프토퀴논 유도체를 포함하는 감광성 수지 조성물은 노광부가 현상액으로 제거되는 포지티브형을 형성한다. 디아조나프토퀴논 유도체는 페놀성 수산기를 갖는 화합물에 나프토퀴논디아지드설폰산이 에스테르 결합한 화합물로, 특별한 제한은 없지만, 페놀성 수산기를 1개 이상 갖는 화합물과의 에스테르화된 화합물일 수 있다. The photosensitive resin composition according to one embodiment may further include a diazonaphthoquinone derivative. The photosensitive resin composition containing the diazonaphthoquinone derivative forms a positive type in which the exposed portion is removed by the developer. The diazonaphthoquinone derivative is a compound having a naphthoquinone diazide sulfonic acid ester-bonded to a compound having a phenolic hydroxyl group and is not particularly limited, but may be a compound obtained by esterification with a compound having at least one phenolic hydroxyl group.

나프토퀴논디아지드설폰산으로는 4-나프토퀴논디아지드설폰산 또는 5-나프토퀴논디아지드설폰산을 사용할 수 있다. 4-나프토퀴논디아지드설폰산 에스테르 화합물은 i선(파장 365nm) 영역에 흡수를 갖기 때문에, i선 노광에 적합하다. 또한, 5-나프토퀴논디아지드설폰산 에스테르 화합물은 광범위한 파장 영역에 흡수가 존재하기 때문에 광범위한 파장에서의 노광에 적합하다. 따라서, 노광하는 파장에 따라 4-나프토퀴논디아지드설폰산 에스테르 화합물, 5-나프토퀴논디아지드설폰산 에스테르 화합물을 선택할 수 있고, 예컨대, 4-나프토퀴논디아지드설폰산 에스테르 화합물과 5-나프토퀴논디아지드설폰산 에스테르 화합물을 혼합하여 사용할 수도 있다.As the naphthoquinone diazide sulfonic acid, 4-naphthoquinone diazide sulfonic acid or 5-naphthoquinone diazide sulfonic acid can be used. The 4-naphthoquinone diazide sulfonic acid ester compound is suitable for i-line exposure because it has absorption in the i-line (wavelength 365 nm) region. In addition, the 5-naphthoquinonediazide sulfonic acid ester compound is suitable for exposure at a wide wavelength because absorption is present in a wide wavelength range. Therefore, the 4-naphthoquinone diazide sulfonic acid ester compound and the 5-naphthoquinone diazide sulfonic acid ester compound can be selected depending on the wavelength to be exposed, and for example, 4-naphthoquinone diazide sulfonic acid ester compound and 5 -Naphthoquinone diazide sulfonic acid ester compound may be mixed and used.

페놀성 수산기를 가지는 화합물의 구체적인 예로는, 이하의 화합물들을 들 수 있다(모두 혼슈 화학공업(주) 제품).Specific examples of the compound having a phenolic hydroxyl group include the following compounds (all available from Honshu Chemical Industry Co., Ltd.).

Figure pat00009
Figure pat00009

Figure pat00010
Figure pat00010

디아조나프토퀴논 유도체의 첨가량에는 특별히 제한은 없지만, 예를 들어, 상기 폴리실록산 공중합체 100 중량부에 대해 0.1 내지 15 중량부, 예를 들어, 1 내지 10 중량부 사용할 수 있다. 디아조나프토퀴논 유도체의 첨가량이 0.1 중량부 보다 적은 경우, 노광부와 미노광부와의 용해 콘트라스트가 너무 낮아 현실적으로 감광성을 갖지 않는다. 또한, 더욱 양호한 용해 콘트라스트를 얻기 위해서는 1 중량부 이상이 바람직하다. 디아조나프토퀴논 유도체의 첨가량이 15 중량부 보다 많은 경우, 실록산 화합물과 디아조나프토퀴논 유도체와의 상용성이 나빠짐으로써 도포막의 백화가 일어나거나, 열경화시 일어나는 퀴논디아지드 화합물의 분해에 의한 착색이 현저해지므로, 경화막의 무색 투명성이 저하한다. 또한, 보다 고투명성의 막을 얻기 위해서는 디아조나프토퀴논 유도체는 10 중량부 이하로 사용하는 것이 바람직하다. The amount of the diazonaphthoquinone derivative added is not particularly limited. For example, 0.1 to 15 parts by weight, for example, 1 to 10 parts by weight, based on 100 parts by weight of the polysiloxane copolymer may be used. When the addition amount of the diazonaphthoquinone derivative is less than 0.1 part by weight, the dissolution contrast between the exposed portion and the unexposed portion is too low to have practically no photosensitivity. Further, 1 part by weight or more is preferable in order to obtain better dissolution contrast. When the addition amount of the diazonaphthoquinone derivative is more than 15 parts by weight, the compatibility of the siloxane compound and the diazonaphthoquinone derivative is deteriorated, resulting in whitening of the coating film, or coloring due to decomposition of the quinone diazide compound , The colorless transparency of the cured film deteriorates. Further, in order to obtain a film having a higher transparency, the diazonaphthoquinone derivative is preferably used in an amount of 10 parts by weight or less.

상기 구현예에 따른 감광성 수지 조성물은 용매를 포함한다.The photosensitive resin composition according to this embodiment includes a solvent.

사용 가능한 용매에 특별히 제한은 없지만, 바람직하게는 알코올성 수산기를 갖는 화합물, 및/또는 카르보닐기를 가지는 환상 화합물이 사용된다. 이들 용매를 사용하면, 실록산 화합물과 퀴논디아지드 화합물이 균일하게 용해하여 조성물의 도포 후 성막 시 막의 백탁화가 일어나지 않고 고투명성을 달성할 수 있다. The usable solvent is not particularly limited, but preferably a compound having an alcoholic hydroxyl group and / or a cyclic compound having a carbonyl group is used. When these solvents are used, the siloxane compound and the quinone diazide compound dissolve uniformly, so that the film is not whitened at the time of coating after application, and high transparency can be achieved.

알코올성 수산기를 가지는 화합물에 특별히 제한은 없지만, 바람직하게는 대기압 하에서 비점이 110℃ 내지 250℃인 화합물을 사용할 수 있다. 비점이 250℃보다 높으면 막 중 잔존 용매량이 많아져 경화 시 막 수축률이 커져 양호한 평탄성을 얻을 수 없게 된다. 비점이 110℃보다 낮으면 도막 시 건조가 너무 빨라 막 표면이 거칠어지는 등 도막성이 나빠진다. The compound having an alcoholic hydroxyl group is not particularly limited, but preferably a compound having a boiling point of 110 to 250 DEG C at atmospheric pressure can be used. If the boiling point is higher than 250 ° C, the amount of the residual solvent in the film becomes large, and the film shrinkage ratio upon curing becomes large, and good flatness can not be obtained. If the boiling point is lower than 110 ° C, the film becomes too dry during coating, resulting in roughness of the film surface.

알코올성 수산기를 갖는 화합물의 구체적인 예로는, 아세톨, 3-하이드록시-3-메틸-2-부타논, 4-하이드록시-3-메틸-2-부타논, 5-하이드록시-2-펜타논, 4-하이드록시-4-메틸-2-펜타논(디아세톤알코올), 유산 에틸, 젖산 뷰틸, 프로필렌글리콜 모노 메틸에테르, 프로필렌글리콜 모노 에틸에테르, 프로필렌글리콜 모노 n-프로필 에테르, 프로필렌글리콜 모노 n-부틸 에테르, 프로필렌글리콜 모노 t-부틸 에테르, 3-메톡시-1-부탄올, 3-메틸-3-메톡시-1-부탄올 등을 들 수 있다. 이중에서도, 특히 카르보닐기를 가지는 화합물이 바람직하고, 특히 디아세톤 알코올이 바람직하게 이용될 수 있다. 또한, 이들 알코올성 수산기를 가지는 화합물은 단독, 혹은 2 종 이상 조합하여 사용해도 된다. Specific examples of the compound having an alcoholic hydroxyl group include acetol, 3-hydroxy-3-methyl-2-butanone, 4-hydroxy- Propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol mono-n-propyl ether, propylene glycol mono n-butyl ether, propylene glycol monomethyl ether, Butyl ether, propylene glycol mono t-butyl ether, 3-methoxy-1-butanol and 3-methyl-3-methoxy-1-butanol. Of these, compounds having a carbonyl group are particularly preferable, and diacetone alcohol is particularly preferably used. These compounds having an alcoholic hydroxyl group may be used alone or in combination of two or more.

