KR20180008851A - Composition for forming solar cell and electrode prepared using the same - Google Patents
Composition for forming solar cell and electrode prepared using the same Download PDFInfo
- Publication number
- KR20180008851A KR20180008851A KR1020180005276A KR20180005276A KR20180008851A KR 20180008851 A KR20180008851 A KR 20180008851A KR 1020180005276 A KR1020180005276 A KR 1020180005276A KR 20180005276 A KR20180005276 A KR 20180005276A KR 20180008851 A KR20180008851 A KR 20180008851A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- composition
- solar cell
- forming
- cell electrode
- glass frit
- Prior art date
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 80
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- 238000003795 desorption Methods 0.000 claims description 10
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 10
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 6
- WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N butane-1,4-diol Chemical compound OCCCCO WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- HYBBIBNJHNGZAN-UHFFFAOYSA-N furfural Chemical compound O=CC1=CC=CO1 HYBBIBNJHNGZAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 5
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 claims description 5
- UWHCKJMYHZGTIT-UHFFFAOYSA-N Tetraethylene glycol, Natural products OCCOCCOCCOCCO UWHCKJMYHZGTIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 claims description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 claims description 4
- DNIAPMSPPWPWGF-VKHMYHEASA-N (+)-propylene glycol Chemical compound C[C@H](O)CO DNIAPMSPPWPWGF-VKHMYHEASA-N 0.000 claims description 3
- YPFDHNVEDLHUCE-UHFFFAOYSA-N 1,3-propanediol Substances OCCCO YPFDHNVEDLHUCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 claims description 3
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011133 lead Substances 0.000 claims description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000049 pigment Substances 0.000 claims description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229920000166 polytrimethylene carbonate Polymers 0.000 claims description 3
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 claims description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011135 tin Substances 0.000 claims description 3
- ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol Chemical compound OCCOCCOCCO ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 3
- ALQSHHUCVQOPAS-UHFFFAOYSA-N Pentane-1,5-diol Chemical compound OCCCCCO ALQSHHUCVQOPAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000012963 UV stabilizer Substances 0.000 claims description 2
- 239000013530 defoamer Substances 0.000 claims description 2
- RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N propylene carbonate Chemical compound CC1COC(=O)O1 RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229940032159 propylene carbonate Drugs 0.000 claims description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 9
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 13
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 9
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 7
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 5
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 5
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 4
- ZHNUHDYFZUAESO-UHFFFAOYSA-N Formamide Chemical compound NC=O ZHNUHDYFZUAESO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910007472 ZnO—B2O3—SiO2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 4
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 3
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 3
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOCCOC(C)=O VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SVTBMSDMJJWYQN-UHFFFAOYSA-N 2-methylpentane-2,4-diol Chemical compound CC(O)CC(C)(C)O SVTBMSDMJJWYQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- KZVBBTZJMSWGTK-UHFFFAOYSA-N 1-[2-(2-butoxyethoxy)ethoxy]butane Chemical compound CCCCOCCOCCOCCCC KZVBBTZJMSWGTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CRWNQZTZTZWPOF-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-4-phenylpyridine Chemical compound C1=NC(C)=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 CRWNQZTZTZWPOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N Abietic-Saeure Natural products C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- UDSFAEKRVUSQDD-UHFFFAOYSA-N Dimethyl adipate Chemical compound COC(=O)CCCCC(=O)OC UDSFAEKRVUSQDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000896 Ethulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001859 Ethyl hydroxyethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N Rosin Natural products O(C/C=C/c1ccccc1)[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O1 KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N 0.000 description 1
- JUGMVQZJYQVQJS-UHFFFAOYSA-N [B+3].[O-2].[Zn+2] Chemical compound [B+3].[O-2].[Zn+2] JUGMVQZJYQVQJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CXQWKGNHDJQFRH-UHFFFAOYSA-N [B+3].[O-2].[Zn+2].[Bi+]=O.[O-2].[O-2] Chemical compound [B+3].[O-2].[Zn+2].[Bi+]=O.[O-2].[O-2] CXQWKGNHDJQFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JCLDIQCCVGVPCA-UHFFFAOYSA-N [O-2].[Al+3].[Si+2]=O.[B+]=O.[Bi+]=O Chemical compound [O-2].[Al+3].[Si+2]=O.[B+]=O.[Bi+]=O JCLDIQCCVGVPCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NBAQDKHMGIHRAK-UHFFFAOYSA-N [O-2].[Al+3].[Si+2]=O.[B+]=O.[O-2].[Zn+2].[Bi+]=O Chemical compound [O-2].[Al+3].[Si+2]=O.[B+]=O.[O-2].[Zn+2].[Bi+]=O NBAQDKHMGIHRAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TXDRMFQQROPOKK-UHFFFAOYSA-N [Si+2]=O.[B+]=O.[O-2].[Zn+2] Chemical compound [Si+2]=O.[B+]=O.[O-2].[Zn+2] TXDRMFQQROPOKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FSGWARMPKAALIP-UHFFFAOYSA-N [Si]=O.[B]=O.[Bi]=O Chemical compound [Si]=O.[B]=O.[Bi]=O FSGWARMPKAALIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZTGNBIINUWNGMI-UHFFFAOYSA-N [Si]=O.[Bi]=O Chemical compound [Si]=O.[Bi]=O ZTGNBIINUWNGMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 acrylic ester Chemical class 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 description 1
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 1
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000006184 cosolvent Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229940028356 diethylene glycol monobutyl ether Drugs 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000002003 electrode paste Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 235000019326 ethyl hydroxyethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 229940051250 hexylene glycol Drugs 0.000 description 1
- 238000007603 infrared drying Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229940032007 methylethyl ketone Drugs 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N oxolane-2,4-dione Chemical compound O=C1COC(=O)C1 JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- WVDDGKGOMKODPV-ZQBYOMGUSA-N phenyl(114C)methanol Chemical compound O[14CH2]C1=CC=CC=C1 WVDDGKGOMKODPV-ZQBYOMGUSA-N 0.000 description 1
- 229920001083 polybutene Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N sodium oxide Chemical compound [O-2].[Na+].[Na+] KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 1
- KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N trans-cinnamyl beta-D-glucopyranoside Natural products OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OCC=CC1=CC=CC=C1 KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000326 ultraviolet stabilizing agent Substances 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
- UVFOVMDPEHMBBZ-UHFFFAOYSA-N zinc oxosilicon(2+) oxygen(2-) Chemical compound [Si+2]=O.[O-2].[Zn+2].[O-2] UVFOVMDPEHMBBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/14—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material
- H01B1/16—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material the conductive material comprising metals or alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
Description
본 발명은 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 태양전지 전극에 관한 것이다. The present invention relates to a composition for forming a solar cell electrode and a solar cell electrode made therefrom.
