KR20180016294A - Substrate processing apparatus, program, fluid circulation mechanism, and manufacturing method of semiconductor device - Google Patents

Substrate processing apparatus, program, fluid circulation mechanism, and manufacturing method of semiconductor device Download PDF

Info

Publication number
KR20180016294A
KR20180016294A KR1020170098106A KR20170098106A KR20180016294A KR 20180016294 A KR20180016294 A KR 20180016294A KR 1020170098106 A KR1020170098106 A KR 1020170098106A KR 20170098106 A KR20170098106 A KR 20170098106A KR 20180016294 A KR20180016294 A KR 20180016294A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
fluid
substrate
cooling
intake
chamber
Prior art date
Application number
KR1020170098106A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102012557B1 (en
Inventor
도시키 후지노
아츠시 우메카와
다카유키 나카다
Original Assignee
가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 filed Critical 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
Publication of KR20180016294A publication Critical patent/KR20180016294A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102012557B1 publication Critical patent/KR102012557B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67772—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving removal of lid, door, cover

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

The present invention provides a technique capable of shortening cooling time of a substrate retained and supported on a mobile loading chamber and a boat. A substrate processing apparatus comprises: a reaction furnace where a substrate retaining support part on which a plurality of substrates are loaded enters and exits; a reserve chamber installed on a lower side of the reaction furnace, wherein the substrate retaining support part is arranged on a prescribed position thereof; a lifting mechanism to lift the substrate retaining support part between the reaction furnace and the reserve chamber; a fluid circulation mechanism including an intake unit to suck a fluid of the reserve chamber, a pipe unit forming a flow passage in which a fluid flows from the corresponding intake unit to a supply unit, and a cooling mechanism which is installed on the flow passage and cools a fluid; and a control unit to control the fluid circulation mechanism and the lifting mechanism to lower the substrate retaining support part from the reaction furnace to reach a prescribed position, and circulate the fluid sucked from the intake unit to the flow passage to supply the fluid from the supply unit to the reserve chamber. The intake unit and the cooling mechanism are installed to be adjacent to each other to cool the fluid introduced from the intake unit by the cooling mechanism before circulating the fluid to the flow passage.

Description

기판 처리 장치, 프로그램, 유체 순환 기구 및 반도체 장치의 제조 방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, PROGRAM, FLUID CIRCULATION MECHANISM, AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a substrate processing apparatus, a program, a fluid circulation mechanism, and a method of manufacturing a semiconductor device,

본 발명은, 기판 처리 장치, 프로그램 및 유체 순환 기구 및 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, a program, a fluid circulation mechanism, and a method of manufacturing a semiconductor device.

일반적으로, 반도체 장치의 제조 공정에서 사용되는 종형의 기판 처리 장치는, 웨이퍼를 처리하는 처리실의 하방측에 배치된 이동 탑재실(예비실) 내에서, 처리실 내에 반입하는 기판 보유 지지체(보트)에의 미처리 웨이퍼의 장전(웨이퍼 차지), 및 처리실 내로부터 반출된 기판 보유 지지체로부터의 처리가 끝난 웨이퍼의 탈장(웨이퍼 디스차지)을 행한다. 그리고, 이동 탑재실 내에서는, 처리실 내로부터 반출된 고온의 처리가 끝난 웨이퍼를 소정 온도까지 냉각하는 것이 행하여진다. 예를 들어, 국제 공개 제2006/103978호(특허문헌 1)에서는, 예비실에 보트를 둘러싸도록 냉각 벽을 설치하고, 냉각 벽의 내부에 냉매를 유통시켜 웨이퍼를 냉각하도록 하고 있다. 일본 특허 공개 제2014-060327호 공보(특허문헌 2)에서는, 냉각 벽과, 냉각 벽과 보트를 사이에 두고 냉각 벽과 대향하는 위치에 설치된 냉각 가스 공급부를 예비실에 설치하여, 냉각 가스 공급부로부터 냉각 가스를 보트에 공급해서 웨이퍼를 냉각하고 있다. 일본 특허 공개 제2012-079907호 공보(특허문헌 3)에서는, 이동 탑재실에 클린에어를 분출하는 클린 유닛과, 클린 유닛과 대향하는 위치에 배치하는 배기부를 설치하여, 이들에 의해 형성된 에어 플로우에 의해 웨이퍼를 냉각하고 있다.BACKGROUND OF THE INVENTION [0002] Generally, a vertical type substrate processing apparatus used in a manufacturing process of a semiconductor device is provided with a substrate holding member (boat) to be carried into a process chamber in a moving mounting chamber (preliminary chamber) disposed on the lower side of a processing chamber for processing wafers (Wafer charge) of the unprocessed wafer and a herniated wafer (wafer discharge) of the processed wafer from the substrate holding support carried out from within the treatment chamber. Then, in the mobile mounting chamber, the wafer subjected to the high temperature treatment carried out from the treatment chamber is cooled to a predetermined temperature. For example, in International Publication No. 2006/103978 (Patent Document 1), a cooling wall is provided so as to surround a boat in a preliminary chamber, and a coolant is circulated inside the cooling wall to cool the wafer. In Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2014-060327 (Patent Document 2), a cooling gas supply portion provided at a position facing the cooling wall with a cooling wall and a boat interposed therebetween is provided in the preliminary chamber, Cooling gas is supplied to the boat to cool the wafer. Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2012-079907 (Patent Document 3) discloses a structure in which a clean unit for spraying clean air into a mobile loading chamber and an exhaust unit arranged at a position facing the clean unit are provided, Thereby cooling the wafer.

국제 공개 제2006/103978호International Publication No. 2006/103978 일본 특허 공개 제2014-060327호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2014-060327 일본 특허 공개 제2012-079907호 공보Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2012-079907

본 발명의 과제는, 이동 탑재실 및 보트에 보유 지지된 기판의 냉각 시간을 단축할 수 있는 기술을 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a technique capable of shortening the cooling time of a substrate held and supported by a mobile loading chamber and a boat.

본 발명의 일 형태에 의하면, 복수매의 기판이 적재된 기판 보유 지지구가 반입 및 반출되는 반응 로와, 반응 로의 하측에 설치되고, 기판 보유 지지구가 소정 위치에 배치되는 예비실과, 반응 로와 예비실의 사이에서 기판 보유 지지구를 승강시키는 승강 기구와, 예비실의 유체를 흡인하는 흡기부와, 해당 흡기부에서부터 공급부까지의 유체가 흐르는 유로를 구성하는 배관부와, 유로에 설치되고, 유체를 냉각하는 냉각 기구를 구비한 유체 순환 기구와, 기판 보유 지지구를 반응 로로부터 강하시켜 소정 위치에 도달시키고, 흡기부로부터 흡인된 유체를 유로에 순환시켜, 공급부로부터 예비실에 공급시키도록 유체 순환 기구, 승강 기구를 각각 제어하는 제어부를 갖고, 흡기부와 냉각 기구를 인접하도록 설치하여, 흡기부로부터 도입된 유체를 유로에 순환시키기 전에 냉각 기구로 냉각하는 구성이 제공된다.According to one aspect of the present invention, there is provided a reaction furnace, comprising: a reaction furnace in which a substrate holding support on which a plurality of substrates are stacked is carried in and out; a preliminary chamber provided below the reaction furnace, An intake part for sucking the fluid in the preliminary chamber, a piping part constituting a flow path for the fluid from the intake part to the supply part, A fluid circulation mechanism having a cooling mechanism for cooling the fluid; a substrate holding support member which is lowered from the reaction furnace to reach a predetermined position; a fluid sucked from the inlet portion is circulated in the flow passage, And a control unit for controlling the fluid circulation mechanism and the lifting mechanism, respectively, and the intake unit and the cooling mechanism are provided so as to be adjacent to each other, The configuration, cooling by the cooling mechanism is provided before the ring.

본원 발명의 기판 처리 장치에 의하면, 웨이퍼 및 이동 탑재실의 내부 분위기의 온도 제어가 가능하게 된다.According to the substrate processing apparatus of the present invention, it is possible to control the temperature of the inner atmosphere of the wafer and the mobile loading chamber.

도 1은 본 발명의 실시 형태에서 적합하게 사용되는 기판 처리 장치의 경사 투시도이다.
도 2는 본 발명의 실시 형태에서 적합하게 사용되는 기판 처리 장치 내의 개략 경사 투시도이다.
도 3은 도 2의 이동 탑재실의 유체 순환 기구를 도시하는 개략 사시도이다.
도 4는 도 2의 유체 순환 기구를 도시하는 개략 측면도이다.
도 5는 도 2의 이동 탑재실 내 에어 플로우를 도시하는 개략 평면도이다.
도 6a는 본 발명의 실시 형태에서 적합하게 사용되는 냉각 벽의 구조를 설명하는 개략도이다.
도 6b는 본 발명의 실시 형태에서 적합하게 사용되는 냉각 벽의 구조를 설명하는 개략도이다.
도 7은 본 발명의 실시 형태에서 적합하게 사용되는 기판 처리 장치의 컨트롤러의 개략 구성을 도시하는 블록도이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시 형태에서 적합하게 사용되는 기판 처리 장치 내의 개략 경사 투시도이다.
도 9는 도 8의 이동 탑재실 내 에어 플로우를 도시하는 개략 평면도이다.
도 10은 본 발명의 다른 실시 형태에서 적합하게 사용되는 기판 처리 장치의 이동 탑재실 내의 개략 평면도이다.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시 형태에서 적합하게 사용되는 기판 처리 장치의 이동 탑재실 도어의 개략 사투시도이다.
도 12는 본 발명의 실시 형태의 효과를 설명하기 위한 것이다.
도 13은 본 발명의 실시 형태의 냉각 벽의 효과를 설명하기 위한 것이다.
도 14는 본 발명의 실시 형태의 냉각 벽의 효과를 설명하기 위한 것이다.1 is an oblique perspective view of a substrate processing apparatus suitably used in an embodiment of the present invention.
2 is a schematic perspective view of a substrate processing apparatus suitably used in an embodiment of the present invention.
Fig. 3 is a schematic perspective view showing a fluid circulation mechanism of the mobile mounting chamber of Fig. 2;
Fig. 4 is a schematic side view showing the fluid circulation mechanism of Fig. 2;
5 is a schematic plan view showing the air flow in the mobile mounting chamber of Fig. 2;
6A is a schematic view for explaining a structure of a cooling wall suitably used in an embodiment of the present invention.
6B is a schematic view for explaining the structure of a cooling wall suitably used in the embodiment of the present invention.
7 is a block diagram showing a schematic configuration of a controller of a substrate processing apparatus suitably used in an embodiment of the present invention.
Fig. 8 is a schematic oblique perspective view in a substrate processing apparatus suitably used in another embodiment of the present invention. Fig.
Fig. 9 is a schematic plan view showing an air flow in the mobile mounting chamber of Fig. 8. Fig.
Fig. 10 is a schematic plan view in a mobile mounting chamber of a substrate processing apparatus suitably used in another embodiment of the present invention. Fig.
Fig. 11 is a schematic cross-sectional view of a mobile mounting room door of a substrate processing apparatus suitably used in another embodiment of the present invention. Fig.
12 is for explaining the effect of the embodiment of the present invention.
13 is for explaining the effect of the cooling wall in the embodiment of the present invention.
Fig. 14 is for explaining the effect of the cooling wall in the embodiment of the present invention.

<본 발명의 일 실시 형태><One embodiment of the present invention>

이하에, 본 발명의 일 실시 형태에 대해서, 도면을 참조하면서 설명한다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

(1) 기판 처리 장치의 개요(1) Overview of substrate processing apparatus

본 실시 형태에서 설명하는 기판 처리 장치는, 반도체 장치의 제조 공정에서 사용되는 것으로, 처리 대상이 되는 기판을 처리실에 수용한 상태에서 당해 기판을 히터에 의해 가열하여 처리를 실시하는 것이다. 더욱 상세하게는, 복수의 기판을 연직 방향으로 소정의 간격으로 적층한 상태에서 동시에 처리를 행하는 종형의 기판 처리 장치이다.The substrate processing apparatus described in this embodiment mode is used in a process of manufacturing a semiconductor device, in which a substrate to be processed is accommodated in a processing chamber, and the substrate is heated by a heater to perform processing. More specifically, the present invention relates to a vertical type substrate processing apparatus in which a plurality of substrates are stacked at predetermined intervals in the vertical direction and simultaneously processed.

기판 처리 장치가 처리 대상으로 하는 기판으로서는, 예를 들어, 반도체 장치(반도체 디바이스)가 만들어 넣어지는 반도체 웨이퍼 기판(이하, 간단히 「웨이퍼」라고 함)을 들 수 있다. 또한, 기판 처리 장치가 행하는 처리로서는, 예를 들어 산화 처리, 확산 처리, 이온 도핑 후의 캐리어 활성화나 평탄화를 위한 리플로우나 어닐, 열 CVD(Chemical Vapor Deposition) 반응에 의한 성막 처리 등을 들 수 있다.As a substrate to be processed by the substrate processing apparatus, for example, a semiconductor wafer substrate (hereinafter simply referred to as "wafer") into which a semiconductor device (semiconductor device) is built can be mentioned. Examples of the treatment performed by the substrate processing apparatus include oxidation treatment, diffusion treatment, reflow or annealing for carrier activation or planarization after ion doping, and film formation treatment by a thermal CVD (Chemical Vapor Deposition) reaction .