카르보닐기를 가지는 환상 화합물에 특히 제한은 없지만, 바람직하게는 대기압 하 비점이 150℃ 내지 250℃인 화합물을 사용할 수 있다. 비점이 250℃보다 높으면, 막 중 잔존 용매량이 많아져 경화시 막수축이 커져 양호한 탄성을 얻을 수 없다. 비점이 150℃보다 낮으면, 도막 시 건조가 너무 빨라 막 표면이 거칠어지는 등 도막성이 나빠진다. The cyclic compound having a carbonyl group is not particularly limited, but preferably a compound having a boiling point of 150 ° C to 250 ° C at atmospheric pressure can be used. If the boiling point is higher than 250 占 폚, the amount of the residual solvent in the film becomes large, so that the film shrinks during curing and the good elasticity can not be obtained. If the boiling point is lower than 150 ° C, the film becomes too dry during the coating, resulting in a rough film surface and poor coatability.

카르보닐기를 가지는 환상 화합물의 구체 예로는, γ-부틸올락톤, γ-발레롤락톤, δ-발레롤락톤, 탄산 프로필렌, N-메틸 피롤리돈, 사이클로헥사논, 사이클로헵타논 등을 들 수 있다. 이중에서도, 특히 γ-부틸올락톤이 바람직하게 이용될 수 있다. 또한, 이들 카르보닐기를 가지는 환상 화합물은 단독, 혹은 2 종 이상 조합하여 사용해도 좋다. Specific examples of the cyclic compound having a carbonyl group include? -Butylolactone,? -Valerolactone,? -Valerolactone, propylene carbonate, N-methylpyrrolidone, cyclohexanone and cycloheptanone . Of these, especially? -Butyrolactone can be preferably used. These cyclic compounds having a carbonyl group may be used singly or in combination of two or more kinds.

상기한 알코올성 수산기를 가지는 화합물과 카르보닐기를 가지는 환상 화합물은 단독으로, 혹은 서로 혼합하여 사용해도 좋다. 혼합하여 사용할 경우, 그 중량 비율에 특히 제한은 없지만, 바람직하게는 알코올성 수산기를 가지는 화합물과 카르보닐기를 가지는 환상 화합물의 비가 약 99 내지 50:1 내지 50, 또는, 예를 들어, 97 내지 60:3 내지 40이다. 알코올성 수산기를 가지는 화합물이 99 중량% 보다 많은(카르보닐기를 가지는 환상화합물이 1 중량% 보다 적은) 경우, 폴리실록산 공중합체와 퀴논디아지드 화합물의 상용성이 나빠지고, 경화막이 백화하고 투명성이 저하할 수 있다. 또, 알코올성 수산기를 가지는 화합물이 50 중량% 보다 적은(카르보닐기를 가지는 환상 화합물이 50 중량% 보다 많은) 경우, 폴리실록산 공중합체 중의 미반응 실라놀기의 축합 반응이 일어나기 쉬워 저장 안정성이 나빠질 수 있다. The compound having an alcoholic hydroxyl group and the cyclic compound having a carbonyl group may be used alone or in combination. The weight ratio of the compound having an alcoholic hydroxyl group to the cyclic compound having a carbonyl group is preferably about 99 to 50: 1 to 50, or, for example, 97 to 60: 3 / RTI &gt; When the amount of the compound having an alcoholic hydroxyl group is more than 99% by weight (the cyclic compound having a carbonyl group is less than 1% by weight), the compatibility of the polysiloxane copolymer with the quinone diazide compound becomes poor and the cured film becomes whitened, have. When the amount of the compound having an alcoholic hydroxyl group is less than 50% by weight (more than 50% by weight of the cyclic compound having a carbonyl group), the condensation reaction of unreacted silanol groups in the polysiloxane copolymer tends to occur, resulting in poor storage stability.

상기 구현예에 따른 감광성 수지 조성물은 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서 기타 용매를 더 포함할 수도 있다. 기타 용매로는, 초산에틸, 초산 n-프로필, 초산 이소프로필, 초산 n-부틸, 초산 이소부틸, 프로필렌글리콜 모노 메틸에테르 아세테이트, 3-메톡시-1-부틸 아세테이트, 3-메틸-3-메톡시-1-부틸 아세테이트 등의 에스테르류, 메틸 이소부틸 케톤, 디이소프로필 케톤, 디이소부틸 케톤, 아세틸아세톤 등의 케톤류, 디에틸 에테르, 디이소프로필 에테르, 디 n-부틸 에테르, 디페닐 에테르 등의 에테르류를 들 수 있다. The photosensitive resin composition according to this embodiment may further contain other solvents as long as the effect of the present invention is not impaired. Examples of other solvents include ethyl acetate, n-propyl acetate, isopropyl acetate, n-butyl acetate, isobutyl acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, 3-methoxy- Butyl acetate, and the like; ketones such as methyl isobutyl ketone, diisopropyl ketone, diisobutyl ketone and acetyl acetone; ketones such as diethyl ether, diisopropyl ether, di-n-butyl ether, diphenyl ether And the like.

용매의 첨가량에 특히 제한은 없지만, 바람직하게는 상기 폴리실록산 공중합체 100 중량부에 대해 100 내지 1,000 중량부의 범위로 사용할 수 있다. 또는, 용매는 상기 감광성 수지 조성물의 총 중량을 기준으로 고형분 함량이 10 내지 50 중량%가 되도록 포함될 수 있다. 상기 고형분은 본 발명의 수지 조성물 중에서 용매를 제외한 조성 성분을 의미한다. The amount of the solvent to be added is not particularly limited, but is preferably in the range of 100 to 1,000 parts by weight based on 100 parts by weight of the polysiloxane copolymer. Alternatively, the solvent may be contained so that the solids content is 10 to 50% by weight based on the total weight of the photosensitive resin composition. The solid content means a composition component excluding the solvent in the resin composition of the present invention.

상기 구현예에 따른 감광성 수지 조성물은 필요에 따라 감광성 수지 조성물에 통상적으로 사용되는 추가의 성분, 예를 들어, 실란계 커플링제, 계면활성제 등을 더 포함할 수 있다. The photosensitive resin composition according to the above embodiments may further contain additional components commonly used in the photosensitive resin composition, for example, a silane coupling agent, a surfactant, and the like, if necessary.

실란계 커플링제는 형성되는 경화막과 기판과의 밀착성을 향상시키기 위해 첨가하는 것으로, 공지의 실란계 커플링제로서 반응성 치환기를 갖는 관능성 실란 화합물을 사용할 수 있다. 상기 반응성 치환기의 예로는 카르복실기, 메타크릴로일기, 이소시아네이트기, 에폭시기 등을 들 수 있다. The silane coupling agent is added in order to improve the adhesion between the cured film to be formed and the substrate. As the known silane coupling agent, a functional silane compound having a reactive substituent can be used. Examples of the reactive substituent include a carboxyl group, a methacryloyl group, an isocyanate group, and an epoxy group.

실란계 커플링제의 구체적인 예로는 트리메톡시실릴벤조산, γ-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 비닐트리아세톡시실란, 비닐트리메톡시실란, γ-이소시아네이토프로필트리에톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필트리에톡시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란 중에서 선택된 1종 이상을 사용할 수 있고, 바람직하게는 잔막률과 기판과의 접착성 면에서, 에폭시기를 갖는 γ-글리시독시프로필트리에톡시실란 및(또는) γ-글리시독시프로필트리메톡시실란을 사용할 수 있으나, 본 발명은 이들에 제한되지 않는다.Specific examples of the silane-based coupling agent include trimethoxysilylbenzoic acid,? -Methacryloxypropyltrimethoxysilane, vinyltriacetoxysilane, vinyltrimethoxysilane,? -Isocyanatopropyltriethoxysilane,? -Glycidoxypropyltrimethoxysilane,? -Glycidoxypropyltriethoxysilane, and? - (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, and preferably at least one selected from the group consisting of Gamma -glycidoxypropyltriethoxysilane and / or gamma -glycidoxypropyltrimethoxysilane having an epoxy group can be used in view of adhesion between the residual film ratio and the substrate, but the present invention is not limited thereto Do not.

실란계 커플링제는 상기 감광성 조성물 내 폴리실록산 공중합체 100 중량부(고형분 함량 기준)에 대하여 0.01 내지 10 중량부의 범위, 예를 들어, 0.1 내지 5 중량부의 범위로 포함될 수 있다. 실란계 커플링제의 함량이 0.01 중량부 이상일 때 기판에 대한 접착성이 향상되고, 10 중량부 이하일 때 고온에서 열 안정성이 개선되고, 현상 이후 얼룩이 발생하는 현상을 방지할 수 있다.The silane coupling agent may be contained in the range of 0.01 to 10 parts by weight, for example, in the range of 0.1 to 5 parts by weight based on 100 parts by weight (based on the solid content) of the polysiloxane copolymer in the photosensitive composition. When the content of the silane coupling agent is 0.01 parts by weight or more, the adhesion to the substrate is improved. When the amount is 10 parts by weight or less, the thermal stability is improved at a high temperature, and the occurrence of unevenness after development can be prevented.