태양전지는 태양광의 포톤(photon)을 전기로 변환시키는 pn 접합의 광전 효과를 이용하여 전기 에너지를 발생시킨다. 태양전지는 pn 접합이 구성되는 반도체 웨이퍼 또는 기판 상·하면에 각각 전면 전극과 후면 전극이 형성되어 있다. 태양전지는 반도체 웨이퍼에 입사되는 태양광에 의해 pn 접합의 광전 효과가 유도되고, 이로부터 발생된 전자들이 전극을 통해 외부로 흐르는 전류를 제공한다. 이러한 태양전지의 전극은 전극 형성용 조성물의 도포, 패터닝 및 소성에 의해, 웨이퍼 표면에 형성될 수 있다.Solar cells generate electrical energy by using the photoelectric effect of pn junction that converts photon of sunlight into electricity. The solar cell is formed with a front electrode and a rear electrode on a semiconductor wafer or a substrate on which a pn junction is formed. The photovoltaic effect of the pn junction is induced in the solar cell by the sunlight incident on the semiconductor wafer, and the electrons generated from the pn junction provide a current flowing to the outside through the electrode. The electrode of such a solar cell can be formed on the surface of the wafer by applying, patterning and firing the composition for electrode formation.
태양전지 전극 형성용 조성물을 기판상에 인쇄하는 방법은 크게 그라비아 옵셋 인쇄법과 스크린 인쇄법으로 나눌 수 있다. 특히, 전극 형성용 조성물을 기판상에 인쇄시 미세선폭으로 인쇄가 가능하면서 높은 종횡비를 가질 수 있는 전극 형성용 조성물을 사용하는 것이 중요하다. 그라비아 옵셋 인쇄법의 경우에는 조성물이 갖는 점성, 건조성, 점착성 요건이 중요한 영향을 미치며, 스크린 인쇄법의 경우에는 조성물의 레올로지 특성 또는 요변성(thixotrophy)이 중요한 영향을 미친다.Methods for printing a composition for forming a solar cell electrode on a substrate can be roughly classified into a gravure offset printing method and a screen printing method. In particular, it is important to use a composition for forming an electrode capable of printing with fine line width and having a high aspect ratio when the composition for electrode formation is printed on a substrate. In the case of the gravure offset printing method, the viscosity, dryness and tackiness requirements of the composition have an important influence, and in the case of the screen printing method, the rheological property or thixotrophy of the composition has an important influence.
한국특허공개 제2011-0040713호의 경우, 좁은 선폭 및 높은 종횡비(aspect ratio)를 구현하기 위하여 가소제로 조성물의 레벨링성 및 틱소성을 조절하였다. 한국특허공개 제2010-0069950호의 경우, 높은 종횡비를 구현하기 위해 이층 전극으로 유리전이온도(Tg)가 높은 바인더를 사용한 그라비아 오프셋 인쇄 방법을 사용하였다. 한국특허공개 제 2007-0055489 호는 은(Ag)분말의 입경으로 틱소성(TI)을 제어하여 이를 해결하려 하였으나, 미세선폭과 고 종횡비를 갖는 인쇄 패턴을 구현하기에는 여전히 한계가 있다.In Korean Patent Publication No. 2011-0040713, the leveling property and the tin-plasticity of the composition were controlled with a plasticizer in order to realize a narrow line width and a high aspect ratio. In Korean Patent Application No. 2010-0069950, a gravure offset printing method using a binder having a high glass transition temperature (Tg) as a two-layer electrode was used to realize a high aspect ratio. Korean Patent Laid-Open No. 2007-0055489 attempts to solve this problem by controlling the tin-plasticity (TI) with the particle size of silver (Ag) powder, but there is still a limit to realize a print pattern having a fine line width and a high aspect ratio.
본 발명의 목적은 인쇄시 미세 선폭을 구현할 수 있는 태양전지 전극 형성용 조성물을 제공하기 위함이다.An object of the present invention is to provide a composition for forming a solar cell electrode capable of realizing a fine line width upon printing.
본 발명의 다른 목적은 변환효율이 우수한 태양전지 전극 형성용 조성물을 제공하기 위함이다.Another object of the present invention is to provide a composition for forming a solar cell electrode having an excellent conversion efficiency.
본 발명의 또 다른 목적은 상기 태양전지 전극 형성용 조성물을 포함하는 태양전지 전극을 제공하기 위함이다.Another object of the present invention is to provide a solar cell electrode comprising the composition for forming the solar cell electrode.
본 발명의 상기 목적들은 하기 설명되는 본 발명에 의하여 모두 달성될 수 있다.The above objects of the present invention can be achieved by the present invention described below.
본 발명의 일 관점은 전도성 분말, 유리 프릿 및 유기 비히클을 포함하는 조성물로써, 상기 조성물은 하기 식 1로 표시되는 점착성(tackiness)이 60% 내지 90%인 태양전지 전극 형성용 조성물에 관한 것이다:One aspect of the present invention relates to a composition comprising a conductive powder, glass frit and an organic vehicle, wherein the composition has a tackiness of 60% to 90% represented by the following formula 1:
[식 1][Formula 1]
상기 식 1에서, A는 태양전지 전극 형성용 조성물을 매개로 한 쌍의 25 mm 평행 플레이트(25 mm parallel plate)를 합지시킨 후 탈착시 요구되는 최소 전단응력(minimum shear stress)이며, B는 탈착시 전단응력의 기울기값이 5% 이하를 만족하는 변곡점 상 전단응력(shear stress)이다.In the above formula 1, A is the minimum shear stress required for desorption after laminating a pair of 25 mm parallel plates through the composition for forming a solar cell electrode, and B is desorption Shear stress is the inflection point phase shear stress at which the slope of the shear stress is 5% or less.
상기 조성물은 전도성 분말 50 중량% 내지 90 중량%, 상기 유리 프릿 1 중량% 내지 15 중량% 및 상기 유기 비히클 5 중량% 내지 40 중량%를 포함할 수 있다.The composition may comprise from 50% to 90% by weight of the conductive powder, from 1% to 15% by weight of the glass frit and from 5% to 40% by weight of the organic vehicle.
상기 조성물은 표면장력이 40 mN/m 내지 65 mN/m인 표면장력 조절제를 더 포함할 수 있다.The composition may further comprise a surface tension modifier having a surface tension of 40 mN / m to 65 mN / m.
상기 표면장력 조절제는 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 트리에틸렌글리콜, 테트라에틸렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜, 1,3-프로판디올, 1,4-부탄디올, 1,5-펜탄디올, 프로필렌카보네이트, 포름아미드, 글리세롤, 및 푸르푸랄로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 화합물을 포함할 수 있다.The surface tension regulator may be selected from the group consisting of ethylene glycol, diethylene glycol, triethylene glycol, tetraethylene glycol, polyethylene glycol, 1,3-propanediol, 1,4-butanediol, 1,5-pentanediol, propylenecarbonate, , And furfural. ≪ / RTI >
상기 조성물은 상기 표면장력 조절제를 전극형성용 조성물 중 0.1 중량% 내지 40 중량%를 포함할 수 있다.The composition may contain 0.1 wt% to 40 wt% of the surface tension adjusting agent in the electrode forming composition.
상기 전도성 분말은 은(Ag), 금(Au), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 구리(Cu), 크롬(Cr), 코발트(Co), 알루미늄(Al), 주석(Sn), 납(Pb), 아연(Zn), 철(Fe), 이리듐(Ir), 오스뮴(Os), 로듐(Rh), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 니켈(Nickel) 및 ITO(인듐틴옥사이드)로 이루어지는 군에서 선택된 하나 이상의 금속분말을 포함할 수 있다.The conductive powder may be at least one selected from the group consisting of Ag, Au, Pd, Pt, Cu, Cr, Co, Al, Sn, (Pb), Zn, Fe, Ir, Os, Rh, W, Mo, Nickel and ITO (indium tin oxide) Based on the total weight of the metal powder.