(2) 기판 처리 장치의 개략 구성(2) Outline configuration of substrate processing apparatus

이어서, 본 발명의 실시 형태에서 적합하게 사용되는 기판 처리 장치의 개략 구성예에 대해서 설명한다.Next, a schematic configuration example of a substrate processing apparatus suitably used in an embodiment of the present invention will be described.

(장치 전체)(Entire device)

이 기판 처리 장치(1)에서는, 웨이퍼(6)는, 기판 수납 용기로서의 카세트(2)에 수용되어, 반출입된다.In this substrate processing apparatus 1, the wafer 6 is accommodated in a cassette 2 as a substrate storage container, and is carried in and out.

기판 처리 장치(1)는, 하우징(3)을 구비하고, 하우징(3)의 정면 벽에는 카세트 반입 반출구(4)가 프론트 셔터(도시하지 않음)에 의해 개폐되도록 설치되어 있다. 하우징(3)의 내부에, 카세트 반입 반출구(4)에 인접해서 카세트 스테이지(5)가 설치되어 있다.The substrate processing apparatus 1 is provided with a housing 3 and a cassette loading and unloading port 4 is provided on the front wall of the housing 3 so as to be opened and closed by a front shutter (not shown). A cassette stage (5) is provided inside the housing (3) and adjacent to the cassette loading / unloading port (4).

카세트(2)는, 카세트 스테이지(5) 상에 공정 내 반송 장치(도시하지 않음)에 의해 반입되고, 또한 카세트 스테이지(5) 상으로부터 반출되도록 되어 있다. 카세트 스테이지(5)는, 공정 내 반송 장치에 의해, 카세트(2) 내의 웨이퍼(6)가 수직 자세로 되어, 카세트(2)의 웨이퍼 출입구가 상측 방향(Z축 +방향)을 향하도록 배치되고, 카세트 스테이지(5)는, 카세트(2)의 웨이퍼 출입구가 하우징(3) 후방을 향하도록 회전한다.The cassette 2 is carried on the cassette stage 5 by an in-process carrying device (not shown), and is also taken out from the cassette stage 5. The cassette stage 5 is arranged such that the wafer 6 in the cassette 2 is in a vertical posture and the wafer entrance of the cassette 2 is oriented in the upward direction (Z axis + direction) by the in- , The cassette stage 5 rotates so that the wafer entrance of the cassette 2 faces the rear of the housing 3. [

하우징(3) 내의 전후 방향(X축 방향)의 대략 중앙부에는, 카세트 선반(7)이 설치되어 있고, 카세트 선반(7)은, 복수 단 복수 열로 각 복수개의 카세트(2)를 보관하도록 구성되어 있다. 카세트 선반(7)에는 웨이퍼 이동 탑재 장치(8)의 반송 대상이 되는 카세트(2)가 수납되는 이동 탑재 선반(9)이 설치되어 있다. 또한, 카세트 스테이지(5)의 상방에는 예비 카세트 선반(11)이 설치되어, 예비적으로 카세트(2)를 보관하도록 구성되어 있다.A cassette shelf 7 is provided at a substantially central portion in the front-rear direction (X-axis direction) in the housing 3 and the cassette shelf 7 is configured to store a plurality of cassettes 2 each in a plurality of stages in a plurality of rows have. The cassette shelf 7 is provided with a moving mounting shelf 9 in which the cassette 2 to be transported by the wafer moving and carrying device 8 is stored. A preliminary cassette shelf 11 is provided above the cassette stage 5 to store the cassette 2 in advance.

카세트 스테이지(5)와 카세트 선반(7)과의 사이에는, 카세트 반송 장치(12)가 설치되어 있다. 카세트 반송 장치(12)는, 카세트(2)를 카세트 스테이지(5), 카세트 선반(7), 예비 카세트 선반(11)과의 사이에서 반송하도록 구성되어 있다.Between the cassette stage 5 and the cassette shelf 7, a cassette transport device 12 is provided. The cassette transport apparatus 12 is configured to transport the cassette 2 between the cassette stage 5, the cassette shelf 7, and the preliminary cassette shelf 11.

카세트 선반(7)의 후방(X축 -방향)에는, 웨이퍼 이동 탑재 장치(8)가 설치되어 있다. 웨이퍼 이동 탑재 장치(8)는, 웨이퍼(6)를 수평 방향으로 회전 내지 직동 가능한 웨이퍼 이동 탑재 기구(8a)와, 웨이퍼 이동 탑재 기구(8a)를 승강시키기 위한 승강 기구(8b)와, 웨이퍼 이동 탑재 기구(8a) 상에 설치되어 웨이퍼(6)를 픽업하기 위한 트위저(8c)로 구성되어 있다.On the back (X-axis-direction) of the cassette shelf 7, a wafer moving and mounting device 8 is provided. The wafer moving and mounting apparatus 8 includes a wafer moving and mounting mechanism 8a capable of rotating or directing the wafer 6 in the horizontal direction, a lifting mechanism 8b for lifting and lowering the wafer moving and mounting mechanism 8a, And a tweezer 8c provided on the mounting mechanism 8a for picking up the wafer 6.

웨이퍼 이동 탑재 장치(8)의 후방에는, 웨이퍼(6)를 열처리하는 반응 로로서의 처리 로(14)와, 열처리 전후의 웨이퍼(6)를 일시적으로 수용하는 예비실로서의 이동 탑재실(15)이 상하로 인접해서 설치되어 있다. 이동 탑재실(15) 내에는, 보트(기판 보유 지지구)(13)를 처리 로(14)에 승강시키는 보트 엘리베이터(승강 기구)(16)가 설치되어 있다. 보트(13)는 복수의 보유 지지 부재를 구비하고 있고, 복수매(예를 들어, 50 내지 150매 정도)의 웨이퍼(6)를 그 중심을 맞춰서 수직 방향으로 정렬시킨 상태로, 각각 수평하게 보유 지지하도록 구성되어 있다.A processing furnace 14 as a reaction furnace for heat treating the wafer 6 and a moving mounting chamber 15 serving as a preliminary chamber for temporarily accommodating the wafer 6 before and after the heat treatment are provided at the rear of the wafer transfer apparatus 8 And are vertically adjacent to each other. A boat elevator (elevating mechanism) 16 for elevating a boat (substrate holding support) 13 to and from the processing furnace 14 is provided in the mobile loading room 15. [ The boat 13 is provided with a plurality of holding members and a plurality of (for example, approximately 50 to 150) wafers 6 are horizontally held Respectively.

승강 기구(16)는, 승강 아암(17)을 구비하고, 승강 아암(17)에는 덮개로서의 시일 캡(18)이 수평으로 설치되어 있고, 덮개(18)는, 보트(13)를 수직으로 지지하고, 처리 로(14)의 노구부를 개폐하도록 구성되어 있다.The lifting mechanism 16 is provided with a lifting arm 17. The lifting arm 17 is provided horizontally with a seal cap 18 as a lid and the lid 18 supports the boat 13 vertically And the nose portion of the treatment furnace 14 is opened and closed.

카세트 선반(7)의 상방에는, 청정화한 분위기인 클린에어를 공급하는 클린 유닛(19)이 설치되고, 클린 유닛(19)은, 클린에어를 하우징(3)의 내부에 유통시키도록 되어 있다.A clean unit 19 for supplying clean air, which is a cleaned atmosphere, is provided above the cassette shelf 7, and the clean unit 19 allows the clean air to flow into the housing 3.

(이동 탑재실)(Mobile loading room)

도 2 내지 도 5에 도시한 바와 같이, 기판 처리 장치(1)는, 미처리 상태의 웨이퍼(6)를 보트(13)에 보유 지지시키는 차지 동작, 및 처리가 끝난 상태의 웨이퍼(6)를 보트(13)로부터 취출하는 디스차지 동작이 행하여지는 이동 탑재실(15)을 구비한다. 이동 탑재실(15)은, 천장벽(21a), 바닥(21b) 및 사방을 둘러싸는 측벽(21c, 21d, 21e, 21f)에 의해, 평면 사각 형상으로 구성되어 있다. 단, 반드시 평면 사각 형상에 한정되지는 않으며, 평면 다각 형상(예를 들어, 평면 삼각 형상, 평면 오각 형상 등)으로 구성되어 있으면 된다. 천장벽(21a), 바닥(21b) 및 측벽(21c, 21d, 21e, 21f)의 내측에는, 도시하지 않은 반사 패널(이동 탑재실 패널)을 구비한다.2 to 5, the substrate processing apparatus 1 includes a charging operation for holding the unprocessed wafer 6 on the boat 13 and a charging operation for holding the unprocessed wafer 6 on the boat 13, (15) in which a discharging operation is carried out to take out from the transfer chamber (13). The mobile mounting chamber 15 is formed in a flat rectangular shape by a ceiling wall 21a, a bottom 21b and side walls 21c, 21d, 21e, and 21f surrounding four sides. However, the shape is not necessarily limited to a flat rectangular shape, but may be formed in a planar polygonal shape (for example, a plane triangular shape, a planar pentagonal shape, or the like). A reflection panel (mobile mounting panel) (not shown) is provided inside the ceiling wall 21a, the bottom 21b and the side walls 21c, 21d, 21e and 21f.

이동 탑재실(15)의 정면측(X축 +방향측)의 측벽(21d)에는, 웨이퍼 이동 탑재 장치(8)와 이동 탑재실(15) 내의 보트(13)와의 사이에서의 웨이퍼(6)의 반송을 위해서, 기판 수용 부재측 연통구로서의 웨이퍼 반입출구(22)가 설치되어 있다. 또한, 이동 탑재실(15)의 천장벽(21a)에는, 웨이퍼(6)를 보유 지지한 보트(13)가 통과할 수 있는 형상 및 크기로, 처리 로(14)의 처리실(42) 내에 연통하는 개구(23)가 형성되어 있다. 이동 탑재실(15)의 배면측(X축 -방향측)의 측벽(21f)에는, 도시하지 않은 이동 탑재실 도어가 설치되어 있다.A wafer 6 is sandwiched between the wafer transfer device 8 and the boat 13 in the transfer mounting chamber 15 in the side wall 21d on the front side (X axis + direction side) A wafer loading / unloading port 22 as a substrate-housing-member-side communication port is provided. The top wall 21a of the mobile loading chamber 15 is communicated with the inside of the treatment chamber 42 of the treatment furnace 14 in such a shape and size that the boat 13 holding the wafer 6 can pass therethrough. An opening 23 is formed. On the side wall 21f on the back side (X-axis direction side) of the mobile loading chamber 15, a moving loading room door (not shown) is provided.

이러한 이동 탑재실(15)에는, 보트(13) 및 보트(13)를 승강시키는 승강 기구(16) 외에도, 유체 순환 기구(25) 및 냉각 벽(냉각부)(27)이 배치되어 있다. 보트(13)는, 이동 탑재실(15)의 중심보다도 배면측의 측벽(21f)측 및 정면에서 보아 우측의 측벽(21e)측에 가깝게 배치된다. 유체 순환 기구(25)는, 이동 탑재실(15) 내의 유체로서의 분위기(에어)를 흡인해서 냉각하고 청정하게 하여 이동 탑재실(15) 내에 공급한다.In addition to the lifting mechanism 16 for raising and lowering the boat 13 and the boat 13, a fluid circulating mechanism 25 and a cooling wall (cooling portion) 27 are disposed in the mobile mounting chamber 15. The boat 13 is disposed closer to the side wall 21f side on the back side than the center of the mobile loading chamber 15 and closer to the side wall 21e side on the right side than the front side. The fluid circulating mechanism 25 sucks the atmosphere (air) as a fluid in the mobile mounting chamber 15 to cool it and clean it, and supplies it to the mobile mounting chamber 15.

