KR20180016702A - A thick film type pressure sensor and its manufacturing method - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 후막형 압력센서 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는금속 재료를 가공한 다이아프램 바디 및 루테늄을 포함하는 금속 물질 인쇄 후막 저항을 포함하는 후막형 압력센서 및 그 제조방법에 관한 것이다. The present invention relates to a thick film type pressure sensor and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a thick film type pressure sensor including a diaphragm body made of a metal material and a metal thick film resistive material including ruthenium, will be.
압력센서용 금속 다이아프램은 주로 공압식 혹은 전자식 압력 전송기의 압력 측정 요소로 사용되고 있다. 이러한 금속 다이아프램은 비금속 다이아프램에 비해 유한의 인장 강성과 동시에 전단성 및 굴곡성을 갖는 특징이 있다. 종래의 금속 다이아프램의 소재로는 인산염, 청동, 베릴륨, 구리 등이 사용되어 왔으며, 최근 스테인리스강을 소재로 하는 금속 다이아프램의 성능 개선에 대한 연구가 진행되고 있다.Metal diaphragms for pressure sensors are mainly used as pressure measuring elements for pneumatic or electronic pressure transmitters. These metal diaphragms are characterized by finite tensile stiffness and shear and flexural properties compared to nonmetal diaphragms. Phosphate, bronze, beryllium, copper and the like have been used as materials of conventional metal diaphragms. Recently, studies on the improvement of performance of metal diaphragms made of stainless steel have been conducted.
특히, 스테인리스강을 소재로 하는 종래의 금속 다이아프램의 경우 내열성이 떨어져, 850 ℃ 이상의 고온 열처리 과정에서 스테인리스강 다이아프램의 물성이 저하되는 등의 문제점이 존재하였다. Particularly, the conventional metal diaphragm made of stainless steel has a problem in that the heat resistance is low and the physical properties of the stainless steel diaphragm are deteriorated in a high temperature heat treatment process at 850 DEG C or more.
본 발명의 목적은, 전술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 간단한 공정으로도 제조가 가능하여 생산성이 높고 내열성이 좋은, 금속 소재의 다이아프램을 제공하고, 그를 이용한 압력센서 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a diaphragm of a metal material which can be manufactured by a simple process and has high productivity and high heat resistance, and a pressure sensor using the same and a method of manufacturing the same. .
그러나, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 해당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.However, the problems to be solved by the present invention are not limited to the above-mentioned problems, and other matters not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 금속소재를 포함하는 다이아프램 바디; 및 상기 다이아프램 바디 상면에 형성된 루테늄을 포함하는 금속 물질 인쇄 후막 저항을 포함하는, 후막형 압력센서가 제공된다.According to an embodiment of the present invention, there is provided a diaphragm body including a metal material; And a metal material print thick film resistor comprising ruthenium formed on the top surface of the diaphragm body.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 다이아프램 바디의 적어도 일 부분의 표면에 세라믹 코팅층;을 포함하고, 상기 세라믹 코팅층은 산화 실리콘, 알루미나 및 질화 실리콘을 포함하는 군에서 선택된 하나 이상을 포함하는 것이고, 상기 세라믹 코팅층의 두께는 100 ㎛ 내지 500 ㎛ 인 것 일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a ceramic coating layer is formed on a surface of at least a part of the diaphragm body, and the ceramic coating layer includes at least one selected from the group consisting of silicon oxide, alumina and silicon nitride , And the thickness of the ceramic coating layer may be 100 [mu] m to 500 [mu] m.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 후막 저항 상에 인쇄 회로 전극부를 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a printed circuit electrode portion may be included on the thick film resistor.