상기 유리 프릿은 유연 유리 프릿, 무연 유리 프릿 또는 이들의 혼합물을 포함할 수 있다.The glass frit may comprise a flexible glass frit, a lead-free glass frit, or a mixture thereof.
상기 유리 프릿은 평균입경(D50)이 0.1㎛ 내지 5㎛일 수 있다.The glass frit may have an average particle diameter (D50) of 0.1 to 5 mu m.
상기 조성물은 분산제, 가소제, 점도 안정화제, 소포제, 안료, 자외선 안정제, 산화방지제 및 커플링제로 이루어진 군으로부터 선택되는 첨가제를 1종 이상 더 포함할 수 있다.The composition may further comprise at least one additive selected from the group consisting of a dispersant, a plasticizer, a viscosity stabilizer, a defoamer, a pigment, a UV stabilizer, an antioxidant and a coupling agent.
상기 조성물은 상기 식 1로 표시되는 점착성(tackiness)이 65% 내지 90%일 수 있다.The composition may have a tackiness of 65% to 90% as represented by the formula (1).
본 발명의 다른 관점은 상기 태양전지 전극 형성용 조성물로 제조된 태양전지 전극에 관한 것이다.Another aspect of the present invention relates to a solar cell electrode made of the composition for forming a solar cell electrode.
본 발명의 태양전지 전극 형성용 조성물은 미세 선폭의 인쇄 패턴을 구현할 수 있으며, 변환효율이 우수하다.The composition for forming a solar cell electrode of the present invention can realize a fine line width print pattern and has excellent conversion efficiency.
도 1은 점착성 측정시 플레이트의 간격에 따른 전단응력값을 나타낸 그래프이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지의 구조를 개략적으로 나타낸 개념도이다.FIG. 1 is a graph showing shear stress values according to spacing of plates during stickiness measurement.
2 is a conceptual diagram schematically showing the structure of a solar cell according to an embodiment of the present invention.
태양전지 전극 형성용 조성물Composition for forming solar cell electrode
본 발명의 태양전지 전극 형성용 조성물은 하기 식 1로 표시되는 점착성(tackiness)이 60% 내지 90%, 구체적으로는 65% 내지 90%일 수 있다:The composition for forming a solar cell electrode of the present invention may have a tackiness represented by the following formula 1: 60% to 90%, specifically, 65% to 90%
[식 1][Formula 1]
상기 식 1의 A와 B는 태양전지 전극 형성용 조성물을 매개로 한 쌍의 25 mm 평행 플레이트(25 mm parallel plate)를 합지시킨 후 탈착시 요구되는 최소 전단응력(minimum shear stress)을 의미하며, B는 탈착시 전단응력의 기울기값이 5% 이하를 만족하는 변곡점 상 전단응력(shear stress)을 의미한다.A and B in the above formula 1 means a minimum shear stress required for desorption after laminating a pair of 25 mm parallel plates through a composition for forming a solar cell electrode, B means the inflection point phase shear stress at which the slope value of the shear stress at the time of desorption satisfies 5% or less.
도 1은 점착성 측정시 플레이트의 이격거리(Gap)에 따른 전단응력(shear stress)값을 나타낸 그래프이다. 도 1을 참고하면, x축은 태양전지 전극 형성용 조성물을 매개로 한 쌍의 25 mm 평행 플레이트(25 mm parallel plate)를 합지시킨 후, 탈착시킬 때 상기 플레이트 사이의 이격거리(Gap)을 의미한다. 따라서, 합지된 후 탈착을 위하여 외력을 가하기 전 이격거리는 0mm이다. y축은 이격거리(Gap)에 따른 전단응력(shear stress)값을 의미한다. 상기 점착성 측정시 사용되는 플레이트는 지름이 25 mm, 두께 2 mm인 스테인레스 스틸이며, 상기 플레이트 사이에 공급되는 태양전지 전극 형성용 조성물의 함량은 20 g이다. 또한 Soak time은 10초, Duration time은 20초, Constant linear rate는 1.0 mm/s, Maximum gap change는 100 mm이다.FIG. 1 is a graph showing shear stress values according to a gap of a plate during stickiness measurement. Referring to FIG. 1, the x-axis represents a gap (gap) between the plates when a pair of 25 mm parallel plates are laminated via a composition for forming a solar cell electrode and then desorbed . Therefore, the separation distance before applying an external force for desorption after being lapped is 0 mm. and the y-axis represents the shear stress value according to the gap (gap). The plate used for the tackiness measurement is stainless steel having a diameter of 25 mm and a thickness of 2 mm, and the content of the composition for forming a solar cell electrode supplied between the plates is 20 g. Soak time is 10 seconds, Duration time is 20 seconds, Constant linear rate is 1.0 mm / s, and Maximum gap change is 100 mm.
상기 점착성은 온도 25 ℃, 습도 20% 조건에서 25 mm 평행 플레이트(25 mm parallel plate)를 이용하여 전단응력을 측정하였다. The shear stress was measured using a 25 mm parallel plate at a temperature of 25 ° C and a humidity of 20%.
도 1의 그래프상 합지된 플레이트의 탈착을 위하여는 A 포인트(minimum point)에서 요구되는 전단응력 이상의 외력이 가해져야 한다. 또한, B 포인트는 변곡점(stable point)으로서 이격거리에 따른 전단응력의 변화율인 d(전단응력)/dt(이격거리)가 5% 이하를 만족하는 이격거리 상에서의 전단응력 값을 의미한다.In the graph of Fig. 1, for the detachment of the laminated plate, an external force not less than the shear stress required at the minimum point should be applied. The B point is a stable point, which means a shear stress value on a separation distance satisfying d (shear stress) / dt (spacing distance), which is a rate of change of shear stress with a spacing distance, of 5% or less.
상기 점착성 범위에서 미세 패턴의 인쇄가 가능하고 우수한 변환효율을 나타낼 수 있다. 점착성이 60% 이하인 경우에는 인쇄시 인쇄 마스크위의 퍼짐성(flooding)을 저하시킬 수 있으며, 점착성이 90%를 초과하는 경우에는 인쇄성의 저하로 인하여 라인 끊김 현상이 발생할 수 있다.It is possible to print a fine pattern in the tackiness range and exhibit excellent conversion efficiency. When the tackiness is less than 60%, the flooding on the printing mask may be reduced. When the tackiness exceeds 90%, the line breakage may occur due to the deterioration of the printing property.
본 발명의 태양전지 전극 형성용 조성물로 기판 상에 인쇄시, 특히 스크린 인쇄법으로 인쇄하는 경우, 인쇄된 패턴의 선 폭은 65 내지 90㎛이고, 선 두께는 15 ㎛내지 25 ㎛일 수 있다. 또한, 인쇄된 패턴의 선 두께 대 선 폭의 비율인 종횡비(선 두께/선 폭)는 0.15 이상, 바람직하게는 0.15 내지 0.50, 보다 바람직하게는 0.20 내지 0.40일 수 있다. 상기 종횡비의 범위에서 우수한 인쇄성을 가질 수 있다.When printing on a substrate with a composition for forming a solar cell electrode of the present invention, particularly printing by screen printing, the line width of the printed pattern may be 65 to 90 탆 and the line thickness may be 15 탆 to 25 탆. In addition, the aspect ratio (line thickness / line width) as a ratio of line width to line width of the printed pattern may be 0.15 or more, preferably 0.15 to 0.50, more preferably 0.20 to 0.40. And excellent printability can be obtained in the range of the aspect ratio.