(유체 순환 기구)(Fluid circulation mechanism)

유체 순환 기구(25)는, 상방으로부터 하방으로 Z축 방향을 따라서 신장되는 제1 덕트(25a)와, 바닥 위를 Y축 방향을 따라서 신장되는 제2 덕트(25b)와, 바닥 위를 X축 방향을 따라서 신장되는 제3 덕트(25c)와, 바닥 위를 Y축 방향을 따라서 신장되는 제4 덕트(25d)를 구비한다. 제1 덕트(25a), 제2 덕트(25b), 제3 덕트(25c), 제4 덕트(25d)는, 각각 단면이 사각 형상을 하고 있다. 제1 덕트(25a)는 이동 탑재실(15)의 배면측(X축 -방향측)에 설치되어 있다. 제1 덕트(25a)는, 예를 들어 보트(13)(또는 이동 탑재실(15))의 최상부(상단부)에 흡입구인 흡기부(25g)를 구비하고, 이동 탑재실(15)에서 고온의 유체를 국소적으로 흡기하도록 구성된다. 또한, 보트(13)의 중앙부(수직 방향에서 중간 부분) 부근에 흡입구인 흡기부(25h)를 배치하여, 웨이퍼(6)의 열 릴리프에 대비한다. 이것은, 흡기부(25g, 25h)는, 보트(13) 중심부에 적재된 웨이퍼(6)의 근방에 배치된다. 즉, 처리 완료된 웨이퍼(6)의 열 릴리프가 발생하기 어려운 부분에 흡기부(25h)를 배치하여, 보트(13)의 하단부에 적재된 웨이퍼(6)와 마찬가지로 온도를 저하시킬 수 있다. 이와 같이, 흡기부(25g, 25h)는, 이동 탑재실(15)이나 웨이퍼(6)의 온도를 효율적으로 저하시키기 위해서, 보트 로드 후, 이동 탑재실(15)의 고온이 되는 부분이나 웨이퍼(6)의 열 릴리프가 발생하기 어려운 부분에 배치된다. 제1 덕트(25a)는, 흡기부(25g, 25h)로부터 들어온 유체의 일종으로서의 기체를 바로 냉각할 수 있도록, 제1 덕트(25a)의 흡기부(25g, 25h)의 하류측에 인접시켜서 냉각 기구인 열교환기(25i, 25j)를 구비한다. 제1 덕트(25a)는, 측벽(21e)의 근방에 배치되고, 열교환기(25i, 25j)는 냉매가 통과하고 있는 배관을 구비하여, 그 주변을 고온의 기체(예를 들어, 흡기부(25g, 25h)로부터 도입된 고온의 유체)가 통과함으로써, 기체로부터 냉매에 열을 이동시켜 나가, 냉매(매체)를 이동 탑재실(15)(기판 처리 장치(1))의 밖으로 내보냄으로써 열을 방출한다. 흡기부(25g)를 이동 탑재실(15)의 상부, 흡기부(25h)를 보트(13) 상의 웨이퍼 적재 영역의 중심부 등의 장소에 배치하여, 흡기부(25g, 25h)로부터 국소적으로 분위기를 흡기함으로써, 고온의 기체를 빠르게 효율적으로 열교환기(25i, 25j) 내로 보낼 수 있다. 제4 덕트(25d)는, 순환용 팬(25k)을 내장하고 있다. 이와 같이, 본 실시 형태에서, 유체 순환 기구(25)는, 흡기부(25g, 25h)와 열교환기(25i, 25j)를 인접하게 설치하므로, 고온의 기체를 효율적으로 냉각할 수 있다. 또한, 유체 순환 기구(25)는, 흡기부(25g, 25h)로부터 도입된 유체를 유로에 순환시키기 전에 열교환기(25i, 25j)에서 냉각할 수 있으므로, 열교환기(25i, 25j)를 통과해서 냉각된 유체가 유로를 순환하므로, 방열에 의한 이동 탑재실(15)의 분위기의 온도 저하를 방해하지 않는다.The fluid circulating mechanism 25 includes a first duct 25a extending from the upper side to a lower side along the Z axis direction, a second duct 25b extending along the Y axis direction on the floor, A third duct 25c that extends along the Y-axis direction, and a fourth duct 25d that extends along the Y-axis direction on the floor. Each of the first duct 25a, the second duct 25b, the third duct 25c and the fourth duct 25d has a rectangular cross section. The first duct 25a is provided on the back side (X-axis direction side) of the mobile loading chamber 15. The first duct 25a is provided with an intake portion 25g serving as a suction port at the uppermost portion (upper end portion) of the boat 13 (or the mobile mounting chamber 15) And is configured to locally inhale the fluid. An intake portion 25h, which is a suction port, is disposed in the vicinity of the central portion (the middle portion in the vertical direction) of the boat 13 to prepare for the thermal relief of the wafer 6. [ This is because the intake portions 25g and 25h are disposed in the vicinity of the wafer 6 mounted on the central portion of the boat 13. In other words, the temperature of the processed wafer 6 can be lowered as in the case of the wafer 6 mounted on the lower end of the boat 13 by disposing the suction unit 25h in a portion where the heat relief of the processed wafer 6 is less likely to occur. Thus, the suction portions 25g and 25h can be moved to the high temperature portion of the mobile mounting chamber 15 and the wafer (not shown) after the boat loading in order to efficiently lower the temperatures of the mobile mounting chamber 15 and the wafer 6. [ 6 are less likely to generate heat relief. The first duct 25a is adjacent to the downstream side of the intake portions 25g and 25h of the first duct 25a so as to immediately cool the gas as a kind of fluid introduced from the intake portions 25g and 25h, And heat exchangers 25i and 25j serving as mechanisms. The first duct 25a is disposed in the vicinity of the side wall 21e and the heat exchangers 25i and 25j are provided with piping through which the refrigerant passes and the periphery thereof is filled with a hot gas (for example, 25g, and 25h), the heat is transferred from the gas to the refrigerant, and the refrigerant (the medium) is sent out of the moving mounting chamber 15 (the substrate processing apparatus 1) Release. The intake portion 25g is disposed at a position such as the upper portion of the moving mounting chamber 15 and the intake portion 25h at the center of the wafer loading region on the boat 13, The hot gas can be quickly and efficiently sent into the heat exchangers 25i and 25j. The fourth duct 25d houses a circulation fan 25k. As described above, in the present embodiment, the fluid circulation mechanism 25 can efficiently cool the high-temperature gas because the intake portions 25g and 25h and the heat exchangers 25i and 25j are disposed adjacent to each other. Since the fluid circulating mechanism 25 can cool the fluid introduced from the intake portions 25g and 25h in the heat exchangers 25i and 25j before circulating the fluid in the flow paths through the heat exchangers 25i and 25j The cooled fluid circulates in the flow path, so that the lowering of the temperature of the atmosphere of the mobile mounting chamber 15 due to the heat dissipation is not hindered.

유체 순환 기구(25)는, 또한 제4 덕트(25d)에 접속되어 냉각 기구인 열교환기(25l)를 갖는 제5 덕트(25e)와, 제5 덕트(25e)에 접속되어 필터(25m)를 갖는 제6 덕트(25f)를 구비한다. 제5 덕트(25e)는, 이동 탑재실(15) 내의 정면에서 보아 좌측의 측벽(21c)을 따라 배치되어, 측벽(21c)에 대향하는 측면이 저면, 상면, 배면측 측면, 정면측 측면보다도 큰 직육면체 형상을 하고 있다. 열교환기(25l)는, 냉매가 통과하고 있는 배관을 구비하여, 열교환기(25i, 25j)와 마찬가지로, 그 주변을 고온의 기체(예를 들어, 흡기부(25g, 25h)로부터 도입된 유체가 열교환기(25i, 25j)를 통과한 유체)가 통과함으로써, 기체로부터 냉매에 열을 이동시켜 나가, 냉매(매체)를 이동 탑재실(15)(기판 처리 장치(1))의 밖으로 내보냄으로써 열을 방출한다. 이와 같이, 흡기부(25g, 25h)로부터 도입된 유체가 각각 열교환기를 두 번 통과하는 구성으로 되어 있으므로, 보다 냉각된 유체가 순환되게 된다. 제6 덕트(25f)는, 제5 덕트(25e)의 상방에 측벽(21c)을 따라 배치되어, 제5 덕트(25e)와 마찬가지의 직육면체 형상을 하고 있다. 공급부로서의 제6 덕트(25f)는, 필터(25m)를 통과한 청정 에어를 공급하는 분출구(25n)를 구비하고, 이동 탑재실(15) 내에 클린에어를 분출하는 클린 유닛으로서 기능한다. 또한, 제1 덕트(25a), 제2 덕트(25b), 제3 덕트(25c), 제4 덕트(25d)와, 제5 덕트(25e)와, 제6 덕트(25f)는, 배관부로서 흡기부(25g, 25h)와 공급부(25f)의 사이의 유체가 흐르는 유로를 구성한다. 또한, 본 명세서에서, 「순환 덕트」라는 말을 사용한 경우, 제1 덕트(25a), 제2 덕트(25b), 제3 덕트(25c), 제4 덕트(25d)와, 제5 덕트(25e)와, 제6 덕트(25f)의 총칭이다.The fluid circulating mechanism 25 further includes a fifth duct 25e connected to the fourth duct 25d and having a heat exchanger 25l serving as a cooling mechanism and a fifth duct 25e connected to the fifth duct 25e, And a sixth duct 25f having the second duct 25f. The fifth duct 25e is disposed along the left side wall 21c as viewed from the front of the mobile loading room 15 and has a side face opposite to the side wall 21c as compared with the bottom face, And has a large rectangular parallelepiped shape. The heat exchanger 251 is provided with a pipe through which the refrigerant passes so that the fluid introduced from the high temperature gas (for example, the intake portions 25g and 25h) is circulated around the heat exchanger 25i (The medium having passed through the heat exchangers 25i and 25j) passes the heat from the gas to the coolant and exits the coolant (medium) to the outside of the mobile mounting chamber 15 (substrate processing apparatus 1) Lt; / RTI &gt; As described above, since the fluids introduced from the intake portions 25g and 25h pass through the heat exchanger twice, the more cooled fluid is circulated. The sixth duct 25f is arranged above the fifth duct 25e along the side wall 21c and has a rectangular parallelepiped shape similar to that of the fifth duct 25e. The sixth duct 25f as a supply unit has a jet port 25n for supplying clean air that has passed through the filter 25m and functions as a clean unit for jetting clean air into the mobile mounting chamber 15. [ In addition, the first duct 25a, the second duct 25b, the third duct 25c, the fourth duct 25d, the fifth duct 25e, and the sixth duct 25f are provided as piping portions And constitutes a flow path through which fluid flows between the intake portions 25g and 25h and the supply portion 25f. In the present specification, the term &quot; circulating duct &quot; is used to designate the first duct 25a, the second duct 25b, the third duct 25c, the fourth duct 25d and the fifth duct 25e And the sixth duct 25f.

제6 덕트(25f)로부터 Y축 방향으로 배기된 에어는, 도 4, 5에 도시한 바와 같이, 보트(13)에 적재된 복수의 웨이퍼(6)의 사이나 웨이퍼(6)의 주변을 통과해서 흡기부(25g, 25h)에 흡입된다.The air exhausted from the sixth duct 25f in the Y axis direction passes through a plurality of wafers 6 stacked on the boat 13 or around the wafer 6 as shown in Figs. And sucked into the intake portions 25g and 25h.

본 실시 형태에서, 이동 탑재실(15)에는 외부로부터 냉각 가스를 공급하는 특별한 급기용 덕트를 설치하지 않아, 이 흡기 덕트를 이용한 급기(분사)로 냉각하지 않고, 고온의 유체 흡기(흡입)에 의해 이동 탑재실(15)을 냉각하고 있다. 따라서, 파티클의 날아오름이나 이동 탑재실(15)의 온도의 치우침(어떤 특정 부분만 냉각되지 않고 고온으로 되는 상태)을 억제할 수 있다.In the present embodiment, a special supply duct for supplying a cooling gas from the outside is not provided in the mobile mounting chamber 15, and a high-temperature fluid intake (suction) is performed without cooling by an air supply So that the mobile loading chamber 15 is cooled. Therefore, it is possible to suppress the flying of the particles and the temperature deviation of the mobile loading chamber 15 (a state in which only a specific portion is not cooled and becomes high temperature).

이동 탑재실(15)을 외계와 격리하기 위해서, 이동 탑재실(15)의 분위기 대부분은 유체 순환 기구(25)를 거쳐서 이동 탑재실(15)을 순환하고 있다. 그 때문에, 이동 탑재실(15)의 온도를 유지하기 위해서는 충분한 방열 능력을 가진 열교환기의 설치가 필요하다. 그래서, 효율적으로 열교환을 행하기 위해서, 도 3, 4에 도시한 바와 같이 제1 덕트(25a)의 흡기부(25g, 25h)보다 하류에 인접해서 열교환기(25i, 25j)를 설치하여, 흡기부(25g, 25h)에서 흡기된 유체를 바로 냉각함으로써, 제1 덕트(25a) 이후의 순환 덕트 내를 통과할 때 주변의 부재로부터 장치 내에 축적되어 있던 열을 저감하고 있다. 이에 의해, 제5 덕트(25e)에 매우 큰 사이즈의 열교환기가 필요 없게 되어, 열교환기(25l)의 사이즈를 억제할 수 있다. 또한, 열교환기(25l)를 설치하지 않도록 하는 것도 가능하다.Most of the atmosphere of the mobile mounting chamber 15 is circulated in the mobile mounting chamber 15 via the fluid circulating mechanism 25 in order to isolate the mobile mounting chamber 15 from the outside world. Therefore, in order to maintain the temperature of the mobile loading chamber 15, it is necessary to install a heat exchanger having sufficient heat dissipation capability. Therefore, in order to perform efficient heat exchange, heat exchangers 25i and 25j are provided downstream of the intake portions 25g and 25h of the first duct 25a, as shown in Figs. 3 and 4, And the heat absorbed in the apparatus from peripheral members is reduced when passing through the circulation ducts after the first duct 25a by immediately cooling the intake fluid in the first and second ducts 25g and 25h. Thus, a very large-sized heat exchanger is not required in the fifth duct 25e, and the size of the heat exchanger 251 can be suppressed. It is also possible not to provide the heat exchanger 25l.