본 발명의 다른 일 실시예에 따르면, 스테인리스강 소재를 이용하여 다이아프램 바디를 제조하는 단계; 상기 다이아프램 바디의 표면에 졸-겔법(sol-gel process)에 의해 코팅층을 형성하는 단계; 및 상기 다이아프램 바디 상면에 스크린 인쇄 또는 테이프캐스팅 부착법에 의해 루테늄을 포함하는 금속 물질로 후막 저항을 형성하는 단계; 상기 후막 저항이 형성된 다이아프램 바디를 850 ℃ 이상의 온도에서 열처리하는 단계; 및 상기 후막 저항 상에 회로를 인쇄하여 전극부를 형성하는 단계;를 포함하는, 후막형 압력센서의 제조방법이 제공된다. According to another embodiment of the present invention, there is provided a method of manufacturing a diaphragm body, comprising: preparing a diaphragm body using a stainless steel material; Forming a coating layer on the surface of the diaphragm body by a sol-gel process; Forming a thick film resistor on the upper surface of the diaphragm body with a metal material including ruthenium by screen printing or tape casting; Heat treating the diaphragm body having the thick film resistor at a temperature of 850 캜 or more; And printing a circuit on the thick film resistor to form an electrode portion.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 졸-겔법(sol-gel process)에 의해 코팅층을 형성하는 단계는, 산화 실리콘, 알루미나 및 질화 실리콘을 포함하는 군에서 선택되는 적어도 어느 하나의 전구체 물질을 포함하는 용액을 준비하는 단계; 상기 용액을 다이아프램 바디의 적어도 일 부분 표면에 도포하는 단계; 및 상기 용액이 도포된 다이아프램 바디를 150 ℃ 내지 200 ℃ 의 온도에서 소결하는 단계; 를 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the step of forming the coating layer by the sol-gel process includes at least one precursor material selected from the group consisting of silicon oxide, alumina, and silicon nitride Lt; / RTI > Applying the solution to at least a portion of the surface of the diaphragm body; And sintering the diaphragm body coated with the solution at a temperature of 150 ° C to 200 ° C; . ≪ / RTI >
본 발명의 일 실시예에 따른 후막형 압력센서 및 그 제조방법은 기존의 세라믹 또는 실리콘 재질의 다이아프램을 이용한 압력센서 보다 내열성이 우수하여 고온에서도 사용이 가능하다. 또한, 내구성이 높으며, 고가의 증착장비 또는 반도체 장비 설비 라인의 필요 없이 간단한 공정 만으로도 제조가 가능하게 되는 효과가 있다. 또한, 루테늄을 후막 저항 성분으로 포함시킴으로써, 안정된 저항특성을 가지면서도 면저항이 크고 온도저항계수가 낮은 압력센서를 구현할 수 있는 효과도 있다.The thick film type pressure sensor and the manufacturing method thereof according to an embodiment of the present invention are superior in heat resistance to a pressure sensor using a conventional ceramic or silicon diaphragm and can be used at a high temperature. In addition, it has a high durability and can be manufactured by a simple process without the need for expensive deposition equipment or a semiconductor equipment facility line. In addition, by including ruthenium as a thick film resistance component, it is possible to realize a pressure sensor having a large sheet resistance and a low temperature resistance coefficient while having stable resistance characteristics.
도 1은, 본 발명의 일 실시예에 따라 인쇄 회로를 포함하는 다이아프램 상면구조를 도시한 사시도이다.
도 2는, 본 발명의 일 실시예에 따라 다이아프램 하면 구조를 도시한 사시도이다.
도 3은, 본 발명의 일 실시예에 따라 형성된 전극부 및 다이아프램을 포함하는 후막형 압력센서를 도시한 개략도이다.
도 4는, 본 발명의 일 실시예에 따라 후막형 압력센서를 제조하는 과정이 도시된 공정도이다. 1 is a perspective view showing a diaphragm top surface structure including a printed circuit according to an embodiment of the present invention.
2 is a perspective view illustrating a diaphragm bottom structure according to an embodiment of the present invention.
3 is a schematic diagram illustrating a thick film pressure sensor including an electrode portion and a diaphragm formed in accordance with one embodiment of the present invention.
4 is a process diagram illustrating a process of manufacturing a thick film pressure sensor according to an embodiment of the present invention.