일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물은 도포 성능을 향상시키기 위해 계면활성제를 더 포함할 수 있다. 이러한 계면활성제로는 불소계 계면활성제, 실리콘계 계면활성제, 비이온계 계면활성제, 그 밖의 계면활성제를 들 수 있다. The photosensitive resin composition according to one embodiment may further include a surfactant to improve the application performance. Examples of such surfactants include fluorine surfactants, silicone surfactants, nonionic surfactants, and other surfactants.

계면활성제로서, 예를 들면, FZ2122(다우 코닝 도레이사), BM-1000, BM-1100 (BM CHEMIE사 제조), 메가팩 F142 D, 동 F172, 동 F173, 동 F183 (다이 닛뽄 잉크 가가꾸 고교 가부시키 가이샤 제조), 플로라드 FC-135, 동 FC-170 C, 동 FC-430, 동 FC-431 (스미또모 쓰리엠 리미티드 제조), 서프론 S-112, 동 S-113, 동 S-131, 동 S-141, 동 S-145, 동 S-382, 동 SC-101, 동 SC-102, 동 SC-103, 동 SC-104, 동 SC-105, 동 SC-106 (아사히 가라스 가부시키 가이샤 제조), 에프톱 EF301, 동 303, 동 352 (신아끼다 가세이 가부시키 가이샤 제조), SH-28 PA, SH-190, SH-193, SZ-6032, SF-8428, DC-57, DC-190 (도레이 실리콘 가부시키 가이샤 제조) 등의 불소계 및 실리콘계 계면활성제; 폴리옥시에틸렌라우릴에테르, 폴리옥시에틸렌스테아릴에테르, 폴리옥시에틸렌올레일에테르 등의 폴리옥시에틸렌알킬에테르류, 폴리옥시에틸렌옥틸페닐에테르, 폴리옥시에틸렌노닐페닐에테르 등의 폴리옥시에틸렌아릴에테르류, 폴리옥시에틸렌디라우레이트, 폴리옥시에틸렌디스테아레이트 등의 폴리옥시에틸렌디알킬에스테르류 등의 비이온계 계면활성제; 유기실록산 폴리머 KP341 (신에쓰 가가꾸 고교 가부시키 가이샤 제조), 또는 (메트)아크릴산계 공중합체 폴리플로우 No.57,95 (교에이샤 유지 가가꾸 고교 가부시키 가이샤 제조)를 단독으로 또는 2 종 이상 병행하여 사용할 수 있다.Examples of the surfactant include FZ2122 (Dow Corning Toray Corporation), BM-1000, BM-1100 (manufactured by BM CHEMIE), Megafac F142D, Copper F172, Copper F173, Copper F183 S-113, S-131 (manufactured by Sumitomo 3M Limited), Florad FC-135, FC-170C, FC-430 and FC-431 , S-141, S-145, S-382, SC-101, SC-102, SC-103, SC-104, SC-105 and SC-106 (Asahi Garasu Co., SH-193, SZ-6032, SF-8428, DC-57, DC (available from Shin-Aichi Kasei Kogyo Co., Ltd.) -190 (manufactured by Toray Silicone Co., Ltd.); Polyoxyethylene alkyl ethers such as polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene stearyl ether and polyoxyethylene oleyl ether, polyoxyethylene aryl ethers such as polyoxyethylene octylphenyl ether and polyoxyethylene nonylphenyl ether , Polyoxyethylene dialkyl esters such as polyoxyethylene dilaurate and polyoxyethylene distearate, and other nonionic surfactants; (Manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) or (meth) acrylic acid-based copolymer polyflow No. 57,95 (manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.) And can be used in parallel.

상기 계면활성제는 상기 폴리실록산 공중합체 100 중량부(고형분 함량 기준)에 대하여 0.05 내지 10 중량부, 예를 들어, 0.1 내지 5 중량부 범위로 사용할 수 있다. 계면활성제의 함량이 0.05 중량부 이상일 때 도포성이 향상되고 도포된 표면에 크랙이 발생하지 않으며, 10 중량부 이하일 때 가격적 측면에서 유리하다.The surfactant may be used in an amount of 0.05 to 10 parts by weight, for example, in an amount of 0.1 to 5 parts by weight based on 100 parts by weight (based on the solids content) of the polysiloxane copolymer. When the content of the surfactant is 0.05 parts by weight or more, the coatability is improved and cracks are not generated on the coated surface, and when the content is 10 parts by weight or less, it is advantageous in terms of cost.

일 구현예에 따른 상기 감광성 수지 조성물은, 상기 성분들 외에도, 필요에 따라 열 경화성 수지 조성물 및/또는 감광성 수지 조성물에 통상적으로 사용되는 추가의 성분을 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 구현예에 따른 감광성 수지 조성물은, 필요에 따라, 용해 촉진제, 용해 억제제, 경계면 활성제, 안정제, 소포제 등의 첨가제를 함유할 수도 있다. In addition to the above components, the photosensitive resin composition according to one embodiment may further include additional components that are conventionally used in the thermosetting resin composition and / or the photosensitive resin composition, if necessary. For example, the photosensitive resin composition according to the above embodiment may contain additives such as a dissolution accelerator, a dissolution inhibitor, a surface active agent, a stabilizer, and an antifoaming agent, if necessary.

특히, 용해 촉진제는 감도를 향상시킬 수 있다. 용해 촉진제로는, 페놀성 수산기를 가지는 화합물이나, N-하이드록시 디카르복시미드 화합물이 바람직하게 이용된다. 구체적인 예로서, 퀴논디아지드 화합물에 이용한 페놀성 수산기를 가지는 화합물을 들 수 있다.In particular, the dissolution enhancer can improve the sensitivity. As the solubility promoting agent, a compound having a phenolic hydroxyl group or an N-hydroxydicarboximide compound is preferably used. As a specific example, a compound having a phenolic hydroxyl group used in a quinone diazide compound can be mentioned.

이하, 상기 구현예에 따른 감광성 수지 조성물을 이용한 경화막의 형성 방법에 대해서 설명한다. Hereinafter, a method of forming a cured film using the photosensitive resin composition according to the above embodiment will be described.

상기 구현예에 따른 감광성 수지 조성물을 스피너, 디핑, 슬릿 등의 공지의 방법에 의해서 기초 기판 상에 도포하고, 핫 플레이트, 오븐 등의 가열 장치로 프리베이크 한다. 프리베이크는 50℃ 내지 150℃의 범위에서 30초 내지 10분간 수행하고, 프리베이크 후 막 두께는 0.1μm 내지 5μm로 할 수 있다. The photosensitive resin composition according to this embodiment is coated on a base substrate by a known method such as spinner, dipping, or slit, and is prebaked by a heating device such as a hot plate or oven. The prebaking is carried out at a temperature in the range of 50 to 150 캜 for 30 seconds to 10 minutes, and the film thickness after prebaking can be set to 0.1 탆 to 5 탆.

프리베이크 후, 스테퍼, 미러 프로젝션 마스크 얼라이너(MPA), 패러렐 라이트 마스크 얼라이너(PLA) 등의 자외 가시 노광기를 이용해 200 nm 내지 450 nm의 파장 대에서 10 mJ/㎠ 내지 500 mJ/㎠의 노광량으로 노광을 수행할 수 있다. After pre-baking, an ultraviolet visible light exposure apparatus such as a stepper, a mirror projection mask aligner (MPA), and a parallel light mask aligner (PLA) was used to measure the exposure amount at a wavelength band of 200 nm to 450 nm at 10 mJ / cm 2 to 500 mJ / As shown in FIG.