(냉각 벽)(Cooling wall)

냉각 벽(27)은, 주로 처리실(42)(처리 로(14) 내)로부터의 복사열을 흡수시킬 목적으로 사용된다. 냉각 벽(27)은, 이동 탑재실(15) 내의 장치 배면측의 측벽(21f)에 근접해서 설치되어 있다. 냉각 벽(27)은, 도 6a, 6b에 도시하는 바와 같이 열 전도성이 양호한 재질, 예를 들어 알루미늄제의 금속판(27x)으로 이루어지고, 그 금속판(27x)의 내부에 냉매(예를 들어 물)를 흘리는 유통로(27y)를 배치해서 구성되어 있다. 냉각 벽(27)의 설치에 의해 보트(13)의 승강 시에 처리 로(14) 내로부터의 복사열에 의한 이동 탑재실 패널의 온도 상승을 경감함으로써, 이동 탑재실(15) 내에 축적되는 열을 저감시킬 수 있다. 또한, 금속판(27x)의 표면은, 예를 들어 흑색 알루마이트 등의 가공을 가해서 열 흡수성이 좋은 표면 색(예를 들어 흑색)으로 되어 있는 것이 바람직하다. 냉각 벽(27)의 표면에 흑색 알루마이트 등의 가공을 가함으로써, 냉각 벽(27)에 의한 복사열의 흡수 효율을 향상시킴으로써, 웨이퍼(6)의 냉각 시간 단축과 이동 탑재실(15) 내 온도 상승 방지의 효과를 더욱 좋게 할 수 있다.The cooling wall 27 is mainly used for absorbing radiant heat from the process chamber 42 (in the process furnace 14). The cooling wall 27 is provided close to the side wall 21f on the back side of the apparatus in the mobile loading chamber 15. [ 6A and 6B, the cooling wall 27 is made of a material having good thermal conductivity, for example, a metal plate 27x made of aluminum, and a coolant (for example, water And a flow passage 27y which flows through the flow passage 27y. The rise of the temperature of the mobile mounting panel due to the radiant heat from the inside of the processing furnace 14 at the time of raising and lowering the boat 13 is reduced by the provision of the cooling wall 27, Can be reduced. It is preferable that the surface of the metal plate 27x is made to have a surface color (for example, black) having good heat absorbability by applying processing such as black alumite. It is possible to reduce the cooling time of the wafer 6 and the temperature rise in the mobile mounting chamber 15 by improving the absorption efficiency of the radiant heat by the cooling wall 27 by applying black alumite or the like to the surface of the cooling wall 27. [ The effect of prevention can be further improved.

본 실시 형태에서, 유체 순환 기구(25)와 냉각 벽(27)을 조합함으로써, 또한 이동 탑재실(15) 내 온도의 상승을 대폭 경감해서 웨이퍼(6)로부터의 방열을 촉진할 수 있다.In the present embodiment, by combining the fluid circulating mechanism 25 and the cooling wall 27, the rise of the temperature in the mobile mounting chamber 15 can be greatly reduced and the heat radiation from the wafer 6 can be promoted.

이후 성막 시간의 단축이 진행되는 점, 보다 엄밀한 산화막의 관리가 요구되는 점에서, 장치에 축적되는 열은 극한까지 배제할 필요가 있다.Since the film formation time is shortened and the management of a more strict oxide film is required, it is necessary to limit the heat accumulated in the apparatus up to the limit.

(컨트롤러)(controller)

도 7에 도시한 바와 같이, 제어부(제어 수단)인 컨트롤러(121)는, CPU(Central Processing Unit)(121a), RAM(Random Access Memory)(121b), 기억 장치(121c), I/O 포트(121d)를 구비한 컴퓨터로서 구성되어 있다. RAM(121b), 기억 장치(121c), I/O 포트(121d)는, 내부 버스(121e)를 통해서, CPU(121a)와 데이터 교환 가능하도록 구성되어 있다. 컨트롤러(121)에는, 예를 들어 터치 패널 등으로서 구성된 입출력 장치(122)가 접속되어 있다.7, the controller 121 as a control unit (control means) includes a CPU (Central Processing Unit) 121a, a RAM (Random Access Memory) 121b, a storage device 121c, an I / And a computer 121d. The RAM 121b, the storage device 121c and the I / O port 121d are configured to exchange data with the CPU 121a via the internal bus 121e. To the controller 121, an input / output device 122 configured as, for example, a touch panel or the like is connected.

기억 장치(121c)는, 예를 들어 플래시 메모리, HDD(Hard Disk Drive) 등으로 구성되어 있다. 기억 장치(121c) 내에는, 기판 처리 장치의 동작을 제어하는 제어 프로그램이나, 후술하는 박막 형성 등의 기판 처리의 수순이나 조건 등이 기재된 프로세스 레시피 등이, 판독 가능하게 저장되어 있다. 프로세스 레시피는, 후술하는 박막 형성 공정 등의 기판 처리 공정에서의 각 수순을 컨트롤러(121)에 실행시켜, 소정의 결과를 얻을 수 있게 조합된 것이며, 프로그램으로서 기능한다. 이하, 이 프로세스 레시피나 제어 프로그램 등을 총칭하여, 간단히, 프로그램이라고도 한다. 본 명세서에서 프로그램이라는 말을 사용한 경우에는, 프로세스 레시피 단체만을 포함하는 경우, 제어 프로그램 단체만을 포함하는 경우, 또는 그 양쪽을 포함하는 경우가 있다. RAM(121b)은, CPU(121a)에 의해 판독된 프로그램이나 데이터 등이 일시적으로 유지되는 메모리 영역(워크 에리어)으로서 구성되어 있다.The storage device 121c is constituted by, for example, a flash memory, an HDD (Hard Disk Drive) or the like. In the storage device 121c, a control program for controlling the operation of the substrate processing apparatus, a process recipe describing a procedure or condition of the substrate processing such as a thin film formation described later, and the like are readably stored. The process recipe is a combination of processes performed in a substrate processing step such as a thin film forming step, which will be described later, on the controller 121 so as to obtain a predetermined result, and functions as a program. Hereinafter, the process recipe, the control program, and the like are collectively referred to simply as a program. When the word "program" is used in the present specification, there may be a case where only a process recipe group is included, a case where only a control program group is included, or both. The RAM 121b is configured as a memory area (work area) in which programs and data read by the CPU 121a are temporarily held.

I/O 포트(121d)는, MFC 밸브 압력 센서, APC 밸브, 진공 펌프, 온도 센서, 히터, 회전 기구, 승강 기구(16), 유체 순환 기구(25) 등에 접속되어 있다.The I / O port 121d is connected to an MFC valve pressure sensor, an APC valve, a vacuum pump, a temperature sensor, a heater, a rotating mechanism, an elevating mechanism 16, a fluid circulating mechanism 25,

CPU(121a)는, 기억 장치(121c)로부터 제어 프로그램을 판독해서 실행함과 함께, 입출력 장치(122)로부터의 조작 커맨드의 입력 등에 따라서 기억 장치(121c)로부터 프로세스 레시피를 판독하도록 구성되어 있다. 그리고, CPU(121a)는, 판독한 프로세스 레시피의 내용을 따르도록, MFC에 의한 각종 가스의 유량 조정 동작, 밸브의 개폐 동작, APC 밸브의 개폐 동작 및 압력 센서에 기초하는 APC 밸브에 의한 압력 조정 동작, 진공 펌프의 기동 및 정지, 온도 센서에 기초하는 히터의 온도 조정 동작, 회전 기구에 의한 보트(13)의 회전 및 회전 속도 조절 동작, 승강 기구(16)에 의한 보트(13)의 승강 동작 등을 제어하도록 구성되어 있다. 또한, 본 실시 형태에 따르면, CPU(121a)는, 보트(13)를 처리 로(14)로부터 강하시켜서 소정 위치에 도달한 후, 보트(13)의 근방에 배치된 흡기부(25g, 25h)로부터 이동 탑재실(15)의 유체를 유로에 흡인시키고, 흡기부(25g, 25h)의 근방에 설치된 열교환기(25i, 25j)에 유체를 냉각시켜, 해당 냉각된 유체를 유로에 흘려 공급부(25f)로부터 이동 탑재실(15)에 배출시키도록 유체 순환 기구(25)를 제어하게 구성되어 있다. 이 처리 후의 웨이퍼(6)의 냉각(또는 이동 탑재실(15) 내의 온도 조정) 제어는, 프로세스 레시피에 내장되도록 구성되어 있지만, 프로세스 레시피에 내장하는 형태에 한정되지 않는다.The CPU 121a is configured to read and execute the control program from the storage device 121c and read the process recipe from the storage device 121c in response to input of an operation command from the input / output device 122. [ Then, the CPU 121a controls various kinds of gas flow adjustment operations by the MFC, valve opening and closing operations, opening and closing operations of the APC valve, pressure regulation by the APC valve based on the pressure sensor The operation of the vacuum pump, the start and stop of the vacuum pump, the temperature adjustment operation of the heater based on the temperature sensor, the rotation and rotation speed adjustment operation of the boat 13 by the rotation mechanism, And so on. According to the present embodiment, the CPU 121a descends the boat 13 from the processing furnace 14 and reaches the predetermined position, and then the intake units 25g and 25h, which are disposed in the vicinity of the boat 13, The fluid in the mobile mounting chamber 15 is sucked into the flow path and the fluid is cooled in the heat exchangers 25i and 25j provided in the vicinity of the suction portions 25g and 25h to flow the cooled fluid into the flow path, To the mobile mounting chamber 15, as shown in Fig. The control of the cooling of the wafer 6 after the treatment (or the temperature adjustment in the mobile mounting chamber 15) is embodied in the process recipe, but is not limited to the form embedded in the process recipe.

컨트롤러(121)는, 전용의 컴퓨터로서 구성되어 있는 경우에 한하지 않고, 범용의 컴퓨터로서 구성되어 있어도 된다. 예를 들어, 상술한 프로그램을 저장한 외부 기억 장치(예를 들어, 자기 테이프, 플렉시블 디스크나 하드 디스크 등의 자기 디스크, CD나 DVD 등의 광디스크, MO 등의 광자기 디스크, USB 메모리나 메모리 카드 등의 반도체 메모리)(123)를 준비하고, 이러한 외부 기억 장치(123)를 사용해서 범용의 컴퓨터에 프로그램을 인스톨하는 것 등에 의해, 본 실시 형태에 따른 컨트롤러(121)를 구성할 수 있다. 또한, 인터넷이나 전용 회선 등의 통신 수단을 사용하여, 외부 기억 장치(123)를 통하지 않고 프로그램을 공급하도록 해도 된다. 기억 장치(121c)나 외부 기억 장치(123)는, 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체로서 구성된다. 이하, 이들을 총칭하여, 간단히, 기록 매체라고도 한다. 본 명세서에서 기록 매체라는 말을 사용한 경우에는, 기억 장치(121c) 단체만을 포함하는 경우, 외부 기억 장치(123) 단체만을 포함하는 경우, 또는 그 양쪽을 포함하는 경우가 있다.The controller 121 is not limited to being configured as a dedicated computer, and may be configured as a general-purpose computer. (For example, a magnetic tape such as a magnetic tape such as a flexible disk or a hard disk, an optical disk such as a CD or a DVD, a magneto-optical disk such as an MO, a USB memory or a memory card The controller 121 according to the present embodiment can be configured by preparing a semiconductor memory (e.g., a semiconductor memory) 123 and installing the program on a general-purpose computer using the external storage device 123. [ The program may be supplied without using the external storage device 123 by using a communication means such as the Internet or a private line. The storage device 121c and the external storage device 123 are configured as a computer-readable recording medium. Hereinafter, these are collectively referred to simply as a recording medium. When the term recording medium is used in this specification, the case of including only the storage device 121c alone may include only the case of the external storage device 123, or both cases.

(3) 기판 처리 공정(3) Substrate processing step

이어서, 상술한 기판 처리 장치를 사용하여, 반도체 장치의 제조 공정의 일 공정으로서, 기판 상에 막을 형성하는 처리(이하, 성막 처리라고도 함)의 시퀀스 예에 대해서 설명한다. 여기에서는, 기판으로서의 웨이퍼(6)에 대하여, 제1 처리 가스(원료 가스)와 제2 처리 가스(반응 가스)를 교대로 공급함으로써, 웨이퍼(6) 상에 막을 형성하는 예에 대해서 설명한다.Next, a sequence example of a process of forming a film on a substrate (hereinafter, also referred to as a film forming process) will be described as one step of the manufacturing process of the semiconductor device using the substrate processing apparatus described above. Here, an example in which a film is formed on the wafer 6 by alternately supplying the first process gas (source gas) and the second process gas (reaction gas) to the wafer 6 as the substrate will be described.

이하, 원료 가스로서 헥사클로로디실란(Si2Cl6, 약칭: HCDS) 가스를 사용하고, 반응 가스로서 암모니아(NH3) 가스를 사용하여, 기판 상에 실리콘 질화막(Si3N4막, 이하, SiN막이라고도 함)을 형성하는 예에 대해서 설명한다. 또한, 이하의 설명에서, 기판 처리 장치를 구성하는 각 부의 동작은 컨트롤러(121)에 의해 제어된다.A silicon nitride film (Si 3 N 4 film, hereinafter abbreviated as Si 3 N 4 film) is formed on the substrate by using hexachlorodisilane (Si 2 Cl 6 , abbreviation: HCDS) gas as a raw material gas and ammonia (NH 3 ) , Or a SiN film) is formed on the substrate. In the following description, the operation of each unit constituting the substrate processing apparatus is controlled by the controller 121. [

본 실시 형태에서의 성막 처리에서는, 처리실(42)의 기판(6)에 대하여 HCDS 가스를 공급하는 공정과, 처리실로부터 HCDS 가스(잔류 가스)를 제거하는 공정과, 처리실(42)의 기판(6)에 대하여 NH3 가스를 공급하는 공정과, 처리실(42)로부터 NH3 가스(잔류 가스)를 제거하는 공정을 비동시에 행하는 사이클을 소정 횟수(1회 이상) 행함으로써, 기판(6) 상에 SiN막을 형성한다.In the film forming process in this embodiment, the process of supplying HCDS gas to the substrate 6 of the process chamber 42, the process of removing the HCDS gas (residual gas) from the process chamber, (One or more times) of performing the process of supplying the NH 3 gas to the process chamber 42 and the process of removing the NH 3 gas (residual gas) from the process chamber 42 at the same time, SiN film is formed.