이하에서, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 반도체 제조용 부품, 복합체 코팅층을 포함하는 반도체 제조용 부품 및 그 제조방법의 실시예들을 상세하게 설명한다. 각 도면에 제시된 동일한 참조 부호는 동일한 부재를 나타낸다. 아래 설명하는 실시예 및 도면들에는 다양한 변경이 가해질 수 있다. 또한, 도면 부호에 관계없이 동일한 구성 요소는 동일한 참조 부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 아래 설명하는 실시예들은 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 이들에 대한 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략할 것이다. BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, referring to the accompanying drawings, embodiments of a semiconductor manufacturing component, a component for semiconductor manufacturing including a composite coating layer, and a manufacturing method thereof will be described in detail. Like reference symbols in the drawings denote like elements. Various modifications may be made to the embodiments and the drawings described below. In addition, the same components are denoted by the same reference numerals regardless of the reference numerals, and redundant description thereof will be omitted. It is to be understood that the embodiments described below are not intended to limit the embodiments, but include all modifications, equivalents, and alternatives to them. In the following description of the present invention, detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear.
또한, 본 명세서에서 사용되는 용어들은 본 발명의 바람직한 실시예를 적절히 표현하기 위해 사용된 용어들로서, 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 본 발명이 속하는 분야의 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 따라서, 본 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다. 각 도면에 제시된 동일한 참조 부호는 동일한 부재를 나타낸다.In addition, terms used in this specification are terms used to appropriately express the preferred embodiments of the present invention, which may vary depending on the user, the intention of the operator, or the practice of the field to which the present invention belongs. Therefore, the definitions of these terms should be based on the contents throughout this specification. Like reference symbols in the drawings denote like elements.
명세서 전체에서, 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이 는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.Throughout the specification, when a member is positioned on another member, this includes not only when a member is in contact with another member but also when there is another member between the two members.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 설명이 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.Throughout the specification, when an element is referred to as "including" an element, it means that it can include other elements, not excluding other elements unless specifically stated otherwise.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 실시예가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this embodiment belongs. Terms such as those defined in commonly used dictionaries are to be interpreted as having a meaning consistent with the contextual meaning of the related art and are to be interpreted as either ideal or overly formal in the sense of the present application Do not.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 금속 소재를 포함하는 다이아프램 바디; 및 상기 다이아프램 바디 상면에 형성된 루테늄을 포함하는 금속 물질 인쇄 후막 저항을 포함하는, 후막형 압력센서가 제공된다.According to an embodiment of the present invention, there is provided a diaphragm body including a metal material; And a metal material print thick film resistor comprising ruthenium formed on the top surface of the diaphragm body.
본 발명에서 금속 다이아프램 바디는 스테인리스강(SUS) 소재를 포함할 수 있다. 스테인리스강은 충분한 강도를 가지면서, 용접 및 가공이 용이하고 진공 밀폐 상태의 구현이 용이한 재료로서 본 발명의 금속 다이아프램 바디의 소재로 포함될 수 있다.In the present invention, the metal diaphragm body may comprise a stainless steel (SUS) material. Stainless steel can be included as a material of the metal diaphragm body of the present invention as a material having sufficient strength, easy to weld and process, and easy to implement in a vacuum sealed state.
상기 금속 다이아프램 바디는 본 발명에서 특별히 그 형태를 한정하지 아니하나, 후막 저항을 인쇄할 수 있는 상면을 포함하는 원통형 구조인 것이 바람직하다. The metal diaphragm body is not particularly limited in the present invention but is preferably a cylindrical structure including an upper surface on which a thick film resistor can be printed.
상기 후막 저항은 다이아프램 바디 상면에 금속 물질을 인쇄 기법을 통해 형성될 수 있다. 본 발명에서 상기 인쇄 기법을 특별히 한정하지는 아니하나, 스크린 프린팅 기법을 사용할 수 있다. The thick film resistor may be formed on the top surface of the diaphragm body by printing a metallic material. In the present invention, the printing technique is not particularly limited, but a screen printing technique can be used.