본 발명의 태양전지 전극 형성용 조성물은 전도성 분말(A), 유리 프릿(B) 및 유기 비히클(C)을 포함한다. 또한, 선택적으로 표면장력 조절제(D)를 더 포함할 수 있다. 상기 조성물은 스크린 인쇄법으로 웨이퍼 기판상에 인쇄 시 미세선폭의 구현이 가능하고, 상기 조성물로 제조된 태양전지 전극은 변환효율이 우수하다. 이하, 태양전지 전극 형성용 조성물을 구성하는 각 성분에 대하여 상세하게 설명하기로 한다. The composition for forming a solar cell electrode of the present invention includes a conductive powder (A), a glass frit (B), and an organic vehicle (C). Further, it may further comprise a surface tension modifier (D). The composition can realize a fine line width when printed on a wafer substrate by a screen printing method, and the solar cell electrode made of the composition has excellent conversion efficiency. Hereinafter, each component constituting the composition for forming a solar cell electrode will be described in detail.
(A) 전도성 분말(A) Conductive powder
본 발명에서 사용되는 전도성 분말은 전도성을 가지는 유기물 또는 무기물이 모두 사용될 수 있다. 바람직하게는 은(Ag), 금(Au), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 구리(Cu), 크롬(Cr), 코발트(Co), 알루미늄(Al), 주석(Sn), 납(Pb), 아연(Zn), 철(Fe), 이리듐(Ir), 오스뮴(Os), 로듐(Rh), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 니켈(Nickel) 또는 ITO(인듐틴옥사이드)가 사용될 수 있다. 이러한 전도성 분말은 1종 또는 그 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. 바람직하게는 상기 전도성 분말은 은(Ag) 입자를 포함하며, 은 입자 외에 니켈(Ni), 코발트(Co), 철(Fe), 아연(Zn) 또는 구리(Cu) 입자들이 더 첨가될 수 있다. The conductive powder used in the present invention may be an organic material or an inorganic material having conductivity. Preferably, at least one selected from the group consisting of Ag, Au, Pd, Pt, Cu, Cr, Co, Al, Sn, Pb, Zn, Fe, Ir, Os, Rh, W, Mo, Nickel or ITO (indium tin oxide) Can be used. These conductive powders may be used either singly or as a mixture of two or more thereof. Preferably, the conductive powder includes silver (Ag) particles. In addition to the silver particles, nickel (Ni), cobalt (Co), iron (Fe), zinc (Zn) .
상기 전도성 분말은 평균입경(D50)이 0.1 내지 10㎛의 평균 입경을 가지는 것을 사용될 수 있다. 바람직하게는 0.2 내지 7㎛, 더욱 바람직하게는 0.5 내지 5㎛이다. The conductive powder may have an average particle diameter (D50) of 0.1 to 10 mu m. Preferably 0.2 to 7 mu m, and more preferably 0.5 to 5 mu m.
상기 전도성 분말은 조성물 전체 중량 대비 50 내지 90 중량%로 포함될 수 있으며, 바람직하게는 70 내지 90 중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 저항의 증가로 변환 효율이 낮아지는 것을 막을 수 있고, 유기 비히클 양의 상대적인 감소로 페이스트화가 어려워지는 것을 막을 수 있으며, 적절한 분산성, 유동성 및 인쇄성을 가질 수 있다. The conductive powder may be contained in an amount of 50 to 90% by weight, and preferably 70 to 90% by weight based on the total weight of the composition. Within this range, it is possible to prevent the conversion efficiency from being lowered by increasing the resistance, to prevent the paste from becoming difficult due to the relative reduction in the amount of the organic vehicle, and to have proper dispersibility, fluidity and printability.
(B) 유리 프릿(B) glass frit
유리 프릿(glass frit)은 전극 페이스트의 소성 공정 중 반사 방지막을 에칭(etching)하고, 은 입자를 용융시켜 저항이 낮아질 수 있도록 에미터 영역에 은 결정 입자를 생성시키고, 전도성 분말과 웨이퍼 사이의 접착력을 향상시키고 소결시에 연화하여 소성 온도를 보다 낮추는 효과를 유도한다.The glass frit is formed by etching the antireflection film during the firing process of the electrode paste, melting the silver particles to produce silver grains in the emitter region so that the resistance can be lowered, and the adhesion between the conductive powder and the wafer And softening at sintering to lower the firing temperature.
태양전지의 효율을 증가시키기 위하여 태양전지의 면적을 증가시키면 태양전지의 접촉저항이 높아질 수 있으므로 pn 접합(pn junction)에 대한 피해를 최소화함과 동시에 직렬저항을 최소화시켜야 한다. 또한, 다양한 면저항의 웨이퍼의 증가에 따라 소성 온도가 변동폭이 커지므로 넓은 소성 온도에서도 열안정성을 충분히 확보될 수 있는 유리 프릿을 사용하는 것이 바람직하다. Increasing the area of the solar cell in order to increase the efficiency of the solar cell may increase the contact resistance of the solar cell. Therefore, the damage to the pn junction should be minimized and the series resistance should be minimized. In addition, it is preferable to use a glass frit which can sufficiently secure thermal stability even at a wide firing temperature because the range of variation in firing temperature becomes large as wafers of various sheet resistances increase.
상기 유리 프릿은 통상적으로 태양전지 전극 형성용 조성물에 사용되는 유연 유리 프릿 또는 무연 유리 프릿 중 어느 하나 이상이 사용될 수 있다.The glass frit may be typically at least one of a flexible glass frit or a lead-free glass frit used in a composition for forming a solar cell electrode.
상기 유리 프릿은 산화납, 산화규소, 산화텔루륨, 산화비스무스, 산화아연, 산화붕소, 산화알루미늄, 산화텅스텐 등으로부터 선택된 금속 산화물을 단독으로 또는 이들 혼합물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 산화아연-산화규소계(ZnO-SiO2), 산화아연-산화붕소-산화규소계(ZnO-B2O3-SiO2), 산화아연-산화붕소-산화규소-산화알루미늄계(ZnO-B2O3-SiO2-Al2O3), 산화비스무스-산화규소계(Bi2O3-SiO2), 산화비스무스-산화붕소-산화규소계(Bi2O3-B2O3-SiO2), 산화비스무스-산화붕소-산화규소-산화알루미늄계(Bi2O3-B2O3-SiO2-Al2O3), 산화비스무스-산화아연-산화붕소-산화규소계(Bi2O3-ZnO-B2O3-SiO2), 또는 산화비스무스-산화아연-산화붕소-산화규소-산화알루미늄계(Bi2O3-ZnO-B2O3-SiO2-Al2O3) 유리 프릿 등이 이용될 수 있다.The glass frit may include a metal oxide selected from lead oxide, silicon oxide, tellurium oxide, bismuth oxide, zinc oxide, boron oxide, aluminum oxide, tungsten oxide, etc., alone or in a mixture thereof. For example, there are zinc oxide-silicon oxide (ZnO-SiO 2 ), zinc oxide-boron oxide-silicon oxide (ZnO-B 2 O 3 -SiO 2 ), zinc oxide-boron oxide- (ZnO-B 2 O 3 -SiO 2 -Al 2 O 3 ), bismuth oxide-silicon oxide system (Bi 2 O 3 -SiO 2 ), bismuth oxide-boron oxide-silicon oxide system (Bi 2 O 3 -B 2 O 3 -SiO 2 ), bismuth oxide-boron oxide-silicon oxide-aluminum oxide system (Bi 2 O 3 -B 2 O 3 -SiO 2 -Al 2 O 3 ), bismuth oxide-zinc oxide-boron oxide- (Bi 2 O 3 -ZnO-B 2 O 3 -SiO 2 ) or a bismuth oxide-zinc oxide-boron oxide-silicon oxide-aluminum oxide system (Bi 2 O 3 -ZnO-B 2 O 3 -SiO 2 - Al 2 O 3 ) glass frit and the like can be used.