또한, 본 명세서에서 「기판」이라는 말을 사용한 경우도, 「웨이퍼」라는 말을 사용한 경우와 동의이다.In the present specification, the term &quot; substrate &quot; is also used when the word &quot; wafer &quot; is used.

(웨이퍼 공급 공정)(Wafer supply step)

기판 처리 장치(1)에서 기판(6)에 대한 처리를 행하는 경우에는, 우선, 카세트 스테이지(5)에 복수매의 기판(6)을 수용한 카세트(2)를 적재한다. 그리고, 카세트 반송 장치(12)에 의해 카세트(2)를 카세트 스테이지(5)로부터 카세트 선반(7) 상에 이동 탑재한다.When the substrate processing apparatus 1 performs processing on the substrate 6, first, the cassette 2 containing a plurality of substrates 6 is loaded on the cassette stage 5. Then, the cassette 2 is moved from the cassette stage 5 onto the cassette shelf 7 by the cassette transfer device 12.

(반입전 이동 탑재 공정)(Transfer mounting process before transfer)

웨이퍼 이동 탑재 장치(8)의 웨이퍼 이동 탑재 기구(8a)가, 카세트(2)로부터 기판(6)을 취출한다. 그리고, 카세트(2)로부터 취출한 미처리 상태의 기판(6)을, 이동 탑재실(15) 내에 위치하는 보트(13)에 이동 탑재한다. 즉, 웨이퍼 이동 탑재 장치(8)는, 처리 로(14) 내에 반입하기 전의 보트(13)에 미처리 상태의 기판(6)을 장전하는 웨이퍼 차지 동작을 행한다. 이에 의해, 보트(13)는, 복수매의 기판(6)을 연직 방향으로 각각이 간격을 이루는 적층 상태로 보유 지지하게 된다. 보트(13)가 보유 지지해서 일괄 처리하는 기판(6)의 매수는, 예를 들어 25매 내지 100매이다. 이에 의해, 양산성을 높일 수 있다.The wafer moving and mounting mechanism 8a of the wafer transfer apparatus 8 takes out the substrate 6 from the cassette 2. [ Then, the untreated substrate 6 taken out from the cassette 2 is moved and mounted on the boat 13 located in the mobile loading room 15. [ That is, the wafer moving apparatus 8 performs a wafer charge operation for loading the unprocessed substrate 6 into the boat 13 before the wafer 14 is carried into the processing furnace 14. As a result, the boat 13 holds a plurality of substrates 6 in a stacked state in which they are spaced apart in the vertical direction. The number of boards 6 to be collectively processed by holding the boat 13 is, for example, 25 to 100 sheets. As a result, mass productivity can be enhanced.

(반입 공정)(Loading process)

웨이퍼 차지 동작 후에는, 승강 기구(16)의 승강 동작에 의해, 미처리 상태의 기판(6)을 복수매 보유 지지한 보트(13)를 처리 로(14) 내에 반입(보트 로딩)한다. 즉, 승강 기구(16)를 동작시켜서, 미처리 상태의 기판(6)을 보유 지지한 보트(13)를, 이동 탑재실(15) 내로부터 처리 로(14) 내에 반입한다. 이때, 냉각 벽(27)에 의해 처리 로(14) 내로부터의 복사열에 의한 이동 탑재실 패널의 온도 상승을 저감하여, 이동 탑재실(15) 내의 온도 유지 및 리커버리 시간의 단축을 도모할 수 있다.After the wafer charging operation, the boat 13 holding a plurality of substrates 6 in an unprocessed state is brought into the processing furnace 14 (boat loading) by the lifting and lowering operation of the lifting mechanism 16. That is, the lifting mechanism 16 is operated to bring the boat 13 holding the untreated substrate 6 into the processing furnace 14 from within the moving mounting chamber 15. At this time, by the cooling wall 27, the temperature rise of the moving installation room panel due to radiant heat from the processing furnace 14 is reduced, and the temperature in the moving installation room 15 and the recovery time can be shortened .

(압력 조정 및 온도 조정)(Pressure adjustment and temperature adjustment)

처리 로(14) 내, 즉, 기판(6)이 존재하는 공간(이후, 처리실이라고도 함)이 소정의 압력(진공도)으로 되도록 진공 배기(감압 배기)된다.(Vacuum-exhausted) so that the inside of the processing furnace 14, that is, the space where the substrate 6 exists (hereinafter, also referred to as the processing chamber) becomes a predetermined pressure (vacuum degree).

또한, 처리실(42)의 기판(6)이 소정의 온도로 되도록, 히터에 의해 가열된다. 이때, 처리실이 소정의 온도 분포가 되도록, 온도 센서가 검출한 온도 정보에 기초하여 히터에의 통전 상태가 피드백 제어된다. 히터에 의한 처리실(42)의 가열은, 적어도 기판(6)에 대한 처리가 종료될 때까지의 동안에는 계속해서 행하여진다.Further, the substrate 6 of the processing chamber 42 is heated by a heater so as to be at a predetermined temperature. At this time, the energization state to the heater is feedback-controlled based on the temperature information detected by the temperature sensor so that the treatment chamber has a predetermined temperature distribution. The heating of the processing chamber 42 by the heater is continuously performed at least until the processing on the substrate 6 is completed.

또한, 회전 기구에 의한 보트(13) 및 기판(6)의 회전을 개시한다. 회전 기구에 의해, 보트(13)가 회전됨으로써, 기판(6)이 회전된다. 회전 기구에 의한 보트(13) 및 기판(6)의 회전은, 적어도, 기판(6)에 대한 처리가 종료될 때까지의 동안에는 계속해서 행하여진다.Further, rotation of the boat 13 and the substrate 6 by the rotating mechanism is started. By rotation of the boat 13, the substrate 6 is rotated. The rotation of the boat 13 and the substrate 6 by the rotating mechanism is continuously performed at least until the processing on the substrate 6 is completed.

(성막 처리)(Film forming process)

처리실의 온도가 미리 설정된 처리 온도로 안정되면, 다음 2개의 스텝, 즉, 스텝 1 내지 2를 순차 실행한다.When the temperature of the processing chamber is stabilized at a predetermined processing temperature, the following two steps, that is, steps 1 and 2, are sequentially executed.

[스텝 1][Step 1]

이 스텝에서는, 처리실의 기판(6)에 대하여 HCDS 가스를 공급한다.In this step, HCDS gas is supplied to the substrate 6 in the treatment chamber.

웨이퍼(6)에 대하여 HCDS 가스를 공급함으로써, 기판(6)의 최표면 상에, 제1층으로서 실리콘(Si) 함유층이 형성된다.By supplying HCDS gas to the wafer 6, a silicon (Si) -containing layer is formed as the first layer on the outermost surface of the substrate 6. [

제1층이 형성된 후, HCDS 가스의 공급을 정지한다. 이때, 진공 펌프에 의해 처리실(42)을 진공 배기하여, 처리실(42) 내에 잔류하는 미반응 또는 제1층의 형성에 기여한 후의 HCDS 가스를 처리실(42)로부터 배출한다. 이때, N2 가스의 처리실(42)에의 공급을 유지한다. N2 가스는 퍼지 가스로서 작용하여, 이에 의해, 처리실(42)에 잔류하는 가스를 처리실(42)로부터 배출하는 효과를 높일 수 있다.After the first layer is formed, the supply of the HCDS gas is stopped. At this time, the processing chamber 42 is evacuated by a vacuum pump, and the HCDS gas remaining in the processing chamber 42 or contributing to the formation of the first layer is discharged from the processing chamber 42. At this time, the supply of N 2 gas to the processing chamber 42 is maintained. The N 2 gas acts as a purge gas, thereby enhancing the effect of discharging the gas remaining in the process chamber 42 from the process chamber 42.

[스텝 2][Step 2]

스텝 1이 종료된 후, 기판(6)에 대하여 공급된 NH3 가스는, 스텝 1에서 기판(6) 상에 형성된 제1층, 즉 Si 함유층의 적어도 일부와 반응한다. 이에 의해 제1층은, 논 플라스마로 열적으로 질화되어, Si 및 N을 포함하는 제2층, 즉, 실리콘 질화층(SiN층)으로 변화된다(개질된다).After Step 1 is completed, the NH 3 gas supplied to the substrate 6 reacts with at least a part of the first layer formed on the substrate 6 in Step 1, that is, the Si-containing layer. Thereby, the first layer is thermally nitrided with the non-plasma to be changed (modified) to a second layer containing Si and N, that is, a silicon nitride layer (SiN layer).

제2층이 형성된 후, NH3 가스의 공급을 정지한다. 그리고, 스텝 1과 마찬가지의 처리 수순에 의해, 처리실 내에 잔류하는 미반응 또는 제2층의 형성에 기여한 후의 NH3 가스나 반응 부생성물을 처리실 내로부터 배출한다.After the second layer is formed, the supply of the NH 3 gas is stopped. Then, the NH 3 gas or the reaction by-product which has been left unreacted in the treatment chamber or contributed to the formation of the second layer is discharged from the processing chamber by the same processing procedure as in Step 1.

(소정 횟수 실시)(A predetermined number of times)

상술한 2개의 스텝을 비동시에, 즉, 동기시키지 않고 행하는 사이클을 소정 횟수(n회) 행함으로써, 기판(6) 상에 소정 조성 및 소정 막 두께의 SiN막을 형성할 수 있다. 또한, 상술한 사이클은 복수회 반복하는 것이 바람직하다. 즉, 상술한 사이클을 1회 행할 때 형성되는 제2층(SiN층)의 두께를 소정의 막 두께보다도 작게 하여, 제2층(SiN층)을 적층함으로써 형성되는 SiN막의 막 두께가 소정의 막 두께로 될 때까지, 상술한 사이클을 복수회 반복하는 것이 바람직하다.It is possible to form a SiN film having a predetermined composition and a predetermined film thickness on the substrate 6 by performing the above-described two steps at the same time, that is, without performing the synchronization, a predetermined number of times (n times). It is also preferable that the above-described cycle is repeated a plurality of times. That is, the thickness of the second layer (SiN layer) formed when the above-described cycle is performed once is made smaller than the predetermined film thickness, and the thickness of the SiN film formed by laminating the second layer (SiN layer) It is preferable to repeat the above-described cycle a plurality of times until the thickness becomes small.

(퍼지 및 대기압 복귀)(Purge and atmospheric pressure return)

성막 처리가 완료된 후, 히터에 의한 가열을 정지하고, 처리가 끝난 상태의 기판(6)의 온도를 소정 온도까지 강온시킨다. 그리고, 미리 설정된 시간이 경과하면, N2 가스를 처리실(42) 내에 공급하고, 배기관으로부터 배기한다. N2 가스는 퍼지 가스로서 작용한다. 이에 의해, 처리실(42) 내가 퍼지되어, 처리실(42) 내에 잔류하는 가스나 반응 부생성물이 처리실(42) 내로부터 제거된다(퍼지). 그 후, 처리실(42) 내의 분위기가 불활성 가스로 치환되고(불활성 가스 치환), 처리실(42) 내의 압력이 상압으로 복귀된다(대기압 복귀).After the film forming process is completed, the heating by the heater is stopped, and the temperature of the processed substrate 6 is lowered to a predetermined temperature. Then, when a predetermined time has elapsed, N 2 gas is supplied into the processing chamber 42 and exhausted from the exhaust pipe. The N 2 gas acts as a purge gas. As a result, the processing chamber 42 is purged, and the gas or reaction by-products remaining in the processing chamber 42 are removed (purged) from within the processing chamber 42. Thereafter, the atmosphere in the process chamber 42 is replaced with an inert gas (inert gas substitution), and the pressure in the process chamber 42 is returned to atmospheric pressure (atmospheric pressure return).

(반출 공정)(Export process)

그 후에는, 승강 기구(16)의 승강 동작에 의해, 시일 캡(18)을 하강시켜서 매니폴드의 하단을 개구시킴과 함께, 처리가 끝난 상태의 기판(6)을 보유 지지한 보트(13)를 매니폴드의 하단으로부터 처리실(42) 밖으로 반출(보트언로딩)한다. 즉, 승강 기구(16)를 동작시켜서, 처리가 끝난 상태의 기판(6)을 보유 지지한 보트(13)를, 처리실(42) 내로부터 이동 탑재실(15) 내에 반출한다. 승강 기구(16)의 하강 중에는, 처리실(42) 내와 이동 탑재실(15)을 차폐하는 것이 없어지기 때문에, 냉각 벽(27)에 의해 이동 탑재실(15)의 패널의 온도 상승을 억제하면서, 보트(13)나 기판(6)으로부터 방출되는 대류 열을 유체 순환 기구(25)의 흡기부(25g, 25h)의 근방의 열교환기(25i, 25j)에 의해 효율적으로 장치 밖으로 방출한다. 이에 의해, 예기하지 못한 온도 분포의 치우침이 없어지고, 이동 탑재실(15) 내의 가장 고온이 되는 부분은 흡기부(25g, 25h) 주변이 되기 때문에, 제어 부재를 흡기부(25g, 25h)로부터 멀리 떨어뜨리거나, 또는 제어 부재로부터 흡입구(25g, 25h)를 멀리 떨어뜨림으로써, 제어 부재의 열에 의한 파손을 방지할 수 있다.Thereafter, the lower end of the manifold is lowered by lowering the seal cap 18 by the lifting and lowering operation of the lifting mechanism 16, and the boat 13 holding the processed substrate 6 is lifted, (Unloading the boat) out of the processing chamber 42 from the lower end of the manifold. That is, the lifting mechanism 16 is operated to move the boat 13 holding the processed substrate 6 into the moving and mounting chamber 15 from within the processing chamber 42. Since the inside of the process chamber 42 and the mobile mounting chamber 15 are not shielded during the descent of the lifting mechanism 16, the temperature rise of the panel of the mobile mounting chamber 15 is suppressed by the cooling wall 27 And the convection heat discharged from the boat 13 and the substrate 6 is efficiently discharged to the outside of the apparatus by the heat exchangers 25i and 25j in the vicinity of the intake portions 25g and 25h of the fluid circulation mechanism 25. [ As a result, unexpected temperature distribution is not shifted and the highest temperature portion in the mobile loading chamber 15 is around the intake portions 25g and 25h, so that the control member is moved from the intake portions 25g and 25h It is possible to prevent the control member from being damaged by heat by dropping it away or by moving the suction ports 25g and 25h away from the control member.