노광 후, 현상에 의해 노광부가 용해하고, 포지티브형의 패턴을 얻을 수 있다. 현상 방법으로는, 샤워, 디핑, 패들 등의 방법으로 현상액에 5 초 내지 10 분간 침지하는 것이 바람직하다. 현상액으로는 공지의 알칼리 현상액을 이용할 수 있다. 구체적인 예로서, 알칼리 금속의 수산화물, 탄산염, 인산염, 규산염, 붕산염 등의 무기 알칼리, 2-디에틸 아미노 에탄올, 모노에탄올 아민, 디에탄올 아민 등의 아민류, 수산화 테트라메틸암모늄, 콜린 등의 4 급 암모늄염을 1종 혹은 2 종 이상 포함한 수용액 등을 들 수 있다. After exposure, the exposed portion is dissolved by development to obtain a positive pattern. As the developing method, it is preferable to immerse the developing solution for 5 seconds to 10 minutes by a method such as shower, dipping, paddle, or the like. As the developer, a known alkali developer can be used. Specific examples thereof include inorganic alkalis such as hydroxides, carbonates, phosphates, silicates and borates of alkali metals, amines such as 2-diethylaminoethanol, monoethanolamine and diethanolamine, quaternary ammonium salts such as tetramethylammonium hydroxide and choline Or an aqueous solution containing one or more of these.

현상 후, 물로 린스하는 것이 바람직하다. 또, 필요하면, 핫 플레이트, 오븐 등의 가열 장치로 50℃ 내지 150℃의 범위에서 건조 베이크를 수행할 수도 있다. After development, it is preferable to rinse with water. If necessary, drying baking may be performed in a range of 50 ° C to 150 ° C by a heating apparatus such as a hot plate or an oven.

그 후, 블리칭 노광을 수행하는 것이 바람직하다. 블리칭 노광을 수행함으로써, 막 중에 잔존하는 미반응의 퀴논디아지드 화합물이 광 분해하여 막의 광 투명성이 추가로 향상될 수 있다. 블리칭 노광 방법으로서, PLA 등의 자외 가시 노광기를 이용해 100 J/m2 내지 20,000 J/m2 정도(파장 365 nm노광량 환산)를 전면에 노광한다.Then, it is preferable to perform the bleaching exposure. By carrying out the bleaching exposure, the unreacted quinonediazide compound remaining in the film is photodegraded, so that the optical transparency of the film can be further improved. As a bleaching exposure method, an entire surface is exposed to an exposure dose of about 100 J / m 2 to about 20,000 J / m 2 (equivalent to a wavelength of 365 nm in terms of exposure dose) using an ultraviolet exposure apparatus such as PLA.

블리칭 노광한 막을, 필요하면 핫 플레이트, 오븐 등의 가열 장치로 50℃ 내지 150℃의 범위에서 소프트 베이크를 수행한 후, 핫 플레이트, 오븐 등의 가열 장치로 150℃ 내지 450℃의 범위에서, 예컨대 10분 내지 5시간 동안 후경화(post-bake)함으로써 목적하는 경화막을 제조할 수 있다. If necessary, the film subjected to the bleaching exposure may be subjected to a soft bake in a range of 50 ° C to 150 ° C by a heating apparatus such as a hot plate or an oven, and then heated at 150 ° C to 450 ° C by a heating apparatus such as a hot plate, For example, post-bake for 10 minutes to 5 hours to prepare a desired cured film.

상기한 경화막은, 상술한 바와 같이, 고온 경화 후 두께에 따른 내크랙성이 향상되며, 400nm 파장에서의 광투과율이 90% 이상, 예를 들어, 95% 이상, 예를 들어 97% 이상으로, 고내열성, 고투과성을 갖는다. 따라서, 상기 경화막은 표시 소자, 반도체 소자, 혹은 광도파로재 등에 효과적으로 사용될 수 있다. As described above, the above-mentioned cured film has improved crack resistance according to the thickness after high-temperature curing and has a light transmittance at a wavelength of 400 nm of not less than 90%, for example, not less than 95%, for example, not less than 97% High heat resistance, and high permeability. Therefore, the cured film can be effectively used for a display element, a semiconductor element, or an optical waveguide material.

일 구현예에 따른 폴리실록산 공중합체, 디아조나프토퀴논 유도체, 그리고 용매를 포함하는 감광성 수지 조성물은 상기 화학식 1 내지 화학식 3으로 표시되는 화합물을 적정 함량으로 포함하여, 가수분해 축합중합시켜 제조됨에 따라, 높은 광투과율 및 크랙마진이 우수한 효과를 나타내고, 그로부터 제조되는 경화막이 고내열성, 고투명성, 및 고온 내크랙성을 가질 수 있다. The photosensitive resin composition comprising a polysiloxane copolymer, a diazonaphthoquinone derivative, and a solvent according to an embodiment is prepared by hydrolytic condensation polymerization in which the compounds represented by Chemical Formulas 1 to 3 are contained in an appropriate amount, High light transmittance and crack margin are exhibited, and the cured film produced therefrom can have high heat resistance, high transparency, and high temperature crack resistance.

따라서, 상기 경화막은 액정 표시 소자나 유기 EL 표시 소자 등의 박막 트랜지스터(TFT) 기판용 평탄화막, 터치 패널 센서 소자 등의 보호구막 또는 절연막, 반도체 소자의 층간 절연막, 고체 촬상 소자용 평탄화 막, 마이크로 렌즈 어레이 패턴, 또는 광 반도체 소자 등의 광 도파로의 코어나 클래드 재료로서 사용될 수 있다. Therefore, the cured film can be used as a protective film or an insulating film such as a planarizing film for a thin film transistor (TFT) substrate such as a liquid crystal display element or an organic EL display element, a touch panel sensor element, an interlayer insulating film of a semiconductor element, a planarizing film for a solid- A lens array pattern, or a core or clad material of an optical waveguide such as an optical semiconductor device.

또 다른 구현예에 따르면, 상기 경화막을 포함하는 전자 장치를 제공한다.According to another embodiment, there is provided an electronic device comprising the cured film.

상기 정자 장치는 상기 경화막을 TFT 기판의 평탄화 막으로서 포함하는 액정 표시 소자, 유기 EL 소자, 반도체 장치, 고체 촬상 소자 등일 수 있고, 이들에 제한되지 않는다. The sperm unit may be a liquid crystal display element, an organic EL element, a semiconductor device, a solid-state image pickup element, or the like including the cured film as a flattening film of a TFT substrate, but is not limited thereto.

이하 실시예를 통하여 상술한 본 발명의 구현예를 보다 상세하게 설명한다.  다만 하기의 실시예는 단지 설명의 목적을 위한 것이며 본 발명의 범위를 제한하는 것은 아니다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to examples. The following examples are for illustrative purposes only and are not intended to limit the scope of the invention.

(( 실시예Example ))

합성예Synthetic example 1 내지 5, 및  1 to 5, and 비교합성예Comparative Synthetic Example 1:  One: 폴리실록산Polysiloxane 공중합체 제조  Copolymer production

합성예Synthetic example 1:  One: 폴리실록산Polysiloxane 공중합체의 제조 Preparation of Copolymer

500 ml의 3구 플라스크에 하기 화학식 1-4로 표시되는 화합물, 5.85g(0.05 mol), 페닐트리메톡시실란 79.95g(0.90mol), 및 1,2-비스트리에톡시실릴에탄 7.94g(0.05 mol), PGMEA를 203.59 g 투입하고, 실온에서 교반하면서 물 26.16g에 질산 50 ppm을 녹인 질산수용액을 10분에 걸쳐 첨가했다. 그 후, 플라스크를 25℃의 오일 베스에 담그고 60분간 교반한 후, 오일 베스를 60분에 걸쳐 110℃까지 승온시켰다. 이로부터 2시간 동안 가열 및 교반하여(내부온도는 100~110℃) 폴리실록산 공중합체를 얻었다. 반응물 중 부생성물인 메탄올 및 물이 합계 48.79 g 유출되었다. In a 500 ml three-necked flask, 5.85 g (0.05 mol) of a compound represented by the following formula 1-4, 79.95 g (0.90 mol) of phenyltrimethoxysilane, and 7.94 g mol) and 203.59 g of PGMEA, and while stirring at room temperature, an aqueous nitric acid solution containing 50 ppm of nitric acid was added to 26.16 g of water over 10 minutes. Thereafter, the flask was immersed in an oil bath at 25 DEG C and stirred for 60 minutes, and then the oil bath was heated to 110 DEG C over 60 minutes. From this, the polysiloxane copolymer was obtained by heating and stirring (internal temperature: 100 to 110 ° C) for 2 hours. A total of 48.79 g of the byproducts, methanol and water, were spilled out of the reactants.

상기 얻어진 폴리실록산 공중합체 용액의 고형분 농도는 40 중량%이었다.The solids concentration of the obtained polysiloxane copolymer solution was 40% by weight.