상기 금속 물질은 페이스트 상태로 인쇄될 수 있으며, 루테늄을 포함할 수 있다. 루테늄계 물질은 넓은 범위의 저항값 구현이 가능하고, 우수한 온도저항계수를 가지고 있어 후막 저항 소재로서 우수한 물성을 가지고 있다. The metal material may be printed in a paste state, and may include ruthenium. The ruthenium-based material is capable of realizing a wide range of resistance values and has an excellent temperature resistance coefficient, and thus has excellent physical properties as a thick-film resistance material.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 다이아프램 바디의 적어도 일 부분의 표면에 세라믹 코팅층;을 포함하고, 상기 세라믹 코팅층;은 산화 실리콘, 알루미나 및 질화 실리콘을 포함하는 군에서 선택된 하나 이상을 포함하는 것이고, 상기 세라믹 코팅층의 두께는 100 ㎛ 내지 500 ㎛ 인 것일 수 있다.세라믹 코팅층에 적어도 하나 이상 포함되는 산화 실리콘, 알루미나 및 질화 실리콘은 다이아프램의 내열성을 높이는 작용을 한다. 또한, 상기 다이아프램 바디 표면에 코팅층을 형성함으로써 외부 충격으로부터 다이아프램 바디를 보호하고 매끄러운 외관이 유지되는 효과도 있다. 이로써, 본 발명의 일 측면에 따르면 850 ℃ 이상의 고온 열처리 과정에서도 소재의 특성이 유지되고, 매끄러운 외관이 유지되며, 고온 고압의 가혹한 환경에서도 적용 가능한 압력센서가 구현될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a ceramic coating layer is formed on the surface of at least a part of the diaphragm body, and the ceramic coating layer includes at least one selected from the group consisting of silicon oxide, alumina and silicon nitride And the thickness of the ceramic coating layer may be 100 μm to 500 μm. Silicon oxide, alumina, and silicon nitride, which are contained in at least one of the ceramic coating layers, increase the heat resistance of the diaphragm. Also, by forming a coating layer on the surface of the diaphragm body, the diaphragm body can be protected from external impact and a smooth appearance can be maintained. Thus, according to an aspect of the present invention, a pressure sensor capable of maintaining the characteristics of a material, maintaining a smooth appearance, and applicable even in a harsh environment of high temperature and high pressure can be realized even in a high temperature heat treatment process at 850 ° C. or more.
이 때, 상기 코팅층의 두께는 100 ㎛ 내지 500 ㎛ 인 것일 수 있다. 상기 코팅층의 두께가 100 ㎛ 미만의 경우 상기 코팅층을 형성함으로써 의도한 효과가 충분히 구현되지 않는 문제가 생길 수 있고, 500 ㎛ 초과의 경우 제조 공정상 생산 효율이 떨어지는 문제가 생길 수 있다. At this time, the thickness of the coating layer may be 100 탆 to 500 탆. If the thickness of the coating layer is less than 100 탆, there is a problem that the intended effect is not realized sufficiently by forming the coating layer. If the thickness is more than 500 탆, the production efficiency may be decreased.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 후막 저항 상에 인쇄 회로 전극부를 포함할 수 있다. 상기 회로 전극부는 후막 저항 상에 인쇄되어 후막 저항에서 가해진 압력을 전기 신호로 바꾸어주는 역할을 한다. 본 발명에서 상기 인쇄 기법을 특별히 한정하지는 아니하나, 스크린 프린팅 기법을 사용할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a printed circuit electrode portion may be included on the thick film resistor. The circuit electrode portion is printed on the thick film resistor and converts the pressure applied by the thick film resistor into an electrical signal. In the present invention, the printing technique is not particularly limited, but a screen printing technique can be used.
본 발명의 일 실시예에 따른 후막형 압력센서는, 그 구성을 특별히 한정하지 않으나 압력 감지 센서부가 추가적으로 포함될 수 있다. The configuration of the thick film pressure sensor according to an embodiment of the present invention is not particularly limited, but a pressure sensor may be additionally included.