그리고, 보트(13)에 지지된 모든 기판(6)이 냉각될 때까지, 보트(13)를 소정 위치(후술하는 홈 위치)에서 대기시킨다. 또한, 보트(13)가 승강 기구(16)에 의해 처리실(42)로부터 반출하고 있는 동안에, 가스 공급관의 밸브(개폐 밸브)를 열어서 N2 가스(불활성 가스)를 공급하도록 해도 된다.Then, the boat 13 is kept waiting at a predetermined position (a home position to be described later) until all the substrates 6 supported by the boat 13 are cooled. The valve (opening / closing valve) of the gas supply pipe may be opened to supply N 2 gas (inert gas) while the boat 13 is being taken out of the process chamber 42 by the lifting mechanism 16.

(반출 후 이동 탑재 공정)(Moving and mounting process after unloading)

대기시킨 보트(13)의 기판(6)이 소정 온도(예를 들어 실온 정도)까지 차가워진 후에는, 웨이퍼 이동 탑재 장치(8)가, 보트(13)로부터의 기판(6)의 탈장을 행한다. 그리고, 보트(13)로부터 탈장한 처리가 끝난 상태의 기판(6)을, 카세트 선반(7)에 적재되어 있는 빈 카세트(2)에 반송해서 수용한다. 즉, 웨이퍼 이동 탑재 장치(8)는, 보트(13)가 보유 지지하는 처리가 끝난 상태의 웨이퍼(6)를, 당해 보트(13)로부터 취출해서 카세트(2)에 이동 탑재하는 웨이퍼 디스차지 동작을 행한다.After the substrate 6 of the waiting boat 13 is cooled to a predetermined temperature (for example, about room temperature), the wafer moving and carrying device 8 performs the hernment of the substrate 6 from the boat 13 . Then, the board 6 in a state in which the process of herding from the boat 13 is completed is carried to the empty cassette 2 loaded on the cassette shelf 7 and accommodated therein. That is, the wafer moving device 8 is configured to move the wafer 6 in a state in which the boat 13 is held by the boat 13, and move the wafer 6 to the cassette 2 .

그 후에는, 카세트 반송 장치(12)에 의해, 처리가 끝난 상태의 기판(6)을 수용한 카세트(2)를, 카세트 선반(7) 상으로부터 카세트 스테이지(5) 상에 반송한다.Thereafter, the cassette transport apparatus 12 transports the cassette 2 containing the processed substrate 6 onto the cassette stage 5 from the cassette shelf 7.

이와 같이 하여, 본 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(1)에 의한 기판 처리 공정의 일련의 처리 동작이 완료한다.In this way, a series of processing operations of the substrate processing process by the substrate processing apparatus 1 according to the present embodiment is completed.

<본 발명의 다른 실시 형태>&Lt; Another embodiment of the present invention >

유체 순환 기구의 형상이 변형되어도 흡입구의 근방에 열교환기를 설치함으로써 마찬가지의 효과를 얻을 수 있고, 냉각 벽에 대해서도 설치 장소나 형상을 변경해도 마찬가지의 효과를 얻을 수 있다.Even if the shape of the fluid circulation mechanism is deformed, a similar effect can be obtained by providing a heat exchanger in the vicinity of the suction port, and the same effect can be obtained even if the installation location and shape are changed for the cooling wall.

도 8의 기판 처리 장치는, 도입부로서의 덕트(25o, 25p)를 제외하고, 도 2의 기판 처리 장치와 마찬가지이다. 도 8에 도시한 바와 같이, 흡기부(25g, 25h)에 추가의 덕트(25o, 25p)를 설치하고, 도입구를 기판(6)에 보다 근접시킴으로써, 기판(6)으로부터의 방열의 촉진과 열교환 효율의 향상을 더욱 좋게 할 수 있다. 도 9에 도시한 바와 같이, 에어 플로우는 도 5와 거의 동일하고, 에어 플로우에의 영향은 거의 없다. 또한, 도 8, 도 9의 유체 순환 기구(25)에 있어서, 도입구를 기판(6)에 근접시킴으로써, 보다 고온의 기체를 흡입할 수 있어, 열교환기(25i, 25j)를 흡기부(25g, 25h)의 바로 근처에 둠으로써, 더욱 열교환의 효율을 향상시킬 수 있다.The substrate processing apparatus of Fig. 8 is the same as the substrate processing apparatus of Fig. 2, except for the ducts 25o and 25p as the introduction portions. The ducts 25o and 25p are provided in the intake portions 25g and 25h and the introduction port is brought closer to the substrate 6 to promote the heat radiation from the substrate 6 It is possible to further improve the heat exchange efficiency. As shown in Fig. 9, the air flow is almost the same as that in Fig. 5, and has little influence on the air flow. In addition, in the fluid circulating mechanism 25 shown in Figs. 8 and 9, by bringing the inlet in proximity to the substrate 6, it is possible to suck a gas having a higher temperature and heat the heat exchangers 25i and 25j to the intake portion 25g , 25h, it is possible to further improve the efficiency of heat exchange.

도 10에 도시한 바와 같이, 고 스루풋화를 위해서, 2개의 보트(13)를 처리실에 대하여 교대로 반출입하는, 소위 2 보트 장치(보트 체인저)(29)가 이동 탑재실(15)에 구비된다. 장치에 보트 체인저(29)를 구비해도, 보트 가동 영역(ROM)의 밖에 추가 덕트(25o, 25p)의 설치가 가능하여, 보트(13)와의 간섭은 피할 수 있다.10, a so-called two-boat apparatus (boat changer) 29 for taking in and taking out two boats 13 alternately with respect to the processing chamber is provided in the mobile loading room 15 for high throughput . Even if the apparatus is provided with the boat changer 29, it is possible to install additional ducts 25o and 25p outside the boat operating area (ROM), so that interference with the boat 13 can be avoided.

도 11에 도시한 바와 같이, 이동 탑재실(15)은, 냉각 벽(27) 대신에 후방(X축 -방향)에 이동 탑재실 도어(30)를 구비한다. 이동 탑재실 도어(30)는, 도 3의 기판 처리 장치의 이동 탑재실 도어와 달리, 이동 탑재실(15)로부터 이동 탑재실(15) 밖으로 이어지는 덕트(31)와, 이동 탑재실(15)로부터의 흡입구(32a, 32b), 그 덕트(31) 내에 설치된 열교환기(33a, 33b)와, 전동 배기 팬(34a, 34b)과, 토출구(35a, 35b)를 구비한다.As shown in Fig. 11, the mobile mounting chamber 15 is provided with a moving mounting room door 30 in the rear (X-axis direction) instead of the cooling wall 27. [ Unlike the movable mounting room door of the substrate processing apparatus of Fig. 3, the movable mounting room door 30 includes a duct 31 extending from the movable mounting room 15 to the movable mounting room 15, 32b provided in the duct 31, heat exchangers 33a, 33b provided in the duct 31, electric exhaust fans 34a, 34b and discharge ports 35a, 35b.

도 11에 도시한 바와 같이, 이동 탑재실 도어(30) 등을 도 2의 기판 처리 장치로부터 대폭 개조를 행해도 장치 성능에 큰 영향을 미치지 않는 부분에 전동 배기 팬(34a, 34b)을 추가함으로써, 웨이퍼(6)로부터의 방열의 촉진과 열교환 효율의 향상을 더욱 좋게 할 수 있다.As shown in Fig. 11, by adding motor-driven exhaust fans 34a and 34b to a portion that does not greatly affect the performance of the apparatus even when the mobile loading room door 30 or the like is greatly modified from the substrate processing apparatus of Fig. 2 , The heat radiation from the wafer 6 can be promoted and the heat exchange efficiency can be improved.

도 12에서는 도 2에 도시한 기판 처리 장치의 형태로, 보트(13)에 기판(6)을 31매 장전한 상태에서 행한 평가 결과를 나타내고 있다. 「직근 라디에이터」란, 흡기부(25g, 25h)의 근방의 열교환기(25i, 25j)를 말한다. 「수냉판」이란, 냉각 벽(27)을 말한다. 「강제 배기 덕트」는, 도 11의 이동 탑재실 도어(30)의 전동 배기 팬(34a, 34b)에 의해 이동 탑재실(15) 밖으로 배기하는 것을 말한다. 「이동 탑재실 내 최고온도」란, 이동 탑재실(15)에서의 순간적인 가장 높은 온도를 말하며, 가장 높은 온도가 되는 포인트에 고정하여, 분위기 온도를 측정한다.Fig. 12 shows the results of evaluation performed in the form of the substrate processing apparatus shown in Fig. 2, in which 31 pieces of the substrates 6 are loaded on the boat 13. Fig. The "rectilinear radiator" refers to the heat exchangers 25i, 25j in the vicinity of the intake portions 25g, 25h. The "water-cooled plate" refers to the cooling wall 27. Quot; forced exhaust duct &quot; means exhausting air out of the movable mounting chamber 15 by the motor-driven exhaust fans 34a and 34b of the movable mounting room door 30 in Fig. The &quot; maximum temperature in the mobile mounting chamber &quot; refers to the instantaneous highest temperature in the mobile mounting chamber 15, and is fixed at a point at which the highest temperature is reached, and the atmospheric temperature is measured.

No.00은, 노멀 상태(유체 순환 기구(25)로부터 열교환기(25i, 25j)를 제외한 경우에, 80℃에 도달하는 시간(냉각 시간)은 11분 11초, 이동 탑재실 내 최고 온도는 97.6℃이다.No. 00 shows the time (cooling time) at which the temperature reaches 80 占 폚 is 11 minutes and 11 seconds when the heat exchangers 25i and 25j are removed from the fluid circulation mechanism 25, Lt; / RTI &gt;

No.01은, No.00의 노멀 상태에 냉각 벽(27)을 추가한 경우에, 냉각 시간은 노멀 상태보다도 36초 단축되고, 이동 탑재실 내 최고 온도는 노멀 상태보다도 5.3℃ 낮아져 있다.In No. 01, when the cooling wall 27 is added to the normal state of No. 00, the cooling time is shorter by 36 seconds than in the normal state, and the maximum temperature in the mobile loading chamber is lower by 5.3 占 폚 than the normal state.

No.03은, No.00의 노멀 상태에 직근 라디에이터(열교환기(25i, 25j))를 추가한 경우에, 냉각 시간은 노멀 상태보다도 3분 3초 단축되고, 이동 탑재실 내 최고 온도는 노멀 상태보다도 9.3℃ 낮아진다.In No. 03, when the rectilinear radiator (heat exchanger 25i, 25j) is added to the normal state of No.00, the cooling time is shorter by 3 minutes and 3 seconds than in the normal state, 9.3 &lt; / RTI &gt;

No.04는, No.00의 노멀 상태에 냉각 벽(27)과 직근 라디에이터(열교환기(25i, 25j))를 추가한 경우에, 냉각 시간은 노멀 상태보다도 2분 54초 단축되고, 이동 탑재실 내 최고 온도는 노멀 상태보다도 23.9℃ 낮아진다. 냉각판과 직근 라디에이터 중 어느 한쪽보다도, 함께 사용하는 것이 보다 바람직하다.In No. 04, when the cooling wall 27 and the rectilinear radiator (heat exchangers 25i and 25j) are added to the normal state of No.00, the cooling time is shorter by 2 minutes and 54 seconds than the normal state, The maximum temperature in the room is 23.9 ° C lower than the normal condition. It is more preferable to use both of the cooling plate and the rectilinear radiator together.

No.02는, No.00의 노멀 상태에 강제 배기 덕트를 추가한 경우에, 냉각 시간은 노멀 상태의 절반으로 단축되지만, 이동 탑재실 내 최고 온도는 노멀 상태보다도 11.1℃ 높아진다. 단, 이동 탑재실 내 산소 농도는 19.8％ 증가한다. 기판(6)의 에지와 이동 탑재실 도어(30)의 덕트(흡입구(32a, 32b))를 140mm까지 근접시킴으로써, 냉각 시간이 절반으로 되어 있다. 이로부터, 도 8에 도시하는 바와 같이 유체 순환 기구(25)에 추가 덕트(25o, 25p)를 추가하는 것만으로도 효과가 있다.In No. 02, when the forced exhaust duct is added to the normal state of No. 00, the cooling time is shortened to half of the normal state, but the maximum temperature in the mobile loading chamber becomes 11.1 ° C higher than the normal state. However, the oxygen concentration in the mobile loading chamber increases by 19.8%. The cooling time is halved by bringing the edge of the substrate 6 and the ducts (inlet ports 32a and 32b) of the movable mounting room door 30 close to 140 mm. From this, it is effective to add additional ducts 25o and 25p to the fluid circulation mechanism 25 as shown in Fig.