수득된 폴리실록산 공중합체 용액의 분자량(폴리스티렌 환산)은 중량 평균 분자량(Mw)=3,270이었다The molecular weight (in terms of polystyrene) of the obtained polysiloxane copolymer solution was a weight average molecular weight (Mw) = 3,270

[화학식 1-4] [Formula 1-4]

Figure pat00011
Figure pat00011

합성예Synthetic example 2:  2: 폴리실록산Polysiloxane 공중합체의 제조 Preparation of Copolymer

500 ml의 3구 플라스크에 하기 화학식 1-5로 표시되는 화합물, 13.44g(0.05 mol), 페닐트리메톡시실란 77.90g(0.90mol), 및 1,2-비스트리에톡시실릴에탄 7.74g(0.05 mol), PGMEA를 198.37 g 투입하고, 실온에서 교반하면서 물 25.46g에 질산 50 ppm을 녹인 질산수용액을 10분에 걸쳐 첨가했다. 그 후, 플라스크를 25℃의 오일 베스에 담그고 60분간 교반한 후, 오일 베스를 60분에 걸쳐 110℃까지 승온시켰다. 이로부터 2시간 동안 가열 및 교반하여(내부온도는 100~110℃) 폴리실록산 공중합체를 얻었다. 반응물 중 부생성물인 메탄올 및 물이 합계 47.53 g 유출되었다. (0.05 mol), 77.90 g (0.90 mol) of phenyltrimethoxysilane and 7.74 g (0.05 mol) of 1,2-bistriethoxysilylethane were added to a 500-ml three-necked flask. mol) and 198.37 g of PGMEA, and while stirring at room temperature, an aqueous nitric acid solution containing 50 ppm of nitric acid was added to 25.46 g of water over 10 minutes. Thereafter, the flask was immersed in an oil bath at 25 DEG C and stirred for 60 minutes, and then the oil bath was heated to 110 DEG C over 60 minutes. From this, the polysiloxane copolymer was obtained by heating and stirring (internal temperature: 100 to 110 ° C) for 2 hours. A total of 47.53 g of the byproduct methanol and water were spilled out of the reaction product.

상기 얻어진 폴리실록산 공중합체 용액의 고형분 농도는 40 중량%이었다.The solids concentration of the obtained polysiloxane copolymer solution was 40% by weight.

수득된 폴리실록산 공중합체 용액의 분자량(폴리스티렌 환산)은 중량 평균 분자량(Mw)=3,750이었다. The molecular weight (in terms of polystyrene) of the obtained polysiloxane copolymer solution had a weight average molecular weight (Mw) = 3,750.

[화학식 1-5][Formula 1-5]

Figure pat00012
Figure pat00012

합성예 3: 폴리실록산 공중합체의 제조Synthesis Example 3: Preparation of polysiloxane copolymer

500 ml의 3구 플라스크에 하기 화학식 1-6으로 표시되는 화합물, 6.53g(0.05 mol), 페닐트리메톡시실란 78.43(0.90mol), 및 1,2-비스트리에톡시실릴에탄 7.79g(0.05 mol), PGMEA를 204.40 g 투입하고, 실온에서 교반하면서 물 25.66g에 질산 50 ppm을 녹인 질산수용액을 10분에 걸쳐 첨가했다. 그 후, 플라스크를 25℃의 오일 베스에 담그고 60분간 교반한 후, 오일 베스를 60분에 걸쳐 110℃까지 승온시켰다. 이로부터 2시간 동안 가열 및 교반하여(내부온도는 100~110℃) 폴리실록산 공중합체를 얻었다. 반응물 중 부생성물인 메탄올 및 물이 합계 47.86 g 유출되었다. (0.05 mol), phenyl trimethoxysilane 78.43 (0.90 mol), and 1,2-bistriethoxysilylethane 7.79 g (0.05 mol) were added to a 500-ml three-necked flask. ) And 204.40 g of PGMEA, and while stirring at room temperature, an aqueous nitric acid solution containing 50 ppm of nitric acid was added to 25.66 g of water over 10 minutes. Thereafter, the flask was immersed in an oil bath at 25 DEG C and stirred for 60 minutes, and then the oil bath was heated to 110 DEG C over 60 minutes. From this, the polysiloxane copolymer was obtained by heating and stirring (internal temperature: 100 to 110 ° C) for 2 hours. A total of 47.86 g of the byproducts, methanol and water, were spilled out of the reaction product.

상기 얻어진 폴리실록산 공중합체 용액의 고형분 농도는 40 중량%이었다.The solids concentration of the obtained polysiloxane copolymer solution was 40% by weight.

수득된 폴리실록산 공중합체 용액의 분자량(폴리스티렌 환산)은 중량 평균 분자량(Mw)=3,950이었다The molecular weight (in terms of polystyrene) of the obtained polysiloxane copolymer solution had a weight average molecular weight (Mw) = 3,950

[화학식 1-6] [Chemical Formula 1-6]

Figure pat00013
Figure pat00013

합성예 4: 폴리실록산 공중합체의 제조Synthesis Example 4: Preparation of polysiloxane copolymer

500 ml의 3구 플라스크에 상기 화학식 1-4로 표시되는 화합물 11.44g(0.10 mol), 페닐트리메톡시실란 73.82g(0.85mol), 및 1,2-비스트리에톡시실릴에탄 7.77g(0.05 mol), PGMEA를 203.70 g 투입하고, 실온에서 교반하면서 물 25.57g에 질산 50 ppm을 녹인 질산수용액을 10분에 걸쳐 첨가했다. 그 후, 플라스크를 25℃의 오일 베스에 담그고 60분간 교반한 후, 오일 베스를 60분에 걸쳐 110℃까지 승온시켰다. 이로부터 2시간 동안 가열 및 교반하여(내부온도는 100~110℃) 폴리실록산 공중합체를 얻었다. 반응물 중 부생성물인 메탄올 및 물이 합계 49.54 g 유출되었다. In a 500 ml three-necked flask, 11.44 g (0.10 mol) of the compound represented by the above formula 1-4, 73.82 g (0.85 mol) of phenyltrimethoxysilane, and 7.77 g (0.05 mol) of 1,2-bistriethoxysilylethane ) And 203.70 g of PGMEA, and while stirring at room temperature, an aqueous nitric acid solution containing 50 ppm of nitric acid was added to 25.57 g of water over 10 minutes. Thereafter, the flask was immersed in an oil bath at 25 DEG C and stirred for 60 minutes, and then the oil bath was heated to 110 DEG C over 60 minutes. From this, the polysiloxane copolymer was obtained by heating and stirring (internal temperature: 100 to 110 ° C) for 2 hours. A total of 49.54 g of the byproducts, methanol and water, were spilled out of the reactants.

상기 얻어진 폴리실록산 공중합체 용액의 고형분 농도는 40 중량%이었다.The solids concentration of the obtained polysiloxane copolymer solution was 40% by weight.

수득된 폴리실록산 공중합체 용액의 분자량(폴리스티렌 환산)은 중량 평균 분자량(Mw)=3,565이었다.The molecular weight (in terms of polystyrene) of the obtained polysiloxane copolymer solution had a weight average molecular weight (Mw) = 3,565.

합성예 5: 폴리실록산 공중합체의 제조Synthesis Example 5: Preparation of polysiloxane copolymer

500 ml의 3구 플라스크에 상기 화학식 1-4로 표시되는 화합물, 17.05g(0.15 mol), 페닐트리메톡시실란 69.00g(0.80mol), 및 1,2-비스트리에톡시실릴에탄 7.71g(0.05 mol), PGMEA를 202.31 g 투입하고, 실온에서 교반하면서 물 25.4g에 질산 50 ppm을 녹인 질산수용액을 10분에 걸쳐 첨가했다. 그 후, 플라스크를 25℃의 오일 베스에 담그고 60분간 교반한 후, 오일 베스를 60분에 걸쳐 110℃까지 승온시켰다. 이로부터 2시간 동안 가열 및 교반하여(내부온도는 100~110℃) 폴리실록산 공중합체를 얻었다. 반응물 중 부생성물인 메탄올 및 물이 합계 51.03 g 유출되었다. (0.15 mol), phenyltrimethoxysilane (69.00 g, 0.80 mol) and 1,2-bistriethoxysilylethane (7.71 g, 0.05 mol) were added to a 500-ml three- mol) and 202.31 g of PGMEA, and while stirring at room temperature, an aqueous nitric acid solution containing 50 ppm of nitric acid was added to 25.4 g of water over 10 minutes. Thereafter, the flask was immersed in an oil bath at 25 DEG C and stirred for 60 minutes, and then the oil bath was heated to 110 DEG C over 60 minutes. From this, the polysiloxane copolymer was obtained by heating and stirring (internal temperature: 100 to 110 ° C) for 2 hours. A total of 51.03 g of the byproducts, methanol and water, were spilled out of the reactants.