유리 프릿은 통상의 방법을 사용하여 상기 기술된 금속 산화물로부터 제조할 수 있다. 예를 들면, 상기 기술된 금속산화물의 조성으로 혼합한다. 혼합은 볼 밀(ball mill) 또는 플라네터리 밀(planetary mill)을 사용하여 혼합할 수 있다. 혼합된 조성물을 900 ℃ - 1300 ℃의 조건에서 용융시키고, 25 ℃에서 ??칭(quenching)한다. 얻은 결과물을 디스크 밀(disk mill), 플라네터리 밀 등에 의해 분쇄하여 유리 프릿을 얻을 수 있다. The glass frit can be prepared from the metal oxides described above using conventional methods. For example, in the composition of the metal oxide described above. The blend can be mixed using a ball mill or a planetary mill. The mixed composition is melted at 900 ° C to 1300 ° C and quenched at 25 ° C. The resulting product is pulverized by a disk mill, a planetary mill or the like to obtain a glass frit.
상기 유리 프릿의 형상은 구형이어도 부정형상이어도 무방하다. The shape of the glass frit may be spherical or irregular.
상기 유리 프릿은 평균입경(D50)이 0.1㎛ 내지 5㎛일 수 있다.The glass frit may have an average particle diameter (D50) of 0.1 to 5 mu m.
상기 유리 프릿은 상용의 제품을 구매하여 사용하거나 원하는 조성을 얻기 위해, 예를 들어, 이산화규소(SiO2), 알루미늄산화물(Al2O3), 붕소산화물(B2O3), 비스무스산화물(Bi2O3), 나트륨산화물(Na2O), 산화아연(ZnO) 등을 선택적으로 용융하여 제조할 수도 있다.The glass frit may be made of, for example, silicon dioxide (SiO 2 ), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), boron oxide (B 2 O 3 ), bismuth oxide (Bi 2 O 3 ), sodium oxide (Na 2 O), zinc oxide (ZnO), or the like.
상기 유리 프릿은 조성물 전체 중량 대비 1 내지 15 중량%로 포함될 수 있으며, 바람직하게는 2 내지 10 중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서 적절한 분산성, 유동성 및 인쇄성을 가질 수 있다. The glass frit may be contained in an amount of 1 to 15% by weight, and preferably 2 to 10% by weight based on the total weight of the composition. And may have appropriate dispersibility, fluidity and printability in the above range.
(C) 유기 비히클(C) Organic vehicle
유기비히클은 태양전지 전극 형성용 조성물의 무기성분과 기계적 혼합을 통하여 조성물에 인쇄에 적합한 점도 및 유변학적 특성을 부여한다.The organic vehicle imparts suitable viscosity and rheological properties to the composition through mechanical mixing with inorganic components of the composition for forming solar cell electrodes.
상기 유기 비히클은 통상적으로 태양전지 전극 형성용 조성물에 사용되는 유기 비히클이 사용될 수 있고, 통상의 바인더 수지와 용매 등을 포함할 수 있다.The organic vehicle may be an organic vehicle ordinarily used in a composition for forming a solar cell electrode, and may include a common binder resin, a solvent, and the like.
상기 바인더 수지로는 아크릴레이트계 또는 셀룰로오스계 수지 등을 사용할 수 있으며 에틸 셀룰로오스가 일반적으로 사용되는 수지이다. 그러나, 에틸 하이드록시에틸 셀룰로오스, 니트로 셀룰로오스, 에틸 셀룰로오스와 페놀 수지의 혼합물, 알키드 수지, 페놀계 수지, 아크릴산 에스테르계 수지, 크실렌계 수지, 폴리부텐계 수지, 폴리에스테르계 수지, 요소계 수지, 멜라민계 수지, 초산비닐계 수지, 목재 로진(rosin) 또는 알코올의 폴리메타크릴레이트 등을 사용할 수도 있다.As the binder resin, an acrylate-based or cellulose-based resin can be used, and ethylcellulose is generally used. However, it is preferable to use a mixture of ethylhydroxyethylcellulose, nitrocellulose, a mixture of ethylcellulose and phenol resin, an alkyd resin, a phenol resin, an acrylic ester resin, a xylene resin, a polybutene resin, a polyester resin, Based resin, a wood rosin, or a polymethacrylate of an alcohol may be used.
상기 용매로는 예를 들어, 헥산, 톨루엔, 에틸셀로솔브, 시클로헥사논, 부틸센로솔브, 부틸 카비톨(디에틸렌글리콜모노부틸 에테르), 디부틸카비톨(디에틸렌글리콜디부틸 에테르), 부틸 카비톨 아세테이트(디에틸렌글리콜모노부틸 에테르 아세테이트), 프로필렌글리콜모노메틸 에테르, 헥실렌글리콜, 터핀올(Terpineol), 메틸에틸케톤, 벤질알콜, 감마부티로락톤 또는 에틸락테이트 등을 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다. Examples of the solvent include hexane, toluene, ethyl cellosolve, cyclohexanone, butyl cellosolve, butyl carbitol (diethylene glycol monobutyl ether), dibutyl carbitol (diethylene glycol dibutyl ether) , Butyl carbitol acetate (diethylene glycol monobutyl ether acetate), propylene glycol monomethyl ether, hexylene glycol, terpineol, methyl ethyl ketone, benzyl alcohol, gamma butyrolactone or ethyl lactate, Two or more of them may be used in combination.
상기 유기 비히클은 태양전지 전극 형성용 조성물 전체 중량 대비 5 내지 40 중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서 충분한 접착강도와 우수한 인쇄성을 확보할 수 있다. The organic vehicle may be included in an amount of 5 to 40% by weight based on the total weight of the composition for forming a solar cell electrode. Within this range, sufficient adhesive strength and excellent printability can be ensured.
(D) 표면장력 조절제(D) Surface tension adjuster
본 발명의 조성물은 표면장력 조절제(surface tension modifier)를 더 포함할 수 있다. 본 발명에서 상기 표면장력 조절제는 표면장력이 40 mN/m 이상, 예를 들면 40 내지 65 mN/m인 공용매(co-solvent)를 의미한다.The composition of the present invention may further comprise a surface tension modifier. In the present invention, the surface tension modifier means a co-solvent having a surface tension of 40 mN / m or more, for example, 40 to 65 mN / m.