도 1은, 본 발명의 일 실시예에 따라 인쇄 회로를 포함하는 다이아프램 상면구조를 도한 사시도이다. 도 1에는, 네 방향의 홈을 갖는 압력센서용 원통형 다이아프램 및 그 상면에 압력에 따라 전기 신호를 생성할 수 있는 회로가 인쇄된 구조가 도시되어 있다.1 is a perspective view of a diaphragm top surface structure including a printed circuit according to an embodiment of the present invention. 1 shows a structure in which a cylindrical diaphragm for a pressure sensor having four grooves and a circuit on which an electric signal is generated according to a pressure are printed.
도 2는, 본 발명의 일 실시예에 따라 다이아프램 하면 구조를 도시한 사시도이다. 도 2에는, 도 1에 도시된 압력센서용 원통형 다이아프램을 뒤집어 놓은 구조로서, 다이아프램 하면의 원통형 내부 공간이 드러나는 구조가 도시되어 있다.2 is a perspective view illustrating a diaphragm bottom structure according to an embodiment of the present invention. Fig. 2 shows a structure in which the cylindrical diaphragm for a pressure sensor shown in Fig. 1 is turned upside down, and a cylindrical inner space of the diaphragm bottom is exposed.
도 3은, 본 발명의 일 실시예에 따라 형성된 전극부 및 다이아프램을 포함하는 후막형 압력센서를 도시한 개략도이다. 도 3에는, 도 1에 도시된 인쇄 회로 상에 전극부가 형성되어 있는 후막형 압력 센서의 개략적인 구조가 도시되어 있다.3 is a schematic diagram illustrating a thick film pressure sensor including an electrode portion and a diaphragm formed in accordance with one embodiment of the present invention. Fig. 3 shows a schematic structure of a thick film pressure sensor in which an electrode section is formed on the printed circuit shown in Fig.
한편, 도 4는, 본 발명의 일 실시예에 따라 후막형 압력센서를 제조하는 과정이 도시된 공정도이다. 하기에서는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 후막형 압력센서의 제조방법을 도 4와 함께 설명한다.4 is a process diagram illustrating a process of manufacturing a thick film pressure sensor according to an embodiment of the present invention. A method of manufacturing a thick film pressure sensor according to another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
본 발명의 다른 일 실시예에 따르면, 스테인리스강 소재를 이용하여 다이아프램 바디를 제조하는 단계(S100); 상기 다이아프램 바디의 표면에 졸-겔법(sol-gel process)에 의해 코팅층을 형성하는 단계(S200); 및 상기 다이아프램 바디 상면에 스크린 인쇄 또는 테이프캐스팅 부착법에 의해 루테늄을 포함하는 금속 물질로 후막 저항을 형성하는 단계(S300); 상기 후막 저항이 형성된 다이아프램 바디를 850 ℃ 이상의 온도에서 열처리하는 단계(S400); 및 상기 후막 저항 상에 회로를 인쇄하여 전극부를 형성하는 단계(S500);를 포함하는, 후막형 압력센서의 제조방법이 제공된다. According to another embodiment of the present invention, there is provided a method of manufacturing a diaphragm body, comprising: (S100) manufacturing a diaphragm body using a stainless steel material; Forming a coating layer on the surface of the diaphragm body by a sol-gel process (S200); And forming a thick film resistor on the upper surface of the diaphragm body with a metal material including ruthenium by screen printing or tape casting (S300); (S400) a heat treatment of the diaphragm body having the thick film resistance formed thereon at a temperature of 850 캜 or more; And forming an electrode portion by printing a circuit on the thick film resistor (S500).
다이아프램 바디를 제조하는 단계는 스테인리스강 소재를 가공하여 다이아프램 바디를 제조할 수 있는 것이라면 본 발명에서는 특별히 한정하지 아니한다. 이 때, 상기 다이아프램 바디는 평탄한 상면을 포함하는 원통형으로 가공될 수 있다.The step of manufacturing the diaphragm body is not particularly limited in the present invention as long as the diaphragm body can be manufactured by processing the stainless steel material. At this time, the diaphragm body can be processed into a cylindrical shape including a flat upper surface.