상기 얻어진 폴리실록산 공중합체 용액의 고형분 농도는 40 중량%이었다.The solids concentration of the obtained polysiloxane copolymer solution was 40% by weight.

수득된 폴리실록산 공중합체 용액의 분자량(폴리스티렌 환산)은 중량 평균 분자량(Mw)=3,730이었다. The molecular weight (in terms of polystyrene) of the obtained polysiloxane copolymer solution had a weight average molecular weight (Mw) = 3,730.

비교 합성예 1: 폴리실록산 화합물의 제조Comparative Synthesis Example 1: Production of polysiloxane compound

500 ml의 3구 플라스크에 페닐트리메톡시실란 83.64g(0.95mol), 및 1,2-비스트리에톡시실릴에탄 7.87g(0.05 mol), PGMEA를 206.49 g 투입하고, 실온에서 교반하면서 물 25.92g에 질산 50 ppm을 녹인 질산수용액을 10분에 걸쳐 첨가했다. 그 후, 플라스크를 25℃의 오일 베스에 담그고 60분간 교반한 후, 오일 베스를 60분에 걸쳐 110℃까지 승온시켰다. 이로부터 2시간 동안 가열 및 교반하여(내부온도는 100~110℃) 폴리실록산 공중합체를 얻었다. 반응물 중 부생성물인 메탄올 및 물이 합계 46.49 g 유출되었다. Into a 500 ml three-necked flask, 83.64 g (0.95 mol) of phenyltrimethoxysilane, 7.87 g (0.05 mol) of 1,2-bistriethoxysilylethane and 206.49 g of PGMEA were added and while stirring at room temperature, 25.92 g Nitric acid aqueous solution in which 50 ppm of nitric acid was dissolved was added over 10 minutes. Thereafter, the flask was immersed in an oil bath at 25 DEG C and stirred for 60 minutes, and then the oil bath was heated to 110 DEG C over 60 minutes. From this, the polysiloxane copolymer was obtained by heating and stirring (internal temperature: 100 to 110 ° C) for 2 hours. A total of 46.49 g of methanol and water as a by-product were spilled out of the reaction product.

상기 얻어진 폴리실록산 공중합체 용액의 고형분 농도는 40 중량%이었다.The solids concentration of the obtained polysiloxane copolymer solution was 40% by weight.

수득된 폴리실록산 공중합체 용액의 분자량(폴리스티렌 환산)은 중량 평균 분자량(Mw)=3,560이었다.The molecular weight (in terms of polystyrene) of the obtained polysiloxane copolymer solution had a weight average molecular weight (Mw) = 3,560.

상기 합성예 1 내지 5 및 비교 합성예 1에 따라 제조된 폴리실록산 공중합체를 제조하기 위한 반응물과 그 함량, 및 제조된 폴리실록산 공중합체 용액의 분자량을 하기 표 1에 나타내었다.The reactants and their contents for preparing the polysiloxane copolymers prepared according to Synthesis Examples 1 to 5 and Comparative Synthesis Example 1 and the molecular weights of the polysiloxane copolymer solutions are shown in Table 1 below.

화학식1-4
(몰%)
Formula 1-4
(mole%)
화학식1-5
(몰%)
1-5
(mole%)
화학식1-6
(몰%)
1-6
(mole%)
화학식 2
(몰%)
(2)
(mole%)
화학식 3
(몰%)
(3)
(mole%)
분자량Molecular Weight
합성예 1Synthesis Example 1 55 00 00 9090 55 3,2703,270 합성예 2Synthesis Example 2 00 55 00 9090 55 3,7503,750 합성예 3Synthesis Example 3 00 00 55 9090 55 3,9503,950 합성예 4Synthesis Example 4 1010 00 00 8585 55 3,5653,565 합성예 5Synthesis Example 5 1515 00 00 8080 55 3,7303,730 비교합성예 1Comparative Synthesis Example 1 00 00 00 9595 55 3,5603,560

실시예Example 및 평가: 감광성 수지 조성물 및  And evaluation: Photosensitive resin composition and 경화막의Cured film 제조 및 평가 Manufacturing and Evaluation

상기 합성예 1 내지 5 및 비교합성예 1에서 제조된 각 폴리실록산 공중합체와 용매를 혼합, 교반하여 각각 균일 용액으로 제조한 후, 0.2 ㎛의 필터로 여과하여, 하기 실시예 및 비교예에 따른 감광성 수지 조성물을 제조한다. Each of the polysiloxane copolymers prepared in Synthesis Examples 1 to 5 and Comparative Synthesis Example 1 was mixed with a solvent and stirred to prepare a homogeneous solution, and then filtered with a filter of 0.2 탆 to obtain a photosensitive To prepare a resin composition.

상기 제조된 실시예 및 비교예에 따른 감광성 수지 조성물을 각각 10 x 10 클래스에 스핀 코터(Mikasa Corporation)를 이용해 스핀 도포하고, 핫 플레이트(Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. 제품의 SCW-636)를 이용하여 140℃에서 120 초간 프리베이크하여, 각각 2.7 ㎛의 막 두께가 되도록 조정한다. 그 후, 380℃에서 소성 경화를 실시하여, 투과도를 측정하고, 막 표면의 형상을 관찰한다. 그리고 열충격 챔버에서 경화 싸이클을 시행하여 크랙 발생 여부를 확인한다.Each of the photosensitive resin compositions according to the above-described Examples and Comparative Examples was spin-coated on a 10 x 10 layer using a spin coater (Mikasa Corporation), and a hot plate (SCW-636 manufactured by Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd.) Prebaked at 140 DEG C for 120 seconds to adjust the film thickness to 2.7 mu m, respectively. Thereafter, firing and curing were carried out at 380 ° C to measure the transmittance and observe the shape of the film surface. Then, a hardening cycle is performed in the thermal shock chamber to check for cracks.

상기 각 측정은 다음 방법으로 시행하고, 결과는 하기 표 2에 나타낸다: The above measurements were carried out in the following manner and the results are shown in Table 2 below:

(1) 크랙발생 확인 및 크랙 미발생 두께 마진 측정(1) Confirmation of crack occurrence and generation of cracks Thickness margin measurement

경화후 두께가 2.5 ± 0.1 ㎛ 되도록 10 x 10 글래스 기판에 시편을 제작한다. 경화후 시편의 표면을 광학 현미경으로 확인하여 크랙발생 유/무를 판단하고, 크랙이 발생하지 않은 막의 최대 두께를 측정하였다. A specimen is prepared on a 10 x 10 glass substrate so that the thickness after curing is 2.5 0.1 mu m. After curing, the surface of the specimen was observed with an optical microscope to determine whether cracks were generated or not, and the maximum thickness of the crack-free film was measured.

(2) 광투과율의 측정(2) Measurement of light transmittance

MultiSpec-1500(상품명, SHIMADZU Corporation 제품)을 이용하고, 우선 글래스 기판만의 광투과율을 측정하여, 이 자외 가시 흡수스펙트럼을 레퍼런스로 했다. 이어서, 글래스 기판 상에 조성물의 경화막을 형성(패턴 노광은 실시하지 않음)하고, 이 샘플을 싱글 빔으로 측정해, 1 ㎛ 당 파장 400 nm의 광투과율을 구해 레퍼런스와의 차이를 경화막의 광투과율로 했다.First, the light transmittance of the glass substrate alone was measured using MultiSpec-1500 (trade name, product of SHIMADZU Corporation), and this ultraviolet visible absorption spectrum was set as a reference. Subsequently, a cured film of the composition was formed on the glass substrate (pattern exposure was not carried out), and this sample was measured with a single beam to determine the light transmittance at a wavelength of 400 nm per 1 mu m, .

각 실시예 및 비교예에 따른 감광성 수지 조성물의 제조, 및 그로부터 제조되는 경화막과, 해당 경화막의 특징을 하기 기재한다.The production of the photosensitive resin composition according to each of the examples and the comparative examples, the cured film produced therefrom, and characteristics of the cured film will be described below.

실시예Example 1:  One: 경화막의Cured film 제조 및 평가 Manufacturing and Evaluation

합성예 1에서 얻어진 폴리실록산 공중합체와, PGMEA 및 GBL을 포함하는 용매와 함께 황색등 하에서 혼합, 교반하여 균일 용액으로 한 후, 0.20 ㎛의 필터로 여과해 수지 조성물 1을 조제했다.The polysiloxane copolymer obtained in Synthesis Example 1 was mixed with a solvent containing PGMEA and GBL under yellow light to prepare a homogeneous solution, which was then filtered through a 0.20 탆 filter to prepare Resin Composition 1.

상기 조성물 1을 10 x 10 클래스에 스핀 코터(Mikasa Corporation)를 이용해 스핀 도포한 후, 핫 플레이트(Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. 제품의 SCW-636)를 이용해 도포한 후, 핫플레이트 위 140℃에서 120초간 프리베이크하여 2.7㎛의 막 두께가 되도록 조정하였다. 그 후, 380℃에서 소성 경화를 실시한 결과, 광투과율 97%에 모서리가 둥글어지는 정도로 양호한 형상을 유지하고 있고, 크랙 미발생 두께 마진이 4.7 ㎛인, 고온 내크랙성이 향상된 경화막을 얻을 수 있었다. The composition 1 was spin-coated on a 10 × 10 10 layer using a spin coater (Mikasa Corporation), and then applied using a hot plate (SCW-636, manufactured by Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd.) Lt; 0 &gt; C for 120 seconds to adjust the film thickness to 2.7 mu m. Thereafter, plastic curing at 380 占 폚 was carried out. As a result, it was possible to obtain a cured film having a good light-transmitting property with a light transmittance of 97% and a good shape at a rounded corner, and a crack-generated thickness margin of 4.7 占 퐉 and improved crack resistance at high temperatures .

실시예Example 2:  2: 경화막의Cured film 제조 및 평가 Manufacturing and Evaluation

합성예 2에서 얻어진 폴리실록산 공중합체 100 중량부를 사용한 점을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 수지 조성물을 제조하고, 이를 사용하여 동일한 방법으로 경화막을 제조하였다. A resin composition was prepared in the same manner as in Example 1, except that 100 parts by weight of the polysiloxane copolymer obtained in Synthesis Example 2 was used, and a cured film was prepared by the same method.

경화를 실시한 결과, 광투과율 97%를 유지하고, 크랙 미발생 두께 마진이 4.8㎛인, 고온 내크랙성 및 광투과도가 향상된 경화막을 얻을 수 있었다.As a result of curing, it was possible to obtain a cured film having a light transmittance of 97%, a crack-generated thickness margin of 4.8 mu m, improved crack resistance at high temperature, and improved light transmittance.

실시예Example 3:  3: 경화막의Cured film 제조 및 평가 Manufacturing and Evaluation

합성예 3에서 얻어진 폴리실록산 공중합체 100 중량부를 사용한 점을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 수지 조성물을 제조하고, 이를 사용하여 동일한 방법으로 경화막을 제조하였다. A resin composition was prepared in the same manner as in Example 1 except that 100 parts by weight of the polysiloxane copolymer obtained in Synthesis Example 3 was used and a cured film was prepared in the same manner.

경화를 실시한 결과, 투과도 98%를 유지하고, 크랙 미발생 두께 마진이 4.7㎛인, 고온 내크랙성 및 광투과도가 향상된 경화막을 얻을 수 있었다.As a result of the curing, it was possible to obtain a cured film having a permeability of 98%, a crack-generated thickness margin of 4.7 mu m, improved crack resistance at high temperature, and improved light transmittance.

실시예Example 4:  4: 경화막의Cured film 제조 및 평가 Manufacturing and Evaluation

합성예 4에서 얻어진 폴리실록산 공중합체 100 중량부를 사용한 점을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 수지 조성물을 제조하고, 이를 사용하여 동일한 방법으로 경화막을 제조하였다.A resin composition was prepared in the same manner as in Example 1, except that 100 parts by weight of the polysiloxane copolymer obtained in Synthesis Example 4 was used, and a cured film was prepared by the same method.

경화를 실시한 결과, 투과도 98%를 유지하고, 크랙 미발생 두께 마진이 5.0㎛인, 고온 내크랙성 및 광투과도가 향상된 경화막을 얻을 수 있었다.As a result of the curing, it was possible to obtain a cured film having a permeability of 98% and a crack-generated thickness margin of 5.0 占 퐉, which was improved in crack resistance at high temperatures and in light transmittance.

실시예Example 5:  5: 경화막의Cured film 제조 및 평가 Manufacturing and Evaluation

합성예 5에서 얻어진 폴리실록산 공중합체 100 중량부를 사용한 점을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 수지 조성물을 제조하고, 이를 사용하여 동일한 방법으로 경화막을 제조하였다.A resin composition was prepared in the same manner as in Example 1, except that 100 parts by weight of the polysiloxane copolymer obtained in Synthesis Example 5 was used, and a cured film was prepared by the same method.

경화를 실시한 결과, 투과도 98%를 유지하고, 크랙 미발생 두께 마진이 5.2㎛인, 고온 내크랙성 및 광투과도가 향상된 경화막을 얻을 수 있었다.As a result of the curing, it was possible to obtain a cured film having a permeability of 98% and a crack-generated thickness margin of 5.2 mu m, improved crack resistance at high temperature and improved light transmittance.

비교예Comparative Example 1:  One: 경화막의Cured film 제조 및 평가 Manufacturing and Evaluation

비교 합성예 1에서 얻어진 폴리실록산 공중합체 화합물 100 중량부를 사용한 점을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 수지 조성물을 제조하고, 이를 사용하여 동일한 방법으로 경화막을 제조하였다.A resin composition was prepared in the same manner as in Example 1, except that 100 parts by weight of the polysiloxane copolymer compound obtained in Comparative Synthesis Example 1 was used, and a cured film was prepared in the same manner.

경화를 실시한 결과, 경화 후 2.5㎛ 두께에서 크랙 발생이 관찰되지 않았지만 크랙 미발생 두께 마진이 3.7㎛으로 실시예에 비해 마진이 부탁하고 광투과율은 97%인 절연막을 얻을 수 있었다.As a result of the curing, no cracking was observed at a thickness of 2.5 탆 after curing, but a margin of crack-generated thickness of 3.7 탆 was obtained, and a margin of 97% compared to Examples was obtained, and a light transmittance of 97% was obtained.


조성물Composition 크랙발생 유/무
(경화 후 두께)
Crack occurrence Yes / No
(Thickness after curing)
크랙 미발생
두께 마진
(μm)
Crack
Thick margin
(μm)
광투과율
(%)
Light transmittance
(%)
2.5 μm2.5 μm 실시예 1Example 1 합성예 1Synthesis Example 1 radish 4.74.7 9797 실시예 2Example 2 합성예 2Synthesis Example 2 radish 4.84.8 9797 실시예 3Example 3 합성예 3Synthesis Example 3 radish 4.74.7 9898 실시예 4Example 4 합성예 4Synthesis Example 4 radish 5.05.0 9898 실시예 5Example 5 합성예 5Synthesis Example 5 radish 5.25.2 9898 비교예 1Comparative Example 1 비교합성예 1Comparative Synthesis Example 1 U 3.73.7 9797

상기 표 2로부터 알 수 있는 것처럼, 일 구현예에 따라, 화학식 1로 표시되는 화합물, 화학식 2로 표시되는 화합물, 및 화학식 3으로 표시되는 화합물이 적정 함량으로 포함되어 가수분해, 축합중합되어 제조된 감광성 수지 조성물은 380℃까지 경화하는 경우, 크랙이 전혀 발생하지 않았고, 크랙 미발생 두께 마진이 4.5 ㎛ 이상으로 나타났다. 또한, 광투과율이 97%로, 고투과성을 갖는 경화막을 얻을 수 있었다.As can be seen from the above Table 2, according to one embodiment, the compound represented by the formula (1), the compound represented by the formula (2) and the compound represented by the formula (3) When the photosensitive resin composition was cured to 380 占 폚, no cracks were generated at all, and a crack margin thickness of 4.5 占 퐉 or more was exhibited. Further, a cured film having a high transmittance at a light transmittance of 97% was obtained.

반면, 비교합성예 1에 따른 감광성 수지 조성물을 사용한 경우, 380℃까지 크랙 미발생 두께 마진이 3.7 ㎛로, 내크랙성이 낮음을 확인할 수 있다. On the other hand, when the photosensitive resin composition according to Comparative Synthesis Example 1 was used, it was confirmed that the crack-generated thickness margin was 3.7 탆 and the crack resistance was low to 380 캜.

결론적으로, 일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물은 350℃ 이상의 높은 온도에서 경화시 크랙이 발생하지 않고 4.5 ㎛ 이상의 높은 크랙마진을 가지며 높은 광투과율을 가지는 경화막을 제조할 수 있음을 알 수 있다. As a result, it can be seen that the photosensitive resin composition according to one embodiment can produce a cured film having a high cracking margin of 4.5 μm or more and a high light transmittance without causing cracking at a high temperature of 350 ° C. or more.

이상 본 발명의 바람직한 실시예들에 대해 상세히 설명하였지만, 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것이 아니고, 다음의 특허청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리 범위에 속하는 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, And falls within the scope of the present invention.

Claims (14)

하기 화학식 1로 표시되는 화합물, 하기 화학식 2로 표시되는 화합물, 및 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물을 가수분해 축합시켜 형성되는 폴리실록산 공중합체를 포함하는 감광성 수지 조성물:
[화학식 1]
Figure pat00014


상기 화학식 1에서,
X는, 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬렌기이고,
Y는, 각각 독립적으로, 히드록시기, 카르복실기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알콕시실릴기, 에폭시기, 및 C1 내지 C6 에스테르기 중 어느 하나이고,
[화학식 2]
(R1)aSiR2 4 -a
상기 화학식 2에서,
R1 은 수소, 히드록시기, 할로겐, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, RO-, R(C=O)- (여기서, R은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30의 아릴알킬기), 또는 이들의 조합이고,
R2는 C1 내지 C6 알콕시기, 히드록시기, 할로겐, 카르복실기, 또는 이들의 조합이고,
a는 0≤a<4 이다.
[화학식 3]
R3 3Si-Y1-SiR4 3
상기 화학식 3에서,
Y1는 단일결합, 산소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알키닐렌기, 또는 이들의 조합이고,
R3 및 R4는, 각각 독립적으로, C1 내지 C6 알콕시기, 히드록시기, 할로겐, 카르복실기, 또는 이들의 조합이다.
1. A photosensitive resin composition comprising a polysiloxane copolymer formed by hydrolysis and condensation of a compound represented by the following formula (1), a compound represented by the following formula (2), and a compound represented by the following formula (3)
[Chemical Formula 1]
Figure pat00014


In Formula 1,
X is, independently of each other, a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkylene group,
Y is each independently any one of a hydroxyl group, a carboxyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkoxy group, a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkoxysilyl group, an epoxy group, and a C1 to C6 ester group,
(2)
(R 1 ) a SiR 2 4 -a
In Formula 2,
R 1 is selected from the group consisting of hydrogen, a hydroxyl group, a halogen, a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C7 to C30 aryl Substituted or unsubstituted C1 to C30 heteroalkyl groups, substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocycloalkyl groups, substituted or unsubstituted C1 to C30 heteroaryl groups, substituted or unsubstituted C2 to C30 alkenyl groups, substituted or unsubstituted C1 to C30 heteroalkyl groups, (C-O) -, wherein R is a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkynyl group, A substituted C6 to C30 aryl group, or a substituted or unsubstituted C7 to C30 arylalkyl group), or a combination thereof,
R 2 is a C 1 to C 6 alkoxy group, a hydroxy group, a halogen, a carboxyl group,
a is 0? a < 4.
(3)
R 3 3 Si-Y 1 -SiR 4 3
In Formula 3,
Y 1 represents a single bond, oxygen, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylene group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkylene group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 arylene group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 A substituted or unsubstituted C2 to C30 alkenylene group, a substituted or unsubstituted C2 to C20 alkynylene group, or a combination thereof,
R 3 and R 4 are each independently a C 1 to C 6 alkoxy group, a hydroxy group, a halogen, a carboxyl group, or a combination thereof.
제1항에서,
상기 화학식 1의 X는, 각각 독립적으로, C1 내지 C3 알킬렌기이고, Y는, 각각 독립적으로, 히드록시기, C1 내지 C6 알콕시실릴기, 또는 에폭시기인 감광성 수지 조성물.
The method of claim 1,
X in the above formula (1) are each independently a C1 to C3 alkylene group and each Y is independently a hydroxyl group, a C1 to C6 alkoxysilyl group, or an epoxy group.
제1항에서,
상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 1-1 내지 화학식 1-3 로 표시되는 화합물 중 적어도 하나를 포함하는 감광성 수지 조성물:
[화학식 1-1]
Figure pat00015

[화학식 1-2]
Figure pat00016

[화학식 1-3]
Figure pat00017

상기 화학식 1-1 내지 화학식 1-3에서, n은 1 내지 5의 정수이다.
The method of claim 1,
Wherein the compound represented by the formula (1) comprises at least one of compounds represented by the following formulas (1-1) to (1-3):
[Formula 1-1]
Figure pat00015

[Formula 1-2]
Figure pat00016

[Formula 1-3]
Figure pat00017

In Formulas 1-1 to 1-3, n is an integer of 1 to 5.
제1항에서,
상기 화학식 2의 a는 1인 감광성 수지 조성물.
The method of claim 1,
Wherein a in Formula 2 is 1.
제1항에서,
상기 화학식 2의 R1 은 C1 내지 C10 알킬기, C6 내지 C16의 아릴기, 또는 이들의 조합이고, R2는 C1 내지 C6 알콕시기, 히드록시기, 또는 이들의 조합인 감광성 수지 조성물.
The method of claim 1,
Wherein R 1 in Formula 2 is a C 1 to C 10 alkyl group, a C 6 to C 16 aryl group, or a combination thereof, and R 2 is a C 1 to C 6 alkoxy group, a hydroxy group, or a combination thereof.
제1항에서,
상기 화학식 3의 Y1 은 C1 내지 C10 알킬렌기, C3 내지 C10 사이클로알킬렌기, C6 내지 C12 아릴렌기, 또는 이들의 조합이고, 상기 R3 및 R4 는, 각각 독립적으로, C1 내지 C6 알콕시기인 감광성 수지 조성물.
The method of claim 1,
Y 1 in the formula (3) is C1 to C10 alkyl group, a C3 to C10 cycloalkyl group, a C6 to C12 arylene group, or a combination thereof, wherein R 3 and R 4 are, each independently, C1 to C6 alkoxy group photosensitive Resin composition.
제1항에서,
상기 폴리실록산 공중합체는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 20 몰% 이하, 상기 화학식 2로 표시되는 화합물 70 몰% 내지 95 몰%, 및 상기 화학식 3으로 표시되는 화합물 20 몰% 이하를 가수분해 축합반응시켜 제조되는 것인 감광성 수지 조성물.
The method of claim 1,
The polysiloxane copolymer is hydrolyzed and condensed with 20 mol% or less of the compound represented by the formula (1), 70 to 95 mol% of the compound represented by the formula (2) and 20 mol% or less of the compound represented by the formula By weight of the photosensitive resin composition.
제1항에서,
상기 폴리실록산 공중합체는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 1 몰% 내지 20 몰%, 상기 화학식 2로 표시되는 화합물 75 몰% 내지 95 몰%, 및 상기 화학식 3으로 표시되는 화합물 1 몰% 내지 10 몰%를 가수분해 축합반응시켜 제조되는 것인 감광성 수지 조성물.
The method of claim 1,
The polysiloxane copolymer is prepared by copolymerizing 1 mol% to 20 mol% of the compound represented by Formula 1, 75 mol% to 95 mol% of the compound represented by Formula 2, 1 mol% to 10 mol% Is subjected to hydrolysis and condensation reaction.
제1항에서,
상기 폴리실록산 공중합체는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 5 몰% 내지 15 몰%, 상기 화학식 2로 표시되는 화합물 80 몰% 내지 90 몰%, 및 상기 화학식 3으로 표시되는 화합물 5 몰% 내지 15 몰%를 가수분해 축합반응시켜 제조되는 것인 감광성 수지 조성물.
The method of claim 1,
Wherein the polysiloxane copolymer comprises 5 mol% to 15 mol% of the compound represented by Formula 1, 80 mol% to 90 mol% of the compound represented by Formula 2, and 5 mol% to 15 mol% Is subjected to hydrolysis and condensation reaction.
제1항에서,
디아조나프토퀴논 유도체 및 용매를 더 포함하는 감광성 수지 조성물.
The method of claim 1,
A diazonaphthoquinone derivative, and a solvent.
제1항 내지 제10항 중 어느 한 항의 감광성 수지 조성물을 경화하여 얻은 경화막.A cured film obtained by curing the photosensitive resin composition of any one of claims 1 to 10. 제11항에서,
상기 경화막은 400 nm 파장에서의 광투과율이 95 % 이상인 경화막.
12. The method of claim 11,
Wherein the cured film has a light transmittance of 95% or more at a wavelength of 400 nm.
제11항에서,
상기 경화막의 크랙 미발생 두께 마진은 4.0 ㎛ 이상인 경화막.
12. The method of claim 11,
The cured film has a crack-free thickness margin of 4.0 m or more.
제11항에 따른 경화막을 포함하는 전자 장치.An electronic device comprising a cured film according to claim 11.
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