일 예로서, 상기 표면장력 조절제는 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 트리에틸렌글리콜, 테트라에틸렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜, 1,3-프로판디올, 1,4-부탄디올, 1,5-펜탄디올, 프로필렌카보네이트, 포름아미드, 글리세롤, 및 푸르푸랄로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 화합물을 포함할 수 있다.For example, the surface tension regulator may be at least one selected from the group consisting of ethylene glycol, diethylene glycol, triethylene glycol, tetraethylene glycol, polyethylene glycol, 1,3-propanediol, 1,4-butanediol, At least one compound selected from the group consisting of formamide, glycerol, and furfural.
상기 표면장력 조절제는 태양전지 전극 형성용 조성물 전체 중량 대비 0.1내지 40 중량%, 바람직하게는 0.1 내지 25 중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서 적절한 유동성 및 인쇄성을 가질 수 있다. The surface tension adjusting agent may be contained in an amount of 0.1 to 40% by weight, preferably 0.1 to 25% by weight based on the total weight of the composition for forming a solar cell electrode. And can have appropriate fluidity and printability in the above range.
(E) 기타 첨가제(E) Other additives
본 발명의 태양전지 전극 형성용 조성물은 상기에서 기술한 구성 요소 외에 유동 특성, 공정 특성 및 안정성을 향상시키기 위하여 필요에 따라 통상의 첨가제를 더 포함할 수 있다. 상기 첨가제는 분산제, 가소제, 점도 안정화제, 소포제, 안료, 자외선 안정제, 산화방지제, 커플링제 등을 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다. 이들은 태양전지 전극 형성용 조성물 전체 중량 대비 0.1 내지 5 중량%로 포함될 수 있지만 필요에 따라 함량을 변경할 수 있다.The composition for forming a solar cell electrode of the present invention may further include conventional additives as needed in order to improve flow characteristics, process characteristics, and stability in addition to the above-described components. The additive may be used alone or as a mixture of two or more of a dispersing agent, a plasticizer, a viscosity stabilizer, a defoaming agent, a pigment, an ultraviolet stabilizer, an antioxidant and a coupling agent. These may be contained in an amount of 0.1 to 5% by weight based on the total weight of the composition for forming a solar cell electrode, but the content can be changed as necessary.
태양전지 전극 및 이를 포함하는 태양전지Solar cell electrode and solar cell comprising same
본 발명의 다른 관점은 상기 태양전지 전극 형성용 조성물로부터 형성된 전극 및 이를 포함하는 태양전지에 관한 것이다. 도 2는 본 발명의 일 구체예에 따른 태양전지의 구조를 나타낸 것이다.Another aspect of the present invention relates to an electrode formed from the composition for forming a solar cell electrode and a solar cell including the same. 2 illustrates a structure of a solar cell according to an embodiment of the present invention.
도 2를 참조하면, p층(또는 n층)(101) 및 에미터로서의 n층(또는 p층)(102)을 포함하는 웨이퍼(100) 또는 기판 상에, 전극 형성용 조성물을 인쇄하고 소성하여 후면 전극(210) 및 전면 전극(230)을 형성할 수 있다. 예컨대, 전극 형성용 조성물을 웨이퍼의 후면에 인쇄 도포한 후, 대략 200 ℃ 내지 400 ℃ 온도로 대략 10 내지 60초 정도 건조하여 후면 전극을 위한 사전 준비 단계를 수행할 수 있다. 또한, 웨이퍼의 전면에 전극 형성용조성물을 인쇄한 후 건조하여 전면 전극을 위한 사전 준비단계를 수행할 수 있다. 이후에, 400 ℃ 내지 950 ℃, 바람직하게는 750 ℃ 내지 950 ℃에서 약 30초 내지 50초 소성하는 소성 과정을 수행하여 전면 전극 및 후면 전극을 형성할 수 있다. 2, a composition for electrode formation is printed on a
이하, 실시예를 통하여 본 발명을 보다 구체적으로 설명하고자 하나, 이러한 실시예들은 단지 설명의 목적을 위한 것으로, 본 발명을 제한하는 것으로 해석되어서는 안 된다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail by way of examples, but these examples are for illustrative purposes only and should not be construed as limiting the present invention.
실시예Example
실시예 1 - 6 및 비교예 1Examples 1-6 and Comparative Example 1
실시예 1Example 1
유기 바인더로서 에틸셀룰로오스(Dow chemical company, STD4, SDT200) 1.5중량%를 용매인 부틸카비톨(Dow Chem.社) 6.2 중량%에 60 ℃에서 충분히 용해하여 유기 비히클을 제조 하고, 유기 비히클에 평균입경이 2.0㎛인 구형의 은 분말(Dowa Hightech CO. LTD, AG-4-8) 85 중량%, 평균 입경이 1.0 ㎛인 유리 프릿((주)파티클로지, CI-124) 3 중량%, 표면장력 조절제로서 테트라에틸렌글리콜(Tetraethylene glycol)(시그마 알드리치社) 0.3 중량%과 포름아마이드(Formamide, 시그마 알드리치社) 0.6 중량%, 첨가제로서 분산제(BYK102, BYK-chemie) 0.2 중량%, 요변제(Thixatrol ST, Elementis co.)을 0.3 중량% 및 가소제디메틸아디페이트(시그마 알드리치社) 2.9 중량%를 투입하여 골고루 믹싱 후 3롤 혼련기로 혼합 분산시켜 태양전지 전극 형성용 조성물을 제조하였다.An organic vehicle was prepared by dissolving 1.5 wt% of ethyl cellulose (Dow chemical company, STD4, SDT200) as an organic binder in 6.2 wt% of butyl carbitol (Dow Chem.) As a solvent at 60 ° C to prepare an organic vehicle. , 3 wt% of glass frit (particle size: CI-124, manufactured by Dowa Hightech Co., LTD, AG-4-8) having an average particle diameter of 1.0 탆, spherical silver powder 0.3% by weight of tetraethylene glycol (Sigma Aldrich), 0.6% by weight of formamide (Sigma Aldrich) as a modifier, 0.2% by weight of dispersant (BYK102, BYK-chemie) as an additive, Thixatrol ST , Elementis co.) And 2.9% by weight of a plasticizer dimethyladipate (Sigma Aldrich) were mixed and mixed and dispersed with a three roll kneader to prepare a composition for forming a solar cell electrode.
상기 태양전지 전극 형성용 조성물을 웨이퍼(Wafer) 전면에 일정한 패턴으로 스크린 프린팅하여 인쇄하였다. 하기 물성 측정 방법에 의거하여 각 물성을 측정한 후 하기 표 1에 나타내었다.The composition for forming the solar cell electrode was screen-printed on the entire surface of the wafer in a predetermined pattern and printed. The physical properties are measured based on the following physical property measuring methods, and are shown in Table 1 below.
실시예 2 - 6 및 비교예 1Examples 2-6 and Comparative Example 1
하기 표1의 조성으로 각 성분이 포함된 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 같은 방법으로 태양전지 전극 형성용 조성물을 제조한 후 스크린 프린팅으로 패턴을 인쇄하였다.A composition for forming a solar cell electrode was prepared in the same manner as in Example 1 except that each component was contained in the composition shown in the following Table 1, and then a pattern was printed by screen printing.