도 13에서는 도 2에 도시한 기판 처리 장치의 형태로, 보트(13)에 기판(6)을 143매 장전한 상태에서 행한 평가 결과를 나타내고 있다. 도 14에서는 냉각 벽의 표면 온도 추이를 나타내고 있다.Fig. 13 shows the evaluation results obtained in the form of the substrate processing apparatus shown in Fig. 2, in which 143 boards 6 are loaded on the boat 13. Fig. Fig. 14 shows the surface temperature transition of the cooling wall.

No.00은, 노멀 상태(유체 순환 기구(25)로부터 열교환기(25i, 25j))를 제외한)의 경우에, 80℃에 도달하는 시간(냉각 시간)은 32분 43초, 이동 탑재실 내 최고 온도는 129.4℃이다.No. 00 shows the time (cooling time) reaching 80 占 폚 for 32 minutes and 43 seconds in the normal state (except for the heat exchangers 25i and 25j from the fluid circulation mechanism 25) The maximum temperature is 129.4 ℃.

No.01은, No.00의 노멀 상태에 냉각 벽(27)을 추가한 경우에, 냉각 시간은 노멀 상태보다도 2분 49초 단축되고, 이동 탑재실 내 최고 온도는 노멀 상태보다도 5.3℃ 낮아져 있다.In No. 01, when the cooling wall 27 is added to the normal state of No. 00, the cooling time is shorter by 2 minutes and 49 seconds than the normal state, and the maximum temperature in the mobile loading chamber is lower by 5.3 占 폚 than the normal state .

도 14에 도시한 바와 같이, Unload로부터 home의 동안(처리 로(14) 내로부터 보트(13)의 언로드가 개시되고(Unload), 이동 탑재실(15) 내의 홈(home) 위치로 복귀되는 동안)이 처리 로(14) 내와 이동 탑재실(15)이 동일 공간이 되는 시간으로, 최대 60℃/분으로 반사 패널 표면 온도(RP)가 상승한다. 냉각 벽 표면 온도(CW)도 상승한다. 이것은, 반사 패널 및 냉각 벽(27)은 복사열을 수취하고 있는 것을 나타내고 있다.As shown in Fig. 14, during the period of home from Unload (the unloading of the boat 13 from the processing line 14 is started (Unload) and the return to the home position in the mobile loading room 15 ) Rises in the reflection panel surface temperature RP at a maximum of 60 ° C / minute with the time in which the inside of the processing furnace 14 and the mobile loading chamber 15 become the same space. The cooling wall surface temperature (CW) also increases. This indicates that the reflection panel and the cooling wall 27 are receiving radiant heat.

보트(13)가 이동 탑재실(15)의 소정 위치로서의 홈 위치로 복귀되고, 처리 로(14) 내와 이동 탑재실(15)이 차단됨으로써 온도 상승이 정지된다. 냉각 벽 표면 온도(CW) 및 이동 탑재실(15) 내의 분위기 온도보다도 반사 패널 표면 온도(RP)가 더 높아, 처리 로(14) 내와 이동 탑재실(15)이 차단된 후, 반사 패널은 열을 방출하는 열원으로 되어 있다고 생각된다.The boat 13 is returned to the home position as the predetermined position of the mobile loading chamber 15 and the temperature rise is stopped by the inside of the processing furnace 14 and the mobile loading chamber 15 being shut off. The reflection panel surface temperature RP is higher than the cooling wall surface temperature CW and the atmosphere temperature in the mobile mounting chamber 15. After the inside of the processing furnace 14 and the mobile mounting chamber 15 are blocked, It is considered to be a heat source for emitting heat.

본 실시 형태에서는, 유체 순환 기구(25)로 냉각하기 때문에, 냉각 속도를 빠르게 하기 위해서 냉각 매체의 분출 유속을 높여서 기판(6)에 냉각 매체(에어/N2)의 분사에 의한 기판(6)을 냉각하는 방법과는 달리, 냉각 매체의 유속을 높일 필요가 없으므로, 웨이퍼 주변의 파티클이 날아 올라가거나, 기판(6)을 진동시켜 파티클을 발생시키거나, 또한 이동 탑재실(15)에의 온도 분포의 치우침을 발생시켜 제어 부품을 파손되게 하거나 하지 않는다.In this embodiment, since the substrate 6 is cooled by the fluid circulation mechanism 25, the substrate 6 is ejected with the cooling medium (air / N 2 ) by increasing the ejection flow rate of the cooling medium in order to increase the cooling rate, It is unnecessary to increase the flow rate of the cooling medium, so that the particles around the wafer are blown up, the substrate 6 is vibrated to generate particles, and the temperature distribution in the mobile mounting chamber 15 So that the control component is not damaged.

본 실시 형태에서는 냉각 벽(27)에 의해 이동 탑재실(15)에의 복사에 의한 열 누설을 저감할 수 있기 때문에, 처리 로(14) 내로부터의 기판(6)의 반입(반출)에 많은 시간이 걸려 처리 로(14) 내와 이동 탑재실(15)이 동일 공간으로 되어 있는 시간이 길어져버리는 종형 장치이어도, 이동 탑재실(15)의 온도 분포의 치우침을 저감할 수 있다.The heat leakage due to the radiation to the movable mounting chamber 15 can be reduced by the cooling wall 27 in the present embodiment so that it takes a long time for the substrate 6 to be carried in (out) from the processing furnace 14 It is possible to reduce the unevenness of the temperature distribution in the mobile mounting chamber 15 even in the vertical apparatus in which the time taken for the inside of the processing furnace 14 and the mobile loading chamber 15 to become the same becomes long.

본 실시 형태에서는, 흡입구(흡기부)(25g, 25h) 근방에 열교환기(25i, 25j)를 구비하므로, 덕트 내(유로)를 기체가 이동하는 동안에 덕트 자체(배관)로 열이 이동하여, 열교환기(25i, 25j)를 통과할 때까지 이동 탑재실(15)(장치 내의 기타 부재를 포함) 내에 열이 확산되어버리는 것을 억제할 수 있다.In the present embodiment, since the heat exchangers 25i and 25j are provided in the vicinity of the intake ports (intake portions) 25g and 25h, heat is moved to the duct itself (piping) while the gas moves in the duct, It is possible to prevent the heat from being diffused into the mobile mounting chamber 15 (including other members in the apparatus) until it passes through the heat exchangers 25i and 25j.

본 실시 형태에 따르면, 웨이퍼 근방에 급 배기구를 설치하는 것이 아니므로, 장치의 메인터넌스성이 나빠져 장치 운용 후의 생산 능력 저하를 야기할 가능성이 적다. 즉, 기판(6)을 처리한 후, 보트(13)의 기판(6)을 소정 온도(예를 들어 실온 정도)까지 빠르게 냉각시킬 수 있으므로, 보트(13)로부터 처리 완료 기판(6)을 당해 보트(13)로부터 취출해서 카세트(2)에 이동 탑재하는 웨이퍼 디스차지 동작으로 바로 이행할 수 있다.According to the present embodiment, since the supply and exhaust port is not provided in the vicinity of the wafer, the maintenance of the apparatus is deteriorated and the possibility of causing a decrease in the production capacity after the apparatus operation is small. That is, after the substrate 6 is processed, the substrate 6 of the boat 13 can be rapidly cooled to a predetermined temperature (for example, about room temperature) It is possible to jump directly to the wafer dispensing operation taken out of the boat 13 and moved and mounted on the cassette 2. [

본 실시 형태에 따르면, 효율적인 장치 밖으로의 방열을 행할 수 있기 때문에, 이동 탑재실(15)의 온도를 일정하게 유지할 수 있다. 또한, 이동 탑재실(15)의 온도를 일정하게 유지할 수 있음으로써, 기판(6)으로부터의 방열을 촉진해서 냉각 시간을 단축할 수 있다. 또한, 이동 탑재실(15)의 온도를 일정하게 유지할 수 있음으로써, 이동 탑재실(15)에서의 자연 산화막 성장의 리스크를 경감할 수 있다. 또한, 이동 탑재실(15)의 온도 분포에 예기하지 못한 치우침이 일어나는 리스크를 현저하게 경감할 수 있기 때문에, 제어 부재의 열에 의한 파손을 방지할 수 있다. 또한, 순환 덕트 내에 열교환기(25i, 25j, 25l)를 설치하고, 이동 탑재실 도어에 냉각 벽(27)을 설치하는 것이기 때문에, 장치의 메인터넌스나 이동 탑재실(15) 환경(에어 플로우, 산소 농도 등)에의 영향을 적게 할 수 있다.According to the present embodiment, since the heat can be efficiently discharged to the outside of the apparatus, the temperature of the mobile mounting chamber 15 can be kept constant. In addition, since the temperature of the mobile mounting chamber 15 can be kept constant, the heat radiation from the substrate 6 can be promoted and the cooling time can be shortened. In addition, since the temperature of the mobile mounting chamber 15 can be kept constant, the risk of natural oxide film growth in the mobile mounting chamber 15 can be reduced. Further, since the risk of unexpected bias occurring in the temperature distribution of the mobile mounting chamber 15 can be remarkably reduced, breakage of the control member due to heat can be prevented. Since the heat exchangers 25i, 25j and 25l are provided in the circulating duct and the cooling walls 27 are provided on the moving mounting room door, the maintenance of the apparatus and the environment of the moving and mounting room 15 Concentration, etc.) can be reduced.

이상, 본 발명의 실시 형태를 구체적으로 설명하였다. 그러나, 본 발명은 상술한 실시 형태에 한정되는 것은 아니며, 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 다양하게 변경 가능하다.The embodiments of the present invention have been described in detail above. However, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and can be variously changed without departing from the gist of the present invention.

본 실시 형태는, 반도체 제조 장치뿐만 아니라 LCD 장치와 같은 유리 기판을 처리하는 장치에서도 적용할 수 있다. 또한, 본 실시 형태에서는, 기판에 막을 퇴적시키는 예에 대해서 설명했지만, 본 발명은 이러한 형태에 한정되지 않는다. 예를 들어, 산화 처리, 확산 처리, 어닐 처리 등의 처리를 행하는 경우에도, 적합하게 적용 가능하다.This embodiment can be applied not only to a semiconductor manufacturing apparatus but also to an apparatus for processing a glass substrate such as an LCD apparatus. In the present embodiment, an example of depositing a film on a substrate has been described, but the present invention is not limited to this. For example, the present invention can be suitably applied to the case of performing the oxidation treatment, the diffusion treatment, the annealing treatment and the like.

1 : 기판 처리 장치 6 : 웨이퍼
13 : 보트 14 : 처리 로
15 : 이동 탑재실 16 : 승강 기구
25 : 유체 순환 기구 25g, 25h : 흡입구
25i, 25j, 25l : 열교환기 121 : 컨트롤러1: substrate processing apparatus 6: wafer
13: boat 14:
15: mobile mounting chamber 16: lifting mechanism
25: fluid circulation mechanism 25g, 25h: inlet
25i, 25j, 25l Heat exchanger 121 Controller

Claims (11)