그 다음, 상기 다이아프램 바디의 표면에 졸-겔법에 의해 코팅층을 형성할 수 있다. 상기 코팅층은 고온 열처리 과정에서 다이아프램 바디를 보호해주는 역할을 수행한다. 또한, 상기 코팅층은 100 ㎛ 내지 500 ㎛ 의 두께를 갖는 것일 수 있다.Then, a coating layer can be formed on the surface of the diaphragm body by a sol-gel method. The coating layer serves to protect the diaphragm body during the high-temperature heat treatment process. Further, the coating layer may have a thickness of 100 [mu] m to 500 [mu] m.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 졸-겔법(sol-gel process)에 의해 코팅층을 형성하는 단계는, 산화 실리콘, 알루미나 및 질화 실리콘을 포함하는 군에서 선택되는 적어도 어느 하나의 전구체 물질을 포함하는 용액을 준비하는 단계; 상기 용액을 다이아프램 바디의 적어도 일 부분 표면에 도포하는 단계; 및 상기 용액이 도포된 다이아프램 바디를 150 ℃ 내지 200 ℃ 의 온도에서 소결하는 단계; 를 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the step of forming the coating layer by the sol-gel process includes at least one precursor material selected from the group consisting of silicon oxide, alumina, and silicon nitride Lt; / RTI > Applying the solution to at least a portion of the surface of the diaphragm body; And sintering the diaphragm body coated with the solution at a temperature of 150 ° C to 200 ° C; . ≪ / RTI >
상기 용액에 포함되는 산화 실리콘, 알루미나 및 질화 실리콘 전구체 물질은 코팅층을 형성하여 다이아프램의 내열성을 높이는 작용을 한다. 제조된 용액은 다이아프램 바디의 적어도 일 부분 표면에서 코팅층을 형성하는 역할을 한다. The silicon oxide, alumina and silicon nitride precursor materials included in the solution act to increase the heat resistance of the diaphragm by forming a coating layer. The prepared solution serves to form a coating layer on at least one part surface of the diaphragm body.
본 발명에서 코팅층을 형성하는 방법은 상기 용액으로 다이아프램 바디 표면에 층을 형성할 수 있는 것이라면 특별히 한정하지 아니하나, 도포법을 이용할 수 있다. The method of forming the coating layer in the present invention is not particularly limited as long as the solution can form a layer on the surface of the diaphragm body, but a coating method can be used.
또한, 본 발명의 일 측면에 따르면 분사법, 침지법 등을 사용할 수도 있다. 이 후, 형성된 코팅층을 포함하는 다이아프램 바디는 150 ℃ 내지 200 ℃ 온도에서 소결될 수 있다. 상기 소결 온도가 150 ℃ 미만의 경우, 상기 용액이 충분히 건조되지 않아 졸겔법에 의한 코팅층이 형성되지 않을 수 있으며, 200 ℃ 초과의 경우 건조 과정에서 코팅층에 크랙이 생기는 등으로 의도한 효과가 충분히 구현되지 않을 수 있다. According to an aspect of the present invention, a spraying method, a dipping method, or the like may be used. Thereafter, the diaphragm body comprising the formed coating layer may be sintered at a temperature of from 150 캜 to 200 캜. If the sintering temperature is lower than 150 ° C, the solution may not be sufficiently dried and a coating layer may not be formed by the sol-gel method. If the sintering temperature is higher than 200 ° C, cracks may be generated in the coating layer during drying, .
이상과 같이 본 발명의 실시예들이 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기의 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 예를 들어, 설명된 기술들이 설명된 방법과 다른 순서로 수행되거나, 및/또는 설명된 구성요소들이 설명된 방법과 다른 형태로 결합 또는 조합되거나, 다른 구성요소 또는 균등물에 의하여 대치되거나 치환되더라도 적절한 결과가 달성될 수 있다. 그러므로, 다른 구현들, 다른 실시예들 및 특허청구범위와 균등한 것들도 후술하는 특허청구범위의 범위에 속한다.Although the preferred embodiments of the present invention have been disclosed for illustrative purposes, those skilled in the art will appreciate that various modifications, additions and substitutions are possible, without departing from the scope and spirit of the invention as disclosed in the accompanying claims. For example, if the techniques described are performed in a different order than the described methods, and / or if the described components are combined or combined in other ways than the described methods, or are replaced or substituted by other components or equivalents Appropriate results can be achieved. Therefore, other implementations, other embodiments, and equivalents to the claims are also within the scope of the following claims.
Claims (5)
상기 다이아프램 바디 상면에 형성된 루테늄을 포함하는 금속 물질 인쇄 후막 저항을 포함하는,
후막형 압력센서.
A diaphragm body comprising a metal material; And
And a metal material print thick film resistor comprising ruthenium formed on the top surface of the diaphragm body.
Thick film type pressure sensor.
상기 다이아프램 바디의 적어도 일 부분의 표면에
세라믹으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 코팅층;을 포함하고,
상기 세라믹 코팅층은 산화 실리콘, 알루미나 및 질화 실리콘을 포함하는 군에서 선택된 하나 이상을 포함하는 것이고,
상기 세라믹 코팅층의 두께는 100 ㎛ 내지 500 ㎛ 인 것인,
후막형 압력센서.
The method according to claim 1,
Wherein at least a part of the surface of the diaphragm body
And a coating layer comprising at least one selected from the group consisting of ceramics,
Wherein the ceramic coating layer comprises at least one selected from the group consisting of silicon oxide, alumina and silicon nitride,
Wherein the ceramic coating layer has a thickness of 100 [mu] m to 500 [mu] m.
Thick film type pressure sensor.
상기 후막 저항 상에 인쇄 회로 전극부를 포함하는,
후막형 압력센서.
The method according to claim 1,
A printed circuit electrode portion on the thick film resistor,
Thick film type pressure sensor.
상기 다이아프램 바디의 표면에 졸-겔법(sol-gel process)에 의해 코팅층을 형성하는 단계; 및
상기 다이아프램 바디 상면에 스크린 인쇄 또는 테이프캐스팅 부착법에 의해 루테늄을 포함하는 금속 물질로 후막 저항을 형성하는 단계;
상기 후막 저항이 형성된 다이아프램 바디를 850 ℃ 이상의 온도에서 열처리하는 단계; 및
상기 후막 저항 상에 회로를 인쇄하여 전극부를 형성하는 단계;를 포함하는,
후막형 압력센서의 제조방법.
Fabricating a diaphragm body using a stainless steel material;
Forming a coating layer on the surface of the diaphragm body by a sol-gel process; And
Forming a thick film resistor on the upper surface of the diaphragm body with a metal material including ruthenium by screen printing or tape casting;
Heat treating the diaphragm body having the thick film resistor at a temperature of 850 캜 or more; And
And printing a circuit on the thick film resistor to form an electrode portion.
(Manufacturing method of thick film pressure sensor).
상기 졸-겔법(sol-gel process)에 의해 코팅층을 형성하는 단계는,
산화 실리콘, 알루미나 및 질화 실리콘을 포함하는 군에서 선택되는 적어도 어느 하나의 전구체 물질을 포함하는 용액을 준비하는 단계; 상기 용액을 다이아프램 바디의 적어도 일 부분 표면에 도포하는 단계; 및
상기 용액이 도포된 다이아프램 바디를 150 ℃ 내지 200 ℃ 의 온도에서 소결하는 단계; 를 포함하는,
후막형 압력센서의 제조방법.5. The method of claim 4,
The step of forming the coating layer by the sol-gel process includes:
Preparing a solution comprising at least one precursor material selected from the group consisting of silicon oxide, alumina, and silicon nitride; Applying the solution to at least a portion of the surface of the diaphragm body; And
Sintering the diaphragm body coated with the solution at a temperature of 150 ° C to 200 ° C; / RTI >
(Manufacturing method of thick film pressure sensor).
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