물성 측정 방법How to measure property
o 점착성(Tackiness)의 측정:o Measurement of Tackiness:
온도 25 ℃, 습도 20% 조건에서 25 mm 평행 플레이트(25 mm parallel plate, 지름 25 mm, 두께 2 mm인 스테인레스 스틸) 한 쌍을 태양전지 전극 형성용 조성물 20 g을 매개로 합지시킨 후 외력을 가하여 탈착 시 전단응력을 측정한 후 하기 식 1에 대입하여 점착성을 측정하였으며, 그 결과를 표 1에 나타내었다.A 25 mm parallel plate (25 mm parallel plate, 25 mm in diameter and 2 mm thick stainless steel) was laminated through 20 g of a composition for forming a solar cell electrode under the conditions of a temperature of 25 ° C and a humidity of 20% The shear stress was measured at the time of desorption, and then the adhesion was measured by substituting the shear stress into the following formula 1, and the results are shown in Table 1. [
[식 1][Formula 1]
상기 식 1의 A와 B는 태양전지 전극 형성용 조성물을 매개로 한 쌍의 25 mm 평행 플레이트(25 mm parallel plate)를 합지시킨 후 탈착시 요구되는 최소 전단응력(minimum shear stress)을 의미하며, B는 탈착시 전단응력의 기울기값이 5% 이하를 만족하는 변곡점 상 전단응력(shear stress)을 의미한다.A and B in the above formula 1 means a minimum shear stress required for desorption after laminating a pair of 25 mm parallel plates through a composition for forming a solar cell electrode, B means the inflection point phase shear stress at which the slope value of the shear stress at the time of desorption satisfies 5% or less.
o 단락전류 및 변환효율 측정: Measurement of short-circuit current and conversion efficiency:
상기 실시예 및 비교예에서 준비된 태양전지 전극 형성용 조성물을 결정계모노웨이퍼(Wafer) 전면에 일정한 패턴으로 스크린 프린팅 하여 인쇄하고, 적외선 건조로를 사용하여 건조시켰다. 상기 과정으로 형성된 Cell을 벨트형소성로를 사용하여 600 ℃ 내지 900 ℃ 사이로 60초에서 210초간 소성을 행하였으며, 이렇게 제조 완료된 Cell은 태양전지효율 측정장비 (Pasan社, CT-801)를 사용하여 태양전지의 단락전류(Isc) 및 변환효율(%)을 측정하였으며, 그 결과를 표 1에 나타내었다. The composition for forming a solar cell electrode prepared in the above Examples and Comparative Examples was screen-printed on the entire surface of a crystal mono wafer in a predetermined pattern and printed using an infrared drying furnace. The cells thus formed were sintered at a temperature of 600 ° C. to 900 ° C. for 60 seconds to 210 seconds using a belt-type sintering furnace. The cells thus manufactured were subjected to a solar cell efficiency measurement (Pasan Co., CT-801) Short circuit current (Isc) and conversion efficiency (%) of the battery were measured, and the results are shown in Table 1.
o 선 폭 및 두께 측정: o Line width and thickness measurement:
태양전지 전극 형성용 조성물을 제조하여 30 ㎛ 내지 50 ㎛의 선 폭으로 설계된 스크린 마스크를 사용하여 웨이퍼(Wafer) 전면에 일정한 패턴으로 스크린 프린팅 하여 인쇄하였다. 인쇄한 웨이퍼를 건조, 소성한 후 제조된 전극(finger bar)의 선 폭 및 두께를 VK 장비(KEYENCE社 VK9710)를 이용하여 측정하였으며, 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.A composition for forming a solar cell electrode was prepared and screen-printed on a wafer in a predetermined pattern by using a screen mask designed with a line width of 30 μm to 50 μm. The line width and thickness of a finger bar manufactured after drying and firing the printed wafer were measured using a VK equipment (KEYENCE VK9710). The results are shown in Table 1 below.
[단위: 중량%][Unit:% by weight]
상기 표 1의 결과값을 참고하면, 상기 식 1을 만족하는 실시예 1 내지 6의 태양전지 전극 형성용 조성물은 미세패턴 인쇄성이 우수하고, 이로부터 제조된 태양전지 전극은 변환효율이 우수한 것을 알 수 있다.Referring to the results shown in Table 1, the compositions for forming solar cell electrodes of Examples 1 to 6 satisfying Formula 1 are excellent in fine pattern printability and the solar cell electrodes produced therefrom have excellent conversion efficiency Able to know.
본 발명의 단순한 변형 내지 변경은 이 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의하여 용이하게 실시될 수 있으며, 이러한 변형이나 변경은 모두 본 발명의 영역에 포함되는 것으로 볼 수 있다.It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims.
Claims (9)
유리 프릿;
유기 비히클; 및
표면장력이 40 mN/m 내지 65 mN/m인 표면장력 조절제;를 포함하는 조성물이고,
상기 표면장력 조절제는 전극형성용 조성물 중 0.1 중량% 내지 40 중량%로 포함되며,
상기 조성물은 하기 식 1로 표시되는 점착성(tackiness)이 60% 내지 90%인 태양전지 전극 형성용 조성물:
[식 1]
상기 식 1에서, A는 태양전지 전극 형성용 조성물을 매개로 한 쌍의 25 mm 평행 플레이트(25 mm parallel plate)를 합지시킨 후 탈착시 요구되는 최소 전단응력(minimum shear stress)이며, B는 탈착시 전단응력의 기울기값이 5% 이하를 만족하는 변곡점 상 전단응력(shear stress)이다.
Conductive powder;
Glass frit;
Organic vehicle; And
And a surface tension regulator having a surface tension of 40 mN / m to 65 mN / m,
The surface tension adjusting agent is contained in an amount of 0.1 to 40% by weight in the composition for electrode formation,
Wherein the composition has a tackiness of 60% to 90% represented by the following formula 1:
[Formula 1]
In the above formula 1, A is the minimum shear stress required for desorption after laminating a pair of 25 mm parallel plates through the composition for forming a solar cell electrode, and B is desorption Shear stress is the inflection point phase shear stress at which the slope of the shear stress is less than 5%.
전도성 분말 50 중량% 내지 90 중량%;
상기 유리 프릿 1 중량% 내지 15 중량%; 및
상기 유기 비히클 5 중량% 내지 40 중량%;
를 포함하는 태양전지 전극 형성용 조성물.
The composition of claim 1, wherein the composition comprises
50% to 90% by weight of conductive powder;
1% to 15% by weight of said glass frit; And
5% to 40% by weight of said organic vehicle;
Wherein the composition for forming a solar cell electrode is a composition for forming a solar cell electrode.
상기 표면장력 조절제는 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 트리에틸렌글리콜, 테트라에틸렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜, 1,3-프로판디올, 1,4-부탄디올, 1,5-펜탄디올, 프로필렌카보네이트, 포름아미드, 글리세롤, 및 푸르푸랄로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 화합물을 포함하는 것인 태양전지 전극 형성용 조성물.
The method according to claim 1,
The surface tension regulator may be selected from the group consisting of ethylene glycol, diethylene glycol, triethylene glycol, tetraethylene glycol, polyethylene glycol, 1,3-propanediol, 1,4-butanediol, 1,5-pentanediol, propylenecarbonate, , And furfural. ≪ Desc / Clms Page number 24 >
상기 전도성 분말은 은(Ag), 금(Au), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 구리(Cu), 크롬(Cr), 코발트(Co), 알루미늄(Al), 주석(Sn), 납(Pb), 아연(Zn), 철(Fe), 이리듐(Ir), 오스뮴(Os), 로듐(Rh), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 니켈(Nickel) 및 ITO(인듐틴옥사이드)로 이루어지는 군에서 선택된 하나 이상의 금속분말을 포함하는 태양전지 전극 형성용 조성물.
The method according to claim 1,
The conductive powder may be at least one selected from the group consisting of Ag, Au, Pd, Pt, Cu, Cr, Co, Al, Sn, (Pb), Zn, Fe, Ir, Os, Rh, W, Mo, Nickel and ITO (indium tin oxide) And at least one metal powder selected from the group consisting of a metal powder and a metal powder.
상기 유리 프릿은 유연 유리 프릿, 무연 유리 프릿 또는 이들의 혼합물을 포함하는 태양전지 전극 형성용 조성물.
The method according to claim 1,
Wherein the glass frit comprises a flexible glass frit, a lead-free glass frit, or a mixture thereof.
상기 유리 프릿은 평균입경(D50)이 0.1㎛ 내지 5㎛인 것을 특징으로 하는 태양전지 전극 형성용 조성물.
The method according to claim 1,
Wherein the glass frit has an average particle diameter (D50) of 0.1 占 퐉 to 5 占 퐉.
상기 조성물은 분산제, 가소제, 점도 안정화제, 소포제, 안료, 자외선 안정제, 산화방지제 및 커플링제로 이루어진 군으로부터 선택되는 첨가제를 1종 이상 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 전극 형성용 조성물.
The method according to claim 1,
Wherein the composition further comprises at least one additive selected from the group consisting of a dispersant, a plasticizer, a viscosity stabilizer, a defoamer, a pigment, a UV stabilizer, an antioxidant and a coupling agent.
상기 식 1로 표시되는 점착성(tackiness)이 65% 내지 90%인 태양전지 전극 형성용 조성물.
The method according to claim 1,
Wherein the tackiness represented by the formula (1) is 65% to 90%.
9. A solar cell electrode made of the composition for forming a solar cell electrode according to any one of claims 1 to 8.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020180005276A KR102269870B1 (en) | 2015-04-22 | 2018-01-15 | Composition for forming solar cell and electrode prepared using the same |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020150056794A KR20160126169A (en) | 2015-04-22 | 2015-04-22 | Composition for forming solar cell and electrode prepared using the same |
KR1020180005276A KR102269870B1 (en) | 2015-04-22 | 2018-01-15 | Composition for forming solar cell and electrode prepared using the same |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020150056794A Division KR20160126169A (en) | 2015-04-22 | 2015-04-22 | Composition for forming solar cell and electrode prepared using the same |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20180008851A true KR20180008851A (en) | 2018-01-24 |
KR102269870B1 KR102269870B1 (en) | 2021-06-30 |
Family
ID=61029563
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020180005276A KR102269870B1 (en) | 2015-04-22 | 2018-01-15 | Composition for forming solar cell and electrode prepared using the same |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102269870B1 (en) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20090110739A (en) * | 2008-04-18 | 2009-10-22 | 계명대학교 산학협력단 | Printing paste composition for electrode of solar cell and electrode forming method using the same |
KR20100000685A (en) * | 2008-06-25 | 2010-01-06 | 에스에스씨피 주식회사 | Conductive paste composition and preparation of electrode using same |
KR20130024390A (en) * | 2011-08-31 | 2013-03-08 | 공주대학교 산학협력단 | Metal paste for electrode of solar cell |
KR20130062191A (en) * | 2011-12-02 | 2013-06-12 | 제일모직주식회사 | Paste composition for forming electrode of solar cell, electrode fabricated using the same and solar cell using the same |
-
2018
- 2018-01-15 KR KR1020180005276A patent/KR102269870B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20090110739A (en) * | 2008-04-18 | 2009-10-22 | 계명대학교 산학협력단 | Printing paste composition for electrode of solar cell and electrode forming method using the same |
KR20100000685A (en) * | 2008-06-25 | 2010-01-06 | 에스에스씨피 주식회사 | Conductive paste composition and preparation of electrode using same |
KR20130024390A (en) * | 2011-08-31 | 2013-03-08 | 공주대학교 산학협력단 | Metal paste for electrode of solar cell |
KR20130062191A (en) * | 2011-12-02 | 2013-06-12 | 제일모직주식회사 | Paste composition for forming electrode of solar cell, electrode fabricated using the same and solar cell using the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102269870B1 (en) | 2021-06-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101648253B1 (en) | Composition for forming solar cell and electrode prepared using the same | |
KR101587683B1 (en) | The composition for forming solar cell electrode comprising the same, and electrode prepared using the same | |
KR101648242B1 (en) | Composition for forming solar cell electrode and electrode prepared using the same | |
US9608137B2 (en) | Composition for solar cell electrodes and electrode fabricated using the same | |
KR101590228B1 (en) | Composition for forming solar cell electrode and electrode prepared using the same | |
KR101557536B1 (en) | Electrode paste composition and electrode prepared using the same | |
KR20140092489A (en) | Composition for forming solar cell electrode and electrode prepared using the same | |
KR101648245B1 (en) | The composition for forming solar cell electrode comprising the same, and electrode prepared using the same | |
KR101600659B1 (en) | Composition for forming solar cell electrode and electrode prepared using the same | |
US10544314B2 (en) | Composition for solar cell electrodes and electrode fabricated using the same | |
KR101980946B1 (en) | Front electrode for solar cell and solar cell comprising the same | |
TWI595511B (en) | Composition for forming solar cell electrodes and electrodes fabricated using the same | |
KR101590224B1 (en) | Composition for forming solar cell electrode and electrode prepared using the same | |
KR102406747B1 (en) | Method for forming solar cell electrode and solar cell | |
KR102269870B1 (en) | Composition for forming solar cell and electrode prepared using the same | |
KR102040302B1 (en) | Composition for forming solar cell and electrode prepared using the same | |
KR101582374B1 (en) | Composition for forming solar cell electrode and electrode prepared using the same | |
KR20210109728A (en) | Composition for forming solar cell electrode and solar cell electrode prepared using the same | |
KR20200094555A (en) | Method for forming solar cell electrode, solar cell electrode manufactured therefrom and solar cell | |
KR20200106708A (en) | Composition for forming solar cell electrode and solar cell electrode prepared using the same | |
KR20200075682A (en) | Composition for forming dsw based solar cell electrode and dsw based solar cell electrode prepared using the same | |
KR20160121474A (en) | Composition for forming solar cell and electrode prepared using the same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A107 | Divisional application of patent | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
AMND | Amendment | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
AMND | Amendment | ||
X601 | Decision of rejection after re-examination | ||
J201 | Request for trial against refusal decision | ||
J301 | Trial decision |
Free format text: TRIAL NUMBER: 2020101001753; TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20200708 Effective date: 20210316 |
|
GRNO | Decision to grant (after opposition) | ||
N231 | Notification of change of applicant | ||
GRNT | Written decision to grant |