복수매의 기판이 적재된 기판 보유 지지구가 반입 및 반출되는 반응 로와,
상기 반응 로의 하측에 설치되고, 상기 기판 보유 지지구가 소정 위치에 배치되는 예비실과,
상기 반응 로와 상기 예비실의 사이에 상기 기판 보유 지지구를 승강시키는 승강 기구와,
상기 예비실의 유체를 흡인하는 흡기부와, 상기 흡기부에서부터 공급부까지의 상기 유체가 흐르는 유로를 구성하는 배관부와, 상기 유로에 설치되어 상기 유체를 냉각하는 냉각 기구를 구비한 유체 순환 기구와,
상기 기판 보유 지지구를 상기 반응 로로부터 강하시켜 상기 소정 위치에 도달시키고, 상기 흡기부로부터 흡인된 상기 유체를 상기 유로에 순환시켜, 상기 공급부로부터 상기 예비실에 공급시키도록 상기 유체 순환 기구, 상기 승강 기구를 각각 제어하는 제어부를 포함하고,
상기 유체 순환 기구는, 상기 흡기부와 상기 냉각 기구를 인접하도록 설치하여, 상기 흡기부로부터 도입된 유체를 상기 유로에 순환시키기 전에 상기 냉각 기구로 냉각하도록 구성되어 있는 기판 처리 장치.A reaction furnace in which a substrate holding support having a plurality of substrates mounted thereon is carried in and out,
A preliminary chamber provided below the reaction furnace and in which the substrate holding support is disposed at a predetermined position,
A lifting mechanism for lifting the substrate holding support between the reaction furnace and the preliminary chamber,
A fluid circulating mechanism provided with a piping portion constituting a flow path from the intake portion to the supply portion and a cooling mechanism installed in the flow path to cool the fluid; ,
The fluid circulation mechanism, the fluid circulation mechanism, and the fluid circulation mechanism are arranged so that the substrate holding support plate is lowered from the reaction furnace to reach the predetermined position and the fluid sucked from the inlet portion is circulated in the flow passage, And a control unit for controlling each of the elevating mechanisms,
Wherein the fluid circulation mechanism is provided so that the intake portion and the cooling mechanism are disposed adjacent to each other and that the fluid introduced from the intake portion is cooled by the cooling mechanism before circulating the fluid in the flow path. 제1항에 있어서,
상기 흡기부는, 상기 예비실의 고온 부분에 배치되어, 상기 고온 부분을 국소적으로 흡인 가능하게 구성되어 있는, 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the intake portion is disposed at a high temperature portion of the reserve chamber and is configured to be capable of locally sucking the high temperature portion. 제1항에 있어서,
상기 흡기부는, 상기 기판 보유 지지구의 수직방향에서 중간 부분에 배치되도록 구성되는, 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the intake portion is configured to be disposed at an intermediate portion in the vertical direction of the substrate holding support. 제2항에 있어서,
상기 흡기부는, 상기 예비실의 상부에 설치되도록 구성되는, 기판 처리 장치.3. The method of claim 2,
Wherein the intake unit is configured to be installed on an upper portion of the preliminary chamber. 제1항에 있어서,
상기 유체 순환 기구는, 상기 흡기구 및 상기 냉각 기구가 각각 복수 설치되도록 구성되어 있는, 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the fluid circulation mechanism is configured such that a plurality of the inlet port and the cooling mechanism are respectively installed. 제1항에 있어서,
상기 유체 순환 기구는, 상기 냉각 기구에 의해 냉각된 상기 유체를 순환시키도록 구성되어 있는, 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the fluid circulation mechanism is configured to circulate the fluid cooled by the cooling mechanism. 제1항에 있어서,
상기 예비실의 각 측벽에 설치되는 패널 부근에 내부에 냉매를 흘리는 유통로가 배치되어 있는 냉각부를 더 포함하고,
상기 냉각부는, 상기 기판 보유 지지구의 승강 시에, 상기 반응 로 내로부터의 복사열에 의한 상기 패널의 온도 상승을 경감하도록 구성되어 있는, 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Further comprising a cooling section in the vicinity of a panel provided on each side wall of the preliminary chamber, in which a flow passage for flowing a refrigerant is disposed,
Wherein the cooling section is configured to reduce a temperature rise of the panel due to radiant heat from the inside of the reaction furnace when the substrate holding and lowering section is moved up and down. 제1항에 있어서,
상기 흡기부에 설치되는 도입부를 더 포함하고,
상기 유체 순환 기구는, 상기 도입부의 도입구를 상기 기판에 접근시키도록 구성되어 있는, 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
And an inlet portion provided in the intake portion,
Wherein the fluid circulation mechanism is configured to bring the introduction port of the introduction section toward the substrate. 복수매의 기판이 적재된 기판 보유 지지구가 반입 및 반출되는 반응 로와,
상기 반응 로의 하측에 설치되고, 상기 기판 보유 지지구가 소정 위치에 배치되는 예비실과,
상기 반응 로와 상기 예비실의 사이에 상기 기판 보유 지지구를 승강시키는 승강 기구와,
상기 예비실의 유체를 흡인하는 흡기부와, 상기 흡기부에서부터 공급부까지의 상기 유체가 흐르는 유로를 구성하는 배관부와, 상기 유로에 설치되어 상기 유체를 냉각하는 냉각 기구를 갖도록 구성되어 있는 유체 순환 기구를 포함하는 기판 처리 장치를 제어하는 컴퓨터에서 실행되는 프로그램으로서,
상기 기판 보유 지지구에 적재된 기판을 처리하는 단계와,
상기 기판 보유 지지구를 상기 반응로로부터 강하시켜 소정 위치에 도달하는 단계와,
상기 흡기부로부터 상기 예비실의 유체를 상기 유로에 흡인시키는 단계와,
상기 흡기부로부터 도입된 유체를 상기 유로에 순환시키기 전에 상기 흡기부와 상기 냉각 기구를 인접하도록 설치된 상기 냉각 기구로 상기 유체를 냉각시켜, 상기 냉각된 유체를 상기 유로에 순환시켜서 상기 공급부로부터 상기 예비실에 배출시키는 단계,
를 상기 컴퓨터에 의해 기판 처리 장치에 실행시키기 위하여 매체에 기록된 프로그램.A reaction furnace in which a substrate holding support having a plurality of substrates mounted thereon is carried in and out,
A preliminary chamber provided below the reaction furnace and in which the substrate holding support is disposed at a predetermined position,
A lifting mechanism for lifting the substrate holding support between the reaction furnace and the preliminary chamber,
An inlet portion for sucking the fluid in the preliminary chamber; a piping portion constituting a flow path for the fluid from the inlet portion to the supply portion; and a cooling mechanism for cooling the fluid, A program executed in a computer for controlling a substrate processing apparatus including a mechanism,
Processing the substrate loaded on the substrate holder support,
A step of dropping the substrate holder from the reactor to reach a predetermined position,
Sucking the fluid in the preliminary chamber from the intake portion into the flow path,
Wherein the cooling mechanism is provided with a cooling mechanism provided adjacent to the intake unit and the cooling mechanism so as to circulate the cooled fluid through the flow path before circulating the fluid introduced from the intake unit to the flow path, A step of discharging it to the yarn,
To the substrate processing apparatus by the computer. 예비실의 유체를 흡인하는 흡기부와,
상기 흡기부에서부터, 상기 유체를 상기 예비실에 공급하도록 구성된 공급부까지의 상기 유체가 흐르는 유로를 구성하는 배관부와,
상기 배관부 내에 설치되어 상기 유체를 냉각하는 냉각 기구를 포함하고,
상기 흡기부와 상기 냉각 기구를 인접하도록 설치하여, 상기 흡기부로부터 도입된 유체를 상기 유로에 순환시키기 전에 상기 냉각 기구로 냉각하도록 구성되어 있는 유체 순환 기구.An intake part for sucking the fluid in the reserve room,
A piping section constituting a flow path through which the fluid flows from the intake section to a supply section configured to supply the fluid to the preliminary chamber;
And a cooling mechanism installed in the piping portion to cool the fluid,
Wherein the intake unit and the cooling mechanism are provided so as to be adjacent to each other, and the cooling mechanism is configured to cool the fluid introduced from the intake unit before circulating the fluid through the flow path. 복수매의 기판이 적재된 기판 보유 지지구가 반응 로를 반입하는 반입 공정과,
상기 기판 보유 지지구에 적재된 기판을 처리하는 처리 공정과,
상기 기판 보유 지지구에 적재된 기판을 반응 로로부터 예비실에 반출하는 반출 공정과,
예비실의 유체를 흡인하는 흡기부와, 상기 흡기부에서부터 공급부까지의 상기 유체가 흐르는 유로를 구성하는 배관부와, 상기 배관부 내에 설치되어 상기 유체를 냉각하는 냉각 기구를 구비한 유체 순환 기구에 의해, 상기 예비실 및 상기 예비실에 반출된 상기 기판 보유 지지구에 보유 지지된 기판을 냉각하는 냉각 공정,
을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법으로서,
상기 냉각 공정은,
상기 흡기부로부터 상기 예비실의 유체를 상기 유로에 흡인시키는 공정과,
상기 흡기부로부터 도입된 유체를 상기 유로에 순환시키기 전에 상기 흡기부와 상기 냉각 기구를 인접하도록 설치된 상기 냉각 기구로 상기 유체를 냉각시켜, 해당 냉각된 상기 유체를 상기 유로에 순환시켜서 상기 공급부로부터 상기 예비실에 배출시키는 공정,
을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.A carrying-in step in which a substrate holding support on which a plurality of substrates are loaded,
A processing step of processing the substrate loaded on the substrate holding support,
A carrying-out step of taking out the substrate stacked on the substrate holding support area from the reaction furnace to the spare room,
A fluid circulating mechanism having a pipe portion constituting a flow path through which the fluid flows from the intake portion to a supply portion and a cooling mechanism provided in the pipe portion for cooling the fluid, A cooling step of cooling the substrate held in the preliminary chamber and the substrate holding region taken out of the preliminary chamber,
A method of manufacturing a semiconductor device,
In the cooling step,
A step of sucking the fluid in the preliminary chamber from the intake portion into the flow path,
Wherein the cooling mechanism is provided with a cooling mechanism provided adjacent to the intake unit and the cooling mechanism to circulate the cooled fluid to the flow path before circulating the fluid introduced from the intake unit to the flow path, A step of discharging the mixture into a preliminary chamber,
Wherein the semiconductor device is a semiconductor device.
KR1020170098106A 2016-08-04 2017-08-02 Substrate processing apparatus, program, fluid circulation mechanism, and manufacturing method of semiconductor device KR102012557B1 (en)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2016-153823 2016-08-04
JP2016153823 2016-08-04
JPJP-P-2017-116796 2017-06-14
JP2017116796A JP6951129B2 (en) 2016-08-04 2017-06-14 Substrate processing equipment, programs and fluid circulation mechanisms, and methods for manufacturing semiconductor equipment

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180016294A true KR20180016294A (en) 2018-02-14
KR102012557B1 KR102012557B1 (en) 2019-08-20

Family

ID=61194188

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170098106A KR102012557B1 (en) 2016-08-04 2017-08-02 Substrate processing apparatus, program, fluid circulation mechanism, and manufacturing method of semiconductor device

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP6951129B2 (en)
KR (1) KR102012557B1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115595555A (en) * 2021-07-09 2023-01-13 株式会社国际电气（Jp） Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and recording medium

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6980125B2 (en) * 2018-09-25 2021-12-15 株式会社Kokusai Electric Manufacturing method of substrate processing equipment and semiconductor equipment

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006103978A1 (en) 2005-03-28 2006-10-05 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate treating apparatus and semiconductor device manufacturing method
KR20110033482A (en) * 2009-09-25 2011-03-31 주식회사 티지솔라 Batch type apparatus for forming epitaxial layer and method for the same
KR20110112074A (en) * 2010-04-06 2011-10-12 삼성전자주식회사 Apparatus and method for treating substates
JP2012079907A (en) 2010-10-01 2012-04-19 Hitachi Kokusai Electric Inc Substrate processing apparatus and manufacturing method of semiconductor device
KR20120092057A (en) * 2011-02-10 2012-08-20 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Thermal treatment apparatus and thermal treatment method
JP2014060327A (en) 2012-09-19 2014-04-03 Hitachi Kokusai Electric Inc Substrate processing apparatus, substrate processing method, and manufacturing method of semiconductor device

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0569943U (en) * 1991-12-25 1993-09-21 株式会社ディスコ Heat treatment equipment
JP3593025B2 (en) * 2000-12-06 2004-11-24 東京エレクトロン株式会社 Heat treatment apparatus and cooling method of loading chamber
JP2003282446A (en) * 2002-03-27 2003-10-03 Hitachi Kokusai Electric Inc Semiconductor manufacturing equipment

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006103978A1 (en) 2005-03-28 2006-10-05 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate treating apparatus and semiconductor device manufacturing method
KR20110033482A (en) * 2009-09-25 2011-03-31 주식회사 티지솔라 Batch type apparatus for forming epitaxial layer and method for the same
KR20110112074A (en) * 2010-04-06 2011-10-12 삼성전자주식회사 Apparatus and method for treating substates
JP2012079907A (en) 2010-10-01 2012-04-19 Hitachi Kokusai Electric Inc Substrate processing apparatus and manufacturing method of semiconductor device
KR20120092057A (en) * 2011-02-10 2012-08-20 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Thermal treatment apparatus and thermal treatment method
JP2014060327A (en) 2012-09-19 2014-04-03 Hitachi Kokusai Electric Inc Substrate processing apparatus, substrate processing method, and manufacturing method of semiconductor device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115595555A (en) * 2021-07-09 2023-01-13 株式会社国际电气（Jp） Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and recording medium

Also Published As

Publication number Publication date
KR102012557B1 (en) 2019-08-20
JP6951129B2 (en) 2021-10-20
JP2018026535A (en) 2018-02-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11512392B2 (en) Substrate processing apparatus
US11124873B2 (en) Substrate processing apparatus
US20160013084A1 (en) Apparatus and Method for Pre-Baking Substrate Upstream of Process Chamber
US20120083120A1 (en) Substrate processing apparatus and method of manufacturing a semiconductor device
US20170092518A1 (en) Substrate processing apparatus
TWI709163B (en) Substrate processing device, semiconductor device manufacturing method and program
KR102127583B1 (en) Substrate processing device, manufacturing method of semiconductor device and recording medium
JP2009010009A (en) Substrate processing apparatus and fabrication process of semiconductor device
KR20090084680A (en) Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device
US20110239937A1 (en) Apparatus and method for treating substrate
JP7000393B2 (en) Manufacturing method of substrate processing equipment, gas box and semiconductor equipment
KR102012557B1 (en) Substrate processing apparatus, program, fluid circulation mechanism, and manufacturing method of semiconductor device
JP2013026509A (en) Heat treatment apparatus
US11404291B2 (en) Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device
US11694907B2 (en) Substrate processing apparatus, recording medium, and fluid circulation mechanism
KR20170007611A (en) Semiconductor apparatus of furnace type, cleaning method of the same, and method of forming thin film using the same
KR102444876B1 (en) Substrate treating apparatus
JP7079317B2 (en) Substrate processing equipment, semiconductor equipment manufacturing methods and programs
JP6795675B2 (en) Substrate processing equipment, semiconductor equipment manufacturing methods and programs
JP6680895B2 (en) Substrate processing apparatus, semiconductor device manufacturing method, and program
KR20200108467A (en) Processing device, exhaust system, manufacturing method of semiconductor device
US20200291516A1 (en) Substrate processing apparatus
JP6224263B2 (en) Substrate processing apparatus, semiconductor device manufacturing method, and program

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant